Microelettronica 5a SoluzioniCapitolo04 PDF

R. C. Jaeger, T. N.
Blalock – Microelettronica, 5ª edizione
Capitolo 4
4.11
(a) VG > VTN corrisponde alla regione di inversione (b) VG << VTN corrisponde alla regione di
accumulazione (c) VG < VTN corrisponde alla regione di svuotamento
4.2 (a)
C  "

ox

14
3.9o 3.9 8.854x10 F / cm F nF
 6.91x108 2  69.1 2

50x10 m100cm / m
9
ox
Tox Tox cm cm
(b), (c) & (d): Scalando il risultato dalla parte (a) si ottiene
nF 50nm nF nF 50nm nF nF 50nm nF

"
Cox  69.1 2
 173 2 | Cox
"
 69.1 2  346 2 | Cox
"
 69.1 2  691 2
cm 20nm cm cm 10nm cm cm 20nm cm
4.3
 Cd 
s


11.7 8.854x1014 F / cm   10.5x109 F / cm 2
2s
0.75V  
211.7 8.854x10 F / cm 14
0.75V 
qN B

1.602x1019 1015 / cm 3 
4.4 (a)
 K  nC  n
' "
 n
3.9o 
ox
 500
cm 2 3.9 8.854x10 F / cm

14
 
 V  sec 50x10 m100cm / m 
n ox 9
Tox Tox
F A A
Kn'  34.5x106  34.5 x 106 2  34.5 2
V  sec V V
(b) & (c) Scalando il risultato dalla parte (a) si ottiene

A 50nm A A 50nm A A 50nm A
Kn'  34.5 2
 86.3 2
| Kn'  34.5 2
 173 2
| Kn'  34.5 2
 345
V 20nm V V 10nm V V 5nm V2
4.5
 a Q "
 C VGS  VTN 
" ox
V  VTN  

3.9 8.854x1014 F / cm 1V  1.38x10 7 C
25x10 m100cm / m
9
ox GS
Tox cm 2
b Q "
 C VGS  VTN 
" ox
V  VTN 

3.9 8.854x1014 F / cm 2V  6.91x10 7 C
10x10 m100cm / m
9
ox GS
Tox cm 2
1 Le soluzioni proposte in questo documento sono stilisticamente conformi a quelle dell’edizione originale; il lettore
presti particolare attenzione al fatto che i simboli delle unità di misura (V, A, W, J, Ω, S, …) e dei fattori di scala (G,

k, m, µ, n, …) vanno sempre scritti in carattere tondo.
© 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione
4.6
 cm 2  V 
  n n  V  s 2000 cm  1.00x106 s
cm
a v   E   500
 
 cm 2  V 
 n n
a v   E  
400 4000  1.60x10
6 cm
 V  s  cm  s
4.7
La velocità dei portatori deve aumentare mano a mano che i portatori scendono nella regione di
 canale per compensare la diminuzione nella densità dei portatori
4.8
a  0  0.8V  I D = 0
(b) VGS - VTN = 0.2V , VDS = 0.25V  regione di saturazione
K n' W  V   200 A  5m 
ID  VGS  VTN  DS VDS    1  0.8  40.0 A
2
2 
2 L 2   2 V  0.5m 
(c) VGS - VTN = 1.2V , VDS = 0.25V  regione di triodo
W V   A  5m  0.25 
I D  K n' VGS  VTN  DS VDS   200 2   2  0.8  0.25  538 A
L 2   V  0.5m  2 
(d ) VGS - VTN = 2.2V , VDS = 0.25V  regione di triodo
W V   A  5m  0.25 
I D  K n' VGS  VTN  DS VDS   200 2   3  0.8  0.25  1.04 mA
L 2   V  0.5m  2 
 A  5m 
e  K n  K n' W   200 2 
mA
  2.00 2
L  V  0.5m  V
4.9
A 60m 
a K
W mA
n  Kn  200 2   4.00 2
'
L V  3m  V
A  3m  A  10m 
b Kn  200 V 2 0.15m  4.00 V 2 | c Kn  200 V 2 0.25m  8.00 V 2
mA mA


4.10
a  0  1V  regione di interdizione, I D = 0 b 1V = 1V  regione di interdizione, I D = 0
(c) VGS - VTN = 1V , VDS = 0.1V  regione di triodo
W V   A  10m  0.1 
I D  K n' VGS  VTN  DS VDS   250 2   2  1  0.1  231 A
L 2   V  1m  2 
(d) VGS - VTN = 2V , VDS = 0.1V  regione di triodo
W V   A  10m  0 .1 
I D  K n' VGS  VTN  DS VDS   250 2   3  1  0.1  488 A
L 2   V  1m  2 
 A  10m 
e  K n  K n' W   250 2 
mA
  2.50 2
L  V  1m  V
4.11
Identifico i terminali di source, drain, gate e bulk e trovo la corrente I nel transistore in Fig. P4.3.
+0 .2 V -0.2 V
W 10 - W 10
= =
L 1 V L 1
D I GS S I
+ -
+
G B
V V
DS G B DS
+5 + +5
- +
V S D
GS
-
(a) (b)
(a)
VGS  VG  VS  5V VDS  VD  VS  0.2V  regione di triodo
W V   A  10  0.2 
I = I D  K n' VGS  VTN  DS VDS  100 2   5  0.70  0.2  840 A
L 2   V  1  2 
(b)
VGS  VG  VS  5  0.2 = 5.2V VDS  VD  VS  0  0.2 0.2V
 A 10  0.2 
I = I S  100 2  5.2  0.70  0.2  880 A
 V  1  2 
4.12
 A 10  0.5 
 (a) I  100 2  5  0.75 0.5  2.00 mA
 V  1  2 
 A 10  0.2 
(b) I  100 2  3  0.75 0.2  430 A
 V  1  2 


4.13
a VGS  VG  VS  5  0.5 = 5.5 V VDS  VD  VS  0  0.5 0.5 V
 A 10  0.5 
I = I S  100 2  5.5  0.75 0.5  2.25 mA
 V  1  2 
b V GS  VG  VS  3  1 = 4 V VDS  VD  VS  0  1 1 V
 A 10  1 
I = I S  100 2  4  0.75 1  2.75 mA
 V  1  2 
4.14
4mA /V 2 800A /V 2
a W = K 0.5m 20 m b W = 100A / V 0.5m 4 m
W Kn
 Kn  Kn' L
L '
n 100A /V 2 2
4.15
a R
1 1
    23.0 
on
 
VGS  VTN 
W
Kn' 100x10  5  0.65
6 100
L  1 
b R
1
  35.7 
on
 
100x10  3.3  0.50
6 100
 1 
4.16
1 W 1
 Ron  or  '
L Kn VGS  VTN Ron
VGS  VTN 
W
Kn'
L
W 1 4.71 W 1 7.84
(a)   | (b)  
L 100x10 5  0.75500
6
1 L 100x10 3.3  0.75500
6
1
4.17
0.1V ID 5 A
 Ron   0.020  20m | K n    17.0 2
5A VGS  VTN  0.5VDS VDS 5  2  0.50.10.1 V
W K n 17.0 170
Si noti che questo richiederà   
L K n' 0.1 1

4.18
Prendendo i due valori in saturazione:
K K
395 A  n  4  VTN  and 140  A  n  3  VTN 
2 2
2 2
Prendendo il rapporto di queste due equazioni:
A
395  4  VTN 
2 125 2
A W V  1.25
  VTN  1.5 V  K n  125 2 
140  3  VTN  2
V L 100  A 1
2
V
Dal grafico, VTN è qualcosa meno di 2 V. VTN >0  transistore ad arricchimento
4.19
Utilizzando i valori dei parametri del problema 4.22:
800uA
V GS = 5 V
600uA VGS = 4.5 V

Drain Curren t (A)
V GS = 4 V
400uA
VGS = 3.5 V
200uA
V GS = 3 V
V GS = 2.5 V
VGS = 2 V
0
A 0V 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V 5.0V 6.0V
Drain -Source Voltage (V)
4.20
a  Per VGS  0, VGS  VTN e I D  0 b  Per VGS  1V , VGS  VTN e I D  0
c VGS  VTN = 2 - 1 = 1V e VDS  3.3 | VDS  VGS  VTN  quindi la regione di saturazione è corretta
375 A  5m  A  5m 
2  1 V 2  1.88 mA | K n  K n'
W mA
ID    375 2    3.75 2
2
2 
2 V  0.5um  L V  0.5um  V
d VGS  VTN = 3 - 1 = 2V e VDS  3.3 | VDS  VGS  VTN  quindi la regione di saturazione è corretta
375 A  5m 
ID   3  1 V 2  7.50 mA
2
2 
2 V  0.5m 

4.21
a  Per VGS  0, VGS  VTN e I D  0 b  Per VGS  1V , VGS  VTN e I D  0
c VGS  VTN = 2 - 1.5 = 0.5V e VDS  4 | VDS  VGS  VTN  quindi la regione di saturazione è corretta
200 A  10m  A  10m 
2  1.5 V  250 A | K n  K n
' W mA
ID   200 2    2.00 2
2 2
2 
2 V  1um  L V  1um  V
d VGS  VTN = 3 - 1.5 = 1.5V e VDS  4 | VDS  VGS  VTN  quindi la regione di saturazione è corretta
200 A  10m 
ID   3  1.5 V 2  2.25 mA
2
2 
2 V  1m 
4.22
(a) VGS - VTN = 2 - 0.75 = 1.25 V e VDS = 0.2 V.
VDS < VGS - VTN quindi il transistore opera in regione di triodo.
W  V   A 10  0.2 
ID  K n' VGS VTN  DS VDS  200 2  2  0.75  0.2  460 A
L  2   V 1  2 
(b) VGS - VTN = 2 - 0.75 = 1.25 V e VDS = 2.5 V.
VDS > VGS - VTN quindi il transistore opera in regione di saturazione.
 K' W 200 A 10 
VGS  VTN     2  0.75  1.56 mA
2 2
ID  n 2 
2 L  2 V 1 
(c) VGS < VTN quindi il transistore è interdetto con ID = 0.
300
(d) ID K n' so (a) ID   460A  690A (b) ID  2.34 mA (c) ID  0
 200
4.23
(a) VGS - VTN = 4 V, VDS = 6 V. VDS > VGS - VTN --> regione di saturazione

