· E SCENZE

edizwne italiana di SCIENTIFIC AMERICAN

Lire Millecinquecento Novembre 1978 Nurnero123

La microeleuronica

La cop ertina

Articoli

8 LA MICROELEITRONICA di Robert N. Noyce

Un'introduzione all'argomento di questa fascicolo.

16 GLI ELEMENTI DEI CIRCUITI MICROELEITRONICI di James D. Meindl

Migliaia di transistori trovano pOSIO su un singolo chip.

28 L'INTEGRAZIONE SU LARGA SCALA DEI CIRCUIT"! MICROELETIRONICI di William C. Holton

Gli elementi su un chip tom:ano un tutto unico.

42 LA FABBRICAZIONE DEI CIRCum MICROELETfRON1CI di William G. Oldham .

Disegnati in grande scow, i circuiti vengono ridorti fOlograficomente. 68 LE MEMORIE MICROELETIRONICHE

ill David A. Hodges

I chip di memoria 0. transistori immagazzinano fino a 16 000 bit.

84 lL MICROELABORATORE

di Hoe-Min D. Toong

Un'unit« centrale di elaborazione su un singolo chip.

106 LA MICROELBITRONICA NELL'ELABORAZIONE DEI DATI di Lewis M. Terman

I componenti microelettronici determinano le prestazioni del calcolatori.

114 LA MICROELETTRONlCA NELLA STRU:MENTAZIONE E NEL CONTROLLO

di Bernard M. Oliver

I microelaborator; potenziano macchine e strumenti di misura.

126 LA MICROELETTRONICA NELLE COMUNICAZIONI ill John S. Mayo

Trova un settore di impiego ideate.

140 MICROELETTRONICA E INFORMATICA ill Ivan E. Sutherland e Carver A. Mead

Il progresso microelettronico sollecita innovazioni teoriche.

158 LA MICROELEITRONICA E IL CALCOLATORE PERSONALE di Alan C. Kay

Fra breve i calcolatori tascabili avranno fa capacua del grandi calcolatori.

Rubriche

2 AUTORI

4 SCIENZA E SOCIETA 174 GIOCHI MATEMATICI 178 LffiRI

182 NOTE BIBLIOGRAFICHE

numero 123 novembre 1978 anno Xl

'volume XXI

LE SCIENZE

.J~;.", ;,,"i'N'; SCtENTIFIC AMERICAN

La fotografia della copertina (fatta da Fritz Goro nel Laboratory for Applied Microscopy, della E. Leitz, Inc.) simbolizza il tema a cui e dedicate questo fascicolo d.i eLe Scienze»: la microelettronica, ossia la tecnologia che consente di sistemare complessi circuiti elettronici su chip di silicic delle dimensioni di circa un centimetre quadrato. L'area verde-azzurra, al centro dell'immagine., e un singolo chip, un circuito logico integrato di alta velocita fabbricato dalla Texas Instruments per un calcolatore della Honeywell Information Systems. Sistemati attorno al chip vi sono 40 conduttori di rame ricoperti di stagno che 10 collegano con l'esterno.

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LE SCIENZE

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numero 123 novembre 1978 anne xr

volume XXI

La microelettronica

La possibilita di disporre un gran numero di componenti
elettronici su un singolo «chip» di silicio ha consentito
un enorme progresso delle ap parecchiature elettroniche LOl~.o.n. e ... ?_.e. il.~ t~c~o.l?gia .elettromea negli ultimi dieci anru e stata

cosl rapida da venire spesso definita una rivoluzione, Si tratta di una definizione giustificabile? 10 penso che la risposta debba essere affermativa. e vero che i progress! cui abbiamoassistltnsono in gran.parte ilrisultato di una costante evoIuzione quantitativa: componentielettronici sempre piiL piccoli, in grado di compiere funzioni sempre piu complesse a un coste sempre pit ridotto, Eppure ¥i·e stata anche una vera rivoluzione: ua cambiamento qualirativo nella tecnologia, ossia il circuito integratomicroelerrronico, baportato un carabiamento qualitativo nells possibilita umane.

None un'esagerazlone il dire ehe Ia rnaggior parte del progresso tecaologico degli ultimi dieci anai estate reso possibile dalla microelettronica .. Apparecchiature di rilevamento e controllo miniaturizzate e altameuteaffidabili costituiscono componenti essenziali dei co mples si sistemi che hannno consentito di portare l'uomo sulla Luna e di esplorare Marte, per non dire del molo che queste svolgono in campo militare. Circuiti microelettronici costirulscorro anche il «cuorea di

I

eli Robert N. Noyce

nuovi prodotti che spaziano dai satelliti percomunlcazioni ai ca1colatori tascabili eagli orologi can quadrante .numerico. Uo po' pill sottile ma probabilmente ancor pin significativa e J'influenza della mieroelettronica nel campo dei.calcolatori. La capacita dei calcolatori di memorizzare, elaborare ecomunicare le informazioni e stata notevolmente aumentata. Inoltre in molti casi 5i eo poruta aggiungere la potenza di elaborazione di un calcolatore a strumenti di uso molto comune: dalla macehina per scrivere all'apparecchiatura industriale di controUo.

La rivoluzione dena mieroelettronica e ben Iontana dall'essere rerminata. Stiamo an cora apprendendo a sviluppare Ie p08- sibili ta del circuiti integrati, verificando nuove teorie e progettando nnovi cirouiti Ie cui caratteristiche possono venire anoora rnigliorate di un ordine di grandezza. E sriameanche rendendoei conto-con molta lentezza delle implicazioni intellettuali e sociali del «calcolatore personale» abe consen tea tutti I 'accesso a grandi masse di inrormazioni.

Ouesto numero di «Le Scienze» dedicato alla microelettroaica Indaga sulla natura degli elementi cbe costimiseono i

I miemelreultt scld~rati nella 6gura a £roote sono deiraieroelahoratnti, Og:l;!II!lO deiqnali eqmvalealI'u.nita centrale di daborarlone di nn piccolo ealcolatere, La fotogtafia mostra Mil porzlone di nn «w.afer»,II.1!!I (etta sottllemenucristallina Iii siliclosnlla qu.ale sene stati prodot1i i circuit], ingrandita lOy.olte. Un .sing.olu ebculto, 0 «chip», !:l mostrato in grandezza naturale sopeaquesta dil.lascalia. Dopo ehe i circniti.son-o stati p:rodotti sul wafer, vengo.nocon.troUa.ti, separati, mnDiD del fill ill collegamente e incap.mJati. Quest,o microelablrratore e il modeno 808S della Intel Corpuralion,che in corp ora. 6Z00 transistori e pDO esegnire 770 000 istruzinai al Sl;!eondo.lI.chlp piu picc-olo al centro a destraserve per contrcllare il wafer nel eerso delle varie fasi di preduzione,

circuiti integrati, !a progettazione e la costruzione-dei circuiti integrati su larga scala, un ampio spettro delle lore applicazioni e aicune delle: lore implicazioni per il futuro. In questa articolo desidero innan ~ zitutto dimostrare come 1 'evoluzione 'delIa microelettronica sia un esempio dell'interazrone coil tin uaIra tecnologia ed econornia .. Le piecole dhnensioni dei microclrcuiti eo stata Importante.per molte applicazioni, ma Ie eonseguenze maggiori di questa nueva tecaologia sono state la migliore.riproductbilita dellefunzioni elettroniche.Ja Ioro maggiore affidabilijae if loro minor coste, Ogni progresso teenoIogico ha portato a una riduzionedei costi e ciO ha promosso applicazioni sernpre pill vaste.

Tutto e cominciato 30 anni fa con I'introduzione deltransistore: un amplificatore piccolo, a basso consumo, in grado di. sostinrire Ia valvola termoionica, ingombrante e con elevate assorbimento di potenza. La realizzazione quasi sirnultanea del calcolatore numerico programmabile form un grosse mercato potenziale per il transistore. L'interazione 'sinetgica fra un auovo prodotto e una nueva applicazionecendusse a una erescitaesplosiva di entrambi, n calcolatore costituivail mercato ideale per il transistore e i circuiti 'integrati allo state solido, che il transistoregenero prontarnente, un mercato molto piiL ampio di quello delle aJmlic-azionitradizionali dell 'elettroniea nelle telecomunicazloni, La ragionee che i circuiti di elaborazione numeriea richiedono un numero di componentl attivi motto grande in confronto ai sistemidi amplificazione analogica, come Ie radio.

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Quatlro chip dilIe.renti mostrano l'ampio spettro di applieazioul dei microcircuiti. A smlstra si vede un ·ciJcuito illlegrat.o su larga scala: un microelabom.tore prodotto daIla Rockwell lnte.matioDaJ Corporatiou. OltreQi· component! logic di UIU! unita centrale dl elaberazioaeesso

In questi circuiti ogni elemento semplicemenre conduce 0 non conduce, II secondadel segnale al suo ingresso. Anche quando vengano connessi un gran numero eli circuiti artivi, la loro uscita continua a rirnanere semplicemente on od off; il guadagno ill ogni singolo stadio e unitario, COS) che anche il guadagno ill pill stadi in eascata e sempre uno. Nei eircuiti analogici, invece, si ha normalmente un'amplifioazione del segnale in ingresso. Poiche ilguadagno di ogni amplificatore ·e. normalrnente interne a 10, basrano pochi stadi in cascara per raggiungere j limiti di tensione applicabili ai microcircuiti .. Un sistema ana1ogico non pub quindi richiedere una gran quantita di microcircuiti, al contrario.dei sisterni numeriei. Un caleolatore rascabile contiene cento volte piu transistori di una radio 0 di un apparecehio relevisivo,

MaJgrado Iacompatibillta intrinseca della tnicroelettronica e del calcolatore, e un fatte che i primisforzi verso la rniniaturizzezione deicomponenti elettrcnici non sono stati avviati dai costruttori di calcolatori, In realta Ie eolossali possibiliHI dei calcofatori numerici non vennero int\lite Irnrnediatamente. Gli sressi uornini cbe realizzarono il p.rimo calcolarore avevano l'irnpzessione che quattro calcolatori, uno piu, uno meno, avrebbero potuto soddisfare Ie necessita di calcolo del moudo interol In vece vari programmi spaziali e missilistici richiedevano I 'installazione di complessi sistcrni elettronici in

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'conduttori come i1 germanioe il silicio potevano venire messe a Erutto molto meglio di quanta non era state fatto con il rraasistore. La resistenza iatrinseca del semieonduttore stesso e 1a "capacita delle giunzioni fra le regioni a eonduttanza positiva (p) e negativa (n) cbe potevano venire formate in esso rendevano possibile la realizzazione di circuiti contenenti transistori, resistori e condensatori sulla rnedesima lastrina di semiconduttore (si veda l'articolo Gli elemenii dei oircuiti microelettronici di lames D. Meindl, a pagina 16). Nel 1.953 Harwick Johnson della Radio Corporation of America richiese un brevetto per un oscillarore a sfasamento realizzato seeondo tale principio su una singola lastrina di germanic. .L'idea venne estesa cia W. A. Dummer del Royal Radar Establishment in Inghilterra, Jack S. Kilby della Texas Instruments 'Inc, e da Jay W. Lathropdei Diamond Ordnance Fuze Laboratories,

Primacbe potesse venire realizzato n potenziale nascosto nei circuiti integrati furono necessari alcuni progressi de terminanti, Verso Ia meta degli anni cinquanta divenne possibile definire la configurazione superficiale dei transistori can mezzi fotolitografici e venue sviluppato il meta do della diffusione nello stato solido per introdurre nel serniconduttore Ie impurezze necessarie peT produrre Ie zonep en. Lafabbricazione dimolti transistori sa una smgola fetta (wafer), taglia-

tnecrpora i circaiti dl Ingressn-nsetta e una memoria di sola [ettura ttl reticolo regolare inalto Q. destra). n seconde da sillistra ll. nn altro ci.:rcuilo Integrato SIt Iarga scalae una memoria asemicondultod prodot(a dalla Eail'child Semiconductor. La sua struttura regolare e earatteri-

apparecchiarure che ponevano grossi limiti alle dimensioni, al peso e alla potenza disponibile, Pertanto la tendenza alla miniatarizzazione e stata prorncssa dagJi enti militari e spaziali.

Inizialmente si tento di miniaturizzare i componenti convenzionali. A tale scopo il National Bureau of Standard varo il «progetto Tinkertoy» con I'obiettivo di incapsulare i vari componentiin un involucra standard rettangolare, che consentiva Dna disposizione pi"u compatta dena rradizionale forma cilindrica. Un altro approecio puo venire detto di «ingegneria molecolare». La pessibilita di sostiruire Ia valvola termoionica con il translstorefece pensare ana possibilita di trovare altri sostitu ti del genere, cioc alla possibili fa di trovare n uovi materiali che consentissero La realizzazione di dispositivi aUo stato solido in grado di effettuare funzioni diverse dall'amplificazione. Ouestitentativi fallirono ampiameute 10 scope, rna reclamizzarono 1a necessita della. rniniarurizzazione e la posslbilita di una ricompensa economiea per chi riuscisse a realizzare qualche tipo di circuito elertronico rniniaturizzato. Molti si rnisero eosl in gar a, perche era chiarocbe v'era un mercato pronto a prerniare l'inventore,

La soluzione al problema risnlto essere i1 eircuito Integrato.a semicondattori, l'idea del quale aveva ceminclato a prendere forma solo pochi anni dopo l'invenzione del tran sis tore. Parecchi rieercatori compresero che Ie caratteristiche di semi-

n e di !Doln circniti. A destra lnfine si vede un (<transistore Darlington» a grande guadag)10 della Mot.orola Semiconductor Products we. In quest 0 dispositivo, due transistorl hanno una potenza snffid en te per pilo'" fare un circuitodi deflessione: orizzontale di un apparecchlotelevislvo,

snea dei circuiti di memoria, n terzo e un circuito lnregrato so piccola scaJa, unampfifieatore operaztenale prodotlo dalla RCA Corporation. Si trarta di un amplificatore a guadagn 0 variabile con uscita direttam en te proporzionale aD'entrata,che serve come «mattone» per Ia costruzio-

cativa dalle previsioni di Moore. E non vi sono neppure segni di un rallentarnento della tendenza aliaeomplessita, anche se alla fine sara inevitabile una deviazione Dalla crescita esponenziale, La tecnologia e ancora lcntana dai limiti imposti delle leggi fisiche fondamentali; lacorsa alia miniaturizzazione vena piu probabilmente frerrata da conslderazloni eeonomiche piil che dalle leggi fisiehe,

tada un grosso monocristallo di germanic o di silicio cemincio a soppiantare .il veechio metodo di produzione dei transistori uno a uno. Le centinaia omigliaia di transistori che potevaeo venire -prodotli su un, solo wafer dovevano pero sempre venire separati, connessi uno a Uno ai fili di collegamento con microsaldature, incapsulati e infiae concessi a 'formare un circuito.

D circuito integrato, come l'abbiarno concepito e sviluppato presso Ill' Fairchild Semiconductor 'Oe11959 .realizza Ie separazioni e Ie intereonnessioni ira i rransistori e gli altri elementieircuitali con mezzi elettrici .piil che fisici, Le separazioni vengono realizzate can diodipn, 0 rettificatori, cae consentono il passaggio della corrente elettrioa in una sola direzione. Questa tecnica venue brevettata daKurt Lehovec deUa Sprague Electric Company. I component! del. circuito vengono ccnnessi con un film conduttore rnetallico, che vlene fotoinciso per lasciare solo leconnessioni desiderate. Per separare.il semiconduttore sottostante dal film. metallico, tranne dove deveavvenire il COI).tatto, e necessario un film isolante, Il processo per La realizzazione di tale strata isolan te e stato messo a punta nel19 58 da Jean Hoerni presso 1a Fairchild, quando invento il transistore planare: sulla superficie del wafer gi a trattate e prima di evaporarvi il film metallico, viene forma to un film di biossido di silicic, uno Dei migliori isolanti conosciuti.

Da allora sono state inventate altre

teenologie che consentono un lavoro pin flessibile alprogettista di circuiti integrati, rna i metodi fondamentali erano gilt disponibili nel1960 e cost ebbe inizio I'era dei circuiti integrati, II progresse a partire da quel memento e stupefacente allehe per chi e vissuto al centro dell 'evofuzione tecnologica. Un singolo eircuito Integrate su un chip di un centimetre quadrate comprende ora piu component! della pit!. cornplessa appareechiatura che poteva venire realizzata nel 1950. Un microcalcolatore d.i oggi, a un costa di forse mezzo milione,ha una capacita di calcolo maggiore del prime grosse calcolatoreelettronicc, ENlAC.E 20 volte piu veloee, ha una memoria piu capace"e migliaia di volte piuaffidabile.consuma una potenza Simile a quella di una lampadina aaziehe ill una locomotiva, occupa un volume 3'0 000 volte .inferiore 'e costa 10 00.0 volte di meno.E si puo ordinate per posta da' un distributore.

Nel 1964, avendo notatocbe,. dal memento della messa in produzione del transistore planare, il numero Dei componenti presenti nei circuiti integrati piil avanzati raddoppiava ogni anno, Gordon E. Moore, all era dirertore della ricerca presso la Fairchild, fa il primo a prevedere i progressi futuri dei circuiti integrati. Egli ritenne che la lorocomplessitli avrebbe coutinuato a raddoppiarsi ogni annoe oggi,di fronte a circuiti che cootengono 2]8 (262144) componenti.rron.si e ancora osservata una deviazione.slgnlfi-

T a cres~ita dell'ind_ustr.ia microe1~ttron!L ca eunesempro dl quanto l'investimente nella rieerca possa essere in grado di produrre epportuaita irnprenditoriali, di lavoro e eli commercio con I 'estero. Dopa I'introduzione Dei circuiti.integrati, nei primi anni sessanta, it lore consumo mondiale crebbe rapidamente raggiungendo un valore di quasi UD miliardo di dollari nel 1970. N el 1976 il consume mondiale si e piu ehe triplicate, raggiungendo i 3 miliardi c mezzo di dollari, Di questa totale Ie industrie stamnitensi hanno prodotto per '2miliardi: e mezzo, circa il 70 per cento, di cui un miliardo esportati. L'importanza dell 'in dus tria elettronlca e pero mclto maggiore di quanta possano far immaginare queste cifre ; meno del 10 per cento del "alate delle appareechiature elettroniche e dovuta al costodei circuiri integrati. Un minicalcolatore da 100QO dollarieontiene meno di 1000 dollari di microcircuiti e un televisore da 300 dollari necontiene menodi: 30. Oggi I'intera industria elet-

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Quesmmtcrecaleolarore, IMSAI 8048, _prodotto dalla IMSAI Mannfa.ctmingCorporadon riunisceciic('Ui.ti inte.watie altrl eomponenti so una carteliaa di 20 x 25 em. n mieroelahoratore- e i1 chip qnadrato del COD tenftore grigi 0 chiaro al cen tro verso il basso, I sedicl contel1itori in basso a destra cesnudsceno una memoria adaceesso casnale di2000 (2 K) parole (byte) pari a 16 384 bit. Il contenitore chiaro

vicioo a questa eana memoria a ,sola Iettura d.f2 K·byte in .aggiunta alla mcmol"iadi programma. di 1 K·br.le eontenuta nel miGoelaboratore. Novediodi aemissiene di luce (a sinistra .deUa tastiera)costiluiscono un indleatore alfanumerleo, Que!)lo e un caleolatore di controjle in grado, peresemplo, di seguire un'opera.zione e pllotare dei commutaterl per controllarla, per mezzo di rele atruatori (legrossescatole nere} ,

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- - --- - - -_ -- ~ ..

tronica mondiale, can una pzoduzione per un valore di 80 miliardi di dollari, dipende in qualche misura dai circuiti integrati,

La sostituzione dei componen ti discreti mediante circuiti integrati porta a una riduzione dei costi non solo perche i microcircuiti sono dl per se ecorrornici rna anche per tutta una serie di altre ragioni. Innanzitutto il eircuito integra to gia contiene motte delle tnterconnesioni riehieste dai componenti discreti, cosa che fa risparmiare lavcto e rnateriali. Leinterconnessioni deicirciriti integrati sono poi molto piu affidabili delle giunzioni seldate 0 con connettori, il che riduce la manutenzione. Datoche.i circuiti in!egrati sana molto piu piccolie richiedono una minor potenza dei componenti discreti che hanno soppiamato, reo dono possibili dei risparmi nelle stnrtture di supporto quali gli arrnadietti e anche nei trasformatori nei ventilatori di raffreddamento. Net corso della produzioae occorrono meno controlli, in quanta il corretto fun zi on am en to dei circuitiinregrati e gia stato verificato. Imine 1 'utente puo risparmiare soli 0 spazio destinate alIe apparecchiature, sull'energia elettrica, sugli impiantidi condizioriam:ento. Tutto questo per-dire che se anche.i circuiti integrati avessero un prezzopari a qnello dei compnnerrti che sostiruiseono, gli altri risparmi ne giustificherebbero cornunque l'impiego.

Ta caratteristica piC! apparisceate delL I'industria mlcroelettroaicae eostituita dalla conrinuae veloce dimiauzione di costa per ogni determinata funzione elettronica, Un esempio moltotipico e data dai calcolateri tascabili.Jl cui costa e dtminuito di un fattore 100 negli u1timi died anni, Una parte di tale rapida diminuzione dei costi puo venire attribuita -II. una sorta di ecurva di apprendimento»: maggiore e I'esperienza acquisita da un 'indu stria, m aggi ore diviene la sua efficienza, La maggior parte delle industric riducono limo eosti (correui per I'inflazione) dal 20 al 30 per cento per ogni raddoppio della produzione complessiva. Da un esame dei dati relativi all'industria dei semiconduttori risulta che j costidei circniti Integrati sono diminuiti del 28 per cento al. .raddoppiare dell 'esperienza, In conseguenza del rapido accrescimento dl questa giovanc industria, le riduzioni dei costi sonp intervenute molto piu in fretta "he non nelle industrie piil. adulte, .infatti l'esperienza nell'industria elettronica sie raddoppiaeaquasi ogni .anno, Ileosto di una singola funzione elettronica e andato diminuendo an cora piu rapidamente di quellodei circuiti integrati, dato che la complessita dei. circuiti e andata aumentando p&rallelamente alia loro diminuzione di eosIn. }ler esempio; j] cos to per bit (bina.ry digit, cifra binaria) delle memarie ad accessocasuale e diminuito in. media del 35 per oellto aLl'anno a partire dal. 1970, quandoebbe inino la erescita dell'impiego di memone a semiconduttori. Questa diminuzione di cos to edovuta non solo alL'accreseimento dell.'esperienza nella produzione, rna anebe all'aumento del numero di bit memorizzabili ,in 110

INTEGRAZIONE.SU PICCOLA SCALA

INTEGRAZIONE SU MEDIA SCALA

INTEGRAZIONE SU LARGA SCALA

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Il uumern de; eomponenti cnntennti nei circuit] integpti piu avanz.ati eraddoppiato ognl anno a partire dal19S9, quando venne s.l'iluppalo iJ kansistore planare, Gordon E. Moore, allora alla Fairchild Semic.(lnductor, rileI'll questa tendenza Del 1964 e previde che sarebbe cennnaata,

singolo circuito integrate: nel 1970 5i e passati da 256 a 1024 bit per circuito e oggi si sta passando da 4096 a 16 384, sempre conterruti in un singolo cireuito integrate,

La diminuzione di ccnto volte nelprezzo dei component! elettronici dal momento dell'introduzione dei eireuiti integrati costituisce un fatto uaico perche, malgrado anche inaltreindustrie si siano osservate eurvedi apprendimento simili, l'industria microelettronica e stata.la sola che abbia raddoppiato ogni anno Ia produzione per molti anni di seguito, Piu ehe servire un rnercato _in accrescimento parallelo a quello del pradotto nazionale lordo, questa industria ha servito un mercato in piena proliferazione, con applicazicni sempre pili vaste. Data che ogni nueva applicazione antnenta iI con sumo di mlcrocircuiti, aumenta i1 guadagno di esperienza,con ulteriori riduzioni di costa che, a loro volta, aprono mercati sempre pi.u va;sti.Nei1960, prima ehe iniziasse La produzlone deicircuitiintegrati; ve,ruvano fabbricati circa 500 milioni di transisto_ri all'anno. Posto ehe un transistore rappresenti Ufl,a singola fanrione circuitaie,.come un bit di memoria integrata/ l'utilizzQ annuale di funzioni e aumentato 2000 volte, ovveTO e raddopplato 11 volte, tra il 1960 e il 1977. B questa aumento incredibile ehe promuove continue riduzioni di prezzo.

Ta c.ausa priricipalc della riduzione dei L cosrre stata 10 sviloppo di eircuiti sempre piil.complessi, che diminuiscono il costa perfunzione sill. pcr il produtrore di circuiti.sia per l'utilizzatore. 1l maggiore ostacolo alla crescita dellacomplessita dei circuiti e La .resa della produzione. All'aumentare della complessita del circuito aurnentano pure le sue dimensionie le probabilita di difetti di produzione, che obbJigano a scartare un maggior numero dl circuiti prodotti .. Quando il costa degJ:i scarti supera i risparmi nelle successive operazioni di controllo e montaggio i1 costa per funzione aumenta, aaziehe diminuire, II progetto piu economico Ii: un comprornesso fra gli eleva ti costi di montaggio (che S1 incontrano a bassi.livelli di integrazione) e gli alti costi degli scarf (ehe occorrono a elevati livelli di integrazione).

II progres~o tecnologico e stato indirizzato principalmente all'aumento della resa nella produzione, riducendo 1a densita del difetti 0 riducendo Ie dimensioni dei circ.uiti P·er una riduzione della densit.a dei difetti e ·necessaria un 'attenzione. meticolosa per la puLizia e 11 cont-rollo delle cOl.ldizioni operative. Un granello di poIvere iu UD momento eri"tico del procedi.mento .~ sufficiente a creare un difetto, o·bbligando a condUITe la maggior parte delle fasi eli produzione in '!'ambienti puliti». La riduzl0ne delle dimensioni dei

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componenti dei circuiti, checonsente l'alIineamento di un rnaggior numero di funzioai pel' units di superficie, e stata otte'nuta migliorando i procedimenti fotolitografiei. Ora si stanno raggiungendo i lirniti di risoluzione ottica, can dimension! degli elcmenti circuit ali dell'ordine di poche langhezze d'onda della luce ordinaria e ai soliti metodi ottici 81 stanno sostituendo metodi litografici cne impiegano fasci elettronici 0 raggi X, per ridume ulteriormente le dimensioni (si veda l'articolo La [abbricazionedei circuiti microelettronici di William G. Oldham, a pagiua 42).

La riduzione delle danenstoni degli elementi eireuitaii non comporta soltanto una riduzione di costo, rna. anehe un migliora:mento delle caratterisriche del eircuito. I tempi eli conduzione dei segnali sono direttamente proporzionali alle dimensioni degli elementi circuitali, cosicehe il circuito diventa pin veloce al diminuire delle sue dimensioni. Le dimensioni lineari degli elernen ti cireuitali possono probabilmen te venire ancora ri dotte a un quinto eli quelle attuali prima eli kcontrare delle Iimitazioni fondamentali.

In uu'industria ilcui prod otto diminui ~ see ill prezzo del2S per cen to all'anno vi e una forte motivazione a investire in ricerca. Unanno ill vantaggio nell'introduzione ill un nuevo prodotto 0 ill un nuevo procedimento possono dare un varrtaggio nei costi del 25 per cento rispetto alla concorrenza. Per converso UD rirardo di

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un anno pone in grosse difficolta. La sviluppo di nuovi prodottie un punto critico nella strategia aziendale e I'obsoleseenza dei prodoui e unfatto naturale. I van taggi di un investimento di successo nella ricerca sono grandi e altrettanto grabill le perdite per una ricerca abortita, I maggiori produttori di circuiti integrati spendono approssimativamente illO per cen to delle Ioro enrrate nella rioerca e nello sviluppo, In un ambiente a prezzi costanti S1 pub dire che gli investimenti in ricerca e sviluppo pagano un dividendo annuale pari a due volte e mezao I 'investimen to. Chia.ramente Ia maggior parte di questo dividendo va a beneficia degli acquirenti dei eircuiti integrati oppure si riflettein riduzioni di prezzo che servono a porenziare nuovi mercati,

·In questa ambiente di mercato ia rapida

espausioae, di veloci pregressi tecnolcgici e di profitti elevati, sono sorte un gran numero di opportunita imprenditoriali. E interessante notate che benehe gli Stati Uniti sl siano trovati in prima linea sis nello sviluppo cbe nella cornrnercializzazione della nueva tecnologia elettroniea, non sono state 1e compagnie che erano in testa nell'affare dei tubi elettronici a procedere sulla strada del1oro successore, il transistore. Fra i 10 maggiori produttori statunitensi ill valvole elettroniehe neL 1955 solo due si trovano oggi tra J 10 maggiori produttori di semiconduttori.

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Quattro dei rnaggiori produttori ill componenti a semiconduttori sono societa nate dopo i.l1955 e rappresentano solo una piccola parte-delle uuove irnp_rese del ramo ehe hanno avuto successo, E ancora una. volta la rapids espansione del mercato cbe he. trovato le imprese gia esistenri troppo occupate ad allargare mercario Iinee.di prodotti in cui crane gia i.mpegnate per mettersia esplorare nuovi mercati e tecnologic, p:robabili rna ipotetioi. In q uesto modo e rimasta aperta Ia porta per nuovc imprese a capo delle quali si trovava, in genere, una persona con un passato nel campo della ricerca a del marketinge con sufficiente fiducia nel nuovo rnercato e nella nueva tecnologia per sccmmetterci sopra, Fortunatamente per l'economia degli Stati Uniti, nei tardi anni cinquanta e primi sessanta erano disponibili capitali per finanziarequeste imprese, con La conseguenza della nascita di un centinaio di nuove societa. Molte di queste hanno contribuito in maniera significative alio sviluppo della mictoelettronica. Due di tali contributi che mi banno coinvolto direttamente sono 10 sviluppo del transistore planaree del. microcircuito planare avvenuti pressola Fairchild quando l'impresa aveva solo due annidi vita, e 10 sviluppo del micrcelaboratore presso Ia Intel Corporation, ancora una volta solo dopa due anni che Ia societa era stata fondata. Vi sono molti altri esempi, L'ambiente in cui possono svilupparsi Ie

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ESPERIENZA AGCUMULATA OALL·INDUSTRIA (MILIONI DI UNITA PRODOTTE)

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1972

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I prezzi del circniti integrati slsenocontormati a una ClU'Ya iii IIpprendimento, CO.mUDe :a· molte industrie, ehe seende del 28 'per cento ogni "oltaclte raddoppia Pesperlenza aecumulata (misu.rata dal numero

delle nnilil prodotte), E 13 crescila parrlcolannente rapfda che sie avnta nell'indusroa microelettronica II fare apparire la velodtll dldiscesa dd prezzi piil elevatadl quella che 5i e riscontrata inaltre industrie.

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innovazioni imprenditoriali negli Stati Uniti non esiste nelle altre nazioni Industrializzate, Esse e stato una delle maggiori eon cause della leadership statunitense nel sertore ..

La crescita della mieroelettronica ha a sua volta creato altre opportunira. Tutta una serie di imprese e nata per servire i bisogni dei produtrori.di cireuiti integrati. Esse forniscono di tutto, dai monocristalli dipi!.icio,·ai sistemielettronici dt progettazione, agli apparecchi autornatiei di controllo, agli ntensili speciali. Spesso i naovi prodotti di consume Dati d.agli sviluppi della microeleuronice 5000 stati lnizialmente prodotti e cemmercializzari da nuove imprese, Esempi famWari di questo fatto sono gli orologi a indicaziorre numerica e i giochi televisivi,

Q. u~n.d~ i circ:uiti lategrari erano agE imzi, Patrick E. Haggerty della Texas Instruments richiamo I'attenzione sulla crescente Invadenza dell'elettrouica e predisse cbe le tecniche elettroniche avrebbero conti nuatoa soppiantarealtri mezzidi controllo, Invadendo praticamente tutti gli aspetri della nostra vita . In effetti e proprio questoche sta accadendo, soprattutto perohe l'industria della micrcelertronica e riuscita a. realizzare elemenriIuuzionali sempre pill coznplessi a eosti sempre minori .. Lcomponenti meccanici dei calcolatori e degli orologi sono stati sostituiti-eoncireusti integrati rneno costosi e anche piu flessibili, Oggi i componenti elettromeccanici di apparecchi come j semafori stradali e i bigliardini sono in via di sostituzione. Nel prossimo hnuro .j motori d'automobile verranno controllati da un mlcroelaboratore, con un conseguente miglioramentc dell'efficienza e una riduzione dell'tnquinamento. Tuttequesre applicazicni sono semplicemente delle estensioni dell'uso tradizionale dell 'elettronica nell 'elaborazione delle informazioni nei campi delle misurazloni, delle comunicazionie 'dell'informatica .. E state detto pill volte che come la rrvoluzione Industriale ha consentito alj'uomo di utilizzare e contmUare potenze maggiori d.i quelle fornite dai propri rnuscoli, cost I'elenronica ha esteso il suo potere intellettuale. La microelettronica accresce ulteriormsnte questa possibilita.

E possibile sumarexae nel 1986 il numero di funzioni elettroniehe utilizzare ogni anno in mol tis simi prodotti sara 100 volte maggiore di oggi, La curva di appreudimenro predice che il cosro per funzicne sara dirninuito di20 volte rispetto al 1976, una rid uzione del25 per cenro ogni anno. Con simili prezzi l'impiego di sisremi elettronici aumenrera moltissimo, COn il miglioramento dei servizi postali, I'espansione delle biblioteche per una maggiore accessibilita al lora contenuto, l'introduzione di nuovi sistemi.di svago.Ia diffusione di conoscenze a finieducativi e I'esonero da molti eompiti di routine a easa e in ufficio. E nella prollferaziene esponenziale dei prodotti e dei servizi che dipendono dalla mlcroelettronicache va ricercata la vera rivolazione scatenata dane nuove tecnologie ..

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D coste per bit delle memorie per cal eola lore Ii dlminufto e dovrebhe continuare a di mill uire come mestrato in fig,lI!:a per Ie suceesslve generazioni di memnrie ad accessn casuale in grndo di lnunagauina)\e da 1024 (I K) a 65 536 (65 K) bit .. La creseente complessila. e la ca.US'3 maggiore della rlduzlone di costo, ma anchei dreuiti meno complicali coutinua.llo a diminuire ili prezzo.

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L'utilizzazioneannua]e di fUllzioni elertrenlehe (translstori, bit dl memoria e porte logkhe) I:!. a umentata nel mondoqualcosa come 200 volle dall'introduzione del. circuito integratn ne11960 . . E plau.sibiJeotiendersi che I'utilizzazione anmenti dlun alao faltotC' laO nei prossimi 10 anni,

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Gli elemen ti

dei cireui timicroelettroniei

transistore. possibile

elettronici a ttu a li, Lo sviluppo

l'elemento funzionale della tecnolo gia

microelettronica singolo circuito

Nei e il ha reso

circuiti

Un dispasiti'loe1ettranico comprende elementi circuitali «anivi», come i transistori, e «passivi» quali i resistori, i condensatori e gliinduttori. Fino a non molti anni fa, sulla base di UDa tecnica di adozione universale, i singoli componenti erano fabbricati separatamente e I'apparecchiatura veniva montata collegando i varicomponentifra IOTO mediante condurtori metallici, L'adozioHe dei circuiti micrcelettroniei non ha modificato, nella maggior parte dei easi, la natura degli elementi funzi on ali di base, in quanta vi sana compresi transistori. resistori, condensatori e altri COmpouenti analoghi. La differenza principaIe risiede nel fatto che i vari componenti, insieme eoniloro collegarnenti, sana realizzati su un substrate comune in una singala sene di' operazioni.

n materiale fondamentale dei circuiti microelettronici e il silicic e q uindi 10 sviluppo della microelettronicave in gran parte dipeso dalla invenzione di tecniche per Ia fabbricazione delle varie unita funzionali su 0 in un cristallo di questa materiaLe semiccndurtore. Sana stati in e£fet_ti sviluppati metodi per produrre la maggior parte dei componenti s tall dard. Non si e trartato comunque di una semplice miniaturizzazione dei progetti impiegati nella precedents c pio voluminosa tecnolcgia, COil il cambiamen to di scala eintervenuto anche un cambiamento nei mezzi a disposizione del progettista, seguito da un cambiamen to nel modo di impiegare questi stessi mezzi. In particolare si e affidato un crescente numero di funzioni all 'elemento circuitale ill migliori prestazioni e pili facilmente realizzabile in silicio: il transistore, Sono stati sviluppati diversi tipi di transistor.i microelettronici e, con ciascuno di questi, famiglie di elementie di [elarivi modelli circuitali.

Esiste un'importante distinzione fra i componcuti circuitali eosiddetti attivi, di cui SODO un esempio i transistori, e tutti gli altrielementi elettronid definiti passivi.. Un componeote attivo pub cambiare sta-

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imp iegarn e

moltissimi

di James D. Meindl

to in risposta a un segaale esterno rnentre Lreslstori, i condensasori e gli induttori Don presentano questa proprieta,

Qualsiasi materiale che conduca una correnteelettrica, anche 11n semplice conduttore ret till neo, presents tutte le caratteristiche di un elemento circuirale ·passivo: resistenza, induttanza e capacita, Nei dispositlvi utili uno di questi attributi e preminente rispetto agli altri, La resistenza elettrica di un fila metallico puo essere interpretata come I'alterazione del movirnento ordinate di elertroni per effetta dell'interazione con ia struttura atomics del materiale, Lresistori realizzati sotto forma di componenti discreti impiegano in generale un.mezzo avente resistenza per unita di lunghezza relativamente elevata, come per esempio il carbonio 0 la lega nichelcromo.

La capacita e l'induttanza sono effetti attribuibili aL campo elettromagnetico generate dauna corrente 0 da una carica elettrica. La capaeita e una misura del campo elettrico ehe circonda un conduttore. I valori di capacita pill elevati si ottengono quando grandi superfici cenduttri ci coo cariche elettriche di seguo 0Pyosto vengono disposte una accanto all'altea: i eondensatori disereti sono spesso realizzati con piastre 0 fogli metallici separati da un sottile strato di materiale

di

base

In

un

Isclante. L'induttanza rappresenta l'energia immagazzinata nel campo magneticocreato da una correnteelettrica. Per concentrare il campo magnetico, le induttanze sono realizzate da unconduttore avvolto intorno a una bobina, all'interno della quale visne talvolta posto uti nueleo di materiale Ierromagnetico,

In un dispositive microelettronico non sono disponibili ne ileaibonio 0 it nicheleromo di un .resistore, De Ie piastre cooduttrici afiacciate di un condensatore ne gli avvolgimenti di un induttere. Tutti .i componenti del circuito devono essere eostruiti all 'in terno 0 sulla superficie di un cristallo ill silicic. n silicioe ben Iontano daU 'essere il marerialeideale per tali funzioni ed e quindi possibile raggiungere solo modest! valon cii resisteriza e dicapacita, mentre in pratica gli indnttori microelettronici non possono essere uemmeno realizzati. D'altra parte il silicio e un rnateriale ill caratteristiche ineguagliabili per la fabbricazione dei transistori e I'ahbondanza di quesricomponenti anivi nei dispositivi mieroelettronici compensa largamente le deficienze, riscontrate nei componenti passivi.

La proprieta che.rende j trarisistori indispensabili nella mieroelettronica e 18 capacita di guadagno, ovvero di amplificazione. E una proprieta che pub essere

La coppia di citeu.iti logiei nella microfotog.,afia. della pagina a Ironte II ststa rleavata come una singola unilll dnlla superficie di uDchip di silicio. I elreuitl sono costituiti da divers! tnmsistori coUegati fra loro i quali rappresentane I.'elemento elreultale dj gran lunga piO import:!mle nei disposilivj mieroelettroniei, Dei quartm condnttorl in a:Uuminioche drcondano iI di!lpositivo raggillngendolo da destra, quello pin in alto j). in contat,l.o con una zona del transistore in enl la eorrente seorre, in direzlone parallela aIi:a superflele del clrip verso iI cond unore cb e -tennina s ulla barra orizzontale blu. Sol:lo q-uesto condul:lore si tlovano alto Ire transistor! iIi UD tipo differente nei quali la c-ouepte seone dal sub&ttato ... erso Ia fila di contala ,at disolto della barra blu. n circujfo I! un esempio deUa lecnologia d.e.i semicondnlloricbiamata logi.ca inlegnlta ainie:dorie dicouente, PL. Una pr-oprietll ca_r:atterislica dei circuiti logicl intep.alia iniezione di corfenl.e'e cbe akune zon.e del chip -funzionano come elementi. CQstituid da pi.iliti untrllnsii;tore. Nella bana blusi lIno vedele III s!!perficle del chip; 13 struttura scabra chesj nola altrQve e silicio policr.istaUino. Le variarioni di colore Donsono proprle del silicio, masono provocate da interferenu Degli strati di bioosidodi sllidQ. ch.e ric-opre la_ suptrficie, U dispositivo e stat 0 realizzato 11 ella boralorio deI!'autOTe pressola Stanford Univemtyda Roderick D. Daries ell estato _folografalo da Fritt GOIO.

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compresaconsiderandogli dementi circultali sia passivi sia attivi come «scatole nere» delle quali non interessa il funzionamen to in temoe il cui. eomportamento e esaminabile solo ai term in ali di ingresso e di uscita, Un segnale applicatoai tenninaIi di ingresso d.i una scarola nera contenente un resistore, un condensatore 0 un induttore pub essere trasforrnato in mrmerosi modi, rna Ia potenza del segnale ne risulta inevitabilmente attenuata. Vioeversa una soatoia nera che oontenga un transistore pub elevare 1a potenza di un segnaie entrante die bassa potenza.

RESISTORE

INDunORE

CORRENTE ElETTRICA

p er oompre_ndere .!n qua.J mo.do sl.·pOS",

sano realizzare 1 transiston e gli altn elementi cireuitali partendc dal silicic occorre prenderein esame la natura fisica dei materiali semiconduttori. 10, un materiale condu ttore, peresempio un rnerallo, Ia corrente e costituita dill flusso di un cerro rrumerodi elettroni, che sono liberi di spostarsi all'interno del reticolo atomico della sostanza .. In un materiale isolante tutti gli elettroni sono rigidamente vincolatiagli atomi 0 alle molecole e quindi nessuno di essi e disponibile per fungere da portatore dicaricheelettriehe, In un,

CONDENSATORE.

CAMPO ElETTRICO

semiconduttore la situazione e mterrnedia fra Ie due preeedenti: in condizioai norrnali non sono disponibUi portatori liberi, questi possonoperoessere.generati facendo uso di una modestaquantita di energia.

Un alamo disilicio ha q uattro elettroni nello strata estern a 0, di valenza ;nel sillcia solido questi elettroni sono ripartiti fra gli atom adiacenti e diSPQS!l simmetricamente a coppiein modo che ogni aromo e circondato da.otto eletrroni .. Poiche tutti gli elettroni sono vincolati dai legami fra gli atomi, un eristaUo di silicic

CAMPO 'MAGNETIGO

COMPONENTE DISCRETO

CONDUTTORE

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TENSJONE

I com ponenti circuitali passlvi lmplega ti nei disposi ti:vi elettronlcicnmprendono i resistorl, i. condensatori e &Ii in.duttOli.1;a resist.ell.ZlI rappresentaI'energia illssipala durante iI pasJiaggio degli elettronl nel movimenlo attraverso La stmrtnra -aromicadi uncondnttore, La capacita misura l'energia immagazzina:la nelcampo elettrieo ehe circouda un conduttore sorro teaslone, L'indutranza misura I'energia irrunagaziiua· ta nel campo magneriee create dal passagglo di una cOl"leI;lte elettrtea, I resisto ri reelizzatieome componen ti discfeti SODOCOSti tuiti da cm;bonio o da qualehealtra sostanza di bassa condudbilitii, come Ia lega niehelcrorno; un 'resistore [ace.nte parte di un disposltivo micmelettrenlco e co.sti.tuito da unsottile nastro eli un tipo di semleondurtore circondato

da un semiconduttore di tipoopposto. Un eondensetere discreto e realizzaro da numerese armature separare da strati di rnatedale isolante; un condensatore.mkroelejtromco si ottiene fomiando sulla superflde di un <;ristaUo semicoaduttore un S() ttile srra to lsolante seguito da uno strato metalllco, Q!leslo precedhnentocensente di ottenere soltanto capacitadi v,aiore basso. Un lnduttoremscr;elo e eo stituilo da un cond uttore a vvolto so una b obfna, ill cui e ins'edto nn nu cleo in. materiaIe ferromagnetico; :000 e state aneora ideate alcan m.etodo soddisfacente per realfzzare induttori nncroelertrcuici, In bassosnno illnstrati i simholiche rappreseutane ciascuno degli elementi passin e Ie correnti che Ii attraversano in rlsposta II una tensione applieata ai Ioro capi.

18

pnro e un cattivo conduttore di elettricita,

I dispositivi semicondurtori sono realiiZati introducendo nelcristallo un numere controllato di atomi ill irnpurezza, secondo il processo chiamato «drogaggio», Peresempio, una parte del cristallo di silicio potrebbe essere drogata can foSfOIO, unelemento i cui atomi possiedeno cinque elettroni nello strata ill valenza. Unatomcdi fosforo pub rimuovere un atomo di silicic senza disgtegare la struttura cristallina; l'elettrone eccedente che esse porta non trova pen) posto nei legami interatomici. In assenza di una sollecitazione esterna l'elettrone eccedente rimane in prossimita dell'atorno di impurezza; esso si pub peri> muovere sotto Pazione di una debole tensione applicata ai capi del cristallo,

II silicic pub essere drogato anche con boro, unelemento i cui atomi hanna tre elertroni di valenza. Ogni atomo di bora inserito nel reticoIo di silicic crea la mancanza ill un elettrone, uno state chiamato ebuca», In condizioni normali anche una buca rimane associata con un atorno di impurezza, rna diviene mobile eon l'applicazione di una tensione esterna. La buca non e certamente una partieella reale, rna ta semplice assenza di un elettrone in una posizione dove se ne dovrebbe troyare uno all'interno di un reticolo di a10- mi di silicic puro, Cio nonostanre una buca ha una cariea positiva e pub portare unacorrenteelettrica. La buca si sposta attraverso il reticclo in modo molto simile alie belle in un mezzo Ilquido. Un a tome adiacente trasferisce un elettroneall'atomo ill impurezza, «riempiendo» Ia buca, rna creandone un 'altra ira gli elettron i che 10 circoridarro; it processo si ripete trasferendo Ia buca da un alamo all'altro.

n silicic drogato con fosforo 0 con un altro elemento penravalentee detto semiconduttore ill tipo n, ove n rappresenta Ia carica elettrica negativa degli elettroni eli conduzione .. Il drogaggio can boro a con un altro elernento trivalente da Iuogo a un serniconduttore di !.ipo p, la cui designazione si riferisce alla carica elettrica posi-

tiva delle buche. .

II dispositive serniconduttore piu sempike e un diodo realizzato can due regioni adiacentidi tipo ne eli. tipo p in uno stesso cristallo di silicio .. Quando si applica una tensione positiva alla regioneditipo p e una negativa alla regione ill tipo n, si stabiliscono due correnti eli elertroni e di buehe, che-fluiscono in senso opposto. Nella regione eli lipo p Ie buche.uespinre dalla carica positiva applicata aI terminale p, sana attratte dal rerminale negative, scorrendo attraverso lagiunzione. Nella regione di tipo n gli elettroni sono sospinti in direzione opposta .. La forte corrente che ne deriva e delta corrente diretta del diode.

Se le polarita ai capi del diodo veugono invertite, Ie buche sono artratte verso it terminale della regione di tipo p, cbe adesso 'e carico negarivamente, mentre gli elettroni. sono sospinti nella regiooe eli tipo " verso il terminale positivo. Attraverso la giunzione non scone alcunacor-

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EMEnITORE.

I dispos itiv:ia semtceuduttore COD cui sl fabbrkano i drcuili. miernelettronlel oomprendouo il di.odo fa stnistra) e ililcansistole. E.ntrambi sone uttenuti realizzando zone adiacenti di silicio dEogato con elementi opportuni; l duetipi d.i slllclo drogato sono chiamati tipo n e tipo p. La pro prieta essenziale del diodoe I'asimmetria;. eonnesso nel modo lllustrato, trasmette un segnale di polaritapositiva e blocca un segnale di polarita negarlva, Anehe il transistore e asimmetrico, rna possiedeuna proprteta ben piil importante: c capaee di amplifitazione. Con Paiuto di un'alimen· tazioueesterna convene UI! Segnale di basso Iivello di potenza tnun segnale dl potenza supenore,

STATO ElEnRONICO

OGCU~~T~Jt!~!RGIA

i ENERGIA MINIMA

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BANDA PROJBITA

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STATO ElElTRONICO OCCUPATO DJ ENERG[A PIOELEVATA

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STATO ELETTRONleo OCCUPATunl ENERGIA PIOELEVATA

METALLO

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SEMICONDunORE

Le propdeta elettnche dei metaDi, deg!J .isolanti e d.ei semioondntlori sono determinate dalla loro struttura elettronica, In an .atomo o.g,nidet.trODC oceupa uno state discrete e unieo e gll stati dlspunibill sono o ccu:p ati fn successlone, eomlnclando da quello di minoreenergla. La condazione richiede Ia presenzadl elettrenl dienergia relativamente alia. In un metalln 10 staroejettronice oecupato dlenergia pili elevara ba nn'energia che snpera iI minimo riehiesto per Ia conduzione e sono, quindi, sempre presenti eletlrorri iii conduzioue; essi migrano liheramentc attraverso il reticuln atomien del metaUo. In un isolaulc,invece, I'energta necessaria alla eoaduzione e superiere aU'·cnergia massima che puo avere un eterrrene; la differenza Ira Ie due energle (la cosiddetta «banda proibita»] pue essere .in.terprelata .. come I'eoergi.a richiesta per allontanare un eletlrone dall'alomo a cui e le.gato, Am:he nella struttura elettronica di un senllconduttore esisteql!esto divano, rna e min.ore: mIlD semjconduttore glieleftJ:oni, quando .non sono eccitati, Testanojn prossimitll di atomi. particolar.i, rna possono essereliberati a. spesedi 1m3 picc'Olaqllan· tita dienergja, quaJe qucUa coslituirt. daUa teDII"ioue applicata a !m diodo o.a un transistQr.~.

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SEMICONDUnORE DI TIPO n SEMICONDUnORE or TIPO p n drogaggio del silicio mediante atomi diimpurezze rutera Iastruttura elettronlca dena sostanza in _modo che ailluni portal on dl carlea elettriCll; possonosfhggirecotl fac-ilita dal reticolocristallinc. Un atome disilido (ill grigio} haquanm elettroni .nellostratu esterno, 0 di valenza, e in nn cristalIo pnroqnestt eJeltroni fcrmano copp ie «In div'i;se fra atomi adiaeenti, Diconsegn enza 0 gni atomo e eircondaro da otto elettroni, ilJ una configu_ra:zione intrinseeameute stabile. Si puo ott en ere uasemieoaduttore di tipo nsostltuendo un piccolo numero di.atomidi sllicio con atomi di un a Itro elernento, per esempio d i fosJoro (I,! col ore) ~che abbia cinque ele ffroni neD ostra to di valenza, L'elettrone supplementare risnltll eceedente nei legami lIa gli atoml del cristallo e pub cost dlventare con facililii un portatore mohile di carica, In un semlcondnttore di tipopl'impurez.:za introdo'tta .e un elemento con tre elettrenl nello strato di valenza, come per esempio it boro (l.n nero). Ogni atomo d.1 impurezza d!l luogo alla mancan:za di un elettrone,.mancanza'cbiamata.buca. Una bnea ha unaeatlea positiv-a e, sotto l'apphcaziouedi un potenziajeestemo, pub muoversi fragli aromtamaverse Ia struttura cristaUinfli. L.e indieazioni n. e p 5i rifer:[scono· aUe polru:it!l negaliva e positiva dei pertatori di carlca. lnfigurala concenrrazlene degli alomi i! esagerata,

rente. In effetti si osserva sempre una debolissima corrente «inversa», dovuta a pochi elettroniche si trovanonel silicic di tipo p e alle poche buche residue nel silicio di tipo.n. Ouesti portatori dieminoranza» sono sempre presenti, rna in bassa concentrazione.

Un. diodo non e capace di guadagnoe pertanto non pub funzionare come elemento circuitale attivo, rna possrede una proprieta che 10 distingne daicomponenti passivi, I resistori, i oondensatorie gli induttori sana dispositivi simmetrici, nel senso ehe i loro effetti sui segnale sooo indipendenti dalla polaritil. del .segnale ,applicato e dal modo in cui sono collegari nel circuito. La proprieta piii: evideo:le del diodo e l'asimmetria:esso presenta una bassa resistellZa a5egnali di una poJarita e un 'alta resistenza a segnall di polarita opposta.

Un transistore pub essere otten uta aggiungendo a. un diodo U.J1a terza regione Opportunamente drogata in modo che, per esempio, una regione dl tipo p venga a trovarsi fra due regioni di tipo n. Una delle zone di tipo ne ,delta emettitore e !'altra collettore, mentre la zona intermedia di tipo p e deficita la base. Da un punto di vista strutturale quind! UI1 transistorepuo essere considera.to come due diodi moo ta ti in senso opposto e riuniti su un singolo cristallo eli silicio. Come daciIe deduLre da quanto illustrato in pIecedenza, il iunzionamento del transistore dipeode dalle teosibni relative applicat'e aile tre regioni.

Supponiamo per esempio di applicare all 'emetti:tore di tipo n un potenziale-zero

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e supponiamoancbe che la bast eli tipo p abbia un potenziale Ieggermente positive eil collettore di tipo n an poteuziale positivosuperiore a quello della base. Con tale distribuzione di tensioni l'ernettitore e Ia base costituiscono un diodo con polarizzazione diretta: Ie buche sono attratte dall'emettitore egli elettroni sono diretti verso Ia base. Per centro Ie tensioni applieate-alla base e a1 collettore sana di poJarita tale da impedire la conduzione e quindi attra verso questa giunzione scone solo una trascurabile eorrente inversa, n eollettore non e iaattivo: gli elettroni Iniettati nella base dall'emettitore vengono trasporta ti verso il collettore mediante un proC,esso di diffusione:arralogo alIa miscelazione di due gas. In un transistore progettato cotrettamente quasi tutti gli eleuroni irriettati si diffondono nella base con una conseguente forte corrente dall'emettitore al collettore.

Se 1'3 tenSione pbsitiva della base vieoe ridotta .a zero 0 addiritlura ,portata a un valore negativQ,. 1a corrente diretta del diodo ·emettitore~base 5i interrompe, Non essendo piii: ioiettatielettroni neUa base, arrche la corrente emettitore-collettore cessa. La correntedi conettore e quindi controllata dana corrente di base_. O:unbiando 1a polarita dena tensione dlbase, e possibile" arrestareo avviare 1a corrente ill collettore ;fra i due stati estremi 1a corrente di collettore e approssimativamente proporzionale.a1Ia correntei:li base. Se Ie regioni drogate del transistore hanno dimensioni e disposizioni opportune, Ia corrente Iii collettore puo essere molto maggiore della corrente di base con con· seguente guadagnonel transistore. n rap-

porto fra la corrente di eollettore e la corrente di base e in genera1e 100 e si POSSOllO otten ere guadagai di corrente superiori a 1000.

La limitazione dimensionale pin irnportante nel progetto di transistor! del genere risiede nel fatto che Ia base deve essere tanto stretta che virtualmente tutti gli elettroni iniertati dall'ernettitore migrino attraverso Ia base stessa verse il collettore, Una base stretta riduce anche il tempo di transite per un elettrone iniettato-con conseguente aumento della velocita 9i commutazione del transistore da unostato all'altro.

I transistori descritti sono detti transistori npn; termine che indica la sequellZa delle.regioni drogate nel silicio. Un dispositivo complementare, il transisrore pnp, si realizza inserendo una base di tipo n fra due regiorri di tipo p che de:finisoono l'emettitore e ilcollettore, I principi di funzionamento sono gli stessi del transistore npn, rna tutte le polarita sono invertite, cosicche peril funzionamento normale Ia base e.il collettoredevono essere aegativi rispetto all'emettitore. Anche Ie polarita dei portatori eli carica sono invertite alI'interno deJ dispositive: la corrente dal- 1 'emertitore verso il collettore e costituita da bucbe iniettate.

I transistors npn. e pnp costituiscone una elassedi dispositivi chiamatitransistori a giunzione.oonosciuti anche come transistori bipolari perche nel lora funzionamento 5000 irnplicati portatori di entrambe Ie polarita, II transistore bipolare fu. inventato nel lontano 1948 da John Bardeen, Walter H. Brattain e William Shockley dei Bell Telephone Laboratories.

Un altro tipo fond~entale ditra;nsistore era state mventato quaSI 25 anni prima dei dispositivi bipolari, rna si riusel a otteneme la fabbricazicne in grande serie solo all'inizio degli anni sessanta. Si tratta del traasistore a effetto eli campo. Dei numerosi tipi esistenti, quel- 10 usualmente impiegato in mkroefettrooiea e il transistore metallo-ossido-semiconduttore aeffetto di c.ampo. II termine si riferisc-e ai tIe materiali llsati per la sua costruzione ed e abbreviato in MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor).

In un tipico MOSFET 81 'creano, in un substrato eli materiaIe di tipo p, due «isoIe" eli silicio di tipo n. 1 collegamenti sono effettuatj direttamente suile .isole, una delle quali_ viene detta sorgente (source) e l'aJtra pozzo (drain). Sulla snperficie del silicio, al di-sopra del canale fra Ia sorgente e il pozzo viene formato un sottile strato di biossido di silicio (Si02) sol quaJe viene depositato uno strata di metallo, che ,costituisce un terzo elettrodochiamato porta (gate). n biossido di silicio e un isolante ecceilente e, quindi, la porta non ha a1cun collegamerito eleti:rico diretto con il substrata semlconduttore. La coone.ssione fra Ia porta e il silicio e, pero, un ac-eoppiamento «capacitivo» ossia ilcampo elettrico gener.ato cia una qualsiasi carica preseIlte sull'elettrodo con. funzione

- I 1111111,11

eli porta pub influenzare il movimento dei porta tori di earica lunge iI canale semi. condu ttore.

Nel funzionamento ncrmale la sorgen ~ te e il substrate sono oollegati da unconduttore estemo e mantenutientrambi al potenziale zero. Al pozzo viene data un potenziale positive. Pra sorgente e substrata entrambi a. massa non scone corrente: fra il pazzD e il substrata si ha solo Ill. trascurabile eorrente inversa del diodo. In condizioni dl riposo, senza tensione applicataalla porta, 11 canale di tipop al di sotto della porta contiene una maggieranza di buchee ben pochi elettroni possono essere artratti dal potenziale positivodel pozzo. Quando si applica un poten-

ziale posltivo alia porta, "it campo elettrico attrae una popolazione maggioritaria eli elettroni che si dispone in un sottile strata aUa superficie del cristallo tmrnediatamente al eli sotto della porta. In queste condizioni lasuperficie e. detta invertita per lapresenza eli numerosi elettroni in una region e che e. normalm ente di tipo p, L'tnversione crea un cenale continuo eli tipo n fra la sorgentee .il pozzo, can il passaggio dt una forte corrente .. A semiglianza del transistore bipolare, il MOSFET e in grado .dl fornire amplificazioDe, sebbene il guadagno sia ingenerale misuraeo in termini.dl rapport» di tensioni anziehe dicorrenti,

Va notato che, mentre in un transistore

bipoJare partecipano alia corren te.di base sia gli elettroni sia Ie buehe, nel canals 'invertito di un MQSFET e. presente in pratica un solo tipo di portatori eli cariea .. Nel dispositive appena descritto questi portatori sono elettroni e il transistore e detto MOSFET a canale -n 0 semplicemente transistore I1-MOS. Si puo costruire anche il dispcsitivo co mpl emen tare: esso e costiruito da due isole di materiale di tipo p in un substrate di tipo fl COD la stessaporta accoppiata per capacita con il canale, Questa dispositive, nel quale rutte Ie polarita sono invertite e j portatori di carica sono buche anziche elettroni, e chiamato transistore p-MOS.

