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"Strumenti e metodi di misura 2/ed" - Ernest O.

Doebelin

Sistemi di misura applicati a micro e nano tecnologie

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Grazie alla pervasiva influenza della tecnologia dei computer in tutti gli aspetti della vita della societ moderna, la produzione di dispositivi a semiconduttore quali, per esempio, i chip DRAM (Dynamic Random Access Memory), una delle attivit industriali pi significative al mondo. Mentre il progetto di tali componenti , fondamentalmente, di competenza degli ingegneri elettrici ed elettronici, la loro produzione, che coinvolge diverse macchine e diversi processi, richiede il significativo contributo degli ingegneri meccanici. (Gli ingegneri meccanici contribuiscono con le loro competenze in materia di scambio di calore anche nella fase di progetto dei chip per circuiti integrati, poich la sempre pi elevata densit di componenti di questi oggetti crea problemi di natura tecnica che condizionano la disposizione del circuito, la scelta dei materiali ecc.) Pi recentemente, gli oggetti su micro e nano scala sono arrivati a interessare spostamenti e forze, flussi e pressioni, temperature e scambi termici, dunque non tensioni e correnti, rendendo il contributo degli ingegneri meccanici ancora pi rilevante. Questi minuscoli sensori e attuatori sono, generalmente, chiamati MEMS (Micro ElecroMechanical Systems, sistemi microelettromeccanici) e sono le basi di un intero settore industriale di recente nascita. Microcircuiti integrati e MEMS vedono entrambi il progetto, la realizzazione e lapplicazione di strumenti le cui dimensioni critiche sono comprese nellintervallo di micro- e nanometri, un mondo con molti problemi1 e opportunit unici nel loro genere. Ho voluto includere in questo libro un breve capitolo per mostrare limportanza dei sistemi di misura in alcuni settori molto specifici. La maggior parte delle industrie potrebbe per assolvere a questa funzione, poich i sistemi di misura sono vitali in molti sviluppi o nel miglioramento della produzione. Ho scelto MEMS perch sono attualmente di grande interesse, per gli affascinanti problemi che comportano e per il fatto che si tratta di una tecnologia giovane, e ancora in via di sviluppo rispetto ad altre gi stabili. Tra i diversi specifici argomenti, riguardanti i MEMS, cui si pu fare riferimento, ho scelto i seguenti: sensori su micro-scala sensori di posizionamento con movimento micrometrico (microposizionatori o microattuatori) sistemi di misura di particelle misure di pressione parziale nei processi sotto vuoto sistemi a levitazione magnetica per i trasportatori di wafer sonde microscopiche a scansione I sensori micro, uno dei prodotti finali della costruzione di micro sistemi sono ovviamente di interesse diretto in un libro di misure. I sistemi di posizionamento sono utilizzati a diversi livelli di sviluppo e produzione. Sono la base per la produzione e limpiego delle maschere ottiche che definiscono il layout dettagliato dei micro-dispositivi. A causa della taglia minuscola della struttura di questi oggetti, un problema sempre presente linquinamento da particelle contaminanti microscopiche. Lindividuazione e leliminazione di queste particelle richiede

J. H. Smith et al., Intelligent Microsystems: Strategy for the Future, Semiconductor International, aprile 1998, pp. 9398; R. H. Grace, The Growing Presence of MEMS and MST in Automotive Applications, Sensors, settembre 1999, pp. 8996; R. Frank et al., The Role of Semiconductor Sensors in Automotive Power Train and Engine Control, Sensors, dicembre 1998, pp. 4854; J. Staley, Platinum Thin Film and Next-Generation Micromachined Sensors, Sensors, aprile 1996, pp. 5662; T. G. McDonald e L. Yoder, Digital Micromirror Devices Make Projection Displays, Laser Focus World, agosto 1997, pp. s5s8.

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PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

strumenti speciali. Diverse parti del processo di produzione dei wafer in silicio si svolgono sotto vuoto, ove lesistenza di piccole quantit di gas, desiderate o indesiderate, critica. Gli analizzatori di pressione parziale (spettrometri di massa) forniscono queste informazioni. La movimentazione dei wafer da una stazione alla successiva durante il processo richiede trasportatori e robotica specializzati. Sono stati sviluppati sistemi di trasporto a levitazione che minimizzano la produzione di particelle dannose. Sonde a scansione e microscopi a forza atomica costituiscono strumenti vitali per studiare i diversi effetti su scala micro e nano, non solo nello sviluppo dei microsensori, ma per una comprensione generale dei fenomeni superficiali, come lattrito.

18.1MSensori micro
Nel corso di questo testo abbiamo notato pi volte che le parti critiche di molte macchine e processi assistiti da calcolatori sono quelli che dipendono dalla disponibilit di sensori adatti. Per penetrare i grandi mercati dei prodotti di consumo, i sensori per sistemi assistiti da calcolatore devono soddisfare specifiche pi stringenti, relativamente ai costi, rispetto a quelle legate ai sistemi di dati pensati per prove singole, con finalit di tipo ingegneristico. (Dobbiamo anche notare che sensori per i beni di consumo possono spesso tollerare accuratezze pi basse, aiutando a raggiungere gli obiettivi di costo prefissati). Mentre le tradizionali economie di scala si traducono in costi ridotti per sensori venduti in grandi quantitativi, questo fatto da solo non si traduce sempre in riduzioni di prezzo sufficienti. Piuttosto, potrebbe essere necessario un processo di produzione dei sensori totalmente diverso. Poich i metodi di produzione dei circuiti integrati sono stati di grande successo nel venire incontro alle necessit di costo ridotto nei settori dei calcolatori e nellelettronica, naturale cercare di estendere lo stesso approccio anche ai sensori. In aggiunta, poich spesso i sensori richiedono che venga loro associato un processamento elettronico (amplificazione, filtraggio ecc.), la possibilit di combinare le funzioni di sensore e di elaboratore a livello microscopico (chip) diventa molto attraente. Il mercato dei microsistemi, basato sulla lavorazione dei semiconduttori emerso negli anni 70 con sensori di pressione microlavorati in grandi quantit, oggi utilizzati come misuratori di pressione sanguigna gi pronti alluso negli ospedali, come sistemi di alimentazione dei motori di automobili e per la misura di pressione barometrica e altre applicazioni a basso costo, con grandi volumi. Nella costruzione di microsistemi2 si utilizzano diverse tecnologie, ma la maggior parte di queste dipende dalla litografia e dallattacco chimico selettivo, tecniche consolidate dellindustria dei semiconduttori. Altre tecniche, quali la LIGA (un acronimo tedesco che sta per litografia, formazione per elettrodeposizione e stampaggio per iniezione), prendono in prestito solo la litografia dal mondo dei semiconduttori. La tecnologia dei sensori include quelli piezoresistivi, i piezoelettrici e i capacitivi. I sensori di pressione spesso utilizzano diaframmi miniaturizzati in silicio, con estensimetri piezoresistivi diffusi allinterno del diaframma stesso. Gli accelerometri, come quelli utilizzati in molti sensori di impatto per airbag, sfruttano masse miniaturizzate e piccolissime lamine elastiche, spesso associate a sensori capacitivi di spostamento. ( anche possibile lattuazione capacitiva; tra le armature di qualsiasi condensatore esiste una forza che controllabile). Sensori di velocit angolare a masse vibranti contrapposte (sostitutivi del tradizionale giroscopio a disco rotante) utilizzati per aumentare la stabilit dei veicoli, sfruttano i principi piezoelettrici sia per lattuazione (guidando il moto delle masse lungo la direzione di attuazione) sia per la funzione di sensore (misurando il movimento delle masse lungo la direzione di lettura). La tecnologia delle masse di quarzo vibranti in contrapposizione (come avviene nei diapason, da cui il nome di tuning fork technology) viene anche utilizzata per misure di tempo negli orologi da polso digitali e nei cronometri. In questo caso, un sottile sistema oscillatore a diapason in quarzo (diossido di silicio, Figura 18.1) viene utilizzato come elemento generatore di un circuito elettronico oscillante, per produrre un segnale accurato a 32 768 (215) Hz che viene facilmente ridotto a 1 Hz utilizzando unelettronica in grado di effettuare la divisione per due. Con fotolitografia e tecniche di lavorazione per attacco chimico possono essere prodotte conCopyright 2008 - The McGraw-Hill Companies srl

M. Madou, Fundamentals of Microfabrication, CRC Press, Boca Raton, 1997; D. J. Elliott, Integrated Circuit Fabrication Technology, McGraw-Hill, New York, 1982.

FIGURA 18.1 Oscillatore al quarzo.

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FIGURA 18.2 Sensore di forza con oscillatore a doppio diapason.

temporaneamente diverse centinaia di sistemi a diapason su un unico wafer di quarzo da 6.45 cm2. Per produrre un elemento di base, sensibile alla forza, utile per sensori di forza, pressione, accelerazione, vuoto e temperatura, sono stati sviluppati dei sistemi a doppio oscillatore contrapposto (Figura 18.2), la cui quarta frequenza propria legata alla forza assiale applicata3 dalla espressione f

1.03

In un sistema esistente si ha una tipica variazione di frequenza da 17.5 a 19.0 kHz per una variazione della forza da 0 a 1 N. Laddove la tecnologia del quarzo brevemente descritta sfrutti le caratteristiche piezoelettriche del quarzo, una tecnologia alternativa al silicio utilizza tecniche piezoresistive o capacitive per sentire piccoli sforzi o deformazioni in strutture realizzate per micro lavorazione del silicio. Lintroduzione locale di elementi dopanti nel silicio produce estensimetri diffusi, che possono essere configurati in circuiti a ponte. Quando si utilizzano tecniche di tipo capacitivo si possono impiegare condensatori formati da sottili strati di metallo depositato su diaframmi in silicio, che svolgono la funzione di sensori passivi di spostamento o la funzione di eccitazione elettrostatica nei trasduttori che basano il loro funzionamento su vibrazioni autoeccitate, producendo una frequenza in uscita. Mentre la fabbricazione di circuiti integrati per lo pi legata alla produzione di modelli circuitali su una superficie nominalmente piana, le sue tecniche sono state modificate ed estese per produrre le strutture tridimensionali (membrane, barrette, masse, canali di flusso ecc.) necessarie ai sensori. Mentre il silicio, a livello di wafer, fragile e soggetto a disastrose rotture, per cedimento o scheggiature, laffidabilit dei microsensori dipende da un progetto particolarmente curato, che sottopone i pezzi a moderati livelli di fatica, proteggendoli da sovraccarichi ecc4. Una volta superato, nel progetto, il problema dellimmunit al sovraccarico, la quasi perfetta struttura cristallina del silicio consente una lunga vita a fatica. Il funzionamento a considerevoli livelli di accuratezza, con livelli di carico contenuti, possibile grazie alle elevate sensibilit e alla quasi totale assenza di attrito e isteresi del materiale. La Figura 18.35 mostra un accelerometro che impiega un sensore di spostamento a variazione di capacit (differenziale). Il moto delle masse del sensore aumenta la capacit di un condensatore e diminuisce quella dellaltro. Gli elementi sensibili, costituiti da singoli cristalli di silicio, 2.8 3 9 mm, sono montati su di un substrato insieme a diversi componenti elettronici e un circuito integrato; tutti questi elementi sono quindi montati su un chip ermetico che fa da sistema portante. Tra il fondo e il coperchio, lelemento intermedio viene attaccato chimicamente per formare una massa centrale rigida sospesa su una membrana flessibile e sot-

E/r W 1 m2

0.074m2 F EtW3

(18.1)

E. P. Eernisse e J. P. Paros, Practical Considerations for Miniature Quartz Resonator Force Transducers, Quartzdyne, Inc., Salt Lake City, UT, 801-2666958 (www.quartzdyne.com); Paroscientific, Inc., Redmond, WA, 425-8838700 (www.paroscientific.com); E. P. Eernisse e R. B. Wiggins, Tuning Fork Resonator Sensors, Sensors, marzo 1986, pp. 611; U.S. patents, 4 526 480, 4 535 638, e 4 550 610. 4 K. E. Petersen, Silicon as a Mechanical Material, Proc. IEEE, vol. 70, maggio 1982, pp. 420452; Special issues on sensors, IEEE Trans. Electron. Devices, dicembre 1979, gennaio 1982, luglio 1985, e giugno 1988; M. Dunbar, Silicon Micromachining, Sensors, aprile 1985, pp. 1015. 5 Endevco, San Juan Capistrano, CA, 949-4938181 (www.endevco.com).

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FIGURA 18.3 Accelerometri MEMS che utilizzano un sensore a capacit variabile.

PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI


vista esplosa di un sensore di accelerazione a capacit variabile coperchio
componenti per la regolazione della tensione

sensori a capacit variabile

rete per limpostazione del guadagno

orifizio (TYP) membrana

generatore di funzioni donda

raddrizzatori e invertitori di corrente

convertitore corrente/ tensione

uscita

massa

componenti ad azzeramento

alimentatore a tensione stabilizzata

base

circuito integrato

tile, il cui spessore definisce la rigidezza di questo sistema a flessione e, quindi, il fondo scala dellaccelerometro. Poich la massa ha un movimento importante, quasi di traslazione pura, possibile la presenza di arresti di fine corsa, elementi importanti ed efficaci per dare una unit con 10 g di valore di fondo scala e capacit di sovraccarico pari a 10 000 g. Lo smorzamento a gas si ottiene dotando la massa di un certo numero di orifizi (resistenza del fluido); il moto della massa pompa il gas attraverso i fori, dando la dissipazione di energia desiderata e un rapporto adimensionale di smorzamento 0.7 0.2.

18.2MMicroposizionatori o microattuatori
6

CaseWestern Reserve University MEMS Handbook (www.mems.cwru.edu/).

A. Chitayat, Nanometer X-Y Positioning Stages for Scanning and Stepping, J. Vac. Sci. Technol., B 7(t6), nov./dic. 1989, pp. 14121417; Anorad Corp., 516-231-1995 (www.anorad.com). 8 A. Chitayat, op. cit., p. 1416.

