Scienza e Tecnologia Dei Materiali (W. F. Smith)

william f.
smith
scienza e tecnologia
dei materiali
Titolo originale: Foundationof Mazerials Science and Engineering2/e
Copyright© 1993 McGraw-Hill, Inc,
Copyright'© 1995 McGraw-HiH Libri Italia srl

Piazza Emilia, 5
2-0129Milano
I diritti dì traduzione, di riproduzione. di memorizzazione e di adattamento totale .e parziale

con qualsiasi mezzo (compresi i microfilm e le copie fotostatiche) sono riservati per tutti i paesi.
Editor: Alberto Kratter Thaler

R.edazione: Ch.iara Tartara
Programmazione editoriale: Ines Farina
Traduzione: Luca Bertolini, Roberto Chiesa, Silvia Farè
Revisione e cura: Alberto Cigada. Maria Cristina Tanzi
Composizione e fotolito; Conedit Libri Sri, Cinisello Balsamo (MI)

Grafica di copertina: Achilli & Piazza e Associati, Milano
Stampa: Centro poligrafico Milano Rozzano (Mi)
Printed ìn Italy
34567890CPMLLC90876
1a edizi.one Aprile 1995
ISBN 88-386-0709-5
INDICE
Capitolo 1
Introduzione alla scienza e tecnologia dei materiali
1.1 Materiali e tecnologia

l .2 Scienzae tecnologia dei materiali 4
1.3 Tipi di materiali 5
1.4 Competizione tra i materiali 11
1.5 Sviluppi futuri nell'impiego dei materiali 13
Riassunto 17
Definizioni 18
Capitolo 2
Struttura e legami degli atomi
2.1 Struttura degli atomi 19

2.2 Numeri atomici e masse atomiche 20
2.3 Struttura elettronica degli atomi 22
2.4 Tipi di legami atomici e molecolari 34
2.5 Legame ionico 35
2.6 Legame covalente 41
2.7 Legame met.allico 48
2.8 Legami secondari 52
2.9 Legami misti 55
Riassunto 57
Definizioni 58
VI Indice
cCapìtolo 3
Struttura e geometria cristallina
3.1 Reticolo spaziale e celle elementari 61

3.2 Sistemi cristallini e reticoli di Bravais 62
3.3 Principali strutture cristalline metalliche 64
3.4 Posizione degli' atomi nelle celle elementari cubiche 71
3.5 Direzioni nelle celle elementari cubiche 72
3.6 Piani nelle celle elementari cubiche 75
3.7 Piani e direzioni nelle celle elementari esagonali 78
3.8 Confronto tra strutture cristalline ·cFC, EC e CCC 80
3.9 Densità volumetrica, planare e lineare 83
3. JO Polimorfismo o allotropia 85
3.11 Analisi della struttura cristallina 86
Riassunto 96
Definizioni 97
::Capitolo 4
Solidificazione, difetti cristallini e diffusione nei solidi
4.1 Solidificazione dei metalli 99

4.2 Solidificazione dei monocristalli 109
4.3 Soluzioni solide metalliche 112
4.4 Difetti cristallini ll5
4.5 Velocità dei processi nei solidi 127
4.6 Diffusione atomica nei solidi 133
4.7 Applicazìoni industriali dei processi di diffusione 140
4.8 Effetto de1la temperatura sulla dìffusione dei solidi 144
,, Riassunto 147
Definizioni
,. 149
,,Capitolo 5
Deformazione plastica, ricupero e riscristaUizzazione
5.1 Defonnazione plastica dei metalli monocristallini 153

5.2 Deformazione plastica dei metalli policristallini 166
5.3 Rafforzamento dei metaìli per soluzione solida 169
5.4 Ricupero e ricristallizzazione nei metalli deformati 170
Riassunto 175
Definizioni 176
VII Indice
:,Capitolo 6
Lavorazioni e proprietà meccaniche dei metalli
6.1 Lavorazioni industriali dei metalli 177

6.2 Sforzi e deformazioni nei metalli 189
6.3 Prova di trazione e diagramma sforzo-deformazione 193
6.4 Durezza e prove di durezza 206
6.5 Rottura dei metalli 208
6.6 Fatica dei metalli 216
6.7 Velocità dì propagazione delle cricche di fatica 223
6.8 Creep e creep~rottura dei metalli 228
6.9 Uso del parametro di Larsen-Miller 232
Riassunto 235
Definizioni 235
___________________________
- I Capitolo 7
Diagrammi di stato
_...
7.1 Diagrammi di stato di sostanze pure 240

7.2 Regola delle fasi dì Gibbs 241
7.3 Leghe binarie isomorfe 243
7.4 Regola della leva 245
7.5 Soììdificazione delJe leghe in condizioni non di equilibrio 248
7.6 · Leghe binarie eutettiche 25]
7.7 Leghe binarie peritettiche 257
7.8 Sistemi binari rnonotettici 262
7.9 Trasformazioni invarianti 263
7.10 Diagrammi di stato con fasi e composti intermedi 264
7.11 Diagrammi di stato ternari 267
Riassunto 269
Definizioni 271
Capitolo8
Materiali metallici
8. I Produzione della ghisa e dell'acciaio 273

8.2 Diagramma di stato ferro-carburo di ferro 277
8.3 Trattamenti termici degli acciai al carbonio 285
8.4 Acciai basso legati 306
VIII Indice
8.5 Leghe di aHuminio 315

8.6 Leghe di rame I 333
8.7 Acciai inossida.bili 339
8.8 Ghise 344
8.9 Leghe di magnesro, titanio e nichel 352
Riassunto 357
Definizioni 359
Capitolo 9
Materiali polimerici
9.1 Introduzione 361

9.2 Reazioni di polimerizzazione 364
9.3 Metodi industria1i di polimeri7.zazione 374
9.4 Cristallinità e stereoisomerismo in alcunì termoplastici 377
9.5 Lavorazione dei materiali polimerici 383
9.6 Materiali termoplastici per uso generale 390
9.7 Tecnopolimeri 406
9.8 Materiali polimerici termoindurenti 418
9.9 Elastomerì 428
9.10 Deformazione e irrigidimento dei materiali polimerici 436
9.11 Creep e frattura dei materiali polimerici 443
Riassunto 447
Definizioni 451
..__c_a_p-ìt_o_10_1_0_.
_______________________
..,Materiali ceramici I·
......
_

10.2 Strutture cristalline ceramiche semplici 457
I 0.3 Struttura dei silicati 467
l 0.4 Lavorazione dei materiali ceramìci 471
10.5 Materiali ceramici tradizionali e avanzati 479
10.6 Proprietà elettriche dei materiali ceramici 485
1O.7 Proprietà meccaniche dei materiali ceramici 496
l 0.8 Proprietà termiche dei materiali ceramici 502
10.9 Vetri 507
Riassunto 518
Definizioni 519
IX Indice
Capitolo 11
Materiali compositi

11.2 Fibre per materiali compositi a matrice polimerica 524
1 1.3 Materiali compositi polimerici rinfozati con fibre 532
11.4 Processi di fabbricazione in stampo aperto 540
11.5 Processi di fabbricazione in stampo chiuso 545
11..6 Calcestruzzo 547
11.7 Asfalto e miscele dì asfalto 557
11.8 Legno - 559
11.9 Strutture a sandwÌch 568
11.10 Compositi a matrice metallica e a matrice ceramica 570
Riassunto 574
Definizioni 575
Capitolo 12
Corrosione e protezione dei materiali
12.1 Generalità 579

12.2 Corrosione elettrochimica dei metalli 580
12.3 Celle galvaniche 584
12.4 Velocità di corrosione (cinetica) 596
12.5 Fom1e di corrosione 604
12.6 Ossidazione dei metalli 619
12.7 Protezione dalla corrosione 624
Riassunto 631
Definizioni 631
Capitolo 13
Proprietà elettriche e materiali per l'elettronica
13. l Conduzione elettrica nei metalli 633

13.2 Model]o delle bande dì energia per la conduzione 643
13.3 Semiconduttori intrinseci 645
13.4 Semiconduttori estrinseci 653
13.5 Dispositivi semiconduttori 662
13.6 Microelettronica 670
13.7 Composti semiconduttori 682
X Indice
Riassunto 684
Definizioni 685
Capitolo 14
Proprietà ottiche e materiali superconduttori

14.2 Luce e spettro elettromagnetico 691
14.3 Rifrazione della luce 692
14.4 Assorbimento, trasmissione e ritleqsione della luce 694
14.5/Luminescenza 698
14.6-Emissione stimolata di radiazioni e laser 701
14.7 Fibre ottiche 706
14.8 Materiali superconduttori 710
Definizioni 718
Capitolo 15
Proprietà magnetiche e materiali magnetici
15.l Campi e grandezze magnetiche 722

15.2 Tipi di magnetismo 'J26
l 5.3 Effetto della temperatura sul ferromagnetismo 730
15.4 Domini f eromagnetki 730
15.5 Tipi di energia e struttura dei domini ferromagnetici 733
15.6 Magnetizzazione e smagnetizzazione 738
15.7 Materiali magnetici dolci 739
15.8 Materiali magnetici permanenti 747
15.9 Ferriti 755
" Riassunto ,. 760
Definizioni 762
Appendici
I. Proprietà di alcuni elementi 767

IL Raggi ionici degli elementi 769
III. Grandezze fisiche e loro unità di misura 771
IV. Corrispondenza tra durezze e proprietà meccaniche 773
V. Bibliografia 775
P-REFAZIONE
ALL'EDIZIONEITALIANA
Scopo dì questo libro è offrire un testo moderno per il corso dì base di Scienza e
tecnologia dei materiali, particolarmente adatto per i primi anni dei corsi
universitari, come base per studi successivi più approfonditi. o nel caso in cui io
studio dei materìali deve essere esaurito in un unico corso.
Partendo dalla struttura atomica della materia, il testo offre una completa
panoramica delle principaìi classi di materiali utilizzati oggi e nel prossimo
futuro, senza limitarsi alle classi tradizionali: materiali metallici, polimeri.
ceramici e compositi, ma esaminandone anche le proprietà elettriche, ottiche e
magnetiche, nonché i materiali per J'eìettronica, i superconduttori ed i materiali
magnetici. Ampio spazio è dato inoltre alle tecnologie di lavorazione.
Mediante la lettura di questo libro. il lettore studente dovrebbe raggiungere
agevolmente i seguenti risultati:
1. Conoscere i differenti tipi di materiali industrialmente utilizzati ed avere
alcune conoscenze di base sulla loro lavorazione.
2. Avere una conoscenza di base della struttura delle varie classi di materiali e
capire la correlazione tra struttura e proprietà degli stessi.
3. Essere in grado, almeno preliminarmente, di sciegliere il materiale più adatto
per una specifica applicazione.
4. Avere indicazioni di base su dove e come trovare ulteriori approfondimenti.
Per raggiungere gli obiettivi sopracitati l'autore ha fatto un notevole sforzo
per riuscire a corredare il testo di molte figure e fotografie, a documentazione di
quanto trattato nel testo.
Xli Prefazioneall'edizione italiana
Nella traduzione italiana ci siamo attenuti in modo sostanzialmente

rigoroso al t.esto originale, limit.andoci a riorganizzare i, Capitoli 5 e 6 e a
posporre il capitolo sui materiali polimerici a quello sui ma;teriali metallici.
La principale variazione è consistita nell'estrarre dal testo gli Esercizi con
svolgimento guidato (nel testo originale inseriti all'interno dei vari capitoli), ed i
Problemi (originariamente posti al termine dì ogni capitolo). Nella versione
italiana essi sono stati raccolti in un Eserciziario pubblicato a parte, non certo
per sminuirne l'importanza, ma per l'eccessiva dimensione che avrebbe assunto
un unico volume. È anzi assolutamente consigliabile che soprattutto gli Esercizi
vengano svolti in parallelo con la lettura del testo, poiché essi rappresentano un
sicuro ausilio ana comprensione. Per questo motivo l'indicazione del momento
più opportuno per lo svolgimento dei varresercizi, è stata lasciata nel volume del
testo, in modo che il rimando all'Eserciziario fosse sel)1pre puntuale e preciso.
Alberto Cigada
Maria Cristina Ta,z=i
USO DELL'ESERCIZIARIO
Nel testo sono stati opportunamente inseriti i riferimenti agli Esercizi guidati,
raccolti in un volume a parte. Per una miglior comprensione si raccomanda
di risolvere gli Esercizi con svolgimento guidato contestualmente alla lettura
del testo.
Potranno viceversa essere realizzati in un secondo momento alcuni dei molti
Problemi, sempre contenuti nell'Eserciziario, per la maggior parte dei quali è
anche riportato il risultato.
INTRODUZIONEALLA
SCIENZA E TECNOLOGIA
DEI MATERIALI
1.1 MATERIALI E TECNOLOGIA
I materiali sono le sostanze con cui sono composti o realizzati gli oggetti che ci
circondano. Fin dagli inizì della civilizzazione la conoscenza e l'uso dei
materiali, unitamente a quello dell'energia. ha rappresentato lo strumento più
importante per migliorare la qualità della vita. I materiali sono ovunque intorno
a noi, poiché con essi sono realizzati tutti i prodotti che utilizziamo. Nella nostra
vita incontriamo quotidianamente materìalì come il legno, il cemento, i mattoni.
l'acciaio, la plastica, il vetro, la gomma, l'alluminio, il rame e la carta. Ci sono
tuttavia anche molti altri tipi di materiali e basta dar1t uno sguardo attorno per
accorgersene. Inoltre, nuovi materiali vengono continuamente realizzati in
seguito ad una costante ricerca e sviluppo in atto in ,questo settore.
La produzione e la lavorazione. dei materiali fino all'ottenimento di
prodotti finiti rappresentano un ampio settore della nostra economia. I
progettisti progettano la maggior parte dei prodotti dell'industria manifattu-
riera, nonché i cicli di lavorazione richiesti per la loro produzione; poiché la
realizzazione dei vari prodotti richiede l'impiego di materiali, i progettisti
2 Capitolo 1
FIGURA1.1 l materiali giocanounruoloimportante nellatecnologia

moderna avanzata.
Peresempio,le
temperaturechesi prevede
saranno raggiuntedallastruttura
detl'aereospaziale
ipersonico
X-30sonomolto
superiori
alletemperature
dì1usione delleattualisuperleghe.Il successo
delprogetto
dell'aereo
spaziale
dipenderàdallosviluppodi nuovimateriali
in gradodì sopportare temperature
estremamente [Da
elevate.
AvialionWeek, Mar.7, 1988,p.4(1J.
devono essere a conoscenza della struttura interna e delle proprietà dei diversi
materiali. in modo da poter scegliere il materiale più adatto per ogni
applicazione e sviluppare il miglior ciclo di produzione.
Coloro che si occupano di ricerca e sviluppo dei materiali si pongono
l'obiettivo di creare nuovi materiali o modificare le proprietà di quelli esistenti,
mentre i progettisti usano materiali tradizionali, modificati o innovativi al fine
di progettare e realizzare nuovi prodotti e sistemi. A volte però la situazione è
opposta: sono i progettisti ad avere un problema che richiede lo sviluppo di un
nuo:'.o materiale da parte di coloro che si occupano della ricerca. Per esempio, i
progettisti che progettano un mezzo di trasporto ipersonico c0me l'X30 (Figura
1.1) necessitano di un materiale avanzato capace di sopportare temperature fino
a 1800°C, conseguenti al raggiungimento dì velocità comprese fra 12 e 25
Mach 1• Sono in corso ricerche volte allo sviluppo di materiali compositi con
matrice metallica in titanio e altri tipi_ di compositi refrattari per questa
applicazione. Vengono inoltre_ studiati alluminuri dì titanio ed altri tipi di
composti intermetallici refrattari che potrebbero essere impiegati per la
costruzione di aerei ipersonici. Un altro esempio di sfida per coloro che si
occupano di materiali è rappresentato dalla stazione spaziale. permanente
1 Una lega metallicaè una combinazionedi due o più metalli o di un metallo (più metalli)
Introduzione alla scienza e tecnologiadei materiali 3
(a)
Elementodi laminazione
e riscaldamemo
Elemen10
(C) strutturale
continuo
FIGURA 1.2 (a)Ipotesidìconfigurazione

dellastazione
spazialepermanenteconuomini a bordoelaborata
daMartinMarietta.
!DaJournafotMetals,40(5):12(1988)].
(b} e (e) Unaproposta
consistenelcostruire
la
struttura
dellastazione
mediante
travature
e condotti in orbitaconcompositi
fabbricati termoplastici
avanzati,
realizzali
medìante di poltrusione.
processo [DaModemPlastics, August1988,p.102].
(Figura L2a); una proposta prevede la costruzione della struttura principale

della stazione spaziale mediante la produzione in orbita di travature e condotti
realizzati con materiali compositi a base di polieteroammine e polietereter~
chetone (Figura l.2b e e).
La ricerca di nuovi materiali prosegue in continuazione. Per esempio, gli
ingegneri meccanici richiedono materiali che resistano a temperature sempre più
4 Capitolo 1
elevate, in modo che i motori a getto possano operare più efficientemente; gli
ingegneri elettronici richiedono nuovi 1materiali tali cke le apparecchiature
elettroniche possano operare più velocemente ed a più .alte temperature; gli
ingegneri aerospaziali richiedono materiali con maggior rapporto resistenza/
peso per aerei e veicoli spaziali; gli ingegneri chimici sono interessati a materiali
più resistenti alla corrosione.
Questi sono solo alcuni esempi del tipo dì richieste di materiali nuovi e
migliori per le varie applicazioni. In molti casi poi, ciò che era impossibile ieri è
una realtà oggi!
Appare quindi chiaro che gli ingegneri e progettisti che operano in tutte le
discipline dovrebbero avere adeguate conoscenze relative sia alle caratteristiche
di base dei materiali, sia alle loro possibili applicazioni, in modo da poter
svolgere il loro lavoro più efficacemente nel momento jn cui lì utilizzano.Questo
libro si pone l'obiettivo di fornire le indicazioni di base per poter acquisire una
prima conoscenza sulla struttura interna, sulle proprietà, sulle tecniche di
lavorazione e sulle principali applicazioni dei materiali di interesse tecnologico.
A causa della grandissima mole di informazioni oggi disponibili sulla scienza e
sulla tecnologia dei materiali e degli inevitabili limiti di questo libro, è stato
tuttavia necessario selezionare e limitare la trattazione agH argomenti principali.
1.2 SCIENZA E TECNOLOGIA DEI MATERIALI
La scienza dei materiali riguarda in primo luogo la conoscenza di base della

struttura interna, delJe proprietà e dei metodi di lavorazione dei materiali; la
tecnologia dei materiali riguarda invece l'uso della conoscenza di base e
applicata dei materiali al fine di convertirli nei prodotti necessari o auspicati
dalla società. Il nome scienza e tecnologia dei m.ateriali com bina sia la scienza dei
materiali sia la tecnologia dei materiali ed è l'argomento di questo libro. Nello
spettro. della conoscenza dei materiali, la scienza dei materiali si colloca
all'estremo relativo alle conoscenze di base, mentre la tecnologia dei materiali è
FIGURA 1.3 Spettro della

conoscenza deimateriali. Scienzadei materiali Scienzae tecnologiadei materiali Tecnologiadei materiali
L'usodellaconoscenza dei
materiali
derivantedalla
scienza
deimateriali
e dalla Conoscenza Conoscenzarisultante
Conoscenza
di struttura,
proprietà,
tecnologiadeimateriali, di base lavorazionie comportamento applicata
dei materiali dei materiali
ai progettisti
consente di dei materialiingegneristici
i materiali
convertire nei
prodotti
richiesti
dalla
società.
lntroduzìo.nealla scienza e tecnologia dei materiali 5
FIGURA 1.4 Lafigura

illustracomela scienza
e tecnologia
deimateriali
formiunpontedi
conoscenza tra le scienze
di basee le discipline
ingegneristiche.IPer
concessione dellaNational
Academy ot Science].
posizionata all'estremo relativo alle conoscenze applicate. ma non vi è una netta

linea di demarcazione fra le due {Figura 1.3).
Nel diagramma ad anelli di Figura 1.4 è indicata la relazione fra le scienze
di base {neÌiequali è compresa la matematica). la scienza e tecnologia dei
materiali e le altre disciplìne ingegneristiche. Le scienze di base sono collocate
nel primo anello al centro del diagramma, mentre le varie discipline
ineee.neristiche (meccanica, elettrica, civile, chimica. ecc.) sono collocate nei
te;z; anello pìù esterno; le scienze applicate, metallurgia, ceramurgia e scienza
dei polimeri, sono collocate nelrancllo intermedio: la scienza e tecnologia dei
materiali consente di creare un ponte tra le scienze di base e le discipline
ingegneristiche.
1.3 TIPI DI MATERIALI
I materiali di interesse tecnologico sono normalmente suddivisi in tre classi

principali: materiali metallici, materiali polimerici (niaterie plastiche) e materiali
ceramici. In questo capitolo opereremo una distinzione di tali materiali sulla
base di alcune fra le loro più importanti proprietà meccaniche, elettriche e
fisiche: in capitoH successivi ne studieremo in dettaglio le dìff erenze di struttura
interna. In aggiunta alle tre principali classi di materiali considereremo, per via
-------------
-----------·-------,.
6 Capitolo 1
della loro grande importanza tecnologica, altri due tipi di materiali: i materiali
compositi ed i materiali per l'elettronica. ,
Materiali metallici I materiali metallici sono sostanze inorganiche composte da uno o più elementi
metallici, che possono però anche con.tenere a]cuni elementi non metallici.
Esempi di elementi metallici sono il ferro, il rame, l'alluminio, il nichel e H
titanio; i tipici elementi non metallici che possono essere contenuti sono il
carbonio, l'azoto e l'ossigeno. I materiali metallici hanno una struttura
cristallìna in cui gli atomi sono disposti in modo regolare nello spazio. I
metalli in genere sono buoni conduttori termici ed elettrici. Molti metalli sono
relativa.mente resistenti alle sollecitazioni meccaniche, ma sono anche duttili a
temper1Hura ambiente; molti mantengono ·una buona resistenza anche ad alta
temperatura. 1
I metalli e le leghe1 vengono comunemente divisi in due classi: metalli e
leghe ferrose che contengono una grande percentuale di ferro, come gli acciai e
1
Unà lega metallica è una combinazione di due o più metalli o dì un metallo (più metalli)
ed un non metallo (pìu non metalli).
FIGURA 1!5 Il motore per

aereoa turbinamostrato
(PW2037) è realizzato
prìncipalmente conleghe
metallìche. Si sonoutilizzate
superleghe di nicheladalta
resistenza meccanica, in
gradodì resistere allepiù
a.Iletemperature. Il motore è
dotatodi unnuovosistema
di controllo elettronico
digitaleallostatosolidoche
nonrichiede frequenti
regolazioni daparte
dell'equipaggio; unpiù
efficace sistema di
rattreddamento migliora
anche l'efficienzaed il
consumo dì carburante.
Motoridi questo tiposono
in continua evoluzione sulla
basedi un intensivo
programma di ricerca e
sviluppo. [Perconcessione
dellaPrattandWithney Ca.].
Introduzione alla scienza e tecnologia dei materiali ··7
20 Compositia matricemetallica
Carbonio/carbonio
Compositia matriceceramica~
fi 15
Monocris
Superleghe Compositipolimerici
6
·;::i solidificateunidirez.ionalmen
~ IO Fusione Ti ·
[ sotto
_g Superleghe
FIGURA 1.6 Materiali e
processiproduttivi
sono
a 5
E:
,:,
statiassociati
negliultimi oc
anniall'aumentodelle o.__________ ......
..__
___ _.______ __,
prestazioni
deimotoria 1950 1960 1950 1980 2000
Anno
turbinaa gas.IDaAdv.Mat
& Proc.,133(1):88(1988)].
le ghise, e metalli e leghe non ferrose che non contengono ferro, oppure ne
contengono solo una piccola quantità. Esempi di metalli non ferrosi sono
l'alluminio, il rame, io zinco, il titanio e il nichel.
In Figura 1.5 è mostrata la fotografia del motore di un aereo commerciale
costruito principalmente con leghe metalliche. Le leghe metalliche usate nelle
parti interne di questo motore devono essere in grado di sopportare le alte
temperature e pressioni generate durante il suo funzionamento: per realizzare
FIGURA 1.7 la pi. ''l,

delcircuitostampato-iQ/I·
edi connettori quimostrati
sonorealizzati con
il polimerotermoplastica,
il polieterelerchelone,
perunirela necessaria
resistenzaadalta
temperatura al requisiti
di stabilità
dimensionale
e perassicurare l'integrità
delmateriale durante
le operazionidi saldatura.
[Perconcessione dellaICI
AmericasJ.
8 Capitolo 1
questo tipo di motore, dotato di prestazioni avanzate, sono stati necessari molti
anni di lavoro di ricerca e sviluppo da parte di ricercatori, ingegneri e progettisti.
La Figura 1.6 mostra come nel corso degli ultimi anni i .materiali e il loro
processo produttivo siano stati associati a una più efficiente propulsione dei
motori a turbina a gas; nel futuro, l'uso di materiali compositi a matrice metallica
e a matrice ceramica potrà portare ad ulteriori miglioramenti dj prestazioni.
Materiali La maggior parte dei materiali polimerici sono costituiti da lunghe catene o
polimerici reticoli di molecole organiche (contenenti carbonio}. La loro struttura spaziale è
(materie plastiche) in genere non cristallina, sebbene alcuni polimeri siano costituiti da parti
cristalline associate a parti non cristalline. La resistenza meccanica e la duttilità
dei materiali polimerici variano notevolniente da un materiale ad un altro. A
Rotore
della turbina
Valvole
Camera di
combustione
Testata
Testadel pistone
Parete del cilìndro
(a) (b)
FIGURA 1.8 (a)Esempi di nuovimateriali ceramiciavanzàti.

I pezzinerisonovalvolepermotori,insertidi battuta
di valvolee pernidi
pistonirealizzati
connitrurodi silicio;il pezzo
biancoè.uncollettore
ceramico [Perconcessione
in allumina. dellaNorton/TWR Ce1amics].
(b)
Potenziali
applicazioni
di componenti ceramici
in unmotoreturbodiesel.{DaMetals andMaterials,
December 19BSJ.
Introduzione alla scienza e tecnologia dei materiali 9
FIGURA 1.9
I compositì conmatrice in
polifenilensolfuro(PPS)
rinforzati
confibradi vetro
(20%di fibretagHate o 40%
di fibrea filo continuo)
hannobuona resistenza agli
agentìcorrosivi tipicidei
pozzipelroliferi.Quisono
mostrate provedi campo su
raccordipressofusi in PPS,
adaltaresistenza e
termicamente stabilL{Per
concessione dellaPhillips
66 Co.].
causa della loro struttura interna, i materiali polimerici sono in genere cattivi
conduttori di elettricità, anzi, alcuni di questi materiali sono buoni isolanti e
vengono utilizzati per applicazioni dì isolamento elettrico (Figura 1.7). In
generale i materiali polimerici hanno bassa densità e bassa temperatura di
rammollimento e decomposizione.
Materiali ceramici I materiali ceramici sono materiali inorganici costituiti da elementi metaHici e non
metallici legati chimicamente fra loro. I materiali ceramici possono essere
cristallini, non c1istallini o parzialmente cristallini e parzialmente non cristallini
contemporaneamente. La maggior parte dei materiali ceramici possiede alta
durezza, resistenza ad alta temperatura, ma tende ad essere fragile. Recentemente
sono stati sviluppati nuovi materiali ceramici per applicazioni motoristiche (Figura
1.8) dotati di basso peso specifico, alta resistenza meccanica e durezza, buona
resistenza al calore e all'usura, ridotto coefficiente di attrito e capacità isolanti.
Le proprietà isolanti di molti ceramici, ìnsieme alla resistenza al calore e
al.l'usura, li rendono adatti per il rivestimento dì fi.frni ad al.ta temperatura per
metalli fusi, come l'acciaio. Un'altra applicazione elle fa ben capire come spesso
solo l'uso di' materiali ceramici possa consentire il superamento di
problematiche molto complesse altrimenti da risolvere è rappresentata dall.e
tegole di rivestimento della navicella spaziale space-shuttle, che proteggono
termicamente la struttura interna di alluminio durante le fasi di uscita e rientro
nell'atmosfera terrestre (Figure 10.50-10.51).
1O Capitolo 1
FIGURA1.10 Un
microprocessore, che I
è l'unitàcentrai~di
elaborazione di un
microcomputer, mostrato
doporimozione di parte
dell'involucropermostrare
il chipdi silicio;i contatti
sottol'involucro servono
perconnetterlo al circuito
esterno (ingrandimento
0,5x ). [Perconcessione
dellalntelCorporation].
FIGURA 1.11 I materiali

perl'elettronica
giocanounruolo1ondamentale
nellacostruzionedi robot
sonoquimostrali
computerizzati; quattrorobotmentre
saldano,
conaltaqualità
strutturale
e economia dì
produzione, fPerconcessione
unaautomobile. dellaGenerai
MotorsCo.J.
Materiali materiali compositi sono formati dall'unione di due o pm materiali. La

compositi maggior parte dei materiali compositi consiste di un riempitivo dì rinforzo e di
una matrice polimerica con esso compatibile, legati fra loro in modo da ottenere
caratteristiche particolari e proprietà utili _per l'applicazione richiesta. Va
sottolineato che normalmente i componenti non si disciolgono l'uno nell'altro e
può essere fisicamente individuata un'interfaccia fra i due. I compositi possono
essere di vari tipi: i più diffusi sono di tipo fibros.o (fibre annegate in una
matrice) e di tipo particolato (particelle annegate in una matrice); esistono
comunque molte diverse combinazioni di rinforzi e matrici. Due importanti tipi
di materiali compositi avanzati usati per applicazioni tecnologiche, sono quelli
costituiti da fibre di vetro in una matrice di resina poliestere o epossidica e da
Introduzione alla scienza e tecnologia dei materiali i1
fibre di carbonio in una matrice di resina epossidica. La Figura 1.16 mostra le

parti delle ali e dei motori del nuovo aeroplano militare da trasporto Cl 7 che
verranno in futuro realizzate con materiali compositi a base di fibra di carbonio
in matrice epossidica. Un altro esempio di uso di compositi è relativo ai raccordi
di polifenilensolfuro rinforzato con vetro (PPS) per pozzi petroliferi, che
sfruttano l'eccellente resistenza aHa corrosione di questo materiale (Figura 1.9).
Materiali I materiali per l'elettronica non sono sicuramente tra i più rilevanti per quanto
per l'elettronica riguarda il volume di produzione, ma sono estremamente importanti in
relazione alle tecnologie più avanzate. Il più importante materiale per
l'elettronica è il silicio puro; che viene opportunamente trattato per modificarne
le caratteristiche elettriche; un numero estremamente elevato di complessi
circuiti elettronici può essere miniaturizzato in un chip di silicio che· ha
dimensioni dì circa 0,6 cm2 (Figura 1.10). I componenti microelettronici hanno
permesso la realizzazione di prodotti estremamente innovativi, quali satelliti per
telecomunicazioni, computer avanzati, calcolatrici portatili, orologi digitali e
sistemi robotizzati di saldatura (Figura 1.11).
1.4 COMPETIZIONE TRA I MATERIALI
Esiste una continua competizione tra i vari tipi di materiali. sia relativa alle
applicazioni tradizionali. sia a quelle innovative. Con il passare del tempo si
verificano molli fattori che rendono possibile la sostituzione di un materiale con
un altro per una certa applicazione. Certamente il costo é uno dei fattori
principali: se una modifica produttiva fa diminuire sostanzialinente il costo di
un materiale. questo può rimpiazzarne altri in determinate applicazioni. Un
altro fattore che può causare il rimpiazzo di un materiale in uso, è lo sviluppo dì
un nuovo materiale con proprietà specifiche per una particolare applicazione.
Appare perciò chiaro come l'impiego dei diversi materiali sia in continua
evoluzione.
La Figura 1.12 mostra graficamente come la produzione, espressa in peso.
di sei materiali si sia modificata negli Stati Uniti nel nostro secolo. L'al1uminio
ed i polimeri mostrano un rilevante incremento di produzione a partire dal 1930;
l'aumento risulta ancora maggiore se viene valutato in termini di volume, visto
che alluminio e polimeri sono materiali leggeri.
La competizione tra i materiali è evidente anche esaminando la tipica
composizione di un'auto americana. Nel 1978 l'auto~obile media americana
pesava 1800kg ed era realizzata per il 60% circa di acciaio e ghisa, per il l 0-20%
di materie plastiche e per il 3-5% di alluminio; nel 1985 rautomobile pesava in
media 1400 kg ed era realizzata per il 50-60% di acciaio e ghisa, per il 10-20% di
materie plastiche e per il 5-10% di alluminio (Figura 1.13). Pertanto. nel periodo
12 Capitolo 1
1012
Legno •
Rpme
1910 1930 1950 1970 1990
Anno
FIGURA 1.12 Competizione

trai seiprinclpa!i
materiali negliStatiUniti,in terminìdi peso.Èevidente
prodotti
Hrapidoaumento
dellaproduzione
di alluminio
e polimeri
(materie
plastiche).
1978·1985 la percentuale di acciaio è diminuita, quella di alluminio aumentata e

quella di materie plastiche rimasta circa costante. Per quanto riguarda le
automobili prodotte in America, nel 1990 è previsto un peso medio di 1130 kg e.
secondo alcuni analisti, la percentuale di materie plastiche d&vrebbe essere del
30% in peso. Altre previsioni realizzate nel 1988 e proiettate fino al 2000
ipotizzano una ulteriore diminuzione nell'impiego di acciaio ed un moderato
aumento nell'uso delle materie plastiche {Figura L14).
Alcune soluzioni sono ottenibili solo e-Onl'uso di specifici materiali, a volte
anche relativamente costosi. ad esempio le proprietà, in termini di temperature e
so]lecitazìoni da sopportare, richieste ai materiali con cui si realizza un moderno
motore a reazione (Figura 1.5) possono essere garantite solo da costose
superleghe di nichel per alta temperatura e fino ad oggi non sono stati indivi-
duati materiali economici adatti per sostituirle. Il rimpiazzo di un materiale con
un altro potrà comunque avvenire in futuro, se verranno prodotti nuovi
materiali e saranno sviluppati nuovi processi produttivi adatti allo scopo.
Introduzionealla scienza e tecnologia dei materiali 13
Altri Legheferrose50-609t
/ 05-20% HSLAl
I
1500 kg
Tipica auto del 1985
FIGURA 1.13 Rìpartizione percentualein pesodeiprìncìpaH materiali

usatiin unatipicaautomobile
prodotta
negliStatiUnitinel1985,Alcuneprevisioni latteneldecenniopassatosonorisultateerrateperché
sonostaticommessi errorinelvalutare
gli effettidìdiminuzionedi dim~nsìoni,
aerodinamica edadozionedel
controllo
elettronico
dellefunzionidelmotore. [DaJ. C.Bittence, Mater.Eng.,October1984,p.SEf].
1000
i 750
;i.
:;:)
500
FIGURA 1.14 Previsioni :-_i

relative
all'impiego
dei - :?.50
materiali
neHe automobili i
prodottenegljStatiUnitìnel
1992 2000
1992e nel2000.[DaJ. G.
Simon, Adv.Mal.& Proc .. Modello dell'anno
133:63(1988)].
1.5 SVILUPPI FUTURI NELL'IMPIEGO DEI MATERIALI
Materiali metallici Si prevede che la produzione negli Stati Uniti dei materiali metallici di impiego
più tradizionale, quali ferro, acciaio, alluminio, rame, zinco e magnesio segua
strettamente l'andamento dell'economia; è tuttavia prevedibile che ]e leghe
14 Capitolo 1
esistenti possano essere perfezionate attraverso miglioramenti della composi-

zione chimica, del controllo della purezza e delle tecniche1produttive.
È ad esempio in atto una continua ricerca di nuove e P.iùevolute leghe per
impieghi aerospaziali, come le superleghe di nichel per alta temperatura, che
abbiano più elevata resistenza meccanica ad alta temperatura e alla corrosione.
L'utilizzo di queste leghe per la realizzazione dì motori a reazione può
consentire un aumento delrefficienza attraverso un incremento della
temperatura di esercizio. Nuovi processi di produzione, come la pressatura
isostatica a caldo e la forgia tura isotermica possono portare ad un aumento
deHa resìstenza a fatica delle leghe utilizzate per la costruzione di aerei. Anche le
tecniche della metallurgia delle polveri continueranno ad essere importanti,
poiché permettono di ottenere, per alcune leghe, proprietà migliori con un
minor costo del prodotto finito. La tecnologia deVa solidificazione rapida
consente oggi di produrre polveri metalliche con velocità dì raffreddamento di 1
milione di gradì centigradi al secondo; tali polveri possono essere compattate a
formare barre attraverso varie tecniche, inclusa la pressatura isostati'ca a caldo.
Con questa nuova tecnologia, ad esempio, sono già state prodotte nuove
superleghe di nichel per alta temperatura, leghe dì alluminio e leghe di titanio.
Materiali Le materie plastiche sono la classe di materiali di base che ha avuto il maggior
polimerici tasso di sviluppo negli Stati Uniti negli ultimi anni. con incrementi del 9%
(mat~rie plastiche) all'anno in termini di peso (Figura 1.12). Tuttavia è previsto che il tasso di
incremento nel 1995 sarà inferiore al 5%. e si avrà quindi una significativa
diminuzione della crescita. conseguenza del fatto che le materie plastiche hanno
sostituito i Jì'letalli. il vetro e la carta nella maggior parte dei mercati ad alto
volume di impiego per cui esse sono adatte. quali l"imballaggio e le costruzioni.
Secondo alcune previsioni, le materie plastiche ad elevate prestazioni
tecnologiche, dette tecnopolimeri ("engineering plastics'"), come il nylon,
saranno competitive con i metalli entro ranno 2000. La Figura L 15 confronta
il costo previsto dei tecnopolimeri rispetto ad alcuni meta1li: si prevede che i
tecngpolimeri saranno il materiale più economico dopo gli acciai laminati a
caldo. Un importante settore di sviluppo dei tecnopolimeri consiste nella
miscelazione ed alligazione di diversi materiali polimerici, per produrre nuove
leghe polimeriche c011 proprietà sìnergichel. Ad esempio dal giugno 1987 al
giugr10 1988 sono stati ìntrodotti in tutto il mondo circa 1000 nuovi materiali
polimerici; di cui circa il 10% costituito da nuove leghe e miscele di polimeri.
Materiali ceramici lI tasso di crescita dei materiali ceramici tradizionali, come terrecotte e vetri,
negli Stati Uniti è stato storicamente pari al 3,6% tra il 1966 ed il 1980. La
1
Si parla di sinergia· quando l'azione comune di differenti fattori fornisce un effetto
globale maggiore della somma degli effetti considerati indipendentemente.
30
20
.,,,..,.,,
,,.,.,-~·;;:.·-
....,..,.
~-- _...,. .
_.~~--
-~-
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....
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.
.......,#.,.,,.
FIGURA l.15 Confronto
I ,,.~.,' " ~IXI,-~
.,.,.
,,. ........__,,.
-
deicostistoricie previstì
dei
tecnopolimeririspettoad '"·
'·'"'
~
~
-"'~ ....
Allumm10,Jmgotu
4
alcunimaterialimetallici,
ne! 1J ,- Tecnopolimeri
,ti'
periododal1970al 1990;è
chei tecnopolimeri
previsto
restino
competitivi rispetto
3
..,,,,,'
#r,
"'----...Acciaio,laminatoa caldo
f-._Magnesio, lingotti
agliacciailaminatia freddo .,,.,,
e adaltrimetalli.!Da
Modem Plastics. August
1982,p.12].
velocità di crescita di questi materiali tra il 1985 ed il 1992 è stata invece prevista
nel 2%.
Nell'ultimo decennio è iniziata la produzione di una nuova famiglia dì
ceramici, detti ceramici avan=ati,a base di nitruri (Figura 1.8), carburi e ossidi;
per questi materiali vengono trovate sempre nuove applicazioni, in particolare
per impieghi ad alta temperatura e di tipo elettronico.
Di per sé i materiali ceramici hanno in genere un basso costo, ma
l'ottenimento di prodotti finiti richiede lavorazioni lunghe e costose. Inoltre la
maggior parte dei materiali ceramici ha una bassa o ad-dirittura nulla duttilità,
sono cioè fragili, per cui possono venir facilmente danneggiati dagli urti. Se
potessero essere scoperte nuove tecniche in grado di permettere di sviluppare
ceramici resistenti agli urti. questi materiali troverebbero sicuramente ulteriore
impiego in un numero molto elevato di applicazioni, soprattutto ìn condizioni di
alta temperatura e usura.
Materiali Le plastiche rinforzate con fibre, in primo luogo fibre di vetro, sono il principale
compositi tipo di materiale composito utilizzato dalrindustria. J1 mercato delle materie
16 Capitolo i
FIGURA1.16 Vista
d'insieme dell'ampia
di partiin materiale
gamma O carbonio
Carbonio/
composito che.saranno aramidiche
utilizzate
trasporto
nelnuovo aereo
dellaAir ForceC-
da
O Ammidiche
17.Questo aeroplano avrà -Vetro
unaapertura alaredi circa
50 m e utilizzerà
6800kgdl
compositi avanzati.[Da
Advanced Composi/es, May/
June1988, p.53'}.
plastiche rinforzate è cresciuto da 0,95 milioni di tonnellate nel 198 I a 1,13

milioni di tonnellate nel 1987~con un tasso medio di crescita del 3% all'anno..
I materiali campo.siti avanzati, come gli accoppiamenti fibre dì vetro-resina
epossidica e fibre di carbonio-resina epossidica, stanno diventando sempre più
importanti per applicazioni avanzate ad alte prestazioni; è previsto un futuro
incremento di impiego pari a circa il 5% all'anno. Per esempio il nuovo aereo
militare da trasporto degli anni 1990,C~l 7, sarà costruito utilizzando circa 6800
kg di materiali compositi avanzati, fra cui materiali rinforzati con fibre di
carbonio, fibre carbonio-aramidìche, fibre aramidiche e fibre di vetro (Figura
1.16). È previstoche anche i nuovi aerei commerciali saranno iffuturo realizzati
utilizzando materiali compositi a:7anzati in quantità sempre maggiore.
Materiali L'uso del silicio e di altri materiali semiconduttori in microelettronica ha subito

per l'elettronica un grande aumento dal 1970 in poi ed è previsto che questo incremento continui
anche oltre l'anno 2000. L'impatto dei computer e di altri strumenti elettronici
che utilizzano circuiti integrati realizzati con chip di silicio è stato spettacolare.
È ancora da valutare a pieno l'effetto che avranno i robot computerizzati sulla
moderna industria manifatturiera. Sicuramente i materiali per l'elettronìca
giocheranno un ruolo vitale nella "fabbrica del futuro";in cui la maggior parte
delle lavorazioni verrà realizzata da robot e macchine utensili a controllo.
numerico.
FIGURA 1.17 Lacircuiteria

di siliciopiùveloceal mondo
contransistor
(giugno1988).Realizzato di dimensioni
0,1(µm,
puòpassaredaona off75miliardidi volteal secondo.
[Per
concessione
dellaIBMJ.
Negli anni i circuiti integrati sono stati realizzati con una sempre maggiore
densità di transistor collocati su. un unico chip di silicio, comportando la
diminuzione della dimensione del transistor. Un esempio del rapido progresso in
atto nei nuovi circuiti integrati è mostrato in Figura 1.17.
Benvenuti nell'affascinante e straordinariamente interessante mondo della
scienza e tecnologia dei materiali!
RIASSUNTO
La scienza dei materiali e la tecnologia dei materiali (che insieme formano la

scienza e tecnologia dei materiali) creano un ponte di conoscenza tra le scienza
di base (compresa la matematica) e le discipline ingegneristiche. La scienza dei
materiali riguarda essenzialmente lo studio delle conoscenze di base dei
materiali, mentre la tecnologia dei materiali .è voÌta in primo luogo all'utilizzo
delle conoscenze applicate ad essi relative.
Le tre principali classi di materiali sono i materiali metallici, i materiaH
polimerici ed i materiali ceramici; altri due tipi di materiali molto importanti per
la moderna tecnologia sono i materiali compositi ed i materiali per l'elettronica.
In questo libro verranno esaminate tutte queste classi di materiali.
I diversi materiali sono in competizione l'uno con l'altro per i mercati
18 Capitolo 1
esistenti e nuovi, cosicché un materiale può essere sostituito da un altro in

alcune applicazioni. La disponibilità di materie prime, il cos~ di produzione e lo
sviluppo di nuovi materìali e processi produttivi sono i principali fattori che
determinano modifiche nell'uso dei materiali. ·
DEFINIZIONI
Materiali: sostanze delle quali un oggetto è composto o costituito. Il termine materiale

tecnologico (o ingegneriscico)è a volte utilizzato specificatamente in relazione ai
materiali utilizzati per la produzione di prodotti tecnologici. Non c'è tuttavia una
chi.ara linea di demarcazione fra i due termini ed essi possono essere utilizzati in modo
intercambiabile.
Scienza dei materiali:disciplina scientifica interessata principahnente allo studio della
conoscenza di base di struttura interna, proprietà e lavorazione dei materiali.
Tecnologia dei materiali:disciplina interessata prevalentementè all'uso della conoscenza
di base ed applicata sui materiali per convertirli nei prodotti necessari o desiderati
dalla società.
Materiali metallici (metalli e leghe metalliche): materiali caratterizzati dà alta
conducibilità termica ed elettrica; esempi sono il ferro, l'acciaio. l'alluminio ed il
rame.
Metalli e leghe ferrose: metalli che contengono una grande percentuale di ferro, come gli
acciai e le ghise.
Metalli e leghe non ferrose: metallì o leghe che non contengono ferro o lo contengono solo
in piccola percentuale: esempi di metalli non ferrosi sono l'alluminio. il rame. lo zinco.
il titanio ed il nichel.
Materiali ceramici:materiali costituiti da elementi metallici e non metalli, normalmente
duri e fragili; esempi sono i prodotti di ottenuti dalla cottura dell'argilla. Il vetro e
l'ossido di alluminio puro compattato ed addensato.
Materiali polimerici:materiali fom1ati da lunghe catene o reticoli di molecole di elementi
a basso peso molecolare quali carbonio, idrogeno, ossigeno e azoto, in genere
caratterizzati da bassa conducibilità elettrica: esempi sono il polìetilene ed il
p~livinilcloruro (PVC), ,.
Materiali compositi:materiali formati dalrunione di due o più materiali; esempi sono i
materiali costituiti da una matrice di resir1a poliestere o epossidica rinforzata con fibre
di vetro.
Materiali per l'elettronica:materiali usati in elettronica e specialmente in microelet-
tronica.; esempi sono ii silicio e l'arseniuro dì g~llio;
STRUTIURA E LEGAMI
DEGLIATOMI
2.1 STRUTTURA DEGLI ATOMI
Gli atomi sono runità base di tutti i materiali; prima di affrontare lo studio delle
varie classi di rnateriali è pertanto opportuno ripassare alcuni aspetti
fondamentali della struttura atomica.
Gli_aton~i sono costituiti da tre principali particelle subatomiche: i protoni, i
neutrom e gh elettroni. In accordo con il modello semplificato maooiormente 0
usato, l'atomo viene descritto come formato da un nucleo molto piccolo di
d' · · '
. 1ametro circa 1o- m, circondato da una nuvola di elettronì finemente dispersa
14 . · . '
di densità variabile, essendo il diametro totale dell'atomo dell'ordine di 10-10 m.

Il nucle?, che costituisce quasi l'intera massa dell'atomo, contiene i protoni e ì
neutroni. Un protone ha massa l 1 673 · I o--- 24 g e carica unitaria + 1 602 . 1o-19
1
coulomb (C). Il neutrone, che non ha carica, è leggermente più pesante del
protone e ha massa l, 675 · 10- 24 g. L'elettrone ha massa molto piccola, pari a
2
9, 109 · 10- s g (1836 volte iilferiore di quella del protone) e carica unitaria di
9
602 · 10-~ C(uguale, ma dì segno opposto, rispetto a quella del protone). La
Tabella 2.1 riassume le principali proprìetà delle particelle subatomiche.
20 Capitolo 2
TABELLA2.1 Massa e carica dei protoni,

neutronie elettroni I
Massa Carica
grammì(g) coulomb (e) ,
Protone 1,673 X 1Q-24 +1. 602 X 1Q- 19

Neutrone 1.675 X 10- 24 0
Elettrone 9,109 X 10- 28 -1:602 X 10- 19
La nuvola elettronica costituisce pertanto la maggior parte del volume

dell'atomo, ma rappresenta solo una piccolissima parte della sua massa. Gli
elettroni, in , particolare quelli esterni, determinano Ja maggior parte delle
proprietà elettriche. meccaniche, chìmiche e termiche degli atomi e pertanto una
conoscenza anche sommaria della struttura atomica è di notevole importante,
come detto, per lo studio dei materiali.
2.2 NUMERI ATOMICI E MASSE ATOMICHE
Numeri atomici Ii numero aromico indica il numero di protoni (particelle a carica positiva}
presenti nel nucleo di un atomo; in un atomo neutro i] numero atomico è anche
pari al numero degli elettroni nella sua nuvola di carica. Poiché ciascun
elemento ha un numero atomico caratteristico, il numero atomico identifica
l'elemento stesso. Nella tavola periodica degli elementi riportata in Figura 2. L i
numeri atomici dei vari elementi, che vanno dall'idrogeno, che ha numero
atomico 1. fino al hahnio. che ha numero atomico 105. sono posizionati sopra i
simboli atomici degli elementi.
Masse atomiche La massa atonzicarelativa di un elemento è la massa in grammi di 6. 023 · 1023

atomi {numero di Avogadro NA) di tale elemento. Nella tavo.k:rperiodica degli
elementi (Figura 2.1) le masse atomiche relative degli elementi da l a 105 sono
riportate sotto i simboli atomici. L'atomo di carbonio con 6 protoni e 6 neutroni
(carbonio 12) viene utilizzato come riferimento per la misura delle masse
atomiche: l'unità di massa atomica (u) è defii:,.itacome un dodicesimo. del.la massa
di un atomo di carbonio, che ha quindi una massa di 12 u. Una massa atomica
relativa molare di carbonio 12 ha una massa di 12 g in questa· scala. Una
grammomole o mole di un elemento esprime la quantità di tale elemento avente
una massa, espressa ìn grammi, pari alla massa atomica molare relativa di
quell'elemento. Pertanto, ad esempio, una grammomole di alluminio ha una
massa dì 26, 98 g e contiene 6,023 · 1023 atomi.
Struttura e legami degli atomi 21
< <,> :e
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'Or""~ o,,i:Q ~
~6
- ' !i--
·=
FIGURA2.1 Tavola
periodica [DaF.M. Miller,"Chemistry:
deglielementi. Structure McGraw-Hill,
andDynamics'; 1984,p.170}.
22 Capitolo 2
Eserciziario
Vedi Esercizi2.1, 2.2, 2.3.
2.3 STRUTTURA ELETTRONICADEGLI ATOMI
L'atomo L'atomo di idrogeno è l'atomo più semplice: consiste in un elettrone che ruota
di idrogeno attorno ad un nucleo costituito da un protone. Il moto dell'elettrone
dell'idrogeno attorno al suo nucleo è tuttavia possibile solo lungo alcune
orbite ben definite (livelli di energia).
La presenza di un numero limitato di livelli di energia è dovuta al fatto che
gli ~lettroni obbediscono alle leggi della meccanica quantistica, le quali
permettono solo certi valori di energia e non v'alori arbitrari qualsiasi.
Pertanto se l'elettrone dell'idrogeno viene eccitato ad un'orbita (livello di
energia) maggiore, viene assorbita una quantità discreta di energia {Figura
2.2a). Analogamente, se l'elettrone ricade in un 'orbita inferi ore viene emessa
una quantità discreta di energia (Figura 2.2b).
Durante il passaggio a un lìvello inferiore di energia, l'elettrone
dell'idrogeno emetterà una quantità discreta (quanto) .di energia sotto fonna di
radiazione elettromagnetica, chiamata fotone. La variazione di energia (/::,.E
associata alla transizione di un elettrone da un livello ad un altro, è correlata con
Fotone Fotone
>-<--=--
_,,,
~ 11=2 n=2
i1=3 11=3
(a) Energìa assorbito '(b) Energiaernessa
FIGURA 2.2 {a)Elettrone

dell'idrogeno
eccitato
adun'orbita superiore
e (b)elettrone
dell'idrogeno
che
cadedaun'orbita
a maggiore
energiaadun'altra
di livelloinferiore
causandol'emissione
di unfotonedi
energia.
la frequenza v del fotone in, base all'equazione di Planck 1:
/::,.E=hv (2.1)
dove: h = costante di Planck = 6, 63 · 10- 34 joule.secondo (J·s). Poiché per
una radiazione elettromagnetica e >.n, dove e è la velocità della luce
= 3, 00 · 108 metri/secondo (m/s) e >.è la sua lunghezza d'onda, la variazione
di energia !::,.Eassociata ad un fotone può essere espressa come:
~E=hc (2.2)
>.
Eserciziario
Vedi Esercizio2 A.
Una verifica sperimentale delle energie associate all'eccitazione di elettroni

a livellidiscreti di energia superiori o aHe perdite di energia associate alla caduta
a livelli discreti inferiori, può essere ottenuta principalmente mediante l'analisi
delle lunghezze d'onda e delle intensità delle linee di spettro. Attraverso i dati
relativi allo spettro dell'idrogeno, Niels Bohr 2 ne] 1913 sviluppò un modello
1 Max Ernst Planck (l 858· 1947). Fisico tedesco che ricevette il Premio Nobel per la Fisica
nel 1918 per la teoria dèi quanti.

2 Niels Henrick Bohr (1885-1962). Fisico danese fu uno dei fondatori della fisica
moderna. Nel 1922 ricevette il premio Nobel per la per la sua teoria dell'atomo di
idrogeno.
Rt1ggìodell'orbita
r=O.OS nm
Elettrone: Protone:
carica +e
FIGURA 2.3 L'atomo

di
idrogenodi Bohr.
Nell'atomo
di idrogenodi Bohrun Orbita dell'elettrone
elettrone
ruotain un'orbita
circolare
di raggio0,05nm
attornoadunprotone
centrale. ,
24 Capitolo 2
dell'atomo di idro.geno che prevedeva un sìngolo elettrone ruotante ad una

distanza fissa attorno a un protone (Figura 2.3). Una buc,na approssimazione
dell'energia dell'elettrone dell'idrogeno per i vari livelli consentiti di energia è
rappresentata dall'equazione di Bohr: ·
4
2 13 6
E= -rr2me= - : eV ( 12 3 4 5 ) (2.3)
n2h2 n-t n = ' ' ' ' ' ....
dove: e = carica dell'elettrone
m= massa dell'elettrone
n = intero chiamato numero quantico principale.
Eserciziario
Vedi Esercizio2.5.
Nella moderna teoria atomica, il numero n dell'equazione di Bohr è

chiamato numero quantico principale e rappresenta i livelli principali di energia
che possono assumere gli elettroni negli atomi. Dall'equazione di Bohr (2.3) si
ricava che il livello di energia dell'elettra.ne dell'idrogeno nel suo stato minimo di
energia possibile è -13, 6 eV e corrisponde alla linea n = l nena rappresentazione
Continuo
Il=""' o
11=5
; i i I ! ; Pfond
l' l' ~"
11 =4
B.rnckeu
ij I
11=3 __,,..._' ....

i .,..._ _
j
__,, ___ i ...
,,_•....
Poschen
• ...~--'--------- -1.5.eV
E n.=2 --,-i
....,....,....,.._ ---=~-------------"--- ~3.4eV
1
r i
FIGURA 2.4 Livellidi

energia del.lo
spettro
a linee
[DaF. M.
dell'idrogeno.
Miller,"Chemistry:
Structure Livello energetico normale
n=1 ,...:Y..;_~;....:_---------------- -.-13,6eV
andDynamics, " McGraw- Lyman
Hill, 1984,p.141].
FIGURA2.5 Nuvola di caricaelettronica

(schematica)
checirconda. il nucleo
di unatomo di
idrogeno
nellacondizione di piùbassolivellodi
energia Il cerchio
possibile. esternodi r = 0,05nm
alraggio
corrisponde delprimoorbitale di Bohr(cioè
pern = 1)eindicalapiùprobabile regione in cuisi -
puòtrovare
l'elettrone.
dei livel1i di energia dell'idrogeno di Figura 4A. Quando l'elettrone

dell'idrogeno è eccitato a livelli d.i energia superiori, la sua energia aumenta
ma il valore assoluto è viceversa inferiore. Per esempio quando l'elettrone
deWidrogeno è eccitato al secondo livello di numero quantico principale, la sua
energia è 3A eV e se l'elettrone dell'idrogeno è eccitato allo stato libero dove
11 = oo, l'elettrone ha valore di energia pari a zero. L'energia richiesta per
rimuovere completamente l'elettrone dall'atomo di idrogeno è 13,6 eV, che è
l'energia di ionizzazione de11'elettrone dell'idrogeno.
11movimento degli elettroni negli atomi è ìn realtà più complicato.di quello
descritto dal semplice modello atomico di Bohr. Gli elettroni infatti possono
avere orbite non circolari (ellittiche} intorno ai nuclei e, secondo il principio di
indeterminazione di Heisenberg 1, la posizione e il momento (massa.velocità) di
una particella piccola come un elettrone non possono essere determinati
contemporaneamente. Pertanto l'esatta posizione dell'elettrone a ogni istante
non può essere determinata, in quanto l'elettrone è una particella troppo
piccola. Visto che la posizione dell'elettrone dell'idrogeno non può essere
determinata con precisione, il suo moto orbitale intorno al nucleo viene a volte
rappresentato da una densità di nuvola di carica elettronica (Figura 2.5). La
massima densità elettronica si ha in corrispondenza di un raggio di 0,05 nm,
corrispondente al raggio di Bohr dell'atomo di idroge'tìo.
1
Werner Karl Heisenberg (]901~1976). Fisico tedesco che fu uno dei fondatori della
moderna teoria deì quanti. Nel 1932 ricevette il Nobel per la Fisica.
26 Capitolo 2
Numeri quantici La moderna teoria atomica afferma che il movimento di un elettrone intorno al
suo nucleo e la sua energia sono caratterizzati non solo dr
un numero quantico
principale, ma da quattro numeri quantici: il numero quantico principale n. il
numero quantico azimutale l, il numero quantico magnético m 1 e il numero
quantico di spin elettronico m8 •
Numeroquanticoprincipalen Il numero quantico principale n corrisponde al

numero n nell'equazione di Bohr. Esso rappresenta i livelli principali di energia
dell'elettrone e può essere pensato come un guscio nello spazio dove è alta la
probabilità di trovare un elettrone con un particolare valore di n. I valori dì n
sono positivi interi compresi tra 1 e 7. Tanto è maggiore il valore di n tanto più il
guscìo è lontano dal nucleo e tanto maggiore è, di conseguenza, il valore del
numero quantico principale di un elettrone, tanto più l'elettrone è (mediamente
nel tempo) lontano dal nucleo. Inoltre, in generai~, maggiore è H numero
quantico principale di un elettrone, maggiore è la sua energia.
Numero quantico azimutale l Il secondo numero quantico è il numero

quantico azimutale l che specifica dei livelli secondari di energia all'interno dei
livelli principali di energia e inoltre, nel caso un livello sia occupato, definisce
una regione dello spazio con elevata probabilità di trovarvi l'elettrone. I valori
permessi di / sono I= 01 l, 2, 3, ..., n - l. Le lettere s, A d ed/ sono usate 1 per
designare i livelli secondari di energia l nel modo seguente:
designazione numero / = O l 2 3
designazione lettera i = s p d f
I livelli secondari di energia s, p, de/ dì un elettrone sono chiamati orbitali.

Il termine orbitale si riferisce anche alla regione di spazio (guscio secondario)
all'interno di un atomo in cui la densità di un particolare elettrone o di una
coppia di elettroni è alta. Pertanto si può ad esempio parlare di un orbitale so p
di Uf:_ particolare atomo.
;•
Numero quantico magneticom, Il terzo numero quantico, cioè il numero
quantico magnetico m,,specifica l'orientamento spaziale di un singolo orbitale
atomico e ha un effetto modesto sull'energia di un elettrone. Il numero delle
possibili orientazioni di un orbitale dipeode dal valore di / del particolare
orbitale. Il numero quantico m, J,iavafori possibili compresi tra -/ e +/, incluso
lo zero. Quando l = O, c'è solo un valore permesso per m1 che è zero. Quando
l = I, ci sono tre possibili valori di m 1, che sono - I, O e + 1. In generale ci sono
1 Le lettere s, p, de/ sono le iniziali delle vecchie designazioni di intensità delle linee dì
spettro: sharp, principal, diffuse e /undamental.

TABELLA2.2 VaJoripossibili per i numeri quantici degli elettroni
n Numeroquantico n = 1,2,3,4 ... Tutti interipositivi

principale
Numeroquantico I = O,1. 2 1 3, ... , n- 1 sono possibilin valoridi I
azimutale
m; Numeroquantico valori integralifra 21+1
magnetico inclusolo zero
ms Numeroquantico 2
di spin
21+ 1 valori permessi di m1.In termini di notazione s, p, de f, si possono avere al

massimo un orbjtale s, tre orbitali p, cinque orbitali d e sette orbitali f per
ciascun livello secondario di energia ammissibile.
Numero quantico di spin elettronico ms Il quarto numero quantico, cioè il

numero quantico di spin elettronico ms, specifica due direzioni di spin permesse
per la rotazione deH'elettrone intorno al suo asse. Le direzioni sono la rotazione
oraria o antioraria e i loro valori permessi sono + 1/:ze - ½. Il numero quantico
di spin ha un effetto del tutto secondario sull'energia di un elettrone. Si
sottolinea che due elettroni possono occupare lo stesso orbitale, ma in tal caso
devono avere spin opposti.
La Tabella 2.2 mostra i valori possibili dei quattro numeri quantici degli
elettroni. In accordo con il principio di esclusionedi Pauli 1, relativo alla teoria
atomica, due elettroni non possono mai avere gf; stessi valori dei quattro numeri
quantici.
Struttura Numero massimo di elettroni per ciascun guscio atomico principale Gli
elettronica degli elettroni di un atomo sono suddivisi in un certo numero di gusci principali di
atomi con più alta densità elettronica, come imposto dalle leggi della meccanica quantistica. Vi
elettroni sono sette gusci principali quando il numero atomico raggiunge n valore di 87
per l'elemento francio (Fr). Ciascun guscio può contenere solo un certo numero
di elettroni, anch'esso imposto dalle leggi deHa meccanica quantistica. Questo
numero è definito da differenti valori dei quattro numeri quantici (principio di
Pauli) ed è pari a 2112 , dove n è il numero quantico principale. Pertanto ci
possono essere al massimo 2 elettroni ne] primo guscio principale, 8 nel secondo,
18 nel terzo, 32 nel quarto, ecc., come indicato in Tabella 2.3.
Dimensione atomica Ciascun atomo può essere considerato in prima ap·
prossimazìone come una sfera di raggio definito. U raggio di tale sfera non
1
Wolfgang Pauli (1900-1958). Fisico austriaco che fu uno dei fondatori della moderna
teoria dei quanti. Nel 1945 rìcevette il Premio Nobel per la Fisica.
28 Capitolo 2
TABELLA 2.3 Massimonumero di elettroni per ciascun livello

atomico principale
Massimo Massimo
numerodi numerodi
Numero del guscio, n elettroni in elettroni
(numero quantico ciascun guscio negli orbitali
principale) {2n2J
1
2
3
4
5
6
7
è una costante ma dipende in una certa misura dalle condizioni al contorno. La

Fìgura 2.6 mostra le dimensioni atomiche relative di molti elementi assieme al
loro raggio atomico. Va sottolineato tuttavia che non vi è completo accordo tra
gli studiosi sulle dimensioni dei raggi atomici; possono pertanto essere reperiti
anche valori differenti rispetto a quelli citati, a seconda della fonte dì
riferimento.
Dalla Figura 2.6 emergono alcune linee di tendenza relative alla dimensione
degli atomi. In genere quando si passa ad un guscio successivo. di numero
quantico superiore; la dimensione dell'atomo aumenta; ci sono tuttavia alcune
eccezioni in cui si ottengono dimensioni atomiche inferi ori. Gli elementi alcalini
del gruppo lA della tavola periodica (Figura 2.1) rappresentano un esempio di
atomi con aumento di dimensione conseguente all'aggiunta dì ciascun guscio
elettronico. Per esempio il litio (n = 2) ha raggio atomico pari a 0,157 nm,
=
mentre il cesio (n 6} ha raggio atomica pari a 0,270 nm. Attraversando la
tavola periodica da un elemento del gruppo alcalino IA a un gas inerte del
gruppo 8A, la dimensione atomica in generale diminuisce. Tuttavia vi sono
ancora alcune piccole eccezioni. La dimensione atomica rapJ1resenterà per noi
un fattore importante nello studio della diffusione degli atomi nelle leghe
metalliche.
Configurazioni elettroniche degli elementi , La configurazione elettronica di un

atomo descrive il modo con cui gli elettroni si collocano nei suoi orbitali, Le
configurazioni elettroniche sono scritte con una notazione di tipo convenzionale
che elenca in primo luogo il numero quantico principale, seguito da una lettera
s, p, d; o f che indica il numero quantico azimutale, cioè in definitiva l'orbitale.
Un apice sopra la lettera relativa all'orbitale; indica il numero dì elettroni che
esso contiene. L'ordine con il quale gli elettroni riempiono gH orbitali è il
seguente:
Struttura e legami degli atomi 29..
z
o~o =-o~ <O ao
o 630d 00
M
0
N
cc:,
d
0~ o~I"'!
u ,-
o
v;·O·~
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i=o~No =0;
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§
o o
ii50
·-o&;
.J -
e
FIGURA2.6 Dimensioni relative

di alcuniatomie ioni(innanometri,
nm).Peri metalli
sonoindicatii raggidegliatomi.[Adattati
daF.M.
Miller,''Chemistry: andDynamics·:
Structure McGraw-Hill, 1984,p.116J.
30 Capitolo 2
106p67s25f46d' 0
is22s22p 6 3s23p6 4s23d104p6 5s24d10 5p66s24_f.45d
., I
L'ordine di scrittura degli orbitali per indicare le configura~ioni elettroniche 1, in
questo libro viene invece realizzato in base al valore crescente del numero
quantico principale, cioè nel modo seguente
Eserciziario
Vedi Esercizio2.6.
La Tabella 2.4 elenca le configurazioni elettroniche degli elementi

deteì:minate sperimentalmente. Bisogna notare che vi sono alcune irregolarità
non congruenti con il sistema sopra citato. ·Per esempio il rame (Z = 29) ha la
configurazione elettronica esterna 3d 104s 1, mentre in base al sistema sopra
indicato ci si sarebbe dovuti aspettare una configurazione esterna 3tP4s2 • La
ragione di queste irregolarità non è ben nota.
Evidenze sperimentali mostrano anche che elettroni con lo stesso numero
quantico azimutale hanno il più alto numero possibile di spin paralleli. Pertanto
se ci sono cinque elettroni negli orbitali d, ci sarà un elettrone in ciascuno degli
orbitali d e le direzioni di spin di tutti gli elettroni saranno para1lele: come
mostrato in Figura 2.7.
(fil (fil [Il] [[] [[] [[] [[] DJ

Orbitali d mostrati Orbitali d mostrati
con una disposizione con una disposizione non
FIGURA2.7 Direzioni di corretta degli elettroni correua degli elettroni
spindeglielettroni
negli
orbitalid.
,,.
1 Un metodo mnemonico comodo per costruire la sequenza di riempimento degli orbitali
consiste nell'elencaregli orbitali come mostrato_sotto e nel tracciare una serie di frecce
parallele sugli orbitali. Seguendo le ~recce_dallacoda alla punta si ottiene l'ordine voluto.
Struttura e legami degli·atomi 31
TABELLA 2.4 Configurazione elettronica degli elementi
Configurazione Configurazione
z Elemento elettronica Z Elemento elettronica
1 H 1s 53 I
2 He 1s2 54 Xe
3 Li [He]2s 55 Cs
4 Be [He]2s2 56 Ba
5 B [He]2s2 2p 57 La
6 e fHeJ2s22p 2 58 Ce
7 N IHe]2s2 2p3 59 Pr
4
8 O [He)2s22p 60 Nd
9 F [He]2s22p5 61 Pm
10 Ne [He]2s2 2p6 62 Sm
11 Na . [Ne]3s 63 Eu
12 Mg [Ne]3s2 64 Gd
13 Al [Ne]3s3s23p 65 Tb
14 Si !Ne)3s3s23,o2 66 Dy
15 p [NeJ3s3s23ps 67 Ho
16 S [Ne]3s3s2 3p 4 68 Er
17 Cl [Ne)3s3s23p5 69 Tm
18 Ar [Ne]3s3s2 3p6 70 Yb
19 K [Ar]4s 71 Lu
20 ca fAr]4s2 72 Hf
21 Se [Ar]3d4s 2 73 Ta
22 1ì [Ar)3d24s2 74 W
23 V [ArJ3d34s2 75 Re
24 Cr [Ar]3d54s 76 Os
25 Mn (Ar]3o'54s2 77 lr
26 Fe [Ar]3d64s2 78 pt
27 Co [Ar]3d7 4s2 79 Au
28 Nì [Ar]3o'84s2 80 Hg
29 Cu [Ar]3d 104s 81 TI
30 Zn [Ar]3d10 4s2 82 Pb
31 Ga [Ar]3d 104s2 4p 83 Bi
32 Ge [Ar)3d104s 2 4p 2 84 Po
33 As [Ar]3d104s2 4p3 85 At
34 Se [Ar]3d 104s 24p4 86 Rn
35 Br [Ar]3d10 4s 24p5 87 Fr
36 Kr [Ar)3d104s 24p 6 88 Ra
37 Rb !Kr]Ss 89 Ac
38 Sr [Kr]5s2 90 Th
39 Y [Krj4d5s2 91 Pa
40 Zr [Kr]4d25s2 92 U
41 Nb [Kr]4d45s 93 Np
42 Mo [Kr]4d5 5s 94 Pu
43 Te [Kr]4d 5 5s2 95 Am
44 Ru [Kr]4cl75s 96 Cm
45 Rh [KrJ4d85s 97 Bk
46 Pd [Kr]4d10 98 Cf
47 Ag [Kr]4d10 5s 99 Es
48 Cd [Kr]4d105s2 100 Fm
49 In [Kr]4d10 5s25p 101 Md
50 Sn [Kr]4d105s 25p 2 102 No
51 Sb [Kr]4d105s2 5p3 103 Lr
52 Te [Kr]4d 10 5s2 5p4
32 Capitolo 2
Struttura Gas nobili Le proprietà chimiche degli atomi degli elementi dipendono
elettronica e principalmente dalla reattività dei loro elettroni più esteny.. I più stabili e meno
reattività chimica reattivi fra tutti gli elementi sono i gas nobili. Con l'ecçezione dell'elio, che ha
configurazione elettronica ls2, il guscio esterno di tutti gli altri gas nobili (Ne,
Ar, K.r,Xe ed Rn) ha una configurazione elettronica s2p\ caratterizzata da alta
stabilità chimica, come infatti provato dalla bassa. tendenza dei gas nobili a
reagire chimicamente con altri atomi.
Elementielettropositivied elettronegativi Gli elementielettropositivi hanno
natura metallica e liberano elettroni nelle reazioni chimiche producendo ioni
positivi o cationi. Il numero di elettroni liberato da un atomo elettropositivo di
un elemento è indicato mediante un numero di ossidazionepositivo. La Figura
2.8 elenca i numeri di ossidazione degli élementi. Va notato che alcuni elementi
hanno più di un numero di ossidazione. Gli elementi ijiù elettropositivi sono nei
gruppi IA e 2A della tavola periodica.
Gli elementi. elettronegativi hanno natura non metallica e accettano elettroni
nelle reazioni chimiche producendo ioni negativi o anioni.. Il numero di elettroni
accettati da un atomo elettronegativo di un elemento è indicato come numero di
ossidazionenegativo(Figura 2.8). Gli elementi più:elettronegativi sono nei gruppi
6A e 7A della tavola periodica degli elementi di Figura 2.l.
Alcuni elementi dei gruppi da 4A a ?A della tavola periodica, possono
comportarsi sìa in modo elettronegativo che elettropositivo. Questo doppio
comportamento è mostrato da elementi come il carbonio, il silicio, il germanio.
l'arsenico, l'antimonio e il fosforo. Pertanto in alcune reazioni essi hanno
numeri di ossidazioni positivi, mostrando un comportamento elettropositivo, e
in altre hanno numeri di ossidazione negativi, mostrando un comportamento
elettronegativo.
Eserciziario
Vedi Esercizio2.7.
Elettronegatività L 'eletrronegatività è definìta come il grado di attrazione

degli elettroni da parte di un atomo. La tendenza relativJ. di un atomo a
mostrare comportamento elettropositivo o elettronegativo, viene valutata
quantitativamente assegnando a ciascun elemento un numero di elettronegati-
vità misurato con una scala da O a 4,1, come mostrato in Figura 2.9. Gli
elementi più elettropositivi sono i metani alcalini che hanno elettronegatività
variabiH fra 0,9 per il cesio, il rubidio e il ·potassio e 1,0 per il sodio e il litio. Glì
elementi più elettronegativi sono il fluoro, l'ossigeno e l'azoto che hanno
elettronegatività rispettivamente di 4,1, 3,5 e 3,1. Il concetto di elettronegatività
aiuta nella comprensione della formazione dei legami fra gli elementi.
In Tabella 2.5 sono riassunte le principali correlazioni tra struttura

elettronica e proprietà chimiche dei metalli e dei non metalli.
4B SB 6B 7B 88
22 23
Ti V
+4 +S
+3 +4
+2
53 54
l Xe
+7 +6
+S +4
+3 .+2
+l
-I
FIGURA2.8 Numeri di ossidazione

deglielementi
rispetto nellatavolaperlodlca.tDa
allaloroposizione R.E Davis,
K D.Gailey
e K. W
Whitten,
"Principles
of Chemistrr·:
CBSCollege Publishing,
1984, p.29$.
34 Capitolo 2
riil
o
Li Be B e N o F
1.0 l.5 2.0 2.5 3.l 3.5 4,1
Na Mg Al Si p s Cl
1.0 1.3 1.5 l.S 2..1 2.4 2.9
,K Ca Se l'i V Cr Mo Fe Co Ni Cu ZII Ga Ge As .se· Br
0.9 1.1 L2 1.3 . 1:5 1.6 1.6 1.7 1.7 1.8 1.8 l.7 1.8 2.0 2.2 2.5 2.8
Rb Sr y Zr .Nb Mo Te 'Ru Rh Pd Ag Cd In S11 Sb '.le I-
O;Jl, LO l.1 1.2 1.3 1.3 1.4 1.4 1.5 ·1.4 l;4 1.5 1.5 1.7 1.8 ·2.0 2.2
es Ba La ru Ta w Hf Os lr Pt Au Hg 1i Pb Bi Po At
0.9 0.9 l.l I.2 l.4 1.4 1.5 1.5 1.6 1.5 1.4 1.5 1.5 1.6 1.7 l.8 2.0
FIGURA 2.9 Fr Ra Ae Lantanidi: 1.0-1.2
Elettronegatività
degli 0.9 0.9 1.0 Attinidi: J.O-L2
[DaF.M. Miller,
elementi
"Chemistry:
Structureand
Dynamics':
McGraw-Hill,
1984,p.1851.
2.4 TIPI DI LEGAMI ATOMICI E MOLECOLARI
Il legame chfa1ico tra gli atomi avviene poiché vi è una netta diminuzione
dell'energia potenziale degli atomi nello stato legato. Ciò vuol dire che gli atomi
nello stato legato sono in una condizione energetica più sta bile di quella che hanno
se non sono legati. In generale i legami chimici tra gli atomi possono essere divisi
in due gruppi: legami primari o legami forti e legami secondari o legami deboli.
Legami atomici I legaì'.ni atomici primari nei quali sono coinvolte forzç. interatomiche
primari relativamente elevate possono essere suddivisi nelle tre seguenti classi, di cui si
riportano le principali caratteristiche:
TABELLA2.5 Sommariodi alcune relazionitra struttura elettronica

e proprietà chimiche dei metalli e dei non-metalli
Metalli Non metalli
1. Hanno pochi elettroninei gusci 1. Hanno quattro o più elettroni nei

esterni, di solito tre o meno gusci esterni
2. Formanocationi cedendo elettroni 2. Formanoanioniacquisendoelettroni
3. Hanno bassa elettronegatività 3. Hanno alta elettronegatività
1. Legami ionici. In questo tipo di legame sono coinvolte forze interatomiche

relativamente elevate a seguito del trasferimento di elettroni da un atomo ad
un altro per produrre ioni che sono legati fra loro da forze coulombiane
(attrazione fra ioni caricati positivamente e negativamente). II legame ionico
è un legame non direzionale relativamente forte.
2. Legami covalenti. Forze interatomiche relativamente elevate vene:ono
generate dalla condivisione dì elettroni per formare un legame di ...tipo
direzionale.
3. Legami metallici. Forze interatomiche relativamente elevate sono Jtenerate
dalla messa in comune dì elettroni in modo delocalizzato per formar; legami
forti non direzionali fra glì atomi.
Legamiatomici e l. Legami a dipolo permanente.Legami intermolecolari relativamente deboli si

molecolari formano tra le molecole che possiedono dipoìi permanenti. Un dipolo può
secondari esistere in una molecola a seguito di una asimmetria nella distribuzione della
sua densità di elettroni.
2. Leganii a dipolo fluttuante. Legami dipolo molto deboli si possono creare tra
gli atomi a seguito di una asimmetrica distribuzione della densità di elettroni
intorno ai loro nuclei. Questo tipo di Jegame è chiamato fluttuante perché la
densità di elettroni varia continuamente nel tempo.
2.5 LEGAME IONICO
Generalità sul I legami ionici si possono formare tra elementi molto elettropositivi (metal1i) e
legame ionico elementi molto elettronegativi (nonmetalli). Nel processo di ionizzazione gli
elettroni vengono trasferiti dagli atomi degli elementi elettropositivi agli atomi
degli elementi elettronegativi, producendo cationi carichi positivamente e anioni
carichi negativamente. Le forze di legame ionico sono dovute alle forze
elettrostatiche o coulombiane di attrazione tra ioni di carica opposta. I legami
ionici si formano tra gli ioni di segno opposto in quanto danno luogo ad una
significativa riduzione del1'energia potenziale deglì ioni.
Un esempio di un solido con un alto grado di legame ionico è il cloruro dì
sodio (NaCl). Nel processo di ionizzazione per formare una coppia di ioni
Na +ci-. un atomo di sodio cede il suo elettrone esterno 3s1 e lo trasferisce
all'orbitale 3p, riempito a metà, di un atomo di cloro, producendo una coppia di
ioni di Na+ e c1- (Figura 2.10),
Nel processo di ionizzazione l'atomo di sodio, che inizialmente aveva un
raggio di O,192 nm, si riduce dimensionalmente diventando catione sodio con
raggio di 0,095 nm e l'atomo di cJoro, che origina~iamente aveva un raggio di
0,099 nm, si accresce diventando anione cloruro con raggio di O,181 nm.
L'atomo di sodio si riduce dimensionalmente quando si forma lo ione in
36 Capitolo 2
FIGURA 2.10
Formazione di unacoppiadi
ioniclorurodi sodioda
Atomo Atomo Ione lane
atomidi sodioe cloro.Nel di sodio,Na di cloro, Cl sodio,Na+ cloro.CJ-
processodi ionizzazione
un Raggio Raggio Raggio Raggio
3s1 dell'atomo
elettrone di atomico= atomico= ionico= ionìco=
0.192nm 0.099nm 0.095nm 0.181 nm
sodioè trasferito
a un
orbitale
3p, riempitoa metà,
dell'atomo
di cloro. I
seguito alla perdita dell'elettrone del guscio esterno ~s1 e ~lla dìmin~~ione del
rapporto elettroni/protoni. II nucleo dello ione sodio cancato_ p~s1t1:vamente
attrae la nuvola elettronica più vicina a sé, causando la d1mmuz1one del
diametro dell'atomo durante la ionizzazione. Al contrario, durante la
ionizzazione l'atomo di cloro si espande a seguito dell'aumenta del rapporto
elettroni/protoni. In generale, durante la ionizzazione gli atomi diminuiscono di
dimensione quando formano cationi e aumentano di dimensione quando
formano anioni, come mostrato per alcuni atomi in Figura 2.6.
Forze interioniche Consideriamo una coppia di carica opposta (per esempio una coppia di ioni
tra due ioni Na+c1-) che, inizialmente separati da una elevata distanza a, si avvicinano
l'uno alraltro. Come gli io11isi avvicinano, si attraggono l'uno l'altro attraverso
forze coulombiane; cioè i nuclei di uno ione attraggono la nuvola di carica
elettronica dell'altro e viceversa. Quando gli ioni si avvicinano ulteriormente
l'uno all'altro le loro nuvole dì carica elettronica finìscono con l'interagire e si
sviluppano fo~ze repulsive. Nel momento in cui le forze atttàttìve eg~agliano
quelle repulsive, la forza risultante è nulla e gli ioni rimangono separati ad una
distanza dì equilibrio pari alla distanza interionica a0 • La Figura 2.11 mostra
schematicamente l'andamento deUe forze in gioco rispetto alla distanza di
separazione tra la coppia di ioni. .
La forza risultante tra una coppia di ioni di carica opposta è uguale alla
somma del1e forze attrattive e repulsive. Pertanto:
Fnsultaote Faurattiva Frepulsiva (2.4)
La forza attrattiva tra la coppia di iorii è la forza coulombiana che può

essere valutata considerando gli ioni come cariche puntiformi. Applicando la
Distanzaìnterionica a
FIGURA 2.11 Forza

agentesuunacoppia dì ioni R r::::catione
concaricaopposta in R = anione
funzionedelladistanza di a 0 = r+R
separazione.Ladistanza di
separazioneinterionicadi
aovieneraggiunta
equilibrio
quando laforzatragli ioniè
nulla.
legge di Coulomb' con le unità SI, può essere scritta la seguente equazione:
F: . _ (Z1e)(Z2e) _ Z 1Z;e 2
auratt1Va- 41reoa2 - - 41TE.va2 (2.5)
dove: z,, Z:2= numero di elettroni rimossi o aggiunti dagli atomi durante la
formazione dello ione
e = carica elettronica
a = distanza di separazione interionica
€o= permettività del vuoto = 8, 85 X 10- 12c 2/(N X m2 )
È stato dimostrato sperimentalmente che la fox:~arepulsiva tra una coppia

di ioni è inversamente proporzionale alla distanza di separazione interionica a e
può essere descritta dall'equazione:
1
Charles Augustin Coulomb (1136-1806). Fisico francese. Dimostrò sperimentalmente
che la forza tra due corpi caricati varia inversamente con il quadrato della loro distanza.
38 Capitolo 2
nb
Frepulsìva = -:-an+I I
(2.6)
dove a è la distanza di separazione interionìca, b e n sono costanti; n varia

usualmente fra 7 e 9 ed è pari a 9 per il NaCL
Sostituendo le equazioni (2.5) e (2.6) nella (2.4) si ottiene la risultante delle
forze agenti fra una coppia di ioni:
(2.7)
Eserciziario
Vedi Esercizi 2.8, 2.9.
Energie L'energia potenziale netta E fra una coppia di ioni di carica opposta,. pe~
interioniche tra esempio Na+c1-, avvicinati l'uno all'altro, è uguale alla somma delle energie d1
due ioni attrazione e di repulsione degli ioni e può essere scritta nella forma:
Z1Z2e2 b
Enella = +-4--vrea +,;a (2.8)
0
Energia Energia
attrattiva repulsiva
Il termine di energia attrattiva dell'equazione (2.8) rappresenta l'energia

rilasciata quando gli ioni si avvicìnano l'un l'altro ed è negativa poiché il
prodotto ( + Z 1). (-Z 2 ) è negativo. Il termine di energia repulsiva
dell'equazione (2.8) rappresenta renergia assorbita quando gli ioni si
avvicinano l'un l'altro ed è positivo. La somma delle energie associate con
l'attr~one e la repulsione degli ioni è uguale all'energia netta che risulta
minima quando gli ioni sono alla loro distanza di separazione'<'.l.iequilibrio ao,
La Fi1;rnra 2.12 mostra la relazione fra queste tre energie e indica l'energia
minim; Emin· Quando l'energia è minima la forza tra gli ioni è uguale a O.
Eserciziario
Vedi Esercizio2.1O.
Disposizione Finora la nostra discussione sul legame ionico si è limitata al caso di una coppia
degli ioni di ioni. Discuteremo ora brevemente il legame ionico in solidi ionici
nei solidi ionici tridimensionali. Poiché gli ioni elementari hanno approssimativamente una
distribuzione di carica a simmetria sferica, essi possono essere considerati delle
sfere con un raggio caratteristico. I raggi ionici di alcuni cationi e anioni
\ I
\ I
\ I
\ I
'~ / Repulsione
+ 1\,
.e I
J 0
rr--;---=---===----r-----D=-:-ist-~-u-in_re_n_·o-n-icaa
FIGURA2,12 Energia di
unacoppia di ionidi carica
r= catione
oppostain funzione della R = anione
distanza
di separazione.La a 0 = r+R
distanza
di separazione
interionìca
di equilibrioa0
vieneraggiunta quando
l'energia
potenziale nettaè
minima.
elementari sono elencati in Tabella 2.6. Come detto, i cationi elementari

sono più piccoli dei loro atomi, mentre gli anioni sono più grandi. Inoltre, come
nel caso degli atomi, gli ioni elementari generalmente aumentano di dimensione
con l'aumento del loro numero quantico principale ·(cioè con l'aumento del
numero di gusci elettronici);
Quando gli ioni si uniscono a formare un solido, lo fanno senza
orientazione preferenziale, poiché l'attrazione elettrostatica di cariche
simmetriche è indipendente dall'orientazione delle cariche stesse. Pertanto il
legame ionico ha un carattere non direzionale. Tuttavia la disposizione degli ioni
TABELLA2.6 Raggi ionici di alcuni elementi
Raggio Raggio
Ione ionico, nm Ione ionico, nm
u+ 0.060 0.136
Na+ 0.095 0.181
K+ 0.133 0.195
Rb4 0.148 0.216
Cs+ 0.169
40 Capitolo 2
FIGURA2.13 Struttura ionicadel(a)

CsCIe (b}NaCL Ottoionic1-possono
circondare
unoioneCs+,masoloseiioni
ci-possono unoioneNa+!Da
circondare
C.R.Bar,ett,W.D.Nixe A. S. Tetelman, (a) (b)
''ThePrinciples
of Engineering
Malerials~
Prentice-Ha/1,
1973,p.27'J.
in un solido ionico è governata dalla possibile sistemazione geometrica degli ioni

e dalla necessità di mantenere la neutralità elettrica del solido,
Disposizione geometrica degli ioni in un solido fonico I cristalli ionici possono
avere strutture estremamente complesse. Per ora considereremo solo la
disposizione geometrica degli ioni in due semplici strutture ioniche, CsCl e
NaCl. Nel caso del CsCl, otto ioni c1- (r = 0,181 nm) si dispongono attorno a
=
uno ione centrale es+ (r 0,169 nm), come mostrato in Figura 2.13a. Invece.
nel NaCl solo sei ioni ci- (r 0,181 nm) possono dìsporsi attorno ad uno ione
Na../. centrale (r = 0,095 nm), come mostrato in Figura 2.13b. Per il CsCl il
rapporto tra raggi del catione e dell'anione è pari a 0J69/0,18J 0,934, mentre
per il NaCI è 0,095/0,181 = 0,525.
Pertanto, al diminuire del rapporto tra raggi del catione e dell'anione, un
numero minore di anioni può circondare un catione centrale in questo tipo di
struttura. Le strutture dei cristalli ionici saranno discusse più dettagliatamente
nel Capitolo 10 sui Materiali Ceramici. ,•
Neutralità.elettrica dei solidi ionici Gli ioni in un solido ionico devono essere
disposti in una struttura tale da mantenere localmente la neutralità della carica.
Così in un solido ionico come il CaF 2 , la disposizione ìonica è parzialmente
governata dal fatto che ci devono essere due ioni di fluoro per ogni ione di
calcio.
Energie di legame Le energie di reticolo e le temperature di fusione nei solidi con legami ionici
nei solidi ionici sono relativamente elevate come mostrato nella Tabella 2.7 che elenca le energie
di reticolo e i punti di fusione di alcuni solidi ionici. All'aumentare della
dimensione dello ione in un particolare gruppo della tavola periodica diminuisce
l'energia di reticolo. Per esempio l'energia di reticolo del LiClè 829 kJ/mole (198
TABELLA2.7 Energiadi reticolo e punti di fusione

di alcuni solidi ionici
Energiadi reticolo"
Solido KJ/mol Kcal/mol Punto di

ionico fusione,°C
UCI 829 198 613

NaC! 766 183 801
KCI 686 164 776
RbCI 670 160 715
CsCl 649 155 646
MgO 3932 940 2800
CaO 3583 846 2580
SrO 3311 791 2430
BaO 3127 747 1923
.. Tutti i valori sono negativi per la formazione

del legame {l'energiaè rilasciata).
kcal/mole), mentre quella del CsCl è solo 649 kJ/mole (155 kca1/mole). La
ragione di questa diminuzione neffenergia di reticolo è che !!li elettroni di
legame negli ioni di maggiori dimensioni, essendo più lonta;i, sono meno
influenzati dalle forze di attrazione dei nuclei positivi. Inoltre la presenza di
molteplici elettroni di legame in un solido ionico aumenta renergia di reticolo.
come mostrato dal MgO che ha una energia di reticolo di 3932 kJ/mole (940
kcal;mole). .
[ 2.6 LEGAME COVALENTE
Un secondo tipo di legame atomico primario è il legame covalente. Mentre il

legame ionico si forma tra atomi fortemente elettropositivi ed elettronegativi, il
legame covalente ha luogo fra atomi con piccole differenze di elettronegatività e
che sono vicini l'uno all'altro nella tavola periodica. Nel legame covalente gli
atomi normalmente mettono in comune i loro elettroni esterni s e p con altri
atomi, in modo che ciascun atomo. assuma la configurazione elettronica dì 2as
nobile. · -
In un legame covalente semplìce ciascuno dei due atomi contribuisce con un
elettrone a formare un legame costituito da una coppia di elettroni e le energie
dei due atomi uniti dal legame covalente diminuiscono (diventano più stabili) a
causa dell'interazione elettronica. Nel legame covalente, possono essere formati
anche legami multipli tra coppie di elettroni di un atomo con atomi de11ostesso
tipo o con atomi diversi.
42 Capitolo 2
I
Molecola
di idrogeno
Coppia di elettroni ln1eraz.ione

FIGURA 2.14 Legame
covalente
nellà'molecola
dì del legame covalente di fegame
idrogeno.Lapiùaltadensitàdl nuvoladi carica
elettronica
si hanellazonadi sovrapposizione
1rai
nucleidegliatomidi idrogeno.
Legame covalente Il più semplice caso di legame covalente si ha nena molecola di idrogeno, nella
nella molecola quale due atomi dì idrogeno mettono in comune i loro elettro~i 1s 1• a f~rrnare u~
di idrogeno legame covalente, come mostrato dalla reazione seguente m cui gh elettroni
sono rappresentati con un punto:
Elettrone 1s1 ~ Coppia di elettroni del legame

~covalente
H·~+ H · ~ H: H
Atomo di Atomo di Molecola di
idrogeno idrogeno idrogeno
Sebbene la rappresentazione dell'elettrone con un punto sia comoda per

rappresentare il legame covalente, essa non considera la ~istribuzio?e .~idensità
degli elettroni di valenza. Nella Figura 2.14 sono mostrati due atomi d1 idrogeno
che fo;mano un legame covalente caratterizzato da un addensamento della
nuvola di carica elettronica nella zona compresa tra i loro due nuclei. Quando i
due atomi di idrogeno si uniscono per formare la molecola di idrogeno, le loro
nuvole elettroniche interagiscono e si sovrappongono, creando cioè un'alta
probabilità di trovare gìi elettroni ls 1 dei due atomi. nella .z~na citata ,CFigu~a
2.14). Nella formazione del legam~_per.ereare la·molecola d11d:oge?o, l energia
potenziale degli atomi di idrogeno diminuisce) come mostrato m F1g~~a 2.15, e
viene liberata energia. Se gli atomi di idrogeno di una molecola d1 idrogeno
vengono separati, è necessario l'assorbimento di energia poiché· gli atomi
vengono portati ad uno stato superiore di energia.
+
........
I
I
,;
"i
-~ o1---+-----,,----.----:::::==----
Distanza
FIGURA2.15 Energia
potenziale
in funzione
della
ì \ I \._,_L/
I
di separazionea
distanza
di separazionedì dueatomidi idrogeno.
La
distanza
interatomica
di equilibrio
a0 nellamolecola
di
si hain corrispondenza
idrogeno al minimodi energia
potenziale
Emin·
Legame covalente Legami covalenti a coppia di elettroni sono formati anche in altre molecole
in altre molecole biatomiche come F2, 02 e N2. In questi casi sono condivisi tra gli atomi degli
biatomiche elettroni p. L'atomo di fluoro con i suoi sette elettroni esterni (2s22p5) può
raggiungere la configurazione del gas nobile neon mettendo in comune un
elettrone 2p con un altro atomo di fluoro, come mostrato con la notazione a
punti nella reazione di Figura 2.16a. Allo stesso modo J'atomo di ossie:eno con i
4
suoi sei elettroni esterni (2s22p ) può raggiungere la configurazione clettronica
6
del gas nobile neon (2s2p ) mettendo in comune due elettroni 2p con un altro
atomo di ossigeno per formare la molecola biatomica 0 2 (Figura 2.16b). Anche
l'azoto che ha cinque elettroni esterni di valenza (2s22p3) può raggiungere la
configurazione del gas nobile neon (2s 2 2p 6) mettendo in comune tre elettroni 2p
con un altro atomo di azoto per formare la molecola biatomica di azoto N 2
(Figura 2J6c).
Le reazioni chimiche che coinvolgono legami covalenti sono spesso scritte
usando la notazione a punti per i legami covalenti, come mostrato in Figura
2.16. Tuttavia più comunemente per i legami covalenti viene usata la notazione
a lineette (Figura 2.16). Nel Capitolo 7 sui Materiali Polimerici verranno
utilizzate entrambe Je notazioni.
Nella Tabella 2.8 sono riportati i dati approssimati delle energie di legame e
delle lunghezze di alcuni legami covalenti. Si osservi che le più alte energie dì
legame sorio associate con i legami multipli. Per esempio, il legame C-C ha una
energia di 370 kJ/mole (88 kcal/mole), mentre il legame C=C ha una energia
molto superiore; pari a 680 kJ/moJe (162 kcal/mole).
44 Capitolo 2
..
=t.·+ ·!.=-+
.....
....
:F: F: F-F (a)
FIGURA 2.16 Legame
fluoro(legarne
covalente.
semplice),ossigeno
dl
nellamolecola
(doppio
le~ame)_
e
.. ... .. ..
: 9· •9:--+- :o: :o:
+ 0=0
I
(b)
azoto(triplolegame).
sonomostrati
sulladestra
sullasinistra
conla notazione
covalenti
I legami traghato~1
conla notazione
a lineetta.
a puntie . . iN:.i.N·i
: r;:i·
+ •i;:-+ NeN (e)
Legame covalente Nello studio dei materiali, il carbonio è molto importante pojc~é è l'eleme~to
tra atomi di base della maggior parte dei materiali polimerici. La configur~one elettron~ca
carbonio di base dell'atomo di carbonio è ls22s22p2 • Questa configura~:ione :lettr~mca
indica che n carbonio dovrebbe formarè due legami covalenti con 1 suoi du~
orbitali 2p pieni a metà. Tuttavia in molti casi il carbqnio fom:a quattro legam~
covalenti di uguale intensità. La spiegazione deHa presenza ~ quattro legami
covalenti viene fornita mediante il concetto di ibridizzazione, m base a11~quale
durante la formazione del legame uno degli orbitali 2s è pr?mosso. a or}l1tale2p
in modo da produrre quattro orbitali ibridi eqmvalent1 sp-', come
TABELLA2.8 Energiedi legame e lunghezzedi alcuni

legami covalenti
Energia di legame" Lunghezze

di legame,
Legame kcal/mol KJ/mol nm
C-C 88 370 0.154

G=C 162 680 0.13
CsC 213 890 0.13
C-H 104 435 0.11
C-N 73 305 0.15
C-0 86 360 0.14
C=O "128 535 0.12
C-F 108 450 0.14 , ..
C-CI 81 340 0.18
0-H 119 500 0.10
0-0 52 220 0.15
O-Si 90 375 0.16
N o 60 250 0.12
N-H 103 430 0.10
F-F 38 160 0.14
H-H 104 435 0.074
* Valori approssimati poiché l'ambien~e. cambia

l'energia. Tutti i valori sono negativi per la
formazione del legame (l'energia è rilasciata). .
Fonte: L. H. Van Vlack, "Elements of Matenals
Scìence," 4th ed., Addison.wesley,1980.
J·
Ibridizzazione ~;
[fil][ID][fil [fil DJ- [ID][fil [fil [fil [fil ç

ls 2s Dueorbitali2p
parzialmenteriempiti ls Quattroorbitaliequivalenti ~.
sp3 parzialmenteriempiti i
FIGURA 2~17 :,
Disposizionebase ",.
Ibridizzazione
degliorbttali degli orbitali Disposizione ibridì:u.ata
degli orbitali sp3 'r:
delcarbonio
conformazione
di legami
covalenti
singoli.
indicato nella rappresentazione degli orbitali di Figura 2.17. Sebbene per

promuove l'elettrone 2s allo stato 2p nel processo di ibridizzazione sia richiesta
dell'energia, l'energia necessaria per l'ibridizzazione è più che compensata dalJa
diminuzione di energia associata alla fonnazione dei legami.
Il carbonio nelia configurazione del diamante mostra legami covalenti
3
tetraedrici sp • I quattro orbitali ibridi sp3 sono orientati in modo simmetrico
verso gli angoli dì un tetraedro regolare, come mostrato in Figura 2.18. La
struttura del diamante consiste in una molecola compatta con legami tetraedrici
3
covalenti sp • come mostrato in Figura 2.19. Questa struttura giustifica
l'estrema durezza del diamante, la sua alta resistenza di legame, pari a 711
kJ/mole (170 kcal/mole), e l'alta temperatura di fusione, pari a 3550°C.
FIGURA 2.18 Atomo di

carbonio conquattro orbitali
sp3 diretti
equivalenti
simmetricamente versogli
angolidi untetraedro.
L'angolotragli orbitaliè di
109,5°.
46 Capitolo 2
FIGURA 2.19 Legami

sp3 tetragonali
covalenti
nellastruttura
deldiamante.
Ciascunazonaombreggiata I.
rappresentaunlegame
covalente,
Legame covalente Le sostanze costituite da molecole che contengono solo atomi di carbonio e
in molecole ìdrog:eno le2ati tramite legami covalenti sono dette idrocarburi. Il più semplice
contenenti idro~arbur; è il metano, nel quale il carbonio forma quattro legami covalenti
carbonio tetraedrici sp3 con degli atomi di idrogeno, come mostrato in Figura 2.20.
di intramolecolare del metano è relativamente alta e pari a
1650 kJ/mole (396 kcal/mole). ma l'energia dì legame intermolecolare è molto
bassa e pari a circa 8 kJ /mole (2 kcal/mole}. Così le molecole di metano formano
legami molto deboli fra di loro, determinando una bassa temperatura di fusione,
pari a -183°C.
,.
FIGURA2.20 Molecola
delmetano,CH4,che
contiene
quattro
legami
sp3tetragonali.
covalenti
Ciascuna
zonaombreggiata
rappresenta
unlegame
covalente.
H H H H H H H
I I I I I I I
FIGURA 2.21 Formule strutturali
di idrocarburi H-C-H H-C-C-H H-c-c-c-c-H
lormatidalegami covalenti
semplici.
Si nolicome, I I I I I I I
dellamassa
all'aumentare molecolare,
aumenti il punto H H H H H H H
dì fusione. Metano Etano
tf= -l83°C
n- Butano
tf= -172°C tf= -135°C
H H
I I I I
C==C H-C==:C-H
FIGURA 2.22 Formule
strutturali
di duemolecole I I I I
checontengono
legami
covalenti
multiplìcarbonio-- H H
carbonio. Etilene Acetilene
tf= -l69.4°C tf= -81.8°C
La Figura 2.21 mostra le formule strutturali del metano, deH'etano e del

normal(n· )butano, che sono idrocarburi con legami covalenti semplici
AlJ'aumentare della massa della molecola crescono la sua stabilità ed il punt~
di fusione.
Il carbonio può anche legarsi a se stesso formando doppi e tripli legami
nelle molecole) come mostrato nelle formule strutturali delretilene e del-
l~acetHene ri~o:tate in Figura 2.22. I Jegami carbonio·carbonio doppi e tripli
risultano ch1m1camentepiù reattivi dei Jegamì singoli carbonio-carbonio. I
legami multipli carbonio-carbonio neHe molecole contenenti carbonio sono
chiamati legami insaturi.
Benzene Una importante struttura molecolare presente in alcuni materiali polimerici è

quella del benzene._La molecola del benzene ha composizione chimica e H con
gli atomi di carbonio che formano un aneHo a forma esagonale, chiamat~ a~iello
benzenico (Figura 2.23). I sei atomi di idrogeno del benzene sono legali tramite
legame covalente semplice ai sei atomi di carbonio dell'anello. Tuttavia la
d~~posizio~e dei legami tra gli atomi di carbonio nell'ane11o è complessa. La via
prn semplice per soddisfare là richiesta che ciascun atomo di carbonio abbia
qu~ttro le~ai~i coval~nti è di assegnare alternativamente legami singoli e doppi
agh atomi d1 carbonio nell'anello (Figura 2.23a). Questa struttura può esse·
r~ ra?presentata più semplicemente omettendo gli atomi di idrogeno ester-
ni (Figura 2.23b). Questa formula strutturale. per il benzene verrà usata in
questo libro in quanto indica più chiaramente la disposizione dei legami nel
benzene.
Evidenze sperimentali indicano tuttavia che nel benzene non esiste un
l~game doppio carboniowcarbonio con la normale reattività, ma che gli elettroni
d1 legame nell'anello benzenico sono delocalizzati e formano una struttura di
j
..
48 Capitolo 2
o
(a) (b) {C) (d)
FIGURA 2.23 Rappresentazioni dellaformulastruttura!e.

dellamolB?oladelbe~~ene conle~a~ic?valenU.(a)For:nu_la
strutturale
conl'utilizzo del legame
dellanotazione a trattm,.
(b) Notazione
semplificata
senza md1cazmne atorm
deg.11 ~1
idrogeno.(e}Disposizionedellegame conindicazione delladelocalìzzazì~ne
d~?li.el~ttronì
dì lega~ei:rbomo~carbomo
all'interno
dell'anellobenzenico.
[DaR.E Davis, K.D.Gaitey e K. w.WhJtten, et
~rmc1plesChem,~try.: Saunders,
College
Publishing,1984,p.83at(d}Notazione semplificata
indicante il legame
delocallzzato
deglielettroni
allinterno
dellanello
benzenico.
legame globale intermedia come reattività chimica tra quella d~i .leg_am!
carbo11io~carbonio singoli e doppi (Figura 2.23c). Pertanto molti hbn d1
chimica utilizzano un cerchio all'interno dell'esagono per rappresentare la
struttura del benzene (Figura 2.23d).
2.7 LEGAME METALLICO
Un terzo tipo di legame. atomico pri111arioè il legame met~lfico, che ~i ha nei

metalli solidi. In tali materiaJi i vari atomi sono affiancati tra loro rn modo
relativamente compatto, secondo uno schema ripetitivo o str.uttu~a cristallin~.
Per esempi la disposizione degli atomi di rame ano stato solido e mostrata m
Figura 2.24a; ogni atomo è contornato da altri J2 atomi adiacent~. I? questa
struttura gli atomi sono cosi vicini l'uno all'altro che i loro elettroni d1 valenza
esterni sono attratti dai nuclei dei numerosi atomi vicini. Gli elettroni di valenza
non sono pertanto strettamente associati con un nucleo particolare, ma s~n,o
dispersi tra gli atomi sotto forma di nuvola di carica elettronica a bassa dens1ta,
o "gas elettronico".
I metalli solidi vengono pertanto in genere rappresentati mediante sfere che
simboleggiano gli ioni positivi (atomi senza i loro elettroni di valenza) e elettronì
Struttura e legamidegli atomi 49
(a)
(b)
FIG~RA 2.24 (a)~isposi~ìo~e degliatomiin uncristallo

metallico
di rame. Ogniatomodi rameè
coordinato
con12allnatomidi rame. dandoluogoadunastruttura cristallina
chiamatastrutturacubica
a tace~ Gliatomisonolegatifralorodaun"gaselettronico"
ce~trate; costituitodaglielettroni
dì valenza
(b) Schen:atizzazione
del~~ahzzah. bidimensionaie
dellegame metallico.
I cerchiconall'interno
il segno
positivo
rappresentanoI nuclei
costituiti
daionipositivi,
mentrela nuvola dì carica
attornoadessi
rappresenta
gli elettroni
di valenza
delocalizzati.
di v~len::~ dispersi sotto .forma di nu.vola elettr.onica che interessa un ampio

spa~1? _(Figura 2.24b). Gh elettroni di valenza sono debolmente legati agli ioni
pos1t1v1e possono muoversi facilmente nel cristallo metallico; per questo
vengono frequentemente chiamati elettroni liberi. L'alta condudbilità termica ed
elettrica dei metalli confern1a la teoria che alcuni elettroni sono liberi di
muov~rsi all'interno del reticolo cristallino metallico. La maggior parte dei
metalli possono essere deformati in modo considerevole senza giungere a
rottura poiché gli atomi metallici possono scorrere runa sulJ'altro senza
distruggere completamente la struttura del legame metaHico.
O.li.atomi in un metaUo solido si legano l'un ra:ttro per mezzo di legami
metalhc1 per raggiungere un più basso (più stabile) livello di energia. Per il
legame metallico non ci sono le limitazioni relative àlla presenza di coppie di
~lettroni c?m: per il legame covalente o relative alla neutralità di carica come per
il legame 1omco. Nel legame metallico gli elettroni esterni di valenza vengono
condivisi da molti atomi circostanti e pertanto, in generale, il legame metallico è
non direzionale.
Quando gli atomi metallici silegano tra loro mediante condivisione degli
50 Capìtolo 2
• + \ . Distonz, U,te,oJomiea•
·~o
LU ~ I .,.
~ - - - : - ,,-::' E,,;o
FIGURA2.25
Andamento dell'energia
in oppiadi atomimetalljci
funzionedelladistanza
di a0 =2R
separazionetraunacoppia
di atomimetallici.
La
distanzadi separazione
di
equilibrio
vieneraggiunta in
corrispondenza
delminimo
dell'energia
potenziale
netta.
elettroni di valenza per fonnare un solido cristallino, l'energia globale dei s~n~oli
atomi diminuisce. Come nel caso dei legami ionico e covalent.e, un _mmimo
dell'energia di una coppia dì atomi viene raggiunt~ q~ando s1 raggiunge l~
distanza dì separazione di equilibrio, come mostrato m F1gu_ra2_.25.Il valore d~
Eo _ Emìn mostrato in Figura 2.25 è una misura dell'energia d1 legame tra gh
atomi di un particolare metallo. . . . . . . . .. . . .
J livelli di energia in cristalli metallici mult1atom1c1 sono d1vers1da q~elh di
atomi singoli. Quando atomi metallici si le~ano. per formare u~ cn~tall~
metallico, le loro. energie diminuiscono .ma ,?~;
a hvelh leggermente ~1vers1.
elettroni di valenza in un cristallo metalhco formano p~rt~nt,? una bautla .
energia. La teoria delle bande di energia dei metalli verra d1séussa nel successivo
Paragrafo 5.2. . . . · . 11' ·
Le energie di legame ed i punti di fusione dei ~1vers1m_et~ 1 vanan~
notevolmente. In generale, quanto minore è il numero d1 ele~trom, d~ valenza d1
ogni atomo coinvolti nel legame~ meta:Uiç,o, tan~o .maggiore e 11 c~rat~er~
metallico del legame; cioè tanto -più gli elettrom d1 valenza sono hben di
muoversi. . . · l 1· · h
Il massimo grado di legarne metallico si raggiunge ne1 met~lh a ca nn, C, e
hanno solo un elettrone di legame in più rispetto aUa confi_guraz1.on~ele~tromc~
dl. un gas nobile · Di conseguenza,
·
le energie di legame e 1 punti d1 fusmne dei
metalli alcalini sono relativamente bassi. Ad· esempio,
· I' energia
· d 1· l. egarne del
sodio è 108 kJ/mole (25,9 kcal/mole) e quella del potassio è 89,6 kJ/mole (21A
kcal/mole) e le loro temperature di fusione sono rispettivamente 97,9°C per iI

sodio e 63,5°C per il potassio.
All'aumentare del numero di elettroni di legame anche le energie di legame
ed i punti di fusione dei metalli aumentano, come viene mostrato in Tabella 2.9
per i metalli dei quarto periodo della tavola periodica degli elementi. Il calcio,
che ha due elettroni di valenza per atomo, ha i suoi elettroni di valenza più
saldamente legati a sé che non il potassio, e di conseguenza sia l'energia di
legame, pari a 177 kJ/mole (42,2 kcal/mole), che la temperatura di fusione
(851°C) sono considerevolmente superiori rispetto a quelle del potassio. Con
l'introduzione degli elettroni 3d, nei metalli di transizione del quarto periodo,
dallo scandio al nichel, le energie di legame e le temperature di fusione
aumentano in modo ancora maggiore. Per esempio, il titanio ha un'energia di
legame pari a 43 kJ/mole (113 kcal/mole) ed una temperatura di fusione di
l 182°C. Le maggiori energie di legame e temperature di fusione dei metalli di
transizione vengono attribuite all'ibridazione dsp che implica una significativa
frazione di legame covalente. Quando gli orbitali 3d sono riempiti, gli elettroni
esterni risultano meno legati cosicché le energie di 1ègame e le temperature di
fusione deì metalli decrescono ancora. Per esempio, lo zinco, che ha
configurazione elettronica esterna 3d 104s 2, ha valori relativamente bassi dì
energia di legame, pari a 131 kJ/mole (31,2 kcal/mole), e di temperatura di
fusione, pari a 419°C.
TABELLA2.9 Energiedi legame,temperaturedi fusione e configurazioni

elettronichedei metalli del quarto periodo della tavola periodica
degli elementi
Energia di legame
Configurazione Temperatura
Elemento elettronica KJ/mol Kcal/mol di fusione, °C
K 4s1 89.6 21.4 63.5

Ca 4s2 177 42.2 851
Se 3d 14s 2 342 82 1397
TI 3d24s2 473 113 1812
V 3d3452 515 123 1730
Cr 3d54s1 398 95 1903
Mn 3d54s2 279 66.7 1244
Fe 3d64s2 418 99.8 1535
Co &P4s2 383 91.4 1490
Ni 3d84s2 423 101 1455
Cu 3dl045t 339 81.1 1083
Zn 4s2 131 31.2 419
Ga 4s24p1 272 65 29.8
Ge 4s24p2 377 90 960
52 Capitolo 2
FIGURA2.26 (a)Dipolo
elettrico.
Ilmomento
del
dipoloè paria q x d
elettrico
(b) Dipolo in una d
molecolaconlegami
Si notila
covalenti. (a) (b)
separazione
deicentridi
carica e negativa.
positiva
2.8 LEGAMI SECONDARI
Abbiamo fino ad ora considerato solo i legami primari, di tipo forte, tra gli
atomi ed abbiamo mostrato che essi dipendono dall'interazione degli elettroni dì
valenza. Il lavoro motore per la formazione dei legami primari è fornito dalla
diminuzione dell'energia degli elettroni di legame. I legami secondari sono
invece relativamente deboli rispetto a quelli primari ed hanno energie variabili
approssimativamente tra 4 e 42 kJ/mole (1·10 kcal/mole). U lavoro motore per
la formazione dei legami secondari è dato dall'attrazione dei dipoli elettrici
all'interno degli atomi o delle molecole.
Quando ~due cariche uguali e contrarie vengono separate, si forma un
momento di dipolo elettrico, come mostrato in Figura 2.26a. I dipoli elettrici si
formano anche negli atomi o nelle molecole in cui sono separati i centri di carica
negativa e positiva (Figura 2.26b).
I dipoli degli atomi o delle molecole creano un momento di dipolo. Un
momento di dipolo viene definito come il prodotto della carica per la distanza di
separazione tra le cariche positive e negative, cioè: ,•
µ= qd (2.9)
dove: µ = momento del dipolo

q = carica elettrica
d = distanza. di separazione tra i centri di carica.
I momenti di dipolo tra gli atomi e le molecole vengono misurati in coulomb ·

°
metri (C. m) o in debye, dove I debye = 3 1 34 · 10- 3 C · m.
I dipoli elettrici interagiscono fra Joro attraverso forze elettrostatiche
(coulombiane), cosicché gli atomi e le molecole contenenti dipoli vengono attratti
Struttura e legami degli. atomi 53
·- -·_-.._-
-
-
__;; -
.-.-_-:-
(a) (b)
FIGURA 2.27 Distribuzione

dellanuvola
di caricaelettronica
in unatomodi ungasnobile.
(a)Distribuzione
simmetrica
teorica.
(b)Casorealecondistribuzione
asimmetrica
dellacarica
elettronica
che
cambiaconil tempo,
realizzando
undipoloelettrico
fluttuante.
tra loro da queste forze. Sebbene le loro energie di legame siano deboli, i legami
secondari divengono importanti nei casi in cui sono gli unici legami disponibili
per legare tra loro atomi e molecole.
In generale vi sono due tipi principali di legami secondari tra i dipoli di
atomi o molecole: i dipoli fluttuanti e i dipoli permanenti. Globalmente questi
legami secondari tra dipoli vengono a volte chiamati legami (for=e) di van der
Waals.
Dipoli fluttuanti Forze di legame secondario molto deboli si possono sviluppare tra gli atomi dei
gas no bili che hanno r orbitàle esterno dì valenza elettronica completo (s2per He
e s2p6 per Ne, Ar, Kr. Xe e Rn). Queste forze di legame sorgono perché la
distribuzione asimmetrica della carica elettronica in questi atomi crea dei dipoli
elettrici. In ogni istante c'è una elevata probabilità che ci sia più carica
elettronica da un lato dell'atomo che dall'altra (Figura 2.27).
Pertanto, in un particolare atomo la nuvola di carica elettronica cambierà
nel tempo, creando un "dipolo fluttuante". I dipoli fluttuanti di atomi vicini
possono attrarsi creando deboli legami interatomici non direzionali. Le basse
temperature ed elevate pressioni di Jiquefazione e solidificazione dei gas nobili
vengono attribuite ai legami dipolo fluttuanti. I punti di fusione e dì ebollizione
a pressione atmosferica dei gas nobili sono elencati in Tabella 2.10. Si noti che
all'aumentare della dimensione atomica del gas nobile aumentano anche le
temperature di fusione ed ebollizione a causa delle maggiori forze dì legame,
dovute al fatto che gli elettroni hanno più libertà di creare momenti di dipolo
più resistenti.
54 Capitolo 2
Dipoli pennanenti Deboli forze di legame tra molecole con legami covalenti possono instaurarsi se
le molecole contengono dei dipoli permanenti. Per ese;npio 1a molecola dì
metano, CH 4 , con i suoi quattro legami C-H disposti secondo una struttura
tetraedrica (Figura 2.20), ha un momento di dipolo nullo a causa della
disposizione simmetrica dei quattro legami C-H; questo significa che la somma
vettoriale dei quattro momenti di dipolo è nulla. La molecola di clorometano,
CH 3 Cl, invece, ha una disposizione tetraedrica asimmetrica di tre legami C-H e
di un legame C-Cl che dà un momento di dipolo netto di 2,0 debye. La
sostituzione di un atomo di idrogeno nel metano con uno di cloro determina
pertanto un aumento del punto di ebollizione, che passa da -128°C per il
meta,no a -14°C per il clorometano. 11punto di ebollizione molto più elevato
del cforometano è dovuto alle forze di legarne di dipolo permanente tra le sue
molecole. La TabeUa 2.11 riporta i momenti di dipolo misurati sperimental-
1
mente per alcuni composti.
Il legame idrogeno è un caso particolare dell'interazione permanente
dipolo-dipolo tra molecole polari. Il legarne idrogeno si ha quando un legame
polare contenente un atomo di idrogeno, 0-H o N-H, interagisce con gli atomi
elettronegativi O, N, F o CL Per esempio, la molecola dell'acqua, H20; ha un
momento di dipolo permanente di 1,84 debye dovuto alla sua struttura
asimmetrica caratterizzata da un angolo di 105° tra gli atomi di idrogeno
rispetto all'atomo di ossigeno (Figura 2.28a).
Le zone ove sono presenti atomi di idrogeno nella molecola dell'acqua
hanno un centro di carica positivo e la zona opposta in cui si trova ratorno di
ossigeno ha un centro di carica negativo (Figura 2.28a). Nel legarne idrogeno tra
molecole d'acqua la zona caricata negativamente di una molecola è attratta da
forze coulombiane verso la zona caricata positivamente di un'altra molecola
(Figura 2.28b).
Nell'acqua liquida e solida si formano forze intermolecolari di àipolo
permanente (legame idrogeno) relativamente forti tra le molecole d'acqua.
L'energia associata al legame idroge110 è circa 29 kJ/mole (7 kcal/mole) rispetto
a 2-8 kJ/rnole (0,5-2 kcal/mole) per le forze di dipolo fluttuante nei gas nobili.
L'eccezionalrnente alto punto di ebollizione delracqua (100°Q.in relazione alla
TABELLA2.1o Punti di fusione e di ebollizìonedei gas nobili a pressione

atmosferica
Gas nobile Temperatura_di fusione, "C, Temperatura dì ebollizione, "'C
Ello -272.2 -268.9

Neon -248.7 -245.9
Argo -189.2 -185.7
Cripto -152.9
Xeno -1 -107.1
Rado -71.0 -61.8
TABELLA 2.11 Momenti di dipolo sperimentali di alcuni elernentì (Debey)
1.84 CHsCI 2.00

0.00 CHCl3 1.10
0.00 HCI 1.03
0.00 NH3 1.46
sua massa molecolare è attribuito all'effetto del legame idrogeno. Il legame

idrogeno ha un ruolo molto importante anche nel rafforzare i legami tra le
catene molecolari di alcuni tipi di materiali polìmericì.
2.9 LEGAMI MISTI
Il legame chimico tra atomi o ioni può implicare più di un tipo di legame
principale e può anche implicare legami secondari. Per i legami primari ci
possono essere le seguenti combinazioni di legami misti: ( 1) ionico-covalente, (2)
metallico-covalente, (3) metallico-ionìco e (4) ionico-covalente-metallico.
/~",..
Leganle
idroo?eno
(a) (hl
FIGURA2.28 {a)Natura
di dipolopermanente
dellamolecola
dell'acqua.
(b)Legame
idrogeno
tramolecole
d'acqua
dovuto
all'attrazione
tra
dipolipermanenti.
56 Capitolo 2
Legame misto La maggior parte delle molecole con legame covalente han~o anche. un~ certa
ionico-covalente percentuale di legame ionico e viceversa. Il carattere pa~almente 1omco del
legame covalente può essere giustificato alla lu_ce. d_ella ~cala dell~
elettronegatività riportata in Figura 2.9. Tanto maggiore e la differenza di
elettronegatività tra elementi partecipanti ad un legame misto ionico,,covalente,
tanto più elevato è la percentuale di carattere ionico del legame. P~uling 1 ha
proposto la seguente equazione per determinare la percentuale d1 carattere
ionico di un composto AB:
% di carattere ionico = (1 - eHl 4HXrXaf)(IOO%) (2.10)
dove XA e X 8 sono le elettronegatività degli atomi A e B.del composto.

Molti composti semiconduttori hanno legame m~to ionico-covalente. Per
esempio, GaAs è un composto 3-5 (Ga è nel gruppo 3A e As è nel gruppo 51:
della tavola periodica) e ZnS è un composto 2-6. Come detto, la percentuale d1
carattere ionico del le 0 ame di questi composti aumenta all'aumentare della
differenza di elettroneg:tività. Così ci si aspetta che un composto 2-6 abbia una
percentuale di carattere ionico superiore a quella di un composto 3-5, a causa
della maggiore differenza di elettronegatività.
Eserciziario
Vedi Esercizio 2.11.
Legame misto Il legame misto metallico-covalente si può verificare comunemente. Per

metallico- esempio, i meta]li di transizione hanno legami misti metallico-covalente eh:
covalente implicano la formazione di orbitali dsp e determinano le el va~e te:11pe~ature d1
7
fusione di tali metalli. Anche nel gruppo 4A della tavola penod1ca s1verifica una
graduale transizione dal legame puramente covalente del carbonio (diamantet
ad un certo carattere metallico nel silicio e nel germanio, ad un legame
prevalentemente metallico nello stagno e nel piombo.
Legame misto Se esìste una significativa differenza di elettronegatività tra,,gli elementi che
metallico-ionico fom1ano un composto intermetallico, può esserci una significativa percentuale
di trasferimento di elettroni (legame ionico) nel composto. Così, alcuni composti
intermetallici sono buoni esempi di legami misti metallico-ionici. Il
trasferimento di elettroni è importante essenzialmente per composti intermetal-
lici come NaZn 13 e meno importante i composti come Al9Co3 e FesZn21 poiché
le differenze di elettronegatività per gli ultimi due composti sono molto inferiori.
1 Linus Cari Pau]ing (l 901- ). Chimico americano i cui la'vori pio?ieristici condusse~o _ad
una maggiore comprensionedei legami chimici. Ricevetteil premio Nobel per la ch1m1ca
nel 1954.
RIASSUNTO
Gli atomi sono costituìti da tre particelle subatomiche: i protoni, i neutroni e gli
elettroni. Si può immaginare che gli elettroni formino una nuvola elettronica
finemente dispersa di densità variabile attorno ad un nucleo atomico, più denso.
che contiene quasi tutta la massa dell'atomo. Gli elettroni esterni sono gli
elettroni di valenza ed è principalmente il loro comportamento che determina la
reattività chimica di un atomo.
Gli elettroni rispettano le leggi della meccanica quantistica e di conseguenza
la loro energia è quantiz;ata; cioè l'elettrone può avere solo certi valori
consentiti di energia. Se un-elettrone cambia la sua energia, deve spostarsi ad un
nuovo livellò di energia consentito. Durante una variazione di energia, un
elettrone emette o assorbe un fotone di energia in base all'equazione di Planck
!:::.E= hv, dove v è la frequenza della radiazione. Ogni elettrone è associato a
quattro numeri quantici: il numero quantico principale n. il numero quantico
azimutale !, il numero quantico magnetico m, ed il numero quantico di spin m,.
In base al principio di esclusione di Pauli, due elettrotìi non possono avere tuui i
quartro numeri quantici uguali. Gli elettroni seguono il principio di
indeterminazione di Heisenberg, che afferma che è impossibile determinare
simultaneamente il momento e la posizione di un elettrone. Di conseguenza la
posizione degli elettroni negli atomi deve essere considerata in termini di
distribuzione di densità delrelettrone.
Ci sono due tipi principali dì legami atomici: (1) legami prùnariforti e (2)
legami secondari deboli. I legami primari possono essere suddivisi in (1) ionici,
(2) covalenti e (3) rnetallici. mentre i legami secondari possono essere suddivisi in
(l) dipoli fluuuanri e (2) dipoli perma,umti.
I legami ionici sono formati dal trasferimento di uno o pìù elettroni da un
atomo elettropositivo ed uno elettronegativo. Gli ioni risultano legati in un
solido cristallino da forze elettrostatiche (coulombiane) e ii legame è non
direzionale .. La dimensione degli ioni (fattore geometrico) ed il rispetto della
neutralità elettrica sono i due fattori principali nel determinare la disposizione
degli ioni nello spazio. I legami coi•alemi sono formati dalla condivisione di una
coppia di elettro.ni di due orbitali semipieni. Il legame è tanto più forte quanto
più gli orbitali si mettono in compartecipazione. I legami covalenti sono
direzionali. I legami metallici sono formati dagli atomj metallici attraverso la
mutua condivisione degli elettroni di valenza nella fòrma di nuvola di carica
elettronica delocalizzata. In generale quanto minori sono gli elettroni di valenza,
tanto più essì sono delocalizzati e tanto più il legame è metallico. Il legame
metallico sì verifica solo tra un aggregato di atomi ed è non direzionale.
I legami secondari sono formati dall'attrazione elettrostatica di dipoli
elettrici all'interno dì atomi o molecole. I dipoli fluttuanti legano gli atomi in
seguito ad una distribuzione asimmetrica di carica elettronica all'interno degli
58 Capitolo 2
atomi. Queste forze di legame sono importanti in relazione alla liquefazione e

solidificazionedei gas nobili. I dipoli permanenti sono impOftanti per i legami tra
molecole polari con legami covalenti come l'acqua e gli id~ocarburi.
Negli atomi e nelle molecole si verificano comunemente legami misti. Per
esempio metalli come il titanio e il ferro hanno legami misti metallico-covalenti;
composti covalenti come GaAs e ZnSe hanno una certa percentuale di carattere
ionico; alcuni composti intermetallici come NaZnn hanno legami misti
metallico-ionici. In generale i legami si formano tra gli atomi e le molecole
perché le loro energie diminuiscono in seguito alla formazione del legame.
DEFINIZIONI
Parag,·afo2.1
Atomo:unità base di un elemento che può subire una variazione chimica.
Pm·agrafo2.2
Numeroatomico: numero di protoni nel nucleo dell'atomo di un elemento.
Unità di massaatomica(u): unità di massa basata sulla massa esattamente pari a 12 per il
fc.
Numero di Avogadro:6: 023 · l 023 atomi/mole; numero di atomi in una grammomole
relativa o mole di un elemento.
Parag,·afo2.3
Meccanica quantistica: ramo della fisica nel quale i sistemi in esame possono avere solo
dei valori discreti ammissibili di energia, separati da regioni proibite.
Stato di minima energia possibile: lo stato quantico di minore energia.
Principio di indeterminazione di Heisenberg: affermazione in base alla quale è impossibile
determinare con accuratezza nello stesso istante la posizione e il momento di una
piccola particella, come un elettrone.
Fotone: particella di radiazione con associata una lunghezza d'onda e una frequenza;
detto anche quanto di radiazione.
Numeri quantici: serie di quattro numeri necessari per caratterizzare b"gni elettrone in un
atomo; essi sono: il numero quantico principale n, il numero quantico azimutale /, il
numero quantico magnetico m1 e il numero quantico di spin mJ.
Principio di esclusione di Pauli: affermazione in base alla quale due elettroni non possono
avere i quattro numeri quantici uguali.
Guscioelettronicorgruppo di elettro:pi con lo stesso numero quantico principale.
Configùrazioneelettronica:distribuzione di tutti gli elettroni di un atomo in relazione ai
loro orbitali atomici.
Orbitaleatomico:regione dello spazio attorno al nucleo di un atomo dove è più probabile
che si trovi un elettrone con una data serie di numeri quantici; ad esso è anche
associato ad un certo livello di energia.
Energiadi ionizzazione:energia richiesta per rimuovere un elettrone in un atomo dal suo
stato di minima en.ergia fino a distanza infinita.
Struttura e legami'degil
atomi '59
Paragrafo 2.5
Anione:ione con carica negativa.
Catione: ione con carica positiva.
Legame ionie?: legame primario risultante dall'attrazione elettrostatica di ioni con carica
opposta. E un legame adirezionale. Un esempio di materiale con Ie2ami ionici è un
cristallo di NaCL -
Paragrafo 2.6
Legame covalente: legame primario risultante dalla condivisione dì elettroni. Nella
tt
ma~gi.or _pa_rtedei casi, legame covalente implica la sovrapposizione degli orbitali
sem1p1emd1 due atomi. E un legarne direzionale. Un esempio di materiale con legami
covalenti è il diamante. ~
Orb~tale ibr~do: orbitale ottenuto dalla combinazione dì due o più orbitali. Il processo di
narrang1amento.degli orbitali si chiama ibridi=zazione.
Parag,·afo 2.7
Elettronidi valenza: elettroni dei gusci più esterni che sono più frequentemente coinvolti
nella formazione dei legami.
Ione positivo:atomo senza i suoi elettroni di valenza.
Legame m~tall~co:legame primario risultante dalla condivisione degli elettroni esterni
d~locah:zau nel_la_ f~rma dì una nuvola di carica elettronica da parte di un aggregato
di atomi metalhc1. E un legarne adirezionale. Un esempio di materiale con Jegan1e
metallico è il sodio elementare.
Parag,-afo2.8
Legame dipolo permanente:legame secondario creato dall'attrazione di molecole che
hann~ dip~li perma~1enti: cioè ogni molecola ha un centro di carica dì carica positiva e
uno di canea negauva separati da una certa distanza.
Legame i~roge~o: attrazione intem1olccolare di tipo speciale dovuta a dipoli p~rmanenti
che s1 verifica fra un atomo di idrogeno legato ad un elemento fortemente
elettronegativo O, N o Cl) ed un atomo di un elemento con elevata
elettronegatività.
, ..
l
l
I
!
STRUTTURAE GEOMETRIA
CRISTALLINA
3.t RETICOLO SPAZIALE E CELLE ELEMENTARI
La struttura fisica dei materiali solidi di interesse tecnologico dipende

principalmente dalla disposizione degli atomi, ioni o molecole che compongono
il solido e dalle forze che li ìegano fra loro. Se gli atomi o gli ioni di un solido
sono disposti secondo una disposizione ripetitiva nelle tre dimensioni dello
spazio, essi formano un solido chiamato solido cristallino o materiale cristallino.
Esempi di materiali cristallini sono i metal1i, le leghe e alcuni materiali ceramici.
La disposizione degli atomi nei solidi cristallini può essere descritta facendo
riferimento agli atomi come a punti di intersezione. 't'.:le11e linee di una maglia
tridimensionale, chiamata reticolo spaziale (Figu~à 3. la) 1 che può essere
descritta come una sequenza ìnfinita di punti. Ogni punto nel reticolo spaziale
ha gli stessi punti prossimalì; in un cristallo ideale cioè i diversi punti del reticolo
che contornano ogni singolo punto sono identici a quelli che contornano ogni
a1tro punto del reticolo crìstallino. Ogni reHcolo spaziale può quindi essere
descritto specificando le posizioni degli atomi nella unità elementare ripetitiva,
come i punti riportati in neretto nella Figura 3. la. La dimensione e la fonna
62 Capitolo 3
FIGURA 3.1 {a)Reticolo

spaziale
e solidocristallino
ideale.
(b) Cellaelementare (al (bi
conindicate le costanti
reticolari.
della cella elementare possono essere descritte mediante tre vettori reticolari a, b,
e e, che hanno origine da un angolo della cella elementare (Figura 3.lb). La
lunghezza degli assi a, b, e e e gli angoli tta tali assi a, /3e "/, sono le costanti
reticolari della cella elementare.
3.2 SISTEMI CRISTALLINI E RETICOLI DI BRAVAIS
Assegnando dei valori specifici alla lunghezza degli assi e agli angoli compresi
tra essi, possono essere costruite celle elementari di diverso tipo. La
cristallografia ha mostrato che sono necessari solamente sene diversi sistemi
cristallini per dare origine a tutti i possibili tipi di reticolo. Questi sistemi
cristallini sono elencati i11Tabella 3.1.
Alcuni dei sette sistemi cristallini hanno delle possibili v~anti nella unità
elementare base. A. J. Bravais 1 mostrò che 14 celle elementari standard possono
descrivere tutti i possibili reticoli cristallini. Questi reticoli, detti di Bravais, sono
mostrati in Figura 3.2. Ci sono quattro tipi fondamentali di cella elementare: (1)
semplice, (2) a corpo centtato, (3) a facce çentrate, e (4) a base centrata.
Nel sistema cubico ci sono tre...t.ipi di cella elementare: cubica semplice,
cubica a corpo centrato e cubie~ a facce centrate. Nel sistema ortorombico tutti
e quattro i tipi fondamentali sono rappresentati. Nel sistema tetragonale vi sono
1 August J. Bravais (1811-1863). Cristallografo francese che stabilì le quattordici possibili

disposizioni di punti nello spazio per formare le celle elementari.
Struttura e geometria cristallina 63
a
a
•,..
e - e"
., I
I
,rfil]
.a·------•
~ a __ ,:...-..+-
__
a b
.-).(,_ Tetragonale
a ••
a• •
Monoclino
a---.:...-
..........
•
b
Romboedrico
I•
a
a
-!Il-
.,. I
•
I,
a e --.,•
I
a----'.:.--..j.,-j•
a b
Cubico Esagonale Ortorombico Triclino
FIGURA3.2 114_retico_li sècondo

di B~vaisraggruppati il sistemacristallino.
I puntiìn neretto
indicanoleposizioni
reticolari
che,quando
collocati
sughangollo sullefacce,
sonocondivisi
daaltreidentichecelieelementari [DaW.G.Moftatt,
delreticolo. G.
W.Pearsall
e J. Wulff,"TheStructure
andProperties
of Materials';
voi.I, "Structure·:
Wiley,1964,p.47J. ·
64 Capitolo3
TABELLA3.1 Classificazionedei ReticoliSpazialiper mezzo del sistemacristallino
Sistema Lunghezzadegli assi e Reticolo

cristallino angolitra gli assi spaziale ·
Cubico Tre assi uguali con angoli rétti Cubico semplice

a = b = e, o: = f3 = "I = 90° Cubico corpo centrato
Cubicofaccecentrate
Tetragonale Tre assi con angoli uguali, Tetragonalesemplice

due uguali Tetragonalecorpo centrato
a = b :f::e, a: = /3= "I = 90°
Ortorombico Tre assi disugualicon angoli uguali Ortorombicosemplice
a :j: b :/: e, o: = (3 = i = 90" · Ortorombicocorpo centrato
Ortorombicoassi centrate
Ortdrombicofacce centrate
Romboedrico Tre assi uguali, ugualmenteinclìnati Romboedricosemplice

a = b = e, o: = /3= "I "Fgoe
Esagonale Due assi uguali a 120°, terzo asse Esagonalesemplice
con angoli retti
a = b # e, a = /3= 90", "f = 120°
Monoclino Tre assi disuguali,una coppia non Monoclinosemplice
con angolo retto Monoclinobasi centrate
a ::pb =fe, alpha = 1 = 90° :;f /3
Triclino Tre assidisuguali, inclinatiin modo Triclinosemplice

disuguale,nessuno con angoli retti
a '? b :fae, a # 5' # ì ;é goc
solo due tipi: semplice e a corpo ce11trato; il tipo tetragonale a facce centrate
sembra non esserci, ma in realtà può essere costruita a partire da quattro celle
elementari tetragonali a corpo centrato. 11sistema monoclino ha celle elementari
semplici e a base centrata, e i sistemi romboedrico, esagonale e triclino hanno
solo la cella elementare semplice. r
3.3 PRINCIPALI STRUTTURE CRISTALLINE METALLICHE
In questo capitolo verranno discusse in dettaglio le principali strutture

cristalline degli elementi metallici; nel Capitolo 10 verranno trattate le
principali strutture ioniche e covalenti che riguardano i materiali ceramici.
Pur essendo 14 le possibili strutture cristalline, la maggior parte degli
elementi metallici (cìrca il 90 per cento) cristallizza durante la solidificazione
secondo tre sole strutture cristalline, tutte di tipo compatto: cubica a corpo
(a) {b) (C')
FIGURA 3.3 Strutture

principali
delleceHe
cristalline
elementari.
metalliche:
(a)cubica
a corpocentrato,
(b)cubica
a taccecentrate
(e)esagonale
compatta. ··· · '
centrato (CCC) (Figura 3.3a). cubica a facce centrate (CFC) (Figura 3.3b) e
esagonale compatta (EC) (Figura 3.3c). La struttura EC è una variazione più
densa della struttura cristallina esagonale semplice mostrata in Figura 3.2. La
maggior parte dei metalli crì.staHizza con queste strutture compatte in quanto
tanto più gli atomi si avvicinano gli uni agli altri legandosi saldamente insieme.
tanto più viene rilasciata energia, dando luogo ad una situazione ·dì Jivell~
energetico più b.assoe conseguentemente più stabile.
Va sottolineato che le dimellSionidelle celle elementari dei metalli cristallini
mostrate in Figura 3.3 sono estremamente ridotte. Il Iato della cella elementare
cubica del ferro CCC, per e.sempio. a temperatura ambiente è pari a
O,287 x 10-9 m, cioè 0,287 nanometri (nm)1• Perciò, se celle elementari del
ferro puro venissero allineate, in un millimetro ci starebbero:
1 mm x 0.28?1 cella xelementare = 3.48 x 6 •

0111 10_ 6 mm/nm 10 celle elementan
Esaminiamo ora in dettagHola disposizione degli atomi. nelle tre principali.

strutture cristalline secondo cui solidificano i materiali metallici. Sebbene
costituisca in realtà una approssimazione, sì può ritenere che gli atomi in queste
strutture cristalline siano assimilabili a sfere rigide. La distanza tra gli atomi
1
l nanometro 1o-9 m.
66 Capitolo 3
(a) {b) Cc)
FIGURA 3.4 Celle . I

elementariCCC:
(distanza interatomica) nelle strutture cristalline può essere determinata
(a)disposizioneatomica
dellacellaelementare, sperimentalmente attraverso la diffrazione 1 ai raggi X. Per esempio, la distanza
(b)cellaelementarea sfere interatomica tra due atomi di alluminio in un pezzo di alluminio puro a 20°C è
rigidee (e)cellaelementare0,2862 nm. Il raggio dell'atomo di aUuminio nell'alh.uninio metallico è pàri alla
isolata. metà della distanza interatomica, cioè O,143 nm. I raggi atomici di alcuni metalli
sono elencati nelle Tabelle 3.2, 3.3 e 3.4.
Struttura Dapprima consideriamo ]a disposizione atomica della cella elementare nella

cubica a corpo struttura cristallina CCC mostrata in Figura 3.4a. In questa cella elementare i
centrato (CCC) punti riport.ati in neretto rappresentano le posizioni dove sono disposti glì atomi e
indicano chiaramente il loro posizionamento relativo. Se si rappresentano gli
atomi in questa cella come sfere rigide, allora la cella elementare apparirà come in
Fìgura 3.4b.In questa cella elementare vediamo che l'atomo centrale è circondato
da otto atomi. e si dice pertanto che ha numero di coordinazione pari a 8.
Se isoliamo una singola cella elementare di sfere rigide, otteniamo il
· modello mostrato in Figura 3.4c. Ognuna di queste celle ha al suo interno un
atomo completo, collocato al centro della cella elementare, e un ottavo di atomo
colloeato su ognuno degli otto angoli della cella; quindi per ogni cella
elementare c'è un totale di l (al centro) +8 · 1/8 (agli angoli)='~ atomi per cella
elementare. Nella cella elementare CCC gli atomi sono in contatto l'uno
alJ'altro lungo la diagonale del cubo, come mostrato dalla Figura 3.5, così ia
relazione tra il lato del cubo a e il raggio atomico R è
4R
-13a= 4.R oppure a (3.1)
v'3
1
Alcuni dei principi dell'analisimediante diffrazionedei raggi X verrannoesposti nel
Paragrafo3.11.
4R
-)
a
l
FIGURA 3.5 Cella
elementare CCCchemostra
le relazioni
cheintercorrono
trala costante
reticolare
ae
il raggioatomicoR.
TABELLA3.2 Metallicon struttura cristallinaCCC a temperatura ambiente {20°C) e valori delle

costanti reticolari e dei raggi atomici
Metallo Costante Raggio

reticolare atomico
a, nm R*, nm
Cromo 0.289 0.125

Ferrò 0.287 0.124
Molibdeno 0.315 0.136
Potassio 0.533 0.231
Sodio 0.429 0.186
Tantalio 0.330 0.143
Tungsteno 0.316 0.137
Vanadio 0.304 0.132
• Calcolatodallecostanti reticolariusando
l'Equazione(3.1),R v'3a/4
Eserciziario
Vedi Esercizio3.1.
Se gli atomi nella cel1a elementare CCC vengono considerati sferici, può essere
calcolato un fattore di compattazione atomica {FCA) utilizzando l'equazione
Fattore a·1 co tt . t . volume degli atomi della ceJla elementare

. mpa azione a omica = volume della cella elementare (3 -2 )
68 Capitolo 3
Utilizzando questa equazione, per la cella elementare CCC (Figura 3.3a) si può
calcolare un FCA pari a 0,68; ciò significa che il 68 perc,into del volume della
cella elementare CCC è occupato dagli atomi e il restante ;32 percento è spazio
libero. La struttura cristallina CCC non è in realtà una struttura
particolarmente compatta. in quanto gli atomi potrebbero essere avvicinati
maggiormente; ciononostante molti metalli come il ferro, il cromo, il tungsteno,
il molibdeno e il vanadio banno a temperatura ambiente struttura cristallina
CCC. La Tabella 3.2 elenca le costanti reticolari e i raggi atomici di alcuni
metalli CCC.
Eserciziario
Vedi Esercizio3.2.
I
Struttura Consideriamo ora la cella elementare con struttura cristallina CFC, mostrata in
cubica a facce Figura 3.6a. In questa cella elementare vi è un punto reticolare in ogni angolo
centrate (CFC) del cubo e un punto. al centro di ogni faccia. Il modello a sfere rigide di Figura
3.6b permette di calcolare che gli atomi nella struttura cristallina CFC sono
notevolmente compatti; il FCA per questa struttura è di O,74 rispetto allo 0,68
della struttura CCC che risulta quindi essere meno compatta.
La cella elementare CFC è costituita da quattro atomi per cella, come
mostrato in Figura 3.6c; gli otto angoli con un ottavo di atomo contano per un
atomo (8 · 1/8 = 1), e i sei semi atomi suHe sei facce del cubo contribuiscono per
altri tre atomi (6· ½ 3). Gli atomi nella cella elementare CFC sono in contatto
l'uno con raltro lungo la diagonale della faccia del cubo, come mostrato in
Figura 3.7, cosicché la relazione che intercorre tra la lunghezza del lato del cubo
a e il raggio atomico R è
V2a= 4R oppure (3.3.)
Il FCA della struttura CFC pari a 0,74 è il più elevato possibile per "atomi
sferici". Molti metalli come alluminio, rame, piombo, nichcd e ferro ad alta
temperatura (da 912 a I394°C) cristallìzzano con una struttura CFC. La Tabella
3.3 elenca le costanti reticolari e i raggi atomici per alcm1i metalli con struttura
CFC.
Struttura La terza comune struttura cristallina secondo la quale solidificano i metalli è la

esagonale strutrura EC mostrata in Figura 3.8. Il FCA della struttura cristallina EC è pari
compatta (EC) a 0,74, lo stesso della struttura cristallina CFC, dato che in tutte e due le strut-
ture gli atomi sono in condizione di massima vicinanza possibile. In entrambe le
strutture cristalline EC e CFC ogni atomo è circondato da 12 altri atomi, e
quindi entrambe le strutture hanno un numero di coordinazione pari a 12. La
differenza nella compattazione atomica tra le strutture EC e CFC sarà discussa
FIGURA3.6 Cella
elementare CFC:
{a}disposizioneatomica
(a) (b)
dellacellaelementare, (C)
(b)cellaelementarea sfere
rigidee (e)cellaelementare
isolata.
nel Paragrafo 3.8. Nessun metallo cristallizza invece con struttura .esagonale
semplice (Figura 3.2) in quanto il FCA sarebbe troppo basso; cristallizzando
con struttura EC gli atomi raggiungono energìa più bassa e conseguentemente
condizioni più stabili.
La cella elementare isolata EC è mostrata in Figura 3.8c e ha un equivalente
di sei atomi per cella elementare. Tre atomi formano un .triangolo nel piano
intermedio, come mostrato dalle posizioni atomiche di Figura 3.8a; ci sono poi
FIGURA.3.7 Cella
elementarechemostra le
relazioni
chei.ntercorronotra
la costante
reticolare
a edil
raggioatomico R. Gliatomi
si toccano
lungola
dellafaccia
diagonale di
lunghezza"2.a= 4R.
70 Capitolo 3
TABELLA 3.3 Metalli che hanno

struttura cristallinaCFC a
temperatura ambiente (20°0) e
valori delle costanti reticolari e
dei raggi atomici
Metallo Costante Raggio

reticolare atomico
a,nm R·,nm
Alluminio 0.405 0.143

Rame 0.3615 0.128
Oro 0.408 0.144
Piombo 0.495 0.175
Nichel 0.352 0.125
Platino·· 0.393 0.139
Argenta 0.409 0.144
* Calcolatodalle costantì reticolariusando

l'Equazione(3.3). R = v'2 a/4
sei parti di l /6 di atomo su entrambi i piani superiore e inferi ore della cella,
=
equivalenti ad altri due atomi (2.6 · 1/6 2); infine c'è un mezzo atomo al
centro sia del piano superiore che di quello inferiore, equivalenti ad un atomo
aggiuntivo. Il numero totale di atomi nella struttura cristaliina della cella
elementare EC è quindi 3 + 2 + 1 6.
Nella struttura cristallina EC. il rapporto tra l'altezza e del prisma
esagonale e il lato della base a è chiamato rapporto e/a (Figura 3.8a); il rapporto
e/a per una struttura crista1Iina EC ideale. che consiste in sfere unifonni
avvicinate il più possibile. è pari a 1,633. La Tabella 3.4 elenca alcuni importanti
TABELLA3.4 Metalli con struttura cristallina EC a temperatura ambiente (20°C) e valori delle
costanti reticolari, dei raggi atomici e dei rapporti e/a
, ..
Costanti
reticolari, nm
Raggio atomico Rapporto % di deviazione

Metallo a e R,nm eia dall'idealità
Cadmio 0.2973 0.5618' 0.149 1.890 +15.7

Zinco 0.2665 0.4947 0.133 1.856 +13.6
EC ideale 1.633 o
0.3209 0.5209 0.160 l.623 .;..Q,66
Magnesio
Cobalto 0.2507 0.4069 0.125 1.623 -0.66
Zirconio 0.3231 0.5148 0.160 1.593 -2.45
Titanio 0.2950 0.4683 0.147 1.587 -2.81
Berlllio 0.2286 0.3584 0.113 1.568 -3.98
(al (b) (e)
FIGURA 3.8 Cella

elementareEC: metalli EC e i loro rapporti e/a. Si può notare che il cadmio e lo zinco hanno dei
(a)disposizione atomica
valorì di e/a più elevati rispetto a quem ideali, il che indica che in queste
dellacellaelementare,
(b)cellaelementare a sfere strutture gli atomi si sono leggermente allungati lungo l'asse e della cella
rigidee (e)cellaelementareelementare EC. Il magnesio, il cobalto. lo zirconio, il titanio e il berillio hanno
[{b) e (e)daF.M.
isolala. invece un rapporto e/a minore di quello ideale; perciò in questi metalli gli atomi
Milfer."Chemistry:Structure sono leggennente compressi lungo la direzione dell'asse c. Quindi per i metalli
andDynamics''. McGraw* EC elencati in Tabella 3.4 sussiste una certa differenza rispetto al modello a
Hifi.1984.p.296].
sfere rigide ideale.
[ Eserciziario
Vedi Esercizio3.3.
3.4 POSIZIONI DEGLI ATOMI NELLE CELLE ELEMENTARI CUBICHE
Per determinare le posizioni degli atomi nelle celle elementari cubiche, si utilizza
un sistema a tre assi ortogonali x, y e =· In cristallografia solitamente si
assumono positivi l'asse x quando uscente dal piano del disegno, l'asse y [;
quando rivolto verso destra e l'asse z quando rivolto verso l'alto (Figura 3.9). I l:
versi negativi sono gli opposti di quelli appena descritti. ~
Le posìzioni degli atomi nelle celle elementari sono determinate utilizzando

distanze unitarie sugli assi x, y e z, come indicato in Figura 3.9a. Per esempio in
Figura 3.9b vengono indicate le coordinate di posizione degli atomi nella cella
elementare CCC. Le posizioni per gli otto atomi negli angoli della cella
elementare CCC sono:
72 Capitolo 3
I
+z
(0,0,1) ,,
-.X
_co_,o_,1_)
___ (o•.1, 1)
/·(-1,0,0)
.,,/
(0,-1,0) .,,"' (0.1.0)
-.r< ·- - - -.,,-------
1(0,0,0) +y
.,,
(l.0,0).,"
+x
11• ero,o,-t} X
FIGURA 3.9 (a)Assi
ortogonalix,y e z utilizzati t
-z
perdeterminare le posizioni
nellecelleelementari (a) (b)
cubiche,
(b} Posizioni degli
atominella.cellaelementare
CCC,
(O. O, O) (1, O, O) (O, 1, O) (0, O, l)

(l, 1, 1) (1, 1, O) (1, O, l) (O. 1, 1)
l'atomo centrale della cella elementare CCC ha coordinate (1/2. 1/2. 1/2). Per
semplicità qualche volta. per la cella elementare CCC vengono specificate solo
due posizioni, che sono (0, O, O) e (1/2'. l/2, 1/2); le restanti posizioni atomiche
possono essere facilmente ricavate. Le posizioni degli atomi nella cella CFC
possono essere ricavate in modo analogo a quello visto per la cella elementare
ccc.
3.5 DIREZIONI NELLE CELLE ELEMENTARI CUBICHE
Frequentemente nei reticoli cristallini è necessario fare rìferimento a specifiche

direzioni. Ciò è particolarmente importante per i metalli e le leghe che hanno
proprietà che variano con l'orientazione cristallografica. Per i cristalli cubici gli
indici di una direzione cristallografica sono le componenti scomposte del vettore
di direzione lungo ognuno degli assi coordinati, ri.dotte agli interi più piccoli.
Per indicare graficamente una direzione in una cella elementare cubica, si
disegna un vettore di direzione partendo da un'origine, che solitamente è un
angolo della cella cubica, fino a farlo emergere dalla superficie del cubo (Figura
3.1O). Le coordinate di posizione del punto in cui il vettore di direzione emerge
X X
._) [11JJ
r2101---""
-'g--'
!iiO}·i4==?1·
x
·~.
Notare la O
nuova origine
• .
(a) (b) (e) (d)
FIGURA 3.1O Alcune

direzioni
nellecelle
elementari
cubiche. dalla superficie del cubo, ridotte a numeri interi, sono gli indici della direzione in
esame. Convenzionalmente gli indfoi de11edirezioni sono racchiusi in parentesi
quadre senza virgole di separazione.
Per esempio, le coordinate di posizione del vettore di direzione OR di
Fi.g~ra.3:1~a ~ov: esso emerge dalla superficie del cubo sono (1, O, O), e quindi
gh ~n?1c1d1 d1rez1one del vettore di direzione OR sono [lOOJ;le coordinate di
?os!z.1o~e~el :ettor~ di direzione OS (Figura 3.IOa) sono (L 1, O) e quindi gli
md1c1d1 d1rez1one d1 OS sono [llO]; le coordinate di posizione del vettore di
direzione O T (Figura 3. JOb) sono (1, I., J) e quindi gli indici di direzione di O T
sono [ll l].
Le coordinate di posizione del vettore di direzione OM (Fìgura 3.1Oc) sono
( L 1/2. O), e dato che i vettori di direzione devono essere interi è nècessario
moltiplicare i valorì per due: quindi gli indici di direzione di OM diventano
2(1, l/2,0) = [2,LOJ: Le coordinàte di posizione del vettore ON (Figura 3.10d)
sono (-1, -1, O). Poiché un indice di direzione negativo è convenzionalmente
indicato con una barra sopra l'indice stesso, gli indici di direzione di oN sono
{110];si noti che per disegnare la direzione ON internamente al cubo l'orie:ine
del vettore di direzione deve essere spostato ne1Pango1o destro inferiore dav;nti
della cella elementare (Figura 3. l Od).
In generale vengono utilizzate le lettere u, I', e w per indicare g:Jiindici di
direzi~?e rispettivamente lungo x, y e .:, indicandole con la notazio~e [uvw], È
altres1 importante notare che tutti i vettori che sono pai:alleli tra loro hanno e:li
stessi indici di direzione. . -
Le direzioni sono fra loro cristallograficamente equivalenti se Ja distanza
. tr~ gli.atomi lungo ogni direzione è la stessa. Per esempio, le seguenti linee degli
sp1goh del cubo sono direzioni cristallograficamente equivalenti:
=< 100 >

[lOO]IOIOJ[0011[0TO][OOTJ[TOO]
74 Capitolo 3
(a) (b)
Origine .J.,.;.;.._.,......;1---J-----'~1 y
-ri
[100]
X • X
Notare la nuova origine
(e) (d)
FIGURA 3.11 Vettori la nuova origine

O.....,_Notarc
X
di direzione
nellecelle
elementaricubiche.
Si patia in questi casi di famiglia di direzioni equivalenti. in~ic~11dola con l_a

notazione < uvw> . Così la notazione < 100> è usata per md1care colletti-
vamente le direzioni corrispondenti agli spigoli di un cubo; altre famiglie dì
direzioni sono le diagonali del cubo < 111 > e le diagonali dcllc: facce del cubo
<110>.
Eserciziario }
i------- Vedi Esercizi3.4, 3.5, 3.6.
'
I
l
3.6 PIANI NELLE CELLE ELEMENTARI CUBICHE
In molti casi è necessario fare riferimento a specifici piani di atomi de] reticolo
all'interno de1la struttura cristallina, oppure potrebbe essere interessante
conoscere l'orientamento cristallografico di un piano o di un gruppo di piani
in un reticolo cristal1ino. Per identificare i piani cristallini nelle strutture
cristalline cubiche, viene utilizzato il sistema dì notazione di Miller 1• Gli indici
di Miller dì un piano cristallino sono definiti come i reciproci delle intersezioni
frazionarie (con le frazioni normalizzate a numeri interi) del piano con gli assi
cristalJografici x, y e z relativi ai tre spigoli non paralleli della cella elementare
cubica. Gli spigoli del cubo della cella elementare rappresentano de1le unità di
lunghezza, e le intersezioni dei piani del reticolo sono misurate in rapporto a
queste unità di lunghezza.
La procedura per determinare gli indici di Miller per un piano cristaJlino
cubico è la seguente:
1. Scegliere un piano che non passa per l'origine (O, O. 0).

2. Determinare le intersezioni del piano rispetto agli assi cristallografici x, y e z
per una cella elementare cubica. Tali intersezioni potrebbero ~ssere frazio-
narie.
3. Fare i reciproci di queste intersezioni.
4. Normalizzare le frazioni agli interi e determinare gli interi più piccoli tra tutti
i numeri che hanno lo stesso rapporto delle intersezioni. Questi numeri sono
gli indici di Milier del piano cristallografico e sono racchiusi in parentesi
senza essere divisi da virgole, con la notazione (hkl). Si ricorda che invece
virgole sono presenti alrinterno della notazione utilizzata per definire le
posizìoni.
La Figura 3.12 mostra tre dei più importanti piani cristallografici di una
struttura cristallina cubica. Consideriamo dapprima il piano cristallino
ombreggiato di Figura 3.12a, che ha intersezioni con gli assi x, y e =
rispettivamente I, oc, oc. Per ottenere gli indici di Miller, facciamo i reciproci di
questi valori e otteniamo quindi O00). notazione che viene letta come piano
uno-uno-zero.
Consideriamo ora il secondo piano(Figura 3.12b) le cui intersezionì sono 1,
l, oo; dato che i reciproci di questi numeri sono 1, l, O, che non coinvolgono
frazioni, gli indicì di Miller di questo piano sono (I 10). Infine il terzo piano
1
William Hallowes Miller (1801·1880). Cristallografo inglese che pubblicò il "Tratise on
Cristallography" nel 1839, utilizzando assi cristallografici di riferimento paralleli aglì
l
spigoli del cristallo e utilizzando indici reciproci.
76 Capitolo 3
zI
(110}
(100
X X X
(a) (b) (e)
FIGURA 3.1.2Indicidi
Millerdi alcuniimportanlì
pianicristallografici
del (Figura 3.12c) ha intersezioni 1, 1, l e conseguentemente ind~ci d~ Miller (111).
cubo:(a) (100).(b) (110)e
(e}(111).
Consideriamo ora il piano cristallino del cubo mostrato m Figura 3.13 che
ha intersezioni 1/3, 2/3 e 1; i reciproci di queste intersezio~ì sono _3,3/2 .e l; dato
che le intersezioni frazionarie non possono essere prese m cons1der_az1one,. pe~
eliminare la frazione 3/2 bisognlil moltiplicare per 2; i reciproci delle mtersez1om
diventano 6, 3, 2 e quindi indici di Miller sono (632). . . .
Se il piano cristallografico che stiamo considerando passa. pe~ 1ongme
cosicché una o più intersezioni con gli assi hanno valore zer~, 11pian~ deve
essere spostato nella stessa cella elementare parallelamente a se stesso, m um,
,.
FIGURA 3.13 Piano

cristallografico
delcubodi :x
coordinate(632},con
!razionarie.
intersezioni
Piano O I0) l
Piano (110) 2
Afo---./·-1
'
O.,
' B
y
Piano ( l lOJ 3
,.
d110
FIGURA3;14 Vista
ìnpìantadi unacella
elementare
cubica
che
mostra la distanzadno
trai pianicristallini
(110).
posizione equivalente. Ciò è possibile in quanto tutti i piani paralleli vengono

indicati con gli stessi indicì di Miller. ·
Se combinazioni di piani equivalenti del reticolo tra loro sono
cristallograficamente equivalenti, essi costituiscono una famiglia di piani. che
viene indicata racchiudendo gli indici parentesi graffa, con la notazione {hk/}.
Per esempio, gli indici di MiHer dei piani che comprendono le superfici delle
facce di un cubo .(100). (O]O)e (001} fanno parte della famiglia { 100}.
[ Eserciziario
Vedi Esercizio3.7.
Un'importante relazione per il sistema cubico, e :\?alida solamente per il

sistema cubico, è che gli indici di direzione di una direzione perpendicolare a un
piano cristallografico sono glì stessi degli indici di Miller di quel piano. Per
esempio, la direzione [100] è perpendicolare al piano cristaUografico (100).
Nelle strutture cristalline cubiche, lo spazio interplanare tra due piani vicini
paralleli con gli stessi indici di MiUer, è denominato d1,kt, dove h, k e/ sono gli
indici di Miller dei due piani. Questo spazio rappresenta la distanza tra una
determinata origine contenente un piano e un altro piano vicino parallelo ad
esso e con gli stessi indici di Miller.
78 Capitolo 3
Per esempio in Figura 3.14 la distanza tra i piani (110) le 2, detta dno, è
AB, invece la distanza tra i piani {11O) 2 e 3 é, detta d11o~èla distanza BC. In
base a semplici considerazioni geometriche, si può din:ostrare che per le
strutture cristalline cubiche:
dhkl = a (3.4)
JJP-+P.+P
dove dhkl distanza interplanare tra piani paralleli vicini con indici di
Miller h, k e /,
a costante reticolare (spigolo della cella cubica),
h, k, I= indici di Miller dei piapi del cubo in esame.
Eserciziario
Vedi Esercizi3.8, 3.9, 3.1O.
3.7 PIANI E DIREZIONI NELLE CELLE ELEMENTARI ESAGONALI
Indici dei piani I piani cristallini nelle celle elementari EC vengono comunemente identificati
nelle celle utilizzando quattro indici al posto dei tre utilizzati per il sistema cubico. Gli
elementari EC indici dei piani cristallini della cella EC, chiamati indicì di Miller-Bravais, sono
indicati dalle lettere h, k. i. e I e sono racchiusi in parentesi tonde senza virgole
secondo la notazione (hkil). Questi indici a quattro cifre per celle esagonali sonL~
basati su un sistema di coordinate a quattro assi~ come mostrato per la cella EC
di Figura 3.15; ci sono tre assi fondamentali. ai, a2 , e a 3 , posti a 120° l'uno
dall'altro, mentre il quarto asse, o asse c. è l'asse verticale collocato al centro
della cella elementare, L'unità di misura a misurata lungo gli assi a 1, a2, e a3, è la
distanza atomica lungo questi tre assi ed è mostrata in Figura 3.15. L'unità di
misura e lungo l'asse e è l'altezza della cella elementare. I reciproci delle
intersezioni del piano cristallino con gli assi a,.
a2, e a3 forniscf gli indici h, k e i,
mentre il reciproco dell'intersezione con l'asse e fornisce l'indice l.
Piano di base I piani di base della cella eleme11tare EC hanno una grande
importanza per questo tipo di struttura cristallina, e vengono mostrati in Figura
3.16a. Dato che il piano di base ,in atto alla cella elementare EC (Figura 3.16a) è
parallelo agli assi a 1, a2, e a3, le intersezioni di questo piano con tali assi saranno
all'infinito, cioè a 1 oo, a2 oo e a3 = oo; la misura sull'asse e è unitaria dato
che la base superiore interseca l'asse e ad una distanza unitaria. Facendo i
reciproci di questi valori si hanno gli indici di Miller-Bravais del piano di base
=
della cella EC, pari a h = O, k = O, i = O e / l; il piano di base della cella EC è
quindi un piano zero-zero-zero-uno, o piano (0001).
+e
+a
r
e
_J_
I I ,
FIGURA3.15 Struttura I -C I ,
cristallina
ECconindicatii i-a~ ~~
quattroassicoordinali
(a1,
a2,8Je e).
Piani prismati~i Utilizzando lo stesso metodo, le intersezioni del piano

frontale del pns1:1a (1BCD) di Figura 3.16b sono a 1 = +l, 02 00 , a 3 = -1 e
=
e oc; facendo 1 reciproci di queste intersezioni, si ha h I, k o. i = =_
J e
I O e pertanto il piano è indicato con la notazione (I 010). Similmenie il piano
(0001)
C!OiO)
'
'
(a)
FIGURA3.16 Indicidi Miller-Bravais

deipianicristallini
dellacellaesagonale:
{a)pianidi base,e (b}pianiprismatici.
80 Capitolo 3
FIGURA 3.17 Alcune

importanti
direzioni
nella
cellaelementare
EC.
prismatico ABEF di Figura 3 .16b ha gli indici ( 1I 1O) e il piano DCG H ha indici
(0110).
Tutti i piani prismatici cristallograficamente equivalenti della cella EC
possono essereidentificati collettivamente come famiglia di piani { l OTo}.
Qualche volta i piani della cella EC vengono identificati solamente con tre
indici (hkl) dato che h + k = -i; tuttavia gli indici (hki/) sono più comunemente
usati in quanto rivelano immediatamente la simmetria esagonale della cella
elementare EC.
Indici Le direzioni nelle celle elementari EC sono anch'esse solitamente indicate da

delle direzioni quattro indici u, r. t e w racchiusi da parentesì quadre, secondo la notazione
nelle celle luvtw].Gli indici u, ve t sono le coordinate dì posìzione del vettore di direzione
elementari EC rispettivamente lungo gli assi ai. a2., e a3 (Figura 3.15), e l'indice w è la
coordinata lungo l'asse c. Al fine di mantenere uniformità per gli indici sia dei
piani che delle direzioni della cella EC, è stato stabilito che u +,.v -tanche per
le direzioni, arrivando ad un me.todo di designazione delle direzioni la cui
spiegazione va al di là degli scopi di questo libro. Alcune delle principali
direzioni delle celle elementari EC sono indicate in Figura 3.17.
3.8 CONFRONTO TRA STRUTIURE CRISTALLINE CFC, EC E CCC
Strutture Come precedentemente puntualizzato, sia la struttura EC che la struttura CFC

CCC edEC sono strutture compatte. Ciò significa che i loro atomi, che sono considerati
approssimare delle sfere, sono fra loro il più possibile addensatì, fino ad ottenere
Struttura e geometria cri~tallina 81
Piano 011)
Piano(0001)
(a)
(b)
i=:1G_URA tra(a)lastruttura
3._18Conlronto cristallina
CFCchemostra i pianicompatti
(111)e (b)lastruttura
cristallina
ECchemostra i
~'.~~-compatti
{0001
). [DaW G.Moffatt,
G.W PearsaleJ. Wultf,"TheSlructure
andProperties
otMaterìals':
voi.J, "Structure'~
Wiley;1964,
un fattore_di c~mpattazione di O,741• lpiani (I 11) della struttura cristalli~a CRC

mostrata m Figura 3.l~a_han~o lo stesso arrangiamento dei piani (0001) delle
st~u_tture. EC . mostrati m Figura 3. 18b. Tuùavia, le strutture cristalline
t~idimens1on~I~ de_l1ecelle CFC e EC non sono identiche in quanto c'è una
diffe~enza d1 1~p1lame~to dei piani atomici, che può essere descritto bene
~ons1derando gh atomi come di sfere ri2ide. Come utile analoofa s· ,
1
!nn~ag~nare !"in~p!la~1ento di piani di sfere uguale misura l'uno sull'a,ltr~. ~~~
di
I ob1ett1vod1 mm1m1zzare gli spazi vuoti tra le sfere. ·
Si consideri_dap~rima un piano di atomi molto compatti designato piano A.
com~ most~ato m_Figura ~-.19~.Si noti che ci sono due differenti tipi di spazi
vuoti tra gh _atom1.I vuoti md1cati sopra al piano A sorio denominati vuoti a
men~re quelh che possono essere. immaginati sotto il piano A sono denominati
vuou b. Un secondo piano di atomi sovrapposto ad A può essere coHocato sui
1
Come pun:ualizzato nel Paragrafo 3.3, gli atomi della struttura EC si spostano
legge~ente nsp~tto al!a st~1.ltt~raideale; in alcuni metalli EC gli atomi sono allungati
lungo l asse e, e m ahn casi essi sono compressi lungq tale direzione (vedi Tabella i4).
82 Capitolo 3
PianoA
Vuoto a Vuoto a
Vuotob Vuotob
{a) (b)
Piano.A
Piano B
Piano C
(d)
(e)
·-
FIGURA 3.19 formazione dellestrutture ECe CFCattraverso
cristalline l'ìmpilamento
di pianidi atomL(a)PianoA chemostrai vuoUae
b. (b)PianoB postosuivuotib delpianoA. (e)Terzo planopostosuivuotib delpianoB,cheform~ unaltropi~no_A
e quindiuna~trutt~ra
ECdìtipoABABAB
cristallina ....(d)TerzopianopostosuivuotiadelpianoB,cheformaunaltropranoCe qumd1 unastruttura
cnstalhna
CFC,di tipoABCABC daP. Andere A. J. Sonnessa,
.....[Adattato "Principles
of Chemistry·:
Macmillian,1965,p.6611.
vuoti a oppure sui vuoti b; si immagini ad esempio di aver collocato il piano B

sui vuoti a del piano A, come mostrato in Figura 3.19b. Se ora sul piano B viene
posto un terzo piano di atomi per dare origine ad una strutti,ua compatta; sono
possibili due alternative, che danlJ.Oorigine a due differenti strutture. Una
possibilità è quella di collocarè gli atomi del terzo piano sui vuoti b del piano B;
così facendo gli atomi di questo terzo piano giaceranno sopra quelli del piano A
e quindi si verrà a formare un altro piano A (Figura 3.19c); se i successivi piani
di atomi vengono posti con Io stesso criterio di impilamento, allora la sequenza
di ìmpilamento della struttura tridimensionale realizzata sarà del tipo
ABABAB .... Questa sequenza di impilamento porta ad una struttura cristallina
EC (Figura 3.18b ).
[]Ìlj
Piano Piano
(}00) (l IO)
(a) (b)
FIGURA3.20 Struttura
cristallina
CCCmostrante (a)il piano(100)e (b) unasezione
delpiano(110).Si notichequesta nonè
struttura
compatta,
male diagonali
sonodirezioni
in cuigli atomisonocompatti.[(a)daW G.Mottatt.G. W.Pearsa/l e J. Wulff,"TheStructure
and
Properties
ot Materials':
vol I, "Structure''.
Wiley,1964,p.51J.
La seconda possibilità per formare una struttura compatta sernplice è

quella di collocare il terzo piano sui vuoti a del piano B (Figura 3.19d); questo
terzo piano è indicato come piano C, dato che i suoi atomi non giacciono né
sopra B, né sopra A. La sequenza di impilamento di questa struttura compatta è
quindi del tipo ABCABC. .. e porta ad una struttura cristallina CFC, mostrata in
Figura 3.18a.
StrutturaCCC La struttura cristallina CCC non è una struttura compatta e quindi non ha piani
compatti come i piani { 11 l} della struttura CFC o i piani {0001} della struttura
EC. I piani con gli atomi più compatti de11a struttura CCC appartengono alla
famiglia di piani {110}, come il piano (ll0) mostrato in Figura 3.20b. Nella
struttura CCC, tuttavia, gli atomi sono molto vicini fra loro lumw le direzioni
delle diagonali, cioè lungo le direzioni < J11 > . · -
[ 3.9 DENSITÀ VOLUMETRICA, PLANARE E LINEARE
Densità atomica Utilizzando il modelJo a sfere rigide per descrivere la struttura cristallina di una
volumetrica cella elementare di un metallo ed utilizzando i valori di raggio atomico ottenuti
84 Capitolo 3
mediante diffrazione dei raggi X, .il valore della densità atomica volumetrica del
metallo può essere ottenuto mediante la ~eguente equaziope:
massa/cella élementare
(3.5)
Densità volumetrica del metallo , Pv = volume/cella elementare
Usando questa formula ad esempìo per il rame si ottiene una densità di 8,98
Mg/m 3 (8,98 g/cm 3). Il valore sperimentale tabulato per la densità del rame è di
n
8,96 Mg/m 3 (8,96 g/cm 3). valore inferiore della densità sperimentale rispetto a
quella teorica potrebbe essere attribuita a1l'assenza di atomi in alcuni siti
atomici (vacanze), a difetti di linea, e disadattamento dove i grani si incontrano
(bordi di grano). Questi difetti cristallini saranno discussi nel Capitolo 4.
Un'altra causa di questa discrepanza potrebbe anche essere la non perfetta
I
sferidtà degli atomi.
Eserciziario
Vedi E~ercizio3.11.
Densità atomica Qualche volta può essere utile conoscere le densità atomiche sui vari piani
planare cristallini. Per ca]colare tale densità, chiamata densità atomica planare, si
utilizza la relazione
Densità planare del metallo = Pp =

numero equivalente di atomi i cui centri sono tagliati dall'area in esame (3.6'
area selezionata
Per semplicità in questi calcoli viene solitamente utilizzata l'area di un piano che
interseca una cella elementare, come mostrato, per esempio, in Figura 3.21 per il
piano (110) nella cella elementare CCC Perché in questo calcolo sia contata !'are~
di un atomo, il piano in esame deve intersecare l'atomo al suo centro. Come si
vede il piano (110) interseca il centro di cinque atomi, ma ne vengono conteggiati
solamente due, dato che solo un quarto dell'area di ognuno dei quattro atomi in
angolo è presente sul piano di sezione all'interno della ce1la elementare.
Eserciziario
Vedi Esercizio3.12.
Densità atomica Può essere utile conoscere anche le densità atomiche lungo diverse direzioni
lineare delle strutture cristalline. Tale densità, chiamata densità atomica lineare, sì
calcola utìlìzzando la fonnula:
Densità atomica lineare= PJ=

numero di diametri atomici intersecati dalla linea considerata (3.7)
= lunghezza della linea considerata
(110)
FIGURA 3.21 (a)Cella

elementareCCCcon X
indicate
le posizioni
atomichee conil piano
(110)ombreggiato.{b)Area
degliatomisezionati
dal (a) (b)
piano(11O)nellacella
elementareCCC.
Ad esempio in Figura 3.22, a titolo di esempio, è mostrato il caso della direzione

f110] in una ceHa elementare CFC; un atomo è completamente attraversato dalla
direzione indicata, mentre i due atomi posti sugli angoli contano per ½, pertanto
per ogni diagonale di base del reticolo vanno tenuti in considerazione 2 atomi.
Eserciziario
Vedi Esercizio3.13.
3.10 POLIMORFISMO O ALLOTROPIA
Molti elementi e composti in differenti condizioni di ·temperatura e pressione

esistono in più di una fonna cristallina; il fenomeno è chiamato polimorfismo, o
allotropia. Anche molti metalli di grande importanza industriale come il ferro. il
titanio e il cobalto ad elevata temperatura, ed a pressione atmosferica, subiscono
trasformazioni allotropiche, come è mostrato per alcuni metalli nella TabeBa 3.5.
Ad esempio, come mostrato in Figura 3.23, il ferro fino alla temperatura di
912°C si presenta come ferro-a: con struttura CCC, da 912°C a 1394°C come
ferro-')' con struttura CFC e da 1394°C a l 539°C, temperatura aHa quale liquefa,
come f erro-8 con struttura CCC. Si noti che la struttura cristallina del ferro-6 è
CCC come quella del ferro-a:, ma ha una costante reticolare maggiore di quella
del ferro-a.
86 Capitolo 3
T a
FIGURA 3.22 Metodo

percalcolarela densità
atomicalinearedella X
direzione[110]nellacella
elementare CFC.
f
Eserciziario
Vedi Esercizio3.14.
3.1t ANALISI DELLA STRUTTURA CRISTALLINA
L'attuale conoscenza delle strutture cristalline è stata ottenuta principalment.

per mezzo di tecniche di diffrazione dei raggi X, dotati di lunghezza d"ond,.:
confrontabile con le distanze tra i piani del reticolo cristallino. Prima di parlare
della diffrazione dei raggi X nei cristalli, tuttavia, consideriamo come vengono
prodotti i raggi X per scopi dì ricerca.
TABELLA3.5 Fom:!3cristallineallotropichedi alcuni metalli

, ..
Struttura cristallina Ad altre
Metallo a temperatura ambiente temperature
Ca CFC CCC (> 447°C}

Co EC CFC (> 4275'0)
Hf EC CCC~(> 1742°C)
Fe ccc . 'CFC (912 -1394°0)
CCC (> 1394°C)
Li ccc EC (< -193"0)
Na ccc EC (< -233°C)
11 EC CFC {> 234"C)
11 EC CFC (>883°C)
y EC CFC(> 1481°C)
Zr EC CFC (> 872"C)
Struttura e geometria· cristallina 87
"C Ferroliquido
1539
FerroS (CCC}
1394
Ferroy (CFC)
E
1 912
=
E
g_
E
i:! Ferroa(CCC)
FIGURA3.23 Forme
cristalline
allotropiche
del
ferroconil variare
della -273
temperaturaeda pressione
atmosferica.
Sorgenti di raggi X I raggi X utilizzati per la diffrazione sono onde elettromagnetiche con lunghezze
d'onda compresa tra 0,05 e 0,25 nm (0,5 e 2,5 À). Per confronto la lunghezza
d'onda dello spettro del vìsibile è dell'ordine dei 600 nm (6000 À). Per produrre
raggi X da utilizzare per la diffrazione. è necessario un voltaggio di circa 35 k V
applicato tra un catodo e un anodo, bersaglio metallico, entrambi posti sotto
vuoto, come indicato nella Figura 3.24. Quando il filamento di tungsteno del
catodo viene riscaldato, vengono rilasciati elettroni per emissione termòionica,
che vengono accelerati attraverso il vuoto daU'elevata differenza di potenziale
esistente tra il catodo e l'anodo, aumentandone così l'energia cinetica. Quando
gli elettroni colpiscono il bersaglio metallico (per esempio di molibdeno), si
generano raggi X. Poiché la maggior parte dell'energia cinetica (circa il 98%)
viene convertita in calore. il bersaglio metallico deve essere raffreddato mediante
un sistema esterno di raffreddamento.
Lo spettro emesso dai raggi X quando si usa un voltaggio dì 35 kV e un
bersaglio di molibdeno è mostrato in Figura 3.25. Lo spettro mostra una
radiazione continua di raggi X per lunghezza d'onda compresa tra 0,2 e 1,4 A
(tra 0,02 e O,14 nm) e due picchi caratteristici della radiazione che sono chiamate
linee Ka e K.a. La lunghezza d'onda delle linee K 0 e K.a sono caratteristiche
dell'elemento. Per il molibdeno, la linea Ka sì ha ad una lunghezza d'onda di 0.7
A (0,07 nm). L'origine di tale valore caratteristico è spiegabile tenendo presente
che gli elettroni K (elettroni nell'orbitale n = 1), a seguito del bombardamento
dell'atomo da parte di elettroni ad alta energia, vengono eccitati a orbitali
superiori (n = 2 o 3). In seguito, alcuni elettroni da tali orbitali 2 o 3 ricadono a
livelli di energia più bassi per rimpiazzare gli elettroni K persi, emettendo
88 Capitolo3
I
Vuoto Filamentodi tungsteno Vetro
I
Al'trasformatore
Coppadi messaa fuoco
FIGURA 3.24 Rappresentazione

schematica
dellasezione [DaB.D.Cullity,"Elements
di untuboperraggiX chiusoermeticamente. ofX-
RayDiffraction·;
2ded.,Aridison-Wesley,
1918.p.231.
energia di una lunghezza d'onda caratteristica. La transizione degli elettronì

dall'orbitale L(n::;::::2) alrorbitale K(n= I) dà origine a energie di lunghezza
d'onda pari alla linea K 0 ~ come indicato in Figura 3.26:
Diffrazione Dato che la lunghezza d'onda delle radiazioni X è confrontabile con la distanz,1
dei raggi X interplanare degli atomi nei solidi cristallini, quando un fascio di raggi X
colpisce un solido cristallino, possono essere prodotti dei picchi di diffrazione·
rinforzati di radiazioni di varie intensità. Tuttavia, prima di considerare
l'applicazione della tecnica di diffrazione dei raggi X all'analisi deHa struttura
cristallina, si considerino le condizioni geometriche necessarie per produrre fasci
dì raggi X diffratti o riflessi.
Consideriamo un fascio monocromatico di raggi X (con"singola lunghezza
d'onda) incidente su un cristallo, come mostrato in Figura 3.27. Per semplicità
sostituiamo i piani cristallini formati da atomi con piani cristallini che agiscono
come specchi nel riflettere i raggi X incidenti. Nella Figura 3.27 le linee orizzontali
rappresentano un insieme di piani cristallìni paralleli con indici di Miller (hkl).
Quando un fascio monocromatico incidente di raggi X di lunghezza d'onda >..
colpisce questo insieme di piani con un angolo tale che le varie onde che lasciano i
differenti piani non sono in fa.se tra loro, non si genera alcun fa.scio rinforzato
(Figura 3.27a); si ha in questo caso una interferenza distruttiva. Se invece le onde
del fascio riflesso che lasciano i diversi piani sono infase tra loro, allora si genera
un/a.scio rinforzato e si ha una interferenza costruttiva (Figura 3.27b).
Si considerino, come indicato in Figura 3.27c, i raggi X incidenti l e 2;
Strutturae geometriacristalUna 89
16 A37.2
MoKa
,,:
-~ 12 MoKp
"§
'"' Radiazione
V.
i:: caratteristica
C)
] 8
\
4 \ Radi~ione
continua
FIGURA 3.25 Spettro
di emissìonedi raggiX
prodotti
quando Il o
molibdeno è utilizzato
come
Lunghezzad'onda i., À
metallo
bersaglio in untubo
a raggiX operante a 35 kV.
perché questi raggi siano in fase, la distanza aggiùntiva che deve percorrere il
raggio 2, pari a MP + PN, deve essere un multiplo della lunghezza d'onda >..
Quindi
n>-.=MP+PN (3.8)
tj.ove n = 1, 2. 3, ... viene chiamato ordine della diffrazione. Dato che sia M Pche
---------- Ionizzazione
---------- N n=4
--.-------.--4-,- M 11 =3
l
,.
·~
.......-----,~----..:..t_...!t_.
K13
L n=2
La L~
g
I.!.,
Ka
FIGURA 3.26 Livelli
energetici
deglielettroni
molibdeno
natura
chemostrano
nel
Kne
delleradiazioni
la l l
...,__.:...._ _______ ..,i K n= l
Ka.
90 Capitolo 3
Raggi-X laggi-X
incidenti non·ri.flessi
(ar
(b)
Raggi-X Raggio I Ranoi-X

incidenti rifl;ssi
':.I. ,;,,-
(e)
FIGURA3.27 Riflessione
di unlasciodi raggiX suipiani{hkl)di uncristallo.
(a)Perunangolo
di
incidenzaarbitrario
nonvieneprodotto nessun raggioriflesso.
{b)Perunangolodi incidenza e ugualea
quellodi Bragg, {e)Similea (b),soloéhela rappresentazione
gliangoliriflessisonoin fasee si rinforzano.
dell'ondaè stataomessa.
[DaA. G.Guye J. J. Hren,"Elements ofPhysicalMetallurgy'',
3d ed.,Addison-
Wes/ey, 1914, p.201].
L
PN sono uguali a dhk1sinB, dove d11kl è lo spazio interplanare dei piani cristallini
di indici (hkl), la condizione perché abbia luogo interferenza costruttiva {cioè la
formazione di picchi di diffrazione di radiazione intensa) deve essere
(3.9)
Questa equazione, nota come legge di Bragg 1, fornisce la relazione sulla

posizione angolare dei fasci rinforzati diffratti in termini di lunghezza d'onda>.
della radiazione di raggi X incidente e delle distanze interplanari dhkt dei piani
cristallini. In molti casi vìene utilizzato il primo ordine di diffrazione n = I, e
quindi in questo caso la legge di Bragg ha la forma
(3.10)
Eserciziario
Vedi Esercizio3.15.
AnaJisi delle Analisi mediante diffrazione dei raggi X con il metodo delle polveri La tecnica
strutture di diffrazione dei raggi X più comunemente usata è il metodo del1e polveri. In
cristalline questa tecnica viene utilizzato un campione ridotto in polvere, ottenendo così un
orientamento casuale di molti cristalli, tale da garantire che alcune delle
partice11e siano orientate rispetto al fascio di raggi X in modo tale da consentire
le condizioni di diffrazione previste dalla legge di Bragg. Le indagini mediante
diffrazione vengono attualmente realizzate utilizzando diffrattometri dotati di
un rilevatore in grado di determinare sia l'intensità che l'angolo del fascio
diffratto {Figura 3~28). Un registratore diagramma automaticamente l'intensità
del fascio diffratto in funzione dello spostamento del rilevatore lungo un
goniometro circolare 2 (Figura 3.29) che è sincronizzato con il campione su un
intervallo di 20. La Figura 3.30 mostra un tipico diagramma di diffrazione dei
raggi X, che riporta l'intensità del raggio diffratto in funzione dell'angolo di
diffrazione 20 per un campione di povere di un metallo puro. Al posto del
diffrattometro può essere utilizzata una camera chiusa con una pellìcola, ma
questo metodo è più lento e in molti casi meno conveniente.
Condizioni di diffrazione per celle elementari cubiche Le tecniche di

diffrazione dei raggi X permettono dì determinare le strutture dei solidi
cristallini. L'interpretazione dei dati di diffrazione dei raggi X per molte
sostanze cristalline di tipo complesso non è elementare e va oltre lo scopo di
1
William Henry Bragg (1862-1942). Fisico inglese che lavorò sullo studio della
cristallografia mediante raggi X.
2 Il goniometro è uno strumento per misurare gli angoli.
92 Capitolo 3
FIGURA 3.28
Difirattometro
a raggiX (con
deiraggiX
la protezione
rimossa).[Phlllips
Electronic
lnstruments,
lncJ
questo libro; considereremo pertanto solamente il semplice caso di diffrazione

dei metalli puri cubici. Vanalisi dei dati di diffrazione dei raggi X per le celle
elementari cubiche può essere semplificato combinando l'Eqdàzione (3.4),
a
d1ikl = Jh2 + k2 + p
con l'Equazione di Bragg À = 2d sin0, ottenendo
>..= 2a sin0 (3.11)
Jh1 + k2 + p.
Questa equazione può essere utilizzata insieme con i dati di diffrazione dei raggi
X per determinare se una struttura cristallina cubica è a corpo centrato o a facce
centrate. Il resto di questo paragrafo esaminerà come ciò può essere fatto.
Struttura e geometria cristallina .93
Rivelatore
di radiazioni
Rivelatore di radiazioni
{mobilesu goniometro circolare}
110 lOO 90 80 70 60 / Porzione dì un

120 ~o cristallonel\ino
40
"\
Raggio diffratto '-a.. 30 Piano
28 20
IO
o
Raggioincideme t
Generatore \
di radiazioni Vista dall'aho del provino
fissato nel goniometro
FIGURA3.29 Illustrazione
schematica
delmetodo
di analisicristallina
perdiffrazione
e delle.condizioni perladiffrazione.
necessarie [DaA.
Guy,"Essential
ot Materials
Science';
McGraw~Hill,19161.
Per utilizzare l'Equazione (3.11) per l'analisi mediante diffrazione,

dobbiamo conoscere quali sono i piani di diffrazione per ogni tipo di struttura
cristallina. Per il reticolo cubico semplice sono possibili riflessioni da tutti i piani
(hk[). Tuttavia, per la struttura CCC la diffrazione avviene solo sui piani per i
quali gli indici di Miller (h + k + l) se sommati danno un numero pari (Tabella
3.6). Quindi, per la struttura CCC, i piani principali di diffrazione sono { 110},
{200}, {211}, ecc., elencati in Tabella 3. 7. Nel caso della struttura cristallina
CFC, i piani principali di diffrazione sono quel]ii cui indici di Miller sono o tutti
pari o tutti dispari (zero è considerato pari). Quindi, per la struttura cristallina
CFC i piani di diffrazione sono { 11 l }, {200}, {220}, ecc., elencati in Tabella
3.7,
Interpretazionedei dati sperimentalidi diffrazionedei r~ggi X per metalli con

strutture cubiche Possiamo utilizzare i dati di diffrazione dei raggi X per
determi.nare la struttura cristallina. Un semplice esempio per illustrare come può
essere utilizzata questa analisi è distinguere tra le strutture cristalline CCC e
CFC di un metano cubico. Si consideri un metallo che può avere sia la struttura
CCC che la struttura CFC e si assuma di essere in grado dì identificare i
principali piani di diffrazione e i corrispondenti valori 20, come indicato in
Figura 3.30 per il tungsteno.
94 Capitolo 3
200 I
FIGURA 3.30
Diagramma degliangolidi
diffrazione
peruncampione 110
di tungsteno,
ottenuta 310
utilizzando
undiffrattometro 2ìl
~ 321 400
,,
conradiazioni
generate
da
~ 2,
222
rame.[DaA. G.Guye J. J.
Hren,"Elementsot Physical
s
.5
220 ~I\
Metallurg/:3ded., 40 60 so 100 120 140 160

Angolo di diffrazione21'.}
Addison·Wes/ey,1914,
p,2081.
Elevando al quadrato entrambi i membri dell'Equazione (3.11) e risolvendo

rispetto sin20, si ottiene
(3.12)
Dai dati di diffrazione dei raggi X si possono ottenere i valori sperimentali di 20

per una serie di piarii principali di diffrazione {hk/}. Dato che la lunghezza
d'onda della radiazione incidente e la costante reticolare a sono entra1:nbe
costanti, possiamo eliminare queste due quantità facendo il rapporto di due
valori di sin28 come
2
sin 0A h~ + k~ + 11
{3.13)
sin 289 = hi + k~ + 11
dove"0A e 81;,sono due angoli di diffrazione associati con i piani principali di

diffrazione {hAkAIA} e {hnkn/B} rispettivamente. · , ..
Utilizzando l'Equazione (3.13) e gli indici di Miller per le prime due serie di
piani di diffrazione principali elencati in Tabella J. 7 per le strutture cristalline
TABELLA 3.6 Regole per determinareì piani {hkl} r:i.eicristallicubici
Reticolati Bravais Riflessioni presenti Riflessioni assenti
CCC (h+k+t) = pari (h + k + I) = dispari

!
CFC (h, .k, I) tutti dispari (h, k, /) non tutti
o tutti pari dispari o tutti pari
l
Struttura e geometria·c:ristalÌina 95
TABELLA3.7 Indici di Miller dì piani.di diffrazione per le strutture

cristalline CCC e CFC
Piani Somma Piani cubici

cubici di diffrazione
{hk/}
{hkl} h2 +k2 +/2 'E(h2+ k2 + /2) CFC ccc

{100} 12 +02+02 1
{110} 12+12+02 2 110
{111} 12+12+12 3 111
{200} 22 02+0 2 4 200 200
{210} + 12 + 02 5
{211} + 12 + 1_2 6 211
7
{220} 2 2 +2 2 +02 8 220 220
{221} 22 + 22 + 12 9
{310} 32 + 12 + 02 10 310
CCC e CFC, possiamo determinare i valori per i rapporti sin20 per entrambe le
strutture CCC e CFC.
Per la struttura cristallina CCC le prime due serie di piani principali di
diffrazione sono i piani {ll0} e {200} (Tabella 3.7). Sostituendo gli indici di
MHler {hkl} di questi piani nell'Equazione (3.13), si ha
· (3.14)
Quindi, se la struttura cristallina di un metallo cubico è CCC, il rapporto dei

valori sin20 che corrispondono ai primi due piani principali di diffrazione sarà
0,5.
Per la struttura cristallina CFC le prime due serie di piani principali di
diffrazione sono i piani {111} e {200} (Tabella 3.7). Sostituendo gli indici di
Miller {hkl} di questi piani nell'Equazione (3.13), si ha
sin 20A 12 + 12 + 12
-,-.- = , 2 2 = 0.75 (3.15)
shr8 8 2- +o + O
Quindi se la struttura cristallina di un metallo cubico sconosciuto è CFC, iì

rapporto dei valori sin20 che corrispondono ai primi due piani principali di
diffrazione sarà 0,75.
L'analisi mediante diffrazione dei raggi X è solitamente molto più
complicata rispetto a come qui presentata, ma i principi sono gli stessi. Sia
96 Capitolo 3
l'analisi mediante diffrazione dei raggi X sperimentale sia quella teorica sono
state usate, e continuano ad esserlo, per la determimydone della struttura
cristallina dei materiali.
Eserciziario
Vedi EserciZio3.16.
RIASSUNTO
L'arrangiamento atomico nei solidi crist~llini può essere descritto mediante una
struttura tridimensionale di linee chiamata reticolo 'Cristallin.o .. Ogni reticolo
cristallino può essere descritto specificando le posìzioni degli ·atomi in una celle
elementare che si ripete. Ci sono sette sistemi cristallini basati sulla geometria
definita da lunghezze degli assi e angoli tra gli assi delle celle elementari. Questi
sette sistemi determinano un totale di 14 sottostrutture (celle elementari)
connesse agli arrangiamenti interni de1le posizioni atomiche nelle celle
elementari.
Nei metalli le più comuni celle elementari delle strutture cristalline sono:
cubica a corpo centrato (CCC), cubica a faccia centrata (CFC), ed esagonale
compatta (EC) (che è una variazione più densa della struttura esagonale
semplice). ·
Le direzioni cristallografiche nei cristalli cubici sono definite come le
componenti vettoriali delle direzioni rispetto ad ogni asse, ridotte ai numeri
interi più piccoli; esse sono indicate con la notazione [uvw].Famiglie di dire1Joni
simili sono i.ndicatecon la notazione < uvw >. Gli indici dei piani cristallini nei
cristalli cubi.ci sono calcolati come i reciproci deHe intersezioni del piano sugli
assi (dopo avere eliminato le frazionì) e vengono indicati con la notazione (hkl).
Famiglie di piani simili nel cristallo cubico sono indicati con la notazione {hk/}.
I piani cristallini nei cristaUi esagonali sono comunemente indicati da quattro
indici h, k, f e / racchiusi in parentesi (hkil). Questi indici'sono i reciproci
dell'intersezione del piano sugli assi a1, a2, e a3 e e della cella elementare a
struttura cristallina esagonale. Le direzioni cristallografiche nei cristalli
esagonali sono i componenti vettoriali delle direzioni rispetto ad ognuno dei
quattro assi coordinati, ridotti ai numeri interi più piccoli e sono indicati come
[uvtw].
Utilizzando per gli atomi il modello. atomico a sfere rigide, possono essere
calcolate le densità volumetrica, planare e lineare degli atomi nelle celle
elementari. I piani in cui gli atomi si compattano il più possibile sono detti piani
compatti, e le direzioni in cui gli atomi sono il più possibile addensati insieme
sono dette direzioni compatte. I fattori di compattazione atomica per differenti
strutture cristalline possono essere determinati utilizzando il modello atomico a
sfere rigide. Alcuni metalli hanno differentì ·strutture cristallìne per dìff erenti
intervalli di temperatura e pressione, e tale fenomeno·è chiamato polimorfismo.
Le strutture cristalline dei solidi cristallini possono essere determinate
utilizzando le tecniche di diffrazione dei raggi X. I raggi X sono diffratti nei
cristalli quando sono soddisfatte le condizioni della leggé di Bragg
=
(n). 2d sin0). Utilizzando un diffrattometro a raggi X e il metodo delle
polveri, può essere determinata la struttura cristallina di molti solidi cristallini.
DEFINIZIONI
Paragrafo 3.1
Cristallo:solid.o composto da atomi. ioni o molecole arrangiate in un modello che si
ripete nelle tre dimensioni.
Strutturacristallina:sequenza ordinata e ripetitiva nelle tre dimensioni nello spazio di
atomi o ioni.
Reticolo cristallino: sequenza tridimensìonale di punti ogpuno dei quali ha punti
prossimali identici.
Punto reticolare:punto della sequenza nel quale tutti i punti hanno punti prossimali
identici.
Cella elementare:opportuna unità base del reticolo cristallino che si ripete. La lunghezza
degli assi e gli angoli tra gli assi sono le costanti reticolari della cella elementare.
Paragrafo 3.3
Cella elementare cubica a corpo centrato(CCC): cella elementare con una disposizione
degli atomi mie che ogni atomo è a contatto con altri 8 atomi identici sugli
aneoli di un cubo immae:inarìo.
Cella ;lementare cubica a f;cce centrate.(CFC): cella elementare con una disposizione
degli atomi tale che 12 atomi circondano un atomo centrale. La sequenza d.i
impilamento dei piani compatti nella struttura CFC è ABCABC. ..
Cella elementare esagonale compatta (EC): cella elementare con una disposizione degli
atomi tale che 12 atomi circondano un atomo centrale. La sequenza di impilamemo
dei piani compatti nella struttura CFC è ABABAB ...
Fattore di compattazione atomica (FCA): volume degli atomi di una determinata cella
elementare diviso per ìl volume della cella.
Paragl'afo3.5
Indici delle direzioni nei cristalli cubici: una direzione in una: cella elementare cubica è
indicata da un vettore tracciato dalrorigine ad un punto nella cella elementare
attraverso la superficie della cella: le coordinate di posizione (x. y e:) del vettore dove
esso abbandona la superficie della cella elementare (dopo avere eliminato le frazioni)
sono dette indici di direzione. Questi indici, designati u, 1• e w sono racchiusi. in
parentesi quadre [uvwJ. Gli indici negativi sono indicati da un trattino posto sopra
l'indice stesso.
98 Capitolo 3
Paragrafo 3.6
lndici dei piani nei cristalli cubici (indici di Miller): i reciproci ~elle intersezioni (dopo
avere eliminato le frazioni) di un piano cristallino con gli assi x, y e z di una cella
elementare cubica sono chiamati indici di Millet del piano. Essi sono h, k e l
rispettivamente per gli assi x, y e z, e sono racchiusi in parentesi tonde (hkl). Notare
che il piano cristallino deve non passare per l'origine degli assi x, y e z.
Paragrafo 3.9
Densitàdi volumep.,: massa per unità di volume; questa quantità è solitamente espressa in
Mg/in3 o g/cm 3•
Densità planarepp: numero equivalente di atomi i cui centri sono intersecati da una
determinata area, diviso l'area stessa.
Densitàlinearep 1: numero di atomi i cui centri giacciono lungo una determinatadirezione
diviso una determinata lunghezza di linea .nellacella elementare.
I
Paragrafo 3.10
Polimorfismo:(per quanto concerne i metalli): capacità di un metallo di esistere in due o
più strutture cristalline. Per esempio, il ferro può avere una struttura cristallina CCC
o CFC in funzione della temperatura.
SOLIDIFICAZIONE,
DlFE111CRISTALLINI
E DIFFUSIONENEI SOLIDI
4.1 SOLIDIFICAZIONE DEI METALLI
La solidificazione dei metalli e delle leghe è un importante processo

industriale~ poiché la maggior parte dei metalli vengono prodotti partendo dal
metallo fuso e facendolo solidificare come semilavorati o direttamente come
prodotti finiti. La Figura 4.1 mostra un grande lingotto di alluminio colato in
modo semìcontinuo 1 che successivamente verrà deformato per ottenere prodotti
pia11i di lega di alluminio e iUustra le grandi dimensioni che un processo di
colata (solidificazione) può richiedere.
1 Un lingotto colato in modo semicontinuo è prodotto dalla solidificazione del metallo
fuso (per esempio leghe di alluminio o di rame) in una lingottiera che ha un fondello
mobile (vedi Figura 4.8) che viene lentamente abbassato mentre il metallo solidifica. Il
prefisso semi- è usato pet il fatto che la lunghezza massima del lingotto che si può
produrre è limitata dalla profondità della fossa nella quale il blocco inferiore è abbassato.
· 100 Capitolo 4
FIGURA 4.1 Grande

lingottodl legadi alluminio
colatoin modo
semicontinuo chestaper
essere rimosso dallatossa
di colat.a.
l lingottidi.questo
tiposonosuccessivamente
laminati a caldoe a freddo
perottenere lamiereo nastri.
[Perconcessione della
Reynolds MetalsCo.].
Liquido Bordi.di grano

Liquido
FIGURA 4.2
Schematìzzazione deivari
stadinellasolidificazione
dei
metalli:(a)formazione di
nuclei,(b)crescita di nuclei Cri~talli che Grani
neicristalli,e (e)unione dei formeranno grani
cristalliperformare i grani,
connessi tra loromediantei
bordidi grano.Si notichet (a) (b) (e)
granisonoorientati inmodo
casuale.
Solidificazione,
difetticristallinie ~ffusionenei solidi 101
FIGURA 4.3 Agglomerato di granicheè stato

separato
daunlingotto di legadi titaniocolato
adarco
mediantecolpidi maglio.L'agglomerato hamantenuto
le sfaccettature
deigranidell'originaria
struttura
di
fusione.
(Ingrandimento1/6x).!DaW.Rostoker eJ. R.
Dvorak,"/nterpretation
of Metallographic Structures';
Academic, 1965,p]}.
In generale la solidificazione di un metaUo o di una lega può essere diviso

nei seguenti stadi:
I Formazione di nuclei stabili di solidificazione (nucleazione) (Fìgura 4.2a}.