U n .secondo tipo di MQSFET si ottiene

COLLETTORE

TRANSISTORE 8IPOLAR!::. npn

EM ETTITOFiE

TRANSISTORE BIPOl..AAE pnp EMETTITORE

8ASE

BASE

OOLLETTOAE

COJ..lETTOAE

D '810SS100 OJ SlliCIO (SiO.)

I fxansistori microelettronici.si onengono da un crislaUo 5iogolo iii siUdo tramite 0011 sene dioperaliorri che ricbiedou.o I'aceesso a una sola supedicie del chip, NeU'esempio mostrate tuUu Uchip ~ dregate con nn'impurezza di tipop"neUa quare sono furmate isol.e di sil.iciodi lipun. Vengono suceesslvamente create all'i:ntemo di qaestetsole delle zone piu piecole di opo p e di tipo n, per realizzare j fre eJementi fondamentali del h',aDsistol'e: I'emellitore, la basee ilcollettore, Tn un tfansistore npn. (0 sinisff'a) si applica una tensione,positiva fia la basee il eollettore con un conseguente Ilnsso iii bache dalla base veeso il colletrore e I'iniezione dl elettroni dall'emeltitore nella base. Molti deglielettrani inietf.ati migraao luUavia attraverse la base per ral;ll;li.lloge.re II collettore e qllestaconente daU'e.metiitorealcolleUore puo essere molto maggiore della corrente dall'emettltore alia base. Il disposilivo presents ua gnadagno percM nn plccclo segnale applicatoalla base pueeontrollame uno forte aI colletlore. Per se_mplicttii di fahhrleazioue, UD_ trnDsistore pnp (a destrti) sicostruisee in generate secondo uno schema diVI!rBO, nel quale la eoreente dall'emettitore a1 collettore e laterale anziehe vertieale, I principi di. fnnzionllmento sone I;lli stessl, salvo .che. Je po.laritii SODO in.vertite. Le connessionl agli elementi circaltall sonoesegufte medianteconduttori in aUlImim.o depositati sopra uno straloisollinte io hiussid .. o disiJicio. Alcnne zone iii ,silicio di npo n SOliO lntensamenre drogate per aumentarne Ia I;ondudbilila, Le grandi isole di tipo n sono n eeessane p er separate itransistori,. Quesli dispos ifivi SOM detti transistori bip Qlari poicht! al lore rundonamento prendoDo parte sia porta1ori iii earka po.sitiva sia purtatoridi carica negativa,

c::::J SILICIO 01 TlPO P

D SIUCIO DI TIPO.n

D SILICIO 01 TIPO n FORTE:MENTE OROGATO

_ CONDUTTOAE IN ALLUMINIO

·······ELETTRONI

0000 BUCHE

21

eollegando due isole dimateriale di tipo n con un sottile e-continuo canale dj tipo n sotto il condensatore di porta. Poichein tale dispositive e naturalmente presente un canale di conduzione Ia corrente SCOre re dalla sorgenre al pozzo quando la porta

e.a potenziale zero. Un potenziale negativo applicate alia portaallontana glielettroni dal oanale e interrcmpe Ia corrente, con conseguente interdizicne del transistore. Un dispositive del generee chiamato MOSFET a «svuotamentor (depletion-

TRANSISTORE n-MOS A RIEMPIMENTO

!_R_T_A __ --1p '] :~::::::o lpozzo

TRANSFSTORE n-MOS A SVUOTAMENTO V+ SORGENTE.

SUBSTRATO 01 SILlGJQ

n

TRANSISTORE p-MOS A RIEMPIMENTO

;JS0RGENTE

PORTA I

0 ...... ----1 SUBSTRATO

v- 1

_ . . pozzo

TRANSI8TORE p-MOS A SVUOTAMENTO v- SORGENTE

PORTA

0---- ..

v+

SU8STRATO

POZZO

I transisfor! a effefto di tam po, realizzati secondo la tecniea a metaue-osside-semlconduttere (MOS), differiscoDo da quelli btpolarrper la presenzadl un solo tipodl portatori d.i catiea in ogni dlspositivo. Quem che Impleganoelettmai sono detti translstcrl n·MOS e quelIi ehe implegano buche transistori p·MOS. In un dispositivo n.MOS (in alto) vengono formate in un substrato di tipo p due Bole dl silielo di Iipo n,dette sorgente e pOZIO. AI di sopra del canale fra la sorgenre e .i1 po~o 51. trova un elettrodo· metallleo, 13 'pnrta, il cui coatauoeon il semjeonduttore, ~ Lmpedlto da un sottile strata di biossido di IlHiao. In un Iqmsistore a rlemphnento (in alto, a sinistra) un potenzlale pnsltlvoapplleatoal pOIZ.O esercita una forsa attrattiva sugH elertroni dlsponiblU aUa -sorgente, elettroni che non pessono tuttavla passare anraverse iI eanate di tipo p, dove Ie buehe sono in maggioranza. Quando pero siapplica un potenziale positivo alla porta, il campo elettrlco lisul til ate attrae gli elettroni ch e sic disp oogon 0 in un sottile strato sotto il biossido dl s~cio co D un conseguente Ilusso di eorrenre d_alla sorgente al pozzn.In un transistore JI-MOS a svuotameuto (in alto, (1 destro) vi e nil canale contlnneIn sifido di tipo" fra la sorgente e iI pono, ill modo ehe in condizieni normali il transistore conduce; solo quando si appliea una rensione negatlva-alla porta; lacorrente 5i intertompe percM gil elen-roni .yengo!!o espulsi diLl ea.nale. Con laformazione di isole dl materiale di lipo p in un substrato dl tipo n. si possonQ costtuire i dlspo.sllivi p-MOS (in bassQ); in qnesti i portatoridi carica sono bucbe. Poich~ i fran£istori MOS non Iichiedono isol.e dl .separ.aziOQe, si possono impac~are COD una densita pin alta dei transistori bipolari.

22

mode) ed e.ovviamente possibile realizzare, anche il transistore corrispondente COD canale di tipo p. I transistori la cui conduzioneeconsentita.da una tensionedi porta sono chiamati a «riempimento» (enhancement-mode). Bsisiono in definitiva quattro tipi di transistori MOS; i tipi a canalene a.canalep di entrambi idispositivi a riempirnento e a svuotamento.

Nellafabbricazione dei transisrori MOS SOIJO di particolare importanza le dirnensioni, come del resto sl verifies riella tecnologia bipolare. Per un MOSFET Ie dimensioni critiche sono 10 spessore delle strato di ossido sotto l'elettrodo con 'funzionedi porta e 1a distanza fra Je regioni della sorgente. e del pozzo: la sensibilita di risposta del transistore a una tensione di porta einversamenre proporzionale a110 spes sore della. strato di ossido.

I material; fondamentalidi un dispositivo microeiettronico sana zone drogate di iin.chip di siliciocon varie concentrazioni dielernenti di tipo.n 0 di tipo p. Vi sorro inoltre deiconduttori, realizzati ton un rnetallo, per esempio alluminio, 0 CoOO silicic policristalIino forternente drogato, rnateriale che presenta una conducibilita abbastanza elevata. II biossido di silicic ha infine la funzione di buon materiale isolante.

La fabbricazione del circuito deve procedere tutta da una delle superfici, Le zone cia sottoporre a drogaggio, per esernpio, vengono definiteeon.un processo fotolitografico, a seguito del quale I'eIementoopportuno viene fatto diffondere nella struttura disilicio. 11 prccesso deve essere ripetuto piu volte ullo scope di creare nella voluta. successione le zone drogate, che risultano spesso.inserite una dentro l'altra. Lezone di ossido sono preparate in' modo analogo irnpiegando il materiale delle stesso chip" mediante riscaldamento in presenza di ossigeno .. I conduttori depositati sopra uno spesso rivestimento di ossido, che copre tutto il chip, attraversano la barriera .isolante solo dove occorre un contatto elettrico CDn iI silicic.

Con queste-tecniehe epossibilefabbricare una Iimitatarosa di dementi circnitaIi passivi. Un resistore si ottiene formando una sottile striscia ill silicic di tipo p entro un'isola di materiale di tipo n. La corrente che scorre.attraverso il dispositivo e confinata nella striscia e la mantiene a un potenziale negative rispetto ana zona cireostante di tipo n, con il passaggio attraversola-giunzionepa della soia corrente inversa,

II silicic drogato sarebbe un materia le ben poco adatto per un resistore fabbricato come componente discrete, proprio perche non presenta in modo sufficienternente marcato la proprieta desiderata: la resistenza elettrica per unita di lunghezza. Nei circuiti microelettronici SI ottengono valori pratici di resistenza solo grazie alia precisions delle tecnologiedi fabbricazione che consentono la forma~ zione cii una siriscia di matcJiiUe avente uoa sezione estremamente piccola, Mal,graclo cia i resistod che abbi.ano un valore

J

IIII

. III

-elevato risultano di difficile realizzazione.

Un altro svantaggio del resistore in silicioeche la sua.resistenza a lavorazione ultimata.non puoessere prevista con esattezza. E quindi necessario che i circuiti comprendenti questi resistori siano progertati con tolleranze tali da accettare scostamenti sensibili dai valori nominali, La fabbricazione di un circuito integrate complete in unasola sequenza di proeessi pub compensare in parte questosvantaggio. Poiche tutti i resisrori in un chip vengODO formati contemporaneamente, le deviazicui dar valori nominali tendono a essere grosse modo della stessaentita; inoltre i valori di resisrenza variano in accordo con alcune proprieta del transistcri sullceresso chip. Provvedendo a compensare la deviazione di un altro oomponente, si ottengono prestazioni eccellenti del' circuito nel suo insieme.

La struttura di un condensatore microelettronicoe molto simile a quella ill un elettrodo con funzionedi porta in un transistore MOS. Quando il dispositive deve funzionare solo come un condensatore e non come parte di unelemen to circuit ale attivo, Ia superficie disilicio sottostante l'elettrodo e soggetta a drogaggio di fortissima intensita per aumentarne la conducibilita. Viene poi formate un sottile strato di ossido, segnito da uno stratodi alluminio. Come nel caso dei resistori, un simile metoda di fabbricazione non si impiegherebbe mai nella 00- struzione di cornponenti discreti, Lo strata di biossido non puo raggiungere la stessa sottigliezza di altri isolanti senza il rischio di un cortocircuito .. Inoltre I 'area complessiva dei con dutton emolto piccola; i condensatori discreti sono realizzati con molte armature sovrapposte, mentre I'equivalente microelettronico e limitato a una cop pia di piastre. Per tali ragioni j valeri eli capacita che si raggiungono nei circuiti microelettronici sono piccoli, di rado superiori a un decimillesimo del valore ottenibile in un tipico condensatore per circuiti a, componenti discreti.

Se ridurre un condensatore aile dimensioni di un circnito microelettronico e.difficile, 'si e dimostrato finora addirittura impossibile eseguire Ia sressa operazione su un'induttore, GIl avvolgimentielicoidali e i materiali ferromagnetici del nucleo sana sempIicemente incompatibili cpn La tecnologia del silicio e per egsi non si e trovato alcun sostituto. Se l'induttore e,oecessario, esso deve essere un componente di tipo discreto.

I perfezionamenti!ecnolQgici di £abbricaziooe aumenteranno 5enza dubbio 1a TOsa ditomponenti passivi disponlbili per il progettista di un circuito microelettro~ nico. La semplice sostituzione di molti componenti passivi con altri attivi ofire tuttavia un miglioramento potenziale 'ancora maggiore,

.n caso dei resistori e di notevole singolarita! essi possono esserespesso eliminati per sostituzione diretta_ lnfatti un b::ansis tore puo essere considerato come un resistore eontrollato in corrente 0 in tensione_ Ne consegue chC? se e disponibile una corrente 0 Una tensione opportulla

suaSTRATO DI SIUGIO

USCITA

INGRESsb

TRANSISTORE p-MOS

TRANSISTOHE n~MOS

.D disposi.tivo MUS complemenlare (CMOS) eomprendesallo stesso chip disilicio transistor] n-MOS e p-MOS. Se it circuito e reallzzato parteado da WI substrato dl tipo n,come nel easo lllustratn, un trllusislore II eanale p P"O essere ottenulo .nel modo normale, rna un dispositivo II canale n richiede la formazione preventiva di lIn'isola di materiaJe di tipop. La necessita di isola siffatte richiede I'.aggiunta. di una rase nel precesso di fabbrieazione e riduee anehe la densitll di lmpaecamento, equindi il numero complesslve di ttansistori realizzablli su uno sresso chip. I dispositivi MOS complementari passono essere sistemati in modo da onenere un. bassecnnsumo ill. energia. NeUo schema qui riprodott.o enrrambl i trans.istoti sonocnllegati aUo BteSSO in.gles50; poiehe i due transistori richiedono per iI funzionamento segnalidl polaritilopposta, Don eondueono mal conrempeesneemeete e si ha un eslguo plIIisaggio di corrente .dall'allmeatatorea terra.

per regolare il valore di resistenza, e possibile inserire un transistore quasi in ogni punto di un circuiro ave, occorra un resistore. Un procedimento del genere non sarebbe maiadottato in un circuito a componeatidiscreti perche i transistor! discreti sono molto pin costosi dei resistori discreti.ln un eircuito microelettronico, il coste principals di un componente e invece espresso dalla superficie di silicic occupata e questae in pratica uguale per il transistore e per il resistore.

La sostituzione di altri elementi circuitali passivi con element; attivi richiede artifici pill elaborati. In un certo senso l'aspetto pin complesso di tutti e rappresentato dall'improvviso rilievo assunto in questi ultim i anni dall 'elettronica digitale, Gli elevati valori di capaci ta e di induttanza impiegati nell'elettroniea tradizionale hanno 10 scopo di assicurare la riproduzione fedele delle tensioni e delle frequenze di segnali analogici. Anche in tali drcuiti i grandi component): passivi posSOl1.0 essere spesso sostituiti da una rete di componenti attivi, ma e m9lto piu facile fare a meno dei primi nell 'elabora:zione di segn_ali digitali, che presentano .sQlo livelli discreti. Nella ma,ggioranza del c-asi iliveI ~ Ii identificabili sana solo due: tensione eIevata e tensione bass a (zew). In tali circuiti i transistori funzionano come commutatori, che hanno anch'essi due soli stati: aperto1chiuso (on/off) e che, quando vengono usaticome interruttori, richiedono un minor llUIDero di dispositi. vi auSiliari.

I d~e tipi fondamentali di tr.a~sistori~ brpolan e MOSFET, suddiv"ldono 1 circuiti microelettroruci in due grandi Jamiglie. I dispositivi bipolari sona stati

messi a puntoper primi, con 10 sviluppo di molte tecnologie, dette appunto bipolari, AI giorno d'oggi La maggiore densita di elementi circuitali su chip pub essere otle,nutacOD la. piu recente tecnologia MOSFET, rna cio non. vuol dire che icircuiti bipolari siano destinati a di vent are obsoleti tra breve.

Nella costruzione di un tipico circuito integrate bipolare tutto il chip subisce un drogaggio generale iniziale con un contamioaote di tipo p, Su questa «mare» di silicic eli tipo p vengono create tante isole separatedi tipo n per quanti sono i transistori e gli altri elementi circuital! (come i resistori), Queste' isole fungonoda- separatori :.il circuito e progettato in modo da rnantenerletutte a un potenziale positive rispetto al substrate, in modo che fra di esse lion scorra aleuna corrente salvo la piccola corrente inversa, Per realizzare un transistore npn aU'mterno dell"isola di tipo n sf ricava un «lago» (Piu propriamente una finestra) con materialedi Iipo p aIeui in tern 0 si crea infine un'isola piil. piccola conmateriale di tipo n. Quest-'ultima e I'emettilore, la finestra di tipo p la "basee l'isola principale i1 collettme. Gli elettroni cbe costituiscono La corrente di collettore abbandonano I'emettitore e attraversano la base per esse.re racoolti [lei volume relativamente g.rande del col~ lettore.

Sarebbepossibile realizzare nello stesso chip un analogo transistorepnp, rna cib richiederebbe un "ulteriore operazione dl drogaggio che verrebbe ad aggiungersi aJle almena quatlro operazioni precedenti. Aocora una volta si dovrebbe creare un'isola di materialedi tipo n in un «mare» drogato dl tipo p: in successione si dovrebbeueare nell 'isola un lago semi-

23

INGRESSI

USCITA

THL (LOGICA A TRANSISTOR,E-AESISTOAE)

v+

USCITA

DTL (LOGICA A DIODO,TAANSISTOAE)

USCITA

ATl (LQGI.CA A AESISTORE-TAANSISTOAE)

INGRESSI

USCITA

TIL (LOGICA A TRANSISTOAE-TRANSI$TOAE)

24

condutrore ill tipo p, quiadi in questo un 'is ala piu piccola ill materiale di tipo n e infine in qaesr'ultima un «stagna» ill silicia di tipo p, Solo le ultime tre regioni 'parteciperebbero al funzionamento del transistore inquanto l'isola principale avrebbe una semplice funzione di separazione.

Per semplificare tale complessa realizzazione il transistorepap viene costmiro secondo uno schema differente, ne! quale il flusso di corrente e laterale anziche verdeale. In questa progetto l'isola di separazione di tipo n diviene la base eal suo in tern 0 vengono create due distinte regioni, drogate con materiale di tipop, ehe sana spesso di forma anulare, con i1 collettore costituito dall'anello esterno. Le oaratteristiche del transistore lateraleprw sono inferiori a quelle del transistore VeIticale npn. perche La regione della baseche separa I 'emettitore dalcollertoree inevitabiirnente piu larga. Ne cellsegue che n guadagno di corrente e la velocita dl commutazione del transistore laterale sono minori.

Un, transistore metallo-ossido-semicondutrore pue essere anche ottenuto da una piastrina eli silicio drogata can materiale di tipo p, rna nei cireuiti MOS non sono richiesti diodi di isolamenro . Per eostruire un MOSFET a riemplmento a canale n e sufficiente ereare due piccole isole di materiale di tipo n con la funzione di sorgente e di pozzo; poi. ovviamente, occorre formate 10 strata di ossido el'elettrodo Call funzione di porta sulla superficie del chip sopra II canale. Non sono richieste le isole di separazione perche Ie tensioni applicate aUa sorgente e al pozzo assicurano che Ira esse.e il substrate non possa scorrere alcuna corrente. Il transistore si isola da solo da tutti gli altri componenti presenti sul chip.

Un dispositivomicroelettrouico a svuotamento a canale n sl realizza in maniera molto simile, salvo che il canale perma-

1 circnlti logicl digitali che impieganodi$positi· vi bipolari a seinlconduttore.sono ormai aI pun- 10 in. cuiai transtston sono affid,ate quasi tutte Je funzio 01. La. I ogi ell. digi taJe lavora co n segnatl che b.3.DDO due soli Jj"elli possibili (come per esempio una. tensione bassa e unatensione a1taljicircuilil ngid aceettan 0 tali segnaliin iogresso e Ii. trasfonnano secoudo criferi lissi per gJlnera.re un'usclta, Le prime famigUe iii .Iogiche vennero costruite.con compouenti disereti, Nellalogiea a transislo:re-resistore (TRL) sicereava di avere n maggior namem possibiJe di resi$tori, eheerano flcompnnente pin ecenomlco, Nella logica a dlodo-translstore (UTE) Ie prestasionl eranostate miglio· rate sestinrendn molti resistori con modi semieondnrtorl. La log;ica a resistore-tran.sistore {RILJ !:l stala la prima tecnologi_.a mIcroelettroDica.; ogni ingtesso aveva untranslstore ed erano necessariesulo poehi resistori di basso valore, La logi ea a tranS'istore·trami.store (lTL) e .111. teenolegla nggj pifl. eomune eli mi. eroelettronica bipolare, Itransl_£ton sono mmreroste accopplaf di:J:eUamente &a loro. n. circuito qui illustral.o eomprende un dis.p ositivo, iJ translstore a emettitoremultiplo, ehe no.n ha un equivalente· Era i ccmpenenri mscreti.

II 1'1 II

- - -

nente di silicio drogato con materiale di ripo n viene deposto fra la sorgente e il pozzo. 1 dispositivi MOS a canale p vengono forman nel modo piu conveniente partendo da unsubstrato trattato in precedenza COIl drogante di tipo n, Le polarita di tutte Ie regioni semicondurrrici e di tune le tensioni a esse applicate devono essere ovviarnente invertite.

Nei circuiti mlcroelettronici costruiti con la tecnologia a metallc-ossido-semicondattore, la decisione di impiegare elispositivi a canale n 0 a canale p e in generale di importanza fondamentale .perche tutti i transistori realizzati su un singolo chip impiegano per it canale 10 stesso tipo di rnateriale. E tuttavia possibile fabbricare nn chip contenenteentrambi i tipi di MOSFET, rna a spese ill una maggiore complesslta e eli una minore densita. I circuiti Mas complementari S1 realizzano, per esempio, isolando tutti i dispositivi a canale p entre isole di silicic di tipo n. I circuiti integrati conrplementari sone pill diffieili da fabbricare, ma in alcune applicaziooi i vantaggi offerti sono tali da compensare ilmaggior coste. n vantaggio di maggior rilievo dei dispositivi MOS cornplementari (CMOS) e iJ lOTO bassissimo consume.

Jdispositivi eonvenzionali n-MOS e p-MOS si POSSOIlO costruire con una densith maggiore soprattutto perche non richiedono isole di separazione, La diiferenza e sostanziale: in una data.superficie di silicic 51 puO realizzare un numero di transisrori MOS circaquadruple di quello di transistori bipolari. Per questa ragione la teen ologia MOS ha finite per prevalere nella fabbricazione dei circuiti con integrazione su larji:a scala, nei quail un dispositivo in corp ora rnigliaia di elementi attivi. Gran parte dei rnicroelaboratori su un singolo chip sono costruiti impiegando la tecnologia a metallo-ossido-semiconduttore, come quasi tutti i chip d:i memoria a semiconduttori.

La caratteristicapiu importantedei circuiti bipolari e la maggiore velocita eli funzionamento. La velocita can cui up. rraasistore puo carnbiare state e determinata soprattutto dalla larghezza della base; il tempo ill commutazione dipende dal tempo che gli elettroni impiegano per diffondersi dall 'ernettitore al oollettore, Nella versione verticale in. generale impiegata per i transistori npn La base puo essere mol to stretta, anche pill della stretta linea ottenibile sulla superficie del chip per incisione fotolitcgrafica. In un dispositivo MaS Ia Iarghezza della porta ha una funzione analog a, rna poiche i transistori MOS sono dispositivi in versione Iaterale la larghezza della porta non puo essere ridotta al di sotto dellirnite di riseluzione fotolitografica. Sulla velocita dei transistori Mas influisce anehe la mobilita dei portatofl dl carica: gli elettroni si spostano piu rapidamente delle buche e quindi i dispositivi a canale n tendono a essere piu veloci di quelli a canalep. Infine la velocita dj un dispositiv~ MOS e limitata dal condensatore costltulto dalla porta, dille strato eli ossido e dal substrato, che richi.ede un tempo finite per cari-

c

v+

b

v+

d

v+

d

lcircuiti logid MOS, sviJllppali. dopo quelli bipolari, 5000 Btat! per 10 piu costrniti in forma .mlcroelettroniea, Ciascuno dei circ.uiti qui preseotati ha la fllllzi.one di invertire nn segnale, in modo cite se I'ingresso e alto Pusclta e bassa 0 vieeversa, In ogni case iJ segnale di ingres.soe applicato alia porta di 1I.U trans'store I!·MOS II rtempimenro; i cireuitl 5i differenziano per Pelemenm di carico ehe limita la corrente attraverse iltransistere, La scelta piu sempllee i!! un resislore (4),. che offre anehe pero, Ie mlnori prestazlon], Un secondo transistore n·MOS II riempimenfo (b) e iI piu sempliee da realizzare; WI translstore noMOS II svuotamento( c) presenta Ia piu ahadensita di impaccamento. InflJl.e, l'aggiunm di un dispositivo II canl!lep artemptmenm (d) consents di ottenere un circnlto MO$ courplementare iche presenta iJ. minor consume,

carsi e scaricarsi, Una riduzione della capacita aumenta la velocita d:i funzionamento, rna e anche accornpagnata da una diminuzione di guadagno,

N egJi ultimi doe decenni 10 sviluppo dei circuiti microelettronici ha reso i transistori di alta qualita sempre piu economici e numerosi, mentre ha consentito ill avere una scelta assai limitata ill resistorie ill condensatori e addirittura nessun induttore. Ne e derivata unaevoluzione di configurazioni circuit ali chesfruttano i lati positivi della tecnologia e ne evitano con perizia Ie Iimitazioni, Si pub seguirequesta tendenza nell'evoluzione dei eircuiti logici digi tali.

Le unita fondamentali della logica elettronica sono i circuiti chiamati «"porta» (da non coniondere con Felettrodo coo. funzione di porta di un transistore MOS). Ogni porta accetta un seg,nale ai terminali dl ingr;esso, 10 trasforma. secondo un criterio incorporato nella sua configurazione interna e presenta il segnale trasfarmato ai terminali di uscita.1v.[olte porte accettano pill dlun segnale eli ingresso e

forniscono un'uscita che dipende dalla cornbinazione dei segnali entranti. II cuore di ogni portae almeno un elemento circuitale at tivo, che funziona da commutatore, i1 commutatore controlla l'useita del circuiro ede in definitiva controllato dall'ingresso,

Fra Ie famiglie d:i circuiti logici sviluppari a meta degli anni cinquanta vi e.quella denominata logiea a rransistcre-resistore, TRL (transistor-resistor logic). I circuiti erano realizzati montando solo componenti discreti nei quali si cercava di impiegare il massimo numero possibile di resistori che sono i componenti pill. economici e affidabili. Una porta tipica con tre ingressi era costltuita da un transistore e cinque resistori.

Ana fine degli anni cinquanta e all'inizio deg)i anni sessanta i diodi a semicondu ttore, ancom sotto fonna di componenti illsereti, divenneroabbastanza ecouomiCida risultare coneorrenziali con iresistori; ne risulto Ill. logieaa diodo-transistore,. DTL (diode"lransistor logic). In essa i modi avevano la funzione dl isolare i segnaJi di ingresso fra loro e di modificare·

25

n

~------OUSCITE

La Iogica integrata II inie".dcme ill corrente, abbrevlata jn PL, «cnmprime» un circuito logieo complete C{I$tilailo da due traosistori in una sola. unilii. Il substrate runge da emettltore iii UIl translstore npn (a de$lra) nel quale II, eerrente scone verso l'altoanraverso [a base verso pm colletrnri, D substrato e anche la base diunaltm translstore un ffi~ositivopnp i.ncm iI OU5S0 della corrente e Ialerale. Con questa disposizionesf ellmlnann Ie zone di' separazione necessarie nella tecnolegla blpolare e si ragghmgono densittl di impac;camento come quelle dei circum MOS.

PORTA IN SILICIO

81055100 OI'SILICIO

PORTA IN ALLUMINIO

n

~P~lJL(~ T- -f --T

SORGENTE

SUBSTRATa

pozzo

1) dispositi'Vo a scorrhnentn dl carica e un cireuito mleroelerrroulee la cul funztone non e riproducibUe COD componenti discreti •. Esso pub essereconslderato tome un transistote MOS «aIlnngalo» con UIU! hmga fila di porte (fi.Jlo a 1000) frala sorgen te e il pozzo. NI.'l dispositivo a canalep, qui illudrllo, un grnppo di eariehe, costituiiQ da una cOllcentr,lIiione di bucha, pub essere tenure fermo per breve tempo con I.'applimzlonedl una tensione negativil eostante II una delle porte. 51.' questa tensions vlene annulIata econtemporanearaente viene poIa.rizzala Ia porta suceessrva nella fila, II gruppo di eariehe si muove I.' 51 dlspnne sono la secendaperta .. ApplicaQdo lmpulsia porte alternate una sequem:adi cariche· pull essere trasferita dalla sorgente al pOTlO.

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i Iivelli di tensione. Una tipica porta comprendeva ancora un solo transistore di comrautazione, rna .anche tre resistori.e cinque diodi, Rispetto al circuito equivalente . a transistore-resistore offriva un consume minore e una maggiore velocita.

La generazione successive di logiche, assai diffusa nella prima meta degli anni sessanta, vedeva l'ictroduzione dei primi cireuiti logici mieroelettronici. La famiglia di dispositivi che ne derive venae chiamata Iogica a res isto re-transis tore , RTL (resistor-transistor logic), rna i resistori avevano valori molto jnferioria quelli del precedenti circuiti e I'uso dei transistori era ben piu diffuso.Tn una porta tipica a ciascuno dei tre ingressi era assegnato un translstore dicommutazione. Ancora UIJ:a volta consume e velocita erano stall migliorati. I eircuiti integrati RTL venivano realizzati con una 0 con alcune porte sullo stessochip,

La quarta famiglia principals di logiche che estata introdotta e la forma oggi pill cornune di recnologia digitale bipolare, Essa e chiamata logica a transistore-transisters, TTL (transistor-transistor logic), termine che denota l'artribuzione della maggioranza delJe funzioni a elementi circultali attivi. Le porte TTL sono sta ti i primi circuiti di importanza commerciale comprendenti unelemento circuitale microelettronico non reallzzaoile COn componeuti discreti, Si tratta del transistore aemettitore multiplo, Del quale due o tre emettitori spartiscono una base e un collettore comuni. In UDa porta 'Tl'Lciascun emettitoreaccetta un segnale diingresso, II transit ore aemettitore multiple controlla un singolo transistore di commutazione, che a sua volta pilota una rete di tre rransistoridi uscita. Rispetto alle precedenti famiglie di porte RTL, i circuiti TIL presentano una maggiore potenza di uscita (possono cost pilotare un mag~ gior nutnero di porte nella matrice delle stadio successsivo), tolleranze di fabbricazicne meno strette e maggiore indifferenza aUe tensioni spurie, cioe al rum ore elettrico. Sono oggi di comune impiego circuiti in tegra ti con ten en ti diversecen tinaiadi porte TTL.

Ta tecnologia a rnetallo-ossido-semiconL duttore, forse perche ill piu recente sviluppo, ha avuto un 'evoluzione meno complessa, Di norma ogni nuovafamiglia dilogichenon ha del tutto sostiruito quelIe preeedeuti; si e piuttosto verificato che ogni famiglia ha trovato le applicazioni per le quali e plO adatta,

I primi circuiti microelettronici MOSFET impiegavano dispositivi a canale p solo perche eli piu facilecostruzione; essi erano ancae i piu lenti, per la min ore mobilita delle buche rispstto agliclettrom. I dispositivi a canale p, in larga misura sosdtuif con altre tecnologie nelle applicazioni che richiedono prestazioni elevate, sono tu ttora am piarnente impiegati nei calcelatori elettronicl di basso costo, in cui la velocira di funzionamento e di irnporranza secoridaria e il basso costo una considerazione prevalente.

1 circuiti MOS a canale n hanno quasi

del turto sostituito quem a canale p nei nricroelaboratori e nelle memorie a semicorrduttori. La fie5Sibilhll dellstecnologia n.~MOS puo essere valutata prendendo in esame un semplice circuito con Iuaziene d.i porta con un ingresso a un transistore a effetto di campo a canale n a riempimento. Le configurazloni circuitali possibill si differeaziano per ll componente scelto come carico del transistore.

La scelta pill ovvia e piu semplice dal punto di vista coneenuale e un resistore ehe e perc ancbe il componente di presta ~ zioni piii.funitate., Uri'altra possibilits per I'elemeato di carieo, dab di limirazione della correcre, e un analogo transistore II canale 118 .riempim.c.nto,., connesso. in serie can 11 primo, E la combinaeione di piD. facile costruzione, spesso scelta pet le applicazioni di basso coste. La densita pIll eievata si ottiene usando come carico un disposirivo a canale na svuotamento, che costituisce la scelta per i cireui ti a integra ~ none su larga scala di alre prestazlcnl, quali quelle richieste nei rnlcroelahoratori, Comeelemeato di carico puc infine essere usato ua rransistore a ricmpimemo a eanale p, In questa caso la porta non e pill un dispositivo» ~MOS, hensl un eircuito MOS complementare (Cl\.10S). Poiche solo un translstore per volta e in Ease di couduzione, salvo durante I 'operazione di commutazione, artraverso la pOT~ ta SCOlTe una picccla eerrenre stazionana e il consumob basso. Un'applicazicne particolarmenteindicata per Ia reenologia CMOSe I'orologlo elettronico cia pol so, che deve funzionare per lunge tempo utiIizzando I'energia fornira da una piecola batteria.

Sta la densita di impaeicameDt"o dei d.reniti bipolari sia la veloci.ta dei dispositivi MOS sono notevolmente mig!ior-ate soprattutto grazie ai progressi compiuti nei metodi di fabb.ricazionc e nella scienza dei materiali. Cib nonostante rimane ancora fra lora un oo!evoJe divario, Pcr colmare [,ale divario si potrebbe ricorrere a llna nuova tecnoiogj a bipolare chiamata 10gica integrata a iniezione di corrente d'abitl1diJle abbreviata in ilL.

L'elemento fl1nzioDaIc di base nella logica integratra a iniezione di oorrente nOD e un I:ransu.tore 5ingolo, rna una cop~ pia di transistOl:i che "engono fonnati come un!! sola unil!l nel subslratodi sili~ cio. Uno di questi ha UllB oonfigutazione vertlcale, ma il flusso di corrente ~ verso i1 collenore in alto anzi.ebe in senso contrario come nel pl'ogetto normale. D substrata stesso funge cia emetutol'e di questo transistore e oel conlempo da base per I'altm, in oonfigorazione latcTale. Gralie aIle tensioni applicate aile vane zone dIogate nOll Sono necessa:rieisolc di separazione: lacoppia. di trsnsistori csuperintegTatill forma una porta logicacomplcta.

Per quanta riguarda la velocit1l: Ie perte PL non .raggiungeranno probabilmente i pill ve10ci oircuiti TIL, pur essendo gia pill veloci di tutti i dispositivi MOSFET. D' altra parte, I 'architettura compa tta della logica integrata a iniezione di corren te ne fu una candidata ideale per I 'inreg-razio· ne su larga scala, Sara poss[ bile raggjunge~

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re conla logica FL densita eli lmpaceamen - to uguali a quelle dei chip ,,~MOS.

I dispositivi presi in oonsiderazione sono al centro del precesso di sviluppo della mleroelettronica. Lc lecniche ap~ prese nella costruzione di porte in logics digitale SODO state mtravia applicateauche alia sviluppo didispositivi mieroelettroniei di altro ripo.L circulti che elahcrano segnali analogici scnocertamente indispcnsabili in diversialtri serrori, come per eseropio nella telefonia e nella radio; e in effetti alcuai apparati per questi 'impieghi possono essere realizzatl in forma microelettronice. Un tipico ampliflcatore di bassa potenza progettato per essere montato con componenti discreti ha un solo transistore, quattro resistori, due dei quall eli alto valore, c tre condensaeocldi alta a altissima capacita, Un dispositive micrcelettronico equivalen te impiega sette transistori rna un solo resistore per il contmllo della correntc. Tn alcuni casi I'e ~ laborazicne dei segnali analogici precede in modo pill. proficuo con laloro cenversione iniziale In forma digitale e, a processo eseguito,conuna suceessiva riconversionein formaanalogica quando necessano. Le stesse appareceaiature di conversione possono essere fabbricate con 111 tecnica microelettroaica.

La tecnologia del semieondutrori ha anche {ami to un certo numero di. trasdut ~ tori mediante i quali i dispositivi eleuroniei sana messi ingrado di comunicare con l'ambiente cireostantc, e eon in soli - to esempio un rilevaroredi pressione it cui elemento operative e un sottile diaframIDa in silicio semiconduttore. La resisten~ za delsilicio cambia in risposta a una sollecitazione meccanica ecom una varia:zi.o~ ne di pressione sill diaframma puo esseIe rivelata in funzione del c8Dlbiamento di rcs.istcnza del materiale,

Trasdi.!ttori tn un certa senso pill familiari sonG il fotodiodo e il fotolransistore. Quando un fotone, 0 quanta elienergia eletlroma.gnetica, e assorbito daJ1a regia. Iledi tipo p di un fotodiodo,. l'energi.a eeduta dal fatone orea un eleltrone e una buca. L'elettrone migra yetso la giunzio· De e l'attra.veISa: lacorrente lotalecne ne cierivae propomona:leal flusso di fOLoni incidenti. n dispositivo opposto e il diodo aemissione di lure (LBD), costruito in modo da muttare Ie collisioni fraelettrooj e bucbe". In ogn.! collisionc un elettrone riempie una buca ,ed entrambe Ie particelIe vcngono in effetti an:nichilat.c come ponarori di carica. mentre la loto ener:gia si trasform.a in ll1l folone. Nel silicio tali annichilarioni portuno aJl'emissione di radiazione infraross.a, mentre nell'arseniUIO di gallio (un materiale semicondut· tore) la luce emessa enellil frazione rossa della spettro visibile. SeTie di diodi LED in arseniuro ill gallic costi.tuisoona i visori numerici di molti calcolatori elet!ronici.

Un elemento fullZionale microelettronico di recente ioveazione e caratterizzato daJ fauo che iI suo funzionamenlo non puoessere OUenuto con nessun circuito realizzato COD el.ementidi.sc:reti; esso e Is quintessenza della mkroelettronica.

Chiamato disposirivc a scorrimento di eariea, pUb essere considerato come un'iogegnosa estensione del transistore MOS a riempimento. D dispositive aseorrimento di carica e eostineto da una SOi~ genie e da Ull pozzo separari da una hmga fila di porte, Ungruppo di cariche iniettate dalla sorgente puc. essere iatrappolato sono la prima porta cia una teasione applicata a quesre elertrodo, Se vieneannullata la tensione applicata aIla prima porta appllcaadola nello stesso tempo a quellasuccessiva, il gruppo dicariche e attrauo e inlla:ppalato sotto Ia seconds porta. Ripetendo il prccesso, il gruppo ill eariche viene trasferito lunge la fila di porte, una dopa l'altra, fino a raggrungere il p0Z7.0.

Un dispositive di memoria nel quale le clfre siano lmrn agazziP ate sotto .forma di una lunga suecessione di bit (binary digit) pub essere realizzato costruendo un dispositivo a seornmento di carica con numeroslssime porte (fino a 1000). PoichI! la densita di impaccamento pub essetil. elevatissima, su un solo. chip possoao trovare posto ncmerosi dispositivi del generc.l gruppi dicariche possono essere generati per via fotoeleurice anzich!! essere inieltati dalJa sorgente, in modo che una marrice di dispositivi a scorrimento di carica e suseettibile di Innzlonareeome il nucleo di una telecameracon uscita digi~ tale.

E ormei passaro molto tempo da quando il pregertista dl un disposirivo mieroelettronico poteva studiare j] comportsmento del circuito costruendono un prototipo S1J un circuito stampato parteode da componenti discreti. Ora i] circuito e rappresentato da un modello matematico Ie cUlcarattedstiche vengonoapprofondi~ teeon j'aiuto di un calcolatore. A sua volta H modello deve esseTe basatb su una desct'izione precisa delle proprietaelet~ triche dei s.irigoi.i clementi circuitali. Man mane cb.e gli clemen tl si aJ1onlanano dalla scala umana delle dimen:sioni, la verifica di tali descrizioni diventa sempte pili dif~ ncile. Qu.ando Ie misuxe dei compooeuti scendono a:J d.i sottodi un micrometro olcllIlimeccanismi fisici, irrilevanti In di~ sposilivi dt mll.ggiori dlmen:sioni, diventario i.m po.rtan.lie rn aicUlli cas:i perfino d eelslvi. Pcrtanto un'es.igenza clle non si deve trascu.rare per otlenere un progresso COil· tinuo e La oecessi!a di preparare modelli degli elementicircuitaH sempre pill perfe~ ziou,ati.

Un metodo altrettanto sistematico va seguito nell'affrontare il problema della fabb:ricaz:ione. deUa prossima generazione djci.rcuiti iutegrati. [ modelli dovranllo meltcl'c 1U evidenza non solo 'come fu.n~ zionano gli elementi, rna anche, come devono essere realizzati. Rispetto ai modem di comport8Dlento eletrnco, que· sti modelli operativl s.ono in una fase pri~ mitiva. di sviIuppo: la loro costruzione .~ ancora, iofatti, uo'arteempirica. Un pro· grosso continuo nel campo della microe~ leUronica pub dipendere molto dalla ca~ p.a.cita. di prevcdere Ie propricta di nn ttansistore parten do dilla conoscenza delle vane fasi di lavOI3z.ione.

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L'integrazione su larga scala dei circuitimicroelettronici

Si parla d'integrazione su larga scala quando migliaia di elementi circuitali sono montati su un unico chip di silicio. La maggior parte di questi circuiti opera seguendo le regale della logica di Boole

Negli ultirni venti anni la velocita di calcolo e aumentata di sei ordini di grandezza, ovvero eli circa un milione di volte e, fatto ancora piu importante, il suo costa e dimirruito in modo sorprendente, 1 miaicalcolatori, attualmente disponibili a un prezzo di circa 1000 dollari, si avvieinano alla capacita eli macchine ben piugrosse ehe quindici anni fa raggiungevano un coste di :20 mili oni di dollari, Siprevede che ne11985 un minicaleolatore eli medie prestazioni avra un prezzo inferiore a 100 dollari. Il conseguente mlglioramento nella facolta eli elaborare I'informazione equivale a una rivoluzione in tell ettu ale.

Negli anni quaranta SI cornprese la necessita di aurnentare la velocita e Ia capaCit~ di caleolo delle macchine, rna Ie prestazioni erano limitate dalla tecnologia elettronica alIora disponibile, basata sulle valvole termoionlche. Per il calore generato, queste avevano una vita relativamente breve, imponendo un limite aile dimensioni dei calcolarori. IT prime calcolatore esclusivamente elettronico, l'ENlAC, £1.1 sviluppato presso I'Universita della Pennsylvania nel 1945e impiegava 18 000 val vole. E ehiaro che macehine ill maggiori dimensioni erano irrealizzabili: sarebbero infatti occorse quasi 24 ore per trovare e. sostituire le valvole ill avaria.

L'invenzione del transistore nel 1947 evito che fosse posta una fine prematura allo sviluppo dei calcolatori: Le riduzioni eli dimensioni e di coste realizzate negli

eli William C. Holton

ultimi dieci anni sono la conseguenza del- 10 sviluppo del circuito integrate alIa fine degli anni cinquanta. Oggi Ia progettazione dei calcolatori e di altri dispositivi elettronici e soggetta a un nuevo cambiamento per Ia comparsa dell'integrazione 5U larga scala, il processo che eonsente di costruire contemporaneamente decine di migllaia eli transistori insieme con le Ioro interconnessioni. Grazie a questa tecnologia in pratica tutti gli elementi Iogici di un calcolatore digitale possono trovar posto su un chip di silicic, con .lati non superiori a 6 miJIimetri.

In un circuito digitale i transistori agiscono come interruttori i quali oome noto hanna due soli stati possiblli: aperto 0 chiuso, corrispondenti, in un componente attivo, rispertivamente agli stari diloterdizionee di conduzione, In modo ana logo i seguali presenti net circuito hanna due soli livelli ideo tificabili di tensione, indican sempllcemente alto e basso oppure positivoe negative. Poichemttigli stan ell un circuito digitale 5.00.0 lirnitati a qtresti due valori Ie funzioni logiche e aritmetiche di un calcolatore sono espresse in termini di numeri binari.

In un numero deeimale ogni cifra, par. tendo da destta e precedendo verso sinistra, e 11 fattore di moltiplioazione di potenze progressivamente crescenti eli 10; in effetli anche comunernenteparliamo di unita, decine, ceatinala e cost via. I numeri binari impiegano un'analoga no-

L'addiziouatore eleftronieo della microfotografia nella papa fronte e nna piecola perzlone dJ un mieroelahoratere interamente realizzato snlla superficie dJ un .ringolo cbip di silido. Il mieroelabora.ore, un ,e.sempio ill integraziooe so larga scala,. eil TMS 9900deDa Texas llitrnmenls Incorporated. L'organizzazione dell'adilizionatore poO essen~ in.dividnata nello s~hema iterativodlc suddjvidc in qnattrocolonc vertiC'alil'area mostrata. Ogni colonna il un circuito, costituito da 31 trnnmt.ori, ebe oper.a so UJ!l! cUm,. 0 bit, del Durneri binari da.sumuiare.·L'l,Iddiziomiforecompleto comprende 16 ~olonne ill questolipo e pDO qui'ndi sommQl'e Domed dj 16 liU. Le zone verdi del chip sono in prevalellza Ie region..i deDa .sorge,ot.e e del pozzo dei tmoristori a metallo-ossido,s~micODdl!ttore; Ie porte del ttall.siston SOllO ,in rosa. A!cunezone rivestite COll biossi.do di aU!!.Dlinio sonl! in color malvae Ie lin.eeargentaf,e S(fllO' .leond.utt.ori in allumini.o.

tazione di pcsizionesalvo chei moltiplicatori sono potenze.di 2, eli modo che Ie cifre rappreserrtano.le unita.Ldue.i quattro, gli otto, eccetera, Con questo sistema ill numerazione ogni quantita puoesseTe rappresentata da una sequenza ill zen e di uno.

L'aritmetica e, sotto molti aspetti, pin semplice nel sistema binario cae in quelLo deeimale, L'addizione richiede poco pill. di un facile conteggio, bisogna solo avere I'avvertenza di riportare una cifra binaria, obit, aIla potenza eli 2 d:i ordine superiore. Anehe la moltiplicazione e un procedimentoelemeutare. Poiche ogni citra del mol.tiplicatore deve essere UDO 0 oun 1, ogni prodotto parziale ottenuto deve essere eguale a zero 0 al moltipl ican do. Quindi Ia regola della molriplicazione consiste semplicemente nella scrivere in eolonna il moltiplicatore e il moltiplicando, scorrere il rnoltiplicando di un peste verso sinistra per ogni b,it positive nel moltiplicatore e sommare i duenumeri.

La sottrazione pub essere eseguita sia nel modo usuale.con l'inelnsioue del prestito di un bit dalla colonna di ordine .superiore, sia con no altro rnetodo che viene spesso usato, per la maggiore faeilits eli meccanizzazione che ollie .. Se si «invertone» tutti r bit eli un nurnero binario, se cioe-si cambiano tutti gli 1 in 0 e tutti gli 0 in 1, -si ottiene un numero chiamato «complernento», che presents. alcune caratteristiche eli un numero negative, Si pno quindi effettuareIa sottrazion e can la conversione del sottraendo nel suo complemento e con 1a suecessiva esecuzione d:i un particolare schema eli somma.Infine la divisione pub essere eseguita contando quante volte un nnmero pub essere 80ttratto da un altrot.il risultato del conteggio e i1 qU6zi:ente. Daile procedure deseritte si desume l'importanle conclusione ch-e' tutte Ie openizioniaritmetiche possono essere ricondotte aII'addizione. Ne consegue cpe unc.alcolatore pub operare senza circuiti specializzati per la 801- trazione, 1a moltiplicazione e.la elivisione,

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SISTEMA DECIMALE

SISTEMABII\IA'I'IIO

103 102 101 10°
I I I- I
9 7 7 o

10

10

1024+512+256+1128+ 0 + 32 + 1.6 + 8 + 0 + 0 +

1000+900 + 70 + 7

SOTTRAZIONE

100 1 + 0 1 0 1

9 +5

1 00 - 0 1 0

9' -5

1 1 1 0

14

o 1 0 0

4

ADDIZIONE

o 1 0 1 1 0 1 0

+0001 1001

1011----------..;;.. + 1011 ~01 00 SOTIRAZIONE PER ADDIZIONE DEL COMPLEMENTO

1 0 0 1 9

x 0 1 0 x5

1 00 1

000 o

1 00 1

0000

o 1 0 1 1 0 1 45

MOL TIPL:lCAZ,IONE

I numerl binari pos.S01J 0 rappresen tare qu.alsi.asi IJlll!lIdtil mediante una sequensa dl 0 e di 1. Leg.gendo ill! destrll verso m.iStra i. bit a.ei numeri binari iDdicano le sneeesslve potenze di 2"eoSi come le cifredei nnmeri deeimali indicano Ie successive petenze di 10. La somma hinaria impliCll un semplice conteggioCOD la preillsposizione del riporto ill un bit aHa potenza di 2 ill ordine superiore .. La sotmazione pub essere eseguita con ilprocedimenlo usuale, mediante il prestito delJa potenza di 2 di oldine .superiore,oppure mamile Ull numero chiamatocompleme;nlo, ottenuto 'invertendo i l'ldori di tutti i 'bit (00 0 in 1 e viceversa) eaggiungeodo Ial milItato. La difl'erenza Ira dne, nnmen si treva ad.dizi.onando il complemento del$ottraenilo al minuendo. La moltrplicatione e molto semplificata pe.rch{!le CUre del moltiplicatore scno ~empre 0 0 Le qnindi ognlprodono par-dale il ugu~e oa zero 0.1iI moltipUcando. I prodotti parzlali vengono annotatl, 5postati di an appropliia.to nUD1elO dipoSti verso'siD,istta e semmati, La division.e, iii eul non e riporta.to 10 schema, pub t5egmm con sOttrazioni. ripetu.le. Turte queste operazion! pcssonnessere eseguite a maccltina. Inoltre totte Ie operazioni aritmetiche sono rkondncibili all'addiuone.

A B A·B
:0 0 0
0 1 0
1 0 0
1 1 1 A B A+B
0 0 0
0
:0 ~ ~

A

~

OR

NOT

AND

Anche Ie I'ilnzioni logiche possono essere espresse in termini di numeri binari, Lafunzione «not» iaverte una. cifra binaria, cemhiando 0 in Le 1 in. O. Le fuuzi.oui «and» e «er» accettane due bit agli ingress! (qui inweatiA eB) e gen.erano un bit dj uscita. determioafo-dai valod degliingressi. La Junzione A «and»B (saitta in sImboJiA· B) l! 1 solo se.sJaA slaB hanao wore 1. L1.I funzione «or» (scrittaA + B) genera un'useits divalore 1 seA oppureB hanno entra.mbi valore 1.ln basso sono riportate Ie rappresentazlonl simbohebedl "porte» die e5eguono queste operazloni logicbe.

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purche abbia la capacita di addizionare,

Un asperto forse ancora pin importaate della convenienzadell'arittnetica binaria e Ia facilita eoncui i numeri binari possono esprimere proposizioni di logica simbolica. Nel1938 Claude E. Shannon del Massachusetts Institute of Technology dimostro che i circuiti di commutaaione di ua tipo allora costruitocon rele elettromeccanici potevano essere impiegati per valutareespressioni logiche. In altre parole i due stati aperto-chiuso, ill. tensione -alta 0 bassa, 1 0 0 potevanoessere as sun ti a rappresentare rispettivamente il vero 0 il false,

n sistema logico impiegato nei calcolatori digitall fu ideate daI matematieo britannico George Boole quasi un seeolo prima the venisse costruito il primo calcolatore eletrronieo. L'algebra di Boole fornisce procedurerigorose per stabilire se ua'asserzione e vera 0 falsacalla sola eondizione che l'enuneiato stesso possa essereespresso in funzione eli variabili con due soli valori possibili. Irrquestc articolo si ipotizza arbitrariamente che ill logiea diBooleil «vero» sia .rappresentato da un valore.binario 1 oda uno state di tensione aIto.

Tre sole funzioni, chiamate «not», «and» e «or», sono sufftcientipereseguire Ie operazioni logiche mediante l'algebra di Boole .. La funzione «not» cambia un bit binario nel suo valore opposto: cenverte uno 0 in un 1 0 vice versa. Le funzioni "and» e «OI» danno luogo in uscita a un bit singoto ineorrispondenza dei valori di due 0 piu bit in ingresso: La funzione «and» e vera solo se tutti. gli ingressi sono veri, La funzione «on>, d'al'tra parte,e vera se uno 01'IU ingressi sono vwi

Gli equivalenri elettronici di quesre funzioni sono chiamati porte logicbe, La porta «not» accettaun bit singolo in illgressoe ne cambia il valore, cioe.lo inverteo Se l'ingresso.e una tensione alta, I'usci-. ta ea Iivello basso; quando cambia Yingresso altrettanro avviene all'uscita. La porta «and» accetta piu eli un segnale d'Iagresso e produce una tensione d'useitaalta s010 quando su tutti gli Ingressi e contemporaneamenle applicata una tenSlone alta. L'uscita di una porta «or» e a, Iivello.alto fill quandouna tensione.alta e presente su almeno uno dei suoi ingressi.

T e porte logiche sono unitafunzionali di L base per Ie operazioni sia logiche sia aritmetiche. 'Un esercizio che dimostra con efficacia le possibilicotnbinazioai delle porte ela costruzicne di un circuito per I'addizione eli numeri binari, 11 circuito deve accettare all'ingresse i due bit da addizionare, insieme COIl un bit di riporto, che pUG avere sia il valore 1 sia il valore 0, derivante dalla potenza di 2 di ordine inferiore, Esso deve fornire in uscita un bit di somma e un bitdi riporto per Ill. potenza

eli 2 di ordine superiore, -

La prima.fase nel progetto eli un circuito e rappresentata dalla preparazione di una tavola eli verita ehe fornisca Ie us cite desiderate per tutte Ie possibili combinazioni di ingress! (si veda la figara a pagina

BO,----t INGRESSI

PORTA NOT ([NV E R~TI",()R e)

v+

v+

PORTA AND

Le porte logiche elertreniche vafutano espressionl aritmeriche e logiche. nelle quali i vQ!ori bina.ri sono espressi do tensioni, Per convenzione un valore binario 1 ~ rappresenrato da una tension" arta e un valore binari.o o da una tensione bassa .. Le porte qui ralIigu.ratesono realizzate con. transistor]. a metallc-cssido-semicoadunore. Lapiu sempliee. it la porta «not», 0 invertitore. Quando I'ingres.so Iii questa porta si. trova.alivejlo b asso, 11. transistore non con duee e rr.a ('QJim entozionc (V +) e, la massa scorre,attrQverso u rc.sistore e il translstore, solo una eorrente traseurabile. Ne risultaai capi del reststore una caduta Iii tensione praticamente nlllia e. I'usci.ta corrisponde aDa tensione di afimentazlone. Quando

32). Tre.ingressi binari danno Iuogoa otto combinazieni. n procedimento per la generazione del bit di sornma consiste-nel trovare tutte le combinazioni che richiedono un 1 in uscita e poi nel disporre le porte in modo daprodurre tale uscita, Se i 'tre bit d'ingresso sono 0, ovviarnente il'bit druscita sara anch'esso 0. Se uno solo dei bit d'ingresso e un 1 e gli altri due sono degli 0, si deve avere in uscita un 1. lie sono Ie combinazlorii di questo tipo (uno dei due addendi 0 it bit di riporto potrebbero essere till 1 che il circuito deve prevedere. Se due degli ingress! hanna valore 1 e'il terzo valore Osi hanna. altre .tre combinazioni con i] bit di somma avente valore 0, poiche in aritmetica bin aria 1 pin 1 e uguale a 10 (il necessario bit ill riportc viene ottenuto in un gruppo di pone separate). Infine tuttie tre gli ingressi possono valere 1, nel qual caso l'uscita edi nuovo 1 (con la necessaria.generazione di un bit di riporto). Nel complesso quindi quattro delle otto combinazioni ill Ingressi richiedcno un'uscita di valore L tre nel caso che uno solo degli ingressi sia nello state 1 e una se tutti gli ingressi

senonello state 1. .

Un circuito per il calcolo del bit di somma pubessere costruita in segmenti, ;;iascuno dei qnali rappresenta una delle qu.attro comhinazioni «vere»di ingressi. SipuQ inizia:re dalla combinazione nella .:male i due addeneli hanno valore 0, e il bit di riporto valore 1. E una coudizioneche deve date luogo a ~n uscita 1: i due ad.:!endi sono fatt! passare attraverso porte

USCITAA' B

INGRESSOA

PQR.TAOR

aJl'ingresso ~ applicato unsegnale Iii liveDo .alto, i1 transjstore conduce e II f1llSso di correoteprodncc ai eapi del reststore una sensihile caduta di tenslone, La tcnsione d.i usclta eora -prossima a qnella di massa, La porta «and» ba due transistod di ingresso connessi in serie cbe eoaduconnsoloquandoa entrambi e applicate un segnale Iii livelle alto. Pel ripristinare la correrta polaritil del segnale, l'UscUa d ei du e transiston in serlee seguita da un inverlitore. In una porta «or» i trans:isto' ridi ingrCIiSO sono disposti in PQlaIlelo, in modoche un segnale Iii livello' alto appllcato a uno qiIaisialii diessi dil luogo a eonduzlone, Anche qui occorre un invertitnre-per camblare 11'1 polarita. d.eIPnscita.

«not», convertendoli in bit di valore 1, che sono poi presentati agli ingressl di una porta «and». L'uscita di questa poria e il bit di riporto (in forma non invertita) servono- quali ingressi di un'altra porta «and» che fornisce il risultato corretto,

Oceorrono altre due.identiche disposizioni.di.porte. In una di queste il primo addendo e ilbi t di riporto sono invertiti da porte «not» e-quindi combinati con I 'altro addendo; nell'altra il secondo addendo e il bit diriportovengono invertitie combinari con il primo addendo, Infine occorre una quarta disposizione di porte per fornire un 'uscita vera quando tutti e tre gli ingressi sono veri. In questocasoIe porte «not» sono -inutili ; i due addendi sono presentati a una porta «and», la cui uscita viene poi com binata con il bit di riporto in una seconda porta «and». I quattro sistemidi porte forniscono il bit di somma esatto per tutrele cornbinazioni di bit in ingresso, Rimane ora soltanto da unire insieme le uscite dei quattro gruppi cop porte «or» affinche I'intero sistema di porte abbia una sola linea di uscita ehe tomisca sempre il bit di somma corretto.

La generazionedi un bit di riporto per la cclonna di ordine-superiore, e alquanto piu semplic~ del calcolo per i1 bit di somma. La tabella di pagina 32 indica che il bit di riP-OTto devevaiere 1 quando almena due ingressi hanno val ore 1. E quineli sufficiente combinare gli ingressi a coppie, usando una porta «and» per i due addendi, upa seconda per il primo addendo eil bit di riporto dall'mdine infetioree

una terza per il secondo addenda e iI bit eli riporto, Le uscite di queste tre porte «and» sono poi combinate da una porta «or». Sealmeno due ingressi sono veri, almena una delle porte «and» avra un'uscita vera e si avra la generazione di un bit diriporto 1.

Un addizionatore presenta tre terminaIi di ingresso e due di uscita; i segnali di .ingresso (i due addendi e il bitdi riporto in entrata) sono applicati conternporanea.mentea tutte le porte opportune, mentre Ie dueuscite sono il bit di somma e il bit di riportoper I'ordine superiore. Secondo lo schema descritto I 'addizionatore completo comprende tre. porte «not», 11 porte «and» e cinque porte «or». E semplice disporre circuiti del genere in cascata in modo da addizionare numeri binari eostituiti.dapiu di un bit. La Linea di uscita gel bit di riporto di uno stadia viene.connessa al terminate di ingresso per it bit ell riporto della stadia successive.

III un ealcolatore i sirnboli dell'algebra di Boole sono tradottiin ttansistori e in altri dispositivi elettronici. La trasformazione e particolarrnente elegante in un rnicrecalcolatore perche la logica simbolica e rappresenta:ta quasi dire,ttamente sulla super£icie di un chip o.i silicio.

Nel ~eguito dell'articolo si prendera in considerazione Ill. realizza:zione del~ Ie. porte logicbe in una sola delle tecpologie a semiconduttori oggi impiega.re e precisamente nella, tetnologia dei tTansj~ stori n_:-MOS a riempimento (8i veda I'ar-

31

tieolo GIl dementi dei circuiii microelettronici ill James D. Meindl a pagina 16). Si tratta ill traasistori con alimentazione positiva ehe conducono quando alia porta e applicata una tensione positiva, Nel seguito dell'articoIo saranno discnsse solo le configurazioni circuitali pill sernplici per ogni porta, che non SODO necessariamente le miglicri realizzabili; i perfezionamenti che vengono in generale aggiunti Dei circuiti reali dei cakolatori non modificano tuttavia alcuno dei priocipi fondamenta Ii di funzionamento.