La Figura 18.46 d una panoramica di un tipico processo di fabbricazione MEMS. Linsieme di maschere consta di una serie di maschere ottiche che contengono il disegno dettagliato di ogni strato del dispositivo, ma con scala di grandi dimensioni. (Le maschere ottiche sono realizzate ricavando per attacco chimico il disegno di uno strato di cromo su un substrato di vetro). Il wafer viene preparato per la litografia, rivestendolo con un sottile strato di gelatina fotosensibile, su cui sar proiettato il disegno dello schema attraverso la maschera. Nella fase di litografia, limmagine di ciascuna maschera ottica viene proiettata su di un wafer preparato, con unottica che riduce le dimensioni alla taglia microscopica delloggetto finale. Il wafer viene mosso con assoluta precisione in una nuova posizione e limmagine riproiettata, fino a che il wafer riempito di centinaia di copie della medesima geometria circuitale. La gelatina fotosensibile dopo essere stata esposta viene dilavata chimicamente, lasciando la forma della geometria desiderata. In funzione delloggetto specifico, le successive operazioni quale la deposizione di film, lattacco chimico, il dopaggio vengono applicate in sequenza, per creare la configurazione finale. In questo paragrafo focalizziamo la nostra attenzione sulla fase di litografia, in cui vanno controllati con precisione il moto del piano che porta il wafer, cos come le immagini multiple delloggetto trasferito al wafer. La nostra discussione si basa su un documento7 che descrive in dettaglio alcuni problemi e soluzioni nellambito del controllo dei microspostamenti. Il nostro esempio attiene alla litografia e ad altri processi in cui si ha il bisogno di posizionare un oggetto in un intervallo di diversi centimetri (il wafer pi grande di circa 30 cm di diametro), ma il posizionamento deve essere accurato, dellordine di frazioni di micrometri. Questo requisito, sia nel caso di movimenti grandi, sia in quello di movimenti piccoli, crea problemi nella scelta dellattuatore adatto, dal momento che quelli adatti a moti molto piccoli e ad alte velocit sono spesso limitati nella massima corsa che sono in grado di fornire. Per esempio, un tipico attuatore piezoelettrico si pu posizionare con risoluzione di 10 nm in pochi millisecondi, ma il suo spostamento totale solo di 7 m. Una soluzione a questo tipo di problema, citata nellarticolo del Chitayat, di sistemare lattuatore per il movimento fine sullestremit di un attuatore8 per il movimento pi grossolano, dando la facolt di sfruttare le migliori caratteristiche di entrambi. Poich lo scritto fornisce solo i concetti di base, senza entrare nei dettagli, ho contattato Anorad Corp. per vedere di ottenere maggiori informazioni. Come spesso accade in queste siCopyright 2008 - The McGraw-Hill Companies srl

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FIGURA 18.4 Diagramma di flusso di un caratteristico processo di manifattura MEMS.

crescita del cristallo

creazione di wafer

Wafer

serie di maschere

formazione della pellicola drogaggio litografia

incisione

taglio a dadini

imballaggio

tuazioni, la compagnia e il cliente per cui stato progettato e costruito il sistema considerano questi dettagli coperti da segreto industriale e sono riluttanti nel fornire le informazioni che non sono contenute nello scritto. Pertanto, ho cominciato per mio conto uno studio di progetto preliminare, per cercare di giungere alla pi semplice configurazione che potesse soddisfare le specifiche tipiche. Dopo il classico approccio di tipo trial and error, alla fine sono arrivato al sistema mostrato in Figura 18.5 sia sotto forma di disegno funzionale, sia di schema a blocchi. Non posso essere sicuro che questo progetto sia vicino a quello di Anorad Corp., ma almeno a livello delle prove di simulazione, sembra funzionare e illustra i concetti fondamentali. Utilizziamo ora il disegno funzionale per discutere i componenti utilizzati a implementare il progetto. Tutte le nostre spiegazioni saranno fornite in termini di implementazione analogica o continua (anzich digitale). abbastanza plausibile che un sistema reale faccia ricorso a un calcolatore, che opera con logica digitale, per controllare almeno alcune funzioni: tuttavia, tali sistemi utilizzano spesso frequenze di campionamento piuttosto elevate, rendendo le prestazioni del sistema digitale simili a quelle dellequivalente analogico. La variabile controllata nel nostro sistema di retroazione lo spostamento assoluto xc dello stadio di movimentazione fine poich il wafer, o un altro oggetto da posizionare, montato proprio su questo stadio. Questo spostamento assoluto misurato da un interferometro laser, uno dei pochi sensori che combina una lunga corsa complessiva con una risoluzione molto elevata. Si noti che il funzionamento ottimale dellintero sistema completamente dipendente dalla disponibilit e dallutilizzo dellopportuno sensore di movimento, cosa che ancora una volta dimostra limportanza dei sistemi di misura nella gran parte dei processi e delle macchine gestiti dal calcolatore. Lerrore di posizionamento eE si ottiene confrontando la posizione comandata xv con la posizione misurata xc, utilizzando le tensioni proporzionali eR ed eB. (Questa parte del sistema potrebbe essere in effetti digitale.) Un motore lineare brushless tradizionale in dc viene utilizzato per movimentare lo stadio principale. Ovviamente, questo un dispositivo strettamente analogico. Dal momento che Anorad Corp. costruisce e commercia una linea completa di questi motori, probabile che nel sistema reale sia stato utilizzato questo tipo di attuatore. Lo stadio di movimentazione fine montato sulle spalle dello stadio principale, guidato da un attuatore piezoelettrico, anchesso analogico. A causa del recente aumento di interesse
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FIGURA 18.5 Sistema di controllo del micromoto utilizzato nel processo di produzione dei MEMS.

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XV

KX

eR + eB

eE

al motore piezo al motore magnetico

XC
cammino ottico

KX XM

XC

specchio

XC
segnale interferometro laser

XP
Ks

P M

motore piezoelettrico

P
piano per piccoli spostamenti Fine-motion stage

oggetto da posizionare

B
motore magnetico

vincoli flessibili

trasduttore di velocit

base principale Main stage

piezomotore
filtro compensatore passa - alto di ritardo

KH H s
H s +1

D s +1 I s +1

KFP

1/ s K
s2 2s + +1 M s M

XP

XV

KX

eR + eB

eE

XC

M
filtro passa - basso controllore Pi

KL
L s +1

KP +

KI +
s

KFM

motore magnetico

XM 1 1/ B M s +1 s XM B

Kv KX
trasduttore di posizione laser

trasduttore di velocit

Polytec PI, Inc. (www.polytec.com); Queensgate Instruments (www.queensgate.com).

nei confronti dei microposizionatori di vario genere, diversi costruttori9 statunitensi e stranieri offrono linee complete di attuatori piezoelettrici. (Per il massimo dellaccuratezzza, tali attuatori sono disponibili come sistemi completi in anello chiuso e utilizzano sensori di spostamento capacitivi per superare il problema dellisteresi, esibita dai materiali piezoelettrici. Nella prossima analisi assumeremo che questo sistema locale retroazionato, basato su materiali piezoelettrici, sia stato adeguatamente progettato, cos che lo si possa modellare con una semplice funzione di trasferimento nota. Si noti ancora una volta limportanza del sensore capacitivo per il sistema globale.) A questo punto, possiamo accennare al fatto che la Figura 18.5 mostra un solo asse di moto (x). Per sistemi a pi assi si possono stendere progetti preliminari, considerando un singolo asse per volta, cos come stiamo facendo. Daltra parte, una pratica consolidata e conservativa, nella progettazione, mettere a punto la simulazione del sistema multiassi completo una volta che i problemi relativi ai singoli assi sono stati almeno sgrossati. Lo studio finale del sistema globale riveler alcune interazioni che potrebbero richiedere modifiche al progetto preliminare relativo al singolo asse. I motori lineari dc del tipo qui utilizzato sono disponibili con corse fino a diversi metri, cosicch la selezione di uno di questi, per la guida dello stadio principale, che potrebbe richiedere solo alcuni centimetri, non d problemi. I piezoattuatori hanno corse limitate, ma adeguate alle nostre applicazioni. Assumeremo corse limite di 0.05 mm. Mentre lidea di base di sistemare due attuatori uno sullaltro sembra intuitivamente realizzabile, la sua implementazione reale richiede particolare cura nel progetto. La considerazione pi importante che il motore magnetico e lo stadio di movimentazione principale non sono in grado di seguire comandi a velocit troppo elevate e lo stadio piezoelettrico non in
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grado di fornire grandi spostamenti. Una soluzione a questa incompatibilit quella di disaccoppiare i due canali, utilizzando appropriati filtri elettrici, cos che ogni canale veda solo i segnali adatti alle sue possibilit. Questi filtri sono mostrati nello schema a blocchi di Figura 18.5. Il canale piezoelettrico ha bisogno di un filtro passa alto perch pensato per rispondere a componenti di piccola ampiezza ma di elevata velocit (alte frequenze) del segnale di errore. Si osservi che il filtro passa alto non d risposta a errori stazionari, cos che il canale del motore magnetico deve sopperire interamente a questa mancanza. Il filtraggio passa basso sul canale del motore magnetico evita che le componenti del segnale ad alta frequenza raggiungano il motore e la sua elettronica, poich lo stadio principale di movimentazione incapace di seguirle. La scelta di valori numerici per le costanti di tempo del filtro tH e tL il problema principale nel progetto di questa parte del sistema. La modellazione della dinamica del motore magnetico lineare convenzionale poich il comportamento essenzialmente lo stesso della pi nota versione rotazionale. La corrente di armatura viene fornita da un amplificatore di corrente (a transconduttanza). Questa pratica comune elimina gli effetti dellinduttanza dellarmatura e della forza controelettromotrice del motore, fornendo una risposta prevedibile in modo semplice; la forza magnetica fM segue istantaneamente e proporzionalmente la tensione di ingresso dellamplificatore. Il carico meccanico, rappresentato dalle parti in movimento dello stadio principale, viene modellato in termini di inerzia (massa M), attrito viscoso B e una forzante esterna di disturbo fU. Com classico nella analisi dei sistemi servo assistiti, la forza di disturbo viene inclusa per modellare qualsiasi forza costante o tempo-variante che agisce sul carico che vogliamo considerare. Lanello secondario di retroazione attorno al motore che utilizza un trasduttore di velocit (altro schema comune) cerca di produrre una velocit proporzionale al comando che giunge dal controllore PI (proporzionale e integrale). Questo pu essere anche visto in termini di un controllo di tipo derivativo che aumenta la stabilit. Ancora una volta vediamo che un sensore vitale al successo del sistema. Gli attuatori piezoelettrici sono molto meno comuni dei motori magnetici e la loro modellazione difficilmente viene spiegata nei testi di controllo dei sistemi. Questi attuatori si possono pensare come sistemi massa/molla/smorzatore con un generatore di forza interno che risponde a un segnale elettrico in ingresso. Quando lattuatore collegato a un qualche carico meccanico, linerzia, lattrito e la forza di richiamo elastico del carico si aggiungono, semplicemente, a quelle dellattuatore. Questa porzione del nostro sistema viene dunque modellata come sistema del secondo ordine10 con un dato guadagno, un dato rapporto dimensionale di smorzamento e una pulsazione propria, ed comandata da un generatore di forza che produce una forza istantanea e proporzionale a un segnale elettrico in ingresso, fornito dal controllore di questo segnale. Gli amplificatori per i piezo attuatori sono piuttosto specializzati, poich sono richieste tensioni molto pi elevate e correnti pi piccole di quelle necessarie alla maggior parte dei comuni motori magnetici. Per finalit di tipo progettuale, tuttavia, possiamo trattare lamplificatore come un semplice sistema di ordine zero, poich molto pi rapido delle parti meccaniche in movimento. Una volta che abbiamo compiuto la fase sperimentale di sviluppo del nostro progetto, possiamo effettuare prove di risposta in frequenza sul sottosistema, dallingresso dellamplificatore piezo al movimento in uscita, xp. I risultati di tali prove restituiscono il comportamento reale di questi componenti, che utilizziamo per verificare le ipotesi sul progetto iniziale e se necessario aggiustarle. I piezoattuatori, solitamente, sono dotati di arresto di sicurezza meccanico per sovraccarichi, che limita il massimo spostamento, cosicch dobbiamo includere un limitatore su xp nel nostro schema a blocchi. Abbiamo finora descritto tutti i componenti, a eccezione dei controllori. La maggior parte dei sistemi di controllo utilizza una qualche versione dei cosiddetti controllori PID (proporzionale integrativo e derivativo). Nel progetto, generalmente si cercano per prime le versioni pi semplici e si aggiunge complessit solo se necessario, per raggiungere le specifiche. Poich per il sistema in esame richiediamo unaccuratezza molto elevata a regime, abbiamo bisogno di utilizzare un controllo integrale che (teoricamente) d errore di posizione nullo per un comando di posizionamento costante. Nel nostro sistema, il canale del motore magnetico abbastanza convenzionale, poich utilizza un controllo derivativo sulla variabile controllata (retroazione sul tachimetro) insieme

10

E. O. Doebelin, System Dynamics, Marcel Dekker, New York, 1998, p. 307.

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PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

a un controllore PI nel cammino in avanti. evidente che, ormai, abbiamo un controllo integrale gratuito a causa delleffetto di integrazione nel carico, cos lintroduzione del controllore PI si traduce in un doppio controllo integrale. Decidiamo di accettare questo fatto (consapevoli che questo possa avvicinare a condizioni di instabilit) poich lattrito di Coulomb (non lineare) nel carico pu sconfiggere leffetto di questa integrazione gratuita. Il nostro modello trascura lattrito colombiano, dunque presenta davvero un doppio controllo integrale. Una volta che abbiamo definito la forma del controllo di cui abbiamo bisogno, le fasi del progetto che rimangono sono la scelta dei parametri di controllo KP, KI, KV e il guadagno dellanello di retroazione. Per il canale del piezo, il controllo integrale non necessario n desiderabile (cancellerebbe il numeratore del filtro passa alto), cos cerchiamo semplici controlli che anticipano, ritardano o compiono entrambe le funzioni. stato trovato che un controllore, in grado di applicare un ritardo, lavorava bene quando le due costanti di tempo tD e tl erano progettate in modo corretto. Il progetto preliminare dei sistemi che sono stati appena descritti richiede: 1. 2. 3. 4. Conoscenza dei componenti hardware disponibili. Conoscenza della teoria del controllo in retroazione e dei principi dellanalisi. Esperienza pregressa con simili sistemi. Possibilit di utilizzare un facile linguaggio di simulazione per sistemi dinamici.

11

Convolve, Inc., Boston, MA, 781-449-8860 (www.convolve.com).

