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I
Indice
.
1Esercizi ad un asterisco .................................................................. 2
.
1.1Operazionali......................;........... .................... . . . . . .............; 2
1.2 Mosfet ........
. . -.....................................~...................................................................,. 4
1.3 Specchi di corrente ...............................................................................................6
,

1.4 Bjt.................
. . .
.
.,..... ............. .. .............. .....
....... ..... .... .
.... .............. ......... .....,...,..,....7
.
1.5 Giunzioni pn...............................................,........................ ...................... 9
1.6 Modelli a l piccolo segnale.............................,......................................................12
a .
2 Esercizi a due asterischi
9

.........................
'

B.................................... 13
.,
2.1 Mosfet........................................................................................................ ...... 13
2.2 Bjt.... .............. .
.. . .
.............. . . . . . ......... . ... . . . . . . . . . . . ...... 15
2.3 Operazionali...i ...................................... ................................ .................... 16
2.4 Modelli al piccolo segnale ................................................................................;.. 19
.. .................. .... . . ............
l 3 Esercizi a tre asterischi
I-

.....m... 22
3.1 Bjt................................................................................ .....................,...,....,,. ...... 22
3.2 Stadi amplificatori..................................................................,. . . . . . . . . . . . . . 22
3.3 Mosfet. ... .... ...... .. ..
I.. . ............................ ...........,..........,....................................... 24
3.4 Diodi..................... . . .............. . . . . . ......... . .
.
. . ............... .. ,. . 25
. . .
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1 Esercizi ad un asterisco

1.l.a Testo dell'esercizio:


L'amplificatore di figura presenta
.. . . .. . . . una resistenza di ingresso pari a 10
-+V .'
kR. Sapendo che I'amplificatore
- - . .CC..
.
operazionale utilizzato si pu
considerare ideale, determinare la
corrente io (in mA), erogata
dall'amplificatore stesso, quando V ,
. . p a r i a 2 V-
.: 6 +
Risposta:
... :V, .
'

Riconosciamo subito che si tratta


.
- della configurazione invertente,
;v,:. ..i,, ., . ..

-
1
... . . . . . . cc..: quindi conosciamo la resistenza
,. . : . ..:.:. . .-. .-*.- . . ~ . ..
d'ingresso, infatti Ri = RIN= 10 kfl.
7

, - -. i

Possiamo allora calcolare la corrente


il che passa su RI, tenendo conto del
cortocircuito virtuale tra i due morsetti dell'amplificatore operazionale:
m ~ .~aT=orrente'i~
- V I = R,il 3 i,=2=&=0.2 va tutta sulia resistenza R,. perche,
essendo l'amplificatore operazionale ideale, i suoi morsetti non assorbono corrente. Per la
LKC al nodo di destra possiamo allora affermare che il+io=O i,=-il =-0.2 mA .
1.1.b T e s t o
dell'esercizio:
Il circuito di figura
utilizza un

'
R,
v,, amplificatore
operazionale ideale.
v,

r-
Determinare la
Resistenza di
ingresso RIN.
R3
Dati: R1=lkS2,
Rz=2kn,
R ~ = z ~ .
Risposte:
1) R r ~ = kl R
- - 2) R l N = 2 k n
3) Rl~=3k?2
4) R 1 ~ = 5 k n

Risposta:
Sfruttando i1 cortocircuito virtuale tra i morsetti dell'amplificafore operazionale ideale,
possiamo'affermare che le resistenze R2 e R3 sono in parallelp e possiamo quindi sostituirli
- con R,,=R,((R,=lkR che sara a sua voltain serie con RI. G i n d i R,,=Rl+R,,=2kf2.
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I .l.C Testo dell'esercizio:


C Dato il circuito di figura, che
utilizza un amplificatore
I. 1 operazionale ideale,
determinare l'espressione
u
.v'
:
-
:il
. IN.
.-
.V
,
..
dell'impedenza d'ingresso a
frequenza infinita ZiN(w)vista
dal generatore VIN.
Dati: Rr=R, R2=3R, R3=2R,
,
-
-
. ..
R4=R, R5=R'
.. ..:.. . . ..
Risposte:
. .
V . . ..
. . .
1) ZjN(m) = 2 R
2) Z,N(m) = 2 R / 3

-v
..

.
Per calcolare l'impedenza -
d'ingresso a frequenza infinita
.
3).Z,N(m) = R

Risposta:

dobbiamo sostituire il condensatore con un cortocircuito e calcolare la resistenza


d'ingresso. In questo caso conviene calcolare la corrente fx e calcolare RINcome rapporto
tra V I Ne Ix.
Calcoliamo la corrente liz che passa per RI ed R2 (la corrente uguale in entrambe le
resistenze perch ,il morsetto non invertente non assorbe corrente) tramite una maglia:

Calcoliamo ora la corrente che passa su R4 sfruttando la maglia "centrale":

V
Non ci resta che calcolare la corrente che passa per R:i -VlN+R313=03 l -3.
3-2~
Ora per ia LKC al nodo di sinistra 1,=112+1,+1,=-
VIN
* R,,=- v,, = R .
R I,

R2 1.l. d Testo dell'esercizio:


L'amplificatore di figura realizzato
con un amplificatore operazionale che
4- 'L si pu considerare ideale. Sapendo che
RI la resistenza R1 pari a 120 kQ e che il
guadagno di tensione pari a 1,
determinare la potenza (in mW)
1-+ + erogata dall'amplificatore quando VI
1.i
3 + paria12V.
'u
-
Risposta:
I - Calcoliamo innanzitutto la corrente 11:
-%c 1
- V,=-R1I1 Il=- -
essendo
- 3
Rl
"l;

I'operazionale ideale non assorbe


corrente, quindi la.corrente I l va tutta
su k2;Notiamo quindi che I,-,=-=
12v
.=O. lmA, mentre- . la. tensione
v,
.. . - .
. . . * - R, 120kR
.

2 , esgendo ilguiidag';lo di tensione uguale .a :l,.


'V,= ~ , = 1 V
~apotenza erogata
. . e
. uguale a l prodotto tra loe Va, quiridi . ~ 6 = ~ o l a = ~m1W
m .2
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1.2 Mosfet

4,
':.vDq;

. ,
1.2.a T e s t o dell'esercizio:
Dato il circuito di figura, determinare il valore della
resistenza A D (in kn) richiesto per avere una tensione V,, a
riposo pari a 9 V.
:.. . . : RD:, Dati: Rc=lOOkn, V~o=15V,Vr=7V, IDSs=V?pCmW/2L=8mA
. .. -.

Risposta:
Individuiamo innarizitutto i rnonetti del mosfet (in figura).
Sappiamo che il gate non assorbe corrente, quindi iG = 0,
quindi la tensione su R G uguale a zero, da cui ricaviamo
che il Gate cortocircuitato con il Drain; sar quindi VcD= O
e Vcs= VDS= 9 V.
2

Calcoliamo ora la corrente i ~i,=/,


: (1-=0.653mA.v
2 )
Scriviamo ora l'equazione della maglia di uscita (destra) da
cui ricaveremo il valore della resistenza RD:

1.2. b Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, determinare /'intervallo di valori
della tensione di alimentazione VDDper il quale il MOSFET
funziona in zona di saturazione.
Dati: RG=50kn, R D = 2 0 0 n , VT=4.8V, IDs=VT~CoxW/2L=6mA
RD Risposte
1) VDD 9.8V
2) 4.2V < Vm < 7.4V
3) VDD> 4.8V
4) VDD> 2.8V
Risposta:
Come abbiamo fatto nell'esercizio precedente, individuiamo

7
-
-
innanzitutto i morsetti del mosfet e indichiamoli i n figura.
Ripetendo le osservazioni iniziali dell'esercizio precedente (il
circuito lo stesso) affermiamo che VGS= VDS.
Dobbiamo ora verificare che il rnosfet (a canale n) sia in zona
di saturazione, quindi che V(, =VDs)>VT e VDs>VGs-V,
La seconda condizione verificata in quanto VGS=VDS
Scriviamo ora l'equazione della maglia di uscita:
e VT>O.

otteniamo quindi unaequazionedi 2 0 ~ r a d con


o i&ognita VGS:dovremo ora esprimere VGr in
> VT e troveremo cos l'intervallo di valori
funzione di VDDe poi porre i due risultati VGs(~,Z)
corretto per Voo,che risulta essere la terza opzione cio VD,>4.8V., quindi la risposta
corretta la numero 3. -. --
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, . . . .

j
..
:
.V'..
90:.
.:.
1
..
...
:

: jo
.
1.2.c Testo dell'esercizio:
Dato il circuito di figura, detern~inarei/ valore della resistenza
RD (in kkn) richiesto per avere una tensione V, a riposo pari a 2 2
v.
Rx Dati: R c = l 00kQ V D D = ~ ~VV
..0.: Risposta:
T=, ~ V/,H = V T ~ ~ C , , W / Z L = ~ ~ A

Sappiamo che il gate non assorbe corrente, quindi la tensione


sulla resistenza R G uguale a O, da cui ricaviamo che la
tensione VG5 uguale a Vm. Calcoliamo ora la corrente ID:
2

D D / D s ( ) ~10.45
Sfruttiamo ora la maglia di uscita per calcolare il valore della
resistenza RD: -V,+ RDID+V,,= O 3 R,= " D D - " Q - O . Z ~ ~ ~ ,
1,

l .2.d Testo dell'esercizio:


- . . . . . . . . . . . . .

