Sei sulla pagina 1di 591

SEGNALI, SISTEMI E OPERATORI

Alla base dellelettronica c lo studio dei segnali, dei sistemi e del modo come i segnali si
propagano nei sistemi. Per rendere pi agevole la trattazione necessario introdurre dei metodi ma-
tematici.
1.1. Segnali
Un segnale una grandezza fisica, generalmente variabile nel tempo, cui si attribuisce un si-
gnificato.
Indichiamo con f(t) il segnale e con fm ed fM, rispettivamente i limiti finiti del segnale.
f f(t) f . m M
Se attribuiamo significato a tutti i valori che il segnale assume nell'intervallo in cui definito
diciamo che il segnale e analogico. Se, invece, attribuiamo senso solo ad un numero limitato di in-
tervalli, diciamo che il segnale numerico. Quando gli intervalli sono solo due allora il segnale
viene detto binario o digitale.
Ad un segnale volutamente prodotto possibile che si sovrapponga qualche altro segnale
non desiderato che, a seconda della sua origine, prende il nome di rumore o di disturbo. Un rumore
un segnale indesiderato che si sovrappone al segnale ed prodotto dallo stesso sistema che lo ma-
nipola. Un disturbo un segnale che si sovrappone all'interno del sistema stesso, ma proviene dal
suo esterno. Inoltre, un segnale, attraversando un sistema, pu venire deformato in modo non volu-
to. Si parla, in tal caso di distorsione. Le informazioni contenute in un segnale cui sovrapposto un
rumore od un disturbo o che deformato nell'attraversamento di un sistema possono non essere pi
intelligibili.
Consideriamo, per esempio, un sistema composto dallo spazio attraverso cui viaggia un se-
gnale televisivo, dallantenna ricevente e dal televisore. Il segnale, prodotto dal trasmettitore, emes-
so in modo teoricamente perfetto, nel viaggiare attraverso lo spazio per raggiungere il ricevitore,
viene modificato per la presenza di segnali elettrici di disturbo, come, ad esempio, le scariche atmo-
sferiche o quelle prodotte nei motori a scoppio o dalle spazzole di quelli elettrici. All'ingresso del
ricevitore presente sia il segnale che il disturbo. Inoltre, gli stessi componenti elettrici che costitui-
scono il televisore producono correnti e tensioni casuali che costituiscono il rumore. Per finire, poi-
ch il ricevitore non ideale, anche in assenza di rumore e disturbi, la qualit dell'immagine e del
suono non sarebbe mai perfetta a causa del fatto che i segnali, nell'attraversare il ricevitore non ven-
gono trasmessi idealmente ma sono deformati in modo indesiderato. In questo sta la distorsione.
Segnali, sistemi ed operatori

2
La Fig.1.2-1 mostra
due esempi di segnali come
sono stati trasmessi (sopra) e
modificati da disturbi, rumore
e distorsioni (sotto). Il segnale
di sinistra di tipo numerico,
quello di destra analogico.
evidente che, per questi effetti
indesiderati, la perdita di in-
telligibilit minore per i se-
gnali numerici che per quelli
analogici. Ma anche se questo
aspetto farebbe propendere
verso la scelta dei segnali
numerici per la trasmissione
dei dati, vi sono altri fattori
che, a seconda dei casi, fanno
scegliere un tipo di trasmis-
sione anzich l'altra. Per il
momento trascuriamo com-
pletamente la presenza del
rumore, dei disturbi e delle
distorsioni.
1.1.1 Segnali numerici o discreti
In Fig.1.1-2 sono mo-
strati due esempi di segnali
numerici. Il primo si riferisce
ad un segnale binario. Il se-
condo ad uno a quattro livelli.
Il significato dei due segnali
determinato dalle convenzioni
adottate. In un sistema sincro-
no, il valore numerico va con-
siderato ad intervalli regolari.
Se l'intervallo ha durata d, al-
lora il primo segnale assume
la successione di 1, 0, 0, 1, 0, 0, 0, 0, 1, 1, 1 etc e l'altro 2, 2, 4, 4, 2 , 3, 3, 3, 2, 2, , etc. Nel caso di
sistema asincrono il significato che si da al primo segnale 1, 0, 1, 0, 1 etc. Ed al secondo 2, 1, 2, 4,
2, 3, 2, 3 etc.
Nel passaggio di un segnale da un livello ad un altro esso prende dei valori che non vengono
definiti. Per esempio si pu scegliere, per un segnale binario, come livello di 0 la tensione fra 0 V e
0.8 V e come livello di 1 un segnale di tensione fra 2.4 V e 5 V. Quindi non viene attribuito alcun
significato alla tensione fra 0.8 V e 2.4 V
1.1.2 Segnali analogici
Ci occuperemo delle propriet generali dei segnali temporali. Studieremo, inoltre, alcuni e-
sempi di segnali analogici che hanno particolari caratteristiche e rivestono importanza fondamentale
nello studio della elettronica.
0 50 100 150 200
1
2
3
4
5
6
0 50 100 150 200
1
2
3
4
5
6
0 50 100 150 200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
0 50 100 150 200
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V V
V
t t
V
t t
(a)
(b)
(c)
(d)

Fig.1.1-1
V
0 20 40 60 80 100
t
(b)
0 20 40 60 80 100
0
1
2
3
4
5
6
V
t
(a)
0
1
2
3
4
5
6
d d

Fig.1.1-2
Segnali, sistemi ed operatori

3
1.1.2.1 Segnali impulsivi
Una definizione qualitativa dice che un impulso un segnale che diverso da zero solo per
un limitato intervallo di tempo. La Fig.1.1-3 mostra alcuni esempi di segnali impulsivi. In ordine, da
sinistra a destra e dall'alto in basso, sono mostrati un impulso rettangolare, un impulso esponenziale
prima crescente e poi decrescente, un impulso sinusoidale, un treno d'oscillazioni di ampiezza co-
stante, un treno d'oscillazioni di ampiezza variabile ed un impulso bipolare.
Definiamo contenuto c di un impulso f(t) in un intervallo t0t1:
c f t dt
t
t
=

( ) .
0
1
[1.1-1]
Definiamo energia e di un impulso f(t) nello stesso intervallo
e f t dt
t
t
=

2
0
1
( ) . [1.1-2]
Si intende che l'intervallo pu essere tutto l'asse dei tempi. Cio - < t < +. In tal caso si parla
semplicemente di contenuto e energia senza specificare altro. Una definizione pi accurata di im-
pulso dice che la sua energia deve essere non zero e finita.
Di un impulso pos-
sibile definire alcuni altri pa-
rametri. La Fig.1.1-4 ci con-
sente di illustrare meglio le
relative definizioni. Si defini-
sce ampiezza VM il valore as-
soluto del massimo assoluto,
mentre la differenza fra mas-
simo e minimo prende il no-
me di valore picco-picco e si
indica con Vpp. Il tempo di sa-
lita ts il tempo che impiega
0 50 100 150 200
0
1
2
3
4
5
0 50 100 150 200
-10
-5
0
5
10
0 50 100 150 200
-10
-5
0
5
10
0 50 100 150
0
2
4
6
8
10
200 0 50 100 150 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0 50 100 150 200
0
0.5
1
1.5
2
V
V
t
t
V
t
t
V
V V
t
t
(a) (b) (c)
(d) (e) (f)

Fig.1.1-3
0 50 100 150 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
V
t
D
ts
td
(a) (b)
0 50 100 150 200
0
1
2
3
4
5
t
V
Vpp
VM

Fig.1.1-4
Segnali, sistemi ed operatori

4
il segnale a salire dal 10% al 90% del suo valore finale. Il tempo di discesa td il tempo che impie-
ga il segnale a scendere dal 90% al 10% del suo valore iniziale. La durata D il tempo in cui il se-
gnale si mantiene al di sopra del 50% del suo valore Vpp.
1.1.2.2 Segnali periodici
Un segnale periodico f(t) si ripete allo stesso modo nel tempo. Per esso deve essere
f(t) =f(t+T) per ogni t > 0 [1.1-3]
con T costante.
Il pi piccolo valore di T prende il nome di periodo. Il suo inverso la frequenza e rappre-
senta il numero di periodi contenuti in un secondo. La Fig.1.1-5 mostra alcuni esempi di segnali pe-
riodici, nell'ordine un onda sinusoidale, un onda a dente di sega ed un onda quadra.
Questa volta se si facesse il calcolo del contenuto e dell'energia si troverebbe, in genere, un
valore infinito. Nel caso di segnali periodici meglio parlare di contenuto medio come il contenuto
in un periodo diviso lo stesso periodo. Spesso si preferisce usare i termini valor medio o valore in
continua. Il valor medio di un segnale f(t) viene indicato con <f> oppure fmed. Pertanto
f f
T
f t dt
T
f t dt med
t
t T T
=< >= =
+

1 1
0
( ) ( ) . [1.1-4]
Se dal segnale f periodico viene sottratto il suo valor medio fmed si ottiene il suo valore al-
ternato fa il cui valor medio ovviamente nullo.
Consideriamo solo un periodo. Possiamo definire tempo di salita, tempo di discesa. Inoltre
possiamo parlare, come nel caso dei segnali impulsivi, di ampiezza e del valore picco-picco. In
Fig.1.1-6 illustrato l'esempio di un segnale periodico V di cui viene mostrato il valor medio Vmed
ed il valore alternato Va. Dalle definizioni
f(t) =fmed + fa(t) [1.1-5]
Invece di energia, per i segnali periodici, ha senso parlare di potenza media:

0 50 100 150 200
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
0 50 100 150 200
-30
-25
-20
-15
-10
-5
0
t
V
t
V
(a) (b)
T
T
0 50 100 150 200
2
2.5
3
3.5
V
t
(c)
T

Fig.1.1-5
0 50 100 150 200
-10
-5
0
5
10
15
20
t
V
0 50 100 150 200
-10
-5
0
5
10
15
20
t
Vmed
0 50 100 150 200
-15
-10
-5
0
5
10
15
Va
t

Fig.1.1-6
Segnali, sistemi ed operatori

5
< = = >
+

f
T
f t dt
T
f t dt
t
t T T
2
1 1
2 2
0
( ) ( ) [1.1-6]
Una definizione pi accurata di segnale periodico dice che la sua potenza media deve essere non ze-
ro e finita. Cio
0
1
2 2
0
< < < > =

f
T
f t dt
T
( )
Consideriamo la potenza media di un segnale f a partire dal suo valor medio e dal suo valore
alternato. Utilizziamo la [1.1-5]. Si ha
<f
2
> = <(fmed+fa)
2
> = <fmed
2
+2fmedfa+fa
2
> = fmed
2
+2fm<fa>+<fa
2
> = fmed
2
+<fa
2
>,
cio <f
2
> = fmed
2
+<fa
2
>. [1.1-7]
La potenza media di un segnale periodico la somma della potenza della componente media e della
potenza media di quella alternata.
Per finire definiamo valore efficace la radice quadrata della potenza media. Cio:
f f
T
f t dt ef
T
= < > =

2
1
2
0
( ) . [1.1-8]
Pi avanti daremo senso alle parole valore efficace. Adoperando le definizioni precedenti e la [1.1-
7] si ha fef
2
= fmed
2
+faef
2
. [1.1-9]
Il valore efficace di un segnale si ottiene a partire dal suo valor medio e dal valore efficace della so-
la componente alternativa secondo la [1.1-7].
Somma di pi' segnali periodici di periodo diverso
Uno dei problemi che si pu incontrare nello studio dei segnali periodici la determinazione
del periodo quando il segnale la somma di pi segnali periodici di diverso periodo. Siano f(t) e
h(t) due funzioni periodiche di periodo rispettivamente Tf = Nf/Df e Th = Nh/Dh , dove Nf, Df, Nh e
Dh sono interi. Sia MD il m.c.m fra Df e Dh . Allora potremo scrivere
T
N M D
M
f
f D f
D
=

e T
N M D
M
h
h D h
D
=

.
Sia MN il m.c.m. tra NfMD/Df e NhMD/Dh . Il periodo comune ai due segnali
T c = MN/MD. [1.1-10]
La Fig.1.1-7 mostra un segnale periodico di periodo T1, un segnale periodico di periodo T2 e il se-
gnale somma di periodo Tc.
0 100 200 300 400 500
-30
-20
-10
0
10
20
30
0 100 200 300 400 500
-15
-10
-5
0
5
10
15
0 100 200 300 400 500
-15
-10
-5
0
5
10
15
(a)
(b)
(c)
t
V
t
V
T1
T2
V
t
T

Fig.1.1-7
Segnali, sistemi ed operatori

6
1.1.2.3 Segnali casuali
Ad una importante categoria appartengono i segnali casuali o random. Essi non sono de-
terministici. Tuttavia di essi possono essere date delle informazioni statistiche.
Consideriamo il segna-
le casuale di Fig.1.1-8a. Si os-
serva che la sua ampiezza
sostanzialmente compresa in
una fascia. Supponiamo di
campionare, cio misurare, il
valore V che il segnale assume
ad intervalli di tempo regolari
e molto stretti. Costruiamo
una figura, detta spettro
d'ampiezza, in cui, in funzio-
ne di V mettiamo il numero di
volte N(V) che il segnale assume il valore V V (V la precisione con cui eseguiamo la misura).
meglio normalizzare al numero di misure complessive NT. Si ottiene qualcosa di simile alla
Fig.1.1-8b. La quantit N(V)/NT rappresenta la probabilit p che la tensione assuma un valore di V
V. Per essere pi precisi la figura riporta la densit di probabilit dell'ampiezza.
Se il segnale numerico, come quello mostrato nella Fig.1.1-9a, lo spettro assume la forma
riportata nella Fig.1.1-9b. Si nota che, questa volta, sull'asse delle ascisse non si mette la tensione V,
ma il valore assegnato f alla variabile nell'intervallo. Inoltre non detto che gli intervalli siano tutti
eguali ma essi dipendono da quale senso si attribuito alla funzione. chiaro che se del segnale di
Fig.1.1-9a si facesse lo spettro delle ampiezze assumendolo come continuo si otterrebbe una figura
differente come quella di Fig.1.1-9c.
Per un segnale numerico si avr: pi
i

=1. [1.1-11]
Si pu definire il valore medio < = >

f p f i i
i
, [1.1-12]
ed laltezza quadratica media < = >

f p f i i
i
2 2
. [1.1-13]
Si possono estendere le precedenti ai segnali continui ottenendo:
pdv

= 1; [1.1-14]
il valore medio < = >

f pfdv; [1.1-15]
p

Fig.1.1-8
0 1 2 3 4 5
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0 1 2 3 4 5
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
0.35
f V
(b) (c)
P P
0 20 40 60 80 100
0
1
2
3
4
5
t
V
(a)

Fig.1.1-9
Segnali, sistemi ed operatori

7
e laltezza quadratica media < = >

f pf dv
2 2
. [1.1-16]
Alcuni processi stazionari, come, ad esempio il rumore possono essere descritti da funzioni
probabilistiche. In tal caso il suo valore efficace corrisponde alla varianza e lo spettro dampiezza
del segnale una gaussiana.
1.1.2.4 Segnali complessi
Un segnale il cui valore istantaneo un numero complesso un segnale complesso. Esso
pu essere scritto come
f = Re + jIm. [1.1-17]
Il suo complesso coniugato f
*

f
*
= Re - jIm. [1.1-18]
La parte reale e l'immaginaria possono essere ricavate come
Re = (f+f
*
)/2. [1.1-19]
j Im = (f-f
*
)/2. [1.1-20]
Il segnale complesso pu anche essere espresso in forma trigonometrica come
f= |f| (cos + j sen ). [1.1-21]
Ed il modulo quadro |f|
2
= ff
*
= Re
2
+ Im
2
, [1.1-22]
e l'argomento = arctg(Im/Re). [1.1-23]
Lenergia e nellintervallo t0t1
e f dt
t
t
=

| | ,
2
0
1
[1.1-24]
e la potenza media p
T
f dt
T
dt
T T
= =

1 1
2
0 0
| | ( ) R + I e
2
m
2
[1.1-25]
1.1.2.5 Operazioni sui segnali
Sui segnali si possono eseguire diversi tipi di operazioni. Cominciamo ad occuparci di quel-
le che riguardano la variabile indipendente. Facciamo rilevare che questa pu essere una qualunque
grandezza fisica, anche se considereremo quasi sempre il tempo.
Cambio della scala dei tempi
Il cambio della scala dei tempi comporta una sostituzione della variabile t con il termine t/a.
Il fattore di scala , dunque, a. In Fig.1.1-10 sono mostrate le conseguenze del cambio di scala su di
0 50 100 150 200
0
0.5
1
1.5
(c)
V
t
a = 2/3 a = 2
0 50 100 150 200
0
0.5
1
1.5
(a)
V
t
0 50 100 150 200
0
0.5
1
1.5
(b)
V
t
T3
= 100 s T1= 50 s T2 = 33.3 s

Fig.1.1-10
Segnali, sistemi ed operatori

8
una onda a dente di sega. In pratica, a seconda che a sia maggiore o minore di 1 si ha una dilatazio-
ne od una compressione della figura nel senso dellasse delle ascisse. Nulla cambia, invece nel sen-
so dellaltro asse.
Traslazione della variabile tempo
Una traslazione del
tempo di una quantit di una
f(t) si ottiene sostituendo alla
variabile t la variabile t-. La
funzione traslata viene indica-
ta con v(t-). In Fig.1.1-11
mostrato un esempio di un
impulso traslato proprio della
quantit .
Operazioni sui segnali e loro propriet
Un sistema pu essere studiato come una scatola nera, Blocco, che esegue una determinata
operazione sul segnale.
In generale definiamo i(t) l'ingresso del blocco e u(t) la
sua uscita. Se siamo in assenza di rumore, disturbi o distor-
sioni si dice che il sistema ha effettuato una operazione o tra-
sformazione sul segnale. Se teniamo conto della presenza di
rumore, disturbi e distorsioni, quello che abbiamo in ingresso
il segnale, mentre all'uscita otterremo il segnale modificato
dalla presenza di rumore, disturbi e distorsioni, oltre che, evi-
dentemente, dalloperazione che il blocco deve eseguire. Il blocco viene rappresentato come un ret-
tangolo con frecce entranti ed uscenti. Le entranti si riferiscono alle variabili dingressi o cause, le
uscenti a quelle duscita o effetti. In Fig.1.1-12 mostrato una rappresentazione di un generico
blocco.
Moltiplicazione per una costante
Se un blocco da come
uscita una replica dell'ingres-
so, a parte un fattore di scala
k, (positivo o negativo), si di-
ce che esso esegue la molti-
plicazione per una costante k.
La relazione fra lingresso e
luscita del blocco moltiplica-
tore viene espressa dalla rela-
zione
u(t) = ki(t). [1.1-26]
La Fig.1.1-13 mostra un segnale d'ingresso e l'uscita moltiplicata per 2. Nella stessa figura rappre-
sentato il blocco moltiplicatore.
Linearit'
Un blocco lineare soddisfa a queste due condizioni:
PROPORZIONALIT;
SOVRAPPONIBILIT.
La prima propriet dice che un blocco lineare, applicando all'ingresso un segnale k volte superiore,
fornisce una uscita k volte pi grande. La sovrapponibilit corrisponde al fatto che, in un blocco o
0 50 100 150 200 250 300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
0 50 100 150 200 250 300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
(a) (b)
V V
t t

t1 t1

Fig.1.1-11
i(t) u(t)
B

Fig.1.1-12
0 50 100 150 200
0
2
4
6
8
10
0 50 100 150 200
0
2
4
6
8
10
(a) (b)
V V
t t
k = 2
i(t) u(t)
i(t) u(t)
k

Fig.1.1-13
Segnali, sistemi ed operatori

9
un sistema lineare, l'uscita che si ottiene applicando all'ingresso la somma di due segnali e la somma
delle uscite che si otterrebbero applicando separatamente, una alla volta, i singoli segnali.
Formalmente:

u k i(t k u i(t
u i t i t u i t u i t
[ )] [ )]
[ ( ) ( )] [ ( )] [ ( )]
.
=
+ = +

1 2 1 2
[1.1-27]
Somma
Un blocco pu anche avere pi ingressi. Un caso interessante quello del blocco sommato-
re. La [1.1-28] esprime la funzione realizzata dal blocco sommatore mostrato sotto.
u t i t i t ( ) ( ) ( ) = + 1 2 [1.1-28]
La Fig.1.2-14 mostra l'operazione eseguita da un sommatore sui due segnali i1 e i2.
Derivazione
L'operatore che esegue la derivazione dell'ingresso i(t) e fornisce una uscita u(t)
u t
di(t
dt
( )
)
, = [1.1-29]
prende il nome di derivatore.
Nella Fig.1.1-15 un segnale
mostrato, insieme con la sua
derivata. L'uscita positiva o
negativa secondo che la fun-
zione cresce o decresce.
Un blocco pu eseguire
la derivata n-esima sul segnale.
In tal caso la funzione ingres-
so-uscita u t
d i(t
dt
n
n
( )
)
. = [1.1-30]
Integrazione
L'operatore che ese-
gue l'integrale del segnale
d'ingresso i(t) fornisce una
uscita u(t) tale che
u t i(t dt
o
t
( ) ) . =

[1.1-31]
Il blocco corrispondente un
integratore. Nella Fig.1.1-16
0 50 100 150 200 250 300
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0 50 100 150 200 250 300
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
300 0 50 100 150 200 250
0
0.5
1
1.5
(a) (b)
(c)
V V V
t t
i
1
(t) i2(t)
u(t)
t
u(t)
z i2(t)
i
1
(t)

Fig.1.1-14
0 50 100 150 200 250 300
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
(a)
V
t
i(t)
0 50 100 150 200 250 300
0
0.05
0.1
0.15
0.2
(b)
V
t
u(t)
i(t) u(t)
di( t
dt
)

Fig.1.1-15
0 100 200 300 400
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
(a)
V
t
i(t)
0 100 200 300 400
0
2
4
6
8
10
(b)
V
t
u(t)
i(t) u(t)


Fig.1.1-16
Segnali, sistemi ed operatori

10
mostrato un esempio di integrazione di un segnale.
Ritardo
Un blocco ritardatore esegue la funzione definita da
u(t) = i(t-). [1.1-32]
Il risultato dell'operazione stato gi mostrato nella Fig.1.1-11.
Smorzamento
Molto spesso si incontrano segnali smorzati. Essi vengono ottenuti mediante un operatore
detto smorzatore definito dalla [1.1-33]
f(t) = i(t)e
-t
. [1.1-33]
Nella Fig.1.1-17 mostrato un esempio di smorzamento. Un'onda sinusoidale applicata all'ingres-
so del blocco smorzatore che da in uscita una oscillazione smorzata.
Convoluzione
La convoluzione fra due segnali f(t) e h(t) o fra un segnale ed una funzione del tempo, viene
definita come
y t t t fh t f h t d ( ) ( ) ( ) ; =

[1.1-34]
Il significato e l'importanza della convoluzione saranno evidenti pi avanti.
Nella Fig.1.1-18, a sinistra mo-
strato il blocco che esegue la convoluzione
fra due segnali. A destra riportato il
blocco che esegue la convoluzione del se-
gnale f(t) con la funzione h(t).
Correlazione
Siano f(t) e h(t) due segnali. Definiamo funzione di correlazione fh() in un intervallo t0t1
t t fh
t
t
f t h t dt ( ) ( ) ( ) ; = +

0
1
[1.1-35]
E, analogamente t t hf
t
t
h t f t dt ( ) ( ) ( ) ; = +

0
1
[1.1-36]
Se l'intervallo illimitato, allora almeno uno dei due segnali deve essere un impulso per evi-
tare che diverga. In tal caso
0 50 100 150 200
-10
-5
0
5
10
0 50 100 150 200
0
2
4
6
8
10
-10
0 50 100 150 200
-5
0
5
10
(a) (b) (c)
V V
t t
i(t)
u(t)
t
e
t
i(t) u(t)
e
t

Fig.1.1-17
u(t)
y
f(t)
h(t)
u(t)
[h(t)]
y
f(t)
(a)
(b)

Fig.1.1-18
Segnali, sistemi ed operatori

11
t t fh f t h t dt ( ) ( ) ( ) ; = +

t t hf f t h t dt ( ) ( ) ( ) . = +

[1.1-37]
Se i segnali sono periodici conveniente scegliere per intervallo il periodo e
t t fh
T
T
f t h t dt ( ) ( ) ( ) ; = +

1
0
t t hf
T
T
f t h t dt ( ) ( ) ( ) . = +

1
0
[1.1-38]
Nel caso di segnali complessi le funzioni di correlazione sono definite come
t t fh f t h t dt ( ) ( ) ( ) ;
*
= +

t t hf f t h t dt ( ) ( ) ( ) .
*
= +

[1.1-39]
Se i segnali complessi sono anche periodici
t t fh
T
T
f t h t dt ( ) ( ) ( ) ;
*
= +

1
0
. dt ) t ( h ) t ( f
T
1
) (
T
0
*
hf

+ = [1.1-40]
Quando i segnali sono reali, per calcolare fh() si trasla f(t) a sinistra di . Si sarebbe otte-
nuto lo stesso risultato traslando a destra h. E dal momento che
f t h t dt f t h t dt ( ) ( )) ( ) ( ) , + =


t t
allora fh() = hf(-) [1.1-41]
Nel caso dei segnali complessi
, dt ) t ( h ) t ( f dt ) t ( h ) t ( f
* *



= +
allora fh() = hf
*
(-) [1.1-42]
Autocorrelazione
Se le due funzioni sono identiche si definisce la funzione di autocorrelazione come la corre-
lazione fra le due funzioni identiche e si indica con f(). Ovviamente:
t t f
t
t
f t f t dt ( ) ( ) ( ) ; = +

0
1
[1.1-43]
t t f f t f t dt ( ) ( ) ( ) ; = +

[1.1-44]
t t f
T
T
f t f t dt ( ) ( ) ( ) ; = +

1
0
[1.1-45]
t t f f t f t dt ( ) ( ) ( ) ;
*
= +

[1.1-46]
t t f
T
T
f t f t dt ( ) ( ) ( ) .
*
= +

1
0
[1.1-47]
valide, in ordine, per segnali qualunque, per segnali impulsivi, per segnali periodici reali, per segna-
li complessi e per segnali complessi periodici.
Una osservazione da fare su f(0). Da quanto detto finora chiaro che per le [1.1-43], [1.1-
44], [1.1-46], rappresenta l'energia del segnale, mentre per le [1.1-45] e [1.1-47] la potenza media.

Segnali, sistemi ed operatori

12
I coefficienti di correlazione
Sia c un coefficiente numerico per il quale moltiplichiamo h(t). Sottraiamo a f(t) la quantit
ch(t). Si ottiene un segnale f(t)- ch(t) la cui energia nell'intervallo t0t1 , secondo la [1.1-2] [f(t)-
ch(t)]
2
. Il valore cfh di c che minimizza l'energia di f(t)- ch(t)
[MAS]

cfh = fh(0)/h(0) [1.1-48]
e prende il nome di coefficiente di correlazione di h(t) rispetto ad f(t) nell'intervallo t0t1. Esso dice
quante volte si deve sottrarre h(t) da f(t) per ottenere un segnale ad energia minima. In modo analo-
go si definisce il coefficiente di correlazione chf di f(t) rispetto ad h(t). Analogamente esso
chf = hf(0)/f(0) [1.1-49]
Le due espressioni precedenti sono valide in generale, indipendentemente dal tipo di segnale, se rea-
le o complesso, se periodico o no e se il coefficiente viene calcolato in un intervallo limitato o no.
Tutto va bene, purch per si adoperino, di caso in caso, le opportune espressione.
Nella Fig.1.1-19 sono mostrati due segnali impulsivi. Le figure accanto mostrano i segnali
differenza e le rispettive energie minime.
In modo pi generale si pu definire il coefficiente di correlazione fra la f(t+) e la h(t). Cio
si calcola la correlazione fra la f(t) traslata di e la h(t). Ovviamente il coefficiente di correlazione
non pi costante ed assume la forma
cfh()= fh()/h(0), chf()= hf()/f(0), [1.1-50]
ancora una volta valide in generale, indipendentemente dal tipo di segnale usando la definizione che
di volta in volta si applica a .
Ortogonalit
Un segnale f(t) ortogonale ad un segnale h(t), in un intervallo t0t1, se il coefficiente di
correlazione cfh nullo. Ci significa, che il tentativo di estrarre da f(t) un segnale cfhh(t) ed otte-
nerne uno di energia o potenza media minima fallisce. Per essere cfh = 0, dalla [1.1-50], deve essere
fh
t
t
t
t
hf f t h t dt h t f t dt ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) . 0 0 0 0
0
1
0
1
= = = = =


0 50 100 150 200 250 300
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0 50 100 150 200 250 300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 50 100 150 200 250 300
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
0 50 100 150 200 250 300
-1
-0.5
0
0.5
1
0 50 100 150 200 250 300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0 50 100 150 200 250 300
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
(a) (b) (c)
(d) (e) (f)
f
h
f-cfhh
h-chff
(f-cfhh)
2
(h-chff)
2
cfh = 0.19
chf = 1.97
Efh = 0.38
t t t
t t t

Fig.1.1-19
Segnali, sistemi ed operatori

13
Come f non contenuto in h anche il viceversa vale. Non si pu estrarre ne f(t) da h(t) ne h(t) da
f(t). A secondo che dei casi, l'energia del segnale somma eguale alla somma delle energie dei sin-
goli segnali. Oppure, per segnali non impulsivi, la potenza media del segnale somma eguale alla
somma delle potenze medie dei singoli segnali.
L'efficienza di correlazione
Per i segnali reali si definisce, l'efficienza di correlazione
E c c fh fh hf
fh
f
hf
h
fh
f h
( ) ( ) ( )
( )
( )
( )
( )
[ ( )]
( ) ( )
, t t t
t

t

= =

=
0 0 0 0
2
[1.1-51]
in cui si fatto uso della [1.1-41].
Per i segnali complessi, invece
E c c fh fh hf
fh
f
hf
h
fh
f
fh
h
fh
f h
( ) ( ) ( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
( )
| ( )|
( ) ( )
,
*
t t t
t

t

= =

= =
0 0 0 0 0 0
2
[1.1-52]
in cui si utilizzata la [1.1-42].
Il motivo per cui si esegue il prodot-
to cfh()chf(-) sta nel fatto che spostare a
destra la f(t) di corrisponde a fare altret-
tanto a sinistra con la h(t).
Le ampiezze dei due segnali non
hanno alcuna importanza, ai fini del calcolo
dell'efficienza di correlazione, solo le loro
forme incidono su tale efficienza. Efh()
corrisponde alla somiglianza fra le funzioni
f ed h traslate di . Efh() varia con . All'i-
stante M in cui Efh(M) massima, la repli-
ca di h traslata di M assomiglia a f al mas-
simo.
L'efficienza un numero positivo
non superiore ad 1. Se Efh(M) unitaria,
significa che, a parte una costante moltipli-
cativa, il segnale h, traslato di M identico
a f. Efh() = 0 per ogni vuol dire che i due
segnali non hanno proprio niente in comu-
ne. In questo caso si dicono scorrelati.
Per aiutare a comprendere meglio
quanto finora stato detto sono riportati al-
cuni esempi.
La Fig.1.1-20 relativa a due im-
pulsi, uno rettangolare, l'altro sinusoidale.
La Fig1.1-20c mostra i due coefficienti di
correlazione, mentre l'ultima figura fa vede-
re l'efficienza di correlazione. Il massimo si
ha quando i due impulsi si sovrappongono
al meglio ed del 41.2-2 %.
1
2
3
4
5
6
1000 0 500
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
1000 0 500
0
0.5
1
1.5
2
2.5
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
1000 0 500 1000 0 500
(a) (b)
f h
chf() cfh()
E
hf
() E
fh
()
E = 41%
t t
t
t

Fig.1.1-20
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
0
2
4
6
8
1000 0 500
1000 0 500
1000 0 500
1000 0 500
(a)
(b)
(c)
(d)
f h
chf()
E
hf()
Efh()
E = 100%
t
t
t
t
cfh()

Fig.1.1-21
Segnali, sistemi ed operatori

14
La Fig.1.1-21 si riferisce alla correla-
zione di due impulsi sinusoidali di eguale
forma ma traslati e di diversa ampiezza. Le
due funzioni di correlazione sono identiche
ed anche i coefficienti di correlazione lo so-
no, a parte un fattore di scala. L'efficienza di
correlazione diventa unitaria quando pro-
prio il ritardo fra i due impulsi e questi, a par-
te un coefficiente, sono proprio sovrapponibi-
li.
La stessa cosa stata fatta in Fig.1.1-
22 con due impulsi unipolari simili traslati e
di segno contrario.
Per quanto riguarda l'efficienza di au-
tocorrelazione di qualunque segnale essa
massima per = 0, ovviamente.
Modulazione di ampiezza
Dato un segnale vm = VMgm(t), [1.1-53]
con ampiezza VM, detto segnale modulante ed un segnale periodico sinusoidale di frequenza fp ed
ampiezza VP vp = VPcos(2fpt), [1.1-54]
detto portante. Si dice segnale modulato in ampiezza il segnale
vam = Vp[1+magm(t)]cos(2fpt), [1.1-55]
ma 1 viene detto indice di modulazione.
Nella Fig.1.1-23a mostrata l'onda portante. Nella Fig.1.1-23b
il segnale modulante che un dente di sega e nella Fig.1.2-23c il se-
gnale modulato. Si nota bene che l'effetto della modulazione di fare
variare l'ampiezza della portante cos come varia il segnale modulante.
Un blocco che esegue la modulazione d'ampiezza viene rappresentato nella Fig.1.1-24.
Modulazione di frequenza
Dato un segnale
vm = VMgm(t), [1.1-53]
con ampiezza VM, detto segnale modulante ed un segnale perio-
dico sinusoidale di frequenza fp ed ampiezza VP
vp = VPcos(2fpt), [1.1-54]
detto portante. Si dice segnale modulato in frequenza il segnale
vfr = Vpcos {2fp[1+mfgm(t)]t]}, [1.1-56]
mf 1 viene detto indice di modulazione.
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1000 0 500 1000 0 500
1000 0 500 1000 0 500
(b)
f h
Ehf()
Efh()
E = 100%
t
t
-1.2
-1
-0.8
-0.6
-0.4
-0.2
0
-3
-2.5
-2
-1.5
-1
-0.5
0
(a)
chf()
t
t
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
cfh()

Fig.1.1-22
am

Fig.1.1-23
u(t)
AM
Vp
Vm

Fig.1.1-24
fr

Fig.1.1-25
Segnali, sistemi ed operatori

15
Un blocco che esegue la modulazione d'ampiezza viene rap-
presentato come a lato. La Fig.1.1-25. mostra l'effetto della modula-
zione di frequenza sugli stessi segnali di Fig.1.1-23. La frequenza del-
la portante diminuisce quando il segnale modulante negativo, mentre
cresce quando positivo.
1.1.2.6 Segnali fondamentali
Definiamo alcuni segnali fondamentali. La loro importanza basilare, anche se si tratta di
pure astrazione teoriche.
Gradino unitario
La Fig.1.1-27a rappresenta un gradino unitario. Esso viene definito come
g t ( ) . =
>

1 0
0 0
per t
per t
[1.1-57]
Nella Fig.1.1-27b c' la
rappresentazione di un gradino
unitario traslato di . Esso de-
finito come
g t ( ) . =
>

t
t
t
1
0
per t
per t
[1.1-58]
Il gradino unitario par-
ticolarmente importante per rappresentare i segnali discontinui. Sommando ad un segnale continuo
un gradino di ampiezza a ritardato di si produce una discontinuit al segnale continuo con un salto
pari ad a al tempo .
Impulso unitario o
Prendiamo in considerazione un impulso come quello
rappresentato in Fig.1.1-28. La sua ampiezza, nell'intervallo d,
1/d ed zero altrimenti. L'impulso ha dunque una area unitaria.
Viene definito impulso (funzione delta di Dirac) l'impulso che
si ottiene al limite quando d tende a zero. Dunque
o o ( ) ( ) . t dt t dt
0 0
0
1

+

= = [1.1-59]
Per convenzione rappresentiamo la funzione delta come una bar-
retta all'istante in cui avviene. Nella stessa Fig.1.2-28 mostrata
una (t-).
Applichiamo una delta ad un integratore. Si ha
o o o ( ) ( ) ( ) ( ), t dt t dt t dt g t
t
0 0
0
0
1 0
0 0


= = =
>

=
per t
per t

che non altro che il gradino unitario. Poich, quindi, il gradino l'integrale della delta, segue, ba-
nalmente, che la delta la derivata del gradino.
Esponenziale complesso
I segnali esponenziali sono di estrema importanza. Studieremo, per ora, in generale, i segnali
esponenziali complessi. Sia un numero complesso
= 0 + j0. [1.1-60]
u(t)
FM
Vp
Vm

Fig.1.1-26
0 50 100 150 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
t
V
(a) (b)
0 50 100 150 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
t
V

Fig.1.1-27
0 50 100 150 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
t
V
d
t
(t-)

Fig.1.1-28
Segnali, sistemi ed operatori

16
Definiamo un esponenziale complesso unitario come
e t e
t
( ) =
p
per t >0 [1.1-61]
Usando le formule di Eulero l'esponenziale complesso esprimibile in un'altra forma:

( )
e t e e e e e t j t
t j t t j t t
( ) (cos sen ). = = = = +
+ p o o o

0 0 0 0 0
0 0 [1.1-62]
L'importanza del segnale esponenziale complesso sta nel fatto che la derivazione o l'integra-
zione di un esponenziale complesso comporta soltanto la moltiplicazione o la divisione per dello
stesso esponenziale. Inoltre se o 0 oppure 0 sono nulli si ottengono particolari segnali, come ve-
dremo pi avanti.
Un altro segnale esponenziale complesso molto importante il coniugato del precedente che
si indica con e
*
(t).

( )
e t e e e e e t j t
t j t t j t t * *
( ) (cos sen ). = = = =
p o o o

0 0 0 0 0
0 0 [1.1-63]
Applicando le definizioni si ha:
e t e t e t j t e t j t e
t t t
( ) ( ) (cos sen ) (cos sen ) ,
*
= + =
o o o

0 0 0
0 0 0 0
2

cio e e e
t o0
=
*
. [1.1-64]
Il prodotto dell'esponenziale complesso e del suo coniugato da il coefficiente esponenziale reale.
1.1.2.7 Segnali derivati dai fondamentali
A partire dai tre segnali fondamentali possibile costruirne tanti altri. Descriveremo alcuni
fra i pi importanti.
Impulso unitario largo D
Un impulso unitario largo D pu essere ottenuto per differenza fra
due gradini di cui il secondo ritardato di D. Pertanto
f(t) = g(t)-g(t-D) [1.1-65]
mostrato nella Fig.1.1-29.
Rampa unitaria
Integrando un gradino unitario si ha la rampa unitaria definita come
f(t) = t per t>0[ 1.1-66]
mostrata nella Fig.1.1-30.
Esponenziale decrescente
Un segnale che si incontra molto spesso l'esponenziale decrescen-
te. Esso si ha dalla [1.1-62] per 0 = 0 e per 0 = - < 0. Allora
f(t) = e
-t
per t>0 , [1.1-67]
o che lo stesso da
f(t) = g(t) e
-t
[1.1-68]
ed mostrato nella Fig.1.1-31.
Esponenziale divergente
Sempre dalla [1.1-62] per 0 = 0, ma, al contrario, per > 0, dalla
[1.1-62] si ottiene un esponenziale divergente. Si ha
f(t) = e
t
per t>0, [1.1-69]
o che lo stesso da
f(t) = g(t) e
t
[1.1-70]
0 50 100 150 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
t
V
D

Fig.1.1-29
0 50 100 150 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
t
V

Fig.1.1-30
0 50 100 150 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
t
V

Fig.1.1-31
t
V
0 20 40 60 80 100
0
2
4
6
8
10
12
14

Fig.1.1-32
Segnali, sistemi ed operatori

17
mostrato nella Fig.1.1-32.
Sinusoide smorzata
La semidifferenza dell'esponenziale complesso e del suo coniugato da il seno smorzato, a
parte lunit immaginaria j a dividere. Infatti dalle [1.1-62] e [1.1-63]
e e
j
e t j t e t j t
j
t t

=
+
*
(cos sen ) (cos sen )
2 2
0 0
0 0 0 0
o o


cio
e e
j
e t
t

=
*
sen
2
0
0
o
per t>0. [1.1-71]
mostrato nella Fig.1.1-33.
Cosinusoide smorzata
Se, invece, si esegue la semisomma dell'esponenziale complesso e
del suo coniugato si ha il coseno smorzato. Infatti, analogamente al caso
precedente, e utilizzando ancora le [1.1-62] e [1.1-63]
e e e t j t e t j t
t t
+
=
+ +
*
(cos sen ) (cos sen )
2 2
0 0
0 0 0 0
o o


cio
e e
e t
t
+
=
*
cos
2
0
0
o
per t>0. [1.1-72]
mostrato nella Fig.1.1-34.
Oscillazione sinusoidale divergente
Nel caso in cui 0 risultasse positivo si avrebbero oscillazioni di-
vergenti come quelle mostrate in Fig.1.1-35.
Seno unitario
La [1.1-71], nel caso di smorzamento nullo, da il segnale seno mo-
strato nella figura 1.1-36
f(t) = sen 0t per t>0. [1.1-73]
Coseno unitario
Analogamente la [1.1-72], nel caso di smorzamento nullo, da il se-
gnale coseno mostrato nella figura 1.1-37.
f(t) = cos 0t per t>0. [1.1-74]
t
V
0 50 100 150 200
-1
-0.5
0
0.5
1

Fig.1.1-33
t
V
0 50 100 150 200
-1
-0.5
0
0.5
1

Fig.1.1-34
t
V
0 50 100 150 200
-50
0
50

Fig.1.1-35
t
V
0 50 100 150 200
-1
-0.5
0
0.5
1

Fig.1.1-36
t
V
0 50 100 150 200
-1
-0.5
0
0.5
1

Fig.1.1-37
Segnali, sistemi ed operatori

18
1.2. Le equazioni differenziali
La trattazione delle equazioni differenziali, pur essendo molto importante, esula dagli scopi
di questa trattazione. Pertanto si rimanda ai testi specializzati
[BO],[SA],[SP1]
senza entrare nei partico-
lari. Vengono soltanto ricordati i risultati relativi ad alcuni casi semplici di equazioni differenziali
che sono pi comunemente incontrati nello studio dei sistemi elettronici.
1.2.1 Equazioni differenziali lineari omogenee a coefficienti costanti
Cominciamo dalle equazioni differenziali lineari omogenee a coefficienti costanti. Un si-
stema descritto dalla seguente equazione differenziale lineare omogenea a coefficienti costanti
a
d y
dx
i
n
n
i
n
,0
0

= [1.2-1]
si dice anche di ordine n poich l'equazione differenziale relativa di ordine n.
Il calcolo fornisce gli strumenti per determinare la soluzione. Si chiama polinomio caratteri-
stico il polinomio
P n a s d i
i
i
n
( ) ,
,
=

0
[1.2-2]
le cui radici si hanno per
a s i
i
i
n
,
.
0
0

=
Se questa ha n radici p1, p2, ..., pn distinte allora la soluzione della [1.2-1]
y = c1 e
p
1
x
+ c2 e
p
2
x
+...+ cn e
p
n
x
. [1.2-3]
Se una sua radice pj ha molteplicit r, allora, in corrispondenza, la [1.2-3] avr sempre n termini di
cui r sono e
p
j
x
, xe
p
j
x
,...+ x
r-1
e
p
j
x
.
Ad ognuno degli n termini associata una costante arbitraria da determinare in base alle
condizioni al contorno e cio delle
y
d y
dx
k
k
k
0
0
= . [1.2-4]
1.2.2 Equazioni differenziali lineari non omogenee a coefficienti costanti
In questo caso l'equazione da risolvere del tipo
a
d y
dx
z x i
n
n
i
n
,
( )
0

= [1.2-5]
Il sistema ancora di ordine n.
La soluzione della [1.2-5] ancora la [1.2-3] con l'aggiunta di un integrale particolare che
dipende dalla z(x). Si rimanda ai citati testi di calcolo per un approfondimento di questo argomento.
Tuttavia vale la pena di ricordare che se z(x) , per es., un polinomio, allora un integrale particolare
sar un altro polinomio. Se, per es., z(x) una funzione del tipo sen x o cos x allora l'integrale
particolare sar qualcosa del tipo Asen x + Bcos x. Nel caso di un seno od un coseno smorzato,
si avr, invece, un integrale particolare del tipo e
x
(Asen t + Bcos t).
Segnali, sistemi ed operatori

19
1.3. La trasformata di Steimetz
Una trasformazione di una funzione f(x) in un altra F(y) consiste nellapplicare un operatore
che fa corrispondere ad una funzione f(x) nel dominio della variabile x una funzione F(y) nel domi-
nio della variabile y. In elettronica le trasformazioni si usano per facilitare lo studio dei circuiti.
Cominciamo a descrivere un operatore che trasforma una funzione periodica sinusoidale in
un numero complesso. Tale operatore prende il nome di Trasformata di Steimetz.
Consideriamo un vettore rotante A con pulsazione , fase iniziale ed ampiezza AM. Le ci-
tate formule di Eulero ci consentono di descrivere il vettore in forma esponenziale o trigonometrica:
A A t j t M = + + + [cos( ) sen( )], A A e M
j t
=
+ ( )
].

[1.3-1]
Calcoliamo la derivata di A.
dA
dt
A t j t j A t j t j A M M = + + + = + + + = [ sen( ) cos( )] [cos( ) sen( )] .Quindi

dA
dt
j A = . [1.3-2]
La trasformata di Steimetz consente di calcolare la derivata di un segnale
sinusoidale periodico di pulsazione semplicemente moltiplicando per j
la sua rappresentazione complessa. Nella Fig.1.3-1 mostrata la rappre-
sentazione schematica del vettore A e della sua derivata. La derivata
sfasata in anticipo di 90 rispetto al vettore A.
Calcoliamo l'integrale di A.
Adt A t j t dt
A
t j t d t
t
M
t
M
t
0 0 0

= + + + = + + + = [cos( ) sen( )] [cos( ) sen( )] ( )



= + + = + + + =
A
t j t
A
j
t j t
A
j
M M





[sen( ) cos( )] [cos( ) sen( )]
Allora Adt
A
j
o
t

[1.3-3]
La funzione integrale si ottiene dividendo per j. La cosa era prevedibile
dal momento che in fondo siamo in presenza di segnali esponenziali com-
plessi. Nella Fig.1.3-2 mostrata la rappresentazione schematica del vetto-
re A e del suo integrale. Questa volta lintegrale sfasato in ritardo di 90
rispetto al vettore A.
Adoperiamo la trasformazione di Steimetz per il calcolo di tensioni
e correnti applicate a componenti come resistori, condensatori ed induttori.
In una rete elettrica il rapporto V I fra le trasformate di Steimetz di tensione e corrente vie-
ne indicato con il simbolo Z e prende il nome di impedenza. Il suo inverso Y Z = 1 viene chiamato
ammettenza.
Un resistore definito dalla legge di Ohm. v la tensione ai suoi capi, i la corrente che
l'attraversa. Cio:
R
v
i
= , [1.3-4]
R la resistenza del resistore e si misura in Ohm.
dA
dt
j A =
A

Fig.1.2-1
Adt
A
j
t
0

A

Fig.1.2-2
Segnali, sistemi ed operatori

20
Pertanto la tensione ai capi v = R i [1.3-5]
Se la corrente sinusoidale di ampiezza IM e pulsazione con fase iniziale
i I t j t M = + + + [cos( ) sen( )] Z M Z M [1.3-6]
quindi
v Ri RI t j t V t j t v M M = = + + + = + + + = [cos( ) sen( )] [cos( ) sen( )] Z M Z M Z M Z M
Applicando la trasformazione di Steimetz
V RI = [1.3-7]
che si poteva ottenere direttamente dalla [1.3-5].
Un condensatore definito dal rapporto fra la carica q accumulata
dalle sue armature e la differenza di potenziale v che si stabilisce fra le
stesse. Dunque:
C
q
v
= [1.3-8]
C la sua capacit e si misura in Farad.
Se applichiamo una differenza di potenziale variabile ad un condensatore di capacit C scor-
re una corrente
i
dq
dt
d Cv
dt
C
dv
dt
= = = ,
cio i C
dv
dt
= . [1.3-9]
Per quanto detto prima, applicando la [1.3-2],
, V C j I = [1.3-10]
o anche V
j C
I =
1
Z
. [1.3-11]
L'impedenza del condensatore, che ha le dimensioni di una resistenza,

V
I
Z
j C
XC = = =
1
Z
, [1.3-12]
e viene chiamata reattanza del condensatore ed indicata con XC. Il suo
inverso la suscettanza.
Il modulo e l'argomento della reattanza sono, rispettivamente,
X X
C
C C = = | | ,
1
Z
[1.3-13]
e arg( ) . XC = S 2 [1.3-14]
Questo significa che, aumentando la frequenza o la capacit, la corrente
nel condensatore aumenta, e che il vettore V in ritardo di 90 sul vetto-
re I , vedi Fig.1.2-4
In modo analogo una induttore definito dal fatto che una variazione di corrente al suo in-
terno produce ai suoi capi una caduta di potenziale data da
v L
di
dt
= , [1.3-15]
L linduttanza dellinduttore e si misura in Henry.
Applicando la [1.3-2] si ha
V j LI = Z . [1.3-16]
L'impedenza dellinduttore, che ha le dimensioni di una resistenza,
V
I
M

Fig.1.2-3
V XC = I
I

Fig.1.2-4
Segnali, sistemi ed operatori

21
, X L j Z
I
V
L = = = [1.3-17]
La reattanza dellinduttore ed indicata con XL.
Il modulo e l'argomento della reattanza sono, rispettivamente,
X X L L L = = | | , Z [1.3-18]
e arg( ) , XL = S 2 [1.3-19]
Questo significa che, aumentando la frequenza o la capacit, la corrente
nellinduttore diminuisce, e che il vettore V in anticipo di 90 dal vettore
I , vedi Fig.1.2-5.
Due componenti sono in serie se sono attraversati dalla
stessa corrente. Ovviamente la tensione ai capi la somma delle
tensioni sui singoli componenti. Supponiamo di mettere in serie
una resistenza R ed un elemento reattivo X come in Fig.1.2-6a.
Sar:
V V V RI XI R X I R X = + = + = + ( ) . [1.3-20]
Per quanto riguarda il modulo e la fase, dalla Fig1.2-6b:
| | | | | | | | V V V I R X I Z R X = + = + =
2 2 2 2
. [1.3-21]
M = = arctg arctg
V
V
X
R
X
R
. [1.3-22]
Due componenti sono in parallelo se hanno i
terminali in comune e quindi sino sottoposti alla stessa
tensione. Naturalmente la corrente complessiva la
somma delle singole correnti. Supponiamo di mettere in
parallelo una conduttanza G ed un elemento reattivo di
suscettanza S come in Fig.1.2-7a. Sar:
V Y V ) X G ( V S V G I I I S G = + = + = + = . [1.3-23]
Per quanto riguarda il modulo e la fase, dalla Fig1.2-7b:
| Y | | V | S G | V | I I | I |
2 2 2
S
2
R = + = + = . [1.3-24]
M = = arctg arctg
V
V
S
G
S
G
. [1.3-25]

V XL = I
I

Fig.1.2-5
+
-
+
-
+
-
R
X
V
I
VR
Vx
I
V
VR
Vx
(a)
(b)

Fig.1.2-6
(a)
+
-
G V
I
IG IS
S
(b)
V
I
IG
IS

Fig.1.2-7
Segnali, sistemi ed operatori

22
1.4. La trasformata di Laplace
Data una funzione f(t), nulla per t 0, ad un solo valore, si definisce Trasformata di Lapla-
ce , dt e ) t ( f ) s ( F )] t ( f [
st

= = L [1.4-1]
in cui s la variabile complessa s = + j, [1.4-2]
quando L() assolutamente convergente.
Da ora in poi ndicheremo per brevit con la lettera minuscola una funzione della variabile
indipendente e con la stessa lettera, per maiuscola la sua trasformata di Laplace e viceversa. Quin-
di nel seguito, ad es.:
f(t) F(s);
f1(t) F1(s);
fp(t) Fp(s);
che supporremo tutte trasformabili insieme alle loro derivate n-esime ed alle loro funzioni integrali.
Si fa notare che, se si eseguono trasformate di funzioni non nulle solo per t>0, del tutto indifferen-
te mettere come limite inferiore zero oppure -=. Infatti
F s f t e dt f t e dt f t e dt f t e dt
st st st st
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) , = = + =



0
0 0
0 0
se f(t) non nulla solo per x>t. E allora, dal momento che considereremo soltanto funzioni non nul-
le solo per t > 0 potremo sempre dire che
F s f t e dt
st
( ) ( ) . =


0
[1.4-3]
1.4.1 Propriet fondamentali
Prima di applicare la trasformata di Laplace ai circuiti elettronici necessario mostrare alcu-
ne sue propriet fondamentali.
La trasformata di Laplace un operatore lineare
Siano f1(t) e f2(t) due funzioni che hanno come trasformate F1(s) e F2(s). Vogliamo calcolare
la trasformata della loro somma. Applicando la definizione [1.4-3], dal momento che l'integrale di
una somma eguale alla somma degli integrali delle funzione componenti la somma, si ha sempli-
cemente
L(f1+f2) = L(f1) + L(f2) = F1+F2. [1.4-4]
Inoltre dalla definizione di trasformata risulta evidente che:
L(k1f1) = k1L(f1) = k1F1; L(k2f2) = k2L(f2) = k2F2; [1.4-5]
ed anche L(k1f1+ k2f2) = k1L(f1)+ k2L(f2) = k1F1+ k2F2. [1.4-6]
Il che stabilisce che la trasformata di Laplace un operatore lineare.
Trasformata della derivata
Calcoliamo la trasformata della derivata della funzione f(t) che ha come trasformata F(s).
Applichiamo la definizione [1.4-3]
), 0 ( f ) s ( sF fdt e s ) 0 ( f dt ) f se ( f e df e dt e
dt
df
)
dt
df
(
0
st
0
st
0
st
0
st
0
st
= + = = = =

L
valida se
t
st
e f
,
lim
.


= 0 [1.4-7]
Segnali, sistemi ed operatori

23
In tal caso ). 0 ( f ) s ( sF
dt
df
=

L [1.4-8]
La trasformata della derivata di una funzione si calcola moltiplicando per s la relativa trasformata e
sottraendo il suo valore iniziale.
Nel seguito ci interesser ricordare che se vale la [1.4-7]
. df e ) 0 ( f ) s ( sF
dt
df
0
st

= =

L [1.4-9]
Trasformata della derivata i-esima
Dimostreremo, con il metodo induttivo, che per la derivata i-esima vale
, f s ) s ( F s )
dt
f d
(
1 n
0 , k
k
0
1 k n n
n
n


= L [1.4-10]
dove, in analogia alla [1.2-4] f
d f
dt
k
k
k
0
0
= . [1.4-11]
Abbiamo visto che per n = 1 la [1.4-10] verificata. Supponiamo che sia anche vera per n-1.
Cio . f s ) s ( F s
dt
f d
2 n
0 , k
k
0
1 k n 1 n
1 n
1 n

L
Applicando a quest'ultima ancora la [1.4-8]:
. f s ) s ( F s
dt
f d
f s ) s ( F s s
dt
f d
dt
d
dt
f d
1 n
0 , k
k
0
1 k n n
0
1 n
1 n 2 n
0 , k
k
0
1 k n 1 n
1 n
1 n
n
n


L L
Che non altro che la [1.4-10].
Trasformata della funzione integrale
Determiniamo la trasformata della funzione integrale ( ) ( ) t f t dt
t
=

0
della funzione f(t) che
ha come trasformata F(s). Ovviamente (0) = 0. Inoltre d/dt = f.
Dalla [1.4-8] ; dt ) t ( f s ) 0 ( ) ( s
dt
d
t
0

= =

L L L e ). s ( F ) f (
dt
d
= =


L L
Eguagliando le due espressioni
.
s
) s ( F
dt ) t ( f
t
0
=

L [1.4-12]
La trasformata dellintegrale di una funzione si calcola dividendo per s la relativa trasformata.
Trasformata di un segnale ritardato
Si pu esprimere la trasformata di un segnale ritardato in funzione della trasformata del se-
gnale originario. Consideriamo la f(t) e la stessa funzione ritardata di At. Impieghiamo la definizio-
ne [1.4-3] per determinare la trasformata.
. dt e ) t t ( f dt e ) t t ( f dt e ) t t ( f )] t t ( f [
t
st
t
0
st
0
st


+ = = L
Poniamo t = t-At. Allora la precedente diventa
. d e ) ( f e d e ) ( f 0 )] ( f [
0
s t s
0
) t ( s



+
= + = L
Segnali, sistemi ed operatori

24
Dunque ) s ( F e )] t t ( f [
t s
= L [1.4-13]
Quindi la trasformata del segnale ritardato di At si ottiene da quella del segnale non ritardato sem-
plicemente moltiplicando per e
-sAt
. Un ritardo At nel dominio del tempo corrisponde ad un fattore
moltiplicativo e
-sAt
in quello di s.
Teorema del valore iniziale
Riprendiamo la [1.4-9].
sF s f e df
st
( ) ( ) , =

0
0

e determiniamo il limite di entrambi i termini per s=:
lim[ ( ) ( )] lim[ ( )] ( ) lim .
, ,
,
s s
st
sF s f sF s f e df
s

= =

=

0 0 0
0

Cio
f sF s
s
( ) lim[ ( )],
,
0 =

[1.4-14]
che consente di ricavare il valore iniziale di una f(t) a partire dalla sua F(s). Ricordiamo che, pero,
la [1.4-9], e quindi la [1.4-14], valgono quando vale la [1.4-7].
Teorema del valore finale
In modo analogo, ma questa volta il limite si esegue per s0:
lim[ ( ) ( )] lim[ ( )] ( ) lim lim( ) lim ( ) ( ).
, , ,
,
, s s s
st st
s
t
sF s f sF s f e df e df df f t f
0 0 0
0
0
0 0
0 0 0 = =

= = =



Cio lim ( ) lim[ ( )];
, , t s
f t sF s

=
0
[1.4-15]
che permette di ricavare il valore finale di una f(t) a partire dalla sua F(s). Si intende che la validit
della [1.4-15] dipende da quella della [1.4-7].
Cambio della scala dei tempi
Abbiamo gi visto cosa succede quando si scalano i tempi. Vediamo cosa succede della tra-
sformata. Riprendiamo la definizione [1.4-3]
L[ ( )] ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ). f t a f t a e dt f t a e ad t a a f x e d x aF as
st sat a sax
= = = =



0 0 0

Quindi
L[ ( )] ( ). f t a aF as = [1.4-16]
Per a = -1
L[ ( )] ( ). f t F s = [1.4-17]
Moltiplicazione per esponenziale complesso
Molto spesso si incontrano segnali moltiplicati per esponenziali complessi, perci molto
comodo conoscere il modo di determinare la trasformata di tali segnali in modo semplice. Adope-
riamo la definizione di trasformata di Laplace:
L[ ( ) ] ( ) ( ) ( ) ( ).
( )
f t e f t e e dt f t e d t F s a
at st at s a t

= = = +

0 0
0

Segnali, sistemi ed operatori

25
Cio L[ ( ) ] ( ). f t e F s a
at

= + [1.4-18]
Si fa notare che l'espressione precedente valida comunque sia a, positivo o negativo, reale o com-
plesso. Discuteremo pi avanti il senso di a negativo o complesso. In altri termini, il calcolo si ese-
gue semplicemente sostituendo in F(s), dappertutto a s, s+a.
1.4.2 Trasformate dei segnali fondamentali e dei loro derivati
A questo punto utile calcolare le trasformate dei segnali fondamentali e dei loro derivati.
Gradino unitario
Riprendiamo la definizione [1.1-57] del gradino unitario ed applichiamo la definizione di
trasformata [1.4-3]
.
s
1
e
s
1
s
) st ( d
e dt e ) t ( g )] t ( g [
o
st
0
st
0
st
= =

= =


L
Allora
s
1
) s ( G )] t ( g [ = = L [1.4-19]
Delta
Per calcolare la trasformata della o possiamo tenere conto che essa la derivata del gradino.
Applicando, allora la propriet della trasformata della derivata, espressa dalla [1.4-9], ad un gradino
si ha:
( ) . 1 0
s
1
s ) 0 ( g )] t ( g [ s
dt
) t ( dg
= = =

= L L L
Dunque ( ) 1 = L . [1.4-20]
Esponenziale complesso
Un segnale formalmente molto interessante l'esponenziale complesso definito dalla [1.1-
61] che, si pu anche scrivere in modo solo apparentemente diverso come e t g t e
t
( ) ( ) =
p
. Ricor-
diamo che g(t) il gradino unitario diverso da zero soltanto per tempi positivi come definito dalle
[1.1-57] e [1.1-59]. Il calcolo della trasformata immediato. Applicando la propriet della moltipli-
cazione per un esponenziale complesso descritta dalla [1.4-18] e tenendo presente che la trasformata
di un gradino data dalla [1.4-19] si ha direttamente:
.
s
1
] e ) t ( g [ )] t ( e [
t


= =

L L [1.4-21]
Esponenziale decrescente
Nel caso di esponenziale reale: f t g t e
t
( ) ( ) . =


o

In modo diretto usando la [1.4-21] .
s
1
] e ) t ( g [
t

+
=

L [1.4-22]
Impulso largo D
La [1.1-65] lespressione di un impulso unitario largo D. Impiegando la [1.4-19] che si ri-
ferisce alla trasformata di un gradino e la [1.4-13] che da la trasformata di un segnale ritardato
.
s
e 1
s
e
s
1
)] D t ( g ) t ( g [
sD sD

= = L
Cio .
s
e 1
)] D t ( g ) t ( g [
sD

= L [1.4-23]
Segnali, sistemi ed operatori

26
Rampa unitaria
La trasformata di una rampa unitaria pu essere calcolata in molti modi. Per esempio si pu
tener conto che essa l'integrale di un gradino unitario. Pertanto, applicando la [1.4-12] alla [1.4-
19] si ha:
.
s
1
s
[g(t)]
dt ) t ( g ) t ( f
t
0
2
= =
L
[1.4-24]
Sinusoide unitaria
Per calcolare la trasformata del segnale sinusoidale unitario definito dalla [1.1-56] appli-
chiamo la definizione. Pertanto:
( ) . dt e t cos e t sen
s
1
) e ( d t sen
s
1
dt e t sen t sen
0
st
0
st
0
st
0
st
=

= = =

L
{ } = +

= + +

= +


1
0 1
0
2
0
0
2
s s
t d e
s
t e t e dt
s
t
st st st





cos ( ) cos sen (sen ) . L
Quindi ( ) ), t sen ( t sen s
2 2
= L L
ed ancora ( ) . t sen ) s (
2 2
= + L
Per finire ( ) .
s
t sen
2 2
+

= L [1.4-25]
Cosinusoide unitaria
Poich
d
dt
t t t (sen ) sen cos , = segue checos (sen ).

t
d
dt
t =
1
Per il calcolo della
trasformata del coseno, conviene utilizzare la propriet della derivata data dalla [1.4-8]. Allora:
( ) ( ) ]. 0 sen t sen s [
1
t sen
dt
d 1
t cos

= L L L
Pertanto ( ) .
s
s
s
s
1
t cos
2 2 2 2
+
=
+

= L [1.4-26]
Sinusoide smorzata
Applicando la propriet [1.4-18] degli smorzamenti alla trasformata [1.4-25] del seno si ha
direttamente .
) s (
) e t sen (
2 2
t

+ +

=

L [1.4-27]
Cosinusoide smorzata
Analogamente, a partire dalle [1.4-26] applicata alla [1.4-18]:
.
) s (
s
) e t (cos
2 2
t
+ +
+
=

L [1.4-28]

1.4.3 Operazioni sui segnali e Trasformata di Laplace
Convoluzione
Abbiamo gi definito con la [1.1-34] la convoluzione fra due funzioni f(t) e h(t) come
Segnali, sistemi ed operatori

27
y t t t fh t f h t d ( ) ( ) ( ) . =


Vediamo di determinare la relazione tra la trasformata della convoluzione e quella delle singole
funzioni. Sia Ifh(s) la trasformata di Laplace di yfh(t). Per definizione
L[ ( )] ( ) ( ) ( ) , y t t t fh fh
st
t s f h t d e dt = =


I
che si pu calcolare scambiando per prima cosa le variabili d'integrazione. Allora
Ifh
st s x
s h t e dt f d h x e f d ( ) ( ) ( ) [ ( ) ] ( ) ,
( )
=


t t t t t
t
dx
dove si posto x=t-t nellintegrale interno. Il termine esponenziale pu essere separato in due parti,
una delle quali non dipende dalla variabile d'integrazione dell'integrale interno, e pu, quindi, essere
posta al di fuori di questi. Cio
Ifh
sx s
s h x e dx f e d ( ) ( ) ( ) . =


t t
t

L'integrale interno non dipende da t e pu essere portato fuori dal segno del primo integrale e cio
Ifh
sx s
s h x e dx f e d ( ) ( ) ( ) , =


t t
t

che per la definizione [1.4-1] della trasformata di Laplace da:
Ifh s F s H s ( ) ( ) ( ) = [1.4-29]
Il processo di convoluzione fra due funzioni nel dominio del tempo corrisponde a quello di
moltiplicazione nel dominio di s delle relative trasformate.
Si noti che la [1.4-29] pu essere anche scritta come:
I I fh hf s F s H s H s F s s ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ). = = = [1.4-30]
Correlazione
La correlazione fra due funzioni reali f(t) e h(t) e data dalla [1.1-37]
t t fh f t h t dt ( ) ( ) ( ) . = +


Applicando la definizione di trasformata e indicando con 1fh(s) la trasformata della correlazione
fh(t) fra i due segnali f(t) e h(t)
L[ ( )] ( ) ( ) ( ) y t t t fh fh fh
st st
t s e dt f t h d e dt = = = +


1 .
Scambiamo le variabili d'integrazione. Allora
1fh
st
s f t e dt h d ( ) ( ) ( ) = +


t t t
Poniamo x = t+t nellintegrale interno. Si ha dx = dt. Allora la precedente diventa
1fh
s x sx s
s f x e dx h d f x e dx h e d ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ,
( )
=



t t
t t t t
In questultima il termine esponenziale stato separato nelle due parti e quella indipendente da x
stata portata al di fuori dallintegrale in dx. Inoltre, poich il termine in parentesi quadra non dipen-
Segnali, sistemi ed operatori

28
de dalla variabile d'integrazione , pu essere portato fuori dall'integrale in d. Allora
, d e ) ( h dx e ) x ( f ) s (
s sx
fh


=
e applicando la definizione della trasformata di Laplace:
1fh s F s H s ( ) ( ) ( ). = [1.4-31]
Nel caso di segnali complessi si sarebbe trovato
1fh s F s H s ( ) ( ) ( ).
*
= [1.4-32]
Autocorrelazione
L'autocorrelazione del segnale f(t) stata definita dalle [1.1-43][1.1-47]. Per il calcolo del-
la sua trasformata conviene applicare le due precedenti definizioni e tenere presente che f(t) = h(t).
Indicando con f(t) e 1f(s), rispettivamente lautocorrelazione e la sua trasformata si ha
) s ( F ) s ( F ) s ( f = [1.4-33]
per f(t) reale. Altrimenti, nel caso di f(t) complessa
1f s F s F s ( ) ( ) ( ).
*
= [1.4-34]
1.4.4 L'antitrasformata di Laplace
L'antitrasformata di Laplace di una funzione F(s) quell'operatore che a partire dalla F(s)
ci consente di ricavare la f(t) di cui la F(s) la Trasformata secondo Laplace.
Si pu dare una definizione in termici analitici dell'antitrasformata. Tuttavia quanto gi detto
sufficiente. In effetti per trovare l'antitrasformata di una F(s) ci si aiuta con tabelle come quelle
proposte nell'Appendice 1 e le si adopera alla rovescia.
1.4.5 Le equazioni differenziali lineari non omogenee a coefficienti costanti
Le equazioni differenziali lineari a coefficienti costanti di particolare importanza si possono
risolvere facilmente usando la trasformata di Laplace. Discutiamo di due casi.
I Tipo
Cominciamo dalle equazioni differenziali lineari del tipo descritte dalla [1.2-5] relativa ad
un sistema di ordine n.
a
d y x
dx
z x i
n
n
i
n
( )
( ).
,0

= [1.2-5]
Applicando la [1.4-10] e trasformando entrambi i membri
a s Y s s y Z(s i
n n k k
k
n
i
n
( ) ).
,
,


1
0
0
1
0

cio Y s
Z(s
a s
a s y
a s i
i
i
n
i
i k
k
i
k
i
n
i
i
i
n
( )
)
.
,
, ,
,
= +

0
1
0
1
0
0
0
[1.4-35]
Abbiamo gi chiamato P s a s d i
i
i
n
( )
,
=

0
[1.2-4]
Segnali, sistemi ed operatori

29
polinomio caratteristico. Poniamo Y s a s y i
i k
k
i
k
i
n
' ( )
, ,
=


1
0
1
0
0
[1.4-36]
la [1.4-35] pu essere scritta semplicemente come
Y s
Z s
P s
Y s
P s d d
( )
( )
( )
'( )
( )
. = + [1.4-37]
La risposta Y(s) del sistema data da due termini, il primo dipende dall'eccitazione, il secondo dalle
condizioni iniziali. Entrambi i termini, inoltre, dipendono da come fatto il sistema attraverso il po-
linomio caratteristico Pd(s). Il termine funzione dall'eccitazione applicata prende il nome di risposta
forzata mentre l'altro, relativo alle condizioni iniziali si chiama risposta libera.
II Tipo
In questo caso l'equazione differenziale da risolvere la
a
d y x
dx
b
d z x
dx
i
n
n
i
n
i
m
n
i
m
( ) ( )
.
, , 0 0

= [1.4-38]
Applicando la [1.4-10], riordinando e riscrivendo opportunamente si ha:
Y s
b s
a s
Z(s
b s z
a s
a s y
a s
i
i
i
m
i
i
i
n
i
i k
k
i
k
i
m
i
i
i
n
i
i k
k
i
k
i
n
i
i
i
n
( ) ) .
,
,
, ,
,
, ,
,
= + +

0
0
1
0
1
0
0
0
1
0
1
0
0
0
[1.4-39]
Dove z
k
0
ha il significato analogo alla [1.2-4], pero per la z. Cio
z
d y
dx
k
k
k
0
0
= . [1.4-40]
Posto P s b s n i
i
i
m
( )
,
=

0
[1.4-41]
e definito il polinomio caratteristico Pd(s) con la [1.2-4] e Y(s) con la [1-4-36]. Poniamo
Z' s b s z i
i k
k
i
k
i
m
( ) .
, ,
=


1
0
1
0
0
[1.4-42]
Allora la [1.4-39] essere scritta semplicemente come
Y s
P s
P s
Z s
Z' s
P s
Y s
P s
n
d d d
( )
( )
( )
( )
( )
( )
'( )
( )
. = + + [1.4-43]
Questa volta la risposta Y(s) del sistema formato da tre termini, il primo due dipendono
dall'eccitazione applicata al sistema, il terzo dalle condizioni iniziali del sistema. Tutti, daltra parte,
dipendono da come fatto il sistema attraverso il polinomio caratteristico Pd(s).
1.4.6 Poli e zeri
Vedremo dopo l'importanza che i due polinomi Pn e Pd hanno nella determinazione del com-
portamento del sistema cui sono applicate le eccitazioni e di cui si vuole sapere la risposta. Intanto
chiamiamo poli le radici di Pd(s) e zeri le radici di Pn(s) e li indichiamo rispettivamente con pi e zi.
Ricordiamo che un polinomio di grado n ha n radici, non sempre tutte distinte, non sempre tutte rea-
li. Per ogni radice complessa esiste la corrispondente coniugata.
1.4.7 Sviluppo delle funzioni razionali fratte in frazioni parziali
Dalle [1.4-37] e [1.4-43] si vede che, nei sistemi governati da equazioni differenziali a coef-
ficienti costanti, se la trasformata dell'eccitazione esprimibile sotto forma di rapporto fra polinomi,
Segnali, sistemi ed operatori

30
questa si pu esprimere anche essa sotto forma di un rapporto di polinomi. Per motivi che vedremo
successivamente opportuno formalizzare tale rapporto fra polinomi come una somma di frazioni
parziali.
Sia R(s) una funzione rapporto fra due polinomi a coefficienti reali con il denominatore di
ordine n. Se il grado del numeratore m < n allora
R s
b s
a s
i
i
i
m
i
i
i
n
( ) .
,
,
=

0
0
[1.4-44]
Se il grado q = m + n n del numeratore di una F(s) allora
F s c s
b s
a s
P s R s i
i
i
q n
i
i
i
m
i
i
i
n
( ) ( ) ( ).
,
,
,
= + = +

0
0
0
q - n [1.4-45]
Con R(s) si indicato genericamente una frazione polinomiale con denominatore di grado n e nu-
meratore di grado m <n.
Il termine Pq-n(s) un polinomio di grado q-n immediatamente antitrasformabile. Il proble-
ma che ci interessa quello di ricavare l'antitrasformata del termine R(s).
Siano pi le radici del denominatore, ognuna delle quali ha molteplicit ni, per un totale di r
radici distinte, in modo che sia
n n i
i
r
,
.
1

= [1.4-46]
Allora sar possibile scrivere l'espressione di R(s) in modo che siano evidenti le radici e cio
R s
b s
a s
b s
a s p
i
i
i
m
i
i
i
n
i
i
i
m
n i
ni
i
r
( )
( )
,
,
,
,
,
= =

0
0
0
1
[1.4-47]
che si pu riscrivere come R s
c
s p
ik
i
ni
k
ni
i
r
( )
( )
,
, ,
=


1 1
[1.4-48]
nella quale c
ni k
d
ds
s p F s ik
ni k
ni k
i
ni
s pi
=

=
1
( )!
( ) ( ) . [1.4-49]
La dimostrazione di questa propriet rintracciabile in
[DI]
.
1.4.8 Sistemi stabili e instabili
Supponiamo di avere un sistema isolato a riposo, con condizioni iniziali nulle. Applichiamo
un ingresso z(t) impulsivo, cio un segnale con energia non illimitata. Se, una volta che l'impulso
finito, passato un transitorio pi o meno lungo, il sistema si rimette nelle condizioni iniziali esso si
dice stabile. Altrimenti il sistema instabile. Facciamo vedere che la parte reale dei poli di un si-
stema determina se il sistema stabile o no.
Per semplicit studiamo un sistema che ha un solo polo p, cio con una F(s)= k/(s-p), che a
riposo abbia una uscita y(t) = 0. Applichiamo al suo ingresso una (qualunque impulso pu essere
immaginato come la sommatoria di non unitarie e traslate l'una rispetto all'altra). Per la [1.4-35]
Segnali, sistemi ed operatori

31
l'uscita y(s)=k/(s-p) cui corrisponde una y(t) =ke
pt
. Essendo presente soltanto un polo esso reale.
Se il polo negativo, allora lim ( ) lim
, , t t
pt
y t ke

= = 0 ed il sistema ritorna allo stato iniziale. Se, inve-
ce, positivo, la soluzione diverge per t ed il sistema non stabile. Le cose non cambiano se i
poli sono pi di uno, purch ce ne sia almeno uno positivo ed il sistema non stabile. Nel caso di
poli complessi la stabilit del sistema dipende soltanto dal segno della parte reale dei poli. Se essa
positiva luscita del sistema diverge. La differenza che in questo caso l'uscita diverge oscillando.
Non possibile nel caso dei sistemi instabili applicare il teorema del valore finale perch non
soddisfatta la [1.4-7].

Segnali, sistemi ed operatori

32
1.5. La serie di Fourier
Abbiamo gi utilizzato la trasformata di Steimetz per lo studio del comportamento di com-
ponenti in regime di correnti e tensioni alternative sinusoidali. La comodit dello strumento ci spin-
ge ad aumentare il campo dello possibili applicazioni. Si pu facilmente dimostrare che la trasfor-
mata di Steimetz un operatore lineare. Pertanto essa immediatamente applicabile al caso in cui le
correnti o le tensioni siano somme di pi componenti comunque sinusoidali. Vedremo che il suo
campo dapplicazione ben vasto
1.5.1 Serie di Fourier Trigonometrica
Si pu dimostrare
[SA]
che un segnale periodico f(t) di qualunque natura e di periodo T e-
sprimibile con la somma di una serie di componenti. Lo sviluppo, da chi lo ha proposto, prende il
nome di Serie di Fourier. La rappresentazione fondamentale
v(t a a k t b k t k k
k
n
) ( cos sen )
,
= + +

0
1
[1.5-1]
con k intero positivo.
Al periodo T corrisponde la pulsazione = 2/T detta anche pulsazione fondamentale. La
frequenza f = 1/T = /2 prende anche essa il nome di frequenza fondamentale. Alle componenti
di pulsazioni k o frequenza kf con k > 1 si danno il nome di k-esima armonica.
Il termine a0 il valor medio e pertanto
a
T
v t dt v d
t T
t T
0
2
2
1 1
2
0
0
0
0
= =

+

( ) ( ) .
/
/
r
o o
o r
o r
[1.5-2]
I coefficienti ak e bk sono i coefficienti di correlazione fra la funzione v(t) e le funzioni f(t)
= cos kt e h = sen kt. Calcoliamo ak. Dalla [1.1-48] ak = cvf = vf(0)/f(0) in cui
vf
t T
t T
T
v t k t dt ( ) ( )cos( ) ;
/
/
0
1
0
0
2
2
=

e f
t T
t T
T
k t dt ( ) cos ( ) ;
/
/
0
1 1
2
2
2
2
0
0
= =


ricavate, per = 0, dalle [1.1-38] e [1.1-45] rispettivamente. Pertanto
a
T
v t k t dt v k d k
vf
f
t T
t T
= = =


r
o o o
o r
o r
( )
( )
( )cos( ) ( )cos( ) .
/
/
0
0
2 1
0
0
0
0
2
2
[1.5-3]
In modo analogo, utilizzando h(t), invece di f(t) si ha che bk = cvh = vh(0)/h(0) in cui
vh
t T
t T
T
v t k t dt ( ) ( )sen( ) ;
/
/
0
1
0
0
2
2
=

e h
t T
t T
T
k t dt ( ) sen ( ) ;
/
/
0
1 1
2
2
2
2
0
0
= =


pertanto b
T
v t k t dt v k d k
vh
h
t T
t T
= = =


r
o o o
o r
o r
( )
( )
( )sen( ) ( )sen( ) .
/
/
0
0
2 1
0
0
0
0
2
2
[1.5-4]
Se n limitato la serie composta da un numero finito di termini e si dice finita. Altrimenti
la serie si dice infinita. Alle volte una serie infinita viene troncata ad un numero finito di termini
commettendo un certo errore.
Consideriamo insieme i due termini relativi alla k-esima armonica. La loro somma
sk = akcos kt + bksen kt. [1.5-5]
Poniamo pk k k a b = +
2 2
, [1.5-6]
cui viene dato il nome di modulo o ampiezza della k-esima armonica.
Segnali, sistemi ed operatori

33
Allora s
a
k t
b
k t k t k k
k
k
k
k
k k = +

= + p
p

p
p cos sen sen( ), [1.5-7]
in cui sen ,
p
k
k
k
a
= [1.5-8]
e cos ,
p
k
k
k
b
= [1.5-9]
o anche k
k
k
a
b
= arctg . [1.5-10]
k prende il nome di fase iniziale.
Ricordiamo che < >= sen cos , 1 2 0
.
per 0
0 per 1/2
cos cos sen sen
2 1
2 1
2 1 2 1


=
>= < = > <
Un segnale periodico di frequenza f ortogonale a tutti i segnali sinusoidali tranne quelli che hanno
frequenze pari alla fondamentale od a una delle armoniche. Cio, non possibile estrarre da un se-
gnale periodico di frequenza f altro che segnali sinusoidali di frequenza kf con k intero. E, inoltre,
le varie componenti armoniche di diversa frequenza di un segnale periodico sono fra di loro tutte
ortogonali.
1.5.2 Serie di Fourier Esponenziale
Consideriamo la serie v(t c e k
jk t
k n
n
) ,
,
=


[1.5-11]
con c
T
v t e dt v e d k
jk t
t T
t T
jk
= =

+

1 1
2
0
0
0
0
2
2
( ) ( ) .
/
/

o
o r
o r
r
o o [1.5-12]
Il termine relativo allindice -k e cio c-k si ottiene dalla precedente cambiando il segno di k e que-
sto
comporta che c-k = c
*
k. [1.5-13]
Sommiamo i due termini della serie relativi agli indici +k e -k:
c e c e e
T
v t e dt e
T
v t e dt k
jk t
k
jk t jk t jk t
t T
t T
jk t jk t
t T
t T

+ = +

+

1 1
0
0
0
0
2
2
2
2
( ) ( ) .
/
/
/
/

Utilizzando le identit di Eulero, dopo una serie di passaggi che qui vengono tralasciati, la prece-
dente diventa
k k k
t jk
k
t jk
k s t senk b t k cos a = e c e c = + +


che risulta essere identica alla [1.5-5]. Inoltre, il termine per k = 0
c
T
v t dt v d
t T
t T
0
2
2
1 1
2
0
0
0
0
= =

+

( ) ( ) .
/
/
r
o o
o r
o r
[1.5-14]
Allora le [1.5-1] e [1.5-11] rappresentano la stessa v(t). Mentre, per, i coefficienti a0, ak e bk
sono numeri reali, i coefficienti ck sono numeri complessi. La forma [1.5-11] prende il nome di Se-
rie Esponenziale. Anche se di non immediata comprensione tuttavia pi compatta e richiede un
sola espressione per l'unico coefficiente. La comodit dell'uso della forma esponenziale sta nel fatto
che le operazione di moltiplicazione, divisione, derivazione ed integrazione vengono fortemente fa-
cilitate se la serie di Fourier in forma esponenziale. Per contrasto, se la serie viene espressa dalla
[1.5-1] si dice che si sta usando la forma trigonometrica.
Segnali, sistemi ed operatori

34
1.5.3 La rappresentazione di Bode
Una funzione del tempo che pu essere espressa con componenti sinusoidali viene rappre-
sentata graficamente in pi modi. I pi usati sono quelli di Bode e di Nyquist.
Un modo molto compatto di rappresentare le componenti del segnale mediante i cosiddetti
diagrammi di Bode. Si tratta di due diagrammi cartesiani distinti, uno per il modulo e l'altro per
l'argomento, di ogni singola componente. Sulle ascisse vengono poste le frequenze o le pulsazioni.
Il modulo viene spesso rappresentato in scala logaritmica, mentre la fase in scala lineare. In realt si
preferisce rappresentare 20 Log del modulo e viene espresso in dB (decibel). In effetti, invece di di-
segnare i singoli punti corrispondenti alle varie armoniche si preferisce rappresentare le armoniche
con delle barrette di altezza proporzionale al modulo od alla fase rispettivamente. La figura che rap-
presenta il modulo prende anche il nome di spettro del segnale.
Se il segnale non ha componenti con negative, come, per esempio, nel caso dello sviluppo
in serie trigonometrica di un segnale reale periodico, conviene usare per le la scala logaritmica.
Per spiegare bene questa questione meglio riferirsi ad un esempio. In Fig.1.5-1a mostrata
un funzione periodica a dente di sega di periodo T ed ampiezza VM che si pu esprimere come
v(t) = 2VM/T (t+i T) per -T/2+i T < t < T/2+i T [1.5-15]
con i intero qualunque. Senza eseguire i calcoli si vede che a0 nullo. Calcoliamo ak con la [1.5-3]
a
V
T
k d
V
T
k d
V k
k
k
k
k
M M M
= = = + =



2 2
0
2 2
r
o

o o
r
o o o
r
o o o
r
r
r
r
r
r
cos cos
cos sen
. [1.5-16]
Mentre bk va calcolato con la [1.5-4]
b
V
T
k d
V k
k
k
k
k
M M
= = =

2
2 2
r
o

o o
r
o o o
r
r
r
r
sen
sen cos

= + =
V
k
k k
V
k
M M
k
r
r r r r
r
2
2
1 [ cos( ) cos( )] ( ) .
Dunque b
V
k
k
M
k
=
+
2
1
1
r
( ) . [1.5-17]
In base alle [1.5-6] il modulo di ogni singola componente
0 1 2 3 4
-0.5
0
0.5
10 20 30 40 50 60
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
10 20 30 40 50 60
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
-60 -40 -20 0 20 40 60
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0.1
0.12
0.14
0.16
0.025
0.05
0.075
0.1
30
210
60
240
90
270
120
300
150
330
180
0
*
0.15
0.125
(a)
(b) (c)
(d) (e)
V(t)
t
T = 1 sec
pk | |
0

ck | |
0
Re( ) ck
Im( ) ck
= 0.628 rad/sec 0

0
V = 1 V pp
V = 1 V pp
VM = 0.5 V
-60 -40 -20 0 20 40 60
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
2
(f) arg( ) c
k
0

Fig.1.5-1
Segnali, sistemi ed operatori

35
p
r
k
M V
k
=
2
. [1.5-18]
Per la [1.5-8] sen k = 0, mentre per la [1.5-9]
cos k = (-1)
k+1
[1.5-19]
e quindi l'argomento , alternativamente 0 e . Le [1.5-18] e [1.5-19] sono rappresentate nelle
Fig.1.5-1b e Fig.1.5-1e, rispettivamente.
Se la [1.5-15] si sviluppa con la serie esponenziale, si trova
c
jV
k
k
k
M
= ( ) . 1
r
[1.5-20]
Questa volta bisogna rappresentare le componenti per k sia positivo che negativo. I diagrammi di
Bode non possono essere utilizzati allo stesso modo perch non si pu fare il logaritmo per < 0.
Allora si usa una scala lineare per le pulsazioni.
Le Fig.1.5-1c e Fig.1.5-1f mostrano i diagrammi di Bode della serie esponenziale. Dal mo-
mento che per la [1.5-13] c-k = c
*
k, segue che |ck| = |c-k| e la rappresentazione del modulo simme-
trica rispetto all'asse delle ordinate. Una ulteriore conseguenza della [1.5-13] che arg(ck) = -arg(c-
k) e la figura corrispondente simmetrica rispetto l'origine. Queste propriet dei diagrammi di Bode
nella forma complessa sono del tutto generali e non valide soltanto per il segnale a dente di sega.
1.5.4 La rappresentazione di Nyquist
In effetti, se si usa la serie esponenziale pi opportuno ricorrere alla rappresentazione di
Nyquist. Per ogni componente viene rappresentato sul piano immaginario il vettore di ampiezza |ck|
e argomento arg(ck). La rappresentazione pi compatta ma si perde la corrispondenza con la fre-
quenza, a meno di indicare, sulla figura, accanto ad ogni vettore, la corrispondente frequenza. Per
quanto detto precedentemente a proposito della rappresentazione di Bode della serie esponenziale, il
diagramma di Nyquist simmetrico rispetto l'asse reale. La Fig.1.5-1d rappresenta il diagramma di
Nyquist del segnale periodico a dente di sega dell'esempio precedente. Si tratta di una successione
di vettori, di ampiezza decrescente e di fase alternativamente di +90 e -90.

Segnali, sistemi ed operatori

36
1.6. L'integrale di Fourier
Riprendiamo la [1.5-11] e vi inseriamo il valore di ck della [1.5-12]. Inoltre indichiamo con
0 = 2/T0 la pulsazione fondamentale e supponiamo che la serie sia infinita. Senza togliere nulla
alla generalit facciamo t0 = 0. Si ha
. e
2
dt e ) t ( v e dt e ) t ( v
T
1
) t ( v
t jk
0
, k
2 / T
2 / T
t jk t jk
, k
2 / T
2 / T
t jk
0
0
0
0
0

0

0
0
0



Indichiamo con = k0 la pulsazione di ogni componente. La precedente diventa
v t v t e dt e
j t
T
T
j t
( ) ( ) ,
/
/
,
=

1
2
0
0
2
2
0
r



nella quale appartiene all'insieme dei numeri interi positivi e negativi multipli di 0. Ricordiamo
che la serie di Fourier di un segnale periodico di pulsazione 0 formato da un insieme discreto di
componenti. La distanza fra le componenti 0. Se aumentiamo il periodo, 0 diminuisce e le righe
dello spettro si infittiscono. A parit di valore efficace aumentando il periodo aumentano le righe
ma diminuisce l'altezza di ogni riga. Quando il periodo diventa molto grande 0 diventa molto pic-
cola e lo spettro tende al continuo con ampiezze molto piccole. Al limite, se T0 tende all'infinito, 0
diventa infinitesimo ed il numero di componenti della serie diventa infinito. La sommatoria va so-
stituita con l'integrale ed al posto di 0 bisogna usare d. Pertanto per T0 la precedente si ri-
scrive come
v t v t e dt e d
j t j t
( ) ( ) . =


1
2r


[1.6-1]
che prende il nome di integrale di Fourier. Dal momento che T0 il segnale non pi periodi-
co. Inoltre perch l'integrale di Fourier converga occorre che v(t) abbia energia finita.

Segnali, sistemi ed operatori

37
1.7. La Trasformata di Fourier
Nella [1.6-1] l'integrale interno una funzione complessa di che prende il nome di Tra-
sformata di Fourier. Per convenzione indichiamo con la lettera corrispondente corsiva maiuscola la
trasformata di Fourier, oppure con il simbolo F[v(t)]. Per cui
. dt e ) t ( v ) ( )] t ( v [
t j



= = V F [1.7-1]
Ma, allora, l'integrale di Fourier pu essere riscritto come

= d e ) (
2
1
) t ( v
t j
V [1.7-2]
che l'antitrasformata di Fourier. Le due espressioni sono analoghe a parte il segno dellesponen-
ziale ed il fattore 1/2.
A titolo d'esempio calcoliamo la Trasformata di Fourier di un impulso largo D ed alto VM
come quello di Fig.1.7-1. Si ha
=

=

= = =




2
e e jV 2
e
j
V
dt e V dt e ) t ( v ) (
2 / D j 2 / D j
M
2 / D
2 / D
t j
M
2 / D
2 / D
t j
M
t j
V
=
2
2
jV
j D
M

( sen ).
Cio .
2 D
2 D sen
D V ) ( M

= V [1.7-3]
Si noti che V() reale. Nella stessa Fig.1.7-1 sono riportati i diagrammi di Bode relativi a V().
Questa volta lo spettro non pi rappresentato a righe ma, essendo uno spettro continuo, con una
linea ininterrotta.
1.7.1 La Trasformata di Fourier e quella di Laplace
Se si confrontano le [1.4-1]e [1.7-1] si nota come la differenza nelle definizioni delle due
trasformate sta nell'esponente: -st nella trasformata di Laplace, -jt in quella di Fourier. Dal mo-
mento che per la [1.4-2], s = +j, banale constatare che.
F[v(t)] = V() = L[v(t)]|
s=j
= V(s)|
s=j
[1.7-4]
e le propriet della trasformata di Fourier sono ricavabili da quelle di Laplace purch si ponga s =
j. Naturalmente si pu anche passare dalla trasformata di Fourier a quella di Laplace semplice-
mente sostituendo a j la variabile s = +j.
Poich sono state ricavate le trasformate di Laplace di un bel po di segnali non si ritiene di
doverlo fare anche per le trasformate di Fourier. Tuttavia per mostrare il metodo calcoleremo anco-
ra la trasformata di Fourier dell'impulso di Fig.1.7-1a. Quest'impulso rettangolare largo D si pu ot-
(a) (b) (c)
D
V(t)
t
|V( )|
0 2r/D
0

VM
0 20 40 60 80 100
0
1
2
3
4
5
6
7
-600 -400 -200 0 200 400 600
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
2
-600 -400 -200 0 200 400 600
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
D VM ( )

Fig.1.7-1
Segnali, sistemi ed operatori

38
tenere come differenza tra due gradini di ampiezza VM traslati fra di loro di D. Cio
v(t) = VM [g(t+D/2) - g(t-D/2],
e trasformando V s V
e e
s
M
sD sD
( ) .
/ /
=

2 2

Applicando direttamente la [1.7-4]

2 D
2 D sen
D V
2 D sen
V 2
j
e e
V ) j ( M M
2 / D j 2 / D j
M

=

V
che la [1.7-3] gi trovata.
Un altro esempio si pu fare con
un esponenziale come quello di Fig.1.7-
2a che esprimibile come
v(t) = VMe
-t/
per t>0. [1.7-5]
Questa, per la [1.4-22], ha come tra-
sformata
V s V s M ( ) / ( ). = +1 t [1.7-6]
Allora, in modo diretto
). 1 j /( V ) ( M + = V [1.7-7]
I diagrammi di Bode della [1.7-
7] sono mostrati nelle Fig.1.7-2b e
Fig.1.7-2d. La Fig.1.7-2c rappresenta il
diagramma di Nyquist relativo al mede-
simo segnale. Facciamo vedere che
una circonferenza. Calcoliamo le due
parti reali e immaginarie della [1.7-7]:
;
1
/ V
x )] ( Re[
2 2
M
+

= = V .
1
V
y )] ( Im[
2 2
M
+

= = V
Quindi x y V
V
V x M
M
M
2 2 2
2 2
2 2 2
2
2 2
2
1
1 1
+ =
+
+
=
+
=
t
t t
t
[ ]
,
che l'equazione del cerchio di raggio VM/2 con il centro sull'asse delle x, passante dall'origine e
rappresentato in Fig.1.7-2c. Per negativa e, in valore assoluto, crescente, il vettore sta nel semi-
piano a parte immaginaria negativa e si sposta dall'origine. Per crescente e positiva, il vettore si
riavvicina all'origine spostandosi nel semipiano a parte immaginaria positiva.
1.7.2 La convoluzione nel dominio del tempo
Riprendiamo la [1.4-30] relativa alla trasformata di Laplace della convoluzione fra due se-
gnali g(t) e h(t). Applicando la [1.7-4] si ha che:
)]. t ( [ ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )] t ( [ hg gh = = = = = F Y G H H G Y F hg gh [1.7-8]
Teorema della convoluzione nel dominio del tempo: la trasformata della convoluzione di due
funzioni nel dominio del tempo il prodotto delle trasformate delle due funzioni nel dominio del-
le pulsazioni. Applicando la definizione di antitrasformata la precedente si pu scrivere come::
)] ( ) ( [ d e ) ( ) (
2
1
d ) t ( h ) t ( g ) t (
t j
gh =

= =



H G F H G
1
[1.7-9]
che pu anche essere letta come la convoluzione di due funzioni nel dominio del tempo
lantitrasformata del prodotto delle relative trasformate.
(a) (b)
(d)
V(t)
-1 -0.5 0 0.5 1
x 10
7
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
-1 -0.5 0 0.5 1
x 10
7
0
1
2
3
4
5
6
x 10
-6
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
x 10
-5
0
1
2
3
4
5
t

| |
V( )

( )
VM
(c)
Re
Im
0 1 2 3 4 5 6
x 10
-6
-3
-2
-1
0
1
2
3
x 10
-6

VM

Fig.1.7-2
Segnali, sistemi ed operatori

39
1.7.3 La convoluzione nel dominio delle pulsazioni
Siano g(t) e h(t) due funzioni che hanno le trasformate G() e H(). Si definisce convolu-
zione fra le due trasformate
. dx ) x ( ) x ( ) (


= H G Cgh [1.7-10]
Si pu dimostrare, con un processo del tutto simile a quello della sezione 1.4.3, per appli-
cato alle antitrasformate, che per lantitrasformata della Cgh() vale la
)], ( [ ) ( ) t ( g ) t ( h 2 ) t ( h ) t ( g 2 ) ( )] ( [
1 1 1 1
= = = = =

hg hg gh gh C F Y Y C F [1.7-11]
o anche
. d e ) (
2
1
d e ) (
2
1
) t ( g ) t ( h ) t ( h ) t ( g
t j t j



= = hg gh C C [1.7-12]
Teorema della convoluzione nel dominio delle pulsazioni: lantitrasformata della convoluzione di
due funzioni nel dominio delle pulsazioni il prodotto delle due funzioni nel dominio del tempo.
Applicando la definizione di trasformata si ha una forma diversa:
)]. t ( h ) t ( g [ dt e ) t ( h ) t ( g dx ) x ( ) x (
2
1
) (
2
1

t j
F H G Cgh = =


[1.7-13]
E cio: la convoluzione nel dominio delle pulsazioni fra le trasformate di due funzioni, a parte un
fattore 2, la trasformata del prodotto delle due funzioni.
1.7.4 Il Teorema di Parseval
Se t una variabile non necessariamente reale, v(t) pu essere complessa. Allora si pu fare
la trasformata della sua funzione coniugata v
*
(t) ponendo nella definizione di trasformata [1.7-1] al
posto di j, -j. Quindi
). ( dt e ) t ( v ) ( )] t ( v [
* t j * * *
= = =

V V F [1.7-14]
Ovviamente se f(t) reale non esiste alcuna differenza fra la v(t) e la sua coniugata v
*
(t) e solo per
questo caso di funzione reale
). ( ) (
*
= V V [1.7-15]
Se nella [1.7-13] si pone = 0:
; dx ) x ( ) x (
2
1
dt ) t ( h ) t ( g


= H G
La variabile x provvisoria e sparisce con lintegrazione, allora si pu mettere al suo posto .
. d ) ( ) (
2
1
dt ) t ( h ) t ( g


= H G
Se h(t) = g
*
(t), ; d ) ( * ) (
2
1
d ) ( * ) (
2
1
dt ) t ( g ) t ( g
*


=

G G G G
in quanto, per la [1.7-14], G*() = G*(-).
Cio ; d ) (
2
1
dt ) t ( g
2 2


=

G
Nel caso di segnale reali il modulo per la funzione del tempo superfluo. Allora il primo membro
della [1.7-15] assume laspetto dellenergia di un segnale impulsivo, vedi [1.1-2]. Pertanto, utiliz-
zando un segnale v(t), invece che una generica funzione g(t), si ha:
Segnali, sistemi ed operatori

40
. d | ) ( |
2
1
dt ) t ( v e
2 2

= =



V [1.7-16]
Teorema di Parseval: lenergia di un segnale 1/2 larea della curva |V()|
2
. Il grafico di |V()|
2
da lo spettro denergia e la funzione |V()|
2
prende il nome di densit spettrale denergia.
Abbiamo gi definito la potenza media di un segnale periodico v(t) come
< = = >
+

v
T
v t dt
T
v t dt
t
t T T
2
1 1
2 2
0
( ) ( ) . [1.1-6]
Nel caso di segnali periodici si pu dimostrare che il teorema di Parseval assume la forma
[BAH]

[ ]
< = = = + + = + >
+


v
T
v t dt c
a
a b
a
t
t T
k
k
k k
k
k
k
2
1
4 4
2
2 0
2
2 2
1
0
2
2
1
( ) ( ) ( ) ( ) ( );
, , ,
p [1.7-17]
e cio la potenza media pu essere calcolata a partire dallo spettro. Anche qui ck()
2
la densit
spettrale denergia ed il suo grafico lo spettro denergia.
1.7.5 La funzione di correlazione ed il Teorema di Wiener-Kintchine
Consideriamo un segnale v(t) che ha come trasformata di Fourier V(). La sua funzione di
autocorrelazione v(t). Si dimostra che
[BAH]


2
v | ) ( | )] t ( [ = V F [1.7-18]
Cio la densit spettrale di energia di un segnale la trasformata della funzione di autocorrelazione
dello stesso segnale. In ci consiste il Teorema di Wiener-Kintchine
1.7.6 Dallo spettro di un segnale impulsivo al corrispondente del periodico
Il treno nT costituito da 2n+1 impulsi distanziati fra di loro di T0, mostrato in Fig.1.7-3a,
dato da
o o n
k n
n
T t kT =

( )
,
0 [1.7-19]
Calcoliamo la trasformata di Fourier di questo segnale periodico
. ) T k cos( 2 1 ) e e ( 1 e ) kT t ( ) T (
n
1 , k
0
n
1 , k
T jk T jk
n
n , k
T jk
n
n , k
0 n
0 0

+ = + + = =

F
Questa somma stata calcolata come
[BAH]

.
) 2 / T ( sen
] T ) 2 / 1 n [( sen
) T (
0
0
n

+
= F [1.7-20]
F(nT) periodica di periodo T0 = 2/0. La Fig.1.7-3a mostra una 2T0. La Fig.1.7-3b rappresenta
la F(2T). Le successive Fig.1.7-3c, Fig.1.7-3d e Fig.1.7-3e sono relative alle F(10T), F(20T) e
F(40T), rispettivamente. All'aumentare di n le componenti di F(nT) si addensano attorno ai valori
k0. Il massimo si ha comunque per = k0 ed 2n+1. Per n molto grande lo spettro tende ad es-
sere contenuto in una zona limitata attorno alle pulsazioni k0 e il massimo sale in corrisponden-
za. Vedi Fig.1.7-3f
Per n , nT T ed il treno di impulsi si trasforma in un segnale periodico composto
da infinite traslate fra di loro di T0 che si pu esprimere come
o o

T t kT
k
( )
,
0 [1.7-21]
Con il simbolismo adottato quando n , F(nT) F(T)
Segnali, sistemi ed operatori

41

Si pu dimostrare che
[BAH]

. ) k (
) 2 / T ( sen
] T ) 2 / 1 n [( sen
, n
lim ) T (
, k
0 0
0
0

= F [1.7-22]
Le componenti dello spettro si hanno solo in corrispondenza ai valori k0 ed il massimo in
corrispondenza tende all'infinito come era sospettabile da quanto detto precedentemente. Ogni
componente una 0(-k0) mostrata in Fig.1.7-3f.
Inoltre si pu fare vedere che
[BAH]

sen[( / ) ]
sen( / )
.
/
/
n T
T
d
T
+
=

1 2
2
2 0
0
2
2
0
0
0
0

[1.7-23]
che , quindi l'area della curva di Fig.1.7-3b compresa in un intervallo T0. Ci vale anche quando n
. L'area di ogni impulso 0(-k0) sempre 0.
Eseguiamo ora la convoluzione fra un impulso v(t) ed una . Per le propriet della si ha:
y t o t t o v t v t d v t ( ) ( ) ( ) ( ). = =

[1.7-24]
Se la convoluzione viene eseguita fra un impulso v(t) ed una traslata di T0 cio una (t-T0)
si ha, analogamente
y t o t t o v t v t T d v t T ( ) ( ) ( ) ( ). = =

0 0 [1.7-25]
Il risultato importante che la convoluzione tra una traslata di T0 ed un impulso v(t) una replica
dell'impulso traslato di T0. Nella Fig.1.7-4a mostrato un impulso esponenziale. Nella Fig.1.7-4b la
convoluzione con una traslata di T0, cio la v(t-T0).
Se si esegue la convoluzione fra un impulso v(t) ed una T si ottiene, quindi, un segnale
periodico che chiamiamo vT(t) composto da un numero infinito di impulsi v(t) ognuno traslato ri-
2T
o
(a) (b)
(e) (f)
(c)
(d)
T
0 0
0 0
-20 -10 0 10 20 -20 -10 0 10 20
0
20
40
60
80
100
-20 -10 0 10 20
0
10
20
30
40
50
-20 -10 0 10 20
0
5
10
15
20
25
-20 -10 0 10 20
0
2
4
3
1
5
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
x 10
-5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3

t


0
20T o F( )
2T
o F( )
10T
o F( )
40T o
F( )
0
T o
F( )
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1

Fig.1.7-3
Segnali, sistemi ed operatori

42
spetto al precedente di T0. Cio si ha una funzione con periodo T0. In Fig.1.7-4c mostrata questa
convoluzione vT(t) che pu essere scritta come
v t t T T v ( ) ( ). , = yo [1.7-26]
La sua trasformata, per la [1.7-4], ed applicando la [1.4-29] per la trasformata della convoluzione
[ ] [ ] ). ( ) ( ) ( ) t ( ) t ( v T T v , T T = = = V F V F F [1.7-27]
Per avere la VT() basta fare il prodotto fra la V() e la F(). In altre parole, le componenti dello
spettro sono di pulsazione k0. Il modulo della VT() si ottiene da quello della V() moltiplicando-
lo per 2/0. Per quanto riguarda lesempio il diagramma degli argomenti non cambia perch
largomento della [1.7-13] dappertutto nullo. La Fig.1.7-4d mostra il modulo di V() e la Fig.1.7-
4g l'argomento. Le Fig.1.7-4e e Fig.1.7-4h sono relative alla F(T). Le ultime due figure e cio la
Fig.1.7-4f e la Fig.1.7-4i mostrano modulo e argomento della VT() rispettivamente.
1.7.7 Lo spettro di un segnale modulato in ampiezza
Nel 1.1.2.5 abbiamo discusso la modulazione dampiezza. Il processo di modulazione di un
segnale portante vp = VPcos(pt) con un segnale modulante vm = VMgm(t), produce un segnale mo-
dulato vam = Vp[1+magm(t)] cos(pt) = Vp[1+magm(t)] cos(pt) = Vp[cos(pt) + magm(t) cos(pt)]. La
modulazione ha aggiunto alla portante il termine Vpmagm(t) cos(pt) = Vpmagm(t) (e
-j
0
t
+ e
j
0
t
)/2 =
Vp/2magm(t) (e
-j
0
t
+ e
j
0
t
) = Vp/2ma[gm(t) e
-j
0
t
+ gm(t) e
j
0
t
]. La Fig.1.7-5a mostra la trasformata
Gm() di gm(t). Mentre nella Fig.1.7-5b le due componenti a -p e +p di cos(pt) sono mostrate.
Esse, in effetti, sono le (+p) e (-p), rispettivamente. I due termini che compaiono nella rela-
(a) (c)
(d) (e) (f)

(g)
t

-20 -10 0 10 20
0
1
2
3
4
5
-20 -10 0 10 20
0
1
2
3
4
5
-20 -10 0 10 20
0
1
2
3
4
5
x 10
7
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
x 10
7
0
1
2
3
4
5
6
x 10
-6
x 10
7
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
x 10
7
x 10
-6
-20 -10 0 10 20
-20 -10 0 10 20
-20 -10 0 10 20
-20 -10 0 10 20
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
v(t) = v v(t-T) = vT vT(t) = T,v
|
V
()| |
V
T
()| |F(
T)|
arg[
V
()] arg[
V
T
()]
arg[ F(
T)]
t
(h) (i)
(b)
-20 -10 0 10 20
-20 -10 0 10 20

T = 10 s 0
0
2
6
4
8
0
0.1
0.2
0.5
0.4
0.3
0.6

Fig.1.7-4
Segnali, sistemi ed operatori

43
zioni precedenti, e cio gm(t) e
-j
p
t
e gm(t) e
j
p
t
non sono altro che il prodotto di due funzioni del tem-
po. Nel 1.7.3 si visto che la trasformata del prodotto delle due funzioni la convoluzione nel
dominio delle pulsazioni fra le trasformate di due funzioni, a parte un fattore 2. Quindi al termine
gm(t) e
-j
p
t
corrisponde la convoluzione nel dominio delle pulsazioni fra le trasformata Gm() e
(+p). Analogamente al termine gm(t) e
j
p
t
corrisponde la convoluzione nel dominio delle pulsa-
zioni fra le trasformata Gm() e (-p). Ricordiamo quanto visto nel paragrafo 1.7.6 espresso dal-
la [1.7-24] e cio che la convoluzione di una generica funzione del tempo con una (t-T0) traslata di
T0 riproduce la medesima funzione, ma traslata di T0. Questa propriet analoga nel dominio di :
la convoluzione di una generica funzione di con una (-0) traslata di 0 riproduce la medesima
funzione, ma traslata di 0. A questo punto molto semplice ricostruire lo spettro del segnale mo-
dulato. Esso mostrato in Fig.1.7-5c. Alle righe corrispondenti alla portante si sono aggiunte, per
ognuna delle righe lo spettro della modulante centrato sulle righe. Questo spettro di modulante ha
ampiezza Vp/2ma.
Se, invece di usare la rappresentazione esponenziale si usa quella trigonometrica si trova il
risultato della Fig,1.7-5e. Ancora una volta alla frequenza della portante, la cui ampiezza resta inal-
terata si aggiungono due bande laterali ognuna della quale la riproduzione di Gm ma centrate sulla
p. Nella modulazione linformazione da trasmettere nella modulante. La portante fornisce soltan-
to il supporto, come dice la stessa parola. La potenza associata alla portante non cambia con la mo-
dulazione, dato che la sua ampiezza rimasta inalterata. Per ognuna delle frequenze delle due bande
laterali si aggiunge una potenza (Vp/2ma)
2
= (Vpma)
2
/4. Questa potenza viene data dal processo di
modulazione. Poich lindice di modulazione non pu superare lunit la massima potenza che con-
tiene linformazione , per ogni banda, Vp
2
/4. La trasmissione della modulazione dampiezza poco
efficiente perch il rapporto fra la potenza del segnale che contiene linformazione e quella che agi-
sce da vettore non supera 2 Vp
2
/4/Vp
2
= 1/2. Un miglioramento di questo rapporto si ha se la portan-
te viene, in qualche modo, attenuata o addirittura soppressa. In questo caso si parla si trasmissione a
portante soppressa. Inoltre, dal momento che ognuna delle due bande laterali non altro che la re-
plica traslata della Gm(), sufficiente trasmettere una sola di esse e risparmiare potenza senza per-
dere informazione. In questo caso si parla si trasmissione a banda laterale unica.