I tre elementi di lill traasisrore n-MOS sono la sorgente, Ill. porta e il pozzo. La porta (da non contendere COD una porta Iogica) controllaIa eorrente cbe scorre fra Ill. sorgentee il pozzo, Quando alla porta e applicate un potenziale positive di circa 2 volt il transistore conduce; riducendo Ill. tensione a zero Ia conduzione eessa. Queste tensioni possono ricevere I 'etichetta ill «alta» e «bassas e si, adottera ancora Ia convenzione ill identificare 10 state di alta tensione con un valore binario 1 ovvero con valore logico «vero».

La piusemplice porta.logics e un Invertitore che esegue la funzione logicaenotx e che e costituita da un transistors COl:Inesso in aerie con un resistore. La tensione di alimentazione (una tensione positi-

arr BIT
A B C OJ 01
SOMMA ",JPORTO
:
0 0 0 0 0
0 0 1 , 0
0 1 0 1 0
0 1 1 0 1
1 0 0 1 0
1 0 1 0 1
1 1 0 0 1
1 1 , , 1 La llIbelb per l'addizione binarla. fomisce" i valn.ri ca[(olati del bit iii somma e del bit di .riporto peT tulti i po.ssihili.valorl d'ingresso. Gli ingr'essi da summare sono i due bit da addiziooare(A. eB) eil bitdi riporto(C) dalla pol.enz8 di 2 di otdine inferior.e,. Le regole per l'addi.zioneilicono ,cbe iJ bi'! di somma 1),1 se uno solo degli lngres.sil) 1 Dppurese Intti etregliing;ressi SDno 1; negJi aim casi it bil Iii somma e o. n bit Iii riporto (peda potenza d:i 2 d:i online supe· riore.) I) 1 se ahnenD due degU ingressi sono 1.

32

va di circa 5 voltje applicata al resistore. II segnale di ingresso e inviato direttamente alia porta del transistoree il segnaIe d'useita viene prelevato al punto di collegarnento fra transistore e resistore.

Quando l'ingresso all 'In v ertitore si trova a val are 0,. il transistore-non conduce e non Vi e quindi passaggio di correate attraverse il resistore e II transistore, verso il punto di massa, 0 ritorno comnne del circuito, Non si ha caduta ill tensione ai capi del resistore e I 'uscita si trova in sostanza al potenziale della sorgente .. Quando l'ingresso e a valore basso, Puscitae a val ore alto.

Se a.questo punto Sci applica una tensione altaell'ingresso, il transistore conduce. Quando attraverso it circuito scorre una corrente si ha un 'apprezzabile cadura di tensione aieapi del resistore e l'uscita della porta e in pratica collegata a massa tramite Ia bassaresistenza del transistorc risultando di conseguenza nello state di bass a tensione. Ouesto e proprio il comportamenro richiesto a una porta «not».

Le altre porte logiche sono costruite in base a principi analoghi, Pel" una porta «and» con due ingressi iltransistore singolo dell'invertitore e sostituito da una coppia di transistori oollegati in serie. Gli ingressi S.oDO Ie porte dei transistori; trovandosi questi in serie si pub realizzare una via di conduzlone verso massa solo quando entrambi gli ingressi sono nella srato di tensione alta. In questa forma il cireuito sicomporta allo stesso tempo come porta «and» e come invertitore, una cornbinazione di circuiti logici chiamata porta «nand» (per enos-and» ), S1 possono realizzare matrici logiche partendo dalle porte «nand »e questae Ia pratiea corrente inalcune tecnologie; il circuito e pero facilmente trasformabile in una porta «and» convenzionale .. A questo scope e solo necessario far seguire all 'uscita della porta enand» un secondo invertitore che ripristina la. polaritacorretta del segnale. Quando entrambi gli lngressl alIa porta sono veri, I'uscita dalla sezione «[land» del circu.ito e bassa e do costringel'in"ertitUIe, e quindi I'weita del.circl.lito considerato nel suo complesso, nella stato ill tensione alta.

Una porta «OT» 5i realizza nello stesso modo, salvo che i due transistoriill ingresso sono disposti in parallelo anzicM in serie, In eonsegucma di questa variante esiste una via di conduzione verso massa se -uno qualsiasi dei due .ingressi e nello stato di tensiane aHa. Come nella porta «and», alcircuito (Ii ing,resso deve far seguitouninvertitore se a-un ingresso alto deve corrispondere un'uscitaalta. Senza l'invertitore 11 circuilo ~ una porta «nor» (per «lIot-or» ).

La semplice unione di porte Iogiche del tip 0 prima descritto consente.illrealizzare un addizionatore per un bit uinario impiegaodo circa 50 t.ransistori e quasi altrettanti resistori. In effetti non e nece-ssario ehe un adillzionatore sia coslcomplicato. Affinamenti di progetto,con l'assegnazione ill piufunzimua uno stessa transistore, riducono il numero dei componenti indispensabili a 17 -transistori e a 4

resistori, oanche soltanro a 21 transistori,

Ma anche nella tonna pia semplificata il circuiro addizionatorerisul!a una matrice logica ill notevole complessita, Inoltre puo sornmare solo numericostituiti daun hi 1. I'microela boratori lavorano in genere con numeri binari costituiti da otto fino.a sedici bit: per un addizionatore complete il circuito dovrebbe essere ripetuto un corrispondente numero di volte.

'Ta manipolazione logica e aritmetica dei L numeri binari non e la sola funzione dei ciDc~iti porta fondamentali. Urr'altra funzione basilare dei calcolatori e I'immagazzinamento delle informazioni. Cio si puo we combinando Ie porte in circuiti chiamati flip-flop (0 multivribratori bistabili), latch (chis viste lli ), registri e cell e eli memoria; i singoli nomi di volta in volta applicati sono per In piu determinati dallo scopo per cui e, progettato a circuito,

Un .impulso di tensione transita attraverso fa porta logica cui e applicate in pochi decimi di nanosecondo (cioe in tempi dell 'ordine ill 1 O~lO secoadi ovvero decimi di miliardesimo ill secondo) senza las dare tracce del suo passaggio. Per un funzionamento affidabile una cornplessa mattice ill porte deve ricordare Ia sequenza degli eventi e questae La funzione del latch, cbemantiene 10 stato della sua uscita per un tempo indefinito in risposta a un segnale momentaneodi ingresso.

Un semplice latch si realizzacon due porte «or" e due invertitori. Uno degli ingressi ill ciascuna portaeor» e riservato all'aocesse aleircuito mentre I'alrro ingresso riceve l'uscita 'invertita dena porta opposta, Con Ia riconduzioriedel seguaJe invertito di uscita a un rerminale cli ingresso si ottiene una retroazione positiva, che srabilizza i1 circuiro in uno di due stati possibili. Gli ingressi al circuito sono indicati con i termini «set» e «reset» (azzeramento). L'uscita edi valore 0 se l'nltimo impulso ricevutoe stato applicato alIa linea reset e di valore 1 5e l'ultimo impuIso e stato applicato a1la.lineaset. lJcircuito, spessochiamato anche .flip-flop per i1 modo eume qmbia stato, si puo r-ealizzare con non piu di due transistori.

Un dispositivoalquanto piu versatile, chiamato hitch di registTO, pubesseIerea-. lizzato facendo precedere agli ingress! di un flip.-flop un semplice drcuito composto da due porte «and» ~ da un invertit.oreo In u..n latch di registIO, uno dei due ingressi e riservato a un segnaJe di CO(ltrolloe I'-aluo Iiceve i dati. Quando il segnale di controllo e a basso live110 1'ingtesso per i dati e. bloccato e gli impulsl che vi pervengono non infl uenzano 10 stato dell 'us cj ta. Qtuindo lalinea ill con troll a e a livello alto" l'uscita cambia statb riflettendo 10 stato de.i dati, statoche e poi mantenuto anche' dopo l'eliminazioue dell'impulso di controllo. Un singoio latch pub immagazzinare un bit di wormaz]one ,e quindiun registro completo richiede un latch pet ogni bit .ehe deve essere immagazzinato.

Nei .mieIoelaboratori i registri servono per I'immagazzinamento temporaneo ill dati, di mul tati parziali, ill lstrnzioni e ill

A

B ItJGRESSI

G

L'addlztonatore hinlltio ~ costituito da una matriee di porte logiche per og;raj eomhlnazione dlhit di lngresso (A, B e C) che richieda un'usclta, Le. quattto riglIe iii po rte in bassocalcolano iI bit dl so mma e Ie tre in alto il bit d.i riporto perhipotenza iii 2 dierdlne superiore. Si supponga per esempto che entrambi i bit da sommare (A eB) abbianovalore 0, rna che iI blt dl riporto (C) dalla colonna precedente sia 1; la tabe.!la nella pagina a fronte Indiea ehe questa combinazionedi ingr'essi deve darluogo a un bitdlsomma di val ore 1 e aun bitdf riporto divalore n.D bit di somma llgenerato nella. quarta riga dal basso, dove AeB sono applic-ati a una porta «and» ill fonua invertit:a" in m.odoche entramhl

indirizzi ove reperire altri dati 0 istruzioni. Viene uaiversalmente impiegato, per seguire una seqneaza di istruzioni, un registro specialeehe conta concontinuirada zero fino alla sua massima capacita.

Per il funzicnamento di un calcolatore sono necessari alcuni altri dispositivi Iogici. Cosi, per esempio un comparatore stabilisee se due-numeri binari sono uguali 0 differenti. I singolibit dei numeri da confrontare sono presentati agli ingressi di porte «and», le cui uscite sono colle gate in modo da produrre un bit a Iivello alto solo quando tutti i bit sono .identici .. Un decodificatcre accetta in ingresso un numero binario e attiva una 0, in aleuni casi, pin uscite a.seconda del valore del numero, Un decodificatere che accetti un numero a tre bit potrebbe soegliere una Ira otto linee d:i uscita, poiche esistono

appaionn con. valore bin ar.io 1. L'llscita di questa poria, ch e e 1, vi ene comb ina ta con it bil di ripertn in una secondaporta «and», qaindi l'useita 1 vlene falta passare attraverso una serie di parte «on> finn all'useita dell'addizionatore. Nessuna delle porte per iIcalcolo del bit di riporto corriS""ponae a questacomo-inazione iii mgresst e di coaseguenza il bit di riporto . eO; se due 0 pi u de.gliiugressi avesserc ,'alote 1, si aVlebhe in oscUa UB. bit. diriporto 1. Un addizionatore binario richiede una . matriee logiC!! WniIea quella qui illusfr,da per ogoi hil. del :numeri ehe devouoessere sommati con JaIinea iii nselta d.el ripo·rto lliog;ra.i stadiocollegata alia linea di lngresso del riporto deDo stadio sueeesslvo.

otto numeri binari di tre bit (da 000 a 111).

Qualsiasi funzione esprimibile mediante variabili binarie puo essere rappresentara da una matrice di porte-Iogiche .. Si e vista come realizzare un cireuito addizio.natorecon I'impiego di una dozzina di -porte per ogni bit dei numeri da sommare. L'applicazrone degIi stessi principi consente I'esecuzione di operazioai ben piti complesse, E possibile, per esempio, pro" gettare una rnatrice logica per elevate al quadrate un nnmero, moltiplicare il quadrato per un coefficiente, quindi sommare alrisultato iI prodotto del numero inizi ale e di un altro coefficien tee infine addizionare altutto una costante, Sitratterebbe di un circuito capaeedi calcolare espressioni quadratiche che sarebbe pero complicate e COSt050 perche richiedereb-

bealrneno tre.raoltiplicatori (ciasouno di quesn e gia un circuito complesso) e poi addizionatori, registri ealtri componenti .. lnoltre sarebbe in grade di rnanipolare solo espressioni quadratiehe: per Ie equazioai di terzo grade oceorrerebbe un eircuito ancora pili elaborate. Se in un calcolatore fosse necessaria per ogni funzione una matrice separate di porte Iogiehe, una macehina di sia pUT modesta versatilita avrebbe dimensioni ecosti proibitivi.

N- . ei ca1colatori. reali basta un numero relativamenteesiguo· di elementi Iogici i cui collegarnenti vengono modificatia volonta per formarequalsiasi disposizione di porte sia necessaria. Per esempio un calcolo puo richiedere numerose addizioni, rna il calcolatore ha bisogno di un solo circuito addizionatore cui viene

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presentata di volta in volta ogni nueva serie di operazioni. Per impiegare una _ matrice logica con la necessaria flessibilita oecorre un sistema piu elaborate di circuiti di temporizzazione-e di controllo, E aache necessario qualcosa d'altro, qualcosa che manoa del tutto nei circuiti logici finora esaminati: un programma ovvero una serie di: comandi per cambiare La configurazione della matrice logica.

II concetto di programma imraagazzinato fu introdotto nel 1833 da Charles Babbage in una «calcolatrice meccanica» che aveva pensato di costruire, La sua macchina, ehe -avrebbe impiegato ruotismi meccanici di eonteggio in base decimale, incorporava alouni principi basilari in seguito utilizzati nelprogetto dei calcolatori elettronici, rna non fu mal realizzata, benche il concerto fosse valido. La: forma moderna di programma immagazzinatoe stata presentata da John von Ne-umann, che vi ha aggiunto un perfe-

zionamento imporrante, che prescrive di esprimere sia il dato da elaborate sia l'istruzione per I'elaborazione nella stessa notazione, Con questo artificio le istruzioni possono essere trattate dalla macchina come se fossero dati. In tal modc un programma pub quindi alterate un altro programma 0 anche se stesso,

Conviene-esaminare, nelle linee generali, come i1 pr-ogramma controlla gli e1ementi Iogici di un ca1colatore .. Si immagini un .microelaboratore ipotetico e un programma per sommare due numeri binari.

Secondo un principio crganizzativo di quasi tutti i microelaboratori le varie parti dena macchina comunicano fra Ioro medrante un sistema diconduttori chiamato «bus» . II bus DOD. e altro the una serie di condurtori paralleli ehe eollegano le varie zone del chip microelaboratore e.jramite i terminali ill contatto, una serie eli condutton esterni alchip stesso.

Tutti i dispositivi logiciche compongo-

v+

81TIllI SOMMA

no il calcolatoresono connessi al bus; essi perc non agiscono con temp oraneamente. La memoria, dovesono immagazzinati e il programma e i dati, comunica leinforffi_azioni alla.macchina tramiteil.bus, L'unita aritmeticae Iogica (ALU). contiene dispositivi, per esempio addizio na tori, per eseguire operazioni aritmetiche e.logiehe sui dati ricevuti tramite il bus. AI bus sono connessi diversi registri per l'immagazzinamentotempOIaneo dei .0- sultatie degli operandi; uno di questi registri, ehiamato aecumulatore, ~ strettamente ass ociato con l' ALtJ. Unaltro registro e ill solito destinato a imrnagazzinare.gli indirizzi di memoria dovee possibile trovare i dati e Ie istruzioni. Aneora un altro registro, il contatore di programma, contiene sempre I'indirizzo della suceessiva istruzione da eseguire. AI bus sono infine cormessii circuiti di decodificazione e di eonjrollo, ehe pessono perc cornu" nicare con elementi d-ella macchina anche

BIT DI RIPORTO

SIT DI RIPORTO

Ii, .B C

INGR;ESSI

Questo clreulm addlztonatore ePequlvalente funzioaale della matriee logica ml.\~tratD nella pagina precedents, rna la suasmrttma risl,lita sernplili ea ta in quan to alcuni elem en ti clrcuitali veogollo sfru Ita ti in modo da assolverea piu diuna Iunzione. D bit dj riperto viene generate dai sette trans.isto ria destra. Se du e qualsias] d egli: i:ngress.i .s.i tmvano ne:Uo state di tensione alta,. una de lie tte copple di translstorleoll egllti in serie s1 trovaIn lase di conduzlcne; se aJmeno una di queste copple conduce.Pusctta comune si trova nello state di tensione bassa, stato che viene invertito dal transistore piu a destra.in modo da produrre un bit Iii rlporto 1. n rlsultato Intermedlode! calcolo del bit di ripcrte ilimpiega·

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to anehe nel calcole del bit dl somma, Nella serie dei primi sette transistori asinlstra deleentro ogni ingresso 'il combinate con la forma in:vertita del bit di riporto e Pusetta eomune dj queste porte e seguita anch'essa da WI invertttore. .ll risUltato ileD'opera:iione e the il bit di somma else uno del bit Iii lngresso e un 1 e il bit di riporto e OJ Pesame dena tabella per !'addirione mostra che la procedura Iornisee in ogni C!lSO Ia summa esatta, Inflne i tre transistori collegati inserie aU'estrema slnistra generaoo un'nselta 1 (tramite un invertitorc) se tut.ti e tregli ingres~ sono 1.11 eireaito rlchiede 17 tranststeri e 4 resistori, ma in nn circuito integrate i resistori p05800.0 essere. sosrituitl da translstor],

mediante linee di controllo separate. I segnali d'orolegio scno mviati a tutte Ie parti della macchina su percorsi ill collegamento .indipendenti del bus.

II bus semplifica le comunicazioni alI 'interne del calcolatore, Iavece di metrere a. disposizione eli 0gW. parte della macchina. una linea separate verso ciascuna altra parte, tutti j dispositivi spartiscono uno 0 pin eonduttori comuni del bus. La semplificazione viene pagata con 1a disponibilita di ogni eonduttore del bus da parte di un solo dispositive per volta. Cio richiede ancora eircuiti di 'ccntrolloe di temporizzazione piu sofisticati. II control- 10 si esercita sconnettendo dal bus tutti i dispositivi salvo quem che stanno trasmettendo 0 rieevendo dati in un certo istante,

II microelaboratc:re cOlltrol1a!o. da u? programma oscilla fra due. cicli: Ia ncerca dell'istruzione e I'esecuzione dell'istruzione, Sebbene 1a successionetempcrale degli eventi all'interno di questi deli vari da un microelaboratore all'altro, si puosupporre a scopo esemplificative che i cicli siano ulteriormente suddivisi in modo che la macchina ipotizzata abbia un totale di quattro statio Nel primo stato sl invia un indirizzo alia memoria e nel secondo si ottiene in risposta I'istruzione. Nel terzo state si invia alla memoria un altro indirizzo, nel quarto state 81 rieeve dana memoria un operando su cui siesegue l'elaborazioae secondo I'istrnzione etten uta in precedeuza.

Si supponga che ilprogramma sia, cor~~ttamente immagazzinato in memoria eon inizio in posizione 0 e cheilcontarore di programma sia state azzerato .. All 'avviamento Ia macchina si dispone nel primo state: i contenuti delcontatore di prograntma sono avviati sul bus e interpretati come un indirizzo in memoria. Questa prccedura di avviamento e possibiie perche l'orologio (clock), che definisce i quattro stati, oontrolla un sistema di porte D quale consente al solo con tatore di programma di trasmettere segnali al bus durante il primo state, periodo in cui sol tan - to il sistema di memoria puo ricevere segnali dal bus ..

L'indirizzo inviato dal contatore di programma eo, avendo supposto che iJ dispositive era stato azzeraro su tale valoreo Questo numero binario deveessere deccdificato da porte facenti parte del sistema di memoria, in modo che sia applieato un segnale alleeelle di memoriaeon indirizzo o. n numero di bit nell'mdirizzo determina il massimo numero di posizioni. di memoria .. Un indirizzo a otto bit pub seegliere fra 256 posizioni, poiche ranti sone i numeri binari costituiti.da otto bit. Un indirizzo a 16 bit cia accesso a 65 536 posizionl (sesi forniscooo ulteriori segnali eli controllo'si pub accedere a memorie addiziooali).

TL segnale fomito dai ciTcui ti di decodificazione di indirizzoalla posi,ziaue 0 e il segnaJe deggh;>, in risposta al quale i conte.nuti di quella. particolare posizione venganoavviati sulle lineedi uscita di memo~ ·ria. Quando lamacohina passa dal primo

co m·ROLLO

DATI

SET

uscrr» 1

__r--

USCITA

o

n circuito a Iateh (I a flip-Gop e ingl'ado dleonsersare la registra:l:iooe di. segnall momentanei, NeUa forma pin. sempIice (riqlladro in: colore) il circuilo. h!l gli. ingressi indicali con «set» e «reset». Con I'ingresso reset a livello basso un breve impulso di valoreaho applicato aU'ingresso set costringe Puselta nello state di tensione alta, che viene poi conservato per un tempo indelinilo mediante la retroasiene dall'uselta. Qllando lalinea set e a Uvello basso un impulso a1 terminajereset riporta I'usd.ta a zero. Un seeondo termlnaje di useha fornisce unsegnale inverjito. Questo ci:rcuito PUQ -essere preceduto da un sistemadi porte per reallzzare un latch di reglstm controllatc, Uno degJ.i

ingresste ora ilenominllio «centmlloee nessun segnale puo raggiungere il flip-flop se il segnale iii contruUo non e a liveDo alto. In presenza di un suralt(l segnale dicontroUo e'possibile apphcare dati aU'ingr,esso, rim anente. Tutti gli impulsi dl .liveDo alto sene in oltrliti aU'i ngressoset e tutti quelli iii. liveDo basso. all'iagressn reset, in mode che Pusel ta tifletfe 10 .stato p iii re lien re de i dati.

al secondo stato il contatoredi programma e il decodificatore vengono sconnessi daJ bus; al qualee invece collegata l'uscita di memoria, sernpre trarnite porte controll ate dall'orologio del sistema. I contenuti della posizione 0 di memoria sana quindi presenti sill bus durante il secondo periodo di orologic, Si ricordera che j segnali presenti sul bus durante questa state sono da interpretarecome un'istruzionc e pertanta I'orologia deve attivare ancbe i relativi circuiti di controllo e di decodificazione. L'unita di controllo imrnagazzina ternporaneamente l'istruzione in un latch,

L'intera sequenza di evenU descritta e servita soltaiJ.to a· trasferire un'istruzione daHamemoriae a immetterla nel registro d'lstruzioni. Quanto accade nel resto del cic10 e ora determinato dal contenut.o di quel registro. La decodificazione dell 'i· struzione e una fase cruciale nel funzionamento de.Ua m·acch!na. Come nella decodificazione degli inelirizzi ,d:i memoria, il nU!l).ero ill bit determina D massimo numero oi istruzioni, rna cib eben di rado

una, Iimitazione grave: sono ben pochi i mrcroelaboratori con un repertorio di 01· tre 100 istruzioni,

La decodificazione dell'istmzlone :pua avvenire.in diversi modi. Un metodo impiega un, de co difi catore cablato, nel.quale una.matrlce eli porte.sceglie in modounivow una combinazione di Iinee attive di uscita per ogni possibile combinazione eli bit nel codice' di operazione. Le useite sono Ie linee di controllo che connettono e sconnettono i vari dispositivi dal bused eseguono anche altre funzicni quali I 'incremento del contatoree l'avviamento defealcolo nell'Al.U, Le istruzioni possooo essere anobe decodificate applicandole a una RAM (read~only memory, memoria di sola lettura), in. cui si trova immagazzinalo in permanenza UII disegoo determinato dl bit. Ogni wdice di operazione viene allora interpretato CQllle un indirizzo.nella RAM; J'uscita di memoria viene presa e inoltrata aBe linee di contraUo.

Si supponga che l'istruzione ottenuta d alla posizione cii memoria 0 sia un nume-

35

J

, I

I I

~

ne quindi I'indirizzo della successiva posizione: 1. Lealtre quatrro abilitano il '::01- Iegamento al bus del contatore di.programma, dell'accumulatore, del decodifi:catore di indirizzo e delle Iinee di uscita della memoria, NOD tutti questi dispositivi si trovano perocollegati con tern poraneamente, anche se hanno ricevuto tutti insieme i. segnali di controllo. Quando 1'0- rologio avvia il terzo periodo, dando inizioal cicIo di eseeuzione dell 'i struzione ,

BUS

la rnacehina entra in uno state riservato all 'avviamento di un indirizzo alla memoria. Durante tale periodo.i segnali di OIOlogio e di controllo attivano quindi solo-Ill. sorgente dell'indirizzo (in questo caso i1 contatore di programrnaj'e Ill. destinazione (II decodifieatore di indirizzo).

Nel quarto state di orologio il can tatore di programma eil decodificatore di indirizzo sono isclati dalbus, a cui vengono connessi Ie uscite dallamemorrae I'accu-

TO binario cui venga atrribuito il significato epreleva Ia prossima parola in memoria e caricala nell'accumulatore», Questa istruzione potrebbe venire eseguita nel modo seguente: il decodificatore di istruzione (qualunque sia 11 suo funzionamento) potrebbe per. esernpio .essere costrui to in maniera ch e iI disegno, di bit rappresentanti I'istruzioue stessa attivi cinque Iinee di controllo. Una di queste incrementa il COD tatore di programma, che ora- con tie-

BUFFER

:.:: :.:: .:.:: ';£ 1>1:: Y
~g ~g ~g ~_f' ~8 ~g
BUFFER ~ BUFFER .:J BUFFER _J BUFFER -3 BUFFER -' BUFFER _J
~u fE--0 ~o 0 (,) r

REGISTRO iDiISTRUZIONE

OECOOIFICAlORE 01 ISlRUZIONE

I---'----'-___,~ PNTATOREDI PROGRAMMA

IN G,REMEjlJT:.O OR

OLOOK

AND

, OR

,.--

001 LOAD ACCUMULATOR

REGISTFiO GENERALE

AeQU· MULATORE

OR

JCLOCK' ''-r-T"'T"rFUr-"_ r_¥ ...-'AVVIA~NTO NelT ISlFl_UZIONI

ADDIZIONAU 000 HAb.T

011 STORE

OR

,-

OR

!

100 ADD

AODIZIO· NATORE

LlNEE 01 CONTROlLO

oECODIFICATORE 01 INDIRIZZO

NOT

.222.'~ 001

b10

100

flO

111'

NOT

MEMORIA

Un caleelatore ipoleti{'o ·11 costlruito da una matriee di elemenli logici elertrontel le cui eonnesslonl inteme possono essere modificate da istruzioni lmmagazzlnate neJ calcolatore stesso, Le is_truzioni, gli operandi e gll «iudiriszi» che.indivtduaao le pos.izioni nella memerta del calcolatore sono espressi sotto forma di numeri hina .. l, In questa mae. china lnumerl bin_ali sone cosfituili da tre bit; poi('bHra tre bitesistono solo otlo comhinazioni-, gli opera.ndi pO~SOnOaYele sultantoettu valorl, III macchina pub avere solo otto po~izioni dl memoria e un repertorlo di istruzioni ltmitate a otto, La prmclpale via di comunicazlene nella macehina e Il «bus», una sede di.ccadutrori pa.ralJelicoUegalia quasi tutti i dispositiv]. Questi comprendeno quattro reglstrl: iI eontatore di programma, ehe contiene in genere I'indirizzo deU'istruzione successiva; il registro di islrDzioni, dove viepe conservaro iI co dice blnario per ognioper.azione; un registro generaie, per l'imrnagazzinamenlo temporanee degJi operandi 0 degli lndirizzi, e un accamalatore, un registTo eollegato 5i.3 con ll bus sla can l'unitaarltmetiea e legica' (ALU). In

36

questo case l'ALU ~ un semplice addizionatere, rna neDe macehine .reali essa e cap.ace di eseguire diverse Operazioni. I dati vengono posti in memorlao lettl da essa in una posizione speciflcata dal decodilicalore di indirizzo, n deeedificature e.una matrice di porte logiclie ehe attiva una delle otto linee di indlrizzo in rispostaa un numerohinarin a tre bit. Le istruzioni sono decodifieate neDo stessomedo. Ognuno_ di tali dispositi • vi ~ isolato dal bus mediante un «buffer» (0 memorla tampone), ehe colleg:ril disposifivo al bus solo alla rleezione di un segnaledl controllo emesso dal deecdfflcatore di lsmrzione e di un eontemporanee segnale inviato dall'orologlo del sislema,che Iornisee uo neno continuo di i.mpulsi diretto-a tutte le pam delJa maechlna, Le informazioni presenri via via sul bus petrebherc.mppresentare 11Q operando, un'Istruziene o un indirlzzo; la loro Interpretaziouedfpende dallo state del segnali di temporizzazione e di controllo, Le capacita di un ealcolatore tanto pj,," colo sene insignificant!; esso tuttavia inca rpora .j princlp idi organizzazk» ne ehe sono abituali nelle macchlne reali, mlcroelaboratori eompresl,

_-------- -- -

'11111:!1 II: II! !I 11:11 II II "

- - -- --

- -

rnulatore. Di conseguenza il numero irnrnagazzinato nella. posizione 1 di memoria vienecarioato nell'accumularore,

II calcolatore ha ora oompletato un intero ciclo di maccnina. II eontarore di programma viene di nuevo automaticsmente ineremen tato in modo dacontenere il nurnero 2 0, in netazione binaria 010, dove 51 trovera l'istruzione successive. Quando l'orologio «batte sancora il tempo, i1 calcolatore ritorna nella state iniziaI.e e il ciclo si ripete. Dapprima sono avviati sul bus i contenuti del contatore di pT0- gramrna the vengono .interpretati come un indirizzo, poi nel secondo state di orologio icon temrti della posizione di memoria in indirizzo sono interpretati come un 'is truzione, Tale seconds istruzione potrebbe richiedere che i contenutidi uno dei registri siano ernessi come-uri inditizzo in memoria durante il terzo state di OIOlogio e ehe i dati di .risposta venganocaricati in un ulteriore registro durante it quarto periodo, 11 seeondo cielo della maechina sarebbe. allora completato e il contatore di 'programma incrementato di nuevo (a 3, in notazione binaria 011).

L'istruzione valida durante 1a prima parte del isuccessivo ciclo d:i macehina potrebbe richiedere di sommare i contenuti di un registro e dell'accumulatore, In tal caso durante il terzo. periodo di orologio non oecorre.ottenere un operando dalla memoria ecost quello state potrebbe essere ignorato 0 addirittura eancellato dal programma. Per eseguire I'istrazione i circuiti di contrello devono attivare l'addizionatore nell'ALU e fare in modo che gli operandi siano fomiti dai registri appropriati, I risultati delle operazioni eseguite nell'ALU sana in generaIe conservati nell'accumulatore,

Le istruziorri successive potrebbero richiedere di confrontare la somma ottenuta nell'ultima operazione con un valore immagazzinato in memoria. Se i due numeri fossero diversi non verrebbe eseguita alcuna azione e la macchina prooederebbe all'istruzione suceessiva nella sequenza. Se invece i due membri fossero uguali verrebbe emesso un segnale per riportare il contatore di programma a uno dei valori gia selezionati in precedenza. L'esecuzione del programma lip renderebbe allora da questa posizione di memoria. Le operazioni di questo tipo sono chiamate istruzionicondizionali di diramazione, perche abilitano la rnacchina a scegliere una 0 due vie in un programma, in funzione de; risultati ill un calcolo, Al~ tri codicic di operazionepotrebberoistruire la macchina per leggere dati da dispositivi «perneric!», 0 esterni, 0 per fornire dati di uscita a tali dispositivi .. Alla fine la mp,cchina deve giungerea un 'istruziOne di arresto, «halo), the pone fin·e a tutte Ie operazioni.

La macchina descritta non corrisponde ad alcun rnicrocaicolatore particolare, rna possiede Dumerose earatteristiche comuni a moliLdi essi (e anche a diversi grandi calcolatori). Peresempio la ricerca e I'eseeuiione alternate delle istruzioni e Un modo di operaTe pressoeehe universale. Una caratteristica ancora pill importante

I CIClO PERIODO OONTATORE SIGNIF1CATO
01 01 DI INfORMAZ!O N~ SUl BUS I
MACGriINA CLOCK PROGRAMMA DE LLE ISTAUl·ION I
1 000 CONTENlJIl D~L CONTATOR.E 01 PROG.RAMMA 0001
PA.SLEVA
2 000 ISTRU'.ZIONE .LOAD REGISTER. 010 CARICA I CON:TENUTI
DElLA POSI21 ONE
3 001 CqNTENUTI DEl. CONTATO.A.E 01 PRO$.RAM MIl 001 su ccessiv II 01 M~MOfllll
N El REGISTRO GENEHAU.i
ESEGlJ!
4 001 OIlTI 111
2 010 CONT1ENI.1TI DEL CONiA-TOIlE D I PROGRAMMA 010
PRELEVA CARICA I CONTENUTI
2 010 !STRUZION.E -LO.o.o ACC~"'U!.ATOR. 001 DELLA SUCCESSiVA
3 011 CONTENUTIDELCONTATORE UI PROIiRMIMA 011' ,PQSIZION E DIM EM ORLA
'ESEG.UI NELL'ACCUMULATOAE
4 011 DATI 001
3 100 CONTENUTIi DEL OON"rATORE 01 PflOGMMMA' 100
PRELEVA ADDiZIONA I OONTENUTI
2 100 ISTFlU ZION~ • ADD. 100 :D El REG ISTIIO G EN ERA~E
AI: CONTENl.IT1
3 100 DELL 'ACCU MULII TOR E
(INAITIVO) E OONSERVA.ll fllSULTATO
ESfGUI NELL 'ActU M ULA TORE
4 100 aONTEN UTI ~EL flEGISTRO G ENEftALE 111
4 tOi C0NT'EN UTI 'D EL CONTATOflED I P ROGflA:!>\MA 101
PRHEVA IMMAGAZZINA I OONTENun
2 101 I i>TR UZI ONE • STORE. 011 OELL.·ACCUM U LA TO RE
IN MEMORIA
3 101 CONTEN un DEL R EtolSTRO GENERALE 111 A UN I NDIR1ZZO
SPECI F,ICA TO DAI'CONT"E"N UTI
ESEGUI DEL REGIS1"RO BENE AALE
4 101 OONTENUTI DEll'ACCUMULATOFlE 000
5 HO CONTC;NUTI :DEL COIf'ATOflEDI P.ROGflAMMA 110,
PAELEVA 0001
2 110 IsmUllONE .HALT.
3 1:10 -I ARFlESTA
SSESU! TUTTE WE OPERAZIONI.
4 110 D programma per iI ealcelarorea tre bit dcbiede l'addizlcnedi due numeri, L'orologi.o del sistema sndmvMe ogni ciclc di macchina m. quartre periodi; i primi due SOllO dedieati aI1a rieerca deU'istruzionee g)j wtirni due alla snaesecuzione, Nel prime perindo di orologto i conrenutl del eontatore di programma (000 all'inirio) sonoavviati sui: bus e urterpretati in memoria come un indirlzzo, Nel seeendo periodo I contenuti deUa poS'izione eli memoria prescelta veng:ono caricati nel registro di !strono!!i. GU eventi nel tcrzo e qnarto _periodo dlpendonc dalla operazione speeiflcata dall'istruzione. Nel prime cielo di maccbina il codice di operazione e OlO,co.i e statu assegnatoll significatO«preleva in memoria. ioonlenuli della posizione suecessiva e carica ,questu numere Del regis.lro generafe» .• In. risposta II questo comande iI decodificalofe diis"truzione alma unalinea iii centrolloche incrementa il eeutatore di programma, ln modo ehe questosi ri"volga alla suceessiva informatione in memoria e abUiIi iI regisiro gC1Jeralea ricevere iI valore immagazzinato, NeI secondn clelo iii maeehina viene caricato unaltro operando nell'aceumulatere; nel reno ciclo il numero presente nel regisrro e, sommato a quello nell'aecumulatore, I numeri sommali soun'Ll L e 001 epolehe la macehina non puo superare 111, Il risultato e 000. Nel quarto ciclu di maeebina il vaJore presente nel registro generale, che era wizill.lmente unoperando, viene natrato come un illdirizro, in corrisponden za del qualeviene immagazzinalo il risnllal.o dlilJ'addizi.olle.

e .l'uso delle stesso linguaggio (i numeri binari) per tutti i segnali Del sistema.

I2ntegrazione su larga scala ha trasfor-

mato il cal cola tore cia una macchina, eomposta da numerosissimi componenti, in un solo componente incorporabile in sistemi di maggiori dimensioni. Diversi micro el aboratori oggi sul rnercato dispongono di, un solochipche comprende tutti i circuiti precedememente discussi, salvo Ie memorie ad. accesso casuale e in molti casi l'orologio (si veda l'articola II initraelaboratare di Hoo-Min O. Toong a pagina 84). Alcuui dispositiv1 a chip singolo dispongono anobe dj memoria di capacita limitata.

La prima generazione di dispositivi miCIQelettronici prodot!i commercialmente sonG ora chiamati circuiti integra tic s.u piccola scala: essi comprendono solo. poche porte. A nche quando in un 'unita vi erano moltepli.d porte non sempre queste risultavano collegate jntem'amente~ Ie connessioni the definivano la matrice 10- gica dovevano·essere rea1izzate con conduttor! est;emi.

I dispos:itivt con all'incirca piu di 10 e

meno di 200 porte su ununico chip sono detti circniti inregrati su media.scala. Molti di quesri chip contengono interi blocehi funzionali di ua ealcolatore. Sono per esernpio dlsponibili ehipche raechiudono regisrri, de eodificatori , comparator! 0 ccntatori completi, lllimite superiore della tecnologia detta integrazione su media scala si potrebbe considerare rappresentato dai chip che contengono uri'unita aritmeticae Iogica. Questa units accetta in ingresso due operandi e pub eseguire su ill essi una qualunquedi una dozzina circa di operazioni a seconda dello state di varie Ilnee di centralia. Le operazioni indudono 1a 'Somma,.Ia sotlrazione, il contronto,. «and»e «or» logici e 10 scorrlmento di Ul]. bit verso destra o.verso .SinistTa.

La maggioranza dei circuiti integrati su media scala e disponibile nella tecnologia bipolare a semieanduttori detLa TTL (lagiea traftsislOfe-rra.nsislo·re). Anehe con 10 sviltlppo dell'integIazione BU larga scala, j disposHivi TTL hanno'conservato la lora ut,iJitlL Molti microelaboratori sono progeUati 'inmodo che Ie caratteristiche di l\.limentazione e di tens10ne del segnale siano compatibilicon queHe dei circuiti

37

TTL- J disp ositi vi TIL possono quindi essere Impiegatieome componenti ausiliari in un sistema microcalcolarore per il controllo della memoria odei terrninali eli ingresso e uscita 0 per altre funzioui.

La maggior parte dei circuiti integrati su larga scala non sana stati costruiti can transistori del tip 0 TTL,.ma con tran sistori a metallo-ossldo-semiconduttore, che hanno dirnensioni minori e possonoesse-

re mOD tati su ua chip i n quantita "pill elevata, La differenza di dimensioni puo essere grossolanamen te misurata dal numeTO di transistori che trovano postosu un chip. L'ordine di grandezza del numero di

_j_ a I '" 1 '" 1 "" 1 '" ,I '" I '"
,-§ s g 0 '0
j 1 0 o I 01 I I I I ~g -s ~. _,0
...J' -...J -~ 0 1 0 ...J'
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.e - lE- +- o EOOOlf.l· l1li 1 1 1 -
1\001- CAJORE ~,
REGI$TRO OONTATORE AEGISTRO ACCU· ZIONATORE O'INOIRIZZO 0 0 1
DIISTRUZIONI 01 PROGR ... MMA GENERAL];" MULATORE ... - ~O1_l ,
I '" I 0 0 1
INCREMENTO o ~ 100) 0 0
,.....g I 1
Lf. ~ 0 1 1

OEGOOIFI- ~i 0 0 0
CATORE
o 't8TR UZJON I' ~:
LINE!: 01 CONTROLLO MEMORIA a

OIClO 1. PERIODO 01 CLOCK 1

b

CIClO 1 PER10DO 01 CLOCK '2

BUS

BUS

I '" 1 B 1 a 1 '" 1 '" 1 i!5 I '"
u 1-9 o 0
01 11 -g o I o I ~g I I ~g I I 1E-'3 iE-"g 000 ~ ~!~'(jo~, ...'3
0 c 0 '-' o 0 0 0 ~ 0
~ fE- +- IE- DEOOOIF~ Ie 1 1 1 1""""1
i ADOI- CAJORE 01'0
REGISJRO ZI,ONATORE ,
CO NiTATORE REGISTRO ACCU· D·.INDIRIZZO ~ a a 1 I
01 ISTI1UZIONJ 01 PROGRAMMA, GENERAlE MULAT'ORE f- f-- ..£l!".
I I 0 0 1
'"
INCREMENTO 0 ~ 1 0 a
~'O I
--' ~
y a 1 j
OECOOIFI- .!!2.,. 0 0 0
CATOA.E
O'ISTRI)ZIONE , uu,
LIN EE 0 I CONTRO LLO MEMORIA c

CICLO 1 PERIOOO 01 CLOCK 3

BUS

.1 G I '" 1 '" 1 '" 1 '" g (5 I '"
'0 o u ., , ~ '0
o I. 1 I IoE-g o I 01 loWS I 1 ~d I I '0 fE-g 1-'3 0 1 0 ~8
I ...J
0 0 1 o 0 ·0 .0 ~ o
i"" ~ ~ IE- DECO 01 FI.- ~ 1 1 1 ~
ADD 1- 1010,
REGISmO CONTATORE REGISTRO ACCU- 2JONAJOFlE. GAlORE 0 0 1
OilSTRU210NI ,01 PHOGRAMMA. GENER ... lE MULATORE O'INDIRIZZO I-~ ~
I I 0 0 1
'" I ~
I NCHEMENTO 0 1 0 0
!-g I
Y ~ 0 1 1

OECOOIFI- 111_P, 0 0 0
CATORE ~
O'ISTRI)ZIONE ,
LINEE 01 CONTROLL.O MEMORIA d

CJCLO 1 PERIOOO 01 CLOCK 4

BUS

,I 5 --r-!""""__' ",g 5 1 5 ,....--__.__I_---. '" r----'I------, '" I '"

I' I fE-8 ""'0 I 0 11 -g 1 11 1 1 -g 1 1 1-'3 '-9 of:- § ~O 1 0 "'"' ~

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ZI0~~~6RE GATORI' I 0!S' J 0 0 1

D'INOIRIZZO -~ a 0 1

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L_____.L__...L...--'

REGISTRO GENERAL.!E

ACCUMULATORI'

CO NTATORE 01 PROGRAMMA

REGI<lTRO 01 ISTRUZION I.

I

I

I

OEOODIFICATORE O'ISTRUZIONE

LIN EE 01 CQN1ROLLO

L'esecuzloue diun plogT.amma da parte del caleelatorea tee _ bit e nportare in questa seqnenza di scheml semp.lificati. AU'illizio U pl'Ovamma e immagazzinam nelle prime setre posirioni dl memoria e ll eontatore di programma enelln statu 000,. Durante I prim] duepedodi di orologlo ancora nessnna .is_truzione e stata deeodilicata e qaindl ta maeehina deve operal'e sotto Il controlln eselusivo defi'otologio del sistema. Que~to modo di Iunzionamenme reso po.ssibile da invertltorl posti soUe linee m controllo verso dcontatore diprogrnmma, il decomficalore.di indiri.zzo·e l'useita dana memoria.;es.si esslcurano ci!eqllesti dispositivi: possano essere a.ttivati dall'orologio ill assenza di un segfl:3le

38

MEMORIA

di contrellc. Nel primo periodndiorolugio (a) il eoatatere di progJ'amma e iI. de codlftcatore di lndfrtzzoscno coUegaticon U bus, con iI risul.tato finale che 13 posizione OUO in memoria e designata pe.r ·Ia l.etttrra. I eontenuti di questa. posizione scno inseriti nel legistl'o delle istruzinui durante it secOIido periodo (b). I segnali m controllo dal decodificatore di istruzione non yengono messi a disposizione prima del tenlo perlodo di orolog~o •. La linea di eontrolto che viene lmmedlatamente attivata illcrementa ilcontatore di progJ'3m!lJ1! e fomisce un segnale ehe abWta iI regislro generaleall.a eonnessione con il bus; inoltre questa linea di controlle non seonnette llcontatere dl program-

"'""'-------~~------~ - -----_- --~-

transistoriper chip e 10 per l'integrazione supiccols scala e 100 per qnella su media scala, I piu recenti microelaboratori che sfrnttano I'integrazione su iarga scala possono avere da 10000 a 20000 transi-

stori per chip, NeTIe matrici ordinate geomerricamente di elementi in chip di memoria a semicondutton il numero di transistori si avvicina ora a 100 000 (si veda 1 'articolo Le memotie micraelettro-

niche di Davd A. Hodges a pagina 68),

Alla rapida crescita del numero di elementi eircuitali per chip hannocontribuito tre fattori. II primo eil perfezionamento taggiunto_ nelle tecnlohe diaccresci-

e

CICL02 PERIODS 01 CLOCK 4

BUS

..
I '" I '" • '" I '" I '" I '" ~ '"
o o I) pg iF~ ~.~ ~ FB
o I o I -g o I 1 I +-''3 1 I ' I -~'3 o I o I 0 1 0
j I) 1 I) 1 c 1 I) .0 I) 100'J o
~ <E-- ~. E-- DECDDIF1- iE'jj 1 1 1 F.
ADDI- C".-tORE om
REG!STRO CO~AcORE RE(3ISCfRO xccu- ZJONATORE ~ 0 0 j
OIISTRUZJONI D.I PROGRAMMA GENERA.I.E MULATOR,E O'INDIRIZZO -I'-----<
~
J I 0 a 1 I
INOREMENTO '" ~ 100),
... 8 I. , 0 0
-J • ~
y 0 1 1
DECODIFI- ~ 0 0 a
CATORE
0' I STR-U Z.I ON E un,
'LINEE DI CONT'ROllO MEMORIA f

OIClO 3 PERIOOO 01 CLOCK 4

sus

I "'- I 5 II '" I '" I~ '" I 5 I '"
0 I) 0 I)
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0 " 0 0 0 0 " ~ c
+- ,,!!, i"9 f'9 oECOOIFI" ~ , , 1 IE--
ADDI- CATORE ~
REGISTRQ OONTATORE REGISTRO Aceu· ZIONATORE O',INoIRIZtO 0 0 ,
0115TRUZIONI 01 PROGRAMMA, GENERA1£ MULATORE I- ,...----< ~
~ III 0 0 1
'"
INCREMENTO' o ~ 1 0 0
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L( ~ 0 1 1

OECOoIFI· I ~ 0 0 0
CATORE I ~
o'ISTAUZIONE
lINEE 01 CCNTROlLa MEMORIA g

CIClO 4 PERIOoO 01 CLOCK 3

BUS

, ..
I IS I ",- :11 '" I '" I '" II '" I '"
I) 0 I) o e.3 ~ o
o I 1 I -g 1 I o I ~9 11 1 I 0 o I o I 1-3 1+-3 0 1 0 4-3
...J
1 I) 1 I) , " a 0 o I) ~ 0
..,_ ~ ,E-- DECCDIFI' .... 1 1 1 ~
1 I ADDI- CATORE ~
. REGIS1)RO CON;rATORE REGISTRO ACCU- ZIONATORE O'INDIRIZZO 0 0 ,
or ISlRU Z I aNI 01 PROGRAMMA GENERALE MULATORE --= ~ ~
0 0 1
U '" I
Ir<WREMENTO o ~ 1 0 0
.... 0 I
J I~
~ o " 1
oECOoIF!- ~ 0 0 0 -
CATOR~ !J.ll,
o'ISTRUZIONE
LINEE 01 CONTROu...O MEMORIA h

CICU'l4 PERIOOO 01 CLOC1( 4

BUS

- ~ ~
I '" I '" I !§ II '" I i!5 I '" 11 '"
-~I u 0 8 ~ -3
l 0 I I 1 I o I ~g 1 I" I ~g o I o I :~g [e!<§j ~J 0 1 0
, 1 1 I) 1 o 0 " I) I) 001 0
fE-- ~ -, IE- DECODlFI~ n ~ 1 , 1 fE-
ACI1:U- ADDh CATORE ~ 0
REGISlAO I CONTATO/1E AEGISTAO ZIONATORE D'INDIRIZZO 0 1
01 I$TAU.ziO N! DI PROGRAMMA GENERAlE MULATOAE r-- .;-- ~
I a 0 1
n INCREMENTO '" ~
I) 1 0 0
... 0 I
_J ~
~ 0 , 1
oEI>OOIF!· ~ a a 0
CATORE L!J4
O'ISTRUZIONE a 0 0
lINE:E 01 CONTROLL.O MEMORIA -rna, il deeodHicatore di indirizzo e l'useita dalla memoria. Non tutti q;nesti dispositivi vengono pero alti'l'ati.coutemporaneamente. Pniche il terzo periodo di -orologto -(c) e -riliervato all'invjo deU'indiriizo di un Clpelando alla memoria, l'orologio attiva durante quesro periodo solo iI eentatore di prog-ramma e il decodificatnre iii indirizzo. Net quarto periodo (d) iI eontatore diprogramma e il decodificetore iii indirlzzo SoODO' dlsattivati daU'ofologio, e- vengone .attivati "ilscila. dana memoria ~i1:regiruo generale. L'istruzione decodificata durante il secondo cicio .u IDBcc)lioa (e) rlchlede di carieare nell'aceumulatore un altro "a1ore Rtenoto dalla memerla, L'addizione viene esegnita durante U terze

cido (j). Potehe questa operaziene uen nchiede aecesso alIa memoria, t segnall sono emessi dal decodillcatore di ilitl'Uzione ehe disattiva U decodlflcatore di indi!:b:zo e.Puselta dallamemorla; anehe iI. contatore (Ii programma .~ disilttivato. Nelcontempe vengono _attiv.ati iI registlo generale,l'accumulatoree I'addizi.onatore. Nel terze petiodo di orologio del quarto ciclo (g), ; contenuti del registro genelal.evengono avviati sul bus e, poichj) 1 'unico disposjrivo attivo e il decodilleatere diind.inzzo, questo v alore e-jnterpretato come on indirizzo in memoria. I eontenuti delI'accumulatorej dOl'e e statecouservatc il risultato dell'addi:zio· ne, sono immagllzziuatiin questa pos:izione nel quarto elelo (h).

39

D~COOIFICA" TORE 01 ISTRUZIONI

REGISTRO GENERALE

DECOOIFICATOFIEDI INOIRllZl

USCITA 01 MEMORIA

CLOCK

I

CL.bcK

n diagtamtna di lemporizzazione fernlsce la sequenza degli eventi durante it primocido di maeehlna neU'esecuzione del programma illuslrato neUo schema di pagina 37. Due segnali di orologio divido!lo iI ciele di macchimt in quattroci.di di olologio. Nel primo penode sono coUegllti al bus solo iJ eontatore di progtamma e iJ decodifical.ore di indiriuo e nel secondo periodo solo I'uscitadalla memoria e iI decedfflcatore di islruzione. Nel terze e quarto periodo 13 macehina II sotlo iJ controllne deD'orologio e del decodffleatore di istrllZione. Quest; due appareeehi lnerementann il ;l:ontatore di programma, the pole.oUegano aJ bus insieme con iJ d.ec,odifieatore ill indirizzo.1Sel quarto periodo sono attM Puscita dllila memoria e iI registto generale, Infine, quando I'orologio rifo!:na nelioSlatoiniziale, iI eontatore di programma l! tnerementato di nuovo.

!

mento di grossi cristalli singoIi di silicic puro, Aurnentando i1 diametro dei wafer, cice dei dischi in silicic impiegati nella fabbricazionedeichip, si possono ottenere contemporaneamente pill chip, con riduzione del cos to unitario. E stata inoltre migliorata la qualita del materiale, riducendo il numero di difetti per wafer, con conseguente aumento della dimensione massima dei chip ottenibili in pratica, essen do ridotta Iii probabilita di trova-

re un difetto in una data area. La dimensione dei chip per circuiti con integrazione su Iarga scala e passata da meno di 6,5

a oltre 45 millimetri quadrati, .

Un secondo fattore ecostituito dai progress! nella fotolitografia, it processo mediante il quale i disegni dei cirouiti vengono trasferiti sulla superficie di silicio. Lo sviluppo di sistemi ottici aventi un potere risolutivo c_apace di definire strutturesempre piu minute ha ridotto Ia di-

mensione di un tipico transistore. espressa dalla lunghezza della porta, da pochi centesimi di millimetro neI1965 al valore attuale di 1,3 rnillesimi di.rnillimetro.Tnfine i perfezionementi nella struttura circuitale che utilizzano to modo pin efficiente, l'area del wafer di silicic hanno permesso di aumentare di cento volte la densita dei transi.stori sul chip,

Ta continua evoluzione dei microelaboL raton richiedera un ulteribre.aurnento della densita diimpaccamento. POlcM si·sta:nno ormairaggiungendo i limiti della risoluzione ottica, occorreranno nuove tecniche .litografiche e produ ttive. I disegni dei eircniti dovrannoessere formati conl'aiuto di radiazioni aventi una lunghezza d'onda piu corta di quella della luce visibile, men tre oceorreranno tecniche costruttive eapaci ill una maggiore definlzione ..

La dimensione delle strutture microeIettroniche attuali richiede un 'acuita di taglio di 250 nanomerri, corrispondente grosse modoalla lunghezzad'onda della radiazione ultravloletta impiegatanella realizzazione dei eircuiti. Per Iormare irnmagini nitide di strutture ancora piD. piccole, .si possono adottare sisrerni che impiegano un fascio dielettroni. Il potere risol utivo potenziale pili elevate e offerto dai sistemi Iitografici a raggi X, che hanno una lunghezza d'onda effettiva di circa 1 uanometro.

La realizzazione di disegni con fascia dl elettroni e con raggi X potrebbe probabilrnente ridurrele dimensioni lineari di un transistore di un fattore 50, L 'area occupata dal rransistore verrebbe quindi ridotta di oltre 100 volte. Se le capacira dell'attuale generazione di micrcelaboratori sono veramente notevoli, risultano addirittura eccezionali Ie prospettive della prossima generazione di circuiti integrati su Iarghissima scala (VLSI, very-tar-

In questi tre chip, ingranditi tn.ttl di 300 volte, e evid ente Ia dimiunzione. delle dimensleni.dei dispdsithieJettronici. A sinistrae un chip [abbr.ieato ne11961: un solo Iransislore riempie iI-GlIDPo visivo. "chip al centro ~ stato (ostrllito ne,11965: SOM visibili porzlonl di diverslelementi

attivi. n circaito inlegrato su larga scala a destra, del 1975, mostra sulla stessa IICea di silicio piu ill 12 transistorl, Tutti questi dispositivi soan a semjcondurtorl hipolari; e possihile ottenere una. densitli !lDcora maggiore- con i transistori MOS (a metalle-ossido-setnlcondmtore),

40

ge-scale integrated circuit}, Un elaboratere occuperebbe una parte insignificante di un chip, cosicche su una piastrina di silicic potrebbero trovare posto anche memorie con capacita di .immagazzinare milioni di bit di informazione,

Sebbene gli ostacoli immediati per 1a costruzione di mieroelahoratori pili compie i ri iedano nel processo di fabbricazione, it ccmplto del progcnista pub difficilmente definirsi.di.poco conto.Il progetto inizia Con la determinazione dell'organizzazione complessiva del calcolatore, L'«ampjezza~ della macchiea, 0 in altre parole it numero di bit in una parola standard, ~ una eonsiderazione fondamentaIe· aJtrettanto importante ~ ta quantita ill memoria richiesta in un indirizzo, che impone it nurnero di bit di memoria che devono essere fomiti. Fra le nurnerosissime altre considerazioni, OCCOIre prestare artenzione al IlUDleTO complessivo ill piazzole ill connessione, per i1 chip da realizzarc: ogni collegamento richiede una piazzola metallica sui bordo del chip, e 10 spazio disponibile per le piazzole e

per forza limitato. .

U na volta decisa 1 'archltcuura;o organizzazione, della macchina, occorre preparare i oragrammi logici 01 tune le fullzioui che ossa deve eseguire. I disgrammi logici devono essere poi ridotti ai 10m equivalenti elettronici e mfine i diagrammi oircuitali cbe si ottengoao devono es-

ere c pre si in termini di dispositivi elettronici e di percorsi di interconnessione realizzabili a un costa ragionevole entre I'area di silicic assegnata (51 veda l'artico- 10 La fabbricatione dei etrcuii! microelettronici di William G. Oldham a pagina 42).

Le pr prieta dei singoli tran istori e degli altri componenti dlpendono In modo critico dalle 10m dlmensioui, che devono rest are, per un funzionamento affidabll e, entre i limiti prescritti indipendentemente dalle variazicnl insite nel proce so di Iabbricazione. Anche la remporizzazione e altrettanto critiea: quando una parte del calcolatore cmene un segnale, un 'altra parte deve essere pronta a rieeverlo. Un modo ovvio di affrontare tali problemi e quello di costrulre un prototipo di elaboratore con i componenti esistenri. Tuttavia negli ultimi anni i prereri ce costruire on prototlpo imula 0 am I'aiuto di un ealeolatore. i co truiseono modelli .matematici dei singoli elementi eircuirali, che vengono poi combicari per formare modelli dell'intero sisrema. Completato il progctto, 10 stesso eatcolarcre PUQ preparare I disegnl prin~a.r:l che verranno lmpiegati per definire ~ disegno del circuito sul silicic. Altri cal::n1atOri dlrigono .il processo di fabbricae e un alrro ancora collauda i chip pIeti, marcando automaticamente -:.=lli dilettosi. on vi ~ dimostrazione efficace del bisogno di uno sviluppo - ohnivc nella creazione di una tecnolo~ <Ii grande eomplessita. J circuiti inte=-u progettatl e costruiti oggigiorne non trebbero essere realizzati senza il up-

-"10 di quelli me sono stan eostruiti ne,,_.. anni preeedenti,

\

Ili~-I-' _ ~ _ _ __

La fabbricazione

dei circuiti microelettronici

L'obiettivo principale del proeedimento di fabbricazione dei van strati dei circuiti integrati, disegnati prima in grande scala pOl ridotti [otograficamente, e l'ottenimento del minimo costa unitario

di William G. Oldham

Nella p. r ... o?~.·one .. ~ei cirCUl.·ti .eletIIOQlcr rntegran su larga scala

(LSI) l'obiettivo prindpale e quello diraggiungere il minor costopossibile per ogni funzione elettroniea esegnibile, Le caratteristiche principali dei procedimenti di fabbricazione adottati

dall'industria microelettronica possouo venire eomprese pienamente' solo alia luce di tale obiettivo, Le caratteristiche cui si e accennato comprendonoIaproduzione di molti eircuiti contemporaneamente (un esempio straordinario di produzione di massa), la riduzione di questi

~,ellilfigura qui sopra ~ rip.rodotta in gnmdena naturale una masehera, ossia una tastra di vetro rleoperta da nn film di cromo che tiprodnce il disegno di uno stratodi uncircaito integrate. Nella ~ a. Imllie un pezzodefla medesbna masehera e ingra.udifO dieci volte. La mascherae lm~Ia daDa Intersil Inc. p« hi fabbrteazlone fotolifopca,dj una memoria RAM di 16' 348 bU.

alle dimeasioni pin piccote possibili e, la massima semplificazione della tecnologia di produzione,

La notevole riduzione del coste dei microcircuiti ottenuta negli ultimi anni non e dovuta a nessuna grossa innovazione nelle tecnologie di produzione, In effetti 18 rnaggior parte dei procedimenti produttivi di base e stata usata ampiamente aell'industria per cinque anni e piu. La recente netta diminuzione di coste t poi stata ottenuta in un momenta di inflazione generalizzata, II coste di lavorazione di un wafer (lamina) di silicio, il substrate su cui vengono fabbricati i circuiti integrati, e salito rnoderaramente, rna Iasuperficiedei wafer e aumentata piu rapidamente, praticarnenre raddoppiandosi ogni quattro anni, Di conseguenza il coste di Iavorazione per-units di superficie e dirninuito. Conremporaneamente Ia superficie occupata cia una determinata funzione elettronica si e ridotta di un fattore due ogni 18 mesi all'incirca. Questa ridnzione di dimensioni e dovuta a una grande ingegnosits nell'ideazione dicirCUtti semplici e di procedimenti altrettaato semplici per realizzarli, come pure alla continua rniniaturizzazione degli dementi circaitali e delle 10TO Interconnessioni. Inoltre la graduale eliminazionedei duetti nei vari stadi eli lavorazione ha pure contribuito alla riduzione del costi. Con una minore frequenza di difetti aurnenta infatti 1a resa in circuiti utilizzabili su un determinato wafer.

'n ritmo dei progressi nella fabbrieazione dei circuiti microelettronici indica abe la rendenza alia riduzicne dei costi continuera, Praticamente tutti gli stadi del procedimento di Iavorazione, dalla fotolitografia all'incapsulamento finale sitrovano nel pieno 0 all'inizio di uno sviluppo significative.

