Sei sulla pagina 1di 35

1250$ &(,  7(5=$ (',=,21(

Dallo scorso aprile entrato in vigore la terza edizione della Norma CEI 11-27: lavori su impianti elettrici, febbraio 2005, fasc. 7522. di conseguenza, sono annullate ledizione prima, dellaprile 1993, reingegnerizzata nel 1997 con ledizione seconda, riguardante i lavori fuori tensione e sotto tensione sugli impianti di I categoria, e la Norma CEI Sperimentale 11-27/1, attinente i requisiti minimi di formazione previsti per operare fuori tensione sui sistemi elettrici di categoria 0, I, II, III e sotto tensione sui sistemi 0 e I. Una delle ragioni che ha determinato laggiornamento da ricercarsi nelluscita della seconda edizione, dopo quella del 1998, della Norma CEI EN 50110-1 (1): Esercizio degli impianti elettrici, febbraio 2005, fasc. 7523, cui aveva fatto seguito solamente la Variante V1, novembre 2001. Era, inoltre, sentita lesigenza di armonizzare gli aspetti operativi dellattivit sugli impianti di bassa tensione con i principi concettuali introdotti in ambito europeo e di regolamentare, sempre in termini operativi, i lavori fuori tensione ed in prossimit sulle installazioni AT. Lodierna edizione della Norma CEI 11-27 si pone come traduzione della Norma CEI EN 50110, che fissa i requisiti minimi di sicurezza che ogni Paese aderente al CENELEC deve garantire nella produzione della propria normativa nazionale. Essa si colloca come strumento applicativo, esplicativo ed integrativo per gli aspetti non trattati dalla Norma base, nei confronti della quale resta in tutto coerente, con lunica eccezione del rispetto della normativa di legge ancora in vigente in materia. Larticolo costituisce un commento ed unillustrazione delle principali e pi significative novit intervenute. Sono riportate anche osservazioni sugli adattamenti operati rispetto alla Norma CEI EN 50110, allo scopo di contenerne le ricadute operative sulle realt organizzative nazionali. 67587785$ '(//$ 1250$ Nella tabella 1 riportata la struttura della Norma CEI 11-27, nel seguito della Norma. Il capitolo delle definizioni piuttosto articolato. Le 36 definizioni utilizzate sono funzionali alla descrizione delle procedure operative e delle misure di sicurezza previste per i tre metodi di lavoro fondamentali, di cui ai capitoli 11, 12 e 13. Altres essenziali, ai fini della comprensione dello spirito della Norma, sono le parti dedicate alla pianificazione/organizzazione del lavoro e allindividuazione delle competenze attribuite alle varie figure organizzative. Praticamente invariata rimasta la parte riguardante la formazione, trattata sia nel capitolo 5, sia nel capitolo 12, per gli aspetti attinenti il conferimento della idoneit ad operare sotto tensione. &$032 '$33/,&$=,21( E ribadita lapplicabilit anche ai lavori non elettrici, definiti come quelli che non coinvolgono impianti elettrici oppure che li coinvolgono esclusivamente quando sono in sicurezza, ma sempre per lesecuzione di attivit di natura non elettrica. Un esempio classico sono i lavori edili in prossimit di linee elettriche aeree in conduttori nudi, come noto a tuttoggi regolati dagli articoli 1 e 11 del DPR n. 164/56. A tale proposito, la Norma non esprime in ordine la possibilit, per le aziende che operano con persone esperte nel settore della costruzione e dellesercizio delle linee elettriche, di essere escluse dallobbligo di estendere comunque la distanza di prossimit al valore di cinque metri, purch si siano dotate al riguardo di procedure/metodi di lavoro nellambito della valutazione dei rischi aziendali [1]. Non sono trattati, inoltre, i lavori sotto tensione su impianti con tensione nominale superiore a 1.000 V (impianti di II e III categoria), che continuano ad essere disciplinati dalla Norma CEI 11-15, parte integrante dei Decreti Ministeriali 9 giugno 1980 [2] e 13

   
35,0$ 3$57(

Cosa cambia nella sicurezza dei lavori sugli impianti elettrici.

luglio 1990 [3]. In tabella 2 riportata la sintesi delle normative in vigore e il relativo campo d applicazione, riferite ai valori delle tensioni nominali previste dalla Norma impianti [4]. '(),1,=,21, Per una migliore comprensione del commento, si prende spunto da alcune delle principali definizioni introdotte. %DVVD WHQVLRQH >S @ Per il rispetto dovuto alle disposizioni di legge [5], viene assunto come BT il livello di 1.000 V, sia in corrente continua, sia in corrente alternata, essendo questa la soglia oltre la quale non pi consentita l attivit sotto tensione senza l abilitazione di legge prevista dai riferiti Decreti ministeriali(3). /DYRUR HOHWWULFR >S @ Si in presenza di lavoro elettrico quando si accede alle parti attive di un impianto e, in conseguenza di ci, se ne adattano le misure di sicurezza, si esposti ad un rischio elettrico (4). 'LVWDQ]D OLPLWH ' H GL SURVVLPLWj ' >SS  H @ DL e DV rappresentano (figura1), rispettivamente, il limite esterno della zona di lavoro sotto tensione e della zona prossima; zone la cui invasione comporta un rischio che la Norma impone di controllare. DL assume, in pratica, il significato a suo tempo attribuito alla distanza di guardia. Nella tabella 3 sono messi a confronto alcuni valori di DL e DV previsti dalla Norma CEI EN 50110 e dalla Norma in argomento. L aspetto pi significativo senz altro costituito dalla marcata differenza concettuale, per gli impianti di bassa tensione, fra l approccio utilizzato in sede comunitaria (DL = 0 e DV = 30 cm) e quello nazionale, dove si continua ad assumere: DL = 15 cm e DV = 65 cm, non potendo non tener conto dei vincoli presenti nella legislazione nazionale(5). L impostazione europea solo apparentemente meno restrittiva, sussistendo l obbligo di attuare delle misure di sicurezza, per non andare a contatto con la parte attiva, non appena viene invaso la spazio di prossimit, fissato dalla Norma CEI EN 50110 in 30 cm. Tutto ci deriva dal fatto che DL e DV sono distanze con un significato convenzionale e non prettamente fisico. Per le tensioni maggiori, si pu notare il criterio maggiormente conservativo adottato dal CEI, in particolare per la determinazione della distanza di prossimit, ripresa da una regola non pi esplicitata in sede europea: DV = DL + K dove K vale: - 50 cm per U 1 kV - 100 cm per 1 < U 110 kV - 200 cm per U > 110 kV, con U: tensione nominale del sistema elettrico interessato. Decadono, pertanto, anche i valori riportati dalla Variante V1, gi richiamata, in funzione della tensione di tenuta ad impulso dei componenti dell impianto. Va detto, per, che l adozione di distanze limite pi elevate porta a ridurre, come vedremo a proposito del lavoro in prossimit, i margini utili per non penetrare nella zona di lavoro sotto tensione. 0DJJLRUD]LRQH HUJRQRPLD H 'LVWDQ]D VLFXUD > SS  H @ La prima va sommata a DL per ottenere la seconda, definita coma la misura cautelativa per non invadere involontariamente il volume della zona di lavoro sotto tensione. La distanza sicura, che viene utilizzata nei lavori in prossimit di parti attive non in sicurezza, pu essere adottata solamente in casi particolari, dopo aver verificato l effettiva efficacia. =RQD GLQWHUYHQWR >S @ E riferito all attivit sotto tensione in BT. Viene specificato che deve essere di dimensioni contenute (nella pratica si consolidato accettabile un volume non superiore a 50 x 50 x 30 cm), affinch l operatore possa

 

avere sotto controllo tutte le parti attive su cui interviene. Nel quale caso, accettato anche che le installazioni non siano tutte perfettamente frontali alla visuale dell operatore. La non tassativit della delimitazione si riferisce alle situazioni presenti in molti quadri di bassa tensione, dove le parti attive diverse da quelle su cui si opera sono diverse. 3HUVRQD HVSHUWD 3(6 >S @ La definizione europea stata integrata (p. 5.2.1, Cap.5: formazione e profili professionali ) con l indicazione delle caratteristiche attitudinali necessarie per ricoprire il ruolo di preposto, che costituiscono i veri elementi distintivi rispetto alla Persona Avvertita (PAV), ossia: la capacit di sovrintendere , coordinare e istruire altri lavoratori a lui affidati. Questa figura assomma in s la pi elevata professionalit e capacit, per cui ad essa che devono essere affidati i lavori pi complessi e a maggior rischio. Per logica, si pone pertanto in posizione gerarchicamente superiore alla figura della persona avvertita (PAV)(6) . Importante sottolineare che possono essere classificati come PES solamente lavoratori adibiti professionalmente a lavori elettrici (7). 3HUVRQD SUHSRVWD DOOD FRQGX]LRQH GHOOLPSLDQWR UHVSRQVDELOH GHOOLPSLDQWR 5, >S @ La definizione di per s non dice molto. Occorre, quindi commentarla globalmente con i compiti assegnati a tale figura (p. 6.1, Cap.6: Ruoli operativi del RI e del PL ) e con le deleghe che RI pu conferire per l espletamento del proprio ruolo (p. 11.3, Cap.11: Il processo ). Ogni soggetto, a qualsiasi titolo detentore di un impianto elettrico che espone dei lavoratori, in regime di lavoro dipendente, ai rischi derivanti dall esercizio dello stesso, assume il ruolo di Datore di Lavoro. Conseguentemente, deve nominare,all interno dei documento di valutazione dei rischi aziendali, di cui all Art.4 del D.Lgs 626/94 (Piano della sicurezza), un Responsabile della conduzione dell impianto (RI). In presenza di impianti di grandi dimensioni e potenza, la conduzione dell impianto affidata ad una vera e propria organizzazione di uomini, mezzi e tecnologie (reparto interno dell azienda). In altri casi, le risorse possono essere esterne all azienda (outsourcing affidamento in appalto di servizi a ditta specializzata delle attivit di conduzione e manutenzione ovvero della sola manutenzione). Il capo di queste unit operative il RI. Poich il RI non pu normalmente svolgere in prima persona tutti i compiti che la Norma gli assegna (conduzione/esercizio, lavori e manutenzione), prevista la possibilit di delegare, di volta in volta, una parte degli stessi. Nel primo caso e pure nel secondo, se stata esternalizzata anche la conduzione, sulla scorta delle disposizioni contenute nel Piano della sicurezza, il RI conferisce deleghe a persone a lui subordinate, ad esempio: trasferimento della conduzione della parte d impianto oggetto dei lavori: ossia autorizzazione a porlo fuori servizio per un determinato tempo (durante io lavori, il nome della persona indicato nel Pino di lavoro PdL, vedi p. 3.28 come RI diventa Responsabile dell impianto limitatamente alla parte oggetto dei lavori) individuazione delle persone autorizzate ad elaborare i PdL individuazione delle persone abilitate ad attuare i PdL (esecuzione delle manovre, consegna dell impianto, individuazione e delimitazione della zona di lavoro). 3HUVRQD SUHSRVWD DOOD FRQGX]LRQH GHOODWWLYLWj ODYRUDWLYD SUHSRVWR DL ODYRUL 3/ >S @ Anche per questa figura occorre comparare l iniziale definizione, molto sintetica, con i punti: 6.2 del Cap. 6 (I ruoli operativi/attribuzione dei compiti) 12.4.1 del Cap. 12 (Lavori sotto tensione) 4.3 Organizzazione Norma CEI EN 50110. Non risulta esplicito che il PL non effettua alcuna valutazione del rischio e che non spetta a lui pianificare l esecuzione dei lavori. Il PL deve attuare a far in mantenere in opera sul posto di lavoro le misure di sicurezza stabilite da altri e riportate nei documenti, quali il PdL, il Piano della sicurezza aziendale e i relativi metodi di lavoro di cui destinato, verificandone l effettiva applicabilit, ossia la conformit delle condizioni impiantistiche ed ambientali con quelle previste nei riferiti documenti. Al pi chiamato a risolvere le insorgenze di rischio non previste in sede di pianificazione. Pu, invece, delegare una parte dei compiti quando riscontra, durante l esecuzione dei lavori, l impossibilit di sovrintendere ad una parte delle operazioni pianificate di cui responsabile dell effettuazione in sicurezza. Da qui l eventuale esigenza di designare un secondo preposto, a lui comunque subordinato (art. 4.3 Norma CEI EN 50110).