2 Crescita dei nudei a formare cristalìi (Figura 4.2b), e formazione di una
struttura a grani (Figura 4.2c).
Le forme di alcuni grani reali formati durante la s0lidificazione di una lega

di titanio sono mostrate in Figura 4.3. La forma che ogni grano acquisisce dopo
la solidificazione del metallo dipende da molti fattori, il principale dei quali è
rappresentato dai gradiente termico. I grani mostrati in Figura 4.3 sono.
equiassici poiché la loro crescita è stata abbastanza simile in tutte le direzioni.
Formazione I due meccanismi principali mediante i quali avviene la nucleazione di particelle

di nuclei stabili solìde nel metaHo liquido sono la nucleazione omogenea e la nucleazione
nei metalli liquidi eterogenea.
Nucleazioneomogenea Consideriamo inizialmente la nucleazione omogenea,

in quanto essa è il tipo più semplice di nucleazione. La nucleazione omogenea
avviene ìn un metallo fuso quando il metallo stesso fa si che gli atomi formino
nuclei. Consideriamo in primo luogo il caso di solidificazione di un metallo
puro; quando un metallo puro liquido è raffreddato in modo adeguato al di
sotto della sua temperatura di solidificazione di equiHbrio, si creano numerosi
nuclei omogenei a seguito del fatto che alcuni atomi, soggetti a lento
movimento, si legano tra loro. La nucleazione omogenea di solito richiede un
notevole sottoraff reddamento rispetto alla temperatura di solidificazione di
equilibrio, che può essere per alcuni metalli anche di pare.cchìe centinaia di gradi
Celsius (Tabella 4. 1). Perché un nucleo sia stabile così che possa crescere a
formare un cristallo, esso deve raggiungere una dimensione critica. Un gruppo di
atomi legati tra loro di dimensione inferiore a quella critica è detto embrione,
uno di dimensioni maggiori della dimensione critica è detto nucleo. A seguito
della loro instabilità, gli embrioni sono continuamente formati e ridisciolti nel
metallo fuso a causa della agitazione degli atomi.
102 Capitolo 4
TABELLA4.1 Valori della temperatura di solidificazione,calore di fusione, energia

di superficie, e massimo sottoraffreddam~ntoper metalli splezionati.
Temperaturadi
solidificazione Massimo
Caloredi fusione, Energia sottoraffreddamento
Metallo "C K J/crns superficialeJ/cm2 osservato,!:lT("'C)
Pb 327 600 280 33.3 X 10-? 80

Al 660 933 1066 93 X 10- 7 130
Ag 962 1235 1097 126 X 10- 7 227
Cu 1083 1356 1826 177 X 1Q-7 236
Ni 1453 1726 2660 255 X 10- 7 319
Fe 1535 1808 2098 204 X 10- 7 295
Pt 1772 2045 2160 240 X 10-? 332
Fonte: B. Chalmers, "Solìdification of Metals,'' Wiley, 1964.
Energiecoinvolte nella nuc)eazioneomogenea Nella nucleazione omogenea di

un metallo puro che solidifica~ devono essere considerati due tipi di variazioni di
energia: (1) l'energia libera di volwne (o di massa) rilasciata nella trasformazione
da liquido a solido e (2) l'energia di superficie richiesta per creare le superfici del
nuovo solido formato deHe particelle solidificate.
Quando un metallo puro liquido come il piombo è raffreddato sotto la sua
temperatura di solidificazione di equilibrio, l'energia che guida la trasforma·
zione lìquido•solido è la differenza tra l'energia libera di volume (di massa) b..G,
del liquido e del solido. Se b..G,,è la variazione nell'energia libera tra liquido e
solido per unità di volume di metallo, allora la variazione di energia libera per
un nucleo sferico di raggio r è 4/31(r3b..GI'(in quanto il volume di una sfera è
4/31rr 3). La variazione di energia libera di volume rispetto al raggio di un
embrione o nucleo è la curva inferiore di Figura 4.4 ed è negativa poiché
renergia viene rilasciata durante la trasformazione da liquido a solido.
Vi è tuttavia anche un'e11ergia che si oppone alla formazione di embrioni e
nuclei, che è l'energia necessaria per formare la superficie dell~'huove particelle.
L'energia necessaria per creare una superficie di particelle sferiche, b..Gs, è
uguale all'energia libera specifica di superficie, ì', moltiplicata per l'area delhi
superficie della sfera, cioè 4rrr21 , essendo 4,rr2 è l'area dì superficie di una sfera.
L'energia l:::.Gs,che si oppone alla formazione di particelle solide è la curva
superiore di Figura 4.4. ed è, positiva perché viene assorbita durante la
trasformazione da liquido a solido. L'energia libera totale associata alla
formazione di un embrione o nucleo, che è la somma delle variazioni
dell'energia libera di volume e dell'energia libera dì superficie, ed è la curva
centrale de11a Figura 4.4. Il valore di b..G7 raggiÙnge un massimo, pari a l:::.G*
quando r ha una dimensione critica r* (Figura 4.4).
ln natura un sistema può cambi are spontaneamente da uno stato di energia
Solidificazione,difetti cristallinie diffusionenei solidi 103
,...,...
__ Energiaritardante
variazionedell'energialiberadi superficie
4nr2y
liGr= variazionetotaledi energialibera
Raggiodella.particella,r---i,.
FIGURA4.4 Variazioni
energialibera.6.Grispetto
di
al
,::
raggiodell'embrione
nucleo createdalla
solidificazione
o
di unmetallo
l ~nergia di spinta .o.Gv=variazionedell'energia Ùberadi volume
=4/3r 3 .6Gv
puro.Seil raggio della
è piùgrande
particella di r'",
unnucleo stabilecontinuerà
a crescere.
più alto ad uno più ba.sso. Nel caso della solidificazione di un metallo puro, se le
particelle di solido che si sono formate. hanno raggio minore del raggiò critico
r*, l'energia del sistema si abbassa se esse si ridisciolgono; queste piccole
particelle (embrioni) tenderanno pertanto a ridisciogliersi. Se invece le particelle
solide hanno raggio maggiore del raggio critico r*, l'energia del sistema si
abbassa se queste particelle di dimensioni superiori (nuclei) tenderanno ad
accrescersi formando particelle ancor più grandi o cristalli (Figura 4.2b).
·sotto forma di equazione la variazione totale di energia libera per la
formazione di un embrione o nucleo sferico di raggio r connessa alla
solidificazione di un metallo puro è:
(4.1)
dove variazione totale di energia libera

= raggio dell'embrione o nucleo
energia libera di volume
energia libera specifica di superficie
104 Capitolo 4
1nucleisonostabili
in questaregione
Gli embrionisi formanoin questa

regionee possonoridiscìorgliersi
100
FIGURA 4.5 Raggio
criticodl nucleidi ramein
funzione del
sottoraffreddamento A T. Raggio critico della panicella, r*. cm
[DaB.Chalmers, "Principles
of Solidification·:
Wiley,
19641.
La dimensione dir* può essere ottenuta derivando l'Equazione (4.1 }; infatti

r è uguale a r* quando d(t:J.GT)/dr= O. Si ha quindi:
d(AGr)
-. d
--dr = -dr .-rrr
3
(4 AG1·+
3 . , )
4rrr- 1 .
12
rrr"2 AG 1• + 87rr",·= O (4.la)
3
,. 2-y
r = - AG,, , ..
Raggio critico in funzione del sottoraffreddamento Maggiore è il grado di
sottoraffreddamento AT al di sotto della temperatura di fusione di equilibrio del
metallo~ maggiore è la variazione dell'energia libera di volume AG,., mentre la
variazione dell'energia di superficie AGs non varia molto con la temperatura.
Quindi, la dimensione critica del nucleo è fortemente influenzata dal grado di
sottoraffreddamento t:..T. In corrispondenza alla temperatura di solidificazione
la dimensione. critica del nucleo tende ad essere infinita poiché AT tende a zero;
quando aumenta il sottoraffreddamento la dimensione critica del nucleo
diminuisce. La Figura 4.5 mostra la variazione della dimensione critica del
nucleo. per il rame in funzione del sottoraffreddamento. A titolo di esempio si
può osservare che il massimo valore osservato di sottoraffreddamento per la
Solidificazione, difetti cristallini e diffusione nei solidi 105
· nucleazione omogenea dei metalli puri, riportato. in Tabella 4.1, è quello de]
platino ed è di 332°C ad una temperatura di 1772°C. Il nucleo di dimen.sione
critica è messo in relazione alla quantità di sottoraffreddamento dalla relazione:
r*
2,Tm
(4.2)
AH1t:..T
dove r* raggio critico del nucleo
ì energia libera di superficie
AH1 calore latente di fusione
AT quantità di sottoraffreddamento alla quale è formato il nucleo
Da questa rela_zione, ng..tìi dati sperimentali, si può facilmente calcolare per ogni
metallo i1 numer0 minimo di atomi necessari per fom1are un nucleo critico.
Es.erciziario
Vedi Esercizio4.1.
NucJeazioneeterogenea La nucleazione eterogenea è la nucleazione che
avviene in un liquido sulle pareti del suo contenitore, sfl impurezze insolubìli, o
altri .materiali strutturali che abbassano l'energia libera critica richiesta per
formare un nucleo stabile. Dal momento che durante i processi dì solidificazione
industriale non si raggiungono elevati gradi dì sottoraffreddamento (in genere
nell'intervallo tra O,l e l0°C), se ne deduce che in questi casi la nucleazione deve
essere eterogenea e non omogenea.
Perché avvenga la nucleazione eterogenea, l'agente nucleante solido
(impurezze solide o contenitore} deve essere bagnato dal metano liquido. La
Figura 4.6 mostra un agente nucleante (substrato) bagnato dal liquido che
solidifica creando un basso angolo di contatto (l tra il metallo solido e l'agente
nucleante. La nucleazione eterogenea avviene sull'agente nucleante perché
l'energia di superficie per formare un nucleo stabile è più bassa su questo
materiale rispetto a quella che sarebbe necessaria se il nucleo si formasse nel
liquido puro stesso (nucleazione omogenea). Poiché l'energia di superficie è più
bassa per la nucleazione eterogenea, la variazione di energia libera totale per la
formazione di un nucleo stabile sarà più bassa e la dimensione critica del nucleo
sarà più piccola. Pertanto nella nucleazione eterogenea è richiesto un grado
molto minore di sottoraffreddamento per formare un nucleo stabile.
Crescita di cristalli Dopo che sono stati formati nuclei stabili in un metallo che solidifica, questi
e formazione nuclei si accrescono fonnando cristalli, come mostrato in Figura 4.2b. In ogni
di una struttura crista.l.lo che solidifica gli atomi sono disposti in un modo essenzialmente
a grani regolare, ma varia l'orientazione di ogni cristallo (Figura 4.2b). Quando la
solidificazione del metallo è completata, ì cristalli si uniscono tra loro pur se con
diverse orientazioni, formando legami fra i grani limitati a un certo numero di
atomi (Figura 4.2c). Il metallo solidificato che contiene molti cristalli è detto
106 Capitolo 4
~ = angolo di contàtto I
-=-_:::::::::
----
Liquido -
Ì'SL--
- ~Solido
:2!:_____
~V"
_ ,..._~
-- >..,
-- •uL
,j
Agentenucleame
I
FIGURA 4.6 Nucleazione
eterogenea
di unsolidosuunagente na= agente
nucleanre. nucleante,
S = solido,L = liquido.e = angolo
SL= so!ido~!iquido. [DaJ. H.Brophy,
di contatto. R.M. Rose,eJ.
Wulff."Structure
andProperties
ot Materiafs",
voi.Il: 'Thermodynamicsot Structure·:
Wiley,
p.105j.
policristallino; i cristalli nel metallo solidificato sono chiamati grani, e le

superfici tra loro bordi di grano.
Il numero di siti di nucieazione che si creano in un metallo che solidifica
influenzerà la struttura dei grani del metallò solido. Se si creano durante la
solidificazione relativamente pochi siti di nucleazione durante la solidificazione.
si formerà una struttura grossolana, a grani grossi; se invece si creano durante la
solidificazione molti siti di nudeazione, si formerà una struttura a grani fini.
Quasi tutti i metalli e le di interesse tecnologiche sono fatte solidificare in
modo da ottenere una struttura a grani fini, poiché questo tipo di struttura
determina migliori proprietà di resistenza meccanica e di uniformità dei prodotti
finiti.
Quando un metallo relativamente puro è fatto solidificare in una lingottiera
non agitata senza l'uso di affinatori di grano1, si ottengono di solito due
prinèìpali tipi di struttura dei grani: ,..
1. Grani equiassici.
2. Grani colonnari.
Se durante la solidificazione le condizioni di nucleazione e accrescimento sono

tali da far sì che i cristalli possono créscere più' o meno nello stesso modo in tutte
le direzioni, si sviluppano grani equiassicf. I grani equiassicì crescono
principalmente a contatto con le pareti raffreddate della lingottiera, come
1 Un affinatore di grano è un materiale aggiunto ad un metallo fuso per ottenere una
struttura finale a grani più fini.

Solidificazione,difetti cristallini e diffusìon~'r1eisolidi 107
Graniequiassici
Fonna
(a) (b)
FIGURA4.7 (a)Rappresentazione schematica dl unatipicastruttura

di granodi unmetallo solidificato
inuna lingottiera
fredda.
(b)Sezione trasversaledi unlingottodi legadi alluminio 1100(99,0%Al) colato
conil metodoProperzi
(metodo conruotae cinghia). Si nolìcomei granicolonnari sianocresciuti
perpendicolarmente
adognitacciadellalingottiera.
[Da"Metals Handbook·: vol.8,8th ed.,American
Society
torMetals,1973,p.164].
mostrato in Figura 4.7. A seguilo dell'elevato sottoraffreddamento che si ha in

tali zone. vi è infatti una concentrazione relativamente elevata di nuclei,
condizione necessaria per produrre una struttura a grani equiassici.
I grani colonnari sono grani allungati. sottile e irregolarL che si sviÌuppano
quando il metallo solidifica relativamente piano, in presenza di un forte gradiente
di temperatura e di relativamente pochi nuclei. I grani colonnari, come mostrato
in Figura 4. 7b crescono perpendicolarmente a1le pareti della lingottiera, perché
lungo tali direzioni sono presenti alti i gradienti di temperatura.
Struttura dei grani Nella produzione industriale, i metalli e le leghe sono ottenuti realizzando la
nei getti industriali solidificazione in varie forme. Se il metallo deve essere deformato dopo la
solidificazione, si producono grossi getti di forma semplice, che poi vengono
trasformati negli opportuni semilavorati. Per esempio, nell'industria dell'al-
luminio, le forme comunemente ottenute sono lingotti dì sezione trasversale
rettangolare (Figura 4.1 ), per ottenere poi lamiere, o lingotti di sezione circolare,
per realizzare poi estrusi I di vario tipo. In molte altre applicazioni, il metallo è
1
L'estrusione è un processo che trasforma un lingotto di metallo in prodotti lunghi di
sezione trasversale uniforme forzando il metallo solidificato, ma allo stato plastico,
attraverso i fori di un utensile chiamato filiera con la sezione trasversale desiderata.
108 Capitolo4
----- Valvoladi c~ntrollo

Metallofuso -+,---. -)l-----+----1--1 l
=======::::i
Entrata dell'acqua -+-

di raffreddamento
Interfacciametallica
Metalloin fase solido liquido
di solidificazione
Flusso di
acqua
Lingotto
solidificato
FIGURA4.8 Schema di sistema idraulico

un lingotto
di legadi che abbassa il
alluminioottenuto
mediante blocco inferiore
colatasemicontinuain una
formaa raffreddamento
diretto.
fatto solidìficare direttamente nella sua forma finale, come avviene per esempio
nel caso dì pistoni di automobile.
Il grande lingotto rettangolare di lega di aHuminio mostrato in Figura 4.1 è
stato ottenuto con un processo di colata semicontinua in una forma a
raffreddamento diretto. ln questo metodo di solidificazione il metallo fuso viene
colato in una lingottiera con un fondello mobile elle viene abbassato ìentament.e
man mano che la fonna viene riempita (Fìgura 4.8). La lingottiera è raffreddata
con acqua, e l'acqua cola anche lungo la superficie solidificata del lingotto. In
questo modo si possono colare in continuo lingotti di circa 5 metri, come
mostrato in Figura 4.1. Per quanto riguarda l'industria dell'acciaio. circa il 60%
dell'acciaio è ottenuto mediante colata in lingottiere, mentre circa il 40% è
ottenuto per colata continua, come mostrato in Figura 4.9.
Per ottenere getti con dimensione dei grani fine, vengono spesso aggiunti al
metallo liquido, prima di colarlo, degli affinatori di grano. Per le leghe di
alluminio, si aggiungono piccole quantità di titanio, boro, o zirconio subito prima
della colata, in modo da avere durante la solidificazione dei nuclei eterogenei
omogenei finemente dispersi. La Figura 4.10 mostra l'effetto dell'aggiunta di
affinatori di grano durante la solidificazione di lingotti di alluminio per estrusione
-·----·------------------------------
Solidificazione,difetticristallinie diffusionenei solidi 1 09
Piano di fusione
>20 metri sopra il
livello del suolo
Pani~ B- Siviera
~ Lìngoniera
Camera di
raffreddamento -+-
verticale
Sistema Meccanismo di
di taglio curvatura
I Livello del piano
(a)
FIGURA4.9 C?,lata
cont~nua
di li~gottidi acciaio.
(a)Visione
d'insieme:
(b)ingrandimentodellazonadi solidificazione.
[DaH. E
McGannon
(ed), TheMakmg,Shapmg, andTreating ot Steer:
UnitedStatesSteelCorp.,19n pp.707-?0BJ.
di diametro 150mm; il lingotto solidificato in assenza di affinatori ha struttura a

grandi gr_an~colonnari (Figura 4.10a), mentre il lingotto solidificato in presenza di
affina ton d1 grano ha una struttura a grani fini equiassici (Figura 4.1Ob).
[ 4.2 SOLIDIFICAZIONE DEI MONOCRISTALLI
Quasi tutti i materiali cristallini di interesse tecnologico sono costituiti da molti

cristalli e sono quindi policristallini; vi sono tuttavia anche alcuni materiali
costi.tuiti da un solo cristal1o, e sono quindi monocristalli. Per esempio. palette di
turbme a gas sono a volta costituite da monocristalli, come mostrato in Figura
4.1 lc. Le palette dì turbina monocristalline sono più resistenti allo scorrimento
11 O Capitolo 4
FIGURA4.1o Partidi sezioni trasversa!!

di duelingottidì diametro
150mmdi lega6063(Al~0,7%Mg~
0.4%Si) dopocalatasemicontinua in unaformaa raffreddamento (a)è stato
diretto.Il lingotto
solidificato
senzaaggiunta di affinatori
delgrano;si notala presenza
di granicolonnari.
(b}è statosolìdificato
Il lingotto conl'aggiunta delgranoe mostraunastruttura
di affinatori ·a granifini
equiassici.(Attaccoìn reagentedi Tucker;
dimensione reale),
[Da"MetalsHandbook': vof.8,
8th ed.,
American SocietytorMetals,1913, p.164'J.
viscosoad alta temperatura delle stesse palette ottenute con struttura policristallina
equiassica(Figura 4.1la) o una struttura a grani colonnari (Figura 4.1 Ib), perché
alle alte temperature (circa.al di sopra della metà della temperaturaassoluta di
fusione)i bordi di grano diventanopiù deboli dei cuori dei grani.
Per ottenere strutture monocristalline la solidificazione deve avvenireattorno
ad un singolo nucleo,così che nessun altro cristallo sia nucleato e possa crescere.
Per favorireciò la temperatura di interfacciatra solido e liquidodeve esseresolo
leggennentepiù bassa del punto di fusione del solido e la temperaturadel liquido
deve aumentare all'interfaccia. Questo gradiente di temperaturapuò essere
ottenuto facendo in modo che il calore latente di solidificazione 1 fluisca lungo il
cristalloin fase di solidificazione, inoltre la velocità di crescitadel cristallo deve

esserebassa così che la temperaturaall'interfaccialiquido~solido sia leggermente
inferioreal punto di fusione del solido. La Figura 4.12':rillustrail metodo di
ottenimento di palette di turbina.mo-iiocristaUÌne e le Figure 4.12b e e mostrano
come si possa limitare la crescita ad un singolo grano usando un selettore
"pìgtail".
Un altro esempio di un utilizzo industriale di monocristalli sono i
monocristalli di silicio tagliati in fette sottili per ottenere wafer per chip di
1 II calore latente di solidificazione è l'energia termica rilasciata quando un metallo
solidìfica.
------ -------------------
l
I
i
\
.~
(a) (b) (e)
FIGURA4.11 Diverse strutture

di granoottenibili
in palette
di turbina:
(a)policristallina
equiassica,
(b)
policristallina
colonnare,
(e)monocristallina.
{Perconcessione dellaPratte WhitneyCo.].
Fornoa Metallo
induzione foso
Crogiolo
Contenitore
riscaldato Crescitacompetitiva Selezionedi un
di più grani singolograno
/ Piastra
raffreddata
con acqua
(a) Estrazione t (b) (C)
FIGURA4.12 (a)Schema delprocesso di produzione

di unaturbinaa gasconstrutturamonocristallina.
(b)Sezione delgettoche
iniziale
mostracrescita
compelìtivadi varigranidurantelasolidificazione
sottoil selettore
"pigiai!".
(e)Comein(b),maconsoprawivenza di unsolo
la solidificazione
granodurante attraversoil selettore.
[Perconcessione dellePratie Whitney
Co.].
112 Capitolo 4
,
monocristalloin
estrazionedal
silicioliquido
~·-~· Interfaccia
• sQlidoliquido
sistemadi <:!"•
riscaldamento• •
• •
• • Silicio
• ~---- .. fuso '
• •
FIGURA 4.13
Formazionedi un
monocristallo
dl siliciocon
il processo
Czochrolski.
circuiti elettronici integrati allo stato solido {Figura 13.1). Per questa applicazione
sono necessarimonocristalli poiché i bordi di grano impedirebbero il flusso di
elettroni nei dispositivi realizzati sfruttando le proprietà semiconduttrici del
silicio. Una delle tecniche più comunemente utilizzata per produrre monocristalli
di silicio di alta qualità (minimizzando i difetti interni) è il processo Czochrolski.
In questo processo il silicio policristallino ad alto grado di purezza è prima fuso in
un crogiolo non reattivo e portato ad una temperatura appena inf ed ore al punto
di fusione. Un cristallo seme di alta qualità di silicio dell'orientamento desiderato
viene poi abbassato nel flusso, tenendolo in rotazione. Parte della superficie del
crista11o seme viene fatta fondere nel liquido per rimuovere la zona più esterna
defonnata e per ottenere una superficie adatta a che il liquido vi solidifichi sopra.
Il cristallo seme continua a ruotare ed è lentamente sollevato H'al fuso. in modo
tale che il silicio liquido nel crogiolo aderisca e cresca sul cristallo seme.
producendo un monocristallo di silicio di diametro molto più grande (FigurJ
4.13). Con questo pro.cesso possono essere prodotti lingotti di silicio
monocristallini di diametro fino a circa 20 cm.
4.3 SOLUZIONI SOLIDE METALLICHE
Anche se i metam non vengono quasi mai utìlizzati allo stato puro, in alcuni casi
essi vengono utilizzati allo stato quasì puro. Per esempio, il rame ad alto grado
Solidificazione,difetti cristallinie diffusione n~i s~lidi 113
FIGURA 4.14 Soluzione

solidasos!ituzionale.
I
cerchiscurirappresentano
atomidi unUpoe quelli
bianchidì unaltro.Il piano
di atomiè unpiano(111)in
unreticolocristallinoCFC.
di purezza del 99,99% (per altro ormai poco prodotto) è usato per fili elettronici per
la sua conducibilità elettrica molto alta. L'alluminio ad alta purezza (99,99%Al) è
usato per impieghi decorativi perché può essere finito con una superficie metallica
molto lucente. Comunque la maggior parte dei metalli di interesse tecnologico sono
combinati con altri metalli o non metalli per ottenere maggiore resistenza
meccanica. più alta resistenza alla corrosione, o altre proprietà desiderate.
Una lega metallica, o semplicemente una lega, è una miscela di due o più
metalli o di un metallo (metalli) e un non metallo (non metalli). Le ]eghe
possono essere semplici, come un ottone giallo. costituito da 70%Cu e 30%Zn.
o essere estremamente complesse, come la superlega a base di nichel lnconel 718
usata per parti di motore a reazione che ha circa 10 elementi nélla sua
composizione nominale.
Il tipo più semplice di lega è la soluzione solida; una soluzione solida è un
solido che consiste di due o più elementi atomicamente dispersi in una struttura
monofase. In generale ci sono due tipi di soluzioni soHde: sosrituzion.ali e
interstiziali.
Soluzione solide Nella soluzione solide sostituzionali formate da due elementi, gli atomi di un
sostituzionali elemento aggiunto, o solvente, possono sostituire nel reticolo cristallino atomi
dell'elemento genitore, o solvente, La Figura 4.14 mostra un piano (111) di un
reticolo cristallino CFC in cui molti atomi di soluto hanno sostituito atomi di
solvente; la struttura cristallina del solvente rimane invariata, ma il reticolo può
essere disto.rto dalla presenza di atomi di soluto, particolarmente se c'è una
differenza significativa dei diametri atomici del sol.uto e del solvente,
La frazione di atomi di un elemento che può disciogliersi in un altro può
variare da una frazione di una percentuale atomica al 100%, a seconda della
situazione. Le condizioni sotto riportate favoriscono una ampia solubilità allo
stato solido di un elemento in un altro:
114 Capitolo 4
l. I diametri degli atomi degli elementi non devono differire di più di circa il
15%. , I
2. Le strutture cristalline dei due elementi devono essere le; stesse.
3. Non dovrebbero esserci differenze apprezzabili nelle elettronegatività dei due
elementi in modo che non si formino composti.
4. I due elementi dovrebbero avere la stessa valenza.
Se i diametri atomici dei due elementi che formano una soluzione solida
differiscono tra loro, si verificherà una distorsione del reticolo cristallino; dal
momento che il reticolo atomico può sostenere solo una quantità limitata di
conttazione o espansione, vi è un limite nella differenza dei diametri atomici che
gli atomi possono avere per permettere cbe sì formi una soluzione solida con lo
stesso tipo di struttura cristallina. Quando i diametri .ptomici sono differenti di
più del 15%, il "fattore dimensione" diventa sfavorevole per permettere
un'ampia solubilità ano stato solido.
Eserciziario
Vedi Esercizio4.2.
Se gli atomi di soluto e solvente hanno la stessa struttura cristallina, allora ~
una ampia solubilità allo stato solido è favorita. Se i due elementi hanno
completa solubilità allo stato solìdo in tutti i rapporti, entrambi gli elementi
devono avere necessariamente la stessa struttura cristallina. Inoltre, non ci può
essere una differenza troppo grande nell'elettronegatività dei due elementi che
formano la soluzione solida, perché altrimenti l'elemento altamente
elettropositivo tenderà a perdere elettroni. l'elemento altamente elettronegative
tenderà ad acquistarne, formando così un composto. Infine, se i due elementi
solidi hanno la stessa valenza, la solubilità solida sarà favorita~ se invece vi è
diversità di struttura elettronica tra gli atomi, il legame tra di loro sarà turbato,
portando a condizioni sfavorevoli per la solubilità solida.
Soluzionisolide Nelle'' soluzioni solide interstiziali gli atomi di soluto si collocano negli spazì tra
interstiziali gli atomi dì solvente. Questi spazì, o vuoti, sono detti interfitzi. Le soluzioni
solide interstiziali possono formarsi quando un atomo è più grande di un altro;
esempi di atomi che possono formare soluzioni solide interstiziali per le loro
piccole dimensioni sono idrogeno, carbonio, azoto e ossigeno.
Un esempio importante di una sol~zione solida interstiziale è que1la
formata dal carbonio nel ferro-1;di tipo CFC; che è stabile tra 912 e 1394°C; il
raggio atomico del ferro-')' è 0,129 nm e quello del carbonio è 0,075 nm, con una
differenza del raggio atomico del 42%. Comunque, nonostante questa
differenza, un tenore di carbonio fino al 2,08% può dissolvere interstìzialmentè
nel ferro-')' a 1148°C. La Figura 4.15 illustra schematicamente questa situazione,
mostrando la distorsione del reticolo dei ferro-')' attorno agli atomi di carbonio.
Il raggio del vuoto interstiziale più grande nel ferro-')' di tipo CFC è 0,053
Solidificazione1 difetti cristallini e diffusione nel solidi 1 15
FIGURA 4.15
Illustrazione
schematica di
unasoluzione solida
interstiziale
di carbonioin
unpiano(110)di ferro~ 1
conreticolo CFCappena
sopra912°Cin unpiano
(100).Si notila distorsione • Carbonio
degliatomidi ferro(0,129 r=0.075nm
nmdi raggio) attorno
agli
atomidi carbonio (raggio
0,075nm),chesi collocano
O Ferro
r=0.129nm
in vuotidi raggio 0,053nm.
[DaL H. VanVlack,
"E/ements ot Mater;aJs
Scìence andEngineedng·:
4thed.,Addison-Wesley,
1980, p.1131. nm, e poiché i1 raggio atomico dell'atomo di carbonio è 0,075 nm, si può capire
come mai la massima solubilità allo stato solido del carbonio nel ferro-7 sia solo
di grano interni. I difetti macroscopici a tre dimensioni o di massa, quali i pori,
le cricche e inclusioni esogene, non vengono considerati in questa classi-
ficazione.
Eserciziario
Vedi Esercizio4.3.
4.4 DIFETTI CRISTALLINI
Nella realtà i cristalli non sono maì perfetti e contengono vari t1p1 di
imperfezioni e di difetti che influenzano alcune delle loro proprietà fisiche e
meccaniche, che a loro volta influenzano alcune importanti proprietà
tecnologiche dei materiali come 1a deformabilità a freddo delle leghe. la
conduttività elettronica dei semiconduttori, la velocità di diffusione degli atomi
nelle leghe e la corrosione dei metalli.
I difetti del reticolo cristallino sono classificati secondo la loro geometria e
forma, i tre tipi principali sono: (1) difetti a zero-dimensione o dìfetti di punto,
(2) difetti a una-dimensione o difetti di linea (dislocazioni), e (3) difetti a due-
dimensioni o difetti di superficie, che includono le superfici esterne e i bordi
di grano interni. I difetti macroscopici a tre dimensioni o di massa, quali i pori,
le cricche e inclusioni esogene, non vengono considerati in questa classi-
ficazione.
Difetti di punto I1 difetto di punto più semplice è la vacanza, costituita da un sito atomico dal
quale un atomo è assente (Figura 4.16a). Le vacanzepossono essere prodotte
116 Capitolo 4
Vacanza Autointerstiziale
FIGURA 4.1.6 (a)Difetto

di puntodi tipovacanza.
(b}Autoìnterstiziale,
difetto
di puntoin unreticolodi
metallo
solidoadalta
densità
atomica.
durante la solidificazione come risultato di disturbi locali durante la crescita dei

cristalli, oppure possono essere create da riarrangiamenti atomici in un cristallo
già formato a seguito della mobilità atomica. Nei metalli la concentrazione di
equilibrio deUe vacanze raramente supera quella di I ogni 10,000 atomi. Le
vacanze sono difetti di equilibrio nei metalli, e la loro energia dì formazione è
circa 1 eV.
Le vacanze addizionali nei metalli possono essere introdotte da
deformazioni plastiche, raffreddamento rapido da temperature più alte é
temperature più basse per intrappolare le vacanze, e dal bombardamento con
particelle energetiche come i neutroni. Le vacanze non di equilibrio ham10
tendenza a formare addensamenti di vacanze, formati dall'unione di due o tre
vacanze. Le vacanze possono muoversi scambiando posizione con atomi loro
vicini; questo processo è di notevole importanza nella diffusione di atomi nello
stato solido, in particolare ad elevate temperature quando la mobilità atomica è
maggiore.
Qualche volta un a.tomo in un cristallo può occupafè una posizione
interstiziale tra atomi che lo circondano nelle normali posizioni atomiche
(Figura 4.16b); questo tipo di difetto di punto viene detto auto.interstiziale.
Questi difetti normalmente non si gener~no naturalmente, a causa dell'elevata
distorsione con essi connessa, ma possono essere introdotti in una struttura a
seguito di irradiazione.
Nei cristalli ionici i difetti di punto sono più complessi, per la necessità di
mantenere la neutralità elettrica; quando due ioni di carica opposta sì allontana·
no da un cristallo ionico, si crea una bivacanza catione-anione, chiamata difetto
di Schottky (Figura 4.17); Se un catione positivo si muove in un sito intersitiziale
in un cristallo ionico, si crea anche la vacanza di un catione nel normale sito
dello ione; questo doppio difetto vacanza-autointerstiziale è chiamata difeuo di
Solidificazione, difetti cristallini e diffusione nei solidi 1-11
FIGURA4.17
Rappresentazione
bidimensionaledi un
cristallo
ionicocheillustra
un,difettodi Schottky
e un
[DaJ.
difettodi Frenkel.
Wulttetal.,"Structureand
Properties otMaterìals~
voi.
I: "Structure·:
Wiley,1964,
p.7({J.
Frenke/1(Figura 4.17). La presenza di questi difetti nei cristalli ionici aumenta la

loro conduttività elettrica.
Atomi di impurezza di tipo sostituzionale o interstiiiale sono anche difetti
di punto e possono essere presenti in cristalli metallici o con legami covalenti.
Per esempio quantità molto piccole dì atomi di impurezze sostituzionali nel
silicio puro possono influenzare molto • la conduttività elettrica per usi
elettronici. Ioni di impurezze sono anche difetti di punto nei cristalli ionici.
Difetti di linea I difetti di linea, o dislocazioni, nei solidi cristallìni sono difetti che causano
(dislocazioni) distorsioni di reticolo, concentrate attorno ad una linea. Dislocazioni si creano
durante la solidificazione di solidi cristallini; dislocazioni sono anche formate
da11adeformazione plastica dei solidi cristallini, dall'addensamento di vacanze,e
dal disadattamento atomico nelle soluzioni solide.
I due principali tipi di dislocazioni sono il tipo a spigolo e il tipo a vite. Una
combinazione dei due tipi dà luogo a dislocazioni miste, che hanno componenti a
spigolo e a vite. Una dislocazione a spigolo è creata in un reticolo dell'inserzione
di un mezzo piano aggiunto di atomi, come mostrato in Figura 4.18a, appena
sopra il simbolo ..L. La "T invertita", ..L, indica una dislocazione a spigolo
positiva, mentre la ''T diritta", T, indica una dislocazione a spigolo negatìva.
La distanza di scostamento degli atomi attorno alla dislocazione è detta
vettore di Burgers b ed è perpendicolare alla linea della dislocazione a spigolo
(Figura 4.18b ). Le dislocazioni sono difetti non di equillprio e immagazzinano
energia nella regione distorta del reticolo cristallino attorno alla dislocazione.
La dislocazione a spigolo ha una regione di sforzi di compressione dove c'è il
1
Yakov Ilyich Frenkel (1894-1954). Fisico russo che studiò i difetti nei cristalli. Il suo
nome è associato con il difetto per vacanza/autointerstiziale trovato in alcuni cristalli
ionici.
118 Capitolo4
F
F
d
Lineadi
c
dislocazione u
a spigolo d
a
t
s
Lineadi dislocazione p
i
v
v
p
(a) (b) d
E
P
M
FIGURA 4.18 (a)Dislocazione a spigolopositiva
in un reticolo
cristallino.
consistein un difettolineare localizzato
nellaregione..
appenasoprala"Trovesciata",
J_, doveè presente
unmezzo pianoaggiuntivo.(DaA. G.Guy,"Essential ofMaterials Scìence':McGraw-Hi/1,
1976.p.153)(b) Dislocazione
a spigoloconindicazione delsuovettore di Burgersb perpendicolare [Da M.
alla lineadi dislocazione.
Eisenstadt,
'1ntroduction
to Mechanical
Properties
of Materials",Macmillan, 1971,p.111].
mezzo piano aggiuntivo e una regione dì sforzi di trazione sono il mezzo piano
di atomi aggiuntivo (Figura 4.19a).
La dislocazione a vite si può formare in un cristallo perfetto a seguito della
applicazione verso l'alto e verso il basso di sforzi di taglio nelle regioni di un
cristallo perfetto che è stato tagliato da un piano di sezione, come mostrato in
Figura 20a. Questi sforzi di taglio introducono una regione di reticolo cristallino
distorto con forma di una rampa a spirtile di atomi distorti., ..da cui il nome di
F
D
Compressione c
d
FIGURA 4.19 Campo di s
sforzoattorno ad(a)una e
dislocazionea spigoloe (b) ti
unadìslocazione a vite.[Da la
J. Wulffetal.,''TheStructure W
andProperties ofMaterials'; a
vol.3:"Mechanical v
Behavior';Wiley,1965, B
p,69]. P
{O) (b)
Solìdificazione,
difetticristallinie diffusionenei solidi 11 9
Lineadi disloca.z.ione
Lineadi
FIGURA 4.20 ~ dislocazione
Formazione di una
dislocazione a vite.(a)Un
cristallo
perfettoètaglialoda
unpianoe (b)performare la
dislocazione a viteviene
applicatounosforzo di
tagliorivoltoversol'altoa
sinistraedil basso a destra
parallelamente al piano
(b) Dislocazione
nserito. a
vileconindicazione delsuo
vettoredi Burgers b
paralleloallalìneadi Pianodi raglio
dìslocazione.[DaM.
Eisenstadt "Meclìanical (a)
Propertiesol Materiats';
Macmillan. 1971, p.118'J.
dislocazione a vite (Figura 20b). La regione di cristalìo distorto non è ben

definita ed interessa comunque un diametro pari a molti atomi; sì crea una
regione di sforzi di taglio attorno alla dislocazione a vite, nella quale viene
FIGURA 4.21
Dislocazionemistain un
cristallo.
Lalineadi
dislocazioneABè di tipo A
soloa vitea sinistradove
entranelcristalloe di solo
ipoa spigolo a destra dove
asciail crlstallo.
[DaJ.
Wulfletal.,"TheStructure
andProperties ot Materials': B
vol.3:"Mechanical
Behavior: Wiley,1965,
P-65].
120 Capitalo 4
FIGURA 4.22 Struttura di

unadislocazione
delormato del14%a
nelferro ,
-195°C.Ledislocazioni
appaiono comelineescure
perchégli elettronidelfascio
trasmesso vengono deviati
irregolarmente a seguito
delleposizioni atomiche
chesi hannoin
irregolari
corrispondenza alle
dislocazioni.
(Provino
assottigliato;
ingrandimento
40.000x). [Da"Metals
Handbook': vol:8,8thed.,
American Society torMetals,
1973,p,2191. immagazzinata energia (Figura 4.19b). Il vettore di Burgers di una dislocazione
a vite è parallelo alla linea di dislocazione, come mostrato in Figura 4.20b.
· La maggior parte deUedislocazioni nei cristalli è in realtà di tipo misto, con
presenza di componenti a spigolo e a vite; nena linea di dislocazione curva AB di
Figura 4.21, la dislocazione è di puro tipo a vite a sinistra dove entra nel cristallo
e di puro tipo a spigoio a destra dove lascia i] cristallo; all'interno del cristallo la
dislocazione è di tipo misto, con componenti a spigolo e a vite.
FIGURA 4.23 Fotografia

di un moderno microscopio
elettronico
a trasmissione
{TEM).[Perconcessione
dellaPhilips
E/ectronic
lnstruments,
!ne.].
__·--------.,..--------------
, ...-
Solidificazione, difetti cristallini e diffusione ~éi s;lìoi 121
-+-----lv
L
Alto voltaggio
l. :_jI.Sorgentedi elettroni
J..
J.
lentf obìettìvo
FIGURA4.24 Disposizione
schematica delsistema a lenti
elettroniche di unmicroscopio
elettronicoa trasmissione. Tuttele
lentisonoracchiuse in unacolonna
in cui vienefattoil vuotodurante il
funzionamento. Il percorso del
raggioelettronico dallafontedi
e.lettroniall'ìmmagine finale
trasmessa è indicata dallefrecce. Tra
il condensatore e le lentiobiettivo
vieneposizionato il campione in
esame, chedeveessere assottigliato Immagine
in modosufficiente dapermettere trasmessa
cheil fascioelettronico sia
trasmesso attraverso di esso.[DaL.
Immagine finale
E.Murr,"Electron and/on
Microscopy andMicroanalysis': Sistema ottico elettronico
Marce/ Decker, 1982, p.105].
..
---------------
122 Capitolo 4
Le dislocazioni possono essere osservate sullo schermo di un microscopio

elettronico a trasmissione, come mostrato in Fìgura 4122 per un provino
assottigliato di ferro deformato del 14% a -195°C. In Figura-4.23 è mostrato un
micros~opio elettronico a trasmissione elettronica, usato per tale tipo di
indagine. La Figura 4.24 mostra 'schematicamente i principi base di
funzionamento. Un fascio elettronico è prodotto da un filamento riscaldato di
tungsteno nella parte alta della colonna sotto vuoto ed è accelerato verso il
basso della colonna tramite alto voltaggio (dì solito da 75 a 120 kV). Lenti
elettromagnetiche sono usate per condensare il fascio elettronico, che attraversa
poi una sezione opportunamente assottigliata (100 nm o anche meno) del
campione in esame (Figura 4.24). Lo spessore del campione deve essere sottile in
mod6 sufficiente da consentire che alcuni'deglì elettroni incidenti siano in grado
di attraversarlo; durante tale attraversamento molti e)ettroni sono assorbiti e
altri, in corrispondenza a disunifonnità di arrangiamento atomico del cristallo,
sono deviati irregolarmente. Dopo che il fascio elettronico ha attraversato il
campione, esso viene focalizzato da una ]ente obiettivo e poi allargato e
proiettato su uno schermo fluorescente (Fìgura 4.24}. Una regione in un
campione di metallo che tende a deviare irregolarmente gli elettroni, come le
dislocazioni, apparirà scura sullo schermo, come mostrato in Figura 4.22.
Difetti di I bordi di grano sono difetti di superficie di materiali policristallini che separano
superficie (bordi i grani (cristaHi) dì diverso orientamento. Nei metalli i bordi di grano si creano
di grano) durante la solidificazione. quando i cristalli fonnati dai diversi nuclei crescono
Microstruttura sulla superficie superiore.

Cia!<cun
grano è ombreggiatoin mododifferente
FIGURA 4.25 Schizzo

chemostra la correlazione
tra le duemicrostrutture
bidimensionali di un
materiale cristallinoe la
sottostante microstruttura ,,~
tridimensionale.
mostrati
Sono
soloalcunidei I /1 a
granìchelormano il pezzoin -f-\- -
esame. [DaA. G.Guy, Vertice (unione
"Essentisi ot Materials di quattro grani)
Science'; McGraw-Hill, M
1976j.
FIGURA 4.26 Bordìdi

granosullasuperficie di
campioni lucidatied
attaccaticomeosservati al
microscopio ottico(a)
Acciaio a bassotenoredi
carbonio {ingrandimento
100x).[Da"Metals
Handbook'; vol.7,Bthed.,
American SocietytorMetals,
1972, p.41.{b) Ossido di
magnesio (ingrandimento
225x ). [DaR.E Gardner e
G.W.Robinson. J. Am.
Ceram. Soc.,45:46(1962)].
(a)
simultaneamente e si incontrano tra loro {Figura 4.2). La forma dei bordi di

grano è determinata dalle restrizioni imposte dalla crescita dei grani vicini. Le
superfici dei bordi dì grano di una struttura a grani approssimativamente
equiassici sono mostrate schematicamente in Figura 4.25 e quelle di grani reali
in Figura 4.3.
II bordo di grano è una regione compresa tra due grani, che interessa tra
All'oculareo
all'obiettivo
i
L
Dalla sorgente
luminosa
FIGURA 4.27
Diagramma schematicoche
illustracomela luceè
riflessa di un
dallasuperficie
metallo lucidato
ed
attaccato.Lasuperflcie
attaccataIrregolare
del
bordodi granononriflettela
luce[DaM.Eisenstadt,
"Mechanical Properties
ot
Materials';Macmillan,
1971, p.1261.
124 Capitolo 4
Luceriflessa
Microstrunura
D (a) (b)
Il (e)
FIGURA 4.28 Effetto dell'attacco

di unasuperficie lucidatadì uncampione di metallo
sutlamicrostruttura
osservataal microscopio ottico.
di uncampione
(a}Superficie cheè statalucidata
di metallo manonattaccata: nonsi evidenziano
caratteristiche
microstrutturali
quando i!
campione è osservato
conil microscopio otticoperché la luceincidentevieneriflessa.
(b) Superficie
di uncampione di metallocheè staio
lucidato
e attaccato
chimicamente perevidenziarei bordidi grano:i bordidi granoappaiono comelineescureperchéla lucevieneri!lessain
mododeviato in corrìsponoenza
ai bordidi grano..(e)Struttura
internadeigranirivelatadaulteriori [DaM.Eisenstadt,
attacchi. "Mechanica
Properties
of Materials';
Macmillan,1971,p.127}.
due e cinque diametri atomici in larghezza. ed è essenzialmente una regione di

cattivo arrangiamento atomico tra grani adiacenti. L'addensamento atomico nei
bordi di grano è più basso che all'interno dei grani per il dìsadattamento
atomico: inoltre i bordi òi grano hanno molti atomi in posizioni deformate che
alzano l'energia della regione del bordo di grano. ,.
I bordi di grano di un materiale metallico o ceramico possono essere
evidenziati come linee scure su un provino del materiale opportunamente
preparato (Figura 4.26). I provini, metallici e ceramici, vengono in primo luogo
lucidati per ottenere una superficie liscia. e vengono successivamente attaccati
chimicamente con opportuni reagenti, in grado di attaccare più velocemente i
bordi dei grani che non le zone ad essi interne, producendo in questo modo
sottili scanalature in corrispondenza ai bordi stessi. Quando sono esaminati con
un microscopio ottico (Figura 4.27t la luce incidente in corrispondenza ai bordi
di grano non sarà riflessa come sulla restante parte del provino, e come risultato
i bordi di grano appariranno come linee scure neffoculare del microscopio
(Figura 4.28).
Solidificazione,difetti cristallini e diffusione nei solidi 125
. L'energia più alta associata ai bordi di grano e la loro struttura meno densa
b re~dono una regione più favorevole per la nucleazione e.crescita dei precipitati
(vedi Paragrafo 9.5). Il più basso riempimento atomico nelle zone dei bordi di
grano permette anche una diffusione più rapida di atomi in tale zona. A basse
temperature la presenza di bordi di grano limita anche la possibilìtà di
deformazione plastica, rendendolo difficile~ in tali regioni, il movimento delle
dislocazioni.
Dimensione La dimensione dei grani di metalli policristallini è importante dal momento che
dei grani ess~ ha un effetto significativo su molte proprietà dei metalli, specialmente sulla
resistenza meccanica. A temperature basse (minori della metà della loro
temperatura !3-Ssoluta~dìfusione)i bordi di grano rinforzano i metalli limitando
la po~sib!lità di scorri~ento delle dislocazioni. A temperature eÌevate può
a:vemre mvece lo scorrimento dei bordi di grano, e i bordi di grano possono
diventare pertanto regioni di debolezza nei metalli policristallini.
Un metodo per misurare la dimensione dei grani è il metodo ASTM 1• in cui
la dimensione del grano n è definita dalla relazione: ·
(4.3)
1
ASTM è una abbreviazione dì American Society for Testing and Materials.
TABELLA4.2 Dimensionidi grano ASTM
Numero nominale
del grani
N. della
dimensione Per mm2 Per in2
del grano a1 x a 100 X
1 15.5 1.0
2 31.0 2.0
3 62.0 4.0
4 124 a.o
5 248 16.0
6 496 32.0
7 992 64.0
8 1980 128
9 3970 256
10 7940 512
Fonte:"Metals Handbook," voi. 7, 8th ed.,

AmericanSocietyfar Metals, 1972,p. 4,
126 Capitolo 4
FIGURA 4.29
Dimensioni di granodi
nastridi acciaia basso
tenore di carbonio,
secondo
la normativa ASTM:(a)# 7,
(b) # 8, {e)#9 (Attacco:
. nital;ingrandimento100x).
!Da"Metals HandbOok';
vol.7,8thed.,Amerìcan
Societytor Metals,1972,
pAJ.
F
d
dove N è il numero di grani per pollice = 25,4 mm) su una superficie
pollice 2 (1
e
di materiale lucidato e attaccato all'ingrandimento di lOOx e n è un numer~ {
intero indice della dimensione dei grani ASTM. La corrispondenza tra numen s
ASTM e quantità di grani è riportata in Tabella 4:2 rapp~rt~ta. al p~lli~e2 ·~ {
J00x e al mm 2 a 1 x. La Figura 4.29 mostra alcum esempi d1 d1mens1om de~ s
grani in rapporto a numeri ASTM per nastri di acciai a basso tenore di c
carbonio.
Eserciziario
Vedi Esercizi 4.4, 4.5
Microscopio Il microscopioelettronico a scansione (Figura 4.30) è uno strumento che invia un

elettronico fascio di elettroni concentrato sulla superficie di un campione bersaglio; la
a scansione Fioura 4,31 illustra schematicamente il suo furtzionament0. Un cannone
ele~tronico produce un fascio elettronico in una colonna a vu~to. che vie_ne
focalizzato e diretto in modo da colpire un piccolo punto del cam,p1011ebersaglio:
bobine di scansione permettono al fascio di esplorare una piccola area della
superficie del campione. Elettroni retrodiffusi a bas~o ango~o in_teragiscon~ c?n [
le protuberanze della superficie e generano elettrom retrod1ffus1 _second_an cnç
producono un segnale elettronico in grado di generare ~n '1m1:1ag11~e con
profondità di campo fino a circa 300 volte quena·del mi~rosco?10 omeo ~circa l?
µm ad un ingrandimento di 10.000x). La risoluzione di molti strnmenn SEM e
circa 5 nm, con ampio intervallo di ingrandimenti (da 15 a 100.000x).
l Gli elettroni secondari sono elettroni che sono espulsi dagli atomi del metallo bersaglio
dopo essere colpiti dagli elettroni del fascio elettronico primario.
Solidificazione,
difetticristallinie diffusionenei solidi 1 27
FIGURA 4.$0 Fotografia

di unmicroscopio
elettronico
a scansione
{SEM)commerciale. Sì noti
sullasinistrala colonna
{sottovuoto
dùrante l'uso)e
sulladestra
loschermo. [Per
concessione di JEOLLtd.].
Il SEM è particolarmente utile per l'esame di superfici fratturate di.metalli.

La Figura 4.32 mostra una frattografia al SEM di una rottura dovuta a
corrosione intergranulare. Si nota come le superfici dei grani del metallo siano
chiaramente evidenziate e come sia alta la profondità di campo. Le frattografie
al SEM sono molto utili per determinare se una frattura è di tipo intergranulare
(Figura 4.32). transgranulare o mista.
4.5 VELOCITÀ DEI PROCESSI NEI SOLIDI
Molti processi utilizzati nella produzione e nelrutilizzo di materiali di interesse

tecnologico sono legati alla velocità con cui si muovono gli atomi allo stato
solido. In molti di questi processi avvengono trasformazioni allo stato solido
che coinvolgono il riarrangiamento spontaneo degli atomi a formare nuove e
più stabili aggregazioni atomiche. Perché queste trasformazioni possano
avvenire, gli atomi coinvolti devono avere energia sufficiente per superare una
barriera di energia di attivazione. L'energia addizionale rispetto a quella
media, necessaria perché un processo avvenga è detta energia di artiva:zione
128 Capitolo 4
Alimentazione
.CllnDone
· elettronico
I
\!I
Cannone
elenronico
Fascio
elettronico
Primaleme
condensatrice
9:::~. D
Alimentazione
lenii
1----"""'"
Seconda
---,;,::;,,,.
i·; ....
Bobine
di sc:m,ione
Generatore
di scansione
I
Lemefinale
I
I
~ .. '
Videoe sistema
Campione
Rivelatore
OD
fotografico
Controllo
mgr:mdìmemo j
,,_ ..
Ampli.fic1uore
di segnale
FIGURA4.31 Schema di unmicroscopio

elettronico
ascansione [DaV.A Philìps,"Modem
(SEM). Metallographic
Techniques
andTheir
Apptications·;
Wiley,1911,p.4251
bi.E', è.di solito è misurata in joule/mole oppure calorie/mole. La Fi~ura 4.33

mostra l'energia di attivazione necessaria perché avvenga una reazione allo
Solidificazione, difetti cristallini e diffusione nei soJidi 129
FIGURA 4.32 Frattografiaottenuta

al microscopio
elettronico
a scansione
dellasuperficie
di frattura
dovutaa corrosione
intergranulare
inprossimità
dìunasaldaturacirconferenziale
in untuboadaltospessore
di acciaio
inossidabile
AISI304(Ingrandimento
180x}. [Da"Metals Handbook';
vol9: "Fractography
and
Aliasof Fractographs';
8thed.,AmericanSociety
tor Metals,1914.p.7TJ.
stato solido attivato termicamente. Gli atomi che possiedono un livello di

energia almeno pari a Er (energia dei reattantì) +AE' (energia di attivazione)
avranno energia sufficiente per reagire spontaneamente così da raggiungere lo
stato reagito caratterizzato da una energia (energia dei prodo.tti). La reazione
mostrata in Figura 4.33 è esotermica, in quanto la reazione comporta global~
mente un rilascio di
Ad ogni temperatura solo una frazione delle molecole o atomi in un sistema
avranno energia sufficiente per raggiungere il livello di energia dì attivazione E';
man mano che la temperatura del sistema aumenta, sempre più atomi
raggiungeranno il livello di energia di attivazione. Boltzmann ha studiato
l'effetto della temperatura sugli a.umenti di energia delle molecole di gas. Sulla
base di analisi statistiche, i risultati di Boltzmann hanno mostrato che la
probabilità di trovare una molecola o un atomo con )ivello di energia E*
maggiore dell'energia media E di tutte le molecole o atomi di un sistema ad una
particolare temperatura T espressa in gradi kelvin é:
Probabilità o.e-(E"-E)/kT
(4.4)
dove k costante di Boltzmann = 1, 38.10- 23J/(atomo · K).

130 Capitolo 4
E* ·- - - ... - - - - - -· -------b.E*-1 di
~ ----------~------
Reagenti l Enerf!iarilasciata
a seguitodellareazione
FIGURA 4.33 Evoluzione . Prodotti

dell'energia
dellespecie
coinvolte
in processi
di Coordinatedi reazione
modificazione
passando
dallostatononreagito
allo
statoreagito.
La frazione di atomi o di molecole in un sistema che ha energia maggiore di

E' in un sistema dove E" è molto maggiore dell'energia media degli atomi o
molecole può essere scritta come
(4.5)
dove n numero dì atomi o di molecole con energia maggiore di E'

}V101ale numero totale di atomi o molecole presenti nel sistema
k costante di Boltzmann
T temperatura, K
e = costa11te
Il numero di vacanze in equilibrio ad una particolare temperatura in un

reticolo cristallino metallico può essere espresso da11a seguente relazione, che è
simile all'Equazione (4.5):
:.:.::
= Ce-1:."/kT (4.6)
N
dove n numero di vacanze per m 3 di metallo

N
E,.
= numero totale di siti atomici per m 3 di metallo
energia di attivazione per formare una vacanza, eV
l
1
T temperatura assoluta, K
k costante di Boltzmann = 8, 62.10- 5 eV/K
e costante
In base all'Equazione (4.6) è possibile calcolare che la concentrazione di

equilibrio di vacanze presenti nel rame puro a .S00°C. assumendo C::;;: 1, è pari a
circa una vacanza per ogni miHone di atomi.
Eserciziario
Vedi Esercizio4.6.
· A un'espressione simile alla relazione di Boltzmann per le energie del]e
molecole in un gas era pervenuto sperimentalmente Arrhenius 1 studiando
l'effetto della tempèratura sulla velocità delle reazioni chimiche. Arrhenius
trovò che la velocità di molte reazioni chimiche era una funzione della
temperatura e poteva essere espressa dalla relazione
Equazione di Arrhenius: Velocità di reazione= ce-QIRT (4.7)
dove Q energia di attivazione, J /mole oppure cal/mole

R costante molare dei gas
= 8,314 J/(mole-K) oppure 1,987 cal/(mole-K)
T tempera tura, K
e == costante di velocità, indipendente dalla temperatura
Lavorando con liquidi e solidi, l'energia di attivazione si esprime di solito in

termini di una mole; oppure 6, 02 · 1023 atomi o molecole. L ·energia di
attivazione è data anche, di solito, dal simbolo Q ed è espressa in joul;/mole ·
o calorie/mole.
L'equazione di Boltzmann (4.5) e l'equazione di Arrhenius (4. 7)
sottintendono entrambe che la velocità di reazione tra atomi o molecole in
molti casi dipende dal numero di atomi o di molecole reattive che hanno enenrie
di attivazione pari a E' o ancora maggiori. Le velocità di molte reazioni allo
stato solido di particolare interesse per chi si occupa di materiali obbediscono
all'equazione Arrhenius, e quindi l'equazione di Arrhenius è spesso utilizzata
per analizzare i dati sperimentali della velocità dei processi dello stato solido.
L'equazione di Arrhenius (4.7) è comunemente riscritta in fom1a di
logaritmo naturale come:
1n velocità = 1n costante _ JL (4.8)

RT
1
Svante August Arrhenius (1859~1927). Chimico-fisicosvedeseche fu uno dei fondatori
della chimica-fisicamoderna e che studiò sperimentalmentele velocità di reazione.
1
132 Capitolo 4
Intercetta
log10 (cost.)
o
o
o
o Pendenza.=-2•3~, R
/ _ A (Jog10velocità)
- . A (117) I
FIGURA 4.34 Tipico
diagramma relativoa dati
di velocità
sperimentali che
obbedisceall'equazione
di
[DaJ. Wulffet
Arrh.enius.
-+---7.K
al.,"Structure
andProperties
ot Materials';
voi.Il:
'Thermodynamics al
Structure·:
Wìley,1966,
p.64).
Questa equazione è quella dì una lìnea retta del tipo
y = b+ rnx (4.9)
dove b è l'intersezione con l'asse y e m è il coefficiente angolare della retta. Il

termine ln velocità dell'Equazione (4.8) equivale al termine J dell'Equazione
(4.9), e il tennine In costante dell'Equazione. (4.8) equivale al termine b
dell'Equazione (4.9). La quantità -Q/ R dell'Equazione (4.8) è equivalente alla
pendenza m dell'Equazione (4.9). Quindi un diagramma di In velocità rispetto
ad J/T K produce una linea retta di pendenza -Q/ R.
L'equazione di Arrhenius (4.7) può essere anche riscritta in forma
logaritmica come
Q (4.10)
Iog 10 velocità = log 10 costante - _ RT
2 303
Il termine 2,303 è il fattore dì conversione dal logaritmo naturale al logaritmo a

base 10. Questa equazione è anche un'equazione di :una linea retta; u~
diagramma schematico del loglO. di una velocità di reazione rispetto ad 1/T K e
riportato in Figura 4.34.
Solidificazione, difetti cristallini e diffusione:nei solidi 133
Quindi, se un diagramma di dati sperimentali ln velocità di reazione rispetto

a 1/T K determina una linea retta~ l'energia di attivazione per i! processo
esaminato può essere calcolata dalla pendenza della retta. UtiHzzeremo in
seguito l'equazione di Arrhenius per valutare l'effi.'!tto della temperatura sulla
diffusione di atomi e la conduttività elettrica di semiconduttori puri.
4.6 DIFFUSIONE ATOMICA NEI SOLIDI
Diffusione La diffusione può essere definita come i1 meccanismo con cui la materia è
nei solidi trasportata attraverso la materia. Gli atomi nei gas, nei liquidi e nei solidi sono
in generale in costante moyimerifo e possono migrare, pur se con tempi diversi. Nei gas il
movimento degli atomi è relativamente rapido come evidenziato dal rapido
diffondersi degli odori di cucina o del fumo. I movimenti di atomi nei liquidi
sono in generale più lenti rispetto a quelli nei gas, come evidenziato dal
movimento di tinture colorate nell'acqua liquida. Nei solidi i movimenti atomici
sono ancora più lenti, a causa dei legami che tendono a mantenerli nelle
posizioni dì .equilibrio; comunque le vibrazioni termiche che avvengono nei
solidi permettono ad alcuni atomi di muoversi. La diffusione di atomi nei
metaHi e nelle leghe è di particolare importanza poiché la maggior parte delle
reazioni aHo stato solido coinvolgono movimenti atomici. Esempi di reazioni
allo stato solido. sono la precipitazione di una seconda fase dalla soluzione
solida (Paragrafo 9.5) e la nucleazione e crescita di nuovi grani nella
ricristallizzazione di un metano defom1ato a freddo (Paragrafo 6.9).
Meccanismi Vi sono due principali meccanismi di diffusione di atomi in un reticolo

di diffusione cristallino: (1) H meccanismo per vaccmze o sostitu=ionale e (2) il meccanismo
interstiziale.
Meccanismo di diffusione per vacanza o sostituzionale Gli atomì possono

muoversi nel reticolo cristallino da un sito atomico alJ'altro se le vibrazioni
termiçhe degli atomi consentono di superare l'energia di attivazione e se cì sono
vacanze o altri difetti cristallini nel reticolo. Le vacanze nei metalli e nelle leghe
sono difetti di equilibrio e quindi ne sono sempre presenti molte, consentendo
così che avvenga la diffusione sostituzionale degli atomi. Quando la temperatura
del metallo aumenta, aumenta il numero di vacanze ed è disponibile molta
energia termica, pertanto a temperature elevate la velocità di diffusione è più alta.
Si consideri l'esempio di diffusione per vacanze mostrato in Figura 4.35 su
un piano (l 11) dì atomi di rame in un reticolo cristallino di rame; se un atomo
che è vicino alla vacanza ha energia di attivazione sufficiente, può muoversi nel
sito vacante e quindi contribuisce alla autodiffusione degli atomi di rame nel
reticolo. L'energia di attivazione per la autodiffusione è uguale alla somma
134 Capitolo 4
FIGURA 4.35 Energia diattivazionerichiesta

permuovere
unatomoin unsitovacante. (a)Unpianodi atomiconuna
(b) Energia
vacanza. potenziale
dell'atomo scuroin funzione
dellaposizione;
l'atomopuòmuoversi al sitovacantesolose
puòsuper~re la barriera
di energiaQm,cheè l'energia di
(b) Posizione attivazione
delmovimento pervacanze. [DaM. Einsenstadt,
toMechanical
"lntroduction froperties ot Materials''.
Macmillan,1971, p.285].
dell'energia di attivazione per formare una vacanza e l'energia di attivazione per

muovere la vacanza; la Tabella 4.3 elenca alcune energie di attivazione per la
autodiffusione nei metalli puri. Si noti che in generale se aumenta il punto di
fusione del metallo, aumenta anche l'energia di attivazione; questa correlazione
è legata al fatto che tanto maggiore è il punto di fusione di un metallo, tanto
maggiori sono le energie di legame che tengono uniti i suoi atomi.
La diffusione può avvenire nelle soluzioni solide mediante meccanismo per
vacanze; la velocità di diffusione sarà in questo caso influenzata dalle differenze
di dimensioni atomiche e dalle differenze di energia di legame tra i diversi tipi di
atomi.
Meccanismidi diffusioneinterstiziale La diffusione interstiziale dì atomi nei

reticoli cristallini avviene quando gli atomi si muovono da un sito interstiziale ad
un altro sito interstiziale vicino senza spostare permanente111entenessuno degli
TABELLA4.3 Energia di attivazione per l'autodiffusione per alcuni metalli puri
Intervallo di Energiadi attivazione

Temperatura Struttura ~ températura
Metallo dl fusione,°C cristallina · studiato, °C kJ/mol Kcal/mol
Zinco 419 EC 240-418 91.6 21.9

Alluminio 660 CFC 400-610 165 39.5
Rame 1083 CFC 700-990 196 46.9
Nichel 1452 CFC 900 1200 293 70:1
Ferro a: 1530 ccc 808 884 240 57.5
Molibdeno 2600 ccc 2155- 2540 460 110
Solidificazione, difetti cristallini e diffusiorié. nei· solidi 135
FIGURA 4.36 Rappresentazione schematica di una

soluzione solidainterstiziale.
I cerchigrandirappresentano
atomisuunpiano(100)dìunreticolo cristallino
ditipoCFC. Atomi interstiziali
in diffusione nei
I cerchiscuripiccolisonoatomiinterstizialicheoccupano i siti ·interstiziali
siti interstiziali.
Gliatomiinterstiziali
possono muoversi nei
sitiadiacentichesonovacanti; esisteunaenergia di
attivazioneassociataalladiffusioneinterstiziale.
atomi del reticolo cristaùino della matrice (Figura 4.36). Perché il meccanismo
interstiziale sia efficiente, la dimensione degli atomi che diffondono deve essere
relativamente piccola rispetto a quella degli atomi della matrice. Atomi piccoli
come idrogeno, ossigeno, azoto e carbonio possono diffondere interstizialmente
nel ferro-a: tÌ]?OCCC e nel ferro-1 tipo CFC (vedi Figura 4.15); nella diffusione
interstiziale del carbonio nel ferro, gli atomi di carbonio devono tuttavia
schiacciarsi per potersi muovere tra gli atomi delia matrice di ferro.
Diffusione Si consideri la diffusione di atomi di soluto nella direzione x tra due piani
in condizioni atomici paralleli perpendicolari al foglio, separati da una distanza· x come
stazionarie mostrato in Figura 4.37. Si assuma che, dopo un certo tempo. la concentrazione
di atomi sul piano l sia Ci e quella del piano 2 sia C2 , e che quindi, nel sistema
considerato, non ci sia variazione nella concentrazione di atomi di soluto in
questi piani nel tempo. Queste condizioni di diffusione sono dette condizioni
stazionarie. Questo tipo di diffusio-nc avviene quando un gas non reagente
diffonde attraverso un lamierino metallico. Per esempio, le condizioni dì
diffusione in condizioni stazionarie sono raggiunte quando idroe:eno e:assoso
diffonde attraverso un lamierino di palladio, se l'idrogeno è ad alt; pres~one su
un lato e a bassa pressione sull'altro.
Se nel sistema dì diffusione mostrato in Figura 4.37 non avviene nessuna
interazione chimica tra gli atomi di soluto e di solvente, essendociuna differenza
di concentrazione tra i piani 1 e 2, ci sarà una corrente netta di atomi dalla zona
a più alta concentrazione verso la zona a più bassa concentrazione. Il.flusso o la
corrente di atomi in questo tipo di sistema può essere descritto dail'equazione:
dC
J=-D- (4.11)
dx
136 Capitolo 4
c,---
Cz 1-----1-..--_...;::~
Distanza.i:
FIGURA4.37 Diffusione ~
......% i .
in condizionis~azìonarie
di Atomi ·::: Flussonttto di atomiper unità
~ Unitàdi area di areaper unitàdi tempo= J
atomiin presenza dl un in diffusione~
gradiente
Unesempio
di concentrazione.
è Quello
dell'idrogeno
dìftonde
gassoso
attraverso
un
che
r 1!
lamierinodi palladio.
dove J flusso o corrente netta di atomi

D = costante di proporzionalità detta di.fJusfrità (conduttività
atomica) o coe.[ficiemedi diffusione
dC
gradiente di concentrazione
dx
n segno negativo è utilizzato perché la diffusione determina un flusso dalla
concentrazione più alta a quella più bassa e quindi vi è un gradiente di
diffusione negativo.
Questa equazione è detta prima legge di FickI della diffusione e indica che
per condizioni di diffusione stazionarie (quindi senza nessuna.~variazione del
sistema nel tempo), la diffusività D per il gradiente di diffusione dC/dx è uguale
al flusso netto di atomi. Le unità di misura SI per questa equazione sono:
1 (atomi)
2
m •s .
= n(m. (atomi
d
2
m
) d
..C
dx 3
x _!_)
m
(4.12)
1
Adolf Eugen Fick (1829-1901). Fisiologo tedesco che per primo pose la diffusione su
basi quantitative utilizzando equazioni matematiche. Alcuni dei suoi lavori furono
pubblicati negli Annals of Physics ( Leipzig), 170:59 (1855}.
Solidificazione,difetti cristallini e diffusione nei solidi 137
TABELLA4.4 Diffusivitàa 500 °G e a 1000 °C per sistemi di diffusionesoluto.,

solvente selezionati
Diffusività, m2/s
Solvente
Soluto (strutturaospitante) 500°C 1000°c
1. Carbonio Ferro CFC (5 X 1Q- 15 )* 3 X 10- 11

2. Carbonio
3. Ferro
Ferro CCC
Ferro CFC (2 X
10-12
10- 23 }
(2 X 1Q- 9
2 X 10- 1
i
4. Ferro Ferro CCC 10-20 (3 X 10- 14 )
5. Nichel Ferro CFC 10-23 2 X 10- 16
6. Manganese Ferro CFC (3x10- 24 ) 10-15
7. Zinco Rame 4 X ;Q-18 5 X 10- 13
8.Rame Allumlnlo 4 X 10- 14 10- 10 Mt
9. Rame -Rame 10-18 2 X 10- 13
10. Argento Argento (cristallo) 10-11 10-12 M
11. Argento Argento (bordo di grano) 10-11
12. Carbonio Titani.eEC 3 X 10- 16 (2 X 10-n)
*Le parentesiindicano che la fase è metastabile.

tM - Calcolato,anche se la temperaturaè superiore a quella dì·fusione.
Fonte: L.H. Van.Vlack, "Elements of Materia!s Science and Engineering", 5th ed.,
Add1son-Wesley,1985.
La Tabella 4.4 elenca alcuni valori di diffusività atomica di sistemi di diffusione

interstiziali e sostituzionali; i valori di diffusività dipendono da molte variabili.
tra cui le più importanti sono le seguenti:
1. Il tipo di meccanismo cli dVJusione. interstiziale o sostituzionale, influenza

notevolmente la diffusivìtà. Gli atomi pìccoli possono diffondere
interstizialmente nel reticolo cristallino di atomi di solvente più grandi.
Viceversa gli atomi di rame diffondono con meccanismo sostituzionale. in un
reticolo di alluminio, dal momento che j due atomi hanno aH'incirca la stessa
dimensione.
2. La temperatura a cui avviene la diffusione influenza moltissjmo la diffusività:
quando la temperatura aumenta, aumenta anche la diffusivìtà, come
mostrato in Tabella 4.4 per tutti i sistemi confrontando i valori a 500°C
con quelli a 1000°C. L'effetto della temperatura sulla diffusività sarà discusso
m~lParagrafo 4.8.
3. li tipo di strutrura cristallina del reticolo di solvente è importante. Per esempio,
la diffusività di carbonio nel ferro CCC è 10- 12 m 2/s a 500°C, molto
maggiore di 5.10- 15 m 2 /s, valore della diffusività del carbonio nel ferro CFC
alla stessa temperatura. La ragione di questa differenza è che la struttura del
cristallo CCC ha un fattore di compattazione atomico di 0,68, più basso se
confrontato con quello de1la struttura cristallina CFC, che è O,74. Inoltre, gli
spazi interatomici tra gli atomi di ferro sono più larghi nella struttura
138 Capitolo 4
cristallina CCC che in quella CFC, e così gli atomi di carbonio possono
diffondere tra gli atomi di ferro nell~ struttura CCCA'.)iù facilmente che in
quella CFC. .
4. Il tipo di difetti cristallini presenti nella regione di diffusione allo stato solido è
anche importante. La maggior parte delle strutture non compatte
permettono una diffusione pitl rapida degli atomi; per esempio la diffusione
avviene più rapidamente lungo i bordi di grano che non nella matrice dei
grani sia nei metalli che nei ceramici. Ugualmente la presenza di molte
vacanze aumenta la velocità di diffusione nei metalli e nelle leghe.
5. La concentrazione delle specie diffuse è importante in quanto alte
concentrazioni di atomi di soluto influenzano la diffusività. Questo aspetto
della diffusione allo stato solido è per altro piuttosto complesso.
I
F
Diffusione La diffusione in condizioni stazionarie. in cui le condizioni non variano nel
d
in condizioni tempo) non è comunemente presa in considerazione per i materiali di interesse g
non stazionarie tecnologico; nella maggior parte dei casi avviene infatti diffusione in condizioni d
non stazionarie, in cui la concentrazione di atomi di soluto in ogni punto del g
materiale varia con il tempo. Per esempio. se del carbonio viene fatto diffondere c
sulla superficie di un albero a camme di acciaio per indurirne la superficie, la d
concentrazior1e di carbonio sotto la superficie \'arierà con il tempo in ogni punto s
c
man mano che il processo di diffusione prosegue. Per i casi di diffusione in A
condizioni non stazionarie. in cui la diffusività è indipendente dal tempo. si a
applica la seconda legge dì Fick della diffusione. che è: c
u
dC,\.= !!_
dt dx
(n dC..,)
dx
(4.13,i
d
d
Questa legge afferma che la velocità di variazione della composizione è uguale

alla diffusività per la velocità di variazione del gradiente di concentrazione. La
derivazione e la soluzione di questa equazione differenziale va oltre lo scopo di
questo libro; comunque, la soluzione di questa equazione per la condizione
particolare in cui un gas diffonde in un solido è di grande ìmp.mrtanza per molti
processi di diffusione di interesse tecnologico e sarà utilizzata per risolvere molti
problemi pratici di diffusione industriale.
Consideriamo il caso di un gas A che diffonde in un solido B, come
mostrato in Figura 4.38a. Quando aumenta il tempo di diffusione, aumenterà
anche la concentrazione di atomi di -soluto in ·ogni punto nella direzione x, come
indicato per i tempi t1 e t2 in Figura 4.38b. Se la diffusività del gas A nel solido B
è indipendente dal tempo, allora la soluzione della seconda di Fick
[Equazione (4.13)] è
err(-~.)
2vDt
(4.14)
o o o
00 O
GasA o o0 SolidoB
o o o
o o
x=O
(a)
Cs
FIGURA 4.38 Diffusione e ~MohodopoCl=•,l

di ungasin unsolido.{a)H
gasA diffonde nelsolidoB
gasmantiene
dovex = O;H
daliasuperficie
una
concentrazionedi atomiA.
¼
.T
:
1 -'( ;"-/
~<~
Dopo (1 = 11)
--,--------------
/Inìzialmente.1empo1=0
dettaCs,su questa
superiicie.
(b)Profilidi
concentfazionedell'elemento Disrnnzax
A nelsolidonelladirezionex
a tempidiversi;il solido questadistanzaluconcentrazione
contieneunaconcentrazione della specie in diffusione è Cx
uniformedell'elemento A. (bi
detta00 primacheinizila
ditlusione.
TABELLA 4.5 Tabella della funzione errore
z erf z z eri z z erf z z eri z
o o 0.40 0.4284 0.85 0.7707 1.6 0.9763

0.025 0.0282 0.45 0.4755 0.90 0.7970 1.7 0.9838
0.05 0.0564 'o.so 0.5205 0.95 0.8209 1.8 0.9891
0.10 0.1125 0.55 0.5633 1.0 0.8427 1.9 0.9928
0.15 0.1680 0.60 0.6039 1.1 0.8802 2.0 0.9953
0.20 0.2227 0.65 0.6420 1.2 0.9103 2.2 0.9981
0.25 0.2763 0.70 0.6778 1.3 0.9340 2.4 0.9993
0.30 0.3286 0.75 0.7112 1.4 0.9523 2.6 0.9998
0.35 0.3794 0.80 0.7421 1.5 0.9661 2.8 0.999$>
Fonte: R. A Flìnn and P. K. Trojan, "Engineering Materialsand Their Applications",

2d ed., Houghton Mifflin, 1981, p. 137.
140 Capitolo 4
dove Cs = concentrazione alla superficie dell'elemento gassoso Ìò

diffusione I
Co = concentrazione iniziale uniforme dell'elemento nel solido
Cx = concentrazione dell'elemento a distanza x dalla superficie al
tempo t
erf = funzione errore
X = distanza dalla superficie
D = diffusività dell'elemento soluto in diffusione
= tempo
La funzione errore, erf, è una particolare funzione matematica usata per
alcune soluzioni della seconda legge di Fick; la funzione errore può essere
trovata nelle tabelle standard indifferen·temente come seno o coseno, la Tabella
4.5 è un estratto dei valori della funzione errore.
4.7 APPLICAZIONI lNDUSTRlALI DEI PROCESSI DI DIFFUSIONE
Molti processi di fabbricazione industriale. utilizzano la diffusione allo sta-

to solido, In questo paragrafo considereremo i seguenti due processi di diff u-
sione: (1) indurimento superficiale dell'acciaio attraverso cementazione gasso-
sa e (2) drogaggio con impurezze di wafer dì silicio per circuiti elettronici inte-
grati.
Cementazione Molti componenti di acc1a10 che operano in condizioni di rotazione o

gassosa scorrimento, come gli ingranaggi e gli alberi di motori 1 devono avere uno
strato superficiale indurito resistere aff usura e contemporaneamente un cuore
interno tenace per resistere alle sollecitazioni statiche e dinamiche cui sono
soggetti. Nella realizzazione di un componente in acciaio cementato,
solitamente il pezzo viene prima lavorato alle macchine utenslli quando non è
ancora indurito. e quindi, dopo la lavorazione meccanica, lo strato esterno viene
indurito attraverso alcuni trattamenti di indurimento superficiale come la
cementazione (o carburazione), che può essere solida. Jiquida o gassosa, come
nel caso in esame. Gli acciai da cementazione· sono acciai a basso tenore di
carbonio, in cui il C va da11o 0,10 allo 0,25%; la composizione chimica degli
acciai da cementazione può tuttavia variare considerevolmente in funzione
dell'applicazione cui l'acciaio è destinato. In Figura 4.39 sono mostrati alcuni
tipìci pezzi che hanno subito cementazione gassosa.
Nella prima fase del processo di cementazione gassosa, le parti dì acciaio
sono poste in un forno a contatto con un'atmosfera contenente metano (CH4) o
altri idrocarburi gassosi a una temperatura di circa 900QC. La Figura 4.40
mostra alcu.ni ingranaggi che stanno per essere cementati mediante
cementazione gassosa in un forno in atmosfera mista di metano e idrogeno. Il
Componentel Componente2 Componente3 Componeme 4

lunghezza75 mm diametro 65 mm diametro 115mm diametro 200 mm
FIGURA4.39 Tipici
componenti
di acciaio carbonio dall'atmosfera diffonde attraverso la superficie degli ingranaggi.
chevengono
sottoposti
a
cementazione
gassosa.[Da cosicché. dopo successivi adeguati trattamenti termici. gli in2ranasuzi
"Metals
Handbook·:
vol.2: acquisiranno elevata durezza superficiale, dovuta all'alto teno;e di ;arboni~.
"Heat
Treating~
8thed;, come evidenziato dalle zone superficiali scure della macrosezione di un
American
Societytor
Metals, ingranaggio mostrata in Figura 4.41.
1964,
p.108J. La Figura 4.42 mostra alcuni tipici gradienti del tenore di carbonio per una
barra di prova di acciaio AISI 1022 a basso tenore di carbonio (0.22%C)
cementato a 918QC mediante atmosfera carburante contenente il 20% di CO. Si
noti come il tempo della cementazione influenzi pesantemente il contenuto di
carbonio in relazione a]]a distanza daHa superficie.
L'utilizzo della seconda legge di Fick, e del1a funzione errore. può con·
sentire di determinare una variabile sconosciuta, come il tempo di diffusione o il
tenore di carbonio ad una particolare distanza dalla superficie del pezzo in fase
di cementazione.
Eserciziario
Vedi Esercizi4.7, 4.8.
Drogaggio La diffusione di impurezze in wafer di silicio per cambiar.e. le loro caratteristiche

di wafer di silicio di conduzione elettrica (drogaggio) è una fase importante nella produzione dei
moderni circuiti elettronici integrati. In uno dei metodi di drogaggio utilizzati.
che sfruttano la diffusione di impurezze all'interno dei wafer di silicio .. la
superficie del silicio viene esposta al vapore di una opportuna impurezza ad una
temperatura superiore ai 1l00°C in un forno costìtuito da un tubo di quarzo,
come mostrato schematicamente in Figura 4.43; la Figura 4.44 mostra un
tecnico che carica una rastrelliera con wafer di silicio in un forno tubolare. Le
142 Capitolo4
F
4
S
FIGURA 4.40 lngranaggt

in faseòìcementazionein
unaatmosfera carburante
di
metano {DaB.J.
e idrogeno.
Sheehy, Met.Prog.,
September 1981,p.12{JJ.
FIGURA 4.41
Macrbsezionedi un
ingranaggiodi un pignone
in acciaio
SAE8620
cementatoin atmosferadì
metanoe idrogeno. [DaB.J.
Sheehy,Met.Prog.,
September 1981,p.120J.
Solidificazione,difetti cristallinie diffusionenei solidi 143
1.40
1.20
L6%CH4
LOO
~
.g0,80
!U 0.60
0.40
0.20
2h 6 12 24 2h 6 12
O O 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 O 0.5 i.O 1.5 2.0 2.5 3.0
Distanzadalla superficie, mm Distanza dalla superficie, mm
deltenore
FIGURA4.42 Gradienti in unabarradi acciaio
di carbonio AISI1022cementato
a 918<'C conil 20%di COe i!
in un'atmosfera
0%dìH2 conaggiunta
rispettivamente
del1,6%e 3,8%di metano (CH4).[Da"Metals
Handbook':
vof.2·"HeatTreating·;
8thed.,American
Society
torMetals,1964,
p.1001.
/ Gorgogliacore
di BCl3
Ghiacciosecco,
acetone
+
N2 secco
FIGURA 4.43 Schema

dell'impianto
utilizzato
perladiffusione diwaferdi silicio.[Da
delboroall'interno
W.R.Runyan,
"Silicon
Semiconductor
Technology';
McGraw-Hi/1,
1965].
144 Capitolo4
FIGURA4.44
Caricamento di una
rastrelliera
conwaferdi
silicioin unfornotubolare
incuisi realizzail drogaggio
mediante dittusionedi
impurezze. [Perconcessione
dellaHarrisCorporation].
parti della superficie dei silicio che non devono essere drogate deve essere
mascherata cosicché le impurezze diffondono solo alrinterno delle parti di cui si
vuole cambiare la conducibilità.
Come nel caso della cementazione gassosa della superficie dì un acciaio. la
concentrazione delle impurezze diffuse diminuisce dalla superficie verso
l'interno con l'aumentare della profondità, come mostrato in Figura 4.45.
Cambiando il tempo di diffusione, cambierà anche la concentrazione delle
impurezze a11evarie profondità di penetrazione, come mostrato qualitativa~
mente in Figura 4.38. Anche in questo caso la seconda iegge di Fick può essere
quantitativamente utilizzata per determinare una variabile sconosciuta, come il
tempo di diffusione o la profondità a cui si ottiene una cert~concentrazione.
Eserciziario
Vedi Esercizio4.9.
4.8 EFFETTO DELLA TEMPERATURA SULLA DIFFUSIONE DEI SOLIDI
Dato che la diffusione atomica riguarda movimenti a livella atomico, ci si aspetta

che l'aumento della temperatura di un sistema di diffusione aumenti la velocità
della diffusione; sperimentalmente si è trovato che l'influenza della temperatura
(a)
FIGURA 4.45 Diffusione

di impurezze di un
all'i.ntern.o
waferdi silicioa partire da
PianoI Piano2
unasuperficie. (a)Water di I I
sjliciodi spessore
esageratamente aumentato,
conconcentrazione di
impurezze chediminuisce (b)
I
procedendo dallasuperficie
sinistraversol'interno. (b) Superficie I d, '
del silicio ~ I
Rappresentazione
delladistribuzione
grafica
di alcune / : :
I
impurezze. WaR.M. '--------------------
O Distan7.adalla superficie ......x
Warner. "lntegrated
Circuits';McGraw-Hill.
1965,p.70].
TABELLA 4.6 Datì sulla diffusivitàper alcuni sistemi metallici
Soluto Solvente Do,m% kJ/mol kcal/mol
Carbonio Ferro CFC 2.0 X 1Q-5 142 34.0

Carbonio Ferro CCC 22.0 X tQ- 5 122 29.3
Ferro Ferro CFC 2.2 X 10- 5 268 64.0
Ferro Ferro CCC 20.0 X 1Q-S 240 57.5
Nichel Ferro CFC 7.7 X 10-S 280 6?,0
Manganese Ferro CFC 3.5 X 10- 5 282 6.7.5
Zinco Rame 3.4 X 10- 5 191 45.6
Rame Alluminio 1.5 X 1Q-S 126 30.2
Rame Rame 2.0 X 10- 5 197 47.1
Argento Argento 4,Q X to-: 5 184 44.1
Carbonìo TrtanìoEC 51.QX 1Q-S 182 43.5
Fonte: Tratto da L. H. Van Clack, "Elementsof Materials Science and

Engineering",5th ed., Addison-Wesley,1985.
146 Capitolo 4
sulla velocità di diffusione può essere espressa dalla seguente equazione, dì tipo
k~~~ ,
D Doe-Q/RT (4.15)
dove: D diffusività, in m2 /s
Do = costante di proporzionalità, in m 2/s, indipendente dalla
temperatura nell'intervallo in cui ]'equazione è valida
Q energia di attivazione per le specie che diffondono., in J/mo1e o
cal/mole
R costante molare dei gas = 8,314 J/(mole-K) o 1987 cal/
(mole,K)
T temperatura, in K
Eserciziario
Vedi Esercizio4.10.
L'equazione della dìffusione D ==D 0 e-Q/RT [Equazione (4.15)] può essere
scritta in forma logaritmica come equazione di una retta, come è stato fatto per
le Equazioni (4.8) e (4.10) per l'equazione generale di Arrhenius, relativa alla
legge della velocità:
Q
In D = In Do--
RT
(4.16)
oppure
Q
logrn D = logioDo 2.303RT
(4.17)
Se i valori di diffusività per un sistema di diffusione sono determinati a due

diverse temperature, i valori di Q e di Do possono essere determinati risolvendo
un si!:,tema a due equazioni del tipo (4.17). Se questi valori di Q e di Do sono
sostituiti nell'Equazione (4.17), può essere trovata una equaziÒne generale per
log10D rispetto a 1/T K nell'intervallo di temperatura esaminato. L'Esercizio
4.1 l mostra come l'energia di attivazione di un sistema di diffusione binario può
essere calcolata direttamente facendo uso della relazione D = D 0e-Q/RT
[Equazione (4. 15)] quando sono note)e diffusività alle due temperature.
La Tabella 4.6 mostra i valo'ri di Do e di Q per alcuni sistemi metallici usati
per disegnare i grafici di diffusività tipo Arrhenius di Figura 4.46. La Figura
4.47 mostra grafici simili per la diffusione di impurezze nel silicio, utili per la
costruzione di circuiti integrati per l'industria elettronica.
Eserciziario
Vedi Esercizio4.11.
Temperatura,°C
I0--6
10-S _,
- -1 ...
I
JQ-IO J.
CuinAI
10-1s
Zn in Cu
10-20
Fe in Fe CCC
io~2~;:--:--'--------------'----.....,;;.,,,----------'-'..l-----..J
0.5 I.O J.5
Temperatura, 1000/K
FIGURA4.46 Grafici
tipoArrhenius {DaL. H. VanVlack,"Elements
peralcunisistemimetallici.
di datidi diffusività ot Materiai
Science
andEngineering",
5thed.,Addìson-Wesley,
1985,p.137J.
RIASSUNTO
La maggior parte dei metalli e delle leghe vengono fusi e colati sotto forma di
semilavorati o prodotti finiti. Durante 1a solidificazione di un metallo in una
lingottiera si formano numerosi nuclei che poi si accrescono formando grani,
determinando la formazione di una struttura a grani policristallina. Per la
maggior parte delle applicazioni industriali è preferibile ottenere una struttura
148 Capitolo4
I
Temperatura,
°C
1420 1300 1200 1100 1000 900
]Q--10
~ Alluminio
',"-.
\ .._,''~," .
"··... ..,~
···. '' ',
···..•,.......
,::.. '' ~, Gallio
'\::.:.:,
..'._ ,' <'-,
,
Boro
e fosforo
IQ--13
Antlmoni:~-,:
__
~-----::,_:,,:'~~,
'''''
FIGURA4.47 Coefficienti
in funzione
di diffusione io-i.i.___o
....
6_0__.....__o.....
65--i..-o......
7._o_....._o.....
..... 75 s_o.__.____,o.ss
_ _..__o......
dellatemperatura peralcu.ne
impurezze nelsilicio.[DaC. 1000
Temperatura.K
S. Fu/lere J. A.
Ditzenberger,J.Appl.Phys.,
27:544(1956)).
con grani di piccole dimensioni. Strutture monocristalline vengono realizzate

industrialmente solo molto raramente; in particolare nella reali3!Zazionedi grossi
monocristalli di silicio prodottì per l'industria dei semiconduttori: per ottenere
questi monocristalli devono essere usate particolari condizioni di solidificazione
e il silicio deve possedere un alto grado di purezza.
Difetti di struttura cristallina sono presenti in tutti i materiali cristallini
reali, sia con legame metallico che con legame ionico. Le vacanze atomiche nei
metalli possono essere spiegate in termini di agitazione termica degli atomi e
sono considerate difetti di equilibrio del reticolo. Le dislocazioni (difetti di linea)
sono presenti nei cristaHi metallici e si formano in gran numero durante la
solidificazione; le dislocazioni sono difetti di non equilibrio e aumentano
l'energia interna del metallo. Le dislocazioni possono essere sperimentalmente
osservate con il microscopio elettronico a trasmissione. l bordi di grano sono dei
difetti di superficie che si creano nei metàlli a. seguìto dell'unione durante la

solidificazione di grani cristallini con differenti orientazioni.
La diffusione atomica nei solidi metallici avviene principalmente (I)
mediante meccanismo per vacanze, o sostituziona]e, e (2) mediante un
meccanismo di tipo interstiziale. Nel meccanismo di diffusione per vacanze gli
atomi, che possiedono circa le stesse dimensioni, passano da una posizione ad
un 'altra usando gli spazi atomici vacanti. Nel meccanismo di propagazione
interstiziale atomi molto piccoH si muovono attraverso gli spazi interstiziali
presenti tra i grossi atomi della matrice. La prima legge deJla diffusione di Fìck
stabilisce che la diffusione ha luogo a causa della differenza di concentrazione
della specie che diffonde tra una posizione e l'altra, ed è applicabile in
condizioni stazionarie (cJoè in condizioni che non cambiano nel tempo). La
seconda legge della diffusione di Fick è invece applicabile in condizioni non
stazionarie (cioè condizioni in cui le concentrazioni delle specie che diffondono
cambiano nel tempo). In questo libro l'utilizzo della seconda legge di Fick è
stato circoscritto al caso della diffusìone di un gas in un solido. La velocità di
diffusione dipende in larga misura dalla temperatura, e questa dipendenza è
espressa dalla diffusività, una misura della velocità di ·diffusione esprimibile
come D = D 0e-Q/RT. I processi di diffusione vengono comunemente sfruttati
nell'industria: in questo capitolo abbiamo esaminato i processi di diffusione del
carbonio gassoso per l'indurimento superficiale dell'acciaio e la diffusione di
quantità controllate di impurezze in wafer di silicio per circuiti integrati. ·
DEFINIZIONI
Paragrafo 4.1
Nucleo: piccole particelle di una nuova fase formata attraverso un cambiamento dì fase
(per esempio la solidificazione) che possono crescere fino a che il cambiamento di fase
non è completato.
Embrione:piccole particelle di una nuova fase formata attraverso un cambiamento di fase
(per esempio la solidificazione} che non possiedono una dimensione critica e che
possono ridìssolversi.
Raggio critico r* del nucleo:minimo raggio che una particella di una nuova fase formata
durame la nucleazione deve possedere per diventare un nucleo stabile.
Nucleazioneomogenea(per quanto concerne la solidificazione dei.metalli): formazione di
zone molto piccole di una nuova fase solìda (chiamate nucleiJin un metallo puro che
possono crescere fino a che la solidificazione è completata. Il metallo puro omogeneo
fomìsce esso stesso gli atomi necessari per formare i nuclei.
Nucleazioneeterogenea(per quanto concerne la solìdificazione dei. metalli): fonnazione d.i
zone molto piccole di una nuova fase solida (chiamate nuclei) intorno a impurezze
solide. Queste impurezze abbassano la dimensione dei raggi critici, in dipendenza
della temperatura.
Grano:singolo cristalJo di un aggregato policristallino.
150 Capitolo 4
Grani equiassici: grani che hanno approssimativamente le stesse dimensioni in tutte le

direzioni e che hanno orientazione cristal!ografica casu~l~. _ . . . .
1
Grani colonnari: grani lunghi e sottili in una struttura pohcnslallma sobd1ficata; questi
grani si formano nella regione interna del lingotto metallico solidificato quando il
calore fluisce lentamenre e in modo unidirezionale durante la solidificazione.
Struttura policristallina:struttura cristallina che contiene molti grani.
Pa,·a~·afo 4.3
Soluzione solida: miscela di due o più metalli o di un metallo (o metalli) con un non
metallo {o non rneta)]i) che sussiste in una struttura atomica formata da un unico tipo
di fase.
Soluzione solida sostituzionale:soluzione solida in cui gli atomi di soluto di un elemento
possono sostituire gli atomi di solvente di un altro elemento. Per esempio, nelle
~Ìuzioni solide Cu-Ni glì atomi di rame possono sostituire gli atomi di nichel nel
1
reticolo cristallino della soluzione solida.
Soluzione solida interstiziale:soluzione solida in cui gli atomi di soluto possono entrare
neeli interstizi o nei vuoti del reticolo atomico del solvente.
Lega:-miscela di due o più metalli o di un metallo (o metalli) éon un non metallo (o non
metalli).
Dimensionedei grani ASTM: numero nominale (medio) di grani per unità di area ad un
particolare i1lgrandimento.
Parag,·afo 4.4
Vacanza: difetto di punto in un reticolo cristallino per cui manca un atomo in una
posizione reticolare.
Atomointerstiziale {aut0ìn1erstiziale):difetto di punto in un reticolo cristallino per cuì un
atomo dello stesso tipo di quelli del reticolo della matrice è posto in posizi;- :H:
interstiziale tra gli atomi della matrice.
Difetto di Frenkel: difetto dì punto in un cristallo ionico per cui un catione
autointerstiziale è associato con la vaca11zadi un catione.
Difetto di Schottky: difetto di punto in un cristallo ionico per cui la vacanza dì un catione
è assodata alla vacanza di un anione.
Dislocazione: difetto cristallino in cui una distorsione del reticolo è concentrata attorno
acj una linea. La distanza di scostamento degli atomi attorno alla dislocazione è il
vettore di Burners b della dislocazione. In una dislocazione a,spigolo il vettore di
Burgers è perp;ndicolare alla linea di dislocazione, mentre in una dislocazione a vi1ej1
vettore di Burgers è parallelo alla linea di dislocazione. Una dislocazione mista ha sia
componenti a spigolo che a vite. .
Bordodi grano: difetto di superficie che separa cristalli (grani) di differenti orientamenti
in un aggregato policristallino. -
Paragrafo 4.5
Energia di attivazione:energia addizionale rispetto a quella media, necessaria perché una
reazione attivata termicamente abbia luogo.
Equazionedi Arrheniusdella ,·elocità: relazione empirica che descrive la velocità di una
reazione in funzione della temperatura e della energetica di attivazione.
Solidificaziohe, difetti cristallini e diffusione nei solidi 151
Paragrafo 4.6
Autodiffusione:migra.z:ione di atomi in un metano puro.
Diffusionesostituzionale:migrazione di atomi di soluto in un reticolo di solvente in cui gli
atomi del soluto e quelli del solvente hanno approssimativamente le stesse dimensioni;
la diffusione è resa possibile dalla presenza di vacanze.
Diffusione interstiziale:migrazione di atomi interstiziali nel reticolo della matrice.
Diffusione al bordo di grano: migrazione atomica ai bordi di grano di un aggregato
policristallino.
Prima legge di Fick della diffusione nei solidi: a temperatura costante, il flusso della specie
che diffonde è proporzionale al gradien.te di concentrazione.
Seconda legge di Fick della diffusione nei solidi: à temperatura. costante, la velocità di
variazione della composizione è uguale alla diffusività moltiplicata per la velocità di
variazione del gradiente di concentrazione.
Diffusiyità: misura della velocità di diffusione nei solidi a temperatura costante. La
diffusività D può essere espressa dalla equazione D D 0e-Q/RT, dove Q è l'energia di
attivazione, Te la temperatura in gradi kelvin, Do e R sono costanti.
Diffusione in condizioni stazionarie: situazione in cui per un sistema di diffusione non ci
sono variazioni nel tempo nelle varie posizioni della concentrazione delle specie che
diffondono.
Diffusione in condizioni non stazionarie: situazione in cui per un sistema di diffusione la
concentrazione delle specie che diffondono varia nel tempo nelle varie posizioni.
f.
DEFORMAZIONEPLASTICA,
RICUPERO E
RICRISTALLIZZAZIONE
In questo capitolo viene dapprima esaminata la deformazione plastica nei metalli

monocristallini e policristallini e viene preso in considerazione il rafforzamento
dei metalli per soluzione solida. Infine saranno considerati alcuni aspetti relativi
al ricupero e alla ricristallizzazione dei metalli deformati plasticamente.
5.1 DEFORMAZIONE PLASTICA DEI METALLI MONOCRISTALLINI
Bande Consideriamo la deformazione plastica di una barra cilìndrica costituita da un

di scorrimento monocristallo di zinco, ottenuta sollecitando la barra oltre il suo limite elastico.
e linee Un esame del cristallo di zinco dopo la deformazione, mostra che sulla sua
di scorrimento superficie sono apparse delle deformazioni a gradino, chiamate bande di
scorrimento .(Figura 5.la e b); )e bande di scorrimento sono causate dallo
scorrimento, o deformazione dovuta a sforzi di taglio, degli atomi del metallo
lungo specifici piani cristallografici chiamati piani di scorrimento. La superficie
deformata del monocristallo di zinco mostra molto chiaramente la formazione
154 Capitolo 5
Pianidi scorrimento
basaliEC
(C)
Forza
Pianidi scorrimentobasali
nellacella elementareEC
''
'
(d)
FIGURA s~1 Monocristallo di zincodeformalo

plasticamente
cheevidenzia la presenzadi bande di scorrìmento:
(a)vistafrontale
del
cristallo
reale.(b}vistalaterale reale,(e)schema
delcristallo dellavistalaterale
cheillustralo scorrimento
deìpianidi basedella
struttura
elementareECe (d)singola
cellaECconindicazione
deipianidi baselùngoi qualiavviene
lo scorrimento.
[Fotografie
di un
monocristallo
di.zincoconcessedalPtclfari Parker
dell'Università
dellaCafifornìa
di Berkeley].
, ..
di bande di scorrimento, perché lo scorrimento in questi cristalli è limitato
principalmente allo scorrimento lungo i piani di base delle celle elementari EC
(Figura 5.1e e d).
Nei monocristalli di metalli dup.ili CFC, come il rame o l'aìluminio, lo
scorrimento avviene su più pià1ii e di conseguenza il disegno delle bande di
scorrimento che si formano sulla superficie di questi metalli quandò vengono
deformati è più unifonne (Figura 5.2). Un esame più aècurato ad alti
ìngra11dimentidella superficie deformata dei metalli, mostra che lo scorrimento F
avviene lungo molti piani di scorrimento all'interno delle singole bande di scor- (
s
rimento (Figura 5.3). Questi sottili gradini, chiamati linee di scorrimento,distano
-q
solitamente circa 50+500 diamet1i atomici, mentre le bande di scorrimento M
'.
Deformazioneplastica,ricuperoe ricristallizzazione155
FIGURA 5.2 Bande di

scorrimento
sullasuperfìcie
di unmonocristallo
dì rame
dopounadeformazione
dello0,9%(Ingrandimento
100x),{DaF.D.Rosi,
TransA/ME,
200:1018(1954)].
F
+
I
20.oooA
Ingrandilo in (e)
I
F F
(ti] (b) (C)
FIGURA5.3_Form~zìone
dì ba~de
di scorrimento
durante
ladeformazione
plastica.
(a)Unmonocristallo
sottoposto
adunaforzadi.....,ione.
b)le bande drscorrm~ento
_app~1ono _losforzo
~uando applicato il caricodi snervamento:
supera tevariepartidelcristallo
scorrr ..
sullealtre._
(c)Zon~evidenziata
m (b)mgrandrta:lo scorrimento
awienesu ungrande numerodi pianidi scorrimento
campar
questar~g1one.chiamata
banda
di scorrimento,
a piùbassiingrandimenti
appare comeunalinea.(DaM.Eisenstadt, "Introd
Mechamcal Properties
otMaterials';
Macmillian,
1971,p.219'J.
156 Capitolo 5
FIGURA 5.4 Neigrossi

cristallidurante la
Sforzodì taglio
,
deformazione plastica
nonsi hascorrimento
contemporaneo di grandi
quantità di atomi,come
mostrato in figura,poiché
X
il processo richiederebbe
troppaenergia: hainvece
luogounprocesso a più (a) (b)
bassa energia cheimplica
lo scorrimento di unpiccolo
numero di atomipervolta.
sono separate da circa 1000 diametri atomicL A volte peraltro ì termini l:landa di
scorrimento e linea di scorrimento vengono utilizzati come sinonimi.
Meccanismo.di La Figura 5.4 mo.stra un possibile. modello atomico per lo scorrimento di un

scorrimento blocco di atomi su un altro in un cristallo metallico perfetto. I calcoli fatti
nei monocristalli basandosi su questo modello mostrano che la resistenza dei cristalli metallici
dovrebbe essere all'incìrca da 1.000 a 10.000 volte più grande della resistenza
allo scorrimento realmente osservata. Dunque questo meccanismo dì
scorrimento atomico non è corretto nel caso di grossi cristalli metallici reali.
Perché i grossi cristalli metallici possano deformarsi ai bassi valori di
resistenza di taglio osservati~ nel cristallo deve essere presente una elevat.i
densità di difetti, chiamati dislocazioni. Le dislocazioni si formano in grand1,;
· numero (-10 6 cm/cm;() già durante la solidificazione del metallo. ma se ne
formano molte altre di più quando il cristallo viene deformato, cosicché un
cristallo che ha subito una alta deformazione può contenerne fino a 1011 cm
cm 3 • La Figura 5.5 mostra schematicamente come una disloca:ione a spigolo
può produrre uno scorrimento unitario in presenza di bassi sforzi di taglìo.
Questo meccanismo di scorrimento richiede uno sforzo rel~Jivamente basso,
poiché ad ogni istante solo un piccolo numero di atomi scorre sugli altri.
Una situazione analoga al movimento delle dislocazioni in un cristallo
metallico sottoposto a sforzo di taglio, può essere rappresentata dal movimento
dì una piega di un tappeto posto su un pavimento molto ampio. Tirando il
tappeto da un capo, può essere impossibÌle muoverlo a causa dell'attrito tra il
pavimento e il tappeto. Tuttavia, formando.una piega sul tappeto (analoga a
una dislocazione nel cristallo di metallo). ì1tappeto può essere mosso spostando
gradualmente la piega sul tappeto (Figura 5.5dJ..
Le dislocazioni nei cristalli reali possono essere osservate al microscopio
elettronico a trasmissione su sottili lamine metalliche e appaiono come linee a
causa del disallineamento degli atomi ·che interferisce con il percorso di
trasmissione del fascio elettronico del microscopio. La Figura 5.6 mostra un
Deformazione plastica, ricupero e ricristallizzazione 157
Piano atomicoaggiuntivo Sforzo di taglio
Linea di
dislocazione
a spigolo
j-d-+j
(a) Dislocazionea spigolo,mostrata come (b) Uno.sforzo basso causa uno.spostamento
formata da un mezzo piano di atomi aggiuntivo di legami atomicì formando un nuovo piano
aggìuntivo
Una piega nel tappeto è analoga ad una

dislocazione a spigolo in un cristallo me1allico
I
~Fo~,]
hom,~nto ?l ~'----.~--
Tappeto sul pavimento Dislocazione a spigolo
(dj
FIGURA5.5 Illustrazione schemaUca.

di come d.iunadislocazione
il movimento aspigolo
producaunoscorrimentounitario
sottol'azione
di
unbassosforzodi taglio.{a)Unadislocazione
a spigolo.
formata daunsemipianoaggiuntivo
di atomi.(b) Unbassosforzodi taglio
causa unospostamento deilegami I.ospostamento
traunsolofilaredi atomi,chede.term.ina del.la
dislocazionea spigolo,
(e}Laripetizione
dJquesto meccanismoconsente il movimento delladislocazione
attraverso
il cristallo.Questo
processo richiede
energie
minori.
di quellopresentato 5.3e Figura
in Figura 5.4.[DaA. G.Guy,"Essential of Materials
Science'; McGraw-Hìll,
1976,p.153].
(dJAnalogiaconunapiegain untappeto: unadislocazione si muove attraverso di metallo
uncristallo durante
la deformazioneplastica
in modoanalogo a unapiegacheè spinta
attraverso untappeto suunpavimento: in entrambii casi,il passaggio
delladislocazione
o dellapiegaprovoca unmodesto movimentorelativo e quindivienespesaunaquantitàrelativamente modestadi energia.
158 Capitolo 5
FIGURA 5.6 Struttura

a
celledelledislocazioniin un ~,-.:.
campione di alluminio JF
leggermente deformato, ,·
rilevata
mediante
microscopio a
elettronico
trasmissione. Lecellesono
relativamenteesentida
dislocazioni,masono
separatedapareticonalta
densitàdi dislocazioni.[Da
P.R.Swann, in G.Thomas e
J. Washbum (eds.),
"Electron
Microscopy and
Strengthot Crystals':Wiley,
1963,p.133].
insieme dì dislocazioni create con una leggera deformazione su un campione di

alluminio; si nota la presenza di celle relativamente libere da dislocazioni,
separate da pareti con alta densità di dislocazìonì.
(Cl)
, ..
(b)
FIGURA 5.7 Confronto

tralo scorrimento
atomico
di (a)pianicompatti è favoritoneipiani
e (b) pianipocodensi.Loscorrimento
compattiperchéè richiestaunaforzaminore permuovere gli atomidaunaposizione comeè indicato
a quellaadiacente, dallapendenza
delletangenti
allelineedi contatto
tragli atomi;si ricordicheledislocazioni
si muovonoperpassiunitari.
[DaA.H. Coltre/I,
TheNature of Metals,"MateriaJs~
ScientificAmerican, 1967, p.48.Copyright
( by Scientific
American,
lncJ.
Sistemi Le dislocazioni provocano uno spostamento ·degli atomi lungo specifici piani
di scorrimento cristallini di scorrimento e in specifiche direzioni cristallografiche di scorri-
mento. Di solito, i piani di sèorrimento sono quelli più compatti, che sono anche
queHi più distanziati. Lo scorrimento è favorito lungo i piani compatti in quanto
è richiesto un minore sforzo di taglio per lo spostamento degli atomi rispetto ai
piani meno densi (Figura 5.7}. Tuttavia, se lo scorrimento sui piani compatti è
ostacolato, ad esempio dalla presenza di elevati stati dì sforzo locali, allora
possono diventare operativi anche i piani meno densi. Nelle direzioni compatte
lo scorrimento è favorito dal fatto che, se gli atomi sono vicini, è sufficiente una
minore energia per muoverli da una posizione all'altra.
Un insieme di un piano di scorrimento e di una direzione di scorrimento è
chiamato sistema di scorrimento. Lo scorrimento nelle strutture metalliche
avviene lungo una ·serie di sistemi di scorrimento carattez:istici di ogni struttura
cristaliina. La Tabella 5.1 elenca i piani di scorrimento e le direzioni di
scorrimento principali per le strutture cristalline CFC, CCC ed EC.
Per i metalli con struttura cristallina CFC, lo scorrimento avviene sui piani
compatti {111} e nelle direzioni di massima compattazione < ITO>. Nella
struttura del cristaHo CFC ci sono otto piani {111} (Figura 5.8). I piani di tipo
(l 11) alle facce opposte e parallele dell'ottaedro sono considerati lo stesso tipo
di piano di scorrimento (11 I); quindi ci sono solamente quattro differenti tipi di
piani di scorrimento (l 11) nella struttura cristallina CFC. Ogni piano di tipo
(1 li) contiene tre direzioni di scorrimento del tipo [ITOJ.Le direzioni opposte
non sono considerate diverse direzionj di scorrimento: dunque per la struttura
CFC ci sono 4 piani di scorrimento x 3 direzioni di scorrimento 12 sistemi di
scorrimento (Tabella 5.1).
La struttura CCC non è una struttura compatta e non ha un piano
predominante a più alta densità come la struttura CFC Lo scorrimento ha
generalmente inizio sui piani {110} che hanno la massima densità ato1nica;
tuttavia, lo scorrimento nei metalli con struttura CCC avvie11e anche sui piani
{112} e {123}. Poiché i piani di scorrimento nella struttura CCC non sono
compatti tome nella struttura CFC, nei metalli con struttura CCC sono
necessari valori più alti di sforzo di taglio che nei metalli con struttura CFC. La
direzione di scorrimento nei metaHi CCC è sempre di tipo < T1I >. Dal
momento che ci sono sei piani di tipo (110) e ognuno può scorrere in due
direzioni [Tll], ci sono 6 x 2 = 12 sistemi di scorrimento {110}< 111 >.
Nella struttura EC, il piano di base (0001) è il piano di massima densità
atomica ed è generalmente il piano di scorrimento per i metalli di struttura EC
quali Zn, Cd e Mg che hanno un alto rapporto e/a (Tabella 5.1 ). Invece per i
metalli con struttura EC quali Ti, Zr e Be, che hanno un bassq rapporto e/a, lo
scorrimento avviene comunemente anche sui piani prismatici { lOTO}e sui piani
piramidali {JOTI}. Jn tutti i casi la direzione di scorrimento rimane la< 1021 >.
Il basso numero di sistemi di scorrimento nei meta11i EC limita la loro duttilità.
160 Capitolo 5
TABELLA5.1 Sistemidi scorrimentoosservatinellestrutturecristalline
Numeri di
Piano di Direzione di sistemidi
Struttura scorrimento scorrimento scorrimento
~
CFC:
Cu, Al, Ni,
Pb, Au, Ag,
-yFe,... {111} {110}
4x3=12
CCC:
a:Fe,W, Mo,
/3brass {110} {1i 1} 6x2=1~ $
aFe, Mo, W,
Na {211} {111} 12x1.=12 ~l-'
~
aFe, K {321} {111} 24x1=24 ~-'

~
EC:
Cd, Zn, Mg,
Ti, Be,... {0001} {1120}
1x3=3 or
Ti (piani
prismaticQ {1010} {1120}
3x1=3 ml
Tì, Mg
(piani
piramidali) {1011} {1120} 6x1=6
Fonte:After H. W. Hayden,W. G. Moffatt, and J. Wulff, "The Structureand Properties

of Materials",voL lii, Wtley,1965, p. 100.
Deformazione plastica, ricupero e ricristallfzzazione ...161
FIGURA5.8 Pianie
direzioni di scorrimento in
unastruttura cm
cristallìna
Soloquattro degliottopiani
ottaedrici {111} sono
considerati
scorrimento,
pianidi
datochei piani
,,, .......
' ,,.0..,.,
½~
~,, ~
opposti sonoconsiderati %.,, -t-_., -x
equivalenti. Perognipiano ~ \ ~
J \
di scorrimento ci sonotre
- - - - ""'I
direzioni di scorrimento -Y {//?-
< 111>, datochele I 3/r.~'
direzioni opposte sono I //~ '-
considerate comeun'unica y
direzione. Quindici sono4 I [liOJ(lli
pianidi scorrimento
direzioni
x3
di scorrìmento,che
X /e,,,..,., 'i
0
I
I
,,,
in totaleforniscono 12 ~/'
.,..~ .,, ~~\
I
I
~,....~
sistemidi scorrimento perì
cristalliconstruttura CFC.
[DaL. H VanVtack,
"Elements of Materìals
Science andEngineering",
4thed.,Addison~Wesley,
1980,p,20Jj.
Sforzo critico Lo sforzo richiesto per provocare lo scorrimento in un metallo puro

di taglio monocristallino dipende principalmente dalla struttura cristallina del 1'netallo.
nei metalli dalle caratteristiche dei suoi legami atomici. dalla temperatura a cui è deforma'to
mono.cristallini e dall'orientamento dei piani attivi di scorrirnento rispetto agli. sforzi di. taglio.
Se una coppia dì forze S agiscono runa in senso opposto all'altra su una
superficie di area A ad esse parallela~ lo sforzo dì taglio r è definito come:
-( .- d' . )_ S(forza di taglio)

, s1orzo .1 rag 110. - . . . . (5.l)
- A(area su cm agisce la forza d1 tagho)
ove l'unità di misura normalmente utilizzata è, come vedremo meglio nel

seguito, ìl MPa (pari a 106 N/m 2 ).
Lo scorrimento all'interno del metallo inizia quando lo sforzo di taglio nel
piano di scorrimento e nella direzione di scorrimento raggiunge un determinato
livello chiamato sforzo critico di taglio ·re-.
Questo è sostanzialmente il valore. del
carico di snervamento dì un monocristallo ed è equivalente al carico di
snervamento di un metallo policristallino o di una lega, determinato dalla curva
sforzo-deformazione ottenuta dalla prova di trazione, che verrà esaminata· nel
prossimo capitolo.
162 Capitolo 5
TABELLA 5.2 Sistemi di scorrimento e relativo sforzo critico di taglio

di metalli monocristallinia temperatura ambiente I
Metallo Struttura Purezza, Piano di Direzionedi Sforzo

cristallina % scorrimento scorrimento critico
di taglio,
MPa
Zn EC 99.999 (0001) [1120] 0.18

Mg EC 99.996 (0001) [1120) 0.77
Cd EC 99.996 (0001) [1120] 0.58
Ti EC 99.99 (1010) r11go1 13.7
99.9 (1010) [11JO] 90.1
Ag CFC 99.99 (111) [110} 0.48
99.97 (111) 11101 0.73
F
99.93 {1'11} [110] 1.3
Cu CFC 99.999 (111) [1101 0.65 a
99.98 (111) [110] 0.94 s
Ni CFC 99.8 (111) [l 10] 5.7 p
Fe ccc 99.96 (110) 1111} 27.5 n
(112)
(123) s
Mo ccc ('110) [111} 49.0 m
d
Fonte:AfterG. Dieter, "Mechanical Metallurgy", 2d ed., McGraw-Hill, 1976,
p. 129.
La Tabella 5.2 elenca i valori di sforzo critico di taglio per i principali

sistemi di scorrimento di alcuni metalli puri monocristallini a temperatura
ambiente. Metalli EC quali Zn. Cd e Mg hanno bassi valori di sforzo critico d,
taglio, che vanno da 0,18 a 0,77 MPa. Al contrario il titanio EC ha un alto
valore di sforzo critico.. di taglio pari a 13,7 MPa; si pensa che ciò sia da
attribuire all'esistenza di una certa percentuale di legame covalente presente
insieme al legame metallico. Metalli puri CFC come Ag e Cu hanno bassi valori
di sforzo critico di taglio rispettivamente di 0,48 e di 0,65 MPa, a causa dei loro
molteplici sistemi di scorrimento.
,.
Legge di Schmid La relazione che intercorre tra lo sforzo assiale che agisce su una barra cilindrica
di un metallo puro monocristallino e il valore di sforzo critico di taglio prodotto
su un sistema di scorrimento all'interno della barra può essere ottenuta nel
modo seguente. Si consideri uno sforzo assiale di trazione <J agente su una barra
cilindric; di metallo, come mostratc(in Figu~a 5.9; sia Ao l'area normale alla
forza assiale F e A 1 l'area del piano di scorrimento, cioè l'area su cui agisce la [
componente di taglio F,; possiamo orientare il piano e la direzione di
scorrimento definendo gli angoli ef>e >.,dove q,è l'angolo tra la forza assiale
F e la normale al piano dell'area A 1, mentre À è l'angolo tra la forza assiale e la
direzione di scorrimento. ·
Per consentire il movimento delle dislocazioni nel sistema di scorrimento. la
di scorrimento
A1 Direzione di scorrimento
(area di taglio e piano di scorrimento)
FIGURA5.9 Losforzo Ao
I sforzo uniassiale
assialeu puòprodurre uno -y--
sforzocriticodi taglior1 sul " - _,_- .., applicatoal cilindro
pianodi scorrimento A, ,: = .f.r=

sforzo dì taglio
' A1 risoltonella
nelladirezionedi direzionedei taglio
scorrimento,e provocare li o
movimento delle
dislocazioni.
forza deve produrre un sufficiente sforzo di taglio nelli:i direzione di

scorrimento: lo sforzo critico di taglio è:
forza di taglio
Tr = area di taglio (area del piano di scorrimento)
. (5.2)
La componente di taglio F, è legata alla forza assiale F dalla relazione

F, = Fcos.X; l'area del piano di scorrimento (area di taglio) è A 1 = A0 /cos©;
dividendo la forza di taglio FcosÀ per rarea di taglio Ao/cos</J, otteniamo la
relazione:
FcosÀ
.!_COSÀ
Ao
COS(p = (J cos>..COSq) (5.3)
che è chiamata legge di Schmid.
Eserciziario
Vedi Esercizio5.1.
Geminazione Un secondo importante meccanismo di deformazione plastìca che può avvenire

nei metalli è '1ageminazione. In questo processo una parte del reticolo atomico è
deformato in modo ·da formare un 'immagine speculare del reticolo non
1.64 Capitolo 5
FIGURAS.10
Rappresentazione
schemati~
cadelprocesso
di Piano 010)
geminazione in unreticolo
di tipoCFC.[DaH. W.
Hayden, W.G.Moffatte J.
Wulff,"TfleStructureand Direzionedi geminazione
Propertiesof Materials''.
voi. 1112]
lii, Wiley,1965,p.111].
deformato ad esso contiguo (Figura 5.lO). Il piano cristallografico di simmetrìa

tra la parte indeformata e quella deformata del reticolo metallico è chiamato piano
di geminazione. La geminazione, come lo scorrimento, avviene in una direzione
specifica chiamata direzione di geminazione. Nello scorrimento gli atomi da una
parte del piano di scorrimento subiscono tutti il medesimo spostamento (Fiin,ra
5.5), mentre neHa geminazione gli atomi si muovono con distanze proporzi;naii
alla loro distanza dal piano di geminazione (Figura 5.1O). La Figura 5.11 mostra
L'assedel cristallo/
rimanediritto L'assedel cristallo
è defonnato
(a) (b)
FIGURA 5.11 Rappresentazione

schematica
dellesuperfici
di unmetallo
deformato
dopo(a)scorrimento
e (b)geminazione.
FIGURA 5.12 Geminati

di deformazione
sutitanio
nonlegato(99.77%).
(Ingrandimento
150x).[Da
f D. Rosi,C.A. Dubee B.
H.Alexander,Trans.A/ME,
197:259(1953)].
la differenza fondamentale tra lo. scorrimento e la geminazione sulla superficie

di un metallo dopo la deformazione; lo scorrimento lascia una serie di gradini
(linee) (Figura 5.1 la), mentre la geminazione lascia delle regioni deformate del
cristallo, piccole ma ben definite (Figura 5.llb); la Figura 5.12 mostra alcuni
geminati dì deformazione sulla superficie del titanio.
La geminazione coinvolge solo una piccola frazione del volume totale del
cristallo del metallo e così la quantità di deformazione globale che può essere
prodotta dalla geminazione è piccola. Comunque. il ruolo importante della
geminazione nella deformazione sta nel fatto che le variazioni dell'orientamento
del reticolo che sono provocate dalla geminazione possono realizzare nuovi
sistemi dì scorrimento con un orientamento favorevole rispetto ano sforzo di
taglio e così consentire un ulteriore scorrimento. Nelle tre maggiori strutture di
cella elementare metallica (CCC, CFC ed EC). la geminazione è più importante
per la struttura EC che ha un ridotto numero di sistemi di scorrimento.
Comunque., anche con l'aiuto della ge.mìnazione, m.etam come lo zinco e il
magnesio con struttura EC restano ancora meno duttili dei metalli di tipo CCC
ed CFC che hanno più sistemi di scorrimento.
La deformazione per geminazione è stata ossèrvata a temperatura ambiente
per i metalli con struttura EC. La geminazione si riscontra nei metalli con
struttura CCC come Fe, Mo, W, Ta e Cr nei cristalli che sono stati deformati a
temperature molto basse; geminazione è stata individuata in alcuni di questi
cristalli CCC anche a temperatura ambiente, ma solo qpando sono stati soggetti
a velocità dì deformazione molto alte. I metalli con st.mttura CFC mostrano la
minor tendenza a formare geminati di deformazione, comunque geminati di
defonnazione possono essere prodotti in alcuni metallì di tipo CFC se il livello
di sforzo è abbastanza alto e la temperatura è sufficientemente bassa; per
esempio, cristalli di rame deformati a 4 K e ad alti livelli di sforzo possono
formare geminati di deformazione.
166 .Capitolo 5
5.2 DEFORMAZIONE PLASTICA DEI METALLI POLICRISTALLIJ'JI
Effetti dei bordi Quasi tutte le leghe di interesse tecnologico sono policristalline. I metalli e le
di grano 1eghe monocristallini sono usati principalmente per scopi di ricerca e solo in
sulla resistenza pochi casi per applicazioni tecnologiche 1• I bordi di grano infatti rinforzano i
dei metalli metalli e le leghe agendo come barriere a} movimento delle dislocazioni, eccetto
che alle alte temperature dove diventano zone di debolezza. a seguito della
possibilità si scorrimento tra grani. Per la maggior parte delle applicazioni in cui
la resistenza è importante, è desiderabile una dimensione fine del grano e
pertanto la maggior parte dei metalli sono prodotti ìn modo da raggiungere
questa condizione strutturale. ·
Durante la deformazione plastica dei metalli,, le dislocazioni che si
muovono lungo un piano di scorrimento particolare non possono passare da
un grano alraltro seguendo la stessa dìrezione; come mostrato in Figura 5.13. le
linee di scorrimento cambiano direzione in corrispondenza ai bordi di grano,
infatti in ogni grano le dislocazioni si orientano in re1azione ai suoi piani
preferenziali di scorrimento, che hanno orientamenti diversi da quelli dei grani
vicini. La Figura 5.14 mostra chiaramente un bordo di grano ad alto angolo, che
funge da barriera al movimento delle dislocazioni ed ha causato rimpilamento
di dislocazioni contro bordo di grano.
Effetto della Variazioni della fonna dei grani con la deformazione plastica Consideriamo la
deformazione deformazione plastica di provini ricotti 2 di rame non legato. con struttura ::
plastica sulla grani equiassici; durante una successiva deformazione plastica a freddo i gra1L
forma dei grani e scorrono l'uno sull'altro deformandosi a seguito della generazione. movimento e
sulla disposizione riassetto delle dislocazioni. La Figura 5.15 mostra le microstrutture di provini
delle dislocazioni ricavati da lamiere di rame non legato laminate a freddo con una riduzione di
sezione .rispettivamente del 30% e del 50%; si può notare che con l'aumenta-
re del tasso di laminazione a freddo i grani sono via via più allungati nel-
la direzione di laminazione. come conseguenza dei movimenti delle disloca-
zìoni.
,.
Variazionidella disposizionedelle dislocazionicon la deformazioneplastica L,'
dislocazioni di un campione di rame non legato dopo una deformazione plastiet1
1
Sono state sviluppate palette di turbina monocristallìne da utilizzare nei motori a
turbina a gas per evitare la rottura ai bordi di grano che si può verificare ad alta
temperatura e sotto sforzi elevati. Vedi F. L. Ver Snyder e M. E. Shank, Mater. Sci. Eng ..
6:213-247 ()970).
2
Un provino ricotto ha subito una deformazione plastica ed è stato successivamente
riscaldato ad alta temperatura in modo da ottenere con grani approssimativamente
uguali in tutte le direzioni (equiassici).
Deformazioneplastica, ricupero e ricristallizzazione 167
FIGURA5.13 Alluminìo
policristallino
deformato
plasticamente;
si puònotare
chele bande di scorrimento
sonoparalleleall'interno
di
ognisingolograno, masono
orientale
diversamente nei
diversigrani.
(Ingrandimento60x ). [Da
G.C.Smith,S. Charter eS
Chiderley,Cambridge
University].
del 30% formano una configurazione a celle con aree chiare nei centri delle celle
(Figura 5.16a}. Man mano ;he aumenta la deformazìone plastica a freddo. fino
a giungere ad una deformazione del 50%, la struttura della cella diventa via via
pi1 de~sa ed allungata nella direzione di laminazione (Figura 5.16b).
FIGURA 5;14
lrnpilamento
dl dislocazioni
contro
un bordodi grano
osservatoconun
microscopio elettronico
a
trasmissionein unprovino
assottigliato
di acciaio
inossidabile.
(Ingrandimento
20000x ). [DaZ Shen, R.H.
Wagoner e W.A. T.Clark.
Scripta
Met.,20:926
(1986}].
168 Capitolo 5
(a} (b)
FIGURA 5,15 Micrografiaottichedellastruttura

deformata
delramenonlegatolaminalo
a freddo con
riduzioni
dì sezione
{a)del30%e(b)del.50%.{Attacco~dicromalo
di potassio;
ingrandimento
300x ). [Da.J.
E 80yd,"MetalsHandbook':
vol.8:"Meta/lograpby;
Structures,
andPhase Diagrams''.
8thed.,American
Society
torMetals,1973,
p.221].
Effetto della Come mostrato dalle micrografie al microscopio elettronico a trasmissione di

deformazione Figura 5.16, la densità delle dislocazioni aumenta all'aumentare della
plastica a freddo deformazione a freddo. Il meccanismo esatto attraverso cui la densità delle
sulla resistenza dislocazioni aumenta durante la deformazione plastica a freddo non è del tutto
dei metalli compreso. Nuove dislocazioni vengono create daHa deformazione a freddo e
queste interagiscono con quelle già esistenti; all'aumentare della densità delle
dislocazioni~ diventa sempre più difficile il loro movimento attraverso la
.. foresta di dislocazioni" esis1ente e quindi diventa difficile, con l'aumento della
deformaZlone a freddo. rulleriore deformazione del metallo: questo fenomeno ~
quello che normalmente vìene chiamato incrudimento del metallo.
Quando i metalli dunili come. il rame. l'alluminio e il. ferro-a. vengono
(a) (b)
FIGURA 5.16 Micrografie al microscopio

elettronico
a trasmissione
dellastruttura
deformatadelrame
nonlegato, a freddo
laminato conriduzione di sezione
(a)del30%e (b}del50%.Si nolichequeste
micrografia
sonostateeffettuate
suglistessl
provinidellemicrografie
ottiche 5.15.{Provini
di Figura
assottigliati, 30.000x). [DaJ. E.Boyd,"Metals
ingrandimento Handbaok";voLB:"Metalfography,
Structures,
andPhase Diagrams·:8thed.,American Society
deformati a temperatura ambiente dopo essere stati ricotti, si incrudiscono a

causa dell'interazione de11edislocazioni appena descritta.
La deformazione a freddo o incrudimento è uno dei metodi più importanti
per aumentare la resistenza meccanica di alcuni metalli. Per esempio, il rame e
l'alluminio puri possono essere rafforzati significativamente solo con questo
metodo. Grazie alla possibilità di incrudimento i fili di ra.m,enon legato trafilati
possono essere prodotti con diversa resistenza meccanica (entro certi limiti)
variando la quantità di incrudimento.
Eserciziario
Vedi Esercizio5.2.
5.3 RAFFORZAMENTO DEI METALLI PER SOLUZIONE SOLIDA
Un altro metodo, oltre all'incrudimento, con cui può essere aumentata la

resistenza dei metalli è il rafforzamento per soli,zionesoltda. L'aggiunta di uno o
più elementi ad un metallo può aumentarne la resistenza meccanica in seguito alla
formazionedi una soluzione solida. La struttura delle soluzioni solidesostituzionali
e interstiziali è già stata descritta nel Paragrafo 4.3, a cui si rimanda. Quando
atomi sostituzionali (soluto) vengono miscelati aHo stato solido con quelli di un
altro metallo (solvente), si creano campi di sollecitazione. legati a .defonnazioni
reticolari. attorno ad ogni atomo di soluto. Questi campi di sollecitazione
interagiscono con le dislocazioni rendendo più difficile il loro movimento e di
conseguenza la soluzione solida diventa più resistente del metallo puro ..
Ci sono due fattori importanti nel rafforzamento per soluzione solida:
I. Fattore di grande=za relativa. La differenza nella grandezza atomica degli

atomi del soluto e del solvente incide sulla quantità del rafforzamento da
soluzione solida a causa delle deformazioni prodotte nel reticolo cristallino.
Le deformazioni del reticolo creano maggior difficoltà al movimento delle
dislocazioni e quindi rafforzano il metallo.
2. Ordine a corto raggio. Raramente le soluzioni solide sono miscele casuali.
spesso infatti hanno luogo dei fenomeni di raggruppamento di atomi simili,
determinando quello che viene detto ordine a corto raggio; a seguito dì questi
fenomeni il movimento delle dislocazioni risulta ostacolato per via
deJl'esistenza di substrutture con differenti legami, determinando rafforza-
mento del materiale.
Accanto ai due principali fattori esaminati, esistono tuttavia parecchi altri

fattori che contribuiscono al rafforzamento per soluzione solida dei materiali
metallici, ma essi non saranno esaminati in questo libro, in quanto di importanza
secondaria.
170 Capitolo 5
Defonnato a fredd,u+-----------------1
e dopo ricupero
FIGURA5.17 Effetto
sui
dellaricottura
cambiamenti di struttura
eòi
proprietàmeccaniche di un
metallo deformato a freddo
[DaZ D.,Jastrzebski, "The
Nature andPropertìes ot
EngineeringMaterials''.2nd Aumento di temperatura -
ed.,Wiley,1976. p.228J.
5.4 RICUPERO E RICRISTALLIZZAZIONE NEI METALLI DEFORMATI
Durante la produzione e la lavorazione dei materiali metallici, talvolta è

necessario riscaldare un metallo, o una lega, deformato plastrèamente a freddo
per addolcirlo e quindi aumentarne la duttilità e lavorabilità alle macchine
utensili. Se il metallo viene riscaldato ad una temperatura sufficientemente alta e
per un tempo adeguato, la struttura incrudita subirà una serie di trasformazioni
chiamate: (1) ricupero, (2) ricristallip,azioi1ee (3) ingrossamentodei grani. La
Figura 5.17 mostra schematicamente queste modifiche strutturali, che
avvengono in seguito al riscaldamento del metallo, insieme ai corrispondenti
cambiamenti delle proprietà meccaniche. Il trattamento tern1ico che addolcisce la
struttura di un metallo deformato a freddo è chiamato ricottura, e i termini
ricotturaparziale e ricottura co,npleta vengono spesso usati per indicare il livello
di addolcimento. Esaminiamo ora ì cambiamenti strutturali più in dettaglio,
partendo dalla struttura di un metallo che ha subito una profondo incrudimento.
Deformazione plastica, ricupero e ricristallizzazione 1 71
(a) (b) (e)
FIGURA5.18 Microstruttura di unalamiera di unategadi alluminio

5657(AHl,8%Mg) dopolaminazione a freddodell'85%e successivi
trattamentì otlicaa 100x osservata
termici(micrografia conlucepolarizzata).
(a)Deformazione a freddodell'85%,sezione longitudinale:
i
granisonomoltoallungati. (b) Deformazione a freddodeU'85% a 302"Cper1h:la struttura
e mantenimento mostraun iniziodi
ricristallizzazione
chemigliorala deformabilità dellalamiera.(e)Deformazione
a freddode/1'85% a 316"'Cper1h:la struttura
e ricottura
mostra e bande
graniricristallizzati dl graninonricristallizzati.
[Da"Metals
Handbook", vot.1;8thed.,American SocietytorMetals,1972,
p.243].
Struttura Quando un metallo subisce una profonda deformazione a freddo. che lo rende
di un metallo incrudito. gran parte delrenergia spesa per la deformazione plastica viene
incrudito conservata nel metallo stesso sotto fo1111a di difetti di linea, cioè dislocazioni. o
altri difetti. come quelli dì punto. Quindi un metallo incrudito ha un·energia
interna più elevata di uno non incrudito. La Figura 5.18a mostra la
microstruttura {l0Ox) di una lamiera di una lega di composizione Al-
0,8%Mg che è stata lavorata a freddo con una riduzione dell'85%: si noti che
i grani sono molto allungati nella direzione di laminazione. La micrografia di un
provino assottigliato realizzata al microscopio elettronico a trasmissione
(Figura 5.18b) con un ingrandimento maggiore (20.000x) mostra che la
struttura è di tipo cellulare. con ai bordi delle celle la presenza dì una alta
densità di dislocazioni. Un metallo molto deformato a freddo ha una densità di
circa 1012 linee di dislocazione/cm:;.
Ricupero Quando un metallo deformato a freddo viene riscaldato nell'intervallo di

temperatura in cui avviene il ricupero, che si-trova appena sotto l'intervallo di
temperatura di ricristallizzazione. esso subisce un rilascio delle tensioni interne
(Figura 5.17). Durante il ricupero, viene fornita sufficiente energia termica per
consentire il riassetto delle dislocazioni in configurazioni di minore energia
(Figura 5.20). In alcuni metallì che sono stati incruditi (per esempio,
nell'alluminio puro) il ricupero genera una struttura subgranu1are con bordi
di grano a basso angolo, èome mostrato in Figura 5.19b; questo processo.
chiamato poligonizzazione~rappresenta una trasformazione strutturale che
spesso precede la ricristallizzazione. L'energia interna del metallo che ha subito
il ricupero è ìn.feriore a quella neìle condizioni di deformazione a freddo poiché
172 Capitolo5
(a) (b) (e)
FIGURA 5.19 Microstruttura dl unalamiera di unalegadi alluminio 5657(Al~0.8%Mg) dopolaminazione a freddoall'85% e successivo
trattamento
termico, le microstrutturemostratein questafiguracorrispondonoa quelledi Figura 5.18e,sono stateottenuteconun
microscopioelettronico
a trasmissione suunaprovino assottigliato
(ingrandimento
20.000 x ). (a)Lalamiera è statadeformata a freddo
dell'85%:
la micrografiamostra groviglidì dislocazioni
e cellule{subgrani)
prodotte
dalladeformazione a freddo. (b) Lalamiera è stata
deformata
a freddo dell'85% e successivamente mantenuta a 302°Cper1hperridurreletensioni interne:la micrografiamostra retidi
dislocazioni
e nuovibordidi grano a bassoangolo prodottidallapoligonizzazione.
(e)Lalamiera è statadeformata afreddo dell'85% e rìcolla
a316°Cperlh: lamicrografia mostra unastruttura
ricristallizzata
e lacrescita
di qualche
grano secondario. [Da"Metals Handbook': vol.1,8th
ed.,AmericanSociety torMetals,1972, p.243].
il processo di ricupero annulJa molte dislocazioni o le porta in condizioni dì

minore energia. Durante il ricupero~ diminuisce solo leggermente la resistenza
del metallo incrudito. mentre di solito viene significativamente aumentata la sua
duttilità (Figura 5.17).
Dislocazione uipice1 Bordidi grano

a basso angolo
(.(I) (b)
FIGURA 5.20 Rappresentazione schematica

dellapoligonizzazione
di unmetallo deformato.
(a)Cristallo
delmetallodeformato chemostraunaddensamentodi dìslocazioni
suipianidi scorrimento.
(b)Dopoil
trattamento
termicodi ricupero,
ledislocazioni
si sonomosse performarebordidi grano
a basso
angolo,[Da
L. E. Tanner
e/. S.Servi,"Metals
Handbook''.
vol.B,8thed.,AmericanSocietytorMetats,
1973,p.22ZJ.
Deformazioneplastica,ricuperoe ricristallizzazione173
FIGURA 5~21 Modello

schematico dellacrescita
di Regione più
ungrano ricristamzzato deformata
durante la ricristallizzazione
di unmetallo. (a)Nucleo
isolatochesi accresce
all'interno
di ungrano
deformato. (b)Bordo di Nucleo di grano
grano originarioadalto ricristallìzato
angolo chemigrain una (a) (b)
regione piùdeformata del
metallo.
Ricristallizzazione Riscaldando un metallo deformato a freddo ad una temperatura sufficientemente

alta. nella sua struttura, che ha in precedenza subito il ricupero, si nucleano e
co~inciano a crescere nuovi grani non deforn1ati (Figura,.5. l 8b); si forma così una
struttura ricristallizzata. Dopo mantenimento sufficientemente lungo alla
temperatura di ricristallizzazione, la struttura incrudita viene completamente
sostituita da una struttura a grani ricristallizzati, come mostrato in Figura 5.l 8c.
La ricristalliz.zazione primaria avviene attraverso due meccanismi
principali: (I} un nucleo isolato può accrescersi all"interno dì un grano
deformato (Figura 5.21a) oppure (2) un grano originario ad alto angolo può
migrare in una regio_nedel metallo maggiormente deformata (Figura 5.21b). ln
entrambi i casi, la struttura della parte concava del bordo che si muove è priva
di deformazione ed ha un'energia interna relativamente bassa, mèntre, la
struttura sulla parte convessa deirinterfaccia che si muove è molto deformata ed
ha un'alta densità di dislocazioni e un'alta energia interna. Il movimento del
bordo dì grano è lontano dal centro di curvatura del bordo, in questo modo la
crescita di un nuovo grano durante la ricristallizzazione primaria porta ad una
generale diminuzione dell'energia interna del metallo a seguito della sostituzione
delle regioni deformate con regioni prive di deformazioni.
In seguito ad un trattamento di ricottura che provoca la ricristallizzazione
della struttura, la resistenza a trazione di un metallo deformato plasticamente a
freddo diminuisce notevolmente, mentre la sua duttilitàaumenta. In Figura 5.22 è
mostrato un forno utilìzzato industrialmente per }a ricottura di nastri di acciaio.
I fattori importanti che influenzano il processo di ricristallizzazione nei
metalli e nelle leghe sono: (1) l'entità della deformazione plastica prece-
dentemente subita dal metallo, (2) la temperatura, (3) il tempo, (4) la dimensione
iniziale del grano e (5) la composizione del metano o della lega. L'intervallo di
temperature in cui può aver luogo la ricristallizzazione del metallo dipende in
una certa misura dalle variabili suddette. Per questo motivo non si può parlare
della temperatura di ricristallizzazione di un metallo così come si parla della
17 4 Capitolo 5
FIGURA 5.22 Forniper

la ricotturadi coi!di nastro
dì acciaio. I coilsonoposti
sottocoperchi cilindricie
poi la partesuperiore del
tomovienepostasoprai
coilcoperti. In questo
impianto di ricottura,i coìl
sonoportate aduna
temperatura compresa tra
650e 700"Cperuntempo
mediodi 26h.Durante il
periodo di raffreddamento,
vienemantenuta
un'atmosfera riducente
controllata perproteggere la
superficiedeicoildiacciaio.
United States Steel
Corporatian}.
temperatura di fusione di un metallo puro. Riguardo al processo di ricristal·

lizzazione, possono essere fatte le seguenti generalizzazioni:
1. Perché la ricristallizzazione possa avvenire è necessario un valore minimo dì

deformazione del metallo.
2. Minore è il grado di deformazione (al di sopra del minimo), più elevata è la
temperatura necessaria per provocare la ricristallizzazione.
3. Aumentando la temperatura di ricristallizzazione dimfnuisce il te1npo
necessario per completarla (vedi Figura 5.23).
4. La dimensione finale del grano dipende principalmente dal grado di
defonnazione; maggiore è la deformazione, minore è la temperatura di
e 1ninoreè la dimensione del grano
ricottura per la ricristallizzazi01.Je
ricristallizzato. ·
5. Più grande è la dimensione iniziale del grano, maggiore è l'aumento di
deformazione richiesto per avere una equivalente temperatura di ricristal-
lizzazione.
6. La temperatura dì ricristallizzazione diminuisce con l'aumento della purezza
del metallo; l'aggiunta di elementi di lega che formano soluzioni solide
aumenta sempre 1a temperatura di ricristallizzazione.
Deformazione plastica, ricupero e ricristallizzazione ·175
Temperatura,°C
350 275 250 225
!03
FIGURA 5.23 Relazione Fine della

tempo~temperatura perla 102 ricristallìzzazione
ricrlstallizzazione
di Alal
, ,
99%deformato a freddodel
15%.Lalineacontinua
.e
é
o.
lO
, ,,
indicail termine della E ,
ricristallizzazione
lineatratteggiata
mentrela
indica
~
,,
l'ìnizio.Laricristallizzazione , ,# Inizio della
,,
di questalegasegueun ricristallizzazione
O.I
,,
andamento deltipodella
leggedi Arrhenius: In t
funzione di 1/T(K){vedi 0,01
1,6 1,7 1.8 l.9 2,0 :u
Paragrafo 4.6).[Da
l000/T,k· 1
"Aluminium''. voi.7,
American SocietylorMetals,
1967,p.98].
Eserciziario
Vedi Esercizio 5.3.
RIASSUNTO
La deformazione plastica dei metalli avviene nella maggior parte dei casi in
seguito ad un processo di scorrimento che coinvolge movimento delle
dislocazioni. Di solito lo scorrimento ha luogo lungo i piani più compatti e
nelle direzioni più compatte. L'insieme di un piano di scorrimento e di una
direzione di scorrimento costituisce un sistema di scorrimento. I metalli con un
alto numero di sistemi di scorrimento sono più duttili di quelli con solo pochi
sistemi di scorrimento. Molti metalli si deformano in seguito a geminazione
quando lo scorrimento diventa difficoltoso.
I bordi di grano alle basse temperature di solito rafforzano i metalli,
costituendo una barriera al movimento delle dislocazioni; in alcune condizioni
di deformazione ad alta temperatura, i bordi di grano diventano invece regioni
deboli, a seguito della possibilità di scorrimento dei bordi di grano.
Quando un metallo viene deformato plasticamente a freddo si incrudisce,
176 Capitolo 5
aumentando la sua resistenza e diminuendo la sua duttilità. L'incrudimento può

essere rimosso con un trattamento termico di ricottur~; quando il metallo
incrudito viene lentamente riscaldato ad alta temperatur.a, inferi ore alla sua
temperatura di fusione, hanno luogo i processi di ricupero., ricristallizzazione e
ingrossamento del grano, che determinano addolcimento del metallo. La
combinazione dei trattamenti di incrudimento e ricottura consente di ottenere
grosse riduzioni di spessore dei semilavorati metallici esenti, senza che si
manifestino rotture.
DEFINIZIONI
Parag,.afo5.1
Scorrimen.to:processo in cui gli atomi si muovono uno sull'altro durante la deformazione
plastica di un metallo.
Bande di scorrimento:linee sulla superficie di un metallo dovute allo scorrimento causato
da una defom1azione plastica.
Sistema di scorrimento: insieme di un piano di scorrimento e di una direzione di
scorrimento,
Parag,·afo5.2
Geminazione: processo di deformazione plastica che avviene in alcuni metalli sotto
particolari condizioni e che determina la fom1azione di una regione di un reticolo
cristallìno che è una immagine speculare rispetto a un piano di geminazione di un,:
regione analoga,
Incrudimento (rafforzamento per deformazione); indurimento di un metallo o leg,;
mediante defonnazione plastica a freddo: durante tale deformazione le dislo.cazioni s1
moltiplicano e interagiscono fra loro. portando ad un aumento della resistenza del
metallo.
Pai·agrafo5.3
Rafforzamentoper soluzionesolida: rafforzamento di un metallo a seguito dell'aggiunta di
elementi di lega che formano soluzioni solide, dovuto al fatto .,çhe le dislocazioni
hanno maggiore difficoltà a muoversi attraverso il reticolo del metallo quando sono
presenti atomi diversi, con differenti dimensioni o che si possono addensare in
particolari zone.
Pm·agrafo5.4
Ricupero: primo stadio della rimozione degli effetti dell'incrudimento, che si verifica
all'aumentare della temperatura quando un metallo def armato a freddo viene
lentamente riscaldato; durante il ricupero, vengono rilasciati gli sforzi interni ed ha
luogo un riassetto delle dislocazioni in configurazioni a più bassa energia.
Ricristallizzazione:processo per cui un metallo incrudito, riscaldato ad una temperatura
sufficientemente alta e per un periodo di tempo abbastanza lungo, forma una nuova
struttura di grano, priva di deformazioni; durante la ricristallizzazione la densità delle
dislocazioni nel metallo si riduce notevolmente,
'
LAVORAZIONIE PROPRIETA
MECCANICHE
DEI METALLI
In questo capitolo vengono dapprima esaminati i principali metodi pe'r ìa

lavorazione dei materiali metallici in opportune forme. Quindi vengono definiti
sforzi e defon11azioninei metalli e viene descritta la prova di trazione, utilizzata
per determinare queste proprietà. Segue una descrizione del1a durezza e delle
prove dì durezza per i metalli. Viene poi trattato il problema della rottura dei
metalli. In seguito, vengono esamìnate la fatica e la propagazione delle cricche
di fatica nei metalli. Infine. vengono considerati il creep (un tipo di
deformazione dipendente dal tempo) e il creep-rottura.
6.1 LAVORAZIONI fNDUSTRlALI DEI METALLI
Lavorazioni La maggior parte dei metalli viene lavorata dapprima fondendo il metallo in un
di fonderia forno che contiene il metallo fuso. Al metallo fuso possono essere aggiunti degli
elementi alliganti, per ottenere la lega della composizione voluta; per esempio,
all'alluminio fuso può essere aggiunto del magnesio solido che, fondendo, può
essere mescolato meccanicamente con ralluminio per ottenere un getto omogeneo
178 Capitolo 6
FIGURA 6.1 Grosso

laminatoio
a quattro cilindri
peralluminiosu cuiviene
laminataa,caldouna
bramma in legadi alluminio,
cheverràridottadi spessore
finoadottenereunalamiera,
ReynoldsMetalDo.J.
di una lega alluminio-magnesio. Dopo che le impurezze dì ossidi e l'idrogeno

indesiderato sono stati rimossi, la lega fusa Al·Mg viene colata in una forma di
una Ùnità di colata semkontinua a raffreddamento diretto, come è mostrato in
Figura 4.8; in questo modo sono prodotti enormi bramme, con{; quella mostrata
in Figura 4.1. Altri tipi di semilavorati con sezioni diverse vengono colati in
modo simile, ad esempio i lingotti per estrusione che hanno una sezione circolare.
I prodotti finiti sono ottenuti partendo_da semilavorati di forma standard:
nastri 1 e lamiere 2 sono prodotti J:)artendo da semilavorati a forma di
parallelepipedo (bramme, blumL billette) con successive laminazioni che ne
1
In questo libro si definisce nastro un prodotto laminato di sezione rettangolare e di
spessore compreso tra O,1.5e 6,35 mm.
2
In questo libro si definisce lamiera un prodotto laminato di sezione rettangolare e di
spessore 6,35 mm o superiore.
Lavorazioni e proprietà meccaniche dei metalli 179
FIGURA 6.2 Colata in

unaforma _permanente. Il
gettosolidificatoè mostrato
assieme al canale di colata,
allamaterozz.a sovrastante e
all'animanellametàsinistra
dellaforma. Il pezzoottenuto
è mostrato davanti allo
stampo. !H.F. Taylor, M. C.
Flemingse J. Wultt,
"Foundry
Engineering·;
Wiley,1959,p.58J.
riducono lo spessore (Figura 6.1 ). 1 pezzi estrusi come barre e profilati sono
ottenuti da semilavorati per estrusione, i tondini e i fili metallici sono ottenuti da
billette e semilavorati di diverse sezioni. Tutti questi prodotti che sano ottenuti
mediante deformazione a caldo o a freddo del metallo a partire da semilavorati
sono chiamati prodotti finiti (profilati e prodotti piatti).
I pezzi possono essere colati in uno stampa che ha già la forma del prodotto
finito e solitamente sano richieste solo poche operazioni alle macchine utensilio
altre operazioni di finitura per ottenere il pezzo finito. I prodotti ottenuti in
questo modo sono chiamati getti e le leghe usate per produrli. leghe per gelli. Per
esempio, i pistoni usati nei motori delle automobili vengano solitamente
ottenuti per solidificazione di metalli in fomie permanenti di acciaio; una
rappresentazione schematica di una semplice forma permanente contenente il
getto è mostrato in Figura 6.2. La Figura 6.3a nmstra un operaio mentre versa
una lega di alluminio fusa in una forma permanente per produrre una coppia dì
pistoni in getto; la Figura 6.3b mostra i getti dopo che sono stati rimossi dalla
forma. Dopo essere stato separato dai canali di colata, trattato termicamente e
rifinito, il pistone è pronto per essere montato sul motore dell'automobile.
Laminazione Le laminazioni a caldo e a freddo sono metodi spesso utilizzati per ottenere vari
a caldo e a freddo tipi di manufatti metallici. Con questi processi possono essere ottenuti prodotti
finiti di sezione costante e notevole lunghezza.
Laminazionea caldo dei semilavorati La laminazione a caldo dei semilavorati

viene effettuata perché, quando· iì metallo è caldo, sì possono ottenere maggiori
180 Capitolo6
(b)
(a)
FIGURA6.3 {a)Fusione simultanea di duepistoniin legadi alluminio in unaiorma

permanente.
{b)Gettideipistoniin legadi alluminio dopoessere statirimossi dalla
iormamostratain (a}.(e)Pistone
di automobile dopoil trattamento termico e la
lavorazione
allemacchine utensiliprontoperl'installazione
in unmotore. fPer
concessione
dellaGenerai MotorsCorporation].
(e)
riduzioni di spessore con ogni passata. Prima di essere laminati a caldo, i

semilavorati per lamiere e nastri vengono riscaldati ad alta temperatura e tenmi
in forno (Figura 6.4). Dopo essere stati rimossi dal forno di preriscaldo (forno a
pozzo), i lingotti vengono laminati a caldo in un laminatoio sbozzatore
reversibile. Per esempio. i lingotti di acciaio sono comunemente ridotti in lastre
mediante un laminatoio a due cilindri, come mostrato in Figura 6.5. Nella quasi
totalità degli impianti la fase di sbozzatura, cioè di riduzione del lingotto a
semilavorato, non viene effettuata in quanto con il processo di colata continua
si solidificano già semilavorati in opportune sezioni.
Il processo di laminazione a caldo viene continuato finché la temperatura
del semilavorato in lavorazione non diventa cosi bassa da rendere troppo
Lavorazioni e proprietàmeccaniche dèi metalli 181
FIGURA 6.4 Prima di

essere laminati a caldo,i
lingottidì acciaiodevono
essere riscaldatiadelevata
temperatura; la fotografia
mostra deilingottidi acciaio
chevengono riscaldati
a
circa1200°cin uno
speciale fornoa gas,
chiamato fomoa pozzo; i
lingottisonoriscaldatiper4
o 8 oreperassicurare chela
lorotemperatura sia
uniforme. [Perconcessione
dellaBethlehem
SteelCo.].
difficoltosa la laminazione. Il semilavorato è allora riportato in temperatura e

viene proseguita la laminazione finché si ottiene un nastro di spessore
sufficientemente sottile .da permetterne l'avvolgimento a spirale (in ''coil").
FIGURA 6.5
Rappresentazione
schematicadellasequenza
delleoperazioni
di
laminazionea caldo
necessarie
perridurreun
lingotto
adunabramma in
unlaminatoio sbozzatore
[DaH.E
reversibile.
McGannon (ed), "The
Making,Shaping, and
Treating
of Steer:9thed.,
UnitedStatesSteel,1911,
p.677],
182 Capitolo 6
i:!
~i
C1:11.:
i
~
~
, ..
FIGURA 6.6 Tipica i5
;f In
•riduzione
perpassaggi §
successivi
nellegabbie di un ·2 ~ '°
i=
laminatoio
continuo a caldo
perlaproduzione di nastri
di ":E...
acciaio
dotatodi quattro "?.
o
postazioni
di sbozzatura e
seipostazioni
di finitura.
[Da òo
z-
H.E McGannon (ed.),"The ·e
.s
Making,Shaping, and
ot Steer;9thed.,
Treating
~])
<~ i
StatesSteel,1971,
United
p.937].
Lavorazionie proprietàmeccanichedei metalli 183
FIGURA6.7
Rappresentazione
schemati-
cadelpercorso delmetallo
durantela laminazione
a
freddodì unalamierain un
laminatoioa quattro
cilindri: (a) (b)
(a)singolo;(b)doppioin
serie.
Nella maggior parte delle produzioni su larga scala la laminazione a caldo viene
condotta facendo uso di laminatoi continui (cioè con progressive deformazioni
realizzate in successione in gabbie diverse), come è mostrato in Figura 6.6 per la
laminazione a caldo di un nastro di acciaio.
Laminazionea freddodi lamieremetalliche Dopo la laminazione a.caldo, che

può anche includere alcuni passaggi a freddo, i roto1i di metallo vengono
solitamente sottoposti ad un trattamento termico di riscaldamento ch1amato
ricottura, che ha lo scopo di addolcire il metallo (cioè ridurne la durezza) e
rimuovere qualsiasi incrudimento introdotto durante la laminazione a caldo.
Anche la laminazione a freddo, che normalmente avviene a temperatura
ambiente, è effettuata con un laminatoio con gabbia singola o gabbiç in serie
(Figura 6.7). La Figura 6.8 mostra una lamiera di acciaio mentre viene laminata
a freddo ìn un laminatoio industriale.
La percentuale di riduzione di sezione a freddo di una lamiera o di un
nastro di metallo può essere calcolata come:
,o .d'1 n'd uz1one

. a fred·do = spessore inziale ---.. spessore
.. finale x . ·I·)
01 .(
spessore 1mz1a1e
10001"o 6.
Va sottolineato tuttavia che in genere quando si parla dì deformazione plastica,

come nel caso dell'incrudimento. si tiene in considerazione la percentuale
di diminuzione di sezione trasversale, che può essere calcolata in modo simile.
La laminazione di prodotti lunghi (tondi, profilati, tubi, ecc.) viene condotta
con sequenza analoga a quella descritta precedentemente per i prodotti piatti.
Eserciziario
184 Capitolo 6
FIGURA 6.8 Lamiera di

acciaio
laminata a freddo.
Laminatoideltipomostrato
sonousatiperlaminare a
freddonastridi acciaio,
lamieresottilie metalli
non
ferrosi.
[Perconcessione
dellaBethlehem SleelCoJ
Estrusione L'estrusione è un processo di deformazione plastica in cui un materiale viene

sottoposto ad una elevata pressione per costringerlo a passare attraverso
l'apertura di una matrice, allo scopo di ridurne ìa sezione (Figura 6.9). Per la
maggior parte dei meta1li l'estrusione è utilizzata per produrre barre a sezione
circolare e tubi. Per i metalli più facilmente estrudibili, come l'alluminio, il rame
e alcune delle loro leghe, con questa tecnica sono nonnalmerffe anche prodotti
profilati, con sezione irregolare. Molti metalli vengono estrusi a caldo poiché la
resistenza alla deformazione del metallo è inferiore a quella che avrebbe se fos~.:
estruso a freddo. Durante l'estrusione il metallo di una billetta posta all'interno
di una pressa di estrusione viene costretto da un pistone ad attraversare la
matrice, cosicché il metallo viene deformato in modo continuo per formare un
elemento con una determinata sezione uniforme.
I due principali tipi di estrusione sono l'estrusione diretta e l'estrusione
inversa. Nell'estrusione diretta la billetta di metaUo è posta all'interno della
pressa di estrusione ed è spinta direttamente dal pistone attraverso la matrice
(Figura 6.9a). NeU'estrusione inversa il pistone cavo regge la matrice, mentre
l'uscita della pressa è chiusa da una piastra (Figura 6.9b). Le forze di attrito e la
Contenitore
Piastra
di chiusura
(a) (b)
FIGURA 6.9 I dueprocessi

baseperestrudere
i metalli:
(a}estrusione
dìretta
e (b)estrusione
inversa
[DaG.Dieter,"Mechanicat
"2nded.,McGraw-Hil/,
Metallurgy, 1916,p.63!/J.
potenza richiesta per l'estrusione inversa sono minori di quelle necessarie per
l'estrusione diretta; tuttavia i carichi che possono essere applicati nel processo
inverso, usando un pistone cavo, sono mìn.ori rispetto a quelli che possono
essere applicati ne1l'estrusione diretta.
FIGURA 6.10
Manipolatore pesante che
tieneìn posizione un
lingottomentre unapressa
da10.000 tonnellateforgia
l'acciaio
all'incirca
nelle
dimensioni delprodotto
fìnito[DaH.E McGannon
{ed;),"TheMaking, Shaping,
andTrealing of Steer:9th
ed.,United StatesSteel,
1971,p.1044j.
-
186 Capitolo 6
Il processo di estrusione è impiegato principalmente per produrre barre,

tubi, e forme irregolari di metalli non ferrosi a basso Ptpto di fusione, come
l'alluminio, il rame e le loro leghe. Comunque, con lo sviluppo di presse di
estrusione più potenti e con l'impiego di lubrificanti p1ù efficienti di tipo
vetroso,possono essereestrusianche.alcuniacciai al carbonioe inossidabili.
Forgiatura La forgiatura, o fucinatura, è un altro metodo normalmente utilizzato per

deformare i metalli nelle forme desiderate. Nel processo di forgiatura il metallo è
costretto ad assumere la forma desiderata mediante l'azione di un maglio o di una
pressa. La maggior parte delle operazioni di forgiatura sono condotte sul metallo
ad elevata temperatura, sebbene in alcuni casi il metallo possa essere forgiato
anche a freddo. Esistono due tipi fondamentali di forgiatura: al maglio e alla
pressa. Nella forgiatura al maglio; un maglio in caduta libera viene fatto urtare
ripetutamente sulla superficie del metallo; nella fucinalura alla pressa:, invece, al
metallo viene applicata una lenta ma graduale forza di compressione (Figura 6.10).
I processi di forgiatura e fucinatura possono anche essere classificati come
forgiatura liberao a stampo aperto e forgiatura a stampo chiuso. La forgiatura in
stampo aperto è condotta tra due stampi piatti o di forma molto semplice, come
cavità a forma di V e cavità semicircolari (Figura 6.11), ed è molto utile per
produzioni di grossi componenti quali alberi di acciaio per turbine a vapore e
generatori elettrici. Nella forgiatura a stampo chiuso il metallo che deve essere
forgiato viene posto tra due stampi che riproducono l'impronta del prodotto da
ottenere. La forgiatura a stampo chiuso può essere condotta utilizzando una
sola coppia di stampi oppure diversi stampi in successione. Un esempio di
forgiatura in cui vengono usati diversi stampi è la fabbricazione della bier.
dell'albero motore di un'automobile (Figura 6.12).
In generale si ricorre al processo di forgiatura per produrre pezzi di fonna
irregolare che richiedono una deformazione plastica per migliorarne la struttura
metallica, riducendone la porosità ed affinando la struttura interna. Per esempio
una chiave inglese forgiata sarà più tenace e meno soggetta a rottura di una
proqotta semplicemente per getto. Talvolta la fucinatura è usata per modificare
la struttura ottenuta dopo il getto nei lingotti di alcuni meta:yi altamente legati
FIGURA 6.11 Principalì

tormedeglistampi
a stampo
forgiatura
[DaH. E McGannon
perla
aperto
(ed.), Stampipiatti
(____
_o
w.~
- ----
Stampicircolari
r-:====r1
~
"TheMaking, Shaping, and
Treatin(J
of Steel",9thed., .~
UnitedStatesSteel,1971,
p.10451i.
Lavorazioni e proprietà meccaniche dei metalli ' 1 87
FIGURA 6.12 Stampi

chiusiusatiperprodurrela
[Per
bielladi un'automobile.
concessione dellaForging
JnaustryAssociation].
(per esempio. alcuni acciai per utensili). in modo che il metallo diventi più
omogeneo e meno soggetto a criccature durante le lavorazioni successive.
Altri processi Ci sono molti altri processi secondari di formatura dei metalli, ìa cui descrizione
di formatura va oltre gli scopi di questo libro. Tuttavia saranno brevemente descritti due di
questi processi, la trafilatura e la imbutitura di lamiere metalliche.
La trafilatura è un importante processo di formatura dei metalli, in cui i1
tondino o il filo grezzo di partenza vengono costretti ai passare attraverso una o
più matrici coniche di trafilatura (filiera), Figura 6.13. Per la trafilatura di fili di
acciaio, viene utilizzata una trafila di acciaio con un inserto di carburo di
tungsteno: il carburo, ç.ielevata durezza, fornisce una superficie resistente
all'usura su cui avviene la riduzione dì diametro del filo di acciaio. Devono
essere prese particolari precauzioni per assicurarsi che la superficie del grezzo
che deve essere trafilato sia pulita ed adegùatamente lubrificata. Talvolta,
quando il filo trafilato si incrudisce durante il processo, sono necessari dei
trattamenti termici intermedi di ricottura. La procedura usata varia
considerevolmente in funzione de] metallo o della lega da trafilare, del
diametro finale e della resistenza desiderata.
[ Eserciziario
Vedi Esercizio6.3.
188 Capitolo 6
,
Entrata
Carico
Fronte Retro
Filo o barra
in trafilatura
Inseno di
carburo Zona di
FIGURA 6.13 Sezione riduzione
trasversaledi unamatrice Materiale dì
tDa"Wireand
di trafilatura contenimento
Rods,AlloySteel",
Steel
ProductsManual,
American
tronandSteeltnstitute,
1975].
FIGURA6.14 Imbutitura
di unacoppacilindrica
(a}
primadell'imbutitura
e (b)
[DaG.
dopol'imbutitura
Oieter,"Mechanical (n) (b)
2mied.,
Metallurgy",
McGraw-Hill,1976,p.688J.
L'imbutitura è un altro processo .di formatura dei metalli durante la quale

del1e lamiere subiscono una profonda deformazione per essere trasformate in
prodotti concavi. Una lamiera grezza viene posta sopra una opportuna sagoma
e poi viene pressata con un punzone (Figura 6.14); solitamente viene usato un
sistema di fissaggio che consente la deformazione lenta del metallo nello
stampo, prevenendo la formazione di pieghe.
Lavorazionie proprietàmeccaniche·deimetalli 189
6.2 SFORZI E DEFORMAZIONI NEI METALLI
Nella prima parte di questo capitolo abbiamo brevemente esaminato i metodi

principali di lavorazione dei metalli per ottenere semilavorati e getti.
Consideriamo ora le proprietà di resistenza e duttilità dei metalli in relazione
aHe loro applicazioni tecnologiche.
Deformazione Quando un elemento metallico è soggetto all'azione di una forza di trazione,

elastica e plastica subisce una deformazione. Se il metallo ritorna alle sue dimensioni originali
dopo che è stata rimossa la forza, si dice che ha subito una deformazione
elastica. L'entità di deforrp~zione elastica che un metallo può tollerare è piccola}
poiché durante la deformazione elastica gli atomi del metaUo vengono
allontanati dalla loro posizione originale ma non tanto da poter occupare
nuove posizioni reticolari; pertanto. quando viene rimossa la forza che agisce su
un metallo def armandolo elasticamente, gli atomi del metallo ritornano alla
loro posizione originale e il metallo assume di nuovo la suaf orma iniZlale. Se un
metallo viene deformato tanto da non poter recuperare completamente le sue
dimensioni originali, si dice che ha subito una deformazione plastica. Durante la
deformazione plastica gli atomi de] metallo vengono spostati permanentemente
dalla loro posizione originale per assumere nuove posizioni reticolari.
L'attitudine di a]cuni metalli ad essere deformati plasticamente senza rompersi
è una delle più utili proprietà tecnologiche dei metalli. Per esempio. la grande
deformabilità plastica deJl'acciaio consente lo stampaggio di componenti delle
automobili come paraurti. cofani e portiere seaza che il metallo si rompa.
Sforzo nominale Sforzo nominale Consideriamo un barra cilindrica di altezza lo e sezione Ao

e deformazione sottoposta ad una forza di.trazione agente lungo il suo asse, come mostrato in
nominale Figura 6.15. Sì definisce sforzo nominale a agente sulla barra cilindrica il
rapporto tra la forza media F che agisce lungo l'asse della barra e la sua sezione
iniziale Ao, Dunque:
e, • . F(forza media lungo l'asse)
Siorzo nomma 1e a= . . .. ~. (6.2)
Ao(sezione mlZlale)
L'unità di misura dello sforzo nominale cr è il pascal, parì a:
l Pa = l N/m 2
A seguito dell'elevato valore in pascal degli sforzi agenti sui materiali metallici,
come unità di misura viene quasi sempre usato il megapascal, parj a:
l MPa = 106 Pa = 106 N/m 2 = 1 N/mm 2

per i valori di modulo di elasticità o di Young, che ha valori numerici ancora più
190 Capitolo 6
FIGURA 6.15 Ao-m·

Allungamento
di metallo
cilindrica
di unabarra
adunaforzaF agente
il suoasse.(a)Barra
soggetta
lungo l l
cilindrica
senzala forza
applìcata;(b)barracilindrica F
b./= l-1 0
soggetta allaforzaF chene
provoca unallungamento da (a) (b)
A/, da /0 a/.
grandi, come unità di misura si userà il gigapascal, pari a:
1 GPa = 109 Pa = 103 MPa = 109 Ntm 2
Eserciziario
Vedi Esercizio6.4, 6.5.
Deformazionenominale Una forza di trazione applicata lungo l'asse di una

barra, come mostrat0 in Figura 6.15, provoca un allungamento della barra nella
direzione della forza. Tale allungamento è chiamato deformazione. Per
definizione la deformazione nominale causata dall'azione di una forza di
trazione lungo l'asse di un provino metallico è il rapporto trf la variazione di
lunghezza del provino nella direzione della forza e la lunghezza iniziale del
provino considerato. Dunque la deformazione nominale per la barra cilindrica
metallica mostrata in Figura 6. I 5 (o per un provino simile di metallo) è:
l - lo .6.i(variazione di lunghezza del provino)

Deformazione e (6.3)
-y;- l 0 (lunghezza iniziale del provino)
dove: lo = lunghezza iniziale del provino e / = lunghezza del provino dopo

essere stato deformato dalla forza di trazione. Nella maggior parte dei casi la ·
deformazione nominale è determinata su una porzione limitata della lunghezza j
I
del provino, detta tratto utile, la cui lunghezza dipende dalle normative, e può
j
l
Provino
non sollecitato
Provino F
sollecitato
FIGURA 6.16 Provini
di trazione
a sezione
rettangolare,
prima
e dopola prova.
essere o una lunghezza prefissata, ad esempio 2 pollici (circa 5 cm), oppure pari
a 5 volte il diametro del provino.
La deformazione è adimensionale e pertanto indipendente dalle unità di
misura, anche se, almeno teoricamente, dovrebbe essere definita in m/m. In
pratica spesso si converte la deformazione nominale in deformazione percentuale
o allungamento percemuale:
deformazione%= allungamento%= deformazione nomi11ale x 100%
Eserciziario
Vedi Esercìzio6.6.
Modulo di Poisson Una deformazione elastica longitudinale in un metallo è accompagnata da una

variazione delle dimensioni laterali. Come mostrato in Figura 6.17b,uno sforzo di
trazione u::origina una deformazione assiale +::e le contrazioni laterali -e. 1 e +e-1 •
In presenza di un comportamento isotropo 1, -e.v e -e:r sono uguali. Il
rapporto: ·
e laterale ex E:r
V= ------=-
e longitudinale
=-...;;...
....... (6.4)
è chiamato modulo di Poisson. Per materiali ideali dovrebbe essere 1,1= O1 5

invece per i materiali reali il modulo di Poisson è tipicamente compreso tra 0, 25
e 0,4, con un valore medio intorno a 0,3. La Tabel1a 6.1 mostra i valori div per
alcuni metalli e alcune leghe.
1
Isotropo: che mostra proprietà con lo stesso valore quando sono misurate lungo assi
orientati in tutte le direzioni. .
192 Capitolo6
,
~ (o) Coq>onon soJÌedtnto
ì
Superficie
di area A
FIGURA 6.17 (a}Corpo
cubicononsollecitato. (b) s ,,,,,
Corpocubicosoggetto ad ,,,, I
I
..I
unosforzo di trazione I I I
monoassiale. Il rapporto tra I
..J
la contrazione elastica b: 13/"'\
perpendicolare e I s
I
l'allungamento assiale è
definitomodulo dì Poisson v=
v. (e) Corpo cubico s
soggetto a forzedi puro S = forza di taglio
taglioS cheagiscono sulle
areesupeliìcìali A; lo slorzo (b) Corpo sollecitato a trazione (e) Corpo sollecitato a taglio
di taglio-r cheagisce sulla
strutturaè paria SIA.
Sforzo di taglio Fino ad ora abbiamo parlato di deformazione elastica e plastica dei metalli e
e deformazione delle leghe sottoposti a sforzi di trazione uniassiali. Un altro importante metodc,
di taglio attraverso il quale un metallo può essere deformato è razione di uno sforzo di
taglio: razione di una semplice coppia di forze di taglio (le forze di taglio
agiscono in coppia) su un corpo cubico è mostrata in Figura 6.17c~dove una
forza di taglìo S agisce su una superficie di area A. Lo sforzo di taglio; è legato
alla forza di taglio S dalla relazione:
S(forza di taglio)
r(sforzo di taglio) (6.5)
A (Area su cui agisce la forza di (aglio)
Le unità di misura per lo sforzo di taglio sono le stesse dello sforzo di trazione,
cioè:
1 Pa = l N/m 2
oppure
l MPa = 106 Pa = 106 N/m 2 I N/mm 2
La deformazione di taglio ')'. è definita per l'elemento di Figura 6.17c dal

Lavorazionie proprietàmeccanichedei metalli 193
rapporto tra lo spostamento a ed i1 lato· h su cui agisce la forza di taglio, cioè:
"Y= -ha = tg e (6.6)
Per taglio puramente elastico~ il rapporto tra sforzo e deformazione è:
(6.7)
dove: G è il modulo elastico.
6.3 PROVA DI TRAZIONE E DIAGRAMMA SFORZO-DEFORMAZIONE
La prova di trazione consente di valutare la resistenza meccanica dei metalli e

delle leghe. In questa prova un campione di metallo viene tirato fino a rottura in
un tempo relativamente breve e ad una velocità ,,~ostante. La Figura 6.18
FIGURA6.18 Macchina
di trazione:
laforza.
sul
campione è registrata
sulla
alla
cartadelregistratore
sinistra;
anche la
deformazione chesubisce il
campione vieneregistrata,
il
segnaleperla misura della
deformazioneè tornitodaun
estensimetrocollegatoal
campione, !Perconcessione
dellalnstranCorporation].
194 Capitolo 6
I
Cella di carico
FIGURA6.19 Schema di
funzionamento della
macchina di trazionedi
Figura6.18;si noticome
nellamacchina di Figura
6.18la traversa mobilesi
muova versol'alto.[DaH. ''
W Hayden, w.G.Mottatte
J. Wultl,"TfleStructure and
Propertiesof Materia/s';
vol.3:"Mechanical
Benavior'; Wiley,1965,Fig.
1.1,p.2].
raffigura una moderna macchina di trazione, mentre la Figura 6.19 illustra

schematicamente come si effettua la prova di trazione,
La forza che agisce sul campione durante la prova viene riportata su un
registratore grafico istante per istante assieme alla corrispondente deformazio-
ne, che può essere ottenuta da un segnale proveniente da un estensimetro
esterno collegato al provino (Figura 6.20), a sua volta inviato al registratore.
La tipologia dei provini utilizzati per le prove di trazione varia
considerevolmente. Per elementi metallici di elevata sezione come le lamiere,
viendn genere utilizzato un provino cilindrico dal diametro di 0,5 pollici, cioè
circa 12,5 mm (unificazione americana, Figura 6.21a) 1 òppure 10 mm
(unificazione italiana). Da elementi con sezione più sottile, come i nastri, si
ricavano provini piatti (Figura 6.2 Ib), in cui lo spessore è quello del
semilavorato utilizzato. Il tratto utile più comunemente usato è di 2 pollici,
pari a circa 50 mm (unificazione americana) pppure pari a 5 volte il diametro
(unificazione italiana). .~
I carichi della prova di trazione letti sulla carta del registratore possono
essere convertiti in valori di sforzo nominale, così da poter costruire un
diagramma che lega lo sforzo nominale alla deformazione nominale; la Figura
6.22 mostra un tipico diagramma sforzo-deformazione per una lega di alluminio
ad alta resistenza.
Lavorazioni e proprietà meccaniche .dei metalli 195
FIGURA 6.20 Primo

pianodell'estensimetrodi
unamacchina di trazione
chemisurala detormazione
chesubisce il campione
durantela prova;
è collegato
l'estensimetro al
campione mediante dei
morsetti.
[Perconcessione
dellalnstronComoration].
Proprietà Le proprietà meccaniche dei metalli e delle leghe, importanti per la

meccaniche progettazione strutturale, che si possono ricavare dalla prova di trazione sono:
ottenute dalla
prova di trazione 1. Il modulo di elasticità.
2. Il carico di snervamento ad una deformazione dello 0,2%.
Sezione ridotta Sezioneridona

56mm 56mm 50mm
Circa 18
l::?.5±0.25
Tratto utile
50±0.125
·----- 200 mm-----·
(a) (b)
FIGURA6.21 Esempi di provini

comunemente usatiperprove
di trazione
(unificazione americana).(a)Provino
standard
a sezione
circolare
contrattoutiledi 2 pollici.(b}Provino
standard
asezionerettangolare
contrattoutiledi 2 pollicì.[DaH.E McGannon(ed),ASTMStandards,
1968,"TheMaking, Shaping, of Steer:9thed.,UnitedStates
andTreating Steet,1911, p.12201.
196 Capitolo6
Caricodi rottura
,
(600MPa)
600
500
400
~
~
§ 300
.E
V)
FIGURA 6.22
200
Diagramma sforzo·
deformazione perunalegadì
alluminio adaltaresistenza
(7075-16). I proviniusati
percostruire il diagramma
100 t
sonostatiottenuti dauna
lastradi spessore 15,9mm
ed avevano undiametro di
O 0.020 0.040 0.060 0.080 0.100
0,5pollicie untrattoutile.
di
Defommzìone.mm/mm
2 pollici.[Perconcessione
dellaAluminum Company of
America].
3. Il carico di rottura.
4. L'allungamento percentuale a rottura.
5. La strizione percentuale a rottura.
Modulo di elasticità Nella prima parte della prova di trazione il metallo Yict1e
deformato elasticamente; questo significa che, se la forza applicata viene tolta, il
provino tornerà alla sua lunghezza inìziale; per i metallì la . massi1:1a
deformazione elastica è solitamente minore dello 0,5%. In generale l metalh e
le leghe mostrano una relazione lineare tra lo sforzo e la deformazione nella
regione a comportamento elastico de1 diagramma sforzo-deformazione, del tipo:
u (sforzo)= E· t:: (defÒrmazione) (6.8)

Lavorazioni e proprietà meccaniche dei metalli ·, 97
TABELLA6.1 Valoritipici, a temperatura ambiente, delle costanti elastiche

per materialiisotropi
Modulo di Modulo di Modulo

elasticità, taglio, di
Materiale GPa GPa Poisson
Leghe dì allumlnìo 72.4 27.5 0.31

Rame 110 4"1.4 0.33
Acciaio (al solo carbonio e basso legato) 220 75.8 0.33
Acciaio inossidabile(18·8) 193 65.6 0.28
ntanio 117 44.8 0.3"1
Tungsteno 400 157 0.27
Fonte: G. Dieter,·"MechanféalMetallurgy", 3d ed., McGraw-Hill,1986.
oppure
CJ (sforzo)
E ------ (in Pa, o più spesso in GPa)
e (deformazione)
chiamata legge di Hooke 1, dove E è il modulo di elasticità o modulo di Youni.