Risposta:
\

Scriviamo la LKT a-a maglia di uscita: -v,,+R&+v,=o -r I,=- -V DS +-: questa


RD - RD
. .-.-propriol'equazione-della
. . . retta
. di.carico rappresentata-in
. . figura.
. . .
. . . .. . . . .
..- .
- ..
- . .
. ..
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Dalla pendenza m della retta, che possiamo calcolare semplicemente osservando il


grafico, possiamo ricavare il valore della resistenza RD:

1.3 Specchi di corrente


y-:-
... CC
1.3.a Testo dell'esercizio:
e Dato lo specchio di corrente in figura,
supponendo i transistori operanti in
I zona attiva diretta, determinare la
corrente di uscita 10 (trascurare l'effetto
Early) .
Dati: R = Ikn, V,,= 8.7 V,
-' ,
. . . . R . VBE=- 0.7 V, 13 = l 8
Q. . .
Risposte:
1) 10 = 0.6 mA
. . .
2) lo = 8.5 mA
.
i&,. 3) l a = 7.2mA
"

,
. ..
4) lo = 8.7 mA

i'
Risposta:
,
Trattandosi di uno specchio di corrente,
- l-
dobbiamo innanzitutto individuare la
corrente IREF; si tratta della corrente che
passa sulla resistenza R. che calcoliamo
I
- utilizzando la maglia di destra:
-Vcc-VBE+ RI,,,=O

Ora, sfruttando la formula per il calcolo della corrente di uscita di uno specchio di corrente
I,=--- IREF- 8 mA =7.2mA;
con bjt, calcoliamo lo: 2 2 la risposta corretta la numero.3.
l+- l+-
B 18
In ogni caso, anche senza fare i conti, potevamo subito affermare che la terza opzione era
corretta; infatti sappiamo che questo specchio d i corrente "riflette" la corrente l R E ~
attenuandola di poco (quindi potevamo scartare la prima opzione) e non amplificandola
(quindi potevamo scartare la seconda e la quarta opzione).
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1.3.b ~ e s t ode~~esercizio:
Dato lo specchio di corrente in figura,
supponendo i transistori operanti in zona
attiva d,;retta, determinare la corrente di
uscita lo(trascurare l'effetto Early).
I
I Dati: R = IkR,VEE= 4.7 V,
VBE=0.7 V, L? = l 8
Risposte:
1) lo = 0.6,mA
2) lo = 4.0'mA
3) 1; = 3 . 6 . m ~
4) lo = 4.9 mA

Risposta:
Come per 'l'esercizio precedente,
individuia'mo la corrente IREF,che in
questo caso la corrente che passa per
la resistenza R. Per calcolarla utilizziamo
la maglia d'ingresso:

Quindi sfruttiamo la formula per il calcolo della'corrente di uscita di uno specchio di


i I 7-
--i,, - 4mA = 3 . 6 , , , ~ ,
corrente con bjt e calcoliamo lo: O. 2' 2 quindi-la risposta corretta
-
..
:

l+-
B
' l+-
18
la numero 3.

1.4 B j t
V : 1.4.a Testo dell'esercizio:
cc -
Dato il circuito di figura, determinare il valore della
resistenza RC(in kQ) necessario affinch il BJT presenti una
tensione VCEa riposo pari a 15 V (si trascuril'effetto Early).
Dati: Re=lOOkQ,Vm=25V,V B E = ~7V, . VCEsal=O.8VI&=l50
- . ,_..- . .
Risposta:
Calcoliamo innanzitutto la corrente di base utilizzando la
Rc maglia d'ingresso:
-Vcc+ RBIB+VBE=O3 IB= v c c - V m = ~ . 2 4 3 m ~ .
RB
Supponiamo il transistor bipolare operante in zona attiva
diretta, quindi calcoliamo la corrente di collettore:

Ora scriviamo l'equazione della maglia di uscita, imponendo


una tensione V ~ = 1 5V, e calcoliamo dunque il valore della
resistenza Rc:
-Vcc+RcIc+Ve=O * R,= =0.27k~,

1
'C
Attenzione! Per supporre il bjt in zona attiva diretta
dobbiamo verificare che la tensione VCEsia maggiore del
valore di saturazione, che in questo caso 0.8 V: ma
-
l'esercizio chiedeva il valore-di Rc affinch la tensione VCEfosse pari a 15 V, che
evidentemente maggiore di 0.8 V.
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1.4.b Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, determinare il valore della resistenza
Rc (in kR) necessario affinch il B'T'presenti una tensione VCE a
riposo pari a 5 V (si trascuri l'effetto-Early).
Dati: RI=150kR, Rz=18kQ, Vcc=lOV. VBE=O.~V, BF=lO0

Risposta:
Cerchiamo d i individuare la corrente IBcalcolando le correnti Il
R, e 12 che passano per R1 e d R2 e facendone poi la differenza.
Scriviamo la LKT sulla maglia i n basso:

Ora calcoliamo I l sirivendo la LKT partendo da Vcc e passando


per il bjt: -Vcc+R1Il+VBE=O I,= V c c - V ~ , 62p j

R1
Calcoliamo ora le: /,=ll-12=23.1 p A.
Ora sfruttiamo la maglia d i uscita per calcolare Rc:
-Vc-+ /?,Ic+
VcE=O => Rc= Vcc-Vc'=2.16kfl.
BF IB

- 1.4.c Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, determinare il valore della
resistenza Rc (in kn) necessario affinch il BJT presenti una
tensione VCEa riposo pari a 5 V (si trascuri l'effetto Early).
Dati: RB=470kn, VCFIZV, V==0.7V, &=l50

%, Risposta:
Evidentemente per calcolare il valore della resistenza Rc
dovremo utilizzare la maglia di uscita:
"cc- VCE
(Bo+l)J,
facendo attenzione al fatto che la corrente che passa per RC
. .
1: n o n Ic=BolB bens 1,+801B=(~,+1)1B.
L'unico dato che ci manca per calcolare Rc 6 la corrente di

7. base le, che andiamo a trovare attraverso la maglia


centrale: RBI,= V,=VcE-

orapossiamo calcolare l?c:Rc= Vcc-Vc~=5,07 kR.


V,, - I,=V c ~ - V ~ E = 9 . 1 5 p A .
RB

-.-. . (Bp+l)l,
-. . .
- . .
.
-. . . .
: \ '. . .'

.. .
-
- . . -. .
.

. .
. .
-. . ..
- ... . .
.
.
.
. . . . .
. I . . . .. . . . .
-
'
. . . .. . . . .
-.
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1.4.d T e s t o d e l l ' e s e r c i z i o :
V, Dato il circuito di figura, supponendo il transistor
operante in zona attiva diretta, determinare la tensione
VCE.
~ la= 1 0 M,
Dati: Rc=3kW, RE=^ kW, VBE=O.7 V, V C C =OV,
8=1 O0
Risposte:
1) VCP= 5 v
21 VCE= 6 V
3) VCE =2 V
4) V C E = 1 V
id
t Risposta:
Essendoci stata fornita la corrente di base IB, facile
j .calcolare la corrente di collettore I,=pI,=lmA e
.: quella d i emettitore I , = ( ~ + l ) l , = l . O l m A .
Ora scriviamo l'equazione della maglia d i uscita e
calcoliamo VE:
-Vcc+RCIc+ V,+ R,I,=O 3
RE VcE=Vcc-RcIc-REIEz6V .
La risposta corretta la numero 2.