     

7HUUD GL VH]LRQDPHQWR >S @ La definizione richiama l opportunit di valutare casso per caso l inserimento della messa a terra nei punti in dove vengono effettuati i sezionamenti. Per fare un esempio (figura 2), la chiusura del sezionatore di terra ST in un impianto, quando non sostitutiva della messa a terra di lavoro perch non visibile e non sotto il controllo del PL e degli addetti, sovente effettuata allo scopo di impedire la richiusura intempestiva del sezionatore di linea SL assolvendolo cos alla seconda delle cinque regole essenziali per operare fuori tensione (8) . Ci, per, comporta il trasferimento sul posto di lavoro, quando questo si trovi in posizione indipendente, dalla tensione totale di terra UE nel caso si verifichi un guasto a terra all interno dell impianto dove stata effettuata la messa a terra di sezionamento. Sulla questione si ritorner per commentare i provvedimenti da prender per l equipotenzializzazione del posto di lavoro, qualora in sito non sia presente una rete di terra. 7HUUD GL ODYRUR >S  H @ La messa a terra ed il cortocircuito costituisce la fondamentale misura di sicurezza per lavorare fuori tensione. Tuttavia, la sua messa in opera non sempre obbligatoria(9) . lo diventa, ad esempio, per lavori sugli impianti di bassa tensione, se non stato possibile il sezionamento di tutte le fonti di possibile alimentazione, e sulle linee elettriche aeree BT, se sussistono rischi di contatti diretti i influenze con altre linee intersecate o parallele. In questi casi, se non possibile l installazione della messa a terra ed in cortocircuito sul posto di lavoro, ad esempio per inaccessibilit delle parti attive dell impianto, occorre operare secondo le procedure previste per l esecuzione dei lavori sotto tensione. Le caratteristiche ed i requisiti della messa a terra ed in cortocircuito, sono: deve risultare visibile dal posto di lavoro a tutti gli addetti deve essere apposta da entrambi i lati in caso d interruzione del circuito per i cavi AT deve essere effettuata ed entrambi gli estremi sezionati o nei punti nudi pi vicini ad essi; in questo caso le terre di sezionamento assumono la valenza di terre di lavoro la sua installazione completa del PL. Nella figura 3 rappresentata l applicazione delle cinque regole essenziali per la messa in sicurezza di una linea in cavo MT. L accesso ai conduttori o anche semplicemente allo schema del cavo, se questo non identificabile a vista da terminale a terminale, subordinato alla sua univoca individuazione sul posto di lavoro, anche mediante tranciatura o perforazione. Nel diagramma di figura 4 ,invece, riportato il caso tipico delle condizioni, tutte da verificare, per operatori fuori tensione su una linea elettrica di AT, mettendo a terra solamente il conduttore su cui si lavora, senza, quindi, dover installare anche il cortocircuito fra tutti i conduttori (art. 6.2.4.3, Norma CEI EN 50110). La condizione pi difficile da realizzare l ultima, perch comporta un posizionamento degli addetti, dimensione dell attrezzatura e dei mezzi di accesso tali da rendere impossibile l invasione della distanza DL degli altri conduttori. ,PSLDQWR GL ODYRUR FRPSOHVVR >S @ La definizione molto articolata. L emissione dei Piani di lavoro e d intervento obbligatoria se il lavoro deve essere eseguito su un impianto complesso. Forse era sufficiente demandare al Piano della sicurezza aziendale l individuazione degli impianti e dei lavori complessi. Ad esempio, considerando a maggior rischio i lavori sulle installazioni a tensione superiore a 1 kV e anche sugli impianti BT qualora sussista la possibilit di invadere la zona prossima di impianti AT, avendo per cura di attuare una drastica coincidenza del RI con il PL. Una individuazione univoca dell impianto complesso, aderente al dettato della Norma, si pu ricavare seguendo il diagramma della figura 5, dove per altro resta ancora l indeterminatezza dovuta alla locuzione: presenza di circuiti AT che, in senso restrittivo, pu essere estesa alle situazioni di lavoro in prossimit. Lascia qualche perplessit la delega rilasciata al PL, al quale, come gi detto, non spetta la valutazione del rischio, nel caso di specie, di stabilire se particolari condizioni, possono elevare un lavoro a livello complesso con le relative considerazioni procedurali. La valutazione della complessit del lavoro deve precedere la fase operativa, proprio perch pu risultare pregiudizievole della sicurezza doverlo decidere sul campo. La regola dovrebbe essere sempre quella: di preparare per prevenire .

   

3LDQR GL /DYRUR 3G/ H 3LDQR GLQWHUYHQWR >SS   H @ Avendo la Norma CEI EN 50110 (art. 4.3) sancito l obbligo della preparazione scritta dei lavori complessi, la nuova Norma prevede di darvi attuazione mediante la predisposizione di due documenti, che devono contenere l individuazione e la valutazione dei rischi dello specifico lavoro. In essi s intrecciano, senza una distinta collocazione, prescrizioni d esercizio (manovre per cambio dell assetto dell impianto, taratura delle protezioni, ecc..) con disposizioni e comunicazioni che attengono l applicazione delle regole fondamentali per operare in sicurezza, nonch le altre misure eventualmente necessarie. Il PdL (mod. PL1) di competenza del RI, con la collaborazione del PL (vedasi anche art. 11.3) (10). Quest ultimo deve poi redigere il Piano d intervento (mod. PI 1), che costituisce una vera e propria pianificazione delle fase operative. Il Piano d intervento una sorta di documento autoreferenziale del PL, in quanto non previsto che sia sottoposto ad alcuna approvazione da parte delle figure che entrano nel processo lavorativo. Nella pratica c da attendersi che sar applicata sistematicamente la deroga, di cui all art. 8.4, che contempla la possibilit di elaborare un unico documento. La Norma, in questo caso, non fornisce un facsimile di modulistica, la cui compilazione verosimilmente compete al RI, ancorch non sia esplicitato. &RQVHJQD GHOOLPSLDQWR >S  H @ Per l espletamento di questa azione previsto un documento (mod. CR1), con il quale l impianto oggetto dei lavori viene consegnato dal RI al PL e da questi restituito al termine dagli stessi. La disposizione trae la sua origine, per gli impianti AT,, dall art. 346 del DPR 547/55. ora, riprendendo quanto gi contemplato dalla cessata normativa (11) , l obbligo viene esteso anche agli impianti BT tutte le volte che RI non coincide con il PL. Per altro, nei lavori fuori tensione non appare possibile effettuare la consegna mediante una comunicazione orale documentata, dovendo RI trovarsi sul posto di lavoro per poter identificare e delimitare, al PL, l impianto o la parte di esso sede dei lavori. Nella figura 6 sono sintetizzate le varie fasi del processo previsto per i lavori fuori tensione in relazione alla complessit dell impianto. E possibile, pur in presenza di lavoro complesso, omettere la compilazione del Pino d intervento se il lavoro di tipo ripetitivo/standardizzato, per il quale l azienda abbia predisposto delle apposite schede metodo di lavoro (mod. PI 2) ,che descrivono: in quali condizioni devono trovarsi gli impianti presi in consegna le misure di sicurezza da adottare l attrezzatura di sicurezza e DPI da impiegare la sequenza e la descrizione delle fasi operative. In questo caso il PL, in pratica, sottoscrive solamente il mod. PI 2, che contiene le disposizioni di cui sopra, impegnandosi al loro rispetto. La consegna dell impianto prevista anche nel caso di lavori sotto tensione [art. 12.5.1 i]. Poich il soggetto responsabile di garantire la continuit del funzionamento dell impianto il RI, questi deve comunque mantenersi in ogni istante in contatto con il PL, sia per poter ripristinare il servizio in modo tempestivo, qualora durante i lavori sia stato provocato un guasto temporaneo, sia, soprattutto, per la salvaguardia della sicurezza degli operatori durante il rilancio di tensione per la riattivazione del servizio momentaneamente interrotto, sostitutiva della consegna, per gli impianti non complessi, la delega temporanea alla conduzione dell impianto per la durata dei lavori e limitata alla sola parte sede dei lavori. In questo modo, il PL autorizzato ad operare sugli organi di sezionamento e protezione per la disalimentazione dell impianto in tutti i casi ne ravvisi la necessit ai fini della sicurezza. La Norma non esemplifica n il modulo per la consegna di impianti in tensione, n quello per l eventuale delega. 127(  Classificazione CEI 11-48. Resta in vigore la seconda parte: CEI EN 50110-2, classificazione CEI 11-49, che consiste di un insieme di allegati normativi che riportano le prescrizioni tecniche e di legge nazionali di sicurezza, valide nei Paesi aderenti al CENELEC e riconosciute come fonti normative prioritarie.  Quando non diversamente specificato, i punti richiamati fanno riferimento al testo della Norma CEI 11-27 in argomento.  La Norma definisce anche il livello media tensione (MT) come il range 1 30 kV, che per nel seguito non ha pratica utilizzazione. Nel testo, infatti, si fa riferimento solamente alla discriminante BT/AT, ossia <1.00o V o> 1.000 V. Per altro, tale definizione appare, almeno in parte, in contrasto con quella riportata