Il modulo dì elasticità è legato al1e forze di legame tra gli atomi del metal1o
o della lega. La Tabella 6.1 mostra i moduli di elasticità per alcuni dei metalli
più comuni. I metalli con un alto modulo di elasticità sono relativamente rigidi e
non si flettono facilmente. Gli acciai, per esempio, hanno moduli di elasticità
elevati, intorno ai 207 GPa, mentre le leghe di alluminio hanno bassi valori di
modulo di elasticità, tra 70 e 77 GPa. Si noti che nella regione elastica ,del
diagramma sforzo-deformazìone, il modulo non cambia aumentando la
sollecitazione.
Carico di snervamento Il carico di snervamento è una grandezza molto

importante per la progettazione strutturale, poiché rappresenta la sollecitazione
al di sopra della quale nel metallo o nella lega si manifestano significative
deformazioni plastiche. Dato che nel diagramma sforzo-deformazione non vi è
in genere un ben definito punto in cui finisce la deformazione elastica e inizia
quella plastica, il carico di snervamento si definisce come la sollecitazione in
corrispondenza alla quale si ha una prefissata deformazione plastica per-
manente residua (presente cioè sul provino dopo averlo scaricato), in genere pari
allo 0,2%, come mostrato nel diagramma sforzo-deformazione dì Figura 6.23.
1 Robert Hooke ( I635-1703}.Fisico ingleseche studiò il comportamento elastico dei solidi.

2 Thomas Young (1773-1829). Fisico inglese.
198 Capitolo 6
F
in
ac
av
se
500 . Carièodi snervam1/7nto
. . . ·. es
0.21:k un
fin
ro
400 zo
re
de
rf
.~ 300
.• ,:J
t::
.E:
cn
200 Retta spostata

vdello0.2't!-
FIGURA 6.23 Parte

lineare
deldiagramma 100
sforzo-deformazione
di 02 = 0.2'k ofn,et
IOOCJ-
Figura6.22conl'asse delle
deformazioni
ingrandito per
ottenere
unapiù accurata O 0.00::! 0.004 0.006 0.008 0.010
del carico
determinazione di Deformazione,mm/mm
snervamento
allo0,2%di
deformazione
permanente
residua.
Il caricodi snervamemoallo 0,2% di defom1azione permanente residua viene

determinato dal diagramma sforzo~deformazione nel modo indicato in Figura
6:23. tn primo luogo si traccia u11aretta parallela al tratto elastico (lineare) del
d.ia~ramma partendo _daun.valore di deformazione percentuali!.dello 0.2% (pari
c:oea? una deformazione di 0,002 m/m), come indicato nella Figura 6.23; quindi
s1 proietta sull'asse dello sforzo il punto di incontro di tale retta con la curva
sforzo-deformazione; il valore dì sforzo così individuato è il carico di
snervamento allo 0,2% di def~rmazio1;e, ché, 1~elcaso del diagramma di Figura
6.23, vale 540 MPa. Va sottolmea-to cbe il valore di deformazione dello 0.2% è
stato s~lto ~rbitra~amente, e il carico di snervamento potrebbe anche ~ssere
d~termmato m cornspondenza ad altri valori di deformazione plastica: a volte. in
dipendenza del_tipo di deformazione ammissibile per la specifica applicaz.io~e,
sono ad esemp10 presi in considerazione anche valori dello O,l % o dello 0,5%.
Carico di rottura Il carico di rottura è il massimo valore dì resistenza

IGURA6.24 Strizione
n unprovino cilindrico
di
cciaio
veva
ssere
dolce.Il provino
inizialmente
ezione uniforme;
una
dopo
statosottoposto
naforzadi trazione
noa giungere
a
-
assiale
quasia
'Èi-
ottura,si è verificata
nella
onacentrale un
estringimento localizzato
ellasezione o strizione. raggiunto nel diagramma sforzo-defonnazione. Infatti superato tale carico sul
provino si manifesta un restringimento localizzato della sezione (comunemente
chiamato strizione),. mostrato in Figura 6.24; conseguentemente lo sforzo
nominale diminuirà all'aumentare della deformazione fino al sopraggiungere
della rottura, in quanto esso viene calcolato in riferimento alla sezione iniziale
del provino e non a quella effettiva. Più il metallo è duttile~ più sarà evidente la
strizione sul provino prima della rottura e quindi maggiore sarà la diminuzione
dello sforzo nominale nella curva sforzo-deformazione dopo il raggiungimento
del valore massimo. Per la lega di alluminio ad alta resistenza il cui diagramma
sforzo-deformazione è mostrato in Figura 6.22, si ha solo una piccola
diminuzione dello sforzo nominale oltre il valore massimo, in quanto questo
materiale è relativamente poco duttile: una diminuzione più marcata sì ha invece
in ge~ere sugli acciai, in particolare inossidabili (Figura 6.25}.
E opportuno anticipare) come verrà meglio spiegato nel seguito, che lo
sforzo reale, contrariamente a quello nominale, nei materiali metallici continua
in realtà ad aumentare fino al valore in cui si ha la rottura.
Il carico dì rottura di un metallo viene determinato tracciando una riea
orizzontale dal valore massimo sulla curva sforzo-deformazione fino all'as~e
degli sforzi. Ad esempio per la lega di alluminio di Figura 6.22, il carico di
rottura è di 600 MPa.
Il carico di rottura non è molto usato in progettazione per le leghe duttili, in
quanto prima che sopraggiunga si verifica su di esse troppa deformazione
plastica; tuttavia, il carico di rottura può dare alcune infonnazioni sulla
presenza di difetti. La presenza nel metallo di porosità o inclusioni può infatti
causare un abbassamento del carico di rottura rispetto ai valori normali.
Allungamentopercentuale L'entità dell'allungamento che un provino subisce

durante la prova di trazione fornisce un valore della duttilità del metallo. La
duttilità dei meta11i è comunemente espressa come allungamento percentuale,
partendo, come detto, da un tratto utile di lunghezza di 2 pollici (Figura 6.21) o
pari a 5 volte il diametro. In generale più è elevata la duttilità (cioè più è
deformabile il metallo), più è elevato il valore dell'allungamento percentuale.
Per esempio> una lamiera di alluminio di purezza commerciale con spessore di
1,6 mm (lega 1100-0)nelle condizioni di materiale ricotto ha un allungamento
200 Capitolo 6
percentuale del 35°/o, mentre una lamiera dello stesso spessore della lega dì
alluminio ad alta resistenza 707 5-T6 nelle condizioni di massima resistenza ha
un valore di allungamento percentuale solo dell'l 1%.
Come è stato detto precedentemente, durante la prova di trazione può
essere usato un estensimetro per va'iutare in continuo la deformazione del
provino. Tuttavia rallungamento percentuale del provino dopo la rottura può
essere misurato ricongiungendo le due metà del provino e misurando
l'allungamento finale con un calibro. Il valore dell'allungamento percentuale
può allora essere calcolato dalrequazione 1:
= lunghezza finale_ - . l_un_

g_hezzainizi.aie x
,,
Allungamento 100010
lunghezza m1z1ale
(6.9)
t~
X 100%
L'aUungamento percentuale a rottura è un parametro di importanza

tecnologica non solo per la misura della duttilità, ma anche come indice della
qualità del metallo. Se nel metallo sono presenti porosità o inclusioni o se il
metallo è stato danneggiato da un surrìscaldamento, l'allungamento percentuale
sul provino può diminuire rispetto al normale.
Strizione percentuale La duttilità dei materiale metallico può anche essere

espressa in termini di riduzione percentuale della sezione (strizione). Que<;ta
grandezza viene solitamente ottenuta dopo la prova di trazione mìsuranck ìl
diametro della sezione dì rottura. Conoscendo H d.iametro iniziale. e quello dì
rottura, la strizione percentuale può essere calcolata dalla equazione:
Strizione = sezione inizi_ale-: .s~zione finale x 1OO¾

sezione 1mz1ale
(6.10)
Ao-A
= ---x
Ao
100%
La strizione percentuale, come l'allungamento percentuale, è una misura

della duttilità del metallo ed anche un indice di qualità; la strizione percentuale
può infatti diminuire se nel materiale metallico sono presenti difetti come
inclusioni e/o porosità.
Eserciziario
Vedi Esercizio6.7.
1
La lunghezza iniziale è la lunghezza del tratto utile prima della prova. La lunghezza
finale è la lunghezza del tratto utile ricongiunto dopo che il provino si è rotto.
1800
1600 ----------------- Acciaio SAE 1340 temprato

Acciaio legato al nichel e rinvenutoa 370°C
1400
~cciaio inossid•bil•17-7PH
1200 / Acciaio inossidabile(18,8)
j ', _ . , Lega di titanio solubilizzato(Ti-6A1-4V)
~ ~Acciaio
~ 1000
~ legato al nichel
§
..E
V}
800
/ · Y LegaN·l55solubilizzata
---------
~ Lega di alluminio (2024-T81)
600
~coa27ST '-.
400 I
Acciaio strutturale
\
200 Magnesio
o
o 0.04 0.08 0.1~ 0.16 0.20 0.24
DeformazioneE. mm/mm
FIGURA6~25Diagramma peralcunimetallie leghe!DaJ Marìn,"Mechanical

slorzo-deformazione Behavìor
of Engineering
Materia1s·:
Prentice·Hall
1962.p.24].
Confronto dei In Figura 6.25 sono mostrate le curve sforzo-deformazione per alcuni metalli e
diagrammi sforzo- legh/ L'alligazione di un metallo con altri metaUì o con nonmetalli ed i
deformazione trattamenti termici possono avere grande ìnfluenza sulla·resìstenza a trazione e
di alcune leghe su11aduttilità dei metalli. come mostrato in Figura 6,25. Ad esempio il magnesio
puro ha un carico di rottura di 240 MPa, mentre l'acciaio SAE 1340 temprato in
acqua e rinvenuto a 370 °C ha un carico di rottura di 1670 MPa.
Sforzo reale Come detto, lo sforzo nominale viene calcolato dividendo la forza Fapplicata su
e deformazione un provino di trazione per la sua sezione iniziale Ao [Equazione (6.2)]. Poiché la
reale sezione del provino cambia continuamente durante la prova di trazione, lo sfor-
. 202 Capitolo 6
1500 '
-
----
1350
L---*
1200 -
i__..-- ~o reale-deformazionereale F
1050I- L----
L.--- s
_L.---
- /- ~--
if 900 p
:E e
§
.E
f/)
750
600
450 V ---- Sforzo-defonnazione

r--,...._
*
m
m
m
m
m
300
d
150 * denota franura E
i I to
o o
o 0.08 0.16 0.24 0.32 0.40 0.48 0.56 0.64 0.72 0.80 0.88
Sforzo unitario 1
FIGURA6.26 Confronto
tralacurvasforzo-deformazione
realee la curvanominale sforzo-del
ormazione
di unacciaio
a basso
tenore
di
carbonio
[DaH E McGannon(ed.),"TheMakìng,
Shaping,
andTrealing of Steef''.
9thed.,UnitedStates
Sleel,19711.
zo nominale calcolato non è quello reale. In particolare durante la prova. dopo

che sul provino si è verificata 1a strizione (Figura 6.24). lo sforzo nominale
diminuisce all'aumentare delJa deformazione, determinando sulla curva sforzo-
deformazione un massimo nel valore dello sforzo nominale (Figura 6.26). In
realtà, una volta che è iniziata la strizione, lo sforzo reale neHa prova di trazione
è più alto di quello nominale. Definiamo lo sforzo reale e la deformazione reale
nel seguente modo:
, ..
r . . . F {forza media assiale sul provino)
1
s.orzoreaea,= . . . (6.11)
A 1 (valore istantaneo m1mmo di sezione del provino)
.
deformazione reale e 1
. = fii
. -di = In-lilo (6.12)
, .~ , /
0
dove lo è la lunghezza iniziale del tratto utile del provino e I; è 1a lunghezza

istantanea del tratto utile durante la prova. Se assumiamo costante il Volume del
tratto utile del provino durante la prova di trazione, allora loAo /;A;. oppure:
l; Ao
e e;= In-= ln-
lo A;
Lavorazionie proprietà meccaniche dè("inetal!i 203
d: r: 300-- / Policristallo
FlGURA6.27 Curve ~~
sforzo-deformazione
peril ramemonocristallino
e policristallino;
monocristallo
mododaavere
multiplo.
il
è orientato
in
scorrimento
Il policristallo
Jf:";
~- Monocristallo
~
mostra unaresistenza
maggiore a tuttele
detormazìoni.[DaM. o 10 20 30 40
Eisenstadt,"lntroduction
oMechanical Properties Deformazione(%)
otMaterials':Macmiflan,
1971,p.25lfi.
La Figura 6.26 confronta la curva nominale sforzo-deformazione con la curva

reale sforzo-deformazione per un acciaio a basso tenore di carbonio.
I progetti strutturali non sono basati sullo sforzo reale di rottura in quanto,
non appena viene superato il carico di snervamento. il materiale inizia a
deformarsi; i progettisti usano invece il caricò di snervamento allo 0,2%,
corretto con opportuni coefficienti di sicurezza. Nella ricerca. tuttavia, qualche
volta sono necessarie le curve sforzo-deformazione reali.
Eserciziario
Vedi Esercizio6.8.
Effetto Si è visto precedentemente che la struttura dei materiali metallici può subire
di variazioni notevoli variazioni dipendenti dalla presenza di una struttura monocristallina o
strutturali sulle policristallina, dall'incrudimento, daHa formazioni di soluzioni solide, dal
caratteristiche recupero e ricristallizzazione. Nel seguito sono riportati alcuni esempi numerici
meccaniche di tali effetti.
La Figura 6.27 confronta le curve di trazione sforzo-deformazione del rame
non legato monocristallino e policristallino a temperatura ambiente; a tutte le
sollecitazioni il rame policristallino è più resistente del rame monocristallino: ad
esempio al 20% di deformazione lo sforzo sul rame policristallino è di 276 MPa,
mentre sul rame monocristallino è di 55 MPa.
La Figura 6.28 mostra come una deformazione a temperatura ambiente
aumenti il carico di rottura del rame non legato; ad esempio una deformazione
204 Capitolo 6
900
r.
c..
:::s 70% Cu-:30%Zn
e 750
'E
u
E
5, 600 Caricodi rottura /
li;
:.s ~:::,
~~
0
-~
r.
V
450 60 i::
§
u e>
e Cl.
.9
g 300 40
e 5
FIGURA 6.28 Carico
di e
rottura
edallungamento
un ramedisossidatoin
di
-;i
.g 150
/~ 20 .E
fro
e
funzionedellapercentuale
di a / ~monto <
deformazionea freddo.La o,__..,....__ _,___--...1.
__ ' ---...__...
...L-._.......1 __ ...J__.J
deformazioneè espressa o 10 20 30 40 50 60
comeriduzione percentuale Percentualedi deformazionea freddo
dell'area
dellasezione
trasversale
delmetallo.
4:?0r------------------
70'7rCu-30'7i-Zn
350
FIGURA 6.29 Resistenza

e allungamentoa trazionedi
unalega70%Cu-30%Zn in
funzionedellapercentualedi
deformazionea freddo.La
deformazionea freddoè o..__
_ __.__ ..1-_--1. __ ...1.-_....J. __ ...L.....J
espressacomeriduzione o IO 20 30 40 50 60
percentualedell'area
della Percentuale di deformazione a freddo
sezionetrasversaledel
metallo.
del 30% fa aumentare il carico di rottura da 220 MPa a 320 MPa; per altro
associata all'aumento del carico di rottura vi è anche una diminuzione
dell'allungamento percentuale a rottura, indice di diminuita duttilità che
dìminuisce dal 50% al 10%. · · · '
[ Eserciziario
Vedi Esercizio6.9.
Come esempio di rafforzamento per soluzìone solida, consideriamo oltre al
rame non legato una lega 70%Cu~3O%Zn (ottone cartridge). Il carico dì rottura
del rame non legato con il 30% di deformazione a freddo è di 320 MPa (Figura
6.28), invece il carico di rottura della lega 7O%Cu~3O%Zn con lo stesso tasso di
deformazione a rreddo è'"di500 MPa (Figura 6.29); quindi, il rafforzamento per
600
li: 500
:::E
i:
.E
E 400
:.s
e
.!:!
8 300
200 300 400 500 600 700 800 900
Temperatura,
°C
(a)
FIGURA6.30 Effetto E 60
E
dellatemperaturadì ricottura o
Vl
(a)su!caricodi rottura e iil 40
(b)sull'allungamento ~
percentualedi unalamiera"di
85%Cu-15%Zn laminata a
iu 20
E
freddoconriduzione di ~
i;:
sezionedel50%,finoa uno .E:
spessoredi 1 mm,tempo di <
ricottura
1h.[Da"Metats 300 400 500 600 700 800 900
.Handbook': vol.2.9thed., Temperatura,
°C
AmericanSociety torMetals, (b)
1979,p.32{JJ;
206 Capitolo 6
T
soluzione solida ìn questo caso produce un aumento della resistenza del rame di
circa 180 Mpa. ,
Infine, per quanto riguarda l'effetto del ricupero e della ricrìstallìzzazione,
dalla Figura 6.30 si può notare come il carico di rottura di una lamiera di T
spessore 1 mm dì ottone 85%Cu-I 5%Zn laminata a freddo con una riduzione di
sezione del 50%, diminuisèa, a seguito di una ricottura di lh a 400°C, da 520
B
MPa a 31O MPa {Figura 6.30a), mentre invece l'allungamento percentuale a
rottura aumenta dal 3% al 38% (Figura 6.306b).
6.4 DUREZZA E PROVE DI DUREZZA V

,
La durezza è una misura della resistenza di un metallo alla deformazione plastica
permanente. La durezza di un metallo viene misurata comprimendo un
penetratore sulla sua superficie; il penetratore, che è solitamente una sfera, ùna
piramide o un cono, è costituito da un materiale molto più duro del materiale che ~
viene provato, i materiali comunemente usati per i penetratori sono, per esempio,
l'acciaio temprato, il carburo di tungsteno o il diamante. La maggior parte delle
prove di durezza standardizzate prevede la lenta applicazione di un forza nota,
che comprime il penetratore in direzione perpendicolare alla superficie del
R
metallo in prova [Figura 6.31 b (l )]. Dopo aver realizzato l'impronta [Figura
6.31b (2)], i1 penetratore viene tolto dalla superficie [Figura 6.31b (3)], Viene
quindi calcolato o letto direttamente sulla macchina di prova un valore empir1co
di durezza. basato sull'area dell'impronta o sulla sua profondità.
La Tabella 6.2 elenca i tipi di penetratori e di impronte associate alle quattro
più comuni prove di durezza: Brinell. Vickers, Knoop e Rockwell. Il valore deHa
durezza ottenuto con ciascuna di queste prove dipende dalla forma deff impronta
e dalla forza applicata. La Figura 6.32 mostra un moderno durometro Rockwell
che fornisce direttamente il valore di durezza su un quadrante digitale.
Essendo ritàvati in modo sostanzialmente convenzionale, i valori di
durezza ottenuti con metodi diversi o con scale diverse del metodo Rockwell F
non sono correlabili tra loro, se non per mezzo di tabelle di conversione di tipo
prettamente sperimentale e valide per singole classi di materiali.
Inoltre poiché la durezza di un metallo dipende dalla facilità con cui esso sì
deforma plasticamente; per singole classi ai materiali si possono determinare
empiricamente delle correlazioni tra durezza e resistenza meccanica, in
particolare carico di rottura; questo tipo di correlazioni è molto utile in
quanto la prova di durezza è molto più semplice da. realizzare della prova di
trazione, e può essere praticamente di tipo non distruttivo {cioè la piccola
impronta del penetratore può non essere dannosa ai fini dell'utilizzo di un
oggetto); per queste ragioni, nell'industria si fa un ampio ricorso alla prova di
durezza sia per avere una stima delle caratteristiche di resistenza di un materiale,
TABELLA6.2 Prove di durezza
Forma del penetratore

Formula per il calcolo
Test Vista laterale Vista dall'alto Carico Penetratore della durezza
1-n:j
--19~ p 2P
BHN
~Q-
Brinell Sfera da 10mm
di acciaio o 7tD(D- ..JD2-cJ2)
carburo dl
tungsteno
Vickers p Piramìdedì VHN = 1.72P