1.5 Giunzioni pn
1.5.a Testo dell'esercizio:
Sia data una barretta di semiconduttore drogato n con concentrazione di atomi donatori
No=4-1015[cm-3].Si determini il rapporto tra la densit di corrente di deriva di elettroni
: e quella di lacune derivanti dall'applicazione di una tensione VAalle estremit della
f barretta di semiconduttore.
.r Da ti:
II Concentrazione intrinseca: n, = 1.45-10 ' [cm-31
4
Carica dell'eleffrone: q = 1.6.1 0-19 [C]
f Mobilit degli elettroni: p,, = 1260 [cmZ/(V s)]
1 Mobilit delle lacune: pP = 460 IcmZ/(V $1

Risposta:
.... .

I I.
Dalla Legge dell'azione di massa ricaviamo che n=N, e che p = l -
N,
Ricordiamo poi la formula per calcolare la densit di corrente di deriva: j,,,=qn~,

quindi il rapporto cercato


In-d"n - q n p n - 1 :=20,8.1010.
~~
Ip-driR gppp n : ~ ~

1.5.6 Testo dell'esercizio:


La corrente di saturazione inversa di un diodo ideale (15):
1 ) aumenta all'aumentare della temperatura
2) aumenta ,alllaumentare del drogaggio - .
'
3).aumenta al diminuire dell'area di giunzione - '

i.-
.-.
,:I.
4) aumenta all'aumentare della polarizzazione jnversa
..
.- .-
. .. .. . .
. . . . .
. . . . . .\ .' . -
.. . .
.

.. . .
. . .
-. . .. . :
- .
.. . .
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Risposta:
Scriviamo per esteso la formula per calcolare la corrente d i saturazione inversa:
Scattiamo subito la seconda risposta perch I' diminuisce

all'aumentare del drogaggio, come vediamo dall'espressione. Apparentemente non


sembrerebbe dipendere n dalla temperatura, n dall'area di giunzione, n dalla
polarizzazione inversa, ma in realt sappiamo dalla Relazione di Einstein che
D D, KT
J=-=-~ quindi all'aumentare della temperatura aumentano le diffusivit e
, o n 9
aumenta quindi la corrente Is. La risposta corretta quindi la numero 1.

1.5.C T e s t o dell'esercizio:
Sia data.una barretta di semicondutore
drogata n in cui la densit di portatori di
carica sia linearmente decrescente nella
direzione x, come mostrato in figura. Si
determini il valore della corrente di diffusione
degli elettroni sapendo che le dimensioni
della barretta di serniconduttore nella
direzione perpendicolare ad x sono 10pm x
1Opm.
f, .
Dati:
Concentrazione all'origine: n(0) = 1 015[cm-3]
Concentrazione all'estremit della barretta:
b n (xJ = 1012 [cm-3]
O 1 x Lunghezza della barretta di semiconduttore:
xl = 1 fpml
Carica dell'elettrone: 9 = 1.6-10-l9[C]
Coefficiente di diffusione: D, = 35 [cm2/s].

Calcoliamo innanzitutto la densit d i corrente:

quindi la corrente di diffusione: / = A J= 1 0 - ~ c r n ~ 5 5 . 9 L = 5 5p. 9


A.
cm2

1.5.d T e s t o d e l l ' e s e r c i z i o :
Si calcoli la resistivit del silicio drogam.con.atomi
. ..
donatori con concentrazione ~ ~ = 2 . 1 0 ' ~
[ ~ m - ~a ltemperatura
, ambiente.
Da ti:
Concentrazione intrinseca: n; = 1.45-101*[cm-3]
Carica dell'elettrone: q = 1.6.1@l9 [C]
Mobilit degli elettroni: CI, = 1260 [cm2/(V s)]
Mobilit delle lacune: pp = 460 [crnZ/(Vs)]
Risposta:
Ricordiamo innanzitutto la formula per calcolare la resistivit: P='=
1
0- ~(PP,+~P,)
2
Essendo ND>>niB sara n=No, non ci resta quindi che calcolare p: p=-=105125[cm-3].
N,

:.-l- ...-.
~ & c ~ l i % r ora
n o la resistivita: p= ' ~2.50-cm
. _ ; ;. :
- . . ~ ( .P. V , + ~ P , ) . . - . .
. - .. . . ... . ... .
-
.
.
. : . . . . .. . -.
.
. . -
_:
.. .
. . . .
,
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1.5. e Testo dell'esercizio: ..
Calcolare la tensione che deve essere applicata ai capi di un diodo a giunzione PN per
produrre, a temperatura ambiente, una corrente inversa pari al 95% della sua corrente di
sa turazione Is.
Da ti:
Fattore di idealit: q = l
Potenziale termico: V ~ = 2 5 m V

Risposta:
Ricordiamo la formula per calcolare l a corrente d i u n diodo, data la tensione ai suoi c a ~ i :

(
lD=ls e '-1
)
(detta I, la corrente di saturazione) e applichiamola per rispondere alla

v,
- -v, -

domanda: =0.95=eVr--1 *eVr=0.05 V,=V,ln 0.05~-74.9mV

1.5. f Testo dell'esercizio:


Una giunzione pn viene drogata nella regione n con N D = 5 - I O f 6 atomi/cm3 atomi di
Fosforo (P). Sapendo che il potenzialedi contatto vale Vo=0.8 V, determinare la
concentrazione di atomi di Boro (NA) nella regione p.
cmJ.
Dati: V ~ = 2 5mV, ni=1 .45.1010

Risposta: :?.

"0
Ricordiamo una delle pi importanti equazioni della giunzione pn: -=In
v,
la concentrazione di elettroni nella regione n, mentre n, la c o n c e n t r a ~ i o n ' e d e ~stessi
li
nella regione p.
Nella regione n, essendo NDn, risulta n,=N,. Nella regione p risulta, dalla Legge
n2
dell'azione di massa p = N A e n =L.

Dunque possiamo scrivere:


P

"T
N,..
NDNA - NDNA- -
--evr
n;
"0

N,
v,
~ ~ =n-:e ~-~ = 3 . 3 l 0 " c m - ' .

1.5.g Testo dell'esercizio:

"
i o'? 10" 1otO io" Iom Ioro io"
-
ConcentrazioneTdsle d i impunta [un-?
- .
' .,e

1
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J
. -. 12

Sia data una barretta di semiconduttore drogata n alle estremit della quale viene
applicata una differenza di potenziale pari a VA= 0.5 V. Si determini la velocit media di
deriva dei portatori maggioritari sapendo che la loro mobilit varia in funzione della
concentrazione di droganti in accordo con il grafico di figura.
Da ti:
Concentrazioni di droganti: No = 3.1016[cm-3]
Lunghezza della barretta di semiconduffore: L = 100 [pml

Risposta:
Innanzitutto dobbiamo capire quale delle due curve guardare: essendo il Boro u n ..
drogaggio di "tipo p", mentre Arsenico e Fosforo sono un drogaggio d i "tipo n", dobbiamo
scegliere questi ultimi; In corrispondenza del valore 3.1016si ha una mobilit di 1000 j
cm2/Vs= 0.1 m2/Vs. i
Ricordiamo la formula per calcolare la velocit di deriva: Ivdriffl=~,,E;Per calcolare il l
valore del campo elettrico utilizziamo la nota formula: E=-=V

m2
0.5'
L 100prn
V
=5000- v

m
m
e
I
calcoliamo infine la velocit di deriva: I V ~ , . , J = ~ , E=O.l-5000-=500-.
vs m S

1.6 Modelli al piccolo segnale


C
. 1.6.a Testo dell'esercizio:
Dato il circuito di figura, che
rappresenta il modello
dinamico equivalente di un
amplificatore a transistore
avente un guadagno di
corrente Bo ai piccoli segnali
* R0"T
pari a 100, determinare il
valore della resistenza Rorn
indicata in figura. Esprimere
4 tale valore in kn.
Dati: R1=47kn, R2=0.8kR,
Rs=22kO, gg,=40mS.