   

dalla Norma CEI EN 50160: Caratteristiche della tensione fornita dalle reti pubbliche di distribuzione dell energia elettrica , che definisce MT il livello di tensione compreso fra 1 kV e 35 kVeff utilizzato per la fornitura di elettricit all utenza.  Questo porta ad escludere, ad esempio, che le manovre siano lavori elettrici. Non sempre, invece, le manovre, ancorch effettuate su organi conformi alle relative Norme di prodotto, sono prive di rischi elettrici. Ad esempio, nell uso dei sezionatori a vuoto o degli interruttori di manovra sezionatori, non protetti all interno dei quadri, sussiste sempre il rischio dell alimentazione diretta da arco elettrico, per guato o malfunzionamento, per cui l operatore deve fare uso degli appositi occhiali o visiera di materiale inattinico per filtrare i raggi ultravioletti. Un altro esempi di manovra con presenza di rischio elettrico (contatti indiretti) costituito all azionamento dei sezionatori montati su palo nelle reti di distribuzione.  L art. 344 del DPR n. 547/55, recita: E vietato eseguire lavori su elementi in tensione e nelle loro immediate vicinanze , volendo con questo sottolineare che il lavoro sotto tensione si determina non solo quando si va a contatto con le parti attive, ma anche quando si opera vicino ad essa.  La Norma, tuttavia, non si spinge a decretare l obbligo di riservare il ruolo di RI e di PL esclusivamente alle PES, classificate teli dal Datore di lavoro (DL) nell ambito del documento di valutazione dei rischi aziendali (Piano della Sicurezza).  Questo porter a riconsiderare le decisioni al riguardo assunte da molte aziende i cui lavoratori, oltre a lavori elettrici svolgono anche altre attivit ( ad esempio, di natura edile) necessarie per la realizzazione delle opere assegnate. Oggi non raro rintracciare attribuzioni di PES a lavoratori adibiti ad una pluralit di mansioni, fra cui anche alcune caratteristiche dalla presenza di rischio elettrico, ma svolte saltuariamente.  Le cinque prescrizioni essenziali per operare fuori tensione, introdotte fin dalla prima edizione della Norma CEI EN 50110, come noto sono: sezionare completamente assicurarsi contro le richiusure verificare l assenza di tensione mettere a terra e in cortocircuito proteggere contro le parti attive adiacenti  La messa a terra ed in cortocircuito, secondo il DPR n. 547/55, art. 345, obbligatoria solamente per lavori sulle installazioni AT (>1.000 V).  Che disposizioni contenute nel documento debbano essere condivise dal PL non v dubbio. Ma le prescrizioni d esercizio, propedeutiche ai lavori, dovrebbe essere contenute in un documento separato, che esuli dalla sicurezza, quindi non destinato al PL. Quest ultimo, infatti, soggetto molto spesso estraneo alla conduzione dell impianto, quasi sempre appartenente ad impresa appaltatrice, che opera continuamente su realt impiantistiche diverse da committente a committente, pertanto oggettivamente impossibili a fornire un contributo su aspetti d esercizio.  Norma CEI 11-27, ed. II, art. 2.4.01 %,%/,2*5$),$ >@ D.Lgs. N.626 del 19 settembre 1994: Attuazione delle direttive CEE, riguardanti il miglioramento della sicurezza e della salute dei lavoratori durante il lavoro . >@ Decreto Ministeriale 9 giugno 1980: Riconoscimento di efficacia di un sistema di sicurezza per i lavori elettrici sotto tensione dall Ente nazionale per l energia elettrica . >@ Decreto Ministeriale n. 442 del 13 luglio 1990: Regolamento recante riconoscimento di efficacia di un sistema di sicurezza per lavori sotto tensione effettuati su impianti elettrici alimentati a frequenza industriale con tensione nominale d esercizio compresa tra 1.000 e 30.000 V . >@ Norma CEI 11-1: Impianti elettrici con tensione superiore a 1 kV in corrente alternata , Variante V1, ed. novembre 2000, fasc. 5887. V1/Ec, fasc. 6240-6241. >@ DPR n. 547 dl 27 aprile 1995: Norme per la prevenzione degli infortuni .

    

6WUXWWXUD GHOOD HGL]LRQH ,,, GHOOD 1RUPD &(,  &DSLWROR 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 $UJRPHQWR Scopo Campo di applicazione Definizioni Lavoro elettrico e rischio elettrico Formazione profili professionali I ruoli operativi del RI e del PL Principi generali di sicurezza Pianificazione del lavoro Misure - Prove - Ricerca guasti Riepilogo adempimenti e deroghe Lavori fuori tensione Lavori sotto tensione su impianti BT Lavori in prossimit Lavori non elettici Allegato A (informativo)-Modulistica

7$%(//$ 

6LQWHVL GHOOH QRUPDWLYH LQ YLJRUH H UHODWLYR FDPSR GDSSOLFD]LRQH )XRUL WHQVLRQH


U 1 kV U > 1kV U 30 kV Dpr n. 547/55 DPR n. 547/55

,Q SURVVLPLWj
(*) Norma CEI 11-27 ed. III Norma CEI en 50110 ed. II (*) Norma CEI EN 50110ed. II

6RWWR WHQVLRQH
DPR n. 547/55

DM 13-7-90 CEI 11-15 ed. III

Norma CEI 11-27 ed. III

U > 30 kV

DPR n. 5 Norma CEI 11-27 ed. III

(*)

DM 9-6-80 CEI 11-15 ed. III

Norma CEI EN 50110 ed. II (*) DPR 7-1-56 n. 164. L art. 1 estende l applicazione anche ai lavori di costruzione e manutenzione sulle linee ed impianti elettrici e l art. 11 vieta l attivit a meno di 5 m da linee aeree nude. 7$%(//$ 

&RQIURQWR WUD DOFXQL YDORUL GL ' ( ' U [kV] 1 kV


15 20 132 150 380

7$%(//$ 

),*85$  Distanza limite (DL) e distanza di prossimit (DV)

' >P@ No contact 0,16 0,22 1,10 1,20 2,50

&(, (1 

' >P>@ 0,30 1,16 1,22 3,00 3,00 4,00

' >P@ 0,15 0,20 0,28 1,52 1,67 3,94

&(, 

' >P>@  1,20 1,28 3,52 3,67 5,94

),*85$  Distanza limite (DL) e distanza di prossimit (DV)

),*85$  Messa in sicurezza linea MT in cavo

),*85$  Caso particolare di lavoro su un solo conduttore di una linea AT

),*85$  Definizione d impianto elettrico complesso

),*85$  Le fasi del processo di pianificazione e consegna di un impianto per lavori fuori tensione

1250$ &(,  7(5=$ (',=,21(

Tutto il capitolo 5, cos come la parti trattate nel capitolo 12 relativamente alla formazione degli addetti al lavoro sotto tensione in bassa tensione, ripreso, pressoch integralmente, dalla abrogata Norma CEI 1127/1 Sperimentale. Pur non essendo, quindi, presenti novit, largomento merita un approfondimento, anche perch ben poco stato fatto sul versante della formazione dopo che la Norma di cui sopra stabiliva in modo puntuale gli standard minimi di conoscenza in materia di sicurezza elettrica per poter operare sugli impianti elettrici (1) .

Una parte importante riservata alla descrizione dei profili professionali (persona esperta, POES; Persona avvertita (PAV); Persona idonea d operare sotto tensione (PEI) e alle attribuzioni delle relative competenze. Rispetto alla Norma CEI EN 50110-1 (3) , la nuova Norma prevede la possibilit dellutilizzazione, sia pure parziale, della persona PEC (Persona Comune) in alcuni lavori lettrici. Ci nella pratica ritenuto concretamente attuabile a condizione che: Il materiale utilizzato sia conforme alle relative Norme di prodotto Siano fornite istruzioni sul corretto modo di operare. Viene, per, affermato che il principio che la LEC pu operare in presenza di rischio elettrico solamente se sorvegliata. $775,%8=,21( '(, 352),/, 352)(66,21$/, ( 5(48,6,7, )250$7,9, SS  H  Nella tabella 1 sono riportati i moduli formativi, teorici e partici, previsti dalla Norma, la cui frequentazione pu costituire un valido supporto per il DL al fine di attuare la prescritta qualificazione del proprio personale. Ci, fermo restando che lattribuzione dei profili costituisce unautonoma determinazione del DL, che la Legge gli impedisce di delegare ad altri suoi collaboratori trattandosi di un aspetto connesso con la valutazione dei rischi aziendali [1]. A riguardo degli organismi che possono erogare la formazione, la Norma si limita a raccomandare che il soggetto formatore sia in possesso delle necessarie caratteristiche professionali, senza meglio specificare (4). In figura 1 schematizzato un possibile modo di attuare i processi di attribuzione dei profili professionali PES/PAV e delleventuale successivo conferimento alle stesse figure dellidoneit ad operare sotto tensione in bassa tensione (5). In sintesi, le linee salienti d tenere presenti per le qualificazioni sono: Il profilo professionale di ogni operatore, al pari delleventuale idoneit, deve essere oggetto di attestazione (6); anche la condizione di PEC dovrebbe essere formalizzata, dovendo essere noto a tutta lorganizzazione quali sono le persone che necessitano di sorveglianza (7) Possono cedere alla qualifica di persona idonea solamente i soggetti che hanno consolidato la condizione formativa di PES o PAV Va tenuto presente, che in forza agli obblighi di Legge [2](8), le persone idonee per poter operare devono comunque essere autorizzate formalmente dal proprio DL. A margine di questo argomento, alcune considerazioni: Forse era opportuno un espresso obbligatorio a carico dei committenti di richiedere, alle imprese (compresi i lavoratori autonomi) cui vengono affidati lavori elettrici, lelenco delle PES, delle PAV e delle PEI chiamate ad operare sugli impianti, con la relativa prova documentale del percorso formativo sostenuto (9) Continua ad essere sufficiente, per i lavoratori autonomi e i DL, lautocertificazione della propria condizione formativa. Ma per i DL che operano sugli impianti con personale alle proprie

 

352),/, 352)(66,21$/, S 

   
6(&21'$ 3$57(

Cosa cambia nella sicurezza dei lavori sugli impianti elettrici.