Utilizzando questi strumenti stato possibile definire un progetto preliminare, che sembra funzionare. Lo strumento pi utile a tale scopo stato quello di simulazione, nel mio caso il pacchetto SIMULINK, utilizzato in pi parti allinterno di questo testo. La Figura 18.6a mostra il diagramma SIMULINK con i valori finali di progetto. Ho studiato la risposta a diversi tipi di comandi xv, utilizzando il blocco Look-Up Table (con il tempo come ingresso) per simulare i comandi tipici e impostare due comandi sinusoidali ad ampiezza nulla. In seguito ho scollegato luscita della Look-Up Table dal sommatore e ho attivato le due onde sinusoidali per studiare la risposta armonica. Per lingresso sinusoidale, ho sommato unonda sinusoidale di grande ampiezza (oltre il limite del piezoattuatore) a 1 Hz (0.01 sin 6.28t) a unonda piccola (troppo veloce per il motore magnetico, 0.001 sin 314t). Questo tipo di comando esattamente quello per cui il sistema stato costruito; il moto consiste in due componenti, una grande e lenta e laltra piccola e rapida. La Figura 18.6b mostra leccellente risposta. Dopo un transitorio iniziale con un notevole errore, il sistema segue il comando abbastanza accuratamente, come mostra la curva di errore (xv-xc). Disabilitando le forme donda sinusoidali e impostando la Look-Up Table per produrre comandi costituiti da piccoli gradini e grandi rampe, si ottengono i risultati di Figura 18.7a. La Figura 18.7b mostra con maggior dettaglio la zona nellintorno del tempo zero. I gradini sono, in realt, rampe fino a un regime con tempo di salita di 0.001 s. Se viene applicato un vero gradino, otteniamo sovraelongazioni e oscillazioni piuttosto grandi, come evidenziato nella curva etichettata con xc quando xv un ingresso a gradino. Questo, viceversa, si pu evitare comandando il sistema con le rampe arrestate; otteniamo la posizione desiderata rapidamente ma si evitano la vibrazione e le sollecitazioni a fatica dovute alloscillazione. Questa idea di progettare gli ingressi (non solo il sistema) in modo intelligente stata implementata con successo anche in modi pi sofisticati11, per il controllo in movimento di sistemi in generale. Tornando alla Figura 18.7a, dopo i due comandi a gradino veloci, applichiamo una rampa pi lenta fino a 0.13 mm (0.005 in), oltre il limite del piezomotore; in tal modo il motore magnetico deve ora partecipare al movimento globale. La curva xm mostra la sua risposta pi lenta e il decay della componente dello spostamento dovuta al piezo, cos come imposto dal suo ingresso filtrato passa alto. Mentre xp decade, il motore magnetico supplisce a questa perdita, mantenendo xc in prossimit del comando xv dopo t 0.05 s. Tuttavia, xp diminuisce fino a superare lo zero, richiedendo a xm di portarsi oltre 0.05. Fra t 0.05 e 0.1 s, il controllo integrale forza lentamente xc verso xv, ma alcune dinamiche del sistema provocano un urto nel segnale xc che viene, tuttavia, rimosso rendendo xc allincirca uguale a xv dopo un tempo t 0.12 s. Mentre xc rimane piuttosto vicino a xv per tutto il tempo, specialmente dopo t 0.12, sia xm che xp continuano a muoversi. Dopo un intervallo di tempo di durata maggiore, non mostrato nel grafico, xm converger a 0.05 e xp converger a 0.00. Sarebbe bello se xp arrivasse a zero quando xm incrocia per la prima volta xv (allincirca al tempo t
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High-pass filter Lag compensator 0.02s 0.02s+1 Command displacement


Xv +

Piezo motor 1e4 fp 0.01 1e8s2+1e4s+1


Xp xp

0.001s+1 0.01s+1

Allo workspace3 fU disturbing force inertia/damping load


+ + Xm 1/s Xc

2.0 0.01s+1

2e5s+2e4 s

1 fm

+ +

0.01 0.01s+1

Low-pass filter

PI controller Magnetic motor


5e2 Xmdt

Velocity sensor Interferometer position sensor


1

xm

Allo workspace4

xc + + Clock1 + Look-Up Table (a ) xv

Allo Workspace2
t Clock

Allo Workspace5

Allo Workspace1
ms5anord.m

0.015

0.01 xv and xc 0.005 Spostamento, in. (xvxc)

FIGURA 18.6 Simulazione SIMULINK del sistema di controllo per microspostamenti.

0.005

0.01

0.015

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5 0.6 Tempo (s) (b )

0.7

0.8

0.9

1
12

0.07 s), cos non si avrebbe soltanto xc xv, ma tutti i moti si arresterebbero a questo punto. Tuttavia, non sono stato capace di ottenere questa caratteristica desiderabile modificando i valori numerici. Non ho trovato riferimenti nella letteratura disponibile che mostrassero come fare; non ho neppure trovato se questo obiettivo risulti realmente raggiungibile. Al pi, ho trovato riferimenti che trattano dei concetti generali riguardanti gli attuatori posti uno sulle spalle dellaltro12.

18.3MStrumenti per il rilievo di particelle e tecnologia della camera pulita (Clean room)
Molti processi produttivi moderni richiedono ambienti di lavoro estremamente puliti; tra questi troviamo la produzione di circuiti elettronici integrati e di MEMS come primo esempio di

L. Merritt, Space Station Freedom Stacked Position Transducers, Motion, maggio/giugno 1991, pp. 2325; B. Kafai, Positioning with Piezo, Motion Control, marzo 2000, pp. 3235; J. Spanos e Z. Rahman, Optical Pathlength Control on the JPL Phase B Interferometer Testbed, JPL New Technology Rept. NPO-19040, Jet Propulsion Lab, Pasadena, CA, agosto 1995.

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820
FIGURA 18.7 Risposta al gradino e alla rampa del sistema di controllo per microspostamenti.

PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

8 7 6 5 Spostamento, in.

x 103

xm xc continuo xv tratteggiato

4 3 2 1 xp 0 1 2 0 0.02 0.04 0.06 0.08 Tempo (s) (a) 0.1 0.12 0.14

2.5

x 103

Spostamento, in.

1.5 xc quando xv un ingresso a gradino xv xc ed xp

0.5

xm 0 0.5 1 Tempo, (s) (b ) 1.5 2 2.5 x 103

13

W. G. Fisher, Particle Monitoring in Clean Room Air with the TSI 3020 Condensation Nuclear Counter, TSI J. Particle Inst., vol. 2, 1, pp. 319, gennaio-giugno 1987. 14 Particle Technology Instruments, TSI 3000R681, TSI Inc., St. Paul, MN.

particolare significato economico. Le particelle di sporco trasportato dallaria causano la maggior parte di perdite di prodotto in questi processi. Pi la tendenza alla miniaturizzazione continua a ridurre la minima dimensione caratteristica utilizzata in questi dispositivi, pi diminuisce la dimensione delle particelle che possono causare rotture. Il problema diventa dunque di notevole importanza pratica per i progettisti dei processi e per gli operatori (Figura 18.813). Le particelle possono causare difetti in tanti modi facendo da ponte tra due conduttori adiacenti (corto circuito), mascherando il film durante il processo di attacco chimico (circuito aperto) ecc. In questa sezione daremo un rapido sguardo ai mezzi per ridurre la concentrazione delle particelle (tecnologia della camera bianca) e alle tecniche di misura per identificare le dimensioni e/o le concentrazioni delle particelle rimanenti (strumentazione per particelle). Gli strumenti per misure di particelle trovano, ovviamente, importanti applicazioni al di fuori del settore della camera pulita come, per esempio, per la qualit dellaria atmosferica, per la ricerca medica, per gli studi sui fumi/fuliggine di combustione, per la fisica delle nuvole, gli studi sullinseminazione necessaria alla velocimetria laser ecc. In aggiunta alle loro funzioni di misura, gli strumenti per particelle sono necessari per produrre particelle di dimensioni e concentrazioni controllabili, da utilizzare nelle prove riguardanti la normale strumentazione e per la taratura14.
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821
FIGURA 18.8 Corso storico della riduzione nelle dimensioni dei circuiti integrati.

Dimensioni minime (micrometri)

Anno

La Figura 18.915 mette in relazione diverse fonti che sono considerate elementi contaminanti con la dimensione delle particelle. Due caratteristiche fondamentali delle clean room sono i filtri HEPA (high efficiency particulate air) e il concetto di flusso daria laminare (vedi Figura 18.1016). Gi nel 1950 erano disponibili filtri HEPA in grado di rimuovere il 99.97% di tutte le particelle con diametro a partire da 0.3 m in su; in tempi recenti sono stati realizzati filtri capaci di eliminare il 99.999% delle particelle con diametro maggiore o uguale a 0.12 m. Dal momento che un flusso di fluido laminare (in contrapposizione con uno turbolento) fornisce un percorso del flusso pi controllabile e prevedibile, le clean room utilizzano un flusso daria laminare, dal soffitto verso il pavimento, per lavare via i contaminanti generati dai processi di produzione, creando uno spazio di lavoro pulito al di sopra di un certo livello. Per ottenere i livelli di contaminazione pi bassi, sono necessarie velocit del flusso pi elevate (ma comunque sempre laminari) (vedi Figura 18.1117). Le Figure 18.12 e 18.13 mostrano le caratteristiche di progetto essenziali per una clean room e i sistemi meccanici che rendono possibile la loro realizzazione18. Passiamo ora ai metodi per misurare la dimensione delle particelle. La Figura 18.1419 elenca le classi pi comuni di strumenti e di dispositivi per la generazione delle particelle, che vengono utilizzati in sede di taratura. Non possiamo in questa sede fornire una descrizione completa di tutti questi sistemi, ne esamineremo in dettaglio solo alcuni, con lo scopo di approfondire alcuni aspetti delle tecniche e dei problemi coinvolti. La batteria di diffusione20 viene utilizzata per classificare le particelle in un certo numero di campi, in funzione della loro dimensione, in modo tale che un qualche tipo di contatore di particelle (come il tipo a nucleo di condensazione, che sar descritto nel seguito) possa essere successivamente impiegato per misurare la concentrazione di particelle (numero di particelle per centimetro cubo) per una particolare famiglia di dimensioni, come mostrato in Figura 18.15a. Le particelle da 0.005 fino a 0.02 m sono fortemente condizionate dai fenomeni di diffusione (le collisioni casuali con le molecole del gas), in cui le particelle seguono un cammino irregolare, con una posizione che, istante per istante, dipende dalla collisione pi recente. A causa della quantit di moto limitata, le particelle di piccole dimensioni sono pi condizionate da queste collisioni, rispetto a quelle di dimensioni maggiori e quelle con diametro superiore a 0.3 m ne sono praticamente insensibili. Quando le particelle attraversano una sottile parete metallica (tipicamente formata da fili in acciaio inossidabile da 20 m di diametro, con aperture di 20 m), le particelle pi piccole avranno delle collisioni con i fili, cui rimarranno attaccate per effetto delle forze superficiali attrattive, mentre le particelle pi grandi proseguiranno il loro cammino con il gas in cui sono inserite. Nella batteria di diffusione mostrata, laerosol (ossia il gas entro cui si trovano le particelle e le particelle stesse) viene fatto passare nel dispositivo a circa 4 l/min. I vari stadi sono separati da gruppi di schermi, il cui numero cresce di una unit per ciascuno

15

The Invisible Enemy, Clean Room Technology Inc., Syracuse, NY. 16 Ibid. 17 Ibid.; W. G. Fisher, op. cit., p. 11; R. D. Peck, The Proposed Revision of Federal Standard 209B, J. Environ. Sci., vol. 29, 5, pp. 4246, 1986. 18 The Invisible Enemy, op. cit. 19 TSI 3000-R681, op. cit. 20 Ibid.; D. Sinclair e G. S. Hoopes, A Novel Form of Diffusion Battery, Am. Ind. Hyg. Assoc. J., vol. 36, pp. 3941, 1975.

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822
FIGURA 18.9 Contaminanti aerei classificati per dimensione.

PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

Dimensione caratteristica relativa dei pi comuni agenti contaminanti aerei

soluzione salina pirogeni ioni metallici

nerofumo

pigmenti di vernici lieviti cellulari

capelli umani sabbia nebbia strato di polvere

virus fumo di tabacco particelle di silicio/colloidali


albumine proteine

batteri

zuccheri

polveri che danneggiano globuli rossi i polmoni

pollini

raggi atomici

farina macinata

21

TSI 3000-R681, op. cit.; J. H. Agarwal e M. Pourpriz, A Continuous Flow CNC Capable of Counting Single Particles, TSI Inc., St. Paul, MN.

stadio attraverso cui laerosol transita, dal primo stadio (particelle fini) fino allultimo (particelle pi grosse). Il primo gruppo di schermi costituito da un solo schermo, lultimo ne ha 10, per un totale di 55 schermi. Una valvola di selezione a 11 stadi viene impiegata per collegare il contatore di particelle allaerosol originale, non ancora classificato, oppure a uno qualsiasi dei 10 stadi di classificazione delle dimensioni. Utilizzando i dati provenienti dalla taratura, come in Figura 18.15b, le misure di conteggio, come in Figura 18.15c possono essere processate, per condurre ai risultati utili di Figura 18.15d. Un contatore di particelle a nucleo di condensazione commerciale mostrato in Figura 18.1621. Un tale strumento misurer le particelle con un diametro di dimensioni da 0.02 fino a 1.0 m, con concentrazioni da 10 2 fino a 107 particelle/cm3. Piuttosto che cercare di misurare la luce diffusa dalle stesse minuscole particelle (una particella da 0.1 m diffonde soltanto circa il doppio rispetto a quanto non faccia una molecola di gas, producendo un rapporto segnale/disturbo pessimo), questi strumenti formano, facendole crescere, grandi gocce di alcol m-butilico, per condensazione da un vapore, utilizzando ciascuna particella come nucleo per una goccia. Il campione di aria da misurare viene portato nel tubo di saturazione alla portata Filtri HEPA

stazione di lavoro pulito contaminato


FIGURA 18.10 Principio di funzionamento della clean room con flusso laminare.
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823
FIGURA 18.11 Definizione delle classi delle clean room.

di 5 cm3/s, grazie a una pompa a vuoto, facendo s che laria venga saturata con un vapore di butanolo. Nel tubo di raffreddamento del condensatore il vapore condensa su ciascuna particella, ingrossando ciascuna goccia di butanolo fino a circa 12 m di diametro (largamente indipendente dalla dimensione della particella), con dimensioni sufficienti per far produrre un impulso distinto di tensione a un sensore ottico a fotodiodi. La scelta del butanolo dettata dalla diffusivit del vapore relativamente allaria. Se la diffusivit del vapore troppo elevata, il vapore condenser principalmente sulle pareti dei tubi del condensatore, piuttosto che sulle particelle. Per lalcool, la diffusivit del vapore allincirca 0.5 rispetto a quella dellaria, producendo buoni risultati, laddove quella dellacqua di 1.2 e quindi non utilizzabile. Il sistema ottico utilizza una lampada alogena (luce bianca), due lenti e una fenditura per produrre un raggio luminoso sottile e piano che investe luscita dellugello del tubo del condensatore. Per concentrazioni inferiori a circa 103 unit/cm3, solitamente presente una sola particella alla volta nella zona sensibile, e si impiega una particolare elettronica per il conteggio degli impulsi in modo tale da cumulare il numero totale di particelle su una base temporale prefissata. Per concentrazioni maggiori, le singole particelle non sono pi distinguibili, e si utilizza un segnale analogico in uscita proporzionale allilluminazione media globale.
potenza del ventilatore

caduta di pressione sul filtro

livello di rumore
sicurezza velocit ed uniformit del flusso

temperatura

camera pressurizzata

luce

controllo

statico

dispersione dal filtro


sensori allarme e controlli

gorgogliatore di lavaggio dei gas tossici

scarico

umidit

direzione del flusso di aria

trattamento dellacqua deposito chimico

apparecchiatura del processo

operatore

porte, finestre e accessori sporco generatori di particelle

postazione di lavoro

vibrazione

trattamento dellaria e condizionamento

induzione
elementi da considerare nella progettazione di una clean room

FIGURA 18.12 Elementi da considerare nella progettazione di una clean room.