Un circnito integratosu larga scala (LSI) contiene decine di migJiaia di. elementi, eppnre ognuno di questi e cosl piccoloche Ie dimensioni tipichedi Ull clrcuito SOflO 'dell'ordine di 5 millimetri

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per la to, I wafer di silicic rnonocristallino purissimoche SeNOTIO per la produzione dei circuiti sono molto 'ph) grandi, normalmente cia sette a wed centimetridi diametro. Uno dei punti chiave.dell'eccnomia della produzione dei. rnicrocircuiti eIa fabbticazione contemporaaea di centinaia di circuit! di1Wosti fiance a fianco SU un solo wafer. Un gradino ancora piirelevato nella prcduzione di rnassa viene raggiunto in diversi stadi di lavorazione trattan do conternporane am cnte fino a un centinaio di wafer, No segue che il costo del lavoro e degli imptantivienesuddiviso

PROGETT AZIONe e LAYOUT

Del ClRCUITO CON L'AIUTO

DEL CALCOLATORE

CONCEZIONE DEL

NUOVO CIRCUITO; SPECIFICHE PREUMINARI PER LA PROGETTAZIONE E :IL PROGEDIMENTO

01 FABBRICAZION'E

fra migliaia eli circuiti.rendendopcssibile 11 costa unitario estremamente basso ehe e caratteristico della rnlcroelertronica.

Quando un wafer ha ,C0 mp leta to il passaggio attraverso i vari .stadi -di fabbricazione del microcircuitc, viene sezionato in lastrine, 0 chip; ccntenenti un solo citcuito complete. Non tutti questicircuiti saraano In grade di fu nzion are: Non e possibile evitare la presenzadi diferti nel wafer e un solo diferro puo rovinare 00 irrtero circuito. Per esempio ua graffio lunge .appena qualche micrcmetro pub inierrompere una connessione. E impos-

GENERAZIONE DEL RETICUlO OHICO

sibile, sia fisicamente sia economicamenDe, riparare un circn ito difettoso: esso pu 0 venire sola mente scartato.

Come e facile prevedere, maggiori sono Ie dimensioni del circui to e maggiore- e la probabilitadi un dlfetto tale da renderlo inutilizzabile. La resa (il numero dj circuiti utilizzabili su un singolo waferj.dirninuisce all'aumeatare delle.dimensioni del 'chip, sia perehe il wafer Rnb contenere meno eircuiti sia perche nei circuiti piu grandi e piil frequents Ia presenza di difetti,

A'prirna vista potrebbe quindi sembrare piu ecenomico fabbricare ci:rcuiti mol-

MASGHERE PRINCIPAL! OTTEN UTE CON SISTEMA A RIPETIZIONE

'ff!J~l~tITOGRA"i ././/.'1./// I I G.I.I •. ~ .1 I ~ III_II. _ ' \ \ .! i, \ ii.\\\\

LAVORAZIONE) ,. __ .r

~ ..........

WAFER

01 SlliCIO OSSIDATO

ISOLAMENTO

DEPOSIZIONE DELLE PORTE

CONTRO'LlO

DIVISIONE

CONTATTI

INTERCONNESSIONI

PIAZZOLEDI CONNESSIONE

El'EMENTO SINGOLO

In questa fig ora SOll,O sehematizzate Ie fa.si IIi Iavotazlcne nella fabbrlcazione. dl un circuito irlteg:rato su larga scala. La progettaziene viene spesso effettuat!l,eon ('!liuto di, un ealeolatore, che aiuta a dererminare 13 disposizi.Olle (lay on t] pin com PI! Ita degli ele menti circuit ali, Il layon f serve aJla pteJlarllzione delle maschere.-ehe ripmduconn ognulla III strurtura di unsingolo straro del ctrenlto, Qnesto slonieae producendn prima un'immaginedella maschera lngrandita died volte, detta retleo- 10, die viene eontrollara, eorrettae rigenerata fino a quando rislllta perfetta, Un'immagine ridotta del retlcnle viene poi riprcdotta cenfinaia di volte eun un sistema. «a tipetizione» per produrre una serte di maschere definlttvein grandexr.I natnrale. Da questo Si ottiene poi on gran nume.ro di lastre di Iavorazinne, II metodo di geneJ."llzione delle maschere mediante unfascio IIi elettrooi (qui rappresenrato in colore) sta comineiando II sosntulre ll metodo otticodi produzlone delle ma-

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MONTAGGLO NELLA CAPSULA

SIGILLATURA OELLA CAPSULA

COlLAUOO F.lNAL.:E

schera, cosacherende possibile Peliminazioue. di due stadi fotog;rafici incidendo direttamenre le maschere sulls Iastre di lavoratione, E anche possibile che, col tempo" la litografiaafascioeletfronic_o pessa venire introdotta direttamente nella.lavoraztone del.cireuitl, 1 w.;lfer di silicio, ehe, sone Il suhstrato per la fabbricazione dei eircuiti, sono ottenuti «segande» un lungn monocristallodi sllicio in fe-ttine sottili che vengono pol polite. e ossidate, in preparaztene del primo stadlo di Iavorazlone, (Ai wafer viene l.agUatit una fettaper ottenereunahneadl riferimenlo pal"Jlllelaa U-Il piano naturale deicristallo.) Successivamenteal pro cesso ill fabbri eaztene.con cinque maschere descritto in qu esto esempio sempllflcatc, 'i1 wafer viene controllato per individu3re i circui. ti funzion:anti e quelli dlfettosi, ehe vengooo mareati coo, una macChiadi inchiostro.l drip contenenti singoli clrcnitl fuazlnnanrl vengono seleDonati dopo il tagIio del wafer e incapsulati in appositl contenitorl,

- ; I: 'II III il: !II 11111:11

to semplici, e quindi molto piccoli, au.mentandoquindi Ia resa e il numero dei citouiti fnnzionanti, In eff_etti e veto che i circuiti piccoli castano poco; esistono semplicicircuiti Iogiei che castano poche decine di lire. Oecorre pero tener conto anche dei eosti di controllo, di in capsulamenta e di montaggio dei circuitifintti 'per comporre un sistema elettronico. Dopa che i circuiti soao.stati separati, sezionando il wafer, ognuno di essi deve venire maneggiato .individualmente. Da questo momenta inavanti, il costa diogni singola lase dllavorazione, come i eontrollie I 'incapsclamento non puo piu venire-suddiviso ira centinaia 0 migliaia di circuiti. E infattiper icircuiti integrati su media scala eMSl) i costidieontrollo e di jncapsulamento spesso dominano sugli altri eosti di produzione.

Un tipico sistema mrcroelettronico contieneentrambi i tipi di circniti integrati, LSle MSI, e il costa ill progettazione e realizzazione del sistema aumenta rapidamente at erescere del numero dei circuiti, Per minimizzare i1 costo.cemplessivo del sistema e teorieamente possibile Impiegare sia un piccolo numero di circuiti molto potenti (e quindi di grandi dirnensiorri), sia un gran uumero di circuiti moltceconomici (e quindi di piccole dirnenstoni), In mo1ti sistemi complessi it c0510 complessivominimo viene orteneto con i circuiti pili grandi e costas], quelli che, per .intenderci, hanno un costo pili vicino aile 10 000 che a1Ie 1000 lire. Se venissero impiega ti circniti pitreconomici TI.e oecorrerebbero molti di pili per realizzare iI sistema e i costi eli montaggio e di controllo si alzerebbeco. D'ahro can to, se si tenta di concentrate troppe funzioni in un solo circuito, Ie sue grandi dimensioni porterebbero a una rosa per wafer tanto bassa da avere, dieonseguenza, 11n coste unitario proibitivo.

Assumendo come prezzotipico di vendita cl{ un circuito LSI un prezzo di 10 000 lite, e possibile procedere all'indietro e fare una stima delle sue dimensioni ottimali. Naturalmente. i1 prezzo eli vendita deve coprire non solo le spese.di produzione, maanche Ie spese generali e quelle di ricerca, svilnppo e marketing. E quindi 'ragionevole stimare che ilcosto di produzione debba essere notevolmente inferiore a quello di vendita, diciamocirca 5000 lire. Ora iI costa di lavorazione di un wafer, indipendenterneute dalle dimensioni deicircuiti, e di circa 100000 lire. Quando poi si tengono in considerazione i vari controlli e l'incapsulamento, tale cifra pno anche raddoppiarsi, Quindi, se iI 00- 'sto di produzione del circuito considerate deve essere di 5000 fue,e indispensabile una resa di 40 eircuiti per wafer. Oggi ,e possibile ottenere una. resa del generecon circuiti che misnrano circa 3 millirnetri per lato .. Va sottolinearo, a questo proposite, come nel caso preso a esempio solo una percen male piuttosto bassa di circuiti del wafer e considerata funzionante, VieDe supposta una tesa di 40circuiti funzionanti sui 25'0 eircuiti ehe pOSSOllO venire prodotti su un wafer di 100 miliimetri di diametro,

JUayont degli elementi di nn miCl'odrcnito viene determinate con.J'afuto di un caiCoialore. in questa immagme il progettisfaanalizza una. porzione di uacireuitc LSI SII unoseherme a T.aggi catodici, Aziona.JIdo Ia tastiera 0 disegnando snllo schenno con una penna lumlnosa, epossibile togllere, aggiIlng.er.e 0 spostare elementi clrrnhalt, n termlnale e oostruitodaDa Applioo.R Inc.

nlayout viene con(roUalo esamlnando I'immagilledi una maschera lngrandlta 500 volte. Generalmente aquesto fine vielle generate un rehcolo died velte maggiore del circuito su una lastra fotografica ·di 12,5 eentimelri di lato, ma la complessita di questo circuito ha riehiesto· un Ingraadimento 50 voile-maggiore. n reticole viene eontrollatn pet asskonu:si che hlffi g!i elementi sianO dimeusieuati e disposll correttamente, Le maschere originali sono preparate proiet1ando IIll'immagi_ne lidotta. del relicolo su un'allra Jasua fowgrafica con un sistema offico a lisolven:za estremamente elesata, n drcuito qui esaminato compare aachenelle prime due figure dell'al:tioolo.

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L'impianto ill lavoraziene del wafer deve essere mantenuruestremamente pulito .per evitare la eoutaminazioae dell'ambiente anche con Ie piii piceole particelle di polvere, Gli addettimdossane abiti spedali e

I'.ono vi.ene conlinuamente Iiltrata e ridrcolata, per man tenere ai minime la polverosila .. D l'epllrto fotografQto in questa fmmagine appartiene a un impianto della Zilog Incche si trova II Cupertino, in California.

Con un calcolatore .~. possibile simulare il funzionamento di un circuito in maniera molto simile a quella COllCW si puo simuIare una partita di ping-pong su un televisore. IT progettista controlla l'andamento delle tensioni e delle corren ti nel circuito e modifica glii elernenticircuitali fino ache ottiene il comportamento desiderate. La simulazione al calcolatore ~ menc.costosa della realizzazrone, eontrollo e modifica ill un circuito sperirnentale effettivo, 00- stituito da elementi discreti. E anche piil accurata di questo procedimento ernpirico. n vantaggio maggiore della sirnulazionee dovuto peraltro al farto che.il progettista puo oambiare un clemente del circuito semplicementc battendo una correzloae sulia tastiera dj un terminale e puc osservare immediatamente l'effetlo della corrszione sul comportamento complessivo del circuiro.

Anche La: disposizione finale de) singoli elementi circuitali viene ottenuta con l'aiuto delcalcolatore. n progettista del layout (disegno finale) lavora al terrninale video di un calcolatore, aggiustando Ia disposizicne degli elementi circuitali mentre osserva .il disegno ingranrlito parecchie centinaia di volte snllo schermo dl un tube a raggi catodici. Illayour definisee la formadi ognuno degli strati del

circuito integrate. L'obiettivo da raggiungere in questa fasee quello di Tag· gruppare gli elernenti del circuito nella maniera piu cornpatta possibile, Il veechio metodo diillsegp.are il cirouito a mana non e ancora state interameure. sup erato dar calcolatore elettronico. Molte partidi un circuito integrato su Iarga scala vengono ancora disegnate a mana prima di venire sottoposte alcon trollo del calcolatore,

Ogni fase di questa procedimento, ivi compte so 10 stadio finale di completamenta dell'intero circuito, viene controllata facendo realizzare dal calcolatore tracciati molto dettagliati. Date che i singoli e1ementi del circuito possono avere diraensioni dell'ordine-di pocbj micrometri, i tracciati dacontrollare devono essere fortemente lngranditi, generalmente 500 volte, rispettcalledimensioni finali del circuito.

TI tempo necessario per la progettazione delcircnito e per il suo layout varia notevolmente in funzione della. natura del circuito stesso. I pili diffioili sono i microelabcratoti, che possono richiedere diversi anni di lavoro. AItri circuiti,come Ie memorie statiche, che contengono molti elementi ripetitivi, possono venire .progettari e disegnati pill rapidamente, in

T a struttura di un eircuito integratae L complicata sia perquan to riguarda la sua topografia ehe per la sua architettura intema. Ognlelernento eli tale oomplesso possiede una struttnra tridimensionale complicata.clte deve venire riprodo tta con esatrezza in ognieircuito. Tale struttura e cosrituita da diversi strati, ognunodei quali ha una fonna benprecisa. AIcuni di tali strati vengono a trovarsi neU'interno della spessore del wafer e aim veugono costruiti sopra dl esso. n prccedimentodi fabbricazione consiste nella formazione dj tale suecessione.di strati, secondo i piani di chiha progetta to iJ circuito.

Prima di vedere come vengoao formati tali strati,e utile dare uno sguardo d'insieme al procedimento per mezzo del quaIe il ci.:rcuito integrate vienc tradotto in realta tisica a partite dall'idea iniziale, n prime stadio delle sviluppo e dedicate alla specificazione delle cararteristiche funzionali del DUOVO prodotto. Vengono anohe scelte le procedure che, saranno necessarie per Ia .sua realizzazione. Nella seconda fase hainizio il progettoeffettivo del circuito vengono infatti stimate le dimensloni e Ie posizioni approssimative dei suoi elementicircuitali. Molto di questo Iavoro preliminare viene effettuato can l'aruto ill calcolatori elettronici.

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aleuni casianche in pochi mesi soltanto.

Quando II progettoe Il laycnrflnale di un cireuito sono ultirnati, II calcolatore ha rnemorizzato un -etenco delle posizionl esatte di ogni suo elemento. Da questa descrizione si ottiene una .serie di Iastre,

dette fotomaschere, ognuna delle quali rappresenta uno strato del circnito. Ogni maschera si riferisce a un solo circuito rna, data chequesto e tanto piccolo e data ohe se ne possono produrre molti su un solo wafer di silicjo., Ie maschere (ehe sono

lastre di vetro quadrate tipicamente di 12,5 centimetri di late) sana costituite in realta da tante maschere ripetnte quanti sono i circuiti che si prevede eli realizzare sul wafer.

La prcduzione delle fotomaschere e

!

'I

~ !

In questa. sequenza sono rappresentate sei fas) dena pmduzionedi un mi.crocin:uUo. A sin is tra " in (lito" si vede I:'accrescimenl.o di un monoeristallo dl si1icio drogllto, the viene estrane da uucrogiuolo di qmu:zo pteno dl siliciofuso ell; e stata agginnla I tmpurezza voluta, n cristallo lavoral.o a. cillndro perfetto viene poi affettato con unasega eircolare a denti dldiamante (a destra in alto) e dopo.la politura viene controllate 10 statu s.up erfl dale. d.ei wafer (a sinistra.al.centro} chesubiseono inune

, ,

~ i

48

un'ossldazi(Hle superficiale in un ·contenitoredi cni ~i mostra I'inserim ente n ella fom ace (a des tra, a l em fro). II wafer co n i eireuitl finiti viene pol mtagliato (a sinist1"a,.in bassor « suddivlsn Dei .singoli cireuiri (a destra, in basso). Le prime tre folagrafie sone state riprese presso I'impianlo deUa SiItecCorporalion a M.enlo Park, in caIifomia. Le Dltime Ire seno state prese neU!lfabbri.C:I deUa Zilog. NeUa Iabbrtcazione dei varl stratidi un circuifn sene coinvolt] altrl stadi ill lavorazione.

I

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j

Ilconfrullo elettrico del circuiti viene eseguito p"rimll di elTettliare i1 taglio dei wafer. A questc scope il coUegamento elenrtco viene assicD.ratn dacontattl aghiformi molto soUili connessi con OIIIl apposita cartolinache viene eollegataalla macehina di' controllo,guJdata da un caleclatore, Questa pesizlona i contattl su ciaseun e!emento, compie la

verifica sul elreulte e, se tmvaehe qaesto e difettoso, 10 mareacon una maeclrla d'mchiostrn, per indicare che deve venire scartato, L'operazi one vi cue ripet uta per tn tti i circuiti. La fotografia a sinistra m ostra un operatore ehe verifieaa] mi<:roscopio Ie operazioni di controlle mentre quella Ii destra mostra da vicino un circllilo sotiopostoa eonuone.

Un solo,difetto pno rovinare 110 intero ciJ::cnito .. Questa fotog~afia al micmscoplo elettronlco a scansione, eseguttada William Roth della Coates andWeltet Instrument Co. mostra una piecola parte di una

memoria da 16 384 bit, Un g:raneUo di polvere suIla masehera fotolitogrnfica ha provoeato l'interruzione di una connessione. Le strisee di -31- luminiosono larghefi miernmetri, L'ingrandimentQ e di 1600 diametri,

Queste immagini dimostrano l'e.ffeUo delle dimensiollj del cirruIfo sulla resa, I w.fd'er sonumtti delle stesse dimensioni e lavorati presso il mellesimo impianto della Zil.og. Dopo il eontroflo, i cireuiti difeuosi 50!!0 stati mareatl con lnchlostro rosse, II wafer asiuiBtra contiene 340 circuiti funzionanti ognnnn dei quali oceupa una slIperficie di 10.,2 millimetri quadrati. Nel wafer al centro !II 'trovano 240circulti funzionanticon una. superflde di 13,7 millin1elri quadrari clascnao, U wafer a

50

destta-eentlerre solo 80 circuit! funzionanti aventi una superflcjedi 22,9 milIimelrigua.drati.ln pratlca la resa varlaparecchio da wafer a wafer, anehe per il medeslmo tipo di ci'rcuito! i waferqui fot.ogrfd'ati sono statt seelti in quantorappreseutatlvi dell'andamente generale deDa produzione, D numere ill circultl Iunziouanti diminu~ce rapidameute a1.l'SI!mentare delle loro dimensioILi ,5ia perche ve ne stanno meno sn un wafer, sia percb~ aumenta Ia probabUitii che presenfino qualehe difetto.

: 1!lill!i:I!II'111

gia eli per se interessante. Normalmente il procedimento consiste nel generate Dalla memoria del calcolatore un disegno comple to di cgnuno degli strati del circuito. Questa viene effetruato tacendo muovere, sottoil controllo del calcolatore, un raggio di luce che irnpressiona una Iastra Iotografica. Questa immagineprimaria del circuito, detta reticolo, viene controllata e corretta 0 rigenerata fino a che risulta perfetta. In genere il reticoloe dieci volte piu gra~de del eircuito finale. Infine un'immagine del reticolo ridotta di died volte viene proiettata otticamente sulla maschera definitiva. 'I'ale immagine viene riprodotta eentinaia di volte con un procedimento detto «a ripenzione» per ottenere una maschera per Ia .realizzazione di molticircuiti fi an co- a fiance. La. precisione del sistema meccanico di posizionarnento e del sistema fotografico deve essere grandissima: ogni elemento deve infatti, avere dimensioni e posizione esatte con tolleraczadi circa un micrometro, La lastra originale ottenutacon il procedimen to a. riperizione viene poi copiata per stampa a contatto per ottenere una sene di originali. Ognuno di questi serve a sua volta per produrre un gran numero eli repliche, dette lastre di lavorazione, che serviranno nel processodi produzione -effettiva, La lastra di Iavorazione pub essere sia un'irnmagine sn una etnulsione fotografica ordinaria sia un'immagine rnolto piii durevole iacisa su un film di erorno depositato su una Iastra di vetro,

La fase di progettazrone eli un circuito rnieroelettronico termina con La produzionedi una seriecompleta eli maschere. Queste vengono inviate alI'impianto di produzione, dove vengono impiegate per la rcalizzazione del circuito .. L'impianto .di produzione riceve i wafer di silicic, i prodotti chimici per Ia lavorazione e Ie masehere, Un tipico piccelo impianto con un centinaio di dipendenti puo trattare diverse.migliaia di wafer alla settimana e, cal oolan do che ognuno eli questi abbia una r'esa di 50 circurti funzionanti, Ia sua produzione puo assornmare a cinque milioni ill circuiti all'anno.

L'impianto eli Iavorazione dei wafer deve essere estremanrente pulito e ordinato. A causa della piccotezza dei circuiti me vengono prodotti, noll. puo venire tollerata la pr~enza della pitt piccola particella. eli polvere, Ognuna di _queste puo intatti causate un difetto tale" da produrre un funzienamento non corretto di un circuito .. Gli operatori indessano nne specia'Ii per preteggere I'ambiente dalla polvere portata dal personale che vilavora. Varia viene continuamente filtrata ericircclata per mantenere al rninimo Ia polverosita, Contando tntte Ie particelle di dimensioni maggiori di un micrometro, I'aria di un ripico impianto di Iavorazione del wafer contiene meno eli 10 particelle per litro, ~~nto volte menD eli quante se ne trovan.1) in un modemo osped.ale,

II produt~bre di c~c~~ .usualm~nte acqu]sta 1 wafer d] $ilicw pTOTIll per Ie 1avora:zi·onisuc~essive. II basso prezzo (meno di 10000 1ire)di un wafer non e

RADIAZIONE UL TRAVIOLETT A

t t t t t / FOTOMASCHERA

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/ 810SSIDO 01 SlliCIO

SILICIO

...--.=---",-_ L PHOTORESIST

2'

3

La foloijlografia e it proeedlmentocon il quale il disegno di un cirwilo viene t.-asferilo da una fntomascheraa uno srrare del wafer. In questa seqnenza si vede come avviwe I'indsione di uno strato di bfosslde di silicio (in colore) snlla superficie. di (m wafer di. sUido. D wafer ossidato (1) viene rivestito con 000 strato di materiale polimerico lotosensibilechiamato photoresist (2) e poi esposto alia fBdiazioDe ;ultt'avloletta attraverso nna maschera (3) .. L'esposizioue rende il fctopolimere lnsclablle ill nn solvente detto svihrppatore; rimane quindi uno strata di [otopolimel"Q indurlre in c.orrispondenza delle patti trasparentl della maschera (4).11 wafer "ieile pO,i immerse in una solnzione di acido, 11 0 oridrico, jJ qnale attaeea selettivame.nfe i1 biossldodlslllclo, laseiando inalterati il photoresis t e il silici (I (5). Alla fine iI ph otoreslst viene rim osso cbimicam ente (!V .

indicative delle difficolta su_perate per la sua produzione. Sicomincia con la riduzicne del biossido di silicic, il costituente principalsdella sab bia, per produrre silicio elementare grezzo. Seguono nitta una serie eli procedimenti chimici per Ia purificazione suocessiva del silicic, fino a raggiungere una purezza de199, 9999999 per cento .. Una caricadi silicic purificato, diciamo una decina di chilogrammi, viene poi posta in UD crogiuolo -e portata alla temperatura difusione, che e 1420 gradi centigradi. E indispensabile mantenere Ia fusiene in un'atmosfera eli gas inerte per impedirne l'ossidazione e Ia contaminazi_o'ne, II silicio vienc poi «drogato» ton l'aggiunta di unaquantita C()ntrollata di impurezze die ne determinano II tipo di conduttivita elettrica, con portatori di carica chI.' possono essere positivi (tipo p) 9 negativi. (tipo n).

Dalla fusione viene ialto crescere un

grosse crista 11 0 singolo, immergendovi un «seme», costituito da un crist all 0 perfetto, che viene tenuto in lenta rotazione e gradualmente estrattodalla massa fusa. E cost possibile otten ere eristalli singoli di pill eli dieci centimetri di diametro e con una Iunghezza di pill di un metro. La superficie estema del cristallo viene suecessivamente molata per otfencre un cilindro di diarnetro standard, usualmente 75 0 100 mil lim e tri, che viene poi tagliato a fettine sottili con una sega a d_enti di diamante rotante a elevata velocita .. Lo stadio finale della preparazione dei wafer e la molatura delle due facce delle fettine cosJ. otlenute, tina delle quah viene polita per oUenere una superficie estremameTite ii_scia. II wafer finito ha uno spessore di circa mezzo millimetro. Le fasi finali della preparazioTle dei wafer vanno natura1- mente condotte in un arnbiente assolutamente. pulito. La superlicie £inita !lon

51

NITRURO 01 SILICIc)

PRIMO STRATO

810SSIDO 01 SILICIO DI SILICIO POLICRISTAlLlNb

SILICIO TIPO P

SECONDO STRATa

01 SILICIO POLICRISTA

I

. 1

. ,

I

j

Nella fig:l.tra il rappreseatata Ia Iavorazione completa iii un translstore MOS acanalen eoaporta in sUiciopoiicrislaIlino. I primi stadl di la'l'orazione eoaslstono nell'ossidazione selettiva del silicio con I'aiuto iii una maschera eostituitada nitrul'O di silicio. Soll'jutero wafer "Viene faUo ereseere uno str.ato di ossido sui quale si depone in fase vapore uno strato di nitrnro d1 sllieio (1). Quest'ultimo viene nmosso seletti.vamentec.on un proeedimento fotoUtografi.oo eODvenzionale (2) e poi si lmplanta un'Impurezza tipop (pel' esemplo boro), usando come mascheraIo strato di nitruro di silil!io, faeendosuecessfvamente crescere deH'altro ossido, in modo da avere uno strata spesso iii lsolante (3). n nltrurn viene infine rimossosenza attaeeare I'ossido (4) .. Datoche nel proeesso dlossidazione iii eonsuma del silll!io" lostrato spesso di o.ssido invadep.arzialmente iI substrate. Si pro cede pot.al deposito del pnmo.strate disilicio pofiaistaJlino,cbe vie!le snceesstvamente modeflatosecondo una seeonda wascher:! (5). Si proeede all cora a1 deposito di un secondn film lsolante ill ossido, snl quale si depone un secondo strata di sihcio poUtl'ishdijno (6), wl)dellal.o con una tersa masehera, _ A questo stadio, con Iln'incisione in acidofiuorlifrico si scoproao aleune zone del sobstra.to per impiantarvi 0 Iarvi dilIondere delle impurezze di tipo ne poi si torna a' !solale Piatera superficle con uno spesso strato di ossido, nelqeale si apreno delle «flnestre» per i cnmatri elettrici (7). Inflne si depoSita uno stratn di aUluninjO, cbe viene modeUato con una quinta masehera (8). Non e mostrata Ia finitura tsolaate COli uno strato fiDa1e iii bio.ssido 0 oi trurodi s-tlicio die, con una sesta masehera, e rlmossa daII e piazzoie dieD nnesslone,

52

I

I'

!

d ev e avere clife tti nella stru ttura cris tallina, difetti di politura, graffie neppure impurita chimiche ..

II ruolo dominante assunto dal silicic come mareriale per la produzione del microcireuiti e attribuibile in gran parte, alle proprieta del suo-ossido. II biossido di silicio e un vetre trasparente, COIl unpunto eli rammollimento superiore ai 1400 gradicentigradi, e ha una funzione malta importante sia per La produzione del cir-: cuiti sia per illoro funzionamento. Se si riscalda un wafer di silicio. in atmosfera. d 'ossigeno 0 dj vapor d'acqua, sulla sua sup erfici e Iii forma un film di ossido, Questoe molto duro, aderentee resistente e possiede le proprieta di un ottimo isolanteo :E poi particolannente importante nel procedirnerrto di fabbrlcazione dei microcircuiti perche pub fungere da maschera per I'introduzione selettiva di impurezze droganti. Uno strata di ossido dispessore conveniente puo venire formate a temperaturecomprese fra i 1000 e i 1200 gradi centigradi, LQ spessoreesatto puo venire regolato con Iascelta della temperatura e della durata delrisealdamento. Per esempio, uno strata di ossido della spessore eli un deci_.mo cIi micrometro si forma in un'ora a 1150 "Cin atmosfera di ossigene puro. Uno strato cinque volte piil spesso cresce nelle medesime condizioni, rna in atmosfera eli vapor d'acqua ..

Un asperto importance del processo ill ossidazione e il suo basso coste. L'operazione pub infatti venirecondotta simultaneamente su parecchie cen tinaia eli. wafer . Questi vengonocaricati nelle fendi ture di un supporto di quarzo, alla distanza eli qualche millimetre l'uno ·daU'altro. La fornace di ossidazione posslede un elemente riscaldante cilindrico posto intorno a un lungo tubo diquarzo, nel quare passa una corrente di un gas purificato contenente ossigeno. I supporti contenenti i wafer vengono inseriti dalla parte aperta del tubo.espinti gradualmente verso la sua parte pin calda. La temperatura del processo viene eontrollatacon una precisions maggiore di un grado e spesso I'intero procedimento e controllato da un calcolatore che verifica la temperatura, dirigele operazionidiinserimen toe ri tiro dei wafer e conrrolla l'atmosfera della fornace.

Per la produzione dei circuiti.integrati e necessario un sistema per riprodurre sul wafer La struttura dei circuitistessi, n circuito viene costrui to strata per strato, ognuno Dei quali deve avere la struttura imposta da una eorrisponden te maschera, Per far questo si 'impiega un.procedimento eli fotoincisione detto fotofitografico 0, semplieemente, di maseheratura,

La fase fondamentale di questo procedimento e costituita dall'incisione eli. un tracciato su uno srrato di ossido, n wafer ossidato viene innanzitutto spalmato can photoresist, un rna teriale polimerico fotosensibile, Cio.si ottiene mettendo al centIO del wafer una goccia di photoresist sciolto in un salven te adatto e Iacendo poi ruotare rapidamente il wafer. La goccia si spande COS! sull'intera superfieie, mentre

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it solvente evapora Iasciando un film di fotopolirnero, Un breve trattarnento termice promuove I'essiccamento del film e ne migliora I'adesione al wafer.

La proprieta fondamentale del photoresist e costituiza dal fatto che Ia.sua solubilita in determinati sclventl vieae notevolmente_ influenzata dall 'esposizione alia radiazione ultravioletta. Pet esempio, un photoresist negative Ionnalegami trasversali fraeatene in seguito all'esposizione, divenendo insolubile. Ne consegne che I'esposizione attraverso una maschera seguita daesviluppo», cioe da lavaggio con un solvente appropriato, Iascia 10 strato d'ossido senza.protezione in conispondenza delle zone opache della maschera, II photoresist rimasto pub venire indurito ulteriormente mediante riscaldamerito,

II wafer con Iezone protette dal fotopolimero viene OIa posto in una soluzione di acido fluoridrico, che scioglie 10 strato di ossidc dovunquee privo ill protezione, senza poterattaccare il fotopolimero e il silicio messo a nude. Terminate la rimozione dell'ossido, il wafer viene Iavatoe asciugato e Ia protezione di fotopolimero viene tolta can un opportune trattamento chimico.

Altri film sottili diversi dal biossido.di silicic vengono pure modellati in maniera analoga. Per esempio, una soluzione calda d.i aoido fosforico attacea selettivanrente J'alluminio e puo quindi servire per incidere uufilm di tale metallo. Quando il fotopolirnero non puc resistere all'attacco di certi mezzi usati per I'lneisione occorre procedere alla formazione di uno strato protettivo intermedio. Per esempie, i film di silicio policristallino vengono spes so incisi con una miscela particolarmente corrosiva di acido fluoridrico e addo nitrico. In questo easo si provvede prima aformare uno strato di biossido sul silicic policristallino e poi 10 si incide nel solito modo. Ora 10 strato di biossido 0- masto pub servire da strato protettivo al posto del photoresist per l'incisione del silicio.lnfatti 1 'ossido viene attaccato dalla misceladi acidi molto piu lentamente del silicic policristallino.

La fotolitografiae.sotto molti aspetti la chiave Per la produzione dei mierocircuiti, Viene infatti usata ripetu tamente nella fabbricazione di qualsiasi circuito, essendo utilizzata almenouna volta per oguuno degli strati che 10 compongono. Un requisito importante per il procedimento fotolitografico e che ogni maschera deve venire posizionata c,on grande accuratezza in registro con Ie struttur-e sottostanti. Cib puo oUenersi tenendo la maschera appena. staccata daI wafer e allineandola vis-ualmente con 10 strata sotto di essa. La macchina che tiene il wafer e, fa maschera oonsente il posizionamento recipIOco con pna precisione di uno 0 due micrometri. Ottenuto l'allineamento, 1a maschera viene press<i.ta ac{)]:itatto oem i1 wafer e si passa alI'esposizione. La spazio fr_a ma· schera e wafer vi<:ne spesso evacuato per mig).iorare il contatto fra i due e, a seconda che if vuoto sia alto 0 moderato,. 8i parla ·di stampa a contatto «duro» 0

dratr. Viens esposta una superfieie molto piu piccola, dell'ordine di grandezza del centimetre quadrate, e I'esposizione viene ripetuta pill. volte con un sistema a ripe tiziane oppure con un procedimento

di seansione. -

Questa fotogr.af"llI rtpresaal microscopio elettronico a scansiene mostrala sezlonedi una. memoria di 16 384 bil fabbdcata COD iI precesso descritto nella ligura della pagina a Ironte,

«morbido». Secondo un altro procedimente, la stamp a per prossimita, la maschera viene tenuta ieggermente distanziata dal wafer durante il procedimento di stamps.

Queste variazioni nel procedimento di mascheratura derivano dalla necessita di stampare senza difetti particolari molto piccoli, Se Ia rnaschera venisse posta malta distante dal wafer durante Ia stampa, i dettagli pitl. fini verrebbero distrutti dalla diffrazione ai margini della maschera stessa. Quindi sarebbe preferibile un contatto duro. D'altro lato quando la rnaschera viene premuta centro il wafer viene abrasa da frammentiche SI staccano dal wafer 0 dalla masehera stessa, con Il risultato che questa puo venire impiegata solo per poche esposizioni prima che i difetti 51 aceumulino in maniera intollerabile. Si deve scegliere un sistema di mascheratura adatto alla particolare teenoIogia utilizzata, in modo da assicurare una vita ragionevole alla maschera e una risoIuzione sufficiente, in funzione della rugosira superficiale del wafer e della rnaschera e de! ripo eli maschera impiegato.

Recentemente si e notate un orientamente in favore della tecnica nota con il nome di «allineamento per proiezione», secondo Ia quale 51 proietta sul wafer un'imrnagine della maschera mediante un sistema ottico, In questa caso It! vita dell;'! maschera e virtualmente illimitata. In ogni caso e _solo negli mtimi anni che 8i sono resi disponibili sistemi ottici in.grado di soddisfare Ie specifiche richi~ste per la produzione fotolitografieadi circuitiintegrati. IT fatto chele dimensioni dei wafer aumentino d:i. ann 0 in anno pone problemi sempre piu difficili, rendendo via via pi.u cQmplicat3 La ptogettazione di sistemi {)t~ tiei in grado di produne un'immagirie di qualita"sufficiente !iU una superfide sempre maggiore. I.recenti sistemi di allinea> mento per proiezione riescono a superare !'estrema difficolta di realizzare un obietfivo capace di ri.solvere strutture delle dimensioni eli un micrometro su una superficie di vane·decine di eentimetri qua·

Gli elementi circuitali attivi, come i transistori a metallo-ossido-semiconduttore (MOS) e i transistori bipolari, vengono forman parzialmenteall' interno del wafer. Per produrre tali elementi e necessario introdurre selettivamente impurezze nel substrate di silicic, per crearvi delle zone a ccnduzione.x op. Cio si ottiene con due tecniche diverse: per diffusione e per impiantazione ionica, 0.8- sia per inserimento forzato di ioni,

Se si scalda i1 silicic a temperature elevate, diciamo a 1000 gradi centigradi, gli atorni delle irnpurezze cominciano a migrare lentamente entro il cristallo .. Alcune impurezze particolarmente importanti (boro e fosforo) migrano molto pill. lentaniente entro il biossido di siliciodi quanto non facciano nel silieicpuro. Ouesta proprieta importante consente I'impiego ill maschere di'biossido disilicio per delimitare 1e zone in cui oecorre effettuare ildrogaggio. Per esemploe possibile dispone un contenitore pieno di wafer in una fornace Ja cui atmosfera contenga fosforo, Questo entra nel silicic dovunque esso non sia proteUo e diffonde Ien~ tamente nella spessore_ del wafer. Quando si e ragghmto il li:vel10 di drogaggio desiderato, i wafer vengono tolti dalla fornace e la diffusione delle impurezze cessa. N aturalmente ogni vol ta che 5i torna a scaldare il wafer Ie impurezze riprendono a diffondere; di COriseguenza per otten ere una determinata profondita di diffusione occoire tener conto di tutti i trattamenti te.rmici previsti nelcorso del procedimentodi. fabbricazione. Le variahili piu. importanti che controllano la profOlldi:ta cui diffondono Ie impurezze.sono la durata e la temperatura dei trattamenti termicL Peresempio, i! fosforo pub mi~ graI"e per uno spessore di un micrometro

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in circa un'ora a 1100 gradi centigradi.

Per ottenerne il massimo controllo, la diffusrone viene effettuata generalmente in due stadi. Il primo, detto di predeposito, avviene in una fornacela cui temperatura'eregolata in modo da avere il miglior controllo possibile della.quantita dUm purezza in trodotta. La temperatura determiaa Ia solubilita dell'impurezza nelsilicio proprio come Ill. temperatura dell'acqua determina 1a solubilita di un'impurezza come il sale. In seguito a un trattamenta di predeposito relativamente breve il wafer viene posto in una seconda fornace, generalmente a, temperatura superiore. Ouesto seeondo trattamento rermico viene accuratarnente can trollato in modo da ottenere La profondita di diffusions desiderata.

Nella formazione delle giunzionipn per diffusions allo stato solido, le irnpurezze migrano lateralrnente sotto Ill. maschera di ossido per unadistanza pressappoco uguale alia profondita di peaetrazione. Il margine della giunzionepa risulta quindi protetto da uno strato di biossido di silicio, Questo e moltoimportanfe perche il biossido di silicio e un isolante quasi perferto e molti circuiti elettronici non tollerano la presenza di perdite di eorrente in eorrispondenza delle giunzioni.

Un altro procedimentodi drogaggio selettivoestato sviluppato per COD S entire l'introduzione di impurezze a temperatura arnbiente, Gli atomi dell'impurezza vengono ionizzati e aceelerati da una differenza eli potenziale di decine di migliaia di volt, in modo da far loro acquistare una grande eriergia cinetica. Essi vengono quindidiretti sui wafer, dove si impiantano a una profondita che dipende Dalla lora massa e Dalla loro velocita. Il wafer pub venire mascherato.per consen tire una impiantazione selettiva, con unostr'ato di ossido, come nel processo di diffusione, oppure con un fotopo1im~ro. Per e,c;empia, gli ioni [o,sforo accelerati can una differenza di potenziale di 100 000 volt pemitrano entxo il photoresist per meno di mezzo micrometro. Nel silicio nudo la

IONI DI BORO AGCELERATI

1 1 111

profondita di penetrazione e .invece, in media, un decimo di micrometro. Quindi uno strato di.photoresist spesso solamente unmicrometro eostituisce una masche.ra efficace per consenrire l'impiautazione selettiva del fosforo.

Quando gli ioni accelerati si impiantano nel silicic provccano un danneggiamento considerevole del suo reticolo enstallino. E cornunque possibile riparare la parte maggiore' del danae cuocendo di nuevo il wafer a una temperatura mode, rata, alla quale la diffusioneepoco significativa, cost da non alterate la distribuzione delle impurezze impiantate. E quindi possibile otten ere per impiantazione ionica unaelevata concentrazione di impurezza su un piccolo spessore di silicic, Una possibilita 'importante offerta Dalla tecnica dell'impiantazione ionica e quella di eonsentire un controllo accurate della concentrazione dell'impurezza Gli ioni che bombardano il crisrallo possiedana infatti una carica ben definitae i1 loronumero puo venire.determinato con precisione misurando la carica totale accamulata sci wafer. L'impiantazione ionica viene pertanto adottata quando e necessaria controllare con cura Iaconcentrazione delle impurezze, Spesso viene utilizza ta per sostiruire Iafase di predeposito in un processo ill diffusione, Riesce utile anche.per introdurre impurezze che e difficile predepositare da un vapore a elevata temperatura. Peresempio, 10 stuclio attualmente in corso sull 'impiego dell'arsenico come impurezza di tipo n in circuiti MaS ha avuto inizio in coincidenza con la disponibilita eli un'artrezzatura adeguata per I'impiantazione ionica.

Una cararteristiea unica della tecnica di irnpiantazione tonica e costituita Dalla possibilita di introdurre impurezze attraverso un sottile strato di ossido. Ci 0 riesce particolarmente vantaggioso quando 81 debba aggiustare Ia tensione di soglia Dei transiston MOS. Attraverso l'ossidocbe riveste la porta (gate) di queiStisi possono impian tare roni di impurezze di ti po P 0 n, che consen.tono di aumentare 0 dirninuire

PORTA 01 SIUGIO POLICRISTALLINO

L'impian1a:zione lonica vlene impiegata per inserue una quantit! '~on1rollata di impurezza sotto !'ossido deUaporta. ill un trans.istore MOS, Scegliendo una tensione di acceIerazione appro-pria.ta, e possibile far penettaregli 10m appena sotto I'o,ssido della poria sema che riescano·ad attraversa· I'e 10 5trato d'ossido pii) spesso (a slnistra). Dopo I'impiantarione deg1i iooi bOlO !i.; procede a depositare la poria insilicio poUcristallino •. Oopo avere :r.imosso I'ossido allati della porta sl formllno per diffusione ill mi'impu:relZ!I n Ie regioni relativeall!l sorgente e .aI'po;uo (a deslTa),

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Ia tensione.di soglia, cosa.che rende quindi possibile l'inserzione di parecchi tipi diversidi transistori MOS sui rnedesimo wafer.

Gli strati superiori dei circuiri integrati vengono formati per deposizione e incisione di film.sottili, J due procedimenti di depcsizione piu importanti sono la deposizione chimica in Iase vapore e l'evaporazione, D filmdi silicic policristallino impiegato nella importante tecnologia MaS a porta di silicic viene.normalrnente deposto per decomposizione chimica di vapori di silane, U gas. silane (SiR4) si decornpone per riscaldamento, form ando silicic e idrogeno, Di conseguenza.quando i wafer.vengono riscaldati in una atmosfera di silane diluito, sulla lora superficie si forma Ientamente nn film unifonne di silicic pollcristallino. Negli stadi suceessivi della lavorazione il film viene drogato, ossidato e incise,

Mediante deposizione chimica in fase vapore e anchepossibiledeporrefilm isolanti di biessido 0 nitrurodi silicic. Sene] . corso della decomposizione del silane e presente una fonte eli ossigeno, come l'anidride carbonica, si forma biossido di silido. Similmen te si forma nitruro di silicio decomponendo il silane in presenza di un gas azotato corne I'ammoniaca.

L'evaporazionee peraltro probabilmente il mezzo pill. semplice per depone film sottili e viene utilizzata correntemente per formate 10 stra to meta11ico conduttore nella maggior parte deicircuiti integrati, La carica del metallo daevaporare, generalmente alluminio, viene posta in un erogiuolo e i wafer da riooprire vengono disposti sopra di questa in un cestello rorante detto p lanetari 0 .. Durante 1 'evaporazione i wafer vengono fatti ruotare per assicurare la massima unif'ormita della deposizicne. II movimen to del planetario fa anche variare I'indinazione dei wafer rispetto alla Eorgenle del vapore per ottenere un film continuo al di sopra Dei graclinie Dei rigonfiamen.ti fbni1ati dai precedenti stadi di lavorazione fotolilografi. ca. Dopo aver abbassato una campana di vetro sui planetarioe dopo aver stabilito un vuoto eleVa,to dentro dj questa,.la caricadi alluminio viene riscaldata per bombardamento diretto di elettrbni adaIta energia. Sul wafer 5i deposita un fHm di altuminio puro,. con 10 spessore tipico Qj circa un micrometro.

Nel corso della produzione eli un citouito LSIsi incontrano piu stadieli deposizione di film sottill che stadi di diffusione. Ne segue che la tecnologia Dei film sottili e -probabilmente piu critiea per La resa coinplessiva e per.Ie caratt.eristiche tUilzionali deicircuiti di quant,o non siano gli stadi di diffu.sione e di ossidazione.ln uno sviluppo recente un film sottile vience· utilizzato pure per selezionare Ie zone del wafer ehe debbono venire ossidate. n nitruro di silicio hala proprieta di o8s.idarsi piu lentamente del silicio. Uno strato di nitruro puo quindi venire depositato,. inciso e. utilizza t.cicome maschera per 1 'os5idazione. La superfjcie risultante e molto piO liscia di 'quella ehe si ottiene facendo

I III,

I 111:1;1;11

Queste fotografie nprendono Ie variefasI dell 'in capsulamente , la Iaseflnale nelta fabbri.cazione di uneireuito integrate, I chip eonrenenti i.eireulti vengono dappl"ima ffiisatialla striseia di metallo stampatom euisnnn rieavati gli elettrodie questi vengono eonnessl con llelreulto, n chip vlene poi incapsulatneon materiale plastieo, gli e.lettl'odi vengol1o piegati in posizione e -j singoIi pezzi vengono inline sepsrati, Le fotOgl'ldie ~mguraJ1o alcuni componentt della Intel Cerporatinn,

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crescere I 'ossido 811 tntto .il wafer e rimuovendolo poi selettivamente, Per icircuiti MOS a canale n si ottiene poi i1 vantaggio aggiuntivo d.i poter aggiungere uno stadio di irnpiantazione .ionica di bore appena prima della. stadio di ossidazione, utilizzandocome maschera il nitruro di silicic, Con questo procedimento siproduce una zona p 'fortemente drogata, posta esatta-mente sotto I'ossido, che costituisce un ostacclo alla formazione ill can ali fra elementi adiacenti del cireuito. -

Questo stadio di blocco della formazione di canal! e necessario nella.tecnologia dei circuiti MOS a eanale n di elevate prestazioni, Inassenza della fase di ossi-. dazione selettiva sarebbe stato neeessario intrcdurre una mascheratura supplementare, con la conseguenza di una maggiore spaziatura fra elementi adiacenti. Quindi l'ossidaziene selettiva consents la realizzazione di circuiti a maggiore densitadi componenti. Anche i circuiti integrati, bipolari beneficiano notevolmente delI 'ossidazione selettiva, Sostituendo I'isolamento convenzionale diffuse can quello a ossido, 10 spazio occupato da un transistore bipolare viene ridotto di un fattore maggiore di quattro .

. 11 prccesso di lavorazione del wafer ha

termine can un controllo elettrico.

Ogni circuito viene controllato per verificare se funziona correttamente, Quelli difettosi vengono rnarcati peI indicate che debbono venire scartati, II controllo viene effettuato automaticamente con una maccbina gestita da un calcolatore, che verifica rapidamente un circuito dopa l'altro e maroa quelli difertosi senza intervente umano, La macehina e anche in grade di rilevare dati statistici accurati sulla resa in eireuitifunzionanti, la loro posizione sui wafer e l'incidenza relativa delle varie cause di mancato funzionamento. Queste informazioni sono utiliper trovare il modo di rnigliorare la resa,

n cireuitofinito deve sottostare a un 'ullima lavorazione: I 'in capsulamento, Deve infatti venire inserito in un con tenitore e tnunitodi connessioniche neeonsentano iI collegamentocon il mondoestemo. Bsisronc vari tipi .di contenitori, rna tutti hanno in comuoe il fatto di essere molto pili grandi e robusti dei pezzetti di silicic S\J cui e costruite il circuito. Innanzi tutto it wafer viene sezionato per separare i singoli cbip, cosa che si ottiene in genere con una semplice incisione, come. quando si taglia il vetro. I circuiti funzionanti vengOOD poi immessi nei contenltori e CODnessi con fill sottiliagli elettrodi che fnoriescono daJ contenitore.che viene infine sigillato, II circuito incapsulato viene sueeessivamentecontrollato in maniera eompleta, per assicurarsi che funzioni cotrettamente eche possa continuare a fado per molti anni.

Dopa che dal wafer sono stati separati i singoli circuiti, i costidi produzione salgonoenormemente, in quanto non vengono pill suddivisi fra molti circuiti, Ne segue la necessita di introdnrresistemi dl lavorazione automati:zzati per quanta e possibile, n sistema tradizionale per la

riduzione dei casu estato quello.di irnpiegare Ia manodopera orientale, floCO costosa, per 1 'operazione di incapsulamen-

- to. Man mana che aumentano i eosti di manodopera e sf rendono disponibili nuove reenologie autamatiche di incapsulamento, il Iavoro manua!e vienesoppian ~ tatoo da jmpianti di montaggio uazionali, altamente automatizzati.

Molte nuove tecnicheill. lavo:azi.on~ avanzate sono attualmente ill via dl sviluppo. Peresempio, il.semplice proced.imento di .incisione per via umida utilizzato per Ia rinrozione selettiva di film di alluminio 0 di silicic policnstallino stanno gia venendo soppiantati da procedimenti per via secca, 11 silicic policristallino P1.):O venire Incise mediante tetrafluoruro di carbonic (freon) eccitaro con scarichs elettriche. Dna scarica a bassa.frequenza e bassa pressione puo infatti dlssociare la molecola del Freon in un certo numero di ioni e radicali liberi (come il Iluoro allo statoatomiccj. I radicali liberi attaccano il silicic, rna non reagiscono con Ia rnaschera di photoresist. Oltre a essere pill .con troll abile, questo pro cedi men to pare

menopericoloso per I 'ambiente di quello classico .. Infatti, al postodi grandi quantifa di acidi corrosivi, la reazione produce piccole quantita di fIUOIO e fluoruro eli silicio, che vengono facilmente depurate.

La tecnologia della fot_olitogra.fia,che e rimasta stabile per circa dieci anni, ste pure sperimentando mutamenti importanti, Innanzitutto La mascherarura per proiezione sta soppiaatando U procedimenta a contatto, con lacorrseguente riduzione degli soarti di Iavcraaicne. In secondo luogo la possibilita di dispone eli maschere di grande qualita sta riducendo contin II am en te Ie dimensionle il coste dei circuiri mlcroelettronici. In terzo luogo si stanno svilnppando nuovi rnctodi fotohtografici che potrebbero ridurre di died volte Ie dimension! degli elementi eircuitali.e dicento volte 1a superficie occupata.

I particolari pill piccoli che possono venire riprodotti con teaiche fOlolitografiche convenzionali SOllO deterrninati dalla Iunghezza d'onda della radiazione impiegata per la srampa. Le tecrrologie attuali consentono Ia produzione di routine di elementi con dimensioni di qualche micrometro e. sembra possibile unaridu-

Vfncisjone a· se.c.co COJI un plasma, nn ·plOoc.edi.mentoin corso di perfezion91lleglo presso iI la.boratorio ddl'autore all'UoiversItii deUa California a Be.rl!;eley, viene controUata attraverso la flne·stra di qUllr;r,o poslaaU'estrernitlil della camera di reazlone.Vaporidi tebaIJU"ol-O:ro diernrbonio (Freon) a unapre.ssiooe p!l1i a circa un mJUesimo di q!leUaatmnsferica attraver~allo il re.attore, dove v.engoDo iogiz7.ali: da una scarica e1et.tricaa r.adiofrequenza, Uno scb.er.mo· di alluminio perl'orato protegge i wafer dalla scarica ilirefta mentre iI. lluoro at.ornico libero, formatosi DeDa scarica,. difl'onde sui wafer e reagisce con II silkio policristallino ovnnqne que-sto nonsial!lotetto da 'uno stratodi photoresist. n procedimenjo consente un ~ncisionepiil fine di queUa tradi;r,ionale.

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zione fino a un micrometro, Peraltro i raggi X e i fasci di elettroni hannc lun.ghezze d 'onda dell'ordine del nanometro e questa rende possibile Ia produzioae di dementi ancora pill: piccoli,

La litografia a raggi Xi:: semplicemeate una variante della fotolitografia per contatto in cui la radlazione ultravicletra viene sostituita eon raggi X rnolli. Si ottiene cost un'alta risoluzione, tanto che S008 gia state riprodotte strutture sernpliei che misnrano nn decimo di micrometro. Dato che si pub esporre 1 'intero wafer, il procedimento e anche potepzialmente rapids ed economico. Rimangono cornunque molti problems cia risolvere. Le mascbere per raggi X, che consistono in un pesante tracciato metallico deposto su un film sottile come il Mylar, sono fragili e diffieili da prodnrre, Risulta anche difficile I'allinearnento delle rnaschere con la strut turn sottostante. Acausa dell 'attenuazione del raggi X neil 'aria, il wafer deve venire esposto sotto vuoto 0 in atmosfera dielio .. Lesorgenti di raggi X attuali sono relativamen te deboli e richiedono lunghc esposizioni. Ne segue che non esistono ancora microcircuiti commerciali prodotti mediante Iitografia a raggi X.

La Iitografia a fascio elettronicoe una tecnica piu vecchia e matura,avendo i SUO! fondamenti nella microscopia elettronica, In effetti un sistema per litografia afascio elettronico assomiglia a an miCTO' scopic elettronico a scansione, Un sottile pennello dielettroni percorre il wafer per irnpressionare nei punti voluti un apposito Ictopolanero, Malgrado siano stari otteo uti ottimirisultati, le.applicazioni della Iitografia a fascioelettronioo sono limitate dal suo costo, oggi assai elevate, Le macchine relative sono costose (poco meno di un miliardo di Lire l'.una) e, dato che il fascia deve esplorare 1 'intera superficie del wafer., punto per punto, anziche esporla turta.in un solcolpo, il tempo di lavorezione e piuttosto lunge. 10 ogni 1,":8$0 la velocita eli sviluppo del settore ,e notevole e sono cbiaramente in corso di. zealizzazione sistemi piii praricabili, Per quanta la litografia a fascia elettronico sia artualmente troppo costosa per entrare direttamente nel procedimento di fabbricazione dei circuiti, si.tratta di un proce~ dirnento gi~ ampiamente utillzzato per la produzione delle masehere fotolitografiche .. Con questo metodo e possibiJe eliminare due stadi di .riduzione fotografica e disegnare diretramente la maschera in base aile informazioni rnemorizzate nel calcolatore. Er quindi possibile realizzare una rnasehera poche ore dopo aver finite il progetto. I vantaggi offerti dalla Iitografia a fascia elettrcnico, vale a direIa grande risolvenza.Ia semplicita di produzione e 1a brevita dei tempi di lavoraziooe pos· sono finire per coovertire l'industria a rale sistema. di -fabbIicaziene delle maschere. Gradualmente, con' la progressi~a dimi~ nuzionedei costi del proeedittJ.ento, laJi· tografia a fascia die.lettroni VerTa mtrodoUa direttamente n.eUa lavorazione dei wafer e potr~ cosl. venire alia luce una nuova generazione dicircuiti microelettrowel piit cornplessi di quelli in uso.

minio 0 di altro materiale, n film rnagnetieo e la testina di.Iettura/serittura (un. piccolo eletrromagnete) si spostano l'uno rispetto all'altra per portare in.posizione il punto di memoria e quindi scrivere 0 leggere Ie inforraazicni. L'informazione e memorizzata sotto forma di piccoli punti magnetizzati sui film magnetico. L'informazione immagazzinata viene avvertita sotto forma dicorrente debole indorta nella testina di lettura/seritmra, mentre il film magnetico 81 sposta sotto ill essa,

Le pin semplici memoriedigitali a nastro magnetico sono quelle derivate dai registratori a cassetta. Una cassetta, 0 una eartuecia, e in grade di memorizzare da 106 a 107 bit e pub assicurare un tempo di aceesso a Ull qualsiasi posizlone selezionata di memoria che va da 10 a 100 secondi. La velocitadel nastro e limitata dall'usura e dal calore perehe iI nastro viene a trovarsi in attrito con Ia testina, 0 le testine.di Iettura/scrittura .

I piu sofisticati sisterni digitali con memoria a nastro, costcome quelli con memoria a disco 0 a tamburo, usanoun supporto pneumatico a flnsso laminare _per~mantene,re la testina dflettura/scrittnra alcuni micrometri al di sopra della superficie magnetics .. Questo stratagemma consente di avere veloclta superficiali piu elevate e migliora I'affidabilita dell'im: magazzinamento dei dati.

Le grandi memorie a disco magnetico immagazzinano da 109 a 1010 bit su una a piu superfici di disco rnontate su un singe- 10 perno che viene ruorato da un singolo motore. L'aceesso alle posizioni di memoria si ottiene muovendo radialmente una 0 pin testine di Ieuura/scritturaattraversoil disco 0 i dischirotaati, Per sistemi tipici il tempo di accesso medic e di 20 mi1lisecondi~

Le memorie dinamiclle sono dispositivi ad accesso a blocchi Dopo un tempo di accesso determinato dalla velodta del movimento meccanico e dalla posizione che deve essere trovata,. i dati vengono trasferiti a una velocita determinata dal1a velocita supelliciale e dalla densita di memorizzazione dei dati sulla superficie. Le velociUl ditrasferimento piu tipiche

Lememorie microelettroniche

Le memorie a bolle- magnetiche e quelle a scorrimento di carica consentono di immagazzinare su uri solo chip un numero di bit molto supenore at 16 000 bit memorizzablli net dispositivi a transistori

LmOd. e. rna e.la. borazione. dei dati e.1 relativi slstemi di controllc esigo-

no una rapida memorizzazione e una. rapida ricerca in archivio della 'irrformazione digitale. La quantita di informazioni da memorizzare varia da meno di 100 bit per unsemplice caleolatore tascabile a un miliardo a un bilione di bit perun grande calcolatore, La tecnologia della memorizzazione digitale e forse j] settore di maggior evoluzione nel campo della mieroelettroniea. Negli ultimi dieci anni la velocita operativae l'affidabilita sono aumentate di almena un ordine di grandezzamentre Ie dimensioni fisiche,il consumo eli energia e j] coste per bitdi memoria sana diminuiti di 2 03 ordini di grandezza ... Per il prossimo decennio si possono prevedere rniglioramenti dienrita analoga prima che limitilziom di natura fisica costringano a un ralleatamenro.

Nel contesto dell'elettronica j] terrnine ememorias si riferiscegeneralmente a un . dispositive per Pimmagezzinamente delI'informazicne digitale .. Le operazioni di -rrremorizzazlone (escrittura») e quelle di ricerca in arehivio (elettura» ) sono completamente sotto ilcontrolle elettronieo. La memorizzazione deIl'informazione sonora e vjs(ye in forma analogiea, che viene di norma fatta su nastro magnetico, e generalmente in dica ta can il termine di registrazione, Nella' registrazione analogicaI'intensita della «traceia» sul supperto di memorizzazione riproduce direttamente, l'intensita variabile del segnale d'ingresso. Benehe Ia regiszrazione anaIogica e quelladigirale abbiano qualeosa in comuns in questo artieolo mloccapero soprattutto della memoria digitale, Le memorie digitali eli pin vasto impiego sono quelle a Iettura/scrittura; j] termine vuoldireche 'esse possoDoes.eguire Ie oper:azioni di lettura e scrittura a una ve" locita. identica 0 simile. 13 ovvio che .la capacita ill memorizzazione, il costo per bit e l'affidabilita. sonG caratte.ristiche import.anti delle memorie. Altrielementi di rilievo sono lavelocita operativa (definita in termini eli tempo di accesso), j] tempo dij;iclo e Ia velocita di trasferimento dei dati. n tempo eli accesso esempli-

eli David A. Hodges

cemente il temponecessaric per leggere e scrivere in qualsiasi posizione di memoria. Aleune memorie, come quelle ad aecesso easuale (RAM, random-access memory). hanna 10 stesso tempo di accesso per tutte Ie posizioni di memoria, Le memorie ad accesso seriale e quelle ad accesso a blocchi hanno tempi di accesso che dip en dono dal1a posizione di memoria scelta,

Le memorie ad accesso casuals posseno portaie a term.ine operazioni di scrittura e Iettura neltempo minimo specificate, conosciuto come «tempo ill ciclo», Le memorie ad aecesso seriale e quelle ad accesso a blocchi hanno un tempo d'accesso variabile e relativamente ampio, dopo iI quale Ia velocita eli trasferimento dei dati diventa costante, La velocita eli -trasferimento dei dati e la velocita alia quale l'informarione vienetrasferita alle a dalle posizioni di.memoria sequenziali,

1:. memorie digitali possono essere op-

- portunatamente classificate 0 come dispositivi a superficie mobile (memorie dinamiche) ocomedispositivi completamenteelettronieiconle rispertive suddivisioni. Benchs i dispositivi dinamici non .possanoessere considerati effetrivamente microelettronici, si sono impiegate tecniche microelettroniche per migliorare le lora prestazioni. 13 probabiIe che in certe applicazioni sia superiore un sistema dinamico e in altre sia superiore un dispositivo completamente elettronico, mao in cerre app1icazioni a ttuali 0 gia allD studio i due sistemi sono competitivt, Per questa ragione descrivero brevementele caratteristiche dei dispositivi din amici.