      

dipendenze, era auspicabile che lo status di PES/PAV fosse supportato almeno dalla provata frequentazione di un corso conforme al modulo 1A + 2A. (48,327(1=,$/,==$=,21( '(/ 32672 ', /$9252 Nel contesto dei lavori fuori tensione, in modo particolare negli impianti della distribuzione pubblica non ricompresi all interno di un impianto di terra globale [3], acquista importanza l aspetto del controllo del rischio elettrico riguardante l equipotenzializzazione del posto di lavoro, argomento di cui si era appena accennato nella prima parte dell articolo. Nella figura 2 riportiamo un esempio che spiega il principale dei casi particolari di cui all art. 11.2.6.3 della Norma. E rappresentata una postazione di lavoro dove si ipotizza l esecuzione di un intervento su due tronconi di vaco MT (ad esempio, per l esecuzione di giunti), sezionati e messi a terra alle estremit come prescritto dalle regole essenziali del lavoro fuori tensione. Se il posto di lavoro ubicato in posizione elettricamente indipendente dall influenza dell impianto di terra della cabina A, la verificarsi di un guasto a terra in detta cabina, si determinano dei trasferimenti di potenziale, che possono essere pericolosi per gli operatori. Essi si loro in cortocircuito e collegati a terra attraverso la chiusura del sezionatore di terra nel punto di sezionamento (ST chiuso). Come noto, in assenza di provvedimenti protettivi, i potenziali trasferiti sono da considerare pericolosi quando superano i valori indicati nella tabella C-3 della Norma CEI 11-1, per la relativa durata del guasto. Le misure di protezione previste per il controllo dei detti gradienti di potenziale sono sostanzialmente tre, fra loro alternative se le tensioni trasferite non superano indicativamente il valore di 1.000 1.500 V. diversamente, in via cautelativa, deve essere privilegiato il provvedimento di cui al primo punto sotto descritto:manifestano in senso longitudinale UAB fra i due tronconi del cavo, e trasversale, UA fra il tronco di cavo sotteso alla cabina A di terra. I predetti trasferimenti sono dovuti ai conduttori e agli schermi dei cavi messi fra Dopo aver sezionato gli estremi del cavo (SL aperti) e, come detto, inserite le terre di sezionamento (ST chiusi)(10) allo scopo di impedire eventuali richiuse, si scollegano da terra i conduttori e gli schemi dal cavo sia in A, sia in B (l operatore, per l esecuzione della prima di queste operazioni, deve far uso di guanti isolanti di classe 0 o 00 CEI EN 60903). Una volta individuato il cavo sul posto di lavoro mediante tranciatura del medesimo, non si tratta pi di lavoro don presenza di rischio elettrico (eliminato all origine) e, di conseguenza, gli operatori possono procedere senza alcuna precauzione contro lo shock elettrico; Un secondo metodo di lavoro pu consistere nel completo isolamento mediante teli isolanti di tutte le superfici con cui possono venire a contatto gli operatori (fondo e pareti dello scavo sede di lavoro, masse estranee, ecc..). A tale misura va poi associata l adozione da parte degli operatori dei guanti isolanti sotto i guanti da lavoro, almeno per tutta la durata delle operazioni di esecuzione del primo giunto sulla prima fase del cavo(11) . Questo giunto ripristina, infatti, la continuit del conduttore e dello schermo del cavo anche per le altre fasi, attraverso lo stato di chiusura dei sezionatori di terra nei punti di sezionamento, e consente di procedere per gli altri giunti senza rischi di elettrocuzione; La continuit e l equipotenzialit viene frequentemente garantita, specialmente se si opera su cavi a MT ad elica visibili, ricorrendo all impiego del dispositivo raffigurato in figura 3. l installazione del dispositivo impone l utilizzo dei guanti isolanti e dei tronchetti isolanti, nonch delle altre misure descritte al punto precedente. Agendo su una delle fasi, le due morse perforanti, fra loro collegate con un conduttore isolato, mettendo in cortocircuito il conduttore del cavo con lo schermo sui due tronconi che devono essere giuntati. Naturalmente, le morse dovranno perforare le parti eccedenti dei cavi, che saranno successivamente asportate. In queste condizioni, gli operatori procedono fino al completamento del primo giunto, facendo uso dei normali guanti da lavoro e dei soli tronchetti isolanti, terminato il quale si rimuove il dispositivo. Per gli altri due giunti, poich invece la presenza di potenziali verso terra continua ad essere ancora possibile, fatto obbligo agli operatori di mantenere i tronchetti isolanti (UNI EN 344-347)(12).

  

/$925, ,1 35266,0,7$ ', 3$57, $77,9( L invasione della zona prossima di parti attive in tensione, diverse da quelle, in tensione o fuori tensione, su cui si sta operando, con parti del corpo o attrezzi determina il lavoro in prossimit. I provvedimenti di sicurezza per operare in prossimit, da adottare singolarmente od in combinazione fra loro per impedire la penetrazione nella zona di lavoro sotto tensione, sono: L impedimento fisico (barriere, protettori, blocchi meccanici o elettrici, ecc..) L individuazione e il mantenimento di una distanza di sicurezza, il cui significato gi stato illustrato nella prima parte dell articolo. Questa seconda misura, della Norma CEI EN 50110, sempre associata alla supervisione (nella prima edizione era indicata con il termine di sorveglianza(13), mentre la Norma non tassativa nel richiedere la presenza continuativa sul posto di lavoro di una PES con funzioni di controllo. La Norma specifica che per le attivit svolte su impianti a tensione superiore a 1.000 V (punto 13.3.3), con l impiego di semplici utensili da lavoro e operatori al suolo, costituiti in conformit della Norma CEI 11-1 (figura 1), non, prevista la messa in opera di particolari misure di sicurezza per il lavoro in prossimit. Al riguardo occorre fare alcune considerazioni, partendo dalla constatazione che le distanze limite DL assunte in sede europea e in sede nazionale, sono diverse fra loro e non coincidenti con la distanza di guardia Dg della Norma CEI 11-1, nella quale, inoltre, la distanza di vincolo verticale DVV (14) pu essere diversa da quella fissata per Legge(15). Premesso che la Norma CEI 11-1 attiene esclusivamente la progettazione e la costruzione degli impianti, utile un raffronto con le disposizioni regolanti le attivit lavorative, per verificare in che misura su pu svolgere il lavoro in prossimit senza violare la zona di lavoro sotto tensione nelle predette ipotesi di lavoro, specialmente per le tensioni pi elevate. Nella tabella 2 viene riepilogato il quadro completo, per un impianto a 132 kV, e messo in evidenza il franco verso terra (in centimetri) della zona sotto tensione, indicato con:

= DVV DL (Dg)
Nella lettura della tabella 2 bisogna tener conto che: l altezza da terra dei conduttori, non protetti, di cui all art. 278, stata assimilata alla distanza di vincolo verticale DVV della Norma CEI 11-1; la distanza limite DL stata assimilata alla distanza di guardia Dg; per Dg stato assunto il valore minimo proposto dalla tabella 6-1 della Norma CEI 11-1. Il franco da terra pi critico risulta essere proprio quello che scaturisce dall applicazione della Norma, atteso che il valore 225 cm corrisponde con l altezza minima attribuita all uomo con il braccio alzato riportata al punto A 3.01, in appendice alla Norma CEI 11-18. Norma abrogata, il cui contenuto stato assorbito dalla Norma CEI 11-1, dove permane per l indicazione che l altezza dei conduttori (non protetti) deve comunque essere DVV 225 + Dg con un minimo di base di 300 cm (200 cm per la distanza di vincolo orizzontale DVo 1,25 + Dg), che rende applicabile le suddette relazioni solamente a partire da 65 kV. Il divario si riduce per le tensioni pi basse, tanto che i diversi valori di risultano molto prossimi fra loro(16). In figura 5 rappresentata una situazione di possibile esecuzione di un lavoro fuori tensione e contemporaneamente in prossimit di parti attive in tensione sull interruttore di una delle due linee di alimentazione di una cabina primaria 132/15 kV. La condizione ricorrente prevede che tale intervento debba essere eseguito lasciando in tensione, per esigenze legate alla continuit del servizio, entrambe le linee di alimentazione (perch caratterizzate dalla presenta di derivazione rigide), i trasformatori AT/MT e, quindi, la sbarra. Conseguentemente, il posto di lavoro deve essere sezionato a monte e a valle, ossia in corrispondenza delle due fonti di alimentazione che presenta l impianto a seguito del mutato assetto d esercizio (apertura dei sezionatori di line a e di sbarra).la messa a terra ed in cortocircuito (punti A e B) deve essere effettuata necessariamente con dispositivi mobili (portatili) su entrambi i lati del posto di lavoro e su tutti i conduttori che entrano nello stesso. In sede di preparazione del lavoro, in particolare sui Piani di lavoro e d intervento, vanno valutate le distanze delle parti attive in tensione situate in prossimit del posto di lavoro, in modo che si possa stabilire, in relazione alle modalit operative previste, alla tipologia di attrezzatura e ai mezzi di accesso da utilizzare, se l attivit pu essere condotta attuando una protezione mediante il mantenimento di una distanza sicura associata ad una supervisione, oppure se occorra mettere in opera un impedimento fisico (protezione per mezzo di schermi, barriere, involucri o protettori isolanti).