Risposta:
Osservando la maglia di
-e
sinistra, ci accorgiamo che essa
....
composta di sole resistenze.
. - ... tquindi'non pu essere percorsa
da corrente: la corrente i e che
attraversa la resistenza r, uguale a 0, quindi v,=i~r,=O.
Da questo ricaviamo che il generatore pilotato eroga una corrente pari a zero, quindi
come se la rete di .sinistra fosse "scollegata" e la resistenza di uscita pari ad R3, quindi
Rom= R,.
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2 ~ s e r c i za
i due asterischi

-
I 2.1 Mosfet
F
i :Via, 2.1. a Testo dell'esercizio:
Dato il circuito di figura, determinare il valore della tensione
drain-source Vosa riposo.
Dati: Ri=40kO, R2=40kR, Ri=2200Q, VDD=ISV,V T = ~ V ,
loss= V T ~ ~ I C ~ =
W2/O. L ~ A

Risposta:
~otiamo subito -che la corrente che passa per Rl uguale a
quella che passa per R2, i n quanto il gate non -assorbe corrente;
calcoliamo allora questa corrente, che chiameremo lR(con
direzione dall'alto verso il basso) sfruttando la maglia pi a
sinistra: -V,,+(R,+R2)IR=0 *I =--
"DD -0.1875mA:
Ri+R2
A questo punto possiamo calcolare VGSscrivendo la LKT sulla
maglia di ingresso: V,-R,I,=O * V,,=R21,=7.5 V ; Avendo ora
a disposizione la tensione Vcs possia.mo calcolare la corrente di

drain lo usando la fprmula: I,=/,


Infine possiamo calcolare la tensione VDssfruttando la magliadi
destra: -VDD+RDID-k V,=O v,=v,,- ~,1,=9.5 V .

2.1. b Testo dell'esercizio:


Il circuito di figura
rappresenta un
transistore MOSFET a
canale n polarizzato in
zona di saturazione,
con relativa
transcaratteristica e
retta di carico statica.
Determinare, da tale
grafico, i valori della
resistenza di source RS
e della tensione di
alimentazione VDD.
Dati: R1=200kn,
Rz=100kn

Risposta:
Scriviamo la LKT sulla
maglia d'ingresso (con
I, abbiamo indicato la corrente che passa per R1 e R;, che t? l a
stessa perch il Gate non,assorbe corrente):
-. .
1 che & I'&Quazion&della
- .
V , ~ + R , I , ~ R ,/,=O 3 I,?- -V,+-
- . R, . Rs ~.

retta di carico rappresentata in figura quindi dal:la.pendenza.della retta ricavare


. . . .
. . . .
. -.
.. .
:.. .

.- h.. y. T y,
.-? , L
'2. .l'
., 7.:. .
? ,

, *

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15-5 - 10 1
il valore della resistenza Rs: m= = Rs=0.3k.R=300SZm
0.5-3.5- 3 Rs
Calcoliamo ora il valore della corrente IR sfruttando il punto di lavoro che viene indicato in
figura (I'intersezione'tra la transcaratteristica e la retta di carico): I,= lOmA e V,=2 V

e la LKT sulla stessa maglia: V,,+ RsID-R,I,=O


I,= v ~ s + R ~ 1 ~ = 5 0 p A .
=>
R2
Ora scriviamo la LKT sulla maglia di sinistra e troviamo facilmente VDD:
-Vm+IR(R1+R2)=0 J V ~ ~ = / ~ ( R ~ + R ~ ) = ~ ~ V .

2.1. C Testo dell'esercizio: I


.....-
Dato il circuito di figura, determinare l'intervallo di valori della ,j'
tensione di alimentazione VDDper il quale il MOSFET funziona in ,
zona di saturazione.
Dati: Rc=80kn, R~=600f2,V T = ~ . ~ IVD, S ~ = V T ~ H C O X W / ~ L = ~ ~ A
Risposte:
l ) V00 < 6.8V
..
2) voo> 10.2v
3) 4 . 8 V c Voo< 9.6V

Risposta:
Le condizioni che dobbiamo imporre perch il mosfet funzioni i n
zona d i saturazione sono V,>V, e V,>VGs-V,.
Calcoliamo innanzitutto la tensione VGStramite la maglia di
sinistra: -V,,+VGS=,O =. V,,=VDD e imponiamo la prima
condizione: V,,>V, * V,,>4.8 V .
Calcoliamo ora VDstramite la maglia d i uscita:
-VDD+/?D/D+VDs=O * VDs=VDD-/?,ID e imponiamo la seconda
condizione: V,=V,,-R,I,> V,-V, m a noi sappiamo che
VGs=V, quindi risulta
. -,

VT>RDI, ( )
l-- ( :;)i,~ R D /D55
= -/,l:
(, ??O ID5S
m a dalla prima condizione

ricaviamo V,,>V, I-- v, <O quindi possiamo scrivere


v,
v,
--lc//---
v, RD 10,
i ",,<V, [{L+~)
R D1,s
I v D D c 9 , 6 v quindi la risposta corretta 6 a

numero 3.
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2.2 Bjt
2.2.a Testo dell'esercizio:
Dato il circuito di figura, determinare .il valore minimo. della
resistenza RC per il quale il BJT funziona in zona di saturazione (si
trascuri I'effetto Early).
. . Dati: Rs=470kR, Vc~=15V,V6~=-0.7V, VCES~<=-O.~V, &=l50

2 Risposta:.
Calcoliamo innanzitutto il valore della corrente le utilizzando la
maglia di sinistra: -V,-V,+R,I,=O Vcc+V8~,30.4 A
=. I,=
RB
Calcoliamo ora il valore della resistenza Rc tramite la maglia di
Rc= Vcc+ Vc,
destra: -V,,-V~~+R~I,=O
BFIs
R, Il valore minimo della resistenza Rc per cui il bjt funzioni i n zona
di saturazione quello per cui la tensione VCEassume il valore di
saturazione Vc~sat: Rcmjn=V ~ ~ + V c ~=3,18
sat kR,
BFIB

.!
..V :. .:,,
2.2. b Testo delf'esercizio:
cc:. Dato il circuito di f i g u r i determinare il valore minimo della
resistenza Rc per il quale il BJT funziona in zona di
saturazione (si trascuri I'effetto Early).
Dati: R s = l O O k n , Vcc=25V, VBE=O.7V, Vc~s,t=0.8V, &,=l50

Risposta:
Come per l'esercizio precedente, calcoliamo il valore della
corrente leutilizzando la maglia di sinistra:

Passiamo ora a calcolare il valore della resistenza RC tramite


v c c - VCE
la maglia di destra: -Vcc+RcIc+VcE=O 3 Rc=
BF 1,
Come abbiamo gi detto, il valore minimo della resistenza RC
per cui il bjt funzioni i n zona d i saturazione quello per cui la
tensione VCEassume il valore di saturazione V~Esat:
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2.3 Operazionali -
..
.%: 2.3.a Testo
.- . .
dell' esercizio:
Nell'amplificatore di
.:i+ '.
figura R1 = R2 = R4 =
100 kf2. Qual il valore
di R3 da utilizzare
per ottenere un
guadagno il pi vicino
possibile a -120?
. . Risposte:
..v, 1) 8.4 7 kL?
2) 8.47 Mf2

. -
. i
.-.
.
.
3) 84.7 kR
. . .:4) 847 n
. ..
. .

Risposta:
f

v !r
Calcoliamo innanzitutto la corrente 11: -Vl+RIIl=O =. l 1 = , Nell'operazionale
~ ' non entra
Rl !
corrente quindi Il=12=1,+14; Per calcolare 13 sfruttiamo la maglia centrale:
R
R 2 I2 +R,/,=O =. I,=- 21 R R2 V , v,
-- 21
2- --- T- ma RTL= RI,quindi I,=-- da cui I
R3 R3 R j R, R3 . .
v,
ricaviamo anche il valore di 14: I4=l2-I3=l1-1 --f -.
VI
-,. R~ R3

Possiamo ora calcolare V:, V,=-Re/,-R212=-R4 ma R4 =R2 = Rl quindi

quindi il guadagno risulta poniamolo orauguale a

R4 -847.50
-120 e otteniamo - =-l20 3 R,=-- quindi la risposta corretta la
118
numero 4.

2.3.b Testo dell'esercizio:


Dato il circuito di figura, che . ........
. . . utilizza un amplificatore
operazionale ideale, determinare
la funzione di trasferimento
relativa all'ammettenza
d'ingresso Y l vista
~ dal generatore
. . VIN-
Risposte:
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Risposta:
Notiamo subito che non c' bisogno di calcolare I'ammettenza d'ingresso per esteso per
rispondere a questa domanda: baster analizzare il circuito ad alta frequenza, calcolare la
conduttanza d'ingresso e vedere quale dei t r e risultati proposti ha come limite per s+m il
valore trovato per GIN (possiamo alternativamente analizzare il circuito a bassa frequenza,
calcolare GIN, e poi sostituire s con O nei tre risultati proposti).
Analizziamo allora il circuito ad alta frequenza: i due condensatori diventano dei
cortocircuiti, e la resistenza d'ingresso evidentemente il parallelo tra Ri e Rz:
l - Rl-tR,
R,,=RIIIR -- R1R2 ; quindi la conduttanzh risulta: GIN=---*
2- R1+R2 RIN RlRi
Ora facciamo il limite per.s+m dei tre valori proposti:

sC2(1+s(R1+R2)C1) %(R1+R2) -R,+R,


"G,,
2, lirns-~ ( ~ + S R , C ~ ) ( ~ + S R , C , )/?,+l?,+
= R,R,

evidenternente.la risposta corretta la numero 2.