diamante
~~~g~urezzaI J· !f p Piramidedì KHN = 1~2P
-=-- _;;;.;:::::::
t
--4
l.b=?.11
b.t=4.00
1?,-I
1 . [ b diamante
Rockwell
g}
60 kg Cono di diamante
A,=}
~ o
150 kg Re= 100-5001
100 kg Ro =
n Q,L,
- z:::=_j_
100 kg Sferadi acciaio
60kg
150kg dì diametro~ in Ra=}
R.::=
R~= 130-5001
E - L..L
t
o 100 kg Sfera di acciaio
i
di diametro in
Re=
Fonte:Da H. W. Hayden,W. G. Moffatt,and J. Wulff,"The structureand Propertiesof Materials",voi. lii, Wiley, 1965, p. 12.
sia come semplice metodo di controllo di qualità, in particolare per verificare

l'efficacia di trattamenti di indurimento dei materiali.
208 Capitolo6
Penetrat(J'e
Superficie·
del provin~
-o ·
.:x'.'\..~
{I ) U penetratore
è sopra
la superficiedel provino
I
(2) Il penetratore sono
il carico prescelto penetra
la superficiedel provin<'
FIGURA6.31 (a)
Durometro Rockwell [Per
concessione dellaPage~
Wi/sonCo;].(b)SeQuenza
perla misura delladurezza
conunpenetralore conicodi
diamante;la profonditàtè (2) li penetratore viene
. inversamentecorrelata alla rimosso.dalla superlìde del
provinolasciandol'impronta
durezzadelmateriale:
Quantominore è t tantopiù (b)
è duro.
il materiale
6.5 ROTTURA DEI METALLI
La rottura è la separazione in due o più parti di un solido sollecitato. In generale

la rottura dei metalli può essere classificata in duttile o fragile, ma può essere
anche mista, cioè un insieme delle due. La rottura duttile di un metallo av,icnc
dopo una estesa deformazione plastica ed è caratterìzzata da basse velocil,t dì
propagazione della rottura. La rouura fragile, invece, avanza di solito lungo
piani cristallografici caratteristici chiamati piani di clivaggio e si propaga
rapidamente. La Figura 6.32 mostra un esempio di rottura duttile in un provino
di lega di alluminio.
Rottura dutti!e Come detto. la rottura duttile di un metallo avviene dopo una profonda
defomiazione plastica. Per semplicità, consideriamo la rottura duttile dì un
provino di trazione cilindrico (diametro 12,5 mm). Se viene applicata una
Lavorazioni e proprietà meccaniche dei metalli · 209
FIGURA6.32 Rottura
duttilea coppa-cono
d.iunalegadi alluminio.
sollecitazione che supera il suo carico di rottura. e viene mantenuta abbastanza a

lungo, il provino si romperà. Si possono individuare .,tre stadi distinti nella
rottura duttile: (1) sul provino inizia la strizione e si nucleano dei microvuoti
all'interno della zona strizionata (Figura 6.33a e b); (2) i microvuoti coalescono
formando una cricca nel centro del provino che propaga verso la superficie in
direzione perpendicolare allo sforzo applicato (Figura 6.33c); (3) quando la
cricca si avvicina alla superficie, la sua direzione si inclina dì 45° rispetto all'asse.
dì trazione e si verifica una rottura di tipo coppa-cono (Figura 6.33d ed e). La
Figura 6.34 mostra delle cricche interne alla regione di strizione di un provino
deformato di rame ad alto grado di purezza.
Rottura fragile Molti materiali metallici si rompono in modo fragile, con deformazione plastica
molto limitata. Di solito la rottura fragile avanza lungo caratteristici piani
cristallografici detti piani di clivaggio sotto l'azione di una sollecitazione
normale al piano di clivaggio stesso .. Molti metalli con struttura cri.stallina di
tipo EC manifestano una rottura fragile a causa del loro limitato numero di
piani di scorrimento. Per esempio, un monocristaHo dì zinco sottoposto ad un
elevato sforzo in direzione normale ai piani (000I) si rompe in modo fragile. A
bassa temperatura e ad alte velocità di deformazione, anche molti metalli con
struttura di tipo CCC come il ferro-a:, il molibdeno e il t1.t~gsteno si rompono in
modo fragile.
La maggìor parte delle rotture fragili nei metalli polìcristaHini sono
transgranulari, cioè le cricche propagano attraverso la matrice deì grani.
Comunque la rottura fragile può avvenire in modo intergranulare se i bordi di
grano sono soggetti a particolari fenomeni di corrosione, oppure se la regione
del bordo dì grano è stata ìnfragilita dalla segregazione di elementi dannosi.
21 O Capitolo 6
t,
i+-. ·1:!
·"··
t +
(a) (b) (e).
FIGURA 6.33 Stadidella

formazione di unarottura
duttilea coppa-cono.[Da
"MechanicalMetaf!urgy';
2nded.,McGraw-Hill, 1976, (d) (e)
p.2781.
FIGURA 6.34 Cricche

interne
presenti nella
regionedi strizione
di un
provinopolicristallino
di
rameadaltogradodi
purezza.
(Ingrandimento
9x). (DaK E Puttick,
Philas.Mag.4:964(1959)].
Si ritiene che la rottura fragile nei metalli avvenga in tre fasi.

1. La deformazione plastica concentra le dislocazioni in corrispondenza a
ostacoli sui piani dì scorrimento.
2. Nelle zone in cui le dislocazioni sono bloccate, si instaurano sforzi di taglio
che nuc]eano delle microcricche.
3. Le microcricche propagano per azione di ulteriori solJecitazioni a cui si può
aggiungere il contributo dell'energìa di deformazione elastica immagazzina~
ta, che si libera durante la propagazione della microcricche.
Basse temperature e alte velocità di deformazione favoriscono la rottura

fragile. Anche uno stato di sforzo triassiale come quello esistente nella zona
circostante un intaglio, può favorire la rottura fragile.
Tenacità e prova La tenacità è una misura della quantità di energia che un materiale è in grado di
di resilienza assorbire prima di giungere a rottura; questa proprietà è di notevole importanza
tecnologica in relazione all'attitudine di un materiale a resistere ad una
solJecitazione d'urto senza rompersi. Uno dei metodi più semplici per misurare
la tenacità è la prova di resilienza. In Figura 6.:35è riportato lo schema di una
apparecchiatura standard per prove di resilienza. La prova si realizza
posizionando un provino con un intaglio {di tipo Charpy V, come mostrato
nella parte superiore della Figura 6.35. o anche di tipo ad U, ad U profonda e a
buco di chiave) tra gli appoggi paralleli della macchina; successivamente un
pendolo pesante viene lasciato cadere da un·attezza nota. che colpisce il provino
rompendolo. Nota la massa del pendolo e la diff ere.nza tra la altez7..ainiziale e
quella finale che il pendolo raggiunge dopo aver rotto il provino, si calcola
l'energia assorbita dal provini per rompersi. La Figura 6.36 mostra l'effetto
della temperatura sull'energia assorbha da alcuni materiali metallici.
Questa prova può essere utìlizzata per determinare .l'intervallo di
temperatura in cui awiene il passaggio da un comportamento di tipo duttile ad
un comportamento di tipo fragile (transizione duttile-fragile) dei vari materiali
metallici, effettuando prove a temperature via v1a ·aeé:rescenti. Si può osservare ad
esempio dai dati riportati in Figura 6.37 come il contenuto di carbonio negli
acciai ricotti modifichi la transizione duttile-fragile: gli acciai a basso tenore di
carbonio hanno la transizione a temperature inferiori e con un intervallo di
variazione più stretto rispetto agli acciai ad alto tenore di carbonio; inoltre gli
acciai ad alto tenore di carbonio in condizioni di comportamento duttile sono in
grado di assorbire molta meno energia di que1lì a basso tenore di carbonio.
Sono state sviluppate altre prove più sofisticate per misurare la tenacità dei
metalli e delle leghe, ma la loro discussione va al di là degli scopi di questo Hbro.
Tenacità a frattura Le prove di resilienza, come quella descritta in precedenza, forniscono degli utili
dati quantitativi di confronto, utilizzando dei provini e delle attrezzature
relativamente semplici. Queste prove tuttavìa non permettono di fornire
212 Capitolo 6
11
l1
11
l1
l1
1.,
Posìzionefinale 1:1
dopo il colpo , ,
,- - ,!1
\ \
\ \
~ ......< ~ •
\ '>-
, ...._ ,,,,/' ~
FIGURA 6.35 Schema di
unapparecchiatura standard
perprovedi resilienza.[Da
H. w Hayden; w G.Moffatt
e J. Wulff."TheStructure
andProperties ofMateriats·:
voi.lii, Wiley,1985.p.13].
parametri di progetto utilizzabili nel caso in cui i componenti metaHìci in esame

contengano cricche o difetti. Informazioni di questo tipo sf ottengono dalla
meccanica della frattura, metodologia che consente la realizzazione di analisi
teoriche e sperimentali sulla stabilità strutturale, o viceversa rottura, di materia lì
contenenti cricche e difetti. In questo libro ci si concentrerà sulla proprietà di
tenacità a frattura studiate dalla meccanièa della frattura, mostrando come essa
possa essere applicata ad alcune semplici situazioni di progetto.
È opportuno sottolineare che i termini rottura e frattura sono
sostanzialmente analoghi; l'uso comune, a cui ci atterremo in questo lil:>ro,
vuole tuttavia che si usi il termine rottura quando si parla di carico di rottura.
rottura duttile, rottura fragile, rottura per fatica e rottura per creep, e invece il
termine frattura quando si parla di tenacità a frattura e meccanica della frattura.
La frattura di un metano, e comunque di ogni materiale, ìnizia nella zona in
Lavorazionie proprietà meccaniche.dei metalli 213
Più
duttile
t
I Metallo CCC a bassa resistenza,
(Lipoacciai di basso carbonio);
materiali tennoplastìci
Più
fragile l Leghe ad alta resistenza
FIGURA 6.36 Effetto

suUa
dellatemperatura Temperatura ---+--
resilienza
di varimateriali
metallici.
300
0,01 O.I I
200
<:i
'§
~
LlJ
100
FIGURA 6;37 Effetto del

contenuto di carbonio
sull'andamento dellacurva -200 -100 O 100 200
di resilienza
in funzione
Temperatura. °C
dellatemperatura di acciai
ricotti.[DaJ;A. Rinebolte
W H. Harris,Trans.
ASM,
43:1175
(1951}].
214 Capitolo 6
)'
F F
t
CJ
amassimo
o
·;::; / a snervamento
É ~
z~x
t ~
Apice della
F F cricca
(a) (b)
FIGURA6.38 Provinodìunalegametallicasottoposta
atrazione
assiale
(a)concriccadi lunghezzaa sullato,(b)concricca
dì lunghezza
(e)Diagramma
2aalcentro. delladistribuzione
deglisforzi.
infunzione
delladistanza
dall'apicedellacricca:
losforzo è massimo
all'apice
della
cricca.
cui la concentrazione degli sforzi è massima, come ad esempio avviene

all'apice di una cricça acuta. Consideriamo un provino piano sollecitato a
trazione che contiene una cricca su un lato (Figura 6.38a); oppure nella zona
centrale (Figùra 6.38b), che interessa tutto lo spessore del provino: : ,
sollecitazione risulta massima in corrispondenza all'apice della cricca acuta.
come indicato in Figura 6.38c.
L'intensità dello sforzo all'apice della cricca dipende sia dallo sforzo
nominale applicato che dalla lunghezza della cricca stessa. Per esprimere la
combinazione degli effetti dello sforzo all'apice della cricca e della lunghezza
della cricca, si ricorre al fattore di intensità degli sforzi K1; l'indice I (che si legge
"prim'o") indica la modalità I di prova, in cui uno sforzo di trazione provoca
l'apertura della cricca. Sperimentalmente, nel caso dì sollecitazione di trazione
assiale su una lastra di metallo contenente un intaglio o una cricca su un lato o
al centro (prova di tipo I), si è trovato che:
(6.13)
dove: K1 fattore di intensità degli sforzi

(J' sforzo nominale applicato
a lunghezza della cricca se su un lato oppure semilunghezza
della cricca se al centro
y = costante geometrica adimensionale avente ordine di grandez-
za di L
Intaglio
,- • · \ meccanico
FIGURA6.39 Prova di
tenacità
a trattura
conun
provinodi Upo"compact-
e in condizioni
tensìon" di
deformazionepiana:
(a)dimensioni delprovino;
(b} provinonelmomento
delraggiungimento della
(a)
condizionecritica.[Per
concessione dellaWhite
She/1Research].
Il valore critico del fattore di intensità degli sforzi che causa la fraitura del
provino viene chiamato tenacità a frattura K1c del materiale, che può essere
calcolato, noto lo sforzo di rottura a1 e la lunghezza della cricca a, per cricca su
un lato (semilunghezza nel caso di cricca al centro):
(6.14)
I valori della tenacità a frattura (K1c) sono espressi, in unità SI, in MPay'nl. La
Figura 6.39a mostra schematicamente un provino di tipo "compact-tension •·
per prove di tenacità a frattura. Per ottenere valori costanti di K1c )o spessore B
del provino deve essere relativamente elevato, in modo da essere in condizioni
dette di deformazione piana, che fanno sì che durante la prova non ci sìano
deformazioni nella direzione dell'intaglio (cioè nella direzione zdi Figura 6.39a).
Si è ìn condizioni di deformazione piana quando B 2: 215 · (K1c/ Rs)2, dove B è
lo spessore del provino (in m) e Rs il carico di snervamento (in MPa). Si noti che
il provino per la prova di tenacità a frattura ha un intaglio ottenuto per
lavorazione meccanica, all'apice del quale viene fatta propagare per circa 3 mm
una cricca di fatica, in modo da garantire la presenza di un difetto molto acuto e
216 Capitolo 6
TABELLA6.3 Valori tipici di tenacità a frattura per alcune leghe
Carico di
,
K,c sn.ervamento
Materiale MPa.Jm MPa
Leghe di alluminio:
2024-T851 26.4 455
7075-T651 24.2 495
7178-T651 23.1 570
Lega dì titanio:
Ti-6A1-4V 55 1035
Acciai legati:
4340 {acciaiobasso legato) 60.4 1515 1
17•7 pH (indurenteper
precipitazione) 76.9 1435
Acciaio maraging350 55 1550
Fonte: R. W. Herzberg, "Deiormatìn and Fracture Mechanìcsof

EngineeringMaterials'', 3d ed., Wiley, 1989.
riproducibile. La Figura 6.39b mostra un provino per prove di tenacità a

frattura al momento dell'avanzamento. critico della cricca.
l valori di tenacità a frattura dei materiali sono utili nella progettazione
meccanjca, in particolare quando si lavora con materiali di ridotta tenacità
duttilità, come le leghe di alluminio ad alta resistenza, gli acciaj e le leghe ò
titanio; la Tabella 6.3 elenca i valori di K 1c di alcune di queste leghe. I materiali
che mostrano poca deformazione plastica prima della frattura hanno dei valori
di tenacità a frattura relativamente bassi e tendono ad essere più fragi1i, mentre
quelli con valori di K1c più ahi sono più duttili, J valori di tenacità a frattura
possono essere usati nella progettazione meccanica per predire le dimensioni
ammissibili dei difetti nel1e leghe con ridotta duttilità in presenza di condizioni
note di sollecitazione. ,~
Eserciziario
Vedi Esercizio6.i O.
6.6 FATICA DEI METALLI
In molte applicazioni i componenti metallici, soggetti a sollecitazioni ripetitive o

cicliche. si possono rompere pur se soggette d uno sforzo molto inferiore a quello
FIGURA6.40 Frattografia
dellasuperficie di rotturaper
faticadi unalbero di acciaio
1040(durezza ,.,,.30
Rockwell C)conlasedeper
unachiavetta. Lacriccadi
faticasi è innescata
nell'angolo sinistrodella
sedeperla chiavetta edha
interessato quasil'intera
sezione trasversale prima
cheavvenisse ia rottura
finale(Ingrandimento
17/ 8 x). [Da"Metals
Handbook': vol.9,8thed.,
1974,p;389J.
che il componente può sopportare in condizioni di sollecitazione statica; queste

rotture sono chiamate rotture per fatica. Esempi di componenti dì macchine in
cui le rotture per fatica sono comuni~ sono parti in movimento quali alberi,
bielle e ingranaggi; alcune valutazioni attribuiscono alla fatica circo 1'80% delle
rotture che si verificano sui macchinari in genera1e.
Una tipica rottura per fatica di un albero di acciaio contenente la sede per
una chiavetta è mostrata in Figura 6.40; la rottura per fatica si innesca di solito in
un punto di concentrazione degli sforzi, come appunto un intaglio o un angolo
acuto (Figura 6.40) oppure in corrispondenza a inclusioni o difetti metallurgici.
Una volta nucleata, la cricca si propaga attraverso il componente per effetto
deila sollecitazione ciclica o ripetuta; durante questo stadio del processo di fatica,
si creano sulla superficie di rottura delle linee di progressivo avanzamento della
cricca, dette linee di spiaggia, come mostrato in Figura 6.40. AHa fine, la sezione
residua si è cosìridotta da non poter più sopportare la sò1Jecitazìone e avviene la
rottura finale. Pertanto sulla superficie di rottura si p~ssono individuare due
zone ben distinte: (1) una regione con la superficie liscia dovuta all'azione di
sfregamento tra le superfici della cricca quando questa propaga attraverso la
sezione, con presenza in genere di linee di spiaggia, e (2) un 'area con superficie
rugosa, formata dalla rottura finale quando la sollecitazione diventa troppo alto
per la sezione residua. Nella cricca di Figura 6.40 si nota come la cricca di fatica
sì sia propagata quasi per l'intera sezione trasversale prima che sopraggiungesse
218 Capitolo 6
FIGURA 6.41 Schema di

unamacchina perprovedì
faticaa flessione
rotante.
[Da
H. w Hayden, W G.Moffatt
e J. Wu!ff,"TheStructure
andProperties ot Materials';
voi.lii,Wiley,1965,p.15].
la rottura . finale, ciò è indice dì sollecitazione relativamente bassa e

probabilmente alto numero di cicli di sollecitazione prima della rottura.
Sono disponibili diversi tipi di prova per determinare la resistenza a fatica
di un materiale; la prova a fatica più comunemente usata su piccola scala è la
prova a flessione rotante, in cui un provino viene posto in rotazione e soggetto a
una forza perpendicolare all'asse di rotazione che, a seguito della rotazione del
privino, genera sulle fibre esterne del provino sforzi alternati di trazionr
compressione di uguale ampiezza (Figura 6.41). Uno schizzo del provino usaw
per le prove di fatica a flessione rotante è mostrato in Figura 6.42~ il provino
nella parte centrale ha forma a clessidra e deve essere accuratamente lucidato. I
6MA
FIGURA 6.42 Provino

R
perprovedi faticaa Cono 3.75 su IO
flessione
rotante[Da
"Manual on Fatigue D = dà 5 a 1O mm ìn base al carico di rottura del materiale
Testing':
American Society R = da 90 a 250 mm
tor Testing
andMaterials, Dimensioni in mm
1949j.
Banda di
dispersione
400
Limite di
f
"E- fatica
FIGURA6.43 Risultati di
provedi faticain un
diagramma sforzoapplicato- Legadi alluminio
ciclia rottura(o- N) di 2014-T6
unalegadi alluminio 2014-
T6e dì unacciaio con
medio tenore di carbonio o..__
_____
.___ ___.
__ ___._
__ __,_
__ __.__'----......_
_____ _.___,
AISI1047.[DaH. W.
J03 JQ-1 1Q5 JOO 107 JOS 1Q9 JOlò
Hayden, W G.Moffatte J.
Numerodi cicli
Wultt.'1heStructure and
PropertiesotMaterials': voi.
lii, Wiley,1965, p.15].
risultati di varie prove vengono riportati in un diagramma, detto a - N, in cui lo

sforzo ( applicato al provino è riportato in funzione del numero di cicli N dopo i
quali avviene la rottura. La Figura 6.43 mostra le tìpìche curve a - N di un
acciaio ad alto tenore di carbonio e di una lega di alluminio ad alta resistenza. Per
la lega di alluminio, lo sforzo che provoca la rottura diminuisce all'aumentare del
numero di cicli; per l'acciaio al carbonio invece~all'aumentare del numero di cicli
si ha dapprima una diminuzione della resistenza a fatica e poi la curva tende ad
un asintoto orizzontale, al di sotto del quale non sia ha più diminuzione della
resistenza a fatica all'aumentare del numero di cicli; il valore di sforzo in
corrispondenza dell'asintoto viene chiamato lim.iledi fatica o di durata, e di solito
si manifesta tra 106 e 1010 ciclL Molte leghe ferrose mostrano un limite di fatica
pari a circa la metà del loro carico di rottura. Invece le leghe non ferrose, come Je
leghe di alluminio, non hanno un preciso limite di fatica (Figura 6.43) e possono
avere resistenze a fatica anche pari a un terzo del loro carico di rottura.
Sollecitazionicicliche La sollecitazione a fatica effettivamente applicata può

essere molto variabile sia nelle.situazioni reali, sia nelle varie metodologie di
prova possibili~. Molte metodologie di prova a fatica, di interesse sia industriale
che di ricerca~ prevedono sforzi assiali, di torsione e di flessione. La Figura 6.44
mostra gli andamenti della sollecitazione di fatica in funzione del numero di cicli
per tre prove cicliche di fatica. La Figura 6.44amostra un ciclo di sollecitazioni
220 Capitolo 6
Cicli--),,,-
(a) (b)
FIGURA 6.44 Tipici

andamenti della
sollecitazione
a fatìcain
funzione deicicli.(a)ciclo
alternatosimmetrico con
amaxe Omin ugualiin valore
assoluto,(b}ciclopulsatorio Cicli--+o-
conamaxe am1ndisuguali,
<c)
(e) cìclocasuale.
alternato simmetrico di forma sinusoidale; questo andamento è tipico di un

albero rotante che lavora a velocità costante senza sovraccarichi .. Un andamento
di questo tipo è ottenuto con le apparecchiature a flessione rotante, come quella
mostrata in Figura 6.41, in cui la sollecitazione massima e quella minima sono
uguali in valore assoìuto, ma di segno opposto. Si ricorda che per definizione gli
sforzi di trazione sono considerati positivi mentre gli sforzi'ai compressione
negativi, e che lo sforzo massimo (crmax)ha il valore algebrico più alto, mentre lo
sforzo minimo (umin) quello più basso.
La Fismra 6.44b mostra invece un ciclo di sollecitazioni pulsatori o in cui lo
sforzo ma;simo (o-nm) e lo sforzo minimo fomin) sono entrambi di trazione.
Sono anche possibili altre situazioni, in cui gJi sforzi possono essere uno di
trazione ed uno di compressione con valori assoluti disuguali, uno di trazione e
l'altro pari a zero, entrambi di compressione, ecc. Infine, uno sforzo cicHco può
variare. casualmente in ampiezza e frequenza. come mostrato in Figura 6.44c;in
questo caso si parla di spettro di sollecitazione.
I diversi cicli possono essere caratterizzati per mezzo di una serie di
parametri:
Lavorazionie proprietà meccaniche dei metaÌ!i 221
1. Lo sforzo medio am, media algebrica degli sforzi massimo e minimo nel ciclo
a fatica.
+
O"max O"min
O'm = 2 (6.15)
2. L'intervallo del ciclo di sforzo Clr. differenza tra a max e O"min·
<h = O'max- O'min (6.16)
3. L'ampiezza del ciclo di sforzo aa è la metà delrintervalio degli sforzi.

CTr Gmax - O"min
O"a =2 = 2 (6.17)
4. Il rapporto R, rapporto tra gli sforzi minimo e massimo.
R = O"mìn (6.18)
O-max
Principalicambiamentistrutturaliche avvengonoin un metallo duttilenel processo

di fatica Quando un provino di un metallo duttile omogeneo è sottoposto a
sollecitazioni cicliche, avvengono i seguenti principali cambiamenti strutturali
durante il processo di fatica:
l. Innesco della cricca. È il primo sviluppo del danno di fatica.

2. Crescita della cricca lungo le bande discorrimento. L'ìnnesco della cricca
avviene perché la deformazione plastica non è un processo completamente
reversibile. Deformazioni plastiche che si ripetono in senso opposto
provocano la formazione sulla superficie del provino metaUico di creste e
gole, chiamate estrusioni di bande di scorrimento e intrusioni di bande di
scorrimento (Figura 6.45), nonché dei danni all'interno del metallo lungo
bande dì scorrimento preesistenti. Le irregolarità sulla superficie e i dan-ni
lungo le bande di scorrimento preesistenti provocano la formazione di
cricche alla superficie o vicino alla superficie, che si propagano poi nel
provino lungo i piani soggetti ad alti sforzi di taglio. Questo è detto stadio I
della crescita della cricca di fatica e 1a velocità di cr~scita della cricca è di
solito molto bassa (per esempio. 10 10 m/ciclo).
3. Crescita della cricca lungo piani soggetti ad alti sforzi di trazione. Durante lo
stadio I, la cricca può crescere in un metallo policristallino solo per
un'estensione pari a pochi diametri di grano prima che la sua direzione cambi
per orientarsi perpendicolare alla direzione del massimo sforzo dì trazione
agente sul provino. In questo stadio II di crescita della cricca, una cricca ben
222 Capitolo 6
FIGURA6.45
Meccanismo di formazione
delleestrusionie delle
intrusioni
di bande di
scorrimento.[DaA. H.
Cottrell
e D.Hull,Proc.R.
Soc.London, 242A:211#213
(1957l
definita propaga ad una velocità molto elevata (per esempio w-10 miciclo}
creando delle striature di fatica (Figura 6.40). Queste striature sono utili nelle
analisi delle rotture per fatica per la determinazìone dell'innesco e della
direzione di propagazione delle cricche di fatica.
4. Rottura duttile. Infine, quando la cricca si è estesa lungo un'area sufficiente
per far sì che la sezione trasversale resistente del provini non sia più in grado
di sopportare la sollecitazione applicata, il campione si rompe per rottura
duttile.
Principali fattori che influenzano la resistenza a fatica di un metallo La

resistenza a fatica di un metano o di una lega è influenzata anche da fa:;c,rì
diversi dalla composizione chimica del metallo stesso; alcuni dei più imporL:ntì
sono:
1. Concentrazione degli sforzi. La resistenza a fatica è notevolmente ridotta

dalla presenza di fattori che determinano intensificazione degli sforzi come
intagli, fori, sedi di chiavette o cambiamenti bruschi nella sezione trasversale.
P.er esempio, la rottura a fatica di un albero di acciaio mostrata in Figura
6.40 si è innescata in corrispondenza ad una sede della ch1àvetta. Le rotture
per fatica possono essere minimizzate con un accurato progetto che eviti
ovunque possibile intensificatori di sollecitazione.
2. Rugosità superficiale. In generale, migliore è la finitura superficiale del
provino di metallo, più è alta la resistenza alla fatica. Superfici rugose creano
punti di intensificazione degli sfofzi che facilitano la formazione _dicricche da
fatica.
3. Condizione superficiale. Dal momento che la maggior parte delle rotture a
fatica si originano dalla superficie del metallo, qualsiasi cambiamento
significativo delle condizioni superficiali influenza la resistenza a fatica del
metallo. Per esempio, i trattamenti di indurimento superficiale degli acciai,
come la cementazione e la nitrurazione, che induriscono la superficie,
Lavorazioni e proprietà meccaniche d~i·metalli 223
aumentano la vita a fatica. La decarburazione, invece, che addolcisce una

superficie dì acciaio trattato termicamente, ne diminuisce la vita a fatica.
Anche l'introduzione di una opportuna distribuzione residua di sforzi di
compressione sulla superficie metallica, ottenuta ad esempio con trattamenti
di rullatura o pallinatura, aumenta 1a vita dei provini sottoposti a fatica.
4. Ambiente corrosivo. Se un componente soggetto a fatica opera in un ambiente
corrosivo, la sua resistenza a fatica può diminuire sia perché viene facilitato
l'innesco della cricca per effetto della corrosione superficiale, sia può essere
aumentata la velocità di propagazione della cricca se fa corrosione determina
infragilimento del materiale. La combinazione di una attacco corrosivo e di
sforzi ciclici su un metallo è detta corrosione fatica.
6.7 VELOCITÀ DI PROPAGAZIONE DELLE CRICCHE DI FATICA
La maggior parte dei dati riguardanti la fatica ad alto numero di cicli (cioè con
vita a fatica maggiore di 104 o 105 cicli) dei metalli e delle leghe si riferisce al
legan'ie tra sforzo nominale e numero di cicli, cioè alle curve a N, come quelle
mostrate in Figura 6.43. Per realizzare queste prove si usano di solito provini
lisci o intagliati ed è pertanto difficile distinguere tra l'innesco e la propagazione
deBa cricca di fatica .. Sono state pertanto sviluppate metodologie dì prova
adatte per valutare la vita a fatica dei materiali associata alla presenza di difetti.
Difetti o cricche preesistenti all'interno di un componente infatti riducono o
possono completamente eliminare la fase di innesco della cricca; pertanto ia
durata a fatica di un componente contenente difetti può essere notevolmente più
breve della durata di uno senza difetti. In questo paragrafo si utilizzeranno le
metodologie tipiche della meccanica della frattura per sviluppare una relazione
che consenta di prevedere la çlurata a fatica in un materiale contenente un
difetto sottoposto a condizioni di soJlecitazione cicliche.
In Figura 6.46 è mostrato un sistema sperimentale per realizzare prove di
velocità di propagazione di cricche di fatica su provini di tipo CT ("compact-
tension'') contenenti una cricca iniziale di lunghezza nota. Si applica
verticalmente, mediante opportuna apparecchiatura di carico, una sollecitazio-
ne ciclica di intervallo costante che determina una variazione di sforzo nominale
sulla sezione resistente del provino pari a ~a, l'applicazione della forza ciclica
determina nel tempo la propagazione della cricca in direzione orizzontale· una
particolare strumentazione fa circolare nel provino una corrente costa~te e
~isura la t_ensioneassociata, che si modifica man mano che 1a cricca sj propaga;
11valore d1 potenziale misurato viene poi correlato aJla ]unahezza della cricca
che può essere così monitorata in funzione del numero di cicli (per uno valore di
sforzo nominale ~a)~ ottenendo curve come quelle riportate in Figura 6.47.
224 Capitolo 6
Cella di carico
Traversa fissa
Entrata della camera

termostatica
Spìnottidi
FIGURA6.46 Schema di caricoisolati
Generatore
unsistema di monìloraggìo dì corrente
dellalunghezza dellacricca, continua
mediante la misuradella stabilizzata
a50A
variazionedi tensione
connessa allaapplicazione
di unacorrente costantesu
un provino CTsollecitato a
1atica
applicando una
sollecitazioneciclica
[Da"Metals
costante. Nano o Reeislratore
microvoltmetro à carta
Handbook'; vol.8;9thed.,
American Soclety torMetals, Controllo
1985, p.388'J. della variazione
Correlazione Esaminiamo ora come sia possibile elaborare dati di lunghezza della cricca in
tra velocità funzione del numero di cicli, ottenuti con il sistema mostrato, o anche con ahri
di propagazione più semplici basati su misure ottiche. Per ogni coppia di dati a - N è possibile
e variazione del calcolare la velocità di propagazione della cricca dc1/dN rispetto a una
fattore di intensità precedente coppia di dati, ed è anche possibile calcolare, essendo noti l::.CJ ed
degli sforzi a, il valo.re del AK1 agente, in analogia a quanto fatto nella (6.13) semplicemente
sostituendo l::.K1a K1 e Acr a cr, e pertanto come:
(6.19)
Dìagrammando in scala bilogaritmica da/dN in funi'iòne di AK1 si

ottengono dei grafici come quello riportato in Figura 6.48; ripetendo le
operazioni anche per diversi livelli di sforzo applicato (Figura 6.47), si osserva
sperimentalmente che. tutti i dati ottenuti sullo stesso. materiale si
sovrappongono molto bene tra loro. ·
Il grafico di Figura 6.48 è diviso in tre regioni: la regìone I in cui la velocità
di crescita della cricca a fatica è molto bassa, la regione II in cui il grafico ha
andamento rettilineo e la regione Hl in cui avviene la crescita instabile della
cricca, che porta a11arottura del provino quando si raggiunge il valore di K1c,
Il valore limite di aK 1 al di sotto del quale non è possibile misurare crescita
della cricca è chiamato valore di soglia della variazione del fattore intensità degli
sforzi AK1th·
Lavorazioni e proprietà meccanictie dei metalli 225
ill1
FIGURA6.47 (a)Provino f!Q.\
tipoCTsottoposto (dN},.
a sollecitazione
ciclica.
(b)Graficodellalunghezza
dellacriccain funzionedel
numero di cicliperdue
diversi
valoridi amaxpari N, numerodeicicli di sollecitazione
a a1 e u2, cona2 > o-, (a) (b)
e adR prefissato
Nella regione IL come visto, si ha una correlazione lineare in scala

bilogaritmica tra velocità di propagazione della cricca da/dN e variazione del
fattore di intensità degli sforzi AK1; si può conseguentemente descrivere questo
comportamento mediante una legge. nota come legge di Paris. del tipo: _
da ,\ vm
dN= A ~i\. (6.20)
dove: da/dN= velocità di crescita della cricca a fatica, mm/ciclo

AK variazione del fattore di intensità di sforzo K(AK = Kmax-
Kmin= YAO"yria),MPav 1 in
A,m = costanti funzione del materiale, dell'ambiente, della frequen~
za, della temperatura e del rapporto R, in cui m varia in
genere tra 2,5 e 6.
Calcolo della vita Qualche volta se si è ìn presenza di un componente che contiene un difetto può
a fatica essere molto utile riuscire a predirne 1a vita a fatica; ciò anche per poter decìdere
in merito alla sua immediata sostituzione o al suo manteri1rnento in esercizio per
lo meno fino alla prossima verifica programmata In realtà, anche se può
sembrare strano questo tipo dì approccio è utilizzato soprattutto nelle strutture
aeronautiche; una progettazione "in presenza di difetti" consente infatti di
sottodimensionare una struttura rispetto a quella che si .realizza con una
progettazione tradizionale, consentendo in particolare nelle strutture aeronauti-
che risparmi di peso, che si trasformano poi in risparmi di potenza dei motori e
di consumo di carburante. La progettazione "in presenza di difetti", che richie-
226 Capitolo 6
#:-
Variazione del fanore intensitààello sforzo (AK), ksi vin
10 20 so ioo
I I I I
10-2 o
-
o
,ç W- JQ-4
)&}
e JO-
3
~ : ~-
eEu ,..Q ~
Regione 1: ~-, o ,: - I
.-bassa velocità
di propagazione !Y!..
= C(LlK)i• :
dN
: àu I I
I
:
:
d Regione~: l.._
propagazione: -
,f;
5
i--AK,1,
o
·(#rJ;JJ
instabile
apida
:
della cricca ·-:- -
Jf
' -
FIGURA 6.48
I'
Il Regione 2: regione con
omportamemosecondo- -
: p una legge di potenza
Propagazione di unacricca
10-(>
:_,io
di faticaperl'acciaio
ASTM ~p
A533B1(carico di
sneivarnento470MPa). !& -
Condizìoni di prova:R = 18'
,,
0,10;temperatura ambiente.
[DaP. C.Parisetal.,Stress IO-7 8
Analysis andGrowth of 6 $ IO 20 30 40 50 60 80 100
Cracks, STP513, ASTM, Variuzionedel fattore intensità dello sforzo (t.KJ, MPa
Philadelphia, 1972,pp.141-
1161.
dc per altro e ovviamente gra~de affidab.i1ità pr?gett~a!e e rìgor~ nei con~r~llì

periodici, è resa possibile dalla combinazione dei dati ngu~rdant1 la te~acita a
. rattura con quelli di velocità di propagazione della cricca per fatica, pe~
f:
·
ottenere un'equazione che può essere usata per stimare .d.ua a ..f:~uca
· r.es1
la vita . d1
un componente contenente un difetto. Senza aver la pretesa d: fare un ~1scors0
esaustivo, ci limiteremo in questa sede a dare un esempio dr come c10 possa
essere fatto.
Lavorazionì e proprietà meccanichErdei metalli 227
Una equazione per calcolare la vita · a fatica può essere sviluppata

integrando l'Equazione (6.20), da/dN = AAJ(ID, tra la dimensione iniziale
della cricca (difetto) ao, che si ipotizza noto, e la dimensione critica della cricca
(difetto) a1 in corrispondenza alla quale avverrebbe la rottura dì schianto,
ottenibile in base ai dati di tenacità a frattura, cioè al valore di K1c. Si ipotizzi
inoltre per semplicità che Acr = Gmax = a.
Partiamo con l'Equazione {6.20):
da =A A.K" (6.20)
dN
Partiamo dalla (6.19}, AK = Yf:::.u,/ia,che può essere riscritta come:
(6.21)
si può conseguentemente anche scrivere che:
(6.22)
Sostituendo la (6.22) nella (6.20), da/dN = AA.J<.1!1,

si ottiene:
da
dN (6.23)
Integriamo ora la dimensione della cricca dalla dimensione inìziale a0 alla

dimensione finale che determina la rottura (calcolata dalle prove di tei:iacità a
frattura in corrispondenza alla sollecitazioneO-max)pari ad af e il numero di cicli a
fatica da zero al numero di cicli che portano alla rottura per fatica, pari a N_r.Si ha:
(6.24)
1 far da
(6.25)
A am1r"1/2ym ao ani/2
Usando la relazione:
Jcl'da n+ (6.26)
integriamo l'Equazione (6.25),
Nf N
1 0
dN= Nj0 1 = N1 (6.27)
228 Capitolo 6
e sostituendo n = -,-m/2
,
1 Ja1do. 1 ( 101
ym .~ 0 m/2
Au"1Tr'2l2 = Ao-ni,rm/2
,
ym
a-(m/2)+;
-m/2
.
+1
)
. (6.28)
Quindi,
-(m/2)+1
aa, - .a-(m/2)+1
o
N1= . Ac,-n1-,rn1/2ym (6.29)
L'Equazìone (6.29) assume che m -:f.2 e che Y sia indipendente dalla

lunghezza della cricca, sebbene di salito·non sia .così. Nella maggior parte dei
casi invece vale la relazione Y =f(a), ed il calcolo,di NJ deve prendere in
considerazione la variazione di Y, cosicché nK e 6.N devono essere calcolati per
piccole variazioni successive di lunghezza della cricca.
Eserciziario
6.8 CREEP E CREEP-ROTTURA DEI METALLI
Creep dei metalli Quando un materiale metallico è sottoposto ad una sollecitazione costante ::d
elevata temperatura, superiore alla metà della sua temperatura assolut.:i di
fusione ( 1/2·TM,K), esso può subire una progressiva defonnazione plastica nel
tempo. Questa deformazione dipendente dal tempo è chiamata scorrimento
viscoso a caldo, o con il termine inglese di gran lunga più utilizzata, creep. Il
creep dei materiali metaHici è molto importante per alcuni settori applicativi. in
particolari quelli che comportano elevate temperature. Per esempio, il
progettista delle palette di una turbina di un motore a gas deve scegliere una
lega con una velocità di creep molto bassa, in modo che If palette possano
restare in servizio per un lungo periodo di tempo prima di dover essere sostituite
a causa del raggiungimento della deformazione massima loro permessa, Per
molte apparecchiature che operano ad elevate temperature, il èreep dei matcnali
è il fattore che limita la massima temperatura alla quale si può operare.
Consideriamo il comportamento di un metallo policristallino sottoposto ad
una sollecitazione costante ad alta temperatura, rappresentando la variazione
della lunghezza del provino in funzione del tempo, si ottengono sperimenta]~
mente curve come quella mostrata in Figura 6.49, chiamata curva di creep.
li comportamento macroscopico del materiale può essere descritto nel
modo seguente. Inizialmente si verifica un allungamento istantaneo del provino.
SQ· Successivamente, il provino mostra una fase di creep primario in cui la
Lavorazioni e proprietà meccaniche. dei metalli 229
Frattura
FIGURA6.49 Tipica
curvadi creep di un
materiale
metallico. Lacurva
rappresental'andamento
delladeformazione in
funzionedeltempo, quando
vieneapplicatouna
sollecitazione
costante a
temperaturaelevata.Il
secondo stadiodel creep
--1-Allunga~nto Eo
istantaneo,
{creepsecondario) è il più
interessante
peril progeUìsta
in guantoin essasi verifica Tempo
unaestesa deformazione da
creep.
velocità di deformazione decresce col tempo; la pendenza della curva di creep

(de/dt, oppure e) è definita come velocità di creep. quindi durante il creep
primario la velocità di creep diminuisce progressivamente con il tempo. Nella
seconda fase, aeep secondario, la velocità di deformazione è essenzialmente
costante ed è perciò anche chiamato anche creep sta=ionario. Infine si ha una
terza fase, detta creep terziario, in cui la velocità di creep aumenta rapidamente
nel tempo fino alla deformazione a rottura. La fom1a della curva di cre'ep
dipende fortemente dalla sollecitazione applicata e dalla temperatura.
Sollecitazioni più alte e temperature più alte aumentano la velocità di creep.
A livello microscopico i fenomeni dì rnodifica strutturale che avvengono
nelle tre fasi possono essere così schematizzati. Durante il creep primario il
metallo si incrudisce per sostenere la sollecitazione applìcata e la velocità di
creep diminuisce col tempo dal momento che un incrudimento ulteriore diventa
più difficile. Durante il creep secondario, si verificano dei fenomeni di ricupero,
che eguagliano quelli di incrudimento, per cui il metallo continua ad allungarsi
(creep) ma con una ve1ocità stazionaria (Figura 6.49). 4 pendenza della curva
di creep (dé/dt =.::)nello stadio secondario è chiamata velocità mininia di creep,
conseguentemente durante ìl creep secondario la resistenza allo scorrimento
viscoso del materiale metallico è massima. Infine, per un provino soggetto a
sollecitazione. costante, la velocità di creep aumenta nello stadio terziario a
causa della formazione di microvuoti ai bordi di grano e alìo scorrimento
relativo di tali bordi (Figura 6.50).
A basse temperature (al di sotto di O,4 x TM) e basse sollecitazioni, i metalli
230 Capitolo 6
FIGURA 6.50 Paletta di

unaturbinadi unmotore a
reazionechehasubitouna
detorrnazionedacreep,che
ha provocàto deformazione Direzione
dello sforzo
localizzata
e unamolteplicità
[Da
di criccheintergranularl.
J. Schijve,"Meta/s
Handbook'; vol.10,
8thed.,
7975,p.23J.
mostrano creep primario, ma il creep secondario è trascurabile dai momento che

la temperatura è troppo bassa perché il fenomeno ppssa essere governato dal
ricupero; in ogni caso, se la sollecitazione sul metallo è al di sopra del carico di F
rottura~ il metallo sj allungherà come in una prova di trazione ordinaria. In s
generale, man mano che sia la sollecitazione sul metallo soggetto a creep che la d
temperatura aumentano, anche la velocità di creep aurnenta (Figura 6.51). f
d
Prova di creep a
Gli effetti della temperatura e della so11ecitazione sulla velocità di creep vengono s
determinati mediante apposite prove di creep. Prove multiple di creep sono v
realizzate con diversi Uvelli di sollecitazione a temperatura costante oppure a
diverse temperature e a sollecitazione costante, e le curve di creep sono
normalmente diagrammate come mostrato in Figura 6.52. Per ogni curva si
misura la velocità minima di creep, cioè la pendenza del secondo stadio d.?;ia
curva dì creep, come indicato in Figura 6.52. Un valore comunemente usato per
definire la resistenza a creep ad una determinata temperatura è lo sforzo
o-
nominale c~e causa una velocità minima di creep pari a 1 5 %/h. Come
mostrato in Figura 6.53, tale valore può anche essere estrapolato da prove di
creep eseguite a sforzi nominali più elevati, che richiedono tempi di prova
notevolmente minori.
Eserciziario
Vedi Esercizio6.12.
Prova di La prova di creep-rotturaè essenzialmente uguale alla prova di creep, salvo per il
creep-rottura fatto che le sollecitazioni sono più al1e e clie la prova viene protratta fino alla
rottura del provino. I dati delle pjovédi creep-rottura sono diagrammati come
logsforzo nominale in funzionè di logtempodi rottura, come mostrato in Figura 6.54. In c
generale il tempo perché avvenga il creep-rottura diminuisce man mano che
aumentano lo sforzo nominale applicato e la temperatura. Le variazioni di
pendenza che sì osservano in Figura 6.54 sono causate da fattori quali la
ricristallizzazione, l'ossidazione, la corrosione o i cambiamenti di fase. Anche in
questo caso i risultati ottenuti da prove relativamente brevi (nel caso in esame
Lavorazionie proprietà meccaniche dEÌimetalli 231
I
Aumentodello sforzo
o della temperatura
Alta temperatura
o sforzo
•• ·-·Media temperatura
•••• o sforzo
FIGURA 6.51 Effetto
schematicodell'aumento Bassa1emperntura
dellasollecitazione
sulla o sforzo
formadellacurvadi creep
di unmetallo.Si notiche
all'aumentare
della Tempo
sollecitazione
aumenta la
velocità
di deformazione.
fino a 1000 ore) possono essere estrapolati per prevedere il comp~rt~mento d~

un materiale a livello di sforzo nominale che richiederebbero tempi d1 J:?rovad1
10.000 o anche 100.000 ore.
,:.;
-~ 0.002
FIGURA 6.52 Curva di ~
.S: 0.001
creepperunalegadìramea u
225°Csoggetta a unosforzo Q
nominaledi 230MPa.La
pendenzadellapartelineare o 200 400 600 800 1000
dellacurvaè la velocità
òi Tempo,h
creepdellostatostazionario.
232 Capitolo 6
,
FI.GURA6.53 Effetto
dellosfo120 nominale sulla
velocitàdi creepdell'acciaio
inossidabileAISI316
(18%Cr-12%Ni-2,5%Mo) a
diversetemperature (593,
704,816(C). [DaH.E.
McGannon (ed.),"The
Making, Shaping, and
Treating.
of Stee/';9thed;, Velocità minima di allungamento, percen)c:llara
UnitedStates Steel,1911,
p.1256'J.
6.9 USO DEL PARAMETRODI LARSEN-MILLER
I dati sperimentali di creep-rottura per ogni particolare lega possono essere

diagrammati riportando in ordinata lo sforzo di creep-rottl;J.ra e in ascissa una
combinazione. di tipo empirico, tra logtempodi creep-ronura e temperatura; defimta
parametro di Larsen-Miller, espressa come:
PLarsen-Miller ::::::T[C + log t,J (6.30)
FIGURA 6.54 Effetto 500 ·········~

dellosforzonominale sul •:::;.~ ••~~-----~Ò•~- •••H• ••••
tempoa rottura dell'acciaio ~ 100
~ :::::::::::::::::::::
inossidabileAISI316 :E
(18%Cr-12%Ni-2,5%Mo} a § 50 IOO'C
,E:
diversetemperature (593, tf,)
100°c
704,816(C). [DaH E. IO
McGannon (ed.),'The
Making,Shaping, and O.I 10 100 1000 10,000 100,000
Treatìngof Steer:9thed., Tempo dì rortura. h
UnitedSta/es Steel,1971,
p.1257j.
Lavorazioni.eproprietà meccaniche dei metalli 233
22.2 23.3 24.4 25.5 26,7 27.8 28.9 30 31.1

690
DS MAR-M 247 longitudinale,
lavorato da paletta, 1221°C/2 h/gas agitato.
552 1------1-~~~--t--9g2°c1s h/aria. 871"C/20 h/aria. provini di
diametro 1.8 mm. dati di produzione
4141----l---+~~~-++---+--+---;----,
DS CM 247 LC longitudinale,
I232°C/2 h + l260°è/20 h/aria
982°C/5 h/aria, 871°C/20 h/aria,
provini di diametro 3.2 e 4.1 mm
e!': 276
~ MAR-M 247 Mf'B equiassico.
FIGURA6.55 Relazione 2
l:; 207
982°C/5-h/aria+ 871°C/20 h/aria
e solo 87 I 0C/20 h/aria. -1--..l.-.l...+.---+------le----t
sperimentaletrasforzodi ,::::
Cl:) provini di diametro J .8 mm
creep-rottura
e parametro
di Larsen-Millerdi unalega
....._
__
I I
os-CM 247 longìrudinale. .
CM247LCsolidificata 138
• 1232"C/2h + 1260°C/2h/ana,
direzionalmente,longitudi- l 079.eC/4h/aria, 871°C/20 h/aria e
nale,soggetta a duediversi 1232"C/2h + 1260°C/20h/aria.
trattamenti
termici,e di una 1050°C/J6 h/aria, 871°C/20 h/aria,
provini di diametro 3.2 e 4.1 mm
legaMAR ..M247MFB
solidificata
direzionalmente
\
e equiassica.
Handbook':
[Da "Meta!s
vol.1,10thed..
69 L--_,.Jl...-----J..--..l.--_..;i.
40 42 44 46 48
__ .....i.. _____
50 52 54
\
....._ ____ __,
56
ASMlnternalionat,
1990,
Parametro di Larsen-Miller.P = IT (°C) + 273] ['.20+ Jog Ol] x 10-~
p.9981
dove: T temperatura, K
lr = tempo di creep~rottura 1 h
e costante, di solito deH'ordine di grandezza di 20
01 in termini di gradi centigradi e attribuendo alla costante C il valore 20, come:
harsen-Miller = [T(°C) + 273(20 + log tr] (6.31)
Ad esempio la Figura 6.55 riporta questi diagrammi per tre leghe adatte ad
impieghi ad alta temperatura. Diagrammi di questo tipo consentono, per ogn~
materiale, una volta note due tra le tre variabili citate (temperatura, sforzo d1
creep-rottura e tempo di creep-rottura) di calcolare la terza.
Alla luce della conoscenza sperimentale per una particolare lega del
diaoramma del tipo di quelli di Figura 6.55, noto lo sforzo applicato e la
te;peratura si può calcolare il tempo di creep-rottura per una particolare lega,
oppure nota la temperatura ed il tempo di vita che si vuole abbia un componente,
234 Capitolo 6
-- Tì-6AI-4V
U
r----,----,--...----.-------.---......--...;..,-1 ,__ Tì•6AI-2Sn-4z!r-6Mo
••••• Ti-6AI-2Sn-4Zr--6Mo-Si
5000 ••••• IMI 829
_ •• IMI 834
___ Alpha2 (Ti3AI) Generai
___ Gamma (TIAI)Generai
_ - _ INCONEL 718
~ 1000
-·--
~ - - - - - - _ O IMI 829 ROC
- - - - - -. A 11..2SAI-·10Nb-3V-1MoTi3Al·roc
§ 500 ...:-:-:-_....._ -- _'-----------------'
.::
(I)
~-- ~--.....A ··t:f.::-::--..;_-----..
D · •.• ...______ - - - ...
- ..- - ...-
100 ~
" \ ...
······- _ ..~
. ··-- ·-------
50
16 17 18 19 20 21 22
Parametro di Larsen-Mìller,P = (273°C + T"C) (20 + Jog r(hr)] x 10-3
FIGURA6.56 Diagramma perunasollecitazione

dì Larsen-Miller dello0,2%,checonfronta
dueleghedì tipoROC(rapìd
omnìdireçtìonal
compaction)
conaltreleghecommerciali,
[DaN. R.Osborne etal.,SAMPEQuart
.• {4)22:26
(1992)].
si può caicolare lo sforzo massimo applicabile, in base al quale un compon~r,te

può essere dìmensionato.
Eserciziario
Vedi Esercizio6.13.
Possono anche essere ottenute una serie di curva sperimentali in cm si
ripor,tano gli andamenti del parametro di Larsen-Miller non in termini di creep-
rottura, ma in termini dì creep, e conseguentemente sforz~ ..e tempi, tali da
determinare una partìcolare deformazione del materiale, tipicamente lo 0,2%
(Figura 6.56). Simile è anche l'uso che di queste curve sperimentali può essere
fatto; di nuovo noti sforzo e temperatura si può calcolare il tempo che
determinerà la deformazione in esame, {ad esempio 0,2%), oppure noti
temperatura ed tempo di vita yoluto prima che si giunga alla deformazione in
esame, si può calcolare lo· sforzo massimo conseguentemente applicabile.
I diagrammi del parametro di Larsen.Miller possono essere usati anche per
confrontare le proprietà a creep ad alta temperatura· di materiali diversi, come
mostrato in Figura 6.56 per varie leghe di titanio.
Eserciziario
Vedi Esercizio6.14.
U11ASSUNTO
I metalli e le leghe sono lavorati in diverse forme con varie tecniche di

produzione. Alcuni dei processi industriali più importanti sono le lavorazioni di
fonderia per ottenere getti, la laminazione, l'estrusione, la trafilatura, la
forgiatura e l'imbutitura.
Quando viene applicato uno sforzo assiale ad una barra di metallo,
inizialmente il metallo si deforma elasticamente e poi plasticamente,
provocando una deformazione plastica permanente. Le caratteristiche
meccaniche dei materiali metallici più importanti per la progettazione sono il
carico di snervamento allo 0,2%, il carico di rottura e all'allungamento
percentuale, indice della duttilità del materiale. Queste grandezze sono ricavate
dal diagramma nominale sforzo-deformazione ottenuto con una prova di
trazione. Anche la durezza di un metallo può essere di notevole importanza
tecnologica; le prove di durezza più comunemente utilizzate sono la prova
Rockwell (scale B e C) e la prova Brinell (HB).
La rottura dei metalli per trazione semplice può essere classificata nei tipi
duttile, fragile oppure mista duttile-fragile. Un metallo, se è soggetto a
sollecitazioni cicliche di trazione e/o compressione di sufficiente entità, può
anche rompersi per fenomeni di fatica. Ad alte temperature e sollecitazioni un
metallo può subire creep. cioè una deformazione dipendente dal tempo, che può
essere così severo da portare il metallo a rottura. Diverse tecniche di prova sono
state sviluppate allo scopo di studiare, e conseguentemente prevenire. le rotture
per fatica e per creep dei componenti metallici.
DEFINIZIONI .
Paragrafo 6,1
Lavorazionj? a caldo dei metalli: deformazione plastica di metalli e leghe al di sopra della
temperatura alla quale viene prodotta una microstruttura priva di deformazione
(temperatura di ricristallizzazione).
Lavorazionea freddodei metalli:deformazione plastica di metalli e leghe al di sotto della
temperatura alla quale è prodotta una microstruttura priva di deformazione
(temperatura di ricristallizzazione); la deformazione a freddo provoca un
incrudimento del metallo.
Percentualedi riduzionea freddo:
% riduzione a freddo = variazion_e _d~ll'area della. sezione

trasversale
area m1Z1aledella sezione trasversale
Ricottura: trattamento termico effettuato per addolcire un metallo.

Estrusione:processo dì deformazione plastica in cui un materiale viene ridotto di sezione
236 Capitolo 6
trasversale per effetto. di una elevata pressione che lo costringe a passare attraverso
una matrice. " I
Forgiatura:processo primario dj lavorazione con cui si conferisceuna determinata forma
ad un metallo medìante l'azione di un maglio o di una pressa.
Trafilatura:processo in cui un fili metalljco viene ridotto di sezione per effetto di una
forza di trazione che lo costringe a passare attraverso una matrice.
Paragrafo 6.].
Deformazioneelastica; si dice che. un metallo è deformato elasticamente sotto l'azione di
una forza, quando ritorna alle sue dimensioni iniziali dopo che la forza è stata
rimossa.
Sforzo nominale u: forza media assiale divisa per la superficie iniziale della sezione
trasversale (O'= F/Ao),
Deformazionenominalee: variazione di lunghezza del campione divisa per la lunghezza
iniziale del campione {e:= A/// 0 ).
1
Sforzo di taglio T: forza di taglio S divisa per rarea A su cui agisce la forza di taglio(,::::::
S/A).
Deformazionedi taglio "'f! spostamento dovuto all'azione di taglio a dìvìso per la distanza
h su cui agisce il taglio {; = a/h).
Paragrafo 6.3
Diagramma nominale sforzo-deformazione:diagramma sperimentale dello sforzo
nominale in funzione della deformazione nominale; di solitou è riportata sulrasse y e
t: sull'asse x.
Modulo di elasticità E: rapporto tra sforzo e deformazione (u/e) nella regione elastica di
un diagramma nominale sforzo-deformazione (E= a/e).
Carico di sner,•amento:sforzo in corrispondenza al quale si ha una fissata deformazivnc
plastica permanente residua nella prova di trazione: normalmente il carico di
snervamento è determinata per lo 0.2% di defonnazione.
Carico di rottura: sforzo massimo raggiunto nel diagramma nominale sforzo-
deformazione.
Paragrafo 6.4
Durezza:resistenza di un materiale a subire una deformazione plastica.
,,.
Parag,-afo6.5
Rottura duttile: tipo di rottura caratterizzato da una lenta propagazione di cricche: le
superfici di rottura duttile dei metalli sono di solito opache e con aspetto fibros0.
Rottura fragiJe:tipo dì rottura. caratterizzatQ da una rapida propagazione di cricche; le
superfici con rottura fragile dei metalli sono di solito lucenti e hanno un aspetto
granuloso.
Paragrafo 6..6
Fatica: fenomeno che porta alJa rottura per l'effetto dì sollecitazioni ripetute di valore
massimo inferiore al carico di rottura del materiale.
Rotturaper fatica: rottura che avviene quando un provino soggetto a fatica si rompe in
due parti o comunque subisce una drastica riduzione di rigidità.
lii
Lavorazioni e proprietà meccaniche d~(;;;etalli 237
Vita a fatica:numero di cicli di sollecitazione o deformazione che un campione sopporta

prima di rompersi.
Paragrafo 6.7
Velocitàdi propagazionedi una cricca di fatica da/dN: velocità con cui una cricca di fatica
si propaga. correlabile aHa variazione del valore del fattore di intensità degli sforzi.
PtUagrafo6.8
Creep: deformazione plastica permanente dipendente dal tempo di un materiale soggetto
a una sollecitazione. o a uno sforzo costante, in genere di entità significativa se la
temperatura è maggiore della metà deUa sua temperatura assoluta di fusione.
Velocità di creep:pendenza deUa curva di creep a un determinato tempo.
sforzo ctie provoca la rottura in materiale soggetto a creep in un
Sforzo di creep.,.rottura:
tempo stabilito~· ad uria particolare temperatura.
DIAGRAMMI DI STATO
Si definisce fase una porzione omogenea (a livello microstrutturale) di un

materiale, che si differenzia da altre porzioni per diversità di microstruttura e/o
di composizione chimica. I diagrammi di stato sono rappresentazioni grafiche
delle fasi presenti in un sistema a diverse temperature, pressioni e composizioni;
la maggior parte dei diagrammi di stato sono validi in condizioni di equilibrio 1 e
consentono di conoscere e prevedere alcuni importanti aspetti del comporta-
mento dei materiali ed in particolare di:
1. Mostrare quali fasi sono presenti al variare della composizione e della

temperatura, in condizioni di lento raffreddamento.
2. Valutare la massima solubilità allo stato solido ein condizioni di equilibrio di
un elemento (o di un composto) in un altro.
3. Conoscere la temperatura alla quale una lega raffreddata in condizioni di
1
I diagrammi di stato sono in realtà determinati in condizioni di lento raffreddamento;
nella maggior parte dei casi ci si avvicina in questo modo alle condizioni di equilibrio, che
per altro non vengono mai piena111enteraggiunte.
-------· ···-··-··---·····
240 Capitolo 7
equilibrio inizia a solidificare e l'intervallo di temperatura nel quale avviene

la solidificazione. I
4. Con.oscerela temperatura alla quale iniziano a fonder~ le diverse fasi.
7.1 DIAGRAMMI DI STATO DI SOSTANZE PURE
Una sostanza pura quale l'acqua può esistere, in funzione delle condizioni di
temperatura e pressione, in fase solida, in fase liquida o i~ fase va~o~e. Un
esempio familiare a tutti della pJ"esenza contemporanea d1 due fasi m una
sostanza pura è un bic.chiere di acqua contenente dei cubetti di ghiaccio; in questo
caso ]'acqua solida. e liquida sono due fasi distinte, separate da un'interfaccia
costituita dalla superficiedei cubetti di ghiaccio;ugualrilentedurante l'ebollizione
del1'acqua sono presenti due fasi in equilibrio, la fase liquida e la fase vapore.
Una rappresentazione grafica delle fasi assunte dell'acqua, in funzione della
temperatura e della pressione è mostrata in Figura 7J.
DalFesame di tale diagramma si può notare come esista un punto triploa bassa
pressione (4,579 torr) e bassa temperatura (0,0098°C) in cui le tre fasi solida, liquida
e vapore coesistono. Le due fasi hquìda e vapore sono presenti contemporanea-
mente lungo la linea di evaporazione, mentre le due fasi liquida e solida lungo la
linea di solidificazione; queste linee sono linee di equilibrio bifasìche.
I
Linea di vaporizzazione __J
I:: 760
.9
Linea di congelamento , ..
Liquido
FIGURA7.1 Diagramma
di statoapprossimatodi
equilibriopressione- O 100
temperaturaperl'acquapura Temperatura dello H20. °C
(gli assideldiagramma
sonostatialterati}.
Diagrammi·di stato·· ·241
Vapore
Liquido
2000 Punti tripli
1538°C
~
/
é
= 1500
..,.,.,.
_______ ...,...__Fe o(CCCJ
ec.
'l> 1394°C
E 1000 .,, ______________Fey(CCCl 910°c
~
FIGURA7.2 Diagramma Fe <X(CCC)
di statoapprossimato di 500
equilibriopressione-
temperatura peril Fepuro. 10-1.2 JQ-8 1o-i 104
[DaW.G.Moffatf. etal.,
"Strvcture andProperties of Pressione,atm
Materials''.voi:I; Wìley,
1964, f). 151].
I diagrammi dì stato di equilibrio pressione-temperatura possono essere

costruiti anche per altre sostanze pure; per esempio, in Figura 7.2 è mostrato il
diagramma di stato di equilibrio pressione-temperatura per ìl ferro puro (Fe), in
cui sono presenti tre fasi solide distinte: Fe-a:, Fe--y e Fe-6; il Fe-a: e U Fe-6 hanno
una struttura cristallina di tipo CCC. mentre il Fe-7 ha una struttura di tipo
CFC. Le linee di separazìone tra le fasi solide hanno le stesse proprietà delle
linee di separazione tra una fase liquida e una solida. Per esempio. in condizioni
di. equilibrio, il Fe-a e il Fe-7 possono coesistere ad una temperatura di 9 i 0°C e
a una pressione di 1 atm, mentre al di sopra di 910°C esiste solo il Fe- 1· e al di
sotto di 910°C esiste solo il Fe-a (Figura 7.2). Nel diagramma pressione-
temperatura del Feci sono anche tre punti tripli nei quali coesistono tre diverse
fasi: (I) liquido, vapore e Fe-6, (2) vapore,. Fe-6 e Fe'""Ye. (3) vapore, Fe--y e Fe,.a:.
7.2 REGOLA DELLE FASI DI GIBBS
In base a considerazioni termodinamiche, J.W.Gibbs 1 ricavò un'equazione che

permette di calcolare il numero di fasi che possono coesistere in equilibrio in un
l Josiah Willard Gibbs (1839-1903). Fisico americano. Fu professore di fisica matematica

alla Yale University e diedegrandi contributi alla conoscenza della termodinamica e in
particolare formulò la regola delle fasi.
242 Capitolo 7
determinato sistema. Questa equazione, chiamata regola delle fasi di Gibbs, è:
F+V C+2 (7.1)
dove: F = numero delle fasi che coesistono nel sistema in esame

e= numero di componenti nel sistema
V= gradi di libertà
Dì solito un componente C è un elemento, un composto o una soluzione del

sistema; i gradi di libertà V sono il numero di variabili (pressione, temperatura e
composizione) che possono essere modificate indipendentemente senza che
cambi il numero delle fasi in equilibrio nel sistema.
Consideriamo l'applicazione della ·regola delle fasi di Gibbs al diagramma
di stato di equilibrio pressione-temperatura delracJiua pura (Figura 7.I). Al
punto triplo le tre fasi coesistono in equilibrio e. ~al m~m:n~o eh~ c'è _un solo
componente nel sistema (l'acqua), il numero de1 gradi d1 hberta puo essere
calcolato nel seguente modo:
F+ V:::=C+2 (7.1)
3+V=l+2
cioè: V=O (zero gradi di libertà)
Ciò vuol dire che nessuna delle variabili (temperatura o pressione. essendo la
composizione dell'acqua costante) può essere cambiata mantenendo la
coesistenza delle tre fasi e il punto triplo è detto punto di invarianza.
Consideriamo ora un punlo lungo la curva di solidificazione di Figura 7.l: i~
ogni punto di questa linea coesistono due fasi, quindi. in base alla regola de1Iefasi:
2+V=l+2
cioè: V=1 (un grado di libertà)
Vi è pertanto un grado di libertà e quindi una sola variaBile (temperatura o

pressione) può essere cambiata indipendentemente, mantenen~o anc~ra la
coesistenza delle due fasi nel sistema; quindi, se è fissata la pressione, c'e "olo
una temperatura alla quale entrambe le fasi liquida e solida posso~o coesistere:
o viceversa. Come terzo esempio, consìder~amo un punto nel diagramma d,
stato di equilibrio pressione-tcmpetatura dell'acqua aH'i_nterno di u~a sin~ola
fase, avremo quindi solo una fase presente (F = 1) e, sostituendo nell equazione
delìa regola delle fasì, si ottiene:
cioè: (due gradi di libertà)

Diagrammi dì stato 243
Possono essere pertanto variate indipendentemente due variabili (sia la

temperatura che la pressìone), rimanendo il sistema monofasico. La maggior
parte dei diagrammì di stato binari usati nella scienza dei materiali è costituita
da diagrammi temperatura-composizione nei quali la pressione è mantenuta
costante, di solito ad 1 atm. In questo caso, la regola delle fasi è ridotta a:
F+V=C+I (7.1a)
L'Equazione (7.la) sarà applicata a tutti i diagrammi di stato binari discussi in
questo capitolo.
7.3 LEGHE BINARIE ISOMORFE
Invece che una sostanza pura, consideriamo ora una lega formata da due
metalli, chiamata lega binaria, che, poiché ogni elemento metallico di una lega è
considerato un componente separato, è costituita da due componenti. Così il
rame puro (Cu) è un sistema ad un componente, mentre una lega rame-nichel
(Cu-Ni) è un sistema a due componenti. Qualche volta anche un composto in
una lega può essere considerato un componente separato; per esempio, gli a.cciai
al carbonio, che contengono principalmente Fe e carburo di ferro (Fe.3C), sono
considerati sistemi a due componenti. .
In alcuni sistemi metallici binari, i due elementi sono ..completamente
solubili l'uno nell'altro sia allo stato liquido che a quello solido: in questi sistemi
esiste solo un tipo di struttura cristallina e perciò sono chiamati sistemi isomorfi.
Perché i due elementi abbiano una completa solubilità solida l'uno neff altro,
devono essere di solito soddisfatte una o più deHe seguenti condizioni, formulate
da Hume-Rothery 1 e conosciute come regole della solubilità allo stato solido di
Hume~Rothery:
J. La struttura cristallina. di ogni elemento della soluzione solida deve essere la

stessa.
2. La dimensione degli atomi di ciascuno dei due elementi non deve differire per
più del 15%.
3. Gli elementi non dovrebbero formare composti tra loro e pertanto non
dovrebbe esserci una differenza apprezzabile di elettronegatività tra i due
elementi.
4. Gli elementi dovrebbero avere la stessa valenza.
1 William Hume-Rothery {1899-1968).Metallurgista inglese che diede grandi contributi
alla metallurgia teorica e sperimentale e che trascorse anni studiando il comportamento

delle leghe; le sue regole empiriche per la solubilità allo stato solido nelle leghe sono il
frutto del suo lavoro.
244 Capitolo 7
1500,-------------------------1-----,
Liquido
1400 w0 = 53% peso Ni

w1 = 45% pesoNi '-..
~ 1300°c ---···----------------
......................... ~ ____' ....
1300
e
::::,
.,.
ws = 58% peso Ni
i:
8. 1200 Lineadi leva
e
~
Soluzione
solida o:.
o 10 20 30 40 50 60 70 80 90 }00%
100% Ni
Cu
Percentuale in peso di nichel
FIGURA7.3 Diagramma di statoCu-NL

Il Cue il Nihannocompleta
solubilità
allostatoliQuido
e completa allostatosolido:
solubilità le
soluzioni
sonde
di Cu-Nifondono ìnunintervallo
di temperature chea unatemperatura
invece comenelcasodeimetallipuri.(Da
stabilita,
"Metals
Handbook",
vol.8,8thed.,AmericanSociety 1973,p.294].
for Metals,
Le regole di Hume-Rothery non sono però sempre contemporaneamente

applicabili a tutte }e coppie di elementi che mostrano completa solubilità solida.
Un esempio importante di lega binaria isomorfa è il sistema Cu-Ni.
mostrato in Figura 7 .3, in cui si riporta la temperatura sulFasse deUe ordinate e
la composizione chimica percentuale (in peso) sull'asse delle ascisse. Si ricorda
che .il diagramma, come tutti i diagrammi di stato, è stato determinato per
raffreddamento lento in condizioni di equilibrio a pressione atmosferica e non è
pertanto valido per descrivere leghe che sono state raffreddate rapidamente
attraversa. l'intervallo di temperatura dì solidificazione. L'area a.I di sopra della
linea più alta del diagramma, detta linea di liquidus,corrisponde alla regione di
stabilità della fase liquida~ mentre l'area al di sotto della linea più bassa, o linea
di solidus. rappresenta la regione di stabilità della fase solida; la regione tra le
linee di liquidus e di solidus rappresenta una regione bifasica, dove coesistono
entrambe le fasi, liquida e solida.
Nella regione monofasica della soluzione solida a, per individuare un punto
sul diagramma dì stato devono essere specificate sia la temperatura che. la
composizione della lega. Per esempio il punto a sul diagramma di stato dì
equilibrio Cu-Ni di Figura 7.3. corrisponde alla temperatura di 1050°C ed a un
Diagrammi di stato 245
tenore del 20% di Ni; la microstruttura della soluzione soiida a a questa

temperatura e composizione si presenta uguale a quella di un metallo puro, al
microscopio ottico si osserveranno pertanto solo i bordi di grano. Comunque,
dato che la lega è una soluzione solida con il 20% di Ni nel Cu, la lega avrà
resistenza meccanica e resistività elettrica superiori a quelle del Cu puro.
Nella regione compresa tra le curve di liquidus e di solidus, esistono sia la
fase liquida che quella solida; la quantità di ogni fase presente dipende dalla
temperatura e dalla composizione chimica della lega. Consideriamo la lega
53%Ni-47%Cu a 1300°C, mostrata in Figura 7.3; dal momento che questa lega
contiene sia la fase liquida che quella solida, nessuna di queste fasi può avere
composizione media 53%Ni-47%Cu. Le composizioni delle fasi liquida e solida
a 1300°C possono essere determinate tracciando una linea orizzontale a 1300°C
che va dalla curva ò.iliqufdus alla curva di solidus, e proiettando le intersezioni
con tali curve sull'asse orizzontale della composizione; nel caso specifico ad
esempio si ha composizione della fase liquida (wi) a 1300°C pari a 45%Ni e
quella della fase solida (w5 ) pari a 58%Ni.
I diagrammi di stato di equilibrio binari di due componenti completamente
solubili l'uno nell'altro allo stato solido possono essere -costruiti partendo da
una serie di curve di raffreddamento liquido-solido, come mostrato in Figura
7.4 per il sistema Cu-Ni. Le curve di raffreddamento dei metani puri mostrano
un arresto della temperatura in corrispondenza al loro punto di solidificazione,
come mostrato per il Cu e il Ni puri in Figura 7.4a nei tratti AB e CD. Le
soluzioni solide binarie mostrano invece cambiamenti di pendenza nelle curve di
raffreddamento in corrispondenza delle curve di lìquidus e di solìdus, come
mostrato in Figura 7.4a per le composizioni di 80%Cu-20%Ni, 50%Cu-50%Ni
e 20%Cu-80%Ni. La diminuzione della velocità dì raffreddamento è dovuta al
fatto che durante la solidificazione si libera il calore latente di. solidificazione,
che deve essere smaltito. I cambìamenti di pendenza a Li. L 2 e L 3 nella Figura
7.4a corrispondono ai punti di liquidus Li, L 2, e L 3 di Figur:a 7.4b. Allo stesso
modo, i cambiamenti di pendenza Si, S2 , e SJ di Figura 7.4a corrispondono ai
punti S1, S2, e S3 sulla linea di solidus di Figura 7.4b. La costruzione del
diagramma di stato Cu-Ni può essere più accurata se si determinano più curve
di raffreddamento per composizioni di lega intermedie.
[ 7.4 REGOLA DELLA LEVA
Le percentuali ìn peso delle fasi in una qualsiasi regione bifasica di un

diagramma di stato di equilibrio, possono essere calcolate utilizzando la regola
della leva. Per esempio nella regione liquido più solido del diagramma di stato
binario Cu-Ni di Figura 7.3, possono essere calcolate, mediante tale regola, ]e
percentuali in peso di liquido e di solido ad ogni temperatura per ogni
composizione media della lega.
246 Capitolo 7
Ni
I
1500 80% puro
Cu 20% 50%
Ni
\\
puro Ni
1400
~
é FI
B 1300 Li di
e
c.)
c. m
= 1200 S2 so
~
in
1100 s, ap
le
co
Tempo liq
{a) fa
Liquido
1500
I455°C
Liquidus l~.
frl 1400
l+
"'
-~'Soli~o
:-
I
:
I
I I
: cx. :
FIGURA 7.4 Costruzione I I
deldiagramma di statoCu- : :
Nipartendo dallecurvedi O 20 40 60 80 100%
raffreddamentoliquido- 100% Ni
Cu
solido.{a)Curve di
raffreddamento,(b) Percentuale in peso di nichel
diagramma dì stato
di equilibrio.
Per ricavare le equazioni che permettorio di ottenere la regola della leva.

consideriamo il diagramma di·stato di equilibrio binario di due elementi A e B,
completamente solubili l'uno nell'altro, come mostrato in Figura 7.5. Sia x la
composizione di lega in esame e sia w0 la frazione dì peso di B in A. Sia T la
temperatura considerata e tracciamo una linea orizzontale alla temperatura T
dalla curva di Iiquidus alla curva di solìdus (linea LS). Alla temperatura T, la
lega x è formata da una miscela di liquido, con frazione in peso di B pari a w1 e
di solido con frazione in peso di B pari a Ws.
Diagrammi di -stato · 247
Liquido
~
IGURA7.5 Diagramma
E
i statobinario
di due E
metalli
A e Bcompletamente eg_ T
olubilil'unonell'altro,
con E
ndicato il metodo per i2 Solido
pplicare la regola
della
eva.Allatemperatura r.la o w, \l'o ws I
omposizione dellafase A B
è w,e quelladella
quida Frazionein peso di B
asesolidaè Ws.
Le quantità in peso dei due costituenti possono essere calcolate partendo da

due equazioni. La prima si ottiene imponendo che la somma della frazione di
peso della fase liquida, X 1, e della frazione di peso della fase solida, Xs, deve
essere uguale a 1. Quindi:
X1+Xs=1 (7,2)
cioe: Xi 1-Xs (7.2a)
e Xs = 1-X, .(7.2b)
La seconda equazìone sì ottiene imponendo il bilanciamento tra il peso totale di

B nella lega e la somma di B neile due diverse fasi. Quindi:
(7.3)
combinata con: X1= 1-Xs (7.2a)
dà:
oppure:
raccogliendo:
··
F raz10ne m a fase so l'd
· peso de 11 1 a =· X s =---
Wo -
w.,-
WJ
w1
(7.4)
Allo stesso modo: (7.3}

248 Capitolo 7
combinando con: {7.2b)
si ha: Frazione in peso della fase liq:uida = X, !·ws-WJ

wi wo (7.5)
Le Equazioni (7.4) e (7.5) sono le equazioni della regola della leva: Più
semplicemente esse affermano che la frazione in peso di una fase in una lega
bifasica è pari al rapporto tra la lunghezza del segmento sulla linea orizzont;le
che si trova dalla parte opposta rispetto alla lega di interesse (più lontano dalla
fase di cui si vuole calcolare la frazione di peso) e l'intero segmento. Quindi, in
Figura 7.5 la frazione di peso della fase liquida è il rapporto OS/LS e la. frazione
di peso della fase solida è il rapporto LO/LS.
Le frazioni di peso possono essere·trasformate in percentuali di peso, come
si fa comunemente, moltiplicando per 100%, e pertrnto si ottiene anche:
Percentuale ìn peso della fase solida = LO/LS · 100% (7Aa)
Percentuale in peso de11afase liquida = OS/ LS · 100% (7.Sa)

Eserciziario
Vedi Esercizio7.1.
7.5 SOLIDIFICAZIONE DELLE LEGHE IN CONDIZIONI NON DI EQUILIBRIO
n diagramma di stato per il sistema Cu~Ni di cui si è parlato in preceden:::,1 è

stato costruito usando condizioni di raffreddamento molto lente, prossime a
quelle di equilibrio. Quando le· leghe Cu-Ni vengono fatte solidfficare
attraversando le regioni bifasiche liquido+ solido, al diminuire della
temperatura le composizioni delìe fasi liquida e solida devono continuamente
modificarsi, mediante fenomeni di diffusione alJo stato solido; dal momento che
allo stato solido la diffusione atomica è molto lenta, è richiesto un lungo periodo
di tempo per eliminare i gradienti di concentrazione, quindi fà microstruttura dì
leghe ottenute con processi di solidificazione industriale è caratterizzata dì solito
da una struttura con granì di composizione chimica disomogenea (Figura 7.6).
Si consideri ad esempio una lega 70%Cu-30%Ni che viene rapidamente
raffreddata da una temperatura T0 (Figura 7.7). Il primo nucleo solido che si
forma alla temperatura T 1 ha una composizione a 1 (Figura 7.7); dopo rapido
raffreddamento fino a T2, si formeranno nuovi strati di composizione a: senza
che si abbiano significative variazioni nella composizione del solido solidificato
in precedenza; la composizione totale alla temperatura Ti si trova tra a:1 e a:2 e
sarà designata a:2. Dal momento che la linea a:2L 2 è più lunga di quella a2L2, cì
sarà più liquido e meno solido nella lega raffreddata rapidamente rispetto a
quanta ce ne sarebbe se fosse raffreddata nelle condizioni di equilibrio alla stessa
Diagrammi dì stato 249
FIGURA7.6
Microstruttura
di unalega
70%Cu-30%Ni ottenutaper
solidificaziorie
industriale
chemostra con
unastruttura
granidi composizione
chimica disomoaenea.
[DaW G;Mottàttet al.,
"StructureandProperiies
of Materiafs''.
voi.I, Wiley,
1964,p.111}.
temperatura, quindi la solidificazione a quella temperatura è stata ritardata dal

rapido raffreddamento.
Quando la temperatura viene abbassata da T1 a T4. avviene lo stesso
processo e la composizione media della lega segue la linea di solidus non di
To ••••••••••••.•••••• '
1455 -:--- I
Liquido
I
FIGURA7.7
Solidificazionein condizioni
nondiequilibrio di unalega
70%Ni-30%Cu. il (X
diagramma di statoè
distortopermotìvi
illustrativi:
si notila lineadi
solidusnondi equilibrio da
0:1 a a 7 Laleganonè
100% 30%
completamente solidificata Ni Cu
finoa quando JI solidusnon Percentuale in peso di rame
dì equilibrio
raggiunge o:7 a
T1.
250 Capitolo7
FIGURA7.8
Schematizzazione deltipodi
microstruttura
chesi ottiene
alletemperature T2 e Tt.di
Figura 7.7perla
solidificazione
in condizioni
nondi equilibriodi unalega
70%Nì-30%Cu che
Liquido
illustrano
lo sviluppodi una
struttura
congranidi r,. r,,,
composizione chimica
disomogenea.
equilibrio a;a:;a:; .... Alla temperatura T6 ìl solido ha meno Cu rispetto alla com-
posizione originale della lega che è 30%Cu. Alla temperatura T1la composizione
media della lega è 30%Cu e la solidificazione è completa. I diversi strati dei vari
grani hanno tuttavia per questo fenomeno composizione variabile da o 1 ad a:7.
che determinano una struttura con grani di composizione chimica disomogenea,
schematizzata in Figura 7.8 e mostrata per una lega reale in Figura 7.6.
Trattamentotermicodi omogeneizzazione La maggior parte delle microstrut-

ture ottenute da fusione sono in parte del tipo a grani disomogenei precedente-
mente descritto, e hanno quindi al loro interno dei gradienti di composizione: in
molti casi questo tipo di struttura non è desiderabile, soprattutto se la lega deve
essere lavorata successivamente. Per eliminare una struttura con grani di compo-
sizions disomogenea, i lingotti ottenuti per colata o i getti vengono riscaldati ad
elevate temperature per accelerare la diffusione ano stato solido;~questo processo
è chiamato omogenei::za:ioneperché produce una struttura omogenea nella lega.
Ad esempio la Figura 7 .9 mostra dei lingotti di lega di alluminio che stanno per
essere caricati in un forno di omogeneizzazione. Il trattamento termico di omoge-
neizzazione deve essere condotto ad una temperatura inferiore alla temperatura
di fusione della fase che fonde a_più bassa temperatura, altrimenti si verifiche-
rebbero fenomeni di incipiente fusione; ad esempio per omogeneizzare la 1ega
70°/oNi-30%Cu appena discussa, si dovrebbe usare una temperatura appena al di
sotto di T7, come indicato in Figura 7. 7. Se la lega è surriscaldata, possono awe-
nire fusioni localizzate o liquazioni. Se la fase liquida forma uno strato sottile
continuo lungo i bordi dì grano, la lega diminuirà la sua resistenza e potrà
rompersi durante la lavorazione successiva, la Figura 7 .1O mostra la liquazione
nella microstruttura di una lega 70%Ni-30%Cu.
Diagrammi-di stato 251
FIGURA7.9 Ungotti
per
laproduzione dl lamiere ìn
legadi alluminio caricatiin
unfornodi
omogeneizzazione.
Riscaldandoi lingottiaduna
temperaturainleriorealla
temperaturaminima di
fusionedellefasi,la
diffusione
atomica allostato
solidocreaunastruttura
interna
piùomogenea. [Per
concessione dellaReynolds
Metals Co.J.
7.6 LEGHE BINARIE EUTETTICHE
Molte leghe binarie sono costituite da metalli con limitata solubilità allo stato
solido, come ad esempio il sistema piombo-stagno (Pb-Sn) di Figura 7.1 l. Le
regioni di limitata solubilità solida alle due estremità del diagramma Pb·Sn sono
rispettivamente la fase a e la fase 8 e sono chiamate solidoni solide limite, dal
momento che appaiono alle estremità del diagramma. La fase a è una s9luzione
solida ricca di Pb in cui può disciogliersi in soluzione solida un massimo del
19,2¾ di Sn a 183°C la fase /3è invece una soluzione solida ricca di Sn in cui
può disciogliersi un massimo del 2,5% di Pb a 183°C. Quando la temperatura
FIGURA7., o Liquazione
in unalega70%Nì-30%Cu
dovuta adunriscaldamento
Liquido
sololeggermente superiore
allatemperatura di solìdus
(a).In (b}laregione del
bordo di granoaveva inizìato
a fondersie,dopo
successivo raffreddamento,
lazona fusasìè arricchita
in
Cu,facendo apparirei bordi
di granocomeampielinee
scure. !Perconcessione di (a) (b)
F.Rhines].
252 Capitolo 7
a proeutettico= 24% 100% liquido
,f3eutettico
Lega 2 Lega I
a proeutettico = 51 %
Liquido
=49%
Solvus
a proeutenico
19.2 4<1.0 6!.9 97.5
o lO '.!O 30 40 50 60 70 80 90 l()()c;f
1009, Sn
Pb
Percentun.lein peso di stagno
a emenico
FIGURA 7.11 Diagramma di statoPb-Sn. Questo

diagrammaè caratterizzalo
dallaridotta
solubilità
allostatosolidodelleduefasilimite(a
e /3):latrasformazione
eutettica
invarianteal61,9%Sne 183°Cè t'aspetto
piùimportantedi questosistema.Al puntoeutettico
coesistono le
fasia (19,2%Sn),f3 (97,5%Sn) e liquida(61.9%Sn).
diminuisce al di sotto di I 83°C. la massima solubilità allo stato"solido dei soluti

diminuisce secondo la linea di soivus del diagramma di stato Pb-Sn.
Nei sistemi eutettici binari semplici com; quello Pb-Sn, esiste una specifica
composizione della lega. nota come composi=ione eutettica, che solidifica ad una
temperatura più bassa rispetto a tutte le altre composizioni. Questa bassa
temperatura, che corrisponde aHa temperatura più bassa di esistenza della fase
liquida durante un raffreddamento lento, è detta temperatura eutettica.
Nel sistema Pb-Sn la composizione eutetti.ca (61,9%Sn-38,1 ¾Pb) e la
temperatura eutettica (l 83°C) determinano un punto sul diagramma di stato
detto punto eutettico. Quando il liquido di composizione eutettica viene
raffreddato lentamente alla temperatura eutettica, il liquido monofase si
trasforma simultaneamente in due fasi solide (soluzioni solide o e /3),questa
--·- - - -----
FIGURA 7.12
di leghePb-
Microstrutture
Snraffreddate
lentamente:
(a)composizione quasi
eutettica
(63%Sn-37%Pb),
(b) 40%Sn-60%Pb.. (e)
70%Sn-30%Pb, (d)
90%Sn- l0%Pb,(Ingrandi-
mento75x). [DaJ N11tting
e R. G.Baker,
otMetals,.,
"M;crostructure
lnstituteof Metals,London,
1965,pJ9J.
trasformazione è nota come trasformazione eutenica e può essere scritta

come: 1cmpcra1ura
eu1e1uca
(raffrcJdamcmol
Liquido-----+ soluzione solida 0: + soluzione solida /3 {7.6)
La trasformazione eutettica è chiamata trasformazione invariante perché avviene

in condizioni di equilibtio ad una specifica temperatura,.e composizione di lega,
che non possono essere variate, infatti al procedete della trasformazione
eutettica la fase liquida è in equilibrio con le due soluzioni solide a e /3e quindi
durante una trasformazione eutettica coesistono tre fasi in equilibrio. Poiché in
un diagramma di stato bìnario quando sono presenti tre fasi la varianza è pari a
O (zero gradi di libertà), alla temperatura eutettica si ha un arresto termico nella
curva di raffreddamento di una lega di composizione eutettica.
------------
254 Capitolo7
/ Tuttoliquido
300
/245°C
/ a.proeutetticoin solidificazione
/ Eutetticoin solidificaz.ione
100
Lega 60'k Pb-40o/cSn
/'--..
FIGURA 7.13
Diagrammaschematico Tempo
temperatura-tempo
dì
raffreddamento
perunalega
60%Pb-40%Sn.
Raffreddamento lento di una lega Pb-Sn di composmone eutettica

Consideriamo il lento raffreddamento da 2OO°Ca temperatura ambiente di 11na
lega Pb-Sn (lega l di Figura 7.11) di composizione eutenica (61,9%iSn-
38,l %Pb). Durante il raffreddamento da 20O°C a 183°C. la l~ga rirna~e liquida.
a 183°C temperatura eutenica. tutto il liquido solidifica attraverso la
trasformazione eutenica e si forma una miscela eutettìca delle soluzioni solide
o (l9,2%Sn) e .B{97,5%Sn) in accordo con la trasfonm1zione:
183'C
t1affr~ddamen10)
Liquido (61,9%) · a{l 9.2% Sn) + 0(97,5% Sn) (7.7)
;t•
Dopo che è stata completata la trasformazione eutenica, al diminuire della

temperatura della lega da l 83°C a temperatura ambiente si ha una diminuzione
della solubilità solida dei soluti nelle soluzioni solide 0: e /3,come indicato dalle
linee di solvus. Comunque, poiché la diffusione è lenta alle temperature più
basse, questo processo solitamente" non raggiunge l'equilibrio e quindi si
possono ancora distinguere a temperatura ambiente le soluzioni solide a: e /3.
come mostrato nella microstruttura di ,Figura 7.12a.
Lento raffreddamentodi una lega 60%Pb-40%Sn Consideriamo ora il lento

raffreddamento daìlo stato liqujdo (3OO°C)fino a temperatura ambiente di una
lega 4O%Sn-60%Pb {lega 2 di Figura 7.11). Al diminuire della temperatura da
3OO°C(punto a), la lega rimarrà liquida fino a quando non viene intersecata la
linea di liquìdus in corrispondenza al punto b, a circa 245°C; a questa

temperatura inizierà a precipitare nel liquido una soluzione solida o con il 12%
di Sn, questo primo solido che si forma in questo tipo di lega è detto primario o
proeutettico a. Il termine proeutettico o è usato per distinguere questo
costituente dalla fase o che si forma a più bassa temperatura, durante la
trasformazione eutettica. Quando il liquido raffredda lentamente da 245°C fino
a temperatura leggermente superiore a l 83°C passando nella regione bifasica
liquido+ o del diagramma di stato (punti da b a d), la composizione della fase
solida (o) segue la curva di solidus variando da 12%Sn a 245°C a 19,2%Sn a
183°C; allo stesso modo, la composizione della fase liquida varia da 40%Sn a
245°C a 6l,9%Sn a I83°C. Queste variazioni.di composizione sono possibili
perché la lega è raffreddata molto lentamente ed avviene una dìffusioneatomica
che rende uniformi i gradienti di composizione. Alla temperatura eutettica
(l 83°C) tutto il liquido rimasto solidifica seguendo la trasformazione eutettica
[Equazione (7.7)}. A trasformazione eutettica completata, la lega è costituita da
fase proeutettico o e da una misccia eutettica di fase o (l 9,2%Sn) e di fase f3
(97,5%Sn). Un ulteriore raffreddamento che va da sotto l83°Calla temperatura
ambiente, diminuìsce il contenuto di stagno della fase o e il contenuto di
piombo della fase /3; comunque, alle temperature più basse la velocità di
diffusione è molto inferiore e l'equilibrio non viene raggiunto. La Figura 7.12b
mostra là microstruttura di una lega 4O%Sn-6O%Pb che è stata raffreddata
lentamente: si notino le dendriti scure attaccate chimicamente della fase a ricca
di piombo circondate dall'eutettico. La Figura 7.13 mostra una curva di
raffreddamento per una lega 60%Pb-4O%Sn: si noti che a 245°C avviene una
variazione di pendenza della curva di liquidus e che durante il raffreddamento
dell'eutettico appare un arresto termico.
Eserciziario
Ved~Èsercizi 7.2, 7.3, 7.4.
In una trasformazione eutettica binaria, le due fasi solide (a. + /3)possono avere
diverse morfologie. La Figura 7.14 mostra schematicamente alcune strutture
eutettiche, in cui la forma che sarà creata, dipende da molti fattori. Di primaria
importanza è la minimizzazione dell'energia libera alle interfaccia o//3.Un altro
fattore importante è il modo in cui le due fasi (o+ /3) sono nucleate e si
accrescono; per esempio, si formano eutettici di tipo a barrette o di tipo a
lamelle quando non è richiesta la nucleazione ripetuta delle due fasi in
determinate direzioni. Un esempio di una struttura eutettica lamellare, che
rappresenta il tipo più comune, formata durante una trasfom1azione eutettica
Pb-Sn è mostrata in Figura 7.15; in Figura 7.12a viene invece mostrata una
struttura mista irregolare formatasi nello stesso sistema Pb-Sn.
256 Capitolo7
I
·· Superficielibera
Superficielibera ~~~~~=-_superiore
superiore '
Direz.ionedi
crescita ~ crescita
Interfaccia Interfaccia
solido-liquido solido-lìquido
(a) (b)
Superficielibera
superiore
FIGURA 7.14
Illustrazioni
schematiche di Direzionedi
diversestrutture
eutettiche: crescita , .
(a)lamellare,
(b) a barrette,
(e) globulare.
(a) aciculare.
[DaW. C:Winegard, ''An I
Jmerfuccin
t
Interfaccia
to the
lntroduction ~olìdo-Jiquido solido-liquido
Solidification
o! Metals';
lnstitute
ot Metals,London, (e) Id)
1964].

euteltica
lamellare
farmata
nellatrasformazione
eutettica
Pb·Sn.
(Ingrandimento500x ).
[DaW.G.Moffattetal.,
"StructureandProperties
of Malerials''.
voi./, Wi/ey,
19641.
7.7 LEGHE BINARIE PERITETTICHE
Un altro tipo di trasformazione che si osserva frequentemente nei diagrammi di

stato di equilibrio binari è la trasformazioneperitettica. Questa trasformazione è
di solito presente nei diagrammi di equilibrio binari più complessi, in particolare
se le temperature dì fusione dei due componenti sono sensibilmente diverse.
Nella trasformazione peritettica una fase liquida interagisce con una fase solida
per formare una nuova fase solida, diversa dalla precedente, e pertanto, in
forma generale, la trasformazione peritettica può essere scritta come:
/ Liquido + a ---/3 (7.8)

{raffri:dd.amento)
La Figura 7. 16 mostra la regione peritettica del diagramma di stato di

equilibrio ferro-nichel (Fe-Ni): in questo diagramma sono presenti due fasi
solide (6 e -y) e una fase liquida. La fase o è una soluzione solida di Nì nel Fe
CCC, mentre la fase I è una soluzione solida di Ni nel Fe CFC. La temperatura
1538 Liquido
1550 "j/" L+6
1400
1394 4.3
o 4 5 6 9
100%
Fe
Perceniualein peso di nichel
FIGURA7.16 Regione
perilettica
de.Idiagramma li puntoperitettico
di statoFe-Nì.. al puntoe (4,3%Ni,
corrisponde 1517°C},
258 Capitolo 7
peritettica di 1517°C e la composizione peritettica del 95,7%Fe-4,3%Ni nel Fe

definiscono il punto peritettico c in F,igura 7.16; questo punto è invariante
perché in quelle condizioni le tre fasi 6, 1 e liquido coesistono in equilibrio (zero
gradi di libertà). La trasformazione peritettica avviene quando una lega di
composizione peritettica viene raffreddata lentamente al di sotto della
temperatura peritettica; questa trasformazione può essere scritta come:
l5l7°C
ra1Tréddamen10
Liquido (5,4% di Ni) + 8(4,0% di Ni) -----"--"---- 1'(4,3% di Ni) (7.9)
Per comprendere ulteriormente la trasformazione peritettica, consideriamo

unl:l lega 95,7%Fe~4,3%Ni (composizione peritettica) che viene raffreddata
lentamente da 1550°C fino ad una temperatura leggermente inferiore a 1517°C
(da a a cin Figura 7.16). Da 1550 fino a circa 1525°C (da a ab in Figura 7.16) la
lega si raffredda come un liquido omogeneo, quando viene intersecata la curva
di lìquidus a circa 1525°C (punto b), inizia a formarsi il solido 5, l'ulteriore
raffreddamento fino al punto e ha come conseguenza una maggiore fonnazione
di solido 6. Alla temperatura peritettica di 1517°C (punto e) il solido 8 (4,0%Ni)
e il liquido (5,4%Ni) sono in equilibrio; a questa temperatura tutto il liquido
reagisce con tutta la fase solida 5 per produrre una nuova fase solida 1
(4,3%Ni). La lega rimane una soluzione solida della sola fase 1 fino a quando
avviene un'altra variazione di fase ad una temperatura più bassa, della quale
non ci occupiamo. Nella regione bifasica del diagramma peritettico, si può
applicare la regola della leva, in modo analogo al diagramma eutettico. F
Se una lega nel sistema Fe-Ni ha meno di 4,.3%Ni ed è raffreòJata D
lentamente dallo stato Hquido attraverso la regione liquido+ 6, si a\'r.~ un c
eccesso di fase 8 una volta che la trasformazione peritettica è completata; allo tr
stesso modo, se una lega Fe-Nì con più di 4,3%Ni, ma meno dì 5A¾Ni, è p
raffreddata lentamente, passando dallo stato liquido attraverso la regione l1
i!
bifasica 6 + liquido, ci sarà un eccesso di fase liquida dopo che la trasformazione
(1
perìtettica è completata. c
.-Il diagramma di stato di equilibrio binario platino-ar,.ento (Pt-Ag) è un
ottimo esempio di un sistema con una sola trasformazione invariante peritettica
(Figura 7 .17); in questo sistema la trasformazione peri tetti ca L + a, ----t /3 avviene
a 42,4%Ag e a 1186°C. La Figura 7.18 illustra schematicamente come la
trasformazione peritettica procede in m9do isotermo nel sistema Pt-Ag. Va
tuttavia ricordato che, durante il raffreddamento industriale delle leghe
peritettiche, lo scostamento dà.Ilecondizioni di equilibrio è di solìto mollo
grande, per la relativamente bassa velocità di diffusione atomica nella fase F
solida che si crea durante questa trasformazione. R
c
p
Eserciziario tr
Vedi Esercizio7.5. L
C, ,_. ___ -~~-----~---------------------'--

Liquido
Lega I
(l
1400
Liquido
~
é 1200
E
E
g_
E
~
a+ ~
o IO 20 30 40 50 60 70 80 90 JOO'n-
100% Ag
Pt
Percentualein peso dì argento
FIGURA7.17
Diagramma di statoPt-Ag, Durante un raffreddamento in condizioni di equilibrio oppure molto lento di
onpresenza di una lega di composizione peritettica attraverso la temperatura peritettica, ~utta la
rasformazione invariante fase solida a reagisce con tuno il liquido per produrre una nuova fase solida 8,
perilettica
al 42,4%Ag ea
come indicato in Figura 7.18. Invece, durante la solidificazione rapida di un
186"C.Alpuntoperitettico
liquido(66,3%Ag), u
10,5%Ag) e f3 (42.4%Ag)
oesistono.
Liquido
FIGURA7.18
Rappresentazione
schemalì-
adellosviluppo
progressivo
della
Diminuzfonedi temperatura
rasformazione
peritettica
L+a- /3.
260 Capitolo7
Liquido AtomidiB
dal liquido ,
FIGURA7.19 Fenomeni
di nonequilibriodurantela
trasformazione
peritettica.
La
bassa velocità
di diffusione
degliatomidalliquidoalla ..._....__.,,.- Atomi di A
faseo fa sì chela fasef3 da o.solido
lafasea.
circondi
getto di una lega attraverso la temperatura eutettica, avviene un fenomeno di

non equilibrio di circondamento,dovuto al fatto che durante la trasformazione
peritettica L + a '""""
(3, la fase {3 creata dalla trasformazione peritettica circonda
la fase primaria a:, come mostrato in Figura 7.19, Poiché la fase {3formata è una
fase solida e poiché la diffusione allo stato solido è relativamente bassa, la.fase f3.
formata attorno alla fase a costituisce una barriera alla diffusione e lu
FIGURA 7.20 Ipotetico

diagramma di stato
peritetticobinarioche
illustracomeawienela
formazione di strutturedì L
noneciuilibrio durante un ~
' o:,
:, L,
raffreddamento Il
industriale. a:'2'\. ". -..•.... ·;· -... -. . . .
rapidoraffreddamento ~
costringe il solldononin f! T:;.-+-
E
~"'-•••••-+•••••••H••••
a:·~\-
equilibrioa portarsi daa:1 a
a:4 oppure
determinando
da/31;a /37•
laformazione F
r
E
~
T4...
T5 -i,..
a:·}·
... 0:-1 :x4
di granidisomogenei dìfase
a (o di {j). Durante una T6-+-
solidificazione rapida di.una T7-. L;
legaperitettica, i grani
o:+~
disomogenei dì a- possono
inoltreessere circondati da
faseperitettica /3.[DaF. A X
Rhines, "Phase Diagrams in B ~
Metallurgy," McGraw-Hi/1,
1956,p.86'1.
trasformazione peritettica procede ad una velodtà via via decrescente. Qt1indi.

quando una lega peritettica viene solidificata rapidamente in condizioni di non
equilibrio, si ha la formazione di grani disomogenei di fase primaria a· (Figura
7.20 lungo 01 fino ad a~) e questi grani di o vengono circondati dalla fase /3
durante la trasformazione peritettica, come mostrato schematica111ente. in
Figura 7.21. In Figura 7.22 è mostrata la microstruttura dì una 60%Ag-
40%Pt raffreddata rapidamente, si nota la presenza di grani disomogenei di fase
a circondati da fase (3.
FIGURA7.22 Legaipeiperìtettica 60%Ag-40%Pt. Le

areebianche e grigiechiaresonoresiduidì grani
disomogenei di a:; leareescurea duetonalità
sonodi [3; le
porzioni
esterne sonodi composizione peritettica
e le aree
piùscuresonogranidisomogenei
centrali di (3 formalia
temperatureal di sottodi quelladellatrasformazione
peritettica.
(Ingrandimento 1000x).[Perconcess;one di F.
Rhines].
-
262 Capitolo 7
7.8 SISTEMI BINARI MONOTETTICI
Un'altra trasformazione invariante con presenza di tre che si osserva in

alcuni diagrammi dì stato binari, è la trasformazione monotettica, in cuì una
fase liquida si trasforma in una fase solida e in una fase liquida diversa:
L
1
raffreddamento Q -+L 2 (7.10)
In determinatì intervalli di composizione, i due liquidi sono fra loro immiscibili,

come l'olio nelPacqua, e quindi costituiscono due fasi distinte. Una
trasformazione di questo tipo avviene nel sistema rame-piombo (Cu-Pb) a
955°C.e 36%Pb, come mostrato in Figura 7.23. Il diagramma di stato di
equilibrio Cu-Pb ha un punto eutettico a 326°C e 99,94,(l/oPbe di conseguenza a
temperatura ambiente si ottengono le soluzioni solide di piombo quasi puro
(0,007%Cu) e di Cu quasi puro (0,005%Pb). La Figura 7.24 mostra la
Percentuale atomica di piombo
IO 20 30 40 50 60 70 80 90 Of
L
1000 a+L 1
36 955" L2
L1+L1 1600
800
FIGURA 7.23
Diagramma di statòCu-Pb.
L'aspetto
piùimportante di
questodiagramma è la ~ a+L:! \ )200
trasformazione
monotettica
invariante
a 36%Pb e
~
~
o
600 ...
r:::..
955°C.Al punto monotetlico
coesistonolefasia l
(100%Cu), L, (36%Pb) e L2
800
(87%Pb).Sinoticheìl Cue 400
il Pbsonopraticamente 327.502°
-'326°
tralom IDa
insolubili 99.94
"MetalsHandbook," vo/.8: o:+~
"Metallography,Structures, Cu Pb~
andPhaseD;agrams," 8th 200 400
Cù 20 40 60 80 Pb.
ed.,American Society
tor
Metals,1973, p.296]. Percemunle in peso di piombo
Diagrammidi stato 263
FIGURA7.24 Microstruttura di ungettodellalega

monotettica64%Cu-36%Pb. Lezonechiaresonola matrice
riccadi Cudelcostituente
monotettico;
lezonescuresono
comeL2 allatemperatura
partiricchedi Pb,cheesistono
monotettica.
(Ingrandimento
100x). [Perconcessionedi F.
Rhines].
microstruttura di getto di una lega monotettica 64%Cu~36%Pb, si noti Ja

distinta separazione tra la fase rìcca di Pb (scura) e la matrice di Cu (chiara).
Il piombo viene aggiunto in piccoli tenori, fino a circa lo 0,5%, a molte
leghe, ad esempio agli ottoni, per rendere più facile la lavorazione alle macchine
utensili delle leghe, riducendone la duttilità quanto basta per causare il distacco
del truciolo dal pezzo in lavorazione. Questa piccola aggiunta di piombo riduce
solo lèggermente 1a resistenza meccanica della lega. Leghe al piombo sono
utilizzate anche per realizzare cuscinetti, sfruttando il fatto che piccole quantità
di piombo sporcano la superficie di usura del cuscinetto, riducendo così rattrito.
7.9 TRASFORMAZIONI INVARIANTI
Finora sono state discusse tre principali trasformazioni invarianti che

avvengono di solito nei diagrammi di stato: le trasformazioni di tipo
eutettico~ peritettico e monotettico. La Tabella 7.1 riassume queste
trasformazioni e mostra l'aspetto assunto da un diagramma di stato in
corrispondenza ai punti caratteristici. Altre due importanti trasformazioni
invarianti che avvengono nei sistemi binari sono la trasformazione eutettoidica e
la trasformazione peritettoidica. Le trasformazioni eutettica e eutettoidica sono
simili, in quanto in entrambe durante il raffreddamento vengono formate due
fasi solide da un 'unica fase, con la differenza che nella trasformazione
eutettoidica la fase che reagisce è solida, mentre nella trasformazione eutettica
è liquida. Ugualmente nella trasformazione peritettica una fase solida reagisce
con una fase liquida per produrre una nuova fase solida, mentre nella
trasformazione peritettoidica reagiscono due fasi solide per formare una nuova
fase solida. É interessante notare dalla Tabella 7.1 come le trasformazioni
peritettica e peritettoidica appaiano opposte (o meglio specularmente simili) alle
corrispondenti trasformazioni eutettica e eutettoidica. Le temperature e le
composizioni delle fasi reagenti per tutte queste trasfom1azioni invarianti sono
264 Capitolo 7
TABELLA 7.1 Fasie tipi di reazioniinvariantiche awengono nei diagrammi di fase binari
Diagrammadi stato
Nome della reazione Equazione caratteristico
Eutettico L
raffleddamento
o +/3 «) \.1/ (p
Eutettoide o
raffreddamento
f;J+-y
~) \.a/ (r
Peritettico a:+L
raffreddamento
f3
a) \L
7~"\
Perittetoide o+ /j
raffreddamento
"f a) /,;·, \ \p
Monotettico L,
raffreddamento
a+L2 a) ';J( \ \L::
fissate, infatti, in accordo con la regola deHe fasi, ci sono zero gradi di libertà in
corrispondenza aì punti di trasfom1azione.
7.10 DIAGRAMMI DI STATO CON FASI E COMPOSTI INTERMEDI
Diagrammi di stato Si sono fino ad ora esaminati diagrammi di stato relativame.nte semplici,
con fasi contenenti solo un numero limitato di fasi e con al massimo una sola
intermedie trasformazione invariante. Molti diagrammi di stato sono invece complessi e
mostrano spesso fasi o composti intermedi. Nella terminologia d'èidiagrammi di
stato è conveniente distinguere tra due tipi di soluzioni solide: fasi limite e fasi
imermedie. Le fasi limite sono le soluzioni solide presenti alle estremità dei
diagrammi di stato, confinanti con i componenti puri; un esempio di fasi limite
sono le soluzioni solide a: e B de] diagramma di equilibrio Pb-Sn (Figura 7.11).
Le fasi intermedie sono soluzioni solide che si hanno in un intervallo di
composizione di esistenza interno al diagramma di stato e, in un diagramma
binario, sono separate dalle altre fasi da regioni bifasiche; il diagramma di stato
di equilibrio rame-zinco (Cu-Zn) di Figura 7.25 ha ad esempio sia fasi limite che
fasi intermedie: a: e fJ sono fasi limite, /3, "I, 8 e e sono fasi intermedie. Il
diagramma Cu-Zn contiene cinque punti invarianti peritettici e. un punto
invariante eutettoidico nel punto più basso della regione della fase intennedia é.
450 /J
400 800
L
"C l'\ 550 OF

250
450
1200
200
TJ+ e
350
150
1084.5" 250
lOOZn I 2 3 2000
Percentuale in
1000 peso di rame
y-+ L 1600
§
È 800
g.
~ S+L
l'.!00
600 (Y.
800
400
45.5
419.58°
FIGURA 7.25
o:+f3' y+e
Diagramma di statoCu-Zn. TJ
Questo diagramma halefasi
e+ TJ 400
limitea: e ri e le fasi 200
intermedie/3,~. 6 e e, sono
a.+y 9,9_.79é
!j 100°~
anche presenH cinque punti
invarianti
peritetUci e un
eutettoide.[Da"Metals o.__________ ..__
_________ ..__
___ _,
Handbook''. vol.8, 20 40 60 80 Zn
Cu
''Metallography, Structures, Percentuale in peso di zinco
andPhase Diagrams", 8th.
ed.,American Soc1ety tor
Metals, 1973,p.301].
266 Capitolo 7
Fase vetrosa Cristobal

finemente Miscela di fase
suddivisa vetrosa e mullite 1 Vuoti Quarzo (SiO2J
/:~?ff/
.)~_:;_fSft
21 Silica 12
brick~
I
2000 3632
I I
1900 1 Soluzione liquida. I 1 3452
I I
I
I 3272 ~,:;
SìO, I
FIGURA 7.26
+(l ~
Diagramma
sistemaA1
di statodel
203~Si02 che
Al203
+M M+I ) I
3092
~
~
1600 2912
contiene'
mullitecomefase
intermedia.Sonomostratele
composizìoni tipichedì 1500 2732
M+SiO~
chehannoAl203 e
refrattari
Si02 comelorocomponenti 2552
1400
principali.
[DaA. G.Guy.
"Essential
ot Materìa/s O IO 20 30 40 50 60 70 80 90 l 00
Science,"
McGraw~Hi!I. 3AJ~O3·2SiO~
1976]. Percentuale in pel'iodi SìO~
,.Le fasi intermedie non sono presenti solo nei diagrammi ?i stato binari dei
materiali metallici; nel diagramma di stato del sistema ceraJuco Al203-SiO~ si
forma una fase intermedia chiamata mullite, costituita da composto 3Al203·2Si0:
(Figura 7.26); molti materiali refrattari 1• che saranno discussi nel Capitolo 10 sui
Materiali Ceramici; hanno le fasi Ah0 3 e ;ii02 come loro componenti principali.
Composti In alcuni diagrammi di stato si'fermano dei composti intermedi tra due metalli
intermedi oppure tra un metallo e un non metallo: il diagramma di stato di equilibrio
magnesio-nichel (Mg-Ni) contiene i composti intermetallici Mg2Ni e MgNh.
1 Un refrattario è un materiale ceramico resistente al calore.

Diagrammi.di stato 267
1500 Liquido
Fase a fusione L+l3
congruente
;iJ
1100
É Fase a fusione
.:: incongruente L+MgNi -MgNi2
2 ~
i
$::: L+o.
~ 700 Mg2Ni
Mg2Ni + MgNi2
300
o 10 20 30 40 50 60 70 80 90
100w · Percemuale in peso dì nìchel 1009':
Mg Nì
FIGURA7.2? Diagrammadi statoMg-NLInquestodiagramma sonopresenti

duecomposti
intermetallici,
Mg2Ni e MgNi
2. [Da "Metals
Handbook''.
8thed,vo/.8,AmericanSociety
torMetats.1913,p.314'].
con legame essenzialmente metallico e composlZJone stechiometrica definita

(Figura 7.27). 11 composto intermetallico MgNi 2 è un composto con fusione
congruente poiché mantiene costante la sua composizione fino al punto di
fusione, invece Mg2Ni è un composto con fusione incongruente poiché, quando
viene riscaldato subisce una decomposizione perìtettica a 761 °C nelìe fasi
liquida e MgNii. Altri esempi di composti intennedi presenti nei diagrammi di
stato sono Fe 3C e Mg2Si; nel primo il legame è di carattere prevalentemente
metallico, mentre nel secondo il lega1ne è principalmente covalente.
Eserciziario
Vedi Esercizio7 .6.
[ 7.11 DIAGRAMMI DI STATO TERNARI
Finora abbiamo discusso solo diagrammi di stato binari, cioè a due componenti;
rivolgiamo ora la nostra attenzione ai diagrammi di stato ternari, cioè a tre
componenti. Come mostrato in Figùra 7.28 per una lega metallica ternaria
formata dai metalli puri A, Be C, le composizioni sui diagrammi di stato ternari
sono di solito rappresentate su un triangolo equilatero, ponendo i componenti
puri nei vertici del triangolo, e le composizioni delle leghe binarie AB, BC e AC
sui tre lati del triangolo,
268 Capitolo7
100%
A
FIGURA 7.28
su
Rappresentazione
triangolo
equilatero
delle lOOw 20 40 60 80 lOO'w
B e
composizioni
chimiche
di Percentuale in pe!iodì C
unalegaternaria
con
componentiA.Be C.
I diagrammi cli stato ternari, validi per una pressione costante di l atm.
possono essere rappresentati riportando la composizione su una base triangolare
e la temperatura su un asse verticale, con rappresentazione tridimensionale. Più
spesso però si considerano una o più sezioni isoterme di tale diaaramma.
proiettando la o .lesezioni sulla base triangolare. come viene faJ.to ad ese~pio per
la rappresentazione delle curve altimetrìche su una mappa geografica.
Consideriamo ora un diagramma ternario del tipo mostrato in Figura 7.29. in
cui il vertice A del triangolo indica il 100% di metallo A, il vertice B indica il 100°0
di metallo B e il vertice C indica il 100% di metallo C; si tracciano le tre linee per-
pendicolari dai vertici ai lati opposti del triangolo e la distanza dal lato al vertice
lungo la linea perpendicolare corrisponde al 100% dell'intera linea, si tracciano nel
caso varie parallele che individuano opportune suddi.visi.oni di tale 100%. Per
determinare la percentuale in peso di una lega rappresentata dal punto x basterà
ora determinare le coordinate di tale punto rispetto alle tre perpendicolari.
Eserciziario
Vedi Esercizio7.7.
100%
A
FIGURA7.29
Rappresentazione
su
triangolo
equilatero
delle
composizionichimiche
di
unalegaternariacon
componenti.A.Be C;
schematizzazione
del
metodo utmzzatoper
Percentuale in pe~odi C
determinare
lacomposizione
di unalegax.
Un diagramma di stato ternario di notevole interesse applicativo è il

diagramma ferro-cromo-nichel (Fe-Cr-Ni), molto utile per lo studio degli acciai
inossidabili, che hanno tipica composizione 74%Fe-l8%Cr-8%Ni. La Fismra
7.30 mostra una sezione isoterma a 650°C di tale diagramma. ....
I diagrammi di stato ternari sono importanti anche per lo studio di alcuni
materiali ceramici; la Figura l 0.32 mostra un diagramma dì stato ternario
dell'importante sistema silice-leucite-mullìte.
RIASSUNTO
I diagrammi di stato sono rappresentazioni grafiche delle fasi p;esenti in una

1ega metallica (o in un sistema ceramico) a diverse temperature, pressioni e
composizioni. Nel capitolo è stata posta particolare attenzione sui diagrammi di
stato di equilibrio binari temperatura-composizione; questi diagrammi ci dicono
quali fasi sono presenti a diverse composizioni e temperature in condizioni di
270 Capitolo 7
Cr
FIGURA 7.30
Diagramma di statoternario
Fe-Cr-Nirelativo
alla
sezioneisotermaa 650"'C.
Fe 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Ni
!Da"Metals Handbook,"
vol.8,8thed.,American
1
Percentuale in peso di nichel

Societytor Melafs.1973.
p.425].
equilibrio o lento riscalda.mento che si avvicinano a quello di equilibrio. Nelle

regioni bifasiche di questi diagrammi, la composizione chimica di ognuna delle
due fasi è indicata daltintersezione della linea orizzontale corrispondente alla
temperatura in esame con le linee di separazione delle fasi. La frazione in peso (o
più spesso percentuale in peso) di ogni fase in una regione bifasica può essere
determinata usando la regola della leva lungo tale linea. s•
Nei diagrammi di stato di staro binari isomorfi i due componenti sono
completamente solubili allo stato solido l'uno nell'altro e quindi c'è soln una
fase solida. Nei diagrammi di stato di equilibrio binari di una lega (o di un
materiale ceramico), avvengono spess,o trasformazioni invariantiche coinvolgo-
no tre fasi in equilibrio. Le trasformazioni invarianti più comuni sono:
l. Trasformazione eutettica: L---+a+/3

2. Trasformazione eutettoidica: /3+ì
Q; -
3. Trasformazione peritettica: a+L-/3
4. Trasformazione perhettoidìca: a+/3-+ì
5. Trasformazione monotcttica: L1 - a+L2
In molti diagrammi di stato di equilibrio binari sono presenti fasi e/o composti
intermedi; le fasi intermedie hanno un intervallo dì composizione, mentre i
composti intermedi hanno composizione fissa.
Durante la solidificazione industriale di molte leghe, si creano gradienti di
composizione e si producono strutture a grani disomogenei. Una struttura a
grani disomogenei può essere eliminata omogeneizzando il getto o il lingotto per
un tempo adeguato a temperature appena sotto la temperatura di fusione della
fase con più basso punto di fusione. Se il materiale viene leggermente
surriscaldato, determinando incipiente fusione ai bordi di grano, si produce
una struttura Iiquata; questo tipo di struttura non è desiderabile poiché la lega
perde resistenza meccanica e può rompersi durante le lavorazioni successive.
DEFINIZIONI
Paragrafo 7.1
Sistema: porzione delruniverso che è stata isolata per poterne studiare le proprietà.
Equilibrio: si dice che un sistema è in equilibrio se non avvengono variazioni
macroscopiche nel tempo.
Fase: porzione fisicamente omogenea e distinta di un sistema materiale.
Diagrammadi stato di equilibrio:rappresentazione grafica delle pressioni, temperature e
composizioni alle quali diverse fasi sono stabili in condizioni di equilibrio. Nella
scienza dei materiali i diagrammi di stato più comuni sono tracciati in funzione della
temperatura e della composizione.
Pa,·agrafo 7.2
Regola delle fasi di Gibbs:all'equilibrio il numero delle fasi più i gradi di libertà è uguale
al numero dei componenti più due: F + V = C + 2. Nella fomla ridotta con pressione
di I atm: F+ V= C+ I.
Gradi di libertà V: numero di variabili (pressione, temperatura e composizione) che
possono essere variate indipendentemente senza variare la fase o le fasi del sistema.
Numero di componentidi un diagrammadi stato: numero di elementi o composti che
formano il diagramma di stato. Per esempio il sistema Fe-FeJC è un sistema a due
componenti e anche j) sistema Fe-Ni è a due componenti.
Paragrafo 7.3
Sistemaisomorfo:diagramma di stato in cui è presente solo una fase solida, cioè allo stato
solido è presente solo un tipo distruttura.
Liquidus: temperatura alla quale il liquido inizia a solidificare in condizioni di equilibrio.
Solidus: temperatura durante la solidificazione di una lega alla quale solidifica l'ultima
porzione di fase liquida.
Paragrafo 7.6
Trasformazione eutettica (in un diagramma di stato binario): trasfonnazione di fase in cui
tutta la fase liquida si trasforma isotermicamente in due fasi durante un raffreddamento.
272 Capitolo 7
Temperaturaeutettica:temperatura alla quale avviene una trasformazione eutettìca.

Composizioneeutettica:composizione della fase liquida che reafsce formando due nuove
fasi solide alla temperatura eutettica.
Punto eutettico:punto determinato dalJa composizione e dalla temperatura eutettica.
Trasformazioniinvarianti:trasformazioni di fase di equilibrio con zero gradi di libertà.
Composizione ipoeutettica: composizione aHa sinistra del punto eutettico.
Composizione ipereutettica: composizione alla destra del punto eutettico.
Fase proeutettica: fase che si forma ad una temperatura superiore alla temperatura
eutettica.
Fase primaria:fase solida che si fonna ad una temperatura al di sopra di quella dì una
trasformazione invariante ed è ancora presente a trasformazione invariante
completata.
Paragrafo 7.7
Trasformazione peritettica (in un diagramma di stato binafio): trasformazione di fase in
cui, durante il raffreddamento, una fase liquida si combina con una fase solida
producendo una nuova fase solida.
Trasformazione monotettica (in un diagramma di stato binario): trasformazione di fase in
cui, durante il raffreddamento, una fase liquida si trasforma in una fase.solida e in
una nuova fase liquida (di composizione diversa dalla prima fase liquida}.
Paragl'afo7.10
Fase limite: soluzione solida di un componente in un altro per la quale un bordo della
regione di esistenza è un componente puro.
Fase intermedia:fase per la quale rimervallo di composizione di esistenza è compreso tra
quelli delle fasi limite.
MATERIALI METALLICI
I metaUi e le leghe h.anno proprietà tecnologiche di indubbia utilità e per questo

motivo trovano moltissime applicazioni industriali. Il ferro e le sue leghe
(principalmente gli acciai) rappresentano circa il 90% della produzione
mondial.e di ma te.riali metallici, grazie alla loro buona com binazione di
resistenza meccanica, tenacità e duttilità, abbinata a costi relativamente
contenuti. Ogni metallo ha particolari caratteristiche che lo possono rendere
interessante per una particolare realizzazione, ma la scelta finale viene realizzata
dopo un 'analisi comparata delle prestazioni e dei costi rispetto ad altri metalli e
materiali (vedi Tabella 8.1 ).
Le leghe a base di ferro vengono chiamate leghe ferrose, mentre quelle
basate su altri metalli sono chiamate leghe non ferrose. In questo capitolo
discuteremo alcuni degli aspetti de1la produzione, deHa struttura e delle
proprietà di alcune delle più importanti leghe ferrose e non ferrose.
8.1 PRODUZIONE DELLA GHISA E DELL'ACCIAIO
Produzione della La maggior parte del ferro è estratto da minerali di ferro utilizzando grossi
ghisa grezza (Figura 8.1). Nell'altoforno> il coke (ottenuto dal carbone) è usato
altiforni
nell'altoforno come agente riducente degli ossidi di ferro (principalmente Fe 2 O 3 ) per produrre
274 Capitolo 8
TABELLA 8.1 Prezziindicativi ($ Kg) di alcuni metalli

nel mese di aprile del 1989*
Acciaiot 0.49 Nichel 15.5

Alluminio 2.12 Stagno 11.1
Rame 3.20 Trt.anio+ 11.8
Magnesio 3.60 Oro 10220
Zinco 1.8B Argento 155
Piombo 0.77
.. I prezzipossono_variare
nel tempo
t Lamiera dì acciaio al solo carbonio laminataa caldo.
+Spugna di titanio.Prezzi per circa 50 t.
ghisa·grezza, che contiene circa il 4% di carbonio as~ieme ad altre impurità.
mediante la tipica reazione:
La ghisa grezza viene solitamente trasferita, allo stato liquido, dall'altoforno ad

un forno per la produzione dell'acciaio.
Contcnilori
dlii minerale Contc•nilori
.-dèlcu.lcare del roke
FIGURA 8.1 Sezione

trasversale
di unmoderno
conlo schema
altoforno
delleoperazioni
principali.
[DaA. G.Guy,"Elements ot
PnysicalMetaflurgy':
2nd
·ed.,© 1959,Addison~
Wesley,Fig.2~5,p.21].
Materiali metallici 275
Caricamento
a 'f/r~I
~
..,::':-.:. del rottame
forno
~• Caricamento
.,. dì ghisa fusa
Spillatura
del forno
'<.J' ...
t
~
Ì{
t
~
rP~. Cola"
della scoria
/~
j} #
~ Aggmnta di
calce viva
FIGURA8.2 Fabbricazione
dell'acciaio
in unconvertitore
adossigeno. di lnlandSteen.
[Perconcessione
Produzione Gli acciai al carbonio sono sostanzialmente delle leghe di ferro e carbonio con
dell'acciaio un tenore di carbonio che praticamente è al massimo dello 1.2%, anche se la
e ottenimento maggior parte degli acciai contengono una quantità di carbonio inferiore allo
dei principali 0,5%. La maggior parte delracciaio è ottenuta per ossidazione del carbonio e
semilavorati delle altre impurità presenti nella ghisa grezza, finché B contenuto di .carbonio
di acciaio nel ferro si riduce al livello richiesto.
Il processo più comunemente usato per la conversione della ghisa grezza in
acciaio comporta l'uso di un convertitore ad ossigeno. In questo processo la
ghisa grezza Viene caricata, unitamente a rottame di acciaio aggiunto fino a
circa il 30%, in un convertitore di forma cilindrica con rivestimento refrattario.
nel cui interno è inserita una lancia che insuffla ossigeno (Figura 8.2).
L'ossigeno puro della lancia reagisce con il bagno fuso per formare ossido di
ferro. Il carbonio nell'acciaio reagisce quindi con l'ossido di ferro per formare
monossido di carbonio:
FeO + C--+ Fe+ CO

Immediatamente prima che abbia inizio la reazione con r ossigeno, vengono
aggiunte quantità controllate di addensanti di scorie {soprattutto calce). Con
questo processo, della durata di circa 22 minuti, il contenuto di carbonio
dell'acciaio può essere drasticamente abbassato e viene contemporaneamente
ridotta la concentrazione di impurità come lo zolfo e il fosforo (Figura 8.3).
L'acciaio fuso può essere colato dal convertitore sia in lingottiere, sia
276 Capitolo8
p e
FIGURA 8.3
Rappresentazione schemat.ica
· dell'andamento della
di unconvertitore
raffinazione é
.. --:_~---
a rivestimento
insufflamento
basico con
di ossigeno
ia 1.0, ·
[DaH. E.
dall'alto.
McGannon (ed),'7he
Making, Shaping, and
Treatingot Steel':9thed., Tempo.min
United StatesSteelCorp.,
1971,p.494J.
FIGURA 8.4 Laminazione a caldodi unnastro di acciaio.

Questa
fotografiamostra
sullosfondo deitrenidi laminazione
sbozzatori
e,in
primopiano,
seitrenidi laminazione
finitori.Il nastro
diacciaio
esce
dall'ullìmo
stadio
di finitura.e
vienetemprato inacQua.
[Perconcessione
dellaU.S.SteelCorp.].
mediante colata continua ottenendo lunghe . bramme, tagliate di opportuna

lunghezza. Oggi, più del 60% dell'acciaio grezzo prodotto è ottenuto con colata
continua e si prevede che questa percentuale salga ulteriormente nei prossimi
anni. Dopo essere stati colati, i lingotti vengono riscaldati in un forno .a pozzo
(Figura 6.4) e quindi vengono laminati a caldo in bramme, billette o blu.mi. Le
bramme vengono in seguito laminate a caldo o a freddo in nastri e lamiere di
acciaio (vedi Figura 8.4 e Figure 6.6, 6.7 e 6.8). Le billette vengono laminate a
caldo o a freddo in barre, tondini e fili, mentre i blumi vengono laminati a caldo
o a freddo in forme varie, come travi a doppia T e rotaie. Il diagramma di flusso
di Figura 8.5 riassume le varie fasi dei processi di trasformazione dei materiali
grezzi nei principali semilavorati di acciaio.
8.2 DIAGRAMMA DI STATO FERRO-CARBURO DI FERRO
Sì chiamano acciai al carbonio le leghe ferro.carbonio che contengono da una

percentuale molto bassa (circa lo 0,03%) all'J ,2% di carbonio, dallo 0,25 all'l %
di manganese e quantità minori di altri elementi 1• In questo paragrafo, gli acciai
al carbonio verranno trattati come fossero solo leghe binarie ferro-carbonio; gli
effetti degli altri elementi negli acciai saranno discussi negli ultimi paragrafi.
Diagramma di Le fasi presenti nelle leghe ferro-carbonio raffreddate molto lentamente a varie
stato Fe-Fe3C temperature e con percentuali di carbonio fino al 6.67% sono mostrate nel
diagramma di stato ferro-carburo dì ferro (Fe-Fe 3 C) di Figura 8.6. Questo
diagramma di stato non è un vero diagramma di equilibrio, dato che il composto
Fe3C che. si forma non è una fase di equilibrio. So.no certe condizioni iì Fe3C.
spesso chiamato anche cememire,può decomporsi nelle fasi più stabili di ferro e
carbonio (grafite). Tuttavia, per la maggior parte delle condizioni pratiche il
Fe3C è molto stabile e può quindi essere trattato come una fase di equilibrio.
Fasi solide nel Il diagramma Fe-Fe 3C contiene le seguenti fasi solide: ferrite-a. austenite (1-),
diagramma di cementite (Fe3C) e ferrite-o.
stato Fe-Fe3 C
Ferrite-a. Questa fase è una soluzione solida interstiziale del carbonio nel
reticolo cristallino CCC del ferro. Come indicato dal diagramma di stato
Fe~Fe3C, il carbonio è solo parzialmente solubile,Ìlella ferrite·a:, .con una
solubilità allo stato solido massima dello 0,02% a 723°C, la solubilità del
carbonio nella ferrite-o diminuisce allo 0,005% a 0°C.
1
Gli acciai al carbonio contengono sempre anche silicio, e come impurezze fosforo e zolfo.
278 Capitolo 8
Acciaio
solido
Carbone
Coke
Ghisa di Impianti di
prima produzioneacciaio
Triturazione,
selezione.
ecc.
Materiali
fusione (Martin-Siemens. Acciaio
fusa convenitorebasico fuso ~-
convertitorea
ossigeno e arco
elettrico) i
~
I
-
ricchi
ìn ferro.
_____ ___, I !Lingottiere
I
I
lmpìanti di
trattamento
del minerale
I Acclaìo
i solido
di ferro
Minerale
"
ILingonil
non tramnr,
Elementi !
dì lega e 'I Gabbie di
Mimere additi\·i laminazione
di minerale primaria( per
dì ferro blumì. bìllenc
èslebil
FIGURA8.5 Diagramma dì flussodelleprincipaU

fasidelprocesso
di conversionedeimateriali
grezzi
in semila~orati,
esclusii prodottì
rivestiti.[DaH.E.McGannon(ed.),'1heMaking,Shaping,
andTreatìng
of Steer:9thed.,UnitedStatesSteelCorp.,1971,p.2].
Austeni1e ('y). La soluzione solida interstiziale del carbonio nel ferro ~, è

chiamata austenite. L'austen.ite ha una struttura cristallina CFC e una
solubilità maggiore del carboijio rispetto alla ferrite-a:; la solubilità del
carbonio nelraustenite haun -massimo del 2,06% a l l48°C e diminuisce
allo 0,8% a 723°C (Figura 8.6).
Cementite (Fe 3C). Il composto intermetallico Fe 3 C è chiamato cementite.

La cementite ha un limite trascurabile di solubilità e una composizione
del 6,67% di carbonio e del 93,3% di ferro. La cementite è un composto
duro e fragile.
Tipici profili ( non in scala)
Profilati
stnitturali
ft·~·~'B'.i~~
Travi Angolari Travia T Travia Z Travia C Palifica:z.ioni
Rotaie e
giunzioni
~ 28 gJ
Rotaie standard Rotaie per gru Giunzioni
~arre
~
-
'°
Tondo Quadro Esagonale Otla!!onale Piano Triangoli.Ire Messo
!Ondo
Filo Fune
~ Chiodi Rete
No111:
Altri prodoni tubolari comprendono
tubi di largo diametro s:lldatì
ouenuti da lamiere. e tubi saldaci a
resistenza (ERW) ouenu1ida mmri
laminati II caldo e a freddo.
Lamierini e nastri laminati a caldo
. -- Gabbie per
hlmierini a c:ildo Gabbiedì
Lamin:11i:i laminazione-
a freddo
1-----------
Lamierinie nastri
caldo sboz.zmi lamin:tiia freddo
percoil Coìl
Ferrite-o. La soluzione solida interstiziale del carbonio nel ferro 6 è

chiamata ferrite-o. Essa ha una struttura cristallina CCC come la ferrite-
a:, ma con una maggiore costante reticolare; la massima solubilità allo
stato solido del catbonio nella ferrite-o è dello 0,09% a l465°C.
Reazioni invarianti Trasformazioneperitettica Al punto di trasformazione peritettica il liq~ido

nel diagramma di con 0,53% di carbonio si combina con ferrite-o, con 0,09% di carbonio, per
stato FeNFe3C formare austenite (,-), con 0,17% di carbonio. Questa trasformazione, che
avviene a 1495°C, può essere scritta come:
Liquido (0,53%C) + 8 (0,09%C) l495°C
1 (0,I7%C)
Si ricorda che la ferrite-8 è una fase che compare solo ad alta temperatura nel
280 Capitolo 8
1600 L+o I
I
I
6 Liquido
1400
y+o L +Fc,C
L+y
1200 1148°C
y austenile I\
2.06 4.3
1-.l1000
y + Fe3C
li
!e:. 800 o+y
I.)
723"C
a.
E
~ 600 '\ \
0.8
0~02
400 a+ Fe3C
Fe3C
200
o 6.67
0% 2 3 4 5 6
100%Fe Fe3C
FIGURA 8.6 Diagramma Percentualein peso di carbonio
di statoferro-carburo
di
ferro.
diagramma Fe-Fe 3C e non si incontra a temperature più basse.
Trasformazione eutettica Al punto di trasformazione eutettica, il liquido con

4,3% di carbonio forma austenite (1) con 2,06% di carbonio e il composto
intermetallico Fe:1C (cementite} che contiene 6,67% di f..arbonio. Questa
trasformazione, che avviene a I 148°C, può essere scritta come:
Liquido (4,3°/oC)
ll48°C austenìte "'/(2,06 %C) + FeJC(6,67%C)
Questa trasformazione non s'incontra negli acciai al carbonio, in quanto il loro
contenuto dì carbonio è troppo basso.
Trasformazione eutettoidica Al punto di trasformaz:ione eutettoidica.
l'austenite solida con 0,8% di carbonio produce ferrite-a con 0,02% di
carbonio e Fe 3C (cementite) che contiene 6,67% di carbonio.. La
trasformazione, che avviene a 723°C, può essere scritta come:
austenite (0,8%C)
i23"C ferrite a (0,02 %C) + Fe3C(6,67%C)
1000 - 'Y
500
a+ Fe~C
FIGURA 8.7
Trasformazione
di unacciaio 400 -
eutettoidico
(0,8%C) dopo
unraffreddamentolento.[Da
W.F.Smith,"Structure and o 0.4 0.8 6.67
100% Percentuale in peso di carbonio
Properties
of Engineering Fe
Alloys';McGraw-Hi/1;
1981.
p.8].
Questa trasformazione eutettoìdica, che avviene completamente allo stato

solido, è importante per alcuni dei trattamenti termici degli acciai al c~rbonio.
Un acciaio al carbonio che contiene lo 0,8% di carbonio è chiamato acciaio
eutettoidico, dato che quando l'austenite di questa composizione viene
lentamente raffreddata sotto la temperatura eutettoidica si forma una struttura
completamente eutettoidica di ferrite-o: e Fe 3 C Se un acciaio al carbonio
contiene meno di 0,8% di carbonio è chiamato acciaio ipoeutettoidico e se
l'acciaio contiene più di 0,8% di carbonio è chiamato acciaio ipereutettoidico.
Raffreddamento Acciai al carbonio eutettoidici Se un campione di acciaio al carbonio con O 8%

lento degli acciaidi carbonio (eutettoidico) viene riscaldato e mantenuto per un tempo suffici~nte
al carbonio a ~irca 750°_C,la sua struttura diventerà austenite omogenea; questo processo è
chiamato d1 austenitizzazione.Se questo acciaio eutettoi'dico viene raffreddato
molto lentamente appena sopra la temperatura eutettoidica, la sua struttura
rimarrà austenitica come indicato dal punto a di Figura 8.7, un ulteriore
raffreddamento. alla temperatura eutettoidica o appena sotto trasformerà l'intera
struttura da austenite ad una struttura lamellare di laminette alternate di ferrite~
a-.e cementite (Fe3C). Appena sotto la temperatura eutettoidica, al punto b di
Figura 8.7, la struttura lamelJare apparirà come in Figura 8.8; questa struttura
eutettoidica è chiamata perlite.
282 Capitolo 8
FIGURAB.8
Microstruttura
dì unacciaio
eutettoidico
raffreddato
lentamente.La
microstruttura
consiste di
perme lamellareeutettoidìca.
Lafasescuraè cementite e
la fasechiaraè ferrite.
(Attacco:picral:
ingrandimento 650x).
[UnitetiSteelCorp.,"Metals
Handbook': Vo/.8,8thed.,
American SocietytotMetals,
1973,p,188].
Poiché la solubilità del carbonio nella ferrite-a e nella cementite (Fe 3C)
varia molto lentamente da 723°C a temperatura ambiente, la struttura della
perlite rimarrà praticamente invariata in questo intervallo di temperatura.
Eserciziario
Vedi Esercizio 8.1 ,
Acciai al carbonio ipoeutettoidici Se un campione di acciaio al carbonio con

0,4% di carbonio {acciaio ìpoeutettoidico) viene riscaldato a circa 900°C (puntt"'a
di Figura 8.9) per un tempo sufficiente, la sua struttura sarà costituitu da
austenite omogenea. Se l'acciaio viene poi raffreddato lentamente alla
temperatura b di Figura 8.9 (circa 775°C) comincerà a nuclearsi della ferrite
proeutettoidica 1 che crescerà principalmente ai bordi dei grani austenitici. Se la
lega viene raffreddata lentamente dalla temperatura b alla temperatura e di
Figura 8.9, la quantità di ferrite proeutettoidica formata continuerà ad aumentare
fincral 50%; mentre il contenuto di carbonio nel1'austenìte rimanente aumenterà
dallo 0,4 allo 0,8%. A 723°C, se prevalgono condizioni di raffreddamento molto
lento, l'austenite rimanente si trasformerà isotermicamente in perlite attraverso la
trasformazione eutettoidica: austenite -+ ferrite + cementite. La ferriteMonella
perlite viene chiamata ferrite eutettoidica per distinguerla dalla ferrite
proeutettoidica che si è fonnata ~recedéntemente, a temperatura superiore a
723°C. La Figura 8.1O è una· micrografia ottica della struttura di un acciaio
ipoeutettoidico con 0,35% di carbonio, che è stato austenitizzato e raffreddato
lentamente fino a temperatura ambiente.
1
Il prefisso pro- significa "prima" e pertanto il termineferriteproeutettoidica è usato per
distinguere questo costituente dalla ferrite eutettoidica che si forma durante la
trasformazione eutettoidica.
Materiali metallfèi 283
1000 ~
900
'Y
"i·~. 1 1 . O
800 y+a b
f;.l
0.02
É
:::;
'é
o
100 I
È
~
600
500 cx+ Fe3C

FIGURA 8.9 Perlile
Trasformazione
di unacciaio
al carbonio
ìpoeutettoidico 400
a
con0.4%Cdopoun
raffreddamento
lento.
[Da W
o 0.4 0.8 6.67
F.Smith."Structure
and lOOCil:
Properties
of Engineering Fe
Alloys·:McGraw-Hiff.
1981, Percentuale in peso di carbonio
p.10].
FIGURA 8.10
Microstruttura di unacciaio
al carbonioipoeutettoidico
(0,35%C) raffreddato
lentamentedalcampo
austenitico.
Il costituente
chiaroè !aferrite
proeutettoidica;
il costituente
scuroè la perlite. (Attacco:
nital2%;ingrandimento
SOOx). [DaW F. Smith,
"Strutture
andProperties of
EngineeringAlloys';
McGraw-HiJI, 1981,p.11].
284 Capitolo 8
1100
900
:;i
È 123°c
!
,:;
~
700
E
#
500
FIGURA8.11
Trasformazione
di unacciaio
al carbonio
ipereutettoidico 100 l.2
(1,2%C) durante
un
raffreddamento
lento.[DaW t) LO 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 6.7
F.Smith,~·structure
and IOO'ìr
Properties
otEngineering Fe
Percentualein peso di carbonio
AI/Oys':McGraw-Hifl,
1981,
p,12j.
Eserciziario
Vedi Esercizio8.2.
Acciai al carbonio ipereutettoidici Se un acciaio al carbonio con 1,2% di
carbonio (acciaio ipereutettoidico) viene riscaldato e mantenuto per un tempo
sufficiente a circa 950°C, la sua struttura diventerà praticamentè tutta austenìtica
(punto a di Figura 8.11 ), Se poi questo acciaio viene raffreddato molto lentamente
alla temperatura b di Figura 8.11 t inizierà a nuclearsi della cernentite
proeutettoidica e a crescere principalmente al bordo dei grani austenitici; durante
un ulteriore lento raffreddamento fino al punto e di Figura 8.l I, cioè appena
sopra i 723°C, la quantità di cementite proeutettoidica aumenterà. se, con il lento
raffreddamento. vengono mantenute condizioni prossime all'equìlibrio, il
contenuto complessivo di carbonio nell'austenite residua passerà da 1,2% a 0,8%.
Con un ulteriore raffreddamento lento fino a 723°C o appena sotto questa
temperatura, l'austenite rimasta si trasformerà in perlìte a seguito di
trasformazione eutettoidica, come indicato dal punto d di Figura 8.11. La
cementite formata durante. la trasformazione eutettoidica viene chiamata
FIGURAS.12
Mìcrostrutturadi unacciaio
al carbonioipereutettoidico
(1,2%C) raffreddato
lentamente dallaregione
Lacementite
austenitica.
proeutettoidicaapparecome
chiarochesi è
il costttuente
formatoall'exbordodi grano
austenitico;
la restante
è formata
struttura daperlile
lamellare grossolana.
(Attacco:pìcral;
ingrandimento 1000x).[Per
concessione dellaUnited
StatesSleelCorp., Research
Laboratory'j.
cementite eutettoidica per distinguerla da queHa proeutettoidica formatasj a

temperature superiori a 723°C; analogamente, la ferrite formatasi durante la
trasformazione eutettoidica viene chiarnata/errire euteltoidica. La Figura 8.12 è
una micrografia ottica della struttura d.i un acciaio ipereutettoidico con 1,2% di
carbonio che è stato austenitizzato e quindi raffreddato lentamente a
temperatura ambiente.
Eserciziario
Vedi Esercizio8.3.
8.3 TRATfAMENTI TERMICI DEGLI ACCIAI AL CARBONIO
Variando le modalità di riscaldamento e raffreddamento degli acciai al

carbonio, si possono ottenere diverse combinazioni di proprietà meccaniche:
in questo paragrafo esamineremo i cambiamenti di struttura e di proprietà degli
acciai al carbonio durante alcuni dei principali trattarn~nti tem1ici.
Martensite Formazione dì martensite Fe-C mediante tempra Se un accìaio al carbonio a

struttura austenitica viene raffreddato rapidamente a temperatura ambiente, ad
esempio mediante tempra in acqua, la sua struttura cambierà da austenitica a
martensitica. La martensite, negli acciai al carbonio, è una fase metastabile
composta da una soluzione solida interstiziale sovrassatura di carbonio nel ferro
cubico a corpo centrato. o meglio nel ferro tetragonale a corpo centrato, in cui
286 Capitolo 8
,
1100
Austenite{y)
1000
;;->
800
é
:::
Fe:;C
~c.
I
600
Ferrite(a.)+ carburo (CJ
E
.u
FIGURA 8.13 Effetto
del i- 400
tenoredi carbonio sulla Manensite
temperaturadi iniziodella 200 a stecche
trasformazionemartensitica,
Ms,perle legheFe-C.!Da 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 l.6
A. R. Mardere G.Krauss,
"Hardenability
Concepts Percentualein peso di carbonio
withApp/icalions to Steel'',
AIME,1978,p.23ff'J,
la tetragonalità è causata dalla leggera distorsione della cella elementare CCC

per la presenza del carbonio. La temperatura a cui inizia la trasfom1azione da
austenite a martensite durante il raffreddamento è chiamata martensite start Jvls
e la temperatura a cui finisce la trasformazione è chiamata martensite finìsh. )\ff.
La temperatura Ms per le leghe Fe-C diminuisce all'aumentare della perccna .,k
in peso di carbonio, come mostrato in Figura 8.13.
Microstrutturadella martensiteFe"C La microstruttura della martensite negli

acciai al carbonio dipende in primo luogo dal contenuto di carbonio
dell'acciaio. Se l'acciaio contiene meno di 0,6% di carbonio, la martensite è di
tipo aciculare, ed è costituita da domini di aghetti, con. all'interno del dominio.
orientamenti diversi anche se di poco; la struttura all'interno degli aghetti è
molto disordinata, con una alta densità di dislocazioni. La Figura 8.14a mostra
una micrografia ottica della m<1rtensiteFe-C acicularein un acciaio con 0,2% di
carbonio a 60Ox ~ mentre la Figura 8.15 mostra la stessa microstruttura al
microscopio elettronico a 60000x. ,
Per tenori superiori a l % dJ. carbonio si forma un diverso tipo di
martensite. chiamata marzensile a placchette; la Figura 8.14b mostra una
micrografia ottìca della martensite Fe-C a placchette in una lega con 1,2% dì
carbonio a 600x. Le placchette nella martensite Fe-C ad alto contenuto di
carbonio hanno dìmensioni variabili e mostrano la presenza di finì geminati di
trasformazione, come mostrato in Figura 8 .16. Le placchette sono spesso
circondate da una grande quantità di austenite non trasformata (residua).
La martensite Fe#C con tenore di carbonìo compreso tra 0,6 e 1,0% ha
Materiali'metallici 287
FIGURA 8.14 Effetto del

contenutodi carbonio sulla
dellamartensite
struttura di
unacciaio al carbonio: (a)
tipoaciculare,(b) tipoa
placchette
{attacco: solfitodi
sodio;micrografìe ottiche).
[DaA. R. Marder e G.
Krauss,Trans. ASM,
60:651(1967)]. (a) (b)
microstruttura mista, formata sia da martensite aciculare che da martensite a

placchette.
Struttura della martensite Fe~C in scala atomica La trasformazione

. dell'austenite in martensite nelle leghe Fe-C (acciai al carbonio) awiene senza
fenomeni diffusivi, dato che la trasformazione ha luogo cosi rapidamente che gli
atomi non hanno il tempo di rimescolarsi. Sembra che non ci sia una barriera

dellarnartensite
acicularein
unalegaFe·0,2%C {sinoti
l'allineamento
parallelo
delle
placcnette).
[DaA. R. ·
Marder e G.Krauss,Trans.
ASM,60:651 (1967)].
288 Capitolo 8
FIGURA8.16 Martensite
a placchette
in cuisi vedono
fini geminati.
[DaM Dkae
C.M Wayman, Trans;
ASM,
62:370(1969)].
ener[!etica di attivazione termica che ostacoli la trasformazione da auste1ùt a

mar(ensite: inoltre si ritiene che durante la trasformazione non abbiano luogo
variazioni di composizione rispetto alla fase genitrice e che rimangano uguali le
posizioni relative deg1i atomi di carbonio rispetto agli atomi di ferro.
Nella martensite Fe-C con tenori di carbonio inferiori a 0,2% di carbonio,
l'austenite si trasforma in ferrite-o con struttura cristallina CCC all'aumentare
del contenuto di carbonio, la struttura. CCC viene distorta in una struttura
crista1lina tetragonale a corpo centrato (TCC). Il massimo ~poto interstiziale
nella struttura cristallina CFC del Fe- 1 ha un diametro di O,104 nm (Figura
8.17a), mentre il massimo vuoto interstiziale nella struttura cristallìna CCC del
ferro o ha un diametro di 0,072 nm (Figura 8.17b); dato che l'atomo di carbonio
ha un diametro di O,154nm, esso può trovarsi in quantità maggiore in soluzione
solida interstiziale nel reticolo CFC del Fe--y. Quando, a seguito di un rapido
raffreddamento delraustenite, si produce martensite Fe-C con più di 0,2% di
carbonio, a causa della ridotta spaziatura interstiziale del reticolo CCC gli atomi
di carbonio provocano una distorsione della cella elementare CCC lungo il suo
asse e (Figura 8.17c). La Figura 8. 18mostra l'allungamento del parametro e del
reticolo della martensite Fe-C all'aumentare del contenuto di carbonio.
Durezza e resistenza della martensite Fe-C La durezza e la resistenza

Materialimetallici 289
FIGURA8.17 (a)Cellaelementare CFCdelFe-ìconunatomo di carbonio in unampio

vuotointerstiziale
lungoil latodelcubodellacella.
(b) Cellaelementare
CCCdelFe-,oconunminore tragliatomilungoil latodelcubodellacellaelementare.
vuotointerstiziale (e) Cella
elementareTCCdelferroottenuta
attraverso
ladistorsione
dellacellaelementare CCCdapartedi unatomo di carboniointerstiziale.
[DaE.R.
Parkere V F Zackay,StrongandDue/ileSteels,
Sci.Am.,November 1968,p,36;Copryright© by Scientific
American. !ne.}
meccanica della martensite Fe·C dipendono dal contenuto di carbonio e

aumentano con esso (Figura 8.19). Tuttavia, airaumentare del tenore di carbonio
si ha anche una diminuzione della duttilità e della tenacità, cosicché la maggior
parte degli acciai al carbonio vengono rinvenuti mediante riscaldamento ad una
~emperatura inferiore alla temperatura di trasfonnazione di 723°C.
3.05
FIGURA 8.18 Variazione

deiparametri a e e del
reticolo
dellamartensite
C in funzionedeltenore
Fe-
di
2.85 --------~ Asse a
carbonio.WaE C.Baine H.
W.Paxton, "Alloying 2.800
Elements in Steel''.
2d ed., 0.2 0.4 0.6 0.8 I.O 1.2 1.4 1.6
American Society torMetals, Carbonio,%
1966,p.36],
290 Capitolo8
1100
,.
1000
65
900
800
60
Strunurarnarlensìtica(temprata)
700 u
E:
liu ]
.:.:
> 600 u
o
N·~
''!!
50
Ci::
iiN
FIGURA 8.19 Durezza :, 500
o E:!
:,
indicativa
di un accìaio al o
carbonioa struttura 400 40
interamentemartensitica
in funzione
deltenoredi 300 30
carbonio.La regione 20
ombreggiata indicala IO
possibileperditadi durezza
dovutaallapresenza di
austènite
residua,menodura
dellamart~nsite.IDaE C.
Baine H. W.Paxton, 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 L20
"AlloyingElements in Steel'', Carbonio.<i',
2ded.,American Society tor
Metats,1966,p.37].
La martensite Fe-C a basso tenore di carbonio deve la sua resistenza all'alta

concentrazione di disìocazioni che si forma (martensite aciculare), che ostacola
il mo.vimento dì altre dislocazioni. e al rafforzamento dovuto a1la presenza degli
atomi di carbonio in soluzione solida interstiziale, che distorce i'tretìcolo CCC in
reticolo TCC. All'aumentare del tenore di carbonio oltre lo 0,2%, prevale il
rafforzamento per soluzione solida interstiziale, inoltre, nena martensite ad alti)
tenore di carbonio anche la presenza dei geminati nella martensite a placchenc
contribuisce ad aumentare la durezza.
Trasformazione Diagrammadi trasformazioneisotermica per un acciaio al carbonio eutettoidico

isotermica Nei precedenti paragrafi sono state descritte le tr~sformazioni subite dal·
dell'austenite l'austenite di un acciaio al carbonio eutettoidico, sia durante un raffreddamento
molto lento, che durante un raffreddamento veloce. Consideriamo ora le
trasformazioni che si verificano quando l'austenite degli acciai eutettoidici viene
raffreddatà rapida.mente ad una temperatura inferiore alla temperatura eutet·
Materfàlimetallici 291
FIGURA 8.20 Apparato

sperimentale
determinare
awengono
per
le variazioni
microscopicheche
durante
trasformazione
la
isotermica
dell'austenile
in unacciaioal
Fornoa
temperatura
superiore
ai 723"C
Bagno di sali
per trasformazione
isotermaad una
temperatura
CJ
Bagnopertempra
in acquafredda a
temperatura ambiente
carbonioeutetloidico.
(Da inferiorea 723°C
W.F. Smith,"Struclureand
(a) (b) (e)
of Engineering
Properties
Alloys':McGraw-Hifl, 1981,
p.14].
toidica e viene mantenuta a quella temperatura in modo da realizzare una tra-

sformazione isotermica.
Per studiare i mutamenti microstrùtturali che avvengono durante la
decomposizione dell'austenite eutettoidica si utilizzano in genere un certo numero
di provini di piccole dimensioni, quali quelle di una moneta. I campioni vengono
dapprima austenitizzati in forno ad una temperatura superiore a que1la
eutettoidica (Figura 8.20a), poi vengono raffreddati rapidamente in un bagno di
sali fusi alla temperatura desiderata, inferiore alla temperatura eutettoidica (Figura
8.20b), infine, a diversi intervalli di tempo, i campioni vengono singòlannente
rimossi dal bagno salino e raffreddati velocemente in acqua a temperatura
ambiente (Figura 8.20c). La microstruttura ottenuta ad ogni intervallo di tempo di
trasformazione può essere così esaminata a temperatura ambiente.
Come esempio, consideriamo le variazioni microstrutturali che avvengono
in un acciaio al carbonio eutettoidico durante una trasformazione isotermica a
705°C, mostrate schematicamente in Figura 8.21: dopo essere stati austenitizzati
e raffreddati rapidamente a 7O5°C, si osserva dopo circa sei minuti la
formazione dì un piccola quantità di perlite grossolana; dopo 67 minuti la
trasfonnazione deffaustenite in perlite grossolana si è completata.
Ripetendo la stessa procedura a temperature progressivamente inferiori, si
può costruire un diagramma di trasfom1azione isotermica {TTT = temperatura,
tempo, trasformazione), come mostrato in Figura 8.22 in modo schematico e in
Figura 8.23 in base a risultati sperimentali. La curva a forma di S più prossìma
all'asse delle temperature indica il tempo necessario perché inizi la
trasformazione isotermica dell'austenite, mentre la seconda curva ad S indica
il tempo richiesto per il completamento della trasformazione.
Le trasformazioni isotermiche degli acciai eutettoidi ci a tempera ture
292 Capitolo 8
FIGURA 8.21 Esperienza

per10studiodellemodifiche
microstrutturaliche
awengono .durantela
trasformazione isotermica 705°C
a 705°di unacciaio al
carbonio eutettoidìco.
Dopo. J'austenitizzazione,
ì campìoni vengono
raffreddati
velocemente in un % pesoC
bagno di salifusia 705°C,
lasciati
a questa temperatura
peril tempoindicato e
quindiraffreddati
velocemente in acqua a 5.8 19.2 22.0 ,24.2 66.7
temperatura ambiente. !Da Tempo.min
W F. Smith,"Structure and
Properties of Engineering
Alloys':McGraw-Hill, 1981,
p.14].
comprese tra 723 e 550°C danno ongme a microstrutture perlitiche che, al

diminuire della temperatura di trasformazione all'interno di questo intervallo.
passano progressivamente da perlite grossolana a perlite fine (Figura 8.23).
Invece, il raffreddamento. rapido (tempra) di un acciaio eutettoidico da
temperature superiori a 723°C, dove si trova in condìzioni austenitichc, ,t
temperatura inferiore a Mf trasforma 1'austenite in martensite, come è st.!iP
precedentemente discusso.
Perlile grossolana
Perlite fine
FIGURA 8.22
Diagramma mdi I
'(
trasf
ormazìone isotermica
perunacciaio al carbonio o 0.8% Tempo
eutettoidico
conindicazione CZ.pesoC
dellacorrelazione
con
diagramma 3C.
di statoFe-Fe
1300 700
BHN l9~
BH!'. no
1200 Rc31
Ro~
600
BHN ~~8 Diagrammadelle.misfonnazioniisotenne
Rc41
di un acciaio al carbonio eu1e11oidico
C =0.89%, Mn = 0.:?9C..-
1000 Aus1enitiUJ1to a 884~c
Dimensionedel pmno4.5
MìcrQgralicoriginalia :?500X 500
900
600
300
500
400 200
300
200 100
FIGURA 8.23 100

Diagramma rn di I ora l giorno I settimana .0
trasformazione
isotermicadi
unacciaioeutettoidico.
[Per IO
concessionedellaUnited
StatesSteefCorp..
Research
Laboratory].
Se infine gli acciai eutettoidici, inizialmente riscaldati per avere struttura

austenitica, subiscono una trasformazione isotermica dopo essere stati
raffreddati velocemente a una temperatura co~presa tra 550 e 250°C, si
294 Capitolo 8
FIGURA 8.24 (a)

Microstrutturadellabaìnite
superioreformata dalla
completatrasformazione di
unacciaio eutettoidico
a
450°C.(b)Microstruttura
dellabainiteinferiore
formatadallacompleta
trasformazionedi unacciaio
a 26Cl°C.
eutettoidico Le
particelle
chiare sonoFe3Ce
la matricescuraè ferr!te
(rnicrografie
elettroniche
ottenute
mediante replica;
ingrandimento 15000x).
[DaH. E.McGannon (ed.), (a) (b)
"TheMaking, Shaping, and
Treating
ot Steel';9thed.,
UnitedStates SteelCorp.,
1911l produce una struttura intermedia tra là perlite e la martensite, chiamata
bainitel. La. bainite nelle leghe Fe-C può essere definita come un prodotto di
trasformazione dell'austenite, che dà luogo ad una struttura eutettoidica non
lamellare formata da ferrite-a e cementite (Fe3C). Per gli acciai al carbonio
eutettoidìci, si distingue tra bainire superiore, che si forma per trasformazioni
isotermiche nell'intervallo di temperature tra 550 e 350°C, e bainire iltferiore,che
si forma tra 350 e 250°C. La Figura 8.24a mostra la microstruttura di una
bainite superiore di un acciaio eutettoidìco. ottenuta al microscopio elettronico
con la tecnica della replica, la 8.24b mostra invece la microstruttura
una bainite inferiore: la bainite superiore mostra la presenza di larghi aghetti di
cementite, mentre la bainite inferiore mostra presenza di particelle di cementite
pìù sottili; ciò è dovuto al fatto che al diminuire della temperatura di
trasformazionei la possibilità di diffusione di atomi di carbonio dìminuisce,
determinando la formazione di particelle di cementite più piccole.
Eserciziario ,.
Vedi Esercizio 8.4.
Diagrammidi trasformazioneisotermica per acciai al carbonionon eutettoidki
Diagrammi di trasformazione isotermica sono stati studiati anche per acciai al
carbonio non eutettoidici. La Figura 8-:25 mostra un diagramma TTT
(trasformazioni isotermiche) per m{ acciaio· ipoeutettoidìco con 0,47% di
carbonio; sono evidenti alcune differenze tra il diagramma TTT di un acciaio al
carbonio non eutettoidico e quello di un acciaio eutettoidico (Figura 8.23). Una
1 Bainite derive da E. C. Bain, metallurgista ameiicano che smdìò le trasformazioni
isotermiche degli acciai. Vedi: E. S, Davenport eE. C. Bain, Trans. AIME, 90:117 (1930).
oc Of ,----------------------.
800
1400
700 !8
Ae 1
1200 21
600
27
u
1000 30
500
31
i..:.:
g
,:i:.:
400 800 35
~
45 I..:
l:
::,
300 600 o
Mso
FIGURA 8.25 200 400
Diagramma m di
trasformazioneisotermica
100
perunacciaio 200 l settimana
ipoeutettoidico
con0,47%C l min I ora l giorno 62
e 0.57%Mn (temperatura di o
austenilizzazione:
843°C). 0.5 1 5 10 10:i w 104
!DaR.A Grange, V. E. Tempo.s
Lamberte J. J. Harrington,
Trans.ASM,51:377(1959)].
sostanziale differenza è che le curve a S dell'acciaio ipoeutettoidico sono

spostate verso sinistra, cosicché non è possibile temprare questo acciaio dalla
regione austenitica per produrre una struttura interamente martensitica.
Una seconda differenza sostanziale è la comparsa di una nuova linea dì
trasformazione nella parte superiore del diagramma TTT dell'acciaio
ipoeutettoidico, che indica l'inizio della formazione della ferri te proeutettoidi-
ca; quindi, per temperature comprese tra 723 è 765°C circa, con una
trasformazione isotermica si produce solamente ferrite proeutettoidica.
Curve TTT simili sono state determinate anche per gli acciai al carbonio
ipereutettoidici; in questo caso, la linea nella parte alta del diagramma indica
l'inizio della formazione della cementite proeutettoidica.
Diagramma di Nella maggior parte dei trattamenti termici industriali, l'acciaio non subisce una
trasformazione con trasformazione isotennica ad una temperatura superiore a quella di inizio
raffreddamento trasformazione in martensite, ma viene raffreddato in modo continuo dalla
continuo per un temperatura in cui ha struttura austenitica a quella ambiente. Nel raffreddamento
acciaio al carbonio continuo di un acciaio al carbonio, la trasformazione dall'austenite in perlite
eutettoidico avviene in un intervallo di temperature invece che ad una esatta temperatura, di
296 Capitolo8
1600
800
1400
700
1200 ''
' '\ 600
' \
r.:.
(>
é
1000
/\
SJO"C/s\
500 f;)
~
:::
E
e,
§-
800 '\
\
400 e,
§-
E
~ I ~
600 \ 300
I
I \
FIGURA8.26 400 - - - - - - - - - - \.. - - ì - - - - - - - - - - - - -....- - - 200
Diagramma CCTdi Austenitein martensite 1 __ Diagrammaisotermo
1 __ Diagrammacon
contlnuo
raffreddamento per raffreddamento
continuo 100
unacciaioal carbonio 200 Strunurafinale: Martensì1e - - - Curvecon velocitàdi
eutettoidico.
[DaR.A. Perlite raffreddamentocostanti
Marternme Perlite,più fine. più grossolana
Grangee J. M Kiefercome o o
inE.C.BaineH.
modificato L-..f....----.l.---..l....--L.---1-----1-----'-----
W Paxton, "AHoying 0.0:i O..l lO JQ.l
Elementsin Steer:2nded., Tempo di trasformazione.s
AmericaSocietytor Metals,
1966,p.254'1.
conseguenza, la microstruttura finale dopo raffreddamento continuo sarà

complessa, in quan.to le cinetiche d.i trasfonnazione cambiano all'interno
dell'intervallo di temperature in cui la trasformazione si verifQ. In 8.26
è mostrato un diagramma di trasformazione con raffreddamento continuo.
chiamate curve CCT {Continuous Cooling Transformation), di un acciaio al
carbonio eutettoidico sovrapposto al diagramma TTI dello stesso acciaio. Le
linee di inizio e di fine trasformazione del diagramma di raffreddamento con·
tinuo sono spostate~ rispetto al diagramma isotermico, verso tempi più lunghi e
temperature leggermente più basse. Inoltre, non ci sono Hnee di trasformazione
dell'austenite in baìnite sotto i 450°C.
La Fie:ura 8.27 mostra differenti traiettorie di raffreddamento dalla regione
austenitica ....fino a temperatura ambiente per campioni sottili dì un acciaio al
carbonio eutettoidico. La traiettoria di raffreddamento A è caratteristica di un
raffreddamento molto lento, come quello che potrebbe essere ottenuto spegnendo
800
700
600
Normalizzazione
500
f;-1 ~Ricotmra
r€
e= 400
&-
# 300
FIGURA8.27 Variazione 200

di un
nellamicrostruttura
acciaio
al carbonio ....,.,_,.,M90
eutettoidìco ìn
raffreddato IOO D E e B
a diverse
continuo velocità. M:mensitc Marte11sì1c. Perlite
!DaR.E Reed-Hill, e pcrli1c fine
"PhysicalMetallurgy o
O.I 10 100 IO~ 104 10s 5 X lO~
Principles·;
2nded.,D. Van
NostrandCo.,1973. Tempo. s
SIMBOLO 211V "Symbol"
· PWSPublishersl.
ìl forno e lasciando che l'acciaio raffreddì dentro al forno; la microstn1ttura in

questo caso sarebbe costituita da perlite grossolana. La traiettoria dì
raffreddamento B è caratteristica di un raffreddamento più veloce, che
potrebbe essere ottenuto togliendo racdaio dal forno e lasciandolo raffreddare
in aria calma; in questo caso si viene a formare una microstruttura perlitica fine.
La traiettoria dì raffreddamento C di Figura 8.27 determina inizialmente
formazione di perlite, ma non vi è tempo sufficiente per completare la
trasformazione di tutta raustenite in perlite; l'austenite rimanente che non si
trasforma in perlite ad elevata temperatura, si trasformerà in martensite a
temperature inferiori, a partire da circa 220°C; la microstruttura di questo
acciaio sarà dunque costituita da una miscela di martensite e di perlite,
Raffreddando con una velocità maggiore di quella della traiettoria E di Figura
8.27, chiamata velocità critica dì raffreddamento, sì otterrà una struttura
completamente martensìtica.
298 Capitolo 8
1700
1600
1500 [;!-
ci
1400 ~
~
r---AA:Cc;-"'"iim~5~~~~:;.;::I
1 1300 ~
Ricottura di ·
sferodizzazione
FIGURA8.28 Intervalli
di 1200,
temperaturanormalmente Ricottura di
600 lavorabilità
utilizzati
perla ricottura
e la 1100
normalizzazionedegliacciai l000
[DaT.G.
al carbonio.
Digges etal., "Heat
o 0.20 0.40 0.60 0.80 1.00 1.20 1.40 1.60
TreatmentandProperties ot Carbonio,%
lronandStee!~ NBS
Monograph 88,1966, p.10].
I diagrammi CCT di raffreddamento continuo sono stati determinati per

molti acciai al carbonio ipoeutettoidici e sono molto complessi, dato che.
durante il raffreddamento continuo a temperature basse, si fonna anche un.i
certa quantità di bainite; la discussione di questi diagrammi è al di là dello scopo
di questo libro.
Ricottura Senza tornare a descrivere le trasformazioni che avvengono durante trattamenti

e normalizzazione di ricottura) già esaminati in un precedente capitolo, esaminiamo ora come
degli acciai vengono industrialmente eseguiti ì trattamenti tem1ici di ricottura degli acciai. I
al carbonio due processi di ricottura più comuni degli acciai al carbonio coi~i:mercialisono la
ricottura completa e la ricottura di lavorabilità.
Nella ricottura completa, gli acciai ipoeutettoidici ed eutettoidici vengono
riscaldati nella regione austenitica, circa 40°C sopra la linea di separazione tra
austenite e ferrite (Figura 8.28), mant~putia·questa elevata temperatura il tempo
necessario e quindi raffreddati lentamente a temperatura ambiente, in genere nel
forno stesso ìn cui sono stati riscaldati. Per gli acciai ipereutettoidici, è invece
opportuno austenitizzare nella regione bifasica di austenite più cementite (Fe~C),
circa 40°C sopra la temperatura eutettoidica. La microstruttura degli acciai
ipoeutettoidici dopo ricottura completa è composta da ferrite proeutettoidica e
perlite {Figura 8.10), quella degli acciai eutettoidici da sola perlite e quella degli
acciai ipereutettoidici da cementite proeutettoidica e per1ite.
La ricottura di lavorabilità, spesso· indicata come distensione,.addolcisce

parzialmente gli acciai al carbonio deformati a freddo eliminando le tensioni
interne dovute alla deformazione a freddo. Questo trattamento viene effettuato
ad una temperatura inferiore alla temperatura eutettoidica, in genere compresa
tra i 550 e i 650°C (Figura 8.28).
La normalizzazione è un trattamento termico in cui l'acciaio viene
riscaldato nella regione austenitica e quindi raffreddato in aria calma. La
microstruttura dopo normalizzazione di acciai al carbonio ipoeutettoìdki,
purché gli spessori in gioco non siano elevati, è costituita, da ferrite
proeutettoidica e perlite fine, sola perlite fine per gli acciai eutettoidid e
cementite proeutettoidica e perlite fine per gli acciai ipereutettoidici. Gli scopi
del trattamento di normalizzazione sono diversi, fra questi possono essere citati:
1. L'affinazione della struttura del grano.

2. L'aumento della resistenza meccanica dell'acciaio (rispetto agli acciai ricotti).
3. La riduzione della segregazione nei getti o nei pezzi forgiati e quindi
l'ottenimento di una struttura più uniforme.
Gli intervalli di temperatura di austenitizzazione usati per la normalizza-

zione degli acciai al carbonio sono mostrati in Figura 8.28. La normalizzazione
è più economica della ricottura completa in quanto non è richiesto l'uso di un
forno per controllare la velocità di raffreddamento delracciaio.
Rinvenimento Il processo di rinvenimento Il rìilvenimento è il processo di riscaldamento di

degli acciai un acciaio martertsitico, realizzato pertanto in genere dopo un trattamento
al carbonio termico di tempra, che viene realizzato ad una temperatura inferiore alla
temperatura di trasformazione eutettoidica, con l'obiettivo di rendere l'acciaio
meno duro e resistente, ma in compenso più duttile e tenace. La Figura 8.29
illustra schematicamente il processo tradizionale di tempra e di rinvenìmento di
un acciaio al carbonio. Come si può vedere, l'acciaio viene prima austenitizzato
e quindi raffreddato velocemente per ottenere martensite, evitando così la
trasformazione delJ'austenite in ferrite· e cementite; racciaio viene quindi
riscaldato ad una temperatura inferiore a quella eutettoidica per diminuire la
durezza della martensite, trasformandola in mia struttura composta da
particelle di carburo di ferro in una matrice ferritica.
Variazioni microstrutturalinella martensite durante il rimenimento La mar-

1
tensite è una struttura metastabile che quando viene riscaldata si decompone.

Nella martensite aciculare, tipica degli acciai a basso tenore di carbonio c'è
un'alta densità di dislocazioni che forniscono agli atomi di carbonio posizioni di
energia inferiore rispetto aHe loro regolari posizioni interstiziali; quindi quando
gli acciai martensiticì a basso tenore di carbonio vengono inizialmente rinvenuti
nell'intervallo di temperatura tra 20 e 200°C, gli atomi di carbonio segregano in
queste posizioni a bassa energia. Per gli acciai a] carbonio martensitici con più
300 Capitolo 8
Rinvenimento
alla
/ durezzadesiderata
------
Martensite
rinvenuta
FIGURA 8.29
Schemalìzzazione
del
processodì temprae
rinvenimentotradizionale
di
unacciaioal carbonio.
[Da
"Suiting
theHeatTreatment Log tempo
to theJob':UnitedStates
SteelCorp.,1968,p.34j.
dello 0,2% di carbonio. il meccanismo principale di ridistribuzione del carboni('I

a temperature di rinvenimento sotto i 200°C è la formazione di precipitati: si
forma un precipitato molto fine chiamato carburo epsilon (e}.
Il carburo che si fonna quando gli acciai martensitici sono rinvenuti tra 200
e 700°C è la cementite, Fe3C, Quando gli acciai vengono rinvenuti tra i 200 e i
300°C, il precipitato ha la forma di laminette (Figura 8.30); a temperature più
alte, tra 400 e 700°C, le laminette di carburo coalescono per formare partìcelle
tondeggianti. La martensite rinvenuta, che al microscopio ottico mostra le
particelle tondeggianti di cementite, è chiamata anche sorbite (Figura 8.31).
,-
Effetto della temperaturadi rinvenimentosulla durezza degli acciai al carbonio
La Figura 8.32 mostra l'effetto dell'aumento della temperatura di rinvenimento
suUa durezza di alcuni acciai al carbonio martensitici: sopra i 200°C, la durezzu
decresce gradualmente all'aumentare della temperatura -fino a 700°C. La
diminuzione graduale della durezza della martensite con l'aumentare della
temperatura è dovuta principalmente alla diffusione degli atomi di carbonio
dalle posizioni inizialmente occupate verso interstizi reticolari per formare i
precipitati di carburo di ferro.
Tempramartensiticadifferita La tempra martensitica differita è un processo

particolare di tempra degli acciai, utilizzato per minimizzare le deformazioni e le
cricche di tempra che si possono formare durante un raffreddamento non
Materìalimetallici 301
FIGURA 8.30 Precipitati

di Fe3C nellamartensile
di
unacciaio Fe~0,39%C
rinvenuto1 oraa 300°C
(micrografìa
elettronica).
[Da
G.R Speiche w.C.Leslie,
Met,Trans.,31:1043(1972)].
omogeneo di un materiale trattato termicamente. Il processo dì tempra, mostrato

in Figura 8.33, consiste in: O) austenitizzazione dell'acciaio, (2) tempra in olio
caldo o sali fusi ad una temperatura appena sopra (o appena sotto) alla
FIGURA 8.31 Martensite

rinvenuta adaltatemperatura
(sorbite)in unacciaio
ìpereulettoidìco
con1,1%C.
{Ingrandimento 1000x ). [Da
J. Vi/ella,
E C.Baine H. W.
Paxton, "AlloyingElements
in Steef''.
2d ed.,American
Society torMetals;1966,
p.101).
302 Capitolo 8
Temperatura
di rinvenimento,°C
,
100 200 300 400 500 600 700
~ 60
J so
.i,:
~ 40
---- ............
..........
30 Acciaio 0.35%e' -.....
,
FIGURA 8.32 Durezza . . '-y(
dellamartensite
Fe-C(con 20 Acciaio 0.80%C ' ....,_
0,35,0,80e 1,2%C) I -....
1 oraalle
rinvenuta IO
temperature [DaE
indicate.
C.Baine H. W.Paxton, Q 200 400 600 800 1000 1200
"Alloying
Elementsin Stee!'; di rìnvenimento,°F
Te111peratura
2d ed.,AmericanSocielytor
Metals,1966,p.3{fJ.
temperatura M 8• (3) permanenza delracciaio nel mezzo di tempra fino a che la

temperatura non è uniforme in tutto lo spessore del pezzo, con interruzione del
trattamento isotermico prima che abbia inizio la trasformazione delraustenite i11
bainite e (4) raffreddamento a temperatura ambiente con una velocità moderatu
per prevenire il crearsi di elevate differenze di temperatura; l'acciaio viene quindi
rinvenuto con il procedimento tradizionale.
La struttura dell'acciaio che ba subito un processodì tempra martensitìca
differita è costituita da martensitee, dopo l'ulteriore trattamento di rinvenimento,
da martensice,-invenula.La Tabella 8.2 elenca alcune proprietà meccaniche di un
accia-i-oal carbonio con 0,95% di carbonio dopo tempra martensitica differita e
rinvenimento, in confronto a quelle ottenute con tempra""e rinvenimento
tradizionali: la principale differenza è la maggiore resilienza dell'acciaio
sottoposto a tempra martensitica differita e rinvenimento.
Temprabainiticacompleta La tempra bainitica completa è un trattamento

isotennico che in alcuni acciai al carbonio dà otigine ad una struttura bainitica; il
processo è alternativo alla tempra e rinvenimento, e ha lo scopo di aumentare la
tenacità e la duttilità di alcuni acciai. Nel processo di tempra bainitica completa
(Figura 8.34) l'acciaio viene austenitizzato, temprato in un bagno di sali fusi a
temperatura appena superiore alla temperatura Ms dell'acciaio, mantenuto a
questa temperatura per permettere la trasformazione dell'austenite in bainite e
quindi raffreddato in aria fino a temperatura ambiente. La struttura finale di un
--·- -- . ______
________________ ____;_
Materiali metallici 303 ·
FIGURA 8.33 Curva

dì
raffreddamento dì una
tempra martensitica difterita,
sovrapposta al diagramma
rn di unacciaioal
carbonio eutettoidìco.La
tempra martensitica differita
riducela formazìone di Martensite
tensioniinterne nelmetallo Martensilc rinvenuta
durantela tempra. [Da
"MetalHandbook': vol.2, Log tempo
8thed.,American Socìety
torMeta/s,1964,p.3iJ.
acc1a10 al carbonio eutettoidico sottoposto a tempra bainitica completa è

costituita da bainite.
l vantaggi della tempra bainitica completa sono: (1) miglioramento della
duttilità e della tenacità (resiHenza) di alcuni acciai rispetto ai valori ottenuti con
tempra e rinvenimento convenzioÌ1ali (Tabella 8.2) e (2) una diminuzione delle
FIGURA8.34 Curve
di
raffreddamento dì una
tempra bainiticacompleta di
unacciaio al carbonio
eutettoidlco.
Lastruttura
daquesto
risultante
è bainite.
trattamento Un
vantaggiòdi questo
trattamento
termico è cheil
rinvenimentononè
necessario,
comesi vededal
confrontoconil processo
tradizionale
dì tempra e
rinvenimento mostrato in
Figura8.29.[Da"Suiting the Mi-------------
HeatTreatment lo theJoo·:
Unìted StatesSteelCorp., Logtempo
1968,p,34].
__________
_
304 Capitolo 8
TABELLA8.2 Proprietàmeccaniche(a 20°C) di un acciaio AISI 1095 sottoposto

a tempra martensiticadifferita in confronto ad alcuni altri ,
trattamentitermici
Allungamento
Trattamento Durezza Resilienza, su 25 mm,
termico Rockwell e J o/o
Tempra in acqua e rinvenimento 53.0 16 o

Tempra in acqua e rinvenimento 52.5 19 o
Tempra martensiticadifferitae rinvenimento 53.0 37 o
Tempra martensiticadifferitae rinvenimento 52.8 32 o
Tempra bainiticacompleta 52.0 60 11
Tempra bainiticacompleta 52.5 53 8
Fonte: "Metals Handbook", voi. 2, 8th ed .. American Society fot Metals,1964
deformazioni del materiale temprato; gli svantaggi della tempra bainitica

completa rispetto alla tempra e rinvenimento tradizionale sono: (l) la necessità
di avere un bagno di sali fusi e (2) l'applicabilità del trattamento solo ad un
numero limitato di acciai.
Classificazione La classificazione degli acciai al carbonio maggiormente usa.ta in campo

degli acciai al internazionale è quella americana AISI-SAE 1• ln base ad essa, un acciaio è
carbonio e tipiche designato mediante un numero a quattro cifre: le prime due cifre per gli acciai al
proprietà carbonio sono 10. le altre due indicano la percentuale nominale di carboni(~
meccaniche presente, moltiplicata per 100. Per esempio, la sigla AISI-SAE 1030 indica che
l'acciaio è al carbonio ed ha un contenuto nominale di carbonio dello 0.30%.
Gli acciai al carbonio. come in realtà tutti gli acciai. contengono anche
manganese e silicio, aggiunti durante la produzione dell'acciaio in quanto·
disossidanti e il manganese anche in quanto desolforante; il manganese, il cui
tenore è in genere compreso tra 0,30 e 0,95%, determina anche un aumento
della resistenza meccanica. Sono anche presenti impurezze di zolfo, fosforo e
alcuni altri elementi, che devono in ogni caso essere ridotte W'piùpossibile.
Le tipiche proprietà meccaniche dì alcunì acciai al carbonio AISI-SAE sono
elencate in Tabella 8.3. Gli acciai con un tenore di carbonio molto basso (1010)
hanno una resistenza meccanica relativamente bassa, ma possiedono una grande
duttilità e sono facilmente saldabili; vengono posti in opera allo stato grezzo di
laminazione a caldo ed in alcuni casi anche dopo deformazione a freddo per
aumentarne le caratteris.tiche meccaniche; trovano applicazioni molto ampie che
vanno da lamiere, barre e profilati di uso generale, tondino da cemento armato,
1
. AISI sta per American Iron and. Steel I.nstitute e SAE per Society for Automotive
Engineers.
e: e:
~ ~·
tD
i ',;:t
d d
c5 c5
o o
C\J
d d
o o
§ B
306 Capitolo 8
lamiere da stampaggio come quelle usate per carrozzerie delle automobili. Nella
classificazione italiana UNI gli acciai di uso generale a b•so tenore di carbonio
vengono designati premettendo la sigla Fe seguita dal .:valore del carico di
rottura del materiale in MPa oppure da una lettera caratteristica della specifica
applicazione e da un numero indicativo del Valore numerico di tale
caratteristica; ad esempio Fe410 (acciaio di uso generale con carico di rottura
di 410 MPa), FeE355 (acciaio di uso generale con carico di snervamentO 355
MPa), FeB2l5 (acciaio per tondino da cemento armato con carico di
snervamento 215 MPa), FeP03 (acciaio da profondo stampaggio di qualità 03).
Quando il contenuto di carbonio aumenta, l'acciaio diventa più resistente
ma meno duttile, spesso inoltre i materiali sono posti in opera dopo tempra e
rinv~nimento; gli acciai con contenuto n.1edio di carbonio (1020-1040), trovano
applicazioniper la produzione di alberi, ingranaggi e jn genere pezzi soggetti ad
alte sollecitazioni; gli acciai con alto tenore di carbonio (1060-1095) sono usati
per componenti che richiedono resistenza alle sollecitazioni molto elevata, ma
contemporaneamente non neces~itano di elevata tenacità, quali molle,
portastampi, taglierine e lame da taglio. Nella classificazione italiana UNI gli
acciai speciali da costruzione a medio-alto tenore di carbonio destinati a
trattamento di tempra e rinvenimentò vengono indicati con la lettera C seguita
dal tenore di carbonio moltiplicato per l 00, ad esempio C40 (acciaio speciale da
costruzione destinato a tempra e rinvenimento con 0,40% di carbonio).
Ultimamente sono stati sviluppati acciai detti di qualità, di tipo a basso
tenore di carbonio ( < 0,1 % di carbonio), microlegati, con aggiunte cioè di
elementi quali niobio, azoto, vanadio e alluminio ìn tenori in genere inferiori allo
0,1 %, che grazie anche al controllo delle dimensioni del !!rane ottenuto durante
laminazione a caldo controllata sono dotati delle ;eguenti caratteristiche
principali: buone caratteristiche meccaniche (carico di snervamento pari a circa
450 MPa), ottima salàabilìtà, bassa temperatura di transizione duttile-fragile,
buona duttilità e tenacità. Gli acciai di qualità trovano notevoli impieghi in
molte applicazioni massìve, quali serbatoi e tubazioni in pressione. componenti
per l'industria petrolifera, piattaforme marine, ecc. Questi acciai escono in genere
dalle''nonne di designazione precedentemente citate, seguend@"norme spe~ifiche
dei produttori o delle associazioni relative a specifiche applicazioni.
BA ACClAI BASSO LEGATI
Gli acciai al carbonio, il cui costo è relativamente basso rispetto agli altri acciai,
possono essere usati con successo solo se le condizioni di sollecitazione e di
utilizzo non sono troppo severe; hanno infatti alcune limitazioni, tra le quali
possono essere segnalate le seguenti:
l. Il carico di rottura degli aceiai al carbonio non può superare i 690 MPa senza
che si abbia una considerevole perdita di duttilità e resilienza.

2. Non possono essere prodotti pezzi con sezioni di elevato spessore con
struttura interna martensìtica; ciò in quanto gli acciai al carbonio non
possono essere temprati in profondità.
3. Gli acciai al carbonio hanno una bassa resistenza alla corrosione e
alI' ossidazione.
4. Gli acciai con un tenore di carbonio medio {tra 0,20 e 0,40%) devono essere
temprati velocemente (in genere in acqua) per ottenere una struttura
interamente martensitica; ciò può C$Sere causa di deformazione e
formazione di cricche di tempra.
5. Gli acciai al carbonio hanno una bassa resilienza a bassa temperatura.
Per superare. i limiti degli acciai al carbonio, sono stati sviluppati acciai
legati che contengono degli elementi di lega per migliorare le loro proprietà; gli
acciai legati in genere· costano più degli acciai al carbonio, ma per molte
applicazioni sono gli unici materiali che possono soddisfare le specifiche
costruttive. I principali elementi di lega aggiunti sono: il manganese, il nichel, il
cromo, il molibdeno e il tungsteno; altri elementi che vengono talvolta aggiunti
sono: il vanadio, il cobalto, il silicio, il boro, il rame, ralluminio, il piombo, il
titanio e il niobio.
TABELLA8.4 Principali tipi di acciai basso legati secondo la classificazione AISl~SAE
13XX Manganese1.75
40xx Molibdeno0.20 o 0.25; oppure molibdeno0.25 e zolfo 0.042
41xx Cromo 0.50, 0.80 o 0.95, molibdeno0.12. 0.20 o 0.30
43XX Nichel 1.83, cromo 0.50 o 0.80, molibdeno 0.25
44XX Molibdeno 0.53
46xx Nichel 0.85 o 1.83, molibdeno 0.20 o 0.25
47xx Nichel 1.05, cromo 0.45, molibdeno 0.20 o 0.35
48xx Nichel 3.50, molibdeno 0.25
50xx Cromo 0.40
51xx Cromo 0.80, 0.88, 0.93, 0.95 o 1.00
51xx Cromo 1.03
52XX Cromo 1.45
61xx Cromo 0.60 o 0.95, vanadio 0.13 o minimo 0.15
86xx Nichel 0.55, cromo 0.50, molibdeno 0.20
87XX Nìchel 0.55, cromo 0.50, molibdeno 0.25
88xx Nichel 0.55, cromo O.SO,molibdeno 0.35
92xx Silicio 2.00, o silicio 1.40 e cromo 0.70
50Bxx* Cromo 0.28 o O.SO
51Bxx* Cromo 0.80
81Bxx* Nichel 0.30, cromo 0.45, molibdeno 0.12
94Bxx* Niche10.45, cromo 0.40, molibdeno O.12
* B denota un acciaio al boro.

Fonte:"Alloy Stael:Semlfinished:Hot-Rolledand Cold-FlnishedBars'', Americah lron and Steel
rnstitute,1970.
308 Capitolo 8
Classificazione Gli acciai legati possono contenere fino al 50% dì elementi di Jega ed essere
degli acciai ancora considerati acciai legati. Per meglio suddividere ~ai con così diversi
basso legati tenori di elementi di lega, in genere si opera una distinzione t;a acciai basso legati,
in cui nessun elemento di lega supera il 4-5%, e acciai Jegati, in cui almeno un
elemento di lega supera tale limite. Per quanto riguarda in particolare gli acciai
basso legati, questi acciai sono tipicamente usati nei campi delle costruzioni e
della produzione di autoveicoli, sono posti in opera dopo trattamento termico di
tempra e rinvenimento e fanno parte, insieme agH acciai a medio-alto tenore di
carbonio, degli acciai speciali da costruzione.
La classificazione AISI-SAE designa questi acciai con un numero a quattro
cifre; le prime due cifre indicano in modo convenzionale il principale elemento o
gruppo di elementi di lega pre~enti nell'acciaio, mentre le ultime due cifre indica-
no ia percentuale di carbonio nell'acciaio moltiplicata,per cento. Ad esempio la
designazione 4340 indica un acciaio con 0,40% di carbonio, l,83% di nichel.
0,50% o 0,80% di cromo, 0,25% di molibdeno. La Tabella 8.4 elenca le cor-
rispondenze tra le due prime cifre convenzionali AISI-SAE e le composizioni no-
minali dei principali tipi di acciai legati. Nei]a classificazione UNI gli acciai basso
legati vengono designati con un numero indicativo del tenore di carbonio molti-
plicato per 100, seguito dai simboli chimici degli elementi di lega presenti ed infi-
ne da un numero pari al tenore dell'elemento di lega presente in tenore maggiore,
moltiplicato per un coefficiente pari in genere a 4; cosi la sigla 3.9NiCrMo3
designa un acciaio speciale da costruzione destinato a tempra e rinvenimento con
0,39% di carbonio, 0,75% di nichel e tenori minori di cromo e molibdeno.
Distribuzione degli Il modo in cui gli elementi di lega si distribuiscono negli acciai dipende in prinw
elementi di lega luogo dalla tendenza di ogni elemento a formare composti e in particolare
negli acciai legati carburi. La Tabella 8.5 mostra la distribuzione approssimata della maggior
parte deglì e1ementi di lega presenti negli acciai legati.
Il nichel rimane in soluzione solida nella ferrite-a dell'acciaio poiché ha una
minore tendenza del ferro a formare carburi. Il silicio si combina in una certa
misura con l'ossigeno presente nell'acciaio per formare inclusioni non metalHche
o altrimenti si scioglie nella ferrite. La maggior parte del manganese aggiunto
agli acciai al carbonio si scioglie nella ferrite; una parte dì mafìganese~ tuttavia,
forma carburi e in g;enere entra a far parte della cementite come (Fe,MnhC.
Il cromo. che ha una maggiore tendenza a formare carburi del ferro. sj
ripartisce tra ferri te.e carburi; la distribuzione dei cromo dipende dalla quantità di
carbonio presente e dalla presenza di altri elementi che formano più facilmente
carburi quali il titanio e ii niobio. Se è presente una quantità sufficiente di
carbonio e se non sono presenti altri elementi che formano più facilmente carburi
quali il titanio e il niobio, il tungsteno e il molibdeno si combinano con il
carbonio per formare carburi. Il vanadio, il titanio e il niobio sono elementi che
fom1ano molto facilmente carburi e negli acciai si trovano princìpalmente in
fonna di carburi. L'alluminio si combina con l'ossigeno e con l'azoto per fonnare
rispettivamente i composti Ah0 3 e AlN.
MateriaÌi·metallici 309
TABELLA s.s Distribuzione approssimata degli elementi dLlega negli acciai legati
Dissolto nella Combinato nel Combinato

Elemento ferrite carburo come carburo Composto Elementare
Nichel Nì Ni3AI
Silicio Si Si~XOy
Manganese Mn Mn (Fe,Mn)3 )C MnS: MnO · Si02
Cromo Cr Cr (Fe.Cr)sC
Cr1Cs
Cr23Cs
Molibdeno Mo Mo Mo2C
Tungsteno w w W2C
Vanadio V V V4C3
Titanio lì T.i TiC
Niobio Cb Cb CbC
Alluminio Al Al20s; AIN
Rame Cu (piccola
quantità)
Piombo Pb
*Le frecce indicanola tendenzarelativadegli elementia dissolversinellaferrite o combinarsinel carburi.

t Nb=Cb (columbio). ,,
Fonte: E. C. Bain and H. W. Paxton, "AlloyìngElementsin SteeP',2d ed., American Society tor Metals,
1966.
Effettidegli L'aggiunta di diversi elementi di lega causa l'aumento o la diminuzione della

elementi di lega temperatura eutettoìdica del diagramma di stato Fe-Fe3C (Figura 8.35}. Sia il
sulla temperatura manganese che il nichel abbassano la temperatura eutettoidìca e agiscono come
eutettoidica degli elementi stabilizzanti del!'aust.enite allargando il campo dell'austenite nel
acciai legati diagramma di stato Fe-Fe3C (Figura 8.6); in alcuni acciai con· quantità
sufficienti di nichel o di manganese, la struttura austenitica può essere stabile
anche a temperatura ambiente. Gli elementi che formano carburi, come il
tungsteno, il molibdeno e il titanio, aumentano la temperatura eutettoidica del
diagramma di stato Fe-Fe 3 C e riducono il campo della fase austenitica; questi
elementi sono chiamati elementi .stabilizzanti della ferrite.
Temprabilità La temprabilità di un acciaio è definita come la proprietà che determina la

profondità e la distribuzione della durezza introdotta dalla tempra a partire da
una struttura austenitìca. La temprabilità dì un acciaio dipende in primo luogo:
(1) dalla composizione dell'acciaio, (2-)dalla dimensione del grano austenitico e
(3) dalla struttura dell'acciaio prima della tempra. La temprabilità di un acciaio
non deve essere confusa con la sua durezza~ ad esempio un acciaio può essere
più temprabile di un altro, ma avere ,una minor durezza negli strati superficiali.
Da un punto di vista applicativo, la temprabilità di un acciaio viene
generalmente misurata attraverso la prova Jominy. Per realizzare una prova di
temprabilità Jominy si utilizza un campione cilìndrico di diametro 25 mm e
lunghezza 100 mm con una flangia ad un capo (Figura 8.36a), Dato che la
310 Capitolo 8
1300--------..---.---,-----,,--,----,
Molibdeno
~ 1200 2200
Titanio
,:1/-•gsteno I
2000
1000 J I
I' / 1800
/
; ; . /silicio
900 / /
I./. / __ .. 1600
800 1 / ... - - ... - -Cromo
FIGURA 8.35 Effetto ~ ,.,,,.,,t.
... "'
1400 e:;
dellapercentuale di elementi "O -o
di legasullatemperatura e e
~ Manganese l 200 ~
eutettoidica
dì 1
trasformazionedell'austenite f ~
in perli1e
neldiagramma di ~ 500 1--....1....--J"----'--'------.L.-.:.......-..J..--'--........J 1000 ~
statoFe-Fe3 C. [Da"Metals O 2 4 6 8 10 12 14 16 l8
Handbook': vol.8,9thed., Elementidella lega, % peso ·
American Society torMeta!s,
1973,p.191].
l"
8
(3 mm)
i
t~ l"
b-12.Smm
+
f
(100mm)
\" ~ //:-.::/
2 2 (6.,mm) ,:·::.{:.:·
l"(25mm)
provino
rotondo
...
f\~f:.,,
f ?J'.if
t...,__.. Acquaa24°C±2°
ml"
u..a--::;-( I 2.5 mm} ugello
(12.5mm) -
t
Dallavalvolaad aperturarapida
(a) (b)
FIGURA 8.36 (a)Campione

e dispositivo
perla provaJominydi.temprabilità. e E C.Bain."Principtes
[DaM. A. Grossman ot Heat
Treatment·:
5thed.,American torMeta!s,1964,
Society p.114j.(b)Illustrazione
schematica [DaH. E.McGannon
dellaprovaJominy. (ed.).
'TheMaking,Shaping, ot Steer:9thed.,United
andTreating SleelGorp.,1971,p.10991
Slates
Materialimetallièi 311
Indurimentodell'estremità temprata
A
B
~
rf
.s
i
E
~
oc op
800
1400
700
1200
600
1000
500
800
400
600
300
200 400
100 200
o
o
FIGURA 8.37
Correlazione
tra Legenda
diagramma CCTe Diagrammaa velocità di raffreddamento continuo
risultalidellaprova Diagrammaa trasformazione isoterma
Jornìnyperun Curve di raffreddamento
acciaioal carbonio Trasformazionedurante il raffreddamento
eutettoidico.[Da
"lsothermal Tran-
sformation Dia- 0.1 0.2 0.5 10 102 103
grams·:United Tempo,s
StatesSteelCorp ..
1963,p.181].
312 Capitolo 8
65
60
55
u 50
] 45
.>i::
u
e 4340
~ 40
~ 35
N
9840
I:!
::, 4140
o 30
25
20
15
FIGURA 8.38 Curve
Jominydi diversiacciaitutti 10
2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32
con0,40%C.[DaH. E
McGannon (ed.),'The Distanza dall'estremità temprata. sedicesimi di pollice
Making,Shaping, and
Treating
of Steer:9thed., o IO 20 30 40 50
UnitedStatesSteelCorp., Distanza dall'estremìtà temprata. mm
1971,p.1139).
struttura iniziale ha una grande inOuenza sulJa temprabilità, prima della prova il
campione viene solitamente normalizzato, successivamente esso viene nuova.
mente austenitizzato, appoggiato su un apposito appoggio {8.36b) e spruzzato
con un getto d'acqua (in condizioni standardizzate) su una estremità. Dopo il
raffreddamento il campione viene rettificato per tutta la lunghezza lungo due
linee generatrici opposte e vengono effettuate misure di durezza Rockwe.11C
(HRc) lune.o queste superfici, fino a 75 mm dalla estremità temprata.
La Figura 8.37 mostra il profilo di durezza, indice della temprabilità, in
funzione della distanza dalla estremità temprata di un acciaio al carbonio
eutettoidico AISI 1080; questo acciaio ha una temprabilità reià.tivamente bassa,
visto che la sua durezza diminuisce da un valore di HRc = 65 all'estremità
temprata fino ad HRç = 50 ad appena 4,8 mm dalla estremità stessa; se ne
deduce che pezzi con spessori elevati realizzati con questo acciaio non possono
essere resi martensitici attraverso tempra. La Figura 8.37 correla i dati di
profondità di tempra con le curve di trasformazione CCT per un acciaio AISI
1080 e indica le modifiche microstrutturali che.hanno luogo a quattro diverse
distanze A, B, Ce D dalla estremità temprata.
In Figura 8.38 sono mostrate le curve di temprabilità per alcuni acciai, ~u.tt!
con 0,40% di carbonio; l'acciaio legato AISI 4340 ha una temprab1bta
eccezionalmente elevata e può essere temprato ad una durezza di 40 HRc a 50
mm dalla estremità temprata del provino Jominy. Gli acciai basso legati, quindi,
Materiali metallièì · 313
1600
-.._12.7 mm n2·.m5 .._ 4340 0.41 C, 0.87 Mn, 0.28 Si, 83 Ni

, 1 .. 0.72 Cr. 0.20 Mo 800
9mm, --~~~: mm
1400 , ~ ~"" Austeniu.ato a 843°C
1, · ~ 1 1 11 3 Dimensioni del granoASTM No.7
'2 in 3/g 12 '·/4 I 2;" 2.. Ac,: 754°C
6.3mm 9.5 \. \\ ',, 76 mmAc',:721°C 700
mm \. \ \ \
1200 \ 38\ \
\ mm' \
\ \ ', \ Curve di raffreddamento 600
, da 843."Calle distanze
/ \' · \ \ \ indicate dall'estremità
r- 1000 \~~p temprata y
E--
500
\ F +A\ \ -=
E
\ ' B/. \ "
o..
\ \ \ \ 1% E
~
\ \ \ \ Trasformazione 400
B+A \'.\F+B+A,
A \ \ • ',. \ 5w
600
·-------·-·-·-·-·
M\ \•
·--~-~--'
' \\ 10% 300
M+A ~ ,, \' .\ ~' "
400 ·" B+M"'"A F+B+M+A
'""-,,_ ' '~-'':-.. ''
',
........
-,3
200
"-.....,_ 1/2 ,.:- , 2
200 1/4 3/8 3/4 I 11/~ lOO

I 2 5 IO 20 50 100 200 500 1000
Tempo di raffreddamento.s
FIGURA 8.39 Diagramma legatoAISI4340.A = austenite,

CCTdi unacciaio F ferrite,B = baìnite,M = martensite.
[Da Metal
Progress,
September
1964,
p.106).
possono essere temprati con mezzi di tempra meno drastici, ad esempio olio,
ottenendo valori di durezza relativamente alti.
Gli acciai più legati, come l'acciaio AISI 4340, sono facilmente temprabili
perché, durante il raffreddamento dalla regione austenitica, viene ritardata la
trasformazione dell'austenite in ferrite e bainite e si ottiene la trasformazione
dell'austenite in martensite. anche con velocità di raffreddamento relativamente
basse; questo ritardo nella trasformazione dell'austenite in ferrite e bainite è
mostrato quantitativamente sul diagramma CCT di Figura 8.39.
Per la maggior parte degli acciai al carbonio e basso legati, su barre
314 Capitolo B
Velocitàdi raffreddamentoa 700°C/'C/s Velocitàdi raffreddamentoa 700°C,°C/s

300
600 150
25 12,5 8 5.54 55 25 12,5 8
,,
I M·
1¼-R e .È
E .É E 80
3 E 3
E
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o 20 e
o H20· oitata
I
Olio gitato
o 00 _o o
_5 mm
:, 20 25 mm I
I I I} t I t· 1 t I I) I I l
in. o 1/J 'h 5/4 l in.
Distanza dall'estremitàtemprata,Dqc Dislanza dall'estremità1emprata,Dqe
(distanzaJominvl (distanzaJomìnv)
FIGURA 8.40 Velocitàdi raffreddamento

perbarrecircolari
dìacciaio(a)inacquaagitata
e (b)in olioa9ita!o.
L'ascissa
superi~re
indi~le
velocità
di raffreddamento
a partireda700°C:l'ascissa
interiore
indicaleposizioni
equivale~ti
di protondita
di !e_mpra
suunprovmo_Jommy.
(e centro, s
M R = raggiomedio, = superficie, = curvaappro~1".1ata
lineatratteggiata ,Peru~ pos1z1one a 3/4delraggionella
sezionedellabarra).
WaL H. VanV/ack, "Materials
torEngineering:ConceptsandAppllcat,ons , Add1son-Wesley,1982,p.1551.
circolariuna tempranormale deterri.1ina la stessa velocità di raffre~damento~n

tutte le posizioni di una generica sezione traversale a uguale d1stan~a dal1::
superficie. tuttavia la velocità di raffreddamento differis~e: (]) per d1fferent1
diametri delle barre, (2) per differenti posizioni nella se21one trasversale delle
barre e (3) per differenti mezzi di tempra. La Figura 8.40 riporta la
corrispondenza tra la velocità di raffreddamento realizzabile ~u b~rra
cilindrica. a diverse posizioni nella sezione trasversale, e quella che s1reahzza
a una certa distanza dalla estremità temprata su un provino Jominy. dopo
tempra (a) in acqua agitata e (b) in olio agitato. Queste cury.e possono essere
utilizzate. noto l'andamento delle durezze sul provino Jominy di un certo
acciaio, ~er determinare la durezza ottenibile in ogni punto dello spessore di un?
barra di quell'acciaio di un certo diametro, temprata in .un certo mezzo u1
tempra. Oppure, nota la curva Jominy e la ~urezza volu.ta in ~n c~rto punt~
della sezione, ad esempio il centro, Ie~curve permettono d1 sceg:1er~ ~l mezzo d:
tempra necessario per ottenere tale durezza (permettendo d1 uuhzzar~ cos:
queHo meno drastico possibile). È opportuno sottolineare che le curve Jommy di
un particolare tipo di acciaio vengono h1 genere fornite dal produttore come
banda garantita piuttosto che non come linea sperimentale di datì.
Eserciziario
Vedi Esercizio8.5.
Tipiche proprietà La Tabella 8.6 elenca le tipiche proprietà meccaniche e le principali applicazioni
meccaniche ed di alcuni acciai basso legati di uso comune. Per certi intervalli di resistenza
applicazioni degli meccanica gli acciai basso legati hanno migliori combinazioni di resistenza,
acciai basso legati tenacità e duttilità rispetto agli acciai al carbonio; tuttavia gli acciai basso legati
costano di più, anche perché spesso richiedono trattamenti termici di tempra e
rinvenimento, non possono essere saldati senza avere un decadimento delle
proprietà meccaniche nella zona del cordone di saldatura, e vengono pertanto
utilizzati solo quando è necessario. Gli acciai basso legati vengono ampiamente
utilizzati nella costruzione di automobili e autocarri per componenti che
richiedono resistenza e tenacità superiori, non ottenibili con gli acciai al
carbonio. Alcune tipiche applicazioni degli acciai basso legati negli autoveicoli
sono albeti, assi, ingranaggi e molle. Gli acciai basso legati contenenti circa lo
0,2% di carbonio possono essere cementati superficialmente, come visto in un
precedente capitolo, e successivamente sottoposti a tempra e rinvenimento a
bassa temperatura per ottenere una superficie dura e resistente alrusura ed una
struttura interna tenace.
8.5 LEGHE DI ALLUMINIO
Prima dì discùtere alcuni degli importanti aspetti della struttura. deHe proprietà
e delle applicazioni delle leghe di alluminio. esaminiamo il processo di
e
rafforzamento per precipitazione che utilizzato per aumentare la resistenza
delle leghe di alluminio e di altri metalli.
Rafforzamento Rafforzamento per precipitazione di una generica lega binaria 'Lo scopo
per precipitazione dell'indurimento per precipitazione è di produrre. in una lega trattata
termicamente, una distribuzione fine e dispersa di precipitati in una matrice
metallica deformabile. ciò in quanto la presenza dei precipitati ostacola il
movimento delle dislocazioni e quindi rinforza le leghe trattate termicamente.
Il processo di rafforzamento per precipitazione può essere spiegato in
generale facendo riferimento al diagramma di stato binario di due metalli A e B
mostrato in Figura 8.41. Perché una lega possa essere indurita per precipitazione
per una determinata composizione, deve esserci una soluzione solida limite per
la qua]e la solubilità allo stato solido diminuisce al diminuire della temperatura;
ad esempio il diagramma di stato di Figura 8.41 mostra la diminuzione della
solubilità allo stato solido nella soluzione solida limite a: dal punto a al punto b
lungo la linea di solvus indicata.
Esaminiamo ora, utilizzando tale diagramma, come si verifica un processo
di rafforzamento per precipitazione di una lega di composizione Xi, per la quale
si ha una notevole diminuzione nella solubilità della. soluzione solida a
diminuendo la temperatura da T2 a T3; il processo di indurimento per
precipitazione è caratterizzato daì seguenti tre stadi fondamentali:
316 Capitolo 8
TABELLA e.e Tipiche proprietà meccanichee principaliapplicazionidi alcuni acciai basso .legati
Composizione Carico di Carico di

Designazione chimica, rottura, snervamento, Allunga-
AISl..sAE % peso Condizione MPa MPa mento,% Applicazioni tipiche
Accial al manganese
1340 0.40 C, 1.75 Mn Ricotto 704 435 20 Bulloniad alta resistenza

R.ìnvenuto" 1587 1421 12
Accìai al cromo
5140 0.40 C, 0.80 Cr, Ricotto 573 297· 29 Ingranaggidi trasmissione

O.BOMn Rinvenuto* 1580 1449 10 automobilstici
5160 0.60 C, 0.80 Cr, Ricotto 725 276 17 Molle a spirale e balestre
0.90 Mn Rinvenuto" 2000 1773 9 automobilistiche
Acciai al cromo-molibdeno
4140 0.40 e, 1.0 Cr, 0.9 Ricotto 655 421 26 Ingranaggiper motorì a
Mn, 0.20 Mo Rinvenuto'" 1550 1433 9 reazionedi aerei,
trasmissioni
Acciai al nichel-molibdeno
4620 0.20C, 1.83 Ni, 0.55 Ricotto 373 31 Ingranaggidi trasmissione,

Mn, 0.25 Mo Normalizzato* 366 29 perni dl catene, alberi,
cuscinettia rum
4820 0.20 C, 3.50 Ni, 0.60 Ricotto 683 462 22 Ingranaggiper laminator;
Mn, 0.25 Mo Normalizzato'" 690 483 60 impiantiper la produzione
della carta, impianti mine-
rari, macchine movime.nto
terra
Acciai al nichel (1.83%) - cromo-molibdeno
4340 {E) 0.40 C, 1.83 Nì, 0.90 Ricotto 745 469 22 Comgonentifortemente
Mn, O.SOCr, 0.20 Rinvenuto~ 1725 1587 10 solle&tati,carrelli di atter-
Mo raggio, parti dì camion
Acciai al nichel (0.55%) - cromo-molibdeno
8620 0.20 C, 0.55 Ni, 0.50 Ricotto 531 407 31 Ingranaggidi trasmissione
Cr, 0.80 Mn, 0.20 Normalizzato• 635 359 26
Mo
8650 0.50 C, 0.55 Ni, 0;50 Ricotto 710 386 22 Piccoliassalì per motori,
Cr, 0.80 Mn, 0.20 Rinvenuto.. 1725 1552 10 alberi
Mo
• Temprato e rinvenutoa 315 °c.
l
a.+L
o.
a
e
Solvus
FJGURA8.41
Diagramma di statobinario
perduemetalliA e B aventi < b
~··
:d
t
unasoluzione solidalìmite T3 .., ......

a: consolubilità allostato )" X2
solidodi B in A decrescente l00%A
0%B Percentuale in peso di B
conla diminuzione della
temperatura.
I. Il trattamento termico di solubili=zazione è i1 primo passo del rafforzamento

per precipitazione; il pezzo di lega in esame, che può essere un semilavorato o
un getto, viene riscaldato ad una temperatura compresa tra le temperature di
solvus e quella di solidus e mantenuto a tale temperatura per il tempo
necessario ad ottenere una soluzione solida uniforme; per la lega x 1 viene
scelta la temperatura T1 corrispondente al punto e di Figura 8.41, i9 quanto è
intermedia tra le linee di solvus e di solidus della soluzione solida a:.
2. La tempra di soluzione è il secondo passo del processo di indurimento per
precipitazione: il campione viene raffreddato velocemente a bassa
temperatura, di solito quella ambiente., e il mezzo di tempra è solitamente
acqua, La struttura del campione di lega temprato in acqua è in genere
costituita da una soluzione solida sovrassatura di B in A; la struttura della
lega x1 dopo tempra alla temperatura T3, corrispondente al punto d di
Figura 8.41, è una soluzione solida sovrassatura di fase a:. Il nome tempra di
soluzione anziché sòlo tempra viene utilizzato per indicare che durante
questo trattamento si sfrutta appunto la diminuzione di solubiUtà con la
diminuzione delia temperatura.
3. L'invecchiamento. è il terzo passo del processo di indurimento per
precipitazione; l'invecchiamento del campione di lega solubilizzato e
temprato è necessario perché si formino precipitati finemente dispersi, che
è l'obiettivo del processo di indurimento per precipitazione, in quanto essi
ostacolano il movimento delle dislocazioni durante la deformazione
l
(costringendo le dislocazioni ad attraversare le particelle di precipitato o
ad aggirarle)~ determinando in questo modo il rafforzamento voluto.
318 Capitolo 8
FIGURA 8.42 Prodotti di

trasformazione creati
dall'invecchiamento di una Più alto
Soluzione solida soprassatura
soluzione solida
sovrassatura di unalega
indurita perprecipitazione.
~ Zone di precipitazione
r.
li livelloenergeticopiùalto eV,
corrisponde allasoluzione .E 3
solidasovrassatura, mentre Verso lo stato • Precipitato intermedio
il !!velloenergeticopiù d;eq~o • metastabile
.
bassocorrisponde al 2
precipitato di equilibrio.
La Precipitato
legapuòmodificarsi di equilibrio
spontaneamente dallivello
di energia piùaltaa quello I I
di energia piùbassa sec'è l
unasufficiente energiadi Più basso I
attivazione perla
Prodotti di decomposizioni formati mediante
trasformazione e sele invecchiamentodellasoluzionesolida soprassatura
condizioni cinetiche
sono
favorevoli.
Se l'invecchiamento di una lega viene realizzato a temperatura ambiente,

esso è detto invecchiamento naturale. se invece è realizzato ad elevata
temperatura è detto invecchiamento anifìciale. La maggior parte delle leghe
raff orzabili per precipitazione richiedono un invecchiamento artificiale
solitamente ad una temperatura pari a circa il l 5·25% della differenza tra L
temperatura ambiente e la temperatura del trattamento termico di soluzione.
Prodotti di trasformazionecreati dall'invecchiamentodi una soluzione solida

sovrassatura Una lega che può essere indurita per precipitazione, nelle
condizioni di soluzione solida sovrassatura si trova ad un alto livello energetico,
come )ndicato schematicamente al livello 4 di Figura 8.42; tale stato energetico è
relativamente instabile e la lega tende a raggiungere uno stato e~getico più basso
attraverso la trasformazione spontanea della soluzione solida sovrassatura in fasi
metastabili o nella fase di equilibrio. Il lavoro motore per la precipitazione delle
fasi metastabili o della fase di equilibrio è fornito dalla diminuzione di energia del
sistema che si verifica a seguito alla formazi9ne delle fasi stesse.
Quando una soluzione so~ida sovrassatura di una lega induribile per
precipitazione viene invecchiata a temperature relativamente basse, condizione in
cui è disponibile solo una ridotta energia di attivazione; si formano addensamenti
di atomi segregati, chiamati zone di Guinier-Preston o zone GP 1•
1
Le zone diaddensamento sono anche chiamate di Guinier-Preston (o OP) dai nomi dei
ricercatori che per primi identificarono queste strutture attraverso diffrazione di raggi X.
Materiali metallici 31 e·
Nel caso della lega A-B di Figura 8.41, le zone saranno regioni ricche di atomi B
in una matrice costituita prevalentemente da atomi A; la fonnazione di queste
zone nella soluzione solida sovrassatura è indicata nello schizzo circolare al
livello energetico 3 di Figura 8.42. Dopo un ulteriote invecchiamento, se la
temperatura è abbastanza elevata da fornire una sufficiente energia di
attivazione, le zone si trasformano o vengono sostituite da un precipitato
intermedio metastabile più grossolano (di dimensioni maggiori) indicat0 nello
schizzo circolare al lìvello di energia 2, più basso dei precedenti. Infine, se
l'invecchiamento viene continuato (in genere è necessaria una temperatura più
alta) e se è. disponibile una sufficiente energia di attivazione, il precipitato
intermedio viene sostituito dal precipitato di equilibrio, caratterizzato dal livello
energetico 1 di Figura 8.42, che è anche il più basso possibile.
Effetto del tempo di invecchiamentosulla resistenza e la durezza di una Jega

induribile per precipitazione sottoposta a tempra di soluzione L'effetto
dell'invecchiamento sul rafforzamento di una lega che può essere indurita per
precipitazione e che è stata sottoposta a tempra di soluzione, è solitamente
descritto da una curva di invecchiamento, che riporta l'andamento della
resistenza meccanica o della durezza ìn funzione del tempo di invecchiamento
(solitamente in scala logaritmica) ad una particolare temperatura, come
mostrato schematicamente in Figura 8.43. La resistenza meccanica della
soluzione solida sovrassatura è indicata suffasse delle ordinate del grafico in
corrispondenza al tempo zero; all'aumentare del tempo di invecchiamento, si
formano le prime zone di GuinierMPreston e le loro dimensioni aumentano,
rendendo la lega più resistente e dura e meno duttile. Se 1a temperatura di
invecchiamento è sufficientemente elevata, si raggiunge una resistenza massima
(condizioni di invecchiamento al picco), solitamente associata alla formazione di
0®
,..
Soluzione solida
soprassatura
';;;vecch;a,o
al pkco (onim,Jed;m,ns;o.,.,
distribuzione dei precipitati ai fini del r.ifforz.amento
®· .·....
_
FIGURA 8A3 Curva \~ ..

schematica
meccanica
di
.invecchiamento
(resistenza
o durezzain
\
Sovrainvecchiato
(ingrossamento dei precipitati)
Sottoinvecchiato(precipitati piccoli
Jr
@··· ...
· · '
funzione
deltempo) ad una non sufficieniementeinvecchiato) · :. ...
temperatura
particolare per
Tempo dì invecchiamentoin temperatura
unalegainduritaper
precipitazione.
320 Capitolo 8
700
660°C L+e 2
~ L+
É
= «
é 5,65 548°C 33,2 52,5 e +rii
~ 500
E
r.:: e
400 a.+ 0
8 +112
FIGURA 8.44 Porzione
deldiagramma
di statodi
unalegaAI-Cu,latoAl. IDa 3000 10 20 30 40 50 60 70
K. R. VanHorn(ed), Al
"Aluminium·:
vo/.1., )00%
Percernuale
in pesodì rame
AmericanSociety
torMetals,
1961,p.372J.
un precipitato intermedio metastabile. Se l'invecchiamento viene protratto, in

modo che i precipitati intermedi coalescano e si ingrossino, la lega invecchia
troppo (condizioni sovrainvecchiamento) e diminuisce la sua resistenza rispetto
alla condizione di massimo.
Indurimento per precipitazione di una lega Al-4%Cu Esaminiamo ora la
struttura e le variazioni di durezza che si verificano in una lega Al-4%Cu
(Figura 8.44) durante un trattamento termico di indurimento per precipitazione:
la sequenza dei trattamenti termìci di questa lega è:
L Solubilizzazione a circa 515°C.

2. Tempra di soluzione i11acqua a temperatura ambiente.
3. Invecchiamento artificiale tra 130 e I 90°C. ,,.
Strutture che si formano durante l'invecchiamento di una lega Al-4%Cn
Nell'indurimento per precipitazione di una lega Al-4%Cu possono essere
identificate in sequenza cinque distinte strutture: ( 1) soluzione solida
sovrassatura a:, (2) zone GPl, (3) zone GP2 (chiamate anc_h~fase 6"), (4) fase
6' e (5) fase 8, CuAl2. Non tutte queste fasi possono essere prodotte a tutte le
temperature di invecchiamento. Le zone GPl e GP2 sono prodotte a temperature
di invecchiamento più basse, mentre le fasi 8' e e si hanno a temperature più alte.
Zone GPJ Que!-te zone di precipitati sono formate a temperature di

invecchiamento più basse e sono formate dalla segregazione dì atomi di
rame nella soluzione solida sovrassatura a:. Le zone GP l sono composte
------------------------------------,-.
Materialimetallici 32i
0000000000 0000000000
FIGURA 8.45 Confronto 0000000000 o o o ç.>.o.~_o
0
ooo
schematico dellastruttura
di O O O-~ , ~-O O O O O O O• • O• •O O O
unprecipitato coerente
di unprecipitato
{a)e
incoerente
oo~o. ~ ~-o oo o o o:'?: o? :o o o
(b).Il precipitato
coerente è
000 ÒÒÒOOO o o op o o o o o o
00 0000000 000/0000000
associato adun'alta energia
òi deformazione e aduna (a) Precipitato (b) Precipitato
bassa energiasuperficiale, coerente incoerente
mentre Quelloincoerenteè (Questo tipo di precipitato
associato adunabassa ha una sua propria struttura)
energia di deformazionee ad
unaaltaenergia superficiale.
da regioni di addensamenti a forma di dischi dello spessore di pochi atomi

(0,4-0,6 nm) e del diametro di circa 8-10 nm e,,si formano sui piani cubici
{100} della matrice. Dato che gli atomi di rame hanno un diametro
dell'l l % circa inferiore rispetto agli atomi di alluminio, il reticolo della
matrice intorno a queste zone è deformato in forma tetragonale. Le zone
GPl sono dette coerenti con il re.ticolo della matrice in quanto gli atomi di
rame sostituiscono semplicemente gli atomi di alluminio nel reticolo
[Figura 8.45(a)]. Le zone GPJ sono individuabili con il microscopio
elettronico grazie ai campi di deformazione che esse creano (Figura 8.46a).
Zone GP2 (.fase 0"). Anche queste zone hanno una struttura teiragorale e
sono coerenti con i piani {100} della matrice della lega Al-4%Cu. Le loro
dimensioni, al procedere del)'invecchiamento vanno da circa l a 4 nm dì
spessore e da 10 a lOOnm dì diametro (Figura 8.46b).
Fase 0'. Questa fase nuclea in modo non omogeneo soprattutto sulle
dislocazioni ed è incoerente con la matrice; un precipitato incoerente è un
precìpitato con ha una propria struttura cristallina, differente da quella
della matrice [Figura 8.45(b)]. La fase 6' ha una struttura tetragonale con
uno spessore che va da IO a 150 nm (Figura 8.46c).
Fase e. La fase di equilibrio 8 è incoerente e ha la composizione CuAl2,

Questa fase ha una struttura TCC (a = O,607 nm e e = O,487 nm) e si
forma da 0' o direttamente daila matrice.
La sequenza generale della precipitazione nelle leghe binarie Al-A¾Cu può

essere rappresentata da:
Soluzione sovrastruttura - zone GPl -+ zone GP2 (fase 6") - 8' e (CuAh)
322 Capitolo 8
FIGURA 8.46 Microstrutture

di legheAl-4%Cu
invecchiate.(a)Al-'4%Cu, solubilizzataa 540°C,
temprata in acqua e invecchiata per16orea l30"C:le
zoneGP1si sonosviluppate informadi dischiparalleli
ai piani{100}dellamatrice CFCe a questo stadio
sonospesse pochiatomie hanno undiametro di circa
100À:risultano visibilisologliaddensamenti che
giacciono su unorientamento cristallografico.
(Micrografia elettronica;
ingrandimenio 100000Dx).
(b)Al--4%Cu, solubilizzata
a 540°G,temprata in acqua
e invecchiataper1 giornoa 130°C: questa micrografia
di unasottilelamina mostra i campi dì deformazione _ ..,,,.-·
dovutiallezonecoerenti GP2;le regioniscureintorno
allezoneGP2sonocaùsate daicampidi deformazione.
(Micrografia elettronica;
ingrandimento 800000 x ).
< .. \ .,
(e)LegaAl-4%CiJ solubilizzataa 540°C,temprata in

acqua e invecchiata per3 giornia 200°C:questa
micrografia di unasottilelamina mostra la fasee'
incoerente e metastabile chesi formaattraverso una
nucleazione e unacrescita eterogenea. (Micrografia
elettronica;
ingrandimento 25000°): [D~). Nuttlng e R.
G.Baker,''TheMicrostrutture of Metals';Jnstitute of
Metals;1955, pp.65,61J.
Correlazionetra strutturae durezza nella lega _Al-4%Cu In Figura 8.47 sono

mostrate le curve della durezza in funzione del tempo di invecchiamento per una
lega Al-4%Cu invecchiata a 130 e 190°C. A 130°C si formano le zone GPl che
aumentano la durezza della lega ostacolando il movimento delle dislocazioni.
Un ulteriore invecchiamento a 130°C dà origine alle zone GP2 chè aumentano
ancora la durezza rendendo il movimento delle dislocazioni ancora più
difficoltoso. Il massimo del1a durezza viene raggiunto con un successivo
invecchiamento a 130°C quando si forma 8'. Uinvecchiamento oltre il picco di
Materiali metalnci 323
140
120
G:~{2}
_p~c (2W'F) 0
../
OP Oy,:"...
FIGURA 8.47 ,, '
Correlazionetra struttura
e ,/ 190°C(374°F)
durezzadi unalegaAl-
4%Cuinvecchiata a 130e a
/1
.;
,,
e·
190°c.[DaJ. M Silcock,r 60 a
J. Heal,eH.K.Haraly, come
presentatoin K R. vanHam 40 .__ _ __.______ .....__ __. __ .........
_
(ed.},"Aluminum·; vol.1,
American Societylor Metals, 0.01 O.I LO IO 100 1000
Tempo di invecchiamento,giorni
1967.p.1231.
massima durezza discioglie 1e zone GP2 e ingrossa la fase e· provocando una

diminuzione della durezza della lega. Le zone GPl non si formano durante
l'invecchiamento a 190°C nella lega Al-4%Cu in quanto la temperatura è sopra
la curva di solubilità delle zone GPL Con lunghi tempi di invecchiamento a
l 90"C. si forma la fase di equilibrio e.
Eserciziario
Vedi Esercizio8.6.
Proprietà .generali Proprietàtecnologichedell'alluminio L'alluminio possiede una combinazione di

dell'alluminio proprietà che lo rendono un materiale estremamente utile. L'alluminio ha bassa
e sua produzione densità (2,70 g/cm3 ), fatto che lo rende molto utile nella produzione di mezzi di
trasporto, in particolare nel settore aeronautico. Ha inoltre un'ottima resistenza
alla corrosione nella maggior parte degli ambienti naturali, grazie a un resistente
film di ossido che si forma sulla sua superficie. Sebbene l'alluminio puro abbia una
bassa resistenza meccanica, mediante l'aggiunta di elementi di lega si può
raggiungereuna resistenza di 690 MPa. L'a11uminio non è tossico ed è ampiamente
usato per contenitori e imballaggi alimentari. Le buone proprietà elettriche
dell'alluminio lo rendono adatto per molte applicazioni nell'industria elettrica. Il
prezzo relativamentebasso dell'alluminio(circa 2$ al kg nel 1989)assieme alle sue
numerose proprietà ne fanno un tnetallo industrialmente molto importante.
Produzionedell'alluminio L'a1luminio è l'elemento metallico più abbondante

324 Capitolo 8
sulla crosta terrestre ed è sempre presente allo stato combinato con altri
elementi come ferro, ossigeno e silicio. La bauxi~, che è composta
principalmente da ossidi idrati di alluminio, è il principal~ minerale utilizzato
per la produzione delJ'alluminio. Nel processo Bayer, si fa reagire la bauxite con
idrossido di sodio caldo per convertire l'alluminio nel minerale in alluminato di
sodio; dopo la separazione del materiale insolubile, viene fatto precipitare
idrossido di alluminio dalla soluzione di alh1minato, l'idrossido di alJuminio
viene quindi raccolto e calcinato ad ossido di alluminio AhO 3 •
L'ossido di alluminio viene disciolto in un bagno fuso di criolite (Na 3AIF 6)
e sottoposto ad elettrolisi in una cella elettrolitica (Figura 8.48) con anodi e
catodi di carbonio; in questo modo al catodo si forma alluminio metallico allo
stato liquido che si adagia sul fondo della cella e viene periodicamente rimosso.
L'alluminio estratto dalla cella solitamente ha una pur,ezzadal 99,5 al 99,9% e le
maggiori impurezze sono costituite da ferro e silicio.
Dalle celle elettrolitiche l'alluminio viene portato in grandi forni con
rivestimento refrattario. dove viene raffinato 1 aggiungendo eventualmente anche
gli elementi di lega alla carica del fornò. Nell'operazione di raffinazione, il
metallo liquido viene trattato con cloro gassoso per rimuovere l'idrogeno
gassoso presente, a cui segue un'operazione di scorificazione deHasuperficie del
metallo liquido per rimuovere il metallo ossidato. Dopo che il metallo è stato
degasato e scarificato, viene colato in lingottiere ottenendo lingotti poi utilizzati
per una successiva fusi one· e ottenimento di pezzi finiti mediante getti oppure
lingotti per successiva deformazione per laminazione o estrusione.
Leghe di allumini.o Produzione primaria Lingotti di forme particolari, come quelli per
per deformazione laminazione o estrusione. vengono solitamente colati in modo semicontinuo
plastica con metodo a raffreddamento diretto. La Figura 4.8 mostra schematicamente
come viene. ottenuto un lingotto di alluminio con questo metodo, mentre la
Figura 4.1 è una fotografia di un grande lingotto ottenuto per colata
semicontinua che viene rimosso dalla fossa di colata.
Nel caso dei lingotti per laminazione, viene rimosso dalla superficie circa un
centimetro del metallo che sarà posto a contatto con i cilindrf'del laminatoio a
caldo; questa operazione di asportazione dello strato superficiale viene
effettuata per assicurare alle lastre e alle lamiere prodotte una superficie finak
pulita e liscia. Successivamente i lingotti vengono omogeneizzati ad un'alt~
temperatura per circa l 0·24 ore in modo da consentire che la dìffusione atomica
renda la composizione del lingotto uniforme; l'omogeneizzazione deve essere
effettuata ad una temperatura inferiore ai punto di fusione del costituente che
ha minor temperatura di fusione.
Dopo il riscaldamento i lingotti vengono laminati a caldo usando un
laminatoio sbozzatore reversibile a quattro cilindri. Il lingotti vengono
solitamente laminati fino a circa 75 mm di spessore, quindi vengono di nuovo
riscaldati e laminati fino a 20 o 25 mm di spessore con un laminatoio intermedio
Corrente elettrica
Contenitore d'acciaio
Alluminio fuso
FIGURA8.48 Cella
elettrolitica
utilizzata
perla
produzione delralluminio. Rivestimento
catodico di carbone
Alumìnum Company of
America].
(Figura 6.1). La successiva riduzione viene in generé' effettuata a caldo con una
serie di laminatoi doppi per ottenere uno spessore del metallo di drca 2,5 mm.
La Figura 6.8. mostra invece una tipica operazione di laminazione. a freddo,
solitamente, se deve essere prodotto un foglio sottile, è richiesta più di una
ricottura intermedia.
Classificazionedelle leghe di alluminio per deformazioneplastica Le leghe di

alluminio ottenute per deformazione plastica (cioè lamiere, lastre~ pezzi estrusi.
tondini e fili) sono classificate in base ai principali elementi di lega che
contengono. Si utilizza a questo scopo una designazione a quattro cifre, in cui la
prima cifra identifica la classe della lega; ossia gli specifici elementi dì lega. le
ultime due cifre identificano )a lega di alluminio o specificano la purezza
dell'.alluminio, la seconda cifra indica la modifica rispetto alla lega originale
della classe o i limiti per le impurezze. La Tabella 8.7 riporta i vari tipi dì leghe
di alluminio per deformazione plastica in base a questa classificazione.
TABELLA8.7 Designazione delle leghe di alluminio per deformazione plastica
Alluminio,99.00% minimoo maggiore 1xxx

Leghedi alluminio raggruppate in base ai principali elementi di'lega:
Rame 2xxx
Manganese 3xxx
Silicio 4xxx
Magnesio Sxxx
Magnesio e silicio 6xxx
Zinco 7xxx
Altri elementi 8xxx
Serie inusuali 9xxx
326 Capitolo 8
Designazione del trattamento La designazione del trattamento cui viene

sottoposta una lega di alluminio per deformazione plastica seguela designazione
della lega e viene separata da un trattino (per esempio, 1100-0); specificazioni
ulteriori del trattamento base sono indicate da una o più cifre che seguono la
lettera della designazione principale (per esempio, 1l00-Hl4).
Ì>
j.
Designazioneprincipale del trattamento L
F- Grezzo di fabbricazione: non c'è controllo dell'incrudimento; non ci sono
limiti per le proprietà meccaniche.
r
I
O- Ricotto e ricristallizzato: trattamento termico che dà il più bassa grado di

resistenza e la massima duttilità.
H- .Incrudito (vedere i paragrafi seguenti per la suddivisione).
T-, Trattato termicamente per produrre effetti diverfi dai tipi F o O (vedere i
paragrafi seguenti per la suddivisione).
Suddiiiisione dei ttattamellti di incrudimento

Hl- Solo incrudimento: il grado di indurimento per deformazione è indicato
dalla seconda cifra e varia da un quarto di indurimento (Hl2) ad
indurimento completo (H 18), ottenuto con una riduzione della sezione dì
circa il 75%.
H2- Incrudimento e parziale ricottura: trattamento variabile da un quarto di
indurimento all'indurimento totale. ottenuto attraverso una ricottura
parziale del materiale deformato a freddo con una durezza iniziale più
elevata di quella desiderata; i trattamenti sono H22. H26 e H28.
Hl- Incrudimento e stabilizzazione: trattamenti delle lee:he allumini<··
magnesio che addolciscono per invecchiamento. che ;onsiste nelrin-
crudimento e nel riscaldamento ad una bassa temperatura per aumentare
la duttilità e per stabilizzare le proprietà meccaniche; i trattamenti sono
H32, H34, H36 e H38.
S11ddivisio11edei trattame11ti termici

Tl -'·Invecchiamento naturale: il pezzo viene raffreddato dalla elevata
temperatura del processo di formatura e portato, me~iante invecchia-
mento naturale, in condizioni sosta11zialmentestabili.
T3- Tempra di solubilizzazione, deformazione a freddo e invecchiamento
naturale fino a condizioni sostanzialmente stabili.
T4- Tempra di solubilizzazione e invecchiamento naturale fino a condizioni
sostanzialmente stabili. / ·
T5- Raffreddamento dall'elevata temperatura del processo dì formatura e
invecchiamento artificiale.
T6- Tempra di solubilizzazione e invecchiamento artificiale.
T7- Tempra di solubilizzazione e stabilizzazione.
T8- Tempra di solubilizzazione, deformazione a freddo e invecchiamento
artificiale.
Leghe di alluminio per deformazione plastica che non possono essere trattate
termicamente Le leghe di alluminio per deformazione plastica possono essere
suddivise in due classi: leghe che nonpossono essere trattai e termicamentee leghe
che possono essere trattate termicamente.Le prime non possono essere indurite
per precìpìtazione ma, per aumentare la loro resistenza, possono solamente
essere deformate a freddo. Le tre principali classi di leghe di alluminio per
deformazione plastica che non possono subire trattamenti termici sono le classi
lxxx, 3xxx e 5xxx. La TabelJa 8.8 ele~ca la composizione chimica, le tipiche
proprietà meccaniche e le principali applicazioni di alcune leghe di alluminio per
deformazione plastica di rilevanza industriale.
Leghe 1xxx. Queste leghe hanno una percentuale di alluminio di almeno il

99,0%. Gli altri elementi presenti sono principalmente ferro, silicio e
piccole aggiunte di rame per incrementare la resistenza meccanica. La
lega 1 100 ha carico di rottura di circa 90 MPa allo stato ricotto ed è
principalmente utilizzata per produrre lamiere.
Leghe 3xxx. Il manganese è il principale elemento di lega di questa classe e

incrementa la resistenza dell'alluminio principalmente attraverso il
mèccanismo di rafforzamento per soluzione solida. La più importante
lega di questa classe è la 3003, che è essenzialmente una lega l lOOcon
l'aggiunta di manganese in tenore di circa l'l,25%; questa lega ha carico
di rottura di circa 110 MPa allo stato ricotto ed è usata ovunque sia
richiesta una buona lavorabilìtà.
Leghe 5xxx. Il magnesio è il principale elemento di lega di questa classe ed è

aggiunto per ottenere un rafforzamento per soluzione solida in tenori fino
al 5%. Una delle leghe industrialmente più importanti di questa classe è
la 5052, che contiene circa il 2.5% di magnesio e lo 0,2% di cromo; aHo
stato ricotto questa lega ha carico dì rottura di circa 190 MPa. viene
solitamente usata per produrre lamiere, in particolare per autobus,
autocarri e applicazioni marine.
Leghe di alluminio per deformazione plastica che possono essere trattate

termicamente Alcune leghe di alluminio possono essere rafforzate per
precipitazione con un trattamento termico. Le leghe di alluminio per
deformazione plastica delle classi 2xxx, 6xxx e 7xxx possono essere rafforzate
per precipitazione attraverso meccanismi simili a que1Ii precedentemente descritti
in questo paragrafo per le leghe di alluminio-rame. La Tabella 8.8 elenca la
composizione chimica, le tipiche proprietà meccaniche e le principali applicazioni
di alcune leghe di alluminio per deformazione plastica di importanza industriale
che possono essere trattate termicamente. La Figura 8.49 mostra akuni estrusi di
lega di alluminio che stanno per essere sottoposti a solubilizzazione durante un
trattamento industriale di indurimento per precipitazione.
328 Capitolo 8
TABELLA 8.8 Composizionechimica, tipiche proprietà meccaniche e principali applicazionidi alcune

leghedi alluminio
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ID
C')
Materialimetallici 329
FIGURA 8.49
Trattamento
industriale
di
rattorzamento
per
di unalegadi
precipitazione
fPer
alluminioestrusa.
concessionedellaReynalds
MetalsCo.].
Leghe 2xxx. Il prìncipale elemento di lega di questa classe è il rame, ma alla

maggior parte di queste leghe viene aggiunto anche magnesio. Una delle
più importanti leghe di questa classe è la 2024, che contiene circa il 4.5%
di rame, lo 1.5% di magnesio e lo 0.6% di manganese; la lega viene
prindpalmente rafforzata per soluzi.one.solida e per indurimento per
precipitazipne, essendo il composto intermetallico di composizione
approssimata AhCuMg il principale precipitato che indurisce· la lega; la
lega 2024 nelle condizioni T6 ha carico di rottura di circa 440 MPa ed. è
usata, ad esempio, per applicazioni strutturali aeronautiche.
Leghe 6xxx. J principali elementi di lega per la classe 6xxx sono il magnesio
e il silicio che si combinano insieme per formare un composto
ìntermetallico. Mg 2 Sì, che sotto forma di precipitato conferisce resistenza
a queste leghe. La lega 6061 è una delle più importanti di questa classe e ha
una composizione approssimata di 1,0% di magnesio, 0,6% di silicio,
0,3% di rame e 0,2% di cromo: questa lega nelle condizioni T6 ha carico
di rottura di circa 290 MPa ed è usata per ,applicazioni strutturali di
carattere generale.
Leghe ?xxx. I principali elementi di lega per le leghe di alluminio della c1asse
7xxx sono lo zinco, ìl magnesio e il ranie. Zinco e magnesio si combinano
per formare il composto intermetallico MgZn2, il precipitato base che
conferisceresistenza a queste leghe quando sono trattate termicamente;la
solubilità relativamente alta deJlo zinco e del magnesio nell'alluminio
330 Capitolo 8
Modello Anima
Parte superiore
~Pona,nim,
~t~•infcrio,.
Piano di dìvisione del modello
del modello 2) Preparate la parte inferioredello stampo
Parte ìnferiore Pane inferiore

del modello della staffa
Tavolo
portastampo
1) Posizionare la parte inferiore del modello

nella parte inferiore della staffa posizionata
sul tavolo ponastampo
Canale
dì colata
Parte inferiore
3) Posizionare la parte superiore del modello

e della staffa su qùella inferiore
Pane superiore Parteinferiore
5) Separate le s1::tffe.
togliere i modell~
Coppa posizionare l'anima.chiudere le staffe
di colata ~~-...-.J=,_....,,, Sfiati
6) Staffe chiuse, serrale insieme,

L..:=J--"111:r--"'fb--C:.J pronle per la colma del metal!P
FIGURA 8.50 Sequenza

perlacostruzìone
dìunasemplice
formatransitoria
in sabbia
perrealizzare
unafusione
in sabbia.
[Da
M.C.Flemings
H.F. Taylor, e J. Wutn.''Foundry
Engineering':
Wiley,1959,
p.20'J.
consentono la formazione di un'alta densità di precipitati e quindi

l'ottenimento di notevoli aumenti della resistenza. La lega 7075, una
delle più importanti di questa classe, ha una composizione approssimata di
5,6% di zinco,2,5% di magnesio, 1~6% di rame e 0,25% di cromo; quando
ha subito il trattamento T6, la lega ha carico di rottura di circa 500 MPa ed
è usata principalmente per applicazioni strutturali aeronautiche.
Leghe di alluminio Processi di fonderia Le leghe di alluminio vengono generalmente colate

per getti mediante tre processi principali: fusione in sabbia, fusione in conchiglia e
pressofusione.
La fusione in sabbia è il più semplice e versatìle dei processi per
l'ottenimento di getti in alluminio. La Figura 8.50 mostra la costruzione di
una semplice forma transitoria in sabbia per realizzare fusioni in sabbia. Il
processo di fusione in sabbia viene generalmente scelto per la produzione di: (1)
piccole quantità di getti uguali, (2) getti complicati con anime complicate. (3)
grossi getti e (4) getti strutturali.
Nella fusione in conchiglia il metallo fuso viene versato in uno stampo
metallico permanente (conchiglia) per gravità, per depressione o mediante forza
centrifuga. La Figura 6.2 mostra una conchiglia aperta, mentre la Figura 6.3a
mostra la fùsione in conchiglia di due pistoni di automobile in lega di alluminio.
I getti di una stessa lega e con la stessa forma prodotti in conchiglia hanno una
struttura di grano più fine e conseguentemente una resistenza più elevata di
quelli ottenuti medìanre fusione in sabbia e ciò a seguito della più alta velocità di
raffreddamehto della fusione in conchiglia. Inoltre i getti fusi in conchiglia
hanno un minore ritiro e una più bassa porosità dovuta ai gas rispetto ai getti in
sabbia. Tuttavia, gli stampi permanenti, o conchiglie, hanno' limiti di
dimensione massima ed è difficile, se non impossibile. ottenere pezzi complessi
mediante fusìoni in conchiglia.
NeUa pressofusionevengono prodotti, alle pìù alte cadenze produttive, pezzi
uguali iniettando il metallo fuso sotto pressione in stampi metallici. Lo stampo è
costituito da due semistampì, che devono essere chiusi saldamente per poter
sopportare l'elevata pressione. L'alluminio fuso viene forzato nelle cavità degli
stampi; quando il met~llo si è solidificato, gli stampi vengono sbloccati e aperti per
estrarre ìl getto caldo. I semistampi vengono di nuovo chiusi e il ciclo di fusione
viene ripetuto. Alcuni vantaggi della pressofusione sono: (l) i prodotti pressofusi
sono quasi completamente finiti e possono essere prodotti ad elevate velocità, (2)
le tolleranze dimensionali di ogni getto possono essere tenute sotto controllo più
strettamente che con qualsiasi altro metodo di fusione, (3) sui getti possono essere
ottenute superfici lisce, (4) il rapido raffreddamento del getto genera una struttura
a grano fine e (5) il processo può essere facilmente automatizzato.
Composizionedelle leghe di alluminioper getti Le leghe di alluminio per getti

sono state sviluppate sia in funzione delle loro qualità di colabilità, quali la
332 Capitolo 8
TABELLA8.9 DesignazioneAlluminumAssociation (A.A)delle leghe di alluminioper getti
Alluminio,99.00~ minimoo maggiore txx.x

Leghedì alluminioraggruppatein base ai principafl
elementidi lega:
Rame 2xx.x
Silicio, con aggiuntarame e/o magnesio 3xx.x
Silicio 4xx.x
Magnesio sxx.x
Zinco 7xx.x
Stagno 8xx.x
Altri elementi 9xx.x
Serie inusuali 6xx.x
t
fluidità e la capacità di riempire lo stampo, che in funzione di proprietà quali la
resistenza meccanica, la duttilità e la resistenza alla corrosione; di conseguenza,
I.a loro composizione chimica differisce notevolmente da quella delle leghe di
alluminio per deformazione plastica. La Tabella 8.8 elenca la composizione
chimica, le tipiche proprietà meccaniche e le principali applicazioni di alcune
leghe di allumino per getti. La classificazione più utilizzata è quena americana
della Aluminum Association; in accordo con questo sistema le leghe di
alluminio per getti sono designate in base ai principali elementi dì lega. usando
una notazione a quattro cifre con un punto tra le ultime due, come mostl'.ato in
Tabella 8.9.
Il silicio, in tenori compresi tra il 5 e il l 2%, è il più importante elemento di
lega delle leghe di alluminio per getti. dato che aumenta la fluidità del metallo
fuso e la sua capacità di rìempire lo stampo ed inoltre conferisce resistenza
meccanica all'alluminio. Il magnesio. in tenori compresi tra 0.3 e 1%. è aggiunto
per aumentare la resistenza meccanica. principalmente attraverso il rafforza-
mento per precipitazione durante il trattamento termico. Anche il rame, viene
aggiunto ad alcune leghe di alluminio per getti in tenori tra 1 e 4% per
aumentare la resistenza meccanica, in particolare alle alte temperature. Infine a
particolari leghe di alluminio per getti possono essere aggiu'nti zinco. stagno.
titanio e cromo.
In alcuni casi. se la velocità di raffreddamento del 2:etto solidificato nello
stampo è sufficienteme11tee1evata, una lega che può subi;e trattamento tem1ico
può essere prodotta in condizioni di soluzione solida sovrassatura. Quindi
possono essere omessi i trattamenti termici di solubiliz:zazione e tempra di
soluzione e, dopo aver rimosso il getto dallo stampo, è necessario solo il
trattamento di invecchiamento per ottenere l'indurimento per precipitazione. Un
buon esempio dell'applicazione di questo tipo di trattamento termico è la
produzione dei pistoni per automobili rafforzati per precipitazione. come nel caso
mostrato in Figura 6.3a, in cui i pistoni dopo essere stati rimossi dalJo stampo
richiedono solamente un trattamento di invecchiamento, denominato T5.
8.6 LEGHEDi RAME
Proprietà generali Il rame è un importante metallo, molto usato sia allo stato puro che combinato in
del rame lega con altri metalli. Il rame puro ha una straordinaria combinazione di
proprietà per certe applicazioni industriali, fra cui: alta conducibilità elettrica e
termica, buona resistenza alla corrosione, facilità di lavorazione, medio carico di
rottura, ricottura controllabile e buone caratteristiche di saldabilità e di giunzione
in generale. Più elevate caratteristiche meccaniche sono ottenute con una serie di
leghe quali ottoni e bronzi, indispensabili per molte applicazioni tecnologiche.
Produzione La maggior parte del rame prodotto viene· estratto da minerali che contemwno
del rame solfuri di rame e ferro. Il solfuro di rame concentrato, ottenuto da mi;erali
poveri, viene fuso i11un forno a riverbero per produrre una metallìna, che è un
insieme di solfuri di rame e di ferro, che viene poi separata dalla scoria
(materiale di scarto). Il solfuro di rame nella metallina viene quindi convertito
chimicamente in rame grezzo (con tenore maggiore·del 98%) per mezzo di aria
insufflata. In questa operazione il solfuro di ferro viene ossidato per primo e
rimosso come scoria. In seguito, la maggior parte delle impurezze presenti neì
rame grezzo vengono rimosse in un forno di raffinazione ed eliminate come
scoria. Il rame raffinato alla fiamma è chiamato rame "tough pitch" e, benché
possa essere usato per molte applicazioni, la maggior parte viene ulteriormente
raffinata per via elettrolitica per ottenere un rame ra.ffinato elettrolirico al
99.95%.
Classificazione La classificazione più utiiìzzata per il rame e le sue leghe è quella amei:icana
delle leghe della Copper Development Association {CDA). In questo sistema i numeri che
di rame vanno da C10100 a C79900 designano le leghe per deformazione plastìca e i
numeri che vanno da C80000 a C99900 designano le leghe ·per getti. La Tabella
8'.10mostra gli elementi di lega di ogni classe principale e la Tabella 8.11 elenca
le composizioni chimiche, le tipiche proprietà meccaniche e le principali
applicazioni di alcune leghe di rame.
Leghe di rame Ramenon legato Il rame non legato è un importante metallo e grazie alla sua
per deformazione alta conducibilità elettrica è largamente usato 11ell'il14ustria elettrica. Fra i vari
plastica tipi di rame non legato, il rame raffinato è il meno costoso ed il più usato, sotto
forma di barre •.fili, lamiere e nastri. Il rame raffinato ha un contenuto nominale
di ossigeno dello 0,04%; rossigeno nel rame raffinato è quasi insolubile e forma
un ossido Cu20 interdendritico durante la colata del rame. Per la maggior parte
delle applicazioni, l'ossido di rame presente nel rame raffinato è una impurezza
trascurabile, tuttavia, se il rame raffinato viene riscaldato a temperatura
superiore a circa 400°C in un'atmosfera contenente idrogeno, l'idrogeno può
334 Capitolo 8
TABELLAa.10 DesignazioneCopper Development Association (CDA)delle leghe di rame
Leghe lavorate
C1xxxx Rame~e leghead atto tenore di ramet

C2xxxx Leghe rame-zinco(ottoni)
C3xxxx Leghe rame-Zinco-piombo(ottoni al piombo)
C4xxxx Leghe rame-zinco-stagno(ottoni allo stagno)
C5xxxx. Leghe rame-stagno(bronzial fosforo)
06xxxx Leghe rame-alluminio(bronziall'alluminio).leghe rame-silicio{bronzial $ilicio
(bronzial silicio)e altre leghe rame-zinco
C7xxxx Leghe rame-nichele rame-nichel-zinco(alpacche)
Leghe in getto
Rame ìn getto, leghe in getto ad altÒtenore di rame, ottoni in getto di variO

tipo, leghe bronzo-manganesein getto e leghe ram1-zinco-silicioin getto
Leghe rame-stagnoin getto, leghe rame-stagno-piombo,legherame-
stagno-nichel,leghe rame-alluminlo--ferro
e legherame-nichel-ferroe rame-
nichel-zinco
*Il rame ha un tenore minimo di rame-del99.3% ·o maggiore.

t le leghe ad alta tenore dì rame hanno un tenore dì rame inferioreal 99.3%, ma
superioreal 96% e non rientranoin altre categorie di leghe di rame.
diffondere nel rame solido e reagfre con il Cu 2 O disperso internamente per

formare vapore secondo la reazione:
Cu2O + H2 disciolto nel Cu ......,2Cu + H20vapore

Le grosse molecole di acqua formate dalla reazione non diffondono
prontamente e formano delle cavità interne, in particolare al bordo di grano.
che rendono fragile il rame (Figura 8.51).
Per evitare l'infragilimento da idrogeno causato dal Cu 2 O, l'ossigeno può
essere fatto reagite con fosforo per formare pentossido fosforoso P 2O 5 {lega
Cl2200). Un altro modo per evitare Pinfragilimento da idrogeno è l'eliminazione
dell'ossigeno dal rame fondendo il rame raffinato in un'atmosfera riducente
controll;ta; il rame prodotto con questo metodo è detto rame";senteda ossigeno
ad alta conducibilità ed è la lega CI0200.
Ottoni rame-zinco Gli ottoni rame-zinco sono una serie di leghe dì rame con
aggiunta di zinco in tenore tra il 5 a J1 40%. Come mostrato nel diagramma di
stato Cu-Zn di Figura 7 .25, il ràme forma soluzioni solide sostituzionali ( con lo
zinco fino a tenori superiori al 35%: solò quando il contenuto di zinco
raggiunge circa il 40%, si fonnano le leghe bifasiche a: e (3.
Conseguentemente una lega come la 70%Cu-30%Zn (C26000, ottone
cartridge), ha microstruttura monofasica a:, come mostrato in Figura 8.52,
mentre una lega 60%Cu-40%Zn (C28000, metallo Muntz) ha microstruttura
bifasica a:+ /3,come mostrato in Figura 8.53.
TABELLAs.11 Composizionechimica,tipiche proprietàmeccaniche e principali applicazioni di

alcune leghe di rame
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Composizione Carico di Carico di

chimica, rottura, snervamento, Allungamento,
Designazione '% peso Condizione MPa MPa su50mm, %
Leghe in getto
C80500 99.75 Cu Getto 172 62 40
C82400 96.4 Cu. 1.70 Be, Getto 497 255 20

0.25 Co Trattato ter- 1035 96Q 1
micamente
C83600 85 Cu. 5 Sn. 5 Pb, Gello 255 117 30

5Zn
C87200 89 Cu, 4 Sì Getto 379 172 30
C90300 93 Cu, 8 Sn. 4 Zn Getto 310 145 30
C95400 85 Cu, 4 Fe, 11 /lJ Getto 586 242 18

Traltato ter- 725 373 8
micamente
C96400 69 Cu, 30Ni, Getto 469 255 28
Fe
* TS = dopo tempo di soluzione,Incrudito,IP = indurito per precipitazione
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e all'ossidazione
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rattato ter- 1035 96Q 1 componenti plastici, camme, bronzine,
icamente cuscinetti, valvole,parti di pqmpe,
ingranaggi
ello 255 117 30 Valvole,flange, raccordi per tubazioni,
prodotti idraulici,getti per pompe,
giranti e casse di pompe per acqua,
oggetti ornamentali,piccoli ingn;maggi
etto 379 172 30 Cuscinetti,cinghie,componenti dì
giranti, pompe e valvole,raccorderia
marina, getti resistentialla corrosione
etto 310 145 30 Cuscinetti, bronzine,giranti dl pompe,
fasce elastiche,componenti di valvole,
anellidi guarnizione,raccorderiaper
impianti a vapore, ingranaggi
etto 586 242 18 Cuscinetti, ingranaggi,viti senza frne,
altato ter- 725 373 8 bronzine.sedi e guide di valvole,gànci
icamente per decapàggio
etto 469 255 28 Valvole,corpi di pompe, flange,
raccorderiaa gomito resistentealla
corrosione marina
rudito,IP = indurito per precipitazione

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338 Capitolo 8
FIGURA 8.54 Sezione di

unabarraestrusa di ottone
chemostra globulidi
piombo La
allungati.
è fasea. (Attacco:
struttura
NH40H+ H202;
ingrandimento
75x). [Per
concessionedellaAnaconda
AmericanBrassCo.].
Per migliorare la lavorabilità alle macchine utensili~ agli ottoni vengono

aggiunte piccole quantità di piombo (0,5-3%). Il piombo è quasi insolubile nel
rame solido e negli ottoni si distribuisce in piccoli globuli (Figura 8.54).
In Tabella 8.1 i so110 elencati tra l'altro i carichi di rottura di alcuni ottoni:
come si vede essi hanno media resistenza meccanica. Queste leghe allo stato
ricotto hanno una resistenza media (225-370 MPa) e possono essere deformate a
freddo per aumentare la loro resistenza.
Bronzi rame-stagno Le leghe rame-stagno, comunemente chiamate bronzi

allo stagno anche se spesso sono indicate anche come bronzi al fosforo, vengono
prodotte aggiungendo circa 1-16% di stagno al rame, per formare delle leghe
rafforzate per soluzione solida. I bronzi allo stagno per deformazione plastica
che contengono fino al 10% di stagno, hanno una resi!tenza meccanica
maggiore degli ottoni, specialmente se vengono deformati a freddo, e hanno una
resistenza alla corrosione maggiore, ma costano di più. I bronzi allo stagno per
getti, che hanno contenenti fino al 16% di stagno, vengono usati per elementi di
cuscinetti ed ingranaggi ad elevata _;-esìsténza; per fornire lubrificazione alle
superfici dei cuscinetti, a queste ·1eghevengono aggiunti elevati tenori di piombo
(dal 5 al 10%).
Leghe rame-berillio Le leghe rame-berillio vengono prodotte con un

contenuto di berillio compreso tra lo 0,6 e il 2% e con l'aggiunta di cobalto
in quantità comprese tra lo 0,2 e il 2,5%. Queste leghe possono essere rafforzate
per precipitazione, trattate tem1icamente e deformate a freddo per ottenere una
resistenza a trazione fino a 1460 MPa, che è la più alta resistenza meccanica di
una lega commerciale di rame. Le leghe Cu-Be vengono utilizzate per
applicazioni che richiedono elevata durezza e per le loro caratteristiche di
antiscintiJlamento nell'industria chimica. La eccellente resistenza alla corrosio-
ne, la elevata: resistenza alla fatica e la resistenza meccanica di queste leghe le
rendono utili per la fabbricazione di molle, ingranaggi, diaframmi e valvole.
Tuttavia, questi materiali hanno lo svantaggio di essere relativamente costosi.
[ 8.7 ACCIAI INOSSIDABILI
Gli acciai inossidabili vengono utìlìzzati principalmente per la loro eccellente

resistenza alla corrosione in molti ambienti, dovuta alla presenza di cromo in
tenore superiore al 12%, infatti il cromo forma un ossido superficiale che
protegge dalla corrosione la lega sottostante; perché si formi l'ossido protettivo~
l'acciaio inossidabile deve essere esposto ad ambienti ossidanti.
Vi sono cinque principali tipi di acciai inossidabili: ferritici, martensitici,
austenitici, a struttura mista austenite-ferrite (duplex) e indurenti per
precipitazione; in qùesto testo verranno brevemente discussi solo i primi tre tipi.
La classificazione AISI-SAE designa gli acciai inossidabili in base ad un
codice di tre cifre, di cui la prima vale 3 per gli acciai inossidabili austenitici e 4 per
gli acciai inossidabili ferritici e martensitici, mentre le altre due cifre hanno
significato convenzionale (ad esempio rispettivamente AISI 304, AISI 410, AISI
430). La classificazione italiana UNI designa gli acciai inossidabili, come tutti gli
altri acciai legati in cui un elemento di lega supera il 5%, premettendo la lettera X
seguita dalla percentuale di carbonio moltiplicatà per cento, dalle sigle dei prin-
cipali elementi di lega presentì ed infine dai loro tenori (ad esempio XSCrNil 8 8).
Acciai inossidabili Gli acciai inossidabili .ferritici sono essenzialmente delle leghe binarie ferro-
ferriticì cromo contenenti il 12-30% di cromo. Sono chiamati ferritici ìn quanto la loro
struttura, dopo i normali trattamenti termici, rimane ferritica {CCC). Il cromo.
dato che ha struttura cristallina CCC, come il ferro 6 e a:, estende il campo di tali
fasi e restringe quello della fase -y, di conseguenza nel diagramma di stato Fe-Cr
si determina per un tenore di cromo superiore al 12% la chiusura del campo 1'
(Figura 8.55). Poiché gli acciai inossidabili ferritici contengono più del 12% di
cromo, non vi sono più le trasformazioni 6 ---+ -y ---+ a:, e conseguentemente essi
raffreddano dalle alte temperature fino a temperatura ambiente come soluzioni
solide di cromo nel ferro CCC (ferrite).
La Tabella 8.12 elenca le composizioni chimiche, le tipiche proprietà
meccaniche e le principali applicazioni degli acciai inossidabili ferritici AISI 430
e AISI 446.
Gli acciai inossidabili ferritici costano relativamente poco, poiché non
contengono nichel, vengono utilizzati principalmente come materiali per
340 Capitolo 8
Percentualeatomica di cromo
1600
1538° 1516°
21%
(a-Fe, Cr)
-12.7
821(,:46%
800
831°:-7% ~-----
no• , , , •, I o I --....____
,,,
600 .,. \ I ''
,,, \ I ..,
475° ' ,
,~- --· «------'~-----------------·,
" '-
4001.----'---..1---....1...----1.---i---i......--.i---...L---..1---~
I
Fe 10 20 30 40 50 60 70 80 90 Cr
Percentualein peso di cromo
FIGURA 8.55 Diagramma Wa"Metals

di statoFe-Cr. Handbook''.
vot.8.8thed,American farMetals,1973,
Socìety p,291].
costruzioni di tipo generale in cui è richìesta resistenza alla corrosione e al

calore. La Figura 8.56 mostra la· microstruttura di un acciaio inossidabile
ferritico di tipo AISI 430 allo stato ricotto. La presenza di carburi nell'acciaio
limita in parte la resistenza alla corrosione. recententènte sono stati
conseguentemente sviluppati nuovi tipi di acciai inossidabili ferritici a basso
tenore di carbonio e azoto, con maggiore resistenza alla corrosione.
Acciai inossidabili Gli acciai inossidabili martensitici sono essenzialmente delle leghe ferro-cromo
martensitici con cromo 12-l 7% e carbonio 0,15-1 % tale da far assumere all'acciaio ad alta
temperatura struttura austenitica che si trasforma in martensite durante la
tempra a temperatura ambiente. Poiché la composizione degli acciai inossidabili
martensitici viene fissata per consentire di avere le trasformazioni dì fase citate.
che consentono di ottenere elevata resistenza meccanica e durezza, la resistenza
alla corrosione di questi acciai è relativamente bassa rispetto a quella degli acciai
inossidabili ferritici e austenitici.
Materialimetallici·· 341
TABELLAa.12 Composizionechimica, tipiche proprietà meccaniche e principali applicazionidi

alcuni acciai inossidabili
LO o
N N
Il.)
e:
o
·;:::;
:e
e:
o
o
o
oN
ci
d
LO
N
342 Capitolo 8
FIGURA 8.56 Nastro di

acciaioinossidabile
AISI
ricottoa
430(territlco)
788°C.Lastruttura è
costituita
daunamatrice
ferritica
a graniequiassici
e
daparticelledispersedi
carburi.(Attacco:
picral+
HGI;ingrandimento 100x).
United StatesSteelCorp.,
Research Laboratoryl
Il trattamento di tempra necessario per aumentare la resistenza meccanica e

la tenacità degli acciai inossidabili martensitici è essenzialmente lo stesso degli
acciai al carbonio e degli acciai basso legati, infatti l'acciaio viene austenitizzato,
raffreddato ad una velocità sufficientemente alta per ottenere una struttura
martensìtica e poi viene rinvenuto per eliminare le tensioni interne e per
aumentare la tenacità. Tuttavia l'elevata temprabilità dovuta al rilevante tenore
di cromo rende non necessaria una tempra in acqua e permette di ottenere un~1
struttura martensitica anche con raffreddamenti più lenti.
La Tabella 8.12 comprende le composizioni chìmiche, le tipiche proprìt1~1
meccaniche e le principali applicazioni degli acciai inossidabili martensitìci AISI
410 e AISI 440C. L'acciaio inossidabile AISI 410 con un contenuto dì cromo del
12% ha resistenza meccanica inferiore e viene utilizzato per applicazioni di uso
generale che richiedono contemporaneamente elevata resistenza meccanica e
resistenza alla corrosione, quali componenti di macchine, alberi di pompe,
bulloni e boccole.
Man mano che nelle leghe Fe-Cr si aumenta il tenore di é;rbonio, il campo
di esistenza del Fe-7, che ha un massimo corrispondente al 12% ·circa di cromo,
si allarga~ di conseguenza le leghe Fe-Cr con un contenuto di carbonio di cirt'i!
I% possono contenere. il 16% di cromo ed essere ancora in grado <li
trasformarsi in austenite durante il tJ;attamento di austenitizzazione, e di essere
pertanto temprate. La lega di· tipo AISI 440C con 16% di cromo e l % di
carbonio è l'acciaio inossidabile martensitico che ha la durezza più elevata di
qualsiasi altro acciaio resistente alla corrosione; la sua elevata durezza è dovuta
alla matrice martensitica e alla presenza di una grande concentrazione di carburi
primari; come mostrato dalla microstruttura di Figura 8.57.
FIGURA 8.57 Acciaio

lnossìdabile
di tipoAlSI
440C(martensilioo)
tempratomediante
austenitizzazione
a 1010°ce
raffreddamentoin aria.La
è caratterizzata
struttura da
carburiprimariin una
matricemartensitica.
HCI+ picral;
(Attacco:
ingrandimento500x).[Per
gentileconcessione della
Allegheny Ludlum Steel
Co.].
Acciai inossidabili Gli acciai inossidabili austenìtici sono essenzialmente delie leghe ternarie ferro-
austenitici cromo-nichel contenenti circa 16-25% di cromo e 7-20% di nichel. Queste leghe
vengono chiamate austenitiche dato che la loro struttura rimane austenitica
(CFC, tipo Fe- 1 ) a tutte le normali temperl!,ture di trattamento termico e anche
a temperatura ambiente. La struttura cristallina CFC giustifica l'elevata
formabilità degli acciai inossidabili austenitici. La Tabella 8.12 riporta la
composizione chimica, le tipiche proprietà meccaniche e le principali
applicazioni degli acciai inossidabilì austenitici di tipo AISI 301, 304 e 347.
Gli acciai inossidabili austenitici normalmente hanno una migliore
resistenza alla corrosione di quelli ferritici e di quelli martensitici in
quanto i
carburi possono essere mantenuti in soluzione solida attraverso un
raffreddamento rapido dalle elevate temperature. Tuttavia, se queste leghe
devono essere saldate o raffreddate lentamente dalle alte temperature attraverso
l'intervallo che va da 850 a 500°C, possono diventare suscettibili a corrosione
intergranulare, a causa della precipitazione di carburi di cromo al bordo di
grano. Questa difficoltà può essere parzialmente superata sia abbassando il
contenuto massimo di carbonio a circa 0,03% {acciai AISI 304L e AISI 316L)
sia aggiungendo elementi di lega come il niobio (acciaio AISl 347) o il titanio
(AISI 321)che si combinano con il carbonio della lega (vedi Paragrafo 12.5 sulla
corrosione intergranulare). La Figura 8.58 mostra la microstruttura di un
acciaio inossidabile di tipo AISI 304 solubilizzato a l 065°C e raffreddato in aria:
si noti che nella microstruttura non sono visibili carburi, al contrario degli acciai
di tipo AISI 430 (Figura 8.56) e AISI 440C (Figura 8.57). .
344 Capitolo 8
FIGURA8.58 Nastro di
acciaioinossidabile
di tipo
AISI304(austenitico)
solubilizzato
5 minutia
1065QC e raffreddato
inaria.
Lastrutturaè caratterizzata
dagranieQuiassici di
austenite,
si notilapresenza
di geminati.(Attacco:
HN03
- acidoacetico - HCI-
glicerina;
ingrandimento
250x).[Perconcessione
dellaAllegheny Ludlum
SteelCoJ
8.8 GHISE
J
Proprietà generali Le ghise sono una famiglia di leghe ferrose con una vasta gamma di proprietà.
In inglese sono chiamate cast iron (cast = getto e iron = ferro) per indicare la
loro specifica attitudine ad essere colate nella forma finale desiderata. mentre
non possono in genere essere deformate né a caldo né a freddo. Diversamente
dagli acciai, che solitamente hanno un contenuto di carbonio inferiore airl %. le
ghise normalmente hanno un tenore di carbonio tra il 2 e il 4/Vo e un contenuto
di silicio tra r 1 e il 3%: possono essere presenti altri elementi di. lega per
controllare o modificare determinate proprietà.
Come detto, le ghise sono delle ottime leghe per getti, visto che sono
facilmente fusibili, sono molto fluide allo stato liquido, non formano pellicole
superficiali in.desiderate quando vengono colat.e e infine solidificano con un
ritiro basso o moderato sia durante la solidìficazione che durante il
raffreddamento. Queste leghe hanno un ampio campo di valori di resistenza
meccanica e di durezza e nena maggior parte dei casi sono facili da lavorare alle
macchine utensili. Possono essere legate per ottenere elevate resistenze all'usura.
all'abrasione e alla corrosione. Tuttavia. le ghise hanno resilienza e duttilità
relativamente basse, che ne limitano l'utilizzo per determinate applicazioni. In
Materìalìmètallici 345
TABELLA 8.13 lnteNalll di composizione chimica di alcune ghise non legate
Ghisa grigia, Ghisa bianca, Ghisa Ghisa

0
Elemento % % malleabile,% sferoidale, /o
Carbonio 2.5 4.0 1.8 3.6 2.00-2.60 3.0 4.0

Silicio 1.0 3.0 0.5-1.9 1.10 1.60 1.8 2.8
Manganese 0.25-1.0 0.25-0.80 0.20-1.00 0.10-1.00
Zolfo 0.02-0.25 0.06-0.20 0.04-0.18 0.03 max
Fosforo 0.05-1.0 0.06-0.18 0.18 max 0.10 max
Fonte: C. F. Walton (ed), "lron Castìngs Handbook", lron Castings Society, 1981.
definitiva còm:unqué'!'esteso impiego delle ghise è dovuto alla loro versatilità ed

al loro costo relativamente basso.
Tipi di ghise In base alla distribuzione del carbonio nella loro microstruttura, possono essere
distinti quattro principali tipi di ghisa: ghisa bianca, grigia, malleabilee sferoidale;
a cui può essere aggiunta la classe delle ghise legate. Invece dato che le
composizioni chimiche delle diverse ghise si sovrappongono, esse non possono
essere distinte in base alla composizione chimica. La Tabella 8.13 elenca gli
intervalli di composizione chimica dei quattro tipi fondamentali di ghisa e la
Tabella 8.14 mostra le loro tipiche proprietà meccaniche e principali applicazioni.
Ghise bianche Le ghise bianche si formano quando~ duran.tc la solidificazione, la maggior parte
del carbonio presente nella ghisa forma carburi di ferro invece che grafite; la
microstruttura di fusione della ghisa bianca non legata contiene quindi grandi
quantità di carburo di ferro in una matrice perlitica (Figura 8.59). Le, ghise
bianche vengono chiamate in questo modo perché quando si rompono danno
origine ad una superficie di frattura ·'bianca .. o cristallina lucente. Per ottenere i1
carbonio nella forma di carburo di ferro, i tenori di carbonio e di silicio.delle ghise
bianche devono essere mantenuti relativamente bassi {cioè 2,5*3% di carbonio e
0,5-1,5% di silicio) e la velocità di solidificazione deve essere relativamente alta.
Le ghise bianche vengono per lo più utilizzate per via della loro eccellente
resistenza all'usura e all'abrasione: ciò è legato alla presenza in grande quantità
nella loro struttura dei carburi di ferro, ma essendo molto fragili il loro impìego
è comunque limitato. Le ghise bianche sono anche utilizzate come materia
prima per ottenere ghise malleabili.
Ghise grigie Si forma una ghisa grigia quando i1contenuto di carbonio nella lega è superiore
aHa quantità che può essere disciolta nelraustenite e quindi precipita come lamelle
di grafite. La superficie di frattura di un getto di ghisa grigia appare grigia a causa
della presenza sulla superficie dì molte piccole partice]]e di grafite, che è nera.
La ghisa grigia è un importante materiale grazie al suo basso costo e al]e sue
346 Capitolo 8
TABELLA8.14 Tipicheproprietà meccanichee principaliapplicazionidi alcuneghise

I
N CO (O N
1
CO
N
CO
Q)
§
'.!3
~
8
Materléilimetallici 347
FIGURA8.59
Microstrutturadi unaghisa
grigia.
Il costituente
biancoè
carburo di ferro,learee
grigiesonoperlite. (Attacco:
2%nilal;ingrandimento
100x).{Perconcessione
dellaCentrai Foundry].
utili proprietà, fra le quali: l'eccellente lavorabilità alle macchine utensili,

sebbene abbia una durezza che porta ad una resistenza all'usura comunque
buona anche in condizioni di lubrificazione limitata, e una eccellente capacità dì
smorzamento delle vibrazioni.
Composizionee microstruttura Come indicato in Tabella 8.13Je ghise grigie

non legate in genere contengono 2,5*4% di carbonio e 1-3% di silicio. Poiché il
silicio è un elemenlo stabilizzante della grafite nelle ghise, esso viene aggiunto in
tenori relativamente alti per favorire la formazione di grafite .. Un altro
importante fattore che determina l'entità della formazione di grafite è la
FIGURA8.60 Ghisa
grigiadi classe
30 dopo
fusionein unaformain
sabbia.Lastrutturaè
costituita
dalametle dì
grafite
di tipoA in una
matricecon20%di ferrite
(composto chiaro)
e 80%di
perlìte
(composto scuro).
(Attacco:
nital3%;
ingrandimento 100x). [Da
"Metals Handbook'; vo/.7,
8thed.,American Sotiety
torMetals, 1972,
p.82J.
348 Capitolo 8
FIGURAS.61
Micrografiaal microscopio
elettronico
di unaghisa
grigiaipereutettica
in cui la
matriceè statarimossa
dall'attacco
permostrare la
posizionedellagrafite
ditipo
~ acetato
B, (Attacco: di
metile·bromoliquido.
Ingrandimento 130x).[Da
"Metals Handbook': voi.?,
8thed.,American Sociely
torMetals,1972, p.BZ).
velocità di solidificazione: velocità di ·raffreddamento moderate o basse

favoriscono la formazione di grafite. Inoltre la velocità di solidificazione
influenza il tipo di matrice che si forma nelle ghise grigie: velocità di
raffreddamento moderate favoriscono la formazione di una matrice perlitica.
mentre basse velocità favoriscono la formazione di una matrice ferritica. Per
ottenere una matrice interamente ferri tica in una ghisa grigia. la ghisa viene
solitamente r>cotta per permettere al carbonio residuo nella matrice di
precipitare sulle lamelle di grafite, lasciando la matrice completamente ferrìtica.
La Figura 8.60 mostra la microstruttura di solidificazione di una flh!,,:
grigia non legata con lamelle di grafite in una matrice mista di ferrite e perJitç. ia
. Figura 8.61 mostra una micrografia al microscopio elettronico di una ghisa
grigia ipereutettica con la matrice rimossa dalrattacco.
Ghise sferoidali La ghisa sferoidale combina i vantaggi di facile ottenimento di della ghisa
grigia con i vantaggi tecnologici dell'acciaio. La ghisa sferoidale ha una buona
fluidità e colabilìtà. una eccellente lavorabilità e una buona resistenza
,1•
airusura.
Inoltre, la ghisa sferoidale ha una serie di proprietà simili a quelle delracciaio
quali: elevata resistenza meccanica, tenacità, duttilità,. lavorabilità a caldo e
tempra bili tà.
Composizionee microstruttura Le eècezi0.nali proprietà meccaniche della

ghisa sferoidale sono dovute agli sferoidi di grafite all'interno della sua
struttura, come mostrato nelle microstrutture di Figura 8.62 e 8.63. Le regioni
relativamente du.ttili della matrice tra gli sferoidi consentono una elevata
deformazione senza che avvenga rottura.
Per quanto riguarda il contenuto di carbonio e di silicio, la composizione
della ghisa sferoidale non legata è simile a quella della ghisa grigia. Come
mostrato in Tabella 8.13, il contenuto dì carbonio nella ghisa sferoidale non
FIGURA 8.62 Ghisa

sferoidaledi grado80-55-06
dopogetto.Lastruttura è
costituitadasferoididi
.grafite
circondatidafertite
(strutturaadocchiodi bue),
in unamatrice di perlite.
{Attacco:nital3%;
ingrandimento 100().[Da.
"MetalsHandbook'; vol.1,
8thed.,American Society
torMetals,1972,p.8/!J.
legata va da 3,0 a 4,0% e quello di silicio da l,8 a 2:so/o. I tenori di zolfo e

fosforo, tuttavia, devono essere tenutì molto bassi ne11eghise sferoidali di alta
qualità, pari ad un massimo di 0,03% di zoifo e di O.I% di fosforo, limiti dieci
volte inferiori rispetto a quelli della ghisa Anche altre impurezze devono
essere controllate in quanto interferiscono con la formazione degli sferoidi di
grafite della ghisa sferoidale. -
I noduli sferici si formano nella grafite sferoidale direttamente durante la
FIGURA 8.63
Microgra1iaal microscopio
a scansione
elettronico di
unaghisasferoidale dopo
getto.Lamatrlce è stata
attaccala
permostrare la
grafite
secondaria e laferrite
adocchiodi bueattorno aì
noduliprimaridi grafite.
(Attacco:
3:1acetato di
metile~ bromo liquido.
Ingrandimento 130x). [Da
"Metals Handbook''. voi.7,
8thed,,Amerìcan Society
torMetals,1972,p.BBJ.
350 Capitolo 8
Grado120-90-02.temprarein olio
120
carico dì rottura c:::::J

carico di snerYamenlOE:::!
60-40-l 8. solubilizzata
160 180 200 220 240 260 280 300

Durezza.HB
30 Grado 60-40-18.solubilizzma
l 00-70-03. temperatain aria

/ 120-90-02,tempen:11a
in olio
FIGURA 8.64 Carico I
di rottura
ed allungamento
percentualedelleghise o .___ __,.__
_ _. __ _.,,__________ ___._
___ __,
sferoidali
in funzionedella 160 180 200 220 240 260 280 300
durezza.[Da''Meta/s Durezza. HB
Handbook': vo/.1,9thed.,
American SocìetytorMetafs,
1918,p.36].
solidificazione della ghisa. Ciò grazie al fatto che i tenori di zolfo e ossigeno.
elementi che possono interferire con la fonnazione dei noduli sferoidalì, sono
ridotti a livelli molto bassi grazie all'aggiunta alla ghisa fusa, appena prima del
lo
getto, di magnesio, elemento che lega a sé zolfo e l'ossigeno.
La microstruttura della ghisa sferoidale non legata è in genere del tipo ad
FIGURA8.65
Microstrutturadi unaghisa
malleabile ferritica
(tipo
M3210), ricottain duestadi
attraversola permanenza a
954°Cper4 ore,il
raffreddamento a 704°Cin 6
oree il raffreddamento in
aria.Nodulidi grafite di
ricotturain unamatrice
(Attacco:
ferritica. nilal2%;
ingrandimento 100x).[Da
"Metals Handbook'; vo/.l,
8thed.,American Saciety
occhio di bue, mostrata nella Figura 8.62; questa struttura è composta da sferoidi di
grafite circondati da ferrite in una matrice di perlite. Altre strutture di fusione con
matrice completamente ferritica o perlitìca possono essere ottenute aggiungendo
elementi di lega, inoltre per cambiare la struttura di fusione ad occhio di bue e
conseguentemente la proprietà meccaniche della ghisa sferoidale, possono essere
effettuati successivi trattamenti termici, come mostrato in Figura 8.64.
Ghisa malleabile Composizione e microstruttura Le ghise malleabili vengono ottenute per

trattamento termico successivo di getti di ghisa bianca, che contengono carburi
dì ferro in grande quantità ma non grafite; le composizioni chimiche delle ghise
malleabili sono perciò limitate a quelle che danno origine a ghise bianche. Come
riportato in Tabella 8.13, i tenori di carbonio e silicio nelle ghise malleabili sono
compresi tra 2,0 e 2,6% per il carbonio e tra LI e l ;6% per il silicio.
Per ottenere ghisa malleabile, le ghise bianche vengono riscaldate in un
forno di malleabilizzazione per trasformare i carburi di ferro della ghisa bianca
in grafite e ferro. Nella ghisa malleabile la grafite è presente sotto forma dì
aggregati nodulari irregolari, chiamati noduli di ricottura. La Figura 8.65 è la
microstruttura di una ghisa malleabile ferrìtica che mostra presenza di noduli di
grafite di ricottura in una matrice di ferrite.
Le ghise malleabili sono degli importanti materiali per costruzioni
meccaniche in quanto hanno proprietà di colabilità, lavorabilità, media resistenza
meccanica, tenacità, resistenza alla corrosione per certe applicazioni ed anche
uniformità, dato che tutti i getti subiscono un successivo trattato termico.
Trattamentotermico Il trattamento termico delle ghise bianche per ottenere

le ghise malleabili avviene in due fasi:
I. Ricottw·a di grafitizzazione. In questo stadio le ghise bianche vengono

352 Capitolo 8
riscaldate sopra la temperatura eutettoidica, solitamente intorno ai 940°C, e

mantenute per circa 3·20 ore in funzione della composi:Eione, della struttura e
della dimensione del pezzo. In questo stadio il carburo di ferro della ghisa
bianca viene trasformato in grafite di ricottura ed austenite.
2. Raffreddamento. In questo stadio i'austenite può essere trasformata nei tre
tipi base di matrice: ferrite, perlite o martensite.
Ghisa malleabileferritica. Per produrre una matrice ferritìca, la ghisa, dopo

aver subito il primo stadio riscaldamento, viene raffreddata velocemente
a 740-76oc.c e quindi raffreddata lentamente con una velocità compresa
tra 3 e 11°C/ora. Durante il raffreddamento l'austenite si trasforma in
ferrite e grafite, con la grafite che si deposita sulle particelle preesistenti di
grafite di ricottura (Figura 8.65).
1
Ghisa malleabile perlitica. Per produrre questa ghisa, i pezzi vengono
raffreddati lentamente fino a 870°C e quindi raffreddati in aria. In questo
caso il rapido raffreddamento trasforma raustenite in perlite e di
conseguenza si forma una ghisa màl]eabile perlitica, costituita da noduli
dì grafite di ricottura in una matrice perlitica.
Ghisamalleabile martensiticarinvenuta.Questo tipo di ghisa malleabile viene
prodotta raffreddando i getti nel. forno ad una temperatura di tempra
compresa tra 845 e 870°C, mantenendoli per 15-30 minuti per permettere
l'omogeneizzazione. temprandoli in olio agitato perché si formi una
matrice martensitica: infine, i getti vengono rinvenuti ad una temperatura
compresa tra 590 e 725°C per ottenere le caratteristiche meccaniche
volute. La microstruttura finale è quindi di noduli di grafite di rico~tLrn
in una matrice martensìtica rinvenuta.
8.9 LEGHE DI MAGNESIO, TITANIO E NICHEL
Leghe Il magnesio è un metallo leggero (densità = 1,74 g/cm 1), che, per certe
di magnesio applicazioni in cui il peso è un aspetto preponderante, rappresenta una
alternativa all'alluminio (densità = 2,70 g/cm 3). Il magnesio e le sue leghe
hanno tuttavia molti svantaggi che ne limitano l'impiego su vasta scala:
innanzitutto il magnesio costa più dell'alluminio (3,3 dollari al kg il magnesio.
contro 2 dollari al kg l'alluminio, nel 1989), inoltre è difficile realizzare getti di
magnesio, perché allo stato fuso esso brucia all'aria e quindi il processo di
fusione deve essere effettuato in atmosfere controllate, poi le leghe di magnesio
hanno una resistenza meccanica relativamente bassa e una modesta resistenza a
creep, a fatica e a usura, infine il magnesio ha una struttura cristallina EC che
rende difficoltosa la deformazione a temperatura ambiente, in quanto sono
disponibili solo tre piani principali di scorrimento. Comunque, grazie alla densità
Materiali·metallici 353
TABELLA8.15 Principaliproprietà fisiche e costi indi.catividi alcuni metalli
Densitàa 20"'C Punto cli Struttura Costo, $/kg

Metallo g/cma fusione, °C cristallina (1989)
Magnesio 1.74 651 EC 3.3 .

Alluminio 2.70 660 CFC 2.0
Titanio 4.54 1675 Ec:.= ccc• 10.6 12+
Nichel 8.90 1453 CFC 7
Ferro 7.87 1535 EC ;:= CFCt Q.45
Rame 8.96 1083 CFC 3.0
• La trasformazioneawiene a a8.3 "C t La trasformazioneawiene a 910 °c.

:j:Spugna di titanio. Il prezzo è per circa 50 t.
molto bassa, le leghe di magnesio vengono utilizzate in alcune applicazioni

aerospaziali e per alcuni utensili per manipolazione dei materiali. La Tabella 8.15
confronta alcu11eproprietà fisiche e i costi del magnesio con quelli di .altri metalli.
Classificazione delle leghe di magnesio Vi sono due tipi principali di leghe di

magnesio: le leghe per deforma::ioneplastica, principalmente nella. forma di
lamiere, lastre, profilati e forgiati e le leghe da fonderia: entrambi i tipi esistono
in varianti trattabili termicamente e varianti non trattabili termicamente.
Le leghe di magnesio vengono solitamente ae:s1.e:na1te da due lettere
maiuscole seguite da due o tre numeri. Le lettere indicano i due più importanti
elementi di lega presentì: la prima lettera indica l'elemento in concentrazione più
alta e la seconda indica l'elemento con la concentrazione immediatamente più
bassa: il primo numero che segue le lettere indica la percentuale· in peso
dell'elemento della prima lettera (se ci sono solo due numeri) e il secondo numero
indica la percentuale in peso dell'elemento della seconda lettera. Una eventuale
ulteriore lettera indica che la lega ha subito una particolare modifica. Le l.ettere
seguenti vengono utilizzate per indicare gli elementi di lega nel magnesio:
A = alluminio K = zirconio M = manganese

E = terre rare Q = argento S = silicio
H = torio Z = zinco T = stagno
Le designazioni dei trattamenti per le leghe di magnesio sono uguali a quelle

elencate nel Paragrafo 8.5 per le leghe di alluminio.
Eserciziario
Vedi Esercizio8.7.
· Proprietà e struttura Il magnesio ha una struttura cristallina EC e quindi la
deformazione a freddo delle leghe di magnesio può essere effettuata solo
parzialmente; ad elevate temperature nel magnesio divengono attivi alcuni piani
354 Capitolo8
,.
FIGURA 8.66
Microstrutturadellalegadi
magnesio EZ33A dopogetto,
chemostra il composto
Mg9R (terrarara)
reticolare
al bordodi grano.(Attacco:
glicol;ingrandimento:
500x).[Perconcessione
dellaDowGhemical Co.].
di scorrimento oltre a quelli di base del reticolo EC, pertanto le leghe di

magnesio vengono di solito deformate a caldo e non a freddo.
In genere, al magnesio per ottenere leghe per deformazione plastica
vengono aggiunti ralluminio e lo zinco, che aumentano la resistenza delle leghe
di magnesio attraverso il rafforzamento per soluzione solida; inoltre l'alluminio
si combina con il magnesio per formare il precipitato Mg11Al12che può essere
usato per rafforzare tramite invecchiamento le leghe Mg-AL Anche il torio e lo
zirconio formano precipitati nel magnesio e sono usati per produrre leghe per
alte temperature, co11impieghi fino a circa 425°C.
Le leghe di magnesio per getti sono generalmente prodotte con allumin;;.,..:
zinco, in quanto questi elementi contribuiscono al rafforzamento per soluzione
solida. Legando il magnesio con terre tare, principahnente il cerio, si ottiene una
struttura rigida al bordo di grano, come mostrato in Figura 8.66.
La Tabella 8.16 -elenca le tipiche proprietà meccaniche e le principali
applicazioni di alcune leghe di magnesio per deformazione plastica e per getti.
Leghe di titanio Il titanio è un metallo relativamente leggero (densità = 4,3'4 g/cm 3) ma con
un'alta resistenza {660 MPa per ii titanio puro al 99,0%), cosicché assieme alle
sue leghe può competere con le leghe di alluminio per alcune applicazioni. an.:h:
se costa molto di più Ol dollari al kg per il titanio 1 contro 2 dollari al kg p..!t
l'a11uminio, nel 1989). Il titanio è inoJtre utilizzato in applicazioni in cui ha una
elevata resistenza alla corrosione come in molti ambienti chimici quali soluzioni
di cloro e soluzioni inorganiche di cloruri.
Il titanio è costoso in quanto è difficile da estrarre come metano puro dai
1 Titanio spugnoso in quantità di circa 50 tonnellate.

Materialimetallici.. 355
TABELLA8.16 Tipiche proprietà meccaniche e principali applicazioni di alcune leghe di

magnesio, titanio e nichel
o
N
N
e.o
N
Cl)
e:
o
';;:j o
~
o
e:.
o ~
cc
8
N
(")
z
115
356 Capitolo 8
suoi composti; alle alte temperature i1titanio si combina. con l' ossigenoJl'azoto.
l'idrogeno, il carbonio e il ferro e così per fondere e lavo,a.reil metallo devon~
essere utilizzate tecniche speciali. ;
Il titanio a temperatura ambiente ha una struttura cristallina esagonale
compatta (a), che si trasforma in una struttura cubica a corpo centrato (3) a
883°C.Elementi come Palluminio e l'ossigeno stabilizzano la fase~ aumemando
la temperatura in cui la fase o: si trasforma nella fase {3. Altri elementi come il
vanadio e il molibdeno stabilizzano la fase /3,abbassando la temperatura in cui
la fase /J è stabile. Altri elementi ancora, come il cromo e il ferro, abbassano la
temperatura di transizione a cui la fase /3è stabile causando una trasformazione
eutettoidica che produce una struttura bifasica a temperatura ambiente.
La Tabella 8.16 elenca le tipiche· proprietà meccaniche e le principali
applicazioni del titanio commercialmente puro (titaniq al 99,0%) e di alcune sue
leghe. La lega di. titanio Ti6Al4V è la più diffusa in quanto abbina ad un·a1ta
resistenza una buona lavorabìlità. il carico di rottura di questa lega raggiunge i
1170 MPa dopo trattamento termico e invecchiamento.
Leghe di nichel Il nichel è un importante materiale principalmente per la sua eccezionale

resistenza alla corrosione e a1la ossidazione a caldo. Il nichel, inoltre, ha una
struttura cristallina CFC che lo rende facilmente deformabile, ma il costo
relativamente elevato (15 dollari al kg, nel 1989) e relevata densità (8,9 g/cm 3)
limitano il suo utilizzo. ·
Leghecommercialidi nichel e Monel Il nichel di purezza commerciale. grr,1;,~

alla sua buona resistenza e conducibilità elettrica. è utilizzato per compor1::r~,
elet.trici ed elettronici e, per la sua buona resistenza alla corrosione, è impìcgatù
nell'industria alimentare. li nichel e il rame sono completamente solubili l'uno
FIGURA8.67 LegaAstro!oy forgiata,solubilizzata

per4 orea
1150°C, raffreddata
inaria,invecchialaa 1079"0per4 ore,temprata
in olio,invecchiata.
a 843°C per4 ore,raffreddatain aria,invecchiata
a 760"0per16 ore,raffreddala in aria.Precipitati
gamma primari
intergranularia 1079°C, gamma primariafinea 843e a 760°C,
particelledi carburi
sonoinoltre presentialbordodi grano, lamatrice
è gamma. (Attaccoelettrofltico:
H2SO4, H3PO4, HNO 3; ingrandimento:
10000x).[Da"Metals Handbook'; vol.7,8thed.,American Society
torMetals, 1972,p.171].
neiraltro alJo stato solido in tutte le concentrazioni e cosi vengono prodotte

molte leghe dì nichel e di rame rafforzate allo stato solido. La lega Monel 400 è
una lega di nichel con circa il 32% di rame (Tabella 8.16) che ha una resistenza
meccanica relativamente elevata, una buona saldabilità e una eccellente
resistenza alla corrosione in molti ambienti; in tale lega l'aggiunta del rame
rafforza il nichel e abbassa il suo costo, costando il rame meno del nichel.
L'aggiunta di circa il 3% di alluminio e di 0,6% di titanio aumenta
considerevolmente la resistenza del Monel (66%Ni-30%Cu) attraverso
rindµrimento per precipitazione; i precipitati che aumentano la resistenza in
questo caso sono Ni3Al e Ni3 Ti.
Superleghe~i nichel/ Un 'intera classe di superleghe a base di nichel è stata

sviluppata principalmente. per realizzare componenti di turbine a gas che
devono essere in grado dj sopportare alte temperature e ambienti fortemente
ossidanti, nonché resistere al creep. La maggior parte delle superleghe dì nichel
per deformaziqne plastica so.no composte da 50-60¾ .di nichel, 15-20% di
cromo e 15-20¾ di cobalto; piccoli tenori di allumino (1-4%) e dì titanio (2-4%)
sono aggiunti per avere indurimento per precipitaziofie. Le superleghe a base di
nichel sono formate principalmente da tre fasi: (1) una matrice di austenite
gamma, (2) una fase precipitata di Ni3Al. e Ni3Ti chiamata gamma primaria e (3)
particelle di carburi (conseguenti all'aggiunta di circa 0,01-0,04% di carbonio).
La gamma primaria fornisce a queste leghe resistenza meccanica e stabilità a1le
alte temperature, mentre i carburi stabilizzano i bordi di grano alle alte
temperature. La Figura 8.67 mostra la microstruttura di una superlega di nichel
dopo il trattamento termico: s0110 chiaramente visibili la gamma primaria e le
particelle di carburo.
RIASSUNTO
Le leghe metalliche possono essere suddivise in due categorie: ferrose e non

ferrose. Le leghe ferrose hanno il ferro come elemento principale di lega, mentre
le leghe non ferrose hanno un elemento principale di lega diverso dal ferro. Gli
acciai, che sono leghe ferrose, sono le leghe metalliche di gran lunga più
importanti principalmente per il loro costo relativamente contenuto e la vasta
gamma di proprietà meccaniche. Allo stato di mai~riale deformato a caldo
hanno caratteristiche meccaniche medio~basse (acciai di base). che possono
essere migliorate (acciai di qualità) mediante i'aggiunta di microleganti (niobio,
azoto, vanadio, alluminio) e mediante un controllo delle operazioni di
deformazione a caldo (laminazione controllata); le proprietà meccaniche degli
acciai al carbonio possono essere aumentate anche mediante deformazione
plastica a freddo, perdendo però così la possibilità di saldarli. Se il tenore di
carbonio è superìore allo 0,3 % circa, gli acciai possono essere sottoposti ai
358 Capitolo 8
tratta.menti termici di tempra e rinvenimento per ottenere una elevata resistenza

meccanica con una ragionevole duttilità, pur non essenqo più efficacemente
saldabili. Agli acciai al carbonio vengono ~ggiunti elementi pilega come nichel.
cromo e molibdeno ottenendo acciai cosiddetti basso legati, che hanno una
buona combinazione di resistenza meccanica e tenacità e sono usati per la
fabbricazione di ingranaggi, alberi e assali ed in genere di componenti soggetti
ad alte sollecitazioni statiche e dinamiche.
Le leghe di alluminio sono le più importanti leghe non ferrose
principalmente per la leggerezza, la lavorabilità, la resistenza alla corrosione e
il costo relativamente basso. Il rame non legato è molto usato per le sue elevate
conducibilità elettrica, resistenza alla corrosione, lavorabilità e per il costo
relativamente contenuto; il rame viene legato principalmente con zinco (ottoni);
stagifo (bronzi) e berillio, ottenendo leghe dotate ;ra l'altro di resistenza
meccanica maggiore rispetto a quella del rame non legato.
Gli acciai inossidabili sono importanti leghe ferrose, che devono la loro alta
resistenza alla corrosione negli ambienti ossidanti alla presenza di un tenore di
cromo di almeno il 12%. si distinguono in austenitici, ferritici, martensitici,
duplex austeno--ferritici e indurenti per precipitazione.
Le ghise sono un'altra famiglia industrialmente importante di leghe ferrose:
hanno un costo limitato e particolari proprietà come la colabilità, la resistenza
all'usura e la resistenza alla corrosione atmosferica. La ghisa grigia ha una
buona lavorabilità alle macchine utensili e capacità di smorzamento delìe
vibrazioni grazie alla presenza di lamelle di grafite nella sua struttura.
Altre leghe non ferrose discusse brevemente in questo capitolo, sO110
leghe di magnesio. titanio e nichel. Le leghe di magnesio sono eccezionalme:, ~,
leggere e hanno applicazioni nel campo aerospaziale e per attrezzature per la
movimentazione di materiali. Le leghe di titanio sono costose ma offrono una
combinazionè di elevata resistenza e leggerezza. non ottenibile con nessuna altra
lega rnetallìca e pertanto sono largamente impiegate per parti strutturali
aeronautiche. Le leghe di nichel hanno elevata resistenza alla corrosione e alla
ossidazione e sono perciò comunemente utilizzate nell'industria petrolifera e
chimica; il nichel, quando è legato al cromo e al cobalto, b la base per le
superleghe di nichel, necessarie per le palette di turbine a gas di aviogetti e di
alcuni generatori di po1enzà elettrica.
In questo capitolo sono state discusse la struttura, le proprietà e k
applicazioni di alcune importanti leghe per costruzioni meccaniche; tuttavia, va
precisato che, a causa dello scopo limitato di questo libro, la descrizione è stata
in ogni caso sommaria ed inoltre sono state tralasciate molte altre importanti
leghe metalliche.
Materiali\netalÌici 359
DEFINIZIONI
Paragrafo8.2
Austenite (fase 'Y nel diagramma di stato Fe-Fe~C): soluzione solida interstiziale di
carbonio nel ferro CFC; la solubilità massima del carbonio nell'austenite è del 2,08%.
Austènitizzazione:riscaldamento di un acciaio nel campo di temperature austenitiche,
cosicché la sua struttura diventi austenitica, la temperatura di austenìtizzazione varia
in funzione della composizione dell'acciaio.
Ferrite-a (fase a nel diagramma di stato Fe-Fe 3C): una soluzione solìda interstiziale di
carbonio nel ferro CCC; la solubilità massima del carbonio nel ferro CCC è deUo
0.02%.
Cementite:composto intermetallico Fe3C; sòstanza dura e fragile.
Perlite:costituente fonnato da laminette parallele delle fasi ferrite-a e cementite (Fe3C)
prodotto per trasformazione eutettoidica detl'austenite.
Ferrite-a,eutettoidica:ferrite-a che si forma durante la trasformazione eutettoidìca
dell'austenite; è la ferri te-o nella per lite.
Cementite eutettoidica (Fe 3 C): cementite che· si forma duranie la trasformazione
eutettoidica dell'austenite; è la cementite nella perlite.
Acciaio eutettoidico (acciaio al carbonio): un acciaio con 0,8% di carbonio.
Acciaio ipoeutettoidico(acciaio al carbonio): un acciaio con meno di 0,8% di carbonio.
Acciaio ipereutettoidico (acciaio al carbonio): un acciaio con 0.8+2.08% di carbonio.
Ferrite-a proeutettoidica: ferrite-a che sì fonna per decomposizione dell'austenite a
temperatura superiore alla temperatura eutettoidìca.
Cementite (Fe 3 C) proeutettoidica: cementite che si forma per decomposizione
dell'austenite a temperatura superiore alla temperatura eutettoidica.
Pan1grafo8.3 .
Martensite:soluzione solida interstiziale sovrassatura di carbonio nel ferro con struttura
TCC.
Bainite:costituente formato da ferrite-a e particelle molto piccole di Fe3C prodotte dalla
decomposizione dell'austenite; prodotto non lamellare della decomposizione
eutettoidica dell'austenite.
Sorbite:particelle di cementite {Fe3 C) in una matrice di ferrite-o che si formano durante
il rinvenimento della martensite.
Diagramma di trasformazioneisotermica (ITT): diagramma trasformazione-tempo-
~temperatura che indica il tempo di trasformazione isotermica di una fase a differenti
temperature.
Diagramma di trasformazione per raffreddamento continuo (CCT): diagramma
trasformazione-tempo-temperatura che indica il tempo di trasformazione di una fase
a differenti velocità di raffreddamento continuo.
Tempra:processo di rapido raffreddamento di un acciaio in condizioni austenitiche al di
sotto della temperatura Mr, tale da determinare la trasformazione di non equilibrio
della austenile in martensite, senza che si verifichi la trasfom1azione di equilibrio in
Perlite (più ferrite proeutettoidica o cementite proeutettoidica.
Tempramartensiticadifferita: processo di tempra per cui un acciaio in condizioni
austenitiche viene temprato in un bagno di sali fusi ad una temperatura superiore alla
360 Capitolo 8
temperatura Ms, mantenuto per un intervallo di tempo sufficientemente breve da

prevenire la trasformazione .dell'austenite e quindi lasciato rfffreddare lentamente a
temperatura ambiente: dopo questo trattamento l'acciaio avrà struttura martensitica,
ma la tempra differita consente di eliminare le tensioni residu~ neH'accìaio.
Tempra bainitica completa: processo di tempra per cui un acciaio in c-0ndizioni
austenitiche viene .temprato in un bagno di sali fusi· ad una temperatura appena
superiore alla temperatura Ms dell'acciaio, mantenuto nel bagno fino a quando
l'austenite dell'acciaio non si è completamente trasformata, e quindi raffreddato a
temperatura ambiente: con questo processo un acciaio al carbonio eutettoidico può
essere prodotto in condizioni completamente bainitiche.
M5 : temperatura alla quale raustenite presente in un acciaio comincia a trasformarsi in
martensite.
Mr: Lemperatura alla quale tutta l'austenite presente in un acciaio è trasformata in
martensite.
Rinvenimento: trattamento tennico di un acciaio temprato pet aumentare la sua tenacità e
duttilità. In questo processo la martensite viene trasformata in martensite rinvenuta.
Acciaioal carbonio:lega ferro~carbonio con un contenuto di carbonio compreso tra 0,02
e 2,08%. Tutti gli acciai commerciali al car:bonio contengono anche manganese (in
tenori tra 0,3 e 0,9%) e silicio, oltre che impurezze di zolfo e fosforo.
Paragrafo8;4
TemprabiUtà: attitudine di un acciaio a fonnare martensit.e dopo tempra dalle condizioni
austenitiche. Un acciaio altamente temprabiie è un acciaio in cui si forma martensìte
anche a cuore in pezzi di spessore elevato; la temprabilità di un acciaio è principalmente
una funzione della composizione chimica e della dimensione del grano.
Provadi temprabilìtàJominy:prova in cui un provino di diametro di 25 mm e lungo l 00
mm viene austenitizzato e quindi temprato su una estremità e vengono poi realiv:· t:·
prove di durezza lungo due generatrici opposte che vengono diagrammate in funzione
della distanza dalrestremità temprata.
Paragrafo8.8
Ghisebianche:leghe ferro-carbonio-silicio con 1,8-3,6% d carbonio e 0,5- l ,9% di silicio:
le ghise bianche contengono una grande quantità di carburo di ferro éhe le rende dure
e fragilì.
Ghisegrigie:leghe ferro-carbonio-silicio con 2,5-4,0% di carbonio e l ,l),-3,0% di silicio: le
ghise grigie contengono una grande quantìtà di carbonio sotto forma di lamelle di
grafite, sono facili da lavorare e hanno una buona resistenza a.ll'usura.
Ghise sferoidali:leghe ferro-carbonio-silicio con 3,0-4,0% di carbonio e 1,8-2.8~;; dì
silicio: le ghise sferoidali contengono una grande quantità di carbonio sotto forma dì
sferoidi di grafite, l'aggiunta di magnesio (circa lo 0,05%) prima çhe la ghisa sia colata
pennette la formazione dei noduli; le ghise sferoidali sono generalmente più duttili
delle ghise grigie.
Ghise malleabili: leghe ferro•carbonio•silicio con 2,0-2,6% di carbonio e l,1·1,6% di
silicio; I.e ghise malìeabili vengono prima colate come ghise bianche e in seguito
subiscono un trattamento termico a 940"'C per un periodo di tempo che va da 3 a 20
ore; il carburo di ferro nella ghisa bianca si decompone in noduli di grafite dalla
forma irregolare.
MATERIALIPOLIMERICI
9.1 INTRODUZIONE
La parola polimero significa letteralmente "molte parti". Un solido polimerico

può essere considerato un materiale che contiene numerose parti o unità legate
chimicamente tra loro. collegate a loro volta in modo da formare un solido. In
questo capitolo studi~remo -alcuni aspetti della struttura, delle proprietà, dei
metodi di lavorazione e delle applicazioni dì due categorie di materiali polimerici
industrialmente importanti: le materie plastiche e gli elastomeri. Le materie
plastiche 1 sono un ampio e variato gruppo di materiali sintetici che vengono
trasformati attraverso formatura o stampaggio in forme.Così come esistono
numerosi tipi di metalli, come l'alluminio e il rame, esistono numerosi tipi di
1 La parola plastico ha molti significati. Come nome, plastico si riferisce a una classe di
materiali che possono essere stampati o modellati in forme; come aggettivo, plastico può
significare capace .di essere stampato. Un altro uso di plastico come aggettivo è quello di
descrivere la deformazione permanente residua di un metallo senza rottura, come nella
diziorie "deformazione plastica dei metalli".
362 Capitolo 9
materie pla·stiche come il polietilene o il nylon. Le materie plastiche possono

essere divise in due classi: materiali termpplastici e materJ.ali termoindurenti; a
seconda dì come esse sono legate chimicamente nella sq:uttura globale. GH
elastomeri o gomme possono essere deformati elasticamente in misura notevole
quando viene applicata loro una forza e possono ritornare alla loro forma
originale (o quasi) quando la forza viene rilasciata.
Termoplastici I materiali termoplastici richiedono l'ìntervento del calore per

essere plasmati e dopo raffreddamento mantengono la forma in cui sono stati
modellati. Questi materiali possono essere nuovamente riscaldati e rimodellati in
nuove forme un certo numero di volte senza cambiamenti significativi delle loro
proppetà. La maggior parte dei termoplastici consiste di catene principali molto
lunghe, formate da atomi di carbonio legati tra di loro covalentemente. A volte
anche atomi di azoto, ossigeno o zolfo sono legati co~alentemente nella catena
macromolecolare principale. Legati covalentemente agli atomi della catena
principale vi possonò essere atomi o gruppi di a tornì pendenti. Nei termoplastici
le lunghe catene molecolari sono legate le une alle altre da legami secondari.
Termoindurenti Le materie plastiche termoindurenti. modellate in una forma

permanente e reticolate o "indurite" attraverso una reazione chimica, non
possono essere nuovamente rimodellate con il calore in un'altra forma, ma si
degradano o decompongono dopo essere state riscaldate ad una temperatura
troppo elevata. Le materie plastiche termoindurenti quindi non possono essere
riciclate. Il termine termoindurente implìca che viene richiesto calore (la pan.1h1
greca per calore è therme) per dare permanentemente forma alla matt2r: ..
plastica; ci sono, tuttavia, molte materie plastiche cosiddette termoindurenti cli.:
ì'nduriscono. o reticolano, anche attraverso una reazione chimica a temperatura
ambiente. La maggior parte dei materiali termoindurenti consiste di una rete dì
atomi di carbonio legati covalentemente tra di loro per formare un solido rigido:
a volte anche azoto, ossigeno, zolfo, o altri atomi sono legati covalentemente nel
reticolo tridimensionale.
Lè materie plastiche sono importanti materiali ingegneristici per molte
ragioni: hanno una vasta gamma di proprietà. alcune c!ènequali sono
irraggiungibili per qualsiasi altro materiale, e nena maggior parte dei casi
hanno costi relativamente bassi. L'uso delle materie plastiche per realizzazi\,ni
tipiche della ingcg11eria meccanica offre molti vantaggi, tra cui l'eliminazione di
parti, l'eliminazione di molte operazi9.J1i di finitura, assemblaggio semplificato,
risparmio di peso~ riduzione di rumore, e in qualche caso l'eliminazione della
necessità di lubrificazione. Le materie plastiche sono inoltre particoìarmente utili
per molte realizzazioni dell'ingegneria elettrica soprattutto per· te loro ottime
proprietà isolanti. Le applicazioni delle materie plastiche nell'elettrotecnica e
elettronica includono connettori, interruttori, relè, sintonizzatori TV, bobine,
piastre dei circuiti integrati e componenti di computer. La Figura 9.1 mostra
alcuni esempi dell'uso delle materie plastiche in applicazioni tecnologiche.
Materiali polimerici 363
(a} (b)
(d)
(e)
FIGURA 9.1 Alcune delleapplicazioni

tecnologiche
dellematerie plastiche:
(a)Il terminaledi unnuovocomputer construtturadi base
bianconaturale
e ricopertura
inferiore
e superiore
stampate in policarbonato ai raggiUVedal calore.
resistente (b}Alloggiamento di una
calcolatrice
costituito
dapolibutilenterettalato
(PBT)
tenacizzato.
[PerconcessionedellaGenerai Electr;c
Co.I.(e)e (o) Policarbonato
adalta
resistenza
vieneusatonell'abitacolo
dellaCorvette
de!1984perla realizzazione
delpannello portastrumenti
e dellarelativaintelaiatura.
364 Capitolo 9
La quantità di materie plastiche usate nell'industria è andata gradualmente

aumentando con il passare degli anni; ne è un esempio j'aumento delPuso di
materie plastiche nella costruzione delle automobili. , Gli ingegneri che
progettarono la Cadillac del 1959 rimasero sbalorditi nel constatare di aver
introdotto ben 12 chilogrammi di materia plastica nella vettura. Nel 1980 per
ogni vettura venivano adoperati almeno 100 chllogrammì di materie plastiche e
per il 1990 si è arrivati a circa 150. Se è vero che non tutte le industrie hanno
introdotto un quantitativo di materie plastiche così elevato come quelle
automobilistiche, negli ultimi decenni si è avuto in genere un cospicuo aumento
del loro impiego industriale, Vediamo allora in dettaglio quali sono la struttura,
le proprietà e le applicazioni delle materie plastiche e degli elastomeri.
9.2 REAZIONI DI POLIMERIZZAZIONE
La maggior parte dei termoplastici viene sintetizzata mediante un processo di

polimerizzazione per crescita a catena. In questo processo molte piccole
molecole (possono essere migliaia) vengono legate covalentemente insieme in
modo da costituire catene molecolari molto lunghe. Le molecole semplici che
vengono legate in modo covalente in. lunghe catene si chiamano monomeri
(dalle parole greche mono, che significa ··uno'\ e meros, ..parte"). Il processo
chimico mediante il quale i monomeri vengono chimicamente trasformati in
polimeri a lunga catena molecolare si chiama polimerizzazione per cresci1a a
catena (''chain-growtl('),
Legame covalente: La molecola dell'etilene, C2H4, ha una struttura chimica costituita da un doppio
struttura di una legame covalente fra gli atomi di carbonio e da quattro legami covalenti fra gli
mo.lecola di etilene atomi di carbonio e quelli di idrogeno (Figura 9.2). Una molecola contenente
carbonio, con uno o più doppi legami carboniowcarbonio, è.·una molecola
insatura. Quindi, per il fatto che l'etilene contiene un doppio legame carbonìo-
carbonio, esso è una molecola insatura contenente carbonio.
,,..
Legame covalente: Quando la molecola dì etilene viene attivata in modo tale che il doppio legame
struttura di una fra i due atomi di carbonio. viene ''aperto'\ il doppìo legame covalente viene
molecola di etilene sostituito da un singolo legame covalente, come è mostrato nella Figura 9.3.
attivata Come risultato di questa attivazione ogni atomo di carbonio della primitiva
molecola di etilene ha un elettrone libero per legarsi covalentemente con un
altro elettrone libero proveniente da un'altra molecola. Nella trattazio.ne che
segue vedremo come si possa attivare una molecola dì etilene e, di conseguenza,
quante unità di etilene monomero possano essere legate covalentemente assieme
venendo a fonnare una lunga catena molecolare, cioè un polimero. È questo il
processo che viene definito polimerizzazione a catena. n polimero che risulta
dalla polimerizzazione dell'etilene si chiama polietilene.
Singolo
HH/~~~~H H
FIGURA 9.2
Rappresentazione deilegami
covalenti nellamolecola di
etilenecon{a}puntini,(b)
trattiniperindicare gli .. .. I I
elettroni di valenza.Nella
molecola di etilene
undoppiolegame
carbonio-carbonio
singolilegami
vì sono:
covalente
e quattro
covalenti
t\t _11.
l
carbonio-idrogeno. Il doppio \_ Doppio
legame è chimicamente più legame
(a) covalente (b)
reattivo dellegame singolo.
Reazione generale La reazione generale che si verifica per la polimerizzazione a catena del
per la monomero etilene in polietilene può essere scritta nel seguente modo:
polimerizzazione
del polietilene
e grado di Unità monomerica
polimerizzazione
H
I Hl
I
[I I
n C=C iH
l Ht
I
I I ..
calore
~
pre~ione .
C-C
H H . eatahzzatore H H n
Monomero Polietilene
etilene (polimero)
Elettrone libero disponibile Mezzolegamecovalente

o elettronelibero
. H H/ per il legame,ovalent,
H H
l I
·~t:~-
/
-Àr.
Singolo
legame
covalente
1 Singolo
legame
covalente
{a) (b)
FIGURA 9 ..3 Struttura

deilegami covalenti di unamolecola di etilene
attivata.
(a)1puntinirappresentano
glì elettroni
di valenza.
Alleestremitàdi ognimolecola si creano elettroni
liberii qualisonoin gradodi
legarsicovalenternente
congli elettroni Sìnoticheil doppiolegame
liberidi altremolecole. covalente
fragli
è statoridottoadunlegame
atomidìcarbonio singolo.
(b)Glielettroni
liberichesi creano
agliestremi
della
molecolasonoindicati
damezzi legami chesonolegati
(trattini) adunsoloatomodi carbonio.
366 Capitolo 9
La singola unità ripetentesi nella catena polimerica sì chiama unità monomerica

o "mero". Il mero del polietilene è -[Cl;irCH2]- come fj. vede nelrequazione
sopra scritta. Vn della equazione rappresenta il grado di p9limerizzazione (DPJ
della catena polimerica ed è uguale al numero delle singole unità monomeriche,
o meri, nella catena molecolare del polimero. Il grado medio di polimerizzazione
(DP) per il polietilene va da 3.500 a 25.000, in corrispondenza della massa
molecolare media, che varia da 100.000a 700.000 g/mole.
Eserciziario
Vedi Esercizio9.1.
Stadi della Le reazioni della polimerizzazione a èatena di monomeri come l'etilene in

polimerizzazionea polimeri lineari come il polietilene, possono essere su~divise nei seguenti stadi:
catena (1) iniziazione, (2) propagazione, e (3) terminazione.
Iniziazione Per la polimerizzazione a catena dell'etilene possono essere usati

uno o più tipi di catalizzatori. Qui prenderemo in considerazione l'uso di
perossidi organici che agiscono in quanto determinano la formazione di radicali
liberi. Un radicalelibero può essere definito come un gruppo dì atomi che hanno
un elettrone spaiato (elettrone libero) che può legarsi covalentemente con un
elettrone spaiato (elettrone libero) di un'altra molecola.
Vediamo come una molecola dì perossido di idrogeno, H 10 1. può
decomporsi in due radicali liberi, come si vede nelle equazioni che seguono.
Usando dei puntini per indicare gli elettroni del legame covalente si ha:
H:O:Q:H ~ H:o· + ·o:H (9. l)

Perossidodì idrogeno Radieali liberi
Usanrlo trattini per rappresemare i legami covalenti si ha:
Elettrone libero
/ (Y.~l
H-0-0-H 2H-o·
Perossidodi idrogeno Radicaliliberi
Nella polimerizzazione a catena dell'etilene per mezzo di radicali lìberi, un

perossido organico può decomporsi allo stesso modo del perossido di idrogeno.
Se R-0-0~R rappresenta un perossido organico dove R è un gruppo chimico,
dopo ìl riscaldamento questo perossido può decomporsi in due radicali liberi in
modo del tutto simile al perossido di idrogeno
Elettrone libero
/ (9.3)
R-0-0-R ~ 2R-0"
Perossidoorganico Radicali liberi
Il perossido di benzoile è un perossido organico che si usa per iniziare alcune

polimerizzazioni a catena e si decompone in radicali liberi come sotto illustrato':
Elettrone libero
0
o
11
c-o-o-cD
o
"~
-
..
0 ,,
2 I/_ '
" o
e-o·
/
.I' (9.4)
Perossidodi benzoile Radicali liberi
Uno dei radicali liberi che si originano dalla decomposizione del perossido
organico, può reagire con una molecola di etilene per formare un nuovo radicale
libero a catena più lunga, come si può vedere nel1areazione
Elettrone Elettrone
libero libero
~
R--o· + C=C
H H
I I
~R-o-c-c·
7 f/ (9.5)
I I I I
H H H H
Radicale libero Etilene Radicalelibero
Il radicale organico libero agisce quindi da catalizzatore di iniziazione della

polimerizzazione dell ·etilene.
Propagazione Il processo per il quale la catena polimerica viene estesa dalla
1 L'anello esagonale rappresenta la struttura del benzene come viene qui indicato. Vedere
anche il Paragrafo 2.6.

368 Capitolo 9
successiva addizione di unità monomeriche si chiama propagazione. Il doppio

legame che si trova all'estremità di un monomero etilene,_può essere "aperto"
dal radicale libero a lunga catena e legato cova]entemente ad esso. In tal modo
la catena polimerica viene ulteriormente allungata secondo la reazione
R - CH2 - CH 2 + CH2 = CH2 -+ R CH2 - CH2 - CH2 - CHi (9.6)
Le catene polimeriche nell~ polimerizzazione a catena si accrescono

spontaneamente perché l'energia del sistema chimico viene abbassata dal
processo di polimerizzazione a catena. Cioè la somma delle energie dei polimeri
prodotti è minore della somma delle energie dei monomeri che hanno portato
alla formazione di polimeri. Il grado di polimerizzazione (DP) dei polimeri che
si ottengono daJla polimerizzazione a catena varia all'interno del materiale
polimerico. Inoltre il grado di polimerizzazione varia 'rra i materiali polimerici.
Per il polietilene commerciale il grado di polimerizzazione oscilla in genere fru
3.500 e 25.000.
Terminazione La terminazione può avvenire mediante l'addizione di un

radicale libero o con la combinazione di due catene. Un'altra eventualità è che
tracce di impurità possano terminare la catena polimerica. La terminazione
dovuta all'unione di due catene può essere rappresentata con la reazione
Peso molecolare I termoplastici sono costituiti da catene di polimeri di lunghezze moll-.·

medio dei differenti, ciascuna delle quali ha il proprio peso molecolare e grado di
termoplastici polimerizzazione. Quindi si può parlare di un peso molecolare medio quando ci
si riferisce alla massa molecolare di un materiale termoplastico.
Il peso molecolare medio di un termoplastico può essere determinato con
particolari tecniche fisico-chimiche, Uno dei metodi più comunemente usati è
quello di determinare le frazioni ponderali di intervalli di peso molecolare. Il
peso molecolare medio di un termoplastico è quindi da.to dalla"sommatoria delle
frazioni ponderali moltiplicate per il peso molecolare medio dei rispettivi
intervam di peso molecolare, diviso per la somma delle frazioni ponderali. Cosi
- 'J:J;Mi (9.8)
