Microelettronica 5a SoluzioniCapitolo03 PDF

R. C. Jaeger, T. N.
Blalock – Microelettronica, 5ª edizione
CHAPTER 3
3.11
 j  VT ln
N AND
  0.025 V  ln
1019 cm -3 1018 cm -3 
 0.979 V
ni2 1020 cm -6
2 s  1 1  2 11.7  8.854 x1014 F cm -1   1 1 

wdo     j  19  19 -3  18 -3   0.979V 
q  N A ND  1.60210 C  10 cm 10 cm 
w do  3.73 106 cm  0.0373μm
wdo 0.0373μm wdo 0.0373μm
xn   18 -3
 0.0339 μm | x p   19 3
 3.39 10-3 μm
ND 10 cm NA 10 cm
1 1  19 -3 1 1  18 3
NA 10 cm ND 10 cm
E MAX 
qN A x p

1.6010 19
C 1019 cm 3  3.39107 cm 
 5.24 105
V
s 11.7  8.854 x10 14
F/cm cm
3.2
1018 ni2 1020 102
p po  N A  | n po   
cm3 p po 1018 cm 3
1015 ni2 10 20 105
nno  N D  | p no   
cm3 nno 1015 cm 3
 j  VT ln
N A ND
  0.025 V  ln
1018 cm 3 1015 cm 3 
 0.748 V
ni2 1020 cm 6
2 s  1 1  2 11.7  8.854 x1014 F cm 1   1 1 

wdo     j  19  18 3  15 3   0.748 V 
q  N A ND  1.602 x10 C  10 cm 10 cm 
wdo  98.4 106 cm  0.984 μm
1 Le soluzioni proposte in questo documento sono stilisticamente conformi a quelle dell’edizione originale; il
lettore presti particolare attenzione al fatto che i simboli delle unità di misura (V, A, W, J, Ω, S, …) e dei fattori di
scala (G, k, m, µ, n, …) vanno sempre scritti in carattere tondo.
© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione
3.3
1018 ni2 1020 102
p po  N A  | n po   
cm 3 p po 1018 cm 3
1018 ni2 1020 102
nno  N D  3 | p no   
cm nno 1018 cm 3
NA ND
 j  VT ln 2  0.025V ln

1018  cm 3 1018  cm 3 
 0.921V
ni 1020  cm 6

2s  1 1  211.7  8.854x1014 F  cm 1 1 1 
w do     j   18 3  18 3  0.921V
q N A N D  19
1.602x10 C 10 cm 10 cm 
w do  4.881x106 cm  0.0488 m
3.4
 1018 ni2 1020 102
p po  N A  | n po   
cm 3 p po 1018 cm 3
1018 ni2 1020 102
nno  N D  | p no   
cm 3 nno 1018 cm 3
NA ND
 j  VT ln 2  0.025V ln

1018  cm 3 1020  cm 3 
 1.04V
ni 1020  cm 6

2s  1 1  211.7  8.854x1014 F  cm 1  1 1 
w do    
 j  19  18 3  20 3  1.04V
q N A N D  1.602x10 C 10 cm 10 cm 
w do  0.0369 m
3.5
1016 ni2 1020 104
 p po  N A  | n po   
cm 3 p po 1016 cm 3
1019 ni2 1020 10
nno  N D  | p no   
cm 3 nno 1019 cm 3
N AND
 j  VT ln 2   0.025 V  ln
1019  cm 3 1016  cm 3 
 0.864 V
ni 1020  cm 6

2 s  1 1  2 11.7  8.854 1014 F×cm 1   1 1 
wdo    
 j  19  19 3  16 3   0.864 V 
q  N A ND  1.60210 C  10 cm 10 cm 
w do  0.334 μm

3.6
VR 5
wd  wdo 1  | (a) wd =2 wdo richiede VR  3 j  2.55 V | wd  0.4μm 1  =1.05 μm
j 0.85
3.7
VR 10
wd  wdo 1  | (a) wd =3wdo richiede VR  8 j  4.80 V | wd  1μm 1  =4.20 μm
j 0.6
3.8
1 1 2 j 1000 A cm -2 V
jn   E ,  =   | E n   500
  2  Ω cm 
1
0.5 Ω cm Ω cm cm
3.9
 jn    5000 A cm 2   2Ω cm   10.0
jn kV
jp   E | E
 cm
3.10
 4 1015  107 cm 
j  jn  qnv  1.60 1019 C  
A
3    6400 2
 cm  s  cm
3.11
 51017  107 cm 
j  j p  qpv  1.60 1019 C  
kA
3    800
 cm  s  cm 2
3.12
dp  Dp
 1 dp  kT  1 dp
j p  q  p pE  qD p  0  E  
   
dx   q  p dx
 p dx
 p
 x 1 dp 1 V 0.025V V
p ( x)  N o exp    |  | E=  T   4  250
 L p dx L L 10 cm cm
Un drogaggio esponenziale determina un campo elettrico costante
3.13
dn dn dn 2000A/cm 2 1.00 10 21
j p  qDn  q  nVT |  
dx dx dx 1.60 10 19 C  500cm 2 /Vs   0.025 V  cm 4
3.14
10  104 1016 exp  40VD   1  VD calcolando si ottiene VD  0.7464 V

3.15
ID  IS 0.025 f
f  10 104 I D  0.025ln | f '  104  | I'D  I D 
IS ID  IS f'
-13
Si inizia il processo di iterazione con ID = 100 A e IS = 10 A:
ID f f'

1.000E-04 8.482E+0 -1.025E+04
0
9.275E-04 1.512E- -1.003E+04
01
9.426E-04 3.268E- -1.003E+04
06
9.426E-04 9.992E- -1.003E+04
16
3.16
(a) Si crea la seguente funzione anonima:
current=@(id)10-1e4*id-0.025*log(1+id/1e-13);
Quindi: fzero(current) si ottiene ans = 9.4258e-04
-15
(b) Modificando IS a 10 A:
current=@(id)10-1e4*id-0.025*log(1+id/1e-15);
Quindi: fzero(@current,1) si ottiene ans = 9.3110e-04
3.17
qVT 1.60 10 C  0.025 V 
19
T   290 K
k 1.381023 J/K
3.18
kT 1.3810 J/K  T
23
VT   19
 8.63x105 T
q 1.60 x10 C
Quando T = 218 K, 273 K e 358 K, VT = 18.8 mV, 23.6 mV e 30.9 mV

3.19
  40VD  
Dal grafico I D  I S exp   1 si ottiene :
  n  
6
5
(b)
Diode Current (A)
4 (a)
(c)
0
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
Diode Voltage (V)
3.20
nVT  n
kT
 1.04
1.38 1023 J/K   300   26.88 mV T=26.88 mV
1.602 10-19
 312 K
q 1.60 10 19 C 1.38 10 -23
3.21
  v   vD  i 
iD  I S exp D   1 o  ln1  D 
  nVT   nVT  IS 
i   1 
 o lnI D    vD  lnIS 
vD
Per i D  I S ,  ln D
nVT  IS   nVT 
che è l’equazione di una retta con pendenza 1/nVT e intercetta l’asse x a -ln (IS). I valori di n e
-4
IS possono essere determinati dai punti sulla linea in figura: es. iD = 10 A per vD = 0.60 V e iD
-9
= 10 A per vD = 0.20 V. Quindi ci sono due equazioni in due incognite:
 40  8
ln 10-9     .20  ln  IS  o 9.21     ln  IS 
 n n
 40   24 
ln 10-4     .60  ln  IS  or 20.72     ln  IS 
 n  n
-12
Risolvendo per n e IS si ottiene n = 1.39 e IS = 3.17 10 A = 3.17 pA.

