Amplificatore lineare a larga banda per VHF

Sul mercato Cinese si trovano dei kit economici per la realizzazione di amplificatori a larga banda a mosfet
per la gamma VHF. Il kit comprende il PCB a doppia faccia con fori metallizzati e tutti i componenti
necessari alla costruzione dell’ amplificatore, salvo la piastra di raffreddamento.
Il prezzo di circa 25 Euro è molto interessante, ma per avere un modulo perfettamente funzionante è
necessario apportare delle modifiche e sostituire alcuni componenti con altri più affidabili reperibili su
internet presso vari distributori .
Per realizzare un modulo amplificatore con una potenza di uscita di 100 Watt occorre prevedere una spesa
complessiva di circa 100 Euro, che sale a 120 Euro per una potenza di 300 Watt e a 150 Euro per una
potenza di uscita di 600 Watt. A queste cifre va aggiunto il costo dell’ alimentatore e della piastra di
raffreddamento necessaria a dissipare il calore prodotto dal mosfet.
In questo articolo descrivo in dettaglio la costruzione e la messa in opera di un modulo con potenza di
uscita di 300 Watt operante nel range di frequenze comprese tra 80 MHz. E 160 MHz.

Le caratteristiche sono:
Potenza di uscita masima:
100Watt con alimentazione a 28 Volts
200Watt con alimentazione a 40 Volt
350 Watt con alimentazione a 50 Vots.
Potenza di pilotaggio:
1-3 Watt per la massima potenza di uscita (in funzione della classe e della frequenza).
Rendimento:
>80% in classe C
70%-75% in classe B
50% in classe AB
Soppressione delle armoniche:
Migliore di 50 dB (misurata sulla gamma gamma 87.5-148 MHz).
Corrente massima assorbita:
< 9 Ampère per tutte le potenze e su tutta la gamma di frequenze.
R.O.S. massimo ammissibile:
65:1 alla massima potenza.
Potenza di uscita costante nell’ intervallo di frequenze 80-160 MHz.

Se costruito con i componenti indicati e provvisto di un adeguato sistema di raffreddamento il modulo è

praticamente indistruttibile, anche in caso di forte disadattamento di impedenza. È inoltre prevista una
protezione che abbassa la potenza di uscita in caso di surriscaldamento del mosfet. Quest’ ultimo è di tipo
HR, ovvero progettato per non degradarsi anche in caso di S.W.R. praticamente infinito.

Il kit dell’ amplificatore cinese contiene tutto il necessario, o quasi, senza alcuna istruzione e senza il
marcamento degli strip dei condensatori.
 Il contenuto della scatola si presenta in questo
modo. Il PCB in basso si riferisce ad un altro tipo
di amplificatore da 600 Watt, che è oggetto di
un altro articolo.
Il mosfet è di recupero, e di solito è difettoso.
I componenti più interessanti, che giustificano
pienamente il costo del kit, sono:
Il circuito stampato, in vetronite a doppia
faccia con foro metallizzato, indispensabile per
costruire un modulo amplificatore VHF e che da
solo giustifica il prezzo del kit.
I trasformatori in ferrite, con relativi tubrtti,
per realizzare l’ adattatore di impedenza d’
ingresso, comunque reperibili, anche se con
qualche difficoltà sul mercato.
I condensatori HV (quelli nella bustina)
necessari per il circuito di uscita e per il relativo
filtro passa basso.

Tutti gli altri componenti sono di facile reperibilità sul mercato (i condensatori e resistori s.m.d. lo zener, i
diodi al germanio, l’ induttanza VK200), oppure vanno sostituiti.
In particolare il potenziometro di polarizzazione del mosfet va sostituito con un trimmer multigiro, vista l’
importanza e l’ accuratezza necessaria per la taratura dello stesso, mentre i cavetti schermati (quello
bianco e quello azzurro nella foto) sono erroneamente dichiarati con impedenza rispettivamente di 25 Ohm
e di 50 Ohm, mentre in realtà sono entrambi con impedenza di 35 Ohm (almeno nel kit che ho ricevuto),
per cui, dopo aver riscontrato una risposta in frequenza folle all’ uscita, ho dovuto sostituire il cavetto
schermato del balun (quello blu) con uno con la corretta impedenza di 50 Ohm, e le cose sono andate a
posto.
Per quanto riguarda il filtro passa-basso di uscita, è molto meglio usare del filo di rame argentato con
diametro di 1 mm. Che rende molto più semplice la vita, evitando di spellare il filo alle estremità, con
risultati dubbi.