(b) VGS < VTN --> regione di interdizione
(c) VGS - VTN = 1 V, VDS = 2 V. VDS > VGS - VTN --> regione di saturazione
(d) VGS - VTN = 0.5 V, VDS = 0.5 V. VDS = VGS - VTN --> confine tra regioni di triodo e di
saturazione
(e) Il source e il drain del transistore sono invertiti per via del cambio di segno in VDS.
Supponendo che le tensioni siano definite rispetto agli originali terminali S e D come in Fig.
P4.11(b), VGS = 2 - (-0.5) = 2.5 V, VGS - VTN = 2.5 - 1 = 1.5 V, e VDS = 0.5 V --> regione di
triodo
(f) Il source e il drain del transistore sono ancora una volta invertiti per via del cambio di segno
in VDS. Supponendo che le tensioni siano definite rispetto agli originali terminali S e D come in
Fig. P4.11(b), VGS = 3 - (-6) = 9 V, VGS - VTN = 9 - 1 = 8.0 V, e VDS = 6 V --> regione di triodo

D --> 'S' D --> 'S'

- -
G G
0.5 V 6.0 V
+ +
+ +
2V 3V
S --> 'D' S --> 'D'
- -
VG'S' = +2.5 V (f) V G'S' = +9.0 V

(e)
VD'S' = +0.5 V V D'S' = +6.0 V
4.24
(a) VGS - VTN = 2.6 V, VDS = 3.3 V. VDS > VGS - VTN --> regione di saturazione
(b) VGS < VTN --> regione di interdizione
(c) VGS - VTN = 1.3 V, VDS = 2 V. VDS > VGS - VTN --> regione di saturazione
(d) VGS - VTN = 0.8 V, VDS = 0.5 V. VDS < VGS - VTN --> regione di triodo
(e) Il source e il drain del transistore sono invertiti per via del cambio di segno in VDS.
Supponendo che le tensioni siano definite rispetto agli originali terminali S e D come in Fig.
4.54(b), VGS = 2 - (-0.5) = 2.5 V, VGS - VTN = 2.5 – 0.7 = 1.8 V, e VDS = 0.5 V --> regione di
triodo
(f) Il source e il drain del transistore sono ancora una volta invertiti per via del cambio di segno
in VDS. Supponendo che le tensioni siano definite rispetto agli originali terminali S e D come in
Fig. 4.54(b), VGS = 3 - (-3) = 6 V, VGS - VTN = 6 – 0.7 = 5.3 V, e VDS = 3 V --> regione di triodo
4.25
R
R 4
2
D V
DD
G +
-
B
S
R R
1 3
(a)
(b) Scambiare le etichette S e D.
(c) Il diodo tra i terminali B-D nello schema(a) diventa polarizzato direttamente se VDD < 0.

4.26
+V
DD
D I
G B
S
+V
DD
D I
D
G
G B
B
S
S
D D
B B
G
G
S S
(a) (b)
4.27
VDS = 3.3V, VGS – VTN = 1.3 V; VDS > VGS - VTN quindi il transistore è in saturazione.
A 20m 
a gm  K n VGS  VTN   250  2  0.7  6.50 mS
V 2  1m 
A 20m 
b gm  K n VGS  VTN   250  3.3  0.7  13.0 mS
V 2  1m 

4.28
iD 760  140 A
 a  g m    310 S | Come controllopossiamo utilizzare i risulati del Problema 4.22.
vGS 53 V
A
g m  K n VGS  VTN   125 4  1.5V  313 S
V2
iD 390  15 A A
b  g m    188 S | Controllando : g m  125 2 3  1.5V  188 S
vGS 42 V V
4.29
VDS > VGS - VTN quindi il transistore è in saturazione.
Kn 250 A
VGS  VTN  1 VDS   2 
5  0.75 1 0.0256  2.60 mA
2 2
(a) ID 
2 2 V
Kn 250 A
VGS  VTN   2 
5  0.75  2.26 mA
2 2
(b) ID 
2 2 V


4.30
VDS > VGS - VTN quindi il transistore è in saturazione.
Kn 500 A
VGS  VTN  1 VDS   2 
4 1 1 0.025  2.48 mA
2 2
(a) ID 
2 2 V
Kn 500 A
VGS  VTN   2 
4 1  2.25 mA
2 2
(b) ID 
2 2 V
4.31
(a) Il transistore è in saturazione.

12V  VGS 100x106  10  A
ID     2 VGS  0.75V 
2
10 
5
2  1 V
12.5VGS2  17.8VGS  4.97  0
VGS  0.266V , 1.214V  VGS  1.214V dato che deve eccedere0.75V
12  1.214 100x10 6  10  A
ID   108 A Verificando :   2 1.214  0.75V   108 A
2
 1 V
5
10 2
12V  VGS 1000x106 A

2  GS
V  0.75V  1 0.025VGS 
2
(b) ID  
10 
5
2 V
Partendo dalla soluzione della parte (a) e risolvendo iterativamente si ottiene VGS = 1.20772 V e
ID = 108 A, sostanzialmente nessun cambiamento.
 (c)
12V  VGS 100x106  25  A
ID     2 VGS  0.75V 
2
10 
5
2  1 V
62.5VGS2  91.75VGS  11.16  0
VGS  0.446V , 1.046V  VGS  1.046V dato che VGS deve superare la tensione di soglia.
12  1.046 100x106  25  A
ID   110 A Verificando : I D    2 1.046  0.75V   110 A
2
105 2  1 V
4.32
(a) Il transistore è in saturazione
12V  VGS 100x106  10  A
ID     2 VGS  0.75V 
2
5 x104  2  1 V
31.25VGS2  45.88VGS  5.58  0
VGS  0.0588V , 1.401V  VGS  1.401V dato che VGS deve superare la tensione di soglia
12  1.401 100x106  10  A
ID   212 A Verificando : I D    2 1.401 0.75V   212 A
2
 1 V
4
5 x10 2
12V  VGS 1000x106 A
2  GS
V  0.75V  1 0.02VGS 
2
(b) ID  
5x10 
4
2 V
Partendo dalla soluzione della parte (a) e risolvendo iterativamente si ottiene VGS = 1.3925 V e
IDS = 212 A, sostanzialmente nessun cambiamento


4.33
(a) Dato che VDS=VGS e VTN>0 per entrambi i transistori, entrambi i dispositivi sono in
saturazione.
K n' W '
Quindi I D1  VGS1  VTN 2 e I D 2  K n W VGS 2  VTN 2 .

2 L 2 L
Dal circuito, comunque, ID2 deve essere uguale a ID1 dato che IG = 0 per il MOSFET:
K n' W '
I  I D1  I D 2 o VGS1  VTN 2  K n W VGS 2  VTN 2
2 L 2 L
Che richiede VGS1 = VGS2. Utilizzando KVL:
VDD  VDS1  VDS 2  VGS1  VGS 2  2VGS 2
VDD
VGS1  VGS 2   5V
2
K n' W 100 A 10
VGS1  VTN   5  0.75 V 2  9.03 mA
2 2
I 2
2 L 2 V 1
(b) La corrente semplicemente scala di un fattore due (si veda l’ultima equazione sotto), e ID =
18.1 mA.

(c) Per questo caso,
K' W K' W
I D1  n VGS1  VTN  1 + VDS1  e I D 2  n VGS 2  VTN  1 + VDS2  .
2 2
2 L 2 L
Dato che VGS = VDS per entrambi i transistori
K n' W '
I D1  VGS1  VTN 2 1 + VGS1  e I D 2  K n W VGS 2  VTN 2 1 + VGS2 
2 L 2 L
e ID1 = ID2 = I
K n' W K' W
VGS1  VTN  1 + VGS1  n VGS 2  VTN  1 + VGS2 
2 2
2 L 2 L
Che richiede VGS1 = VGS2 = VDD/2 = 5V.
K' W 100 A 10
VGS1  VTN  1 VDS   5  0.75 V 2 1 .045  10.8 mA
2 2
I n 2
 2 L 2 V 1
4.34
(a) Dato che VDS = VGS and VTN > 0 per entrambi i transistori, entrambi i dispositivi sono in

saturazione.
K n'  W  K' W 
Quindi
I D1    VGS 1  VTN  e I D 2  n   VGS 2  VTN 
2 2
.
2  L 1 2  L 2
K n'  10  K n'  40 
I  I D1  I D 2 o  VGS1  VTN    VGS 2  VTN 
2 2
2 1 2  1 
Che richiede VGS1 = 2VGS2 - VTN. Utilizzando KVL:

VDD  VDS 1  VDS 2  VGS 2  VGS 1  3VGS 2  VTN

VDD  VTN 10  0.75
VGS 2    3.583V VGS1  6.417
3 3
K' W 100 A 10
I  n VGS 1  VTN   6.417  0.752V 2  16.1 mA
2
2 L 2 V2 1
100 A 40
Verificando : I  3.583  0.752V 2  16.1 mA che corrisponde.
2 V2 1
(b) Per questo caso con VGS = VDS per entrambi i transistori e ID1 = ID2,
K n'  W  K ' W 
I D1    VGS 1  VTN  1 + VGS1  e I D 2  n   VGS 2  VTN  1 + VGS2 
2 2
2  L 1 2  L 2
dove VGS2 = VDD – VGS1. Quindi,
K n' 10  K ' 40 
 VGS1  VTN  1 + VGS1  n  10  VGS1  VTN  1 + 10  VGS1 
2 2
2 1  2  1 
VGS1 = 6.3163, VGS2 = 3.6837, ID1 = 20.4 mA, Verificando: ID2 = 20.4 mA che corrisponde.
 4.35
(a) Dato che VDS = VGS e VTN > 0 per entrambi i transistori, entrambi i dispositivi sono in
saturazione.
K n'  W  K' W 
Quindi
I D1    VGS 1  VTN  e I D 2  n   VGS 2  VTN 
2 2
.
2  L 1 2  L 2
K n'  25  K n'  12.5 
I  I D1  I D 2 o  
  GS1 TN
V V 2
  VGS 2  VTN 
2
2  1  2  1 
Risolvendo per VGS2 si ottiene: VGS 2  2VGS1   2 1V TN
Inoltre,VDD  VDS 1  VDS 2 o VGS 1  10  VGS 2
VGS 1 
10  
2  1 VTN 
  4.271V VGS 2  5.729V
1 2
I
K n' W
VGS1  VTN 2  100 A2  25 4.271  0.752V 2  15.5 mA
2 L 2 V  1 
100 A  12.5 
Verificando : I  5.729  0.75 V  15.5 mA - corretto.
2 2
2 
2 V  1 
(b) Per questo caso con VGS = VDS per entrambi i transistori e ID1 = ID2,
K n'  W  K n'  W 
   VGS 1  VTN  1 + VGS1  e I D 2    VGS 2  VTN  1 + VGS2 
2 2
I D1
2  L 1 2  L 2
dove VGS2 = VDD – VGS1. Quindi,
K n' 10  K ' 40 
 VGS1  VTN  1 + VGS1  n  10  VGS1  VTN  1 + 10  VGS1 
2 2
2 1  2  1 