3.22
 I   V  
VD  nVT ln 1  D  | I D  I S exp  D   1
 IS    nVT  
 7 105 A   5106 A 
(a) VD  1.05  0.025 V  ln 1  18   0.837 V | (b) VD  1.05  0.025 V  ln 1  18   0.768 V
 10 A   10 A 
  0  
(c) I D  1018 A exp    1  0 A
  1.05  0.025 V  
  0.075 V  
(d) I D  1018 A exp  19
  1  0.94310 A
  1.05  0.025 V  
  5 V  
(e) I D  1018 A exp  18
  1  1.00 10 A
  1.05  0.025 V  
3.23
 I   V  
VD  nVT ln 1  D  | I D  I S exp  D   1
 IS    nVT  
 104 A   105 A 
(a) VD  0.025 V ln 1  17   0.748 V | (b) VD  0.025 V ln 1  17   0.691V
 10 A   10 A 
  0  
(c) I D  1017 A exp    1  0 A
  0.025 V  
  0.06 V  
(d) I D  1017 A exp  17
  1  0.909 10 A
  0.025 V  
  4 V  
(e) I D  1017 A exp  17
  1  1.00 10 A
  0.025 V  
3.24
 V     0.675  
I D  I S exp  D   1  1017 A 6
exp  0.025   1  5.32 x10 A  5.32 μA
  VT      
I   15.9 x106 A 
VD  VT ln  D  1   0.025V  ln  17
 1  0.703 V
 IS   10 A 
3.25
 I   40A 
VD  nVT ln 1  D   2  0.025V  ln 1  10   1.34 V
 IS   10 A 
 100A 
VD  2  0.025V  ln 1  10   1.38 V
 10 A 

3.26
ID 2mA
(a) I S    1.14 x10 17 A
  VD     0.82  
exp    1 exp  0.025   1
  nVT      
  5  
(b) I D  1.14 x1017 A exp  17
  1  1.14 x10 A
  0.025  
3.27
ID 300μA
(a) I S    2.81 10 17 A
  VD     0.75  
exp    1  exp  0.025   1
  nVT      
  3  
(b) I D  2.81 10 17 A exp  17
  1  2.81 10 A
  0.025  
3.28
 I   103 A 
VD  nVT ln 1  D  | 10-14  I S  1012 | VD   0.025V  ln 1  12   0.518 V
 IS   10 A 
 103 A 
VD   0.025V  ln 1  14   0.633 V | So, 0.518 V  VD  0.633 V
 10 A 

3.29
1.38 1023  307    VD  
VT  19
 0.0264V | I D  I S exp    1
1.60 10   0.0264n  
Variando n e IS con il metodo trial-and-error con un foglio di calcolo:
n IS
1.039 7.606E-15
Errore
VD ID-Misurata ID-Calcolata
Quadratico
0.500 6.591E-07 6.276E-07 9.9198E-16

0.550 3.647E-06 3.885E-06 5.6422E-14
0.600 2.158E-05 2.404E-05 6.0672E-12
0.650 1.780E-04 1.488E-04 8.518E-10
0.675 3.601E-04 3.702E-04 1.0261E-10
0.700 8.963E-04 9.211E-04 6.1409E-10
0.725 2.335E-03 2.292E-03 1.8902E-09
0.750 6.035E-03 5.701E-03 1.1156E-07
0.775 1.316E-02 1.418E-02 1.0471E-06
Errore quadratico totale 1.1622E-06
3.30
VT  

kT 1.38x1023 J / K T 
 8.63x10 5 T
19
q 1.60 x10 C
Per T = 233 K, 273 K e 323 K, VT = 20.1 mV, 23.6 mV e 27.9 mV
3.31
kT 1.38 10  303
23
 103 
  26.1 mV | V   0.0261V  ln  1  16 
 0.757 V
1.60 1019
D
q  2.5 10 
V   1.8mV/K  20 K   36.0 mV | VD  0.757  0.036  0.721 V
3.32
kT 1.38x10 298  104 
23

1.602x1019
 25.67 mV | (a) VD  0.02567V  1 1015  0.650 V
ln
q  
V   2.0mV/K  25K   50.0 mV
(b) VD  0.650  0.050  0.600 V


3.33
kT 1.38 10  298 
23
 2.5 104 
  25.67 mV | ( a ) V   0.02567V  1  14   0.615 V
ln
1.602 1019
D
q  10 
 b  V   1.8mV/K  60K   50.0 mV VD  0.615  0.108  0.507 V
(c) V   1.8mV/K  80K   144 mV VD  0.615  0.144  0.758 V
3.34
dvD vD  VG  3VT 0.7  1.21  3  0.0259  mV
   1.96
dT T 300 K
3.35
I S 2 T2 
3
 E 1 1  T 3 E  T 
   exp G     2  exp G 1 1 
I S1 T1    k T2 T1  T1  kT1  T2 
E  1 
f x  x  exp G 1 
3 T
x= 2
kT1  x  T1
Utilizzando il metodo trial and error con un foglio di calcolo T = 4.27 K, 14.6 K, e 30.7 K per
far crescere la corrente di saturazione rispettivamente di 2X, 10X, e 100X.
 x f(x) Delta T
1.00000 1.00000 0.00000

1.00500 1.27888 1.50000
1.01000 1.63167 3.00000
1.01500 2.07694 4.50000
1.01400 1.97945 4.20000
1.01422 2.00051 4.26600
1.01922 2.54151 5.76600
1.02422 3.22151 7.26600
1.02922 4.07433 8.76600
1.03422 5.14160 10.26600
1.03922 6.47438 11.76600
1.04422 8.13522 13.26600
1.04922 10.20058 14.76600
1.04880 10.00936 14.64000
1.10000 90.67434 30.00000
1.10239 100.0012 30.71610

3.36
VR 5 10
wd  wdo 1  | (a) wd  1μm 1  =2.69 μm (b) wd  1μm 1  =3.67 μm
j 0.8 0.8
3.37
N AND
 j  VT ln 2   0.025V  ln
1016 cm 3 1015 cm 3 
 0.633 V
ni 1020 cm 6
2 s  1 1  2 11.7  8.854 10 14 F×cm 1   1 1 

wdo    
 j  19  16 3  15 3   0.633V 
q  N A ND  1.602 10 C  10 cm 10 cm 
VR
wdo  0.949 μm | wd  wdo 1 
j
10V 100V
wd  0.949μm 1  =3.89 μm | wd  0.949μm 1  =12.0 μm
0.633V 0.633V
3.38
N AND 1018 cm 3 1020 cm 3   1.04 V
 j  VT ln   0.025V  ln
ni2 1020 cm 6
2 s  1 1  2 11.7  8.854 x10 14 F×cm 1   1 1 

wdo     j  19  18 3  20 3  1.04V 
q  N A ND  1.602 x10 C  10 cm 10 cm 
VR
wdo  0.0368 μm | wd  wdo 1 
j
5 25
wd  0.0368μm 1  =0.0887 μm | wd  0.0368μm 1  =0.184 μm
1.04 1.04
3.39
2  j  VR  2  j  VR  2 j VR
Emax    1
wd VR wdo j
wdo 1 
j
V 2  0.6V  V
3 x105  4 1  R  VR  374 V
cm 10 cm 0.6
3.40
2 j 2  0.748 V 
kV E w
3x105
V
cm
 0.984 x104 cm 
E  4
 15.2 |  j  VR  max do 
wdo 0.984 x10 cm cm 2 j 2 0.748V
VR  291.3  0.748  291 V

3.41
VZ = 4 V; RZ = 0  dato che la pendenza della tensione inversa è infinita.
3.42
Siccome NA >> ND, il livello di svuotamento è tutto sul lato poco drogato della giunzione.
Inoltre, VR >> j, così j può essere trascurata.
qN A x p qN A wd qN A 2 S VR
Emax   =
S S S q NA
 S  3 10  11.7   8.854 10 
5 2 14
2
Emax
NA    2.91 x 1014 / cm3
2qVR 2 1.602 10 1000
19
3.43
N AND 10151020
 j  VT ln  0.025ln  0.864V
ni2 1020
2 S  1 1  2 11.7   8.854 1014   1 1 

 j 
4
w do    19  15  20  0.864  1.057 10 cm
q  N A ND  1.602 10  10 10 
S 11.7  8.854 1014  C "jo A 9.80 10-9  0.05 

C 
"
= =9.80x10-9 F/cm 2 | C j    188 pF
1.057 104
jo
wdo VR 5
1 1
j 0.864
3.44
N AND 10181015
 j  VT ln  0.025ln  0.748V
ni2 1020
2 S  1 1  2 11.7   8.854 1014   1 1 

 j 
4
w do    19  18  15  0.748  0.984 10 cm
q  N A ND  1.602 10  10 10 
S 11.7  8.854 1014  C "jo A 10.5 10-9  0.02 

C 
"
= =10.5 10-9 F/cm 2 | C j    55.4 pF
0.984 104
jo
wdo VR 10
1 1
j 0.748
3.45
I D T 10 A 10 s 
4 10
(a) CD    400 fF (b) Q = I D T  104 A 1010 s   10 fC

VT 0.025V
25 103 A 1010 s 
(c) CD   100 pF | Q = I D T  5 103 A 1010 s   0.50 pC
0.025V