J piu comuni dispositivi a memoria dinamicaconsentollo di imm.agazzinare -Ie informazioni in aree localizzate di un sottile film magnetico che ricopre Ia superficie di un supporto non magnetico. llmateriale-magn.etico deve essere in grado di conservare un flusso magnetico residuo in assenzadi campi applicatiesternamente. La superficie del supporto pub essere flessibile, in forma di nastro 0 disco di materiale plastico, oppure pub e-ssere rigida, in forma di disco 0 tamburo di allu-

variano da 106 a 107 bit per. secoado .r

Le informazioni memorizzate sui suppatti maguetici sono di solito conservate quando viene tolta Ia corrente; questa tipo di memorizzazione si chiama «non volatile» a permanente. Di solito, e pessibile rimuovere il supporto eli registrazione dai.sistemia nastro 0 a disco, trasferendocosi fisieamente Ie informazioni da una posizione ell'altra sostituendo semplicernente i dischi 0 le bobine, Queste proprieta utili non sono quasi mai presenti nelle memorie elettroniche.

1 dispositivi a memoria dinamica sono ampiamente ntilizzati come memorie «d'archivios in sistemi dicalcolarortdove servonoa memorizzare informazioni la cui sostituzione e meno frequents della 101'0 lettura. n costo per bit di informazione rnemorizzato nelle mernorie dinamiche e inferiore cia uno a quartro ordini eli grandezza di quello memorizzato nelle mernorie elettroniche (circa 10-'centesimi -di dollaro per bit per la memoria a nastro magnetico meno costosa, coctro 0,1 centesimi eli dollaro per bit per Ia memoria microelettronica meno costosa). La non volatilita delle memorie dinamichee spesso una caratteristica fondamentale, D'altra parte, il tempo di accesso delle memorie elettroniche puc essere inferiore a 10~8 secondi, ossia di 6-8 ordini cii grandezza minore del tempo eli accesso deUe memorie dinamiehe.

Continui rniglioramerrti si hannonel cos to per bit, nella velocita di trasferimente del dati e nell'affidabilita delle memorie dinamiche. Le tecniche di fabbricazione micrcelettrouica contribuiscone a ridurre Ie dirnensioni delle testine di letiura/scrittura, rendendo cost possibi> Ie una densita 'pin elevata di bit sulla superfieie eli registrazione. I circuiti microeletrronici servono anche a un migliore sfrutramento nelle memorie dinamiche deic:odici autocorrettivi riducendo in modo sostanziale il rassodi errori nelprocesso tot ale di memorizzazione e eli ricerca in-archivio. E chiaro che per certi COIDpiti esseaziah di memorizzazione e poco probabile cbe j sistemidinamiei vengano soppiantati nel prossimo futuro dalle memorie elettroniche.

I piu recenti sistemi a memoria elettro-

mea sono stati resi possibili dalla moderna teenologia dei semiconduttori, con Ia collocazione di migliaia di elementi elettroniei su un minuscolo drip di silicio. N egli anni clnquanra e sessanta, le memorie elettroniche consistevano di matrici di nuclei, o.anelli, eli ferrite con diametro di un millimetre 0 meno, sistemati a migliaia su una griglia di fili. Le memorie a.nuclei di ferrite sono state ora ampiamente sostituite dalle memorie a semicondnttori ehe asstcurano un piu rapido aceesso ai dati, dimensioni fisiche piu ridorteeconsnmo d'energia inferiore, oltre a una notevole diminuzione di coste. PUQ darsi che negli anni ottanta sia la volta eli nuove teenologie come Ie memorie a bolle magnetiche, dispositivi supercondutrori a giunzione tunnel e dispesitivi con accesso a raggio laser 0 a fascio elettronico. Ne descrivero

Un circuito di memoria a.d accesso casuale (RAM) consente Ia memorizzazione di. 16384 bit. O,gni bit e oontenuto in. una ceHa di memoria a. nn solo translstore (a; veda Ptllustrazione apo,glna 72). U tempo necessaria per scriven 0 leggere un bit IDuna qualsiasl posidone em cirw 200 nanosecondt.B chip RAM, mostrat.o qui,clJe i'l1'MK 4116 'd.eIla Mostek Corporation, mtsnra 2,.8 per 5.,1 miIJlmetri. Confezionato, ogm chip evenduto a 30 doUari in ordinazienl di 10(10 0 piu.

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alcuni, Resta il.fatto pero che, essendo Ie memorie a semiconduttori eccezionalmente versatili.compatibili con altri dispositivi elettronici sia nei piccoli sia nei grandi sistemi e suscettibill di notevoli possibilita di ulteriore miglioramento sia nelle prestazioni sia nel coste, probabil-

mente esse dornineranno il mercato delle mernorie elettroniche per almena unaltro decennia.

Il blooco pill piccolo di iafonnezione ·acoessibile in un sistema di memoria pub essere un siagolo bit (rappresentato da 0 o 1), oppure un gruppo di bit come il byte

+

FLUSSO MAGNETICd

CORRENTE DIINGRESSO

TEST1NA

01 SCRITTURA

TENSIONE 01 USCITA

SUPERFICIE MAGNETICA\

SUPPORTO RIGIOO 0 FLESSIBILE

La superfiele magnetlea mobile memorizza l'infonnazioue binaria aI coste plu basso: 100 0000' pi.i!. bit per on centesime di doIb.ro • .L'informazione e ennservatafn .mJmiera:permaneote,.a menn che non v,eoga canceUata dipropesito, Le tifl'e binarie sono immagaumate in .sequ.enza ill un supporto magJletico mobUeappJicando impulsi elel1ricl a on minuseolo eletkomagnete, die serve da te.stina di «lettura», Quando il film passa sotto una testina diedetmra» di di.segno analogo, i .pund .magnetizzati sui Jilmgenerano' piccoll impuls:i eJeUrici; Immedlatamente amplifieati,

TESTINE DIl.ETTURNSCRITTURA

- SOO PISTE

100000 BIT PER PISTA -80. x 10· BIT PE.R SUPERFICIE (DUE SUPERFICI)

SOLENOIOE

I slstemi di memoria, a disco magnettcosoae moho usati per archtvi dl gral!di dimensiom,. 0 come ma.gaz~ di Informazioni, cui si accede. con grande frequeuUl, n semplice sistema qui sopra illustrato ha soltanto un disco, mil sono comuni i sistemi a pUl dischi, L'informazicne ememenzzata gu ambo i latl del disco da testine di letturazscrittura separate. Un tipico ,sistema moderno ha circa 800 plsteper lato, COD una memorizzazione di 100 000 bit per pistil. La capa.cita. totale di memo~oue dl ambo'i lali di nn disco equinwdi 1600 xlOO OOO,ossia 160 miliooi di bit. L'lnformarione .seqnenziale puoessere trasferlta dentm e fuori, del sistema a velocitil. da 5 a 10 miliom di-bit per secoudo. n tempo di IIC«lSSO medio ,II IJI)Rposhione ClISuaJe.iO di 25 millisecondi.

70

o «carattere» (di solito otto 0 nove bit), 0 una «parola» (12 0 64 bit a. seconds del sistema). La maggior parte delle memorie sono II posizione indirizzabile, il che significa che un determinato bit, byte oparola ha uno specifioo indirizzo 0 posizione fisi-

ea, al quale viene assegnato, '

Le memorie a eontenuto indirizzabile, nelle quali e s.ufficiente la parziale coaoscenza di una parola memorizzata per trovare la parola completa, sarebbero estremamente utili per alcune applicazioni. Lememorie elettroniche acontenuto indirizzabile non sono rnai state comuni, perehe if costa per bit e di gran lunga superiore a quello delle memorie a posizione indirizza.bile.

La forma maggiormente usata ill memoria elettronica e la memoria a Iettura/ scrittura ad accesso casu ale prodotta sotto forma diun singolo chip di memoria integrate su larga scala in grado di immagazzinare fino a 16'384 bit in un'area inferiore a mezzo centimetre ill lato. Molti circuiti individuali, ciaseuno con un bit; sana organizzati in una matrice rettangolare. L'accesso alla posizione di un singo- 10 bit e fomito da un indirizzo codifieato in cifre binarie presentato come ingresso iii decodificatori ill indirizzo che selezionano una riga e una colonna per un'operazione di lettura o ill scrittura, Solo l'eIemento di memoria che sj trova nel punto d'intersezione tra la riga selezionata e la colonna e il punto per la letrura 0 la scrittura di un bit d'informazione .. Un segnale dicontrollo di Iettura/scrittura detennina

- quale delle due operazioni va eseguita, La matrice della memoria pub essere progettata COn una singola linea d'input-ouput per il trasferimento dei dati 0 coo diverse Iinee parallele per il simultaneo ingresso o La simultanea uscita di quattro, otto 0 piil. bit.

Come afferma William G. Oldham (si veda I'articolo La fabbricazione del circuitl microelettronici apagina 42:),il coste di un circuito microelertrouicoe proporzionale all'area che occupa su un wafer (la~ stzina) eli silicic. B questa il motive per cui ci sie molto impegnati nella sviluppo di circuiti di memoria semplici e di piccole dimeasioni, Il circuito individuals, .0 «cella», che immagazzina un bit e unelemen ~ to critico delprogetto, perche deve essere ripetuto migliaia di volte. I decodificatori di indirizzo e altri eircuiti ausiliari posseno-essere piucomplicati.perche vengono usati solo una volta per riga, 0 colonna, 0 ancora meno frequentemente.

Una semplice cella di memoria a un singolo trans.istote viene ampiamente usata oggi nei dispositivi di memoria di Iettura/scritrura ad accesso casuale, L'informazione viene immagazzinata come carica eIettrica su un piccolo 'condensatore. n valore della capacitae dell'ordine di 50 femtofarad (50 x 10-15 farad). Per Ia rappresentazione di infermazioni binarie sono neeessari due diversi livelli dicarica mernorizzeta. Uno 0 binario potrebbe essere rappresentato da una caries .zeroe un 1 binario da una carica dj 500 femtocowom b (equiv.alente

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a 10 volt sul. condensatore di memoria). Benche questo valorepossa sembrare piccolo.esso corrisponde alla carica eli tre rnilioni iii elettroni. In definitiva, si potrebbe ottenere una memorizzazione binaria affidabile con una caries 1000 volte piu piccola,

Nella cella,il transistore.funziona Solo come un commutatore on-off (aperto-chiuso) percollegare il condensatore di memoria alla linea dei dati. La linea. dei datie condivisa 'da molte celleidentiche, masolo una cella e collegata a essa volta per volta. La liaea.dei dati corrisponde a una colonna nella matrice.della memoria. Soltanto una delle dive;se linee di .selezione, corrispondenti alle righe ad angelo retto con Ie colonne nella matrice, viene

, attivata per volta. Quando una linea di selezione viene attivata, essa mette in posizione On tutti i commutatori a transistore collegati a essa, rna solo uno' di 'questi commutatori S1 trova su UDa linea cii dati attivata simultaneamente.

La cella di memoria del condensatore pub perde.relnfortnazionimemorizzate in duemodi. In primo luogo, i1 condensatore stesso ha una considerevolecorrente di dispersione. Tramite questo processo la

INDIF\IZZO OECODIFICATQR,E MATRICE DI CELLE

01 RIGA 01 RIGA 01 MEMORiA

o 000

1 001

2 Mo

3 011

4 "100

5 101

6 1'10

7111

CONTROLLO 01 LETTURA/SeRITTU RA

SEGNAU 01 ____".

OROLOGIO ____".

110 DEI DATI

INDIRIZZO Dr COLONNA

01234567

carica immagazainata puo essere 'persa.in qualche millisecorrdo. In secondo Iuogo, quando Ia cella viene selezionata per una operazione di Iettura, la carica immagazzinata nella cella viene suddivisa tra il condensatore della cella e Ia capacitaelevata della linea dei dati. In progetti tipici, Iacapacita della linea dei dati e da lOa 20 volte maggiore della capacita della cella, poiche la linea dei dati e collegata a raolte celle, Di conseguenza, la tensione che rappresenta l'informazione memorizzata I;: attenuata di un fattore che va da 10 a 20. L'informazione memorizzatache va conservata deve percio essere rigenerata dopo ogni operaziene di lettura.

E necessario inoltre rigenerare 1a carica immagazzinata periodicamente, disolito ogni due millisecondi, in modo da compensare la dispersione. Lenecessarie funzionidi rigenerazicne sono eseguite da un amplificaiore di soglia. Un commntatore percampionatnraprende un campione del segnale sulla linea dei dati.al momento giusto.rossia propriodepo.che Ia cella ill memoria scelta ~ stata collegata alla linea dei dati per mezzodi un segnale sulla linea di selezione. II segnale carnpionato viene confrontato con un livellodi soglia

CIRCUiTI

01 RIGENEHAZIONE

DECOOIFICATORE DICOLONNA

Le memorie adaceesso casuale sono di solito. organizzate in ma~ici .r-eltangolari di righe e colonne .. II diagramma a siDistra mostra una matrice otto. per otto per Ia memorizzazfone di 64 bit, dato che ciascun hit viene memorizzato. in cias cuna mrerseziene <leIla cj!I1a •. Per .specificare una .pal1ico'a~e posizione di memorla sono necessarie tre dire binarie per indicate Ia rlgae aUre tre per indica re In colonna, In questo esempio l'mdirizzo ill riga 011 (immero binario corrispo.ndentea 3) e "iudirizzo di colonna ~Ol (uumero hinario eorrispondente a 5) speeiflCaDO Ia,. posizio.ne di memorta 3,5. (Le pO&'izioni parrono da 0,0 aI!'e. strema sinistra, in alto e termlnano con 7;7 all 'estr.ema des tra in basso, speciflcandn 64 posizioni in tritto:) A destl'a e illustrala I'nrganizzazione.di una singola cella di. memo.ria a lJ!l transistore. L'informazione binaria viene memoriz2llta come una carica su IIil piccolo condensalOle. Per esempio, 13: caric.a z.ero potr-ebbe r3l!Pre.senlare UIio 0 binario e una

72

scelto a .metatra i livelli binari 'nominali per 0 e 1. L' amplificatore rigenera poi il livello binario.

Su ogni linea di dati vie soltanto nn arnplificatore di soglia la cuiutilizzazione e ripartita nel tempo 'tra tutte Ie celle di memoria collegate a quella linea.di solito 64 0 128. nei progerti attuali, Se ogoi cella necessita di un ciclo di rigenerazione ogni due millisecondi e un singolo cicIo occupa 400 nanosecondi, i cicli di rigenerazione, per 64 celle.occuperanno 25,6, microsecondi di ogni intervallo di due.millisecondie i cicli per 128 celle occuperanno il doppio di quel tempo, cioe 51,2micmse,condi, L'esigenza di «rinfrescare» 0 rigenerare Ie operazioni, rende piu complessa la progettazione dei sistemi di memoria, (Bencheesistano.metodi perevitare. di rigenerare Ie- operazioni, come spieghero pill avanti, cio e fonte di ulreriori aunrenti di cos to.) Lafunzione di «scritrura» viene esegnita azionando semplicemente dei cornmutatori 'controllati idal segnale di ingresso di Iettura/scrittura.

Uteriori circuiti sono neeessari per completare un efficiente chip di memoria <I semiconduttore. I piu impor-

+12 VOLTS

8ANALE

CONIJENSATORE DI MEMORIA -' ---+-"-4L~

LINEA 01 SELEZIONE (RIGA.)

011

(3)

CELLA 01 MEMORIA (POSrliONE 3,5)

LINEA DEi: DATI 1----- (COLONNA)

AMPLIFICATORE ~OISOG'L]A

SCRITTl,JRA '

L---I---- RIGENERAZrONE

INGRESSO DEI DATI

USCITA DEI DATI

,

101 (5)

cariea di 500 x,tO' coulomb potrehberappresentare un 1 bina.rio. Quando una delle llnee di selezione ; 0 righe, di una marrice eattivata (in questo casu Ja ri.,gll 3), essa mettein funzione tutn i commutarori a translstore a essa conne.sSi. D lrau~islore funziena eomeun commutatere o1l,-off (acceso-spentn) per collegare il eondensatore di memoria !;IlIa sua parncclarellnea.dl dati checorr:isponde a una colonna nena matriee, L'attivazio.ne simnJtan ea di. una riga e di uuacolonna .i den tifiea la cella presceJta per lalertura 0 la scrittura (in qllestl), caS!) la cella 3,5) <, Poiclu!iil condensatore di memoria perde carica, sia durante fa Iettul'!l .sia per dispersione, deve essere rigener.a.to periodleamente, di sofitn una volta ogni due milliseconill. La cariea rigenerata, cbe viene fernita daIl'amplificatore di soglia, rit.oma al condensatore mediante la cbiusnra del co.mmuta,tore nen;llinea dei dati. Tutte Ie operazionidi commutaiione in q1iesto tipo eli. memor:ia vengoDo efiettuate da traJ1Sistori.

In questa mic.rofotografia elettmnica a seansione fatta daD'autore_ si vedono due cella di memoria RAM. Ogrii cella comprendc un hansistoree un condensatore. Perottenere maggior chiarc:tza, questa fotografiadi un ci.rcnito Iabbrieato dalla Intel Corporation e stata eseg:ujta-dopo tre sole delle do que fasi del pr{) eesso di fah brieazione. La quarta fase fo:r ... anna seri e iii pi ecole ap erture, una pet ogni trsnsistore, miUo sua.fO isolante che copre il ter-zo liveUo. L'ullima Iase erea il disegno metaUico neeessarfo .per Ie. line di seleztone (righe) nella matrfeeflnita della memoria. n metaDo fa coatatte 00"0 Ie porte del transistore nel terzo iivel]o,come _indica to nelJa figura qui sotto.

4· LlVEtLO

LINEA 01 SELEZIONE (RIGA)

STRATO ISOLANTE SAGOMA 01 UNA CELLA

PORTE A TRANSISTORE

STRATO ISOLANTE.

I

I

'I

PLACCHE SUPERIORI DEI CONDENSATORI

STRATO ISOLANTE

LlVElLOINFERIORE _ (SUBSTRATO 01 SILICIO)

CANAU A TRANSISTORE

UNEE DEI DATI (COLONNE) PLACCHE JNFERIORI

DEI CO.NDENSATORI

La. cost·r!!.zione di una cella R""_M ioWa conla ereazlone iii strutture dl fipo unlversale (in colore) al livello infetio-.:e «drogando» certe areedel substrate ~on arsenleo, il quare reastorma queste nee in silicio di tipo II> L'area non drngata v-icne ehhnicamente trasformata il1 nltrum di siUcio, un Isolante (in grigio). I secondi e terzi livelli della ceO:;.sono formati dalla deposizione di silicio pelicrlstalliao. n quarto l_iv-eiloe formaro, dalla deposil<ion·c di aflumlnio, Strati iso[ai:di SuUili eli biossido di siiicio SO[lO deposirati tra i li-veUi, Questa cella mlsura 15 per 30 mlcrometri.

74

tanti sono i decodificatori.di indirizzo.ohe selezionano un'unica riga e colonna per ogni singolo ingresso d'mdirizzo, I decodificatori d'indirizze possonoessere cornpletari con porte logiche cheeseguono la funzione logic a «and». Si sta cercando da pin parti di arrivare a un equilibrio soddisfacente tra Ie esigenze contrastantirli alte velocita operative, basso consume di energia e area minima del chip al costa pill basso, Un'intelligente innovazione in alouni progetti recenti consiste nell'usare i collegamenti d'ingresso degli indirizzi a un componente due vo-lte di seguito per ogni ciclo di memoria. Inprimci luogosi applica I'indirizzo eli riga, poi, circa a meta cielo, Iii presents l'indirizzo di colonna; ilvantag,gio sta nel fatto che il numero deicollegamenti d'indirizzo estsrni vrene dimezzato, n nurnero di collegamentiesterni (il conteggio dei piedini) e un fattore importante nella determinazione dei costi, dell'affidabilita e delle.dimensioni dei componenti microelettronici tanto che il suo dimezzamenro risnlta molto vautaggioso. Altri circuiti periferici che vengono solitamente inseriti in un chip di memoria rnicroelettronica sono ibpffer, 0 memorie tampone 0 di transite (che.trasforrnanoi livelli dei segnali dei datiche entrano e eSCODo dal chip), e, inoltre, i generatori di temporizzazioae per lacorretta sequenza delle funzioni,

IJ chip di memoria a semiconduttore con un solo transistore in ogni cella dl memoriae soltanto UDO di rnolti progetti. Le celle di memoria con due, tre, quattrc, sei o pin transistorioffrono ulteriori caratteristiche utili, con Io svantaggio, perc, eli aumen tare l' area di silicic Impjegata e il C0stO, Per esernpio, nella tecnclogia a metallo-ossido-semicouduttore (MaS) le celle di memoria con tre transistori forniscone I'amplifieazione del segnale memorizzato, riducendo fortemente il problema di rilevare il segnale di «Iettura» sulle Iineedei dati. E comunque sempre neces.sario rigenerare il segnale ogni due rnillisecondi. Sl puo ottenere Ia.rigenerazione continua in ciascuna cella di.memoria aggiungendo da uno a tre transistori in piu per cella; oltre iI fatto, pero, di dover aumentare l'area di silicic, c'e anehe 10 svantaggio di un consumo continuo di energia per ogni cella.

Le memorieche non richiedono operazioni di rigenerazione. sono dette memode statiche. Nouostante che il loro costo sia pitt alto per bit i:li memoria, sono pre~ feribili nei picceli sisterni perche richiedono pochissimi collegamenti esterni. Con un vantaggio ulteriore nei costi, il consume dienergia delle memorie staticue puo essere ridotto a un valore talmente. trascurabile ohe piccole batt erie possono alimentarle per giorni 0 settimane .. Queste memorie sono basaie sulla tecnologia MaS "compIernentare» (WaS); esse.si trovano in alcuni calcolatori tascabili che conservano.i dati oil programma anche quando l'inierruttore-di corrente e chiuso.

i.e memorie cbe hanno le, velocita operative pio. elevate impiegano generalmen-

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tela tecaologia.a transistori. bipolari invece delle tecaologie MOS e CMOS" tutto sommato pili Iente, 11 prezzopagato per etten ere veloeitapiu elevate e.un proces- 50 di fabbricazione piu complicate e, in molti casi, un consume maggiore di energia. Una teenologia a transistori bipolari reeentemente sviluppata, nota come logica integrataa iniezione di corrente (PL), .J logica a carica integrata (MTL), e stata ampiamente discussa corae.tecnologia di memoria, manoa e state aneora dimesrreto cne presenti vantaggi neUe prestazioni a nei cosh rispetto alle. memorie basate sulle pili vecchie tecnologie a. transistori bipolari,

A1cune applicazioni richiedono memo.L\_ rie ad aceesso casuals conteneati rnformazioni memorizzate permanentemente a raramente modificate. Per eaernpio, iprog;rammi di controllo nei ealcolafori tascabili sono di solito memorizzati in modo·permanen teo A questa memorizzazione provvedono memoriea sola lettura (ROM, read-only memory). L'informazione e ubicata nella matrice di memoria quando viene fabbricato ilchip. Una memoria a sola lettura si puo etten ere sostituendo il coadensatore di memoria in una cella: di memoria a uri transistore 0 can un circuito aperto, 0 can un coil egamento aterra, rappresentando cost uno 0 I'altro dei, due stati binari. Come alternativa a questomodello di.collegamenti nella fabbricazione iniziale della memoria, Ie celle possonoessere fabbricate con un piccolo collegamento a fusibileche va dal transistore alla terra, alposto del.condensatore di memoria. Per sistemare nella matrice un dato disegno d'intormazione immagazzinata basta applicare un disegno disegnali elettnci abbastanza intensi da annullare i collegamenri non desiderati .. Natnralmeo te una volta saltato il collegamento a fnsibile, esso non pub essere ristabilito. Le rnernorie a collegamento con fusibile sonodel tipo programmabile a sola Iettura (PROM). Le informazioni memorizzate nelle ROM e nelle PROM sono «non volatili», cioe non si perdono quando si toglie l'energiaelettrica.

Un'altra variante alla memoria a sola lettura e Iamemoria a prevalente lettura, ricoiesta quando e necessaria una memoria non volatile, male operazioni.di lettufa sono piu frequenti di quelle di scritrura. Queste memorie sono eli due tip i .. Il piu eomune e 1a memoria a sola Ietturacoa canoellazione ottica. Questa memoria vlene letta e scritta con mezzi completamente elettrooici,. rna prima di una operazione di scrittura tutte Ie t.elle.di memoria vanno oancellate e !jportate allo stesso stato iniziale esponendo il chip incapsula[Q aile radiazioni ultraviolette. Ciascuna liCefianella versione pili modema di tali chip dj memoria c-ontiene un tranSistore MOS con due elettrodi con funzioni di porta, uno §opra l'altro. La porta inferioree del tipo «fluttuantc» circondatacompll:ltamente da bi:ossido di silicio, Un ecceIe lenle jsoiante,e non oonn:essa elettricamente a mente; Ia tensione di sogJia di accensione del transistore aIla porta supe-

SORGENTE

RADIAZIONE ULTRA VIOLETTA PER CANCElLAZIONE

PORiA 01 CONTROllO

pozza

CA'NAI.,E

ISOLANTE

PI 6108510.0 01 SILICIO

SU SSTRATO OJ ,SILlCIQ

La cella iii memoria asola.lettura ottieamente caneellabllevlene qui illustrata con vista in pianta e in sezione trasversale. La porta flutI:Uante, ossia Don elettricamente collegaOl, eonserva una cifta binaria diinformazione ,sotto forma di una carica memo,iuata ehe modifica le caratteristiche elettriche del dispositivo. L'informazioue viene «sentta» (memorizzata) nella porta flnttua.nte applicando-circa 2S VA11t alla ,porta di controllo e al pozzo, mentre la sorgeate eil substralo sono a massa, G.lialti campi elettcici mmIfauti nel eanale accelerann gIi e.lettron,i;a velocitll considerevoli, Una piccola parte di elettroni e.in grade di attraversare.il sottile isolante e viene Intrappolata sulla porta t1uttuaote.. La carica sulla porta non ,si perde durante leoperazienl iii «lettura» 0 quand.o v.ieuc-toUa l'alimentaziO"lU". Lacarica memorizzata pub essere cancellata, peril,. esponendo lacel.la a radiaiione I!ltravi.oletta, cbe rende remporaneamente iI biossido di silicio .suffleientemeate condnttore perehe Ia cariea si disperda. Tuttele eelle di una memoria sene cancellatefn una sola volta,. dopo di che e possibil.e immagazzinare, nella memoria un nnovo disegno di Informaziooi.

riore e controllata dalla carica sulla porta fluttuante, La porta fluttuanteisolata puo essere caricata con elettroni applicando una tensione abbastanza elevata (circa 25 volt) all a porta e a uno degli elettrodi con funzioae di pOZZiO, mentre i1 materiale del substrate di.tipo p del dispositive ·e, maotenuto a tensione bassa, Go cill adalcuni eletrroni sufficiente energia (circa 4elettronvolt) per attraversare la barrlera isolantedi biossido di silicio eper caricare la porta flettuante. Impiegando 'questa teenica selettivamente in una matrice di celle si puo immagazzitrare il disegno di infermazioni voluto.

Date le elevate qnalita isolanti del biossido di silicic, la porta flnttuante rested carica per anni, Per scaricare la porta fhrttuante si espone Pintero chip di memoria aile radiazioni ultraviolette .le quali, reodendo ilbiossidodi silicic un buon condurtore, fanno stche 11'1 cariea sulla porta si disperda, A causa dellepiccole .dimensioni delle singole celie di memoria E10n e conveni,entecancellarLe in modo selettivo ecost tutte lecelle vengono cancellate simultaneamente.; dopo diche 5i inserisce uo nuovo; disegnodi informazione. Una forma!J1ternativa di -m em pria a prevalente Iettura e Ia memoria a sola lettuIa elettricamente alterabile (EAROM) 11'1. quale pub essere ,modificala senza dover necessariameote cancellare I'intera matrice; La struttura della cellae pressappocQ analoga a queIla della cella c,ancellabile otti"ca~ mente, a eccezione del fattoche la funzione della porta fluttuante v:iene svolta da un'interfaceia tra duemateriali dielet-

trici, di solito biossido di silicio e nitruro di silioio, che pub essereselettivamente caricata 0 scaricata da segnali applicati a un'unica porta sovrastante. Oueste memane a prevaleate Iettura sono chiamate di sposi tiv i a metallo- nitruro-ossid 0" se ~ miconduuore (MNOS). Una variante del- 11'1 memoria a prevalente lettura e fatta di materiali semiconduttori amorfi 0 da vetri semiconduttori, che conservano un disegno di cariche locali fino a quando Ie cadclie sono cancellate da un forte impulse di corrente, dopo il quale s'irrrponeelettricameate un nuovo disegno. Benche l'utiIita potenziale dei dispositivi EAROM sia notevole, essi noo presentano ancora Iii combinazione di bassi costi, di scrittura veloce, di conservazione a lunge tennine e di effidabilita dopo molte cancellature, tutte caratteristiche importanti per Ja maggior parte delle applicazionL Le EAROM hanno quindi trovato finora solo poche appficazioni,

Tutte Ie memode elettroniche di cui bo parlato [inora sono progettate per l'accesso casuale, doe, il tempo necessario per un'operazione di tettura 0 di scrittura ~ indipendente dalla posi~zione fisica, entro la matrice di memoria, della cella a cui SI deve acoedere. I tempi di aocesso delle memorie,ad accesso casuale vanna da 0.,1 microsecondi a un microsecondo. Notevoli Iisparmi si possono otten ere nella progettazionedelle memorie se non e nece.ssario l'ace-esso casuale_ Uno schem.a allernativo ill impoIUlnza CJ:escente e I'accesso seriaie,. in cui i bit memOTizzati

75

D dispositivo It scorrimeDto iii eanea, (eCD) pmdotte dalla F"ain;hild Camera aDd Instrument Corporatioo assicara Pa C~(lSSO seriale ai 65 536 bit iii memoria. D numern totaledi bite diviso I'Fa le 16 matriei quadrate, clasenna deUe· quali quindi eoatiene 4096 bit. Poicbe i bit in tutte Jematrrei circolano contiuuamente e sincronioamenta, il tempo necessaria per aeeedere a· quaJunque dd 65 .536 bit viene stabilito dal tempo ill circolazione dei4096 bit in uaa matrice qllalsi~i (si veda t'illustrarion« a pagina 78). D tempo medio di aceesso e pari a 0,5 milliseeandi ..

La memoria a bone magn.etiche prndona daJIa TexasInstrnnients Inc. assicura Paceesso s.enale. a, 100637 bit con on tempo mediodi aceesso di quattro millisecondi, Le belle .magaetiche SOOl) domini, 0 isole, dipolarizzazione opposta. Le belle POSSl)UO cireolare ad ruta velocita.hmgo piste iitabilite (81' veda l'illustroeionea pagina '79 in alto)e Don seompaleno quand.osi toglie ·Ia correnre, La densita negJiattuaii dispoiiitivi Ii di circa. 1.50000 bit per cennmetro quadrate.

76

circolano come se si trovassero in una conduttura chiusa,

Esempi importanti di dispositivi va memoria elettronica organizzati in questo modo sono i dispositivi a scorrimento di carica (CCD) e i dispositivi a belle rnagnetiche, Ogni bit rnemorizzato viene trasferito in sequenza attraverso 64 0 pin posizioni di memoria tra, il tempe in ClJI viene scritto nella memoria e il tempo iniziale in cui esso diventa disponibile per la lettura. La velocita alia quale i bit sono trasferiti da un sito al snecessivo in una memoria CCD e.circa uguale al tempo di ciclo di una memoria ad aocesso casuale, Di conseguenza il tempo di accesso piu lungo per una memoria seriale 'con 64 posizioni di memoriae 64 volte II tempo di cicIo di una memoria. ad accesso casuale. Vi sono molte applicazioni doveI'accesso seriale e del tutto soddisfacente .. Per esempio, una memoria usata per rigenerare le .informazioni presentate iu un terminale video convenzionale, ehe eesplorato punta perpunto in un disegno Iineare ripetitivo, non ha bisogno diuna memoria ad accesso causale,

Vi sono diverse ragioni per cui le. memorie CCD possono essere progettate in modo che abbiano un'area totale pin piccola per bit (e.quindi un costa potenzialmentelnferiore) rispetto aile memoriea semiconduttore ad accesso casuale. Innanzi tutto, quando la tecnologia ill prooesso viene ottimizzata in funzione dei dispositivi CCD I'area necessaria per UDa cella singola di memoria e un po' pin piccola di queUa di una cella RAM. In secondo luogo, Ia quantita didecodificaziofie di indirizzi necessaria in una memoria seriale.e conformemente inferiore a quel- 181 di una memoria RAM, dato che non e necessaria la decodificazione per selezionareIe posizioni individuali, In terzo luogo, Ia carica che rappresenta I'informazione immagazzinata e sempre convogliata e trattenuta su piecoli nodi, o in tersezioni, del circuito i quali hanno una capacita molto. piceola, Di conseguenza, la tensionedi segnalein un CCD non viene attenuata come quando il segnale e suddiviso tra la cella di memoria e la linea di dati in una memoria ad accesso casnale, Quindi gIi amplificatori e i circuiti di rigenerazione per Ia memoria: CCD possono essere un po' pin sernplici, 11 risultato o"etto eli queste semplificazioni e che l'area, totale di silicic per bitper i componenti di una memoria completa ~ Circa due 0 tre volte piu piccola per un CCD che non per una memoria ad accesso casuale, Uno del pill recenti progetti di memoria CCD ad accesso seriale ha una capacita di immagazzinamento di 65 536 bit su uu. chip che misura circa 3,5 per SmilIitnetri.

T'altrQ principale tipo di memoria miL croelettronica ad accesso seriale sfrutta la.mobilitadelle bolle magnetiche, ovvero domini microscopici di polarizzazionemagnetica, in un sottile film magnetico di ortoferrite 0 granato.In presenza di un campo magnetico stazionario di fOIZa adeguata, con le Iinee di forza perpendicolarial piano del iilrn,i domini di una

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64 UNE:E (FLUSSO PARALLELO 01 DATI) CIRCUITI_DI RIGENERAZIQNE

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n diagramma di una memoria CCD illUi!o'lra it medello df circolazione del 4096blt memorizzati in ciaseana matdee del dlsposltivo d.i memoria a 65536 bit e a 16 matrici mestrate a pagina 76 in all!}. Come nella maggior parte-delle memoriead aecesse easuale, it disegoo dei bit memnrizzatl deve essere continuamente rigenerato, (I ·«rini're-scato».11 ciclo dl rigenerapone definisceaoch.e iI teJ;DpO d.i aeeesso per la letmra e 1a scrittula. In questo easo i. 64 bU in ciaseuna delle 64 oolonne si spostauo verso iI basso in mcdnsincrone fino aI rigeneratol'e Iungolinee parallelea una. velocitil d.i circa 80 000 bit per secoudo. I 4096 (64 x 64) bi! DuiscllDo serialmente fuori dn! rigeneralore a una velocita 64 vnlte piu elevata (t'ioe a circa 5 mmoni d.i bilal secondo); per poi rltornare aDa snmmitil deUa matrice, distri_buiti. lungo 64 righe paralle le, nelle 1010 colonne odginali.

polarizzazione (per esempio verso I'alto) sono stabili entro un'area maggiore di pol.arizzazione opposta (verso il basso). I domini sl possoJ]o muovere sill piano del film applicandocampi magaetici piu deboli ad angelo retto .rispetto al campo prineipale .. Quando i domini sono organizzati in modo appropriate, possono costituire una memoria a bolle:magnetiche.

Se un piccolo dominic con polarizzazione verso I'alto viene usato per designare un 1, I'assenza di tale dominie pub essereconsiderata come l'indicazione di uno O. I domini si possono formate 0 eliminare con un anello elettromagnetico a spira unica sulla superfieie del film magnerieo. Disposizioni di elettrodl a forma ill 1<. A », Todisco, fatti di un altro materiale magnetieo, sono nsati per crearc, variazionilocali nel campomagnetico,. ill m.odo da localizzare e separate Ie singole bolle. Un campo magnet:ico rotante nel piano del film magnetico PUQ, essere usa'" to peT spostare i domini hUlgO una linea dl « A» fissi (oppure di qualche altro dlsegno).

Una caratteristica chiave delle memo-

78

riea bolle consiste nel fatto che l'infonnazione memorizzata viene conservata quando si toglie l'alimentazione esterna, una preziosa proprieta che viene sfruttata nella maggior parte delle applicazioni attuali. La polarizzazione delle bolle e mantenuta nsando un magnete permanente per conservare il campo magnetico perpendicolare stazionario. I circuiti e1ettronici sono necessari per guidare la formazione delle bolle, azionare gli anelli di p.ilotaggioe amplificare il piccolo segnale d'uscita ohe si ottiene per induzione elettromagnetica 0 per effetto magnetoresistivo quando una bolla passa sotto un sensore, Ouesticircuif sono alirnentati durante Ie operazioni di lettura e eli scrittura,

Le memorie a bolle hanno iatrinsecamente un'organizzazione serials, cost che il tempo eli accesso dipende daI numcro delle posizionidi memoria in un camm:ino se.dale e dalla veloeita massima di spostamento. Nei dis positivi attuali i cammiili seriati hanno Una Iunghezzi che varia da drca lOa 1000 0 pin posizioni ill memoria e Ie velocita di spostamento va[iano cia una frazi.one di -m:icrosecondo a

diver,sj microsecondi. Come le mernorie CeD Ie rnemorie a bolIe non possono competere con Ill. velocita delle memorie elettroniehe ad accesso casuale. La loro applicazione potenziale piu interessante e Ill. sostituzione delle memorie a disco e a nastro aventi una capacita cornpresa tra un milione e 10 mifioni di bit. In queste applicazioni Ie memorie a semicondutrore potrebbero essere escluse, perche la memorizzazione delle iaformazionie volatile. Attualmente, il coste per: bit delle memorie a belle, se prodotte in quantita, dovrebbe essereall'incirca paragonabile a quello delle memorie dinamiche per capacita di memorizzazione fino a circa 10 milioni di bit. Per la memorizzazione di maggiori quantita di informazioni, le mernorie dinamiche sono tuttora van taggiose per quanto riguarda ilcosto.

Una variante interessantedella memoria a bone e la memoria a reticolo di belle, Questa versione consentirebbe ill superaro i limiti imposti alle memorie a belle dille tecniche di natura meccanica usate per definite 1a disposizione degli elettrodi. Infatti, in questa tipo ill memoria viene a eadem Ia necessita diuno 0 dueelettrodi di superficie per bitdi infonnazione memorizzata. Le boUe sono strettamente impaccate e la distinzione tra stati binari e determinata da variazioni di.magaetizzazione entre la paretedi un singolo dominio inveceche dalla presenza 0 dall'assenza di un dominic.

II d~sp?sitivo. c?e forse o~~ il potenziale - pll) incredibile per rnigliorare Ie memorie microelettroniche, a dire il vero un potenziale percreare una nuova generazionedi calcolatori superveloci, e lagiunzione tunnel a supercorrduzione. Oueste giunzioni sono dispositivi di commutazione a piu terminali che sfruttano la transizione tra uno stato superconduttore di tunnelinge uno state di tunneling normaIe. D «tunneling» si riferiscealla capacita degli elettroni di penetrare incerte oondizioni nelle barriereenergetiche che normalmente non peaetrano per mancanza di energia, Per far si abe la giunzione tunnel entri nello stato superccnduttore, il dispositive deve essere raffreddat:o a temperaturecriogeniche per immerslone

in elio liquido.. .

Poiche Ie giunzioni tunnelfunzionano a temperature vicine allo zero assolutoe a tensioni molto bssse caratteristiche della state superconduttore, esse sono in grade di cornpiere operazioni di commutazione eli uno 0 eli due ordini di grandezza ph) veIoei dei circuiti a serniconduttore e consumano una quantiea di energia due 0 tre volte inferiore. Il minor consume eli energia consente di impaccare icircuiti moLto densamente senza creare problems dovuti allanecessita di dissipare ealore, I tempi eli propagazione del segnale in. un grande sisrem-a sono a l.ow volta ridotti poiche Ie linee dl interconnessione possono essere piucorte .. AIla luce ill que1!te considerationi, si plio prevedere 10 sviluppo delle memorie crioelettroniche con densita di componenti estremamente elevatae funzjonantl a velocita da 10 a 100 volte piu

11,1111 1'1111

,IIIIII!IIIII'

11111'1'11'111' ,

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11.1

elevate delle piil veloci memorie elettronicbe attuali.

Restano da risolvere molti problezni difficili prima che Ie memoriee i oalcolatori crioelettronici diventino un fattcconcrete. Prima che i sistemi crioelettroniei siano disponi.bili si dovranno fabbricare Ie giunzioni tunnel.

Fmora ho descritto per 10 piu le caratteristiche operative e Ie.prestazioni ad alta velocita delle teenologie alternative di memorie .. A questo punto vorrei commentare brevemente quei problemi che potrebbero essere pili: imp OTt anti nella scelta di una tecnologia di memoria: i1 prezzo per bit dicapacita di mernorizzazione e I'affidabtlita. Infine, parlero delle prospettive per .tlheri9ri sviluppi nella tecaologia delle memorie dinamiche e di quelle completamente elettroniche,

n prezza per bit di un sistema di m emoria e all'incirca proporzionale alla C0n;l; plessita della struttura 0 del'ststema calcolata sulla. base di un bit. Per esempio, Ie rnemorie elettroniche a piu alta velocita necessi t aao di diversi transis tori, resistori elinee di interconnessione per ogui cella. AI con trario , le memorieelettroniche pin semplici richiedono solo UJI transistore e due linee d'interconnessione per bit. La fabbricazione di memorie a semieonduttori richiede da quattre a otto processi sequenziali di trasferimento del disegno di informazione .. Le memcrie-a bolle sono potenzialmente meno costose diquelle '3 semiconduttoti, perche richiedono 80[tanto da UIlO a tre processi di trasferimento del disegno nella Iabbricazione della matrice delle celle di memoria.

Le memorie dinamiche sono rneno costose di quelle elettroniche perche non e n e cessario definire i disegni fisici individuali per ciascuna cella di memoria. n prezzq minimo di un. sistema di memoria dinamica, pero, e relativamente elevate, data la.necessita dicomponenri meccanici dj precisione per trasportare 11 supporto di memorizzazione magnetico. L'attrattiva economica dell a memoria a reticolo di belle e basata sol fatto che non neeessita ae.di parti m.obili, ne della definlzione delle caratteristiche per ciascuna cella.

Un modo diconsiderare i prezzi dei van ppi m memoria e quello di confrontarli in funzionedel tempo di accessocasuale medic. Nei sistemi attualmentedisponibili il tempo di accesso varia da circa 10 nanosecondi per Ie memorie a transistori bipolari a 10 secondi 0 piu per Ie memorie a nastro magnetico. Il comspondente coste per bit willa da circa un centesimo di dcllaro per.le.memorie bipolari a .meno di 1 O-S:oentesiriii per.il nastro, Entre il campo di variazlone da un milione a uno del prezzo peT bit, 10 schema non. cambia; si deve accetrareun anmento di olle orrum di grandezza eel tempo di acoesso per ottenere UD risparmio di un ordine digrarrdezza neL prezzo.

L'affidabilita del sistemi di memoria e fnnzione tanto ill problemi ill principio quanto di problemi prarici. T problemi di principia hannoa che fare con fenomeni c..ome 1a col'rosione. Per tecnologie di

INGRESSO DATI

1

USCITADATI

RIVELATORE

SCRITTURA CANCELLAZIONE LETl'URAIRIPETIZIONE

t !t

f It ~ <i----~~157 ANELLI SECQNOARI~~-~~~-~--;'

U L!-541 BOLLE PER ANELLO

ANELLO PRINCIPALE

POSIZIONI 01 TRASFERIMENTO

PQSIZIONI 01 TRASFERIMENTO

Que-sto diagramma relative a una memoria a bolle magneticbe Ilhistra i1 modello di ciroolazione ill una memoria a.lOO 637 bit. L'anelle pli.ncipale conriene un singolo bloeco di dati, ehe conlrist,e di 1 e 0 (bolle 0 nessuna bolla) che si stanno scrivende nella memoria, leggendo, ripeterido 0 caneellando. (n questo particolare disposiu"I'oil bloceo didnti eoatiene 157 hit. Nel cidodi lettara i 157 hit entrano prima ueU'aIlellopriJlcipaJe,. dove vcngQno tmsferi.1i simultaneamente, II un dato segnale, ue;.1.57 anellr seeondart, un bit per .aIleUo. Opi aIleUo secendatiopuii eontenere asua volta 64] belle. La capa,cita totale del dispesltivo e, quindi, di 157 X 641, OSSI8 100637 bit .. Nel clclo di Ietmra i 157 bit SODO frasIerit! simuUaneamcnte,a un dato sc~ale, dagli .~~elli secondari nell'anello priaelpale ehe Ii port .. sono la I.eslioadi. lettura.

memorie ben consolidate questi problemi sono stati; sviscerati e non eostiruiseoao quasi mal lacausa ill rnolti difetti. I problemi pratiei Jianno a che fare condifetti di fabbricazione, di incapsulamento 0 di controllo e con errori .nell'uso e nella manutenzione di eomponeati e ill sistemi, La maggior pane dei dlfetti nelle memoric attuali dipende da questi problemi di

natura pratica. Per esempio, nelle memorie a semiconduttori, 1a quantita di difetti che si hanno nella utilizzazione eoncreta e correlata al numero di chip incapsulati separatamente piu che 0,1 nurnero rotale di bit che Il'sistema memotizza.

Per molti anni si e empiricamente osservato che 11 costa di Iabbricazicne di prodotti tecnologicamente complessi

RAM BIPOLAAE

10-6 10-3

T'E1MPQ 01 ACCESSQ (SECONDI)

Veng,ono posti a confronto iltempo dl aceessoe U pre~o ill vade meraorie. Le memoriea scorrlmente di carica e qnellea boUe magnetlche stanan colmando un vuote tra le memorie u1tmvelocl, ad aceesso casuale, e.qnelle multo piu lente di upo dinamiec, D costa di futti i sislcmi di memoria dovrebbe poter diminuire nel C(Jrso del prossimo decennlo di un Ia.tto.re: 10 0 pin.

79

11111111111',1

1111 III

,

Lecelle di memoria Josephson, che operane a temperature prossime ano zero assoluto, pessono memorizzare iIlformazioni come un singolo quanto di f]usso magnerleo, raggiungendo pcrcio il grado di ecouomicita di eaergtache si pnil onenere iII. nn disposilivo a mcmO.rizzaziODe magnetlca. Questo dlsposttfvo sperimentale, costruito dal L"bomtorio d:i ricerehe di Zur.igo dell'mM,. ha·392 ceDe. iii memoria .Josephson sislemateiu quattro sequenze di 98 cella eiascuna, n chip dl prova, dt {'nil! mostrata qui solo uuasezione, e stato fabbricalo parzlalmente peresaminare sePimmisslnne o la rimozione di illformRzcione dlsnsrbasse le informazioni memorlzzate In altre celle, Lrisultati hanno coufermato che 13 memenzzasione di singoli quanti i:n:ceUe moho vici:ne ~ realizzabile,

tende a decrescere man mano che aumenta l'esperienza di.produzione. Si erede che esista una relazione simile anche relativamente al numero dei difetti,che, per un dato pro dot to elettronieo, sembrano dirninuire all'aumentare dell'esperienza ill fabbricazione .. Questo fenomeno, che nella rappresentazione grafica e nota come «eurva di apprendimento» , ere a una barriera all'intmduzione di nuove tecnologie di memoria. Negli ultimi 20 anni, dozzine di queste nuove tecnologie hanno fallito di fronte ai continui migfiorarnenti avutisi nelle tecnologie consolidate. Le memorie rnagnetiche dinamiche sono migliorate costantemenre in questo periodo. Il suecesso delle memorie a semiconduttori nel superare Ie memorie a nuclei di ferrite come tecnica predominante di mernorizzaziene elettronrca e l'unicaecoezione. Molti osservatozi rltengono che questa successo sia dovuto unieamente affano cbe la tecnologia microelettroniea a semiconduttori stava gia avanzando Iungo una eurva eli apprendimento dalla pendenza pronunciata prima- che fosse impiegata per Ia fabbricazione di dispositivi di memoria.

Molte teenologie di memoria promettenti non. hanno raggiunto i1 successo commerciale, noaostante ricerche e sviluppi mtensivi .e, in alcuni casi, perfino con una produzione limitata. 13 accaduto eosl, per esempio,con Ie memorie a film

magnetico, oltre che can le memorie a faseio elettronico ea fascia ottico. Spesso gli investimenti richiesti per portare Lilla nueva teonologia di memoria allo stato in cui puc essere prodotta a basso costa e eon elevata affidabilitasone stati considerati treppe alti rispetto ai rischi e a:i potenziali vantaggi.

Puc darsi chc nel prossimo decennio si ottengano sostanziali miglioramenti nelle prestazioni deidispositivi di memoria, sia di quelli di tipo dinamico, IDa di quelli di tipo elettronico, e che.si abbianel contempo una riduzione dei eosti. Infatti, e possibileaumentare anche di.cento volte la densita di memorizzazione di hit sulIe superfici magnetiehe rncbili, senza che il prezzo del sistema venga a subire aumenti eonsistenti: Ie difficolta che sf devono superare, per raggiuagere tale obiettivo, nOD sono, n,e sul piano fisico, n~ su quello tecnologico, insormontabili, L'averintrodotto conanticipole tecniche a fascia elettronico e a raggi X nella fabbricazione di circuiti microelettronici dovrebbe·anehe rendere possibile aumentare la depsita di bit di questi dispositivi tli un fattore 100, sempre con poco aumento dl.prezzo per componente, Di conseguen.za, ci si aspetta che nei prossimi 10 anni vi sara una riduzione di eltre un erdine oi grandezza nel prezzo per-bit di tutti i tipi di memoria digitale.

81

II microelaboratore

E un'unita centrale di elaborazione contenuta su unsingolo chip, di norma connesso con altrichip in un sistemamierocalcolatore; peri) sono gia in via di realizrazione su un singolo chip anche sistemi calcolatori compleii

Vum, ie. r,Oel~,',bora.tore e.I,'~uita sen,,trale antmetica e logiea di un

calcolatore, con i circuiti a essa associati, ridottaa dimenslon! tali da trovar posto su-un singolo chip di siliclo (rna talvolta anche su piu di un chip), contenente decine di migliaia di transistori, resistori e altri componenti circuitali. 1<: uno dei rnembri della famiglia del circuiti integrati can Integrazione isu larga scala, tecniea che rappresenta l'attnale -stato di evoluzione di Un processo Jniziato can 10 sviiuppo del transistore alla fine degli anni quaranta, Un tipico chip microelaboratotemisura circa mezzo centimetre di lato .. Raggruppando da 10 a 80 chip, che esplichino varie funzioni (temporizzazione, memoria di programma, memoria ad accesso casu ale, mterfacce per i segnali di ingresso e di uscita _e altre funzioni ansiliarie), e possibile realizzare su un'unrca. piastra di dimensioni nOD- superiori a quelle di questa pagina un sistema di calcolo. complete. Un tale insieme prende .il nome ill niicroealcolatore; di esso il microelaboratore costituisce il cernporiente.principaie. Negli StatiUniti una ventina di ditte costruiscono attnalmente circa 30 diversitipi di chip micrcelaboratori, I cui prezzi sono compresi fra 10 e "300 dollari, Oltre 120 ditte usano questi chip per realizzare sistemi microcalcolatori, che vengono venduti a partire da 100 dollari, Ilnumero delle applicazioni per i microelaboratori sta aurnentando di giorno in giomo nei sertori delilindustria,. delle banche, della generazione e_ distribuzicne dell'energia elettrica, delle telecomunicazioni e del prodotti commerciali pin disparati, oomprendenti Era I'altro Ie automobilie i passaternpi elettroaici,

Come oell'unita centrale di elaborazione 0 CPU (central proc.essing 4nit) dl Ull grande calcolatore, it compita del microela.boratore e quello tii riceve:re dati sotto forma di sequenze di cine binaxie (zero e uno), immagazzinaxJt per ]a suc~ cessiva elaborazione, eseguire- su di essi operazioni aritmetiche e logiche secondo isfwzioni caricate in precedenza e fomire i risultati all 'utente mediante ll1l disposi-

I I

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eli Hoc-Min D .. Toong

ti vo di uscita, per esempio unamacchina da serivere elettrica, uno schermo di un tubo a raggi catodici 0 uti.plotter [tracciatore) bidimensionaie. Lo schema a blocchi di un tipico microelaboratore 'COll1- prende le :uuita seguenti: un 'units di de" ccdificazione e coritrollo (che interpreta Ie istruzioni impartite dal _programma immag azzina to) , l'unita aritrnetica e logica a ALU (arithmetic and logic unit, che esegue Ie operazioni aritmetiche e logiche), i registri (ehe servono come memoria di facile accesso per 1 dati diInrptego pi'1l frequenrc), un.accumulatore (un registro speciale strettamente associate alla ALU:), buffer di indirizzo (memorie di transite Co tampone 'che fomiscorro alla memoria di controllo Pindirizzo da cui etten ere 1 'istruzione successiva) e i buffer di ingresso-uscita (per ie$gere Ie istruzioni 0 i dati per il micrcelaboratore 0 per in vi arli in uscita).

I microelaboratoriattuali differiscono. fra loro per particolari dell'architettura dererminatidai diversi processi ill costruzione em alcuni casi dallaparticolare teenologia adottata nella fabbricazione dei dispositivi a semiconduttori, Cosl, gli organi del microelaboratore possono essere realizzati tutti su un.solo chip 0 ripartiti su un certo numero di chip modulari identici dispostiin parallelo, rrumero cbe dipende dalla Iunghezza della.eparola» chesi vuole.eleborarerquattro bit, otto bit, 16 bit 0 piu. Unadisposizlone multichip di questo tipo e nota come organizzazione bit-sliced. Una caratteristica dei chip bit-sliced Iabbricati con tecnclogia bipolaree Ia loro «rnicroprogrammabtlita»: essi consentono cioe all'utente di create propri insiemi dl istruzloni.rcostiruendo un vantaggio ben evidente per molte e svariate applicazioni..

II gra:ndissimo numerD eli microelabmatorie rn.icrocalcolatori the invadonoil mercato, unito a un'ininterrot!a serie di innovazioni rende immediata:mente superata qualsiasi tentativo di una loro catalogazione. Un piu efficace metodo di classificazione ael mercato «micro» consiste nel ripartire i sl'sterni secondo un critcno

gerarchico in rapporto alle capacita e aile" funzioni, Considerando tall due aspetti si puo individuare Una progressione. ben definita per quanto riguarda sia l'har¢w'are, sill il software (cioe rispettivamente i componen ti Iisici e Ia programmazione).1 singeli livelli dell'hardware sono i chip, i moduli, iprototipi.grezzi, j piccoli sistemi calcolatori, j sistemi di sviluppo complete e i sistemi rnultielaboratori.

.Non "51 tratta ill una gerarchia rigida e assoluta, peiche' la continua evoluzione della tecnologia rnette a disposizionechip sernpre pin potenti, alcuni dei quail posscno permettere disaltare due a pe.dino tre livelli gcrarchici, I chip vengono impiegati per realizzare un modulo, i moduli per costruire un piccolo sistema calcolatore 0 SCS (small computer system) e i piccoli calcolatori _per realizzare un sistema di sviluppo complete 0 FDS (full deve: lopment system). I sisterni mulrielaboratori possono comprendere moduli, SCSo FDS a seconds delle applicazionie della complessita.

Il priino UYenO gerarchico e.occupato dai chip microelaboratori, con l'integrazione su larga scala.didecine di migliaia di singoli cornponenti elettronici: transistori, diodi, resistori e condensatori, Allo stesseIivello si trovano anche chip piu specializzati: rnemorie ad accesso casuals o RAM, memorie a solalettura 0 ROM, memorie a sola lettura programmsbili o PROM, interfacce di ingresso-uscita (I/O:. -input-output) e altri, I prcgressi teenologici 51 verificano soprattutto al livello di chlp, fornendc, per esempio, RAM con capaeita di immagazzinarnento sernpre maggiore(le RAMpiu avanzate oggi disponibili sul rnercato possouo con tenere 16 384 bit che nel giro di -un an no 0 aile saIiranno a 65536 bit).

ill generaIe- i vari tipi eli chip sono raggruppati in'iamiglie, ci:ascuna compatibile con particolari,micrOelaboratori. Ogni famiglia comprende una serie di chip RAM, ROM e PROM che consentbno eli costruire un sistema di memoria, una seric di chip di interfaccia in grado di e_seguire Ie funzioni LlO, sia in parallelo sia in serie, e vari tipi dichip per accrescer-e Ie

capaeitadel sistema, per esempio I'esecuzione ad alta velocita di' operazioni aritmetiche. SODO .necessari chip di controllo per stabilire le priorita e mantenere ordinato 11 flusso dei segnali- attraverso il complesso dedalo eli intercoanessioni. La compatibilita dei chip e delle famiglie eli chip eostruiti da Iabbricanti diversi varia entre ampi limiti. Cost, per esernpio, i microelaboratori di marche diverse non sono in geaerale intercambiabili fisicamente, mentre spesso 10 sono molti tipi di chip di memoria.

n secondo Iivello delia gerarchia, il modulo e i prototipi grezzi.cosrituiscono i pin rudimental! sistemi calcolatori, Essi POSSODO essere ottenuti con Ia combinazione di un microelaboratore,diuna.limi-

tata schiera di chip eli memoria (RAM e ROM) e di un certe numero di chip di. ingresso-uscita, Per comunicare con questo tipodi sistema elementare l'utente ha anche bisogno di alcuni semplici dispositivi, come una tastiera numericae un organo capace di presentare 0 di registrare I'useita del calcolatore, Si tratta eli sistemi utili per scopi didattici e propedeutici oppure- p~r .realizzare prototipi finiticon cui costruire sistemi di maggiore sofisticazione, Con uri modesto investimento (in gerrere inferiore a 300 dollari) un principiante puo imparare le ba-si della programmazione del microelaboratori, Grazie alla Iimitata memoria, alia rnancanza di strumenti per 10 sviluppo del software e alla grezza interfaccia C9n l'utente che i1

sistema offre, perfino chi e alle prime armi P1.JO sviluppare in breve t~mpo un sistema a piastra singola.

Al livello successive dellagerarchia di capacita e di funzioni si ttovano i piccoli sistemi calcolatori, ehe sono unita indipendenti epronte all'uso. Al contrario Dei moduli a piastre singola, essi sono dotati di un alimentatore, di capacita di ampliamen to deUa memoria e ill spazio per una serie di moduli di interfaccia a innesto. Alcuni deipiu potenti moduli su piastra singola possono essere completati con i dispositivi opportunial fine di eostruire un sistema calcolatore di qnestotipo, contenuto in un'unica custodia. Tutti i piccoli sistemi calcolatori hanno una capacita di software che si avvicina in sofisticazione a

Ln micrucaleelatoresuchfp singolo. e un sistema digitale di elabora?;io· ace e di \lontr(lUo per itnpiegogenerale realizzate lion U!I clrcuito lnte~o sula.[ga. seala.Jl disporltivo comprende un.microelaboratore, che incon.dizioni nermali cecuperebbe CIa solo un intero chip, con numero!O:' funzioni supplemcntaricome memoria di progT.amm.a, memoria di dati,:interfacce multiple ingresso·ui;cita (I/O) e drcuiti di tempori.zza.· zioue. II dispoSitivo iUustiato, il mudello 8748 ccstnriro dalla [ntel Corporation, misura 5,6 per 6,6millimetri .. n programma. e immagazzi-

nato in una memorlaasola lettura eaneellabfle e riprogrammabiIe (EPROM) della ca_padta di un ehllehyre, ci~e di 8192 bit. 1I programrna viene eancellate mediaare esposizlone del citcuito a _radiaxione uihavioletla, che determlnaIa dtspersione delle canehe eletriche imnlllgazzinate nella EPROM, con Ia successlva l)Os.'libilita. di carlcareIn memeriaun nnovuprogramma, In quantita di ZS:pe.zzi 0 piu-un microcalcolatore 8748 vi.ene venduto a soli :UO dollan. L'illu!itrazione U! basso a pagina 86, mostra I' u bica?;ion e delle funzio ni circuitali sul chip.