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824
FIGURA 18.13 Impiantistica di una clean room.

PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI


ingresso aria

cablaggio tetto conduttura

condensatore

refrigeratore condensatore

cablaggio

conduttura di scarico

drenaggio

drenaggi conduttura aria di ritorno tubazione riscaldamento

esterno
camera bianca scarico

controlli cablaggio tubazioni di processo cablaggio di processo

impianti meccanici di una camera bianca

22

G. J. Sem e K. Tsurobayashi, A New Mass Sensor for Respirable Dust Measurement, Am. Ind. Hyg. Assoc. J., pp. 791800, novembre 1975; TSI 3000-R681, op. cit. 23 V. A. Marple e B. H. Liu, Characteristics of Laminar Jet Impactors, Env. Sci. Tech., vol. 8, p. 648, 1974. 24 TM-100 Thickness Monitor, Maxtek Inc., Torrance, CA. 25 TSI 3000-R681, op. cit.; R. W. Vanderpool e K. L. Rabow, Generation of Large. Solid, Monodisperse Calibration Aerosols, TSI Quart. vol. 10, 1, pp. 36, gennaio-marzo 1984.

Il Giappone ha adottato una legge che limita la concentrazione tollerabile di particelle disperse nellaria con diametro inferiore a 10 m, fissando un valore massimo di 150 g/m3, allinterno della gran parte degli edifici occupati da persone con estensione superficiale maggiore di 3000 m2. Le misure della concentrazione in massa totale sono convenientemente eseguite con un altro tipo di strumento di misura delle particelle, la microbilancia (piezobilancia)22 di Figura 18.17. In questo caso il flusso di aerosol prima di tutto investe un sistema a impatto23 che raccoglie le particelle maggiori di 10 m, mentre quelle pi piccole passano a un precipitatore elettrostatico. Nel precipitatore le particelle vengono prima di tutto caricate elettricamente in modo poi da poter essere attratte dalla superficie di un cristallo piezoelettrico posto in vibrazione, ove si accumulano, incrementando gradualmente la massa e abbassando la frequenza di oscillazione del cristallo (la vibrazione del cristallo viene intenzionalmente controllata con un sistema di retroazione instabile, in modo identico a quanto viene fatto per il densimetro con tubo vibrante a U). Concentrazioni in massa da 0.005 fino a 9.999 mg/m3 per particelle da 0.01 fino a 10 m vengono misurate con una risoluzione di 0.001 mg/m3 e unaccuratezza pari a 10% della lettura, 0.01 mg/m3. Per funzionamento continuo, il sistema a impatto e le superfici del cristallo devono essere periodicamente ripulite; tuttavia questa operazione sufficientemente semplice da poter essere automatizzata, quando sia richiesto un funzionamento senza sorveglianza per periodi della durata di diverse settimane. La stessa tecnica di misura della frequenza di vibrazione di un cristallo viene utilizzata nella misura e controllo dello spessore e della velocit di deposizione di film, durante il processo di produzione di wafer per micro-dispositivi24. In questo caso il cristallo di misura viene posto nella stessa camera di deposizione del wafer su cui deve avvenire il processo, e quindi accumula sulla sua superficie un film di spessore identico, con velocit identica. I cristalli costano solo circa 5.00 $ ciascuno, e quindi possono essere sostituiti per ciascun nuovo lotto di wafer. Laccuratezza sia sulla velocit, sia sullo spessore di deposizione dellordine di circa lo 0.5% della lettura. Lultimo strumento non proprio un dispositivo di misura, ma piuttosto un generatore di aerosol, con lo scopo di produrre aerosol contenenti particelle di dimensioni e concentrazioni controllate. Tra i tipi elencati in Figura 18.14, abbiamo scelto di fornire alcuni dettagli sul generatore monodisperso a orifizio vibrante25. (I generatori polidispersi producono aerosol con dimensioni delle particelle variabili in un ampio campo, mentre i generatori monodispersi sono prodotti per fornire particelle caratterizzate sostanzialmente da una sola dimensione). Un getto liquido cilindrico che passa attraverso un orifizio (tipicamente da 10 a 20 m di diametro) intrinsecamente instabile e si romper in una serie di goccioline di dimensioni non uniformi. Ponendo in vibrazione lorifizio a una frequenza fissa ed elevata (da 10 kHz a 1 MHz), stato osservato che vengono prodotte piccole gocce di dimensioni uniformi, una per
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tubazione del refrigeratore

filtro

umidificazione

ventilatore

tubazione

unit di ricircolo

unit di trattamento dellaria

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tecniche di classificazione e di generazione batteria di diffusione classificatore elettrostatico analizzatore elettrico di dimensioni aerosol separatore aerodinamico spettrometro a cavit laser contatori ottici di particelle bassa pressione collimatori microscopio ottico microscopio a elettroni spettrometro centrifugo

825
FIGURA 18.14 Metodi di misura e generazione di particelle.

Diametro delle particelle questo grafico mostra le caratteristiche degli intervalli di diametro delle particelle coperti dalle pi comuni tecniche degli aerosol di separazione. M=monodispersi P=polidispersi classificatore elettrostatico soluzione atomizzata sfera di latex atomizzata letto fluido orifizio vibrante

disco rotante

Diametro delle particelle tecniche di generazione per la taratura

ciascun ciclo di vibrazione, con volume delle gocce pari a Q/f, ove Q la portata volumetrica attraverso lorifizio, e f la frequenza di vibrazione. Per esempio, lalimentazione con un liquido a una portata di 0.14 cm3/min con una frequenza di vibrazione di 60 kHz (si usa un cristallo piezoelettrico) produce 60000 gocce/s, con un diametro medio di circa 42 m, e una deviazione standard pari a circa l1% per un foro di 18 m di diametro. Quando si vogliono aerosol di particelle solide, (assumendo che la parte solida possa essere disciolta in un liquido volatile adatto), vengono create goccioline di soluzione, con la tecnica sopra descritta, che vengono poi iniettate in un getto di aria turbolenta per prevenirne laddensamento (aggregazione). A questo punto il mescolamento con un grande volume di aria provoca levaporazione del solvente, lasciando solo le particelle solide desiderate. Talvolta si usa una sorgente radioattiva di Krypton85 per ionizzare il gas con laerosol, liberandolo dalle cariche elettrostatiche acquisite dalle particelle, e quindi impedendo che queste aderiscano alle pareti dellapparato.

18.4MMisure di pressione parziale nei processi in vuoto


Nelle applicazioni di vuoto spinto, sia di laboratorio, sia allinterno di processi produttivi, la misura della pressione totale spesso non sufficiente; anche necessario identificare quali gas siano presenti e in quali quantit relative. Nella produzione di microsistemi vengono utilizzati
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FIGURA 18.15 Batteria a diffusione per la classificazione delle particelle.

PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI


schermi ingresso aereosol uscita eccesso di aereosol

valvola ad anodici ingressi

misurazione del condensato

scarico

Numero porta
cumulo schermo

Numero porta

Diam etro delle parti celle mon odis pers e

% Penetrazione

% numero pi piccolo della dimensione

Diametro Dp delle particelle,

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% Penetrazione

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827
FIGURA 18.16 Contatore di particelle a nucleo di condensazione.

al flussometro ed alla pompa sensore ottico fenditura lampada lenti di proiezione tubo refrigerante (a 10 C) feltro in dacron lenti di condensazione

lenti di collimazione

ingresso aerosol

tubo saturatore (a 35 C)

serbatoio di alcool

un gran numero di processi sotto vuoto che beneficiano della conoscenza di informazioni sulla pressione parziale. Gli strumenti che forniscono tale informazione sono chiamati analizzatori di pressione parziale, analizzatori di gas residuo, o ancora spettrometri di massa. Mentre i primi spettrometri di massa erano voluminosi e scomodi da utilizzare, gli strumenti pi recenti sono stati miniaturizzati e le loro funzioni automatizzate per mezzo di una conveniente interfaccia al personal computer. Ununit che considereremo quale esempio26 ha un elemento sensibile della lunghezza di circa 18 cm, e del diametro di circa 7.6 cm, mentre linvolucro contenente lelettronica ha le dimensioni di 18 10 13 cm e pesa soltanto 15 N. Descrivere un tale dispositivo come un trasduttore ora alquanto appropriato e spinge a includere una descrizione dettagliata di questo dispositivo nella presente edizione del testo, mentre strumenti analitici di questo tipo erano stati considerati al di l degli scopi prefissati nelle precedenti edizioni. Mentre questi strumenti possono essere basati su diversi principi27, presentiamo in questa sede solo il pi popolare, il filtro di massa quadripolare (QMF o quadrupole mass filter)28. Studieremo questo dispositivo non solo per la sua importanza come strumento di misura, ma anche perch il suo progetto basato su una equazione differenziale classica, ossia lequazione di Mathieu, e siamo interessati a mostrare, ogniqualvolta possibile, lutilit pratica del-

26

impattatore pulibile (le grandi particelle impattano qui)

The PPT Series, MKS Instruments, Inc., Andover, MA, 800-227-8766 (www.mksinst.com). 27 M. J. Drinkwine e D. Lichtman, Partial Pressure Analyzers and Analysis, American Vacuum Society, New York, 1979. 28 M. J. Drinkwine e D. L. Lichtman, op. cit.; P. H. Dawson (ed.), Quadrupole Mass Spectrometry and Its Applications, Elsevier, New York, 1976.

alimentazione precipitatore elettrostatico scarico pompa interna

ingresso aereosol

regione di precipitazione

cristallo primario (le particelle respirabili si accumulano qui) cristallo di riferimento oscillatore e circuito di miscelazione batteria e circuito di ricarica

circuito di calcolo

lettura

FIGURA 18.17 Microbilancia per misura di concentrazione di particelle.


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828

PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

29

M. J. Drinkwine e D. L. Lichtman, op. cit., Appendix D.

lapproccio matematico. In termini fisici, il QMF pu essere pensato come uno strumento di ionizzazione con un filtro selettivo nei confronti della massa tra lelemento ionizzante e lelemento sensibile. Il filtro pu essere regolato per selezionare gli ioni allinterno di una banda stretta di valori di massa e quindi misurare la corrente ionica corrispondente al campo selezionato. Effettuando una scansione con la quale si selezionano diversi campi, dal valore pi basso fino a valori pi elevati, possibile determinare la presenza di ioni caratterizzati da massa differente e la relativa intensit (pressione parziale) per ciascuna misura. La corrente di ioni pu essere rappresentata in funzione della massa degli stessi, per fornire uno spettro di massa per il campione selezionato. Le masse degli ioni possono essere associate alle masse atomiche di elementi o composti noti, identificando quindi i vari componenti gassosi del campione considerato e mettendo in evidenza le quantit relative di ciascuno. Per avere letture quantitative assolute (piuttosto che relative) delle pressioni parziali, lanalizzatore deve essere tarato29 per confronto con uno strumento a ionizzazione (pressione totale) per ciascuno dei gas di interesse. La Figura 18.18 mostra lo schema fisico di funzionamento del QMF. Allinterno della sorgente di ioni, il campione di gas viene bombardato da elettroni che vengono emessi da un filamento caldo. Quando questi elettroni colpiscono un atomo di gas o una molecola, possono scalzare da questi ultimi un elettrone, lasciandoli con una carica positiva netta di 1.602 10 19 C (Coulomb); in altre parole, latomo, originariamente neutrale, diventato uno ione carico. In effetti c qualche probabilit che pi di un elettrone possa essere scalzato dalla sua posizione. In aggiunta, il bombardamento con elettroni pu provocare anche dissociazione, insieme alla ionizzazione, ossia il bombardamento di molecole di azoto (N2) in alcuni ionizzatori produce due generi di ioni, N2 (numero di massa 28) e N (numero di massa 14), in un rapporto approssimativo di 7 N ogni 100 N2 . Dal momento che il filtro analizzatore considerato discrimina sulla base della massa, appare evidente che la presenza di tali frammenti (cos vengono chiamati) confonder lo strumento. In realt una tale frammentazione spesso utile! Qualora fossero presenti sia monossido di carbonio CO (numero di massa 16 12 28) e azoto N2(numero di massa 14 14 28) non potremmo distinguere tra di essi, dal momento che hanno masse identiche. Poich ciascuna molecola ha il suo cammino di frammentazione noto e distintivo, quando andiamo a interpretare uno spettro di massa misurato, questi cammini ci permettano di risolvere problemi come quello appena illustrato riguardante lazoto e il monossido di carbonio. Questo e altri trucchi, necessari per interpretare correttamente gli spettri, sono descritti in dettaglio nei riferimenti, ma da qui in avanti ci comporteremo come se stessimo trattando il caso ideale, in cui non ci sono frammenti e gli ioni misurati sono caratterizzati da un solo elettrone rimosso. In Figura 18.18 il filtro di massa consiste in quattro barre cilindriche metalliche con le tensioni f0 e f0 applicate come mostrato. Nello strumento MKS precedentemente citato nei riferimenti, queste barre sono lunghe 9 cm e con diametro di 0.64 cm. Le barre, una volta alimentate, creano intorno a loro un campo elettrico che sar avvertito dagli ioni che vengono eiettati dalla sorgente di ioni verso lelemento sensibile allaltra estremit. Per realizzare la funzione di filtro ideale, questo campo elettrico dovrebbe essere del tipo che viene definito come campo quadrupolare. Per definizione questo un campo le cui componenti xyz sono rispettivamente proporzionali alle posizioni x, y, z allinterno del campo, ossia il campo stesso
rivelatore apertura

apertura di ingresso (A)

fascio di ioni separati per massa barre del filtro a quadrupolo o ro

+o

FIGURA 18.18 Analizzatore di pressione parziale a quadrupolo.