3.46
I D T 1A 10 s 
8
(a) CD    0.400 μF (b) Q = I D T  1A 108 s   10.0 nC

VT 0.025V
100mA 108 s 
(c) CD   0.04 μF | Q = I D T  100mA 108 s   1.00 nC
0.025V
3.47
N AND 10191017
 j  VT ln  0.025ln  0.921 V
ni2 1020
2 S  1 1  2 11.7   8.854 1014   1 1 

wdo     j  19  19  17  0.921  0.110 μm
q  N A ND  1.602 10  10 10 
 S A 11.7  8.854 10 10 
14 4
C jo 9.42pF
C jo  = 4
=9.42pF/cm 2 | C j    3.72 pF
wdo 0.110 10 VR 5
1 1
j 0.921
3.48
N AND 10191016
 j  VT ln  0.025ln  0.864V
ni2 1020
wdo 
2S  1
 
1 
 j 
211.7 8.854x1014  1 1  
 19  16 0.864  0.334m
19
q N A N D  1.602x10 10 10 
C jo 
S A
=
 
11.7 8.854x1014 0.25cm 2  = 7750 pF | Cj 
C jo

7750pF
 3670 pF
4
wdo 0.334x10 VR 3
1 1
j 0.864


3.49
L=
RFC
C
VDC
10 H 10 H
C
C jo 39pF 1 1
C (a) C   25.5pF | f o    9.97MHz
1
VR
1
1V 2 LC 2 105 H  25.5pF
j 0.75V
39pF 1 1
(b) C   10.3 pF | f o    15.7MHz
1
10V 2 LC 2 105 H 10.3pF
0.75V
3.50
 50A   50A 
(a) VD   0.025V  ln 1  7   0.501 V | (b) VD   0.025V  ln 1  15   0.961 V
 10 A   10 A 
3.51
 4 103 A   4 103 A 
(a) VD   0.025V  ln 1    0.495 V | (b) V   0.025V  1  14   0.668 V
ln
1011 A 
D
  10 A 
3.52
Lp 0.025cm
RS  Rp  Rn Rp   p  1 cm   2.5 
Ap 0.01cm 2
Ln 0.025cm
Rn  n   0.01cm   0.025 RS  2.53 
An 0.01cm 2
3.53
 I   103 
(a) VD'  VT ln 1  D    0.025V  ln 1  16 
 0.708V
 IS   5 x10 
VD  VD'  I D RS  0.708V  103 A 10   0.718 V
(b) VD  VD'  I D RS  0.708V  103 A 100   0.808 V

3.54
c 10Ωμm 2
c  10μm 2 Ac  1μm 2 RC    10Ω/contact
Ac 1μm 2
anodo a 5 contatti e catodo a 14 contatti
10
Resistenza relativa all'anodo =  2
5
10
Resistenza relativa al catolo =  0.71
14
3.55
(a) Dalla Fig. 3.21a, il diodo è lungo approssimativamente 10.5 m x 8 m di larghezza. Area
= 84 m2.
(b) Area = (10.5x0.13 m) x (8x0.13m) = 1.42 m2.
3.56
(a) 5  104 I D  VD | VD  0 I D  0.500mA | I D  0 VD  5V
4.5V
Polarizzazione diretta - VD  0.5 V I D   0.450 mA
104 
(b)  6  3000 I D  VD | VD  0 I D  2.00mA | I D  0 VD  6V
2V
Rottura inversa - VD  4 V I D   0.667 mA
3k 
(c)  3  3000 I D  VD | VD  0 I D  1.00mA | I D  0 VD  3V
Polarizzazione inversa - VD  3 V I D  0
iD
2 mA
1 mA
(c) Q-point (a) Q-point
-6 -5 -4 -3 -2 -1 v
D
1 2 3 4 5 6
(b) Q-point
-1 mA
-2 mA

3.57
(a) 10  5000 I D  VD | VD  0 I D  2.00 mA | VD  5 V I D  1.00 mA
9.5V
Polarizzazione diretta - VD  0.5V I D   1.90 mA
5k
(b) -10  5000 I D  VD | VD  0 I D  2.00 mA | VD  5 V I D  1.00 mA
-6V
Rottura inversa - VD  4V I D   1.20 mA
5kΩ
(c)  2  2000 I D  VD | VD  0 I D  1.00 mA | I D  0 VD  2 V
iD
2 mA
(a) Q-point
1 mA
(c) Q-point
-6 -5 -4 -3 -2 -1 v
D
1 2 3 4 5 6
-1 mA
(b) Q-point
-2 mA
3.58
*Problema 3.58 – Circuito con diodo Risultati SPICE
V 1 0 DC 5
R 1 2 10K VD = 0.693 V
D1 2 0 DIODE1 ID = 0.431 A
.OP
.MODEL DIODE1 D IS=1E-15
.END

3.59
(a)  10  10 4 I D  VD | VD  0 I D  1.00 mA | VD  5 V I D  0.500 mA
10  (4)V
Rottura inversa - VD  4 V I D   0.600 mA
10kΩ
(b) 10  10 4 I D  VD | VD  0 I D  1.00 mA | VD  5 V I D  0.500 mA
10  0.5V
Polarizzazione diretta - VD  0.5 V I D   0.950 mA
10kΩ
(c)  4  2000 I D  VD | VD  0 I D  2.00 mA | I D  0 VD   4 V
iD
2 mA
1 mA (b) Q-point
(c) Q-point
-6 -5 -4 -3 -2 -1 v
D
1 2 3 4 5 6
(a) Q-point
-1 mA
-2 mA
iD (A)
0.002
0.001
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 v D (V)
1 2 3 4 5 6 7
-0.001
-0.002

3.60
R
i
D
+
+
V v
- D
-
L’equazione della retta di carico: V = iD R + vD Servono due punti per disegnare la retta.
(a) V = 6 V e R = 4k: Per vD = 0, iD = 6V/4 k = 1.5 mA e per iD = 0, vD = 6V.

Disegnando questa linea sul grafico si ottiene il Punto Q: (0.5 V, 1.4 mA).
(b) V = -6 V e R = 3k: Per vD = 0, iD = -6V/3 k = -2 mA e per iD = 0, vD = -6V.
Disegnando questa linea sul grafico si ottiene il Punto Q: (-4 V, -0.67 mA).
(c) V = -3 V e R = 3k: Due punti: (0V, -1mA), (-3V, 0mA); Punto Q: (-3 V, 0 mA)
(d) V = +12 V e R = 8k: Due punti: (0V, 1.5mA), (4V, 1mA); Punto Q: (0.5 V, 1.4 mA)
(e) V = -25 V e R = 10k: Due punti: (0V, -2.5mA), (-5V, -2mA); Punto Q: (-4 V, -2.1 mA)
i (A)
D
.002
Q-Point
(0.5 V,1.45 mA)
(d)
.00 1
Q-Point
Q-Point
(-3V,0 mA) Load line for (a)
(0.5 V,1.4 mA)
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 1 2 3 4 5 6 7 v (V)
D
(c)
Q-Point
(-4V,-0.6 7 mA)
-.00 1
Load line for (b)

-.00 2
Q-Point
(-4V,-2.1 mA)
(e)

3.61
-9
Utilizzando le equazioni della tabella 3.1, (f = 10-10 exp ..., etc.)
VD = 0.7 V richiede 12 iterazioni, VD = 0.5 V richiede 22 iterazioni,
VD = 0.2 V richiede 384 iterazioni – c’è poca convergenza perchè la seconda iterazione (VD =
9.9988 V) è pessima.
3.62
Utilizzando l’equazione (3.28),
i 

V  iD R  VT ln D  or 10  104 iD  0.025ln 1013 iD .
I S 

Si vuole determinare lo zero della funzione f = 10 10 iD  0.025ln 10 iD
4 13
 
 iD f
.001 -0.576
.0001 8.48 
.0009 0.427
.00094 0.0259 - converge
3.63
 I  0.025
f  10 104 ID  0.025ln1 D  | f '  104 
 IS  ID  IS
x f(x) f'(x)
 1.0000E+00 -9.991E+03 -1.000E+04

9.2766E-04 1.496E-01 -1.003E+04
9.4258E-04 3.199E-06 -1.003E+04
9.4258E-04 9.992E-16 -1.003E+04
9.4258E-04 9.992E-16 -1.003E+04
3.64
Si crei la seguente funzione matlab: current=@(id)10-1e4*id-0.025*log(1+id/1e-13);
Quindi: fzero('current',1) si ottiene ans = 9.4258e-04 + 1.0216e-21i
3.65
Il generatore da un volt polarizzerà direttamente il diodo. Retta di carico:
1  104 I D  VD | I D  0 VD  1V | VD  0 I D  0.1mA   50 μA, 0.5 V 
Modello matematico: f  1  10 exp  40VD  1  VD   49.9 μA, 0.501 V 
9
Modello ideale del diodo: ID = 1V/10k = 100A; (100A, 0 V)