Mm= '5:,f;
peso medio molecolare del termoplastico
media del peso molecolare di ogni singola frazione ponderale
frazione ponderale del materiale costituito da pesi molecolari
di un ben preciso intervallo
Materiali·polimerici 369
Eserciziario
Vedi Esercizio9.2.
Funzionalità Perché un monomero polimerizzi, esso deve avere almeno due funzioni reattive.
di un monomero Quando un monomero ha due funzioni reattive. esso può reagire con altri
monomeri e, a seguito di ripetizione del legamei formare un polimero a lunga
catena, o lineare. Quando jnvece un monomero ha più di due funzioni reattive,
la polimerizzazione può avvenire in più di due direzioni, e quindi si possono
formare molecole con reticolo tridimensionale.
Il numero di funzioni reattive di un monomero è detto funzionalità del
monomero stesso. Un monomero che utilizza due funzioni reattive per la
polimerizzazio,ne di lunghe catene è detto bifunzionale, un esempio dì monomero
bifunzionale è l'etilene. Un monomero che utilizza tre funzioni reattive per
formare un materiale polimerico reticolato è detto trifunzionale, un esempio di
monomero trifunzìonale è il fenolo, C6HsOH.
Struttura di Se esaminiamo al microscopio un piccolo tratto di una catena di polietilene

poHmeri lineari troviamo che esso ha una configurazione a zig-zag {Figura 9.4) perché l'angolo
non cristallini del legame covalente tra singoli legami carbonio-carbonio è di circa 109°.
Tuttavia, su larga scala, la catena polimerica nel polietilene non cristallino è
ingarbugliata casualmente come gli spaghetti gettati in una scodella. Questo
aggrovigliamento di un polimero lineare è illustrato in Figura 9.5. Per alcuni
materiali polimerici, fra cui il polietilene~ possono coesistere regioni cristalline e
non cristalline. Questo argomento sarà trattato in maggiori dettagli nel
Paragrafo 9 .4.
Le connessioni tra le lunghe catene molecolari del polietilene consistono di
deboli legami secondari di tipo dipolo, permanenti. Gli aggrovigliamenti fisici
delle lunghe catene molecolari contribuiscono anch'essi ad aumentare la
resistenza di questo tipo dì materiale polimerico. Si possono inoltre formare
ramificazioni laterali, che allentano l'impacchettamento delle catene molecolari e
Carbonio
Idrogeno
FIGURA9.4 Strutturamolecolare di unbrevetrattodi catena

di polietilene.
Gliatomidi carbonio
hanno un
andamento
a zigzag tuttii legami
perché covalenti
carbonio-carbonio sonodisposti reciprocamente
a circa
109".[DaW G.Moffatt,G.W.Pearsa/1 e J. Wultt."TheStructureandProperties ot Materia/s·:
vol.1:
"Structu1e''.
Wiley.1965;
p.651.
370 Capitolo9
,.
FIGURA 9.5
Rappresentazione
schematica di unpolimero.
Lesfererappresentano
l'unitàripetitivaòellacatena
polimerica, e nonatomi
specifici.[DaW.G.Moffatt,
G. W.Pearsall e J. Wulff,
"TheStructure and
Properties otMaterials''.
voi.
I: Structure''. Wiley,1965,
p.104].
favoriscono una struttura non cristallina. Le ramificazioni di un polimero

lineare quindi indeboliscono i legami secondari tra le catene e abbassano la
resistenza a trazione del materiale polimerico in massa.
Polimeri vinilici e Sostituendo uno o più atomi di idrogeno dell'etilene con altri tipi di atomi
vinilidenici gruppi di atomi, si possono sintetizzare molti materiali polimerici utili
addizione (polimerizzazione a catena), aventi una struttura di catena a base Cl
carbonio come queUa del polietilene. Se viene sostituito un solo atomo di
idrogeno del monomero etilene con un altro atomo o gruppi di atomi, il polimero
che si ottiene è chiamato polimero 1·inilico.Esempi di polimeri vinilici sono il
polivinilclorura, il polipropilene, il polistirene, il poliacrilonitrile e il poiivi-
nilacetato. La reazione generale di polimerizzazione dei polimeri vinilici è:
,,..
n [U].--+1Ut
I I ,,,
H ·R1
- l
H
I
R1n
in cui R1 può essere costituito da un altro tipo di atomo o da gruppi dì atomi.

La Figura 9.6 mostra la struttura di alcuni polimeri vinilici.
Se entrambi gli atomi di idrogeno di uno degli atomi di carbonio del
monomero etilene sono sostituiti da altri atomi o gruppi di atomi, il polimero che
Materiall'palimer1é( • 371
-J~-~1 _fLJ_l
lHHI
Polietilene
lUJ
Polipropilene
p.!.:110-137"C pJ.: 165-l'iT'C
H H
FIGURA 9.6 Formule
di I I
struttura<.lialcunipolimeri c-c-------i--
vinilici(essendo il 1 I ~o
polistireneperusigenerali H o-e
unmateriale
si riferiscono
intervallo
amorfo,
adun
i valori
di rammollimento
n
" CHs n
Polistirene Poliacrilonitrile Polivinilaeetato
e nonadunafusione). p.C.:1so.243•c (nonfonde) p.f.:177"C
risulta dalla reazione di polimerizzazione viene detto polimt!ro vinilidenico. La

reazione generale per la polimerizzazione di polimeri vinilidenici è
nH- H
HR!
[HRl 1H R H Rs n
dove R2 ed R3 possono essere costituiti da altri tipi di atomi o da gruppi di

atomi. La Figura 9.7 mostra la struttura dì due polimeri vinilidenici.
H
I Clr
1
H CH3
I · I I
e-e C-C----+-
~ ~l n
j 1~0
H e,
FIGURA9.7 Formule di OCH3
struttura
dìalcunipolimeri Polivinilcloruro Polimetilmetaerilato
vinilidenicì. p.f.: 17T'C p.f.:160"0
372 Capitolo9
Omopolimeri Gli omopolimeri sono materiali polimerici costituiti· da catene polimeriche

e copolimeri formate da singole unità ripetitive. Ad· esempio, se A è l'upità che si ripete, una
catena omopolimerica avrà una sequenza di questo tipo f..AAAAAA... nella
struttura molecolare della catena polimerica. I copolimeri invece consistono di
catene polimeriche costituite da due o più unità ripetitive chimicamente
differenti, disposte in dìfferenti sequenze.
Sebbene i monomeri nella maggior parte dei copolimeri siano combìnatì a
caso, è possibile individuare quattro tipi distinti di copolimeri : casuali, alternati.
a blocchi, e ad innesto (Figura 9.8).
Copolirnericasuali. Monomeri differenti sono inseriti a caso nelle catene

polimeriche. Per esempio se A e B·sono monomeri diversi la struttura che
ne deriva potrebbe essere
AABABBBBAABABAAB. .. (Figura 9.Sa)
Copolimeri alternati. Monomeri diversi sono ordinatamente inseriti in

ordine alternato, come ad esempio
ABABABABABAB ... (Figura 9.8b)
(ti)
(b)
-
FI.GURA9.8 Tipidi
struttura
deicopoHmeri. (a)
Copolìmero in cui le diverse (e)
unitàsonodistribuite a caso
lungola catena (random).
(b) Copolimero in cui le
unitàsi alternano
regolarmente. {e)
Copolimero a blocchi.(dJ
Copolimero a innesto. [Da (d)
W G.Moffatt,G. W
PearsealleJ. Wultt," The
andPraperties
structure of
Voi.I:
Materials':
·"Structure';
Wiley,1965,
p.108].
--··--~---·- .. -----------------
Copolimeri a blocchi. Monomeri diversi sono disposti nella catena in

sequenze relativamente lunghe di ogni monomero:
AAAAA - BBBBB- (Figura9 .8c)
Copolimeria innesto. Appendici costituite da un tipo di monomero sono

inserite nella lunga catena di un altro tipo di monomero:
AAAAAAAAAAAAAAAAAAAAA (Figura9.8d)
B B
B B
B B
La reazione di polimerizzazione a ca.tena può verificarsi fra due o pìù

monomeri diversi quando questi possono inserirsi nelle catene in accrescimento
alrincirca allo stesso livello energetico e velocità. Un esempio di copolimero
importante nel campo industriale è quello costituito per 1'85%, da polivìnH~
cloruro e per il 15% da polivinilacetato, che viene usato come materiale di base
per la maggior parte dei dischi in vinile, La reazione generale dì polimerizzazione
per la produzione di questo copolimero è indicata nella Figura 9.9.
Eserciziario
Vedi Esercizi 9.3, 9.4, 9.5.
Altri metodi di Polimerizzazionea stadi Nella polimerizzazione a stadi i monomeri reagiscono

polimerizzazione chimicamente tra di loro in modo da creare polimeri lineari. Nella
polimerizzazione a stadi si assume che la reattività dei gruppi terminali di un
monomero e di un polimero di qualsivoglia dimensione sia circa la stessa. Perciò
le unità monomeriche possono reagire tra di loro o con polimeri in formazione di
qualsivoglia dimensione. In molte reazioni di polimerizzazione a stadi si ottiene
una piccola molecola come prodotto secondario, così che questi tipi di reazione
vengono talvolta chiamati reazioni di polime1izzazione per condensazione. Un
FIGURA9.9 Reazione
generale dl polimerizzazione
deimonomeri
vinilee acetato
clorurodi
di vinileper
m[H] H Cl
+n
H
I I
C=C
I I
H 0-C
H
/
o ~
fI l
I I
H Cl X
I I
C-CH] c,_,_c
H
I
H 0-C
H
I ~o
la produzione
copolimero
polivinile
di un
di clorurodi
e di acetatodi Monomero Monomero
" CH3
" CHs y
Copolimeropolivinilcloruro-
polivinile. clorurodi vinile vinilaeet.ato polivinilacet.ato
----------
37 4 Capitolo 9
/
' N-(CHz)s-N /
H
.~---'-r',
'+
O
C-(CH2)4-C
. ~
'
O
-#
H I H HO I OH
Esametilendiammina Acidoadipìeo
FIGURA9.1O Reazione
di polimerizzazione
della
esametilene
diammina con
acidoadipicoperprodurre Esametileneadipa:mmide Acqua
(nylon6,6}
unaunitàdi nylon6,6. I
esempio di reazione polimerica a stadi è la· reazione della esametilene diammina

con acido adipico per dare nylon 6,6 e acqua come sottoprodotto, come
mostrato in Figura 9.1 O, dove viene rappresentata la reazione di una molecola di
esametilene diammina con un 'altra dì acido adipico.
Polimerizzazione per reticolazione In alcune reazioni di polimerizzazione nelle

quali vi è un reagente chimico con più di due funzioni reattive, si può ottenere un
materiale plastico tridimensionale reticolato. Questo tipo di polimerizzazione ~
quella che avviene nella produzione di materie plastiche termoindurenti con:-.:
resine fenoliche, le epossidiche ed alcune poliestere. La reazione di
polimerizzazione di due molecole di fenolo con una di formaldeide è rappre-
sentata nella Figura 9.l l. Da rilevare che come prodotto secondario di questa
reazione si ottiene acqua. La molecola del fenolo è trifunzionale e in presenza di
un idoneo catalizzatore e di calore e pressione adeguati può polimerizzare con
formaldeide per dare una resina termoindurente di tipo fenolico reticolato, che
talvolta viene chiamato con il nome commerciale di bakelite. , ..
9.3 METODI INDUSTRIALI DI POLIMERIZZAZIONE
Ci si può chiedere a questo punto come ve~gano prodotte industrialmente le

materie plastiche; La risposta a questo problema non è semplice perché
attualmente vengono adottati processi molto diversi e ne vengono sviluppati
continuamente di nuovi. Tanto per comincia.re, vengono usati come materiali
grezzi per produrre le sostanze chimiche di base per i processi di
polimerizzazione: gas naturale, petrolio e carbone. Queste sostanze vengono
quindi polimerizzate con svariati processi in materie plastiche sotto forma di
Materiali polimerici 37 5
Fenolo Formaldeide Fenolo
FIGURA9.11 Reazione H:çt;OH

1-:x)=OH H
di polimerizzazione del
fenolo(gli asterischi
H
. ·. I
~ H
h H. 9"
~
I
H
+ H20
rappresentano i sitìdi
conformaldeide,
reazione)
conproduzione di unaunità H H
di resina
fenolica. Fenolformaldeide Acqua
granuli, pastiglie, polveri o sostanzeliquide che vengono ulteriormente lavorate

sino a produrre prodotti finiti. I processi chjmici di polimerizzazione adottati
per produrre materie plastiche sono vari e complessi. L·ingegnere chimico gioca
un ruolo cruciale nel loro sviluppo e nella loro utilizzazione industriale. Nei
paragrafi che seguono vengono evidenziati i più importanti metodi di
polimerizzazione ed iJlustrati nelle Figure 9.12 e 9.13.
Polimerizzazionein massa (Figura 9.12a). Il monomero e l'attivatore della

reazione sono introdotti insieme in un reattore che viene riscaldato e
raffreddato quando richiesto. Questo processo è ampiamente usato per la
polimerizzazione per condensazione dove uno dei monomeri può essere
immesso nel reattore mentre l'altro viene aggiunto gradualmente. Il
processo in massa viene usato per molte reazioni di polimerizzazione per
condensazione, per via del basso calore sviluppato da questo tipo di
reazione.
Polimerizzazionein soluzione{Figura 9.12b). Il monomero viene sciolto in

un solvente non reattivo contenente un catalizzatore. Il calore sviluppato
dalla reazione viene assorbito dal solvente così che la reazione di svolge
più lentamente.
Polimeri!tazi01ìe in sospensione (Figura 9.12c). ll monomero viene

miscelato con un catalizzatore e quindi disperso come sospensione in
acqua. In questo processo il calore della reazione viene assorbito
dall'aqqua. Dopo la polimerizzazione il prodotto viene separato e quindi
376 Capitolo 9
1...i..r.--Agitatore I
,...._Reattore
~··
Camiciariscaldante
e refrigerante
Monomerofì)
più solvente
Monomero(i)
FIGURA 9.12
Illustrazione
schematicadi (a) (b)
alcunideiprocessi
industriali
di
polimerinazione
comunemente usati: Mezzo acquoso
(a) polimerinazione
in Mezzo acquoso con iniziatore
massa, (b) polimerizzazione
Gocce di monomero
ìn soluzione
in soluzione, con iniziatore
(e)polimerizzazione
in Gocce di monomero
Agitatoreper con tensioattivo
sospensione, manienere per mamenere
(d) polimerizzazione
in le panicelle le particelle
in sospensione in sospensione
emulsione. [DaW.E.Driver,
"Plastics
Chemistryand (e) (d)
Techno/ogy':VanNostrand
Reinhold,1979; p.19].
essiccato. Questo process.o viene usato comunemente per la produzione di

polimeri di tipo vinilico come il polivinilcloruro 1 il polistirene, il poliacrilonitrile
e il polimetìlmetacrilato.
Polimerizzazionein emulsione(Figura 9.12d). Questo processo. è in sostanza

simile a quello in sospensione, in quanto si svolge in acqua. Tuttavia deve
essere aggiunto un emulsionante per disperdere il monomero in particelle
di dimensioni molto piccole.
Oltre ai processi di polimerizzazìone appena descritti, sono stati svilupp.ui

molti processi di polimerizzazione qontinua in massa e altri vengono
continuamente ricercati e sviluppati in quest'area. Un processo molto
importante sviluppato abbastanza recentemente è l'Unipol in fase gassosa
della Union Carbide, per la produzione di polietilene a bassa densità. In questo
processo il monomero etBene gassoso assieme ad alcuni comonomeri viene
immesso in continuo in un reattore a letto fluido in cui è già stato immesso uno
speciale catalizzatore (Figura 9. 13a}.I vantaggi di questo processo sono quelli di
una polimerizzazione a più bassa temperaturùa (100°C invece di 300°C come nel
Reattore
a letto fluido
Ciclo di
raffreddamento
I D
•. Al.imentatore
del cu.talizzatore
1
• I
t
Etilene ! !Azoto
Comonomero. I Polietilene granulare
verso la miscelazione.
e lo stoccaggio
(b)
FIGURA9.13 Processo di polimerizzazione delpolietilene

infasegassosa a bassa
densità.
{a)Diagramma
di flussochedefinisce
letappe
principali
delprocesso.
(b)I reattori
paralleli
chevengonoutilizzati
nelprocesso.
[DaChemìcalEngineering.
Dic.3, 1979,pp.81,BJJ.
vecchio processo) e una minore pressione (0,7 invece di 2 MPa). Molti impianti
industriali stanno già adottando il processo Unipol.
9.4 GRISTALLINITÀ E STEREOISOMERISMO IN ALCUNI TERMOPLASTICI
Quando passa allo stato solido da quello liquido, un termoplastico si trasforma

in un solido che può essere non cristallino o parzialmente cristallino. Vediamo
quindi alcune delle caratteristiche del processo di solidificazione e della struttura
di questi materiali.
Solidificazione Consideriamo come avvenga la solidificazione e il lento raffreddamento a basse

di termoplastici temperature di una sostanza termoplastica non cristallina. Quando un
non cristallini termoplastico non cristallino passa allo stato solido, man mano che la
temperatura si abbassa non si verifica una diminuzione improvvisa del volume
378 Capitolo 9
specifico (volume per unità di massa) (Figura 9.14); sottoposto a solidificazione;

il liquido si trasforma in un liquido soyraraffreddato cJe si trova allo stato
solido e mostra una graduale diminuzione del volume sp~cifico col diminuire
della temperatura, come è indicato dalla linea ABC nella Figura 9.14.
Portando questa sostanza a più basse temperature, awiene un cambiamento
nella pendenza della curva del volume specifico in funzione della temperatura,
come è indicato ai punti C e D della curva ABCD di Figura 9.14. Il punto
intermedio all'interno dello stretto intervallo di temperature oltre il quale si ha la
modificazione della pendenza della curva individua la temperatura di .transizione
vetrosa, Tg. Al dì sopra della Tg, il comportamento dei materiali termoplastici
non cristallini è di tipo viscoso {materiale gommoso o flessibile) al di sotto questi
materiali si comportano come vetri fragili. Sotto certi aspetti la Tg potrebbe
essere considerata una temperatura di transizioné dutt~e.fragile. Al di sorto della
Tg, il materiale è fragile e vetroso in quanto la motilità delle catene molecolari è
molto ristretta. La Figura 9.15 rappresenta la curva sperimentale del volume
specifico in funzione della temperatura per un polipropilene non cristallino, che
mostra un cambiamento di pendenza in· corrispondenza della Tg di questo
materiale a - l 2°C. La Tabella 9.1 elenca i valori di Tg di alcuni termoplastici.
Solidificazione di Prendiamo ora in considerazione la solidificazione e il raffreddamento di un

materiali termoplastico parzialmente cristallino. Quando questo materiale solidifica e si
termoplastici raffredda si ha un 'improvvisa diminuzione del volume specifico come indicato
parzialmente dalla linea BE della Figura 9.14. Questa diminuzione del volume specifico è
cristallini determinata da un più efficiente impacchettamento delle catene polimeriche in
regioni crìstalline. La struttura di un termoplastico parzialmente cristallìnl,
punto E risulterà essere così quella di regioni cristalline in una matrìce liquida
sovraraffreddata (solido viscoso) non cristallina. Continuando il raffredda-
mento si giunge alla transizione vetrosa come indicato dal cambiamento dì
pendenza nella curva del volume specifico in funzione della temperatura, tra i
punti E e F nella Figùra 9.14. Andando oltre la transizione vetrosa, la matrice
liquida sovraraffreddata si trasforma in uno stato vetroso, cosicché la struttura
del tennoplastico al punto F consiste di regioni cristaIIine in up.a matrice vetrosa
non cristallina. Un esempio di un termoplastico che solidifica dando luogo ad
una struttura parzialmente cristallina è il polietilene.
Struttura dei E ancora dubbio il modo esatto nel quale sono organizzate le molt:cok
materiali polimeriche in una struttura cristallina e -sono necessarie ulteriori ricerche a
termoplastici questo proposito. La maggior lunghezza delle regioni cristalline, o cristalliti, nei
parzialmente materiali polimerici policristallini è compresa di solito tra i 5 e i 50 nm, valore
cristallini che rappresenta solo una piccola percentuale della lunghezza di una molecola
polimerica completamente estesa, che può essere di circa 5000 nm. Un primo
modello chiamato model1o della 111.icellafrangiata (/Hnged-micelle)immaginava
lunghe catene polimeriche di circa 5000 nm disposte in successione in regioni
ordinate e disordinate per tutta la lunghezza della molecola polimerica (Figura
Materiali"polimerici 379
FIGURA 9.14 Curva òi solidificazione

e
raffreddamento (schemalica) di materiali
li cambìamentodi A
termoplasticinoncristallini e parzìalmente
pendenzainiziaqui
cristallini,
cheevìdenzia i cambiamenti del
volume specificoconlatemperatura. Tgè la C ~l""-'----Tennoplastico
1
temperatura di transizionevetrosa e Tmè la " " non cristallino
temperatura di fusione.Il raffreddamentodei E I~
.,. " Termoplastico
termoplasticinoncristaflìnisi svolgelungo!a J;.._ ... - -:-- .,,.
1
1 cristallino
parz.ialmenre
lineaABCD, doveA = liquido,B "' liquido
I
altamente viscoso, C= liquidosovraraffreddato
(gommoso), D= solido vetroso (duroefragile).
Il raffreddamentodeitermoplastici parzialmente
T11 T,,i
cristallini
segue lalineaABEF; doveE=regioni
Temperatura
solidecristallinein unamatrice liquida
sovrarattreddata,e F= regionisolidecristalline
in unamatrice vetrosa.
9.16a). Un modello più recente chiamato della catena ripiegata (folded-chi:J.in)

rappresenta spezzoni delle catene molecolari ripiegati su se stessi cosicché si
forma un raccordo tra regioni cristalline e non cristalline (Figura I 9.i 6b).
Nel corso degli anni passati si sono fatti molti studi sulla struttura dei
termoplastici parzialmente cristallini, in modo particolare sul polietilene. Si
l.17
e Prova]
::,. Prova Il
'3fLl6 ... Prova lii
• ProvalV
E
g
i.::
·g 1.15
FIGURA 9.15 Dati f7.-
sperimentali dell'andamento :.!
§
delvolume specificoin
funzione dellatemperatura ~ 1.14
perla determinazione della

temperatura di transizione 1.13
vetrosa delpolipropilene -30 -20 -IO o 10 20
iiattico.la Tgè a •12°C. Temperatura,"C
[DaD.L.Beck, A. A. Hiltze
J. R.Knox,Soc.Plast.Eng.
Trans.,3: 279.{1963)].
380 Capitolo g
TABELLA9.1 Temperaturadi transizionevetrosaTg\ °C, di alcuni materialitermoplastici

,.
Polietilene -11 O (nominale)
Polipropilene -18 (nominale)
Polivinilacetato 29
Polivinilcloruro 82
Polistirene 75-100
Polimetilmetacrilato .72
·• Notareche la Tg di un materìaletennoplasticonon è unacostantefisicacome latemperaturadi

fusionedi un solido cristallino,ma dipendein certa misurada variabiliqualiil grado di crlstallinità,
il peso molecolaremedio della catenapolimericae la velocitàdi raffreddamentodel materiale.
FIGURA 9.16 D.ue

possibilidisposizionidì
cristallitiin materiali
termoplastici parzialmente
cristallini:
(a) modello dellamicella
frangiata, (b)modellodella
catenaripiegata. !DaF.
Rodriguez, "Principles
ot (al
Polymer Systems" 2a Ed.,
MacG1aw-Hill, 1982,p:42]. 1-------------~-----------------····.
l
FIGURA 9.17 1 =IOOmomi
di carbonio
Rappresentazione schemati-
ca·dellastrutturaa catena
ripiegata
di unalamella di
polietilene
a bassa densità.
[DaR.L. Boysen, Olefin
Polymers (High-Pressure
Polyethylene),in
"Encyc/opediaot Chemical
Technology: vol.16,Wiley,
1981,pAOSJ.

sferulitica
in unfilmdi
polietilene
a bassa densità,
condensità paria 0.92g/
cm3 [DaR.L.Boysen, Oletin
Polymers (High-Pressure
Polyethylene),in
"Encyclopedia of Chemìcal
Technology'; vof.16,Wiley,
1981,pAO(iJ.
ritiene che il polietilene cristallizzi in una struttura a catena ripiegata con tma
cella ortorombica. come è rappresentato nella Figura 9.19. L'altezza dì ogni
tratto di catena tra le pieghe è di circa I 00 atomi di carbonio e ogni singolo
piano della struttura a catena ripiegata viene definito una lamella. In condizioni
di laboratorio il polietilene a bassa densità cristallizza in una struttura di tipo
sferulitico, come si vede nella Figura 9.18. Le regioni sferulitiche che consistono
di lamelle cristalline sono le aree scure. mentre le aree bianche sono le zone non
cristalline. La struttura sferulitica di Figura 9J 8 si sviluppa solarì1ente in
condizioni di laboratorio strettamente contro1late e in assenza di sollecitazioni.
Il grado dì cristalHnità nei materiali polimerici lineari parzialmente
cristallini varia airìncirca dal 5 al 95% del loro volume totale. Anche con
mate;rialipolimerici altamente cristallizzabili non si può ottenere una completa
cristallizzazione a causa degli allacciamenti e delle sovrapposizioni incrociate
delle molecole. La quantità dì materia cristallina a!Pinterno di un termoplastico
influenza la sua resistenza a trazìone. In generale, con J'aumento del grado di
crìstallinità vi è aumento della resistenza del materiale.
Stereoisomerismo Gli stereoisomeri sono composti molecolari aventi stessa composizione

nei materiali chimica, ma diversa disposizione strutturale. Alcuni terrnoplastìci come il
termoplastici polipropilene possono esistere in tre diverse forme stereoisomeriche:
l. Stere.oìsomero .atattico. Il gruppo metilico laterale del polipropilene è

disposto casualmente su entrambi i lati della catena principale (Figura 9.19a).
2. Stereoisomero isotattico. I1 gruppo metilico laterale si trova sempre dallo
stesso lato della catena principale di atomi di carbonio (Figura 9.19b).
382 Capitolo 9
FIGURA9.19 Stereoisomeri delpolipropilene.

{a)Isomeroatattico
nelqualeì gruppilateraliCH3 sonodisposlìcasualmente
suentrarr.
latidellacatena di atomidi carbonio.
principale (b) Isomero
lsotattìconelqualei gruppiCH3 sonotuttidallostesso latodellacaiena
principale.
(e)Isomerosindìotattico
nelqualei gruppiCH3 si alternanoregolarmente
daunlatoe dall'altro dellacatena
principale.
[DaG.
Crespie L Luciani, OlefinPolymers(Polietilene}.
in "Encyclopedia
o! ChemicafTechno!agy'; vo!.16.,Wiley,
p.454).
3. Stereoisonzerosindìolattico. Il gruppo metilico laterale è disposto in modo

regolarmente alternato da un lato e dall'altro della catena _principale (Figura
9.19c).
La scoperta dì un catalizzatore che ha reso possibile la polimerizzazione

industriale dei polimeri isotattici lineari ha consentito un not~vole progresso
nell'industria delle materie plastiche. Infatti, l'uso di un catalizzatore
stereospecifico ha consentito dr produrre su scala commerciale il polipropilene
isotattico, materiale polimerico altamente cristallino con punto di fusione tra
165 e 175°C. Grazie alla sua alta cristallinità il polipropilene isotattico ha
maggior resistenza meccanica e maggiore stabilità dimensionale termica del
polipropilene atattico. Nel 1983 circa il 10%, delle vendite totali di materie
plastiche negli Stati Uniti era rappresentato dà polipropilene isotattico e da suoi
copolimeri.
Materiatt"POlimerler '383
9.5 LAVORAZIONE DEI MATERIALI POLIMERICI

e
I processi in uso per trasformare granuli e pastiglie in prodotti finiti come fogli,
barre, oggetti estrusi, tubi o parti stampate sono molti e differenti. Il processo
che viene usato dipende in certa misura dal fatto che si tratti di un materiale
termoplastico o di uno termoindurente. In genere i termoplastici vengono
riscaldati sino al rammollimento e quindi rimodellati prima del raffreddamento.
Per i materiali termoindurenti, invece, che non sono stati completamente
polimerizzati prima di venire lavorati nella forma definitiva, si adotta un
processo mediante il quale awiene una reazione chimica per cui le catene
polimeriche vengono legate tra loro in modo da formare un materiale polimerico
a rete tridimensionale. La polimerizzazione finale si può ottenere mediante calore
e pressione oppure per azione catalitica a temperatura ambiente o a più alte
temperature.
In questo capitolo verranno descritti alcuni dei processi più importanti che
vengono usati per i materiali termoplastici e tem1oindurenti.
Processi utilizzati Stampaggioad iniezione Lo stampaggio ad iniezione è uno dei metodi di

per i materiali lavorazione più usati per la formatura dei materiali termoplastici. Le moderne
termoplastici macchine per lo stampaggio a iniezione utilizzano un meccanismo a vite
reciproca che consente dì fondere la materia plastica e di iniettarla in uno stampo
(Figure da 9.20 a 9.22). Macchine di più vecchio tipo utilizzavano un pistone per
FIGURA 9.20 Vista

di unamacchina
frontale
da500tonnellate, a vite
reciproca,
perlo stampaggio
a iniezione
di materie
plastiche,
{Perconcessione
dellaHPMCorporation].
384 Capitolo 9
,.
Motore ~
idrm{lìco
Ii
Interruttori
(regolabili)dei limiti
di sconimenlodella vite Tugiper il fluido
idraulico
FIGURA9.21 Sezione
di unamacchina
avitereciproca .aIniezione
perlostampaggio di materie
plastiche.
[DaJ. Bown,"lnjeclion
Moldìng
ot PlaslicComponents·:
McGraw-Hill,
1979,p.28J.
l'iniezione del fuso. Il vantaggio del metodo a vite reciproca rispetto a quello a
pistone è che l'avanzamento de11avite consente una fusione più omogenea della
sostanza da iniettare.
Nel processo di stampaggio ad inie·zìone i granuli di materia plastk,1
vengono caricati da una tramoggìa, attraverso un'apertura nel cilindro <li
iniezione, sulla superficie dì una vite rotante che li spinge avanti verso lo stampo
(Figura 9.22a). La rotazione della vite forza i granuli contro le pareti riscaldate
del cilindro, provocandone la fusione a causa del calore di compressione,
dell'attrito e del riscaldamento delle pareti del cilindro (Figura 9.22b). Quando
una quantità sufficiente di materia plastica fusa arriva allo stampo che si trova
alla fine della vite, questa si arresta e con un movimento a stantuffo inietta un
getto della materia plastica fusa in un canale dì alimentazione é\uccessivamente
neHe cavità dello stampo (Figura 9.22c). L 'albero della vite mantiene in
pressione per breve tempo il materiale plastico alimentato nello stampo. in
modo da permettergli di diventare solido, quindi si ritrae. Lo stampo viene
raffreddato ad acqua per far solidificare rapidamente il pezzo in materia
plastica. Da ultimo, lo stampo viene aperto e il pezzo stampato viene espulso
dallo stampo per mezzo di aria o di perni d'eiezione a molla (Figura 9.22d). Lo
stampo viene quindi chiuso ed è pronto per un altro ciclo.
I maggiori vantaggi dello stampaggio a iniezione sono:
1. Possono essere prodotti pezzi di alta qualità ad una elevata velocità di

produzione.
(el
FIGURA9.22 Sequenza delleoperazioni

delprocesso di stampaggio adiniezioneconvitereciproca di materie
plastiche.
(a)I granulivengonoerogatidauncilindroa vilerotante.(b) ! granuH dì materia
plastica vengono fusidurante il tragitto
lungolavitee quando è fusosufficiente
materiale
allafinedellavìte,lavitesmettedi ruotare.(e)Laviteè quindiguidata in
avanticonmovimento a stantuffo
edinietta
lamateriaplasticafusaattraverso unaaperturain unforodi colata
e quindinelle
cavitàdellostampochiuso. e il pezzo
(O,Lavitevieneritratta finitovieneespulso. (e)Lostampo apertomostra il
componente dì plastica
rimosso. [PerconcessionedeltaPlasticEngineering Co.,Sheboygan, Wisc.J.
2. Il processo ha costi di mano d'opera relativamente bassi.

3. Si possono ottenere buone finiture superficiali sui pezzi stampati.
4. li processo può essere altamente automatizzato. ··
5. Si possono realizzare forme complicate.
I principali svantaggi dello stampaggio a iniezione sono:
l. Alti costi delle macchine, che comportano la produzione di un numero

elevato di pezzi per ammort.izzare i costi della macchina.
2. Il processo deve essere strettamente controllato.
386 Capitolo 9
' r
r
!Il
Zona raffreddata
della tramoggiae
zona di trasporto
del materialesolido
td------ru
~ -
: -~
s~~n~-----·~
t.:5J~
~
0
Zona di
traspone
del materiale fuso
FIGURA 9.23 Rappresentazione schematica

di unestrusore
e dellesuevariepartifunzionati:
tramoggia,
zonadi trasporto
delmaterì217
solido,zonadi ritardodell'inizio
dellafusione.
zonadìfusione
e zonadì pompaggiodelmateriale [DaH.S. Kautman
1uso. e J. J. Falcf
(eds.),"lntroduction
to Polymer ScienceandTechno/ogy·:
Society
ofPlastìcEngineers,Wiley,1911,p.462'1.
Estrusione Un altro dei metodi importami di lavorazione per i termoplastici

è l'estrusione. Con il processo di estrusione si ottengono tubi, barre, film, fogli, e
farnie di ogni tipo. La macchina per l'estrusione viene inoltre usata per la
produzione di forme grezze in materia plastica, come ad esempio pastiglie, e per
il recupero di materiali termoplasticì di scarto.
Nel processo di estrusione la resina termoplastica viene introdotta in ~m
cilindro riscaldato, quindi la materia plastica fusa viene sospinta da una vite
rotante attraverso una o più apertur~Jn una matrice di forma precisa per produr-
re forme ìn continuo (Figura 9.23). All'uscita dalla matrice, il pezzo estruso deve
essere raffreddato al di sotto della sua temperatura di transizione vetrosa in
modo da assicurarne la stabilità dimensionale. Il raffreddàmento si ottiene
solitamente con un sistema di insuffiazione d'aria o di raffreddamento ad acqua.
Stampaggio per soffiatura e termoformatura Altri importanti metodi di

lavorazione dei materiali termoplastici sono lo stampaggio per soffiatura e la
(a}
-
FIGURA 9.24 Letappesuccessive dellostampaggìopersoffiatura
di unabottigliadi plastica.
(a)Una
sezione tubolarevieneintrodotta nellostampo.{b}Lostampo vienechiusoe il tondodeltubovienechiuso
dallostampo. (e)Dell'aria
compressa vieneintrodotta
attraverso
lo stamponeltobo,chesi espande
riempiendo lo stampo.Segue il raffreddamento
delpezzomentrevienemantenuto sottoariacompressa.
A=
viadi introduzionedell'aria
..8 = matrice.C stampo. D= sezione deltubo.[DaP.N. Richardson, Plaslics
Processing, in "Encyc/opediaof Chemical Technalogy';
vol.18,Wiley,1982,p.19BJ.
termofonnatura dì fogli. Nello stampaggio per soffiatura un cilindro o tubo di

plastica riscaldata chiamato paraison viene posto tra le facce di uno stampo
(Figura 9.24a). Lo stampo viene chiuso per serrare le parti terminali del cilindro
(Figura 9.24b). e viene insufflata dell'aria compressa. in modo da comprimere la
materia plastica contro le pareti dello stampo (Figura 9.24c).
Nella termoformatura un foglio di materia plastica riscaldata viene forzato a
pressione contro le pareti di uno stampo. Si può utilizzare una pressione di tipo
meccanico tramite l'accoppiamento delle matrici, oppure il vuoto per trascinare
il foglio di materia plastica riscaldata in uno stampo aperto. Per forzare il foglio
riscaldato in uno stampo aperto si può anche utilizzare dell'aria compressa.
Processi utilizzati Stampaggio per compressione Molte resine termoindurenù come la fenolo-
anche per materiali formaldeide, l'urea~formaldeide e la melamina-fom1aldeide, vengono lavorate in
termoindurenti fom1e solide col processo di stampaggio per compressione. Con questo metodo
la resina, che può essere eventualmente preriscaldata, viene introdotta in uno
stampo riscaldato, contenente una o più cavità {Figura 9.25a). La parte
superiore dello stampo viene forzata contro la resina, e la pressione ed il calore
applicati provocano la liquefazione della resina, spingendola dentro la o le
cavità (Figura 9.25b). Continuando il riscaldamento (ìn genere uno o due
minuti) si ottiene la completa reticolazione della resina termoindurente. pezzo n
viene quindi espulso dallo stampo. Le sbavature vengono eliminate dal pezzo in
un tempo successivo.
388 Capitolo9
t.
FIGURA 9.25
Stampaggioper
rI
compressione.{a)Sezione
di unostampo
trasversale
I
aperto
contenente resina in .
polvere
nellacavitàdello
stampo.(b)Sezione .
trasversale
di unostampo
chiusochemostra un
campionestampato
sbavature
e le
in eccesso.
B. Seymour,Pfastics
!DaR. ri
in
Technology,
(a) (b)
otChemical
"Encyctopedia
vol.15,Wiley,
Technology';
1968,p.802J.
I vantaggi deBo stampaggio per compressione sono:
1. Data la relativa semplicità degli stampi. i costi iniziali degli stampi sono
bassi.
2. Il flusso relativamente lento del materia.le riduce le possibilità di usura e di
abrasione dello stampo
3. È più facile realizzare la produzione dì grandi pezzi.
4. Sono possibili forme più compalte data la semplicità dello stampo.
5. I gas generati dalla reazione di reticolazione possono essere espulsi durante il
processo di stampaggio.
Gli svantaggi dello stampaggio per compressione sono: ,,..
1. Con questo processo è difficile ottenere pezzi con configurazioni complicate.

2. Può essere difficile ottenere inserti con bu.one tolleranze.
3. Le sbavature devono essere eliminate dai pezzi stampati.
Stampaggioper trasferimento Lo stampaggio per trasferimento è usato anche

per stampare materie plastiche termoindurenti come le resine fenoliche, le
ureiche, le melamminiche e le alchidiche. Lo stampaggio per trasferimento
differisce dallo stampaggio per compressione nel come viene introdotto ii
materiale nelle cavità dello stampo. Nello stampaggio per trasferimento la resina
non è caricata direttamente all'interno della cavità dello stampo, ma in una
Materi~Ìi.polimerìci· 389
(d)
(a) (b) (e)
(e)
FIGURA9.26 Stampaggìo pertrasferimento.

(a)Lamateriaplastica
nelleformepreimpartlte
vienesospinta daunpistone in unostampo
preventivamentechiuso.
{b}Viene applicata
pressione
sulmateriaplastica,cheviene1.orzata
attraversounsistema di canalie aperture
all'interno
dellecavità
dellostampo,{e}Dopo·chelamateria si è indurita,
plastica il pistone
vieneritrattoe iostampo vieneaperto.Il pezzo
vìeneQuìndi espulso.
(D)Stampo apertomostrante
lecavità.
(e)Pezzodi plastica
rimosso.[Pe1concessione dellaPlasticEngineeringCo.,
Sheboygan, Wisc.J.
camera al di fuori di questa.(Figura 9.26a). Nello stampaggio per trasferimento.

quando lo stampo è chiuso, un pistone sospinge la resina (che solitamente è
preriscaldata) dalla camera esterna attraverso un sistema di canali e aperture
nelle cavità dello stampo (Figura 9.26h). Dopo che il materiale stampato ha
avuto i1tempo di indurire in modo da formare un rigido reticolo tridimensionale
di materiale polimerico, il pezzo s.tampato viene espulso dallo stampo (Figura
9.26c). La Figura 9.26c mostra le cavità di uno stampo per trasferimento,
aperto, e la Figura 9.26e mostra il pezzo stampato, comprendente partì multiple
di materia plastica termoindurente.
I vantaggi dello stampaggio a trasferimento sono:
L Lo stampaggio per trasferimento ha il vantaggìo, rispetto a quello per

compressione, di non avere la formazione di bave durante lo stampaggio., e
quindi il pezzo stampato richiede meno operazioni di finitura.
2. Possono essere prodotti molti pezzi contemporaneamente ricorrendo ad un
appropriato sistema (Figura 9.26e).
3. Lo stampaggio per trasferimento è particolarmente utile per fabbricare
390 Capitolo 9
piccoli pezzi complessi che potrebbe risultare difficoltoso ottenere con lo

stampaggio a compressione. I
Stampaggio ad iniezione A walendosi della moderna' tecnologia, alcuni

preparati termoindurenti possono essere stampati per iniezione per· mezzo di
iniettori a vite reciproca. Le macchine di base per lo stampaggio ad iniezione
sono dotate di apposite camicie di riscaldamento e raffreddamento, cosicché la
resina può essere indurita durante il processo. Per le resine termoindurenti che
rilasciano prodotti di reazione durante l'indurimento è richiesta una buona
evacuazione dei gas dalle cavità dello stampo. Grazie a11'efficienza dì questo
processo in futuro lo stampaggio a iniezione assumerà probabilmente maggiore
imporJanza per la produzione di pezzi in materiale termoindurente.
9.6 MATERIALI TERMOPLASTICI PER USO GENERALE
In questa sezione verranno discussi alcuni importanti aspetti della struttura, dei
metodi di produzione, delle proprietà e delle applicazioni dei seguenti materiali
termoplastici: polietilene; polivinilcloruro, polipropilene, polìstirene, resine
ABS, polimetilmetacrilato, acetato di cellulosa e materiali ad esso collegati. e
politetrafluoroetilene.
In primo luogo analizziamo i volumi di vendita, i prezzi e alcune importanti
proprietà di questi materiali.
Volumi di vendita e listino prezzi aH'ingrosso di alcuni materiali termoplastici per

uso generale La Tabella 9.2 elenca i volumi di vendita negli Stati Uniti nel
1988 di alcuni materiali termoplastici. accanto ai loro prezzi all'ingrosso nel
1989. Quattro principali materie plastiche: polietilene, polivinilcloruro,
polipropilene e polìstirene. rappresentano il 60 percento circa dell'intero volume
di vendita. Questi materiali hanno il costo relativamente basso di circa 1 S al Kg
(prezzo del 1989). che indubbiamente spiega parte delle ragioni del loro largo
impiego nelrindustria e in molte applicazioni di tipo ingegn;;ìstico. Tuttavia.
quando vengono richieste proprietà particolari che non possono essere ottenute
con le materie plastiche più economiche, vengono usate materie plastìche più
costose. Per esempio, il politetrafluoroetilene (Teflon), che ha ottime proprietà
ad alte temperature e di lubrific~zione, costa circa l O $ al Kg.
Alcune proprietàdi base di alcuni termoplasticiper uso generale La Tabella

9.3 elenca densità, resistenza a trazione, resistenza: all'urto, rigidità dielettrica e
massima temperatura d'uso di alcuni termoplastici per uso generale. Uno dei
maggiori vantaggi dì molte materie plastiche per applicazioni ingegneristiche è
la loro relativamente bassa densità. Molte materie plastiche per uso generale
hanno densità intorno a I, mentre, per confronto, la densità del ferro è 7,8;
Materiali polimènci 391
TABELLA9.2 Volume di vendita USA (1988*) e prezzi all'ingrosso (gennaio 1988t) per alcuni
termoplastici per uso generico
o/oin peso delle

Vendita vendite totali Prezzo
negli USA negli USA di all'ingrosso Tipo di
Materiale in 1000t materie plastiche $/kg materiale
Polietilene:
bassa densità 9865 17.3 1.1 -1.2 Da stampaggio per uso generale
alta densità 8244 14.5 1.2- 1.25 Da stampaggioper uso generale
Polivinilcloruroe 8323 14.6 0.9 Omopolimero per uso generale
copolimeri
Polipropilenee 7304 12.8 1.1 -1.2 Omopolimero per uso generale
copolìmeri
Polistirene 5131 9.0 1.2-1.3 Omopolimero per uso generale
Stirene-acrilonitrile 137 0.2 1.8-2.0
ABS 1238 2.2 W-2.3 Media resistenzaall'urto
Acrilati 665 1.2 1.9 Per uso generale
Cellulosici 90 0.16 2.6 Tìpo acetato
Politetrafluoroetilene 11.0 12.0
.. Da Modem Plastics,gennaio 1989, p. 109.

t Da Plastics technology. I prezzi variano col tempo e sono soggetti a cambiamenti.
t Le vendite totali in USA nel 1989 erano pari a 56.908 t
La resistenza a trazione delle materie plastiche è relativamente bassa e di

conseguenza per alcune applicazioni costruttive questa proprietà può essere uno
svantaggio. La maggior parte delle materie plastiche ha una resistenza a
trazione inferiore a 70 MPa (Tabella 9.3). La prova di resistenza a trazione per
le materie plastiche viene effettuata con la stessa strumentazione utilizzata per i
metalli (Figura 6.18).
La prova di resistenza all'urto solitamente utilizzata per le materie plastiche
è la prova lzod con intaglio. Per questa prova viene normalmente utilizzato un
provino di dimensioni 3,2x12,7x63.5 mm (0,25x0,5x2.5 pollici) (Figura 9.27)
che viene fissato alla base di uno strumento di prova con pendolo. Viene
misurata la quantità di energia assorbita per unità di lunghezza dell'intaglio
quando il pendolo colpisce il provino, ed si parla di resistenza all'urto con
intaglio del materiale. Questa energia è solitamente espressa in joule per metro
(J/m) o in piede per libbra su pollice (ft.lb/in). La resistenza all'urto con intaglio
dei materiali plastici per uso generico di Tabella 9.3 va da 21 a 750 J/m (da 0,4 a
14 ft · lb/in).
Le materie plastiche generalmente sono dei buoni isolanti elettrici. La
capacità di isolamento elettrico delle materie plastiche viene usualmente misurata
per mezzo della loro rigidità dielettrica, che può esseredefinita come la differenza
di potenziale che produce una scarica elettrica attraverso il materiale.
La rigidità dielettrica è solitamente misurata in volt per millimetro. La rigidità
392 Capitolo 9
TABELLA 9.3 Alcune proprietà di alcuni termoplastici per uso generico
Resistenza Rigidità
Materiale Densità Resistenza all'impatto, dielettrica, Massima temperatura
g/cm 3 trazione. MPa lzod, J/m V/mm d'uso (senza carico), "C
Polietilene:
bassadensità 0.92-0.93 6-17 1900 80- 100
alta densità 0.95 0.96 20-37 20- 750 1900 80-120
PVCrigido,cloru.rato 1 ..49-1.58 52-62 50-300 110
Polipropilene, 0.90-0.91 33-38 20- 120 25000 110-150
uso generale
Stìrene-acrilonitrile 1.08 69-83 20-27 70000 60-105
(SAN)
AB$, uso generale 1.05-1.07 41 320 1500 70-95
Acrilatì,uso generale 1.11 1.19 76 120 17700 - 19100 55-110
Cellulosici,acetati 1.2 1.3 21 55 60-360 9800-23500 60....,105
Politetrafluoroetilene 2.1 -2.3 7-28 130-210 15800 19700 290
Fonte:MaterìalsEngineering,May 1972.
dielettrica delle materie plastiche di Tabella 9.3 va da 15 a 70 V/m (da 385 a 1775
V/mil}.
La massima temperatura d'uso per la maggior parte delle materìe plastiche
è relativamente bassa e per la maggior parte dei materiali termoplastici varia da.
54 a I 50°C. Tuttavia alcuni termoplastici hanno una temperatura massima dì
utilizzo più alta, come per esempio il politetrafluoroetilene che può sopportare
temperature superiori ai 290°C.
Polietilene Il polietilene (PE) è.un materiale termoplastico trasparente tendente al bianco

traslucido e viene spesso fabbricato in film trasparenti e sottili. Sezioni spesse
sono traslucide e hanno aspetto ceroso. Sì può ottenere una vasta gamma di
prodotti colorati con l'uso di coloranti.
Unità st1·utturale ripetitiva
r~-~1
1HHI
Polietilene
p.f.: 110-137°C
Tipi di polietilene Vi sono due tipi di poJietilene: (1) a bassa densità (LDPE,
low-density) e (2) ad alta densità (HDPE, high-density). Quello a bassa densità
ha una struttura a catena ramificata (Figura 9.28b), mentre il polietilene ad alta
densità ha una struttura a catena lineare (Figura 9.28a).
Lancetta e pendolo
dopo aver colpito
Estremitàurtante
del pendolo
\
\
\
I
I
Lancetta/
I
/
/
,.., Morsetto
di suppone
Provìno con intaglio

(3.2 x 12.7 x 63.5 mm)
(a) (b)
l
i.
FIGURA9.27 (a)Prova
d'urtolzod.(b)Provino
usatoperlematerie perlaprovad'urtolzod.!DaWE Driver,
plastiche "Plastics
Chemistry
andTechnofogy':
VanNostrana Reinhold;1979,
pp.196-197].
li polietilene commerciale a bassa densità fu prodotto per la prima volta nel

Re!!no Unito nel 1939 usando reattori ad autoclave (o tubolari) che richie.dono
pre;sioni di oltre 100 MPa e temperature di circa 300°C. Il polietilene
commerciale ad alta densità fu prodotto per la prima volta nel 1956-,1957 con
i processi Phillips e Ziegler che utilizzano catalizzatori. In questi processi la
pressione e la. temperatura necessarie alla reazione di conversione dell'etilene ìn
polietilene sono state ridotte in modo considerevole; il processo Phillips opera
ad esempio con temperature tra l 00 e l 50°C e con pressioni da 2 a 4 MPa.
Più recentemente (all'incirca nel 1976) è stato messo a punto un nuovo
processo semplificato di produzione del polietilene, a bassa pressione, che
utilizza pressioni da 0,7 a 2 MPa e una temperatura di circa l00°C. Il polietilene
così ottenuto viene indicato come polietìlene lineare-a bassa densità (LLDPE,
linear-low-density polyethylene) ed ha una strutturn à catena lineare con corte
ed inclinate ramificazioni laterali (Figura 9.28c). Un processo per produrre il
LLDPE è stato descritto nella sezione 9.3 (vedi FigÙra 9.13).
Struttul'a e ptoprietà La struttura delle catene del polìetilene a bassa e ad alta

densità è illustrata in Figura 9.28. Il polietilene a bassa densità ha una struttura
a catena ramificata che abbassa il suo grado di cristallìnità e la sua densità
394 Capitolo ·9
I
(a)
(b)

dellecatenedeidifferenti
tipi (e) e:
(a)ad alta
di polietilene:
densità,(b)a bassadensità
e (e)lineare
a bassadensità.
(Tabella 9.3). La struttura a catena ramificata abbassa anche le caratterisiic-he

meccaniche del polietilene a bassa densità perché diminuisce le forze di legame
intermolecolare. Il polietilene ad alta densità, al contrario, ha ramificazioni
molto ridotte sulle catene princìpali, che di conseguenza sono in grad0 d:
compattarsi maggiormente aumentando la cristaHinìtà e la resistenza meccani-::·
del materiale (Tabella 9.4).
Il polietilene è di gran lunga la materia plastica più utilizzata; nel 1988
rappresentava circa un terzo delle vendite totali. La ragione principale risiede
nel basso costo e nel fatto che questo materiale possiede mo1te proprietà
industrialmente ìmportanti, inclusa tenacità a temperatura ambiente e a basse
temp,erature con una resistenza meccanica sufficiente per molte applicazioni di
prodotto, buona flessibilità in un vasto campo di temperatu.re anche sino a -
73°C, eccellente resistenza alla corrosione, eccellenti proprietà isolanti, assenza
di odore e di sapore, e bassa permeabilità al vapore d'acqua.
TABELLA9.4 Alcune proprietà del polietilene ad alta e a ba~sa densità
Polietilenea Polietilenelineare Polietilene

Proprietà bassa densità a bassa ·densità ad alta densità
Densìtà,g/cm3 0.92- 0.93 0.922 - 0.926 0.95-0.96

Resistenzaa trazione(MPa) 6-17 12.5 -20 20-37
Allungamento,% 550-600 600-800 20 120
Cristallinità,% 65 95
_,·----
.........
~~-
.; -~'7--,,:...
-·
:)
FIGURA 9.29 Il filmdi rivestimento

in polietilene
adaltadensità
di unpozzofaapparire
piccolii lavoratori
chelo installano.
Foglisingoli
possono
avere
unasupertìcie di mezzo
acroe pesarefinoa 5 tonnellate.
[FotoSchlegel
LiningTechnology, !ne.].
Applicazioni Le applicazioni per il polietilene includono la fabbricazione di

recipienti, l'isolamento elettrico, tubazioni per impianti chimici, oggetti per uso
domestico e bottiglie stampate per soffiatura. Gli usi dei film di polietilene
includono ii confezionamento e l'imballaggio per il trasporto di materiali e i
rivestimenti di pozzi delracqua (Figura 9.29).
Polivinilcloruro Il polivinilcloruro (PVC) è una materia plastica sintetica largamente usata che
e suoi copolimeri detiene la seconda posizione nei volumi di vendita degli Stati Uniti (Tabella 9.2).
L'utilizzo assai diffuso del PVC è attribuibile principalmente alla sua elevata
resistenza chimica e alla sua capacità unica di essere mescolato con additivi per
produrre un gran numero di preparati con ampio campo di proprietà fisiche e
chimiche.
394 Capitolo 9
I,
(O)
(b)

dellecatenedeidifferenti
tipi (C) e:
di polietilene:
(a)adalta
densità,(b)a bassadensità
e {e)lineare
a bassadensità.
(Tabella 9.3). La struttura a catena ramificata abbassa anche le caratteristiche

meccaniche del polietilene a bassa densità perché diminuisce Je forze di legame
intermolecolare. Il polietilene ad alta densità •. al contrario, ha ramificazioni
molto ridotte sulle catene principali. che dì conseguenza sono in grad0 cr
compattarsi maggiormente aumentando la crista1linità e la resistenza meccani:.
del materiale (TabeBa 9.4).
Il polietilene è di gran lunga la materia plastica più utilizzata~ nel 1988
rappresentava circa un terzo delle vendite totali. La ragione principale risiede
nel basso costo e nel fatto che questo materiale possiede molte proprietà
industrialmente importanti, inclusa tenacità a temperatura ambiente e a basse
temperature con una resistenza meccanica sufficiente per molte applicazioni dì
prodotto. buona flessibilità ìn un vasto campo di temperature anche sino a •
73°C, eccellente resistenza alla corrosione, eccellenti proprietà isolanti. assenza
di odore e di sapore, e bassa permeabilità al vapore d'acqua.
TABELLA9.4 Alcune proprietà del polietilenead alta e a bassa densità
Polietilenea Polietilene lineare Polietilene

Proprietà bassa densità a bassa ·densità ad alta densità
Densità,g/cm 3 0.92- 0.93 0.922 - 0.926 0;95-0.96

Resistenzaa trazione (MPa) 6- 17 12.5 20 20-37
Allungamento.% 550-600 600-800 20- 120
Cristallinità,% 65 95
Materiàli polimerici 395
I
f
;;
FIGURA9.29 11
filmdì rivestimento
in polietilene
adalladensità
di unpozzofaapparire
piccolii lavoratori
chelo installano
Foglisìngoli
possono
avere
unasuperficie
di mezzo
acroe pesarefinoa 5 tonnellate.
!FotoSchlegel
UningTechnology, lnc.].
Applicazioni Le applicazìoni per il polietilene includono la fabbricazione di

recipienti, l'isolamento elettrico. tubazioni per impianti chimici. oggetti per uso
domestico e bottiglie stampate per soffiatura. Gli usi dei film di po1ietilene
includono il confezionamento e l'ìmballaggio per il trasporto di materiali e i
rivestimenti di pozzi dell'acqua (Figura 9.29).
Pofivinilcloruro n po1ivinilcloruro(PVC) è una materia plastica sintetica largamente usata che

e suoi copolimeri detiene la seconda. posizione nei volumi di vendita degl{Stati Uniti (Tabella 9.2).
L'utilizzo assai diffuso del PVC è attribuibile principalmente alla sua elevata
resistenza chimica e alla sua capacità unica di essere mescolato con additivi per
produrre un gran numero di preparati con ampio campo di proprietà fisiche e
chimiche.
396 Capitolo 9
Unità strutturale ripetitiva
'
IHl Polivinilcloruro
p.t: =204"C
1HCJ.
Struttura e prop1·ietà La presenza del grosso atomo di cloro su atomi alterni
di carbonio nella catena principale del polivinilcloruro (PVC) dà luogo ad un
mat~riale polimerico che è essenzialmente amorfo che non è in grado di
ricristallizzare. Le intense forze coesive tra le catene polimeriche nel PVC sono
dovute principalmente ai fortì momenti dipolo generati dagli atomi di cloro. 1
grossi atomi elettronegativi di cloro, tuttavia, causano impedimento sterico e
repulsione elettrostatica che riducono la f)essibilità delle catene del polimero.
Questa immobilità molecolare causa djfficoltà nella lavorazione detromopoli~
mero, e solo in poche applicazioni il PVC può essere utilizzato senza essere
miscelato con un certo numero di additivi in modo da potere essere lavorato e
convertito in prodotti finiti.
Il PVC omopolimero ha resistenza meccanica relativamente alta (fra 52 e 62
MPa), accompagnata da fragilità. Il PVC ha una temperatura di distorsione al
calore media (fra 57 e 82°C a 0,45 MPa), buone proprietà elettriche (la rigidità
dielettrica varia da 17 a 51 Vm1) e elevata resistenza ai solventi. L'alto contenuw
di cloro del PVC impartisce al materiale resistenza chimica e alla fiamma.
Compostiilzmiscela con il polMnilclorm·o Il polivinilcloruro può essere usato

per un numero esiguo di applicazioni senza che al materiale di base venga
aggiunto un certo numero di sostanze che lo rendano processabile e convertibile
in prodotti finiti. J composti aggiunti al PVC comprendono plastificanti,
stabilizzanti termici; lubrificanti. riempitivi e pigmenti.
I plastificami conferiscono flessibilità ai materiali "polimerici. Essi
generalmente sono composti ad alto peso molecolare che vengono scelti in
modo da essere completamente miscibili e compatibili con il materiale di ba::;c.
Per il PVC vengono comunemente utilizzati esteri dell'acido ftalico come
plastificanti. L'effetto di alcuni plastificanti sulla resistenza a trazione del PVC è
mostrato in Figura 9.30. ·
Gli stabilizzami termici vengono aggiunti al PVC per prevenire la
degradazione termica durante la lavorazione e possono anche aiutare ad
allungare la vita del prodotto finito. Gli stabilizzanti tipici usati possono essere
interamente organici o inorganici ma in genere sono composti organometallici a
base di stagno, piombo, barioAcadmio,calcio e zinco.
I lubrificanti aiutano lo scorì·imento del fuso dei composti del PVC durante
5000.------------------
~ Dinonilflalato
30
...
_~ 4000
.....
_ , ;.;
~ ....... Tritolil fosfato
... ~
ci'
e
~
-~ ... g
·~ 3000
l;
/
Dioctil
~-',
~ ... 20
o
·;;;
É
"'~\
:,;
sebacato ~'..,..
~
e
.':!
...~
--::: ~~
FIGURA 9.30 Effetto
di IO c.,
diversiplastificanti
sulla 1000 °'
resistenza
a trazionedel Dloctil ftalato
polivinllcloruro.
[DaC.A.
Bn'ghton,VinylChloride O'------'----~_.__----'------' o
Polymers (Compounding), 20 30 40 50 60
in "EncyclopedìaofPolimers Contenuto in plastificante,%
Science andTechnology':
vol.14,Wiley,1971, p.398J.
la lavorazione e prevengono l'adesione alle superfici metalliche. Cere, esteri

grassi e saponi metallici sono i lubrificanti usati comunemente.
I riempfrivi come il carbonato di calcio sono aggiunti soprattutto per
abbassare i costi dei composti di .PVC.
I pigmemi, sia organici che inorganici, sono usati per dare colore;opacità e
resistenza agli agenti atmosferici ai composti del PVC.
Polivinilclo,·utorigido Il polivìnilcloruro da solo può essere usato per alcune

applicazioni, ma è difficile da processare e ha bassa resistenza agli urti.
L'aggiunta di resine gommose può aumentare lo scorrimento del fuso durante la
lavorazione formando una dispersione di particelle di gomma nella matrice di
PVC rigido; il materiale gommoso serve ad assorbire e dissipare l'energia di
impatto in modo tale che la resistenza all'urto del materiale aumenta. Con le
proprietà migliorate, il PVC rigido viene usato per molte applicazjoni, quali
tubi, rivestimenti; telai di finestre, grondaie, modanatura interna e finiture} ed è
anche usato per condutture elettriche.
PolMnilcloruro plastificato L'aggiunta di plastificanti al PVC conferisce

morbidezza, flessibilità e estensibilità. Queste proprietà possono variare in ùn
ampio intervallo se si cambia opportunamente il rapporto tra plastificante e
polimero. Il polivinikloruro plastificato è utilizzato in molte applicazioni dove
migliora l'aspetto di gomma, tessuti e carta. Il PVC plastificato è utilizzato per
398 Capitolo 9
mobili e tappezzerie di auto, coperture interne di pareti, impermeabili, scarpe.

bagaglio e tende da bagno. Nei trasporti il PVC è usatp per i tettucci delle
automobili, per l'isolamento dei fili elettrici, le coperture de~pavimenti e finiture
interne ed esterne. Altre applicazioni riguardano canne da giardino, guarnizioni
dei frigoriferi, parti di apparecchiature e oggetti per la casa.
Polipropilene Il polipropilene è la terza materia plastica dal punto di vista dei volumi di
vendita (Tabella 9.2) ed è uno dei materiali meno costosi da.t.oche può essere
sintetizzato da derivati petrolchimici grezzi a basso costo.
H±
Struttura e proprietà
1HI
e-e
H
I
I I
CH,,
-
Polipropilene
p.f::165-177"C
Passando da1 polietilene al polìpropi1ene, la sostitu~

zione di un gruppo metilico ogni due atomi di carbonio della catena polimerica
principale limita la rotazione delle catene, dando. origine ad un materiale più
resistente ma meno flessibile. I gruppi metilici sulle catene innalzano inoltre la
temperatura di transizione vetrosa, e quindi ii polipropilene rispetto
polietilene ha una temperatura di distorsione al calore più elevata. C\,:,
rutilizzo di catalizzatori stereospecifici, si può sìntetizzare il polipropilene·
isotattico che ha punto di fusione compreso tra 165 e l 77°C Questo materiale
può essere sottoposto a temperature di circa l 20°C senza deformarsi.
Il polipropilene ha proprietà equilibrate e attraenti per la produzione di
molti manufatti. Le proprietà includono buona resistenza chimica, aU'umidità e
al calore, unite a una bassa densità (da 0,900 a 0,910 g/cm 3 ), buona durezza
superficiale e stabilità dimensionale. Il polipropilene ha inoltre eccellente
resistenza a fatica in flessione come cerniera e può essere usato per prodotti con
cerniera integrale. Graz.ie anche al costo basso del suo monomero, il
polipropilene è un materiale termoplastìco molt.o competitivo.
Applicazioni Le applicazioni maggiori per ìl polipropilene riguardano oggetti

per la casa, parti di apparecchiature, imballaggi, oggetti da laboratorio e bottiglie
di vario tipo. Nei trasporti, i copolimeri del polipropilene con elevata resistenza
all'urto hanno sostituito la gomma rigida per l'alloggiamento delle batterie.
Resine simili sono usate per i rivestimenti dei paraurti e per i paraspruzzi. Il
polipropilene caricato trova applicazione nelle coperture protettive delle ventole
e per i tubi del radiatore delle automobili, dove è necessaria una alta resistenza
alla distorsione termica. Inoltre, I'omopolimero del polipropilene è usato

largamente come rinforzo primario dei tappeti e come materiale tessuto è .usatO
per sacchi da spedizione per molti prodotti industriali. Nel mercato dei film, il
polipropi1ene è usato come borsa e film di ricopertura per beni delicati grazie alJa
sua lucidità, brillantezza e buona rigidità. Negli imballaggi, il polipropilene è
usato per coperchi a vite, astucci e contenitori.
Polistirene Il polistirene è la quarta materia plastica per volumi di vendita. L'omopolimero

del polistirene è un materiale trasparente, senza odore e senza sapore,
relativamente fragile a meno che venga modificato. Oltre al polistirene cristallo
(chiamato cosi per la sua trasparenza), gli altri importanti tipi sono il polistirene
resistente alPurto, m6dificàto con gomme. e il polistirene espanso. Lo stirene è
inoltre usato pér produrre molti importanti copolimeri.
Unità struttu,·ale ripetitiva
H H
I I Polistirene1
~ò
e-e p.f: 150·240°c
Struttura e proprietà La presenza dell'anello benzenico su atomi alterni di

carbonio nella catena principale del polistirene determina una configurazione
rigida e massiccia con sufficiente impedimento sterico da rendere il polimero
decisamente non flessibile a temperatura ambiente. L'omopolimero è
caratterizzato da rigidità, trasparenza e facilità di lavorazione, ma tende ad
essere fragile. La sua resistenza all'urto può essere migliorata mediante
copolimerizzazione con l'elastomero polibutadiene che ha struttura chimica:
Polibutadiene
1
Ii polistirene non ha in realtà una vera e propria temperatura di fusione, ma piuttosto di
rammollimento in quanto è un materiale amorfo.
400 Capitolo 9
I copolimeri del polistirene resistenti all'urto contengono solitamente quantità

di gomma comprese tra il 3 e il 12 percento. L'aggilJl1ta deHa gomma al
polistirene abbassa la rigidità e la temperatura di µistorsione termica
dell'omopolimero.
In generale i polistireni hanno buona stabilità dimensionale e basso ritiro
nello stampaggio e sono di facile lavorazione e di basso costo. Tuttavia essi
hanno scarsa resistenza agli agenti atmosferici e possono essere attaccati
chimicamente da solventi organici e oli. I polistireni hanno buone proprietà di
isolamento elettrico e adeguate proprietà meccaniche all'interno dei limiti
operativi di temperatura.
Applicazioni Tipiche applicazioni includono parti mterne di autoveicoli.

allo'ggjamenti per apparecchiature, quadranti e m~nopole, oggetti per uso
domestico.
Poliacrilonitrile Questo materiale polimerico di tipo acrilico è spesso usato sotto forma di fibre, e
grazie alla sua resistenza e stabilità chimicà, è anche usato come comonomero di
alcuni termoplastici per uso ingegneristico.
Poliaerilonit.rile
{nonfonde)
Strutt11rae prop,·ietà La elevata elettronegatività del gruppo nitrile su atomi

alterni di carbonio nena catena principale esercita una mutua repulsione
elettdca, forzando le catene molecolari in strutture distese, rigide, a bastoncino.
La regolarità delle strutture a bastoncino permette il loro mientamcnto per
produrre fibre resistenti grazie ai legami idrogeno tra le catene polimeriche.
Come risultato, le fibre acrilonìtriliche possiedono un'alta resistenza meccanica
e una buona resistenza all'umidità e ai solventi.
Applicazioni L'acrilonitrìle è usato in fornia di fibre per applicazioni simili a

quelle della lana, come maglioni e coperte. L'acrilonìtrile è anche usato come
comonomero per la produzione dei copolimeri stirene-acrilonitrile (resine SAN)
e dei terpolimeri acrilonitrile-butadienc-stirene (resine ABS).
Stirene- I termoplastici stirene-acrilonitrile (SAN) sono membri della famiglia dello

Acrilonitrile (SAN) stirene ad alte prestazioni.
Materiali'polimerici 401
Struttura e ptoprietà Le resine SAN sono copolimeri casuali e amorfi dello

stirene e· dell'acrilonitrile. Questa copolimerizzazione genera polarità e forze
attrattive di legame idrogeno tra le catene polimeriche. Come risultato, le resine
SAN hanno migliore resistenza chimica, più elevata temperatura di distorsione
al calore, maggiore tenacità e n1igliori capacità di sostenere carichi rispetto al
polistirene da solo. I termoplastici SAN sono rigidi e duri, di facile lavorabilità e
hanno la brillantezza e la chiar~zza del polistirene.
Applicazioni Le maggiori applicazioni del1e resine SAN includono lenti per

fari di autoveicoli, componenti del cruscotto e pannelli di supporto caricati con
vetro; maniglie per apparecchiature e bacinelle per mescolare e frullare; siringhe
medicali e aspiratori per il sangue; vetrature di sicurezza nelle costruzioni;
bicchieri e tazze per uso domestico.
ABS ABS è il nome dato ad una famiglia di termoplastici. L'acronimo è derivato dai
tre monomeri usati per produrre l'ABS: acrilonitrile, butadiene e stirene. I
materiali in ABS sono famosi per le loro ·.proprietà costruttive come buona
resistenza all'impatto e meccanica in combinazione con la facilità di lavorazione.
Unità strutturale tipetitiva
H H
A:.Poliacrilonitrile
1
HHHHt
f-b-L{
H H
B: Polibutadiene
y
I
e--· e
hò
I
S: Polistirene
Struttura e p1·oprietà dell'ABS Il vas10 intervallo di utili prnpneta

ingegneristiche mostrate dall'ABS è dovuto al contributo delle proprietà di
ogni suo singolo componente. L'acriloriìtrile incremema la resistenza tern1ica e
chimica e la tenacità, il butadiene fornisce la resistenza all'urto e il
mantenimento delle proprietà a basso modulo, lo stirene fornisce lucentezza
superficiale, rigidità e facilità di lavorazione. La resistenza all'urto delle resine
ABS aumenta con l'aumentare del contenuto percentuale di gomma ma nel
contempo diminuiscono la resistenza a trazione e la temperatura di distorsione
al calore (Figura 9.31). La Tabella 9.5 elenca alcune delle proprietà delle resine
ABS ad alta, media e bassa resistenza all'urto.
La struttura deU'ABS non è quella di un terpolimero casuale. L'ABS può
essere considerato una miscela di un copolimero vetroso (stirene•acrilonitrile) e
di domini gommosi (principalmente un polimero o un copolimero del butadiene).
402 Capitolo 9
FIGURA9..31 Relazione Proprietà

tracontenuto
percentuale
di in t.raZ.ìone
gomma e alcuneproprietà
delABS.[DaG.E.Teer,
ABSandRelated o 10 20 30
Multipolymers,
in "Modem Comenutoin gomma,~ '
Plastics
Encyclopedia':
McGraw~Hilf,
198M982J.
La semplice miscelazione di gomma con H copolimero vetroso non fornisce

proprietà antiurto ottimali. La migliore resistenza all'urto si ottiene quando la
matrice del copolimero s.tirene-acri.lonitrile viene.innestata sui domini gomm, ~i
per produrre una struttura bifasica (Figura 9.32)
Applicazioni' L·uso principale dell'ABS è per tubi e accessori, m modo

particolare per i tubi di drenaggio, scarico e sfogo degli edifici. Un altro uso
dell'ABS è per le parti di autoveicoli, parti di apparecchiature come pannelli per
porte di frigoriferi e panne1li interni, macchine da ufficio, alloggiamenti e
custodie per computer, scatole telefoniche, condutture elettriche, involucri di
schermatura per interferenze radio ed elettromagnetiche. ,.
TABELLA9.5 Alcune tipiche proprietà delle resine ABS (23°C}
Materiale Alta resistenza Media resitenza Bassa resistenza

all'urto all'urto all'urto
Resistenzaall'urto:
J/m 375-640 215-375 105- 320
Resistenzaa trazione:
MPa 33 41 41 48 41 52
Allungamento,% 15-70 10-50 5-30
Materiali pÒlimeÌ'Ìci 403
FIGURA9..32
Micrografiaal microscopio
di unasezione
elettronico
ultrafine
di unaresinaABS
tipoGmostrante leparticelle
di gomma nelcopolimero di
stirene-acrilonitrile.
[DaM.
Matsuo, Polym. Eng.Sci.,
9:206(1969)].
Polìmetil li polimetilmetacrilato è un termoplastico duro, rigido e trasparente che ha

Metacrilato buona resistenza agli agenti atmosferici ed ha una miglior resistenza all'urto
(PMMA) rispetto a.Ivetro. Questo materiale. è meglio conosciuto con i nomi commerciali
di Plexiglass o Lucite ed è il materiale più importante del gruppo dei
termoplastici conosciuti come acrilici.
U11itàstl'uttu,-aleripetitiva
H CH3
I I
c-c----
1 i ~o Polimetilmetacrila.to
p.f.:160°C
H C"'-
OCH3 11
Struttura e proprietà La sostituzione dei gruppi metilici e metacrila.ti su atomi

alterni dì carbonio nella catena principale provoca un considerevole
impedimento sterico e quindi conferisce al PMMA rigidità e resistenza
meccanica. La configurazione casuale degli atomi di çarbonio· asimmetrici dà
luogo a una struttura completamente amorfa con elev~ta trasparenza alla luce
visibile. Il PMMA ha anche una buona resistenza chimica agli agenti atmosferici.
Applicazio11i l1 PMMA è usato per vetrature di aerei e navi, lucernari,

insegne luminose esterne e insegne pubblicitarie. Altri utilizzi includono lenti per
le luci posteriori di posizione delle automobili, schermi di protezione, occhiali di
protezione, manopole e maniglie.
404 Capitolo 9
Materie plastiche Queste materie plastiche sono ottenute da monomeri contenenti uno o più atomi
fluorurate di fluoro. Le materie plastiche fluorurate possiedono tyia serie dì proprietà
particolari per le applìcazioni tecnologiche. Come classe di ~ateriali, esse hanno
una alta resistenza agli ambienti chimici ostili ed eccezionali proprietà di
isolamento elettrico. Questi materiali,;contenendo un'alta percentuale di fluoro.
hanno un basso coefficiente di attrito che conferisce loro proprietà
autolubrificanti e antiaderenti.
Vengono prodotte molte materie plastiche fluorurate, ma le due
maggiormente diffuse, il polìtetrafluoroetilene (PTFE) (Figura 9.33) e il
policlorotrifluoroetilene (PCTFE), vengono descritte qui di seguito.
Politetrafluoroetilene
(PTFE)
Unità st,•utturaleripetiti,,a

delpolitetrafluoroetilene.
rH1
1FFr
Politetrafluoroetilene
p.f.:327"C
Rammolliscea 37o··c
Lavo,-azione chimica Il PTFE è un polimero completamente fluorurai,;

ottenuto per polimerizzazione radicalica a catena del gas tetrafluoroetilene. dh
dà origine a catene lineari formate da unità ·CF2·. La scoperta della
polimerizzazione del gas terafluoroetilene in politetrafluoroetilene (Teflon) è
stata effettuata nel 1938 da R. J. Plunkeu in un laboratorio Du Pont.
St1·uttura e proprietà Il PTFE è un polimero cristaHino con un punto di

fusìo-ne della fase cristallina di 327°C. Le piccole dimensioni degli atomi di
fluoro e la regolarità della catena polimerica di atomi di carbonio fluorurati dà
come risultato un materiale polimerico cristallino ad alta densità. La densità del
PTFE è alta per una materia plastica, e va da 2,13 a 2,19 g/cm 3 •
II PTFE è eccezionalmente resistente agli agenti chimici ·ed è insolubik rn
tutti i solventi organici ad eccezione di -pochi solventi fluorurati. Il PTFE
possiede anche utili proprietà meccaniche da.temperature criogeniche (-200°C)
fino a 260°C. La sua resistenza agli urti è alta, ma la sua resistenza a trazione,
usura e creep è bassa in confronto ad altri tecnopolimeri. Si possono utilizzare
riempitivi come fibre di vetro per aumentare la resistenza meccanica. TIPTFE al
tatto è scivoloso e ceroso ed ha un basso coefficiente di attrito.
Lavorazione Dato che il PTFE dopo fusione ha elevata viscosità, i processi

convenzionali di estrusione e di stampaggio. per iniezione non possono essere

usati. I pezzi vengono stampati comprimendo i granuli a temperatura ambiente
con pressioni che vanno da 15 a 70 MPa. Dopo la compressione, i materiali
preformati sono sinterizzati ad una temperatura che va da 360 a 380°C.
Applic.azioni Il PTFE è usato per tubazioni e componenti di pompe

chimicamente resistenti, isolamento di cavi per alte temperature, componenti
elettrici stampati, nastri e rivestimenti antiaderenti. I compositi del PTFE con
riempitivi sono usati per produrre fodere isolanti, guarnizioni, guarnizioni
sigillanti, O ring e cuscinetti.
Policlordtrifluoroetilene
(PCTFE)
Unità strutturale ripetitil 1a
1 F
I Fl
e-e
I
.~Ln
p.f.:218°C
(PCTFE)
Policforotrifluoroetilene
Struttu1·ae p1·op1·ieta La sostituzione di un atomo di doro ogni quattro atomi

di fluoro origina una certa irregolarità nelle catene polimeriche, dando luogo ad
un materiale meno cristallino ma più facilmente stampabile. Quindi il PCTFE ha
un punto di fusione più basso (2 l 8°C) del PTFE e può essere estruso e s!,ampato
mediante i processi convenzionali.
TABELLA 9.6 Volumi di vendita USA {1988,.)e listino dei prezzi all'ingrosso
(gennaio 1990t) per alcuni importanti tecnopolimeri
% in peso
Vendite delle vendite Prezzi
negli USA totali negli USA di all'ingrosso
Materiale in 1000 t materie plastiche $/kg Tipo di materiale
Poliammide(Nylon) 558 0.98 3.9-4.1 Nylon 6,6
Poliacetale 128 0.2 3.0-3.2 Omopolimero
Policarbonato 430 0.75 3.9-4.2 Per iniezione
Poliestere,termoplastico 2007 3.5 3.1 -3.3 PBT, per iniezione
Poltfenelìnossidomodificato 180 0.3 3.0-3.6 Per iniezione
Poiisolfone 8.5 35% vetro • 35%
Polifenilsolfuro 3.7 Riempitivo
* Da Modem Plastics,January 1989, p. 109.

t Da Plastics Technology.I prezzi varianocol tempo e sono soggetti a cambiamenti.
+Le vendite totali in USA nel 1989 erano pari a 56.908 migliaiadì tonnellate.
406 Capitolo 9
Applicazioni I prodotti estrusi, stampati e lavorati con mezzì meccanici del

PCTFE sono usati per attrezzature per lavorazionichimifhe e per applicazionì
elettriche. Altre appHcazioni comprendono guarnizioni, 1 O-ring, guarnizioni
sigillanti, e componenti elettrici.
9.7 TECNOPOUMERI
La definizione di tecnopolimero 1 è arbitraria, dato che virtualmente ogni

materia plastica può essere considerata in certa fonna un tecnopolimero. In
questo libro un tennoplastico viene consìderato un tecnopolimero se possiede il
giusto equilibrio di proprietà che lo rendono p~rticolam1ente adatto per
applicazioni ingegneristiche. In questa trattazione sono state scelte come
tecnopolimeri le seguenti famiglie di materiali termoplastici: poliammidi
(nylon) 1 policarbonati, resine a base di fenilenossido, resine acetaliche.
poliesteri termoplastici, polisolfoni, polifènilesolfuro e polietereimmidi.
Consideriamo ora i volumi di vendita e i prezzi all'ingrosso di questi
tecnopolimeri e poi alcune delle loro proprietà importanti come categoria.
Volumi di venditae listino dei prezzi all'ingrossoper alcuni tecnopolimeri La

Tabella 9.6 elenca i volumi di vendita del 1988 negli Stati Uniti per alcuni
tecnopolimeri, insieme aì loro prezzi all'ingrosso nel 1989. I materiali elencati in
questa tabella hanno volumi di vendita pari od inferìori al solo 2 per cento delle
materie plastiche per uso generale, ed hanno prezzi più alti.
Alcune proprietà fondamentali dej tecnopolimeriprescelti La Tabella 9.7

elenca la densità, la resistenza a trazione, la resistenza agli urti, la rigidità
dielettrica e la 1~assima temperatura di utilizzo di alcuni tecnopolimeri. Le
densità dei tecnopolimerì elencati in Tabella 9.7 sono relativa.mente basse e
variano da 1.06 a 1,42 g/cm 3 . La bassa densità di questi materiali è un grande
vantaggio per molte realizzazioni tecnologiche di progetto. Cpme per la maggior
parte delle materie plastìche, la loro resistenza a trazione è relativamente bassa: i
valori mostrati in Tabellar9.7 variano da 55 a 83 MPa. Questi valori bassi di
resistenza costituisconò generalmente uno svantaggio per la progettazione. Per
quanto riguarda la resistenza agli urti dei tecnopolimeri, il policarbonato ha
un'eccezionale resistenza, con valori compresi tra 640 e 850 J/m ..I valori modesti
di 75 e 107 Jim per il poliacetato e il nylon 6,6 sono ingannevoli, dato che queste
sono materie plastiche ''tenaci" ma sensibili all'intaglio, come indica appunto la
prova lzod di resistenza. all'urto con intaglio.
1 I tecnopolimeri sono detti in ìnglese Engineering thermoplastics.

Materiaffpolimerici 407
TABELLA9.7 Alcune proprietà dèi tecnopolimeri
Resistenza Resistenza Rigidità

Densità, a trazione, all'impatto dielettrica, Massima temperatura
Materiale g/cm 3 MPa lzod, J/m V/m d'uso (senza carico)
Nylon 6,6 1.13-1.15 62-83 220 i5200 82- i50

Poliacetale,omopolimero 1.42 69 75 12600 90
Policarbonato i.2 62 640-840 15000 120
Poliestere:
PET i.37 72 43 80
PBT 1.31 55-57 64 70 23200 - 27600 80
Polifenilenossido 1.06-1.10 54-66 270 15800 - 19700 80 1.05
Polisolfone 1.24 70 64 16700 150
Poftfenilensolfuro 1.34 69 16 23400 260
La capacità dì isolamento elettrico dei tecnopolimeri elencati in Tabella 9.7

è alta come per la maggior parte del1e materie plastiche e varia da 12,6 a 27,7 V/
m. Le massime temperature d'uso per ì tecnopolimeri elencati in Tabella 9.7
variano da 82 a 260°C. Dei tecnopolimeri elencati in Tabella 9. 7 il
polifenilensolfuro ha la temperatura d'uso più elevata: pari a 270°C.
Ci sono molte altre importanti proprietà dei tecnopolimeri che rendono
industrialmente importanti questi materiali~ I tecnopolimeri sono relativamente
facili da trasformare in prodotti semifinìti o finiti, e la loro lavorazione nella
maggioranza dei casi può essere automatizzata. I tecnopolimeri hanno una
buona resistenza alla corrosione in molti ambienti.. In alcuni casi i tecnopolimeri
hanno una eccellenteresistenza agli agenti chimici aggressivi. Per esempio, non
sono noti solventi per ìl polifenilensolfuro al di sotto dei 200°C.
Poliammidi (Nylon) Le poliammidi o nylon sono termopla~tici lavorabili per fusione in cuì la
struttura della catena principale contiene un gruppo ammidico ripetitivo. 1
nylon sono membri della famiglia dei tecnopolimeri e mostrano eccezionali
capacità di sopportare carichi ad elevate temperature, buona tenacità, proprietà
antifrizione e buona resistenza chimica.
Legame chimico ripetitivo Ci sono molti tipi dì nylon, e l'unità ripetitiva è

diversa per ognuno di essi. Tutti quanti, tuttavia, hanno il legame ammidico in
comune:
O H
li I Legameammidico
-C-N-
408 Capitolo 9
Lavorazione chimicae reazioni di.polimerizzazione Alcuni tipi di nylon sono

prodotti per polimerizzazione a stadi di un acido org~co dibasico con una
diammina. Il nylon 6,6 1, che il più importante della faµniglia dei nylon. è
prodotto attraverso una reazione di polimerizzazione tra esametilendiammina e
acido adipico per produrre una poliesametilenediammide (Figura 9.10). L'unità
strutturale elementare per ìl nylon 6,6 è
1 H
I O
Il
N-(CH,).-i-C-(CH,),~C
Or
Il
•n
Nylon6,6
p.f: 250-266"C
Altri importanti nylon commerciali ottenuti mediante lo stesso tipo dì

reazione sono il nylon 6,9, 6,10 e 6,12, i quali sono ottenuti
esametilenediammìna e dagli acidi azelaico (9 atomi di carbonio), sebacico (10
atomi di carbonio) e dodecandioico (12 atomi di carbonio), rispettivamente.
I nylon possono anche essere prqdotti attraverso la polìmerìzzazione a
catena di composti ciclici che contengono entrambi i gruppi acido organico e
amminico. Per esempio, il nylon 6 può essere polimerizzato dal e:-caprolattame
(6 atomi di carbonio) come è mostrato di seguito:
i-Caprolattame Nylon6
p.f.:216-225"C
Struttura e p1·oprietà I nylon sono materiali polimerici altamente cristaihni a

causa della struttura simmetrica regolare della loro catena polimerica principale.
L'elevata capacità di cristallizzare del nylo:p emerge dal fatto che sotto condizioni
di solidificazione controllate possono essere· prodotti sferuliti. La Figura 9.34
mostra un esempio evidente della formazione di una complessa struttura
sferulitica nel nylon 9,6, formatasi a 210°C.
1 La designazione 6,6 del nylon 6,6 si riferisce al fatto che ci sono 6 atomi di carbon\0
nella diammina di partenza (esametilenediammina), e ancora 6 atomi di carbonio
nell'acido organico di partenza (acido adipico).
L'elevata resistenza meccanica dei nylon è dovuta in parte al legame

idrogeno tra le catene molecolari (Figura 9.35). Il legame ammidico rende
possibile un tipo di legame idrogeno ~NHO tra le catene. Come risultato le
poliammidi hanno una elevata resistenza meccanica, una elevata resistenza alla
dìstorsione termica e una buona resistenza chimica. La flessibilità delle catene
principali di carbonio comporta flessibilità molecolare, che abbassa la viscosità
del fuso e facilita la lavorazione. La flessibilità delle catene di carbonio
contribuisce alle elevate proprietà lubrificanti, al basso attrito superficiale e alla
buona resistenza all'usura. Tuttavia, la polarità e il legame idrogeno dei gruppi
ammidici causano un alto assorbimento d'acqua che si manifesta con
cambiamenti dimensionali all'aumentare del contenuto di umidità. I nylon 11
e 12 con le loro lunghe sequenze di atomi di carbonio tra i gruppi ammidici sono
meno sensibili all'assorbimento d'acqua.
LaMrazione La maggior parte dei nylon vengono processati con i metodi

convenzionali di stampaggio a iniezione o estrusione.
Applicazioni I nylon vengono utilizzati per quasi tutti i tipi di applicazioni

industriali. Tipici utilizzi riguardano ingranaggì non lubrificati, cuscinetti e
componenti antifrizione, componenti meccanici che devono funzionare ad alta
temperatura e resistere agli idrocarburi e ai solventi, parti elettriche soggette ad
alte temperature e parti resistenti agli urti che richiedano resiste11zameccanica e
rigidità. Le applicazioni nel campo automobilistico riguardano meccanismi per
tachimetri e tergicristalli, rivestimenti di morsetti. Il nylon rinforzato con fibre
dì vetro è usato per pale di ventole per motori, serbatoi dei fluidi per freni e
servosterzo, coperchi di valvole, e alloggiamenti della colonna dello sterzo. Le
appìicazioni elettriche e/o elettroniche includono connettori, spine, isolamenti-
per cavi di apparecchi e circuiti, sostegni di antenne, terminali. Il nylon è altresì
usato nell'imballaggio e per molte altre applicazioni di carattere generale in vari
settori industriali.
FIGURA9.34 Complessa
struttura
sferuliticadelnylon
9,6formatasì a 210cc.Il
fattochepossono formarsi
sferuliti
in questo nylon
evidenzia la capacitàdei
nylondi cristamzzare. [Per
concessione di J. H.Magill,
Univesity of Pittsburgh].
41 O Capitolo 9
FIGURA9.35 Rappresentazione
schematica
deilegarne traduecatene
idrogeno molecolari.
[DaM. I. Kohan
(ed.},"Nylon
Plastics';
Wiley.
1973,
p.274J.
Il nylon 6~6e il nylon 6 costituiscono la maggior parte del volume di vendita

di nylon degli Stati Uniti perché offrono la migliore combinazione tra
proprietà e lavorabilità. Tuttavia per detem1inate applicazioni vengono pn)1.hitu
e venduti con un sovrapprezzo, quando sono richieste le loro speciali proprìetù. i
nylon 6,10 e 6.12 e i nylon 11 e 12.
Policarbonato I policarbonati costituiscono un'altra classe di tecnopolimeri dato che alcune

loro proprietà molto particolari quali una elevata resistenza meccanica, duttilità
e stabilità dimensionale vengono richieste per determinate applicazioni
costruttive. I policarbonati sono fabbricati negli Stati Uniti dalla Genera)
Electric con il nome Lexan e dalla Mobay con il nome Merlon.
--, ;.ot.
Unità strutturale ripetitiva di base
fr-~/
/ O , ·CHs
1 Policarbimato
o-e-o
lltO-\1/·· '\ eI . 1/. '\ .• p.t::270"O
\ I - I -
FIGURA 9.36 Struttura CH, •
delpolicarbonato
termoplastico. Legamecarbonato
Struttura e proprietà I due gruppi fenilici e i due gruppi metilici attaccati allo
stesso atomo di carbonio nella unità strutturale ripetitiva (Figura 9.36) causano
un elevato impedimento sterico e rendono la struttura molecolare molto rigida.
Tuttavia, i singoli legami carbonio-ossigeno nel legame carbonato forniscono una
certa flessibilità alla molecola lungo l'intera struttura, cosa che conferisce una
elevata resistenza agli urti. La resistenza a trazione dei policarbonati a
temperatura ambiente è relativamente elevata, attorno ai 62 MPa, e la resistenza
all'urto è molto alta e compresa tra 640 e 854 J/m, come rilevato dalla prova Izod.
Altre importanti proprietà dei policarbonati per applicazioni tecnologiche sono la
loro elevata resistenza al distorsione termica, le buone proprietà di isolame11to
elettrico e la trasparenza. Anche la resistenza al creep di questi materiali è buona.
I policarbonati sono re~istenti a numerosi agenti chimici, ma vengono attaccati
dai solventi. La loro elevata stabilità dimensionale li abilita ad essere usati per
parti strutturali di precisione dove sono richieste tolleranze strette.
Applicazioni Applicazioni tipiche per i policarbonati includono schermi di

protezione, camme e ingranaggi, elmetti, coperture per relè elettrici, componenti
per aerei, eliche per imbarcazioni, alloggiamenti e lenti per semafori, vetrature
per finestre e collettori solari, a1loggiamenti di apparecchi elettrici portatili,
piccoli accessori, tem1inali di computer; (Figura 9.la).
Resine a base di Le resine a base di f enilenossido formano una classe di tecnopoHmed.

fenilenossido
Unità strutturale l'Ìpetiti.va di base
Ottenimento chimico
Rt. o
.n
Polifenilenossido
Per prod une le resine a base di fenilenossido sotto il

nome commerciale di Noryl (Generai Electric), viene utilizzato un processo
brevettato che permette l'accoppiamento ossidativo di monomero fenilici.
Struttura e propl'Ìetà La sequenza ripetitiva del?;,li anelli fenilici I crea
1
L ·anello fenilico è un anello benzenico legato chimicamente ad altri atomi come:
-o-
Legami eon altri atomi
412 Capitolo 9
impedimento sterico che si oppone alla rotazione della molecola del polimero e
attrazioni elettroniche, dovute agli elettroni che vanno inp:-isonanza negli anelli
benzenici delle molecole adiacenti. Questi fattori portano ,ad un materiale con
alte caratteristiche di: rigidità, resistenza meccanica, resistenza chimica a molti
agenti ambientali, stabilità dimensionale e resisten~ alla distorsione termica.
Per soddisfare i requisiti di una vasta gamma di applicazioni tecnologiche
questi materiali vengono prodotti con gradi tecnici ampiamente differenti. Tra i
principali vantaggi applicativi delle resine a base di polifenilenossido vi sono le
eccellenti proprietà meccaniche nell'intervallo di temperature tra -40 e 150°C,
l'eccellente stabilità dimensionale con basso creep, modulo elevato, basso
assorbimento d'acqua, buone proprietà dielettriche, eccellenti proprietà antiurto
e eccellente resistenza agli ambienti acquosi.
I
Applicazioni Le tipiche applicazioni per le resine a base di fenilenossido sono
connettori elettrici, sintonizzatori televisivi e bobine di deflessione magnetica.
piccoli componenti e alloggiamenti di macchine contabili, cruscotti di
autoveicoli, griglie e parti esterne.
Acetali Gli acetali rappresentano una fra le classi di termoplastici con migliore
resistenza meccanica (la resistenza a trazione è di circa 70 MPa) e rigidità (il
modulo in flessione è di circa 3 GPa)~ hanno inoltre ottima resistenza a fatica e
stabilità dimensionale. Altre importanti caratteristiche includono bassi coef.
fidenti di attrito, buona lavorabilità, buona resistenza ai solventi ed un'alta
resistenza al calore fino a 90°C in assenza di carico.
Poliossimetilene
p.t: 115Qc
,.
Tipi di acetali A tutt'oggi esistono due p_rincìpalitipi base di acetali: un om 1)·

polimero (il Delrin della Du Pont)- e un copolimero (il Celcon della Cela·
nese).
St,•uttura e propl'ietà La regolarità, simmetria e flessibilità delle molecole

polimeriche degli acetali danno origine ad un materiale polimerico con
un'elevata ree:olarità elevata resistenza meccanica e alla distorsione termica.
Gli acetali ha;no ecc~llenti proprietà di resistenza a carichi continui nel tempo e
di stabilità dimensionale e quindi possono essere utilizz.ati per parti dì precisione
Materìalfpolimeriéi 413
come ingranaggi, cuscinetti e camme. L'oinopolimero è più duro, è più rigido e

ha resistenza a trazione e a flessione più elevate del copolimero. Il copolimero è
più stabile per applicazioni ad alta temperatura e prolungate nel tempo, e ha
maggiori capacità di allungamento.
Il basso assorbimento di umidità dell'omopolimero acetalico non
modificato consente una buona stabilità dimensionale. Altresì. le caratteristiche
di basso attrito e di bassa usura lo rendono indicato per parti in movimento. Per
tutte le parti in movimento, l'ottima resistenza a fatica deile resine acetaliche è
una proprietà importante. Tuttavia gli acetali sono infiammabili, e quindi il loro
utilizzo per applicazioni elettriche e/o elettroniche è limitato.
Applicazioni Gli acetali hanno sostituito molti metalli in getto quali lo zinco,
l'ottone, l'alluminio e gJi acciai per stampaggio grazie al loro basso costo. Dove
non è richiesta l'elevata resistenza propria dei metalli, i costi per le operazioni di
finitura e assemblaggio per molte applicazioni possono essere ridotti o eliminati
usando gli acetali.
Nel settore automobilistico, gli acetaìi sono usati per la realizzazione di
componenti del sistema di alimentazione del combustibile, per cinture di
sicurezza e per maniglie dei finestrini. Le applicazioni per macchinari degli
acetali comprendono accoppiamenti meccanici, giranti di pompe, ingranaggi,
camme e a1loggiamenti. Gli acetali sono anche usati in un largo campo di
prodotti di consumo quali le chiusure-lampo, i rocchetti per i mulinelli da pesca
e le penne per scrittura.
Poliesteri Due importanti tecnopolimeri poliestere sono il polibutiltereft.ala.to (PBT), e il

termoplastici polietilentereftalato (PET). Il PET è largamente utilizzato per pellicole per
l'imballaggio degli alimenti e come fibra per abiti, tappeti, e tortiglie di
pneumatici. Dal 1977 il PET è stato usato come resina per recipienti. U PBT, che
ha una unità strutturale ripetitiva lungo la catena polimerica di più alto peso
molecolare, è stato introdotto nel 1969 come materiale di sostituzione per alcune
applicazioni per le quali venivano utilizzate le resine termoindurenti e i metalli.
L'utilizzo del PBT è in continua espansione grazie alle sue proprjetà e al suo
costo relativamente basso.
U11itàstrutturali'l'ipetitive
~ r. /,..-~o-')
r ~ ?it
t 0-C-C-4-0-C
I I e_'"·_.,...,/' -
H H
Legameest.ere
Polietilenet.ereftalato(PET)
C
n t JJJ4T1nJf
o-:. 1
I I I IL"--,T\J·
H H H H
Legameestere
Polibutilenetereftalato (PBT)
n
414 Capitolo 9
Struttura e proprietà J gruppi fenilici, che sono presenti insieme ai gruppi

carbonilici (-C-O-) nelle cate11epolimeriche del PBT, formino unità voluminose
di tipo planare. Questa struttura regolare è in grado di determinare una alta
percentuale di cristallizzazione, nonostante il suo rilevante ingombro. La
struttura deg1ianelli fenilici conferisce elevata rigidità al materiale, mentre le
unità butilenicbe permettono in qualche misura la mobilità molecolare utile per
determinare caratteristiche di lavorabilità al polimero fuso. Il PBT è
caratterizzato da una ottima ·resistenza meccanica (con resistenza a trazione
pari a 52 MPa per il tipo non rinforzato, e a 130MPa per il tipo rinforzato con il
40% di fibre di vetro). Le resine poliestere termoplastiche hanno anche
caratteristiche di basso assorbimento di umidità. La struttura cristallina del PBT
rende questo materiale resistente alla màggior parte delle sostanze chimiche: la.
maggior parte dei composti organici ha infatti scarso effetto sul PBT, per lo
meno a temperature relativamente elevate. Il PBT ha anche buone proprietà di
isolamento elettrico, quasi indipendenti dalJa temperatura e dall'umidità.
Applicazioni Le principali applicazioni elettriche ed elettroniche del PBT

includono. connettori, interruttori, relè, componenti per sintonizzatori televisivi.
componenti per l'alta tensione, morsettiere, schede per circuiti integrati.
portaspazzole per motori, suonerie e custodie (Figura 9.1b). L'utilizzo
industriale del PBT include giranti per pompe, custodie e me.nsole di
supporto, valvole e corpi per l'irrigazione, camere per contatori dell'acqua e
componentistica. Il PBT viene anche utilizzato per la realizzazione di
alloggiamenti e maniglie. Le applicazioni automobilistiche includono g:-r,-~ì
componenti del corpo esterno, cappucci e rotori per l'accensione ad alta energi,!,
cappucci per bobine di accensione, bobine, comandi di iniezione. alloggiamenti
e meccanismi per tachimetri.
Polisolfoni I polisolfoni sono dei tecnopolimeri dotati di alte prestazioni, caratterizzati da

proprietà di trasparenza e tenacità, con alta resistenza meccanica, e sono inoltre
dotati di buona resistenza ad alta temperatura. ,,.
Unità strutturale ripetitb•a
I~ ~ o~fhot
fo- t.r\_
CH3
1
~11:'J
Polisol!one
p.f.:3l5°C
__
_
\O/\_
'~"' \_
n
Grupposolfonico
Struttura e proprietà Gli anelli fenilici .delle unità strutturali ripetitive del
polisolfone limitano la rotazione delle catene polimeriche e originano forti
attrazioni intermolecolari che forniscono al materiale resistenza meccanica e
rigidità elevate'. Gli atomi di ossigeno in posìzione para I rispetto al gruppo
solfonico dell'anello fenilico forniscono l'elevata stabilità all'ossidazione dei
polimeri solfonici. Gli atomi di ossigeno tra gli anelli fenilici (ponti etere)
determinano la flessibilità e la resistenza agli urti della catena.
Le proprietà del polisolfone di particolare interesse ingegneristico sono
l'elevata temperatura di distorsione al calore~ fino a 174"C a 1,68 MPa, e la
possibilità di un utilizzo per tempi prolungati nell'intervallo di temperature tra
150 e 174°C. ·I polisolfoni hanno un'elevata resistenza a trazione (per i
termoplastici), pari a _70 MPa, e una relativamente bassa predisposizione aJ
creep. I polisolfoni résistono alridrolisi in ambienti acquosi acidi o alcalini
grazie al ponte ossigeno tra gli anelli fenilici, idroliticamente stabile.
Applicazioni Le app]icazìoni elettriche ed elettroniche comprendono connet-

tori, supporti e anime per bobine, compo11entiper televisioni. rivestimenti di
condensatori, piastre strutturali di circuiti. La resistenza dei poliso.Ifone alla
sterilizzazione in autoclave lo rende largamente usato per strumenti medici e ba.,.
cinelle. Nelle lavorazioni chimiche e nelle apparecchiature per il controllo
deH'inquinamento, il polisolfone è utilizzato per tubature resistenti alla corro-
sione~ pompe, torri a riempimento, moduli di filtraggio e piastre di supporto.
Polifenilensolfuro Il pohfenilensolfuro (PPS) è una tecnopolimero caratterizzato da una

eccezionale resistenza chimica unita a buone. proprietà meccaniche e rigidità
alle alte temperature. Il PPS fu prodotto per la prima volta nel 19.73 dalla
Phillips Chemica1 Co. con il nome commerciale di Ryton.
U11itàstrutturale ripetitiva Il polifenilensolfuro ha una unità ripetitiva lungo

la catena principale formata da anelli benzenici para-sostituiti e da atomi di
zolfo bivalenti:
Polifenilensolfuro
p.f.:288°0
1
Le posizionj para sono ai capi opposti dell'anello benzenico.
-o
Posizionipara
41·5 Capitolo 9
Struttura e propl'ietà La struttura simmetrica e compatta degii anelli fenilici

separati dagli atomi dì zolfo dà origine_ ad un ,materiai, polimerico rigido e
meccanicamente resistente. La struttura molecolare compatta origina anche
un alto grado di crìstallinità. Grazie alla presenza degli atomi di zolfo. il PPS è
molto resistente agli attacchi degli agenti chimici. Infatti, non sono state tro.
vate sostanze chimiche capaci di solubilizzare facilmente il PPS al di sotto dei
200°C. Anche ad alte temperature pochi materiali reagiscono chimicamente con
il PPS.
Il PPS non caricato ha una resistenza meccanica di 65 MPa a temperatura
ambiente, mentre quando viene caricato con il 40% dì fibre di vetro la sua
resistenza raggiunge i 120 MPa. Grazie alla sua struttura cristallina, la perdita di
resistenza con l'aumento della temperatura è graduale, e anche a 200cc
maiitiene una considerevole resistenza.
Applicazioni Le applicazioni nel campo dell'industria meccanica includono

strumentazione per processi chimici, c9me ad esempio attrezzature per
immersione, componenti di centrifughe, palette, meccanismi per pompe. I
composti in miscela con PPS sono specifici per molte applicazioni sonocofano
delle automobili, come ad esempio i sistemi di controllo delle emissioni grazie
alla loro inaccessibilità agli effetti corrosivi dei gas di scarico del motore. al
carburante e ad altri fluidi per autoveicoli. Le applicazioni elettriche ed
elettroniche includono componenti di computer come connettori, rocchetti.
bobine. La Figura 9.37 mostra alcuni termostati fissati internamente che
utilizzano la resistenza al calore e le proprietà ìsolanti del PPS. Rivestimenti i:1
PPS resistenti alla corrosione e termicamente stabili vengono usati per tubazion:
petrolifere, valvole, raccordi, giunti e altre attrezzature dell'industrià petrolifera
e chimica.
Polietereimmide La polietereimmide è uno dei prn nuovi tecnopolimeri amorfi ad alte

pres~.azioni, introdotto nel 1982 e disponibile commercialmente presso la
FIGURA 9.37 Termostati

internifissirealizzati
in polifenilensolturo
neraòelpezzo).
garantisce buona
caloree basso
in parte
(parte
Il PPS
resistenza
altaresistenza
elettrica, al
ritirodurante
,_
\'
•
.
•, • ... ,,.
.
lo stampaggio. [Per
concessione dellaTexas
lnstruments].
Materiati'polimerici 417
Genera! Electric Co. sotto il .nome commerciale di Ultem. La polietereìmmide

ha la seguente struttura chimica:
~OD+OO~
N~ CH
CHs
~N
n
Polieterei.mmide Legameimmide
La stabilità dei legami immidici impartisce a questo materiale ek~\·ata

resistenza al calore, resistenza a] creep. ed elevata rigidità. II legame etere tra gli
aneHì fenilici fornisce il necessario grado di flessibilità di catena, come richiesto
per una buona processabilità del fuso e dai requisiti reologici. Questo materiale
ha buone proprietà di isolamento elettrico, stabili in un vasto interval1o di
temperature e frequenze. Le applicazioni della polietereimmide includono
applicazioni elettriche ed elettroniche, automobilistiche, aerospaziali. e
specialistiche. Le applicazioni elettriche ed elettroniche riguardano alloggia-
menti per interruttori dì circuiti ad alto voltaggio, connettori di spine, bobine e
rocchetti per alte temperature, scatole porta fusibili. Pannelli stampati di
controllo per impianti elettrici fabbricati con polietereimmide rinforzata offrono
stabilità dimensionale in condizioni di saldatura in fase vapore.
Leghe polimeriche Le leghe polimeriche consistono di miscele di diversi omopolimeri o copolimeri

strutturalmente differenti. NeIJe leghe polimeriche termoplastiche diversi tipi di
catene molecolari polimeriche vengono collegate da forze di legame inten110·
lecolari secondarie di tipo dipolo. Per contro, in un copolimero due monomeri
strutturalmente differenti vengono legati insieme nella catena molecolare
attraverso forti legami covalenti. I componenti di una lega polimerica devono
possedere un qualche grado di compatibiìità o adesione per prevenire separazioni
di fase durante la lavorazione. Attualmente le leghe polimeriche stanno
acquistando importanza grazie al fatto che si possono ottenere materiali con
specifiche proprietà e che sia i costi che le prestazioni possono essere ottimizzate.
Alcune delle prime leghe polimeriche venivano preparate aggiungendo
polimeri gommosi come PABS a polimeri rigidi .come il polivinilcioruro. Il
materiale gommoso aumenta la tenacità del materiale rigido. Oggi anche i più
recenti termoplastici vengono legati insieme. Per esempio, il PBT (polibutilene
tereftalato) viene legato con una certa quantità di PET (polietilene tereftalato)
per aumentare la brillantezza superficiale e per ridurre i costi. La Tabella 9.8
elenca alcune leghe polimeriche commerciali.
418 Capitolo 9
TABELLA9.8 Alcune leghe polimerichecommerciali
Legapolimerica Nome commerciale Fornitore

ì'
ABS/policarbonato Bayblend MC2500 Mobay

ABS/polivinilclOruro Cycovin K-29 Borg-Warner Chemicals
Acetale/elastomero Celcon 0-400 Celanese
Policarbonato/polietilene Lexan EM GeneraiElectric
Policarbonato/PST /elastomero Xenoy 1000 GeneraiElectric
PBT/PET Valox 815 GeneraiE.lectric
9.8 MATERIALI POLIMERICI TERMOINDURENTI
I materiali polimerici termoindurenti o resine termoindurenti hanno una

struttura molecolare reticolata formata da legami covalenti primari. Alcune
resine termoindurenti sono reticolate per mezzo del calore o attraverso calore e
pressione combinati. Altre possono venire reticolate attraverso una reazione
chimica che avviene a temperatura ambiente (termoindurenti a freddo). Benché i
manufatti in resina termoindurente possano ammorbidirsi per effetto del calore.
i legami covalenti del reticolo impediscono loro di ritornare allo stato fluido che
esisteva prima della reticolazione. I materiali termoindurenti, perciò, non
possono venire nuovamente riscaldati e quindi fusi come succede con
termoplastici. Questo per i termoindurenti è uno svantaggio, perché gli scani
prodotti durante la lavorazione non possono essere riciclati e riutilizzati.
In generale, i vantaggi delle materie plastiche termoindurenti per
applicazioni di progetto tecnologico sono uno o più fra i seguenti:
1. Elevata stabilità termica

2. Elevata rigidità
3. Elevata stabilità dimensionale
4. Resistenza al creep e alla deformazione sotto carico
5. Basso peso
6. Elevate proprietà di isolamento elettrico e termico
Le resine termoindurenti vengono trasformate usualmente tramite

stampaggio a compressione o per tra;ferimento. Tuttavia, in alcuni casi, sono
state sviluppate tecniche di stampaggio per iniezione in modo da abbassare i
costi.
Molte termoindurenti vengono usate sotto forma di miscele da stampaggio
consistenti di due ingredienti principali: (l) una resina contenente agenti di
reticolazione, indurenti e plastificanti e (2) riempitivi e/o materiali di rinforzo
TABELLA9.9 Volumi di vendita USA (1988*) e lìstinò"dei prezzi (gennaio 1989} per alcune
importanti materie plastiche termoìndurenti
o/oin peso
Vendita delle vendite Prezzi
negli USA totali negli USA di all'ingrosso
Materiale in 1000 t materie plastiche t $/kg Tipo di plastica
Resine fenoliche 3032 5.3 0.9-1.2 Miscele

per stampaggio
Resine poliesteri insature 1373 2.4 i.3-1.6 Per uso generale
Melamminichee ureiche 1515 2.6 1.6-1.7 Miscele
melamminicheper
stampaggio
Alchi.diche 320 0.6 1.4-1.7
Resine per uso
Epossidiche 470 0.8 2.6 2.7 generale
* Da Modem Plastics,gennaio 1989, p. 109.

t Da P/astic Technology.I prezzi varian.ocol tempo e sono soggetti a cambiamenti.
t Le vendite totali in USA nel 1980 erano pari a 56.908.
che possono essere sostanze organiche o inorganiche: farina di legno, mica.

vetro, e cellulosa sono i riempitivi più comunemente utilizzati.
Consideriamo in primo luogo i volumi di vendita e i prezzi alringrosso negli
Stati Uniti e alcune delle proprietà importanti di materiali t.ermoindurentì
selezionati nell'ambito della categoria a scopo comparativo.
Volumi di vendita e prezzi all'ingrosso di alcune materie plastiche term·oinduren-

ti I prezzi all'ingrosso elencati in Tabella 9.9 cadono nei valori medio-bassi
delle materie plastiche, e variano da 1$ a 2.7 $/kg (prezzi del 1989). Fra. tutte le
termoindurenti elencate, Je fenoliche hanno i costi più bassi e i maggiori volumi
di vendita. Anche le poliestere insature hanno bassi costi e volumi di vendita
relativamente elevati. Le resine epossidiche, che presentano proprietà speciali
per molte applicazioni industriali, presentano il prezzo più elevato.
Alcune proprietàdi base di termoindurentiselezionate La Tabella 9.10 elenca

densità resistenza a trazione, resistenza all'urto, rigidità dielettrica e massime
temperature d'uso di alcuni materiali termoindurentf: Le densità delle resine
termoindurenti tendono ad essere leggermente più elevate di quelle della
maggior parte delle materie plastiche: quelle di Tabella 9 .1O variano da 1,34 a
2,3 g/cm 3 • La resistenza a trazione della maggior parte delle termoindurenti è
relativamente bassa, per la maggior parte compresa tra 30 e l 00 MPa. Tuttavia,
con una elevata percentuale di riempitivo in vetro la resistenza a trazione di
alcune termoindurenti può aumentare fino a 200 MPa. Le resine termoindurenti
caricate con vetro hanno anche resistenza all'urto molto più elevata, come
420 Capitolo 9
TABELLA9.1o Alcune proprietà di resine termoindurenti selezionate
Resistenza Rigidità r Massima

Densità Resistenza a all'impatto, dielettrioa, temperatura d'uso
Materiale g/cm 3 trazione, MPa lzod, J/m V/mm (senza carico), cc
Fenoliche:
caricata con farina di legno 1.34 - 1.45 34-62 11 -32 10250 - 15750 150-177
caricata con mica 1.65- 1.92 38 48 16-21 13800 -15750 120-150
caricata con vetro 1.69- 1.95 34 -124 16-960 5500- 15750 177 -288
Poliestere:
SMC caricato con vetro 1.7 - 2.1 55 138 427-1175 12600- 15750 150-177
BMC caricato con vetro 1.7-2.3 28-69 800-855 11800- 16550 150- i77
Melamminìca:
caricata con cellulosa 1.45-1.52 34-62 11 ·21 13800 -15750 120
caricata con fiocco 1.50-1.55 48 62 21 -27 11800 - 13000 120
caricata con vetrò i.8-2.0 34-69 32-960 6700 L 11800 150- 200
Ureica, caricata con cellulosa 1.47 1.52 38-90 11 - 21 11800-15750 77
Alchidica:
caricata con vetro 2.12-21.15 28-66 32- 534 13800 ....17750 230
caricata con cariche minerali 1.60- 2.30 21 -62 16-27 13800- 17750 150 230
Epossidica
non caricata 1.06- 1.40 28-90 11 - 534 15750 - 25600 120 260
caricata con cariche minerali ì.6- 2.0 34 - ì03 16- 21 11800-15750 150 260
caricata con vetro 1.7 - 2.0 69~ 207 11.800-15750 150 260
Fonte: Mater.ialsEngìneering.May 1972.
indicato in Tabella 9.1 O. Le termoindurenti hanno anche buona ri2idi1.;

dielettrica. nelrintervallo tra 5,5 e 25,6 V /m. Come tutte le materie plas~ich~--
tuttavia, la massima temperatura d'uso è limitata e per le termoindurenti di
Tabella 9.10 varia da 77 a 288°C.
Consideriamo ora alcuni aspetti importanti dì struttura, proprietà e
applicazioni delle seguenti resine termoindurenti: fenoliche, epossidiche.
poliestere insature. amminiche.
Fenoliche Le resine termoindurenti fenoliche sono state la prima materia plastica utilizzata
industrialmente. Il brevetto originale per la reazione del fenolo con Ia
formaldeide per produrre la resina fenolica Bakelite è stato pubblicato da
L.H. Baekeland nel 1909. Le resine fenolic}1e sono ancora oggi utilizzate per il
loro basso costo e per le buone proptietà di isolamento elettrico e termico. unile
a buone proprietà meccaniche: Esse vengono stampate facilmente ma hanno
colori limitati (in genere nero o marrone). ·
Chimica Le resine fenoliche sono prodotte usualmente per reazione del fenolo
con formaldeide con una polimerizzazione per policondensazione, in cui l'acqua è
il sottoprodotto. Tuttavia in pratica si può utilizzare qualsiasi fenolo o aldeide
reattivi. Resine fenoliche per stampaggio (novolac) sono comunemente prodotte
per convenienza con un processo a due stadi. Nel primo stadio viene prodotta una
resina termoplastica fragile, che può essere fusa ma ,non reticola in una forma
solida tridimensionale. Questo materiale viene preparato facendo reagire meno di
una mole di formaldeide con una mole di feno1o in presenza di un catalizzatore
. acido. La reazione di polimerizzazione viene mostrata in Figura 9.11.
L'aggiunta di esametilene~tetra-ammina (ESA), che è un catalizzatore
basico per la resina fenolica del primo stadio, rende possibile la creazione di
legami metilenici a ponte, con la formazione di un materiale termoindurente.
Quando si applicano calore e pressione alla resina novolac contenente ESA,
l'ESA si decompone con produzione di ammoniaca, che fornisce i legami a
ponte metilenici per formare la struttura reticolata. ·
La temperatura richiesta per la reticolazione (indurimento) della resina novo-
lac varia da 120a 180°°C. Preparati per stampaggio vengono fatti combinando la
resina con vari riempitivi che talvolta raggiungono fino al 50-80% del peso totale
del preparato da stampaggio. I riempitivi riducono il ritiro durante Io stampaggio~
abbassano i costi e aumentano la resistenza meccanica. Essi possono anche essere
usati per aumentare le proprietà isolanti elettriche e termiche.
Struttura e proprietà L'elevata reticolazione della struttura aromatica

(Figura 9.38) impartisce elevata durezza, rigidità e resistenza meccanica, unite
a buone proprietà di isolamento elettrico e termico, e a resistenza chimica.
Alcuni fra i vari tipi di preparati fenolici per stampaggio sono:
l. Preparati per usi generale. Questi materiali sono usualmente caricati con
farina di legno per aumentare la resistenza all'urto e per abbassare i costi.
2. Preparati ad elevata resistenza agli urti. Questi materiali sono caricati con
cellulosa (fiocco dì cotone e tessuto spezzettato), cariche minerali e fibre di
vetro per ottenere resistenze all'urto che raggiungono i 960 J /m.
3. Preparati ad elevato potere di isolamento elettrico. Si tratta di materiali
caricati con minerali (ad esempio mica) per aumentare la loro resistenza
elettrica.
4. Preparati resistenti al calore. Si tratta di materiali caricati con minerali (ad
esempio amianto), capaci di sopportare l'esposizione prolungata a
temperature tra 150 e 180°C.
Applicazioni I preparati fenolici sono ampiamente usati per dispositivi di

impianti elettrici, interruttori elettrici, connettori, sistemi di relè telefonici. Nel
settore automobilistico i preparati fenolici per stampaggio sono utilizzati per
componenti dì assistenza al sistema frenante, e per partì della trasmissione
(Figura 9.39). Le resine fenoliche sono ampiamente utilizzate per maniglie.
pomelli, pannelli esterni di piccoii strumenti. Grazie alla loro elevata resistenza
alle alte temperature e all'umidità, le resine fenoliche sono Utilizzate· nella
laminazione di alcuni tipi di legno compensato e lastre granulate. Grandi
422 Capitolo 9
FIGURA 9.38 Modello

tridimensionale
di una
resinafenolica
polimerizzata.
!DaE.G.K.Pritchett, in
"Encyclopediaof Palymer
Science andTechnalogy';
vol.10,Wiley,1969,p.30].
quantità di resine fenoliche sono utilizzate come materiale legante per sabbia in
fonderia e per fonnatura di invo]ucri.
Resine epossidiche Le resine epossidiche rappresentano una famiglia di materialì po]imerici

termoindurenti che non danno luogo a fonnazione di prodotti di reazione
quando induriscono (reticolano) e perciò hanno un basso ritìro di reticolazione.
Essi presentano anche buona adesi.one ad altri materialì. buona resistenza
chimìca ed ambientale, buone proprietà meccaniche e buone proprietà di
isolamento elettrico.
Chimica Le resine epossidiche sono caratterizzate da una molecQ:;:

contenente due o più gruppi epossidici. La formula chimica di un gruppl1
epossidico è la seguente:
Mezzolegamecovalente
O""- . disponfbilea legarsi
c'-c-/ I
2
La maggior parte de]]e resine epossidiche commerciali hanno la formula

generale di struttura:
Materiali,polimerici 423
FIGURA 9.39 I trepezzi

mostrati sonoformatida
materiale fenolico
rinforzato
convetroe costituiscono le
partidl unreattore di
trasmissione di una
automobile del1985.Il
reattorefenolicosostituisce
il precedenteìn materiale
metallico. !Perconcessione
dellaRogers Corp.J.
dove Be = anello benzenico. Per i prodotti liquidì n nella formula è generalmente

meno di 1. Per le resine solide n è pari o maggiore a 2. Ci sono anche molti altri
tipi di resine epossidiche con strutture diverse da quella qui illustrata.
Per dare materiali solidi termoindurenti, le resine epossidiche devono
indurire con l'aiuto di agenti di reticolazione e/o catalizzatori in modo da
raggiungere le desiderate proprietà. I gruppi epossidici e idrossilici sono funzioni
reattive di reticolazione. Gli agenti di retico.Jazione includono ammine, anidridi,
e prodotti di condensazione delle aldeidi.
Ammine come la dietilene-triammina e la trietilene-tetra-ammina vengono
utilizzate come agenti di reticolazione per l'indurimento a temperatura ambiente
quando i requisiti termici per le sostanze epossidiche solide sono bassi (circa al
di sotto dei 100°C}.Alcune resine epossidiche vengono, reticolate con l'aiuto di
agenti indurenti, mentre altre possono reagire con le Iofo stesse funzioni reattive
in presenza di un appropriato catalizzatore. In una reazione epossidica, l'anello
epossidico si apre e l'atomo di ossigeno proveniente dal gruppo epossidico si
lega con un atomo di idrogeno proveniente da un donatore come, ad esempio,
una ammina o un gruppo idrossi}ico. La Figura 9.40 mostra la reazione dei
gruppi epossidici terminali di due molecole lineari con etHendiammina.
Nella reazione di Figura 9.40 gli anelli epossidici si aprono e gli atomi di
424 Capitolo 9
idrogeno provenienti dalla diammina formano gruppi -OH che sono siti di
reazione per ulteriori reticolazioni. Una caratteristica Jllportante di questa
reazione è quella che non si forma sottoprodotto. Per" reticolare ]e resine
epossidiche si possono utilizzare svariati tipi di ammine.
Strutturae proprietà Il basso peso molecolare delle resine epossidiche non

indurite e allo stato liquido dà loro una mobilità molecolare eccezionalmente
elevata durante la trasformazione. Questa proprietà permette alla resina
epossidica liquida dì bagnare le superfici velocemente e completamente. Le
proprietà di bagnabilità sono importanti quando le resine epossidiche vengono
utilìZ2B.tein materiali rinforzati e come adesivi. L'elevata reattività del gruppo
epossidico con agenti di reticolazione come le ammine fornisce un alto grado di
reticìjlazione e quindì elevata durezzar resistenza meccpnica e chimica. Dato che
non si formano sottoprodotti durante la reazione di reticolazione, ci sono bassi
ritiri durante l'indurimento.
Applicazioni Le resine epossidiche sono utilizzate per molti rivestimenti

protettivi e decorativi grazie alle buone proprietà di adesione, meccaniche e di
resistenza chimica. Usi tìpicì sono rivestimenti per fusti, verniciature di fondo per
automobili e strumentazione, rivestimenti di conduttori. Nell'industria elettrica
ed elettronica le resine epossidiche sono usate grazie alla loro rigidità dielettrica.
basso ritiro nelrindurimento, buoria adesione, e capacità di mantenere inalterate
le loro proprietà in una larga varietà di condizioni ambientali, ad esempio in
ambienti acquosi e in condizioni di elevata umidità. Applicazioni tipich.~
includono isolatori ad alto voltaggio, interruttori, e incapsulazione dì transh-tl•r
Le resine epossidiche sono anche utilizzate per la preparazione dì laminati e come
matrice nei compositi rinforzati con fibre. Queste resine sono il materiale
predominante delle matrici di molti compositi ad alte prestazioni come quelli
rinforzati con fibre ad alto modulo (ad esempio di grafite).
L'anello si apre
-CH2-CH-CH2
/o/
+
FIGURA 9.40 Reazìone -CH2-CH-CH2
deglianelliepossidici
terminali
di duemolecole
"ox
epossidichelinearicon
· etilendiamminaperformare Anelli epossidici Etilendiammina
un pontedi·reticolazione. all'estremità di 2
molecole lineari epossidiche Legame formato tra
Notarechenonsi forma due molecole lineari
sottoprodotto. epossidiche
Poliesteri insature Le poliesteri insature hanno doppi legami .covalenti carbonio-carbonio reattivi
che possono venire reticolati per dare materiali termoindurenti. Combinate con
fibre di vetro, le poliesteri insature possono essere reticolate per dare materiali
compositi rinforzati, ad alta resistenza meccanica. ·
Chimica Il legame estere si può formare per reazione di un alcol con un acido
organìco, cioè
'\.Legame estere
o lo I
Il r, ,·~ c lo e I Il I
R-C-Oi_~l..! __~'.~~~) ~ R+c-o+w + H20
Acido organico Alcool Estere Acqua
Le poliestere insature di base possono essere ottenute per reazione di un

diolo {un alcol con due gruppi -OH) con un diacido (un acido con due gruppi -
COOH) che contenga un doppio legame reattivo carbonio-carbonio. Le resine
commerciali possono contenere miscele di diversi dioli e diacidi in modo da
raggiungere proprietà speciali; per esempio, il glicol etilenico può essere fatto
reagire con acido maleico per dare una poliestere lineare:
H H O O
I I II Il
HO-C-C-OH + HO-C-C=C-COH ~
I I I I
H H H H
Etilen glicol (alcol) Acido maleico
(acido-organico)
Leg~.----Ò,, Dioppio le~rrne

reattivo
1 I I(
0-C--C-\O-C-fC-C-C
Il \ · Il
I I ,,__...,, I I
H H
+
H H
Poliestere lineare
n
H20
Le poliesteri insature lineari sono in genere reticolate con molecole di tipo

vinilico, come lo stirene, in presenza di agenti di reticolazione radicalici. Agenti
di reticolazione di tipo perossidico sono i più comunemente utilizzati, essendo il
426 Capitolo 9
metil-etil-chetone perossido (MEK) il perossido usato comunemente per la

reticol.azione a temperatura ambiente. delle poliester~ La reazione viene
generalmente attivata da una piccola quantità di cobalto I]aftenato.
i HH O Ot
ò
Hl Hl· Perossido
o-t.-t-o-~-c=c-~
I I I I
+ C=C
~
catalizzatore
~
attivatore
H H H H n
Poliesterelineare Stirene
H 1-f O H O
I I Il I I Il
-o-?-y-0-c-,~7-c
. H H H
H-y-Q- CH2
7Y i I 7~
-o-c-c-o-c-c-c-c
1 I I I
H H H
Poliestere reticolata
Struttura e proprietà Le resine poliestere insature sono materiali a bassa

viscosità in grado di venire miscelate con elevate quantità di riempitivi e agenti
di rinforzo. Per esempio, le resine poliestere insature possono contenere fino
all'80% in peso di fibre di vetro come rinforzo. Le poliestere insature rinforzate
con fibra di vetro una volta indurite presentano ecce.donale resistenza
meccanica. tra 170 e 350 MPa, e buona resistenza all'urto e chimica.
Processi di trasformazione Le resine poliestere insature possono essere

lavorate in molti modi! ma nella maggioranza dei casi vengono stampate. ì\el
caso di molti pezzi di piccolo volume si usano tecniche di laminazione o
lavorazioni a spruzzo a stampo aperto; per pezzi di grande volume come pannelli
di automobili si impiega comunemente io stampaggio per compressione.
Recentemente, per accelerare il processo di alimentazione del materiale in
presse da stampaggio fatte con stampi metallici accoppiati, si producono fogli in
composito da stampaggio (SMC, da "sheet molding compounds") formati da una
combinazione di resina, materiale di rinforzo e altri additivi.
Applicazioni Le poliesteri insature rinforzate con fibre di vetro vengono usate

per fabbricare pannelli e parti della carrozzeria delle automobili, scafi di piccole
imbarcazioni, e, nell'industria ediìe, pannelli per edifici e componenti delle stanze
da bagno. Le resine poliestere insature rinforzate vengono anche usate per
tubazionì, recipienti, e condutture dove. sia richiesta. resistenza alla corrosione.
Resine amminiche Le resine amminiche sono materiali polimerici termoindurenti ottenuti dalla
(ureiche e reazione controllata della formaldeìde con vari composti che contengono il
melamminìche)_ gruppo amminico -NH2. I due tipi più importanti di resìne amminiche sono
l'urea-formaldeide e la melammina-formaldeide.
Chimica Sia l'urea· che >la mel.ammina reagìscono con la formaldeide per
polimerizzazioné per condensazione, producendo acqua come sottoprodotto.
La reazione di condensazione dell'urea con la formaldeide è la seguente:
c- o I. - o ---, o
H, ' Il ',H ----1,----- ·--,'
/--.:.---- H{ Il '/.H catalizzatore
·;..,
calore
- H
/
N-C-N
. "-
+
H
C
H
/
+
'-,
N-C-N
H H
/ '-,H
___,.....,---+
Urea Formaldeide Urea
c-
Molecola di urea-formaldeide
I gruppi amminici terminali della molecola illustrata sopra reagiscono con più
molecole. di formaldeide per dare una struttura polimerica reticolata molto
rieida. Come nel caso delle resine fenoliche, l'urea e la formaldeide sono
d;pprima polimerizzate solo parzialmente per produrre un polimero a basso
peso molecolare che viene macinato in una polvere e miscelato con riempitivi,
pigmenti e un catalizzatore. Il composito può quindi essere stampato per
compressione nella forma fina1e, per applicazione di ,~alore [da 130 a 170°C) e
pressione [da 14 a 55 MPa],
Anche la melammina reagisce con formaldeide attraverso una reazione di
condensazione, dando luogo a molecole di melammina.formaldeide polime-
rizzate, con produzione di acqua come sottoprodotto 1:
1
Viene rimosso solo un atomo di idrogeno da ogni gruppo NH2 per formare una
molecola di H20.
L.
428 Capitolo 9
_......,..
calore
Struttura e propneta L'elevata reattività dei prepolimeri a basso peso

molecolare urea-formaldeide e melammina-formaldeide rende possibile
l'ottenimento di materiali altamente reticolati. Quando queste resine vemmno
combinate con cellulosa (farina di legno) come riempitivo. si ottengono prodotti
a basso costo con buona rigidità, resistenza meccanica e resistenza all'urto. Le
urea-fonnaldeide costano meno delle melammina-formaldeide ma non ne hanno
la stessa resistenza al calore e durezza superficiale.
Applicazioni I compositi urea-formaldeide rinforzati con cellulosa vengono

utilizzati per piastre a muro e scatole di prese elettriche, e per pomelli e maniglie.
Le applicazioni per i compositi in melammina-formaldeide rinforzata con
cellulosa includono suppellettili da tavola. bottoni e pulsanti, maniglie.
Entrambe le resine ureiche e le melamminiche solubili in acqua trovano
applicazione come adesivi e leganti per lastre in polvere-"di legno, legno
compensato. scafi di imbarcazioni, pavimentazioni, e montaggio di mobili. Le
resine amminiche vengono anche utilizzate come aggìomera1'ltì per anime in
fonderia e corpi di stampi.
9.9 ELASTOMERI
Gli elastomeri, o gomme, sono materiali polimerici le cui dimensioni possono

variare enormemente sotto sforzo, e poi ritornare ai valori originali (o quasi)
quando lo sforzo che ha provocato la deformazione viene rimosso. Ci sono molti
tipi di materiali elastomerici, ma verranno presi in considerazione solo i seguenti:

gomma naturale, poliisoprene sintetico, gomma stirene-butadiene, gomme
nitrile, policloroprene, e siliconi.
Gomma naturale Produzione La gomma naturale viene prodotta commercialmente dal lattice
del]'albero Hevea brasiliensis,coltivato in piantagioni soprattutto neHe.regioni
tropicali dell'Asia sudorientale, specialmente in Malesia e in Indonesia. La fonte
della gomma naturale è un liquido lattiginoso noto come lattice (latex), una
sospensione contenente piccolissime particelle di gomma. Il lattice liquido viene
raccolto dagli alberi e portato ad un centro di lavorazione dove il lattice nativo
viene diluito fino ad un contenuto pari al 15% di gomma e coagulato con acido
formico (un acido organico). Il materiale coagulato viene quindi compresso
attraverso rulli per rimuovere l'acqua a per produrre fogli di materiale; I fogli
vengono essiccati con correnti di aria calda oppure per mezzo del riscaldamento
del fumo di fuoco (fogli di gomma affumicata). I fogli compressi dai rulli e altri
tipi di gomma grezza vengono generalmente laminati tra pesanti rulli in cui
l'azione meccanica dì taglio rompe in ·parte le lunghe catene polimeriche e riduce
il loro peso medio molecolare. La produzione di gomma naturale nel 1980
rappresentava circa il 30% del mercato mondiale delle gomme.
Struttura La gomma naturale è principalmente cis-1,4 poliisoprene miscelato

con piccole quantità di proteine, grassi, sali inorganici e numerosi altri
componenti. Il cis-1,4 poliisoprene è un polimero a lunga catena (peso medio
molècolare di circa 5 · 105 g/mole) con formula di struttura:
1 7I (f-Yì
H
...,..·~.t
C-+-C=C-,!-C
,, _____ I
H
cis-1.4 poliisoprene
n
Unità strutturale ripetitiva della gomma naturale
Il prefisso cis- indica che il gruppo metilico e un atomo di idrogeno sono

dalla stessa parte del doppio legame carbonio-carbonio, come si può vedere nella
zona tratteggiata della formula soprastante. L'indicazione 1,4 indica che l'unità
ripetitiva della catena polimerica si lega covalentemente al primo e al quarto
atomo di carbonio detrisoprene. Le catene polimeriche della gomma naturale
sono lunghe, allacciate e àvvolte a spirale; a temperatura ambiente sono nello
stato di continua agitazione. Il piegamento e l'avvolgimento delle catene
polimeriche della gomma naturale sono attribuiti all'impedimento stericò del
gruppo metilico che si trova daHa stessa parte deU'atomo di idrogeno sul doppio
430 Capitolo 9
legame covalente carbonio-carbonio. L'arrangiamento nelJo spazio dei doppi

legami covalenti nella catena polimerica della gomma natyrale è:
Segmento di catena polimerica della gomma naturale
Esiste un altro isomero 1 strutturale del poliìsoprene, il trans 2 -1,4

po/iiisoprene. detto guttaperca, che non è un elastomero. Nella struttura di
questo polimero il gruppo metilico e l'atomo di idrogeno legati covalentemente al
doppio legame delrunità ripetitiva del poliisoprene si 'trovano da parti opposte
rispetto al doppio legame, come mostrato nella zona tratteggiata della formula:
H I \ .Ht
1 I{ /cH;,,
H
C+-C=C~C
I\
I
I JI
_!'!./
',, .. H n
truns-1A polìisoprene
Unità strunuraleripetitivadella guttaperca
In questa struttura i1 gruppo metile e ratomo di idrogeno legati al doppic1

legame covalente non interferiscono reciprocamente. e come conseguenza la
molecola del trans-1.4 poliisoprene è più simmetrica e può cristallizzare in un
materia.le rigido.
Segmentodi catena polìm~rica della guttaperca
Vulcanizzazione La vulcanizzazione è il processo chimico con cui molecole
1
Gli isomeri strutturali sono. molecole che hanno uguale formula molecolare. ma una
diversa disposizione nello spazio degli atomi costituenti.
2
11prefisso trans viene dal latino e significa ..attraverso".
FIGURA9.41
Rappresentazione schemati·
cadellavulcaniz.zazione
H CH3 H H
I l
-C-C===C-C-
I I ·rrH7 7
-e-e-e-e-
3
dellagomma. Nelprocesso
atomi di zolfoformano ponti.
tracatene
di reticolazione di
H
1 I
H h sI sI h
H H
1.4poliisoprene.
di cis·
(a)catena
1,4 poliisoprene
primadellareticolazione con
I
-C-C=C-C-
I 7I I7
-e-e-e-c-
zotto.(b)catena di cis·1.4 1 I I I l I I I
poliisoprenedopola H CH3 H H H eH3 H H
conzollain
reticolazione (a) (b)
corrispondenza delle
tunzìonireattive(doppi
legami).
polimeriche vengono unite da ponti di reticolazione in molecole più grosse per
limitare i movimenti molecolari. Nel 1839 Charles Goodyear 1 scoprì un
processo di vulcanizzazione per la gomma utilìzzando zolfo e carbonato basico
di piombo. Goodyear trovò che quando una miscela di gomma naturale, zolfo e
carbonato di piombo veniva riscaldata, la gomma si ,!rasformava da materiale
termoplastico in elastomero. Benché ancora oggi la complessa reazione dello
zolfo con la gomma non sia stata completamente compresa, il risultato finale
consiste neB'apertura di alcuni doppi legami poliisoprenici con la formazione di
ponti di reticolazione formati da atomi di. zolfo. come mostrato in Figura 9.41.
La Figura 9.42 mostra schematicamente come la reticolazione con atomi di
zolfo impartisca rigidità alle molecole della gomma, mentre la Figura 9.43 fa
vedere come la resistenza a trazione della gomma naturale venga aumentata con
la vulcanizzazione. La gomma e lo zolfo reagiscono molto lentamente anche a
temperature elevate, per cui si usa gencra]niente miscelare alla gomma qegli
acceleranti chimici. ìnsieme ad altri additivi come riempitivì. plastificanti.
antiossidantì. per accorciare il tempo dì reticolazione a temperature elevate.
Generalmente le gomme morbide vulcanizzate contengono cìrca il 3% in
peso di zolfo e vengono riscaldate nell'intervallo tra 100 e 200cc per la
vulcanizzazione o indurimento. Se si aumenta il contenuto di zolfo. aumenta
anche la quantità di reticolazioni. dando un materiale più duro e meno flessibile.
Una struttura completamente rigida dì gomma dura può essere ottenuta con
circa il 45% di. zolfo.
Anche l'ossigeno e l'ozono reagiscono con i doppi legami di carbonio delle
molecole dì gomma in modo simile alla reazione di vulcanizzazìonc con zolfo.
provocando quindi infragilimento della gomma. La reazione di ossidazione può
1
Charles Goodyear (1800-1860). Inventore americano che per primo realizzò il processo
dì vulcanizzazione della gomma naturale utilizzando zolfo e piombo carbonato come
reagenti chimici. ll brevetto americano 3633 fu concesso a Charles Goodyear il 15 giugno
1844, per un "miglioramento dell'Industria i.ndiana della gomma".
432 Capitolo 9
FIGURA 9.42 Modello di

reticolazione
dellecatene di
cis-1,4po!iisoprenecon
atomidi zolfo(in nero).!Da
W.G.Motfatt, G.w.Pearsa/1
eJ. WUl/f,'1he structure
andProperties of Materials"
VOI.I, Wìley,1985,p.109].
essere ritardata in certo qual modo aggiungendo antiossidanti quando sì

effettua la miscelazione della gomma.
L'uso di riempitivi può abbassare il costo dei prodotti in gomma e inoltre
rinforza il materiale. Il nerofumo viene comunemente usato come riempitivo per
la gomma, e, in generale, più fini sono le particelle di nerofumo, maggiore è la
resistenza a trazione. Il nerofumo fa anche aumentare la resistenza alla
lacerazione e aH'abrasione della gomma. Anche silici (ad esempio silicato di
caJcio) e argilla chimicamente modificata sono utilizzati come riempitivo per
rinforzare gomme.
Proprietà La Tabella 9.11 paragona resistenza a trazione. proprietù dì

allungamento e densità della gomma naturale vulcanizzata con le stesse
TABELLA 9.11 Alcune proprietà di elastomeri selezionati
Temperatura
Resistenza a Allungamento Densità, di esercizio
Elastomero trazione, (MPa) % g/cm 3 ,,. raccomandata
oc
Gomma naturale" 17-24 750 850 0.93 da -50 a 82
(cis- poliisoprene}
SBR o Buna s· 1.4 24 400-(500 0.94 da -50 a 82
(butadiene-stirene)
Nitrileo Buna N· 3.4-6.2 '450- 700 i.O da ....50 a 120
(butadiene-
acrìlonìtrile)
Neoprene* 21 - 28 800- 900 1.25 da -40a 115
(policloroprene)
Silicone 4.1 9.0 100 - 500 1.i - 1.6 da -115 a 315
(polisilossano)
" Proprietàdella gomma pura vulcanizzata.

Materìali'.polimerìci 433
40
Gomma
naturale
vulcanizzata
30
FIGURA 9.43 Diagrammi
sforzo-deformazione della } Gomma
gomma naturale primae é
i::: 20 naturale
dopovulcanizzazione. La
~
retìcolazionedegliatomidi v:i
zolfotracatene polimeriche
delcis-1,4poliisoprene 10
dopovulcanizzazione
aumenta la resistenza
meccanica dellagomma.
[DaM. Eisenstadt,
200 400 600 800 1000
"Jntroduc/ion to Mechanical Deformazione'ii-
Properties ot Materials",
Macmillan, 1911, pB9].
proprietà di alcuni elastomeri di sintesi. Da notare, come da aspettarsi. la

resistenza a trazione relativamente bassa e la capacità di allungamento
estremamente elevata di questi materiali.
Gomme sintetiche Le gomme sintetiche nel 1980 rappresentavano il 70% dei consumi mondiali di
materiali gommosi. Alcune delle gomme sintetiche importanti sono le stirene-
butadiene, le gomme nitrile, i policloropreni.
Gomme stirene~butadiene La più importante gomma sintetica e la più

largamente utilizzata è la gomma stirene-butadiene (SBR), un copolimero
butadiene-stirene. Dopo la polimerizzazione, questo materiale contiene dal 20 al
23% di stirene. La struttura di base è mostrata in Figura 9.44.

chimicadelcopolìmero
stirene-butadiene,
gomma
sintetica. Polistirene Polibutadiene
434 Capitolo 9
Dal momento che l'unità monomerica butadiene contiene doppi legami.

questo copolimero può essere vulcanizzato con zolfo #f)er reticolazione. Il
butadiene. di per sé, se sintetizzato. con un catalizzatore ste,;eospecifico per dare
l'isomero cis. ha una elasticità anche pari alla gomma naturale perché il gruppo
metilico attaccato al doppio legame nella gomma naturale è assente nell'unità
monomerica del butadiene. La presenza dì stirene nel copoiimero dà luogo ad
una gomma più tenace e resistente. I gruppi fenilici laterali dello stirene,
distribuiti lungo la catena principale del copolimero, riducono la tendenza del
polimero a cristallizzare sotto alto sforzo. La gomma SBR ha costi inferiori
rispetto alla gomma naturale e per questo viene uti1ìzzata in molte applicazioni
dove si richiedano gomme. Per esempio, nel caso dei battistrada di pneumatici,
la SBR ha una migliore resistenza all'usura ma più elevata produzione dì calore.
Uno svantaggio della SBR verso la gomma naturaleèpato dall'assorbimento di
solventi organici come benzina e petrolio, e dal rigonfiamento.
Gommenitrile Le gomme n.itrile sono copolimeri de] butadiene e dell'aeri~

lonitrile nei rapporti che vanno dal 55 all'82% di butadiene e dal 45 a] 18% di
acrilonitrile. La presenza del gruppo nitrile aumenta il grado di polarizzazione
nella catena principale e la quantità di legami idrogeno tra catene adiacenti. I
gruppi nitrile forniscono buona resistenza agli oli e ai solventi, ed aumentano la
resistenza alrabrasione e al calore. D'altra parte, viene ridotta la flessibilità
molecolare. Le gomme nitrile sono più costose delle gomme comuni, per que-
sto motivo questi copolimeri sono limitati ad applicazioni speciali. come tubi
e guarnizioni per il carburante, dove è richiesta elevata resistenza a oli e st,].
venti.
Policloroprene(neoprene) Le gomme poìicloroprene o neoprene sono simili
rp'q1
1H HI
Unilà strutturale del policloroprene (neoprene)
all'isoprene. con la differenza che il gruppo metilico attaccato al doppio legame

del carbonio viene sostituito dall'atomo di cloro.
La presenza dell'atomo di cloro aumenta la resistenza dei doppi .Jegami
insaturi all'attacco di o.ssigeno~ ozono, calore, luce e condizioni climatiche. I
neoprene hanno anche buona resistenza agli oli e carburanti e resistenza
meccanica superiore a quella delle gomme comuni. Tuttavia hanno ridotta
flessibilità a basse temperature e costi più elevati. Come conseguenza, i neoprene
Materiali.polimerici 435
sono usati in applicazioni specialistiche come i rivestimenti di fili e cavi, raccordi

e cinghie industriali, membrane e guarnizioni a tenuta in campo automobili~
stico.
Gommesiliconiche L'atomo del silicio. come quello di carbonio, ha valenza 4

ed è in grado di formare molecole polimeriche attraverso legami covalenti.
Tuttavia, i polimeri siliconici hanno unità ripetitive formate da silicio e
ossigeno, come mostrato di seguito:
Unità strutturale ripetitiva di base di un polimero siliconico
dove X e X' possono essere atomi di idrogeno o gruppi come ìl metilico (CH3-)
o il fenilico (C6H5-). I polimeri siliconici contenenti silicio e ossigeno nella
catena principale sono chiamati siliconi...Tra i molti elastomeri siliconici, il tipo
più comune è quello in cui X e x~
nella unità ripetitiva sono gruppi metilici:
Unìtà strutturale ripetitiva del polidimetilsilossano
Questo polimero viene chiamato polidimeti/silossano e può essere reticolato

a temperatura ambiente per aggiunta di un iniziatore (ad esempio benzoi1
perossido) che fa tra di loro i due gruppi metilici con l'eliminazione di
una molecola di gas idrogeno H2 per formare ponti Si,,.CH2-CH2-. Altri tipi di
silicon.i possono essere reticolati a alte temperature (ad esempio da 50 a I 50°C),
a seconda del prodotto e dell'utilìzzo voluto.
Le gomme siliconiche presentano il maggior vantaggio dì poter essere usate
i.n un ampio intervallo di temperature (cioè da -100 a 25O°C). Le applicazioni
per le gomme siliconiche includono dispositivi e guarnizioni a tenuta,
isolamento elettrico, cavi per auto•ignìzione e elementi di protezione delle
candele ..
436 Capitolo 9
Eserciziario
Vedi Esercizio 9.6.
,.
9.10 DEFORMAZIONE E IRRIGIDIMENTO DEI MATERIALI POLIMERICI
Meccanismi della La deformazione de1 materiali termoplastici può essere principalmente elastica,
defo'rmazione dei plastica (permanente), o una combinazione di entrambi i tipi. Al di sotto della
termoplastici loro temperatura di transizione vetrosa, i termoplastici si deformano
principalmente in modo elastico, come indicato dai diagrammi sforzo/
deformazione in trazione a -40 e 68°C del polimetilmetacrilato (PMMA) in
Figti.ra 9.45. Al di sopra della loro temperatura .di transizione vetrosa, i
termoplastici si deformano principalmente in modo plastico, come indicato dai
diagrammi sforzo/deformazione in trazione a 122e 140°C del PMMA in Figura
9.45. Perciò i termoplastici vanno. incon~ro a una transizione duttile-fragile
quando vengono riscaldati oltre la loro temperatura di transizione vetrosa. Il
PMMA va incontro a transizione dutti1e~fragile tra 86 e 104°C perché la Tg del
PMMA si trova in quell'intervallo di temperature.
La Figura 9.46 illustra schematicamente i principali meccanismi atomici e
molecolari che avvengono durante la deformazione dì polimeri a lunga catena in
un materiale termoplastico. In Figura 9.46a la deformazione elastica è
rappresentata come uno stiramento dei legami covalenti all'interno delle
catene molecolari. In Figura 9.46b la deformazione elastica o plastica vien~·
rappresentata dalla distensione degli avvolgimenti di catena in polimeri lineari.
Infine, in Figura 9A6c la deformazione plastica è rappresentata dallo
slittamento delle catene molecolari le une sulle altre attraverso la rottura e la
nuova formazione di forze di legame secondario dipolo.
Irrigidimento dei Consideriamo ora i seguenti fattori, ognuno dei quali determina ìn parte la
termoplastici resistenza meccanica di un termoplastico: (l) massa media molecolare delle
catene polimeriche, (2) grado di cristallinità, (3) effetto dì gruppi laterah
voluminosi sulla catena principale, (4) effetto di atomi altamente polari sulla
catena principale, (5) effetto di atomi di ossigeno, azoto, e zolfo nèlla catena
principale di carbonio, (6) effetto degli anelli benzenici nella catena principale, e
(7} aggiunta di rinforzo in fibra di vetro. -
/
Irrigidimentodovutoalla massa molecolaremediadelle catene polimeriche La

resistenza meccanica di un materiale termoplastico è direttamente dipendente
dalla sua massa molecolare media dal momento che è necessario raggiungere
con la polimerizzazione un certo inten 1allo di masse molecolari per ottenere un
solido stabile. Tuttavia, questo metodo non viene normalmente usato per
controllare le proprietà meccaniche perché nella maggior parte dei casi: dopo
10,000
8.000 68"C
1
a / /86°C
::E 6000
§ • I
'I
..e 11 ,, 104°c
V) I I /'
#-·
4.000
,,i/ /·
·, ..__
FIGURA 9.45 Curve
sforzo/deformazione
peril
polirnemmetacrilato
a varie
2.000 /
.. a I.3
Unatransizione
temperature.
duttile-fragile
si verifica
tra 0,10 0.20 .30
85e 104°C.[Da T.Alfrey, Deformazione,mm/mm
''Mechanical
behavioro!
Polymers",Wi/ey-
lnterscience,
1967].
che è stato raggiunto un intervaHo critico di massa molecolare, l'aumento

ulteriore della massa media molecolare di un materiale tem1oplastico non
provoca un sensibile incremento della resistenza meccanica. In Tabella 9.12
FIGURA 9.46
Meccanismi
di de1ormazione
polimerici:
neimateriali (a)
elastica
deformazione per
distensione
deilegami
covalenti
di carboniodella (a)
catenaprincipale,
(b)
deformazioneelasticao
plastica
perdistensione
degliavvolgimentidella
catenaprincipale
e (e)
(b)
deformazioneplasticaper
scivolamentodellecatene.
IDaM. Eisenstadt,
"fntroduction-
to Mechanical
Properties
of Materials':
Macmillan, 1971,p.264J.
438 Capitolo 9
vengono indicati gli intervalli di massa molecolare e i gradi di polimerizzazione

di alcuni tenno.plastici. J.
Irrigidimentoper aumentodella cristallinitàin un materialetermoplastico La

percentuale di cristallinità all'interno di un termoplastico può influenzare
enormemente la sua resistenza a trazione. In genera]e, in un termoplastico, con
l'aumentare del grado di cristallinità aumentano la resistenza a trazione, il
modulo di elasticità in trazione e la densità.
I termoplastici in g:rado di cristallizzare durante la solidificazione
possiedono simmetria strutturale delle catene molecolari. I polietileni e i nylon
sono esempi di termoplastici che possono solidificare con un considerevole
grado di cristallizzazione neUa ]oro struttura. La Figµra 9.47 paragona il
diagramma sforzo/deformazione del polietilene a bassa e a alta densità. Il
polietilene a bassa densità ha una minor percentuale di cristallìnità e perciò più
bassi valori di resistenza e modulo a trazione del polietilene a alta densità. Dal
momento che le catene molecolari nel polietilene a bassa densità sono più
ramificate e più lontane le une dalle altre, le forze di legame tra le catene sono
minori. e quindi il polietilene a più bassa densità ha pìù bassa resistenza
meccanica. I picchi di snervamento nella curva sforzo/deformazione sono
dovuti al restringimento della sezione trasversale dei campioni di prova durante
]e prove di trazione.
Un altro esempio dell'effetto dell'aumento di cristallinità sulla resistenza a
trazione (snervamento) di un materiale termoplastico è mostrato in Figura 9.48
per il nylon 6,6. L'aumentata resistenza del materiale più altamc-ni.:
cristallizzato è dovuta al più compatto impacchettamento de]le cak11..:
polimeriche, che crea forze di legame intermolecolari più forti tra le catene.
Irrigidimentodei termoplasticiper introduzionesulla catena principaledi·gruppi

atomici pendenti Lo scivolamento de11ecatene durante la deformazione
permanente dei termoplastici può essere reso più difficoltoso introducendo
gruppi laterali voluminosi sulla catena principale. Questo metodo dì
irrigidimento dei materia.li tern1oplastici viene usato, per esen1pio, nel caso del
polipropilene e del polistirene. 11modulo a trazione, che è una misura della
TABELLA 9.12 Massemolecolarie grado di polimerizzazione

di alcunitermoplastici
Termoplastico Massa molecolare, Grado di

g/mole polimerizzazione
Polietilene 28000 - 40000 1000-1500

Polivinilcloruro 67000 (media) 1080
Polistirene 60000 - 500000 600--6000
Poliesametileneadipammime 16000 - 32000 150-300
(nylon6,6}
Materiali'polimerici 439
30r--------------------,---,
20
FIGURA 9,47 Curve
storzo~deformazione peril
polietilene a bassa e alta Polietilenea alta densità
densità. Il polietilene
a alta ,~ _, ______ _
.............
densità è piùrigidoe ha - .... _fil"!" ____ _
maggiore resistenza
meccanica a causadelgrado lO,.:'- Polietilenea bassadensità '
di cristaliinitàpiùelevalo.
'' \
[DaJ.A Sauere K D.Pae,
\
Mechanical Propertlesof \
HìghPolimers. in H S.
Kautman eJ. J. Fa/celta 0o....._
__ o.......
2_--10.-4--0.1...6 __ 0_..._8
__ 1.,_.0--.-,..11.-2--1.1,...4---1.J
(eds.),''lntroductionto
Palymer Science and Deformazione, m/m
Technology," Wiley,1971,
p.397j.
rigidità del materiale, passa da 410 - 1030 MPa per il polietilene a alta densità a
1030 - 1520 MPa per il polipropilene. che ha gruppi metilici pendenti attaccati
alla catena principale di atomi dì carbonio. Il modulo elastico a trazione del
polietilene aumenta ancora ulteriormente fino a 2800 - 3450 MPa, nel caso del
polistirene, con l'introduzione sulla catena principale di gruppi pendenti fenilici,
più voluminosi. Tuttavia, l'allungamento a rottura viene drasticamente ridotto
dal 100-600% dei polietilene a alta densità all'l-2,5% del polistirene. Di
conseguenza, ì gruppi laterali voluminosi sulla catena principale di atomi dì
carbonio nei termoplastici fanno aumentare rigidità e resistenza meccanica, ma
fanno diminuire la duttilità.
Irrigidimentodei termoplasticiattraversoil legame di gruppialtamentepolarisulla

catena principale di atomi di carbonio Un considerevole aumento deBa
resistenza meccanica del polietilene può essere raggiunto con l'introduzione, nel
caso del polivinilcloruro, di atomi di cloro su atomi· alterni di carbonio della
catena principale. In questo caso, il grosso e altamente polare atomo di cloro fa
aumentare considerevolmente le forze di legame intermolecolari tra le catene
polimeriche, Il polivinilcloruro rigido ha una resistenza a trazione di 40 - 75
MPa, che è considerevolmente più elevata di quella del polietilene, da 17 a 35
MPa. La Figura 9.49 mostra un diagramma sforzo/deformazione per · un
440 Capitolo 9
rf. 80
:a
o 70 o
eI.>
E 60 o o
FIGURA 9.48 Punto di ~CJ 50
snervamento dluna ~
poliammide anidra
(nylon :s 40 o
o
6,6)in funzione della
[DaR.J.
cristallinità. = 300
:::;
c. 10 20 30
Welgas, Patyamides Cristallinità.% in peso
(Generai),in "Encyc/opedia
of Ghemical Technology,"
vol.18,Wiley,1982, p.3311.
provino di polivinilcloruro che ha uno sfqrzo n:assimo di sne~amento circa di

55 MPa. Il picco di snervamento sulla curva e dovuto a stnz1one della parte
centrale del provino durante l'allungamento.
e di
Irrigidimentodei termoplasticiattraversol'introduzionedi a~omidi o~sigeno_
azoto nella catena principale di atomi di carbonio L 'mtroduz1one d1 un
I
legame -C-0-C- I · 1a ng1
, etere, nella catena principale fa aumentare · ·a· ·
na
I I
dei termoplastici, come nel caso del poliossimetilene {acetale) che t,
l'unità ripetitiva 1I-+.. La resistenza a trazione di questo materiale i
compresa tra 62 e 70 MPa, quindi molto più elevata di quella tra 17 e 38 MPa del
polietilene a alta densità. L'atomo di ossigeno nella catena p~in~ì~ale fa aumentare
anche il legame permanente di tipo dipolo tra le catene pohmenche.
L'introduzione di azoto nella catena principale di un termoplastico, come
nel caso del legame ammide
fa aumentare considerevolmente le forze di legame permanenti di tipo dipolo tra

le catene polimeriche per la creazione dei legami idrogeno (Figura 9.35). La
resistenza a trazione relativamente elevata del nylon 6,6, compresa tra 62 e 83
MPa, è la risultante deì legami idrogeno che si instaurano tra i legami ammidici
della catena polimerica.
l
FIGURA 9A9
Diagrammi sforzo/
deformazione a trazione per
il polivinilcloruro amorfo
IPVC]e Upolistìrene(PSJ.
Glischizzi indicano i diversi
tipidi deformazione del Polivinilcloruro
provino a varilivellidella
curvasforzo/deformazione
[DaJ. A. Sauer e K.D.Pae,
Mechanical Properties of
HighPolymers, in H.S.
Kautman e J. J. Fa/celta 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
feds.},"lntroduct;on to Deformazione,mm/mm
Polymer Science and
Technology, '' Wiley,1971,
p.331].
Irrigidimentodei termoplasticiper introduzionedi anelli fenilici nella catena

principale in combinazionecon altri elementi come O, N. e S nella catena
principale Uno dei metodi più importanti per irrigidire i termoplastici è
l'introduzione di anelli fenilici ne1la catena principa1e. Questo è il metodo usato
comunemente per tecnopolimeri ad elevata resistenza. Gli anelli fenilici causano
ingombro sterico per la libera rotazione alrintemo della catena poli~erica e
attrazione elettronica per gli elettroni in risonanza tra molecole adiacenti.
Esempi di materiali polimerici che contengono anelli fenilici sono i materiali a
base di polifenìlenossido che possiedono una resistenza a trazione compresa tra
54 e 66 MPa, le poliesteri termoplastiche con resistenza a trazione di circa 70
MPa, e i policarbonati che presentano una resistenza a trazione di circa 62 MPa.
Irrigidimento dei termoplastici per aggiunta di fibre di \'etro Alcuni

termoplastici vengono rinforzati con fibre di vetro. Il contenuto in vetro della
maggior parte dei termoplastici rinforzati con vetro varia dal 20 al 40% in peso.
Il contenuto ottimale di vetro è un compromesso tra la desiderata resistenza
meccanica, i costi globali e la facilità di lavorazione. Tra i termoplastici
comunemente rinforzati con fibre di vetro sono compresi i nylon, i
policarbonati. i polifenilenossidi, il polifenilensolfuro, il polipropilene, le ABS,
e il poliaceta]e. Ad esempio, la resistenza a trazione del nylon 6,6 può essere
aumentata da 83 a 200 MPa con un èontenuto pari al 40% di fibre di vetro, ma
la sua capacità di allungamento viene ridotta da circa il 60 al 2,5% a seguito
dell'aggìunta di fibre di vetro.
442 Capitolo 9
Irrigidimento delle Le materie plastiche senza riempitivi vengono rinforzate creando un reticolo di
materie plastiche legami covalenti attraverso l'intera struttura del mat~rialt. I~ r~ticolo ovalent~
termoindurenti viene prodotto per reazione chimica all'interno ?e1 matenab t~rmomdure.nu
7
dopo la colata o durante la formatura per azione di calore e press1~n~. Le res~n:
fenoliche, le epossidiche e le poliestere (insature) sono e~emp1 d1 z:natenal:
irrigiditi in questo modo. A causa del reticolo ~i leg~~ ~~valen~1, questi
materiali hanno resistenza meccanica, modulo elasuco e ng1d1tarelativamente
elevate per una materia plastica. Per esempio, la resistenza a trazione del1e resine
fenoliche stampate è di circa 62 MPa. quella delle poliesteri ~ttenute per colat~
circa 70 MPa, e quella delle epossidiche ottenute per colata circa. 83 M~a. Tutt~
questi materiali hanno bassa duttilità ~er la loro struttura a reticolo di legami
covalenti.
La resistenza meccanica dei termoindurenti puq venire considerevolmente
aumentata per addizione di materiali di rinforzo. Per esempio, la resistenza a
trazione delle resine fenoliche rinforzate con vetro può venire aume11tata fino a
120 MPa. I materiali compositi in fogli {sheet-molding compounds) a base di
poliesteri rinforzate con fibre di vetro posson.o av~re ~na _re_sist~nì:a~ trazion~
maggiore di 140 MPa. Con la preparazione d1 lam1nat1 umdtrez1onah a bas~ d~
resine epossidiche rinforzate con fibre di carbonio ~i posson~ o!tenere mater~al:
con una resistenza a trazione anche di 1700 MPa m una d1rez10pe. I matenah
compositi rinforzati a alta resistenza dì questo tipo verranno trattati nel
Capitolo 13 sui Materiali Compositi.
Effetto della Una caratteristica dei 1ennoplas1icì è che essi rammolliscono gradualmente cc;,
temperatura sulla l'aumentare della temperatura. La Fìgura 9.50 mostra quest0 comportamento pl?r
resistenza un gruppo di termoplastici. Con raumento della temperatura. !e forze di legai_ne
meccanica delle secondario tra le catene molecolari diventano più deboli e la resistenza meccamca
materie plastiche del termoplastico diminuisce. Quando un materiale termoplastico viene riscald~to
oltre la sua temperatura di transizione vetrosa T g. la sua resistenza meccamc~
diminuisce sensibilmente a causa di una pronunciata dìminuzione delle forze d1
legame secondario. La Figura 9.45 mostra questo effett~ P}:ril polim~tilmeta-
crilato (PMMA) che ha una Tg dì circa l 00°C. La resistenza a. traz1?ne del
PMMA è di circa 48 MPa a 86°C, cioè al di sotto della sua Tg, e viene ndotta a
circa 28 MPa a 122°C, temperatura al di sopra della Tg. Le massime tempera!urt'
d'uso di alcuni termoplasticj sono elencate nelle Tabelìe 9.3 e 9.9.
Le materie plastiche tennoindurenti subiscono anch'esse un rammollimento
se risca1date, ma dal momento che i loro atomi sono legati insieme in un reticolo
ill primo luogo da forti legami di tipo covalente, non diventano viscose a ele~·ate
temperature ma degradano e carbonizzano al di sopra della 1~:o ma_s~1m~
temperatura d'uso, In generale, le resine te~moindurenti ~ono prn sta~1:1dei
tennoplastici a elevate temperature, ma c1 sono alcuni t~rmoplast1c1 che
possiedono una notevole stabilità a alta temperatura. Le massime temperature
d'uso di alcune resine termoindurenti sono. elencate ìn Tabella 9.10.
60
Polietilenead
alta densità
40
~
FIGURA 9.50 Effetto
dellatemperaturasulla
a snervamento
resistenza a
trazionedi alcuni 20
fDaH E.Baker
termoplastici Polietilenea/ ·
e A. E Javitz,Pfasting bas.sadensità
MoldingMaterials tor O -50 o 50 100 150
Structural
andMechanical 200 250
Applicalions,
Electr.Manu!., Carico di snervamentoa trazione. MPa
maggio196{JJ.
, 9.11 CREEP E FRATIURA DEI MATERIALI POLIMERICI
Creep dei materiali

I materiali polimerici sottoposti a carico possono andare incontro a fenomeni di
polimerici
scorrimento viscoso (creep). Il che vale a.dire che la loro deformazione sotto un
carico costante applicato a temperatura costante continua ad aumentare nel
tempo. L'entità dell'incremento della deformazione è maggiore tanto maggiori
sono lo sforzo applicato e la temperatura. La Figura 9.51 mostra come la
deformazione da creep del polistirene aumenti sotto sforzi a trazione che vanno
da 12 a 30 MPa a 25°C.
Anche la temperatura alla quale si verifica il creep di un materiale
polimerico è un fattore importante nel determinare la velocità del creep. A
temperature al .di sotto della temperatura di transizione vetrosa dei
termoplastici, la velocità dì creep è relativamente bass,a a causa de1la limitata
mobilità delle catene molecolari. Al di sopra della Tg. i termoplastici si
deformano più facilmente in modo sia elastico che plastico, comportamento che
viene definito viscoelastico.Al di sopra de1la Tg, le catene molecolari .scivolano
le une sulle altre più facilmente, per questo motivo ci si riferisce a volte a questo
tipo di deformazione come a flusso viscoso.
Industrialmente il creep dei materiali polimerici viene misurato attraverso il
444 Capitolo 9
I
18
23.8 MPa
-----18MPa
_____________ 13 MPa
2
FIGURA 9.51 Curve di o
creepperil polistirene
a
77°Fsottosforzovariabile o 200 400 600 800 1000
[DaJ. A. Sauer,J Marine Tempo, h
C. C. Hsiao,
J. Appl.Phys
..
20:507(1949)}.
modulo di creep, che è semplicemente il rapporto tra Io sforzo uo applicato

inizialmente e la deformazione per creep e: (t) dopo un tempo particolare e a
temperatura costante dì prova. Un valore elevato di modulo di creep per un
materiale implica quindi una bassa velocità di creep. La Tabella 9.13 elencn ,
moduli di creep per varie materie plastiche a diversi livelli di sforzo
nelrinterva11o tra 6,9 e 34,5 MPa. La tabella mostra anche l'effetto dei gruppi
laterali voluminosi e dell'intensità delle forze di legame intermolecolare nel
ridurre la velocità di creep dei materiali polimerici. Ad esempio, a 23°C il
polietilene ha un modulo di creep di 428 MPa sotto uno sforzo di 6,9 MPa per
I O''ore, mentre il PMMA presenta un modulo di creep molt<: più elevato. 2830
11
MPa, sotto uguali valori di sforzo e di tempo.
n rinforzo delle materie plastiche con fibre di vetro ne aumenta
notevolmente il modulo di creep e ne riduce la velocità di creep. Per esempio.
il nylon 6,6 non rinforzato ha un modulo di creep di 848,7 MPa dopo IO ore
sotto sforzo di 6,9 MPa. me se rtnforzato.con il 33% di fibre di vetro il sub
modulo di creep arriva a 4830 MPa dopo 10h sotto sforzo di 27,6 MPa.
L'aggiunta di fibre di vetro alle materie plastiche, oltre che costituire un metodo
di rinforzo, è anche un valido metodo per aumentarne la resistenza al creep.
Rilassamento dello Il rilassamento dello sforzo avviene quando un materiale polimerico sotto
sforzo dei materiali sforzo viene mantenuto a deformazione costante e consiste nella diminuzione
polimerici dello sforzo con il tempo. La causa del rilassamento dello sforzo è che si verifica
Materiali· polimerici 445
TABELLA 9.13 Modulo di creep dì alcuni materiali polimerici a 23°C
Tempo di prova, h
10 100 1000
Entità dello
Modulo di Creep, MPa sforzo, MPa
Materialinon rinforzati
Polietilene,Amoco 31-36081 430 250 79
Polipropilene,Profax 6323 530 400 320 10
Polistirene.FyRid KS1 2140 2000 1450 modfficato,antiurto
Polimetilmetacrilato, 2830 2590 2360 7
PlexiglasG
Polivinilcloruro,Bakelìte 1725 1260 10
CMDA2201
Policarbonato,Lexan 141-111 2310 2210 2140 27
Nylon 6,6, Zytel 101 850 700 570 7 equi!. al 50% Ah
Acetale, Delrin 500 2485 1930 1655 10
ABS, Cycalac DFA_.R 2345 2280 2070 7
Materialirinforzati:
Acetale, Thermocomp KF-1008, 9110 7935 ss.24°c
30% fibre di vetro
Nylon 6,6, Zytel ?0G-332, 4830 4415 4035 28, 24°C
33% fibre di vetro
Poliestere,composito 9040 7590 6420 14
termoindurenteda
stampaggio, Cyglas 303
Polistirene,Thermocomp 12420 11800 11450 34, 24"C
CF-1007
Fonte: "Modem Plastics Encyclopedia,1984-85", McGraw-Hìll.
un flusso viscoso nella struttura interna del materiale polimerico ossia le catene
polimeriche scivolano lentamente le une sulle altre, si rompono e si
ricostituiscono legan1i secondari tra le catene, le catene si disaggrovigliano e si
riavvolgono meccanicamente. Il rilassamento dello sforzo permette al materiale
di raggiungere spontaneamente uno stato di minore energia, se l'energia di
attivazione è sufficiente a che il processo avvenga. Il rilassamento dello sforzo
dei materiali polimerici è perciò temperatura-dipendente ed associato ad una
energia di attivazione.
La velocità con cui si verifica il rilassamento deHo sforzo dipende dal tempo
di rilassamento r, che è una proprietà del materiale e viene definito come il
tempo necessario per lo sforzo (u) di diminuire a 0,37 (1/e) dello sforzo iniziale
ao. La diminuzione del1o sforzo con il tempo t è dato dalla
(9.9)
dove u = sforzo al tempo t, o-0 = sforzo iniziale, e ,,. tempo di rilassamento.
446 Capitolo 9
Eserciziario
Vedi Esercizio9.7.
Dal momento che il tempo di rilassamento r è il reciproco di una velocità.
possiamo correlarlo aUa temperatura in gradi kelvin -attraverso una equazione di
tipo Arrhenius [vedi Equazione (4.12)), come
1/-r= C[QIRT (9.10)
=
dove C costante di velocità indipendente dalla temperatura, Q = energia di
attivazione per il processoè T = tempera.tura in kelvin, e R = costante molare dei
gas = 8,314 J/(mole.K}. L'Esempio 9.8 mostra come !'Equazione (9.10) può
essere usata per determinare renergia di attivazione per un materiale
elastomerico che subisca rilassamento delìo sforzo.
Eserciziario
Vedi Esercizio9.8.
Frattura Come nel caso dei metalli, la frattura dei materiali polimerici può essere
dei materiali considerata fragile o duttile o intermedia tra i due estremi. In generale. si
polimerici considera che le materie plastiche termoindurenti non rinforzate vadano
incontro a frattura fragile. I termoplastici, d.'altro canto, possono andare
incontro a frattura in moda fragile o duttile. Se la frattura di un termoplastico si
verifica al di sotto della sua temperatura di transizione vetrosa. il suo modo di
andare incontro a frattura sarà primariamente fragile. mentre se la frattura si
verifica a1 di sopra della Tg del materiale. essa sarà duttile. Quindi la
temperatura può influenzare enormemente il modo in cui i termoplastici vanno
incontro a frattura. Le materie plastiche termoindurenti riscaldate al di sopra
della temperatura ambiente diventano più deboli e vanno incontro a frattura a
sforzi infe1iori ma la frattura rimane sempre principalmente fragile perché il
reticolo di le2ami covalenti rimane intatto a temperature elexate. La velocità di
deformazion; è pure un fattore importante nel comportame~to alla franura dei
materiali termoplastici, in quanto più basse velocità di deformazione
favoriscono la frattura duttile perché basse velocità di deformazione
permettono alle catene molecolari di riallinearsi fra loro.
Fratturafragile dei materialipolimerici L'energia superficiale richjesta per la

frattura di un materiale polimerico amorfo vetroso e fragile come il polistirene o
il polimetilmetacrilato (PMMA) è circa 1000 volte più elevata di quella che
sarebbe richiesta se la frattura comportasse solo la rottura dei legami carbonio •
carbonio su di un. piano di frattura. Quindi i materiali polimerici vetrosi come il
PMMA sono più tenaci dei vetri inorganici. L'energia eccedente richiesta per
provocare la frattura dei termoplastici vetrosi è molto più elevala perché si
Materiali polimerici 447.
formano regioni distorte localizzate dette crazes (screpolature) prima che sì

verifichi la rottura (cracking, incrinatura o cricca). Un craze in un termoplastico
vetroso si forma in una regione altamente sollecitata del maièriàle e consiste
nell'allineamento delle catene molecolari combinato ad una elevata densità di
vuoti interdispersì.
La Figura 9.52 è una rappresentazione del cambiamento della struttura
molecolare al craze in un termoplastico vetroso come il PMMA. Se lo sforzo è
abbastanza elevato, si forma una cricca (crack) attraverso il craze, come
mostrato in Figura 9.53 e nella foto di Figura 9.54. Come l'incrinatura si
propaga lungo il craze, la concentrazione dello sforzo alla sommità
dell'incrinatura si estend"e lungo tutto il craze. Il lavoro svolto nell'allineare le
molecole di ,polimere>all'interno del craze è la causa della quantità relativamente
elevata di lavoro richiesto per la frattura dei materiali polimerici vetrosi. Ciò
spiega perché le energie dì frattura del polistirene e del PMMA sono tra 300 e
1700 J/m 2 invece che circa O,l J/m 2 , livello energetico che ci sì aspetterebbe se il
processo di frattura implicasse solo la rottura di legami covalenti.
Fratturaduttile dei materiali polimerici I materia'li termoplastici al di sopra

della loro temperatura di transizione vetrosa possono presentare cedìmento
plastico prima della frattura. Durante i1cedimento plastico le catene molecolari
lineari si dis.tendono. scorrono le une sulle altre e si allineano gradualmente in
modo più ravvicinato nella direzione dello sforzo applicato (Figura 9.55). Alla
fine, quando lo sforzo sulle catene diventa troppo elevato, i legami covalenti
delle catene principali si rompono e si verifica la frattura del materiale. I
materiali elastomerici si deformano essenzialmente nello stesso modo. ad
eccezione del fatto che in essi si verifjca una estensione molto più elevata delle
catene (deformazione elastica)~ ma alla fine, se lo sforzo sul materiale è t~oppo
elevato e l'estensione delle catene molecolari troppo grande, i legami covalenti
delle catene principali si rompono. provocando la frattura del materiale.
RIASSUNTO
Le materie plastiche e gli elastomeri sono materiali importanti dal punto di vista
ingegneristico princìpalmente grazie all'ampia ·variabilità delle loro proprietà,
alla relati.va facilità con cui vengono modellati nelle. fom1e desiderate, e al costo
relativamente basso. Per comodità, le materie plastiche possono essere divise in
due classi: termoplastici e materie plastiche termoindurenti (termoinduremi). I
termoplastici richiedono calore per poter essere modellati e dopo il
raffreddamento mantengono la forma loro impressa. Questi materiali possono
venire nuovamente riscaldati e riutilizzati ripetutamente. 1 termoindurenti
vengono usualmente modellati permanentemente ìn una forma per intervento del
448 Capitolo9
,.
FIGURA 9.52
Rappresentazione
del
cambiamentodella
microstruttura
di uncraze In
untermoplastico
vetroso
(a) {b) (C) (d),
quandoquestosi ispessisce
[DaP. Beahan,
M. Bevise
J. Mater.
D. Hu/1, Scì.,
8:162(1972)].
calore e della pressione, processo durante il quale si verifica una reazione

chimica in cui gli atomi vengono legati reciprocamente per formare un solido
rigido. Tuttavia. alcune reazioni di indurimento si verificano a temperatura
a~biente senza l'impiego di calore e pressione. Le materie plastiche
termoindurenti non possono fondere dopo che sono state "retico.late" ò
Catene
ripiegatecasualmente
F
p
Catene orientate
p
nella regionedel craze s
m
s
FIGURA 9.53 m
Illustrazione
schematica d
dellastruttura
di uncraze s
vicinoallafinedi unacricca Sforzo· c
(crack)in untermoplastico r
vetroso. fr
Materialipolimerici 449
}S.,f
. ·h
FIGURA 9.54 Fotodi

unacriccaattraverso
il
centro
di uncrazein un
termoplastico
vetroso. [Da
D.Hull,"Po/ymeric
Matermls':
AmericanSociety
ofMetals,1975,p.511].
"indurite" e, se vengono riscaldate fino a temperature elevate, si degradano e

decompongono.
I reagenti chimici richiesti per Ja produzione delle materie plastiche
derivano soprattutto dal petrolio, dal gas naturale e dal carbone. Le materie
plastiche vengono prodotte attraverso la polimerizzazione di molte molecole di
piccole dimensioni dette monomeriin molecole molto grosse dette polimeri. I
Sforzo
Catene
/ca~~:r~~~le
FIGURA 9.55 Cedimento Catene

plasticodi unmateriale orientate
polimerico termoplastico
sottosforzo. Lecatene
molecolari sonodistesee
scorrono leunesullealtrein
modo daallinearsi
nella
direzione
sforzo
catene
dellosforzo.
molecolari
ompono
si
provocando
Selo
è troppoelevato.
la
le ! Sforzo
rattura
delmateriale,
450 Capitolo 9
termoplastici sono formatì da polimeri a lunga catena, in cui le forz~ di leg~me

tra le catene sono secondarie e permanenti di tipo dipol~ Le materie plasuche
termoindurenti sono legate covalentemente da un capo all'altro attraverso forti
legami covalenti tra tutti gli atomi. , . . . .
I metodi di trasformazione più comunemente usati per 1 termoplasuc1sono
lo. stampaggioper iniezione,per estrusionee per soffiatura, mentre i meto~i più
utilizzati per i materiali termoìndurenti sono lo stampaggioper compressionee
trasferimento,e la colala. . .
Ci sono molte famiglie di materie plastiche termoplastiche e termoindu-
renti. Esempi di alcuni termoplastici per usi gener~li .sono ··il ~olie:ilene, il
polivinilcloruro, il polipropilene e il poli~tirene. Esempi d1 tecn~poh1;-1ensono 1~
poliammidi (nylon), i poliacetali, il policarbonat?•. le_ pohes~en sature,. 1!
polifenilenossìdo e il polisolfone (da notare c~e la ~1st1~z1onedei _te~oplas~1c~
in materiali per usi generali e tecnopolimeri e arb1trana). Esempi di ~a~enah
termoindurenti sono le resine fenoliche. le poliestere insature, le melammm1che e
le epossidiche. . . . .
Gli elastomeri o gomme rappresentano una larga sottod1V1s1onedei
materiali polimerici e hanno grande importanza dal punto di vista
ingegneristico. La gomma naturale viene ottenuta da piantagi~ni di alberi ed
è ancora molto richiesta (circa il 30 percento del mercato mondiale) alle
sue eccellenti proprietà èlastomeriche. Le gomme sintetiche rapp~esentano circ~
il 70 percento del mercato mondiale, i copolimeri stire~e~buta.d1en~ essendo 11
tipo più usato. Altre gomme sintetiche c?me_la ~~mm~ mtnle ~ 11?ohdoroprene
(neoprene} vengono utilizzate per apphcaz1om m cm sono nch1este
speciali, come la resistenza agli oli e ai solventi. . . . .
I termoplastici presentano una temperatura d1 trans1Z1onevetrosa al d~
sopra della quale questi materiali si comportano come solidi vìscos_io gommosi
e al di sono della quale come solidi fragili e simili al vetro: A~ d1 sopra d~lla
temperatura di transizione vetrosa si . verificano deformazioni permanenti a-
seguito dello scorrimento delle catene le une sulle altre, dell~ . rott~ra ~.
ricostruzione dei le2ami secondari. I termoplastici che vengono utihzzan al di
sopra della tempe;atura di t~ansizione vetrosa possono"· ~ssere ri~forzat!
attraverso forze di legame intermolecolare, utilizzando atomi pendenti polan
come il cloro nel polìvinilcloruro, o attraverso la formazione di legami idrogeno
come nel caso dei nylon. Le materie plastiche termoindurenti, a causa del
reticolo di legami covalenti, vanno incontro a deformazioni limitate prima della
frattura.
DEFINIZIONI
Paragl'afo9.1
Termoplastico(sostantivo): una materia plastica che richiede calore per essere resa
modellabile (plastica) e dopo raffreddamento mantiene la sua forma. I termoplasiicì
sono composti da caten.e polimeriche, in cui i legami tra catene sono secondari di tipo
dipolo permanente. I termoplastici possono venire ripetutamente rammolliti sotto
riscaldamento e induriscono sotto raffreddamento. Tipici termoplastici sono il
polietilene, i vinilici, gli acrilici, i cellulosici e i nylon.
Materia plastica termoindurente(termoindurente):una materia plastica che subisce una
reazione chimica per .8:!one-di calore, catalizzatori. ecc., per da.r luogo a una struttura
macromoleco1ar~ reticolata. Le materie plastiche termoindurenti non possono venire
nuovamente fuse e processate perc1"1ése riscaldate degradano e si decompongono.
Tipici materiali termoindurenti sono le resìne fenoliche, poliesteri insature ed
epossidiche.
Paragrafo 9.1
Monomero:una sostanza molecolare semplice che può essere legata covalentemente in
modo reciproco per formare lunghe catene molecolari (polimeri). Esempio, l'etilene.
Catenapolimerica:una sostanza con massa molecolare elevata la cui struttura consiste di
un largo numero di piccole unità ripetitive dette meri (unità monomerkhe). La
maggior parte delle catene principali della maggior parte dei polimeri è formata da
aromi di carbonio.
Mero (unitàmonomerica):una unità ripetitiva nella molecola della catena polimerica.
Polimerizzazione:la reazione chimica in cui vengono formate molecole ad elevata
massamolecolare da monomeri
Copolimerizzazione:la reazione chimica in cui molecole ad elevata massa molecolare
vengono formate da d.ue o più monomeri (chimicamente diversi).
Polimerizzazionea catena: il meccanismo dì polimerizzazione attraverso cui molecole dì
polimero aumentano velocemente di dimensioni una volta che la crescita ha avuto
inizio. Questo tipo di reazione avviene in tre stadi: (l) iniziazione. dì catena, (2)
propagazione di catena, (3) terminazione di catena. li nome implica una reazione a
catena ed è usualmente iniziata da una fonte esterna. Esempio: la polimerizzazione a
catena dell'etilene in polietilene.
Grado di polimerizzazione:La massa molecolare di una catena polimerica divisa per la
massa molec9lare della sua unità monomerica (mero).
Funzionalità:il numero di siti di legame attivi in un monomero (funzioni), Se il
monomero ha due funzioni reattive è detto essere bifunzim.iale~
Omopolimero:un polimero consistente di un solo tipo di unità monomerica.
Copolimero:una catena polimerica consistente di due o più tipi di unità monomeriche.
Reticolazione(cross-linking):la formazione di legami di valenza primaria tra molecole di
polimero a catena. Quando sì verifica una estensiva reticolazione, come nel caso delle
resine termoindurenti, la reticolazione trasforma gli atomi in una unica
supermolecola.
Polimerizzazione a stadi: il meccanismo di polimerizzazione con cui la crescita della
molecola di polimero procede attraverso una reazione intermolecolare a stadi. È
452 Capitolo 9
coinvolto un solo tipo di reazione. Unità di monomero possono reagire le une con le
altre o con una molecola di polimero di q1:,1alunquedimensio,e. Il gruppo attivo alla
fine di un monomero è assunto avere la ,stessa reattìvità di quello di un polimero.
qualunque sia la lunghezza di quest'ultimo. Spesso si ha 'la produzione di un
sottoprodotto come l'acqua nel processo dì polimerizzazione. Esempio: fa
polimerizzazione del nylon 6,6 da acido adipico e esametilene diammina.
Parag1·afo9.3
Polimerizzazionein massa: la polimerizzazione diretta di un monomero liquìdo in un
polimero, in un sistema di reazione in cui il polimero rimane solubile nel suo stesso
monomero.
Polimerizzazionein soluzione:in questo processo viene utilizzato un solvente che scioglie
il monomero, il polimero e ]'iniziatore di polimerizzazione. La diluizione del
monomero con il solvente riduce la velocità di polimerizzazione, e il calore rilasciato
dalla reazione di polimerizzazione viene assorbito dal sdlvente.
Polimerizzazionein sospensione: in questo processo si utilizza acqua come mezzo dì
reazione. e il monomero viene disperso anziché disciolto nel mezzo. I polimeri
prodotti vengono ottenuti in forma di picçole sfere che vengono filtrate, lavate ed
essiccate nella forma di polveri da stampaggio.
Parag1·afo9.4
Cristallinità (nei polimeri):l'impacchettamento di catene molecolari in arrangiamenti
stereoregolari con elevato grado di compattezza. La cristallinità nei materiali
polimerici non è mai il 100 percento ed è favorita nei materiali polimericì in cui le
catene sono simmetriche. Esempio: il polietilene ad alta densità può essere cristallino
per il 95%.
Temperaturadi transizionevetrosa:il punto centrale di un intervallo di temperature in :,•ì
un materiale termoplastico riscaldato passa, dopo raffreddamento, da uno :.-t:..ì,•
gommoso coriaceo a quello di vetro fragile.
Stereoisomeri: molecole che hanno la stessa composizione chimica, ma diverso
arrangiamento strutturale.
Isomero atattico: questo isomero ha gruppi dì atomi pendenti arrangiati casualmente
lungo una catena polivinilica. Esempio: il polipropilene atattico.
Isomeroisotattico: questo isomero ha gruppi di atomi pendenti dalla stessa parte di una
cà'tena polivinilica. Esempio: polipropilene isotattico.
Isomero sindiotattico: questo isomero ha gruppi di atomi pertdenti in posizione
regolarmente alternata su entrambi i lati di una catena polivinHìca. Esempio.
polipropilene sindiotattico.
Catalizzatorestereospecifico:un catalizzatore che crea principalmente un tipo specifitl' di
stereoisomero durante la polimerizzazione. Esempio: il catalizzatore Ziegler usato per
polimerizzare il propìlene nella. forma principale di isomero isotattico.
Paragrafo 9.5
Stampaggio per iniezione:processo di stampaggio in cui una materia plastica portata a
rammollimento per azione del calore viene forzata attraverso un cilindro fornito dì
vite rotante in uno stampo cavo relativamente freddo che impartisce al materiale la
forma desiderata.
Stampaggioper soffiatura:metodo di fabbricazione delle materie plastiche in cui un tubo
cavo viene forzato e formato all'interno di .uno stampo cavo per azione della pressione
interna di aria.
Estrusione:processo in cui una materia plastica fatta rammollire viene forzata attraverso
un orifizio per ottenere un prodotto continuo. Ad esempio, un tubo di materia
plastica.
Stampaggio per compressione:processo di formatura soprattutto di resine tennoindu-
renti, in cui la miscela da stampare (generalmente riscaldata) viene inizialmente posta
in uno stampo cavo. In seguito lo stampo viene chiuso e vengono applicati calore e
pressione fino a che il materiale indurisce.
Stampaggio per trasferimento: processo di stampaggio in cui la miscela da stampare viene
fatta rammollire per azione del calore in una camera di trasferimento e quindi forzata
sotto pressione elevata in uno o più stampi cavi per l'indurimento definitivo.
Paragrafo 9.7
Plastificanti:agenti ·chimici aggiunti ad una materia plastica per aumentarne la fluidità e
la processabilità e per ridurne la fragilità. Ad esempio il caso del polivìnilcloruro
plastificato.
Riempitivo:sostanza inerte a basso costo aggiunta alle materie plastiche per diminuirne il
costo. I riempitivi possono anche fare aumentare alcune proprieta fisiche, come la
resistenza a trazione, la resistenza all'urto. la durezza, la resistenza all'usura, eccetera.
Paragrafo 9.8
Elastomero:materiale che a temperatura ambiente viene stirato souo· basso sforzo ad
almeno il doppio della sua lunghezza e quindi ritorna velocemente alla sua lunghezza
originale. o quasi, a seguito della rimozione dello sforzo.
cis-1,4 Poliisoprene:l'isomero dell'l .4 pòliisoprene che ha il gruppo metilico e l'idrogeno
dalla stessa parte del doppio legame centrale della sua unità monomerica. La gomma
naturale consiste principalmente di questo isomero.
trans-1,4 Poliisoprene: l'isomero dell'l,4 poliisoprene che ha il gruppo metilico e ·
l'idrogeno in posizione opposta rispem.) al doppio legame centrale della sua unità
monomerica.
\'ukanizzazione: reazione chimica che produce reticolazione delle catene polimeriche. Il
termine vulcanizzazione in genere è riferito alta reticolazione delle catene molecolari
dì gomme con zolfo, ma è anche usato per indicare altre reazioni di reticolazione dei
polimeri come quelle che avvengono in alcune gomme siliconiche.
,.
,..
MATERIALICERAMICI
10.1 INTRODUZIONE
I materiali ceramici sono materiali inorganici non metallici, costituiti da

elementi metallici e non metallici legati fra loro prevalentemente da legami ionici
e/o covalenti. Le composizioni chimiche dei materiali ceramici variano
notevolmente: si passa da composti semplici a miscele costituite da molte fasi
complesse legate tra di loro.
Anche le proprietà dei materiali ceramici variano in modo marcato a causa
delle differenze di legame. In generale, i materiali ceramici sono tipicamente duri
e fragili, con basse tenacità e duttilità. r materiali ceramici, di solito, sono buoni
isolanti elettrici e termici per Passenza di elettroni di conduzione. I materiali
ceramici, in genere, hanno una temperatura di fusione relativamente alta e una
elevata stabilità chimica in molti ambienti aggressivi, grazie alla stabilità dei
loro forti legami. Proprio per queste proprietà, i materiali ceramici sono
indispensabili in molte applicazioni. In Figura 10.1 sono mostrati due esempi
dell'importanza strategica dei materiali ceramici nelle tecnologie avanzate.
In generale,.i materiali ceramici usati in applicazioni tecnologiche possono
456 Capitolo 1 o
Turbina di gassificazione
I
~~-parti i~dicate sono
.in materiali ceramici
AGT100
(a)
(b)
FIGURA10.1 I materiali ceramici sonostrategicamente

importantiperalcune
tecnologieavanzate. Sonomostrati dueesempi.
{a}I componentiadaltatemperaturadelmotoresperimentalea turbina
a gasperautomobiliAGT-100 devono essere realizzati
conmateriali
ceramici.le elevate
temperaturedi funzionamento
deimotori"ceramici"dovrebbero
consentiredi aumentarne l'efficienza.
[Perconcessione
dellaAllisonGasTurbineDivision MotorsCo.].·(b)Il modulo
of Generai di conduzione
termica, mostratosezionato nellafotografia,
hauna
largabaseceramica multistrato
chesupporta,interconnette
e isolaungrande numero !Perconcessione
dì circuitiintegrati. dellaIBM,East
Fishkill,NewYork].
Materiali ceramici 457
essere divisi in due gruppi: materiali ceramici tradizionali e materiali ceramici

avanzati. Tipicamente, i materiali ceramici tradizionali sono costituiti da tre
componenti: argilla~ silice e feldspato. Esempi di materiali ceramici tradizionali
sono i mattoni e le tegole usati nell'industria edile e la porcellana utilizzata
nell'industria elettrica. I materiali ceramici avanzati, invece, sono tipicamente
formati da composti puri o quasi puri quali rossido di alluminio (Al:?03 ), il
carburo di silicio (SiC) e il nitruro di silicio (Si:,N4). Esempi di impiego dei
materiali ceramici nelle tecnologie avanzate sono il carburo di silicio utilizzato
nelle zone a elevata temperatura del motore sperimentale per automobili AGT-
100 a turbina a gas (Figura 10. la) e l'ossido di alluminio con cui si realizza la
base di supporto per microcircuiti integrati in un modulo a conduzione termica
(Figura 10.lb);
In questo capitolo esamineremo dapprima alcune semplici strutture
cristalline ceramiche e poi vedremo alcune strutture più complesse dei silicati.
Analizzeremo poi alcuni metodi per la lavorazione dei materiali ceramici e. in
seguito, studieremo alcune delle loro proprietà elettriche, meccaniche e termiche.
Infine, esamineremo alcuni aspetti della struttura e delle proprietà dei vetri.
10.2 STRUTIURE CRISTALLINE CERAMICHE SEMPLICI
Legame ionico Innanzitutto consideriamo alcune semplici strutture cristalline dei materiali
e covalente ceramici. In Tabella 10.1 sono elencati alcuni composti ceramici con struttura
in composti cristallina relativamente semplice, con i rispettivi punti di fusione.
ceramici semplici Nei composti ceramici elencat1, il legame atomico è un insieme dei tipi ioni-
co e covalente. Valori approssimati delle percentuali di carattere ionico e
covalente nei legami tra gli atemi in questi composti possono essere ottenuti
considerando le differenze di elettronegatività tra i diversi tipi di atomi presenti
nei composti e applicando l'equazione di Pauling per la detem1inazione della
percentuale di carattere ionico [Equazione (2.10)). La Tabella 10.2 mostra che la
TABELLA 10.1 Alcuni composti ceramici semplici con i rispettivi punti di fusione
Punto Punto
Composto ceramico di fusione,°C Composto ceramico di fusione, °C
Carburo dì afnio, HfC 4150 Carburo di boro, B.1C 2450

Carburo dì titanio, TiC 3120 Ossido di alluminio,Al20 3 2050
Carburo di tungsteno,WC 2850 .Diossidodì silicio,•SiO2 1715
Ossido di magnesìo,MgO 2798 Nitruro di silicio, Si3 N,i 1900
Carburo di silicio, SìC 2500 Diossido di titanio, TIO2 1605
* Cristobalite.
458 Capitolo 1O
TABELLA 10~2 Percentuale di carattere ionico e covalente nel legame dì alcuni composti
ceramici ,.
,
Atomi di Differenza di % di carattere % di carattere
Composto ceramico legame elettronegatività ionico covalente
Ossido di magnesio, Mg-O 2.3 73 27

MgO
Ossido di alluminio, Al-O 2.0 63 37
Al20s
Diossido di silicio. SiO~ Si-O 1.7 51 49
Nitruro di silicio, Si3 N.i Sì.-N 1.2 30 70
Carburo dì silicio, SiC Si e 0.7 11 89
percentuale di carattere ionico o covalente varia' considerevolmente nei

composti ceramici semplìci. L'entità del legame ionico o covalente tra
atomi di questi composti è importante poiché determina. in un certo modo il tipo
di struttura cristallina che si formerà nel composto ceramico.
Disposizioni Nei solidi (ceramici) ionici la disposizione degli ioni è determinata

ioniche semplici principalmente dai seguenti fattori:
trovate nei solidi
con legami ionici 1. La dimensione relativa degli ioni nel solìdo ionico (si assume che gli ioni
siano assimilabili a sfere rigide di raggio definito).
2. La necessità di bilanciare le cariche elettrostatiche per mantenere i<¾
neutralità elettrica nei solidi ionici.
Quando si forma i1 legarne ionico tra gli atomi allo stato solido, le energie
degli atomi diminuiscono a causa della formazione degli ioni e del legame tra
loro per formare un solido ionico. I solidi ionici tendono ad assumere una
disposizione dei loro ioni più compatta possibile per ridurre al minimo l'energia
globale del solido. I limiti all'ottenimento di una struttura densa sono le
dimensioni relative degli ioni e la necessità di mantenere la neutralità
,. di carica.
Limitazioni dimensionali al compattamento degli ioni in un solido ionico

solidi ionici sono costituiti da cationi e anioni. Nel legame ionico alcuni atomi
perdono i loro elettroni più esterni per divenire cationi e altri acquistano
elettroni esterni per diventare anioni.
Quindi i cationi sono normalmente più pìccoli degli anioni con cui si legano.
Il numero di anioni che circondano un catione centrale in un solido ionico viene
chiamato numero di coordinazione (CN) e corrisponde al numero di atomi
adiacenti che circondano un catione centrale. Per ottenere una struttura stabile. il
maggior numero di anioni deve circondare il catione centrale. Tuttavia, gli anioni
devono entrare in contatto con il catione centrale e deve essere mantenuta la
neutralità di carica.
Materìàfi ceramici 459
FIGURA 10.2
Configurazioni
di
coordinazione
instabile
[DaW.D.Kingery,
Bowen
e
stabile
persolidiionici.
H. K.
e D. R.Uhlmann,
"lntroduction
to Ceramics·:
2nded.,Wiley,19761.
88ffi 88
Stabile Stabile Instabile
La Figu~a l 0.2a e b mostra le configurazioni stabili per la coordinazione

degli anioni attorno a un catione centrale in un solido ionico. Se gli anioni non
toccano il catione centrale, la struttura diviene instabile poiché il catione
Disposiiione degli Valoredef rapporto

ioni ri$peno tra raggit1del ca1ione
allo ionecemrale e raggio dell'anione
Spigoli del ~.732

cubo
Spigoli ~.414
dell'ottaedro
Spigoli >-0.225
del tetraedro
FIGURA 10.3 Rapporti

trai raggiperi numeri di
coordinazione di 8, 6,4 e 3
anionichecircondano un Spigoli ;?!0.155
catione centralein solidi del triangolo
ionici.[DaW D.Kìngery, H
K. Bowen e D. R.Uhlmann,
to Ceramics",
"lntroduction
2nded.,Wiley,19761.
460 Capitolo 10
cèntrale può "sbattere contro la sua gabbia anionica" (Figura 10.2c). Il

rapporto del raggio del catione centrale con queUo 9egli anioni che lo
circondano si chiama rapporto tra i raggi ionici, l'cationc/~anione· Quando gli
anioni si toccano l'uno con l'altro ed entrano in contatto con il catione centrale;
il rapporto tra i raggi ionici viene chiamato rapporto tra i raggi ionici critico
(minùno). I possibili rapporti tra i raggi ionici nei solidi ionici con numeri di
coordinazione di 3, 4, 6 e 8 sono elencati in Figura 10.3, ne1la quale vengono
anche mostrate le coordinazioni.
Eserciziario
Vedi Esercizi10.1i 10.2.
Struttura La fqpnula chimica del cloruro di cesio solido è CsCl e, poiché questa struttura
cristallina del è formata principalmente da legami ionici, ìl numero di1ioni es+ e ci- è uguale.
cloruro di cesio Poiché il rapporto tra i raggi ionici per il CsCl è 0,94, il cloruro di cesio ha una
(CsCI) coordinazione cubica (CN = 8), come mostrato in Fìgura 10.4. Pertanto, otto
ioni cloruro circondano un catione centrale dì cesio nena posizione ( 1/2.1/2, ½)
della cella elementare di CsCl. Altri composti ionici che hanno la struttura
cristallina del CsCl sono CsBr, TiCl e TiBr. Anche i composti intermetallici
AgMg, LiMg, AlNi e 0-Cu-Zn hanno questa struttura. La struttura del CsCl
non è di grande importanza per i materiali ceramici, ma evidenzia come elevati
rapporti tra i ionici conducano a numeri di coordinazione più elevati nelle
strutture cristalline ioniche.
Eserciziario
Struttura La struttura cristallina del cloruro di sodio. o sale minerale, è costituita da

cristallina del legami fortemente ionici ed è caratterizzata dalla formula chimica NaCI.
cloruro di sodio Pertanto, per mantenere la neutralità della carica, ha un numero uguale di ioni
(NaCI) Na+ e ci-. La Figura l 0.5 mostra una cella elementare di NaCl con le posizioni
reticolari e la Figura 1. I 3b il modello a sfere rigide della cella elementare dì
NaCL La Figura 10.5amostra anioni ci- che occupano le posizioni regolari nel
reticolo atomico CFC e cationi Na+ che occupano posizioni interstiziali tra le
posizioni atomiche CFC. I centri degli ioni Na+ e ci- occupano le segue111i
posizioni reticolari. come indicato nella Figura I0.5a:
Na+: (½.0,0) (0,l0) (CÌ,O.½)G·½,½)

c1-: (0,0~0) (½,½,O)(½,O,½)(O,½,½)
Poiché ogni catione centrale Na+ è circondato da sei anioni ci-, la struttura ha
una coordinazione ottaedrica (cioè, CN = 6), come mostrato in Figura 10.5b.
Questo tipo di coordinazione viene determinata calcolando il rapporto tra i raggi
FIGURA 10.4 Cella

elementare dellastruttura
cristallina
delclorurodì
cesio(CsCI),
elementare
(a}Cella
conla posizione
degliioni(lì) Cella
elementare
questa
a sfererigide.In
struttura cristallina
[
ottoionidì cloruro
circondano uncatione X
centralein coordinazione
cubica{CN= 8).Nellacella (a) (Ò)
elementare ci sonounoione
dì es+e unodi et-.
ionici "Na-/tc1-= 0.102 nm/0, 181 nm = 0.56 che è superiore a 0,414. ma

inferiore a 0,732. Altri compostì ceramici con la struttura del NaCJ sono MgO;
CaO, NiO e FeO.
Eserciziario
Vedi Esercizi 10.4, 10.5, 10.6.
Posizioni Tra gli atomi o gli ioni che sono raggruppati in un reticolo di una struttura
interstiziali nei cristallina vi sono degli spazi liberi, o vuoti. Questi vuoti sonq posi=ioni
reticoli cristallini in1ets1iziali nelle quali si possono sistemare atomi o ioni diversi da quelli del
CFC e EC reticolo principale. Nelle strutture cristalline CFC e EC, che sono strutture
compatte, vi sono due tipi di posizioni interstiziali: ollaedriche e tetraedriche.
Nelle posizioni ottaedriche ci sono sei atomi o ioni equidistanti dal centro del
vuoto, come mostrato in Figura 10.6a. Questa posizione è chiamata ottaedrica
poiché gli atomi o gli ioni che la circondano formano un ottaedro. Nella
posizione tetraedrica vi sono quattro atomi o ioni equidistanti dal centro, come
mostrato in Figura 10.6b. Congiungendo i centri dei quattro atomi che
circondano il vuoto, si forma un tetraedro regolare.
Nel reticolo della struttura cristallina CFC le posizioni interstiziali
ottaedriche sono posizionate al centro della cella elementare e degli spigoli del
cubo, come indicato in Figura 10.7. Vi è l'equivalente di quattro posizioni
interstiziali ottaedriche in ogni cella elementare CFC. Poiché vi sono quattro
atomi in ogni cella elementare CFC, c'è una posizione interstiziale ottaedrica
per ogni atomo nel reticolo CFC. La Figura l0.8a indica le posizioni nel reticolo
delle posizioni interstiziali ottPMfriche di una· cella ~lementare CFC.
Nel reticolo CFC le posizwni tetraedriche sono localizzate nelle posizioni di
tipo (¼, ¼, ¼)? come indicato nelle Figure l0.7 e 10.8b. Nella cella
462 Capitolo 1O 55
JO-½,½)
(o,o,¾) (½,½,½)
FIGURA 10.5 (a}Cella
elementare di NaCIcon (½.o,½)
indicazionedelleposizioni
reticolari
degliioniNa+
. {raggio=0,102nm}e Cl-
(raggio= 0,181nm).(b)
Ottaedrochemostra la
coordinazione ottaedrica
di
seianionic1-attorno a un
oci- fz, Na+
(a) (b)
cationecentraleNa+.
elementare CFC ci sono otto posizioni tetraedriche per ogni cella elementare
cioè due per atomo della cella elementare CFC. Anche nella struttura cristallina
EC, a causa del compattamento analogo a quello della struttura CFC. vi è un
numero di posizioni interstiziali ottaedriche pari al numero degli atomi nella
cella elementare EC e un numero doppio di posizioni tetraedriche rispetto agli
atomi.
Struttura La struttura del solfuro di zinco ha la formula chimica. ZnS e la. cel.la elementc:re
cristallinadel mostrata in Figura 10.9, che contiene requivalente di quattro atomi di zinctì e
solfuro dì zinco quattro di zolfo. Un tipo di atomo (S oppure Zn) occupa i.punti del reticolo ài
{ZnS) una cella elementare CFC e l'altro tipo (S oppure Zn) occupa la metà delle
FIGURA 10.6 Posizioni

interstiziali
neireticolidelle
strutturecristalline
CFCe ,.
EC.(a) Posizione
interstiziale
ottaedrica
formata al centrodi sei
atomichesi toccano l'uno
conl'altro.(b}Posizione
interstiziale
tetraedrica
formata al centrodi quattro
atomichesi toccano l'uno
conl'altro.[Da W.D.
Kingery, H.K.Bowen e O.R.
Uhfmann, "lntroductianto (a) (b)
Ceramics", 2nded.,Wiley,
1076].
Materialiceramici 463 ..
FIGURA 1.0.7Localizzazione.
delleposizioni
in.terstiziali
ottaedrichee tetraedrichenellaceliaelementare CFCdi una
struttura
cristallinaionica.l.eposizioni ottaedriche sonoal centro
dellacellae neipuntimedideglispigolidelcubodellacella
elementare.Poiché cisono12spigolideicubo,all'interno delcubo
è localizzato
unQuarto di unvuotosuognispigolo. Quindi, vi è
l'equivalente
di 12x ¼ = 3 vuotiall'interno dellaCf:!llaelementare
CFCin corrispondenza aglispìgolidelcubo.Perciòvi è
l'equivalente
di quattro vuotiottaedriciin ognicellaelementare
CFC(unoal centroe l'equivalente di treai bordidelcubo).I vuoti
tetraedrici
sonolocalizzati nelleposìzim:iidi tipo(¼,¼,¼) che
sonoindicate in figuradai.punticoni ragginelledirezioni
tetraedriche.
Quindic'èuntotaledi ottovuotìtetraedrici all'interno
dellacellaelementare CFC.[DaW.D:Kingery, ''lntroduction)o
Ceramics'; Wiley;1960,p.104J. ·
posizionì interstiziali tetraedriche della cella elementare CFC. Nella cella

elementare della struttura cristallina ZnS mostrata in,Figura 10.9, gli atomi di
zolfo occupano le posizioni degli atomi della cella elementare CFC, come
indicato dai cerchi vuoti e gli atomi Zn occupano metà delle posizioni
(LO,½)
(tUJ
.L--::...,__.MC--4---Y
- - - - -·
X
X
(a) (b)
FIGURA 1o.aLocalizzazione delleposizioniinterstiziali CFC.(a) Leposizioni

nellacellaelementare nellacella~FCS?noal
ottaedriche
centrodellacellaelementaree ai centrideglispigolidelcubo.(b) Leposizioni
tetraedriche CFCsononeipuntidella
nellacellaelementare
cellaelementareindicalisotto.Nellafiguravengono mostrare solo11:l
posizioni
rappresentative.
(LU) (!. ,¾J (¾,1
,!) (¾,Li)
G,U) G, ,¾) (U,U (LU)
464 Capitolo 1O

cristallina
delsolfurodi
zinco(ZnS). In questacella
y-~i-=-n-_-=-o:,~9
·
{;10;
elementare gli atomidìzolfo
occupano le posizionidella
cellaelementare
CFC(equivalenti
atomica
a quattro l \/~T1 I,.
atomi).Gliatomidì zinco I I I I
occupano la metàdelle I I I I
I I I
posizioniinterstiziali
i/6-~ ~L~
tetraedriche(quattroatomi).
Ogniatomo Zno S haun
numero di coordinazione
4 e formalegami
di
covalenti e;:-:.-:.~=n~~
conglialtriatomi.
tetraedrici
IDaW.D.Kingery,
Bowen
H.K
e D.R. Uhlmann, 2n Os
"lntroductiontoCeramics';
2nded.,Wiley,1976J.
interstiziali tetraedriche della cella elementare CFC, come indicato dai cerchi
pieni. Le coordinate di posizione degli atomi S e Zn nella struttura cristallina
ZnS possono quindi essere indicate come:
atomi S: (O.O.O) (½,½,O) (½,O,}) (O,½,½)
atomi Zn: (¾l¼)
Secondo requazione di Pauling [Equazione (2.10)], il legame Zn-S ha una
percentuale di carattere covalente parì a 87 e quindi la struttu:ra cristallina del
cristallo si ZnS sarà legata principalmente in modo covalente. Di consegucnzai
la struttura ZnS ha legami covalenti tetraedrici e gli atomi Zn e S hanno un
numer,o di coordinazione di 4. Molti composti semiconduttori come CdS, InAs.
InSb e ZnSe hanno la struttura cristallina del solfuro (blenda)'ai zinco.
Eserciziario
Struttura La struttura del fluoruro dì calcio,.(fluorite) col'l Ia formula chimica CaF 2 , ha la

cristallina del cella elementare mostrata in Figura 10.10.In questa cella elementare gli ioni Ca 2•
fluoruro di calcio occupano le posizioni del reticolo CFC, mentre gli ioni F- sono nelle otto
(CaF2) posizioni tetraedriche. Le quattro posizioni ottaedriche rimanenti nel reticolo
CFC restano vacanti. Quindi ci sono quattro ioni Ca 2+ e otto -ioniF- ìn ogni cella
elementare. Esempi di composti che hanno questa struttura sono U0 2 , BaF:.
AuAl2 e PbMg2. Il composto Zr0 2 ha una struttura CaF 2 distorta (monoclina). Il
FIGURA10.1O Struttura
cristallina
delfluoruro
di
calcio{CaF2) (chiamato
anche fluorite).
In questa
cellaelementare gliioni
ca2+ sononelleposizioni
dellacellaelementare CFC
(quattroioni).Ottoioni
fluorurooccupano tuttele
posizioniinterstiziali
[DaW.D,
tetraedriche.
Kingery,H.K.Bowen eD.R. F Qca
Uhlmann, "lntroductionlo
Ceramics·; 2nded.,Wiley,
7916'J. -·--~·--·-~----
grande numero di posizioni interstiziali ottaedriche libere nel composto U02
consentono l'uso di questo materiale come combustibile nucleare (materiale
fissile), poiché in queste posizioni vacanti possono essere sistemati i prodotti di
fissione.
Eserciziario
Struttura La struttura dell'antifluorite è costituita da una cella elementare CFC con

cristallina anioni (per esempio di 0 2 -) che occupano le posizioni del reticolo CFC. I
dell'antifluorite cationi (per esempio, Li+) occupano le otto posizioni tetraedriche del reticolo
CFC. Esempi di composti con questa struttura sono Lb0, Na2O, K20 e
Mg2Si.
Struttura cristallina Nella struttura del corindone (A}:i03) gli ioni di ossigeno sono nelle posizioni
del corindone reticolari di una cella elementare esagonale compatta. come mostrato in Figura
{Al203) I 0.11. Nella struttura cristallina EC come nella struttura CFC, ci sono tante
posizioni interstiziali ottaedriche quanti sono gli atomi nella cella elementare.
Tuttavia, poiché l'alluminio ha una valenza di +3 e l'ossigeno una valenza di
-2, ci possono essere solo due ionì AI3+ ogni tre ioni 0 2- per mantenere Ia
neutralità elettrica. Quindi gli ioni di alluminio possono occupare solo due terzi
delle posizioni ottaedriche del reticolo EC del Ah03 e questo porta a una certa
distorsione della struttura.
466 Capitolo 1O
cristallina
delcorindone --t---J!::==f:==t:-Posizìonionaedricbe
(Al203). Gliioniossigeno occupateper due terzi
daAJ3+
(02-} occupano leposizioni
dellacellaelementareEC.
Gliionidi alluminio(Al3+)
occupano solodueterzi
delleposizioniinterstiziali
permantenere la neutralità
elettrica.
Struttura NeBa struttura della perovskite {CaTiO3) gli ioni Ca 2+ e 0 2- formano una cella
cristallinadella elementare CFC con gli ioni Ca 2+ agli angoli della cel.la elementare e gli ioni O 2-
perovskite nei centri delle facce {Figura 10.12). Lo ione Ti 4 +, con una elevata carica, è nella
(CaTiO3) posizione interstiziale ottaedrica al centro della cella elementare ed è coordinato
a sei ioni 0 2-. Il BaTiO3 ha la struttura della perovskite sopra i 120°C, ma sotto
questa temperatura la sua struttura è leggermente diversa. Altri composti con
questa struttura sono SrTiO 3 , CaZrO 3 , SrZrO 3 , LaAlO~ e moiti altri. questa
struttura è importante per i materiali piezoelettrici (vedi Paragrafo 10.6).
Struttura Molti ossidi hanno la struttura MgAl:2O4, o struttura dello spinelk,.

cristallinadello caratterizzata dalla formula generale AB204 dove A è uno ione metallico con
spinello (MgAl204) valenza +2 e B è uno ione metallico con valenza +3. Nella struttura dello
spinello gli ioni di ossigeno formano un reticolo CFC e gli ioni A e B occupano
posizioni interstiziali tetraedriche e ottaedriche, a seconda del tipo particolare di
spinello. Composti con la struttura dello spinello sono ampiamente impiegati
per materiali nragnetìci non metallici per applicazioni elettroniche e verranno
studiati più in dettaglio nel Capitolo 11 riguardante i materiali magnetici.
Grafite La grafite è una forma polimorfa del carbonio e non è un composto di un

metallo e di un non metalìo; tuttavia, poiché la grafite viene talvolta considerata
un materiale ceramico, la sua struttura viene analizzata in questo capitelo. La
grafite ha una struttura stratificata nella quale gli atomi di carbonio all'interno
di uno strato hanno forti legami covalenti che fonnano una struttura di tipo
esagonale, come mostrato in Figura 10.13. I diversi strati sono invece tenuti
insieme da legami secondari deboli e questi possono facilmente scorrere l'uno
sull'altro. La facilità di scorrimento degli strati conferisce alla grafite le sue
proprietà lubrificanti.
Materiali ·ceramici · 467

cristallina
del.laperovskite
/
(CaTì03). Gli ionidi calcio /
occupano gli angolidella
cellaelementare CFCe gli I
ionidiossigeno occupano le I
posizionial centrodella .............
...--a:~1-0
facciadellacellaelementare I
CFC.Loionedi titanio I
occupa la posizione -----1---
interstiziale.
ottaedrica al 1 //
centrodelcubo.[Da W.D.
Kingery;H.K.Bowen eD.R.
Uhlmann, "lntroductionto
Ceramics'',2nded.,Wiley
1976].
10.3 STRUTTURE DEI SILICATI
Molti materiali ceramici contengono dei silicati che sono strutture formate
da atomi (ioni) di silicio e di ossigeno legati assieme in modi differenti. Anche un
elevato numero di materiali che si trovano in natura come l'argilla, il feldspato e

cristallina Gli
dellagrafite.
atomidi carbonio formano
straticostituiti
daelementi
esagonalic:onfortilegami
covalenti.
TragUstrativi 0,142nm
sonodebolilegami
secondari.
468 Capitolo 1O
la mica sono dei silicati; infatti l'ossigeno e il silicio sono i due elementi più
abbondanti nella crosta terrestre. Molti silicati sono utili iome materiali tecno-
logici grazie alle loro caratteristiche di basso costo, reperibilità e proprietà
speciali. I silicati sono particolarmente importanti in relazione a materiali da co-
struzione quali il vetro, il cemento porUand e i laterizi. Anche molti isolanti elet-
trici sono realizzati con silicati.
Unità strutturale di L'elemento di base per la realizzazione dei sìlicati è il tetraedro SiO 4 4 - (Figura
base dei silicati 10.14). Il legame Si-O nella struttura SìO4 4 - è per il 50% covalente e per il 50%
ionico, in accordo ai calcoli effettuati con }'equazione di Pauling [Equazione
(2.1O)J. La coordinazione tetraedrica del SiO4 4 - soddisfa le esigenze di
dir~ttonalità del legame covalente e di rapporto tta i raggi ionici richiesto dal
legarrte ionico. Il rapporto tra i raggi ionici del ltgame Si-O è 0,29 ed è
nell'intervallo di coordinazione tetraedrica per il compattamento stabile di ioni.
A causa dello ione Si4 +, piccolo e di carica elevata, si creano forti forze di
legame all'interno dei tetraedri di SiO4 4 -. e, di conseguenza, le unità SiO4 4 -
sono normalmente legate angolo-angolo e più raramente spigolo-spigolo.
Strutture dei Poiché ogni ossigeno del tetraedro dei sìlìcati ha un elettrone disponibile per
silicati a isola, a legarsi, possono essere prodotti mohi tipi di strutture di silicato. Si producono i
catena e ad anello silicati a isola quando gli ioni positivi si legano con gli ioni di ossigeno del
tetraedro SiO 4 4 -. Per esempio, gli ioni Fe 2+ e Mg2+ si combinano con il SiO4 4-
per formare il minerale a isola silicato di olivina che ha la fonnula chimica di
base (Mg.Fe)2 SiO4.
Se due angoli di ogni tetraedro di SiO4 4 - sono legati con gli angoli di ahri
tetraedri, si ottiene una struttura a catena (F1gura 1O.15a) o ad anello con la
formula chimica elementare SiO3 - 2 . 11 minerale di estati te (MgSiO3) ha una
struttura di silicato a catena e il minerale di berillio [Be3Ab(SiO 3)6] ha una
struttura di silicato ad anello.
FIGURA 10.14 La
disposizione dellegame tra
gli aiomi(ioni)deltetraedro
di Si04 4-. Inquesta
strutturaquattroatomidi
ossigeno circondano un
atomocentrale dì silicio.
Ogniatomodi ossigeno ha
Si
unelettrone perHlegame
conunaltroatomo.
Materialiceramici 469
FIGURA 10.15 (a)

Silicatoconstruttura a (a)
catena. Duedeiquattro
atomidi ossigeno del
tetraedrodi Si044- sono
legatiadaltritetraedriper
formare catenedi silicato.
(b) Silicato
construttura a
strati.Tredeiquattro atomi
di ossigeno deltetraedrodi
Sì044- sonolegatiadun
altrotetraedroperformare
deipiani.Gliatomidi
ossigeno nonlegatisono
rappresentati
dacerchi vuoti.
[DaM. Elsenstaadt,
"Mechanical Properties ot
Materials''.
Macmillan. (/>)
1971,p.82J,
Silicati con Le strutture di silicato a strati si formano quando tre angoli complanari di un
struttura a strati tetraedro di silicato sono legati agli angoli di tre altri tetraedri di silicato, come
mostrato in Figura l0. l 5b. Questa struttura ha la formula chimica elementare di
ShOs 2-. Gli strati di silicato possono legarsi con altri tipi di strati strutturali
poiché c'è ancora un ossigeno libero su ogni tetraedro di silicato (Figura
10.15b).Per esempio, uno strato dì silicato a carica negativa può legarsi con uno
strato a carica positiva di Ah(OH) 4 2+ per formare uno strato composito di
caolinite, come mostrato schematicamente in Figura 10.16. Il minerale caolinite
è costituito (nella sua forma pura) da piccolissimi piani con forma atrincirca
esagonale, con una dimensione media di circa 0,7 µm di diametro e 0,05 µm di
spessore (Figura 10.17). Le lamelle cristalline sono composte da una serie ài
strati paralleli (fino a 50 circa) legati con legami deboli secondari. Molte argille
di qualità sono formate principalmente da minerale di caolinite.
Un altro esempio di silicato a strati è il talco minerale~ nel quale uno strato
di Mg3(0Hh 4+ si lega con due strati esterni di Si20 5 2- {uno per ogni lato) per
470 Capitolo 1O
FIGURA 10.16
Diagramma schematicodella
formazione
stratidi A1
dellacaolinite
2
2(0H)4+ e
da '
Al2(0H)4Si205
2
Si,05 -. Tuttii legami lettricamente.
neutro
primaridegliatominello
stratodi caolinite
sono Caolinite
soddisfatti.
[DaM.
Elsenstaadt,"Mechanical
Propertiesof Materials'"
1971,p.83}.
fonnare uno strato composito con formula chimica Mg3(0Hh(Si:?Osh. Gli

strati di talco composito sono legati assieme da legami deboli secondari e quindi
questa disposizione strutturale permette agli strati di talco di scorrere facilmente
1'uno sull'altro.
Reticoli di silicati Silice Quando tutti e quattro gli angoli del tetraedro di Si04 4 - condividono
atomì di ossigeno, si produce un reticolo Si02 chiamato silice(Figura 10.18). La
silice cristallina esiste in diverse forme polimorfe che corrispondono a differenti
modi nei quali i tetraedri di silice sono disposti in modo da condividere tutti gli
angoli. Vi sono tre strutture base della silice: quarzo, tridimite e cristobalite e
ognuna di loro ha due o tre modificazioni. Le fanne più stabili della silice e gli
FIGURA 10.17 Cristalli

di caolinite
osservati
al
microscopioelettronico
(teénica ID.i
dellareplica).
C.E.Hallcomemostrato in
f H. Norton, "Elements
ot
Ceramics·:2nded.,
Addison-Wesley,1974,
p.16].
di unaaltacristobalite, una
formadi silice(Si02). Si
noticheogniatomo di
silicioè circondato da
Quattro atomidi ossigeno e
cheogniatomo di ossigeno
forma unapartedeidue
tetraedridì Si04. [Da W.D.
Kingery, H.K.Bowen eD.H
Uhlmann, "lntraduction to Q Atomodi silicio @ Atomo di ossigeno
Ceramics·: 2nded.,Wiley,
1976'1.
intervalli di temperatura nei quali esistono a pressione atmosferica sono: il basso

quarzo al di sotto di 573°C, l'alto quarzo tra 573 e 867°C, alta trimidi.te tra 867 .e
1710°( e l'alta cristobalite tra 1470 e 1710°C (Figura 10.18). Sopra i 1710°C la
silice è liquida. La silice è un componente importante di molte ceramiche
tradizionali e di molti tipi differenti di vetri.
Feldspati Vi sono molti silicati naturali che hanno infiniti reticoli di silicato
tridimensionali. Un tipo di silicati reticolati importanti per l'industria sono i
feldspati che sono anche uno dei maggiori componenti delle ceramiche
tradizionali. Nella rete strutturale dei feldspati alcuni ioni AJ3+ sostituiscono
alcuni ioni Si4+, formando un reticolo con una carica negativa netta. Questa
carica negativa è bilanciata da grandi ioni alcalini e alcalino terrosi quali Na+ ~
K+, Ca 2+ e Ba2+ che si sistemano nelle posizioni interstiziali. La Tabella 10.3
riassume le composizioni ideali di alcuni minerali di silicato.
10.4 LAVORAZIONEDEi MATERIALICERAMICI
Molti prodotti ceramici tradizionali e tecnici sono fabbricati compattando

polveri o particelle in forme che vengono poi scaldate a temperatura
sufficientemente elevata da legare insieme Je particelle, La sequenza base nella
lavorazione dei materiali ceramici mediante agglomerazione delle particelle è:
(1) preparazione del materiale, (2) formatura e (3} trattamento termico con es-
472 Capitolo 10
·TABELLA10.3 Composizioniideali di mineralisilicati
Silìce:
Quarzo Fasi cristallinecomuni nel Si02
Tridimite
Cristobalìte
Silicatodi alluminio:
Caolinite(caolino) Al20s · 2Si02 · 2H20
Pirofillite Al20s · 4Si02 · H20
Metacaolinite Al20s · 2Si02
Sillimanite Al20s · 2S102
Mullite 3AI20a · 2Si02
Silicatodi alluminioalcalino:
FeldSpatopotassico K20 · Al20s · 6Si02
Feldspatosodico Na20 · Al203 · 6Si02
Muscovite(mica) K20 · 3Al20a · 6Si02 · 2H20
Montmorlllonlte Na20. 2Mg0 · 5Al20a · (6 + n)fi20
Leucite K20 · Al20a · 4Si02
Silicatodi magnesio:
Cordierite 2Mg0 5Si02 · 2Al20s
Steatite 3Mg0,4Si02
Talco 3Mg0 · 4Si02 ·H20
Crisofilo(amianto) 3Mg0 · 2Si02 · 2H20
Forsterite 2Mg0,Si02
Fonte: o. H. Wyatt and D. Dew-Hughes, "Metals, Ceramics and

Polymers", Cambridge, 1974.
sìccamento (normalmente non richiesto) e cottura, scaldando la forma cerami-ca

a una temperatura abbastanza elevata da legare assieme le particelle.
Preparazione La maggior parte dei prodotti ceramici vengono realizzati . mediante la

dei materiali consolidazione di particelle 1• Le materie prime per questi prodotti variano a
seconda delle proprietà richieste per il prodotto ceramico finale. Le particelle e gli
altri ingredienti, quali i leganti e i lubrificanti, possono essere miscelati a umido o
a secco. Per prodotti ceramici che non hanno proprietà particolarmente ··critiche..
quali i comuni mattoni. le tubature fognarie e altri prodotti deU:argilla. è pratica
comune la miscela degli ingredienti con acqua. Per certi altri prodotti ceramici le
materie prime vengono macinate assieme ai leganti e altri additivi. Talvolta le
lavorazioni a umido e a secco delle materie prime sono combinate. Per esempio.
per produrre un tipo di isolante di alta allumina (Ab03), le materie prime in
forma di particelle vengono macinate·éon acqua e con un legante, a formare un
impasto refrattario semiliquido che viene successivamente essiccato a spruzzo per
formare piccoli agglomerati sferici (Figura I0.19).
1 La produzione dei prodotti vetrosi e il getto del calcestruzzo sono le due maggiori ecce-
zioni.
FIGURA 10.19 Sfere

essiccate
a spruzzodi un
corpoceramico
di alta
allumina.
[DaJ. S.Owens et
al.,Am.Ceram.Soc.Bui/.,
56:437(1971)].
Formatura I prodotti ceramici realizzati con particelle agglomerate possono essere formati
con vari metodì, sia a secco che nelle condizioni plastica o liquida. Nelrindusttia
ceramica sono predominanti i processi di formatura a freddo, ma in alcuni casi
vengono usati anche i processi a caldo. La pressatura, il colaggio e l'estrusione
sono i metodi comunemente usati nella fonnatura della ceramica.
Pressatura Le materie prime ceramiche particellari possono essere pressate,

nella condizione a secco, plastica o bagnata. in uno stampo per formare prodotti
di una specifica forma.
Pressatu1·aa secco Questo metodo viene comunemente usato per prodotti

come i refrattari strutturali (materiali ad alta resistenza al calore) e i componenti
ceramici elettronici. La pressatura a secco può essere definita come la
compattazione e formatura simultanea di una polvere, con picco]e quantità di
lubrificante e/o legante organico, in uno stampo. La Figura 10.20 mostra una
serie di operazioni per la pressatura a secco di polveri ceramiche per ottenere
una forma semplice. Dopo la pressatura a freddo, le parti di solito vengono
cotte (sinterizzate) per raggiungere la durezza e le proprietà microstrutturali
richieste. La pressatura a secco viene largamente usata perché consente di
ottenere rapidamente una grande quantità di pezzi con uniformità e tolleranze
474 'Capitolo 10
FIGURA10.20
Pressaturaa seccodi
particeneceramiche: (a)e
(b)riempimento, (c)
pressaturae (r!Jespulsione.
[DaJ. S. Reede R.B.Runk,
"Ceramic Fabrication
Processes~ vol.9:'Treatise
(b)
(a) (e) (d)
in MateriaJsScience and
Technology·: Academic,
1976.p.74].
rìstrette. Per esempio, le allumine, i titanati e le ferriti possono essere pressati a

secco in dimensioni lineari da pochi micrometri a parecchi centimetri, con una
cadenza dì circa 5000 pezzi al minuto.
Pressatura isostatica In questo processo la polvere ceramica viene caricata in

un contenitore ermetico (chiamato borsa) flessibile (solitamente gomma) eh~
trova all'interno di una camera di fluido idraulico al quale viene applicatu
pressione. La Figura 10.21 mostra una sezione trasversale di un isolante di una
candela in uno stampo per la pressatura isostatica. La forza della pressione
applicata compatta uniformemente la polvere in tutte le direzioni, con il
FIGURA10.21 Sezione risultato finale dì un prodotto che prende la forma del contenitore flessibile.
trasversaledi unisolante Dopo la pressatura isostatica a freddo la parte deve essere cotta (sinterizzata)
nellostampo perla ,.
pressatura Pellet
isostatica.
sfericispruzzatia secco
(Figura10,19)sono
alimentatipergravllà dalla
partesuperiore dellostampo
e compressi conpressione
normalmente
isostatica,
nell'intervallo
tra29a 40
MPa.Il fluidoidraulico entra
a latodellostampo
attraversoi forimostrati
nellasezione trasversale.
Champion
Spark~ptug
Co.].
FIGURA10.22 Stadi
dellafabbricazione
dell'isolantedi unacandela
conil metodo della
pressatura isostatica,(a)
Isolantegrezzo pressato. (b)
Isolantetornilo.(c) Isolante
cotto.(a) isolantefinito,
lucidatoe decorato. (e)
Sezione trasversale dì una
candela perautomobili
assemblata chemostra la
posizione dell'isolante.
[Per
concessione dellaChampion
Spark PlugCo.J. (a) (b) (e) (d) (e)
per raggìungere le proprietà e la microstruttura richieste. Le parti ceramiche

prodotte con pressatura isostatica comprendono i refrattari~ i mattoni e laterizi,
gli isolanti delle candele, gli utensili in carburo. ì crogioli e i cuscinetti.. La
Fìgura 10.22 mostra gli stadi della fabbricazione dell'isolante di una candela
mediante pressatura isostatica.
Pressatura a cal.do Con questo processo vengono ottenuti prodotti ceramici

ad alta densità e proprietà meccaniche avanzate, combinando ]e operazioni di
pressatura e di cottura. Vengono usati sia il metodo unidirezionale che quello
isostatico.
Colaggio Le forme di ceramica possono essere colate mediante un unico

processo di colaggio, iHustrato nella Figura 10.23. !'·passaggi principali del
colaggio dei ceramici sono:
1. Preparazione di una sospensione di polvere ceramica in un liquido. Tale

sospensione è detta barbottina.
2. Versamento della barbottina in uno stampo poroso. di solito di gesso, che
permette alla porzione liquida della barbottina di essere parzialmente
assorbita dallo stampo. Mentre il liquido viene rimosso dalla barbottina, si
476 Capitolo 10
L_asospensioneliquida
viene colatanello stampo ,.
Drenaggiodello stampo Raddrizzamenlo Pezzo
finito
(a)
o
,~ sospensioneJigulda
vienecolatanello stampo
/ Assorbimentodi acqua
Pezzo
finito
FIGURA 10.23 Colata di

formeceramiche. (a}Colata
perdrenaggio in stampo
porosodi gesso.
{b)Colatélsolida.[Da W.O.
Kingery,''lntroduclion
to
Ceramics': Wiley,1960, (h)
p.52'1.
forma uno strato di materiale semiindurito sulla superficie dello stampo.

3. Quando sì è formato uno spessore sufficiente sulla parete, il processo di
colata viene interrotto e l'argilla liquida in eccesso viene rimossa dalla cavità
(Figura 10.23a). Questa viene chiamata colata per drenaggio.In alternativa, si
può fare una forma solida lasciando continuare la colata fiho a che l'intera
cavità dello stampo viene riempita, come illustrato in Figura 10.23b. Questo
tipo di colaggio viene chiamata colata solida.
4. Il materiale nello stampo viene fatto essiccare per ottenere una resistenz~1
adeguata per la manipolazione e)a conseguente ri111ozione del pezzo òallo
stampo.
5. Infine il pezzo colato viene cotto per raggiungere la microstruttura e le
proprietà richieste.
Il colaggio è vantaggioso per la formatura di forme complesse con spessore

uniforme e parete sottile. Il colaggio è particolarmente economico per lo
sviluppo dei pezzi e per la produzione di piccole serie. Diverse nuove varianti dd
Al
Cameradi vuoto
impastoargilla
Matrice di
estrusione
Vite
deareatrice
Orificiper sminuzzare
· la colonnadi argilla Vite di
estrusione
FIGURA1~.24 Sezione trasversale

di unmulinodi miscelazione (impastatrice
combinata di argilla)permateriali
ceramici
emacchina
con
estrusore
a vitesottovuoto.[DaW.D.Kingery,"lntroduction
to Ceramics·:
Wiley,19601.
dei pezzi e per la produzione dì piccole serie. Diverse nuove varianti del processo
processo di colaggio sono il colaggio in pressione e a vuoto nelle. quali la
barbottìna viene modellata sotto pressione o sotto vuoto.
Estrusione I materiali ceramici con sezione trasversale semplice o forme cave

possono essere prodotti per estrusione allo stato plastico attraverso una matrice
di formatura. Questo metodo viene comunemente usato per produrre, per
esempio, mattoni refrattari, tubazioni fognarie, laterizi forati, ceramiche
tecnologiche e isolanti elettrici. Il mezzo più comunemente usato è la macchina
con estrusore a vite sotto vuoto, nella quale i1 materiale ceramico miscelato ad
un plasticizzante (p. es. argilla e acqua) viene incanalato attraverso una matrice
di un acciaio o di una lega dura per mezzo di una vite a motore (Figura 10.24).
Materiali ceramici speciali vengono spessoprodotti utilizzando un pistone per
estrusione ad alta pressione che consente di ottenere tolleranze ristrette.
Trattamenti termici Il trattamento termico è un passo essenziale nella fabbricazione della maggior
parte dei prodotti ceramici. In questo paragrafo considereremo i seguenti
trattamenti termici: essiccamento, sinterizzazione e vetrificazione.
478 Capitolo 10
FIGURA 10.25
Formazione di uneolio
durantela sinterizzazione
di
dueparticellefini.Al
contattodellesuperfici
awiene ladiffusione
e aumenta
atomica
l'areadi contatto
s,.Jritiro /
I
Formazionedì un collo
di raggiop
formando
Brophy,
uncollo.[DaJ. H.
R.M. Rosee J;
Wulff,'1he.Structure and
I
PropertiesatMaterials", voi.
Il: "Thermodynamìcs o!
Structure''.
Wlley,1964,
p.139].
Essiccamento e eliminazione dei leganti Lo scopo dell'essiccamento dei

materiali ceramici è la rimozione dell'acqua dalla massa ceramica plastica
prima della cottura a più alta temperatura. Generalmente, l'essiccamenta per
rimuovere l'acqua viene eseguito sotto i 1oo~c e può durare fino a 24 ore per un
pezzo di materiale ceramico di grosse dimensioni. La massa dei leganti organici
può essere rimossa dai prodotti ceramici con il riscaldamento nell'intervallo tra
200 e 300,;:C, sebbene alcuni residui di idrocarburi possono richiedere
riscaldamento a temperature più elevale (fino a 800°C, 10 Bar per alcuni legam;
organici).
Sinterizzazione Viene chiamato simeri=:a:ioneil processo mediante il quale
piccole particelle di un materiale vengono consolidate attraverso fenomeni di
diffusione allo stato solido. Nella fabbricazione dei materialì ceramici questo
trattamento termicoporta alla trasformazione di un prodotto poroso (P ::: 50%)
in un prodotto denso e coerente. La sinterizzazione viene co!-i;.rnnementeusata
per produrre forme ceramiche costituite~ per esempio, .da allumina, beri1Ho.
ferrite e titanati.
Nel processo di sinterizzazione le particelle vengono agglomerate dalla
diffusione allo stato solido a temperature µiolto elevate, ma inferiori al punto ài
fusione del composto che deve essere sinterizzato. Per esempìo, risolante della
candela di allumina mostrato in Figura 10.22a viene sinterizzato a 1600°C (il
punto di fusione delrallumina è di 2050°C). Nella sinterizzazione, la diffusione
atomica avviene tra le superfici di contatto delle particelle eh.e diventano
chimicamente legate fra di loro (Figura 10.25). Man mano che Hprocesso va
avanti, si formano particelle più grandi a spese di quelle più piccole, come
illustrato nella sinterizzazione dei prodotti sinterizzati di MgO mostrata in
Figura l0.26a, b e c. La porosità dei prodotti di sinterizzazione diminuisce
Materiali'ceram1ci 479
FIGURA10.26
Micrografìe a scansione
elettronicadi superfici
di
rottura
dì prodottisinterizzati
di MgO(polveri compresse)
sinterizzati
a 1430{Cin aria
fermaper{a)30 minuti
(porositàfrazionaria= 0,39);
(b)303minuti(p.f.= 0,14);
(e}mo minuti{p.f.=
0,09);in (a) è mostrata la
superficiericottadì (e).[Da
B.Wong eJ.A Pask, J.Am.
Ceram. Soc.,62:141{1919A.
quando ìe particelle diventano più grandi, all'aumentare del tempo di

sinterizzazione (Figura 10.27d). Infine, alla fine del processo, si ottiene una
"dimensione del grano di equilibrio" (Figura 10.27d). Il lavoro motore del
processo è rabbassamento dell'energia del sistema. L'alta energia superficìale
associata alle singole piccole particelle originali, viene sostituita dalla bassa
energia totale delle superfici dei bordi di grano del prodotto sinterizzato.
Vetrificazione Alcuni prodotti ceramici quali la porceHana, i· prodotti

strutturali di argilla e alcuni componenti elettronìci contengono una fase
vetrosa. Questa fase v~trosa funge da mezzo di reazione attraverso il quale
avviene la diffusione ad una temperatura inferiore a quella del resto del materiale
solido ceramico. Durante la cottura di questi tipi di materiali ceramici, si ha un
processo chiamato vetrf.{i.cazionenel quale la fase vetrosa liquefa e riempie gli spazi
porosi del materiale. Questa fase vetrosa liquida può anche reagire con parte del
materiale refrattario solido rimanente. Durante il raffreddamento, la fase liquida
solidifica formando una matrice vetrosa che lega le particelle non fuse fra di loro.
t0.5 MATERIALI CERAMICI TRADIZIONALI E AVANZATI
Materiali ceramici I materiali ceramici tradizionali sono prodotti con tre componentì base: r argilla,
tradizionali la silice e il feldspato. L'argilla è costituita principalmente da alluminosilìcati
idrati (Ali03·Si02·H20) con piccole quantità di altri ossidi, quali Ti0 2, Fe 20 3,
480 Capitolo 1O
P8 =0.54 '
0.50
Mg-Odrogatocon CaO
sinterizzato in aria statica
0.40
1330°
0.30
p o
FIGURA 10.27 Porosità Pr=0.20

in funzione deltempoperi 0.20
prodotti sinterizzati
di MgO
trattaliconCaOallo0,2%in o
in aria
pesoe sinterizzati
fermaa 1330e 1430°C. Si O.IO
nolichela temperatura dì
sinterizzazione
piùelevata
produce unadiminuzione
più rapida dellaporosità
e
un livello,
di porosità
più o 400 800 1200 1600 2000
basso. [DaB. Wang e J. A. 1-1 0 • min
Pask,J. Am.Ceram. Soc.,
62:141(1979)).
MgO, CaO, Na 2O e K 2O. La Tabella 10.4 elenca la composizione chimica di

alcune anrille industriali.
Nei ~ateriali ceramici tradizionali, l'argilla, che rappresenta il principale
costituente, conferisce la lavorabilità al materiale prima che indurisca durante la
,.
TABELLA10.4 Composizionechimica di alcune argille
Percentualiin peso dei principallossidi

1.35 2.55 3.95 5.16 7.55 9 '10.15
Al203 Si02 Fe203 To02 CaO MgO Na20 K20 H2O
Caolino 37.4 45.5 1.68 1.30 0.004 0.03 0.011 0.005 13.9
Tenn. ball clay 30.9 54.0 0.74 1,50 0.14 0.20 0.45 0.72
Ky. ball clay 32.0 51.7 0.90 1.53 0.21 0.19 0.38 0.89
Fonte; P. W. Lee, "Geramics", Reinhold,1961.

cottura. La silice (SiO2). chiamata anche selce o quarzo, ha una elevata

temperatura di fusione ed è il componente refrattario dei materiali ceramici
tradizionali. Il feldspato di potassio, che ha una composizione di base
K20·AhO 3 -6SiO2, ha una bassa temperatura di fusione e, durante la cottura
della miscela ceramica, produce una fase vetrosa che Jega i componenti
refrattarL
I prodotti strutturali di argilla quali mattoni da costruzione, tubazioni
fognarie, tegole e piastrelle sono prodotti con argilla naturale che contiene tutti i
tre componenti base. Le porcellane bianche, come la porcellana per impieghi
elettrici, la porcellana cinese e quella per elementi sanitari, sono ottenute da
materie prime di argìlla, silice e feldspato di composizione controllata. In
Tabella I 0.5 sono riportate le composizioni chimiche di alcune porcellane bian-
che trìassiali. Viene usato il termine triassiale poiché nella loro composizione
sono presenti tre componenti princìpali.
Gìi intervalli tipici di composizione di differenti tipi di porcellane bianche
sono mostrati nel diagramma di stato ternario silice-leucite-mullite di Figura
10.28 (vedi Paragrafo 7.11 per la interpretazione dei diagrammi dì stato ternari).
Gli intervalli di composizione di alcune porcellane bianche sono indicati con
aree circolari.
I cambiamenti che avvengono nella struttura dei materiali triassiali durante
la cottura non sono completamente conosciuti a causa della loro complessità.
La TabeHa 10.6 riporta un riassunto approssimato di ciò che probabilmente
avviene durante la cottura di una porcellana bianca.
In Figura l 0.29 è riportata la micrografia elettronica della microstruttura di
una porcellana isolante elettrica. Come si può osservare in questa micrografia.
la struttura è molto eterogenea. I grossi grani di quarzo sono circondati da uno
strato vetroso ad alto tenore di silice. Sono presenti aghetti di mullite che
attraversano i feldspati e miscele fini di mullite e vetro.
TABELLA10.5 Composizionechimica dì alcune porcellanebianche triassìali
Type body Caolino "Bali Feldspato Silice Altri

olay"
Porcellanadura 40 10 25 25
Oggetti.isolantielettrici 27 14 26 33
Idrosanitarivetrosi 30 20 34 18
Isolantielettrici 23 25 34 18
Piastrellevetrose 26 30 32 12
Porcellanabiancasemivetrosa 23 30 25 21
Caolino d'ossa 25 15 22 38 cenere
Caolino Hotel 31 10 22 35 d'ossa
Porcellanadentale 5 95 2 CaCOs
Fonte: W D. Kingery, H. K. Bowen, and D. R. Uhlmann, "lntroduotion to

Ceramics", 2d ed. Wìley,1976, p. 532.
482 Capitolo 1O
Silice
1713° Si02
Porcellana dura,
porcellana bianca semivetrosa
Piastre}levetrose,
idrosanitari. vetrosi
Isolanti elettrici
-----
MetncaÒlino
Al203 · 2Si0i
Porcellana dentare .....,.,_
Feldspato potassico 1810°

K20 · Ab03 · 6Si01
Leucite 1588° Mullite

K20·Ah03 · 4Sì02 y 3Al:!03· 2Si0~
FIGURA 10.28 Aree

di composizione
delleporcellane
bianche
triassiali,
mostrate
neldiagramma
di statosilìce-:le~çite-mullite.
[Da W D.
H.K.Bowen
Kingery, e D.R.Uhlmann,
"lntroducfion
ta Ceramìcs",
2nded.,Wiley,1916,p.533j.
Le porcellane triassiali sono soddisfacenti come isolanti per impieghi

elettrici a 60 Hz, ma a frequenze elevate le perdite. dielettriche diventano tropp?
alte. Le rilevanti quantità di alcali originate dai feldspati usati come fondenti,
aumentano la conduttività elettrica e le perdite dielettriche delle porcellane
triassiali.
Materiali ceramici Mentre le ceramiche tradizionali sono composte principalmente da argil1a. i

avanzati materiali ceramici avanzati sono essenzialmente composti puri o quasi puri
Materiali c~ramici 483
TABELLA 10.6 Trasformazionicon la temperaturain un ·ceramicotriassiale
Temperatura, 0
c Reazioni
Fino a 100 Perditadi umidità

100-200 Rimozionedell'acquaadsorbita
450 Deossidrilazl.one .
500 Ossidazionedella materiaorganica
573 Trasformazionedel quarzo, lievevariazione
!; volumetrica
980 Si forma spinello,iniziaIl ritiro
I 1000 Si forma mullite
1050-1100 Si forma vetro dal feldspato, cresce la mullite,
continuail ritiro
1200
I 1250
Aumentail vefro, cresce la mullite,si chiudono i
pori, parzialesolubilizzazionedel quarzo
60% vetro, 21% mullite, 19% quarzo, porosità
minima
Fonte: F. Norton, "Elements of Ceramics", 2d ed. Addison-

Wesley, 1974. p.140.
formati soprattutto da ossidL carburi o nitruri. Alcuni dei pm importanti

materiali ceramici avanzati sono l'allumina (AbO 3 ). il nitruro di silicio (Si3 N 4 ),
il carburo di silicio (SiC) e la zirconia (ZrO 2 ) combinati con altri ossidi
refrattari. Le temperature di fusione di alcuni materiali ceramici avanzati sono
elencate in Tabella IO.I. mentre in Tabella 10.9 sono riportate le proprietà
meccaniche di alcuni di questi materiali. In seguito viene riportata :una breve
descrizione dì alcune proprietà. tecnologie produttive e applicazioni, dei
principali materiali ceramici avanzati.
Allumina (Al 2 O 3 ) L'allumina è stata svi]uppata originariamente per

tubazioni refrattarie e crogioli dì elevata purezza per impieghi ad alta
temperatura e ora trova molte altre applicazioni. Un classico esempio di
apphcazione dell'allumina è il materiale isolante delle candele delle automobili
(Figura 10.22). L'ossido di alluminio viene in genere drogato con ossido di
magnesio, pressato a caldo e sinterizzato per ottenere la tipica microstruttura
illustrata in Figura 10.30. Si osservi l'uniformità della struttura dei grani di
allumina rispetto alla microstruttura della porcellanaJlettrica di Figura 10.29.
L'a11umina viene comunemente usata per applicazionielettriche di alta qualità,
per le quali sono richieste una bassa perdita dielettrica e una alta resistività.
Nitruro di silicio (Si 3 N 4 )Fra tutti i materiali ceramici avanzati, ii nitruro di

silicio ha probabilmente la migliore combinazione delle proprietà di interesse
tecnologico. Il Si3N4 si dissocia significativamente solo a temperature superiori
a l 800°C e quindi non può essere sinterizzato direttamente. Può essere, invece,
484 Capitolo 1O
,.
FIGURA10.29
Micrografia di
elettronica
unaporcellana isolante
elettrica 10s, 0°c,
(attacco:
HF40%,replicain silice).
[DaS. T.Lundincome
mostrato in W. D.Kingery,
H. K.Bowen e D. R.
Uhlmann, "lntroduction
to
Ceramics·: 2nded.,Wiley,
1976,p.539].
ottenuto mediante un particolare processo in cui della polvere di silicio

compattata viene nitrurata in un flusso gassoso di azoto. Questo process,
produce Si3 N 4 microporoso di moderata resistenza (Tabella 10,9). Un SbJ\;.;
non poroso di più elevata resistenza viene ottenuto mediante pressatura a caldo
con l'aggiunta di 1-5% di MgO. Si3N 4 è in fase di studio per l'impiego in
componenti di motori avanzati (Figura 1.8a).
Carburo di silicio (SiC) Il carburo dì silicio è un carburo duro e refrattario

con tina eccellente resistenza all'ossidazione a elevata temperatura. Sebbene non
sia un ossido, il SiC a temperatura elevata forma un rivesti~·ento di SiO2 che
protegge la massa intema del materiale. Il SiC può essere sinterizzato a 2100'T
con l'aggiunta di 0,5-1 % di B per favorire la sinterizzazione. Il SiC è
comunemente usato come fibra di rinfor~o per materìali compositi a matrice
metallica e ceramica.
Zirconia (ZrO 2) La zirconia pura è polimorfa e si trasforma dalla struttura

tetragonale a quella monoclina a circa l l 70°C con una espansione volumetrica e
quindi è soggetta a criccatura. Combinando la ZrO2 con altri ossidi refrattari:
come CaO, MgO e Y2O3 , è possibile stabilizzare la struttura cubica a
temperatura ambiente e per questo materiale sono state trovate molte
applicazioni. Combinando ZrO 2 con il 9% di MgO e utilizzando speciali
FIGURA10.30
Microstruttura
dell'ossidodi
alluminiosinterizZato.
macinato e drogato con
ossidodi magnesio. La
temperaturadi
è statadi
sinterizzazione
1700°C. Lamicrostruttura è
Quasisenza porosità, con
solopochiporiall'internoai
grani.(Ingrandimento 500().
rPerconcessione di c.
Greskovich e K. W.Lay].
trattamenti termici} si può produrre una zirconia parzialmente stabìlizzata

(PSZ) che ha una alta tenacità alla frattura e ha portato a nuove applicazioni
per questo materiale ceramico (vedi per maggiori dettagli il Paragrafo 10.7 sulla
tenacità aJla frattura dei materiali ceramici).
10.6 PROPRIETÀ ELElTRICHE DEI MATERIALI CERAMICI
I materiali ceramici vengono utilizzati per molte applicazioni elettriche ed

elettroniche. Molti tipi di materiali ceramici vengono usati come isolanti elettrici
per correnti elettriche a bassa e ad alta tensione. I materiali ceramici trovano
anche applicazione in diversi tipi di condensatori, specialmente quando è richiesta
una miniaturizzazione. Altri tipi di materiali ceramici, detti piezoelettrici, possono
convertire piccoli segnali di pressione in segnali elettrici e viceversa.
Prima di parlare delle proprietà elettriche dei diversi tipi di materiali
ceramici, analizziamo brevemente alcunedelle principali proprietà degli isolanti.
o dielettrici come vengono talvolta chiamati.
Proprietà Ci sono tre importanti proprietà comuni a tutti gli isolanti o dielettrici: (1) la co~
principali dei stante dielettrica, (2) la resistenzadielett,-ica e (3) ilfanore di perdita dielettrica.
dielettrici
Costante dielettrica Si consideri un semplice condensatore 1 ad armature
1 Un condensatore è un elemento che immagazzina energia elettrica.

486 Capitolo 1O
piane paral1ele con piastre metaniche di area A separate da una distanza d, come
mostrato in Figura 10.31. Si consideri innanzitutto il casom cui nello spazio tra
le armature ci sia il vuoto. Se tra le armature viene applicata una tensione V,
un'armatura acquisterà una carica netta +q e l"altra una carica netta -q. La
carica q è.direttamente proporzionale alla tensione. applicata V:
q = CV oppure e = iV (10.1)
dove C è una costante di proporzionalità detta capacità del condensatore.

L'unità di misura SI della capacità è il coulomb su volt (C/V}, o farad (F).
Quindi
f d l coulomb
1 ara =--v-o_l_t_
Dal momento che il farad è un 'unità di misura di capacità troppo grande rispetto
ai valori che si incontrano normalmente nei circuiti elettrici, le unità nom1almente
usate sono il pico.farad(1pm = 10- 12F} e il microfarad (lµm = 10- 6 F).
La capacità di m1 conde11satore è una misura della sua attitudine a
immagazzinare la carica elettrica. Maggiore è la carica immagazzinata nelle
armature del condensatore, maggiore è.la sua capacità.
La capacità C di un condensatore ad armature piane parallele le cui
dimensioni superficiali sono molto maggiori della distanza di separazione tra k
armature è data da:
(10.2)
dove: eo =permettività nel vuoto = 8,854 x 10- 1:i F/m.
t
Differenza
Carica +q
di voltaggioV + ++
Batteria
esterna
PiastreLL.....J.--,..é====::;::::==='
capacitive
FIGURA 10.31 Semplìce

condensatore
adarmature
pianeparallele.
9uando l_os?azio tra le armature viene.riempito con un dielettrico (isolante

elettnco), vedi Figura 10.32, la capacità del condensatore aumenta di un fattore
K, detto costante dielettrica del materiale dielettrico. Per un condensatore ad
armature piane parallele con un materiale dielettrico tra le armature,
C= (10.3)
La Tabella 1O.7 elenca i valori della costante dielettrica di alcuni materiali

isolanti ceramici.
Quando è presente il materiale dielettrico, l'energia immagazzinata in un
condensatore con un detellllinato volume a una specifica tensione, aumenta di
un fattore pari alla ..-costantedielettrica. Utilizzando un materiale con una
costante dielettrica molto elevata, possono essere realizzati condensatori di
piccolissìme dimensioni.
Resistenza dielettrica Oltre alla costante dielettrica, una importante

proprietà ~ello svi~uppo dei dielettrici è la resistenza dielettrica. Questa
grandezza e una misura della capacità del materialé' dì mantenere eneroia a
tensione elevata. La resistenza dielettrica è definita dalla tensione per unhà di
lunghezza (campo elettrico o gradiente di tensione) alla quaìe avviene la rottura
del dielettrico e rappresenta quindi il massimo campo elettrico che un dielettrico
può sopportare,
.. La resiste~za _dielet_trica_è comunemente misurata in chilovolt per
m1lhmetro: Se 11 d1~lettnco ~ soggetto a un gradiente di _tensione troppo
elevato. la deformazione degli elettroni o degli ioni nel tentativo di passare
attraverso il dielettrico. può superare la resistenza dielettrica. Se viene superata
la resistenza dielettrica, il materiale dielettrico inizia a rompersi e si verifi~a iì
passaggio di corrente (elettroni). La Tabella 10.7 elenca la resistenza dielettrica
di alcuni materiali ceramici isolanti.
FIGURA 10.32 Due

condensatori adarmature
pianeparallelesottoposti
allastessatensione
applicata.
Il condensatore di
ha undielettrico
des.tra
(isolante
inserito
armature)
trale
e,di conseguenza, •,,..f/.,.
Ì
,;.
i'+++~+++· j rn;J,11<1,o
· · •
wn_coseam,
K msento
d1elenr1ca
lacaricasullearmature è 1
aumentata dì unfattore,,., --- ---
rispetto
a Quellachesi ha
sullearmature del
condensatore senza
dielettrico.
488 Capitolo 1O
TABELLA10.7 Proprietà elettrichedi alcuni materiali ceramici isolanti
Costante
dielettrica k Fattofe di perdita
Resistività Rigidità dielettrica
Materiale di volume, n-m kV/mm 60 Hz 106 Hz 60 Hz 10 6 Hz
Isolantidi porcellana 101, -1013 2-12 6 0.06

elettrica
Isolantidi steatite > 1012 6 11 6 6 0.008- 0.090 0.007 0.025
Isolantidi fosterìte > 1012 9.8 6 0.001 - 0.002
Isolantidi allumina > 1012 9.8 9 0.0008 - 0.009
Vetro sodico-calcico 7.2 0.009
Vetro di silice 3.8 0.00004
Fonte.'.Materia!sSelector,Mater E.ng.,December1982.
Fattoredi perdìtadielettrica Se la tensione utilizzata per mantenere la carìca

su un condensatore è di tipo sinusoidale, generata da corrente alternata, la
corrente e la tensione sono sfasate dì 90° se si ha un dielettrico privo di perdita
tra le armature del condensatore. Tuttavia, quando nel condensatore viene
utilizzato un dielettrico reale, io sfasamento tra corrente e tensione è di 90° - 6,
dove l'angolo 6 è detto angolo di perdita dielettrica. Il prodotto ii· tgc5indica ìl
fatrore di perdita ed è una misura della perdita di energìa elettrica (sotto forma
dì calore) di un condensatore in un circuito a corrente alternata. La Tabella l O.".'
elenca i fattori di perdita di akunì materiali ceramici isolanti.
Eserciziario
Vedi Esercizio10.9.
Materiali isolanti I materiali ceramici hanno proprietà elettriche e meccaniche .che li rendono
ceramici particolarmente adatti per molte applicazioni come isolanti nella industria
elettrica ed elettronica. I legami ionici e covalenti nei materiali ceramici limitano
la mobilità degli elettroni e degli ioni e quindi rendono questì materiali buoni
isolanti elettrici. Questi legami rendono resistenti, ma relativamente fragili, la
maggior parte dei materiali ceramici. La composizione chimica e ìa
microstruttura dei ceramici per applicazioni elettriche ed elettroniche devono
essere controllate con maggiore atten;ione rispetto ai ceramici strutturali come i
mattoni o le tegole. Verranno ora illustrati alcuni aspetti della struttura e delle
proprietà di alcuni materiali ceramici isolanti.
Porcellanaelettrica La tipica porcellana elettrica è formata da circa il 50% di

argilla (A}i03·2Si02·2H 20), il 25% dì silice (Si0 2) e il 25% di feldspato
(K2O·AbO3 · 6SìO2). Questa composizione produce un materiale con una
buona plasticità prima della cottura e un ampio intervallo di temperature di
cottura a costi relativamente bassi. Il maggiore svantaggio dì questo materiale

isolante elettrico è che ha un fattore di perdita di potenza maggiore rispetto a
quello degli altri materiali isolanti elettrici (Tabella l O.7) dovuto alla alta
mobilità degli ioni alcalini. La Figura 10.29 mostra la microstruttura di una
porcellana elettrica.
Steatite Le porcellane di steatite sono buoni isolanti elettrici perché hanno

bassi fattori di perdita di potenza, basso assorbimento di umidità e buona
resistenza all'urto e, così, sono ampiamente utilizzate per applicazioni
nell'industria elettrica ed elettronica. La composizione della steatite industriale
è basata su circa il 90% di talco (3MgO·4SiO 2 -H2 0) e il 10% di argilla. La
microstruttura della steatite dopo cottura è costituita da cristalli di enstatite
. (MgSiO3) legati da una matrice vetrosa. La Figura l 0.33 mostra alcuni esempi
di componenti isolanti di steatite per applicazioni elettriche.
Fosterite La fosterite ha formula chimica Mg2SiQ4 e non ha ioni alcalini

ne1lafase vetrosa cosicché ha, con l'aumento della temperatura. una resistività
maggiore e una perdita elettrica minore rispetto agli isolanti di steatite. La
fosterite ha anche proprietà di minore perdita dielettrica alle alte frequenze
(Tabella I0,.7).
Allumina I materiali ceramici di allumina hanno l'ossido di aHuminio

(A12 O3) come fase cristallina legata da una matrice vetrosa. La fase vetrosa. elle
è normalmente priva di alcali. è formata da una miscela di argilla. mko e
fondertti alcalino terrosi. I materiali ceramici dì allumina hanno alta resistenza
dielettrica e basse perdite dielettriche insieme ad una resistenza meccanica
relativamente alta. L ·allumina sinterizzata (99% Al::!O~) è utilizzata per
applicazioni in apparecchiature elettroniche (Figura 10.lb) per le sue basse
perdite dielettriche e la superficie liscia (Figura 10.30). L·allumina viene anche
usata per applicazioni con perdita molto bassa nelle quali è necessario trasferire
una grande quantità di energia attraverso una finestra dielettrica come. ad
esempio, per la cupola di copertura dei radar.
Materiali ceramici I materiali ceramici vengono comunemente usati come materiali dielettrici per
per condensatori condensatori; i condensatori ceramici a disco sono il tipo più comune (Figura
10.34). Questi condensatori ceramici con dischi piani molto sottili sono formati
principalmente da titanato di bario (BaTìO 3) con altri additivi (Tabella 10.8). n
BaTiO3 viene utilizzato per la sua costante dielettrica molto alta, intorno a 1200-
1500. Con gli additivi, la sua costante dielettrica può essere aumentata a valori di
molte migliaia. La Figura 10.34b mostra gli stadi di fabbricazione di un tipo di
condensatore a dischi ceramici. In questo tipo di condensatore uno strato di
argento sulle superfici superiore ed inferiore costituisce le "amiature'' metalliche
del condensatore. Per realizzare capacità molto alte con dispositivi di mìnime
dimensioni, sono stati sviluppati piccoli condensatori ceramici multistrato.
490 Capitolo 1O
FIGURA10.33 Alcuni
componenti di isolanti
elettrici
edelettronici
realizzati
insteatite.
IPer
concessionedella
Wisconsin PorcelainCo.].
I microcondensatori ceramici vengono utilizzati in alcuni circuiti elettronìci

ceramici basati su film spessj ibridi. I microcondensatori possono fornire valori di
capacità malgg1on per unità di superficie ed essere aggiunti a circuiti di film spessi
mediante una semplice saldatura o una operazione di'collegamento equipotenziale.
Semiconduttori Molti composti ceramici hanno importanti proprietà di semiconduzion:.

ceramici sfruttate per il funzionamento di alcuni dispositivi elettrici. Uno dì questi
dispositivi è il termistore, o resistore sensibile alla temperatura. che viene usato
per la misura e il controllo della temperatura. Nella nostra discussione siamo
interessati al tipo di termistore con coefficiente di temperatura negativo (NTC)
la cui resistenza diminuisce con l'aumento della temperatura. Il tern1istore
diventa cioè più conduttore con l'aumentare della temperatura. come nel caso
del. semiconduttore al silicio. ,.
I materiaH semicondut.tori ceramici più comunemente utilizzati per il
termistore NTC sono ossidi sinterizzati degli elementi Mn. Fe, Co e Cu. Le
combinazioni di soluzioni solide di ossidi di questi elementi vengono utilizza:..:
per ottenere l'intervallo richiesto di condJcibiHtà elettrica in funzione della
variazione di temperatura.
Consideriamo innanzitutto il composto ceramico magnetite, Fe 30 4 , che ha
una resistività relativamente bassa, di circa 10-s W n. m, se confrontata con un
valore di circa 108 W n · m della maggior parte degli ossidi de.i metalli di
transizione. La Fe3O4 ha I~ struttura a spinello inverso con la composizione
FeO-Fe2O3 che può essere scritta come:
Fili di piombobrasati
00
all'elettrnddi argento (3) (4)
Brasatura
.,,,_
___ -,-_ Rivestimento
fenolicoper
immersione,.
~-
Dielemic
ceramico
(a) (b)
FIGURA 10.34
Condensatori ceramici. (a)
Sezione chemostra i
In questa struttura glì ioni di ossigeno occupano le posizioni del reticolo CFC,
particolaricostruttivì.[Per mentre gli ioni Fe 2+ sono in posizione ottaedrica e gli ioni per meta m
concessione dellaSprague posizione ottaedrica e metà tetraedrica. La buona conducibilità elettrica della
Products Co.}.(b) Stadidi Fe~O4. è attribuibile alla disposizione casuale degli ioni Fè·,· e Fe 3+ nelle
fabbricazione: (1) dopola posizioni ottaedriche cosicché il trasferimento degli elettroni avviene tra g:)j ioni
i
cotturadeldiscoceramico; Fe 2+ e Fe~- mantenendo la neutralità di carka~ La struttura di Fe~o 4: verrà

(2)dopol'applicazione degli
elettrodidi argento;(3)dopo illustrata successivamente nel Paragrafo 1l.9.
la saldatura deiconduttori La conducibilità elettrica dei composti semiconduttori di ossidi metallici
isolalì:(4)dopo per termistori può essere controllata mediante la formazione dì soluzioni solide
l'applicazione per di diversi composti di ossidi metallìci. Combinando un ossido metallico basso-
immersione di un conduttore e uno alto-conduttore con una struttura simile. può essere prodotto
rivestimento fenolico.[Per un composlo semiconduttore con una conducibilità intermedia. Questo effetto è
concessione dellaRadio
Materials Co.]. illustrato in Figura 10.35. dove viene mostrato come la conducibilità della
Fe3O4 viene gradualmente ridotta dall'aggiunta di quantità crescenti di
MgCr2O4 in soluzione solida. La maggior parte dei)ermistori NTC con un
coefficiente di temperatura della resistività controllato sono costituiti da
soluzionì solide di ossidi di Mn, Ni, Fe e Co.,
Ceramici Domini ferroelettrici Molti materiali ceramici cristallini ionici hanno celle
ferroelettrici elementari senza un centro di simmetria e, così, le loro celle elementari
contengono piccoli dipoli elettrici. Un materiale ceramico di importanza
industriale appartenente a questa classe è il titanato di bario, BaTiO 3 • Al di
492 Capitolo 1O
TABELLA10.8 Esempidi formulazionedi alcuhi materiali

ceramici dielettriciper condensatori I
Costante
dielettrica k Fonnulazione
325 BaTiOs+ CaTiOs+ pochi % Bi2SnsOs

2100 BaTi03 + pochi % Ca2r03 e N~Os
6500 BaTi03 + pochi % CaZrOse CaTiOs+ BaZrOs
Fonte: C. A. Harper (ed.), "Handbook of Materials and

Processestor Electronlcs",McGraw-Hill, 1970, pp. 6-61.
sopra di 120°C, il BaTi0 3 ha una struttura cristallìna <fobicaregolare simmetrica

di tipo perovskite (Figura 10.36a). Al di sotto di 120°C, lo ione centrale Ti 4 - e
gli ioni 0 2 - circostanti della cella elementare di BaTi03 subiscono un piccolo
spostamento ìn direzione opposta per creare un, piccolo momento di dipolo
elettrico (Figura 10.36b). Questo spostamento delle posizioni ioniche alla
temperatura critica di 120°C, detta temperatura di Curie, cambia la struttura
cristallina del BaTi03 da cubica a leggermente tetragonale.
Su scala maggiore, il titanà.to di bario solido ha una struttura a domini
(Figura 10.37) in cui i piccolì dipoli elettrici delle celle elementari sono a1lineati
lungo una direzione. Il momento di dipolo risultante in un. volume unitario di
questo materiale è la somma dei piccoli momenti di dipolo delle celle elementari.
Se il titanato di bario policristallino viene raffreddato lentamente passandt",
attraverso la sua temperatura di Curie in presenza di un forte campo elettrico, ì
dipoli di tutti i domini tendono ad allinearsi nella direzione del campo elettrico e
a generare un forte momento di dipolo per volume unitario del materiale.
Effetto piezoelettrico1 Il titanato di bario e molti altri materiali ceramici

mostrano quello che viene chiamato effetto piezoeleurico, illustrato schemati-
camente in Figura 10.38. Consideriamo un campione di materiale ceramico
ferroelettrico che ha un momento risultante dipolare, dovuto airallineamento di
molti piccoli dipoli, come indicato in Figura 10.38a. In questo materiale ci sarà
un eccesso di carica positiva su un lato e dì carica negativa sull'altro lato, nella
direzione della polarizzazione. Consideriamo ora il campione quando sono
applicati degli sforzi di compressione, com~ mostrato in Figura l 0.38b. Gli
sforzi di compressione riducono la lunghezza del campìone e quindi causano
una riduzione della distanza tra i dipoli, che a loro volta riduce l'intero
momento di dipolo per unità di volume del mat_eriale. La variazione del
momento di dipolo del materiale cambia la densità di carica agli estremi del
1 Il prefissopiezo- significa"pressione" e deriva dal grecopìezein,che significa"premere.._

Materiali.ceramici 493
108
·~,._..
FIGURA 10.35
Resìstività
specificadi 10<?
-----
.,, ;: :::...
:.:,,.,,,. _.....
.. _,,..
--- ---
solidedì Fe304 e
soluzioni
dì MgCr204.Lape1centua1e
molaredi MgCr204 è
sullecurve.[Da E
ìndìcata
P. w.Haagman
J. Verwey, e
F C.Romeijn, J Chem.
Phys.,15:18(1947)1.
campione e quindi la differenza di potenziale tra i lati del campione, se questi

sono isolati l'uno dall'altro.
D'altra parte, se viene applicato un campo elettrico tra i due lati del
campione, viene modificata la densità di carica a ognuno dei due lati (Figura
10.38c). Questa variazione nella densità di carica provocherà nel campione una
variazione dimensionale nella direzione del campo applicato. Nel caso di Figura
10.38c il campione è leggermente al1ungato a causa di un aumento di c;rica
positiva che attrae i poli negativi dei dipoli, mentre l'opposto avviene all'altro
lato del campione. Quindi l'effetto piezoelettrico è un effetto elettromeccanico
mediante il qua1e le forze meccaniche possono produrre su un materiale
ferroelettrico una risposta elettrica, o forze elettriche una risposta meccanica.
I materiali ceramici piezoelettrici hanno molte applicazioni industriali.
494 Capitolo 1O
FIGURA 10.36 (a)La

struttura
delBaTiOa al di
sopradi 120°Cè cubica. (b) I
Lastruttura delBaTi0 3 al dl
sottodi 120"C(lasua Ba
temperatura
leggermente
cau$8
di Curie)è
tetragonale
di unpiccolo
spostamento
centrale
delloione
TI4+ rispetto
a
agli
r 002-
2
ioni0 - adiacenti nella 0 Ba2+
singolacella.Inquesta cella
elementareasimmetrica è • Tj4+
presenteunpiccolo
momento di dipoloelettrico.
[DaK.M.Ra/1s, T.H.
Courtney e J. Wultt.''An
(ti) (b}
lntroductionto Materials
ScienceandEngineering·:
Wiley,1976, p,610].
Esempi di conversione delle forze meccaniche in risposte elettriche sono

l'accelerometro a compressione piezoelettrica (Figura l 0.39), che può misurare
le accelerazioni delle vibrazioni che avvengono al di sopra di un ampio intervallo
FIGURA 10.37
Microstruttura
deltitanatodi
barìochemostra diversi
orientamenti
del.domini
ferroelettrici
comerivelato
conunattacco chimico.
(Ingrandimento500x). {Da
R.D.DeVries e J. E Burke,
J. Am.CeramSoc.,40:200,
(1957)].
Materiaii ceramici 495
t •·+-·-
...
........... -;,~+
~+++
.......
II4
<? '7 ·~ ~ ld
i i i V
III
-
e ee
.
••• ---·· ... -. < ·-.
T T
i i i
tcr t
Td
J_
;...J
I II
• ' , ~ '
Ca) (b) (cl
FIGURA 10.38 (a)Illustrazione

schematica
deidipolielettrici
all'interno
di unmaterialepiezoeletlriéò.
(b)Sforzidi compressione
sul
f!1aleriale
generano
unadifferenza
di tensione
dovuta
allavariazione
deidipolielettrici.
(e)Unatensione
applicata
traleestremità
delcampione
causavariazioni
dimensionali
ecambia il momento
di dipoloelettrico.
[DaL.H. VanViack, "Elements
ofMaterials ScienceandEngineering''.
4thed.,Addìson-Wesley,
1980,
Fig.8-6.3,p.305].
di frequenze, e la testìna del giradischi nella quale le risposte elettriche sono

.. raccolte .. da una puntina che vibra nei solchi di registrazione. Un esempio di
conversione di forze elettriche in risposte meccaniche è il trasduttore di un
bagno ad ultrasuoni che viene fatto vibrare per azione di un ingresso di potenza
a corrente alternata che può indurre una violenta agitazione del liquido nella
vaschetta (Figura 10.39b). Un altro esempio dì questo tipo è il trasduttore di
suono subacqueo nel quale un ingresso di potenza elettrica provoca la
vibrazione del trasduttore per trasmettere onde sonore.
Materiali piezoelettrici Sebbene il BaTiO 3 sia normalmente utilizzato come

materiale piezoelettrico. è stato ampiamente sostituito da altri materiali ceramici
piezoelettrici. Di particolare importanza sono i materiali ceramici costituiti da
soluzioni solide di zirconato di piombo (PbZrO 3 ) ,e di titanato di piombo
(PbTiO3} per realizzare quelli che vengono chiamati mareriali ceramiciPZT. I
materiali PZT hanno una gamma maggiore di proprietà piezoelettriche, tra cui
una temperatura di Curie più elevata rispetto al BaTiO 3 •
496 Capitolo 1O
Contfuitore
FIGURA 10.39 (a)

Accelerometro
dì
compressione
piezoelettrico. Suppono
(b) Elementi
ceramici Dischi ceramici
piezoelettrici
in unapulitrice Bullone
adultrasuoni.
[Per dì serraggio
concessione
dellaVernitron Massadi reazione
Piezoe/ectric
Division, {a) (b)
Bedtord,
Ohio].
10.7 PROPRIETÀ MECCANICHE DEI MATERIALI CERAMICI
Generalità Come classe dì materiali~ i ceramici sono relativamente fragili. La resistenza a

trazione dei materiali ceramici è molto variabile, andando da valori molto bassi,
minori di O,7 MPa, fino a circa 7000 MPa per whiskers di materiale ceramico
come l'Al:!03 preparati in condizioni accuratamente controllate. Comunque.
pochi materiali ceramici hanno resistenza a trazione superiore a 170MPa. Inoltre.
i materiali ceramici evidenziano una grande differenza tra la loro resistenza :
trazione e a com.pressione; in genere la resistenza a compressione è da 5 a l Ovoli-:
superiorie della resistenza a trazione, come· indicato in Tabella l 0.9 per il
materiale ceramico Al.:!03 al 99%. Inoltre, molti materiali ceramici sono duri e
hanno una bassa tenacità (bassa resistenza alle sollecitazioni dinamiche) a causa
dei ioro legami iono-covalentì. Ci sono però molte eccezioni alle generalizzazioni
sopra illustrate; per esempio, l'argilla plasticizzata è un materiale ceramico dolce e
facilmente defonnabìle a causa delle deboli forze di legame secondario tra glì
strati atomici che hanno invece al loro interno forti legami iofio~covalenti.
Meccanismi di La mancanza di plasticità nei materiali ceramici cristallini è dovuta ai loro

deformazione dei legami chimici ionici e covalenti. Nei metalli la deformazione plastica avviene
materiali ceramici principalmente mediante il movimeJ'!.tOdi difetti di linea presenti nella struttura
cristallina (dislocazioni) lungo particolari piani di scorrimento del cristallo (vedi
Paragrafo 6.5). Nei metalli le dislocazioni sì muovono per effetto di
sollecitazioni relativamente basse a causa della natura non· direzionale del
legame metallico e del fatto che tutti gli atomi coinvolti nel legame metallico
hanno una carica negativa distribuita allo stesso modo sulla loro superficie.
Quindi, non ci sono ioni di carica positiva o negativa coinvolti nel processo di
formazione del legame metallico.
TABELLA1o.s Proprietà meccaniche di alcuni materiali ceramici avanzati
Resistenza Resistenza Resistenza Tenacità a

a compressione a trazione a flessione frattura
Materiale Densità
g/cm 3 MPa MPa MPa MPaJm
Al20s (99%) 3.85 2585 207 345 4
Sì3N4(pressatoa caldo) 3.19 3450 690 6.6
SiaN4{dopo "reactìon bondìng") 2.8 770 255 3.6
SiC (sinterìzzato) 3.1 3860 170 550 4
Zr02, 9% MgO (parzialmentestabilizzato) 5.5 1860 690 8+
Nei cristalli covalenti e nei materiali ceramici legati covalentememe, il

legame tra gli atomi è specifico e direzionale, in quanto implica lo scambio di
carica· elettronica tra coppie di elettroni. Di conseguenza, quando i cristalli
covalenti vengono sollecitati fino ad un livello sufficiente, mostrano una frattura
fragile provocata dalla separazione dei legami tra le coppie di elettroni senza la
loro successiva riformazione. I ceramici legati in modo covalente, inoltre, sono
fragili sia nello stato monocristailino che in quello policristallino.
La deformazione dei ceramici legati prevalentemente con legame ionico è
differente. I monocristalli di solidi leg,.niionicamente, come l'ossid~ di magnesio
e il cloruro dì sodio, mostrano una considerevole deformazione plastica per
effetto di sollecitazioni di compressione a temperatura ambiente. I materiali
ceramici policristallini legati ionicamente, invece, sono fragili e sviluppano
cricche ai bordi di grano. ·
Esaminiamo brevemente alcune condizioni in cui un cristallo ionico può
essere deformato, come iilustrato in Figura lOAO.Lo scorrimento di un piano di
ioni sopra un altro coinvolge ioni di carica differente che vengono in contatto, e
quindi possono essere introdotte forze di attrazione e di repulsìone. La maggior
parte dei cristalli con legame ionico che hanno struttura di tipo NaCI scorre
lungo i sistemi {11O}< l T O>, in quanto lo scorrimento lungo la famiglia di
piani {11O} coinvolge solo ioni di carica diversa e quindi i piani di scorrimento
rimangono legati l'uno all'altro da forze coulombiane durante il processo di
scorrimento. Lo scorrimento di tipo {l 10} è indicato dalla linea AA' di Figura
10.40.D'altra parte, lo scorrimento sulla famiglia di piani { I 00} viene raramente
osservato perché gli ioni della stessa carica entrati in contatto tendono a
separare i piani degli ioni che scorrono ùnò sopra l'altro. Lo scorrimento di tipo
{100}è indicato dalla linea BB' di Figura 10.40. Molti materiali ceramici nella
forma monocristallina mostrano una plasticità considerevole. Invece, nei
materiali ceramici policristallini i grani adiacenti devono variare la loro forma
durante la deformazione. Dal momento che ci sono pochi sistemi di scorrimento
nei solidi con legami ionici, ai bordi di grano si formano deHe cricche e
498 Capitolo1O
FIGURA 10.40 Visione

dall'alto
dellastruttura
cristallina
delNaCIche
(a)lo scorrimento
in.dica sul
piano(110)e nelladirezione
[110](lineaM) e {b)lo
scorrimentosulpiano(100)
nelladirezione[010](linea
881).
conseguentemente avviene la frattura fragile. Dal momento che molti materiali

ceramici importanti dal punto di vista industriale sono policristallini, la maggior
parte dei materiali ceramici tendono a essere fragili.
Fattori che La rottura meccanica dei materiali ceramici avviene principalmente a causa di
influenzano la difetti presenti nella struttura dei materiali stessi. Le principali cause dì innesco
resistenza della rottura nei n1ateriali ceramici policristallini sono da attribuire alla presen:;-:,
meccanica dei di cricche superficiali prodotte durante la finitura del materiale, di VU,<i
materiali ceramici (porosità) presentì al1'interno del materiale è di inclusioni e e:rani di eccessiva
dimensione prodotti durante la lavorazione 1• -
I pori nei materiali ceramici fragili sono regioni in cui si concentrano gli
sforzi e, quando la sollecitazione in un poro raggiunge un valore critico, si fom1a
una cricca che si propaga, in quanto in questi materiali non ci sono processi con
elevato assorbimento di energia come quelli che avvengono durante la
deformazione neì materiali duttili. Quindi, una volta cltè le cricche sono
innescate, continuano a propagarsi fino alla rottura del materiale. I pori sono
dannosi per la resistenza dei materiali ceramici anche perché diminuiswno
l'area della sezione resistente trasversale sulla quale è applicato il carico e qui!1di
diminuiscono lo sforzo nominale che il materiale può sopportare. Pertanto: la
dimensione e la frazione volumetrica dei pori nei materiali ceramici sono fattori
che influenzano notevolmente la loro resistenza. La Figura 10.41 mostra come
un aumento della frazione volumetrica dei pori diminuisce la resistenza a
trazione deirallumina.
1 A,.G. Evans, J. Am .. Ceram. Soc., 65:127(198Z).

Materiali.ceramici 499
Anche i difetti possono essere critici nel. detenninare la resistenza a rottura

dei materiali ceramici. Un grande difetto può essere il fattore più importante che
influisce sulla resistenza di un materiale ceramico. In materiali ceramici di
elevata densità nei quali non ci sono grandi pori, la dimensione dei difetti è di
solito messa in relazione alla dimensione dei grani. Per materiali ceramici senza
porosità, la resistenza di un materiale ceramico puro è funzione della
dimensione dei grani: i materiali ceramici con dimensioni dei grani più piccole
h~nno ~ifetti di dimensioni minori ai loro bordi di grano e quindi sono più forti
di quelh con grani di dimensioni maggiori.
La resistenza meccanica di un materiale ceramico policristallino è
detenninata da molti fattori che comprendono la composizione chimica. la
microstruttura e le c_ondizioni superficiali come fattori principali. Anch~ la
temperatura ·e rambiénte sono importanti. come pure il tipo di sollecitazione e
la mo_da_litàdi ~~plicazione. In ogni caso, la rottura della maggior parte dei
matenall ceramici a temperatura ambiente è di solito originata dal difetto di
dimensione maggiore.
Tenacità dei I materiali ceramici, per la loro com binazione di legami covalenti e ionici, hanno
materiali ceramici una intrinseca bassa tenacità. Negli anni passati è stato effettuato molto lavoro
di ricerca con l'obiettivo di aumentare la tenacità dei materiali ceramici. Con
processi come la pressatura a caldo dei ceramici con l'uso di additivi o processi
che detenninano legami mediante reazioni chimiche, sono stati prodotti
materiali ceramici avanzati con tenacità più elevata (Tabella 10.9).
Su campioni di materiali ceramici possono essere eseguite prove di tenacità
alla frattura per detem1inare i valori di K 1c. in modo analogo aUe prove di
tenacità alla frattura dei metalli (vedi Paragrafo 6.5). I valori di Kic per i
materiali ceramici sono ottenuti di solito utilizzando mm prova di flessione in
quattro punti con un campione a forma di trave con un solo intaglio oppure un
campione con intaglio chevron (Figura 10.42). L'equazione della tenacità alla
frattura:
(10.4)
che lega i valori di tenacità alla frattura allo sforzo e alla dimensione massima
dei difetti, può essere utilizzata per i materiali ceramici. Nell'Equazione ( 10.4)
Kic è misurato in MPa./m, lo sforzo ur in MPa. e a (metà della dimensione del
massimo difetto interno) in metri. Y è una costante adimensionale, pari circa a
1. Questa equazione può essere utilizzata per determinare il massimo difetto che
un particolare materiale ceramico, con una tenacità alla frattura e una resistenza
note, può toBerare senza rompersi.
Eserciziario
Vedi Esercizio10.1O.
500 Capitolo 1O
,.
270
240 S
p
210 s
c
180
60
30
FIGURA 10.41 Effetto
dellaporosità
sulla
resistenza
a trazione o O.I 0.3 0.4 0.5 0.6
perl'allumina.
trasversale Porosità in frazione volumetrica
[DaR. L Coblee W.D.
Kingery,
J. Am.Ceram.
Soc.,39:377(1956)].
Aumento per
-·
Recentemente è stato scoperto che le trasformazioni di fase nel1a zirconìa
trasformazione combinata con altri ossidi refrattari {come CaO, MgO e Y 203) possono
della tenacità della produrre materiali ceramici con una tenacità alla frattura straordinariame~i~
zirconia alta. Consideriamo ora i meccanismi che prqducono l'aumento della tenacna
parzialmente per trasformazione in un materiale ceramico di composizione ZrOi-9°~ mo~are
stabilizzata {PSZ) di MgQ. La zirconia pura, Zr0 2 , esiste in tre diverse strutture cnstallme:
monoclina dalla temperatura ambiente fino a 1l 70°C, tetragonale da 1170 a
2370°C e cubica (la struttura della fluorite di Figura 10.10) al dì sopra di
2370°C.
La trasformazione della Zr0 2 pura dalla struttura tetragonale a quella
monoclina è di tipo martensitico e non può essere arrestata mediante un rapido
FIGURA 10.42
Schematizzazione di una
prova di tenacitàallafrattura
perflessione ìn·quattropunti
suunatravedì unmateriale
ceramico utilizzandoun
intaglio
singolo.
raffreddamento. Inoltre, questa trasformazione è legata a un aumento di volume

di circa il 4% e, di conseguenza, è impossibile produrre articoli dalla zirconia
pura. Comunque, mediante l'aggiunta di altri ossidi refrattari come CaO, MgO
e Y 20:;, la struttura cubica della zirconia viene stabiJizzata cosicché può esistere
in uno stato metastabile a temperatura ambiente e possono essere prodotti
articoli con questo materiale. La Zr0 2 combinata con ossidi stabilizzanti in
modo che mantenga la struttura tetragonale a temperatura ambiente è detta
=irconia completamente stabili=za1ao Tetragona! Zirconia Policryszal TZP.
Recentemente sono stati sviluppati materiali ceramici composti da zirconia e
ossidi refrattari con tenacità e resistenza meccaniche elevate sfruttando le loro
trasformazioni di fase. Uno dei più importanti composti ceramici di zirconia è la
zirconia parzialmente stabilizzata (PSZ) che contiene il 9% in moli ài MgO. Se
una miscela di Zr0 2 e 9% molare di MgO viene sinterizzata a circa 1800°C,come
indicato nel diagramma di stato Zr0 2 wMg0 di Figura 10.43a, e poi viene
raffreddata rapidamente a temperatura ambiente, avrà una struttura cubica
completamente metastabile. Tuttavia se questo materiale viene riscaldato
nuovamente a 1400°C e tenuto a questa temperatura per un periodo
sufficiente~ precipita un precipitato submicroscopico fine metastabile a struttura
tetragonale come mostrato in Figura 10.43b. Questo materiale è noto come
zirconia parzialmente stabilizzata ( PSZ). Sotto l'azione di sforzi che provocano
piccole cricche nel materiale ceramico, la fase tetragonale si trasforma nella fase
monoclina, provocando un 'espansione volumetrica del precipitato che ritarda la
propagazione delle cricche con una specie di meccanismo di chiusura della cricca.
Ostacolando l'avanzamento delle cricche, il materiale ceramico viene
"tenacizzaro" (Figura· 10.43c} La zirconia parzialmente stabilizzata ha una
tenacità alla frattura di 8 MPay'iii) che è maggiore della tenacità a11afrattura di
tutti gli altri materiali ceramici avanzati elencati in Tabella 10.9.
Rotturaper fatica Nei metalli la rottura per fatica avviene in presenza di sforzi ciclici ripetuti, a
dei materiali causa della nucleazione e della crescita di cricche all'interno di un 'area incrudita
ceramici di un campione. A causa dei legami iono-covalenti degli atomi, in un materiale
502 Capitolo 1O
ceramico durante gHsforzi ciclici non si ha plasticità. Di conseguenza, la rottura

per fatica nei materiali ceramici è rara. Recentement;, sono stati riportati
risultati di una crescita stabile di cricché di fatica a temperatura ambìente sotto
~
sforzi ciclici di compressione-compressione in piastre intagliate di allumina

policristallina. Una cricca diritta di fatica è stata p_rodotta dopo 79000 cicli di
compressione (Figura 10.44a). La propagazione di microcricche lungo i bordi di
grano porta alla rottura finale di tipo intergranulare per fatica (Figura 10.44b).
È stato svolto molto lavoro di ricerca per ottenere materiali ceramici più tenaci
in grado di sopportare sforzi ciclici senza subire fenomeni di fatica per
applicazioni quali i rotori delle turbine.
Materiali ceramici L'elevata durezza di molti materiali ·ceramici li rende utili come. materiali
abrasivi abrasivi per il taglio, la rettifica e la levigatura di altri m.ateriali con durezza
inferiore. L'allumina (ossido di alluminio) e il carbriro di silicio fusi sono due
degli abrasivi ceramici più comunemente utilizzati. Prodotti abrasivi come le
carte o le mole sono fabbricati legando insieme singole particelle di materiale
ceramico. I materiali leszanti includono· i materiali ceramici cotti, le resine
organiche e le gomme. L; particelle di materiale ceramico devono essere dure e
avere spigoli vivi taglienti. Inoltre, il prodotto abrasivo deve avere una struttura
con un certo grado di porosità per garantire la presenza di canali per il flusso
dell'aria o del liquido di raffreddamento. I grani di ossido di alluminio sono pìù
tenaci di quelli di carburo di silicio ma non sono altrettanto duri, e quindi il
carburo dì silicio viene normalmente utiiizzato per i ma.terialì più duri.
Combinando l'ossido di zirconio con quello di alluminio, sono stati
sviluppati 1 abrasivi migliori che hanno resistenza, durezza e affilatura maggior:
del solo ossido. di alluminio. Una di queste leghe di materiali ceramici contiene il
25% dj Zr02 e il 75% di Ab0 3 e un'altra il 40% di Zr01 e il 60% di Ab03. Un
altro importante abrasivo ceramico è il nitruro di boro cubico, che ha il nome
commerciale di Borazon 2 • Questo materiale è duro quasi come il diamante, ma
ha una stabilità termica maggiore.
10.8 PROPRIETÀ TERMICHE DEI MATERIALI CERAMICI
In generale, la maggior parte dei materiali ceramici hanno basse conducibilità

termiche a causa del loro forte legame ione-covalente e sono buoni isolanti
termici. La Figura 10.45 confronta la conducibilità termica di diversi materiali
1
Le leghe abrasive ceramiche Zr0 2 -A!i0 3 sono state sviluppate dalla Norton Co. negli
anni sessanta.
2 Borazon, un prodotto della Genera! Electric Co., è stato sviluppato negli anni cinquanta.
3000----------.------,----~--------,
2500
Soluzione SQlidacubica + liquido
5-'
è
o Soluzione solida cu~-------
i! 2000 Soluzione
o
c..
solida cubica
e + soluzionesolid
~ tetragon~e I Soluzionesolida cubica + MgO
SolUZlonesolida1
tetragonale 1 1 /
1500 1400 I I I /
1240 :soluzionr solidà'1.etragonale +MgO

J I I '
1Zr02 monoclina+Mg0-
1 I
10000
8.1 10 11.3 20 30
100% ZrO2
Perce.ntualemolare di MgO
(o)
cr
Matrice
Precipitato
tetragonale
Precipitato
monoclino
intorno alla cricca
cr
(e)
FIGURA 10.43 (a)Diagramma di statobinarioZrOrMgO dallatozirconìa.L'areaombreggiata rappresenta

la regioneutilizzata
per
combinareMgOconZr02 perprodurre lazirconia
parzialmente
stabilizzata.
!DaA. H. Heuer,"Advances in Ceramics''.
voi.3, "Scienceami
TechnologyofZirconia':American
Ceramic Society, (b)Micrografia
1981]. ese{Juita
al microscopioa trasmissione
elettronica
di unazirconia
parzialmente
stabilizzata
ZrOrMgO invecchiata
nellecondizioni
ottimali,
chemostra unprecipitato sferoidale
schiacciato
ai poliavente
struttura
tetragonale.
Applicando
unosforzo sufficiente,
queste
particelle
si trasformano nellafasemonoclinaconunaespansione volumetrìca.
[Perconcessione (e)Diagramma
di A. H. Heuerj. schematicochemostra latrasformazione delprecipitato
tetragonale
nellafasemonoclina
attorno
adunacriccain uncampione ceramicodi zirconia
parzialmente conil 9%in molidi MgO.
stabilizzata
504 Capitolo 10
(a) (b)
FIGURA 10.44 Rottura perfaticadell'allumina

policristallina
perunasollecitazione
ciclicadi compressione.
(a)Micrografìa
otticache
mostra
la criccadi fatica(l'asse
di compressione è verticale).
(b)Fotografia
al microscopioelettronica
a scansione
dellastessazonasullo
stesso
campione doveè evidente la rottura
di tipointergranulare.
[DaS. Sureshe J. H.Brockenbrough,ActaMetal/.36: 1455(1988A,
ceramici in funzione della temperatura. Per la loro alta resistenza termica, i

materiali ceramici sono utilizzati come refrattari, ossia materiali che resistono
all'azione di ambienti molto caldi, sia liquidi che gassosi. I refrattari vengono
molto utilizzati dalle industrie metallurgiche, chimiche, ceramiche e del vetro.
Materiali ceramici Molti composti ceramici puri con alto punto di fusione, come l'ossido di alluminio 1:
refrattari l'ossido di magnesio, potrebbero essere utilizzati'come materiali refrattari industriali.
ma i loroprocessi tecnologici sono complessi e costosi. Quindi, la maggior parte dei
refrattari industriali è costituita da miscele di composti ceramici. La Tabella 10.10
elenca la composizione di alcuni mattoni refrattari e le loro applicazioni.
Importanti proprietà dei materiali ceramici refrattari sono ·1aresistenza alle
alte"e basse temperature, la densità e la porosità. La maggior parte dei refrattari
ceramici ha una densità che varia da 2, l a 3,3 g/cm 3 • I refrattàri densi, con bassa
porosità, hanno alta resistenza alla corrosione, alla erosione e alla penetrazione
dei liquidi e dei gas. ln'1ece, per i refrattari isolanti è desiderabile una porosità
elevata. I refrattari isolanti vengono ùtilizzati soprattutto come 1inforzo pc'r
mattoni o materiali refrattari di de1}sità é refrattarietà maggiori.
I materiali ceramici refrattari 'industriali sono di solito suddivisi nei tipi
acido e basico. I refrattari acidi si basano principalmente su Si0 2 e Al203 e
quelli basici su MgO, CaO e Cr203. La Tabella 10.10 elenca le composizioni di
alcuni tipi di refrattari industriali e alcune delle loro applicazioni.
Refrattari acidi I re/rattari di silice hanno una elevata refrattarietà, una elevata resistenza
meccanica e rigidità fino a temperature prossime al loro punto di fusione.
!~Platino
----- Grafite
___ B_eo_
denso puro
fB
~ 0.01
u
e
-~
.B
,.5 Mauoni refrattari
:~ isolantifino a 1540°C.
-g 0.001 Mattonirefrattari
é isoh:mtifino a I 090"C
. ,.,, MgO pOl\'ere

FIGURA 10.45
Conducfbìlitàtermica
(scala 0.000!
di materiali
logaritmica)
ceramici
in unampio
òi temperature.
ìn!ervallo
lDaW D.Kingery.H. K O.OOOO:?
0":-.......---:4.,_00_.,___8
.....
00-..1.- ......
l 2.J..OO_...i.__l
6.LOO----...J.__2_j0<-JO
Bowen e D.R. Uhlmann,
"fntroduclion
to Ceramics'', Temperntura.°C
2nded.,Wiiey,1976,
p.64Jj.
. Le ~rgille re[ratt~rie si basano su una miscela di argil1a refrattaria plastica,

arg11l~ flint, e d1 argilla chamotte (particelle grossolane). Prima della cottura,
questi refrattari sono formati da una miscela dì particelle che varia da
grossolana a estremamente fine, Dopo la cottura, le particelle fini formano un
legame ceramico tra le particelle più grandi.
I _refrattari ad allo comenuto di allumina contengono dal 50 al 99% di
allumma e hanno temperature di fusione maggiori rispetto ai mattoni di areilla
refrattaria. Possono essere utilizzati in condizioni più severe nei forni ""e a
temperature maggiori dei mattoni di argiHa refrattaria~ ma sono più costosi.
506 Capitolo 1o
TABELLA 10.10 Composizionee applicazionidi alcunimaterialirefrattariP9j mattoni
Composizione, % in peso
Si02 MgO Altri
Tipi acidi:
Mattone silicico 95-99
Mattone dì argllla ad altissime 53 42
prestazioni
Mattone di argillaad alte 51-54 37 -41
prestazioni
Mattone aUuminioso 0-50 ~6-99+
Tipibasici:
Magnesite 0.5-5 91 ,98 0.6-4 CaO
Magnesite-cromo 2-7 6 13 50-82 18-24 Cr203
Dolomite 38-50 38-58 CaO
Tipi speciali:
Zirconia 32 66Zr02
Carburo di silicio 6 ·2 91 SiC
Applicazionidi alcuni refrattari: . . . . . . . . . .

Mattonidi argillaad altissimeprestazioni:nvest1ment1 per forni d1fusionealluminio,forni
rotativi, altoforni e sivieredi trasporto metallofuso
Mattonidi argillaad alte prestazioni:rivestimentiper forni per cementoe calce, altoforni
e inceneritori
Mattoni alluminios.l:caldaie,forni di rigenerazioneacido spento, forni per fosfati pareti
di forni per vetro, forni per nerofumo, rivestimentidì impiantidi colata continua,
rivestimentidi reattori di gassificazionedel carbone e forni per coke di petrolio . .
Mattoni silicici: rivestimentidi reattori chimici, parti di forni da vetro. forni ceram1c1 e
forni da coke
Mattoni di magnesite:rivestimentidi forni per ta produzionedi acciaiocon convertitore
basico e ossigeno . . .
Mattoni dì zirconia:pavimentazioneinferioredi forni da vetro e ugelhd1colata continua.
Fonte: "Harbìson-Walker Handbook of Refractory Practice", Harbison-Walker

Refractories.Plttsburgh. 1980.
Refrattari basici I refrattari basici sono formati principalmente da magnesia (MgO), calce (CaO),
minerale di cromo o da una miscela di due o più di questi materiali. In generale.
i refrattari basici hanno alta densitit, alte temperature di fusione e buona
resistenza all'attacco chimico da parte delle scorie basiche e degli ossidi. m::1
sono molto costosi. l refrattari basici che contengano una alta percentuale di
magnesia (92·95%) vengono utilizzati soprattutto per rivestimento dei
convertitori ad ossigeno utilizzati per la produzione dell'acciaio.
Piastrelle isolanti Lo sviluppo del sistema di protezione termica per le navette spaziali è un
ceramiche esempio eccellente della moderna tecnologia dei materiali applicata al progetto
per la navetta tecnologico. Perché la navetta spaziale possa essere utilizzata per almeno 100
Space shuttle missioni, sono stati sviluppati nuovi materiali isolanti per piastrelle in materiale
ceramico.
Circail 70% della superficieesternadella navetta è protetta dal calore con

quasi 24000piastrelledi materialeceramicorealizzatein un composto a fibre di
silice. La Figura 10.46 mostra la microstrutturadel materiale isolante per lè
piastrelleriutilizzabiliresistentiad alta temperatura (HRSI). mentre la Figura
10.47 indica la superficiedella navetta spaziale protetta con queste piastre*.
Questomaterialeha una densitàdi solo 142 kg/m3 ed è in grado di resistere
a temperaturefino a 1260°C.L'efficìenzadi questo materialeisolante è indicata
dal fatto che un tecnico può prendere in mano un pezzo della piastrella di
materia]eceramico già dopo circa 1O s che essa è stata estratta da un forno a
1260°C.
10.9 VETRI
l vetri hanno proprietà speciali, che non si trovano in altri materiali. La

combinazione di trasparenza e durezza a temperatura ambiente, insieme a una
sufficiente resistenza meccanica e una ottima resistenza alla corrosione nella
maggior parte degli ambienti nonnalL rende i vetri indispensabili per molte
applicazioni, come le vetrate delle costruzioni e dei veicoli. Nell'industria
elettrica il vetro è essenziale per la realizzazione di diversi tipi di lampadine,
grazie alle sue proprietà isolanti e alla capacità di fornire tenuta a vuoto spinto.
Anche nell'industria elettronica, i tubi elettronici richiedono che il vetro
garantisca tenuta a vuoto spinto. oltre che proprietà isolanti per i connettori
passanti. L'alta resistenza chimica del vetro lo rende utile per le apparecchiature
di laboratorio, per i rivestimenti dì tubazioni resistenti alla corrosione e per i
reattori dell'indus.tria chimica. ·
FIGURA 10.46
Microstruttura
di unisolante
di tipoU900peralte
temperature
persuperfici
riutilizzabili
(materiale
per
piastrelle
di materiale
ceramico utilizzate
per
navicellespaziali);
la
è composta
struttura dafibre
di siHcepuraal 99.7%.
(Ingrandimento 1200x).
fPerconcessione della
Lockheed Missi/es
and
Space Co.].
508 Capitolo 10
• Carbonio l'inforzatocon
carbonio (RCC}
[I Syperficie isolantead
alta temperaruro
riutilizzabile
~ Superficie isolante a
bassa temperatura
riutilizzabile
~ Feltro ricoperto con
Nomex
D Metallo o vetro
FIGURA10.47 Sistemi termica

di protezione dellanavicella
spaziale
Space IPerconcessione
shuttle. dellaNASA].
Definizione Un vetro è un materiale ceramico, in quanto prodotto da materiali inorganici a

di vetro elevate temperature. Tuttavia. si distingue dagli altri materiali ceramici in
quanto i suoì componenti vengono portati a fusione e successivament1.:
raffreddati ad uno stato solido senza cristallizzazione. Un w:1ro. quindi. può
essere definito come un prodotto inorganico di fitsione U{{fi·eddaw fino ad una
condizione rigida senza cristalli::azione. Una caratteristica del vetro è quella di
avere una struttura non cristallina; o amorfa. Le molecole in un vetro non sono
disposte in modo ordinato, regolare e ripetitivo ad ampio raggio come avviene
in un solido cristallino. In un vetro le molecole cambiano il loro orientamento in
modo casuale all'interno de] materiale solìdo. ;,•
Temperatura Il comportamento di un vetro durante 1a solidificazione è diverso da quello di un

di transizione solido cristallino, come il1ustrato in Figura 10.48 che riporta l'andamento
vetrosa schematico del volume specifico (il reciproco della densità) in funzione della
temperatura per questi due tipi di m:µeriale. Un liquido che solidificando forma
un solido cristallino (ad esemp1ò, un metallo puro), cristallizzerà normalmente
al suo punto di fusione con una diminuzione significativa del volume specifico,
come indicato dal percorso ABC dì Figura 10.48. Al contrario, un liquido che
raffreddandosi forma un vetro non cristallizza, ma segue un percorso del tipo
AD in Figura 10.48. AJ diminuire della sua temperatura 1 un liquido di questo
tipo dive11ta più viscoso e si trasforma da uno stato gommosò a uno stato
solido-vetroso fragile in un intervallo di temperatura ridotto nel quale la
Materiali cer"amici 509
pendenza della curva del volume specifico in funzione della temperatura si

riduce notevolmente. Il punto di intersezione delle due tangenti a questa curva
definisce un punto dì trasformazione, detto remperatura di transizione vetrosa
T8 • Questo punto dipende dalla struttura e, inoltre, velocità di raffreddamento
più elevate portano a valori più alti di ·Tg.
Struttura dei vetri Ossidi che formanovetri La maggior parte dei vetri inorganicì sono costituiti
dall'ossido di silicio, SiO2, che ha la caratteristica di formare strutture vetrose.
La unità elementare nei vetri a base di silice è il tetraedro SiO 4 4 - nel quale un
atomo (ione) di silicio (Si4 +) nel tetraedro è legato, con legame covalente-ionico,
a quattro atomi (ioni) di ossigeno, come mostrato in Figura 10.49a. Per
esempio, nella silice cristallina, la cristobalite, i tetraedri Si-O sono uniti angolo-
angolo in una disposizione regolare, generando un ordinamento ad ampio
raggio. come schematizzato in Figura 10.49b. In un semplice vetro di silice.
invece, ì tetraedri sono uniti angolo-angolo per formare su ampio raggio un
reticolo disordinato {Figura 10.49c).
Anche l'ossido dì boro, B2O3, è un ossido che forma dei vetri e, di per sé.
forma unità elementari costituite da triangoli piani con l'atomo di boro
leggermente esterno al piano fonnato dagli atomi di ossigeno. Tuttavia, nei vetri
al borosilicato. a cui si aggiungono ossidi alcalini e alcalino terrosi. i triangoli di
B03 3- possono essere trasformati in tetraedri di B0 4 4 -. con i cationi alcalini e
alcalino terrosi che garantiscono la elettroneutralità. L ·ossido di boro è un 'ag"
giunta importante per molti tipi di vetro commerciale, come i Vetri borosilicati~e
alluminoborosilicati.
Liquido /~
'x,../
Liquido ,//,/
FIGURA 10.48
superraffreddato
,.:
~-
,.,,/'
/
-r--
contrazione dovutn
Solidificazionedi materiali Vetro ,,,,, al raffreddamemo
e vetrosi
cristallini
conindicazione
(amorfi)
delle
" "X~--,
/4"
-t_--
B
variazionidi volume ------
D I
specifico.70 è la ~Solido
temperatura·di transizione e 1 cristallino
vetrosadelmateriale
vetroso. Trnè latemperatura T11
di fusionedelmateriale Temperatura
cristallino.
51 O Capitolo 10
J.
I'
(a)
FIGURA 10.49
Rappresentazione schematìca
di {a}untetraedro di silicio-
ossìgeno,(b)silicecristallina
(cristobaltte)
ideale,nella
qualei tetraedrihannoun
ordineadampioraggio, e (e)
unvetrodi si.licesemplice
nelqualei tetraedrinon
hannounordineadampio (b) (cl
raggio.!Perconcessione
dellaCorning GlassWorks].
Ossidi che modificano.i \'etri Gli ossidi che rompono il reticolo vetroso sono
detti modificatori di reticolo. Gli ossidi alcalini, come Na1O e K1O, e gli ossidi
alcalinoterrosi, come CaO e MgO, vengono aggiunti ai vetri di silice per
diminuirne la viscosità, in modo che possano essere lavor~ti e formati più
facilmente. Gli atomi di ossigeno di questi ossidi entrano nel reticolo della silice
nei punti di unione dei tetraedri e lo rompono, generando atomi di ossigeno con
elettroni non condivisi (Figura 10.50a). Gli ioni Na+ e K"""provenienti da Na1O
e K 2O non entrano nel reticolo ma rimangono come ioni metallici legati
ionicamente negli interstizi del reticolo: Riempiendo alcuni degli interstizi
questi ioni favoriscono la cristallizzazione del vetro.
Ossidi intermediari Alcuni ossidi non possono formare da soli un reticolo

vetroso, ma possono unirsi a un reticolo preesistente. Questi ossidi sono noti
come ossidi intermediari.Per esempio, l'ossido di alluminio, AJiQ3, può entra.re
nel reticolo della silice sotto forma di tetraedri di AlO 4 -, sostituendo alcuni dei
gruppi SiO4 - (Figura 10.50b). Tuttavia, poiché la valenza dell'alluminio è +3
FIGURA 10.50 (a}Vetro

con.reticolo modificato
(vetrosodico-calcico);si
notichegli ionimetallici
(Na+)nontannopartedel
reticolo.(b)vetroconossidi
intermediari(allumina-
silice);si notichei piccoli
ionimetallici(Al3+) fanno
partedelreticolo. [DaO.H.
Wyalte D. Dew-Hughes,
"Metals, Ceramics, and (a) (b)
Polymers·: Cambridge, • Si4+ Oo:i- 0Na+ OAJ3+
1974,p.263].
invece del valore +4 necessario per i tetraedri, i cationi alcalini devono fornire
gli altri elettroni necessari per garantire la neutralità elettrica. Gli ossidi
intermediari sono aggiunti al vetro di silice per ottenere particolari proprietà.
Per esempio, i vetri aHuminosilicati sono in grado sopportare temperature
superiori rispetto ai vetri comuni. L·ossido di piombo è un altro esempio di
ossido intermediario aggiunto a certi tipi di vetro. In funzione della
composizione del vetro, gli ossidi intermediari possono talvolta agire come
modificatori del reticolo o anche prendere parte al reticolo stesso del vetro.
Composizione Le composizioni di alcuni importanti tipi di vetri sono elencate in Tabella I0.11
dei vetri con alcune osservazioni sulle loro proprietà e applicazioni. Il vetro di silice fuso,
che è il più importante vetro monocomponente, ha una alta trasmissione
spettrale e non è soggetto a danneggiamenti da radiazioni che provocano
l'imbrunimento di altri tipi di vetro. È dunque il vetro ideale per i finestrini di
veicoli spaziali, le finestre per i tunnel del vento e per i sistemi ottici di
apparecchiature spettrofotometriche. Tuttavia, il }letro di silice è difficile da
lavorare ed è costoso.
Vetri sodico-calcici Il vetro più comunemente prodotto è quello sodico-

calcico che rappresenta il 90% circa di tutta la produzione dei vetri. La
composizione di base di questo vetro è 71-73% di SiO 2 , 12-14% di Na2O e 10-
12% di CaO. Na 2 O e CaO diminuiscono H punto dì rammollimento da 1600 a
circa 730°C, cosicché il vetro sodico-calcico è più facile da lavorare. L'aggiunta
J
512 Capitolo 10
di 1-4% di MgO al vetro sodico-calcico serve a prevenire la devetrificazione,

mentre l'aggiunta di 0,5-1,5% di Al 2 03 .viene effettuata 1 per aumentarne la
durabilità. Il vetro sodico-calcico viene utilizzato per pro_slurre lastre piane,
recipienti, manufatti pressati o soffiati e prodotti di illuminazione per i quali
non sono richieste un 'alta durabilità chimìca e fa. resi~tenza al calore.
Vetri al borosilicato La sostituzione degli ossidi alcalini da parte dell'ossido

di boro nel reticolo vetroso della silice produce un vetro con una espansione
minore. Quando il B2O 3 entra nel reticolo della silice, ne indebolisce la struttura
e ne abbassa considerevolmente il punto di rammollimento. L'effetto di
indebolimento è attribuito alla presenza di atomi di boro planari a tre
coordinate. Il vetro al borosilicato (vetro ·Pyrex) viene usato per attrezzature di
laboràtorio, tubazioni, forni e fari.
Vetri al piombo L'ossido di piombo è di solito un modificatore del reticolo

della silice, ma può anche agire come formatore di reticolo. I vetri al piombo
con alto contenuto di ossido dì piombo sorio basso fondenti e sono utilizzabili
per vetri a tenuta saldati. I vetri ad alto contenuto di piombo sono usati anche
per le protezioni da radiazioni ad alta energia e trovano applicazione per finestre
antiradiazioni, bulbi di lampade fluorescenti o larnpade per televisori. Grazie
all'alto indice di rifrazione. i vetri al piombo vengono utilizzati in alcuni casi
come vetrì o!tici e per applicazioni decorative.
Deformazione Il vetro si comporta come un liquido viscoso (sottoraffreddato) al di sopra della

viscosadei vetri sua temperatura di transizione vetrosa. Sotto sforzo, i gruppi di atomi (ioni) dei
silicati possono scorrere l'uno sopra l'altro, consentendo la deformazione
permanente del vetro. Le forze di legame interatomico si oppongono alla
deformazione al di sopra della temperatura di transizione vetrosa, ma non sono
in grado di evitare lo scorrimento viscoso se lo sforzo applicato è abbastanza
elevato. Quando la temperatura del vetro viene gradualmente aumentata al di
sopra -della sua temperatura di transizione vetrosa, la viscosità del vetro
diminuisce e il flusso viscoso viene facilitato. L'effetto della temperatura sulla
viscosità dì un vetro segue un·equazione del tipo di Arrhenius, ma il segno del
tennine esponenziale è positivo anziché negativo come di solito (ad esempio, per
la diffusività. l'equazione del tipo di Arrhenius è D· =
D0 e-Q/RT). L'equazione
che lega 1a viscosità alla temperatura ~er il flusso viscoso in un vetro è:
(10.5)
dove r, = viscosità del vetro. P** o Pa ·s; 7Jo= costante preesponenziale, P o
* r, = lettera greca eta.

** P (poise) = l dyne , s/cm 2; 1 Pa·s (pascal-secondo) = 1 N-s/ni; I P = O,I Pa,s.
TABELLA 10.11 Composizionedi alcuni tipi di vetri
Vetro Si02 Na20 K20 CaO B20a Al20s Altri Commenti
1.Silicico 99.5+ Difficileda fondere e fabbricare

ma utilizzabilefino a 10oo=c.
Bassissima espansione e alta
resistenzaagli shock terrnicì.
2. 96% silice 96.3 <0.2 <0.2 2.9 0.4 Prodotto da vetri al borosilicato
relativamenteteneri; riscaldato
per separare le fasi SiO2 e
B2Os: la fase B2O3viene
rimossa per attacco acido,
riscaldato per consolidarei pori.
3. Sodico-calcico 71- 73 12-14 10-12 0.5 - 1.5 MgO, 1 -4 Fabbricato facilmente. Molto
usato ìn gradì con piccole
differenzeper finestre,
contenitori e lampadine.
4. Silicatodi piombo: 63 7.6 6 0.3 0.2 0.6 PbO, 21 Facileda fondere e fabbricare,
elettrico MgO, 0.2 con buone proprietà elettriche.
L'alto piombo assorbe i raggi-X:
altamente rifrattivo è usato per
5. Alto piombo 35 7.2 PbO, 58
lenti acromatiche. Usato per
cristalli decorativi.
6. Borosìlìcato: 80.5 3.8 0.4 12.9 2.2 Dotato di bassa espansione,

bassa espansione buona resìstenzaagli shock
termici e stabilità chimica. Motto
usato nell'industria chimica.
7. Bassa perdìta 70.0 0.5 28.0 1.1 PbO, 1.2 Bassa perdita dielettrica.
elettrica
8. Afluminoborosifteato 74.7 6.4 0.5 0.9 9.6 5.6 820, 2.2 Con allumina aumentata, la
tipo normale minor presenza di ossido di
boro aumenta la durabilità
chimica.
9. Bassi alcali: 54.5 0.5 22 8.5 14.5 Molto usato per fibre in
vetro E compositi con fibra di vetro.
1O. Alluminosilicato 57 1.0 5.5 4 20.5 MgO, 12 Alte temperature, basse

espansioni.
11. Vetro-ceramica 40-70 10-35 MgO, Ceramica cristallina·realizzata

10-30 devetrilìcandoil vetro. Facile
1i02 fabbricazione (come il vetro),
7-15 buone proprietà. Con vari vetri e
catalizzatorì.
Fonte:O, H, Wyatt and D. Dew-Hughes, "Metals, Ceramics,and Polymers", Cambridge, 1974, p. 261.
514 Capitolo 10
Pa·s; Q = energia molare di attivazione del flusso viscoso; R = costante

=
universale molare dei gas e T temperatura assoluta. J
L'effetto della temperatura sulla viscosità di alcuni tipi 1dì vetro commerciale
è mostrato in Figura 10.51. Per confrontare i vetri, vengono utilizzati diversi
punti caratteristici per la viscosità, indicati dalle linee, orizzontali in Figura 10.51.