    

/$925, 121 (/(775,&, Per il controllo dei rischi elettrici residui determinati dal coinvolgimento degli impianti elettrici o conseguenti la loro messa in sicurezza per l effettuazione di attivit non elettriche, la norma prevede le sovrintendenza e/o la sorveglianza da parte del Responsabile dell impianto (RI) ovvero di una pES da lui incaricata. I lavori non elettrici possono essere seguiti: con l impianto fuori tensione in prossimit dell impianto in tensione. Nella figura 6 illustrato un tipico lavoro, chiaramente non elettrico (taglio piante in vicinanza di una linea elettrica in conduttori nudi), che per pu interferire con l impianto elettrico. Chi dirige detti lavori non pu essere una PES, in quanto non professionalmente adibito a lavori elettrici. Di conseguenza, i rischi elettrici inerenti l attivit devono essere valutati dal RI, il solo soggetto legittimo a stabilire: se sussistono le condizioni per applicare la deroga contemplata dall art. 11 del DPR n. 164/56(17) [4]; se, invece, la linea deve essere disalimentata e posta in sicurezza. Nel primo caso, l adeguata protezione di cui parla la Legge pu consistere in un insieme di misure e valutazioni quali ad esempio: applicazione di una controventatura alla pianta in modo che la sagoma di caduta non vada ad interessare i conduttori in tensione o a provocare pericolosi avvicinamenti; apprezzamento delle condizioni ambientali; analisi del metodo di lavoro utilizzato; valutazione dei rischi connessi con l utilizzo dei mezzi di accesso in elevazione per l applicazione dei tiranti di controventatura. Relativamente agli aspetti del rischio elettrico, il RI, o la persona da lui incaricata, assume il ruolo di PL (ovviamente esercitatile con una continua sorveglianza sul posto), con tutti gli obblighi e i poteri di esigere l applicazione delle misure di prevenzione e prevenzione preordinate, inclusa quella di far interrompere l attivit qualora si riavvisassero comportamenti pericolosi. Nella seconda ipotesi, il RI deve provvedere a far provvedere, sotto la sua responsabilit, all installazione di una messa a terra ed in cortocircuito della linea sul posto di lavoro (figura 7) e diffidare il Preposto ai lavori (PL) dal rimuoverla, riportando in modo esplicito tale ammonimento sul documento di benestare all inizio dei lavori. Per quanto riguarda il dispositivo di messa a terra ed in cortocircuito, la Norma prescrive che lo stesso deve essere conforme alla specifica di prodotto per la costruzione dei dispositivi portatili, Norma CEI EN 61230 (CEI 11-40). In particolare, il dispositivo deve essere in grado di sopportare, dal punto di vista delle sollecitazioni termiche e dinamiche, le pi elevate correnti di cortocircuito che si possono manifestare nel punto d installazione, mantenendosi correttamente in opera. Per la sua messa in opera, la Norma stabilisce che debba essere rispettata le seguente sequenza operativa(18): l applicazione della morsa lato terra deve sempre precedere l applicazione della morsa lato parte attiva per ciascuna fase l applicazione del collegamento a terra delle fasi dell impianto deve sempre precedere l applicazione del collegamento per il cortocircuito delle fasi fra loro; operazione facilitata con dispositivi portatili di ultima generazione (figura 8), costruiti in due parti separabili. Nulla viene, invece, precisando in ordine al posizionamento che deve assumere l operatore, rispetto ai conduttori della linea che devono essere considerati in tensione, durante la messa a terra ed in cortocircuito. L individuazione di una distanza sicura, anche in relazione al tipo di mezzo d eccesso in elevazione, sarebbe utile, tenuto conto che l operatore sottoposto a sforzo dorso lombari tanto maggiori quanto pi lungo il fioretto isolato con il quale viene sollevato e fissato ai conduttori il dispositivo di messa a terra ed in cortocircuito, il cui peso non sempre trascurabile. Se, poi, i lavori di natura non elettrica rientrano nel campo di applicazione del D.Lgs. n. 494/96 [5], ovvero dell art. 7 del D.Lgs. n. 626/94, al RI competente anche l attuazione dei relativi adempimenti [6].

         

127(  Da un indagine effettuata, risultato che molte delle imprese del comparto costruzione e manutenzione degli impianti elettrici (circa 200.000 addetti) ignorano le norme essenziali della sicurezza. Dal 1998 ad oggi, solamente il 6 % del personale ha frequentato un corso di formazione sulla Norma CEI EN 50110, cui, fra l altro, raramente il Datore di lavoro (DL) ha fatto seguire la certificazione della condizione formativa.  I punti indicati, se non diversamente specificati, si riferiscono alla Norma CEI 11-27, terza Edizione, la quale, nel seguito, viene costantemente richiamata con il termine generico di Norma.  Conferimento all art. 5.2.3, l utilizzo della persona comune (PEC), ad esempio per la sostituzione di fusibili di bassa tensione, ritenuta possibile solamente se sono valutati insussistenti i rischi di contatti diretti e di cortocircuito.  In tal senso, una possibile soluzione, in linea con gli orientamenti in atto in materia, potrebbe essere la seguente: le imprese con meno di trenta dipendenti o non provviste di risorse interne specificatamente dedicate alla formazione, affidano l erogazione dei corsi 1A + 2A e 1B + 2B, per la qualificazione del personale alla condizione di PES/PAV e il rilascio dell attestazione di idoneit al lavoro sotto tensione in BT, a Istituti di Formazione dotati di un Sistema di Gestione per la Qualit, certificato da un Organismo di certificazione, nel settore EA37 Istruzione, ai sensi della Norma ISO 9001: VISION 2000.  L ipotesi prospettata si pone il problema della regolarizzazione del personale che gi opera nel settore, prevedendo di colmare le eventuali carenze sui fondamenti della sicurezza elettrica mediante la frequenza dei corsi di formazione di livello 1A + 2A ovvero 2A. Frequenza che dovrebbe costituire prerequisito per poter accedere alla qualificazione. Per i soggetti che non hanno, invece, conseguito alcuna esperienza lavorativa, si ritiene ammissibile la qualificazione solamente partendo da una formazione di base equivalente a quella contemplata dal diploma IPSIA, integrata da una formazione pratica e da un addestramento condotti anche in azienda, in affiancamento ad una PES/PEI.  Nella pratica, il DL invia al lavoratore una lettera contenente: - la specificazione della condizione formativa PES/PAV; - l eventuale idoneit ad operare sotto tensione; - l autorizzazione ad operare sotto tensione per una specificata tipologia d impianti e di interventi.  La formalizzazione, per non costituire un appesantimento burocratico, potrebbe consistere in semplici elenchi da inserire nel Piano della Sicurezza aziendale, per dare evidenza documentata di aver adempito all obbligo di cui all art. 4, comma 5, lettera c), del D.Lgs n. 626/94, relativo alla valutazione delle capacit dei lavoratori subordinati.  L art. 344 recita: E vietato eseguire lavori su elementi in tensione e nelle loro immediate vicinanze, quando la tensione superiore a 25 V verso terra, se altera, od a 50 V verso terra, se continua. Pu derogarsi dal suddetto divieto per tensioni non superiori a 1.000 V, purch: l ordine di eseguire il lavoro su parti in tensione sia dato dal capo responsabile; .  Tale obbligo, ad esempio, da tempo introdotto in ambito ENEL nella fase di affidamento degli appalti e costituisce un forte incentivo alla qualificazione delle imprese.  In questo caso, non possibile inserire le terre nei punti di sezionamento; verrebbe violata la quarta regola essenziale del lavoro fuori tensione.  Contro il rischio di contatti mano-mano fra i due tronconi del cavo.  Durante l esercizio del primo giunto, i potenziali verso terra (a condizione che siano di valore 1,5 UTP ammissibile), anche se non molto pratico, possono essere annullati mediante l infissione di un picchetto di terra, collegato ad una delle due morse perforanti, sul fondo dello scavo. In tal caso, per l esecuzione dei restanti giusti, il persona deve tornare a calzare i tronchetti isolanti, non essendo pi possibile mantenere in opera la messa a terra locale.  La Norma ha introdotto le seguenti definizioni di supervisione e sorveglianza. Supervisione: (p.3.32): Complesso di attivit svolte da PES, finalizzate a predisporre ambienti, misure di prevenzione e protezione, modalit d intervento, istruzioni, organizzazione complessiva in modo tale da minimizzare i rischi. La supervisione un attivit svolta prima di eseguire un lavoro, durante un lavoro o dopo l esecuzione di un lavoro ai fini di sovraintendere a dette attivit ed allo scopo di controllare che vengano rispettate, in particolare, le prescrizioni generali di sicurezza aziendali. Sorveglianza (p.3.33): La sorveglianza oltre ad una possibile supervisione, specialmente richiesta per i lavori complessi, un attivit di controllo continuativo svolta da PES o PAV nei confronti di altre PAV, generalmente con minore esperienza delle prime, o in particolare di PEC, atta a prevenire azioni pericolose che queste ultime potrebbero compiere ignorandone il grado di rischio.