Modello a caduta di tensione costante: ID = (1-0.6)V/10k = 40.0A; (40.0A, 0.6 V)

3.66
Utilizzando il circuito equivalente di Thévenin si ottiene il primo circuito in figura,
combinando i generatori si ottiene il secondo
I 1k  I
1.2 k  2.2 k 
- V + - V +
+ + +
1.2 V 1.5 V 0.3 V
- - -
(a) Modello ideale del diodo: Il generatore da 0.3 V sembra polarizzare direttamente il diodo,
supponiamo quindi che sia "on". Sostituendo il modello ideale per la regione diretta si ottiene
0.3V
I  0.136 mA . Questa corrente è maggiore di zero, ed è coerente con l’ipotesi di
2.2kΩ
diodo "on". Quindi il Punto Q è (0 V, +0.136 mA).
I V
on
- +
- V + 2.2 k  I
2.2 k 
0.6 V
+
0.3 V +
- 0.3 V
-
Diodo ideale: CVD:
(b) Modello CVD: Il generatore da 0.3 V sembra polarizzare direttamente il diodo, supponiamo
quindi che sia "on". Sostituendo il modello CVD con Von = 0.6 V si ottiene
0.3V  0.6V
I  136 μA . Questa corrente è negativa e non è coerente con l’ipotesi di diodo
2.2kΩ
"on". Quindi il diodo deve essere spento. Il Punto Q è: (0 mA, -0.3 V).
- V + I=0 2.2 k 
-
0.3 V
+
(c) La seconda stima è più realistica. 0.3 V non sono sufficienti a polarizzare il diodo in
-15
maniera significativa. Per esempio, supponiamo che IS = 10 A, e supponiamo che tutti gli
0.3 V siano sul diodo. Quindi
  0.3V  
iD  1015 A exp    1  163 pA , che è una corrente molto bassa.
  0.025V  

3.67
I valori nominali sono:
 R2   2kΩ  R1 R2 2kΩ  3kΩ 
VA  3V    3V    1.20V e RTHA    1.20kΩ
 R1  R2   2kΩ  3kΩ  R1  R2 2kΩ  3kΩ
 R4   2kΩ  R3 R4 2kΩ  2kΩ 
VC  3V    3V    1.50V e RTHC    1.00kΩ
 R3  R4   2kΩ+2kΩ  R3  R4 2kΩ  2kΩ
 1.50  1.20  V
I Dnom     136 μA
 1.20  1.00  kΩ
Per la massima corrente, calcoliamo l’equivalente Thévenin all’anodo il più grande possibile e
al catodo il più piccolo possibile.
3V 3V R1 R2 2kΩ  0.9  2kΩ 1.1
VA    1.65V e RTHA    0.990kΩ
R1 2kΩ  0.9  R1  R2 2kΩ  0.9   2kΩ 1.1
1 1
R2 2kΩ 1.1
3V 3V R3 R4 3kΩ 1.1 2kΩ  0.9 
VC    1.06V e RTHC    1.17kΩ
R 3kΩ 1.1 R3  R4 3kΩ 1.1  2kΩ  0.9 
1 3 1
R4 2k  0.9 
 1.65  1.06  V
I Dmax     274 μA
 0.990  1.17  kΩ
Per la minima corrente, calcoliamo l’equivalente Thévenin all’anodo il più piccolo possibile e
al catodo il più grande possibile.
3V 3V R1 R2 2kΩ 1.1 2kΩ  0.9 
VA    1.350V e RTHA    0.990kΩ
R1 2kΩ 1.1 R1  R2 2kΩ 1.1  2kΩ  0.9 
1 1
R2 2kΩ  0.9 
3V 3V R3 R4 3kΩ  0.9  2kΩ 1.1
VC    1.347V e RTHC    1.21kΩ
R3 3kΩ  0.9  R3  R4 3kΩ  0.9   2kΩ 1.1
1 1
R4 2kΩ 1.1
 1.350  1.347  V
I Dmin     1.39 μA  0
 0.990  1.21  kΩ

3.68
Dati SPICE Risultati
*Problema3.68 NAME D1
V1 1 0 DC 4 MODEL DIODE
R1 1 2 2K ID 1.09E-10
R2 2 0 2K VD 3.00E-01
R3 1 3 3K
R4 3 0 2K
D1 2 3 DIODE
.MODEL DIODE D IS=1E-15 RS=0
.OP
.END
Il diodo è spento - VD = 0.3 V e ID = 0.109 nA. Questo risultato concorda con il modello
CVD.
3.69 (a)
3   7 
(a) Il diodo è polarizzato direttamente:V =3  0=3 V | I=  0.625 mA
16kΩ
5   5 
(b) Il diodo è polarizzato direttamente:V =  5+0=  5 V | I=  0.625 mA
16kΩ
(c) Il diodo è polarizzato inversamente: I =0 | V=  5  16kΩ  I   5 V | VD  10 V
(d ) Il diodo è polarizzato inversamente: I =0 | V=7  16kΩ  I   7 V | VD  10 V
(b)
2.3   7 
(a ) Il diodo è polarizzato direttamente:V =3  0.7=2.3 V | I=  0.581 mA
16kΩ
5   4.3
(b) Il diodo è polarizzato direttamente:V =  5+0.7=  4.3 V | I=  0.581 mA
16kΩ
(c) Il diodo è polarizzato inversamente: I =0 | V=  5  16kΩ  I   5 V | VD  10 V
(d ) Il diodo è polarizzato inversamente: I =0 | V=7  16kΩ  I   7 V | VD  10 V

3.70 (a)
3   7 
(a) Il diodo è polarizzato direttamente : V = 3  0 = 3 V | I =  100 A
100k
5   5
(b) Il diodo è polarizzato direttamente : V = 5 + 0 = 5 V | I =  100 A
100k
(c) Il diodo è polarizzato inversamente : I = 0 A | V = 5  100kI   5 V | VD  10 V
(d ) Il diodo è polarizzato inversamente : I = 0 A | V = 7  100kI   7 V | VD  10 V
(b)
2.4   7 
(a) Il diodo è polarizzato direttamente : V = 3  0.6 = 2.4 V | I =  94.0 A
100k
5   4.4
(b) Il diodo è polarizzato direttamente : V = 5 + 0.6 = 4.4 V | I =  94.0 A
100k
(c) Il diodo è polarizzato inversamente : I = 0 | V = 5  100kI   5 V | VD  10 V
(d ) Il diodo è polarizzato inversamente : I = 0 | V = 7  100kI   7 V | VD  10 V

3.71 (a)
0   9  60
(a ) D1 on, D2 on: I D 2 =  409μA | I D1  409μA   270μA
22k  43k 
D1 :  409 μA, 0 V  D2 :  270 μA, 0 V 
60
(b) D1 on, D2 off : I D 2  0 | I D1 =  140 μA | VD 2  9  0  9V
43kΩ
D1 : 140 μA, 0 V  D2 :  0 A,  9 V 
6  9
(c) D1 off, D2 on : I D1  0 | I D2 =  230 A | VD1  6  43x103 I D2  3.92 V
65k
D1 : 0 A,3.92 V  D2 : 230 A,0 V 
0  6 90
(d ) D1 on, D2 on : I D2 =  140 A | I D1  140 A  270 A
43k 22k
D1 : 140 A,0 V  D2 : 270 A,0 V 
(b)
(a) D1 on, D2 on :
 -0.75 0.75 9 6  0.75
I D2 =  341A | I D1  341A   184A
22k 43k
D1 : 184 A, 0.75 V D2 : 341 A, 0.75 V
(b) D1 on, D2 off :

6  0.75
I D2  0 | I D1 =  122A | VD2  9  0.75  9.75V
43k
D1 : 122 A, 0.75 V D2 : 0 A,  9.75 V
(c) D1 off, D2 on :
6  0.75 9
 I D1  0 | I D2 =  219A | VD1  6  43x103 I D2  3.43V
65k
D1 : 0 A,  3.43 V  D2 : 219 A, 0.75 V 
(d) D1 on, D2 on :
0.75 0.75 6 9  0.75
I D2 =  140A | I D1   400A  235A
43k 22k
D1 : 235 A, 0.75 V D2 : 140 A, 0.75 V