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I PORT' ,,0 I MEMORIA I
(PHOM)
I'-----~~~~------
~
~ I
f =- : :: ~ - I
~ ~ BUS DEI DATI I
I REGISTflI I I ALU I Co.NTRo.LLo.
Ir'- 1_ I

UNITA CENTRALE DI E.LABORAZIONE (CPU) I componenti foudamentall di un sistema di calcolo possoneessere ora contenuti 511 un singolo chip. come nell'Intel 8748. In questa schema a bloccl!i I'orglluo denomjnare «controllo» com. prende.la Iogice di. conuollo e--Ielstruzioni per decotfjficani~ ed ese-guire jJ ·programma-imrI!lagllZzi. nato nella memoda. I «"re~I'ri» asslcurane jl eoatrollo medtanteil earieamento teraperaneo di memorie adaccesso C35Uaie (RAM) con Ie fhnzio.ni a esse associate. L'ALl] (unita. aritmetieae logica)esegue le.operazioni arltmetlehe elogicbe 'sotto la supervlsione del controllc, I «porti» UO assicurann Paccesso ai dis Positivi periferiCi, peresemplo una testiera, 10 !!che.rmo di UJ! tubo a raggi catodiei, J'immagazzinamento deU'informaz:ione S(I noppy disk (dischetto) e una stampante, Le. funzioni ill neroconverrono un micrnelaboratere (in colore) in 'un mierncalcolatore complete.

,Po.Rn 1/0.
I
MEMo.RIA MEMORIA
(PRo.M)
(RAM) (8192 BIT)
I

J AEGISTFlI
(RAM) ALU
LOGIGA
GENERATORE INTERNA
DELi:OROLo.GIO 01 Co.NTRo.LLO
INTERN.o.
E Lo.GICA DI
TEMPORIZZAZIONiE
DEGU STATI CONTATo.RE DI I
EVENT!JTEMPORIZZATo.R E
DIINTERVALLI
LOGICA I
01 INTERAUZlo.NE Lo.GICA ESTERNA 01 CONTROLLo. BUS DEl DATI La mappa del microcalcolatore8748 iUnstra l'ubIcazione delle va.:rie [lillozioni del caleolatore ripetcndo,lo schema incoJore della fignra in alto. Ciaseuna funzione _pub essere attribuitll a uno dei cinque bloechi funzionali dibaset controllo, memoria, regimi, ALU e porn 110. Le pard del.ehlp conlomate in nero rappresentane Ie funzioni che trasformano il micreelaboratore 8748 in un micrecaleolatore, Il dispo.§itivo comprende 20 000 Ir.ansistori fabbrieati con latecnologia n·· -MOS. L'elaboratore centrale a otto bi'! risponde 396 Ismizkml in no tempo di 2,S mic.rosecondl.

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quellache si trova in sistemi convenzionali di potenza ben maggiore. Essi hanno aache tm'interfaccia per ua terminate con tuba a raggi catodici 0 con tastiera e organo di presentazione, Inoltre molti piccoli sisterni possono essere interfacciati COIL dispositivi periferici come memorie a Jloppydisk (dischetto flessibile), cassette a nastro magnetico, bande perforate e stampanti, Conqneste aggiunte un piece- 10 sistema calcolatore potrebbe fungere da sistema di sviluppo complete. Per 10 pill i calcolatori in units singola trovano pero 'il loro sboceo principale nel rnercato del tempo libero: chi ha l'hobby del microcatcolatore 10 impiega in effeUi" per modesti compiti di prograrnmazione, elaborazione di paroia, calcoli generali e passaternpi.

Al successive livello della gerarchia troviamo gil FDS 0 sistemi di sviluppo ccmpletov IlJoro compito principale e forse quello difornirestrumenti rapidi ed efficienti con cui sviluppare moduli microelaboratori eoonomioi che saranno poi prodotti in serie e per risolvere un problema commerciale 0 di eostruzione 0 di telecomunicazioni.In altre parole l'FDS e un sistema micrcelettronico di capacita completa che pub costituireun mezzo per realizzare un sistema oggetto di minore potenza.

Mentre l'FDS pub rappresentare un investimentodi circa. 15· 000 dollari (comprensisi dell'hardware e del software), il sistema oggetto che esso puo sviluppare sara un rnicrocaloolatore del costa di terse 500·dollari,o ancae meno uel caso di fabbricazione in serie, Se per esempio sl volesse svilnppare un microelaborator€- per ottimizzare Ie prestazioni di un. motore pel' automobile (che regoli oioe con continuita 1 alimentazione del carburante, l'istante di accensione della miscelae il tempo di combustione) I'unita finale potrebbe, essere un piccolo modulo a circuiti integrati a.ggiunto ill ogni motore e di costo decisamente inferiors a 100 dollari, Sarebbe neeessario usare un FDS per svilnppare i programmi da caricare nelle rnernorie ROM e PROM del sistema oggetto. Un sistema di sviluppo com pleto comprende di norma un piccolo sistema caleolatore, 'un doppio drive (pilotaggio) per floppy-disk (cioe il dispositive per il trascinamento e 180 lettura dei floppydisk) con un governo (controller), una stampante, un terminale con presentszionesutubo a raggi catodici o can console telestampante, un programmatore ROM 0 PROM e talvolta alcuni altri dispositivi specializza ti,

Jll.i'vello finale nellagerarchia dei microealcolatori e il sistema multielaboratore, II microelaboratore rappresenta veramente una capaclta di elaborazione a basso coste. La sua economicita ha avuto un effetto prorornpente, tanto ehe i microcalcolatori vengono ora impiegati non solo nelle moite applicazioni in cui Ia capacitadi elaborazione occorrenteera in preeedenza troppq costosa, rna anche in altre neUe quali diverse dozzinedi moduli. microelaboratori specializzati possono

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Una ·mportante

• ••

applcazlone

Peter Cox

Villa Quartaroli a Vigasio. Una costruzione di 200 mq. su due piani del j 920 circa. Realizzata con materiali diversi (mattoni cotti, calcestruzzo, sassi), la costruzione e stata restaurata nel·1967. Le opere di ripristino sono co nsistite tra I 'altro nel rifacirnento totale del tetto, di tutte le solette del soffitti, e di tutti i pavimenti.

All'esternocalla base dei muri, per motivi esteticiera stato applicate un rivestimentodi pietra per un'altezza di 60-70 em. Questo rivestimento ha provocato Ia risalita dell'urnidita al di sopra del Iivello del rivestimento con conseguente formazione di rnacchie anche sui mud interni. Dopo 4 a 5 anni dalla fine del cantiere, la villa era praticamente "invasa" dall'umidita,

II problema .' . Costruzione in muratura di verio tipo, Spessore dei muri 30-35 cm. Muratura da deumidificare 3.9 mt. lineari, Grado di umidita presente nei muri 15 %-19%. Villa ap pena ristrutturata: necessita di intervenire senza rovinare pavimenti, pareti etc. pratieamente nuovi.

Come I'abbiamo risolto

L'applicazione del sistema Peter Cox, mediante Ienta trasfusione di materiale siliconico attraverso piccoli fori praticati alia base del muro dal Iatoesterno, ha permesso la. creazione di una barriera impermeabile che impedisee nuove infiltrazioni, Gli intonaci all'esterno sono stati rimossi per 50 em. dialtezza sopra 10 zoccolo, per permettere all'urnidita precedentemente assorbita dal muro, di evaporate completamente.

Tempi

L'applicazione alia base dei rnuri di 280 trasfusori del sistema brevettato Peter Cox e.la 10m rimozionee stata effettuata in 2 giornate. La deumidifieazione ha avuto la seguen te evol uri one: Inizio cantiere nel settern bre 1975: grado di umidita dal 15% al 19% .~. Controllo al 2/12/75: grado media di umidita dal12% all'8% - Contralto al 20/6/76: grado di umidita 0%. Questa val ore e garantito percontratto per 20 anni, rna in realta restera invariato per sempre,

J I parere degli esperfl

(daU'intervista con iI Signor Adolfo. Rossignol!)

It Signor Adolfo Rossignoii - direttore dei lavori ~ ha definite l'intervento Peter Cox in termini ehe possiamo eosl riassumere: "La villa era soggetta ad umidita per tutto il peri metro della costrczione. Tn questo caso era necessario create una barriera orizzontale che "isola sse" [a villa dall'urnidita del terrene circostante. AI tempo della riatrutturazione de{la villa, s.i sareb be: poturo intervenire anehe con un taglio del mUIO, per quanto questo tipo di intervento 'provochi. problerni di stabilita della' cos truzi one. M.a, quando il prcprierario mi ha sottoposto 1I pro blema della deumidificazione non c'era nessun altro sistema, al di fuori del.Peter Cox, ehe consentisse di create una barriera duraturacontro l'umidita, senza rovinare i pavimenti- praticamente nuovi. ~ e salvando in buena parte le tinteggiature delle pareti e tutti gli infissi '(iJ sistema Peter Cox infatti non provoca assestamenti della cos truzicne) , Oggi non o'e.pin traeeia di umidita in. questa villa.

In seguito a questi ottirni risultati, anehe altre eostruzioni dellazona, tra cui la scuola media, seno slate sottoposte allo stesso trattamento conrisultati altreuaato soddisfacenti. Oltre a] vantaggio (~Ile I'imrnobile puc. essere abitato (mentre viene effettuato il trattamento) e al prezzo ragionevole dell'applicazione, questa sistema da risuitati eccezionali e persino in zone come Venezia dove lecase sono letteralmente

"circondate" da un'umidita che "non perdona", .

Peter Cox: la barriera contro I'umidita ..

Peter Cox International - Corso Porta Palio 45lA • Verona. tel, (045) 28825 - Agenti .in tulia Italla,

..

adesso essere.rnontate per costituire sisterni in grad a di sorvegliare everificare parti di sistemi industrialio commerciali esistenti per i quali il controllo mediante calcolatore. non era inprecedenza nemmeno immaginabile. Un tale montaggio di microelaboratori 0 di microcalcolatorl puo essere organizzato secondo due criteri funzionalrnente distinti,

Nel prime tipo di organizzazione un gruppo eli microelaboratori rigidamente accoppiati viene progettato in. modo da scambiare dati con un elevate grado di parallelismo su brevi distanze e ad alta 'velecit_a aI fine di ottenere la rnassima capacita dielaborazione. Un sistema del genere potrebbeessere impiegato per uguagliare un grande caloolatore, per assicurare un 'alta affidabilita 0 per trattare un problema specifico, la cui soluzione possaessere facilitate da diversi slaboratori fun zion anti in parallelo,

La seconda organizzazicne, che offre le applicazioni potenziali di gran lunga pili

numerose, e un sistema accoppiato in modo lasco nel quale diversi microelaboratori distribuiti in' una zona relativamente ampia comunicano fra 10m con bassa velocita di trasmissione dati e con poco 0 nessunpatallelismo. Esempi ill impieghi per sisterni distribuiti _del genere potrebbero essere l'automaaione di fabbriohe, il controllo di impianti chimici e di raffinerie di petrolio e il controllo dei dispositivi elettrici in un'abitazione. I sistemi distribuiti si stanno diffondendo in quantita piuttosto rilevanti,

Come e facile immaginare, gli strumenti per iI progettoe [0 sviluppo di sistemi rnultielaboratori sono ben piil rozzi di quelli per i sisterni elaboratori singoli, I problemi di software, gia abbastanza difficlli da risolvere per un microelaboratore, aumentano di cornplessita in properzione quasi geometriea quando si 'l-ggiu,ngono aI sistema alrre unita, I problerni comprendono Porganizzazione di archivi distribuiti 0 di sistemi peT l'immagazzi-

.namento di informazioni, 1a programmazione dei tempi di elaborazione e la reaIizzazione, di dq che L progrnmmatori definiscono una degradazione «elegante», espressione concuisi vuole indicare-che il Sistema non dovrebbe solamentesandare. in avariasenza Incidenti», ma andare.in avaria in fasi successive, appuntoin modo elegante.Dal punto di vista delle apparecchiature, Lproduttori.haanofinore prestotoscarsa attenzione.alla configurazioae di microcalcolatori adatti a installazioni distribuite.

Finora il terrnine «software» e state usato senza particolare riguardo al suo significate. Pciche la comprensionee ll trattamen to del software sono fondarnentali per qualsiasi impiego dei calcolatori, e necessario essere un po' piu espliciti al riguardo, Come nel caso dell'hardware prima descritto, anche il software ha Ie sue gerarchie .. N el.senso pill late il software fornisee i' mezzi pel' comunicare al cal- 001at01e in modo esplicito Ie operazioni

EPROM/ROM R.ESIOENTE lK x s

TEMPORIZZATOR OONTATORE 01 EVENTI

UNITA ARITMETICA E LOGICA (ALU)

8)

REGOLAZIONE OECIMALE

CONTROLle E TEMPORIZZAZIONE

to schema funzienale a blocchi del mlcrocaleolatore 8748 pub essere usato per seguin~ Ia sequenza del passi richiesf per!u!!, operazlone semplice, come l'!!ddirlone del eontenuto di doe registrl, A e R, dove A e Paccmnnlatore e R uaoqnalslasi dei registri nella matriee m basso a destra .. II primo passe delcalcolatore (l)consiste nell'estrarre Pistruzione dalla memoria: «ADD A,.·R». U passe successlvo sta nel' collocare I'istr!lzione nel rcgistro e nel decoilifkatore dell'istruzioue (2), dove 11

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PORTO 1 BUFFER. DEL BUS E LATCH

JJ

1

o

I REGISTFlO 01 I
INDIR1ZZO RAM
f
I MULTIPLEXER I
REG!STRO 0
REGISTRO 1
w~GISTfiOZ
z REGISTRO :3
0 REGISTRO ·t
N
<( REGISTRO 5
L:::) u REG!STRO 6
G::
5 REGISTR07
0 PILA DI 8 UVELU
NE hi SECCNDA BANCA
TA Q DI FlEGISTRI
MATRIC'E
S4x8 RAM
RESIOENTE decodlflcatore trova che l'jstruzione e dj sommareR adA e.di laseiare it rlsi.iJtalq in A. Nel passo successlvo i contenutl del registro R SODO Inviatia! registro temporaneo (3) e i eoateautl deU'a_ccuOlL!l!'toreal l'atchdeU'accumulatoie. La ALU (4) somma poi icontenati dei due rcgistri restituendo il risultato aU'accumulatore (5). Terminata I'istm· zinne, vlenegenerate unsegnale (6) per estrane l'iSfrnzione suceesslva, L'8748 esegue In un secondo circa 400000 di queste IIddizioni.

da compiere in nnasnccessione di istruzioni passe per passe, che forma no un programma. Ognt calcolatore possiede una eserie di istruzionix: una lista cioe di tutte le operazioni fon.damentali che esso e in grade di eseguire. Ogni informazione e senna in un codice binario di maechina: una sequenza di «.0» e di «1», aven te una lungaezza tipica di otto 0 sedici bit. Sebbene sia possibile scrivereun programma complete in un Jinguaggio elementare di questo tipo, il compito e tanto noioso che e stata svilnppata una notazione intermedia, nota con il nome di linguaggio assembiatore, chee generalmente illinguaggio di pin comune impiego per Ia programmazione dei rnicroelaborateri. Di norma ogni istruzione simbolica scritta in linguaggio assemblatore rappresenta una singola istruzione in Iinguaggio di macchina .. La traduzione viene fatta dallo stesso calcolatore con un programma «assemblatore» .

Per rendere Ia programmazione ancora pill facile sono stati sviluppati dei linguaggi di «livello piu elevato» nei quali Ie rstruzioni hanno maggiore analogia con la lingua Inglese e Ie notazioni con quel1e mate in matematica. Ne sono esempi .i !:inguaggi FORTRAN, ALGOL, COBOL e PUl. Di solito un'espressione in uno di questi Iinguaggi eorrisponde a molte espressioni in Iinguaggio dimacchina; 18 traduzione viene eseguita cia! ealcolatore stesso mediante l'ausilio di un programma detto compilatote.

Ma anche con I'aiuto di tali semplificazioni 1a compilazioae eli un programma e difficile, L'individuazione degli inevitabiIi errori e Ia loro correzione viene delta «messa a punta». AlIo scopo di semplificare la modiflcazione di un, programma, l'utente pub usare uno speciale programma redazionale, che facilita la modifica delle singole istruzioni, Dopo la tnessa a pun to , il programma viene immagazzinato in una memoria non volatile, per esempio un aastro magnetico 0 un disco. 11 programma, una volta. pronto, viene rapidamentetrasferito cia! nastro 0 dal disco nella memoria RAM ad alta velocitil. delcalcolatore. Come si e visto 10 scope usuale di un sistemadi sviluppo complete e periJ la creaziooe di un programma cancabile nella memoria permanente (ROM 0. PROM) eli unmicrocalcolatore destinato a risolvere uno specifico problema irerativo,

Nel corso degli annisi e assistito a una proliferazione di linguaggi simbolici e di Iivello pill elevate destinati a impieghi specifici, ciascuno con i propri programmi assemblatorie oompilateri per renderlo mtellegibile a modeUi particolaridicalco.mton. Di conseguenza sono stan svilnp?>in sisteml eli software incrociatoper fa::iliWe la comunicazione Ira calcolatori. ?en:anto gli utenti di grandi sistemi di .:al'colatoriedi servizi in time-sharing (in -:::;-tisione di tempo) hanno accesso a pro~i assemblatort, compilatori esirnu.;;:lori di software incrociato (che consen:000 a un calcolatore di un certo modello . costruito da un certo produttore eli du-

I modulicalcojamri so piastraslngola fumiscnnn un sussidio per ilprogettoe IlIsvUuppo ill sistemi destinati a cnmpiti specifiei, La fetogralla mostra un cakolatore racehlaso in valigetta costruito dal gnrppo deU'autore al MIT. Un modulo cnmmereiaje so -piasti:-a singola, un Intel SBe 80110 (vieino (lila vaUgelfa), I! com·bblalocoD UD modulo speclalizzato progettate ad hoc (ill basso a destra) e con due unita periferkhe.: una tastiera e un visore, La disposizione dimostra come moduli stand'ard· possano essere integra.ticon aim realizzaf pel lisolver", un l'loblema specifieo,

Lo svilnppo di UD sistema mlcroelaboratore vlene studlato nel laboralorio deU'aulore preliSO it MIT •. 0 pro.gettista lavora .31 un terminale connesso con un sistema di sviluppo complete del fipo desm1to neU'ill ustrazione deUe due pagine successive. D micro ealeolatore stesso, un .Intellec MDS·80. esituaio neU'allDadjetto polito a sinistra subito diel.ro la testa del progettlsta .. Sotto it mlerocaleolatore st tro,·a. un Iettere di banda perforate. A ~iDjstta del !Ilicrocalcolatore vi sono un doppio floppy diske, sopraquesto, un progJammatore ·PROM. Le attrezeatnre di software a disposizioue deU'ingegnere pOSliiono essere estese .fino a comprendere le,;eapa.cita complete ill software di un minicalcolatere nel sistema <trriady, descriUo DeU'iIIu~tta.zione apagina ~ in alto.

89

plicare Ie azioni di un ealcolatore differente). Cia rappresenta al momento atmale una costosa alternativa a un sistema 'di sviluppocompleto per la creazione. di software per rnieroelaborarori. Inoltre i simulatori di software non duplicano 000 facilita in.tempo reale le veloeita ill entrata/uscira e di esecuzione del mieroelaboratore oggetto.

Per prevedere il ritmo con cui in futuro verranno introdotti i microelaboratori in nuove applicazioni, puo essere utile comprendere il processo tipico mediante il quale ne vengono sviluppate le applies-

zioni, Dopo I'individuazione di un possibile impiego di un micro elaborate re in un prodotio.o in un sistema" in quale modo si cornporta una' soeietacostruttrice per .sviluppareun dispositivo adatto, fornito da un programmaadatto? Come sie giA detto, eli norma non si tenta di progettare un cbip-microelaboratore speciale per soddisfare ilparticolarerequislto dell'utente potenziale, rna si cornincia invece eon uno de~chip gia presen ti sul mercatc.ioperando una scelta nel vastoassortimento di quell disponibili: RA1\.1, ROM, PROM, interfacce lIO 0 aim cbeconsentono di

montare un modulo in grado dieseguire ij compito che si spera di assolvere. A questo scope dei moduli microcaleolatori su piastra singola e per impieghi generali gia disponibili in commereio possono essere in molti casi una soluzione soddisfaeente. T microelaboratori hanno ragginnto prezzi Ian to bassi chee in genere menu costeso sfruttaresalo il 10 0 perfino il 5 per cento della capacita di calcolo di un chip 0 modulo gia esistenteanziche progettaree programmare un'unita ad hoc in grade ill eompiere Il lavoroeon il minimo numero possibile di componenti elettronici. Tut-

CAPAC ITA

RAP PRESENT AllONE

ELABORAZIONE D.lSTRIBUITA ELABORAZIONE PARALLELA STAETIAM ENTE ACCOPPIATA

IMPIEGHI

E UTE'NTII TIPIC]

GERARCHIA HARDWARE 01 MICRO

UVELlO

AUTOMAZIONE 01 PROCESSO COOROINAMENTO

E CONTROllO

SUBASE DISTRIBUITA

E LOCALE

SISTEMA MULTIELA'BORA TORE

FOS

SCS'

o MOOUW

PROGRAMMAZIONE 01 APPlIQAZIONI SOFTWARE

MESSA A PUNTO

DEL SISTEMA

HARDWARE OGGETTO

P;~IOGETTISTI 01 HARDWARE

PICCOLO SISTEMA 01 SVILUPPO

PER APPRENDERE

LE CA'RATTEAISTICHE

DEL MIGROELABORATORE

PICCOLI PROGFIAMMI

01 UTENTE (MENO DllK)

UTENTI PRINCIPIANTI

01 MICROELABORATORi

REALIZZAllONE 01 PROTOTIPI ELEMENTARI

VALUTAZIONE

DEL MfCROELABORATOAE OA PARTE DELL'UTENTE

SISTEMA 01

SVILUPPO COMPLETO (FOS)

PR08RAMMI 01 APPUCAZIONI OJ COMPLESSITA INTERMEDIA (1-10 K)

CAPACITA 01 LlNGUAC5eiO 01 LlVELLO SUPERIOR" (PER ESEMPIOBASIC)

CALCOLATORE PERSONA-LE PASSATEMPO

.PiCCOLO SISTEMA CALCOLATORE tscs)

I

SVILUPPO COMPLETO DEL SOFTWARE

MESSkA PUNTO DELL'HARDWARE

PROGRAMMAZIONE C,ON LlNGUAGGIO

Dl UVELLO SUPEBiORE

I

!~~~?i DOPPIO

IlD DOl . FLOPPY DISK

7 TE'RMINAiJ

PROGRAMMATORE __ __./o::.,_---", VIDEO.

llQ)j] DIPRO~r",,,,, lr /0\

6m~~~ 1\,\ n lUI PICCOLO ~~lA

PERfORATA~ CAlCOLATORE

MODULI

CHIP

u

) silitemi mlcreelaboratori pussuuo essere elencati seconde una gerarchla ascendente di hardwaree disoftware nella" Quale i componenf:i'l'ii:! picco.li vengono disposti in sistem] di dimensinn] e di potenza dicalcolo via via cresc.cnti. I componeoticostrutlivi eJementaJi SOJlO Ie [ami.gUedi

90

PROGETTO AD HOC

or UN SISTEMA HARDWARE PER NEGESSITA PARTICOLARI

chip progettati 'per val'ie funzieni. Per risoiYe1'e IIll problema applicatiYO, per esempio il sistema. di eontrello di un aeroplano, i progettisti montane in geuerale.modull 0 ptecoli siste.mi caleolarcrie.li.foruiscouo di un opportune progrnmma .. 1 chip e i moduli sono diventati tantn

ravia 10 sviluppo di un 'unjta speeiale P'l!O essere giustificato se si prevede un sufficiente volume ill produzione.

Ilprocesso di sviluppo per un'applicazione di microelaboratore cemincia CO)] I'individuazione eli UD fabbisogno. Spesso la persona the riconosce il fabbisogno nelI'ambito di un'organizzazione non ha familiarita.con i dettagli della nueva teonologia micrqelettroniea, Ne deriva che in molti casi il fabbisogno viene cornunicato al direttore di un gruppo di progettisti, ehe valuta se nel case particolare e giustificaro l'uso di un microelaboratore.

Una stima del.genere comprendeun'anaIisi tendente a stabilire quale dei microeIaboratori disponibili possiede eventualmente Ie capaeita adatte e asrimare i1 tempo e la mana d'opera necessari per sviluppare il software occorrenteche di tutto il lavoro e Ia parte di gran lunga piu eostosa e che richiede rnaggior dispendio di tempo.

Se la valutazione indica giustificato I'uso ill un mrcroelaboratore 10 sviluppo pro cede secondo due direttrici distinte: Ie caratteristiche dell'hardware vengono trasferite a un progettista mentre quelle

di elaborazione e di.controllo sono affidate a un prograrnmatore di software, Nel caso tipico gli sviluppi del software e delI'hardware sono condotti in parallelo da clue gruppi separati, La chiave per un'applicazione riuscita e una continua e streets comunicazione fra i doe gruppr durante I'evoluzione del sistema. Nonesiste purtroppo una metodologia normalizzata per ottenere un buon progetto: come in ogni altro ramo della tecnica, molto dipende dall'intuiro, da una buona conoscenza pratica dei prodotti disponibfli e dane esperienze precedenti,

COMPONENTI

COMPONENTI

~TEMI MICROCA~COLATORI WTT0SISTEMI

:U COMUNICAZIONE

iffERFACCE 01 CONTROllO TEMPO REAlF

;;ON SENSORI E ATIUATORI

LlVELLO

SOPlWARE 01 SISlEMI DISTRIBUITI

GERARCHIA SOFTWARE 01 MICRO

RAPPR ESE·NT AZIONE

MODULI DI RETE DISTRIBUITA

PER GESTiON,E 01 ARCHIVIO, CONTROllO D:EL DiSPOSITIVO, APPLICAZIONI DI COMUNICAZIONI, ETC.

SISTEMA OPERATIVO DISTRIBUITO

MONITOR SEMPLICE DISPOSITIVO

DI PROVA LlMITATO

,

'CROCAlCOLATORE, -;u,MINALJE VIDEO, ~OPPY DISK,

"'ROGRAMMATORE 01 PROM, EOC ..

:<?PU·RE SISTEMA .

:- SOF1WARE :rK:R.OCIATO BASATO 3"J MINICAL,COLATORE

:9SJONE PRECONFEZIONATA

OOUll ~CAPAOITA :. =SPANSIONE ---:"'.MEMORIA s :"fERFACCE

~~lCE PIASTRA

- ':'Scum STAMPATI

- -, "1:'STO

:'~ • t'AMIGLIA DI CHIP :::::" GA'PACITA

- :E;>ANSTONE

=s= ~A,:STRE MUl TfF-LE

r=« CENTRALI

=- :..BORAZJONE (CPU)

a ::9.IE AD .AGCESSO GASUALE (FtAM) 3i:E 01 SOLA LEnLJRA (ROM) =qOGRAMMABllI (PROM) =-ACCE INPI.JT -OUTPUT' (110)

--;;- C.-llP

-=- :DMPITI PARTICOLARI

SOFTWARE EVbLUTIVO

SOFTWARE

I NDIPEN DENTE (SENZA UNITA PERIFEflICHE)

SOFTWARE ElEMENTAAE

SEMPLICE SERlE

01 ISTRUZIONI .

SISTEMA OPERATIVO SU DISCO LlNGUAGGIO 01 LlVEllO SUPERIORE , (es, FORmAN, BASIC, PUM)

"

ESEMPIO: Y = x + 1 I'

DOVE X E UN NUMERO 01 8 8fT r-, E Y It SUO INDIRI'ZZO

UNGUAGGI 01 UVELL,O SUPERIORE SEMPLICI (as. BASIC)

llNGUAGGIO

ASSEMBLATORE (e$. 8080)

LlNGUAGGI ASSEMBLATORI (es, HEXADECIMAL)

CODIGE

01 MACCHINA BINARIO

economici(meno di 30 dollari per un mleroelaboratore e meno iIi.300 doUari per un modulo su plastra slngola), me j] coste prineipale per iI progetto di un'a.ppIicazionee.q)leUo coanesse conIo svihrppo del software per jJ programma finale del sistema oggetto ... r progressl nella

LXI H,Y MOV A"M ADI 1 MOV M,A

SISTEMA OPERATIVO A FLOPPY·DISK

o CASSETTA

COMPILATORI DISposiTIVI DI PROVA NEL CIRCUITO

MONITOR. INDIPEND'ENTE ASSEMBLATORE REOATIORE

.~J-.

21

7~

06 -.., 01

77

0010

OOO~JJ-

1110 0110 0001 0111

OPERAZIONI CAB1.ATE

o MICROPROGRAMMATE A LlVElLO 01 CHIP

011,1 1100 0000 0111

tecnologia dei semiconduttori stanno rendendo possibile I'attrfhuzione ai sistemi iii clasenn IivelIo dialeune delle capacit~assegnale in precedenza alliyello supenore.Lsimholi e i camilleri in colore mestrano come si presenta la stessa istruzione scritta in linguaggi macehtna dilfercmti.

91

Con procedure diprogetto ad hoc Ilia per I'hardware sia per i:l software si sviluppa un prototipo di sistema. Per quanto riguarda I'apparecchiatura it prototipo comprende in genere modelli di prototipi

grezzi con cablaggio esterno, canaline a innesto 0 prototipi di circuiti stampati, II corrispondente prototipo di sistema di software e un programma da realiszare 0 programma «oggetto» derivabile COD uno

SISTEMA MINICALCOLATORE

(MS)

LlNGUAGGIO 0:1 LlVELLO SUPERIOR.E SOFTWARE 01 SISTEMI

SOFTWARE INCAOCIATO MECCANISMO 01 CARJCAMENTO GRANDE MEMORIA 01 ARCHIVIO

SISTEMA 01 SVILUPPO COMPLETO (EDS)

BASATO SU MICAOCALCOLATORE

SIMULAZIONE IN TEMPO REALE

DI PROGRAMMA IN SVILUPPO

CAPACITA LIMITATE

01 MESSA A PUNTO

01 HARDWARE E SOFTWARE

SISTEMA OGGETTO (TS) MICROELABORATORE

SISTEMA 01 HARDWARE EFFETIIVD PER APPlJCAllONI

SCARICAMENTO DEL PROGRAMMA 01 PROVA OA MS 0 FDS

PER OPERARE

SUL SISTEMA OGGETIO

La struttura del «Triad" halo scope di ridurre il tempo richiest« per Jo sviluppo ill un programma app.Ucalivo per un module mieroelaberatore 0 per un mtcrocaleolatere. Vuso del min:icaIcolatore c.entralizzato [a.dUm 11 compito del programma lore nello sviluppo del software per U sistema oggetlo(TS). Inoltre il mlcroelahorarore del sistema oggeno e Inserlm ne] cireuito fiB dalJ'inizio.

UTENTE SINGOLO

VARIl.!TENTI

SISTEMA IN DNJSIONE 01 TEMPO

SISTE:MA MINICAL· COLATORE

Le elaborazioni del sistema «Trladcpossono essere .giustificate ingrandi organizzazioni dove Bono in corso di s:viluppo diversi mfemelaboratori, U sistema in nero e progettaro per dare a un programmatore I'aecessoa dlversi Triad, ctasenac destioalo a on mlcmelahoratore dffferente. Per il slstema in divisione di tempo dimagg$or pctenza On colore), .gU lngegnerle I programmatori pessono dedicare contemporaneamenteI lero non! di progettazione II diversi mieroelahoratori,

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qualsiasi di diversi meecanismi eli trasferimento: un montaggio manuale (mediante un eodice), I'uso di un assernblatore residente su uuFDS 0 l'uso di un assemblatore incrociato su un sistema in divisione di tempo.

I prototipi dell 'hardware' e del software, ragg:iunto 1l1l0 stadicsnfficientemente avanzato di svilnppo, devonoessere aceoppiati, compito affidato di solito a un ingegnere sistenrista. n programma oggetto viene caricato nel .prototipo di hardware per vedere se il sistema risultante scddisfa alle specifiche originali. A partire da questa fase gli eventuali difetti nel software ° nell'bardwate devono essere eIiminati per successive approssimazioni operando sui rispettivi deli di progetto fino a quando si ottengono prestazicni soddisfacenti.

A questo punto oceorre prendere una decisione fondameutale: se iniziare 0 meno la preduzione del modulo microelaboratore, II tempo intercorrente fra I'lnizio della sviIuppoe la realizzazione di un prototipo riuscito e spesso eritieo. Molti prototipi sono accantonati in questo stadioperche 10 sviluppo e durato tanto a lungo (puo richiedere perfino due anni) che Ie caratteristiclre iniziali di, progetto sono state modllicate, 0(:. oambiata Ia comprensione del problema 0 una ditta coneorrente hagia raggiunto il mercato con UR prodotto equivalents ed e quindi necessario present are qualcosa di meglio. Essendo il tempo un fattore spesso critico, i progettisti di bardwareedi software hanno una pressante necessita di uno strumento di sviluppc pill potente di quelli indicati in precedenza e che consenta di restringere il tempo di sviluppo dei sistemi prototipo a poche settimane.

Descriviarno quindi tale strumento.

C-ome 81 e.visto, 10 sviluppo di un prototipo di mieroelaboratore costringe i pro gettisti dell'hardware e i programmaiori del software a Iavorare su quasi tutti i livelli gerarehici che si sono sviluppati nelle.loro rispettive discipline. I progettisti dello hardware, devon 0 lavorare dal livello dei chip fino agli FDS e i programmatori daI Iivello dell'organizzaaione deUe istruzioni per il ca1001at01e fino ai sistemi a floppy disk con. i vari programmi compilatori, assembletori e redazionali assoclaticon un sistema di sviluppocompleto .. II passaggio da unlivello all'altro nelle due gerarchie e, un processo inevitabilmente inefficiente a causa delle incompatibilita fra j diffeienti livelli e della difficolta di trasferire i risultati verso i livelli superiori o inferiori.

Ne consegue che nemmeno l'FDS fornisce tutte le earatteristiche di sviluppo che sarebberogradite a, molti ingegneri slstemisti, quail 18 capacita di disporre di potenti memorie, la rapida risposta aicomandi di sistema, potenti programmi redazionali e una biblioteca di software peri microelaboratori di costruttori diversi, I progeuisti che riehiedono tali caratteristiche ritengono auspicabile Puso diminiealooletori (i piccoli sisterni di ealcolo dalle alte prestaziani che sono

CODIGE MANUALE

PROGETTO .AD HOG~

MONTAGGIO 01. SOFTWARE INCROCI.ATO

MONTAGGIO MEDIANTE SOFTWARE 0.1 SVILUPPO CO MPLETO

PROTOTiPO 01 HARDWARE

SISTEMA HARDWARE OGGETTO

PROGRAMMA OGGETTO

VAUlTAZIONE PRATIGA

VALUTAZIONE DEL PHODOTTO

!----"j. PAOGETTO AB8ANDONATO

PROTOTIPO OPE,RATl.:VO

VEASIONE DEFINITIVA

ALLA PRODUZIONE

Il compilo di sviluppare Ie applicaxioni itei mi£foelabo.ratori richiede una stretta coflabcrazlnne Ira i progetristi delle appareechiature, che si interessano della scelta edelle lnterfacce del chip, e i pmgrammarorl del software ileui lavoro ,con.siste Del fornire un programma messo a punto ,che rispcnda agll ohiettivi di progeUo. Poiche Il tempo occorrente per In 'pfogrammaziooe C SIlesso sottovaldtato, gli oblettivi origin8li risultnno talvelta superati, almeno in parte, quando il prototipo e messoa puntoe promn per Japroduzione. Di eonseguenza ll.umerosiprogetli vengolJo abbandonati in questa sta.dio. Non e losoli.lo ,che o eeotra 11 0' due armi per eompletarel _programmi disviluppo, L'aarore dtiene eheIl Triad consenta una norevollssima riduzione di quest! tempi.

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apparsi -snl mercato all'inizio degli anni sessanta) come strumento supplementare per 10 sviluppo.

Sebbene esistano alcuni programmi dl software incrociato per consentire 10 sviluppo, di prograrnmi per microelaboratori, esistooo pochissimi sistemi per accoppiare strettameate i mini cal cola tori, gJi _FDS e iJ sistema rnicrocalcolatore oggetto. Si tratta di un aceoppiamento desiderabile perche mette in grado il progettista. di agirecoa facilit~ all'interno di tale ge·, rarchia e di sfruttare le~aratteristiche peculiari di ciascun sistema: il minicalcolatore per un'efficace redazione, immagazzinamento in massa di dati, strumenti di documen tazione e basi di dati distribuiti efficienti; I'FD5 per simulare Ie prestazioni in tempo reale del microcalcolatnre man mana che i programmi evolvono e per Ia messa a punto dell'hardware; 10 stesso sistema microcalcolatore oggetto "per valutare i programmi finali e controllate i programmi di routine nelle eondizioai.ambientali ed elettriche dell'instalIazione effettiva,

L'irrtegrazione pili. impeecabile di questi tre sistemi e il «Triad», uno strumento di ricerca di recentesviluppo che coasente a1 programmatore 0 ali'ingegaere di lavorare a qualsiasi livello per portare a termine un programma de" ide rat o. n Triad associa strettamente ere sistemi: il mirdcalcolarore, con le Sue potenti capacitll: di software, l:'FDS COD la sua simulazione in tempo realeeimezzi per la messa a punto dell'hardware.e iJ sistema oggetto. II Triad fomisce un accesso facile e diretto a tutti i livelli della gerarchia del sistema di calcolo,

II progettista dell'hardware e il programmatore del software impiegherebbeTO il Triad.nel seguente modo. n progettista dell'hardware sviluppa i1 sistema oggetto, che potrebbsessere costituiro da un modulo calcolatore eommerciale su piastra singola edi tipo universale unito a uo modulo aggiuntivodi suo progetto che fornisca un'inrerfaccia con un sistema di maggiori dimensioni a cui siapplichi Il microelaboratore. Per Ia messa a punto del sistema oggetto occorreranno alcuni programrni diprova, ehe possono essere preparati in breve tempo con i1 programma redazionale sui minicalcolatore.montaggio Incrociatocon il codice di macchina del rnicroelaboratore e caricarnento diretto nell'hardware oggetto non sottoposto amessa a pun to, L'ingegnere, mentreelimina gIi errori nell'hardware, ago giornain eontinuazioneil suo programma eli prova, In questo modo OCCOITono solo pochi minuti per rimontaree caricare ogni modifica,

In corrcomltaaza con 10 svfluppo dell'hardware il programmatore puo redarre, montare, simulate i suoi programmi sul miniealcolatore e sull'FDS. Egli mantiene tutti i programmi nella memoria principa ~ le del rnicrocalcolatore, men tre spartisce una biblioteca dj applicazioni congli 81m utenti del Triad. L'integrazione del sistema puo procedere facilmente, poiche gli stessi rnezzi usati dal progettista dell'hardware per cancare i programmi di

prova nell'hardware del sistema oggetto possono essere impiegati anche dal programmatore per caricare il programma finale delle applicazioni nell'hardware. In .questc stadio lemodifiche possono essere apportate con facilita mediante semplice processo diredazione, rimontaggio e ricaricamento. In tal modo il sistema Triad pub ridurre in modo notevolissirno il tempo occorrente per 10 sviluppo di una determinata applicazione di microelaboratore.

D n solo sistemaminicalcolatore cen trale pub dirigere contemporaneamente diversi sistemi Triad. Una tale disposizio.ne mette W1 utente in grado di sviluppare riumerose applicazioni utilizzando vari microelaboratori differenti, pur conservando tutti i propri programmi, documentazione e rapporti nell'archivio dei dati del minicalcolatore centrale. Inoltre altri utenti possono utilizzare i suoi programmi, rendendo cosl pili efficiente il ciclo di sviluppo. Come passo successive il sistema operativo del minicalcolatore potrebbe essere riscritto per consen lillie l'uso in divisione di tempo fra diversi utenti. Cio determina Ia pili efficace variazione del concetto Triad.

1: applicazioni potenziali della tecnolo-

gia dei microelaboratori sono tanto numerose che e difficile .immaginare un. qualsiasi aspetto della vita contemporanea che si sottragga al suo impatto. Ecco alcuni settori che ne risentiranrio al pili presto gli effetti.

Nel campo dell'automobile solo alcuni modelli sono attualmente equipaggiati

con rnicroelaboratori per soddisfare le norme federali del governo USAsull'inquinamento mediante il controllo del sisterni di ricircolazione dei gas discarico. Tra breve saranno assai pill numerosi j rnodelli dotati di jnicroelaboratore cui saranno affidati il con trollo dei gas di searico e la regolazione ottimale del motore, onde diminuire il consumo di carburante. Nel prossimo futuro i rnicrcelaboratori saranno collegati anche a dispositivi di sicurezza, per esempio a sensori per impedire 10 sbandamento su superfiei bagnate 0 ghiacciate,

Negli uffici commerciali Ie prime applicazioni dei microelaboratori saranno dedicate alia distribuzione e al controllo dell'informazione, I calcolatori da tavolo raggiungeranno la stessa diffusione delle macchine da scrivere; essi tratteranno basi di dati ristrette e specializzate adatte al Iavoro del singoli dipendenti oltre a informazioni contabili e dati sul persona" Ie. La distrihuzione di documen fi dattiloscritri fra glIuffici sara in gran parte sostituita da appunti elettronici, trasmessi mediante il sistema ca1colatore locale. Le principali aziende del settore, quali la international .Business Machines Corporation e la Xerox Corporation, stanno sviluppando sistemi completi da inserire negli uffici,

Nell'industria i microelaboratori sono gill. impiegati per assolvere i vari compiti come il controllo di macchine utensili e la sorveglianza a distanza dei campi petroliferi. I microcaleolatori renderanno possibile, anche una nueva generazione di 'braccia e mani au tornatiche «in telligenti»

capaci dieseguire operazioni di montaggio finora troppo complesse per essere automatizzate.,

Nelle abitazioni i microelaboratori hanno gill Iatto la lore cornparsa in una moltitudine di giochi da televisore e in applicazioni elettrodomestichecome i forni a microonde e i frullatori. Ma verrannoben presto applicati a sistemi per il controllo della temperatura e per 10 sfruttamento dell'energia solare, ai refrigeratori, ai telefoni e ai sistemi di allarme antifurto 0 antincendio. Nel tempo i microelaboratori connessi direttamente con la banca dell'interessato e dotati di un archivio COD milioni di bit per Ie registrazioni person ali saranno comuni quanta 10 sono oggi i sistemi ad alta fedelta per la riproduzione del suono.

Tuttavia I'ideazione di una riuscita applicazione per un microelaboratore e solo il primo passo verso la sua accettazione e Ia sua successiva adozione. La comparsa del microelab ora tore fa presagire ben pili che una mera rivoluzione teenica: ne saranno probabilmen te interessati molti pili aspetti della vita quotidiana di quanto non sia avvenuto con tutta Ia p'reeedente tecnologia dei calcoIatori. Per molti riguard! la societa non e ne conscia ne preparata, per l'impatto degli aspetti non teenici dei microelaboratori. Per esempio I'introduzione dei microelaboratori nelle automobili per migliorare l'economia del carburante e per ridurre I'emissione dei gas di scarico inq uinanti avra un profondo effetto su decine di migliaia di piccole officine di riparazione e centinaia di migliaia di stazioni di servizio, Letteralmen-

MICRO- MICRO- M!CRO- M!CRO-
ELABORATORE ELABORATORE ELABORATORE ELABORATORE
1 BUS DE! DATI 1 I I
ELABORAZlONE OISTRIBUITA Un aereo a reazione moderno richlede I'impiego eli numerosi e s06- stican sistem! per la navigazione, Ie comllllicazioni, il comfort e la 51- curezza del passegger], il comrollo dei motori e queUo delle snperflci aerodinamiehe, AI momento attuale i sensori ehe sorvegliano tutti questi sistemi trasmettono i loro dati a un calcolatore centrale, ehe gener~ ,I segnall di controllo necessari per manrenere .1 sistemi nejle mi-

gLiorl condbion.i eli esercizio. I chilometri eli cavi occorrenti per questi sistemi centralizzati ·S0I10 diventati una parte importante del costo del velivoli modemi. In linea di principio i vatl sistemi potrebbero essere controllafi localmente mediante mtcroetaboratqri, con coaseguente forte nsparmto De.1 coste del cablaggio, anmento dell'alJidabilitil, aumento della capaeita [Ii calenlo e minoricosti eli manutenzlene.

96

- I: I i!I~11111 lil'llllll

Ili'II"II'I:I'''I:

te milioni di persone addette alla manutenzione delle automobili, ehe fino a oggi non hanno mai senti to parIare di microelaboratori e tanto rneno ne hanno visto UDO, dovranno in pochissimo tempo mettersi al corrente e diventare ragionevolmente esperti nella materia pel: peter eseguire prove e sostituzioni sui nuov:i dispositivi, In easo contrario l'intera rete dell'assistenza automobilistica dovra essere rinnovata in modo drastico.

In altri settori la tecnologia dei microelaboratori si muove con una velocita probabilmente min ore di quanto previsto, Per esempio non sarebbe difficile equipaggiare tutte le stazioni di servizio e di distribuzione del carburante con un te:rminale microeIaboratore che registrasse i dettagli di ogni operazione effettuata can carta di credito. AI terrnine di ogni giornata le inforrnazioni registrars potrebbero essere trasmesse in brevissimo tempo in forma codificata su LtD normale circuito telefonico ai ealeoIatori installati nelle sedi cen trali delle aziende che hanno rilasciato Ie carte di eredito, abbreviando di parecchie settimane la fatturazione di vendite per un controvalore che, negli USA, e eli milioni di dollari. Ouesti sistemi, anche se realizzabili in pratica, non sono stati adottati. Si pub arguire che tale innovazione non ~ benvenuta perche rninaceia l'esistenza di Intere divisioni di organizzazioni delle carte di credito: le divisioni per la lettura attica dei caratteri (OCR, optical-character-recognition'[ che trascrivono attualmente in una forma impiegabile nei calcolatori i dati relativi aile singole operazioni riportati su milioni ill moduli di carta, compilati e spediti dal personale delle stazioni di servizio. Iri tere divisioni dl vane societa non gradirebbeTO certamente di diveaire inutili daun giorno all'altro,

Questi sono solo due esernpi di come migliaia di organizzazioni commerciali e milioni di individui possono essere interessati da quanta sembra una semplice deoisione tecnicanguardante I' applicazione 0 meno della nuova tecnologia del mieroelaboratori. All'interno delle stesse organizzazioni commerciali il microelaboratore e jl microcalcolatore stanno rendendo pili. aspra la gia difficile questione di come distribuire lerisorse di elaborazione e di informazione per raggiungere la mas sima efficienza, Sebbene alcuneaziende stiano celermente fondendo e centralizzando tutti gli aspetti delle lora eapacita di elab orazi one , altre stanno decentrando con pari aggressivita, L'evasiva strategia dell'«ottimizzazione» implica delicate considerazioni di controllo direzionale, di strategic relative allo sviIeppo dei sistemi e di procedure operati-e. I direttori commerciali, ohe dovettero cnmprendere i misteri del calcolatore zrande come una stanza da 250 000 dol~ appena 15 anni fa e del minicalcolatore da 25 000 doll an sette a otto anni ::;;,po, devono ora essere ill grade di valu;..u-e i costi e ivan taggi del microcalcolato--z da 250 dollari e del microelaboratore il3 25 dollari.

MlxerAX7 3 ingrell8l tape. 4 ingressl m"Wilfonlc1 RlVelbeIo Incorporato GahbrazlOne de' masSer Ingress! per strumen11 muslCan.

Gllberto Gaudl S,pA

Corso di Porta Nuova.46 - Milano

TUITE LE CARAITEAlSTICHE SONO CONFORMI ALL!: NORME FTC AMERICANE (U.s- Fede(lll Trade Commission)

97

tavialo sviluppodi un'unita speciale puo essere gi ustificato se . si prevede un sufficiente volume ill preduzione.

II processodi sviluppo per un'applicazione di microelahoratore comincia con l'individuazione di un fabbisogno. Spesso la persona che riconosce ilfabbisogno nell'ambito di un'organizzazione non ha familiarita con i dettagli della nueva teenologia rnicroelettronica. Ne deriva che. in moLti casi il fabbisogno viene cornunicato al direttore di un gruppo di progettisti, che valuta se nel caso particoiare e giustificato l'usodi un microelaboratore.

Una stirna del genere eomprende ua' analisi tendente a stabilire quale dei microelaboratori disponibili possiede eventualmente Ie capacita adatte e a stimare il tempo '13 'Ia mano d'opera necessari per sviluppareil software o ceorrente, cbe eli tutto .il lavoro e la parte di gran lunga piu costosa e the richiede maggior dispendio

di tempo. '

Se la valutazione indica giustificatol'uso di un microelaboratore 10 sviluppo pro cede secondo due direttrici distinte: Ie caratteristiche dell'hardware vengono trasferite a un progettista mentre quelle

di.elaborazione e di controllo sono affidate.a un programrnatore di softwarecNel case tipicogli,sviluppi del software e dell'herdwaresono condotti in parallelo da due-gruppi separati. La chiave per un'applicazione riuscita e.una continua e.stretta comunicazione fra idue gruppi durante l'evoluzione del sistema. ·Non eslste purtreppe una metodologia normalizzata per ottenere un buon progetto: come inogni altro ramo della tecnica, molto dipende dall'intuito, da una buena conoseenza pratica dei prodotti disponibili e dalle esperienze precedenti,

COMPONENTI

COMPONENTI

SEMPLICE PIASTRA A CLRCUITI STAMPATI

A INNESTO .

CON FAMIGUA DI CHIP CON CARACITA DIESPANSIONE

PER P]'ASTRE MULTIPLE

'SISTEMI MICROCALCOLATO'RI SOTTOSISTEMI

01 COMUNICAZIONE

INTERFACCE OICONTROLLO IN TEMPO REALE

CON SENSORI E ATTUATORI

MICROCALCOLATORE, TERMINAtE VIDEO, FLOPPY DIS.K"

PROGRAMMATOAE DI PROM, ECG, OPPURE SISTEMA

DISOFTWARE

INGROCIATO' BASATO

SU MINICALCOLATORE

.1 VERSIONE PRECONFEZIONATA DIMODULI

CON CAPACITA

01 ESPANSIONE

iPER MI":M6RIA

:E INTERFACCE

UNITA ceNTRALI

01 ELABORAZIONE (CPU)

'MEMORIE AD ACCESSO CASUALE {RAM) I MEMORIE 01 SOLA LETIURA (ROM)

ROM PROGRAMMABILt (PROM) INTERFAGGE INPUT"OUTPUT (Iio)

ALTAI GHIP

PER COMPITI PARTICOLARI

LlVELLO

SOFTWAREDI SISTEMI DlSlRIBUITI

SOFTWARE EVOLUTIVO

SOFTWARE I.NDIPENDENTE (SENZA UNITA PERIFERICHE)

SOFTWARE EUEMENTARE

SEMPLICE SERlE

01 ISTRUZIONI _

GERARCHIA SOFTWARE 01 MI.CRO

RAPPRESENTAZION'E

MO~ULI 01 RETE OISTRI.BUfTA

PEA GESTIONE 01 ARCHIVIO, GONTR_QLLO DEL Disposmvo, APPLICAZIONI DI GOMUNICAZIONI, ETC.

SISTEMA OPERATIVO SU DISCO LlNGUAGGIO 01 UVELLO SUPEFiIORE (as .. FORTRAN. BASIC, PUM)

~

ESEMPIO:Y = X + 1 ~

DOVE X E UN NUMERO DI 8-BIT

E Y IL SUO INDIAIZZ,O

...

LlNGuAGGI QI LJVELLO SUPERIORE SEMPlIcl (as. BASIC)

LlNGUAGGIO

ASSEMBLATORE (es, 81)ao)

LlNGUAGGI. ASSEMBLATORI (es. HEXADECIMAL)

GODICE

01 MACCHINA BINARIO

economici (nreno di '30 doUari per un microelaborateree mCDO di 3.00 dollari per un modulo su piastra §ingola),. ehe iI coste prlncipale per iI progetlo di un'applicazione e quelloeonnesso con 10 svfluppn del .software per ll programma. finale del sistema oggeno, I plogre~si nella

LXI H,Y MOV A,M ADI 1 MOV M,A

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SISTEMA OPERATIVO DISTRIBUITO

SISTEMA OPER.ATIVO A FLOPPY-DISK

o CASSETTA

COMPILATORI DISPOSITIVI PI PROVA NEL GIRC;UITO

DISPOSITIVO

01 PROVA LiMITATO

MONITOR INDJPENQENTE ASSEMBLAJORE REDATTORE

MONITOR SEMPLICE

OPERAZIQNI GAB LATE

a MIGROPROGRAMMATE A LlVELLO [Jj CHIP

tecnologia dei semicoudnnort stanno rendendo pcsslbilePattrihusione ai sisteml dj 'eiaseun Iivello di alcune delle eapaelts assegnate in preeedenza allivellosupcriore.l s-i_mboU e i caratte.[j in colore mostrane come si presents 1.3 s less'JI istruzione scritta 'in lin.guaggi macch ina dilfekenti.

91

La microelettronica nell'elaborazione dei dati

I grandi

calcolatori

microelettronici: calcolatori piu

rna piccoli,

r:VOIUzione .dei m .. _edem. j C-aI .. C.Olato. ri e stata tantcstrettamenee legata a

quella dei dis positivi micreelertronici chesi puo affermare la lore virtuale simbiosi. I primi grossi calcolatori digitali can programma immagszzinato impiegavano i tubi elettronici; la generaziono successive; era basata ancorasu component! discreti maallo state solido, doe sui transistori, Quest! componenti pero aonpossonoessere usati per costruire calcolatori can Ia capaci fa a cui siamo oggi abituati, in quanto le macchine presenterebbero un coste troppo elevate, una scarsa affidabilita e un forte consume di energia. Inoltre sarebbero troppo grandi e troppo lente. Il numero di operazioni al secondo eseguibile da un calcolatore dipende dalla velccita con cui gli elementi attivi: delcalcolatore stessooomnnlcaao fra loro, velocita che e proporzionale ai tempi di funzionamento degli elementi attivi e alIe loro distanze. La tecnologia dei ealcolatori ha avuto bisogno dellarriicroeIettronica e quest'ultima sl e in gran parte sviluppata per rispondere a tale esigenia.

A lore volta i calcolatori si sono evoluti perscddisfare la richiesta ill ela borazione di dati: enorrni quantita ill caratteri.come numeri e lettere, rapptesentanti inforrnazieni di qualsiasi tipo. Nel campo scientifico i calcolatori classificanoe analizzano grandi quanrita di misurazioni, relative per esempio aile sequenze di posizionie di velocita di un veicolo spaziale, risolvendo problemi matematici di complessita e lunghezza straordinarie, come la determinazione della tralettoria della stesso veicolo spaziale .. Nel settore del commer,cia essi registrano edelaborano inven tari, acquisti, fatture, Iibn paga, depositi baucarl e cosl via, tenendb aggiornate Ie reg;istrazioni delle transazi.aoi cOl)lmerciali in corso. Nell'industria controllano e sQrvegriano i pracessi di fabhricazi·one. Nell'amministrazione statale tengono statistiche, 'analizzano informazioni economjche e.determinano lecimposte dei cittadiui. Sarebbe difficile, oggi., trovare una

100

moderni non q uesti hanno adatti

esisterebbero anche

senza l componenti l'affermarsi di

consentito all'esecuzione di compiti

di Levis M. Terman

qualsiasi. attivita che riehieda I'elaborazione di grandi quanti ta di informazionl e che non venga eseguita da.un calcolatore, Inoltre i calcolatori stanno subentrando in molte anre attivita meno impegnative, ehe richiedono 1 'elaborazione ill un nnmero di dati relativamente minore.

U n grande sistema. c~cola.t<;)[e. e ~osto-

so, ma.puo eseguire milioni di operazioni al seeondo; un piccolo sistema di calcolopuo eseguire, 100 000 operazioni al secoudo. In q uesti da ti S1 trova il motive fondamentale per cui l'elaborazione del dati mediante calcolatore ha avuto uno sviluppo importante: un calcolatore pub eseguire rante operazioni in nn tempo cosl breve che il costa di ognisiagola operazione eestremamente basso.

Forse J'elemento chlave nella crescita dell 'elaborazione dei datimediante calcolatore risiede nel fatto che con I'avventc della microelettroaica iLcosto delle apparecchiature dica1c61oe diminuito coil conrinuita mentre capacita e prestazioni sono costantemen te aumentate. Dar 1960 ileosto di trn calcolatore diviso per la sua

particolari

capaeita di calcolo (misurata in rnilioni di operazioni al seeondoje diminuito di un fauore supcriore a 100. Nello stesso tempo per Ie macchine di maggiori dimensioni il tempo di elclo (ji tempo occorrente pereseguire un 'operazicne) si e ri dot to di un Iattore 10. L'aumento di prestazioni delle apparecchiaturee state importante per 10 sviluppo dicaloolatori della fascia alta: Ie rnacchine piil. grandi e piu veleci, Ma Ioe seato aneora di piu per 10 sviluppo di calcolatori della fascia bassa: Ie macchine piD: piccole e pia lenre. Molti compiti non richiedono le grandi f1essibilita, velocita e capaeita di elaborazione di un grande sistema di calcol o. Negli anni sessanta i progressi nella cornporrentistiea raicroelettronica hannocondotto allo sviIuppo del minicaleolatore, seguito pin di recente daTI 'aucor pill compatto micro-cafcolatore .. Eotrambi hanna soddisfatto una richiesta ill sistemi dielaborazione piccoli .ma relativamente flessibili e in grade dt eseguire can costicontenu ti funzioni di cal colo di una certa semplicita, Inoltre con 10 sviluppo delmicroelaboratore sie verificata uu'evoluzione dei cal-

La piastra dell'elahoratore di un piccolo ealeolatore Burroughs B 80 contiene Ia logjca declsionale dell'intero calcolatorer ha i1 eompito Iii cseguite I prog.-ammi ins-erili neDa macchina, La piastra Iii elaberazlone misura centisnetri 25,4 per 31,8. I componenti logicj sooo nove chip MOS (metalloossjde-semleonduttore) conInregrezione !)U [alga scala, eiascuno aUoggiato in uno del nove contenitori blanch! edorati .. Su questa piastra le fUnzioniiogicheanziclIf essere eseguite da circuiti logicl sono lmmagazzinate 50110 formadi disegni permanenti dl bit in plceole memorie a sola Iettura situatenel contenlrorl bianehte do.rati:in .0116,. aleentro e in baS.50 dellacolouna di sinistra. In questa colonne i1 secondo e il quarto contenltore contengeno j 'chip dei ~egisni di la.voro, i quall immagazzinaJlo i dati per l'eseeuzione del programma. n chip m alto nella colonna a dcslra contrnlla il fUDl<lODa.mcuto dei dispositivi di ingresso.uscit1a del eaicolatoI·e. n secoudochip della siesS;! cohmn8 l! il regisll'O di inliiriuo dena :memoria p.:rindpale, ,cbe contienel'indiriz.zo della pal'Ola di bit a cui si accede cor.:renfemenle da parte dena memoria principal.e del.calcolatore. 1I chip suc~essivo verso il basso nella co.lonna di destra ~ una micropila, un altro tipo iii registro d.egli indirizzi dJ memoria, In fondo a questa ~olonna si trova iI chipper Illtemporin:azionc dello stato di macchbJQ. checontrolla la sequenza delle operazioni eseguite dall 'inle.fll p.iastra deU'elaborlllore. I restan.ti cOmponenti monlali sulla piastra non hanno fllllZioni lo.giche. I rettaPgoli ·neri $0!l0 degli amplilicato.ri, quelli bianchi ei piccoli cilindd sellZa ri.vestimento sono resistori.1 com,ponenti rosS'i a forma di salsh:cla, i cilindri uen e i gro5si cllindri argente.i sonG condensatorl. Le due barre bianche che occupauo I'iutera Iung.hena delhi piasl'!'.a sono pisle multiple (0 bus) dialimenlazione e <Ii massa. Tutti i. compo!lenti $0..(0 c-ouDessitra loro con pistil di matetiale condnttore. La piastra viene inserita .Del calcolatore per .mezzo dei connettori ill oro disposti Iungo ibordi.