(a)

0
0

(b)

0
(c)
(
+

p )
(
-

p )
(d)

0
0

(d)

0
(e)
p
|
Gm()|
|Vp()|
|Vam()|
|Gm()|
|
Vp()|
|
Vam()|

Fig.1.7-5
Segnali, sistemi ed operatori

44
1.8. Sistemi a dati campionati
Nel paragrafo 1.1 stato fatto vedere che linfluenza del rumore, dei disturbi e delle distor-
sioni inferiore quando il segnale da trasmettere numerico. Tuttavia spesso linformazione di
tipo analogico. Per sfruttare questa propriet dei segnali numerici si esegue una coppia di trasfor-
mazioni sul segnale analogico. Per primo lo si mette in forma numerica, poi lo si trasmette e, alla
fine viene riconvertito in forma analogica. La Fig.1.8-1 illustra questo processo.
Loperazione di conversione del segnale da analogico a numerico prevede una prima opera-
zione che prende il nome di campionatura (sampling). Il segnale analogico f(t) viene osservato ad
intervalli regolare. Teoricamente immaginabile di trasformare il segnale analogico in due modi ot-
tenendo:
Segnali tempo discreti: definiti soltanto in istanti discreti di tempo equispaziati, mentre non risulta-
no definiti al di fuori di detti istanti. Sono normalmente ottenuti dal campionamento di segnali tem-
po continui.
f(nT0) = f(t)|
t=nT0
, n = 0, 1,2 ... [1.8-1]
T detto periodo di campionamento. In altri termini il segnale pu essere immaginato come una
sequenza di valori numerici che rappresentano i valori che la funzione f(t) assume agli istanti di
campionamento. In Fig.1.8.2a c una tensione v(t) campionata in Fig.1.8-2b.
Segnali Sample&Hold : sono segnali definiti in ogni istante, ma che variano solo ad intervalli di
tempo discreti.
fSH(t) = f(nT0)|, nT t n(T0+) [1.8-2]
In questo caso il segnale definito in tutti gli intervalli. Per, il segnale sample&hold mantiene
(hold) il valore assunto allistante del campionamento per un intervallo di tempo < T0, mentre
nullo per il tempo T0-. In Fig.1.8.2c la tensione della Fig.1.8-2a sample&held.
Comunque sia stato campionato il segnale esso viene quantizzato. Infatti il segnale numeri-
co non pu assumere qualunque valore a piacere, ma soltanto dei valori discreti. Quindi la funzione
campionata viene trasformata dalla quantizzazione perdendo in precisione in ragione della larghez-
za dellintervallo di quantizzazione. Supponiamo, che il segnale da trattare sia nellintervallo 0-1.6
V. Se quantizziamo a 16 livelli, la sequenza corrispondente al segnale campionato dellesempio
della Fig.1.8-2 assume i valori 0, 0, 0, 0, 0, 6, 9, 11, 11, 10, 9, 8, 7, ecc. Ma se la campionatura fosse
soltanto a 4 livelli i valori sarebbero 0, 0, 0, 0, 1, 2, 2, 2, 2, 2, 2, 1, ecc. Evidente risulta la perdita di
precisione di questa quantizzazione troppo larga rispetto la precedente.
i(t)
u(t)
Analogica/Numerica
Conversione
Conversione
Numerica/Analogica Trasmissione

Fig.1.8-1
0 50 100 150 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
t
V(nT)
(b)
0 50 100 150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
t
(c)
V (t) SH
200 0 50 100 150 200
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
t
V/t)
(a)
t

Fig.1.8-2
Segnali, sistemi ed operatori

45
Il processo di quantizzazione seguito da un ultimo processo che si chiama di codifica (en-
coding). La codifica fa corrispondere ad un valore numerico della grandezza quantizzata un insieme
di grandezze secondo un opportuno codice. Per esempio si pu adoperare una codifica binaria e la
precedente sequenza, corrispondente alla quantizzazione a 16 livelli sarebbe: 0000, 0000, 0000,
0000, 0000, 0110, 1001, 1011, 1011, 1010, 1001, 1000, 0111, etc. Questo un codice binario puro.
Tuttavia esistono numerosi modi di codificare che spesso sono usati per diminuire i possibili errori
di codifica e per permettere in fase di ricezione di correggere eventuali errori introdotti nella tra-
smissione.
Lintero processo di campionatura, quantizzazione e codifica viene spesso chiamato conver-
sione Analogica/Digitale.
1.8.1 Il campionamento ideale istantaneo
Il campionamento ideale istantaneo consente di ottenere il segnali tempo discreti. Immagi-
niamo di avere una sequenza di equidistanziate di T0. Cio una T gi definita nel 1.7.6 come
o o

T t kT
k
( )
,
0 [1.7-21]
la cui trasformata F( ( ) ( ).
, ,
o o
r
o
r

= =

T) k
T
k
T
k k
0 0
0 0
2 2
[1.7-22]
rappresentata in Fig.1.8-2a. Se moltiplichiamo la v(t) da campionare per la T otteniamo la funzio-
ne campionata ad intervalli regolari T0 che :
v T v t T v t t kT v t t kT S
k k
( ) ( ) ( ) ( ) ( ) ( )
, ,
0 0 0 = = =


o o o [1.8-3]
La trasformata di v(t) V(), rappresentata in Fig.1.8-2b, che supponiamo abbia una banda limitata
a B, cio V() = 0 per || > B. La propriet della convoluzione nel dominio delle pulsazioni stu-
diata nel 1.7.3 e cio
)]. t ( h ) t ( g [ ) (
2
1
F Cgh =

[1.7-13]
Applicata alla [1-8-3] da: . v S C F V F

= = =
2
1
] T ) t ( v [ ) T ( )] T ( v [ 0 0 S
Ricordiamo che il processo di convoluzione fra una (-0) ed una funzione V() da la stes-
sa funzione ma traslata di 0 e cio V(-0). Dal momento che la trasformata F[T] data dalla
[1.7-22] una successione di (-k0) di ampiezza costante 0, il risultato complessivo del proces-
so di sampling nel dominio delle pulsazioni che la trasformata VS() della funzione campionata
vS(t) una successione illimitata di repliche della V()che si ripetono con cadenza 0. Nella
(a)

0
F(o
T)
2
0 0

0
2
0

(b)

|
V
()|
0

(c)
0

0
2 2
0 0

0 < 2B
0

B
|V()| S

Fig.1.8-2
Segnali, sistemi ed operatori

46
Fig.1.8-2c mostrato di il caso in cui la
0 > 2B. [1.8-4]
possibile ricuperare linformazione contenuta nel segnale campionato filtrando tutte le componen-
ti che superano B. Nella stessa figura mostrato con una linea tratteggiata un filtro che svolge
questa funzione del segnale campionato dato che ha una banda passante B < p < 0.
Nel caso in cui questa relazione non verificata il risultato mostrato nella Fig.1.8-3c. Que-
sta volta nessun filtro buono a ricostruire la banda originaria perch c sovrapposizione parziale.
In questo caso si ha un fenomeno che si chiama aliasing.
La conclusione di questo discorso si pu enunciare con il limite di Nyquist: la frequenza di
campionamento deve essere almeno il doppio della massima frequenza contenuta nel segnale.
1.8.2 Il campionamento ideale con mantenimento
Nei sistemi reali quello che avviene e che il segnale, catturato allistante kT0, rimane al va-
lore campionato per un tempo T0. Se si fa la convoluzione fra un impulso i(t), largo , e la fun-
zione campionata vS(T0) data dalla [1.8-3], si ottiene la funzione campionata e mantenuta vSH(T0).
Cio:
v T i t v T u t u t v t t kT SH S
k
( ) [ ( ), ( )] [ ( ) ( )], ( ) ( ) .
,
0 0 0 = =

y y t o [1.8-4]
Ricordiamo la propriet ricavata in 1.7.2 che alla convoluzione nel dominio del tempo fra due fun-
zioni corrisponde il prodotto delle relative trasformate nel dominio di . Si tratta di moltiplicare la
trasformata V() dellimpulso largo data dalla [1.7-3] e rappresentato nella Fig.1.8-4a, per la tra-
sformata VS() dellimpulso campionato come quello Fig.1.8-2c. Questa ultima, con una differente
scala rispetto la precedente, ma eguale a quella della Fig.1.8-4a, per far vedere un intervallo 60,
(a)

0
F(o
T)
2
0 0

0
2
0

(b)

|
V
()|
0

0
(c)
0

0
2
B
2
0 0

B
0 < 2B
|V()| S

Fig.1.8-3
(c)
|V ()| SH
|V()| S
(b)
0 < 2B

0
2 2
0 0

0
3
0 0
3
(a)
| | V( )

0
2 2
0 0

0
3
0 0
3
0 < 2B

0
2 2
0 0

0
3
0 0
3

Fig.1.8-4
Segnali, sistemi ed operatori

47
ridisegnata in Fig.1.8-4b. La [1.7-3] ponendo D = si scrive come:
.
2
2 sen
V ) ( M

= V
Il risultato della moltiplicazione fra le due trasformate e cio la VSH() riprodotto in Fig.1.8-4c. Il
confronto con la Fig.1.8-2c ci dice immediatamente che il risultato diverso. Non solo i lobi laterali
vengono compressi, ma anche la zona compresa nel rettangolo tratteggiato che corrisponde al filtro
di ricostruzione del segnale analogico non la stessa nei due casi. Loperazione di sampling, dun-
que modifica lo spettro del segnale filtrato introducendo una distorsione non lineare del segnale. Di
questo bisogna tenere conto. Poich la distorsione avviene perch si sta moltiplicando per la V(),
sufficiente, prima del campionamento, moltiplicare per la funzione inversa in modo da avere una
predistorsione che poi verr compensata dalla distorsione del sampling ed holding.
Esistono due metodi per soddisfare il limite di Nyquist al fine di evitare laliasing: o aumen-
tare la frequenza di campionamento o ridurre la banda. In generale questa ultima soluzione che si
adotta filtrando a monte la banda del segnale con un filtro, che per quanto detto prende il nome di
filtro di antialiasing. Il filtro fa si che la massima frequenza del segnale da campionare soddisfi il
limite di Nyquist.
In Fig.1.8-5a mostrato un generico sistema di trasmissione e ricostruzione di dati campio-
nati e mantenuti. Al filtro antialiasing segue il filtro predistortore che serve per compensare la di-
storsioni dovuta allholding. Quindi il segnale viene campionato e mantenuto e dopo la conversione
in numerico il segnale, opportunamente posto su portante, viene trasmesso. Il segnale ricevuto viene
convertito daccapo in analogico e successivamente filtrato in modo da prelevare soltanto il primo
lobo.
Un modo leggermente diverso quello di Fig.1.8-5b nella quale non si mette il filtro di pre-
distorsione a monte ma un filtro equalizzatore a valle che ha la stessa funzione del predistorsore ma
sui dati ricevuti, anzich su quelli trasmessi.



i(t)
u(t)
Antialiasing
Filtro
Predistortore
Filtro
Sample &
Hold
Trasmissione
Conversione
Numerica
Analogica
Filtro
di ricostruzione
Conversione
Numerica
Analogica
i(t)
u(t)
Antialiasing
Filtro Sample &
Hold
Trasmissione
Conversione
Numerica
Analogica
Filtro
di ricostruzione
Conversione
Numerica
Analogica
Equalizzatore
Filtro
(a)
(b)

Fig.1.8-5
Segnali, sistemi ed operatori

48
BIBLIOGRAFIA

[AL] - Alberigi Quaranta, Rispoli - Elettronica - Zanichelli - 1962
[BAH] - Baher - Analog & Digital Signal Processing - J.Wiley - 1990
[BAR] - Barabaschi, Tasselli - Elementi di Servomeccanismi e Controlli - Zanichelli - 1966
[BO] - Bononcini - Esercizi di Analisi Matematica - CEDAM - 1961
[CA] - Cadzow, Van Landingham - Signals, Systems, and Trasforms - Prentice Hall - 1985
[CH] - Chang - Fundamental Handbook of Electronics and Computer Engineering - J.Wiley
[DE] - Desoer, Kuh - Fondamenti di Teoria dei Circuiti - Angeli -1990
[DI] - Di Stefano, Stubberud, Williams - Regolazione Automatica - Etas Libri - 1974
[FO] - Fodor - Nodal Analysis of Electric Networks - Elseviere - 1988
[KW] - Kwakernaak, Sivan - Modern Signals and Systems - Prentice Hall - 1991
[MAS] - Mason, Zimmermann - Electronic Circuits, Signals, and System - J.Wiley - 1964
[MAR] - Magrab - Computer Integrated Experimentation - Springere-Verlag - 1991
[MOS] - Moschytz - Linear Integrated Networks - Van Nostrand
[OTN] - Otnes, Enochson - Applied Time Series Analysis - J.Wiley - 1978
[SA] - Sansone, Conte - Lezioni di Analisi Matematica - CEDAM - 1959
[SP1] - Spiegel - Manuale di Matematica - Etas Libri - 1974
[SP2] - Spiegel - Trasformata di Laplace - Etas Libri - 1976
[HP] - The Fundamental of Signal Analysis - Hewlett Packard - Appl.Note 243 - 1982






Baher - Analog & Digital Signal Processing - J.Wiley - 1990
Barabaschi, Tasselli - Elementi di Servomeccanismi e Controlli - Zanichelli - 1966
Cadzow, Van Landingham - Signals, Systems, and Trasforms - Prentice Hall - 1985
Desoer, Kuh - Fondamenti di Teoria dei Circuiti - Angeli -1990
Di Stefano, Stubberud, Williams - Regolazione Automatica - Etas Libri - 1974
Falcone - Elettronica generale - Siderea - 1968
Kaufman, Seidman -Electronic Sourcebook for Technicians and Engeneers Mc Graw Hill 1988
Kwakernaak, Sivan - Modern Signals and Systems - Prentice Hall - 1985
Mason, Zimmermann - Electronic Circuits, Signals, and System - J.Wiley - 1964
Odian, Visentin - Corso di Elettronica - CNEN LNF 63/49- 1963
Ramo, Whinnery - Fields and Waves in Modern radio - J.Wiley -1953
Spiegel - Trasformata di Laplace - Etas Libri - 1976
Terman - Radiotecnica ed Elettronica - McGraw Hill





ELEMENTI DI CIRCUITO E RETI ELETTRICHE

In questo capitolo trattiamo gli elementi di circuito lineari cio quelli cui applicabile il
principio di sovrapposizione degli effetti.
2.1. Componenti elettrici ideali
Un componente elettrico un dispositivo dotato di terminali o nodi. Fra questi terminali c'
una differenza di potenziale e dagli stessi terminali passa una corrente. Una rete un insieme di
componenti fra di loro interconnessi in modo da avere terminali in comune. In effetti prenderemo in
considerazioni gli elementi ideali.
2.1.1 Bipoli
Un bipolo un insieme di componenti elettrici accessibili da due nodi. In
Fig.2.1-1 diamo la rappresentazione grafica di un bipolo. V la tensione ai capi del bi-
polo, I la corrente nel medesimo. Un bipolo si dice elementare quando costituito da
un solo componente.
Un bipolo si dice passivo se la relazione fra la tensione ai suoi capi e la corrente
nel bipolo dipende soltanto dal bipolo stesso. Si definisce impedenza del bipolo il rap-
porto fra la trasformata della tensione e quella della corrente con condizioni iniziali nul-
le.
2.1.1.1 Bipoli elementari passivi
I bipoli elementari passivi ideali sono i resistori, i condensatori e gli in-
duttori dei quali abbiamo discusso diffusamente nel 1.3. Nella figura a lato
sono mostrati i simboli che sono usati per indicare questi componenti
2.1.1.2 Bipoli attivi
Un bipolo si dice attivo se contiene al suo interno almeno un bipolo elementare attivo. Un
bipolo elementare si dice attivo quando non soddisfa la condizione della definizione dei bipoli ele-
mentari passivi. Per esso non possibile definire una impedenza. I bipoli attivi sono i
generatori di tensione e di corrente.
2.1.1.2.1 Generatori indipendenti di tensione
il bipolo a fissare la tensione VG ai suoi capi, indipendentemente dalla corrente
che lo attraversa. In questo caso il bipolo un generatore ideale di tensione VG. La rela-
zione I-V non dipende soltanto dal bipolo ma anche dal circuito in cui il generatore in-
serito. Il simbolo grafico relativo mostrato nella Fig.2.1-3
V
I
+
-

Fig.2.1-1

R
C
L

Fig.2.1-2
V
I
+
-
+
-
G

Fig.2.1-3
Elementi di circuito e reti elettriche 50
2.1.1.2.2 Generatori indipendenti di corrente
Oppure il bipolo stabilisce la corrente IG erogata, indipendentemente dalla tensione
che si manifesta ai suoi capi. In questo caso il bipolo un generatore ideale di corrente
IG. La Fig.2.1-4 mostra il simbolo grafico del generatore di corrente.
2.1.1.2.3 Generatori dipendenti
Un generatore di tensione dipendente fornisce ai suoi capi una tensione VG funzione
di un'altra tensione o di una corrente in un altro ramo della rete.
Se VG = k VAB [2.1- 1
la f.e.m. del generatore proporzionale alla differenza di potenziale fra i punti A e B di una rete.
Siamo davanti ad un generatore di tensione dipendente da una tensione.
Se, invece, VG = h Ir [2.1-2]
la f.e.m. del generatore proporzionale alla corrente Ir in un ramo r di una rete. Si tratta di un gene-
ratore di tensione dipendente da una corrente.
Un generatore di corrente dipendente fornisce una corrente IG funzione di una tensione o di
una corrente in un altro ramo della rete. Ancora una volta abbiamo due casi possibili.
Quando IG = f VAB [2.1-3]
la corrente del generatore proporzionale alla differenza di potenziale fra i punti A e B di una rete.
Siamo davanti ad un generatore di corrente dipendente da una tensione.
Se, IG = g Ir [2.1-4]
la corrente del generatore proporzionale alla corrente Ir in un ramo r di una rete. Si tratta di un ge-
neratore di corrente dipendente da una corrente. I simboli grafici dei generatori dipendenti sono i-
dentici a quelli degli indipendenti.
Un bipolo non elementare si dice attivo se contiene almeno un generatore di tensione o di cor-
rente. Altrimenti, dal momento che contiene soltanto elementi passivi, si dice passivo.
2.1.2 Connessione fra bipoli
Ci sono due modi di collegare fra di loro due bipoli: in serie e in parallelo.
2.1.2.1 Bipoli in serie
Nella connessione serie (vedi Fig.2.1-5) fra i due bipoli comune la corrente.
Chiamiamo V1 e V2 le tensioni, rispettivamente su Z1 e Z2. Allora
V = V1+V2 = Z1I+Z2I = (Z1+Z2) I = Z I,
cio Z = Z1+Z2. [2.1-5]
Cio, due impedenze in serie si comportano come una unica impedenza pari alla
somma delle singole impedenze. Allora la corrente nella serie
.
Z Z
V
I
2 1 +
= [2.1-6]
2.1.2.2 Partitori di tensione
Possiamo determinare anche le cadute sulle due impedenze. Si ha
V
Z Z
Z
Z
Z Z
V
Z I V
2 2 1
1
1
1
1 1
+
=
+
= = [2.1-7]
e . V
Z Z
Z
Z
Z Z
V
Z I V
2 2 1
2
2
1
2 2
+
=
+
= = [2.1-8]
Queste due ultime espressioni possono essere riscritte come:
V
+
-
I
G

Fig.2.1-4
I
+
-
+
-
+
-
V
V
1
V2
1 Z
2 Z

Fig.2.1-5
Elementi di circuito e reti elettriche 51

2 Z Z
Z
V
V
1
1 1
+
= [2.1-9]
e
V
V
Z
Z Z
2 2
1 2
=
+
. [2.1-10]
La tensione complessiva V viene ripartita sulle due impedenze secondo i due rapporti dati dalle
[2.1-9] e [2.1-10], detti rapporti di partizione. Si dice che il circuito serie costituisce un partitore di
tensione.
2.1.2.3 Bipoli in parallelo
Nella connessione parallelo, vedi Fig.2.1-6, fra i due bipoli comu-
ne la tensione. Chiamiamo I1 e I2 le correnti, rispettivamente, in Z1 e Z2.
Allora
, V
Z
1
Z
1
Z
V
Z
V
I I I
2 1 2 1
2 1

+ = + = + =
in cui Z
Z Z
Z Z
Z Z
Z Z =
+
=
+
=
1
1 1 1 2
1 2
1
1 2
2
|| . [2.1-11]
In effetti
1 1 1
1 2 Z Z Z
= + ,
o anche Y = Y1+Y2. [2.1-12]
Cio due ammettenze in parallelo si comportano come una unica ammettenza pari alla somma del-
le singole ammettenze
2.1.2.4 Partitori di corrente
Possiamo determinare anche le correnti nelle due impedenze del parallelo.
I
Z Z
Z
Z
Z
I
Z
V
I
2 1
2
1 1
1
+
= = = [2.1-13]
e . I
Z Z
Z
Z
Z
I
Z
V
I
2 1
1
2 2
2
+
= = = [2.1-14]
Queste due ultime espressioni possono essere riscritte come:

2 Z Z
Z
I
I
1
2 1
+
= [2.1-15]
e
I
I
Z
Z Z
2 1
1 2
=
+
. [2.1-16]
La corrente complessiva I viene ripartita fra le due impedenze secondo i due rapporti dati dalle
[2.1-15] e [2.1-16], detti ancora una volta, rapporti di partizione. Si dice che il circuito parallelo
un partitore di corrente.
2.1.3 Doppi Bipoli
Un Doppio Bipolo (DB) un elemento di circuito accessibile da
due coppie di nodi. Ognuna di queste coppie di nodi costituisce una porta.
Pertanto il DB viene spesso chiamato circuito 2-porte. Indichiamo con V1
e V2 le tensioni delle porte di sinistra e destra, rispettivamente, come mo-
strato in Fig.2.1-7, e con I1 e I2 le correnti relative alle due porte. Si faccia
attenzione al senso che convenzionalmente viene assegnato alle correnti
ed alla polarit delle tensioni.
Poich si sta parlando solo di elementi lineari considereremo soltanto DB lineari.
Un DB definito dalle relazioni fra le due tensioni e le due correnti delle porte. Due di que-
I
+
-
V
I2
1 Z 2 Z
I1

Fig.2.1-6
I1
1 V
+
-
I2
2 V
-
+
DB

Fig.2.1-7
Elementi di circuito e reti elettriche 52
ste possono essere assunte come cause e le altre due risulteranno gli effetti relativi. In altre parole
due possono essere assunte come variabili indipendenti e le altre due saranno le variabili dipenden-
ti. Dal momento che abbiamo quattro variabili, si hanno
4
2
6

= possibili scelte di coppie di va-


riabili indipendenti. Considereremo solo quattro di queste 6 possibilit.
Quando le variabili indipendenti sono le due correnti, le tensioni sono una combinazione li-
neare di queste correnti ed i coefficienti di pro-
porzionalit (parametri) hanno le dimensioni di
impedenze. In tal caso si dice che si sta usando la
configurazione a parametri Z. Scriviamo allora
.
I Z I Z V
I Z I Z V
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1

+ =
+ =
[2.1-17]
La figura accanto mostra il circuito equivalente
del DB con parametri Z.
Se le variabili indipendenti sono le due tensioni, le correnti sono una combinazione lineare
di queste tensioni ed i parametri hanno le dimen-
sioni di ammettenze. La configurazione viene det-
ta a parametri Y.
.
V Y V Y I
V Y V Y I
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1

+ =
+ =
[2.1-18]
Accanto mostrato il circuito equivalente del DB
con parametri Y.
Quando le variabili indipendenti sono la tensione V2 e la corrente I1, le altre due variabili
sono una combinazione lineare di queste ed i pa-
rametri hanno tutte dimensioni diverse. Si tratta
dei parametri h.
.
V h I h I
V h I h V
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1

+ =
+ =
[2.1-19]
Il circuito equivalente del DB a parametri ibridi
mostrato accanto.
Guardando le espressioni si realizza che
h11 ha le dimensione di una impedenza, h22 quelle di una ammettenza mentre h12 ed h21 sono adi-
mensionate. Poich i parametri non hanno tutte le stesse dimensioni si dice che essi sono ibridi.
Nel caso che si scelgono come variabili
indipendenti la tensione V1 e la corrente I2, le altre
due variabili sono una combinazione lineare di
queste ed i parametri non hanno dimensioni egua-
li. Si tratta dei parametri k il cui circuito equiva-
lente mostrato accanto
.
I k V k V
I k V k I
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1

+ =
+ =
[2.1-20]
k11 ha le dimensione di una ammettenza, k22 quelle di una impedenza mentre k12 ed k21 sono adi-
mensionate. Anche questa volta i parametri non hanno tutte le stesse dimensioni e quindi vengono
anche essi chiamati ibridi.
Per comodit introduciamo ' come il determinante della matrice quadrata che si ottiene con
I1
1 V
+
-
I2
2 V
-
+
+
-
11 Z 22 Z
1 I 21 Z 12 Z 2 I
+
-

Fig.2.1-8
I1
1 V
+
-
I2
2 V
-
+
1 V 21 Y
12 Y 2 V
22 Y 11 Y

Fig.2.1-9
I1
1 V
+
-
I2
2 V
-
+
+
-
11 h
1 I 21 h 12 h 2 V
22 h

Fig.2.1-10
I1
1 V
+
-
I2
2 V
-
+
+
-
11 k
1 V 21 k
22 k
12 k 2 I

Fig.2.1-11
Elementi di circuito e reti elettriche 53
la rappresentazione scelta. Usiamo come pedice z, y, h o k a seconda che si usi una rappresentazione
oppure un altra. Per esempio
'h = h11h22 - h12h21. [2.1-21]
Si pu far vedere che nel caso di doppio bipolo passivo Z12 = Z21 o Y12 = Y21 e se il qua-
drupolo passivo anche simmetrico anche Z11 = Z22 o Y11 = Y22
[DE],[CO]
.
2.1.3.1 Trasformazioni di rappresentazioni
Per ogni rete si pu scegliere, a piacere, una qualunque delle rappresentazione dei DB descritte
precedentemente. Fra i parametri di una configurazione e quelle di una altra, relative alla stesso DB,
esistono delle relazioni. Noti i parametri in una qualunque configurazioni possibile ricavare quelli
di un'altra. In Appendice 2 una tabella riassume queste relazioni fra le varie configurazioni.
2.1.3.2 Mutua induzione ed i trasformatori ideali
La mutua induzione si esercita fra circuiti attraversati da correnti fra i quali c' accoppia-
mento magnetico. Cio quando il flusso dell'induzione magnetica prodotto dalla corrente che circo-
la in un ramo di un circuito si concatena con parti di altri rami dello stesso o di un altro circuito.
Perch l'accoppiamento avvenga necessario che i rami concatenati si comportino da induttanze.
L'insieme dei due componenti fra di loro accoppiati prende il nome di trasformatore. Il simbolo
grafico quello della figura a lato.
Un trasformatore un particolare DB per il quale si ha
.
dt
dI
L
dt
dI
M V
dt
dI
M
dt
dI
L V
2
2
1
2
2 1
1 1

+ =
+ =
[2.1-22]
L1 e L2 sono le induttanze degli induttori di Fig.2.1-12. M, detto
coefficiente di mutua induzione, anch'esso misurato in Henry, esprime l'effetto che la variazione
di corrente in uno degli induttori produce sull'altro.
Applicando la trasformata di Laplace e considerando nulle le condizioni iniziali
.
I sL sMI V
sMI I sL V
2 2 1 2
2 1 1 1

+ =
+ =
[2.1-23]
Quindi il trasformatore immediatamente descrivibile come un DB con i parametri Z.
Se si applica la trasformata di Fourier
.
L j M j
M j L j
2
1

+ =
+ =
2 1 2
2 1 1
I I V
I I V
[2.1-24]
Se tutto il flusso prodotto da uno degli avvolgimenti si concatena tutto con laltro, senza al-
cuna dispersione si ha il massimo MMax di mutua induzione. Si pu dimostrare che
. L L M 2 1 Max = [2.1-25]
Si definisce il coefficiente daccoppiamento k il rapporto fra il coefficiente di mutua induzione e
quello massimo. Cio:
.
L L
M
M
M
k
2 1
Max
= = [2.1-26]
2.2. Reti Elettriche
Un insieme di dispositivi ed apparecchiature interconnesse tra di loro in modo da consentire il
passaggio di cariche elettriche viene indicato come rete o circuito elettrico. In questa parte ci occu-
I1
1 V
+
-
I2
2 V
-
+
L1 2 L
M

Fig.2.1-12
Elementi di circuito e reti elettriche 54
piamo dei metodi per risolvere le reti. Cio dei modi con i quali possibile conoscere i valori delle
tensioni e delle correnti in ciascuna parte del circuito.
2.2.1 Teorema di Thevenin
Nella Fig.2.2-1a rappresentata una generica rete elettrica lineare R che obbedisce al prin-
cipio di sovrapposizione. Supponiamo che al suo interno ci siano ri rami il cui i-esimo abbia un ge-
neratore di tensione Vi e rj rami il cui j-esimo abbia un generatore di corrente Ij. Consideriamo i no-
di A e B. Sul nodo A sia l'impedenza ZG. Sia I la corrente che esce da A e che, quindi scorre in ZG.
Applichiamo il principio di sovrapposizione degli effetti tenendo in conto, ad una ad una, le cause.
Quando consideriamo il generatore Vi cortocircuitiamo tutti gli altri generatori di tensione e apria-
mo tutti quelli di corrente e quando consideriamo il generatore di corrente Ij apriamo tutti gli altri
generatori di corrente e cortocircuitiamo tutti quelli di tensione. Ogni generatore produce fra i nodi
A e B una VAB proporzionale alla causa che lo ha generato. Sommando tutti gli effetti si ha:
. I k V h Z I V
j i r
1 j
j j
r
1 i
i i G AB

= =
+ + = [2.2-1]
estesa a tutti gli i e j. Poniamo
, I k V h V
j i r
1 j
j j
r
1 i
i i V

= =
+ =
la precedente espressione si scrive . Z I V V G V AB = [2.2-2]
VV viene detta tensione a vuoto. Infatti, se fra i terminali A e B non viene posto alcunch, in ZG non
scorre corrente e VAB coincide con la Vv. Se cortocircuitiamo A e B la corrente Icc (detta corrente di
cortocircuito) che scorre in ZG
I
V
Z
cc
V
G
= . [2.2-3]
Vista dai nodi A e B la rete si comporta come un generatore di tensione di forza elettromo-
trice Vv e impedenza interna ZG o che lo stesso come un generatore di corrente di valore Icc con
una impedenza interna in parallelo ZG.
Le Figg.2.2-1b e c mostrano i circuiti equivalenti della rete R visti tra A e B. Il primo usa un
generatore di tensione e l'altro quello di corrente. Tuttavia i due circuiti sono del tutto equivalenti.
Quanto detto si pu esprimere nel seguente Teorema di Thevenin: una rete elettrica qua-
lunque, da due qualsiasi nodi, pu essere considerata semplicemente come un generatore di ten-
sione con in serie l'impedenza ZG o un generatore di corrente con in parallelo la stessa impeden-
za ZG. La f.e.m. del generatore la tensione a vuoto fra i due punti. La corrente del generatore
la corrente di cortocircuito fra i nodi A e B. L'impedenza ZG quella vista tra i nodi A e B quan-
do vengono cortocircuitati i generatori indipendenti di tensione ed aperti quelli indipendenti di
correnti.
I
AB V
+
-
+ -
j I
i V
G Z
R
B
A
(a)
+
-
G Z
I
AB V
+
-
B
A
V V
(b)
G Z
I
AB V
+
-
B
A
cc I
(c)

Fig.2.2-1
Elementi di circuito e reti elettriche 55
2.2.1.1 Impedenza interna e generatori dipendenti
Il Teorema di Thevenin pu fare compiere errori grossolani quando si in presenza di gene-
ratori dipendenti. Infatti bisogna fare distinzione fra i generatori dipendenti e gli indipendenti. Per
spiegare quanto detto usiamo l'esempio della Fig.2.2-2a. Se non si distingue fra i generatori dipen-
denti ed indipendenti si sarebbe tentati di dire che l'impedenza interna ZG = R.
Le cose vanno in modo differente. Cominciamo a calcolare la Icc. Per fare ci osserviamo
che (Fig.2.2-2b) cortocircuitando A e B il generatore dipendente k VAB nullo. Quindi nulla an-
che la IR e l'unica corrente fra i due nodi cortocircuitati la I1. Quindi Icc = I1. Calcoliamo adesso la
tensione a vuoto VV. La corrente I1 la somma delle correnti degli altri due rami, cio: I1 = IR + h
IR IR = I1/(1+h). La tensione a vuoto si pu calcolare dalla somma del generatore k VV e la ca-
duta su R. Cio VV = k VV + R IR VV = R IR/(1-k). Sfruttando la precedente: VV = R I1/[(1+h)(1-
k)]. Dal rapporto fra la tensione a vuoto e la Icc si determina che la Zeq = R/[(1+h)(1-k)].
In effetti la Zeq si poteva calcolare pi rapidamente eliminando i generatori indipendenti. Si
ha il circuito di Fig.2.2-2c in cui IR = (VAB - k VAB)/R = (1-k) VAB/R. Quindi -I = h IR + IR =
(1+h)(1-k) VAB/R. E il rapporto fra VAB e -I da direttamente lo stesso risultato precedente.
2.2.2 Teorema di Millmann
Fra i due nodi A e B di una
rete siano connessi k rami. Ogni i-
esimo di questi rami, per il Teore-
ma di Thevenin, pu essere sempli-
ficato in un generatore Ii di corren-
te ed una ammettenza in parallelo
Yi. Ii la corrente di cortocircuito
dell'i-esimo ramo (Fig.2.2-3). Allo-
ra la tensione fra i due terminali
la somma delle correnti di corto-
circuito di tutti i rami per l'impe-
denza complessiva della rete. Poich i rami sono in parallelo, l'impedenza equivalente offerta dai
rami

1
Z
Y
eq
k
k
=

. [2.2-4]
E la tensione fra i due morsetti V
I
Y
AB
k
k
k
k
=

. [2.2-5]
Che esprime il cosiddetto Teorema di Miller che si pu anche formulare a come: la tensione ai ca-
I
AB V
+
-
B
A
+
-
R hI
R
R I
AB kV
1 I
(a)
R hI
R
R I
cc I 1 I
(b)
I
AB V
+
-
B
A
+
-
R hI
R
R I
AB kV
(c)

Fig.2.2-2
1
Y
AB V
+
-
B
A
2
Y I
i i
Y
k
Y
k
I I
1 I2

Fig.2.2-3

Elementi di circuito e reti elettriche 56
pi di rami connessi in parallelo la sommatoria delle correnti di cortocircuito dei rami divisa la
sommatoria delle ammettenze degli stessi rami.
2.2.3 Teorema di Miller
Una rete elettrica sia divisibile in
due reti distinte connesse fra di loro da
una impedenza Z collegata fra due
punti 1 e 2 come mostrato in Fig.2.2-
4a. Se si conosce il rapporto k = V2/V1
la rete si pu dividere in due reti fra di
loro non connesse. Infatti la corrente
che scorre in Z
,
Z
V
) k 1 (
Z
V
V
V
1
Z
V
Z
V V
I
1
1 1
1
2 1 2 1
1 = =

=
con Z
Z
k
1
1
=

. [2.2-6]
Analogamente ,
Z
V
k
1
1
Z
V
V
V
1
Z
V
Z
V V
I
2
2 2
2
1 2 1 2
2 =

=
in cui . Z
1 k
k
Z2

= [2.2-7]
L'effetto di Z viene ricondotto a
quello di due impedenze connesse
ai nodi 1 e 2 come mostrato in
Fig.2.2-4b.
Il teorema di Miller ha un
duale e cio: una impedenza con-
nessa in serie ad un nodo, pu es-
sere eliminata riportando due op-
portune impedenze in serie agli al-
tri due nodi (Fig.2.2-5a).
Poniamo h = -I2/I1, con I1 e
I2 le correnti che entrano, rispetti-
vamente nei nodi 1 e 2. L'impeden-
za da eliminare connessa fra il nodo 3 ed il nodo N. Si ha
( ) , Z I V Z h 1 I V Z
I
I
1 I V Z ) I I ( V V 1 1 13 1 13
1
2
1 13 2 1 13 N 1 + = + =

+ + = + + =
Quindi Z1 = (1-h) Z. [2.2-8]
Analogamente , Z I V Z
h
1
1 I V Z 1
I
I
I V Z ) I I ( V V 2 2 23 2 23
2
1
2 23 2 1 23 N 2 + =

+ =

+ + = + + =
in cui . Z
h
1 h
Z2

= [2.2-9]
Il circuito equivalente della rete in cui l'effetto di Z riportato dalle due impedenze Z1 e Z2 mo-
strato nella Fig.2.2-5b.

I1
1 V
+
-
I2
2 V
+
-
Z
I1
1 V
+
-
1 Z
I2
2 V
+
-
2 Z (a)
(b) 1 2 1 2

Fig.2.2-4
I1
1 V
+
-
I
V
2
2
+
-
Z
(a)
1 2
3
N
(b)
I1
1 V
+
-
1
I
V
2
2
+
-
2
N
1 Z 2 Z

Fig.2.2-5

Elementi di circuito e reti elettriche 57
2.2.4 I Grafi
Se per il momento prescindiamo dalla vera natura dei singoli componenti della rete ma rap-
presentiamo soltanto la loro presenza con un tratto di linea fra due nodi otteniamo quello che viene
comunemente detto il grafo della rete. In Fig.2.2-6 sono rappresentati una rete elettrica ed il relati-
vo grafo. Non che dal grafo si possono ricavare tutte le propriet della rete. Tuttavia alcune pro-
priet sono ricavabili immediatamente dalla struttura del grafo.
Cominciamo definendo come nodo semplice un punto di giunzione fra solo due elementi
differenti. Ad esempio i nodi 4 e 6 della Fig.2.2-6. Un nodo si dice complesso se il punto di giun-
zione di almeno tre elementi. Ad esempio i nodi 1, 2, 3 e 5 della stessa figura. Ogni linea che unisce
due nodi complessi prende il nome di ramo. C' un ramo tra i nodi 1 e 2. Non un ramo quello tra i
nodi 3 e 4 e neppure quello tra i nodi 5 e 4. Da ora in poi i nodi complessi saranno semplicemente
chiamati nodi.
Quando sono presenti circuiti magnetici possibile che ci siano parti della rete non connesse
direttamente. In tal caso si dice che la rete ha parti separabili. La rete di Fig.2.2-6c ha due parti se-
parabili.
Una linea chiusa di un grafo si dice maglia.
Indichiamo con n il numero di nodi complessi, con r il numero di rami e con p il numero di
parti separabili. Se da un grafo eliminiamo un ramo alla volta, cos da aprire, ogni volta, una ma-
glia, finche, alla fine, non se ne abbia pi alcuna, ma, tuttavia tutti i nodi complessi rimangano con-
nessi, si ottiene uno scheletro del grafo. Per ogni grafo non c' un solo scheletro. In Fig.2.2-7a ri-
disegnato il grafo della Fig.2.2-6b senza mostrare i nodi semplici. Le altre figure 2.2-7 sono alcuni
possibili scheletri dello stesso grafo.
Lo scheletro di una rete di n nodi e di una sola parte separabile di n-1 rami. Infatti per uni-
re n nodi occorrono solo n-1 collegamenti. Qualsiasi altro collegamento chiude una maglia e non si
ha pi uno scheletro. Nel caso di una rete con p parti separabili semplice convincersi che il relati-
vo scheletro fatto di n-p rami. Questa propriet indipendente dalla scelta che si fa per lo schele-
tro di una rete.
Una volta scelto lo scheletro, i rami della rete o sono fra gli s che costituiscono lo scheletro
della rete o fra quelli rimossi per ottenere lo scheletro, che sono m, e che sono anche detti rami di
maglia. Per quanto detto prima si ha che
s = n - p. [2.2-10]
Se in totale c'erano r rami, cio r = s + m segue che
(c)
(a)
1
+ -
+ -
a Z c Z
d Z
e Z
f Z g Z
2
3 4 5
6
Ee
Eg
b Z
(b)
1
2
3
4
5
6
Fig.2.2-6
(a)
1
2
3
5
(b)
1
2
3
5
(c)
1
2
3
5
1
2
3
5
(d)

Fig.2.2-7
Elementi di circuito e reti elettriche 58
m = r - s = r - n + p. [2.2-11]
2.2.5 Le leggi di Kirchhoff
Per la risoluzione dei circuiti elettrici rivestono importanza fondamentale le leggi di Kir-
chhoff.
2.2.5.1 La legge di Kirchhoff per le maglie
Consideriamo una maglia con r rami. In generale nell'i-esimo ramo della maglia circola una
corrente Ii e c' un generatore di f.e.m. Ei ed una impedenza in serie Zi. Qualora fossero presenti ge-
neratori di corrente Iicc occorre trasformarli applicando il teorema di Thevenin. Cio
. I Z E icc i i = [2.2-12]
Se ci sono r rami, faranno parte della maglia r nodi. Siano 1, 2, ..i, ..r i nodi della maglia. La
differenza di potenziale fra il nodo i-esimo e il nodo i+1-esimo
Vi+1-Vi = Ei - ZiIi. [2.2-13]
Per primo bisogna assegnare un verso arbitrario alla corrente di maglia. Nell'esempio di Fig.2.2-8 il
senso scelto arbitrariamente per la corrente di maglia I mostrato con un cerchietto con freccia in-
terno alla maglia. Le tensioni sono positive se tendono a fare scorrere correnti concordi a quelle di
maglia e le correnti sono positive nella stessa ipotesi. Nellesempio citato Eb positiva mentre Ed
negativa. Ic negativa e Ia positiva.
Il nodo r-esimo collegato al primo dal r-esimo ramo per
chiudere la maglia. Per questo ramo si ha
V1-Vr = Er - ZrIr. [2.2-14]
Sommiamo la [2.2-13] sui primi r-1 rami. Si ha
), I Z E ( ) V V (
1 r
1 , i
i i i
1 r
1 , i
i 1 i


+ =
Cio . I Z E V V
1 r
1 , i
i i
1 r
1 , i
i
1 r
1 , i
i
1 r
1 , i
1 i


+ =
Il primo membro si riduce a Vr -V1 perch tutti i termini intermedi si elidono. Sommando con la
[2.2-14] si ha:
. I Z E I Z E = 0 = V V V V r r r
1 r
1 , i
i i
1 r
1 , i
i r 1 1 r + +



In conclusione . I Z = E
r
1 . i
i i
r
1 , i
i

[2.2-15]
che esprime la legge di Kirchhoff per le maglie: in una maglia la sommatoria delle forze elettro-
motrice dei generatori nei vari rami eguaglia la sommatoria delle cadute di potenziale sulle im-
pedenze dei vari rami.
2.2.5.2 La legge di Kirchhoff per i nodi
Prendiamo ora in considerazione il nodo cui affluiscono r rami. Assumiamo
positive le correnti che entrano nel nodo e negative quelle che ne escono. Nell'esempio
della Fig.2.2-9, I1 e I3 sono positive, I2 e I4 sono negative.
La legge di Kirchhoff per i nodi afferma che la sommatoria delle correnti che
entrano nel nodo nulla:
Ii
i
r
,
.
1

= 0 [2.2-16]
La legge di Kirchhoff per i nodi segue direttamente dalla conservazione della carica. Infatti la rela-
1
+ -
a Z c Z
2 3
4
b Z
+
-
Ed
Eb
Zd
a I
c I
I

Fig.2.2-8
1 I
2 I
4 I
3 I

Fig.2.2-9
Elementi di circuito e reti elettriche 59
zione precedente stabilisce che in ogni nodo la sommatoria delle cariche che in intervallo di tempo
entrano nel nodo eguale a quelle che ne escono e cio nel nodo le cariche non si producono ne si
distruggono.
2.2.5.3 Risoluzione delle reti elettriche con il metodo dei nodi
Per la risoluzione della rete si applica la legge di Kirchhoff ai nodi. Per spiegare il metodo
bene riferirsi ad un esempio. Prendiamo una rete con n nodi e una parte separabile. Adottiamo un
nodo, per esempio il nodo n, come nodo di riferimento. Le tensioni degli altri n-1 nodi saranno rife-
rite a questo nodo. Basta conoscere le tensioni degli n-1 modi per avere risolto la rete. Se, invece, ci
sono p parti separabili, per ognuna di esse si prende uno dei suoi nodi come riferimento. Si immagi-
nano tutti i nodi di riferimento fittiziamente connessi insieme, per esempio a massa, e le tensioni
necessarie per risolvere la rete sono il numero di rami s dello scheletro date dalla [2.2-10] e cio so-
no n-p. C' da dire, per, che se nella rete ci sono generatori di tensione bisogna trasformarli in ge-
neratori di corrente.
Il circuito di Fig.2.2-6a, applicando il Teorema di
Thevenin, ridisegnato in Fig.2.2-10 con generatori di cor-
rente invece che di tensione. Inoltre, invece delle impeden-
ze sono mostrati i loro inversi e cio le ammettenze. In es-
so si posto Ig = Eg/Zg e Ie = Ee/Ze. Dal momento che p = 1
e n = 4 il numero di tensioni incognite n-p = 3. Scriviamo
le equazioni delle correnti ai nodi applicando la [2.2-16] e
prendendo come riferimento il nodo 1.
Al nodo 2 V2Ya+(V2-V3)Yb+(V2-V5)Yd = 0,
mentre al nodo 3 V3Yc+(V3-V2)Yb-Ie+(V3-V5)Ye = 0,
ed al nodo 5 V5(Yf+Yg) -Ig +(V5-V3)Ye +Ie +(V5-V2)Yd = 0.
Riordinando V2(Ya+Yb+Yd)-V3Yb -V5Yd = 0;
-V2Yb +V3(Yb+Yc+ Ye)-V5Ye = Ie;
-V2Yd -V3Ye+V5(Yd+Ye+Yf+Yg) = Ig- Ie.
La matrice Y dei coefficienti simmetrica rispetto la diagonale principale
[MAS]
. Ed
Y =
+ +
+ +
+ + +

Y Y Y Y Y
Y Y Y Y Y
Y Y Y Y Y Y
a b d b d
b b c e e
d e d e f g






Questa della simmetria una propriet generale valida per tutte le reti.
Chiamiamo V il vettore delle tensioni da ricavare e I il vettore dei termini noti:
V =

V
V
V
2
3
5
I =


I
0
e
g e I I

Il sistema si pu riscrivere in modo simbolico come
I = VY [2.2-17]
e pu essere risolto applicando le note regole di Kramer.
2.2.5.4 Risoluzione delle reti elettriche con il metodo delle maglie
Si pu adottare un altro metodo per la risoluzione dei circuiti che richiede la presenza sol-
tanto di generatori di tensione. Questa volta si tratta di determinare la corrente delle maglie. Scelto
a piacere uno scheletro, l'aggiunta di uno qualunque dei rami rimossi per ottenere lo scheletro chiu-
de una delle maglie. Assumiamo come corrente di maglia proprio la corrente di questo ramo. Que-
sta corrente circola anche negli altri rami della maglia. Per ogni ramo aggiunto si ha una diversa
maglia con una differente corrente di maglia. Quindi in ogni ramo della rete passa una corrente che
d Y
5
1
a Y
2
3
Ig
Ie
b Y
Yf c Y
e Y
g Y

Fig.2.2-10
Elementi di circuito e reti elettriche 60
una combinazione lineare delle correnti di maglia. Il numero m di maglie indipendenti dato dalla
[2.2-11].
Per far capire meglio come applicare il metodo, prendiamo sempre come esempio la rete di
Fig.2.2-6 ripresa in Fig.2.2-11a. Scegliamo lo scheletro della Fig.2.2-7b riportato in Fig.2.2-11b. I
rami soppressi per ottenere lo scheletro sono quelli in cui stanno le impedenze Zc, Zd, Ze e Zg e per-
tanto le correnti di maglia le chiameremo Ic, Id, Ie e Ig, a seconda del ramo soppresso. Scegliamo le
maglie come nella Fig.2.2-11a in cui sono indicati i versi arbitrari assegnati alle correnti di maglia.
Cominciamo con il consi-
derare la maglia 1-2-3-1. La cor-
rente di maglia Ic incontra l'impe-
denza complessiva Za+Zb+Zc. Essa
determina, allora una caduta di po-
tenziale Ic(Za+Zb+Zc). Ma nella
stessa maglia circola la corrente Id,
nel ramo Za, determinando una ca-
duta -ZaId. Inoltre la corrente Ie
circola in (Za+Zb) producendo una caduta di potenziale -Ie(Za+Zb). Ig non circola nella maglia in
studio. Non sono presenti generatori nella maglia. Allora per questa maglia si ha:
Ic(Za+Zb+Zc)-IdZa-Ie(Za+Zb) = 0.
Nella maglia 1-5-2-1 la corrente Ic circola nel ramo di Za e produce una caduta -IcZa. La cor-
rente di maglia Id passa nelle impedenze Za, Zd e Zf e produce una caduta Id(Za+Zb+Zf). Ie attraversa
le impedenze Za+Zf dando una caduta di potenziale Ie(Za+Zf). Per finire, la corrente Ig scorre solo in
Zf e da una caduta IfZf. Anche in questa maglia non ci sono generatori. Si ha
-IcZa+Id(Za+Zd+Zf)+Ie(Za+Zf)+IgZf = 0.
Nella maglia 1-5-3-2-1 Ic circola nei rami Za e Zb e da una caduta -Ic(Za+Zd). Id passa nelle
impedenze Za e Zf e produce una caduta Id(Za+Zf). La corrente di maglia Ie attraversa le impedenze
Za, Zb, Ze e Zf causando una caduta Ie(Za+Zb+Ze+Zf). E per finire Ig scorre solo in Zf e determina
una caduta IfZf. In questa maglia c' il generatore di tensione Ee. Quindi
-Ic(Za+Zb)+Id(Za+Zf)+Ie(Za+Zb+Ze+Zf)+IgZf = Ee.
Nella maglia 1-5-1 Ic non circola mentre Id scorre in Zf e da una caduta IdZf. Ie attraversa
l'impedenza Zf determinando una caduta di potenziale IeZf. Infine la corrente di maglia Ig fluisce in
Zf e Zg e produce una caduta If(Zf+Zg). In questa maglia c' il generatore di tensione Eg ma inserito
in modo da spingere la corrente in verso opposto a quello di quella di maglia. Allora
IdZf+IeZf+Ig(Zf+Zg) = -Eg.
Ricapitolando:
Ic( Za+Zb+Zc)-IdZa-Ie(Za+Zb) = 0;
-IcZa+Id( Za+Zd+Zf)+Ie(Za+Zf)+IgZf = 0;
-Ic(Za+Zb)+Id(Za+Zf)+Ie(Za+Zb+Ze+Zf)+IgZf = Ee;
IdZf+IeZf+Ig(Zf+Zg) = -Eg.
Anche questa volta la matrice Z del sistema simmetrica rispetto la diagonale
[MAS]
:

+
+ + + + +
+ + +
+ + +
=
g f f f
f f e b a f a b a
f f a f d a a
b a a c b a
Z Z Z Z 0
Z Z Z Z Z Z Z ) Z Z (
Z Z Z Z Z Z Z
0 ) Z Z ( Z Z Z Z
Z
Chiamiamo I il vettore delle correnti da ricavare e V il vettore dei termini noti. Cio:
(a)
1
+ -
+ -
a Z c Z
d Z
e Z
f Z g Z
2
3 4 5
6
Ee
Eg
b Z
(b)
1
2
3
5
c I
d I
e I
g I

Fig.2.2-11
Elementi di circuito e reti elettriche 61
I =

Ic
d
e
g
I
I
I
V =



E
0
0
e
g E

Il sistema si pu riscrivere in modo simbolico come
V = IZ [2.2-18]
e risolvere praticamente applicando le regole di Kramer.
2.3. Connessioni fra bipoli ed un doppio bipolo
utile ridurre a soltanto un doppio bipolo DB' una rete in cui sia presente un doppio bipolo
DB ed un bipolo esterno. A seconda di come il bipolo esterno connesso al DB pi conveniente
usare una rappresentazione del DB oppure un altra.
Se si ha una impedenze in serie al DB su una porta conviene usare una rappresentazione che
per tale porta abbia come variabile indipendente la corrente e come variabile dipendente la tensione.
Pertanto, se si mette un bipolo in serie all'ingresso si usa o la rappresentazione a parametri Z o quel-
la a parametri h. Se, il bipolo in serie si mette sull'uscita, allora conviene adoperare la rappresenta-
zione a parametri Z oppure quella a parametri k. Se si hanno ammettenze in parallelo alla porta ,
invece, pi conveniente una rappresentazione che per tale porta abbia come variabile indipendente
la tensione e come variabile dipendente la corrente. Allora, quando si mette un bipolo in parallelo
all'ingresso si deve usare la rappresentazione a parametri Y o k. Se il bipolo si mette sull'uscita allo-
ra pi opportuno usare la rappresentazione Y o h.
Per giustificare la validit pratica di quanto affermato ci rifacciamo ad alcuni esempi. Con-
sideriamo il caso di un doppio bipolo con due impedenze ZA e ZB connesse in serie come mostrato
in Fig.2.3-1. evidente che se la rappresentazione del doppio bipolo DB quella a parametri Z si
pu inglobare il tutto in un unico doppio bipolo DB', ancora a parametri Z, per il quale
Z'11 = ZA + Z11, Z'12 = Z12, Z'21 = Z21, Z'22 = ZB + Z22. [2.3-1]
I
1
1
V
+
-
I
2
2
V
-
+
+
-
11
Z
22
Z
1
I
21
Z
12
Z
2
I
+
-
I
1
1
V
+
-
I
2
2
V
-
+
'
'
'
'
B
Z A
Z

Fig.2.3-1
I
1
1
V
+
-
I
2
2
V
-
+
+
-
1 V 21
Y
12
Y
2 V
22
Y 11
Y
I
1
'
B
Y
A
Y
I
2
'
B
Y

Fig.2.3-2
Elementi di circuito e reti elettriche 62
Colleghiamo ora, invece, ad un DB, due ammettenze YA e YB in parallelo, alle due porte,
come rappresentato nella Fig.2.3-2. Se si usano per il DB i parametri Y si pu semplificare il tutto
come un unico doppio bipolo DB', anche esso a parametri Y, e per il quale
Y'11 = YA + Y11, Y'12 = Y12, Y'21 = Y21, Y'22 = YB + Y22. [2.3-2]
Nel caso di impedenza ZA in serie all'ingresso e di ammettenza YB in parallelo all'uscita,
come quella di Fig.2.3-3 conviene partire da una rappresentazione a parametri ibridi del DB ed arri-
vare ad una altra rappresentazione DB' ancora a parametri ibridi. In tal caso
h'11 = ZA + h11, h'12 = h12, h'21 = h21, h'22 = YB + h22. [2.3-3]
Il caso opposto di ammettenza YA in parallelo all'ingresso e di impedenza ZB in serie all'u-
scita e lasciato come esercizio.
interessante il caso
relativo ad una impedenza Ym
fra il nodo d'ingresso e d'uscita
della Fig.2.3-4. Partiamo dalla
rappresentazione a parametri
Y:

I Y V Y V
I Y V Y V
1 11 1 12 2
2 21 1 22 2
= +
= +

.
Per le correnti I1' e I2' si
pu scrivere:

I Y V Y V Y V V Y Y V Y Y V
I Y V Y V Y V V Y Y V Y Y V
m m m
m m m
1 11 1 12 2 1 2 11 1 12 2
2 21 1 22 2 2 1 21 1 22 2
' ( ) ( ) ( )
' ( ) ( ) ( )
.
= + + = + +
= + + = + +


Ed il DB' ha i parametri
.
; Y Y ' Y
; Y Y ' Y
; Y Y ' Y
; Y Y ' Y
m B 22
m 21 21
m 12 12
m A 11

+ =
=
=
+ =
[2.3-4]
Studiamo ora il caso in cui
una impedenza Zm connessa in se-
rie ad entrambe le porte come nella
Fig.2.2-16. Utilizziamo la rappre-
sentazione a parametri Z. Cio
V Z I Z I
V Z I Z I
1 11 1 12 2
2 21 1 22 2
= +
= +

.
I1
1 V
+
-
I1
1 V
+
-
'
'
A Z
I2
2 V
-
+
I2'
B Y
+
-
11 h
1 I 21 h 12 h 2 V
22 h

Fig.2.3-3

I
1
1
V
+
-
I
2
2 V
-
+
1 V
21 Y
12 Y
2 V
22 Y
11 Y
I '
1 I '
2
m Y

Fig.2.3-4
I
2
2
V
-
+
+
-
11
Z
22
Z
1
I
21
Z
12
Z
2
I
+
-
m
Z
I
1
1
V
+
-
+
-
1
V
'
+
-
2 V'

Fig.2.3-5
Elementi di circuito e reti elettriche 63
Nella Zm circola la somma di I1 e I2 e la caduta ai suoi capi Zm(I1+I2). Allora
V Z I Z I Z I I
V Z I Z I Z I I
m
m
1 11 1 12 2 1 2
2 21 1 22 2 1 2
' ( )
' ( )
,
= + + +
= + + +


V Z Z I Z Z I
V Z Z I Z Z I
m m
m m
1 11 1 12 2
2 21 1 22 2
' ( ) ( )
' ( ) ( )
.
= + + +
= + + +


Ed il DB' ha i parametri
Z'11 = ZA + Ym, Z'12 = Z12 + Zm, Z'21 = Z21 + Zm, Z'22 = ZB + Zm. [2.3-5]
2.3.1 Le funzioni di rete
Applichiamo una sorgente ad una delle porte, che chiamiamo ingresso. Per esempio adope-
riamo un generatore di tensione Vg con una impedenza Zg. Connettiamo all'altra porta una impe-
denza utilizzatrice Zu. Si dice che il DB pilotato dal generatore e caricato dall'utilizzatore. Usiamo
il pedice i (input) per indicare le grandezze relative alla porta cui si applica un generatore e con il
pedice o (output) quelle relative alla porta in cui si inserisce un carico. Il tutto mostrato nella
Fig.2.3-6.
Sulla porta d'ingresso
V V Z I i g g i = . [2.3-6]
Sull'altra porta I
V
Z
o
o
u
= . [2.3-7]
Definiamo le funzioni di rete. Si chiama amplifi-
cazione di tensione AV il rapporto
A
V
V
V
o
i
= . [2.3-8]
Invece l'ammettenza d'ingresso Yi
Y
I
V
i
i
i
= . [2.3-9]
Si chiama amplificazione di corrente AI il rapporto
A
I
I
I
o
i
= . [2.3-10]
Usando le due precedenti espressioni e la [2.3-7] si ottiene
. A
Y
Y
A
Z
Z
V
V
Z
Z
V Y
Z V
A V
i
u
V
u
i
i
o
u
i
i i
u o
I = = =

= [2.3-11]
Da cui anche A
Z
Z
A v
u
i
I = . [2.3-12]
Il circuito d'ingresso il partitore di tensione rappresentato in
Fig.2.3-7. L'amplificazione di tensione AVg riferita alla f.e.m del gene-
ratore
.
Y Y
Y
A
Z Z
Z
A
V
V
V
V
V
V
A
g i
g
V
g i
i
V
g
i
i
o
g
o
Vg
+
=
+
= = = [2.3-13]
Se pilotiamo con un generatore di corrente Ig, sempre con una
impedenza interna Zg, si pu definire l'amplificazione di corrente riferi-
ta al generatore AIg come
Ii
i V
+
-
+
-
g Z
Io
o V
-
+
u Z
g V

Fig.2.3-6
Ii
i V
+
-
+
-
g Z
g V i Z

Fig.2.3-7
Elementi di circuito e reti elettriche 64
A
I
I
Ig
o
g
= . [2.3-14]
Il circuito equivalente dingresso rappresentato in Fig.2.3-8. C' un
partitore di corrente. Dunque
.
Z Z
Z
A
I
I
I
I
A
g i
g
I
g
i
i
o
Ig
+
= = [2.3-15]
Per quanto riguarda l'uscita, possiamo applicare Thevenin e rap-
presentare il DB come un generatore dipendente dall'ingresso con l'impedenza interna Zo. L'impe-
denza d'uscita definita secondo il teorema di Thevenin come il rapporto fra la tensione applicata
alla porta d'uscita e la corrente nella porta d'uscita quando si elimina il generatore d'ingresso. Cio
si cortocircuita il generatore di tensione o si apre quello di corrente. Nel caso di pilotaggio con un
generatore di tensione Vg
Z
V
I
o
o
o
Vg
=
=0
. [2.3-16]
Mentre nel caso del generatore di corrente Ig

Z
V
I
o
o
o
Ig
=
=0
. [2.3-17]
Dal momento che l'impedenza d'ingresso va calcolata aprendo il generatore di corrente o cortocir-
cuitando quello di tensione all'ingresso, allora essa dipende solo dal DB e dalla Zg.
A seconda di come si preferisce pilotare l'ingresso, se cio con un generatore di tensione o
con uno di corrente, si calcola nei due casi o la f.e.m. VoV del generatore di tensione o la corrente di
cortocircuito Iocc, rispettivamente
Nel caso di pilotaggio in tensione con il generatore di f.e.m. Vg ricaviamo dalla [2.3-13] che
Vo= AVgVg. Allora
. V k A lim V V A lim V g m
, Zu
g g
, Zu
oV Vg Vg = = =

[2.3-18]
in questo caso conviene rappresentare il doppio bipolo caricato come nella Fig.2.3-9a.
Se si pilota in corrente con il generatore Ig ricaviamo dalla [2.3-14] che Io = AIgIg. Allora
. I h A lim I I A lim I g m
0 , Zu
g g
0 , Zu
occ Ig Ig = = = [2.3-19]
questa volta pi opportuna la rappresentazione del doppio bipolo caricato come nella Fig.2.3-9b.
Ii
i V
+
-
+
-
g Z
g I
i Z

Fig.2.3-8
Io
o V
-
+
u Z
+
-
g V m k
Ii
i V
+
-
+
-
g Z
g V i Z
o Z
(a)
Io
o V
-
+
u Z
Ii
i V
+
-
i Z
g I m h o Z
g Y
g I
(b)
Io
o V
-
+
u Z
+
-
g I m Z
Ii
i V
+
-
i Z
o Z
g Y
g I
(c)
Io
o V
-
+
u Z
Ii
i V
+
-
+
-
g Z
g V i Z
g V m Y o Z
(d)

Fig.2.3-9
Elementi di circuito e reti elettriche 65
Ricordiamo che per il teorema di Thevenin
VoV = ZoIocc. [2.3-20]
Pertanto, utilizzando la [2.3-19], questa si pu riscrivere come
VoV = ZoIocc = ZohmIg = ZmIg. [2.3-21]
in questo caso conviene rappresentare il doppio bipolo caricato come nella Fig.2.3-9c.
Riapplicando la [2.3-20] alla [2.3-18]
Iocc = VoV/Zo = kmVg/Zo = YmVg. [2.3-22]
in questo caso conviene rappresentare il doppio bipolo caricato come nella Fig.2.3-9d.
2.3.1.1 Una applicazione con i parametri Y
Calcoliamo le funzioni di rete utilizzando per il DB i parametri Y. Riprendiamo le [2.1-18].
.
V Y V Y I
V Y V Y I
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1

+ =
+ =
[2.1-18]
Per il generatore vale la g 1 g 1 Y I V V = [2.3-23]
e per il carico . V Y I 2 u 2 = [2.3-24]
Dalla seconda delle [2.1-18] e da questultima si ricava
-YuV2 = Y21V1+Y22V2,
cio -(Yu+Y22) V2 = Y21V1.
Ma allora .
Y Y
Y
V
V
A
22 u
21
1
2
V
+
= = [2.3-25]
Riprendiamo la prima delle [2.1-18]. Utilizzando la definizione di AV [2.3-8] si ha
I1 = Y11V1+Y12V2 = Y11V1+Y12AVV1,
per cui l'ammettenza d'ingresso
Yi = Ii/Vi = Y11+Y12AV. [2.3-26]
Questa pu essere scritta in forma esplicita dei parametri del DB e dell'utilizzatore sostituendovi
lespressione [2.3-26] della AV. Perci
Y Y Y
Y
Y Y
Y Y
Y Y
i
u
y u
u
=
+
=
+
+
11 12
21
22
11
22
'
. [2.3-27]
Anche l'amplificazione di corrente [2.3-11] pu essere espressa in forma esplicita. Impie-
ghiamo le [2.3-25] e le [2.3-27]
.
Y Y ) Y Y ( Y
Y
Y A Y
Y
A Y Y
A
Y
Y
A
Y A
12 21 22 u 11
u
12 V 11
u
V 12 11
V
u
i
V
u I
+ +

=
+

=
+
= = [2.3-28]
Per finire .
Y Y
Y Y
A
u 1 y
21 u
I
+
= [2.3-29]
Possiamo anche calcolare l'amplificazione riferita al generatore in forma esplicita. Usiamo le
[2.3-13] in cui sostituiamo le [2.3-25] e [2.3-27]
.
) Y Y ( Y Y Y
Y Y
Y +
Y Y
Y Y
Y
Y Y
Y
Y Y
Y
A A
22 u g 11 u y
g 21
g
22 u
11 u y
g
22 u
21
g i
g
V Vg
+ + +
=
+
+
+
=
+
= [2.3-30]
Per determinare l'impedenza d'uscita bisogna cortocircuitare il generatore Vg. Allora la cor-
rente I1 passa nell'ammettenza Yg e per la tensione V1 si ha I1 = -YgV1, che sostituita nella prima
delle [2.1-18] da -YgV1 = Y11V1 + Y12V2, da cui si ricava (Yg+Y11)V1 = -Y12V2.
Infine . V
Y Y
Y
V 2
11 g
12
1
+
= [2.3-31]
Sostituiamo nella seconda delle [2.1-18]
Elementi di circuito e reti elettriche 66
2
11 g
11 g 22 21 12
2 22 2
11 g
21 12
2 22 1 21 2 V
Y Y
) Y Y ( Y Y Y
V Y V
Y Y
Y Y
V Y V Y I
+
+ +
= +
+
= + =
e finalmente .
Y Y
Y Y
I
V
Z
g 22 y
11 g
2
2
o
+
+
= = [2.3-32]
Per rappresentare il DB come nella Fig.2.3-9a bisogna calcolare la VoV. Per fare ci sosti-
tuiamo la [2.3-30] nella [2.3-18]:
,
) Y Y ( Y Y Y
Y Y
lim V A lim V V
22 u g 11 u y
g 21
0 , Yu
g
0 , Yu
g oV Vg
+ + +
= =
cio , V k
Y Y
Y Y
V V g m
22 g y
g 21
g oV =
+
= [2.3-33]
con .
Y Y
Y Y
k
22 g y
g 21
m
+
= [2.3-34]
2.3.1.2 Una applicazione con i parametri h
Riprendiamo le [2.1-19]: .
V h I h I
V h I h V
2 22 1 21 1
2 12 1 11 1

+ =
+ =
[2.1-19]
Per il generatore vale la , I Z V V 1 g g 1 = [2.3-35]
e per il carico 2 u 2 I Z V = [2.3-36]
Dalla seconda delle [2.1-19] e dalla [2.3-36] si ricava
I2 = h21I1-h22I2Zu,
cio (1+Zuh22)I2 = h21I1.
Ma allora .
h Z 1
h
I
I
A
22 u
21
1
2
I
+
= = [2.3-37]
Riprendiamo la prima delle [2.1-19]. Per la definizione di AI ed usando la [2.3-36]
V1 = h11I1 + h12V2 = h11I1-h12AIZuI1,
e, allora Z
V
I
h h A Z i I u = =
1
1
11 12 . [2.3-38]
O anche
u 22
11 h u
u 22
u 21
12 11 i
Z h 1
h Z
Z h 1
Z h
h h Z
+
+
=
+
= [2.3-39]
Per determinare in forma esplicita la AV sostituiamo nella [2.3-8] le [2.3-37] e [2.3-38]. Si
ha
,
Z h 1
h Z
h Z 1
h
Z
Z
A
Z A
u 22
11 h u
22 u
21
u
i
i
u V
+
+
+
= =
cio A
h
h Y
V
h u
=
+
21
11 '
. [2.3-40]
Calcoliamo l'amplificazione riferita al generatore in forma esplicita. Sostituiamo nella [2.3-
13] le [2.3-39] e [2.3-40]. Si ha
A A
Z
Z Z
h
h Y
Z h
h Z
Z h
h Z
Z
h
h Y
Z h
Z h Z h Z
Vg V
i
i g h u
u h
u
u h
u
g
h u
u h
u h g u
=
+
=
+

+
+
+
+
+
=
+

+
+ + +
21
11
11
22
11
22
21
11
11
11 22
1
1
1 '
'
'
'
'
' ( )
,
Quindi .
h Z Z ) h Z (
h
A
h 22 g u 11 g
21
Vg
+ + +
= [2.3-41]
Per rappresentare il DB come nella Fig.2.3-9a bisogna calcolare la VoV. Per fare ci sosti-
Elementi di circuito e reti elettriche 67
tuiamo la [2.3-41] nella [2.3-18]:
,
h Z Z ) h Z (
h
lim V A lim V V
h 22 g u 11 g
21
, Zu
g
, Zu
g oV Vg
+ + +
= =


. V k
h Z
h
V V g m
h 22 g
21
g oV =
+
= [2.3-42]
.
h Z
h
k
h 22 g
21
m
+
= [2.3-43]
Per calcolare l'impedenza d'uscita cortocircuitiamo Vg. Pertanto, la tensione V1 - ZGI1. U-
tilizzando la prima delle [2.1-19]
V1 = -ZgI1 = h11I1 + h12V2,
cio (Zg + h11)I1 = -h12V2,
infine . V
h Z
h
I 2
11 g
12
1
+
= [2.3-44]
Sostituendo nella seconda delle [2.1-19]
. V
h Z
h h
h V h V
h Z
h
h I 2
11 g
12 21
22 2 22 2
11 g
12
21 2

+
= +
+
=
Quindi Y
I
V
h
h h
Z h
o
g
= =
+
2
2
22
21 12
11
. [2.3-45]
2.3.1.3 Una applicazione con i parametri Z
Riprendiamo le [2.1-17]: .
I Z I Z V
I Z I Z V
2 22 1 21 2
2 12 1 11 1

+ =
+ =
[2.1-17]
Per il generatore vale la V V Z I g g 1 1 = , [2.3-35]
e per il carico 2 u 2 I Z V = [2.3-36]
Dalla seconda delle [2.1-17] e dalla [2.3-36] si ricava
-ZuI2 = Z21I1 + Z22I2,
cio (Zu + h22)I2 = -Z21I1.
Ma allora A
I
I
Z
Z Z
I
u
= =
+
2
1
21
22
. [2.3-46]
Riprendiamo la prima delle [2.1-17]. Sostituendo in questa il valore di I2 che si pu ricavare
dalla [2.3-46] V Z I
Z Z
Z Z
I
u
1 11 1
12 21
22
1 =

+
,
e, allora Z Z
Z Z
Z Z
i
u
=
+
11
12 21
22
. [2.3-47]
AV pu essere sempre calcolato adoperando lespressione generale [2.3-12]. Il calcolo della
funzione esplicita lo lasciamo come esercizio.
Il doppio bipolo si presenta come perfettamente simmetrico. Pertanto scambiando nella [2.3-
47] Z11 con Z22 e Z12 con Z22 e Zu con Zg si scrive immediatamente limpedenza duscita:
Z Z
Z Z
Z Z
o
g
=
+
22
12 21
11
. [2.3-48]
2.3.1.4 Potenza
La differenza di potenziale fra due punti il lavoro che bisogna compiere per trasportare una
carica unitaria fra i due punti. Quindi il lavoro che si compie per trasportare una carica q attraverso
una differenza di potenziale V
Elementi di circuito e reti elettriche 68
L = qV. [2.3-49]
La rapidit con cui questo trasporto viene fatto da la potenza elettrica:
. I V
dt
q d
V
dt
V q d
dt
dL
P = = = = [2.3-50]
Se la corrente, che per il momento immaginiamo continua, attraversa un resistore R, la po-
tenza che in esso si dissipa :
.
R
V
I R I V P
2
2
= = = [2.3-51]
Supponiamo, invece che la corrente ) t cos( I i M = sia sinusoidale monocromatica e che at-
traversi una impedenza Z composta da una resistenza R ed una reattanza X. Ai capi dellimpedenza
si manifesta una tensione ). t cos( V v M + = Abbiamo visto nel 1.3 che il legame fra corrente i e
tensione v in questo caso fornito dalle relazioni [1.3-20] - [1.3-22].
| Z | I X R I V M
2 2
M M = + = .
R
X
arctg = .
La potenza istantanea vi mentre quella media, di maggiore interesse, in genere :
= + = =

T
0
M M
T
0
dt ) t cos( I ) t cos( V
T
1
dt i v
T
1
P
= =

T
0

M M
dt ) t cos( )] sen( ) t sen( ) cos( ) t [cos(
T
I V

. dt ) t sen( ) t cos( ) sen( dt ) t ( cos ) cos(
T
I V
T
0

T
0

2
M M

=


Il calcolo porta a . cos
2
I V
P
M M
= [2.3-52]
Se X = 0, cio, se il circuito ha solo resistori, VM/IM = R e M= 0. Allora, in questo caso
P
V I V
R
R I M M M M
= = =

2 2 2
2 2
[2.3-53]
Se chiamiamo valore efficace di tensione e di corrente alternata sinusoidale V V ef M = 2 e
, 2 I I M ef = rispettivamente, la relazione precedente relativa alla potenza media dissipata nella re-
sistenza

2
Mef
2
ef
ef ef I R
R
V
I V P = = = [2.3-54]
analoga alla [2.3-51]. Adesso si comprende il senso del nome valore efficace. Esso rappresenta il
valore di una corrente alternata sinusoidale che dissipa una potenza eguale a quella di una cor-
rente continua nella stessa resistenza. Si noti anche che se limpedenza non ha parte resistiva la
potenza dissipata nulla. Il che significa che la potenza si dissipa unicamente nelle parti resistive di
un circuito
Nel caso che limpedenza abbia una parte reattiva, al calcolo della potenza media, vedi [2.3-
52], prende anche parte un termine cos M che assume per questo il nome di fattore di potenza e vie-
ne spesso indicato con PF. Se c parte reattiva il fattore di potenza inferiore ad 1. Esso esprime
quanta parte della potenza media fornita allimpedenza si dissipa nella parte resistiva. Per una im-
pedenza da cui ci si aspetta un comportamento resistivo il PF dovrebbe avvicinarsi quanto pi ad 1,
mentre per una impedenza da cui ci si aspetta un comportamento reattivo il PF dovrebbe avvicinarsi
quanto pi ad 0.

Elementi di circuito e reti elettriche 69
2.3.1.5 Adattamento dimpedenza
Vogliamo ora trattare il problema della potenza trasferita da un generatore Vg con impeden-
za interna Zg = Rg + jXg ad un carico Zu = Ru + jXu. Ma la potenza nel carico si dissipa soltanto nel-
la sua parte resistiva Ru. La potenza media in :
.
jX R jX R
R
V
Z Z
R
V R I V I P
2
u u g g
u
2
gef
2
u g
u
2
gef u
2
ef uef ef
+ + +
=
+
= = =
evidente che, per quanto riguarda la parte reattiva il massimo della potenza sul carico si ha se le
due reattanze sono eguali ed opposte, cio se Xg = - Xu. In queste condizioni la precedente diventa:
.
) R R (
R
V P
2
u g
u
2
gef
+
= [2.3-55]
Per trovare il valore di Ru che massimizza questa potenza basta derivare
la precedente rispetto a Ru e imporre che la derivata sia nulla. Si ha
. 0
) R R (
) R R ( R 2 ) R R (
V
dR
dP
4
u g
u g u
2
u g
2
gef
u
=
+
+ +
=
La soluzione di questa equazione Ru = Rg. Quindi se le reattanze di ca-
rico ed impedenza interna sono eguali ed opposte e le resistenze, invece,
sono eguali si ha il massimo di potenza sul carico che , per la [2.3-55]
.
R 4
V
) R 2 (
R
V P
u
2
gef
2
u
u
2
gef = = [2.3-56]
Poich le due impedenza sono eguali la potenza erogata dal generatore il doppio di quella del ca-
rico ed il sistema ha un rendimento del 50% ma la potenza sul carico la massima possibile.
2.3.1.6 Quadrupoli come adattatori dimpedenza
Spesso non possibile ottenere direttamente ladattamento dimpedenza fra carico e genera-
tore perch le relative impedenze non sono eguali e non si possono modificare. Si pu ovviare
allinconveniente interponendo fra generatore e carico un doppio bipolo che adatti il suo ingresso al
generatore e la sua uscita al carico. In questo caso si dice che si sta lavorando su impedenze imma-
gini.
Riprendiamo le espressioni relative al calcolo delle impedenze dingresso e duscita, per e-
sempio, quelle calcolate utilizzando i parametri Z. Per imponiamo la condizione dimpedenza im-
magine sia dingresso che duscita. Quindi dalle [2.3-47] e [2.3-48]:

Z Z Z
Z Z
Z Z
Z Z Z
Z Z
Z Z
i g
u
o u
g
= =
+
= =
+

11
12 21
22
22
12 21
11
.
che si possono riscrivere come
Z Z
Z Z
Z Z
Z Z
Z Z
Z Z
u
g
u
g
+ =

=
+

22
12 21
11
22
12 21
11
.
Eseguendo una volta la somma ed una volta la differenza termine a termine si ottiene:

+
=

+
+
=
11
2
11
2
g
21 12
11 g
21 12
11 g
21 12
22
g
2
11
2
g
21 12
11 g
21 12
11 g
21 12
u
Z
Z Z
Z Z
2
Z Z
Z Z
Z Z
Z Z
Z 2
Z
Z Z
Z Z
2
Z Z
Z Z
Z Z
Z Z
Z 2

=
11
2
g
2
11
21 12
22
g
2
g
2
11
21 12
u
Z
Z Z
Z Z
Z
Z
Z Z
Z Z
Z

I
u
V
+
-
+
-
g Z
V
u Z
g

Fig.2.3-7
Elementi di circuito e reti elettriche 70
e per rapporto fra queste due: .
Z
Z
Z
Z
11
22
g
u
= [2.3-57]
Risostituendo nelle due ultime espressioni si ottiene:
.
Z
Z Z
Z Z Z
Z
Z Z
Z Z Z
22
21 12
11 11
2
g
11
21 12
22 22
2
u

=
[2.3-58]
Determiniamo le impedenze dingresso e duscita a vuoto ed in cortocircuito:
Z Z Z iV
Z
i
u
= =

lim
,
11 ; Z Z Z oV
Z
o
g
= =

lim
,
22 ,
Z Z Z
Z Z
Z
ic
Z
i
u
= = lim
,0
11
12 21
22
; Z Z Z
Z Z
Z
oV
Z
o
g
= = lim
,0
22
12 21
11
.
Confrontando rapidamente queste espressioni con le [2.3-58] si vede che queste si possono scrivere
come:
.
Z Z Z
Z Z Z
iV iV g
oc oV u

=
=
[2.3-59]
Infine si pu ricavare unaltra espressione che lega i parametri del doppio bipolo alle due
impedenze esterne. Si pu ricavare il prodotto Z12Z21 dalle [2.3-58]
.
Z
Z Z
Z
Z
Z Z
Z Z Z
11
2
g
2
11
22
22
2
u
2
22
11 21 12

=

= [2.3-60]
In pratica, per ottenne che il doppio dipolo adatti sia in ingresso che in uscita, due condizio-
ni sono state fissate e quindi si trovano due relazioni una per il rapporto fra due parametri e laltra
per il prodotto degli altri due. Quindi il problema permette di sceglierne altre due ancora.
Nel caso di quadrupolo simmetrico Z11 = Z22 e Z12 = Z21 le due impedenze immagini coinci-
dono, e prendono il nome di impedenza caratteristica Z0 il cui valore facile calcolare
. Z Z Z
2
12
2
11
2
0 = [2.3-61]
2.3.1.7 Quadrupoli iterativi
Un caso interessante quando il quadrupolo interposto, dal punto di vista delle impedenze
dingresso e duscita, come se non ci fosse. In tal caso la sua impedenza duscita deve essere e-
guale a quella del generatore e quella dingresso identica a quella di carico. In tal caso si dice che si
in condizioni di impedenza iterativa.
Imponiamo la condizione dimpedenza iterativa sia dingresso che duscita. Quindi dalle
[2.3-47] e [2.3-48]:

Z Z Z
Z Z
Z Z
Z Z Z
Z Z
Z Z
i u
u
o g
g
= =
+
= =
+

11
12 21
22
22
12 21
11
. [2.3-62]

che si possono riscrivere come
Z Z
Z Z
Z Z
Z Z
Z Z
Z Z
u
u
g
g
11
12 21
22
22
12 21
11
=
+
=
+

. dalle quali si ricava


21 12 11 g g 22 22 u u 11 Z Z ) Z Z )( Z Z ( ) Z Z )( Z Z ( = + = + [2.3-63]
ed ancora ) Z Z Z ( Z ) Z Z Z ( Z g 11 22 g u 22 11 u =
Elementi di circuito e reti elettriche 71
cio ) Z Z )( Z Z ( Z Z u g 11 22
2
g
2
u + =
In definitiva Z Z Z Z u g = 22 11 [2.3-64]
Anche questa volta si trovano due relazioni soltanto per i quattro parametri e la scelta di due
, quindi, libera.
2.4. Connessioni fra doppi bipoli
I doppi bipoli possono essere interconnessi in modo vario. Si pu procedere nei modi gi no-
ti per determinare il comportamento delle reti in cui sono presenti DB interconnessi fra di loro. Ma
si pu arrivare a delle semplificazioni per alcuni casi particolari che ci accingiamo a trattare.
2.4.1 Connessione in parallelo
Se i DB sono in parallelo (Fig.2.4-1),
le tensioni delle porte corrispondenti sono
identiche. conveniente usare le tensioni
come variabili indipendenti e le correnti co-
me dipendenti e lavorare con i parametri Y. I
doppi bipoli sono descritti dalla [2.1-18]:
,
V Y V Y I
V Y V Y I
a 2 a 22 a 1 a 21 a 2
a 2 a 12 a 1 a 11 a 1

+ =
+ =

.
V Y V Y I
V Y V Y I
b 2 b 22 b 1 b 21 b 2
b 2 b 12 b 1 b 11 b 1

+ =
+ =

Per le tensioni e le correnti possiamo
scrivere:
I1 = I1a + I1b; I2 = I2a + I2b; V1 = V1a = V1b; V2 = V2a = V2b.
Allora: = + + + = + = b 2 b 12 b 1 b 11 a 2 a 12 a 1 a 11 b 1 a 1 1 V Y V Y V Y V Y I I I
, V ) Y Y ( V ) Y Y ( 2 b 12 a 12 1 b 11 a 11 + + = +
e = + + + = + = b 2 b 22 b 2 b 21 a 2 a 22 a 2 a 21 b 2 a 2 2 V Y V Y V Y V Y I I I
. V ) Y Y ( V ) Y Y ( 2 b 22 a 22 1 b 21 a 21 + + = +
E quindi ,
V Y V Y I
V Y V Y I
2 t 22 t 1 t 21 2
2 t 12 1 t 11 1

+ =
+ =

in cui Y11t = Y11a + Y11b; Y12t = Y12a + Y12b; Y21t = Y21a + Y21b; Y22t = Y22a + Y22b. [2.4-1]
2.4.2 Connessione in serie
Dal momento che i DB sono in serie,
Fig.2.36, le correnti delle porte corrispon-
denti sono identiche. Allora conveniente
utilizzare proprio le correnti come variabili
indipendenti e quindi scegliere la rappresen-
tazione a parametri Z. I due DB sono de-
scritti dalla [2.1-17]. Quindi:
;
I Z I Z V
I Z I Z V
a 2 a 22 a 1 a 21 a 2
a 2 a 12 a 1 a 11 a 1

+ =
+ =

.
I Z I Z V
I Z I Z V
b 2 b 22 b 1 b 21 b 2
b 2 b 12 b 1 b 11 b 1

+ =
+ =

Per le tensioni e le correnti possiamo
scrivere
+
- -
+
+
- -
+
V1
V2
I1
1a V 11a Y
1a I
11b Y
1b V
2a I
22a Y
1b I
2b V
2a V
2 I
2b I
22b Y
Y21a 1a V
Y21b 1b V
12a Y 2a V
12b Y 2b V
+
-
+
-

Fig.2.4-1
1a V
1a I
1b V
2a I
1b I
2b V
2a V
2b I
V1
I1
+
-
V2
2 I
+
-
+
- -
+
+
-
+
-
+
- -
+
+
-
+
-
11a Z
11b Z 22b Z
Z21a 1a I
22a Z
Z21b 1b I
12a Z 2a I
12b Z 2b I

Fig.2.4-2
Elementi di circuito e reti elettriche 72
V1 =V1a + V1b; V2 = V2a + V2b; I1 = I1a = I1b; I2 = I2a = I2b.
In modo analogo al caso precedente si ottiene
.
I Z I Z V
I Z I Z V
2 t 22 1 t 21 2
2 t 12 1 t 11 1

+ =
+ =

in cui Z11t = Z11a + Z11b; Z12t = Z12a + Z12b; Z21t = Z21a + Z21b; Z22t = Z22a + Z22b. [2.4-2]
2.4.3 Connessione serie-parallelo
In questo caso i due quadrupoli sono
connessi in modo da avere gli ingressi in se-
rie e le uscite in parallelo, Fig.2.4-3. Le cor-
renti delle porte d'ingresso sono eguali, cos
come le tensioni delle porte d'uscita. op-
portuno utilizzare i parametri h. definiti nel-
la [2.1-19]. Allora:
;
V h I h I
V h I h V
a 2 a 22 a 1 a 21 a 2
a 2 a 12 a 1 a 11 a 1

+ =
+ =

.
V h I h I
V h I h V
b 2 b 22 b 1 b 21 b 2
b 2 b 12 b 1 b 11 b 1

+ =
+ =

Per le tensioni e le correnti possiamo scrive-
re
V1 =V1a + V1b; V2 = V2a = V2b I1 = I1a = I1b; I2 = I2a + I2b.
In modo analogo ai casi precedenti si ottiene
.
V h I h I
V h I h V
2 t 22 1 t 21 1
2 t 12 1 t 11 1

+ =
+ =

in cui h11t = h11a + h11b; h12t = h12a + h12b; h21t = h21a + h21b; h22t = h22a + h22b. [2.4-3]
2.4.4 Connessione parallelo-serie
Gli ingressi sono in parallelo e le u-
scite in serie come nella Fig.2.2-4. Le ten-
sioni delle porte d'ingresso sono eguali, ed
anche le correnti di quelle d'uscita. Allora
conviene usare i parametri k. I due doppi
dipoli sono descritti dalla [2.1-20]
;
I k V k V
I k V k I
a 2 a 22 a 1 a 21 a 2
a 2 a 12 a 1 a 11 a 1

+ =
+ =

.
I k V k V
I k V k I
b 2 b 22 b 1 b 21 b 2
b 2 b 12 b 1 b 11 b

+ =
+ =

In base a quanto detto :
I1 = I1a + I1b; I2 = I2a = I2b; V1 = V1a = V1b; V2 = V2a + V2b.
In modo analogo si ottiene .
I k V k V
I k V k I
2 t 22 1 t 21 2
2 t 12 1 t 11 1

+ =
+ =

in cui k11t = k11a + k11b; k12t = k12a + k12b; k21t = k21a + k21b; k22t = k22a + k22b. [2.4-4]
2.4.5 Connessione in cascata
In questo caso, Fig.2.2-4, l'uscita del primo doppio bipolo connessa all'ingresso del se-
1a V
1a I
1b V
2a I
1b I
2b V
2a V
2b I
V1
I1
+
-
V2
2 I
+
-
+
- -
+
+
- -
+
+
-
+
-
11a h
1a I 21a h 12a h 2a V
22a h
11b h
1b I 21b h 12b h 2b V
22b h

Fig.2.4-3
1a V
1a I
1b V
2a I
1b I
2b V
2a V
2b I
V1
I1
+
-
V2
2 I
+
-
+
- -
+
+
-
+
- -
+
+
-
11a k
1a V 21a k
22a k
12a k 2a I
11b k
1b V 21b k
22b k
12b k 2b I

Fig.2.4-4
Elementi di circuito e reti elettriche 73
condo. Per cui
I2a = -I1b; V2a = V1b; V1 = V1a; I1 = I1a; V2 = V2b; I2 = I2b. [2.4-5]
Per ricavare un bipolo che descriva complessivamente i due bipoli in cascata bisogna eliminare, ap-
punto, le variabili intermedie e, cio, I2a, I1b, V2a e V1b. A seconda dei parametri utilizzati per de-
scrivere i due doppi bipoli e di quelli che si vogliono utilizzare nel doppio bipolo complessivo si fa-
ranno le opportune operazioni.
Come esempio eseguiamo il lavoro quando il primo doppio bipolo descritto con i parame-
tri k data dalle [2.1-20] ed il secondo con i parametri h data dalle [2.1-19]. Cio
;
I k V k V
I k V k I
a 2 a 22 a 1 a 21 a 2
a 2 a 12 a 1 a 11 a 1

+ =
+ =
.
V h I h I
V h I h V
b 2 b 22 b 1 b 21 b 2
b 2 b 12 b 1 b 11 b 1

+ =
+ =

Volendo, come descrizione finale quella dei parametri Y, cio le [2.1-18].
Utilizzando le [2.4-5] le due precedenti espressioni diventano:
;
I k V k V
I k V k I
b 1 a 22 1 a 21 a 2
b 1 a 12 1 a 11 1

=
=
[2.4-6]
.
V h I h I
V h I h V
2 b 22 b 1 b 21 2
2 b 12 b 1 b 11 a 2

+ =
+ =
[2.4-7]
Per confronto fra la seconda delle [2.4-6] e la prima delle [2.4-7] si ottiene
k21aV1 - k22aI1b = h11bI1b + h12bV2,
cio (k22a + h11b)I1b = k21aV1 - h12bV2,
dunque .
h k
V h V k
I
b 11 a 22
2 b 12 1 a 21
b 1
+

= [2.4-8]
E questa, sostituita nella prima delle [2.4-6]
=
+
+
+
+
=
+

= 2
b 11 a 22
b 12 a 12
1
b 11 a 22
a 21 a 12 b 11 a 22 a 11
b 11 a 22
2 b 12 1 a 21
a 12 1 a 11 1 V
h k
h k
V
h k
k k ) h k ( k
h k
V h V k
k V k I
. V
h k
h k
V
h k
h k
2
b 11 a 22
b 12 a 12
1
b 11 a 22
b 11 a 11 Ka
+
+
+
+
=
Cio , V Y V Y I 2 t 12 1 t 11 i + = [2.4-9]
con Y
k h
k h
t
Ka a b
a b
11
11 11
22 11
=
+
+
'
; Y
k h
k h
t
a b
a b
12
12 12
22 11
=
+
. [2.4-10]
Analogamente sostituendo la [2.4-8] nella seconda delle [2.4-7]:
2 b 22
b 11 a 22
2 b 12 1 a 21
b 21 2 b 22 b 1 b 21 2 V h
h k
V h V k
h V h I h I +
+

= + =
. V
h k
k h
V
h k
k h
V
h k
h h ) h k ( h
V
h k
k h
2
b 11 a 22
a 22 b 22 2 h
1
b 11 a 22
a 21 b 21
2
b 11 a 22
b 12 b 21 b 11 a 22 b 22
1
b 11 a 22
a 21 b 21
+
+
+
+
=
+
+
+
+
=
Cio 2 t 22 1 t 21 2 V Y V Y I + = [2.4-11]
con ;
h k
k h
Y
b 11 a 22
a 21 b 21
21
+
= Y
h k
k h
h b a
a b
22
2 22 22
22 11
=
+
+

'
. [2.4-12]
Come si vede anche se concettualmente semplice alle volte pu essere complicato deter-
1a V
1a I
1b V
2a I
1b I
2b V
2a V
2b I
V1 V2
2
I
+
- -
+
+
-
+
- -
+
+
-
1 I
11a
k
1a V 21a k 12a k 2a I
11b
h
1b I 21b h 12b h 2b V
22b
h
22a k

Fig.2.4-5
Elementi di circuito e reti elettriche 74
minare i parametri equivalente di DB in cascata. meglio procedere in altro modo. Pi avanti ve-
dremo come fare.
Elementi di circuito e reti elettriche 75
BIBLIOGRAFIA

[AL] - Alberini, Quaranta, Rispoli - Elettronica - Zanichelli - 1962
[BA] - Battistini, Nencioni - Eletttrotecnica - Le Monnier - 1984
[CH] - Chen - The Analysis of Linear Systems - McGraw Hill - 1966
[CO] - Connors - Networks - Arnold - 1972
[DE] - Desoer, Kuh - Fondamenti di Teoria dei Circuiti - Angeli -1990
[FA] - Falcone - Elettronica generale - Siderea - 1968
[FO] - Fodor - Nodal Analysis of Electric Networks - Elseviere - 1988
[KA] - Kaufman, Seidman -Electronic Sourcebook for Technicians and Engeneers - Mc Graw
Hill - 1988
[MAR] - Magrab - Computer Integrated Experimentation Springer -Verlag - 1991
[MAS] - Mason, Zimmermann - Electronic Circuits, Signals, and System - J.Wiley - 1964
[MOS] - Moschytz - Linear Integrated Networks - Van Nostrand









La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari

Ci occupiamo ora delle trasformazioni che le reti elettriche lineari producono sui segnali, ma
solo di sistemi semplici, anche se lo studio di sistemi pi complessi viene fatto allo stesso modo.
3.1. La risposta impulsiva di un sistema lineare
Consideriamo un sistema line-
are H. Siano i(t) e u(t), rispettivamen-
te, lingresso e luscita del sistema.
Applichiamo, allistante iniziale un
impulso o(0)

unitario come quello
mostrato in Fig.3.1-1a. La risposta
h(t) del sistema a questa o(0) la chia-
miamo risposta impulsiva, Fig.3.1-
1b. Applicando un impulso unitario
o(t1) allistante t1 si ottiene, come ab-
biamo visto in 1.7-5, una uscita h(t-
t1) che ha la stessa forma di h(t) ma
traslata di t1. Questo vale per un sistema invariante nel tempo. Ci occuperemo soltanto dei sistemi
lineari invarianti nel tempo. Nel resto del capitolo ometteremo di specificarlo.
In un sistema reale la risposta h(t-t1) non si pu avere prima dellistante t1 di occorrenza
dellimpulso eccitante. Infatti nessun sistema fisico pu predire quando verr eccitato. Inoltre, sup-
porremo che il sistema sia stabile, cio che, passato un tempo sufficientemente lungo, la risposta
vada a zero.
Applichiamo due impulsi o(t1) e o(t2) agli istanti t1 e t2, di differenti ampiezze i1(t1) e i2(t2),
come quelli in Fig.3.1-2a. Luscita u(t) la sovrapposizione delle due uscite che si avrebbero appli-
cando singolarmente i due ingressi. Il processo mostrato nelle Fig3.1-2b e c. Nella prima si vedo-
o
(
0
)
h
(
t
)
t t
(a)
(b)

Fig.3.1-1
i1(t1)
u1(t1)
u2(t2)
i2(t2)
i
(
t
)
u
(
t
)
u
(
t
)
t t1 t2
t1 t2 t1
(a) (b) (c)
t t

Fig.3.1-2
78 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
no le risposte ai due impulsi, nella seconda la loro sovrapposizione, cio luscita del sistema.
Possiamo ampliare il discorso per ottenere la risposta del sistema ad un qualunque ingresso.
Un segnale i(t) come, ad esempio, quello di Fig.3.1-3a pu essere approssimato dalla sommatoria di
tanti impulsi o, ognuno spostato dal precedente di una quantit infinitesima dt e di ampiezza pari a
i(t). In Fig.3.1-3b mostrato uno di questi impulsi di ampiezza pari a i(t1), largo dt1 che si ha
allistante t1. Luscita corrispondente a questo impulso , come sempre:
) t (t h dt (t) i (t) du 1 1 = .
Luscita complessiva pu essere determinata sommando tutti i contributi dovuti alle risposte del si-
stema ad ognuno degli impulsi larghi dt1 nei quali lingresso pu essere suddiviso. In effetti pi che
sommatoria bisogna fare lintegrale. Pertanto si ha:
1 1 1 dt ) t h(t ) i(t ) t ( u


= . [3.1-1]
La Fig.3.1-3c mostra la risposta alleccitazione di un sistema che ha la solita risposta impulsiva h(t)
della Fig.3.1-1b.
3.1.1 La convoluzione e la deconvoluzione
Se si confronta lultima espressione trovata con la [1.1-34] si riconosce immediatamente
loperatore convoluzione. Pertanto, la convoluzione fra risposta impulsiva di un sistema e il se-
gnale dingresso fornisce luscita del sistema tempo-invariante

.
Risulta adesso evidente limportanza della convoluzione. Riprendiamo per ricordarle alcune
propriet della convoluzione. Il processo di convoluzione fra due funzioni i(t) ed h(t) nel tempo cor-
risponde al processo di moltiplicazioni fra le relative trasformate di Laplace o di Fourier:
( ) ) s ( H ) s ( I s U = ; [3.1-2]
( ) ) ) H( I( U = . [3.1-3]
Ovviamente, note luscita e la risposta impulsiva, con la deconvoluzione possibile determinare
leccitazione del sistema. Ma questa propriet adoperata soltanto utilizzando le trasformazioni.
Se si considera come ingresso una o unitaria e si applicano la [3.1-2] o la [3.1-3], dal mo-
mento che la corrispondente trasformata unitaria, si riconosce che la H(s) e la H() non sono altro
che le trasformate della risposta impulsiva del sistema.
Le [3.1-2] e [3.1-3] sono le [1.4-30] e [1.7-8] applicate a i(t), u(t), e h(t).
3.1.2 La funzione di trasmissione
Le precedenti espressioni possono essere riscritte come:

( )
) s ( I
s U
) s ( H = , [3.1-4]
i
(
t
)

i
(
t
)

u
(
t
)

t
t t
d t1
t1
(a) (b)
i(t1)
(c)

Fig.3.1-3
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 79

e
( )
( )

=
I
U
H ) ( . [3.1-5]
Le funzioni H(s) e H() prendono il nome di funzioni di trasmissione. Esse esprimono il
rapporto fra le trasformata della risposta e quella delleccitazione di un sistema lineare invariante
nel tempo oppure, che lo stesso, la trasformata della risposta impulsiva del sistema.
Tutto ci si pu sfruttare per ricavare la risposta di un sistema lineare tempo-invariante ad
un segnale, purch si conosca la funzione di trasmissione H(s) o H() e la trasformata I(s) o I()
del segnale. Basta infatti moltiplicare H(s) per I(s) o H() per I() ed ottenere la trasformata della
risposta. Lantitrasformazione consentir di ritrovare la risposta temporale del sistema alleccitazio-
ne i(t).
Riepilogando, per determinare la risposta di un sistema ad una eccitazione:
si calcola la funzione di trasmissione del sistema;
si calcola la trasformata dellingresso;
si moltiplica la funzione di trasmissione per la trasformata dellingresso ottenendo la trasforma-
ta della risposta, definita gi come risposta forzata nel Cap.1;
si esegue lantitrasformazione e si ottiene la risposta temporale.
Nel primo capitolo ci siamo gi occupati di trasformate ed antitrasformate e sappiamo come
impiegarle correttamente e velocemente.
3.2. I diagramma delle funzioni di trasmissione
A questo punto indispensabile riprendere ed approfondire quanto abbiamo detto nel 1.5.3
riguardo la rappresentazione di Bode della trasformata di Fourier F().
Ricordiamo che il modulo di F() viene rappresentato logaritmicamente, cio si fa un grafi-
co di G = 20 Log|F()| rispetto a Log . G viene misurato in decibel (dB) e viene comunemente
chiamato guadagno. La rappresentazione logaritmica di una funzione porta come conseguenza che,
se essa esprimibile in forma fattorizzata, il grafico pu essere ottenuto sommando comodamente i
contributi dei singoli fattori, per la nota propriet del logaritmo del prodotto. Largomento rappre-
sentato da un secondo grafico. Vale ancora la propriet che, se la relativa funzione di trasmissione
fattorizzabile, il grafico si ricava sommando facilmente il contributo allargomento dei singoli fatto-
ri. Ci a causa di elementari propriet dei numeri complessi. Lo studio che segue riguarda soltanto
funzioni fattorizzabili. Esse conterranno solo costanti reali, poli o zeri nulli o no, poli e/o zeri com-
plessi coniugati. Le radici possono anche avere molteplicit superiore allunit.
In generale una funzione siffatta esprimibile come:
( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) .
) p j (
) z j (
j k
p j p j
z j z j
j k ) (
n
1 i
i
m
1 i
i
q
n 1
m 1
q

=
=


=


= F
k una costante reale; z1, z2,..zm sono gli zeri non nulli, reali o non; p1, p2,..pn sono i poli non nulli,
reali o non; q un intero che esprime la molteplicit della radice ed il suo segno, se positivo indica
che si tratta di zero, se negativo, invece, si tratta di polo.
I poli e gli zeri hanno le dimensioni di pulsazioni. Chiamiamo zi e pi i valori corrispon-
denti a zi e pi, rispettivamente. Cio
zi = - zi e pi = - pi. [3.2-1]
80 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
Se si pone

=
=
=
=

=
n
1 i
p
m
1 i
i z
n
1 i
i
m
1 i
i
B
i
i
k
p
z
k k [3.2-2]
la precedente si esprime come ( )
( )
( )

=
=
+
+
=
n
1 i
p
m
1 i
z
q
B
i
i

j 1
j 1
j k ) ( F . [3.2-3]
kB prende il nome di costante di Bode ed anche essa reale.
Per, se abbiamo radici complesse coniugate conviene accoppiare i relativi termini. In tal
caso, alla coppia corrisponde un termine del tipo . s 2 s
2
n n
2
+ + Ricordiamo che questo termine
da radici complesse coniugate se 0 ) (
n
n
2
n < , cio se o < 1.
Nel caso di radici complesse coniugate -r e -r
*
, i due termini corrispondenti nella [3.2-3]
possono esprimersi come
n
2
n
2
2 *
2
*
*
*
j 2 1
r
) r r ( j r
r r
) j r )( j r (
) r j )( r j 1 (

=
+ +
=
+ +
= + +
in cui n, cio il modulo della radice prende il nome di pulsazione naturale mentre o Re(r)/|r|
s 1 viene chiamato coefficiente di smorzamento o pi semplicemente smorzamento.
Supponiamo che la funzione di trasmissione contenga q radici nulle, zr zeri reali, pr poli rea-
li, zc coppie di zeri complessi coniugati e pc coppie di poli complessi coniugati. In questo caso la
[3.2-3] pu riscritta come:
( )
( )
( )
,
j 2 j 1
j 2 j 1
j k ) (
r c
i
i
i
2
i
i
i
c
i
i
i
2
i
i
r
i
p
1 i
p
1 i
q
np
p
np
1
q
p
z
1 i
q
nz
z
nz
1
q
z
1 i
z
q
B


= =

+
= F [3.2-4]
o, in forma pi sintetica,
( ) ( ) . j 2 j 1 j k ) (
c c
i
i
i
2
i
i
r r p z
1 i
q
n n
1
q
p z
1 i
i
q
B

+
=

+
=

+ = F [3.2-5]
q o qi indicano la molteplicit della radice. Inoltre, a seconda del segno di q e di qi si avr zero o
polo. Se il segno positivo, la radice uno zero, altrimenti un polo. Il significato dei simboli delle
[3.2-4] e [3.2-5] sembra che non necessita di ulteriori spiegazioni.
3.2.1 La costante di Bode
Il caso della costante di
Bode molto semplice. Il relati-
vo diagramma dei guadagni
una retta orizzontale allaltezza
20 Log|kB|. Quando |kB| supera
lunit, G positivo e siamo in
presenza di amplificazione. In-
vece se |kB| < 1, G negativa e si
parla di attenuazione. In Fig.3.2-
1a sono mostrati entrambi i casi.
0
-20
-40
-60
20
40
60
G
(dB)
1 .1 10

amplificazione
attenuazione
(a)

0
-90
-180

1 .1 10
B k >0
B k <0
(b)

Fig.3.2-1
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 81

Per quanto riguarda lo sfasamento esso sar 0 oppure 180 a seconda che kB sia positiva o negati-
va. In Fig.3.2-1b sono rappresentati tutti e due i casi.
3.2.2 Radici nulle
Il termine (j)
q
relativo alle q radici nulle corrisponde, come abbiamo gi detto, a zeri o poli
nulli a seconda del segno di q. Il termine relativo al guadagno da
( ) . Log q 20 j Log 20 G
q
= = [3.2-6]
Una decade un intervallo che ha i due estremi luno dieci volte laltro. In un grafico che
sulle ascisse ha x = Log spostarsi di una decade significa spostarsi esattamente di una unit. Infat-
ti x = Log10 - Log = Log10/ = 1. Allora nel diagramma di Bode la funzione [3.2-6], cio
, x q 20 Log q 20 G = = una retta con pendenza 20q dB/dec che passa dal punto = 1, G = 0. Se
q positivo (zeri), le rette hanno pendenza positiva altrimenti, nel caso dei poli (q < 0), la pendenza
negativa. La Fig.3.2-2a mostra il guadagno per 1, 2 e 3 zeri e per 1, 2 e 3 poli.
Per quel che riguarda la
fase:
( ) = = 90 q j arg
q
[3.2-7]
cio ogni zero nullo introduce
uno sfasamento di 90, ed ogni
polo nullo introduce uno sfasa-
mento di -90. La Fig.3.2-2b
mostra lo sfasamento per 1, 2 e 3
zeri e per 1, 2 e 3 poli.
3.2.3 Radici reali
Consideriamo adesso il termine della [3.2-5] relativo alle radici reali e cio del ti-
po( )
q
a j 1 + . Si ha:
( ) ( ) . 1 Log q 20 j 1 Log 20 G
2
a a
q
+ = + = [3.2-8]
Il comportamento dipende dal rapporto /a. Per /a << 1 = G = 0, ed il diagramma una se-
miretta orizzontale. Per /a >> 1 = . Log q 20 G a = In questa zona si ha una semiretta con
pendenza di 20q dB/decade. Ancora una volta la pendenza sar positiva o negativa a secondo che si
tratti di zeri o di poli. Inoltre la molteplicit delle radici implica la rapidit della pendenza. Le due
semirette di intersecano per a. Per questo motivo a viene chiamata pulsazione dangolo. La
curva costituita dalle due semirette prende il nome di rappresentazione asintotica. In effetti, alla
pulsazione dangolo si ha q 3 2 Log q 20 G = dB, e la curva effettiva differisce da quella asintoti-
0
-20
-40
-60
20
40
60
G
(dB)
un polo
due poli
tre poli
uno
due zeri
tre zeri
1 .1 10

(a)
un polo
due poli
tre poli
uno
due zeri
tre zeri
90
180
270
0
-90
-180
-270

1 .1 10

(b)

Fig.3.2-2
0
-20
-40
-60
20
40
60
G
(dB)
un polo
due poli
tre poli
due zeri
tre zeri
/
a 1 .1 10
uno
(a)

unpolo
duepoli
tre poli
uno
duezeri
tre zeri
.01 .1 1 10 100
/
a
90
180
270
0
-90
-180
-270

(b
)

Fig.3.2-3
82 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
ca di 3 q dB. La Fig.3.2-3a si riferisce a 1, 2 e 3 zeri e 1, 2 e 3 poli. Sono mostrate sia la rappresen-
tazione effettiva che quella asintotica. Si pu dimostrare che, se invece di usare la curva effettiva si
usa al suo posto quella asintotica, si ha un errore che massimo proprio alla pulsazione dangolo
ma che gi praticamente trascurabile a pulsazioni di un fattore 4 pi grandi o pi piccole di quelle
dangolo.
In questo caso di radici reali largomento () un termine del tipo
. arctg q ) ( a = [3.2-9]
Per /a 0
,
0. Per /a 1, = 45q. Per finire, per /a =, 90q. Se
ci si sposta di una decade a destra e a sinistra rispetto la pulsazione dangolo si trova: = ) 10 ( a a
, 7 . 5 q 10 1 tg arc q
o
= e
o
3 . 84 q 10 arctg q ) 10 ( a a = . La curva dellargomento si pu rappre-
sentare schematicamente con una spezzata. Una semiretta orizzontale a 0 fino a a/10. Poi un seg-
mento inclinato di 45q/dec che passa da 45q alla pulsazione dangolo e che finisce alla pulsazione
10a. Qui la fase di 90q. Segue una semiretta orizzontale 90q. Anche questo tipo di rappresen-
tazione prende il nome di rappresentazione asintotica.
Le due rappresentazioni effettiva ed asintotica sono mostrate nella Fig.3.2-3b per il caso di
1, 2 e 3 zeri e di 1, 2 e 3 poli. Anche questa volta, se invece della curva effettiva si usa quella asin-
totica, si commette un certo errore che massimo una decade prima e dopo della pulsazione
dangolo e vale, in valore assoluto 5.7 q.
3.2.4 Radici complesse coniugate
Consideriamo adesso il termine
q
n
2
n ] j 2 1 [ + derivante dalle radici complesse
coniugate cio. E pi comodo adoperare la variabile z = /n. Quindi il termine in questione e del
tipo

q 2
] z j 2 z 1 [ + [3.2-10]
Anche questa volta il comportamento dipende dal rapporto fra /n. Ma anche o influisce sul dia-
gramma.
Calcoliamo il guadagno:
. z z ) 1 2 ( 2 1 Log q 10 z j 2 z 1 Log q 20 ] z j 2 z 1 [ Log 20 G
4 2 2 2 q 2
+ + = + = + = [3.2-11]
E per z << 1, G = 0. Si tratta di una semiretta orizzontale. Mentre per z >> 1, ) z ( Log q 40 G = .
Questa una semiretta che ha pendenza di 40q dB/decade che positiva o negativa a seconda che si
tratti di zero o polo. La pendenza, in assoluto, aumenta con la molteplicit. Le due semirette si in-
tersecano nel punto z = 1, cio per n, dove entrambe assumono il valore G = 0. Tuttavia, que-
sta volta, la pulsazione naturale non una pulsazione dangolo. Infatti, nei pressi della pulsazione
naturale non abbiamo solo pochi dB di differenza e le cose vanno in modo pi complicato ed impor-
tante. In altre parole limitarsi al grafico asintotico troppo semplicistico.
Per capire meglio come vanno le cose nellintorno di n cerchiamo i punti estremanti
del guadagno. E sufficiente derivare largomento del logaritmo della [3.15] rispetto a z. La derivata
si annulla per 0 )] 2 1 ( z [ z 4
2 2
= . Per z = 0 il caso di nessun interesse dato che per z 0 il
diagramma piatto. Mentre laltro caso da, come punto estremante

2
0 2 1 z = [3.2-12]
Il punto z0 reale (cio in questo caso si ha un massimo o un minimo vero) se . 7 . 0 2 1 < La
Fig.3.2-4 mostra ci che avviene per il caso di q = -1 (una sola coppia di poli complessi coniugati).
Il massimo compare appunto quando si soddisfa tale condizione.
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 83

La pulsazione 0, che si ricava dalla [3.2-12] e cio
2
n 0 2 1 = [3.2-13]
la pulsazione di risonanza, per questo valore si ha il massi-
mo (se si tratta di un polo) e il minimo (se si tratta di uno ze-
ro). Se lo smorzamento sufficientemente piccolo la pulsa-
zione di risonanza coincide con quella naturale, altrimenti se
ne discosta sempre pi man mano che o si avvicina a
2 1 < . Nella Fig.3.2-4 si vede questo comportamento.
Adesso calcoliamo il valore che il guadagno assume
alla risonanza. Sostituendo la [3.2-12] nella [3.2-11] si ottiene
( ) = ) 1 2 ( Log q 20 z G
2
0 [3.2-14]
Per dare un idea di cosa significhi la [3.18] facciamo un esempio relativo ad una coppia di
poli (q = -1) con
3
10 5

= . Si trova G(z0) = -20Log(2510
-3
) = 40 dB. E 40 dB corrispondono ad
una amplificazione di 100. La Fig.3.2-4 mostra bene questo fenomeno che si esalta abbassando lo
smorzamento. A questo punto si capisce perch non possibile utilizzare il diagramma asintotico se
non per smorzamenti molto vicini allunit.
Il caso relativo ad un solo zero mostrato a lato. La fi-
gura e la simmetrica della precedente rispetto allasse delle
pulsazioni.
Ora determiniamo la zona di frequenza in cui il guada-
gno e dentro 3 dB dal massimo (poli), in questo caso la zona
prende il nome di banda passante, o -3 dB dal minimo (zeri).
Ricordiamo che 3 dB corrispondono ad un fattore 2 . Cio,
alla pulsazione di taglio, il guadagno sar 3 dB minore se la
banda passante interna alla zona e, quindi, nel mezzo c un
massimo (caso dei poli). Altrimenti, nel caso dello zero,
allinterno c un minimo e il guadagno alle pulsazioni di ta-
glio sar di 3 dB superiore al minimo. Indichiamo con sq il
segno di q. Utilizzando la [3.2-11] e la [3.2-14] e chiamando zt il valore corrispondente alle pulsa-
zioni di taglio si ha:
+ = + + dB sq 3 ) 1 2 ( Log q 20 ] z z ) 1 2 ( 2 1 [ Log q 20
2 4
t
2
t
2
=

q
2 2
4
t
2
t
2
2 Log q 20 2 Log sq 20
) 1 ( 4
z z ) 1 2 ( 2 1
Log q 20 = =

+ +

=

q
2 2
t
2
t
2
2
) 1 ( 4
z z ) 1 2 ( 2 1
4
=

+ +


Svolgendo i conti e supponendo che o sia abbastanza piccolo rispetto a uno, per cui le due
pulsazioni di taglio inferiore t1 e superiore t2 non differiscono di molto da 0 si trova
=


1 2 2
B q
0 0
1 t 2 t
[3.2-15]
Nel caso dei poli questa zona la banda passante. Essa si restringe con lo smorzamento ed il picco,
in corrispondenza, sale. Il tutto abbastanza evidente nella Fig.3.2-4. Nel caso degli zeri, invece,
questa risulta essere una zona rigettata.
Se si determina la pendenza delle curve alle pulsazioni di taglio si trova
10 1 .1 / n
G
(dB)
0
-20
-40
20
40
10
30
-10
-30
= 1 o
= . 707 o
= . 1 o
=. 005 o
o = . 2
o = . 5
Fig.3.2-4
10 1 .1
/n
= 1 s
= .707 s
= .1 s
=.005 s
s = .2
s = .5
G
(dB)
0
-20
-40
20
40
10
30
-10
-30

Fig.3.2-5
84 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari

q
2
1 2 q 20
) ( dLog
dG
q
n
t

=

=
. [3.2-16]
dove il segno negativo per t1 < 0 < t2. Si vede molto bene nella Fig.3.2-4 che la pendenza
notevolissima nella zona della risonanza.
Lespressione dellargomento segue immediatamente dalla [3.2-10]:
.
z 1
z 2
tg arc
2

= [3.2-17]
Per z 0, 0 e 0. Per z = 1, n e 90q. Per z =, = e 180q.
Calcoliamo lo sfasamento alle pulsazioni di taglio nel
caso di o << 1 per cui 1 2 B n << .
. 2 z 1 1 z
B
1 t 2 t
n
1 t n n 2 t
n
1 t 2 t
n
+ =

+
=

[3.2-18]
Si pu ritenere che le due pulsazioni di taglio siano simmetri-
che rispetto a quella naturale ed allora 1 t 2 t z 1 1 z .
Quindi alla pulsazione di taglio inferiore
( ) . q 45 2 1 arctg q
z 1
z 2
arctg q
2
1 t
1 t

=
Mentre alla pulsazione di taglio superiore
( ) . q 135 2 1 arctg q
z 1
z 2
arctg q
2
2 t
2 t
+

=
Se si calcola la pendenza della curva degli sfasamenti alla risonanza si ha:

( )
( )

=
+
+
=

=
= =
=
q
434 . 0
z 2 ) z 1 (
z 1 z 2

10 ln
q
z dz 10 ln
z 1
z 2
arctg q d
q
dLogz
z 1
z 2
arctg q d
) ( dLog
d
1 z
2 2
2
1 z
2
1 z
2
n
t
[3.2-19]
che molto grande se o molto piccolo. La Fig.3.2-6 mostra il diagramma di Bode degli sfasamen-
ti per gli stessi valori di o riportati nelle due precedenti figure per q = -1 a vari valori di o.
3.2.5 Il caso generale
Nei casi gi studiati baster prendere i risultati gi ottenuti e modificare soltanto le scale del-
le ascisse, adattandole alle opportune a o n. Invece, se dobbiamo studiare un caso del tipo de-
scritto dalla [3.2-5] dobbiamo applicare quanto detto riguardo la sommabilit dei diagramma dei
singoli termini. Per intenderci me-
glio il caso di fare un esempio.
Prendiamo in esame una funzione
che ha un kB = 1000, uno zero nul-
lo ed uno a fz = 1 MHz, un polo fp
a 1 kHz ed una coppia di poli
complessi coniugati con frequenza
naturale fn =10 kHz e o = 0.1. La
relativa funzione di trasmissione :
.
j 2 ) j 1 (
j 1
j k ) (
n n
1 p
z
B
p
2

+
+
= F
10 1 .1 /
n
= 1 o
= .707 o
= .1 o
o = .2
o = .5
=.005 o
0
-30
-60
-90
-120
-150
-180


Fig.3.2-6

.1 1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
f
(Hz)
(k)
(0)
(p)
(z)
(n)
(c)
(p)
(p)
(z)
(z)
(n)
(n)
(c)
(c)
(c)
(c)
(0) (0)
0
90
-90
-180
-270

(b)

Fig.3.2-7
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 85

Le Fig.3.2-7 mostrano come viene tracciato il diagramma completo. Sono segnati con (k), (0), (z),
(p) e (n) i grafici relativi ai vari termini, nello stesso ordine in cui sono stati dati. Il risultato com-
plessivo, contrassegnato con (c), si ottiene in un modo semplice che non richiede alcun commento.
3.2.6 Il diagramma di Nyquist
Lo studio delle funzioni di trasmissione riveste particolare importanza nel caso dei sistemi
reazionati nei quali, a causa dinstabilit, potrebbero insorgere oscillazione. In questo caso lanalisi
viene fatta meglio se si possono utilizzare i diagramma di Nyquist, invece che quelli di Bode.
Ricordiamo che si tratta di diagramma polare. Esso va tracciato per sia positiva che nega-
tiva. Inoltre il grafico non mostra il variare rispetto alla pulsazione in modo esplicito. Perci nor-
male uso indicare con delle frecce lo spostarsi del punto descrivente il diagramma rispetto . Trat-
teremo qui soltanto pochi casi semplici in modo diretto.
Una costante reale rappresentata da un punto
sullasse reale che sar a destra o a sinistra dellorigine a
seconda del suo segno.
Uno zero nullo, avendo parte reale nulla, viene rap-
presentato dallasse positivo immaginario. La fase, per
pulsazioni positive, positivaa. Per cui al variare di il
punto corrispondente si allontana asintoticamente
dallorigine. La Fig.3.2-8a mostra il diagramma di Nyquist
dello zero nullo.
Nel caso del polo nullo, per pulsazioni positive cre-
scenti, largomento va dallinfinito a zero mentre la fase
fissa pari a -90. Allora il diagramma sul semiasse im-
maginario negativo ed il punto sale con . Per negative la fase 90 ed il
punto si allontana dallorigine muovendosi sul semiasse immaginario positivo
man mano che sale verso lo zero. La Fig.3.2-8b si riferisce a questo caso con
kB unitario.
Uno zero reale non nullo ha come diagramma una retta parallela allasse
immaginario. Se la costante di Bode kB unitaria la distanza da questo asse
unitaria. La Fig.3.2-9 mostra questo caso.
Consideriamo ora il caso di un polo reale non nullo. Posto a x = e Re
e Im, rispettivamente, la parte reale e quella immaginaria della F() si ha
( )
2
x 1
jx 1
jx 1
1
+

=
+
= F e da questa possiamo scrivere:
2
e
x 1
1
R
+
= e
2
m
x 1
x
I
+
= . Eliminando la x si trova e
2
m
2
e R I R = + . Nel piano Re/Im questa lequazione di un
cerchio di diametro unitario e con centro nel punto (1/2,0). Il diagramma di Nyquist in Fig.3.2-
10a. Il cerchio viene percorso in senso orario a partire dal punto (0,0) in cui = .
Consideriamo ora il caso di un polo reale con uno zero nullo. Facendo le stesse posizioni del
caso precedente si trova lequazione dello stesso cerchio. Il senso di percorrenza sempre quello
orario solo che questa volta si parte dal punto (1,0). La Fig.3.2-10b mostra questo cerchio.
Re
Im

j
F()
=
oo -

=
oo

=
o

=
Re
Im
F()
=

j 1/
oo

=
oo -

=
o

=
o

=
(a) (b)

Fig.3.2-8
Re
Im
F()
=
j 1 +
oo
=
oo -
=
o
=
1
Fig.3.2-9
86 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
Un altro caso che si potrebbe trattare quello
di una coppia di zeri complessi coniugati. Ma quasi
sempre ci si trova davanti a casi ben complicati che
non possono essere trattati in modo assolutamente
generale. In effetti esistono dei programmi di calco-
lo assistito che aiutano nella determinazione del dia-
gramma di Nyquist, per esempio SPICE o
MATLAB. Si pu ottenere il diagramma di Nyquist
a partire da quello di Bode ricavandolo per punti.
Alla fine si aggiunge la parte simmetrica rispetto
allasse reale per considerare le pulsazioni negative.
3.3. Sistemi con un solo polo: circuiti R-C e R-L
Studiamo sistemi molto semplici con un numero limita-
to di radici. Le propriet fondamentali delle funzioni trasfor-
mate e quindi delle risposte dei sistemi dipende principalmente
dal numero dei poli e se sono reali o complessi. Cominciamo
dai sistemi con un solo polo che, ovviamente, non pu che es-
sere reale. I circuiti R-C e R-L della Fig.3.3-1 sono di tale ti-
po. Lunico parametro che conta la costante di tempo. Questi sistemi sono anche detti sistemi del
primo ordine perch possiedono soltanto un polo.
3.3.1 Soltanto il polo
Chiamiamo VC la tensione sul condensatore, VL quella sullinduttore, VR quella sulla resi-
store e Vi la tensione complessiva applicata al circuito.
Le cose sono differenti a seconda che utilizzi come tensione duscita la caduta sullelemento
resistivo o su quello reattivo. Avremo comunque un solo polo dovuto allunica costante di tempo
del circuito che RC per il circuito R-C e L/R per il circuito R-L.
Consideriamo, il circuito R-C della Fig.3.3-1a. La tensione duscita VC si calcola applicando
le propriet dei partitori di tensioni espresse dalle [2.1-9]

+
=
+

=
+
=
+
= =
s 1
1
1 s
1 1
sC 1 R
sC 1
X R
X
V
V
) s ( F
C
C
i
C
, con t RC. [3.3-1]
Se luscita la tensione VR del circuito di Fig.3.14b si ha:

+
=
+

=
+
=
+
= =
s 1
1
1 s
1 1
sL R
R
X R
R
V
V
) s ( F
L i
C
, con t L/R. [3.3-2]
La funzione di trasmissione F() :
a j 1
1
) (
+
= F , con a 1/t. [3.3-3]
I diagramma di Bode si disegnano riportando dalla
Fig.3.2-3 i tracciati per q = -1 e tarando lasse delle pulsazioni
tenendo presente il valore di a. La figura mostra due decadi at-
torno a a sia per il grafico dei guadagni (G) che per quello dello
sfasamento () sia nella forma asintotica che effettiva. Il circuito
si comporta come un filtro passa-basso. La pulsazione corrispon-
dente al polo si ha per a = 1/t, cio per la frequenza di taglio ft
= 1/2rt. Per quanto riguarda il diagramma di Nyquist esso
Im
Re Re
Im

F()
=

j 1 + /

a
1

=
oo

=
oo -

=
o

F()
=

j 1 + /

j
/

a
oo

= o

=
oo -

=
1 1
1/2 1/2
(b)
(a)

Fig.3.2-10
L
V
u
C
+
-
V
i
V
u
R
+
-
Vi
R
(a)
(b)

Fig.3.3-1
0
-5
-10
-15
-20
G
(dB)
0
-15
-30
-45
-60
-75
-90
a a /10 a 10

G

Fig.3.3-2
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 87

quello gi mostrato nella Fig.3.2-10a.
3.3.1.1 La risposta alla delta
La risposta alla o si ottiene moltiplicando la F(s) per la trasformata della o, che, come si ri-
corda unitaria. Se la o di ampiezza Vp:
p p C V
1 s
1

1
V ) ( ) s ( F ) s ( V
+
= = L .
Antitrasformando

= =
t
p
C
1
C e
V
V ) t ( )] s ( v L . [3.3-4]
Si tratta di un esponenziale decrescente con costante di tempo t ed ampiezza Vp/t. Un esempio
mostrato sotto
Nel caso del circuito R-C limpulso applicato carica il
condensatore istantaneamente. Successivamente questi si scarica
con la costante di tempo del circuito. Nel caso del circuito R-L
linduttore impedisce allistante zero il passaggio della corrente
opponendosi con una forza controlettromotrice pari alla tensione
applicata ed immagazzinando energia nel campo magnetico. Ma
la corrente fluisce subito dopo tendendo a zero. Quando la cor-
rente costante linduttanza non si oppone pi e ai suoi capi non
c pi caduta di potenziale.
3.3.1.2 La risposta al gradino
La risposta al gradino g(t) si ottiene moltiplicando la F(s) per la trasformata G(s) del gradi-
no, cio 1/s. Se laltezza del gradino Vp:
( ) . p p p p C
1 s
1
s
1
V V
s
1

1 s
1

1
V
s
1

1 s
1

1
V s G ) s ( F ) s ( V

+
=
+

=
+

= =
Antitrasformando . ) e 1 ( V ) t (
t
p C v

= [3.3-5]

Questa volta si ha un esponenziale che tende a Vp con costante di
tempo t. Un esempio mostrato accanto.
3.3.1.3 La risposta alla rampa
La risposta alla rampa r(t) si ottiene moltiplicando la F(s) per la trasformata R(s) della ram-
pa, cio 1/s
2
. Se la rampa sale con Vp Volt/sec si ha:
( ) .
2
p p
2
p C
1 s
1
s
1
s
V V
s
1

1 s
1 1
V s G ) s ( F ) s ( V

=
+

= =
Adoperando le tavole per antitrasformare:
). e t ( V ) t (
t
p C v

+ = [3.3-6]
In uscita si ha una rampa come quella dellingresso ma traslata, a
regime, di t. Dopo un transitorio di 2-3 costanti di tempo la ri-
sposta sale con la stessa velocit delleccitazione. Un esempio il-
lustra quanto detto nella Fig.3.3-5.
3.3.1.4 La risposta al segnale sinusoidale
La risposta allimpulso sinusoidale unitario t sen si ottiene moltiplicando la F(s) per la re-
0 20 40 60 80 100
t ( s)
0
10k
20k
30k
40k
50k
60k
V
V = 1 V p
= 15.9 s t

Fig.3.3-3
0 20 40 60 80 100
t ( s)

V = 1 V p
= 15.9 s
t
.2
.4
.6
.8
1
V
0

Fig.3.3-4
0 20 40 60 80 100
t ( s)
= 15.9 s t
.2
.4
.6
.8
1
V
0
p V = 10kV/s
Vi
Vu

Fig.3.3-5
88 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
lativa trasformata che
2 2
s +

. Se lampiezza del segnale VM si ha:


( )
M
2 2
a
2
a
a
M
2 2
C V
s
s
1 s 1
V
s 1 s
1

1
) s ( V

+

+
+

+

=
+

= ,
che stata determinata applicando le regole per lo sviluppo delle funzioni razionali fratte in frazioni
parziali. Utilizzando la tabella delle trasformate di Laplace si ottiene:

( )

+


=
t
a
2
a
a
M C e cos t sen
1
V ) t ( v . [3.3-7]
Il segnale composto da tre termini. Due termini sinusoidali e cosinusoidali di pulsazione
ed un esponenziale decrescente con costante di tempo t. Laspetto della risposta dipende essenzial-
mente dal rapporto fra la pulsazione del segnale applicato e quel-
la dangolo del circuito.
Se << a lunico termine importante quello sinusoi-
dale e la [3.3-7] si riduce a:
. t sen V ) t ( M C v
Se = a la [3.3-7] si semplifica nella
]. [ v ) 90 t sen( e
2
V
) t ( a
t
M
C +

= [3.3-8]
A parte un piccolo transitorio che si esaurisce nel giro di una se-
mionda si ha un segnale sinusoidale, vedi lesempio in Fig.3.3-6.
Nel caso in cui >> a si ha:
). cos e ( V ) t (
t
a
M C v


= [3.3-9]
Il transitorio impiega un bel po, rispetto al periodo, ad esaurirsi.
Il valore medio del segnale scende a zero con la costante di tem-
po t. Il risultato mostrato nella Fig.3.3-7.
3.3.2 Un polo ed uno zero nullo
Questa volta consideriamo come uscita la tensione VR del circuito R-C di Fig.3.3-1a In tal
caso si ha:

+

=
+
=
+
=
+
= =
s 1
s
1 s
s
sC 1 R
R
X R
R
V
V
) s ( F
C i
R
. con t RC. [3.3-10]
e
a
a
j 1
j
) (
+

= F , con a = 1/t. [3.3-11]
Un risultato analogo si ottiene considerando la tensione sullinduttanza nel circuito R-L di
Fig.3.3-1b. Lespressione la medesima ma la costante di tempo
t = L/R.
Per ricavare i diagramma di Bode della funzione di tra-
smissione basta sommare quelli relativi ad uno zero nullo, di
Fig.3.2-2 e quello relativo ad un solo polo reale con pulsazione
dangolo a di Fig.3.2-3. Bisogna, al solito, stare attenti alla tara-
tura dellasse delle pulsazioni. La Fig.3.3-8 mostra due decadi at-
torno a a, sia per il grafico dei guadagni (G) che per quello del-

0 20 40 60 80 100
t ( s) = 15.9 s t
1
V
0
.5
-.5
-1
V = 3V M f= 50KHz = fa

Fig.3.3-6

0 20 40 60 80 100 t ( s)
= 15.9 s t
1
V
0
.5
-.5
-1
f = 100kHz M V = 50V f = 4KHz a

Fig.3.3-7

0
-5
-10
-15
-20
G
(dB)
90

75
60
45
30
15
0
a a /10 a 10

G

Fig.3.3-8
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 89

lo sfasamento (). Sono mostrati sia il grafico asintotico che quello effettivo. Il circuito un filtro
passa-alto. La pulsazione dangolo a = -1/t, corrisponde alla frequenza di taglio ft = 1/rt. Quello
di Nyquist gi stato mostrato nella Fig.3.13b.
3.3.2.1 La risposta alla delta
Con una o di valore

VP:
. V
1 s
1

1
1 V
s 1
s
V ) ( ) s ( F ) s ( V p p p R

+
=
+

= = L
Quindi ). e ( V ) t (
t
p R v

= [3.3-12]
La risposta mostrata a lato. Comincia con una ampia
o Vp cui segue un esponenziale negativo decrescente con costante
di tempo t e ampiezza Vp/t. Nel circuito R-C alla rapida variazio-
ne il condensatore si comporta inizialmente da corto circuito e la
tensione dellimpulso cade tutta sulla resistenza. Poi il condensa-
tore prende a caricarsi con la costante di tempo t e quindi sulla re-
sistenza si ha un esponenziale, ma negativo. Nel circuito R-L la
tensione indotta sullinduttore allistante iniziale produce nel resi-
store una corrente che tende a zero man mano che il campo ma-
gnetico perde la sua energia.
3.3.2.2 La risposta al gradino
Con un gradino alto Vp:
. p p R V
1 s
1
V
s
1

1 s
s
) s ( V
+
=
+
=
Allora

= =
t
p R
1
R e V )] s ( V [ ) t ( v L . [3.3-13]
Questa volta si ha un esponenziale decrescente di ampiezza VP
che si annulla con la solita costante di tempo come mostrato
accanto.
3.3.2.3 La risposta alla rampa
Se la rampa ha una pendenza di Vp Volt/sec:

( ) . p p
2
p R
1 s
1
s
1
V V
s
1

1 s
s
V s G ) s ( F ) s ( V

=
+
= =
Antitrasformando: ) e - (1 V )] s ( V [ ) t (
t
p R
1
R v

= = L [3.3-14]
Dopo un transitorio di 2-3 t la risposta va al valore costante Vp.
Il caso esemplificato nella Fig3.3-11. Questa volta sono mostra-
te sia lingresso che luscita.
3.3.2.4 La risposta al segnale sinusoidale
Applichiamo un segnale sinusoidale di ampiezza VM:
M
2 2
a
2
2
a
a
M
2 2
a
R V
1 s
1
s
s

) ( 1
V
s s
s
) s ( V

+
+
+

=
+

+
=
0 20 40 60 80 100
t ( s)
.2
.4
.6
.8
1
V
0
= 15.9 s t V = 1 V p

Fig.3.3-9

0 20 40 60 80 100
t ( s)
.2
.4
.6
.8
1
Vu
0
= 15.9 s t
V = 1 V p
Fig.3.3-10
1
0
.25
.5
.75
0 20 40 60 80 100
t ( s)
= 15.9 s t V = 1 V p /s
100
25
50
75

Vi
V i
V u
Vu/t

Fig.3.3-11
90 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
calcolata con le regole per lo sviluppo delle funzioni razionali fratte in frazioni parziali. Eseguendo,
quindi, lantitrasformazione:

+
+

=

=
t
a
2
a
a
M R
1
R e t sen t cos
) ( 1
V )] s ( V [ ) t ( v L .[3.3-15]
Il segnale composto da tre termini. Due termini sinusoidali e
cosinusoidali di pulsazione ed un esponenziale decrescente
con costante di tempo . 1 a = Ancora una volta la risposta di-
pende dal rapporto fra la pulsazione del segnale applicato e
quella dangolo del circuito.
Se << a . ) e t cos ( V ) t (
t
M R v

= [3.3-16]
A parte un piccolo transitorio che si esaurisce nel giro di una se-
mionda siamo davanti ad un segnale cosinusoidale. La Fig.3.3-12
mostra un esempio
Se e a t sen V ) t ( M R v = .
Se >> a



=
t
M R
e
) t sen( V ) t ( v . [3.3-17]
Stavolta il segnale duscita impiega un po meno di un periodo
per assestarsi come si vede nellesempio accanto.
3.3.3 Un solo polo ed uno zero non nullo
I quattro circuiti accanto hanno un so-
lo polo ed uno zero non nullo. Vedremo che,
a due a due, i circuiti sono equivalenti, a parte
le costanti di tempo. Vi e Vu sono la tensione
applicata al circuito e quella duscita, rispetti-
vamente.
3.3.3.1 Il polo precede lo zero
Cominciamo dal circuito di Fig.3.3-14a. Luscita e sulla serie R-C.
) s ( F k
1 s
1 s
R R
R
s 1
s 1
k
sC 1 R R
sC 1 R
X R R
X R
V
V
) s ( F 1 0
p
z
1 p
z
B
1 C 1
C
i
U
=
+
+

+
=
+
+
=
+ +
+
=
+ +
+
= = , [3.3-18]
con 1 kB =
R R
R
k
1
0
+
= RC z = < tp = (R+R1)C, [3.3-19]
per cui z 1/tz > p 1/tp. [3.3-20]
Se analizziamo il circuito di Fig.3.27b con luscita su R:

) s ( F k
1 s
1 s
R R
R
1 s
1 s
k
sL R
sL R
R
R
X || R R
R
V
V
) s ( F 1 0
p
z
1 p
z
B
1
1
L 1 i
U
=
+
+

+
=
+
+
=
+
+
=
+
= =
, [3.3-21]
con kB = 1
R R
R
k
1
0
+
=
1
z
R
L
= <
1
p
R || R
L
= , [3.3-22]
ed ancora z 1/tz > p 1/tp. [3.3-23]
k0

il valore che la funzione di trasmissione assume per s = e F1(s) eguale per i due casi di-
scussi.

0 20 40 60 80 100
t ( s)
1
Vu
0
.5
-.5
-1
M
V = 20V = 1 s t f = 10kHz

Fig.3.3-12
0 20 40 60 80 100
t ( s)
1
V
0
.5
-.5
-1
f = 50kHz t = 4 s M V = 1.7V

Fig.3.3-13
Vu
R
R1 +
-
L
Vi
C
+
-
R
R1
Vi
Vu
C
+
-
R
R1
Vi
Vu
L
+
-
R
R1
Vu
Vi
(a) (b)
(c)
(d)
Fig.3.3-14
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 91

Nelle figure accanto sono
mostrati i diagramma di Bode e
di Nyquist relativi sia alla [3.3-
18] che alla [3.3-21]. Lesempio
relativo ad un caso in cui la di-
stanza polo-zero di due decadi.
Pertanto non si ha interferenza,
nel diagramma dei guadagni, fra
gli effetti delle due radici, men-
tre quello delle fasi risulta un po
smussato nella zona centrale. Se la distanza fra le due radici fosse minore lo smussamento cresce-
rebbe. Ed anche quello dei guadagni potrebbe esserne influenzato. Il circuito si comporta da filtro
passa-basso di qualit inferiore al semplice circuito R-C o R-L. La bont del filtraggio migliora al-
lontanando il polo dallo zero. Il diagramma di Nyquist in senso orario e parte dal punto (k
0
,0) che
relativa a = -=.
3.3.3.2 Lo zero precede il polo
In questo caso bisogna studiare i circuito delle Figg.3.3-14c e d. Cominciamo da quello con
il condensatore. Luscita su R
) s ( F k
1 s
1 s
k
sC 1 || R R
R
X || R R
R
V
V
) s ( F 1 0
p
z
B
1 C 1 i
U
=
+
+
=
+
=
+
= = , [3.3-24]
con
1
B
R R
R
k
+
= 1 k0 = C R || R 1 p = < tz = R1C, [3.3-25]
per cui p = 1/tr > z 1/tz. [3.3-26]
Nel circuito di Fig.3.3-14d luscita e sulla serie R-L:
) s ( F k
1 s
1 s
k
sL R R
sL R
X R R
X R
V
V
) s ( F 1 0
p
z
B
1 L 1
L
i
U
=
+
+
=
+ +
+
=
+ +
+
= = , [3.3-27]
con
1
B
R R
R
k
+
= 1 k0 =
1
p
R R
L
+
= <
1
z
R
L
= , [3.3-28]
ed ancora p = 1/tr > z 1/tz [3.3-29]
Questa volta k0 unitario. La F1(s), apparentemente sempre la stessa delle [3.3-18] e [3.3-21], ma
le posizioni dei poli rispetto a quelle degli zeri differiscono.
I diagramma di Bode e di Nyquist sono nella Fig.3.3-16. Le considerazioni riguardo la di-
stanza fra le radici ed il suo effetto sulla smussatura dei grafici fatta nel precedente paragrafo val-
gono anche adesso. Il circuito
un filtro passa-alto di qualit in-
feriore al semplice circuito R-C
o R-L. Anche questa volta la
capacit di filtrare migliora al-
lontanando il polo dallo zero. Il
diagramma di Nyquist si percor-
re in senso orario a partire dal
punto (1,0) per = -=.

G

G
(dB)
0
10
20
30
40
0
-15
-30
-45
-60
-75
-90

a
a/10
a 10
a 100 a /100
-
-
-
-
(a)

Im
1/2
Re

=
oo

=
oo -

=
o

=
1
(b)

Fig.3.3-15

a
a/10
a 10
a 100
a /100

0
15
30
45
60
75
90
G
(dB)
0
10
20
30
40
-
-
-
-
(a)

Im
1/2
Re

=
oo

=
oo -

=
o

=
1
(b)

Fig.3.3-16
92 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
3.3.3.3 Le risposte ai segnali fondamentali
Come abbiamo gi detto le funzioni di trasmissioni [3.3-18], [3.3-21], [3.3-24] e [3.3-27]
sono identiche. Soltanto che nelle prime due tz < tp mentre nelle altre due allinverso. Inoltre k0 <
1 nelle prime due e 1 nelle altre.
La risposta ad una o di altezza Vp
pp
p
p z
p 0 p
p
z
0 U V
1 s
1 1
1 V k V
1 s
1 s
k ) s ( V

+

+ =
+
+
=

p
p t
0 U V ] [ v e ) p 1 z 1 ( k ) t (

+ = [3.3-30]

Luscita la somma di una o alta k0Vp e di un esponen-
ziale che tende a zero con costante di tempo tp. Lesponenziale
di segno positivo o negativo a seconda che sia tz < tp o viceversa. La Fig.3.28 mostra questa rispo-
sta nei due casi.
Se, invece, lingresso un gradino:
p
p
z p
z
p
p 0
p
p
z
0 U V
1 s
1
s
V k
s
V
1 s
1 s
k ) s ( V

+

+

=
+
+
=

Dunque
p
t
z
p
z
p
0 U V k v
p
e 1 ) t (


=
[3.3-31]
Questa volta si ha un esponenziale che tende a p z p p 0V k a
partire da un valore k0Vp. La costante di tempo , al solito, tp. Il
valore finale sar superiore o inferiore a quello iniziale a secondo
di chi sia superiore se tz o tp. La Fig.3.3-18 mostra questa rispo-
sta.
3.3.3.4 La risposta ai segnali sinusoidali
La risposta allimpulso sinusoidale unitario t sen si ottiene moltiplicando la F(s) per la re-
lativa trasformata che
2 2
s +

. Se lampiezza del segnale VM si ha



( )
M
2 2
p z
2
z p
p
p z
2
p
2
0 M
2 2
p
z
0 C V
s
s
1 s
k V
s 1 s
1 s
k ) s ( V

+
+ +
+
+

+

=
+

+
+
=


che stata determinata applicando le regole per lo sviluppo delle funzioni razionali fratte in frazioni
parziali. Utilizzando la tabella delle trasformate di Laplace si ottiene:
( ) ( ) M z p
z p
2
t
p z
2
p
2
0 u V t cos t sen e k ) t ( v

+
+
+

=

. [3.3-32]
Il segnale composto da tre termini. Un esponenziale che tende a svanire, con costante di tempo tp.
E due termini sinusoidali e cosinusoidali di pulsazione . Laspetto della risposta dipende dal pro-
dotto della costante di tempo del circuito e della pulsazione del segnale applicato.
3.4. Sistemi con 2 poli reali e distinti: circuiti R-C e R-L
Questa volta lo studio del circuito pi complicato. Per avere due poli occorre che esistano
almeno due elementi resistivi e due elementi reattivi. Se questi ultimi sono di tipo differente pro-
babile che i due poli siano complessi coniugati. Di tale caso ci occuperemo pi avanti. Nella figura
sotto ci sono due casi. Tratteremo, a titolo desempio il circuito (a).
Indichiamo con XB la serie fra RB e CB. Si ha:
t (ns)
0 100 200 300 400 500
=159ns tp
1
0
V
u
.5
1
.5
-
-
1.5
2
tp tz =2
tp tz= 4/3
V = 500nV p

Fig.3.3-17
t (ns)
0 100 200 300 400 500
=159ns tp
1
0
V
u
2
tp tz =3
tp tz=3
V =2V p
3
4
5
6

Fig.3.3-18
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 93


s
s
R
sC
s 1
sC
C sR 1
sC
1
R X R Z
B
B
B
B
B
B B
B
B C B B B
+
=
+
=
+
= + = + = , [3.4-1]
con
B
B
1

= . [3.4-2]
Chiamiamo Z il parallelo fra ZB e XC
A
. Per Z possiamo scrive-
re:

( )
( )
,
s s
s R
s
s
R ||
sC
1
Z || X Z
m B
B B m B
B
A
B CA
+ +
+
=

+
= = [3.4-3]
con .
R C
1
B A
m = [3.4-4]
Per determinare la tensione su CA basta osservare che si davanti al partitore formato da Z e da RA.
Pertanto:

D
) s (
s ) ( s
) s (
) ( s
) s ( R
R
) ( s
) s ( R
Z R
Z
V
V B A
B A m B A
2
B A
m B A
B B m
A
m B A
B B m
A i
CA +
=
+ + + +
+
=
+ +
+
+
+ +
+
=
+
= . [3.4-5]
Per brevit sono stati saltati i passaggi. Inoltre si posto

A A
A
R C
1
= e
B B
B
R C
1
= . [3.4-6]
D il polinomio di secondo grado
( ) B A m B A
2
s s D + + + + = [3.4-7]
che successivamente analizzeremo.
A questo punto semplice trovare lespressione della tensione ai capi della capacit CB. In-
fatti la serie RB-CB agisce da partitore della tensione su CA. Pertanto


( ) ( )
( ) D s R sC
s
D
s
Z
X
D
s
V
V
V
V
V
V B A
B B B
B A
B
C B A
C
C
i
C
i
C B
A
B A B
=
+

+
=
+
= = . [3.4-8]
Se si vuole trovare lespressione della tensione ai capi della resistenza RB dobbiamo ancora
trattare il partitore RB-CB , ma la tensione duscita su RB. Quindi

D
s
) s ( R
sR
D
) s (
Z
R
D
) s (
V
V
V
V
V
V A
B B
B B A
B
B B A
C
R
i
C
i
R
A
B A B
=
+

+
=
+
= = . [3.4-9]
La tensione su RA pu essere determinata in modo agevole dal partitore costituito dalla stes-
sa RA e dallimpedenza Z. Dopo qualche passaggio:

( )
D
s s
V
V Z
i
RA +
= , [3.4-10]
in cui m B z + = . [3.4-11]
Calcoliamo adesso i poli delle funzioni di trasmissione:

( )
,
2
4
p
B A m B A m B A
2 1
2
+ + + +
=

[3.4-12]
cui corrispondono le pulsazione dangolo

2
4 B A m B A m B A
2 1
2
+ + + +
=

. [3.4-13]
Da semplici considerazioni si vede che le due radici sono reali e distinte, infatti
(a)
(b)
+
-
Vi
R
A
+
-
Vi
C
B
R
A
L
B
R
B
R
B
C
A
L
A

Fig.3.4-1
94 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
( ) ( ) ( ) B A m m
2
B A B A
2
m B A 2 4
2
+ + + = + + > 0.
Chiamiamo 1 la minore e 2 la maggiore delle due pulsazioni di taglio. Dato che non si
possono trattare tutti i casi possibili ci limiteremo a studiare solo alcuni casi particolari. Supporre-
mo, che fra ogni due delle tre pulsazioni A, B e m esistano almeno due decadi di differenza.
Si nota che la [3.4-13] simmetrica rispetto a A, B. Per ora considereremo A << B
ma, scambiandole fra di loro il discorso non cambia. Quindi i casi che potremo avere sono:
1. A << B << m, B << A << m;
2. A << m << B, B << m << A;
3. m << A << B, m << B << A.
Nel primo caso, A << B << m
( )
( ) m
B A
B A
0
B A m
B A
0
B A
B A m m B A m m
1
B A
2
B A
2 2
4 4
4
d 2
4 d
2
4

=


e m 2 .
Scambiando A con B non cambia nulla. Le due ultime espressioni rimangono valide. Data la re-
lazione fra le pulsazioni si vede che la pulsazione di taglio inferiore veramente molto piccola e
certamente pi bassa della pi piccola fra A e B. Invece la pulsazione di taglio superiore prati-
camente la pi grande fra le tre.
Nel secondo caso, cio se A << m << B:
( )
A A
0
B A B
B
A
0
A
B A B B B A B B
1
A
2
A
2 2
4 4
4
d 2
4 d
2
4





=

=


e B 2 .
Scambiando A con B, cambiano fra di loro i valore delle pulsazioni di taglio. La pulsazione di
taglio inferiore la pi piccola fra A e B mentre quella superiore laltra.
Infine, nel terzo caso, ossia se m << A << B:
( )
A A
0
B A B
B
A
0
A
B A B B B A B B
1
A
2
B
2 2
4 4
4
d 2
4 d
2
4



=


e B 2 .
Il risultato finale praticamente lo stesso del caso precedente.
In base a quanto detto si pu concludere che i praticamente si hanno soltanto due alternative
e la differenza riguarda soltanto la pulsazione di taglio inferiore 1:
a) se m la pi alta fra le tre:
m
B A
1



;
b) altrimenti 1 la pi piccola fra A e B.
La pulsazione di taglio supe-
riore sempre la pi alta delle tre.
Nella TAV.3.4-I mostrato
quello che avviene assegnando alcuni
valori alle varie frequenze in gioco.
ovvio che se fra le frequenze di cui
sopra non ci sono almeno due decadi i
risultati saranno intermedi. Nei casi
che tratteremo useremo le frequenze
riportate nella tavola. Il simbolo della
prima colonna riportato nei grafici
TAV.3.4-I
Curva 1
KHz
100
KHz
10
MHz
f1 f2
[1] fA fm fB fA fB
[2] fB fm fA fB fA
[3] fB fA fm fAfB/fm fm
[4] fm fA fB fA fB
[5] fA fB fm fAfB/fm fm
[6] fm fB fA fB fA
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 95

delle prossime quattro figure per indicare a quale caso ci si riferisce.
3.4.1 Soltanto i due poli
La funzione di trasmissione relativa alla tensione su CB quella che esibisce soltanto due
poli. Per comodit la riprendiamo
.
D V
V B A
i
CB
= [3.4-14]
Nelle ipotesi precedenti per le quali vale la Tav.3.4-I facile disegnare i diagramma di Bode nei sei
casi possibili. Ogni riga della tavola si riferisce alla curva specificata. Le curve relative sono mo-
strate in Fig.3.4-2. In effetti, per la simmetria fra fA e fB sono soltanto tre casi diversi.
Negli esempi successivi adotteremo i valori sempre secondo la stessa tabella.
3.4.2 Due poli reali e distinti ed uno zero nullo
La funzione di trasmissione relativa alla tensione su RB contiene, ancora i due soliti poli. In
pi si nota la presenza di uno zero nullo.

.
D
s
V
V A
i
RB
=
[3.4-15]
Questo zero nullo modifica i diagramma della Fig.3.4-2 aggiungendo una pendenza di 20 dB/dec,
inoltre bisogna tener conto del fattore A. Cos le curve diventano differenti. Comunque imme-
diato costruire i diagramma di Bode in Fig.3.4-3 a partire da quelli di Fig.3.4-2.
3.4.3 Due poli reali e distinti ed uno zero non nullo
La funzione di trasmissione relativa alla tensione su CA stata gi determinata. La riscri-
viamo notando che, questa volta, lo zero non nullo, ma B.

( )
.
D
s
V
V B A
i
CA +
= [3.4-16]
Questo zero non nullo cambia i diagramma della Fig.3.4-2 aggiungendo una pendenza di 20 dB/dec
1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
f (Hz)
0
-40
-80
-120
-160
G
dB
[1] [2]
[3] [5]
[4] [6]

1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
f (Hz)
1G
0
-45
-90
-135
-180
[3] [5]
[1] [2] [4] [6]


Fig.3.4-2
1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
f (Hz)
0
-40
-80
-120
-160
G
dB
[5] [1]
[3][4]
[4] [1]
[6] [2]
[2][3]
[6] [5]
[3][4]
[2][6]
[2]
[3]
[1][5]
[4] [6]

1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
f (Hz)
1G
0
-45
-90
45
90

[3] [5] [1] [2] [4] [6]



Fig.3.4-3
96 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
a partire da B. E facile a partire da questa figura trovare la Fig.3.4-4 relativa a VCa. Per le curve 1,
2, 4 e 6 lazione dello zero annulla quello di un polo e cos come se ci fosse soltanto un polo.
3.4.4 Due poli reali e distinti e due zeri di cui uno nullo
Riprendiamo la funzione di trasmissione relativa alla tensione su RA.

( )
.
D
s s
V
V Z
i
RA +
= [3.4-17]
Questa volta gli zeri sono due di cui uno nullo di valore Z. Ancora una volta, a partire dalla
Fig.3.4-2 relativamente facile costruire la Fig.3.4-5. Tranne che per la curva 2 lazione dello zero
elimina leffetto di un polo.
Bisogna tenere presente che poich i due poli sono reali la risposta contiene degli esponen-
ziali con costanti di tempo corrispondenti a questi poli. Il tipo di risposta dipende, come noto, an-
che dalleccitazione applicata. Non crediamo sia particolarmente utile dilungarci per trovare le ri-
sposte ai vari segnali fondamentali.
3.5. Sistemi con due poli complessi coniugati: i circuiti risonanti
Nei circuiti che contengono elementi reattivi di
tipo differente possibile avere poli complessi coniuga-
ti. Consideriamo i casi pi semplici dei circuiti R-L-C
serie e parallelo delle Fig.3.5-1. Questi circuiti, quando
hanno i poli complessi coniugati prendono il nome di
circuiti risonanti, e sono particolarmente importanti.
3.5.1 Circuiti risonanti serie
Determiniamo limpedenza offerta dal circuito R-L-C serie alla corrente del generatore Vi
1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
f (Hz)
0
-40
-80
-120
-160
G
dB
[3]
[1] [5]
[4]
[1]
[6] [2]
[5]
[1]
[3] [5]
[3] [4]

[5]
1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
f (Hz)
1G
0
-45
-90
45

[1] [2] [4] [6]


[4]
[5] [4] [1]
[4] [6] [2]
[3]
[1]
[3][6] [2]
[3][5]
[1]
[6] [3] [5] [2] [3]
[5]
[5]
[4]
[1]
135

Fig.3.4-4

1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
f (Hz)
0
-40
-80
-120
-160
G
dB
[3] [5]
[2]
[4]
[2] [6]
[1]
[2] [4]
[6]

1 10 100 1k 10k 100k 1M 10M 100M
f (Hz)
1G
[3] [5]
[1] [2] [4] [6]
[2]
[4] [6]
[2] [4]
[1] [2]
[4]
[6]
[3] [1] [5] [4] [5] [1] [3]
[6] [2]
0
-45
45
90

135


Fig.3.4-5

+
-
Vi
R
C L
(a)
Ii
C
L R
(b)

Fig.3.5-1
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 97

,
s
LC 1 L R s s
L
sC
1
sL R X X R ) s ( Z
2
C L
+ +
= + + = + + = [3.5-1]
le cui radici sono
( )
,
R C
L 4
1 1
L 2
R
2
LC 4 L R L R
p
2
2
2 1

=

= [3.5-2]
complesse coniugate se . 1
L
C
2
R

R C
L 4
1
2
< < [3.5-3]
Conviene riscrivere le radici come , 1
R C
L 4
j 1
L 2
R
p
2
2 1

= [3.5-4]
per quanto detto nel 3.2 a proposito delle radici complesse coniugate r e r
*
,
n
2
n
2
2 *
2
*
*
*
j 2 1
r
) r r ( j r
r r
) j r )( j r (
) r j )( r j 1 (

=
+ +
=
+ +
= + +
La pulsazione naturale il modulo della radice, cio:
,
C L
1
1
R C
L 4
1
L 2
R
1
R C
L 4
j 1
L 2
R
2 2
n = + =

= [3.5-5]
Mentre il coefficiente di smorzamento o il rapporto fra la parte reale del numero complesso cam-
biata di segno ed il modulo, cio, per la [3.5-3]
. 1
L
C
2
R

LC 1
L 2 R ) p ( R
n
1 e
< = =

= [3.5-6]
Se le radici sono reali, se o = 1 sono anche distinte. Lo studio, in questo caso stato gi fat-
to. Si tratta di un circuito risonante con smorzamento cos grande, che non riesce ad oscillare.
Se, invece, le radici sono complesse coniugate la [3.5-1] pu essere riscritta come

s
s 2 s
C
L
s
s
2
C
L
s
1 s 2 ) s (
C
L
) s ( Z
n
2
n n
2
n
n
2
n
n n

+ +
=

+ =

+ +
= [3.5-7]
Nel dominio di :
( )
jz
z j 2 z 1
C
L
j
j 2 1
C
L
) (
2
n
n
2
n +
=

+
= Z [3.5-8]
in cui si adottato ancora n z = . [3.5-9]
Le funzioni di trasmissioni relative alle tensioni sui vari elementi del circuito sono quindi

2
n n
2
n
n
n
R
s 2 s
s 2
s
s
2
C
L
R
) s ( Z
R
) s ( F
+ +

=

+
= = ; [3.5-10]

2
2
n n
2
n
n
n
C
s 2 s
s
s
2
C
L
sC 1
) s ( Z
sC 1
) s ( F
+ +

=

+
= = ; [3.5-11]

2
2
n n
2
n
n
L
s 2 s
s
s
s
2
C
L
sL
) s ( Z
sL
) s ( F
+ +
=

+
= = . [3.5-12]
Tutte e tre le funzioni hanno due poli complessi coniugati, ma, mentre la tensione sul con-
densatore non ha zeri, quella sul resistore ha uno zero nullo e quella sullinduttore, addirittura, ne ha
due. Per capire meglio il comportamento conviene studiare i diagrammi di Bode relativi. Allora ri-
scriviamo le espressioni corrispondenti alle [3.5.10], [3.5-11] e [3.5-12] nel dominio di :
98 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari

( )
;
z j 2 z 1
z j 2
j 2 j
j 2
) (
2
n n
2
n
R
2
+

=
+ +

= F [3.5-13]

( )
;
z j 2 z 1
1
j 2 j
) (
2
n n
2
n
C
2
2
+
=
+ +

= F [3.5-14]

( )
( )
.
z j 2 z 1
jz
j 2 j
j
) (
2
2
n n
2
L
2
2
+
=
+ +

=

F [3.5-15]
3.5.1.1 La tensione sul condensatore: soltanto i due poli
Cosa avviene sul condensatore descritto dalla [3.5-14]. Il caso gi stato studiato nel
.3.2.4. La funzione di trasmissione gi stata mostrata nelle Fig.3.2-4. e 3.2-6. Se o abbastanza
piccolo il circuito un filtro che ha una banda passante molto stretta data dalla [3.2-18] alla pulsa-
zione di risonanza n.
3.5.1.2 La tensione sul resistore: oltre i due poli anche uno zero nullo
La funzione di trasmissione la [3.5-13] che, rispetto alla precedente ha in pi uno zero nul-
lo. La conseguenza che si pu costruire il grafico del guadagno a partire da quello della Fig.3.2-4
aggiungendo leffetto del polo che dato da una retta con pendenza 20dB/dec che passa dal punto
(1,0). In Fig.3.3-7a mostrato il risultato. Per quanto riguarda largomento basta considerare che
leffetto di uno zero nullo di traslare di 90 verso lalto. Il risultato mostrato nella Fig.3.3-7b.
3.5.1.3 La tensione sullinduttore: oltre i due poli anche due zeri nulli
Questa volta la funzione di trasmissione la [3.5-15] che, rispetto alla precedente ha in pi
un altro zero nullo. Perci, ora bisogna aggiungere una retta che passa dallo stesso punto, ma la cui
pendenza di 40 dB/dec. Largomento, a causa dei due zeri nulli sale addirittura di 180. Il risultato
finale mostrato nelle Fig.3.4-8. Si tratta di un filtro passa-banda se lo smorzamento piccolo al-
trimenti di un passa-alto.
1 0 1 .1 / n
G
( d B )
0
- 2 0
- 4 0
-6 0
= 1 o
= . 1 o
o = .2
o = .5
= . 0 0 5 o
( a )
= .7 0 7 o

1 0
1 . 1 /
n
= 1 o
= . 7 0 7 o
= . 1 o
o = . 2
o = . 5
= . 0 0 5 o

0
- 3 0
- 6 0
- 9 0
3 0
6 0
9 0
( b )

Fig.3.4-7
1 0 1 . 1 / n
G
( d B )
0
- 2 0
- 4 0
2 0
4 0
1 0
3 0
- 1 0
- 3 0
= 1 o
= . 7 0 7 o
= . 1 o
o = . 2
o = . 5
= . 0 0 5 o
( a )



1 8 0
1 5 0
1 0 .1
/ n
1
0
1 2 0
9 0
6 0
3 0
( b )
o = 0 . 5
o = 0 . 1
o = 0 . 2
o = 0 . 0 0 5
o = 0 . 7
o = 1

Fig.3.4-8
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 99

3.5.2 Circuiti risonanti parallelo
I circuiti risonanti serie e parallelo sono duali, e quanto stato detto per le tensioni, nel cir-
cuito risonante serie, si pu passare alle correnti. Lammettenza del circuito di Fig.3.5-1b

s
LC 1 C G s s
C sC
sL
1
G S S G ) s ( Y
2
C L
+ +
= + + = + + = , [3.5-16]
con radici complesse coniugate se
1
C
L
2
G
LC
4
C
G
2
< = <

[3.5-17]
n

la stessa della [3.5-5]. La [3.4-16] pu essere riscritta come
.
s
s
2
L
C
) s ( Y
n
n

+ = [3.5-18]
3.5.3 Sovratensione e sovracorrente
Applichiamo la legge di Kirchoff al circuito di Fig.3.5-1a, Vi = VL + VC + VR. Alla risonan-
za, se o << 1, z = /n 1, e dalle [3.5-13], [3.5-14] e [3.5-15] si ricava VL = jVi/2o = jQVi, VC =
-jVi/2o = -jQVi, VR = Vi. Dove . 1 2 1 Q >> = Nella [3.5-19], Vi e VR sono eguali. Anche VC e VL
sono eguali in modulo ma opposte. Inoltre, i moduli di VC e VL sono Q volte la tensione del gene-
ratore. Le cadute di potenziale sugli elementi reattivi sono maggiori del segnale applicato. Per que-
sto motivo Q si chiama coefficiente di sovratensione. In un circuito risonante parallelo si ha un fe-
nomeno simile per le correnti, cio, alla risonanza, le correnti negli elementi reattive, eguali fra di
loro in modulo, ma in opposizione di fase, sono Q volte pi alte di quelle fornite dal generatore. In
questo caso Q il coefficiente di sovracorrente.
3.5.4 La risposta alla o
Applichiamo un impulso o ampio Vp al circuito della Fig.3.5-1a per trovare, adesempio, la
tensione sulla resistenza. La [3.5-10] si pu riscrivere come
p
2
n
2
n
n
p
n n
2
n
R V
) 1 ( ) s (
s 2
V
s 2 s
s 2
) s ( V
2 2
+ +

=
+ +

=
che, se o << 1, si approssima come:
, V
) s (
s 2
) s ( V p
n
2
n
n
R
2
+ +


cio
. V
) s ( ) s (
s
2 V
) s (
s
2 ) s ( V p
2
n
2
n
n
2
n
2
n
n
n p
n
2
n
n n
n R
2

+ +


+ +
+
=
+ +
+
=
La cui antitrasformata si calcola dalle [3.4-15] e [3.5-5]. Si tratta di una oscillazione smorzata di
ampiezza Vp R/L, pulsazione n

e costante di tempo di smorzamento 2L/R.
[ ] ( ) p
L 2
Rt
p
t
n n p
t
n n n R V e LC t cos
L
R
V e t cos 2 V e t sen t cos 2 ) t ( V
n n


= .
3.6. Banda passante e frequenza di taglio
I casi trattati finora sono semplici e con non pi di due poli distinti sempre abbastanza lon-
tani. Per sistemi con pi poli la trattazione relaativa abbastanza complessa e poco importante dal
punto di vista analitico, ma interessante per i risultati. In genere si possono soltanto utilizzare e-
spressioni approssimate.
100 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
3.6.1 Frequenze di taglio identiche in circuiti disaccoppiati.
Se la costante di tempo relativa ad ogni polo ts, cui corrisponde una frequenza di taglio
fts=1/2rts, se i poli sono n, allora la frequenza di taglio superiore ftsn diventa
[FA]

. 1 2 f f
n
ts tsn = [3.6-1]
Analogamente se la costante di tempo interessa la frequenza di taglio inferiore
. 1 2 f f
n
ti tni = [3.6-2]
3.6.2 Poli e Zeri noti
Se esistono m poli zj (zj)e n zeri pj (pj), allora per la frequenza di taglio superiore si ha
[SS]

. ) ( 1 ) ( 1 2 1 f
2
m
zj
2
n
pj ts

= [3.6-3]
Mentre quella di taglio inferiore
. 2 ) ( ) ( f
m
2
zj
n
2
pj ti =

[3.6-4]
Se un polo d dominante, e cio il pi piccolo nel calcolo della frequenza di taglio superiore o il
pi alto in quella inferiore allora la frequenza di taglio quella corrispondente come si pu facil-
mente ricavare dalle precedenti e cio
. 2 1 f d t = [3.6-5]
pi piccolo o pi grande significa almeno un fattore 4.
3.6.3 Poli e zeri non facilmente calcolabili.
Si pu ricorrere al metodo delle costanti di tempo
[SS],[GRA]
. Se in un circuito ci sono n con-
densatori, si calcolano le costanti di tempo tj associate con ognuna delle n capacit, quando tutte le
altre sono aperte (nel caso di calcolo della frequenza di taglio superiore) oppure in corto (nel caso di
calcolo della frequenza di taglio inferiore). La costante di tempo tj il prodotto della capacit Cj per
la resistenza vista ai capi della stessa capacit nelle condizioni gi specificate per le altre capacit.
Le frequenza di taglio, purch ci sia almeno un polo dominante, possono essere approssimativamen-
te calcolate come
; 2 1 f
n
j ts

[3.6-6]
e . 2
1
f
n
i
ti

[3.6-7]
3.6.4 Tempi di salita.
Il tempo di salita corrispondente alla risposta ad un segnale a gradino nel caso di sistemi con
soltanto poli semplici che danno risposte di tipo esponenziale pu essere calcolato in funzione della
frequenza di taglio superiore come
. f 35 . 0 t ts s = [3.6-8]
In generale, se un sistema composto da i differenti sistemi in cascata ognuno con il suo tempo di
salita tsi, il tempo di salita complessivo tst pu essere approssimato da
. t t
n
2
si st

[3.6-9]
Per n sistemi identici . n t t
2
si st [3.6-10]
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 101

3.7. Le linee di trasmissione ideali
Le linee di trasmissione
sono dei dispositivi atti al tra-
sporto di segnali ad alta fre-
quenza. Gli esempi pi noti so-
no i cavi coassiali e le linee bi-
filari come quelle usati per tra-
sportare i segnali dalle antenne
ai ricevitori. In figura sono mo-
strati due pezzetti di linee di tra-
smissione. La parte superiore della figura rappresenta un cavo coassiale. Un conduttore interno
inserito in un cilindro isolante a sua volta ricoperta da una guaina di conduttore intrecciato detto
calza. Una guaina isolante ricopre il tutto sia per isolare elettricamente che per riparare il cavo
dalle ingiurie del tempo ed atmosferiche. Laltro disegno mostra una linea bifilare. Due conduttori
identici sono affogati in un isolante in modo che la distanza fra i due conduttori sia costante.
3.7.1 Le linee di trasmissione senza perdite
Una linea di trasmissione si comporta da doppio
dipolo. Ma mentre in un doppio bipolo come quelli gi
studiati gli elementi di circuito che danno origine alle sue
propriet sono concentrate in veri e propri componenti,
nel caso della linea di trasmissione essi sono distribuiti in
modo uniforme in tutta la linea. Essa, pertanto, prende il
nome di dispositivo a costanti distribuite. Lo studio di una
linea inizia dal prendere in considerazione un elemento in-
finitesimo della stessa, lungo dx, considerato sempre come
un doppio bipolo. La Fig.3.7-2a schematizza questo com-
portamento per quella che noi chiamiamo una linea di tra-
smissione ideale senza perdite. Ad una delle porte del
doppio bipolo applicata una tensione V ed entra una cor-
rente I, sullaltra porta la tensione differisce di dV e la cor-
rente di dI.
Il comportamento della linea di trasmissione ideale senza perdite determinato dal fatto che
fra i due fili che compongono la linea, inevitabilmente si produce un effetto capacitivo essendo i
due fili affacciati. Inoltre la corrente, nellattraversare lelemento infinitesimo di linea sottoposta
alla legge di Lenz. Indichiamo con C la capacit per unit di lunghezza in F/m e con L linduttanza
per unit di lunghezza in H/m. Linduttanza Ldx e la capacit Cdx del tratto infinitesimo di linea
sono rappresentate in Fig.3.6.2b
3.7.1.1 Lequazione delle onde
La caduta di potenziale dV lungo il tratto di linea infinitesimo lungo dx . dx
x
V
dV

= Que-
sta caduta di potenziale determinata dalla legge di Lenz cio proporzionale alla derivata della
corrente rispetto al tempo secondo linduttanza del tratto dx che Ldx. Cio:
.
t
I
Ldx dx
x
V
dV

= [3.7-1]
Luso delle derivate parziali dovuto la fatto che le due grandezze in esame sono funzioni dipen-
denti sia della posizione lungo la linea che dallistante.
(a)
(b)

Fig.3.7-1
I I+dI
V
+
-
V+dV
-
+
I+dI
V
+
-
V+dV
-
+
C

dx
L

dx
dx
(b)
(a)

Fig.3.7-2
102 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
Daltra parte anche la corrente entrante e quella uscente differiscono di dI per la presenza
della capacit che ne dirotta una parte verso massa. Ricordiamo che la corrente in un condensatore
proporzionale alla derivata rispetto al tempo della tensione ai suoi capi. La costante di proporziona-
lit la capacit dello stesso condensatore. Quindi
.
t
V
Cdx dx
x
I
dI

= [3.7-2]
Eliminando sia dalla [3.7-1] che dalla [3.7-2] il differenziale dx:
,
t
I
L
x
V

[3.7-3]
e ,
t
V
C
x
I

[3.7-4]
che sono le equazioni che determinano il comportamento della linea.
Deriviamo la prima rispetto a x e la seconda rispetto a t:

x t
I
L
x
V
2
2
2

e .
t
V
C
x t
I
2
2 2


Sostituendo la seconda nella prima:
.
t
V
LC
x
V
2
2
2
2

[3.7-5]
In modo analogo, se si deriva la prima rispetto a t e la seconda rispetto a x si ottiene:
.
t
I
LC
x
I
2
2
2
2

[3.7-6]
Posto .
LC
1
v = [3.7-7]
Le espressioni precedenti si riscrivono come:
;
t
V
v
1
x
V
2
2
2 2
2

[3.7-8]
e .
t
I
v
1
x
I
2
2
2 2
2

[3.7-9]
Queste espressioni differenziali prendono anche il nome di equazione dei telegrafisti.
Non per nulla semplice risolvere il sistema di equazioni differenziale alle derivate parziali.
Tuttavia si pu facilmente verificare che la soluzione di entrambe data dalla combinazioni di due
qualunque funzioni Fd(z1) e Fr(z2) delle due variabili z1 = t-x/v e z2 = t+x/v. Prendiamo in conside-
razione la tensione V. Per essa :
). z ( F ) z ( F
v
x
t F
v
x
t F V 2 r 1 d r d + =

+ +

= [3.7-10]
Calcoliamo le derivate prime e seconde della precedente espressione rispetto entrambe le variabili
indipendenti:
;
dz
dF
dz
dF
t
z
dz
dF
t
z
dz
dF
t
V
2
r
1
d 2
2
r 1
1
d
+ =

[3.7-11]
;
dz
F d
dz
F d
t
z
dz
F d
t
z
dz
F d
dz
dF
dz
dF
t t
V
2
2
r
2
2
1
d
2
2
2
2
r
2
1
2
1
d
2
2
r
1
d
2
2
+ =

[3.7-12]
;
dz
dF
dz
dF
v
1
dz
dF
v
1
dz
dF
v
1
x
z
dz
dF
x
z
dz
dF
x
V
2
r
1
d
2
r
1
d 2
2
r 1
1
d

= + =

[3.7-13]
;
dz
F d
v
1
dz
F d
v
1
v
1
x
z
dz
F d
x
z
dz
F d
v
1
dz
dF
dz
dF
x v
1
x
V
2
2
r
2
2
1
d
2
2
2
2
r
2
1
2
1
d
2
2
r
1
d
2
2


La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 103

cio .
t
V
v
1
dz
F d
dz
F d
v
1
x
V
2
2
2 2
2
r
2
2
1
d
2
2 2
2

+ =


In questultima si fatto uso della [3.6.12]. Questa espressione proprio la [3.7-8].
La funzione Fd ha la propriet di assumere lo stesso valore per x = v t. Si tratta di un segnale
che si propaga lungo la linea con velocit v espressa dalla [3.7-7]. Pi precisamente si tratta di una
onda che si sposta nel senso delle x crescenti con velocit v. Fd londa diretta. La funzione Fr ha
la propriet di assumere lo stesso valore per x = -v t. Questa onda si sposta in senso inverso ma
sempre con la stessa velocit v. Fr londa riflessa.
Eguagliando fra di loro i secondi membri delle [3.7-3] e [3.7-13]
.
dz
dF
dz
dF
v
1
t
I
L
2
r
1
d


Integrando rispetto al tempo si ottiene:
)], z ( F ) z ( F [
L
C
v
x
t F
v
x
t F
vL
1
I 2 r 1 d r d =

=
cio , I I
Z
) z ( F
Z
) z ( F
I r d
0
2 r
0
1 d
+ = = [3.7-14]
con .
C
L
Z0 = [3.7-15]
Z0 prende il nome di impedenza caratteristica della linea.
In ogni punto il rapporto fra londa di tensione e quella di corrente diretta Z0. Anche il rap-
porto fra londa di tensione e quella di corrente riflessa ha lo stesso valore Z0. Il segno negativo di-
pende unicamente dalle convenzioni per le corrente che positiva se viaggia nel verso delle x cre-
scenti.
Alla luce di quanto detto la [3.7-10] si pu riscrivere come
V = Vd + Vr [3.7-16]
E la [3.7-14] come
. I I
Z
V
Z
V
I r d
0
r
0
d
+ = = [3.7-17]
Vediamo ci che accade quando la linea termina e ai suoi capi si applica una impedenza di
carico ZL. Su di esso VL = ZLIL e vale la [3.7-16] che riscriviamo come VL = Vd + Vr e la [3.7-17]
che diventa IL = Id + Ir. Tenendo presente quanto detto e cio che Vd/Id = Z0 e Vr/Ir = -Z0 si ha:
0 r L 0 d L r L d L L L r d L Z V R Z V R I R I R I R V V V = + = = + =
dalla quale si ricava
.
Z Z
Z Z
V
V
0 L
0 L
d
r
L
+

= = [3.7-18]
pL prende il nome di coefficiente di riflessione.
Sostituendo Vd = pLVr in VL = Vd + Vr si ottiene

0 L
L
d
0 L
0 L
d L d d L d r d L
Z Z
Z 2
V
Z Z
Z Z
1 V ) (1 V V V V V V
+
=

+ = + = + = + =
cio .
Z Z
Z 2

V
V
0 L
L
d
L
L
+
= = [3.7-19]
tL il coefficiente di trasmissione.
104 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
3.7.1.2 Risposta di una linea ad un impulso breve
Studiamo ci che avviene se si applica ad una linea un generatore che fornisce un impulso
rettangolare alto Vg che dura tg come quello in alto a sinistra nella Fig.3.7-3a. In tutto questo para-
grafo e nel successivo supporremo, se non altrimenti specificato, che tutte e tre le impedenze e cio
Zg, quella del generatore, Z0, quella caratteristica e ZL, quella di carico siano puramente resistive.
Linea infinita
Il generatore ha impendenza interna
nulla (Zg = 0). Allingresso, cio per x = 0, ap-
plichiamo limpulso allistante t = 0. Esso non
si propaga istantaneamente sulla linea, come
siamo abituati a pensare, ma con una velocit
vdata dalla [3.7-7]. Poich la linea infinita
lunica onda che viaggia quella diretta, in
quanto la riflessa ha bisogno, per essere pro-
dotta, di arrivare alla fine della linea, ma ci
richiede un tempo illimitato. Anche la compo-
nente di corrente sar solo quella diretta e cio
Vg/Z0. Anche questa onda di corrente si propaga con la stessa velocit. Nella Fig.3.7-3c e Fig.3.7-
3d sono mostrate le situazioni allistante d per la tensione e per la corrente, rispettivamente.
Limpulso si sposta verso destra e allistante d ha raggiunto il punto x = vd.
Linea chiusa sulla sua impedenza caratteristica
Consideriamo ora una linea lunga l (Fig.3.7-4). Sia D = l/v il ritardo fra lapplicazione
dellimpulso allinizio della linea e listante in cui londa diretta arriva alla fine. Da questo momen-
to, finch non sar esplicitamente dichiarato, si supporr che la durata tg dellimpulso sia molto bre-
ve rispetto a D. Analogamente d =x/v il ritardo fra lapplicazione dellimpulso alla linea ed il
momento in cui londa diretta perviene al punto x. Limpedenza caratteristica il rapporto, in ogni
punto fra la tensione e la corrente dellonda diretta. Se guardiamo lespressione del coefficiente di
riflessione pL definito con la [3.7-18] ci accorgiamo che quando ZL = Z0 esso nullo. Ci vuol dire
che la componente riflessa nulla. Londa, arrivata sul ca-
rico viene totalmente assorbita senza riflessione. Si dice
che la linea adattata. Ma se non c onda riflessa la linea
si comporta come se fosse infinita. La situazione, del tutto
simile al caso precedente stata gi illustrata in Fig.3.7-3.
Linea in corto circuito
Questa volta la linea lunga l e di impedenza caratteristica Z0 ha lestremit in corto come
mostrato nella Fig.3.5-5a. Laspetto interessante landamento temporale. Nellipotesi che il gene-
ratore usato sia ideale ci aspettiamo che la cor-
rente tenda ad un valore illimitato, dal momen-
to che la linea in corto. Le cose vanno in mo-
do diverso. Applicando, allistante iniziale
limpulso di tensione, londa di tensione diretta,
e cio limpulso, si propaga sempre con la soli-
ta velocit v arrivando al corto dopo un tempo
D = l/v. Essendo ZL = 0 il coefficiente di rifles-
sione pL = -1. Quando limpulso arriva alla
fine si produce unonda riflessa che, per quanto

x = 0
I(d)
x
Vg
x
x = v d
I=Vg/Z0
Vg
V(d)
x
Vg
V
t
tg
Istante t = d
(a)
(d)
(c)
(b)

Fig.3.7-3
Vg
Z0
l

Fig.3.7-4

x =vd
Vg
l
V(vd)
t d 2D+d
2D-d
4D-d
Vg
4D+d
6D-d 8D-d 10D-d 12D-d
6D+d 8D+d 10D+d
I(vd)
t
Vg/Z0
(a)
(c)
(b)

Fig.3.7-5
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 105

detto del coefficiente di riflessione, eguale ed opposta alla diretta e cio un impulso eguale ed op-
posto a quello del generatore. Questa onda riflessa si propaga in verso contrario e quando arriva sul
generatore questi con la sua impedenza interna nulla produce unaltra riflessione completa che ri-
balta questonda e la fa ripartire dopo un tempo 2D dallistante dapplicazione dellimpulso. Da
questo istante in poi il tutto si ripete e si ricomincia unaltra volta. Pertanto sulla linea viaggiano
impulsi Vg che vanno e vengono impiegando fra andata e ritorno 2D. Dal momento che la linea
priva di perdita il fenomeno illimitato nel tempo. Nel punto x della linea tale che x =vd si nota un
fenomeno periodico con periodo 2D per il quale prima passa un impulso positivo verso destra e poi
uno eguale ed opposto, ma verso sinistra, vedi Fig.3.7-5b.
Per quanto riguarda la corrente ricordiamo che allonda impulsiva diretta di tensione Vg cor-
risponde una corrente impulsiva diretta Id alta Vg/Z0 e lunga tg. Allonda di tensione riflessa Vr = -
Vg corrisponde una corrente riflessa Ir = -(-Vg /Z0) = Vg/Z0. Dal punto di vista temporale le cose so-
no simili per la tensione e la corrente soltanto che limpulso riflesso di corrente dello stesso segno
del diretto. Nel punto x della linea si ha passaggio dello stesso impulso di corrente una volta in un
senso e una volta nellaltro, vedi Fig.3.7-5c.
Generatore adattato
Le cose sono differenti se il generatore ha una sua impe-
denza interna. Il caso pi semplice da trattare quando esso a-
dattato cio la Zg pari allimpedenza caratteristica Z0 (Fig.3.7-
6a). Applicando il solito impulso, per leffetto di partizione fra
limpedenza della linea e quella interna, esso si presenta dimez-
zato allingresso e cio Vg/2. Questo impulso, per, nellandare e
tornare si comporta come nel caso precedente. A parte la diffe-
renza dampiezza, per, laltra novit che esso, tornato
allingresso trova limpedenza del generatore che adattata alla
linea e viene perfettamente assorbito. Il risultato che si ha un
comportamento come quello del caso precedente ma limitato a
soltanto un intervallo temporale 2D. In Fig.3.7-6b mostrato il
comportamento in questo caso. Per quanto riguarda la corrente non sembra sia il caso di soffermar-
ci. La Fig.3.7-6c va vedere quello che avviene.
Generatore non adattato
Se, per, non si ha adattamento si avr rifles-
sione anche al generatore. Il coefficiente di rifles-
sione relativo si pu esprimere come:
.
Z Z
Z Z
V
V
0 g
0 g
r
d'
g
+

= = [3.7-20]
Londa incidente sul generatore Vr, quella riflessa
la nuova onda diretta Vd. Nellipotesi gi fatta di
impedenze tutte resistive il coefficiente di riflessio-
ne del generatore un numero in valore assoluto
non superiore ad uno ma il cui segno dipende da chi
fra Zg e Z0 pi grande. Pertanto il segnale riflesso
Vr sar un impulso sempre largo tg ma di segno e-
guale od opposto a quello che lo produce secondo
dei casi. Anche la sua altezza potr variare secondo
il modulo del coefficiente di riflessione. In ogni caso gli impulsi di tensione che arrivano alla fine
della linea, dove c il corto, saranno riflessi e capovolti senza cambiare dampiezza. Nella Fig.3.7-

I(Vd)
t
Vg/2Z0
V(vd)
t
x =vd
d
2D-d
Vg/2
l
Vg
Z0
(a)
(c)
(b)

Fig.3.7-6

x =vd
V(vd)
t
Vg/4
6D-d 8D-d 10D-d
d
2D+d
2D-d 4D-d
4D+d 6D+d 8D+d 10D+d
Z0 = 3Zg
V(vd)
x =vd
t
3Vg/4
Zg = 3Z0
2D-d
10D+d d 2D+d
4D-d
4D+d
6D+d 8D+d
6D-d 8D-d 10D-d
l
Vg
Zg
(a)
(c)
(b)

Fig.3.7-7
106 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
7b mostrata la tensione per Zg = Z0/3 mentre nella Fig.3.7-7c quella per Zg = 3Z0. Nei due casi
il coefficiente di riflessione pg sar -0.5 e 0.5 rispettivamente. Ogni volta che londa riflessa dal cor-
to torna al generatore viene rinviata dimezzata e capovolta o no secondo quanto detto. La determi-
nazione delle correnti lasciata come esercizio.
Linea aperta
Trattiamo ora il caso duale di linea lunga
l ed aperta allestremit cui applicato il solito
impulso alto Vg e lungo tg (Fig.3.7-8a). Essendo
ZL = il coefficiente di riflessione dovuto al
carico aperto pL = 1. Londa di tensione, una
volta arrivata sul carico, si riflette senza capo-
volgersi. Quando, poi, ritorna tornando indietro,
arriva sul generatore trova la sua impedenza
nulla e quindi si ha una riflessione come per le
linee in corto, per, questa volta sul generatore.
Riparte, quindi un impulso ancora alto Vg ma
capovolto. Questultimo sul carico riflesso
senza essere capovolto e ritorna sul generatore
dove capovolto ancora una volta e cos via. Si
ha un comportamento periodico come quello
descritto nella Fig.3.7-8b per il punto x = vd. Il
comportamento della corrente lasciato come
esercizio anche se mostrata in Fig.3.7-8c. In periodo del fenomeno 4D. In Fig.3.7-8d anche
mostrata la tensione allestremo aperto. Anche questo un segnale periodico di periodo 4D.
Generatore adattato
Discutiamo del caso in cui il generatore ha una sua impedenza
interna pari allimpedenza caratteristica Z0 (Fig.3.7-9a). Il generatore
adattato alla linea. Per la partizione fra limpedenza della linea e quella
interna limpulso allingresso della linea si dimezza in altezza ed quin-
di Vg/2. I fenomeni, finch le onde di tensione e corrente non arrivano al
generatore sono del tutto eguali al caso precedente. Per, a questo punto
ladattamento dimpedenza produce lassorbimento dei segnali ed il fe-
nomeno finisce. La medesima figura mostra il comportamento di V(vd)
ed I(vd), ispettivamente nelle Fig.3.7-9b e Fig.3.7-9c.
Il caso in cui limpedenza del generatore qualunque lasciato
come esercizio pu essere dedotto dal caso analogo con linea in corto.
3.7.1.3 Risposta di una linea ad un impulso molto lungo
Trattiamo ora brevemente ci che avviene quando
la durata dellimpulso tg grande rispetto a D = lv. Appli-
chiamo limpulso alto Vg con un generatore dimpedenza
interna Zg ad una linea aperta (ZL = 0), Fig.3.7-10a. Stu-
diamo per ora quello che avviene allingresso della linea
per x = 0. A causa della partizione fra Z0 e Zg la tensione Vi
allistante dapplicazione dellimpulso salta a kVg con k
dato dal rapporto di partizione Z0/(Z0 + Zg). Londa si pro-
paga e dopo un tempo D arriva allestremit della linea do-
x =vd
Vg
l
t
Vg/Z0
I(vd)
V(l=vD)
t D
3D
Vg
5D
9D
11D 7D
(a)
(d)
(c)
V(vd)
t
d
2D+d
2D-d
4D-d
Vg
4D+d
6D-d
8D-d
10D-d
12D-d 6D+d
8D+d
10D+d
(b)

Fig.3.7-8

l
Vg
Z0
V(vd)
t
d
2D+d
2D-d
Vg/2
I(vd)
t
Vg/2Z0
x = v d
(a)
(c)
(b)

Fig.3.7-9

kVg
l
Vg
Zg
2D
V(0)
t
Vg
4D 6D 8D 10D 12D 14D 16D
2D
V(0)
kVg
t
Vg
4D 6D 8D 10D 12D 14D 16D
(a)
(c)
(b) Z0 < Zg
Z0 > Zg

Fig.3.7-10
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 107

ve per la mancanza di carico viene completamente riflessa. Quindi viaggia allindietro anche una
onda riflessa di altezza anche essa pari a kVg, che nellandare indietro verso il generatore, si somma
allonda diretta di eguale altezza raddoppiando, man mano che avanza il fronte della tensione.
Allistante 2D londa riflessa arriva allingresso della linea. Pertanto in quellistante la tensione li
2kVg. Ma questonda riflessa incontra limpedenza del generatore e subisce una riflessione con co-
efficiente di riflessione dato dalla [3.7-20]. Allistante t = 2D la tensione complessiva allingresso
sar quanto cera prima pi questa onda riflessa e cio 2kVg+k pgVg = k(2+pg)Vg. Questa nuova on-
da riflessa dal generatore viaggia verso lestremo aperto dove, quando arriva, viene riflessa sovrap-
ponendosi a quando cera prima e di dirigendosi verso il generatore ed il processo riprende. Mentre
la riflessione sul carico fatta con pL = 1 quella sul generatore con pg data dalla [3.7-20]. Quindi,
allingresso dopo n riflessioni e cio dopo un tempo nD si avr una tensione . kV 2 V
n
0
n
g g i

= Se n
sufficientemente grande e anche tg
. V V
Z Z Z Z
Z Z
Z Z
Z
2 V
Z Z
Z Z
1
1
Z Z
Z
2
1
1
kV 2 g kV 2 V g g
0 g 0 g
0 g
0 g
0
g
0 g
0 g
0 g
0
g
g
0 , n
n
g i =
+ +
+

+
=
+

+
=

= =


In sostanza se limpulso sufficientemente lungo la tensione dingresso si assesta al valore
della f.e.m. del generatore. In caso contrario si ferma ad un valore intermedio fra kVg e Vg. La ten-
sione allingresso della linea allistante t
2D-
= 2D Vi|
2D-
= 2kVg ed immediatamente dopo,
allistante t
2D+
Vi|
2D+
= k(2+pg)Vg. Se Zg > Z0, k < 1/2 e pg positivo. In questo caso la tensione
allingresso della linea dopo la prima riflessione e cio a t
2D-
= 2D inferiore a Vg/2 ma per effetto
del coefficiente pg > 1 subito dopo e cio a t
2D+
tende a salire. Dopo innumerevoli riflessioni, se la
durata dellimpulso sufficientemente grande, arriva fino a Vg. Se Zg < Z0, k > 1/2 pg negativo.
In questo caso la tensione allingresso della linea dopo la prima riflessione e cio a t
2D-
= 2D supe-
riore a Vg /2 e per per effetto del coefficiente pg negativo subito dopo e cio a t
2D+
tende a scendere.
Se limpulso sufficientemente lungo scende fino a Vg. Nella Fig.3.7-10b e Fig.3.7-10c sono mo-
strati i due casi per impulso pi lungo di 16D. Naturalmente, una volta che limpulso finisce, con un
proceso inverso la tensione va a zero. Si ha un andamento complessivo che, a gradini, simula la ca-
rica e scarica di un condensatore attraverso una resistenza.
Lo studio del comportamento di una linea in corto lasciata al lettore.
3.7.1.4 Risposta di una linea ad un gradino
Studiamo quello che avviene quando applicando ad una linea un gradino di tensione. Con-
sidereremo soltanto i casi relativi a linea infinita, in corto ed aperta con generatore adattato e no. Lo
studio delleffetto di un carico differente lasciato al lettore. In effetti si pu desumere facilmente il
comportamento dal caso studiato di impulso molto lungo. In questo caso molto lungo significa illi-
mitato
Linea infinita
Allingresso, cio per x = 0, della linea di impeden-
za caratteristica Z0 applichiamo un gradino Vg allistante t
= 0 (Fig.3.7-11a). La tensione si propaga non istantanea-
mente sulla linea, ma con una velocit vdata dalla [3.7-7].
Nella Fig.3.7-11b mostrato il fronte donda che si sposta
verso la destra e che allistante d ha raggiunto il punto x =
vd. Poich la linea infinita lunica onda che pu viaggiare
quella diretta, in quanto la riflessa ha bisogno, per essere
prodotta, di arrivare alla fine della linea, ma ci richiede un
Vg
Vg
x = 0
I(d)
V(d)
x
x
x
x = vd
I=Vg/Z0
(a)
(c)
(b)

Fig.3.7-11
108 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
tempo illimitato. Essendo lunica componente di tensione quella diretta, anche la componente di
corrente sar quella diretta e cio Vg/Z0. Anche questa onda di corrente si propaga con la stessa ve-
locit. Allistante d la tensione del tratto di linea fino a x = vd Vg e al di la di questo punto essa
nulla ed anche per la corrente si ha lo stesso comportamento e cio Vg/Z0 fino al punto in cui arri-
vato il fronte donda e zero dopo, Fig.3.7-11c.
Linea chiusa sulla sua impedenza caratteristica
In questo caso non ci sono riflessioni sul carico. La linea
adattata. Se lunga l, Fig.3.7-12a, per d < l/v londa viaggia ed il
fronte sta nel punto l = vd. A partire dallistante D = l/v essa la-
scia tutta la linea carica alla tensione Vg del gradino applicato ed
in essa scorre la corrente costante Vg/Z0. La situazione illustrata
in Fig.3.7-12b e Fig.3.7-12c.
Linea in corto circuito
La linea lunga l con lestremo in
corto mostrata in Fig.3.7-13a. Il gene-
ratore ha impedenza interna nulla. inte-
ressante il comportamento temporale. La
corrente tende ad un valore illimitato ma
ci avverr gradualmente. Il coefficiente
di riflessione pL = -1. Applicando a t =
0 il gradino di tensione Vg, londa di ten-
sione diretta si propaga sempre con la so-
lita velocit percorrendo la linea in un
tempo D = l/v. Si ha una corrente Vg/Z0.
Si produce unonda riflessa eguale ed opposta alla diretta. Questa onda si propaga in verso contrario
annullando, nel suo cammino la tensione diretta. A questa onda di tensione inversa corrisponde una
corrente (Vg/Z0). Man mano che londa si propaga verso il generatore, non solo lazzeramento
della linea si sposta ma anche la corrente che questo zero si porta con se e che la somma della cor-
rente dovuta alle due onde dirette e riflessa. Allora la corrente a sinistra del fronte Vg/Z0 e a destra
e 2V/Z0. Una volta che londa arriva al generatore questi rimanda una onda di tensione e quindi di
corrente che si sommano alle precedenti. Risultato: nellintervallo 2D < t < 3D una nuova onda di
tensione Vg si sposta verso destra, ed una corrente Vg/Z0 si somma alla 2Vg/Z0. La forma della ten-
sione in un punto interno alla linea a distanza x = vd mostrata in Fig. 3.6-13b. La corrente del ge-
neratore cresce di 2Vg/Z0 ogni 2D come mostrato in Fig.3.7-13c.
Le cose sono diverse se il generatore ha una sua impedenza in-
terna non nulla. Il caso pi semplice da trattare se essa pari allim-
pedenza caratteristica Z0 (Fig.3.7-14a), cio se il generatore adattato
alla linea. Questa volta la tensione allinizio della linea non pi Vg,
ma a causa della partizione fra limpedenza della linea e quella interna,
parte da Vg/2. Le onde di tensione e di corrente dirette sono, rispetti-
vamente Vg/2 e Vg/2Z0. Quando arrivano al corto si ha lo stesso effetto
del caso precedente: unonda di tensione riflessa che man mano che si
sposta verso il generatore annulla la diretta ed una di corrente che, in-
vece, rafforza la precedente che diventa, in tal modo Vg/Z0 man mano
che dal corto si sposta verso il generatore. Ma, ora, arrivati allestremo
cui applicato il generatore, ladattamento del generatore alla linea fa si che nessuna ulteriore ri-
flessione si produca. Da questo istante allingresso della linea la tensione che era stata Vg/2 va a ze-
ro (Fig.3.7-14b) e la corrente rimane costante pari a Vg/Z0 (Fig.3.7-14c). La tensione allingresso
Vg
V(d)
x
Vg
Z0
I=Vg/Z0
x = 0
I(d)
x
x = vd
(a)
(c)
(b)

Fig.3.7-12
5Vg/Z0
I(vd)
t
x = 0
3Vg/Z0 Vg/Z0
4D 2D 6D
V(vd)
t
x =vd
Vg
Vg
l
d 2D-d 2D+d 4D-d 4D+d 6D+d
(a)
(c)
(b)

Fig.3.7-13
l
Vg
Z0
I(0)
t
x = 0
Vg/Z0
Vg/2Z0
2D=2l/v
V(0)
t
Vg/2
(a)
(c)
(b)

Fig.3.7-14
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 109

della linea costante per il tempo D = 2l/v che impiega londa a percorrere la linea nei due sensi. In
questo modo possibile produrre un impulso di tensione di durata definita. Ovviamente la corrente
nel cortocircuito zero finch non arriva londa ma poi rimane costante e pari a Vg/Z0.
Linea aperta
Trattiamo ora il caso duale di linea aperta cui
applicato il gradino (Fig.3.7-15a). Il coefficiente di
riflessione dovuto al carico aperto p = 1. Londa di
tensione arrivata sul carico si riflette senza capovol-
gersi e si somma alla diretta. Nel punto posto a di-
stanza x dallingresso la sua tensione nulla fino
allistante d = x/v quando arriva londa diretta. Ri-
mane a Vg finche non arriva londa riflessa ed allora
diventa 2Vg. Londa riflessa si sposta verso il genera-
tore e, quando arriva su di esso, trova la sua impe-
denza nulla e quindi si ha una riflessione come per le
linee in corto, per, questa volta sul generatore. Ri-
parte, quindi unaltra onda capovolta ed alta Vg che si somma a quanto c sulla linea. Per cui sulla
linea finisce con il viaggiare ancora una volta una onda che complessivamente Vg. La forma della
tensione in un punto della linea a distanza x = vd mostrata in Fig. 3.6-15b. Per quanto riguarda la
corrente allingresso inizialmente dato che c solo onda diretta Vg/Z0. Ma londa riflessa di ten-
sione produce unonda riflessa di corrente che opposta a quella diretta e quindi, quando arriva
allingresso della linea, la corrente in quel punto si annulla. La linea preleva dal generatore un im-
pulso di corrente lungo 2D/v, Fig.3.7-15c. La tensione alluscita, invece, ovviamente dopo un tem-
po D/v si mantiene costante e pari a Vg.
Generatore adattato
Sia il generatore adattato alla impedenza caratteristica Z0 della
linea (Fig.3.7-16a). Per la partizione fra la linea ed il generatore la ten-
sione allingresso, allistante dapplicazione del gradino Vg/2. Anche
stavolta si hanno unonda di tensione e di corrente che si propagano
verso destra e che sono, rispettivamente Vg/2 e Vg/2Z0. Quando londa
di tensione arriva alla fine della linea dove non c alcun carico si pro-
duce unonda riflessa della stesso segno ed altezza che nel tornare in-
dietro la rafforza. Quando essa arriva al generatore viene assorbita to-
talmente a causa delladattamento. La tensione dingresso assume la
forma della Fig.3.7-16b: dallistante 2D = 2l/v in poi in tutta la linea c la tensione Vg. La corrente
quando arriva alla fine della linea viene riflessa capovolta rispetto alla diretta ma della stessa am-
piezza. Nel propagarsi allindietro si annulla la corrente man mano che si sposta verso il generatore.
Quando londa riflessa arriva allingresso non c pi corrente. Quindi la corrente del generatore
un impulso lungo 2D e alto Vg/2Z0 (Fig.3.7-16c).
3.7.1.5 Risposta di una linea ai segnali sinusoidali
Riprendiamo le due espressioni da cui iniziata la trattazione e cio le [3.7-3] e [3.7-4]. Se
si lavora con segnali sinusoidali possiamo utilizzare le propriet della derivata rispetto al tempo che
ci consente di trovare la derivata di una funzione sinusoidale soltanto moltiplicando per j. A que-
sto punto poich lunica derivata che compare rispetto la posizione si pu utilizzare la derivata to-
tale invece che la parziale perch lunica che compare. Quindi:
Vg
l
I(vd)
t
x = 0
Vg/Z0
2D = 2l/v
4D
2D
V(vd)
t
d 2D-d 2D+d 4D-d 4D+d
x = vd
2Vg Vg
(a)
(c)
(b)

Fig.3.7-15
l
Vg
Z0
V(0)
t
Vg/2
Vg
2D =2l/v
I(0)
t
x = 0
Vg/2Z0
(a)
(c)
(b)

Fig.3.7-16
110 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
, I L j
dx
dV
= [3.7-21]
e , V C j
dx
dI
= [3.7-22]
che sono le equazioni che determinano il comportamento della linea.
Deriviamo la prima rispetto la posizione e sostituiamo nella seconda:
V. V
v
V C L
dx
dI
L j
dx
V d
2
2
2
2
2
2
=

= = = [3.7-23]
Analogamente deriviamo la seconda rispetto la posizione e sostituiamo nella prima:
I. I C L
dx
dV
C j
dx
I d
2 2
2
2
= = = [3.7-24]
in cui .
v

= [3.7-25]
detta costante di fase.
La soluzione della [3.7-23] del tipo
, e c e c V V V
x j
2
x j
1 r d

+ = + = [3.7-26]
che sostituita nella [3.7-21]
, I L j e jc e jc
dx
dV
x j
2
x j
1 = + =

cio . I L e
v
c e
v
c
x j
2
x j
1 =



Dunque
x j
0
2
x j
0
1
x j
2
x j
1 r d e
Z
c
e
Z
c
e
L
LC
c e
L
LC
c I I I

= = + = [3.7-27]
nella quale Z0 sempre espressa dalla [3.7-15].
Le [3.7-26] e [3.7-27] si possono scrivere in modo formale come le [3.7-16] e [3.7-17] nelle
quali:
.
Z
) x ( V
e
Z
c
) x ( I
Z
) x ( V
e
Z
c
) x ( I

e c ) x ( V
e c ) x ( V
0
r
x j
0
2
r
0
d
x j
0
1
d
x j
2 r
x j
1 d

= =
= =

=
=


[3.7-28]
Le funzioni esponenziali complesse che compaiono nelle espressioni precedenti sono esprimibili
tramite le formule di Eulero come somme di termini in coseno e seno dellangolo x. Questo signi-
fica che si ripetono ogni x = 2r. La minima distanza
i = 2r/ 2rv/ = 2rv/2rf =v/f. [3.7-29]
per la quale il comportamento della linea si ripete prende il nome di lunghezza donda ed unica-
mente legato alla velocit di propagazione delle onde ed alla frequenza del segnale applicato.
Determiniamo il comportamento della linea lunga l applicando
un carico ZL ed alimentando con un generatore sinusoidale di ampiezza
Vg, frequenza f ed impedenza interna Zg. Per comodit fissiamo lo zero
della linea sul carico e il generatore a l, come mostrato nella figura
accanto. Chiamiamo VdL, VrL, IdL e IrL i valori delle ampiezze sul carico
delle onde dirette e riflesse di tensione e di corrente, rispettivamente.
Dalle 3.6-28 si ricava:

=
=

=
=
0
rL
rL
0
dL
dL
2 rL
1 dL
Z
V
I
Z
V
I

c V
c V
[3.7-30]
l Zg
ZL
0
x
V
-l
Vg
(a)
(b)

Fig.3.7-17
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 111

e le [3.7-28] possono essere riscritte come:
.
Z
V
e
Z
V
e I ) x ( I
Z
V
e
Z
V
e I ) x ( I

e V ) x ( V
e V ) x ( V
0
r
x j
0
rL
x j
rL r
0
d
x j
0
dL
x j
dL d
x j
rL r
x j
dL d

= = =
= = =

=
=


[3.7-31]
Ovviamente, in ogni punto della linea

, e V e V ) x ( V
x j
rL
x j
dL

+ = [3.7-32]
e . e I e I ) x ( I
x j
rL
x j
dL

+ = [3.7-33]
Se si calcola il rapporto fra lampiezza dellonda riflessa e quella diretta sul carico si trova,
agendo in modo simile a quanto fatto nel 3.6.11 che

.
Z Z
Z Z
V
V
0 L
0 L
dL
rL
L
+

= =

del tutto eguale alla [3.7-18]
Possiamo calcolare limpedenza dingresso della linea determinando il rapporto fra le due
espressioni [3.7-32] e [3.7-33] per x = -l
,
0
l j
rL 0
l j
dL
l j
rL
l j
dL
l j
rL
l j
dL
l j
rL
l j
dL
l
l
i
Z e V Z e V
e V e V
e I e I
e V e V
| I
| V
Z



+
=
+
+
= =
cio ,
e V e V
e V e V
Z Z
l j
rL
l j
dL
l j
rL
l j
dL
0 i

+
= [3.7-34]
o anche .
e e
e e
Z Z
l j
L
l j
l j
L
l j
0 i



+
= [3.7-35]
Sostituendo a pL il valore precedentemente ricavato questa si pu riscrivere come
) e e ( Z ) e e ( Z
) e e ( Z ) e e ( Z
Z
e ) Z Z ( e ) Z Z (
e ) Z Z ( e ) Z Z (
Z
e
Z Z
Z Z
e
e
Z Z
Z Z
e
Z Z
l j l j
0
l j l j
L
l j l j
0
l j l j
L
0
l j
0 L
l j
0 L
l j
0 L
l j
0 L
0
l j
0 L
0 L
l j
l j
0 L
0 L
l j
0 i






+ +
+ +
=
+
+ +
=
+

+
=
cio .
l sen jZ l cos Z
l sen jZ l cos Z
Z Z
L 0
0 L
0 i
+
+
= [3.7-36]
Consideriamo ora quello che avviene lungo la linea. In ogni punto si ha una sovrapposizione
di due segnali sinusoidali della stessa frequenza e cio londa diretta e quella riflessa. I punti in cui
si sommano in fase o in opposizione di fase corrispondono a massimi e minimi, rispettivamente.
Chiamiamo VM e Vm le tensioni in questi punti. Si ha
VM = |Vd| + |Vr| [3.7-37]
e Vm = |Vd| - |Vr| [3.7-38]
Il rapporto donda stazionaria S il rapporto fra
il massimo ed il minimo nella linea:
.
V
V
S
m
M
= [3.7-39]
Per la definizione di coefficiente di riflessione, e tenendo
presente le ultime tre espressioni si trova facilmente che
.
| | 1
| | 1
S

+
= [3.7-40]
La figura accanto mostra il valore in ogni punto
Vg
l
(a)
(b)
|Z(x)|
0 -0.5 -1 -1.5 -2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
x/
i
Z
(
x
)
/
Z
0
ZL/Z0 = 2
ZL/Z0 = 0.5
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
(c)
Arg(Z)
0 -0.5 -1 -1.5 -2
0 x/
i
ZL/Z0 = 10
ZL/Z0 = 0.5

Fig.3.7-18
112 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
dellimpedenza della linea, normalizzata a quella caratteristica. stata rappresentato solo un tratto
pari a due lunghezze donda. I due grafici si riferiscono a due valori diversi di ZL. Nella Fig.3.7-18b
mostrato il modulo per ZL/Z0 = 0.5 e 2. Si noti come il comportamento del modulo sia periodico
con periodo i/2. La distanza fra un massimo ed un minimo , per, soltanto i/4. Nella Fig.3.6.18c
mostrato largomento per ZL/Z0 = 0.5 e 10: anche questa volta landamento ha periodo i.
Se si fa lo stesso discorso con le correnti, a causa del segno negativo che compare avanti al
termine relativo allonda riflessa, si deduce che il massimo delle correnti si ha dove si ha il minimo
delle tensioni e viceversa. In questi punti i rapporti tensione/corrente sono puramente resistivi e
massimi o minimo, rispettivamente. Un calcolo rapido porta a concludere che in questi punti sar
ZM = SZ0 e Zm = Z0/S. [3.7-41]
Nella Fig.3.6.18b questo risultato evidente.
Linea a quarto donda
Trattiamo il caso di una linea lunga un quarto donda o che lo stesso, nel caso in cui sia
priva di perdite, un quarto d'onda pi un numero intero di mezze lunghezze d'onda. In tale caso l =
2r/i (i/4 + n i/2) = r/2 + n r. Pertanto e
-jl
= -j e e
jl
= j. Allora dalla [3.7-35]

L
2
0
L
L
0
L
L
0 i
Z
Z
1
1
Z
j j
j j
Z Z =
+

=
+

= [3.7-42]
Se Zi ZL si pu usare una linea a quarto donda per adattare limpedenza fra carico e generatore.
La linea adatta generatore a carico per i segnali la cui frequenza corrisponde a i/4 +n i/2, cio per
, n
2
l
v
f 2
l
v
l +

=
Cio per f = (n/2+1/4) v/l. [3.7-43]
Linea a mezzonda.
Sia, invece, la linea lunga mezza lunghezza donda o che lo stesso, nel caso in cui sia priva
di perdita, un numero intero di mezze lunghezze d'onda. In tale caso l = 2r/i ni/2 = n r. Pertanto
e
-jl
= e
jl
. Allora dalla [3.7-35]
. Z
1
1
Z Z L
L
L
0 i =

+
= [3.7-44]
Una linea a mezzonda si comporta come un quadrupolo iterativo. In pratica come se non ci fosse
per le frequenza per cui essa a mezzonda cio la cui frequenza corrisponde a ni/2, cio per
, n l
v
f 2
l
v
l =

=
Cio per f = nv/2l. [3.7-45]
Linea in corto.
Applichiamo ad una linea in corto un segna-
le sinusoidale (Fig.3.7-19). Chiamiamo |Vd| e |Vr|
le ampiezza delle onde dirette e riflesse. Nel corto,
cio per x = 0, |Vd| + |Vr| = 0. Allora la [3.7-26] si
trasforma in
, x sen | V | j 2 ) e e ( | V | ) x ( V d
x j x j
d = =

[3.7-46]
Ricordiamo che lespressione precedente
descrive il comportamento spaziale della linea.
Punto per punto si ha una tensione sinusoidale di
frequenza f la cui ampiezza dipende dalla posizione
Vg
l
(a)
V
(b)
(c)
I
i/2 i 3i/2
x
2i 0
i/2 i 3i/2
x
2i 0

Fig.3.7-19
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 113

secondo le [3.7-32], in generale, ma nel caso particolare dalla [3.7-46]. La Fig.3.7-19b mostra in un
certo istante la situazione della tensione lungo la linea nel suo tratto terminale. Ovviamente per x =
0, V = 0.
Eseguendo il calcolo per la corrente descritta dalla [3.7-28] si ottiene:
. x cos
Z
| V |
2
Z
) e e ( | V |
e
Z
| V |
e
Z
| V |
) x ( I
0
d
0
x j x j
d
x j
0
r
x j
0
d
=
+
= =


[3.7-47]
Punto per punto si ha una corrente sinusoidale di frequenza f la cui ampiezza dipende dalla
posizione secondo la [3.7-47]. La Fig.3.7-19c mostra in un certo istante la situazione della corrente
lungo la linea nel suo tratto terminale. Per x = 0, I = |Vd|/Z0.
Una serie dosservazioni possono essere fatte. Ogni tratto di linea lungo i/2 si comporta allo
stesso modo. La tensione sannulla sia alla fine della linea che ogni i/2. Essa ha un massimo a i/4
dalla fine ed il massimo si ripete ogni i/2. La corrente mostra un comportamento duale: essa mas-
sima dove la tensione minima ed nulla dove la tensione ha un massimo. Inoltre la relazione di
fase fra tensione e corrente di uno sfasamento costante di 90, come indicato dal fattore j della
[3.7-46]. In modulo il rapporto fra il massimo della tensione, 2Vd, e quello della corrente 2Vd/Z0,
limpedenza caratteristica. Se la linea lunga l si comporta come una impedenza jZ0 tg l che pu
essere di tipo capacitivo o induttivo a secondo della lunghezza l. Ogni i/4 il comportamento si ca-
povolge. Il rapporto donda stazionaria illimitato.
Linea aperta.
Studiamo ora il caso della linea aperta in regime
segnale sinusoidale (Fig.3.7-20). Chiamiamo |Id| e |Ir|
le ampiezza delle onde di corrente dirette e riflesse. Al-
la fine della linea, cio per x = 0, |Id| + |Ir| = 0. Allora
la [3.7-27] si trasforma in
, x sen | Id | j 2 ) e e ( | Id | ) x ( I
x j x j
= =

[3.7-48]
e c1 = c2. Allora per la tensione si ha
), e e ( Z | I | e Z | I | e Z | I | ) x ( V
x j x j
0 d
x j
0 r
x j
0 d

+ = =
cio . x cos | I | 2 ) x ( V d = [3.7-49]
Il comportamento duale al caso precedente. La Fig.3.7-20 illustra la situazione e non riteniamo
opportuno dilungarci in ulteriori spiegazioni.
3.7.2 La carta di Smith
Il comportamento di una linea priva di perdite pu essere determinato a partire dalla carta di
Smith
[SM]
mostrata in Fig.3.7-21. Spiegamone luso. Usiamo lespressione z(x) della impedenza
della linea in un punto x, normalizzata a quella caratteristica e cio:
z(x)=Z(x)/Z0 = Re(x) + jIm(x).
Z(x) limpedenza della linea a distanza x dal carico. La carta di Smith un diagramma polare che
rappresenta il coefficiente di riflessione come funzione di z(x). Si tratta di due famiglie di circonfe-
renze ortogonali parametrizzate. Il parametri sono Re e Im, rispettivamente. Una linea priva di perdi-
te con un coefficiente di riflessione |pL| o che la stessa cosa con rapporto di onde stazionarie S
rappresentato da un circonferenza c con centro O nel centro del diagramma e la cui lunghezza
normalizzata a |pL|.
Le distanze x lungo la linea fra i due punti P1 e P2 in c sono proporzionali allangolo o =
P1P2. Cio

V
(a)
(b)
I
i/2 i 3i/2
x
2i
0
i/2 i 3i/2
x
2i 0

Fig.3.7-20
114 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
.
180 4
x

= [3.7-50]
Le [3.7-41] suggeriscono che nei punti di massi-
mo e di minimo limpedenza di linea puramen-
te resistiva e il rapporto con la Z0 S e 1/S, ri-
spettivamente. In Fig.3.7-22 mostrato il cerchio
il cui raggio un terzo del cerchio massimo e
quindi |pL| = 1/3 = 0.33. A questo coefficiente di
riflessione per la [3 .6-40] corrisponde un rap-
porto donda stazionaria
2
333 . 0 1
333 . 0 1
| | 1
| | 1
S =

+
=

+
= indicato sul cerchio.
Esso a destra tocca il cerchio in cui Re = S = 2
nel punto M ed a sinistra in m cio quello in cui
Re = 1/S = 0.5. I punti sul cerchio Im = 0 (che di
fatto lasse orizzontale) dunque sono quelli del
massimo, a destra e del minimo, a sinistra.
I punti del cerchio di un dato rapporto donda stazionaria corrispondono alle impedenze of-
30
60
90
120
210
240
270
300
330
180 0
0.0417
0.083
0.5
0.4583
0.417
0.375
0.333
0.2917
0.25
0.208
0.1667
0.125
Im = -0.125
Im = -0.25
Im = -0.5
Im = -1
Im = -2
Im = -4
Im = -8
Im = -16
Im = 0.125
Im = 0.25
Im = 0.5
Im = 1
Im = 2
Im = 4
Im = 8
Im = 16
R
e

=

0
.
1
2
5
R
e

=

0
.
2
5
Re = 0.5
Re = 1
Re = 2
Re = 4
Re = 8
Re = 16
R
e

=

0
Im = 0
V
e
r
s
o

i
l

c
a
r
i
c
o
V
e
r
s
o

i
l

g
e
n
e
r
a
t
o
r
e
M m
P1
P2
O
S= 2
150

Fig.3.7-22
30
60
90
120
210
240
270
300
330
180 0
0.0417
0.083
0.5
0.4583
0.417
0.375
0.333
0.2917
0.25
0.208
0.1667
0.125
Im = -0.125
Im = -0.25
Im = -0.5
Im = -1
Im = -2
Im = -4
Im = -8
Im = -16
Im = 0.125
Im = 0.25
Im = 0.5
Im = 1
Im = 2
Im = 4
Im = 8
Im = 16
R
e =
0
.1
2
5
R
e =
0
.2
5
Re = 0.5
Re = 1
Re = 2
Re = 4
Re = 8
Re = 16 R
e =
0
Im = 0
V
e
r
s
o

i
l

c
a
r
i
c
o
V
e
r
s
o

i
l

g
e
n
e
r
a
t
o
r
e
150

Fig.3.7-21
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 115

ferte dalla linea lungo i suoi punti. Quando ci si scosta dallasse reale limpedenza della linea acqui-
sta una parte immaginaria. Spostandoci di un quarto di lunghezza donda da un punto di massimo si
arriva ad un punto di minimo e viceversa. Il tratto sulla circonferenza di un fissato rapporto donda
stazionario compreso fra i punti dellasse reale corrisponde a i/4, come abbiamo gi visto nella
Fig.3.7-18b. Tutti i punti della carta del semipiano superiore corrispondono ad impedenze induttive,
quelle della parte inferiore ad impedenze capacitive. Lo spostamento lungo la circonferenza di dato
S in senso orario corrisponde ad avvicinarsi al generatore, altrimenti ci si avvicina al carico.
Per comprendere meglio lutilit e luso della carta di Smith opportuno fare un esempio.
Sia Z0 = 50 O. Supponiamo che il carico sia costituito da una resistenza di 26.5 O ed una induttan-
za LL di 0.158 H. Il generatore sinusoidale sia a frequenza di 10 MHz e la velocit di propagazione
sia di 200

10
6
m/s. Alla frequenza di f = 10MHz corrisponde, vedi la [3.7-29], una lunghezza donda
i = v/f = = 200

10
6
/10

10
6
= 20 m. Ci significa che la reattanza induttiva del carico di XL =
2rLLf = 6.280.158

10
-6
10

10
6
= 10 O. Allora zL(x)=ZL(x)/Z0 = 0.53+j 0.2. Sulla carta di Smith
questo il punto P1. Il coefficiente di riflessione sul carico si pu calcolare dalla [3.7-18] ma si pu
determinare direttamente dalla carta misurando la lunghezza del raggio OP1 che 0.333 del raggio
massimo e langolo corrispondente si legge in 150. Cio pL = 0.333

(cos150+j sen150) = -0.289
+ j 0.166.
Supponiamo che la linea sia lunga x = i/8, cio = 2.5 m. Ricordiamo che secondo la [3.7-
50] questo significa spostarsi di 90 verso il generatore. Ci vuol dire che il generatore posto nel
punto che sta sempre sul cerchio di |pL| = 0.333 su cui sta anche P1 ma 90 verso il generatore e cio
nel punto P2 nel quale o = 60. Cio di p = 0.333

(cos 60 + j sen 60) = 0.167 + j 0.282. Nel punti
P2 si pu ricavare dalla carta di Smith zi(i/8) = ZL(i/8)/Z0 = 1.15 +j 0.72. Che corrisponde ad una
impedenza di (57.5 + j 36) O. Se il cavo fosse altri 60 lungo, e cio i/12, in metri 20/12 = 1.666,
e cio in totale 4.166 m, limpedenza del cavo sarebbe puramente resistiva e pari a Z0S = 502 = 100
O. Se, invece fosse altri i/4 metri lungo e cio ancora altri 5 metri, in totale quindi 9.166 m
limpedenza dingresso sarebbe Z0/S = 25 O. Tutto quanto riguarda le lunghezze poteva essere ri-
cavato osservando il cerchio esterno della carta, tarato in lunghezze donda.
3.7.3 Linea con perdite
Dire che la linea ha un comportamento de-
scritto soltanto dallinduttanza e dalla capacit spe-
cifica , in effetto, troppo semplicistico. Bisogna
tenere conto anche delle componenti resistive. I
conduttori hanno una loro resistivit che si pu e-
sprimere con una resistenza R per unit di lunghez-
za. Inoltre il dielettrico non completamente iso-
lante ed ha delle perdite esprimibili con una con-
duttanza G per unit di lunghezza. Pertanto il cir-
cuito equivalente che tiene conto delle perdite quello della figura accanto.
La caduta di potenziale dV lungo il tratto di linea infinitesimo lungo dx quella provocata
dallinduttanza e dalla resistenza. Cio:
. RIdx
t
I
Ldx dx
x
V
dV

= [3.7-51]
Anche la corrente entrante e quella uscente differiscono di dI per la presenza della capacit e delle
conduttanza che ne dirottano una parte verso massa. Quindi
. GVdx
t
V
Cdx dx
x
I
dI

= [3.7-52]
V
+
-
I+dI
V+dV
-
+
C

dx
L

dx R/2

dx
G/2

dx G/2

dx
R/2

dx

Fig.3.7-23
116 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
Eliminando sia dalla [3.7-51] che dalla [3.7-52] il differenziale dx:
, RI
t
I
L
x
V

[3.7-53]
e , GV
t
V
C
x
I

[3.7-54]
che sono le equazioni che determinano il comportamento della linea.
Con un procedimento simile a quello del paragrafo precedente si ottiene:
, -ZI RI - I L j
dx
dV
= = [3.7-55]
e , -YV GV - V C j
dx
dI
= = [3.7-56]
in cui Z = R+jL e Y = G + jC [3.7-57]
Anche stavolta deriviamo la prima rispetto la posizione e sostituiamo nella seconda:
V V Y Z
dx
dI
Z
dx
V d
2
2
2
= = = [3.7-58]
Analogamente deriviamo la seconda rispetto la posizione e sostituiamo nella prima:
I I YZ
dx
dV
Y
dx
I d
2
2
2
= = = [3.7-59]
in cui . j ) C j G )( L j R ( YZ + = + + = = [3.7-60]
o, la parte reale di y, la costante dattenuazione e , la parte immaginaria di y, sempre la co-
stante di fase, anche se non pi esprimibile, in generale , con la [3.7-25].
La soluzione della [3.7-58] del tipo
; e c e c V
x
2
x
1

+ = [3.7-61]
che sostituita nella [3.7-55]
, I Z ) e c e c (
dx
dV
x
2
x
1 = + =

cio ). e c e c (
Z
ZY
I
x
2
x
1

=
Dunque
0
x
2
0
x
1
x
2
x
1
Z
e c
Z
e c
) e c e c (
Z
Y
I


= = [3.7-62]
nella quale Z0 non pi espressa dalla [3.7-15]. Ma:
.
) C j G (
) L j R (
Y
Z
Z0
+
+
= = [3.7-63]
Utilizzando la [3.7-60] la [3.7-61] si pu riscrivere come:

x j x
2
x j x
1 e e c e e c V

+ = [3.7-64]
che molto simile alla [3.7-23] per le linee senza perdite. I fattori moltiplicativi in cui compare la
costante dattenuazione tengono conto delle perdite lungo la linea.
La carta di Smith pu ancora essere adoperata se si tiene presente che non ci si pu spostarsi
pi lungo un cerchio di S = costante, ma per effetto dellattenuazione introdotta dal coefficiente o
bisogna muoversi lungo spirali di raggio che diminuisce man mano secondo e
-2ox
.
3.7.3.1 Linee non distorcenti
Un caso particolarmente interessante quando fra le costanti della linea vale la
. r
C
L
G
R
2
= = [3.7-65]
La linea prende il nome di linea non distorcente. In questo caso le [3.7-60] e [3.7-63] diventano
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 117

.
v
j RG LC j RG C
C
L
j G
G
R
) C j G ( r ) C j G )( Cr j Gr ( YZ
2 2

+ = + = + = + = + + = =
Quindi . RG = [3.7-66]
mentre costante di fase sempre data dalla [3.7-25].
Invece la [3.7-63] diventa
.
C
L
r
) C j G (
) Cr j Gr (
Y
Z
Z
2 2
0 = =
+
+
= = [3.7-67]
Limpedenza caratteristica puramente resistiva ed lo stessa delle linee prive di perdite.
3.7.3.2 Linee con piccole perdite
Un altro caso importante si ha per linee con piccole perdite. Se R << L e G << C i para-
metri caratteristici della linea possono essere ricavati in forma approssimata come
Quindi ;.
2
GZ
Z 2
R
2
C L G
C L 2
R 0
0
+ = + [3.7-68]
.
v

[3.7-69]
.
L 2
R
C 2
G
j 1
C
L
Z0

+ = [3.7-70]
in questultima compare una parte immaginaria tanto pi trascurabile quanto vengono soddisfatte le
condizioni di linea con piccole perdite oppure anche se ci si avvicina alla condizione [3.7-65] di li-
nea non distorcente.
3.7.3.3 Propagazione di segnali non monocromatici
La velocit di propagazione delle onde data dalla [3.7-7]. In questa espressione compaiono
le costanti distribuite della linea. Purtroppo queste costanti sono leggermente dipendenti dalla fre-
quenza. Nel caso che il segnale che si propaga lungo la linea monocromatico non sorge alcun pro-
blema. Diverso , invece, il caso in cui il segnale abbia un suo spettro. Infatti le componenti alle va-
rie frequenze viaggeranno a diversa velocit ed arriveranno alla fine della linea dopo ritardi diffe-
renti. In altri termini il segnale alluscita della linea non sar pi proporzionale a quello dingresso,
ma distorto da questo fenomeno di dispersione temporale. Linconveniente limitato soltanto se lo
spettro del segnale copre una zona ridotta di frequenze.
3.7.4 Connessioni fra pi linee
Nelluso pi comune una linea viene direttamente connessa fra generatore ed utilizzatore.
Tuttavia esistono numerosi casi in cui le cose vanno in modo differente. In particolare si possono
usare le linee sia per adattare impedenze che per smistare un segnale su pi linee o per raccoglierlo
da pi generatori. In tutto questo paragrafo le linee sono considerate o prive di perdite o molto cor-
te, in modo da poterne trascurare le attenuazioni.
3.7.4.1 Connessione per adattamento dimpedenza
Il caso gi visto della linea a quarto donda si utilizza per adattare un generatore di impe-
denza Zi ad un carico ZL con impedenza differente. Una linea lunga i/4 adatta le due impedenze se
la sua impedenza caratteristica soddisfa la [3.7-42], cio se . Z Z Z L i 0 = Lallungamento della linea
di un numero intero di mezze lunghezze donda non modifica la situazione.
Una linea lunga l in corto si comporta come una impedenza jZ0 tg l che pu essere di tipo
capacitivo o induttivo a secondo della lunghezza l. Ogni i/4 il comportamento si capovolge. Essa
118 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari
pu essere impiegata per evitare che dal carico non a-
dattato ritornino sul generatore onde riflesse. Conside-
riamo la Fig.3.7-24a. ZL Z0. Si hanno onde riflesse.
Se, per, in un punto opportuno della linea a distanza l1
dal carico si inserisce un tratto di linea in corto, di lun-
ghezza l2 si fa in modo che londa riflessa prodotta da
questo tratto di linea in corto sia esattamente eguale,
ma opposta, allonda riflessa dal carico. Il risultato
complessivo e che nel tratto a monte della connessione
londa sia progressiva. La situazione mostrata in
Fig.3.7-24b in assenza delladattamento. Dato che il ca-
rico non adattato si ha un certo coefficiente di rifles-
sione diverso da uno ed un rapporto di onda staziona-
ria. Si notano le posizioni dei massimi e minimi lungo la linea. Se per, nel punto opportuno, si in-
serisce la linea in corto di cui si gi detto, landamento della tensione lungo la linea quello di
Fig.3.7-24c. Lampiezza costante fino al punto di connessione e non ci sono riflessioni verso il
generatore. Si intuisce che limpedenza del tratto di linea in corto deve essere eguale ed opposta alla
parte reattiva dellimpedenza della linea nello stesso punto. chiaro che il comportamento del si-
stema, per linee prive di perdita non si modifica aggiungendo un numero intero di mezze lunghezze
donda in qualunque parte del sistema. Un modo egualmente efficace si pu ottenere inserendo li-
nee aperte.
3.7.4.2 Connessione a stella
Alle volte necessario smistare un segnale da un
cavo a pi cavi. Non possibile eseguire una connessione
derivando direttamente due cavi da un altro. Infatti i due
cavi in parallelo darebbero impedenza dimezzata rispetto
la caratteristica. E quindi si avrebbero riflessioni alla
connessione. Un metodo che si pu adottare quello del-
la cosiddetta connessione a stella. Questa consente lo
smistamento da un cavo verso n cavi. Per spiegare quello
che si fa bene studiare la connessione con resistenze mostrata in Fig.3.7-25. Calcoliamo
limpedenza vista dai due morsetti A e B: si ha, . 2 / ) Z Z ( Z Z 0 AB + + = Se si vuole che limpedenza
vista fra questi due termini sia eguale a quella caratteristica bisogna che sia Z0 = Z + (Z + Z0)/2 =
3Z/2+ Z0/2. Da cui Z = Z0/3. Se, allora, si adotta la soluzione della Fig.3.7-25b si ottiene la soluzio-
ne per n =2. Naturalmente da qualunque parte arrivi il segnale esso viene totalmente assorbito data
la situazione totalmente simmetrica. Si pu usare questa configurazione anche per sommare due se-
gnali provenienti da due linee diverse in una sola linea. Tuttavia c da dire che loperazione di di-
visione del segnale non indolore. Sempre riprendendo la Fig.3.7-25a e considerando che
limpedenza della linea che alimenta la rete a stella ha limpedenza caratteristica Z0 si pu vedere
che il segnale che arriva allingresso delle due altre linee attenuato di rispetto alla f.e.m del ge-
neratore che pilota la prima linea.
3.7.4.3 Connessione a triangolo
Un altro metodo quello della cosiddetta connessione a
triangolo. Per spiegare quello che si fa bene studiare la
connessione con resistenze mostrata nella figura accanto.
Essendo la struttura simmetrica non passa corrente
nellimpedenza fra i punti C e D. Allora si vede che Z
deve essere eguale a Z0 se si vuole che limpedenza fra A
l1
Vg
Zg
ZL
l2
(b)
(c)
V
i/2 i 3i/2
x
2i 0
V
i/2 i 3i/2
x
2i 0
(a)

Fig.3.7-24
(a)
Z
Z0
Z0
Z
Z
Z0
(b)
Z
Z0
Z0
Z
Z
Z0
Z0
Z0
A
B

Fig.3.7-25
(a)
Z
Z0
Z0
Z
Z
Z0
Z
Z0
Z0
Z0
Z0
Z0
(b)
Z
Z0
Z
Z
B
D
C
A

Fig.3.7-25
La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari 119

e B sia Z0. Infatti limpedenza vista dai due morsetti A e B . 2 / ) Z Z ( Z 0 AB + = Se Z = Z0 si soddisfa
la condizione imposta. Anche in questo caso il sistema introduce attenuazione

120 La trasmissione dei segnali nei sistemi lineari


BIBLIOGRAFIA
[AQ] - Alberigi Quaranta, Rispoli - Elettronica - Zanichelli - 1962
[BO] - Bode - Network Analysis & Feedback Amplifier Design - Van Nortsrand - 1957
[BA] - Baher - Analog & Digital Signal Processing - J.Wiley - 1990
[BT] - Barabaschi, Tasselli - Elementi di Servomeccanismi e Controlli - Zanichelli - 1966
[CV] - Cadzow, Van Landingham - Signals, Systems and Trasforms - Prentice Hall - 1985
[CH1] - Chang - Fundamental Handbook of Electronic and Computer Engineering - J.Wiley
[CH2] - Chen - The Analysis of Linear Systems - McGraw Hill - 1966
[DE] - Desoer, Kuh - Fondamenti di Teoria dei Circuiti - Angeli -1990
[DS] - DiStefano, Stubberus, Williams - Regolazione Automatica - Etas Libri - 1974
[FA] - Falcone - Elettronica generale - Siderea 1968
[GM] - Gray, Meyer - Analog Integrated Circuits - J.Wiley 1994
[LS] - Laker, Sansen - Design of Analog Integrated Circuits and System - McGraw Hill,
1994
[KS] - Kwakernaak, Sivan - Modern Signals and Systems - Prentice Hall - 1985
[MZ] - Mason, Zimmermann - Electronic Circuits, Signals, and System - J.Wiley - 1964
[MOS] - Moschytz - Linear Integrated Networks - Van Nostrand
[OV] - Odian, Visentin Corso di Elettronica CNEN LNF 63/49- 1963
[RW] - Ramo, Whinnery Fields and Waves in Modern radio - J.Wiley -1953
[SE] - Seidman - Electronics Sourcebook - McGraw-Hill - 1988
[SM] - Smith - Transmission Line Calculation Electronics 12, pp 20, 1939
[SP1] - Spiegel - Manuale di Matematica - Etas Libri - 1974
[SP2] - Spiegel - Trasformata di Laplace - Etas Libri 1976
[TE] - Terman Radiotecnica ed Elettronica - McGraw Hill -








L A FI SI CA DEI DI SPOS L A FI SI CA DEI DI SPOSI I T I VI T I VI


Per la conoscenza del comportamento dei dispositivi elettronici indispensabile riprendere i fon-
damenti fisici che li riguardano.
4.1. Elementi di struttura della materia
La prima cosa da fare e rivedere i concetti fondamentali ed elementari di struttura della materia.
4.1.1 La struttura dell'atomo
L'atomo di un elemento caratterizzato da un nucleo centrale e da
elettroni che ruotano attorno ad esso.
Fornendo energia, in qualche modo, ad un atomo, questi si eccita,
assorbendola. Ma in un secondo momento questa energia viene riemessa
sotto forma di fotoni. Ogni elemento emette un ben preciso insieme di fre-
quenze, detto spettro. Nella Fig.4.1-1 mostrato lo spettro di emissione
dell'idrogeno ricavato sperimentalmente dai ricercatori.
Poich ,
c
h h E

[4.1-1]
ad ogni fotone emesso corrisponde una precisa energia, anche essa rappre-
sentata nello spettro. h la costante di Plank, n n la frequenza del foto-
ne, c la velocit della luce nel vuoto e l l la lunghezza donda del
fotone. Le costanti fisiche che pi ci interessano sono tabulate in App.4.1
La spiegazione di questo fenomeno legata alla natura della mate-
ria, e cio il suo essere insieme onda e corpuscolo. Gli elettroni rotanti at-
torno all'atomo debbono soddisfare l'equazione di Shedringer e la relazio-
ne di De Broglie. Studiando il problema con i metodi della meccanica quan-
tistica si ricava che gli elettroni possono avere valori di energia solo ben de-
finiti e discreti. Altri valori sono proibiti. Lelettrone ruota attorno al nucleo
nel potenziale coulombiano che pu avere soltanto certi livelli energetici
permessi, E cio:
,
n h 8
q m Z
E
2 2 2
0
4
0
2
n

[4.1-2]
dove n un intero positivo, Z il numero atomico, m0, -q, h, e e0 sono, rispettivamente, la massa
dellelettrone, la sua carica, la costante di Planck e la costante dielettrica del vuoto. I valori ottenuti da que-
sta espressione per Z = 1, e cio per latomo didrogeno, corrispondono ai livelli energetici relativi alla
eV
0
5
10
15
Fuori dallatomo

Fig.4.1-1
La fisica dei dispositivi 122
Fig.4.1-1 fra i quali sono i salti energetici consentiti. A temperatura vicino allo zero assoluto soltanto il livel-
lo pi basso occupato. Ad ogni n corrisponde un orbita che, in una prima approssimazione, pu essere
considerata circolare e di raggio rn
, nm
Z
53 . 0
n
Z q m 4
h
n r
2
2
0
2
2
2
n

[4.1-3]
Aumentando n, le orbite diventano pi larghe, la distanza dal nucleo diventa superiore e l'energia dell'elet-
trone sempre pi piccola. Per n d , E d 0, il che corrisponde all'elettrone definitivamente allontanato
dal nucleo.
Nel caso di atomi con Z > 1 la situazione diventa pi complicata. A temperature ordinarie gli Z e-
lettroni occupano le orbite con n pi piccolo.
Per gli elettroni vale il principio di esclusioni di Pauli che afferma che non possibile che elettro-
ni in qualche modo interagenti abbiano la stessa energia. In effetti gli elettroni oltre al movimento di rivolu-
zione attorno al nucleo hanno un movimento di rotazione su se stesso, detto spin. Possono coesistere sol-
tanto due elettroni con la stessa energia ma con spin s = opposto. In realt la situazione pi complicata
e senza entrare in maggiori dettagli diciamo che bisogna considerare altri due numeri quantici oltre a n e s.
Per questa trattazione si rimanda a testi specializzati. Ci comporta che con n = 1, 2, 3, 4, possono e-
sistere fino a orbite con al massimi 2, 8, 10, 18, elettroni per orbita. Gli elementi che hanno lultima
orbita completa sono particolarmente stabili e sono in effetti i gas nobili.
Avviciniamo due atomi. Gli elettroni dell'orbita con n maggiore e quindi pi esterni, sono quelli me-
no legati al proprio nucleo e sono pi distanti da esso. Sono questi a risentire anche dellazione del campo
coulombiano dellaltro nucleo. Pertanto la loro energia si modifica leggermente. Poich in ogni caso la di-
stanza di un elettrone dal nucleo di un atomo vicino e molto superiore a quella dellatomo di appartenenza
linterazione modesta e lenergia varia soltanto di poco. In tal modo viene soddisfatto il principio
desclusione di Pauli. Ai fini della determinazione delle propriet elettriche soltanto gli elettroni appartenenti
allorbita pi esterna ci interessano.
In accordo con quanto detto la dipendenza
della energia di ionizzazione dal numero a-
tomico. Tale energia quella necessaria per e-
strarre l'elettrone pi periferico e portarlo lonta-
no dalla zona d'influenza del nucleo.
I gas nobili, con la loro struttura particolar-
mente stabile, mostrano la massima energia di
ionizzazione. I metalli, che hanno tendenza a li-
berarsi con facilit degli elettroni, hanno, invece,
la minore energia di ionizzazione. In Fig.4.1-2
mostrata lenergia di ionizzazione degli atomi
neutri rispetto al numero atomico.
4.1.2 La teoria delle bande nei solidi
Nei solidi cristallini la vicinanza tra gli atomi dei vari elementi che li costituiscono stabilisce una forte
interazione fra le varie parti del solido con regole ben precise. Le strutture ripetitive che si vengono a de-
terminare dipendono dalla composizione del solido stesso. Tipiche note sono la struttura cubica (fosforo),
quella cubica a corpo centrato (sodio), quella a diamante (carbonio, silicio, germanio), la zincoblenda (ar-
seniuro di gallio), quella cubica a faccia centrata (alluminio, oro). Si tratta sia di metalli che di semicondutto-
ri.
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
0
5
10
15
20
25
eV
Z

Fig.4.1-2
La fisica dei dispositivi 123
Alle righe, in energia, degli spettri atomici, corrispondono i soli livelli energetici permessi agli elet-
troni degli atomi isolati. Avvicinando gli atomi essi interagiscono. Se gli atomi sono dello stesso elemento, il
principio di esclusione di Pauli impedisce che i livelli energetici restino gli stessi. Si ha uno scorrimento dei
livelli l'uno rispetto all'altro. Consideriamo il livello energetico En pi esterno che quello ad essere interes-
sato allinterazioni con gli atomi vicini nel cristallo. Se N atomi dello stesso elemento interagiscono il livello
En di partenza si divide in N livelli differenti nei quali possono stare fino a 2N elettroni (a causa dello spin
c il fattore 2). Se N sufficientemente grande, come avviene in cristallo, anche se piccolissimo (un cubet-
to di silicio di lato 1 mm contiene circa 10
10
atomi) si produce un continuo di livelli detto Banda di Ener-
gia. Qualcosa di analogo avviene per i solidi costituiti da pi elementi diversi. Per ogni solido cristallino si
ha una ben precisa forma della banda, ricavabile con i metodi della meccanica quantistica. Non ci inoltre-
remo in questa trattazione. Piuttosto ne utilizzeremo i risultati.
Sono gli elettroni dell'orbita pi esterna ad essere implicati nelle reazioni chimiche. Pertanto essi
prendono il nome di elettroni di valenza. Quando lultima orbita molto parzialmente occupata
lelemento tende a perdere elettroni ed un metallo. Se, invece quasi totalmente piena tende a catturarli
e si tratta di un non-metallo. Come abbiamo gi detto se lultima orbita piena lelemento stabile e si
tratta di gas nobile.
I livelli energetici inferiori vengono occupati dagli elettroni di valenza. Questi livelli competono
agli elettroni dellultima orbita che ruotano attorno allatomo e partecipano al legame con gli atomi vicini
potendosi muovere soltanto fra di loro. Essi determinano una banda, detta Banda di Valenza. I livelli e-
nergetici superiori della Banda di Conduzione sono per gli elettroni che nel cristallo stanno a distanza
molto grande dallatomo e possono vagare allinterno del reticolo cristallino. E pertanto possono, even-
tualmente, partecipare alla conduzione. anche possibile che esista una zona di energie vietate detta gap
oppure banda proibita. Nessun elettrone del solido pu avere energie comprese in questo intervallo.
Tuttavia se ad un elettrone della banda di valenza viene fornita energia sufficiente a superare il gap esso
passa in banda di conduzione e pu partecipare alla conduzione.
La situazione dei livelli energetici che si crea nel solido esclusivamente determinata dal passo reti-
colare e dalla composizione chimica e metallurgica del cristallo. Tuttavia tre comportamenti tipici possono
essere rilevati. L'energia necessaria per portare gli elettroni dalla banda di valenza a quella di conduzione
notevole negli isolanti. Il gap alto. Invece nei semiconduttori basso. Nei metalli, invece, non c' confine
fra le due bande e l'energia del reticolo sufficiente ad allontanare elettroni dal nucleo. Una grande quantit
vaga allinterno del reticolo e pu partecipare alla conduzione.
Nei tre casi, la situazione pu essere rappresentata come in Fig.4.1-3. In ordine, da sinistra a de-
stra, un metallo come l'alluminio, un semiconduttore come il silicio ed un isolante come l'ossido di silicio.
++
+
Al
++
+
Al
++
+
Al
++
+
Al
++
+
Al
++
+
Al
++
+
Al
++
+
Al
++
+
Al
Si
O
O Si
Si
O
O Si
Si
Si Si
Si Si
Si
Si
Si Si

Fig.4.1-3
La fisica dei dispositivi 124
Anticipiamo sinteticamente quello che pi avanti sar discusso in dettaglio. Ci aiutiamo con la
Fig.4.1-4.
Nei conduttori le due bande si sovrappongono e gli elettroni di valenza formano un mare di elettroni
liberi all'interno del reticolo.
Il gap dei semiconduttori piccolo. Anche a temperatura ambiente elettroni saltano dalla banda di
valenza a quella di conduzione. Ma, per ogni elettrone libero, si produce, in banda di valenza, una mancan-
za di elettrone, detta lacuna. La valenza non pi satura dell'atomo che ha perso l'elettrone pu essere satu-
rata da un elettrone di un atomo vicino, che a sua volta, ora manca di un elettrone e quindi, adesso, la lacu-
na si spostata su questo altro atomo. Si ha, allora, uno spostamento della mancanza dell'elettrone. co-
me se una carica, con la stessa quantit di carica di un elettrone, ma di segno opposto, si fosse spostato dal
secondo atomo al primo. Nei semiconduttori la corrente, pu essere portata sia dagli elettroni che dalle la-
cune (positive).
Negli isolanti gli elettroni di valenza costituiscono un forte legame con gli elettroni degli atomi pros-
simi. necessaria una energia elevata per rompere questi legami e mandare elettroni in banda di conduzio-
ne. Il gap molto alto. A basse temperature, con campi elettrici modesti, non possibile fare saltare agli
elettroni il gap ed il materiale isolante. Se si alza di molto la temperatura, oppure si applica un campo elet-
trico superiore alla rigidit dielettrica, l'isolante perde le sue propriet. Anche la presenza di imperfezioni re-
ticolari nel cristallo, introducendo livelli nella banda proibita, abbassa le propriet di isolamento dei materiali
dielettrici.

Conduttore
Isolante
Banda di conduzione
Gap
Banda di valenza
Semiconduttore

Fig.4.1-4
La fisica dei dispositivi 125
4.2. I metalli
Studiamo la distribuzione dell'energia poten-
ziale degli elettroni nei metalli. Si osservi la Fig.4.2-1.
Con A, B, C e D sono indicate le posizioni di equili-
brio dei quattro atomi pi esterni. A sta sulla superfi-
cie. Ogni atomo, con il suo campo coulombiano,
contribuisce all'energia potenziale. Un elettrone posto
al livello energetico E1 non ha energia sufficiente per
superare la barriera e resta vicino al nucleo. L'elet-
trone al livello E2 pu muoversi dentro il metallo co-
me se si trovasse su una superficie equipotenziale.
Esso si muove con velocit media pi elevata quanto
maggiore la sua energia. Quando si avvicina alla superficie il
campo degli atomi periferici lo ricaccia indietro. L'elettrone si
trova in una buca di potenziale. Per, se riesce ad acquistare
energia sufficiente, livello E3, supera la barriera offerta dalla su-
perficie ed esce dal metallo. Per schematizzare il comportamen-
to degli elettroni di un metallo si pu rappresentare il volume
dello stesso come una buca equipotenziale ma con una barriera
di potenziale alla sua superficie, come mostrato in Fig.4.2-2.
4.2.1 Distribuzione dell'energia degli elettroni liberi
Per determinare le propriet elettriche dei solidi ci interessa conoscere la situazione della concentra-
zione degli elettroni in funzione dell'energia.
Si definisce dn = r dE, [4.2-1]
dove dn il numero di elettroni per unit di volume la cui energia sta nell'intervallo dE di E. La quantit r
la densit degli elettroni in questo intervallo sempre per unit di volume. Questa densit pu essere ricavata
come il prodotto di due funzioni e cio
r = N(E) F(E). [4.2-2]
La funzione N(E) detta la funzione degli stati disponibili mentre la F(E) la funzione di proba-
bilit di occupazione di stati.
4.2.2 La densit degli stati
La funzione N(E) del numero degli stati disponibili,
per unit di volume, nei materiali conduttori
[SM]

, E ) E ( N [4.2-3]
con . ) ' m 2 (
h
4
2 3
e
3

[4.2-4]
me' la cosiddetta massa efficace dell'elettrone. Nel si-
stema M.K.S. g = 1.06 10
56
J
1/2
/m
3
. Per il campo di forza,
l'elettrone nel metallo come se galleggiasse in un mare e la
sua massa di poco differente da quella propria dell'elettrone
lontano dalla struttura cristallina. La densit degli stati di un
metallo rappresentata nella figura accanto.
A
B C
D
Dentro il metallo
Verso lesterno
E1
E3
E2

Fig.4.2-1
E
x
Fuori dal metallo
EB

Fig.4.2-2
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3
0
1
2
3
4
5
6
7
8
x 10
46
E (eV)
N
(
E
)

(
c
m
-
3
)

Fig.4.2-3
La fisica dei dispositivi 126
4.2.3 La distribuzione di Fermi
Da considerazioni statistiche Fermi ha rica-
vato che la probabilit che un elettrone ha di
occupare uno stato a livello E
,
e 1
1
) E ( F
kT / ) E E ( F
+
[4.2-5]
k la costante di Boltzman, T la temperatura
assoluta e EF prende il nome di Livello di
Fermi. Poich per E = EF, F(E) = 1/2, indipen-
dentemente dalla temperatura, EF rappresenta
l'energia per la quale la probabilit di occupazio-
ne dello stato 0.5. La funzione di distribuzione
F(E) prende il nome di Funzione di Fermi.
La Fig.4.2-4 mostra la funzione di Fermi
per vari valori di T. Allo zero assoluto essa si
riduce ad una spezzata. La probabilit di avere elettroni a 0K, con energia superiore ad EF nulla, mentre
di averne con energia inferiore a EF unitaria. Nei metalli EF rappresenta la massima energia che un elettro-
ne pu avere a 0K.
4.2.4 La concentrazione degli elettroni liberi nei metalli
Allora, dalla [4.2-2], tenendo presenti le [4.2-3] e la [4.2-5]
,
e 1
E
) E ( F ) E ( N
kT / ) E E ( F
+

[4.2-6]
Poich per E = EF, F(EF) = 1/2, allora,
indipendentemente da T
,
2
E
) E (
F
F

[4.2-7]
Allo zero assoluto
,
E E per 0
E E per E
) E (
F
F

'

>
<
[4.2-8]
La Fig.4.2-5 mostra la distribuzione r in
un metallo come i tungsteno a 0 K, 1550 K e
3000 K. Si nota che, all'aumentare della tem-
peratura, solo gli elettroni pi energetici, cio
quelli con energia pi prossima ad EF, sono in-
teressati alle variazioni di energia. Sono essi che
si spostano da destra a sinistra nella figura.
Integrando la [4.2-1] si ottiene la concentrazione degli elettroni liberi cio il numero di elettroni libe-
ri per unit di volume
. dE ) E ( dn n
0 0


[4.2-9]
Tale concentrazione indipendente dalla temperatura. Quest'ultima fa solo variare la distribuzione energeti-
ca, non il numero degli elettroni liberi. Allora la concentrazione pu essere calcolata a 0 K. Quindi dalla
[4.2-8], tenendo presente che per E > EF, r (EF) = 0
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1 1.5 2
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
E-EF (eV)
F
(
E
)
0 K
300 K
600 K
900 K
1200 K
1500 K
1800 K
2100 K
2700 K
3000 K
2400 K

Fig.4.2-4
0 K
1500 K
3000 K
0 5 10 15
0
2
4
6
8
10
12
14
x 10
40
E (eV)
r r

(
c
m
-
3
)
EF
EW
EB
Tungsteno

Fig.4.2-5
La fisica dei dispositivi 127
. E
3
2
E
3
2
dE E n
2
3
F
E
0
E
0
2
3
F
F

[4.2-10]
Da questa .
2
n 3
E
3
2
F

,
_

[4.2-11]
Il livello di Fermi EF di un metallo pu essere determinata conoscendo la sua densit d, il numero di
elettroni l che ogni atomo libera, ed il suo peso atomico P. Poich il numero di Avogadro A = 6.02 10
23

il numero di atomi di un metallo contenuto in quantit di materia pari ad un peso atomico P si ricava che n =
A d l/P. Questa, sostituita nella [4.2-11] consente di ricavare il livello di Fermi nei metalli
Da questa .
P 2
l d A 3
E
3
2
F

,
_

[4.2-12]
Per esempio, nel tungsteno d = 18.8 10
3
Kg/m
3
, l = 2 e P = 184. Applicando le [4.2-10] e [4.2-11] si
ricava n = 1.23 10
23
/cm
3
, ed EF = 9 eV.
Torniamo un momento indietro e colleghiamo le due Figure 4.2-2 e 4.2-5. Si ottiene la Fig.4.2-6.
EW il potenziale destrazione. Mentre allo zero assoluto nessun elettrone pu uscire dalla buca di poten-
ziale, la probabilit che ci avvenga aumentando la temperatura diversa da zero e cresce con la stessa.
Questo fenomeno spiega l'emissione termoelettronica dei metalli utilizzata nei catodi dei tubi elettronici e nei
tubi a raggi catodici. Anche se leffetto sembra piccolo bisogna tenere presente la scala di r che ha un ran-
ge di 10
40
/cm
3
.
4.2.5 La conduzione nei metalli
La conduzione elettrica nei conduttori omogenei obbedisce alle leggi di Ohm. Ricordiamola.
V = I R,
V la differenza di potenziale applicata al conduttore, I la corrente che vi fluisce e R una costante che
si chiama resistenza del conduttore.
La resistenza di un conduttore legata ai parametri geometrici e fisici da
,
S
l
R [4.2-13]
0 K
1500 K
3000 K
0
5
10
15
0 2 4 6 8 10 12 14
x 10
40
E ( eV)
r
( cm
-3
)
E
F
E W
E
B
Tungst eno
0
5
10
15
E ( e V)
EF
E
W
EB
Ener gi a pot enzi al e
degl i el et t r oni l i ber i nel
met al l o nei pr essi del l a
super f i ci e
12. 7

1 0
40
el et t r/ cm
3
x
Di st anza dal l a
super f i ci e

Fig.4.2-6
La fisica dei dispositivi 128
nella quale r la resistivitdel materiale, l la sua lunghezza e S la sezione.
La resistivit, oltre che dal tipo di materiale,
dipende anche dalla temperatura. L'inverso della re-
sistivit viene detta conducibilited indicata con s.
s = 1/r [4.2-14]
Nella figura accanto mostrato il campo di variazio-
ne della conducibilit. Si noti il grande rapporto fra le
conducibilit dei conduttori e quella degli isolanti.
Sono ben 20 ordini di grandezza come minimo.
Consideriamo un conduttore omogeneo a sezione
costante S come quello mostrato nella Fig.4.2-8, ed ad esso
applichiamo una differenza di potenziale. Prendiamo ora due
sezioni perpendicolari alla direzione della corrente e distanti
fra di loro di dx. Sulla superficie a sinistra la tensione V,
mentre pi in la, a x+dx, la tensione V+dV. Per la conser-
vazione della carica elettrica la corrente la stessa fra le due
sezioni. Pertanto la caduta di potenziale fra le due superfici
.
S
dx
I
S
dx
I dV


Ne risulta un campo elettrico E tale che
.
S
I

dx
dV

[4.2-15]
Da cui I = s S E, [4.2-16]
o anche J = s E, [4.2.17]
in cui si posto J = I/S. [4.2-18]
J prende il nome di densit di corrente.
4.2.6 La mobilit degli elettroni nei metalli
Gli elettroni di conduzione in un metallo, per l'energia pos-
seduta, si muovono continuamente. In assenza di campo elettrico
l'energia fornita dalla temperatura. Si hanno movimenti a zigzag,
come quelli mostrati in Fig.4.2-9a perch gli elettroni, muovendo-
si, interagiscono ogni tanto con il reticolo. Una volta applicato un
campo elettrico il movimento caotico viene orientato. Gli elettroni,
pur muovendosi ancora a zigzag, vengono trascinati dal campo
elettrico (Fig.4.2-9b).
La velocit media degli elettroni lungo le linee del campo viene chiamata velocit di trascinamen-
to. Indichiamo con v(t) e a(t), rispettivamente, la velocit e l'accelerazione lungo la direzione del campo,
ma entrambe in verso opposto. Sia t t m il tempo medio fra due urti successivi che immaginiamo completa-
mente anelastici. Allora, lungo la direzione delle linee di forza, si ha un moto uniformemente accelerato con
accelerazione costante -a = -q E/m. Se l'urto completamente anelastico l'elettrone ogni volta ricomincia
con velocit nulla e all'instante t m dell'urto successivo sar v(t m) = -t m q E/m. La velocit media fra i due
urti, cio la velocit di trascinamento degli elettroni vn = -t m q E/2m. In effetti, pi che la massa dell'elet-
trone pi corretto utilizzare la sua massa efficace me'.
s s
(
W W
- 1 - 1
cm
-1
)
Semiconduttori
10
-30
10
-20
10
-10
10
0
10
10
Conduttori Isolanti

Fig.4.2-7
V
S
I
V + dV

Fig.4.2-8
E
vn
(a)
(b)

Fig.4.2-9
La fisica dei dispositivi 129
Dunque .
' m 2
q
v
e
m
n

[4.2-19]
E se si pone ,
' m 2
q
e
m
[4.2-20]
la [4.2-19] pu essere riscritta come
vn = -mE. [4.2-21]
La quantit mprende il nome di mobilit.
Se nel metallo la concentrazione di elettroni liberi n ed essi si spostano con velocit media vm si
ha una corrente
I = -q n vn S,
cio J = -q n vn = q n mE = s E. [4.2-22]
nella quale la conducibilit s
s = q n m. [4.2-23]
4.2.7 Conducibilit e temperatura
Aumentando la temperatura cresce l'agitazione
termica e diminuisce l'intervallo medio t m fra due urti.
Quindi anche la conducibilit e la mobilit diminuiscono
con la temperatura. Nella Fig.4.2-10 mostrata la
conducibilit di vari metalli. Ovviamente il comporta-
mento della resistivit linverso.
Se si definisce il coefficiente di temperatura del-
la resistenza come
,
RdT
dR
ctr [4.2-24]
si osserva che per i metalli tale coefficiente positivo.
Infatti, con la temperatura la conducibilit diminuisce, la
resistivit aumenta ed anche la resistenza. I metalli pi
usati come conduttori, come Ag, Cu, Al hanno resistivit r @ 27 C comprese fra 1.6 e 2.7 MW cm e
coefficienti di temperatura a temperatura ambiente fra 4100 e 4500 ppm/C. (ppm vuol dir parte per milio-
ne).
4.2.8 Il potenziale di contatto
Mettiamo a contatto due diversi materiali non isolanti A e B. Il livello di Fermi dei due materiali de-
ve coincidere dal momento che allo zero assoluto tutti gli elettroni debbono stare al disotto di esso. Allora,
fra i due materiali si manifesta una differenza di potenziale F AB dovuta ai diversi potenziali di estrazione.
Chiamiamo qF A e qF B, i lavori di estrazione dei due materiali. Allora
F AB = F A - F B. [4.2-25]
F AB detto potenziale di contatto. (Effetto Volta). Esso viene ottenuto perch si produce una diffusio-
ne di cariche mobili fra i due materiali. Se fra di essi se ne interpongono altri, la differenza VAB non cambia
(Legge dei materiali intermedi). Infatti, imponendo che il livello di Fermi costante in tutto il circuito si
ricava facilmente che il potenziale che si manifesta fra dei due materiali pi esterni dipende soltanto dai loro
lavoro di estrazione secondo la [4.2-25]. Tale potenziale elettrostatico non pu essere utilizzato per
produrre corrente. Infatti, connettendo i due materiali con un terzo conduttore la sommatoria di tutti i po-
tenziali di contatto si annulla.
s s

(
W W
-
1
c
m
-
1
)
T (K)
Ag
0 100 200 300 400 500 600
10
4
10
5
10
6
10
7
10
8
Au
Cu
Fe
Pt
Al

Fig.4.2-10
La fisica dei dispositivi 130
4.3. I semiconduttori
I materiali con gap basso, dell'ordine di 1eV, sono semiconduttori. I pi comuni sono il silicio, il
germanio e l'arseniuro di gallio. Nel resto della trattazione discuteremo essenzialmente di questi
semiconduttori. La TAV.4.3-1 riporta i parametri pi interessanti di questi materiali.
4.3.1 Il gap
L'altezza della banda proibita dipende
dallinterazione fra gli atomi nel solido e quindi funzione
del passo reticolare. Dato che con la temperatura i solidi
si dilatano, anche il gap varia con la temperatura. Pi
precisamente, salendo la temperatura, cresce il passo
reticolare. Da una serie di misure sono stati ricavati i dati
dai quali stato possibile determinare il comportamento
del gap con la temperatura mostrato nella Fig.4.3-1. Le
curve interessate sono marcate con 1.
Un fit abbastanza accurato da
,
T
T
) 0 ( E E
2
G G
+

[4.3-1]
nella quale EG(0) il gap a 0K e a e b so-
no dei coefficienti che si possono leggere
nella seconda, terza e quarta colonna della
TAV.4.3-2I. Tuttavia, per temperature ab-
bastanza alte, nella zona d'uso comune dei
semiconduttori, cio per T > 250K le cur-
TAV.4.3-1
Propriet dei materiali semiconduttori a 300 K
Ge Si GaAS SiO
2

Peso molecolare g 72.6 28.09 144.6 60.08
Densit degli atomi atomi/cm
3
4.4 10
22
5 10
22
2.2 10
22
2.3 10
22

Passo reticolare

5.6 5.53 5.65
Densit g/cm
3
5.32 2.33 5.32 2.27
Gap eV 0.67 1.11 1.4
NC stati/cm
3
1 10
19
2.8 10
19
4.7 10
17

NV stati/cm
3
6 10
18
1 10
19
7 10
18

ni cm-
3
2.4 10
13
1.5 10
10
1.8 10
6

Mobilit degli elettroni cm
2
/v sec 3900 1350 8600 isolante
Mobilit delle lacune cm
2
/v sec 1900 480 250 isolante
Costante di diffusione elettroni cm
2
/sec
3
98.8 33.8 430
Costante di diffusione lacune cm
2
/sec
3
46.6 13 13
Costante dielettrica relativa 16.3 11.7 12 3.9
Rigidit dielettrica KV/cm 80 300 350 6000
Punto di fusione C 937 1415 1238 1700
Calore specifico J/g C 0.31 0.7 0.35 1
Conducibilit termica W/cm C 0.6 1.5 0.81 0.014

G
a
p

(
e
V
)
T (K)
GaAs
1
Si
2
Ge
0 100 200 300 400 500 600 700 800
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
1
2
1
2

Fig.4.3-1
TAV.4.3-2
EG(0) (V) a x 10
-4
b EG0 (V) c x 10
-4

GaAs 1.519 5.405 204 1.565 4.8
Si 1.16 7.02 1108 1.226 3.55
Ge 0.741 4.56 210 0.78 3.98
La fisica dei dispositivi 131
ve della figura possono essere bene approssimate con le rette
EG = EG0 c T [4.3-2]
con EG0 e c variabili da materiale a materiale tabulate nella quinta e sesta colonna della medesima tavola.
Le medesime sono rappresentate nella Fig.4.3-1 e marcate con 2.
4.3.2 Semiconduttori intrinseci
Un semiconduttore si dice intrinseco se non contiene impurit,
o meglio, dato che ci praticamente impossibile, quando le impurezze
presenti danno un contributo irrilevante alla conduzione. Vedremo pi
avanti quello che significa.
La figura accanto fa vedere la struttura del cristallo di Si senza
impurezze schematicamente rappresentata in due dimensioni per sempli-
cit. In effetti la struttura del cristallo spaziale ed a diamante. Sono
rappresentati gli ioni nel reticolo e gli elettroni dei legami covalenti fra gli
atomi contigui. Fra due atomi ci sono due elettroni in compartecipazione.
4.3.2.1 Elettroni e lacune
Ogni atomo del reticolo crea legami con i quattro atomi vicini.
L'energia di legame abbastanza piccola ed anche a temperatura am-
biente qualche elettrone si allontana dal nucleo, diventa libero e pu
prendere parte alla conduzione. Contemporaneamente l'atomo da cui
fuoriuscito l'elettrone ha un legame covalente incompleto perch ora
manca un elettrone. Tale mancanza stata chiamata lacuna. La situazio-
ne illustrata nella Fig.4.3-3.
Anche la lacuna prende parte al processo di conduzione. L'ato-
mo cui manca una elettrone, cio quello dove la lacuna, attira un elet-
trone da uno di quelli vicini. E' facile che l'atomo saturi la sua valenza a
spese di un suo vicino che perde un elettrone. La lacuna si spostata dal primo al secondo atomo. Se non
c' campo lo spostamento avviene a caso. Come lelettrone libero vaga nello spazio interreticolare, come
gi descritto per gli elettroni di un metallo, anche la lacuna mobile vaga a caso, ancora a zigzag, per fra le
valenze degli atomi.
Anticipiamo un risultato che troveremo pi avanti e cio che nei semiconduttori puri, il livello di
Fermi sta circa a met della banda proibita fra EC (Livello inferiore della banda di conduzione ed EV (livello
superiore della banda di valenza.
La Fig.4.3-4 mostra
la situazione schematizzata
per i semiconduttore intrinse-
ci. Sono rappresentate le due
bande, di conduzione con li-
vello inferiore EC e di valenza,
col livello superiore EV sepa-
rate dal gap largo EG. EF sta a
met del Gap. Sulla stessa fi-
gura rappresentata la fun-
zione di Fermi. Nella Fig.4.3-
Si
Si Si
Si Si
Si
Si
Si Si

Fig.4.3-2
Si
Si Si
Si Si
Si
Si
Si Si
Elettrone
libero
Lacuna
mobile

Fig.4.3-3

0 K
0 0.5 1
F(E)
EF

EV
EC
EG
Banda di
Valenza
Banda di
Conduzione
E
300 K
600 K
0 0.5 1
F(E)
EF

EV
EC
EG
Banda di
Valenza
Banda di
Conduzione
E
0 K
Si

Si

(a)

300 K
600 K
0 0.5 1
F(E)
EF

EV
EC
EG
Banda di
Valenza
Banda di
Conduzione
E
0 K
Ge

(c)

(b)


Fig.4.3-4
La fisica dei dispositivi 132
4a quella a 0 K, mentre nella Fig.4.3-3b a 300 e 600 K. Entrambe queste figure si riferiscono al silicio
con un gap di circa 1.1 eV. La funzione di Fermi dice che a 0K la probabilit di avere elettroni con energia
superiore a EF nulla (Fig.4.3-4a). A tale temperatura gli elettroni stanno tutti in banda di valenza, riem-
piendo tutti gli stati di tale banda e lasciando completamente vuoti quelli possibili in banda di conduzione.
Non appena la temperatura sale, cambia la distribuzione di Fermi: vedi Fig.4.3-4b. La probabilit
che vi siano elettroni di energia superiore ad EC diversa da zero. Anche la probabilit di avere elettroni
con E < EV non pi comunque unitaria. La prima diminuisce man mano che la energia sale. La seconda
aumenta via via che l'energia scende.
Tutto questo vuol dire che qualche elettrone che sta pi in alto in banda di valenza pu saltare nella
parte bassa della banda di conduzione. La curva nella Fig.4.3-4b simmetrica rispetto al punto (0.5,EF).
Se la probabilit di occupare tutti gli stati nella parte superiore della banda di valenza non pi unitaria,
simmetricamente, la probabilit di occupare gli stati nella parte bassa della banda di con
nulla. Se chiamiamo ni e pi, rispettivamente, le concentrazioni di elettroni e di lacune nel semiconduttore in-
trinseco, abbiamo
ni = pi. [4.3-3]
Il pedice i sta per intrinseco.
Naturalmente poich il livello di Fermi comunque sempre a met Gap, per i semiconduttori con
Gap minore, a parit di temperatura, si avr una probabilit pi alta che il salto avvenga. Basta osservare la
Fig.4.3-4c relativa al germanio con Gap di circa 700 meV.
4.3.2.2 La concentrazione delle cariche mobili nei semiconduttori intrinseci
Abbiamo visto che dn = N(E) F(E) dE.
Nei metalli si assunto come livello zero quello pi basso in banda di conduzione. Nei semiconduttori il li-
vello pi basso in banda di conduzione non zero ma EC. Allora
. E E ) E ( N C [4.3-4]
Chiamiamo EFi il livello di Fermi nei semiconduttori intrinseci, per distinguerlo dagli altri casi. Allora


+


C
Fi
C E
kT / ) E E (
C
E
i dE
e 1
E E
dE ) E ( F ) E ( N n
nella quale si usata per la funzione di Fermi lespressione [4.2-5]
A temperatura ambiente (27C 300K), kT 0.026 eV. Dato che il livello di Fermi sta circa a
met del gap, per gli elettroni in banda di conduzione E - EFi > EG/2. Questa quantit superiore, per qua-
lunque dei semiconduttori principali, a non meno di 390 meV. Pertanto lesponente (E-EFi)/kT almeno
13. E quindi al denominatore della [4.2-5] il numero 1 trascurabile rispetto al termine esponenziale. Allo-
ra la precedente si approssima a
. dE e E E n
C
Fi
E
kT / ) E E (
C i



Il calcolo, usando lespressione [4.2-4] di g, porta a
. e
h
kT ' m 2
2 n
kT / ) E E (
2 3
2
e
i
Fi C

,
_


[4.3-5]
Nei semiconduttori il livello pi alto in banda di valenza non zero ma EV. Allora la funzione di di-
stribuzione degli stati disponibili
. E E ) E ( N V [4.3-6]
Per le lacune in banda di valenza, analogamente a quanto detto per gli elettroni in conduzione, E - EFi < -
EG/2 < 0 e lesponente (E-EFi)/kT < -13. Quindi, questa volta il termine esponenziale ad essere molto
piccolo. Se F(E) esprime la probabilit che un elettrone sia in banda di valenza, la probabilit che un elet-
La fisica dei dispositivi 133
trone abbia lasciato la banda di valenza e quindi sia una lacuna 1- F(E). Ma allora, usando la [4.2-5]
. e
e 1
e
e 1
1
1 ) E ( F 1
kT / ) E E (
kT / ) E E (
kT / ) E E (
kT / ) E E (
Fi
Fi
Fi
Fi

+

Procedendo in maniera analoga, per, cambiando opportunamente i limiti dintegrazione funzione di
densit degli stati, si ricava
. dE e E E dE )] E ( F - [1 ) E ( N p
V
Fi
V E
kT / ) E E (
V
E
i



I risultato finale
kT / ) E E (
2 3
2
l
i
V Fi
e
h
kT ' m 2
2 p

,
_


[4.3-7]
nella quale con ml' si indicata la massa efficace della lacuna.
Posto
2 3
2
e
C
h
kT ' m 2
2 N
,
_


[4.3-8]
e
2 3
2
l
V
h
kT ' m 2
2 N
,
_


[4.3-9]
le [4.3-5] e [4.3-7] si riducono, rispettivamente a

kT / ) E E (
C i
Fi C
e N n

[4.3-10]
e , e N p
kT / ) E E (
V i
V Fi
[4.3-11]
stata fatta una distinzione fra le due masse efficaci dell'elettrone e della lacuna. Esse sono legger-
mente diverse. Ci perch il comportamento delle particelle nei solidi descritto dalle leggi della meccanica
quantistica. Dare conto numerico di tale differenza esula dallo scopo di questa trattazione. In ogni caso, dal
punto di vista quantitativo trascurare questa differenza fra le masse non provoca sostanziali variazioni nei
risultati.
4.3.2.3 Il livello di Fermi negli intrinseci
A regime, per ogni elettroni libero si crea anche una lacuna.
Cio si produce una coppia elettrone-lacuna, e, come gi visto
nella [4.3.3] ni = pi. Sostituendo in quest'ultima le [4.3-10] e [4.3-
11]
kT / ) E E (
V i
kT / ) E E (
C i
V Fi Fi C
e N p e N n


da cui si ricava .
N
N
ln
2
kT
2
E E
E
C
V V C
Fi +
+
[4.3-12]
NC e NV, alla stessa temperatura, differiscono soltanto per
la massa efficace. Quindi ragionevole trascurare il secondo termi-
ne al secondo membro, e come abbiamo anticipato
.
2
E E
E
V C
Fi
+
[4.3-13]
Calcoliamo il prodotto ni pi alla stessa temperatura:
. e N N e N e N n p n
kT / ) E E (
V C
kT / ) E E (
V
kT / ) E E (
C
2
i i i
V C V Fi Fi C

Cio . e N N n p n
kT / ) E (
V C
2
i i i
G
[4.3-14]
Sostituendo per NC ed NV le [4.3-8] e [4.3-9]
germanio
silicio
arseniurio di gallio
0.5 1 1.5 2 2.5 3
10
6
10
8
10
10
10
12
10
14
10
16
10
18
10
1000/T
3.5 4
ni (cm
-3
)
20

Fig.4.3-5
La fisica dei dispositivi 134
kT / ) E (
2 3
2
l
2 3
2
e
2
i i i
G
e
h
kT ' m 2
2
h
kT ' m 2
2 n p n

,
_

,
_



e . e ) ' m ' m ( ) kT (
h
2
4 n
kT / ) E ( 2 3
l e
3
3
2
2
i
G

,
_



, e T C n p n
kT / ) E ( 3
0
2
i i i
G
[4.3-15]
in cui . ) ' m ' m (
h
2
k 4 C
2 3
l e
3
2
0
,
_


[4.3-16]
La [4.3-15] confermata sperimentalmente. La Fig.4.3-5 mostra l'andamento di ni per i semicon-
duttori pi comuni.
4.3.3 Semiconduttori drogati
Se in un semiconduttore intrinseco si introducono quantit opportune di altre sostanze che modifica-
no la concentrazione di almeno una delle cariche mobili, si dice che il semiconduttore drogato.
I semiconduttori del IV gruppo, come il Ge ed il Si vengono drogati con sostanze del III o del V
gruppo.
4.3.3.1 Impurit donatrici
Studiamo quello che avviene se limpurit appartiene al V gruppo. Per esempio introduciamo fosfo-
ro (P) nel Si. L'atomo di fosforo si collochi nel reticolo in una posizione che dovrebbe essere occupata da
un atomo di Si. Si dice che l'impurezza lo ha sostituito. Invece, se l'impurezza si trova in un'altra posizione,
viene detta interstiziale. La Fig.4.3-6a mostra il solito schema bidimensionale semplificato con il semi-
conduttore drogato con una sostanza pentavalente in modo sostituzionale. Al centro posto latomo di fo-
sforo circondato da atomi di silicio da ogni parte.
Il fosforo ha 5 elettroni nell'orbita di
valenza. Quattro di loro formano legame
con i quattro atomi di germanio vicini, il
quinto elettrone non legato con alta ener-
gia. Bastano appena 0.045 eV per allonta-
narlo dall' atomo di fosforo. Allora si produ-
ce un elettrone libero. Tuttavia, questa
volta, non si crea anche una lacuna. Infatti
rimasto l'atomo di fosforo carico positivo,
ma non mobile. La debole energia di questo
ione positivo non capace di strappare
elettroni dagli atomi di Si vicini. Quindi il fo-
sforo ha dato luogo ad un elettrone libero
ed ad uno ione positivo immobile nel reticolo. L'introduzione dellimpurit ha prodotto un livello possibi-
le ED in banda proibita, appena pi sotto della banda di conduzione (Fig4.3-6b). Se nel semiconduttore
sono presenti solo sostanze pentavalenti, ci sono, allora, pi elettroni liberi che lacune. Infatti alle coppie
prodotte per effetto termico si aggiungono elettroni dovuti al drogaggio. Dal momento che le cariche nega-
tive sono in quantit superiore queste vengono dette cariche maggioritarie. In un semiconduttore drogato
con sostanze pentavalenti, gli elettroni sono le cariche maggioritarie, mentre le lacune sono le cariche mino-
ritarie. Dato che le cariche maggioritarie sono cariche negative, il semiconduttore cos drogato prende il
nome di semiconduttore n.

(a)

Si
Si
P
Si Si
Si
Si
Si Si
Elettrone
libero
Ione
positivo
immobile

EG
Banda di
Valenza
Banda di
Conduzione
(b)

EC
EV
E
ED
0.045 eV
Livello del
donore fosforo

Fig.4.3-6
La fisica dei dispositivi 135
4.3.3.2 Impurit accettrici
Il drogaggio pu essere eseguito con impurit trivalenti. La Fig.4.3-7a serve per spiegare l'effetto in
tale caso. stato usato come drogante il boro.
L'impurezza satura le valenze di tre dei
quattro atomi vicini. Ma viene a mancare un e-
lettrone per saturare la valenza del quarto. Cio
si determina una lacuna che si satura a spese di
qualche atomo vicino. E nella zona che com-
prende l' atomo di boro la situazione diventa
stabile, ma, c' un elettrone in pi che prati-
camente inchiodato e deve stare in quella zona.
Si creato, nella banda proibita, un l ivello
permesso EA appena al di sopra della banda di
valenza (Fig.4.3-7b). Gli elettroni di questa
banda, con poca energia, passano in questi livelli lasciando lacune mobili nella banda di valenza.
Drogando con sostanze trivalenti, le lacune sono le cariche maggioritarie, mentre gli elettroni sono le
minoritarie. Le maggioritarie sono cariche positive ed il semiconduttore viene detto p.
Poich le impurit pentavalenti donano elettroni mentre le trivalenti li accettano, le prime vengono
dette impurit donatrici (donori) le seconde accettrici (accettori). Indicheremo con ND e NA, rispetti-
vamente, le concentrazioni delle impurezze donatrici ed accettrici. possibile che in un semiconduttore sia-
no presenti entrambe le impurezze.
4.3.3.3 I livelli energetici dei droganti
Nella Fig.4.3-8 sono mo-
strati i livelli energetici delle impu-
rezze. Per ogni materiale, la figura
divisa in due parti dal livello di
Fermi al centro del gap. Nella
parte superiore del gap sono in-
dicate le energie Ei necessarie, i
donatori, perch un elettrone salti
in banda di conduzione. Nella
parte inferiore del gap sono indi-
cate le energie Ei necessarie, per
gli accettori, perch un elettrone
dalla banda di valenza occupi il
livello introdotto dall'accettore nel
gap.
preferibile usare mate-
riali che abbiano basse Ei. La
scelta dell'elemento migliore, nei
vari casi, dipende anche forte-
mente dalle propriet metallurgi-
che delle leghe fra i semicondut-
tori ed i droganti.

EV
EA
(a)

Si
Si
B
Si Si
Si
Si
Si Si
Ione
negativo
immobile
Lacuna
mobile

EG
Banda di
Valenza
Banda di
Conduzione
(b)

EC
E
0.045 eV

Fig.4.3-7
0.66ev
1.12ev
1.42ev
GaAs
Si
Ge

Fig.4.3-8
La fisica dei dispositivi 136
4.3.3.4 La legge d'azione di massa
Le [4.3-10] e [4.3-11] sono state calcolate supponendo che le energie degli elettroni in banda di
conduzione o delle lacune in banda di valenza fossero tali che EFi - E superasse largamente kT che a 27 C
e di 26 meV. Il livello di Fermi nei semiconduttori drogati non resta pi a met del gap. Tuttavia, malgrado
ci, la condizione precedente sempre verificata, come vedremo pi in l, e, anche nei semiconduttori dro-
gati sono valide espressioni simili alla [4.3-10] e [4.3-11]. Cio
. e N n
kT / ) E E (
C
F C
[4.3-17]
, e N p
kT / ) E E (
V
V F
[4.3-18]
Moltiplicando le due espressioni si ottiene la cosiddetta Legge d'azione di massa. Si procede in
modo analogo a quanto stato fatto per ricavare la [4.43]. Cio
, e T C n np
kT / E 3
0
2
i
G
[4.3-19]
con C0 dato dalla [4.3-16]. Cio il prodotto np indipendente dal drogaggio e dipende, oltre che
dal semiconduttore, anche e solo dalla temperatura.
4.3.3.5 Il livello di Fermi dei semiconduttori drogati
Pur se il prodotto delle due concentrazioni non varia, variano i due fattori: con il drogaggio si sposta
il livello di Fermi. In ogni caso, dalle [4.3-17] e [4.3-18]
,
n
N
ln kT E E
C
F C [4.3-20]
e ,
p
N
ln kT E E
V
V F [4.3-21]
Cerchiamo di capire cosa succederebbe se tutti gli stati disponibili venissero occupati. Per esempio,
in un semiconduttore n, al massimo, nn = NC e dalla [4.3-20] si vede che il livello di Fermi sale ad EC. Ana-
logamente, in un p, al massimo pp = NV ed il livello di Fermi scende a EV. Concludendo:
EV < EA < EF < ED < EC. [4.3-22]
Riferiamoci, al solito, al caso di drogaggio non degenere. Quando si introducono impurezze si ag-
giungono atomi ad un solido elettricamente neutro, ognuno dei quali neutro. Quindi, alla fine, il solido dro-
gato comunque neutro. Pertanto la sommatoria di tutte le cariche, prese in valore e segno, deve essere
nulla. Prendiamo il caso pi generale in cui esistono entrambi i tipi di drogante in un semiconduttore non
degenere. All'interno di un volume V si avranno VNA ioni negativi immobili e VND ioni positivi immobili
bilanciati da Vp lacune e Vn elettroni liberi. La carica positiva nel volume, cio q V (ND + p) equilibra
quella negativa q V (NA + n). Cio
q V (ND + p) = q V (NA + n)
Dividendo tutta l'espressione precedente per q V e ordinandola in modo diverso
ND - NA + p n = 0.
Dalla [4.3-19] np = ni
2
, e facendo sistema con la precedente si ottiene ND - NA + p ni
2
/p = 0. Cio
p
2
(ND - NA)p ni
2
= 0. Da quest'ultima si ricava
.
N N
n 2
1 1 ) N N ( n 4 ) N N ( N N p
2
D A
i
D A
2
i
2
D A D A
1
1
]
1

,
_

+ + + + [4.3-23]
Da ora in poi aggiungeremo alle concentrazioni delle cariche un pedice che serve ad indicare il tipo di dro-
gaggio effettuato. Ed allora pp e nn sono le concentrazioni maggioritarie, rispettivamente, di elettroni nell'n e
di lacune nel p, mentre pn e np sono le concentrazioni minoritarie, rispettivamente, di lacune nell'n e di elet-
troni nel p.
La fisica dei dispositivi 137
Supponiamo che sia NV >> NA - ND >> 2ni > 0, [4.3-24]
il materiale (non degenere) drogato p, e la radice nell'espressione [4.3-23] si approssima a 1. Allora, u-
sando le notazioni introdotte:
pp NA - ND, [4.3-25]
e dalla [4.3-19] np = ni
2
/(NA - ND). [4.3-26]
Facciamo un esempio. Studiamo il silicio a 300 K. Prendiamo alcuni valori dalla TAV.4.3-1. Sia
NV = 10
19
/cm
3
mentre ni = 2.4 10
13
/cm
3
. Droghiamo con NA - ND = NV = 10
16
/cm
3
. E usiamo le ultime
due e la [4.3-21] pp NA - ND = 10
16
/cm
3
, np = ni
2
/(NA - ND) = (2.4 10
13
)
2
/10
16
/cm
3
= 5.76 10
10
/cm
3
,
. meV 180 ) 10 / 10 ln( 26 ) p / N ln( kT E E
16 19
V V F Il livello di Fermi si pone a circa un sesto nel gap.
Se si aumenta ancora il drogaggio con NA, il livello di Fermi si avvicina sempre pi alla parte superiore del-
la banda di valenza.
Ovviamente se si considera un drogaggio in cui
NC >> ND NA >> 2ni > 0 [4.3-27]
allora il materiale (non degenere) drogato n e, in modo analogo,
nn ND NA, [4.3-28]
e pn >> ND
2
/nn. [4.3-29]
Determiniamo ci che avviene del livello di Fermi nei semiconduttori drogati. Consideriamo gli elet-
troni. Dalla [4.3-12] e dalla [4.3-20] si ha ,
N
N
ln
2
kT
2
E E
n
N
ln kT E E E
C
V V C
n
C
C Fi F
+

cio .
n
N N
ln kT
2
E
E E
n
V C G
Fi F [4.3-30]
Finche il materiale non degenera nn
ND NA. Aumentando il drogaggio, quindi, il
secondo termine al secondo membro nella
[4.3-30] diminuisce. Se tutti gli stati disponibili
nella banda di conduzione venissero occupati,
nn = NC NV e questo termine si avvicine-
rebbe a zero. Quindi, aumentando il drogag-
gio, il livello di Fermi si sposta verso l'alto e si
avvicina al limite inferiore della banda di con-
duzione. Capovolgendo la [4.3-15] si ha
. e n N N
kT / E 2
i V C
G
[4.3-31]
che sostituita nella [4.3-30], dopo qualche
passaggio da
.
n
n
ln kT E E
i
n
Fi F [4.3-32]
Ovviamente, se non si droga, nn = ni ed il livello di Fermi non si sposta.
Sostituendo nella [4.3-31] la [4.3-15]si ricava
.
T C
n
ln
2
kT
2
E
E E
3
0
2
n G
Fi F + [4.3-33]
Il termine con il logaritmo tende ad annullarsi con T: diminuendo la temperatura il livello di Fermi tende a
EG/2. Tuttavia, se questa troppo bassa, i donatori non forniscono elettroni e la precedente espressione
perde di significato. Ma ci avviene anche alle alte temperature. Infatti tutto stato ricavato nella ipotesi
che sia |EFi - E| > kT, ma quando, ad alta T, questa condizione non vale pi, anche la [4.3-32] non pi

10
13
10
14
10
15
10
16
10
17
0
100
200
300
400
500
600
700
T
i

(

C
)

ND(cm
-3
)
GaAs
Si
Ge

Fig.4.3-9
La fisica dei dispositivi 138
applicabile. Ad alte temperature aumenta ni ed il semiconduttore tende sempre pi a diventare intrinseco.
Data una concentrazione di drogante, si dice temperatura intrinseca Ti(N) quella temperatura
alla quale c' la stessa concentrazione di cariche mobili che se fosse drogato con impurezze di pari concen-
trazione. La Fig.4.3-9 mostra il grafico della temperatura intrinseca per Ge, Si e GaAs. Il grafico non al-
tro che la figura 4.3-5 con gli assi scambiati e graficata in funzione di T invece che di 1000/T.
Quanto detto a proposito del livello di Fermi
confermato da risultati sperimentali. La Fig.4.3-10 mo-
stra il comportamento del livello di Fermi nel silicio dro-
gato con fosforo o con boro in diverse concentrazioni.
Quando il comportamento del materiale si avvicina a
quello intrinseco il livello di Fermi si sposta a met del
gap.
Per concludere proponiamo una sintesi schema-
tica in Fig.4.3-11. La prima colonna mostra le bande ed
i vari livelli energetici. Nella seconda rappresentata la
densit degli stati N(E), nella terza la funzione di Fermi
F(E) e nell'ultima la distribuzione delle concentrazioni
delle cariche mobili. La prima riga illustra la situazione
nel caso di semiconduttore intrinseco, la seconda riga
per il materiale n e lultima per il materiale p.

-200 -100 0 100 200 300 400 500
-0.6
-0.4
-0.2
0
0.2
0.4
0.6
10
12

10
13

10
15

10
15

10
16

10
16

10
17

10
17

10
12

10
13

10
14

10
14

10
18

10
18

Gap
Gap
fosforo
boro
E
F
-
E
F
i

(
e
V
)

Banda di valenza
Banda di conduzione
T (C)

Fig.4.3-10

(b)

(d) (c)
ED
1 0 0.5
EG

Banda di valenza
Banda di conduzione
EF
F(E)

N(E)
E

E

E

E

1
0 0.5
EG

EF
F(E)

N(E)
E

E

E

E

0
0.5
EG

EF
F(E)

N(E)
E

E

E

E

EA
0.045
eV
0.045
eV
(a)

EV
EC
EV
EC
EV
EC
Livello
dellaccett
ore
Livello
dell
donatore
NA
ND
ni
pi
pp
nn
np
pn
Banda di conduzione
Banda di conduzione
Banda di valenza
Banda di valenza

Fig.4.3-11
La fisica dei dispositivi 139
Con il drogaggio si creano stati che vengono facilmente occupati. Il livello di Fermi si sposta o ver-
so l'alto negli n, o verso il basso, nei p. Come risultato le concentrazioni dei due portatori si squilibrano.
4.3.3.6 Concentrazione delle cariche mobili nei semiconduttori drogati
Se la concentrazione del drogante bassa, a temperature sufficientemente alte, ognuno degli atomi
di impurezze fornisce una carica mobile. Per esempio se ND la concentrazione del donatore e V il vo-
lume del semiconduttore, allora, NDV elettroni sono forniti dal drogante.
Se la concentrazione del drogante
diventa eccessiva il semiconduttore diventa
degenere. Se la concentrazione del drogante
si avvicina o supera quello degli stati dispo-
nibili il livello di Fermi esce dal gap e va, a
seconda dei casi in banda di valenza o di
conduzione. Le conseguenze di questo fatto
sono alla base del funzionamento dei diodi
Tunnel.
Tuttavia, quando il semiconduttore
non degenere, perch tutti gli atomi di
drogante liberino elettroni necessario for-
nire una certa energia. A temperatura trop-
po bassa ci riesce soltanto in parte. Quan-
titativamente ci dipende dal livello energeti-
co del drogante. Tanto pi vicino ad EC
tanto minore sar la temperatura a cui tutte
le impurezze liberano gli elettroni. Wolfstirn
[WO]
ha mostrato che la concentrazione di elettroni liberi anche
per effetto del drogaggio ha una espressione del tipo
.
e 5 . 0 1
1
1 N n
kT / ) E E (
D n
D F

,
_

+


[4.3-34]
ED il livello energetico dei donatori.
Lenergia minima richiesta ad un elettrone per saltare dal livello di donatore in banda di conduzione
eD = EC - ED. Per il calcolo dellesponente al denominatore procediamo come segue: EF - ED = EF
EFi + EFi EC + EC ED = EF EFi EG/2 + eD. Utilizzando la [4.3-32] lesponenziale a denominatore
diventa:
kT / ) e 2 E (
n i
kT / ) e 2 E ( kT / ) E E ( kT / ) E E ( D G D G Fi F D F
e n n e e e

. Sostituendo questo valore nella [4.3-34]
e ricavando nn, dopo alcuni passaggi omessi si trova:
.
2
e n N 8 e n e n
n
kT / ) e 2 E (
i D
kT / ) e 2 E ( 2 2
i
kT / ) e 2 E (
i
n
D G D G D G
+ +
[4.3-35]
In Fig.4.3-12 mostrato ci che avviene quando si droga il silicio con la stessa concentrazione di diverso
tipo. Lantimonio che ha un livello di soltanto 39meV al disotto di EC e nn diventa ND a circa a 125 K,
mentre il bismuto che ha un livello pi profondo fino a 69meV ha bisogno allincirca di 150 K per fare lo
stesso.
Un calcolo simile pu essere svolto per le lacune al livello EA usando per la loro concentrazione
lespressione
[WO]

.
e 25 . 0 1
1
1 N p
kT / ) E E (
A p
A F

,
_

+


[4.3-36]

2 4 6 8 10 12 14 16 18
10
13
10
14
10
15
10
16
10
17
Arsenico
ec =54 meV

Bismuto
ec =69meV
ND = 10
15
cm
-3

regione intrinseca
regione di congelamento
regione di saturazione
Fosforo
ec =45meV
Antimonio
ec =39meV

1000/T
n
i

(
c
m
-
3
)

SILICIO

Fig.4.3-12
La fisica dei dispositivi 140
4.4. Il trasporto delle cariche nei semiconduttori
Per gli elettroni dei metalli stato gi trovato la velocit di trascinamento e la mobilit degli elettroni
con le [4.2-19] e [4.2-20]. Anche nei semiconduttori valgono le stesse espressioni. Ma, oltre gli elettroni ci
sono le lacune.
Indichiamo con il pedice n le grandezze relative agli elettroni e con il pedice p quelle relative alle la-
cune. Allora:
; v n n [4.4-1]
;
' m 2
q
e
me
n

[4.4-2]
; v p p [4.4-3]
.
' m 2
q
l
ml
p

[4.4-4]
La differenza nel segno fra le [4.4-1] e [4.4-3] giustificata dal fatto che la velocit di trascinamento di e-
lettroni e lacune sotto lo stesso campo elettrico sono in verso opposto.
4.4.1 Mobilit
La mobilit degli elettroni pi alta di quella delle lacune, a pari condizioni. I primi, infatti, possono
muoversi nello spazio interreticolare, mentre le seconde solo fra i legami interatomici.
4.4.1.1 Mobilit e concentrazione
La mobilit delle cariche funzione della con-
centrazione. Quando questa aumenta diminuisce il li-
bero cammino medio fra due urti ed anche il corri-
spondente tempo medio fra i due urti. La Fig.4.4-1
mostra il modo di variare della mobilit nei vari tipi di
semiconduttore, al variare del drogaggio a temperatu-
ra ambiente. interessante notare che, in ogni caso la
mobilit nei materiali drogati n superiore a quelli dei
p. Ma mentre per germanio e silicio si ha un rapporto
contenuto fra 2 e 3, per larseniuro di gallio il rapporto
arriva a circa 30. La mobilit del GaAs tipo n note-
volissima, pi di due volte pi alta di quella del silicio.
4.4.1.2 Mobilit e temperatura
Nei metalli ogni elettrone pu essere deviato dagli atomi tutti egualmente ionizzati, tanto pi, quanto
maggiore lagitazione termica. Nei semiconduttori si hanno due meccanismi diversi di deviazione che con-
tribuiscono a cambiare il tempo medio fra due urti. Uno di essi ancora dovuto all'agitazione termica, men-
tre l'altro determinato dalla presenza delle impurezze e relativi ioni che attirano o respingono, deviandole,
le cariche mobili.
La meccanica statistica consente di determinare i due effetti sulla mobilit. Il primo termine tende a
farla diminuire con la temperatura come T
-3/2
, mentre l'altro tende a farla crescere come T
3/2
.
Possiamo dare una spiegazione semplice di ci. A bassa temperatura l'agitazione termica piccola,
gli elettroni sono lenti ed il loro cammino viene influenzato molto dal campo degli ioni immobili. Se sale di
poco la temperatura, aumenta la velocit delle cariche mobili le quali sono influenzate meno della azione de-

10

14
10

15
10

16
10

17
10

18
10

19
10

2
10

3
10
4
m m (cm
2
/V sec)
Ge n
GaAs n
Si p
GaAs p
Concentrazione del drogante (cm
-3
)
Si n
Ge p

Fig.4.4-1
La fisica dei dispositivi 141
gli ioni fissi. Allora la mobilit a bassa temperatura sale con essa. Leffetto aumenta con il numero di ioni
presenti e quindi con la concentrazione. Ad alta temperatura l'agitazione la causa principale che diminui-
sce il tempo medio fra due urti. Se cresce la temperatura sale lagitazione e diminuisce il tempo medio fra
due urti e quindi la mobilit. Quindi non ha molta importanza se il semiconduttore sia drogato o no. L'effetto
degli ioni trascurabile, data l'energia delle cariche mobili.
La Fig.4.4-2 mostra l'andamento della mobilit nel silicio al variare della temperatura, per vari dro-
gaggi. A sinistra il drogaggio con donatori, a destra con accettori, Si nota che alle alte temperature le
pendenze delle curve tendono a confondersi. Una espressione valida soltanto per temperature al di sopra di
25 C : . cT

[4.4-5]
Il coefficiente a sperimentalmente ha fluttuazioni importanti rispetto a 3/2 predetto dalla teoria. Pi preci-
samente si ha an
Si
= 2.5; ap
Si
= 2.7; an
Ge
=1.66; ap
Ge
= 2.33; an
GaAs
= 1; ap
GaAs
= 2.1.
4.4.1.3 Resistivit e conducibilit dei semiconduttori
Applicando una differenza di potenziale ad un semiconduttore si ha un movimento degli elettroni
verso il punto a potenziale pi alto e delle lacune verso quello a potenziale pi basso. Il verso convenziona-
le della corrente coincide quello del movimento delle lacune. Gli elettroni, negativi, si spostano in verso op-
posto alle lacune. Quindi entrambe le cariche partecipano alla corrente con contributi dello stesso segno.
Estendendo la [4.2-23] si ha s = q (n mn + p mp) [4.4-6]
e la resistivit .
) p n ( q
1
p n +
[4.4-7]
Consideriamo un semiconduttore drogato. La conduzione essenzialmente dovuta alle cariche
maggioritarie. Per un tipo n si ha
sn = q n mn [4.4-8]
e la resistivit .
qn
1
n
n

[4.4-9]
Mentre per un p sp = q p mp, [4.4-10]
e la resisistivit .
qp
1
p
p

[4.4-11]
Un semiconduttore di tipo n, a parit di
drogaggio e temperatura, conduce leggermente
meglio del p per effetto della mobilit superiore
degli elettroni.
- 50 0 5 0 100 150 200
1 0
2
1 0
3
T ( C)
mobi l i t di l acune ( cm
2
/ V sec)
- 50 0 5 0 100 150 200
1 0
2
1 0
3
T ( C)
mobi l i t di el et t r oni ( cm
2
/ V sec)
NA = 10
19
/ cm
3
N A = 10
17
/ cm
3
NA = 10
16
/ cm
3
NA = 10
18
/ cm
3
NA = 10
14
/ cm
3
ND = 10
19
/ cm
3
ND = 10
17
/ cm
3
ND = 10
16
/ cm
3
N D = 10
18
/ cm
3
N D = 10
14
/ cm
3

Fig.4.4-2

GaAs p
10
14
10
16
10
18
10
20
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0

10
1

10
2
N (cm
-3
)
R
e
s
i
s
t
i
v
i
t

W W

c
m

GaAs n
Ge p
Ge n
Si p
Si n

Fig.4.4-3
La fisica dei dispositivi 142
Se cresce la concentrazione la resistivit diminuisce. La resistivit a 300 K dei soliti semiconduttori
verso la concentrazione delle impurezze mostrata nella Fig.4.4-3. L'andamento abbastanza lineare per
tutto il campo.
4.4.1.4 Resistivit, conducibilit e temperatura
Combinando gli effetti termici sulla mobilit e sulla concentrazione delle cariche mobili si ottiene
l'andamento della conducibilit. La Fig.4.4-4 si riferisce a silicio di tipo p, a titolo desempio. Nella figura a
sinistra mostrata la concentrazioni di lacune, sia per materiali intrinseci che per drogati. Quella centrale
la Fig.4.4-2 estesa fino a 600 C. Dal momento che Logs = Logn + Logm+ Logq, sommando i due gra-
fici, a parte la costante Log q, si ottiene la figura a destra che rappresenta il comportamento della conduci-
bilit con la temperatura.
Il comportamento delle curve facilmente spiegabile alla luce di quanto detto finora. A basse tem-
perature prevale l'andamento estrinseco e la conducibilit dipende dalla concentrazione. Ad alta temperatu-
ra il comportamento intrinseco ed indipendente dalla concentrazione.
4.4.2 La diffusione dei portatori
Un campo elettrico fa muovere le cariche per trascinamento. Ma questo non l'unico meccanismo
che pu dar luogo a movimento di cariche. Se la concentrazione delle cariche mobili non uniforme si ha la
diffusione. Le cariche mobili tendono a spostarsi dalle zone dove la concen-
trazione superiore verso quelle dove pi bassa. Il meccanismo del tutto
simile a qualunque altro processo di diffusione, a parte che a diffondere sono
particelle cariche e non neutre.
Per spiegare questo fenomeno semplifichiamo la trattazione conside-
rando un caso unidimensionale. Cio immaginiamo che la concentrazione delle
cariche mobili vari solo lungo una dimensione. Come mostrato in Fig.4.4-5.
L'estensione al caso tridimensionale da risultati sostanzialmente eguali, ma con
calcoli pi complicati.
Per l'agitazione termica, gli elettroni si muovono a caso. Vediamo ci che avviene nella zona tra le
due superfici di eguale sezione S, poste a x ed a x+D Dx, con Dx molto piccolo, nelle quali le concentrazioni
sono rispettivamente p(x) e p(x+D Dx). Poich il moto della diffusione del tutto casuale, le lacune che sono
comprese nel volumetto SDx, con concentrazione praticamente costante e pari a p(x), vanno met verso la
destra e l'altra met verso sinistra. Verso destra si spostano S Dx p(x)/2 lacune. Dall'altro volumetto posto

T (C)
500 -100 0 100
200 300 400
10
4

10
6

10
8

10
10

10
12

10
14

10
16

10
NA =10
19
/cm
3

N
A
=10
17
/cm
3

N
A
=10
16
/cm
3

N
A
=10
18
/cm
3

NA =10
14
/cm
3

Concentrazione
di lacune (cm
-3
)
E la Fig.4.3-12 per
Materiale p
capovolta rispetto
alle ascisse
Intrinseco
mobilit di lacune
(cm
2
/V sec)
T (C)
NA=10
18
/cm
3

NA=10
19
/cm
3

E la Fig.4.4-2

10
1

10
2
10
3

500 -100 0 200 300 400
NA=10
17
/cm
3

NA=10
16
/cm
3

NA=10
14
/cm
3

Conducibiilit
(W W
-1
cm
-1
)
T (C)
NA=10
19
/cm
3

10
-2

10
-1

10
0

10
1

500 -100 0 100
200 300 400
NA=10
16
/cm
3

N
A
=10
17
/cm
3

NA=10
18
/cm
3

NA=10
14
/cm
3

Drogante As
Drogante As
Drogante As

Fig.4.4-4

x
x+Dx
p(x)
p(x+Dx)
x
p

Fig.4.4-5
La fisica dei dispositivi 143
pi a destra di Dx, in cui la concentrazione p(x+Dx), se ne spostano, analogamente, per verso l'altra
parte, una quantit SDx p(x+Dx)/2. Quindi il numero netto di lacune che passano il volumetto nel senso
crescente delle x dato S Dx p(x)/2 - S Dx p(x+Dx)/2. Poich Dx molto piccolo, possiamo supporre che
p(x) vari di poco nell'intervallo considerato ed lecito fare lapprossimazione p(x+Dx) p(x)+Dx dp/dx.
Pertanto la carica netta che attraversa il volumetto :
.
dx
) x ( p d

2
x
S q
2
) x x ( p
2
) x ( p
x S q
2
) x x ( p x S
2
) x ( p x S
q
2


1
]
1

+

1
]
1


Se le cariche impiegano un tempo Dt per attraversare lo spessore Dx allora la densit di corrente
.
dx
) x ( p d

t 2
x
q J
2
p

La quantit Dx stata scelta arbitrariamente. Se prendiamo per Dx la distanza media


fra due urti xlm, Dt diventa il tempo medio fra due urti t ml. Allora:
,
dx
) x ( p d
D q
dx
) x ( p d

2
x
q J p
ml
2
lm
p

[4.4-12]
con .
2
x
D
ml
2
lm
p

[4.4-13]
La costante Dp prende il nome di costante di diffusione delle lacune.
Operando in modo simile con la concentrazione non uniforme di elettroni si ottiene
,
dx
) x ( n d
D q J n n [4.4-14]
nella quale stato posto .
2
x
D
me
2
em
n

[4.4-15]
La costante Dn la costante di diffusione degli elettroni.
Il diverso segno nella [4.4-12] rispetto la [4.4-14] dipende dal differente segno delle cariche che
stanno diffondendo.
4.4.2.1 L'equazione di Einstein
Dal momento che nelle costanti di diffusione compaiono il cammino medio fra due urti ed il relativo
tempo medio, si intuisce che questo termine deve dipendere dalla agitazione termica e dalla mobilit. Par-
tendo da considerazioni statistiche Einstein ha dimostrato che:
. V
q
T k

D

D
T
n
n
p
p

[4.4-16]
Il termine kT/q ha la dimensione di una tensione e viene chiamato equivalente in tensione della
temperatura. A temperatura ambiente prende il valore di circa 26 mV.
4.4.3 L'equazione della densit di corrente
In un semiconduttore i due processi di diffusione e di trascinamento possono coesistere. Allora, per
la densit di corrente a causa degli elettroni si avr:
,
dx
n d
D n q J n n n
1
]
1

+ [4.4-17]
e per le lacune .
dx
p d
D p q J p p p
1
]
1

[4.4-18]
Se si hanno entrambi i tipi di cariche mobili
.
dx
p d
D
dx
n d
D q
dx
p d
D p
dx
n d
D n q J p n p p n n
,
_

+
,
_

+ + [4.4-19]
La fisica dei dispositivi 144
che lequazione della densit di corrente in un semiconduttore.
4.4.4 I processi che determinano la concentrazione delle cariche mobili
Le concentrazioni delle cariche mobili in un semiconduttore dipendono da drogaggio e temperatura.
questa che fornisce l'energia per la creazione di coppie o per eccitare i donatori o gli accettori. Tuttavia
possibile avere altre cause di produzione di cariche mobili. Per esempio, se si illumina il solido con luce di
frequenza sufficientemente alta, si possono creare coppie in eccesso rispetto a quelle prodotte per il solo
effetto termico.
In assenza di altre cause, la concentrazione delle cariche il risultato dinamico di due fenomeni
contrapposti. La ricombinazione delle cariche mobili di tipo diverso e la generazione delle coppie elet-
troni-lacune. Quando si ha una ricombinazione si cede energia da parte delle cariche mobili, mentre con la
generazione le cariche mobili acquistano energia. La temperatura sceglie il valore di questo equilibrio dina-
mico. Nel caso di altre sorgenti denergia anche queste contribuiscono a determinare il punto dequilibrio.
Consideriamo i fenomeni che avvengono in un volumetto dV di
sezione S e spessore dx di materiale semiconduttore, ad esempio di tipo
p (Vedi Fig.4.5-1). Supponiamo che fra i due processi di generazione e
ricombinazione non ci sia equilibrio perch una qualche causa esterna sta
fornendo energia al cristallo e si ha produzione di coppie. Se la corrente
che entra nel volumetto I quella che esce differisce di dI. Le due cor-
renti non possono pi essere eguali.
Dal momento che siamo in un materiale di tipo p, se immaginiamo
di essere in quello che viene chiamato regime di bassa iniezione, cio
nel quale la variazione di concentrazione delle cariche maggioritarie sia
trascurabile, invece non lo quello delle cariche minoritarie. Pertanto il
conto che segue fatto per le cariche minoritarie che, nel semiconduttore
p sono gli elettroni.
Chiamiamo G il rate di generazione, cio il numero di coppie pro-
dotte in un secondo in un volume unitario. Analogamente chiamiamo R il
rate di ricombinazione. La variazione della carica QG, nel volume V, nel tempo, per effetto della ricombi-
nazione e dQG/dt = -q G V. Il volumetto dV = Sdx da un contributo infinitesimo dIG = d(dQG/dt) = -q G S
dx. Analogamente leffetto della ricombinazione un contributo dIR = d(dQR/dt) = -q R S dx. Se la genera-
zione prevale sulla ricombinazione, si ha carica in eccesso e tale carica esce dal volumetto. Come abbiamo
gi detto la corrente che entra non la stessa di quella che esce. La variazione netta di carica nel tempo, nel
volume SdV d(dQ/dt) = -q S dx dnp/dt. Questa variazione netta di carica si pu calcolare come differen-
za fra gli effetti della generazione e della ricombinazione. E poich questi non si equilibrano, si ha una diffe-
renza di corrente dI. Allora
d(dQ/dt) = -q S dx dnp/dt =-q G S dx + q R S dx - dI.
Dividendo per q S dx .
qdx
dJ
dt
dn n p
+ R G [4.5-1]
Valida per i materiali p. Analogamente se si considerano le lacune in un materiale n si pu trovare:
.
qdx
dJ
dt
dn p p
R G [4.5-2]
Si noti il segno differente dellultimo termine nel secondo membro delle due precedenti espressioni dovuto
al diverso tipo di cariche mobili esaminate.
x x+dx
p(x)
S
I
I+dI