sorgente di ioni sezione trasversale del quadrupolo

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una funzione lineare di x, y, z. La forza in Newton avvertita da una particella carica uguale al prodotto tra la carica in Coulomb e lintensit del campo elettrico in volt/metro. Per un campo quadrupolare, la forza sar direttamente proporzionale alla distanza dallorigine, in modo analogo a una molla meccanica omnidirezionale. Dawson30 mostra che produrre un tale campo richiede che le quattro barre abbiano una forma della sezione iperbolica piuttosto che cilindrica. Le barre cilindriche utilizzate nella gran parte degli analizzatori di gas residuo (RGA residual gas analyzers) sono dunque una approssimazione della geometria ideale. Le barre a sezione iperbolica sono utilizzate in qualche strumento analitico di alto livello, ma, negli RGA, i problemi di fabbricazione e allineamento cancellano il piccolo miglioramento di prestazioni ottenuto. Mentre in generale un campo quadrupolare ha una componente non nulla secondo lasse z, il QMF richiede che questa componente sia pari a zero. Ossia, quando gli ioni lasciano lo ionizzatore, * gi una velocit adeguata secondo lasse z e non esiste alcun vantaggio nel modificare questa situazione, cos non risulta necessaria alcuna forza lungo lasse z. La differenza di potenziale f (x, y, z) tra una coppia di barre il doppio del potenziale applicato a una singola barra. Quando applichiamo le tensioni f0 e f0 a una coppia di barre, si pu mostrare che il potenziale f (x, y, z) che viene cos creato f (x, y, z)

30

P. H. Dawson, op. cit., p. 10.

2f0(x 2 y2) 2r02 f y f z

(18.2)

Ricordiamo che la relazione generale tra lintensit del campo elettrico E e il potenziale f Ex

f x

Ey

Ez

(18.3)

Combinando queste relazioni con la legge di Newton, possiamo ottenere le equazioni differenziali del moto degli ioni. Si faccia lipotesi che la massa degli ioni sia m e che la loro carica risulti numericamente uguale a quella dellelettrone q 1.602 10 19 C. d2 x 2q0 x =m 2 2 dt r0 2q0 y d2 y =m 2 2 dt r0 0=m d2 z dt 2 (18. 4) (18. 5) (18. 6)

Il moto lungo z (lungo lasse delle barre) il pi semplice poich laccelerazione zero, quindi la velocit lungo z rimane costante al valore che gli ioni avevano nellistante in cui hanno abbandonato lo ionizzatore. Mentre la tensione applicata f deve essere variabile nel tempo, in modo da ottenere lazione di filtro sulla massa, che noi desideriamo, intendiamo innanzitutto indagare il comportamento dovuto a una tensione costante. In questo caso le Equazioni (18.4) e (18.5) sono equazioni differenziali lineari a coefficienti costanti molto semplici, le cui soluzioni sono ben note. Per il movimento lungo x, lequazione quella di un sistema oscillante non smorzato; quindi gli ioni effettueranno, lungo lasse x, un movimento sinusoidale di ampiezza e frequenza prefissate, con lampiezza determinata dai valori iniziali sia della posizione secondo x sia della velocit con cui gli ioni entrano nel filtro. La soluzione secondo y la somma di due termini esponenziali, uno che tende allo zero con un movimento di ampiezza decrescente e laltro che tende a infinito; dunque gli ioni si allontaneranno dallasse del filtro man mano che procedono nel cammino lungo il suo sviluppo longitudinale; in tali condizioni, qualora vengano sufficientemente allontanati, possono colpire le barre del filtro. La massa m degli ioni influenza sia la frequenza del movimento lungo x sia la costante di tempo del movimento instabile lungo y, leffetto globale non produce la caratteristica filtrante desiderata. Ci che si vuole accada che gli ioni con masse comprese in un campo limitato rimangano in prossimit dellasse e quindi entrino nella parte sensibile (detetctor), mentre gli ioni con masse al di fuori di questo campo vengano deflessi lontano dallasse della macchina e quindi non siano in grado di raggiungere lelemento sensibile. stato trovato che, per raggiungere questo obiettivo, necessario che la tensione applicata abbia la forma f0 U V cos vt (18.7)
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830

PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

31

N. W. McLachlan, Theory and Application of Mathieu Functions, Oxford University Press, New York, 1947; J. P. DenHartog, Mechanical Vibrations, 4a ed., McGraw-Hill, New York, 1956, p. 343.

ove U e V risultano costanti, con V U. Le equazioni sono ora ancora lineari, ma con un coefficiente variabile nel tempo, che rende la soluzione molto pi difficile. Allinterno della classe generale delle equazioni lineari con coefficienti variabili nel tempo, lequazione particolare qui ottenuta viene chiamata equazione di Mathieu, che stata studiata in maniera assai approfondita31. La gran parte delle equazioni di Mathieu riguarda vibrazioni indesiderate. Tuttavia vedremo brevemente che il principio di progetto del QMF basato proprio su queste vibrazioni. Mentre le previsioni numeriche accurate richiedono un attento studio analitico, un approccio qualitativo e pi grezzo pu comunque fornire una chiave di lettura assai utile per comprendere le caratteristiche essenziali. Per quanto riguarda lasse x, la componente alternata del campo far s che gli ioni pi leggeri (che possono seguire le variazioni pi rapide) oscillino con ampiezza crescente, colpiscano le barre, ma non appaiano allelemento sensibile. Gli ioni pi pesanti tenteranno di fare lo stesso, ma la loro inerzia limiter lampiezza massima raggiunta quindi, questi entreranno allinterno della parte sensibile. Lasse x dunque, pu essere pensato come capace di fornire un effetto filtrante che permette il passaggio degli gli ioni pesanti ed elimina quelli pi leggeri (filtro passa alto). Per lasse y, gli ioni pesanti tendono a divergere per effetto della componente costante del campo (la componente alternata troppo veloce perch questi ne possono risentire), ma gli ioni leggeri possono rispondere a quelle parti del ciclo che si oppongono alla divergenza statica. Gli ioni pi leggeri, dunque, rimangono sufficientemente vicini allasse dei tubi per raggiungere lelemento sensibile, facendo s che lasse y si comporti come un filtro passa basso. Quando si ha lazione contemporanea sui due assi, solo gli ioni con valori di massa compresi in una banda assai stretta riusciranno a raggiungere lelemento sensibile, dando luogo alleffetto filtrante desiderato, del tipo passa banda. Un attento studio analitico porta al diagramma di stabilit della Figura 18.19, che decisamente utile per fini progettuali. Qualsiasi punto operativo dello strumento allinterno della regione triangolare di stabilit porta a un effetto di filtraggio della massa, ma il punto di ottimo vicino allapice del triangolo (U/V 0.168 e 4qV/mr02 v2 0.708), dove il campo di masse che passano attraverso il filtro diviene molto piccolo e quindi la risoluzione in massa dello strumento molto buona. Gli strumenti di uso corrente naturalmente lavoreranno a valori di U/V leggermente inferiori rispetto a 0.168. Si noti inoltre che il filtro discrimina sulla base del valore di q/m ciascuno ione, e non sulla base di m soltanto, cosicch uno ione che abbia perso due elettroni si comporter come uno normale con la massa dimezzata. I cammini di frammentazione prima menzionati fortunatamente permettano una corretta interpretazione di queste anomalie. Per effettuare la scansione passa banda del filtro di massa sul campo di masse desiderato, la frequenza del campo v viene mantenuta costante, e il rapporto U/V viene pure mantenuto costante e prossimo a 0.168, mentre U e V vengono variati individualmente. In aggiunta ai risultati analitici, come quelli del diagramma di stabilit di Figura 18.19, la soluzione numerica delle equazioni differenziali risulta utile per mostrare i movimenti effettivi lungo x e y per gli ioni, seguendone levoluzione attraverso il filtro. Le equazioni del sistema sono facilmente simulate con SIMULINK, producendo il diagramma di Figura 18.20.
0.708

.168 .167 .166 U/V .165 .164 .163 .162 Y-instabile


A

X-instabile

stabile

FIGURA 18.19 Diagramma di stabilit di un analizzatore a quadrupolo.

.161 .160 .67 .68 .69 .70 2 4qV/(mr 0 2) .71 .72 .73

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831
FIGURA 18.20 Diagramma di simulazione del quadrupolo.

quadpole.m 1/s x acceleration u^2 1/s

x position in meters x

1.0 1/s y acceleration r sqrt(u) 1/s u^2 y y position in meters variazione del numero di massa m cos(12.566*u+0.0) t time in microseconds z velocity in meters/microsecond 6.008e-3 qui si ha variazione del numero di massa ed u/v z 1446.1*0.164/26.5 1446.1/26.5

+ +

radial position

+
il tempo di arresto impostato in modo tale che coincida con quello degli ioni che raggiungono la fine delle barre

In quel caso abbiamo utilizzato i valori numerici: r0 0.005 m V 189 V U/V 0.164 4p rad /ms

lunghezza della barra

0.0889 m

pulsazione (v)

Lunit di misura temporale considerata quella dei microsecondi, che richiede che la frequenza di 2.0 MHz venga convertita come mostrato. Questa scalatura dei tempi richiede anche che le equazioni che esprimono la legge di Newton abbiano laccelerazione espressa in metri/microsecondi2, che significa una divisione per 1012. Nel sistema di unit di misura utilizzato, la massa degli gli ioni deve essere data in chilogrammi, il che richiede che il numero che esprime la massa venga moltiplicato per 1.675E-27. La formula che mette in relazione la posizione (0.708) del picco del diagramma di stabilit ai parametri del sistema quella data della Figura 18.19 mpicco 0.4333 10

4qV 0.708r02v2
25

4 1.602 10 19 189 0.708 0.0052 (4 3.1416 106)2


(18.8)

kg

25.9 amu (unit di masa atomica)

Poich utilizziamo un rapporto U/V 0.164, (piuttosto che quello di picco pari a 0.168), soltanto un piccolo campo di valori di massa si trover nella regione stabile vicino a 25.9. I nostri studi di simulazione possono definire il campo effettivo. Comprenderemo nella componente alternata di tensione anche un angolo di fase, che viene posto pari a 0.0 radianti nella simulazione mostrata. Poich gli ioni possono raggiungere lingresso del filtro (z 0.0) a un tempo casuale nei confronti del valore di tensione applicata, siamo interessati alleffetto di questa relazione di fase sul movimento dello ione. Ponendo la fase a diversi valori compresi tra 0 e 2p, possiamo studiare questo effetto. Gli ioni possono anche entrare nella regione del filtro con varie posizioni e velocit secondo x e y, e questo condiziona il loro movimento man mano che procedono lungo il dispositivo. Per esempio, se uno ione ha velocit lungo x o y elevate allingresso del filtro, potrebbe colpire le barre ed essere neutralizzato (vanificando qualsiasi effetto di filtro) prima che il campo del quadrupolo abbia alcuna possibilit di condizionarne il movimento. Naturalmente, lapertura di ingresso mostrata in Figura 18.18 prevista per fornire un raggio di ioni collimati (con componenti di velocit radiale piccole), ma questi dispositivi non sono mai perfetti. Nella situazione illustrata, ipotizziamo che le velocit iniziali secondo x e secondo y siano pari a zero, ma assumiamo che la posizione iniziale corrisponda al 10% del raggio r0. Tutte queste possibili variazioni possono essere indagate utilizzando la simulazione, cos da poter raggiungere una buona comprensione delle modalit operative del sistema.
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PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

Si fa lipotesi che gli ioni entrino nel filtro con una velocit z fissata e nota, e il filtro quadrupolare decisamente tollerante rispetto variazioni di questa quantit. Questo elemento essenzialmente determina quanto a lungo gli ioni risiedano allinterno del filtro e quindi quanti cicli di tensione alternata questi sentano. Tipicamente questo numero di cicli nellordine da 10 a qualche centinaio. possibile stimare la velocit lungo z da un calcolo energetico che eguaglia lenergia elettrica (carica differenza di potenziale) applicata per accelerare lo ione fino alle condizioni in uscita dallo ionizzatore con lenergia cinetica mv 2/2. Abbiamo impiegato un valore tipico di energia di uno ione, ossia 10. elettron-volt (10. volt) (1.602E-19 coulomb) per calcolare la velocit z di uno ione di massa e nota (kg). Per un numero di massa m 26.5 amu, la velocit di 6008 m/s. Per mostrare a display come evolvano i movimenti secondo x e secondo y mentre lo ione prosegue il suo cammino lungo lasse z del filtro, calcoliamo z in metri, usando la velocit nota e costante e il tempo espresso in microsecondi. Possiamo richiedere i grafici delle posizioni x e y in funzione di z, piuttosto che del tempo. anche conveniente calcolare x e y in millimetri, cos come lo spostamento radiale, che possiamo confrontare con r0 per vedere se uno ione colpisce le barre, risultando quindi perso dal raggio. Utilizzando i valori numerici mostrati del diagramma di simulazione (Figura 7. 20), i grafici di Figura 7.21a mostrano che le deflessioni secondo x e y, e quindi la deflessione radiale, risultano sempre minori di r0, quindi gli ioni di massa 26.5 passeranno attraverso le barre e
5 x in metri 0 x 103

0 x 104

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

5 y in metri 0

0 x 103

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

4 r in metri 2 0

0.01

0.02

0.03

0.04 (a )

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

Posizione lungo i tondini, metri

10 x in metri 5 0

x 103

0 x 104

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

5 y in metri 0

0 x 103

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

10 r in metri 5 0

FIGURA 18.21 Alcuni risultati dalle simulazioni del quadrupolo.