·101

colatori, di tipo quasi darwiniano, in macchine dl. dimensioni.e organizzazione differenti, ciascuna dimensionata surnisura per una differente gamma di funzioni. E probabile che la tendenza a costruire calcolatori sempre pie piccoli continui: si sta gia parlando di nanocalcolatori e di picocalcolatori.

Al giorno d'oggi un grande sistema eli calcolo e costituito da 100 000 circuiti logici eda unnurnero illhyte ell memoria compreso fra quattro e otto .milioni (un by tee un 'unita formats da otto 0 nove hit, un bit e una cifra binaria), Le corrispondenti grandezze sana in un sistema l'iiJ piccolo 20000 circuiti logici e 128 000

byte di memoria, in un tipieosistema minicalcoiatore fra 5000 e to OOOcircuiti logici e fra 16000 e32 000 byte -di memoria e in un sistema microcalcolatore da 1000 a 2000 circuiti logicie cia poche centinaia ad alcune .migliaia di byte di memoria. I costi seguono un andamento parallelu: j maggiori sistemi ill calcolo costa no parecchi rnilioni-di dellari mentre un sistema microcalcolatore.ba un prezzo che puo scendere fino a poche eentinaia di dollari.

La maggior parte dei sistemi calcolatori, qualunque-siano le dimensioni.e costiruita. da tre organi fondamerrtali: i port! d'ingresso--usci.ta,la gerarchia di memoria

"ARMADIO. DELLA CPU

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UNITA. OENTRALE 01 el.'AsoRAziONE

Un pande sistema iii ealeolo coacentra la maggior partedella eapacitil eli elabo.rarl.one deidati neD'unitili centrale eli elaboraziene o CPU (in colore}, nat panto iii vista. ~ico l'«armadio» .dellll CPU di lID gnmde.sistema ealcolat&re contiene la stessa lIIIitill_ centrale elielaborarl.one,la !D emoria di mlllsisto ad alta velocit!l e la memoria principale e puoaoche eoateaere molti porti di ingre5so·ns_Cita .. La CPU e costir .. ita da lID'uniiA eCb_e esegne .11.' operaiiolli antJoetiche I.' .logiclJ_e

. durante II. programma del calcolalore I.' da un'alt.,. nldtii ehe conltona i1 fonzionamento deD'inte.ro sistema .. n (1rogramma del calcolatore I.' i dati in usa attivo sono immagaZZinati_ 1)1.'1 bnffer 0 memoria eli m.nsito (i1!g~igio seuro), a enl la CPU PDQ aeeederead alta veloelta, A valledel hnffer si trova una memoria principalepiu grande I.' piu lenta (in g1'(glo medio), Lontano dall'anna.elio deDa CPU si trovano discbi, nastri 'I.' aim sislemi di memoria (/11 grigio chiaro) chI.' SODO i piu gnwdi I.' i piu lenti di tutti. I diSpositivil di inpesso·usci.ta SOM .Ietto·o di nastri, lettoodi sch.ede ped01"ate, ta.mere,scbe.md dilubiaraggi calodici., disch-i, te1esaiveoti, e stampanli velori.

102

e l'unita centrale ill elaborazione, I porti d'ingresso-uscita sono Ie vie attraverso Ie qnali !'informazione (istruzionie dati) viene introdotta 0 estratta dal cal cola tore mediante schede.perfcrate, nastri magnetioie terminali. La gerarchia di memoria immagazzina le istruzioni (il programma) e j dati del sistema e Ii restinrisce su richiesta dell'unita centrale dielaborazione 0 CPU (central processing unit) .. Quest'ultima, che e costituita da un 'unit a logics di controllo e da uri'unita aritmetiea e logica .0 ALU (arithmetic and logic unit),controlla il funzionamento dell'iatero sistema geaerando i eomandi diretti alle altre parti del sistema e agenda in base alle risposte ricevute, Essa Jegge I'informazione estratta dalla memoria, interpreta le istruzioni, 'esegue Ie.operazioni sui dati in base aIle istruzioni, carica j risultati nella memoria e sposta Ie intormazioni fra ivan Iivellidi_memoria 0 attraverso i porti d'ingresso-uscita. Le operazioni eseguite sui dati possonoessere sia di tipo aritmetico, come addizioni e sottrazioni, sia di tipo logioo, come un confronto di due serie di numeri per determinarne l'even tuaIe equivalenza,

L'organizzazione della memoria di un calcolatore.e gerarchica in termini 13 di velocita e di costo. Una memoria di transito 0 memoria tamp one (buffer) interagisee direttamente con Ia CPU cui trasferisee Ie informazioni ad alta velocita .. Tutravia la velocita e c08t05a, come alto e il costa per bit immagazzinato nel buffer. A! di sotto del buffer nella gerarchra si trova la memoria principale del calcolatore.di maggiore capaeitae di minors velocita rispetto aI buffer econ un coste per bit di informazione immagazzinatoassai .inferiore. AI dj sotto della memoria principale si trovano i sisterni di lmmagazzinamento di capacita ancora maggiorie di velocita minori con un costo per bitirnmagazzinato ben minore, per esempio dischi e nastri magnetici, Se ne deduce che ilivelli di memoria, man mano che si allontaaano dalla CPU, diventano progressivamente piu capaci, piiI lenti e menocostosi,

L'informazioce di uso corrente viene carieata nella memoria piuveloce (11 buffer) per faciliUI. di accesso; l'informazione inattiva 0. meno attiva viene caricata ael magazzino di basso costa per bit. La CPU trova quindi nel buffer l'informazione necessaria per l'elaborazione immediate e solo occasionalmeate deve ricorrere a informazioni che si trovano nei livelli pin bassi della gerarchia. Le prestazioni dell'intero sistema di calcolo sono determinate dalla veloeita del buffer, mentre Ia capacita e i1 oosto per bit del sistema sono deten:nil:Iati dalnumeroe dalle dimensioill dei livelli di immagazzinamento.

T'impatto della microelettronica salle L memorie dei calcolatori e stato diverso per 1 vari livelli della gerarchia .. AlI'inizio il buffer era eostituito da clrcuiti puramente elettroniei. Con la comparsa dei componenti microelettrenici j cireuiti sono diventati pin piccoli e pili. veloci dei loro predecessori &5 0 10 anni prima e Ie

CALCOLATORE CENTRALE

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MEMOR1A
PRIN'CIP,ALEf

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TERMINAL!

Un sistema di calcolo ad II:lcbitettuta distribuitarlpamsce Ia capacita eli elaborazione fra un'inte~a rete elicakolatori anzicr.(f eoncentrerla in una. sola unitacentrale ,di elahoraztone. Dal pnnto eli vista fisico cib consente di iliSll'ihllire Ia rete su una vasta areageograficae permette a ogni unita locale (picco.li bioechi in, colore) eli trattare l'lnformarione tn modo bldipendente prima iii trasmettetla a uno 0 piii,degli altrielementi della rete.Le due forme fondamentali dl slstendad aldol ettura distribuita S0110 lastnrtturagerarchiea (in al to) e la strutmra paritetlca (in basso), N el sistema geran:h:ico unC!ilcoilltore i:enurue comunica con calcolatori phI pieeoli situati a livelli inferiori, clasennn dei qnali eomunleaa suavolta COD ca.lcolatOl:i a uu.Iivello ancora pm basso e coSi via. Nella stnrttnra parttetiea tutti gli dementi si trovano.aUostesso livello e ciaseuno di essipub comunicare con tutti gli altri, In pradea Ie due form.e SODO spesso fuse in un sistema ibrido,

104

nuove tecnologie hanna contribuito ad aumentare la velocita dei calcolatori della fascia alta.

I dispositivi microelettronici harmo trasformato in misura aneora maggiore la stru tmra della memoria prmcipale. Dalla meta degli - anni cinquanta fino agli anni sessanta l'elemento singolo di immagazzinamento dell'informazione era il «nucleo magneticoscunpiccolo toroidein ferrite net quale un bit di informazione veniva caricato cambiando Ia direzione del campo magnetieo Intorno al toroide. Ogni nucleo veniva eostruiro singolarmente: milioni di nuclei erano disposti in matrici e concessi dacondutrori che passavano nei fori dei toroidi. L'informazione era scritta e 1etta oei nuclei mediante appositi cWc:uiti elettronici ausiliari, A causa dellacaratteristica dei nuclei e del deb ole .accoppiamento magnetico fra questie i conduttori cue li attraversavano, i. circuiti ausiliari per scrivere e Ieggere le inforruazioni erano complicari e non si prestavano, come del Festa anche gli.stessi nuclei, 'a essere fabbricati sotto forma di circuiti Integrati ..

All 'inizio degli anni settanta furono sviluppate Ie eelle dimemoria asemiconduttore che avevano Ia stessa fuezione dei nuclei e cost i.circuiti integrati di memoria cominciarono a essere instellati Dei calcolaton come memorie principali.In un circnito integrate di memoria .il meccanismo ill nmnagazzinaarente dell'informazione (la cella di memoria) non e un componente passive, ma un circaito a seraiconduttoreo Inoltre i circuiti ausiliari necessari per scrivere e per leggere Pinformazionenella cella di memoria sono molto pill semplici eli quelli rtchiesti per 10 stesso compito con i nuclei ed e state pertanto possibile combinare la cella di memoria e i circuiti ausi li ari sullo stessoch i p di silici o. La memoria principale della maggior parte dei cal cola tori modemi e realizzata median te dispositivi micrcelettronicia semiconduttore, ancbe se i nuclei magnerici SQno tuttora usati per impieghi particolari,

Unacaratleristica particol~ent: ~teressante.per una-rnemona pnncrpale realizzata con dispositivi microelettronici, e il costa -per bit, che e pji'L 0 meno indipendente dalla dimensione della memoriamedesima. Con le memorie a nuclei la complessita e it costo dei circuiti ausiliari non dipendevano dalla dimensione del sistema, rendendo ileosto per bit tanto _pill elevate quanto pii! piecola era la memoria del calcolatore, Nel caso delle .m emorie microelettroniche il costa e determinate soprattu tto dai chip e dalla lora eonfezione e non dai circuiti ausiliari .. II costo di un sistema di calcolo e quindi proporzionale solo alla dimensione della memoria, rimanendo invariato il costa per bit di memoria. In al tre parole 1 'utente di un minicalcolatore della fascia bassa o di un sistema microcalcolatoreche richiede solo un a piccola capacitadi memoria non deve pin pagare una forte penale sulcosto per bit del sistema. Si tratta di un fattoreche ha rivestito una note-vole importanza per 10 sviluppo e per la diffusio-

ne dei sistemi di calcolo della fasciabassa,

La rnicrcelettronica non ha malta interessato Ia costruzione de'; dispositivi. di memorizzazione 'come i disclii. e i nastri magnetici e .proba:bihJ1ente questa tendenza simanterra 'anche nel futuro oggi prevedibile (si veda I 'articolo Le memorie microeiettronichesii David A. Hodges a pagina 130). e per diverse ragioni, La prima: i_ dischi e i nastri stessi sono econcmici anche se Ie apparecchiature elettriche e meccaniche per la serittura e Ia lettura delle iriformazioni sono piuttosto costose. Il costo per bit diJIueS-IT sistemi di immagazzinamento e quindi una funzione inver-sa della dimensione del sistema completo (il minor costa per bit si ta nei sistemi molto grandi), Per esempio if costa per bit di un sistema di irnmagazzinamente a dischi.con capacita di 100 tnilioni di byte di memoria e di appenapochi rnillesimi di centesimo di dollaro. Per i grandi sistemi di cal colo i1 costo per bit dei metodi di immagazzinamento elettronico

non potrebbe essere competitive can quello dei 'dischi 0 dei nastri,

In secondo luogo i dischie inastri sono progettati per essereenon volatili»: se ai sistema di calcolo viene a mancare l'alimentazione, I'Informazione- imrnagazzinata sul disco 0 sul nastro rimane. intatta, mentre l'inforrnazione scritta in una memoria microelettrcnica andrebbe perdura. 11 terzo motive It cne j dis-chi e i nastri sono relativamente compattie, per alcani scapi elmportante poterli trasportare 0 conservare.lonrano dal calcolatore.

Le esigenze di un piccolo sistema di calcolo sono del tutto diverse .. Per esempio I'utente di un minicalcolatore.non ha bisogno eli dispone, nelle vicinanze, della plena capacita 'di memoria di una grande unita a dischi e certamente non sarebbe disposto a pagarne il .cos to. E del tutta soddisfattodi avere a disposizione un sisterna di dimensioni minori a uncosto complessivo piu basso, anche se il costa per bit dimemoria pub essere maggiore,

La- micrcelettronica pub percio inserirsi. nell'ambito dei dispositivi di immagazzinamento aventi minore capacita, 11I).eccanismi di memorizzazione a semiconduttore, come i dispositivi ad acccppiamentc drcarica, diventeranno pjli economici delle teenologie relative alle memorie principali, 'a semlconduttore, e il IOTb coste dovrebbe divenire competitive, 0 addiritturaminore, rispetto a quello dei piccoli sisterni di roemorizza:none a dis chi 0 a nastri magnetici, Poiche I'accesso a un sistema di memoria a semiconduttore- e ekttronico e cion meccanico, come nel case dei nastri e dei dischi, i1 tempo occorrente per registrare 0 recuperate infermazioni, nel casodi una memoria-a semiconduttore, sarebbe assai pin breve. Anchese i1 sistema di immagazzinamento a serniconduttore ha un casto unitariosuperiore, l'utente potrebberendersi canto dell 'opportunita di accettare un coste maggiore per prestazioni migliori, E aucora troppo presto per stabllire quale 8UO-

II superealcolatore CRA Y·l, costruito dalIa Cmy Research Inc. di Minneapolis nel Minnesota, e un calcolatore digita1e scientifico ad alta velocita e di grande.porenza impiegato' incompiti ill. elevatissima complessita. L'.«acmadio»_ deIl'nnitil centrale- di elpborazione. (CPU) .del CRA Y ·1, Ia struttu.racllindrka al cen tro deJlo.cale, ecosti mlta d a oltre 1000 piastre logiche modulari inserite orizzouralmente in 24 telal verticali. Que.'lta srrurtura non contiene sol_tanto la CPU,. rna anche la

memoria del calcolarore, J banchi intomn alla base deil'arDladio della CPU sono contenlteri per i 11 atimentatori del calcolatore, A ~inbtra lID operatore e seduto alJ)I mstierad.i un terminale di un mlnlcaleolatore ehe.ba 13 fOJIzione di unita di controllo del CRA Y·I. In fondo, un a1tro operatoresta caricando un nastm in un meceanisme ill. trascinameato. Gli armadietti in primo piano sono magazzin.i pe.tnastri. Questo caleolatore. si trova a1la Cray Research a Chippewa Falls nel Wisconsin.

106

II:,'II!IIIIIII!II _Ii,1 I

eesso potranno avere i dispositivi rnicroeIertronici di memorizzazione.

NelIa g~rarcbja di J?lemoriae di iD1~a- gazzinamentodl un calcolatore I'inforraazioneviene caricata in modo passivo ed estratta senaa variazioni. La CPU del caJcofatore opera invece in modo attivo scll'informazione, (Hi elementi nei quali avvengono le elaberazioni sono i eircuiti Iogici, che differiscono nettamente dai circuiti di memoria. In una memoria microelertronica ogni cella accoglie un bit di informazione. A un dato istante e richiesto I'accesso solo a una piccola frazione dei bit caricati nel sistema di memoria,il cui corretto funzionamento richiede quindi benpoca energia, L'energia occorrente ai circuiti ausiliari per serivere 0 leggere l'ioformazione viene erogata su richiesta da circuitiche sono esterni alIa matrice di eelle ill memoria. Nella CPU di un calcolatore inveee. tutti i circuiti logici sono in funzione con can tinuita: a un certo istante solo alcuni circuit! possono trovarsi nella fase dicommutazione, matutti gli altri forniscono un'uscita dipendente dall'ingresso ricevuto e devono essere pronti a cornmutare in qualsiasi momento in corrispondenza di una variazione di state dell'ingresso.

Un circuito logico e costituito i050- stanza da un carieo di impedenza re1ativamente alta (come un resistors) conaesso in serie con uno 0 piu dispositivi di commutazione, collegati fra low in parallelo. Ogni dispositive di commutazione offre un 'impedenza il cui valore e fUt)2;ione del livello della tensione d'ingresso. Quando Ia tenslone d'ingresso e alta, I'irnpedenza del dispositive di commutazione e relativarneme bassa e Ia correnre scorre attraverso il comrnutatore, ehe risalta quindi «chiuso». Quando la tensione d'ingressoE bassa, I'impedenza del dispositive di commutazione ,e in pratiea infinita e non vi scorre corrente: il tommatarore e quindi eaperto» ..

Un esempio tipicodi circuitologioo e jJ circuito «negative-or» (0 «nor»). Un normaleclrcuito.Iogico «nor» ha tre ingressi, tre disposinvi di commutazione (ciascunocollegato a uno degli ingressi) e un 'uscita, disposta fra il. carico e i tre dispositivi di corumutazioce collegati in parallelo, Un circuito «nor» viene iOCOTpotato in un insieme di cirealti, come un elaboratore, collegando la sua uscita all'ingressodi uno a pill circuiti. Se la tensione a uno qualsiasi degli ingressi del circuito logico e alta {corrisporrdente alia cifra bin aria 1), il relative commutatore e caiusoel'uscitasara bassa (eorrispondente alia cifta binaria 0). Se tutti gU ingressi deleircuito sono bassi (0), tutti.i dispositivi di commutazione sono sostanzialmente aperti e I'uscita sara alta (1). E possibile lwgettare 1a logica di turto ilcalcolatore Impiegando solo circuiti «nor».

Un circuito logico dissipa energia e presenta un ritardo piccolo rna significative, devuto aI fatto che l'uscita non pub rispondere Istantaneamente a un cambia~ento distato degliiogressi. Sia la quanti-

Questa ptastra logic.a del supercaloobtore CRAY·l e una delle 1056 piastre faeenri parte deU'nnifll centrale di ebboratiooe. OgJli plastra mlsura ~enlimetri 15~2 per 20,.3 e vipossono essere montati fiuo a. 288 circuiti inl.egrati sucbip,144 per fa~cia;su que-sta faceia ve ne sono 137. L'mtera CPU del CRA Y-1 e realizZata con sei soli tipi dl elemenli: qualtro diversi ciJ;cuitl Integrati (le gJYl.nd.i eustodie .b.iallche)e due tipi di resistori (i piccoli componenti neri),

tit di energia dissipata, sia la durata del ritardo dipendono dall'impedenza del dispositive di carico, Quanto maggiore e. l'impedenza del carico, tanto.rninore e Ia correnre e Ia conseguente dissipazione di energia, rna una corrente bassa.richiede un tempo piuInngo per aprire.e chiudere il commutatore, In effetti per qualsiasi progetto di circuito, il pradotto tra la patenzadissipata -e il ritardo di commutazione (ll prodotto potenza-ritardo) e 00-

stante in un campo abbastanza ample ed e necessaria operare una sceltain favoredi 'Una delle due caratteristiche positive.

11 pradotto potenza-ritardo dei circuiti logici e state rnigliorato in modo considerevole con l'intrcduzione dei dispositivi microelertronici. I dispositivi di dimensioni minori sono intrinsecamente pin veloci di quelli di dimensioni maggiori.lri un circuito lQgico-di piccole dimensionLi1 carico offerto a undispositivo ai cornmu-

NUMERO 01 CHII' LOGICI

276000

UNITA CENTRALE 01 ELABORAZIONE TEMPO DI CICLO DELLA CPU

12,5 NANOS_ECONDI

MEMORIA

0:: TECNOLOGIA

tr-C-A-P-A-C-IT-A~----------t--------------------------------,

ffi TEMPO DI CICLQ

-----------+~~~~~~~~~--------~

.~ TECNOLOGtA 'SEMICONDUTTORI BIPOLARI

rfr-...::....:_;_;:..::..:;-::..::....;_--------t-------------------------------_,

(3 CAPACnA FINO A 1; 046576 PAROLE 01 64 SIT

z

ff TEMPO 01 CIOLO 50 NANOSECOND!

;0.

DIMENSIONI DELLA CPU

DIAMElRa PELLA BASE rn 2,75

DIAM'ETRO DELLA PARTE CENTRALE m 1.S7 ALTEllA m1,98

ALTRI

PESO DELLA CPU

CHILOGRAMMI 4760

PREZla BASE Ol AOQUISTO DOLLARlSOOO 000

Questa fabella forni$ce aleuni dati'sta.tistici reljltivial ealeolatore CRA V-I. n tempedl cicIo della CPUe pad alla cadenza degli impllisi dell'orologio. D (RAY·l possiede una .sola. memoria sudiHvisa in 16 batterie fuu'lionanti in modo'wdipendente, cnisi PDQ aceedere In suceesstonea iate rv aIli di 12;5 nanosecondl, Iltempodl cidodi 50 .nanosecendi per Is memoria ~ il tempe occorrente per aecedere.a una paroladl Iafurmaziene da una hatteria; po.idle .11.' parole pOSSODO essere carieate ed estratte da batterie successive ml.lD quarto d'el tempo,. il tempo di cicIo ef£ettivo della memeriae di 12,5 nannseeondi .. n numero dei dlip all solo DO 'idea alfprossimativadella dimensione di un calculatore poiclu~ ogn! chlp puo "oDtcocre pocbi 0 molti circl!iti Io~~ei.

107·

tazione e pin basso e la corrente puc commutare piil rapidamente il carico minore, E interessante rilevare con esattezza quanto e migliorato il ritardo di commutazione con u progresso della teenologla circuitale. Alla meta degli anni cinquanta un grosse circuito logico a tubi elettronici aveva un ritardo di commutazione di un microseeondo (un milionesimo iii second 0). All'inizio degli anni .sessanta un cireuito stampatc di parecchi centimetri di Iato montato coo componen.ti discreti allo state solido aveva un ritardo tipico di commutazione di 100 nanosecondi (100 miliardesimi di secondo). Oggi un tipico amp logico a circuiti integrati, di dimensioni inferiori a 2,5 millimetti di Iato e destinate a un grande sistemadi calcolo, contiene da cinque a dieeicireuiti e ollie un ritardo medic di comnrutazione interiore a cinque nanosecondi. :E posaibilerealizzare circuiti logici ancbe piu veloci,

Neicircuiti logici a semieonduttore atmali vengono mati due tipi fondamentali iii dispositivi: i dispositivi bipolari e i dispositivi MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect translstor .. transistore metallo-ossido-semicon duttore a effetto di campo.: si veda I"articolo Gli elemen-

ti dei cireuiti microelettronici d.i James D. Meindl a pagina 70). ~ circuiti realizzati con dispositivi bipolari sono pin complicati dacostruire erichiedono una superficie maggiore sulehip, I dispositivi bipolari presentano perc una bassa impedenzae sono intrinsecamente pill veloci. Essi sonoirripiegati nella logica dei grandi calcolatori e oel buffer, dove interessano seprattutto alta velocitae buone prestazioni, Lcircuiti realizzati con dispositivi MOSFETsono pill semplici dit eostruire e pili compatri, rna sono relativamente lenti; il loro costoe Inferiere perche e possibile confezionarli COIl densira molto pill elevate. I dispositivi MOSPET vengono usati in.generalc nella memoria principale dei ca1colatorle nei microela bora tori, dove e premiaente I'interesse per il basso costa e dove sono accettabili prestazioni inferiori.

1: di:nmuzione del rit~do di c?mmuta~ -- Zl.onc dovuta all'introduzione del dispositivi microelenroniei si rifletre nellemigliorate prestazioni delle macchine di tu tte Ie dimensiorri per 1 'elaborazione dei dati. Per esempio il tempo di ciclo (il tempo riehiesto pereseguire un'operazione) di un sistema calcolatore della fascia alta e

sceso dai 150 nanosecondi all'ioizio degli aani sessanta ai 10 Q 20nanoseconm di. oggie per unmicroelaboratore si eridotto da eirca due nanosecond] nel 1971 a 0,5 nanosecondi 0 menno

Glielementi circuitali di dimensiont minori non banno solo un migliore prodotto potenza-ritardo, ma possono anche essere disposti in numero pi:u elevate su una data area iii chip. L'aumento del numero eli circuitisu un singolo chipe un modo pill efficiente di costruire i calcolatori: sononecessarimeno chip, le connessicni fra i cireuiti sul. chip sono pin corte e il.carico del sistema dovuto alle intereonnessioni fra i chip risulta rjdotto, Quando i circuiti pre senti su un chip devono piletare oircuiti montati .su un altro chip, i ritardi iii commntazione aumentano ..

Cio che limita le d.imensiooi dei sicgoli elementi circuital! e dei chipe il «rendimeo to» del processo produttivo, In primo luogo se si vuole che it chip sia di buena. qualita tutti i ssoi elementi, devono fun-

-zronare correttameate, Un solo difetto in un'areacriaca degrada un eircuito e rende il chip inutilizzabile. Un chip di grandi dimensioni puo avere piu di nn'area criticaequindi ,e piu probabile che presenti d.ifetti tali da degradare uneircuito,

L'IBM Syste:mJ370 modeUo 168,. cosumlo dalla Intemational Business MachiuesCorpol'atlon j) iI piilgrande ealeolamre della famiglia IBM 370. E progettatoper eseguire compUi di gnmdecomples.S'il'i! ad IIlta 'l'elocitll in campo sd.entifico ed econemiee. La sere di armadi !leI

108

fondo eontlene I'u.mlll c,entmiedi elaborazione, la memoria principalee· I'atimentazione. 0 banco can 10 schema del tuboa raggieatodld, la tastiera e lemanopnle e Ia console deIl'operatore.. La macchlna si treva nella. sedecemrale della. IBM a White Plains nelle stato diNew-York.

,-

QUesta piastra Iogtca del ealeolarore IBM 370/168 e una deJI.e eendnala ill piastre facenti parte dell'uDita centrale iii elahoraziene, Ogni plastra milIura cenfimetri 11,4 pel: 17 ,Se'su di essa sono montari circuiii integrati tte custodie quadrate argentee) ealtri compouean elettrm'lici.

In secondo luogo eslste.un limite pratico al numero di circuiti logici eterogenei ehe conviene disporre SD un singolo cbil# logico, Un chip eli memoria e una matriee regolare eli celle e di circuiti ausiliari. La funzione fondamentale eli tutti' i chip di memoria e la stessa.con semplici connessioni eli ingresso-uscita. Un particolare tipo di chip dimemoria viene ripetuto molre volte in uno stesso sistema e pub ancbe- essere utilizzato Delle memorie di altri sistemi di cal colo. Ne consegue che quel particolare tipo dl chip di memoria visne largamente impiegato e che quindi, il suo costo unitario e basso.

Nel casodi circuiti 1 ogiei , chesono ben piueterogenei.Ja situazione ~ ccrnpletamente diversa, Una particolare configurazione eli circuiti logiei pub essere presente ill una macehina una sola volta e pub non essere mai ripetuta in altre mac-

chine. La situazione peggiora con I'aumente dei circuiti disposti sul chip. Il risultato eche partioolsri tip'! dichip logici con circuiti eterogenei non sono ntilizzati in grandi quantita e quiDmche .Il costo unitario del chip e alto.

Inoltre, pill eircuiti logici eterogeneisi trovano sullo stesso chip, piu difficile ne diventa iI progetto. E un problema relativo non soloal progetto iniziale del chip, rna anche alle fasi successive di modifica 0 di eorrezione degli errori del.progetto iniziale. La riprogettazione of un chip Iogico a eircuiti eterogenei puo essere costosissima se il numero dei circuiti sui chipe molto grande, Perdi pill, aumentando i circuirl Iogici dispostisul chip" aumeatano Ie eonnessioni di ingresso-uscira, .rendendo pin difficile instalIare il chip, Percio l'aumento deicircuiti logicisuun chip non e indiscriminatamente auspicabile,

PREZZO BASE DI ACQUISTO

UNITANUMEHO 1800 20 000

CENTRALE 01 DICHIP lOGICI ' '

ELABORAZIONE TEMPO 01 CIClO CPU 480 NANOSECONDI 80 NANOSECONDI

Il:UJ TECNOlOGIA SEMICONOUTTOAI

BIPOLARI

~~------.------~--------------------+-~--~~~------~

~ CAPACTTA 3,2,768 BYTE

III TEMPO 01 OIClO 80 NANOSECONDI

IBM-370111S

MEMORIA

.~ rE~NOLOGIA MOSFH MOSFET

g:, ' FINO

U r-CA_PA_C_I_T_" __ -+ __ FI_N_O_A_'_39_3_2_'_6_B_YT_,_E_--+_A_,.;,.8..:.8.:...88.:...6__;_0:..:8..;B:..' "fT:__,;_:E::_' _--I _z

g: TEMPO 01 CIClO 480 NANOSECONDI 320 NANOSECONDI

DIMENSION!. DELLA CPU

LUNGHEZZA m 0,76 I liJNGHEZ,ZA m 3,96

PRQFONDITA m 1,52 i PROFONDITA m3,OS

AlTEZZA m 1,52 AlTEZZA ml',98

AU'RI

PESO DELLA C:PiJ

DO:LLARI 175000 DOlLARI 4500 000

CHILOGRAMMI816 CHILOGRAMMI2313

Questa tabel1a fomisce i dati datistid pri:ndpal_i sui m.embro pr~ piccolo ,(i1 mode]]o 115) e piii grande (iJ modeUo 168) delh famjglia ill caI,colalori IBM370.1II essa e messo in evidenz,3 il campo illcapa,cita ill_ calcolo giii oggi disponibile Del seUole dei calcolatorisia grand.i che piccoli.

110

'if

"II

- - .

Un ,progettista che sviluppa i 'circuiti logici per un calcolatore pub seeglierefra diversi modi alternativi di affrontare il problema.Tl primo e la progettazione adhoc (doe secondo una particolare specifica) e la disposiziorre singcla di ogni circuito sul chip in mododa raggiungere le prestazioni ottimali, La .realizzazione adhoc della logica di nn ealcolatore presenta tutti gli SY3+ltaggj. prima indieati, rna assicura le migliori prestazioni e 13 massirna densita dei circuiti, PUo anche offrire il costa rninore sec i singoli chip SODO in nurnero sufficiente per ammortizzare il coste ill progetto.

La seoonda solnzioae e Ia progettazione ad hoc ill ogni circuito e la sua disposi-, zione sui chip in una matrice regolare, come i quadrati di unaacaccaiera.insieme con le pisie di collegainento Ira i cireuiti. Si tratta di una.disposlzione che semplifica la difficolta dl progettare l'intero chip, pur conservando un certogradodi Ilessibifita per varie funzioni; si hanno minors densitae prestazioui minori perche icircuiti non possono essere piu organizzati nel modo, ehe sarebbe pin efficace per ogni singola funzione. Inoltre in generale solo una frazioae dei cireuiti disposti sui chip viene effettivamente usata,

Il terzo modo di risolvereil problema sta uel progertare ad hoc un certo numero di. piccole unit a -funzionali circuitali note come «macro». Tali unita possonoessere un addizionatore, un'unita di Iogica booleana 0 una pila ill registro. Si puo cosi comporre una «biblioteca s eli macro. La progettazione di un chip prevede.l'uso di uncerto.rrumero di macro collegatifra loro da una minima quantita ill Iogica su progetto parricolare.

La quarta seluzione sfrutta il fa tto che-e possibile facilitare il progetto eli chip Iogici facendo in modo cbe Ia logica assornsgli a una memoria. Com,unemente si usa una memoria a sola lettura.che differisce da una memoria a letrura/scrittura in quan to I'informazione viene scritta durante il processodi fabbricazione e non pub essere modificata. In una memoria del genere Ia sequenz'll di operazicni Jogiche viene Imrnagazzinata sorto.forma di configurazioni di bit inuna sequenza dieparole»; quando si accede alle parole, vengono decodificate le eonfigurazioni di, bired eseguite le.operazioni logiche; Per deeddificare e utilrzzare le configurazionidi bit e necessaria solo una piccola quan:tita_ di Iogica, La cella di memoria a sofa Iettura e piil piccola di una cella di memoria a lettuta/scritturae.nua e volatile. A un singe- 10 circnito Iogico corrispondono in genere da lOa 20 bit di memoria a sola iertura, La logica del chip puoessere cambiata semplicernente modificando Ia configurazione di bit della memoria a sola lettura; non sono richiesti neun mrovo progetto ne una nuova disposizione.

II quintoe ultimo modo di afirontare il problema del progetto di circuiti 10gicL e quello di eseguile le-Eunzioni logiche con un microelaboratore. n microelaboratore e l'altemativa meno effiCientein termini iii prestazioni e, eli densiUJ.,. rna anche la pin flessibile e phHacile da usare. Lesue fun-

D minicalcobtore PDP-ll modeDo 60, costrultn dafla DigibdEquipmenr Corporation e. fotografllto in lIDO dei laboratorl di prova della sodetll II MarIboulOUgh nel Mas.sachusetts, e1lDo deimemb.ridi dimeDslonl medle della finrrigliadi calc.olatoti PDP,-l1. Esso e. eo5tituito da

ua'unitaeeatrele IIi elaborazioDe (ilpannello di controilo 01 centro ddf'anruuJiopiagrande),. da uDitA a dischi.di..sposteaisuoi latl e da una eonsole pet l'operalore (rasliera in primo' pl.anoJ .. Vopelattice ha in .mano un eontenitore per disco; I"ope.ratore osserva lID osciUoscopio.

Quellta piastra log;ica del mioicalcoLaI.ore PDP-HUiO e !IDa delle sei plastreeheeempongonn J'lmifil'i!(lotrale di eIaborazione (CPU). La

piastra. mlsura centimetri 21.,6 per 39,4 econtleue 107 circuiti infegno (oomprese due memorie a sola lertnra) e alcnni. componentiwcreti.

112

zioni possonoessere cambiate in modo semplice mediante riprogrammazione, Lostesso chip puc. eseguire molre funzioni differenti,e quindi preseatein quantita elevate ed e relativamente poco costoso. Un singolo chip microelaboratorecosta oggi solo da 10 a 20 dollari.

T a versalita e la convenieaza del microeL laboratore hanno alterato I'intera architertura dei moderni sistemi calcolatori. L'elaborazione dell'informazione non e piu eseguita solo nell'unita centrale di elaborazione, Vie oggi una tendenza a distribp.:ire una parte sernpre maggiore della. capacita di elaborazione in turto il sistema di calcolo, con variearee che dispongono di un piccolo elaboratore locale peresegnire operazioni in quell'area.

Per esempio un porto d'ingresso-uscita puo disporre di un .governo per regolare il flusso di informazioni ohe-l'attraversa, A volte il governo puo accettare i cornandi -dalla CPU e restitnire segnali per coordinare Ie proprieoperazioni con quelle del resto del sistema; altre volte il governo puo operare hi modo indipendente dalla CPU. Un -altro esempio di elaboratore locale e cioche viene di solito chiamato un terminale intelligente, Tramite it terminale un operatore ecoUegato con il calcolarote e De divide nel tempo Ie prestazioni con altri operatori, All'inizio i terminali erano «stupidi» nel sense che rnviavano semplicemente ingressi .dall '0- peratore verso I'unita centrale.di elaborazione e presentavano Ie uscite su uno schermo. Oggi un numero crescente di terminali e «iritelligente», e cioe capace di eseguire.una parte preliminare e indipendente dl elaborazicne sull'ingresso immesso dall'operatore prima dicomunicare con l'unita centrale ill elaborazione.

Attualmente in m~Iti sis.!emi di calcclo. ~ numerose unita di elaborazione SODO collegate insieme per formate una rete ad architettura distribuira. n tipo di rete del genere piucomune e costituita da aleurii minicalcolatori, pur potendo esservi Incorporati grandi calcolatori e miccocalcolatori. Lporti d'ingresso/uscita e Ie apparecohlature per la trasrnissione dei dati sono considerati .parte attiva della' rete solo se capaci di elaborate informa.ziorii. Par:ti dei compiti vengonoripartite fra glieIementi della rete, Qgnielemento lavora in modo indipendenteper alcuni intervalli di tempo, comunicando quando neeessario con altri elementi,

L'architettura distribuita presenta un certo numero di vantaggi, Anzitutto, poichemolti elementi del.calcolatore posseno lavorarecontemporaneamente Sl;! differel1ti patti dello stesso compito.llJav9- ro pub essete esegtii fo in tempi Pili brevi. Poi, i1\1 caso dj.cattivo fUllzionamento di un elemento 'della rete, il suo cariCo di Lavoro pub essere ripartito fra diversi aItri e1ementi e quindi l'intera retee relativame:nte.esenteda avarie.lnfine La rete pub eSSeIe tanto piccola da esseIe oontenuta all'interno eli un laboratorio a di unedificio, oppure puo essete installata su una vasta area, come per esempio in varje fi-

e diminuito i costi delle-macchine per I'elaborazione dei dati. Questi progressi continueranno in futuro, malgradosi possa prevedere che, con il passare del tempo.Ja rapidita delprogresso diminuira. E poiche continua a diventare piu velocee pin economica, l'elaborazione, dei dati al calcola tore con tinuera sernpre pin a inserirsi nelle attivita della vita quotidiana.

.PDP-l1/03 P.DP-l1!70
UNITA NUMERO 4 6.00
CENTRALE Di DI1)HIP LOGltr
ELABORAZIONE TEM PO 01 CleLO CPtJ 3,5 MICROSEGONDI 300 NANOSECONDI
II: TECNOLOGIA - SEMICONDUTIORI
IJJ S'IPOLARI
u,
u, CAPACITA - .2048 BYTE
f8 TEMPQ 01 CleLO .240' NANOSECONDI
MEMORIA ·W TECNOLOGIA NO,CLEI 0 MOSFH NUCLEI -
....I
« FINO
0- CAPACITA FINQA 57344 BYTE
e A 4,096 ceo BYTE
z NUCLEI: 1,15 MICROSECONDI
ii: TEMPO.DI CICLO MOSF''ET: 750 NANOSECOND I 1.26 MIOROSECONDI'
0..
DIMENSIONI LUNGHEZZ~ em 48,2 Ll(NGHEZZA ein:S3,3
DELLA CPU PROFONDITA cm'34,2 PROFONDITA em 78,7
AL TEZZA em 8,9 AL TEZZA. em ;1'82,9
ALTRI PESO DI:LLA CPU CHILOGRAMMl16 CHTLOGRAMMI2.27
PREZZO BASE DOLLARI2000 DOLLARI 63 000
bl,ACQUISTO QIle~ia tabella fOl'll.isce ahiuni dati statistid sui membri pili piccolo (i1 modello 03) e Hiu grande (ll modello 70) della famiglia deimhdcalcolatori PDP-no Il PDP-UJ70 pub essere cousiderato nn piccolo, caleolatore dalle elevate prestazlonl e possiede una memoria di transire ad alta veloeita, Questo e il modello PDP·U/60 SODO i soli membri della fllmiglJa PDp·ll con due memorie.

lialidi una banca, La facilita 0 la difficolta con cui ogn:ielemento puo cornunicare con un altro infl uisce sulla quantita dl datimanipolabili prima di essere jrasmessi sulla rete, Uno dei principali ostacoli che si presentano nella progettazione 01 un efficientesistema ad. architettura distribuita e .la difficoltainsita nella scrivereil software del sistema, che deve mettere i vari elementi della rete in grade di operare e interagire con huon rendrmento.

. I sisterni ad architettura distribuita possonoessere organizzati in diversi modi. Un grande sistema di questo tipo puo essere organizzato secondo una struttura .geratcbica. In eima alla gerarchia si trova un grossocalcolatore che comunica conle units di elaborazione delia rete .a livello secondario, le quali a loro volta possonc .eomunicare con .altre unita di elaborazione a Iivello terziario e cost via. In una gerarchia pura gli elaboratoria un certo livello 'non possonocomunicare 'direttamente fra Ioro, rna le ccmunicazioni devono essere instradate attraverso il livello gerarchico sup eri ere.

In alternative un sisternaad architettnfa distribuita pub essere organizzato in una struttura paritetica, doe in una. struttura.in cui tutti i calcolatori si trovano allo, stesso livello e possono comunicare ,ITa, lora in condizioni di parita, Salvo che per reti molto piccole accade tuttavia di rado che ogni elemento della rete.possa comunicare 'can tutti .gllaltrt.E invece possibile eombinare la struttura gerarehica, can quella paritetrca, in un -sistema Ibrido nel qualeI'unita di elaborazione 'di un certo live,lIo possa comunicare C0n un'altra unrta: dt eIaboraziotte e con queHe del fivello immediatamente superiore.

T a microelettronica e Felaborazione dei L dati sono streHamente connesse, Le apparecchiature per I"elabo,ra:;;ione def dati, dalla pili grande alla pilipici;ola, sono costruite Con dispositivi mic.welettronki'. I progressi nei dispositivi microelettronici hanno migliorato Ie pre;.stazioni

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Lamicroelettronica nella strumentazione e nel controllo

microelettronici possono verso Ia

Apparecchi di mtsura dotati di dispositivi anche analizzare Ie misurazioni effettuate: un nuovo passo comp/eta automazione dei processi industriali e del macchinario

Lci.enza. e l~tecnologJ.·il. dipe?,. ~o.no in .... egual rmsura dalla possibilita di

misurare una enorme "arleta di fenorneai che i semi umani da soli non sanno misurare can precisione e che in molti casi non hanna nemmeno la facolta eli pereepire. Senza strumenti per eseguire tali misurazioni non possono essere effettuate analisiefficaci e previsioni; senza dispositivi sensibili aile Ietture degli strumenti non puo avere luogo it control- 10 automatico. Oggi comincia a emergere una nueva generazione di ·potenti strumenti di tnisurae di dispositivi di control- 10, Ie cui elevate prestazioaisono in Iarga misura il risultato dell'inserzione, quale parte integrante dello strumento 0 del dispositive dicontrollo, di un microelaboratore e ill memorie digitali.

II principio alla base di ogni sistema di controlloe costituito dal circnito ill retroazione, Un esempio classico e il termostate domestico, in cui il circuito e formato da unacaldaia, dall'aria della casa, da un ssnsore della temperatura dell'aria e da un regolatore per il bruciatore della caldaia. Quando 1a temperatura dell'aria cade al di sotto, oppure supera, un valore predeterminato, .il sensore rimandaquesta informazione al regolatoreche apre 0 chiude j'acceQ,Slone della caldaia. n sensore e in effetti uno strumento di misura. In realtaper la rnaggior parte gli strumenti di misura possono essere oonsiderati parte di uncircuito di retroazione, in quanto Ie rnisurazioni cheessi compiono sono di guida per Ie azioni che devono rnodificare convenientemente Ie quantita misurate. Molte rnisurazioni non. sono sempliei da esegJ.lire ne daintegrare in un circuito di cOlltrollo a retroaiione. E in questi easi che, i nuovi strumenti di misura ·basati Sil dispositivimicroeIettmnici quaIi imicroelaboralOri sono entratiin campo.

Per apprezza.re quanto profondamente la tecnologia delle misurazioni sia cambiata negli ultimi qnattro deceom vediamo come eIa un grande laboratorio por 10

114

eli Bernard M .. Oliver

sviluppo delle comnnicaziurri alia meta degli anni trenta .. Si sta provando un nuove ripeti tore , 0 amplificatore, per Ie linee di una rete radiotelefonica, Le sue caratteristiche ill amplificazione-devono essere misurate su tutta la gamma di frequenze della musica e della. parola.

n segnale di provae generate da un oscillatore acoordabilee I'uscita del ripetitore e misurata da uno strumento !I. termoooppia. La potenza di uscita dell'oscillatore varia con la frequenza e deve venire rnanuelmente ristabilita, per ogni nuo~ va frequenza, alvalore desiderate come si Iegge sullo strumeato a termocoppia, Dopo ogni ristabilizzazione l'uscita dell'oscillatore e mandataal ripetitore attraversa unattenuatore calibrate e l'uscita del ripetitore in prova e Ietta sullo stesso strumento a termocoppia. Suceessivamente I'attenuatore viene regolaeo ridu~ cendo l'entrata dall'oscilfatore fino ache la perdita dell'attenuatore annulla 11 guadagno del ripetito.re e la lettura della termacoppia e la stessa della misura prece-dente. La Iettura dell'attenuatore da il valore dell'amplificazioae del ripetitore in corrispondenza a quella specifics frequenza.

La prova continua. Ogni nueva regolazione di frequeaza dell'oscillatore deve essere Ietta su un diagramma di taratura, La posizionee 1a Iettura corrispondente dell'attenuatore devono venire annotate su un taccuino, Nel pomeriggio i risultati saranno riportati in un diagramma ed esaminati per vedere se sorgono problemi per la risposta di frequenza. In oasonegativo il gioraodopo sara dedicatoad altre prove del ripetitore., questa volta per la di.storsiooe di annoniche in ra:pporto alIa frequenza.

Come efiettueremmo oggi la prava deIio stesso ripetitore? II venerabile dispasi:tivo sopradescritto non esiste pill e i cavi di un dispositivo auto matico ill prova ven_gono collegati ~i morsetli di entrata

e di uscita del ripetitore. Lc condizionidi prova vengono dattilografate su di una consoleeun taste ~RUN» viene-abbassato, In dieci secondi un tenninale video presenta nngrafieo ehe riporta il guadagno del ripetitore per l'intera gamma di frequenze . Abbassando un altro taste cambia il grafico, che ora presents la distorsione in funzione della frequenza, Nessuna maaopola e stata girata e nesseno strumento e state letto, rna il risultato del Iavoro ill duegiomi sui dati rilevati e stato ora ottenuto in. pochi.seeondi, In quattro decenni il progresso verificatosi nelle prestazioaidella strumentazione e state pari a quello dei mezzi di trasporto nel.passaggio dallecarrozze ottocentesche agli aerei a reazione,

:e opportuno accennare a qualcuna delle pietre mfliari che hanno segnato 10 sviluppo della. strumentazione dagli anni trenta a oggi, perche senza di esse il microelaboratore nonavrebbe pernio avert': un ruolo efficace negli stmmenri. La prima pietra miliare tu la stabilizzazione negil strumenti deicircuiti analogici. Con l'applicazione dei circuiti di controllo automatico di guadagna agli oscillatorie della controreazioneagli amplificatori fu resa possibile la costruzione di genera tori di segnali e di voltmetri con uscita e sensibilita costanti in un'ampia gamma di frequenze. Non fu piuneoessario l'uso di un metodo di sostituzione 0 della regolazione degli attenuatori per ogni lettura; bastava inveee rnotare una manopola sulla gradnazione di ogni nueva frequenza e la variazione, di amplificazione poteva essere leua direttameilte.

La tecnologiaillgitale,ehe era stat a svi]uppata nei calcolatori, ebbe la sua prima applicazione nei contatori ill frequenza digitali. I ·precedeoti oietoill di mistirazione dellafrequenza richiedevano un largo impiego di tempo; un cotttatbre dig:i.tale di frequenza presentava la risposta ill una fraziane di secondo e in una forma nwne~ rica ill facilee immediaia lettura. Le mi-

sure di frequenza divennero subito Ie pin rapide e accurate fra tutte le misaraziorri elertriche, Ne segul una immediate domanda per l'adoziooe di indicatori digitali

sualrri strumenti e ben presto Ie presentazioni aoalogiche furono sostituite da quadranri digitali.

La sostimzione di lndicatori analogici

con queIli digitali porta in generals a minori errori nella Ietturafatta dagli operatori. E, fatto ancorapiu import ante, permetre di realizzare strurnenti che possono

QuCSto misuratore digitaJe, di ·semplidtll non eomune, presenta istanta"Deameale in forma nnmerica U valore di qualooque seguale auwogjco di .ingreslio rlcevuro souo ferma di tensicne o,di corrente, ((!JaU per esempjol se.gnali:provenLenti da untrasduttore, Le precedenrl generazionldl misuratori digitaJi lncotporavann 10 volte 'pin. oomponenti rispetto :ai 15 contennti Inquesto pannello metrleo tlpo AD202·6 1)0-

stt'l!ito dalla Analog Devices lnc. di Norwoo~., Massachusetts. La mag. giOI parte del eompcnentiazkma t diod! II emissione di luce del visnaliz· lat.ole (in alto). One aIm IlOmponentisono contrum di ingre-Sso e UIIn e uncondensatore di iolegrazio!le. eifel! 120 componend d.e.i primi misuratmi sonosostittliti"qm da nn chip (ill basso )-a in fegJaiione. su lar. gI! scala deltipo OOD logiC) lntegrata audezionedl corrente (FL) ..

115

essere lett! rapidamente, senza fatica e totalmente.senza errori da parte dei calcolatori, I calcolatori eraao gia in uso per registrare i risultati di prove molte costese e di tipo singolo quali un 'esplosione nucleareo il lancio di un missile. Con l'aiuto di dispositivi che convertivano i segnali aaalogiei in quelli.digitali i ealcolatori immagazzinavano l'uscita di eentiriaia di strumeati contemporaneamente, conseatendo ai collandatori ill vederee rivedere lemisure diprova a lora comodo. Ouesti primi impianti controllati dal calcolatore sono stati i precursori dei sistemi automatici dj misurazione attualmente in usc.

Gli strumen:ti a uscita digitate portarono avanti di un passo i sistenri automatici di rnlsura, II passo successive fu compiuto WD 10 sviluppo degli strumenti a ingresso

digitale: strumenti che vengorio regolati numericamente e possono quindi essere. conrrollati dal calcolatore, n contatore fu aceoppiato al sintetizzatore di frequenze, il voltmetro digitale can I'alimentatore a regolazione digitale, Le sorgenti di segnaIi a passi singoli divennerocontrollabili dal calcolatore e insieme a strumenti leggibilj dal calcolatore formarono Ie basi pel' un'ampi:a variets di sistemi di misura automatici.

Tali sistemi hanno aumentato la ve1ocita. delle misurazioni elettronichedi uno 0 due ordini di grandezza e hanno migliorato laprecisione delle misure riello stesso grado. Essi sono particolarmente vantaggiosi per ilcollaudo dei prodotti di manifatture ave la routine di prove sovente complesse deve essere ripetuta piae -piu_ volts e dove !lOD si presenta di frequen-

REG DIG

DECODIFICATORE
A LOGICA
TRANSISTORE
TRANSISTORE


l INDICATORE I I INDICATORE I INOICATORE I
ADI0DI ADIODI ADIODI
AEMISSTONE A EMISSIONE AEMISSIONE
01 LUCE 01 LUCE 01 LUCE
m.ATORE B B B
UADAGNJ? I ~J -



RIFERIMENTO
ALCINTERVALlO·
018;ANOA
CATENA CIRGUITO
DlVlSOAIA ,COMPLEMENTARE
'I' 'I'
,
lit
SORGENTE 01
ALiMENTAZIONE
01 RIFERIMENTO I
OROlOGIO MUL TI:PLEXER
'1\ I
'RESSO [>-{ ,


TENSIONE Al LOGICAOI CO NTATORE
CONVERTITORE CONTROllO
+
COMPARATORE
NDENSATORE- - ING

co DlINTEGRAZIONET

La clrcnlteriadi un mlsuratoredlgitale .eomprende gli clementi dup PL, entre Parea ill colore, e 14componenti uUeriorl, per Ia maggiot parte zelativi al quadrante numerico (in alto),

116

te Ia necessita di una riprograramazlone,

I sistemi.di prova autornatici presentano molii vantaggi oltre a quello di sollevare gli operai da eompiti rnonotoni. Il sistema automatico puo compensare per suo couto gli errori sistematici di misura eseguendo rnisurazioni su dt un riferimento standard _e immagazzinando in memoria la differen:za fra queste rnisure e ivalori noti._Le differenze, che rappresentano gli errori, possono allora venire sottratte quando un oggetto sulla linea di produzione e misurato. Il .risultato e una riduzione da_ died acento volte del Iivello dell'errore di: rnisura.

Per ottenere una nuova Iettura da un sistema di misura automatico non oceorre attendere piira lungo del tempo aecessario per la stabilizzazione del dispositivoe degli.strumenri associati, Tale tempo puo essere solamente di millisecondi 0 di microsecondi, un tempo .inferiore di diversi ordini di grandezzadi quello che impiegherebbe un uomo, n calcolatore metre in azione Il sistema migliaia di volte pill rapidamente di quanro possa farlo un essere umano e corrispondentemente 51 ottiene un maggior numero di dati all'ora dalle apparecchiature di prova:

n sistema automaticoe inoltre in grade di eompiere una elaborazione dei dati. Fra Ie migliaia di misurazioni eseguite ogni minute, soltanto quelle cbe mostrano-qualche anomalia devonoessere presentate al tecnico di oonrrollo, complete aache dell'informazione relativa alj'erroreo J dati di prova sulle diverse linee di prodnzione possono venire immagazzinati per ulteriori indagini, rivisti pezzo per pezzo e anal'zzati statisticarnente per determinare sei procesai di produzione sono sotto controllo,

I sistemi automatici, a differenza degli uomlni, non aggiustano il dato, non compiono errori nel registrarlo ne si stancano od omettono prove. Qualunque prova il programma. speeifichi, essa verdi eseguita in-dipendent_eIi:tente dall'ora delgiorno 0 dal giomo della settimana; nessuna sollecitazione da parte della sede centrale di spedire le merci per una certa data puo com prom ettere.il compito di controllo del

calcolatore. -

Cosa succede, 1.!-na volta . compi.uro il passe SUCceSSIVO, quando ogm strumente incorpora il. proprio calcolatore sotto forma di, un microelaboratore? Drventano possibili moltisslme.nuovecapaeitae modalita di prestazioni; cib di cui ora disponiamo e una. strumentazione «inteIligente». Per eomprendere cio che tali strumenti, intelligenti possono fare consideriamo a1cuni esempi specifici,

Paragoniamo un anahzzatore di spettro tradizionale con un analizzatore «intelligente: . Un analizzatore spettrale misura 121 potenza di un segnale come funzione della frequenza su una definite porzione delle spettro di frequeaze, Essenzialmente si tratta di on ricevitore a banda stretta che esplora ripetutamenre uria parte selezion ate. delle .spettro e presenta ogni seguale che riceve come un piece con altezza prop or-lion ale alia potenza del segnale.

Questo smrmento ropograflco «intelligente" comblna Ie misure aagolar] del teodolite 'coo Ie millure di dlstanzaettenute per elaborazlone mlcroelettrontca delle onde riflesse della luce Laser. Un microelaboratore neilo strumento presenta Ie Ietture di. aztmut e elevazione in gradi, mh!Uti e secendi di areo. Un sensors intemo rlvelatunigll errorl di livellazione e corregge JeIetture angolari. NeUe' ruisure di di!ilanze fino a cinque chil.ometri 11 microel.abot,atore,conver. re Ie letmre di in clinazi one dell "a.n golo nelle loro componenti oriuonlale e vertleale effertuando correzlnni dovute alla curvatura della Terra. Lo strumenroe 10 Hewlett-Packard 3820.A.

n contenkore aperto melle in vlsta unaparte dei circuIti del 382o.A.lanesla.to iJl_ DOll memoria II ,stalo so.lido iI topografo _pnoregistrare Ie osservazioni' sui terrenoeffettuate in UDagiomalll per trasferi:rle' .agli uffici centralidirelfam ente 0 per telefe no. A loio vol fa i dati immagllzzinati nel calcolatore pcssone essere comunleatl II un tracclatore ehe automadcameute trasfor.merlt Ie osservazlonf fatte .in inteFe gioIDlite di lavoro sui terrene in una mappa topogrllflca standard.

118

Se Ia velocita eli esplorazione e troppo elevata il ricevitere non puo rispondere pienamente ai segnali che esso rivela; se la velocjta di esplorazione e treppe bassa 1a visualizzazione paoessere mterminente, pub presenzare sfarfallamento e variazioni nel segnale possono venire saltate.

Per ottenere la masssna velocita di ripetizione possibile senza sacrificare Il,e I'accaratezza della rappresentazione ne 11 dettaglio, biscgna ottimizzare tre fattori interdipendenti: l'ampiezza delle spertro scelto, la risoluzicne entre 10 spettro e la velecita diesplorazione. Quando non si disponeva di dispositivi microelettronici, il compito delllettimizzazicne veniva lasciato ail'operatoree sotamente una persona attenta e ben.addestrate.ere in grade di raggiungererisnltati sufficientemeate precisie completi.

Negli analizzatori odiemi il rnicroelaboratore regola automaticamente Ia riseIuzione spettrale in mode da presen tare tanti dettagli quantl.possono essere visualizzati e perclo sceglie la pill: alta velocita ill escursione che permetta una risposta complera e accurate per ogni segnale rilevato .. Persinoquando la velocita di escursione e rnolto bassa.I'Indlcatore.nou oscilIera; il segnale vena immagazzinatonella memoria digitale e presentato all'operatore 60 volte aI seconde. n microeleboratore invia al visualizzatore non soltanto i singoli picchi, di segnale rna anche altri dati pertinenti: il tempe ill esplorazione, I'ampiezza di banda del ricevitore.T'arco delle spettro, I'iniensita del segnale e le ·frequem:e massima, minima e.eentrale del segnale .. Potografie di controllo del visuaIizzatore rendono possibiie la registrazione dell'intero andamento in qualunque memento. Invece di dover Iottare contro gli inconvenienti di un analizzatore convenzionale, l'operatore si serite attivamente aiutato, J conttolli risultano semplificati e intere .registrazioni possono essere 'immagazzinate odie memorie per venire.piu tardl richiarnate.qualora cccorra .ripetere le rnisurazioni.

U· n secondo esempio riguarda la cornbinazione di due strumentiper l'analisi chimica: i1 gascromatografo e 10 spettrometro di .massa, Quando un campione di composiiione igneta passaattraVerso lacolonna di un gascrornatografo ciascun componente del campione viaggia con una propria velocita caratteristica, cost che due componenti raramente raggiungono Ia fine della colonna nella stesso tempo. L' arrive di ciascun componente al termine della colonnae rilevato in uno dei diversi modi possibflie viene quantitativamente registrato come un picco su una striscia di carta, n graficoche De risultae il t;TOmatogramma.Peresempio., una gocdadi benzina produrra un cromatogramma can un piece differente per ciascun idrocarburo presente. II chimico pub aflora determinare, la percentuale dl ciascun idroearburo presente nel eampione cal coland 0 per in tegrazione I'area scttesa a ciascun piece, doe con un procedimento Iaborioso.

Le procedure per la gascromatografia

n sistema di controllo.di nn.motere di,alltomobili lneorpera nn mleroelaboratore per Integrare [e letture ill sei srrumentl sensori e dererminare il tempo ottimo diaecensione. per uu'a,mpia gamma di, vclocllil e ill

SENSORE DIINGRESSO

INGRESSO

t

TEMPERATURA AMBIENTALE

POSIZIONE DELLA FARFALLA E GRADO DI CAMBIA MENTO DELLA SUA POSIZIONE

POSIZIONE DELL'ALBERO

DEPRESSIONE

NEL CONDOTTO 01 IMMISSIONE

TEMPERATURA DEL UQUIDO OJ: RAFFREDDAMENTO DEL MOTORE .

TEMPERATURA DELL'ARIA ASPIRATA

I sensori cbeappaiono nel disegno fornisco.no alia rete dicontroUodi un motore Chrysler I seguenti dati: temperamra ambienlale, temperatura deWaria in entrata, tern pera tara del Jj,quido di raffreddamen to del motore, grado di depressiene deleollenoredlaltmentaelone, posizio,

120

carieo, .Il !ii:;tema dt-contrello, m corso di sriluppn presse [a Chrysler Corporation, usa ua mleroelaboratore prodotto daDa RCA Corporadon. Particolari de! controUo sono mostrati neU'iUustrazione in basso,

ATTIVATOHE 01 USCITA

INTEGRAZIONE DEI DATI

D1STRIBUTORE

USCITA MICROELABORATOREI---......:.~------:,,___- .....