Questi sono i punti di lavorabilità, dì rammollimento, di ricottura e dì
deformazione. Le loro definizioni sono:
1. Punto di lavorabilità:viscosità= 104 poise (10 3 Pa · s). A questa temperatura

è possibile effettuare le operazioni di fabbricazione del vetro.
2. Punto di rammollimento: viscosità =108 poise (10 7 Pa · s). A questa
temperatura il vetro scorre a una velocità apprezzabile per effetto del suo
peso proprio.
3. Punto di ricottura: viscosità = 1013 poise (10 12 Pa'· s). A questa temperatura
vengono eliminati gli sforzi interni.
=
4. Punto di deformazione:viscosità= 1014,5 poise (10 135 Pa · s). Al di sotto. di
questa temperatura il vetro è rigido e il rilassamento degli sforzi avviene solo
a basse velocità. L'intervallo tra il punto di ricottura e quello di
deformazione è considerato di solito l'intervallo di ricottura di un vetro.
I vetri vengono fusi ad una temperatura che corrisponde ad una viscosità di

circa 102 poise (10 Pa,s). Durante la formatura. le viscosità dei vetri vengono
confrontate in modo qualitativo. Un vetro "hard"' ha un alto punto di
rammollimento. mentre ·un vetro "soft'' ha un punto di rammollìmento più
basso. Un vetro "long" ha. una grande differenza di temperatura tra i suoi punti
di rammollimento e di deformazione. Quindi. il vetro long solidifica più
lentamente di un vetro "short'' al diminuire della temperatura.
Eserciziario
Vedi Esercizìo 10.1i.
Metodi di I prodotti in vetro sono realizzati riscaldando il vetro ad una temperatura

formatura dei vetri elevata per ottenere un liquido viscoso e successivamènte formandolo,
trafilandolo o laminandolo nella forma desiderata.
Formaturadi fogli e lastredi vetro Circa P85% del vetro piano prodotto negli
Stati Uniti è realizzato mediante processo a galleggiamento (processo "floaf'),
nel quale un nastro di vetro esce dal forno di fusione e fluisce sulla superficie di
un bagno dì stagno fuso (Figura 10.52). Il nastro dì vetro viene raffreddato
mentre si muove attraverso lo stagno fuso e in atmosfera chimicamente
controllata (Figura 10.52). Quando le sue superfici sono abbastanza dure, la
lastra di vetro viene tolta dal forno senza essere segnata dai rulli trasportatori e
passa attraverso un lungo forno di ricottura ("lehr"), nel quale vengono rimossi
gli sforzi residui.
I' 16 15
Puntodi deformazione
14
-------- 13
Puntodi ro.ttura
------
12 li
N
2
Cl. 10 9 $.
1d z
-~ ~
~
1F. 7
·::: 8
·;;
~ e
j 6 5 ~
.3
FIGURA 10.51 Ettetto
dellatemperaturasulla 3
viscositàdi alcunitipidi
vetro.I numerisullecurvesi
riferiscono
allecomposizioni 2
dellaTabella 10.11.[DaO.
H Wyatt e 0; Dew~Hughes, o
"Metals. Ceramics, and 200 400 60() 800 1000 lWO 1400 1600
Pofymers''.Cambridge, Temperatura,"C
1914,p.25g"j.
Soffiatura,stampaggioe colata del vetro Prodotti cavi come le bottiglie, i vasi

e gli involucri dei bulbi delle lampadine vengono di solito formati soffiando aria
per costringere il vetro f11soad aderire alla superficie della forma (Figura 10.53).
Gliarticoli piani come le lenti ottiche sono prodotti pressando un pistone in uno
stampo contenente il vetro fuso.
Molti articoli possono essere realizzati colando il vetro in uno stampo
aperto, ad esempio un grande specchio per telescopio di vetro al borosilicato di
6 metri di diametro è stato realizzato con questa tecnica. Articoli a forma di
imbuto come i tubi catodici dei televisori sono formati mediante cola.ta per
centrifugazione: gocce di vetro fuso vengono lasciate cadere dall'alimentatore su
una forma rotante che permette al vetro di fluire petfom1are una parete di vetro
di spessore all'incìrca uniforme.
Vetro temprato Questo tipo di vetro è rafforzato mediante un rapido raffreddamento in aria
della sua superficie dopo che è stato scaldato quasi fino al suo punto di fusione.
La superficìe del vetro si raffredda per prima e si contrae, mentre la parte
interna resta calda e compensa le variazioni dimensionali con piccoli sforzi
(Figura 10.54a). Quando l'interno si raffredda e si contrae, le superfici sono già
516 Capitolo 1o
I-
Atmosfera
controllata
Forno Bagno flonanle Fornodì cottura
FIGURA 10.52 Schemadelprocesso

float.[DaD. C.Boyde D.A. Thompson,
''Glass':voi.Il: "Kirk-Dthmer
Encyclopedia
of Chemical
TechnolO{}y':
3rded.,Wiley,1980,p.862j.
rigide e quindi sì creano sforzi residui di trazione all'interno del vetro e sforzi dì
compressione sulle superfici (Figura 10.54b e Figura 10.55). Questo trattamento
di "tempra" aumenta la resistenza del vetro perché gli sforzi applicati devono
superare gli sforzi residui di compressione sulla superficie, prima che avvenga la
FIGURA 10.53 {a)

Riscaldamentoe (b}stadidi
finale
soffiatura in un
processodi soffiatura
del
vetro.[DaW.Geìgerich e W.
Trier,"GfassMachines
ConstructionandOperation (a)
otMachìnes tortheForming
of HotGlass·:Springer-
Vertag,1969'J.
Le superficidel vetrosi raffreddanoper prime
Sforzidi
~. . compression~
t \Ù\\\\\\\
C
I-
_ Sfo~idi_
trazione
::I
~
FIGURA10.54 Sezione
trasversaledi unvetro r- -i
temprato (a)dopochela ~111111111111111111 111~
superficieè stataraffreddata .____ Sforzidi ~
daunatemperatura vicinaa compressione
quelladi rammollimento del (a) (b)
vetroe (b)dopocheè stato
raffreddatoil centro.
rottura. Il vetro temprato .ha una maggiore resilienza rispetto al vetro ricotto e
ha una resistenza meccanica quasi quattro volte maggiore del vetro ricotto. I
finestrini laterali delle automobili e i vetri di sicurezza per porte sono articoli che
vengono temprati.
Vetro rafforzato La resistenza del vetro può essere aumentata con speciali trattamenti chimici.
chimicamente Per esempio, se un vetro sodico alluminosilicato viene immerso in un bagno di
nitrato di potassio a una temperatura di circa 50°C al di sotto del _suopunto di
deformazione (500°C) per 6-10 ore, i piccoli ioni sodio vicino alla superficie del
Sforzoresiduo.Pn
70 o 70 140 ::!IO 280 ~50
..- .. .- ..- ..-

~
,_____..--
,../i Temprato
FIGURA 10.55
Distribuzionedeglislorzi ----1- --------------~--~
I '
residuinellesezionidi vetro
tempratoe rìnforzato
chimicamente. [DaE.B. ·· Tratturochimicamente
Shand,"Engineering Glass''. Superficie
vol.6:"Modem Materials':
Academic, 1968,p.27{1j.
518 Capitolo 1O
vetro vengono sostituiti dagli ioni di potassio più grandi. L'introduzione deì
grossi ioni di potassio. nella superficie del vetro produce sforzi di compressione
sulla superficie e corrispondenti sforzi di trazione nella ZQlla centrale. Questo
processo di tempra chimica può essere utilizzato in presenza di sezioni
trasversali più sottili di quanto sia possibile con la. tempra termica poiché lo
strato di compressione è molto più sottile, come mostrato in Figura 10.55. Il
vetro rafforzato chimicamente viene utilizzato per le vetrate di aerei supersonici
e le lenti oftalmiche.
RIASSUNTO
I
I materiali ceramici sono materiali inorganici, non metallici, formati da elementi

metallici e non metallici legati insieme da legami ionici e/o covalenti. Di
conseguenza, le composizioni chimiche e. le strutture dei materiali ceramici
possono variare notevolmen.te. Possono essere formati da un unico composto
come, per esempio, l'ossido di alluminio purot o possono essere composti da
una miscela di molte fasi complesse come la miscela di argilla, silice e feldspato
che è contenuta nella porcellana.
Anche le proprietà dei materiali ceramici possono variare moltissimo per le
differenze nei legami. In generale, la maggior parte dei materiali ceramici sono
normalmente duri e fragili, con bassa resilienza e duttilità. Di conseguenza. si
evita di progettare componenti ceramici sottoposti a sollecitazioni elevate.
specialmente se si tratta di sforzi di trazione. I materiali ceramid sono in eenert·
buoni isolanti elettrici e termici per l'assenza di elettroni di conduzione e, q-uindi.
molti materiali ceramici vengono utilizzati come isolanti elettrici e come
refrattari. Alcuni materiali ceramici che possono essere fortemente polarizzati
con carica elettrica. vengono utilizzati come materiali dielettrici per i
condensatori. La polarizzazione permanente di alcuni materiali ceramici genera
propdetà piezoelettriche che permettono di utilizzare questi materiali~ come
trasduttori elettromeccanici. Altri materiali ceramici, per esempio Fe 3 0 4 , sono
semìco.nduttori e trovano applicazione come termistori per la misurazìone della
temperatura.
. La lavorazione dei materiali ceramici di solito implica l'agglomerazione dì
piccole particelle con una varietà di metodi, negli stati secco, plastico o liquido.
Nell'industria dei materiali ceramici predominano i processi di formatura a
~reddo, i:na sono utilizzati anche processi di formatura a caldo. Lo stampaggio,
il colagg10 e l'estrusione sono processi dì formatura comunemente utilizzati per i
materiali .ceramici. Dopo la formatura, i materiali ceramici venoono o
di solito
sottoposti ad un trattamento termico come la sinterizzazione o. la vetrificazione.
Durante la sinterizzazione, le piccole particelle di un prodotto cui è già stata
conferita la forma finale vengono legate mediante processi di diffusione aHo
I Mater.ialiGeramici 519
stato solido ad alta temperatura. Nella vetrificazione, una fase vetrosa serve
r
I
come mezzo dì reazione per legare insieme le particelle non fuse.
I vetri sono prodotti ceramici inorganici di fusione che vengono rafw
iI
freddati a uno stato rigido solido senza cristallizzazione. La maggio.r parte dei
vetri inorganici si basa su un reticolo di tetraedri di silice (Si0 2} legati
ionicamente e covalentemente. Aggiunte di altri ossidi come Na20 e CaO mo-
dificano il reticolo della silice e rendono più lavorabile il vetro. Altre aggiunte
ai vetri creano un intero spettro di proprietà. I vetri hanno particolari
proprietà come la trasparenza, la durezza a temperatura ambìente e una eccel-
lente resistenza in molti ambienti. che li rendono importanti per molte applica-
zioni tecnologiche.
DEFINIZIONI
Paragrafo 10.1
Materialiceramici:materiali inorganici. non metalìici, formati da elementi metallici e non
metallici legati insieme principalmente con legami ionici e/o covalenti.
Paragrafo 10.2
Numerodi coordinazione(C:N):numero di atomi adiacenti equidistanti da un atomo o da
uno ione in una cella elementare di una struttura .cristallina. Per esempio, nel NaCl si
ha CN = 6 poiché sei anioni di c1-equidistanti circondano un catione centrale di
Na•.
Rapportotra i raggi ionici (perun solidoionico):rapporto tra il raggio del catione centrale
e quello degli anioni circostanti.
Rapportotra i raggi ionici critico (minimo):rapporto tra il catione centrale·e quello degli
anioni circostanti quando gli anioni circostanti si toccano appena l'uno con l'altro e
con H catione centrale.
Posizioneinterstizialeottaedricai11una strutturacristallina CFC: spazio racchiuso tra i
nuclei di sei atomi (ioni) circostanti che fonnano un ottaedro.
Posizioneinterstizialetetraedricain una strutturacristallina CFC: spazio racchiuso tra i
nuclei di quattro atomi (ioni) circostanti che formano un tetraedro.
Paragrafo ]0.4
Stampaggioa freddo:simultanea compattazione e sagomatura unidirezionale di particelle
granulate (e legante) di un materiale ceramico in uno stampo.
Stampaggio isostatico: simultanea compattazione e saigomatura di una polvere d.i
materiale ceramico (e legante) mediante pressione applicata uniformemente in tutte le
direzioni.
Colaggio:processo. di fonnatura di un materiale ceramico nel quale una sospensione
di particelle ceramiche e acqua viene versata in uno stampo poroso e successivamente
parte dell'acqua dal materiale colato diffonde nello stampo, lasciando una fonna
solida nello stampo. Qualche volta il liquido all'interno del solido colato viene versato
dallo stampo, lasciando una matrice di colata.
520 Capitolo 10
Sinterizzazione(di un materiale ceramico): processo nel quale particelle fini di un

materiale ceramico vengono legate insieme fisicamente a una temperatura
1
sufficientemente elevata perché avvenga 1a.diffusione atomica tra ]e particelle.
Cottura(di un materialeceramico): riscaldamento di un materiale' ceramico fino a una
temperatura sufficientemente elevata da permettere la formazione dì un legame fisico
tra le particelle.
Vetrificazione:fusione o formazione dì un vetro; il processo di vetrificazione viene
utilizzato per produrre un vetro liquido viscoso in una miscela di materiale ceramico
mediante cottura. Raffreddando, la fase liquida solidifica e forma una matrice vetrosa
che lega insieme le particelle non fuse del materiale ceramico.
Paragrafo 10.6
Dielettrico:materiale isolante elettrico.
Condensatore:dispositivo elettrico formato da due armature conduttrici separate da
sttàti di materiale dielettrico e in grado di i~1magazzinard carica elettrica.
Capacità:misura della capacità di un condensatore di immagazzinare la carica elettrica.
La capacità viene misurata in farad; le unità comunemente utilizzate nei circuiti
elettrici sono il picofarad ( 1 pF = l 0- 12 F) e il microfarad ( I µF = 1o-6 F).
Costantedielettrica:rapporto tra la capacità di un condensatore con un certo materiale
tra le armature e quella dì un condensatore con il vuoto tra le armature.
Resistenza dielettrica:tensione per unità di lunghezza (campo elettrico) alla quale un
materiale dielettrico pennette la conduzione, cioè il campo elettrico massimo che un
dielettrico può sopportare senza rottura elettrica.
Termistore:dispositivo semiconduttore ceramico che varia la sua resistività al variare
della temperatura ed è usato per misurare e controllare la temperatura.
Materiale ferroelettrico:materiale che può essere polarizzato applicando un campo
elettrico.
Polarizzazione:allineamento dei piccoli dipoli di un materiale dielettrico che genera un
momento dipolare netto nel materiale.
Temperaturadi Curie(di un materialeforroelettrico):temperatura alla quale un materiale
fertoelettrico durante il raffreddamento subisce una variazione della struttura
cristallina che produce una polarizzazione spontanea nel materiale. Per esempio, la
temperatura di Curie del BaTiO 3 è pari a 120°C.
Effetto piezoelettrico:effetto elettromeccanico per il quale le forze meccaniche su un
materiale ferroelettrico possono produrre una risposta elettrica e )s: forze elettriche
producono una risposta n1eccanìca.
Trasduttore:dispositivo che è attivato dalla potenza di una sorgente e trasmette potenza
in un'altra forma ad un secondo sistema. Per esempio, un trasduttore può convertire
l'energia sonora entrante in una risposta elettrica in uscita.
Paragrafo10.8
Materialerefrattario(ceramico):matèi-iale a bassa conducibilità termica.
Pa,.agrafo10.9
Vetro:materiale ceramico non cristallino (amorfo) formato da materiali inorganici.
Temperaturadi transizionevetrosa: centro dell'intervalio dì temperature nel quale un
solido non cristallino passa da un comportan1ento vetroso-fragile a uno viscoso.
Ossido che forma ,•etri: ossido che forma facilmente un vetro; anche un ossido che
contribuisce al reticolo di un vetro di silice quando viene aggiunto a questo, per

esempio B203.
Ossido modificatore: ossido che rompe il reticolo della smce quando viene aggiunto al
vetro di silice; i modificatori abbassano la viscosità del vetro di silice e favoriscono la
cristallizzazione. Esempi sono: Na;;O. K:iO, Caù e MgO.
Ossido intermediario:ossido che può agire sia come formatore di vetro che come
modificatore di vetro. a seconda della composizione del vetro. Per esempio, Al:!O3 •
Punti caratteristicidei vetri (temperature):
Punto di lavorabilità:a questa temperatura il vetro può essere facilmente lavorato.
Punto di rammollimento:a questa ·temperatura il vetro scorre ad una velocità
apprezzabile.
Punto di ricottura:a questa temperatura possono essere eliminati gli sforzi nel vetro.
Punto di deformazione:a questa temperatura il vetro è rigido,
Vetro tloat: vetro piano prodotto con un nast.ro di vetro fuso raffreddato allo stato
vetroso-fragile h1entre scorre sulla parte superiore di un bagno piano di stagno fuso e
sotto atmosfera riducente.
Vetro temprato termicamente:vetro che è stato riscaldato fino a una temperatura
prossima alla sua temperatura di rammollimento e successivamente raffreddato
rapidamente in aria per introdurre sforzi di compressione vicino alla sua superficie.
Vetro temprato chimicamente: vetro che è stato sottoposto a un trattamento chimico
introducendo ioni grandi nella superficie per generare sforzi di compressione sulla
superficie.
,.
,..
MATERIALICOMPOSITI
11.1 INTRODUZIONE
Non esiste ancora una definizione universalmente riconosciuta di materiai.e

composito. Secondo una possibile definizione un materiale composito è un
materiale costituito da diverse parti {o costituenti). A livello atomico materiali
come certe leghe metalliche e materiali polimerici potrebbero essere detti
materiali compositi dato che sono formati da differenti e distinti gruppi di
atomi. A livello microstrutturale (da circa 10- 4 a 10- 2 cm) una lega metallica
come un acciaio a basso tenore di carbonio contenente ferrite e perlìte potrebbe
essere definita materiale composito dato che la ferrite e 1a perlite sono
costituenti distintamente individuabili al microscopio ottico. A livello
macrostrutturale (10- 2 cm circa o più) una materia plastica rinforzata con
fibre di vetro, in cui le fibre di vetro possono essere distintamente riconosciute
ad occhio nudo, potrebbe essere considerata un materiale composito. Si può
notare che la difficoltà nel definire un materiale composito consiste nelle
limitazioni sulle dimensìoni che si impongono per i costituenti che compongono
il materiale. Nella progettazione, per materiale compqsito solitamente si intende
524 Capitolo 11
un materiale composto da costituenti compresi nell'intervallo dimensionale

micro•macro, con particolare riferìmentq alle dimensioni p.1acroscopiche. Per gli
scopi dì questo libro, la definizione di materiale composit,oè la seguente:
Un materiale composito è un sistema di materia,li composto da una miscela

o combinazione di due o più micro o macrocostituentì che differiscono nella
forma e nella composizione chimica e che essenzialmente sono insolubili
l'uno nell'altro.
L'importanza tecnologica di un materiale composito risiede nel fatto che

due o più materiali distinti vengono combinati insieme per formare un materiale
composito che possiede proprietà superiori, o in qualche modo rilevanti.
rispetto alle proprietà dei singoli componenti. Un gi;ande numero di materiali
rientra in questa categoria e quindi una discussione su tutti i materiali compositi
va oltre gli scopi di questo libro. In questo capitolo verranno discussi solo alcuni
dei più importanti materiali compositi utilizzati per scopi tecnologici. Questi
materiali sono le materie plastiche rinforzate con fibre, il calcestruzzo. l'asfalto.
il legno e diversi altri tipi di materiali compositi. Esempi dell'utilizzo di materiali
compositi in applicazioni industriali sono mostrati in Figura l l. l.
11.,2 FIBRE PER MATERIALI COMPOSITI A MATRICE POLIMERICA
Negli Stati Lniti per rinforzare le materie plastiche vengono utiiì..::,:::..

principalmente tre tipi di fibre sìntetiche: di vetro. aramidiche 1 e di carb011i0.
Il vetro è dì gran lunga la fibra di rinforzo più utilizzata e quella dal costo più
basso. Le fibre aramidiche e quelle di carbonio hanno elevata resistenza e bassa
densità e perciò vengono utilizzate in 111olteapplicazioni. in particolare nel
campo aerospaziale, nonostante il loro costo molto elevato.
Fibre di vetro per Le fibre di vetro sono utilìzzate per rinforzare matrici polimericke e d~re origine a
rinforzare le resine compositi strutturali e composti da stampaggio. I materiali polimerìcì compo:;iti
polimeriche rinforzati con fibre di vetro hanno le seguenti caratteristiche favorevoli: un
elevato rapporto resistenza meccanica-peso; buona stabilità dìmènsional!!: hul,na
resistenza al calore. al freddo, all'umidità e alla corrosione~buone proprictj di
isolamento elettrico; facilità di fabbrjcazione~ costo relativamente contenuto.
I due principali tipi di vetro utilizzati per produrre fibre di vetro per
compositi sono i vetri E (elettrico) e S (ad alta resistenza).
1 Una fibra aramidica è una fibra polimerica poliammidica aromatica con una struttura
molecolare molto rigida.

Materiali compositi 525
(e)
FIGURA11.1 Applicazioni avanzate di composìtl

perprogeltazioni
tecnologiche.
(a) Beech Starshìp Modello2000.I compositiavanzati
(principalmente
fibredi carbonioconmatriceepossidica)
rappresentanoil 70%delpesostrutturale delveicolo.{b) Costruzione
delBeech
[Perconcessione
Starship. dallaBeechAircraft
Go.].(e)Composito a matricemetallica
(legadi alluminiorinforzata
concarburo
di silicio)per
lasezionedell'impennaggioverticale
dellacodadi unaereotatticoavanzatomentrevieneprovata dallaLockheed.[DaAerospace America,
Marzo
1989,p.271.
526 Capitolo 11
,.
Alimentatoredel vetro: componenti
del vetro grezzo o marmi
Fusione del vetro: vetro fuso

Forno di fusione
e elementi per
formarefibre
Applicazioni di rivestimenti
protettivi: calibratura
Formaturadel trefolo:
raccolta
y l1 y
d d .d d
r Trefolo
Trefolo su tubi di formatura
Avvol!.!imemo ,
Rimozionedel soÌventeo essiccazione
Trefolo su tubo'di formaturaQQQQ
(• . •)
FIGURA11.2 Processo
di fabbricazione
dellefibredi
vetro.!DaM. M.Schwartz,
Fabbricazione della
matassadi fibre di vetro
/
Rastrell.ier'a
Trefolo
o •
D.
\
Fabbricazione del filatCl
Disavvoleìmento:trefolo
sul sistenÌadì formazione
Rìtorcilura:filato sul
"CompositeMaterials sistema di ritorcitura
Handbook';McGraw-Hm
1984,pp.2-24].
Il 1•etro E è il più utilizzato per fibre continue. In pratica. il vetro E è un

vetro calcio-alluminio-borosilicato con livelli bassi o nullì di sodio e potassio.
La composizione di base del vetro E è 52-56% di Si02 .. 12-16% Ab03. 16-25°,o
CaO e 8-13.%di B203. Il vetro E ha una resistenza a trazione di circa 3,44 GPa
nelle condizioni vergini e un modulo di elasticità di 72,3 GPa.
Il vetro S ha un rapporto resistenza meccanica-peso più elevato. è più
costoso del vetro E ed è utilizzato principalmente per applicazioni militari. e
aerospaziali. La resistenza a trazione del vetro S è superiore a 4.5 GPa e il su0
modulo di elasticità è di circa 85,4 GPa. Una tipica composizione del vetw S
di circa 65% Si02, 25% Ab03 e 10% MgO.
Produzione delle fibre di vetro e tipologia dei materiali rinforzati con fibre di
vetro Le fibre di vetro sono prodotte per stiratura di monofilamenti di vetr~
da vetro fuso all'interno di un forno e per assemblaggio di un numero elevato di
questi filamenti per formare un trefolo di fibre di vetro (Figura J1.2). I trefoli
sono quindi utilizzati per fabbricare filati di fibre di vetro (Figura 11.3a) ~
stoppini formati da un insieme di fasci di filamenti continui (Figura 11.3c). Gh
stoppini possono essere fonnati da filamenti continui o intrecciati per formare
FIGURA 11.3 Fibredi

vetrodi rinforzo perle
materie plastiche:(A)filato
di fibredi vetro,(B}tessuto
intrecciatodi fibredi vetro,
(C)stoppino a mato
continuo e (D)stoppino
intrecciato.
[Perconcessione
dellaOwens/Corning
Fiberglass Co.}.
stoppini tessuti (Figura l l .3d). I tappetini di rinforzo ìn fibre di vetro (Figura

11.4) sono composti da filamenti continui (Figura 11.4a) o spezzettati (Figura
l l .4c). I filamenti sono solitamente tenuti insieme da un legante resinoso.
Generalmente vengono prodotte delle combinazioni dì tappetini con stoppini
tessuti chimicamente a tappetini di filamenti spezzettati (Figura 1l.4d} ..
ProprietàdeHefibre di vetro Le proprietà a trazione e la densità delle fibre di

vetro di tipo E sono confrontate in Tabella 1l.l con le proprietà delle fibre, di
carbonio e delle fibre aramidiche. Si noti come le fibre di vetro abbiano una
resistenza a trazione e un modulo inferiore rispetto alle fibre di carbonio e
aramìdiche, ma maggiore capacità di allungamento. Anche la densità delle fibre
di vetro è maggiore di quella delle fibre di carbonio e delle fibre aramidiche.
Tuttavia o-razieal loro basso costo e alla. elevata versatilità, le fibre di vetro
sono le fibre di rinforzo per materie plastiche di gran lunga più utilizzate
(Tabella IL 1).
Fibre di carbonio I materiali compositi fabbricati utilìzzando fibre di carbonio come rinforzo di
per il rinforzo delle matrici dì resine polimeriche come le epossidiche sono ·caratterizzati dall'avere
materie plastiche una buona combinazione di peso leggero, elevata resistenza meccanica e alta ri-
gidità (modulo di elasticità). Queste proprietà rendono particolarmente in-
teressante l'utilizzo dei materiali polimerici compositi con fibre di carbonio per
applicazioni aerospaziali, come nel caso dell'aeroplano mostrato in Figura 11. l.
Sfortunatamente, il costo relativamente elevato delle fibre di carbonio
esclude di fatto il loro utilizzo in molti settori industriali, come quello
automobili stico.
528 Capitolo 11
FIGURA11.4 Feltri
rinforzantidi fibredi vetro:
{A)feltroa filatocontinuo,
(B)feltrosuperficiale, (C)
feltroa filatotritatoe (D)
combinazione dl feltroa
stoppino intrecciatoe a filo
tritato.[Perconcessione
dellaOwens/Corning
Fiberglass Co.].
Le fibre di carbonio per questi compositi sono prodoue principalmente d;:

due fonti, il poliacrilonìtrile (PAN} (vedi-Paragrafo 7.8) e la pece. che vcngonti
detti precursori.
Generalmente le fibre di carbonio sono prodotte da fibre di precurson·
PAN attraverso tre distinte fasi: (]) stabilizzazione. (2) carbonizzazione e 1.;t
grafitizzazìone (Figura 11.5). Nella fase di s1abili::a;ione le fibre di PA:'\
vengono dapprima stirate per a1lìneare il reticolo fibrillare ulrimerno di ogni
fibra paralJelamente all'asse della fibra c. in seguito. vengono ossidate in ar1;1 ,n'
una temperatura compresa tra i 200 e i 220"C e ivi mantenute in tensìoi~.
La secondafast.' nella produzione di fibre di carbonio ad ek\ ~Ha r.:,i~::
la carboni==a=ione. In questo processo le fibre stabìlizzatc a base di ,· ·\ \
vengono pirolizzate (riscaldate) fino a quando non si trasformano in lìhr:: ,l
carbonio attraverso l'eliminazione dì O. H e "!',; dalla fibra precurs0r..:. I'
trattamento termico ùi carbonìzzazione viene solitamente condono in atmoslèr;.
inerte tra 1000 e J 50WC Durante il processo di carbonizzazione si forn1arn1
delle fibrille a struttura g:rilfitica turbostratica o nastri all'interno di ogni fibra.
aunìentando considerevolmente la resistenza a trazione del materiale.J.
Una 1er:a fase, o rrmtamento di grafìti::a::ione. è necessaria quandt, ~i

desidera un aumento del modulo di elasticità a spese di una resisteiw.1a tr;1.·;.y,c
TABELLA 11.1 Confronto delle proprietà dei filati per il rin.forzocon fibre delle materie pias: :· -:::
Proprietà Vetro E (HTS) Carbonio (tipo HnAramidica (Kevlar 49)
Resistenzaa trazione, MPa 2410 3100 . 3617

Modulo di elasticitàa trazione,GPa 69 220 1N
Allungamentoa rottura, % 3.5 1.40 2.5
Densità,g/cm3 2.54 1.75 1.48
Stabilizzazione .Carboni1.zazione Gralìtiz.zazìone

200-220"C I 000-1500°C 1800°C
FIGURA11.5 Fasidi
lavorazioneperprodurre l
fibredi carbonioaòalta Fibradi carbonioad Fibra di carbonio ad
resistenzameccanicaea alla resistenza alto modulo
elevatomodulo partendodal
poliacrilonitriie
(PAN)come
materialeprecursore.
elevata. Durante la grafitizzazione, che è condotta sopra i 1800°C. viene

aumentato l'orientamento preferenziale dei cristalliti grafitici alrinterno di ogni
fibra.
Le fibre di carbonio prodotte dal materiale precursore PAN hanno una
resistenza a trazione compresa tra 3, 1 e 4,5 GPa e un modulo di elasticità
compreso tra 190 e 240 GPa. In generale le fibre a più alto modulo hanno
resistenza a trazione più bassa. e viceversa. La densità de11e fibre di PAN
carbonizzate e grafitizzate è solitamente compresa tra 1.7 e 2.1 g cm\ mentre il
loro diametro finale è compreso tra 7 e 10 µm. La Figura 11.6 mostra una
fotografia di un insieme di circa 6000 fibre chiamato corda.
Fibre aramidiche Fibra ammidica è il nome generico utilizzato per indicare le fibre poliammidiche
per il rinforzo delle aromatiche. Le fibre aramidiche sono state commercializzate per la prin1a volta
materie plastiche nel 1972 dalla Du Pont sotto il nome commerciale di Kevlar e, allo stato attuale.
ne esistono in commercio due tipi diversi: Kevlar 29 e 49. Il Kevlar 29 è una
fibra aramidica a bassa densità e alta resistenza meccanica utilizzata per
applicazioni come protezione balistica, funi e cavi. Il Kevlar 49 è caratterizzato
FIGURA 11.6 Fotografia

di unacordacomposta da
circa6000fibredi carbonio.
[Perconcessionedella
Fiberite
Co.,Winona,
Minn.}.
530 Capitolo 11
FIGURA 11.7 Unità

strutturale
ripetitiva
fibredi Kevlar.
delle
t R .··· oI ·
. oc-Q-c-7-Q-7 '
,
H ,H
tn
da bassa densità, alta resistenza a trazione e modulo elastico elevato. Le

proprietà del Kevlar 49 rendon.o le sue fibre utilì per il rinforzo delle materie
plastiche nei compositi per applicazioni aerospaziali, marine, automobilistiche e
nell'industria in generale.
L'unità strutturale ripetitiva della catena polimerìca del Kevlar è quella di
una poliammide aromatica ed è mostrata in Figura 11.1.I1 legame idrogeno le~::1
insieme le catene polimeriche in direzione trasversale. Perciò queste fil~!\?
coJlettìvamente hanno una elevata resistenza a trazione nella direzione della lor0
lunghezza e una bassa resistenza in direzione trasversale. La struttura delranello
aromatico fornisce una elevata rigidità alle catene del polimero, fornendo a esse
una struttura a barra.
L'aramide Kevlar è utilizzata nei compositi per applicazioni ad alte
prestazioni in cui sono richiesti basso peso, resistenza meccanica e rigidità
elevate. resistenza al danneggiamento e dove sono rilevanti la resistenza alla
rottura per fatica e sotto sforzo. Particolarmente interessante è il fatto che un
materiale a matrice epossidica rinforzata con Kevlar è utilizzato per diver~c
parti dello Space Shuttle.
Confronto tra le La Figura l 1.8 confronta i tipici diagrammi sforzo~deformazione per le fibre di
proprietà carbonio, aramidiche e di. vetro; si può vedere come la resistenza delle fibre sia
meccaniche delle compresa tra I 720 e 3440 MPa, mentre l'allungamento a rottura è compreso tra
fibre di carbonio, 0.4 e 4,0%. Il modulo dì elasticità a trazione di queste fibre è compreso tra 68,9 e
aramidiche e di 413 GPa. Le fibre di carbonio forniscono la. migliore combinazione tra elevata
vetro per il rinforzo resistenza meccanica! elevata rigidità (elevato modulo) e b~;;sa densità\ ma
dei materiali presentano una bassa capacità di allungamento. La fibra aramidìca di Kevlar 49
compositi ha una buona com binazione tra elevata resistenza a trazìone, modulo elevntc1
polimerici (ma minore delle fibre di carbonio)} bassa densità e elevato allungamcn: ,'
(resistenza all'urto). Le fibre dì vetro hanno resistenza a trazione e moduìo
elastico più bassi e densità più elevata (Tàbella 11.1). Nell'ambito delle fibre di
vetro, le fibre di vetro S hanno resistenza a trazione ed allungamento maggiori
delle fibre di vetro E. Le fibre di vetro~ essendo molto meno costose. sono le più
utilizzate.
La Figura 11.9 confronta la resiste11zaa trazione sulla densità e il modulo
elastico (rigidità} sulla densità di diversi tipi di fibre di rinforzo. Questo
confronto mostra gli eccezionali rapporti resistenza meccanica-peso e rigìdità-
peso delle fibre di carbonio e aramidiche rispetto alle stesse proprie1à
4137 Trefoli
impregnali di resina
'\.
/
3447 /
Fibra di
boro I
• Filato di / Matassa di
Filato/§
2758. grafite
tìpoHM
o-
[:,:_
grafite
tipoHT
// fibra di
Kevlar49
(filmosecco}
Marassadi
fibrn dì
vetro tipo S
Il_
I
"'
c..
...~ ti..~ . ,,~I
&/
~
'-'
.g 2068 I .:S'/
I/ :
:._f./
É Matassa di
"' • fibru di
§ / "' - vetro lipo E
2 I <J,'•/
V: f '01:r:,':' _,
1379 ~ ,,..~
~;\,/
689
____ .,r-:ome:,.;
FIGURA 11.8
Comportamento sforzo-
deformazione òi varitipl dì o 2
{Da·'J<evlar
fibredi rinforzo.
Dcformazionea 1mzione.9r
49DataManuar: E 1.du
PonideNemours & Co.,
19741i,
dell'acciaio e dell'alluminio, Grazie a queste proprietà favorevoli. i compositi

rinforzati con fibre di carbonio e con fibre aramidiche hanno sostituito i metalli
in molte applicazioni aerospaziali.
532 Capitolo 11
275
Kevlar49
250 •
trefoloimpregnatodi resina
E 225
E
S 200
175
• Vetro S •
GrafiteHT
150 (alta resistenza)
Boro
125 /. Altri materialiorganici •
FIGURA11.9 Resistenza
100 •
Grafite HM
a trazione specifica • Vetro E (alto modulo)
(resistenza a trazionesulla
densità) e modulo elastico
a • Acciaio
trazione specifico(modulo
elastìco sulladensità)
divari • Alluminio
tipi di fìbredi rinforzo.
[Per 2,5 7.5 lO . 11.S 15 17.5
concessione dellaE.I. Du
PontdeNemaurs & Co., Modulo a trazione specifica. 10'1mm _mo<lu~::,:;:ume
Wilmington, De/J
11.3 MATERIALI COMPOSITI POLIMERICI RINFORZATI CON FIBRE

---------------------------------------- ...}
Materiali per la Le resine poliestere insature e le resine epossidiche sono due fra le più
matrice di materiali importanti resine polimeriche utilizzate come matrice per la preparazione di
compositi materie plastiche rinforzate con fibre. Le reazioni chimiche responsabili della
polimerici reticolazione di queste resine termoindurenti sono già state descritte nel
rinforzati con fibre Paragrafo 7;9. ~·
Alcune delle proprietà delle resine poliestere ed epossidiche non rinforzate
rigide da colata sono elencate in Tabella 11.2. Le resine poliestere costano meno
ma non sono così resistenti come le resine epossidiche. Le poliesteri insa1v:1.:
vengono largamente utilizzate come matrici delle materie plastiche rinforzate
con fibre. Alcune applicazioni dj quésti· materiali includono scafi di
imbarcazioni, pannelli per edifici e pannelli della carrozzeria di autoveicoli.
aeromobili e apparecchiature. Le resine epossidiche costano di più ma hanno
vantaggi peculiari come buone caratteristiche di resistenza meccanica e minore
ritiro dopo la reticolazione rispetto alle resine poliestere. Le resine epossidiche
sono comunemente utilizzate come matrici dei compositi con fibre di carbonio e
aramidiche.
TABELLA 11.2 Alcune proprietà delle resine poliestereed epossidiche da colata non rinforzate
Poliestere Epossidica
Resistenzaa trazione,MPa {40- 90) (55-130)

Modulo di elasticitàa trazione,GPa (2.0- 4.4) (2.8;....4.2)
Carico di snervamentoa flessione,MPa (60- 160) (125)
Resistenzaall'impatto (10.6 21.2) (5.3 53)
(prova lzod con barra intagliata),J/m
Densità,g/cm3 1.10-1.46 1.2-1.3
Materiali Resine poliestererinforzatecon fibre di vetro La resistenza meccanica delle

compositi materie plastiche rinforzate con fibre di vetro è soprattutto in diretta relazione
polimerici con il contenuto in vetro del materiale e con la disposizione delle fibre di vetro.
rinforzaticon fibre In generale. maggiore è il contenuto percentuale in peso dì vetro nel composito.
maggiore è la resistenza meccanica della resina rinforzata. Quando si hanno
filamenti di vetro paralleli, come nel caso dell'avvolgimento di filamenti
c·filament winding"). il contenurn di fibre di vetro può arrivare al1'80% e si
possono ottenere valori di resistenza meccanica del composito molto elevati. La
Figura 11.1O mostra una micrografia di una sezione trasversale di un materiale
composito fibre di vetro-resina poliestere con fibre unidirezionali.
Ogni deviazione dall'allineamento parallelo delle fibre di vetro riduce la
resistenza meccanica del composito con fibre di vetro. Per esempio. i compositi
costituiti da tessuto di fibre di vetro intrecciate. a causa delle loro intrecciature.
presentano resistenza meccanica inferiore di quella che avrebbero se tutti i
filamenti di vetro fossero paralleli (TabeJla 11.3). Se gli stoppini sono spezzettati
FIGURA 11.10
di unasezione
Micrografia
trasversale
di unmateriale
fibredi vetro-
composito
resina
poliestere.
[DaD.
· Hu/1,''.Anfntroduction
lo
Composite
Materials
'',
Cambridge, p.63l
1981,
534 Capitolo 11
TABELLA 11.3 Alcune proprietà meccaniche dei compositi fibra di vetro-poliestere
Composito
Tessuto Matassa 1
.in foglio da
intrecciato spezzettata stampaggio
Resistenzaa trazione,MPa (206- 344) (103- 206) (55 - 138)

Modulo di elasticitàa trazione,GPa (103 - 310) (55-138)
Resistenzaall'ìmpatto(prova lzod (267 -1600) (107 1070) (374 1175)
con barra intagliata),J/rn
Densità,g/cm3 1.5-2.1 1.35- 2.30 1.65- 2.0
dando luogo a una disposizione casuale celle fibre di vetro, la resistenza in una
specificadirezione è più bassa. ma essa è uguale in tutte )e direzioni (Tabella 11.3).
Resine epossidiche rinforzate con fibre di carbonio Nei materiali composni

con fibre di carbonio, ìe fibre forniscono a1te caratteristiche di rigidità e
resistenza a trazione, mentre la matrice è il mezzo attraverso cui si ottiene
l'allineamento delle fibre e contribuisce alla resistenza agli urti. Le resine
epossidiche sono di gran lunga le matrici più comunemente utilizzate per le fibre
di carbonio. anche se per certe applicazioni potrebbero essere utilizzate altre
resine come le poliammidi. i polifenilensolfuri o i polisolfoni.
Il maggiore vantaggio delle fibre di carbonio è che esse hanno resistenza a
trazione e modulo di elasticità molto alti (Tabella 11.1) combinati con una bass:1
densità. Per questa ragione i compositi con fibre di carbonio stanno sostituc;, :
i metalli in certe applicazione aerospaziali dove il risparmio di peso è un fa\,,·
molto importante (Figura 11.1). La Tabella U .4 elenca alcune tipiche p.roprìcw
meccaniche di un tipo di materiale composito epossidico con fibre di carbonio
che contìene i] 62% in volume di fibre di carbonio. La Figura 11.11 mostra k
eccezionali proprietà di resistenza a fatica di un materiale composito a matrice
epossidica con fibre òi carbonio unidirezionali (grafite) confrontate a quelle
della lega di alluminio 2024-T3.
TABELLA 11.4 Alcunetipiche proprietà meccaniche di un composito commer;tale laminato con
fibre di carbonio unidirezionali(62% in volume) e resina epossidica
Proprietà Longitudinale,oc Trasversale,90°
Resistenzaa trazione,GPa (1860) (65)

Modulo di elasticitàa (145) (9.4)
trazione,MPa
Allungamentopercentualea 1.2 0.70
rottura a trazione,%
Fonte: Hercules,lnc.
1.4
Grafite/epossidica .
1.2
Kevlar/epossidica
\ \oro/epossidka~~
a:. I.O
o
FIGURA t 1.11 Proprietà é
a fatica(sforzo massimo in E
~~ 0.8 Boro/alluminio
funzione delnumero di cicli
E
a rottura)di unmateriale e
composito confibredì i: 0.6
..2
carbonio unidirezionalì e V::
matrice epossidica rispetto 0.4

alleproprietà a talìcadì
alcunialtricompositi e di 0.:2
unalegadi allumìnio 2024-
T3.R (sforzo minimo~sforzo
massimo perlaprova ciclica o
l~ lfrl JQ\\ lQi
trazione-trazione) 0.1:
temperatura ambiente. [Per Ciclì a rottura A'
concessione
dellaHercules,
lnc.J.
Nelle strutture a progettazione tecnologica il materiale epossidico con fibre

di carbonio viene ottenuto per stratificazione. in modo da
voJutamente differenti caratteristiche di resistenza meccanica (Figur.a 11.12}.
La Figura 11.13 mostra una micrografia dopo reticolazione di un materiale
composito a matrice epossidica con fibre di carbonio, formato da cinque strati
bidirezionali.
Es~rciziario
Modulo elastico Condizionidi isodeformazione Consìderiamo un campione di prova ideale di

di un composito composito laminato co11strati alternati di fibre continue e del materiale della
laminato a matrice matrice. come mostrato in Figura 11.14. In questo caso lo sforzo agente sul
polimerica materiale determina una deformazione unifom1e su tui.Hgli strati di composito.
con fibre continue Assumiamo che il legame tra gli strati rimanga inalterato durante la
in condizioni di sollecitazione. Questo tipo di applicazione del carico sul campione di
isodeformazione e composito è detto di condizioni di isod~formazione.
isosollecitazione
Deriviamo ora un 'equazione che. mette in relazione il modulo di elasticità
del composito ìn termini di moduli di elasticità della fibra e della matrice con la
loro percentuale in volume. Innanzitutto. il carico sulla struttura composita è
536 Capitolo 1i
Unidirezionale
'
lncrociat9
quasi-isotropìco
oc..-:;..;.~...,.'"'...,..~:--: O"
o·..c.........,.....,........,....,..~1/.:
90°
oo..c;...::;;...;,...,.~....;..~;;...-: +45"
oo...::;..~-.....~;;......-::;;...-: -450 ...c:;;.c;::;,s,-~~~:::--?m'Y

o•,,,;;_.....,.:..;;-~--r~;;...-: -45"
oe·;;e....o:;...,;,
...... .....-;......,.,,..,:,,
oo~'-'!,....,..~..+..,..,::1/.;
O"........"-'-...._......_
__ .,._,,.
+75•
90°
o•
_._._ ___
_
FIGURA 11.12 Strati
sovrapposti
unidirezionali
e
multidirezionaH
di
compositostratificato.
[Per
concessionedellaHercules,
lncJ
uguale alla somma del carico sugli strati di fibre e del carico sugli strati ài
matrice. cioe:
(]LI
Dato che a== P/A o P ==o-A,
(l l.2)
dove ac. a 1. e am sono gli sforzi e A<. A.r,e Am sono rispettivam&me le porzioni di
area del cÒmposito, della fibra e della matrice. Dato che la lunghezza degli stra ti
delia matrice e della fibre sono uguali, le aree A ... A.re A 111 nell'Equazione ( 11 : l
possono essere sostituite dalle frazioni di volume V1·· Vi e Vm:
(1] .3)
F
Dato che la frazione in volume di tutto il composito è 1. Vi-==1 e l'Equazione c
d
(11.3) diventa: s
i
(1 l.4) d
O
J
Materialicompositi 537
FIGURA 11.13
Micrografia di un materiale
composito a matrice
epossidica confibredl
carbonio formato dacinque
stratibidirezionali.
[DaJ. J.
Dwyer, Composìtes,Am.
Mach., July13,1979,
pp.87-96J.
In condizioni di isodeformazione e assumendo che sussista un buon legame

tra gli strati di composito,
(I 1.5)
Dividendo l'Equazione (l l.4) per l'Equazione (11.5), dato che tutte le

deformazioni sono uguali, si ottiene:
Ur o-rVr O'mVm
- =· -·-· =·-- (r I.6)
ét· é:.r E:m
Strato dì fibra
o
/strato di matrice

composita formata dastrati
di fibree di matrìce
sollecitata
in condizioni
di
isodeformazione. (Volume
delcomposito V, = areaAc
O lunghezza le).
538 Capitolo 11
Ora possiamo sostituire il modulo di elasticità Ec a cc/e.e,Eb a a1/e1, e Em a

am/E.m,ottenendo: I
_ (11.: ì
Questa equazione è conosciuta come regola delle miscele di compositi binari. e

consente di calcolare il va]ore del modulo elastico di un composito conoscendo
il modulo elastico delle fibre e della matrice ed il loro volume percentuale.
Equazioni dei carichi sulle regioni delle fibre e della matrice di una struttu,·a
composita laminata sollecitata in condizi_onidi isodeformazione Il rapporto dei
carichi sulle regioni delle fibre e della matrice di un materiale composito binario
sollecitato in condizioni di isodeformazione, può essere ottenuto dai rapporti
P = oA. Quindi, dato che cr= Be e che e1= em,
P1 cr_rAJ . EforAJ. E.rAJ E1Vj (11.8)

Pm - O'mÀm- EmemAm- EmAm - EmVm
Se è noto il carico complessivoagente su un campione sollecitato in condizioni

di isodeformazione. aHora si applica la seguente equazione:
Pm (11.9,
dove Pc, P_re Pm sono i carichi agenti rispettivamente sul composito nel ·
insieme. sulla regione delle fibre e sulla regione della matrice. Combina:··-··
l'Equazione (l 1.9) con l'Equazione (l 1.8). se i valori E__r.
E 111, VJ, Fm e P, sono
noti, può essere determinato il carico su ciascuna regione delle fibre e della
matrice.
Eserciziario
.._ ______
I
_.· Vedi Esercizio 11.2.
Condizioni di isosollecitazione Si consideri il caso di una s{fottura composita
laminata ideale formata da strati di fibre e di matrice in cui gli strati so:w
perpendicolari agli sforzi applicati, come mostrato in Figura 11.15. In qn._:.;:,,
caso lo sforzo sulla struttura del composito origina una uguale condizione: dì
sollecitazione su tutti gli strati, e per .questa ragione viene chiamata deforma·
zione in condizioni di isosollecitazione.
Per derivare una equazione del modulo elastico di un composito a strati per
·questo· tipo di condizioni <li carico, bisogna considerare una equazione che
stabilisca che lo sforzo sull'intera struttura del composito sia uguale allo sforzo
sugli strati di fibre e allo sforzo sugli strati di matrice. Quindi:
Cfc = CfJ = Cfm

La deformazione totale del composito nelle direzioni degli sforzi è quindi uguale
alla somma delle deformazioni degH strati di fibre e di matrice,
(11.11)
Assumendo che l'area perpendicolare ano sforzo non cambi dopo che lo sforzo è
stato applicato e assumendo unitaria la lunghezza del composito cui è stato
applicato lo sforzo. sì ha:
(I 1.12)
dove Vre Vm s_onorìsp~ttivamente le frazioni di volume degli strati delle fibre e

de1la matrice.
Assumendo che sia valida la legge di Hooke ìn queste condizioni di carico,
allora:
cr
(11.13)
Sostituendo l'Equazione (] 1.13) nell'Equazione (] 1.12) si ha:
(I l.14)
Ci
Strato di fibra
/
trnto.di mau'ice
composita formata dastrati
di fibree di matrice
sollecitata
in condizioni
di a
isosollecitazione.
{Volume
delcomposito Ve= areaA,
perlunghezza le),
540 Capitolo 11
Divìdendo ogni termine dell'Equazione (11.14) per a si ha:

J
(l 1.15]
Ottenendo per il secondo membro un denominatore comune, si ha:
(11.16)
Elaborando:
_ ì~rEm+ VinE/
E,. - E_rEm
oppure:
(11.17)
Eserciziario
Vedi Esercizio 1i .3.
Una rappresentazione schematica che confronta carichi in condizioni ,
isodefom1azione rispetto a carichi in condizioni di isosollecitazione di una str.
tura composita a strati (Figura 11.16) mostra che i valori dì modulo più alti. p-:;
un uguale volume di fibre. sono ottenuti in condizioni dì isodeformàzìone.
11.4 PROCESSI DI FABBRICAZIONE IN STAMPO APERTO
Ci sono molti metodi in stampo aperto utilizzati per produrré"materìe plastiche

rinforzate con fibre. Alcuni dei più importanti di questi metodi saranno 1.ìra
discussi in modo conciso.
Processo manuale Questo è il metodo più semplice per produrre.pezzi in materiale rinforzato con
di laminazione fibre. Per fabbricare pezzi con qnesto processo utilizzando fibre di vetro e una
resina poliestere, si stende dapprima una mano di gel ne1lo stampo apeno
(Figura 11.17a). Le fibre di vetro di rinforzo. che nom1almente sono nella forma
di tessuto o di tappetino, vengono poste manualmente nello stampo. La resina
base, mescolata con catalizzatori e acceleranti, viene quindi applicata mediante
colata. col pennello o a spruzzo. Per impregnare di resina il materiale dì rinforzo
e per rimuovere l'aria intrappolata vengono utilizzati rulli (Figura l 1.l 7hl o
FIGURA 11.16
Rappresentazione schematica
delmodulo elastico a I
trazionein funzione della Condizioni di 1
frazione
in volume dellefibre isodefonnazione 1
I
in uncomposito laminato a ,,.
matricepolimerica rinforzata ,,.,, "
confibreunidirezionali, .,. .- .,.Condizioni di
sollecitato
in condizioni dl isosollecitazione
isodetormazione e
isosollecitazione.
Peruna Em
-- ....- .........
datafrazione di volume dì
0'------''-----..1.-a-.--.....L..---.J
fibrenelcomposito, il o 0.25 0.50 0.75 1.0
materialesoggetto acaricoin Frazionevolumetricadi fibra
condizionidi
ormazione
isodef
modulo
haun
piùelevato. I
raschiatoi. Al fine di aumentare lo spessore della parete del pezzo che si sta
fabbricando, vengono aggiunti strati di tessuto o di tappetino di fibre di vetro e
resina. Applicazioni che comportano ruso di questa metodologia includono
chiglie di imbarcazioni. serbatoi, custodie e pannelli per costruzioni.
Processo Il metodo di applicazione a spruzzo per fabbricare involucri di materia plastica

di applicazione rìnforzata con fibre è simile al metodo manuale di laminazi011ee può essere
a spruzzo utilizzato per produrre scafi di imbarcazioni, vasche da bagno e altre forme di
medie e grosse dimensioni. In questo processo, se viene utilizzata la fibra di
vetro, un filo continuo attorcigliato viene fatto passa.re attraverso una pistola
che taglia e spruzza nello stesso tempo (Figura 11.18) e che deposita
simultaneamente fibre tritate e resina catalizzata all'interno dello stampo. Lo
strato depositato viene quindi addensato con un rullo o un raschiatoio per
rimuovere l'aria e per assicurare che la resina impregni le fibre di rinforzo. Per
ottenere lo spessore desiderato possono essere applicati strati multipli.
L'indurimento avviene solitamente a temperatura ambiente oppure può essere
accelerato attraverso l'applicazione di una moderata quantità di calore.
Processo Il ·processo sacco a vuoto-autoclave è utilizzato per fabbricare laminati,

sacco a solitamente in resina epossidica rinforzata con fibre, di elevate caratteristiche. I
vuoto~autoclave materiali compositi prodotti con questo metodo sono di particolare importanza
per applicazioni aeronautiche e aerospaziali (Figura I l .1).
Verranno considerate ora le diverse fasi richieste da questo processo per
···················-························ .. ···----------·············'··--········---···'"---------
542 Capitolo 11
I
Stampo a contatto
Rivestimento dì gel
(al (/>)
FIGURA 11.17 Metodo dì laminazione

manuale perlafabbricazione
di materiali
compositi a matrice
polimericariniorzat.ì.
confibred'
(a} Laresina
vieneversata
soprail materiale
di rinforzo
nellostampo.
(b) Usodi un rulloperaddensareil laminatorimuovendofa1iè
{Perconcessione
intrappolata. dellaOwens/Corning
Fiberglas
Go.],
Murns,a Laminalo
FIGURA 11.18 Metodo Resina
di applicazionea spruzzo
per cutaliz.zatu
fabbricaremateriali
compositi a matrice
polimericarinforzali
con
fibredi vetro;i vantaggi
di
questo metodo
comprendono la possibilità Smmuzzatorc/
di otteneretormepiù pistola spray
ivestimento
complesse
e di di gel
I . I
automatizzare
il processo. Matassa Stampo a
[Perconcessione
della continua contatto
Owens/CorningFiberglass di trefoli
Co;].
Materiali compositi · 543
produrre un pezzo finito. Dapprima viene posto su un ampio banco un foglio

lungo e sottile, che può essere largo circa 150 cm, di materiale preimpregnato
epossidico rinforzato con fibre di carbonio (Figura 11.19). Il materiale
preimpregnato è costituito da lunghe fibre unidirezionali di carbonio in una
matrice epossidica parzialmente reticolata. In seguito, il foglio preimpregnato
viene tagliato in pezzi che vengono impilati runo suH'altro in un utensile
sagomato per dare forma a un laminato (Figura 11.20). Gli strati, chiamati
lamine o "ply", possono essere posti in diverse direzioni per ottenere la
resistenza meccanica desiderata, dato che la maggiore resistenza di ogni strato è
in direzione parallela alle fibre (Figura l 1.12).
Dopo che il laminato è stato costruito, l'attrezzatura e l'attaccato laminato
sono trattati al sacco sotto vuoto~ dove il vuoto viene applicato per togliere
l'aria intrappolata dal pezzo ·1aminato. Infine, il sacco che contiene il laminato e
l'attrezzatura vìéne posto in un'autoclave per l'indurimento definitivo della
resina epossidica (Figura 11.21). Le condizioni dell'indurimento variano in
funzione del materiale, ma il materiale composito grafite~epossidica viene
solitamente riscaldato a 190°C drca ad una pressione di O,7 MPa. Dopo essere
stato tolto dall'autoclave, il pezzo di composito viene staccato dalla sua
attrezzatura ed è pronto per le successive operazioni di finitura.
I materiali compositi grafite-epossidica sono principalmente utilizzati
nell'industria aerospaziale dove l'elevata resistenza meccanica, la rigidità e la
leggerezza del materiale possono essere sfruttati appieno. Per esempio, questo
materiale è utilizzato per le ali di aeroplani, parti di timoni di direzione e di
quota e per i portelloni della stiva di carico dello space shuttle, Considerazioni
FIGURA 11.19 Foglio

preimpregnato
di grafite
epossidica
mentre viene
tagliato
conunatagliatrice
computerizzata
della
McOonald Douglas.[Per
concessione
dellaMcDonald
Douglas Gorp.].
544 Capitolo 11
FIGURA 11.20 Stampo a

profilopianoperformare un
laminato daun
preimpregnato di materiale
polimericocomposito a
stralimultiplirinforzato
con
fibre.[Perconcessione della
Northrop Co.J.
di ,costo hanno impedito l'utilizzo su larga scala di questo materiale

ne1rindustria automobilistica.
Processo per Un altro importante processo a stampo aperto per produrre cìlindri cavi ad
avvolgimento di elevata resistenza meccanica è il processo per avvolgimento difilamemi. In questo
filamenti (filament processo la fibra di rinforzo è fatta passare attraverso un bagno di resina e
winding) quindi avvolta su un opportuno mandrino (Figura 11.22). Quando sono stati
FIGURA 11.21 Laminato

in grafite-epossidica
di una
sezioned'aladi unAV-8B
conrelativaattrezzatura
mentrevienepostoin
un'autoclave
per
l'indurimento
pressouna
fabbricadellaMcDonald
Aircratt
Co.[Per
concessionedellaMcDonald
Doug/as Corp.].
Materiali èomposìti 545
/· I
I I l'\1andrino
I I
I I
FIGURA11.22 Processo peravvolgimento di I I
filamentiperla produzione di materiali
polimerici
compositi rinforzaticonfibre.Lefibresonoprima
impregnate conresina polimericae quindiarrotolate
attorno adunmandrino rotante{tamburo).Il carrello
contenente le fibreimpregnatedi resinasi muove
Carrello
trasversalmente durantel'awolgimento,depositando trasversale Fibre impregnate
le fibreimpregnate. [DaH. G.DeYoung, Plastic di resina
Composites Fighttor Status,HighTechnology
Publishing Go.1.
applicati un numero sufficiente di strati, il mandrino avvolto viene indurìto sia a

temperatura ambiente che a temperatura elevata in un forno. Il pezzo indurito
viene quindi staccato dal mandrino.
L'elevato grado di orientamento delle fibre e relevata carica di fibre
ottenibili con questo metodo fornisce a cilindri cavi resistenza meccanica
estremamente elevata. Applicazioni per questo processo comprendono serb:noi
per sostanze chimiche e carburanti. serbatoi a pressione e contenitori per motori
di missili (Figura 11.23).
11.5 PROCESSI DI FABBRICAZIONE IN STAMPO CHIUSO
Ci sono molti metodi in stampo chiuso utilizzati per la produzione di materiali

polimerici rinforzati con fibre. Alcuni dei più importanti di questi saranno ora
brevemente discussi.
Stampaggio per Questi s0110 due dei più importanti ptocessì ad elevato volume di produzione
compressione e utilizzati per la fabbricazione di materie plastiche rinforzate con fibre in stampi
iniezione chiusi. Questi processi sono essenzialmente gli stessi di quelli discussi nel
Paragrafo 7.6 per i materiali polimerici eccettuato il fatto che qui il materiale di
rinforzo viene mescolato alla resina prima dello stampaggio.
Processo Il processo di formatura di un materiale composito in fogli da stampaggio

di formatura (Sheet-Molding Compound, SMC) è uno dei processi in stampo chiuso più
di composito recentemente utìlizzati per produrre pezzi di materia plastica rinforzata con
in foglio da fibre. specialmente nell'industria automobilistica. Questi processi consèntono di
stampaggio (SMC) ottenere un ecce1lente controllo della resina e buone proprietà di resistenza
546 Capitolo 11
FIGURA 11.23
Avvolgimentodl filamenti
perl'alloggiamentodi un
motore dìmissileutilizzando
fibredi Kevlar
49e resina
epossidica.
[Per
concessionedellaDuPoni
Co.].
meccanica (Tabella l 1.3) unìtamente alla produzione di un elevato volume dì

prodotti, di grandi dimensioni e dì elevata uniformità.
I1 composito in foglio da stampaggio viene generalmente ottent:!
attraverso un processo a flusso continuo altamente automatizzato. Un trefol~)
continuo di fibre di vetro viene sminuzzato in pezzi di circa 5 cm di lunghezza e
depositato su uno strato di pasta di resina di riempimento che viene trasportato
su un film di polietilene (Figura 11.24). Un altro strat.o di resina di rìempimen10
viene depositato in seguito sul primo strato per formare un sandwich continuo
di fibre di vetro e di resina di riempimento. I1 sandwich con la faccia superiore e
quella inferiore coperte dal polietil~ne è compattato e rullato su dei rulli da
imballaggio (Figura 11.24).
Il rotolo di SMC viene in seguito mantenuto per un periodo compreso trn !
e 4 giorni in un locale di maturazione in modo che il foglio possa supportare: ,i
vetro. I rulli di SMC sono quindi avvicìnati alla pressa e tagliati nella giusta
dimensione di carica per il pezzo voluto e posti in una coppia di stampi metallici
riscaldati (150° C). La pressa idraulica quindi viene chiusa e il SMC soggetto a
pressione (7 MPa) fluisce uniformemente attraverso lo stampo per dare origine
al prodotto finito. Qualche volta a metà dell'operazione di pressatura può essere
introdotto all'interno dello stampo un materiale di rivestimento per aumentare
la qualità superficiale del pezzo di SMC.
I vantaggi del processo SMC rispetto al processo manuale di stratificazione
FIGURA 11.24 Processo

di formaturadi un
composito infoglioda
stampaggio (SMC). La
macchina mostrata produce
unsandwich difibredi vetro RulHdi compattamen10
e di resina
di riempimento
traduesottilipellicoledi
polietilene.
Il toglio
composito prodotto deve
essereinvecchiato pdmadL
esserepressato perottenere
Film di polietilene
il prodotto
fìnito.[Per
concessione dellaOwens;.
Caming Fiberglas Ca.].
o al processo di deposizione a spruzzo c:onsistono in maggiore efficienza di

produzione con maggiori volumi, migliore qualità della superficie e uniformità
di produzione. L'utilizzo del SMC è particolarmente vantaggioso nell'industria
automobilistica per la produzione di pannelli anteriori e posteriori e di
mascherine. pannelli della carrozzeria e cofani. Per esempio. il cofano anteriore
della Chevrolet Corvette del 1984 è fatto di SM C (Figura 11.25). Questo cofano
viene fabbricato incollando un pannello interno di 0.2 cm ad un pannello
esterno di 0.::!5cm rivestito in fase dì stampaggio,
Processo di Il processo di poltrusìone continua viene utilizzato per la fabbric~zìone di

poltrusione ma1erie plastiche rinforzate con fibre di sezione trasversale costante quali
continua profilati strutturali. travi. canali. tubi e condotti. In questo processo trefoli di
fibre continue vengono impregnati in un bagno di resina e vengono quindi fatti
passare att.raverso uno stampo in acciaio riscaldato che determina la forma del
pezzo finito (Figura 11.26). Con questo materiale è ottenibile una alta resistenza
meccanica grazie alla elevata concentrazione delle fibre e atrorientamento
parallelo delle fibre rispetto alla lunghezza del pezzo prodotto.
11.6 CALCESTRUZZO
Il calcestruzzo è un materiale tra i più utilizzati nel campo delle costruzioni. Gli
ingegneri civili, per esempio, utilizzano il calcestruzzo per la costruzione di
ponti, edifici, dighe, muri e barriere dì contenimento e per pavimentazioni
stradali. Nel 1982 sono state prodotte negli Stati Uniti circa 50 x 107 tonnellate
di calcestruzzo, una quantità considerevolmente maggìore delle 6 x 107
tonnellate di accìaio prodotte nello stesso anno. Come materiale da costruzione
548 Capitolo 11
FIGURA 11.25 Il
pannelloesterno delcofano
dellaChevrolet
anteriore del
1984.Questo pannello è
fattoconcomposito in foglio
dastampaggio (SMC)per
pressaturaa 150°Ce 7
MPa,perun periodo di
tempo trai 60 e i 90 s. !Per
concessione dellaGenerai
TireandRubber Go.,
Southfield.Mich.J.
il calcestruzzo offre diversi vantaggi. tra cui la flessibilità di progettazione

poiché può essere gettato, reconomicità. ]a durabilità, la resistenza al fuoco. la
possibilità di essere prodotto sul luogo di utilizzo e raspetto estetico. Tra gl:
svantaggi del calcestruzzo dal punto di vista tecnologico vi sono una ba.;·..
resistenza a trazione, una bassa duttilità e i fetìOmeni di ritiro.
Stampo
riscaldato
Contenitore del Rulli di tiro
bagno di resina
Alimentatore delle
fibre di rinforzo
FIGURA 11.26 Processo di poltrusione

perprodurre
materiali
compositi
polimerici
rinforzali
confibre.Lefibreimpregnate
dì resina
sono
fattepassare
attraverso
unostampo riscaldalo
e quindifuoriescono
lentamente
comemateriale
compositoreticolato
a sezione
trasversale
[DaH. G.DeYoung,
costante. PlasticComposi/es
FighttorStatus,
HighTechnol.,
October1983,p.63,HighTechnology
PublishingCa1
Il calcestruzzo è un materiale composito ceramico costituito da materiale

lapideo grossolano (l'aggregato) annegato in una matrice di pasta cementizia
indurita (il legante) che è in genere prodotta miscelando cemento portland 1 e
acqua. Sebbene la sua composizione vari considerevolmente, il calcestruzzo di
solito contiene (ìn termini di volume assoluto) da 7 a 15% di cemento portland,
da 14 a 21 % di acqua, da 0,5 a 8% di aria, da 24 a 30% di aggregato fine e da 31
a 51% di aggregato grossolano. La Figura 11.27 mostra una sezione lucidata di
un campione di calcestruzzo indurito. La pasta cementizia agisce all'interno del
calcestruzzo come un una "colla" che unisce le particelle di aggregato ne1
materiale composito. Consideriamo ora alcune caratteristiche dei costituenti del
calcestruzzo ed esaminiamo alcune sue proprietà..
Cemento portland Produzione del <?emento portland Le materie prime per la produzione del
cemento portland sono la calce (CaO), la silice (SiO2), l'allumina (Ah0 3 ) e
rossido dì ferro (Fe2O3). Questi componenti vengono dosati opportunamente
per produrre diversi tipi di cementi portland. Le materie prime selezionate
vengono frantumate, macinate e quindi miscelate nelle proporzioni richieste per
ottenere le composizioni desiderate. La miscela viene quindi posta in un forno
rotante dove viene riscaldata a temperature tra 1400 e 1650°C Durante questo
processo la miscela viene convertita chimicamente in un clinker di cemento che
viene successivamente ·raffreddato e macinato finemente. Durante ia
macinazione, al cemento viene aggiunta una piccola quantità di gesso
(CaSO4 · 2H 1O) per controllare il tempo di presa.
Composizione chimica del cemento portland Dal punto di vista pratico. si può
considerare che il cemento portland sia costituito da quattro componenti
fondamentali. che sono:
Composti Formula chimica Abbreviazione
Silicato tricalcico 3Ca0- Si02

Silicato bicolcico 2Ca0- Si02
Allumìnatotricalcico 3CaO·A1203
Alluminoferrite tetracalcica 4Ca0 · Al20a · F9203
Tipi di cementi portland Modificando le composizioni chimiche sopra

riportate, vengono prodotti diversi tipi di cementi portland. In generale, ci
sono cinque tipi fondamentali, le cui composizioni sono elencate in Tabella 11.5.
1
li cemento portland prende il suo nome da una piccola penisola sulla costa meridionale
dell'Inghilterra in cui vi sono rocce calcaree simili al cemento portland.
550 Capitolo 11
,
FIGURA11.27 Sezione
di uncampione
trasversale
di calcestruzzo
indurito.La
pastacementizia ricopre
completamente ciascuna
particella
di aggregato e
riempiegli spazitra le
performare
particelle un
materiale
composito
ceramico.[Da"Design and
Contro/of Concrete
Mixtures·:12thed.,Partland
Cement Assaciation, 19791.
Il tipo I è il nonnale cemento portland per uso generale. Viene utilizzato

quando ìl calcestruzzo non è esposto all'attacco da solfati nel terreno o
nelfacqua e quando l'aumento di temperatura dovuto al1a generazione di calore
durante ridratazione del cemento non è un problema. Tipiche applicazioni del
calcestruzzo di tipo l sonoJa pavimentazione dei marciapiedi oppure le strutture
in cemento armato degli edificL dei ponti. delle fognature. dei serbatoi e delle
cìstcrne.
Il tipo Il è un cemento portland utilizzato dove sì prevede un modcr;,
attacco da solfati. come nelle strutture d.i drenaggio in cui le concentrazioni
solfati nelle acque sono più alte del normale. Il cemento di tipo II é
generalmente utilizzato nei climi caldi per grosse strutture come contrafforti e
grandi muri di contenimento. visto che questo cemento .sviluppa un moderato
calore di idratazione.
ll tipo lii è un cemento portland a rapido indurimento che sviluppa
precocemente una elevata resistenza meccanica. Viene utilìzi.ato quando una
struttura in calcestruzzo deve essere posta in esercì:zio velocemente dopo il getw
e i casseri devono essere rimossi in tempi brevi.
Il tipo IV è un cemento portland a basso calore di idratazione da utilizz;1,·.:
nei casi in cui si deve ridurre al minimo lii quantità di calore di idratazione e i.i
velocità con cui si sviluppa. Il cemento di tipo IV è utilizzato per strutture
massicce in calcestruzzo, come grosse dighe a gravità, dove il calore dì
idratazione del cemento è un fattore critico.
li tipo V è un cemento resistente ai solfati utilizzato quando il calcestruzzo è
esposto a un severo attacco da solfati, come nel caso dei calcestruzzi esposti a
terreni o a acque con elevato contenuto di solfati.
TABELLA 11.5 Tipiche composizionichìmiche dei cementi portland
Tipo di cemento Designazione Composizione, % in peso

ASTM C1.50
CaS C2S CaA C4AF
Normale 1t 55 20 12 9
A moderatocaloredi idratazione. Il 45 30 7 12
Modestaresistenzaai solfati
A indurimentorapido lii 65 10 12 8
A basso calore di id.ratazione IV 25 50 5 13
Resistenteai solfati V 40 35 3 14
• Le percentuali·mancantn,ono·costituire da gesso e costituenti minori quali MgO,

solfati alcalini, ecc.
t Cemento più comune.
Fonte: J. F. Young, J. Educ. Module Mater. Sci., 3:410 (1981). Used by permìssion,
the Journal ot MateriaiEducation, UnìversityPark, Pa.
Indurimento del cemento portland Il cemento portfand indurisce attraverso

delle reazioni con l'acqua, che sono chiamate reazioni di idratazione. Queste
reazioni sono complesse e non completamente chiarite. Il principale prodotto dì
idratazione del silicato tricalcico (C3S) e del silicato bicalcìco (C 2 S), che
costituiscono circa il 75% in peso del cemento portland e che reagiscono con
l'acqua durante l'indurimento del cemento. è il silicato tricalcico idrato. Questo
materiale è formato da particelle estremamente piccole (meno di 1 (m) ed è un
gd colloidale. Le idratazioni del C3S e del C;S producono inoltre l'idrossido di
calcio che è un composto cristallino, Queste reazioni sono:
Il silicato tricalcico (C 3S) indurisce rapidamente ed è il maggiore responsabile della

resistenza meccanica iniziale del. cemento portland (Figura 11.28). La maggior
parte dell'idratazione del C3S ha luogo nelra.rco di due giorni .dal getto e quindi i
cementi portland a rapido indurimento contengono una maggiore quantità dì C3S.
Il silicato bicalcico (C2S) ha una reazione di idratl:1,?ionemolto lenta ed è il
maggiore responsabile dell'aumento di resistenza mecc:mica dopo una settimana
(Figura 11.28). L'alluminato tricalcico (C3A) si idrata rapidamente con una
elevata velocità di sviluppo di calore. Il C3A contribuisce leggermente alla
resistenza meccanica iniziale e il suo contenuto è ridotto nel cemento resistente
ai .solfati (tipo V) (Figura 11.28}. Il ferro alluminato tetraca1cico (C4AF) viene
aggiunto per ridurre la temperatura di formazione del clinker durante la
fabbricazìone del cemento.
552 Capitoloi 1
70
"'
"' 56 ,
~
(
cJ
§
*~ 42
i:'
e::.
eo
<.>
:s 28
).,_,,//
FIGURA 11.28 ~
..:::.
Resistenza
a compressione ~ /
I
di paste
deicostituentipuri / C::iA+CSH:i
delcemento ìn funzionedel
14
~-------------
tempodi maturazione.Si
nolicheCSH 2è
o 20 40 60 80 100
l'abbreviazione
dellaformula Tempo.giorni
CaS04x 2H20. {Da J. F.
Young,
J. Educ.Module
Mater.Sci.,3:420(1981)!.
L'avanzamento delle reazioni di idratazione determina la resistenz;.i

meccanica e la durabilità del calcestruzzo. L'idratazione è relativameme rapid,.
durante i primi giorni dopo il getto del calcestruzzo fresco. È importante
durante la fase iniziale della maturazione l'acqua sia trattenuta dal calcesrruz;.
e che sia evitata o ridotta revapotazione.
La Figura 11.29 mostra raumemo della resistenza a compressione di
calcestruzzi confezionati con diversi tipi di cementi ASTM in funzione del
tempo di maturazione. Il massimo di resistenza a compressione dei calcestruzzi
si manifesta in circa 28 giorni, ma l'aumento della resistenza può proseguire per
anni.'·
Acqua La maggior parte delle acque naturali potabili possono essere utilizzate co111i.'
acqua di miscela per il confezionamento del calcestruzzo. Possono ess,;n.
utilizzati anche alcuni tipi di acque non potabili, ma se il livello di impurcut.
raggiunge specifici limiti, dovrebbero essef'e e,ffettuate delle prove per valutare
l'effetto dell'acqua sulla resistenza· dél calcestruzzo.
Aggregati Gli aggregati normalmente costituiscono circa il 60-80% del volutne del
calcestruzzo e influenzano notevolmente le sue proprietà. Gli aggregati del
calcestruzzo vengono di solito divisi in aggregato fine e grosso. L'aggregato fine
è costituito da granuli di sabbia fino a 5 mm~ mentre raggregato grosso è
costituito dalle particelle trattenute da un setaccio numero 16 (pertanto di
----·
Il.IV, V_
40 .,,,.., I
Contenuto .,,,..
crescente
dì C3 S ,'lo
.,,f)
30
1//
7·½·/
Ili
,
1,.'
,,
,
/
/
20 / /
11.V/
/·
FIGURA 11.29 JV
IO
Resistenza
a compressione
di calcestruzzi
conlezionati
condiversitipi di cementi o .___.___....._
____...._
_ _,___ _._____....__
portland
ASTMin funzione .::s
7 14 90 l 80 tlanno112anno1
deltempodi maturazione.
WaJ. F. Young, J. Educ. Tempo.giorni
ModuleMater. Se!.,
3:420(1981)!.
dimensioni superiori a I.I 8 mm) e in genere inferiore a 50 mm: quindi esistono

delle sovrapposizioni nelle dimensioni eranulometrichc dc!Zli a!l!!re!Zati fini e
grossi. Le rocce costituiscono la maggio; parte degli aggreg;ti gr~~si.-mentre le
sabbie costituiscono la maggior parte degli aggregati fini.
Additivi aeranti Vengono prodotti dei calcestruzzi contenenti bolle d'aria al loro interno per
aumentare la resistenza ai cicli di gelo e disgelo e. in alcuni casi, anche per
migliorare la lavorabilità. Ad alcuni tipi di cementi portland vengono aggiunti
additivi aeranti; questi cementi vengono classificati facendo seguire la lettera A
al numero del tipo, come ad esempio i tipi IA o IIA Gli aa:enti aeranti
contengono sostanze attive superficiali che diminuiscono la tensìon; superficiale
all'interfaccia aria-acqua cosicché si formano bolle d'aria estremamente piccole
(il 90% sono meno dì 100 µ,m) {Figura 11.30). Per una efficace protezione dal
gelo i calcestruzzi aerati devono contenere il 4-8% in volume di aria.
Resistenza Il calcestruzzo, che è sostanzialmente un materiale composito ceramico, ha una

a compressione resistenza a compressione molto più elevata della resistenza a trazione. Nella
del calcestruzzo progettazione strutturale, quindi, i1 calcestruzzo viene principalmente sollecitato
a compressione. La capacità di resistere a trazione del calcestruzzo può essere
554 Capitolo 11
aumentata. rinforzandolo co.n tondini di acciaio. Questo caso verrà discusso in

seguito. J
Come mostrato in Figura 1l .29, la resistenza del palcestruzzo è una
funzione del tempo, in quanto essa si sviluppa ìn seguito alle reazioni di
idratazione, che richiedono tempo per avvenire. La resistenza a compressione
del calcestruzzo è inoltre notevolmente influenzata dal rapporto acqua~cemento..
con i valori più bassi di resistenza che si ottengono con alti valori di tale
rapporto (Figura 11.31). Tuttavia, esiste un limite inferiore del rapporto acqua~
cemento poiché una minore quantità di acqua rende difficoltosa la lavorazione
del calcestruzzo e rende difficBe il riempimento delle casseforme. Con l'aggiunta
di additivi aeranti, il calcestruzzo diviene più lavorabile e quindi può essere
utilizzato un rapporto acqua-cemento più basso.
I campioni per le prove di resistenza a comp~essione del calcestruzzo
solitamente sono dei cilindri di 15 cm di diametro e dì 30 cm di altezza. Tuttaviu
da strutture esistenti di calcestruzzo possono essere estratti carote o altri tipi di
campione.
Mix design Per il mix design del calcestruzzo devono essere presi in considerazione
seguenti fattori:
l. Lavorabilità del calcestruzzo. Il calcestruzzo deve poter fluire e poter essere

compattato nelle casseforme in cui viene gettato.
2. Resistenza meccanica e durabilità. Per la maggior parte delle applicazioni il
calcestruzzo deve soddisfare certe specifiche di resistenza meccanica e
durabilità.
FIGURA 11.30 Sezione

lucidatadi uncalcestruzzo
aerato osservataal
microscopio ottico.La
maggior partedellebolle
d'ariain questocampione
sembra avereundiametrodì
circaO,1 mm.[Da ''Design
andContro/ of Concrete
Mixtures·:12thed,,Portland
Cement Association,19791. - 0.25 mm
42
ci: 35
:: 'I, ,_ Calcestruzzo
normale
(.J
e:
e ' 'I,
-~
~
28 ''
s-
e: ''
B ' ' ...
FIGURA 11.31 Effetti
del :.s 21 ...
E aeralo' ,
Calcestruzzo
rapporto
acqua-cemento .-9
espressi
in pesosulla V:
14
resistenza
acompressione di
uncalcestruzzo
normalee di
uncalcestruzzo
aeralo(A-E).
[Da"Design andContraiot 03 0..4 O.:'\ 0.6 O.i 0.8
ConcreteMixtures·:
12th Rapportoncquu/ccmenlO
ed,,Portland
Cement
Association,
1979,p,61].
3. Economicità di produzione. Per la maggior parte delle applicazioni il costo. è

un fattore importante e quindi deve essere tenuto in considerazìone.
I moderni met0di di mix design del calcestrnzzo si sono sviluppati dal

metodo arbitrario di inizio del secolo che prevedeva nn rapporto volumetrico di
I :2:4 tra cemento. aggregato fine e aggregato grosso. Oggi. l'Amcrican Co11crete
lnstitute ha sviluppato dei metodi di proporzionamento delle miscele di
calcestruzzo in base al peso e al volume assoluto.
La Figura 11.32 mostra gli intervallì di composizione del calcestruzzo con il
metodo del volume assoluto per miscele di calcestruzzo normale e aerato. Il
calcestruzzo. normalmente. ha contenuti di cemento compresi tra 7 e t 5<%.dì
aggregato fine tra 25 e 30%. di aggregato grosso tra 31 e 51 % e di acqua tra l 6 e
21%. Il contenuto di aria nel calcestruzzo varia tra 0.5 e 3%. ma per il
calcestruzzo con additivi aeranti è compreso tra 4 e 8%. Come affermato i.n
precedenza, il rapporto acqua~cemcnto è un fattore detem1inante per la
resistenza a compressione del calcestruzzo. Un 'tappano acqua~cemento
superiore a OA diminuisce significativamente la resistenza a compressione del
calcestruzzo (Fìgura I l.31 ).
Eserciziari.o
Vedi Esercizio11.4.
556 Capitolo 11
Cemento Aria Aggregatofine Aggregatogrosso J

.. . : : ::.··.\ ...
......
• ,. t •' ·-·
FIGURA 11 .32 Intervalli

di composizione del
15% 18% 8% 28% 31% J~cemrum
aerato
calcestruzzo espressi
in 2 . . ·~: .. ·.:_.:_<·:·..·.
volume assoluto.Lemiscele
7% 14% 4% 24% 51%
1 e 3 hanno contenutidi
acqua edi aggregato
finepiù
alti, mentrele misceledelle
barre2 e 4 hannomeno
acquae unamaggiore
quantitàdi aggregato
grosso. !Da"Design and
Contro/ ot Concrete
Mixtures~ 12thed.,Portland
Cement Association,1979,
p.7).
Cemento armato Visto che la resistenza a trazione del calcestruzzo è circa 10-15 volte inferiore
alla sua resistenza a compressione, esso viene utilizzato nelle strutture in modo
che sia soggetto a compressione. Pertanto. quando un elemento strutturale in
calcestruzzo, come ìn una trave, è soggetto a sforzi di trazione viene gettato CC'"
dei tondini di acciaio di armatura, come mostralo in Fìgura 11.33. .'<,
calcestruzzo armato, le forze di trazione vengono trasferite per aderenza (L:
calcestruzzo all'acciaio di armatura. Il calcestruzzo contenente racciaio di
armatura sotto forma di tondini. reti elettrosaldate. ecc•. è denominato cememo
armato.
Cemento armato La resistenza a trazione del cemento armato può essere ulteriormente aumentata
precompresso introducendo sforzi dì compressione e realizzando calcestrll2;4i precompressi o
post-tesi con armature di acciaio chiamate cavì di precompressione. li cavo di
precompressione può essere un tondino o un cavo di acciaio posto in tensione. Il
vantaggio del calcestruzzo precompresso è la presenza di una sollecitazione
compressione che deve essere controbilanciata prima che il calcestruzzo po~~a
essere soggetto a sforzi di trazi~ne. /
Cemento armato precompresso Negli Stati Uniti la maggior parte del

calcestruzzo armato precompresso viene realizzato mediante pre-tensionamen-
to. Con questo metodo i cavi di compressione, che solitamente sono dei trefoli
vengono posti in tensione tra un ancoraggio esterno e un martinetto regolabile
che consente di impostare un determinato sforzo (Figura l l .34a). Il calcestruzzo
viene quindi gettato attorno ai cavi di precompressione. Quando il calcestruzw
FIGURA 11.33 Effetto A Asse neutro

esagerato di uncarico
elevatosuunatravein
cemento armato. Si notiche
i tondìnìdi armatura
vengono postinellazona
tesaperassorbire gli sforzi
Qmwura
dì trazione.[DaG.B. SezioneA·A
Wynne, "Reinforced Armatura
A
Concrete Structures':
Reslon
Publishing, p.2J.
198.1,
raggiunge la resistenza meccanica sufficiente, la tensione applicata ai cavi viene

rilasciata. J cavi di acciaio tendono a ritirarsi elasticamente, ma questo
movimento è impedito dalla aderenza àl calcestruzzo. In questo modo vengono
introdotti degli sforzi di compressione all'interno del calcestruzzo.
Cementoarmato post-teso In questo processo, vengono poste delle guide

cave nella cassaforma (ad esempio di una trave) prima della gettata (Figura
11.34b). Nelle guide vengono inseriti i cavi di precompressione in acciaio. che
possono essere dei cavi, dei trefoli o dei tondini di acciaio. JI calcestruzzo viene
quindi gettato e. quando è sufficientemente indurito, viene ancorato ogni tirante
a un capo della forma dì calcestruzzo e alraltro capo viene applicata una
tensione con un martinetto. Quando la tensione introdotta dal martinetto è
sufficientemente elevata, esso viene sostituito con un sistema di bloccaggio che
mantiene la tensione nell'armatura. Lo spazio tra il cavo di tensionamento e la
guida viene normalmente riempito con della malta fluida, facendola entrare a
pressione elevata da un capo della guida. La malta aumenta la resistenza agli
sforzi di flessione della trave di calcestruzzo.
11.7 ASFALTO E MISCELE DI ASFALTO
L'asfalto è un bitume, essenzialmente un idrocarburo contenente ossigeno, zolfo

e altre impurezze, e ha le caratteristiche meccaniche di un materiale polimerico
termoplastico. La maggior parte delrasfalto è derivato dalla raffinazione del
petrolio, ma una parte viene ottenuta direttamente da11e rocce contenenti
bitume e da depositi superficiali. Il contenuto di asfalto negli oli greggi
solitamente varia tra il 10 e il 60%. Negli Stati Uniti il 75% de11'asfalto
consumato è utilizzato per pavimentazioni stradali, mentre il rimanente è
principalmente utilizzato nei tetti e nelle costruzioni.
558 Capitolo 11
Ancoraggio
delcavodi /.
rom~one - --- -T~-- - - ~ ~,n~

1 1
) Cavo di compresione
eassa ,orma
(a)
FIGURA 11.34 Disegno
schematico raffigurante
i
metodi perottenere(a)una
travedi calcestruzzo
precompressa e (b)una
travedi calcestruzzo
post~
tesa.!DaA. H.Nilson,
"Designot Prestressed Cavo nella guida
Concrete~ Wiley,1978, (/J)
pp.14,17J.
Chimicamente l'asfalto è formato da 80"85% di carbonio. 9-10% di

idrogeno. 2-8% di ossigeno. 0,5-7% di zolfo. piccole quantità di azoto e altre
tracce di metalli. I costituenti dell'asfalto variano notevolmente e s0110
complessi. Essi variano da polimeri a basso peso molecolare a polimeri
alto peso molecolare e prodotti di condensazione che consistono in caten.:.' .
idrocarburi, strutture ad anello e anelli di condensazione.
L ·asfalto è principalrnente utilizzato come legante bituminoso insieme u
degli aggregati per formare una miscela di asfalto. la maggior parte della quale è
utilizzata per la pavimentazione stradale. L'Asphalt Institute negli Stati Uniti ha
identificato ono miscele. per pavimentazione, basate sulla frazione di aggregato
che passa attraverso un setaccio del numero 8 1• Per esempio. una miscela di
asfalto per pavimentazioni stradali di tipo IV ha una compo.s-izione che va da1
3.0 al 7,0'% di asfalto con una quantità tra il 35 e il 50% di aggregato che passa
attraverso un setaccio del numero 8.
Le miscele di asfalto più stabili sono costituite da aggregato con spigoli,;\·
molto compatto e da una quantità di asfalto sufficiente a ricoprire le particelle
d.i aggregato. Se il.contenuto d.i asfalto è troppo alto, in climi caldi l'asfalto può
concentrarsi sulla superficie stradale e ridurre la resistenza allo scivolamento.
L'aggregato a spigoli vivi che non si lucida facilmente e che sì incastra
facilmente produce una migliore resistenza allo scivolamento rispetto
1 Un setaccio numero 8 ha una apertura nominale di 2.36 mm.

all'aggregato tenero che si lucida facilmente. L ·aggregato deve anche aderire

bene aJl'asfalto per evitare il distacco.
11.8 LEGNO
Il legno è il materiale da costruzione più utilizzato negli Stati Uniti; la quantità

in peso pro.dotta ogni anno è superiore a quella di tutti gli altri materiali da
costruzione, compresi calcestruzzo e acciaio (Fìgura 1.12). Oltre che per la
costruzione di case, palazzi, pontì, ecc., il legno viene utilizzato anche per la
fabbricazion~ di maJeriaH compositi quali compensati, pannelli truciolari e
carta.
Il legno è un materiale composito naturale costituito principalmente da una
complessa sequenza di cellule di cellulosa rinforzata da una sostanza polimerica
chiamata lignina e da altri composti organici. In questo paragrafo la discussione
del legno inizia con la sua macrostruttura, quindi viene fatta una breve analisi
della microstruttura dei legni dolci e dei legni duri. Infine, alcune proprietà de.I
legno vengono correlate con la sua struttura.
Macrostruttura Il legno è un prodotto naturale con una struttura complessa e pertanto non ci si
del legno può attendere un materiale da costruzione omogeneo come una barra in acciaio
o un pezzo in materiale termoplastìco stampato per iniezione. Tutti sappiamo
che la resistenza del legno è altamente anisotropa, con la resistenza a trazìone
che è molto maggiore nella direzione parallela al tronco dell'albero.
Strati nella sezione trasversaledi un albero Esaminiamo la sezione trasversale

del tronco di un tipico albero, come mostrato in Figura 11.35. Gli strati
importanti in questa figura sono indicati con le lettere che da A a F. Il nome e la
funzione di ognuno di questi strati sono qui sotto elencati.
A. La corteccia esterna è composta da tessuto secco e mo.rto e costituisce la

protezione esterna dell'albero.
B. La corteccia interna (o libro) è uno strato umido e tenero e trasporta il
nutrimento dalle foglie a tutte le parti in crescita delralbero.
C. Il cambio è lo strato di tessuto tra il libro e il legno che produce le cellule del
legno e della corteccia. ··
D. L'alburno è il legno di colore chiaro che forma la parte esterna del tronco
dell'albero. L'alburno contiene. alcune cellule viventi che hanno la funzione di
immagazzinare il nutrimento e di trasportare la linfa dalle radici alle foglie
dell'albero. -
E. Il durame è la regione interna più vecchia del fusto dell'albero che non
contiene più cellule viventi. Il dura.me è solitamente più scuro delralburno e
garantisce la resistenza dell'albero.
560 Capitolo 11
FIGURA 11.35 Tipica

sezione
trasversaledì un
A:corteccia
albero. esterna;
B:corteccia C:
interna;
cambio;D:alburno; E:
durame;F:midollo;G:raggi
IDaU. S.
midollari.
Department o!Agricolture
Handbook No.72,revised
1914,p.2-ZJ.
F. Il midollo è il tessuto tenero al centro deil'albero e attorno al quale ha origine

la prima crescita dell'albero.
In Fie:ura 11.35 sono anche indicati i raggi midollari che collegano i diversi
strati dal- midollo alla corteccia e che sono utilizzati per immagazzinare e
trasferire il nutrimento.
Legno dolce e legno duro Gli alberi vengono classificati nei due grandi grnp1 ·
dei legni dolci {gimnosperme) e legni duri (angiosperme). Dal punto di vista
botanico. se il seme deiralbero è esposto sia ha un albero del tipo con legno
dolce, mentre se ii seme è ricoperto ralbero è di legno duro. Con poche
eccezioni, il legno dolce è tipico delle conifere, mentre un albero con legno duro
perde ogni anno le sue foglie. Le piante con legno dolce sono spesso indicate
come'' alberi sempreverdi, mentre quelle con legno duro sono ~Iberi decidui. La
maggior parte dei legni dolci sono fisicamente teneri. mentre la maggior parte
dei legni duri sono duri. ma ci sono delle eccezioni. Esempi di legni doh: 1
orio'inari degli Stati Unitì sono l'abete, rabete rosso. il pino e il cedro. me111:,:
ese~pi di legni duri sono la quercia, l'olmQ, racero, la betulla e il ciliegio.
Anelli annualidi crescita Nei, èlimi temperati, ogni anno durante la stagione
di crescita. attorno al tronco dell'albero si forma un nuovo strato di legno.
Questi stratL particolarmente evidenti nelle sezioni dei legni dolci. sono chiamati
anelli annuali di crescita (Figura 11.36). Ogni anello ha due sottoanelli: legno
primaverile e legno autunnale. Nel legno dolce, il legno primaverile ha un colore
chiaro e le dimensioni delle cellule sono più grandi.
Assi di simmetriadel legno È importante. poter correlare le direzioni in un

albero con la sua microstruttura. Per fare questo è stata fissata una terna di assi.
come indicato in Figura 11.37. L'asse parallelo al tronco dell'albero è chiamato
asse longitudinale(L), mentre l'asse perpendicolare agli anelli annuali di crescita
deH'albero è chiamato asse radiale (R). Il terzo asse, r asse tangenziale (1). è
parallelo aglì anelli annuali di crescita e perpendicolare agli assi radiale e
longitudinale.
Microstruttura La Figura 11.38 mostra la microstruttura a 75 ingrandimentì di un piccolo

del legno dolèe elemento di legno dolce in cui sono visibili tre anelli completi di crescita. Nella
micrografia sono chiaramente distinguibili le dìmensioni più grosse delle cellule
del legno primaverile. Il legno dolce è formato principalmente da cellule tubolari
a parete sottile chia:mate tracheidi che si possono osservare in Figura 11.38.
L'ampia apertura al centro della cella, chiamata lume, ha la funzione di
conduzione dei liquidi. La lunghezza di un tracheide va da 3 a 5 mm e il suo
diametro da 20 a 80 (m. Le aree permeabili alla fine delle cellule permettono al
liquido di fluire da una cellula all'altra. Le tracheidi longitudinali costituiscono
circa il 90% del volume del legno dolce. Le cellule primaverili hanno un
diametro relativamente ampio, una parete sottile e un grosso lume. Le cellule
autunnali hanno un piccolo diametro, una parete sottile e un lume più piccolo
delle cellule primaverili.
I raggi midollari che corrono in direzione radiale dalla corteccia al centro
dell'albero sono formati da un aggregato di piccole cellule parenchima con una
FIGURA 11.36 Anelli

annualidì crescita
in un
legnodolce.In ognianello
di crescita
il legno
primaverile{LP}ha un
colorepiùchiarodellegno
autunnale(LA).!DaR. J.
Thomas.J. Edic,Modale
Mater.Se;.;2:56(19BOA.
562 Capitolo 11
FIGURA 11.37 Terna di

assidi riferimento nellegno.
L'asse longitudinale è
parallelo allefibre,l'asse
tangenziale è tangente aglì
anellidi crescita annualie
l'asseradiale è
perpendicolare aglianelli
annuali. [Da U.S. Tangenziale
Oepartment otAgricu/Jural Longitudinale
Handbook No.72,revised
1974,PA·Z'J.
forma tozza. Le cellule parenchima. utilizzate .per l'immagazzinamento del

nutrimento! sono collegate lungo i raggi da coppie di aree permeabili.
Microstruttura Il legno duro, al contrario del legno dolce. ha vasi di ampio diametro per la
del legno duro conduzione del nutrimento. I vasi hanno una struttura a parete sottile formata
da singole cellule allineate nella direzione longitudinale del tronco dell'albero.
Il legno duro viene classificato sia come poroso ad anelli che come a porosi1cì
diffusa! in funzione della disposizione dei vasi negli anelli di cre.scita. In un kgw
duro poroso ad anelli i vasi formatisi nel legno primaverile sono più amrì ·· ·
quelli formatisi nel legno autunnale (Figura 11.39). In un legno duro a struttu:·
porosa diffusa, i diametri dei vasi sono essenzialmente uguali in tutto ranello di
cres.cita (Figura 1l .40).
Le cellule longitudinali responsabili del sostenimento del tronco di un
albero con legno duro sono le fibre. Le fibre del legno duro sono cellule
alìungate~ affusolate alle estremità e di solito con pareti spesse. Le fibre hanno di
solito· una lunghezza compresa tra O,7 e 3 mm e hanno un diametro medio
minore di circa 20 ttm. La percentuale in volume delle fibre 11éllegno duro varia
considerevolmente. Per esempio, il volume delle fibre nel legno duro delralhcrc•
della gomma è del 26%, mentre per il noce americano è del 67%.
Le cellule del legno duro che conservano il nutrimento sono le parenchimd
radiali (trasversali) e longitudinali che hanno una forma tozza. I raggi del legno
duro sono generalmente molto più grandi di quelli del legno dolce, avendo
molte più cellule lungo la loro larghezza.
Struttura delle Esaminiamo la struttura ad alti ingrandimenti di una cellula del legno. come
pareti delle cellule quella rappresentata in Figura 11.4 l. La parete della cellula che si è inizialmente
formata per divisione cellulare nel periodo di crescita è chiamata parete
primaria. Durante il suo sviluppo. la parete primaria si accresce in direzione
FIGURA 11.38
Micrografia al microscopio
elettronicodi unlegnodolce
(pino)mostrante treanellidi
crescitanellasezione
trasversale.Sì notichele
cellulesonopìùampienel
legnoprimaverile (LP)che
nellegnoautunnale (LA).!
raggimidollari, chehanno la
funzione di immagazzinare il
nutrimento, corrono
perpendicolarmente alla
direzionelongitudinale.
(Ingrandimento 75x ). !Per
concessione delN. C.Brawn
Center tor Ultrastructure
Studies,SUNYCollege of
Environmental Scienceand
Forestry].
trasversale e longitudinale e. dopo che ha raggiunto le dimensioni massime della

cellula. si forma una parete secondariacon formazione di strati concentrici verso
rìnterno della cellula (Figura l 1.41).
FIGURA 11.39
Micrografia al microscopio
elettronicodi unlegnoduro
porosoadanelli(olmo
americano) chemostra il
cambiamento neldiametro
deivasidellegno
primaverile(LP)e deivasi
del legnoautunnale (LA),
comesi osserva nella
sezione trasversale.
(Ingrandimento 50x). [Per
concessione delN C.Brawn
Center tor Ultrastructure
Studìes, SUNYCollege ot
Environmental Scienceand
Forestry].
564 Capitolo 11
FIGURA 11.40
Micrografia almicroscopio
elettronicodi unlegnoduro
construttura porosadiffusa
{acero)chemostra deivasi
di diametro relativamente
uniforme gli anelli
attraverso
di crescita.Èchiaramente
visibilela struttura
delvasi
costituitadacellule
individualisovrapposte.
(Ingrandimento 110x). [Per
concessione delN.C.Brawn
Centet tor Ultrastructure
Studies, SUNYCollege ot
Enitironmental Scìenceand
Forestry].
I principali costituenti del legno sono la cellulosa. remicellulosae la lignina.

Le molecole cristalline della cellulosa costituìscono il 45-50% del materiali.-
solido del leimo. La cellulosa è un polimero lineare costituiro da un:1
elementari ctt glucosio (Figura 11.42), co~ un grado di polimerizzazi,·· .
compreso tra 5000 e 10000. Il legame covalente alrinterno e tra le unità di
glucosio origina una molecola lineare e rigida con una elevata resistenza a
trazione. Il legame laterale tra le molecole di cellulosa è di tipo idrogeno e
dipolare permanente. L'emiceHulosa costituisce il 20-25% in peso della 111ateria
solida delle cellule del legno ed è un molecola amorfa ramificata contenente
unità elementari di diversi tipi di zuccheri. Le molecole di emicellulosa hanno un
grado di polimerizzazione compreso tra 150 e 200. Il terzo cotiituente principale
delle cellule del legno è la lignina che costituisce il 20-30% in peso del materiale
solido. Le lignine sono dei materiali polimerici reticolati con struttura comple~:-.1
formata da unità fenoliche.
Le pareti delle cellule sono prin5=ipalme11teformate da microfibrillein umi
matrice di fomina. Si ritiene che lé microfibrille siano formate da un cuore
cristallino dt cellulosa circondato da una regione amorfa di emicellulosa e
lignina. La disposizione e l'orientamento delle microfibrille cambiano nei
differenti strati delle pareti delle cellule, come indicato in Figura l L4L La
lignina conferisce rigìdità alìa parete della cellula e le consente di resistere alle
sollecitazioni di compressione. Oltre ai materiali solidi, le ceìlule del legno
possono assorbire acqua fil10 a circa il 30% del loro peso,
Materiali·compositi 565
FIGURA 11.41 Disegno

Parete
secondaria
t l
Pareteprimaria
schematico dellastruttura·
delleparetidi unacelluladel
legnoraffigurante lo
spessore relativodellepareti
primariae secondaria. Le
lineelungole pareti
indicanol'orientamentodelle
microfibrìlle.[DaR.J.
Thomas e J. Edic,Module
Mater.Sci.,2:85(1980)).
Proprietà Contenuto di umidità Il legno. a meno che non venga essiccato, contiene una
del legno certa umidità. L'acqua nel legno è presente sia assorbita nelle pareti delle cellule.
sia come acqua libera nel lume delle cellule. Per convenzione. la percentuale di
acqua nel legno è definita dalla relazione:
Um1.d.lta del legno

· (peso 01/o) . = · di· acqua nel campione. x 100 (·II. 1Y)
peso
peso del legno secco del campione
o
H OH H OH
H·o~·H20H0 o
H o
H . O H H
H,OH
OH H o H H
HO .H
o o
H OH H OH
di unamolecola
FIGURA 11.42 Struttura di cellulosa.
[DaJ. D. Wellons,
"Adhesìve
Bonding andOtherStructural
o! Woods Materials''.
Unìversity
Park,Pa.. Materials
Education
Council,1983'J.
566 Capitolo 11
Poiché l'umidità è riferita alle condizioni a secco, il contenuto percentuale di

umidità può superare il 200%. 1
Eserciziario
Vedi Eserciziot 1.5.
Ci si riferisce alle. condizioni di umidità del legno di un albero vivente con il
termine legno verde.Il contenuto medio di umidità dell'alburno del legno dolce
in condizioni dì legno verde è circa del 150%, mentre quello del durame della
stessa specie è di circa il 60%. Nel legno duro la differenza di contenuto di
umidità tra l'alburno e il durame è generalmente meno evidente, con entrambi.
attestati attorno all'80%.
Resistenzameccanica In Tabella 11.6 sono elencate alcune tipiche proprietà

meccaniche di alcuni tipi di legno che crescono negli Stati Uniti. In generale. gli
alberi che sono botanicamente classificati come legni dolci sono teneri e queìli
classificati come legni duri sono fisicamente dùri, anche se ci sono delle
eccezioni. Per esempio il legno di balsa, che è molto tenero, è classificato come
legno duro.
La resistenza a compressione del legno in direzione parallela alle fibre è
considerevolmente più alta (dieci volte circa) della resistenza in direzione
perpendicolare. Per esempio. la resistenza a compressione di un pino bianco
delPest essiccato (portato a 12% di umidità) è di 33 MPa in direzione parallela
alle fibre e di 3,3 MPa in direzione perpendicolare. La ragione di questa
differenza è che in direzione longitudinale la resistenza del legno è dovuta
principalmente ai forti legami covalenti delle microfibrìlle di cellulosa che s0r.,•
orientate principalmente in direzione longitudinale. La resistenza meccanica
legno in direzione perpendicolare alle fibre è molto più bassa. in quanto dipende
dai deboli legami idrogeno laterali tra le molecole di cel.lulosa.
Come si osserva in Tabella 11.6. il legno verde è più debole del legno
essiccato. La ragione di questa differenza è che la rimozione delracqua dalle
zone meno orientate della cellulosa che compone le microfibrille permette alla
struttura molecolare della celiula di compattarsi e di formare internamente dei
1
nuovi ponti mediante legami idrogeno. Quindi. quando perde Ì'umidità, il legnD
subisce un ritiro. diventando pìù denso e più resistente.
Ritiro U legno verde quando viene eliminata l'umidità subisce un ritiro e pU{ì
distorcersi, come mostrato in Figura 11.43 per le direzioni radiale e tangenziale
di una sezione del tronco, 11legno si ritira molto di più in direzione trasversale
che in direzione longitudinale, con valori di 10-15% in direzione trasversale
rispetto a 0,1 % nella direzione longitudinale ..
Quando l'acqua viene eliminata daJle zone amorfe delle parti esterne delle
microfibrille, queste si avvicinano e il legno diventa più denso. Dato che la
dimensione maggiore delle microfibrille è lungo la direzione longitudinale del
tronco della pianta, il legno si ritira principalmente in direzione trasversale.
Materiaii.éompositi 567
NCO C'?CO ,.__N ,-(O

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568 Capitolo 11
11.9 STRUTTURE A SANDWICH )

I materiali compositi fabbricati racchiudendo un materiai~ intermedio tra due
sottili strati esterni sono comunemente utilizzati nelJe costruzioni. Due tipi d1
questi materiali sono (]) il sandwich a nido di ape e (2) le strutture placcate.
Sandwich con Strutture sandwich a nido di ape sono state utilizzate come materiali da
struttura a nido costruzione per più di 30 anni nell'industria aerospaziale. La maggior parte degli
d•ape aeroplani che oggi volano sono realizzati con questo materiale da costruzione.
La maggior parte delle strutture a nido di ape oggi utilizzate è composto da leghe
di allwninio come la 5052 e la 2024, da materiali compositi fenolici o poliesteri
rinforzati con fibre di vetro oppure da materiali rinfoq;ati con fibre aramidiche.
I pannelli a nido di ape di alluminio sono prodotti incollando le lastre di
alluminio alla struttura interna di alluminio a nido di ape, come mostrato in
Figura 11.44. Questo tipo di struttura permette di ottenere un pannello sandwich
con buone caratteristiche di durezza, rigidità, resistenza meccanica e leggerezza.
Strutturemetalliche Una struttura placcata viene utilizzata per produrre dei compositi con uno strato
placcate interno metallico e sottHi strati esterni di un altro metallo o metalli (Figura
I L45). In genere, i sottili strati metallici esterni vengono laminati a caldo sullo
FIGURA 11.43 Ritiroe

distorsione
di sezioni
di un
tronconelledirezioni
tangenziale,
radiale
e degli
anelli.{DaR. r Hoyle,J. ot
Educ.ModuleMater.Sci.,
4:88(1982A,
Adesivo
Pannello
sandwich
r--
1
l
FIGURA 11.44 Pannello

sandwich
fabbricato
legando
duetog!idì alluminio
adunastruttura
internadi allumìnìo
a nidod'ape.
[Per
dellaHexcelCo.].
concessione
strato interno per formare dei legami di carattere metallurgico {diffusione

atomica) tra gli strati esterni e il cuore interno di metallo. Questo tipo di
materiale composito trova molte applicazioni nelrindus1ria. Per esempìo. le
leghe di alluminio ad alta resistenza. come la 2024 e la 7075. hanno bassa
resistenza alla corrosione e possono essere protette mediante un sottile strato
placcato di alluminio tenero. di elevata resistenza alla corrosione .. un·altra
applicazione della placcatura metalhca è rutilizzo di metalli relativamente
costosi per proteggere un substrato metallico meno cestoso. Per esempio le
monete da 10 e 25 centesimi dì dollaro hanno una placcatura di una lega Cu-
25%Ni attorno ad un cuore piu economico di rame.
Stratiesterni sottili
Cuoremetallicoimemo di metallo placcmo

~Il=
===========~r,1
trasversale
di unastruttura
metallica
placcata.
570 Capitolo 11
11.10 COMPOSITI A MATRICE METALLICA E A MATRICE CERAMICA ]

Compositi a I materialì compositi a matrice metallica sono stati così approfonditamente
matrice metallica studiati negli ultimi anni che sono stati messi in produzione molti nuovi
(MMC) materiali ad alto rapporto resistenza-densità. La maggior parte di .questi
materiali sono stati sviluppati per l'industria aerospaziale, ma alcuni sono stati
utilizzati per altre applicazioni, come per i motori di automobili. In generale. in
base al tipo di rinforzo~ i tre tipi principali di MMC sono rinforzati con fibre
continue, fibre discontinue e particelle'..
MMC rinforzati con fibre continue I filamenti continui forniscono il

maggiore miglioramento della rigidità (modulo di elasticità) e della resistenza
meccanica per i materiali compositi a matrice metallica. Uno dei primi MMC a
fibra continua ad essere sviluppato è i,I composito con matrice in lega di
alluminio rinforzato. con fibre .di boro. Le fibre di boro per questo composito
sono prodotte depositando chimicamente in fase vapore del boro su un filo di
tungsteno (Figura l l .46a).Il composito Al-B è prodotto pressando a caldo degli
strati di fibre di boro tra dei fogli di alluminio. in modo c.he i fogli si deformino
attorno alle fibre e possano unirsi tra loro. La Figura 11A6b mostra una sezione
trasversale di un composito a matrice in lega di alluminio a fibre continue di
boro. La Tabella 11.7 elenca alcune tipiche proprietà di alcuni compositi in leg~;
di alluminio rinforzati con fibre continue di boro. Con raggiunta del 5 l 0,),
volume di boro. la resistenza in direzione delle fibre della lega di a]luminio 60h;
FIGURA11.46 (a)Filamento di 100(mattorno

di borodeldiametro adunnucleo
dìtungsteno
di 12.5
µm.(b)Micrografia
di unasezione
trasversale
di uncomposito
legadìalluminio-boro 40x),
(ingrandimento
[Da''Engineered
Materials
Handbook''.
vol1,ASMJnternational.J98~
p.852}.
TABELLA11.7 Proprietà meccaniche dei materialicompositi a matrice metallica
Resistenza Modulo
a trazione elastico Deformazine
MPa GPa a rottura, %
MMC a fibre continue:

Al 2024-T6 (45% B} (assiale} 1458 220 0.810
Al 6061-T6 (51% 8) (assìale) 1417 331 0.735
Al 6061-T6 (47% 8) (assìale) 1462 204 0.89
MMC·a fibre discontinue:
Al 2124-T6 {20% Sic} 650 127 2.4
AL6061-T6 (20% Sic) 480 115 5
MMC a particelle:
AJ2124 (20% SIC) 652 103 7.0
Al 6061 (20% SiC) 496 103 5 ..5
Senzarinforzo:
Al 2124-F 455 71 g
Al 6061-F 310 68.9 12
è stata portata da 31O a 1417 MPa. mentre il suo modulo elastico è passato da
69 a 231 GPa, Le applicazioni dei compositi A-B comprendono alcune parti
della fusoliera delia navicella space shuttle.
Altre fibre continue di rinforzo che.sono state utilizzate per gli MMC sono
le fibre di carburo di silicio. grafite. allumina e tungsteno. Un composito di Al
6061 rinforzato con fibre continue di SiC verrà utilizzato per la sezione del
tìmone di coda di un aereo da caccia avanzato (Figura l I. le). Di partic9lare
interesse è il progetto dì utilizzo di fibre continue di SiC per il rinforzo in una
matrice di alluminuro di titanio per aeroplani supersonici come raereo National
Aerospace. (Figura 1.1).
MMC rinforzati con fibre discontinue e con particelle Sono stati prodotti
molti tipi di MMC rinforzati con fibre discontinue e particelle. Questi materiali
offrono il vantaggio di possedere una più alta resistenza meccanica. una
maggiore rigidità e una migliore stabilità dimensionale delle leghe metalliche
non rinforzate. In questa breve esposizione dei materiali MMC. verranno
trattati gli MMC delle. leghe di ailuminio.
Gli MMC rinforzati con particelle sono MMC abasso costo in lega di
alluminio prodotti utilizzando particelle di forma irregolare di allumina o
carburo di silicio con diametri compresi tra 3 e 200 (m. Le particelle, che qualche
volta vengono opportunamente rivestite, possono essere mescolate alle leghe di
alluminio fuse e colate in lingotti di rifusione o in billette di estrusione per la
successiva lavorazione. La Tabella l l. 7 mostra che la resistenza a trazione a
rottura della lega di Al 6061 può essere aumentata da 31 O a 496 MPa con
572 Capitolo 11
l'aggiunta del 20% di SiC, mentre il modulo di elasticità può passare da 69 a 103
GPa. Le applicazioni di questo materiale riguardarlo l'equipaggiamento
sportivo e i componenti di motori automobilistici.
Gli MMC rinforzali con fibre discontinue sono prodotti principalmente
tramite processi di metallurgia delle polveri e di infiltrazione di metallo fuso. Nei
processo di metal1urgia delle polveri, whisker aghiformi di carburo dì silicio dal
diametro compreso tra 1 e 3 (m e lunghi tra 50 e 200 {m {Figura 11.47)vengono
mescolati alla polvere del metallo, compattati con pressatura a caldo, quindi
estrusi o forgiati nelle forme desiderate. La Tabella 11.7 mostra che la resistenza
a trazione a rottura della lega di Al 6061 con l'aggiunta del 20% di SiC può
passare da 310 a 480 MPa, mentre il modulo di elasticità può passare da 69 a
115 GPa. Sebbene con l'aggiunta di whiskers possano essere raggiunti valori di
resistènza maggiori rispetto all'aggiunta di particell~ i processi di metallurgia
delle polveri e di infiltrazione di metallo fuso sono più costosi. Le applìcazìonì
per le leghe di alluminio MMC rinforzate con fibre discontinue comprendon1.'
componenti per ìa guida di missili e. pistoni per autoveicoli ad elevate
prestazionL
Compositi a Sono stati recentemente sviluppati dei compositi a matrice ceramica che hanno
matrice ceramica migliorato le proprietà meccaniche di resistenza e tenacità di matrici ceramiche
(CMC) non rinforzate. Di nuovo, i tre principali tipi di rinforzo possibili sono fibre
continue, fibre discontinue e particelle.
Eserciziario
Vedi Esercizi 11.6 e 11.7.
CMC rinforzati con fibre continue I due tipi di fibre continue che sono stati
usati perì CMC sono il carburo di silicio e l'ossido di alluminio. In un processo
di fabbricazione di un composito a matrice ceramica, le fibre SiC sono intessute
in un feltro e quindi viene utilizzata la tecnica di deposizione chimica in fase
vapore (Chemical Vapor Deposition. CVD) per impregnare le fibre del feltro di
SiC. rn un altro processo le fibre SiC ·sono racchiuse da un materiale vetro~
ceramico. Le applicazioni di questi materiali comprendono tubiper scambiatori
di calore, sistemi di protezione termica e materiàli per ambienti soggetti a
corrosione e a erosione.
CMC rinforzati con fibre discontinue (wniskers) e particelle I whiskers

ceramici (Figura l 1.47) possono -aumentare c~nsiderevolmente la tenacità alla
frattura delle ceramiche monolitiche (Tabella 11.8). L'aggiunta del 20% in
volume di whisker di SiC all'allumina può aumentare la tenacità alla frattura
dell'allumina da 4,5 a 8,5 MPavm. I materiali compositi ceramici rinforzati con
fibre corte e particelle hanno il vantaggio di poter essere fabbricati tramite i
comuni processi di fabbricazione dei materiali ceramici quali la pressatura
isostatica a caldo (HIP).
FIGURA11.47 Micrografie di whisker

monocristallini-in
carburodi silicioutilizzati
perrinforzare
composìti
a
matrice
metallica.
I whiskers
hanno undiametro
compreso tra1 e 3 µme unalunghezza tra50e 200µm.!Per
concessione
dellaAmericanMatrixCo.].
Si ritiene che il rinforzo dei compositi a matrice ceramica sia principalmente

dovuto a tre meccanismi, tutti e tre dipendenti dalrinterf erenza delle fibre di
rinforzo con la propagazione delle cricche nella matrice ceramica. Questi
meccanismi sono:
1. Devia=ìonedelle cricche. Incontrando la fibre di rinforzo. la cricca viene

deviata e il suo percorso di propagazione risulta più tortucso. Quindì per lu
propagazione della cricca occorrono sforzi più elevatì.
1.. Pomi tra cricche. Le fibre possono unire le due superfici della cricca e aiutare
a tenere unito' il materiale. aumentando di conseguenza il livello di sforzo
necessario alla successiva propagazione (Figura 11.48).
TABELLA n .a Proprietàmeccanichea temperaturaambìentedei compositi a matrice ceramica

rinforzati con whisker di SiC
Contenuto di Resistenza
whìsker di SiC, a flessione Tenacità a frattura
Matrice % in volume MPa MPaym
SbN4 o 400-650 5-7

10 400 500 6.5- 9.5
30 350-450 7.5 10
Al20a o 4.5
'IO 400- 510 7.1
20 520- 790 7.5 9.0
Fonte: "EngineeredMaterialsHandbook", voL 1. Composites,ASM lnternational,

1987, p. 942.
574 Capitolo 11
3. Sfilamento dellefibre. L'attrito causato daHe fibre o dai whisker in sfilamento

dalla matrice che si sta criccando assorbe energia e ,J!Uìndiper avere una
propagazione delle cricche devono ·essere applicati eforzi maggiori; per
questo motivo, è opportuno avere un buon legame all'interfaccia tra fibre e
matrice. Inoltre. se il materiale deve essere utilizzato a11ealte temperature. i
coefficienti di espansione della matrice e delle fibre devono essere simili.
Eserciziario
Vedi Esercizio11.8.
RIASSUNTO
Dal punto di vista della scienza e tecnologia dei materialì, un materiale

composito può essere definito come un sistema costituito da una miscela o
combinazione di due o più micro o ma·crocostituenti che differiscono nella
forma e nella composizione chimica e che sono insolubili l'uno nelraltro.
Alcuni materiali compositi polimerici rinforzati con fibre sono realizzati
con fibre sintetiche, deUequali le fibre di vetro. di carbonio e aramidiche sono le
più importanti. Di queste fibre, quelle di vetro sono le meno costose e hanno
una resistenza meccanica intem,edia e una densità più alta rispetto alle altre. Le
fibre di carbonio hanno elevata resistenza. alto modulo di elasticità e bassa
densità, ma sono molto costose. così sono utilizzate solo per applicazioni in cui è
necessario il loro elevato rapporto resistenza meccanica-peso. Le fibr,
aramidiche hanno elevata resistenza e bassa densità ma non sono rigide come
le fibre di carbonio. Anche le fibre aramidiche sono molto costose. così sono
utilizzate per applicazioni dove è richiesto un elevato rapporto resistenza
meccanica-peso e una migliore flessibilità rispetto alle fibre di carbonio. Le
matrici più comunemente utilizzate per i compositi polimerici rinforzati con
fibre di vetro sono 1e resine poliestere. mentre le matrici più comunemente
utilizzate per le materie plastiche rinforzate con fibre di carb9nìo sono le resine
FIGURA 11.48
Diagramma schematico che
mostra comele libredi
rinforzo
possono inibirela
propagazione di cricche nei
materialia matrice ceramica
mediante la creazionedi
pontiall'interno
dellecricche
e l'assorbimento di energia
persfilamento dellefibre.
epossidiche. I materiali compositi epossidici rinforzati con fibre di carbonio

sono. ampiamente utilizzati per applicazioni aeronautiche e aerospaziali. I
materiali compositi di poliesteri rinforzate con fibre di vetro hanno un più vasto
utilizzo e, per esempio, trovano applicazioni nell'edilizia. nei trasporti. nella
nautica e nell'industria aeronautica.
Il calcestruzzo è un materiale composito ceramico formato da particelle di
aggregato (sabbia e pietrisco) in una matrice di cemento indurita, in genere
realizzata con cemento portland. Il calcestruzzo, come materiale da costruzione,
ha i1 vantaggio di possedere una elevata resistenza a compressione, di essere
economico, di poter essere gettato sul luogo di utilizzo e di essere durabile,
resistente al fuoco e di aspetto gradevole. La bassa resistenza a trazione del
calcestruzzo può.essere no;evolmente aumentata rinforzandolo con armature di
acciaio. Un suc_cessivomiglioramento della resistenza a trazione del calcestruzzo
è ottenuto introducendo sforzi residui di compressione nelle zone di maggior
soilecitazione a trazione mediante la precompressione con armature di acciaio.
Il legno è un materiale composito naturale formato essenzialmente da fibre
di cellulosa in una matrice di materiale polìmerico composto per la maggior
parte da lignina. La macrostruttura del legno è co.stituita dall'alburno, che è
composto principalmente da cellule vive e che trasporta il nutrimento e dal
durarne, che è composto da cellule morte. I due tipi principali di legno sono il
legno dolce e il legno duro. l legni dolci provengono da alberi che hanno i semi
scoperti e foglie aghiformi (conifere). mentre i legni duri provengono da alberi
con semi coperti e foglie larghe. La microstruttura del legno consiste in cellule
disposte esse lungo la direzione longitudinale del tronco dell'albero. I legni dolci
hanno lunghe cellule tubolari a parete sonìle chiamate tracheidi. mentre i legni
duri hanno una densa struttura cellulare che contiene ampi vasi per il trasporto
dei fluidi. Il legno. come materiale da costruzione, ha ìl vantaggio di possedere
una buona resistenza. di essere economico, facile da lavorare e. se
adeguatamente protetto. di durare nel tempo.
DEFINIZIONI
Pa1·ag1·afo11.1
Materiale com~sito: un materiale composto da una miscela o da una combinazione di
due o più micro o ma.crocostituenti che differiscono nella forma e nella composizione
chimica e che sono essenzialmente insolubili runa nell'altro.
Paragrafo I 1.2
Materie plasticherinforzatecon fibre: materiali compositi formati da una miscela di una
matrice di materiale polimerico, come una resina poliestere o epossidica, rinforzata
con fibre di elevata resistenza come le fibre di vetro, di carbonio o aramidiche. Le
fibre forniscono elevata resistenza e rigidità, la matrice polimerica tiene assieme le
fibre e le sostiene.
576 Capitolo 1 1
Fibre di vetro E: fibre composte da vetro E(elettrico), che è un vetro borosilicato e che è il
vetro più comunemente utilizzato nelle materie plastiche rinf <fzate con fibre di vetro.
Fibre di vetro S: fibre composte da vetro S che è un vetro con ossido di magnesio.
allumina e silicati, utilizzato per fibre di rinforzo per materie"plastiche quando sono
richieste fibre ad altissima resistenza.
Stoppino: un insieme di fasci di fibre continue attorcigliate o non attorcigliate.
Fibre di carbonio (per un materiale composito): fibre di carbonio prodotte principalmente
dal poliacrilonitrile (PAN) o dalla pece che sono stirate per allineare la struttura
reticolare delle fibre all'interno di ogni singola fibra di carbonio e che vengono
riscaldate per rimuovere l'ossigeno, l'azoto e l'idrogeno dalle fibre di partenza, o
precursori.
Corda di fibre: un insieme di molte fibre in un fascio diritto che è composto da un
determinato numero di fibre, per esempii;:,6000 fibre per corda.
Fibrè"·aramidiche: fibre prodotte per sintesi chimica e utilizzate per il rinforzo delle
materie plastiche. Le fibre aramidiche hanno una struttura lineare dì poliammidi
aromatiche (ad anello come il benzene) e sono prodotte e commercializzate dalla Du
Pont Co. sotto il nome commerciale di Kevlar.
Resistenza a trazione specifica: resistenza a trf3zio11edi un materiale divisa per la sua
densità.
Moduloelastico specifico:modulo elastico di un materiale diviso per la $1.Ia densità.
Paragrafo U .3
Laminato:Prodotto composto da fogli di un materiale uniti solitamente tramite calore e
pressione.
Laminatomonodirczionale: laminato plastico rinforzato con fibre prodotto unendo strati
di fogli rinforzati con libre in cui le fibre continue net laminato hanno tutte la stessi:l
direzione.
Laminatomultidirezionale: laminato plastico rinforzato con fibre prodotto unendo stra.:
di foglì rinforzati con fibre in cui le fibre contiìrne nel laminato hanno differenti
orientamenti.
Ply {lamina):uno strato di un laminato multistrato.
Preimpregnato:una tela o un feltro impregnato di resina polimerica pronto per essere
formato che può contenere delle fibre di rinforzo. La resina è reticolata parzialmente a
uno stadio ·'B" e viene fornita al fabbricante del composito che utilizzerà il materiale
per formare gli strati del composito la~1inato. Dopo che gli stra9_sono stati disposti
per produrre una forma finale. essi vengono uniti. solitamente con calore e pressione.
attraverso la reticolazione del laminato.
Parug1·afo11.4
Processo manuaJedì laminazione:processo manuale di posa (e lavorazione) di strati
successivi di materiale di rinforzo in uno stampo 'per produrre un materiale composito
rinforzato con fibre.
Processodi applicazionea spruzzo:processo in cui è utilizzata una pistola a spruzzo per
produrre un composito rinforzato con fibre. In un tipo di processo di applicazione a
spruzzo, le fibre tritate sono mescolate con la resina polimerica e sono spruzzate in
uno stampo per formare un pezzo di materiale composito;
Processo sacco a vuoto-autocla,,e:processo per lo stampaggio di un pe1.zo di materia
plastica rinforzata con fibre in cui alcuni fogli dì materiale flessibile trasparenti sono
posti a tenuta su una parte dì laminato che non è ancora stato indurita. Tra i fogli e il
laminato viene prodotto il vuoto in modo che l'aria intrappolata venga rimossa
meccanicamente dal laminato e infine avviene rindurimento in autoclave.
Avvolgimentodi filamenti:processo per produrre materie plastiche rinforzate con fibre
mediante l'avvolgimento su un mandrino rotante di fibre continue precedentemente
impregnate con resina polimerica. Quando è stato applicato un numero sufficiente di
strati, la fonna avvolta viene indurita e il mandrino rimosso.
Paragrafo 11.5
Compositoin foglio da stampaggio(Sheet-moldingcompoundSMC): composito di resina
polimerica, riempitivo e fibra di rinforzo utilizzato per fabbricare materiali compositi
polimerici rinforzati con fibre. Un SMC è solitamente composto per il 25-30% da fibre
lunghe circa 2,5 cm e solitamente le fibre di vetro sono le più utilizzate. Il materiale
SMC viene in genere maturato per un certo periodo in modo che possa sostenersi da
solo e quindi viene tagliato nella giusta forma e posto in uno stampo in pressione.
Poltrusione: processo per produrre un pezzo in materia plastica continua rinforzata con
fibre, di sezione costante. Il pezzo poltruso è realizzato trafilando un insieme di fibre
impregnate di resina attraverso una matrice riscaldata.
Pa1·ag1'afo JJ.6
Calcestruzzo (di cemento portland): miscela di cemento portland, aggregato fine.
aggregato grosso e acqua.
Cementoportland:cemento fonnato princìpalmente da silicati di calcio che reagiscono
con acqua per formare una massa indurita.
Aggregato:materiale che viene mescolato al cemento portland e all'acqua per produrre il
calcestruzzo. Le particelle dì dìmensione maggiore sono chiamate aggregato grosso
(es. pietrisco) mentre quelle più piccole sono chiamate aggregato fine (sabbia).
Reazione di idratazione: reazione dell'acqua con un altro composto. La reazione
dell'acqua con il cemento portland è una reazione di idratazione.
Calcestruzzo aerato:calcestruzzo in cui è stata formata una dispersione uniforme di piccole
bolle d'aria. Circa il 90% delle bolle d"aria hanno un diametro inferi ore ai l 00 11.m.
Cemento armato: calcestruzzo contenente armature dì acciaio che resistono alle
sollecitazioni di trazione.
Cementoarmatopost-teso:cemento armato in cui sono stati introdotti degli sforzi interni
di compressione per contrastare gli sforzi di trazione dovuti a forti carichi.
Cementoarmatoprecompresso: cemento armato precompresso in cui il calcestruzzo viene
gettato su ànnature dì acciaio poste in trazione.
Paragrafo J1.7
Asfalto: bitume formato principalmente da idrocarburi con un ampio spettro di pesi
molecolari. La maggior parte delrasfalto è ottenuto dalla raffinazione del petrolio.
Miscele di asfalto: miscele di asfalto e aggregati utilizzate principalmente per la
pavimentazione stradale.
Paragrafo 11.8
Legno: materiale composito naturale formato prevalentemente da una complessa
sequenza di fibre di cellulosa in una matrice di materìale polimerico composta
principalmente da lignina.
578 Capitolo 11
Lignina:.materiale polimerico reticola.to tridimensionale molto complesso, formato da

unità fenoliche.
Alburno:parte esterna del tronco di un albero viventecompefstoda cellule vive che
contengonoil nutrimemo per la pianta.
Durame:parte più interna del tronco di un albero che nelle piante in vita contiene solo
cellulemorte.
Cambio:tessuto situato tra il legno e la corteccia in c.uiavviene la produzione delle cellule
del legno.
Alberi con legno dolce: alberi·· che hanno semi scoperti e foglie alhingate (aghiformi).
Esempi sono: i pini, gli abeti e i cedri.
Alberi con legno duro:alberi che hanno semi coperti e foglie ampie. Esempi sono: le
querce, gli aceri e i frassini.
Parenchima:cellule tozze e con pareti sottili che hanno la funzione di riserva del
nutrimento.
Tracheidi (longitudinali):cellule predominanti nel legno I dolce: le tracheidi banno
funzione di conduzione e di sostegno.
Vasi del legno: struttura tubolare formata dall'unione di piccoli elementi cellularì in
direzione longitudinale. .
Microfibrllle:strutture elementari contenenti cellulosa che formano le pareti delle cellule
del legno.
Lume:cavità al centro delle cellule del legno.
,.
CORROSIONE
._EPROTEZIONE
DEI MATERIALI
12.1 GENERALITÀ
La corrosione può essere definita come il processo in base al quale un metallo

tende a degradarsi, passando dallo stato elementare aBo stato di materiale
ossidato. a seguito di attacco da parte dell'ambiente in cui sì trova. La maggior
parte dei fenomeni corrosivi dei. metalli è conseguenza di un attacco di tipo
elettrochimico, in cui sono coinvolti gli elettroni liberi presenti negli strati più
esterni del reticolo cristallino dei materiali metallici. e che avviene in soluzioni
acquose o in ambiente atmosferico (corrosione ad umido). I metalli possono
anche corrodersi a seguito di fenomeni di ossidazione ad alta tempera tura. che
avvengono con meccanismo di tipo chimico, oppure anche in presenza di altri
metalli allo stato liquido (corrosione a secco). La pÒssibilità che un processo di
corrosione abbia luogo .oppure no, e la velocità con cui esso avviene dipendono
dal tipo di metallo, dalle concentrazioni dei reagenti e dei prodotti di reazione,
dalla temperatura e da altri fattori quali le sollecitazioni meccaniche e i
fenomeni di erosione, rispondendo in generale alle leggi che regolano i processi
elettrochimici (corrosione ad umido) o chimici (corrosione a secco).
La corrosione dei metalli può essere considerata in un certo senso come i1
580 Capitolo 12
(a) (b)
FIGURA12.1 {a)Minerale di ferro(ossidodi ferro).(b) Prodotti

di corrosione
sottotormadi ruggine
(ossido
diterro)suuncampione di acciaio
(ferro)cheè statoespostoall'atmosfera.
Conlaformazionedella
ruggine in !ormadi acciaio
iHerrometallico ritornaal·suostatoenergeticooriginale
inferiore.
{Per
concessìtme
delLaOue CentertorCorrosion Technology, /ne.]. ,
processo opposto alla metallurgia estrattiva. La maggior parte dei metalli sono infani
presenti in natura sotto forma di composti, per esempio ossidi, solfati, carbonati o
silicati;l'energia deglielementi metallici in quçsti stati combinati è inferiore rispetto a
quellache si ha in presenza del metallo puro, e quindi vi è Una tendenza spontanea dei
metalli a reagire chimicamente per formare i composti citati. Durante un processo
metallurgico estrattivo. ad esempio del ferro. gli ossidi di ferro che esistono
normalmente in natura vengono ridotti a ferro. che si trova ad uno stato energetico
più alto. fornendo energia termica; a seguito di un processo corrosivo il ferro
metallico tende a tornare spontaneamente ad ossido di ferro. riportandosi così nel
suo stato energetico originario. caratterizzato da energia inferiore (Figura 11.l).
I materiali non metallici. come i ceramici e i polimeri. non sono invect
soggetti ad attacco elettrochimico, ma possono essere degradati da un attacct 1
chimico diretto. Ad esempio, i materiali ceram.ici refrattari, possono essere
attaccati chimicamente ad alta temperatura da sali fusi: invece i polimerì
possono essere degradati dall'attacco chimico di particolari solventi organici o
dall'azione combinata di ossigeno e di radiazione ultravioletta. in grado di
degradare alcuni polimeri anche a temperatura ambiente.
Dàl punto di vista del progettista, la corrosione è quindi un processo
distruttivo che rappresenta un·enorme perdita economica~ p·ertanto è molto
importante che coloro che si occupano di materiali siano a conoscenza delle
tecniche di controllo e prevenzione della corrosione. Scopo di questo capitolo è
l'introduzione di questo importante argomento.
12.2 CORROSIONE ELElTROCHIMICA DEI METALLI
Reazioni di Poiché la maggior parte deìle reazioni di corrosione sono di natura

ossidoriduzione elettrochimica, è importante conoscere i principi alla base delle reazioni
Corros,one e protezione Gt:11 , m:m:::r1a.11
FIGURA 12.2 Reazione

dell'acido
cloridrico
conlo
zincoperprodurre idrogeno
gassoso.{Perconcessione
delLaOue Centertor
Carrosio~Technology.lnc.].
elettrochimiche stesse. Consideriamo in primo luogo una lamina di zinco posta

in acido cloridrico diluito. come mostrato in Figura 12.2: lo zinco sì scioglie ·(si
corrode) nell'acido producendo cloruro di zinco e idrogeno gassoso. come
indicato dalla reazione chimica:
Zn + 2HC1 .....,ZnCb + H: (12. l)
La reazione può essere scritta in forma semplificata. trascurando gli ioni cloro.
come:
Zn + 2H~ Zn 2+ + H2 (12.2)
Questa reazione globale è il risultato dì due processi parziali: uno di ossidazione

dello zinco e l'altro di riduzione degli ioni di idrogeno a idrogeno gassoso;
queste reazioni parziali, di ossidoriduzione, possono essere scritte come:
Zn...;..;Zn 2+ + 2e- {reazione dì ossidazione) ( 12.Ja)
2H+ + 2e- _,, H 2 (reazione di ossidazione) (12.3b)
Alcuni in1portanti considerazioni relative alle reazioni parziali di ossidoridu-

zione sono le seguenti.
582 Capitolo 12
1. Reazione di ossidazione. La reazione di ossidazione (Zn-+ Zn 2+ + 2e-) a

seguito della quale il metallo produce ioni metallici (cJtioni) che passano in
soluzione acquosa è chiamata reazione anodica e la zonp sulla superficie del
metallo dove ha luogo tale reazione è chiamata anodo. Nel corso della
reazione anodica vengono liberati elettroni, cqe rimangono nel reticolo
cristallino del meta1lo.
2. Reazione di riduzione.La reazione a seguito della quale un metallo, o un non
metallo, o specie come ioni idrogeno (2H+ + 2e- - H 2 ) o molecole di
ossigeno subiscono una riduzione della ìoro valenza è chiamata reazione
catodicae la zone sulla superficie metallica dove ha luogo tale reazione è
chiamata catodo. A seguito della reazione catodica si ha un consumo di
elettroni.
3. Le reazioni elettrochimiche di corrosione implicano la presenza di processi di
ossidazione che liberano elettroni e di processi di riduzione che li consumano:
le reazioni di ossidazione e riduzione devono essere contemporanee e
avvenire complessivamente alla stessa velocità per evitare l'accumulo di
cariche elettriche nel metaìlo.
Potenziali di Ogni metalJo ha diversa tendenza a corrodersi in un particolare ambiente: per

elettrodo standard esempio, lo zinco viene attaccato chimicamente (corroso) in acido cloridrico
dei metalli diluito, mentre l'oro non viene attaccato in tale soluzione. La maggior o minor
tendenza dei vari metalli a formare ioni in una soluzione acquosa può
FIGURA 12.3 Misura del

potenzialestandard dello
zinco:unelettrodo di Zn
vienepostoin un
contenitorecontenente una
soluzione 1 Mdi ioniZn2..,.;
nell'altro
contenitore vl è un
elettrododi riferimento
standard adidrogeno
costituito
daunelettrodo di
plalinoimmerso in una
soluzione 1 M di ioniH+ in
cui gorgoglia H2 ad1 atm.
Lareazione complessiva che
avviene quando i due
elettrodi
sonoconnessi da
unconduttore elettri.Co
esternoè Zn(s)+ 2W(acq)
- Zn2+(acq}+ H2(g}.!Da
R.E Davis, K D.Gailey eK
W Whitten, "Prìnciplesal
Chemistry'; CBSCollege + 2c-
Zn ,.....zn:.?-- 2H- +2e- .... H
Publishing, 1984, p.635]. Ossidazionc,anodo Riduzione,catodo
Corrosionee protezione dei materiali 583
essere valutata confrontando i loro potenziali (o tensioni) di ossidazione o di

riduzione con il potenzìale di una semicella standard ad idrogeno; in Figura 12.3
è mostrato un sistema sperimentale per la determinazione dei potenziali
elettrodicì standard.
Per realizzare questa misura un elettrodo del metallo di cui si deve
determinare il potenziale viene immerso in un contenitore contenente una
soluzione 1 M dei suoi ioni a 25°C (ad esempio di ioni Zn 2+ ), in un secondo
contenitore, collegato elettroliticamente al primo mediante un ponte salino che
impedisce il rimescolamento delle soluzioni, contenente una soluzione 1 M di
ioni H+ viene immerso un elettrodo di platino su cui viene fatto gorgogliare
idrogeno gassoso~ i due elettrodi vengono poi collegati con un conduttore
elettrico con in serie un yoltmetro e un interruttore. Quando l'interruttore viene
chiuso, si misura ir potenziale tra le due semi celle. Attribuendo convenzio-
nalmente un valore pari a O al potenziale dì reazione nella semicella di idrogeno
H2 2H+ + 2e- (elettrodo standard .ad idrogeno}. si misura direttamente il
potenziale standard della reazione di semicella del metallo Zn - Zn 2+ + 2C
rispetto all'elettrodo standard ad idrogeno. Come indicato in Figura 12.3, il
TABELLA 12.1 Potenziali elettrodici standard a 25°C*
Potenziale di elettrodo, Ec
Reazione di ossidazione {volt rispetto all'elettrodo
(corrosione} standard a Idrogeno)
Au - Al.f'""+ 3e- +1.498

2H20 02 + 4W + 4e- +1.229
Pt - Pt2 + 2e- +1.200
Più catodico Ag - Ag--+e- +O. 799
2Hg -- Hg~- + 2e-
{minor tendenza a corrodersi) Fe2- - Fe3--+e-
4(0Hr __, 2H20 -1- 4e-
Cu -- Cu2+ + +0.337
Sn2• - Sn4 "" +o:1so
H:;,-2H-+ 0:000
Pb-- -0, 126

Sn--, -0.136
Ni- + -0.250
Co ......CO2"' + 2e- -0.277
Più anodico Cd ......Cd2+ -0.403
Fe ......FE2- -0.440
(maggior tendenza a corrodersi) Cr- Cr3· + -o:144
Zn Zn2+ + 2e- -0.763
At --Al3+ + -1,662
Mg- Mg2_,. + -2,363
Na - Na+e- -2.714
• Le reazioni sono scritte come semireazìone anodica. Più la

sernireazìoneè negativa,più la reazioneè anodica e maggiore è la
tendera:aalla corrosioneo ossidazione.
584 Capitolo 12
potenziale d'elettrodo standard per la reazione Zn ._ Zn 2+ + 2e- è pari a

-0,763 V. . I
Misure analoghe possono essere realizzate per tutti i materiali metallici: la
Tabella 12.1 elenca i potenziali standard delle principali reazioni elettrodiche. Ai
metal1i più reattivi dell'idrogeno vengono assegnati potenziali negativi e si dice
che sono anodici rispetto all'idrogeno. In un esperimento analogo a quelio
mostrato in Figura 12.3 questi metalli si ossidano per formare ioni, mentre gh
ioni idrogeno vengono ridotti per formare idrogeno gassoso. Le equazioni per le
reazioni coinvolte sono: FI
ga
(il metallo si ossida in ioni) (12.4a) zin
mo
vie
e (gli ioni idrogeno si riducono (12.4bì flu
ad idrogeno gassoso) po
ra
Ai metalli che sono meno reattivi dell'idrogeno vengono assegnati potenziali - l
positivi e si dice che sono catodici rispetto all'idrogeno. Quando gli ioni del zin
metallo il cui potenziale deve essere determinato sono ridotti allo stato atomico si c
(e si possono quindi depositare sulrelettrodo metallico), l'idrogeno gassoso viene
ossidato a ioni idrogeno. Le equazioni per le reazioni coinvolte sono:
(ioni metallo ridotti ad atomi) (l2.5aì
(idrogeno gassoso ossidato

a ioni idrogeno)
1,;.'..3CELLE GALVANICHE
Celle ga1vanìche Poiché la maggior parte dei processi corrosivi dei metalli imp~ca il verificarsi di
r::on elettroliti reazioni elettrochimiche, è importante capire i principi di funzionamento di una
1 M coppia elettrochimica (cella). Una macrocella galvanica può e5.~t'rc
costruita con due elettrodi di metalli diversi, ognuno immerso in una soluzìn:ic
dei propri ioni. Un cella galvanica dì questo tipo è mostrata in Figura 12.4, che
mostra un elettrodo di zinco immerso fn una soluzione 1 M di ioni zn:: ....e un
elettrodo di rame immerso in una soluzione 1 M di ioni Cu 2+ a 25 °C; le due
soluzioni sono separate da un setto poroso per impedire il loro rimescolamento
e i due elettrodi sono collegati da un conduttore elettrico esterno con posti in
serie un interruttore e un voltmetro. Ne1 momento in cui il circuito viene chiuso.
gli elettroni fluiscono dalrelettrodo di zinco aJrelettrodo di rame attraver.so il
conduttore elettrico esterno e il voltmetro misura un potenziale di 1,10 V.
Corrosione e protezione dèi materiali 585
Interruttore -1.J O V
Setto
poroso
I
GURA 12.4 Macrocella
alvanica
conelettrodi
di
_... Zn 2 -l Cu2~
I
ncoe di rame.Nel . ~ I ~
omento in cuiil circuito -- so4- t"'I- so~-
enechiusoe gli elettroni !
Anodo I Cat0do
uisconoe la differenzadi IM I IM
otenziale
tral'elettrododi Zn2- I Cu 2-
Zn _. Zn 2- + 2e- ..._ ____ --1. ____ ...._--.1 Cu~- + 2<,- -. Cu
mee quellodi zincoè
,10 V. L'elettrododi
ncoè l'anodo dellacellae
corrode.
Nella reazione elettrochimica di un accoppiamento galvanico di due metallì

entrambi immersi in una soluzione 1 M dei propri ioni. si ossida l'elettrodo che
ha il potenziale di ossidazione più negati\'o. mentre la reazione di riduzione ha
luogo suffelettrodo con potenziale più positivo. Dunque. per la cella galvanica
Zn"Cu illustrata in Figura I J.4. relettrodo di Zn sarà ossidato a ione zn:-
mentre all'elettrodo di -rame gli ioni Cu.::- saranno ridotti a Cu.
Calcoliamo ora il potenziale elettrochimico della cella galvanica Zn"Cu
quando l'interruttore che connette i due elettrodi è appena stato chiuso.
Dapprima scriviamo le teazìoni parziali dì ossìdazione dello zinco e del rame
usando la Tabella 12.1:
E"= -0. 763 V
Ec = +0,337 V
Si osserva che la reazione dello Zn ha il potenziale più negativo (-0, 763 V per lo
zinco rispetto a +O, 337 V per il rame). Dunque l'elettrodo di Zn sarà ossidato a
2
ioni Zn + e gli ioni Cu 2+ saranno ridotti a Cu alrelettrodo di rame. Il potenziale
elettrochimico complessivo della cella si ottiene sommando il potenziale di
ossidazione della semicella di zinco al potenziale di riduzione della semicella di
rame. Si noti che il potenziale di ossidazione deve essere cambiato di segno
quando la reazione è scritta come reazione di riduzione.
586 Capitolo 12
Ossidazione Zn -+ Zn 2+ + 2e- Eo = -0, 763 V
Riduzione Cu2+ + 2e- -· Cu Eo ~ -0, 337 V
Reaz. globale Zn + Cu 2+ - Zn 2+ + Cu E~ua = -1, 100 V
In un accoppiamento galvanico, l'elettrodo che si ossida è chìamato anodo.

mentre l'elettrodo su cui ha luogo il processo di riduzione è chiamato catodo.
All'anodo sono prodotti gli ioni metallici e gli elettroni e, poiché gli elettroni
rimangono nell'elettrodo di metaUo, all'anodo è assegnata polarìtà negaiiva. Al
catodo gli ioni metallici si depositano come metallo puro e sono consumati
elettroni e gli viene assegnalapolarità po~itiva.
Eserciziario
Vedi Esercizio 12.1 .
Celle galvaniche La maggior parte degli elettroliti delle celle galvaniche di corrosione reali non
con elettroliti sono 1 ·M, ma sono generalmente costituiti da soluzioni diluite di
non 1 M concentrazione inferiore, Se la concentrazione degli ioni in un elettrolita in
cui è immerso un elettrodo che si comporta da anodo è minore di 1 M. il lavoro
motore per la reazione di dissoluzione o corrosione dell'anodo è maggiore. visto
che c·è una più bassa concentrazione di ioni che provocano la reazione
contraria. Quindi la reazione anodica avrà un potenziale più negativo:
(L.:
L·effetto della.concentrazione degli ioni metallici sul potenziale standard E: a 2,5·C

è data dalla equa=ionedi Nenw 1• Per una reazione anodica in cui è prodotta solo
una specie ionica. l'equazione di Nemst può essere scritta nella forma:
E:::::E0
0,0592
+--- 1og~
eioni (12.7)
n
dove: E = potenziale della semi.cella
E0 = potenziale standard della semicella
n = numero di elettroni che reagiscono (per esempio. M - M"+ n,.: I
Cioni = concentrazione ionica molare
Per la reazione catodica ìl segno del potenziale è opposto. UtHizzando questa

formula può essere facilmente calcolato il potenziale di ogni macrocella
galvanica a concentrazìone diversa da quella l M.
1
Walter Hermann Nernst (1864-1941). Chimico e fisico tedesco che realizzò lavori
fondamentali sulle soluzioni elettrolitiche e sulla termodinamica.
Corrosione e protezione dei materiali 587
1.
Fe2+ H.
Elettrolita acquoso
FIGURA 12.5 Reazioni
dì elettrodo
in unacella Semìreazione Semireazione
galvanica Fe-Cuin cui anodìca catodica
Fe0.- Fe~- + 2r- 2H- + 2e- - H1 i
inizialmentenell'elettrolita
nonsonopresenti ioni
metallìci.
[DaJ. Wulftet al.. Ambiente neutro o basico
"TheStructure and O: + 2H20 + 4e- -- 40W
Propertieso!Materìals·: voi.
Il; Wiley,1964.p.164).
Eserciziario
Vedi Esercizio12.2.
Celle galvaniche Consideriamo ora una cella galvanica in cui elettrodi di ferro e di rame sono
con elettro.liti senza immersi in una soluzione elettrolitica acida priva di ossigeno dove inizialmente non
ioni metallici sono presenti ioni metallici. Gli elettrodi di ferro e di rame sono collegati esterna-
mente da un connenore elettrico, come mostrato in Figura 12.5. 11potenziale elet-
trodicostandard per rossidazione del ferro è -0, 440 V e quello del rame è +O~337
V. Perciò in questa coppia il ferro si comporta da anodo e si corrode poiché ha un
potenziale di ossidazione più negativo. La reazione anodifa del ferro è:
Fe - Fe2+ + 2e- (reazione anodica) (12.8a)
Poiché nell'elettrolita non ci sono ioni rame che possono essere ridotti ad
atomi di rame dalla reazione catodica, gli ioni idrogeno H-1, presenti nella
soluzione acida saranno ridotti ad atomi di idrogeno. che successivamente si
588 Capitolo 12
TABELLA12.2 Alcunecomuni reazionicatodiche che awengono nellecellegalvanicheacquose

I .
Reazione catodica Esempio
i . Deposizionedi metallo: Coppia galvanicaFe - Cu in soluzioneacquosa

M1' 4
+ne- M con ioni Cu2+; Gu2 + + 2e- ......Cu
2. Sviluppodi idrogeno: Coppia galvanicaFe - Cu in soluzioneacida
2H'" + 2e- '-' H2 senza ioni rame
3. Riduzionedi ossigeno Coppia galvanicaFe Cu in soluzioneacida
(in soluzioneacide): ossidante senzaioni rame
02 + 4H 4 + 4e- - 2H20
4. Riduzionedì ossigeno Coppia galvanicaFe - Cu in soluzioneneutra o
(in soluzionineutre o alcalinasenzaioni rame
bask:he):
02 H20 + 4e- ........40W
combineranno per formare idrogeno gassoso biatomico (H2). La reazion~

complessiva al catodo sarà quindi:
(12.8b)
Se invece l'elettrolita contiene atomi di ossigeno, la reazione catodica diventa:
Se l'elettrolita è neutro o basico ed è presente ossigeno. le molecole dì ossig~n · ,

quelle di acqua reagiranno per formare ioni ossidrili. e la teazione c~HOL~j" .,
diventerà:
12.Sclì
La Tahèlla 12.2 riporta le principali reazioni che si riscontrano comunemente

nelle celle galvaniche acquose.
Poiché un processo corrosivo può avvenire solo se il potemiale del processo
anodico di dissoluzione di un metallo è inferi ore al potenziale del processo
catodico di sviluppo di idrogeno o riduzione di ossigeno, è molto importante
conoscere i valori di tali potenziali, che dipendono dal pH della soluziorn..'. lì
valore del potenziale del processo catodico di sviluppo di idrogeno è calcolabik.
in funzione del pH, come E(V) =-0--0.059 pH, (pari a OVa pH = O.-0,4141.
a pH = 7.-0.828V a pH = 14), mentre il valore del potenziale del processo
catodico di riduzione di ossigeno è calcolabile come: E( V) = 1. 229 - O.059 pH.
(pari a +1,229V a pH = O.--1-Q.815VapH = 7, +0,401 V a pH = 14).
E importante notare che il processo catodico di riduzione di ossigeno ha un
potenziale più alto nella scala termodinatnica dei potenziali rispetto a quello di
sviluppo di idrogeno; pertanto tutte le volte che in una soluzione è presente
Ferro
Soluzione di HCJ
H+Cl-
Soluzione dì HCl Fe<OH):i

H+CJ-
l
Fe !OH)~
(precipitato)
(li) (b)
FIGURA 12.6 Reazioni per(a)zincoimmerso

elettrochimiche inacidocloridrico
diluitoe(b)terraimmerso
in unasoluzione
acquosa
a pH
neutro ossigeno.
contenente
ossigeno, il processo catodico che avviene, ove ne esistano le condizioni

termodinamiche. è appunto quello dì riduzione di ossigeno. Nel caso in cui nelk~
soluzione non sia presente ossigeno il processo catodico. ove si verifichino le
condizioni tennodinamiche, in questo caso più restrittive. è quello di sviluppo di
idrogeno.
Corrosione nelle Consideriamo ora il caso di un metallo immerso in una soluzione omogenea che
microcelle non contiene, almeno inizialmente, suoi ioni. Questo è in realtà il caso di
galvaniche di maggior interesse pratico, alla base della maggior parte dei fenomeni di
elettrodi singoli corrosione. Esaminiamo in primo luogo il caso di un singolo elettrodo di zinco
posto in una soluzione diluita di acido cloridrico priva di ossigeno; in tali
condizioni lo zinco subisce un attacco corrosivo di tipo elettrochimico dato che.
a causa di eterogeneità nella struttura e nella composizione. sulla sua superficie
si formano anodi e catodi localizzati (Figura 12.6a). La reazione dì ossidazione
che avviene agli anodi locali è:
Zn - Zn 2+ + 2e- (reazione anodica) (12.9a)
e la reazione di riduzione che avviene ai catodi locali, non essendo presente

ossigeno nell'acido cloridrico, è:
2H+ + 2e- - H2 (reazione catodica) (] 2.9b)

590 Capitolo 12
Entrambe le reazioni avvengono contemporaneamente e aHa stessa velocità

sulla superficie del metallo. 1-
An.chese sul materiale no.n fossero presenti disomogeneiJà, il processo di cor-
rosione sì verificherebbeugualmente, con le zone anodiche e catodiche in con-
tinuo scambio tra di loro, così da determinare corrosione generalizzata uniforme.
Un altro esempio di corrosione con un singolo elettrodo è la corrosionedel
ferro, con formazione di ruggine. Se un pezzo di ferro è immerso in acqua
contenente ossigeno, sulla sua superficie si forma idrossido ferrico [Fe(OH)3],
come indicato in Figura 12.6b. La reazione di ossidazione agli anodi locali è:
Fe - Fe 2+ + 2e- (reazione anodica) (12.JOa)
Dato che il ferro è immerso in acqua contenente ~ssigeno a pH neutro. la

reazione di riduzione ai catodi locali è:
0 2 + 2H 20 + 4e- - 40H- (reazione catodica) (12.lOh;
FIGURA 12.7 Cella

galvanicad.iconcentrazione
ionicacostituitadadue . Bassa Alta
di ferro.Quando
elettrodi concentrazione concentrazione
di Fé2-+ di Fe2""
è a differente
re.lettrolita
concentrazione perogni
elettrodo,
soluzione
l'elettrodo
nella
piùdiluitadiventa
Anodo
I
Setto poroso
Catodo
l'anodo.[DaJ. Wulffetal., (Reazione anodica

Fe° Fe~+ + 2e-
''TheStructure and elimìnata)
Properties ofMaterials':
vo/;
Il, 1964,p.163].
La reazione complessiva, che si ottiene sommando le due reazioni

dà:
+ 40W -. 2Fe(OH) 2 J. (12.I0c)

precipilato
L'idrossido ferroso, Fe(OHh, precipita perché questo composto è insolubile in

soluzioni acquose contenenti ossigeno. Esso viene ulteriormente ossidato a
idrossido ferrico, Fe(OHh, che ha il colore rosso~bruno della ruggine. La
reazione per l'ossidazione da idrossido ferroso a ferrico è:
2Fé(OH)i + 2H20 + 1/202 ~ Fe(OHh L (12.lOd)

precipitato (ruggine)
Cosi come nei due esempi citati si possono corrodere in modo generalizzato tutti
i metalli immersi in ogni ambiente aggressivo non contenente suoi ioni, purché il
potenziale del processo anodico di dissoluzione del metallo sia inferiore a quello
del processo catodico complementare di sviluppo di idrogeno o riduzione di
ossigeno.
La possibilità termodinamica che un metallo si corroda in soluzione
acquosa può conseguentemente essere facilmente valutata.
Eserciziario
Vedi Esercizio12.3.
Celle galvaniche Celle di concentrazione ionica Consideriamo una cella di concentrazione

di c.oncentrazione ionica formata da due elettrodi di ferro, uno immerso in una soluzione
elettrolitica diluita di Fe 2+ e l'al.tro in una soluzione concentrata di Fe 2+, come
mostrato in Figura 12.7. In questa cella galvanica relettrodo nella soluzione.
diluita sarà l'anodo, dato che in accordo con l'equazione di Nernst questo
elettrodo avrà un potenziale più negativo rispetto airaltro.
Eserciziario
Vedi Esercizio12.4.
Confrontiamo il potenziali ·cti un elettrodo di :,ferro immerso in una
soluzione diluita 0.,001 M dell'elettrolita Fe 2+ con il potenziale di un altro
elettrodo di ferro immerso in soluzione diluita 0,0 I M di ·Fe2+, con i due
elettrodi collegati da un conduttore elettrico esterno, come mostrato in Figura
12.7. L'equazione di Nernst per la reazione di ossidazione Fe - Fe 2+ + 2e-,
essendo n = 2, è:
= E
0
+ O, 0296 log Cioni (12.11)
592 Capitolo 12
F
C
g
b
d
c
g
v
c
FIGURA 12.8 Celladf Alta

concentrazione
concentrazione di ossigeno. di 02
L'anodo in questacellaè
l'elettrodochehala più
bassaconcentrazione di
Anodo
I Catodo
ossigeno attorno
a sé.[DaJ. Setto poroso
(Reazione catodica
Wulffet al.,"TheStructure O,+ 2H,0 _, 4e~-" 40H-
andProperties otMateria/s': • accellerata)
voi.Il. 1964,p.165].
Per la soluzione O.00 l M : E fr~ .. = -0. 440 V.+ O.0296 log O.00 I = -0. 5~(j l
Per la soluzione O,01 M : EFe:• = -0. 440 V+ O.02396 log O.OI = -0. 499 \'
Dato che -0, 529 V è più negativo di -0, 499 V. l'elettrodo di ferro nella
soluzione più diluita sarà l'anodo della cella elettrochimica e pertanto verrà
ossidato (corroso): quindi la cella dì concentrazione ionica dà lùogo a
corrosione nella tegione in cui l'elettrolita è più diluito.
Celledi concentrazionedi ossigeno Celle di concentrazione di ossigeno si pOS-'-,'-

no sviluppare quando vi è una differenza nella concentrazione di ossigeno su!:a F
superficie bagnata di un metallo che può essere ossidato, Le cel1e di concen- g
trazione di ossigeno sono partico]a·rmente importanti nella corrosione dei metalli s
facilmente ossidabili, quali il ferro, che non formano strati di ossidi protettivi. d
p
Consideriamo una cella di concentrazione di ossigeno costituita da due
fe
elettrodi di ferro, uno in un elettrolita acquoso con bassa concentrazione dì e
ossigeno, l'altro in un elettrolita con alta concentrazione di ossigeno, come [D
mostrato in Figura 12.8. Le reazioni anodiche e catodiche in questa cella sono le 7
seguenti: to
Corrosionee protezione dei materiali 593
FIGURA 12.9
Corrosione al bordodi GranoA
____
Bordodi grano
(catodo)
/
granoo vicinoadesso.(a)Il (catodo)
bordodi granoè l'anodo GranòA
dellacellagalvanica e si
corrode.(b}Il bordodi
granoè il catodoe le regioni (a) (b)
vicineal bordodi granosi
comportano
daanodi.
Reazione anodica: (12.12a)

Reazione catodica: (12.12b)
Poiché la reazione catodica richiede la presenza di ossigeno. il processo catodico

si verifica ove si ha alta concentrazione di ossigeno, mentre il processo anodico.
che rende disponibili elettroni. si verifica nella zona con bassa concentrazione di
ossigeno.
In generale, quindi, per una cella di concentrazione di ossigeno. le regioni
povere di ossigeno sì comportano da anodo. mentre le regioni ricche di ossigeno
si comportano da catodo. Conseguentemente la corrosione viene accelerata·
nelle regioni della superficie di un metallo dove il contenuto di ossigeno è
relativamente basso. come nelle cricche, nelle fessure e sono accumuli di depositi
FIGURA 12.1O Gettodi

ghisagrigiadì classe 30.La
strutturaconsistein lamelle
di grafitein unamatricedi
perlite(laminettealternate
di
erriteleggermente attaccate
e di cementite piùscura).
Da"Metals Handbook':voi.
7,8thed.,America Society
orMetals,1972, p.83J.
594 Capitolo 12
FIGURA12.11 Residuo
di grafite
conseguente
alla
corrosionedi ungomitodi
ghisa.[Perconcessionedel
LaQue CentertorCorrosion
Technology,/ne.].
superficiali. Gli effetti delle celle di concentrazione di ossigeno saranno discussi

nel Paragrafo 12.5 che tratta Je differenti forme di corrosione.
Celle galvaniche Celle galvaniche microscopiche possono formarsi nei metalli o nelle leghe a
per disuniformità causa di differenze di composizione. struttura e sollecitazione, questi fattorì
di composizione, metallurgici possono infatti seriamente influenzare la resistenza alla co.rrosione
struttura di un metallo o di una lega; essi danno origine a regioni anodiche e catodiche è:
e sollecitazione dìff erenti dimensioni che possono dar luogo a corrosione per formazione di ..:,., .
galvaniche. Alcuni importanti fattori metallurgici che influenzano la resistt:.'!fr,,
alla corrosione. sono:
I. Celle galvaniche al bordo dei grani.

2. Celle galvaniche in presenza di fasi multiple.
3. CeHe galvaniche in presenza di impurezze.
Celle gah·aniche al bordo dei grani Nella maggior parte "dei metalli e delle
leghe i bordi dei grani sono chimicamente più attivi (anodi) rispetto al cuore d~i
grani, quindi i bordi dei grani vengono corrosi, come mostrato in Figura 12.·h•.
La ragione del comportamento anodico dei bordi di grano è da ricercare ndb
loro alta energia. dovuta alla distorsione del reticolo atomico e nella migrazione
delle segregazioni di soluto e di impurezze verso i bordi dì grano stessi. Per
alcune leghe la situazione è ribaltata e le segregazioni portano i bordi di grano a
essere più nobili. o catodici, rispetto alle regioni adiacenti ai bordi di grano
stessi; questa situazione porta a corrosione preferenziale delle regioni adiacenti
ai bordi di grano, come mostrato in Figura 12.9b.
Celle galvanichein presenzadi fasi multiple Nella maggior parte dei casi una
r\ J\1anensì1e
/ \ rinvenuta
/ \
o
~
4
'
I \\
FIGURA 12.12 Effetto ~3 Il! '\
deltrattamento
termicosulla ~
diunacciaio
corrosione
0,95%C in unasoluzione
1% H2S04. I campioni
con et'.
2
Manensite /
1~~_,,,A.
/
~·-
-~
lucidali
misurano ol ; I
2,5 x 2,5 x O,6 cm.il I >
200 400 600 800 IOOO
tempodì tempra è Temperatura,"'C
probabilmente
di 2 ore.
[HeynandBauer].
lega costituita da una singola fase ha una resistenza alla corrosione più alta di
una lega a fasi multiple, per il fatto che in una lega con più fasi si possono creare
ceUe elettrochimiche in cui una fase funziona da anodo e un'altra da catodo:
quindi la velocità dì corrosione è maggiore per una lega a fasi multiple. Un
classico esempio di corrosione in presenza di più fasi si verifica nena ahisa
perlitìca. La microstruttura della ghisa grigia perlitica consiste .dt
lamelle ài
grafite in una matrice di perlite (Figura 12.10), poiché la grafite è molto più
catodica (più nobile) della matrice di perlite circostante. si creano delle celle
galvaniche molto attive tra le lamelle di grafite e la matrice anodica perlìtica. ln
casi estremi di corrosione galvanica della ghisa' grigia perlitica, la matrice sì può
corrodere a tal punto che della ghisa non rimane che una rete di lamelle di
grafite interconnesse (Figura 12.1i).
Un altro esempio dell'effetto della presenza di una seconda fase sulla
riduzione della.resistenza alla corrosione di una lega è reffetto del rinvenimento
sulla resistenza alla corrosione di un acciaio ad alto tenoredi carbonio. Quando
questo acciaio è portato mediante tempra dalle condizio.ni austenitiche a quelle
martensitiche, la sua velocità di corrosione risulta relativamente bassa (Fhrnra
12.12) perché la martensite è una soluzione solida monofasica sovrassatu~ di
carbonio in posizione interstiziale in una struttura cristallina di ferro tetragonale
a corpo centrato. Dopo rinvenimento nell'intervallo tra 200 e 500°C, si forma un
fine precipitato di carburo E e di cementite (Fe 3 C}; questa struttura bifasica dà
origine a celie galvaniche che aumentano la velocità di corrosione dell'acciaio,
596 Capitolo 12
come mostrato in Figura 12.12. Per temperature di rinvenimento più elevate,

sopra 500°C, la cementite coalesce in ,particelle più g,andi e la velocità di
corrosione diminuisce.
Celle galvaniche in presenza di impurezze Le impurezze metalliche ìn un

metallo o ìn una lega possono portare a precipitazione di fasi intem1etalliche che
hanno potenziali di ossidazione diversi da quelli della matrice metallica. si
creano così piccolissime regioni anodiche o catodiche che possono condurre a
corrosione galvanica quando sono accoppiate alla matrice metallica.
Conseguentemente i metalli di maggiore purezza sono in genere maggiormente
resis~enti alla corrosione; ciononostante la maggior parte dei metalli e delle
leghe,.contengono ugualmente un certo -tenore di elementi di impurezze, perché
la loro rimozione sarebbe troppo costosa.
12.4 VELOCITÀ DI CORROSIONE (CINETICA)
Fino ad ora ci si è concentrati sulle condizioni di equilibrio e sulla tendenza dei

metalli a corrodersi, in relazione ai potenziali elettrodici standard dei metalli.
Tuttavia i potenziali termodinamici non forniscono informazioni sulle velocità
delle reazioni di corrosione. determinata invece da fattori cinetici. La cinetica
delle reazioni di corrosione sono molto complesse e non ancora completamente
chiarite; in questo paragrafo esamineremo alcuni degli aspetti principali dell,i
cinetica dei fenomenì corrosivi.
Velocità La quantità di metallo uniformemente corrosà ad un anodo o elettrodeposìtaw

di corrosione ad un catodo in una soluzione acquosa in un determinato periodo di tempo può
o deposizione in essere calcolata usando l'equazione di Faraday 1• nota della chimica generale.
soluzione acquosa che afferma:
ltM
w (12.13)
nF
dove: li' = peso dì metallo corroso o depositato in soluzione (g)
I intensità di corrente (A)
t tempo (s)
M massa atomica del metallo (g/mole)
F
n :::::numero di elettroni/at~mi prodotti o consumati nel processo D
F = costante di Faraday = 96500 C/mole o 96500 A·s/mole. d
c
Z
1 Michael Faraday (l 791-1867). Scienziato inglese che realizzò i primi esperimenti dì
elettricità e magnetismo, mostrando come gli ioni di un composto migrino sotto J'effett<' 2
di una corrente elettrica applicata verso elettrodi di polarità opposta.
Qualche volta la corrosione unifonne di un metallo in soluzione acquosa è

espressa in termini di densità di corrente i, spesso espressa in A/cm 2 .
Sostituendo l con iA, fa Equazione (12.13) si trasforma nella seguente:
iA
w= (12.14)
n
dove i= densità dì corrente (A/cm 2) e A = area (cm 2), se si usa il centimetro
come unità di lunghezza. Le altre grandezze sono le stesse dell'Equazione (12.13).
Eserciziario
La corrosione. uniforme su11a superficie di un metano esposto ad un
ambiente corrosivo può essere misurata in diversi modi. Un metodo diffuso è la
misura deUa perdita dì peso di un campione esposto ad un particolare ambiente
per un certo periodo di tempo e il calcolo della velocità di corrosione come
perdita in peso per unità di superficie esposta per unità di tempo, ad esempio, la
corrosione unìforme è spesso espressa in milligrammi al decimetro quadrato al
giorno (mg/dm 2 • giorno). Un altro metodo comunemente usato è la misura della
Vèlocità di corrosione in termini di diminuzione di spessore del materiale
nell'unità di tempo, ad esempio in milfimetri per anno {mm/anno). Per la
corrosione unifonne in ambienti acquosi, la velocità di corrosione può anche
essere espressa come densità di corrente, in .ampere (o milliampere) per
centimetro quadro (A/cm2 o mA/cm-'.!).È possibile passare dall'una alle altre
grandezze attraverso semplici calcoli, utilìzzàndo la (11. l 3) o la (12.14).
Eserciziario
Vedi Esercizi 12.7, 12.8.
.. ~
Zinc·o.· Soluzionedi HCI
Zn2+
{ H'CI-
FIGURA 12.13
Dissoluzioneelettrochimica
~
dellozincoin acido
clorìdrico.
Zn- Zn2.+ 2e-
{reazioneanodica)
2H++ 2e-(H2
(reazionecatodica)
598 Capitolo12
+0.2
-O.O
-0.2
FIGURA 12.14
Comportamento cinetico
dell'elettrodo
di zincopuro
in soluzioneacida
(schematico).[DaM. G.
Fontana e N.D.Greene,
"Corrosion Engineering':
Densitàdi corrente,A/cm2
2nded.,McGraw-Hi/1, 1978,
p.314].
Reazioni di Consideriamo ora la cinetica della reazione di corrosione dello zinco che si
corrosione e discioglie in acido cloridrìco, come mostrato in Figura 12.13. La reazione
polarizzazione anodica per questo sistema elettrochimico è:
Zn - Zn 2+ + 2e- (reazione anodìca) ,. (12.15a)
La cinetica di elettrodo per questa reazione può essere rappresentata in t.l:ì

diagramma che riporta il potenziale elettrochimico E (volt) in funzione J~<
logaritmo della densità di corrente, com~ mostrato in Figura 12.14. L'elettrodo
di zinco in eq~ilibrj~ con i suoi stessi ioni può essere rappresentato da un punto
che corrisponde al suo potenziale di equilibrio E0 = -0, 763 V e da una
corrispondente densità di corrente di scambio i0 =
10- 1 A/cm 2 {punto A in
Figura 12.14). La densità di corrente di scambio i0 è la velocità delle reazioni di
ossidazione e riduzione su un eiettrodo in condizioni dì ~quilibrio, espressa in
termini di densità di corrente, determinabile sperimentalmente. Ogni elettrodo
in uno specifico elettrolita avrà il proprio valore di i0 •
Corrosione e protezione dei materialì 599
Il processo catodico per la reazione di corrosione dello zinco nell'acido

cloridrico è:
2H+ + 2e- -. H2 (reazione catodica) (12.15b)
Anche la reazione di sviluppo di idrogeno jn condizioni di equilibrio sulla

superficie dello zinco può essere rappresentata dal potenziale reversibile
dell'elettrodo a idrogeno E"= 0,00 V e dalla densità di corrente di scambio
per questa reazione sulla superficie dello zinco, pari a 10- 10 A/cm 2 (punto B in
Figura 12.14).
Quando lo zi_ncoinizia a reagire con l'acido cloridrico (quando cioè inizia la
corrosione), .essendoJo z1nco un buon conduttore elettrico, la sua superficie
deve essere ad un potenziale costante. Questo potenziale è Ecorr (Figura 12.14,
punto C). Quindi quando lo zinco comincia a corrodersi. i1potenziale delle zone
catodiche deve diventare più negativo per raggiungere circa -0, 5 V(Ecorr) e
quello delle zone anodiche più positivo per raggiungere sempre --0, 5 V(Ecorr).
Al punto Cdi Figura 12.14 la velocità di dissoluzione dello zinco è uguale al1a
velocità di sviluppo di idrogeno. La densità di correntè che corrispond; a questa
velocità di reazione è chiamata icorr. ed è uguale alla velocità di dissoluzione o di
corrosione dello zinco in acido cloridrico.
Quindi, quando un metallo si corrode per presenza dì celle galvaniche
microscopiche in corto circuito (cioè in condizioni di corrosione generalizzata).
sulla sua superficìe avvengono reazioni di ossidazione e riduzione. I potenziali
FIGURA 12.15 Reazione dì rìduzìone H

dell'idrogenoatcatodo di zincoin controllo di
polarizzazionedi attivazione.
Glistadiperla
formazionedell'idrogenogassoso al catodo sono:
(1)migrazione degliioniidrogeno allasuperficie
deHo zinco.(2)flussodi elettroni versogli ioni
idrogeno,(3)formazione di idrogeno atomico,
(4)formazione di molecole biatomiche di idrogeno
e Zinco
(5)formazione di bolledi idrogeno gassoso chesi
staccanodallasuperficiedellozinco.!I piùlentodi
questistadilimiteràlavelocità delprocesso. lDaM.
G.Fontana e N. D. Greene, "Corrosìon Engineering·:
2nded.,McGraw-Hill, 1978, p.15].
600 Capitolo 12
ìo2 + 4H+f2Hl0
I
I
EH::IH"" 't
+J.2 <- - -
t
B
+0.8
FIGURA 12.16
Polarizzazione di + -0.4
concentrazione durantela ~
:;:
reazionedi riduzione
~
catodicadi ossigeno. La l.:J
velocitàdi corrosione haun o
massimo corrispondente al -'liii - - - - - Ecorr - - - - ! -
consumo totaledi tuttele i0zn2+/Zn '°'e ~
molecole dl ossigeno che -0.4 I 1,~"'..",,
I .,-'I
giungono perdiffusione
A 'lt..t 1''; ./ zn2+ + 2c•""'Zn
dall'elettrolita
finoalta
-0.8
+ - - ... - . Ezn12n2+- - - - -V '
L..-...;...-_~-L-------"-L-------...;._'-i'-
superficfedelmetallo; L.-----_.JL..,;. ___
l0-1~ 10-io 10-s JQ-6 10-1 l 0-1
pertanto il trattoverticale
dellacaratterìstit:a
catodica
Densità di corrente.A/cml
corrisponde allacosiddetta
correntelimitedi ossigeno.
delle aree anodiche e catodiche locali non sono più all'equilibrio, mi.! ,1
modificano per raggiungere un valore intermedio costante Ecorr· La variazione
dei potenziali elettrodici rispetto ai loro valori di equilibrio verso un potenziale
costante ad un valore intermedio. in presenza di un flusso di corrente è chiamato
pp_lq_r;;;azione.
La polarizzazione nelle reazioni elettrochimiche può essere di due tipi:
polar'iz;azionedi attiva:ione e polari::::azione
di concentra=ione,:.
Polarizzazione di attil'azìone La polarizzazione dì attivazione si riferisce u

reazioni elettrochimiche. controllate da uno stadio lento di una reazione eh:.
avviene all'interfaccia m.etallo-elettrolita. Questo significa che esiste un'energìi.
critica di attivazione necessaria per superare Ii;1barriera energetica associata aìlo
stadio più lento della reazione. ·Questotipo di energia di attivazione può essere
spiegato considerando la riduzione catodica dell'idrogeno sulla superficie di un
metallo 2H+ + 2e- - H,. La Ffaura 12.15 mostra schematicamente alcuni dei
possibili stadi intermedì del
proc;sso di riduzione dell'idrogeno sulla superficie
dello zìnco. In questo processo gli ioni idrogeno devono migrare verso 1a
superficie dello zinco, dove gli elettroni devono combinarsi con gli ioni idrogeno
per formare atomi dì idrogeno; .gli atomi di idrogeno devono combinarsi per
fonnare molecole biatomiche di idrogeno, che a loro volta devono combinarsi

per formare bolle di idrogeno: il più lento di questi stadi controllerà la reazìone
catodica. Allo stesso modo per quanto riguarda il processo anodico, esiste
inoltre una barriera di polarizzazione di attivazione anche per la reazione
anodica, rappresentata dall'ostacolo per gli atomi di zinco a lasciare la
superficie metallica per formare ioni zinco e passare nelJ'elettrolita.
Polarizzazione di concentrazione La polarizzazione di concentrazione è

associata a reazioni elettrochimiche controllate dalla diffusione degli ioni
nell'elettrolita. Questi tipo di polarizzazione può essere spiegato considerando la
diffusione delle molecole di ossigeno verso una superficie metallica per poi dare
luogo al processo catodico di riduzione di ossigeno 02 + 2H 20 + 4e- - 40H-
La concentrazione di molecole di ossigeno nelle varie soluzioni è comunque
limitata (circa 7 mg/I ad esempio in soluzioni acquose a pH neutro come acqua
potabile e di mare), La velocità con cui le molecole di ossigeno giungono sulla
superficie del metallo man mano che esso si consuma durante il processo catodico
è pertanto controllata dalla diffusione di questi ioni verso la superficie del metallo
stesso. L'effetto di un fenomeno di questo tipo sulla caratteristica catodica di un
processo di corrosione è schematicamente mostrato in Figura J2.16.
Nella polarizzazione per concentrazione, ogni cambiamento nel sistema che
aumenta la velocità di diffusione delle molecole di ossigeno nell'elettrolita
diminuisce gli effetti di polarizzazione e aumenta Ja velocità di reazione
spostando verso destra il tratto verticale della caratteristica catodica mostrata i~
Figura 12.16.
Ad esempio l'agitazione delrelettrolita aumenta la velocità di reazione e
così un limitato aumento della temperatura che determina un aume~to della
velocità di diffusione degli ioni e quindi la velocità di reazione. Sopra una certa
temperatura si ha però anche una diminuzione della solubilità dell'ossigeno e
pertanto della concentrazione dell'ossigeno stesso, che determina un effetto di
diminuzione della corrosione. In particolare nel caso di soluzioni acquose a pH
neutro si ha un massimo di velocità di corrosione a temperatura di circa 60°C.
La polarizzazione complessiva all'elettrodo in un elettrolita è uguale alla
somma degli effetti della polarizzazione di attivazione e della polarizzazione di
concentrazione. La polarizzazione di attivazione è di solito il fattore
controllante nelle reazioni a bassa velocità, mentre la polarizzazione di
concentrazione lo diventa a più alte velocità di reazione. Quando la
polarizzazione è localizzata principalmente all'anodo, si dice che la velocità di
corrosione è in comrollo anodico, mentre quando Ja polarizzazione avviene
principalmente ai catodo, la corrosione si dice in controllo catodico.Ad esempio
nel caso che i1 processo di corrosione sia controJlato daUa diffusione
dell'ossigeno, si dice che la corrosione avviene in condizioni di controllo
catodic~ di corrente limite di ossigeno, caso questo molto comune in presenza di
acque naturali.
602 Capitolo12
•
+
- - - - - - -.-E.,- - - - - ~ - - - -1--
Transpassìvo
1 Passivo
1 l
...,......Epp- - - - -
f t
Attivo
FIGURA12.17 Curva
polarizzazione
di
di unmetallo
1
CI !
[DaM. G.Fontana
passivo. ]O 100 1000 10.000
e N. O.Greene.
"Corrosion Densitàdi corrente,~ci&la
logi:irìtmica
Engineering':
2nded.,
McGraw·Hill,
1978,p.321}.
Passivazione La passivazionedi un metano. in relazione alla corrosione. si riferisce alla

formazione di un uno strato superficiale protettivo di prodotti di reazione che
inibisce rulteriorc svolgimento della reazione. In altre parole la passivazione dei
metalli è connessa alla diminuzione della loro reattività chimica in presenza di
particolari condizioni ambientali che favoriscono la fon11azione di un ih:"
superficiale di prodotti di corrosione di tipo protettivo (film di passività). Moìti
importanti materiali metallic:i si passivano e. quindi diventano molto resistenti
alla corrosione in ambienti da moderatamente a fortemente ossidanti. Esempi di
metalli e leghe che mostrano comportamento passivo sono gli acciai inossidabili.
il nichel e molte. leghe di nichel, il titanio e l'alluminio e molte delle loro leghe.
La passivazione dei metalli, in termini di velocità di corrosione, può essere
illustrata da una curva di polarizzazione che mostra randam~\ltO del potenziale
di un metallo in funzione della densità di corrente, come mostrato in Figura
12.17. Consideriamo la passivazione di un metallo M all'aumentare dell,:
densità di corrente. Nel punto A di Figura 12.17 il metallo è ai suo potenziale
equilibrio EM/M"" e alla sua densità di corrente di scambio è io M/M"· Non
appena il potenziale di elettrodo diviene più positivo, il metallo si comporta
come un metallo attivo e la sua densità di corrente, e quindi la sua velocità di
dissoluzione, aumentano esponenzialmente (linearmente in scala logaritmica).
Quando i.Ipotenziale raggiunge il potenziale di passivazione primaria Epp·
la densità di_corrente (e quindi la velocità di corrosione), raggiunto un massimo
le, diminuisce rapidamente a un valore molto più basso (anche di 4 ordini dì
grandezza). che viene chìamato corrente di passività (ip), Ciò a seguito del fatto
che al potenziale Epp sulla superficie de1 rneta1lo inizia a formarsi un film
TABELLA 12.3 Serie galvanicain acqua di mare
Potenzialidi corrosionein ~equa di mare fluente(da 2,5 a 40 m/s)

nell'inter,•allo
di temperatura10-27°C
Volt: elettrodo di riferimento semicellaal calomelano saturo
+0.2 O -0.2 -0.4 -0.6 -0.8 -I.O -1.2 -l.4 -1.6
Magnesio
Zinco
erillio
I
.....,_
_ __, Leghe di aHumi~io
DS3dmio
Acciaio do ce, ghisa
I
Acciaip basso 1;egato
c::J Ghisa austenitica al nichel
I
Bronzeiall'allu:Oinio I
Ottone 'navale. buone giallo. Ottone rosso
g}t~:I I I
CJ tega da ;aldatura 1 Pb-Sn ~50!50)
D Bionzo al banuanése ·
O Brohzo al silicio - I I I
CJ 6ttone ammìragliato. Ottone all'a ltlminio
D Brhnzo ail4st~g~otG&'.'1) .
CJ I- Acc1a10mossidab!le -Tipi 410. 4 6
CJArg7nto al n~chel
Cl 90s I O Rame-nichel
I I I
t-
D 80-2Ò Rame-~ichel
Acciaio inossidabile Tipo 430
;~~~ ,:ame-nlchel 1 I
Bronzo.al nichcil-allumiio ·
1
O Legh~.da b~~~:tt
..
I~:r:;~::~:::t:oo.l
I
O l
Nichel 200
OArgento l..- -f>cciaioi1nossidabile - Tipi 302. 3 4. 321. 47
c::J Nichel-rame leghe 400. K-500 I I
. J . ~.Accì~io inossidabile _Tipi 31~. 317
A_cc1ai0 moss1qab1leLefa "20 .. in getto e semilavorato
1
Nichel-ferro-cromo lee. 8'5
1
'ì-Cr-Mo-Cu-Si lega B~ -
Titanio I
Nì-Cr~Mo lega C
Le leghe son~ el~ncate nelto~dine dei potenziali che assumono in acqua di mare fluente.
Alcune leghe md1cat~ con il su~bolo - a bassa velocità o acqua poco aerata e in aree
schermate possono diventare amve e assumere un potenziale di circa -0. 5 volt
Fonte: Courtasy of 1he LaOve Center for Corroslon Technology. lnc.
604 Capitolo 12
protettivo, che rende molto più difficile il passaggio di ioni metallici nella
soluzione aggressiva. Al di sopra del potenziale di passi"tà (Ep) la densità di
corrente (ip) rimane più o meno costante per un ampio int~rvallo di potenziale
(campo di passività). Superato però un certo valore di potenziale, detto di
transpassività (Er, ), il film protettivo si distrugge ed il materiale diventa di
nuovo attivo (o meglio transpassivo) con conseguente nuovo forte aumento
della densità di corrente.
Le serie Poiché molti importanti materiali metallici formano film passivi, nelle celle
galvaniche galvaniche essi non hanno il comportamento previsto in base ai potenziali
elettrodici standard. Dunque, per lo studio del comportamento anodico o
catodico nelle applicazioni pratiche in ctii la corrosione è un fattore importante.
sonO stati sviluppati nuovi tipi di serie, chiamate seriegp.lvaniche.Quindi per ogni
ambiente corrosivo dovrebbe essere determinata sperimentalmente una serie
galvanica. Una serie galvanica per i metalli e le leghe esposte all'acqua di mare è
riportata in Tabella 12.3. Come sì vede. nella tabella, gli acciai inossidabili
assumono potenziali molto diversi se sono in condizioni attive oppure in
condizioni passive; si può inoltre, ad esempio, notare che lo zinco risulta essere
più attivo delle leghe di allum:inio, al contrario di quanto si potrebbe pensare in
base alla serie dei potenziali elettrodici standard di Tabella 12.1.
12.5 FORME DI CORROSIONE
Le forme di corrosione possono essere classificate a seconda delraspetto che

assume il metallo corroso. Possono essere distinte molte forme di corrosione. le
principali delle quali sono:
Corrosione generalizzata Corrosione sotto sforzo

"Corrosione per contatto galvanico Corrosione erosione
Corrosione per vaiolatura Corrosione per cavitazione
Corrosione in fessura Corrosione per sfregamento
Corrosione intergranularc Corrosione selettiva
Corrosione L'attacco per corrosione genera~izzata' è. caratterizzato da una reazione

generalizzata elettrochimica o chimica che procede in modo uniforme o anche parzialmente
dìsuniforme sull'intera superficie metallica esposta all'ambiente corrosivo. In
termini di quantità di materiale, la corrosione generalizzata rappresenta la causa
principale di corrosione dei metallì e in particolare degli acciai, tuttavia essa è
·facilmente controllabile e può essere prevenuta mediante ( l) rivestimenti
protettivi, (2) inibitori e (3) protezione catodica. Questi metodi saranno discussi
nel Paragrafo 12.7 relativo al controllo de1la corrosione.
Corrosione e protezione'dei materiali 605
FIGURA 12.18
Comportamento anodico-
catodico dell'acciaio con
stratiesterni di zincoe Catodo
stagno esposti all'atmoslera.
(a)Lozincoè anodico Zinco
rispettoall'acciaioe sì
corrode {Estandard delloZn
=-0,763V e delFe= -0,440
V).(b)l'acciaioè anodico
rispettoallostagnoe si Anodo
corrode{lostrato dìstagno è (a) (b)
statoforatoprimachela
corrosione iniziasse) {E
standard delFe= -0,440 Ve
delloSn= -0,136V).[Da M.
G.Fontana e N. D. Greene,
"Corrosion Engìneering': 2d
ed.,McGraw-Hi/1, 19781.
Corrosione La corrosione per contatto galvanico tra due metalli diversi è stata discussa nei
(o protezione) per Paragrafi 12.2 e 12.3. Bisogna porre attenzione nel mettere in contatto due
contatto galvanico metalli diversi, perché la differenza del loro potenziale elettrochimico può
portare a corrosione. L'acciaio zincato, cioè l'acciaio ricoperto con zinco, è un
esempio di un metallo (lo zinco) che viene sacrìficato per proteggerne un altro
(l'acciaio). Lo zinco, depositato con un bagno caldo o elettrochimicamente
sulr~ccìaio,_è a~odico rispetto alracciaio e quindi si corrode e protegge l'acciaio
che e catodico m questo sistema (Figura 12.18a). La Tabella 12.4 mostra tipici
valori di perdita di peso di zinco e acciaio non accoppiati e accoppiati in ambienti
acquosi. Quando lo zinco e racciaio non sono accoppiati, si corrodono entrambi
con circ? la stessa velocità. invece, . quando vengono accoppiati, lo zinco si
corrode m quanto anodo della cella galvanica e quindi protegge l'acciaio.
Un altro esempio di uso di due metalli diversi in un prodotto industriale sono
le scatolette e lattine stagnate. La cosiddetta banda stagnata è prodotta per elet-
trodeposizione di un sottile strato di stagno su un lamierino di acciaio. La natura
non tossica dei sali di stagno rende la latta un materiale adatto per la realizzazione
di cont~nitori alimentari. Lo stagno (potenziale standard pari a -0,136 V) e il ferro
(potenziale standard pari a -0,441 V) hanno un comportamento elettrochimico
~im.ile.Basse vari~ioni nena disponibilità di ossigeno e nella concentrazione degli
ioru sulla superficiecambiano la loro polarità relativa. In condizioni di esposizione
atmosferica, lo stagno è in genere catodico rispetto airacciaio, quindi se la banda
stagnata fosse esposta a nonnale atinosfera aerata, si corroderebbe l'acciaio e non
lo st~gno. (Figura 12.18b); tuttavia, in assenza di ossigeno, lo stagno diventa
~no~1~0nspe~!o all'acciaio (si corrode cioè lo stagno, non tossico, proteggendo
I acc1a10)e c10 rende Io stagno un utile materiale per Conservare alimenti e
~evande. Come può essere notato da questo esempio la presenza di ossigeno è un
importante fattore nella corrosione per contatto galvanico.
606 Capitolo 12
TABELLA 12.4 Perditadi peso {in grammi) di acciaio e zinco

accoppiati e non accoppiati I
Non accoppiato Accoppiato
Ambiente Zinco Acciaio Zinco Acciaio
0.05M MgSO4 0.00 -0.04 -0.05 +0.02

0.05 M Na2SO,i -0.17 -0.15 -0.48 +0.01
0.05M NaCI -0.15 -0.15 -0.44 +0.01
0.005 MNaCI -0.06 -0.10 -0.13 +0.02
Fonte: M. G. Fontana and N. D. Greene, :·corrosioo

Engineering",2d ed., McGraw-Hill.1978.
Un'altra importante considerazione neHa corrosione per contatto galvanico

è il rapporto tra le aree catodica e anodica. Un rapporto area catodica-anodica
sfavorevole si ha in presenza di una ampia- area catodica e di una piccola area
anodica. Per una certa intensità di corrente che circola in un accoppiamento
metallico, ad esempio tra elettrodi di rame e di ferro di diversa dimensione, la
densità di corrente è molto più grande nell'elettrodo più piccolo che in quello più
grande, pertanto l'elettrodo anodico più piccolo si co.rrode più velocemente. La
Tabella 12.5 mostra che alraumentare del rapporto area catodica-area anodica
in un accoppiamento ferro-,rame da l a 18,5. la perdita in peso del ferro alranodo
cresce da 0.23 a l ,25 g. Questo effetto di sfavorevole rapporto tra le aree vìenc
illustrato anche in Figura 12.19 per accoppiamenti acciaio-rame immersi ìr,
acqua di mare. I chiodi di rame (catodo)con una piccola superficie causano solo
un leggero aumento di corrosione delle lastre di acciaio (Figura l 2.19a). Invece
TABELLA12.5 Effettodel rapporto tra le aree nella

corrosionegalvanicadì ferro
accoppiato a rame in soluzioneal 3% di
cloruro.di sodio
Aree relative
Perdita di peso
Catodo Anodo dell'anodo"', g
1.01 0.23
2.97 0.57
5.16 0.79
8.35 0.94
11.6 1.09
18.5 1.25
• Prove eseguìte a 30"C in soluzione aerata ed

agitataper 20 h. L'area dell'anodo era di 14 cm2 •
Corrosione e protezìone ..dei materiali 607
lastre di rame (catodo) originano una forte corrosione sui chiodi 'cù acciaio
(anodi)~ come mostrato in Figura 12.19b. Quindi un alto rapporto tra l'area
catodica e quella anodica deve essere evitato.
Corrosione La corrosioneper vaiolatura(pittìng corrosion) è una forma di attacco corrosivo

per vaiolatura localizzato tipica dei materiali a comportamento attivo-passivo, che determina
la formazione di vaiola ture (pit) quando il metallo è esposto ad am bìenti
contenenti ioni alogenidrici (in particolari cloruri e tipicamente acqua di mare) e
per valori di potenziale di lavoro del materiale inferiore al valore del potenziale
di transpassività Etr, ma superiore ad un valore di potenziale detto di rottura,
Er interno al campo di passività del materiale. Questa forma di corrosione è
particolarmente pericolos~ e può portare a gravi danni soprattutto quando
provoca la perforazione del componente metallico (serbatoio, tubo); altre volte
in varie strutture metalliche una limitata corrosione per vaiolatura è accettabile.
se non determina perforazione. La corrosione per vaiolatura è spesso difficile da
scoprire, perché le vaiolature sono molto piccole e possono essere coperte da
prodotti di corrosione, inoltre, il numero e la profondità delle vaiolature può
variare considerevolmente e può essere difficile val4-tare con esattezza l'entità
del danno. Di conseguenza la corrosione per vaiolatura, a causa della sua natura
localizzata, può èssere spesso causa di rotture improvvise e impreviste.
La Figura 12.20 mostra un esempio di corrosione per vaiolatura in un
acciaio inossidabile esposto ad un ambiente aggressivo; nell'esempio la
(a) (b)
FIGURA 12~19 Effettodelrapporto

traleareecatodicae anodicanell'accoppiamento
rame-acciaioinacqua di mare.
(a)Uncatodopiccolo
di rame)
(Ch(o?i e unanodogrande(~astredi acciaio)
causano solounmoderatodanneggiamentodell'acciaio.
(b)Unpiccoloanodo{chiodidi
acc1am)
e ungrande (lastre
catodo d1rame} sonocausa dì unavastacorrosione
deichiodidi acciaio.
!PerconcessionedelLaQue
Centerfar
CarrasionTectmology,
/ne.].
608 Capitolo 12
FIGURA 12.20
Corrosione
pervaiolatura
di
unacciaio
inossidabile
inun
ambiente
aggressivo.
[Per
concessione
delLaQue
Center
tor Corrosion
Technology,
/ne.].
corrosione per vaiolatura è stata accelerata, mentre nella pratica essa può
richiedere mesi o anni per perforare unà parete metallica. essendo per altro
spesso la fase di innesco quella cineticamente critica.
La maggior parte delle vaiolature si sviluppano e crescono nella direzione
della gravità e sulla parte inferiore delle costruzioni meccaniche.
Le vaiolature si innescano nelle zone dove si hanno aumenti locali della
velocità di corrosione: inclusioni, altre eterogeneità strutturali e di composizione
sulla superficie del metallo sono le più comuni zone di innesco delle vaiolature:
anche differenze di concentrazione degli ioni e dell'ossigeno, che creano celle di
concentrazione, possono innescare le vaiolature. Il processo di propagazione di
una vaiolatura in un metallo ferroso in un ambiente aerato di acqua marina è
illustrato in Figura 12.21. La reazione anodica del metallo sul fondo della
vaiolatura è M M.,.+ e-; la reazione catodica, che ha luogo sulla superficie
,.
FIGURA 12.21
Diagramma schematicodella
di unavaiolatura
crescita su
acciaio
inossidabilein una
salinaaerata.
soluzione !Da
M G.Fontana e N.D.
Greene,"Corroslon
Engineering';
2nded.,
McGraw--Hill,1978J.
Corrosione e protezione-·dei materiali 609
TABELLA12.6 Resistenza relativa alla corrosione per vaiolatura di alcune leghe resitenti alla
corrosione
Acciaio inossidabiletipo 304

Acciaio inossidabiletipo 316 Aumento della
HastellayF, Nionel,o Durimet20 resistenzaai pitting
HastellayC o Chlorimet3
Titanio
Fonte: M. G. Fontanaand N. D. Greene,"Corrosion Engineering",2d ed., McGraw-Hiil,1978.
del metallo attorno alla vaiolatura, è la reazione dell'ossigeno con l'acqua e con gli
elettroni che provengono dalla reazione anodica: 02 + 2H20 + 4e- -. 4OH··;
quindi il metallo che circonda la vaiolatura è protetto catodicamente. Deve essere
sottolineato che l'area anodica (pareti interne della vaiolatura) è molto più piccola
delrarea catodica (superficie del metallo), determinando in questo modo l'elevato
potere penetrante della corrosione per vaiolatura {molto più elevata ad esempio
della velocità di corrosione generalizzata di un acciaio non legato nello stesso am-
biente). Inoltre l'aumento della concentrazione degli ioni metallici nella vaiolatura
favorisce l'ingresso per trasporto elettroforetico degli ioni alogenidrici (cloro) per
.mantenere la neutralità della carica complessiva. I cloruri metallici in seguito
reagiscono con l'acqua per fom1are idrossidi metallici e ioni acidi liberi come:
(12.16)
In questo modo, all'interno della vaiolatura il pH diminuisce significativamente

(fino anche ad un valore di 2), aumentando la velocità della reazione anodica.
Per tutti i fattori citati una volta che una vaiolatura si è innescata, essa poi si
accresce con velocità progressivamente maggiore, in quanto il processo diventa
auiocatalitico.
Per evitare la corrosione per vaiolatura nei progetti di costruzioni meccaniche.
dovrebbero essere usati materiali che non sono suscettibili a questo tipo di
corrosione. Tuttavia. se per alcuni progetti questo non è possibile, allora devono
essere utilizzatii materiali con la migfroreresistenza alla corrosione. Per esempio,
se deve essere usato acciaio inossidabile in presenza di ioni di cloro,.l'acciaio AISI
316 con l'aggiunta del 2% di molibdeno al 18% di cromo e al 8% di nichel ha una
resistenza migliore alla corrosione per vaiolatura dell'acciaio AISI 304 che
contiene solo il 18% di cromo e il 8% di nichel come elementi di lega principali.
Una guida qualitativa per l'ordinamento in base alla resistenza alla corrosione per
vaiolatura dì alcuni materiali resistenti alla corrosione è mostrata in Tabella 12.6.
In ogni modo, è raccomandabile effettuare delle prove di corrosione sulle diverse
leghe prima di effettuare la scelta finale della lega resistente alla corrosione.
610 Capitolo 12
FIGURA 12.22
Corrosionein fessura
sotto
il manicotto
di connessione
di uncavodi acciaio.
[Per
concessionedelLaQue
Centerlor Corrasion
TectmologJ;lnc.J.
Corrosione La corrosioneinfessura (crevice corrosion) è una forma di corrosione localizzata

in fessura che può avvenire nelle fessure o al di sotto di superfici schermate, dove possono
esserci soluzioni stagnanti. La corrosione in fessura avviene molto spesso sotto
le guarnizioni, i chiodi e i bulloni, tra le valvole a disco e la loro sede, sotto i
depositi porosi e in molte altre situazioni simili. La corrosione in fessura
interessa molte leghe, come gli acciai inossidabili, il titanio, l'alluminio e le leghe
del rame. La Figura 12.22 mostra un tipico esempio di attacco corrosivo in
fessura sotto il manicotto di un cavo di acciaio.
Perché avvenga la corrosione in fessura. la fessura deve essere abbastanza
ampia da lasciare entrare il liquido, ma allo stesso tempo sufficientemente strett1
da farlo ristagnare, conseguentemente fenomeni di corrosìone in fessura si veri-
ficano in presenza di interstizi della dimensione dì pochi micrometri. Le guar-
nizioni fibrose che possono assorbire la soluzione e mantenerl.a a contatto con la
superficie del metallo realizzano le condizioni ideali per la corrosione in fessura.
Fontana e Greene 1 hanno proposto un meccanismo per la corrosione in
fessura simile a quello proposto per la corrosione per vaiolatura. La Figura 12.23
illustra questo meccanismo per la corrosione in fessura di un acciaio inossidabile
in una soluzione aerata di cloruro di sodio~ il meccanismo prevede che
inizialmente le reazioni anodica. e catodica sulla superficie della fessura siano:
Reazione anodica: (12.l 7u

Reazione catodica: 40W (12.l7b)
Visto che la soluzione nella fessura è stagnante, l'ossigeno necessario per la

reazione catodica viene subito consumato e non rimpiazzato, tuttavia, la
1
"Corrosion Engineering",2nd ed., McGraw·Hill, 1978.
j
Alta concentrazionedi ioni

metallicie diminuzione
del tenoredi ossigeno
FIGURA 12.23 Fessura
Dìagramma schematlcodel Ml• H- __ _
meccanismo di corrosione
!DaM. G.
in fessura..
Fontanae N. O.Grf]ene,
"Corrosion
Engineering'.;
----- ---e-•..___
2nded.,McGraw-Hill.
1918].
reazione anodica M _, M+ + e- continua ad avvenire. creando un'alta

concentrazione di ioni positivi. Per bilancìare le carìch~ positive, gli ioni
negativi. principalmente i cloruri, migrano nella fessura, formando M+c1-;
questo cloruro subisce idrolisi nell'acqua per formare-idrossido metallico. e acido
libero, come:
(12.18)
Questo aumento di acidità determina la rottura del film di passività e provoca

un attacco corrosivo autocatalitico, come nel caso della corrosione per
vaiolatura appena discusso.
Per gli acciai inossidabili di tipo AISI 304 (I8%Cr-8%Ni), Peterson et al.i
hanno concluso, in base ai risultati delle loro prove. che l'acidificazione
all'interno della fessura è probabilmente dovuta principalmente alla idrolisi
degli ioni di cromo:
(12.19)
in quanto nella fessura hanno trovato solo tracce di Fe 3+.

Per prevenìre o minimizzare la. corrosione in fessura nelle costruzioni.
possono essere utilizzati i seguenti metodi e procedure:
I. Nelle costruzioni usare giunti ben saldati, invece di giunti rivettati o forzati,
2. Progettare in modo da avere un drenaggio completo per impedire la
formazione di soluzioni stagnanti.
3. Se possibile, usare guarnizioni non assorbenti, come il Teflon, che è
idrorepellente.
j 1
M. H. Peterson, T. J. Lennox e R. E. Groover, Mater. Prot., Gennaio 1970, p. 23.
612 Capitolo 12
~~ Zona impoverita
in cromo
I LI
I li I
Perdiladi metaijo
Ij I per corrosione
Precipitati di Ili.~1
~. Bordi di
carburo di cromo
__ ....
#,-:;,r~'\.
J~ l· grano
d.
ea.;:c:: ·Grane
~-,..........,~.__',
--- _,.A.A.,,.. ,,, '
11
,~'
'~\' .....__,,.
(a) (b)
FIGURA12.24 (a)Rappresentazione schematica

dellaprecipitazione
di carburi
di cromo
ai bordidi granoinun
acciaio di tipoAlSI304.(b)Sezione
inossidabile trasversale
di unbordodi granochemostraunattacco corrosivo
intergranutare
adiacenteal bordodi grano.
Corrosione La corrosione interg;-a1iulareè un attacco corrosivo localizzato che si verifica in

intergranulare corrispondenza e/o vicino ai bordi di grano di alcune leghe metalliche. J:·
condizioni normali. se un metallo si corrode uniformemente. il bordo di grano·~
solo poco più reattivo della matrice; invece, in ·altre condizioni. le zone ai bordi
di grano possono essere molto reattive. mentre il cuore dei grani praticamente
non si corrode, dando luogo ad un attacco di corrosione intergran:ulare che
abbassa le caratteristiche meccaniche della lega e può addirittura portare alla
disgregazione dei bordi di grano.
I?er esempio, molte leghe di alluminio ad elevata resistenza e alcune leghe
di rame che contengono dei precipitati di indurimento. in certe condizioni so~
no suscettibili di corrosione intergranulare. Tuttavia. il più importante esempiù
di corrosione intenrranulare si verifica sugli acciai inossidabili austenitki
(]8%Cr-8%Ni) con~enenti un normale tenore di carburi (0.6-0.8%} quando
vengono scaldati o raffreddati lentamente attraverso un intervallo d1
temperatura che va da 500 a 850°C.-ln questo intervallo di temperatura, detto
di sensibilizzazione, possono precipitare carburi di cromo (Cr23C6) al bordo dei
grani, come mostrato in Figura 12.24a e in questo caso gli acciai si dicono
sensibili=zati.
I carburi di cromo che si formano ai bordi di grano impoveriscono di
cromo le regioni adiacenti e il tenore di cromo in queste aree diminuisce sotto il
livello del 12% necessario per il mantenimento delle condizioni di passività.
Quindi, quando per esempio un acciaio inossidabile AISI 304 o AISI 316 in
condizione sensibilizzata è esposto a un ambiente aggressivo blandamente o
fortemente ossidante, in cui le zone al bordo dei grani sono in condizioni di
attività e si comportano anodicamente, mentre le zone al cuore dei grani sono in
condizioni di passività e si comportano catodicamente, le regioni prossime ai
bordi di grano vengono severamente attaccate. Questo meccanismo è mostrato
schematicamente in Figura 12.24b.
A seguito dello stesso meccanismo di precipitazione di carburi di cromo
appena descritto, può avvenire anche il cedimento di saldature per un acciaio
inossidabile AISI 304, AISI 316 o su leghe simili. Questo tipo di rottura è
chiamato decadimento della saldarura ed è caratterizzato da un leggero
spostamento della zona corrosa rispetto al centro della saldatura, come
mostrato in Figura 12.25; durante il ciclo di saldatura l'acciaio rimane per un
tempo troppo lungo neU'intervallo di temperatura di sensibilizzazione (da 500 a
850°C) e i carburi di cromo precipitano ai bordi di grano nelle zone
termicamente alterate da1la saldàtura. Se una saldatura in condizioni di
sensibilizzazione non viene successivamente riscaldata per disciogliere i carburi
di cromo, quando essa viene esposta ad un ambiente corrosivo promotore dì
corrosione intergranulare si verifica il fenomeno di corrosione, e la saldatura, se
soUecitata meccanicamente, può cedere.
La corrosione intergranulare degli acciai inossidabili austenitici può essere
controllata attraverso i seguenti metodi:
1. Con un trattamento termico di tempra di solubilizzazione, che consiste in un

riscaldamento ad una temperatura di rnsocc seguito da rapido raffreddando
FIGURA 12.25
Corrosione intergranularedi
unasaldatura di acciaio
inossidabile,Lezonedi
decadimento dellasaldatura
durante il raffreddamento
successivo allasaldatura
rimangono nell'intervallo
critìcodi temperatura in cui
awienela precipitazione dei
carburidi cromo. [DaH. H.
Uhtig,''Corrosion and
Corrosion Contro/'; Wiley;
1963, p.267J.
614 Capitolo 12
in acqua: durante tale trattamento i carburi di cromo vengono ridisciolti.

tornando. in soluzione solida, e non riprecipitano, ,.eliminando così la
possibìlità di corrosione intergranulare. /
2. Mediante l'aggiunta all'acciaio di un elemento di lega con maggior affinità
per il carbonio del cromo, come iHitanio (acciai,o AISI 321) o il niobio e
tantalio (acciaio AISI 347); questi acciai vengono detti stabilizzati.
3. Abbassando il contenuto di carbonio sotto lo 0,03% in peso, in modo che
non possano precipitare quantità significative di carburo di cromo, come
viene fatto nel caso degli acciai AISI 304L e AISI 316L.
Corrosione La rottura per corrosione sotto sforzo (SCC, stress corrosìon cracking) è dovuta
sotto $forzo alla formazione di cricche nel metallo, provocate dall'effetto combinato di una
sollecitazione di trazione e di uno specifico ambient, corrosivo. Durante un
attacco per SCC. la superficie del metallo viene in genere corrosa molto poco.
mentre all'interno del metallo si propagano cricche fortemente localizzate come
mostrato per esempio in Figura 12.26, G.Ji sforzi che causano SCC possono
essere applicati o residui; el.evati sforzi residui che provocano SCC possono
derivare, per esempio, da sollecitazioni di origine termica introdotte da velocità
di raffreddamento eterogenee, da una errata progettazione meccanica, da
trasformazioni di fase durante i trattamenti termici. da deformazioni a freddo e
da saldature.
Solo particolari combinazioni metallo-ambiente possono causare SCC: la
Tabella 12.7 elenca alcune combinazioni metallo-ambiente in cui tale forma dì
corrosione può avvenire. Come si può osservare. non possono essere fan,.:
generalizzazioni sugli ambienti promotori di corrosione sotto sforzo; per
esempio, gli acciai inossidabili si criccano negli· ambienti che contengono cloro.
ma non in quelli che contengono ammoniaca. al contrario gli ottoni (leghe Cu-
Zn) sono soggetti a rottura negli ambienti che contengono ammoniaca. ma non
in quelli che contengono cloro. Nuove combinazioni di metalli e ambienti in cui
si può verificare SCC vengono continuamente scoperte. Anche la temperatura e
l'ambiente sono importanti fattori nella rottura per corrosione sotto sforzo.
I possibili meccanismi coinvolti nella SCC non son·o ancora stati
completamente chiariti a causa dell'elevato numero di possibili sistemi
metallo-ambiente, che spesso implicano differenti meccanismi. In
comunque in un fenomeno di SCC si ha una fase di innesco e una dì
propagazione della cricca; spesso in.oltre le cricche si innescano ìn
corrispondenza ad una vaiolatura o ad un'altra discontinuità sulla superficie
del metallo.
Meccanismodi scorrimentodissoluzione In accordo con uno dei meccanismi

più frequenti (scorrimento-dissoluzione), lo stato di sforzo, soprattutto se non
costante nel tempo) determina rottura del film di passività o comunque di uno
strato protettivo (scorrimento); si possono poi avere tre diverse condizioni di
_
.........._
FIGURA 12.26 Cricche

da corrosione
sottosforzo
in
unatubazione.
!Per
concessione
delLaQue.
CenterlorCorrosion
Technology,
lnc.J.
aggressività ambientale: se l'ambiente non è aggressivo il materiale si _ripassiva,

se l'ambienti:: è molto aggressivo sì può avere innesco di corrosione per
vaiolatura, se infine l'ambiente è mediamente aggressivo si può avere la
passivazione delle pareti del difetto, ma non del suo apice, con conseguente
propagazione della cricca per dissoluzione anodica (dissoluzione), come
mostrato in Figura 12.27. Grande importanza assume pertanto il potenziale a
cui opera il sistema di corrosione: Priest et al. 1 hanno effettuato un classico
1
D. K. Priest, F. G. Fontana, Trans. ASM, 47:473 (1955).
TABELLA 12.7 Ambienti che possono causare corrosione sotto sforzo di metalli e leghe
Materiale Ambiente Materiale Ambiente
Leghe di alluminio SoluzioniNaCI-H20 2 Acciai normali Soluzioni NaOH

SoluzioniNaCI Soluzioni NaOH-Na2Si0 2
Acqua di mare Soluzioni.di calcio, ammonio
Aria, vapor d'acqua e nitrato dì sodio
Leghe di rame Vapori e soluzìonidi Acidì misti (H2S04-HN02)
ammoniaca Soluzioni HCN
Ammine Soluzioni acidiche di H2 S
Acqua, vapor d'acqua Acqua di mare
Leghe dì oro SoluzioniFeCl2 Leghe fuse Na-Pb
Acido acetico - soluzioni Acciai inossidabili Soluzioniacido-clorurocome
saline MgCl2 e BaCl2
Jnconel Soluzionidi soda caustica Soh.JzioniNaCI-H 2 02
Piombo. Soluzìonidi acetato di Acqua di mare
piombo H2S
Leghe dì magnesio SoluzioniNaCI-K2CrO.-, Soluzioni NaOH-H2S
Atmosfere rurali e costiere ' Vapore condensato da
Acqua distillata acqua clorurata
Monel Soda caustica fusa Leghe di titanio Acido nitrico rosso fumante
Acido fluoridrico Acqua di mare
Acido fluosi!icico N204
Nichel Soda caustica 1usa Metanolo - HCI
Fonte: M. G. Fontanaand N. D. Greene, "Corrosion Engineer-

ing", 2d ed., McGraw~Hill,1978, p. 100.
616 Capitolo12
Direzionedi propagazione
della cricca f.
Sforzo di Sforzodi
- trazione trazione -
FIGURA 12.27
Propagazione
per
dìssoluzione
anodicadi una
criccadacorrosione
sotto
sforzo(meccanismo Dissoluzioneanodica del
l
scorrimento-dìssoluzicme).
!DaR. W Staehlel.
metallo alrapice della cricca
esperimento che ha mostrato come l'avanzamento di una cricca può essere

fermato da protezione catodica, quando viene rimossa la protezione catodica, la
cricca riprende a propagarsi.
Meccanismo di infragilimento da idrogeno In accordo con _un altro

meccanismo (infragilimento da idrogeno). l"idrogeno atomico che s1 produc:'!
in una fase intermedia del processo catodico di sviluppo di idrogeno. penetr,L
prirna di ricombinarsi ad idrogeno molecolare, all'interno del reticolo dd
materiale infragilendolo e consentendo così la propagazione della cricca. Tale
meccanismo di corrosione diventa più pericoloso con l'aumento delle
caratteristiche meccaniche del materiale e a seguito di eventuale presenza
nell'ambiente di specie in grado di ostacolare ìl processo di ticombìnazione
dell'idrogeno da atomico a molecolare. come l'idrogeno solforato, spesso
presénte in ambienti petroliferi.
Prevenzionedella corrosionesotto sforzo Poiché vari sono meccanismi della

SCC, ogni situazione metallo·ambiente deve essere studiata specìficatamente rt:·
trovare il rimedio ottimale. Possono tuttavia essere indicati alcuni interventi G!
validità generale, utili per prevenire o ridum; la SCC nei metalli.
1. Abbassamento degli sforzi nelle leghe sotto ìl limite che causa insorgenza
deila SCC, individuabile caso per caso. Questo può essere realizzato o
diminuendo il carico agente sulla lega o prevedendo per il materiale un
trattamento di distensione, in caso dì presenza di sforzi interni. Gli acciai al
carbonio possono essere distesi tra 600 e 650°C, mentre gli acciai inossidabili
austenitici nell'intervallo tra 815 e 925°C.
Corrosione e protezione dei materiali · 617
2. Eliminazione, per quanto possibile degli ambiento o delle specie promotrici

di corrosione sotto sforzo.
3. Sostituzione del metallo con uno non o meno suscettibile, se non possono
essere cambiati né livello di sollecitazione, né l'ambiente. Per esempio, si può
usare titanio invece di acciaio inossidabile per scambiatori di calore a
contatto con acqua di mare.
4. Applicazione della protezione catodica mediante anodi sacrifiziali o
mediante correnti impresse (vedi Paragrafo 12.7). Va tuttavia sottolineato
che ad esen1pio se il meccanismo è quello di infragilimento da idr_ogeno, la
diminuzione del potenziale connesso a protezione catodica può· aumentare la
quantità di idrogen~ prodotta al catodo, e pertanto aumentare i rischi di
infragilimento.
5. Uso, per quanto possibile, di acciai a bassa resistenza meccanica, soprattutto
se il meccanismo operante è quello di infragilimento da idrogeno.
6. Aggiunta di adeguati inibitori quando è possibile.
Corrosione La corrosioneerosione· può essere definita come l'aumento della velocità di

erosione corrosione in un metallo conseguente al moto relativo tra un fluido corrosivo e
la superficie del metallo. Quando il moto relativo del fluido corrosivo è rapido,
l'effetto combinato elettrochimico e meccanico può essere notevolmente severo.
La corrosione erosione è caratterizzata dalla comparsa sulla superficie metallìca
di solchi, avvallamenti. vaiolature. buchi circolari ed altre forme di
danneggiamento della superficie metallica che solitamente si manifestano nella
direzione del flusso del liquido corrosivo.
Studi sull'azione corrosiva ed erosiva dei fanghi di sabbie silicee su tubi di
acciaio a basso carbonio saldabile hanno condotto i ricercatori a ritenere che
raumento della velocità di corrosione causata dell"azione dei fanghi sia
imputabile alla rimozione dello strato superficiale di prodotti di corrosione e
altri sali protettivi per l'azione abrasiva delle particelle di sabbia, che permette
così un più facile accesso alla superficie corrosa da parte dell'ossigeno disciolto.
La Figura 12.28 mostra un esempio di usura causato da corrosione erosione in
una sezione di tubo di acciaìo.
FIGURA 12.28
Superficiesoggettaa
corrosioneerosione da
fanghidi silice{3,5m/s)su
untuboin acciaio. Si
osserva:(a)corrosione per
vaiolatura
dopo21giornie
(b) unasuperficieincrespata ., :)
irregolare
dopo42giorni. Flusso-
[DaJ. Postlethwaiteetal.•
Corrosion,34:245(1978)]. (a) (b)
618 Capitolo 12
FIGURA 12.29
Micrografia
al mìcroscopio
elettronico
a scansioneche
mostracorrosioneper
sfregamento
sullasuperficie
di unalegadi Ti-6A1·4V
duranteunaprovadi usuraa
6000C conunaampiezza di
di 40µm edopo
scorrimento
3,5x106cicli.!DaM. M
Hamaly e R.8; Waterhause,
Wear, 71:237(1981)].
I
Corrosione La co1·rosioneper cavitazione è causata dalla formazione e dal collasso. in un
per cavitazione liquido in contatto con la superficie metallica, di bolle d'aria o cavità riempite di
vapore. La corrosione per cavitazione avviene sulla superficie dei metalli in
presenza di un'alta velocità del flusso del'liquido e di variazi~ni di pressione,
come nel caso delle pompe centrifughe e delle eliche delle navi. E stato calcolato
che il rapido collasso di bolle di vapore può produrre pressioni localizzate pari a
420 MPa. Il ripetuto collasso di bolle di vapore può arrecare un considerevole
danneggiamento alla superficie del metallo, rimuovendo i film superficiali e
strappando particelle metalliche. dalla superficie del metallo. la cavitazione può
aumentare la velocità di corrosione e causare usura superficìale.
Corrosione La corrosione per sfregamemo (fretting corrosìon). avviene alrinterfaccìa e

per sfregamento materiali sottoposti a vibrazioni e piccoli scorrimento sotto carico .
determinando la formazione di solchi o vaiolature circondati da prodotti dì
corrosione. Nel caso di corrosione per sfregamento di metalli, i frammenti
metallici tra le superfici .in contatto dei metalli sono ossidati e parti del film di
ossido vengono asportate dall'azione delrabrasione~ come risultato. si verifica
un accumulo di particelle dì ossido che agìscono come abrasivo tra le superfici in
contatto. La corrosione per .~fregamento solitamente avvi1me tra superfici
fortemente accoppiate come quelle che si hanno tra alberi e cuscinetti o bussole.
La Figura 12.29 mostra reffetto della corrosioneper sfregamemo sulla superfici:.:
di una lega Ti-6Aì-4V.
Corrosione La corrosione selettiva è la rimozione preferenziale di un elemento di lega in

selettiva soluzione solida, a seguito di processi corrosivi. L'esempio più comune di questo
tipo di corrosione è la dezincificazione che avviene negli ottoni per attacco
selettivo dello zinco rispetto al rame. Processi simili avvengono anche per altri
tipi di leghe, come la perdita di nichel, stagno e cromo dalle leghe di rame, di
ferro dalle ghise grigie, di nichel dagli acciai legati e.di cobalto dalle leghe stellìti.
Nella dezincificazione di un ottone 70%Cu-30%Zn, ad esempio, lo zinco
viene preferenzialmente rimosso dall'ottone lasciando una matrice di rame

spugnosa e fragile. Il meccanismo della dezincificazione implica le seguenti tre
fasi1 :
1. Dissoluzione dell'ottone.
2. Permanenza in soluzione degli ioni dì zinco.
3. Rideposizione del rame sulFottone.
Dato che il rame residuo non ha la resistenza dell'ottone, la resistenza della lega
si abbassa considerevolmente.
La dezincificazione può essere minimizzata o prevenuta scegliendo un
ottone a basso CO!J.tenutodi zinco (ad esempio 85%Cu-15%Zn) o un
cupronicbel ·(70-90%Cu· 10-30%Ni). Altre possibilità sono modificare ram-
biente corrosivo o ricorrere alla protezione catodica.
12.6 OSSIDAZIONE DEI METALU
Finora abbiamo trattato le problematiche della. corrosione ad umido, in cui un

elettrolita liquido (nella quasi totalitù dei casi acquoso) è parte integrante del
processo di corrosione. I metalli. tuttavia. reagiscono anche ad alta temperatura
con l'aria per formare ossidi superficiali; rossidazione ad alta temperatura deì
metaili è particolarmente importante nella progettazione meccanica di turbine a
gas. di motori a reazione e dì attrezzature petrolchimiche per alte temperature.
Strati di ossidi Il grado di protezione che uno strato di ossido offre ad un metallo dipende da
protettivi molti fanorL raggiungendo una situazione ottimale se vengono rispettate le
seguenti condizioni:
1. Il rapporto di volume tra ossido e metallo dovrebbe essere vicino a I.

2. Lo strato dovrebbe avere una buona aderenza.
3. li punto di fusione dell'ossido dovrebbe essere alto.
4. Lo strat0 di ossido dovrebbe avere una bassa tensione di vapore.
5. Lo strato di ossido dovrebbe avere un coefficiente di espansione simile a
quello del metallo.
6. Lo strato dovrebbe possedere una buona plasticità alle alte temperature"per
prevenire la rottura.
7. Lo strato dovrebbe avere una bassa conducibilità e bassi coefficienti di
diffusione per gli ioni metallici e l'ossigeno.
1 Da M. G. Fontana e N. D. Greene,"Corrosion Engineering··,2d ed., McGraw•Hill, 1978.

620 Capitolo 12
Il calcolo del rapporto di volume tra ossido e metallo dopo l'ossidazione è il

primo passo che può essere fatto per valùtare se l'ossic;_osu un metallo può
essere protettivo oppure no. Questo rapporto, chiamato rapporto di Pilling-
1
Bedworth1 ( P.B.), può essere espresso come:
volume di ossido prodotto dalla ossidazione

rapporto P.B. = volume d'1 meta 11o consumato da 11
a ossi·dazione
· (12.20)
Quando un metallo ha un rapporto P .B. minore di 1, come nel caso dei

metalli alcalini (per esempio, il sodìo ha un rapporto P.B. di 0,576), l'ossido
metallico sarà poroso e non protettivo. Se il rapporto P .B. è maggiore di l, come
nel caso del ferro (Fe 2 0 3 = 2, 15), saranno presenti sforzi di compressione e
l'oS,~,òotenderà a rompersi e a distaccarsi. Se iI rapporto P.B. è prossimo a 1.
l'ossido può essere protettivo, ma devono essere sbddisfatti anche altri dei
fattorì prima elencati. Quindi il rapporto P.B. da solo non permette dì
determinare se un ossido è protettivo.
Metallo4- Ossido--+--
.,· ~
/
/
Metallo ,. Ossido Gas Metallo Ossido Gas
·•
.....
,/
~"'·4
/
.-'
/
../ Movimento Movimento
,..,,.-i'
dell'osi,ido
+--·
'
......
........
dell'ossido
.... I marcatori
.,~ I marcaiorì ""'- rimangono
/ ...,_ \'engono sepolti in superficie
/
./
/ Zona di Consumo Formai.ione

Zona di
consumo formazione del mcrnllo dell'ossido
del metallo dell'ossido
(a) (/))
FIGURA 12.30 Ossidazione di superfici

metalliche
piane.
(a)Quando i cationi
diffondono,l'ossido
inizialmente
formato
versoil metallo.
sì sposta (b) Quandodiffondono è trasportato
gli anioni,l'ossido in direzione
opposta.[DaL. L.Snreir
voi.1, 2nded.,Newnes-Butterworth,
(ed.)"Corrosian", 1916.p.1:2421.
1 N. B. Pillìng e R. E. Bedworth, J. Inst. Met., 29:529(1923).

Eserciziario
Meccanismi Quando su un metano si forma un film di ossido attraverso rossidazione per

dì ossidazione azione dell'ossigeno gassoso, questo si forma con un processo elettrochimico e
non semplicemente attraverso la combinazione chimica del metallo con
l'ossigeno come M+ ½02 ---+ MO. Le reazioni parzìali di ossidazione e
riduzione per la formazione degli ioni bivalenti sono:
Reazione parziale di ossidazione: M-M ++ne-

11
(12.21a)
l
- 0 2-
202 + 2e-
Reazione parziale di riduzione: (12.2lb)
Nei primissimi stadi dell'ossidazione, lo strato di ossido è discontinuo e

parte estendendo lateralmente i singoli nuclei di ossido. Dopo che i nuclei si
uniscono e ricoprono la superficie, il trasporto di massa degli ioni avviene in
direzione normale alla superficie (Figura 12.30). Nella maggìor parte dei casi il
metallo diffonde come catione e gli elettroni attraversano il film di ossido. come
indicato dalla Figura 12.30a. In questo meccanismo l'ossigeno è ridotto a ione
ossigeno all'interfaccia ossido-gas e la formazione dell'ossido avviene su questa
superficie (diffusione dei cationi). In aitri casL ad esempio per alcuni ossidi di
metalli pesanti. l'ossigeno può diffondere come ione 0 2- all'interfaccia metallo-
ossido e gli elettroni diffondono verso l'interfaccia ossido-gas. come mostrato in
Figura 12.30b. In questo caso l'ossido si forma all'interfaccia metallo-ossido
Lineare
.,. - Parabolico
Lognritmko
.9
5
i=
E
<
o Tempo
FIGURA 12.31 Leggi
dellevelocità
di ossidazione.
622 Capitolo 12
(Figura 12.30b); questo è la diffusione degli anioni. I movimenti dell'ossido

indicati in Figura 12.30 sono determinati principalmen~ con prove in cui si
osserva il movimento di marcatori inertì posti all'interfacci? ossìdo-gas: nel caso
della diffusione dei cationi i marcatori vengono inglobati nell'ossido, mentre nel
caso della diffusione degli anioni i marcatori restano, sulla superficie delrossido.
I meccanismi precisi dell'ossidazione dei metalli e de11eleghe possono essere
molto complessi, particolarmente quando sono prodotti strati di differente
composizione o strutture difettose. Il ferro) ad esempio, quando si ossida ad alta
temperatura forma una serie dì ossidi tipo: FeO, Fe3Q4e Fe201. L'ossidazione
delle leghe è ancor più complessa per le interazionj degli elementi di lega.
Velocità di Da un punto di vista tecnologico la velocità con cui i materiali metallici si

ossidazione ossidano è un parametro molto importante, poiché dftennina la vita utile della
(Cinetica) struttura. La velocità di ossidazione dei materiali metallici è in genere misurata
ed espressa come aumento di peso per unità di superficie. Per l'ossidazione dei
metalli sono stati osservati varì andamenti della velocità di crescita deffossido.
rappresentati da relazioni empiriche: alcune tra le più comuni sono elencate in
Figura 12.31.
L'andamento più semplice di velocità di ossidazione è di tìpo lineare:
dove: 1r = aumento in peso per unità di superficie

t = tempo
kl = costante lineare di velocità.
Un andamento lineare delrossidazìone si verifica sui metalli che hanno film di

ossidi porosi o criccati. nei quali il trasporto degli ioni reagenti avviene ad una
velocità più alta deHa reazione chimica di ossidazione. Esempi di metaHì che si
ossidano con legge lineare sono il potassio. che ha un rapporto di volume
ossido-metaUo di 0.45 e il tantalio che ha rapporto di volume pari a 2,50.
Quando la diffusione ionica è la fase che controlla Fossidp.zione dei metalli.
i metalli puri dovrebbero seguire la relazione parabolica:
dove: w = aumento in peso per unità di superficie

t ten1po
kp = costante parabolica di velocità
C = costante.
Molti metalli si ossidano seguendo una legge di velocità parabolìca, i.n

particolare quelli che formano ossidi spessi e omogenei. H ferro, il rame e il
cobalto so.no esempi di metaUi che mostrano un comportamento parabolico.
Corrosione e protezione dei. materiali 623
Alcuni metalli come alluminio, rame e ferro a temperatura ambiente o

leggermente più elevata si ossidano formando strati sottili secondo una legge di
tipo logaritmico:
w = ke log(Ct+ A)
dove Ce A sono costanti e ke è la costante dì velocità logaritmica. Questi metalli

quando sono esposti alrossigeno a temperatura ambiente si ossidano
inizialmente in modo molto rapido, ma dopo pochi giorni di esposizione la
velocità scende a valori molto bassi.
Alcuni metalli che mostrano un comportamento lineare tendono ad
ossidarsi catastrofic,amente alle alte temperature a causa del verificarsi dì
veloci reazi.on4 esotermiche sulle loro superfici; avviene di conseguenza una
reazione dì tipo autocatalitico che fa aumentare la temperatura e la velocità di
reazione. Possono ossidarsi catastroficamente in questo modo metalli come il
molibdeno, il tungsteno e il vanadio, che hanno ossidi volatili. Anche leghe
contenenti molibdeno e vanadio, anche in piccole quantità, spesso mostrano
un'ossidazione catastrofica che limita il loro uso nelle atmosfere ossidanti ad
alta temperatura. L'aggiunta dì elevati tenori di cromo e di nichel alle leghe del
ferro aumenta la loro resistenza all'ossidazione e ritarda gli effetti
dell'ossidazione. catastrofica dovuta alla presenza di elementi come quelli citati.
Eserciziario
Comrollo della
COITOSione
Scelw del Rivestìmenti: Progettazione: Protezione Controllo

m:.11erialc: ,modica e cawd1.::~ dell'ambiente:
Metallici Memlllci Evitare sforzi Temperatura

N'on melallici lnoreanici eccessi\'i Velocità
Org.Ìnici Evilarc contatti tni Ossigeno
materiali diversi Concentrazione
Evhare fessure Inibitori
Escludere l'aria Pulizia
FIGURA12.32 Metodicomuni
peril controllo
dellacorrosione.
624 Capitolo 12
12.7 PROTEZIONE DALLA CORROSIONE

I
La corrosione può essere controllata o prevenuta con molti metodi differenti.
Da un punto di vista industriale, i fattori economici generalmente determinano
la scelta del metodo di protezione più opportuno. Per esempio un progettista
deve decidere se è più economico sostituire periodicamente certi componenti
piuttosto che realizzarli con materiali più costosi, che hanno una maggiore
resistenza alla corrosione e conseguentemente durano di più. Alcuni dei metodi
più diffusi per la protezione dalla corrosione o per la prevenzione sono mostrati
in Figura 12.32.
Scelta dei Matétiali non metallici I materiali polimerici com~ le plastiche e le gomme
materiali non subiscono fenomeni di degrado in molti ambienti e pertanto possono essere
la resistenza alla corrosione dei materiali è un aspetto ìmportante. dovrebbero

essere consultati manuali e dati di corrosio·ne per accertarsi di usare il materiale
più adatto. Inoltre, la consultazione degli esperti delle ditte che producono i
materiali può essere utile per assicurarsi di avere fatto la scelta migliore.
Esistono, tuttavia, alcune regole generali. di ragionevole validità, che
possono essere applicate per la scelta dei materiali metallici per applicazioni che
richiedono resistenza alla corrosione. Queste sono 1:
l. Per ambienti riducenti o non ossidanti. come acidi e in soluzioni acquose

senza aria. può essere utile usate leghe di rame e di nichel.
2. Per ambienti ossidami può essere utile utilizzare leghe contenenti cromo.
3. Per ambienti estremamente ossidanti, può essere utile utilizzare il titanio e le
sue leghe.
Alcune combinazioni metallo-ambiente corrosivo che danno buona

resistenza alla corrosione con bassi costi sono elencate in Tabella 12.8.
Un materiale spesso usato impropriamente da coloro che non hanno
dimestichezza con le proprietà corrosionìstiche dei métalli è r acciaio
inossidabile. Con il termine acciaio inossidabile non si intende una lega
specifica, ma si identifica genericamente una vasta classe di acciai con un
contenuto di cromo superiore al 12%. Tali acciai, soprattutto nelle varianti più
tradizionali con tenori dì cromo. nichel e ri.1olibdeno relativamente bassi. non
sono indistintamente resistenti · a tutti gli ambienti; ad esempio essi ,sono
comunemente utilizzati con successo per ambienti corrosivi moderatamente
ossidanti, come ad esempio l'acido nitrico, ma sono .invece inadatti. e da un
1Da M. G. Fontana e N. D. Greene. "Corrosion Engineering'\ 2nd ed., McGraw-Hill.

1978.
TABELLA, 2.8 Combinazionidi metallie ambienticorrosiviche realizzanouna buona resistenza

alla corrosionein relazioneal costo
1. Acciai inossidabili- acido nitrico

2. Nichele leghe di nichel - ambiente caustico
3. Monel- acido fluoridrico
4. Leghe Hastelloy- acido cloridrico caldo
5. Piombo acido solforico diluito
6. Alluminio- esposizioneall'atmosferanon inquinata
7. Stagno- acqua distillata
8. Trtanio- soluzioniossidanti molto forti
9. Tantalio- .resistenzaelevatissima
1O.Acciaio- acido solforico concentrato
Fonte:M. G. Fontana,
and N. D. Greene,"Corrosion Engineering",2d ed., McGraw-Hill,1978.
certo punto dì vista meno resistenti dègli ordinari acciai da costruzione, nelle
soluzioni che contengono cloruri (tipo acqua di mare) e, in vari ambienti, sono
anche maggiormente suscettibili a corrosione sotto sforzo. Bisogna quindi porre
molta attenzione per evitare di usare acciai inossidabili in applicazioni per i
quali essi non sono consigliabili.
Materiali non metallici I materiali polimerici come le plastiche e le gomme

non subiscono fenomeni di degrado il molti ambienti e pertanto possono essere
utilizzati in varie situazioni corrosive; in altre situazioni ambientali, come ad
esempio negli acidi organici forti, essi hanno invece scarsa resistenza: sono
inoltre caratterizzati da proprietà meccaniche comunque inferiori a quelle dei
metalli. Ugualmente i materiali ceramici hanno una eccellente resistenza alla
corrosione e al1e alte temperature, ma hanno lo svantaggio di essere fragili e di
possedere una bassa resistenza a trazione. Conseguentemente spesso i materiali
non metallici sono usati nel controllo della corrosione principalmente come
rivestimenti o per guarnizioni, piuttosto che come materiale massivo.
Rivestimenti I rivestimenti metallici e non metallici (inorganici ed organici) sono applicati ai

metalli per prevenire o ridurre la corrosione.
RivestimentimetaUici I rivestimenti con materiali metallici diversi dal metallo

che deve essere protetto, sono applicati in forma di rivestìmenti sottili per
separare ìl metallo dall'ambiente corrosivo. A volte vengono applicati
rivestimenti metallici che si comportano anodicamente rispetto al substrato, e
in questo caso realizzano protezione catodica del metallo sottostante,
corrodendosi in luogo di esso. Questo è il caso dei rivestimenti di zinco, molto
usati per la protezione dell'acciaio esposto all'atmosfera o anche ad acque
naturali.
Molti rivestimenti metallici sono realizzato mediante processi elettrochimici
626 Capitolo 12
di tipo galvanico. In questi processi il componente da rivestire viene immerso in

una cella elettrolitica, in cui l'elettrolita k una soluzione I.ii un sale del metallo
che deve essere depositato, e in cui viene applicata una corrente continua tra un
controelettrodo ed il componente da rivestire che viene fatto funzionare da
catodo, in questo modo sulla sua superficie gli ioni, del metallo in soluzione si
riducono. formando il rivestimento voluto . Il rivestimento con un sottHe strato
di stagno di lamiera di acciaio per produrre scatolette o lattine stagnate è un
esempio di applicazione di questo metodo. I rivestimenti metallici possono
anche consistere in diversi strati, come nel caso della cromatura usata per le
automobili; questa è formata da tre rivestimenti: (1) uno strato interno di rame
per l'ancoraggio all'acciaio, (2) uno strato intermedio di nichel che fornisce una
buona resistenza alla corrosione e (3) un sottile strato di cromo usato
principalmente per motivi estetici. ,
Oltre che con i metodi galvanici visti, rivestimenti metallici possono essere
ottenuti anche mediante placcatura, tecnica che consiste nella laminazione di un
sottile lamierino del metano del rivestimento sul metal1o che costituisce il
substrato; lo strato esterno di metallo gar~ntisce la resistenza alla corrosione al
cuore metallico interno, che in genere garantisce la resistenza meccanica. Per
esempio, lamiere di acciaio possono essere placcate con un sottile strato di acciaio
inossidabile. oppure lamiere di legh~ di al1uminioad alta resistenza meccanica con
uno strato esterno di alluminio puro, mag,.giormenteresistente alla corrosione.
Rivestimentiinorganici{ceramicie vetro} Per alcune applicazioni è preferibile
rivestire l'acciaio con un rivestimento ceramico per ottenere una finitura lisciar
durevole. L ·acciaio viene comunemente rivestito con uno strato di porcellan,,
che consiste in uno strato sottile di vetro fuso sulla superficie dell'acciaio ìn
modo che aderisca bene e abbia un coefficiente di espansione compatìbile con la
base metal1ica. Contenitori di acciaio rivestiti con materiali vetrosi vengono
usati nell'industria chìn1ica per la loro facile pulizia e la loro resistenza alla
corrosione; altra tipica applicazione è quella degli scaldabagni domestici 1 come
alternativa alla zincatura, meno resistente nel tempo.
Rivestimentiorganici Vernici, pitture. lacche e molti altri r{i~terialipolimerici

organici sono comunemente usati per proteggere i metalli dagli ambienti
corrosivi. soprattutto per prevenire la corrosione atmosferìca. Questi materiaE
forniscono. una barriera sottile, tenace e durevole che protegge il substrato
metallico dagli ambienti corrosivi. I rivestimenti organici sono i sistemi di
protezione dei metalli più utilizzati; devono tuttavia essere impiegati
rivestimenti adatti, correttamente applicati su superfici opportunamente
preparate. In molti casi, infatti, la scarsa efficacia delle pitturazioni può essere
attribuita alla cattiva applicazione o preparazione delle superfici. Si deve anche
evitare di utilizzare rivestimenti organici per applicazioni dove il substrato
metallico potrebbe essere rapidamente attaccato in caso di criccatura o porosità
del rivestimento.
Progettazione Una corretta progettazione delle apparecchiature può essere importante per la
prevenzione della corrosione, tanto quanto la scelta dei materiali adatti. Il
progettista deve scegliere i materiali sulla bas.e delle proprietà meccaniche,
elettrìche e termiche; tutte queste considerazioni devono essere confrontate con i
vincolì economici. Nella progettazione di un sistema, specifici problemi
corrosionistici possono richiedere l'opinione di esperti di corrosione. Tuttavia
anche in questo caso possono essere indicate alcune importanti regole generali
di progettazione 1:
l. Tenere conto quando si dimensiona lo spessore di meta.Ilo usato in base alle

sollecitazioni meccaniche, dell'effetto di assottigliamento delle pareti dovuto
alla corrosione. ~iò è, particolarmente importante per tubi e serbatoi che
contengO'no_liquiai.
2. Ricorrere àlla saldatura piuttosto che alla chiodatura per ridurre la
corrosione in fessura. Se devono essere utilizzati chiodi, scegliere quelli che
hanno comportamento catodico rispetto al materiale che deve essere
giuntato.
3. Se possibile, utilizzare materiali galvanicamente simili per l'intera struttura.
Evitare metalli diversi che possono causare corrosione per contatto
galvanico. Se materiali con caratteristiche diverse devono essere utilizzati
insieme, usare guarnizioni e.rondelle non metalliche per realizzare un efficace
isolamento elettrico tra ì due metalli diversi.
4. Evitare eècessive sollecitazione e eccessive concentrazioni dee:li sforzi neali
ambienti corrosivi. per prevenire le rotture da corrosione'"'sotto sfor;o.
Questo è particolarmente importante quando si fa uso di acciai inossidabili,
ottoni e altri materiali. resistenti alla corrosione generalizzata, ma suscettibili
di rottura per corrosione sotto sforzo in determinati ambienti corrosivi. Per
quanto riguarda gli acciai al carbonio e basso legati. evitare per quanto
possibile l'uso di acciai con resistenza meccanica molto elevata, suscettibili dì
corrosione sotto sforzo per infragilimento da idrogeno.
5. Evitare curve strette nelle tubazioni con fluidi in veloce movimento. La
presenza di zone in cui il fluido cambia bruscamente direzione favorisce
fenomeni di corrosione erosione.
6. Progettare serbatoi e altri contenitori prevedendo un agevole drenaggio e una
facile pulizia. Le vasche in cui ristagnano liquidi corrosivi danno origine a
celle di concentrazione che promuovono la corrosione.
7. Progettare i sistemi prevedendo una facile rimozioò:è e sostituzione delle parti
che si prevede vadano fuori servizio più rapidamente. Per esempio, le pompe
negli impianti chimici dovrebbero poter essere sostituite facilmente.
1
Da M. G. Fontana e N. D. Greene, ..Corrosion Engineering'', 2nd ed., McGraw-Hill.
1978. . ,
628 Capitolo 12
8. Progettare impianti termici in cui non si formino zone surriscaldate. o

comunque più calde del necessario. Gli scam~iat~ri ~ cal~re: per esempio,
dovrebbero essere progettati per ottenere grad1ent1 umfonm d1 temperatura.
In definitiva, progettare sistemi con caratteristiche le più uniformi possibili

ed evitare le eterogeneità.
Modifica Le condizioni ambientali possono essere molto importanti ·nel determinare la

dell'ambiente severità dell'attacco corrosivo. Importanti metodi per la riduzione della
corrosione attraverso la modifica delPambiente sono: (1) la diminuzione della
temperatura, (2) la diminuzione della velocità dell'elettrolita, (~) I~ rim~zì~n~
delFossieeno daH'elettrolita, (4) la riduzione delle concentraz10m degb 10m
aggressì;i e (5) l'aggiunta. di inibitori di corrosione. ,
I. Abbassando la temperatura di un sistema, solitamente si riduce la corrosione

in quanto le velocità di reazione s<;>noin genere più basse alle basse
temperature. Vi sono tuttavia alcune situazioni in cui l'effetto è inverso: ad
esempio l'acqua di mare in ebollizione è meno corrosiva dell'acqua di mare
calda a seguito della diminuzione della solubilità dell'ossigeno con l'aumento
della temperatura.
2. Diminuendo la velocità dì un liquido corrosivo si riduce la corrosione
erosione. Per altro in presenza di materiali meta1lici passivabili le condizioni
di liquido stagnante possono favorire l'insorgenza di corrosione per
vaiolatura.
3. La rimozione dell'ossigeno dalle soluzioni acquose è spesso utile pe: ridurre
Ja corrosione: per esempio l'acqua di caldaia viene degasata per ridurre lu
corrosione. In altri sistemi in cui l'ossigeno è necessario per permettere la
passivazione del materiale, devono invece essere evitate condizioni di
deaerazione.
4. La riduzione della concentrazione degli ioni corrosivi in un ambiente
corrosivo può determinare una diminuzione della velocità di corrosione;_ per
esempio la riduzione della concentrazione degli ioni cloruro in soluzione
acquosa diminuisce l'aggressività nei confronti deg~i acciai ino_ssid~b~lì..
s~L'aggiunta di inibitori di corrosione ad un sistema puo. d11mnu1rnc
sionificativamente l'effetto corrosivo. Gli inibitori sono essenzialmente de,
c:i.alizzatori ritardanti, molto spesso sviluppati empiricamente e spesso di
origine naturale, che agiscono éon meccanismi molto diversi. Ad esempio
alcuni inibitori di tipo filmante vengono adsorbiti sulla superficie del metal!~
fonnando un film protettivo; altri aumentano le sovratensioni dei p~o~ess~
anodici e/o catodici determinando una diminuzione della vel~c1ta d~
corrosione; altri inibitori infine agiscono rimuovendo dall'ambiente gh
agenti corrosivi, quali ad esempio l'ossigeno.
Corrosionee protezionedei materiali 629
+
Corrente
Raddri:wuore
:~:+-Ghiaia
-.;.,;.;,i.......; ... I .
FIGURA12.33 Protezione i Lettodi posa
catodica
di unserbatoio
interrato
concorren!l
Serbatoio ------
Corrente
V
I
iDaM G.Fontana
impresse.
e N. D.Greene,
"Corrosion
, __
I ...... ,,/ I
Engineering~
2nded.,
McGraw·Hill,
1978,p.2071.
Protezione Protezionecatodica Una drastica riduzione della velocità di corrosione può

catodica e anodica essere ottenuto mediante applicazione di protezione catodica1, metodologia in
base alla quale la superficie del metallo che si vuole proteggere viene fatta
funzionare da catodo, facendo in modo che su essa avvenga un processo di
riduzione, che consuma elettroni, anziché un processo di ossidazione, che li
sviluppa. Ad esempio la corrosione di una struttura di acciaio in un ambiente
acido implica le seguenti reazioni elettrochimiche:
2H+ +2e ... -+ H2
Se sì fa in modo che sulla superficie del metallo da proteggere giungano

elettroni, la dissoluzione del metallo (corrosione) vie11ediminuita, mentre viene
aumentata la velocità di sviluppo di idrogeno, pertanto se si fa in modo che sulla
superficie del metano giungano continuamente elettroni, la corrosione viene
interrotta o per lo meno sensibilmente ridotta. Gli elettroni che determinano
protezione catodica possono essere forniti da (1) un generatore esterno di
corrente continua, come mostrato in Figura 12.33, o da (2) un accoppiamento
galvanico con un meta11o meno nobile di quello che deve essere protetto, e che si
comporta come anodo, come mostrato in Figura 12.34, che mostra la
1
Per un interessante articolo sulla protezione catodica di un acciaio in acqua di mare
(Golfo Persico) si veda R, N. Duncan e G. A. Haines, Forty Years of Successful
Cathodic Protection in the Arabian Gulf, Mater. Perform.,21:9(1982).
630 Capitolo 12
Livellodel suolo
FIGURA 12~34
Protezione
interrata
di unatubazione
conunanodo di
--- Anodo
di Mg umo di pos3
magnesio.!DaM. G.Fontana
e N.D. Greene,"Corrosian
I
Engineering''.
2nded., lj
McGraw~Hilf,1978,p.20TJ.
protezione catodica di un tubo di acciaio mediante accoppiamento galvanico

con un anodo di magnesio. Gli anodi di magnesio, che si corrodono al posto del
metallo che deve essere protetto, sono particolarmente adatti per la protezione
catodica dell'acciaio nei terreni, grazie al loro potenziale notevolmente più basso
di que1Jodel ferro e alla elevata densità di corrente che possono erogare; per la
protezione catodica dell'acciaio in acqua di mare vengono invece comunemente
usati anodi di zinco (strutture a contatto con acqua dì mare) e di alluminio
(strutture immerse nel fondale marino).
Protezione anodica La protezione anodìca è una forma di protezione

relativamente recente. che si ba.sa sul principio di favorire l'instaurarsi di
condizioni di passività sulla superficie del materiale metallico mediante
rapplicazione di correnti impresse dalresterno. che fanno funzionare
anodicamente il materiale da proteggere. favorendo la formazione di un film
di passività. Ciò può essere ottenuto mediante una particolare apparecchiatura.
chiamata po1enziosta10,in grado di far sì che un sistema corrosionistico si porti
in condizioni di potenziale tali da permettere la passivazione del materiale
metallico che si vuole proteggere~ determinando una significativa diminuzion~
della velocità di corrosione rispetto a quella che si avrebbe se il materiale fos~,.:
lasciato in condizioni di corrosione libera. La protezione anodica ha il vantaggio
di richiedere, per determinare un comportamento più anodico del materiale tale
da polarizzar)o nel campo di passività. la applicazione di una corrente esterna di
bassa entità; essa tuttavia richiede una attrezzatura molto complessa con alto
costo di installazione e necessità di attento controllo e rnanutenzione.
Eserciziario
Vedi Esercizio12.11.
Corrosione e protezione_geimateriali 631
RIASSUNTO
La corrosione può essere definita come il degrado di un materiale causato

all'attacco chimico dell'ambiente in cui si trova. La corrosione dei materiali
metallicì è in genere caratterizzata da un attacco dei metalli stessi con meccanismo
di tipo elettroclùmico. La tendenza dei metalli puri a corrodersi in ambienti
acquosi può essere valutata da un punto di vista termodinamico in base ai
potenziali e]ettrodici dei metalli stessi; tuttavia l'effettiva velocità di corrosione di
un particolare metallo in un dato ambiente è fortemente influenzata da fattori
cinetici, quali fenomeni di diffusione di specie coinvolte nel processo di corrosione
(corrente. limite di ~ssigeno) o la formazione di film di passività sui metalli
(caratteristièa _attivo-passiva). Oitre che fenomeni di corrosione generalizzata,
facilmente prevedibili e conseguentemente controllabili, esistono varie differenti
forme dì corrosione localizzata,· difficili da prevedere e conseguentemente da
prevenire. Fra esse devono essere tenute in considerazione la corrosione per
contatto galvanico, la corrosione per vaiolatura, la corrosione ìn fessura, la
corrosione intergranulare, la corrosione sotto sforz~ la corrosione erosione, la
corrosione per cavitazione, la corrosione per sfregamento e la corrosione selettiva.
Anche la ossidazione dei materiali metallici è importante per applicazioni
ad alta temperatura. quali quelle connesse a turbine a gas, motori a reazione e
impianti pe.tro.lchimicioperanti ad alta temperatura. Lo studio de1le velocità di
ossidazìone dei metalli è molto importante per alcune applicazioni. in
particolare per evitare fenomeni di ossidazione catastrofica.
La corrosione può essere controllata o prevenuta con diversi metodi. Il
principale consiste nella scelta del materiale più adatto per lo specificG ambiente
in cui si deve operare. In molti casi la prevenzione della corrosione può essere
effettuata mediante rivestimentì metallici, inorganici o organici. Una adeguata
progettazione può inoltre. essere importante in molte situazioni per prevenire la
corrosione. In altri casi, soprattutto relativi all'uso di acciaio per strutture
interrate o in acqua di mare, la corrosione può essere controllata mediante
l'applicazione di protezione catodica. o, in casi particolari, protezione anodica.
DEFINIZIONI
Parag,·afo12.1
Corrosione:il degrado di un materiale dovuto all'attacco chimico dell'ambiente in cui si trova.
Paragrafo 12.2
Anod9: elettrodo metallico in una cella elettrochimica che si discioglie fonnando ioni e
fornisce elettroni al circuito esterno.
Catodo: elettrodo di una cella elettrolitì.ca che consuma elettroni.
632 Capitolo 12
Serie dei potenziali elettrochimici standard: scala degli elementi metallici in funzione dei
loro potenziali elettrodicì standard. ,
Paragrafo 123
Cella galvanica: due metalli diversi in contatto elettrico all'interno di un elettrolita.
Cella di concentrazione ionica: cella galvanica che si fonna,quando due pezzi dello stesso
metallo sono elettricamente connessi in un elettrolita, ma sono immersi in due
soluzioni a concentrazione ionica differente.
Cella di concentrazione di ossigeno: cella galvanica che si fonna quando due pezzi dello
stesso metallo sono elettricamente connessi in un elettrolita, ma sono immersi in
soluzioni a diversa concentrazione di ossigeno.
Paragrafo J2.4
Pol:rrlzzazione catodica: rallentamento o interruzione delle reazioni che avvengono al
èatodo di una cella elettrochimica causato: (]) da uno sta,dio lento nella sequenza delle
reazioni all'interfaccia metallo-elettrolita (polarizzazione di auivazione) o (2) dalla
mancanza di reagente o dall'accumulo di prodotti di reazione all'interfaccia metallo
elettrolita (polarizzazione di concentrazione).
Passivazione:formazione di un film di ossido ocomunque di prodotti di corrosione sulla
superficie di un anodo cosicché la corrosione viene rallentata o fennata.
Serie galvanica{in acquadi mare):scala dei potenziali pratici degli elementi metaìlici in un
particolare ambiente (acqua di mare) rispetto ad un elettrodo standard.
Pa,·agrafo 12.S
Corrosioneper vaiolatura(pitting corrosion):attacco corrosivo localizzato conseguente
alla formazione di piccole aree anodiche sulla superficie del metallo, per rottura
localizzata del film di passività.
Corrosioneintergranulare:corrosione preferenziale che avviene ai bordi di grano o nell1:
regioni adiacenti ai bordi di grano, impoveriti di un particolare elemento di lega
(cromo) a seguito di sensibilizzazione del materiale per precipitazione di composti di
quel particolare elemento di lega (carburi di cromo).
Corrosione sotto sforzo: attacco corrosivo localizzato di un metallo soggetto a
sollecitazioni in un ambiente corrosivo, che può :avvenire per specifici accoppiamenti
metallo-ambiente.
Decadimento della saldatura: attacco corrosivo su una saldatura o nelle zone
tennicamente alterate ad essa limitrofe, dovuto all'azione gawanica risultante da
differenze strutturali introdotte a seguito della saldatura.
Attacco selettivo: attacco preferenziale di un elemento di una lega solida a seguito di
processi corrosivi.
Paragrafo 12.6
Rapportodi Pilling-Bedworth(P.B·.):rapporto tra volume di ossido formato e volume di
metallo consumato nell'ossidazione.
Paragrafo 12.7
Protezione catodica.:protezione di un metallo mediante collegamento con un anodo
sacrifizia}e o l'imposizione di una corrente continua che lo renda catodico.
Protezioneanodica:protezione di un metallo mediante applicazione di una corrente
anodica impressa esternamente, formando così un film di .passivazione.
PROPRIETÀELE I I RIGHE
E MATERIALI
PER L'ELE I IRONICA
In questo capitolo viene innanzitutto considerata la conduzione èlettrica nei

metalli. Vengono discussi gli effetti delle impurezze. degli elementi di lega e della
temperatura suUa conducibilità elettrica dei metalli. Viene poi considerato il
modello delle bande di energia per la conduzione elettrica nei metalli.
Successivamente, si trattano gli effetti delle impurezze e della temperatura suila
conducibilità elettrica dei materiali semiconduttori. Infine. vengono esaminati i
principi di funzionamento di alcuni fondamentali dispositivi semiconduttori e si
presentano alcuni dei processi produttivi dei moderni circuiti microelettronici. In
Figura 13.1 è mostrato un esempio della complessità dei rece.ntì circuiti integrati
microelettronici. -
13.1 CONDUZIONE ELETTRICA NEI METALLI
Modello classico Nei solidi metallici gli atomi sono disposti in un reticolo cristallino (per esempio.
per la conduzione CFC, CCC e EC) e sono legati tra loro dagli elettroni di valenza più esterni
elettrica nei metalli attraverso il legame metallico (vedi Paragrafo 2. 7). Il legame metallico rende
634 Capitolo 13
FIGURA 13.1 (a) Il

microprocessore o
"computer suun chip"
mostrato, inorandito circa18
volte,incorpora 128000
transistorsuunsingolo chip
di siliciodi latocirca8 mm.
Questo è il microprocessore
lntel80286,realizzato con
unprocesso adalta
prestazione basato suossidi
metallici semiconduttori che
permette al progettistadel
(a)
circuitodi ridurrela
spaziatura a 1,5 µm
(milìonesimi di metro). (b)
Microprocessore ingrandito
1,5 vollemontato ne!
pacchetto coni piedinidi
collegamento. [Per
concessione dellalntef
l Corporation,
Catif.).
Santa Clara.
(b}
I
!
possibile il libero movimento degli elettroni di valenza, in_qu~n!o ques.ti sono
condivisi da molti atomi e non sono legati a nessuno di essi m partlcolare:
I Qualche volta gli elettroni di valenza vengono descritti come u~a nuvol~ d~
i carica elettronica, come mostrato in Figura 13.2a. Altre volt~ gh eìettrom dt
__
valenza sono considerati come elettro.ni singoli liberi, non Jegat1 a nessun atomo
particolare,come mostratoin Figura 13.2b.
Proprietà elettriche e materiali per ì'elettronica 635
0 0
0-0-0-0
FIGURA 13.2
Disposizionischematiche
degliatomiin unpianodi
0-0 0-0
unmetallo monovalente
comeil rame,l'argento, 0 0
oppure il sodio.In (a)gli 0~
di valenza
elettroni sono j.
disegnati comeun"gas Elettronidi valenza raffigurati
come cariche individualinegative
elettronico··.
mentre in (b)
sonovisualìzzaticome (al (IJ)
liberidi carica
elettroni
unitaria.
Nel modello classico per la conduzione elettrìca nei solidi metallici. si

assume che gli elettroni di valenza più esterni siano completamente liberi di
muoversi tra. i nuclei costituiti dagli ioni positivi (atomi senza elettroni di
valenza) nel reticolo cristallino. A temperatura ambiente i nuclei degli ioni
positivi possiedono energia cinetica e vibrano attorno aHe loro posizioni
reticolari. Con raumentare della temperatura. questi ioni vibrano con ampiezza
di oscillazione sempre maggiore creando un continuo scambio di energia tra ì
nuclei ionici e i loro elettroni di valenza. In assenza di un potenziale elettrìco. il
moto degli elettroni di valenza è casuale e lin1itato, per cui non c'è un flusso
netto di elettroni in nessuna direzione e quindi non c'è flusso di corrente. In
presenza di un potenziale elettrico esterno. gli elettroni assumono una velocità dì
deriva orientata proporzionale al campo applicato ma di direzione opposta.
Legge di Ohm Si consideri un filo di rame le cui estremità sono collegate ad una batteria, come
mostrato in Figura 13.3. Se al fi1o viene applicata u~differenza di potenziale V,
fluisce una corrente i, inversamente proporzionale alla resistenza R del filo.
Secondo la legge di Ohm, il flusso di corrente elettrica i è proporzionale al
potenziale applicato V ed inversamente proporzionale alla resistenza del filo,
cioè:
_J_ .
l=-
V
R
(13.1)
636 Capitolo 13
I
i41 AV (cadutadi potenziale)
1...j -----..........-c(S)Vòltmetto
FIGURA 13.3 Differenza L.--------------+-1111..----------"""'

di potenziale
l::.V applicata
aduncampione di filo
metallico
di sezione
trasversale
A.
dove: corrente elettrica, A (ampere)

V ==differenza di potenziale, V (volt)
R = resistenza del filo, n (ohm)
La resistenza elettrica R di un conduttore elettrico come il campione di filo

metallicò di Figura 13.3 è direttamente proporzionale alla sua lunghezza. I ed
inversamente proporzionale all'area della sua sezione trasversale A. Queste
quantità sono legate da una costante del materiale chiamata resistfrità eleuricc1
p. mediante la relazione:
I R::!._ (13.2)
R p- oppure p
A I
Le unità di misura della resistività elettrica, che è costante per un materiale ad

una particolare temperatura. sono:
2
p = R-Al = n-mm = ohm - metro = l"I
H • m
,.
Molto spesso è più conveniente pensarè in termini di passaggio di corrente

1
elettrica invece che di resistenza e si può definire la conducibilità elettrica 0-
come il reciproco della resistività el~!trica:'
cr (13.3)
p
1 o- lettera greca sigma.

Proprietà elettriche e materiali per-,J'elettronica 637
TABELLA13.1 Conducibilità elettrica di alcuni metalli e non metalli a temperatura ambiente
Metalli e leghe u, (fl. m- 1 ) Non metalli a, (Sì· m- 1 )
Argento 6.3 X 107 Gralite 105 (medio)

Rame,purezzacommerciale 5.8 X 107 Germanio 2.2
Oro 4.2 X 107 Silìcio 4.3 X 10- 4
A!luminìo,purezzacommerciale 3.4 X 107 Polietilene 10--14
POiistirene 10-14
Diamante 10-14
L'unità di misura della conducibilità elettrica è (ohmwmetro)- 1 = {n · m):...1• Nel

Sistema SI il reciproco dell'ohm è il siemens (S), ma questa unità viene usata
raramente e quindi non verrà usata in questo libro.
La Tabella 13.I elenca i valori di conducibilità elettrica di alcuni meta11i e
non metalli. Da questa tabella si vede che i metalli puri argento, rame e oro
hanno le conducibilità più alte, circa J0 7 (n ·m)";. 1. Gli isolanti elettrici come il
polietilene e il polistirene, d'altra parte, hanno conducibilità elettriche bassissime,
circa 10- 14(n. m)- 1, cioè circa 1023 volte inferiori a quelle dei metalli molto
conduttivi. Il silicio e il germanio hanno conducibilità comprese tra quelle dei
metallì e quelle degli isolanti e quindi sono classificati come semiconduttori.
Eserciziario
Vedi Esercizi13.1 e 13.2.
L'Equazione (13.1) è detta.forma macroscopica della legge di Ohm poiché i
valori di i, V e R dipendono daBa forma geometrica di un particolare. conduttore
elettrico. La legge di Ohm può anche essere espressa in una forma microscopica
indipendente dalla forma del conduttore elettrico:
E
J=- oppure J =aE {13.4)
p
dove: J = densità di corrente. A/m 2 p resistività elettrica, n · m

E = campo elettrico, V /m a = conducibilità elettrica, (n · m)- 1
La densità dì corrente J e il campo elettrico E sono quantità vettoriali con

un modulo e una direzione. La forma macroscopica e quella microscopica della
legge di Ohm sono confrontate nella Tabella 13.2.
Velocità di deriva A temperatura ambiente, i nuclei ionici positivi del reticolo cristallino di un
degli elettroni conduttore metallico vibrano attorno alle posizioni neutre e pertanto
in un conduttore possiedono un'energia cinetica. Gli elettroni liberi scambiano continuamente
metallico energia con gli ioni del reticolo mediante urti elastici e anelastici. Poiché non
esiste un campo elettrico esterno, il moto degli elettroni è casuale e, poiché non
638 Capitolo 13
TABELLA13.2 Confronto tra le.forme macroscopicae microscopicadella

legge dì Ohm ,.
Forma macroscopica Formamicroscopica

della Legge di Ohm della Legge di Ohm
. V J=~
t=R p
dove i =corrente,A dove J = densitàdi corrente,Afm2
V = tensione,V E= campo elettrico, V/m
R = resistenza,n p = resistivitàelettrica,n · m
esiste un movìmento netto di elettroni in nessuna direzione. non si ha un flusso

netto di corrente. .. . .
Se viene applicato al conduttore un campo elettrico uniforme d1 mtens1ta E,
gli elettroni vengono accelerati con una .determinata velocità n~lla_ direzion~
opposta a quella del campo applicato. Gli elettron~ ur~ano penod1camente ~
nuclei ionici nel reticolo e perdono la loro energia cmeuca. Dopo un urto. gh
elettroni sono ancora liberi di accelerare nel campo applicato e. di conseguenza,
la velocità deeli elettroni varia nel tempo con un andamento ··a dente di sega",
come mostrat~ in Figura 13.4. Il tempo medio tra gli urti è pari a 2r. dover è ìl
tempo di rilassamenlO. . . . . . .
In questo modo. elettroni acquisiscono una velocaa media d1 denv.a vd
che è direttamente proporzionale al campo elettrico applicato E. La relaz1011c
tra la velocità di deriva e U campo applicato è:
(13,5)
.,.
- - - - - - ~- - - - - - - - - - - i ··-,
- - ""':'- - -· - - - - - - . 1·a,
FIGURA 13.4 Velocità
di
derìvain funzionedeltempo
peril modello classicodi Tempo
conducibilitàelettrica
di un
elettroneliberoln un
metallo.
Proprietà elettriche e materiali per l'elettronica 639
FlussQdi corrente
ttlus~o di curica posilìva)
~]
FIGURA 13.5 Una
differenza
di potenziale \
lungounfilo di rame
provoca unflussodi
elettroni,
comeindicato
neldisegno. A causadella
caricanegativa
dell'elettrone,
la dìrezione
delflussodì
è opposta
elettroni a Quella
delflussodi corrente
convenzionalecheassume
unflussodi cariche
positive.
doveµ (mu) = la mobilità dell'elettrone, m'.!'(V-s). è la costante di proporzionalità.

Si supponga che il filo mostrato in Figura 13.5 abbia una densità di
corrente J che fluisce nella direzione indicata. La densità di corrente, per
definizione, è uguale alla velocità con la quale le cariche attraversano ogni piano
perpendicolare a J. Cioè. il piano è attraversato da un determinato numero di
ampere al metro quadrato o coulomb al secondo al metro quadrato.
li flusso di elettroni in un filo metallico sottoposto ad una differenza di
potenziale dipende dal numero di elettroni per unità dì volume, dalla carica
elettronica -e(- L60 x 10- 19q e dalla velocità di deriva degli elet.troni. "d· La
velocità del fh~sso di carica per unità di area è -nevd. Convenzionalmente, la
corrente elettrica viene considerata un flusso di carica positivo e quindi la
densità di corrente J ha un segno positivo. Quindi, requazione _è:
J 111'.''t,j (13.6)
La resistività La resistività elettrica dì un metallo puro può essere approssimata alla somma di
elettrica dei metalli due termini: una componente termica fJT ed una componente residua Pr:
Ptotale . PT + Pr ( 13.7)
La componente termica deriva dalla vibrazione dei nuclei ionici positivi attorno
alle loro posizioni di equilibrio nel reticolo cristallìno del metallo. Con
l'aumentare della temperatura. i nuclei vibrano sempre di più e un gran
numero di onde elastiche eccitate termicamente (dette fononi) provocano la
dispersione degli elettroni di conduzione e diminuiscono i percorsi medi liberi e i
tempi di rilassamento tra le collisioni.
640 Capitolo 13
30 Fe/
I
I,
25 I
Rb I Os
/
20
/ lr
E
I
a /
~ 15 /
10
FIGURA 13.6 Effetto Au

dellatemperaturasulla
resistività
elettrica
di alcuni
metalli.Si notichec'èuna
relazionequasilinearetrala
resistività
e la temperatura 200 300 400 500
("C).[DaZwìkker, "Physical Temperatura.°C
Properties ot So/id
Materials,
'.'Pergamon.1954,
pp.247.249].
Quindi. con raumentare della te.mperatura aumenta la resistività elettrica

dei metalli puri, come mostrato in Figura 13.6. La componente residua della
resistività elettrica dei metalli puri è bassa ed è causata da imperfezioni
strutturali come ìe dislocazionì. i bordi di grano e gli atomi dì impurezze che
provocano la dispersione elettror1i. La componente residua è praticamente
indipendente dalla temperatUra e diviene significativa solo a ?.asse temperature
(Figura 13.7).
Per la maggior parte dei metalli, a temperature al di sopra di circa -200°C la
resistività elettrica varia .quasi linearmente con la temperatura, come mostrato
in Figura 13.6. Quindi, la resistivìtà elettrica di molti metalli può essere
approssimata dall'equazione:
(13.8)
dove: po c 0 resistività elettrica a 0°C

frr coefficiente di temperatura della resistìvità, 0
c-1
T = temperatura del metallo, °C
FIGURA 13.7 Variazione

schematica
elettrica
temperatura
resistività
dellaresistività
di unmetallo
assoluta.
chea temperature
conla
Si noti
piùaliela
è la
elettrica
o
----------------- I
Pr Componentelegato
alla temperatura
p,. Componente residuo
Temperatura.K
somma dì unacomponente
residuaPr eduna
componente termìca Pl·
La Tabella 13.3 elenca i coefficienti di temperatura della resistività per

alcu11i metalli. Per questi metallì Cl:T varia tra 0.0034 e 0,0045 °c- 1•
Eserciziario
Vedi Esercizio13.3.
Gli elementi di lega aggiunti ai metalli puri provocano una dispersione ag-
giuntiva degli elettroni di conduzione ed in questo modo aumentano la resistività
elettrica dei me1a1Iipuri. In Figura 13.8è mostrato reffeuo di piccol~ aggiunte di
vari elementi sulla resistività elettrica del rame puro a temperatura ambiente. Si
noti che l'effetto deì diversi elementi varia considerevolmente. Degli elementi
mostrati, l'argento provoca il minimo aumento della resistività, mentre il fosforo.
con la stessa quantità aggiunta, provoca il massimo aumento. L'aggiunta di tenori
maggiori di elementi di lega. come dal 5 al 35% di zinco per produrre ottoni
rame-zinco, aumenta la resistività elettrica e quindi diminuisce notevolmente la
conducibilità elettrica del rame puro, come mostrato in Figura 13.9.
TABELLA13.3 Coefficientidì temperatura della resistività
Coefficiente di resistività
Resistività ·elettrica legato alla temperatura
Materiale a 0°C, µf! · cm Oj, 0
c- 1
Alluminio 2.7 0.0039
Rame 1.6 0.0039
Oro 2.3 0.0034
Ferro 9 0.0045
Argento 1.47 0.003$
642 Capitola 13
,.
p Si
Fe As
I /
2.5 X }()--8 I / Cr
I /
I //
I
I // .,....Mn
e I / .,.....,....
.-.Sb
X
Cl
I / .,.....,....
Q. I // .,.....,.... '
2.0X }(}-S I .,.... ...-Al
I .,....
.,.... ...----~sn
_·l/. / / ~/. ...-· _.....--· __..
__ -N1 .
1 // ___..··. _ _,-- Pb
1/~~::==---- --A.g
Pr(293)
1.5 X J(}-8
FIGURA13.8 Ettetto
di
piccoleaggiuntedì vari
elementisullaresistività o 0.05 0.10 0.15 0.20
delramepuroa
elettrica Percentualein peso dì impurezza
temperatura
ambiente. WaF.
Pawfek e K.Reiche!,Z:
Metallkd.,
41:347(1956)).
100
80
60
40
20
FIGURA13.9 Effetto di o IO
di zincoal rame
aggiunte Percentualein peso di Zn
1009cCu
puroperridurrela
conducibilità
elettrica
del
rame.[DadatìASML
13.2 MODELLO DELLE BANDE DI ENERGIA PER LA CONDUZIONE
Modello delle Consideriamo ora il modello delle bande di energia per gli elettroni nei metalli.
bande di energia poiché ci aiuta a comprendere il meccanismo di conduzione elettrica nei metalli
per i metalli stessi. Per spiegare il modeìlo utilizziamo il sodio metallico, poiché r atomo di
sodio ha una struttura elettronica relativamente semplice.
Gli elettroni degli atomi isolati sono legati ai loro nuclei e possono avere
solo livelli energetici che sono rigorosamentedefiniti dagli stati 1s 1, 2s 1, 2s 2, ...
come richiesto dal principio di Pauli. In caso contrario, sarebbe possibile che
tutti gHelettroni di un a,tomo occupassero il livello energetico più basso, 1s 1! Così
gli 1l elett:ronì nell.),atomoneutro di sodio occupano 2 stati 1s, 2 stati 2s, sei stati
2p e uno staio 3s, come illustrato in Figura 13.lOa. Gli elettroni nei livel1i più
bassi (li!. 2s1, 2p 6) sono saldamente legati e costituiscono gli eleuronidegli stra:1i
più interni dell'atomo di sodio (Figura 13.J0b). L'elettrone 3s1 più esterno può.
invece, partecipare a legami con gli altri atomi ed è chiamato elettrone di valenza.
In un blocco solido di metallo, gli atomi sono ravvicinati e si toccano. Gli
elettroni di valenza, che sono delocalizzati (Figura 13.l la) interagiscono e si
compenetrano così che i loro ben definiti livelli iniziali di energia sono espansi in
regioni più ampie dette bande di energia (Figura 13. llb). Gli elettroni più
interni, poiché sono schermati dagli elettroni di valenza 1 non formano bande.
Ogni elettrone di valenza in un blocco di sodio metallico, per esempio. deve
avere un livello di energia leggermente differente secondo il principio dì
esclusione di Pauli. Così. se ci sono.Natomi di sodio in un blocco dì sodio. dove
Singolo livello
energetico Elettrone di v;llenzaI3s I J
..,····~··
......I
FIGURA 13.1O (a) Livelli
in unsingolo
di energia
2p --:
2s f:"o~
•&.t
~~
:.•.
~
·"'·
.. ·j
~ Elenroni del
1:;i,:,••...-;·· nucleo
atomodi sodio.(b) • ~·· (ls~.2s~.2p1'J
Disposizione deglielettroni
in unatomodi sodio.
di valenza
L'elettrone più
esterno3s1 è legato
debolmente edè liberodi (a)
partecipare
a un legame
metallico.
644 Capitolo 13
/.
FIGURA 13.11 (a) Bandadi liyelli
3s energeticipergli
Elettronidi valenza elettroni3s
delocalizzatiin unbloccodi
sodiometallico. (b)Livellidi 2p-
energia ìnun bloccodì 2s-
sodiometallico; sì noti
l'espansione dellivello3sin
unabanda di energia e che
la banda 3s è mostrata più ls-
vicinoal livello2p dal
momento cheil legame ha
provocato unabbassamento
(a)
deilivelli3s degliatomi
isolatidi sodio.
N può essere molto grande~ ci saranno N livelli di energia 3s 1 distintì, ma solo

leggermente, nella banda di energia 3s. Ogni livello di energia è chiamato stato.
Nella banda dì energia di valenza, i livelli di energia sono così ravvicinati che
formano una banda continua di energia.
I
I Spaziatura
1---di equìlib~io
-10 1 mtcratom1ço
I
FIGURA 13.12 Bande di

energia
di valenzanelsodìo
0.5 I.O l.5
metallico.
Si notila
separazione
deilivellis, p e Spazìatùra interatomica (nm)
d. WaJ. C.Slater,Phys.
Rev.,45:194(1934)1.
Proprietà elettriche e materiali perl'elettronìca 645
FIGURA 13.13
t~raTa···
Diagrammi schematici delle
bande di energia di alcuni
conduttorimetallici.
Sodio,3s1 : la banda
(a)
3s è
11, 3
.. 3
'1, lpl .. .
~1. ~I~···
riempitaametàperché c'è
i j
1
solounelettrone 3s • (b)
Magnesio, 3s2:la banda3s 3
è pienae si sovrappone alla
banda 3p vuota.(e) (a) (b) (e)
Alluminio,3s2p1: la banda
3s è pienae si sovrappone
allabanda 3p parzialmente
riempita.
La Figura 13.12 mostra una parte del diagramma delle bande di energia per
il sodio metallico in funzione della distanza interatomica. Nel sodio metallico
solido le bande di energia 3s e 3p si sovrappongono (Figura 13.12). Comunque,
poiché c'è solo un elettrone 3s ne11'atomo di sodio, la banda 3s è riempita solo a
metà (Figura 13.13a). Di conseguenza, nel sodio è richiesta una piccola quantità
di energia per eccitare gli elettroni dagli stati pieni più alti a quelli vuoti più
bassi. Il sodio è, quindi, un buon conduttore poiché è richiesta una quantità
molto piccola di energia per produrre un flusso di elettroni al suo interno.
Anche il rame, l'argento e raro hanno le bande s più esterne semipiene.
Nel magnesio metallico sono riempiti entrambi gli stati 3s. Comunque. la
banda 3s si sovrappone alla banda 3p e lascia alcuni elettroni in essa. creando
una banda combinata 3sp parziah11ente riempita (Figura l 3.13ò). Cosi.
nonostante la banda 3s sia riempita.. il magnesio è un buon conduttore. Allo
stesso modo, anche l'alluminio che ha riempiti sia gli stati 3s che uno stato 3p. è
un buon conduttore perché la banda 3p semipiena si sovrappone alla banda
piena 3s. (Figura 13.Bc).
Bandadi conduzionevuota
FIGURA 13.14
Diagramma dellebande di
energiaperon isolante. La
banda di valenza è
completamente piena
edè separata dallabanda Bandadi valenza piena
dì conduzione vuota
daungrande intervallo
dì energiaf9.
646 Capitolo 13

cubìcadelcristallodi
diamante. Inquesta struttura ,.
gli atomisonolegatida
legami covalenti sf. Il
diamante (carbonio), li
silicio,il germanio e lo
stagno grigio(lostagno
polimorto stabilesottoì
13°C}hanno tuttiquesta
struttura. Cisono8 atomi
percellaunitaria: 1/8x 8
agliangoli,1/2x6 sulle
facce e 4 all'internodelcubo
unitario.
Modello delle Negli isolanti, gli elettroni sono saldamente legati e non sono "liberi" dì
bande di energia condurre elettricità se non sono fortemente eccitati. Il modelJo delle bande di
per gli isolanti energia per gli isolanti prevede una banda inferiore di valenza piena e una banda
superiore di conduzione vuota. Queste b.ande sono separate da un intervallo
(gap) di energia relativamente grande Ei; (Figura 13.14). Per liberare un
elettrone per la conduzione. questo deve essere eccitato per ··saltare" l'intervallo
di energia. che può arrivare a 6· 7 eV, come per esempio nel diamante puro. Nel
diamante, 2li elettroni sono tenuti saldamente da un lee:ame CO\'akni~·
tetraedrico ;p 3 (Figura 13.15). ~
13.3 SEMICONDUTTORI INTRINSECI
Conduzione I semicondzmori sono materiali la cui conducibilità elettrica, è compresa tra

elettrica nei quella dei metalH buoni conduttori e quella degli isolanti cattivi conduttori. l
semiconduttori semicondunoriintrinsecisono semiconduttori puri la cui conducibilità elettn,. ::
intrinseci determinata dalle loro proprietà conduttive intrinseche. Il silicio e il izerrn,·nil'
puri sono materiali semiconduttori intrinseci. Questi elementi, che ;ono nel
gruppo 4A della tabella periodica degli elementi, hanno la struttura cubica del
diamante, con legami covalenti fortemente direzionali (Figura 13.15). Gli
orbitali del legame ibrido tetraedrico sp 3 sono composti da coppie di elettroni
che legano gli atomi nel reticolo cristallino. In questa struttura ogni atomo di
silicio o di germanio fornisce quattro elettroni di valenza.
La conducibilità elettrica nei semiconduttori puri come il silicio o il
germanio può essere descritta qualitativamente in base alla rappresentazione
Elettroni Nuclei ionici

di valenza positivi
FIGURA 13.16
Rappresentazione schematica +
bidimensionaledelreticolo
cubicoa diamante del silicio
o delgermanio chemostra i
nucleidi ionipositivi
elettroni
di valenza.
e gli
Un
-I
Una lacunacaricata
positivamenteviene Elettrone libero
è staioeccitato
elettrone dal creatain questo punto di conduzione
legame inA e si è mosso nel quando un elettronesì allontana
puntoB.
bidimensionale del reticolo cristallino cubico del diamante mostrato in Figura

13,16. In questa figura i cerchi rappresentano ì nuclei d; ioni positivi de2:li atomi
di Si o di Ge, mentre le doppie linee di collegamento indicano gli el;ttroni di
valen:a di legame. Gli elettroni di legame non riescono a muoversi attraverso il
reticolo cristallino e quindi a condurre elettricità. a meno che non venirn fornita
un'energia sufficiente per eccitarli dalle loro posizioni di legame. Qua~do viene
fornita una quantità critica di energia ad un elettrone di valenza per eècitarlo e
allontanarlo dalla sua posizione di legame, questo diventa un elettrone libero di
conduzione e lascia una lacuna con carica positiva nel reticolo cristal1ino
(Figura 13.16).
Trasporto di Nel processo di conduzione elettrica in un semiconduttore come il silicio o il

cariche positive germanio puri, sia gli elettroni che le lacune elettroniche sono portatori di carica
nel reticolo e si muovono per effetto di un campo elettrico applicato. Gli elettroni di
cri.stallinodel conduzione hanno una carica negativa e sono attratti dal polo positivo di un
silicio puro circuito elettrico (Figura 13.17). Le lacune, d'altra parte, si comportano come
cariche positive che vengono attratte dal polo negativo del circuito elettrico
(Figura 13.17). Una lacuna ha una carica positiva uguale, in modulo, alla carica
dell'elettrone.
Il moto di una .. lacuna'' in un campo elettrico può essere schematizzato
come in Figura 13.18. Supponiamo. che ci sia una lacuna elettronica nell'atomo
A ìn cui manca un elettrone di valenza, come in Figura 13.18a. Quando viene
applicato un campo elettrico nella direzione mostrata in Figura 13.18a, viene
esercitata una forza sugli elettroni di valenza dell'atomo B e uno di questi
648 Capitolo 13
+
+
!;lettrone +
+
Polo Polo
negativo positivo
FIGURA 13.17 +....,_ +
Conduzione elettrica
in un Lacuna +
semiconduttorecomeil
silicioconindicazionedella +
migrazione e
deglielettroni +
dellelacunenelladirezione
di uncampo elettrico
applicato.
elettrolii si separa dal suo orbitale di legame e si sposta nella lacuna deU'orbìtale
di legame dell'atomo A. La lacuna ora è nell'atomo B e in effetti si è mossa
dall';tomo A all'atomo B nell; direzione del campo applicato (Figura l 3.18b).
Con un meccanismo simile, la lacuna viene trasportata dall'atomo B alratomo
C attraverso il movimento di un elettrone da C verso B (Figura 13.l 8c). Il
risultato nena di questo processo è il trasporto di un elettrone da C ad A. c.,,,;
nella direzione opposta a quella del campo applicato. e il trasporto di t: .:
lacuna da A a C, cioè nella direzione del ~ampo elettrico. Pertanto. 11..·:.. :
conduzione elettrica in un semiconduttore puro come il silicio. gli elettroni. Ji
carica negativa. si muovono in direzìone opposta a quella del campo applicato
(flusso convenziona.le di corrente) verso il polo positivo. mentre le lacune, di
carica positiva, si muovono nella direzione del campo applicato verso il polo
negativo.
Diagramma delle Un altro metodo per descrivere l'eccitazione degli elettroni né{ semiconduttùri
bande di energia dai loro legami di valenza per divenire elettronì di conduzione sono i diagrt1111mi
peri delle bande di energia. Questa rappresentazione considera solo renu~:;.
semiconduttori richiesta per il processo e non viene descritto il movimento degli elettroni ne;
intrinseci reticolo cristallino. Nel diagramma delle oançle di energia dei semiconduttori
elementari intri~secì elementari (per esempio-, Si~ Ge), gli elettroni di valenza di legaine del
cristallo legato covalentemente occupano i livelli di energia nella banda di
valenza più bassa, che è quasi piena a 20°C (Figura 13.19).
Al di sopra della banda di valenza c'è un intervallo di energia proibito. in
cui non ci sono stati di energia possibili, che per il silicio è di 1, l eV a 20°C. Al <:li
sopra dell'intervallo di energia c'è una banda di conduzione quasi vuota <a
20°C). A temperatura ambiente l'energia termica è sufficiente per eccitare alcuni
Proprietà elettriche e materiali per l'elèttronica 649
E•• •• •• E • • • • • •
:o:G~O:
•• ··1~
:0:0:0:
• il • • • •
•• Q •• \JY.
,.:'\·Q•• Lacuna ·o·e·o·
••••••
:o:w:o:
••••••
;o;~~;
...... ~
Lacuna
<a) (b)
FIGURA 13.18
Illustrazione
schematica del E •• •• ••
movimento dellelacune
deglielettroniin un
e :0:0:0:
•• •• ••
semiconduttore
purodurante
di silicio
la conduzione
:0:0:0:
• •. • • ~Lacuna
elettrica
provocata
dall'azione
di uncampo :o:@.u:
•• •• ••
elettrico.
[DaS. N. Levine.
"Principles
ot SolidState !e)
Microelectronìcs,
" Holt,
1963].
elettroni dalla banda di valenza alla banda di conduzione. lasciando nella banda
di valenza siti vacanti o lacune elettroniche. Quindi, quando viene eccitato un
elettrone attraverso rintervallo di energia fino alla banda di conduzione. si
creano due portatori di carica. un elettrone di carica negativa e una lacuna dì
carica positiva. Sia gli elettroni che le lacune trasportano la corrente elettrica.
Relazione Per la conduzione elettrica nei semiconduttori intrinseci. la densità di corrente J

quantitativa per la è uguale alla somma della conduzione dovuta sia agli elettroni che alle lacune.
conduzione Utilizzando l'Equazione (13.6).
elettrica nei
semiconduttori (13.9)
intrinseci dove: n numero di elettroni· di conduzione per unità di volume
elementari
p = numero di lacune di conduzione per unità di volume
q = valore assoluto della carica dell'elettrone e della la.cuna,
1, 60 X JQ- 19C
• Il pedice n (negativo) si riferisce agli elettroni, il pedice p (positivo) si riferisce alle

lacune.
650 Capitolo13
FIGURA 13.19
Diagramma dellebande di
energia perun
semiconduttore intrinseco Elettronedi
cond.uzione
elementare comeil silicio
puro.Quando
vieneeccitato
l'intervallo
creata
unelettrone
attraverso
unacoppia
viene
di energia.
elettrone-
Differenzadi energia
'-'
lE,
lacuna. Così,perogni Lacuna

elettronechesaltanella Banda di valenzapiena
banda di conduzione,sono
prodottidueportatori di
carica,unelettrone e una
lacuna.
vn~"P = velocità di deriva rispettivamente degli elettroni e delle lacune.
Dividendo entrambi i membri dell'Equazione (13.9) per il campo elettrìco E.

ed utilizzando l'Equazione (13.4), J aE, =
(13.101
Le quantìtà vn/E e vp/E sono chiamate mob.ilitddel/'elettr~ne e della l,_

11 ,, ·
poiché misurano la velocità con cui gli elettr~m e le lac~~e s1 1:1uovono m ·.;n
campo elettrico applicato. 1 simboli /J'fle Jip vengono usau rìspett1vamente p~r.l,_i
mobilità degli elettroni e delle lacune. Sostituendo vn/E e,·µ/~~~~ le mo.b1ht.:
dell'elettrone e della lacuna nell'Equazione (l3J0), la conduc1b1hta elettrica di
un semiconduttore può essere espressa come:
a= nqµn + pqµp
, . ( 13.1I)
Le unità di misura per la mobilità ~t sono:
v m/s m2
E= V/m=rs
Nei semiconduttori intrìnsecì elementari. gli elettroni e ìe lacune sono creati
a coppie e pertanto il numero degli elettroni di conduzione è uguale al numero di
lacune prodotte. così:
(13.J:!)
Proprietà elettric.he e materiali per l'elettronica .651
dove: ni =
concentrazione intrinseca dei portatori di carica, portatori/volume
unitario.
L'Equazione (13,ll) diventa:
( 13.13}
La Tabella 13A elenca alcune delle proprietà importanti del silicio e del
germanio intrinsecì a 300 K.
Le mobilità degli elettroni sono sempre maggiori di quelle d~lle lacune. Per
il silicio intrinseco, la mobilità dell'elettrone, pari a 0,135 m 2/(V·s), è 2,81 volte
maggiore della mobilità della lacuna, che è 0.048 m 2/(V· s) a 300 K (Tabella
13.4). La velocità della mobilità dell'elettrone rispetto a que]la della lacuna per iì
germanio intrinseco è 3,05 a 300 K.
Eserciziario
Effetto della A O K le bande di valenza dei semiconduttori intrinseci come il silicio e il

temperatura sulla germanio sono completamente riempite. mentre le bande dì conduzione sono
semiconduc.ibilità completamente vuote. A temperature superiori a O K, alcuni degli elettroni di
intrinseca valenza sono attivati termicamente e passano nella banda di conduzione,
creando una coppia elettrone-lacuna. Quindi. al contrario dei metalli. nei quali
la conducibilità diminuisce con l'aumento della temperatura. la conducibilità dei
semiconduttori aumenta con l'aumentare della temperarura nelrinter\'allo di
temperatura in cui avviene questo processo.
Dal momento che gli elettroni nella banda di conduzione dei
semìconduttori sono attivati termicamente. la loro concentrazione mostra una
dipendenza dalla temperatura simi.le a quella di molti altri processi attivati
termicamente. Per analogia con J"Equazione (4.8), la concentrazione degli
elettroni con energia termica sufficiente ad entrare nella banda di conduzione (e
quindi a creare la stessa concentrazione di lacune nella banda di valenza). ni,
varia secondo la relazione:
(13.14)
TABELLA13.4 Alcune proprietà del silicio e del germanio a 300 K
Silicio Germanio
Intervallodi energia.eV 1.1 0.67

Mob.ilìtàdell'elettroneµr,, m2 /{V· s) 0.135 0.39
Mobilità della lacuna µ 0 , m2 / {V . s) 0.048 0.19
Densitàdei portatoriintrinsecin1, portatorilm3 1.5 X 10 2.4 X 1019
16
Resistivitàintrinsecap, n · m 2300 Q.46

Densità, g/m 3 2.33 X 106 5.32 X 106
652 Capitolo 13
I
T,K
1200 800 500 300
104
FIGURA 13.20
Conducibilità
funzione
elettrica
delreciproco
in
della
"b
i J02
\\
temperatura assolutaperil 0,001 0.002 (l.003
siliciointrinseco.
[DaC.A. IIT. K-l
Werte R.M. Thomson,
"Physics ofSo/ids,
"2nded.,
McGraw-Hil!, 1070,p.282l
dove: E8 = intervallo di energia

E3 .._. = energia media di intervallo della banda
k =. costante di Boltzmann
T = temperatura. K
Per i semiconduttori intrinseci come il silicio puro e il germanio. Ea\· è a metà
strada dell'intervallo di energia, Eg/2. Quindi l'Equazione ( 13.14) diventa:
(13.15a)
cioè: ,.
(13.!5hì
Dal momento che la conducibilità elettrica a dì un semiconduttore intrinsecl) ~

proporzionale alla concentrazione dei -portatori di carica elettrica. 11,.
l'Equazione ( 13.15b) può essere .espréssa com è:
(1 == (13.16a)
oppure nella forma del logarìtrno naturale:
In a In o-(1- (13. I6bi

dove u0 è una costante globale che dipende principalmente dalle mobilità degli
elettroni e delle lacune. La modesta dipendenza dalla temperatura di ereviene
trascurata in questo libro.
Poiché l'Equazione (13.16b) è l'equazione di una linea retta, i] valore di
Eg/1k, e quindi Eg, può essere determinato dalla pendenza del diagramma di
ln u rispetto a 1/T, K- 1• La Figura 13.20 mostra un diagramma sperimentale di
In a rispetto a l/T, K- 1 per il silicio intrinseco.
Eserciziario
Vedi Esercizio13.6.
13.4 SEMICONDUTTORI ESTRINSECI
I semiconduttori estrinseci sono soluzioni solide sostituzionaii molto diluite nelle

quali gli atomi di impurezze del soluto hanno differenti caratteristiche di valenza
dal reticolo atomico del solvente. Le concentrazioni degli atomi di impurezze
aggiunti in questi semiconduttori sono di solito nell'intervallo fra 100 e 1000
parti per milione (ppm).
Semiconduttori Si consideri il modello bidimensionale dei legami covalenti nel reticolo

estrinseci di tipo n cristallino del silicio mostrato in Figura 13.21a. Se un atomo di una impurezza
(tipo-negativo) di un elemento del gruppo 5A, ad esempio il fosforo, sostituisce un atomo di
silicio, che è un elemento del gruppo 4A, ci sarà un elettrone in eccesso oltre ai
quattro richiesti dal legame covalente tetraedrico del reticolo di silicio. Questo
elettrone in eccesso è legato solo debolmente al nucleo di fosforo caricato
positivamente ed ha un'energia di legame di 0.044 eV a 27°C. Questa energia è
circa il 5% di quella richiesta da un elettrone di conduzione per saltare
l'intervallo di energia proibito, pari a 1,1 eV per il silicio puro. Così, sono
richiesti solo 0,044 eV per rimuovere l'elettrone in eccesso dal suo nucleo così
che possa contribuire alla conduzione elettrica. Sotto razione di un campo
elettrico. l'elettrone in eccesso diventa un elettrone libero disponibile per la
conduzione e l'atomo di fosforo si ionizza e acquista una carica posìtiva (Figura
13.21b).
Glì atomi di impurezze del gruppo SA come P, As e Sb. quando vengono
aggiunti al silicio o al germanio, forniscono elettroni facilmente ionizzabili per la
conduzione elettrica. Dal momento che questi atomi del gruppo SA cedono
elettroni di conduzione quando sono presenti nei cristaUi di silìcio o di
germanio. sono chiamati atomi di impurezze donatrici. 1 semiconduttori di silicio
o di g.ennanio che contengono atomi di impurezze del gruppo S. sono detti
semiconduttori estrinseci di tipo n (tipo negativo) poiché la maggior parte dei
portatori di carica sono elettroni.
In termini del diagramma delle bande di energia del silicio, l'elettrone in
654 Capitolo13
FIGURA13.21 (a)
L'aggiunta di unatomodi
impurezza di fos1oro
pentavalente (PS+)al
reticolodelsilicio
tetravalente(Si4+) fornisce
unquintoelettrone cheè
debolmen.te legato all'atomo
di fosforo.Unapiccola
quantitàdi energia
eV)rendemobilee
(0,044 . ®·
conduttivo questo
(b)Sottol'azione
elettrone.
dì un
I:I
campo elettricol'elettrone
ìn
eccesso diventa conduttivo
ed.è attrattodalpolo
(b)
posìtìvodelcircuito
elettrico.
Conla perdila
dell'elettrone
in eccesso,
l'atomodi fosforo è ionizzato
· edacquista unacarica,. 1.
eccesso delFatomo _di impurezza del gruppo SA occupa un livello energetico

nell'intervallo proibito appena al di sotto della banda vuota di conduzione.
come mostrato in Figura 13.22. Questo livello di energia è detto livello donatore.
poiché è fornito da un atomo di impurezza donatrice. L'atomo donatore dd
gruppo 5A. perdendo il suo atomo in accesso~ si ionizza e acquista una ca:-·..,
positiva. I livelli energetici degli atomi donatori del gruppo SA come Sb. P e .'.\,
nel silicio sono mostrati in Figura 13.23.
Semiconduttori Quando un elemento del gruppo trivalente3A come il boro (B 3+) viene intwdono
estrinseci di tipo p sostituzionalmente nel reticolo tetraedrico del silicio, viene a mancare uno degli
(tipo positivo) orbitali di legame e si fonna una lacuna nella struttura di le2.ame del silicio
(Figura 13.24a). Se si applica un campo elettrico esterno. uno degli elettroni vicini
di un altro legame tetraedrico può avere energia sufficiente per s~ccarsi da questo
legame e muoversi verso il legame mancante (lacuna) dell'atomo di boro (Figura
13.24b). Quando la lacuna associata all'atomo di boro viene riempita d:i ll:·;
elettrone di un atomo di silicio vicìno, l'atomo dì boro si ionizza ed acquista una
carica negativa. L'energia di legame associata alla rimozione di un elettrone
dall'atomo di silicio, con conseguente forn1azione di una lacuna, e al successivo
trasferimento dell'elettrone all'atomo dì boro è solo di 0,045 eV. Questa quantità
di energia è piccola in confronto alrenergia di 1,1 eV richiesta per trasferire un
elettrone dalla banda di valenza a quella di conduzione del silicio. In presenza di
un campo elettrico esterno, la lacuna creata dalla ionizzazione di· un atomo di
boro sì comporta come un portatore di carica positivo e si sposta nel reticolo di
silicio verso il polo negativo, come descritto in Figura 13.17.
Bandadi valenzapiena 4A SA
e N
Si p
Ge As
Sn Sb
FIGURA13.22 Diagramma
dellebande
di energia
perunsemiconduttore
estrinseco
di tipon chemostra
la posizione
dellivellodonatore dell'elettrone
aggiuntivodl unelemento delgruppo5AcomeP,Ase Sb
contenutonelreticolocristallino
di silicio(Figura13.21a). Glielettroni
al)iveUodì energiadeldonatore
richiedono
solounapiccola quantità di energia (!::.E= Ec- E<1) peressere eccitaliallabandadi
conduzione.
Quando l'elettrone
aggiuntivo saltadallivellodonatoreallabanda di conduzione,rimane
uno
ionepositivoimmobile.
In termini del diagramma delle bande di energia. l'atomo di boro fornisce

un liveìlo energetico detto livello accellore che è leggermente più alto (;:::;;0;045
eV) del livello più elevato della banda piena di valenza del silicio (Figura 13.25).
Quando un elenrone di valenza di un atomo di silicio vicino riempie la lacuna
deirelettrone mancante nel legame boro"silicio (Figura 13.24b), questo elettrone
r
Sb p A~
.044 .049
Silicio
ER= I.I eV
.057 .065
l
FIGURA13.23 Energie
di ionizzazione
(espresse
in
l™' B Al Ga
I
t·
elettronvolt)
impurezze
pervaritip[di
nelsìlicio.
I!.
656 Capitolo 13
Il quarto elettrone di Un elettrone è pttratto da un

leearne del boro manca e atomo di silicio,:>erriempire la
~ crea ùna lacuna lacuna nel Jegampboro-silicio
-~±~-
-~- -~¾~.·if
-~A~.-~- ~mtl~~~
1:I f:l I:l
. ·@· • ®· ·®·
f• \ I· l I· l ca)
-~-~~~-(hl
Una nuova lacuna viene
creata Ìl1 questo punto
FIGURA 13.24 {a}l'aggiunta

di unatomodi impurezza (B3+) nelreticolotetravalente
di borotrivalente
(Si4-i-)creaunalacuna in unodeilegamiboro-silicio dalmomento chemanca unelettrone.(b) Dì
conseguenza, applicandouncampo elettrico
bastaunapiccola quantità
di energia
(0.045eV)perattrarre
un
elettronedaunatomo di siliciovicinoe riempire
questa lacuna,creando
cosìunoioneimmobile dìborocon
unacarica di -1. Lanuovalacuna creatanelreticolo
delsilicioagisce
comeunportatoredi caricapositivo
edè attratiaversoil polonegativo di uncircuitoelettrico.
viene elevato al livello accettore e crea uno ione di boro nel?ativo. In t)t:•::-,,.
processo viene creata una lacuna elettronica n~l reticolo cristallino del silicio che
agisce come portatore di carica positivo. Gli atomi degli elementi del gruppo 3A
come B, Al e Ga forniscono livelli accettori nei semiconduttori di silicio e sono
chiamati atomi accettorf Dal momento che la maggior parte dei portatori di
carica in questi semiconduttori estrinseci sono le lacune nella .banda di valenza.
vengono chiamati semiconduuori estrinseci di tipo p ( tipo positivo).
,.
Drogaggio Il processo di aggiunta di piccole quantità di atomi sostituzionali di impurezze al
dei materiali silicio per prodùrre materiali semiconduttori estrinseci di silicio è chiarn:1tr,
semiconduttori drogaggio, mentre gli atomi di impurezze sono detti elementi drogami. Il met(,do
estrinseci di silicio più comunemente utilizzato per il drogaggio di semiconduttori di silicio è il
processo planare. In questo processo: gli atomi droganti vengono introdotti da
una superficie in aree selezionate del silicio per formarè regioni di materiale dì
tipop on. Le fette di silicio (wafer) hanno di solito un diametro di circa 10 cm e
uno spessore di poche centinaia di mìcrometri 1• La Figura 4. I 3 mostra alcuni dì
questi wafer di silicio.
1 l m:icrometro(µ,m) = 10- 4 cm= 104 A.

Gruppi 3A e 4A
della tavola periodìca
3A 4A
I
B e
Al Si
Elettrone
-t Livello 1
•=tt•ff
/
·/E,-~
l
Lacunapositiva T
Ga
In
Ge
Sn
Bandadi valenzapiena (AE = Ea - E,.)
FIGURA 13.25 Diagramma

dellebande
dì energia
perunsemiconduttore
estrinseco
di tipop chemostra
la posizionedellivelloaccettore
creato dall'aggiunta
di unatomo di unelemento delgruppo 3AcomeAl,B o
Gain sostituzione di unatomo dì silicionelreticolodi silicio(Figura13.24).Èsufficientesolounapiccola
quantìtàdi energia (AE = Ea- Ev)pereccitare unelettrone dallabanda di valenza
al livelloaccettore,
creandocosìunalacuna elettronica
(portatorte di carica) nellabanda di valenza.
Nel processo di diffusione per il drogaggio dei wafer di silicio, gli atomi
droganti di solito sono depositati sulìa superficie del wafer stesso. o vicino ad
essa. con uno stadio di deposizione gassosa. seguito da un processo diffusivo che
introduce gli atomi droganti più in profondità nel wafer. Per questo processo
diffusivo è richiesta un'alta temperatura. di circa 1100 °C. Maggiori dettagli di
questo processo verranno descritti nel Paragrafo 13.6 riguardante la
microelettronica.
Effetto degli Legge dell'azione di massa Nei semiconduttori come il silicio e il germanio,
elementi droganti vengono costantemente generati e ricombinati elettroni e lacune mobili. A
sulle temperatura costante e in condizioni di equilibrio, i1 prodotto tra la
concentrazionidei concentrazione degli elettroni liberi negativi e quella delle lacune positive è
portatori nei costante. La relazione generale è:
semiconduttori
estrinseci np = n; {13.17)
dove ni è la concentrazione intrinseca dei portatori in un semiconduttore ed è
una costante ad una determinata temperatura. Questa relazione è valida sia per i
semiconduttori intrinseci che per quelli estrinseci. In un semiconduttore
estrinseco, l'aumento di un tipo di portatore (n op) riduce la concentrazione
delraltro attraverso la ricombinazione in modo che il prodotto dei due (ne p) sia
costante ad ogni temperatura.
658 Capitolo 13
TABELLA 13.5 Concentrazione del portatori nei semiconduttori estrinseci
Concentrazione · Concentrazione I,
dei portatori dei portatori
Semiconduttore di maggioranza di minoranza
Tipon nn (concentrazionedì Pn (concentrazione

elettroniIn materiale di lacunein materi·
di tipo n) aiedi tipo n)
Tlpop p,, {concentrazionedi np (concentrazione
lacunein materialedi di elettroniin mate·
tipop) riale di tipo p)
l portatori ]a cui concentrazione nei semiconduttori estrinseci è più alta

sono detti portatori di maggioranzae quelli la cui concentrazione è minore sono
detti portatori di minoranza (vedi Tabella 13.5). La concentrazione di elettroni in
un semiconduttore di tipo n è denotata dal simbolo nn e quella delle lacune in un
materiale di tipo n dal simbolo Pn· Allo stesso modo. la concentrazione di lacune
in un semiconduttore di tipo p è data da Pp e quella degli elettroni in un
materiale di tipo p da np,
Densità di carica nei semiconduttori estrinseci Una seconda relazione

fondamentale per i semiconduttori estrinseci è ottenuta dal fatto che il cristallo
deve essere elettricamente neutro. Questo significa che ia densità di caric ..1 in
ogni elemento volumetrico deve essere nulla. Ci sono due tipi di parti,··
cariche nei semiconduttori estrinseci come il sìlicio e il germanio: ioni immobi,.
portatori di carica mobili. Gli ioni immobili nel silicio o ?:1
germani~ _sono
creati dalla ionizzazione .degli atomi di impurezze donatnc1 o accettrici. .La
concentrazione degli ioni positivi è denotata da Nd e quella degli ioni accettar!
negativi da Na. I portatori di carica mobili nel Si o nel Ge sono creali
principalmente dalla ionizzazione degli atomi dì impurezze e le loro
concentrazioni sono indicate da n per gli elettroni di carica. negativa e da Ji
per le lacune di carica positiva. '
Poiché i1 semiconduttore deve essere elettricamente neutro, l'entità d::lìa
densità di carica negativa totale deve essere uguale alla densità di carica neg: t t 1 , ~.
totale. La densità di carica negativa totale è uguale aHa somma deglì ic·m
negativi accettori Na e degli elettroni, ossià Na + n. La densità di carica posit!v~
totale è uguale alla somma degli ioni donatori positivi Nd e delle lacune, c1oe
Nd + p. Quindi:
(13.18)
In un semiconduttore di tipo n, creato aggiungendo atomi donatori di

impurezze al silicio intrinseco si ha Na ;:: O. Poiché il numero di elettroni è moh('
Proprietà elettrichee materiali per l'elettronica 659
più grande del numero di lacune in un semiconduttore di tipo n (cioè n » p),

allora l'Equazione (13.18) si riduce a:
(13.19)
Quindi, in un semiconduttore di tipo n, la concentrazione di elettroni liberi è

approssimativamente uguale alla concentrazione degli atomi donatori. In un
semiconduttore di tipo n, la concentrazione di lacune si ottiene dall' Equazione
(13.17). Quindi:
(13.20)
Le equazioni corrispondenti per i semiconduttori dì tipo p di sìlìcìo e

germanio sono le seguenti:
(13.21)
e
(13.22)
Concentrazioni tipiche dei portatori nei semiconduttori intrinseci ed estrin-

seci Per il silicio, a 300 K. la concentrazione intrinse:ca dei portatori ni è pari
a 1,5 x 1016 portatori/m 3 • Per il silicio estrinseco drogato con arsenico ad una
tipica concentrazione di J0'.! 1 atomi di impurezza,m 3 :
Concentrazione di portatori di maggioranza 1111 = 1o=!!elenronììm 3
Concentrazione di portatori di minoranza p 11 = 2: 25 x 1011 lacune/m 3
Quindi, per i semiconduttori estrinseci. la concentrazione dei portatori di mag-

gioranza è normalmente molto maggiore di quella dei portatori di minoranza.
Eserciziario
Concentrazione di La Figura 13.26 mostra come le mobilità degli elettroni e delle lacune nel silicio
impurezze a temperatura ambiente siano massime alle minori concentrazioni di impurezze;
ionizzate e le mobilità degli elettroni e delle lacune diminuiscono con l'aumentare della·
mobilità dei concentrazione di impurezze, raggiungendo un valore minimo alle elevate
portatori di carica concentrazioni.
.._e_s_e_rc_i_zi_a_ri_o
__ ,..·f Vedi Esercizio 13.9.
660 Capitolo13
Elettroni
Lacune
FIGURA 13.26 Effetto c

IOL.--!...-.;....J'---'---'----J..____,J"------i
dellaconcentrazione
totale J014 JQl.5 JQ16 JQ17 101s JOl9 JOW J021 a
di impurezzeionizzate
sulla t
mobilitàdeiportatori
di Concentrazionetotale di impurezze C7• {cm-3) d
caricanelsilicioa ~
temperatura
ambiente. D
f
d
d
Effetto della La conducibilità elettrica di un semiconduttore estrinseco, come il silicio che
è
temperaturasulla contiene atomi droganti, è influenzata dalla temperatura, come mostrato [
conducibilità schematicamente in Figura 13.27. Alle più basse temperature, il numero di T
elettrica dei atomi di impurezze per unità di volume attivati {ionizzati) determina la S
semiconduttori conducibilità elettrica del silicio. Quando aumenta la temperatura. un numero H
estrinseci sempre maggiore di atomi sì ionizzano e quindi la conducibilità elettrica del
\i
~I lntern11lodi
compo11amentointrinseco
Pendenza= -E/:!k
\
lmervallo di
{~1~-6
\_ Intervallo di comportamento
,,i,;,~.1
·.. Poodon,o ,•
= - (Ec- E,1) 1k
. / ~
FIGURA 13.27
Diagramma schematicodi In Alta l/C293KJ Bassa
(i (conducibilità)
in funzione temperatura temperacura
di 1/T,K-1, perun 1/T.K- 1
semiconduttoreestrinseco
di
tipon.
T,K
3,...,oo......-s.,...o_,_.;;;2;.;.o
___ ...;10
T.K
104 3...,oo,...._
....
so
___ 2_0___ ....,10
FIGURA 13.28 (a)
Diagramma di In q in
104 C8 = 1.5 x JO:?S/m3
funzionedi 1/T,K-1 perSi
drogatoconAs.Al livello ~ Si drogato con B
piùbassodi impurezze il
contributointrinseco è
appena visibileallealte
temperature; la pendenza
dellarettaa 40 K è datada ~C,•2x JO'l/ml
~ = O,048eV.{b)
Diagramma
funzione
drogato
di In a in
di 1/TperSi
conB. la pendenza
10-2
...
; i Cs=
JQ-.:?
dellarettaal di sottodi 50K 3. l X 1020/rn·~
è datada~ = O,043eV.
[DaC.A Wel1e R. M. 0.04 0.08 o 0.04 0.08
Thomson, ''Physics of IIT, K- 1 JIT. K-l
Solids,"2nded.,McGraw- W) {hl
Hill, 1970,p.282'1.
silicio estrinseco aumenta con l'aumentare della temperatura nell'intervallo di

comportamento estrinseco (Figura 13.27).
In questo intervallo di comportamento estrinseco, è sufficiente una piccola
quantità di energia<~ 0,04 eV)per ionizzare gli atomi di impurezza. La quantità
di energia richiesta per eccitare un elettrone donatore nella banda di conduzione
nel silicio di tipo n è pari a (Be - Ed)/k {Figura 13.22). Quindi. l'inclinazione di
In o- .in funzione di 1/T, K- 1, per il silicio di tipo n è -(Ec Ed)/k.
Cornspondentemente, la quantità di energia richiesta per eccitare un elettrone
nel silicio dì tipo p per spostarsi nel livello accettore e creare una lacuna nella
banda di valenza è (Ea - Ev). Quindi la pendenza di In u in funzione di 1/T, I{-1
per il silicio di tipo p è pari a (Ea - Ev)lk (Figura 13.25).
Per un determinato intervallo di temperatura al di sopra del valore a cui
avviene la completa ionizzazione, un aumento di temperatura non cambia
significativamente la conducibilità elettrica di un semiconduttore estrinseco. Per
un semiconduttore di tipo n, questo intervallo di temperatura è detto intervallo
di esaurimentodal momento che gli atomi donatori divengono completamente
ionizzati dopo la perdita dei loro elettroni donatori (Figura 13.27). Per i
semiconduttori di tipo p, questo intervallo è detto intervallo di saturazione,
perché gli atomi accettori diventano completamente ionizzati con gli elettroni
662 Capitolo 13
accettori. Per avere un intervallo di esaurimento a circa temperatura ambiente

(27°C), i] silicio drogato con arsenìco richiede circa 102) port~tori/m 3 (~igura
13.28a). Gli intervalli di temperatura di esaurimento 1 per 1 donaton e di
saturazione per gli accettori sono importanti per i dispositivi semiconduttori.
perché forniscono intervalli di temperatura in cui 1e,conducibilità elettriche sono
essenzialmente costanti durante il funzionamento.
Quando la temperatura aumenta al di sopra di quella delrintervaUo di
esaurimento. inizia l'intervallo intrinseco. Le temperature più alte forniscono
sufficienti energie di .attivazione per gli elettroni, che possono così sa.ltare
l'intervallo semiconduttore (1,1 eV per il silicio) e ìn questo modo diventa
predominante la conduzione intrinseca. La pendenza del di.agra:nma In u _in
funzione di 1/T, K- 1 diventa più ripida·ed è d::tta -E 8 /2k.,Per 1 sem1conduttona
base di silicio, che banno un ìntervallo di energia di 1.1 eV, la conduzione
estrinseca può essere utilizzata fino a circa 200°C:. li limite superiore per
l'utilizzo della conduzione estrinseca è dato dalla temperatura alla quale diventa
predominante la conduzione intrinseca.
13.5 DISPOSITIVI SEMICONDUTTORI
L'u.tilizza dei semiconduttori nelrindustria deirelettronica è diventato sempre

più importante negli ultimi anni. L·abilità dei produtt~ri d~ s_e~_ico~duttori di
porre circuiti elettrici estremamente complicati su un chip d1 sl11c10d1 1~11cm· ('
meno e con uno spessore di circa :wo
11111ha rivoluzionato la progettazwn.:_ .·
fabbricazione di innumerevoli prodotti. In Figura 13.1 è mostrato un esemph' di
un complesso circuito elettronico che può essere realizzato su un ~hip di _sili~iod_1
un microprocessore avanzato. Il microprocessore è alla base d1 molti dei pn!
Conta.lii metallici
FIGURA 13.29 (a)Diodo.

congiunzione pncresciuto
"·
in formadi barra
monocristallina.(b)
Giunzione planare pn
prodottadiffondendo
I \
Tìpo p Tipo n
selettivamente una
impurezza di tipop in un (a) (h)
cristallo
semiconduttore di
tipon.
FIGURA 13.30 (a)Diodo

congiunzione pnchemostra
Lacune. Regione di s.vuotamento I
~.
la diffusione
giunzione
maggioranza
versola
deiportatori
(lacune
di
nel
Tipo p
portatori dì
maggioranza -1
Tipo p
rTipo n
~~~~tore '
i
materiale di tipop e elettroni I
nelmateriale di tipon).(b) 0·010 010• (±)•
formazione dellaregione di Lacune r
svuotamento vicìnoe sulla
0 018(±)10•(±)•
giunzione pn causata dalla lone e :e 010 e
accettore ......,_
__ __,I_-+--'---.;:._µ
perdiladi portatori di
maggioranza dovuta alla I
Giunzione
Elettroni.
ricombinazione. In questa Giunzione portatori
regione. rimangono dì maggioranza
(a)
solamente ioninelleloro (b)
posizioni reticolari.
re:enti ~rodotti che utilizzano la minìat urizzazione progressiva della tecnologia