3.72 (a)
(a) D1 e D 2 polarizzati direttamente
0   9  V 6  0 V
ID2   600μA I D1  I D 2   200μA
15 kΩ 15 kΩ
D1:  0 V, 200 μA  D 2 :  0 V, 600 μA 
(b) D1 polarizzato direttamente, D 2 polarizzato inversamente
60 V
I D1   400μA VD 2  9  0  9 V
15 kΩ
D1:  0 V, 400 μA  D2 :  -9 V, 0 A 
(c) D1 polarizzato inversamente, D2 polarizzato direttamente
6V   9V 
ID2   500μA VD1  6  15000 I D 2  1.50V
30kΩ
D1:  1.50 V, 0 A  D 2 :  0 V, 500 μA 
(d) D1 e D 2 polarizzati direttamente
0   6  V 9  0 V
ID2   400μA I D1   I D 2  200μA
15 kΩ 15 kΩ
D1:  0 V, 200 μA  D 2 :  0 V, 400 μA 
(b)
(a) D1 on, D 2 on:
-0.75  0.75   9  6   0.75 
ID2 =  500μA | I D1  500μA   50.0μA
15kΩ 15kΩ
D1:  50.0 μA, 0.75 V  D2 :  500 μA, 0.75 V 
(b) D1 on, D 2 off:
6  0.75
I D 2  0 | I D1 =  350μA | VD 2  9  0.75  9.75V
15kΩ
D1:  350 μA, 0.75 V  D 2 :  0 A,  9.75 V 
(c) D1 off, D 2 on:
6  0.75   9 
I D1  0 | I D 2 =  475μA | VD1  6  15 103 I D 2  1.13V
30kΩ
D1 :  0 A,  1.13 V  D2 :  475 μA, 0.75 V 
(d) D1 on, D 2 on:

0.75  0.75   6  9  0.75
ID2 =  400μA | I D1   400μA  150μA
15kΩ 15kΩ
D1: 150 μA, 0.75 V  D 2 :  400 μA, 0.75 V 

3.73 I diodi sono etichettati da sinistra a destra

10  0
(a) D1 on, D 2 off, D3 on: I D 2  0 | I D1   0.990mA
3.3kΩ  6.8kΩ
0   5 
I D 3  0.990mA   I D 3  1.09mA | VD 2  5  10  3300 I D1   1.73V
2.4kΩ
D1: 0.990 mA, 0 V  D 2 :  0 mA,  1.73 V  D3: 1.09 mA, 0 V 
(b) D1 on, D 2 off, D3 on : I D 2  0 | I D 3  0
I D1 
10  0  V  0.495mA | VD 2  5  10  8200 I D1   0.941V
8.2kΩ  12kΩ
0   5V 
I D3   I D1  0.005mA
10kΩ
D1 :  0.495 mA, 0 V  D2 :  0 A,  0.941 V  D3 :  0.005 mA, 0 V 
(c) D1 on, D 2 on, D3 on

0   10  0   2
I D1  V  1.22mA  0 | I12 K  V  0.167mA | I D 2  I D1  I12 K  1.05mA  0
8.2kΩ 12kΩ
2   5 
I10 K  V  0.700mA | I D 3  I10 K  I12 K  0.533mA  0
10kΩ
D1 : 1.22 mA, 0 V  D2 : 1.05 mA, 0 V  D3 :  0.533 mA, 0 V 
(d) D1 off, D 2 off, D 3 on: I D1  0, I D 2  0

12   5  V
I D3   1.21mA  0 | VD1  0   5  4700 I D 3   0.667V  0
4.7  4.7  4.7 kΩ
VD 2  5  12  4700 I D 3   1.33V  0
D1 :  0 A,  0.667 V  D2 :  0 A,  1.33 V  D3 : 1.21 mA, 0 V 

3.74 I diodi sono etichettati da sinistra a destra

10  0.6   0.6 
(a) D1 on, D 2 off, D 3 on: I D 2  0 | I D1   0.990mA
3.3kΩ  6.8kΩ
0.6   5 
I D 3  0.990mA   I D 3  0.843mA | VD 2  5  10  0.6  3300 I D1   1.13V
2.4k 
D1:  0.990 mA, 0.600 V  D 2 :  0 A,  1.13 V  D 3:  0.843 mA, 0.600V 
(b) D1 on, D 2 off, D3 off: I D 2  0 | I D 3  0

10  0.6   5 
I D1  V  0.477mA | VD 2  5  10  0.6  8200 I D1   0.490V
8.2kΩ  12kΩ  10kΩ
VD 3  0   5  10000 I D1   0.230V  0.6V quindi il diodo è spento
D1:  0.477 mA, 0.600 V  D 2 :  0 A,  0.490 V  D3:  0 A, 0.230 V 
(c) D1 on, D 2 on, D3 on

0.6   9.4  V 0.6  1.4  V
I D1   1.07mA  0 | I12 K   0.167mA
8.2 kΩ 12 kΩ
1.4   5  V
I D 2  I D1  I12 K  0.906mA  0 | I10 K   0.640mA | I D 3  I10 K  I12 K  0.807mA  0
10 kΩ
D1: 1.07 mA, 0.600 V  D 2 :  0.906 mA, 0.600 V  D3:  0.807 mA, 0.600 V 
(d) D1 off, D 2 off, D3 on: I D1  0, I D 2  0

11.4   5  V
I D3   1.16mA  0 | VD1  0   5  4700 I D 3   0.452V  0
4.7  4.7  4.7 kΩ
VD 2  5  11.4  4700 I D 3   0.948V  0
D1 :  0 A,  0.452 V  D2 :  0 A,  0.948 V  D3 : 1.16 mA, 0.600 V 

3.75
*Problema 3.75(a) (Circuiti simili sono utilizzati per altri tre casi.)
V1 1 0 DC 10
V2 4 0 DC 5
V3 6 0 DC -5
R1 2 3 3.3K
R2 3 5 6.8K
R3 5 6 2.4K
D1 1 2 DIODE
D2 4 3 DIODE
D3 0 5 DIODE
.OP
.END
NAME D1 D2 D3
MODEL DIODE DIODE DIODE
ID 9.90E-04 -1.92E-12 7.98E-04
VD 7.14E-01 -1.02E+00 7.09E-01
NAME D1 D2 D3
ID 4.74E-04 -4.22E-13 2.67E-11
VD 6.95E-01 -4.21E-01 2.63E-01
NAME D1 D2 D3
ID 8.79E-03 1.05E-03 7.96E-04
VD 7.11E-01 7.16E-01 7.09E-01
NAME D1 D2 D3
ID -4.28E-13 -8.55E-13 1.15E-03
VD -4.27E-01 -8.54E-01 7.18E-01
Per tutti i casi i risultati sono molto vicini all’analisi manuale
3.76
10   20 
I D1   1.50mA | I D 2  0
10kΩ  10kΩ
0   10 
I D3   1.00mA | VD 2  10  10 4 I D1  0  5.00V
10kΩ
D1: 1.50 mA, 0 V  D 2 :  0 A,  5.00 V  D 3: 1.00 mA, 0 V 

3.77
*Problema 3.77
V1 1 0 DC -20
V2 4 0 DC 10
V3 6 0 DC -10
R1 1 2 10K
R2 4 3 10K
R3 5 6 10K
D1 3 2 DIODE
D2 3 5 DIODE
D3 0 5 DIODE
.OP
.END
NAME D1 D2 D3
ID 1.47E-03 -4.02E-12 9.35E-04
VD 6.65E-01 -4.01E+00 6.53E-01
I risultati della simulazione sono molto vicini a quelli dati nell’Es. 3.8.
3.78
3.9kΩ
VTH  24V  6.28V | RTH  11kΩ 3.9kΩ  2.88kΩ
3.9kΩ  11kΩ
6.28  4
IZ   0.792mA  0 |  I Z , VZ    0.792 mA, 4 V 
2.88k 
3.79
6.28
6.28  2880 I D  VD | I D  0, VD  6.28V | VD  0, I D   2.18mA
2880
-6 -5 -4 -3 -2 -1
v
D
Q-point
-1 mA
-2 mA
i
D
Punto Q: (-0.8 mA, -4 V)
3.80
27  9 9V
IS   1.20mA  I L  1.20 mA | RL   7.50 kΩ
15k  1.2mA

3.81
27  9
IS   1.20mA | P =  9V 1.20mA   10.8 mW
15kΩ
3.82
VS  VZ VZ VS  1 1 
IZ     VZ    | PZ  VZ I Z
RS RL RS  RS RL 
30V  1 1 
I Znom   9V     0.500 mA | PZ  9V  0.500mA   4.5 mW
nom
15kΩ  15kΩ 10kΩ 