A lato la serigrafia del circuito

stampato, con i valori dei
componenti da saldare.
In realtà alcuni componenti non
saranno saldati ed altri avranno dei
valori diversi da quelli della
serigrafia per garantire un maggior
guadagno ed una maggiore
piattezza della curva di risposta in
frequenza.

Come prima cosa, prima di iniziare a saldare i componenti sulla basetta, occorre saldare la basetta stessa su
un dissipatore di rame, dello spessore minimo di 2 mm. (meglio se di 5 mm.)
Il metodo migliore che ho trovato è quello di scaldare la piastra di rame su un fornello a gas da cucina,
sovrapponendovi la basetta. Quando la piastra ha raggiunto la giusta temperatura si infila negli appositi
quattro grandi fori della basetta una quantità abbondante di stagno per saldature, in modo che si spanda
tra la basetta e la piastra di rame garantendone un diffuso contatto elettrico su tutta la superficie. Questo
garantisce una buona massa RF fra il source del mosfet, avvitato sulla piastra di rame, e il circuito della
basetta, le cui piazzole di massa superiori sono a stretto contatto con la massa dello strato di rame della
faccia inferiore dello stampato tramite le numerose apposite cuciture.

Una volta fissato lo stampato alla piastra di rame si può iniziare saldando i componenti del filtro passa
basso di uscita. I valori del numero delle spire riportati sulla serigrafia non sono corretti.

Per la simulazione. Io ho usato il programma Micro-Cap MC12 scaricabile liberamente dal sito
https://www.spectrum-soft.com/download/download.shtm
I valori dei condensatori sono quelli forniti nel kit, mentre per le induttanze occorre avvolgere tre spire di filo di rame
argentato del diametro di 1 mm. su un supporto di 8 mm. di diametro. L2 avrà le spire più serrate, mentre L1 e L3
avranno le spire un po’ più diradate.
La messa a punto del filtro è stata fatta saldando all’ uscita una resistenza di 50 Ohm e utilizzando un NanoVNA per il
rilevamento della curva di risposta in frequenza e del SWR introdotto dal filtro

Questo è il risultato, dopo aver ritoccato manualmente il distanziamento delle spire delle tre induttanze al fine di
ottenere la risposta migliore. Il risultato è ancora migliore di quello calcolato con la simulazione, mostrando a 300
MHz. un’ attenuazione di 50 dB. contro i 40 dB calcolati. La curva dà attenuazione praticamente nulla fino ad una
frequenza di 150 MHz. per poi scendere con un fronte ripido di circa 50 dB/ottava. Il SWR massimo, circa 1.5:1 si ha a
100 MHz. mentre a 145 MHz. è di circa 1:1.
A questo punto non resta che montare il resto dei componenti, tranne il mosfet, quindi, una volta
alimentato il circuito con una tensione di 28 Volts, occorre portare la tensione di polarizzazione dei gates
del mosfet (rilevabile sul secondario del trasformatore) a un valore di circa 1 Volt.
Una volta montato il mosfet, in assenza di radiofrequenza in ingresso, si deve regolare il trimmer di
polarizzazione fino ad avere un assorbimento di circa 100 mA, valore di polarizzazione intermedio tra classe
C e classe B, quindi possiamo inviare la radiofrequenza di test all’ ingresso, aumentando gradualmente la
potenza fino a circa 2 Watt, controllando che la corrente assorbita non superi mai i 5 Ampère.