VGS1 = 4.3265 V, VGS2 = 5.6735 V, ID1 = 19.4 mA, Verificando: ID2 = 19.4 mA – entrambi
corretti
4.36
VGS - VTN = 5 - (-2) = 7 V > VDS = 6 V quindi il transistore funziona in regione di triodo.
6  6 
(a) ID  250x10 5  2  6  6.00 mA
 2 
(b) Il nostro modello per la regione di triodo è indipendente da , quindi ID = 6.00 mA.
4.37

Dato che VDS = VGS, e VTN < 0 per un NMOS a svuotamento, VGS - VTN sarà maggiore di VDS e
il transistore opererà in regione di triodo.
4.38
(a ) VDS  6V | VGS  VTN  0   3  3V quindi il transistore è in saturazione
ID 
Kn
VGS1  VTN 2  250 A2 0   3V 2  1.13 mA
2 2 V
250 A
(b) I D  2
0   3V 2 1  0.0256  1.29 mA
2 V

4.39
+1 0 V -10 V
10 0 k  10 0 k 
D I DS I DS
S
G G
W = 10 W
= 10
L 1 L 1
S D
(a) (b)
(a) Se il transistore era in saturazione, allora

100x106 10  2
ID   2  2.00 mA
2  1 
Ma questo richiederebbe un generatore di tensione maggiore di 200 V (2 mA x 100 k). Quindi
il transistore deve funzionare in regione di triodo
 10V  VDS  V 
 10 3  0   2  DS VDS
10 
5
 2 
10  VDS  50VDS 4  VDS  e VDS  0.0504V utilizzand o l' equazione quadratica.
 0.0504  10V  VDS
I D  10 3  2  0.0504  99.5 A Verificando :  99.5 A
 2  105 
(b) Per R = 50 k e W/L = 20/1,
10V  VDS  V 
 2 x10 3  0   2  DS VDS
5 x10 
4
 2 
10  VDS  50VDS 4  VDS , lo stesso della parte (a).
 0.0504  10V  VDS
I D  2 x10 3  2  0.0504  199 A Verificando :  199 A
 2  5 x104 
(c) In questo circuito, i terminali di source e drain sono invertiti per via del generatore di tensione
e anche il verso della corrente è invertito. Comunque, ora VDS = VGS e dato che il transistore è
un dispositivo a svuotamento, sta ancora operando in regione di triodo
10V  VDS  V 
 1000x10 6 VDS   2  DS VDS
10 
5
 2 
10  VDS  50VDS 4  VDS  e VDS  0.04915V utilizzand o l' equazione quadratica.
 0.04915 10V  VDS
I D  10 3  0.04915  2  0.04915  99.5 A Verificando :  99.5 A
 2  105 
(d) In questo circuito, i terminali di source e drain sono invertiti per via del generatore di tensione
un dispositivo a svuotamento, sta ancora operando in regione di triodo

10V  VDS  V 
 2000x10 6 VDS   2  DS VDS
5 x10 
4
 2 
10  VDS  50VDS 4  VDS  Come nella parte (c). VDS  0.04915V utilizzand o l' equazione quadratica.
 0.04915 10V  VDS
I D  10 3  0.04915   2  0.04915  99.5 A Verifiando :  99.5 A
 2  105 
4.40 Si vedano le figura nei problemi precedenti ma utilizziamo W/L = 20/1.

25x106 20  2
(a) Se il transistore era in saturazione, allora D I   1  250 A Ma questo
2  1 
richiederebbe un generatore di tensione maggiore di 25 V. Quindi il transistore deve funzionare
in regione di triodo
10V  VDS  20  V 
 100x10 6   0   1  DSVDS
10 
5
 1  2 
10  VDS  100VDS 2  VDS  e VDS  0.05105V utilizzand o l' equazione quadratica.
 0.05105 10  0.0510
I D  2.00x10 3 1  0.05105  99.5 A Verificando : V  99.5 A
 2  105 
(b) In questo circuito, i terminali di source e drain sono invertiti per via del generatore di tensione
un dispositivo a svuotamento, sta ancora operando in regione di triodo.
  
 20  V 
VDS  10  105 100x10 6  VDS   1  DS VDS
 1  2 
 V 
VDS  10  200VDS 1  DS  e VDS  0.04858V utilizzand o l' equazione quadratica..
 2 
 0.04858 10 - 0.04858 V
I D  2000x10 6 1  0.04858  99.5 A Verificando :  99.5 A
 2  105 

4.41
(a) VTN  0.75  0.75  
1.5  0.6  0.6  1.26V
VGS  VTN  2  1.26  0.74V > VDS  0.2V  Regione di triodo
 10  0.2 
I D  200 x106   2  1.26   0.2  256  A (confrontato a 460  A)
 1  2 
(b) VGS  VTN  2  1.26  0.74V < VDS  2.5V  Regione di saturazione
200 x106  10 
ID     2  1.26   548  A (comparato a 1.56 mA)
2
2 1
(c) VGS  VTN quindi il transistore è interdetto, e I D  0.
 300 
(d ) I D  K n' quindi (a) I D    256  A  384  A (b) I D  822  A (c) I D  0
 200 
4.42
( a ) VTN  1.5  0.5  
4  0.75  0.75  2.16V | VGS <VTN  Interdizione & I D  0
(b) I D =0. Il risultato è indipendente da VDS .
4.43

(a ) VTN  1  0.7 3  0.6  0.6  1.79V 
VGS  VTN  2.5  1.79  0.71V < VDS  5V  Regione di saturazione
100x106  8 
ID   0.71  202 A
2
2 1
(b) 0.5 < 0.71  Regione di triodo
 8  0 .5 
I D  100x106   0.71  0.5  184 A
 1  2 
4.44
 
0.85  1.5  1.5 VSB  0.75  0.75 | Risolvendo per VSB si ottieneVSB  5.17 V

Verificando :VTN  1.5  1.5 5.17  0.75  0.75  0.85 V 
4.45
Utilizzando il metodo trial and error con un foglio di calcolo si ottiene:
VTO  0.74V  = 0.84 V 2F  0.87V RMS Error = 51.9 mV


4.46
3.9o  cm 2 3.98.854x10 F /cm 
14
ox
(a) K   p C   p
' "
 p  200 
 V  sec 50x10 m100cm /m
p ox 9
Tox Tox
F A
K 'p  13.8x106  13.8 2
V  sec V
A 50nm A
(b) Scalando i risultati dalla parte (a) si ottiene : K n'  13.8 2  34.5 2
V 20nm V
 c K n'  13.8 A2 50nm  69.0 A2
V 10nm V
 
d  K n'  13.8 2
A 50nm
 138 2
A
V 5nm V
4.47
I punti di pinchoff e la tensione di soglia possono essere stimati direttamente dal grafico: es.
VGS = -3 V la curva fornisce VTP = 2.5 - 3 = - 0.5 V o da VGS = -5 V la curva fornisce VTP = 4.5
- 5 = - 0.5 V.
In alternativa, scegliendo due punti in saturazione, si dica ID = 1.25 mA per VGS = -3 V e ID =
4.05 mA per VGS = -5 V:
I D1 VGS 1  VTP  1.25  3  VTP 

 or 
I D 2 VGS 2  VTP  4.05  5  VTP 
Risolvendo per VTP si ottiene : 0.8VTP  0.4V e VTP  0.500V .
A
21.25mA Kp 400
2I D mA W V 2  10
Risolvendo per K p : K p    0.400 2 |  ' 
VGS  VTP   3  0.5
2 2
V L Kp A
40 2 1
V
4.48 Utilizzando i valori del problema precedente

PMOS Output Characteristics
0.0045
0.004
0.0035
0.003 -2 V
-3 V
ID (mA)
0.0025 -3.5 V
0.002 -4 V
-4.5 V
0.0015 -5 V
0.001
0.0005
0
-6 -5 -4 -3 -2 -1 0
VDS
(IDSAT, VDSAT): (0.45 mA,-1.5 V) (1.25 mA,-2.5 V) (1.8 mA,-3 V) (2.45 mA,-3.5 V) (3.7 mA,-4V)
(4.05 mA,-4 V)

4.49
(a ) VGS  VTP  1.1  0.75  0.35V | VDS  0.2V  Regione di triodo
40A  20    0.2 0.2  40.0 A
ID  2    1.1   0.75 
V  1  2 
(b) VGS  VTP  1.3  0.75  0.55V | VDS  0.2V  Regione di triodo
40A  20    0.2 0.2  72.0 A
ID  2    1.3   0.75 
V  1  2 
  