C
C 2.3. C Testo
deII'esercizio:
Nel circuito di figura, che
usa un amplificatore
operazionale ideale,
R = IOkC, C = 10 nF.
Determinare (in Volt) cui si
porta la tensione di uscita
dopo 1 rns, se all'ingresso
+
+ applicata una tensione
V, = 1V. Si supponga la
capacit C inizialmente

-
- - -- Risposta:
Calcoliamo innanzitutto la
corrente IRche passa per R (da sinistra verso destra): -V,+R /,=O v,
l,=-=O.lmA;
.. R.
essendo I'operazionale ideale, non assorbe corrente, quindi IR va interamente sul
condensatore; Scriviamo allora l'equazione differenziale che lega - la corrente e la tensione
d",
del condensatore: C-=ic=/, d",
a -=-
1, 1,
* v,=-(t-t,); quindi dopo 1 ms la tensione
dt dt C C
O.lrnA
sul condensatore sar V,= l m S = l O V , ma v. = -vc, quindi dopo u n tempo
10nF
t = l m S sar v,=-1OV.

Varian ti:
L'esercizio si:pu tfovar anche con questo testo:
. .
-Nel circuito ditfigura, che usa un amplificatore operazionale-idea/e, R = 33 kf2, C = 10 nF.
. .. - .Determinare il tempo ti (in ms) richie;to affinche /!uscita si porti ad una tensione di 12 V,
. . - se all'ingresso applicata una tendone V, di -2 v . - ~ i s u p p o n g a
la capacit C inizialmente
.. .
.scarica. . ' .. ..
. . - . . .
. .
i

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Risposta:
I, v,
.
Come sappiamo dall'esercizio appena svolto v,=-v,=- -(t-t,)=- -(t-t,) d a cui
C RC
RC -33 k R 1 0 n F 12V'=~,98m5.
ricaviamo (t-to)=- -Vo=
v, -2 v
L'esercizio si pu trovare anche con questo testo:
Nel circuito di figura R = 1 kf2, C = 1pF. Qual il valore in modulo dell'amplificazione di
tensione alla frequenza. angolare wodi 120 rad/s?

Risposta:
Essendo uno schema invertente, il guadagno si calcola nel modo seguente:
1 1
=C
A v ( j w ) = - -=- - j Calcoliamolo alla frequenza
Z, jwRC wRC'

C1 2.3.d Testo
II d ell'esercizio:
II Dato il circuito di figura, che
utilizza un amplificatore
operazionale ideale,
determinare la funzione di
YHL * 'Q trasferimento tra VINe VO.
Risposte:
R, l + s ( R , - R3)Cl
1) - R2+R3 l+sR,Cl
R3 l+sR,C,
2,

".l
~+S(R,+R,)C,
R3 l+sR,C,
3, R,+R3 l + s ( R , - R , ) C ,

Risposta:
-
- Come per l'esercizio 2.3.d,
non c' bisogno di calcolare la
funzione di trasferimento per esteso: baster analizzare il circuito ad alta frequenza,
calcolare la funzione di trasferimento in quel caso e vedere quale dei tre risultati proposti
ha come limite per s+m il valore trovato.
Analizziamo allora il circuito ad alta frequenza: il condensatore diventa un cortocircuito.
Calcoliamo la corrente 123 sfruttando i l fatto che I'operazionale ideale non assorbe corrente
ai suoi morsetti: -V,N+(R3+R2)123=0 3 I,=- ; Sfruttando ora i cortocircuito virtuale
R3+R2

tra i morsetti calcoliamo la corrente Il: Rlll=R3123 3


R3 '33 ,1'' ; sempre per
R1 Rl R 3 + R 2
I'idealita dell'operazionale, la corrente li va tutta sulla resistenza R2 in alto, perch i
morsetti.dell'oOerazionale non assorbono corrente.
Calcoliamo allara la tensione d'uscita Vo, sfruttando ancora il cortocircuito virtuale:
.. . . - . . V o . :i. R2-, R3 -. . R., R,-R3
V o = - ~ ~ I l + R 2 1 ~ = V h & ( . - ~ + l ) 3 A --=V
.- - .
ora f a & i G o ' il.limite
. .
2
per sAm
3
da tre
- v T - ~ ,R
valori proposti:
--+l
N2 + R I ( ~ : R l
.-. . . I
=P

. ..
-
)
R 2 +R 3
.
R1.
. - . ..,. .
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evidentemente la risposta corretta la numero 1.

2.4 Modelli al piccolo segnale


2.4.a Testo
dell'esercizio:
Dato il circuito di figura,
che rappresenta il modello
+ dinamico equivalente di
un amplificatore a
transistore MOS
polarizzato con una
'
0 corrente di drain a riposo
di 0.4 mA (a 25"C),
C
determinare il valore della
- resistenza equivalente R,,
indicata in figura (nel
calcolo del g,,, si trascuri
l'effetto di modulazione
della lunghezza di canale).
Da ti: R1=50kQ, ro=I OkR, v ~ = 6 V ,Ioss= V T * ~ C , , W / . L = ~ ~ A .

Risposta:
Innanzitutto calcoiiamo g, con i dati che
2
abbiamo: 9,=-==0.52
IVTI
Per calcolare . R
, poniamo tra i due capi u n
,generatore di tensione V, e calcoliamo la
corrente ,1 che v i passa (vedi figura).
Ci accorgiamo subito che la corrente che
passa per Ri proprio I, e di conseguenza
v,=-R,lx. Sfruttiamo ora la maglia.pi
esterna per calcolare io,la corrente che passa per ro: . ..

-V,+loro-V,=O = Io= v,+& = v x - % l x . Ora, usando la LKC al nodo centrale in alto,


ro '-0

possiamo scrivere che Ix=g, V,,+I,=-gmR,lx+ Vx-R1lx i I , ( l + 4 m R 1 + ~ ) = 5i


ro ro
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. . . _
. .-
.
. - 2.4. b Testo
dell'esercizio:
Dato il circuito di figura,
che rappresenta il
modello dinamico
equivalente di un f
t
amplificatore a
f
transistore bipolare
%po~arizzatocon una i
corrente di collettore a
riposo di 2mA (a 25"C), i
determinare il valore
della resistenza di I

. . . .. . . . . . . : . : . . . . . .. . .. . . . . .. . . . . . .
ingresso R,N indicata in

figura. Esprimere tale valore in kn.


Dati: R l = l OOkQ, R ~ = l k n Rs=100kR,
, r,=2kR.

Risposta:
'C
Calcoliamo E0 con i dati che ci sono stati forniti: g,=-=80mS + Bo=g,r,=160
"T
Per calcolare R I N poniamo u n generatore di tensione V, e calcoliamo la corrente I, che v i
passa (vedi figura). Chiamata le la corrente che attraversa la resistenza r, e Il la corrente
che passa per Rl (dall'alto verso il basso),.5criviamo la LKC al nodo in alto a sinistra:

V x =R l l l -
l x = l + 1 Ora cerchiamo d i esprimere Il e le in funzione di V,: notiamo subito che
. -
Il=-.
uguale alla somma di 1, e g,V,=B,I,
v,
R1
, Per quanto riguarda le, notiamo che la corrente che passa per Rz
ed quindi pari a - ( B o + l ) l B e sfruttiamo quindi

la LKT: -Vx+V,+R,(Bo+l)l,=O Vx=r,I,+R,(~,+l)l, 3 I,=


vx
~,+R,(B,+ 1)'
/,=ll+/,=-+ v, V, j l?,,,=-= V,
l -61.8k R .
Otteniamo allora: Rl rn+R,(B,+l) 1
I X -L 1

2.4. C Testo del/'esercizio:


Dato il circuito di figura, che
rappresenta il modello dinamico
& equivale" te di un amplificatore
a transistore bipolare avente un
guadagno di corrente Bo ai
piccoli segnali pari a 200,
. determinare il valore della
resistenza di uscita RM indicata
rimere tale valore

Dati: R1=27kCZ, R2=0.8kR,


R3=lOkn ,gm=40mS.