.------1 ' (SEGNALI 01 FASATURA

. DELLE SCINTILLE)

ne deU'a1bero motore, posizione della val vola a farfQ)]a, Le migliori ·prestazioni delmomre, tenendo no ·rappo.rtocombustibile .. ariacbe minimizzi I'inqmnamento, illpendoDo dalla selezione deU'istaole otnmale di accensi 0 I] e in ra pp otto alle varia.biLi rilevate dai ~ensori,

sono state lese molto pin veloci po chi anni or 'sono converrendo I'uscita di un rilevatore della formaanalogicaa quella digitale -e immagazzinando il eromatogramma nella memoria eli uncalcolatore: l'area di ciascun picco PUQ allora essere integrata numericamente, can l'aiuto di unadatto algorinne del calcolatore che segna I'inizio e..Ia fine di ciascun piece, Oggi, can i micrcelaboratori.ognicromatografo puo essere un autonomo strurnento quantitativa. con la propria calibrazione interna, fornito di propriprogrammi.di prova automatica e del proprio.integratene interne.

Nelle spettrografo .di massa un campione di cornposizione ignota e iniettato in un recipientea vuoto e ionizzato da una corrente di elettroni. Gli ioni di mass a _ diversa vengono separati secondo IT rapporto fra masse e carica elettricae il.risultate viene registrato come una serie 'di picchi separati analoghi ai picchi di un eromatogramma. Questi spejtri a molti picchi rappresentanouna serie di «firOle», univocamente caratteristiche eli elementi e composti singoli. Biblioteche difirme sono state cornpilate per aiutare l'identificazione di campion! di cornposi zione ignota. Il difetto del sistema ~ ehe con una miscela di cornposti gli spettri si sDvrappongonbe l'identificazione degli spettri cornpcn e1f!! diventa molto diffieile e incerta,

In antitesi, ogni pieco del crornatogramma quasi sempre rappresenta una sostanza singolae cost e sorta l'idea di abbinare.idue strumenti. n cromatografo separera il campione tgnoto nei suoi costituenti e 10 spettrometro ill mass a potra allora identificare singolarmente ciascun eomponente,

Questa combinazione costituisce un potente-strurnehto aaalitico. Esse eanche un .sistema complicate cue necessita di correzioni e ealibrazioni giornaliere Per eompensare la derive- dovuta alla contaminazione dei campioni preeedenti. Quando 10 strumento combinate e posto sotto 11 'controllo del microelaboratore, nOD soltan to il compito della calibrazione e .ridotto da orea rninuti eilcompito del controllo della deriva e grandernente sempIifi<;:ato, rna moltissimi campion! possono venireanalizzati in rnaniera automatica.

L.G spettrornetro di massa puo venire preordinato p~r generare spettri per ogni piece del cromatogramma oppure per analizzare -soltanto quegli spettri one sottostanno a criteri predetetminati. L'apparecehiatura comhinatapuo lavorare nottetempovproducendo cromatogrammi in successione e eontrollando iIoro.spettri di massa con Ie «firme» immagazzinate -- in memoria, Se COSI preordinata, essapersino istampera oppure, immagazzinera in memoria', per ciascuno spettro, Ie -dieci firme che pili vi si avvicinano, e che verranno eontrollate dall'operatore nella rnattinata successiva.Onesto rappresenta una automazione quasi complera di un tipo di chimica analitica molto sofisticata, quale plio essere.quella necessaria per.riIevare quantita in traccia di qualsiasi eosa

La maeehina utensilea contrelln numerico, rv isibile in prano piano, e programmablle COD calcolatore, In secondo p'iaDo si trovano la tastlera e Ia memoria; 1 programmi per i .van.compiti so no, lnserttl e _ric.hi.amati quando necessario. Vi.$to aU'oper!! alla Wilsey Tocl Company, Ine., di Quakertown, Pa., questa ntenslle esegue ,tIna .lavorazione a scarica e1ettriCa; .I'ele"tko.do e nnfdo mobile. La. macehina e costruita daDa Andrew Engineering di Hopkins, Minn.

Un'operaztone riplea per una macehina a searles elefuica a filo mobile e ill,aglio dei denti di un ingran.aggio; in questa case i denti SODa nena superliCie.intema dena raeta dentara .. Per Ii! .maggior parte .dei tipi di ,agUa intemo, 11 filo deve esserfatto passare mauualmente entro una cnita di guida. Dopo questanperazlone, l'appaoocchiatura non rlchiede alcuna -supervisione: programmata per una lenta e complessa serie di tagli, puo funziOQlIJ~e senza sorveglia.nza. persessanta ore.

121

dai narcoricl nell'urina ai con taminanti in una bibita. Tutto quello che si richiede per questa. tipo di automazione e l'adozione di micrcelaboratori e di memorie appropriati.

Per decennie stata pronosncata come immmente la fahbriea autornatizzata, rna-fino a oggi essa non e stata ancora realizzata. La ragione di base stanel Iano cbe tale automazione coinvolge molti piu problemi che non 10. sviluppo delle macd;rine sequenziali, Essa richiede eongegni 'd] retroazione cbe.rilevirro.le.anomalle.del sistema, Ie analizzinoed effetsuino quindi Ie appropriate azioni correnive .. Nel film Tempi modemi Charlie Chaplin mentre e al lavoro rieeve la colazione da un automa che agisce disponendo il cibo ovunque fuorche dove SI trova Ia bocca' di Charlie. Tnfatti egli era un po' piccolo 'per Ia macchina,e questa non si poteva adattare .. In un grande p-rocesSQ produttivo migliaia.di cose possorioandar male e cornpromettere irrimediabilmente un sistema che non abbla la capacita di adartatsi.

Occorrera molto tempo prima che Ia

.maggior parte dei proeessi prcduttivi possa venire automatizzata effettivamente, ill ogni modo, come si sono realizzate macchine piu «in telligenti» cosrpossiamo aspettarci che esse possano facfronte con successo a una gamma sempre pHI v asra di problemi, Un buon esempio e fornito dai sernafori peer La: regolazione del traffico. I semafori autcmatici erano semplicementee sequenzialijessi erano fissi nella 10m cadenza: e in dip end enti 1 'uno dall'altro.l! flusso del traffico venae regolato malta meglio quando.rnolti anni fa si giunse alla sincronizzazione del sistemae anchealla variazione della temporizzazione per accordarsi alle variazioni della corrente del traffico come' avviene durante Ie are di punta. Cio nonostante i flussi .anornali di traffico locale richiedevano interventi manuali,

I semafori oggigiorno possono essere fatti in: modo che rilevino e contino il numero di autorncbilr.nelle prin cip ali COIren ti di traffice e persino i1 concentrarsi di verture.aelle strade secondarie di aocesso aquelle principali, Essi possonovenire program mati per regolare Ia cadenza in

modo da maatenere in condizioni ottimali il flusso del traffico; un con trolloadatrabiIe di questa tipo rappresenta un compito ban ale per un microelaboratore, Irioltre, una volta the il microelaboratore ,e sta to incorporate nel semaforo esse semplifica .le comunicazioni con un comrollore centrale. Quando i sernefori vintelligenti» saranno ovunque, e saranno collegati a un centro di controllo, i vigili agli incroci diventeranno solo un ricordo,

Un'evoluzione molto simile puo essere riseontrata. per Le macchine utensili. Dispositivi quali i torni a revolver e i torni automatiei per viteria hanna eseguite operazioni sequenziali complesse per Iungo tempo .. n «programma» faceva parte deU'hardware; eamme e arpionismi rendevano sequenziale la rnacchina uterisile attraverso una scrie dl passi atti a Iavorare un pezzo particolare. Tuttavia la varieta delle sequenze.-era necessariamente limitara e il costa di nuovi prograrnmi di hardware era elevate.

Nei primi anni sessanta lemacchine utensili a controllo numerieo fecero la 101;0 apparizione; macchine aceoppiate a

La colatacontinna di Iastroatd'acciaie richiedeul;! complesso -pro· gramma autumaticodi raffiedilamento con l'acqua .. Questa macehina e la fonditrice a raggio costantea barra continua della Bums Harbor, Indiane, un complesso deDit Bethlehem St,eel Corp or;i don; illaslroue Ii

largo pili iii 1,8 metrie il suo spessore pub variarefra i 20e i 30 centimetrl, Temperatura dell'acqua, presstoue della va.lvo.la e velocit1t del Dusso llegli.s1adi successivi sono manteuuti enuo timid prestabl« liti dal sistema di cont[ollo SPEC 200, dena Foxboro Company.

122

eio che sarebbe state poi chiamato un mmicafcolatore. Tali macehine.potevano fresare, forare, alesare, masehiare dappertutto e c-on ogni angolazione str pezzi di quasi tutte Ie dimensionL La testa portautensile appropriataveniva selezionata autornaticamente per mezzo ill un programma su banda" perforata ehe veniva Ietto da un calcolatore elettronico con funzioni di_ controllo. Lo stesso programrna metteva in posizione I'utensile secondo Ie-tre coordinate e prescriveva Ill. velocita del mandrino e Ia profoadira e 1a corsa de1 tagiio, per correggere Ill. forma finale del pezzo lavoratc 0 per fame uno completamente differente era, necessario solamente modificare Ill. vecehia banda perforate 0 sostituirlacon una nueva.

- Le macchine a controllo numerico di questo tipo soddisfecero una Importante aecessita nella produzione a volume medio, dove cicela.quantita di pezzi Iavorati e notsvole rna non ancora cosl eleva ta da 'riclrledere Una produzione-di grande serie (in cui in ogni linea di macch:i:ne ciascena di essecornpie una sola operazione), Le macchineaccoppiate al calcolatore CIano

d'aItra parte molto costose e una frazione sestanzlale del costa era 'nip pres enrara dall'unita di controllo del calcolatore, Oggi le anita eli controUo basate 511 microelaboratori, non pill grandl del calcolatori da ravolo, stanno prendendo il posto deicontrollori, assai pin grossi, della primagenerazione e Ie cassette a nastro stanno sostituendo i rotoli di carta perforata. Le unita di eontrollo mieroelertroniche aggiungono un coste relativamente piccolo a quello della maechina utensile.

Le unitadi controllo bas ate su .microeIaboratori pezmettono inoltre l'accesso can tastiera alIa macchina utens:ile. Quando una officina fu tura sara dotata di macchine di questotipo, ciascuea con programmi immagazzina:ti che possono sssere telecomandati con tastiera, sara possibile presiedere da un calcolatore centrale a una produzione "Veramente automarica, Pertanto-il solo intervento umano richiesto sara. il caricamento del materiale da Iavorare a una estremlta, 10 sgombero dei pezzifiniti alt'attraestremita e Ill. periodica sostituzione degli utensili che 81 sono usurati.

Senz'altro vi saranno uIt~riori progressi

nel controllo elettronico delle automobili, Il mlcroelaboratore sta ora rendendosi eeonornicamente adatto a estendere ilcontrollo elettronico a funzioni quali la regolazione dell'accensionee La catburazione, La motivazione per sviluppare q_uesti sistemi e ora 'assai forte: essi non solo favoriscono economia di eombustibile rna concerrono a soddisfare le rrorme per la limitazione dell'inquinamenta atrnosferico dovuto ai gas di sea.rico gill. in atto per esempio negli Stati Uniti.

La buona regolazione dell'accensione e funzione della velocita del motore e del grado di depressione-nel collettore di alimentazione. I meccanlsmi usati oggj nelle automobili possono solamente approssimare gli ottirnl, meotre l'applioazione di microelaboratcri pub assieurare una corretta rsgclazione a tatte 16 velocita e con tutti .i carichi. Idealmen te q uesti disposi tivi dovrebbero svolgere un ruolo di controllo, e non essere responsabili per 101 mandata di eiascuna carica eli com bustihile e per l'emissione di ogni scintilla, Un

SPRUZZI PER LA SOLIDIFTCAZIONE b

D lastrone d'a.cdaio ~ dapprima tilfl'reddato nella fonna. (aJ dove I'acdaiocomincia a solldifleare, Menlreseendej jJ lasfrone viene ulteriormente raffreddato con aequa spmzzata sui bd (b). Sill le strutture

priucipati sia irulll del piano di. eorsa oJlile (cJ sono pure raffredda Ii ad aeqaa, Sensori di temperatura, presstone e Ilusso fornlscono i dati di ingreslio per i ch:cuili dieontroUo II retroazione dello SPEC 200.

124

vero organo dicontrollodovrebbe invece confrontare le -reali prestazioni con una prestazione ideale e apportare le n ecess arie correzionial sistema di base esistente, 'Se il microelaboratore sara usato in questo modo si avra il vantaggio di un flusso di dati notevolmenteridotto con l'emissione solamente di poche correzicni al secondo, 1001tre il suo eventuale arresto non danneggerebbe la sicurezza: se il microelaboratore andasse in avaria il rnotore continuerebbe a funzionare e le sue prestazioni sarebbero ridctte al livello attuale. Lo stesso mlcroelaboratore potrebbe anche controllare continuamente 10 stato del veicolo esegnaJare in Iettere su unindicatore a LED (diodo a emissione di luce) ogni inconveniente quale il basso livelle del lubrificante, il surriscaldamento del motore, il surriscaldamento dei frenio l'eccessivo Iogoramento dei freni stessi.Il coste di tali sistemi e dovuto non tanto ai componenti mlcroelettronici quanto ai sensori richiesti per fornire i dati a1 microelaboratcre e agli attuatori ehe sono necessari per eseguire le sue Istmzioni.

Va ri~evato co.me i sistemi. ~ controllo e t SenSOD lora associati vengano sempre piu a rassornigliare al sistema ner\'050 umano I microelaboratori nelle unita di controllo dei satelliti.Tacendo sl che l'«intelligenza» sia ampiamente distribuita nell'intero sistema di controllo, riducono oi molto 18. quantita di dati che dovrebbero essere.trasmessisui collegamenri dei dati e poi manipolati dal caleolatore centrale. Net sistema' nervoso umano mclti con trolli vengono effettuati a Iivello locale e I' elaborazione dei dati in ingresso viene eseguita in gran parte Dei gangli nervosi. n sistema nervoso umano e costiruito da una rete di sensori e microelaboratori connessa dacollegamenti eli dati a nn ealcolatore centrale. 'Sia le units di elaborazione di un satellite sia il calcolatore centrale hanna in dotazione una quantita di firmware, doe di sottoprogrammi the ci.consentono di attuare il99 per eento eli quello che facciamo senza epensare» ossia senza invocare i nostri centri piu alti di controllo. Anche qui i sistemi microelettronici di controllo assomigliano al sistema di controllo umano: il calcolatore cen trale deve semplicemenre ordinate che 'un 'operazione sia eseguira, senza 'dover prescrivere a ogni macchina pi(1 piccola tutti i singoli movimenti cbe deve effettuare e iI modo in cui deve effettuarli.

Gliesempi che.ho citato sono soltanto akuni fra Ie migIiaia di modi incni i' microelaboratori rnigliore,ranno e rendeTanno piu sernplici Ie operazioni delle ;nacchine che oi servono quotidianamente. La !ecoologia dei eireniti integrati ha· talmente ridotto ilcosto dell'elabora:zio<:Ie dei dati e dei sistemi .Iogici chemolti dei 'dispositivi .ohe oggi usiamo possono <!sse,.re piu "cbllaborativi.» e «in telligenti» di quanto non 10 siano stati in passato. ~on dubito ehe questi detennisaranIio iXlnsiderati in futuro come l'inizio della uIvoluzione.» robotita.

paJ)f!trbacks . rice rca ·sclenze CoHan.a diretta da Giorgio Tecce

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o Marks, La ralatlvlta.L. 2500

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o A.A, VV". La biologia rnolacotare L. 2800

o Wilki.nson, lntrcduztcne.arla rnlcrobloloqla, L.2800

o Lehman, Le prove' paleontolcqlche

dell'evoluzione. L 2500

o Allegr'e-Michard, La geochimicEi. L.3000

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o AA. VV., La vita-e t'arnblenta, L. 3006

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o .De Basnay, Le origini della vita. L. 3000

o M. VV., La neurobloloqla, L,.3500

tJ Fulchignoni, La plane~ologia, L. 3000

paperbacksclvilta scomparse Conan a diretta da Sabatino Moscati

o Von Hagen, L'lmpero degli Incas, L. 2500

o Bloch, Prodigi e divlnazlone n·el mondo

antico, L. 2500

o Luce.La fine di Atlantide, L. 2500

o Von .Hagen, ll.mondo dei Maya, L. 2500

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o Von Hagen, Civilta e splendore degli Aztechl, L. 2500

o Zeppegno - Flnzi, Alia scoperta delle antlche civilta in Sardegna, L. 2500 o Von Hagen. GI i impe ii del dese rto nel Peru precolornbieno, L. 2500

o Tucci, Nepal: alia scoperta del regno del Malia, L. 2500

o Staccl.oli,1l «rnlstero» della lingu.a etrusca, L 2500

o Schliemann, Alia rteerca di Troia, L. 3000

o Von Hagen, Le grandi strade .dr:Roma nel menno, L. 3000 '

o Tucci, l,a via della Swat, L. 2500

o Acquaro, Cartagine, un impero sui Medi.terraneo" L2800

o Moscali, II vollo del potere, L. 2500

o Harma,nd, L'arte deli? guerra nel rnondo . antlco, L 2500

o Grinsell, Pi.ramidi, necropoli e mondi

sepolti, L. 3000,

o Tucci, Tibet ignoto, L. 2800

o Giuliano, La cilia dell' Apocalisse, L. 2500

o Bawcas, L'antico Egilto, L. 3000

'0. Hadingham,.1 misteri dell'antlca Britannia, L. 3000

o Soggin,I manoscrtttl del Mar Morto.

L. 3000

o M'acqueen, Gli lttlti, L. 3000

o Pope, Storie della decifrazion e, L. 3000

paperbacks manuali

o Mitchell, Dizionario di soctotcqla, L 2800

o James, Manuale di pstcoloqla, L. 2800

o James, Manuale di psicotccla, L 2800

o leftwich, Dizlcnario di zoolopla, L,4o.OO

o Pan off- perrin, Dizionarto i:Ii 'elnol09 ia, L.Z800

o Alexander., Storl a della psich latrta, L. 4000

o Martinet, I ntroduzione alia semioloqle, L.1800

o Moore, Dizionario dl Gecg,rafia, L. 3000 D A.A. VV.,. ptztonano di psichiatria, L. 2500

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della :somma Vl!!lr.sat;a~ .

Finni3i •••••••• ,

(Atte_n~i on e! I?iarte da <r'iElimpire...soh:) .sa :I'oi'dli1e rag; i !,In; e 0 .sup BrB I'importo d I L .30.000) I nvlateml! In· ome.gglo 'II segu e Me iii.ol ume:

C~I)~ mel e nOme ....•. ,

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La microelettronica nelle comunicazioni

It telefono, la radio e la televisione sono, essenzialmente, sistemi per l'elaborazione di segnali, un compito per la cui esecuzione i dispositivi microeleitronici rappresentano lo strumento ideale

Qggi .,e P<:,SSibil.' e~vere u~ te~e.f6n .. ~ che ericordaa I numen chiamati

spesso, ognuno dei quali si pub formate premendo un solo pulsante. Alla televisione capita sovente di vedere avvenimenti inpaesi oltre oceano nel momento stesso in cui si svolgono. I calcolatori «parlano» fra lora numerieamente attraverso linee telefoniche a velocita notevolmenteelevate, Questi e molti altri sviluppi nel settore delle CD municazioni sono stati resi possibili daIla tecnologia micro elettro nica.

Fino a una quindicina di anni fa Ia valvola era il principale cornponsnte attivo dei elrcuiti elettronici Iondameatali per il funzionamento dei sistemi.dl telecomunicazione. 1 suoi limiti sievidenziarono con il rapido intensificarsi delle cornunicazioni a mezzo telefono, radio e televisione. La vaIvola era troppo ingombrante, richiedeva troppa potenzaed era troppo poco affidabile per soddisfare I'esigenza, per tali sistemi, di conglobate ill circuiti complessi numerosi dispositivi destinati all'elaborazione dei segnali, dacui siesige La massima sicurezza di funzionamento. L'alternativa venne sotto forma del transistore, cbe forniva I'amplificazione elettronica in un serniconduttore, era piccolo e affidabile. Si e giunti cost al circuito integrate su piastrine di silicio, una fase rivoluzionaria nell'elettronica, ohe ha deterrninato grandi miglioramentl nelle teiecomunicazioni.

Oggi rnilioni di elemen ti circuitali vengono prodotti simuitaneamente su un sottile wafer di silicic, Il wafer tipo accoglie parecehie ceatinaia dl copie dello stesso cireuito, ed e suddiviso in piccoli chip ciaseuno dei quali contiene un circuito. Di solite i chip sono confezionati singolarmente come componenti di un clrcuito integ;rato. Ilprogettista di.appareeehialure per telecomunicazioni lmpiega tali eomponenti per Ja produz.ione di sistem.i eomplessi, generalmente. rnontando un certo nurneTO di circuiti £ntegrati su una pi astra circuitale ebe contiene il cab1ag-

126

di John S. Mayo

gio stampato necessario per collegarli, . Un sistema di comunicazione tipico richiede una serie di tecnologie circuitali, Per esernplo, i segnali trasmessi con Potenza elevata 0 ad alta frequenza spesso necessitano Eli correnti e tensioni che non possono essere trattate dai circuiti integrati tradizionali. Aicuni circuiti richiedono com ponenti ad al til. stabilita e spesso si giovano delle tecnologie a film sottile, che implicano La posa di film conduttori, isolantie resistivi sopra unsubstrato ceramico. Per illustrare adeguatamente il ruolo della microelettronica nelle cornuuicaz.oni.esaminero alcune delle tecnoIogiecircuitali piu importanti, insistendo in modo particolare sui circuiti integrati su silicic, dato:iI Loro notevole impattosui ill cderni .sistemi di tel ecomu nicazi oni.

T a mj(:ro~lettron;ca (sotto Iormadi cirLcultlllltegratI) rappresenta un fattore irnportante nel campo delle telecomunicazioni, specialmeute per i SUO! effetti associati di economicita di costo, elevata affidabilita e vasta applicabilita, Man mana ehe cresce il numero dielernenti circuitali montati sui ch.ipdi silicic, il 00- stodi una funzione circuitale base va notevolmente ealando. Unafunzione circuitale di notevoLe importanza nei sistemi di comunicazione (ed anche nei sistemi di elaborazione ) e Ill. porta logica digitale, ehe controlla il flusso delle infomrazioni fornendo un segnale di uscita solo allorquando i segnali ill ingresso si trovano in certe condizioni prestabili teo Parten do da questo elemento base" si possonocostruire grandi sistemi nnmerici per I'elaborazioue del s.egnali. II costodi una porta logica si ripercuotepercib ootevO:lmente sul casto delle apparecchiature per Ie comunicaziom: i terminaIi, che costitui:scono l'inlerfaccia tra Ie pe.[sone 0 Ie macchine e i canali di comunicazione; i complessi di commutaziOne,che stabilisconC Ie linee . .eli eomunicazione; e Ie apparecchiature,ehe eiaboraim i segnaJi in modo da renderli trasmissibili lungo fiji, cavi e

anche via radio oppure su onda Iuminosa,

La tecnologia digitale e andata progredendo rapidarnente dalle porte logiche a valvole, a queUe a transistori, alla.porta logica integrata e ora.alle migliaia di porte logiche comprese in un UIDCO circuito integrato. Duran te tale evoluzione iI coste e passa to da circa 10 dollari per Il sistema a valvole a circa 1 centesimo di dollaro per porta ·di un circuito integrate comprendente molte porte. Tale coste e destinate a scendere quanto prima a 0,1 centesimi. Con .la riduzione di oltre mille volte il costo di tale circuito essenziale, Ie apparecchiature adibite a compJesse elaborazioni ill segnali, come quelle inerenti al telefono dotato di memoria, sono ormai divenute accessibili sotto il profilo econornico.

Comunque, il basso costo non e tutto, Un canale di comunlcazione puc richiedere il funzionamento simultaneodi migliaia di elementicircuitali e basta che uno di essi non risponda per in terrompere ilcollegamento. L'affidabilita e percio importante quanto il coste.

Anehe qui serve da esempio La porta Iogica. La porta Iogica a valvoleera SClJ,Isarnente affidabile; la porta Iogica formata da transistor! discreti si e ·dimostraia mille volte piu affidabile, dell'equivalente con valvole ; una rncderna porta logica a circuiti integrati e almeno cento volte piu sicura della porta a transistori discreti.Nella progressione dalle valvole ai cireuiti integrati I 'affidabilita della porta 10- gica e andata dunque migliorando di un

fattore 100 000. .

I complessi di commutazione che regcLano l'instradamento delle chiamate telefomche fomiscono un esempio dell'importanza che lale maggiore aff1dabilita aSSUJIle per ill) sistema di comunicazioni. Macchine del genere gestiscono simultaneamente sino a 100 000 linee telefonicbe: ispezl0nano Ie li:nee in ani vo e individuano gli utenti che cbiamano (staccaIldo il microtelefono); quindi Iaccblgono Ie indicazioni fomite con il disCQ oombina-

tore, collegaaochi chiama 'can la persona ehiamata, registrano le infnrrriazioni necessarie per la.conrabilizzazione e tolgono 11 collegamento quando l'utente riaggancia il rnicrotelefono.

II «cervello» della macchina e 'un elaboratore elertronico consisterrte per 10 -piu di un controllo centrale e di componenti che memorizzano i dati. L'elaboratore svolge anche molti altri cornpiti, compensa Ia diagnosi degli errori e dei difetti eircuitali. Data 13 sua importauza eruciale per il Iunzionamento di qualcosa come 100 000 telefoni, I'elaboratorc deve possedere un'elevata affidabilita. Percio si e srabilieo che esso non deve avere piu di 2 ore di te~po passive in 40 anni (e Ia maggior parte di tale tempo dovrebbe dipendere da qualche errore commesso inavvertitamente dagli operatori 0 dagli addetti alla macuteazione anziehe da reali difetti dei componenti elettronici).

L'unita di misura della frequenza di guasto di un coruponenteelettronico e il F1T (failure interruption time): un guasto in 109 ore eli esercizio. Prendiamo l'elaboratore di un grande ccmplesso dicomrnutazione, can un centrollo cen trale ehe PUQ essere dotato eli 40 000 porte. S~ e riparabile in rnezz'ora, potrebbe guastarsiuna volta in 10 anni e risultare pur sempre adeguato allo scope, Guasti eli circuito sono eventi occasionali non facilmente prevedibili e in qualsiasi grande sistema vi sono aitre sorgenti di, disfunzioni. Riservando un margine ragionevole a tali fartori.il tempo medic accettabile di maucato iunzionamento per porta dielaboratore risulta di circa 10'1 ore: una frequenza di guasto pari a circa 0,01 TIT per porta.

Tale livello non e faciimente raggiungibile. Tnttavia i circuiti jntegrati su larga scala riescono quasi a toccarloe, inoltre, presentano 1 'ulteriere van taggio del basso coste. n costoconsente di acquistare mareriale in sovrabbondanza, per cui si riduce vieppiu la P ossibil ita di interruzioni e si prevengono guasti in altri elemen ti, quali ilcabJaggio e gli alimentatori. L'ampia disponibilita di rnateriale mantiene in funzione, il sistema, rnentre 18 bassa frequenza dei guasti per porta implica un lavoro pienamente efficiente e mantiene a un livello ragionevole i costi per Ia rnauutenzicne,

T 'ingom bID dell 'apparecchiatnrae quasi L sernpre importante nelle zeleeomunicazioni, specie nel caso del satellitie dei .. eicoli spaziali, Anche a terra Ie apj?axecchiature elettroniche di piccole dimensioni sono piu facili da maneggiare e da spedire e negli edifici ricbiedono minor spazio. Tutti questi va.ntaggi comportano oosti minori. La memoria di.un elaborate,e per un grosse sistema drcomrnutazione elettronico offre unesempio deJl'effetto prodotto sulle dimension; dagli sviluppi intervenuti nella .microelettronica,

COD la tecnologia disponibile all'inizio ~gli anni sessanta, la memoria per un sistema elettronico eli commutazione 10- caie richiedeva uno schieramento di rack contenitori metallici) largo -31,.70 metri;

]_;'i.psieme iii cireuiti perl'unitll di memorta ,di un sistema teleronico di commntazlone dlmostra come la mleroeletrronlea abbla eonsenrito di ridurre notevolmentele dlmensioni delle: apparecchlatnre destinate allecomunleazieni, Il complesso e aII'indIClI lungo 33 centimetrie Iargo :W centimetri; 161 «pacchetti» .simili,slstemati in una rastrefllere Ja:rga 67 centimelri:, possono costUulre DJl centralino di commutazioneper 100000 applueccbi lelefonici. Seltanto quindici anni fa uD'aualogalmit~,di memoria per nn sistema di commutaztone etenromco avrebbe rfchlesto uno schleramenmdi rackdl 32, metri circa. Qui i rettangoli doratl sono dispositivi di memorla n·MOS .. La maggior parte del rertangolf .nerl verso 1'·estI'emila superlore sono decodificatori. I qu attro rettan golf bianchiso no circuiti iategratl ibridi me Incladono il pro.grlI m rna per I 'uuliil. di memorla, Quest'ultima in un centralina locale di eommutasione immagazzina 51a Ie lntormazion! permanentl neeessarte aI funzionamente deleomplesso di commutazlone, sia informazlonl tr.anlli tori e, come i numeri formarl, 19. durata delle ehlamaree i dati_ di contabflizzazloue.

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Ilfiltro elettrieo delle frequenze vocali, uno del circuiti principali nel campo delleeelecomuntcazlont, dlmostra come i eomponenti del sistemi d.i releeomunlcaztone !Ii ~i!U10 mtnlanmzzatt, diventando nel contempo pii:! :iffidabi1i, gr.azie alla miereelettronica. Il filtro ha i1 compito iii selezlonare una banda di comunlcazione audio esclndendone Ie inleneleuze, il che .~ partieolarmenle imllorl!IDle quando pareechi segnaIi vocali ven.gono i-opvogliatisimultaneamellte in un siugolo mo. Il

mtlo consrsre in nn ampliffcatorea circuito integrato di siUdo (quadmto al centro), reti di reslstorl (lineea serpentine} e condensatorl (jJrandi quadrati alle dueestremitii}, D Iiltm e fabbricato con tecaologte II film sottile sopra un substrate ceramteo iii 1,93 per 0,66 eentlmetri. D Illtro a- circnifo integrllfosostitniscc i dispositivi ingombranti e costesi fOI'DUI:ti da gross! induttoEi ecouilenslI!on.cheoctlonevano per costrulre un _filho analogo ·prima dell'avvento dena mlcroelettreniea.

n 'telefnnoeon memoria eattualmente in servizio Inalcune zone degli Stati Uniti in segulto ai prcgressi conseguitl nel campo della microelettronica. Coni 1I:e piccoli pulsantl in alto 'siregis1rf!noi numen telefonici ehiama ti 'piil spesso, Con questi si p no po len trare in com unlcazlene

premendouno del tasti sottosta_nti ai tre di' testa, D putsante in basso a destra.iaceanto aUa scritta «La,st number dialed» ,. serve inCIISO iii segnale oceupato. II telefono «ricorda» U numern formato, ehe l'uteute interessato pub cosl riehiamare sempllcemente premendo il putsante,

l'imraagazzinaraento dei dati veniva efieltuato su fogli.di mareriale magnetico, Con gli anni settanta la stessa quantita eli memoria poteva essere caricata in piccoli nuclei toroidalidi ferrite strettamente impaccati, in uno schieramento oi rack largo circa 2,40 metri. Poi vennero .i circniti integrari e Ie memorie a semicondntrori, in grade di assicurare la memorizzazione dapprima di 1000 e poi di.4 000 bit su un singolo chip ill silicic, In un circuito formato da chip con la capacita di 4000 bit 1a memoria, per uno stessocomplesso di commutazione cccupava un singolo rack largo 67 centimetri. Attnalrnente sono disponibili circuiti integrati con una eapacita dimemoria di 16000 bit per chip, che consentono eli sistemare Ill. memoria in circa UD 'quarto di rack.

G!i sviluppi futuri dei sistemi dicomunicazione certamente richiederanno memorie pi u grandi e logiohe piu potenti, Le prospettive sarebbero state prolbitive quando la memoria richiedeva, per la sistemazione delle apparecchiature, uno. sehieramento di rack largo oltreSfl rnetri. Oggl sono senz'altro concepibili sistemi con rnemorte decine di volte superiori rispetto a quelledi cui SODa dotati i sisterni attuali, La memoria e solo uno dei tanti esempi di come la rnicroelettronica consenta nuove concezioni nel campo del sistemi di coznunicazione.

La mieroelettronica ha inoltre un impatto signifieetivo sui circuiti analogici, benche i risultati non siano sensazionali come quelli ottenu ticon la Iogica numerica. e con Ia memoria. Prendiamo il circui to forse piil importanteper!e telecomunicazioni: il filtro elettrieo perIa frequenza vocale, i D grade di selezionare una banda 'audio e respingere tutte Ie interferenze esterne a tale banda. Questi filtri sono partieolarrnente important! in sisterni che moltiplicano i canali diconversazione, cioe convogliano in un unico fila parecchi canali di conversazione ; Il filtro eonfina ogni canale entto unacerta banda ell frequenza e inrpediscecost ai can ali stessi di mterferire tra lora.

Per quasi cinquant'anni i filtri sono stati eosrruiti con irrduttori e condensatori di grosse dimension; .. Nel corso del periodo eompreso fra il1920 e il1970 i progettisti SODO riusciti a ridnrre progressivamente l'ingombro eli induttori e condensatori, rna il filtro era sernpre voiuminoso e costoso. Nel1969 i progressi, consegui ti nella stabilizzazione degli elernenti di resisrenza e di capacitaeontro illogorio del tempo e della temperatura, e nella produzione-economica degli amplificatori a circuiti integrati, portarono a un filtro equivalente, un po' piu piccolo e meno caro. L'impiego di amplificatori Integrati 'montati su un solo chip di silicic), (;00- senti ai progettisti di costruire I'equivaleate dei grossi induttoriecondensatori avvalendosi di piccolicondensatori e resistun, Il successo del procedimento presupponeva un 'elevata stabilita dei piceoli resistori e condensatori aglieffetti del tempo e della temperatura.

Tale esigenza veniva proprio- a coincidere con 10 sviluppo, in altri settori, dei

La plastra clrcultale per telefono con memoriasvolge Ie funzioni di reglstrazinne e memorizzazinTIe del lelefono. La plastta e montata sul retro della sezlone memoria e, lnflgura, e orientata come 51 ved:rebbe girando la tastiera blanca del telefono in modo che i tre pul..sIDlti di testa vengano a trnvarsl a sinistra .. 1 due reUangoU bianchi' a si:nistra in alto sono unita. di memoria, come i sci rettangoli analoghi visibili in alrrl punti del. pannello, Ogoi noitll e IlD circuito tntegrato capaee dj «tmmagazzlnare» qaanro numeri telefonici. A.Dehe j rettangoJ! bianchi piugrossJ SODO circuiti integraii me contengene iI programma per iI sistema e provvedo!lO alia. composiziooe dei numerl,

n chip d1 memoria per i1 felefono «Touehamatic» e presentato come 10 5i vedrehbe aprende una delle unita di.memoria che appaiono nella Fofogra1ia.ripl'odot1a sopu.. Disolilo il chip e montato III centro di un snbsnato ceramieoe contieneI'lnsieme di clrcuiti per 13 memurizzazionee II! ricerea di quattro numerttelefonlei, E eollegato COD i. tasfi situati nella parte ftontale del telefeno,

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La telecameraa stare ·solido prodotta dalla FllirchiJd Camera and Instrument Corporation e un esempto significativo.dei risul'tati raggi.unlidafJa miccI'oeletll'Om.cajnquesto, campo. ·L'uuitit chiave di questa teleeameea eo un dispositivo video delltpoIDllrtrato.ueUa fotografia in questa pagina in basso. Glazieai suoi componenti aUo stato solido, questa teleeaarera .(Iunga appena 16,5 eentlmerri, compreso I'obiertivo), e molto piu piccola di una telecamera eontubu vidicon standard.

Questa porzlnne di chip video per telecamera aI10 state solido e earatterlzzata da una fine matrlee di sensori consistenf in dispositjvia scon:imeutodi carlca, ehe Ilherano portarori di earlca in proporzione iU'eilerg;ia Iumlnosa che li .. agglunge. n chip ,eoutielle.185 440 sensori del genere, un quarto drca dei quall ·e visiMlc oeUa. parte piUcl1iara della fotografia,. DOUChe rum eollegamentl,

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rnicrocircuiri, eheeomportava il montaggio di film sottili, conduttori e isolanti, su un substrate cerarnico. Da tale tecnologia derivarono i circuiti integrati a film sottile gia menzionati. I cireuiti su film in tantalio sono econornici e uotevolmente stabili; perch') sana stati usati per uncerto periode come filtri audio [lei circuito genera tore di.toni del telefono a tastiera, per lirnitarci a una delle vane applicazioni. I toni generati dal circuito devonoessere estremamen te stabili per 1 unghi periodi di tempo, perche Ie loro frequenze servono all'identificazlone delle cifre del numero chiemato,

Nel 1973 questa tecnologia era cost avanzata, ehe 1 'equivalente del vecehio filtro della banda vocale, compcsto di grossi induttori ie condensatori, poteva essere montaio su un piccolo substrate ceramioo. N el197 5 ledimensioni del.substrato risultavano ridotte al punto da far apparire esternamente ;1 filtro come un piccolo eornponen te, deltu tto simile a un normale.cireuito integrate incapsulato, Si prevede che quanto prima tl film di tantalio vena sistemato direttamente sulla superficie del chip amplificatore di silicic. L'intero filtro sara mtcroscopico, Ma questo non eancora il limite di capacita, da parte di un microcircuito, di filtrare i segnali analogici, Sia i circuiti digitali integrati che operano in divisioue di tempo sia i disposirivi a. scorrimento di carica (charged-coupled devices, CCD) appaiono molto promettenti ai fini di un perfezionamento sernpre maggiore dei filtri elettronici epotrebbero perfino raggiungere dimensioni inferiori a quelle del filtro a film senile.

T e dimensioni sono particolarmente L importanti nei terminali di comunicazione: telefoni di ogni tipo, centralini privati. (i complessidi commutazione internidi cui dispougono varie grandi organizzazioni per smistare i1 traffico telefonico internoed esterno ),. terminali che accoppiano calcolatori e sensori a eanali di comunieezione, radio di varia tipo sono di usa cornunee occupano spazio negli uffici, in casa, sulle automobilie in molti altri luoghi. Le dimensioni ridottee altre interessanti caratteristiche dei micrceircuiti aprono nuove prospertive nel campo delle apparecchiarure per terminali, Ouesti possono essere straordinariamente «intelligenti», oltre che piccolie cornpatti. Non e raroche tenninali delgenere contengano un rnicroelaboratore, cioe una piccola unita centrale di elaborazione su en solo chip, n microelaboratore per un terminate eli un impianto di conmnicazione, pUT costando solo qualche decina di dollari, e in grade eli effettuare elaborazioni che un decermio fa avrebbero richiesto un grosse calcolatore.del costo di centinaia di migliaia ill dollari.

Misurae peso sono strettamente coonessi e rivestono un'estrema importanza per Ie comunicazioni spaziali, Non e. facilmente immaginabile la realizzazione del programma spaziale senza la piccolezza, laleggerezza e I 'affidabilita dei circuiti a stato solido.

Cosl gli esperti della stampa spaclallzzeta (American Photographer, Photo, Modern Photography ... ) 51 50- no espressi, meravigIi atl che una einepresa Super-B potesse lncorporare tali e tanteearatleristiche di avanguardia.E. vero, la 500B S non e un appareccnto a buon mercalo. Ma 18 rtsposta Beelieu €I sempltce:

Ie infinite attenzloni perlutti I rninimi dellagliehe la rendono utilizzablle in qualslasl frangente cosrano .. BEAUUEU 5008 S NON HA lIMITI L'immagine.: la BEAULIEU 500a S e ,equlpaggiata dl unotturatore con slstema a speeehio a ghigliotlina. di tlpo professionale, che consente il passaggio totale della luee verso la pellieola senza inlerferanze. L'oblettlvo Schneider zoom ha un rapporto di 1: 11 volte - cloe I'equivalente di un obiettivo zoom sui 35 rnm, ehe abbia una zoomata da 35 mm .. a 400 mm.. Non si potrebbe chledere dl pia - tuttavia la

5008 S ha attica intercambiabile e puo aeeettare qualslasl attro sistema ottico, sia piU tele che pia grandanqolare, oppure oblettlvl speciall, [I suono: la BEAULIEU€! dotata di un perfetlo sistema di compensa.zione fioeco sui meeeanismo dl Irasporto pelHcoJa. Questo corregge elettronicamente [a cadenza di Irasporto palllcola che deve essere inierm.ittente a ltvello immagine, rna perfetlamenlescorrevole .a llvello dl regi.slrazl.one sucno. Ne rtsulta che la qualita del suono nella 5008 S ha ta stsssafedelta che sl rlsconIra net registratori: 50·12000 Hz ± 1,5 dB.

L'ABBIAM.O VOLUTA MI.GLlORE

La BEAULIEUe uno scrigno di tecnologie avanzate. Quando si passa dall'ornbra alia luce e vieeversa, I'anello dei dlafrarnrnl gira su se stessoed aggiustal'esaltaaperlura, II diaframma della "5008 S e quello delJ'obiettivo ~ quello elas-

sico, cloe a lrlde, come l'occhio urnano.

Pereseguire «rallentamantf» 0 «azioni vslocl » (che non sono tiImabiH col suono) la BEAUUEU 500B Se fra Ie poche cineprese con Ie quaJi sl pu6girare con peHico!e sonore senza doverte sostttutre con delle peltlcole mute.

II sistema di zoornata eelettrico con veloctta variabiH. Secondo it desiderio dell'operatore, un oggetlo pu6 essere lnquadrato a distanza e portatoa distanza ravvlclnata .. Con la 5008 S pagate per i vestrl desideri, rna siete certi ehe potete appagarli.

BeaulIeu

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API - Via Leonardo da Vinci, 16 50132 FIHENZ.E·

Dal programma spaziale e derivate la possibili ta di lanciare sa telliti per telecomunrcazior». Quando un satellite gestisce il traffico commerciale, dev'essere competitivo risperto ai sistemi terrestti.Ti costo e importante e risent€ notevolmente delle dimensioni e del peso del dispositivi elettronici' montati a bordo del satellite. Le esigenze dal punto di vista delle frequenze e della potenza non consentono che tali congegni siano composti soltanto di circuiti integrati, rna circuiti di questo tipo svolgono un ruolo irnportan te nell 'econornia del sisterni di comunicazione-via satellite. Inoltre senza I ':a1Jidibj1ita dei componenti a state solido sarebbe state difficile realizzare sisterni via satellite davvero efficiend,

Tutto questodirnostrache le moderne appareechiature di comunicazione devono possedere una buena dosedi «intelligenza», Si possoaoeitare moltiesempi: i telefoni che svolgono transazioni per contanti, i terminali di dati che iaoltrano informazioni a velocita prodigiose, j complessi di commutazione elettroniei che possono diagnosticare i propri guasti, cen tralini operanti nel settore privata con capacita ad hoc, radio coil. controllo «intelligente» della frequenza, televisoriche si sin to riizzan 0 automaticamente, dispositiviaudio ad alta fedelta.. con caratteristiche molto sofisticate, e COSt via.

II classico per eccellenza dell'anatomia umana, tradotto

dalla 35a «storica» edizione Inglese.

Volume primo: Citologia, Embriologia, Ost80/ogla,

Artr%gia, Mi%gia.

pp. 472, 647 i/lustrazioni, L 39.000

Un aspetto del cireuiti integrati me eomporta tantovantaggi qnanto difficolta i.n tali applicazioni eJa lore Iirnitata capacita di utilizzare energia. Un vantaggio e dato dal fatto che i circuiti i quali condizionano i segnali si possono costruire a livelli di potenza decisamen te bassi j. un problema e costi tuito call 'insoddisfacente .interazione ira' eircuiti integrati e un ambiente sfavorevole. lcireuiti collegati a cavi e antenne non sono facilmeate salvaguardabili dai iulmini e i circuiti integrati non riescono a far squlllare ptontamente i telefoni ne forniscono segnali radio abbastanza forti da eonsentire Ie comunicazioill attraverso I'etere,

Per gestire informazioni, non occorre un livello eli potenza specifico: spesso un circuito che opera nel campo delle informazicni pub funzionare a un livello di potenza suffieiente per portare i nodi circnitali a tensioni multiple rispetto a quells di rumori occasionali lungoil circuito.Nei circuiti integrati gran parte del cablaggio S1 trova sui chip eli silicioe j nodi circuitali sono piecoli, per cui si richiede una potenza modesta. Can I 'accentuarsi dell'inregrazione dei circuiti, si e reso necessaria e possibile ridurre i livelli di potenza,a1 fine ill consendre che i eircuiti complessi montatl su un singolo chip possano funzionare a temperature accettabili. Solarnente pochitermirrali di entrata e uscita collegati agli altri component! devono essere azinnaticon potenza adeguata per emettere segnali forti.

Spesso si nescoao a ridurre ulteriormente j livelli dj potenza adottando una tecnologia che non richieda molta potenza nei suoi elementicircuitali attivi. Una tecnologia del genere e quella a metallo-ossido-semiconduttore cornplementare (CMOS), in base ella quale si e progettato un micrcelaboratore che utilizza circa 8000 transistorl ed e montato su un chip che misura rneno di 63 millirrretri diIato. Si trattadi un elemento 'di controllo studiato specificamente per apparecChiature eli comunicazione .. II chip puo eseguire 434 istruzioni diverse,. funziona a velocit~ che possono raggiungere 2 megahertz (2 milioni di cicli al secondo ),eppureconsuma meno di 0,1 watt di energia. Un sistema che fomisce un quantitativo cos} elevato di inforrnazioni con un consumo COS] basso di energia; conseute di avvalersi delle apparecchiature per telecomunicazioui anche in localita prive eli erogazione commerciale di energia, 0 dorate di impianti di erogazione sui quali non e' e da fare affidamento. Si puo cosl fomire energia a remoti rna complessi impianti, colleg.ati a tunghi fili 0 caYi,. seLVendosi degli sressi piccoliconduuori che eouvog1iano j segnali.

I progress! della microelettronie<! sono . stati molto pi.u leoti nei settori delle comun~caz.ioni che richiedono molta potenza. La capacitiL di un circuito di ge.stire energia e iimitata daila temperatura massima a cui puo fuozionare il chip a sem.iconduttore: un chip che ospiti molti trimsistori tende a riscaldarsi pili di un aitro con un transistore solo.

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I disposifivi a stato solido sono utilizzabili in circuiti a frequenza radio di potenza modesta, ma aormaimente devonoessere costltuiti da tranaistori discreti; per Ie frequenze audio amplificatcri integrati di potenza hanno contribuito a ridurre i 00- sti e Ie dirnensioni 'delle, radio e delle apparecchiature di registrazione. Cornmutatori a state solidodi potenza modesta oominciano a sostituire gli interruttori elettrorneecanici neigrandi sistemi di comunicazione, Nelle apparecchiature per Ia -eonversione di potenza i componenti a stato solido contribuiscono in rnisura crescente a migliorare I'efficienza-e a ridurre i C05ti.

13 notevole l'interesse per un ampliamente delle possibilita della microelettronica, .in modo da metterla al servizio di cireuiti di cornunicazione dotati di maggiore potenza. Occorrerebbero circniti in grade di resistere a centinaia di volt per salvaguardare i cablaggiespcsti a scariche da fulm:ine e trasmettere parimeati la rnodesta quantita.di potenza necessaria per far t:rillare il telefono. Non appare probabile un'utilizzazjone in tal sense dei circuiti integrati, almena nella scala d'integra:zione adottata atmalmente per la trasmissione di informazioni: Ie tensioni elevate possoao danneggiare qualsiasi materiale di dimensioni piuttosto ridotte e_ comprornettere anche. in altro modo l'affidabilita dei dispositivi; in un circuito ad alta. tensione gli elementi devono percib essere disposti in modo da lasciare un cerro spazio tra Puna e l'altro.

Molte delle esigenze inerenti alle CDmunicazioni vengono soddisfatte ottimamente mediante la tecnologia numerica, I segnali trasmessi come cifre non .si degradano purche la ricezione sia esatta; molti dei rurnori di fondo.o delle interferenze di voci, dl effetto sgradevole nel case dei segnali analogiciche normalmen-te convogliano la voce umana, lJOSSOno non deteriorare matte i segnalinumerici.: finche i rumori di fondo 0 Ie interre.renze si mantengono a unlivello un po' pill basso delsegnale numerico,si PUQ identificare la p:resenza di ognicifra bin aria e la cifra stessa risulta perfettarnente rigenerabile; it segnale viene cosl liberato dai rumoridi fonda e dalle irrterrereJ.lZ€. Si tratta di un enorme vantaggio, quando accade chetIII segnale venga trasmesso attraverso un mezzo rumoroso.

Un sistemadi comunicazione nume:ribo e destinate a funzienare.a Ull rit:rno elevato di impulsie a lisare molle porte logiche digitali. Tali circuiti sana piccoli e adeguati alia moderna tecnologia microelettronica.In aicnne sezioni del sistema teletenico statunitense gill, dal 19.62 segnali vocali vengono trasmessi come dfre:. peT Ie trasmissioni 51 usa la modulazione a codificazione di impulsi (PCM) con la ripetuta campionatura dei segnali vocali a velocita elevata e la codificazione dei «c.ampioni» in una successionedi rifre binarie; Ie cine binarie ven,gonotra.sme5- se CCime segnali n umerici, periodicamente rigenerati fungo il pe:rco:rso pere.liminare tumori di fondo, in terfe:renzee distorsio~

ni, All'estremita ricevente le cifre binarie vcngono ritrasformate in segnali-campione, in base ai quali si puoricoatituire it suono della voce.

Sononati gia da qua1che ternpo i vantaggi della eomunicazione numerica. La diffu.sione della sua applicazioue e eonnessa principahnente alia rispettiva 6COnornicita dei sistemi cireuitali numericie analogici. Lo sviluppo dei circuiti integrati ha modificato notevelmente l'aspetto economico del problema, facsndo pendere in molti settori il piano dena bilancia dalla parte del procedimento numerico,

I segnali nurnerici preserrtancruttavia

10 svantaggio di richiedere per la trasmissione una larghezza di banda maggiore rispetto ai segnali analogici; percio le tecnologie analogiche conservano tutta la lore validita per i mezzi ben protetti a larghezza dL banda limitate, quali i cavi coassiali, nonche nella propagazione radio, in cui la largbezza di banda e limitata dallo spettro disponibile. Sit! malta Iavorato,con metodi assai. diversi, per ridurre Ia quantita di bit necessaria per trasmetterein forma numerica Ie comnnicazioni verbali, Tl basso costa della microelettronica e un fat tare essenziale in quasi tutte le soluzicni sperimentate. L'aliquota d:i

canale per voce varia da circa 2400 bit al secondo in sistemi sofisticati rna di qualita scadente, a circa 64 000 bit al secondo in sisteml a modulazione di impulsicodificati di qualita elevata. U quantitative eli bit piu basso eofnporta inevitabilrnente una degradazione del segnale.che PUQ essere piC! 0 meno accettabile a seconda del tipo di applicazione.

Particolare in teresse suscita attualmente il T ASr (time·assignernent·speech-i.nlerpolation), secondo la eoncezione formulata ill origine ai Bell Laboratories per i circuit! acavo che convogliano i segnali vocali di comunicazioni intercontlnentali

Il modnlatnre-demedulatore prodotto dalla BeD System serve a. trasmetterei dati numertel lungo un circaito del tipo che smista la maggior

parte del traffico telefonieo attra verso la rete degU USA. Il disposi.tjvo e notocome «modem» (eontrazione dl modulator-demodulators.

THASMETTITORiE

RICEVITORE

La trasmissiane numenea iii segnall vocali va estendendosi nei sistemi telefonici in seguitoallo sviluppo dellamlcreelettrcnica, Le onde soaore (a sinistra} genetale dille 1'oei venguno campienatead alta veloei.tiI e l campionivengono rrasmessl lungo le linee telefcniehecome impuW «OJ]» (in bianco} e impulsi «0 If» (in nero). Perlodieamente i segnali

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vengon» rlgenerati durante In trasmissione, A!I'esfremitii ricevente 1 segnali numeriei vengono riconvertili in segnall voeall, I microcirculti svolguno un rnoloimportanle non solo nella eonversione della parola in cifre, ma anche nell'instradaruento stmultanen di pii:J conversazlonl lungoun cavoe nella rigenerazione del segnali durante Ia trasmlsstone.

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mediante teeniche analogiche, L'idea si basa sullo sfruttamento dei brevi silenzi ohe si producono .normalmente nelle COlle versazioni per sottrarre un canale a J.l11 utenreche momentaneamente tace e assegnarl a a-qnalcuno che sta parlando, Tale manipolazione e cost rapida e precisa, the gli utenti non se ne accorgono neppure, La stessaconcezione si pub ora applicare ei microcircniti e alle teenologie numeriche, convertendo in cifre un ampio quantitativo di segnali vocali e ottenendo cos! di riduae in misura notevole I'aliquota effettiva di bit per canale di con versazione ,

Un altro concerto valorizzato <lalla microelettrollicae il controllo a programma memorizzato. Dapprima sotto forma di potenti elaboratori collegati a grosse apparecchiatnre quaJi i complessi di oommutazione e, pin recentemente, sotto forma di microelaboratori iucorporati nelle apparecchiature pin varie, la microelettronica 11a consemito laproduzione per il se ttore delle corn unicazioni di una serie di disposrtivi programmahili. Il funziouamento e le caratteristiche operative di molti grandi sisterni 51 possonc oggi modificare riscrivendo iJ programma immagazzinato nella memoria 0 apportandovi delle aggiunte,

Sino a poco tempo-fa CCCOTTe-va mare il cablaggio ocarnbiare il posizionamento del sistema dicomunicazione per mcdificare il tipo di servizio fornito. Gon il cootrollo a programma memorizzato si pub programmare il vecchio hardware in modo da fargli svolgere nuovi compiti, che riguardano sia 1 'impiego pin efficien te del personale addetto aJ funzionamentoe alla manuteuzlone del sistema, sia le 0.11'ratteristiche operative considerate dalla prospettiva degli utenn. I sistemi, quasi semprc numerici, si avvalgono ampiamente di Iogica e memoria. La microelettronica ha notevolmeute esteso ,gli orizzonti del eontrollo a programma memorizzato, mettendo a disposizione circuiti logici e di memoria, pceocostosi e altamente affidabili.

Malgrado la semplicita di concezione di tale controllo, e diffici1e .realizzare un programma esen te da disturbi; non e raro che, peI" 10 svolgimen to df un programma per piccoli microelaboratori del tipo utilizzabile Dei terminali di eomunicazione, il costo sia di uncentinaio di rnigliaia di dollari, mentre per Ia programrnazione di grosse appareechiature, quali i sistemi di cornmutazione elettronici, ammonti anchea milioni eli dollari.

n~hip «modem» '~ a1J:a base del fnnzionameoto del moilulatore.demodulator:e pr:esenlato nella figura iii pagina 134, inaih). n chip l! un circuilo integrato S'lJ larga scala che trasfocrma i se. gnali llu'merici proveni.eJllida un calcolatol'e 0 da qualche altra macchina perl'elabo.razione dei dati in onde modulate nece8.sarie nella maggjorparte delle !inee tleJefoniche. Traqualdie anno anche Ie linee ielefoniche saraTIno modificate per trasmette.re cO.me ~egnali numerici le voci.

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II silicic r~ppresenta, pe,r Ia rtvoluzi~~e elettronica, quel che e state l'acciaio per larivoluzione industriale. Tuttavia capita di rado che un sistema eli comunicazione siacostruito interamente con circuiti su chip di silicic: Sono parecchie Ie altre tecnologie microelettroniche che entrano in gioco,

Per esempio vari materiali semicondurton (fracui l'arseniuro di gallic e il fosfuIO digallio) al passaggio dicorrente ernettono luce. I diodi a emissione di luce (LED) sono largamente usati per segnalazione e Illuminazione; inoltre oonsentooo di presentare, sotto forma di numeri e di lettere, la letrura di segnali digitali, Tali dispositivi sono enormemente importanti nelle cornunicazioui, in quanto forniscono le «traduzioni» necessarie perche un operatore possa Ieggere i segnali elettricisenza dover prima stampare s u carta i risul tati.

D'importanza potenzialmente persino maggiore per Ie comunicazicni e il Iaser a state solido, parente sofisticato del diode a ernissione di Iuee, consistente so stanzialrnente: in un diode daUa strutters complessa che ernette un fascio di luee composto di raggi a elevate collimazione e monocromatici. Bsso sara partieolarmente utile nei sistemi die comunicaziane basati.su coda luminosa, II problema da risolvere eta l'affidabilita del laser: solo cinque anni fa i migliori laser a state solido si guastavano dopo poche ore di funzion amen to ; ora si fabbrieano tipi di laser in g;rado di durare un milione di ore, il the ne fa degli elementi interessan ti per Ie reti di comunicazioae.

I eircuiti a bolle magnetiche sono un altro prodotto promettente nel campo della rieerca suUe comunicazioni. Le bolle magnetiche sono minus-coli domini magnetici cilindrioi che possono persistere e spostarsi in. cerri materiali, Sie prodotto un gTanatodi composizione speciale come snpporto delle bolle magnetiche, il diametro delle quali ammonta a pochi mierometri. In effetti Ia scala d'integrazione circuitale sinora piu. elevata e stata realizzata proprio mediante dispositivi di memorizzazione a belle magnetiche, Chip in granato, con capacita di memoria sino a 64 000 bit per chip, si possono produrre norm almente, e chip da 256 000 oit sono stati costruiti in via sperimentale. Dispositivi a belle magnetiche con quattro chip da 64000 bit per ogni c-apsula sono gia impiegati nella rete telefonica sotto formadi macchina seaza patti rnobili che foraisce annunci registrati, Le bolle magnetiche possiedono inoltre lacaratterisrica, particolarmente pregevole, di non essere volatili, cioe di nOD scomparire anche quando viene tolta l'alirnentazione al circuito.

Una struttura funzionalmente analoga realizzara asemiconduttori e il dispositive a scorrimento di carica (CCD), ingrado di trasferir·e una catena di earlche elettriche attra:ver-so un semiconduttore, in maniera molto simile al movimento di una sene di bolle magnetiehe dentIo un granato,Purtroppo lacarica di un CCD scompare

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La rid uzion e iii costo de.i compnnentl iii sislemi di comualcazlon e, IIllO dei prlneipali efl'etti della miemelettronlca, e qui illustrata .per la pertalegica, ehe costhulsce U.II elemenro ehiave.neisisterai di comunieazione II di elabo.razione .. Le curve, lette da slnistra, rappresentaue risperttvamente Ie porte logiche a valvole, Ie porte eostruite con traD.sistoii disereti, Ie porte tOD integJ'll.Zione su picco.la ,scala (poche porte 511 ogni chip) e Ie pone con in tegrazioue su larga scala (miglhria di porte pel chip). 10 Qgni casu if disposi;livootten ILto.e una p orta logieawgitaJe deDa. miglio.r quali.ta.

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Unamaggiore aJiidabiIt:i. dei componenti elettronici e un altro lmportante effetto deDa mieroelettrnniea sulle.comllllicazioni. L'abbinamento di questi due cis-nltati (riduzione dei corn e maggiore affidabilita) haavuto nn [oneimpatto sulle comunicazioni. In.questo diagramma, come in queHo rip.rodotto sopra, ie curve !Ii riferucono a porte loglehe iii ottima quallta, bas-ate rispettivamenIe 'SD valvole, transistori discreti, .integr.azi.one su piceela. scala e .integJ'll.Zione so !arga scala.

quando viene tolta I'alimen tazione. n CCD offre il vantaggio di impiegare teoniche di elaborazione e. litografiche 50- stanzialmente identichea quelle irnpiegate per La fabbricazione dei circuiti integrati, In realta si tratta dl nn circuiro integrato di strutters speciale.che presenta I'ulteriore vantaggio dell' elevata mobilita dei

po:rtatori dicarica, La quale consente dj arrivare adispositivi parecchie volte pill veloci di quelli a belle rnagnetiche. La tecnologia del dispositive a scorrimento di Carica, gill. applicate nella telecameraa stato solido, offre prospettive favorevo!i come veicolo per filtri elettronici integrati nei sistemi di comcnicazione.

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