 Va detto, per altro, che la Norma CEI EN 50110, seconda Edizione, non parla di distanza di vincolo e che tali distanze, intese come misure di sicurezza, sono venute a cessare con l abrogazione della Variante V1 alla CEI EN 50110, prima Edizione.  L art. 278 del DPR n. 547/55, prescrive: Quando i conduttori e gli elementi nudi dei circuiti ad alta tensione corrono al di sopra del pavimento o di una piattaforma di lavoro o di passaggi ad un altezza inferiore a 3 m pi un centimetro , ogni miglia di volt di tensione, si devono applicare al di sotto di essi i ripari di cui all articolo precedente, costituiti da schermi pieni o con maglie di piccola dimensione .  Ad esempio, per un impianto con U = 15 kV, essendo DVV = H (DPR 547/55) = 315 cm, : - (Norma CEI 11-1) = 315 15 = 300 cm; - (Norma CEI 11-27) = 315 20 = 295 cm - ( Norma CEI EN 50110) = 315 16 = 299 cm.  E bene ricordare che questo tipo di intervento rientra nel campo d applicazione, in base quanto stabilito dall art. 11 del medesimo provvedimento, che cos recita: Lavori in prossimit di line elettriche Non possono essere eseguiti lavori in prossimit di linee elettriche aeree a distanza minore di cinque metri della costruzione o dei ponteggi, a meno che, previa segnalazione all esercente le linee elettriche, non si provveda da chi dirige detti lavori per un adeguata protezione, atta ad evitare accidentali contatti o pericolosi avvicinamenti ai conduttori delle linee stesse .  Va ricordato che la Norma CEI 11-15 definisce la messa a terra ed in cortocircuito, effettuata con dispositivi portatili, un particolare tipo di lavoro in tensione che, pur non seguendo tutte le procedure e gli adempimenti dei lavori sotto tensione, deve essere effettuata da una PES o PAV, allo scopo adeguatamente addestrata, osservando un apposita procedura ed utilizzando i DPI contro il rischio elettrico. %,%/,2*5$),$ >@ D.Lgs. n. 626 del 19/09/1994: Attuazione delle Direttive CEE, riguardanti il miglioramento della sicurezza e della salute dei lavoratori durante il lavoro . >@ DPR n. 547 del 27 aprile 1955: Norme per la prevenzione degli infortuni >@ Norme CEI 11-1: Impianti elettrici con tensione superiore a 1 kV in corrente alternata , Variante V1 ed. 2000-11, fasc. 5887. V1/Ec, fasc. 6240-6241. >@ Decreto del Presidente della Repubblica n. 164 del 7 gennaio 1956: Norme per la prevenzione degli infortuni sul lavoro nelle costruzioni . >@ D.Lgs. 494/96: Attuazione della Direttiva 92/57 CEE concernente le prescrizioni di sicurezza e salute nei cantieri temporanei e mobili >@ Andrea Mulinelli: Il rischio elettrico nei cantieri rappresentato dalla presenza delle linee elettriche della distribuzione ; Elettrificazione, maggio 2003.

0RGXOL LQIRUPDWLYL WHRULFL H SUDWLFL SUHYLVWL GDOOD 1RUPD OD FXL IUHTXHQWD]LRQH SXz FRVWLWXLUH XQ YDOLGR VXSSRUWR SHU LO '/ DO ILQH GL DWWXDUH OD TXDOLILFD]LRQH GHO SHUVRQDOH &RQRVFHQ]H WHRULFKH &RQRVFHQ]H SUDWLFKH &RQGL]LRQH IRUPDWLYD FRQVHJXLELOH

Persona con esperienza che gi opera su impianti elettrici

1A 2A 1A 2A

10 4 10 4 1B 2B X X

PES/PAV

PEI (*)

Persona con esperienza che non opera su impianti elettrici

(*) Persona idonea al lavoro sotto tensione in BT X: La durata non specificata dalla Norma

7$%(//$ 

'53  &(,  &(,  &(, (1  7$%(//$ 

DVV 432 377 -

8  .Y
Dg 109 -

DL 152 110

323 268 -

280 225 -

322 267 -

),*85$  Processi di attribuzione dei profili PES/PAV e di conferimento dell idoneit

),*85$  Potenziali di terra trasferiti sul posto di lavoro a seguito di guasto

),*85$  Dispositivo di continuit ed equipotenzialit per lavori di giunzione su cavi a MT (fonte Ottotecnica-Enel)

),*85$  Lavori in prossimit di impianti conformi alla Norma CEI 11-1

),*85$  Lavoro fuori tensione ed in prossimit di parti attive di un impianto a 132 kV

),*85$  Lavoro di taglio piante in vicinanza di una linea elettrica in conduttori nudi

),*85$  Messa a terra ed in cortocircuito della linea aerea sul posto di lavoro

),*85$  Dispositivo portatile di messa a terra ed in cortocircuito conforme alla Norma CEI EN 61230 (fonte Enel Ottotecnica)

J. Micromech. Microeng. 10 (2000) 483491. Printed in the UK

PII: S0960-1317(00)08928-2

On the design of piezoresistive silicon cantilevers with stress concentration regions for scanning probe microscopy applications
R Bashir , A Gupta, G W Neudeck, M McElfresh and R Gomez
School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, W Lafayette, IN 47907, USA Department of Biomedical Engineering, Purdue University, W Lafayette, IN 47907, USA Department of Physics, Purdue University, W Lafayette, IN 47907, USA E-mail: bashir@ecn.purdue.edu Received 22 October 1999, in nal form 23 May 2000
Abstract. In this paper, the design of silicon based cantilevers for scanning probe microscopy has been described in detail. ANSYS software has been used as a tool to design and model the mechanical properties of the silicon based cantilevers. The incorporation of stress concentration regions (SCRs) with a thickness smaller than the cantilever thickness, to localize stresses, has been explored in detail to enhance the piezoresistive displacement, force, and torque sensitivity. In addition, SCRs of widths less than the cantilever width have also been explored. Two basic designs were studied, i.e. a rectangular cantilever and a U-shaped cantilever. The placement of the SCR was found to be critical, and optimal placement and thickness of the SCR can result in a 2 and 5 improvement in piezoresistive displacement and force sensitivity, respectively, for the rectangular cantilever. For the U-shaped cantilever, the torsional piezoresistive sensitivity was found to increase by 5, depending on the SCR thickness. Process ows and associated fabrication challenges for the proposed cantilever structures are also presented.
(Some gures in this article are in colour only in the electronic version; see www.iop.org)

1. Introduction

Silicon microelectromechanical systems (MEMS) technology has been used to produce a variety of systems-on-a-chip in the consumer, automotive, biomedical, and industrial market segments [1]. The key features of introducing silicon technology for these applications include: (i) a very high degree of control of dimensions; (ii) miniaturization of the devices and mechanical elements; and (iii) the possibility of batch fabrication and hence the subsequent reduction of cost from economies of scale. One of the areas where silicon MEMS technology is being used commercially is in the fabrication of cantilevers and probes for scanning probe microscopy (SPM) applications. SPM refers to a family of instruments used to measure the properties of surfaces in length scales that range from inter-atomic spacing to a tenth of a millimetre. Atomic force microscopy (AFM) and scanning tunnelling microscopy (STM) are specic examples of SPM. Since it was rst reported in 1986 [2], AFM technology has progressed to the point that it is now commercially
Author to whom correspondence should be addressed.

Figure 1. A schematic diagram of the rectangular cantilever used in the simulation study. The appropriate design dimensions are shown in table 1.

used in semiconductor research and manufacturing for surface roughness measurements, two-dimensional (2D) depth proling, and critical dimension measurements [35], as well as a possible tool for non-standard lithography [6, 7]. Additionally, AFM technology has also been used for interrogating surface properties of biological materials [8, 9], and to study interactions between biological molecules [10]. The key components of the atomic force microscope are a cantilever with an integrated tip and a deection 483

0960-1317/00/040483+09$30.00

2000 IOP Publishing Ltd

R Bashir et al

Figure 2. Top view 2D plot of the von-Mises stress contours, as obtained from ANSYS, for the rectangular beam. Table 2. List of parameters and dimensions for the rectangular cantilever with SCR, as shown in gure 3.

Parameters and dimensions LC = 150 m Cantilever dimensions WC = 20 m TC = 0.6 m Resistor dimensions WR = 4 m WSR = 4 m LR = 14 m or 24 m L1 = 10 m and L2 = 10 m L1 = 0 m and L2 = 10 m L1 = 0 m and L2 = 20 m Tscr = 0.1, 0.2, 0.3, 0.4 and 0.5 m

SCR dimensions
Figure 3. A schematic diagram of the rectangular cantilever used in the simulation study. The appropriate design dimensions, with the stress concentration regions, are listed in table 2. Table 1. List of parameters and dimensions for the rectangular cantilever, as shown in gure 1.

Parameters and dimensions Piezoresistive properties p-type NA = 1017 cm3 110 in (001) plane L = 71.8 1011 Pa1 T = 66.31011 Pa1 LC = 150 m WC = 20 m TC = 0.6 m WR = 4 m WSR = 4 m LR = 14 m or 24 m

Cantilever dimensions

Resistor dimensions

sensing mechanism. The design of the cantilever requires the appropriate choice of dimensions, stiffness constant, and resonant frequency to satisfy certain measurement requirements. For simple rectangular cantilevers closed form expressions of these parameters have been derived. However, for more complex structures, nite element modelling is useful to analyse and optimize these structures [3]. In addition, the actual mechanism for detection of the cantilever deections is also very important. Piezoresistive detection is very attractive due to the fact that it eliminates the use of lasers
484

and complicated optics, and has the potential of multiple cantilever operation [5, 1114]. The enhancement of force and displacement detection sensitivity is of great interest since smaller deections can then be measured with greater accuracy. The enhancement in piezoresistive sensitivity using structural modications has been briey described earlier [15]. The purpose of this paper is to describe in detail the design of silicon-based cantilevers for SPM using nite element analysis (FEA) software, ANSYS [16]. Specically, the piezoresistive sensitivity enhancement due to the use of novel stress concentration regions (SCRs), with thickness and width less than the rest of the cantilever, to localize stresses, is examined. Two basic designs were studied, i.e. a conventional rectangular cantilever and a U-shaped cantilever. The placement of the SCR was found to be critical, and optimal placement and thickness of the cantilever can result in increased piezoresistive displacement, force, and torque sensitivity for the cantilevers. Fabrication ows and challenges are also presented.
2. Cantilever design and methodology

The FEA software, ANSYS, was used for the mechanical design of the cantilevers, with the main focus being to

Piezoresistive silicon cantilevers with stress concentration regions for SPM applications
Table 3. List of simulated parameters for the rectangular cantilever, with and without the SCR regions of various designs.