. .
. . ....
.
.
-.
-.
---.fio---.
.
...........
Calcofiarno innanzitutto r,, c0n.i
dati che cisono
~. stati f o r n i t i ! - r , = - - 5 k ~ . ~ & E a l c o l a r eR I N poniamo u n generatore di . .
. - 9m:.. . . . . . . ,. .
. .. . . . . . . .-
. . . . . .
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21

tensione V, e calcoliamo la corrente I, che v i passa (vedi figura). Chiamata le la corrente


che attraversa la resistenza ,r cerchiamo d i esprimerla in funzione di V, utilizzando la LKT:
-Vi-l,(r,+ R,)=O * I,=----rR+Rl ; Chiamata l2la corrente che attraversa R2 (dall'alto
-
al

basso), calcoliamola sfruttando la LKC al nodo centrale: 1 2 ~ l B + ~ oBO+i


l B V,+/,.
+ l x ~ ~ ~
rn+R1
Vediamo subito che V,=R21, e ora, sfruttando quanto abbiamo gi trovato, scriviamo:

2.4. d Testo dell'eserciz;~:


::R.2::
- ,

Dato il circuito di figura, che rappresenta il modello dinamico equivalente di un


amplificatore a transistore MOS polarizzato con una corrente di drain a riposo di 2 mA (a
25"C), determinare il valore della resistenza di ingresso Rir~indicata in figura (nel calcolo
del g m si trascuri l'effetto di modulazione della lunghezza di canale).
Dati: R1=100kQ, R2=1 kQ, R3=1OOkQ, V T = ~ V ,lDss=VT2~C,W/2L=8mA.

Risposta:
Calcoliamo innanzitutto il valore d i g, con i dati a disposizione: 9,=r~;1
Per calcolare la resistenza d'ingresso poniamo u n generatore di tensione V, e calcoliamo
la corrente I, che v i passa (vedi figura).
Chiamate 11 la corrente che passa per Ri (dall'alto verso il basso), 11 quella che passa per
Rz (da sinistra verso destra) e I3quella che passa per R3 (dall'alto verso il basso), possiamo
affermare che: 1x=1,+12=-+12
vx e l,=g,V,+l,; notiamo subito che V, coincide con V,
Rl ,

quindi: 12=g,Vxt13 3 I,=/,-g,Vx; Cerchiamo ora di esprimere l2i n funzione d i V, e per


questo scopo ci serviamo della maglia pi esterna:

'3
sostituiamo quindi quanto trovato nella prima equazione:
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3 Esercizi a tre asterischi


.
3.1 Bjt .

3.1. a Testo dell'esercizio:


Dato ilcircuito di figura, determinare ilpunto di lavoro 1i
I= , del BJT (si trascuri l'effetto Early).
VCE
Dati: Rs=270kQ Rc=l.ZkO, VCC=ZOV,.VBE=O.~V,&=l50
i
Risposta:
Come per l'esercizio 1.4.c anche in questo caso
dobbiamo fare attenzione al fatto che la corrente che
passa per Rc non Ic=BolB bens 1,+8,1,=(8,+.1)1B.
Ci conviene allora calcolare la corrente l e e poi trovare Ic
moltiplicandola per BF. Per fare questo sfruttiamo la
R:'a.
i i/lc maglia di sinistra: -Vcc+R,(~F+l)lB+R,I,+V,,=O
=> IB= "CC-~BE
RC(BF+ V + R ,
=42,8pA =j I,=~oIB=6,4mA.
3

I Passiamo ora al calcolo di VCE,che risulta estremamente


. .
semplice scrivendo la LKT sulla maglia d'uscita:
- V c c + R c ( ~ F - k ~ ) IVcE=O
B+ *
3 V,,Vcc-R,(~,+1)1,=12.2 V.
. . . .

3.2 Stadi amplificatori


3.2.a Testo dell'esercizio:
Dato il circuito di figura, che
rappresenta ilmodello
dinamico equivalente di un
amplificatore a transistore
polarinato con una corrente
di collettore a riposo di 0.4mA
(a 25"C), determinare il
valore del guadagno tensione
Av=VdV,.
D ati: R,=Z kn, R2=0.4kR,
R3=2.7kn, r,=l OkR.

Risposta:
Notiamo innanzitutto che si
tratta'di uno stadio
amplificatore a base comune
(il segnale entra in emettitore .

. -. ed esce in collettore) quindi c i - :


--.. aspettiamo che non sia ..
.
invertente,e che l'amplificazione sia pressbch unitaria. .. . -
. -

-. , .
. .. .
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1,
con i dati che ci sono stati forniti: f3,=r;g~=rn--=160;
Calcoliamo ora
v,
Trasformiamo il circuito per rendere pi agevoli i calcoli: Sostituiamo con u n g,eneratore
equivalente d i Thvenin la maglia centrale contenente v, R, e R2, come indicato nella
figura.
Req=R,11R,=0.33 kR; V,=-V
R2 1
=-v
Rg+R, 6
Notiamo che la corrente che passa per R,,,
/E=/B+po/B=(/30+ l ) /.,
Scriviamo allora la LKT sulla maglia di sinistra per
. . . calcolare In: ~Bf,+~e9+(Bo+1)IBR.,=0 3

"e, .
Calcoliamo ora la
r,+(Bo+l)R,'
di uscita, sfruttando il fatto che la
corrente che attraversa R3 la corrente di
collettore I,=8,1,:
B O R3
vO=-BoIBR3= ve9 *
. ,:
r,+(Bo+ l)R,,
-
3 A,=
BoR, R2 = 1.1
rn+(B,+l)R,, R-g+R,
Il risultato ottenuto in accordo con le osserva?ioni iniziali: lo stadio amplificatore non
- invertente e il guadagno pressoch. unitaria.

3.2.b Testo dell'esercizio:

. .
Dato il circuito di figura, che rappresenta il rnodel6dinarnico equivalente di un
amplificatore a transistore bipolare polarizzato con una corrente di collettore a riposo di
1.2mA (a 25"C), determinare il valore del guadagno di tensione Av=V&.
Dati: R g = l OkR, R1=22kn, R 2 = l .2kR, R3=22kR; Rr=l OkR, r,=5M. . . .. ..

Risposta: . .
Notiamo innanzitu& c h e si tratta d i uno stadio amplificatore ad ernettitore comune
.
con
resistenza d i emettitore (ilsegrjale-entga i n bse ed.esce-incollettore)quindi~ci , -

aspettiamo che sia invertente e-che 1'amplificaz~ne"siain modulo maggiore-diuno.-


. . .. . .
. . .. .
Y 'f;
. .
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I,
. .
a;f
Calcoliamo ora i30 con i dati che ci sono stati forniti: p,=r,g,=r,-=240. 4,F
v,
.. Trasformiamo la maglia di sinistra nel :,
i
. . .
. .
......
. -* suo generatore equivalente di i
..+ :. I
;
.:R, .q . R1 11
Thvenin v,,=-v =- i
Rl+Rg 16 i
R,,=Rg((R,=6.875 k R e le due
j
resistenze R3 e RL nella loro resistenza
equivalente R3(IR,=6.875 k R.
. . La corrente che passa per RZ i
.. IE=IB+BoIB=(Bo$ l)/, ,
Calcoliamo ora la corrente le
attraverso la maglia di sinistra:
-vm+(R~+r,)l,+R2(~l)l+
. .. .. . . . . . . . . . . . , .. . . . .. .-'.
... Ig=
.>. 3
v,
-.
Rt,+rn+R2(&+1)
La corrente che passa per R,JJR, quella erogata dal generatore pilotato: Ic=j3,i,;
(R,IIR,)B,
possiamo quindi calcolare la tensione d i uscita: V,=-(R,IIR,)BolB=-
R,,+I,+R,(B~+ I)
(R,IIR,)Bo
quindi anche il guadagno A,=- =-3.77
Rt,+r,+R,(Bo$l)
Il guadagno effettivamente negativo e .in modulo maggiore di uno, come ci saremmo
aspettati da uno stadio amplificatore ad emettitore comune con resistenza di emettitore.

3.3 Mosfet
D
3.3.a Testo de//'esercizio:
Dato il circuito di figura, determinare i valori delle quattro
resistenze che garantiscono il funzionamento del MOSFET
nelle seguenti condizioni: l0=4 mA, Vo=Vd2, V m = V ~ d 4e
che la massima potenza dissipata dal circuito sia 75 mW,
Dati: Vo~=18v, V J = ~ V/, D ~ ~ = V ~ ~ C ~OmAW/~L=I

Risposta:
Possiamo innanzitutto calcolare la tensione VGS,che ci
' torner utile pi tardi, in quanto conosciamo I, l ~ s se VT:

Dalla nota formula I,=/,


( --1 ricaviamo che

V V ( ) sembrerebbe che laequazioneabbia

due soluzioni ma essendo il mosfet a canale n sappiamo che


% VGS>VTquindi V,,=V, ( )=6.53 V
l+ E-

Avendo a disposizione le tensioni VDDe VD e la corrente ID,


usiamo la maglia in alto a destra per calcolare RD:
. V,D--VD
- - -V,,+ R,lD+ VD=O R,= =2.25kR.
/D
Calcoliamo ora RSscrivendo la LKT sulla maglia a destra-in basso, della quale conosciamo
-
-
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Vo, VDSe lo: -VD+VDS+RSID=O=$ RS= V"-VOs=l.l~ lc~.


