R. C. Jaeger, T. N.

Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

CAPITOLO 2
2.11
Basandosi sulla Tabella 2.1, una resistività di 2.6 cm < 1 mcm, quindi l’alluminio è un
conduttore.

2.2
Basandosi sulla Tabella 2.1, una resistività di 1015 -cm > 105 -cm, quindi il diossido di silicio
è un isolante.

2.3
 A   108 cm 2 
I max  107  5μm   
1μm   500 mA
 cm 2   μm 
2

2.4
 EG 
ni  BT 3 exp  5 
 8.62x10 T 
31
Per il silicio, B = 1.08 x 10 e EG = 1.12 eV:
-10 3 9 3 13 3
ni = 2.01 x10 /cm 6.73 x10 /cm 8.36 x 10 /cm .
30
Per il germanio, B = 2.31 x 10 e EG = 0.66 eV:
3 13 3 15 3
ni = 35.9/cm 2.27 x10 /cm 8.04 x 10 /cm .

2.5
Si definisce un M-File:

function f=temp(T)
ni=1E14;
f=ni^2-1.08e31*T^3*exp(-1.12/(8.62e-5*T));
14 3 16
ni = 10 /cm per T = 506 K ni = 10 /cm3 per T = 739 K

1 Le soluzioni proposte in questo documento sono stilisticamente conformi a quelle dell’edizione originale; il
lettore presti particolare attenzione al fatto che i simboli delle unità di misura (V, A, W, J, Ω, S, …) e dei fattori di
scala (G, k, m, µ, n, …) vanno sempre scritti in carattere tondo.

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.6
 cm2  V  6 cm
vn  n E  700 2500  1.75x10
 V  s  cm  s
 cm2  V  5 cm
v p   p E  250 2500  6.25x10
 V  s  cm  s
 1  cm 
 
jn  qnvn  1.60 x1019C 1017 3 1.75x106
 cm 
 2.80 x10
s 
4 A

cm2
 1  cm 
 
j p  qnv p  1.60 x1019C 10 3 3 6.25x10 5
 cm 
 1.00 x10
s 
10 A

cm2

2.7
j 1000 A/cm 2 cm
 v  2
 5 104
Q 0.02 C/cm s

2.8
 C  cm  6 A MA
j  Qv   0.5 3  107   5 10 5
 cm   sec  2
cm cm 2

2.9
 V 
 1010 cm   100 V
5V V
a E 4
 5000 b V  105 4

1010 cm cm  cm 

2.10
Per il silicio intrinseco,   q   n ni   p ni   qni   n   p 

  1000  Ωcm 
1
per un conduttore
1000  Ωcm 
1
 4.16 1019
ni   
q  n   p  cm 2 cm3
1.602 x1019 C 100  50 
Vs
1.731039  E 
n i2   BT 3 exp   G  with
 kT 
6
cm
B  1.08 10 K cm , k=8.62 10-5eV/K and E G  1.12 eV
31 -3 -6

Questa è un’equazione trascendentale e deve essere risolta per iterazione. Utilizzando un

foglio di calcolo si ottiene T = 2701 K. Si noti che questa temperatura è molto superiore alla
temperatura di fusione del silicio.

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.11
Per il silicio intrinseco,   q   n ni   p ni   qni   n   p 

  105  Ω cm 
1
per un conduttore
105  Ωcm 
1
 2.270 1010
ni   
q  n   p  cm 2 cm 6
1.602 x1019 C  2000  750 
Vs
5.152 1020  E 
n i2   BT 3 exp   G  con
 kT 
6
cm
B  1.08 10 K cm , k=8.62x10-5eV/K e E G  1.12 eV
31 -3 -6

Utilizzando MATLAB come nel problema 2.5 si ottiene T = 316.6 K.

2.12

Si Si Si

D on or electron
fi lls accep tor
v acancy

P B Si

Si Si Si

Non ci sono elettroni o lacune libere (ad eccezione di quelle corrispondenti a ni).

2.13
(a) Il gallio è nella colonna 3 e il silicio nella colonna 4. Dunque il silicio ha un elettrone in
più e può quindi agire da donatore.
(b) L’arsenico è nella colonna 5 e il silicio nella colonna 4. Quindi il silicio ha un elettrone in
meno e dunque agisce da accettore.