Parameter ( R/R)/D (1 ) (vertical) ( R/R)/F (nN1 ) (vertical) k (N m1 ) f0 (kHz)

LR = 14 m Tscr = 0 m (no SCR) 3.27 107 7.76 105 4.22 102 32.35

LR = 24 m Tscr = 0.3 m L1 = 10 m L2 = 10 m 4.87 107 2.43 104 2.00 102 21.064

LR = 24 m Tscr = 0.3 m L1 = 20 m L2 = 0 m 5.43 107 4.33 104 1.25 102 16.127

LR = 14 m Tscr = 0.3 m L1 = 10 m L2 = 0 m 7.54 107 4.04 104 1.87 102 19.836

Figure 4. Top view 2D plot of the von-Mises stress contours, as obtained from ANSYS, for the rectangular beam with a stress concentration region. Clearly the stress is displaced and localized in the SCR region.

is given by R R 1 = AR
AR

Unit displacement, Force, or Torsion

(L L + T T ) A
0

(1)

Figure 5. 1D stress plots along the resistor length of the four cantilever designs.

increase the piezoresistive deection, force, and torque sensitivity. The piezoresistive effect in silicon results in a change in resistance R with applied stress, as a function of crystal orientation, dopant type, and doping concentration [17]. For a resistor with area AR , the piezoresistive sensitivity

where L is the longitudinal piezoresistive coefcient (for stress applied parallel to the current ow), T is the transverse piezoresistive coefcient (for stress applied perpendicular to the current ow in the resistor), L is the longitudinal stress in the silicon, T is the transverse stress in the silicon, and AR is the area of the resistor. The piezoresistive deection sensitivity is given by R/R (change in resistance divided by total resistance) per unit of displacement and the piezoresistive force sensitivity is given by R/R per unit of applied force. Thus, maximizing the stress in the resistor region will maximize the piezoresistive sensitivity of the device. Hence, the design methodology consisted of simulating the mechanical stresses in the silicon using ANSYS for a desired structure and then integrating that stress along the length of the resistor to obtain a numerical value of R/R for a xed applied displacement, force, or torque. For the case of the U-shaped cantilever, a torque is applied along the centre of the cantilever and the piezoresistive vertical displacement and force sensitivity are also obtained. The analysis performed here uses the stress at the surface of the cantilever only and the effects of the depth of the piezoresistive sensing regions are ignored for simplication.
485

R Bashir et al
Table 4. List of simulated parameters for the U-shaped cantilever, with and without the SCR regions of various designs.

Parameter ( R/R)/D (1 ) (vertical) ( R/R)/F (nN1 ) (vertical) ( R/R)/ (pN m1 ) (torsional) k (N m1 ) f0 (kHz)

LR = 14 m Tscr = 0 m (no SCR) 3.34 107 3.88 105 1.37 104 8.6 102 37.49

LR = 24 m Tscr = 0.3 m L1 = 10 m L2 = 10 m 5.08 107 1.25 104 2.32 104 4.05 102 22.48

LR = 24 m Tscr = 0.3 m L1 = 20 m L2 = 0 m 5.57 107 2.21 104 3.2 104 2.52 102 17.16

LR = 14 m Tscr = 0.3 m L1 = 10 m L2 = 0 m 7.72 107 2.02 104 3.4 104 3.82 102 20.71

(a)

Figure 7. A schematic diagram of the U-shaped cantilever. The appropriate design dimensions are listed here. Piezoresistive properties: p-type NA = 1017 cm3 ; 110 in the (001) plane; L = 71.8 1011 Pa1 ; T = 66.3 1011 Pa1 . Cantilever dimensions: LC = 150 m; WC = 20 m; TC = 0.6 m; LT = 40 m; b = 80 m. Resistor dimensions and SCR dimensions are the same as in gure 3.

used. Static analysis was used with element type SOLID5 to calculate the displacement and force sensitivity values. In order to obtain the resonant frequency, modal analysis was used with element type SOLID5. Static analysis was used with element type SOLID73 to calculate the torsional sensitivity for the U-shaped beam. All the loads were applied right at the edge of the structure. The mesh was increased in the regions where the piezoresistors would be implanted, as compared to the rest of the cantilevers, in order to capture the changes in stresses in the regions of importance.
(b)
Figure 6. (a) Piezoresistive displacement and force sensitivity as

a function of SCR thickness. (b) Resonant frequency and spring constant as a function of SCR thickness. L2 = 0 for these results, i.e. the SCR is placed next to the cantilever edge.

2.1. Stress localization by reduced thickness for a rectangular cantilever Figure 1 shows a schematic diagram of the cantilever and the relevant design dimensions. The piezoresistive properties and the dimensions of the resistor are shown in the inset in gure 1. Figure 2 shows the top view 2D plot of the von-Mises stress contours as obtained from ANSYS. The maximum stress occurs at the anchored edge as expected, and an integration of the stress using equation (1) can be used to determine a numerical value of the piezoresistive sensitivity. For a given unit deection or displacement in the cantilever, the stress can be localized in a small region by adding SCRs which are thinner than the rest of the cantilever. In other words, the stress from the rest of the cantilever region is being displaced and concentrated within the SCRs. Placing the resistors over the SCRs increases the piezoresistive sensitivity

In typical cantilevers, the piezoresistive regions will have a nite depth that is less than the cantilever thickness. There have been recent reports of 0.1 m thick cantilevers with resistors conned to the upper third of the thickness [18]. Hence, it is assumed that there will be fabrication processes developed to form resistors even in ultra thin (<100 nm) cantilevers. The process ow section in this paper also proposes novel techniques to form such resistors. For the ANSYS simulations described in this paper, Youngs modulus of 1.3 1011 N m2 , Poissons ratio of 0.279 and density of silicon of 2.27 103 kg m3 were
486

Piezoresistive silicon cantilevers with stress concentration regions for SPM applications

Figure 8. ANSYS top view plot of vertical displacement in the U-shaped cantilever with an applied torque of 50 1016 N m1 .

(a)

(b)

(c)
Figure 9. (a) Piezoresistive vertical displacement and force sensitivity as a function of SCR thickness. (b) Piezoresistive torsional sensitivity as a function of SCR thickness. (c) Resonant frequency and spring constant as a function of SCR thickness.

as dictated by equation (1). The location and thickness of these SCRs is also very important and two possible designs have been explored, as shown in gure 3. In one case, the SCR of length L1 is placed a distance L2 away from the edge. In the other case, L2 = 0 and the SCR is placed right at the edge of the cantilever. SCR lengths (L1 ) of 10 and 20 m were simulated. In addition, the thickness of the SCR was also varied from 0.1 to 0.6 m (0.6 m thick SCR is the same as no SCR). Figure 4 depicts the top view stress contours clearly illustrating the concentration of stress within the SCR

with a thickness of 0.2 m. Table 3 shows the values of the various simulated mechanical parameters of a rectangular cantilever including the piezoresistive displacement and force sensitivity. As can be noted from table 3, the piezoresistive sensitivity is enhanced, when compared to the case of no SCR, only under the appropriate choice of SCR width and thickness. When the SCR region is placed 10 m away from the edge no enhancement is observed even though the stress is concentrated in the SCR region, as shown in gure 4.
487

R Bashir et al
Table 5. List of simulated parameters for the U-shaped cantilever, with and without the SCR regions of reduced width of two different designs (shown in gures 10 and 11).

Parameter ( R/R)/D (1 ) (vertical) ( R/R)/F (nN1 ) (vertical) ( R/R)/ (pN m1 ) (torsional) k (N m1 ) f0 (kHz)

LR = 14 m Tscr = 0 m (no SCR) 3.34 107 3.88 105 1.37 104 8.6 102 37.49

LR = 14 m Lscr = 10 m Wscr = 12 m Tscr = 0 m (without gap) 6.04 107 8.34 105 2.70 104 7.24 102 33.82

LR = 14 m Lscr = 10 m Wscr = 4 m Tscr = 0 m (with gap) 9.79 107 1.55 104 4.45 104 6.32 102 30.93

Figure 10. A schematic diagram of the U-shaped cantilever with reduced width used in the simulation study. The design dimensions and simulated parameters are listed here and are also listed in table 5. Piezoresistive properties: p-type NA = 1017 cm3 ; 110 in the (001) plane; L = 71.8 1011 Pa1 ; T = 66.3 1011 Pa1 . Cantilever dimensions: LC = 150 m; WC = 20 m; TC = 0.6 m; LT = 40 m; b = 80 m. Resistor dimensions: LR = 14 m; WR = 4 m. SCR dimensions: Lscr = 10 m; Wscr = 12 m.

case of L2 = 10 m, the integrated stress that comes into play is about the same as the integrated stress for the case of no SCR. To maximize the enhancement of the integrated stress (i.e. area under the curve) when compared to the case of no SCR, the SCR needs to be placed at the edge. The piezoresistive sensitivity was also found to be a function of the SCR thickness as shown in gure 6. The sensitivity can increase by a factor of two when the SCR thickness is decreased from 0.6 m (the case of no SCR) to 0.3 m, below which the sensitivity starts to decrease again. This phenomenon can be explained by the fact that the integrated stress along the given resistor length peaks around an SCR thickness of 0.3 m. As the SCR thickness is decreased further, the spring constant of the cantilever also decreases, as shown in gure 6(b), and hence the total strain energy stored in the cantilever for a given displacement (E = 1/2kx 2 ) also decreases. Below about 0.3 m, the total energy decreases signicantly and so does the displacement sensitivity. On the other hand, the force sensitivity continues to increase with the decreasing SCR region and this is consistent with the fact that a thinner and longer (i.e. low k) cantilever is more sensitive to force and a thicker and shorter cantilever is more sensitive to displacement. Thus, using this approach of adding the SCR regions, cantilevers can potentially be used for simultaneous displacement and force sensitive measurements. 2.2. Stress localization by reduced thickness for a U-shaped cantilever The U-shaped SPM design has been used for applications such as torque magnetometry [12] and lateral force microscopy [15]. Figure 7 shows the schematic diagram for such a cantilever design. In this case, a piezoresistor is placed on each leg of the cantilever and the torsion can be extracted by measuring (R1 R2 )/(R1 + R2 ) per unit of applied torque and the vertical displacement by measuring (R1 + R2 )/(R1 + R2 ) per unit of applied displacement. If the resistors are assumed to be of the same value as they usually would be, the above sensitivity would simply be R/R, under the resultant stress in each leg of the cantilever. Figure 8 shows the simulated symmetrical displacement in the z-direction under an applied torque of 50 1016 N m1 . As expected, the stress is symmetric along the middle of the

Figure 11. A schematic diagram of the U-shaped cantilever with reduced width and a gap between the resistors used in the simulation study. The design dimensions and simulated parameters are listed here and are also listed in table 5. Piezoresistive properties: p-type NA = 1017 cm3 ; 110 in the (001) plane; L = 71.8 1011 Pa1 ; T = 66.3 1011 Pa1 . Cantilever dimensions: LC = 150 m; WC = 20 m; TC = 0.6 m; LT = 40 m; b = 80 m. Resistor dimensions: LR = 14 m; WR = 4 m. SCR dimensions: Lscr = 10 m; Wscr = 4 m.