0.01

0.02

0.03

0.04 (b )

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

Posizione lungo i tondini, metri

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x 103

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FIGURA 18.21 Alcuni risultati dalle simulazioni del quadrupolo. (Conclusione)

5 x in metri 0 5 1.5 y in metri 1 0.5 0 1.5 r in metri 1 0.5 0

0 x 102

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0 x 102

0.01

0.02

0.03

0.04

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

0.01

0.02

0.03

0.04 (c )

0.05

0.06

0.07

0.08

0.09

Posizione lungo i tondini, metri

verranno raccolti per essere misurati dallelemento sensibile. Cambiando soltanto la massa m, troviamo (Figura 18.21b) che m 25.5 porta a instabilit del movimento lungo lasse x, e m 27.5 (Figura 18. 21c) provoca instabilit secondo lasse y; quindi, gli ioni con queste masse colpiranno le barre e non raggiungeranno mai lelemento sensibile, confermando leffetto filtrante nei confronti della massa dello strumento. LEquazione 18.8 mostra che la posizione del picco del diagramma di stabilit pu essere variata cambiando V, lampiezza della componente oscillante della tensione applicata alle barre; dobbiamo naturalmente anche variare U in modo da mantenere sempre il valore U/V desiderato, che nel nostro esempio uguale a 0.164. Quando si effettua una scansione con un QMF su un certo campo di numeri di massa e si diagramma la corrente di ioni, in funzione del numero di massa stesso, otteniamo lo spettro di massa caratteristico del gas presente nel sistema sotto vuoto su cui si stanno eseguendo le misure. La Figura 18.2232 diagramma uno spettro effettivamente misurato e discute il suo significato. Il riferimento bibliografico di Drinkwine e Lichtman fornisce numerosi esempi simili, che danno al lettore una buona panoramica sulle modalit di interpretazione di questi spettri. Il QMF pu essere utilizzato direttamente solo per sistemi in cui il vuoto sufficientemente elevato (pressione sufficientemente bassa) da far s che il fascio di ioni non colpisca troppi atomi o molecole del gas oggetto delle misure. Per il sistema MKS precedentemente citato tra i riferimenti bibliografici, questo limite di circa 10 4 torr. comunque possibile estendere il campo utile avvalendosi di un approccio indiretto come quello mostrato in Figura 18.2333. In questo caso la camera di prova pu essere a una pressione maggiore, dal momento che un orifizio e una turbo pompa ausiliaria creano un effetto di divisione della pressione, in modo tale che lanalizzatore risulti esposto soltanto alla pressione che gli consentita. La conoscenza delle caratteristiche dellorifizio permette di mettere in relazione la pressione misurata a quella della camera di prova. Lelemento sensibile agli ioni raccoglie il loro flusso e fornisce una corrente in uscita correlata alla pressione parziale della componente di gas che viene misurata. Lelemento sensibile solitamente una coppa di Faraday (Figura 18.24) oppure un moltiplicatore di elettroni (Figura 18.2534). Una coppa di Faraday una lattina di metallo che raccoglie gli ioni, i quali prelevano elettroni dalla coppa stessa, creando una corrente che viene misurata da un amplificatore galvanometrico. possibile trovare una soluzione di compromesso tra la pi piccola corrente misurabile (pressione) e la velocit di risposta al gradino dellamplificatore. Una corrente minima di 10 15 A (10 11 torr di pressione) fornisce una risposta al gradino di circa 1 s (10 13 A (10 9 torr) d 0.01s). La velocit di risposta dellamplificatore correlata alla velocit alla quale effettuiamo la scansione, con lanalizzatore, sul campo di numeri di massa prescelto, quando rappresentiamo lo spettro di massa di un campione. Qualora sia necessaria una maggiore sensibilit, la coppa di Faraday pu essere rimpiazzata con un moltiplicatore di elettroni, che usa unemissione secondaria di elettroni per produrre da 1000 a 1 000 000 di elettroni secondari per ciascuno ione che entra allinterno del suo cono. Quindi (10 17 A (10 13 torr)) possono essere misurati con una risposta al gradino di 1 s35.

32

M. J. Drinkwine e D. L. Lichtman, op. cit., p. 83.

33

The PPT Series of Quadrupole Residual Gas Analyzers, MKS Instruments, Inc.

34 35

Ibid. P. H. Dawson, op. cit., p. 138.

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FIGURA 18.22 Tipico risultato dellanalisi di un quadrupolo in un sistema a vuoto ultra elevato (UHV, ultra high vacuum).

PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

Intensit relativa del segnale ionico

12 14 e = q considerato

18 20 m/e

28

32

40

44

TS-27 Tipologia del sistema: UHV, acciaio inossidabile, volume 20 l, pompaggio ioni 200 l/s DI Tipologia dello spettrometro di massa: Quadrupolo Extra Nucleare Pressione del sistema: 3 10 10
2 7

torr 10
7

Storia recente del sistema: il sistema passa attraverso un primo sistema di pompaggio a torr poi attraverso un secondo, a 3
6

torr con pompaggio di ioni. Il filamento

dello spettrometro di massa stato acceso durante la fase di pompaggio verso il vuoto quando la pressione era di 10 m/e = 16,17, 28, 40 e 44. Diagnosi: una tipica composizione media del gas a met del pompaggio UHV. Qui lacqua (17,18) rappresenta, di gran lunga, il pi diffuso elemento costitutivo, con CO (28), CH4 (16), CO2 (44), Ar (40) e Ne(20) che sono gli altri di gas prevalenti. torr. Caratteristiche dello spettro: 18 picchi molto larghi. Sono anche presenti picchi a

FIGURA 18.23 Tecnica per estendere luso del quadrupolo a pressioni pi elevate.

adattatore apertura

alloggiamento sottovuoto

camera di processo valvola di isolamento della porta (opzionale) sensore a quadrupolo pompa turbomolecolare

ioni positivi

collettore e
e e e e e e

M+

M+

e elettrometro amplificatore

connessione alla superficie frontale interna del tubo 1000 to 1500 V DC

()

(+)

elettrometro amplificatore R 4 x 106

FIGURA 18.24 Misuratore di ioni a coppa di Faraday.

()

(+)

FIGURA 18.25 Moltiplicatore di elettroni.


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36

Analizzatori di gas residuo possono essere utilizzati in numerose situazioni36. Strumenti tipici possono avvertire concentrazioni assai basse, fino a poche parti per miliardo (parts per billion ppb) e coprono campi di amu (atomic mass unit) da 1 a 300. Nel settore della produzione di MEMS e di circuiti integrati sono nati come sensori di dispersione, ma stanno ora abbracciando il campo della misura di elementi contaminanti, e vengono utilizzati come uno strumento per la risoluzione di problemi di tipo generale. Applicazioni di controllo real time, basate su misure in situ di vari tipi di gas, sono, nella proiezione futura, quelle per cui si prevedono i maggiori sviluppi.

18.5MSistemi di levitazione magnetica per il trasporto dei wafer


Nel processo di produzione dei wafer, questi vanno spostati da una stazione allaltra in ambiente tipo clean room. I sistemi di trasporto che fanno uso di contatti meccanici mobili per trasportare la potenza elettrica al carrello che trasporta i wafer producono contaminazione della clean room a causa delle particelle staccate dallusura. Una soluzione37 a questo problema impiega carrelli a levitazione magnetica senza alcun contatto fisico che possa causare usura. In un altro dei miei libri38 viene analizzato un semplice sistema di levitazione magnetica utilizzato per il trasporto delle persone. La maggior parte di questo tipo di sistemi (treni a levitazione magnetica ecc.) non ha i problemi di contaminazione appena citati e utilizza dispositivi di trasmissione della potenza elettrica senza contatti meccanici. La levitazione viene stabilizzata attraverso un sistema di controllo retroazionato e lobiettivo quello di mantenere, a fronte delle numerose forze di disturbo, unintercapedine di luce costante tra le parti in moto relativo, utilizzando elettromagneti. Nel sistema di trasporto dei wafer che descriveremo brevemente, i magneti permanenti vengono utilizzati in modo intelligente, combinandoli con elettromagneti in modo tale che il fabbisogno di potenza elettrica venga drasticamente ridotto. Questo fa s che il sistema di levitazione sia alimentato da una batteria a bordo del carrello di trasporto; in tal modo non sono necessari contatti meccanici che producono particelle per usura. Un progetto tipico consente il funzionamento su di un intero turno di 8 ore prima di dover ricaricare le batterie. Tutti questi vantaggi sono stati ottenuti abbandonando il requisito tradizionale dellintercapedine di aria di spessore costante, lasciando variare questultima in modo tale che il carico verticale sia supportato interamente solo dai magneti permanenti. Gli elettromagneti, che consumano potenza, vengono utilizzati soltanto durante le operazioni di transitorio per garantire stabilit. Fortunatamente, nelle applicazioni di trasporto dei wafer, pu essere tollerata unintercapedine di aria variabile, cosa che rende questo approccio realizzabile. In Figura 18.26 si fornisce un disegno schematico di un trasportatore a levitazione magnetica e del binario guida a esso associato. I carrelli devono essere guidati lateralmente e verticalmente da forza magnetica e sospinti longitudinalmente lungo la guida. Tutti i sistemi di guida e propulsione sono completametne a non contatto, cosicch non generano particelle di contaminazione per usura nelle clean room dove opera il sistema. Per la spinta viene utilizzato un motore a induzione lineare (LIM, linear induction motor), la cui velocit tipica di circa 1 m/s. Anche se su una scala molto pi piccola, questa tecnologia strettamente legata a quella dei treni a levitazione e propulsione magnetica sviluppata in Giappone e Germania da diversi anni a questa parte. La nostra breve discussione si concentrer interamente sui sistemi a levitazione. La caratteristica particolare la bassa potenza consumata, che consente un movimento spinto interamente da batterie che quindi evita la contaminazione per usura dovuta ai contatti elettrici striscianti o a rotolamento. Se avete mai giocato con un magnete permamente e un pezzo di ferro o acciaio, sapete che la forza di attrazione diventa tanto pi forte quanto pi si riduce lo spazio di aria tra il magnete e lacciaio. Se ripetete pi volte con attenzione lesperimento, troverete che la relazione fra la forza e la distanza magnete/ferro non lineare, bens caratterizzata da una forte curvatura. anche possibile analizzare il fenomeno per via teorica per ricavare equazioni predittive. I sistemi di levitazione utilizzati per i treni sono progettati per mantenere unintercapedine di aria costante e questo richiede una grande quantit di potenza elettrica per gli elettromagneti che vengono impiegati. I sistemi di trasporto dei wafer Toshiba possono tollerare unintercapedine variabile (ovviamente entro certi limiti) pur continuando a supportare tutte le funzioni necessarie, cosicch un cuscino daria a spessore costante non un requisito di progetto. Un

L. Peters, Residual Gas Analysis: A Technology at the Crossroads, Semiconductor International, ottobre 1997, pp. 94102; R. K. Waits, Controlling Your Vacuum Process: Effective Use of a QMA, Semiconductor International, maggio 1994, pp. 7984; In Situ Process Gas Monitoring in PVD Systems, UTI Div. of MKS Corp.; Mass Spectrometry Growth Seen in Benchtop, Process Areas, R & D Magazine, settembre 1996, pp. 7480; Effective Monitoring of Wafer Fab Process Gas Environments, UTI Div. of MKS, 1986. 37 Toshiba Space Linear System Technical Guide, Toshiba Corp., aprile 1987; M. Moroshita et al., A New Maglev System for Magnetically Levitated Carrier System, Toshiba R&D Center, Kawasakicity, Kanagawa, 210, Japan. 38 E. O. Doebelin, System Modeling and Response, Wiley, New York, pp. 423431, 1980.

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PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

440 nucleo primario LIM (220) Battery Inverter piano di reazione LIM

telaio del filtro HEPA barra di sospensione vassoio del cavo magnete ibrido scanalatura Inverter

nucleo primario LIM

binario ferromagnetico 420

Carrier

carico (scatola portante

(270) (360)

(510)

(a ) sezione trasversale

(b ) vista laterale

FIGURA 18.26 Sistema a levitazione magnetica Toshiba per il trasporto dei wafer. (a) vista della sezione trasversale; (b) vista laterale.

sistema a magnete permanente che utilizza forze attrattive (piuttosto che repulsive) pu levitare una vasta gamma di carichi se consentiamo una variazione dellintercapedine di aria. Sfortunatamente, sistemi di questo tipo sono instabili; il pi piccolo disturbo rispetto alle condizioni di equilibrio tra il carico supportato e la forza magnetica causa o la perdita del carico o la cattura da parte del binario. La stabilit pu essere garantita aggiungendo allo schema di progetto alcuni elettromagneti e un sistema di controllo retroazionato. Un algoritmo intelligente di controllo fa s che il sistema cerchi sempre lo spessore dello zoccolo daria in corrispondenza del quale il carico costante viene equilibrato esattamente dai soli magneti permanenti, mentre gli elettromagneti hanno solo un effetto transitorio che mira alla stabilit. Perci, gli elettromagneti (ogni qualvolta il carico diventa stazionario) restano inattivi per la maggior parte del tempo. Dal momento che i magneti permanenti non consumano potenza, il consumo complessivo dellintero sistema molto piccolo e pu essere fornito da batterie installate a bordo, che evitano i contatti striscianti o a rotolamento richiesti dai sistemi di trasmissione della potenza tra il sistema di trasporto e la struttura stessa. Successivamente vogliamo sviluppare un modello linearizzato per questo tipo di sistema, dal momento che tali modelli sono solitamente i migliori, per un approccio preliminare. Una volta che disponiamo delle equazioni del modello del sistema, scriveremo anche un programma di simulazione per verificarne le reali prestazioni. La Figura 18.27 mostra un diagramma schematico semplificato utile per le analisi. I sistemi di levitazione (sia ibridi sia di tipo elettromagnetico puro) richiedono solitamente sensori per misurare lintercapedine di aria (posizione del carico) e la velocit del carico. Questi segnali sono richiesti nel sistema di retroazione che fornisce la stabilit necessaria nelle applicazioni pratiche. Il sistema ibrido che stiamo studiando necessita inoltre di un sensore di corrente magnetica. Il segnale stesso di corrente utile per aumentare la stabilit e lintegrale della corrente risulta essere necessario per permettere al sistema di auto-regolare lintercapedine daria, in modo tale che tutto il carico venga supportato dai magneti permanenti (e non dagli elettromagneti) quando il carico stesso stazionario a un qualsivoglia valore allinterno dellintervallo di progetto. Cos com comune in molti sistemi elettromeccanici, per processare il segnale, si utilizzano circuiti elettrici con amplificatori operazionali a bassi livelli di potenza e il segnale in uscita dallamplificatore operazionale viene incrementato attraverso un amplificatore di potenza fino al pi elevato livello di potenza richiesto per far funzionare lattuatore. Lanalisi di questo tipo di sistemi richiede due equazioni di base: la legge di Newton per le parti meccaniche in movimento e la legge di Kirchoff alle maglie per il circuito elettrico. Queste due equazioni sono accoppiate perch la legge di Newton contiene al suo interno dei termini elettrici, mentre quella di Kirchoff contiene alcuni termini meccanici. Per determinare alcuni termini che compaiono in queste due equazioni di base, bisogna anche fare ricorso ai principi
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FIGURA 18.27 Diagramma schematico di un sistema di levitazione.