30V 1.05   1 1 
I Zmax   9V  0.95      0.796 mA
15kΩ  0.95   15kΩ  0.95  10kΩ(1.05) 
PZmax  9V .95  0.796mA   6.81 mW
30V  0.95   1 1 
I Zmin   9V 1.05      0.215 mA
15kΩ 1.05   15kΩ 1.05  10kΩ(0.95) 
PZmin  9V 1.05  0.215mA   2.03 mW
3.83
100 24  15
(a ) VTH  60V  24.0V | RTH  150 100  60 | I Z   150 mA
150  100 60
60  15
P =15 I Z =2.25 W | (b) I Z   300 mA | P =15 I Z =4.50 W
150
3.84
VS  VZ VZ VS  1 1 
IZ     VZ    | PZ  VZ I Z
RS RL RS  RS RL 
 60  15 V  15V  150 mA | P nom  15V 150mA  2.25 W
I Znom   
150 100
Z
60V 1.1  1 1 
I Zmax   15V  0.90      266 mA
150  0.90   150   0.90  100 (1.1) 
PZ  15V  0.90  266mA   3.59 W
max
60V  0.90   1 1 
I Zmin   15V 1.1     43.9 mA
150 1.1  150 1.1 100(0.9) 
PZmin  15V 1.1 43.9mA   0.724 W

3.85
Utilizzando MATLAB, si crei la funzione con f = 60 Hz:
ctime=@(t)5*exp(-10*t)-6*cos(2*pi*60*t)+1;
Quindi: fzero(@ctime,1/60) si ottiene ans = 0.01536129698461
e T = (1/60)-0.0153613 = 1.305 ms.
1 2Vr IT 5
T  | Vr    0.8333V
120 VP C 0.1 60 
1 2  0.8333
T  =1.40 ms
120 6
3.86
 I   48.6A 
VD  nVT ln 1  D   2  0.025V  ln 1  9   1.230 V
 IS   10 A 
3.87
 I 
Von  nVT ln 1  D  | VD  Von  I D RS
 IS 
 100A 
VD  1.6  0.025V  ln 1  8   100A  0.01   1.92 V
 10 A 
I T  100A  1ms 
Pjunction  Von I DC  Von P  0.92V     2.75 W
2T  2  16.7ms 
4 T  2 4  16.7ms 
PR    I DC RS     3 A  0.01  2.00 W
2
3  T  3  1ms 
Ptotal  4.76 W
3.88
1
T
1 TV   0.05 VP  Von  
VDC   v  t  dt  VP  Von  T  r   VP  Von     0.975 VP  Von 
T0 T 2   2 
VDC  0.975 18V   17.6 V

3.89
1 T  t 
T 2
 i t RS dt  T  I P2 1 T  RS dt

1
PD  2
D
T 0 0
T
I2R T  2t t 2 
2
I P2 RS  t 2 t 3 
PD  P S   T T 2 
1  dt  
t  
T  T 3T 2 

T 0   0
I P2 RS  T  1 2 T 
PD  T  T   I P RS  
T  3  3  T 
3.90
Utilizzando SPICE con VP = 10 V.
 15V
Vol tag e
10V
5V
0V
-5 V
-1 0 V
t
-1 5 V
0s 1 0 ms 2 0 ms 3 0 ms 4 0 ms 5 0 ms
3.91
(a) Vdc   VP  Von    6.3 2  1  7.91V   (b) C =
I T 7.91 1 1
Vr

0.55 0.5 60
 1.05F
(c) PIV  2VP  2  6.3 2  17.8V  

(d) I surge =CVP  2  60 1.05  6.3 2  3530A
1 2Vr 1 2 .25  2T 7.91 2 1

(e) T    0.628ms | I P  I dc   841A
 VP 2  60  6.3 2 T .5 60 .628ms
3.92
VOnom   VP  Von    6.3 2  1  7.91V  
VOmax   VPmax  Von    6.3 1.1 2  1  8.80V
VOmin   VPmin  Von    6.3  0.9  2  1  7.02V

3.93
*Problema 3.93
VS 1 0 DC 0 AC 0 SIN(0 10 60)
D1 2 1 DIODE
R 2 0 0.25
C 2 0 0.5
.OPTIONS RELTOL=1E-6
.TRAN 1US 80MS
.PRINT TRAN V(1) V(2) I(VS)
.PROBE V(1) V(2) I(VS)
.END
Circuit3_93b-Transient-8 Time (s)
+0.000e+000 +10.000m +20.000m +30.000m +40.000m +50.000m +60.000m +70.000m
+10.000
+5.000
+0.000e+000
-5.000
-10.000
V(2) *REAL(Rectifier)*
Risultati con SPICE: VDC = 9.29 V, Vr = 1.05 V, IP = 811 A, ISC = 1860 A

I T 9.00V 1 1
Vdc   VP  Von    10  1  9.00V | Vr =   1.20V
C 0.25 60s 0.5F
1 2Vr 1 2 1.2 
I SC =CVP  2  60  0.5 10   1890A | T    1.30ms
 VP 2  60  10
2T 9 2 1
I P  I dc   923A
T 0.25 60 1.3
Circuit3_93b-Transient-11 Time (s)
+0.000e+000 +20.000m +40.000m +60.000m +80.000m +100.000m +120.000m +140.000m

(Amp)
+10.000
+5.000
+0.000e+000
-5.000
-10.000
V(1) V(2) *REAL(Rectifier)*
Risultati con SPICE: VDC = -6.55 V, Vr = 0.58 V, IP = 150 A, ISC = 370 A

Si noti che una differenza significativa viene introdotta dalla resistenza serie del diodo.

3.94
 
(a) Vdc   VP  Von    6.3 2  1  7.91V (b) C =
I T 7.91 1 1
Vr

0.25 0.5 400
 0.158F
(c) PIV  2VP  2  6.3 2  17.8V  

(d ) I surge =CVP  2  400  0.158  6.3 2  3540A
12Vr 1 2 .25  2T 7.91 2 1

(e) T    94.3μs | I P  I dc   839A
 VP 2  400  6.3 2 T .5 400 94.3μs
3.95
 
(a) Vdc   VP  Von    6.3 2  1  7.91V (b ) C =
I T 7.91 1 1
Vr

0.25 0.5 105
 633μF
(c) PIV  2VP  2  6.3 2  17.8V  

( d ) I surge =CVP  2 105   633μF  6.3 2  3540A
12Vr 1 2 .25  2T 7.91 2 1

(e) T    0.377μs | I P  I dc   839A
 VP 2 10  6.3 2
5
T 5
.5 10 0.377μs
3.96
IT 1 1
(a) C =   556 μF (b) PIV  2VP  2  3000  6000V
Vr 3000  0.01 60
3000 1 2Vr 1
(c) Vrms   2120 V (d ) T   2  0.01  0.375ms
2  VP 2  60 
2T  2  1 
I P  I dc  1    88.9A (e) I surge =CVP  2  60  556μF  3000   629A
T  60  0.375ms 
3.97 Ipotizzando Von = 1 V:

V V 1 1  1  30  3.3  1
C  P on T      6.06 F | PIV  2VP  2  3.3  1 V  8.6 V | Vrms   3.04 V
Vr R 0.025  60  3.3  2
1 2T VP  Von 1 2  1  3.3V 
T    s    0.520 ms
 RC VP 2  60  0.110  6.06F   60  4.3V 
2T  2  1 
I P  I dc  30  s    1920 A | I surge =CVP  2  60 / s  6.06F  4.3V   9820 A
T  60  0.520ms 

3.98
40V
vO
20V
v1
0V
vS
Time
-2 0V
0s 5m s 10m s 15m s 20m s 25m s 30m s
VDC = 2(VP - Von) = 2(17 - 1) = 32 V.
3.99
*Problema 3.99
VS 2 1 DC 0 AC 0 SIN(0 1500 60)
D1 2 3 DIODE
D2 0 2 DIODE
C1 1 0 500U
C2 3 1 500U
RL 3 0 3K
.TRAN 0.1MS 100MS
.PRINT TRAN V(2,1) V(3) I(VS)
.PROBE V(3) V(2,1) I(VS)
.END
4.0kV
3.0kV
vO
2.0kV
1.0kV
vS
0V
-1. 0kV
Time
-2. 0kV
0s 20ms 40ms 60ms 80ms 100ms
Risultati della simulazione: VDC = 2981 V, Vr = 63 V

Il circuito è effettivamente costituito da due raddrizzatori a semionda connessi in serie. Ogni
condensatore è scaricato da I = 3000V/3000Ω = 1 A per 1/60 di secondo. La tensione di
ondulazione di ogni condensatore è 33.3 V. Con due condensatori in serie, la tensione di
oscillazione di uscita dovrebbe essere 66.6 V, che si avvicina ai risultati della simulazione.