dei semiconduttori a base di silicio.
In questo capitolo studieremo innanzitutto le interazioni tra elettroni e
lacune in una giunzione di tipo pn e in seguito esamineremo il funzionamento di
un diodo con giunzione pn. Considereremo poi alcune applicazioni dei diodi con
giunzione pn. Infine esamineremo brevemente il funzionamento dei transistor
con giunzione bipolare.
La giunzione pn J dispositivi semiconduttori più comuni dipendono dalle proprietà delrìnter~

faccia tra materiali di tipo p e di tipo n, perciò esamineremo alcune
caratteristiche di questa interfaccia. Un diodo con giunzione pn può essere
prodotto mediante la crescita di un monocristallo di silicio intrinseco e il
su~cessivo drogag~i_o prima con un materiale di tipo n e poi con uno di tipo p
(F1gu_ra1~.29a). Pm comunemente. comunque, la giunzione pn viene prodotta
per d1ffus1oneallo stato solido di un tipo di impurezza (per esempio, di tipo p)
nel materiale di tipo n già esistente (Figura 13.29b).
Il diodo con giunzionepn in condizioni di equilibrio Consideriamo un caso

ideale nel quale semiconduttori di silicio di tipo pedi tipo n vengono uniti per
formare una giunzione. Prima dell'unione, entrambi i tipi di semiconduttori
sono elettricamente neutri. Nel materiale di tipo p, le .lacune sono i portatori di
maggioranza e gli elettroni quelli di minoranza. Nel materiale di tipo n, invece,
gli elettroni sono i portatori di maggioranza e le lacune quelli di minoranza.
Dopo l'unione dei materiali di tipo pedi tipo n (cioè, .dopo la realizzazione
di una giunzione pn nella produzione reale), i portatori di maggioranza vicini o
sulla giunzione diffondono attraverso questa e si ricombinano (Figura 13.30a}.
664 Capitolo 13
FIGURA 13.31 Diodo