1D
Sfruttiamo ora l'ultimo dato che ci stato fornito, la massima potenza dissipata, per
calcolare la corrente IRche passa per le resistenze Rz e R i (che la stessa perch il gate
non assorbe corrente); Ricordiamoci che la potenza dissipata uguale a quella erogata,-

Perog
quindi pu essere espressa in questo modo: Perw=V,(I,+lD) 3 I,=--ID=0.166m~.
"m
Inoltre scrivendo la LKT sulla maglia di sinistra, otteniamo un'ulteriore informazione:
v .
V,,=I,(R,+R,) 3 R , , + R , = ~ = ~ o ~ ~ R .
IR
Conoscendo ora la corrente IR,possiamo ricavare R, dalla maglia di ingresso:
VG,+R,I,-R,lR=O * R,= Rslo z66.18 k R ; Quindi conosciamo anche il valore di
1,
RZ: ~ , = 1 0 8k l 2 - ~ , ~ 4 1 . 8k 2L?.

3.4. a Testo dell'esercizio:


"I Il circuito di figura, che utilizza un
O' amplificatore operazionale ideale e
r due diodi aventi una tensione di
soglia V7=0.5V, presenta una
transcaratteristica V. = f(VJ che,
considerando solo valori negativi
della tensione d'ingresso, 6
composta da due segmenti,
ciascuno di equazione Vo=mV,+q,
con un punto di spezzamento in
corrispondenza del valore della
tensione d'ingresso Vm.
Determinare:
a) il valore della tensione di
spezzamen to Vm;
b) la pendenza mi del segmento
della transcaratteristica per
VI-=vm;
C) il termine noto ql del segmento
della transcaratteristica per
vi vm;
D,/ \ /4 d) la pendenza m2 del segmento
della transcaratteristica per
v,cv,co
e) il termine noto qt del segmento
- -
- della transcaratteristica per
vmcv,<o
Datj: R1=l Okn, R2=4kS2, Rs=2kR, R4=20kR.

Risposta:
Supponiamo inizialmente i due diodi spenti: sostituiamoli con un
circuito .aperto e verifichiamo che le tensioni ai loro capi siano
minori della.tensione di soglia (dobbiamo utilizzare per entrambi
i diodi un.modello.con tensione.di soglia Vr=0.5V come..indicato ,

in figura)..
- . .

.... - . . \
.
.
. >
.

.
.
,
.
. .- -
. ..

.i ,
... . .
. .

. .
. ... . .
. . . . . . . . . ..
.
.
-
..
www.upupa.org - Esercizi di Fondamenti di Elettronica :. . . . ... . 26

Notiamo subito che e R3 sono in serie con un


V,'. -. circuito aperto, quindi non,vi passa corrente.
. Neanche per Rl e fX, passa corrente in quanto
. sono collegate con il morsetto invertente
dell'operazional, nel quale non entra corrente.
Calcoliamo allora VDle V D ~ :
-V,-V',,=O = V,,=-V, e poniamola minore
della tensione di soglia: V,,=-Vl<0.5V 3

. .
V,>-0.5 V.
-V,+ V,*= O 3 VD2=Vl e, come per Voi,
impon-iamo che sia minore della tensione di
soglia: V,=V,<0.5 V.
Riassumiamo schematicarnente la situazione,
ricordandoci che dobbiamo considerare solo
valori negativi di VI:
.V6,:, -0.5 V O V 0.5 V

1
-
-
:
Conosciamo ora il punto di spezzamento, quindi possiamo ri.spondere alla domanda a):
V,,=-0.5 V.
Calcoliamo la transcaratteristica nel caso.% cui entrambi i diodi sono OFF, cio con -
-0.5 V-=V,<OV: Essendoci u n cortocircuito virtuale tra i morsetti dell'operazionale e
non passando corrente attraverso le resistenze RI e R4, possiamo affermare che V o = V ,
quindi m , = l , q,=O.
Passiamo ora ad analizzare la situazione in cui V,<-0.5 V , quindi il diodo l ON e il
diodo 2 ancora OFF.
Calcoliamo innanzitutto la corrente 12,
y... . .
I . . sfruttando il cortocircuito virtuale tra i morsetti
. . . -
.: dell'operazionale: -V,+R212-0.5 V=O =r

3 12= Vl+0.5 V . notiamo subito che


R2
Vl+0.5 v e poniamola maggiore
R2
.R.1
... -. v,+o.5 v
. . . ... di zero: I,, =- >O 5 V,<-0.5 V;
.* . . R2
1,; come gi visto prima il diodo 'l ON quando
V,<-0.5 V.
Scrivendo la LKC sul nodo a sinistra in centro e
ricordando che i morsetti dell'operazionale non

l+
v,
assorbono corrente, possiamo dire che 11=12.
Inoltre per la resistenza R3 non passa coriente
perch in serie con un cortocircuito, quindi
possiamo affermare anche I,=/,=/, .
1-
.
- .
, Verifichiamo che la tensione V D sia
~ minore
della tensione di soglia: -V,- R,l,+V,=O =
V,=V,+R~~,=V,+-(V,+~.~
3
RI 14
v)=-v,+-<- 5 1 =, V,<-0.21
- V la condizione P verificata
- < R -, 4 4 2 .. .
- . -. .
- . . -. ..
in quanto V,<.~0.:5V. \ . . - ...
alc coliamo la t r a n s c a r a t t e r i s t i ~in~ cai&?icrivendo la LKT da Va, . ..
.
.
..-
passando per ~ , R i e R2 e infine. per il diodo 1: .TVo+(Ri+ Rl+R2)12iv V=O i
. . . . . ..
. . . .
... . ... . . . . . .
. . -.
. .
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27

V,+0.5 V
3 VO=(R4+Rl+R 2 ) -0.5V=8.5V1+3.75 quindi m,=8.5, 9,=3.75.
Ri
Notiamo che quando VI=Vm=-0.5V, cio nel punto d i spezzamento, le due.rette si
"attaccano" perfettamente, infatti m,(--0.5 V)+q,=m,(-.0.5 V)+ q,=-0.5 V.

3.4. b Testo
..V- .
:I C
d e l l ' esercizio:
. . .:
Il circuito di figura, che
. ... . . . . . .. .i:utilizza u n amplificatore
operazionale e due
diodi ideali, presenta
una transcaratteristica
Vo = f(V3 composta da
. ..
P, D' due segmenti, ciascuno
di equazione Vo=mVI+q,
. . . . . .. .
con un punto di
spezzamento in
..
corrispondenza del
valore della tensione
'

R2. d'ingresso VmH.


..
Determinare:
a) il valore della

.t
, . . .
tensione di
spezzamento Vm;
b) la pendenza ml del
R i . .. ; . R;.-'
3 .- -
:.
segmento della
transcara tteristica
. . per VI< VITH;
C) il termine noto q i del
segmento della
transcara tteristica
. . . .- .. . .. per VI<VITH;
.
- -
'
. /

d) la pendenza m* del
segmento della
transcara tteristica
per VI> Vrr~;
e) il termine noto q2 del segmento della transcaratteristica per Vi>Vm;
Dati: R1=5kR,R2=12kQ R3=2kC2, R r = l Okf2.