Con tutti i componenti originali e con i valori indicati per le lunghezza delle linee di ritardo, il risultato è
stato sconcertante:

Il transistor originale (MRF186), con una potenza di ingresso

di 2 Watt, ha dato il risultato visibile nell’ immagine a lato:
100 Watt massimi, alla frequenza di 80 MHz., per poi
scendere a circa 15 Watt alla frequenza di 144 MHz., con una
curva tutt’ altro che piatta.
Le ragioni sono multiple e spiegabili:
Il transistor MRF186 della Motorola è di tipo “matched”,
ovvero internamente compensato con una rete di
adattamento di impedenza, che ne ottimizza le prestazioni
per frequenze comprese tra 945 MHz. e 960 MHz.
Tale transistor non è caratterizzato per frequenze più basse, e non se ne conosce l’ impedenza di ingresso né quella di
uscita nella gamma di frequenze VHF. Inoltre un cablaggio con lunghezze tipiche per un circuito operante nella gamma
VHF può facilmente dar luogo ad autooscillazioni in un transistor nato per funzionare solo nella gamma UHF. I gates
del mosfet sono bypassati a massa con una resistenza di 100 Ohm, di cui non si comprende la funzione. Le linee di
adattamento d’ impedenza hanno una lunghezza consigliata di 17 cm. In genere la lunghezza deve essere del 10%-12%
della lunghezza d’ onda della frequenza massima.
17 cm. , considerato un fattore di velocità di 0.6, equivale ad una frequenza di 300000/170*0.6*0.1=105 MHz. di
frequenza massima. Il balun inoltre non risulta avere un’ impedenza di 50 Ohm, il che porta inevitabilmente ad avere
una risposta in ampiezza non piatta in funzione della frequenza.

La cura:

Il mosfet di potenza deve essere scelto tra i transistors concepiti per funzionare nella gamma di frequenze VHF.
Per problemi di reperibilità e di prezzo, la scelta è andata alla gamma di transistors della NXP:

MRFE6VP100HR5 100W 1.8-2000 MHz. VDS 30-50 Volt

MRFE6VP6300HR 300W 1.8-600 MHz. VDS 30-50 Volt
MRFE6VP5600HR6 600W 1.8-400 MHz. VDS 30-50 Volt

Per l’ amplificatore da me costruito ho usato il secondo della lista, che alimentato a 28 Volt può dare in uscita 100
Watt, se alimentato a 40 Volt può dare 200 Watt e se alimentato a 50 Volt può superare senza problemi i 350 Watt.
Un altro fattore che mi ha orientato verso questa famiglia di semiconduttori è l’ estrema robustezza di tali dispositivi,
capaci di sopportare un disadattamento di impedenza con SWR fino a 65:1 senza danneggiarsi.
La tensione gate-source negativa, che può arrivare fino a -6 Volt, consente inoltre un pilotaggio in classe C molto
spinto, con polarizzazione VGS pari a zero Volt, con un rendimento a 100-150 MHz. che può superare il 90%.
Lo stadio di ingresso è costituito dal trasformatore originario, con rapporto spire 3:1 che si è rivelato il migliore.
È stata tolta la retedi resistenze da 100 Ohm di bypass dei gates a massa, mentre è stata aggiunta direttamente tra i
due gates una rete costituita da una resistenza da 200 Ohm in parallelo con un condensatore da 20 pF, come
suggerito in una application note della NXP relativa a questo mosfet.
Le due linee di adattamento di impedenza sui drain dei mosfet sono state sostituite con due cavetti schermati con
impedenza di 35 Ohm e lunghezza di 12 cm., mentre il balun è stato sostituito con un cavo schermato di 13 cm. Con
impedenza di 50 Ohm.Anche questo suggerito dalla suddetta application note.
È stato inoltre aggiunto un NTC da 10 KOHm sulla rete di polarizzazione dei gates, per compensare l’ aumento della
corrente di drain all’ aumento della temperatura a parità di tensione VGS.
Come ultima modifica il trimmer di polarizzazione è stato sostituito con un trimmer multigiro che permette una più
accurata regolazione della VGS e quindi della corrente a vuoto del modulo.

Questo è il risultato dopo le modifiche elencate.