3.100
 
(a ) Vdc   VP  Von    15 2  1  20.2 V (b) C =
I  T  20.2V  1  1 
      1.35 F
Vr  2  0.5  0.25V  120s 
(c) PIV  2VP  2 15 2  42.4 V  
(d ) I surge =CVP  2  60 1.35  15 2  10800 A
1 2Vr 1 2 .25  T 20.2V  1  1

(e) T    0.407 ms | I P  I dc   s  1650 A
 VP 2  60  15 2 T 0.5  60  0.407ms
3.101
 
(a ) Vdc   VP  Von    9 2  1  11.7 V (b) C =
I  T  11.7V  1  1 
      0.780 F
Vr  2  0.5  0.25V  120s 
(c) PIV  2VP  2  9 2  25.5 V  
( d ) I surge =CVP  2  60  0.780  9 2  3740 A
1 2Vr 1 2 .25  T 11.7V  1  1 

(e) T    0.526 ms | I P  I dc   s    958A
 VP 2  60  9 2 T 0.5  60  0.407ms 

3.102
*Problema 3.102
VS1 1 0 DC 0 AC 0 SIN(0 14.14 400)
VS2 0 2 DC 0 AC 0 SIN(0 14.14 400)
D1 3 1 DIODE
D2 3 2 DIODE
C 3 0 22000U
R303
.TRAN 1US 5MS
.PRINT TRAN V(1) V(2) V(3) I(VS1)
.PROBE V(1) V(2) V(3) I(VS1)
.END
20V
10V
vS
0V
-1 0 V
vO
Time
-2 0 V
0s 1 .0 ms 2 .0 ms 3 .0 ms 4 .0 ms 5 .0 ms
Risultati della simulazione: VDC = -13.4 V, Vr = 0.23 V, IP = 108 A

13.4 1 1
VDC  VP  Von  10 2  0.7  13.4 V | Vr   0.254 V
3 800 220mF
1 2Vr 1 2  0.254 
T    0.504 ms
120 VP 120 14.1
T 13.4V 1 1
I P  I dc  s  150 A
T 3 60 0.504 ms
Simulazione con RS = 0.02 .

Circuit3_102-Transient-15 Time (s)
+0.000e+000 +2.000m +4.000m +6.000m +8.000m +10.000m +12.000m +14.000m
+15.000
+10.000
+5.000
+0.000e+000
-5.000
-10.000
-15.000
V(1) V(2) *REAL(Rectifier)*
Risultati della simulazione: VDC = -12.9 V, Vr = 0.20 V, IP = 33.3 A, ISC = 362 A. RS determina
una significativa riduzione del valore di IP e ISC.
3.103
VP  Von 1 1  1s  30A 
(a) C  T      3.03 F (b) PIV  2VP  2  3.3  1 V  8.6 V
Vr R 0.025  120  3.3V 
3.3  1 1 2Vr 1 2  0.025  3.3
(c) Vrms   3.04 V (d) T    0.520 ms
2  VP 2  60  4.3
T  1  1 
(e) I P  I dc  30A  s    962 A | I surge =CVP  2  60 / s  3.03F  4.3V   4910 A
T  60  0.520ms 
3.104
I T 1 1
(a) C =   139 F (b) PIV  2VP  6000 V
Vr 2 30000.01 2 120
20.01  0.375 ms
3000 1 Vr 1
(c) VS   2120 V (d ) T  2 
2  VP 2 60
 1  1 
(e) I surge = CVP  2 60/ s139F 3000V  157 A
T
I P  I dc  1 s  44.4 A
T 60 0.375ms 
3.105
Il circuito si comporta come un raddrizzatore a semionda. Il condensatore si dovrebbe caricare
 durante la prima metà del ciclo, ma non accade. Quindi, il diodo D1 non funziona correttamente.
Si comporta come un circuito aperto.

3.106
I T  19.2V  1  1 
 
(a) Vdc  VP  2Von   15 2  2  19.2 V (b) C =     s 1.28 F
Vr 2  0.5 0.25V 120 
(c) PIV  VP  15 2  21.2 V  
(d ) I surge = CVP  2 60/ s1.28F  15 2  10200 A
12Vr 1 2.25 T 19.2V 1s  1 

(e) T    0.407 ms | I P  I dc     1570 A
 VP 2 60 15 2 T 0.5 60 0.407ms 
3.107
I T  1A  1 
 (a) C =    s   278 μF (b) PIV  VP  3000 V
Vr  2  3000V  0.01  120 
3000 1 2Vr 1
(c) VS   2120 V (d ) T   2  0.01  0.375 ms
2  VP 2  60 
T  1  1
I P  I dc  1A  s   44.4 A (e) I surge =CVP  2  60  278μF   3000   314 A
T  60  0.375ms
3.108
I T  30A  1 
(a) C =    s   3.03 F (b) PIV  Vdc  2Von   3.3  2  =5.3 V
Vr  2   0.025  3.3V   120 
5.3 1 2Vr 1  0.025  3.3 

(c) Vrms   3.75 V (d ) T   2   0.468 ms
2  VP 2  60   5.3 
T  1  1
I P  I dc  30A  s   1070 A (e) I surge =CVP  2  60 / s  3.03F  3.3V   3770 A
T  60  0.468ms
3.109
V1 = VP - Von = 49.3 V e V2 = -(VP -Von) = -49.3V.

3.110
*Problema 3.110
VS1 1 0 DC 0 AC 0 SIN(0 35 60)
VS2 0 2 DC 0 AC 0 SIN(0 35 60)
D1 1 3 DIODE
D4 2 3 DIODE
D2 4 1 DIODE
D3 4 2 DIODE
C1 3 0 0.1
C2 4 0 0.1
R1 3 0 500
R2 4 0 500
.TRAN 10US 50MS
.PRINT TRAN V(3) V(4)
.PROBE V(3) V(4)
.END
40V
v1
20V
0V
-20V
v2
Time
-40V
0s 10ms 20ms 30ms 40ms 50ms
3.111
 
(a ) Vdc   VP  2Von    15 2  2  19.2 V ( b) C =
I
Vr
 T  19.2V
 
 2  0.5
 1  1 
    1.28 F
 0.25  120 
(c) PIV  VP  15 2  21.2 V  
( d ) I surge =CVP  2  60 / s 1.28F  15V 2  10200 A
1 2Vr 1 2 .25  T 19.2V  1  1 

( e ) T    0.407 ms | I P  I dc   s    1570 A
 VP 2  60  15 2 T 0.5  60  0.407ms 

3.112
3.3-V, 15-A generatore di tensione con Vr ≤ 10 mV. Si ipotizza Von = 1 V.
Tipo di raddrizzatore A semionda A doppia semionda A ponte

Corrente di picco 533 A 266 A 266 A
PIV 8.6 V 8. 6 V 5.3 V
Condensatore di filtraggio 25 F 12.5 F 12.5 F
(i) L’alto valore di C suggerisce di non utilizzare il raddrizzatore a semionda. Questo ridurrà il
costo e la dimensione del circuito.
(ii) I valori di PIV sono bassi e non indicano una preferenza di un circuito rispetto a un altro
(iii) I valori della corrente di picco sono bassi per il raddrizzatore a doppia semionda e a ponte
e quindi suggeriscono la scelta di uno dei due
(iv) Bisogna scegliere tra l’uso di un alimentatore a presa centrale (doppia semionda) o due
diodi aggiuntivi (ponte). A una corrente di 15 A, i diodi non sono costosi e un ponte a quattro
diodi può essere trovato facilmente. La scelta definitiva dovrebbe essere fatta in base al costo
dei componenti disponibili
3.113
200-V, 3-A generatore di tensione con Vr ≤ 4 V. Si ipotizza Von = 1 V.

Corrente di picco 189 A 94.3 A 94.3 A
PIV 402 V 402 V 202 V
Condensatore di filtraggio 12,500 F 6250 F 6250 F
(i) Il raddrizzatore a semionda richiede alti valori di C che portano a costi più elevati.
(ii) I valori di PIV sono bassi e non indicano una preferenza di un circuito rispetto a un altro
e quindi suggeriscono la scelta di uno dei due
diodi aggiuntivi (ponte). A una corrente di 3 A, i diodi non sono costosi e un ponte a quattro
diodi può essere trovato facilmente. La scelta definitiva dovrebbe essere fatta in base al costo
dei componenti disponibili

3.114
3000-V, 1-A generatore di tensione con Vr ≤ 120 V. Si ipotizza Von = 1 V.