Enhancement in piezoresistive sensitivity is observed only when the SCR is placed right next to the edge of the cantilever. This phenomenon is easily explained if the 1D plots of the stress contours in gure 5 are examined. Clearly, for the
488

Piezoresistive silicon cantilevers with stress concentration regions for SPM applications

Figure 12. Top view 2D plot of the von-Mises stress contours, as obtained from ANSYS, for the U-shaped beam with reduced width stress concentration region.

cantilever and the top surface of one arm is under tension while the top surface of the other arm is under compression. Table 4 shows the values of the various mechanical parameters for the U-shaped cantilever including the piezoresistive vertical displacement, force, and torsional sensitivity. As can be noted from table 4, and similar to the rectangular cantilever, the piezoresistive sensitivity is enhanced when compared to the case of no SCR only under the appropriate choice of the SCR width and thickness. The sensitivities are again enhanced only when the SCR region is placed right next to the anchored edge of the cantilever. The SCR displaces the stresses to the thinner regions and the corresponding displacement and force sensitivities are enhanced by a factor of 2.3 and 5, respectively, without much decrease in the resonant frequencies. Figure 9(a) shows the sensitivities as a function of the SCR thickness for the U-shaped cantilever. The displacement sensitivity shows a similar trend as in the rectangular cantilever case, where the sensitivity maximizes at an SCR thickness of 0.3 m. The vertical force sensitivity increases as the SCR thickness is decreased. Since torque is a rotational force measurement, the sensitivity also increases monotonically as the SCR thickness is decreased. The SCR design, as described here, can thus be used to obtain a simultaneous increase in force, displacement and torsional sensitivity for a variety of SPM applications. 2.3. Stress localization by reduced width for a U-shaped cantilever An alternative approach to concentrating stress in the scanning probe cantilevers is to reduce the width of the cantilever in the region where the piezoresistor is to be placed. It should be mentioned that this approach is valid only when the width is not already at a minimum and can be reduced further. In that case, such an approach might be more amenable to processing since the width can be reduced by masking and etching processes rather than other schemes. Figure 10 shows the schematic layout of a scheme where the cantilever width is reduced close to the anchored edge. The resistors are placed in these regions of reduced width.

Figure 11 shows the schematic layout of a scheme where the cantilever width is reduced and there is also a gap added between the regions where the resistor would be placed. Table 5 shows the simulated parameters and compares the case of no SCR, and the two SCR approaches mentioned above. Figure 12 shows the top view 2D plot of the vonMises stress contours, as obtained from ANSYS, with a displacement of 50 applied to the edge. The stress is clearly concentrated in the SCR and the corresponding sensitivities are all enhanced by a factor of 1.52 for the layout without the gap and a factor of 3.5 for the layout with the gap between the resistor legs. Hence, the reduced width SCRs also provide another way to enhance the force, displacement, and torsional sensitivity of scanning probe cantilevers. 2.4. Process ows The fabrication of ultra thin cantilevers is ideally suited using silicon-on-insulator (SOI) technology [19]. The structure with reduced thickness for the SCR can be fabricated using selective epitaxial growth (SEG) of silicon and chemical mechanical polishing [20]. Figures 13(a)(g) show the process sequence for such a process where SEG is ideally suited for fabricating these structures since the silicon can be grown over topography and steps, that are created within the underlying oxide lm. Figure 14 shows a cross-section along the width of such a cantilever. This process can also be used to make thin cantilevers without the SCR since chemicalmechanical polishing has been shown to polish selective silicon overgrowths down to 150 nm [21]. The selective epitaxial silicon seed region acts as the natural anchor to the substrate and the thickness of the silicon cantilever is determined by the eld oxide thickness and the chemicalmechanical polishing step. Such a process can also be envisioned through the use of SIMOX (simultaneous implantation of oxygen) or BESOI (bonded etched back SOI) wafers as the starting material [19] and SEG where the SEG is used to produce the anchor to the substrate. The buried oxide in these SOI wafers provides an etch stop while etching the silicon and the cantilever thickness is determined by the initial SOI lm thickness. The tip in either process option
489

R Bashir et al

(a)

(b)
Figure 14. A cross-section (perpendicular to the one shown in gure 12(c)) of the structure showing the seed-hole, overgrowth, and polished cantilever regions.

3. Conclusions

Figure 13. (a)(g) Process ow for the proposed cantilevers using selective epitaxial growth (SEG) of silicon and chemical mechanical polishing showing the reduced thickness cantilever. The drawing is not to scale.

In this paper, the design of silicon based cantilevers for SPM has been described in detail. The ANSYS software package was used as the basis to simulate the mechanical properties of the silicon based cantilevers. The incorporation of SCRs with a thickness less than the cantilever thickness, to localize stresses and thus enhance the piezoresistive displacement and force sensitivities, was explored in detail. In addition, the design of cantilevers of reduced width was also explored. Two basic designs were studied, i.e. a rectangular cantilever and a U-shaped cantilever. The placement of the SCR was found to be critical and optimal placement and thickness of the cantilever can result in a signicant improvement in piezoresistive displacement, force, and torque sensitivities. Novel processes have also been proposed to fabricate the simulated structures.
References
[1] For a good overview of silicon micromachining and related applications, see the special issue: 1998 Proc. IEEE 86 (8) [2] Binning G, Quate C and Gerber Ch 1986 Atomic force microscope Phys. Rev. Lett. 56 930 [3] Brugger J, Buser R A and de Rooij N F 1992 Silicon cantilevers and tips for scanning force microscopy Sensors Actuators A 34 193 [4] Tortonese M 1997 Cantilevers and tips for atomic force microscopy IEEE Eng. Med. Biol. Mag. (March/April) 2833 [5] Indermuhle P F, Schurmann G, Racine G A and de Rooij N F 1997 Fabrication and characterization of cantilevers with integrated sharp tips and piezoelectric elements for actuation and detection for parallel AFM applications Sensors Actuators A 60 186 [6] Minne S C, Soh H T, Flueckiger Ph and Quate C F 1995 Appl. Phys. Lett. 6 703 [7] Minne S C, Flueckiger Ph, Soh H T and Quate C F 1995 Atomic force microscope lithography using amorphous silicon as a resist and advances in parallel operation J. Vac. Soc. Technol. B 13 1380

can be grown using selective epitaxial growth of silicon providing a very unique and novel way to form the tip without perturbing the cantilever. In addition, using this proposed process the cantilever and tip are formed independently, which is a signicant advantage over SOI approaches, where the nal cantilever thickness is achieved after the tip is etched and hence the two are not independently controlled. The piezoresistors can also be formed by selectively growing a thin silicon resistor using an oxide as a mask. Lowtemperature selective growth has been shown to grow silicon (and related alloys) with a thickness down to 100 at temperatures as low as 625 C using reduced pressure CVD growth techniques [2223]. These proposed approaches and technologies are currently being pursued to verify the simulation results.
490

Piezoresistive silicon cantilevers with stress concentration regions for SPM applications [8] Hassan E A, Heinz W A, Antonik M D, DCosta N P, Nageswaran S, Schoenenberger C and Hoh J H 1998 Relative microelastic mapping of living cells by atomic force microscopy Biophys. J. 74 1564 [9] Lekka M, Lekki J, Marszalek M, Golonka P, Stachura Z, Cleff B and Hrynkiewicz A Z 1999 Local elastic properties of cells studied by SFM Appl. Surf. Sci. 141 345 [10] Moy V T, Florin E and Gaub H 1994 Adhesive forces between ligand and receptor measured by AFM Colloids Surf. A 93 343 [11] Su Y, Evans A G R, Brunnschweiler A, Ensell G and Koch M 1997 Fabrication of improved piezoresistive silicon cantilevers probes for the atomic force microscope Sensors Actuators A 60 163 [12] Brugger J, Despont M, Rossel C, Rothuizen H, Vettiger P and Willemin M 1999 Microfabricated ultrasensitive piezoresistive cantilevers for torque magnetometry Sensors Actuators A 73 235 [13] Gotszalk T, Radojewski J, Grabiec P B, Dumania P, Shi F, Hudek P and Rangelow I W 1998 Fabrication of multipurpose piezoresistive Wheatstone bridge cantilevers with conductive microtips for electrostatic and scanning capacitance microscopy J. Vac. Sci. Technol. B 16 3948 [14] Jumpertz R, Hart A, Ohlsson O, Saurenbach F and Schelten J 1998 Piezoresistive sensors on AFM cantilevers with atomic resolution Microelectron. Eng. 41/42 441 [15] Linneman R, Gotszalk T, Rangelow I W, Dumania P and Oesterschulze E 1996 Atomic force microscopy and lateral force microscopy using piezoresistive cantilever J. Vac. Sci. Technol. B 14 856 [16] ANSYS is a product of Swanson Analysis Systems, Inc. http://www.ansys.com/ [17] Kovacs G 1998 Micromachined Transducers Sourcebook (New York: McGraw-Hill) [18] Harley J A and Kenny T W 1999 High-sensitivity piezoresistive cantilevers under 1000 thick Appl. Phys. Lett. 75 289 [19] Auberton-Herve A J 1996 SOI: materials to systems Proc. 1996 IEDM pp 310 [20] Bashir R, Neudeck G W, Yen H, Kvam E P and Denton J P 1995 Characterization of sidewall defects in selective epitaxial growth of silicon J. Vac. Sci. Technol. B 11 923 [21] Neudeck G W, Pae S, Denton J P and Su T-C 1999 Multiple layers of silicon-on-insulator for nanostructure devices J. Vac. Sci. Technol. B 17 994 [22] Bashir R, Kabir A E and Chao K 1999 Formation of self-assembled Si1x Gex islands using reduced pressure chemical vapor deposition and subsequent thermal annealing of thin germanium rich lms Appl. Surf. Sci. 152 99 [23] Babcock J et al 2000 Precision electrical trimming of poly-SiGe resistors IEEE Electron Device Lett. 21 2835

491