(c) VTP   0.75  .5 1  .6   6  0.995V
VGS  VTP  1.1   0.995  0.105V | VDS  0.2V  Regione di saturazione
1  40A  20 
I D   2   1.1  0.995  4.41 A
2
2  V  1 
(d ) VGS  VTP  1.3  0.995  0.305V | VDS  0.2V  Regione di triodo
10A  10    0.2 0.2  32.8 A
ID  2    1.3   0.995 
V  1  2 
4.50
1 W 1
Per un PMOS : Ron  o  '
W
VGS  VTP
K p' L K p VGS  VTN Ron
L
W 1 5810 W 1 2330
(a)   | (b)  
L 40x10  5  0.70 1
6
1 L 100x10 5  0.701
6
1
4.51
1 W 1
Per un PMOS : Ron  o  '
K p'
W
VGS  VTP L K p VGS  VTN Ron
L
W 1 2.91 W 1 1.16
(a)   | (b)  
L 40x10  5  0.70 2000
6
1 L 100x10 5  0.702000
6
1

4.52
1 1
Per un PMOS : Ron  (a) Ron  = 29.4 
W  6  200 
K p' VGS  VTP 40x10    5   0.75
L  1 
1 W 1 499
(b) Ron  = 11.8  (c)  
 200  L 40x10  5   0.7511.8
6
5  0.75
1
100x10 6 
 1 
W  K' W 
Verificando :    n'    2.5200 
500
 L  p K p  L n 1
4.53
+1 8 V
R
R 4
2
R
S
VDD
+
- S
G B
B
D
G
D
R R
1 3
(a) (b)
4.54
(a) Per VIN = 0, il dispositivo NMOS è acceso con VGS = 5 e VSB = 0, e il transistore PMOS è
spento con VGS = 0, VO = 0, e VSB = 0.
1
Ron   235 
100x10 105  0.75
6
(b) Per VIN = 5V, il dispositivo NMOS è spento con VGS = 0, e il transistore PMOS è acceso
con VGS = -5V, VO = 5V, e VSB = 0.
1
 Ron   235 
40x10 255  0.75
6
4.55
0.1V ID 0.5A A
 Ron   0.2 K p    0.629 2
0.5A VGS  VTP  0.5VDS VDS 10V  2V   0.50.1V 0.1V  V
4.56


VTP  0.75  0.5 4  0.6  0.6  1.44V 
VGS - VTP  1.5   1.44  0.065 | VDS  4V  Regione di saturazione
40x10 6 A  25 
ID   1.5   1.44  1.80 A
2
2 
2 V  1 

4.57
VGS  VTP  1.5   0.75  0.75V | VDS  0.5V
A  40    0.5 0.5  400 A
VGS - VTN  VDS  Regione di triodo | I D  40x106 2    1.5   0.75 
V  1  2 
4.58
Il transistore PMOS può essere sia un dispositivo ad arricchimento che a svuotamento a seconda
dei valori di R1, R2 e R4. Quindi un dispositivo ad arricchimento con VTP < 0 è corretto ed il
simbolo è corretto
4.59
Se questo transistore PMOS è in conduzione, la sua tensione di soglia dovrebbe essere maggiore
di zero e essere un dispositivo a svuotamento. Il simbolo è quello di un dispositivo ad
arricchimento quindi non è corretto.
4.60
+18 V
R
R2 4
R
S VDD
G +
D S
G
R
1
R
3 D
(a) (b)
4.61
R R
D
2
1.5 M  75 k 
VDD
D
G +
S -3 V
10 V
R1
R
S
1 M
39 k 

4.62
R
D
75 k 
VDD
R D
EQ
G +
600 k  -5 V
S 10 V
V
EQ R
S
4V 39 k 
4.63
 F 
ox
3.98.854x1014

 cm  F
  ox
a C "
  6
 6.906x108 2
Tox 5x10 cm cm
 F 
CGC  Cox "
WL  6.906x108 2 20x104 cm 2x104 cm  27.6 fF
 cm 
F
(b) Cox"
 1.73 x 107 2 | CGC  69.1 fF
cm
 F
(c) Cox"
 3.45 x 107 2 | CGC  138 fF
cm
F
(d) Cox "
 7.90 x 107 2 | CGC  276 fF
cm
4.64
 F 


3.98.854x1014

 cm  F
"
Cox  ox  6
 3.46x107 2
Tox 1x10 cm cm
 F 
CGC  Cox
"
WL  3.46x107 2 5x104 cm 5x105 cm  8.64 fF
 cm 
4.65
 F 

ox
3.98.854x1014
 cm  pF
'
COL 
Tox
L
 cm  0.5x104 cm  17.3
cm
10x109 m102 
 m 


4.66
 15 F

1.4
 x10 10m1m 
COX "
WL  m 2  F 
a CGS  CGD   COLW 
'
 4 x1015 10m  47 fF
2 2  m 
2 " 2
b CGS  COX WL  COL '
W  14 fF  40 fF  49 fF
3 3
  F 
CGD  COL W  4 x1015 10m  40 fF
'
 m 
 F 
c  CGS  CGD  COL
'
W  4 x1015 10m   40 fF
 m 

4.67
 F 


3.98.854x1014

 cm  F
"
Cox  ox   3.453x108 2
Tox  cm  cm
100x109 m102 
 m 
2
 F   cm 
CGC  C WL  3.453x108 2 50x106 m 2 104
"
  17.3 nF
ox
 cm   m 
4.68
 L  2  1m | W = 10L = 5m | Cox" 
 ox


3.9 8.854x1014 F / cm 
 0.23 fF / m 2
7
Tox 150x10 cm
Regione di triodo :
CGS  CGD 
Cox" WL
 CGSOW 

0.23 fF / m 2 5m 2  
 0.02 fF / m 5m   0.675 fF
2 2
2
Regione di saturazione : CGS  Cox" WL  CGSOW  0.867 fF | CGS  CGSOW  0.10 fF
3
Interdizione : CGS  CGD  CGSOW  0.10 fF
4.69
 F 
ox
3.98.854x10 14
cm 

a Cox  T 
F
"
 3.453x108 2
 cm  cm
ox
100x109 m102 
 m 
 F 
 
CGC  Cox" WL  3.453x108 2 10x104 cm 1x104 cm  3.45 fF
 cm 

 F 
 
b CGC  Cox" WL  3.453x108 cm 2 100x104 cm 1x104 cm  34.5 fF 
 © 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

4.70
CSB  C j AS  C jsw PS | CDB  C j AD  C jsw PD | AS  502  12.5m 2 | PS  30  15m
s 2s  1 1  N N  10201016 

Cj  | w do    
 j |  j  VT ln A D
 2   0.025ln 20  0.921V
w do q N A N A   n i   10 
211.78.854x1014  1 1 
w do  19  20  16 0.921 = 3.45x10 cm
-5
1.602x10 10 10 
11.78.854x1014 F /cm 
Cj   3.00x108 F /cm 2
3.45x105 cm
CSB  3.00x108 F /cm 2 12.5x108 cm 2  5x104 cm 3.00x108 F /cm 2 15x104 cm  26.3 fF
CDB  CSB  26.3 fF
4.71
 L A 0.25m 
KP  K'n  K n  175 2   8.75U | VTO = VTN  0.7
W V  5m 
PHI  2F  0.8V | L = 0.25U | W = 5U | LAMBDA = 0.02
4.72
a VTO  0.7 | PHI  2 F  0.6 | GAMMA = 0.75

b VTO  0.74 | PHI  0.87 | GAMMA = 0.84
4.73
KP  K'n = 50U VTO = VTN  1 V L = 0.5U W = 2.5U LAMBDA = 0

4.74
KP  K'n =10U VTO = VTN  1 V L = 0.6U W =1.5U LAMBDA = 0

4.75
KP  K 'p = 10U VTO = VT P  1 V L = 0.5U

50A A
Utilizzando la curva - 3 - V , K P = 2 = 25 2 W = 1.25U LAMBDA = 0
- 3 - - 12
V
4.76
KP  K'n = 25U VTO = VTN  1 V L = 0.6U W = 0.6U LAMBDA = 0


4.77
a Kn  n
ox W
 500

 14
cm 2 3.9 8.854x10 F / cm 20m  432 A
Tox L V  s  40x107 cm  2m  V2
 
432A
4 1  1.94 mA
2
ID 
2
864A 4 1 
2
b K
V
'
n  2Kn | V '
| I 
'
D     0.972 mA
2 2 2 2 
4.78

3.9 8.854x1014 F / cm
20x10

a C GC  C WL  
"
OX
 20x107 cm 
 4
 
cm 104 cm  34.5 fF
 
b  = 2
CGC
'
| CGC   17.3 fF

4.79
i
| g m  D  K P VGS  VTP    pCOX
1 gm " W
 fT  | CGC  COX
"
WL
2 CGC vGS L
1 p
fT  VGS  VTP , ma VGS  VTP   0 per un transistore PMOS.
2 L2
1 p
Dato che fT dovrebbe essere positiva, fT  VGS  VTP 
2 L2
4.80
1  
a f T  VGS  VTN 

2 L2 
 
1 400cm 2 /V  s 
fTN 
2  104 cm 2 
1V  6.37 GHz | fTP  0.4 fTN  2.55 GHz

 
 
 
1 400cm 2 /V  s 
b fTN  2  5 2 1V  637 GHz | fTP  0.4 fTN  255 GHz

 10 cm 

 


4.81
a Kn  n
ox W
 400

 14
cm 2 3.9 8.854x10 F / cm  2m  345A
Tox L V  s  80x107 cm 0.1m  V2
 
345A 2
ID 
2
2  690A

3.9 8.854x1014 F / cm 2x10 cm 
4
b I D  C 2 VGS  VTN vsat 

W
"
ox
80x107 cm  2 
7

2V  10 cm / s  86.3A
4.82
 Per VGS = 0, ID = 10-22 A. For VTN = 0.5 V e VGS = 0, ID = 10-15 A.
4.83
n+
22 
Metal
Polysilicon
12 
[(2x20)/(12x22)]= 0.152 or 15.2%

4.84
n+
14 
Metal Polysilicon
18  [2x10/(18x14)]= 0.079 or 7.9%

4.85
Metal
12 
n+
Polysilicon
12  (2x10/122)= 0.139 or 13.9%
4.86
Metal
12 
n+
Polysilicon
14 
[2x10/(14x12)] = 0.119 or 11.9%

NMOS Caratteristiche i-v per i problemi con la retta di carico
800
5V
600
Drain Current (uA) 400

4V
200
3V
2V
0
0 1 2 3 4 5 6
Drain Voltage (V)
4.87
4V
Per VDS  0, I D   0.588mA. Per I D  0,VDS  4V .
6.8k
Inoltre, VGS = 4V. Dal grafico il transistore sta operando sotto il pinch off e in regione di triodo e
il punto Q è: (350 A, 1.7V)
800
5V
600
Q-poin t
Drain Curren t (uA)
(4.8 2)
400
4V
Q-poin t
(4.8 1)
200
3V
2V
0
0 1 2 3 4 5 6
Drain Voltage (V)
4.88
5V
Per VDS  0, I D   0.602mA. Per I D  0,VDS  5V .
8.3k
Per VGS = 5V, il punto Q è (450 A, 1.25 V). Il transistore sta operando sotto il pinch off e in
regione di triodo.

