CIRCUITI DI MEMORIA

LATCH

SE IL CLK È ALTO SI ATTIVA 1

q
1 SE IL CLM È BASSO È trasparente a D

d- o

CLK

SE volessimo RAPP. Graficamente LE

PORTE SE SOVRAPPOSTI

rido

④
I DUE ESTREMI SONO STATI STABILI 101 010

IL PUNTO CENTRALE È INSTABILE E non È USATO IN QUANTO NON È

POSSIBILE verificare verso QUALE STATO EVOLVERÀ

POSSIBILE controllare IL TUTTO

CON DUE MOSFET IN INGRESSO

CLASSIFICAZIONE MEMORIE

non volatili

pron

POTEVANO ESSERE scritte solo una volta IN fabbrica

e provi

RROGM-MMAB.lu E CANCELLABILE SUL campo

EEPROM

SONO CANCELLABILI solo tramite RADIAZIONI ULTRAVIOLETTE

FUSIBILI

SCRIVERE Bruciando PER SEMPRE I FUSIBILI

ORGANIZZAZIONE INTERNA

MEMORIA da 1mn = 1- 106 BIYTE

OGNI BIT È COMPOSTO da un LATCH QUINDI UN BTIE È 8 micron

E alto tmkrsron ,
SE DISPOSTI IN FILA A- = 8.106 UM
SE SI volesse creare un Quadrato LITE 3µm =

PER SELEZIONARE OGNI SINGOLA MEMORIA SI USA IL DEMUX

"
QUINDI CON M VARIABILI SI rappresentano N= 2

dato
(Ettore
a)

→ CHIP
PER ricevere
il dato RICHIESTO
TEMPO DI
accesso

1 IWL WORD LINE

BIT LINE BIT LINE NECAÌA

Scrivere sul 2º

BEI BI =D

1
Wiz =

V21 E WL320
OPERAZIONI DI scrittura E LETTURA DEL LATCH

DOVE LA Q È IL VALORE

CONSERVATO NELLA MEMORIA

1) WL

INDICA LA LINE DAL QUALE

VERRA presa l' INFO

PER POI ATTIVARE I transistor

IPOTIZZIAMO D= 1 a- =D

QUINDI È CONSERVATO 7

Prima DI LEGGERE I dati

si PNECARKA La BITLINE

✗ IN MODO CHE i condensatori

Mg -

no non si scaricano a

✗ TEMA
,
SI USANO I CONDENSATORI

POSTI SULLA BL

SI LEGGONO POI LE TENSIONI SU BL ERI con 12 SENSI AMPLIF .

CHE altro non È CHE un AMP

.
PIFF . CHE MISURA

LA DIFFERENZA tra LE DUE ENTRATE ;

1) SE Positiva c' Era un 1 salvato

2) SE NEGATIVA CI STAVA uno o

 scrittura

Struttura

PIPELINE

SODA DEI CALCOLI

bglatlt

L
Et
'

ACQUISIZIONE DI d- E B TRAMITE CLOCH

£
IL CUI

IMPULSO È DATO DAL caso PEGGIORE PER CALCOLARE L' INTERA

OPERAZIONE
POTENDO POSIZIONARE DEI BUFFER TRA I BLOCCHI DI OPERAZIONE
IMPONENDO IL CLOCM COME IL TEMPO MAGGIORE PER

completare una singola operazione

In modo da AVERE OGNI RISULTATO OGNI 75 ms

 MEMORIE DINAMICHE

OPERAZIONE DI scrittura

caricamento DEL CONDENSATORE

tramite la BIT LINE

-
,
Precari causata

a VDD

LETTURA

SI PRECARIA CONDENSATORE
¥ VEDE SE POI
IL valore a SI IL

SI CARICA O NO .

n.rs .

'

La capacita CS Sono dell' ORDINE DI 20.2587 mentre Cal

10 VOLTE PIÙ Grande

CASO DI carica
cent Cruz
VE
¥
-
= =

TI '2
cito
CI
1-
È %

A V1 = V1 _
CI V1 tcz V2 = CÀ + Cavi
- -

qua
ci tcz = Cz ( v1 -
V2)
cit Cz Elter
ESSENDO I CONDENSATORI MOLTD PICCOLI SI scaricano

NATURALMENTE E QUINDI la memoria DEVE ESSERE FSESHATA PIÙ

volte

struttura CONDENSATORE

CONDENSATORE DI TIPO TRIDIMENSIONALE

TIPI DI MEMORIE

GRANDEZZE MEMORIE
memorie non

SI Basano su tre TIPI DI APPROCCI

PIU un conto
.

←°
=,

PROM

LE Prom avevano un DIODO IN OGNI NODO E SI PERSONALIZZA LA

BRUCIANDO I DIODI

IL GATE SUPERIORE È ACCESSIBILE

villania
DALL' ESTERNO
20
+20

↓
[
SCRITTURA

APPLICANDO TZOV A GAIE E drain

si crea UN FORTE CAMPO ELETTRICO

PERCHE GLI ELETTRONI DI mt Hanno

attraversato IL DIELETTRICO

A CAUSA DELLA FORTE TENSIONE APPLICATA ma creano un

,

CANALE POSITIVO .

Quando si INTERROGA LA OATE con una normale TENSIONE

non SI CREA PIÙ IL CANALE

,
PERCHÉ LA TENSIONE DI SOGLIA È

CAMBIATA .
5=0

Per cancellare si PONE 6=0 9=1-20 Si crea un FORTE

CAMPO ELETTRICO CHE Fa ritornare GLI ELETTRONI AI LORO

posto
FLASH VS EZPROM
LE FLASH HANNO UN CONTROLLO MOLTO SOFISTICATO DI ESTRAZIONE

ridondanza

recuperare MEMORIE DIFETTOSE A PROCESSO FINTO

PREVEDERE IN FASE DI PROGETTAZIONE DELLE

MEMORIE ridondanti ovvero una colonna

,

☒ riserva CHE CONTIENE LA STESSA INFORMAZIONE

causano IL rallentamento
TECNICHE DI correzione

I BIT P sono DETTI DI PARITÀ

I BIT Usai PER FARE la somma

devono ESSERE PARI

SE LE Eq .
Non sono RISPETTATE SI INVERTE IL BIT CHE NON FÀ

diventare VERE LE Eq .

RISULTATO DELL' UTILIZZO