Fig.4.5-1
La fisica dei dispositivi 145
In un semiconduttore in equilibrio i due processi di generazione e di ricombinazione si equilibrano: G
= R e non c' accumulazione di cariche e le concentrazioni n e p sono uniformi. Supponiamo il semicondut-
tore drogato e non degenere e studiamo, per esempio, un materiale p. Sappiamo che pp = NA e np =
ni
2
/NA. La probabilit di avere una ricombinazione proporzionale sia al numero di elettroni che a quelle
delle lacune. Pi precisamente, la ricombinazione proporzionale al prodotto delle due concentrazioni. E
dipende dalla temperatura secondo una funzione crescente a(T).
Cio R = a(T) n p. [4.5-3]
Quindi, in equilibrio G(T) = R(T) = a(T) n p.
Cio n p = ni
2
= G(T)/a(T) [4.5-4]
Aggiungiamo il pedice o alle concentrazioni per indicare il loro valore in equilibrio. Per cui pp0 = NA
e np0 = ni
2
/NA.
4.4.4.1 Tempo di vita delle cariche minoritarie
Supponiamo, senza cambiare la temperatura T, di aumentare la generazione in qualche modo. Cio
la generazione diventi G' + G(T). Ci sar un aumento sia di n che di p. Se il semiconduttore isolato, da es-
so non sfugge alcuna corrente e allora I = J = 0. Supponiamo, inoltre di essere in regime di bassa iniezione,
cio che la variazione di concentrazione di lacune sia irrilevante, dato che il semiconduttore di tipo p e p =
NA. Invece notevole la variazione della concentrazione delle cariche minoritarie. Allora
), n n ( p ) T ( a ' ) p n p n )( T ( a ' ) p n n )( T ( a ' '
dt
dn
p 0 p 0 p 0 p p 0 p 0 p p p
2
i
p
+ + + + G G G R G G
cio , ' ) ( '
n n
'
dt
dn
n
p 0 p p
U G R G G G +

+ [4.5-5]
dove si posto . p ) T ( a
1
0 p
n

[4.5-6]
Il termine U = G - R prende il nome di rate di ricombinazione netto delle cariche minoritarie.
Quindi il rate di ricombinazione netto in un semiconduttore di tipo p
cio .
n n
n
0 p p

U [4.5-7]
Analogamente in un n .
p p
p
0 n n

U [4.5-8]
con . n ) T ( a
1
0 n
p

[4.5-9]
Evidentemente per il semiconduttore n si pu scrivere una espressione simile alla [4.5-5]
, ' ) ( '
p p
'
dt
dp
p
n 0 n n
U G R G G G +

+ [4.5-10]
t n e t p prendono il nome di tempo di vita media delle cariche minoritarie.
A regime, finche c' la generazione addizionale G', dnp/dt = 0 e
,
n n
'
n
0 p p

G [4.5-11]
cio '. n n n 0 p p G + [4.5-12]
Supponiamo che ad un certo istante, che assumiamo come istante iniziale, si tolga la causa che ha
prodotto la generazione addizionale G'. Dalla [4.5-5] .
dt
n n
dn
n 0 p p
p

Integrando . c
dt
n n
dn
n 0 p p
p
+



La fisica dei dispositivi 146
Cio ln (np np0) = -t/t n + c. Per t = 0, np(0) = np0 + t nG' e
ln(t nG') = c. Quindi ln(np - np0) - ln(t nG') = - t/t n, ed infine
np = np0 + t nG' e
-t/t
n
, [4.5-13]
che mostrata in Fig.4.5-3. La concentrazione in eccesso np - np0
tende a zero con costante di tempo pari alla vita media dei portatori
minoritari.
Nel semiconduttore di volume V il numero di elettroni in ec-
cesso prima che G andasse a zero era era t nG'V. Successivamen-
te, istante per istante, le cariche in eccesso diventano
V (np - np0) = V t nG' e
-t/t
n
, [4.5-14]
Dando tempo sufficiente tutte le cariche in eccesso si ricombineranno. Quindi, integrando il numero di cari-
che in eccesso nel tempo e dividendo per il loro numero si ottiene il tempo di vita medio, cio
. dt e V ' dt e ' V n
0
t
n
0
t
n
n n



G G [4.5-15]
ed giustificato il nome di tempo di vita medio dei portatori minoritari.
Ovviamente lo stesso discorso pu farsi per le lacune in un materiale n. Il loro tempo di vita medio
t p.
4.4.4.2 I meccanismi di ricombinazione
In un semiconduttore drogato il tempo di vita media dei portatori minoritari dipende dalla concen-
trazione delle maggioritarie e dalla temperatura e dalla eventuale presenza di altre impurezze. I processi
con i quali le cariche si ricombinano appartengono a tre principali categorie: ricombinazione diretta, ri-
combinazione mediante trappole e ricombinazione di superficie.
4.4.4.3 La ricombinazione diretta
La Fig.4.5-2 utile per spiegare questo meccanismo di
ricombinazione. Un elettrone libero cade direttamente in un livello
vuoto in banda di valenza con un unico salto. Nel fare ci una
energia superiore ad EG viene liberata. Questa si pu avere sotto
forma di un fotone che si sposta dentro il reticolo e contribuisce
all'energia del solido. Oppure l'energia si pu trasferire diretta-
mente ad un elettrone od ad una lacuna producendo una carica
mobile fortemente energetica, che, in genere, distribuisce la sua
energia in eccesso alle altre cariche mobili della stessa banda. In-
fine, si pu avere trasferimento diretto di energia sotto forma di
un fonone: cresce l'oscillazione degli atomi attorno alle loro posi-
zioni di equilibrio.
Il processo di ricombinazione diretto pu anche avvenire
in due fasi. Un elettrone libero, passando nei pressi di una lacuna mobile, viene da essa attirata, ma senza
ricombinarsi immediatamente. Si forma un insieme di due cariche mobili che per un po' sopravvive. Tale in-
sieme prende il nome di eccitone. Finche l' eccitone esiste, esso immagazzina l'energia, ma alla fine, quando
scompare, si ha la ricombinazione definitiva e la sua energia viene ceduta.
4.4.4.4 I centri di ricombinazione
La presenza di opportune impurezze produce livelli intermedi fra le bande, nella parte centrale del
gap, vedi Fig4.3-8. Queste impurezze sono chiamate trappole. Il salto fra le bande pu avvenire in due
np0
t
n
np
t
n
G


Fig.4.5-3
EV
EC
E
G
Banda di
Valenza
Banda di
Conduzione
E
Fotone
fonone
Carica mobile
eccitata

Fig.4.5-2
La fisica dei dispositivi 147
passi successivi usando il livelli della trappola come gradino intermedio. Si possono avere quattro distinte
possibilit. Lelettrone pu cadere dalla banda di conduzione nel livello ET permesso della trappola. L'elet-
trone intrappolato pu risalire in banda di conduzione a partire dalla trappola oppure cadere in quella di
valenza ricombinandosi definitivamente. Infine, un elettrone pu saltare nella trappola provenendo dalla
banda di valenza con ci lasciando una lacuna mobile. Queste quattro possibilit sono rappresentate sche-
maticamente nellordine descritto in Fig.4.5-4.
Sia NT la concentrazione delle trappole e FT la relativa
frazione occupata da elettroni. V il volume del semiconduttore.
Pertanto si avranno NTFTV elettroni che occupano trappole.
Il rate Rn di occupazione delle trappole da parte degli elet-
troni che provengono dalla banda di conduzione proporzionale
alla loro concentrazione n ed alla frazione di trappole libere 1 - FT.
Cio
Rn = kn n (1 FT). [4.5-16]
Si tratta di un processo che tende a diminuire la concentrazione
delle cariche mobili ed quindi una ricombinazione. Se FT zero,
cio se tutte le trappole sono vuote, kn = Rn/n che rappresenta il
rate di ricombinazione per elettrone ed evidentemente proporzio-
nale alla concentrazione NT delle trappole.
Il rate Gn di emissione degli elettroni dalle trappole verso la
banda di conduzione proporzionale alla frazione di trappole oc-
cupate
Gn = kn FT. [4.5-17]
un processo di generazione perch tende ad aumentare la concentrazione delle cariche mobili.
Per ogni elettrone che dalla banda di conduzione cade in una trappola ce n' un altro che sfugge
dalla trappola e va in banda di conduzione. Allora Gn = kn FT = kn n (1 FT) = Rn.
Da cui si ricava .
F
F 1
n k ' k
T
T
n n

[4.5-18]
La frazione FT di trappole occupate si determina dalla funzione di Fermi, data dalla [4.2-5]. Cio
.
e 1
1
F
kT / ) E E (
T
F T
+
Ricordiamo che il livello di Fermi varia con la concentrazione delle cariche mobili.
A regime avremo una concentrazione n0 ed una frazione di trappole occupate FT0
,
e 1
1
F
kT / ) E E (
0 T
0 F T
+

EF0 il livello di Fermi a regime.
Il rate di occupazione delle trappole deve essere eguale al rate di emissione degli elettroni, allora, a
regime, abbiamo una espressione analoga alla [4.5-18]. Da cui si ricava
. n k e N k e e N k e n k
F
F 1
n k ' k T n
kT / ) E E (
C n
kT / ) E E ( kT / ) E E (
C n
kT / ) E E (
n
0 T
0 T
n n
T C 0 F T 0 F C 0 F T


[4.5-19]
nella quale si fatto uso della [4.3-17]. nT rappresenta la concentrazione di elettroni in banda di conduzio-
ne che si avrebbe se il livello di Fermi coincidesse con quello delle trappole, cio
. e N n
kT / ) E E (
C T
T C
[4.5-20]
Se per qualche motivo c' produzione in eccesso, Gn supera Rn, ed il rate netto di ricombinazione
degli elettroni U n = Gn - Rn = kn n (1 - FT) - kn'FT,
EV
EC
E
Cattura di un
elettrone
P
r
i
m
a
ET
Banda di Valenza
Banda di Conduzione
Banda di Valenza
Banda di Conduzione
D
o
p
o
Emissione di
un elettrone
Cattura di una
lacuna
Emissione di
una lacuna
EC
EV
ET
EG
E
EG
EC
EV
ET
E

Fig.4.5-4
La fisica dei dispositivi 148
cio U n = Gn - Rn = kn [n (1 - FT) nT FT]. [4.5-21]
Analogamente per il rate Gp di intrappolamento degli elettroni che provengono dalla banda di va-
lenza cio per il rate di generazione delle lacune ed per il rate Rp di ricombinazione delle lacune da parte
degli elettroni provenienti dalle trappole si trovano espressioni simili alle precedenti e cio
U p = Gp - Rp = kp [p FT pT(1-FT)]. [4.5-22]
pT rappresenta la concentrazione di elettroni in banda di valenza che si avrebbe se il livello di Fermi coinci-
desse con quello delle trappole. Ossia
. e N p
kT / ) E E (
V T
V T
[4.5-23]
Chiamiamo n0 e p0 le concentrazioni in equilibrio, che pertanto sono legate dalla legge dazione di massa
espressa dalla [4.3-19]. Anche se non si in equilibrio, cio se n e p non coincidono con n0 e p0 il rate
netto di ricombinazioni degli elettroni non pu essere diverso da quello delle lacune. Cio
U n = kn [n (1 - FT) nT FT] = U p = kp [p FT pT(1-FT)]. [4.5-24]
Ed allora possiamo ricavare la probabilit FT doccupazione delle trappole. Si ha
,
e 1
1
) n n ( k ) p p ( k
p k n k
F
kT / ) E E (
T n T p
T p n
T
F T
+

+ + +
+
[4.5-25]
Sostituendo la precedente nella [4.5-24], dopo qualche passaggio, si ottiene
,
) n n ( k ) p p ( k
) ni p n ( k k
T n T p
2
n p
p n
+ + +

U U U [4.5-26]
nella quale si fatto uso delle [4.3-4], [4.3-20] e [4.3-23].
Se si ha eccesso n e p sono diversi da n0 e p0 e FT differente dal valore FT0 dequilibrio,
,
e 1
1
) n n ( k ) p p ( k
p k n k
F
kT / ) E E (
T 0 n T 0 p
T p 0 n
0 T
0 F T
+

+ + +
+
[4.5-27]
L'eccesso di generazione determina un rate di ricombinazione netto superiore a zero.
Supponiamo che lo scostamento dall'equilibrio e la concentrazione NT delle trappole non siano ec-
cessive. Ci significa che n = n0 + Dp e p = p0 + Dp perch Dn = Dp. Allora la [4.5-26] si pu riscrivere
come
.
) n n n ( k ) p p p ( k
) p p n ( k k
p
) n n n ( k ) p p p ( k
] ni ) p p )( n n [( k k
T 0 n T 0 p
0 0 n p
T 0 n T 0 p
2
0 0 n p
+ + + + +
+ +

+ + + + +
+ +
U [4.5-28]
Ovviamente al posto di Dp si pu mettere Dn. La [4.5-28] ha la stessa forma delle [4.5-7] e [4.5-8].
Allora: ,
n p

U
dove t il tempo di vita medio delle cariche, che
,
) n p n ( k ) p p p ( k
) p p n ( k k 1
T 0 n T 0 p
0 0 n p
+ + + + +
+ +

[4.5-29]
In un semiconduttore n, molto drogato, a regime n0 molto pi grande di nT, di p0 e di nT, ed an-
che di Dp, perch, come vedremo fra poco, opportuno che il livello delle trappole sia verso la met del
gap. Se possibile ritenere che le due costanti kp e kn siano dello stesso ordine, dalla precedente possi-
bile calcolare il tempo di vita media t p0 delle cariche minoritarie che sono le lacune e la precedente si ridu-
ce a 1/t p0 kp. Con ipotesi analoghe per un semiconduttore p molto drogato si pu approssimare il tempo
di vita medio a 1/t n0 kn. t n0 e t p0 sono i tempi di vita relativi a semiconduttori molto drogati o, che lo
stesso, a casi in cui leffetto delle trappole irrilevante e pertanto possono essere attribuiti alla ricombina-
zione diretta. In base a quanto detto [4.5-29] si pu riscrivere come
La fisica dei dispositivi 149
.
) n p n ( ) p p p (
p p n 1
T 0 0 p T 0 0 n
0 0
+ + + + +
+ +

[4.5-30]
Se, come abbiamo gi detto, il livello di iniezione abbastanza basso, Dp << n0 + p0 e si ha
.
p n
n n
p n
p p
p n
) n n ( ) p p (
p n
0 0
T 0
0 p
0 0
T 0
0 n
0 0
T 0 0 p T 0 0 n
+
+
+
+
+
+

+
+ + +
[4.5-31]
A parit di temperatura e concentrazione del drogante, la vita media degli elettroni inferiore a
quella delle lacune. Questo fatto dovuto alla minore mobilit delle lacune rispetto agli elettroni e quindi alla
pi bassa probabilit di intercettare, nel medesimo intervallo di tempo, trappole.
La Fig.4.5-5 mostra come varia la vita media delle cariche
mobili al variare del livello di Fermi, cio della concentrazione del dro-
gante, per un determinato valore di ET. Ma mano che EF sale si va dal
p molto drogato, EF EV, fino all'n molto drogato (EF EC) passando
per lintrinseco, EF = EFi. Il tempo di vita media varia, quindi, da t n0 a
t p0, passando per il massimo che si ha in prossimit dell'intrinseco. I
valori sperimentali dei due tempi di vita sono abbastanza simili e quindi
lipotesi fatta su kp e kn corretta.
Per diminuire al massimo la vita media bisogna fare in modo
che le trappole diano un livello a met gap circa. Il livello di ricombinazione degli elettroni eguale a quello
delle lacune. Se le trappole fossero molto alte nel gap, la ricombinazione degli elettroni sarebbe facilitata,
ma contrastata quella delle lacune e quindi, questa, predominando, determinerebbe il tempo di vita che ri-
sulterebbe grande. Se le trappole fossero ad un livello troppo basso, si avrebbe esattamente il contrario.
Sarebbero gli elettroni ad avere pi difficolt a ricombinarsi e rallenterebbero il processo. Se il livello ET,
invece, a met del gap, i due processi hanno stesse probabilit di avvenire e la vita media diminuisce. Per-
tanto le sostanze che si introducono per controllare il tempo di vita media sono quelle che introducono livelli
energetici a circa met del gap. Un candidato molto interessante loro come si pu vedere dalla Fig.4.3-
8.
Ci sono altri modi, oltre al citato, con i quali si vengono a formare i centri di ricombinazione. Le im-
purezze interstiziali, ad esempio, introducono altri livelli nel gap. La posizione di questi livelli determina se
l'impurezza si comporter da donore, accettore o trappola. Il bombardamento con particelle ad alta energia
provoca danno al reticolo. Particolarmente dannose sono le particelle neutre che riescono a penetrare sen-
za difficolt il campo elettrico dellatomo. Alcuni atomi vengono spostati dalla loro posizione e si comporta-
no come le impurezze interstiziali. Trappole vengono anche prodotte dalla presenza di dislocazioni. Si
tratta di zone del cristallo che hanno diverso orientamento del reticolo. Al loro contorno ci sono valenze
non sature che introducono livelli nel gap.
4.4.4.5 Stati e ricombinazione superficiale
Gli atomi che stanno sulla superficie del semiconduttore non ne hanno altri da tutti i lati, per cui non
riescono a saturare tutte le valenze. Si producono livelli intermedi nel gap, tutti concentrati sulla superficie, e
che agiscono come centri di ricombinazione. La densit superficiale di tali stati sembrerebbe dovere essere
eguale a quella degli atomi del semiconduttore, dell'ordine di 10
15
/cm
2
. Invece risulta sensibilmente inferio-
re, e cio al massimo 10
11
/cm
2
. Il fatto che la superficie esterna del semiconduttore si ossida in presenza
di aria e una grande quantit di legami degli atomi superficiali vengono saturati e non diventano trappole.
Addirittura, se si ossida ad alta temperatura, si pu scendere a densit di stati superficiali fino a 10
10
/cm
2
.
Questa operazione di ossidazione delle superfici prende il nome di passivazione ed particolarmente im-
portante per impedire che le correnti di perdita nei dispositivi assumano valori molto alti.
EV EC
EFi
ET
t p0
t n = t p
EF
t n0
t t
p
n
intrinseco

Fig.4.5-5
La fisica dei dispositivi 150
4.6. L'equazione di continuit e le sue applicazioni
Tenendo conto di quanto detto finora relativamente ai materiali drogati, dalle [4.5-1], [4.5-5] e
[4.5-7] si ricava
,
x q
J n n
'
t
n n
n
0 p p p

G [4.6-1]
Analogamente, dalle [4.5-2] [4.5-8] e [4.5-10]

x q
J p p
'
dt
p p
p
0 n n n

G [4.6-2]
Le correnti Jn e Jp sono state calcolate gi e sono date dalle relazioni [4.4-17] e [4.4-18]. Sosti-
tuendole nelle [4.6-1] e [4.6-2], rispettivamente, si ottengono le seguenti espressioni valide per le cariche
minoritarie:
,
x
n
D n
x
n n
'
t
n p
n n p
n
0 p p p
1
]
1

G
cio .
x
n
D
x

n
x
n n n
'
t
n
2
2
n n p
p
n
n
0 p p p

G [4.6-3]
E ,
x
p
D p
x
p p
'
t
p n
p p n
p
0 n n n
1
]
1

G
Ossia, ,
x
p
D
x

p
x
p p p
'
t
p
2
n
2
p p n
n
p
p
0 n n n

G [4.6-4]
Le ultime espressioni prendono il nome di equazioni di continuit.
Ricordiamo che tutto quanto stato determinato in condizioni di basse iniezioni, cio in modo che
la concentrazione dei portatori maggioritari sia praticante invariata.
4.6.1 Iniezione di cariche da una superficie
Un semiconduttore , per esempio, illuminato da una parte
su una sola faccia come nella Fig.4.6-1. A regime si avr un ecces-
so di cariche minoritarie sulla faccia. All'interno, a profondit suffi-
ciente non c' pi eccesso. Se il semiconduttore di tipo n, sulla
faccia illuminata la concentrazione delle lacune pn(0) rispetto ad
una concentrazione pn0 pi bassa in profondit. Da momento che la
concentrazione non uniforme, si ha diffusione dalla parete ester-
na verso l'interno, e se all'interno non esiste generazione addizionale
e non viene applicato campo elettrico, non c' neanche variazione
di concentrazione a regime. In tal caso l'equazione di continuit che
regola il comportamento delle cariche minoritarie si riduce a
,
x
p
D
p p
0
2
n
2
p
p
0 n n


o anche . 0
D
p p
x
p
p p
0 n n
2
n
2

[4.6-5]
La relativa equazione caratteristica ha le radici
.
L
1
D
1
p p p
t

t [4.6-6]
La quantit Lp prende il nome di lunghezza di diffusione ed esprime la distanza media percorsa dalle ca-
pn0
Lp = p P D
x
pn(0)
pn(x)
luce

Fig.4.6-1
La fisica dei dispositivi 151
riche minoritarie in eccesso in un semiconduttore prima di ricombinarsi.
La soluzione generale della [4.6-5]
, e B e A p - p
p p x/L -x/L
n0 n + [4.6-7]
Le condizioni al contorno fissano che per x = 0, pn = pn(0), mentre per x , pn pn0. Applicandole
alla precedente si ottiene A = pn(0) pn0 e B = 0. Quindi la soluzione
pn pn0 = [pn(0) pn0] e
-x/L
p
, [4.6-8]
rappresentata nella Fig.4.6-1.
La concentrazione non uniforme e si pu calcolare la corrente di diffusione dalla [4.4-12]
, ]e p - (0) [p
L
D
q J
p x/L -
n0 n
p
p
p
cio , e D ] p - (0) [p q J
p -x/L
p p n0 n p [4.6-9]
La corrente massima sulla faccia e diminuisce con legge esponenziale. Ad una distanza di circa 3Lp essa
praticamente nulla.
Si pu calcolare il percorso medio di una lacuna prima di ricombinarsi. Per fare ci basta integrare
tutto l'eccesso di carica dato dalla [4.6-8] e dividere per leccesso sulla faccia. Evitiamo di eseguire i conti,
d'altra parte abbastanza semplici. Il risultato che il percorso medio proprio la lunghezza di diffusione Lp.
Pertanto la lunghezza di diffusione Lp lo spazio che in media percorre una carica minoritaria
lacuna in un semiconduttore di tipo n, prima di ricombinarsi.
Omettiamo il caso del semiconduttore p, perch del tutto analogo.
4.6.2 Iniezione di cariche da una superficie con rimozione della carica allinterno
Pu essere interessante determinare ci che avviene se, invece, con un qualche mezzo, ad una di-
stanza W inferiore a Lp, viene rimossa la carica in eccesso. La soluzione generale ancora la [4.6-7], ma
cambiano le condizioni al contorno, cio, questa volta, si ha
che per x = W, pn = pn0. Non eseguiamo i calcoli che sono
simili a quelli del caso precedente. Comunque si pu trovare
.
sh W/L
W)/L - (x sh
] p - (0) [p p - p
p
p
n0 n n0 n [4.6-10]
Il tutto rappresentato nella Fig.4.6-2.
Anche qui, applicando sempre la [4.4-11], si pu
calcolare la corrente. Alla distanza W dalla superficie
.
sh W/L
p - (0) p D
q J
p
n0 n
p
p
W
p

[4.6-11]
interessante notare che la corrente, oltre che dipendere
dalleccesso di cariche minoritarie sulla superficie, dalle ca-
ratteristiche del materiale e dalle condizioni fisiche, dipende anche dalla distanza a cui la carica rimossa.
Minore lo spessore di semiconduttore percorso dalle cariche pi grande la corrente raccolta.
4.6.3 Profilo di concentrazione superficiale
Supponiamo di produrre generazione in eccesso in tutto il semiconduttore e di volere studiare quel-
lo che avviene in superficie, dove la velocit di ricombinazione superiore. Per questo fatto si ha un richia-
mo di cariche mobili, di entrambi i tipi, dall'interno del conduttore. Dato che la vita media inferiore in su-
perficie, le cariche mobili in questa zona sono in concentrazione inferiore e, per diffusione, altre cariche
mobili vengono dall'interno e si ricombinano. La superficie agisce come centro di attrazione delle cariche
pn0
Lp =
p P D
x
pn(0)
pn(x) luce
W
W

Fig.4.6-2
La fisica dei dispositivi 152
mobili che qui vengono a ricombinarsi. La corrente netta nulla, per, poich per ricombinarsi devono ve-
nire tanti elettroni quante lacune. La Fig.4.6-3 mostra il il semiconduttore illuminato sulla faccia. Vediamo di
determinare la curva delle concentrazioni. Studiamo il fenomeno a regime in un semiconduttore n. Sia G' il
rate di generazione addizionale in tutto il semiconduttore. Dal momento che siamo a regime, pn non varia
nel tempo. E poi non applichiamo campo elettrico. Allora la [4.6-4] si riduce a,
, 0
x
p
D
p p
'
2
n
2
p
p
0 n n

G o anche
,
D
'
D
p p
x
p
p p p
0 n n
2
n
2
G

[4.6-12]
La concentrazione cambia solo vicino la superficie.
Nel volume a profondit sufficiente essa diventa uniforme.
Dunque, dalla precedente espressione
pn( ) - pn0 = t pG' [4.6-13]
La corrente di diffusione, nella zona superficiale, ha lo
scopo di equilibrare l'effetto dell'eccessiva ricombinazione.
Pertanto, sulla superficie, cio a x = 0, la corrente di diffusione proporzionale all'eccesso pn0 - pn(0).
Quindi, prendendo per la corrente di diffusione la relazione [4.4-12], ma tenendo conto che essa ha il ver-
so delle x decrescenti si ha
)]. 0 ( p p [ v q
x
p
D q n 0 n r
0 x
n
p


La costante di proporzionalit vr ha le dimensioni di una velocit e prende il nome di velocit di ricombina-
zione superficiale. Dividendo entrambi i membri della precedente per -qDp si trova:
.
D
p ) 0 ( p
v
x
p
p
0 n n
r
0 x
n

[4.6-14]
L'equazione caratteristica dell'omogenea associata alla [4.6-12] ha come radici le [4.6-6]. Ope-
rando opportunamente si trova che la soluzione della [4.6-12] , ' e B e A p - p p
x/L -x/L
n0 n
p p
G + +
nelle quali A e B sono costanti che si determinano in funzione delle condizioni al contorno [4.6-13] e [4.6-
14].
La prima delle due, imponendo che nel volume pn( ) - pn0 = t pG', che un valore finito, stabilisce
che B deve essere nulla. Allora l'espressione precedente si riduce a
'. e A p - p p
-x/L
n0 n
p
G + [4.6-15]
Derivando rispetto a x e sostituendo nella [4.6-14]
.
D
p ) 0 ( p
v
L
A
x
p
p
0 n n
r
p
0 x
n

cio
.
D
p ) 0 ( p
L v A
p
0 n n
p r

Per x = 0, dalla [4.6-15] pn


pn0 = A + t p G che combinata con la precedente,
porta a .
L D v
v '
A
p p r
r p
+

G
In definitiva la [4.6-15],
dopo alcuni passaggi si riduce a
. e
L v
v
1
'
p ) x ( p
Lp x
p r p
r p
p
0 n n

G
[4.6-16]
A causa della ricombinazione superficiale, la
luce
x
pn(x)

Fig.4.6-3
V r/Vp
x/Lp
0 1 2 3 4 5
0
0. 2
0. 4
0. 6
0. 8
1
0
0. 01
0. 1
1
10
>100
pn (x)-pn0
t t p G G


Fig.4.6-4
La fisica dei dispositivi 153
differenza di comportamento si estende dalla superficie soltanto per poche lunghezze di diffusione Lp. La
portata del fenomeno funzione del rapporto vr/vp in cui con vp si indica Lp/t p. La Fig.4.6-4 mostra il rap-
porto fra il difetto in superficie della concentrazione ed il suo eccesso all'interno Gt p, rispetto a x/Lp pa-
rametrizzato da vr/vp in. Si vede bene che dopo tre Lp praticamente non cambia pi nulla.
Mentre nel volume l'eccesso Gt p,, per x dello stesso ordine di Lp, il secondo termine del secon-
do membro della [4.6-16] non trascurabile. La sua importanza cresce con l'avvicinarsi alla superficie do-
ve
.
v v
v
' p ) x ( p
p r
r
p 0 n n
+
G [4.6-16]
E cio se la velocit di ricombinazione superficiale cresce, la superficie si svuota sempre pi.
4.6.4 Iniezione localizzata istantanea
Iniettiamo carica in eccesso in una zona molto ri-
stretta, al limite puntiforme, in un tempo brevissimo. Per e-
sempio con un laser di opportuna lunghezza donda che
emette un impulso di luce brevissimo su una fibra ottica ap-
poggiata in un punto del semiconduttore, che supporremo
drogato di tipo n, come quello mostrato in Fig.4.6-5a.
Supponiamo anche, che con un generatore si applichi una
tensione V che nel verso indicato produca un campo elet-
trico costante E.
Dopo lapplicazione dellimpulso nel punto x = 0,
lequazione di continuit [4.6-4] diventa
.
x
p
D
x
p p p
'
t
p
2
n
2
p
n
p
p
0 n n n

G
Se il campo elettrico nullo la soluzione
. p e
t D 4
Ne
) t , x ( p 0 n
t D 4 x
p
p t
n
p
2
+



[4.6-17]
N la densit superficiale di cariche prodotte dallimpulso.
Si suppone che esse siano state prodotte come una d. Il
profilo delleccesso di lacune sono gaussiane che nel tempo si schiacciano, come mostrate in Fig.4.6-5b.
Se, per, il campo elettrico non nullo le cariche in eccesso sono trascinate con velocit v = mpE verso
lelettrodo negativo e la soluzione diventa
. p e
t D 4
Ne
) t , x ( p 0 n
t D 4 ) vt x (
p
p t
n
p
2
+



[4.6-18]
In questo caso le gaussiane si spostano con la velocit v. La Fig.4.6-5c mostra il comportamento del di-
spositivo. La corrente del generatore ha la forma dellimpulso di cariche in eccesso pu essere impiegata
per determinare la posizione del punto di applicazione dellimpulso luminoso se nota la velocit di deriva.
Su questo principio si fondano alcuni rivelatori detti a deriva. Se il tempo di vita medio delle lacune
reso sufficientemente grande rispetto al tempo dattraversamento del dispositivo, le cariche iniettate non
fanno in tempo a ricombinarsi e dunque la misura dellintegrale della corrente anche una misura della cari-
ca iniettata. In un rivelatore di particelle in questo modo si pu anche determinare la carica rilasciata da una
particella che attraversa il rivelatore. Tempo di vita media grande significa niente trappole e bassa concen-
trazione di cariche maggioritarie, cio il materiale poco drogato e molto resistivo. Se, invece nota la posi-
zione del punto e listante dapplicazione, misurando il tempo che il segnale ci mette ad emergere dopo a-
-2 0 2 4 6 8 10
-2 0 2 4 6 8 10
t= 0
t1
t1
t2
t2
t4
t3
t4
vt1
vt2
vt3
vt4
t= 0
pn(x,t)-pn0
pn(x,t)-pn0
x
x
luce
x
Materiale tipo
E
V
(a)
(c)
(b)

Fig.4.6-5
La fisica dei dispositivi 154
vere percorso il semiconduttore, possibile, noto il campo elettrico, ricavare la mobilit.
4.7. Misure dei parametri fisici dei materiali semiconduttori
Molti altri metodi sono usati per le misure dei parametri dei semiconduttori. Ne vogliamo ricordare,
in particolare due, uno dei quali si basa su un effetto particolarmente utile, anche in altre applicazioni.
4.7.1 Effetto Hall
Quando una corrente I posta in un campo magnetico trasversale B B z z , sulle cariche in moto che la
compongono agisce la forza di Lorentz che dipende dalla velocit, dalla loro carica e dal campo B stesso.
In modo pi preciso tale forza espressa da
FL = q v.Bz. [4.7-1]
Consideriamo
quello che avviene nel
blocchetto di materiale
della Fig.4.7-1. La cor-
rente ha la direzione ed il
verso delle x decrescenti.
Il campo magnetico Bz
ortogonale a I ed ha il
senso delle z crescenti.
Se le cariche in moto so-
no positive, vanno nello
stesso verso della cor-
rente e dalla forza di Lo-
rentz sono spinte verso il
basso. Se sono negative,
vanno in verso contrario
alla corrente e sono spin-
te comunque sempre verso il basso, dato la loro carica negativa. Dunque la parte inferiore del blocchetto si
polarizza positivamente o negativamente, a seconda che le cariche in moto siano positive o negative. Se,
invece, il materiale del campione un semiconduttore intrinseco entrambe le cariche sono spinte verso la
stessa faccia e non si nota nulla. La polarit acquistata da una faccia, quindi, serve per capire quali cariche
siano maggioritarie. Dallo studioso che lo ha scoperto, questo fenomeno prende il nome di effetto Hall.
La migrazione delle cariche verso le facce del blocchetto non illimitata. Esse si caricano e fra di
loro si manifesta un campo elettrico che si oppone alla forza di Lorentz. A regime questa equilibra la forza
prodotta dal campo elettrico. E dato che v e B sono ortogonali q Ey = q v Bz da cui
Ey = v Bz [4.7-1]
Siano h lo spessore del conduttore e L la sua larghezza. Il potenziale VH a cui si caricano le facce,
detto potenziale di Hall, tale che
,
dQ
dVol
L h
I
dQ
Sdx
Sdt
dQ

dt
dx
v
h
V
z z z z y
H
B B B B
cio ,
p q L
I
V
z
H
B
se le cariche mobili sono soltanto lacune. Oppure ,
n q L
I
V
z
H
B
se le cariche mobili
sono soltanto elettroni.
Il segno della tensione di Hall indica il tipo di cariche maggioritarie. A questo punto, una volta de-
+
I
M
x
y
z
B B
z
h
L
Ex
-
VH

Fig.4.7-1
La fisica dei dispositivi 155
terminato il tipo, possiamo porre c la concentrazione delle cariche mobili indipendentemente se di tipo n o
p. e le due espressioni precedenti possono essere sintetizzate nellunica espressione
,
L
I
R
c q
1
L
I
| V |
z
H
z
H
B B
[4.7-2]
nella quale abbiamo posto .
I
L
V
c q
1
R
z
H H
B
[4.7-3]
RH prende il nome di costante di Hall e dipende soltanto dalla concentrazione . Allora
.
R
1
c q
H

[4.7-4]
Poich in un materiale p sp = q p mp, utilizzando la [4.7-2] e la definizione di conducibilit:
mp =spRH. [4.7-5]
Si pu scrivere l'analoga espressione per sn
mn =snRH. [4.7-6]
In genere .
R
1
c q
H

[4.7-7]
Con s la conducibilit e mla mobilit delle cariche maggioritarie.
Nel dire che tutte le cariche si muovono con la stessa velocit non si considerano fenomeni statistici,
sempre presenti per via della temperatura. In effetti, se ne tiene conto, si trova che le due espressioni sono
da correggere con un fattore 3p/8. Cio
,
L
I
R
c q L
I
| V |
z
H
z
H
B B
[4.7-8]
e .
I
L
V
c q
1
8
3
R
z
H H
B

[4.7-9]
Ma tutto quanto gi detto non cambia.
Una importantissima applicazione delleffetto Hall riguarda i cosiddetti sensori Hall. Sono delle
piastrine di semiconduttori sottile a temperatura e drogaggi controllati. Riferiamoci ancora alla Fig.4.7-1.
Misurando la tensione che si manifesta fra le due facce opposte quando passa corrente fissa possibile de-
terminare il campo magnetico trasversale Bz. I sensori di Hall sono dei misuratori di campo magnetico.
4.7.2 Misure di conducibilit
La conducibilit si misura con
una certa facilit quella della con il me-
todo delle quattro punte, vedi
Fig.4.7-2
[SM1]
. Le quattro punte sono
ben appoggiate sulla superficie del semi-
conduttore sottile di spessore h e sono
equidistanziate su una stessa retta. Fa-
cendo passare una corrente I fra le due
punte esterne si misura la differenza di
potenziale V fra quelle interne. Si ha
.
I
V
h
54 . 4 1

[4.7-10]
A questo punto facile determinare le propriet principali. Dalla misura di Hall si determina il tipo di
semiconduttore e la costante di Hall, da quella della conducibilit, la medesima e la mobilit.
I
h
I
V

Fig.4.7-2
La fisica dei dispositivi 156
4.8. Materiali isolanti
Fino a questo punto ci siamo occupati di materiali conduttori, in cui non c gap oppure semicon-
duttori, con basso gap. Intendiamo adesso occuparci di quellimportante classe di materiali ad alto gap det-
ti anche materiali dielettrici o isolanti.
4.8.1 Il campo elettrico
Fra due cariche elettriche Q1 e Q2 (Fig.4.8-1) si manifesta una forza che dipende dalla loro distan-
za secondo la legge di Coulomb:
.
r 4
Q Q
F
2
2 1

[4.8-1]
La costante e al denominatore prende il nome di costante dielettrica o
permettivit. La costante dielettrica del vuoto viene indicata con e0 ed il
suo valore 8.85 pF/m. I materiali isolanti sono caratterizzati dalla loro co-
stante dielettrica che spesso viene rapportata a quella del vuoto ed sem-
pre superiore ad essa. Viene definita costante dielettrica relativa er del
materiale
e = e0 er. [4.8-2]
In una zona di spazio ove esistono cariche elettriche si crea dunque un campo di forze detto anche
campo elettrico. Il campo elettrico E in un punto viene definito come la forza che si esercita su una carica
unitaria posta nel punto. Se Q1 un coulomb, allora una carica puntiforme Q produce a distanza r un cam-
po che dalla [4.8.1] :
.
r 4
Q
Q
F
E
2
1
[4.8-3]
Il campo elettrico viene misurato in V/m.
In effetti il campo elettrico un vettore con intensit dato dalla precedente e verso r r che unisce le
due cariche e che punta dalla carica positiva verso la negativa. Quindi
.
r
r
r 4
Q
E
2

[4.8-4]
Nel caso di molte cariche Qi disposte in una zona di spazio il campo elettrico prodotto in un punto
dello spazio :

i
i
i
2
i
i
i
i
i
2
i
i
r
r
r
Q
4
1
r
r
r 4
Q
E [4.8-5]
ri la distanza fra il punto in esame e il punto ove posta la carica Qi.
4.8.2 La densit del campo elettrico
Dallespressione precedente si vede che il campo dipende dal materiale secondo la permittivit. Si
pu definire il vettore densit del flusso elettrico indipendente dal materiale come
. E E D r 0 [4.8-6]
Per una carica puntiforme la densit del flusso elettrico
.
r
r
r 4
Q
E D
2

[4.8-7]
La densit del flusso elettrico si misura in coulomb/m
2
. Valori della costante dielettrica per i vari materiali
sono mostrati nella Tav.4.8-1
Q
1
Q2
r
F
F
E

Fig.4.8-1
La fisica dei dispositivi 157
4.8.3 Il Teorema di Gauss
Su tutti i punti di una sfera di raggio r con al centro una carica Q, Fig.4.8-2, la densit del flusso e-
lettrico costante, punta verso lesterno della sfera, se la carica Q positiva. Moltiplicando per la superfi-
cie della sfera la densit del flusso elettrico sulla sua superficie si ottiene il flusso f (D)S elettrico uscente dal-
la sfera che, nel caso di carica puntiforme, per la precedente risulta semplicemente f (D)S = Q.
Si pu studiare quello che avviene quando invece di una carica
c un insieme di cariche distribuite in un qualunque modo, Si pu dimo-
strare
[AM]
, in modo analogo, che il flusso del campo elettrico che e-
sce da una superficie S chiusa dovuta ad una distribuzione di ca-
riche pari alla sommatoria delle cariche racchiuse allinterno
della superficie S stessa. Questa affermazione costituisce il teorema di
Gauss. Nessuna ipotesi deve essere fatta sulla forma e dimensioni della
superficie lunica cosa che conta che essa sia chiusa contenga al suo
interno le cariche.
Nel caso di distribuzione continua r (V) = dq/dV della carica il
Teorema di Gauss non cambia nella sostanza. Ancora una volta il flusso
elettrico che esce da una superficie S chiusa dovuta ad una distribuzione continua di cariche pari a tutta la
carica nel volume V racchiuso allinterno della superficie S stessa. Quanto detto si pu esprimere come:
. dV ) V ( ) D (
V
S

[4.8-8]
e per il teorema della divergenza
[AM]
:
. D div [4.8-9]
Che esprime il teorema di Gauss sotto forma differenziale. Per la relazione [4.8-6] fra D e E:
. E div

[4.8-10]
che un modo alternativo di esprimere il teorema di Gauss.
4.8.4 Il potenziale elettrico
Il lavoro infinitesimo dL che il campo elettrico E compie per spostare una carica fra due punti di-
stanti l d il prodotto scalare
. l d x F dL [4.8-11]
in base alla definizione di lavoro. Ovviamente se a spostare la carica agisce una forza esterna il lavoro che
essa compie, per il principio di conservazione dellenergia, . l d x F dL Se la carica su cui il campo a-
gisce unitaria il lavoro compiuto su di essa dalla forza esterna viene chiamato potenziale elettrico V. In
base a questa definizione di potenziale ed a quella di campo elettrico, in modo analogo
. l d x E dV [4.8-12]
Nel caso di spostamento finito fra due punti A e B bisogna sommare tutti i contributi infinitesimi per
spostarsi lungo la linea che congiunge i due punti A e B per ottenere la differenza di potenziale VBA fra i due
punti.
. l d x E V
B
A
BA

[4.8-13]
Nel caso di campo generato da carica puntiforme:
Q
S
r

Fig.4.8-2
La fisica dei dispositivi 158
,
r
dr
4
Q

r
dr

4
Q
r
rdr

4
Q
r
l d x r
r
1

4
Q
l d x
r
r
r 4
Q
l d x E V
B
A
B
A
B
A
B
A
2 3 2
B
A
2
B
A
AB



.
r
1
r
1
4
Q
V
B A
AB
,
_

[4.8-14]
Supponiamo di portare la carica unitaria allinfinito dove lazione del campo elettrico nulla. Il campo
compie un lavoro pari al potenziale in quel punto. Cio
.
r 4
Q
V
A
A

[4.8-15]
che rappresenta il lavoro che il campo elettrico compie sulla carica unitaria che stava a distanza rA da Q
per allontanarla definitivamente dalla sua zona dazione da dove era.
La [4.8-14] si pu scrivere come B A AB V V V ed indipendente dal cammino che si fa percor-
rere alla carica per spostarla fra i due punti ma dipende soltanto dal campo e dai due punti. Questa diffe-
renza di potenziale elettrico fra i punti A e B per brevit viene sempre chiamato differenza di poten-
ziale o tensione fra i due punti e viene misurata in Volt.
Le operazioni relative ai campi elettrici ed ai potenziali sono operazioni lineari. Pertanto nel caso di
campo elettrico generato da pi cariche Qi il potenziale in un punto del campo pari alla somma dei poten-
ziale che ogni singola carica genera nel punto. La carica Qi a distanza ri dal punto. Cio
.
r 4
Qi
V
i
i

[4.8-16]
La cosa vale anche nel caso di distribuzione non uniforme della carica, naturalmente si deve passare
dalla sommatoria allintegrale esteso al volume Vol in cui la carica
.
r
dVol
4
1
V
Vol

[4.8-17]
La carica potrebbe essere distribuita con una distribuzione non uniforme s(S) su una superficie. In
tale caso lintegrale va esteso alla superficie e quindi:
.
r
dS
4
1
V
S

[4.8-18]
Senza fare alcuna ipotesi sul come generato un campo elettrico, applicando la definizione [4.8-
12] di potenziale a due punti a distanza infinitesima l d , , l d x E dV ossia la componente del campo elet-
trico lungo la direzione l
.
l
V
El

[4.8-19]
Allora le componenti lungo i tre assi cartesiani sono
;
x
V
Ex

;
y
V
Ey

.
z
V
Ez

[4.8-20]
E ci si puo scrivere sinteticamente come
. V grad E [4.8-21]
Integrando la [4.8.12]:
c l d x E V +

[4.8-22]
il potenziale pu essere ricavato dal campo elettrico, a meno di una costante.
In un conduttore carico, nel quale non ci sia alcun passaggio di corrente, il campo allinterno nul-
La fisica dei dispositivi 159
lo, e non ci sono forze di natura elettrica che possono spostare cariche. Allora, dalla precedente, se il cam-
po nullo il potenziale costante. Questo significa che le cariche sono soltanto sulla superficie del condut-
tore. In altri termini il volume di un conduttore in quiete e carico un volume equipotenziale.
4.8.5 Il Teorema di Coulomb
Prendiamo in considerazione un conduttore carico con una densit superficia-
le di carica s = dQ/dS come quello mostrato in Fig.4.8-3. Tracciamo un tubo di for-
za del vettore densit del campo elettrico che abbia una sezione infinitesima dS ed
uno spessore dl pure esso infinitesimo, come quella mostrata in figura. La carica rac-
chiusa entro il volumetto dSdl Q

s

dS. Per il teorema di Gauss il flusso della densit
del campo elettrico lintegrale della carica racchiusa nel volumetto e cio
. dS dV ) V ( ) D (
V
S

Dalle parete laterali del tubo di forza, per definizione non


c flusso uscente ed il campo tangenti alle pareti. Allinterno del conduttore, che
un volume equipotenziale, non c campo elettrico e quindi il suo flusso nullo. Quindi lunico flusso esce
dalla superficie esterna dS ed quello calcolato prima. Il flusso di un generico vettore D attraverso una
superficie dS, per definizione e Dx dS. Nel nostro caso D e dS sono ortogonali ed allora DdS = s dS.
Pertanto D = s. Ne risulta il seguente Teorema di Coulomb: La densit del campo elettrico in un
punto infinitesimamente vicino alla superficie del conduttore proprio la densit di carica sulla
superficie.
Se poi la superficie del tubo di forza la si estende in modo finito fino al punto P1 e lo si chiude con
una superficie dS1 ancora ortogonale al tubo di forza si ha si ha che nel punto P1, D1 x dS1 = s dS = D dS.
Cio il prodotto della densit del campo elettrico per la sezione del tubo di forza costante in un tubo di
forza. Meglio se si esprime in forma vettoriale D x dS = s.
Allunghiamo il tubo di forza fino a raggiungere la superficie di un secondo conduttore sulla quale la
densit di carica superficiale sia s. Per il vettore D , uscente dalla superficie dS sar D = s e il flusso
uscente da dS sar D x dS. Siamo in un tubo di forza. Abbiamo gi visto che il prodotto della densit del
campo elettrico per la sezione del tubo di forza costante in un tubo di forza. Quindi poich il flusso di D
uscente da dS di entrante in dS e viceversa si conclude che D x dS = -D x dS e cio
s dS = -s dS [4.8-23]
dS e dS sono le aree staccate da un tubo di forza che congiunge due conduttori carichi
4.8.6 Lequazione di Poisson
Se riprendiamo la forma differenziale [4.8-10] del teorema di Gauss e la inseriamo nellespressione
[4.8-21] che lega il potenziale al campo elettrico. Per la relazione [4.8-6] fra D e E:
. V grad div ) V grad ( div E div

[4.8-24]
Questa espressione, alternativamente, pu essere scritta come
.
z
V
y
V
x
V
2
2
2
2
2
2

[4.8-25]
che prende il nome di Equazione di Poisson.
4.8.7 Il doppio strato
Un doppio strato costituito da due armature conduttrici parallele A e B a distanza d, separate da
un dielettrico omogeneo, sulle quali sono poste cariche con densit s s ma di segno opposto nei due strati,
s
D
P
dS

Fig.4.8-3
La fisica dei dispositivi 160
Fig.4.8-4. Si pu facilmente dimo-
strare, utilizzando il teorema di Cou-
lomb, che la densit del campo elettri-
co allinterno del dielettrico proprio
la densit di carica sulle armature. Il
campo allinterno delle armature, per
quanto abbiamo detto a proposito dei
conduttori carichi in quiete, nullo e
subisce una discontinuit allinterno
del dielettrico. Si pu calcolare la differenza di potenziale esistente fra le due armature. Applicando la
[4.8-13] e ricordando che allinterno del dielettrico il campo costante e
.
d
l d l d x
D
l d x E V
B
A
B
A
B
A
AB



[4.8-26]
Si pu anche determinare il potenziale allinterno del dielettrico dalla [4.8-22]
. x c c l d x
D
c l d x E V

+

[4.8-27]
Se larmatura A posta al potenziale VA allinterno del dielettrico il potenziale decresce da questo valore
con pendenza costante e pari a s/e fino ad arrivare allaltra armatura a distanza d al valore VB = VA -
sd/e. Nella Fig.4.8-4 mostrato il doppio strato e la situazione della densit del campo elettrico e del po-
tenziale.
4.8.8 Polarizzazione dei dielettrici
Lapplicazione di un campo elettrico ad un dielettrico crea una situazione al suo interno che viene
detta polarizzazione. Se la costante dielettrica del materiale in esame fosse eguale a quello del vuoto, la
densit del flusso elettrico sarebbe e0E, invece eE. La differenza eE - e0E il vettore detto polarizza-
zione dielettrica P. Il fatto che, sotto lazione delle forze elettriche applicate al dielettrico, in un qualche
modo, le cariche allinterno si riposizionano, contribuendo ad incrementare lo stesso campo elettrico appli-
cato. Si possono avere pi meccanismi con cui questi avvengono, anche simultaneamente. Il loro modo di
comportarsi dipende da vari aspetti che sono successivamente spiegati.
In Fig.4.8-5 sono mostrati le quattro possibilit. Da sinistra a destra i quattro meccanismi descritti
sono elettronico, ionico, di dipolo e di carica spaziale. Le figure in basso descrivono la situazione in
presenza di campo applicato, quelle di sopra senza. In assenza di campo elettrico esterno il centro di gravi-
t degli elettroni di valenza coincide con
la posizione del nucleo atomico e la cari-
ca complessiva nel punto come annulla-
ta. In presenza del campo gli elettroni so-
no attratti nel suo verso e questo baricen-
tro si sposta nella stessa direzione. Non
c pi equilibrio nel punto dove c il
nucleo. Leffetto complessivo prodotto
da queste cariche non pi equilibrato e di
aumentare il campo elettrico interno. Si
parla di polarizzazione elettronica. La
polarizzazione ionica produce lallun-
gamento delle distanze fra gli ioni costi-
tuenti la materia che vengono, cos a
l l
D=0
+s
D=0 D=
s
d
d d
s
V D
s
d/
e
VA
VB
- s

Fig.4.8-4
orbita
nucleo
Elettrone
di valenza
dipolo
coppie
di ioni
allungate
ioni
E
Dipolo
ruotato
Cariche
spostate

Fig.4.8-5
La fisica dei dispositivi 161
produrre un risultato simile al precedente. Se gli ioni, in qualche modo sono legati a coppie ed hanno le
coppie un certo orientamento che produce un momento di dipolo, in un campo elettrico tende ad allineare il
momento di dipolo facendo ruotare i dipoli come in figura. Si ha, in tal caso la polarizzazione di dipolo.
Lultimo caso si ha quando le cariche vengono realmente spostate in modo da spingersi verso le parti e-
sterne del dielettrico, come mostrato in figura. Si tratta della polarizzazione di carica spaziale.
Questi spostamenti di carica sono ottenuti
mediante lapplicazione di forze e quindi si com-
pie lavoro. Quando il campo si toglie la situazione
precedente si ripristina e lenergia accumulata dal
dielettrico viene restituita. Tuttavia la rapidit con
le quali le varie azioni posso essere ottenute non
la stessa. Cio c una inerzia delle diverse forme
di polarizzazione. La pi veloce e quella elettroni-
ca, dato che si tratta di spostare una massa pari a
quella degli elettroni. Negli altri casi le masse da
spostare sono pi grandi e cio sono ioni. Ruota-
re un dipolo meno rapido che allungarlo. Addi-
rittura la rapidit ancora inferiore nello spostamento di cariche. Questo fatto suggerisce che di fronte a ra-
pide variazioni del campo elettrico la polarizzazione non detta che resta costante. Quando si applica un
campo costante tutti gli effetti si sommano e la costante dielettrica assume il valore della costante dielettrica
relativa che quella definita in presenza di campo elettrico costante o come viene spesso detto in continua.
Se si fa variare il campo elettrico, per esempio alternativamente non detto che tutti i tipi di polarizzazione
si abbiamo., A frequenze relativamente basse le cariche che si dovrebbero spostare non hanno il tempo di
andare da una pare allaltra e quindi, ad un certa frequenza la polarizzazione per spostamento non ha pi
luogo e la costante dielettrica a questa frequenza diminuisce. Se si aumenta ancora la frequenza i dipoli non
riescono pi ad oscillare con la stessa frequenza del campo e la costante dielettrica diminuisce ancora. Al-
zando ancora la frequenza il movimento ad elastico delle coppie di ioni non ha pi luogo e la costante die-
lettrica diminuisce ancora. Rimane soltanto leffetto della polarizzazione elettronica anche questa a frequen-
za estreme sparisce e la costante dielettrica diventa quella del vuoto. Landamento qualitativo tipico della
costante dielettrico con la frequenza mostrato in Fig.4.8-6.
4.8.9 Rigidit dielettrica
Il fenomeno della polarizzazione del
dielettrico pu dar luogo ad un inconvenien-
te. Allaumentare del campo la polarizzazio-
ne aumenta e gli effetti di cui si discusso
incrementano di importanza. Lenergia ac-
cumulata con la polarizzazione si pu i m-
provvisamente liberare dando luogo a feno-
meni distruttivi e a passaggio di corrente.
Quando ci avviene si parla di rottura o,
allinglese di Breakdown. Il campo elettrico
corrispondente al Breakdown prende il no-
me di rigidit dielettrica. La rigidit dielet-
trica dipende dal materiale usato, ma anche,
dalle condizioni fisiche, di purezza. Anche la
sua forma geometrica ha un certo ruolo. Si
0
e e
0
e e
Polarizzazione da
carica spaziale
Polarizzazione di dipolo
Polarizzazione elettronica
Polarizzazione ionica
f

Fig.4.8-6
TAV.4.8-1
Propriet di alcuni materiali
Materiale e er Er r r
kV/cm W W cm
Vuoto 1
Aria 1.0006 31
Gomme varie 210 100200 10
11
+10
17

Resine termoindurenti 4.310 60100 10
11
+10
16

Resine termoplastiche 2.57 60100 10
13
+10
18

Ceramiche comuni 4.59 10100 10
12
+10
15

Vetri vari 3.87.2 10100 10
12
+10
15

Miche varie 5.4 15002000
Polimeri vari 2.18 1001800 10
13
+10
18

Oli per trasformatori 2-5 50300
La fisica dei dispositivi 162
possono, tuttavia dare, per i vari materiale dei valori approssimativi. Alcuni di questi sono dati nella
TAV.4.8-1.
4.8.10 Resistivit
La resistivit il valore da inserire nella [4.2-13], R = r l/S. Come logico aspettarsi, negli isolanti
questo valore normalmente molto alto. Tuttavia, a differenza dei conduttori, esso fortemente dipendente
da condizioni fisiche come umidit e temperatura. Nella TAV.4.8-1 sono mostrati valori di resistivit per al-
cuni materiali dielettrici.
4.8.11 Capacit
Trasportando su un conduttore isolato una carica Q bisogna compiere un lavoro. Il conduttore si
porta ad un certo potenziale. stata gi definita la capacit come il rapporto C = Q/V [1.3-8]. Il lavoro
compiuto per trasportare una carica Q attraverso il potenziale dV dL = Q dV. Pertanto il conduttore ca-
rico possiede una energia che pu essere riutilizzata nella scarica. Dalle definizioni di capacit C = Q/V si
ha dL = Q dV = C V dV. Un conduttore scarico ha energia nulla e per caricarlo alla tensione V si compie
un lavoro
. E
2
QV
C 2
Q
2
V
C CVdV dL L
2 2
V
0
L
0


[4.8-29]
che poi lenergia che il condensatore pu rilasciare nello scaricarsi.
La potenza necessaria per eseguire questo lavoro dipende dalla velocit con cui loperazione viene
fatta. Dalla definizione di potenza e dalla precedente:
.
dt
dV
CV
2
V
C
dt
d
dt
dL
P
2

,
_

[4.8-30]
La potenza necessaria per caricare il conduttore aumenta con la sua capacit e con la velocit con cui lo si
fa caricare.
La fisica dei dispositivi 163
4.9. Materiali magnetici
Altri materiali impiegati in elettronica sono quelli magnetici. Qui diamo una sintesi di alcune loro
propriet fondamentali rimandando ai testi di Fisica ed a quelli specializzati per maggiori approfondimenti. Il
magnetismo non si pu liquidare con poche cenni. Tuttavia, ai fini dellelettronica di base ci che conta sa-
pere il comportamento degli induttori e dei trasformatori. Pertanto ricorderemo qui soltanto le leggi di Lo-
rentz e quella di Lentz e la relazione fra campo ed induzione espresse dalla permeabilit. Infine ricorderemo
anche qual lenergia accumulata da un campo magnetico.
4.9.1 Il campo magnetico
In una zona di spazio c un campo magnetico se una carica elettrica ferma non risente di alcuna
forza ma una in moto si. Le cariche in moto provocano i campi magnetici e ne subiscono influenza. Ad e-
sempio fra due fili percorsi da correnti ci sono forze che dipendono dalla loro distanza e posizione e dalle
correnti nei due fili.
La legge di Lorenz da la forza che agisce sulla carica Q in moto con velocit . v Il vettore induzione
magnetico B viene definito dalla relazione
. B v Q F [4.9-1]
Linduzione magnetica si misura in Weber/m
2
.
Un filo lungo l , percorso da corrente I ed immerso nel campo magnetico di induzione B , subisce
analogamente una forza
. B l I F [4.9-2]
In effetti non si tratta che di una applicazione della precedente.
Il campo prodotto da una carica Q in moto con velocitvproduce a distanza r una induzione ma-
gnetica pari a
.
r 4
r v Q
B
3

[4.9-3]
Cos come il campo elettrico e linduzione elettrica sono legati fra di loro dalla costante dielettrica che
relativa al mezzo. Anche nel caso del magnetismo si parla di campo magnetico He di induzione magnetica
B legate fra di loro dalla permeabilit magnetica secondo la
. H B [4.9-4]
La permeabilit, come gi la costante dielettrica dipende dal mezzo, dalle condizioni fisiche e dalla frequen-
za. In pi bisogna ricordare la possibilit di fenomeni disteresi.
La permeabilit magnetica dei materiali, in analogia a quanto si fa per la costante dielettrica pu es-
sere riferita a quella del vuoto. Pertanto viene definita la permeabilit relativa mr di un materiale
0 r [4.9-5]
essendo mla sua permeabilit e m0 quella del vuoto.
I materiali magnetici si classificano in base alla permeabilit. I materiali che hanno permeabilit ma-
gnetica inferiore allunit sono detti diamagnetici. Quelli che la superano di poco sono i paramagnetici.
Si chiamano ferromagnetici quelli che hanno permeabilit sensibilmente superiore allunit. Per costruire
induttori, e trasformatori, spesso si usano i materiali ferromagnetici. Tuttavia esistono limitazioni al loro uso
perch le perdite in questi materiali possono essere rilevanti.

La fisica dei dispositivi 164
Come gi detto nel 1.3 in circuito elettrico nel quale circola una corrente variabile sorge una forza
controelettromotrice espressa dalla legge di Lentz [1.3-15]. Essa proporzionale alla velocit di variazione
della corrente secondo un coefficiente detto di autoinduzione che si misura in Henry. Tale coefficiente di-
pende sia dai fattori geometrici relativi alla forma del circuito sia dai materiali in cui il circuito magnetico sta.
Un circuito anche sensibile alle variazioni di corrente in un altro circuito prossimo. Ne abbiamo gi
parlato nel 2.1.3.2 a proposito dei trasformatori che, infatti, sfruttano questa propriet. Anche questa volta
in un circuito che risente della corrente di un altro circuito si genera una forza controelettromotrice propor-
zionale alla velocit di variazione della corrente del secondo circuito. La costante di proporzionalit detta
coefficiente di mutua induzione ed anche esso si misura in Henry. Tale coefficiente dipende sia dai fatto-
ri geometrici relativi alla forma del circuito sia dai materiali in cui il circuito magnetico sta. Delle propriet
degli induttori e dei trasformatori parleremo nel prossimo capitolo a proposito degli elementi reali.
Per produrre un campo magnetico bisogna compiere un lavoro. Se il campo prodotto da un in-
duttore L nel quale circola la corrente I lenergia accumulata dal campo pu essere calcolata come

2
I
L E
2
[4.9-6]
che poi lenergia che il condensatore pu rilasciare nello scaricarsi.
La potenza necessaria per eseguire questo lavoro dipende dalla velocit con cui loperazione viene
fatta. Dalla definizione di potenza e dalla precedente:
.
dt
dI
LI
2
I
L
dt
d
dt
dE
P
2

,
_

[4.9-7]
BIBLIOGRAFIA
[AL] - Allen, Holberg - CMOS Analog Circuit Design - Holt 1987
[AM] - Amaldi Fisica Sperimentale II -
[BO] - Bolognesi - Tecnologia dei semiconduttori - Zanichelli - 1965
[CA] - Carroll - Phisical Model for Semiconductor Devices - Arnold - 1974
[DE] - De Castro - Teoria dei dispositivi a semiconduttore - Patron - 1983
[FI] - Fink, Christiansen Manuale di elettronica - Tecniche nuove 1987
[GA] - Gandolfi, Zanetti - Tecnologie dei componenti elettronici al silicio - Hoepli - 1983
[GE] - Gettys, Keller, Skove Fisica classica e moderna: Elettromagnetismo McGraw Hill,
1998
[GR] - Grove - Fisica e tecnologia dei dispositivi a semiconduttore - Angeli - - 1967
[HE] - Herzberg - Spettri atomici e struttura atomica - Boringheri - 1961
[KA] - Kahng - Silicon Integrated Circuit - Part B - Cambridge University Press - 1981
[KI] - Kittel - Introduzione alla fisica dello stato solido - Boringheri - 1971
[MA] - Massobrio - Modelli dei Dispositivi a Semiconduttore - Angeli - 1986
[MI1] - Millman - Circuiti e Sistemi Microelettronici - Boringheri - 1985
[MI2] - Millman, Halkias - Microelettronica - Boringheri - 1978
[MU] - Muller, Kamis - Dispositivi Elettronici nei circuiti integrati - - Boringheri - 1977
[RA] - Ramo,Whinnery - Field and Waves in Modern Radio Wiley - 1944
[SM] - Smith - Semiconductors - Academic Press 1978
[SM1] - Smith Bell Syst. Tech. J, 37, 311 (1958)
[SO] - Soncini - Tecnologie microelettroniche - Boringheri
[SZ] - Sze Fisica dei dispositivi a semiconduttore Tamburini 1073
[WO] - Wolfstirn J. Phis. Chem. Solids. 16, 279, (1960)

DISPOSITIVI ELETTRICI
Finora abbiamo trattato i componenti elettrici senza tenere conto del fatto che in realt il
loro comportamento differente da quello descritto nei capitoli precedenti. Non possibile, in
genere, trascurare le differenze esistenti fra il loro comportamento ideale e quello reale. In questo
capitolo cercheremo di colmare questa lacuna. In effetti ci occuperemo degli aspetti pi
propriamente elettrici senza entrare eccessivamente nel dettaglio tecnologico per i quali si rimanda
a testi di tecnologia
[FL],[KA],[MO]
. Tratteremo, per, soltanto gli elementi passivi come resistori,
condensatori, induttori, trasformatori e linee di trasmissione
5.1 Resistori
Come abbiamo visto precedentemente il resistore gi stato definito dalla legge di Ohm, R
= V/I. La resistenza varia con la resistivit secondo la R = Ul/S. La conducibilit linverso della
resistivit. Per i materiali metallici questa dipende dalla concentrazione di cariche mobili e dalla
mobilit V = qnP. I resistori possono essere fissi o variabili. Il valore di questi ultimi pu essere
modificato manualmente agendo o su un alberino di regolazione, facendolo ruotare, o su una mano-
pola a slitta, spostandola lungo un segmento. Ci sono pure i resistori semifissi (detti anche
trimmer) il cui valore viene cambiato agendo con un cacciavite. Mentre resistori variabili servono
per comandi esterni da utilizzare dallutente, quelli semifissi sono per regolazioni iniziali ed in ge-
nere sono di competenza dei tecnici che conoscono e tarano lapparecchiatura. A secondo della mo-
dalit duso i resistori variabili prendono il nome di potenziometri e reostati. Nel primo caso si re-
golano tensioni, nel secondo correnti.
5.1.1 Parametri
I parametri fisici ed elettrici pi importanti vengono passati in rassegna in questo paragrafo,
senza entrare nei dettagli relativi ad ogni tipo di componente, cosa che verr fatta pi avanti.
Range di valori
Le caratteristiche costruttive e tecnologiche non consentono di costruire resistori di qualun-
que valore. Per esempio quelli a filo non possono essere di grande valore, pena una lunghezza del
filo eccessiva con induttanze parassita imponenti. Il valore nominale della resistenza quello che il
resistore ha a temperatura ambiente di 27C. Il valore nominale viene indicato stampato
sullinvolucro del resistore oppure identificato da un opportuno codice di colori.
Precisione e tolleranza
Quando due resistori si dicono eguali significa che il loro valore contenuto rispetto al
valore nominale dentro uno scarto possibile che prende il nome di tolleranza. Per essere pi precisi
il valore nominale il loro valore medio. Tolleranze tipiche per i resistori comuni sono 5%,
10% e 20%, mentre per quelle di precisione scendono fino a 0.1%. Una resistenza di valore
nominale di 10 K: con tolleranza del 10% garantita per un valore nellintervallo 911 k:. Le
fluttuazioni dal valore nominale sono fenomeni statistici con distribuzioni normali o gaussiane
[KN]
. Se la varianza della distribuzione V, entro 3V si hanno praticamente il 99.9% dei valori.
Una tolleranza del 10% significa una varianza di 3.3%. I processi tecnologici costano in ragione
della precisione da ottenere. Pertanto le tolleranze pi ristrette, in genere, costano di pi.
Dispositivi elettrici 166
Anche la tolle-
ranza viene indicata
stampata sullinvolucro
del resistore oppure i-
dentificato da un oppor-
tuno codice di colori. Le
tabelle 5.1-1 e 5.1-2 mo-
strano il codice di colore
valido non solo per resi-
stori ma spesso anche
per altri componenti
quali condensatori e in-
duttori.
Serie
Non si produco-
no resistori di qualunque
valore immaginabile. Si scelgono il numero di valori di resisten-
za in una decade. Per suddividere meglio lintervallo bene che
i valori vengano scelti con il criterio della progressione geome-
trica. Cio, il rapporto fra due valori consecutivi della serie costante. Si pu facilmente mostrare
che se En il numero di valori in una decade questo rapporto deve essere r = . 10
En
Per i resistori
comuni si hanno le serie E6 (20%) con r = , 47 . 1 10
6
E12 (10%) con r = 21 . 1 10
12
e E24 (5%)
con r = . 1 . 1 10
24
I valori effettivi sono solo approssimativamente scelti secondo la precedente re-
gola e vengono anzi arrotondati opportunamente. La tavola sottostante mostra i valori in una decade
di queste tre serie. I resistori di precisione appartengono alle serie E48 (2%), E96 (1%), E192 (0.5%).
e E384 (0.2%). e E768 (0.1%). Questo discorso vale anche per i valori di induttori e condensatori.
Coefficiente di temperatura
Nel 4.2.7 stato definito dalla [4.2-24]

il coefficiente di temperatura della resistenza come
ctr =dR/RdT. Dentro un campo di temperatura fissato un resistore ha un valore di resistenza
RT = R0[1+ctr(T-T0)]. [5.1-1]
R0 il valore della resistenza alla temperatura T0 e RT quello relativo alla temperatura T0. Normal-
mente con T0 si indica la temperatura ambiente di 27 C.
Il valore di Ctr varia di molto fra i vari tipi di resistore. Per avere resistori stabili in tempera-
tura non si usano metalli comuni ma leghe varie. La TAV.5.1-4 riassume i valori pi comuni. I resi-
stori comuni, detti anche ad impasto che sono i meno costosi hanno coefficienti di temperatura no-
tevoli. Resistori particolarmente stabili in temperatura sono quelli a costantana o manganina con Ctr
praticamente nullo.
Temperatura massima di funzionamento e potenza dissipabile
Se una resistore si surriscalda possono avvenire danni strutturali irreversibili che vanno da
una alterazione dei suoi parametri fisici fino alla sua distruzione. Il costruttore indica la potenza
TAV.5.1-1
Codice dei colori a quattro
barre
Barra
1
a
2
a
3
a
4
a
Colore Cifra Fattore Tolleranza
Nero
0 0 10
0

Marrone
1 1 10
1

Rosso
2 2 10
2

Arancio
3 3 10
0
K
Giallo
4 4 10
1
K
Verde
5 5 10
2
K
Blu
6 6 10
0
M
Viola
7 7
Grigio
8 8
Bianco
9 9
Oro
5%
Argento
10
-1
10%
Nessun
colore
10
-2
20%
TAV.5.1-2
Codice dei colori a cinque barre
Barra
1
a
2
a
3
a
4
a
Colore Cifra Fattore
Nero
0 0 10
0

Marrone
1 1 1 10
1
1%
Rosso
2 2 2 10
2
2%
Arancio
3 3 3 10
0
K
Giallo
4 4 4 10
1
K
Verde
5 5 5 10
2
K 0.5%
Blu
6 6 6 10
0
M
Viola
7 7 7
Grigio
8 8 8
Bianco
9 9 9
Oro
10
-1

Argento
10
-2

TAV.5.1-3
Valori delle serie standard
E6
1 1.5 2.2 3.3 4.7 6.8
E12
1 1.2 1.5 1.8 2.2 2.7 3.3 3.9 4.7 5.6 6.8 8.2
E24
1 1.1 1.2 1.3 1.5 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.7 3.0 3.3 3.6 3.9 4.3 4.7 5.1 5.6 6.2 6.8 7.5 8.2 9.1
Dispositivi elettrici 167
massima dissipabile che non deve essere mai superata. Essa dipende dalla capacit della resistore
di smaltire il calore senza elevare eccessivamente la sua temperatura. Quando passa corrente si ha
dissipazione di potenza con conseguente sviluppo di calore all'interno del dispositivo e la tempera-
tura al suo interno pi alta dell'esterno. Se il dispositivo riesce a smaltire il calore in modo effi-
ciente pu dissipare una potenza superiore. Il calore che si sviluppa all'interno viene trasmesso ver-
so l'esterno. La propriet di trasmissione del calore viene espressa dalla Resistenza Termica R.
Sia TR la temperatura della parte resistiva dove si sta sviluppando il calore per effetto della
potenza dissipata Pd. A regime termico la potenza dissipata eguale alla potenza Ps smaltita verso
l'esterno. Sia Ta la temperatura dell'ambiente in cui posto il resistore. Il salto termico fra linterno
e ambiente proporzionale a Ps e dipende dalla resistenza termica secondo la
Tj = R Ps + Ta. [5.1-2]
La R dipende sia dal dispositivo medesimo, sia dal modo in cui il calore viene rimosso dalla super-
ficie del contenitore.
Se chiamiamo Tc la temperatura a cui si porta la superficie esterna del resistore potremo
scrivere in modo analogo
Tc = RcaPs + Ta. [5.1-3]
nella quale Rca esprime, analogamente, la resistenza termica fra contenitore ed ambiente.
Eseguiamo la differenza fra le due precedenti:
Tj = (R - Rca)Ps + Tc = RjcPs, [5.1-4]
R = Rjc + Rca = Rja. [5.1-5]
La Rjc dipende solo da come il dispositivo riesce a trasmettere il calore dal suo interno alla superfi-
cie. Rca dipende dal modo con il quale si riesce a smaltire il calore dalla superficie. Se si ha a dispo-
sizione un radiatore esterno ideale, Rca pu essere assunto nullo. Se no, per diminuire Rca, si applica
il dispositivo su un radiatore metallico o, se non basta, si raffredda con circolazione di aria o acqua
forzata.
Tuttavia i resistori raramente montano dei dissipatori e quindi le caratteristiche di potenza
dissipata sono date in aria libera a 27C. Per i resistori viene definita la potenza nominale dissipa-
bile come la massima potenza che si pu dissipare al suo interno quando la temperatura ambiente e
27C senza che essa subisca variazione permanenti. Tuttavia se la temperatura esterna aumenta per
qualche motivo la potenza massima dissipabile diminuisce.
La figura accanto mostra, come esempio, le
curve di massima dissipazione di potenza per un
tipico resistore in aria libera. La potenza massima
dissipabile decresce di 1%/C. La temperatura
massima 125 C. La resistenza termica
linverso dellopposto della pendenza della delle
curva della figura. In generale landamento di que-
ste curve simile per tutti i dispositivi nei quali si
sviluppa potenza come i diodi ed i transistors. Ti-
pici valori di dissipazione massima per resistori
comuni sono 1/8 W, W, W, 1 W e 2 W. Per
resistori di potenza si arriva anche 100 W per uso
elettronico e ancora superiore per riscaldatori.
La capacit termica di un componente
lenergia necessaria per aumentare di un grado la sua temperatura. Pi precisamente
CT = 'T/'P. [5.1-6]
La costante di tempo termica il prodotto della capacit termica per la resistenza termica.
P
d
/P
dmax
(%)
0
0 25 50 75 100 125
T (C)
100
75
50
25

Fig.5.1-1
Dispositivi elettrici 168
Si pu dimostrare facilmente che la costante di tempo di un sistema termico caratterizza il sistema
dal punto di vista termico in modo analogo alla costante di tempo elettrica di un circuito RC.
Quello che conta per la potenza dissipabile la capacit di smaltire il calore. La potenza sia
sviluppata impulsivamente con un ciclo di durata c = tp/T che esprime il rapporto fra il tempo tp in
cui la potenza viene prodotta e quello complessivo T in cui pu smaltire il calore. In questo caso la
potenza istantanea pu essere superiore a quella nominale per linverso del ciclo di durata. Tutto ci
purch T non superi la costante di tempo termica della resistenza.
Nota la potenza massima dissipabile PdMax anche la tensione massima VMax applicabile al
resistore definita da . R P V dMax Max =
Coefficiente di tensione
Molti resistori non obbediscono in modo lineare alla legge di Ohm e il loro valore dipende
dalla tensione applicata. Si pu definire un coefficiente di tensione come cvr =dR/RdV. Dentro un
campo di tensioni fissato una resistore ha un valore di resistenza
RV = R0[1+cvr(V-V0)] [5.1-7]
R0 il valore assunto dalla resistenza alla tensione V0 e RV quello relativo alla tensione V0.
Il coefficiente di tensione peggiore quello relativo alle resistenze ad impasto. I migliori so-
no quelli delle resistenze di metalli depositati su supporti ceramici (cermet) e a quelle a strato di
carbone.
Stabilit
Una resistore nel tempo modifica il suo valore. In particolare lumidit e gli shock termici
sono responsabili di variazione. I costruttori definiscono la stabilit Cs come la variazione relativa
di resistenza (in ppm) dopo mille ore di funzionamento in condizioni definite e comunque
allinterno delle specifiche corrette.
Comportamento in frequenza
Un resistore un conduttore attraversato da corrente. Questa produce un campo magnetico
che si concatena con lo stesso conduttore. Questo comportamento pu essere
descritto da una induttanza parassita Ls in serie alla resistenza R del resistore.
Inevitabilmente esiste anche una capacit parassita che si pu immaginare in
parallelo. In Fig.5.1-2 mostrato il circuito equivalente di un resistore reale. A
questo punto, per, per descrivere il resistore non pi sufficiente la legge di
Ohm ma, invece, bisogna tenere conto della impedenza Z. Limpedenza com-
plessiva vista dai terminali del resistore
( )
,
s C L sRC 1
R sL 1
R
sL R
sC
1
sL R
sC
1
) X R ( || X Z
2
p s p
s
p
s
p
Ls Cp
+ +
+
=
+ +
+
= + = [5.1-8]
Limpedenza presenta uno zero -R/L e due poli. Se C / L 2 R > i due poli sono reali. Uno
dei due praticamente eguale allo zero e laltro 1/RCp. Per i resistori non avvolti o spiralizzati la
parte induttiva certamente trascurabile ed il comportamento tipico dellimpedenza in funzione del-
la frequenza mostra questo polo cui corrisponde la frequenza dangolo fr = 1/2SRCp. Quindi
lutilizzo dei resistori limitato ad una banda. Se poi si usano resistori non antinduttivi la banda
pu risultare abbastanza limitata. Grossolanamente Cp dipende solo dalla composizione e dalla di-
mensione del resistore, Quindi il prodotto Fr = frR = 1/2SCp, che potremmo definire come fattore di
merito del resistore, non cambia per resistori della stessa potenza, struttura e composizione.
Ls
Z
R
Cp

Fig.5.1-2
Dispositivi elettrici 169
Parametri addizionali per i resistori non fissi.
Per questi resistori interessa conoscere se la variazione viene ottenuta da un movimento an-
golare o lineare, se la legge di variazione lineare o no. Si costruiscono resistori a variazione linea-
re, logaritmica e secondo altre leggi matematiche. La variazione logaritmica, in genere, impiegata
per variare una grandezza cui interessata direttamente un senso umano, come per esempio il vo-
lume di uno strumento di riproduzione sonora.
5.1.2 Caratteristiche costruttive
Nella TAV.5.1-4 sono mostrati i principali parametri per i pi importanti tipi di resistori.
Una breve rassegna dei resistori parte dai resistori comuni detti anche ad impasto. Sono realizzati
con un impasto di carbone conduttore e di materiale isolante finemente macinati e con una resina
sintetica che agisce da collante una volta che viene polimerizzata a temperatura adeguata. Le dosi
relative e la grana dei componenti stabiliscono la resistivit media del materiale. A parit di dimen-
sione il valore dipende soltanto dalla composizione. Il principale vantaggio il costo modesto. Gli
inconvenienti sono lalto coefficiente di temperatura il rumore dovuto alle microscariche fra gra-
nelli conduttori non perfettamente a contatto. A causa di questultimo fatto sono anche poco stabili.
Vibrazioni e dilatazioni termiche introducono fluttuazione nei contatti fra i granuli e quindi micro-
scariche addizionali. I resistori ad impasto sono di bassa potenza, non superiore a 2 W. Il valore
della resistenza e la tolleranza vengono marcate sul corpo cilindrico del resistore usando il codice a
strisce con i colori della TAV.5.1-1. La prima e la seconda striscia rappresentano le prime due cifre
del valore della resistenza. La terza striscia il numero di zeri da aggiungere alle prime due cifre.
La quarta striscia, oro (5%), argento (1%) o mancante (29%) indicano la tolleranza sul valore no-
minale. I resistori ad impasto hanno uno scadente funzionamento in frequenza con il polo dominan-
te nella zona dai 100 KHz a 2 MHz inadatte, quindi, per le altissime frequenze. Pi basso il valore
resistivo, in genere, pi grande la banda. Il fattore di merito Fr dellordine di 10
11
10
12
.
Superiori sono i resistori a strato. Si deposita su un supporto isolante, generalmente cerami-
co, uno strato di materiale che costituir lelemento conduttivo. Il resistore viene rivestito con una
vernice isolante sulla quale, in qualche modo, sono indicate le caratteristiche. Si fanno sia resistori a
film sottile che a film spesso. I materiali usati per i resistori a film sottili sono leghe di metalli, il
carbone e lossido di stagno o di rutenio, quasi sempre depositati per evaporazione. I film spessi so-
no, per esempio, depositi di metallo e vetro finemente macinati su uno strato ceramico. Il tutto ri-
scaldato facendo saldare il metallo al substrato. Al solito le percentuali stabiliscono i valori. Si pos-
sono ottenere resistenze di buona precisione e buon coefficiente di temperatura. Il valore nominale,
oltre che dal materiale usato per il film, dipende dal suo spessore. Per ottenere valori alti si ricorre
alla spiralizzazione. Lo strato viene inciso a spirale in modo da aumentare la lunghezza della parte
resistiva e diminuire la sua sezione. Si possono ottenere resistenze di notevole precisione, fino a
0,05%. Ed ottimi coefficienti di temperatura. Questi resistori sono particolarmente stabili. Il com-
portamento in frequenza abbastanza buono. Il fattore di merito Fr dei resistori a strato di un or-
dine di grandezza superiore a quello dei resistori ad impasto. Mentre il coefficiente di temperatura
per i resistori a strato di carbone non particolarmente buono (500 ppm/C), si possono raggiun-
gere valori abbastanza contenuti (50 ppm/C) per quelle ad ossido di stagno e vetro-metallo. I re-
sistori di precisione possono essere realizzati in vetro-metallo con precisioni fino allo 0.1%. Parti-
colarmente buona linsensibilit dei resistori vetro-metallo alle condizioni ambientali. Limpiego
per la realizzazione dello strato di leghe come il Ni-Cr con opportuni additivi consente di ottenere
coefficienti di temperatura molto vicini allo zero.
I resistori cermet sono realizzati in modo simile depositando film spessi di metalli su sup-
porti ceramici e riscaldando in modo da fare saldare metallo e ceramica. I metalli usati sono di vario
tipo e si ottengono svariate categorie di cermet. Il riscaldamento fa si che la superficie esterna in
qualche modo diventa autoprotettiva perch si passiva. Servono, per la loro robustezza e resistenza
Dispositivi elettrici 170
allabrasione, anche per realizzare i resistori variabili. In questo caso un contatto striscia sul condut-
tore per permettere di variale il valore fra i terminali.
Avvolgendo un filo su un supporto isolante si ottiene il resistore a filo avvolto. Si usano va-
rie leghe come il Ni-Cr, la costantana e la manganina per ottenere bassi coefficienti di temperatura.
Questi resistori lavorano fino a 300C e possono essere utilizzati per fare resistori di elevata poten-
za. Si possono avere elevati valori di dissipazione di potenza fino alle migliaia di W per i resistori
che sia adoperano per scaldare, come quelle delle stufette domestiche. Sono ottenibili anche ottimi
valori di precisione e stabilit. Nei resistori di alto valore, per evitare grosse induttanze parassite, il
filo sottile si avvolge in doppio in modo che per ogni spira in un senso ce ne sia unaltra nellaltro
senso. facile ottenere resistori di elevata precisione perch questa dipende solo dalla tolleranza
delle dimensioni geometriche del filo da avvolgere.
Le tecniche di miniaturizzazione dei dispositivi elettronici ha portato a spingere verso
lestremo: quindi prima le resistenze multiple in chip ed ora i componenti a montaggio superficiale.
Le reti resistive sono realizzate con un film spesso depositato su un unico supporto isolante quasi
sempre ceramico. Si ottengono simultaneamente pi resistori su un unico dispositivo fornito, quindi
di pi di due terminali. Il deposito viene eseguito secondo un ben preciso schema topologico,
pattern. Spessore, larghezza, lunghezza del pattern e tipo di materiale depositato determinano il va-
lore dei resistori. I materiali usati per il deposito sono metalli o ossidi finemente polverizzati me-
scolati con vetro anche esso sotto forma di polvere. Riscaldando si forma il resistore vetro-metallo
sul supporto ceramico che assicura stabilit e buone prestazioni anche ad alta temperatura. I resisto-
ri vengono poi incollati allinterno di un opportuno contenitore con i contatti elettrici. Si hanno di-
verse forme che vanno dai SIL (Single-In-Line) con una fila di contatti in linea ai DIL (Dual-In-
Line) e cio due filari di contatti paralleli ad altre forme pi o meno complesse. Recentemente si sta
usando, sia per le reti resistive che per resistori di tipo comune un contenitore che prende il nome
SMD (Surface Mounting Device). Questo un contenitore ultraminiaturizzato utilizzato per molte
TAV.5.1-4
Caratteristiche principali dei resistori
Ctr @
27C
Range Pnom @
Tmax
Tolleranza Propriet
particolari
Tipo
ppm/C Ohm W C %
Resistori ad impasto 1500 1100M 1/82 130 5,10,20 Costo
metallico 20 15M 1/201 125 0.1,0.2,0.5 Precisione
comuni 200 4.31.5M 1/85 5,10,20 Amb.,Costo
vetro- semiprecise 100 11.5M 1/82 1,2,5 Amb.,Costo
metalliche precise 50 11M 1/101 0.1,0.2,0.5 Precis., Ctr
Resistore di fisse 500 105M 1/42 165 5,10 Costo
a strato carbone variabili <2000 1002M 70 Costo
di ossido comuni 200 4.32.5M 1/820 150 Affidabilit
di stagno semiprecise 50 4.31.5M 1/82 150 Stabilit,Ctr
di ossido di rutenio 350 .1100M 1/82
Ni-Cr 150 .1100M 1/82 300
Ni-Cr-Al 30 .1100M 1/82 300
costantana (Cu-Ni) 350 .1100M 1/82 300 Durata
Resistori manganina(Cu-Mn) 350 .1100M 1/82 300
a filo molded 350 0.12.4k 2 Ctr
inca- di precisione <20 .11M 1/201 145 0.5,1,2
psulati ultraprecisione <10 .11M 1/201 145 0.1,0.2,0.5 Precis., Ctr
variabili (potenziometri) 20 10100k Precis., Ctr
in plastica conduttiva 350 .1100M 1/82
Cermet: depositi su comuni 150 1010M 1/43 175 Stabilit
supporto ceramico variabili 250 5002M Fino a 12 W 175
film spesso 200 1010M < 2 W/Chip 125 Costo
Reti incapsulate film sottile 50 101M < 2 W/Chip 125 Prestazioni
Dispositivi elettrici 171
altre categorie di dispositivi elettronici che ha i contatti tutti sulla faccia inferiore senza fili da inse-
rire in fori e che consente, quindi un montaggio sulla superficie di una scheda stampata appoggian-
do direttamente i componenti sulla scheda. La saldatura dei componenti, una volta appoggiati al po-
sto giusto viene eseguita in una unica soluzione da una saldatrice a velo.
Per quanto riguarda i resistori variabili essi sono realizzati con molti dei materiali usati per
quelli fissi. Il tipo pi comune quello rotativo costituito da un resistore fisso con due terminali
allestremo. Sulla parte resistiva striscia un contatto che pu essere spostato ruotando un alberino. Il
materiale generalmente il carbone e lo strato pu essere uniforme o no dando origine a resistori
lineari o logaritmici. Il difetto principale di questi sistemi e che le continue rotazioni portano
allabrasione del materiale resistivo. Alla lunga si formano delle zone con contatti malsicuri che,
nel caso di controllo di volume danno luogo al caratteristico crepitio dovuto a cattivo contatto. Un
altro tipo il resistore a slitta in cui il contatto viene fatto scorrere lungo una retta anzich lungo un
arco di cerchio. I meno costosi resistori variabili sono quelli a strato di carbone. Migliori, ma pi
costosi sono quelli a strato metallico. Un miglioramento ulteriore si ottenuto con le plastiche con-
duttive. Si tratta di materiali polimeriche contenenti percentuali variabili di carbone finemente ma-
cinato e stampati per termocompressione su supporti isolanti. Queste plastiche sono particolarmente
resistenti allabrasione e consentono di ottenere resistori variabili di particolare durata ed affidabili-
t. Inoltre si ottiene anche una ottima risoluzione nel senso che, anche piccole variazioni della posi-
zione del cursore producono variazione della resistenza.
Una soluzione particolarmente felice a met strada fra il cermet e la plastica conduttiva. Si
ottengono cos i cosiddetti trimmers che sono fatti spesso a molti giri. La variazione viene ottenuta
girando con un cacciavite una vite senza fine che fa spostare il contatto molto gradualmente sul re-
sistore. Si ottiene una demoltiplica che permette regolazioni molto fini. Il vantaggio della risoluzio-
ne data dalle plastiche conduttive si aggiunge a quella della durata dovute ai cermet.
Altri tipi di resistori variabili si realizzano a filo metallico. Questa volta il contatto mobile
striscia sulla superficie del filo avvolto con moto che pu essere sia rotativo che a slitta. Per, se il
contatto si muove lungo tutto il filo non ci sono problemi particolari di risoluzione. Invece, quasi
sempre il filo avvolto ad elica sul supporto mentre il contatto segue la lunghezza del resistore. Il
risultato che il valore della resistenza varia a salti spostandosi il contatto da spira a spira. I resisto-
ri a filo sono quasi sempre adoperati per le elevate potenze.
Dispositivi elettrici 172
5.2 Condensatori
La funzione principale del condensatore di accumulare cariche e di ridarle al momento op-
portuno. Esso costituito da due superfici conduttrici affacciate, dette armature con un dielettrico
interposto. Applicando una differenza di potenziale fra le armature nel dielettrico si manifesta un
campo elettrico. Quindi le cariche di segno positivo tendono a spostarsi verso larmatura a potenzia-
le pi basso e quelle negative, al contrario, verso laltra. In tal modo il dielettrico si polarizza. La
capacit del condensatore, misurabile in Farad, gi stata definita dalla C = Q/V.
Alcune strutture sono par-
ticolarmente importanti. Trattere-
mo il caso delle armature a facce
piatte e parallele e di quelle a ci-
lindri coassiali affacciati. Calco-
liamo la capacit di un condensa-
tore a facce piane e parallele, co-
me quello di Fig.5.2-1a, di super-
ficie S, con un dielettrico spesso d di costante dielettrica H. Siano Q le cariche sulle armature sulle
quali si ha una densit di carica V = Q/S. Si tratta di un doppio strato con ai capi la tensione ricavata
nel 4.8.7 e cio, V = Vd/H. Il rapporto V/V H/d, per cui la capacit
.
d
S
d
S
V
S
V
Q
C r 0 = =

= = [5.2-1].
Eseguiamo il calcolo per un condensatore con facce cilindriche, come quello della Fig.5.2-
1b, lunghe l e di raggi rA (raggio esterno dellarmatura interna) e rB (raggio interno dellarmatura
esterna). Portiamo Q cariche positive sullarmatura esterna. Adoperiamo la [4.8-13]:
.
r
r
ln
l 2
Q
r log
l 2
Q
r
dr
l 2
Q
dr
rl 2
Q
dr dr
D
r d x E V
A
B
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
r
AB
A
B
B
B
A
B
A
B
A
B
A
B


=

=

=

=

= =


Allora .
) r r ln(
l 2
V
Q
C
A B AB

= = [5.2-2]
In realt molti condensatore sono realizzati con una striscia di dielettrico di spessore d di
larghezza L e lunghezza l sulle cui facce, in qualche modo sono fissate o depositate superfici metal-
liche conduttrici. Per limitare gli ingombri il tutto viene arrotolato nel senso della lunghezza e la
capacit complessiva sempre descritta approssimativamente dallespressione del condensatore a
facce piane e parallele in cui la superficie S = lL.
Si noti che se rA il raggio esterno del condut-
tore interno di un cavo coassiale e rB il raggio inter-
no del conduttore esterno possibile calcolare la ca-
pacit per unit di lunghezza che diventa
.
) r r ln(
2
dl
dC
A B

= [5.2-3]
Un caso particolarmente importante riguarda
la capacit fra due fili cilindrici come quelli della fi-
gura a lato. La capacit
[RA]
.
.
) r 2 D ( cosh arc
l
C

= [5.2-4]
e la capacit per unit di lunghezza, utile per il calcolo del comportamento di una linea bifilare
rB
rA
l
d
(a)
(b)
S

Fig.5.2-1
2r
l
Pc
P
m
2r
l
Pc
I
I
D
I

Fig.5.2-2
Dispositivi elettrici 173
.
) r 2 D ( h arccos dl
dC
= [5.2-5]
5.2.1 Parametri
I parametri fisici pi importanti riguardano essenzialmente le propriet del dielettrico e cio
la costante dielettrica, la sua rigidit dielettrica e la sua propriet di isolamento definibile tramite le
perdite. importante il suo comportamento termico, ambientale ed in frequenza. Abbiamo discusso
diffusamente della costante dielettrica e della rigidit nel 4.8. Pertanto approfondiamo soltanto
quei temi non ancora affrontati.
Coefficiente di temperatura
La causa principale della variazione di capacit con la temperatura attribuibile agli effetti
termici sulla costante dielettrica. Tuttavia, in modo analogo a quanto fatto per i resistori si pu defi-
nire il coefficiente di temperatura come
ctc =dC/CdT. [5.2-6]
Dentro un campo di temperatura fissato un condensatore ha una capacit
CT = C0[1+ctc(T-T0)]. [5.2-7]
C0 il valore assunto della capacit alla temperatura T0 e CT quello relativo alla temperatura T0.
Normalmente con T0 si indica la temperatura ambiente di 27 C. La maggior parte dei materiali ha
un Ctc, a temperatura ambiente, positivo
5.2.2 Perdite nei condensatori
Se si applica una tensione continua ad un condensatore passa una
debole corrente perch un isolante offre una resitivit, anche se molto
alta, ma finita. La resistenza di perdita del condensatore , secondo la
[4.2-13] Rp = Ul/S. Essa pu essere immaginata in parallelo alla capacit
ideale senza perdite, cos come mostrato in Fig.5.2-3. Applicando una
tensione alternata Vsi ha la situazione descritta nella figura a lato. La
corrente di perdita P R R / V I = in fase con la tensione applicata, mentre
la corrente nella componente capacitiva V C j IC = sfasata di 90. Pertanto la corrente comples-
siva I ha un angolo di sfasamento M tale che C R I I tg P R C = = . Ricordiamo che il coseno di M
nel 2.3.1.4 stato definito come fattore di potenza. Per un buon condensatore le perdite debbono
essere limitate e langolo di sfasamento molto vicino a 90. Poich per i condensatori M molto
vicino a 90 si preferisce utilizzare langolo complementare G, detto anche angolo di perdita che
nei buoni condensatori molto piccolo. Ma le differenze fra gli angoli di perdita sono apprezzabili.
Pertanto il fattore di potenza cos M = sen G G tg G per quanto detto.
Per un condensatore a facce piane e parallele la capacit data dalla [5.2-1] mentre la resi-
stenza Rp =U

d/S. Allora

=

=

= =
1
S
d
d
S 1
C R
1
I I tg
P
C R [5.2-8]
Langolo di perdita migliora con la frequenza, con la co-
stante dielettrica e con la resistivit del dielettrico. In effetti
un circuito equivalente pi preciso dovrebbe anche tenere
conto della resistenza e dallinduttanza offerta dai condut-
tori e che sono mostrate accanto. Tuttavia, in genere
leffetto trascurabile.
Rp
C
I
V
IC
G
M
IR

Fig.5.2-3
R
p
C
R
s L
s

Fig.5.2-4
Dispositivi elettrici 174
Un modo alternativo di dare una indicazione sul comportamento pi o meno prossimo a
quello ideale tramite il coefficiente di bont. In un circuito nel quale passano correnti alternate a
frequenza f il coefficiente di bont , a parte un fattore 2S, il rapporto fra lenergia immagazzinata
nel circuito in un secondo e quella media dissipata nello stesso tempo, cio la potenza media. Cio:
.
media potenza
circuito nel ata immagazzin Energia
2 Q = [5.2-9]
In un condensatore con perdite lenergia immagazzinata in un periodo la massima energia elettro-
statica che secondo la [4.8-29] CVM
2
/2. VM lampiezza del segnale alternativo. Alla frequenza f
questa energia immagazzinata f volte in un secondo e quindi al numeratore della precedente va
fCVM
2
/2 = fCVeff
2
. La potenza media dissipata nel dielettrico Veff
2
/Rp. Allora la precedente diven-
ta
. C R
R V
fCV
2 Q p
p
2
ef
2
ef
= = [5.2-10]
Si vede perfettamente che il coefficiente di bont corrisponde alla tangente dello sfasamento tra ten-
sione e corrente e, a parte la piccola approssimazione di cui si detto,
. 1 Q [5.2-11]
Tuttavia per definire la bont dei condensatori si preferisce parlare dellangolo di perdita.
Rigidit dielettrica , tensione di rottura e tensione di lavoro
Leffetto della rigidit dielettrico di limitare la tensione applicabile al condensatore. Se R
la rigidit dielettrica e d lo spessore del dielettrico la tensione massima applicabile inferiore a
Rd per ragioni legate a problemi costruttivi ed a disomogeneit. La tensione massima applicabile
prende il nome di tensione di rottura ed la tensione che produce la perforazione del dielettrico
con scariche che quasi sempre possono essere distruttive. Tuttavia non bisogna mai lavorare in que-
ste condizioni. Per tale motivo il costruttore fornisce il parametro tensione nominale o di lavoro
che la tensione raccomandata applicabile al condensatore senza che alcun effetto nocivo si possa
manifestare. In generale la tensione di lavoro differente per le tensioni continue e le alternate.
Tolleranza
Vale lo stesso discorso fatto per le resistenze. Spesso valore e tolleranza sono indicate
sullinvolucro con lo stesso sistema del codice di colori utilizzato per i resistori.
Stabilit
Anche per i condensatori vale quanto detto per i resistori riguardo al valore della sua capaci-
t nel tempo. Essa varia con luso, specialmente per gli elettrolitici.
5.2.3 Caratteristiche costruttive
La TAV.5.2-1 riassume le principali caratteristiche dei vari tipi di condensatori. Ci sono
condensatori fissi e variabili. La classificazione primaria si pu fare in funzione del dielettrico uti-
lizzato. I condensatori che usano sottili fogli di mica resistono ad alte temperature ed a elevate ten-
sioni. Essi vengono realizzati accatastando pi fogli di mica e di stagno, oppure fogli di mica allu-
minizzati. Questa tecnica di depositare le armature direttamente sui dielettrici, invece di usare arma-
ture autoconsistenti limita lingombro e quindi anche il costo. Le armature conduttive vengono in-
terconnesse alternativamente fra di loro. Numerose plastiche, in fogli sottili, sono impiegati per rea-
lizzare condensatori, quasi tutti con lunghe strisce metallizzate arrotolate. Il basso costo, la possibi-
lit di realizzare valori precisi, il bassissimo angolo di perdita e la stabilit sono le loro caratteristi-
che pi importanti. Lumidit non gioca alcun ruolo sulle propriet dei dielettrici plastici. I conden-
satori ceramici a bassa costante dielettrica offrono prestazioni interessanti sia per la tensione di la-
voro che per il campo di frequenza. Si ottengono coefficienti di temperatura quasi nulli. Quelli ad
Dispositivi elettrici 175
alta costante dielettrica sono ben compatti e poco ingombranti ma non hanno alta tensione di lavoro
e buona stabilit perch temono lumidit. Anche il coefficiente di temperatura lascia a desiderare. I
condensatori a vuoto vanno bene per le alte tensioni ma sono voluminosi. I condensatori a vetro so-
no realizzati facendo cataste di sottilissimi fogli di vetro alternati con alluminio ed opportunamente
connesse fra di loro. Sono molto buoni per la stabilit ed il coefficiente di temperatura. La carta im-
pregnata di oli opportuni anche un ottimo dielettrico poco costoso ed adatto alle alte tensioni.
Un discorso a parte meritano i condensatori elet-
trolitici. Lelettrolita un sale di alluminio o tantalio.
Quelli polarizzati hanno i segni + e - marcati per indicare
la polarizzazione da applicare. Uninversione della pola-
rizzazione produce la distruzione del condensatore. Il
condensatore prodotto realizzando attorno ad un ano-
do, con un processo, appunto elettrolitico, uno strato sot-
tilissimo dossido dalluminio o di tantalio, che , per
lappunto, isolante ed ha una buona costante dielettrica.
Si ottengono spessori di dielettrico molto ridotti e quindi capacit notevolissime a parit
dingombro. In figura sono mostrate in modo schematico le due versioni di elettrolitico polarizzato
o no. Si noti che laltra armatura, il catodo, costituita dallelettrolita e dal metallo che a contatto
con il medesimo.
I condensatori variabili sono usati quasi esclusivamente per realizzare circuiti risonanti.
Quindi hanno grandi applicazioni nei trasmettitori e nei ricevitori. Una volta la sintonia su una e-
mittente veniva per lo pi realizzata variando la capacit di un condensatore ad aria. Un pacco di
lamelle, distanti d luna dallaltra ed interconnesse alternativamente realizzano capacit di valore
relativamente elevate. Le lamelle dispari possono ruotare attorno ad un asse e si affacciano alle la-
melle pari. La capacit funzione della posizione dellasse. Trimmers possono anche essere realiz-
zati con altri dielettrici.
5.3 Induttori
Linduttore lelemento di circuito che sfrutta la legge di Lentz. Gli induttori vengono ado-
perati nei circuiti elettronici sia per realizzare circuiti risonanti che come elementi di blocco per
impedire che in un ramo di circuito passino correnti a frequenza elevata.
5.3.1 Induttori con semplici strutture geometriche
Il valore dellinduttore dipende dalla sua forma, dal materiale di cui fatto e da quello del
materiale circostante e nel caso in cui il conduttore di cui fatto di materiale magnetico anche

Catodo
Strato di
dielettrico
Elettrolita e
distanziatore
Anodo

Fig.5.2-5
TAV.5.2-1
Caratteristiche principali dei condensatori
Ctc Range VL Tolleranza Angolo di perdita
ppm/C Farad Volt % o/oo
Di precisione 10 0.1p100k 5050k 0.25, 0.5, 1, 2
mica Alluminizzata 50 1p100kp 50100k 1, 2, 5
plastici 200 20p400kp 3010k 0.5, 1, 2 <5
Basso H -1k1k 0.1p10k < 6 k 5, 10, 20 <30
ceramici Alto H -20k10k 0.1p1k 100 -20+100 <80
aria 200 6p25kp .2k45k
vetro 200 0.1p10k 2530k 5
carta <2000 100p200kp 50200k 10, 20 <25
Alluminio <4000 0.1P8000P 3700 -20+100
elettrolitici Tantalio <6000 <100kP 1600 5, 10, 20
Dispositivi elettrici 176
dalla relativa permeabilit. Nel resto del paragrafo mostreremo alcuni esempi di valori di induttanza
relativi a tipi semplici. Per i casi di induttori di forme pi complesse, come le spire rettangolari, gli
avvolgimenti multispira e quelli nido dape si rimanda ai testi specializzati
[FI], [MO]
.
Conduttore cilindrico rettilineo
Per esempio linduttanza di un conduttore cilindrico
rettilineo, lungo l, fatto di materiale di permeabilit Pc im-
mersa in un mezzo di permeabilit Pm
[MO]

.
8
l
1
r
l 2
ln
2
l
L
c m

= [5.3-1]
Se il conduttore non di materiale magnetico, come per e-
sempio il rame o lalluminio, la sua permeabilit quella
del vuoto, cio P0 =12.56 H/m. Il secondo termine, ad altis-
sime frequenza, a causa di un effetto di cui parleremo pi
avanti, detto effetto pelle, trascurabile. In tal caso linduttanza diventa
[MO]

. 1
r
l 2
ln
2
l
L
m

= [5.3-2]
Conduttori cilindrici rettilinei paralleli attraversati dalla stessa corrente nei due versi
Due conduttori identici, della stessa forma
del caso precedente, sono paralleli e a distanza D
fra i loro assi, come nella figura accanto e sono at-
traversati da una corrente I nei due sensi. In tal ca-
so linduttanza complessiva
[MO]

.
4
l
l
D
r
D
ln
l
L
c m

= [5.3-3]
Per i conduttore di materiale non magnetico, si usa
la permeabilit del vuoto P0. Quando sussiste
leffetto pelle si trova una espressione leggermente
differente
[RA]
e cio:
.
r 2
D
h arccos
l
L
m

= [5.3-4]
Si pu calcolare linduttanza per unit di lunghezza importante per il calcolo dei parametri
delle linee bifilari. Dalla precedente si ha:
.
r 2
D
h arccos
dl
dL m

= [5.3-5]
Conduttori cilindrici coassiali
In questo caso i due conduttori sono coassiali ed uno interno allaltro e sono attraversati dal-
la stessa corrente I nei due sensi. Il caso del conduttore interno non cavo corrisponde allinduttanza
della linea coassiale come quella del 5.1. Con le notazioni della figura si trova
[MO]

.
r
r
1
r r
r r 3
4 r
r
ln
r r
r
r
r
ln
2
l
L
2
1
m
c
2
3
2
4
2
3
2
4
m
c
3
4
2
3
2
4
2
3
m
c
2
3 m

[5.3-6]
Per i conduttore di materiale non magnetico, si usa la permeabilit del vuoto P0. Quando sussiste
2r
l
Pc
P
m

Fig.5.3-1
2r
l
Pc
P
m
2r
l
Pc
I
I
D
I

Fig.5.3-2
Dispositivi elettrici 177
leffetto pelle la precedente si semplifica
in
[RA]