binario guida ferromagnetico


sensore dellintercapedine

elettromagnete magnete permanente

S carico

Zc

sensore di velocit

corrente sensore di corrente

sistema di levitazione a magnete ibrido

amplificatore di potenza

sommatore OP-AMP

dei circuiti magnetici. Cominciamo con la legge di Newton per il movimento verticale zc. Dal momento che questo sistema presenta diversi effetti non lineari e noi vogliamo linearizzarli, consideriamo lapproccio tradizionale e assumiamo che il sistema sia inizialmente allequilibrio con unintercapedine di aria zc0 al tempo t 0, quando vengono applicati i di-sturbi che causano piccole perturbazioni su tutte le variabili del sistema. Nelle nostre equazioni i simboli per tutte le variabili del sistema si riferiscono a queste piccole perturbazioni, non ai valori complessivi di queste variabili. Dal momento che non c contatto meccanico con il carrello trasportatore e si pu trascurare lattrito dellaria, le sole forze verticali che agiscono sono la forza magnetica fM e la forza di disturbo fU. (Ricordiamo che la forza di gravit stazionaria (il peso) esattamente bilanciata da una forza magnetica costante corrispondente alle condizioni di equilibrio assunte inizialmente; di conseguenza, questo peso non appare nelle nostre equazioni riguardanti lo stato perturbato.) La principale forza di disturbo nel nostro sistema causata dallaggiunta o dalla rimozione di masse di carico (wafer ecc.). Questo si traduce in una perturbazione della forza di gravit e un conseguente cambiamento nella massa M del sistema. La forza magnetica una funzione non lineare della corrente istantanea i e dellintercapedine di aria zc. In bibliografia, unanalisi teorica ricava, per questa forza, una formula utile al progetto di magneti. Una volta che lhardware disponibile, vengono svolti esperimenti che forniscono una descrizione accurata del comportamento della forza magnetica. Sia nel caso in cui ci si trovi nella fase preliminare del progetto (utilizzando un modello teorico), sia nel caso in cui ci si trovi nella fase di sviluppo sperimentale (utilizzando un modello basato sui dati misurati), il modello linearizzato ha esattamente la stessa forma poich, in entrambi i casi, la forza magnetica una funzione di due variabili indipendenti, lintercapedine di aria e la corrente. Forza magnetica = fM (zC , i) fM0

fM zC zC

fM i = fM0 i

Kfz zC

Kfi i

(18.9)

Le due derivate parziali vengono assunte costanti nellintorno del punto di funzionamento allequilibrio e sono ottenute in modo pi accurato come valori numerici ricavati da esperimenti. Scrivendo la legge di Newton per le sole perturbazioni otteniamo: M dz C dt 2 Kfz zC Kfi i fU (18.10)

Ora abbiamo bisogno di scrivere la legge di Kirchoff per le tensioni alle maglie riguardante gli elementi del circuito posti tra i terminali di uscita dellamplificatore di potenza. Questi elementi vengono pilotati dalla tensione di uscita dellamplificatore Eamp. Gli avvolgimenti in rame della bobina, posti sullelettromagnete e la resistenza in uscita dallamplificatore si combinano per dare una resistenza complessiva R. Quando gli elementi induttivi come le bobine dellelettromagnete hanno un moto che varia il circuito magnetico, abbiamo bisogno di partiCopyright 2008 - The McGraw-Hill Companies srl

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838

PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

colare cura nel modellare questi effetti nellequazione di Kirchoff. Nel nostro sistema, il flusso magnetico f che concatena lavvolgimento una funzione non lineare sia della corrente i sia dello spostamento zc, ossia f f(i,zc). Se spostiamo il sistema di magneti lontano (in teoria, infinitamente lontano) dal binario di guida in materiale ferromagnetico, gli effetti induttivi nelle bobine diventano insensibili al moto, ma rimane uninduttanza costante L . Lespressione generale per la tensione indotta su una bobina N(df/dt), ove N il numero di spire dellavvolgimento. Poich il flusso dipende da i e zc, possiamo ottenere unespressione linearizzata per la tensione come segue: N d(i, z C ) dt N

f di i dt

f dz C zC dt

(18.11)

Le derivate parziali vengono assunte costanti ancora una volta per piccole perturbazioni attorno alla posizione di equilibrio. Da misure sperimentali si ricavano risultati numerici molto accurati. LEquazione (18.11) non contiene termini costanti poich il punto di lavoro si ha in corrispondenza di un flusso stazionario e, cos, la derivata rispetto al tempo zero. Possiamo ora scrivere la legge di Kirchoff per la tensione alle maglie come: L di dt N d(i, z C ) dt Ri Eamp 0 (18.12)

che, nellapprossimazione linearizzata, diventa:

La Figura 18.28 lo schema a blocchi basato sulle Equazioni (18.10) e (18.13); mostra anche come Eamp venga prodotta dai segnali del sensore e dellintegratore. Ognuno di questi segnali viene moltiplicato per una costante regolabile (il valore C) e tutti vengono sommati come segue: Eamp Cd zC Cv C z Ci i Ci int idt (18.14)

f di i dt

f dz C zC dt

Ri

Eamp

(18.13)

Le Equazioni (18.10), (18.13) e (18.14) costituiscono una descrizione completa dellintero sistema di levitazione e possono essere direttamente utilizzate per tracciare un diagramma di simulazione, come mostrato in Figura 18.29. Lingresso del sistema una variazione a gradino nella forza di disturbo fU che corrisponde a un carico aggiunto istantaneamente di 1.5 kg di massa (forza di gravit 14.7 N). Il simbolo L viene utilizzato per rappresentare lintero coefficiente (induttanza totale) del termine di/dt nellEquazione (18.13), mentre Npz utilizzato
N* zC + i Kfi + + +

fU 1 di dt D fM 1 MD dzC dt Kfz 1 D zC

L + N * i

sensore di corrente

integratore

i Eamp OP-AMP pi amplificatore di potenza idt sensore del gap sensore di velocit

FIGURA 18.28 Schema a blocchi del sistema di levitazione.

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839
FIGURA 18.29 Diagramma di simulazione del sistema di levitazione.

Npz

241.
fU

1/L Lidot + 25. 1/s idot


10.0

40.

Kfi
1/s t

+ + +

1/M
0.10 1/s 1/s

zC

zCdot2
1.47e4

zCdot

R + + Eamp + + Sum3 Cd Ci
2.1

Kfz
z

Ciint
7150.

74.3

141.

Cv
t Clock1 Allo Workspace3 waferlev.m

. Alcuni valori numerici vengono forniti in letteratura da Morishita et al., ma io doz C vevo stimarne o indovinarne altri. Ho regolato i valori di tentativo fino a che la prestazione simulata non si trovata in accordo soddisfacente con una curva di risposta sperimentale al gradino, fornita in bibliografia nel riferimento citato. La risposta al gradino viene mostrata in Figura 18.30, dove possiamo vedere che la corrente va a zero a regime e lintercapedine di aria viene ridotta esattamente alla corretta entit (circa 1 mm) richiesta per garantire che il nuovo carico venga supportato dal solo magnete, senza alcun prelievo di potenza dalla batteria. Dal momento che la simulazione consente di studiare facilmente le variazioni dei parametri del sistema e degli ingressi, si possono ottenere piuttosto facilmente risultati analitici utili, combinando algebricamente le Equazioni (18.10), (18.13) e (18.14), per ottenere ununica equazione differenziale che lega luscita zC allingresso fU: per N D4

Kfi Cd

R L

Ci

Kfz (R Ci ) D ML D 2 (R Ci ) c D M ML

D3

Ci int L

Kfz M

Kfi ( Npz ML

Cv) d D2

Kfz Ci int zC ML Cint df ML U

(18.15)

8 6 4 2 0 2 4 6 8 10

x 104 zC, m

i, kA

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Tempo, secondi

FIGURA 18.30 Risposta del sistema di levitazione allaggiunta di una massa.

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PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

39

E. O. Doebelin, Control System Principles and Design, Wiley, New York, 1985, pp. 187191.

Si utilizza questa equazione per controllare la stabilit, che sempre potenzialmente un problema nel progetto dei sistemi di retroazione. Il criterio impiegato quello di Routh39.

18.6MMicroscopi con sonda a scansione (scanning probe microscopes)


Linvenzione, nel 1981, del microscopio a scansione tunneling (STM, scanning tunneling microscope) da parte di Binning e Roher presso lIBM di Zurigo (per questo essi ottennero il premio Nobel) ha condotto allo sviluppo di unintera famiglia di microscopi con sonda a scansione (SPM, scanning probe microscopes) che hanno rivoluzionato le tecniche sperimentali nello studio di tutti i tipi di fenomeni superficiali. Questi microscopi sono giustamente considerati in questo capitolo poich, nel loro funzionamento, essi non solo utilizzano le microtecnologie per il loro funzionamento, ma sono anche utilizzati per studiare fenomeni a livello di micro e nano scala. Mentre questi strumenti sentono, sostanzialmente, piccolissime correnti o forze (anzich i raggi di luce dei microscopi convenzionali), il termine microscopio adatto perch viene mostrata (su uno schermo TV) unimmagine degli effetti di microscala. La struttura di base di tutti gli SPM (STM inclusi) essenzialmente la stessa e si avvale in maniera massiccia di attuatori piezoelettrici che provvedono al controllo dei moti relativi tra la minuscola sonda di estremit e il campione da studiare. La Figura 18.31a mostra uno schema nella sua forma semplificata. Per avvicinare lestremit sensibile al campione viene utilizzato un controllo grossolano di posizione lungo lasse z (potrebbe essere un micrometro a vite). Una volta che lestremit sufficientemente vicina, il successivo posizionamento di precisione viene realizzato dallattuatore piezoelettrico, sotto controllo automatico. Poich la posizione relativa dellestremo e del campione la cosa importante, si pu muovere lestremit, il campione o entrambi; solitamente, si muove lattuatore. Le posizioni x e y sulla superficie del campione vengono, generalmente, percorse dalla sonda con una scansione secondo una precisa sequenza, con modalit simile a quella degli schermi TV. Durante la scansione, la posizione z viene controllata in modo preciso; il metodo di controllo dipende dal tipo di studio che deve essere compiuto. Quando viene terminata una scansione, abbiamo una serie completa di dati sotto forma elettronica x, y e z, cos possiamo costruire sul nostro schermo televisivo unimmagine del fenomeno misurato cos come varia sulla superficie del provino. La Figura 18.31b40 mostra alcuni dettagli costruttivi (incluso il sistema di sospensione elastica per lisolamento delle vibrazioni) di una unit pensata per essere utilizzata sotto vuoto molto spinto. In un STM il provino deve essere un conduttore o semiconduttore e, in aggiunta a quanto mostra la Figura 18.31a, tra il campione e lestremit della sonda viene applicata una differenza di potenziale (bias) fissa (nellintervallo tra 1 mV e 4 V). Una minuscola corrente, chiamata corrente di tunneling (tra 10 pA e 10 nA) fluisce tra lestremit e il provino, e viene misurata. Questa corrente comincia a fluire quando controllo la distanza tra lestremit della sonda e il Laser del gap campione di circa 1 nm, ovvero prima controllo fotodiodo a grossolano del reale contatto. Per risolvere nellimeffetto laterale dellaltezza magine il singolo atomo, lestremo sensicampione bile deve essere estremamente appuntito z y e, infatti, esso termina con un singolo atomo! Nelle applicazioni SPM, diverse x da quelle STM, il provino non ha bisogno di essere un conduttore (non viene usata elettrodo z tensione di bias) e, anzich misurare una elettrodo y corrente di tunneling, la sonda viene monelettrodo x tata su una minuscola mensola che viene impiegata come sensore di forza. La Figura 18.3241 mostra alcune caratteristiche piezoattuatore tubolare di queste mensole. Esse possono essere controllo della (gli elettrodi sono mostrati schematicamente, scansione prodotte (tipicamente 1400 per ogni wanon nella loro reale geometria) fer) con estremit sensibili integrate, utilizzando la tecnologia MEMS. Lestremit (a )
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40

Model VP@ UHV SPM, Thermomicroscopes, Sunnyvale, CA (www.thermomicro.com).

41

Thermomicroscopes (Park Scientific Instrument, Topometrix), Sunnyvale, CA, 800-7761602 (www.thermomicro.com).

FIGURA 18.31 Microscopio con sonda a scansione: (a) diagramma schematico.

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FIGURA 18.31 Microscopio con sonda a scansione: (b) dettagli costruttivi. (Conclusione)

42

sensibile pu essere di forma piramidale o conica; la forma conica da un lato ha estremit pi appuntite, (raggio di curvatura di circa 10 nm) che migliorano la risoluzione spaziale, e dallaltro presenta un allungamento migliore (3:1 rispetto a 1:1) per misurare le superfici laterali pi rigide e le incisioni pi profonde. Tornando ora allSTM, la corrente di tunneling dipende, secondo una legge esponenziale, dalla distanza estremit/campione; una variazione del 10 per cento (0.1 nm) su una spaziatura iniziale di 1 nm, causa la variazione di un ordine di grandezza della corrente42. Questo fa s che gli STM abbiano una notevole sensibilit. Unequazione approssimata43 per questa relazione I Kve
Bd

(18.16)

R. Howland e L. Benator, A Practical Guide to Scanning Probe Microscopy, Thermomicroscopes (Park Scientific, Topometrix), 1996, p. 3. 43 The Scanning-Probe Microscope Book, p. 9, Burleigh Instruments, Inc., Fishers, NY, 716924-9355 (www.burleigh.com). 44 R. Howland e L. Benator, op. cit.

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FIGURA 18.32 Barrette in microscala prodotte da processi MEMS.

PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

singolo elemento a mensola (di tipo opportuno)

microleve

mensola rettangolare (0.008 N/rad) per microscopia della forza laterale

QQ ;; Q ; QQ ;; Q ; QQ ;; Q ;
1.6 mm w (m) 18 36 13 22 18 36 13 22 t (m) 0.6 0.6 0.6 0.6 2 2 2 2

spigoli eliminati per un approccio facile al campione

piccola mensola (0.05 N/m 120 kHz) per le tecniche di modulazione in ac

grande mensola (0.01 N/m) per applicazioni delicate e biologiche

A B

3.6 mm
a b

.38 mm

Si

ultraleve
Forza teorica costante (N/m) Frequenza di risonanza teorica (kHz)

Type A B C D A B C D

L (m) 180 180 95 95 180 180 95 95

0.20 0.35 0.03 0.06 7.4 12 1.1 2.2

77 77 19 19 260 260 64 64

a:b tipicamente 3:1 negli UL300 ultraleva

44

R. Howland e L. Benator, op. cit.

ove K una costante di proporzionalit, I la corrente di tunneling, B una costante proporzionale alla radice quadrata dellaltezza di barriera tra lestremit della sonda e il campione, d la distanza tra sonda e campione, e v la tensione di bias tra sonda e campione. La Figura 18.3344 illustra questa relazione, includendo una curva reale misurata per confrontarla con la teoria. (In Figura 18.33 e nella maggior parte della letteratura, comune lutilizzo di una unit di misura della lunghezza non appartenente al SI, langstrom (), ove 1 = 0.1 nm). Si pu effettuare la scansione di un campione secondo una qualsiasi delle seguenti modalit: altezza costante o corrente costante. Nella tecnica ad altezza costante, lestremit della sonda viaggia lungo un piano orizzontale al di sopra del campione, mentre viene registrata la corrente come funzione della posizione (x, y). Questa modalit consente scansioni veloci perch non necessario aggiustare la z, ma utile solamente per superfici relativamente lisce. Nella modalit a corrente costante, la posizione lungo z dellestremit viene regolata per mantere costante la corrente durante la scansione, cosa che comporta maggior tempo di realizzazione. Con la corrente mantenuta costante, anche la distanza estremit-campione sar costante; cos, la posizione secondo z segue accuratamente la topografia della superficie del provino. Dal momento che richiesta al campione unadeguata conducibilit, gli STM possono richiedere di essere utilizzati in ambienti sotto vuoto spinto, poich laria dellambiente
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FIGURA 18.33 Modello teorico e risultati misurati per la relazione tra corrente e gradino daria nel microscopio con sonda a scansione.

105 Corrente di tunnel (pA)

103 Vbias = 1v 101 1 Vbias = 0.1v Vbias = 0.01v 2 calcolata misurata 4 6 8

Gradino di tunnel ()

provoca la formazione di uno strato di ossido superficiale. Lelevata sensibilit pu inoltre richiedere un elevato grado di isolamento45 della struttura dalle vibrazioni e da sorgenti di rumore acustico. Quando non viene applicata tensione di bias tra letremit e il campione, e viene utilizzata una piccola mensola sensibile per mappare la topografia della superficie, la tecnica viene spesso chiamata microscopia a forza atomica, atomic force microscopy (AFM)46. In tal caso, le forze atomiche che agiscono tra lestremit della sonda e il campione sono lelemento importante per il funzionamento e verranno brevemente discusse. La forza interatomica, chiamata forza di Van der Waals, significativa per gli AFM; la sua variazione con la distanza tra estremit sensibile e campione viene mostratata in Figura 18.34. Quando lestremit della sonda e il campione sono molto vicini (pochi angstrom di separazione), la forza repulsiva d luogo allo stato di contatto mostrato con ombreggiatura. Lo stato di non contatto si ha per distanze variabili da decine a centinaia di angstrom; qui, la forza attrattiva. La microscopia AFM pu sfruttare tre diverse modalit di misura: a contatto, a non contatto e intermittente. Nella modalit a contatto (anche chiamata repulsiva), le sonde a mensola effettuano un contatto fisico leggero con il campione; viene utilizzata una mensola con una costante elastica pi piccola della costante elastica efficace che tiene uniti gli atomi del campione. Lintensit del legame di Van der Waals in questa regione fa si che, quando lestremit della sonda preme contro il campione, la barretta flette piuttosto che forzare gli atomi della punta ad avvicinarsi agli atomi del campione. (Se si utilizzasse una barretta molto rigida, la superficie del campione risulterebbe deformata, dato che verr mantenuta la distanza tra estremo e provino. Questo fenomeno pu essere utilizzato per modificare intenzionalmente la superficie del campione, un processo chiamato nanolitografia, che con gli STM pu essere realizzata con impulsi ad alta tensione. Questo apre la possibilit di manipolare atomo per atomo i materiali per creare le propriet desiderate; tuttavia, il processo , attualmente, troppo lento per avere una
Forza forza repulsiva contatto intermittente

45

R. Wiesendanger, Scanning Probe Microscopy and Spectroscopy, Cambridge University Press, New York, 1994, pp. 8487. 46 R. Howland e L. Benator, op. cit., pp. 513.

distanza contatto
(separazione estremit - campione)

noncontatto

forza attrattiva

FIGURA 18.34 Il comportamento della forza interatomica di Van der Waals nella microscopia a forza atomica.
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PARTE 3MMANIPOLAZIONE, TRASMISSIONE E REGISTRAZIONE DI DATI

47

R. Wiesendanger, op. cit., pp. 241245.

48

J. Leckenby, SPM Techniques Evolve Rapidly Using Diverse Probe Materials, R&D Magazine, aprile. 1999, pp. 3537.

effettiva applicazione pratica). Quando si utilizza la modalit a contatto in aria, va anche considerata una forza capillare dovuta a un sottile strato di acqua che aderisce al campione e che si avvolge attorno allestremit sensibile. Questa forza, di circa 10 8 N, tende a mantenere lestremit a contatto con il campione. La forza complessiva che lestremo sensibile esercita sul campione la somma della forza capillare e di quella della barretta, che deve essere bilanciata dalla forza repulsiva di Van der Waals. La forza totale sul campione , tipicamente, tra 10 7 e 10 6 N. LAFM a contatto pu utilizzare due metodi: ad altezza costante e a forza costante, con quello a forza costante che viene preferito nella maggior parte delle applicazioni. In questo caso, la deflessione della barretta viene mantenuta costante (utilizzando un sistema di retroazione), cosicch lestremit sensibile segue la superficie del campione durante la scansione; la forza totale sul campione risulta pure costante. Nella AFM a non contatto, viene fatta vibrare una mensola rigida ad alta frequenza (da 100 a 400 kHz) con uno spazio tra lestremit e il campione compreso tra decine e centinaia di angstrom (vedere la Figura 18.34) e con forze sul campione molto basse (circa 10 12 N). La topografia del campione pu essere misurata attraverso un contatto leggero o addirittura assente, senza contaminazione da parte della testa sensibile, cosa utile per provini teneri o elastici o nel caso di wafer di silicio, che vanno conservati puliti. Per prevenire forze di attrazione derivanti dalla spinta dellestremit sensibile verso il contatto, si utilizzano barrette molto rigide. Questo fatto, unitamente alla bassa entit della forza, sta a significare che il segnale di spostamento della barretta molto piccolo e richiede una rilevazione molto sensibile di tipo ac. Lalta frequenza di oscillazione viene fornita attraverso un piezoattuatore separato, fissato alla base della mensola e che lavora vicino alla frequenza di risonanza della mensola stessa, che pu essere modellata come un sistema dinamico del secondo ordine lievemente smorzato. La frequenza di risonanza della barretta non dipende soltanto dalla sua massa e rigidezza, ma anche dalla rigidezza delle forze che agiscono tra estremit e campione. Vale a dire che queste forze sono assimilabili a forze elastiche poich cambiano con la distanza e contribuiscono cos con la loro rigidezza a quella intrinseca della barretta rendendo la risonanza dipendente dalla distanza tra sonda e pezzo. Possiamo misurare questa distanza misurando la variazione della frequenza di risonanza; comunemente si utilizzano due metodi47. In uno vengono misurati lampiezza del moto dellestremit o lo sfasamento tra il segnale di ingresso fornito dal piezo e la risposta in termini di deflessione dellestremo (entrambi cambiano quando cambia la frequenza di risonanza) e questi vengono utilizzati in un sistema di retroazione, per mantenere costante la distanza tra lestremit e il campione durante la scansione. Nellaltro metodo, che consiste in una misura diretta della frequenza, si utilizza un contatore per misure di frequenza. La microscopia a contatto intermittente (vedere Figura 18.34) (tapping mode) simile al metodo a non contatto, a esclusione del fatto che lestremit vibrante viene portata abbastanza vicino al campione in modo che il contatto si verifichi solo nella parte pi bassa. Nella rappresentazione della topografia della superficie si preferisce questa tecnica rispetto al metodo a non contatto quando una vasta area di scansione porta a importanti variazioni nella topografia del campione. Abbiamo cos coperto quelle che possono essere chiamate le modalit di base della SPM e ora ci spostiamo verso unampia variet48 di tecniche speciali. Tra queste sono incluse: 1. 2. 3. 4. 5. 6. 7. 8. Microscopia a forza magnetica (Magnetic Force Microscopy, MFM). Microscopia a forza laterale (Lateral Force Microscopy, LFM). Microscopia a modulazione di forza (Force Modulation Microscopy, FMM). Microscopia a misura di fase (Phase Detection Microscopy, PDM). Microscopia a forza elettrostatica (Electrostatic Force Microscopy, EFM). Microscopia a scansione capacitiva (Scanning Capacitance Microscopy, SCM). Microscopia a scansione termica (Thermal-Scanning Microscopy, TSM). Microscopia a scansione ottica in campo vicino (Near-field-Scanning Optical Microscopy, NSOM).

La maggior parte di queste modalit speciali richiede solamente modifiche riguardanti la tipologia della sonda e, forse, alcune variazioni nel software di lavoro; lo strumento di base ampiamente invariato. La microscopia a forza magnetica utilizza una estremit ricoperta da un sottile film ferromagnetico e opera in modalit a non contatto. Limmagine contiene sia inforCopyright 2008 - The McGraw-Hill Companies srl

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mazioni sulla topografia sia magnetiche, dipendenti dalla distanza estremit/campione; le immagini raccolte a differenti distanze consentono la separazione dei due effetti (quelli magnetici sono predominanti alle distanze maggiori). La microscopia a forza laterale misura le deflessioni di torsione della barretta, generate dalle forze parallele al piano che contiene la superficie del campione e consente lo studio di effetti quali lattrito statico e dinamico49. Poich anche le variazioni di pendenza della superficie del campione originano forze laterali, sarebbe opportuno raccogliere simultaneamente immagini LFM e topografiche, per poter separare gli effetti. La microscopia a modulazione di forza utilizza il metodo a contatto ma con laggiunta, allestremit, di una forza in direzione z ad alta frequenza e ampiezza costante. La misura della deflessione causata da questa forza fornisce dati sulle propriet elastiche del campione. Poich la larghezza di banda del controllo di movimento lungo z dello scanner molto pi bassa della frequenza di oscillazione della forza, possiamo effettuare una scansione a forza (media) costante nella maniera usuale e utilizzare un filtro per ottenere, simultaneamente, informazioni sullelasticit e sulla topografia. Per valutare le propriet dei materiali a un livello microscopico, si utilizzano anche le curve forza/deflessione, con piccole variazioni di forza in corrispondenza di posizioni fisse (x,y)50. I microscopi a riconoscimento di fase utilizzano sempre una barretta vibrante, ma, in questo caso, viene misurato lo sfasamento tra la forza in ingresso e il moto in uscita. Ricordiamo che questi materiali hanno sia propriet elastiche, sia propriet smorzanti e queste possono essere misurate in termini di sfasamento, come appena detto. Il microscopio a forza elettrostatica applica una tensione tra lestremit sensibile e il provino mentre la barretta percorre la superficie, consentendo la misura della densit di carica superficiale. Una tale sonda per misura di tensione, viene per esempio utilizzata per testare su microscala i chip dei microprocessori. I microscopi a scansione termica utilizzano una sonda termica, per esempio del tipo a resistenza di film sottile51, integrata in una sonda a contatto di tipo tradizionale. In funzione del tipo di sonda utilizzato, si misura la temperatura o la conducibilit del campione. La microscopia ottica a scansione in campo vicino utilizza una sonda con un imbuto di luce la cui estremit di circa 50 nm di diametro e che viene mossa per la scansione superficiale in uno spessore compreso entro 10 nm dalla superficie. Il limite nella risoluzione dei comuni microscopi ottici la lunghezza donda della luce utilizzata per formare limmagine. Nei NSOM, la risoluzione si determina attraverso la dimensione dellapertura, che pi piccola della lunghezza donda della luce. Tuttavia, esiste un limite di utilizzo inferiore (allincirca 20 nm); al di sotto di tale valore la luce troppo poca per formare unimmagine utile. La nostra breve discussione ha presentato i principi di funzionamento di base dei microscopi con sonda a scansione e ha segnalato un certo numero di riferimenti bibliografici che illustrano come questi vengano utilizzati per studiare i fenomeni su micro e nano scala. Sono in via di sviluppo i metodi che consentono una scansione pi rapida di ampie aree52. inoltre citato un riferimento bibliografico incentrato su studi riguardanti lattrito, ma che presenta anche informazioni generali53.

49

Appl. Bull. 10, gennaio 1999, CSEM Instruments, Micro Photonics, Inc., Irvine, CA, 949-461-9292 (www.microphotonics.c om). 50 Nanoindentation with Spherical Indenters, Appl. Bull. 11, maggio 1999, CSEM Instruments. 51 M. Wendman et al., Scanning Thermal Microscopy, Digital Instruments, Division of Veeco Inst., Foments Inc., Santo Barbara, CA, 1997, 800-873-9750 (www.di.com). 52 S. C. Minne, S. R. Manalis, e C. F. Quate, Bringing Scanning Probe Microscopy up to Speed, Kluwe, Boston, 1999. Handbook of Micro/Nano Tribology, Capp. 1, 2, 6, 7, 10, 13, e 16. Cleveland Rubber Publishing Co., Cleveland, Ohio.

BIBLIOGRAFIA
1. 2. 3. Gad-el-Hak (ed.), The MEMS Handbook, CRC, Boca Raton, 2001. Lyshevski, S. E., Nano- and Microelectromechanical Systems, CRC, Boca Raton, 2001. J. Bernstein, An Overview of MEMS Inertial Sensing Technology, Sensors, febbraio 2003, pp. 1421.

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