2.14
j A V
E  j   10000 0.01Ω cm  100 , un piccolo campo elettrico.
 cm 2
cm

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.15
 C  cm 
  
jndrift  qnn E  qnvn  1.602 x10 19 1016  3 10 7
cm 
 16000
s 
A
cm 2

2.16
N A  N D : N A  N D  1015  1014  91014 / cm3

Assumendo N A  N D  2ni  1014 / cm3 :
n i2 25 1026
p=N A  N D  9 1014 / cm3 | n=  14
 2.78 1012 / cm3
p 9 10

 910 
14 2
 4  5 x1013 
2
91014 
Usando Eq. 2.12: p=  9.031014 / cm3
2
12 3
e n=2.77x10 / cm .

2.17
N A  N D : N A  N D  4 1016  1016  3 1016 / cm3  2ni  2 1011 / cm3
n i2 1022
p=N A  N D  3 10 / cm | n=
14
 3
16
 3.33 105 / cm3
p 3 10

2.18
N D  N A : N D  N A  21017  1017  1x1017 / cm3
2ni  2 x1017 / cm3 ; usando Eq. (2.11)

10   4 1017 
2 2
1017  17

n=  1.62 x1017 / cm3

2
2 34
n 10
p= i
 17
 6.181016 / cm3
n 1.6210

2.19
(a) Siccome il boro è un accettore, NA = 6 x 1018/cm3. Si assuma ND = 0, siccome non
diversamente specificato. Il materiale è di tipo p.
A temperatura ambiente, ni  1010 / cm3 e N A  N D  61018 / cm3 >> 2n i
ni2 1020 / cm 6
Così p  6 1018 / cm3 e n    16.7 / cm3
p 6 1018 / cm3
(b)
 1.12 
A 200K, ni2  1.081031  200  exp     5.2810 / cm
3 9 6

 8.6210  200  
5

5.28109
ni  7.27104 / cm3 N A  N D  2ni , quindi p  61018 / cm3 e n   8.80 10 10 / cm3
6 1018

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.20
(a) Siccome l’arsenico è un donatore e il boro un accettore ND = 2 1018/cm3, e NA =
8 1018/cm3. Dato che NA > ND, il materiale è di tipo p.
(b) A temperatra ambiente, n i  1010 / cm 3 e N A  N D  6 1018 /cm3 >> 2n i
ni2 1020 / cm 6
Quindi p  6 10 / cm e n 
18
 3
 16.7 / cm3
p 6 10 / cm
18 3

2.21
ND = 4 x 1016/cm3. Si assuma NA = 0, siccome non diversamente specificato.
N D  N A : materiale di tipo n | N D  N A  5 1016 / cm 3  2 ni  2 1010 / cm 3
n i2 1020
16
n=5 x10 / cm 3
| p=  16
 2 103 / cm 3
n 5 10
cm 2 cm 2
N D  N A  5 10 / cm | Usando Fig. 2.13,  n  870
16 3
and  p  310
Vs Vs
1 1
   0.144 cm
qn n 19  cm 2   5 1016 
1.602 10 C  870  
 Vs   cm3 

2.22
NA = 1018/cm3. Si assuma ND = 0, siccome non diversamente specificato.
N A  N D : materiale di tipo p , N A  N D  1018 / cm 3  2 ni  21010 / cm 3
n i2 1020
p=1018 / cm 3 | n=  18  100 / cm 3
p 10
cm 2 cm 2
N D  N A  1018 / cm 3 | Utilizzando Fig. 2.13,  n  350 e  p  150
Vs Vs
1 1
   0.0417 Ωcm
q p p 19  cm 2   1018 
1.602 10 C 150  
 Vs   cm 3 

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.23
L’indio è nella colonna 3 ed è un accettore. NA = 7 x 1019/cm3. Si assuma ND = 0, siccome non
diversamente specificato.