4.89
800
5V
600
Drain Curren t (uA)
Q-poin t
(4.8 4)
400
4V
Q-poin t
200
(4.8 3)
3V
2V
0
0 1 2 3 4 5 6
Drain Voltage (V)
VDD
VGS   3V | 6 = 104 ID V DS | VDS  0, ID  0.6mA | ID  0, VDS  6V
2
Dal grafico, punto Q: (140 A, 4.6V) in regione di saturazione.
4.90
 VDD
VGS   4V | 8 = 104 ID V DS | VDS  6, ID  0.2mA | VDS  0, ID  0.8mA
2
Si veda il grafico del problema 4.89: punto Q: (390 A, 4.1 V) in regione di saturazione.


4.91
100k
a  VGG  12V  3.75V | Si ipotizzi la saturazione
100k  220k
 100x10 6  5 
3.75  VGS  24x103 I D  VGS  24x103   VGS  12
 2  1 
6VGS2  11VGS  2.25  0  VGS  1.599V e I D  89.7 A
VDS  12  36x103 I D  8.77V | VDS  VGS  VTN La saturazione è corretta.
Verificando : VGG  24x103 I D  VGS  3.75V che è corretto.
PuntoQ : 89.7 A, 8.77 V 
b  Si ipotizzi la saturazione
 100x10 6  10 
3.75  VGS  24x103 I D  VGS  24x103   VGS  12
 2  1 
12VGS2  23VGS  8.25  0  VGS  1.439V e I D  96.4 A
VDS  12  36x103 I D  8.53V | VDS  VGS  VTN La saturazione è corretta.
Verificando : VGG  24x103 I D  VGS  3.75V che è corretto
PuntoQ : 96.4 A, 8.53 V 
4.92
10k
VGG  12V  3.75V | Si ipotizzi la saturazione
10k  22k
 100x10 6  20 
3.75  VGS  2.4 x103 I D  VGS  24x103   VGS  12
 2  1 
2.4VGS2  3.8VGS  1.35  0  VGS  1.882V e I D  778A
VDS  12  3.6 x103 I D  9.20V | VDS  VGS  VTN la saturazione è corretta.
Verificando : VGG  2.4 x103 I D  VGS  3.75V che è corretto.
PuntoQ : 778 A, 9.20 V 

4.93
1M
1M  2.2M
 100x10 6  5 
3.75  VGS  2.4 x103 I D  VGS  2.4 x105   VGS  12
 2  1 
60VGS2  119VGS  56.25  0  VGS  1.206V e I D  10.6A
VDS  12  3.6 x105 I D  8.18V | VDS  VGS  VTN la saturazione è corretta.
Verificando : VGG  2.4 x105 I D  VGS  3.75V che è corretto.
puntoQ: 10.6 A, 8.18V 
4.94
100k
a  VGG  15V  4.69V | Si ipotizzi la saturazione
100k  220k
3  100x10  5 
6
4.69  VGS  24x10 I D  VGS  24x10 
3
 VGS  12
 2  1 
6VGS2  11VGS  1.31  0  VGS  1.705V e I D  124 A
VDS  15  36x103 I D  10.5 V | VDS  VGS  VTN la saturazione è corretta.
PuntoQ : 124 A, 10.5 V 
b  VGG  4.69V | Si ipotizzi la saturazione
 100x10 6  10 
4.69  VGS  24x10 I D  VGS  24x10 
3 3
 VGS  12
 2  1 
12VGS2  23VGS  7.31  0  VGS  1.514V e I D  132 A
VDS  15  36x103 I D  10.3 V | VDS  VGS  VTN la saturazione è corretta.
PuntoQ : 132 A, 10.3 V 

4.95
200k
a VGG  12V  3.81V | Si ipotizzi la saturazione
200k  430k
 100x10 6  5 
3.81  VGS  47 x103 I D  VGS  47 x103   VGS  12
 2  1 
23.5VGS2  45VGS  15.88  0  VGS  1.448V e I D  50.3 A
VDS  12  71x103 I D  8.43V | VDS  VGS  VTN la saturazione è corretta.
Verificando : VGG  47 x103 I D  VGS  3.81V che è corretta.
PuntoQ : 50.3 A, 8.43V 
b VGG  3.81V | Si ipotizza la saturazione
 100x10 6  15 
3.81  VGS  47 x103 I D  VGS  47 x103   VGS  12
 2  1 
70.5VGS  139VGS  62.88  0  VGS  1.269V e I D  54.3 A
2
VDS  12  71x103 I D  8.15V | VDS  VGS  VTN la saturazione è corretta.

Verificano : VGG  47 x103 I D  VGS  3.82V che è corretto
PuntoQ : 54.3 A, 8.15V 
4.96
(a) Impostando KP = 500U, VTO = 1, e GAMMA = 0 si ottiene ID = 89.6 A, VGS = 1.60 V e
VDS = 8.77 V 
VDS = 8.53 V 
4.97
(a) Impostando KP = 500U, VTO = 1, e GAMMA = 0 si ottiene ID = 124 A, VGS = 1.71 V e
VDS = 10.5 V 
(a) Impostando KP = 1000U, VTO = 1, e GAMMA = 0 si ottiene ID = 132 A, VGS = 1.51 V e
VDS = 10.2 V 
4.98
VDS = 8.43 V 
VDS = 8.16 V 

4.99
(300 k, 700 k) o (1.2 M, 2.8 M). Normalmente si vuole che la corrente nella rete di
polarizzazione del gate sia minore di ID. Si vuole anche che il parallelo tra R1 e R2 sia il più
grande possibile.
4.100
35x106
a  ID  4  1  1700I D 2 e utilizzando l'equazione quadratica,
2
I D  134A. VDS = 10 - 134x10 6 1700 + 38300  4.64V
25x10 6
b  ID  4  0.75  1700I D 2 e utilizzando l'equazione quadratica,
2
I D  116A. VDS = 10 - 116x10 6 1700 + 38300  5.36V
4.101
(a) Esempio 4.3
Impostando KP = 25U e VTO = 1 si ottiene ID = 34.4 A, VGS = 2.66 V e VDS = 6.08 V 
I risultati corrispondono ai calcoli manuali
(b) Esempio 4.4
Impostando KP = 25U e VTO = 1 si ottiene ID = 99.2 A, VGS = 3.82 V e VDS = 6.03 V 
I risultati sono praticamente identici ai calcoli manuali
4.102
K n'  100A / V 2 | VTN  0.75V | SceltoVDS  VRD  VRS  4V e VGS  VTN  1V
4 4. 1
RS   40k  39k e VRS  3.9V | RD   41k  43k
100A 100A
2I D 2I W 2
VGS  VTN   1V e K n  D2  200A / V 2   |
Kn 1V L 1
VG  VS  VGS  3.9  1  0.75  5.65V
R1 R R  12V   12V 
5.65V  12V | 5.65V  1 2   | R2  250k   530k  560k
R1  R2 R1  R2  R2   5.65V 
R1
5.65V  12V  R1  500k  510k
R1  560k
W 2
R1  510k, R2  560k, RS  39k, RD  43k, 
L 1

4.103
3 3
RS   12k | RD   12k
0.25mA 0.25mA
2I D 2I W 5
VGS  VTN   1V e K n  D2  500A / V 2  
Kn 1V L 1
VG  VS  VGS  3  1  0.75  4.75V
R1 R R  9V   9V 
4.75V  9V | 4.75V  1 2   | R2  250k   473k  470k
R1  R2 R1  R2  R2   4.75V 
R1
4.75V  9V  R1  525k  510k
R1  470k
W 5
R1  510k, R2  470k, RS  12k, RD  12k, 
L 1
4.104
5 5
RS   10k | RD   10k
0.5mA 0.5mA
2I D 2I W 10
VGS  VTN   1V e K n  D2  1mA / V 2  
Kn 1V L 1
VG  VS  VGS  5  1  0.75  6.75V
R1 R R  15V   15V 
6.75V  15V | 6.75V  1 2   | R2  600k   1.33M  1.5M
R1  R2 R1  R2  R2   6.75V 
R1
6.75V  15V  R1  1.23M  1.2 M
R1  1.5M
W 10
R1  1.2 M, R2  1.5M, RS  10k, RD  10k, 
L 1
4.105
 103 
Si ipotizzi la saturazione Per I G = 0, VGS  104 I D  104  VGS  52
 2 
5VGS  51VGS  125  0  VGS  4.10 V e I D  410 A
2
VDS  15  15000I D  8.85 V | VDS  VGS  VTN Quindi la saturazione è corretta.

Punto Q : 410A, 8.85V

4.106
 6 x104 
Si ipotizzi la saturazione. Per I G = 0, VGS  27 x103 I D  27 x104  VGS  42
 2 
8.1VGS2  65.8VGS  129.6  0  VGS  3.36 V and I D  124 A
VDS  12  78000I D  2.36 V | VDS  VGS  VTN Quindi la saturazione è corretta..
Punto Q : 124A, 2.36V
4.107
K = 1 mA/V 2
n
R
V = -5 V D
TN
I VDD
D
IG = 0 +
+
5V
+ -
- 15 V
V
GS
R
G
R
S
 1mA/V 2 
Si ipotizzi la saturazione. IG  0. 250A =  VGS  52
 2 
0.25mA 4.29V
VGS  5   4.29V | RS   17.2k  18k
0.5mA 0.25mA
15  5  4.29 V
VDS  15  I D RD  RS   RD   22.88k  24k
0.25 mA
RG è arbitraria ma normalmente abbastanza grande. Si scelga R G  510 k.