.
r
r
ln
2
l
L
2
3 m

= [5.3-7]
Anche in questo caso utile conoscere
linduttanza per unit di lunghezza inte-
ressante per determinare le prestazioni
delle linee coassiali. Essa :
.
r
r
ln
2 dl
dL
2
3 m

= [5.3-8]
Spira circolare
Una spira circolare di raggio R, fatta con filo di
raggio 2r offre una induttanza di
.
4
R
2
r
R 8
ln R L
c
m

+

= [5.3-9]
Al solito il secondo termine si azzera se la spira non di
materiale magnetico.
Solenoide ad un solo strato
Un solenoide un con-
duttore avvolto a spirale. Siano
N le sue spire: Se esso suffi-
cientemente lungo, cio se l >>
R, assumendo che sia fatto da N
spire, la sua induttanza
l
R
N L
2
2
m = [5.3-10]
altrimenti si ricorre alla cosid-
detta formula di Nagaoka
[MO]
.
5.3.2 Effetto Pelle
In un conduttore di sezione uniforme, attraversato da corrente continua, la densit di corren-
te uniforme. Ma se la corrente alternata le cose cambiano. Ogni elemento infinitesimo dS di se-
zione interessato da una densit di corrente che cresce spostandosi dal centro del conduttore verso
la periferia. Leffetto pi marcato con la frequenza. Ci perch ognuno dei fili di sezione dS con i
quali si pu immaginare di suddividere il conduttore interessato al campo magnetico variabile
prodotto dai fili corrispondenti alle sezione circostanti. Il campo magnetico, per induzione, produce
una forza elettromotrice che si oppone al passaggio di corrente. Il conduttore di sezione dS pi in-
terno concatenato al massimo con tutto il flusso prodotto dal rimanente conduttore. Le sezioni dS
pi periferiche risentono di meno delleffetto perch pi distanti. Il risultato che linterno del se-
miconduttore offre una impedenza pi alta della periferia. Perci la densit di corrente decresce ver-
so linterno e con la frequenza. A frequenze sufficientemente alte soltanto la superficie del condut-
tore partecipa alla conduzione. Questa la ragione perch, ad esempio, gli induttori di altissima fre-
quenza possono essere realizzati con tubi anzich con fili e che i dipoli delle antenne Yagi, per e-
sempio quelle televisive, interessate ad altissime frequenze possono anche essere fatte con tubi an-
zich con metallo pieno. Sempre leffetto pelle responsabile del peggioramento dei resistori ad al-
r2
r1
r3
r4
P
m
I
I
I
l
Pc

Fig.5.3-3
P
m
I
Pc
H
2r
R

Fig.5.3-4
P
m
I
Pc
H
2r
R
l

Fig.5.3-5
Dispositivi elettrici 178
ta frequenza perch, anche in questo caso la loro impedenza aumenta in queste condizioni.
La resistenza di un conduttore di raggio r per effetto pelle dipende approssimativamente dal-
la frequenza secondo la
] r 1 [ R R 0 + = [5.3-11]
in cui R0 il valore in continua P e V sono rispettivamente permeabilit e conducibilit del condut-
tore. Ad altissima frequenza per ridurre la resistenza dovuto alleffetto pellicolare si usa argentare le
superfici dei conduttori o realizzarli con una treccia di fili nei quali le propriet di simmetria rispet-
to al centro del filo non valgono pi.
5.3.3 Capacit distribuite
Cos come inevitabile che un induttore presenti anche una
resistenza, dal momento che realizzato con un conduttore, non si
pu fare a meno di capacit parassite. La cosa abbastanza eviden-
te nel caso di induttori realizzati con pi spire. Fra spira e spira ci
sono superfici affacciate separate da dielettrici. In genere, inoltre,
per minimizzare lingombro le spire si fanno quanto pi addensate
possibili e sono soltanto separate dallo strato di vernice per evitare
che i fili nudi vadano in cortocircuito. In effetti le superfici affac-
ciate non sono soltanto fra le spire contigue ma anche fra quelle
non direttamente affacciate. Il valore delle capacit parassite di-
pende dalla forma delle spire, da come esse sono distribuite ed av-
volte, dal dielettrico interposto, dallo spessore dello strato di verni-
ce, dalla sezione del filo. Non ci interessa in particolare determina-
re il valore delle capacit parassite dal momento che questo calcolo estremamente laborioso,
quanto conoscerne la presenza ed il loro effetto.
Le capacit parassite sono particolarmente alte nel caso di bobine a pi strati. Tuttavia le co-
se cambiano a seconda del modo come gli strati vengono avvolti. La Fig.5.3-7a e b mostra i due ca-
si possibili relativi ad una semplice bobina a due strati di quattro spire ciascuno. Si possono avvol-
gere gli strati cambiando ogni volta il senso dellavvolgimento, una volta da sinistra a destra e
laltra da destra a sinistra come mostrato nella Fig.5.3-7a, oppure gli strati possono essere avvolti
comunque sempre nello stesso verso come mostrato nellaltra. Nella figura i numeri allinterno dei
conduttori indicano lordine dellavvolgimento. Le capacit fra le spire adiacenti sono in genere su-
periori a quelle fra le spire che si vedono in diagonale, perch queste sono pi distanti. Allora, come
si pu osservare nel semplice esempio di una bobina a due strati di due spire ciascuna della figura
(c) e (d), anche se non vengono presentati calcoli in proposito, tuttavia la capacit complessiva ri-
sutlta essere differente ed inferiore per il caso di spire avvolte comunque sempre nello stesso sen-
so. Inoltre unaltra considerazione importante fa preferire questa soluzione. Ogni spira ha una cadu-
ta di potenziale 'V. N spire producono una caduta N'V e fra due spire adiacenti avvolte nello stes-

Fig.5.3-6
(a)
1 2 3 4
8 5 6 7
(b)
8 5 6
1 2 3 4
7
1
(c)
2
3 4
1
(d)
2
3 4

Fig.5.3-7
Dispositivi elettrici 179
so verso la differenza di potenziale costante e pari a N'V. Se, invece si avvolgono in senso alter-
nato alcune spire hanno differenze di potenziale fino a 2N'V e ci pu introdurre effetti di scarica
attraverso il sottile strato di isolante.
5.3.4 Circuito equivalente
A questo punto abbastanza semplice sintetizzare quanto
abbiamo detto in un circuito equivalente. La resistenza propria del
filo, che tiene conto anche delleffetto pellicolare rappresentata
dalla resistenza Rs. Le capacit parassite sono rappresentate dalla
Cp. Le perdite nei materiali dielettrici e, come vedremo pi avanti,
anche in quelli magnetici per effetto delle correnti parassite dette
anche correnti di Foucault, sono simulate da Rp. Nel 3.5.2 ab-
biamo visto che, a parte Rs, si tratta di un circuito risonante parallelo la cui ammettenza data dalla
[3.5.16]. Pertanto limpedenza complessiva diventa

1 R / sL sLC
sL
R Z
p
s
+ +
+ = [5.3-12]
Nel dominio di Z questa espressione pu essere scritta come:
eq seq
2
n
2
n
2
n
2
n
2
n
2
n
p s L j R
) 2 ( ] ) ( 1 [
) ( 1
L j
) 2 ( ] ) ( 1 [
) 2 (
R R + =
+

+
+

+ = Z [5.3-13]
con Zn e V definite dalle [3.5-5] e [3.5-17], rispettivamente. Se si vuole che gli effetti parassiti sia-
no trascurabili bene non utilizzare linduttore a frequenze vicine a quelle naturali. Infatti, a questa
frequenza la parte resistiva dellinduttore diventa Rs + Rp molto grande mentre quella induttiva tra-
scurabile e il suo comportamento si snatura. Detto questo si comprende che gli induttori da utilizza-
re alle alte frequenze debbono avere frequenza naturale quanto pi alta possibile rispetto a quelle
duso, almeno 10 volte pi grandi. Ci comporta la necessit di ridurre al minimo le capacit paras-
site adottando, per esempio tecniche davvolgimento particolare, come quelle a nido dape in cui i
fili sono avvolti come nei rocchetti di lana per diminuire al massimo le capacit parassite fra spira e
spira.
5.3.5 Correnti di Foucault
Per limitare le dimensioni degli induttori ed ottenere elevato valore di induttanza si impie-
gano nuclei ferromagnetici ad alta permeabilit. Tuttavia il nucleo ferromagnetico anche condut-
tore. Allora si creano nel nucleo corrente indotte che aumentano con la frequenza con un esponente
che va da 1.5 a 2. Queste correnti, dette di Foucault, peggiorano le propriet dellinduttore. Infatti
per effetto Joule si ha produzione di calore con perdite di energia. La resistenza equivalente paralle-
lo Rp del circuito della Fig.5.3-8 diminuisce. Per limitare linconveniente si possono utilizzare di-
verse tecniche. Bisogna aumentare la resistenza offerta dal nucleo al passaggio delle correnti paras-
site. La cosa che sembra pi banale e quella di limitarle aumentando la resistivit del materiale co-
stituente il nucleo magnetico. Ma si pu inoltre realizzare il nucleo con dei lamierini di ferro tra lo-
ro isolati da vernici non conduttrici. Se non basta si possono usare nuclei fatti da impasti di polveri
di ferro e materiali isolanti compressi. In tal modo ogni granulo di ferro isolato dagli altri e le cor-
renti non riescono a passare limitando le perdite. Tuttavia da altissime frequenza anche questo non
basta e non si possono usare nuclei ferromagnetici se non a prezzo di un grave deterioramento delle
propriet dellinduttore.
5.3.6 Isteresi magnetica
Il valore dellinduttanza dipende dalla permeabilit magnetica del mezzo che usato come
nucleo. Per molti materiali questa permeabilit dipende soltanto dalla frequenza e dalla temperatura.
Se si vuole ridurre le dimensioni degli induttori conviene adottare soluzioni che prevedano nuclei di
R
p
C
p
Rs
L

Fig.5.3-8
Dispositivi elettrici 180
materiali ferromagnetici. Tuttavia si hanno ulteriori effetti indesiderati in questo caso. Il campo
magnetico in questi materiali agisce in un modo abbastanza simile a quello che fa il campo elettrico
cio producendo fenomeni di polarizzazione magnetica. Per produrre un campo magnetico, per e-
sempio con una corrente elettrica in un induttore, bisogna fornire energia al campo. Non sempre,
per, togliendo la causa che lo ha prodotto lenergia viene restituita. Alle volte il materiale resta
magnetizzato e cio il campo magnetico non c pi ma il materiale rimane magnetizzato a causa
della polarizzazione del materiale. In questo consiste il fenomeno dellisteresi magnetica. Inoltre
ogni ciclo disteresi comporta una perdita di energia sotto forma di calore nel materiale proporzio-
nale allarea della curva disteresi.
Applicando un campo magnetico ad un
materiale ferromagnetico linduzione magnetica
cresce, anche se non in modo lineare. Il materia-
le si magnetizza. Tuttavia se si aumenta ecces-
sivamente il campo la magnetizzazione non au-
menta pi ed il materiale si dice che saturo.
La Fig.5.3-6 mostra quello che avviene appli-
cando un campo magnetico, per esempio avvol-
gendo attorno al materiale magnetico delle spire
e facendole attraversare da corrente. In tal modo
H proporzionale alla corrente. Se il campo
nullo ed il materiale non mai stato magnetiz-
zato allaumentare di H, cio di I, cresce B, an-
che se in modo non lineare, tratto A-B. Tuttavia,
se H cresce di molto, B si stabilizza ad un valo-
re detto di saturazione, tratto B-C. La relazione B(H) descritta dalla parte di curva fra i punti A e C e
prende il nome di curva di prima magnetizzazione. Se ora si toglie H, B non va a zero, la relazione
B(H) ora descritta dal tratto C-D. Linduzione B = Mr corrispondente al punto D dovuta al fatto
che il materiale ferromagnetico si lasciato magnetizzare ed diventato un magnete permanente.
Non facciamo pi passare corrente e non produciamo campo magnetico, ma esiste una magnetizza-
zione residua Mr. Per smagnetizzare completamente il materiale ferromagnetico bisogna applicare
una corrente di segno inverso che produce un campo magnetico Hc di senso inverso detto campo
coercitivo che corrisponde al punto E della curva. Linduzione magnetica diventa nulla ed il nucleo
si smagnetizza. Se continuiamo ad aumentare il campo magnetico con una corrente dello stesso se-
gno di quella che ha prodotto il campo magnetico coercitico si arriva ancora alla saturazione, punto
F. Da qui il tratto F-G-H-C non ha bisogno di spiegazione: la descrizione identica a quella del tratto
C-D-E-F. Se ora si riprende a diminuire I co-
me si fatto precedentemente a partire da C
la curva descritta ancora C-D-E-F-G-H-C.
Questa curva prende il nome di curva
disteresi. Larea compresa allinterno della
curva disteresi proporzionale allenergia
spesa per percorrerlo. Pertanto materiali con
curve pi strette danno luogo a perdite infe-
riori.
Nella figura accanto le due curve si
riferiscono a due materiali differenti. Quella
a tratto continuo di un materiale a bassa
isteresi, per esempio un ferro dolce, adatto
alluso di induttori e trasformatori, mentre
laltro un acciaio buono per realizzare
-5000 5000
-2
1.5
-1
0.5
0
0.5
1
1.5
2
x 10
C
0
8
F
B
A
E
H
c
G
D
-H
c
H
-M
r
M
r
B

Fig.5.3-9
-5000 5000
-2
-1.5
-1
-0.5
0
0.5
1
1.5
2
x 10
0
8

Fig.5.3-10
Dispositivi elettrici 181
magneti permanenti.
Nelle relazioni che consentono di calcolare il valore delle induttanza compare la permeabili-
t. Ma nel caso dei materiali ferromagnetici questo valore, che dalla [4.9-4] il rapporto fra indu-
zione e campo, non assolutamente costante. In questo caso, meglio, conviene parlare di permeabi-
lit incrementale, intesa come il rapporto fra variazione dellinduzione e quella del campo che lha
prodotta. La permeabilit incrementale corrisponde alla tangente trigonometrica della curva
disteresi, punto per punto, ed evidentemente superiore nei tratti lontani dalla saturazione.
Leffetto dipendente dai materiali e dalla frequenza. Allaumentare della frequenza la capacit del
campo di polarizzare peggiora. Invece la temperatura addolcisce i materiali. Un magnete permanen-
te, riscaldato opportunamente pu perdere completamente le sue propriet. Il calore fornisce
lenergia che rimette le cose al punto di partenza.
5.3.7 Coefficiente di Bont
Abbiamo gi definito del 5.1.2.2 il coefficiente di bont tramite la [5.2-9]. Ricordiamo che
esso da una indicazione sul comportamento pi o meno prossimo a quello ideale.
In un induttore con perdite, lenergia immagazzinata in un periodo la massima energia e-
lettromagnetica che secondo la [4.9-5] LIM
2
/2, dove IM lampiezza del segnale alternativo. Alla
frequenza f questa energia immagazzinata f volte in un secondo e quindi al numeratore della pre-
cedente va fLIM
2
/2 = fLIeff
2
. La potenza media dissipata per le perdite Ieff
2
Rs. Per la [5.2-9]:
.
R
L
R I
fLI
2 Q
s s
2
ef
2
ef
= = [5.3-14]
Naturalmente, nel caso degli induttori bisogna tenere conto della loro complessit come descritto
nel 5.1.3.4. E pertanto pi opportuno riscrivere la precedente come
.
R
L
Q
seq
eq
= [5.3-15]
in cui i valori di Leq e Rseq sono quelli della [5.3-13].
Bisogna ricordare che la
resistenza serie del resistore di-
pende dalleffetto pelle che di-
pende dalla frequenza, come de-
scritto dalla [5.3-11]. Inoltre la re-
sistenza equivalente delle perdite
magnetiche Rp varia con la fre-
quenza perch leffetto delle cor-
rente parassite aumenta le perdite
e quindi aumenta il valore della
Rseq. Da questo si riconosce che il
coefficiente di bont
dellinduttore non una costante ma dipende dalla frequenza. A basse frequenze il numeratore
dellespressione del coefficiente aumenta con la frequenza in modo lineare mentre il denominatore
per leffetto pelle varia con la radice della frequenza. Ne segue che Q aumenta con la frequenza. Ad
alte frequenze, invece, le perdite aumentano considerevolmente e anche leffetto pelle continua a
giocare il suo ruolo. Il denominatore cresce pi di quanto non faccia il numeratore. Ne segue che in
questo campo di frequenze la pendenza di Q negativa. Pertanto esiste una zona in cui il coefficien-
te ha un massimo e questa la zona nella quale pi opportuno adoperare linduttore. La Fig.5.3-11
mostra un tipico andamento del Q di un induttore. chiaro che il miglioramento di Q si ha con tutti
gli accorgimenti che diminuiscono le perdite sia nel nucleo, sia nel dielettrico sia nel conduttore.

F (kHz)
Q
10
1
10
2
10
3
10
4
0
50
100

Fig.5.3-11
Dispositivi elettrici 182
5.3.8 Parametri pricipali
Coefficiente di temperatura
In generale la temperatura agisce sugli induttori tramite la dilatazione dei conduttori che de-
terminano modifiche alla geometria e quindi allinduttanza. Tuttavia un effetto secondario lo ha an-
che la variazione della resistivit che interessa leffetto pelle come evidenziato alla [5.3-11]. Ov-
viamente questo comporta che il coefficiente di temperatura dellinduttanza supera quello della di-
latazione lineare. A bassa frequenza, dove leffetto pelle inesistente praticamente i due coefficien-
ti di temperatura coincidono. Adoperando opportuni accorgimenti sia geometrici che tecnologici
possibile ottenere bassi coefficienti di temperatura. Per esempio adottando supporti isolanti a basso
coefficiente di dilatazione. Oppure realizzando linduttore con un deposito a film sottile sul suppor-
to a basso coefficiente di dilatazione. Una soluzione ottima di utilizzare particolari leghe e sup-
porti isolanti a bassissimo coefficiente di temperatura e filo intrecciato per diminuire leffetto pelle
e la sua influenza sul coefficiente di temperatura.
Stabilit
La temperatura pu produrre effetti anche notevoli sulla stabilit. Infatti le dilatazioni o del
supporto o dellavvolgimento possono determinare modifiche permanenti non prevedibili e in un
certo senso casuali al valore dellinduttanza che in corrispondenza dei cicli termici pu variare, an-
che pi volte, il suo valore.
Caratteristiche costruttive
Gli induttori possono, in prima approssimazione, essere classificati a seconda dellintervallo
di frequenza per i quali debbono essere adoperati e per la loro funzione. Due sono gli usi principali
degli induttori: come blocco per il passaggio delle componenti ad alta frequenza rispetto a quelle
alte oppure nei circuiti risonanti. Unaltra importantissima differenza risiede nella potenza che gli
induttori debbono gestire e cio se sono adoperati nei ricevitori o nei trasmettitori.
La frequenza essenzialmente determina il tipo di nucleo e di filo da usare. Per frequenze
modeste si possono usare induttori con nucleo in ferro dolce, ed i nuclei che realizzano circuiti ma-
gnetici chiusi in modo da diminuire la riluttanza e massimizzare. A frequenze pi alte il nucleo pu
essere costituito soltanto da ferriti ed il filo spesso filo di Litsz (filo intrecciato e ritorto) e spesso
avvolto a nido dape per limitare effetto pelle e capacit parassite. Ad altissime frequenze il nucleo
non pu essere impiegato per le perdite di Foucault. Inoltre spesso le bobine usate come blocco la-
vorano in prossimit della frequenza di risonanza propria per aumentare la capacit di bloccare le
componenti ad alta frequenza.
5.4 Trasformatori
Un trasformatore sostanzialmente costituito da due induttori avvolti in modo che il flusso
magnetico prodotto dalla corrente che circola in uno dei due avvolgimenti si concateni anche con
laltro, In tal modo, per la legge di Lentz su questo di induca una forza elettromotrice. A seconda
del campo di frequenza e della potenza che deve maneggiare il trasformatore pu avere nucleo in
ferro dolce, in ferrite o niente del tutto. Valgono per il trasformatore tutte le nozioni apprese per igli
induttori. Per i trasformatori ideali vale quanto detto nel 2.1.3.2.
chiaro che una trattazione approfondita dei trasformatori deve tenere conto di moltissimi
aspetti quali lapplicazione, la potenza in gioco, la frequenza, il tipo di corrente che deve passare
nel trasformatore e cos via. Ma non sembra di particolare interesse per questa trattazione analizzare
questi aspetti. Mentre i trasformatori di potenza sono studiati principalmente in elettrotecnica, quelli
di alta frequenza sono utilizzati essenzialmente in radiotecnica.
Dispositivi elettrici 183
5.5 Linee di trasmissione
Le linee di trasmissione hanno tre principali applicazioni. La prima riguarda il trasporto di
segnali a distanza fra antenne trasmittenti o riceventi e lapparato di telecomunicazione. Le linee
usate per queste applicazioni debbono avere basse perdite se non si vuole peggiorare il rapporto se-
gnale rumore, soprattutto se sono lunghe. Unaltra applicazione riguarda la propriet di una linea di
ritardare un segnale in modo preciso in funzione della sua lunghezza. In questo caso, a meno che
non si richieda un ritardo eccessi-
vo il problema dellattenuazione
non assume rilevanza particolare.
Infine luso della linea come for-
matore dimpulsi. Anche qui non
sembra avere rilevanza lattenua-
zione della linea.
Le linee pi spesso usate
sono i cavi coassiali, soprattutto
quando debbono trattare segnali
bassi da trasmettere a grande di-
stanza. Il conduttore esterno, rea-
lizzato con calza metallica intrec-
ciata, agisce da schermo nei con-
fronti di disturbi migliorando la
qualit del segnale trasportato.
Le linee di trasmissione
delle quali abbiamo discusso nel
3.6 hanno come principali carat-
teristiche i due parametri v e Z0
oltre che D e E. Il calcolo di que-
sti parametri, in generale, abba-
stanza complicato. Tuttavia alcuni casi pi semplici possono essere trattati e ricavate alcune pro-
priet generali, almeno per quanto riguarda impedenza caratteristica e velocit di propagazione. La
tavola sopra riporta per questi due casi i valori caratteristici
[RA]
. I parametri geometrici sono stati
gi definiti, ma per maggiore comodit sono stati riportate le sezioni delle linee nella stessa tavola.
In pi, nella tavola sono usati i seguenti parametri: Rs che la resistivit superficiale dei conduttori
dovuta alleffetto pelle; Dc e Dd che sono i due termini di attenuazione dovuti il primo alle perdite
nei conduttore e latra alle perdite nel dielettrico. Lattenuazione complessiva la loro somma
5.5.1 Linee senza perdite
Se le linee sono prive di perdite o non distorcenti possiamo calcolare agevolmente in due ca-
si abbastanza comuni e cio quelli relativi alle linee bifilari ed ai cavi coassiali la velocit di propa-
gazione v e limpedenza caratteristica Z0.
Linee Bifilari
Riprendiamo la Fig.5.3-2. I due conduttori immersi in un dielettrico omogeneo costituiscono
la linea bifilare. Per le linee bifilari senza perdite si possono calcolare limpedenza caratteristica e la
velocit di propagazione delle onde impiegando le [5.2-5] e [5.3-5] che danno la capacit e
linduttanza per unit di lunghezza. Inserendole opportunamente nella [3.6-7] e [3.6-15] si calco-
lano questi due parametri. Per la velocit di propagazione si ha:
TAV.5.1-1
Unit Cavo coassiale Linea bifilare

rB
rA


D
r

C F/m
) r r ln(
2
A B


) r 2 D ( h arccos


L H/m
.
r
r
ln
2 A
B m


r 2
D
h arccos
m


R :/m
.
r
1
r
1
2
R
B A
s


( ) 1 r 2 D
r 2 D
r
R
2
s


G mhos/m
) r r ln(
2
) r r ln(
2
A B A B


) r 2 D ( h arccos


Dc R/2Z0 linee con piccole perdite
Dd GZ0/2
D
RG
Linee non distorcenti
Dispositivi elettrici 184
.
1 ) r 2 D ( h arccos
) r 2 D ( h arccos LC
1
v
m m
=


= = [5.5-1]
Dal momento che il materiale usato come dielettrico un isolante, la sua permeabilit praticamen-
te quella del vuoto. Quindi, la precedente si pu approssimare come
,
c 1 1
v
r r r 0 0 m

= [5.5-2]
nella quale c rappresenta la velocit di propagazione nella linea bifilare con dielettrico il vuoto (o
laria) per i quali costante dielettrica e permeabilit magnetica relative sono unitarie. La linea che
ha come dielettrico il vuoto, o anche laria, ha, quindi, velocit di propagazione
s / m 10 3
10 4 10 85 . 8
1 1
c v
8
7 12
0 0

=

= =

[5.5-3]
che ovviamente la velocit di propagazione delle onde elettromagnetiche e quindi della luce, nel
vuoto.
Per quanto riguarda limpedenza caratteristica inserendolo le [5.2-5] e [5.3-5] nella [3.6-15]
.
) r 2 D ( h arccos ) r 2 D ( h arccos
) r 2 D ( h arccos
r 2
D
h arccos
C
L
Z
r
r
0
0 m m
0

= = [5.5-4]
Nel caso del vuoto o dellaria
.
) r 2 D ( h arccos
120
) r 2 D ( h arccos
10 85 . 8
10 4 ) r 2 D ( h arccos
Z
r r
12
7
r 0
0
0

[5.5-5]
Cavi coassiali
I parametri dei cavi coassiali senza perdite possono essere calcolati in modo analogo. Ci ri-
feriamo alla Fig.5.3-3 con rB raggio del conduttore esterno e rA quello dellinterno. La capacit per
unit di lunghezza si ricava dalla [5.2-3] mentre la [5.3-8] da linduttanza per unit di lunghezza.
Anche questa volta si sostituiscono nella [3.6-7] e [3.6-15] e si hanno v e Z0. Per v si ha
,
c 1
2
) r r ln(
) r r ln(
2
LC
1
v
r m
A B
A B m

=


= =
per gli stessi motivi della volta precedente. Si noti che questa espressione coincide con la [5.5.2].
interessante notare che la velocit di propagazione assume la stessa espressione in entrambi i casi
dipendendo soltanto da permeabilit e costante dielettrica. Il senso che la velocit di propagazione
non dipende dalla forma della linea. Riguardando le espressioni precedenti, poich qualunque mez-
zo ha costante dielettrica non inferiore a quella del vuoto, segue che le linee hanno velocit di pro-
pagazione delle onde inferiore a quella della luce nel vuoto.
Il calcolo dellimpedenza caratteristica porta a
,
2
r r ln
) r r ln(
2
r
r
ln
2 C
L
Z
A B
r
m
0
0
A B A
B m
0

= = [5.5-6]
che nel caso di vuoto o aria diventa
.
r r ln
60
2
r r ln
Z
r
A B
r
A B
0
0
0

= [5.5-7]
I cavi in aria hanno la massima velocit di propagazione e, a parit di dimensione la pi ele-
Dispositivi elettrici 185
vata impedenza caratteristica.
5.5.2 Le perdite nelle linee
Lattenuazione dipende principalmente dalla resistenza dei conduttori. Leffetto pellicolare
ha un contributo fondamentale. Per diminuirlo, dato che la corrente tende a passare prevalentemente
sulla loro superficie bisogna fare i diametri dei conduttori grandi e possibilmente ricoperti di mate-
riale con pi bassa resistivit, per esempio argento. Nei cavi bifilari bisogna fare r grande. In quelli
coassiali il conduttore interno che deve essere di grosso diametro. Ci comporta un aumento dei
costi, del peso del cavo e della sua rigidit meccanica.
Nei cavi con piccole perdite lattenuazione D = Dc + Dd = R/2Z0 + GZ0/2 data dalla [3.6-
68]. Il primo termine dovuto alla perdite nei conduttori, laltro nel dielettrico.
Nelle linee non distorcenti, per le quali vale la [3.6-65], cio R/G = L/C. lattenuazione da-
ta dalla[3.6-6], cio . RG =
Il parametro D lattenuazione per metro cio il rapporto fra le ampiezza V2 e V1 dellonda
progressiva ad un metro di distanza. Ci vale sia per londa diretta che per quella eventualmente ri-
flessa. Dalla [3.6-64], per esempio, per la diretta . e e ) metro 1 per x ( V V
x
1 2

= = = I costruttori
danno lattenuazione della linea in dB/m definita come 20Log
10
V2/V1. Pertanto lattenuazione
D
Db
(in dB/m) = 20 Log
10
V2/V1 = 20 Log
10
e
D
= 20 D

Log
10
e =8.686 D









Dispositivi elettrici 186
BIBLIOGRAFIA
[AM] - Amaldi Fisica Sperimentale II
[KN] - Knoll - Radiation Detection and measurement - J.Wiley
[KN] - Knoll - Radiation Detection and measurement - J.Wiley
[FA] - Falcone Elettronica generale e radioelettronica Siderea - 1968
[FI] - Fink, Christiansen Manuale di elettronica - Tecniche nuove 1987
[GE] - Gettys, Keller, Skove Fisica classica e moderna: Elettromagnetismo McGraw Hill,
1998
[KA] - Kaufman, Seidman Electronics Sourcebook - McGrawHill - 1984
[MO] - Montanari Tecnologia delle costruzioni elettroniche - Cupido - 1982
[RA] - Ramo, Whinnery - Field and waves in modern Radio - Wiley 1962
[TE] - Terman Radiotecnica ed elettronica CELI -

DI ODI SEMI CO DI ODI SEMI CO N N DUT T ORI DUT T ORI
Introduzione
Fino a questo momento ci siamo occupati di elementi o passivi o lineari. Da questo capitolo
in poi iniziamo a trattare i dispositivi a semiconduttori che sono fondamentali per lelettronica. So-
stanzialmente i dispositivi cui ci occupiamo si dividono in due categorie e cio i cosiddetti disposi-
tivi bipolari e quelli ad effetto di campo. In questo capitolo i occupiamo dei diodi bipolari cos
chiamati perch la corrente al loro interno affidato alle cariche di entrambe le
6.1. La giunzione P-N.
Realizziamo un semiconduttore nel quale siano state prodotte zone drogate di tipo differen-
te. La superficie di separazione delle due zone prende il nome di giunzione metallurgica. Il disposi-
tivo cosiffatto un diodo semiconduttore a giunzione. Le due zone p e n ottenute sono accessibili
da due terminali applicati a due strati metallici posti sulle due zone conduttrici, come, per esempio,
mostrato nella Fig. 6.1-1a. Esse sono lunghe, rispettivamente, lp e ln. Viene chiamato anodo il
terminale relativo alla zona p e catodo l'altro. Il comportamento del dispositivo siffatto dipende es-
senzialmente dal rapporto fra le concentrazioni dei droganti nelle due parti e dai loro profili. I profi-
li che si ottengono dai processi tecnologici non sempre sono definibili sotto forma analitica. Tutta-
via alcune approssimazioni fondamentali possono essere fatte. Qui ne discuteremo soltanto due e
cio la giunzione a profilo di concentrazione brusca detta anche giunzione a gradino e quella a pro-
filo di concentrazione lineare. Tuttavia molte giunzione effettivamente presentano profili meglio
descrivibili da andamenti gaussiani.
6.1.1 Giunzione a gradino non polarizzata
La Fig.6.1-1b mostra la concentrazione delle impurezze e quindi degli ioni, non necessaria-
mente eguali, nei pressi della giunzione. Si stanno supponendo concentrazioni diverse nelle due zo-
ne, ma uniformi. In questo caso si parla di giunzione a gradino. La situazione evidentemente ide-
ale. Nella zona p sono in maggioranza le lacune, con concentrazione pari a NA atomi/cm
3
, che sono
dette per questo cariche maggioritarie rispetto agli elettroni liberi che sono, invece, cariche minori-
tarie. Il discorso si capovolge nella zona n dove la concentrazione degli atomi droganti ND ato-
mi/cm
3
.
Le lacune della zona p diffondono nella zona n e viceversa, gli elettroni liberi della zona n
in quella p. L'effetto risultante mostrato nella Fig. 6.1-1c. Le cariche che sono maggioritarie in
una zona, attraversando la giunzione diventano minoritarie e hanno una grande probabilit di ri-
combinarsi con le cariche di tipo opposto che in quella zona sono maggioritarie. Ci avviene in
prossimit della giunzione. In questa zona si hanno un grande numero di ricombinazione e quindi
vengono lasciate scoperti gli ioni immobili. Tuttavia la diffusione delle cariche fra le due zone pro-
duce un accumulo di cariche di segno contrario da una parte e dall'altra che provoca un campo elet-
trico ed una barriera di potenziale che si oppone ad ulteriore diffusione. Si arriva ad una situazione
di equilibrio dinamico in cui ad ogni carica che si sposta in un senso per effetto della diffusione cor-
risponde una carica dello stesso tipo che il campo elettrico prodotto ricaccia indietro verso la zona
da cui era arrivata. Le due zone immediatamente vicine alla giunzione risultano praticamente svuo-
tate dalle cariche mobili. Pertanto il loro insieme prende il nome di zona di svuotamento. In tale
zona presente la carica spaziale relativa agli ioni immobili rimasti scoperti.
Diodi semiconduttori 188
Quanto detto mostrato in
dettaglio nella Fig.6.1-1. Il campo e-
lettrico determinato dal doppio strato
di ioni scoperti a cavallo della giun-
zione in Fig. 6.1-1d. A questo cam-
po corrisponde il potenziale della
Fig. 6.1-1e. La differenza di poten-
ziale che si viene a creare fra la zona
n e la zona p prende il nome di po-
tenziale intrinseco ed indicato con
VBi. Per finire la Fig. 6.1-1f fa vede-
re la situazione delle cariche mobili
in tutto il semiconduttore. I profili
non si presentano simmetrici perch
si immaginato di avere drogato pi
fortemente il materiale p rispetto alla
zona n. Il grafico semilogaritmo.
Le zone in cui sussistono ca-
riche mobili sono neutre e quindi la
densit di carica r r ed anche il campo
elettrico E sono nulli. Invece, le zone
svuotate, non conduttrici, ma non
neutre, sono sede di campo elettrico.
Andiamo nel dettaglio. Co-
minciamo con il determinare la lar-
ghezza delle zone svuotate. Lipotesi
di drogaggi uniformi consente un
calcolo semplificato. Dobbiamo ricordare che, mentre a cavallo delle giunzioni ci sono zone cari-
che, lontano da esse le due zone conduttrici p e n sono neutre. In condizioni di equilibrio in queste
zone neutre il campo elettrico deve essere nullo altrimenti ci sarebbe spostamento di cariche mobili
e quindi corrente. Un elettrone che dal materiale n va nel p lascia uno ione positivo scoperto nella
zona n e produce, ricombinandosi con una lacuna, uno ione positivo scoperto nella zona p. Quindi
il numero di ioni scoperti identico nelle due parti della giunzione. Gli ioni, in una approssimazione
ragionevole sono addensati a cavallo della giunzione. In effetti la situazione leggermente differen-
te ed il profilo di concentrazione delle cariche fisse non esattamente rettangolare ma ha un pen-
denza verso lesterno. Chiamiamo S la sezione del diodo, supposta costante, Wp e Wn gli spessori
delle zone svuotate, rispettivamente a sinistra e a destra della giunzione. Le carica scoperta nella
zona p q NAWpS, mentre nella zona n q NDWnS. Eguagliando i due termini si ricava
NAWp = NDWn . [6.1-1]
Nellipotesi fatte di drogaggi e sezione uniforme il problema pu essere studiato conside-
rando il caso unidimensionale lungo la direzione x della lunghezza del diodo. Inoltre fondamenta-
le lapprossimazione di completo svuotamento. Si suppone, cio, che nella zona compresa fra -Wp e
Wn non siano presenti cariche mobili. Inoltre, la densit dei portatori maggioritari salta bruscamente
al valore del drogante allesterno di questo intervallo. Poniamo lorigine degli assi nella giunzione
metallurgica dove la concentrazione salta bruscamente da NA a ND. Applichiamo l'equazione di
Poisson [4.8-25] ricavata nel 4.8.6. In tal caso la [4.8-25] si scrive come

)]. x ( n ) x ( p ) x ( c ) x ( c [
q ) x (
dx
d
dx
V d
i i
2
2
+


+

Con ci
-
(x) e ci
+
(x) si sono indicate le concentrazioni di ioni scoperti, nelle due zone. Per quanto det-
-60 -40 -20 40 60
0
0.5
1
-60 -40 -20 40 60
10
10
0
2
4
Giunzione metallurgica
Anodo Catodo
(a) n p
l
p
l
n
6
x 10
18
N (atomi/cm
3
)
N
A
N
D
x (nm)
x (nm)
x (nm)
x (nm)
-60 -40 -20 40 60
-6
-4
-2
0
x 10
5
E E
(V/cm)
-60 -40 -20 40 60
-60 -40 -20 0 20 40 60
-0.8
-0.4
0
0.2
x (nm)
V
-W
p
W
n
p
p
= N
A
n
n
= N
D
p
n
= n
i
2
/N
D
n
p
= n
i
2
/N
A
r r
(coul/cm
3
)
p, n (/cm
3
)
Giunzione metallurgica
(f)
(e)
(d)
(c)
(b)
VBi
0 20
0 20
E
max
0 20
0 20
Giunzione elettrica
-qN
A
qN
D
p(x)
n(x)
-W
p
W
n

Fig.6.1-1
Diodi semiconduttori 189
to ci
-
(x) = NA soltanto per Wp < x < 0 mentre nullo dappertutto. Analogamente ci
+
(x) = ND sol-
tanto per 0 < x < Wn e zero dappertutto. Trascurando, ovviamente, nelle zona svuotate di cariche
mobili la loro presenza, la precedente si pu scrivere come:
.
W x 0 per N
q
0 x W - per N
q
dx
d
dx
V d
n D
p A
2
2

'

< <

< <


Il campo elettrico nelle due zone si pu determinare integrando la precedente: Per Wp < x <
0, . c x
qN
c dx
qN
) x ( E
A A

La costante si calcola imponendo che per x = Wp il campo


si annulla. Allora c W
qN
0 p
A
+

, da cui . W
qN
c p
A

Quindi, per Wp < x < 0,


.
W
x
1 E
W
x
1
W qN
) W x (
qN
) x ( E
p
M
p
p A
p
A

,
_

+
,
_


con .
W qN W qN
E
n D p A
M

[6.1-2]
Invece per 0 < x < Wn, . c x
qN
c dx
qN
) x ( E
D D

La costante si calcola imponendo che per x


= Wn il campo si annulla. Allora c W
qN
0 n
D
+

, da cui . W
qN
c n
A

Quindi, per 0 < x < Wn


.
W
x
1 E
W
x
1
W qN
) W x (
qN
) x ( E
n
M
n
n D
n
D

,
_


,
_


Il coefficiente moltiplicativo comunque EM. Riepilogando
.
W x 0 per
W
x
1 E
0 x W - per
W
x
1 E
E
n
n
M
p
p
M

'

< <
,
_

< <

,
_

+
[6.1-3]
Il potenziale V(x) allinterno della zona di svuotamento si calcola integrando il campo che
non nullo solo nella zona di svuotamento:
.
2
W
W 2
x
x E dx
W
x
1 E dx E ) x ( V : 0 x Per W
p
p
2
M
x
W
p
M
x
W
p
p p
1
1
1
]
1


+ +

,
_

+

[6.1-4]
con V(0) =-EMWp/2.
.
2
W
W 2
x
x E ) 0 ( V dx
W
x
1 E ) 0 ( V dx E ) x ( V : W x 0 Per
p
n
2
M
n
M n
1
1
1
]
1

+ +
,
_

+

[6.1-5]
per x = Wn, .
2
W
E
2
W W
E V ) W ( V M
n p
M Bi n
+
[6.1-6]
Con W si indicata la profondit complessiva della zona svuotata.
La [6.1-1] si pu riscrivere come ,
N
N
W
W
A
D
n
p
cio ,
N
N N
W
W
W
W W
A
A D
n n
n p +

+
da cui
.
N N
N
W W
A D
A
n
+
Daltra parte, se nella [6.1-6] si sostituisce il valore di EM dato dalla [6.1-2] e
quindi il valore di Wn test ricavato si trova .
2
W
) N N (
N qN
2
W W qN
V
2
A D
A D n D
Bi
+

Da questa si deter-
Diodi semiconduttori 190
mina la larghezza della zona svuotata, legata alla tensione intrinseca da:
.
N
V
q
2
N N
N N
V
q
2
W
eq
Bi Si
A D
A D
Bi
Si

+
[6.1-7]
Se la giunzione non polarizzata la corrente netta attraverso la giunzione nulla, anche se si
ha un flusso continuo di cariche nei due sensi. La corrente di diffusione delle cariche dovuto al gra-
diente di concentrazione eguaglia la corrente di trascinamento dovuta al campo elettrico nella giun-
zione. Riprendiamo dal 4.4 lequazione della densit di corrente. Per le lacune, dalla [4.4-18]
0
dx
p d
D p q J p p p
1
]
1

[6.1-8]
e allora:
pdx
p d
V
pdx
p d

D
dx
dV
T
p
p

cio .
p
p d
V dV - T Ricordiamo che le cariche minoritarie
nelle due zone p e n sono, rispettivamente, pn0 = ni
2
/NA e np0 = ni
2
/ND. Integriamo fra Wp dove NA
= p(Wp) = e Wn dove .
N
n
) W ( p
D
i
n
2
.
p
p d
V dV
Wn
Wp -
T
Wn
Wp -

Quindi .
N N
n
ln V p ln V V
D A
i
T
W
W -
T Bi
2
n
p

.
n
N N
ln V V
2
i
D A
T Bi [6.1-9]
Il potenziale intrinseco si sarebbe potuto ricavare, con lo stesso risultata imponendo che la corrente
di elettroni nulla.
A questo punto, fissata la temperatura e scelti i drogaggi delle due zone risulta anche stabili-
ta la tensione intrinseca dalla precedente e quindi anche lo spessore complessivo dalla [6.1-7] e le
due parti in cui si suddivide nelle due zone tramite la [6.1-1].
Possiamo calcolare il profilo di concentrazione delle cariche mobili nel semiconduttore.
Cominciamo dalle lacune. Riprendiamo la [6.1-8] che pu essere riscritta come
dx
V p
dp
T


Integrando c dx
V p
dp
T
+


. Ricordiamo che il campo elettrico assume le forme [6.1-3] a seconda
di quale zona viene considerata. La costante c viene determinata imponendo che p(Wp) = NA e
p(Wn) = ni
2
/ND. Il risultato finale da
.
W x 0 per e
N
n
0 x W - per e N
) x ( p
n
W 2
) W x (
V

D
2
i
p
W 2
) W x (
V
A
n
2
n
T
M
p
2
p
T
M

'

< <
< <

+

Il profilo di concentrazione mostrato nella Fig.6.1-1f.
Per il profilo di concentrazione degli elettroni bisogna riprendere lespressione della densit
di corrente di elettroni data dalla [4.8-17] ed imporre che anche essa sia nulla. Si procede in modo
analogo, sempre utilizzando le espressioni del campo elettrico [6.1-3] e tenendo presente le condi-
zioni al contorno n(Wp) = ni
2
/NA e n(Wn) = ND. Il risultato finale da
.
W x 0 per e N
0 x W - per e
N
n
) x ( n
n
W 2
) W x (
V
D
p
W 2
) W x (
V

A
2
i
n
2
n
T
M
p
2
p
T
M

'

< <
< <


Diodi semiconduttori 191
Anche questo profilo di concentrazione mostrato nella Fig.6.1-1f. Se si osserva con attenzione la
figura si nota che il punto in cui le due concentrazioni di elettroni e lacune sono identiche non corri-
sponde alla giunzione metallurgica.
Nellesempio fatto in cui la concentra-
zione di accettori supera quella dei dona-
tori questo punto, detto anche giunzione
elettrica, si spinge allinterno della zona
n. Ovviamente se cambia la situazione la
giunzione elettrica si spinge nellaltro
senso.
Molto spesso il rapporto fra le
concentrazioni delle impurezze notevo-
le. In questo caso si possono usare e-
spressioni approssimate molto comode.
Per esempio se chiamiamo Nm la concen-
trazione pi piccola delle due lo spessore
della zona di svuotamento si riduce a
.
N
V
q
2
W
m
Bi
[6.1-10]
come si pu facilmente ricavare dalla
[6.1-7]. Nella Fig.6.1-2 sono mostrati il
potenziale intrinseco e la profondit della regione di svuotamento di un diodo a drogaggio asimme-
trico in funzione della concentrazione della zona meno drogata e a temperatura ambiente.
6.1.2 Giunzione graduale non polarizzata
La semplificazione introdotta
relativa alla giunzione a gradino non
molto realistica. Anche se molto
utile per capire il comportamento ba-
se di una giunzione perch i concetti
fondamentali rimangono. Tuttavia
bene tenere conto della possibilit
che, in vicinanza della giunzione me-
tallurgica il profilo di drogaggio vari
in qualche modo differente. In parti-
colare ci interessa, perch abbastanza
vicino alla realt il comportamento di
giunzioni in cui il profilo di drogag-
gio vari gradualmente.
In questo paragrafo, quindi, ci
occupiamo di questo caso. Tuttavia
non svilupperemo tutto il calcolo che
pu essere ritrovato nella bibliografia
citata. Le ipotesi di partenza sono che
il profilo di drogaggio vari gradual-
mente nella vicinanza della giunzio-
ne con una pendenza costante di m
(Atomi /cm
3
/cm) e che risulter
svuotata parte della zona con profilo di drogaggio variabile. In Fig.6.1-3a mostrato il profilo di
N=410
19
N=410
19
V
Bi
(Volt)
(a)
Si
Ge
GaAs
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
0
0.5
1
1.5
Concentrazione della zona meno drogata (N/ cm
3
)
W(
m m
m)
(b)
Ge
GaAs
Si
Concentrazione della zona meno drogata (N/ cm
3
)
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
10
-2
10
-1
10
0
10
1

Fig.6.1-2
n
p
E
max
N
A
N
D
x (nm)
x (nm)
x (nm)
x (nm)
V
W/2 -W/2
-qmW/2
Giunzione metallurgica
Anodo
Catodo
(d)
(c)
(b)
(a)
-800 -600 -400 -200 0 200 400 600 800
0
2
4
6
x 10
16
-800 -600 -400 -200 0 200 400 600 800
-0.01
0
0.01
-800 -600 -400 -200 0 200 400 600 800
-3
-2
-1
0
x 10
4
-800 -600 -400 -200 0 200 400 600 800
0
0.5
1
r r
(coul/cm
3
)
N (atomi/cm
3
)
V (Volt)
N
A
N=mx
qmW/2
V
Bi
N
D
E E
(V/cm)

Fig.6.1-3
Diodi semiconduttori 192
concentrazione di un diodo a drogaggio leggermente asimmetrico che, per, ha una giunzione in cui
il drogaggio varia uniformemente. Le cariche minoritarie attraversando le giunzione si ricombinano
e lasciano scoperte una zona in cui la concentrazione degli ioni cresce linearmente allontanandosi
dalla giunzione, vedi Fig.6.1-3b.
Questa volta l'equazione di Poisson da applicare nella zona di svuotamento
+


+
)] x ( n ) x ( p ) x ( c ) x ( c [
q ) x (
dx
d
dx
V d
i i
2
2

. x m
q
)] x ( n ) x ( p x m [
q


Il campo elettrico si ottiene inte-
grando questa espressione ed impo-
nendo che fuori dalla zona di svuo-
tamento, larga W, il campo elettrico
sia nullo, per le ragione dette anche
a proposito della giunzione a gradi-
no. Il conto porta che,
nellintervallo W/2 < x < W/2
1
1
]
1

,
_


2
M
W
x 2
1 E E
con .
2
W
2
m q
E
2
M

,
_

[6.1-11]
Integrando ulteriormente si trova
anche il potenziale intrinseco che
mostrato nella Fig.6.1-3d. Comun-
que esso .

12
qmW
V
3
Bi [6.1-12]
Daltra parte la concentrazione delle
impurezze ai confini della regione
di svuotamento e mW/2 da en-
trambe le parti. Allora possiamo uti-
lizzare una espressione approssimata ricavata dalla [6.1-9] nella quale la situazione della concen-
trazione delle impurezze ai confini della regione svuotata era NA e ND. Quindi, sostituendo sia a NA
che a ND mW/2 nella [6.1-9] si ottiene
.
2n
W m
ln V
n

2
W
m
2
W
m
ln V V
2
i
T
i
T Bi
2 2

,
_


Per trovare sia W che VBI bisognerebbe fare sistema fra le due ultime espressioni. Il sistema non
risolubile per via analitica. Tuttavia la via numerica lo consente. In Fig.6.1-4 landamento della ten-
sione intrinseca e della larghezza della zona di svuotamento in funzione del gradiente di concentra-
zione delle impurezze mostrato per i tre tipi differente di semiconduttore a T = 27 C.
Le giunzioni con profilo graduale non possono essere realizzate, tuttavia sono una buona
approssimazione per esempio per giunzioni brusche riscaldate eccessivamente per le quali, durante
il riscaldamento si ha una diffusione con redistribuzione che tende a smussare il profilo di concen-
trazione ed a renderlo lineare.
10
19
10
20
10
21
10
22
10
23
0
0.5
1
1.5
V
Bi
(Volt)
(a)
Si
Ge
GaAs
GradientediimpurezzeN(atomi/cm
3
/cm)
GradientediimpurezzeN(atomi/cm
3
/cm)
W(
m m
m)
(b)
Ge
GaAs
Si
10
19
10
20
10
21
10
22
10
23
10
-2
10
-1
10
0
10
1

Fig.6.1-4
Diodi semiconduttori 193
6.1.3 La polarizzazione diretta.
Applichiamo una tensione positiva VAK fra anodo e catodo, come mostrato in Fig.6.1-5a,
cio la zona p positiva rispetto la zona n. Si dice che si applicata una polarizzazione diretta.
Le considerazioni di questo paragrafo si riferiscono ad un diodo con giunzione a gradino. Le
ipotesi che si fanno per ottenere i risultati sono quelle del 6.1.1: entrambe le regioni siano unifor-
memente drogate; la zona di svuotamento sia completamente svuotata; le correnti che attraversano
le regioni resistive siano piccole in modo da potere trascurare le cadute di potenziale su queste parti
del dispositivo e pertanto la tensione VAK risulti tutta applicata ai capi della regione di svuotamento.
Queste semplificazioni portano ad un semplice risultato detto equazione di Shokley. Tuttavia il
comportamento reale differisce alquanto da quello che con questo metodo si pu ricavare. Discute-
remo pi avanti di miglioramenti che si possono fare a questo modello.
6.1.3.1 Diodi a base lunga
Per il momento incominciamo a discutere dei diodi in cui le lunghezze dellanodo e del ca-
todo siano sufficientemente pi grandi sia della zona di svuotamento che delle lunghezze di diffu-
sione in entrambe le zone. Questi diodi prendono il nome di diodi a base lunga per distinguerli da
quelli in cui questa condizione non verificata e che saranno discussi pi avanti.
Cominciamo a dare una prima spiegazione qualitativa di ci che accade con laiuto della
Fig.6.1-5 nella quale le curve tratteggiate rappresentano situazioni in cui non applicato potenziale
fra le due zone, mentre quelle a tratto continuo si riferiscono allapplicazione di VAK. La tensione
applicata si sottrae al potenziale intrinseco VBi. In Fig.6.1-5b illustrata la situazione del potenziale
nella zona della giunzione. Viene pertanto ridotto il campo nella zona di svuotamento, cio l'ostaco-
lo alla diffusione delle cariche dalla zona in cui sono maggioritarie verso l'altra. Ed allora nella vi-
cinanza della giunzione si ottiene un eccesso di portatori minoritari. In Fig. 6.1-5c mostrata la si-
tuazione delle cariche confrontata con quella che si ha in assenza di polarizzazione che rappresen-
tata tratteggiata. Per mantenere la
neutralit elettrica delle zone con-
duttrici vengono richiamate cariche
di segno contrario. Ad esempio le
lacune in eccesso nella zona n ri-
chiamano elettroni dalla zona a de-
stra. A regime la zona n provvede
a trasferire nella zona p gli elettro-
ni necessari a rimpiazzare quelli
che scompaiono per ricombinazio-
ne. Queste cariche provengono dal-
la batteria. Ci da luogo alla cor-
rente JAn. Analogamente JAp. In
questo caso, per, le lacune non ar-
rivano dalla batteria ma, come
ovvio sono elettroni che vanno
verso la batteria a chiudere il cir-
cuito per soddisfare il principio di
Kirkhoff. Nella zona di svuota-
mento si hanno contributi
significativi di entrambi i tipi di
portatori. La Fig. 6.1-5d mostra la
situazione delle densit di corrente
nel diodo.
Chiamiamo ancora -Wp e
Giunzione metallurgica
(d)
(b)
p, n (/cm
3
)
-60 -40 -20 0 20 40 60
10
x (nm)
p
p
= N
A
p
n
= n
i
2
/N
D
n(x)
-60 -40 -20 0 20 40 60
0
0.5
1
x (nm)
V (Volt)
V
Bi
Giunzione metallurgica
(c)
Giunzione elettrica
10
-60 -40 -20 0 20 40 60
10
x (nm)
J
Ap
n
n
= N
D
J
Ap
n
p
= n
i
2
/N
A
p(x)
n(x)
J
A (ma/m
2
)
Anodo Catodo
(a)
+
-
V
AK
n p
l
p
>>L
n
Giunzione elettrica
-W
p
L
p
L
n
W
n
Diffusionedi
lacune
Diffusionedi
elettroni
diffusione
danodo
neutra
di catodo
neutra
danodo
svuotamento
diffusione
di catodo
V
AK
V
Bi
-V
AK
J
An
J
An
l
n
>>L
p

Fig.6.1-5
Diodi semiconduttori 194
Wn la delimitazione della zona di carica spaziale. Allincirca all' esterno di tale zona si hanno zone
neutre conduttrici con cariche maggioritarie. La zona di carica spaziale non neutra ma svuotata di
cariche mobili. Leffetto della differente barriera di potenziale produce uno spessore totale della zo-
na di svuotamento diverso. Estendendo la [6.1-7] si pu scrivere:
.
N
V V
q
2
N N
N N
) V V (
q
2
W
eq
AK Bi Si
A D
A D
AK Bi
Si

[6.1-13]
La corrente di lacune nella regione di carica spaziale, per le ipotesi semplificative introdotte,
pu essere calcolata utilizzando lequazione di continuit ricavate nel 4.4.3 data dalla [4.4-18]
1
]
1


dx
) x ( p d
D ) x ( (x) p q ) x ( J p p Ap o che lo stesso
.
dx
) x ( p d
D
dx
) x ( V d
(x) p q ) x ( J p p Ap
1
]
1


I due termini della corrente sono molto grandi. La corrente totale di lacune, allinterno della zona di
carica spaziale, la differenza fra queste due correnti e risulta solo una frazione molto piccola di en-
trambe. Pertanto in una prima approssimazione la corrente di diffusione pu essere ritenuta eguale a
quella di trascinamento. Allora dalla precedente si ricava
dx
) x ( p d
D
dx
) x ( V d
(x) p p p cio
.
) x ( p
) x ( p d
) x ( V d
Dp
p

Usando la relazione di Einstein [4.4-16] .


) x ( p
) x ( p d
V
) x ( V d
T
Integriamo
allinterno della zona di svuotamento, fra -Wp e Wn. Si ha: .
) x ( p
) x ( p d

V
) x ( V d
n
p
n
p
W
W
W
W
T


Quindi
) W ( p
) W ( p
ln
V
) W ( V ) W ( V
p
n
T
p n


. Ai capi della zona di svuotamento si ha una tensione VAK VBi.
Ed allora
) W ( p
) W ( p
ln
V
V V
p
n
T
Bi AK

cio
T Bi T AK T Bi T AK V V V V
A
V V V V
p n e e N e e ) W ( p ) W ( p

. Abbiamo
gitrovato il potenziale intrinseco VBi con la [6.1-9]. Sostituendola nella precedente:

T AK T AK T AK V V
0 n
V V
D
2
i
D A
2
i
V V
A n e p e
N
n
N N
n
e N ) W ( p . [6.1-14]
In assenza di polarizzazione diretta p(Wn) = pn0. Leffetto della polarizzazione di aumentare la
concentrazione delle cariche minoritarie come si vede dalla relazione precedente. A destra della zo-
na di svuotamento e cio per x = Wn leccesso di lacune che di determinato con lapplicazione del
potenziale VAK
). 1 e ( p p e p p ) W ( p ) W ( p
T AK T AK V V
0 n 0 n
V V
0 n 0 n n n n [6.1-15]
Eseguendo lo stesso calcolo per gli elettroni si troverebbe
). 1 e ( n n e n n ) W ( n ) W ( n
T AK T AK V V
0 p 0 p
V V
0 p 0 p p p p
Chiamiamo dpn(x) e dnp(x) leccesso di cariche minoritarie nelle regioni al di fuori della re-
Wn per x -Wp. La regione a destra di Wn
neutra e priva di campo elettrico. Non ci sono cause che producono generazione addizionale e a re-
gime, la concentrazione nelle zone neutre non cambia nel tempo. Allora si pu usare lequazione di
continuit [4.6-4]. In queste ipotesi semplificative essa si riduce a , 0
x
) x ( p
D
p ) x ( p
2
n
2
p
p
0 n n


cio ,
x
) x ( p

D
) x ( p
2
n
2
p p
n

e ricordando la [4.6-6] essa diventa .


x
) x ( p

L
) x ( p
2
n
2
2
p
n

Lp la lunghezza
di diffusione delle lacune. La soluzione generale stata gi calcolata nel 4.6.1 ed la [4.6-7], cio:
Diodi semiconduttori 195
. e B e A (x) p
p p x/L -x/L
n + [6.1-16]
Per x , pn pn0 cio dpn() = 0. Da cui B = 0. Invece per x = Wn, per la [6.1-15]
). 1 e ( p ) W ( p
T AK V V
0 n n n Allora . e ) 1 e ( p A
p n T AK L W V V
0 n

Per finire:
.
)
e ) 1 e ( p ) x ( p
p n T AK L W x ( V V
0 n n

[6.1-17]
Nella zona n, a destra di Wn in cui il semiconduttore neutro si ha un profilo di concentrazione
con un eccesso dato dalla precedente rappresentato in scala logaritmica nella Fig.6.1-5c. Dal mo-
mento che la concentrazione delle cariche minoritarie non costante si ha corrente per effetto di dif-
fusione. Poich il campo elettrico nella stessa zona nullo non c corrente di deriva e la densit di
corrente si pu calcolare come
. e ) 1 e (
D
qp e ) 1 e ( p
L
D
q
dx
) x ( dp
qD ) x ( J
p
n
T
AK
p
n
T
AK
L
W x
V
V
p
p
0 n
L
W x
V
V
0 n
p
p n
p Ap


Se la zona svuotata piccola pu essere trascurata la ricombinazione delle cariche nella stessa zona,
supposta, quindi, completamente svuotata, e la densit di corrente costante. Il suo valore s
calcolare determinandola al limite della zona di svuotamento dalla precedente per x = Wn. Si ha
). 1 e ( p
D
q ) W ( J
T AK V V
0 n
p
p
n Ap


Un calcolo analogo eseguito per la densit di corrente di elettroni ci consente di calcolarla
allaltro limite della zona di svuotamento. Si ricava:
). 1 e ( n
D
q ) W ( J
T AK V V
0 p
n
n
p An


Anche questa corrente rimane praticamente costante allinterno della zona di svuotamento. La den-
sit di corrente totale, al suo interno , quindi, la somma delle due precedenti:
). 1 e ( n
D
p
D
q ) 1 e ( n
D
q p
D
q ) W ( p J ) W ( J J
T AK T AK V V
0 p
n
n
0 n
p
p
V V
0 p
n
n
0 n
p
p
p An n Ap A
1
]
1


1
]
1

+
Ponendo
1
]
1

+
1
]
1

+
1
]
1

n A
n
p D
p
2
i 0 p
n
n
0 n
p
p
0 p
n
n
0 n
p
p
S
L N
D
L N
D
qn n
L
D
p
L
D
q n
D
p
D
q J [6.1-18]
). 1 e ( J J
T AK V V
s A [6.1-19]
che da la densit di corrente nel diodo. Il profilo della densit di corrente nelle varie zone mostrato
nella Fig.6.1-5d.
Per un diodo di sezione S la corrente IA nel diodo si pu ricavare dalla precedente ponendo
Is = JsS [6.1-20]
come ). 1 e ( I I
T AK V V
s A [6.1-21]
che la cosiddetta equazione di Shockley. Vedremo pi avanti le ragioni per cui il coefficiente Is
prende il nome di corrente inversa di saturazione.
Si osserva il dettaglio della Fig.6.1-5d che descrive la densit di corrente nelle varie zone
del diodo. Si possono distinguere cinque zone, da sinistra a destra: 1) la zona neutra dellanodo; 2)
la zona di diffusione dellanodo; 3) la zona di svuotamento a cavallo della giunzione; 4) la zona di
diffusione del catodo; 5) la zona neutra del catodo.
Nella zona di svuotamento la corrente composta da due componenti di ampiezza diversa
perch dipendendo dalla differenza di drogaggio fra catodo ed anodo e sono dovute agli elettroni
che si recano verso lanodo e le lacune che si spostano verso il catodo. Queste correnti procedono
praticamente indisturbate nella zona che, essendo svuotata non da praticamente effetti di ricombina-
zioni, almeno in prima approssimazione, di queste cariche che transitano.
Diodi semiconduttori 196
Le correnti nelle due zone di diffusione, sia di anodo che di catodo si comportano in modo
simmetrico. Per esempio la corrente nella zona di diffusione del catodo dovuta alle lacune che si
ricombinano provenendo dalla zona di svuotamento. Questa componente diminuisce esponenzial-
mente con la distanza dal confine della zona di svuotamento secondo la loro lunghezza di diffusio-
ne. Dopo poche lunghezze di diffusioni Lp non c pi corrente di diffusione di elettroni. Inoltre nel-
la stessa zona stanno transitando elettroni che si recano verso lanodo. Una parte di essi sar la cor-
rente costante allinterno della zona di svuotamento che produrr la diffusione nellanodo, laltra
parte quella relativa alla ricombinazione con lacune, nella stessa zona di diffusione di catodo che
provengono dallanodo.
La corrente nelle due zone neutre dovuta ad elettroni nel catodo e a lacune nellanodo. Gli
elettroni che si spostano nel catodo provengono, attraverso il contatto metallico dalla batteria. Ri-
cordiamo che una lacuna, di fatto la mancanza di un elettrone e il suo spostamento in un verso si-
gnifica, di fatto, che un elettrone si sposta in verso opposto. Allora, le lacune che si spostano
nellanodo, verso la giunzione, al contatto metallico dellanodo, sono elettroni che dalla zona neutra
vanno verso la batteria. In tal modo lintero percorso della corrente, sia dentro il diodo che attraver-
so il circuito esterno giustificato.
Naturalmente la corrente complessiva costante in tutto il diodo. Quindi, andando da sini-
stra verso destra nella zona neutra dellanodo si ha una corrente di lacune costante finch non si ar-
riva nella zona di diffusione danodo dove la corrente di lacune diminuisce mentre contemporanea-
mente sale quella di diffusione degli elettroni. Il mini-
mo della prima ed il massimo della seconda si hanno
per x = -Wp. Da questo punto fino allaltro estremo del-
la zona di svuotamento, per x = Wn, le cose restano
immutate. Ora nella zona di svuotamento del catodo la
corrente di diffusione delle lacune decresce con x se-
condo la lunghezza di diffusione delle lacune e man
mano cresce la corrente
La caratteristica ideale di un diodo nella zona di
polarizzazione diretta, data dalla [6.1-21] rappresenta-
ta dalla curva di Fig. 6.1-6.
Ricordiamo che a temperatura ambiente VT
come abbiamo visto nel 4.4.2.1, di circa 26 mV. Se VAK > 4 VT il termine e
V
AK
/V
T

>> 1

e la cor-
rente gi per VAK > 100 mV sale esponenzialmente con VAK. In tal caso la [6.1-21] pu essere sem-
plificata in
. e I I
T AK V V
s A [6.1-22]
Riprendiamo il discorso che riguarda la densit corrente inversa di saturazione e cerchiamo
di determinare linfluenza che ha su di essa il materiale. Nella
TAV.6.1-I, seconda colonna, sono mostrati i valori che si desu-
mono, applicando le [6.1-18] e [6.1-20] per questo parametro
nel germanio, silicio e nellarseniuro di gallio a drogaggi inter-
medi con tempi di vita dei portatori minoritari dellordine dei
ns. Non ovviamente possibile considerare tutti i casi. Sappia-
mo che questi tempi dipendono dalle trappole. La conclusione
che si pu trarre dai valori della tavola la grande disparit. Si
vede che quella dellarseniuro di gallio la pi piccola e che
quella del germanio considerevolmente pi alta.
IA (ma)
VAK (Volt)
Polarizzazione
diretta
0
5
10
15
20
) 1 e ( I I
T AK V V
s A
0 VAK >
0.6 0.4 0.2

Fig.6.1-6
TAV.6.1-I
Corrente di saturazione per un
diodo di sezione S = 0.1 mm
2
.
NA = 10
16
/cm
3
; ND = 10
17
/cm
3
;
a T = 300C
calcolata misurata
Ge 1.5 nA
Si 2.5 10
-3
fA
GaAs 8 10
-7
fA
1.5 pA
Diodi semiconduttori 197
6.1.3.2 Diodi a base corta
Tutto quanto detto precedentemente implica
che la lunghezza delle zone neutre sia sufficiente
perch le cariche minoritarie che provengono dalla
zona dove sono maggioritarie e attraversano la giun-
zione abbiano spazio sufficiente per ricombinarsi e
cio che la lunghezza di diffusione sia sufficiente-
mente piccola rispetto la lunghezza della zona neu-
tra. Se, invece, tale condizione non verificata si
parla di diodi a base corta, che sono quei diodi per i
quali almeno uno di queste condizioni venga verifi-
cata. E cio che sia o Lp >> ln oppure Ln >> lp od
anche entrambe. Nella figura a lato, le curve tratteg-
giate rappresentano situazioni in cui non applicato
potenziale fra le due zone, mentre quelle a tratto
continuo si riferiscono allapplicazione di VAK.
Nei diodi a base corta la ricombinazione nel-
le zone neutre poco favorita dalla piccola dimen-
sione della medesima. Tenendo conto del fatto che
c una zona a cavallo della giunzione svuotata la
larghezza effettiva delle due zone neutre non ln ma
ln = ln Wn per il catodo e lp = lp Wp per lanodo.
In effetti ci vale anche per i diodi a base lunga ma
in questi lo spessore della zona svuotata trascura-
bile rispetto agli spessori di anodo e catodo.
Non necessario sviluppare tutto come per i diodi a base lunga. Ricordiamo che la parte ini-
ziale di un esponenziale si pu approssimare espandendo in serie di Tayor e arrestandosi al termine
di primo grado. Allora, dalla [6.1-16] per la zona di catodo, leccesso di concentrazione diventa
.
L
W x
B A (x) p
p
n
n

+
Al limite della zona di svuotamento, cio per x = Wn vale sempre la [6.1-15]. Mentre leccesso di
cariche minoritarie si annulla sul catodo dove i portatori minoritari si ricombinano, come abbiamo
gi visto nel 4.6.2. Tuttavia adesso la condizione riguardo le lunghezze ancora pi stringente.
Applicando queste condizioni al contorno alla precedente si ha
,
' l
W x
1 ) 1 e ( p ) x ( p
n
n
V V
0 n n
T AK

,
_



mostrata in Fig.6.1-7b e che vale per x Wn. Poich la corrente di diffusione proporzionale al
gradiente delle cariche minoritarie e questa varia linearmente nel catodo ovvio che la corrente ri-
sulta costante in tutto il catodo. Applicando la [4.4-12]
. J ) 1 e ( p
' l
D
q
dx
) x ( dp
qD ) x ( J Ap
V V
0 n
n
p n
p Ap
T AK

Lo stesso discorso applicato alla zona di anodo porta a
. J ) 1 e ( n
' l
D
q
dx
) x ( dn
qD ) x ( J An
V V
0 p
p
n p
n An
T AK

La corrente complessiva, costante in tutto il dispositivo la somma delle due precedenti e quindi
. J ) 1 e ( p
' l
D
n
' l
D
q J J J An
V V
0 n
n
p
0 p
p
n
Ap An A
T AK

,
_

+ +
riportata in Fig.6.1-7c. Anche in questo caso la precedente si scrive come la [6.1-19] ponendo
Giunzione metallurgica
p, n (/cm
3
)
n
p0
= n
i
2
/N
A
(b) p
p
= N
A
10
10
n
n
= N
D
p
n0
= n
i
2
/N
D
0 100
x (nm)
p(x)
n(x)
(c)
Diffusionedi
elettroni
-100
l
n
l
p
J
An
J
Ap
J
A
Diffusionedi
lacune
-W
p
W
n
-100 0 100
x (nm)
l
n
l
p
neutra
danodo
svuotamento
neutra
di catodo
Anodo
Catodo
(a)
n p
l
p
<< L
n
+ -
V
AK
l
n
<< L
p
drift

Fig.6.1-7
Diodi semiconduttori 198

1
]
1

+
,
_

+
' l N
D
' l N
D
qn p
' l
D
n
' l
D
q J
n D
p
p A
n
2
i 0 n
n
p
0 p
p
n
s [6.1-23]
Si noti che lespressione [6.1-18] e questultima sono analoghe. Cambiano le lunghezze da inserire
nei denominatori. Per i diodi a base lunga si mettono le lunghezze di diffusione, per quelle a base
corte le lunghezze effettive delle zone neutre. Ovviamente se il diodo ha soltanto una regione a base
corta e laltra lunga cambia la corrente inversa di saturazione che risulta una mescolanza fra le
due espressioni [6.1-18] e [6.1-23].
Per un diodo di sezione S lespressione della corrente sempre la [6.1-21] e per la corrente
inversa di saturazione vale ancora la [6.1-20]. Quindi lequazione di Shockley sempre valida pur-
ch si stia attenti ad inserire il valore corretto della corrente inversa di saturazione.
6.1.4 La polarizzazione inversa.
Se l'anodo viene reso nega-
tivo rispetto al catodo si parla di
polarizzazione inversa. Il compor-
tamento del diodo in tali condi-
zioni illustrato dalla Fig 6.1-8.
Le curve a tratto continuo sono
relative allapplicazione alla ten-
sione inversa, confrontate con
quelle tratteggiate che sono relati-
ve allassenza di polarizzazione.
Riprendiamo lo studio dei diodi a
base lunga. Questa volta, l'appli-
cazione di una tensione inversa
aumenta la barriera di potenziale
(Fig. 6.1-8b). Ci determina un
allargamento della zona di svuo-
tamento evidente in Fig.6.1-8c,
prodotto da un difetto di cariche
minoritarie nei pressi della zona di
svuotamento, visibile in Fig.6.1-
8d. L'applicazione della polarizza-
zione inversa tale da favorire il
passaggio delle cariche minorita-
rie attraverso la giunzione. Sono
queste cariche responsabili della
corrente inversa. gi sufficiente
una debolissima polarizzazione inversa (pi di 100 mV) per impedire il passaggio delle cariche
maggioritarie e favorire quello delle minoritarie.
Se si fa lo stesso ragionamento del 6.1.3.1 si trova il difetto di cariche minoritarie ai limiti
della zona di svuotamento. Lespressione del tutta eguale. Il che significa che se si determina la
corrente delle lacune dovuta al gradiente di concentrazione si trova ancora la stessa precisa espres-
sione trovata in quel paragrafo. Tutto ci sta a significare che, anche se VAK < 0 valgono sempre le
[6.1-19] e [6.1-21]. Se andiamo nel dettaglio ci accorgiamo che nella [6.1-21] il termine esponen-
ziale trascurabile rispetto allunit gi per VAK < -4VT l -100 mV. In tali condizioni IA l -Is co-
stante. Per tale motivo la Is prende il nome di corrente inversa di saturazione.
Nella Fig.6.1-9 mostrata la caratteristica completa di un diodo che soddisfa lequazione di
Shockley. Per comodit le due scale delle correnti riferite alla polarizzazione diretta ed inversa sono
Giunzione metallurgica
(b)
Anodo Catodo
(a)
- +
V
AK
n p
l
p
l
n
p, n (/cm
3
)
p
p
= N
A
p
n
= n
i
2
/N
D
(d)
10
-60 -40 -20 0 20 40 60
10
x (nm)
n
n
= N
D
n
p
= n
i
2
/N
A
p(x)
n(x)
(e)
-60 -40 -20 0 20 40 60
10
x (nm)
n(x)
J
Ap
J
An
-J
A
Giunzione elettrica
-W
p
L
n
L
p W
n
Diffusione di
elettroni
diffusione
danodo
neutra
di catodo
neutra
danodo
svuotamento
diffusione
di catodo
-60 -40 -20 40 60
-0.8
-0.4
0
0.2
x (nm)
r r
(coul/cm
3
)
(c)
0 20
-qN
A
qN
D
-60 -40 -20 0 20 40 60
0
0.5
1
x (nm)
V
V
Bi
V
AK
V
Bi
-V
AK

Fig.6.1-8
Diodi semiconduttori 199
differenti, ci perch altrimenti la curva della corrente inversa si confonderebbe con lasse delle
tensioni. Le curve I-V prendono il nome caratteristiche statiche
Il comportamento in polarizzazione inversa
dei differenti tipi di diodi, oltre che dipendere da
drogaggio e da temperatura, come lequazione di
Shockley fa intendere, dipende anche da altri fattori
di cui discuteremo. Nella Fig.6.1-10 sono mostrate
le caratteristiche in scala logaritmica in condizioni
di polarizzazione inverse di diodi al Ge, Si e GaAs
calcolati in base allequazione di Shockley. I valori
di drogaggio e di area e tempo di vita dei portatori
minoritari sono quelli usati per determinare la
TAV.6.1-I. A causa della forte differenza nel gap
fra i vari semiconduttori si hanno molte minoritarie
nel Ge, meno nel Si ed ancora meno nel GaAs. E
quindi le caratteristiche inverse che soddisfano
lequazione di Shockley sono, a parit di temperatu-
ra pi alte nel Ge e pi basse nel GaAs con valori
intermedi nel Si.
Le caratteristiche possono essere suddivise in due intervalli. Finch la tensione inversa sta
dentro 3+4VT la corrente inversa varia da zero fino a Is. Per | VAKr| > 4 VT il termine esponenziale
trascurabile e la corrente non dipende pi dalla tensione applicata ma soltanto dalla temperatura.
6.1.4.1 Perdite di superficie
In effetti il comportamento reale della corrente inversa abbastanza diverso da quanto pre-
detto dallequazione di Shockley. Le correnti inverse misurate dei diodi reali con le caratteristiche
di drogaggio eguali a quelle con le quali sono state ricavate quelle ideali della Fig.6.1-10 sono mo-
strate nella Fig.6.1-11. Per prima cosa la zona piatta, dovuta alla corrente inversa per |VAKr| > 4VT,
si ha soltanto per alte temperature. Inoltre anche il comportamento con la temperatura alquanto
differente dal quello che si potrebbe prevedere in base alla equazione di Shockley. Ma di questo ef-
fetto parleremo in modo dettagliato pi avanti nel 6.1.7 Per ora limitiamoci ad osservare le caratte-
ristiche inverse ad alte temperature. Questa volta queste, per quanto riguarda le tensioni applicate,
possono dividersi in tre zone. Le prime due, per tensioni relativamente basse sono le stesse del caso
precedente. Invece la parte relative alle alte tensioni alquanto differente. La corrente inversa cre-
sce rapidamente con la tensione. In realt questa rapida variazione di corrente per tensioni inverse
elevate comune a tutte le temperature. Interviene un ulteriore effetto che tratteremo successiva-
mente nel 6.1.9.
IS
IAf (ma)
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
-4 -3 -2 -1
0
1
V (Volt)
IAr (fa)
Polarizzazione
diretta
Polarizzazione
inversa
) 1 e ( I I
T AK V V
s A

Fig.6.1-9
10
-10
10
-8
10
-6
10
-15
10
-10
10
-5
10
-15
10
-10
10
-5
VAKr
10m 100m 1 10 100
IAr
VAKr
10m 100m 1 10 100
IAr
VAKr
10m 100m 1 10 100
IAr
T = -50C
T = -25C
T = 0C
T = 25C
GaAs
T = 25C
T = 50C
T = 75C
T = 100C
T = 150C
T = 200C
T = 300C
T = 250C
T = 25C
T = 50C
T = 75C
T = 100C
T = 150C
T = 200C
T = 250C
Ge
Si

Fig.6.1-10
Diodi semiconduttori 200
Possiamo spiegare subito linclinazione delle caratteristiche inverse pi accentuata nella zo-
na delle basse temperature. Cominciamo a discutere la zona in cui la tensione applicata e dentro po-
che decine di mV. Il termine esponenziale non trascurabile e la corrente inversa tende a Is. Quan-
do la tensione inversa sufficientemente alta rispetto a VT, essendo negativa, il termine esponenzia-
le risulta costante e la corrente diventa Is. Tuttavia, malgrado la bont dei procedimenti tecnologici
usati, esistono altri motivi perch corrente riesce a saltare la giunzione. Per esempio, come abbiamo
gi visto, la superficie esterna di un semiconduttore pi conduttrice del substrato a causa dei le-
gami insaturi degli atomi superficiali. Lungo la parete del diodo passa una debole corrente, trascu-
rabile in polarizzazione diretta ma non in inversa. E come se, in parallelo al diodo, ci fosse una
grossa resistenza nella quale il passaggio di corrente dipende solo dal suo valore assoluto della ten-
sione applicata. Le dimensioni laterali del diodo assumono importanza. A parit di tutto la corrente
inversa di Shockley aumenta con larea mentre questa di superficie con il perimetro e cio con la
radice dellarea. Diodi di dimensioni simili hanno corrente di perdita superficiali analoghe. Nella
TAV.6.1-I, terza colonna, sono mostrati i valori misurati. Poich le corrente inverse di saturazione,
a parit di condizioni sono molto piccole nel GaAs, piccole nel Si e grandi nel Ge, questa corrente
agisce relativamente in modo pi pesante nel GaAs, un po meno nel Si e praticamente pochissimo
nel Ge. Leffetto evidente nella Fig.6.1-11. Esso sempre pi evidente abbassando la temperatura
in quanto questa produce una diminuzione esponenziale delle cariche minoritarie e quindi della cor-
rente inversa di saturazione calcolata secondo Shockley mentre agisce poco sulla corrente superfi-
ciale. La zona centrale delle caratteristiche inverse, in condizioni di temperatura identiche, per e-
sempio a temperatura ambiente, quasi orizzontale nel Ge, molto inclinata nel Si e ancora di pi
nellGaAs. Ad alta temperature, invece le cariche minoritarie aumentano esageratamente e la cor-
rente superficiale diventa trascurabile e le caratteristiche ridiventano piatte nella zona centrale.
Per finire, a questo punto chiaro che una espressione pi ragionevole che tenga conto an-
che dell'effetto delle perdite non soltanto attraverso la giunzione possa essere scritta come:
. V G ) 1 e ( I I AK
V V
s Ar
T AK
+ [6.1-24]
dove G la conduttanza molto piccola dovuta a questo effetto.
6.1.4.2 Effetti di generazione nella regione di svuotamento nella polarizzazione inversa
Ma ancora un altro effetto, che stato trascurato nella trattazione di Shockley, deve essere
preso in considerazione. Il fatto che nella regione di svuotamento il prodotto delle concentrazioni
np << ni
2
. Allora la medesima regione sede di un fenomeno di generazione che tende a riportare le
condizioni dequilibrio. Le lacune e gli elettroni prodotti escono dalla zona di svuotamento sotto
leffetto di campo incrementando le corrispondenti correnti che risultano, dunque maggiori di quan-
to ci si aspetti.
10
-10
10
-8
10
-6
10
-10
10
-8
10
-6
10
-4
10
-10
10
-8
10
-6
10
-4
VAKr
10m 100m 1 10 100
Ir
VAKr
10m 100m 1 10 100
IAr
VAKr
10m 100m 1 10 100
IAr
T = -50C
T = -25C
T = 0C
T = 25C
GaAs
T < 100C
T = 150C
T = 200C
T = 300C
T = 250C
T = 25C
T = 75C
T = 100C
T = 150C
T = 200C
T = 250C
Ge
Si

Fig.6.1-11
Diodi semiconduttori 201
Per descrivere meglio il comportamento riprendiamo quanto detto nel 4.5. Il rate di ricom-
binazione dato dalla [4.5-26]. Nelle condizioni di svuotamento np << ni
2
e il rate di ricombina-
zione si pu scrivere come .
) n n ( k ) p p ( k
ni k k
T n T p
2
n p
+ + +
U Se si fa uso delle [4.5-20] e [4.5-23] per
nT e pT e si utilizzano le espressioni per ni e pi [4.3-10] e [4.3-11], la precedente diventa

0
i
kT E E
n
kT E E
p
i n p
kT E E
i n
kT E E
i p
2
i n p
2
n
e k e k
n k k
e n k e n k
n k k
T Fi Fi T T Fi Fi T


+

+


U [6.1-25]
con .
k k 2
e k e k
n p
kT E E
n
kT E E
p
0
T Fi Fi T
+

La costante t 0 detta tempo di vita efficace nella zona di svuotamento. Al fine di ottenere le mi-
gliori prestazioni, i livelli energetici delle trappole stanno circa a met del gap. Allora, i due termini
esponenziali sono praticamente unitari e la precedente si semplifica in:
.
k k 2
k k
n p
n p
0
+
[6.1-26]
Per quanto detto nel paragrafo 4.5.1.3 a proposito delle due costanti kp e kn questa si pu appros-
simare come
.
2
0 n 0 p
0
+

Il segno negativo nella [6.1-25] sta ad indicare che non si tratta di ricombinazione ma di ge-
nerazione. Se la zona di svuotamento e spessa W e larga S, quanto la sezione del diodo, la corrente
complessiva derivante dalla generazione nel volume Igen = qniWS/2t 0. Allora la densit corrispon-
dente
Jgen = qniW/2t 0 [6.1-27]
Pertanto la corrente di saturazione Js nella polarizzazione inversa si pu trovare come somma dei
due effetti e cio quella derivante dalla diffusione nelle due zone neutre e da quella di generazione
nella zona di svuotamento. La prima componente data dalla [6.1-18] o dalla [6.1-23] a seconda
della lunghezze di anodo e catodo mentre quella di generazione e la [6.1-27]. Ovviamente bisogna
comunque tenere conto delleffetto di dispersione superficiale. Sommando
.
2
W
qn
L N
D
L N
D
qn ' J
0
i
n A
n
p D
p
2
i S

+
1
]
1

+
Mentre il primo termine costante il secondo aumenta con lo spessore della zona di svuota-
mento e cio con la polarizzazione inversa applicata. Vedremo pi avanti nel 6.1.9.3 che la W au-
menta come VAKr
1/2
o VAKr
1/3
a seconda che la giunzione sia brusca o graduale. Allora la tensione
applicata agisce facendo variare la G che non per niente costante. G aumenta con la polarizzazio-
ne inversa. E la pendenza delle caratteristiche inverse aumenta.
Nel germanio a temperature ambiente ni grande ed il termine di diffusione pi importante
di quello di generazione e le caratteristica inversa abbastanza orizzontale. Invece, nel silicio e an-
cor pi nel arseniuro di gallio a temperatura ambiente ni piccola e leffetto della componente di
generazione si fa sentire e le curve sono pi pendenti con la tensione inversa. Tutto questo abba-
stanza evidente nella Fig.6.1-11. Mentre il germanio ha una caratteristica pendente fino a 50 C,
per il silicio e larseniuro di gallio la pendenza si manifesta fino a 75 o 150 C nei due casi. Ad alte
temperature ni predomina e tutte le caratteristiche tendono ad essere piuttosto costanti ed indipen-
denti da VAK, almeno finch questa non diventa eccessiva e si manifestano nuovi fenomeni che sa-
ranno spiegati pi avanti.
Per concludere la corrente inversa pu essere divisa in due parti, quella che scavalca la giun-
zione dalla superficie e quella che lattraversa nel substrato. Questultima ha due componenti la par-
te che riguarda la diffusione nella zona neutra e quella di generazione nella zona svuotata
Diodi semiconduttori 202
6.1.5 Effetti del secondo ordine in polarizzazione diretta.
Leffetto della conduttanza G del paragrafo precedente importante per caratteristiche in-
verse, perch esso si confronta con correnti debolissime, soprattutto per Si e GaAs, ma esso non ha
lo stesso ruolo per polarizzazione diretta. Infatti, in questo caso, per tensione applicata sufficiente-
mente alta rispetta a VT, entra in gioco il termine esponenziale che moltiplica Is e il termine GVAK
diventa inefficace. Inoltre la corrente di generazione di cui si discussa nel precedente paragrafo
non c pi. Allora indifferente applicare la [6.1-24] o lequazione di Shockley. Riprende molta
importanza la corrente IS. Poich, a parit di drogaggio, temperatura e area del diodo la corrente in-
versa di saturazione cresce, andando dallGaAs al Si al Ge, la tensione da applicare per avere la
stessa corrente nei tre diodi diminuisce nei tre casi. Grosso modo si tratta di tre curve simili ma tra-
slate rispetto lasse delle tensioni di 300+400mV. Consideriamo due diodi D1 e D2 con correnti in-
verse di saturazione (soltanto la parte che attraversa la giunzione) IS1 e IS2. Applichiamo tensioni di
polarizzazioni grandi rispetto a VT. Si pu trascurare lunit nellequazione di Shockley. Allora, per
avere la stessa corrente IA nei due diodi deve essere
. I I ln V V V 2 s 1 s T 1 AK 2 AK
Per esempio confrontando due diodi analoghi al Ge e al Si:
. mV 523 10 5 . 2 10 5 . 1 ln 9 . 25 I I ln V V V
18 9
sSi sGe T AKGe AKSi


Mentre per due diodi analoghi al Si ed al GaAs:
mV 210 10 8 10 5 . 2 ln 9 . 25 I I ln V V V
122 18
sGaAs sSi T AKSi AKGaAs


Quindi la distanza fra le curve Ge-Si di circa 500 mentre lo di 200 mV per le Si-GaAs.
Tuttavia la descrizione della corrente diretta con lequazione di Shockley troppo semplifi-
cata. Bisogna tenere conto di altri effetti che vengono discussi in questo paragrafo.
6.1.5.1 Corrente di ricombinazione nella zona di svuotamento nella polarizzazione diretta
Ai limiti della regione di svuotamento le cariche minoritarie sono in eccesso. Calcoliamo
usando la [6.1-14]: . e n N e
N
n
) W ( n ) W ( p
T AK T AK V V 2
i D
V V
D
2
i
n n Nello stesso modo si pu calcolare che
: e n N e
N
n
) W ( p ) W ( n
T AK T AK V V 2
i A
V V
A
2
i
p p leccesso di carica ad entrambi gli estremi ed anche an-
che allinterno della regione di svuotamento costante. Mentre nella zona dellanodo leccesso di
elettroni, in quella del catodo di lacune. A met giunzione i due eccessi sono eguali. In ogni caso
in tutta la regione di svuotamento
[GU]
. n e n np
2
i
V V 2
i
T AK
>> Quindi,
n = p = nie
V
AK
/2V
T

Dal momento che in questa regione c eccesso di cariche si ha effetto di ricombinazione con rate
dato dalla [4.5-26]. Nelle condizioni dette np >> ni
2
e esso si scrive
.
) e e ( n k ) e e ( n k
) 1 e ( ni k k
) n n ( k ) p p ( k
) ni np ( k k
kT E E V 2 V
i n
kT E E V 2 V
i p
V V 2
n p
T n T p
2
n p
T Fi T AK Fi T T AK
T AK

+ + +

+ + +

U Si fatto uso delle


[4.5-20] e [4.5-23] per nT e pT e delle [4.3-10] e [4.3-11] per ni e pi. Se, come gi detto, il livello
delle trappole prossimo a quelli di Fermi dellintrinseco, allora i due termini esponenziali sono
praticamente unitari e la precedenti diventa: .
1 e
1 e
2
n
1 e
1 e
n
k k
k k
T AK
T AK
T AK
T AK
V 2 V
V V
0
i
V 2 V
V V
i
n p
n p
+

+
U La costante
t 0 data dalla [6.1-26] stata gi definita tempo di vita efficace nella zona di svuotamento. In pola-
rizzazione diretta VAK > 4 VT e gli esponenziali diventano grandissimi per cui si pu trascurare
lunit sia a numeratore che a denominatore e quindi

T AK V 2 V
0
i
e
2
n

U
Diodi semiconduttori 203
Il diodo di sezione S e la zona di svuotamento spessa W. La corrente complessiva deri-
vante dalla ricombinazione nel volume Iric = qniWS/2t 0 e
V
AK
/2V
T
. Allora la densit corrispondente
Jric = qniW/t 0 e
V
AK
/2V
T

La densit di corrente diretta Jf si pu trovare come somma dei due effetti e cio quella derivante
dalla diffusione nelle due zone neutre e da quella di ricombinazione nella zona di svuotamento. La
prima componente data dalla [6.1-18] o dalla [6.1-23] a seconda della lunghezze di anodo e cato-
do mentre quella di ricombinazione e la [6.1-23].
. e
2
W
qn e
L N
D
L N
D
qn ' J
T AK T AK V 2 V
0
i
V V
n A
n
p D
p
2
i Af

+
1
]
1

+ [6.1-28]
Consideriamo dispositivi con eguali drogaggi a parit di temperatura. I due termini della
precedenti espressione possono essere scomposti in tre parti: uno in cui compare ni, dipende dal ma-
teriale, il secondo soltanto dai materiali e dalle trappole ed il terzo dalla tensione applicata. A parte
il fatto che, come gi detto, le caratteristiche dovrebbero essere grosso modo traslate luna rispetto
laltra, nella direzione delle tensioni, ci aspettiamo curve con pendenze differenti. Tracciando le
curve in scala semilogaritmica non avremo pi rette parallele. Il germanio ha praticamente rette con
pendenze VAK/VT. Mentre Si e GaAs hanno due pendenze differenti una pi bassa VAK/2VT a basse
tensioni e VAK/VT a tensioni pi elevate.
In ogni caso a seconda che prevalga la corrente di diffusione o quella di generazione la cor-
rente diretta si pu approssimare come
. e I I
T AK V V
s Af

[6.1-29]
Il coefficiente h, detto coefficiente demissione, assume il valore fra 1 e 2 a seconda che la corrente
sia pi dovuta alla diffusione oppure alla generazione. Quando entrambi i fenomeni sono confronta-
bili, h sta nellintervallo 1+2.
Poich leffetto della temperatura di aumentare ni, le curve di Si e GaAs tendono, ad alte
temperature, a raddrizzarsi come quelle del Ge.
6.1.5.2 Effetti di alta iniezione
Gummel
[GU]
ha mostrato che la concentrazione dei portatori ai lati della giunzione polarizza-
ta deve soddisfare la condizione di quasi-equilibrio:

T AK V V 2
i p p n n e n ) W ( n ) W ( n ) W ( n ) W ( p .
Questa relazione stata dimostrata, per esempio, nel 6.1.3.1 ed la [6.1-14]. Inoltre, essa valida
anche allinterno della zona di svuotamento
[GU]
. Il prodotto delle due concentrazioni si mantiene co-
stante spostandosi lungo la zona per varia il loro rapporto. Nellanodo pi grande pn, nel catodo
np.
Se, a causa di una grande tensione applicata la corrente cresce molto, pu avvenire che al-
meno in una delle zone del semiconduttore la concentrazione dei portatori minoritari iniettati superi
quella delle maggioritarie. Si dice, allora che si in condizioni di alta iniezione. Per esempio ci
avvenga nella zona p. Per mantenere la neutralit della zona deve essere pp = np + NA np. Se, ap-
punto np supera NA, leffetto dellalta iniezione non soltanto di aumentare la concentrazione delle
minoritarie ma anche quella delle maggioritarie. Ma, se n = p dalla precedente si ricava

T AK V 2 V
i n n e n ) W ( n ) W ( p .
Da quanto detto nel paragrafo precedente evidente che in questa condizioni di alta corrente il suo
andamento non sar esponenziale con VAK/VT ma con VAK/2VT. Anche se il significato di h diffe-
rente lespressione generale [6.1-29] pu ancora essere adoperata. Esso varia gradualmente da 2
nella zona dove prevale la ricombinazione a 1 nella zona dove pi importante la diffusione a
ancora 2 nella zona delle alte iniezioni.
Diodi semiconduttori 204
6.1.5.3 Resistenza di estensione
C un ultimo effetto che si ha a correnti ancora
pi grandi. La caratteristica anodica, per VAK sufficiente-
mente grande, si discosta dall'esponenziale. La corrente
risulta pi piccola di quanto previsto. Ci dovuto al fatto
che le due zone neutre di anodo e di catodo offrono una
resistenza complessiva RDD che determina una caduta di
potenziale interna alle zone neutre pari a RDDIA. Allora
alla giunzione non viene pi applicata la VAK ma una ten-
sione VAK RDDIA. In tal senso la espressione [6.1-22]
pi correttamente espressa alle alte correnti da:
. e I I
T
T
A DD AK
V
V
I R V
s A

[6.1-30]
L'abbassamento della caratteristica dovuto alla RDD evi-
dente soltanto nella parte pi alta. Infatti solo se la corrente alta la corrente produce un sensibile
caduta che determina leffetto visibile. Nella zona delle alte correnti notevole la differenza di i n-
clinazione. Lo scostamento della curva rispetto allequazione di S
proprio la caduta di cui sopra. Leffetto pu essere ridotto drogando pi pesantemente le zone neu-
tre per diminuire la loro resistivit.
6.1.5.4 Le caratteristiche reali dei diodi
A questo punto le caratteristiche reali dei diodi simili possono essere effettivamente mostra-
te. La Fig.6.11-13a le mostra in scala lineare. Mentre evidente leffetto della resistenza
destensione gli altri effetti non lo sono altrettanto. Se, per, si passa ad una rappresentazione semi-
logaritmica, come fatto nella Fig.6.1-13b, saltano immediatamente allocchio. Si vede, inoltre,
che le caratteristiche non sono proprio tanto parallele. Ma soprattutto rimarchevole la presenza
delle varie zone e delle diverse pendenze. La zona (a) quella in cui leffetto del termine unitario
nellequazione di Shockley si fa sentire. Con (b) marcato il tratto di caratteristica in cui prevale
leffetto di ricombinazione nella zona di svuotamento e la corrente prevalentemente sale come e-
V
AK
/2V
T
. La zona della corrente di diffusione in cui la dipendenza dalla corrente come e
V
AK
/V
T
mar-
cata con (c). Leffetto delle alte iniziezioni in (d). Qui la corrente varia ancora una volta come e-
V
AK
/2V
T
. Per finire leffetto della resistenza destensione in nel tratto (e).
Al fine di far ben comprendere la differenza che esiste fra un diodo reale ed uno ideale e
quindi vedere la validit delle approssimazioni di Shockley nella Fig.6.1-18 sono mostrate con la
V (Volt)
IA (ma)
0
5
10
15
20
V
g g
V
s s
0.6 0.4 0.2 0
IARDD
T
T
A DD AK
V
V
I R V
s A e I I


Fig.6.1-12
V (Volt)
IA (ma)
V
g g
V
s s 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I
A
R
DD
A = 0.1mm
2
Is = .7
m
A
NA = 10
15
/cm
3
I s = 9.5fA
Is = 3 10
-4
fA
ND = 10
16
/cm
3
t = 1
m
s
t = 2.5
m
s
t = 0.1ns
GaAs
Ge
Si
T = 27 C
V (Volt)
IA (ma)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
10
2
Is = 9.5fA
Is = 3 10
-4
fA
ND = 10
16
/cm
3
t = 1
m
s
t = 2.5
m
s
t = 0.1ns
GaAs
Ge
Si
Is = .7
m
A
NA = 10
15
/cm
3
T = 27 C
A = 0.1mm
2
T AK V V
e
T AK V V
e
T AK V V
e
T AK V 2 V
e
T AK V 2 V
e
T AK V 2 V
e
T AK V 2 V
e
I
A
R
DD
I
A
R
DD
I
A
R
DD
(c)
(b)
(a)
(c)
(b)
(d)
(e)
(c)
(d)
(e)
(d)
(e)

Fig.6.1-13
Diodi semiconduttori 205
linea a tratto continuo le caratteristiche a tem-
peratura ambiente di un diodo al silicio reale,
confrontate con quelle che si troverebbero se
si adoperasse lapprossimazione di Shockley.
Sono rappresentate sia le caratteristiche diret-
te che quelle inverse, per comodit ribalt ate.
abbastanza evidente che la relazione di
Shockley conserva una discreta validit nella
zona delle correnti medie. E la due caratteri-
stiche si confondono. Ma, sia per correnti alte
che per basse lapprossimazione ardua. In-
fatti, in tale caso bisogna usare modelli pi
accurati che la semplice relazione di Sho-
ckley. Per quanto riguarda la corrente inversa
non solo la caratteristica pi alta ma anche
con una pendenza maggiore data si da G che
dalla corrente di generazione. Nelle caratteri-
stiche reali anche rappresentata una zona
marcata con (g) della quale parleremo prossimamente.
6.1.6 La tensione di soglia e quella di saturazione.
In elettronica il termine molto grande viene generalmente riferito ad un fattore almeno 100.
Una corrente 100 volte pi piccola, nello stesso elemento, viene spesso considerata trascurabile.
Consideriamo un diodo per la quale la corrente diretta pu essere approssimativamente e-
spressa dalla [6.1-29]. Determiniamo quale relazione esiste fra le due tensioni da applicare affinch
le due correnti corrispondenti stiano nel rapporto 100. : IF = e
V
AK2
/hV
T
e IF/100 = e
V
AK1
/hV
T
. Facendo il
rapporto si trova agevolmente che deve essere VAK2 VAK1 = hVT ln 100 4.6 hVT. A temperatura
ambiente VT e circa 26 mV e quindi a seconda del coefficiente di emissione sia 1 o 2 sar 120 mV <
VAK2 VAK1 < 240 mV. Si sta supponendo di utilizzare un qualunque tratto della caratteristica diret-
ta e pertanto il coefficiente demissione pu essere sia 1 che 2 ma anche un valore intermedio se il
tratto di caratteristica a cavallo di due zone con h differente.
Questa regola generale vale anche se si considera la massima corrente IMax che il diodo pu
sopportare in polarizzazione diretta. In tale caso si dice che il diodo in saturazione e la corrispon-
dente tensione applicata quella di saturazione Vs. Sempre adoperando la [6.1-29] si ha che Vs =
hVT ln IMax/Is. La tensione Vg che fa passare una corrente 100 volte pi piccola di quella di satura-
zione prende il nome di tensione di soglia. Per quanto detto prima, trascurando eventuali effetti
dovuti alla resistenza destensione,
120 mV < Vs Vg < 240 mV [6.1-31]
Il fenomeno abbastanza evidente quando le carat-
teristiche si rappresentano in scala lineare. Infatti in
Fig.6.1-13a si vede bene. Correnti inferiori a 1 ma sono
inapprezzabili sulla scala di 100 mA. Sono anche mostrati
i due valori di soglia e saturazione per il transistor a sili-
cio. Approssimativamente la tensione di soglia per Ge
200 mV, per il Si 600 mV e per il GaAs 900 mV.
Nellesempio della Fig.6.1-13b si ricavano la differenza fra saturazione e soglia se cambia
lintervallo di correnti da utilizzare. La TAV.6.1-II mostra i risultati. La differenza sale con la cor-
rente perch entra in gioco sia il coefficiente demissione che la resistenza destensione.
I
A
/I
s
10
-4
10
-6
10
-8
10
-10
10
12
10
14
V (Volt)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
Silicio
T = 27 C
T AK V V
e
T AK V 2 V
e
T AK V 2 V
e
(b)
(c)
(d)
(e)
(g)
(f)
10
-2
10
-0
Inversa ideale
Inversa reale
Breackdown
Diretta ideale
Diretta reale

Fig.6.1-18
TAV.6.1-II
IF (A) Ge Si GaAs
10m+1m 100 120 140
Vs Vg 100m+10m 110 140 180
(mV) 1m+100m 160 200 300
Diodi semiconduttori 206
6.1.7 Effetti termici
Il comportamento dei materiali dipende dalla temperatura. I semiconduttori in particolare,
come visto nel Cap.5. In questo paragrafo tratteremo in dettaglio questa questione.
6.1.7.1 Il coefficiente di temperatura della Is.
Il coefficiente di temperatura della Is viene definito come .
dT
I ln d
dT I
dI s
s
s
Consideriamo la zo-
na di correnti in cui il principale apporto dovuta alla diffusione. In tal caso la corrente inversa di
saturazione proporzionale alla seconda potenza della concentrazione intrinseca. Inoltre dipende
anche dalla lunghezza di anodo e catodo o dalle lunghezze di diffusioni delle cariche minoritarie ol-
tre che dalle costanti di diffusioni. Tuttavia ci che varia pi fortemente con la temperatura pro-
prio la concentrazione intrinseca. Utilizzando il valore che stato trovato nel 3.3.2.3 e sostituendo-
lo nella precedente si ricava:
. T
V
V
3
TV
V
T
3
dT
e T ln d
dT
n ln d
dT
I ln d
dT I
dI
T
G
T
G
kT / ) E ( 3 2
i s
s
s
G

,
_

+ +

[6.1-32]
A 300 K si trova dalla precedente un coefficiente di temperatura di Is di circa +20%/ C per il
GaAs, +16%/ C per il silicio e di +10%/ C per il germanio. Per le ragioni dette prima alla Is del
Si e del GaAs contribuiscono anche componenti pi insensibili alla temperatura che tuttavia sono
presenti, anche se con minore contributo, nel germanio dovute sia alla corrente di generazione che
alla dispersione superficiale. Pertanto in effetti i coefficienti di temperatura sono leggermente pi
bassi. Quindi la validit della [6.1-32] non assoluta. Le Fig. 6.1-11 confermano grosso modo
quanto detto. Se il coefficiente di temperatura della corrente di saturazione si calcola a temperatura
superiore si trovano valori ancora pi piccoli. In tutti i tipi di semiconduttori il coefficiente di tem-
peratura pu essere approssimato a circa +7%/ C . Poich 1.07
10
2 si dice che la Is raddoppia,
all'incirca, per ogni 10 gradi di variazione di temperatura.
6.1.7.2 Effetto termico sulla VAK.
Per VAK > 4VT per la corrente del diodo possiamo usare la [6.1-29] , e I I
T E AK V N V
s Af da cui
VAK = hVT ln(IAf/Is). Calcoliamo di quanto deve essere variata la VAK se cambia la temperatura per-
ch la corrente rimanga immutata:

,
_

Af Af Af Af I
s
T
s
Af T
I
s Af T
I
s Af T
I
AK
dT
I ln d
V
I
I
ln
dT
dV
)] I ln I (ln V [
dT
d
dT
)] I / I ln( V [ d
dT
dV

