1) Proprieta fisiche dei semiconduttori - Cenni alla meccanica quantistica: il modello energetico di un atomo - Dallatomo ai cristalli: il modello a bande di energia, popolazione delle bande, livello di Fermi, statistica di Fermi-Dirac - classificazione dei materiali in base alla loro conducibilita: metalli, semiconduttori, isolanti - Semiconduttori intrinseci ed estrinseci; mobilita, legge dellazione di massa - Diffusione, Legge di Einstein
2) La giunzione PN: - generalita: struttura e distribuzione dei campi elettrici interni, diagramma a bande allequilibrio, tensione intrinseca - soluzione dellequazione di Poisson nei casi brusco e a gradiente lineare - Caratteristica C-V; Equazione I-V nel caso ideale - Non idealita: influenza delle dimensioni dei lati della giunzione, effetti di generazione- ricombinazione, effetti di Resistenza delle regioni neutre e di alto livello di iniezione - Breakdown della giunzione - Circuiti equivalenti: concetto di piccolo segnale, linearizzazione delle curve caratteristiche
3) I contatti metallo-semiconduttore: - generalita: struttura, diagramma a bande allequilibrio, classificazione delle interfacce in base alle energie - Contatto Schottky: definizione di altezza di barriera, analisi dei campi elettrici interni e della distribuzione di carica, derivazione della caratteristica corrente-tensione, caratteristica C-V; deviazione dallidealita - Classificazione delle interfacce: effetti chimico-fisici - Caso ohmico, concetto di Resistenza specifica
4) I transistor a effetto di campo
- Il transistor come dispositivo attivo: funzionalita dei transistor, effetto di campo - Struttura MOS: analisi del diagramma a bande, distribuzione di carica, soluzione dellequazione di Poisson, distribuzione interna dei potenziali; caratteristiche Capacita Tensione - MOSFET: analisi del comportamento fisico, derivazione dellequazione della corrente, caratteristica C-V, modello circuitale equivalente.
5) Circuiti a diodi e a transistor Semplici esempi e soluzione dei circuiti
MATERIALE DIDATTICO L. Colombo, Elementi di struttura della materia, Hoepli Editore, Milano M. Guzzi, Principi di fisica dei semiconduttori, Hoepli Editore, Milano S. M. Sze, Dispositivi a semiconduttore, comportamento fisico e tecnologia, Hoepli R.S. Muller, T.I. Kamins, Dispositivi elettronici nei circuiti integrati, Bollati Boringhieri G. Ghione, Dispositivi per la microelettronica, McGraw-Hill Addison-Wesley Modular Series on Solid State Devices (sono una serie di volumi in inglese, ciascuno dedicato ad un particolare dispositivo)
SECONDO MODULO: INTERFACCE BIOELETTRONICHE
1) COMPLEMENTI DI DISPOSITIVI ELETTRONICI E TECNOLOGIE MICROELETTRONICHE
2) PROPRIETA FONDAMENTALI DELLE MOLECOLE BIOLOGICHE Legami chimici, legami fisici. Interazioni tra ioni e molecole nel vuoto e nei mezzi. Latomo di Carbonio proprieta di ibridizzazione degli orbitali e loro conseguenze.
3) Sistemi molecolari complessi: membrane, proteine, acidi nucleici Proprieta di auto-organizzazione delle molecole: Langmuir-Blodgett films, monostrati auto- assemblati. La membrana fosfolipidica. Le proteine. Gli acidi nucleici: struttura, funzione.
4) La cellula: struttura e proprieta generali. Segnali elettrici nelle cellule: i neuroni, il potenziale dazione, la membrana vista come un sistema elettrico, il potenziale dazione come meccanismo di conduzione elettrica nelle cellule
5) Linterfaccia bioelettronica: elettrodi polarizzabili, non polarizzabili, interfacce isolanti
6) Dispositivi basati sulle interfacce bioelettroniche: ISFET, CHEMFET 7) LElettronica dei semiconduttori organici
MATERIALE DIDATTICO: DISPENSE DEL CORSO (OVE VENGONO INDICATI DI VOLTA IN VOLTA DEI TESTI PER LAPPROFONDIMENTO)
MODALITA DESAME
Lesame consiste in una prova scritta (2 esercizi) e in una prova orale (riguardante tutto il programma).
Gli appelli previsti sono suddivisi nelle seguenti sessioni: Sessione estiva: Giugno-Luglio: 3 appelli Sessione autunnale: Settembre: 2 appelli Sessione invernale: Gennaio-Febbraio: 3 appelli Non sono previste prove intermedie. Nella sessione invernale (ovvero alla fine del corso), lo studente libero di sostenere la prova scritta in un qualunque appello della sessione con lobbligo di sostenere lesame orale (e registrare il voto qualora sia sufficiente) entro la conclusione della sessione. Nelle altre sessioni la prova orale segue immediatamente (entro pochi giorni) la prova scritta. Si e ammessi allorale solo se il voto della prova scritta e almeno pari a 15.
Gli studenti che hanno in piano di studio i due esami di Elettronica dei Dispositivi e Bioingegneria Elettronica 1 possono continuare a sostenere i due esami separatamente (sostenendo per il primo una prova scritta e una orale, per il secondo solo una prova orale). Alternativamente, possono sostenere lesame del corso integrato registrando due voti invece di uno (con la stessa valutazione).