4.108
+
R R 5V
2 D
-
VDD
+
5V
+
-
15 V
+
R1
R 5V
S
-
Si ipotizzi la saturazione. IG  0. Si ipotizzi la suddivisio ne in tre del generatore : VDS = VR D = VR S = 5V

Kn 2
Si noti che si tratta di un dispositivo a svuotamento, I D eccede
VT N e questo richiederà VGS > 0.
2
 0.25mA/V2 
VGS  2 2
5V
RS   2.5k  2.4k e VR S sarà 4.8 V | 2mA = 
2mA  2 
2mA
VGS  2   2.00V | VG  VS  VGS  4.8  2  6.8V
0.125mA
R1
6.8 = 15  R1 = 680 k e R2 = 820 k è una delle possibilità.
R 1  R2
Un' altra è R1 = 68 k e R2 = 82 k. Entrambe le scelte hanno I R 2 << I D .
RD 
15  5  4.8V  2.60k  2.70 k.
2mA

4.109
a  Il transistore è in saturazione
100x10 6  10  A 
VGS  12  105 I D e I D    2 VGS  0.75V 
2
2   
1 V
50VGS2  74VGS  16.13  0  VGS  1.214V ,  0.266V  VGS  1.214V dato che VGS deve
100x10 6  10  A 
superare la tensione di soglia. | I D    2 1.214  0.75V 
2
2  1  V 
12  1.21
I D  104A | Verificando : I D   108 A | Punto Q : 108 A,1.21 V 
105
7
(b) Utilizzando KVL, VDS = 10 IG +VGS. Ma dato che IG = 0, VGS = VDS. Inoltre VTN = 0.75 V
> 0, quindi il transistore è in saturazione.
+1 2 V
K n' W
VGS  VTN 2   100 A2  10 VGS  0.752
W = 10
L 1 ID 
2 L  2 V  1 
10 M  33 0 k 
VGS  12  330kI D  I G   10MI G  ma IG = 0
IDS VGS  12  330kI D 
+
 1.00x10 3 A 
I
  V  0.752
G
+
VDS VGS  12  3.30x105  2  GS
-
 2 V 
VGS -
165VGS2  246.5VGS  80.81  0 si ottiene VGS  1.008V , 0.486V
VGS deve essere 1.008 V dato che 0.486 V è sotto la soglia.
100 A 10
1.008 0.75  33.3 A ed VDS = VGS
2
ID   2 
 2 V  1
Punto Q: (33.3 A, 1.01 V) Verificando: ID =(12-1.01)V/330k = 33.3 A. 


4.110
a  Il transistore è in saturazione.
100x10 6  20  A 
VGS  12  105 I D ID    2 VGS  0.75V 
2
e
2   
1 V
100VGS2  149VGS  44.25  0  VGS  1.08V , 0.410V  VGS  1.08 V dato che VGS deve
100x10 6  20  A 
superare la tensione di soglia. I D    2 1.08  0.75V   109A
2
2  1  V 
12  1.08
Verificando : I D   109 A | Punto Q : 109 A, 1.08 V 
105
7
(b) Utilizzando KVL, VDS = 10 IG +VGS. Ma dato che IG = 0, VGS = VDS. Inoltre VTN = 0.75 V
> 0, quindi il transistore è in saturazione.
+1 2 V
VGS  VTN 2   100 A2  20 VGS  0.752

10
W = K n' W
L 1 ID 
10 M  33 0 k 
2 L  2 V  1 
VGS  12  330kI D  I G   10MI G  ma I G = 0
IDS
VGS  12  330kI D 
+
I
 
 A
VGS  12  3.30 x105 10 3 2 VGS  0.75
G
VDS 2
+
-
 V 
VGS -
3.3VGS  4.94VGS  1.736  0 si ottiene VGS  0.933V , 0.564V
2
VGS deve essere 0.933 V dato che 0.564 V è sotto la soglia.
 100 A  20
ID   2 
0.933  0.752  33.5 A Verificando : 12  0.933V  33.5A
 2 V  1 330k
e VDS = VGS : Punto Q: (33.5 A, 0.933 V)

4.111
a  Si ipotizzi la saturazione : K n' W
ID  VGS  VTN 2   100 A2  10 VGS  0.752
2 L  2 V  1 
VGS  15  330kI D  e VGS  VDS quindi il funzionamento in saturazione è corretto
 10 3 A 

VGS  15  3.30x105   V  0.752
2  GS
 2 V 
3.30VGS2  4.93VGS  1.556  0 si ottiene VGS  1.041V , 0.453V
 100 A  10  15  1.041
ID   1.041  0.75  42.3A | Verificando : I D  V  42.3A
2
2 
 2 V  1  330k
Punto Q : 42.3 A, 1.04 V 
(b) Si ipotizzi la saturazione
ID 
K n' W
VGS  VTN 2   100 A2  25 VGS  0.752
2 L  2 V  1 
VGS  15  330kI D  e VGS  VDS quindi il funzionamento in saturazione è corretto
 2.50x10 3 A 

VGS  15  3.30x105   V  0.752
2  GS
 2 V 
8.25VGS2  12.355VGS  4.341  0 si ottiene VGS  0.9345V , 0.563V
 100 A  25  15  0.9345
ID   0.9345  0.75  42.6A | Verificando : I D  V  42.6A
2
2 
 2 V  1  330k
Punto Q : 42.6 A, 0.935 V 
4.112
a  Si ipotizzi la saturazione K n' W
ID  VGS  VTN 2   100 A2  10 VGS  0.752
2 L  2 V  1 
VGS  12  470kI D  e VGS  VDS quindi il funzionamento in saturazione è corretto.
 10 3 A 

VGS  12  4.70x105   V  0.752
2  GS
 2 V 
4.70VGS  7.03VGS  2.404  0 si ottiene VGS  0.9666V , 0.529V
2
 100 A  10  12  0.967
ID   0.9666  0.75  23.5A | Verificando : I D   23.5A
2
2 
 2 V  1  470k
Punto Q : 23.5 A, 0.967 V 
(b) dato che la corrente in RG è zero, la corrente di drain è indipendente da RG.

4.113
(a) Si crei un file MATLAB:
function f=bias(id)
vtn=1+0.5*(sqrt(22e3*id)-sqrt(0.6));
f=id-(25e-6/2)*(6-22e3*id-vtn)^2;
fzero(@bias,1e-4) si ottiene ans = 8.8043e-05
(b) Modificando il file MATLAB:
function f=bias(id)
vtn=1+0.75*(sqrt(22e3*id)-sqrt(0.6));
f=id-(25e-6/2)*(6-22e3*id-vtn)^2;
fzero(@bias,1e-4) si ottiene ans = 8.3233e-05
4.114
Utilizzando un foglio di calcolo simile alla Tabella 4.2 si ottiene: (a) 88.04 A, (b) 83.23 A.
4.115
100k
100k  220k
 
VTN  1  0.6 24x103 I D  0.6  0.6 | VGS  VTN 
2I D
5 x10 4
3.75  VGS
ID  | Risolvendo iterativamente si ottiene I D  73.1A con VTN  1.460V
24k
V  12V  I D 24k  12k   9.37 V Il transistore è in saturazione. Punto Q : (73.1 A, 9.37 V)
4.116
100k
100k  220k
 
a VTN  1  0.75 24x103 I D  0.6  0.6 | VGS  VTN  2 I D 4
5 x10
3.75  VGS
ID  | Risolvendo iterativamente si ottiene I D  69.7 A con VTN  1.550V
24k
VDS  12V  I D 24k  12k   9.49 V Il transistore è in saturazione. Punto Q : (69.7 A, 9.49 V)
b VTN  1  0.6 
24x103 I D  0.6  0.6 | VGS  VTN 
2I D
5 x10 4
3.75  VGS
ID  | Risolvendo iterativamente si ottiene I D  73.1A con VTN  1.460V
24k
V  12V  I D 24k  24k   8.49 V Il transistore è in saturazione. Punto Q : (73.1 A, 8.49 V)

4.117
a   = 0.6 VTN  1.46 V I D  73.1 A VDS  9.37 V
b   = 0.75 VTN  1.55 V I D  69.7 A VDS  9.49 V
c   = 0.6 VTN  1.46 V I D  73.1 A VDS  8.49 V
Questi risultati corrispondo ai calcoli manuali.
(Devono corrispondere, infatti risolvono le stesse equazioni)
4.118
a  = 0 VTN  1.00 V ID  50.2 A VDS  8.43 V
 = 0.5 VTN  1.42 V ID  42.2 A VDS  9.01 V
b  = 0 VTN  1.00 V ID  54.1 A VDS  8.16 V
 = 0.5 VTN  1.44 V ID  45.2 A VDS  8.79 V
Il valore di  = 0 corrisponde ai calcoli manuali del problema originario. L’introduzione
dell’effetto body nella simulazione riduce la corrente del punto Q approssimativamente del 15%.
 Sebbene possa sembrare molto, è entro l’errore che sarà introdotto da resistori al 5% e dalle
tolleranze tipiche del dispositivo. Quindi normalmente si omette  nei calcoli manuali, e
successivamente si migliorano i risultati con SPICE.
4.119
a  = 0 VTN  1.00 V ID  89.6 A VDS  8.77 V
 = 0.5 VTN  1.39 V ID  75.5 A VDS  9.28 V
b  = 0 VTN  1.00 V ID  96.3 A VDS  8.53 V
 = 0.5 VTN  1.41 V ID  80.8 A VDS  9.09 V
4.120
 =0 VTN 1.00 V ID  778 A VDS  9.20 V
 = 0.5 VTN 1.35 V ID  661 A VDS  9.62 V