N A  N D : materiale di tipo p | N A  N D  7 1019 / cm 3  2 ni  2 1010 / cm 3

n i2 1020
p=7 1019 / cm3 | n=   1.43 / cm 3
p 7 1019
cm 2 cm 2
N D  N A  7 1019 / cm 3 | Usando Fig. 2.13,  n  105 and  p  80
Vs Vs
1 1
   1.12 mΩcm
q p p 19  cm 2   7 1019 
1.602 10 C  80  
 Vs   cm3 

2.24
Il fosforo è un donatore: N D  4.5 1016 / cm3 | Il boro è un accettore: N A  5.5 1016 / cm3
N A  N D : il materiale è di tipo p | N A  N D  1016 / cm 3  2ni  2 1010 / cm3
n i2 1020
p=1016 / cm3 | n=   104 / cm3
p 1016
cm 2 cm 2
N D  N A  1017 / cm3 | Usando Fig. 2.13, n  710 e p  260
Vs Vs
1 1
   2.40 Ωcm
q p p 19  cm 2  1016 
1.60210 C  260  
 Vs  cm3 

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.25
1 1 1.16x1020
 | p p  
q p p 1.602x10 C0.054  cm
19
V  cm  s

E’ richiesta una soluzione per passi successivi. Utilizzando le equazioni in Fig. 2.8:

 NA p p p

1018 96.7 9.67 x 1020

1.1 x1018 93.7 1.03 x 1020
1.2 x 1017 91.0 1.09 x 1020
1.3 x 1019 88.7 1.15 x 1020

2.26
1 1 8.32x1018
 | p p  
q p p 1.602x10 C0.75  cm
19
V  cm  s

E’ richiesta una soluzione per passi successivi. Utilizzando le equazioni in Fig. 2.8:

 NA p p p

1016 406 4.06 x 1018

2 x 1016 363 7.26 x 1018
3 x 1016 333 1.00 x 1019
2.4 x 1016 350 8.40 x 1018

2.27
Basandosi sui valori di resistività, il materiale è un isolante. In ogni caso non è intrinseco, in
quanto contiene delle impurità. L’aggiunta di impurità ha determinato un aumento della
resistività.

2.28
1 3.12x1018
1
 | n n  n N D  
q n n 
1.602x1019 C 2  cm V  cm  s 
E’ richiesta una soluzione per passi successivi. Utilizzando le equazioni in Fig. 2.8:

 ND n nn

1015 1350 1.35 x 1018

2 x 1015 1330 2.67 x 1018
2.5 x 1015 1330 3.32 x 1018
2.3 x 1015 1330 3.06 x 1018

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.29 (a)
1 1 6.24x1021
 | n n  n N D  
qn n  
1.602 x1019 C 0.001  cm  V  cm  s
E’ richiesta una soluzione per passi successivi. Utilizzando le equazioni in Fig. 2.8:

 ND n nn

1019 116 1.16 x 1021

7 x 1019 96.1 6.73 x 1021
6.5 x 1019 96.4 6.3 x 1021

(b)
1 1 6.24 x10 21
 | p p  p NA  
q p p 1.602 x1019 C0.001  cm V  cm  s
E’ richiesta una soluzione per passi successivi. Utilizzando le equazioni in Fig. 2.8:

 NA p p p

1.3 x 1020 49.3 6.4 x 1021

2.30
Si, aggiungendo la stessa quantità di impurità sia di tipo donatori che accettore la mobilità si
riduce, ma la concentrazione degli elettroni e delle lacune rimane invariata. Si faccia
riferimento al problema 2.27 per un esempio. In ogni caso è fisicamente impossibile
aggiungere la stessa quantità di entrambe le impurità.

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.31
(a) Per il materiale con resistività iniziale di 1 ohm-cm:
1 1 6.25x1018
 | p p  pN A  
q p p  
1.602x1019 C 1  cm V  cm  s
E’ richiesta una soluzione per passi successivi. Utilizzando le equazioni in Fig. 2.8:

 NA p p p

1016 406 4.1 x 1018

1.5 x 1016 383 5.7 x 1018
1.7 x 1016 374 6.4 x 1019

Per modificare la resistività ad un valore pari a 0.25 ohm-cm:

1 1 2.5x1019
 | p p  pN A  
q p p  
1.602 x1019 C 0.25  cm  V  cm  s

NA p p p

6 x 1016 276 1.7 x 1019


8 x 1016 233 2.3 x 1019
1.1 x 1017 225 2.5 x 1019
17 16 16 3
Concentrazione degli accettori aggiuntivi = 1.1x10 - 1.7x10 = 9.3 x 10 /cm
(b) Se si aggiungono dei donatori:

ND ND + NA n ND - NA nn

2 x 1016 3.7 x 1016 1060 3 x 1015 3.2 x 1018

1 x 1017 1.2 x 1017 757 8.3 x 1016 6.3 x 1019
8 x 1016 9.7 x 1016 811 6.3 x 1016 5.1 x 1019
4.1 x 1016 5.8 x 1016 950 2.4 x 1016 2.3 x 1019

16 3
Così un valore di ND = 4.1 x 10 /cm deve essere aggiunto per ottenere una resistività di 0.25
ohm-cm. Il silicio è stato convertito in un materiale di tipo n.