.
dT I
dI
V
T
V
dT I
dI
V
T
V
V
V
Af Af I
s
s
T
AK
I
s
s
T
T
T
AK

,
_

,
_


Utilizzando la [6.1-32] .
T
V V 3 V
dT
dV 0 G T AK
I
AK
Af

[6.1-33]
Calcoliamo tale coefficiente per le caratteristiche riportate in Fig.6.1-13b a diversi valori di
TAV.6.1-III Ge Si GaAs
IA (A) 10 m 1 m 10 m 10 m 1 m 10 m 10 m 1 m 10 m
VAK (mV) 288 237 136
h 1 1 1 2 1.5 1 2 1.5 1
VG0 (mV) 670 1110 1340
dT
dVAK
(mV/C)
-1.53 -1.70 -2.04 -2.6 -2.23 -1.92 -1.99 -2.01 -1.74
> <
dT
dVAK
(mV/C)
-1.8 -2.2 -1.9
Diodi semiconduttori 207
corrente sia nella zona di alte correnti che in quello delle medie e basse in modo da vedere leffetto
del coefficiente demissione. Il calcolo, eseguito per tutti e tre i tipi di semiconduttore da i risultati
riportati nella TAV.6.1-III. I valori calcolati possono essere riassunti in un unico valore approssima-
to, facile da ricordare e cio che per tutti i semiconduttori per mantenere costante la corrente diretta
bisogna diminuire di circa 2 mV per ogni grado di aumento della temperatura.
6.1.8 Resistenza differenziale o dinamica.
Se ad un diodo applichiamo una tensione VAK passa una corrente IA. Prende il nome di resi-
stenza differenziale
.
dI
dV
r
A I
A
AK
a [6.1-34]
Se la calcoliamo nella zona di corrente dirette per VAK sufficientemente grande si pu utilizzare la
[6.1-29]. Determiniamo il suo inverso ga che prende il nome di conduttanza differenziale:
Si ha .
V
I
e
V
I
dV
e dI
dV
dI
g
A A
T AK
A
T AK
A
I
T
A
I
V V
T
s
I
AK
V V
s
I
AK
A
a

[6.1-35]
Quindi
.
I
V
r
A I
A
T
a
[6.1-36]
La resistenza differenziale dipende solo dal punto di la-
voro. La Fig.6.1-19 mostra il significato geometrico di ra. Il co-
efficiente angolare della retta (s) tangente alla caratteristica del
diodo nel punto IA la conduttanza differenziale. Pi inclinata
la caratteristica minore la resistenza differenziale.
La resistenza differenziale si definisce per tutte le ten-
sioni applicate, sia dirette che inverse. Se riguardiamo la
Fig.6.1-18 ci rendiamo conto come essa vari, non soltanto fra
regione e regione ma anche nellambito della stessa regione,
Per polarizzazione inversa essa relativamente grande, a meno
che non si usino tensioni molto elevate per le quali la caratteri-
stica si inerpica molto rapidamente. Per distinguere la resisten-
za differenziale della zona diretta da quella della zona inversa si
usano, spesso i due simboli rf e rr, rispettivamente.
6.1.9 Il fenomeno della rottura.
Le caratteristiche inverse gi proposte
in Fig.6.1-11 mostrano una rapida variazione
di pendenza per tensioni inverse piuttosto alte.
In Fig.6.1-20 una unica caratteristica inversa
mostrata a titolo esemplificativo. Si nota che
la corrente inversa, applicando una tensione
inversa BV, detta tensione di rottura (Brea-
kdown Voltage), rapidamente cresce. Si dice
che il diodo andato in rottura. Se non si limi-
ta la corrente IA, in tali condizioni, la potenza
sviluppata BV$IA pu superare la massima dis-
sipabile portando alla distruzione del diodo.
VAK
I
A
(ma)
0 0.2 0.4 0.6 0.8
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Si
DIA
DVAK
(s)

Fig.6.1-19
VAK (Volt)
IA(ma)
IBV
BV

Fig.6.1-20
Diodi semiconduttori 208
6.1.9.1 Effetto valanga.
Supponiamo che le due regioni siano debolmente drogate. In polarizzazione inversa la zona
di svuotamento penetra molto nelle regioni neutre. La tensione VAK si localizza attraverso la zona
suddetta. Le cariche minoritarie, che non sono poche, dato che il drogaggio leggero, sono spinte
ad attraversare la zona proprio per presenza della VAK. Pertanto le cariche minoritarie attraversano
tale zona accelerando sotto l'influsso della tensione. Data la larghezza della zona probabile che
qualcuna di queste cariche interagisca con qualcuno degli atomi del reticolo del semiconduttore ce-
dendo ad esso energia sufficiente per la creazione di coppie elettroni-lacune. In tal caso nella stessa
zona vengono ad essere prodotte, non per effetto termico, cariche mobili che anche esse contribui-
scono alla corrente inversa, aumentandola. Tale fenomeno si accentua con la tensione. Se la zona
sufficientemente larga o la tensione abbastanza alta possibile addirittura che qualcuna delle cari-
che che transita produca anche pi di una coppia e che ognuna di quelle prodotte anche essa possa
generare coppie secondarie. Si ha, allora, il cosiddetto effetto valanga. La tensione BV alla quale
questo fenomeno comincia ad accadere prende il nome di tensione di valanga.
6.1.9.2 Effetto Zener.
Completamente differente il meccanismo che porta alla rottura nel caso che il drogaggio
sia molto sostenuto. La zona svuotata stretta ed sede di un intenso campo elettrico legato sia alla
tensione applicata che allo spessore limitato. Tale campo produce una polarizzazione della zona ed
eventualmente un effetto di scarica. Se il drogaggio sufficientemente elevato o la tensione inversa
abbastanza alta si ha l'effetto di rottura per campo elettrico detto effetto Zener. La tensione BV alla
quale questo fenomeno comincia ad accadere prende il nome di tensione di Zener o pi generica-
mente di rottura. Il campo produce un salto diretto di elettroni dalla banda di valenza a quella di
conduzione con creazione di coppia elettrone-lacuna.
6.1.9.3 La tensione di rottura e la valanga
Cominciamo a calcolare la tensione di rottura per i diodi con giunzione brusca. Generaliz-
ziamo il ragionamento fatto nel 6.1.1 per ricavare la relazione fra il potenziale di barriera ed il
campo elettrico massimo al suo interno al caso in cui si applica un potenziale inverso VAK = -VAKr.
Con un procedimento simile a quello impiegato per ricavare la [6.1-6] si troverebbe che VBi VAK
= VBi +VAKr = -EMW/2 = |EM|W/2. La larghezza della giunzione si calcola dalla [6.1-7] estendendo-
la alla tensione VBi +VAKr. Per semplicit conviene considerare un drogaggio asimmetrico. Chia-
miamo NB quello relativa alla zona meno drogata. Lo spessore della zona svuotata, da questa esten-
sione della [6.1-13] risulta
. N ) V V ( q 2 W B AKr Bi + [6.1-37]
Facciamo sistema fra queste due relazioni trovate ed eliminiamo fra di loro W. Si trova che VBi +
VAKr = EM
2
e/2qNB. Sia Ec il campo elettrico critico che in grado di assicurare la rottura per effetto
di valanga. Quando il campo elettrico massimo nella giunzione raggiunge questo campo critico la
tensione applicata quella di rottura BV. Facendo lipotesi che questa sia sufficientemente pi alta
della tensione intrinseca si ricava:
.
qN 2
E
BV
B
2
c
[6.1-38]
La tensione di rottura cresce diminuendo il drogaggio.
Facciamo lo stesso ragionamento per i diodi con giunzione graduale. Il campo massimo
stato calcolato dalla [6.1-11] come .
2
W
2
m q
| E |
2
M

,
_

Applicando una tensione di polarizzazione


inversa VAKr la [6.1-12] si pu estendere come
Diodi semiconduttori 209
.
12
qmW
V V
3
AKr Bi

+ [6.1-39]
Eliminando fra queste due espressioni W e trascurando il potenziale intrinseco VBi rispetto alla ten-
sione inversa applicata si ricava il legame fra VAKr e EM, cio: . E
m q
2
3
4
V
3
M AKr

La tensione ap-
plicata quando il campo elettrico massimo nella giunzione raggiunge il campo critico Ec quella di
rottura BV.
. E
m q
2
3
4
BV
3
C

[6.1-40]
Il campo elettrico critico dipende dal gap del tipo di semiconduttore. Esso esprime il campo
elettrico che riesce a produrre coppie elettroni lacune e quindi legato allenergia necessaria per far
fare un salto di gap allelettrone in banda di valenza ed , quindi, anche funzione della temperatura.
Inoltre esso varia di non pi di un fattore 4, per tutti i tipi di semiconduttore, al variare del drogag-
gio della zona meno drogata crescendo con il drogaggio
[SZ2]
. Tenendo conto di tutti questi fatti sono
state ricavate delle espressioni approssimate valide per tutti i semiconduttori e cio:
Per le giunzioni brusche .
N 10
) 1 . 1 E (
60 BV
3
4
B
16
2
G
1
1
]
1

[6.1-41]
Per le giunzioni lineari .
10 ) 3 / m (
) 1 . 1 E (
60 BV
2
5
20
3
G
1
1
]
1

[6.1-42]
EG espresso in eV, NB in cm
-3
e m in cm
-4
.
Le espressioni precedenti sono approssimate ma hanno un buon accordo con i dati sperimen-
tali. In Fig.6.1-21a mostrato landamento della tensione di rottura nei vari tipi di semiconduttori
con giunzione brusca mentre in Fig.6.1-21b riportata la tensione di rottura per giunzioni con dro-
gaggio variabile linearmente. Le curve tratteggiate si riferiscono alle espressioni [6.1-41] e [6.1-42].
Le curve a tratto continuo ai dati sperimentali. evidente laccordo con i dati sperimentali almeno
per drogaggi maggiori di 10
16
/cm
3
e per gradienti superiori a 10
22
/cm
4
. A bassi valori invece il fe-
nomeno si ha per effetto di campo e quindi lapprossimazione peggiore. Il fatto che le espressio-
ni precedenti sono state ricavate assumendo il comportamento a valanga. Quando il drogaggio o il
gradiente sono alti lo spessore della zona di svuotamento, a parit di tensione inversa pi piccola e
la strada percorsa dalle cariche inferiore e perci pi difficile che si abbiano urti. Pertanto serve
un po pi di tensione per produrre la rottura. Se poi si sale molto in drogaggio allora la rottura u-
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
BV (V)
GaAs
Si
Ge
NB (cm
-3
)
10
19
10
20
10
21
10
22
10
23
10
24
10
0
10
1
10
2
10
3
BV (V)
m (cm
-4
)
GaAs
Si
Ge

Fig.6.1-21
Diodi semiconduttori 210
nicamente legata al campo inverso e le espressioni di cui abbiamo detto non hanno pi validit e le
curve si incurvano verso lalto come evidente nelle due figure. Fino a circa 10
16
/cm
3
leffetto pre-
valente la valanga mentre a partire da 10
17
/cm
3
lo Zener. Ma i due effetti coesistono comunque
con maggiore accentuazione a secondo del drogaggio.
6.1.9.4 Il coefficiente di moltiplicazione
Il fenomeno della rottura non cos improvviso come si detto. La corrente nella regione
inversa, nelle vicinanza della rottura, sale pi di quanto ci si aspetti per effetto della moltiplicazione.
Se con I indichiamo la corrente che si avrebbe se non ci fosse leffetto della valanga, la corrente in-
versa IAr, nei pressi della rottura M volte I con M, detto coefficiente di moltiplicazione dato da
.
) BV V ( 1
1
M
c
AKr
[6.1-43]
c un esponente che varia da 1.5 a 10. Esso pi basso se prevale leffetto valanga e pi alto se lo
Zener. Inoltre dipende anche dal tipo di materiale impiegato. Tanto pi alto M tanto pi brusco il
ginocchio. Da ci segue che la pendenza della caratteristica nella zona di rottura superiore per i
diodi Zener che per quelli a valanga. Ci comporta che la resistenza dinamica in questa regiore , in
generale pi elevata per i diodi a valanga rispetto a quella dei diodi ad effetto Zener.
6.1.9.5 Diodi Zener.
In effetti, qualunque sia la causa che ha determinato il rapido aumento della corrente, e cio
per valanga o per zener si parla comunque di tensione di rottura.
I diodi per i quali prevalentemente curato l'aspetto della rottura, prendono il nome, in ger-
go, di diodi Zener. Se si vuole essere pi precisi si pu dire che se a drogaggi molto alti o molto
bassi prevalgono gli effetti di campo o di valanga, rispettivamente. Per drogaggi intermedi i due ef-
fetti coesistono. Il parametro principale di uno Zener la tensione di Zener, altri parametri sono la
corrente di ginocchio, la massima corrente, la potenza massima dissipabile, il coefficiente di tempe-
ratura della tensione di Zener e la resistenza differenziale nella zona di rottura indicata con rz.
6.1.9.6 Coefficiente di temperatura degli Zener.
Nei diodi poco drogati, cio quelli a valanga, con la temperatura diminuisce il libero cam-
mino medio e quindi si hanno interazioni in uno spazio pi piccolo. Ma lenergia cinetica che una
carica acquista fra due urti successivi ora non pi sufficiente a produrre coppie con la stessa pro-
babilit di prima. Quando aumenta la temperatura perch il fenomeno della valanga avvenga, bis o-
gna allargare la zona di svuotamento. Infatti, anche se il libero cammino medio minore aumenta il
numero medio di urti e quindi risale la probabilit di creare coppie. L'allargamento della zona di
svuotamento ottenuto aumentando la tensione inversa. Quindi con la temperatura cresce la tensio-
ne di rottura. Nei diodi in cui prevale leffetto Zener, invece, con la temperatura incrementa l'ener-
gia del reticolo e gli atomi sono mediamente pi eccitati. sufficiente una tensione minore per dare
luogo alla rottura. Quindi con la temperatura diminuisce la tensione di Zener. Se con ct =
DBV/(BVDT) indichiamo il coefficiente di temperatura della tensione di
rottura si vede che esso negativo nei diodi Zener e positivo in quelli a
valanga. Si sa gi che i due effetti coesistono per drogaggi intermedi, ed
allora il ct varia gradualmente da valori negativi a positivi. In particolare
gli Zener al silicio da 4.8 a 6 V possono avere coefficiente nullo.
Nella Fig.6.1-22 sono indicati i simboli usati per un diodo qua-
lunque (b) ed uno espressamente progettato per sfruttare l'effetto di rot-
tura (c).
(a)
Anodo
Catodo
n
p
(b)
(c)

Fig.6.1-22
Diodi semiconduttori 211
6.1.9.7 Zener compensati.
Determiniamo ora il coefficiente di temperatura della serie, mostrata in Fig.6.1-23a, di due
diodi Zener D1 e D2 che hanno tensioni di rottura e coefficienti di temperatura rispettivamente
BV1 e BV2 e ct1 e ct2. Se la corrente che li attraversa sopra il ginocchio per entrambi si ha:
VDt = VD1 + VD2 = BV1 + BV2 = BVt .
Dalla definizione di coefficiente di temperatura si pu ricavare quello ct t della serie dei due. :

t
2
2 t
t
1
1 t
2
2
t
2
1
1
t
1
t
2 1
t
t
tt
BV
BV
c
BV
BV
c
BV
BV
dT BV
dBV
BV
BV
dT BV
dBV
dT BV
) BV BV ( d
dT BV
dBV
c + +
+

cio:
t
2
2 t
t
1
1 t tt
BV
BV
c
BV
BV
c c + [6.1-44]
Se i due diodi hanno coefficienti di temperatura dello stesso segno il coefficiente della serie mantie-
ne il segno. Nel caso di coefficienti di segno opposto il coefficiente di temperatura potr essere sia
positivo che negativo o addirittura nullo. In questo caso dovr evidentemente essere:
.
BV
BV
c
c
1
2
2 t
1 t
[6.1-45]
Combinando opportunamente pi Zener possibile realizzare coef-
ficienti di temperatura nulli quando si vuole una tensione di rottura elevata.
Si possono combinare in serie anche uno Zener ed un diodo connessi come
in Fig. [6.1-23b e cio lo Zener in polarizzazione inversa al disopra del gi-
nocchi e il diodo in polarizzazione diretta. La VAK di un diodo polarizzato
direttamente ha un coefficiente di circa -2 mV/C. Se lo si mette in buona
conduzione la tensione ai suoi capi circa quella di saturazione datae nel
6.1.6 e cio 200 mV per Ge, 600 mV per il Si e 900 mV per il GaAs. A
queste tensioni corrispondono coefficienti di temperatura approssimativa-
mente di ctGe = -0.1%/C e ctSi = -0.3%/C. ctGaAs = -0.45 %/C. Per piccole
correzione di Zener con coefficiente positivo questa pu essere una valida
soluzione. I costruttori producono Zener compensati in un contenitore unico direttamente.
6.1.10 Effetto del drogaggio sulle caratteristiche
Aumentando il drogag-
gio diminuisce la concentra-
zione delle cariche minoritarie
ed il tempo di vita media e la
corrente inversa diminuiscono.
La costante di diffusione non
cambia con il drogaggio. Nella
Fig.6.1-24 mostrato leffetto
che sulle caratteristiche ha il
drogaggio. Nel caso di nessun
drogaggio, cio di materiale
intrinseco, il dispositivo si
comporta da resistore. Man
mano che aumenta il drogag-
gio si nota asimmetria fra pola-
rizzazione diretta ed inversa e
questa asimmetria cresce con il
drogaggio. La tensione di soglia e di saturazione aumentano e le correnti inverse diminuiscono. Per
quanto riguarda la tensione di rottura gi stato detto tutto nel paragrafo precedente. In figura le
curve sono indicate con un numero progressivo che aumenta con laumentare del drogaggio.
(a)
(b)
D
z2
D
z1
D
D
z

Fig.6.1-23
I
Af
(ma)
-15
-10
-5
0
5
10
15
20
0
1
V (Volt)
Polarizzazione
diretta
Polarizzazione
inversa
(1)(2)
(3)
(4)
(5)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)

Fig.6.1-24
Diodi semiconduttori 212
6.1.11 Capacita' di un diodo
Tutto quanto detto finora vale se applichiamo tensioni e correnti continue. Le cose cambiano
non appena proviamo a cambiare rapidamente queste grandezze. Entrano in gioco degli effetti se-
condari principalmente dovute ad effetti capacitivi. Le cose sono molto differenti se consideriamo
polarizzazione diretta od inversa. Per comodit semplifichiamo lo studio considerando diodi asim-
metrici. Per esempio sia la zona danodo molto pi drogata di quella del catodo. Cio NA >> ND.
6.1.11.1 Capacita' di diffusione.
Studiamo ci che avviene in polarizzazione diretta. Leffetto capacitivo sta nel fatto che il
processo di diffusione produce un eccesso di cariche minoritarie nei pressi della giunzione. Una va-
riazione della tensione applicata produce una cambio in questo eccesso di cariche ma non istantane-
o. Una variazione di tensione DVAK ne produce una della carica immagazzinata nelle zone a ridosso
della giunzione pari a DQd. Il rapporto DQd/DVAK definisce una capacita Cd. Per via della causa che
la ha determinata si parla di capacit di diffusione. Riprendiamo lespressione [6.1-17] che da l'ec-
cesso di concentrazione dpn di cariche minoritarie in ogni punto nella zona n:
.
)
e
I
I
p
)
e ) 1 e ( p ) x ( p
p n p n
T AK
L W x (
s
A
0 n
L W x (
V V
0 n n

Leccesso Qd si ottiene integrando in tutto il ca-
todo. Cio: . L
J
I
qp dx
)
e
J
I
qp dx
)
e
I
I
p qS dx ) x ( p qS Q p
s
A
0 n
l
W
L W x (
s
A
0 n
l
W
L W x (
s
A
0 n
l
W
n d
n
n
p n
n
n
p n
n
n




Nel caso di diodo asimmetrico la corrente inversa di saturazione dalla [6.1-18] si approssima in
0 n
p
p
S p
L
D
q J . Sostituendo nella precedente ed utilizzando la [4.6-6] si ottiene semplicemente
. I L
p qD
I
qp Q A p
2
p
0 n p
A
0 n d [6.1-46]
Ricordiamo lespressione [6.1-34] della resistenza differenziale: la capacit di diffusione diventa:
.
r dV
dI
dV
dQ
C
a
p
AK
A
p
AK
d
d

[6.1-47]
Le ultime espressioni sono valide per diodi fortemente asimmetrici. Ma restano valide in ge-
nerale purch a t p o t n si sostituisca un tempo di vita effettivo t e che tiene conto del tempo di vita
delle cariche minoritarie in entrambe le zone. Esse dicono che la capacit di diffusione proporzio-
nale alla corrente diretta ed al tempo che in media una carica minoritaria sopravvive come tale
nella zona. Nei diodi a base corta questo tempo il tempo di transito tt delle cariche minoritarie.
Concludendo: la capacit di diffusione proporzionale alla corrente e dipende dal tempo di vita ef-
fettivo o da quello di transito, a secondo dei casi.
6.1.11.2 Capacita' di transizione.
In polarizzazione inversa lo spessore della zona svuotata dipende dalla tensione ai suoi capi.
Aumentando la tensione si allarga la zona di svuotamento ed aumentano gli ioni scoperti in tale zo-
na. Questi ioni sono come le cariche immagazzinate sulle armature di un condensatore. Tuttavia il
rapporto la carica relativa e la tensione ai capi della zona di svuotamento VBi VAK = VBi + VAKr
non costante. VAKr la tensione inversa applicata. Definiamo, perci, anche in questo caso una
capacit Ct , detta di transizione. Sia Qi la carica complessiva di questi ioni. Ct = DQi/D(VBi + VAKr).
La capacit di transizione significativamente differente se la giunzione graduale o bru-
sca. Trattiamo per primo questo caso. Consideriamo, per semplicit, ancora una volta, quello che
avviene se il drogaggio della giunzione brusca asimmetrico. Allora possiamo utilizzare risultati
del 6.1.9.3. Il legame tra la tensione sulla giunzione e lo spessore della zona di svuotamento dato
dalla [6.1-37] che pu essere capovolta come . W 2 qN V V
2
B AKr Bi + Daltra parte in un diodo di
sezione S, la zona svuotata spessa W praticamente tutta nella zona meno drogata con drogaggio
Diodi semiconduttori 213
NB. La carica complessiva dovuta agli ioni scoperti Qi = qNBSW. Differenziando entrambe queste
espressioni si ha: WdW qN ) V V ( d B AKr Bi + e dQi = qNBS dW. Eseguendo il rapporto
.
W
S
) V V ( d
dQ
C
AKr Bi
i
t

+
[6.1-48]
formalmente eguale all'espressione della capacit di un condensatore con armature piane e parallele.
Per, in questultimo W fisso, mentre in questo caso dipende dalla tensione applicata come stabili-
to dalla [6.1-37]. Sostituendo nella precedente questultima si ricava
.
) V / V 1 (
V 2 qN S
W
S
C
2 / 1
Bi AKr
Bi B
t
+

[6.1-49]
In Fig.6.1-22 mostrato il comportamento di un diodo a giunzione brusca polarizzato inversamente.
La capacit fatta con Silicio di S = 500x500 mm
2
, nellintervallo di tensioni utilizzato, varia di un
fattore 3 al massimo. La concentrazione di drogante nel catodo costante e pari a ND = 1.7
10
15
/cm
3
.
Sia ora la giunzione graduale come quella trattata sempre nel 6.1.9.3. La relazione fra la
tensione sulla giunzione e lo spessore della zona di svuotamento data dalla [6.1-39], cio
. 12 qmW V V
3
AKr B + La zona di svuotamento larga W, met per ogni zona del semiconduttore.
Allora la carica dovuta agli ioni scoperti con giunzione graduale Qi =1/8 qm S W
2
. Differenziando
entrambe queste espressioni si ha: dW W 4 qm ) V V ( d
2
AKr B + e dQi = q/4 mS WdW. Eseguendo il
loro rapporto si trova ancora una volta la [6.1-48]. Per, questa volta la relazione fra la tensione di
giunzione e la larghezza della zona svuotata non pi quella di prima ma e data dalla [6.1-39]. So-
stituendo nella precedente si ottiene finalmente
.
) V / V 1 (
V 12 qm S
C
3 / 1
Bi AKr
3
Bi
2
t
+

[6.1-50]
In Fig.6.1-22 mostrato il comportamento di un diodo a giunzione graduale polarizzato inversa-
mente. La capacit realizzata con Varicap al si-
licio di S = 500x500 mm
2
, nellintervallo di ten-
sioni utilizzato, varia di un fattore 2 al massimo.
La concentrazione nel catodo varia gradualmen-
te con m = 1.7 10
21
/cm
3
. A distanza x0 = 1 mm
dalla giunzione la concentrazione ND(x0) = 1.7
10
15
/cm
3
eguaglia quella del diodo precedente a
giunzione brusca.
Le due espressioni della capacit di tran-
sizione possono essere generalizzate come:
.
) V / V 1 (
C
C
Bi AKr
0 t
t

+
[6.1-51]
con 2 qN S C B 0 t e
3
Bi
2
0 t V 12 qm S C e a
= 1/2 e 1/3, rispettivamente nei due casi. VBi,
come noto dellordine di 1 V e dipende dal
tipo di semiconduttore e dal drogaggio.
6.1.11.3 Diodi VARICAP.
Come si pu ben vedere dalla figura precedente non ci sono grandi differenze di comporta-
mento nei due casi. La capacit varia poco con la tensione e non rende il comportamento del diodo
particolarmente interessante.
In effetti si potrebbero generalizzare i risultati precedenti a drogaggi con qualsiasi profilo.
0 1 2 3 4 5 6 7 8
0
5
10
15
20
25
30
35
m = 0
Silicio
VAKr (V)
Ct (pF)
m = 1
m = -1.5
brusca
iperbrusca
graduale
S (100x100
m
m
2
)
S (500x500
m
m
2
)

Fig.6.1-22
Diodi semiconduttori 214
Diodi realizzati con profili di concentrazioni particolari per ottenere variazioni ben precise della
capacit prendono il nome di diodi VARICAP.
Ricordiamo che nella zona di catodo, molto pi drogata, la larghezza della zona di svuota-
mento trascurabile e pertanto W sostanzialmente soltanto nellanodo. Assumiamo che il profilo
di drogaggio sia normalizzato al drogaggio alla profondit x0. Potremo scrivere che il drogaggio del
catodo
.
x
x
) x ( N N
m
0
0 D D
,
_

[6.1-52]
x la distanza dalla giunzione. Si potrebbe dimostrare, applicando lo stesso procedimento usato in
altri casi, a partire dal teorema di Poisson, che lo spessore della zona svuotata e la capacit di trans i-
zione sono:
2 m
m
0
Bi 0 D
Bi AKr
x
V ) 2 m ( ) x ( qN
) V / V 1 (
W +
+
+
[6.1-53]
2 m
Bi AKr
m
0 Bi 0 D
1 m
t
) V / V 1 (
x V ) 2 m ( ) x ( qN
C
+
+
+
+
[6.1-54]
Molto interessante, per le applicazioni che si fanno sono i diodi con giunzione, cosiddetta
iperbrusca, nella quale la concentrazione dei donatori nel catodo varia in modo inverso, cio decre-
scendo dalla giunzione verso la zona neutra. Tecniche di crescita epitassiale consentono di realizza-
re un profilo di drogaggio di questo tipo. Nella Fig.6.1.23a sono mostrati in scala logaritmica profili
di drogaggio del catodo dei diodi descritti in questo paragrafo. Si suppone che il profilo sia descritto
dalla [6.1-52]. Diodi con drogaggio uniforme hanno m = 0 mentre quelli a giunzione lineare hanno
m = 1. La giunzione iperbrusca della figura ha m = -1.5. La larghezza W della zona di svuotamento
data dalla [6.1-53]. Mentre nelle giunzioni graduali o brusca questo spessore varia di poco con la
tensione inversa, la giunzione iperbrusca ha una variazione della regione di svuotamento violento
con la tensione, come si vede dalla Fig.6.1-23b. Nella Fig.6.1-22 mostrato il comportamento di un
diodo realizzato con giunzione iperbrusca, sempre con m=-1.5 per la quale vale la [6.1-54]. In que-
sto esempio il diodo con giunzione iperbrusca ha una area un po pi piccola degli altri due, in mo-
do da avere pi o meno lo stesso valore Ct0. Per si fatto in modo, che a distanza x0 = 1 mm dalla
giunzione la concentrazione ND(x0) = 1.7 10
15
/cm
3
eguaglia quella che hanno nella stessa posizione
entrambi i diodo precedenti. Si noti che questa volta la stessa variazione di tensione inversa sta pro-
ducendo una variazione della capacit di un fa ttore circa 80, rispetto al fattore 2-3 del caso dei pre-
cedenti profili. Se si pone nella [6.1-54] m = -1.5 si vede che la Ct dipende da (1+VAK/VB)
-2
. Cio si
pu ancora adoperare la [6.1-51] con a = 2. Nel paragrafo 6.3-10 vedremo come sfruttare questo ti-
po di Varicap.
)
0 0.5 1 1.5 2
10
13
10
14
10
15
10
16
10
17
10
18
m = 0
Silicio
N
D
(cm
-3
)
x (
mm mm
)
m = 1
m = -1.5
brusca
iperbrusca
graduale
W ( nm)
m=0
Silicio
ND(cm- 3)
x( mm VAKr (V)
Ct( pF) Ct -0.5 (pF-0.5 )
m=1 m = -1.5
brusca iperbrusca
graduale
S(500x500mm2)
0 1 2 3 4 5 6 7 8
10
1
10
2
10
3
10
4
W (nm)
m = 0
Silicio
V
AKr
(V)
m = 1
m = -1.5
brusca
iperbrusca
graduale

Fig.6.1-23.
Diodi semiconduttori 215
6.1.12 Diodi fortemente drogati: Tunnel e Backward
Per quanto detto nel paragrafo 6.1.9, il comportamento dei diodi in polarizzazione inversa
dipende fortemente dal drogaggio. In questo paragrafo ci occuperemo dei diodi fortemente drogati
nei quali il drogaggio si avvicina oppure supera addirittura, il drogaggio degenere. Una ipotesi che
sar sempre verificata in tutto il paragrafo che il drogaggio sia simmetrico. Ricordiamo che un se-
miconduttore degenere quando la concentrazione delle impurezze supera la concentrazione dei li-
velli disponibili. Per il semiconduttore n, ND > NC, e per il p, NA > NV, sono le condizioni perch il
materiale si dica degenere.
6.1.12.1 Diodi Backward
La tensione di rottura si abbassa con il drogaggio.
Diodi con drogaggio pesantissimi e simmetrici presentano
una regione di svuotamento sottilissima ed il campo neces-
sario per ottenere la rottura si ha con basse tensioni. Il diodo
conduce meglio, addirittura con polarizzazione inversa che
diretta. Un diodo del genere prende il nome di diodo inverso
o Backward. In Fig.6.1-24 mostrata la caratteristica tipica
di un diodo Backward. evidente che esso conduce meglio
con una polarizzazione inversa che con una diretta.
6.1.12.2 Diodi Tunnel
Aumentando ulteriormente il drogaggio in modo che la concentrazione di accettori e di do-
natori siano entrambi superiori alla concentrazione degli stati disponibili si realizzano i cosiddetti
diodi tunnel. Il meccanismo di funzionamento di un tale diodo identico a quello gi noto soltanto
per tensioni dirette sufficientemente elevate rispetto alla soglia. Sia in regione inversa che sotto so-
glia si hanno comportamenti differenti legati ad un nuovo meccanismo di conduzione che prende il
nome di effetto tunnel.
Il drogaggio degenere porta al due
conseguenze estremamente importanti. La
prima che lo spessore della zona di svuo-
tamento, in assenza di polarizzazione [6.1-
7] estremamente sottile, laltra che il
livello di Fermi nel n va in zona di condu-
zione e quello della p va in banda di va-
lenza [4.3-20] e [4.3-21]. Inoltre il poten-
ziale intrinseco si avvicina al gap [6.1-9].
Inserendo in questultima le [4.3-10] e
[4.3-11] per NA = NV e ND = NC si trova
che VBi proprio EG/q. Cio il potenziale
intrinseco supera il gap se il drogaggio
degenere. In Fig.6.1.25 sono rappresentati
sia lo spessore della zona di svuotamento
che il potenziale intrinseco per silicio a
300K in funzione del rapporto fra con-
centrazione di drogante e stati disponibili.
Si fa lipotesi di drogaggio simmetrico. In-
fatti in questo caso la zona di svuotamento penetra in entrambi i semiconduttori di poco. La zona
colorata corrisponde a drogaggio non degenere. Nella zona degenere si noti che lo spessore della
zona di svuotamento scende al disotto 250 . Consideriamo in questo paragrafi soltanto diodi con
drogaggio degenere simmetrico per il quale W sia molto piccolo.
Polarizzazione
inversa
-10
-5
0
5
10
0
1
VAK (Volt)
Polarizzazione
diretta
IAr (ma)
IAf (ma)

Fig.6.1-24

10
-8
10
-6
10
- 4
10
-2
10
0
10
2
10
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
V
B

(
m
V
)

NA/NV = ND/NC
W

(
n
m
)
degenere
Silicio a 300 K

Fig.6.1-25
2
i
D A
T Bi
n
N N
ln V V
kT / ) E E (
C i
Fi C
e N n

kT / ) E E (
V i
V Fi
e N p

Diodi semiconduttori 216


Per spiegare il meccanismo di funzionamento di un diodo tunnel non sufficiente la mecca-
nica classica ma necessario ricorrere alla meccanica quantistica. Pertanto necessario fare una
premessa che alla base della teoria sui diodi tunnel portata avanti da Esaki
[ES]
e Hall
[HA]
.
Consideriamo la parte a sinistra della
figura a lato. Studiamo quello che avviene se-
condo la meccanica classica. Una particella di
massa m nella regione (b) con una energia E.
Una particella per stare nella regione (a) di alte
energie ha necessit di possedere una energia
superiore allenergia EB della barriera. Pertan-
to, se lenergia della particella E < EB la par-
ticella confinata nella regione (b). Essa pu stare dappertutto nella regione (b) e da nessuna parte
nella regione (a). In modo analogo, se si osserva la parte destra della stessa figura si deve trarre la
medesima conclusione. La particella di energia E < EB confinata nella regione (b1). Essa, non a-
vendo, energia sufficiente per saltare la barriera di potenziale pu soltanto stare nella zona (b1).
Anche se potesse stare nella zona (b2) perch il suo livello energetico lo consentirebbe, tuttavia non
capace di saltare, ne attraversare la barriera perch essa troppo alta.
Per capire, quello che avviene in realt ci si pu aiutare con un esempio. La barriera sia una
siepe molto fitta che un cavallo non riesce a saltare perch altissima. Se la siepe sottile il cavallo
ci passa in mezzo senza saltarla.
Se la barriera sufficientemente stretta una particella che ha un livello energetico permesso
in entrambe le zone b(1) e (b2) ha una probabilit diversa da zero di attraversare, non di saltare la
barriera. In ci consiste leffetto tunnel. Applicando lequazione di Shoedringer alla regione (b2) si
trova che la probabilit che la particella m possa stare in un punto a distanza x dalla barriera pro-
porzionale a e
-x/x
0
. La costante x0 dipende soltanto da costanti fisiche e dalla differenza EB E fra
lenergia della barriera e da quella della particella. Per essere pi precisi: . ) E E ( m 32 h x B
2
0 h
la costante di Plank. Allora se lo spessore W della barriera sufficientemente piccolo rispetto a x0,
anche se lenergia della particella non le consente il salto, tuttavia la particella pu attraversare la
stessa. La probabilit dattraversamento aumenta assottigliandola ed evident emente superiore per
particelle di energia pi alta. Man mano che una particella ha energia sempre pi vicina a quella ne-
cessaria per saltarla aumenta anche la probabilit di attaversarla. Se, per, la barriera ha spessore
grande rispetto a x0 la probabilit diventa piccolissima e, in accorda anche con la meccanica classi-
ca, la particella costretta nella regione (b1) .
Nella figura Fig. 6.1-27a mostrato il
diagramma a bande del semiconduttore in as-
senza di potenziale applicato. Con EB si indi-
cato lenergia qVBi potenziale della barriera
[6.1-9]. Dal momento che, nella zona n
++
il li-
vello di Fermi sta sopra il livello EC lintervallo
EF EC una zona permessa e pertanto anche a
temperature bassissime pieno. Viceversa, nel-
la zona p
++
lintervallo EV EF in banda di va-
lenza vuoto. Si rammenti che lo spessore del-
la zona di svuotamento ancora pi piccolo di
quello dei diodi Backward che pur avendo dro-
gaggi pesantissimi non arrivano ad essere de-
genere.
Lapplicazione di una tensione inversa VAKr anche modesta fra anodo e catodo abbassa tutti i
livelli energetici di questultimo della quantit Er =qVAKr. La Fig.6.1-27b mostra la nuova situazio-
zona
(b) di
bassa
energia
E
x
E
m
E
B
zona
(a) di
alta
energia
W
zona
(b1) di
bassa
energia
E
x
E
m
EB
zona
(a) di
alta
energia
zona
(b2) di
bassa
energia

Fig.6.1-27.
E
C
p
++
EG
E
V
E
G
EC
E
V
W
banda di
valenza
stati
vuoti
EF
n
++
banda di
conduzione
stati
pieni
E
B
> E
G
EF
E
r
E
C
p
++
EG
E
V
E
G
EC
E
V
W
banda di
valenza
stati
vuoti
E
F
n
++
banda di
conduzione
stati
pieni
E
B
> E
G
EF
tunnel
(a)
(b)

Fig.6.1-27.
Diodi semiconduttori 217
ne. Si ha una corrente sensibile. Infatti la rottura per cam-
po avviene facilmente per tensioni inverse anche piccole
dato le dimensioni ridottissime di W. Leffetto pi spin-
to di quello del diodo Backward. La caratteristica inversa
ancora pi vicina allasse delle correnti. Elettroni in
banda di valenza della zona p marcata nera nella figura
saltano direttamente nella banda di conduzione della zona
n come mostrato della freccia. Gli stati di provenienza
di questi elettroni sono quelli compresi fra i due livelli di
Fermi nelle due zone. La differenza fra questi due livelli
VAKr = Er/q. Alzando la polarizzazione inversa il dislivello
fra le due regioni cresce. Aumentano anche gli stati dai
quali possono provenire elettroni per tunnel, cio la zona
marcata nera diventa pi consistente. La singola probabilit non cambia di molto, ma aumentando
gli elettroni che possono attraversare la giunzione aumenta la corrente i nversa come mostrato nel-
la Fig.6.1-28a. Il diodo tunnel, in polarizzazione inversa si comporta come un ottimo resistore.
Vediamo quello che succede, invece in polarizzazione diretta. La spiegazione viene aiutata
dalla Fig.6.1-29. Applichiamo una debole polarizzazione VAKf = Ef/q tale che il livello di Fermi nel
catodo non superi il livello EV. Per effetto di questa debole polarizzazione la barriera si abbassa un
po, pur essendo sempre pi grande del gap, dando origine ad una struttura delle bande come quella
della Fig.6.1-29a. Questa volta si vede che esistono nel catodo degli stati occupati nella banda di
conduzione cui corrispondono livelli energetici identici, ma vuoti e disponibili nella banda di valen-
za dellanodo. Per gli stessi motivi detti prima la probabilit che elettroni attraversino la giunzione
diversa da zero dando luogo a corrente di elettroni che dal catodo vanno verso lanodo. Ci corri-
sponde ad una corrente convenzionale positiva. La corrente di tunnel proporzionale allarea nera
che rappresenta gli stati disponibili in banda di conduzione nel catodo cui corrispondono stati vuoti
nellanodo. Se innalziamo ancora la polarizzazione diretta in modo da portare il livello EC del cato-
do al valore di EF dellanodo e corrispondentemente il valore di EV nellanodo a quello di EF nel ca-
todi, si ha la massima possibilit di stati occupati da elettroni nella zona del catodo cui corrispon-
dono stati disponibili vuoti nellanodo (Fig.6.1-29b). Allora la corrente di tunnel sar massima. La
corrente, aumentando la polarizzazione diretta da 0 fino a Ef = qVAkf = Ep = q Vp cresce da 0 fino ad
un valore che chiamiamo Ip. Ci chiaramente rappresentato nella Fig.6.1-28a. Facciamo crescere
ancora il potenziale VAKf al di la del valore Vp. In modo che il livello EC del catodo sia comunque
al disotto di EV dellanodo. La barriera si abbassa ulteriormente, ma la zona nera da cui possono
venire elettroni dal catodo per trovare stati disponibili nellanodo diminuisce (Fig.6.1-29c). La cor-
rente di tunnel decresce rispetto la corrente di picco come chiaramente indicato in Fig.6.1-28a. Se
si fa salire ancora tensione si abbassa ulteriormente la barriera e la corrente decresce. Quando la
tensione applicata, come nel caso di Fig.6.1-29d talmente alta che il livello EC nel catodo supera
-10
-5
0
5
10
0
VAK (Volt)
IAr (ma)
IAf (ma)
1
-10
-5
0
5
10
0
VAK (Volt)
IAr (ma)
IAf (ma)
1
Vpp Vv
Iv
Ip
Vp
Corrente
di tunnel
Corrente di
diffusione
Corrente
di tunnel

Fig.6.1-28
EC
p
++
E
G
EV
E
G
EC
E
V
W
banda di
valenza
stati
vuoti
E
F
n
++
banda di
conduzione
EB > EG
E
F
Ef
(a)
tunnel
(b)
EC
p
++
E
G
EV
EG
E
C
E
V
W
banda di
valenza
stati
vuoti
E
F
n
++
banda di
conduzione
EB= EF-EV
E
F
E
f
=E
p tunnel
(d)
EC
p
++
E
G
EV E
C
E
V
W
banda di
valenza
stati
vuoti
E
F
n
++
banda di
conduzione
EF
E
f
>E
px
E
G
EB > EG
(c)
E
C
p
++
E
G
E
V
E
G
E
C
EV
W
banda di
valenza
stati
vuoti
EF
n
++
banda di
conduzione
E
B
> E
G
E
F
tunnel E
f
>E
p

Fig.6.1-29.
Diodi semiconduttori 218
quello EV nellanodo non pi possibile il fenomeno del tunnel e la corrente di tunnel va a zero. Il
tutto chiaramente rappresentato nella Fig.6.1-28a.
Tuttavia questa descrizione del diodo tunnel non com-
pleta. Accanto alla corrente diretta dovuta al tunnel c la norma-
le corrente dovuta alle cariche minoritarie che, quando la barriera
si abbassa sufficientemente, riescono a saltare, non attraversare
la giunzione. Questa la corrente descritta da Shockley ed ha il
classico andamento esponenziale visibile in Fig.6.1-28b (linea
tratteggiata). Quindi la corrente in polarizzazione diretta data da
due componenti, una che ha un picco Ip per la tensione Vp molto
piccola e laltra che il classico andamento esponenziale. La som-
ma di queste due componenti da la corrente complessiva nel tunnel che la linea a tratto continuo
della Fig.6.1-28b. In Fig.6.1-30 sono mostrati i simboli elettrici convenzionali dei vari tipi di diodi.







Anodi
Catodi
Diodo
comune
Diodo
tunnel
Diodo
Zener

Fig.6.1-33
Diodi semiconduttori 219
6.2 Giunzioni metallo-semiconduttore
Riprendiamo quanto detto nel 4.2.8 a
proposito del contatto fra due materiali non iso-
lanti. Questa volta per consideriamo un materiale
metallico con potenziale di estrazione F M e lo
mettiamo a contatto con un materiale semicondut-
tore, in genere drogato.
A sinistra, nella figura accanto mostrata
la struttura a bande del metallo isolato dal semi-
conduttore. mostrato il livello di Fermi ed
lenergia destrazione qF M del metallo che, ricor-
diamo, lenergia minima necessaria per
portare al di fuori del metallo un elettrone
che ha proprio lenergia di Fermi. La
TAV.6.1-I mostra i potenziali destrazioni
di alcuni metalli che ci interessano per il loro impiego in microelettronica.
Nella stessa Fig,6.2-1, a destra , invece, mostrata la situazione per un semiconduttore di Si-
licio di tipo n (drogaggio ND = 10
18
/cm
3
) ancora isolato dal metallo. Lenergia destrazione qF S del
semiconduttore varia con il drogaggio in quanto con esso si sposta il livello di Fermi. Una quantit,
che, invece, non cambia la cosiddetta affinit elettronica c. Essa tale che qc la differenza fra il
livello energetico minimo E0 di un elettrone al di fuori del semiconduttore e il livello inferiore della
banda di valenza. Questa quantit dipende unicamente dal materiale e non dal suo drogaggio. Per
esempio, per il silicio e cSi = 4.05 V.
Se il potenziale destrazione del semiconduttore supera quello del metallo vuol dire che, in
media, gli elettroni del metallo hanno necessit di minore energia per uscire dal metallo rispetto
agli elettroni del semiconduttore. Quindi essi hanno mediamente energie superiori a quelli del se-
miconduttore. Nel caso inverso, come per esempio per lAu (F Au = 4.70V) ed il Silicio drogato n,
cSi = 4.05V < F Si < cSi + GapSi/2 =4.05V + 0.56V = 4.61 V ed in ogni caso F M - F Si > 0. Allora
esistono elettroni, nel semiconduttore con energie superiori a quelle del metallo. La Fig.6.2-1 si rife-
risce proprio a questo esempio. Ovviamente questo soltanto uno dei casi possibili. Infatti il semi-
conduttore pu essere sia n che p e, a seconda del suo drogaggio e del metallo che si prende in esa-
me si avr il segno di F M .
6.2.1 Diodi Schottky metallo-n
Finch lAu ed il Si n non sono interagenti la Fig.6.2-1
descrive il loro comportamento. Ma non appena si mettono a
contatto, per definizione, il livello di Fermi, in assenza di po-
larizzazione esterna, diventa comune a tutto il dispositivo. Le
cose sono differenti a seconda che utilizziamo materiali con
potenziale destrazione superiore o inferiore allaffinit ele t-
tronica del semiconduttore e se questi n o p. Nella figura ac-
canto mostrato quello che avviene per Au ed il Si n (ND =
10
18
/cm
3
) che ha una affinit elettronica inferiore al potenziale
destrazione del metallo (4.70 > 4.05). Cio VB = F M - c > 0. Se tralasciamo, per il momento
linterfaccia fra i due materiali e ci mettiamo a distanza sufficientemente grande facile disegnare
questa figura a partire della precedente. Infatti, dovere porre i livelli di Fermi allo stesso valore si-
gnifica slittare il diagramma a banda del semiconduttore del potenziale di contatto qVBi =
E
F
E
C
E
V
E
G
Silicio n
banda di
valenza
banda di
conduzione
4.05eV < q
FS
< 4.61eV
q
c
= 4.05eV
E
F
-2
-1
0
1
2
3
4
5
q
FM
= 4.70eV
metallo
-2
-1
0
1
2
3
4
5
E
0
Au

Fig.6.2-1
TAV.6.1-I: Potenziale destrazione
Metallo Mg Al Ag Cu Au Ni Pt
F M 3.7 4.2 4.31 4.52 4.70 4.74 5.65 Volt
QV
Bi
= 557meV
E
C
E
V
Silicio n
banda di
valenza
banda di
conduzione
q
FS= 4.14eV
q
c
= 4.05eV
-2
-1
0
1
2
3
4
5
q
FM= 4.70eV
metallo
Au
E0
EF
EG
qVB= 650meV
X (nm)
V
ND = 10
18
/cm
3
-20 0 20 40 60

Fig.6.2-2
Diodi semiconduttori 220
q(F M - F S). Questo risultato si ottiene perch elettroni dal semiconduttore vanno nel metallo dato
che, come gi detto, essi hanno, in media energia superiore a quelli del metallo. Pertanto questoul-
timo si carica negativamente rispetto al semiconduttore. Ricordiamo che ci dipende unicamente
dalla differenza dei potenziali di contatto. Per studiare quello che avviene allinterfaccia comincia-
mo a vedere che il livello E0 a sinistra pi alto che a destra e allinterfaccia si raccorda
gradualmente. Dal momento che laffinit elettronica un propriet del semiconduttore, se gue che
anche il livello EC allinterfaccia segue la curva di E0 e per la propriet del Gap anche EV ha lo
stesso andamento. Le bande si piegano come mostrato qualitativamente nella figura. Il potenziale di
contatto VBi dipende anche dal drogaggio del semiconduttore mentre il brusco salto VB delle bande
allinterfaccia soltanto dalla differenza fra il potenziale di contatto e dellaffinit, quindi solo dalla
scelta AuSi o altri materiali. Pi avanti daremo dettagli qualitativi in ipotesi semplificative.
Per il momento approfondiamo quanto avviene
nellesempio del contatto Au-n. Pi avanti prenderemo in esa-
mi altri tipi di drogaggi e di materiali. Nella Fig.6.2-3 sono
mostrate anche la carica e il campo elettrico alla giunzione
Metallo-semiconduttore Cominciamo con il determinare la
larghezza delle zone svuotate. Lanalisi viene condotta in mo-
do molto simile a quanto fatto per le giunzioni p-n con dro-
gaggio a gradino. Lipotesi di drogaggio uniforme e di concen-
trazione di donatori molto superiore a quella degli elettroni in-
trinseci consente un calcolo semplificato. possibile trascura-
re le cariche minoritarie nel silicio. Un elettrone che dal mate-
riale n va nel metallo lascia uno ione positivo scoperto nella
zona n. Una volta passato nel metallo esso si localizza
allinterfaccia dove la densit di carica diventa molto grande e
estremamente sottile. In pratica una d. Il numero di ioni sco-
perti nella zona n identico alla numero di elettroni nel metal-
lo allinterfaccia. Chiamiamo S, costante, la sezione del diodo,
e Wn lo spessore della zona svuotata. Qui la carica scoperta
Q = qNDWnS e la densit r = qND. Applichiamo l'equazione
di Poisson [4.8-25] nel semiconduttore e con le approssima-
zioni semplificative si ha: N
q
dx
d
dx
V d
D
2
2

per 0 < x <


Wn. Integrando la precedente si determina il campo elettrico. Evitiamo di entrare nel dettaglio dei
calcoli. Il metodo identico a quello applicato nel 6.1.1. Si ricava

,
_

,
_


n
M
n
n D
n
D
W
x
1 E
W
x
1
W qN
) W x (
qN
) x ( E con .
W qN
E
n D
M

Il potenziale VBi fra


le due zone, si calcolare integrando il campo che non nullo solo nella zona di svuotamento e quin-
di si ottiene una espressione analoga alla [6.1-6] cio .
2
W qN
2
W
E V
2
n D n
M Bi

Quindi la larghezza
della zona svuotata , analogamente alla [6.1-10], .
N
V
q
2
W
D
Bi
n

Quindi il campo elettrico massimo


allinterfaccia . V
qN
2 E Bi
D
M


evidente, allora che un siffatto dispositivo si comporta come un un diodo con lanodo nel
metallo ed il catodo nel semiconduttore. Il diodo Metallo-Semiconduttore prende anche il nome di
diodo Schottky. Ancora una volta la spiegazione del suo comportamento abbastanza semplice. In
assenza di polarizzazione la corrente netta ovviamente nulla, ma, in effetti essa il risultato di due

qVBi = 557meV
EC
EV
Silicio n
banda di
valenza
banda di
conduzione
qFS= 4.14eV
qc = 4.05eV
-2
-1
0
1
2
3
4
5
qFM = 4.70eV
metallo
Au
E0
EF
EG
qVB = 650meV
X (nm)
V
N
D
= 10
18
/cm
3

-20 0 20 40 60
Q = -qNDWnS
Q = qNDWnS
r r
x
r = qND
EM
x
Wn= 27nm
Wn
E
anodo catodo

Fig.6.2-3
Diodi semiconduttori 221
processi dinamici. Da una parte elettroni del metallo che, per questioni puramente statistiche, hanno
energie superiori a EF + EB = EF + qVB e che, quindi attraversano linterfaccia, verso il semicon-
duttore, dallaltra, ancora elettroni del semiconduttore che riescono a saltare il potenziale intrinse-
co VBi. Come si vede le due correnti sono di elettroni entrambe. In presenza di polarizzazione, l a-
sciando inalterata la temperatura, una delle due correnti, quella del metallo non cambia, perch VB
la differenza costante fra il potenziale di estrazione del metallo e laffinit del silicio. Laltra cor-
rente, invece, con la polarizzazione VAK applicata varia. Lostacolo agli elettroni del semicondutto-
re per passare nel metallo non pi VBi ma VBi VAK. Come vedremo fra poco landamento della
corrente molto simile a quella di un diodo p-n con delle differenze importanti che andremo a di-
scutere successivamente.
In assenza di potenziale applicato la corrente dal semiconduttore al metallo pu essere calco-
lata a partire dalla conoscenza della concentrazione superficiale degli elettroni allinterfaccia. Guar-
dando le Figg.6.2-2 e 6.2-3 si vede che allinterfaccia la differenza fra il livello di Fermi ed ECin
proprio qVB. Pertanto la concentrazione degli elettroni allinterfaccia , secondo la [4.3-20], nin =
NC e
-(E
Cin
-E
F
)/kT
= NC e
-V
B
/V
T
. Guardiamo ora ECb - EF nel bulk, lontano dallinterfaccia. qVB = qVBi
+ ECb EF. Sostituendo nella precedente si ottiene nin = NC e
-V
Bi
/V
T
e
-(E
Cb
-E
F
)/V
T
. E questa, sempre per la
[4.3-20], proprio nin = ND e
-V
Bi
/V
T
. La corrente dal n al metallo proporzionale a nin. In assenza di
polarizzazione la corrente di elettroni proveniente dal metallo identica a questa che abbiamo cal-
colato e che va in senso inverso. Le due correnti, eguali ed opposte, proporzionali a queste concen-
trazioni, decrescono esponenzialmente con il potenziale intrinseco. Chiamiamo ISM = ISS queste due
correnti. Il secondo pedice si riferisce al metallo od al semiconduttore. Si pu ritenere che queste
correnti siano proporzionali alla concentrazione di elettroni allinterfaccia e cio : ISM = ISS = k ND
e
-V
Bi
/V
T
. Quando polarizziamo, per, mentre laltezza della barriera per gli elettroni dal metallo rima-
ne sempre VB, quella per gli elettroni dal semiconduttore diventa VBi VAK . Allora, mentre la cor-
rente dal metallo rimane sempre ancora ISM quella dal semiconduttore cambia diventando k ND e
-( V
Bi

V
AK
)/V
T
. Allora la corrente complessiva che la differenza fra le due IA = k ND e
-( V
Bi
V
AK
)/V
T
- k ND e
-
V
Bi
/V
T
= k ND e
-V
Bi
/V
T
(e
V
AK
V
T
1). In altri termini
IA = ISM (e
V
AK
/V
T
1). [6.2-1]
con ISM = k ND e
-V
Bi
/V
T
[6.2-2]
che assume il significato di corrente inversa di saturazione per analogia a quanto detto in 6.1.
Queste espressioni, che si riferiscono ad un diodo ideale metallo-semiconduttore, sono suffi-
cientemente approssimate. Un calcolo pi accurato fa concludere che la corrente inversa di satura-
zione non esattamente quella calcolata ma ha una leggera dipendenza dalla tensione applicata, an-
che se questa dipendenza, dal punto di vista pratico, pu essere ragionevolmente trascurata. Questo
calcolo tiene conto sia del corrente di diffusione dovuta al gradiente di concentrazione degli elettro-
ni che al campo elettrico che si viene a manifestare. Ricordiamo lequazione della densit di corren-
te:

1
]
1

+
1
]
1

+
1
]
1

+
dx
n d
dx V
V nd
qD
dx
n d
D
dx
V d
n q
dx
n d
D n q J
T
n n n n n n [4.4-17]
Si fatto uso della relazione di Einstein [4.4-16]. V il potenziale nella zona di svuotamento. La
soluzione di questa espressione per la giunzione metallo-semiconduttore nelle condizioni specificate
dalla Fig.6.2-3 con potenziale applicato fra anodo e catodo della stata ricavata come
[SZ2]
.
JA = JS (e
V
AK
/ V
T
1). [6.2-3]
Con
T B V V
D AK Bi
T
C n
S e
N ) V V ( q 2
V
N qD
J

[6.2-4]
Ovviamente la dipendenza di JA da VAK duplice. C sia il termine esponenziale nella [6.2-3] che
quello sotto radice per la sua corrente di saturazione nella [6.2-4]. Tuttavia leffetto della variazione
di Js per la VAK trascurabile rispetto allinfluenza del termine esponenziale per cui si pu tranquil-
lamente usare una espressione approssimata delle precedente. Cio:
Diodi semiconduttori 222
JA = JS. (e
V
AK
/hV
T
1). [6.2-5]
Con Js indipendente dalla tensione e h un coefficiente demissione simile a quello della [6.11-29]
che per i diodi metallo-semiconduttori ha il valore approssimativo 1.02+1.15. In questo modo, an-
che per i metallo semiconduttori pu essere utilizzata la [6.1-29]. Quindi
). 1 e ( I I
T AK V V
s A

[6.1-29]
In Fig.6.2-4 sono mostrate le caratteristiche di diodi simili, con stesse dimensioni. Si confrontino i
due diodi al silicio quello con metallo semiconduttore e quello p-n. molto interessante il fatto che
la tensione di soglia del primo sia notevolmente inferiore a quello del diodo p-n.
6.2.2 Diodi Schottky metallo-p
Unaltra possibilit, per avere un diodo Schottky di
eseguire un contatto metallo-p con F S > F M. La figura accan-
to riporta la situazione per un contatto Al-p. Il drogaggio di
NA = 0.5

10
18
/cm
3
. Il livello di Fermi, in assenza di polarizza-
zione esterna, diventa comune a tutto il dispositivo. Il poten-
ziale di contatto risulta F M c (EG/2+VT ln(NA/ni) = 4.2
4.05 [1.12/2+ .0259 ln(.5 10
18
/1.5 10
10
)] = -859 mV. Questa
volta il semiconduttore p si carica negativamente rispetto al
metallo perch da questi elettroni vanno nel semiconduttore.
In tal modo, allinterfaccia Al-p, nel semiconduttore si crea
una zona svuotata dalle lacune che vengono neutralizzate da-
gli elettroni del metallo. Invece allinterfaccia nel metallo si
crea uno strato molto sottile di cariche positive dovute alla
mancanza di elettroni. Perch lacune dal metallo possano an-
dare nel semiconduttore debbono superare una barriera VB =
EG (F M - c) = 1.12 - (4.2 - 4.05) = 970 mV. A questo pun-
to i ragionamenti che si sono fatti per il diodo Schottky Au-n
valgono, in modo duale per il diodo Schottky Al-p. Bisogna
soltanto ricordarsi che lanodo, questa volta il metallo e non
il semiconduttore. Il diagramma a bande, la situazione di ca-
riche allinterfaccia ed il campo elettrico sono mostrati nella
figura a lato,.
Si parte, ancora una volta, dallequazione di Poisson
V (Volt)
IA (ma)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
I
A
R
DD
A = 0.1mm
2
Is = .7
m
A
I s = 9.5fA
Is = 3 10
-4
fA
ND = 10
16
/cm
3
GaAs
Ge
Si
T = 27 C
Al-n
I s = 2nA
NE = 1.066
V (Volt)
IA (ma)
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
10
0
10
2
Is = 9.5fA
Is = 3 10
-4
fA
ND = 10
16
/cm
3
t = 1
m
s
t = 2.5
m
s
t = 0.1ns
GaAs
Ge
Si
Is = .7
m
A
NA = 10
15
/cm
3
T = 27 C
A = 0.1mm
2
T AK V V
e
T AK V V
e
T AK V V
e
T AK V 2 V
e
T AK V 2 V
e
T AK V 2 V
e
T AK V 2 V
e
I
A
R
DD
I
A
R
DD
I
A
R
DD
(c)
(b)
(a)
(c)
(b)
(d)
(e)
(c)
(d)
(e)
(d)
(e)
T AK V V
e
T E AK V N V
e
Al-n
Is = 2nA
NE = 1.066

Fig.6.2-4
Q = qN
A
W
p
S
Q = -qN
A
W
p
S
x
r
= -qNA
E
x
W
p
E
C
EV
Silicio p
banda di
valenza
banda di
conduzione
-2
-1
0
1
2
3
4
5
q
FM
= 4.2eV
metallo
Al
qVB = 970meV
X (nm)
V
NA = 0.510
18
/cm
3
r r
E0
-20 0 20 40 60 80 100
q
FS
= 5.059eV
q
c
= 4.05eV
E
F
W
p
= 47 nm
E
G
E
M
qV
Bi
= 859meV
catodo anodo

Fig.6.2-5
Diodi semiconduttori 223
N
q
dx
d
dx
V d
A
2
2

e si ricava il campo elettrico per 0 < x < Wp. Si trova

,
_


p
M
W
x
1 E ) x ( E con
.
W qN
E
p A
M

Per il potenziale fra le due zone questa volta assumiamo come riferimento quello del
semiconduttore ed allora per il potenziale VBi fra le due zone si ottiene una espressione analoga alla
[6.1-6] cio .
2
W qN
2
W
E V
2
p A p
M Bi

Quindi la larghezza della zona svuotata , analogamente alla


[6.1-10], .
N
V
q
2
W
A
Bi
p

Allora il campo elettrico massimo allinterfaccia . V


qN
2 E Bi
A
M


Per la corrente si pu ricavare sempre la stessa espressione [6.2-1] per con la corrente in-
versa di saturazione
ISM = k NA e
-V
Bi
/V
T
[6.2-4]
Anche stavolta, se si fa un calcolo che tenga conto dei processi di diffusione in modo preciso
si ottiene una espressione della densit di corrente data dalla [6.2-3] con

T B V V
A AK Bi
T
V p
S e
N ) V V ( q 2
V
N qD
J


[6.2-5]
Si pu fare lo stesso discorso per il diodo Schottky metallo-n e trovare che leffetto della variazione
di Js per la VAK trascurabile rispetto allinfluenza del termine esponenziale per cui si pu tranquil-
lamente usare una espressione approssimata delle precedente. Cio:
JA = JS(e
V
AK
/hV
T
1). [6.2-6]
Con Js indipendente dalla tensione e h coefficiente demissione e pu essere utilizzata la [6.1-29].
6.2.3 Contatti Ohmici
Nei due paragrafi
precedenti abbiamo di-
scusso dei due casi di con-
tatto metallo-n con
F M > F Si > 0 e contatto
metallo-p con F S > F M. Si
visto che il comporta-
mento di queste giunzioni
simile a quello della
giunzioni p-n con qualche
leggera differenza. In que-
sto paragrafo ci accingia-
mo a vedere la situazione
duale e cio quella relativa
a contatti contatto metallo-
p con F M > F Si > 0 e con-
tatto metallo-n con F Si >
F M. Vedremo che questo
contatto non pone alcun
problema al passaggio del-
la corrente e per questo si
parla di contatto ohmico.
Nella Fig.6.2-6 sono rappresentate le situazioni per contatti Al-n
-
e Ni-p
-
. Si tratta di drogaggi molto
Accumulazione
di elettroni
r r
x
E
M
x
E
x
E
x
E
C
E
V
Silicio p
-
banda di
valenza
banda di
conduzione
-2
-1
0
1
2
3
4
5
q
FM
= 4.74eV
metallo
Ni
qV
B
= 690meV
X (
m m
m)
V
NA = 10
12
/cm
3
r r
E
0
q
FS
= 4.719eV
q
c
= 4.05eV
E
F
E
G
E
M
qV
Bi
= 21meV
-5 0 5 10
qV
Bi
= -180meV
E
C
EV
Silicio n
-
banda di
valenza
banda di
conduzione
-2
-1
0
1
2
3
4
5
q
FM= 4.20eV
metallo
Al
E
F
E
G
qV
B
= 150meV
X (
m m
m)
V
ND = 10
14
/cm
3
-1 0 1 2 3 4
q
c
= 4.05eV
E
0
q
FS
= 4.382eV
Accumulazione
di lacune

Fig.6.2-6
Diodi semiconduttori 224
leggeri. Questo fa si che il livello di Fermi, lontano dalla giunzione non molto differente da quello
intrinseco. Prendiamo in considerazione quello che avviene per il contatto Al-n
-
. Risulta, almeno
nellesempio in esame, VBi = F M c (EG/2-VT ln(ND/Ni) = 4.2 4.05 [1.12/2 - .025.9
ln(10
14
/1.5 10
10
)] = -180 mV. Che il potenziale di contatto sia negativo vuol dire che la situazione
rispetto al contatto rettificante si capovolta. il semiconduttore n ad essersi caricato negativamen-
te perch elettroni dal metallo si sono spostati al di la della giunzione. Naturalmente questi elettroni
provengono dallinterfaccia dove si ha una mancanza di elettroni come carica fissa. Come si pu
vedere le dimensioni della barriera sono notevoli, ma, tuttavia, essa bassa ed invertita tale da non
opporre nessuna difficolt al passaggio degli elettroni. Mentre nel contatto rettificante la barriera
positiva e nel semiconduttore allinterfaccia si ha uno svuotamento e quindi una carica positiva fissa
di ioni dovuti ai donatori non neutralizzati, nel contatto ohmico allinterfaccia si ha un eccesso di
cariche maggioritarie, elettroni.
Con ragionamenti simili si determina il comportamento di un contatto non rettificante fra un
metallo ed un semiconduttore p. Nella stessa Fig.6.2-6 mostrato lesempio relativo al contatto Ni-
p. La barriera tale da non ostacolare il passaggio delle cariche ed il contatto non rettificante.
6.2.4 Contatti tunnel
Unultima considerazione va fatta a proposito dei contatti metallo-semiconduttore quando il
drogaggio diventa pesantissimo ed, al limite, il semiconduttore diventa degenere. Prendiamo in e-
same, ad esempio, un contatto Al-n
++
. Drogando pesantemente il silicio al contatto con lalluminio,
al limite di solubilit, che di circa 210
19
/cm
3
, si arriva ad uno spessore della zona di svuotamento,
in assenza di polarizzazione dellordine di 30. Non ha pi molta importanza laltezza della barrie-
ra ma solo il suo spessore. Applicando polarizzazioni sia dirette che inverse la corrente non ha alcu-
na difficolt a passare la giunzione. O la scavalca, per polarizzazioni dirette, relativamente anche
modeste o la trapassa per polarizzazioni inverse. Si parla, allora di contatto tunnel. Ed quello che
bisogna fare, ogni volta che si vuole connettere un terminale al silicio. Non basta fare un deposito
metallico, ma bisogna che il metallo penetri allinterno del semiconduttore in modo pesante in mo-
do da realizzare una lega con concentrazione elevatissima.
6.2.5 Conclusioni
Per concludere la discussione sui diodi Schottky
si pu affermare che, in presenza di giunzioni rettifican-
ti essi si comportano abbastanza similmente ai diodi p-n
con due principali differenze dovute al fatto che la cor-
rente essenzialmente dovuta ai portatori maggioritari e
che la tensione di soglia seriamente pi bassa dei dio-
di al silicio. La prima questione porta al fatto che non
c leffetto di immagazzinamento di carica nella pola-
rizzazione diretta e quindi, come vedremo nel 6.3.9, essi sono pi veloci di quelli a giunzione. La
seconda considerazione ha diversi risvolti importanti. La prima che essi dissipano meno potenza, la
seconda che le tensioni dalimentazioni posso essere abbassate.
Il simbolo grafico del diodo Schottky mostrato nella Fig.6.2-7, insieme a quelli degi altri
diodi di cui si discusso.





Anodi
Catodi
Diodo
comune
Diodo
tunnel
Diodo
Zener
Diodo
Schottky

Fig.6.2-7
Diodi semiconduttori 225
6.3 Applicazioni dei diodi a giunzione
Polarizziamo un diodo tramite una resistenza RL come in Fig.6.3-1a. La corrente IA comune a
tutti gli elementi. Il generatore e la resistenza sono descritti da:
VAK = VDD RLIA [6.3-1]
mentre per la corrente IA del diodo a secondo delle approssimazioni fatte e delle condizioni di
funzionamento vana presa una delle espressioni ricavati nei paragrafi precedenti.
Per trovare le condizioni di funzionamento dovremmo fare sistema fra le [6.3-1] e lespressione
della IA. Dal punto di vista geometrico ci corrisponde a trovare il punto comune alle due curve descriventi
le due parti del circuito. Sul piano IA-VAK (Fig.6.3-1b) il diodo rappresentato dalla solita caratteristica.
La [6.3-1] lequazione della retta di carico. Sul piano IA-VAK essa interseca l'asse delle VAK a VDD e
quello delle correnti a VDD/RL. Le coordinate (VAK,IA) del punto comune alle due curve, detto punto di
lavoro o di funzionamento sono la tensione sul diodo e la corrente nel circuito. Se la VDD varia di
dVDD, portandosi a vDD si avranno, in corrispondenza variazioni dIA e dVAK in modo che..
VAK + dVAK = VDD + dVDD - RL(IA + dIA) [6.3-2]
o, con variazioni sufficientemente piccole ma finite:
vAK = VAK + DVAK = VDD + DVDD - RL(IA + DIA) = vDD - RLiA , [6.3-3]
nella quale con le lettere minuscole sono indicati i valori istantanei delle grandezze.
Le variazioni sufficientemente piccole di variabili da ora in poi le indichiamo con le corrispondenti
variabili minuscole corsive. Cio, per esempio
vak = DVAK; vdd = DVDD; i a = DIA; [6.3-4]
ed allora la [6.3-3] si pu riscrivere come:
vAK = VAK + vak = VDD + vdd - RL(IA + i a) = vDD - RLiA, [6.3-5]
Se non avessimo applicato la VDD, ma solo una variazione vdd avremmo scritto:
vak = vdd - RLi a= vdd - vR. [6.3-6]
Confrontando la [6.3-1] e la [6.3-6] con la [6.3-5] si vede che quest'ultima si pu ottenere diret-
tamente applicando il principio di sovrapposizione alla rete composta dai generatori VDD e vdd e dalla resi-
stenza RL. Lo stesso non pu essere sempre fatto con il diodo. Infatti questi non un componente lineare e
per esso non valido il principio di sovrapposizione. Tuttavia, se la corrente e la tensione variano di poco il
diodo si pu ritenere una resistenza di valore ra, come gi visto nel 6.1.8 il cui valore, dipende dal punto
di lavoro secondo la [6.1-33]. Ma ci valido solo per le variazioni. In altre parole:
vak = ra i a [6.3-7]
che analoga alla [6.1-31], per riscritta per variazioni sufficientemente piccole tali che ra possa ritenersi
pressoch costante.
Le due relazioni [6.3-6] e [6.3-7] possono essere rappresentate nel circuito equivalente di Fig.6.3-

VDD
+
RL
+
-
V
R

VAK
-
Caratteristica
statica
0

0.2

0.4

0.6

0.8

1

1.2

0
0.4
0.8
1.2

VAK (V)
I A (mA)
VAK IARL
Ia
Retta di carico
A
VDD
IA
vDD
+
RL
+
-
vR
vAK
-
i a
ra
Carat teristica
dinamica
Caratteristica
statica
0
0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
0

0.4
0.8
1.2
VAK (V)
IA (mA)
IA
A
A
B B
(b)
(a)
(c)
(d)
Fig.6.3-1
Diodi semiconduttori 226
1c, valido per variazioni sufficientemente piccole. Il diodo, in queste condizioni si comporta da resistenza ra.
La [6.3-5] pu essere scritta come:
vAK = vDD - RLia, [6.3-8]
che rappresenta un fascio di rette parallele alla statica di coefficiente angolare -1/RL. Un paio di queste ret-
te di questo fascio sono rappresentate in Fig.6.3-1d. Se per ogni valore di VDD si traccia il corrispondente
valore di IA, la curva che si ottiene si chiama caratteristica dinamica, ed rappresentata tratteggiata nel-
la stessa figura. A corrisponde ad A e B corrisponde a B.
Per sintetizzare: se ci si trova di fronte a segnali variabili sufficientemente piccoli si deve:
a. calcolare il punto di lavoro, tracciando la retta di carico statica;
b. disegnare le rette di carico statiche estreme del fascio di rette, cio quelle corrispondenti alle variazioni
di VDD pi grandi;
c. se la pendenza della caratteristica all'intersezione con queste rette non molta diversa da quella del
punto di lavoro si pu calcolare il comportamento dinamico, cio quello alle variazioni con il modello
del diodo fatto da una resistenza di valore ra;
d. se la condizione precedente non verificata allora il comportamento del circuito analizzabile solo con
la curva dinamica mostrata in Fig.6.3-1d.
6.3.1 Modello del diodo linearizzato a tratti.
Riprendiamo quanto detto ne
6.1.6 a proposito di soglia e satura-
zione e riguardiamo le Figg.6.1-12 e
6.1-13a. Se i segnali applicati sono
sufficientemente grandi pu essere ab-
bastanza comodo schematizzare la ca-
ratteristica di un diodo come in
Fig.6.3-2 con due semirette che han-
no come punto in comune P(Vg,0) con
inclinazioni corrispondenti a RR e RF a
sinistra ed a destra, rispettivamente, del
punto di discontinuit. I valori di RR e RF, alle volte possono essere approssimati da Rr e Rf definite nel
6.1.8. La semiretta a sinistra coincide con la caratteristica inversa nella regione di VAK negative. L'altra
approssima abbastanza bene la caratteristica del diodo per correnti abbastanza alte. La zona peggio ap-
prossimata quella nei dintorni di Vg. Quando questa approssimazione accettabile si adopera il modello
linearizzato a tratti. Di Rr RR si gi detto a proposito della resistenza dinamica in polarizzazione in-
versa. La RF si ricava direttamente dalla figura.
6.3.2 Limitatori.
Un impiego comune dei diodi nei circuiti limitatori i quali limitano, tosano una parte del segnale.
Chiamiamo VR una tensione continua di riferimento. In Fig.6.3-3 mostrato un limitatore che taglia la parte
di segnale d'ingresso superiore a VR + Vg. Si esemplificato con un segnale d'ingresso sinusoidale. Finch
l'ingresso non supera di Vg la tensione VR praticamente non passa corrente nel circuito e non avendosi ca-
duta sulla resistenza la tensione di uscita coincide con quella d'ingresso. Si sta trascurando la resistenza RR
e ci corretto se RR >> R (condizione verificata molto spesso). Non appena comincia a passare corren-
te, il diodo si approssima alla resistenza RF e per le variazioni la rete si comporta come un partitore con un
rapporto di partizione RF/(RF + R). In figura anche mostrata la caratteristica di trasferimento che da la re-
lazione fra l'uscita e l'ingresso che una spezzata con una discontinuit a VR + Vg e con pendenza unitaria a
pendenza RF
V
AK
(V)
IA (mA)
-2 -1.5 -1 -0.5 0 0.5 1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
Caratteristica
linearizzata
a tratti
pendenza RR
V
g g
V
s s
+
-
RF
V
g g
RR
(a)
(b)
(c)
A
A
K
K

Fig.6.3-2
Diodi semiconduttori 227
sinistra del punto di discontinuit mentre a destra essa RF/(RF + R). Una sinusoide viene trasferita inalte-
rata per tensioni sotto la discontinuit ma invece viene compressa al di sopra. ovvio che se RF << R la
pendenza a destra molto piccola e la compressione notevole. In figura si nota una smussatura dovuta
alleffetto di RF. Se questa fosse ancora pi piccola la discontinuit sarebbe ancora pi ne tta.
La Fig.6.3-4 mo-
stra quello che avviene se si
inverte il diodo. Si ottiene
un altro limitatore che taglia
la parte bassa del segnale
d'ingresso e cio quella che
pi bassa di VR - Vg.
In Fig.6.3-5 sono
mostrati i comportamenti di
quattro limitatori elementa-
ri. A parte delle leggere dif-
ferenze dovute alla tensione di soglia, delle quali in figura non si tenuto conto, esse sono a due a due
eguali.
Mettendo insieme i due casi relativi alle Fig.6.3-3 e 6.3-4 si ottiene un limitatore a due livelli indi-
-4 -2 0 2 4
0
0.5
1
T
vi
+
-
+
-
R
D
VR
vi
+
-
vo
T
0 0.5 1
0
2
4
V VR+V
g
vi
pendenza
unitaria
pendenza
R
F
/(R
F
+R)
VR+V
g
-4 -2 0 2 4
-4
-2
0
2
4 vo
vi
-4
-2

Fig.6.3-3
-4 -2 0 2 4
0
0.5
1
T
vi
+
-
+
-
R
D
VR
vi
+
-
vo
pendenza
unitaria
pendenza
R
F
/(R
F
+R)
VR-V
g
-4 -2 0 2 4
-4
-2
0
2
4
vo
vi
T
0 0.5 1
-4
-2
0
2
4
vo
VR-V
g
vi

Fig.6.3-4
(a)
+
-
+
-
+
-
R
D
VR
vi vo
(c)
+
-
+
-
R
D
VR
vi
+
-
vo
(b)
D
+
-
+
-
R
VR
vi
+
-
vo
+
-
+
-
R
VR
vi
+
-
vo (d)
D
VR-V
g
T
0 0.5 1
vo
vi
T
0 0.5 1
vo
vi
V
R
T
0 0.5 1
vo
vi
T
0 0.5 1
vo
vi VR

Fig.6.3-5
+
-
R
D1
vi
+
-
vo
D2
T
vi
-5 0 5
0
0.5
1
pendenza
unitaria
pendenza
R
F
/(R
F
+R)
vo
vi
-5 0 5
-5
0
5
BV+V
g
-(BV+V
g)
T
-(BV+V
g)
vo
BV+V
g
0 0.5 1
-5
0
5
vi

Fig.6.3-7
vR1-V
g
vR2+V
g
T
vi
-4 -2 0 2 4
0
0.5
1
pendenza
unitaria
pendenza
R
F
/(R
F
+R
)
vo
vi
-4 -2 0 2 4
-4
-2
0
2
4
T
vo
0 0.5 1
-4
-2
0
2
4
vi
+
-
+
-
R
D1
VR1
vi
+
-
vo
D
2
VR2
+
-

Fig.6.3-6
Diodi semiconduttori 228
pendenti che serve a selezionare solo una parte centrale del segnale di ingresso e che rappresentato nella
Fig.6.3-6.
Si possono risparmiare i generatori di riferimento impiegando diodi Zener connessi in modo op-
portuno. In Fig.6.3-7 c' un esempio di un limitatore a due livelli simmetrici che limita a t(BV + Vg). Se i
due Zener hanno diverse tensioni di rottura oppure si usa soltanto uno Zener si possono avere limitatori a
due livelli diversi o ad un solo livello, rispettivamente.
6.3.3 Diodi di blocco
Un'altra applicazione importante dei diodi per impedire che la ten-
sione in un punto possa sorpassare un certo valore. Trascurando le cadute
sui diodi, la tensione vo del dispositivo rappresentato in figura non pu an-
dare al di la dei valori -VR2 e +VR1. L'applicazione pi comune quella di
proteggere gli stadi dingresso o duscita dei circuiti integrati. I diodi cos
impiegati prendono il nome di diodi di blocco.
6.3.4 Il raddrizzamento delle tensioni alternate.
Il trasporto dellenergia elettrica dai luoghi dove prodotta a quelli in cui viene impegnata si fa qua-
si sempre sotto forma di tensione e corrente alternata sinusoidale. In questo modo possibile trasportare
grosse potenze con basse correnti nei cavi della rete elettrica e limitare la potenza dissipata e la sezione dei
cavi. Ma nei circuiti elettronici servono quasi sempre le tensioni continue e non sempre opportuno ricor-
rere alle batterie. Un raddrizzatore consente di ottenere una tensione continua a partire da una alternativa.
Elemento fondamentale del raddrizzatore il diodo.
6.3.4.1 Raddrizzatore ad una semionda.
In Fig.6.3-9a mostrato il pi semplice raddrizzatore realizzabile. Il trasformatore usato consente
di applicare alla serie del diodo e dell'utilizzatore una tensione alternata v di ampiezza VM.
Semplifichiamo il problema eseguendo alcune approssimazioni e cio trascuriamo il comportamento
reattivo e resistivo del trasformatore, la tensione di soglia e la resistenza inversa del diodo. Sia RF la resi-
stenza diretta del diodo del modello linearizzato a tratti. Nel circuito passa una corrente di ampiezza IM nel-
la semialternanza positiva della tensione d'ingresso. Quando questa si inverte non passa pi corrente. Le
Figg.6.3-9b e c mostrano l'andamento di tensione e corrente nella rete.
Se v = VM sena, con a = wt, la tensione al secondario del trasformatore, allora per la corrente
si ha:



2 per 0 i
0 per sen I i M
[6.3-9]
con ). R R ( V I F L M M + [6.3-10]
+
-
vo
VR1
VR2
Dispositivo

Fig.6.3-8
t
T
v VM
(b)
t
i
T/2
IM
Im
(c)
RL
+
-
+
-
v
+
-
vo
VD
vi
(a)
i

Fig.6.3-9
Diodi semiconduttori 229
dato che il diodo in conduzione si comporta da resistenza RF. Il valor medio Im della corrente sinusoidale
per la definizione [1.1-4]
, d sen
2
I
t d t sen I
T
1
0 dt t sen I
T
1
idt
T
1
idt
T
1
idt
T
1
I
0
M
0
M
2 / T
0
M
T
2 / T
2 / T
0
T t
t
m

+

+ +
quindi .
I
cos
2
I
I
M
0
M
m



[6.3-11]
Mentre il valore efficace, definito dalla relazione [1.1-8]
, t td sen
T
I
0 dt t sen I
T
1
dt i
T
1
dt i
T
1
dt i
T
1
I
0
2
2
M
2 / T
0
2 2
M
T
2 / T
2
2 / T
0
2
T t
t
2
ef

+

+ +
quindi .
2
I
4
2 sen
2 2
I
d sen
2
I
I
M
0
M
0
2
M
ef

[6.3-12]
Ovviamente il valore medio ed il valore efficace della tensione sul carico sono rispettivamente:
VLm = VM/p, [6.3-13]
VLef =VM/2. [6.3-14]
Nella figura accanto mostrata la caduta sul diodo. Quando es-
so conduce viene assimilato alla resistenza RF. Il valore medio VDm della
tensione sul diodo si ricava immediatamente tenendo presente che il va-
lore medio di v nullo e allora VDm l -VLm, dal momento che la parte
positiva normalmente trascurabile.
Se RL richiede troppa corrente la VLm si abbassa e la [6.3-13]
non pi valida. .
R R
V
I
L F
M
m
+

E dato che VLm = RLIm:


.
I V R
V
I
m Lm F
M
m
+

Cio: . V R I V Lm F m M + Per finire


. R I V V F m M Lm [6.3-15]
cui corrisponde il modello equivalente di Fig.6.3-11a. Nellaltra figura mostrata la retta corrispondente
allespressione precedente che prende il nome di caratteristica di regolazione. Il diodo deve potere
sopportare una tensione inversa pari a VM ed una corrente di picco di IM. Alla corrente media ed alla ten-
sione media sul carico corrisponde una po-
tenza Pm = ImVLm = (IM/p)
2
RL. La poten-
za dissipata nel circuito pu essere calcola-
ta come Pdt = Ief
2
(RL + RF) poich la
corrente circola in RL ed in RF. Allora, dal-
la [6.3-12] Pdt = Ief
2
(RL + RF) = (IM/2)
2

(RL + RF)
Chiamiamo hc = Pm/Pdt il rendi-
mento di conversione, cio la capacit del raddrizzatore di convertire parte della potenza in gioco nel cir-
cuito in potenza data da componenti continue. Si ha:
hc = [(IM/p)
2
RL / IM
2
/4 (RL + RF)] = (4/p
2
)/(1+RF/RL) = 0.41/(1+RF/RL) [6.3-16]
mentre il rapporto tra Ief e Im
Ief/Im = VLef/VLm = p/2 l 1.57. [6.3-17]
Nel 1.2.2 abbiamo visto che se ad una tensione vL variabile sottraiamo il suo valore medio VLm
otteniamo la sola componente alternativa vLa. Cio vLa. = vL - VLm. Calcoliamo allora il valore efficace
IMRF
t
vD
VM

Fig.6.3-10
RL
+
-
Im
Rf
VLm
VM/
p
VM/
p
VL
I
Pendenza -R
L
(b)
(a)

Fig.6.3-11
Diodi semiconduttori 230
VLaef della tensione alternativa sul carico. Utilizziamo la relazione [1.1-7]: VLef
2
= VLm
2
+ VLaef
2
. Quindi
. V V V
2
Lm
2
Lef Laef [6.3-18]

che vale comunque siano le forme di VLaef e VLef .Chiamiamo ripple r il rapporto tra il valore efficace del-
la componente alternativa della tensione sul carico ed il corrispondente valor medio. Pi piccolo il ripple
tanto pi spianata risulta la tensione sul carico. Dalla [6.3-18]:
, 1
V
V
V
V V
V
V
r
2
Lm
Lef
Lm
2
Lm
2
Lef
Lm
Laef

,
_

[6.3-19]
che nel caso in questione 21 . 1 1 ) 57 . 1 ( r
2
e la componente alternativa sovrasta quella continua.
6.3.4.2 Raddrizzatore a due semionde.
In Fig.6.3-12a mostrato un raddrizzatore a doppia semionda o ad onda intera. Questa volta la
corrente nel carico passa continuamente grazie al fatto che, alternativamente, ognuno dei due diodi pola-
rizzato direttamente e, quindi, conduce. Sia la tensione che la corrente sono fenomeni periodici con periodo
T/2. Nelle Figg.6.3-112b e c sono mostrate le correnti nei due diodi e quella nel carico. Ovviamente la ten-
sione sul carico ha la stessa forma della corrente. Pertanto la corrente i nel carico pu essere espressa da:
sen I i M [6.3-20]
con ). R R ( V I F L M M + [6.3-21]
I valori medio ed efficaci si possono calcolare su mezzo periodo e quindi:
, d sen
I
t d t sen I
T
2
tdt sen I
T
2
I
0
M
2 /
0
M
2 / T
0
M m



quindi . I 2 I M m [6.3-22]
Mentre il valore efficace
. t td sen
T
I 2
0 dt t sen I
T
2
dt i
T
2
I
0
2
2
M
2 / T
0
2 2
M
2 / T
0
2
ef


+
quindi .
2
I
4
2 sen
2 2
I
d sen
I
I
M
0
M
0
2
M
ef

[6.3-23]
Ovviamente il valor medio ed il valore efficace della tensione sul carico sono rispettivamente:
VLm = 2VM/p, e . 2 I V M ef [6.3-24]
Come per il caso precedente, se si tiene conto del carico .
R R
V 2
I
L F
M
m
+

E la caratteristica di regolazione

t
t
t
(c)
(b)
id1
IM
IM
id2
i
T/2
T/2
T/2 T
VD
RL
+
-
v
+ -
vo
+
-
vi
(a)
i
D1
D2

Fig.6.3-12
Diodi semiconduttori 231
. R I V 2 V F m M Lm [6.3-25]
Il circuito equivalente e la caratteristica di
regolazioni sono nella Fig.6.3-13. Si noti
come la pendenza la stessa del caso di
una sola semionda. Cambia soltanto la ten-
sione equivalente che il doppio.
Dal punto di vista delle compo-
nenti continue sul carico si ha una potenza media: Pm = ImVLm = (2IM/p)
2
RL. La potenza dissipata nel cir-
cuito pu essere calcolata come Pdt = Ief
2
(RL + RF) = IM
2
/2 (RL + RF) ed allora:
hc = [(2IM/p)
2
RL / IM
2
/2 (RL + RF)] = (8/p
2
)/(1+RF/RL) = 0.81/(1+RF/RL) [6.3-26]
Ed il rapporto tra Ief e Im
Ief/Im = . 1 . 1 ) 2 ( ) 2 1 ( V V I I Lm Lef m ef [6.3-27]
Per quanto riguarda il ripple, dalla [6.3-19] , 48 . 0 1 ) 11 . 1 ( r
2
nettamente miglior che nel caso
precedente
Nell'istante di massima conduzione dei diodi, sul carico, connesso al catodo c' VM mentre sul-
l'anodo dell'altro diodo c' -VM. Quest'ultimo diodo, allora, sottoposto ad una tensione inversa di 2VM.
Rispetto al raddrizzatore ad una semionda il diodo deve potere sopportare una tensione inversa doppia.
Per il valore medio della tensione e della corrente nel carico sono raddoppiati.
Se si vuole eseguire un confronto fra i due raddrizzatori me-
glio farlo a parit di tensione media e corrente media nel carico. La RL
la stessa. La tavola accanto mostra il comportamento nei due casi per
quanto riguarda IM e VM da usare. La potenza media sul carico, per ipo-
tesi, la stessa nei due casi mentre dimezza la potenza complessiva nel
secondo caso tanto che il rendimento di conversione raddoppia come si
pu osservare dalle [6.3-26] e [6.3-16] ed il ripple passa da 1.21 a 0.48
pi che dimezzandosi. La tensione risulta molto pi spianata. Per quanto detto impiegando due diodi, inve-
ce che uno, si ottengono prestazioni migliori, in generale, ed ognuno dei due diodi attraversato da met
della corrente anche se deve avere una tensione di rottura doppia.
6.3.4.3 Il ponte Graetz
Un altro raddrizzatore ad onda intera che
ha i pregi ma non i difetti del precedente mo-
strato in Fig.6.3-14. Si tratta del raddrizzatore a
ponte di Graetz. La corrente, nella semionda
positiva passa attraverso i due diodi dispari, men-
tre nellaltra in quelli pari. Questa volta la tensione
inversa su ogni diodo la met del raddrizzatore
ad onda intera del paragrafo precedente. Tutto il
resto praticamente identico a parte il fatto che
la resistenza equivalente , ovviamente 2RF e che
bisogna utilizzare 4 diodi e non 2. Tuttavia questo
fatto praticamente non aumenta i costi perch il
ponte si vende come un unico dispositivo integra-
to.
RL
+
-
Im
Rf
VLm
2VM/
p
2VM/
p
VL
I
Pendenza -R
L
(b)
(a)

Fig.6.3-13
TAV.6.3-I
Una
semionda
Onda
intera
IM pIm pIm/2
VM RLpIm RLpIm/2
D1
RL
i
+
-
v
+
-
vi
D2
D4
D3

Fig.6.3-14
Diodi semiconduttori 232
6.3.5 Spianamento delle tensioni raddrizzate
Tutti i raddrizzatori precedentemente mostrati
hanno ondulazioni pesanti. Si possono migliorare le
prestazioni aggiungendo componenti. Una semplice
soluzione adottabile consiste nel mettere in serie al ca-
rico una opportuna induttanza L. Questa, opponendosi
alle variazioni di corrente, tende a fare pi costante
l'andamento della corrente e quindi della tensione sul
carico. Linduttanza, per deve essere di valore eleva-
to e quindi con nucleo in ferro e molte spire. Ci signi-
fica costo elevato e rendimento basso. Si preferisce,
invece una soluzione che impiega, invece che induttori
in serie condensatori in parallelo al carico.
6.3.5.1 Spianamento con filtro capacitivo
Un altra possibile soluzione quella di mettere
in parallelo al carico una opportuna capacit, come,
per esempio, mostrato in Fig.6.3-16. Se la capacit
sufficientemente alta essa agisce da volano per la
corrente nel carico. Ogni volta che un diodo polariz-
zato direttamente la corrente che passa va anche a ca-
ricare la capacit. Nellintervallo di tempi in cui nessun
diodo lascia passare corrente il condensatore a for-
nire le cariche accumulate alla resistenza di carico. La
necessit di usare capacit di valore elevato fa si che si
debbono quasi sempre adoperare condensatori elet-
trolitici
Nella Fig.6.3-17a mostrato l'andamento del-
la tensione sul condensatore di un raddrizzatore ad una
semionda senza carico. Una volta che il condensatore viene caricato alla tensione massima esso non perde
pi cariche e la tensione rimane agganciata a VM. La Fig.6.3-17b descrive il comportamento della tensio-
ne sul condensatore quando il carico preleva una corrente di valor medio Im, per in un raddrizzatore ad
onda intera con filtro capacitivo. Ora, appena un diodo si spegne e prima che l'altro si accenda, il con-
densatore si scarica attraverso il carico RL con costante di tempo t = RLC. Se t abbastanza grande il
condensatore non si scaricato completamente prima che l'altro diodo riprenda a condurre. Come si os-
serva, la tensione sul carico risulta livellata in modo sufficiente. Ma mentre la corrente nel carico ha la stes-
sa forma della tensione sul carico stesso, diverso il discorso relativo alla corrente nei diodi. Infatti essi
conducono solo nel breve intervallo di tempo durante il quale il diodo acceso. La Fig.6.3-17c illustra
l'andamento della corrente nel diodo.
Con le notazioni della Fig.6.3-17b, Vr l'ampiezza della tensione di ripple. Se la scarica avviene in
modo abbastanza lento, cio, se T/2 < t , il tratto di scarica del condensatore pu essere assimilato ad una
retta. Allora, dato che C = DQ/DV = ImDt/Vr e Dt, se la scarica abbastanza lenta, praticamente coincide
con T/2. Allora:
vD
R
L
+
-
v
+
-
v
o
+
-
v
i
(a)
i
D
1
D
2

Fig.6.3-15
vD
RL
+
-
v
+
-
vo
+
-
vi
(a)
i
D1
D2

Fig.6.3-16
Diodi semiconduttori 233
Vr ImT/2C = Im/2fC. [6.3-28]
e dato che Im = Vm/RL l'ondulazione
Vr/Vm = 1/(2fRLC). [6.3-29]
Dalla Fig.6.3-17b:
Vm = VM - Vr/2 = VM - Im/4fC. [6.3-30]
che la caratteristica di regolazione. Il raddrizzatore con il filtro di spianamento di comporta come un gene-
ratore di tensioni continue di f.e.m = VM e resistenza interna 1/4fC.
Nella doppia semionda la durata di conduzione il tempo fra t1 e T/4. Trascurando la RF rispet-
to la RL, la tensione sinusoidale risulta applicata al parallelo fra C e RL. Pertanto la corrente sinusoidale,
nellintervallo da t1 a T/4 ha una ampiezza

2 2
L M P ) C ( R 1 V I + [6.3-31]
ben pi grande della corrente massima VM/RL che si avrebbe in assenza del condensatore.
L'ondulazione della tensione pu essere approssimata con un segnale a dente di sega di valore
picco-picco pari a Vr e di periodo T/2 che descritta da va = 2Vrt/T. Il corrispondente valore efficace
12
V
4 3
T
T
4
T
V 2
3
t
T
2
T
V 2
dt t
T
2
T
V 2
dt
T
t V 2
T
2
V
r
3
3
r
4 / T
4 / T
3
r
4 / T
4 / T
2
r
4 / T
4 / T
2
r
aef

,
_



[6.3-32]

12 C fR 2
1
12 V
V
V
V
r
L m
r
m
aef
[6.3-33]
Dalla figura e utilizzando la [6.3-29] Vm = ImRL = VM-Vr/2 = VM - Vm/4fRLC . E quindi:
C fR 4 1 1
V
V
L
M
m
+
, da cui
fC 4 1 R
V
R
V
I
L
M
L
m
m
+
. Confrontando questultima con la IP data dalla
[6.3-31] si ricava:

2
L L
M
2 2
L L M
m
P
) C fR 2 ( 1 ) fC R 4 1 1 (
V
) C ( R 1 ) fC 4 1 R ( V
I
I
+ +
+ +

Usando il valore del ripple ricavato con la [6.3-33]
12 ) r ( 1 ) 3 r 1 (
I
I
2
m
P
+ + [6.3-34]
che se r <<1 si semplifica in
1
r
91 . 0
12 r I
I
m
P
>>

[6.3-35]
Quindi pi livellata deve essere la tensione duscita maggiore dovr essere la corrente che ogni diodo dovr
sopportare anche se per un piccolo intervallo.

t
VM
vL
T/2 T
t
I
M

i
T/2 T
(b) (c)
3T/2 2T
t
1

T/4
t = RLC
IP
t1
T/4
Vr
t

T
v VM
(a)
Tensione
dingresso
Tensione
sul diodo
vD = v-vo
2VM

Fig.6.3-17
Diodi semiconduttori 234
6.3.6 Circuiti di aggancio.
Riguardiamo un momento la Fig.6.3-
17a che descrive il comportamento delle tensioni
sui vari componenti di un raddrizzatore ad una
semionda con filtro capacitivo, nel caso di carico
aperto. La tensione d'uscita, una volta caricato il
condensatore al massimo VM, resta costante.
Nella parte bassa della stessa figura disegnata
VD = V - Vc. Se si prende come uscita questa
VD si vede che essa non altro che la tensione
d'ingresso traslata di VM. Il picco di questa ten-
sione viene agganciato allo zero.
Se in serie al diodo si mette un riferimento VR, come mostrato in Fig.6.3-18a, l'uscita viene aggan-
ciata a VR. Tale circuito prende il nome di circuito d'aggancio e serve per traslare una tensione in modo
che il suo picco VM si fissi a VR. (vedi Fig.6.3-18b).
6.3.7 Stabilizzatore di tensione con diodo Zener.
I diodi Zener vengono comunemente impiegati per stabilizza-
re la tensione ai loro capi. La stabilizzazione avviene, dentro certi limiti,
sia nei confronti della tensione continua che alimenta lo stabilizzatore che
rispetto le variazione di corrente nel carico. Prendiamo in esame la figura
sopra. Se si applica Thevenin ai terminali dello Zener si ottiene il circuito
equivalente di Fig.6.3-19b. In Fig.6.3-20, invece, rappresentata una
possibile retta di carico. Si vede che, trascurando la resistenza dinamica
dello Zener, e purch la corrente nello stesso non scenda mai al di sotto
della IBV che la corrente di ginocchio della caratteristica del diodo Ze-
ner, la tensione d'uscita si mantiene costante entro ampi margini di varia-
zioni di V, R o RL. Se, invece, si tiene anche conto della resistenza di-
namica rz del diodo Zener nella zona di rottura, si pu studiare il circuito
di Fig.6.3-19c che valido solo per le variazioni. Posto, secondo le con-
venzioni del 6.3, v = DV e vo = DVo, risulta:

R
R || R || r
R || R r
r
R R
R L z
L z
z
L
L
o v v v
+ +
[6.3-36]
e se , come facile che avviene rz << R||RL
R
rz
o v v [6.3-37]
La precedente espressione ha valore finch il punto di lavoro P non scende al disotto del ginocchio
G in cui la corrente nello Zener IBV. Da considerazioni di natura geometrica sulla Fig.6.3-20 deve essere
+
-
+
-
C
D
VR
vi
+
-
vo
t
v VM
(b)
VR
2VM
vo
vi
(a)

Fig.6.3-18
RL
R
DZ
(a)
+
-
+
-
vo
v
DZ
+
-
+
-
Vo
V
RL
R+RL
R RL
(b)
rz
(c)
R RL
+
-
D
Vo
+
-
D
V
RL
R+RL

Fig.6.3-19

IZ
V/R
ID
V RL
R+RL
IBV
Vo
BV
G
P
B
C
Pendenza -1/R||RL

Fig.6.3-20
Diodi semiconduttori 235
quindi . BV L
L
L
I R || R / BV
R R
R
V >

,
_

+

Dal triangolo rettangolo BCP si ricava L z o
L
L
R || R I V
R R
R
V
+
e dal segmento PG
) I I ( r BV Vo BV Z z . Combinandole insieme :

L z
BV z
L
L
Z
R || R r
I r BV V
R R
R
I
+
+
+
[6.3-38]
che comunque senza mai superare la corrente massima IzP sopportabile dallo Zener per evitare la distru-
zione del medesimo. Quindi
. I
R || R r
I r BV V
R R
R
I I zP
L z
BV z
L
L
Z BV <
+
+
+
< [6.3-39]
Allora V > BV(1 + R/RL) + RIBV. [6.3-40]
6.3.7.1 Spianamento con diodo Zener.
Per migliorare le prestazioni di
livellamento dei raddrizzatori si posso-
no sfruttare i diodi Zener. Infatti, se la
tensione V del circuito precedente la
tensione vc ai capi del condensatore C
di spianamento del raddrizzatore, nulla
cambia concettualmente. In Fig.6.3-21
mostrato un raddrizzatore con filtro
di spianamento con capacit e Zener.
Chiamiamo, come abbiamo fatto nel
6.3.5.1, DVc = Vr la variazione pic-
co-picco della tensione a dente di sega ai capi del condensatore, VM l'ampiezza della tensione di alimenta-
zione del raddrizzatore, che se Rf trascurabile coincide con il massimo della tensione su C e Vcm il valor
medio della tensione su C che, in accordo alla [6.3-30]
Vcm = VM - Vr/2. [6.3-41]
La tensione ai capi di R Vc BV ed in media VRm = VM - Vr/2 BV con una corrente
IRm = (VM - Vr/2 BV)/R [6.3-42]
Si sta trascurando la piccola variazione della tensione Vo dovuta a rz. Il condensatore cede carica alla resi-
stenza RL nel tempo T/2. Pertanto si ha la scarica Vr in questo intervallo in modo che
2Vr/T = IRm/C, [6.3-43]
cio IRm = 2fCVr, e allora: IRm = (VM - Vr/2 BV)/R = 2fCVr, dalla quale si ricava:
Vr = 2(VM - BV)/(1+4fRC). [6.3-44]
Perch la stabilizzazione abbia luogo necessario che:
VM -Vr > BV cio VM - BV > Vr = 2(VM - BV)/(1+4fRC).
da cui: 4fRC > 1. [6.3-45]
Dalla [6.3-37] il calcolo del ripple presto fatto:
DVo = Vrrz/R = 2(VM - BV)/(1+4fRC)rz/R; [6.3-46]
cui corrisponde un valore efficace . 12 V V o oef Cio:
vD
+
-
v +
-
vi
D1
D2
RL
R
DZ
+
-
vo
C

Fig.6.3-21
Diodi semiconduttori 236
[ ] 12 /R 4fRC)r BV)/(1 - 2(V V z M oef + [6.3-47]
e, dato che, trascurando rz porta a Vom = BV. Allora

3 4fRC) (1
1
1 -
BV
V
R
r
12 BV
/R 4fRC)r BV)/(1 - 2(V
V V r
M z z M
om oef
+

,
_

+
[6.3-48]
Si ottengono ottimi spianamenti senza che sia pi necessario usare grosse capacit che obbligano a grandi
correnti di picco.
6.3.8 Rivelazione di segnali modulati in ampiezza
Nel 1.2.5 abbiamo presentato un segnale modulato in ampiezza. Esso utilizzato per trasporta-
re informazioni a bassa frequenza usando una portante. Limpiego pi comune, ma non lunico, per tra-
sportare segnali audio trasmessi dalla radio nella banda AM 500-1500 kHz o per il la parte video di un
segnale televisivo. Linformazione contenuta nel segnale modulante. Supponiamo che la sua banda sia li-
mitata alla frequenza massima fMM. Sia fp >> fMM la frequenza della portante. Se si vuole estrarre
linformazione necessario un processo inverso alla modulazione detto rivelazione o demodulazione. La
rivelazione pu essere ottenuta semplicemente con un raddrizzatore seguito da un filtro di spianamento con
costante di tempo t tale che fMM << 1/t << fp. Nella Fig.6.3-22 mostrato il circuito di rivelazione. La
costante di tempo t = RC deve soddisfare la condizione suddetta. Nella parte (b) della figura mostrato il
segnale modulato, mentre nella parte (c) leffetto del raddrizzamento e del filtro di spianamento. Se la co-
stante di tempo troppo bassa (t 1) il condensatore non ce la fa a svolgere la sua funzione di volano e la
tensione quella tratteggiata. Se, invece troppo alta, t 2, nel tempo corrispondente al periodo della modu-
lante il segnale non riesce a seguirlo. Il valore che soddisfa la condizione suesposta marcato con t 3. La
parte segnata pi marcata il segnale rivelato. Il fatto che esso non sia pi perfettamente sinusoidale come
dovrebbe non ha alcuna importanza. Infatti oltre il segnale modulante esso contiene delle componenti a fre-
quenza della portante o superiore che gli amplificatori audio o video successivi provvederanno ad eliminare
perch esterni alla loro banda non contenendo informazioni utili.
6.3.9 La commutazione nei diodi semiconduttori
Un diodo commuta quando dalla saturazione passa all'interdizione
o viceversa. Per determinare il comportamento del diodo applichiamo al
circuito della figura a lato un generatore in grado di fornire, una tensione Vi
= VF o -VR in grado di polarizzare il diodo bene in saturazione o
allinterdizione, rispettivamente, senza per, arrivare alla rottura. Suppo-
niamo che il tempo in cui applicata la tensione VF o VR sia sufficiente per
portare il circuito a regime. Supponiamo, per semplicit, in prima appros-
simazione, di potere trascurare Vs rispetto a VF. La Fig.6.3-24 mostra la
tensione del generatore applicata alla serie del diodo e della resistenza. La situazione deleccesso di carica
R
+
-
C
+
-
Vo
VD
Vi
(a)
t
t
Vi Vo
t
1
t
2
t
3

Fig.6.3-22
RL
-
+
vo
i
+
vi
-

Fig.6.3-23
Diodi semiconduttori 237
sul catodo, la corrente nel diodo e da tensione ai suoi capi.
Partiamo dal diodo bene in saturazione con una corrente IF V/RL (Fig.6.2-24b). Nel catodo c
un eccesso di cariche minoritare pn - pn0. Allistante t1 la tensione dingresso viene commutata in un tempo
idealmente nullo. Per il diodo non riesce a seguire la commutazione allistante portandosi in interdizione.
Occorre in un tempo non nullo detto tempo di recupero inverso trr. Questo tempo ha due componenti.
Una prima parte, tstr, detta tempo di immagazzinamento inverso serve per rimuovere la carica in ec-
cesso fina ad annullarla. Questo tempo dipende dal tempo di vita effettivo delle cariche minoritarie. Inoltre
esso sar tanto pi elevato quanto pi il diodo spinto in saturazione. Esso dipende anche dalla tensione
inversa applicata. Pi essa elevata, pi rapidamente verr rimossa la carica accumulata nella capacit di
diffusione. Una volta che leccesso di carica rimosso il diodo va in interdizione e la tensione ai suoi capi
tende alla tensione inversa applicata con una costante di tempo t t dipendente dalla capacit di transizione.
Grossolanamente essa arriva a regine dopo 3 costanti di tempo cio 3t t .
Quando un diodo polarizzato inversamen-
te ed improvvisamente la polarizzazione viene ca-
povolta serve un tempo di ricupero diretto trf.
Anche adesso le cose avvengono in due tempi diffe-
renti. Per primo bisogna rimuovere la carica Ct VR
accumulata sulla capacit di transizione. Questo ri-
chiede un tempo di immagazzinamento diretto
tstf. Una volta che questa carica si annullata e la
tensione sul diodo zero bisogna portarlo in condu-
zione. Si tratta di accumulare le cariche su Cd. La
commutazione si ritiene avvenuta quando si porta
alla saturazione.
Si pu fare una analisi quantitativa del feno-
meno
[GRA],[MI2]
. Cominciamo dalla commutazione
ON-OFF. In polarizzazione diretta, ai lati della
giunzione c' leccesso di carica che bisogna rimuo-
vere e la tensione sul diodo dellordine di quella di
saturazione con corrente approssimativamente
VF/RL se VF >> Vs. Non appena viene invertita la
polarizzazione questo eccesso tende a diminuire e la
corrente va nel diodo in senso inverso senza altra
limitazione che la resistenza RL, posta in serie al diodo. Finch l'eccesso non va a zero la corrente fluisce
allo stesso modo, approssimativamente -VR/IR perche supponiamo che VR >> Vs.
In un diodo in cui c un eccesso di carica Q essa pu cambiare nel tempo se passa una corrente i.
La variazione dQ/dt della carica in eccesso la differenza fra la corrente nel diodo i e la ricombinazione. La
corrente di ricombinazione, per quanto detto nel 6.1-11.1 proporzionale alle cariche in eccesso e di-
pende dal tempo di vita effettivo t e. Allora dQ/dt = i Q/t e. O anche .
Q
dt
dQ
e
+ i Nel momento in cui
eseguiamo la commutazione comincia la rimozione della carica. La tensione sul diodo piccola rispetto alla
tensione inversa VR applicata e la corrente nel diodo limitata soltanto dalla RL ed -IR. Allora la pre-
cedente si scrive come: R
e
I
Q
dt
dQ

+ e la variazione della carica in eccesso .