Il grafico si riferisce al modulo alimentato con la stessa
tensione del modulo prima delle modifiche (28 Volt).
La potenza di ingresso indicata (-8dBm) si riferisce alla potenza
inviata al modulino preamplificatore, che fornisce una potenza
di uscita piatta nel range di frequenze preso in considerazione
di 2 Watt su 50 Ohm.
La risposta in frequenza mostra una potenza in uscita con
andamento piatto (± ½ dB.) su tutta la gamma da 80 a 160
MHz., che è il risultato atteso.

Si può notare che la frequenza di cut-off del filtro passa-basso si è spostata dai 160 MHz. rilevati analizzando la
risposta del solo filtro a circa 180 MHz. del circuito completo. In teoria, essendo il filtro costituito da soli componenti
passivi, la risposta in frequenza non dovrebbe essere funzione della potenza. In ogni caso la ripidità di taglio del filtro è
rimasta la stessa .

questo è lo schema finale del modulo descritto nell’ articolo.

I valori dei componenti sono:

MOS1 mosfet NXP MRFE6VP6300HR

C1,C2,C3,C4,C19,C20 10nF
C5,C6,C11,C12,C13,C14 100nF
C7,C8,C9,C10 100pF. 3KV.
C15,C18 12pF. 3KV.
C16,C17 33pF. 3KV.
C21 20 pF.
L1 3 spire sul nucleo di ferrite n. 1
L2 1 spira con presa centrale sul nucleo di ferrite n.1
L3 VK200
L4 1 spira sul nucleo di ferrite n. 2
L5,L6,L7 3 spire di filo argentato avvolte su un supporto con diametro di 8 mm.
R1 10 K Ohm
R2 470 Ohm
R3 3300 Ohm
R4,R5 50 Ohm
R6 200 Ohm
RV1 5 KOhm trimmer multigiro
D1,D2 diodi al germanio 1N34 (sostituibili con diodi Schottky BAT-62 o simili)
DZ1 zener 5.1 Volt ½ Watt.
NTC1 ntc 10 KOhm @25 °C. NTCALUG01T103G400
T1,T2 cavo schermato 35 Ohm SM141-35 L=12 cm.
T3 cavo schermato 50 Ohm SM141-08 L=13 cm.
Vcc 28-50 Volt max. 9 A.

Questa è la foto dell’ amplificatore in versione definitiva. Da notare l’ NTC, fissato sul case del mosfet.
Nella foto si vede la piastra di rame di 2 mm. di spessore saldata al PCB della scheda e a stretto contatto con l’ aletta di
raffreddamento in alluminio dotata di ventilatore, che si è rivelato fondamentale per tenere sotto controllo la
temperatura del mosfet.
Con una tensione di alimentazione di 28 Volt l’ assorbimento di corrente alla frequenza di test di 100 MHz. è di 4.3 A
(rendimento 83%) con corrente a riposo del mosfet di 150 mA (classe intermedia tra B e C).
Con il ventilatore acceso, dopo un’ ora di accensione su carico fittizio 50 Ohm. con SWR=1.05:1 la temperatura rilevata
sul case del mosfet è stata di 36 °C. Spegnendo il ventilatore, nelle stesse condizioni di pilotaggio e di carico, la
temperatura del mosfet, dopo 5 minuti di accensione, è salita fino a 80 °C.
Una piastra di rame di maggiore spessore potrebbe comunque contribuire ad una migliore dispersione del calore,
specialmente se il modulo è utilizzato alla massima potenza.

Il modulo preamplificatore e lo strumento utilizzato per ottenere i grafici sopra riportati sono descritti in
altri articoli reperibili sul sito.
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3

Bibliografia:
Broadband VHF/UHF. Amplifier Design Using. Coaxial Transformers. By C. G. Gentzler and S.K. Leong.
http://www.polyfet.com/hfe0503_leong.pdf
MRFE6VP6300H-87.5-108-MHz-Reference-Circuit
https://www.nxp.com/webapp/sps/download/license.jsp?colCode=MRFE6VP6300H-87.5-108-MHz-Reference-
Circuit&appType=file2&DOWNLOAD_ID=null
MRFE6VP6300HR3, MRFE6VP6300HSR3 datasheet
https://www.nxp.com/docs/en/data-sheet/MRFE6VP6300H.pdf