Corrente di picco 133 A 66.6 A 66.6 A
PIV 6000 V 6000 V 3000 V
Condensatore di filtraggio 41.7 F 20.8 F 20.8 F
(i) Una serie di consensatori multipli sarebbe richiesta per ottenere i valori di tensione.
(ii) I livelli PIV sono alti, quindi il raddrizzatore a ponte è più vantaggioso.
ma nessuno è eccessivamente grande.
diodi aggiuntivi (ponte). Con un PIV di 3000 o 6000 volt, molteplici diodi possono essere
necessari per ottenere i valori di PIV.
3.115
5  VD 5  0.6
iD  0  
5V
 5 mA | I F    4.4 mA
1kΩ 1kΩ 1kΩ
3  0.6  4.4mA 
Ir   3.6 mA |  S   7ns  ln 1    5.59 ns
1kΩ  3.6mA 

3.116
*Problema 3.143 – Ritardo di commutazione del diodo
V1 1 0 PWL(0 0 0.01N 5 10N 5 10.02N -3 20N -3)
R1 1 2 1K
D1 2 0 DIODE
.TRAN .01NS 20NS
.MODEL DIODE D TT=7NS IS=1E-15
.PROBE V(1) V(2) I(V1)
.OP
.END
10
5
v1
vD
-5
Time
-1 0
0s 5ns 10ns 15ns 20ns
Risultati della simulazione τS = 4.4 ns.

3.117
5  Von 5  0.6
iD  0  
5V
 1 A | IF    0.880 A
5 5 1
3  0.6  0.880A 
IR   0.720 A |  S   250ns  ln 1    200 ns
5  0.720A 
3.118
*Problema 3.145(a) - Ritardo di commutazione del diodo
V1 1 0 DC 1.5 PWL(0 0 .01N 1.5 7.5N 1.5 7.52N -1.5 15N -1.5)
R1 1 2 0.75K
D1 2 0 DIODE
.TRAN .02NS 100NS
.MODEL DIODE D TT=50NS IS=1E-15 CJO=0.5PF
.OP
.END
2 .0
v1
1 .0
vD
-1 . 0
Time
-2 . 0
0s 5ns 10ns 15ns 20ns 25ns
Per questo caso, con la simulazione si ottiene S = 3 ns.

*Problema 3.145(b) - Ritardo di commutazione del diodo
V1 1 0 DC 1.5 PWL(0 1.5 7.5N 1.5 7.52N -1.5 15N -1.5)
R1 1 2 0.75K
D1 2 0 DIODE
.TRAN .02NS 100NS
.MODEL DIODE D TT=50NS IS=1E-15 CJO=0.5PF
.OP
.END

2 .0
v1
1 .0
vD
-1 . 0
Time
-2 . 0
0s 10ns 20ns 30ns 40ns
Per questo caso, con la simulazione si ottiene τS = 15.5 ns.
Nel caso (a), la carica nel diodo non ha abbastanza tempo per raggiungere lo stato stabile dato da
Q = (1mA)(50ns) = 50 pC. Al massimo, solo 1mA(7.5ns) = 7.5 pC può essere caricato nel
diodo. Quindi si spegne più rapidamente di quanto previsto. Si spegnerà approssimativamente
in t = 7.5pC/3mA = 2.5 ns che coincide con i risultati della simulazione. Nel caso (b), il diodo ha
tempo sufficiente per raggiungere lo stato stabile. Eq. (3.103) da: (50 ns) ln (1-1mA/(-3mA)) =
14.4 ns che si avvicina ai risultati della simulazione.
3.119
I C  1  1015 exp  40VC   1 A | For VC =0, I SC  1A
1  1 
VOC  ln 1  15   0.864 V
40  10 
P  VC I C  VC 1  1015 exp  40VC   1 
dP
 1  1015 exp  40VC   1  40 x1015VC exp  40VC   0
dVC
Utilizzando il calcolatore per trovare VC si ottiene VC = 0.7768 V, IC = 0.9688 A, e Pmax =
7.53 W
3.120
(a) Per VOC , la corrente ai terminali di ognuno dei tre diodi deve essere zero, e
V ln 1.05 x1015   ln 1.00 x1015   ln  0.95 x1015    2.59 V

1
VOC  VC1  VC 2  VC 3 
40
(b) Per ISC , le correnti esterne non possono eccedere la più piccola delle correnti di corto circuito
dei singoli diodi. Quindi, I SC  min 1.05A,1.00A, 0.95A   0.95 A
Si noti che il diodo tre è polarizzato inversamente nel caso (b).
Utilizzando il calcolatore per trovare VC si ottiene VC = 0.7768 V, IC = 0.9688 A, and Pmax =

7.53 W

3.121
hc

E
(a)  

6.625x10 34 J  s 3x108 m / s 
 1.11 m - lontano dall' infrarosso

1.12eV 1.602x1019 j / eV 
(b)  
 34

6.625x10 J  s 3x10 m / s 8

 0.875 m - vicino all'infrarosso

1.42eV 1.602x1019 j / eV 
3.122
hc

E
6.625 x1034 Js  3 x108 m/s 
(a ) Ge:    1.88 μm Infrarosso
0.66 eV 1.602 x1019 J / eV 
6.625 x1034 Js  3 x108 m / s 
(b) GaN:    0.355 μm Ultravioletto
3.49eV 1.602 x10 19 J / eV 
6.625 x1034 Js  3 x108 m / s 
(c) InP:    0.919 μm Infrarosso
1.35eV 1.602 x10 19 J / eV 
6.625 x1034 Js  3 x108 m / s 
(d ) InAs:    3.50 μm Infrarosso
0.354eV 1.602 x10 19 J / eV 
6.625 x1034 Js  3 x108 m / s 
(e) BN:   0.165 μm Ultravioletto
7.50eV 1.602 x1019 J / eV 
6.625 x1034 Js  3 x108 m / s 
(f ) SiC:    0.381 μm Ultravioletto
3.26eV 1.602 x1019 J / eV 
6.625 x1034 Js  3 x108 m / s 
(g ) CdSe:    0.730 μm Infrarosso
1.70eV 1.602 x1019 J / eV 

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R. C. Jaeger, T. N.

Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

2 s  1 1  2 11.7  8.854 x1014 F cm -1   1 1 

2 s  1 1  2 11.7  8.854 x1014 F cm 1   1 1 

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0.500 6.591E-07 6.276E-07 9.9198E-16

Errore quadratico totale 1.1622E-06

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1.00000 1.00000 0.00000

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2 s  1 1  2 11.7  8.854 10 14 F×cm 1   1 1 

2 s  1 1  2 11.7  8.854 x10 14 F×cm 1   1 1 

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2 S  1 1  2 11.7   8.854 1014   1 1 

S 11.7  8.854 1014  C "jo A 9.80 10-9  0.05 

2 S  1 1  2 11.7   8.854 1014   1 1 

S 11.7  8.854 1014  C "jo A 10.5 10-9  0.02 

(a) CD    400 fF (b) Q = I D T  104 A 1010 s   10 fC

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(a) CD    0.400 μF (b) Q = I D T  1A 108 s   10.0 nC

2 S  1 1  2 11.7   8.854 1014   1 1 

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(c) Q-point (a) Q-point

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(a) V = 6 V e R = 4k: Per vD = 0, iD = 6V/4 k = 1.5 mA e per iD = 0, vD = 6V.

Load line for (b)

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 1.0000E+00 -9.991E+03 -1.000E+04

Modello ideale del diodo: ID = 1V/10k = 100A; (100A, 0 V)

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Diodo ideale: CVD:

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(b) D1 on, D2 off :

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(d) D1 on, D 2 on:

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3.73 I diodi sono etichettati da sinistra a destra

(b) D1 on, D 2 off, D3 on : I D 2  0 | I D 3  0

(c) D1 on, D 2 on, D3 on

(d) D1 off, D 2 off, D 3 on: I D1  0, I D 2  0

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3.74 I diodi sono etichettati da sinistra a destra

(b) D1 on, D 2 off, D3 off: I D 2  0 | I D 3  0

(c) D1 on, D 2 on, D3 on

(d) D1 off, D 2 off, D3 on: I D1  0, I D 2  0

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Per tutti i casi i risultati sono molto vicini all’analisi manuale

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15kΩ  15kΩ 10kΩ 

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V(1) V(2) REAL(Rectifier)

V(1) V(2) REAL(Rectifier)