4.121
 =0 VTN  1.00 V ID  10.5 A VDS  8.03 V
 = 0.5 VTN  1.45 V ID  9.18 A VDS  8.69 V
4.122
(a) Entrambi i transistori sono in saturazione e le due correnti di drain devono essere uguali.
K K
ID1  n1 VGS1  VTN1  and ID 2  n 2 VGS 2  VTN 2 
2 2
2 2
Ma dato che i transistori sono identici, ID1 = ID2 richiede VGS1 = VGS2 = VDD/2 = 2.5V.
100x106 20 
 2.5 1 = 2.25 mA
2
ID1  ID 2 
 2  1 
(b) Per questo caso, si tengono gli stessi argomenti, e VGS1 = VGS2 = VDD/2 = 5V.
100x106 20 
 5 1 =16.0 mA
2
ID1  ID 2 
 2  1  .
(c) Per questo caso, le tensioni di soglia saranno differenti a causa dell’effetto body nel
transistore superiore. Le correnti di drain devono essere le stesse, ma le tensioni gate-source
saranno differenti

2ID 2ID
VGS1  VTN1  ; VGS 2  VTN 2  ; VGS1  VGS 2  5V .
Kn Kn
VTN1 =1V 
VTN 2  1 0.5 VGS1  0.6  0.6 
Combinando queste equazioni si ottiene
 
5 - 2VGS 1  0.5 VGS 1  0.6  0.6  0  VGS 1  2.27V ; VGS 2  5  VGS 1  2.73V
 100x10 6  20 
I D 2 = I D1   2.27  1  1.61 mA.
2
2  1 

Verificando : VTN 2  1  0.5 2.27  0.6  0.6  1.46V 
100x10 6  20 
 2.73  1.46  1.61 mA.
2
I D2 =
2  
1

4.123
Se supponiamo la saturazione, otteniamo ID = 234 A e VDS = 0.65 V, e il transistore non è in
saturazione. Ipotizziamo il funzionamento in regione di triodo,
VGS  10  2 x104 I D | VDS  10  4 x104 I D
A  2  10  4 x104 I D 
I D  100 2  
V  1 
 10  2 x104
I D  1  
 10  4 x104 I D 
2 
Raccogliendo i termini :16.5 x10 I D  40  I D  242 A
4
 
VDS  10  4 x104 2.42x10 4  0.320V | Q - Pt : 242 A, 0.320V 
Verificando la regione di funzionamento : VGS  VTN  4.16V  VDS
10  0.32
e l'ipotesi di regione di triodo è corretta. Verificando : I D  V  242A
40k
4.124
Se supponiamo la saturazione, troviamo una risposta inconsistente. Supponiamo il
funzionamento in regione di triodo,
VGS  10  2 x104 I D | VDS  10  3x104 I D
A  4  10  3x104 I D 

I D  100 2  10  2 x10 I D  1 
V  1 
4

 10  3 x104 I D 
2 
Raccogliendo i termini :1.5x10 I D  1.725x10 I D  40  0  I D  322A
8 2 5
 
VDS  10  3 x104 3.22x10 4  0.340V | Q - Pt : 322 A, 3.18 V 
Verificando la regione di funzionamento : VGS  VTN  2.56V  VDS
10  0.34
e l'ipotesi di regione di triodo è corretta. Verificando : I D  V  322A
30k

4.125
Per (a) e (b),  = 0. I parametri del transistore sono identici quindi 3VGS = 15V o VGS = 5V.
1 20 
(a) ID  100x106  5  0.75  18.1 mA
2
2  1 
1 50 
(b) ID  100x106  5  0.75  45.2 mA
2
2  1 
(c) Ora abbiamo tre differenti tensioni di soglia e serve una soluzione iterativa. Usando
MATLAB:
 function f=Prob125(id)
gamma=0.5;
vgs1=.75+sqrt(2*id/2e-3);
vtn2=0.75+gamma*(sqrt(vgs1+0.6)-sqrt(0.6));
vgs2=vtn2+sqrt(2*id/2e-3);
vtn3=0.75+gamma*(sqrt(vgs1+vgs2+0.6)-sqrt(0.6));
vgs3=vtn3+sqrt(2*id/2e-3);
f=15-vgs1-vgs2-vgs3;
fzero(@Prob125,1e-4) --> ans = 0.0130 ID = 13.0 mA
4.126
W 20
a  = 0  VTN  0.75 V ID  18.1 mA VDS  5.00 V
L 1
W 50
b  = 0  VTN  0.75 V ID  45.2 mA VDS  5.00 V
L 1
W 20
b  = 0.5  VTN 3  1.95 V ID 3  13.0 mA VDS 3  5.56 V
L 1
VTN 2  1.48 V ID 2  13.0 mA VDS 2  5.09 V VTN1  0.75 V ID1  13.0 mA VDS1  4.36 V
I risultati sono identici ai calcoli del Prob. 4.119
 4.127
Per VGS = 5 V e VDS = 0.5 V, il transistore sarà in regione di triodo.
ID 
5  0.5V  54.88A | 54.88x106  100x106W 5  0.75  0.5 0.5 | W  0.274  1
  
82k  L  2  L 1 3.64
4.128
Per VGS = 3.3 V e VDS = 0.25 V, il transistore sarà in regione di triodo.
 3.3  0.25V  16.94A | 16.94x106  100x106W 3.3  0.75  0.25 0.25 | W  0.280  1
ID    
180k  L  2  L 1 3.57


4.129
(a) Il transistore è in saturazione. Per questo circuito,
VGS  VDD  I D R  15  75000I D
4 x10 5  1 
ID    15  75000I D  0.75  153 A
2
2 1
VGS  15  75000I D  3.525V
VDS  VGS  3.525V | Punto Q : 153 A,3.53V 
(b) Qui il transistore ha VGS = -15 V, valore alto, quindi il transistore starà operando in regione di
triodo
VDS   15  V 
ID   4 x105   15   0.75  DS VDS  VDS  0.347 V e I D  195 A.
75000  2 
15  0.347
Verificando : I D  V  195A Punto Q : 195 A,- 0.347 V 
785k
Verificando la regione di funzionamento: VDS  0.347V  VGS VTP  15 0.75  14.25V
La regione di triodo è corretta
4.130

Si imposta W=1U L=1U KP=40U VTO=-0.75 GAMMA=0
I risultati sono praticamente identici ai calcoli manuali per entrambe le parti.
4.131
(a ) I DP  I DN , e entrambi i transistori sono in saturazione. 10 = -VGSP  VGSN
1  40A  20  1  100A  20 
 10  VGSN  0.75    VGSN  0.75
2 2
 2 
2  V  1  2  V  1 
2
9.25  VGSN   2.5 VGSN  0.75  VGSN  4.04V | VGSP  5.96V

I DP  I DN  10.8 mA | VO  VGSN  4.04V
(b) Tutto è lo stesso ad eccezionedi un fattore di scala 80/20 :
I DP  I DN  43.2 mA

4.132
Per (a) e (b),  = 0. I parametri del transistore sono identici quindi -3VGS = 15V o VGS = -5V.
1 40
(a) ID 
2
40x106  5  0.75  14.4 mA
1
2
1 75
(b) ID  40x106  5  0.75  27.1 mA
2
2 1
(c) Ora abbiamo tre differenti tensioni di soglia e serve una soluzione iterativa in MATLAB:
function f=PMOSStack(id)
 gamma=0.5;
vsg1=.75+sqrt(2*id/1.6e-3);
vtp2=-0.75-gamma*(sqrt(vsg1+0.6)-sqrt(0.6));
vsg2=-vtp2+sqrt(2*id/1.6e-3);
vtp3=-0.75-gamma*(sqrt(vsg1+vsg2+0.6)-sqrt(0.6));
vsg3=-vtp3+sqrt(2*id/1.6e-3);
f=15-vsg1-vsg2-vsg3;
fzero(@PMOSStack,1e-1) --> ans = 0.0104 ID = 10.4 mA.
4.133
(a) W=40U L=1U KP=40U VTO=-0.75 GAMMA=0
(b) W=75U L=1U KP=40U VTO=-0.75 GAMMA=0
(c) W=75U L=1U KP=40U VTO=-0.75 GAMMA=0.5
I risultati sono in accordo con i calcoli manuali.

4.134
 2mA. Per I D  0,VDS  4V . VSD  4V 
4V
For VDS  0, I D 
2k
300k
VGS  VEQ  4V  3V VSG  3V 
300k  100k
Dal grafico, il transistore sta operando sotto il pinchoff in regione lineare
5000
VSG = 5 V
4000
A)
3000
V =4V
SG
Drain Curren t (
2000
Q-poin t VSG = 3 V
1000
V =2V
SG
-1000
-1 0 1 2 3 4 5 6
Source-Drain Voltage (V) Punto Q: (1.15 mA, 1.7V)
Caratteristiche di uscita di un transistore PMOS
5000
V GS = -5 V
4000
A)
3000
VGS = -4 V
Drain Current (
2000
V GS = -3 V
1000
V GS = -2 V
-1000
-1 0 1 2 3 4 5 6
Source-Drain Voltage (V)

4.135
 4 x105  20
 VGS  0.752 - VGS
15V
(a ) VGG   7.5V | 7.5 = 105 I D - VGS | 7.5 = 105 
2  2  1
4VGS2  5.9VGS  1.5  0  VGS  1.148V e I D  63.5A
VDS  15  100k  50k I D   5.47V | Punto Q : 59.78 A,5.47 V 
(b) Per la saturazione, VDS  VGS  VTP or VSD  VSG  VTP
15  100k  R I D  7.5  100kI D  0.75  R  130 k
4.136
Impostando W=20U, L=1U, LEVEL=1, KP=40U, VTO=-0.75 si ottengono risultati identici al
problema precedente.
4.137
(a) Utilizzando MATLAB:
function f=bias4(id)
gamma=0.5;
vbs=1e5*id;
vgs=-7.5+vbs;
vtp=-0.75-gamma*(sqrt(vbs+0.6)-sqrt(0.6));
f=id-(8e-4/2)*(vgs-vtp)^2;
fzero('bias4',4e-5) --> ans = 5.5278e-05 --> ID = 55.3 A
VDS = -15 + (100k+R) ID
(b) VDS ≤ VGS - VTP | -15 + (100k+R)ID ≤ -1.972 + 1.600 | R ≤ 164 k
4.138
Impostando W=20U, L=1U, LEVEL=1, KP=40U, VTO=-0.75 GAMMA=0.5 si ottengono
risultati identici al problema precedente.