I Q
dt
dQ
e
e R

+
Con un
vi
i
0
pn- pn0
vd
-VR
0
tt r
t1
t1
VF
-IR = -VR/RL
tstr
trr
trf
t1
tstr
t1
IF = VF/RL
tstr
Is
vs
tt f
tstf

Fig.6.3-24
Diodi semiconduttori 238
passaggio si ottiene .
dt
I Q
dQ
e e R

+
Il risultato dellintegrazione da . Ae I Q
e t
e R

+ Listante iniziale
viene scelto quello di commutazione. In questo istante la carica immagazzinata, per quanto visto per la [6.1-
43] Q = IFt e. Imponendo questa condizione iniziale si ricava t e(IF + IR) = A. Allora la carica accumulata
nelle regioni di svuotamento . e ) I I ( I Q
e t
R F e e R

+ + Il tempo di immagazzinamento inverso tstr neces-
sario ad annullare la carica accumulata si ricava da questultima imponendo Q = 0. Si ottiene facilmente tstr
= t e ln(1 + IF/IR).
Una volta che la carica in eccesso viene rimossa il diodo comincia ad
essere polarizzato inversamente e la tensione ai suoi capi scende verso la ten-
sione VR dato che praticamente non scorre pi alcuna corrente. Adesso esso
si comporta come una capacit di transizione Ct con in parallelo la resistenza
molto grande Rr, alimentato tramite la RL dalla tensione VR. Rr la resistenza
del diodo polarizzato inversamente. La Fig.6.3-25 mostra il circuito equivalen-
te in queste condizioni. Se, come normale, Rr >> RL, la costante di tempo
interessata alla carica di Ct , praticamente t t = Ct RL. Grossolanamente si pu
ritenere che la tensione sul diodo va a regime dopo un tempo 3t t . Il tempo di
recupero inverso trr complessivamente richiesto per portare un diodo in con-
duzione al regime di polarizzazione inversa, dunque:
trr tstr + 3t t = t e ln(1 + IF/IR) + 3t t . [6.3-49]
Determiniamo ora il tempo di recupero diretto. Commutando la tensione dingresso da -VR a VF
per primo si rimuove la carica Ct VR accumulata sulla capacit di transizione. Il circuito equivalente sem-
pre quello della Fig.6.3-25. Nelle stesse ipotesi semplificative la costante di tempo sempre t t . Si tratta di
un condensatore, inizialmente carico a VR la cui tensione tende a VF con la costante di tempo detta. Allo-
ra, assumendo come istante iniziale quello della commutazione dellingresso Vd = VF - (VF + VR)e
-t/t
t
.
Questa tensione si annulla per tstf = t t ln(1 + VR/VF) t t ln(1 + IR/IF).
A partire da questo istante il diodo procede verso la conduzione e e va in saturazione. Arriver a
regime quando si sar immagazzinata la carica Q = IFt e. Sempre trascurando la piccola caduta sul diodo
rispetto la tensione VF applicata, la corrente che scorre praticamente IF = VF/RL. Il discorso simile a
quello fatto per calcolare il tempo di recupero inverso. La relazione da adoperare , questa volta,
F
e
I
Q
dt
dQ

+ da riscrivere come .
I Q
dt
dQ
e
e F


Da questa .
dt
I Q
dQ
e e F


Per finire
. c
t
) I Q ln(
e
e F +

O anche . Ae I Q
e t
e F

Listante iniziale t2 viene scelto quello di commutazio-
ne. In questo istante non c carica immagazzinata. A regime, come gi detto, la carica immagazzinata sar
Q = IFt e. Imponendo questa condizione finale si ha -t eIF = A. Allora landamento della carica accumulata
nelle regioni di svuotamento ). e 1 ( I Q
e t
F e

Quindi il processo cresce con costante di tempo t e.
Il tempo di recupero diretto trf complessivamente richiesto per portare un diodo in conduzione dal
regime di polarizzazione inversa, dunque:
trf tstf + 3t e = t t ln(1 + IR/IF) + 3t e. [6.3-50]
Come facile vedere i due tempi dimmagazzinamento dipendono dal rapporto IF/IR. Quello inverso di-
pende dal tempo di vita effettivo delle cariche minoritarie che si pu diminuire aggiungendo impurezze che
agiscono da trappole. Quello diretto, a parte la RL dipende dalla capacit di transizione (6.1.11.2) che
funzione della sezione del diodo e del drogaggio. Se si vuole migliorare la velocit di commutazione bisogna
introdurre trappole, fare diodi di piccola area e poco drogati.
+
-
+
-
Vd
Vi
RL
Rr
Ct

Fig.6.3-25
Diodi semiconduttori 239
Le quattro figure mostrano il comportamento del tempo di recupero. Grosso modo si vede che
quello inverso prevale su quello diretto se rt supera t e. Tuttavia le cose dipendono dal rapporto fra le due
correnti dirette ed inverse. Il tempo di recupero inverso prevale se IR grande rispetto IF. Tuttavia se si
considera il tempo complessivo per eseguire le due commutazioni si pu osservare dalla figura che possi-
bile trovare un valore del rapporto fra le due correnti che minimizza questa somma. Il valore del rapporto
fra le due correnti che ottimizza il tempo complessivo di recupero funzione del rapporto fra il tempo di vi-
ta efficace delle cariche minoritarie e la costante di tempo t r. Questo rapporto aumenta con RL.
Naturalmente in questo discorso non si sta tenendo conto delle resistenze destensione che posso-
no peggiorare le cose
Ricordiamo che, come abbiamo gi osservato nel 6.2.5 i diodi Schottky presentano tempi di
commutazioni ben pi brevi di quelli p-n.
6.3.10 Applicazioni dei varicap
Una notevole applicazione dei diodi Varicap si usa per modificare una frequenza di risonanza. Poi-
ch questa dipenda da L e da C variando una di queste due si ottiene la variazione della frequenza. Tuttavia
luso di dispositivi nei quali, la variazione ottenuta meccanicamente non consigliata se si debbono effet-
tuare variazioni spesso, come avviene quando si vuole cambiare sintonia in un apparecchio ricevitore. Il di-
spositivo meccanico subisce usura e col tempo va sostituito. , invece, conveniente sfruttare elementi come
i diodi Varicap che non abbiano a subire inconveniente dallinvecchiamento.

0

50

100

10

-2

10

0

10

2

10

-2

10

0

10

2

10

-2

10

0

10

2

0

50

100

10

0

10

1

10

2

10

3

0

50

100

0

50

100

Rapporto fra corrente
diretta ed inversa
che ottimizza la
somma dei
tempi
di
ricupero
(t t tr+t t tf )/t t t
t t e/t t t RL
t t rr/t t rf
Ir
=I
F

t e
=100t t

t t
=t e

t t=100t e
IF=100IR
IR
=100I
F

t t rr/t t rf
I I R/IF
I I R/IF
t t e/t t t RL
t t
=100t e

t e=0
I I R/IF

Fig.6.3-26
Diodi semiconduttori 240
Consideriamo lo schema di princi-
pio di Fig.6.3-27a. Un diodo Varicap
polarizzato inversamente, tramite una in-
duttanza di Valore L, da un generatore di
tensioni continue VD. Ig un generatore di
corrente variabile con una resistenza inter-
na Rg. La capacit di blocco Cb ha la fun-
zione di impedire che correnti continue
possano passare nel generatore Ig ma, nel-
lo stesso tempo, di consentire che le correnti variabili da questo generatore vadano nel diodo e
nellinduttore. Il generatore VD, per i segnali un cortocircuito. In Fig.6.3-27b mostrato il circuito equi-
valente. Con Rt si indicato il parallelo fra la resistenza di perdita dellinduttore Rp, quella del generatore
Rg e la resistenza differenziale Rr del diodo polarizzato inversamente. Si tratta di un circuito risonante paral-
lelo come quello descritto nel 3.5.2
Ricordiamo i risultati pi importanti trovati nel 3.2.4 a proposito dei sistemi con due poli comples-
si coniugati e nel 3.5 a proposito dei circuiti risonanti. Il coefficiente di smorzamento
,
C
L
R 2
1
t
[3.5-17]
che supporremo molto piccolo in modo che la frequenza di risonanza coincida con wn e cio
,
C L
1
0 n [3.5-5]
e la larghezza di banda sia, quindi molto piccolo in modo che il circuito esalti le frequenze molto vicine a
quelle di risonanza e rigetti il resto.
Utilizziamo un Varicap con giunzione iperbrusca (6.1.11.3) con m =-1.5 per la quale la capacit
varia come la [6.1-48] nella quale a = 2. Questultima si pu riscrivere come
.
) V / V 1 (
C
C
2
B D
0 t
t
+
[6.3-51]
Sostituendo nella [3.5-5]:

0 t
B D
0 n
C L
V / V 1+
[6.3-52]
e la frequenza di risonanza varia linearmente con la polarizzazione applicata.
Nella Fig.6.3-28 mostrato landamento di Ct
-0.5
per tre tipi di Varicap. Si vede che quello con
giunzione iperbrusca (m = -1.5) ha un andamento lineare e che per effetto della sua capacit, in un intervallo
di tensioni di 8 V si ha una variazione un fattore 9, cui corrisponde una variazione di frequenza di risonanza
dello stesso fattore, Con diodi con giunzioni lineari o brusche questo fattore ben misero, nellesempio di
figura soltanto 1.5 circa!
Lo schema di principio della Fig.6.3-27a applicato, come abbiamo gi detto per variare la sinto-
nia in un apparecchio ricevente. Ad ogni tensione applicata al diodo corrisponde una frequenza di sintonia.
Se si memorizzano le tensioni corrispondenti si bloccano le posizioni corrispondenti ai canali o alle stazioni
trasmittenti. Per esempio prendiamo in esame un ricevitore televisivo moderno. La memorizzazione viene
realizzata in una RAM (memoria a sola lettura) che memorizza una codifica digitale della tensione corri-
spondente. Ogni volta si sceglie un canale la codifica della tensione digitale viene prelevata, convertita in
tensione analogica e inviata a polarizzare il diodo che cambia la sua capacit e quindi la frequenza
doscillazione e dunque sceglie il canale. Questa memoria viene alimentata anche se il televisore spento,
purch sia connesso alla rete. In questo modo la memoria non si cancella ed ogni volta che si sceglie il ca-

Rt
Ct Ig

L
(b)
Rg
Cb
Ig

L
D
VD
+
-
(a)

Fig6.3-27
Diodi semiconduttori 241
nale si ritrova la solita selezione. Poich la corrente
richiesta da questa memoria molto piccola, in pa-
rallelo alla sua alimentazione si mette un grosso
condensatore elettrolitico. Anche se la tensione di
rete viene a mancare la memoria alimentata dalla
tensione accumulata dal condensatore e la sintonia
non si perde. Una mancanza della tensione di rete,
per un tempo limitato non produce la perdita della
sintonia. Se per, si parte per le vacanze e si stac-
ca la rete dallimpianto, dopo un certo tempo, va-
riabile da pochi giorni a qualche settimana, il con-
densatore si scarica e si perdono le memorizzazio-
ne e bisogna rifare la programmazione.
Unaltra applicazione fatta per il controllo
automatico della sintonia. Nella [6.3-52] si vede che la frequenza di risonanza oltre che dalla VD dipende
da parametri fisici e geometrici dei componenti usati. Una variazione, per esempio della temperatura pu
cambiare VB o L o Ct0 e la sintonia non va pi bene. Alla tensione fissa memorizzata per il canale si ag-
giunge una piccola tensione positiva o negativa tale che essa massimizza luscita del circuito risonante. Que-
sto sistema prende il nome di controllo automatico di guadagno e ci aiuta a bloccare la sintonia dei canali
anche se cambino, di poco i parametri fisici dei dispositivi. Lo stesso sistema utilizzato quando si cerca di
sintonizzare i canali. Si preme un pulsante ed il TV cambia la sintonia finche ritrova un canale. successo
che si trovata la tensione per cui luscita del circuito risonante ha un massimo. Premendo un altro pulsante
questa tensione viene inviata ad una posizione della memoria di sintonia e quindi memorizza.
Una volta la memorizzazione della sintonia veniva realizzata meccanicamente con un sistema di leve
e posizionatori. Linconveniente era che i sistema erano costosi, poco affidabili e di poca durata.
Una ultima applicazione dei Varicaps pu essere quella che consente la modulazione di frequenza
cambiando la tensione sul Varicap con lampiezza del segnale modulante.

0 1 2 3 4 5 6 7 8
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
m = 0
Silicio
VAKr (V)
Ct
-0.5
(pF
-0.5
)
m = 1
m = -1.5
brusca
iperbrusca
graduale
S (100x100
m
m
2
)
S (500x500
m
m
2
)

Fig6.3-28
Diodi semiconduttori 242
BIBLIOGRAFIA
[AL] - Allen, Holberg - CMOS Analog Circuit Design - Holt 1987
[BO] - Bolognesi - Tecnologia dei semiconduttori - Zanichelli - 1965
[CAL] - Calzolari, Grafi - Elementi di elettronica - Zanichelli- 1984
[CAR] - Carroll - Phisical Model for Semiconductor Devices - Arnold - 1974
[DE] - De Castro - Teoria dei dispositivi a semiconduttore - Patron - 1983
[ES] - Esaki New phenomenon in narrow germanium p-n junctions Ph. Rev., 109, 603 (1958)
[GA] - Gandolfi, Zanetti - Tecnologie dei componenti elettronici al silicio - Hoepli - 1983
[GR] - Grove - Fisica e tecnologia dei dispositivi a semiconduttore - Angeli -1967
[GRA] - Gray et al Physical Electronics and Circuit Models of Transistors J.Wiley
[GU] - Gummel Hole-electron Product of p-n junctions Solid State El., 10, 209 (1967)
[HA] - Hall Tunnel diodes IRE Tr. El. Dev., 7, 1 (1960)
[MA] - Massobrio - Modelli dei Dispositivi a Semiconduttore - Angeli - 1986
[MI1] - Millman - Circuiti e Sistemi Microelettronici - Boringheri - 1985
[MI2] - Millman, Halkias - Microelettronica - Boringheri - 1978
[MI3] - Millman, Taub Pulse, digital and switching waveform McGraw Hill Book Co. - 1965
[MU] - Muller, Kamis - Dispositivi Elettronici nei circuiti integrati - Boringheri - 1977
[SO] - Soncini - Tecnologie microelettroniche - Boringheri
[SZ1] - Sze Fisica dei dispositivi a semiconduttore Tamburini 1073
[SZ2] - Sze, Gibbon Avalanche Breakdown in abrupt and linearly graded p-n junctions Appl. Ph.
Lett., 8, 111 (1966)

T RANSI ST OR BI POL ARE A GI U T RANSI ST OR BI POL ARE A GI U N N Z I ONE Z I ONE

Un transistor bipolare a giunzione un dispositivo semiconduttore costituito da tre regioni
alternativamente drogate, dette, in ordine emettitore, base e collettore. Le tre regioni sono
accessibili dallesterno mediante dei contatti metallici che portano a dei terminali. La regione
centrale (base) fra le due esterne e sempre di drogaggio differente dalle altre due. Inoltre, e questa
la condizione perch il transistor abbia buone prestazioni, essa poco drogata e soprattutto sottile. Il
dispositivo prende il nome di bipolare, perch la corrente che passa dovuta alle cariche di
entrambe le polarit ed a giunzione perch esso formato dalle due giunzioni che separano le tre
regione gi dette. Dalle parole inglesi Bipolar Junction Transistor si ricava lacronimo BJT.
7.1 Transistor bipolare a giunzione
In Fig.7.1-1 mostrata schematicamente
la struttura di un transistor bipolare a giunzione
di tipo n-p-n ideale. Lo spessore della base lb sia
sottile nel senso gi definito nel 6.1.3.2. Per
quanto riguarda emettitore e collettore i loro
spessori siano sufficientemente grandi rispetto
alle rispettive lunghezze di diffusioni. Soltanto
la base corta.
7.1.1 Transistor ideale con drogaggi a gradino
Come nel capitolo precedente trattiamo il caso ideale di un transistor con drogaggi uniformi
e con giunzioni a gradino e sezione costante. Lesempio di cui ci occupiamo relativo ad un tran-
sistor n-p-n con drogaggi rispettivamente NDE, NAB e NDC. Il primo pedice si riferisce al tipo di dro-
gante, il secondo alla zona dove si fa il drogaggio. Per lo studio del transistor ideale supporremo la
base sia drogata molto meno delle altre due zone, cio: NDE >> NAB e NDC > NAB.
7.1.1.1 Transistor non polarizzato.
Cominciamo a descrivere quello che avviene in un transistor non polarizzato. Non dobbiamo
ricominciare tutto da principio. Possiamo riprendere quanto fatto per i diodi nel 6.1.3.2 ricordan-
doci che, per quanto detto a proposito dei drogaggi e degli spessori, bisogna considerare diodi che
hanno una regione sottile ed una spessa e quindi lavorare simultaneamente con diodi a base lunga
ed a base corta.
Nella Fig.7.1-2 sono mostrate la concentrazione dei droganti, la carica spaziale, la concen-
trazione dei portatori, il potenziale ed il campo elettrico per un transistor nel quale la concentrazione
del drogante pu ritenersi uniforme nelle varie zone. Le ipotesi riguardo i drogaggi di questo esem-
pio, ma non valide comunque in ogni caso, sono NDE >> NDC > NAB. Non sono applicate polarizza-
zioni. Lesempio suppone la seguente situazione di NAb = 10
17
/cm
3
, lb = 400 nm, NDe = 10
19
/cm
3
, le
= 2 mm, NDc = 5$10
17
/cm
3
, lc = 300 mm, Lnb = 300 nm, Lpe = 18 nm, Lpc = 80 nm. Queste ultime tre
sono le lunghezze di diffusione delle cariche minoritarie, rispettivamente in base, nellemettitore e
nel collettore.
La notevole asimmetria dei drogaggi fra le regioni di emettitore o collettore e quella di base
fa si che la zona di svuotamento sprofondi di pi nella regione di base. Inoltre, dato che l'emettitore
emettitore
collettore
n+ p
n+
l
c
l
e
l
b
base
Transistor n-p-n

Fig.7.1-1
Transistor bipolari a giunzione 244
pi drogato del collettore, il potenziale intrinseco relativo della giunzione base-emettitore (B-E),
VBibe = 936.8 mV, supera quello dellaltra giunzione VBibc = 858.9 mV. Gli spessori delle zone
svuotate a cavallo delle due giunzione, andando dallemettitore verso il collettore sono, rispettiva-
mente, WEe = 1.1 nm e WBe = 110 nm e, WBc = 96.7 nm e, WCc = 19.3 nm. Chiamiamo spessore
effettivo la parte di un semiconduttore eccetto la quella svuotata. Pertanto, dato gli spessori
dellesempio, mentre gli spessori effettivi di e-
mettitore e di collettore variano in modo insigni-
ficante lo spessore effettivo di base lb = lb WBE
VBC = (400 110 97.7) nm = 192.3 nm di-
venta abbastanza pi piccolo dello spessore della
base.
La Fig.7.1-2a mostra la concentrazione
dei materiali droganti, supposta a gradino. La
Fig.7.1-2b la situazione delle cariche immobili a
cavallo delle giunzioni dovute allo svuotamento.
Si noti la zona svuotata demettitore molto sottile
ma con una elevata concentrazione di carica. La
situazione del campo elettrico rappresentata
nella Fig.7.1-2c. Il passaggio delle cariche mag-
gioritarie attraverso le due giunzioni ostacolato
dai due campi elettrici, massimi in corrisponden-
za delle giunzioni metallurgiche. Il fatto che i
due campi corrispondenti alle due giunzioni sono
di segno contrario non deve trarre in inganno: gli
elettroni che voglio andare dallemettitore verso
la base trovano un campo che si oppone andando
nel segno delle x crescenti. Analogamente quelli
che dal collettore vogliono andare verso la base
trovano un campo sempre contrario, ma nel sen-
so delle x decrescenti. La situazioni dei potenzia-
li illustrata nella Fig.7.1-2d. Lostacolo al pas-
saggio di corrente inferiore per la giunzione
base-collettore (B-C) che non per laltra. Infine,
la situazione di entrambe le cariche mobili si pu vedere nella Fig.7.1-2e.
Quando il transistor viene polarizzato si possono avere tre casi distinti:
a) entrambe le giunzioni sono polarizzate direttamente: saturazione;
b) entrambe le giunzioni sono polarizzate inversamente: interdizione;
c) una delle giunzioni e polarizzata direttamente e laltra inversamente: polarizzazione attiva.
Questa, come vedremo pi avanti, sar diretta o inversa a seconda che ad essere polarizzata di-
rettamente sia la giunzione B-E o laltra.
essenziale, per il buon funzionamento del transistor, che il drogaggio di base sia tale che
lo spessore effettivo della base non polarizzata sia inferiore alla lunghezza di diffusione LD delle ca-
riche minoritarie nella regione di base stessa. Quindi la base sottile e poco drogata.
Se la base non soddisfa quest'ultimo requisito, il dispositivo pu essere considerato, in una
prima approssimazione, come due diodi contrapposti aventi i due
anodi oppure i due catodi in comune, rispettivamente, per l'n-p-n e
per il p-n-p. In tal caso un modello del transistor potrebbe essere
quello di Fig.7.1-3 per il transistor n-p-n. In realt le cose stanno
in un modo molto differente che ci accingiamo a spiegare.
(a)
N (atomi/cm
3
)
x (nm)
(c)
(b)
Collettore
x (nm)
x (nm)
x (nm)
qN
Dc
E
maxbc
W
pbc
-400 -300 -200 -100 0 100 200 300 400 500
10
18
-400 -300 -200 -100 0 100 200 300 400 500
0
0.05
0.1
0.15
-400 -300 -200 -100 0 100 200 300 400 500
-1
0
1
2
3
x 10
5
n(x)
p(x)
-400 -300 -200 -100 0 100 200 300 400 500
-1
-0.5
0
-400 -300 -200 -100 0 100 200 300 400 500
10
0
10
10
N
Ab
Base
n
p
E E
(V/cm)
r r
(coul/cm
3
)
p, n (/cm
3
)
(e
(d)
Emettitore
N
De
qN
De
-qN
Ab
-qN
Ab
W
nbc W
nbe
N
Dc
W
pbe
l
b
E
maxbe
VBibc
VBibe
NE
n
i
2
/N
E n
i
2
/N
C
n
i
2
/N
B
NB
NC
n

Fig.7.1-2
IE IC
IB B
C E

Fig.7.1-3
Transistor bipolari a giunzione 245
7.1.1.2 Polarizzazione in regione attiva.
Per comprendere il funzionamento del transistor bene cominciarne a studiare il funziona-
mento in regione attiva diretta, cio con la giunzione B-E polarizzata direttamente e quella B-C in-
versamente. Per il momento supporremo VBE maggiore della tensione di soglia del diodo B-E e
|VBC| > 4VT.
Una spiegazione abbastanza semplificata si pu tentare immediatamente. Ad un primo su-
perficiale esame sembrerebbe che la giunzione polarizzata direttamente, cio la giunzione B-E, si
lascia attraversare da corrente, mentre l'altra no. Le cose stanno in modo completamente differente.
La polarizzazione diretta B-E fa passare attraverso questa giunzione una corrente IE prevalentemen-
te costituita da elettroni (le lacune iniettate dalla base sono molto poche rispetto gli elettroni iniettati
dallemettitore). Questi elettroni, che costituiscono essenzialmente la corrente demettitore, se la ba-
se fosse sufficientemente larga si ricombinerebbero nella medesima con le sue lacune, come in un
normale diodo a base lunga. Per mantenere la neutralit della base un numero eguale di ele ttroni
dovrebbero entrare dal terminale di base. Invece laltra giunzione, polarizzata inversamente, trascu-
rando la corrente inversa di saturazione non sarebbe attraversata da alcun corrente. Si avrebbe,
quindi IE = IB e IC = 0.
Invece, gli elettroni, in base, trovano difficolt a ricombinarsi, data il suo modesto spessore e
la scarsa concentrazione di lacune. Soltanto una loro frazione che arriva dallemettitore riesce a ri-
combinarsi e, per mantenere la neutralit della base deve essere rimpiazzata da elettroni che pro-
vengono dal terminale di base dando luogo ad una corrente di base IB. La maggior parte della cor-
rente IE, non riuscendo a ricombinarsi, raggiunta la regione svuotata B-C trova un campo elettrico
che spinge gli elettroni ad attraversare questa giunzione dando luogo alla corrente IC. Si ricordi che
le cariche minoritarie hanno facilit ad attraversare una giunzione polarizzata inversamente. Per-
tanto, in una prima semplice approssimazione, si ha IC = aIE. E dato che IE = IC + IB, IB = (1 - a)IE.
Il coefficiente a, molto prossimo allunit nei transistor, esprime lincapacit della base di produrre
ricombinazioni delle cariche che provengono dallemettitore. Se nessun elettrone riuscisse a ricom-
binarsi in base si avrebbe IC = IE, IB = 0 e dunque a = 1. Il coefficiente a, detto anche amplifica-
zione statica di corrente a base comune, tanto pi prossimo allunit quanto pi la base stretta
e poco drogata. Possiamo riassumere quanto detto con:
.
I I I
I ) 1 ( I
I I
C B E
E B
E C

+


[7.1-1]
Per quanto riguarda il transistor n-p-n le cose
vanno come illustrato nella figura accanto. La
corrente convenzionale (che segue il senso in-
verso di quella degli elettroni) entra dal collettore e dalla base ed esce dallemettitore.
A questo punto bene dare spiegazioni pi accurate. Una ipotesi va fatta per il rapporto fra
gli spessori delle varie zone e le rispettive lunghezze di diffusione delle cariche minoritarie. Questo
rapporto, per la zona di base lb/Lnb < 1. Siamo in presenza, nella regione B-E, nella zona di base,
di un comportamento gi studiato nel 6.1.3.2 per i diodi a base corta. In effetti il rapporto bisogna
farlo con lo spessore effettivo della base che, per effetto degli svuotamenti delle zone vicino alle
giunzioni, pi piccolo dello spessore della base. Per la regione demettitore, nellesempio mostra-
to, questo rapporto le/Lpe maggiore di uno, ma, spesso, soprattutto nei transistors integrati,
lemettitore poco spesso ed possibile che la lunghezza di diffusione delle cariche minoritarie
nella regione demettitore sia superiore al suo spessore. Anche in questo caso si in presenza di un
comportamento della zona B-E dalla parte dellemettitore del tipo diodo a base corta. Bisognerebbe
sempre tenere conto dello spessore effettivo dellemettitore diminuito rispetto a quello geometrico.
emettitore
collettore
n+ p
n+
base
Transistor n-p-n
I
E
I
C
=
a
I
E
I
B
=(1-a)I
E
l
B
H
L

Fig.7.1-4
Transistor bipolari a giunzione 246
Discuteremo pi avanti le implicazioni delleventuale sottigliezza dellemettitore che un argomen-
to importante per i transistors bipolari integrati.
Riprendiamo a tale scopo lesempio del transistor descritto dalla Fig.7.1-3. La situazione, a
causa delle polarizzazioni, viene modificata come descritto nella Fig.7.1-5. Nellesempio in que-
stione sono applicate VBE = 0.7 V e VBC = - 8 V. Illustriamo ora la figura. A causa della polarizza-
zione inversa della giunzione B-C diminuisce lo spessore effettivo di base lb'. Per la larghezza della
zona di svuotamento in presenza di polarizzazione e con giunzione a gradino vale la [6.1-13],
.
N
V V
q
2
W
eq
Bi Si
Con V si indica la tensione applicata alla giunzione. Questa espressione pu es-
sere anche utilizzata ponendo V = 0 per giunzioni non polarizzate. In tal modo essa si riduce alla
[6.1-7]. Per le due giunzioni allora sar
eqBE
BE Bibe Si
BE
N
V V
q
2
W

e .
N
V V
q
2
W
eqBC
BC Bibc Si
BC

sem-
plice calcolare le variazioni relative delle due zone svuotate che saranno rispettivamente
1
V
V
1
W
W
Bibe
BE
BE
BE

e . 1
V
V
1
W
W
Bibc
BC
BC
BC

Ricordando che nella zona attiva le due giunzioni


sono polarizzate luna direttamente e laltra inversamente si ha una piccola diminuzione della zona
svuotata demettitore ed un grande incremento di quella di collettore. Anche se la parte di regione
svuotata verso lemettitore diminuisce in larghezza perch si sta applicando polarizzazione diretta,
la zona WBc aumenta molto di pi per effetto dello svuotamento prodotto dalla polarizzazione in-
versa della regione B-C.
Nellesempio fatto si erano trovate WBe =
110 nm e WBc = 97.7 nm. Applicando, come gi
detto, VBE = 0.7 V e VBC = - 8 V le due variazioni
relative diventano rispettivamente 49% e 221%.
Ricordando la situazione che si aveva prima di
applicare le polarizzazioni e che le due zone a ca-
vallo di una giunzione si restringono o allargano
nella stessa proporzione si ha lb = lb WBE VBC
= (400 1100.51 97.73.21) nm = 30.3 nm.
La base effettiva si riduce di tanto e certamente il
suo spessore inferiore alla lunghezza di diffusio-
ne degli elettroni che nellesempio 300 nm.
Per il campo massimo valgono sempre del-
le espressioni del tipo [6.1-2]. Quindi si produce
un abbassamento del campo nella regione B-E ed
un innalzamento nella regione B-C, con le stesse
proporzioni delle variazioni delle zone di svuota-
mento.
Nel nostro esempio il campo nella giun-
zione B-C si riduce del 49% e aumenta del 221%
nellaltra giunzione, come mostrato in Fig.7.1-5b.
Ovviamente la barriera di potenziale diminuisce
sulla prima giunzione ma aumenta e di moltissimo sullaltra, vedi Fig.7.1-5c.
Leffetto della polarizzazione diretta quella di incrementare la concentrazione delle cariche
minoritarie appena fuori la zona di svuotamento e viceversa di abbassarla per le polarizzazioni in-
verse. Ricordiamo quello che stato trovato nel 6.1.3.1. Leccesso o il difetto di cariche minorita-
rie allestremo della zona di svuotamento descritto dalla [6.1-15] e successiva. In generale si pu
scrivere per questa concentrazione di cariche minoritarie cmi in presenza di una polarizzazione V:
(a)
(b)
(c)
(d)
-400 -300 -200 -100 0 100 200 300 400 500
0
0.05
0.1
0.15
-400 -300 -200 -100 0 100 200 300 400 500
-4
-2
0
x 10
5
-400 -300 -200 -100 0 100 200 300 400 500
0
5
10
-400 -300 -200 -100 0 100 200 300 400 500
10
0
10
10
x (nm)
(c)
(b)
Collettore
x (nm)
x (nm)
x (nm)
qN
Dc
E
maxbc
n(x)
p(x)
Base
n p
E E
(V/cm)
r r
(coul/cm
3
)
p, n (/cm
3
)
V
Emettitore
qN
De
-qN
Ab
-qN
Ab
W
nbc
W
nbe
W
pbe
l
b
E
maxbe
NE
n
i
2
/N
E
n
i
2
/N
C
C
NC
n
l
b

W
pbc
p(x)
n(x)

Fig.7.1-5
Transistor bipolari a giunzione 247
). 1 e ( c c
T V V
min min [7.1-2]
Descriviamo quello che avviene in generale delle cariche mobili in un n-p-n polarizzato in
zona attiva. Cominciamo dagli elettroni. Questi, maggioritari nellemettitore hanno una concentra-
zione NE fino quasi al limite della zona svuotata demettitore, dove, in realt, sono un po meno
perch provvedono alle ricombinazioni con le lacune proveniente dalla base. Subito nella base la l o-
ro concentrazione diminuisce. Si ha diffusione di elettroni nella base dove, almeno nella zona di
svuotamento della giunzione B-E sono di pi del dovuto. Al limite di questa zona, secondo la [7.1-
2] ni
2
/NABe
V
BE
/V
T
, pi alta per il fattore esponenziale rispetto quella minoritaria ni
2
/NAB. Sempre
nella base, ma al limite dellaltra zona di svuotamento, per la [7.1-2], le cariche minoritarie sono
ni
2
/NABe
V
BC
/V
T
. Basta che la polarizzazione inversa sia di 4-5 VT per assicurare una diminuzione di
un fattore almeno 100 degli elettroni in questo punto. Se poi si applica una polarizzazione pari a
VTln (ni
2
/NAB) la concentrazione in questo punto si praticamente a zero. A destra della zona di
svuotamento di collettore, gli elettroni, cariche maggioritarie hanno concentrazione NDC. Nella zona
svuotata la concentrazione varia esponenzialmente da praticamente zero a NDC. Nella base effettiva,
che per quanto detto per il rapporto con la lunghezza di diffusione degli elettroni, una base corta,
la concentrazione non varia in modo esponenziale come descritto dalla [6.1-17]. Si pu fare il ra-
gionamento fatto nel 4.6.2 e trovare che allinterno della base effettiva la concentrazione delle ca-
riche minoritarie varia come il seno iperbolico del rapporto fra la distanza dal limite della zona di
svuotamento di emettitore nella base e la lunghezza di diffusione degli elettroni nella stessa[4.6-10].
Cio:
( ) .
) /L ' (l sh
] x)/L - W ' [(l sh
1 e
N
n
(x) n
nB B
nB Be B
V V
B
2
i
B
T AK
+
[7.1-3]
Tuttavia, per quanto gi detto nel 6.1.3.2 per i diodi a base corta questa concentrazione si pu rit e-
nere lineare e cio semplicemente:
.
' l
W x
1 e
N
n
) x ( n
b
Be
V V
B
2
i
B
T AK

,
_


+ [7.1-4]
Per le lacune, minoritarie nellemettitore, bisogna fare un discorso analogo. Lontano dalla
giunzione la concentrazione ni
2
/NE, ma quando ci si avvicina al bordo della regione svuotata B-E
cresce. Al limite della zona di svuotamento c un incremento ni
2
/NEe
V
BE
/V
T
. Se lemettitore suf-
ficientemente lungo il profilo di concentrazione delle lacune nella zona non svuotata demettitore
varia esponenzialmente con |x/LpE|. Altrimenti, in modo analogo ai diodi a base corta, lincremento
della concentrazione delle lacune minoritarie sar lineare fino ad arrivare a zero sul terminale
demettitore. Nella base, a ridosso della zona di svuotamento della giunzione B-E, le cariche mag-
gioritarie sono meno per effetto della diffusione verso lemettitore, e cio sono NBe
-V
BE
/V
T
. Poi la
loro concentrazione risale fino a NB al limite dellaltra zona di svuotamento, quella della giunzione
B-C. Nel collettore, a distanza sufficiente dalla base, la concentrazione delle lacune diventa ni
2
/NC.
Immediatamente a ridosso della giunzione B-C, nel collettore essa ni
2
/NCe
V
BC
/V
T
, molto piccola
anche per polarizzazioni inverse modeste. Allora, nella zona di svuotamento della giunzione B-C,
nella parte della base c un forte gradiente di questa concentrazione che cade violentemente verso
lo zero per poi risalire verso ni
2
/NC.
La situazione per quanto riguarda le cariche mobili, relativa allesempio finora descritta
illustrata nella Fig.7.1-5d.
Definiamo, a questo punto, un nuovo parametro del transistor aT, detto coefficiente di tra-
sporto della corrente delle cariche minoritarie in base, come il rapporto fra la corrente di elettroni
che lasciano la zona non svuotata della base per andare nel collettore e quelli che vi arrivano
dallemettitore. O che lo stesso fra la corrente iniettata in base e quella che va in collettore. Cio:
Transistor bipolari a giunzione 248
.
J
J
I
'
I
Be
B Be
Be
B Be
W x
nB
' l W x
nB
W x
nB
l W x
nB
T

+

Se la sezione uniforme i rapporti fra correnti o le loro densit sono gli stessi. La densit di corren-
te che proviene dallemettitore proporzionale al gradiente di concentrazione degli elettroni a ri-
dosso della giunzione B-E per x = WBe, mentre quella che va al collettore proporzionale al gra-
diente di concentrazione degli elettroni a ridosso della giunzione B-E per x = WBe + lB. La costante
di proporzionalit , secondo la [4.4-14] qDn, identica per entrambe. Se si assume il profilo di con-
centrazione lineare dato dalla [7.1-4] il gradiente indipendente dal punto e aT = 1. Ci si avvicina a
questa condizione quanto pi la base stretta e poco drogata perch la lunghezza di diffusione (che
dipende anche dal drogaggio) si deve confrontare con lo spessore effettivo.
In realt meglio non adoperare la [7.1-4] ed invece ottenere aT applicando la relazione sui
rapporti dei gradienti data dalla [7.1-3]
.
) /L ' (l cosh
1
) /L ' (l sh ] x)/L - W ' cosh[(l L qD
) /L ' (l sh ] x)/L - W ' cosh[(l L qD
nB B nB B
W x
nB Be B nB n
nB B
' l W x
nB Be B nB n
T
Be
B Be

+
+

+
[7.1-5]
Da questa sempre evidente quello che abbiamo detto a proposito di drogaggio e spessore, ma non
si ha che aT unitaria ma un valore pi realistico. Nellesempio portato finora, con le polarizzazio-
ni applicate si ottiene che aT =0 .995.
Nellipotesi di base sottile e poco drogata lespressione precedente si pu sviluppare in serie
di potenze del rapporto lB/LnB e ottenere:
.
L
' l
2
1
1
2
nB
B
T

,
_

[7.1-6]
Le due espressioni precedenti sono valide soltanto se il drogaggio della base uniforme. Vedremo
pi avanti che, certamente nei transistors integrato questa condizione non verificata e quindi le
due espressioni assumono soltanto un interesse qualitativo.
7.1.1.3 Lefficienza demettitore
Se si vuole calcolare il coefficiente di amplificazione statico a base comune a bisogna con-
siderare che la corrente demettitore non fatta soltanto di elettroni che diffondono nella zona non
svuotata della base. Una piccola parte degli elettroni che provengono dallemettitore si ricombina
nella zona svuotata della giunzione e, quindi, non pu fare parte di quella frazione di corrente che
va verso il collettore. Inoltre una piccola componente della corrente di emettitore costituita da l a-
cune che dalla base vanno nellemettitore. Anche questa componente non partecipa alla corrente di
collettore.
Riprendiamo, allora la definizione del coefficiente di amplificazione statica a base comune e
cio
.
I
I
h
E
C
FB [7.1-7]
a ed hFB sono due simboli intercambiabili. La corrente IE pu essere calcolato dalle sue due compo-
nenti elettroniche e cio quella relativa alla diffusione in base ed alla ricombinazione nella zona di
svuotamento e da quella di lacune dovuta alla la diffusione nellemettitore. Pertanto si pu determi-
nare a come:
,
I I I I 1
I
'
I
I I I
'
I
I
I
h
Be BE Be Ee
Be B Be
BE Ee Be
B Be
W x
nB
W
ric
W x
nB
W x
pE
W x
nB
l W x
nB
W
ric
W x
pE
W x
nB
l W x
nB
E
C
FB

+

+
+ +

+ +


Transistor bipolari a giunzione 249
cio ,
I I I I 1
1
T T
W x
nB
W
ric
W x
nB
W x
pE
Be BE Be Ee

+ +


[7.1-8]
dove
Be BE Be Ee W x
nB
W
ric
W x
nB
W x
pE I I I I 1
1

+ +
[7.1-9]
lefficienza dellemettitore. Essa esprime la capacit dellemettitore di iniettare cariche nella re-
gione di base del transistor, al di la della zona di svuotamento. Sono queste le sole cariche che pos-
sono, con un fattore aT, passare nel collettore.
Determiniamo lefficienza demettitore. Nel capitolo precedente abbiamo visto che le due
componenti della corrente inversa di saturazione dovute alla diffusione si ricavano dalla [6.1-18] o
dalla [6.1-23] a seconda della lunghezza della regione interessata. Per il calcolo della corrente poi,
bisogna ricorrere alle [6.1-20] e [6.1-21]. In effetti, poich nella ragione attiva la giunzione B-E
ben polarizzata al di sopra della soglia, si pu utilizzare la [6.1-22] al posto della [6.1-20] e trascu-
rare lunit rispetto allesponenziale. Inoltre, nel caso di zone corte, al posto di Lp o Ln si metteran-
no lE o lB, rispettivamente. Per ora calcoliamo il tutto quando anche lemettitore corto, ma basta
sostituire a lE, Lp per avere il risultato valido anche per emettitore lungo. Detto tutto ci, utilizzan-
do le [6.1-20], [6.1-22] e [6.1-28]:
T BE
Ee
V V
E DE
n
2
i
W x
pE e
' l N
S D
qn I

e . e
' l N
S D
qn I
T BE
Be
V V
B AB
n
2
i
W x
nB

S la
sezione uniforme del dispositivo. Per la componente dovuta alla ricombinazione nella zona di svuo-
tamento vale la [6.1-28]. In un transistor normale il tempo di vita efficace t 0 praticamente il tempo
di vita delle cariche minoritarie in base, data la situazione dei drogaggi, vedi la [6.1-26]. La corrente
di ricombinazione nella zona svuotata
T BE T BE
BE
V 2 V
n
BE
i
V 2 V
0
BE
i
W
ric e
2
S W
qn e
2
S W
qn I

. Sostituendo
nella [7.1-9]: .
e
D n 2
W ' l N
D
D
' l
' l
N
N
1
1
T BE V 2 V
n n i
BE B AB
n
p
E
B
DE
AB

+ +
[7.1-10]
o anche .
e
D n 2
W ' l N
D
D
Don
Acc
1
1
T BE V 2 V
n n i
BE B AB
n
p
E
B

+ +
[7.1-11]
AccB e DonE sono il numero complessivo di accettori e di donatori dei drogaggi di base o
demettitore.
Una prima osservazione va fatta se lemettitore non corto, nella [7.1-10] al posto della lE
va sostituta la Lp, ma i discorsi che faremo successivamente vanno quasi tutti bene, almeno qualita-
tivamente. La seconda osservazione che va fatta una anticipazione dei risultati del paragrafo suc-
cessivo e che cio tanto pi si avvicina a 1 tanto migliore il transistor. In questo senso allora si ri-
conosce che bisogna massimizzare sia g che aT. Cominciamo da questultimo. Prendiamo
lespressione approssimata [7.1-6]. La base effettiva va fatta piccola rispetto la lunghezza di diffu-
sione delle cariche minoritarie che aumenta se si diminuisce il drogaggio. Quindi base stretta e poco
drogata. Lefficienza dellemettitore migliora quanto pi atomi di drogante abbiamo messo in emet-
titore rispetto a quelli inseriti nella base. Quindi ancora una volta, base stretta e poco drogata.
7.1.1.4 L'effetto amplificatore del transistor.
Riprendiamo un momento le [7.1-1]. Eliminando la IE: IC = a(IB + IC), (1-a)IC = aIB, quindi
, I h I I
1
I B FE B F B C

[7.1-12]
nella quale si posto .
1
hFE F

[7.1-13]
e prende il nome di amplificazione statica di corrente a emettitore comune.
Transistor bipolari a giunzione 250
L'espressione [7.1-12] mostra come una corrente IB possa controllare una corrente IC b volte
pi grande. In ci consiste l'effetto amplificatore del transistor. Se a molto vicino all'unit, b o
hFE, una quantit molto grande che varia da un minimo di 10, per i transistors di potenza a basso
a, fino a valori dell'ordine delle migliaia. Questo fatto spiega linteresse per avere il parametro a
quanto pi vicino possibile allunit.
Possiamo invertire la precedente ottenendo
. 1 1
1 1
T
F

[7.1-14]
Lapprossimazione valida solo per i transistors con bF molto grande. In tale caso la [7.1-10] si pu
approssimare come
T BE V 2 V
n p i
BE B AB
n
p
E
B
DE
AB
e
D n 2
W ' l N
D
D
' l
' l
N
N
1

e la precedente diventa
,
L
' l
2
1
1 e
D n 2
W ' l N
D
D
' l
' l
N
N
1 1 1
1
2
nB
B
V 2 V
n p i
BE B AB
n
p
E
B
DE
AB
T
F
T BE
1
1
]
1

,
_


1
]
1


che si riduce a . e
D n 2
W ' l N
D
D
' l
' l
N
N
L
' l
2
1 1
T BE V 2 V
n n i
BE B AB
n
p
E
B
DE
AB
2
nB
B
F

+ +

,
_

[7.1-15]
Il bF cresce con il rapporto fra la lunghezza di diffusione delle cariche minoritarie nella base e il suo
spessore effettivo, cresce anche migliorando il rapporto fra il numero di atomi di droganti
nellemettitore rispetto a quelli della base e migliora aumentando il tempo di vita delle cariche mi-
noritarie nella base e con la polarizzazione diretta. Per finire, a parit di tutto il resto, poich la co-
stante di diffusione degli elettroni superiore a quella delle lacune, gli n-p-n amplificano di pi dei
p-n-p.
7.1.1.5 La stabilit del parametro b b.
Il parametro bF dipende da a. Differenziando la [7.1-13]
( )
( )
( ) .
d
1
) 1 ( 1
1 d
1
1 d
d
1
1 1
1
ln d ln d
d
F
F F
2
F
F
F

+
+

[7.1-16]
dal che si vede che anche una piccola variazione di a si ripercuote amplificata per (1+bF) su bF.
Poich, come vedremo pi avanti, a dipende, oltre che da fattori ambientali e tecnologici, anche
dalle condizioni di funzionamento, il parametro bF fortemente influenzato da tutti questi parame-
tri, molto pi di quanto non lo sia a.
7.1.1.6 Polarizzazione all'interdizione.
Se entrambe le giunzioni sono ben polarizzate inversamente scorrono le correnti inverse di
saturazione delle due giunzioni. Si hanno comportamenti simili a quelli di due diodi contrapposti. Si
dice che il transistor interdetto o spento. Pi avanti, nel 7.1.6.1, torneremo a discutere in maggio-
re dettaglio di tale condizione di funzionamento.
7.1.1.7 Polarizzazione in saturazione.
Se polarizziamo entrambe le giunzioni al di sopra della soglia avviene la saturazione. Questa
volta entrambe le giunzioni richiamano cariche nella regione di base e queste cariche, per la mag-
gior parte quelle provenienti dall'emettitore, un po meno quelle provenienti dal collettore, prose-
guono senza ricombinarsi verso le altre regioni. Allora l'effettiva corrente IE la differenza fra la
corrente che la VBE tende a mandare in base e la frazione di corrente che proviene del collettore. E
anche la corrente netta IC la differenza fra la corrente che la VBC tende a mandare in base e la fra-
zione di corrente che proviene del emettitore. A questo punto si pu vedere che o la IC o la IE po-
Transistor bipolari a giunzione 251
trebbero essere negative. In ogni caso la VCE, essendo la differenza fra le tensioni VBC e VBE, en-
trambe superiori alla soglia, una tensione piuttosto piccola. E se si vuole che la corrente IE sia po-
sitiva serve che la VBE superi la VBC e quindi la debole VCE positiva. Per il momento accontentia-
moci di queste spiegazioni in attesa di approfondimenti successivi che saranno date nel 7.1.6.2.
7.1.2 Transistor reali
In effetti questa situazione finora ipotiz-
zata di drogaggi e di geometrie non realistica.
Generalmente i drogaggi non sono a gradino. In
particolare la regione di base ha spesso profili di
drogaggi decrescenti verso il collettore ed anche
lemettitore ha un profilo decrescente verso la
base. Anche il profilo di concentrazione del col-
lettore molto vario, con drogaggi generalmente
pi contenuti nella vicinanza delle giunzione e
pi pesanti verso il contatto elettrico. La Fig.7.1-
6a si riferisce al profilo di drogaggio di un tran-
sistor n-p-n drift . La concentrazione nella base non uniforme ed il potenziale nella base non co-
stante ed allora presente un campo elettrico, anche nella zona di base non svuotata, che favorisce
lo scorrimento delle cariche minoritarie verso la regione di collettore. Questo fatto, vedremo pi a-
vanti oltre ad aumentare la e quindi bF, migliora il comportamento in frequenza. Anche la forma
preposta nella Fig.7.1-1 non realistica. Una delle geometrie pi comuni quella del transistor pla-
nare-epitassiale, come quella mostrata nella Fig.7.1-6b. La forma dell'emettitore e del collettore
tale da massimizzare l'efficienza di raccolta della corrente da parte del collettore. In particolare, in
genere la sezione della giunzione B-E inferiore a quella B-C. Gli aspetti tecnologici e geometrici
nella costruzioni dei diodi e dei transistor sono dettagliatamente discussi nel Cap.9.
7.1.3 Il modello di Ebers-Moll.
Nel 7.1.1.1 abbiamo definito il funzionamento diretto come la condizione per la quale il
transistor ha la giunzione B-E polarizzata direttamente e laltra inversamente. Questo modo di ope-
rare, in effetti, prende il nome di polarizzazione attiva diretta, per distinguerlo dalla polarizzazione
attiva inversa nella quale la situazione si capovolge: la giunzione B-C polarizzata direttamente e
quella B-E, invece, inversamente. I parametri relativi alle due differenti condizioni di funzionamen-
to in zona attiva vengono specificati aggiungendo un pedice: F (dalliniziale della parola inglese
Forward, diretta) e R (dalla iniziale della parola inglese Reverse, inversa). Tuttavia, poich quasi
sempre si lavora in polarizzazione attiva diretta, se non si usano pedici ci si riferisce automatica-
mente ai parametri relativi alla polarizzazione attiva diretta. Nel paragrafo precedente il simbolo a
in effetti doveva essere scritto come aF, mentre il pedice stato gi aggiunto al guadagno statico di
corrente, bF.
Si gi detto che il modello rap-
presentato in Fig.7.1-3 non adatto per
un transistor a base corta perch non si
tiene in alcun conto della corrente aFIE
che va verso il collettore. In Fig.7.1-7a si
vede un primo modello che da conto
della aFIE. Il comportamento della giun-
zione B-E simulato dal diodo a sinistra
nel quale passa una corrente IF che coincide con la IE, se laltra giunzione lasciata aperta. Leffetto
transistor fornito dal generatore dipendente aFIF = aFIE. aF l'a di cui abbiamo parlato sinora. E
le [7.1-1] le riscriviamo:
(a)
N
x
2
10
19
16
10
.5 5-10 m m m m m m
strato
epitassiale n +
p
10
21
10
17
emettitore
base
collettore
n
+
substrato n
+
2 2 m m
Substrato n+
SiO2
Strato epitassiale n
T
B
T
E
Strati
diffusi
contatti
di base
contatto di emettitore
n
+
p
+
W
B
E
W
(b)

Fig.7.1-6
IE IC
IB
IF
a
FIF
IR
B
C E
(a)
IE IC
IB
IF
a
RIR
IR
B
C E
(b)

Fig.7.1-7
Transistor bipolari a giunzione 252
.
I I I
I ) 1 ( I ) 1 ( I
I I I
C B E
F F E F B
F F E F C

+


[7.1-16]
Immaginiamo di invertire entrambe le polarizzazioni cio di polarizzare direttamente la
giunzione B-C ed inversamente la giunzione B-E. Quindi stiamo polarizzando nella regione attiva
inversa. Un modello del tutto simmetrico al precedente rappresentato nella Fig.7.1-7b. Il compor-
tamento della giunzione B-C simulato dal diodo a destra in cui scorre una corrente IR che coincide
con la -IC, se laltra giunzione lasciata aperta. Leffetto transistor fornito dal generatore dipen-
dente aRIR = -aRIC. aR il coefficiente di amplificazione statica di corrente a base comune nella
configurazione attiva inversa. Pertanto per questo circuito equivalente valgono le
.
I I I
I ) 1 ( I ) 1 ( I
I I I
C B E
R R C R B
R R C R E

+


[7.1-17]
aR dice quanta della corrente dal collettore va in emettitore in polarizzazione attiva inversa. In un
transistor assolutamente simmetrico i due a sarebbero eguali. Invece il profilo di drogaggio non u-
niforme nella base e l'efficienza di raccolta delle cariche da parte del collettore rendono volutamen-
te il parametro aF molto vicino a 1 mentre l' aR 0.1+0.8 ma tipicamente intorno a 0.5.
Un modello completo del transistor mostrato nella Fig.7.1-8 ed ottenuto fondendo i due
modelli della Fig.7.1-7 ed applicabile comunque siano pola-
rizzate le due giunzioni. Dai proponenti il modello prende il
nome di Ebers-Moll. Per le due espressioni precedenti non so-
no pi valide, ma in loro luogo si ha:
.
I I I
I ) 1 ( I ) 1 ( I
I I I
I I I
C B E
R R F F B
R F F C
R R F E

+
+


[7.1-18]
Si fa notare che le correnti IF e IR controllate dalle giunzioni B-E e B-C possono essere e-
spresse da:



) 1 e ( I I
) 1 e ( I I
T
BC
T
BE
V
V
CS R
V
V
ES F
. [7.1-19]
IES e ICS sono le correnti inverse di saturazione delle giunzioni B-E e B-C, rispettivamente.
Muller e Kamis
[MU]
hanno dimostrato che vale la relazione di reciprocit
aF IES = aR ICS = IS [7.1-20]
indipendentemente dalla forma e dai drogaggi dei transistors bipolari. IES e ICS sono le correnti in-
verse di ognuna delle giunzioni quando laltra non polarizzata.
Le [7.1-18], assieme alle [7.1-19] permettono di determinare correnti e tensioni nel transi-
stor. Infatti dalle quattro relazioni dette si possono ricavare

) V , V ( I I
) V , V ( I I
BC BE C C
BC BE E E
. [7.1-21]
In effetti si preferisce avere:

) V , I ( I I
) V , V ( I I
BC E C C
BC BE E E
, [7.1-22]
IE IC
IB
IF
a
FIF
IR
B
C E
a
RIR

Fig.7.1-8
Transistor bipolari a giunzione 253
e per fare ci ricaviamo dalla prima delle [7.1-18] la IF
IF = IE + aR IR. [7.1-23]
e la sostituiamo nella seconda. Allora si ha:



R R F E F C
R R F E
I ) 1 ( I I
I I I
[7.1-24]
da utilizzare, comunque assieme alle [7.1-19].
7.1.4 Le caratteristiche dei transistors bipolari
Un modo comune per sintetizzare il comportamento dei transistor e quello di fornire dei gra-
fici in cui viene mostrato landamento delle correnti e delle tensioni. Poich il transistor un doppio
bipolo non possibile mostrare il suo comportamento con un solo grafico, ma ne sono necessari
due, uno dei quali prende il nome di caratteristica dingresso e laltro di caratteristica duscita.
7.1.4.1 Le caratteristiche a base comune.
Sostituendo nelle ultime espressioni le [7.1-19] si ottiene:



) 1 e ( I ) 1 ( I I
) 1 e ( I ) 1 e ( I I
T
BC
T
BC
T
BE
V
V
CS R F E F C
V
V
CS R
V
V
ES E
, [7.1-25]
nelle quali compaiono esplicitamente le tensioni alle giunzioni e le correnti inverse di saturazione
dei diodi B-C e B-E. La corrente IC viene considerata come corrente d'uscita del dispositivo che
pilotato dalla corrente d'ingresso IE (vedi la seconda relazione). Entrambe le correnti dipendono dal-
le tensioni VBE e VBC. Poich queste due tensioni sono riferite allo stesso terminale di base si dice
che le [7.1-25] sono le espressioni relative alla configurazione a base (BC), il cui andamento mo-
strato in Fig.7.1-9, per un transistor ideale. La figura a sinistra la caratteristica d'ingresso, mentre
quella a destra la caratteristica d'uscita.
A questo punto definiamo in modo pi esatto i tre modi di funzionamento, cio saturazione,
interdizione e lineare, cui corrisponde il funzionamento in regione attiva diretta e studiamo il rela-
tivo comportamento.
Cominciamo dalla regione attiva definita da |VBE| > 4VT e |VBC| > 4VT ma con la giunzione
B-C polarizzata inversamente. In tali condizioni le [7.1-25] diventano:

+
+
E F CS R F E F C
V
V
ES CS R
NV
V
ES E
I I ) 1 ( I I
e I I e I I
T
BE
T
BE
[7.1-26]
0
1
2
3
4
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
-1 -0. 5 0 0.5 1 1.5 2
-6
-4
-2
0
2
4
6
I
C
(mA)
V
CB
(V)
V
BE
(V)
V
CB
= -0. 67
IE = 5mA
V
CB
= 0
V
CB
>0
IE = 4mA
IE = 3mA
IE = 2mA
IE = 1mA
IE = 0mA
Caratteristica dingresso
Caratteristica duscita
I
E
(mA)
Base Comune
I
S
= 10 fA
a a
F = 0. 99
a aR
= 0. 3

Fig.7.1-9
Transistor bipolari a giunzione 254
nelle quali si tenuto conto che ICS e IES sono dello stesso ordine e che se |VBE| > 4VT il termine
moltiplicativo della IES molto pi grande di 1. Pertanto anche il termine aRICS si pu trascurare,
cosi come, anche nellaltra, si pu non tenere conto di (1-aFaR)ICS. La prima delle due espressioni
la caratteristica d'ingresso cio la solita caratteristica diretta di un diodo che ha una corrente inversa
di saturazione pari a IES. Si pu constatare che in questa espressione la IE indipendente da VCB e la
caratteristica d'ingresso, per |VCB| > 4VT unica, come si pu osservare
nella Fig.7.1-9.
La seconda delle [7.1-26] corrisponde, nel primo quadrante del-
le caratteristiche d'uscita, Fig.7.1-9, ad una famiglia di rette parallele
all'asse delle VCB, parametrizzata da IE. Il circuito di Fig.7.1-10 equi-
valente alle [7.1-26] rappresenta il modello di Ebers-Moll quando il
transistor lavora in regione attiva.
Se anche la giunzione B-E polarizzata inversamente, con |VBE| > 4VT il transistor inter-
detto e le [7.1-25] diventano:
,
I ) 1 ( I ) 1 ( I ) 1 ( I ) 1 ( I ) 1 ( I
I ) 1 ( I I I I I
CS R CS R F CS F R CS R F ES F F C
ES F ES F ES CS R ES E

+ +
+ +
[7.1-27]
e dati i valori degli a e delle correnti inverse di saturazione entrambe le correnti risultano molto de-
boli, comunque inferiori alle correnti inverse di saturazione delle singole giunzioni. Inoltre tutte e
due le correnti sono, in realt, entranti dai corrispondenti terminali. Le caratteristiche relative sono
nel terzo quadrante delle caratteristiche d'ingresso e nel quarto quadrante di quelle d'uscita.
La condizione di saturazione si ha quando entrambe le giunzioni sono ben polarizzate al di
sopra della tensione di soglia con entrambe le correnti di collettore ed emettitore positive. Pertanto
nelle [7.1-25] i termini in cui compaiono gli esponenziali superano largamente l'unit e allora:



T
BC
T
BC
T
BE
V
V
CS R F E F C
V
V
CS R
V
V
ES E
e I ) 1 ( I I
e I e I I
[7.1-28]
Se la tensione VCB si alza troppo possibile che la IE diventi negativa. Ci avverr se <
T
BE
V
V
ESe I
, e I
T
BC
V
V
CS R cio se CS R
V
) V V (
ES I e I
T
BC BE
<

, cio
VBE - VBC = VCE < VT ln(aF) l 0. [7.1-29]
Si fatto uso della relazione di reciprocit. Allora per VCB che varia da 0 fino a -VBE la cor-
rente IE diminuisce dal valore che ha per |VCB| > 4VT fino ad annullarsi. Le curve relative in
queste condizioni sono nel secondo quadrante delle caratteristiche duscita. Addirittura la IE pu in-
vertirsi se la giunzione B-C polarizzata pi fortemente della B-E. La caratteristica d'ingresso in
Fig.7.1-9 mostrata per VCB 0.1+10 V e poi quella per VCB = 0 che pi bassa della precedente.
Inoltre rappresentata soltanto la parte positiva della caratteristica dingresso con VCB = -0.67.
Questa va a zero per VBE = 0.67 ed andrebbe a valori negativi per VBE ancora pi piccola.
Un discorso analogo pu essere fatto per la IC rappresentata nelle caratteristiche d'uscita.
Che essa possa diventare negativa lo si capisce dal fatto che qualora la giunzione B-C fosse pola-
rizzata direttamente di pi rispetto a quella B-E, la corrente proveniente dalla base uscirebbe pi dal
collettore che dall'emettitore rendendo la IC negativa. Ed allora il termine esponenziale che compare
nella seconda delle [7.1-28] raggiungerebbe perfino superando aFIE e cos la IC si invertirebbe. Ci
avviene se , e I ) 1 ( e I e I
T
BC
T
BC
T
BE
V
V
CS R F
V
V
CS R
V
V
ES F <

,
_

cio , e I e I
T
BC
T
BE
V
V
CS
V
V
ES F < da cui
1 e
T
BC BE
V
) V V (
R <

. Quindi la corrente di collettore si inverte per
VBE - VBC = VCE < -VT ln(aR). [7.1-30]
che a temperatura ambiente non supera il valore di 60 mV per i transistors con aR pi piccolo.
IE
IC
IB
IF a
FIF
B
C
E

Fig.7.1-10
Transistor bipolari a giunzione 255
In saturazione, se VBC aumenta, da una parte diminuisce IE, dall'altra aumenta il secondo
termine della IC nella [7.1-28] e quindi la IC comincia ed essere inferiore al valore assunto nella re-
gione attiva. Ci si nota nella caratteristica d'uscita in cui la IC diminuisce con VCB quando questa
tensione si avvicina a VBE (vedi il secondo quadrante delle caratteristiche d'uscita della Fig.7.1-9).
Addirittura la IC si inverte se soddisfatta la [7.1-30] ci mostrato nella figura nel terzo qua-
drante della caratteristica duscita.
7.1.4.2 Le caratteristiche ad emettitore comune.
Se intendiamo pilotare il transistor dalla base e prelevare la corrente dal collettore appli-
chiamo tensioni fra base ed emettitore e fra collettore ed emettitore. Allora si parla di configurazio-
ne ad emettitore comune (EC) e possiamo scrivere delle espressioni analoghe alle [7.1-22]; cio:

) V , I ( I I
) V , V ( I I
CE B C C
CE BE B B
. [7.1-31]
che sono rappresentate in Fig.7.1-11. Al solito a sinistra c' la caratteristica d'ingresso ed a destra
quella d'uscita.
Per trovare le espressioni esplicite corrispondenti alle [7.1-31] ricordiamo che con la [7.1-
13] abbiamo definito come .
1
hFE F

opportuno a questo punto distinguere. E cio



F
F
FE F
1
h

e .
1
h
R
R
RE R

[7.1-32]
Da cui
F
F
FB F
1
h
+

e .
1
h
R
R
RB R
+

[7.1-33]
Sostituendo nelle [7.1-18]:
.
1
I
1
I

1
I
I
1
1
I
1
I I
1
I
1
I
1
I
1
I
I
1
I
1
1
I
1
I I
R
R
R
R
R
F
F
F R
R
R
F
F
F
R F
F
F
C
R
R
R
F
F
F
F
F
R
R
R
F
F
F
R
R
R
F E

+

+

+

+
+

+

+
+
+

+
+



Se si pone
F
F
BE
1
I
I
+
e
R
R
BC
1
I
I
+
[7.1-33]

le precedenti espressioni si riscrivono come:
IE = IBE + bFIBE - bRIBC;
I
C
(mA)
VCE(V) V
BE
(V)
V
CE
= 0. 1 V
V
CE
= 0
V
CE
> 0.1V
Caratteristica dingresso
Caratteristica duscita
I
B
(
m m
A)
Emettitore Comune
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
0
10
20
30
40
50
-1 0 1 2 3 4 5
-1
0
1
2
3
4
5
6
IB = 40 mA
IB = 30 mA
IB = 20 mA
IB = 10
m
A
IB = 0 mA
IB = 50 mA
I
S
= 10 fA
a a F
= 0. 99
a a
R
= 0. 3

Fig.7.1-11
Transistor bipolari a giunzione 256
IC = bFIBE - bRIBC - IBC.
Nelle quale conviene introdurre la quantit
IM = bFIBE - bRIBC, [7.1-34]
ed ottenere, in definitiva: .
I I I I I
I I I
I I I
BC BE C E B
BC M C
M BE E

+

+
[7.1-35]
E per le [7.1-19] e [7.1-33]
.
) 1 e ( I ) 1 e (
1
I
1
I
I
) 1 e ( I ) 1 e (
1
I
1
I
I
T
BC
T
BC
T
BE
T
BE
V
V
BCS
V
V
R
CS
R
R
BC
V
V
BES
V
V
F
ES
F
F
BE

[7.1-36]
IBES e IBCS sono le correnti inverse dei due diodi del modello ad emet-
titore comune presentato in Fig.7.1-12a. La Fig.7.12-1b solo rigira-
ta, per comodit perch c labitudine di mostrare i circuiti con gli
ingressi a sinistra e le uscite a destra.
La caratteristica dingresso EC si spiega in modo abbastanza
semplice anche ricollegandosi a quanto detto per il BC. Perch il
transistor sia in regione attiva serve che la VBE superi la soglia della
giunzione B-E e che laltra giunzione non sia polarizzata direttamen-
te e quindi VCE sia anche soltanto leggermente positiva. Se poi VCE
fortemente positiva la IB non ne praticamente influenzata e va come
la corrente in un diodo. Nella [7.1-36] abbiamo ricavato che la cor-
rente di base la somma delle IBE e IBC. Questa ultima componente
diventa trascurabile, quando VBE supera la soglia se |VBC| > 4VT, ma
con polarizzazione inversa. Dunque, basta che VBC sia almeno 100 mV e quindi VCE 100 mV pi
alta di VBE che la componente IBC trascurabile e la corrente sia quella del diodo B-E. Quando, in-
vece questa condizione non pi verificata il transistor va in saturazione e laltra componente della
corrente di base prende consistenza. Allora la corrente di base pi alta, a parit di VBE, di quando
il transistor in regione attiva. In figura si vede una prima caratteristica per VCE = 0, il che vuol dire
che le due giunzioni sono polarizzate allo stesso modo e la corrente di base, pur avendo un anda-
mento esponenziale, pi alta di quella che si ha in regione attiva. Basta poi che la VCE superi qual-
che centinaia di millivolt che essa diventi indipendente da VCE.
Le caratteristiche duscita mostrano come la corrente di collettore, purch VCE superi il valo-
re di cui abbiamo parlato sia costante e proporzionale a IB secondo bF. Il primo tratto di caratteristi-
ca, per valori di VCE piccoli, quello in cui linfluenza della giunzione B-C polarizzata direttamente
si fa sentire portando il transistor in saturazione. Allora la corrente IM risente delleffetto negativo di
IBC. Pi bassa la VCE, pi importante questo effetto. Addirittura, per VCE negativa, questa com-
ponente della corrente di collettore supera laltra e la corrente di collettore diventa negativa, come si
pu osservare dalla coda delle caratteristiche nel terzo quadrante delle caratteristiche duscita.
Un modello molto semplificato si pu ricavare per la regione attiva. Ricordiamo che ci si-
gnifica giunzione B-E ben polarizzata al disopra della soglia e laltra decisamente allinterdizione.
Allora si pu trascurare leffetto del diodo B-C ed eliminarlo dal circuito equivalente. Inoltre, in
queste stesse condizioni il generatore IM diventa semplicemente bFIB ed il modello semplificato di
Ebers-Moll, valido soltanto in regione attiva quello di Fig.7.1-12c. Allora si pu sintetizzare
, e I e
1
I
e I I I I
T BE T BE T BE V / V
ES F
V / V
F
ES
F
V / V
BES F BE F B F C
+

e per la [7.1-20] IC = IS e
V
BE
/V
T
. [7.1-37]

IE
IC
IB
IBE IBC
B
C E
IM
(a)
IE
IC
IB
IBE
IBC
B
C
E
IM
(b)
IC
IBE = IB
B
C
E
bFIB
(c)

Fig.7.1-12
Transistor bipolari a giunzione 257
Per la regione attiva, tuttavia, si pu fare un calcolo pi preciso. Infatti, inserendo la [7.1-34]
nella seconda delle [7.1-35], IC = IM - IBC = bFIBE (bR + 1)IBC = bFIBE + bFIBC (bF +bR + 1)IBC =
bFIB (bF + bR + 1)IBC. A questo punto, se siamo in regione attiva, la giunzione B-C ben polariz-
zata allinterdizione e nella seconda delle [7.1-36] si pu trascurare il termine esponenziale e quindi
IBC = -IBCS = -ICS/(bR + 1). Sostituendo nella precedente, dopo alcuni semplici passaggi si arriva a
, I ) 1 )( 1 ( I ) 1 (
1
I
I I CS R F F B F F R
R
CS
B F C + + + +
+
+
cio 0 CB F B F C I ) 1 ( I I + + [7.1-38]
con . I ) 1 ( I CS R F 0 CB [7.1-39]
Ricordiamo che IS = aFIES IES che la corrente inversa di saturazione della giunzione base-
emettitore che si pu ritenere quella di un diodo a base corta fortemente asimmetrico. Allora che IS
si pu ricavare dalla [6.1-23] come:
.
N
S
D qn
' l N
S
D qn J S I
B
B
B
2
i
B B
B
B
2
i s B s
q
[7.1-40]
SB, DB, NB, lB e NBq sono la sezione, la costante di diffusione delle cariche minoritarie, la concen-
trazione delle cariche maggioritarie e la concentrazione per area del drogante, il tutto relativo alla
base.
Tutto quanto detto finora per i transistors n-p-n vale per
i transistors p-n-p. C' da osservare che, ovviamente, le correnti
e le tensioni vanno tutte cambiate di segno, e, inoltre, bisogna
invertire fra loro le parole lacune ed elettroni. Le Figg.7.1-13a e
7.1-13b mostrano, rispettivamente, i simboli elettrici dei Transi-
stors Bipolari a Giunzione (BJT) di tipo n-p-n e p-n-p. La diffe-
renza fra i due simboli sta nel senso della freccia dellemettitore.
Questa indica il senso convenzionale della corrente nel termina-
le.
7.1.5 Il Modello di Gummel-Pohn
Il modello di Ebers-Moll eccessivamente semplicistico. Per avere un modello pi accurato
bisogna fare altre considerazioni. Esso deve essere opportunamente integrato per dare piena spiega-
zione del comportamento del transistors. Una cosa da osservare e che i parametri aF e aR non sono
costanti, ma dipendono da varie cose come le tensioni di polarizzazione, le correnti delle giunzioni
e la temperatura, oltre che dai parametri tecnologici propri del transistor e cio concentrazione e di-
stribuzione dei drogaggi e geometrie del dispositivo.
7.1.5.1 L'effetto Early.
Per primo studiamo leffetto che ha la polarizzazione sui parametri aF e bF. Riprendiamo
quanto detto nel 7.1.2 a proposito del coefficiente di trasporto aT. Trascuriamo, per ora il fatto che
aF dipenda anche dallefficienza dellemettitore g. Ricordiamo che aT espressa dalla [7.1-5] e che,
quindi, dipende dal rapporto fra lo spessore effettivo di base lB e la lunghezza di diffusione delle
cariche minoritarie nella medesima base. In realt lo spessore effettivo di base non costante, ma,
per effetto delle polarizzazioni applicate, tende a variare. La polarizzazione diretta B-E tende un po-
co ad aumentarlo, ma la polarizzazione inversa B-C a diminuirlo. Pertanto, fissata la polarizzazione
diretta al disopra della soglia, in realt lo spessore effettivo di base diminuisce con la polarizzazione
inversa della giunzione B-C. Questo fenomeno della modulazione dello spessore di base prende il
nome di effetto Early dallo studioso che per primo ha analizzato questo tipo di comportamento.
Per un transistor ideale con drogaggi a gradino, lo spessore di base diminuisce con la radice
della tensione VBC applicata. Non si pu applicare una tensione che svuoti completamente la base
(a)
IC
IB
IE
VCE
VBE
(b)
IC
IB
IE
VCE
VBE
n-p-n p-n-p

Fig.7.1-13
Transistor bipolari a giunzione 258
perch, come sar visto nel 7.1.7 interviene prima la tensione di rottura. Sia lB la parte di base che
rimane, una volta sottratta la zona svuotata a cavallo della giunzione demettitore. Per quanto detto
nel 6.1.3, usando la [6.1-13] lo spessore effettivo della base lB(CB), per effetto della zona di svuo-
tamento B-C diminuisce secondo la Bibc CB B ) V ( B V V 1 k l ' l CB + . Per semplicit si posto
. k
qN
V 2
N N
N
eqBC
Bibc Si
AB Dc
Dc

+
Ponendo VCB = 0 si ricava lB(0) = lB k e quindi
). V V 1 1 ( k ' l ' l Bibc CB ) 0 ( B ) V ( B CB + + [7.1-41]
Chiamiamo tensione di Early VA linverso della derivata del logaritmo dello spessore effet-
tivo rispetto alla VCB, per VCB = 0:
Per i transistor a giunzione brusca, applicando la definizione alla [7.1-41]
.
' l 2
V k
V V 1 2
V k
' l
1
dV
' dl
' l
1
V
1
) ( B
Bibc
0 V
Bibc CB
Bibc
) V ( B
0 V
) CB
) V ( B
) V ( B A 0
CB
CB
CB
CB
CB

1
1
]
1

+

1
]
1

[7.1-42]
E la tensione di Early VA = -2lB(0)VBibc/k [7.1-43]
che dipende dai drogaggi e dallo spessore della base. Allora la precedente espressione dello spesso-
re effettivo pu essere riscritta in funzione della tensione di Early come
[ ]. V V ) V V 1 1 ( 2 1 ' l ' l A Bibc Bibc CB ) 0 ( B ) V ( B CB + [7.1-44]
Per quanto detto a proposito di aF, dimi-
nuendo lB, con la tensione VCB, essa aumenta.
Lo spessore disponibile per la ricombinazione
delle cariche minoritarie diminuisce. Natural-
mente lincremento di aF produce un aumento
anche di bF.
Nella Fig.7.1-14a mostrato quello che
avviene in un transistor ideale con. NAb = 5

10
18
/cm
3
, NDe = 10
21
/cm
3
, NDc = 10
18
/cm
3
, Lnb =
5mm. Lo spessore della base 500nm, ma per
effetto della diffusione anche senza polarizza-
zioni esso ridotto a circa 480 nm. Utilizzando
la [7.1-5] e trascurando lefficienza dellemetti-
tore, nelle condizioni dellesempio sono stati ri-
cavato aF e bF applicando la [7.1-5]. Questi pa-
rametri sono rappresentati nelle Fig.7.1-14b e
7.1-14c con curva a tratto continuo.
Una approssimazione della [7.1-44] si pu ottenere per piccolo VCB sviluppandola in serie di
potenze ed arrestandoci al primo termine. In tal caso si ha:
. ' l ) V / V 1 ( ' l
0 V
B A CB ) V ( B
CB
CB

[7.1-45]
Nei transistor reali le cose vanno in modo simile. Il valore assoluto lo si usa in perch
lespressione sia valida sia per gli n-p-n che per i p-n-p. Ricordiamo che la [7.1-6] una corretta
approssimazione della [7.1-5] solo se lo spessore effettivo di base piccolo rispetto la lunghezza di
diffusione e ci tanto pi vero man mano che aumenta la VCB. Da ci si deduce che se si sostitui-
sce nella [7.1-6] la precedente si ha una espressione non valida per VCB basse. Una formula appros-
simata abbastanza corretta che tiene anche conto, anche dellefficienza dellemettitore
,
V V ) 1 ( 1 A CB 0 F
0 F
F

[7.1-46]

(a)
l
B

(c)
(b)
a aF
V
CB
(V)
b bF

0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
300
400
500
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
0.98
1
0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20
10
1
10
2
10
3
V
CB
(V)
V
CB
(V)
V
A
(V)

17V
-1
nB B ) /L ' (l cosh
[7.1-5]

Fig.7.1-14
Transistor bipolari a giunzione 259
con .
I
I
0 V
E
C
0 F
CB
[7.1-47]
Se si sostituisce la [7.1-46] nella [7.1-13] si trova
,
V V 1 A CB
0 F
F

[7.1-48]
con .
I
I
0 V
B
C
0 F
CB
[7.1-49]
La [7.1-48] si pu approssimare come
) V V 1 ( A CB 0 F F + [7.1-50]
o anche ] V ) V V ( 1 [ A BE CE 0 F F + che per polarizzazione attiva e VCE grande rispetto alla VBE si
riduce a ). V V 1 ( A CE 0 F F + [7.1-51]
Moltiplicando tutta lespressione per IB si ottiene, per solo per la regione attiva:
, I ) V V 1 ( I I B A CE 0 F B F C + [7.1-52]
Che sul piano delle caratteristiche duscita corrisponde ad un fascio di rette con centro il punto (0,-
VA) e pendenza dIC/dVCE= bF0IB/VA.
Utilizzando la [7.1-46] e la [7.1-50] si ottengono i grafici che nella stessa Fig.7.1-14 sono
tratteggiati. Come si vede mentre lapprossimazione di aF buona soltanto per piccole tensioni, in-
vece quella di bF abbastanza accurata. Nella Fig.7.1-15 sono mostrate come le caratteristiche del
transistor ideale finora considerato si trasformano se si tiene conto di una tensione di Early di 20V.
Riprendiamo la [7.1-52] e utilizziamo il procedimento per ricavare la [7.1-37]: si ha
IC bF0(1 + |VCE /VA|) IB = bF0(1 + |VCE /VA|) IBES e
V
BE
/V
T
,
o anche IS(1 + |VCE /VA|) e
V
BE
/V
T
[7.1-53]
con la Is gi calcolata come
q B
B
B
2
i s B BES 0 F s
N
S
D qn J S I I [7.1-54]
che si pu ritenere, anche se molto approssimativamente, una costante del transistor.
Il valore di bF0 pu essere calcolato dividendo lintercetta sullasse delle IC della retta corri-
spondente ad una certa IB per il valore della IB stessa. Per esempio, nella figura, per IB = 40 mA
lintercetta corrisponde al punto P con IC = 3.6 mA. Quindi bF0(IB=40 mA) = 3.6 mA/40 mA = 90.
P
I
C
(mA)
Caratteristica duscita
Emettitore Comune
IB = 40 mA
IB = 30
m
A
IB = 20
m
A
IB = 10 mA
IB = 50 mA
V
A
-3
V
CE
(V)
IB = 0 mA
0 3 6 9 12 15
-1
- 21 - 18 - 15 - 12 -9 -6
0
1
2
3
4
5
6
7
8

Fig.7.1-15
Transistor bipolari a giunzione 260
7.1.5.2 Le resistenze d'estensione
La corrente di base, per arrivare al terminale relativo, deve attraversare la base per tutta la
sua lunghezza. Nel fare ci incontra una resistenza RBB', detta resistenza di estensione di base, non
trascurabile, soprattutto ad alte correnti IB. Ci dovuto al fatto che:
a) la conducibilit della base, dato il modesto drogaggio, scadente;
b) la sezione di attraversamento piccola (dipende dallo spessore effettivo di base);
c) la lunghezza della base, in proporzione, molto grande.
bene rifarsi ad un esempio concreto come quello di
un transistor integrato planare la cui sezione mostrata nella
Fig.7.1-16. La sezione della base HL, lB lo spessore. La
corrente di base entra dal terminale e si propaga nel senso
indicato in figura. Quindi RBB non localizzata in un punto
preciso ma distribuita lungo la lunghezza della base. Per-
tanto la tensione che agisce sulla giunzione B-E pi alta
nei punti pi vicini al terminale di base e pi bassa in quelli
pi lontano. E dal momento che la densit di corrente in un
punto della base proporzionale esponenzialmente alla ten-
sione sulla giunzione in quel punto, si capisce che quella vi-
cino al terminale pu essere sensibilmente superiore rispetto
ai punti pi lontani. Cos si ha un addensamento della cor-
rente, crowding, nella zona del terminale. Agli effetti pratici conta pi della sezione H L laltezza
H della base. Lo spessore effettivo non pu ritenersi costante lungo tutta la lunghezza della base,
perch lo spessore della zona svuotata B-E, punto per punto, dipende dalla tensione che c, in quel
punto. Un aumento della tensione applicata al terminale B produce un aumento della corrente di ba-
se e quindi una maggiore caduta di potenziale nei punti pi distanti, nei quali lo spessore di base si
assottiglia facendo aumentare la RBB. Si comprende, quindi, che questa resistenza funzione della
IB. In effetti essa dipende anche dalla tensione VCE, perch leffetto Early modula il suo spessore,
ma questo aspetto meno rilevante della dipendenza di RBB dalla IB. Ai fini pratici un modello del
transistor immagina che la base effettiva sia localizzata in un punto B e la sua tensione sia quella
che realmente agisce sulla giunzione.
Un calcolo di RBB del transistor di figura riportato da De Castro
[DE]
. Posto
), V V 1 (
H l
L
qN 2
1
H l
L
qN 2
1
R A CE
) 0 ( ' B nB AB ' B nB AB
B +


e ), I ( X
V
R
) V , I ( X B
T
B
CE B
De Castro ricava .
2 X Xtg
X sen
X
ln
2
R
R
B
) I , V ( ' BB B CE [7.1-55]
X una funzione che dipende dalla forma geometrica dai drogaggi, dalla tensione sullaltra giun-
zione C-E, ma soprattutto dalla corrente di base. Si fatto uso della [7.1-45]. NAB e mnB sono dro-
gaggio e mobilit delle cariche minoritarie in base.
La tensione che effettivamente agisce sulla giunzione minore di quelle applicate in base a
causa della caduta RBB'IB che si fa notare soprattutto ad alte correnti. Il terminale di base verr , nel
modello, sempre indicato con il simbolo B, mentre la base effettiva dove si immagina ci sia la giun-
zione con B.
Anche per le zone neutre di collettore e di emettitore debbono essere considerate, soprattutto
in regime di alte correnti, le resistenze di tali zone che sono praticamente indipendenti dalle tensioni
applicate e che prendono il nome di RCC e REE.
Substrato n
+
Collettore
I
B IE
IC
Base p+
Emettitore n++
H
lB
L
Collettore n-

Fig.7.1-16
Transistor bipolari a giunzione 261
7.1.5.3 La dipendenza di b bF da IC.
Quando, nel 6.1.5.4 si discusso delle caratteristiche
dei diodi reali si constatato che non era pi sufficiente
lequazione di Shockley per descriverne il comportamento. Si
visto che le caratteristiche sono caratterizzate da ben quattro
zone. Per esempio, nei diodi al silicio a basse correnti, quando
prevale leffetto di ricombinazione nella zona di svuotamento,
la corrente sale come e
V
AK
/2V
T
. Segue la zona in cui prevale la
diffusione nelle zone neutre e la corrente varia come e
V
AK
/V
T
.
Nella zona ad alta iniezione riprende ad andare come e
V
AK
/2V
T
.
Infine ad altissime correnti essa dominata dalleffetto delle
resistenze destensione. Tutto ci era stato sintetizzato dicen-
do che la corrente in un diodo va come e
V
AK
/hV
T
dove h il co-
efficiente demissione variabile da 1 a 2 a secondo della zona.
Poich la giunzione B-E si comporta da diodo,
landamento della corrente demettitore in un transistor dis-
simile a quella anodica riportata nella Fig.6.1-13. Apparente-
mente anche corrente di base e di collettore dovrebbero avere
una andamento simile. Le cose vanno in un modo diverso.
Lefficienza dellemettitore peggiora per effetto di corrente di
ricombinazione nella zona svuotata. A basse correnti in cui
c effetto di ricombinazione nella zona di svuotamento c
anche effetto di diffusione. La componente della corrente di
diffusione quella che viene moltiplicata per aT. Laltra com-
ponente, quella di ricombinazione fluisce solo fra base ed emettitore e non partecipa alla corrente
del collettore abbassando lefficienza g dellemettitore. Dunque, la IC che dipende soltanto dalla
componente di diffusione , anche a basse correnti, proporzione a e
V
BE
/V
T
, mentre la IB proporzio-
nali a e
V
BE
/N
E
V
T
(h = NE un po meno di 2) perch c anche leffetto della ricombinazione. In so-
stanza, la parte di corrente che non prende parte alla diffusione in base e quindi partecipa alla IB,
abbassa g e quindi aF e, infine anche bF. A medie correnti questo effetto sparisce e lefficienza
dellemettitore risale e la IB diventa proporzionale a e
V
BE
/V
T
. Questo discorso cambia per la zona di
alte iniezioni
[WE]
. Infatti, leffetto dellalta iniezione quello di aumentare le concentrazioni dei
portatori sia maggioritari che minoritarie nelle zone iniettate. Quindi aumenta la corrente di diffu-
sione in queste zone. Allora per quanto detto prima lefficienza dellemettitore non cambia e quindi
la IB resta ancora proporzionale e
V
BE
/V
T
mentre dovendo essere la IE proporzionale a e
V
AK
/N
F
V
T
(h = NF
circa 2)lo anche la IC. Ovviamente, nella zona delle pi alte correnti prevale leffetto delle resi-
stenze destensione e le caratteristiche pendono ancor di pi. Nella Fig.7.1.16 sono mostrate le due
correnti IB e IC in un n-p-n al silicio. Tralasciamo la zona per |VBE| < 200 mV nella quale il transi-
stor lavora, come vedremo pi avanti, sotto soglia.
Per concludere: nella due zone in cui pre-
sente la corrente di ricombinazione o leffetto di alta
iniezione non tutta la IB prende parte al processo di
amplificazione. Ci pu essere ben modellato da un
secondo diodo fra B-E eguale al primo, ma la cui
corrente non venga amplificata. Tenendo presente
quanto detto finora, un nuovo modello, pi accurato
di quello di Ebers-Moll, possibile. La Fig.7.1-18
mostra tale modello. Si notino le tre resistenze RBB, RCC e REE e la presenza, in parallelo al diodo
ove scorre la corrente IBE, di un altro diodo in cui scorre la corrente IBE. Il generatore bFIBE.

VBE(V)
-2
0.2 0.4 0.6 0.8 1
10
-12
10
-11
10
-10
10
-9
10
-8
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
RBB
e
V
BE
/N
E
V
T

e
V
BE
/N
F
V
T

e
V
BE
/V
T

IC (A)
IB (A)

Fig.7.1-17
(a)
RBB
I
B
E
b
FIBE
B C
E
IB
B
I
B
E

REE
RCC
IE
IC

Fig.7.1-18
Transistor bipolari a giunzione 262
Un modello valido per qualunque polarizza-
zione si pu ottenere estendendo il discorso. Esso
rappresentato nella figura accanto e prende il nome di
modello di Gummel-Pohn dai suoi presentatori.
Se si esegue punto per punto il rapporto fra IC
e IB dalla Fig.7.1-17 si ottiene bF
[MA]
. Nella Fig.7.1-
20 mostrato il comportamento di bF o hFE al variare
della corrente di collettore. Nella zona dominata dalla
corrente di ricombinazione non lineare:

E E
T
BE
T E
BE
T
BE
N / 1 1
C
N / 1 1
V
V
V N
V
V
V
B
C
F FE ) I ( ) e (
e
e
I
I
h

.
Facendo il logaritmo di ambo i membri si
ottiene ln hFE = cost + (1-1/NE)ln IC. Nel
piano logaritmico della figura si tratta di
una retta di pendenza 1-1/NE 1/2. Que-
sta , dunque, linclinazione nella prima
parte della figura. Nella zona centrale le
due correnti variano con lo stesso espo-
nente e hFE si mantiene approssimativa-
mente costante. Calcoliamo quello che
avviene nella zona delle alte iniezioni:
( ) . I e
e
e
I
I
h
F
F
T F
BE
T
BE
T F
BE
N 1
C
N 1
V N
V
V
V
V N
V
B
C
F FE


,
_

Questa volta calcolando il logaritmo di ambo i


membri si ha ln hFE = cost + (1-NF)ln IC. Si tratta di una retta con pendenza 1-NF -1 nel piano lo-
garitmico della figura. Questa , dunque,
linclinazione nella ultima parte della figura. In
effetti la parte finale pende ancor di pi a causa
delle resistenze destensione.
Tutto ci significa che le caratteristiche
d'uscita non sono equidistanziate ma, a piccole
correnti IB, sono pi strette, per allargarsi au-
mentando IB e per tornare ad infittirsi ad alte
correnti. La Fig.7.1-21 mostra caratteristiche
duscita realistiche. Si fa notare che la caratteri-
stica per IB = 0 non sullasse ma sollevata di
(bF + 1)ICB0 come previsto dalla [7.1-38].
Per concludere il discorso su Gummel-
Pohn basta ricordare che tutte le espressioni pre-
cedentemente trovate in cui entra in gioco il
termine esponenziale vanno corrette aggiungen-
do il coefficiente demissione.
7.1.6 Approfondimenti
A questo punto, tenendo presente le precisazioni precedenti bene approfondire il comporta-
mento del transistor nelle altre sue zone di funzionamento e cio in interdizione ed in saturazione,
dal momento che per la regione attiva il discorso fatto ben dettagliato.
(b)
(a)
RBB
I
B
E
IM
B
C
E
IB
B
I
B
E

REE
RCC
IE
IC
I
B
C
I
B
C


Fig.7.1-19
2
10
-12
10
-10
10
-8
10
-6
10
-4
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
I
c

b bF
Pendenza 1-1/N
E -0.5
Pendenza 1-N
F
-1

Fig.7.1-20

Caratteristica duscita
Emettitore Comune
IB = 40 mA
IB = 30 mA
IB = 20 mA
IB = 10 mA
IB = 0 mA
IB = 50 mA
I
C
(mA)
0
1
2
3
4
5
6
7
V
CE
(V)
3 6 9 12 15

Fig.7.1-21
Transistor bipolari a giunzione 263
7.1.6.1 Interdizione.
Definiamo meglio un transistor interdetto quando la sua giunzione B-C risulta ben polarizza-
ta inversamente e non scorre corrente d'emettitore. Per i calcoli faremo riferimento alle [7.1-25] re-
lative alla configurazione a base comune e che per comodit vengono qui riportate con laggiunta
del coefficiente demissione:




) 1 e ( I ) 1 ( I I
) 1 e ( I ) 1 e ( I I
T
BC
T
BC
T
BE
V
V
CS R F E F C
V
V
CS R
V
V
ES E
, [7.1-56]
Queste, se la polarizzazione inversa della giunzione B-C tale che |VBC| > 4VT diventano:
CS R
V
V
ES E I ) 1 e ( I I
T
BE
+

, [7.1-57]
e CS R F E F C I ) 1 ( I I + , [7.1-58]
Cominciamo a calcolare quale corrente scorre in collettore se apriamo l'emettitore. In tal ca-
so IE = 0 e la [7.1-58] da:
0 CB CS R F C I I ) 1 ( I , [7.1-59]
come stato gi indicato nella [7.1-39].
A questo punto spieghiamo i significato dei tre pedici che si usano per indicare le correnti
inverse. I primi due indicano fra quali terminali scorre la corrente inversa. Il terzo indica la condi-
zione del terminale rimasto. Se il pedice 0 questi aperto, Se S (iniziale della parola inglese
short = corto) vuol dire che esso in corto con il terminale del secondo pedice. Se esso R vuol di-
re che fra il terzo terminale e quello del secondo pedice c una resistore di valore R. Pertanto ICB0
la corrente che scorre fra collettore e base quando lemettitore aperto.
Se invece cortocircuitiamo base ed emettitore abbiamo VBE = 0. Ed allora dalla [7.1-57]
CS R E I I che sostituita nella [7.1-58] da
CES CS CS R F CS R F C I I I ) 1 ( I I + , [7.1-60]
che rappresenta la corrente inversa di collettore con base in corto con lemettitore.
Consideriamo, invece, quello che avviene se apriamo la base. In questo caso IE = IC e dalla
[7.1-58] CS R F C F CS R F E F C I ) 1 ( I I ) 1 ( I I + + , da cui
. I
1
1
I I CS
F
R F
0 CE C


[7.1-61]
Il simbolo ICE0 indica la corrente inversa che scorre fra i due terminali di collettore e di emettitore
quanto l'altro, quello di base, aperto.
La corrente che scorre fra collettore ed emettitore quando sulla base c' una resistenza R
prende il nome di ICER. Se R = 0 diventa ICES, mentre se R si ha la ICE0. Pertanto evidentemen-
te:
ICB0 < ICES < ICER < ICE0, [7.1-62]
Confrontando le espressioni relative si trova che
( ) . I
1
1
I I I I 1 I CS
F
R F
0 CE CES CS CS R F 0 CB


< < [7.1-63]
Calcoliamo la tensione VBE sulla giunzione quando scorre la corrente ICE0. Dalla [7.1-61]
CS
F
R F
0 CE E C I
1
1
I I I


, che sostituita nella [7.1-57]: CS R
V
V
ES CS
F
R F
E I ) 1 e ( I I
1
1
I
T
BE
+


,
e tenuto conto della condizione di reciprocit: CS R
V
V
F
CS R
CS
F
R F
I ) 1 e (
I
I
1
1
T
BE
+




. Dopo una
serie di passaggi si arriva a :
Transistor bipolari a giunzione 264
.
1
1
1 ln V V
F
R
R
F
T BE
,
_

+ [7.1-64]
Per correnti molto deboli come quelle di cui stiamo parlando la probabilit di ricombinazio-
ne in base molto alta ed i relativi a si abbassano. In particolare gli a del germanio possono dimi-
nuire del 20%, mentre quelli del silicio perfino dell'80%. Se calcoliamo la tensione VBE che si loca-
lizza fra base ed emettitore a base aperta per transistors simili al germanio ed al silicio con aF =
0.99 e aR = 0.5 si trovano valori dell'ordine di 30+60 mV. Rifacendoci a quanto detto per i diodi, i
valori tipici per la tensione di soglia sono di 100 mV per il germanio e 500 mV per il silicio. In ge-
nere la regione attiva copre circa 100 mV per il germanio e 200 mV per il silicio.
7.1.6.2 Saturazione.
Prendiamo in esame il comportamento in saturazione che descritto dalle [7.1-28] che rico-
piamo dopo avere aggiunto il coefficiente demissione.




T
BC
T
BC
T
BE
V
V
CS R F E F C
V
V
CS R
V
V
ES E
e I ) 1 ( I I
e I e I I
[7.1-65]
Se sostituiamo nella seconda espressione la prima otteniamo:
. e I ) 1 ( e I e I e I ) 1 ( e I e I I
T
BC
T
BC
T
BE
T
BC
T
BC
T
BE
V
V
CS R F
V
V
CS R F
V
V
ES F
V
V
CS R F
V
V
CS R
V
V
ES F C

,
_




Cio . I e e e I e I I CS
V
V
V
V
R
V
V
CS
V
V
ES F C
T
BC
T
BE
T
BC
T
BE

,
_



[7.1-66]
Man mano che aumenta la tensione
della polarizzazione diretta VBC
aumenta il secondo termine e la
corrente IC scende rispetto al valore
della regione attiva. Le caratteristiche
finora proposte non mostrano bene il
dettaglio della saturazione. Le curve si
confondono. La Fig.7.1-22, invece,
riporta questa zona delle caratteristiche
d'uscita con espansa la scala della
tensione C-E in modo da evidenziare
quanto detto.
Possiamo fissare arbitrariamen-
te che il transistor comincia ad essere
in saturazione se la corrente il 95% del valore nella regione attiva per la corrispondente IB. Cio il
secondo termine della [7.1-66] deve essere al massimo il 5% del primo. Allora
T
BC
T
BE

V
V
V
V
R e e 05 . 0

dalla quale si ricava, nella zona con h =1:
VCE = VCESat = -VT ln (0.05aR), [7.1-67]
che assumendo un aR di 0.4 per il Ge e .1 per Si si ha, a temperatura ambiente, VCESat(Ge) = 100
mV e VCESat(Si) = 140 mV. Il valore calcolato ben d'accordo con i valori tipici dei transistors, se si
tiene conto dellapprossimazione su h, per il Si. I tal caso il valore tipico e di 200 mV.
7.1.7 Limiti di tensioni
Quando si parlato dei diodi si visto che non si possono applicare tensioni inverse grandi a
piacere, altrimenti il dispositivo va in rottura. Anche per le giunzioni del BJT qualcosa di simile si
ha, anche se, per effetto delle propriet amplificatrici del transistor le cose si complicano un po.

Caratteristica duscita
Emetti tore
Comune
IC (mA)
V
CE
( V)

-0.1 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5
- 2
- 1
0
1
2
3
4
5
I
B
= 40
m
A
I
B
= 30
m
A
I
B
= 20 mA
I
B
= 10
m
A
I
B
= 0
m
A
I
B
= 50
m
A

Fig.7.1-22
Transistor bipolari a giunzione 265
7.1.7.1 La tensione di rottura a base comune.
Cominciamo ad esaminare quello che avviene della ICB0 al variare della VCB. Poich
lemettitore aperto la giunzione B-C si comporta come un qualunque diodo polarizzato inversa-
mente. Se la tensione sale troppo si va in rottura. Sia BVCB0 la tensione che produce tale rottura.
Ricordiamo quanto detto nel 6.1.9 a proposito del coefficiente di moltiplicazione. Vale anche per
la BVCB0 una espressione del tipo [6.1-43]che riscriviamo adattata ai transistor come
.
) BV V ( 1
1
M
c
0 CB CB
[7.1-68]
Se lemettitore non aperto
scorre una corrente IE e quindi una IC
= aFIE. Nelle vicinanze della tensione
di rottura BVCB0 questa corrente viene
moltiplicata per il coefficiente di mol-
tiplicazione M nella zona di svuota-
mento. Allora come se il transistor
avesse un coefficiente di amplifica-
zione di corrente aF maggiore e cio
aF(VCB) = MaF [7.1-69]
Ci spiega linnalzamento delle carat-
teristiche alle tensioni vicine a quella
di rottura. La Fig.7.1-23 mostra
landamento delle caratteristiche a ba-
se comune che tengono conto anche degli effetti di moltiplicazione nella regione di svuotamento.
7.1.7.2 Le tensioni di rottura ad emettitore comune.
Evidentemente se aF varia con VCB anche il bF cambia anche esso. Possiamo quindi dire
che per tensioni alte
.
M 1
M
' 1
'
'
) V ( F
) V ( F
) V ( F
) V ( F
) V ( F
BC
BC
BC
BC
BC

[7.1-70]
e la corrente IC diventa illimitata se MaF = 1. Cio ,
1
) BV V ( 1
1
M
F
c
0 CB CB

da cui 1 - aF
=1/(1 + bF) = (VCB/BVCB0)
c
e cio VCB = BVCB0(1 + bF)
-1/c
. E poich le rotture avvengono per ten-
sioni alte VCB = BVCB0(1 + bF)
-1/c
= VCE - VBE VCE. E questa tensione quella che produce rottura
se applicata fra collettore ed emettitore. Dunque
BVCE BVCB0(1 + bF)
-1/c
. [7.1-71]
Per correnti molto deboli la probabilit di ricombinazione nella base grande e aF molto
piccolo. Dunque aF cresce con IE soprattutto a basse IE, per arrivare al valore quasi unitario in re-
gione attiva.
Ricordiamo la [7.1-62] ICB0 < ICES < ICER < ICE0. Usando gli stessi pedici abbiamo:
aFCB0 < aFCES < aFCER < aFCE0,
e corrispondentemente bFCB0 < bFCES < bFCER < bFCE0. [7.1-72]
La tensione che produce la rottura a base aperta prende il nome di BVCE0 e corrisponde ad
un aF relativamente alto e quasi eguale a quello della regione attiva ed allora, per la [7.1-71]:
BVCE0 = BVCB0(1 + bFCE0)
-1/c
BVCB0(1 + bF)
-1/c
.

[7.1-73]
Per transistors con bF = 100, BVCB = (10+65)% BVCB0.
La Fig.7.1-24 mostra, per l'appunto, c