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.32
Il fosforo è un donatore: ND = 1016/cm3 e n = 1250 cm2/V-s dalla Fig. 2.8.

 
  qn n  qn N D  1.602x1019 C 1250 1016    2.00
  cm
A questo punto aggiungiamo accettori fino a che  = 5.0 (-cm) -1:
5  cm
1
3.12x1019
   q p p |  p p   p N A  N D  
1.602 x1019 C V  cm  s

NA ND + NA p NA - ND p p

 1 x 1017 1.1 x 1017 250 9 x 1016 2.3 x 1019

2 x 1017 2.1 x 1017 176 1.9 x 1017 3.3 x 1019
1.8 x 1017 1.9 x 1017 183 1.7 x 1016 3.1 x 1019

2.33
kT 1.38x1023 T
VT    8.62x105 T
q 1.602x1019

T (K) 50 75 100 150 200 250 300 350 400

 VT (mV) 4.31 6.46 8.61 12.9 17.2 21.5 25.8 30.1 34.5

2.34
 dn  dn
j  qDn     qVT n
 dx  dx
 cm 2  0  1018  1
j  1.60210 C   0.025 V   350
19 kA
 4  4  56.1 2
 Vs  0.2510  0  cm cm

2.35
 cm 2  1019 / cm 3   
j  qD p
dp
dx

 1.602x1019 C 
15  4

e xp 

 s  2x10 cm   2x10 cm 
x
4 

 x  A
j  1.20x105 exp5000  2
 cm cm
 A  108 cm2 
I 0  j 0A  1.20x105 2 10m 2
 cm 
 
 m 
2  12.0 mA



© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.36
dp  1 dp  1 dp
j p  q p pE  qD p  q p pE  VT  0  E  VT
dx  p dx  p dx

E  VT
1 dN A 1022 exp 10 4 x
 0.025 14
 
N A dx 10  1018 exp 10 4 x  
1022
E 0 0.025
V
 250
10  10
14 18
cm
10 exp 5
22

 
E 5x104 cm  0.025 14
10  10 exp 5
18
 246
V
cm

2.37
 cm2 1016  V 
  
jndrift  qn nE  1.60 x10 19 C 350  3 20  11.2 2
 V  s cm  cm 
A
cm
 cm2 1.01x1018  V 
 
j pdrift  q p pE  1.60 x1019 C 150 
 V  s  cm
3
20  484 2
 cm 
A
cm
 cm2  10 4 1016 
jndiff  qDn
dn
dx
 
 1.60 x1019 C 350  0.025


s 2x10 cm 4 4 
 70.0 2
cm
A

 cm2 1018 1.01x1018 

j p  qDp
diff dp
dx
 19



 1.60 x10 C 150  0.025 
s  2x10 cm  4 4
A
 30.0 2
cm
A
jT  11.2  484  70.0  30.0  535
cm2

2.38 NA = 2ND
 EC

E N N ND
D D D

EA NA NA NA NA

E
V
Holes

2.39
hc  6.62610 Js  3 10 m/s 
34 8

   1.108 μm
E 1.12 eV  1.602 1019 J/eV 

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

 R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2.40
Al - Anode Al - Cathode

Si02

n-type silicon

p-type silicon

2.41
Un processo di impiantazione di ioni di tipo n può essere utilizzato per ottenere la regione n +
subito dopo il passo (f) in Fig. 2.17. Deve essere utilizzata una maschera per coprire le
aperture nella regione p e lasciare le aperture sopra la regione n. La maschera per l’impianto
potrebbe essere il fotoresist.
Mask Ion i mplantation

Photoresi st

Si02
n+
p-type sili con p-type sili con

n-type sili con n-type sili con

Structure after exposure and Structure foll owi ng ion

development of photoresist layer impl antati on of n-type impurity

Mask for ion i mplantati on

Side vi ew

T op Vi ew

© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)