4.139
(a)
V
DD
V -
S -
GS
+
VDS
G
D +
I
SD
La freccia identifica il transistore come un dispositivo PMOS. Dato che  = 0, non ci dobbiamo
preoccupare dell’effetto body: VTP = VTO. Dato che VDS = VGS, e VTP < 0, il transistore è in
saturazione.
K' W
I D  p VGS  VTP  e - VGS  12  105 I D
2
2 L
 4 x10 5  10 
- VGS  12  105   VGS   0.752
 2  1 
20VGS2  29VGS  0.75  0 si ottiene VGS  1.475V ,0.0255V
E’ richiesta VGS < VTP = -0.75 V affinchè il transistore sia in conduzione, quindi
4 x105  10  A
VGS  1.475V e I D    2  1.475   0.75  105 A
2
2  1 V
Dato che VDS = VGS, Il punto Q è dato da (105 A, -1.475 V).
(b) Utilizzando MATLAB per la seconda parte (Impostando gamma = 0 per la parte (a)):
function f=bias2(id)
gamma=1.0;
vgs=-12+1e5*id;
vsb=-vgs;
vtp=-0.75-gamma*(sqrt(vsb+0.6)-sqrt(0.6));
f=id-5e-5*(vgs-vtp)^2;
fzero(@bias2,1e-4) --> ans = 9.5996e-05 e punto Q = (96.0 A, 2.40 V).
4.140
 4 x105  40
 VGS  0.752 - VGS
15V
VGG   7.5V | 7.5 = 5x104 I D - VGS | 7.5 = 5x104 
2  2  1
890VGS2  119VGS  30  0  VGS  1.166V e I D  138 A
VDS  15  R  50k I D   5V  R = 22.3 k I D  138 A

4.141
 4 x105  40
 VGS  VTP 2 - VGS
15V
VGG   7.5V | 7.5 = 15 - 5x104 I D + VGS | 7.5 = 5x104 
2  2  1

VTP  0.75  0.5 5x104 I D  0.6  0.6 
Risolvendo iterativamente si ottiene I D  111 A con VTP  1.60V
VDS  15  R  50k I D   5V  R = 40.1 k
4.142
510k
(a ) VGG  15V  9.81V | 9.81 = 15 - 105 I D + VGS
510k  270k
 4 x10 5  20
5.19 = 105   VGS  0.752  VGS
 2  1
40VGS2  59VGS  17.31  0  VGS  1.071V e I D  41.2 A
(b) In saturazione, VDS  VGS  VTP
 15  100k  R I D  1.071  0.75  R  256 k
4.143
510k
(a ) VGG  15V  9.81V | 9.81 = 15 - 105 I D + VGS
510k  270k
5  4 x10  20
 
5
5.19 = 10   VGS  VTP 2  VGS | VTP  0.75  0.5 105 I D  0.6  0.6
 2  1
Risolvendo iterativamente si ottiene I D  35.2 A con VTP  1.38 V e VGS  1.67 V
(b) In saturazione, VDS  VGS  VTP
 15  100k  R I D  1.67  1.38  R  318 k

4.144
a  Supponendo una tensione uguale (5V) suddivisa tra R D , R S e VDS . Abbiamo bisogno che VDS  VGS  VTP
2I D 2mA W 12.5
or - 5  VGS  VTP . Scelgo VGS  VTP  2V . K n     .
VGS  VTP 2
4 L 1
VGS  2  0.75  2.75V . VEQ  5  VGS  7.75V .
R1 15 R1R2 15
7.75 = 15   100k. R2  193.5k  200k.
R1  R2 R2 R1  R2 R2
R1 220k
7.75 = 15  R1  214k  220k. VEQ  15  7.86V
R1  R2 220k  200k
7.86V  2.75V 15  5  5.1
RS   5.11k  5.1k | RD   4.9k  4.7 k
1mA 1mA
Si noti che R 1 è connessa tra gate e + 15 V, e R 2 è connessa tra
gate e massa.
b  Per il caso con NMOS, scelgo W/L = 5/1. I resistorihanno gli stessi valori ad
eccezionedi R 2 che è connessa tra gate e + 15 V, R1 è connessa tra
15  6  5.1
gate e massa, e RD   3.9k
1mA
4.145
a  Supponendo una tensione uguale (3V) suddivisa tra R D , R S e VDS . Abbiamo bisogno che VDS  VGS  VTP
2I D 1mA W 25
or - 3  VGS  VTP . Scelgo VGS  VTP  1V . K n     .
VGS  VTP 2
1 L 1
VGS  1  0.75  1.75V . VEQ  3  VGS  4.75V .
R1 9 R1R2 9
4.75 = 9   1M. R2  1.7 M  1.8M.
R1  R2 R2 R1  R2 R2
R1 2 M
4.75  9  R1  2.01M  2 M | VEQ  9  4.74V
R1  R2 1.8M  2 M
4.74V  1.75V 933
RS   5.97k  6.2k | RD   6.0k  6.2k
0.5mA 0.5mA
Si noti che R 1 è connessa tra gate e + 9 V, e R 2 è connessa tra
gate e massa. R1  2 M, R2  1.8M, RS  RD  6.2k, W / L  25 / 1
b  Per il caso di un NMOS, scelgo W/L = 40/1. I resistorihanno gli stessi valori ad
eccezionedi R 2 che è connessa tra gate e + 9 V, e R1 è connessa tra
gate e massa

4.146
 40 A  10  4
VGS  104 I D | Ipotizzand o la saturazione : I D   2 

 10 I D  4
2

 2 V  1 
Raccogliendo :10 I D  8.5 x10 I D  16  0  I D  281 A
8 2 4
 
VDS   15  104 I D  12.2V | Q - Pt : 281 A,12.2 V 
Verificando : VGS  VTP  2  4  1.19 V | VDS  12.2 | La saturazione è corretta.
4.147

VGS  104 I D | VTP  4  0.25 VGS  0.6  0.6 | I D 
2

4 x104
VGS  VTP 2
Risolvendo queste equazioni iterativamente si ottiene I D  260 A
 
VDS   15  104 I D  12.4V | Q - Pt : 260 A,12.4 V 
4.148
Nota: Le soluzioni sono molto sensibili agli errori di arrotondamento e si possono risolvere
meglio iterativamente utilizzando MATLAB, un foglio di calcolo, una calcolatrice
programmabile, ecc. Calcoli manuali quando si usano equazioni quadratiche danno scarsi
risultati.
In saturazione con VTP  1
ID 
2 1

4 x105  10  5

  3.3 x10 I D  12   1  121  7.265x10 I D  1.089x10 I D  0
2 6 11 2
I D  34.6 A, 32.1A | VDS  3.3 x105 I D  12  0.582V ,1.407V | Punto Q : 32.1 A,1.41V 
dato che il transistore non dovrebbe condurre per VGS  0.582V .
4.149
meglio iterativamente utilizzando MATLAB, un foglio di calcolo, una calcolatrice
programmabile, ecc. Calcoli manuali quando si usano equazioni quadratiche danno scarsi
risultati.
In saturazione con VTP  3
 4 x105  30 
I D    
  3.3x105 I D  12   3  81  5.941x106 I D  1.089x1011 I D2  0
2
 2  1 
I D  27.07A | VDS  3.3x105 I D  12  3.067V | Punto Q : 27.1 A,3.07 V 

4.150
meglio iterativamente utilizzando MATLAB, un foglio di calcolo, un calcolatore HP, etc.
Calcoli manuali quando si usano equazioni quadratiche danno scarsi risultati.
a VGS Grande  Ipotizzo regione di triodo.
 10   V 
VDS  12  3.3 x105 I D | I D  40 x10 6   12  0.75  DS  VDS
 1  2 
Punto Q :  36.1  A, 80.6 mV  | VDS  VGS  VTN quindi la regione di triodo è corretta.
10 x106  25 
b    3.3 x10 I D  12  0.75 
2
In saturazione: I D  5
2  1 
Punto Q:  32.4 A,-1.32V 
c VTP  0.75  0.5  3.3 x105 I D  0.6  0.6 

40 x106  25 
   3.3x10 I D  12  VTP  | VDS   12  3.3x10 I D 
2
ID  5 5
2  1 
Punto Q:  28.8  A,-2.49 V 

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R. C. Jaeger, T. N.

Blalock – Microelettronica, 5ª edizione

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600uA VGS = 4.5 V

Drain -Source Voltage (V)

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D --> 'S' D --> 'S'

VG'S' = +2.5 V (f) V G'S' = +9.0 V

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12V  VGS 1000x106 A

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Quindi I D1  VGS1  VTN 2 e I D 2  K n W VGS 2  VTN 2 .

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VDD  VDS 1  VDS 2  VGS 2  VGS 1  3VGS 2  VTN

Inoltre,VDD  VDS 1  VDS 2 o VGS 1  10  VGS 2

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(a) Se il transistore era in saturazione, allora

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4.40 Si vedano le figura nei problemi precedenti ma utilizziamo W/L = 20/1.

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I D1 VGS 1  VTP  1.25  3  VTP 

4.48 Utilizzando i valori del problema precedente

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 © 2018 McGraw-Hill Education (Italy)

s 2s  1 1  N N  10201016 

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b I D  C 2 VGS  VTN vsat 

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18  [2x10/(18x14)]= 0.079 or 7.9%

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NMOS Caratteristiche i-v per i problemi con la retta di carico

Drain Current (uA) 400

Drain Voltage (V)

Drain Voltage (V)

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Drain Voltage (V)

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VDS  12  71x103 I D  8.15V | VDS  VGS  VTN la saturazione è corretta.

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VDS  15  15000I D  8.85 V | VDS  VGS  VTN Quindi la saturazione è corretta.

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Si ipotizzi la saturazione. IG  0. Si ipotizzi la suddivisio ne in tre del generatore : VDS = VR D = VR S = 5V

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VGS  VTN 2   100 A2  20 VGS  0.752

VGS deve essere 0.933 V dato che 0.564 V è sotto la soglia.