Risposta:
Essendo i due diodi posti "l'uno di fronte all'altro" improbabile che siano entrambi accesi
o entrambi spenti: ipotizziamo allora che il diodo 1sia acceso mentre sia spento il diodo 2
e andiamo a verificare che I,,>O e V,<O (dobbiamo utilizzare un modello di diodo
ideale, cio con tensione di spezzamento uguale a O).
Come vediamo nella figura a pagina seguente. non passa corrente attraverso la resistenza
R1, perch essa si trova in parallelo con u n cortocircuito. Calcoliamo allora la corrente Il
che passa per la resistenza RI,sfruttando il cortocircuito virtuale tra i morsetti
VI
dell'operazionale e scrivendo la LKT sulla maglia d i sinistra: -V,+RIIl=O 3 Il=-.
Rl
~ssebviarnosubito, per la LKT al nodo a sinistra nel centro, che I,,=-I,=- - e poniamo
v,
.. R,-
la.corr6nte 1,20'.-.per verificare per quali valori
..
.
di VI il diodo sia effettivamente acceso:
- .
.>: .T. .. / ---.>.o
. V , . *\V'<O
. - - . . . --
. -. . . . :
- .
I .-. .. .
: -:
-,

-
1Rl
. . - .
..
. - .
.
:
:
... . . > .
.. ..
.
.
!
l
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~alcofiamoanche la corrente 13 che
passa per la resistenza R3, sempre
sfruttando il cortocircuito virtuale tra i
morsetti dell'operazionale e scrivendo
la LKT partendo da VI, passando per il
diodo l e finendo con R3:
-Vl+R,I,=O a I,=-. VI
.... . . .
R3
Infine calcoliamo la corrente l4
sfruttando l a LKT al nodo centrale:
-/~-14-13=o = /4=-(11+1 3 )-- .

F
:l,4
Possiamo ora calcolare la tensione V D ~ :
VD2=-R,14=R,

poniamola minore di O per scoprire per


quali valori di VI il diodo
. . . effettivamente spento:
-.
- V,<O 3 V,<O.

r
ov
Riassumiamo schematicamente la situazione: b
Innanzitutto conosciamo il punto.di speizarnento: V,=O V ........... ON i .......OFF
.............
Le ipotesi che abbiamo fatto ad ora (diodo 1ON e diodo 2 OFF) D~ OFF j ON
sono quindi valide solo per Vl<O. .................. .................... ..-.L

Calcoliamo la tensione di uscita in questo caso, scrivendc la LKT partendo da Vo, passando
per R4, per il diodo 1e infine per V,:

Analizziamo ora la situazione in cui Vl>O, quindi il diodo 1 OFF e il diodo 2 ON.
Osserviamo che non passa corrente
I
VI attraverso la resistenza i&,perch
essa si trova in parallelo con un
cortocircuito.
Calcoliamo allora la corrente li che
passa per la resistenza Ri,
sfruttando il cortocircuito virtuale tra
+
Vr>t
IDZ - i morsetti dell'operazionale e
scrivendo la LKT sulla maglia d i
v
sinistra: -V,+R,Il=O * l,=>.

%;t;
Rl
Ora, per la LKT al nodo a sinistra nel
VI
centro, si ha che /,=-I,=- -.
Rl
Calcoliamo la'tensione Voi per
5.; ... verificare che sia effettivamente
. . . - minore di zero, quindi che il diodo 1

, $.-
. ,

-. sia spento: . . - -
. -. R2
.... .. V,=R212=- -VI<O * Vl>.O. . ,

. -
..
. - .- . -. . . . . . . . .. .
..
. -
. . R1
. . . . .
. . . ., .
. . .- . calcoiiamo ora I3 scrivendo l'a LKT
.
- .
P.

. . . . . - . . .
. . . . .
.. .
v.

.. . . . . : .
.:
. . . . . . . . . . . - . .
. . . . . ..
. . . . . .. .
. . . . . .. ..
....
-- -

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1 Rl+R2
partendo da V,, passando per R2 e R3: -VI+R2I2+R3l3=0 * 13=-(VI-R2I2)=-
R3 ' 3 8 3
v,-
Per la LKT al nodo centrale in alto abbiamo che: /,,+l2-/,=O d a cui ricaviamo
Rl+R2+R3 V , e poniamo la corrente lo2 maggiore di zero per
RlR3
R,+R,+ R ,
verificare che il diodo 2 sia effettivamente acceso =,I V,>O V,>O.
R1 R 3
Calcoliamo infine la tensione di uscita, scrivendo la LKT partendo da VO,passando per il
R2
diodo 2, per R2 e infine per Vi: -Vo-R,I,.+V,=O 3 V,=-R21,+V,=-Vi+Vi=3.4V, quindi
R1
m,=3.4, q , = O .
Notiamo che quando V,= V= ,O V, 'cio nel punto di spezzamento, le due .rette si
"attaccano" perfettamente, infatti ml(O V ) + q l = m 2 ( 0V)+q2=0V.

3.4.C Testo dell'esercizio:

Il circuito di figura, che utilizza un amplificatore operazionale ed un diodo entrambi


considerati ideali, presenta una transcaratteristica V. = f(VJ composta da due segmenti,
ciascuno di equazione Vo=mVi +q, con un punto di spezzamento in corrispondenza del
valore della tensione d'ingresso Vm. Determinare:
a) il valore della tensione di spezzamento Vm;
b) la pendenza mi del segmento della transcaratteristica per Vi ~ V , - I H ;
C) il termine noto ql del segmento della transcaratteristica per V,<Vmi;
d) la pendenza m2 del segmento della transcaratteristica per Vi >Vm;
e) il termine noto ql del segmento della transcaratteristica per V,>Vmi;
Dati: ~ , = l k n ,
R2=8kCl, R3=3kCl, Rd=lkQ R5=4kn.

Risposta:
Supponiamo inizialmente il diodo spento, sostituiamolo con un circuito aperto e andiamo a
verificare per quali valori di VI questo effettivamente vero: calcoliamo cio& la tensione V.
ai capi del diodo e andiamo a controllare che sia minore di zero (dobbiamo utilizzare-
un
modello di diodo ideale con tensione di soglia uguale a zero).
Possiamo calcolare la corrente 1 1 ~ ~ c passa
he per le resistenze Ri, R i ed R3 (la corrente che
.
'
passa per R3 la stessa che passa per R l e RZ in quandq il morsetto dell'operazionale non
assorbe corrente) scrivendo la LKT - - partendo da VI epassando per le tre resistenze:
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. . . .. -v,+(R,+R,+ R3)l12,=0
",-
P;' v,
.+ -. .
Il2'=%
RL+R2+R3 . .
=>

UP Notiamo subito che la


.. .+. corrente I5 uguale alla
- . G..,
corrente l4in quanto il
morsetto invefiente
. . ...
- '
dell'operazionale non
k assorbe corrente.
Calcoliamo allora la
corrente l4 che passa per
R4 scrivendo la LKT
- . .
partendo da VI, passando
- per le resistenze Rr e Rz,
per il cortocircuito virtuale e infine per la resistenza R4: - V , S ( R ~ + R ~ ) ~ ~ ~ ~ + R ~ I ~ = O

3 /,=v, R3 Possiamo ora calcolare VD sfruttando la maglia d i sinistra:


(~RliR2i '31R4

diodo quindi OFF quando V,>O. Conosciamo ora il punto di spezzamento: V,,=OV.
alc coliamo la tensione V. in questo caso, scrivendo la LKT sulla maglia (esterna) di destra:
-V,+R515+R,I,=0 3 V,=V,(R4+R5) =-V, da cui m,=1.25, q,=0.

Consideriamo ora il caso in cui V,<O ed il diodo quindi ON.


Osserviamo subito,
*V
I considerando la maglia
R, - centrale formata da R2,
"0
dal cortocircuito virtuale

-
lo 1 -- W
tra i morsetti
dell'operazionale e dal
diodo, che la resistenza R2
in parailelo con un
cortocircuito, quindi non
b
16
. attraversata da corrente;
Non passa corrente quindi
neanche per R3 (lo si pu
vedere scrivendo la LKC al
nodo sopra di essa); Da
--
- questo ricaviamo che non
passa corrente neanche per h, in quanto la tensione al nodo "sopra" R3 zero, per il
cortocircuito virtua\e zero anche \a tensione a\ morsetto invertente, che come si vede
collegato direttamente con R4: la tensione ai capi d i Re quindi zero, e d zero anche la
corrente che vi passa.
Da queste osservazioni ricaviamo che la corrente li che passa per Ri va tutta sul diodo e
poi sulla resistenza Rs; Allora calcoliamola, chiamandola Il5, servendoci della maglia d i
VI
sinistra: -V,+R,lls=O 3 1,,=5; Conbsciarno la corrente I , infatti I,=-Il,=-- e
. . .R, R1
poniamola maggiore di zero: I,=- ->O
VI Vl-=O; come avevamo detto prima.
R l .. .
Calcoliarng-. la
.
tensione.Vo in_._ questo caso, scrivendo la LKT partendo VOe passando per ~ 5 , -
... 'L
R5+R1 .
R i e V,: - v ~ ~ { R ~ + R ~ ) ~ ~ ~ + vV,=-V,-
,=o,-, +.V,=-4V, Quindi m,=-4, q , = O . .

.. -. . - . . .. ... Rl. < -. . . . .


. .

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