congiunzione pnpolarizzato
inversamente. I portatoridi Le lacune,portatoridi Alimentatore Gli elettroni. port½tori di
maggioranza vengono attratti maggioranza,flussano esterno maggioranza, lluS$ano
esternamentealla giunzione esternamentealla giunzione
lontano
creando
dallagiunzione.
unaregione di Ili--------,
svuotamento piùampiadi
quando la giunzione è in
condizioni di equilibrio.Il
flussodi corrente dovuto ai 0 ol
portatoridi maggioranza è o " I 1•• • •
o I
ridottopraticamente a zero. o I I • •
ComunQue, i portatoridi
0
cl I •
minoranza sonopolarizzati " I I. •
I
in mododirettoè creano un Tipo p Tipo n
piccoloflussodi corrente, Polarìzza.zioneinversa
comemostrato in Figura
13.32.
Gli ioni vicino o sulla giunzione, poiché sono fisicamente pìù grandi e più
pesanti degli elettroni e delle lacune, rimangono nelle loro P?sizi~ni del reti~ol~
del silicio (Figura 13.30b). Dopo poche rìcombinaziom. dei portator~ d~
maegioranza in corrispondenza alla giunzione. il processo s1 ferma perche gli
eleu;oni che attraversano la giunzione verso il materiale di tipo p. vengon_o
respinti dai grandi ioni negativi. Allo stesso modo. le lacune che at_trave:sanc· ;;1
~iunzione sono respinte dai grandi ioni positivi presenti nel matenale di t~f'-
Gli ioni immobili presenti sulla giunzione. creano una zona impo:·e:·1t..:_.
portatori di maggioranza chiamata regione di Sl'UOtamem~. In co~dlZlorn di
equilibrio (cioè a circuito aperto) esiste una di~fer~nza d~. potenziale o un~
barriera al flusso dei portatori di maggioranza. Qumd1non e e un flusso netto di
corrente in co11dizionidi circuito aperto.
Diòao con giunzione p11a polarizzazione inversa Quando ;'!~ne ~pplic~ta una
tensione esterna. si dice che la giunzione pn è polari=zata.Cons1denamo I effetto
dell'applicazione, ad una giunzione pn. di una tensione esterna mediante 1~na
pila. Si dice che la giunzione pn è polari:~aw invers~meme _seil m~terial_e e.i.~-:i_i~l:
n della oiunzione è collegato al polo positivo della pila e se 11matenaìe di tq,,; 11 1.:
r
collega;o al polo negati~o (Figura J3.3 l Con questa disposizione. gli el~ttri,11~1
(portatori di maggioranza) de1 materiale di tipo n ~erigono allontanatt d~ll~
giunzione perché attratti dai polo positivo della batteria e le lacu_ne (~orta ton d.1
maggioranza) del materiale di tipo p vengono allontanate dalla gmnz1~ne perch:
attratte dal polo negativo della batteria (Figura 13.32). 11 movimento ~ 1
allontanamento . dalla giunzione degli elettroni e delle lacune aumenta
l'ampiezza della barnera e, di conseguenza, non fluisce la corrente tr~sportali.1
dai portatori dì maggioranza. I portatori di minoranza generati tenmcamentc
Elevato flusso di corrente

dovuto ai portatoridi ,·
t,
FIGURA 13.32
i.mA maggioranza r
Caratteristica
schematica
corrente~tensione
diodocongiunzione
Quando
di un
il diodocon
giunzione
pn.
pnè polarizzata
modoinverso si hauna
in
)
dovuta
di dispersione
corrente
allaricombinazione Polarizzazioneinversa _/V,volt
deiportatori di minoranza. Polarizzazionediretta
Corrente di dispersìone
Quando il diodoè dovuta ai portatori di
polarizzatoin mododiretto, minoranza
si haunelevato flussodi
corrente
dovuto alla
ricombinazione deiportatori
di maggioranza.
(lacune nel materiale di tipo n ed elettroni nel materiale di tipo p) vengono

attratti in direzione della giunzione e si possono combinare, creando un flusso di
corrente molto debole in condizioni di polarizzazione inversa. Questa corrente
di minoranza) o corrente di dispersione è di solito dell'ordine dei microampere
(pA) (Figura 13.32).
Polarizzazionediretta di un diodo con giunzione pn Si dice che il diodo con

giunzione pn è polarizzato direttamente se il materiale di tipo n della giunzione è
accoppiato al polo negativo di una pila esterna (o di un altro generatore
elettrico) e il materiale di tipo p è collegato al polo positivo (Figura 13.33). In
questo caso, ì portatori di maggioranza sono respinti verso la giunzione dove
possono combinarsi. Infatti, gli elettroni vengono respinti dal polo negativo
della batteria. verso la giunzione, e le lacune vengono respinte dal polo positivo.
anch'esse verso la giunzione.
In condizioni di polarizzazione diretta, cioè polarizzazione diretta rispetto ai
portatori di maggioranza, nella giunzione la barriera di energia è talmente ridot-
ta che alcuni elettroni e lacune sono in grado di attraversare la giunzione e quindi
di ricombinarsi. Nella polarizzazione diretta di una giunzione pn, gli elettroni
erogati dalla batteria entrano nel materiale negativo del diodo (Figura 13.33).
Per ogni elettrone che attraversa la giunzione e si ricombina con una lacuna,
dalla batteria giunge un altro elettrone. Alio stesso modo, per ogni lacuna che si
ricombina con un elettrone del materiale di tipo n, si forma una nuova lacuna
ogni volta che un elettrone lascia il materiale di tipo p per andare verso il polo
positivo della pila. Poiché la barriera di energia al flusso degli elettroni è
666 Capitolo 13
Alimentatoreesterno
Le lacune,portatoridi lj G!i elettroni,portator

maggioranza.flussano d1maggioranza.flus-
attraversola giunzione sano ~ttr"!verso la
g1unztone
FIGURA 13.33
direttadì un
Polarizzazione
diodocongiunzione
portatori
pn.I
di maggioranza
+ve .. +ve
sonorespinti
versola
giunzione
e la attraversano Tipop Tipon
perricombinarsiin modo
taledaprovocare un Polarizzazione diretta
considerevole
flussodi
corrente.
ridotta quando la giunzione pn è polarizzata direttamente, può circolare una

considerevole corrente. come indicato in Figura 13.32. Il flusso di elettroni (e
quindi il flusso di corrente) può proseguire finché la giunzione pn è polarizzata
direttamente e la pila garantisce l'apporto di elettroni.
Alcune applicazioni Diodi raddrizzatori Una delle più importanti applicazioni dei diodi v ,;
dei diodi giunzione pn è la conversione della tension.e alternata in tensione dirctt.,.
con giunzione pn processo noto come raddri=:amento.I diodi utilizzati per questo processo sono
detti diodi raddrizzatori. Applicando un segnale in corrente alternata (AC) ad un
diodo con giunzione pn, il diodò conduce solo quando la tensione applicata è
positiva nella regione p rispetto alla regione n. Di conseguenza,· si ottiene un
raddrizzamento a semionda, come mostrato in Figura 13.34. Questo segnaìe di
uscita può essere -smorzato con altri dispositivi o circuiti elettronici in modo da
ottenere un segnale in corrente continua (DC) costante. I raddrizzatori al silicio
vengono utìlìzzati in un ampio intervallo di correnti che va dai decimi di ampi:rc
a diverse centinaia di ampere o ancora di più. Le tensioni possono essere di 1110•!
V o anche maggiori. La Figura 13.35 mostra alcuni esempi dei d1ùdi
raddrizzatori al silicio. ·
Diodi a conduzioneinversa I diodi a conduzione inversa, o diodi =ener,come

talvolta vengono chiamati, sono raddrizzatori al silicio nei quali la corrente
inversa (corrente di dispersione) è piccola e solo con una elevata tensione di
polarizzazione inversa si raggiunge una tensione di scarica al di sopra della
quale la corrente inversa aumenta molto rapidamente (Figura 13.36). Nella zona
di scarica zener, il campo elettrico nel diodo diventa abbastanza forte da
FIGURA 13.34
r Correntein uscita
Diagramma tensione-
correntecheillustral'azione
di raddrizzamentodi un
diodocongiunzione pn per
convertire
la corrente
alternata(ACfin corrente
continua (DC).Lacorrente
in uscitanonè
completamente corrente ---+---1 1 Tensione in entrata
continua maè
principalmentepositiva.
Questo segnaleDCpuò
V(t)
essere smorzato utilizzando
allridisposilivì
elettronicL
. -:J,--
...__ \\.
~
\.\ """-
.. , I'
\, :
"
,
'11.
~ •
Ì1
I i' . .
·,~
'i:' \
:~
i
..:w
t,11
FIGURA 13.35 Alcuni

diodiraddrizzatori
di silicio
a bassae adaltapotenza.
!Perconcessionedella
Rectifleil
fnternational
668 Capitolo 13
Corrente t
diretta, mA .
Tensionedi polarizzazione
inversa,V
.--
)~
Tensionedi polarizzazione
Remone dil
tensione
diretta.V
lIinversa.
Iironùra ..
Corrente
FIGURA 13.36 Curva mA,
caratteristica
di undiodo 1
zener.
Nellaregionedì
tensione
di scarica
circola
unaelevatacorrente
inversa.
· attrarre gli elettroni direttamente dai legami covalenti del reticolo cristallino. Le
coppie elettrone~lacuna cosi create producono una alta corrente inv:rsa. A
tensioni di polarizzazione inversa superiori a quella di scarica zener avviene un
effetto valanga e la corrente inversa diventa elevatissima. Una teoria pe-r
spiegare reff;tto valanga è quella secondo ia quale gli ~~ettroni g.uad~gm1;. '
attraverso 2:liurti, una energia sufficiente per .sbalzare p1u elettroni dai legami
covalenti che possono quindi raggiungere livelli di energia abb~stanza a_lti?e~
diventare conduttori. I diodi di sicurezza possono essere prodotti con tensioni d1
scarica da pochi volt a molte centinaia di volt e sono utHizzat.i per_applic~z~on~
in cui è necessario limitare la tensione e per stabilìzzare la tensione in cond1z1om
di corrente molto variabile.
Transistor con Un transistor a giunzione bipolare (BJT) è un dispositivo el~ttronico che può
giunzione bipolare funzionare come- amplificatore di corrente. Questo dispositivo consiste di due
giunzioni p11in sequenza in un monocristallo di un materiale semic~nduw· rl?
come il silicio. La Figura 13.37 mostra schematicamente un trans1sto~ ç,m
giunzione bipolare di. tipo npn ~. ideptifica' le. tre parti p~incipali del ~rans1s1or:
l'emettitore, la base e il collettore: L'emettitore di un transistor emette 1 portato~,
di carica. L'emettitore di un transistor npn, essendo di tipo n, emette elettroni.
La base del transistor controlla il flusso dei portatori di carica ed è di tipo P pe~
un transistor npn. La base è molto sottile (circa 10- 3 cm di spesso_re) ed :
leggermente drogata, in modo che solamente una piccola frazione dei port~to~
di carica provenienti dall'emettitore si ricombinano con i portatori. d:
maggioranza di carica opposta della base. Il collettore del BJT raccoglie 1
Proprietàelettrichee·materialiperÌ'elettronica 669
Polarizzazionediretta Polarizzazioneinversa
,____-
.......
,,t-+
__ B -----41
..... Ii--+__ _
FIGURA 13.37
Illustrazione
schematica di
untransistor congiunzione
bipolare npn Laregione na
sinistraè l'emettitore,
la
regione sottilep centrale è la
basee la regione n a destra
è il collettore.
Durante il e
normale funzionamento, la
giunzione emettitore-base è
polariziatadirettamente e la
giunzione
collettore-base
è
polarìziata
inversamente.
[DaC.A. Holt,"Electronic -x
Circwts,"
Wiiey,1978,
p.49j,
portatori di carica provenienti principalmente dali'emettitore. Poiché il

collettore di un transistor npn è di tipo n. raccoglie principalmente gli elettroni
dall'emettitore. "
Nel normale funzionamento del transistor npn, la giunzione emettitore-base
è polarizzata direttamente e la giunzione collettore-base è polarizzata
inversamente (Figura 13.37). La polarìzzazione diretta della 2iunzione
emettìtore·base provoca un'iniezione di elettroni dalremettitore ~Ha base
<tigur~ 13~38). Alcuni degli elettroni iniettati nella base sono persi per la
ncombmaz1one con le lacune nella base di tipo p. Comunque, la maggior parte
degli elettroni passa attraverso la base di piccolo spessore direttamente
dall'emettitore al collettore) dove sono attratti dal polo positivo dello stesso.
Il forte drogaggio dell'emettitore con elettroni, i1 leggero drogaggio della base
con lacune e una base molto sottile sono tutti fattori che provocano il passage:io
diretto della maggior parte degli elettroni (dal 95% al 99%) dalì'emettitore ...al
collettore. Pochissime lacune fluiscono dalla base all'emettitore. La mao2ior
parte del flusso di corrente dal morsetto della base verso il suo interno è il fl;sso
delle lacune che servono per sostituire quelle perse dalla ricombinazione con gli
elettroni. Il flusso di corrente verso la base è di piccola entità ed è compreso tra
l'l % e il 5% della corrente di elettroni dalJ'emettitore al collettore. Sotto certi
aspetti il flusso di corrente verso la base può essere considerato come una
valvola di controllo, poìché la modesta corrente nella base può essere utilizzata
per controllare la corrente di maggiore entità del collettore. II transistor bipolare
670 Capitolo 13
FIGURA13.38
Movimento di unportatore
di caricadurante il normale Emettitore Base Colletfore
funzionamento diun n p n ,
transistornpn.Lamaggior
partedellacorrente è
trasportatadaelettroni che, Elettroni
attraversola base. vanno
direttamente al collettore. (1,-o:)iE I
Alcunideglielettroni, cìrca
I
1~5%si ricombinano conle Ricombinazione I
laetmeprovenienti dalflusso (1-
di correntedellabase. Come Lacune'., . } ic,o
~~
è anche
indicato, presente
unabassa corrente inversa
dovuta ai portatorigenerati I
I
termicamente. [DaR.J.
Smith,"Currents,
andSystems·:
Devices
3ded;,Wifey,
--------------1 Ìp
1976,p.343J.
è così chiamato perché sono coinvolti nel suo funzionamento entrambì i tipi dì
portatori di carica (elettroni e lacune).
13.6 MICROELETTRONICA
La moderna tecnologia dei semiconduttori ha reso possibile porre migliaia dì

transistor su un chip di silicio di circa 5 mm 1 e di spessore 0.2_~m. Q~est~
capacità di incorporare un grande numero di _ele~en~i el_ettro~~c~su clnp _d~
silicio ha notevolmente sviluppato le prestazioni dei d1sp?.s1t1v1elettromc 1
(Figura 13.1). . ,.
I circuiti mìcroelcttronicì integrati complessi r·1arge-scale mtegrated ~ LSJl
sono costruiti partendo da un wafer di silicio monocristallino (tipo n o t1po !':
con un diametro di 100-125 mm ed uno spessore di 0,2 mm. La superfic:e 0-: 1
· wafer deve essere perfettamente lucidata ·e senza difetti su una delle due _tacce.
perché i dispositivi semiconduttori vengono montati su tal_e sup~rfic1e. L~
Figura 13.39 mostra un wafer di silicio dopo che sono s.tatl post1 s~lla sua
superficie i circuiti microelettronici. Da un wafer possono essere prodotti da 100
a 1000 chip (a seconda della loro dimensione). . .
Innanzitutto, esamineremo la struttura di un transistor bipolare_di tipo
piano costruito sulla superficie di un wafer dì silicio. In seguito es~um~eremo
brevemente la struttura di un tipo di transistor più compatto chiamato
MOSFET, o transistor semiconduttore a ossidi metallici ad effetto di campo.

che viene utilizzato in molti moderni dispositivi semiconduttori. Infine~
descriveremo alcune delle procedure base usate nella fabbricazione dei moderni
circuiti microelettronici.
Transistor
I transistor microelettronici bipolari planari sono costruiti sulla superficie di un
microelettronico
wafer dì silìcio monocristallino con una serie di operazioni che richiedono di
bipolare planare
accedere soio ad una superficie del wafer di silicio. La Figura 13.40 mostra un
disegno schematico della sezione trasversale di un transistor bipolare planare di
tipo npn. Nella sua fabbricazione dapprima viene formata un'isola abbastanza
grande dì silicio di tipo n su una base, o substrato, di silicio di tipo p, in seguito
vengono create isole, più ·piccole di silicio. di tipo p e di tipo n ne11'iso1a più
grande di tipe n (Figura 13.40). In questo modo vengono formate in una
configurazione piana le tre parti fondamentali di un transistor bipolare npn~
l'emettitore, la base e il collettore. Come nel caso di un singolo transistor
FIGURA 13:39 Questa

immagine mostra unwater,
e tre
sìngolicircuitiintegrati
chip(l'unitànelmezzo è di
ceramica. le altreduesono
in plastica).
I tredispositivi
piùgrandial centro di
questo v-.ialer
sonosistemi di
controllodi processo (PCM}
permonitorare la qualità
elettrica
dellapiastrina sul
wafer.[Perconcessione
dellaAmerican
Microsystems. /ne.(AMI),
SantaClara,Ca/il].
672 Capitolo 13
bipolare npn descritto precedentemente nel Paragrafo 13.5 (vedi Figura 13.37).
la giunzione emettitore-base viene polarizzata direttamenttt e la giunzione base-
collettore viene polarizzata inversamente. Quando gli elettroni vengono iniettati
dall'emettitore nella base, la maggior parte di questi entra nel collettore e
solamente una piccola percentuale (,-..:1-5%)si ricombina con le lacune dalla
base (vedi Figura 13.38). Il transistor microelettronico bipolare planare può
perciò svolgere la funzione di amplificatore di corrente allo stesso modo dì un
singolo transistor bipolare macroelettronico.
Transistor In molti degli attuali sistemi microelettronici viene utilizzato un altro tipo di
microelettronico transistor, detto transistor a effetto di campo, per il suo basso costo e la sua
piano a effetto compattezza. Il transistor a effetto di campo più diffuso negli Stati Uniti è il
di campo trankìstor semiconduttore a ossidi metallici di tipo r; ad effetto di campo, o
MOSFET. Nel MOSFET di tipo n, o NMOS, si creano due isole di silicio di tipo
n nel substrato di silicio di tipo p, come mostrato in Figura 13.41. Nel
dispositivo NMOS il contatto dove entraµo gli elettroni è detto sorgente e il
Collettore Base Emettitore
,.
i
FIGURA 13.40 Transistor

microelettronico
bipolare
pianonpncostruito
suun monocristallo
di sHic
10
mediante unaseriedi operazioni

cherichiedono !~accessoadunasolasuperficie delchipdi silicio.L'intero
chipè drogato conimpurezzedi tipop, in·seguito si 1ormanodelleisoledi siliciodi tipon.All'internod~ e
queste isole,si creano
poidelleareep!ùpiccole di tipop e di tipon in mododarealizzare i treele~enh g
fondamentalideltransistor:
l'emettitore,
labase e il collettore.
Inquesto transistor
bipolare microelettronico
la s
giunzioneemettitore-base
vienepolariuata direttamente e lagiunzione collettore-basevienepolarizzata A
inversamente, comenelcasodeltransistor isolato npndi Figura 13.37.
Il dispositivo
mostra unguadagno
perché unbasso segnale
applìcatoallabasepuòcontrollarne unoaltoapplicato al collettore.
[DaJ. D: D
Meindl, Microeiectronìc
CircuitElements, Sci.Am.,September 1977, p.75,Copyright© Scientific
Amer,can M
lnc.}.
Proprìetà elettriche e materiali per l'elettronica 673
contatto dove escono è detto drenaggio.Tra il silicio di tipo n della sorgente e del
drenaggio, c'è una regione di tipo p sulla cui superficie si è formato un sottile
strato di biossido di silicio che agisce come isolante. Sopra lo strato di biossido
di silicio si deposita un altro strato di polisilicio (o metallo) per formare il terzo
contatto del transistor, detto porta. Poiché il biossido di silicio è un eccellente
isolante, la porta non è in diretto contatto elettrico con il materiale al di sotto
dell'ossido.
i
Polisilicio o f
metallo I
t
1
Semiconduttore di
/ tipon
Drenaggio;;-,, ./
Substrato p '-. ><
Rappresentazione
schematica
(a)
Canale con larghezza I-VJ. al foglio
Contatto della Porta G di

sorgente in Contatto del
polisìlicio Isolante drenaggio in
metallo di tipon depositato metallo
SiO;i
( Ossido
Sorg:nte
.,
V
;
., ,
I
,C,X \P=a:We;....::::=~===::i
Pbrta dielettrica
Si02
p~
r-- L {biossido di
FIGURA 13.41 Schema
di untransistorNMOS ad
Lunghezza del
canale L
silicio) TI µm scala
effetto
di campo: {a)struttura Corpo di tipo p, B l verticale
generale; (b)vistadella
sezione trasversale.
[DaD. 5 µm
A. Hodges e H G.Jackson, scala
"Analysis andDesign of orizzontale
(b)
DigitailntegratedCircuits':
McGraw"Hi/1, 1983, p.40].
674 Capitolo 13
Per un tipo semplificato di NMOS, quando non vien~ applicata ~n~

tensione alla porta, il materiale di tipo p sotto la porta,tco~t1ene portat~n di
maggioranza, che sono lacune, e solamente pochi _elettrpm son? attratt~ .dal
drenaggio. Comunque 1 quando alla porta viene ~p.phcata .un~ te:1s1oneposmva:
il suo campo elettrico attrae elettroni dalle v1cm,eregioni d1 .sorgen:e e_d1
drenaggio di tipo n+ verso il sottile strato al di sotto_della ~uperfic~~~el b.1o~s1do
di silicio appena sotto la porta, così che questa reg1on~ diventa s1hc10d1 tipo ''.
con gli elettroni che sono portatori di maggioranza (Figura 13.42). Q.uando gh
elettroni sono presenti in questo canale, si ha un percorso conduttivo tra 1~
sorgente e il drenaggio. Gli elettroni quindi fluiscono tra la sorgente e 11
dre~aggio se c'è una differenza di potenziale ~ositiva .tra di loro_- .
Il MOSFET, come il transistor bip'olare, e anche m grado d1 amplificare la
corrente. Il vantaggio nei dispositivi MOSFET è misyrato di so!ito in termini di
un rapporto di tensione invece che in termini di ~n .rapporto d1 corrente. come
avviene nel transistor bipolare. Il MOSFET d1 upo p con le lacu~~ com('
portatori di maggioranza può essere co~truito nello stesso m~d~} ut1hzz~n~~
isole di tipo p per la sorgente e per il drenaggio in un sub~tr~to d1 ttpo n. Po1che 1
portatori dì corrente nei dispositivi NMOSsono elettr~m.e m q~elh PMOS sono
lacune, questi vengono chiamati dispositivi a portaton di m_ag~10ran::a: . . .
La tecnologia MOSFET è la base per i circuiti integrati d1 memoria d1gna_h
complessi. principalmente perché un singolo MOS~ET occupa_ un.a superficie
del chip di siiicio minore rispetto ad un transistor bipolare e_qumd~ pu? essere
ottenuta una densità maggiore di transistor. Inoltre il costo dt fabbncuz10ne di.::
MOSFET LSI è minore di quello dei transistor dì tipo bipolare. Esistono r,:n
delle applicazioni per le quali è necessario u1.ilizzaretransistor bipolari.
Canale
indotto
di tipo 11
FIGURA 13.42 Sezione I

trasversaledi undispositivo
NMOS al Quale è applicata
unatensione tra
positiva
portae sorgente, con
indicazionedelleregionidi Regione dì
svuotamento e delcarraie svuotamento
indotto.!DaD,A. Hodges e Substrato di tìpo p
H G.Jackson, "Analysis
and
Designof Digitailntegrated
Circuits':McGraw#Hi/1,
1983,pA3j.
Fabbricazione di
H disegno di un circuito integrato microelettronico viene dapprima progettato
circuiti integrati
su larga scala. di solito con l'assìstenza di un computer, ìn modo che possa
microelettronici
essere minimizzato lo spazio del circuito (Figura 13.43). Nel processo di
fabbricazione più comune il progetto è utilizzato per preparare una serie di foto-
maschere, ognuna delle quali contiene il modello per un singolo strato di un
circuito integrato multistr~to (Figura 13.44).
Fotolitografia Il processo mediante il quale un modello microscopico viene

trasferito da una foto-maschera alla superficie del wafer di silicio del circuito
integrato è chiamato fotolitografia. La Figura 13.45 mostra gli stadi necessari
per formare uno strato isolante dì biossido di silicio sulla superficie del silicio su
cuì è già stato realizzato uri tracciato di aree di silicio esposte. In un tipo di
processo fotolitografico mostrato nello stadio 2 di Figura 13.45. un wafer
ossidato viene prima rivestito con uno strato dì un film polimerico sensibile alla
luce~ detto photoresist. La proprietà importante di questo materiale è che la sua
solubilità in determinati solventi è molto influenzata dalla esposizione alla
radiazione ultravioletta (UV). Dopo l'esposizione alla radiazione UV (stadio 3
di Figura 13.45) ed un successivo sviluppo; viene lasciato uno strato di film
I
j
FIGURA 13.43 Un
tecnìcochestaprogettando
unaretedi circuitiintegrafi.
(Perconcessionedella
HarrisCorporalion].
676 Capitolo13
FIGURA 13.44 Questa

immagine confronta duetipi
di maschere fotolitografiche
utilizzate
perlaproduzione
dicircuitiintegratl.Asinistra
è mostrata lamaschera al
cromo, di durata maggiore,
chevieneutilizzata per
lunghiciclidi produzione e
puòessere usata per
produrremaschere di
emulsione comequella
mostrataa destra. Le
maschere di emulsione sono
menocostose e vengono
usate perciclidi produzione
piùbrevi,comenelcasodi
produzione di prototipi.
[Per
concessione dellaAmerican
Microsystems, lnc.(AMI),
SantaClara,Cali/.l.
Film fotoresistente
/ indurito
4 '
,·
..,
FIGURA 13.45 Stadidelprocesso fotolitografico.

Conquesto processo, untracciato microscopico può
esseretrasferito da unafoto-maschera a unostratodi / Film fotoresistente
materiale in uncircuito. Inquesta immagine è mostrato Silicio /
I
unmodello ìn unostratodi biossido di siliciosulla 2

superiicie di unwaferdi siliciochevieneattaccato
chimicamente. Il waterossidato (1)vienerivestito con
unostratodi materiale polimerico fot,osensibile
detto an:~· ..
photoresist (2)e successivamente vieneesposto aduna
luceultravioletta attraversolafoto-maschera (3).
L'esoosizione rendeinsolubile lazonanonschermata Radiazioneultravioletta
I I I Fotomaschera
dallàfoto-maschera
quindirestaunmodello
in unasoluzione
di photoresist
perlo sviluppo;
dovela
I ·l1 ~, 4,
maschera è trasparente (4).Il waferè poiimmerso in
unasoluzione di acidofluoridrico, cheattacca
selettivamente il biossidodi silicio,manonil modello
di photoresist edil substrato di silicio(5).Nellostadio
finale,il modello di photoresistvienerimosso mediante
unaltrotrattamento chimico (6).[DaW.G.0/dham,
TheFabrication of Microelectronic Circuits,Sci.Am.•
September 1977, p.121.Copyright SIMBOLO 211\f
"Symbol" Scientitic American /ne.].
Proprietàelettrichee materiali per l'elettronica 677
fotoresistente nelle zone in cui la maschera era trasparente alla radiazione UV

(stadio 4 di Figura 13.45). n wafer di silicio viene poi immerso in una soluzione
di acido fluoridrico che attacca solo il biossido di silicio esposto e non quello
ricoperto (stadio 5 dì Figura 13.45). Nello stadio finaìe del processo, lo schema
]asciato dal film fotoresistente viene rimosso da un altro trattamento chimico
{stadio 6 di Figura 13.45). Il processo fotolitografico è migliorato col passar del
tempo, cosicché ora è possibile riprodurre dimensioni superficiali dell'ordine di
grandezza dei 2 µm.
Diffusione ed impiantazione mruca di droganti sulla superficie dei wafer di

silicio Per formare gli elementi attivi dei circuiti, come i transistor bipolari e
MOS nei circuiti integrati, è necessario introdurre selettivamente impurezze
(droganti) nel sqbstrato di silicio così da creare regioni localizzate di tipone di
tipo p. Ci sono due tecniche principali per introdurre droganti nei wafer dì
silicio: ( 1) diffusione e (2) ilnpianta::ioneionica.
La tecnica di diffusione Come descritto precedentemente nel Paragrafo 4.7,

gli atomi di impurezze vengono diffusi nei wafer di silicio ad alte temperature,
da 1000 a 1100°C. Importanti atomi droganti come il boro e il fosforo si
muovono molto più lentamente attraverso il biossido di silicio che attraverso il
reticolo cristallino del silicio. Strati sottili di biossido di silicio possono servire
come maschere per impedire agli atomi droganti di penetrare nel silicio (Figura
13.46a). Così~ un contenitore con dei wafer di silicio può essere posto in un
forno di diffusione ad una temperatura da lO00 a 1100°C in un'atmosfera che
Diffusione Impiantazione ionìca
Ioni droganti ad
alta velocità
FIGURA 13.46 Processi Gas di Schermo

di drogaggio selettivo
delle atomi
droganti
superficidi silicioesposte:
(a)dìffusìone adalta
temperaturadì atomidi
impurezze;(b)impiantazione
ionìca.[Da S, Triebwasser,
"TodayandTomorrow in
Microelectronics':
dagliatti
di uncongresso NSFtenuto (a) (b)
adArlie,Va.,Nov.19-22.
19781.
678 Capitolo 13
contiene fosforo (o boro}. Gli atomi di fosforo entreranno nella superficie non
protetta del silicio e si diffonderanno nella massa del wafe.t, come mostrato in
Figura 13.46a. .,,
Le variabili importanti che controllano la concentrazione e la profondità di
penetrazione sono temperatura e tempo. Per raggiungere il massimo controllo
della concentrazione, la maggior parte delle operazioni di diffusione sono
effettuate in due stadi. Nel primo stadio, o predeposizione, si deposita sulla
superficie del wafer una concentrazione relativamente alta di atomi droganti.
Dopo lo stadio di predeposizione. i wafer sono posti in un altro forno, di solito
ad una temperatura più elevata, per lo stadio di diffusione "drive-in" che
permette di raggiungere la necessaria concentrazione di atomi droganti ad una
particolare profondità al di .sotto della superficie del wafer di silicio.
I
La tecnica di impiantazioneionica Un altro processo di drogaggio seletti,·o
dei wafer di si1icio per circuiti integrati è la tecnica di impìantazione ionica
(Figura 13.46b), che ha il vantaggio di introdurre le impurezze droganti a
temperatura ambiente. In questo processo gli atomi droganti vengono ionizzati
(gli elettroni vengono rimossi dagli atomi per formare ioni) e gli ioni sono
accelerati con alta energia da una ele.vata differenza di potenziale. di 50~100 kV.
Quando gli ioni colpiscono il wafer di silicio, vengono inglobati a diverse
profondità a seconda della loro massa ed energia e del tipo di protezione
presente sulla superficie di silicio. Uno s.trato di photoresist o biossido di silicio
può mascherare le regioni della superficie nelle quali non è desiderata
l'impìantazione ionica. Gli ioni acceìerati causano alcuni dannì al retic0k,
cristallino del silicio, ma la maggior parte dei danni può essere risanai,:
mediante una ricottura a temperatura moderatà. L'ìmpiantazione ionica è utile
quando il fa·eHo di drogaggio deve essere accuratamente controllato. Un altro
importante \'antaggio dell'irnpìantazione ionica è la sua capacità di introdurre
impurezze droganti attraverso un sottile strato di ossido. Questa tecnica rende
possibile regolare le tensioni di soglia dei transistor MOS. Per mezzo
deffimpiantazione ionica i transistor NMOS e PMOS possono esserecostruiti
sullo stesso wafer. ,•
Tecnologia di fabbricazione dei circuiti integrati MOS Ci sono molte

procedure per la fabbricazione dei circuiti integrati di tipo MOS. In questa
tecnologia in rapido sviluppo, vi sono costantemente nuove innovazioni e
scoperte che migliorano il disegno e il processo costruttivo dei circuiti integrati.
La sequenza generale di un metodo di produzione dei circuiti integrati NMOS è
desc:ritta dai seguentistadi1 e illustrata nelle Figure 13.46 e 13.47.
1
Da D.A.Hodges e H.G.Jackson, "Analysis and Design of Digitai lntegrated
McGraw-Hill.1983.pp. 16-18.
Vista in piano Vista in sezione

Nitrurodì
silicio
Substrato p
(a)
i------- Polisilicio
;::====:::;::=;::====:::
Si02
p
(b)
Isolante depositato
FI.GURA13.47 Stadi
~~
dellafabbricazione di
transistorNMOSadeffetto
di campo: (a)prima
maschera; (b) seconda p- n p-
maschera: portadi silicio (e)
policristallino;
diffusione Porta
sorgente-drenaggio; (e)terza
maschera: superficidi
conla!to:
(a) quarta
maschera: schema metallico.
[DaD.A Hodges e H. G.
Jackson, ''Analysisand
Designof Digitaifntegrated
Circui!s''.
lvicGraw-Hill. Sorgente (cl)
1983,/J,17].
1. Figura 13.47a - Un processo di deposizione chimica in vapore (CVD) deposita

un senile strato di nitruro di silicio (Si3N 4 ) sull'intera superficie del wafer. Il
primo stadio fotolitografico definisce le aree dove devono essere formati i tran-
sistor.,Il nitruro di silicio viene rimosso dalle zone esterne al transistor con un
attacco chimico. Gli ioni di boro (tipo p) vengono impiantati nelle regioni espo-
ste, per eliminare la conduzione non desiderata tra le diverse parti del tran-
sistor. Poi in queste regioni o campi inattivi viene fatto crescere termicamente
uno strato di biossido di silicio (SiO2) di circa lµm dì spessore, esponendo il
wafer all'ossigeno in un forno elettrico. Questo processo è noto come
ossidazioneselettiva, o locale. Il Si3N4 è impermeabile al1'ossigeno e quindi
inibisce la crescita dello spesso strato di ossido nelle regioni del transistor.
680 Capitolo 13
2. Figura 13.47b - Il SiJN 4 viene poi rimosso con un attacco che non agisce sul
SiO2. Nelle aree del transistor viene fatto crescere un os,ido termico pulito di
circa 0,1 µ,m di spessore, ancora mediante esposizion~ all'ossigeno in un
forno. Un altro processo CVO deposita uno strato di silicio policristallìno
suJrintero wafer. n secondo stadio fotolitografico definisce lo schema
desiderato per gli elettrodi della porta. Il silicio policristallino non desiderato
viene rimosso da un attacco chimico o al plasma (gas reattivo). Un drogante
di tipo n (fosforo o arsenico) viene introdotto nelle regioni che diventeranno
la sorgente e il drenaggio del transistor. Per questo processo dì drogaggio
possono essere utilizzate sia la diffusione termica che l'ìmpiantazione ionica.
Lo spesso campo di ossido e la porta di silicio policristallino sono barriere al
drogaggio~ ma nel processo lo strato di silicio policristallino diventa
pesantemente drogato di tipo n. 1
3. Figura 13.47c - Un altro processo CVO deposita suìl'intera superficie del
wafer uno strato isolante, frequentemente di Si0:1, Il terzo stadio definisce
rarea in cui devono essere posti i contatti dei transistor. L'attacco chimico o
il plasma espone selettivamente sillcio nudo o lo strato di silicio
policristallino nelle aree di contatto.
4. Figura 13-47d - L'alluminio (Al) viene depositato sull'intera superficie del
wafer mediante evaporazione da un crogiolo caldo in un evaporatore a vuoto.
Il quarto stadio dìsegna l'Al ìn modo da realizzare le connessioni del circuito.
5. Uno strato protettivo passivante viene depositato sulrintera superficie. Uno
stadio finale rimuove questo strato isolante delle aree dove saranno saldati i
contatti. 1 circuiti sono controllati mediante rutilìzzo di puntali posti su;
contatti. 1 componenti difettosi vengono marchiati e il wafer è poi tagliato
singoli chip. 1 chip buoni vengono montati ·e inviati al controllo finale.
Questo è il processo più semplice per la fabbrìcazione dei circuiti NMOS ed

è riassunto nella Figura l 3.48. I processi per circuiti NMOS più avanzati
richiedono più stadi di mascheratura.
Dispositivi semiconduttori con ossido di metallo complementare (CM OS) È

possibile fabbricare un chip contenente entrambi i tipi di MdSFET (NMOS è
PMOS), ma solamente aumentando la complessità del circuito e diminuendo la
densità dei transistor. I circuiti che contengono dispositivi di tipo NMOS e
PMOS sono detti circuiti complementari, o CMOS, e possono essere realizzali.
per esempio, isolando tutti i dispositivi NMO.S con isole dì materiale di tipo p
(Figura 13.49). U~ vantaggio dei circuiti CMOS è che possono essere utilizzati i
dispositivi MOS in modo da raggiungere un basso consumo di energia. I
dispositivi CMOS vengono utilizzati in molte applicazioni: per esempio,
circuiti integrati CMOS e quelli complessi LSI vengono utilizzati in quasi
gli orologi elettronici moderni e nei calcolatori. Inoltre, la tecnologia CMOS
diventando di importanza notevole per l'utilizzo nei microprocessori e
memorie dei computer.
lmpianuuore ionico
Forno CVD Maschera l
Forno di ossidazione
-
Sorgente
di ioni
Wafer di silicio
Definizione
delle zone dei
transistor
Impiantazione
nelle regioni
Crescita
dell'ossido
l
esposte
Forno di ossidazione
~--
Forno CVD. Maschera 2
Forno di diffusione Forno CVD
4"
-
.
Crescita
dell'ossido
della porta
Deposizione
di pòlìsilicio
Definizione
della porta di
polisilicio
Diffusione di
in sorgente e
11-
drenaggio
Deposizione
di Si02
l
_N_j41
Maschera 3 Evaporatore sotto vuoto
Definziooedelle
zone dei contatti
~
Deposizione dì Al Definizione del
metallo
Maschera 5 Passivazione
Esposizione delle aree---- protettiva ___ _,
Ltl-(fv-
Esame del Separazione
dì saldatura
wafer delle piastrine

Attacco delle Saldaturadei
piastrine contatti Prova finale
FIGURA 13.48 Unprocesso difabbricazione

defcircuitiintegrali
dìsilìcio
..portaNMOS.(I processi
utilizzati
perprodurre
i circuitiintegrati
NMOS variano
considerabilmente
daunacompagnia all'altra.
Lasequenzain figuraè datacomeschema generale).
lntegrated
CircuitEngineering
Co.].
68.2 Capitolo 13
PMOS Output NMOS /.

Sorgente + Porta Drenaggio Drenaggio Porta Sorgente ..l.
FIGURA 13.49
Transistorcomplementari di
tipoMOS(CMOS} adeffetto
di campo. Transistor siadi
tipon chedi tipop sono Corpo di tipo n
fabbricati
sullostesso
substratodi silicio.!DaD. 5-µm
A. Hodges
"Analysis
e H. G.Jackson,
anddesign
digitaiIntegra/ed
of
Circuits·:
1-µm_scala
verticale
I
I ~
orizzontale
McGraw-Hill, 1983, p.42].
13.7 COMPOSTI SEMICONDUTTORI
Ci sono molti composti di diversi elementi che sono semiconduttori. Uno tra i
maggiori tipi di composti semiconduttori è quello MX. nel quale M è un
elemento più elettropositivo e X un elemento più elettronegativo. Tra i comp('St1
semiconduttori di tipo MX. due gruppi importanti sono i composti 3-5 ,, ~-,.
formati da elementi adiacenti al gruppo 4A della tavola perìodica (Fig,,r~,
13.50).1 composti semiconduttori 3-5 sono formati da elementi M del gruppo ?
come Al. Ga e In combinati con elementi X del gruppo 5 come P. As e Sb. I
composti 2-6 sono formati da elementi M del gruppo 2 come Zn. Cd e Hg
combinati con elementi X del gruppo 6 come S, Se e Te.
,.
FIGURA 13.50 Parte

dellatavola
periodica
che
contieneelementi
uUlizzali
perla formazione
di
composti semiconduttori
MXdi tipo3-5e 2-fì.
Proprietà elettriche e materiali per l'èlettronica 683
La Tabella 13.6 elenca alcune proprietà elettriche di alcuni composti

semiconduttori. Da questa tabella possono essere osservate le seguenti tendenze.
· 1. Aumentando la massa molecolare di un composto alrinterno di una famiglia;

spostandosi cioè verso il basso nelle colonne della tavola periodica,
diminuisce l'intervallo di energia, aumenta la mobilità elettronica (ad
eccezione dei composti GaAs e GaSb) ed aumenta la costante reticolare.
Gli elettroni degli atomi più grandi e più pesanti hanno., in generale, una
maggiore libertà di movìmento e sono meno legati ai .loro nuclei e quindi
tendono ad avere intervallì minori e mobilità elettroniche maggiori.
2. Muovendosi nella tavola periodica dagli elementi del gruppo 4A verso i
materiali 3.5 e 2·6,_ l'aumento del carattere ionico del legame provoca
l'aumento d'ella banda di intervallo di energia proibito e la diminuzione delle
mobilità elettroniche. L'aumento dei legame ionico provoca un legame più
stretto tra gli elettroni e i nuclei·degli ioni positivi e quindi i composti 2-6
hanno un intervallo proibito maggiore dì quello dei corrispondenti composti
3-5.
L'arseniuro di gallio, GaAs, è il pm importante tra tutti 1 composti

semiconduttori e viene utilizzato in molte applicazioni elettroniche. Il GaAs è
stato utilizzato per molto tempo per dispositivi discre.ti nei circuiti a microonde.
Oggi. molti circuiti integrati digitali vengono costruiti con il GaAs. I transistor
metallici semiconduttori a base di GaAs ad effetto di campo (MESFET) sono
quelli più ampiamente utilizzati tra i transistor a base di GaAs (Figura 13.51 ).
TABELLA13.6 Proprietàelettrichedi composti semiconduttori intrinsecia temperaturaa·mbiente

(300 K)
Gruppo Materiale Eg µn l•p Costante n,

eV m2 /{V · S) m 2/(V, s) reticolare portatori/m 3
IVA 1.10 0.135 0.048 5.4307 1.5Q X 1016

0.67 0.390 0.190 5.257 2.4 X 1019
IIIA-VA GaP 2.25 0,030 0.015 5.450
GaAs 1.47 0.720 0.020 5.653 1.4 X 10 12
GaSb 0.68 0.500 O.iOO 6.096
lnP 1.27 0.460 0.010 5.869
lnAs 0.36 3.300 0.045 ·6.058
lnSb 0.17 8.000 0.045 6.479 1.35 X 1022
IIA-VIA ZnSe 2.67 0.053 0.002 5.669
ZnTe 2.26 0.053 0.090 6.104
CdSe 2.59 0.034 0.002 5.820
CdTe 1.50 0.D?0 0.007 6.481
Fonte:W. R. Runyunand S. B. Watelski,ìn C. A Harper (ed.), "Handbook of Materialsand

Processestor Eleotronics",MoGraw-hìll,New York, 1970.
684 Capitolo 13
Metallo porta
Métàllo di
interconnessione
Metallo
FIGURA 13.51 Vistain di contano Si 80 Kev
sezione di unMESFET a ohmico
Substrato di GaAs semi~isola:nte
basedi GaAs. lDaA. N.Sato
etal.,IEEE Electron.
Devices
Lett.,9 (5):238(1988)].
I MESFET a base di GaAs offrono molti vantaggi rispetto al silicio nelrappli~

cazione ai circuiti integ:ati digitali ad alta v~locità. Alcuni di questi sono i seguenti:
1. Gli elettroni viaggiano più velocemente nel GaAs di tipo 11. come è indicato
dalla loro mobilità maggiore rispetto a quella del Si [µn = O, 7:.0m 2/(V
per il GaAs rispetto a 0,135 m2/(V-s) per il Si).
2. Grazie al maggiore intervallo di energia, pari a 1.47 eV, ed all'assenza di un
ossido critico nella porta, i dispositivi a base di GaAs hanno una migliore
resistenza alle radiazioni. Questa considerazione è importante per k
applicazioni spaziali e militari.
Sfortunatamente. la principale limitazione della tecnologia del GaAs è cb.?

il· rendimento dei circuiti CI complessi è più basso di quello per il silicio ed è
dovuto principalmente al fatto che il GaAs contiene più dìfeni nel materiale di
base rispetto al silicio. Anche il costo di produzione del materiale di base è
maggiore per il GaAs rispetto a quello del silicio. Comunque, rutilizzo del GaAs
si sta espandendo e molta attività di ricerca viene svolta in questo campo.
Eserciziario
Vedi Esercìzio13.10.
RIASSUNTO
Nel modello classico della conduzione elettrica nei metalli si assume che gli
elettroni di valenza più esterni degli atomi del metallo siano liberi di muoversi
tra ì nuclei ionìci positivi (atomi senza i loro elettroni di valenza) del reticolo
metallico. In presenza di un potenziale elettrico esterno. gli elettroni liberi
acquisiscono una velocità di deriva orientata. li moto degli elettroni in un
Proprietà elettriche e materialì per l'elettronica 685
metallo, e della carica elettrica ad essi associata, cosum1sce una corrente

elettrica. Per convenzione si considera che la corrente elettrica sia un flusso di
carica positiva, cioè in direzione opposta a1 flusso di elettroni.
Nel modello delle bande di energia per la conduzione elettrica nei metalli,
gli elettroni di valenza degli atomi di metallo interagiscono e si compenetrano
per formare bande di energia. Dal momento che le bande di energia degli
elettroni di valenza si sovrappongono, producendo bande di energia composite
parzialmente riempite, è sufficiente una quantità di energia molto piccola per
eccitare gli elettroni con più alta energia in modo che possano condurre. NeglÌ
isolanti. gli elettroni di valenza sono fortemente legati ai loro atomi con legami
ionici e covalenti e non sono liberi di condurre elettricità, a meno che non siano
fortemente eccitati. Il modello delle bande di energia per un isolante prevede
una banda inferiore di valenza piena ed una banda superiore di conduzione
vuota. La banda di valenza è separata dalla banda di conduzione da un grande
intervallo di energia (circa 6-7 eV). Quìndi, perché gli isolanti possano essere
conduttivi deve essere applicata una grande quantità di energia in modo da
provocare il ..salto" di questo intervallo da parte degli elettroni di valenza. I
semiconduttori intrinseci hanno un intervallo di energia relativamente piccolo
(da circa 0,7 a 1,1 eV) tra le loro bande di valenza e di conduzione. Drogando i
semiconduttori intrinseci con atomi di impurezze, in modo da renderli estrinseci.
la quantità di energia richiesta per fare in modo che i semiconduttori diventino
conduttori è molto ridotta;
I semiconduttori estrinseci possono essere di tipo n o di tipo p. I
semiconduttori di tipo n (negativo) hanno gli elettroni come portatori di
maggioranza; I sen1iconduttori dì tipo p (positivo) hanno invece le lacune
(elettroni mancanti) come portatori di carica di maggioranza, Producendo
giunzioni di tipo pn in un monocristallo di un semiconduttore come il silicio,
possono essere prodotti diversi tìpi di dispositivi semiconduttori. Per esempio,
utilizzando queste giunzioni possono essere prodotti i diodi con giunzione di
tipo pn ed i transistor di tipo npn. La moderna tecnologia microelettronica si è
così sviluppata che su un ''chip·' di silicio semiconduttore, di area minore di 0,5
cm 2 e spessore di circa 0,2 mm. possono essere posti migliaia di transistor. La
complessa tecnologia della microelettronica ha reso possibile la produzione di
microprocessori e di memorie per computer altamente sofisticati.
DEFINIZIONI
Paragrafo 13.1
Correnteelettrica:velocità di passaggio della carica elettrica attraverso un materiale: la
corrente elettrica i è il numero di coulomb per secondo che passa in un punto del
materiale. L'unità di misura della corrente elettrica nel sisteh1a internazionale è
l'ampere (l A= l C/s).
f
686 Capitolo 13
Densità di corrente elettrica J: corrente elettrica per unità di superficie. L'unità di misura
nel sistema SI è: ampere/rnetri2 (A/m2 ). /,.
ResistenzaelettricaR: misura. della difficoltà che incontra la correpte elettrica per passare
attraverso un dato volume di materiale.La resistenza aumenta con la lunghezza e con
il decrescere della superficie della sezione trasversale del materiale attraverso il quak
passa la corrente, Unità in SI: ohm (11). '
ResistivitàelettricaPe:misura della difficoltà che incontra la corrente elettrica per passare
attraverso un volume unitario di materiale. Per un dato volume di materiale.
Pe = RA/1, dove R = resistenza del materiale, 11;I = lunghezza, m; A = superficie
della sezione trasversale, m2 • In unità SI, Pe = ohm-metro (11· m).
Conducibilità elettrica u..: misura della facilità con cui la corrente elettrica passa
attraverso il volume unitario dì un materiale. Unità di misura: (51· mr 1• ue è il
reciproco di Pe·
Conduttore elettrico: materiale con un'alta conducibilità e\ettrica. L'argento è un buon
conduttore ed ha ar = 6.3. 107 {11·m)- 1 • ·
Isolante elettrico: ma.teriale con una bas.sa conducibilità elettrica. Il polietilene è t:::
cattivo conduttore ed ha Cc da 10.,.15 a 1Q-l 7 (11· mr 1.
Semiconduttore:materiale la cui conducibilità elettrica è alrincirca compresa tra i valori
dei buoni conduttori e degli isolanti. Per esempio, il silicio puro è un elemento
semiconduttore ed ha O'e = 4.3 · 10-4(51· m)- 1 a 300 K.
Pa,·agrafo13.2
ModeUodeUebandedi energia:in questo modello le energie degli elettroni di valenza degli
atomi di un solido formano una banda di energia. Per esempio. gli elettroni di valenza
3s in un pezzo dì sodio formano una banda di energia 3s. Dal momento che c·è solo
un elettrone 3s (l'orbitale 3s può contenere due elenronì). la banda di energia ), nL·1
sodio metallico è riempita a metà.
Bandadi valenza:banda di energia che contiene gli.elettroni di valenza. In un condui '.n:,
la banda di valenza si sovrappone a quella di conduzione. La banda di conduzion" in
un metallo conduttore non è piena e quindi alcuni elettroni possono essere attivatì ..ii
Hvellienergetici atrìnterno della banda di valenza e diventare elettroni di conduzione.
Bandadi conduzione:livel1idì energia non riempiti nei quali gli elettroni possono essere
eccitati per diventare elettroni di conduzione. Nei semiconduttori e negli isolanti c·è
un grande intervallo (gap) di energia tra la banda di valenza inferiore piena e la banda
di conduzione superiore vuota. ,·
Paragtafo 13.3
Semiconduttoreintrinseco:materiale semiconduttore che è essenzialmente puro e p.~·
quale l'intervallo di energia è abbastanza piccolo (circa I eV) da essere superato pc·
eccitazione termica; i portatori di corrente sono elettroni nella banda di conduzione 1.•
lacune nella banda di valenza.
Elettrone:portatore di carica negativo, con una carica di 1, 60 . 10- 19 C.
Lacuna:portatore di carica positivo, con una carica dì l, 60 · 10- 19. C.
ParagraftJJJ.4
Semiconduttoreestrinsecodi tipo n: materiale semiconduttore che è stato drogato con un
elemento di tipo n (per esempjo il silicio drogato co.n fosforo). Le impurezze dì tipo 11
donano elettroni che hanno energie vicine alla banda di conduzione.
Livellidonatori:nella teoria de11abande, livelli energeùci vicini aHa banda di conduzione.

Semiconduttoreestrinsecodi tipo p: materiale semiconduttore che è stato drogato con un
eleme11todi tipo p (per esempio il silicio drogato con alluminio). Le impurezze dì tipo
p forniscono lacune elettroniche vicine al livello dì energia più alto della banda di
valenza.
Livelli accettori: nella teoria della bande, livem energetici locali vicini alla banda di
valenza.
Portatoridi maggioranza:tipo di portatore dì carica prevalente in un semiconduttore; i
portatori di maggioranza in un semiconduttore di tipo n sono gli elettroni di
conduzione ed in un semiconduttore di tipo p sono le lacune di conduzione.
Portatori di minoranza:tipo di portatore di carica di concentrazione minore in un
semiconduttore. I portatori di minoranza in un semiconduttore di tipo n sono le
lacune, mentre. in un ~~emiconduttoredi tipo p sono gli elettroni.
Paragrafo 135
Giunzione pn: unione o bordo tra regioni di tipo p e di tipo n all'interno di un
monocristallo di un materiale semiconduttore.
Diodo rettificatore:diodo con giunzione pn che converte la corrente alternata in corrente
continua (da AC a DC).
Polarizzazione:tensione applicata a due elettrodi di un impfànto elettronico.
Polarizzazionediretta: polarizzazione applicata ad una giunzione pn n.ella direzione di
conduzione; in una giunzione pn in condizioni di polarizzazione diretta, gli elettroni e
le lacune. portatori di maggioranza. fluiscono verso la giunzione e generano un
elevato flusso di corrente.
Polarizzazionehwersa:polarìzzazione applicata ad una giunzione pn che dà luogo ad un
modesto flusso di corrente: in una giunzione pn in condizioni di polarizzazione
inversa. gli elettroni e le lacune. portatori di maggioranza. fluiscono lontano dalla
giunzione.
Transistorbipolare:dispositivo semìcondunore a tre elementi e a doppia giunzione. I tre
elementi fondamentali del transistor sono: remettìtore, la base ed il collettoie. I
transistor a giunzione bipolare (BJT) possono essere di tipo npn o dì tipo pnp. La
giunzione emettitore-base è a polarizzazione diretta e la giunzione collettore-base è a
polarizzazione inversa. in modo che il tra11sistorpuò essere utilizzato come dispositivo
per amplificare la corrente.
J
,.
'
PROPRIETAOTIICHE
E MATERIALI
SUPERCONDUTIORI
14.1 INTRODUZIONE
Le proprietà ottiche dei materiali hanno un ruolo importante nella maggior

parte della tecnologia avanzata moderna .. In questo capitolo esamineremo
innanzitutto alcuni principi della rifrazione, della riflessione e detrassorbimento
della luce per alcune classi dì materiali. In seguito, studieremo come alcuni
materiali interagiscono con 1e radiazioni luminose per produrre luminescenza.
Parleremo poi della emissione stimolata di radiazioni con i sistemi laser. Nella
parte di questo capitolo riguardante le fibre ottiche, vedremo come lo sviluppo
delle fibre ottiche a bassa dispersione di luce ha portato ai nuovi sistemì di
comunicazione a fibre ottiche.
Infine, analizzeremo i materiali superconduttori che hanno una resistività
elettrica nulla al di sotto dei valori critici di temperatura, campo magnetico e
densità di corrente. Fino al 1987 circa, la più alta temperatura critica di un
materiale superconduttore era di circa 25 K. Nel 1987, fu realizzata una
importante scoperta con la quale si dimostrò che alcuni materiali ceramici
potevano essere resi superconduttori fino a circa 100 K. Questa scoperta ha dato
690 Capitolo 14
Crìostato ad elio
Ruota ausiliaria
Contenitore di guidu
di elio
'"- Magneti
superconduttori
-'per sospensione.
guida e
propulsione
Parete guida
laterale
I I
Avvolgìmento di Ruota Tracciato Pattino
terra per guida e ausiliaria per la ruota di Avvolgimento
propulsione emergenza dì terra per
sospens1onf'
FIGURA 14.1 Nuove tecnologie.(a)Untecnico esamina un trasmettitore

laserprontoperessere utilizzato
nelsecondo cavoottico
i
cheè entrato
transatlantico,
primadi esseretrafilata
in serviiionel1991.[Perconcessione
performare unafibraotticasottlle.
dellaAT&l].(b) Unapreforma
comeun capello. IPerconcessione
di fibreottichedi vetrovieneesam~nata
dellaAT&T]. (e).UntrenodelleFerrovie i
Nazionali
Giapponesi cheutilizza
500km/hsuuntracciato
magneti superconduttori
[DaMechanical
di prova. Engineering;
June1988,
adelioliquido.Il trenoè statoprogettato
di Nb-Tiin criostati
p.61].(d)Sezionetraversale dìunprogetto
perviaggiare
a 400-
peruntrenoavanzato
I
a levitazione
(FerrovieNazionali Giapponesi).Wa"Encyctopedia ot MaterialsScienceandEngineering", MITPress,1986, p.47661.
J
Proprietà ottiche e materiali superconduttori 691
un grande impulso alla di ricerca in tutto il mondo, creando grandi aspettative

per gli sviluppi tecnologici futuri. In questo capitolo esamineremo alcuni aspetti
della struttura e delle proprietà dei superconduttori metallici di tipo I e II e
anche dei nuovi superconduttori ceramici.
14.2 LUCE E SPElTRO ELETTROMAGNETICO
La luce visibile è un tipo di radiazione elettromagnetica con lunghezze d'onda

comprese tra 0,40 e 0,75 µm (Figura 14.2). La luce visibile contiene bande di
colore che vanno .dal violeJ:to al rosso, come mostrato nel tratto ingrandito della
scala di Figura 14.2. ~La regione ultravioletta copre l'intervallo da 0,0 I a 0.40
µm, mentre la regione infrarossa si estende da O.75 a 1000 µm.
La vera natura della luce. probabilmente non verrà mai scoperta,
Comunque, la luce si può considerare come un fenomeno ondulatorio e si
può supporre formata da particelle chiamatefotoni. L'energia L'lE, la lunghezza
d'onda >..e la frequenza v dei fotoni sono correlate .,dalla seguente equazione
fondamentale:
hc
L'::.E= In· (14.1)
dove h è la costante di Plank (6: 61 x 10-=-4 1 · s) e e è la velocità della luce nel

vuoto (3. 00 x l 0 8m/s). Questa equazione permette di considerare il fotone sia
come una particella di energia E che come un·onda con determinata lunghezza
d'onda e frequenza.
Eserciziario
Ved.iEsercizio 14.1.
Violetto Blu Verde Giallo Amncione Ros).O

,,.....--"--....r--'--,,--,---...,--,-,,.---,~
0.455 0.49:? 0.577 0597 0.622 0.77
~ .. -- Visibile .---·- ..·
i Uhrm·ioleno
---------v-"-J
Molto !omano
..__ .--
:,,....,..._,,
______
Lonta1~0 Vicino lnaennedìo _,,,_.,,.._
hifra.rosso
__,,__Molto....,...,._
Lontano. __ -.
lontano
i FIGURA 14.2 Spettro

elettromagnetico
dal.la
O.O! O.I 0.2 I 0.39 I I 1.5
0.2 0.77
6 10 40 IOO
I regione a quella
ultravioletta
infrarossa.
Lunghe120d'onda.µm ___.,_
J
692 Capitolo 14
14.3 RIFRAZIONE DELLA LUCE
Indice di rifrazione Quando i fotoni vengono trasmessi attraverso un materiale trasparente, perdono
parte della loro energia e, di conseguenza, la velocità della luce diminuisce e il
raggio di luce cambia direzione. La Figura 14.3 mostra schematicamente come
un fascio di luce viene rallentato quando entra dall'aria in un mezzo più denso
come un comune vetro per finestre. Quindi, in questo caso, }'angolo di incidenza
del raggio luminoso è maggiore dell'angolo di rifrazione.
La velocità relativa della luce che passa attraverso un mezzo è espressa
dalla proprietà ottica detta indice di rifrazione n. Il valore n di un mezzo è
definito come rapporto tra la velocità della luce nel vµoto, e, e la velocità deila
luce nel mezzo considerato, 11:
. d' 'f .
Ind1ce 1 n razione n = v e(veloc1ta
(velocità della luce nel vuoto)
. . .della luce m. un mezzo) (14.2)
Gli indici di rifrazione medi tipici di alcuni vetri e solidi cristallini sono elencati
nella Tabella 14. l. Questi variano tra l,4 a 2,6 circa e la maggior parte dei vetri
silicei ha valori compresi tra 1,5 e 1,7. Il diamante ad elevata rifrazione
(n 2, 41) consente ai gioielli di diamante con molte facce di "scintillare" in
seguito alle moltissime riflessioni interne. L'ossido di piombo (litargirio) con un
valore di n 2, 61 viene aggiunto ad alcuni vetri a base di silicati pe:
aumentarne l'indice di rifrazio.ne in modo che possano essere utilizzati pr.
motivi decorativi (vedi Tabella 10.11). Va .anche notato che gli indici di
rifrazione dei materiali dipendono dalla lunghezza d'onda e dalla frequenza. Per
esempio, rìndice di rifrazione della luce per il vetro ''flint" passa da 1.60 alla
lunghezza d'onda di 0,40 µma 1,57 a 1,0 1.1,m.d
Legge di Snell Gli indici di rifrazione per la luce che passa da un mezzo con indice di rifrazione
per la rifrazione n attraverso un altro me1.zo con indice di rifrazione n' sono legati alrangolo di
della luce incidenza </>e all'angolo di rifrazione </)1 dalla relazione: '
n sen
·-= (Legge di Snell) (14.]i
n' sen
Quando la luce passa da un mezzo con

un alto indice di rifrazione ad uno con un
basso indice di rifrazione, si ha un angolo di incidenza critico <Pcche, se viene
superato, porta alla totale riflessione interna della luce (Figura 14.4). Questo
angolo 'Pcè definito in corrispondenza a 4> 1
(rifrazione) = 90°.
Eserciziario
Vedi Esercìzio14.2.
Proprietà ottiche e materiali supe;conduttori 693
Raggio incidente
1)';::]
1 = 30°
e.g. <l>
Vuoto
di aria Interfaccia aria-vetro
11'=1.51
Vetro e.g. <l>,= 19.3"
sodico-calcico
FIGURA 14.3 Rifrazione
di unraggioluminoso
nel
vuoto(aria)quando
attraversa
unvetro.
Nota: Come vedremo nel Paragrafo 14.7 rìguardante Je fibre ottiche.

utilizzando un rivestimento con un vetro a basso indice di rifrazione su un
nucleo con un alto indice di rifrazione, è possibile che una fibra ottica trasmetta
luce a grande distanza perché la luce viene continuamente riflessa all'interno
deHa fibra stessa.
TABELLA 14.1 Indici di rifrazionedì alcuni materiali
Metallo Indice di
rifrazionemedio
Composizionedei vetri:
Vetro di silice 1.458
Vetro sodico-calcico 1.51 -1.52
Vetro al borosilioato(Pyrex) 1.47
Vetro di selce ("flint") denso 1.6-1.7
ComposiZionìcristalline:
Corindone,Al2 0 3 1.76
QuarzoSi02 1.555
LitargirioPbO 2.61
Diamante,e 2.41
Plasticheottìèhe:
Polietilene 1.50- 1.54
Polistirene 1.59-1.60
Polìmeti!metacrilato 1.48- 1.50
Politetrafluoroetilene 1.30-1.40
694 Capitolo 14
FIGURA14.4
Diagramma cheindica n'(basso)
l'angolocritico</Jcdi
riflessione
totaleinterna Raggio l
11(altol
dellalucechepassa daun
mezzo conunaltoindicedi Raggio2
11>11'
rifrazione
n adunoconun
basso indice n'.
di rifrazione
Si nolicheil raggio 2, che
haunangolo di incidenza /
Raggio 2
<hmaggiore è
di </Jc,
totalmenteriflesso nelmezzo
·conindicedi rifrazione Raggio I
maggiore.
[ 14.4 ASSORBIMENTO, TRASMISSIONE E RIFLESSIONE DELLA LUCE
Ogni materiale assorbe una certa quantità di luce pe: rint~razio~e. d~i foto,i;i
della luce con la struttura elettronica e di legarne degh atomi. degh 10m o dc: -'
molecole che costituiscono il materiale stesso. La frazione di luce trasmessa
un particolare materiale dipende quindi dalla quantità di luce riflessa ed
assorbita dal materiale. Per una particolare lunghezza d'onda,\. la somma delle
frazioni riflessa. assorbita e trasmessa della luce incidente è uguale ad uno:
(frazione riflessah + (frazione assorbita)>.+ (frazione trasmessah =l (14.4)
Consideriamo ora come variano questi r~pporti per alcunì t'ipi di materiali.
Metalli Ad eccezione del caso dì sezioni molto sottili, i metalli riflettono e/o assorboP ·
1
le radiazioni incidenti con lunghezze d'onda da lunghe (onde r~dio) a v~lon ,•:
centro della zona ultravioletta. Dal momento che la banda d1 conduzione ::.'.
sovrappone alla banda di valenza, la radiazione i~cid:nte .e.ccita.fa~il~ente ~h
elettroni ai livelli di energia più alti. Ricadendo poi a hveìh mfenon di ener~1a.
l'energia dei fotoni diminuisce e la loro lunghezza d'onda aumenta. Qu~sto. t1?o
d'azi;ne dà luogo a raggi luminosi fortemente riflessi da una su~e:fi~1e hsc1~.
come si osserva con molti metalli come l'oro e rargento: La ~uantI_ta d1 ~nergia
assorbita dai metalli dipende dalla struttura elettronica d1 ogm particolare
metallo. Per esempio, nel rame e nelroro c'è un maggiore assorbimento delle
lunghezze d'onda più corte del blu e del verde ed una riflessione maggiore delle
lunghezze d'onda del giallo, dell'arancione e del rosso e le superfici lisce di questi
metalli mostrano i tipici colori riflessi di questi elementi. Altri metalli come
l'argento e l'alluminio riflettono tutte le regioni dello spettro visibile e m.ostrano
un colore bianco "argentato".
Vetri silicei Riflessione della luce da una singola superficie di una lastra di vetro La
proporzione di luce incidente che viene riflessa da una singola superficie di una
lastra di vetro lucida è molto piccola. Questa quantità dipende principalmente
daffindice di rifrazione del vetro n e dall'angolo di incidenza della luce che
colpisce il vetro. Nel caso la luce incida normalmente (cioè <Pi 90°), la frazione
di luce riflessa R (detta· rfflettMid) da una .singola superficie può essere
determinata· dalla relazione:
R = (~):i
n+I (14.5)
dove n è l'indice di rifrazione del mezzo ottico rifletfente. Questa formula può
anche essere utilizzata con buona approssimazione per angoli di incidenza fino a
20° circa. Utilizzando l'Equazione (14.5). un vetro a base dì silicati con n =
L 46
ha un valore calcolato di R di 0.035 o una riflettività percentuale del 3.5%.
Eserciziario
Vedi Esercizio14.3.
Assorbimentodella luce in una la.stradi vetro Il vetro assorbe energia dalla
luce che trasmette, cosicché rintensità della luce diminuisce al. crescere del suo
percorso. La relazione~ tra la frazione di luce entrante. / 0 e la frazione di luce
uscente, /, da una lastra di vetro di spessore 1 che non contiene centri dì
dispersione. è:
(14.6)
La costante o in questa relazione è detta coefficiente lineare di assorbimento e la

sua unità di misura è cm- 1, se lo spessore è misurato in centimetri.
Eserciziario
Vedi Esercizio14.4.
Riflessione, assorbimentoe trasmissione della luce in una lastra di vetro La
quantità di luce incidente trasmessa attravers~ una lastra di vetro è determinata
dalla quantità di luce riflessa dalle superfici superiore ed inferiore e dalla
quantità assorbita all'interno della lastra. Consideriamo la trasmissione della
luce attraverso una lastra di vetro, come mostrato in Figura 14.5. La frazione di
696 Capitolo 14
IoR (raggioriflesso)
Io (raggioincidente)
Superf(cie superiore
/ della lastra di vetro
Primariflessione
r·,---------:,i'l-----_.....------.------
1 (ì -R)lo
Assorbimento ~ {R)(l - R)loe-'11 Spessore della
lastra di vetro
FIGURA 14.5
Trasmissione dellaluce
attraversounalastradi vetro Secondariflessi1.':!:e----.....,...-----'I------------------
in cuisi hala riflessione //
sullesuperficisuperioreed Superficieinferiore
interiore
e l'assorbimento della lastradi vetro
all'interno
dellalastra.
luce incidente che raggiunge la superficie inferiore del vetro è (1 - R) (10 e-'01 ).
La frazione di luce ìncidente riflessa dalla superficie inferiore sarà {R) (l - R)
01
(/ 0 e- ). Pertanto) la differenza tra la luce che raggiunge la superficie inferiore
della lastra di vetro e quella che viene riflessa .dalla superficie inferiore è la
frazione di luce trasmessa, I, che è:
I = [0 R)(Joe- 01
)]-[(R)(l - R)(l 0 e- 01 )]
(14.T
= (1 - R)(loe- 01
)(1 - R) =;=(1 - R) 2 (loe-at)
La Figura 14.6 mostra che circa il 90% della luce incidente viene trasmessa
dai vetri silicei se la lunghezza d'onda della luce in ingresso è maggiore di circa
300 nm. Per le lunghezze d'onda inferfori della luce ultravioletta, si ha un
assorbimento molto. maggiore e la trasmissione è considerevolmente minore.
Plastiche Molte plastiche non cristalline come il polistirene, il polim'étilmetacrilato e il

policarbonato hanno un·ottima trasparenza. Comunque, in molte materie
plastiche ci sono regioni cristalline che hanno un indice di rifrazione maggiore
rispetto alla loro matrice non cristallina. Se queste regioni sono di dimensio,!i
maggiori della lunghezza d'onda della luce incidente, le onde luminose vengono
disperse per riflessione e rifrazione e quindi diminuisce la trasparenza del
materiale (Figura 14.7). Per esempio, un foglio sottile di polietilene che ha una
struttura ramificata, e quindi un grado minore di cristallinità, ha una
trasparenza maggiore di quella del polietilene lineare di densità maggiore e di
cristallinità più elevata. La trasparenza di altre plastiche parzialmente cristalline
può andare dal quasi trasparente fino all'opaco in funzione princìpahnentc del
grado di cristallinità, del contenuto di impurezze e del contenuto di riempiti\'i.
Proprietà ottiche e materiali s~perconduttori 697
Ultravioletto
Visibile
Vetrodi silice chiaro
/~ Vetrodi .silice96%chiaro
FIGURA 14.6
I Vetroal borosilicatochiaro
Percentuale di luce I
trasmessa in funzione
della 200 300 400 500 600
lunghezza d'onda (nm)per 700
Lunghez.2.a
d'onda,nm
alcunitipi dìvetrilucidi.
Semiconduttori
N~i semiconduttori, i fotoni della luce possono essere assorbiti in di've s'
(Frn:u 14 8) N . . d. .. . r., mo I
a·
.. ra ·. . e1sem1con uttori mtrmseci (puri) come Si Ge e ·G· A · r ·
osso b' . , a s. 1 1otom
.P . n~ e5.sereassor m per cr~.are coppie elettrone-lacuna che permettono agli
elettroni d1 saltare attraverso l mtervaHo di enerrzia dalla banda d' 1· . .
b d d· d · . -- 1 va enza a11a
. a~ a 1 con uz1one (Figura 14.8a). Perché questo possa avvenire. il fotone
mc1d~nte deve ~vere ~n valore di ~mergiauguale O maggiore alrintervaHo dì
energia E~. Se I energia del fotone e mage:iore di· E l'e e · · .·
d' · . . - · g, n rg1a m eccesso viene
1ss1pata c~me calore. I sem1condunori che contengono impurezze di donatori
e? acceuon, assorb~n~ fotoni di energia molto inferiore (e quindi con lun!!hezze
d onda m~l~o 1~agg1on) che consentono agli elettroni di saltare dalla ba~da di
valenza ai· hvelh ac.cettori. (Fie:ura 14·8b) o donatori alla banda d'1 eon d uz10ne
·
( p·1gu~a ·14.8c). . --
J sem1conduttori sono pertanto opachi ai fotoni ad alta e media
energia {lunghezze d'onda corte e medie) e trasparenti ai fomni d' b ·
con lunghezze d'onda molto elevate. . i assa energia,
Eserciziario
Luce incidente
FIGURA 14.7 Riflessìonì
multiple interne
all'interfaccia
conla regione
cristallina
cheriducela
trasparenzadi materiali
termoplasticiparzialmente
cristallini. Luce diffusa
698 Capitolo 14
Bandadi conduzìone Banda dì conduzìone
t
FIGURA 14.8
Assorbimentootticodei
tl,,,,_;_:. l
1~
0 ..... ;...;<~,.
fotoni.neisemiconduttori. Banda di valenza Bandadi valenza
Banda di valenza
l'assorbimento
awiene(a) (e) tipo11
(a) Intrinseco (b) tipo p
seh. > E0, (b)seh. > Ea
e (e) seh.> fii.
14.5 LUMINESCENZA
La luminescenza può essere definita come il processo mediante il quale una

sostanza assorbe energia e poi spontaneamente emette radiazioni nel campo
visibile o vicino al campo visibile. In questo processo. l'energia in ingresso eccita
gli elettroni di un materiale luminescente facendoli passare dalla banda di
valenza alla banda di conduzione. La fonte dell'energia in ingresso può essere
costituita. per esempio, da elettroni ad alta energia o da fotoni. Gli elettroni
eccitati durante la luminescenza cadono ai livelli di energia più bassi. In alcuni
casi gli elettroni possono ricombinarsi con le lacune'. Se remissione av\'ienc
entro 10-~ s dall'eccitazìone. la luminescenza è detta fluorescen:a. mentre s.:
avviene dopo 10-s s si parla ·di/ osforescen:a.·
luminescenza è prodotta da materiali detti fosfòri che hanno la capacità
di assorbire radiazioni ad alta energia e basse lunghezze d'onda e di emettere
spontaneamente radiazioni di energia minore e lunghezza d'onda maggiore. Lo
spettro dì emissione dei materiali luminescenti è controllato industrialment~
mediante raggìunta di impurezze dette auivatori. Gli attivatori, fornìsc~no livelli
di energia discreti netrinlerval1o di energia tra la banda di con~uzione ~ l~
banda di valenza del materiale che li ospita (Figura 14.9), Uno dei mecca111sm1
postulati per il processo di fosforescenza è quello per cui g!i elettroni eccit~1;
vengono intrappolati in diversi modi ad alti livelli di energia e devono uscm
dalle trappole prima di poter cadere ai livelli di energia più bassi ed emet_tere
luce con uno spettro caratteristico. Il processo di intrappolamento viene
utilizzato per spiegare il ritardo nell'emissione della luce da parte dei fosfòri
eccitati.
l processi di luminescenza sono classificati in base alla sorgente di energia
per l'eccitazione elettronica. I due tipi industrialmente importanti sono la
fotoluminescenza e la catodoluminescenza.
FlGURA 14.9 Variazìoni

di energia durante la
luminescenza. (1) Vengono
create coppie elettrone~lacuna
pereccitare gli elettroni fino
r
Emissione Livello attivatore
allabanda di conduzione oad ...... stato donatore
unatrappola. (2) Gli elettroni
possono essere eccitati ...
Eccitazione
CD 0 ®3 " .."' ..,. Emissione
. . Differenza
d.' ·
1 energia
termicamente daunatrappola tra le ande
all'altra
o nellabandadi Livelloattivatore Livelloattivatore
conduzione. (3) Glielettroni -- stato accettore
possono cadere ai livemdi '0,.,..;;,
attivatori
(donatori) piùaltie Band~·.di·valenza
poisuccessìvarnente ai livelli f·
accettoripiùbassi,che
emettono lucevisibile.
Fotoluminescenza Nelle comuni lampade a fluorescenza, la fotoluminescenza converte la

radiazione ultravioletta di un arco di mercurio a bassa pressione in luce
visibile utilizzando un fosfòro alofosfato. Un alofosfato di calcio di adeguata
composizione Ca10F2P60:4. con circa il 20o/odi ioni F- s~itµIti da ioni ci-
viene utilizzato come materiale base per la maggior parte delle lampade. Gli ioni
di antimonio, Sb3..... hairno un'emìssione blu, mentre gli ioni di magnesio, Mn 2-.
hanno una banda di emissione arancione~rosso. Variando gli ioni Mn 2+, si
ottengono diverse tonalità dì blu, ara11cionee bianco. La luce ultravioletta ad
alta energia proveniente dagli atomi eccitati di mercurìo fa in modo che la parete
interna rivestita di fosfòri dì un tubo di una lampada a luce fluorescente emetta
luce visibile a energia minore e con lunghezze d'onda pìù lunghe (Figura 14.1 O).
Catodo- Questo tipo di luminescenza viene prodotto da un catodo che genera un fascio
luminescenza di bombardamento elettronico ad alta energia. Le applicazìoni di questo
processo includono il microscopio elettronico, l'oscilloscopio. a raggi catodici e
la luminescenza degli schermi dei televisori a colori. La fosforescenza dello
schermo dei televisori a colori è particolarmente interessante. I moderni
televisori hanno righe verticali molto strette (con una larghezza di circa 0.25
mm) di fosfòri ad emissione rossa, verde e blu depositati sulla superficie interna
dello schermo (Fìgura 14.11). Utilizzando una maschera d'ombra di acciaio con
piccoli fori ovali (circa O.I5 m.mdi larghezza). il segnale in ingresso nel televisore
viene scandito sulrintero schermo 30 volte al secondo. La piccola dimensione e
il grande numero di zone di fosfòro esposte consecutivamente nella rapida
scansione di 15750 linee orizzontali al secondo e la persistenza dell'immagine
nell'occhio umano rendono possibile l'ottenimento di una chiara. immagine con
buona risoluzìone..I fosfòri di solito utilizzati per i colori sono il solfuro di zinco
(ZnS) con Ag+ come accettore e ci- come dona.tore per il blu, (Zn,Cd)S con
accettore cu+ e donatore Al 3+ per il verde e l'ossisolfato di ittrio (Y 20 2 S) con
700 Capitolo 14
FIGURA14.1O Sezione di
unalampada a fluorescenza Luce visibile Radiazione
Elettroni ultravioletta
chemostra la generazione di
a unelettrodo
elettroni e \\ti
l'eccitazione
degliatomidi
mercurio cheforniscono la ----·....-- ___......
.
luceUVpereccitare il
rivestimento di fosforo
all'interno
deltubodella Rivestimento
Atomi dì Atomi di
lampada. Il rivestimento di Elettrodo
mercurio gas inerte di fosforo
fosforo eccitato fornisce luce
visibilemediante la
luminescenza.
3% di europio (Eu) per il rosso. Questi materiàli devono trattenere la

luminescenza dell'immagine fino alla scansione successiva, ma non devono
trattenerla troppo a lungo per non sfocare rìmmagine stessa.
L'intensità della luminescenza, I, è data da:
In~= (l4.8)
lo 'i
Pistola elettronica in lìnea
Ulr--- Aperture a fessura
FIGURA14.11 Schema
delladisposizione
delle
strisce
verticali
di rosso(R),
verde(G)e blu(B)d1fosfòro
in unoschermo di un Schermoa matricelineare
televisore
a colori.Sono
anche mostratealcune
aperturea formaovalizzata
dellamaschera d'ombradi
acciaio.{RCAl.
dove I O = intensità iniziale di luminescenza e l = frazione di luminescenza dopo

il tempo t. La quantità r è la costante di tempo di rilassamento del materiale.
Eserciziario
Vedi Esercizio14.6.
14.6 EMISSIONE STIMOLATA DI RADIAZIONI E LASER
La luce emessa dalle comuni· fonti luminose, come le lampade fluorescenti, è

originata dalla transizione degli elettroni eccitati verso i livelli più bassi di
energia. In queste sorgenti luminose gli atomi degli stessi elementi emettono,
indipendentemente e casualmente, fotoni di lunghezza d'onda simile.
Conseguentemente, la radiazione vìene emessa in direzioni casuali e i treni di
onde non sono in fase l'uno con raltro. Questo tipo di radiazione si dice
incoereme. Al contrario, una fonte di luce laser produce un raggio di radiazione
le cui emissioni di fotoni sono .in fase, o coerenti, e sono parallele, direzionali e
monocromatiche (o quasi}. La parola laser è un acronimo costruito con le
iniziali di "luce amplìficata mediante emissione stimolata dì radiazione ... Nei
laser alcuni fotoni "attivi" emessi inizialmente ne stimolano molti altri della
stessa frequenza e lunghezza ct·onda ad essere emessi in fase per formare un
fascio luminoso coerente ed intenso {Figura 14.12).
Per comprendere il meccanismo di funzionamento dei laser, consideriamo il
funzionamento di un laser a rubh10 allo stato solido. Il laser a rubino mostrato
schematicamente in Figura 14.13 è costituito da un monocristallo di ossido di
alluminio (A}iO3 ) che ~ontiene ~ 0.05% di ioni Cr 3+. Gìi ioni Cr 3+ occupano
posizioni sostituzionali nel reticolo della struttura del cristallo di A}iO 3 e sono
responsabili dei colore rosa della barra di rubino del laser. Questi ioni agiscono
come centri fluorescenti che, dopo essere stati eccitati. cadono a livelli di energìa
Elettroni
Stato eccitato
FIGURA 14.12 h1•1 Fotone "attivo ..

Diagramma schematico Fotone ''attivo" hv1
dell'emissionedi unfotone
"stimolato''
da unfotone h1·1 Fotone ''stimolato"
dellastessa
··attivo"
frequenza e lunghezza Stato di energia 1ninima
d'onda.
702 Capitolo 14
Lampada flash allo xeno
Specchio
esterno
(riflettente)
Barra laser
di rubino
Sorgente di energia
FIGURA 14.13
Diagramma schematico
dì inferiori, provocando l'emissione di fotoni di determinate lunghezze d'onda. Le
un lasera rubinopulsato,
estremità della barra di rubino sono rettificate parallele per l'emissione ottica.
Uno specchio totalmente riflettente è posto parallelo e vic;ino all'estremità poste-
riore den·asta di cristallo, mentre uno specchio parzialmente trasmittente è posto
all'estremità anteriore del laser e consente il passaggio del fascio laser coerente.
Un segnale ad alta intensità proveniente da una lampada flash alìo xeno può
fornire l'energia necessaria per eccitare gli ioni Cr 3+ dallo stato di base ai livelli di
energia più alti. come indicato dalla banda E3 di Figura 14.14. Questa azione.
nella terminolo2ia dei laser, è chiamata pompaggio del laser. Gli elettroni eccitati
degli ioni Cr 3; possono poi rica.dere al liveHo base o al lìvello energetico
metastabi1e E2 di Figura 14.14. Comunque. prima che possa avvenire remissione
stimolata di fotoni nel laser. ci devono essere più elettroni pompati nell'alto
livello di energia metastabile di non equilibrio E~ che nel Hvello di ba.se (E1 ).
Questa condizione viene chiamata inversione della popola::ione degli stati di
,.
E,
Emissione.spontanea
5:! E __ _;,_________________ Livello energetico
e :
~
metasrnbile
~ Emissionespontanea
u"0 e stimolata
FIGURA 14.14 ,; (uscita del laser}
Diagramma semplificato '§
g
deilivellidi energiain un UJ E __ .,.:_...:... _______________ Livello dì terra
sistemaa trelivellidi 1
emissione di lucelaser.
(Completamente argentato Parzialmente argentato
' 00000.00000000000
00000000000000000
00•00000000000000
••
••
• ••• •o
o • o • .
•• e .•. 'o te
••
O.•
• • o • • • • • ••
Cristallo di rubino drogato con Cr
(a) (b)
• •o•oo/o••••,•o•c•
•o••o•••o•o.•~·
•;:roo•o••••o•••••o
o • • o o.
• • o• • •
• • • o •• •
Subito prima
~-
mo
• o•
• o •
ooe
••
oo
A metà Dopo la
della successiva cristallo riflessione
riflessione
(e) (d)
• Atomo di Cr eccitato o o !I• o o e o o o

o Atomo di Cr • • :...:=...O O • O o o O
allo stato di terra • o o o o o::::ri:::eo o • o • o
(e)
FIGURA 14.15 Stadidelfunzionamento di unlasera rubinopulsato.(a)All'equilibrio.(b)Eccitazìonemediante

lampada flashalloxeno.
(e)Pochielettroni emessi
spontaneamenteinizianof'emìssione
stimolatadi fotoni.(o) I fotoniriflessicontinuano
a stimolare l'emissìone
di
altrìfotoni.(e)Infine,
vieneemesso
il fasciolaser.
[DaR.M.Rose etal.,Voi:tv, "Structure andProperties otMateria!s';
voi.IV,Wiley,1965].
energia degli elettro.ni ed è illustrata schematicamente in Figura 14.15b, dove è

confrontata con la condizione di livello di energia di equilibrio di Figura 14.15a.
34
Gli ioni Cr eccitati possono restare nello stato metastabile per molti
millisecondi prima che avvenga l'emissione spontanea in seguito al salto degli
elettroni nello stato base. l pochi fotoni inizialmente prod~tti dagli elettro~i
caduti dal livello metastabile E 2 di Figura 14.14 al li~ello base E 1 provocano una
reazione a catena di emissione stimolata che provoca lo stesso salto di molti
elettroni da E2 ad Ei. Questa azione genera un gran numero di fotoni che sono
in fase e si muovono in direzioni parallele (Figura 14.15c). Alcuni dei fotoni
saltati da E2 ad E1 vengono persi all'esterno della barra, ma molti vengono
riflessi lungo la barra di rubino dagli specchi posti alle estremità e stimolano
ancora nuovi elettroni a saltare da E2 ad E 1, contribuendo alla creazione di un
fascio di radiazione coerente più potente (Figura 14. l Sd). Infine, quando
704 Capitolo 14
airinterno della barra si è creato un fascio coerente sufficientemente intenso.

questo viene trasmesso come un intenso impulso ad alta erkrgia di durata :::::0.6
ms) attraverso lo specchio semiriflettente all'estremità frontale del laser (Figura
14.15ee Figura 14.13).11 fascio laser prodotto dalla barra cristallina di ossido di
alluminio (rubino} drogato da ioni Cr 3+ ha una lunghezza d'onda di 694.3 nm.
che è una linea rossa visibile. Questo tipo di laser, che può funzionare solo ad
intermittenza, si dice di tipo ad impulso. Al contrario, molti laser funzionano
con un fascio continuo e sono chiamati laser a onda continua (CW).
Tipi di laser Ci sono molti tipi di laser a gas, a liquido e a solido utilizzati nella tecnologia
moderna. Descriveremo brevemente alcuni degli aspetti importanti di questi laser.
Laser.al rubino La struttura e il funzionamento del laser al rubino sono 2iù

stati descritti. Questo tipo di laser oggi non viene' molto utilizzato pe/ hi
difficoltà nel far crescere la barre di rubino in confronto alla facilità .E
realizzazione dei laser al neodimio.
Laser al neodimio-YAG Il laser al neodimio-ittrio-alluminio-granato (Nd-

YAG) è realizzato per combinazione di una parte su cento di atomi di Nd
alrinterno di un cristallo ospitante di YAG. Questo tipo di laser emette nella
regione vicina alrinfrarosso, ad una lunghezza a·onda di l ,06 µm con un.1
potenza continua che arriva fino a 250 W e con una potenza pulsata di diver:-i
megawatt. Il materiale principale YAG ha il vantaggio di possedere un·alt~t
conducibilità termica che consente di rimuovere il calore in eccesso. Nel camrli'
della lavorazione dei materiali. il laser Nd~YAG viene utilizzato pi:c·:·
saldatura. la foratura, il tracciamento ed il taglio (Tabella 14.1). i
I
TABELLA14.2 Alcune applìcazìonidei laser nelle lavorazioni dei materiali
Applicazioni
1. Saldatura
2. Foratura
Tipo di
laser
YAG'
YAG
CWC02t
Commenti
Laser di alta-mediapotenza per saldaturaa profonda

penetrazionee alta prestazione
Alta potenza dì picco per realÌZZare
'·
fori precisi con
mlnìmazona termicamentealterata,bassa conicìtae 2.•:.
II
profondità j
3. Taglio YAG Taglio preciso di forme complessebi e tri-dimensior.~, ~
cwco, alta velocità in metalli,plastichee ceramici
I
4. Trattamenti CWC02 lndurime.otodi superficìmetallicheper autotemprada
superficiali temperatureaustenitizzanticon raggio a scansione
detocalizzata
5. Tracciamento YAG Tracciamentodì grandì superficidi ceramicie wafer di
CWC02 silicio per realizzaresubstrati di circuiti
6. Fotolitografia Eccimeri Processifotolitograficinella realizzazionedi
semiconduttorlcon eccimeri
* YAG= il granatolttrioalluminio
e un cristalloospitanteusatoneilaserallostatosolidoal neodimio
t CWC02 = laserall'anidridecarbonicaa onda continua(cioènon pulsante).
Proprìetà ottiche e materiali superconduttori 705
Contano
metallico
p-GaAs
Raggiolaser
(a) (b)
FIGURA14.16 (a)Laserconsempliceomogiunzìone di GaAs.

(b)Lasercondoppia eterogiunzione
di GaAs (OH).I pianip- e n-AlxGa
1_ As
hannoìntervallo
di banda
piùampie indicidi rifrazione
piùbassie confinano
gli elettroni
e le lacuneall'interno
delpianoattivop-GaA;.
Laser all'anidridecarbonica(C02) I laser all'anidride carbonica sono tra i

laser più potenti ed operano principalmente nella regione media infrarossa a
10.6 µm. Variano da una potenza continua di pochi millìwatt fino a grandi
impulsi con un'energia di 10000 J. Operano mediante collisioni elettroniche che
eccitano le molecole di azoto a livelli dì energia metastabili, le quali
trasferiscono successivamente la loro energia per eccitare le molecole di co.,
che quindi emettono una radiazione laser cadendo ai livelli di energia più bassi. i
laser alì'anidride carbonica vengono utilizzati nella lavorazione dei metalli per il
taglio, la saldatura e per i trattamenti termici locali degli acciai (Tabella 14.2).
Laser a semiconduttori I laser a semiconduttori, o a diodi. di solito della

dimensione di un granello di sale, sono i laser più piccoli ad ·essere prodotti.
Sono formati da una giunzione pn realizzata con un composto semiconduttore
come ii GaAs che ha un intervallo di banda sufficienten1ente ampio per razione
del laser (Figura 14.16). Originariamente. il laser con diodo di GaAs era
realizzato come un laser ad omo giunzione, con una sola connessione pn (Figura
14. l 6a). La cavità di risonanza del laser è ottenuta tra le due facce del cristallo
ricavate rompendolo lungo un piano di clivaggio. L'interfaccia cristallo-aria
provoca le riflessioni necessarie al funzionamento del laser per la differenza tra
gli indici di rifrazione dell'aria e del GaAs. Il laser a diodo raggiunge
l'inversione della popolazione per la forte polarizzazione diretta della giunzione
pn pesantemente drogata. Viene generato un gran numero dì coppie elettrone-
lacuna e alcune di queste a loro volta si ricombinano per emettere fotoni.
Un miglioramento dell'efficienza è stato ottenuto con un laser a doppia
eterogiunzione (DH) (Figura 14.16b). In un laser GaAs-DH, uno strato sottile
dì p-GaAs è posto tra i piani p- e n-Al.~Ga1-xAs che confinano gli elettroni e le
706 Capitolo 14
lacune all'interno del piano attivo p-GaAs. I piani AlGaAs hanno intervalli di
banda più ampi e indici di rifrazione più bassi e quindi co!:jf.ringonola luce laser
a muoversi in una guida d'onda molto piccola. L'applic:µione maggiore dei
laser a diodo GaAs è nei compact disc.
14.7 FIBRE OTTICHE
Nei moderni sistemi di comunicazione a fibre ottiche vengono utilizzate fibre

sottili come capelli (:::::::1,25
µmdi diametro) costituite principalmente da vetro di
silice (Si0 2). Questi sistemi sono costit~iti essenzialmente da un trasmettitore
(per esempio, un laser a semiconduttore) per la codifica dei segnali elettrici in
segnali luminosit da fibre ottiche per la trasmissione dei segnali luminosi e da un
fotodiodo per la riconversione dei segnali luminosi in segnali elettrici (Figu:·.i
14.17).
Dispersione della Le fibre ottiche utilizzate per i sistemi di comunicazione devono avere una
luce nelle fibre dispersione della luce estremamente bassa (attenuazione} cosicché il segnale
ottiche luminoso codificato. in ingresso possa essere trasmesso a lunga distanza (ad
esempio 40 km) ed essere ancora ricevuto soddisfacentemente. Per i vetri a
dispersione di luce estremamente bassa utilizzati per le fibre ottiche. le impurezze
(in particolare di Fe:i-) nel vetro di SiO:i devono essere pochissime. Lu
dispersione della luce {attenuazione) di una fibra di vetro ottica viene di solih 1
misurata in decibel per chilometro (dB/km). La dispersione in dB 1km di ,.··
materiale che trasmette la luce per un tratto dì lunghezza I è legata alrinte:;
luminosa in ingresso / 0 e affintensità luminosa in uscita /mediante la relazion-.::
Separatore di 11-InP
,.
11-lnGaAsP
Substrato dì 11-lnP
Trasmettitore Fibraottica Fotosensore

laser a diodo PlN
(a) (b) (e)
FIGURA 14.17 Elementi basedi unslstema

di comunicazione
a fibrealtiche.
(a)Trasmettitore
laserlnGaAsP.
(b)Fibreottiche
perla
deifotoni.(e)Fotosensore
trasmissione a diodoPIN.
-Dispersione (dB/km) = /(!:)logf (14.9)
Eserciziario
Vedi Esercizio14.7.
Fibre ottiche Le fibre ottìche per la trasmissione della luce servono come guide d'onda per i
a modo singolo segnali di luce nelle comunicazioni ottiche. La ritenzione della luce all'interno
e multimodali della fibra ottica è resa possibile dal passaggio della luce attraverso H vetro del
nucleo centrale che ha un indice di rifrazione maggiore di quello dello strato di
vetro esterno (Figura 14.18). Per il tipo a modo singolo. che ha un nucleo dì
diametro di circa 8 µm ed uno strato esterno di diametro di 125 µm circa, esiste
solamente un percorso guidato per il raggio di luce (Figura 14.18a). Nel tipo
multimodale, che ha un nucleo con indice di rifrazione graduato, molti tipi di
onde passano simultaneamente attraverso la fibra, provocando una dispersione
del segnale maggiore di quella prodotta nel modo singolo (Figura 14.18b). La
maggior parte dei nuovi sistemi di comunicazione a fibre ottiche utilìzzano il
modo singolo perché si ha una minore dispersione e irfoltre la fabbricazione è
meno costosa e più semplice.
Produzione delle Uno dei metodi più importanti per la produzione di fibre ottiche di vetro per i
fibre ottiche sistemi di comunicazione è il processo "modified chemical vapour depositicm··
(MCVD) (Figura 14.19). In questo tipo di processo: un vapore secco moho puro
di SiCl4 con diversi contenuti di vapore di GeCl 4 e idrocarburi fluorurati viene
fatto passare attraverso un tubo rotante di silice pura assieme ad ossigeno puro.
Un cannello ossigeno-idrogeno esterno viene mosso lungo il diametro ·esterno
del tubo rotante, consentendo al contenuto di reagire per formare particelle di
vetro di silice drogate con la combinazione desiderata di germanio e fluoro. Il
Ge0 2 aumenta l'indice di rifrazione dell'Si01. mentre il fluoro lo diminuisce. A
valle della zona di reazione, le particelle di vetro migrano verso la parete del
tubo dove si depositano. La stessa torcia mobile che aveva provocato la
reazione per formare le particelle di vetro. passa sopra queste particelle e le
sinterizza in uno strato sottile di vetro drogato. Lo spessore dello strato drogato
dipende dal numero di strati che si sono depositati durante i ripetuti passaggi
della torcia. Ad ogni passaggio la composizione dei vapori viene regolata per
ottenere il profilo di composizione desiderato cosicché la fibra di vetro
successivamente prodotta possa avere il profilo di indice di rifrazione voluto.
Nello stadio. successivo~ il tubo di silice viene riscaldato ad una temperatura
sufficientemente alta da farlo avvicinare al SU() punto di rammollimento. La
tensione superficiale del vetro provoca poi i1collasso uniforme del tubo formato
dagli strati di vetro depositati, per fom1are una barra solida detta preforma
(Figura 14.lb). La preforma di vetro proveniente dal processo MCVD viene poi
inserita in un forno ad alta temperatura dal quale vìene trafilata una fibra di
-
708 Capitolo 14
FIGURA14.18 Confronto
trafibreottiche (a)a modo
0 _JL ~-------------!-
,j\ j\ (a) Modo singolo
1
,,+=~
singoloe (b) fibre
multimodali in unasezione
trasversale
a!l'indlce
percorso
segnale
in relazione
di rifrazione,
dellalucee al
di entrata
Si preferisceil segnale
uscitapiùstrettodelmodo
al
e di uscita.
di
@_/\__
Sèzìone
trasversale
Profilo
dell'indice di
d/ j\ /\Parte trasparente Segnale Segnale
di entrata di uscita
singolo peri sistemi di della fibra rifrazione
di vetro
comunicazione otticia lunga (b) Multimodale
distanza.
vetro con un diametro di circa 125 µm (Figura 14.20). Un processo ìn linea

applica un rivestimento polimerico con spessore di 60 µm per proteggere la
superficie della fibra di vetro da eventuali danneggìamentt In Figura 14.21 sono
mostrati alcuni rotoli di fibre di vetro finite. Sono essenziali tolleranze molto
strette per il diametro del nucleo e per quello esterno. affinché la fibra possa
essere giuntata senza grosse dispersioni di luce.
Esausto
Vetro simerizzato Accumulazione di
Vapori e gas
Tubo di sìlice \ particelle a \'alle
del cannello t
-
reagenti
SiCl4 Rotazione Cannello

GeC4 del tubo ossigeno-idrogeno
Freon
Movimento del cannello -
FIGURA14.19 Schema delprocesso

"modified
chemicalvapour
deposition"
perlaproduzione
diprelorme
divetroperlafabbricazione
é:
fibreottiche
di vetro.[DaAT&TTech.J. 66:33(1987)].
n i] _Applicatore
I -Cowollo
del nvestimemo
della concentricità
uD--~~~ (termico. uv)
Tamburo
i M · tenditore
Rullo di ov1me,,,,,n~ta_1o_re~+------,,---..,..
trascinamento ...-,,,-
1 • ;.,,./"'
(a) (h)
------------------------------------- ·--·---,_,., -·-
FIGURA 14.20 Sistemazione

pertramare
unafibradi vetrootticadallapreforma
di vetro.(a)Produzione
reale.[Perconcessione
della
AT&T).
(b)Preparazione IDa"Encyclopedia
schematica. orMa/erials Science andTechnology'; MITPress,1986.
p.19921.
Moderni sistemi La maggior parte dei moderni sistemi dì comunicazione a fibre ottiche
di comunicazione a utilizzano fibre a modo singolo con un trasmettitore laser a diodo con doppia
fibre ottiche eterogiunzìone InGaAsP (Figura 14.22a) che funziona alla lunghezza d'onda
dell'infrarosso dì l,3µm, dove le dispersioni di luce sono minime. Come
rilevatore viene di solito utilizzato un fotodiodo InGaAs/InP (Figura 14.22b).
Con questo sistema, si possono mandare segnali ottici finò a distanze di 40 km
prima che .il segnale debba essere ripetuto. Nel Dicembre 1988 è entrato in
funzione il primo sistema di comunicazione transatlantico a fibre ottiche con
una capacità di 40000 chiamate telefoniche simultanee.
71 O Capitolo 14
FIGURA14.21 Rotolodi
fibraottica.
[Perconc~ssione
dellaAT&71.
14.8 MATERIALI SUPERCONDUTTORI
Lo stato La resistività elettrica di un normale metallo come il rame diminuisce in modo

superconduttore continuo quando la temperatura diminuisce e raggiunge un basso valore residuo
attorno a O K (Figura 14.23). Al contrario, al diminuire della temperatura la
resistività elettrica del mercurio puro a 4.2 K scende bruscamente ad un valore
.In
p~-lnGaAs
p-lnP Contano Au-Zn
ì.InGaAsP SiN
! (attivo) 11-lnGaA~
11-lnP
(separatore\
n-lnP
(substrat,·
Con1a110
Au-Sn
(a) (h)
FIGURA14.22 .(a)Diodo
laserconeterostruttura
lnGaAsP
immerso
inunsubstrato
chìmico,
utilizzato
persistemi
di comunicazione
a fibre
ottiche
su lunghe
distanze.Si notilafocalizzazione
delfasciolasermediante
uncanale
a V. (b)Fotorilevatore
PINpersistemi
comunicazione
ottici.!DaAT&TTech. J. 66(1987)].
Rame
FIGURA 14.23 Resistività t //

/ (normale)
normale
di unmetallo
elettrica
(Cu}confrontata
con
Q.
/'
_,,,,./ Mercurio
quelladi un metallo f superconduttore)
superconduttore(Hg)in
funzionedellatemperatura
vicinoa OK. Laresistività
delmetallo
elettrica
superconduttorediminuisce
bruscamente adunvalore o 4,2
moltopiccolo non T,K__..,
misurabile.
troppo piccolo per essere misurato. Questo fenomeno viene chiamato

superconduttività e il materiale che mostra questo'' comportamento viene
chiamato materiale supercondut1ore.Circa 26 metalli sono superconduttori.
come anche centinaia di leghe e di composti.
La temperatura al di sotto della quale la resistività elettrica del materiale è
pratìcamente nulla· è detta temperatura critica Te. Al di sopra di questa
temperatura, il materiale viene chiamato nonna/e. mentre al di sotto di essa è
supercondutlore. Oltre che dalla temperatura .. lo stato dì superconduttività
dipende anche da molte altre variabili. le più importanti delle quali sono il
campo magnetico B e la densità di corrente J. Quindi perché un materiale, sia
superconduttore. non devono essere superati i valori critici della temperatura,
del campo magnetico e della densità di corrente, per cui per ogni materiale
superconduttore esiste una regione critica nello spazio T. B, J.
Nella Tabella 14.3 sono elencate le temperature critiche di supercondutti- ·
vità di alcuni metalli, composti intermetallìci e nuovi composti ceramici.
Risaltano i valori estremamente alti di Tc:(90-122 K) dei composti ceramici
recentemente scoperti (1987) che hanno sorpreso l'ambiente scientifico. Alcuni
aspetti della loro struttura e delle loro proprietà verranno discussi in seguito in
questo capitolo.
Proprietà Se a un superconduttore viene applicato un campo magnetico sufficientemente

magnetiche dei intenso a una temperatura inferiore alla sua temperatura critica Te, il
superconduttori superconduttore ritornerà allo stato normale. !I campo magnetico necessario
per ristabilire la conducibilità elettrica normale nel superconduttore è detto
campo critico Hc. La Figura 14.24a mostra schematicamente la relazione tra il
campo magnetico critico Hc e la temperatura (K) a corrente nulla. Va notato che
anche una densità di corrente elettrica sufficientemente elevata, Jc, distruggerà la
712 Capitolo 14
TABELLA 14.3 Temperature critiche Te di superconduttiVità per alcunì metalli, composti

intermetallici e composti ceramici superconduttori
Metalli Te, K Ho",T Composti Te, K com'posti Te, K

intermetallici ceramici
Nionio, Nb 9.15 0.1960 Nb3Ge 23.3 Tì2Ba2Ca2CusOx 122

Vanadio;V 5.30 0.1020 NbsSn 21 YBa2CusO1-x 90
Tantalio,Ta 4.48 0;0830 Nb3AI 17.5 Ba1-xKxBiO3-y 30
Titanio, TI 0.39 0.0100 NbTI 9.5
Stagno 3.72 0.0306
~ Ho = campo critico in testa a O K.
I
superconduttività nei materiali. La curva di Hc in funzione di T (K) può essere
approssimata da:
(14.10)
dove Ho è il campo magnetico cnt1co a T = O K. L'Equazione (14.10)

rappresenta il confine tra lo stato di superconduttività e quello normale del
O.JO
l 0.15 -
Nìi.,bio
l Staio
normale
c..
E 0.05
é ......
Stato
superconduttore Mercuri'ò,
Piombo
o.._____ ..,.._____
,AlluminkÌ,, 5___________ ...
lO
t
o Te
Temperatura. K --+ Temperatura.K --+ a
(a) (/>) c
FIGURA 14.24 Campo

magnetico
criticoin funzione
dellatemperatura
{K).(a)Casogenerale.
(b)Curve
peralcunisuperconduttori.
Proprietà ottiche e materiali superconduttol'~ 71 3
superconduttore. La Figura 14.24b mostra le curve del campo cdtico in

funzione della temperatura per alcuni metalli superconduttori.
Eserciziario
A seconda di come si comportano quando viene applicato un campo
magnetico, i superconduttori metallici e intermetallici vengono classificati come
superconduttori di tipo I e di tipo II. Se un lungo cilindro di superconduttore di
tipo I come Pb o Sn viene posto in un campo magnetico a temperatura
ambiente, il campo magnetico penetrerà normalmente attraverso il metallo
(Figura 14.25a). Invece, se ia temperatura del superconduttore di tipo I è
abbassata sotto la sua Te (7 ,19 K per il Pb) e se il campo magnetico è al di sotto
di Hc, i1 campo magnetico verrà allontanato dal campione eccetto che per uno
strato superficiale di penetrazione molto sottile di circa l o-scm sulla superficie
(Figura 14.25b). Questa proprietà di esclusìone del campo magnetico nello stato
di superconduttività è detta effetto Meissner.
I superconduttori di tipo lI si comportano differentemente in un campo
magnetico a temperature inferiori a Te. Essi sono fortemente diamagnetici come
i superconduttori di tipo I fino ad un campo magnetico critico detto campo
critico inferiore Hc1 (Figura 14.26} e quindi il flusso magnetico viene escluso dal
materiale. Sopra Hci il campo inizia a penetrare 11elsuperconduttore di tipo II e
continua gradualmente finché viene raggiunto il campo critico superiore Hc:,
Tra Hc1 e Hc2-il superconduttore si trova nello stato misto e sopra Hc1 ritorna
allo stato normale. Nella regione tra Hc1e Hc2, il superconduttore può condurre
corrente elettrica all'interno dal materiale, così questa regione di campo
magnetico può e~sere utilizzata per superconduttori ad alta corrente e ad alto
campo come il NiTi ed il Ni.,Sb. che sono superconduttori di tipo II. ·
FIGURA 14.25 Effetto

Meissner. Quando la
temperaturadì un
superconduttore dì tipoI si
abbassa sottoTee il campo Profondità di
penetrazione
magnetico è interiorea H,, i1 (non in scala)
campo magnetico è
completamente escluso dal (a) Stato normale (h) Stato superconduttore
campione eccettoCheperun T> T,.e H > H,. T< TceH < H,.
sottilestratosuperficiale;
714 Capitolo 14
·••••· Tlpo I t
--TipoII,,
FIGURA 14.26 Curve

di
t
magnetizzazione per 1/
superconduttori
I e di tipoIl. I
idealidi lipo
/
~
H<"I Hc Hc~ H--+-
superconduttori di tipoIl
vengono penetratidalcampo I, I.
magnetico
Hc,edHr2.
nellaregione tra
Completo _
-i---
diamagnetismo
Stato___
misto
...
r-- Normale
Flussodi correntee I supercònduttori dì tipo I sono cattivi portatori di corrente elettrica poìché i;;
campi magnetici corrente può fluire solo nello strato .superficiale esterno del campione
nei superconduttori superconduttore (Figura 14.27a). La ragione di questo comportamento è che
il campo magnetico può penetrare solo nello strato superficiale e la corrente può
fluire solo in questo strato. Nei superconduttori di tipo II sotto Hr:1, i campì
magnetici si comportano nello sresso modo. Se il campo magnetico è invece
compreso tra Hr:1 ed Hr:2 (stato misto). la corrente può essere trasportata
all'interno del superconduttore da filamenti. come indicato in Figura 14.2ìh.
Nei superconduttori di tipo II. quando viene applicato un campo magnet:cci
compreso tra Hc1 ed Hc2, il campo penetra nella massa del supercondun
sotto forma di singoli fasci di flusso quantizzati detti f7ussoidi (Figura 14._
Ogni flussoide è circondato da un vortice cilindrico dì supercorrente. Con
l'aumento della resistenza dei campo magnetico. un numero sempre maggiore di
flussoidi entra nel superconduttore e fonna una disposizione periodica ordinata.
A Hc':. la struttura a vortici di supercorrente collassa ed il materiale ritorna al
normale stato di conducibilità.

trasversaledi uncavo
superconduttore che
trasporta
corrente elettrica.
(a)Superconduttore di tipoI
o dìtipoIl in presenza di un
campo magnetico basso -~ Lu c~rre111e Lu corrente
(H< Hc1).(b) · elettrica passa ~ elettrica pas!'>a
solo sulla / all'interno
Superconduttore di tipoli in superficie . del fi!Q
presenzadi campipiùalti esterna del filo
dovela corrente viene
trasportatadaunaretedi (a) (/,)
(Hc1< H < Hcz).
filamenti
J
Vonici di supercorrente
FIGURA 14.28
lllustrazione
schematica dei
flussoidi
magnetici in un Flussi di magnetici
· superconduttore
di tipoli
conil campo magnetico tra
Hc,edHa.
Superconduttori Sebbene i superconduttori ideali di tipo II possano essere penetrati da un campo

a alta corrente magnetico applicato nell'intervallo tra Hc1 ed Hr:2, essi hanno una capacità di
e alto campo trasportare la corrente molto ba.ssa al di sotto di Te perché i flussoìdì sono
debolmente legati al reticolo ctistallino e sono relativamente mobili. La mobilità
dei flussoidi può essere fortemente impedita dalle dìslocazioni, dai bordi di
grano e dai precipitati fini. per cui Jc può essere aumentata con lavo.razioni a
freddo e trattamenti termici. Il trattamento termico della lega Nb-45% Ti viene
utilizzato per precipitare la fase n esagonale nella mat~ìce CCC della lega al fine
di favorire il blocco dei flussoidi.
La lega Nb-45% Ti ed il composto Nb3Sn sono diventati i materiali base
nella moderna tecnologia per i superconduttori ad alta corrente e alto campo.
La lega commerciale Ni-45% Tì viene prodotta con T,:::: 9 K e Hc':.:::::: 6 T e
Nb 3Sn con Te::.:::18 K e Hc:.::::::11 T. Nella moderna tecnolo"gia. dei
superconduttori, questi superconduttori vengono utilizzati alla temperatura
dell'elio lìquido (4.2 K). La lega Nb-45'% Ti è più duttile e più facile da
fabbricare del composto Nb 3 Sn e quindi viene preferita per molte applicazioni
anche se ha valori di Te e di Hc~minori. I filì commerciali sono realizzati con
molti filamenti di NbTi. di solito con un diametro di 25 µm. immersi in una
matrice di rame (Figura 14.29). Lo scopo della matrice di rame è di stabilizzare
il filo superconduttore durante il fm1zionamento affinché non si sviluppino
punti caldi che potrebbero provocare il ritorno allo stato nonnale del materiale
superconduttore.
~ Le applicazioni dei superconduttori a base di NbTi e Nb3Sn includono
sistemi di immagine magnetica nucleare per diagnosi mediche e la lievitazione
magnetica di veicoli come i treni ad alta velocità (Figura 14. 1e e Figura 14. ld). I
magneti superconduttori ad alto campo vengono utilizzati in acceleratori di
ì particene nel campo della fisica ad alta energia. Il prototipo per il nuovo
I supercollisore superconduttore proposto, utilizza fili di NbTi per il suo

funzionamento. A livello mondiale, ci si aspetta che la prossima generazione
di acceleratori utilizzi 2000 tonnellate di filisuperconduttori.
J
716 Capitolo 14
F
c
o
Y
p
FIGURA 14.29 Sezione trasversale di uncavo
compositodi rameconNb-46,5% Ti fabbricato
peril
supercollisore
superconduttore. Il filohaundiametro di
0,0808cm.un rapporto volumetrico di 1,5,
Cu:NbTl
contiene7250filamentidi diametro 6 µm,eJc= 2990
A/mm2 a5 Te Jc= 1256 Nmm2 a8 T (ingrandimento
200x). [Perconcessione dellaJGC AcJvanced
Superconductors lncJ
Ossidi Nel 1987 sono stati scoperti superconduttori con temperature critiche imomc,
superconduttori 90 K. sorprendendo l'ambiente scientifico dal momento che fino a q,i.
ad alta momento la temperatura Te maggiore per un superconduttore ~radi circa 13 k.
temperatura critica Il materiale più studiato con alta Te è il composto YBa 2 Cu 3 O\. e quind.i la
(Te) nostra attenzione sarà focalizzata su alcuni aspetti della sua strun~ra e delle sue
proprietà. Dal punto di vista della struttura cristallina. si può ritenere che
quest6 composto· abbia una struttura difettosa di tipo perovskite con tre celle
unita.rie cubiche dì perovskite sovrapposte runa su Jr estremità delraltra (Figura
14.30), la struttura perovskite del CaTiO 3 è mostrata in Figura 10.16. Per una
sovrapposizione ideale di tre celle unitarie cubiche con struttura perovskite. il
composto YBa:2Cu3Oy dovrebbe avere la composizione YBa::!Cu3O 9 , con :·
uguale a 9. Però le analisi hanno 111ostratoche perché questo materiale poS!>.t
essere superconduttore, y varia da 6.65 a 6,~0. Per .r 6, 90. la sua Tr:è massima
=
(~ 90 K) e per y 6, 65 scompare ia superèonduttività. Quindi, le lacune di
ossigeno giocano un ruolo nel comportamento superconduttivo del
YBa2Cu3Oy.
Il composto YBa.'.!Cu3Oy quando viene raffreddato lentamente da
temperatura superiore a 750°C in presenza di ossigeno, subisce un cambiamento
della struttura del cristallo da ortorombica a tetragonale {Figura 14.31a). Se il F
contenuto di ossigeno è vicino a y = 7, la sua Te è circa 90 K (Figura 14.31b) e hl f
Proprietàottichee materialisuperconduttori 717
Piani Catene
Co0 2 lineari
r
a= ~.82A
Pianì(001J

cristallina
teorica
e= U,69A
~'
J
ortorombica delcomposto
YBa2Cu301.Si notìla • =Ossigeno O= Vacanza 8=Rame
posizione deipianidi Cu02.
sua cella unitaria ha costanti a 3, 82 À, b = 3, 88 A e e= 11, 6 A (Figura

14.30). Per avere alti valori di Te, gli atomi di ossigeno nei piani (001) devono
essere ordinati in modo che le lacune di ossigeno siano nella direzione a. Si
ritiene che la superconduttività sia limitata ai piani di CuO2 (Figura 14.30) con
3.LJ----------~---. 12
~~ ---o-Cl.o ·ti 11.95 ~

~-~
-'; 3.88 ~
-O,"·"h 11.9 IOO
o ~~ :.-::
YBa6 Cu~O~
§ 3.86 I !.85 .§
l 80 -
11;8 ~
·r;.
g
-o
60 - I.- . !
~
3..82
11.75
~
i:
= 40 -
~c..
I
u
:;
J:
IL7 ~
d:. ~
20- I
3.8 ,__ _ _,_ _ __._______-'---'_ __,__
7.0 6.8 M 6.4 6,2
_ __, 11.65
6.0
o
7.0
I
6,8
I
6.6
I -
6.4 6,2
I - 6.0
Contenmo dì ossigeno y Contenuto di ossigeno y
(li) (h)
FIGURA14.31 (a)Costantidellacellaunitaria
delcomposto
YBa2Cu
3Oyinfunzione
delcontenuto (b) Tcperil YBa
di ossigeno. 30yin
2Cu
funzione
delcontenuto !DaJ. M. Tarascon
di ossigeno. MRSBui/.,January
e 8. G.Bagley. 1989,
p.55].
718 Capitoloi 4
,.
FIGURA14.32
Micrografia
al TEMadalta
risoluzione
nelladirezione
[100Jlungocatene rame-
ossigenoe righedì atomidi
Bae di Y nellacellaunitaria
di Y8a2Cu3Oy, come
indicalo
dallefrecce.[DaJ.
Narayafl,
JOM,January
1989,p.181,
le lacune di ossigeno che forniscono accoppiamenti di elettroni tra i piani d:

Cu02. Una micrografia al microscopio a trasmissione elettronica (Figura 14.32)
mostra la disposizione degli atomi di Ba e di Y della struttura del YBa 2Cu 30v,
Da un punto di vista tecnologico, i nuovi superconduttori ad alta Te
presentano molte prospettive per il futuro. Con Te a 90 K. si può utilizzare
l'azoto liquido come refrigerante al posto dell'elio liquido, molto più costoso.
Sfortunatamente. i superconduttori .ad alta temperatura sono essenzialmente
ceramici e sono quindi materiali fragili e in fom1a massiva sopportano una
bassa densità di corrente. Le prime applicazioni per questi matcrildì
probabilmente saranno nella tecnologia dei fiìm sottili per applicaz>1· ·
elettroniche come per i computer ad alta velocità.
DEFINIZIONI
,.
Paragrafo 14.3
Indicedi rifrazione:rapporto tra la velocità della luce nel vuoto e quella attraverso un
altro mezzo di interesse.
Pa,.agrajo 14.4
Coefficiente di assorbimento:frazione di luce incidente che viene assorbita da un
materiale.
Paragrafo I 4.S
__
Luminescenza:assorbimento di luce o di altra energia da parte di un materiale e
successiva emissione di luce a lunghezza d'onda maggiore.
Fluorescenza:assorbimento di luce o di altra energia da parte di un materiale e successiva
emis~onedi luce entro 10-• s dall'eccitazione.
Fosforescenza:assorbimento di luce da parte di un fosfòro e successiva emissione di luce

in tempi maggiori di 10-s s dall'eccitazione.
Paragrafo 14.6
Laser: sigla per luce amplificata mediante emissione stimolata di radiazioni.
Fascio laser: fascio di radiazione ottica coerente monocromatica generata dall'emissione
stimolata di fotoni.
inversionedi popolazione:condizione nella quale ci sono più atomi in uno stato di energia
più alta che in uno ad energia più bassa. Questa condizione è necessaria per il
funzionamento del laser.
Pa,·agrafo14.7
Comunicazione ottica:me_!..odol)erla trasmissione delle informazioni per mezzo della luce.
AttenuazionedellaJuce:diminuzione dell'intensità della luce.
Guida d'onda ottica: fibra con un sottile rivestimento lungo la quale la luce si può
propagare mediante la riflessione e la rifrazione totale interna.
Paragrafo I 4.8
Stato di superconduttività:un solido nello stato di supe:,conduttività non possiede
resistenza elettrica.
Temperaturacritica Te: temperatura al di sotto della. quale un so!jdo non possiede
resistenza elettrica.
Oens.itàdi corrente critica Je: densità di corrente al di sopra della quale scompare la
superconduttività.
Campo magnetico. critico Hc: campo magnetico sopra jl quale scompare la
superconduttività.
Effetto Meissner:espulsione del campo magnetìco da parte di un superconduttore.
Superconduttoredi tipo I: superconduttore che mostra la completa repulsione ~el flusso
magnetico tra lo stata normale e quello di superconduttività.
Superconduttoredi tipo Il: superconduttore nel quale il. flusso magnetico penetra
gradualmente tra lo stato normale e quello di superconduttività.
Campo critico inferiore Hc,: campo al quale il flusso magnetico inizia a penetrare un
superconduttore di tipo II.
Campo critico superiore Hc2 : campo al quale la superconduttività scompare in un
superconduttore di tipo Il.
Flussoide: regione microscopica circondata da supercorrenti circolanti in un
superconduttore di tipo II in campi magnetici tra Hc2 e Hr:1,
_J_
~
i
'
PROPRIETAMAGNETICHE
E MATERIALIMAGNETICI
I materiali magnetici sono industrialmente importanti per molte applicazioni.

particolarmente nel settore della tecnologia elettrica. In generale si hanno due
tipi principali di materiali: materiali magnetici dolci e duri. I materiali magnetici
dolci vengono utilizzati per applicazioni nelle quali il materiale deve essere
facilmente magnetizzato e smagnetizzato come per il nucleo dei trasformatori di
potenza (Figura 15. la}. per i piccoli trasformatori elettronici e per i materiali di
statori e rotori dei motori e dei generatori. I materiali magnetici duri sono
utilizzati, invece, per applicazioni nelle quali sono richiesti magneti duri che non
si smagnetizzino facilmente, come i magneti duri di altoparlanti, ricevitori
telefonici, motori sincroni e motori di avviamento per autoveicoli.
In questo capitolo parleremo delrorigine del magnetismo nei materiali
ferromagnetici e poi esamineremo brevemente alcune delle unità base e delle
leggi relative al magnetismo e ai materiali magnetici. ln seguito analizzeremo
alcune delle più importanti proprietà dei campi magnetici e la formazione e il
movimento dei domini nei mate1ia.li ferromagnetici. Discuteremo poi alcuni
aspetti della struttura e delle proprietà di alcuni materiali ferromagneticì dolci e
duri. Infine, analizzeremo brevemente il ferrimagnetismo e la struttura e le
proprietà delle ferriti, che sono materiali ceramici magnetici.
722 Capitolo 1.5
(a) (b)
FIGURA 15.1 (a)Nuovo materialemagnetico: è uHlizzato

unvetrometallico peril nucleo
magnetico dì sistemi
di trasformatori perla
distribuzione
dellapotenza l'impiegodì leghe
elettrica. divetrometanico
amorfodebolmentemagnetico
riduce di energia
leperdite nelnucleo
dicircail 70%incontronlo
aitrasformatori
realizzaiì
conlegheconvenzionali
Fe-Si.
[Perconcessione
dellaGenerai Co.].(b)Nastra
Electrìc di
vetrometallico.
[Perconcessione.
dellaAfliedMetglasProducts].
15.1 CAMPI E GRANDEZZE MAGNETICHE
Campi magnetici Iniziamo il nostro studio dei materiali magnetici richiamando alcune delle
proprietà fondamentali del magnetismo e dei campi magnetici. Il/erro. il coba/Jo
ed il nichel. che sono gli unici tre metalli che quando vengono magnetizzati a
temperatura ambiente possono produrre un forte campo magnetico attorno a
loro, vengo110 detti ferrornagnetici. La presenza di un campo magnetico attorno a
una barra di ferro magnetizzata può essere rilevata spargendo piccole particelle di
ferro su un foglio di carta posto appena sopra la barra di ferro (Figura 15.~!.
Come mostrato in Figura 15.2, il magnete ha due poli magnetici e si osservane·
linee del campo magnetico che escono da un polo ed entrano nell'altro.
In generale, il magnetismo è di natura bipolare e non sono mai stati scoperti
monopoli magnetici. Ci sono sempre due poli. o centri di un campo magnetico.
che sono separati da una distanza finita e questo tipo di comportamento. si può
estendere ai piccoli bipoli magnetici trovati in alcuni atomi.
I campi magnetici sono prodotti anche da conduttori in cuì circola corrente.
La Figura 15.3 illustra la formazione di un .campo magnetico attorno a una lun-
ga bobina di filo di rame, chiamata solenoide,la cui lunghezza è maggiore ri-
spetto al raggio. Per un solenoide di n spire e di lunghezza l, rintensità del campo
j
Proprietà magnetiche e materiali magnetici 723
FIGURA 15.2 Il campo

magnetico checirconda un
magnete vienerilevato dalla
disposizione dellalimatura
di ferroversalasu unfoglio
di cartapostosoprail
magnete. Si nolicheil
magnete è bipolare e chele
lineedi forzamagnetiche
lasciano unpoloe ritornano
all'altro.
[Perconcessione
delPhysìcal Science Study
Committee, comecompare
in D. Hallidaye R.Resnick.
"Fundamentals of Physics''.
Wiley,1914,p,61ZJ,
magnetico H è pari a:
4rrni
H= (15.1)
dove i è la corrente. L·imensità del campo magnetico H ha. unità di misura SI di
FIGURA 15.3 (a)

Illustrazione
schematica del
campo magnetico creato
attornoa unabobina di filo
di rame,dettasolenoidei dal
passaggio di corrente
il mo.
attraverso (b)
Illustrazione
schematica
delraurnento delcampo
magnetico attornoal
soleno.ìde
quando viene
postaunabarradì ferronel
solenoidee la corrente
passa nelf.ilo!DaC.S.
w.D.Nixe A. s.
Barrett,
rete/man,"Principlesof (h)
i Engineering Materials''.
i Prentice-Hall,1973,p.459j.
I
t
I
724 Capitolo 15
ampere per metro (A/m) e in unità cgs di oersted (Oe). La conversìone tra unità
SI e cgs per H è I A/m = 4,r x 1o-3 Oe. i
I
Induzione Poniamo ora una barra di ferro smagnetizzata all'interno del solenoide ed
magnetica applichiamo una corrente di magnetizzazione al soli:moide, come mostrato in
Figura 15.2b; si osserva che il campo magnetico all'esterno del solenoide è più
intenso per la presenza della barra magnetizzata all'interno del solenoide.
L'accentuazione del campo magnetico all'esterno del solenoide è dovuta alla
somma del campo del solenoide stesso e del campo magnetico esterno della
barra magnetizzata. Il nuovo campo magnetico è detto induzione magnetica o
densità di flusso o semplicemente induzione e gli viene attribuito il simbolo B.
Vinduzìone magnetìca B è la somma del campo applicato H e del campo
esterno dovuto alla magnetizzazione della barra jnterna al solenoide. n
momento magnetico indotto per unità di volume dovuto alla barra è detto
intensità di magnetizzazione o semplicemente magnetizzazione ed è indicato co:-,
il simbolo M. Nel sistema di unità SI,
(15.2)
dove µ 0 = permeabilità magnetica nel vuoto = 4ri x 10- i tesla~metro per

ampere (T . m/A) 1• µ 0 non ha un significato fisico ed è necessario
nell'Equazione (15.2) solo perché sono state scelte le unità SI. Le unità SI per
B sono weber:; per metro quadrato (Wb/m 2). o tesla (T), e le unità SI per H e per
M sono ampere al metro (A/m). L'unità cgs per B è il gauss (G) e per /l
l'oersted(Oe). La Tabella 15.1 riassume queste grandezze magnetiche.
TABELLA 15.1 Riepilogo delle unità di misura delle grandezzemagnetiche
Quantità magnetica Unità Si Unità cgs
B {induzionemagnetica) weber/metro 2 (Wb/m 2) o tesla (T) gauss (G)

.H(campoapplicato) ampere/metro (A/m} oersted (Oe)
M (magnetizzazione) ampere/metro (A/m}
Fattori dì conversione numenca:
1A/m =4,rx10- 3 0e
1 Wb/m 2 ==1.0 x 104 G
Costante di perm~abilità tto 4r. x 10- 7 T · m/ A
_J
1 Nikola Tesla (J 856· 1943). Inventore americano di origine jugoslava che sviluppò in Ì
parte il motore a induzione polifase e inventò la bobina Tesla (un trasformatore ad aria). i
IT = JWb/m 2 = JV. s/m 2• i
2
!Wb=JV,s.
Proprietàmagnetichee materiali magnetici 725
Un punto importante da notare è che per i materiali ferromagnetici in molti

casi la magnetizzazione µ 0 M è spesso molto maggiore del campo applicato µ 0 H,
e così si può spesso utilizzare la relazione B ~ ~M. Quindi, per i materiaJi
ferromagnetici, talvolta le quantità B (induzione magnetica) e M (magnetiz-
zazione) sono intercambiabili.
Permeabilità Come affermato in precedenza, quando un materiale ferromagnetico viene

magnetica collocato in un campo magnetico, l'intensità del campo magnetico aumenta.
Questo aumento nella magnetizzazione è misurato da una quantità detta
permeabilità rn.agnetica µ~ che è definita come rapporto tra l'induzione
magnetica B e il campo applicato H, cioè:
B
µ (15.3)
li
Se il campo magnetico è applicato nel vuoto, allora:
(15.4)
dove µ 0 = 4ri x 10-'T · m/A = permeabilità magnetica nel vuoto, come visto in
precedenza.
Un metodo alternativo utilizzato per definire la permeabilità magnetica è la
grandezza permeabilità relativa ftr, che è il rapporto Jt/ µ 0 • Quindi:
(15.5)
(15.6)
La permeabilità relativa µr è una grandezza adimensionale.

La permeabilità relativa è una misura dell'intensità del campo magnetico
indotto. In qualche modo la permeabilità magnetica dei materiali magnetici è
analoga alla costante dielettrica dei materiali dielettrici. La permeabilità
magnetica di un materiale ferromagnetico non è invece una costante, ma varia
quando il materiale viene magnetizzato, come indicato in Figura 15.4. La
permeabilità magnetica di un materiale magnetico viene normalmente misurata
dalla permeabilità inizialeµi o dalla massima permeabilità ~ax· La Figura 15.4
J
indica come vengono misurate per un materiale magnetico µ 1 e ILraax dalla
pendenza della curva di magnetizzazione iniziale B - H. I materiali magnetici
che sono facilmente magnetizzati hanno un'alta permeabilità magnetica.
726 Capitolo 15
FIGURA 15.4 Curvadi

magnetizzazioneiniziale
B H perunmateriale
1erromagnetico.Lapendenza
µi è la permeabilità
magnetica iniziale
e la CampomagneticoH. AJ.m
pendenza è la
JJ.max
permeabilitàmagnetica
massima.
Suscettibilità Dal momento che la magnetizzazione dì un materiale magnetico è proporzionale

magnetica al campo applicato. viene definito un fattore di proporzionalità detto
suscettibilità magnetica xm:
M
'.\m= (15.7!
che è una grandezza adimensionale. Le risposte magnetiche deboli dei materiali

sono spesso misurate in termini di suscettìbilìtà magnetica.
.._1s_._2_T_IP_1_0_1
_M_A_G_N_E_T_1s_M_o
________________ , l
I campi e le forze magnetiche sono origina ti dal moto della carica elettrica ài
base, l'elettrone. Quando gli elettroni sì muovono in un filo conduttore. viene
prodotto un campo magnetico attorno al filo, come mostrato in Fìgura 15.3.
Anche il magnetismo nei materiali è dovuto al moto degli elettroni, ma in questo
caso i campi e le forze magnetiche sono causati dalla rotazione intrinseca (spin)
degli elettroni e dal loro moto orbitale attorno al nucleo degli atomi (Figura
15.5).
FIGURA 15.5 Disegno

schematico dell'atomodi
Bohrconindicazione di uo
elettrone
chehaunmotodi
rotazione
attorno al proprio
assee di rivoluzioneattorno
al suonucleo. Larotazione
dell'elettrone
attornoal suo
asseedil suomotoorbitale
attornoa! nucleosonole
originidelmagnetismo nei
materiali.
Diamagnetismo Un campo magnetico esterno che agisce sugli atomi di un materiale sbilancia
leggermente Forbita dei suoi elettroni e crea dei piccolì bipoli magnetici negli
atomi che si oppongono al campo applicato. Questo meccanismo produce un
effetto magnetico negativo detto diamagnetismo. L'effetto diamagnetico produce
-10- 0
una suscettibilità magnetica negativa molto piccola, dell'ordine di Xm :::::::
(Tabella 15.2). Il diamagnetismo avviene in tutti i materiali, ma in molti il suo
effetto magnetico negativo viene annullato da effetti magnetici positivi. Il
comportamento diamagnetico non ha una importanza tecnologica significativa.
Paramagnetismo l materiali che mostrano una piccola suscettibilità magnetica positiva in presenza
di un campo magnetico sono detti paramagnetici. L~effetto paramagnetico nei
materiali scompare quando viene tolto il campo magnetico applicato. Il para-
magnetismo, che produce nei materiali una suscettibilità magnetica compresa tra
10-6 e 10-2, è presente in molti materiali. La Tabella 15.2 e.lencala suscettibiljtà
magnetica dì materiali paramagnetici a 20°c. Il paramagnetismo è prodotto
dalra1lineamento dei momenti dei singoli dipoli magnetici di atomi o molecole in
un campo magnetico esterno. Poiché l'agitazione termica distribuisce
TABELLA15.2 Suscettibilitàmagnetiche di alcuni elementi dìamagneticìe paramagnetici
Suscettibilità Suscettibilità
Elemento magnetica, Elemento magnetica,
diamagnetico Xm x 10-G paramagnetico Xm x 10- 6
Cadmio -0.18 Alluminio +0.65

Rame -0.086 Calcio +1.10
Argento -0.20 Ossigeno +106.2
Stagno -0.25 Platino +1.10
Zinco -0.157 Tìtanio +1.25
728 Capitolo 15
casualmente le direzioni dei dipoli magnetici, un aumento di temperatura

diminuisce l'effetto paramagnetico. J,
Gli atomi di alcuni elementi di transizione o di terre rare hanno livelli
elettronici interni parzialmente riempiti con elettroni spaiati~ Negli atomi questi
elettroni spaiati. dal momento che non sono controbi\anciati da altri elettroni di
legarne, provocano forti effetti paramagnetici ed in alcuni casi producono effetti
ferromagnetici e ferrimagnetici molto più forti, che verranno analizzati in seguito.
Ferromagnetismo Il diamagnetismo ed il paramagnetismo sono indotti da un campo magnetico

esterno e la magnetizzazione permane solo fino a quando viene mantenuto il
campo. Un terzo tipo di magnetismo, detto ferromagnetismo, è di grande
impqrtanza tecnologica. Nei materiali ferromagnetici possono essere prodotti
intensi campi magnetici che possono essere mantenuti o eliminati. Gli elementi
ferromagnetici più importanti dal punto dì vista industriale sono il ferro (Fe). i!
cobalto (Co) e il nichel (Ni). Anche il gadolinio (Gd}, un elemento delle tem:
rare, è ferromagnetico al di sotto di 16°C, ma ha poche applicazioni industriali.
Le proprietà ferromagnetiche degli elementi di transizione Fe, Co e Nì sono
dovute al modo in cui gli spin degli elettroni spaiati più interni sono allineati nel
reticolo cristallino. I livelli elettronici più interni dei singoli atomi sono riempiti
con coppie di elettroni con spin opposti, cosicché non ci sono momenti di dipolo
magnetico risultanti. Nei solidi. gli elettroni di valenza più esterni degli atomi
sono combinati l'uno con l'altro per formare legami chimici e quindi non c'è un
momento magnetico significativo dovuto a questi elettroni. Nel Fe. Co e Ni gli
elettroni spaiati interni del livello 3d sono responsabili del ferromagnetismo che
mostrano questi elementi. Gli atomi di ferro hanno quattro elettroni spaiali
livello 3d, ratomo dì cobalto ne ha tre e quello di nichel ne ha due (Figura 15.bJ.
In un campione solido di Fe. Co o Ni a temperatura ambiente. gli spin degli
elettroni del livello 3d di atomi adiacenti si allineano in direzione paralJela per
un fenomeno detto magnezi=za;ionespontanea. Questo allineamento parallelo
dei dipoli atomici magnetici avviene solo in regioni microscopiche dette domini
magnetici. Se i domini sono orientati casualmente. non c'è una magnetizzazione
netta"nella massa del campione. L'allineamento parallelo dei qipoli magnetici di
atomi di Fe, Co e Ni è dovuto alla creazione dì un'energia di scambio positiva
tra di loro. Perché avvenga questo allineamento parallelo. il rapporto tra !:i
distanza interatomica e il diametro delrorbhale 3d deve essere compreso tra 1.--1
e 2,7 (Figura 15.7). Quindi, Fe, Co e Nì §Ono ferromagnetici, mentre non lo
sono il manganese (Mn) e il cromo {Cr).
Momento Ogni elettrone che ruota attorno al proprio asse (Figura 15.5) si comporta come
magnetico di un un dipolo magnetico e ha un momento di dipolo detto 1nagne10nedi Bohr µ,b.
elettrone spaiato Questo momento di dipolo ha un valore di:
eh
(15.8)
Elettroni 3d Atomi Numero di Configurazione elettronica Elettroni

spaiati elettroni orbitali 3d 4s
3 V 23 [II] [II] [II] ITJ ITJ 2
5 Cr 24 [II] [II] [II] [II] [II]

5 Mn 25 [II] [II] [II] [II] [II] 2
4 Fe 26 [TI] [II] 2
Co 27 [illJ [illJl [TI] [TI] [II] 2
2 Ni 28 [illJ [illJ [illJ [TI] [II] 2
o Cu 29
~ [illJ [illJ. [illJl' [illJ
FIGURA15.6 Momenti
magnetici
di atomineutridi elementi
di transizione
3d.
dove e = carica elettronica, h =

costante di Planck e m = massa elettronica.
Nelle unità SI 11,a= 9. 27 x 10- 24A · m 2 • Nella maggior parte dei casi gli
elettroni negli atomi sono a coppie e così i momenti magnetici positivi e negativi
si annullano'. Comunque. gli elettroni spaiati nei livelli elettronici più interni
possono avere piccoli momenti di dipolo positivi~ come nel caso degli elettroni
del livello 3d di Fe, Co e Ni.
Eserciziario
Vedi Esercizi 15.1 , 15.2, 15.3.
FIGURA 15.7 Energia

dì interazione
di scambio
magnetico in funzione
del
rapportotra la spaziatura
atomicae il diametro
3dperalcuni
dell'orbitale ::S01---------------'-------- 2.0
Mn/1.s a
elementi 3d
di transizione
d
Glielementi chehanno l
ì
energiedi scambio positive ! spaziatura llloinica
sonoferromagnetici;quelli diametro dell'orbita 3d
conenergia di scambio
negativasono
anti1errornagnelici.
730 Capitolo 15
Antiferro- Un altro tipo di magnetismo che avviene in alcuni materiali è l'antiferroma-

magnetismo gnetismo. In presenza di un campo ma;gnetico, i dipoli,magnetici di atomi di
materiali antiferromagnetici si allineano in direzioni oppo~te (Figura 15.8b). Gli
elementi manganese e cromo allo stato solido e a temperatura ambiente
mostrano antiferromagnetismo ed hanno un'energia di scambio negativa perché
il rapporto tra la loro distanza interatomica e il diametro dell'orbitale 3d è
minore di 1,4 (Figura 15.7).
Ferrimagnetismo In alcuni materiali ceramici, ioni differenti hanno momenti magnetici di diversa
grandezza e, quando questi momenti magnetici sono allineati in modo
antipara11elo, c'è un momento magnetico risultante lungo una direzione
(Figura 15.Sc). l) gruppo di materiali· ferrimagnetici viene identificato come
ferriti. Ci sono molti tipi di ferriti. Un gruppo è bas~to sulla magnetite, Fe 3O4
che è il minerale magnetico dell'antichità. Le ferriti hanno una bassa
conducibilità che li rende utili per molte applicazioni elettroniche.
15.3 EFFETIO DELLA TEMPERATURA SUL FERROMAGNETISMO
A qualunque temperatura al di sopra di O K, l'energia termica provoca la

deviazione dei dipoli magnetici dì un materiale ferromagnetico dal perfetto
allineamento parallelo. Quindi, l'energia di scambio che provoca l'allineamento
parallelo dei dipoli magnetici nei materiali ferromagnetici viene controbilanciata
dagli effetti di distribuzione casuale delrenergia termica (Figura 15,9). lnfim.:
all'aumentare della temperatura, si raggiunge un determinato valore al di sopni
del quale in un materiale ferromagnetico scompare completamente il
ferromagnetismo e il materiale diventa paramagnetico. Questa temperatura è
detta temperatura di Curie. Quando un campione dì un materiale ferromaw
gnetico viene raffreddato da una temperatura al di sopra della sua temperatura
di Curie, si riformano i domini ferromagnetici e il materiale ritorna
ferromagnetico. Le temperature di Curie di Fe. Co e Ni sopo rispettivamente
770, 1123 e 358°C.
15.4 DOMINI FERROMAGNETICI
Al di sotto della temperatura di. Curie, i momenti di dipolo magnetico degli atomi
di materiali ferromagnetici tendono ad allinearsi secondo direzioni paraUele in
piccole regioni dette domini magnezici.Quando un materiale ferromagnetico come
il ferro o il nichel è smagnetizzato mediante raffreddamento lento da una
temperatura sopra quella di Curie, i domini magnetici sono allineati casualmente
cosicché non c'è un momento magnetico risultante nel campione (Figura 15.10).
--------
1nrn
FIGURA 15.8
Allineamentodeidìpoli
magnetici perdiversi!ipi
di magnetismo:
(a)ferromagnetismo,
(aJ
(b)antilerromagnetisrno
e (e)terrimagnetismo.
Quando viene applicato un campo magnetico esterno ad un ma.teriale

ferromagnetico smagnetizzato, i domini magnetici i cui momenti sono paralleli
inizialmente para1leli al campo magnetico applicato crescono a spese dei domini
orientati meno favorevolmente (Figura 15.11). La crescita del dominio inizia con il
movimento del bordo del dominio, come indicato in Figura 15.l], e B o M
aumentano rapidamente all'aumentare del campo H. La crescita del dominio per il
movimento del bordo avviene innanzitutto perché questo processo richiede meno
energia della rotazione del dominio. Quando la crescita del dominio termina, se il
campo applicato viene aumentato considerevolmente, avviene la rotazione del
dominio. La rotazione del dominio. richiede un'energia considerevolmente
maggiore rispetto alla crescita del dominio e la pendenza della· curva di B o M
rispetto a H diminuisce in corrispondenza agli alti valori di campo richiesti per la
rotazione del dominio (Figura 15.Il). Quando il campo esterno viene rimosso, il
campione rimane magnetizzato. anche se parte della magnetizzazione viene persa
per la tendenza del dominio a ruotare verso l'allineamento iniziale.
FIGURA 15.9 Effetto

dellatemperatura sulla
magnetizzazione dl
saturazioneM.sdi un Comportamento Comportamenlo
materialeferromagneticoal ferromagnetìco paramagnetico
di sottodellasuatemperatura
di Curiefc.Aumentando la
temperatura,si hauna
r,.
Temperatura
distribuzionecasualedei
I
momenti magneticL
j
--------·-'
732 Capitolo 15
FIGURA 15.1O
Illustrazione
schematica
deidominimagnetici in un
materialeferromagnetico.
Tuttii dipolimagnetici
in
ognidominio sonoallineati,
mai doministessisono
allineati
casualmentecosì
chenonvi è una
magnetizzazionenetta.
[Da
R.M. Rose,L. A. Shepartd
e J. Wultt,"Structure
and
Properties vol
o! Materials':
IV:"ElectronicProperties",
Wiley,1966,p.193].
La Figura 15.12 mostra come si muovono i bordi dei domini in filamenti

monocristallini di ferro, per effetto di un campo applicato. I bordi dei domiùi
sono rivelati mediante la tecnica Bitter nella quale una soluzione colloìdale dì
M
Rotazìone del dominio. Alla saturazione
magnetizzazione
C=) Rotazione dei .

momenti dei domini
Maggior crescita
FIGURA15.11 Crescita
e rotazione
magnetico
materiale
del dominio
quando un
ferromagnetico
CZ)
Crescita del dominio Crescita dei domini favorevoli.
demagnetizzatoviene contrazione dei domini sfavorevoli
~
magnetizzato
finoalla
saturazione
mediante un
campo magnetico esterno.
[DaR.M. Rose, L. A. Casuale
~
Shepartde J. Wulff,
"Structure
andProperties ot
Materiafs':
voi.IV:"Electronic ,..::::;;;
___ --'-----------:r--.,,.H
Wi/ey,1986,
Properties':
p.193].
J
Proprietà magnetiche e materiali magnetici ·733
ossido di ferro viene depositata su1la superficie lucida del ferro. Il moto del
bordo è seguito dall'osservazione con microscopio ottico. Utilizzando questa
tecnica, si sono ottenute molte informazioni riguardanti il movimento del bordo
del domìnio in presenza di campi magnetici applicati.
15.5 TIPI DI ENERGIA E STRUlTURA DEI DOMINI FERROMAGNETICI
La struttura del dominio di un materiale ferromagnetico è determinata da molti

tipi di energia e raggiunge la struttura più stabile quando l'energia potenziale
totale del materiale è minima. L'energia magnetica totale di un materiale
ferromagnetico è .la somma di vari contributi energetici: (I) energia di scambio,
(2) energia magnetostatica, (3) energia di anisotropia magnetocristallina, (4)
energia di bordo del dominio e (5) energia magnetostrittiva. Esaminiamo
brevemente questi tipi di energia.
-t
E
E
I
1/ fi
11
•/ J_
H=O
-·-- H e-·--
-----H H-----
FIGURA15.12 Movimento deibordideidominiin uncristallo di ferro,provocato
dall'applicazione
di uncampo magnetico.Si notiche
all'aumentare
delcampo i dominiconì dipoliallinealinelladirezione
applicato, delcamposi allarganoe quelliconi dipoliopposti
si
restringono. di R. W.DeBlois,
[Perconcessione TheGenerai Electrìc Co.,e C. D. Graham,theUniversity
ot Pennsylvania}.
Capitolo 15
Energia L'energia potenziale entroun dominio di un solido ferromagnetico è minimizzata

di scambio quando tutti i dipoli atomici sono allineati in una direzione.I Questo allineamento
è associato a una energia di scambio positiva. Comunque, anche se l'energia
potenziale è minima all'interno de] dominio, la sua energia potenziale esterna i:
aumentata dalla formazione di un campo magnetico .esterno (Figura 15.13a).
Energia L'energia magnetostatica è l'energia magnetica potenziale di un materiale

magnetostatica ferromagnetico prodotta dal suo campo esterno (Figura 15. Ba). Questa energia
potenziale può essere minimizzata in un materiale ferromagnetico mediante la
formazione di domini} come illustrato in Figura 15.13. Per un volume unitario
di un materiale ferromagnetico, una struttura a dominio singolo ha l'energia
potenziale più alta, come indicato in· Figura 15.13a. Dividendo il singolo
dominio di Figura 15.13a in due domini (Fìgu:ra 15.13b), l'intensità e
l'estensione del campo magnetico esterno si riducono. Mediante successh e
suddivisioni del singolo dominio in quattro domini~ i1campo magnetico estern-:
si riduce ancora di più (Figura l5.13c). Pqiché l'intensità del campo magnetico
esterno di un materiale ferromagnetico è direttamente correlata alla sua energia
magnetostatica, la formazione di domini multipli riduce Fenergia magneto-
statica di un voìume unitario di materiale.
Energia Prima di considerare l'energia del bordo del dominio (parete). guardiamo gli
di anisotropia effetti de1l'orientamento del cristallo sulla magnetizzazione dei materiali
magnetocristallina ferromagnetici. Le curve di magnetizzazione in funzione del campo applicaH 1
Grande energia Energia magnetostatica Energia magnetostatica

magnetostatica inferiore che in {a) inferiore che in (b)
FIGURA 15.13
Illustrazione
schematicache tlt!
mostra comela riduzione
delladimensione del
dominio in unmateriale
magnetico diminuisce Bordi dei
l'energia
magnetostatica domini
Un Due magnetici Quattro
med.lantela riduzionedel domini
domini.o domini
campo magnetico esterno. (a) (b) (e)
{a)Undominio, (b)due
dominie (e)quattro domini.
_J
per un monocristalio di un materiale ferromagnetico variano. poiché dipendono

dall'orientamento del cristallo rispetto al campo applicato. La Figura 15.14
mostra le curve dell'induzione magnetica B in funzione del campo applicato H
per magnetizzazioni nelle direzioni < I 00 > e < I l I > P.er singoli cristalli di
ferro con struttura CCC. Come indicato in Figura 15.14, la magnetizzazione di
saturazione avviene più facilmente (o con un campo applicato più basso) per le
direzioni < I 00 > • mentre avviene con il massimo campo applicato ne11e ··
direzioni < 111 > . Le direzioni < 111 > sono le direzioni di difficile
magnetizzazione del ferro CCC. Per il nichel di tipo CFC le direzioni di facile
magnetizzazione sono le direzioni < l l 1 > e quelJe di difficile magnetizzazione
sono le < l 00 > ; le direzioni di difficile magnetizzazione per il nichel CFC sono
opposte a quelle del ferro CCC.
Per materiaii ferromagnetici policristallini come ferro e nichel, i granì con
diverso orientamento raggiungeranno la magnetizzazione di saturazione a
differenti intensità di campo. I grani i cui orientamenti sono nella direzione di
facile magnetizzazione si saturano a bassi campi applicati, mentre i granì orientati
nelle direzioni di difficile magnetizzazione devono ruotare il loro momento
risultante nella direzione del campo applicato e raggiungono la saturazione so]o
con campi molto più forti. Il lavoro compiuto per ruotare tutti i domini a causa di
questa anisotropia è detto energia di anisotropiamagnerocristallina.
Energia di bordo Il bordo di un dominio è il bordo tra due domini i cui momenti magnetici totali
del dominio sono a diverso orientamento ed è analogo al bordo di grano dove
l'orientamento del cristallo cambia da un grano alraltro. A differenza del
bordo di grano nei quali i reticoli cambiano orien.tamento bruscamente in un
tratto ampio circa 3 distanze atomiche, un dominio cambia orientamç!nto
gradualmente con un bordo di dominio che ha una ampiezza di circa 300 atomi.
La Figura 15.15amostra un disegno schematico di un bordo dì domini con una
variazione di 180° della direzione del momento magnetico, che avviene
gradualmente attraverso il bordo.
La grande ampiezza dì un bordo di dominio è dovuta ad un bilancio tra due
forze: di scambio e di anisotropia magnetocristallina. Quando c'è solo una
piccola differenza nell'orientamento tra i dipoli (Figura 15.15a), le forze di
scambio tra i dipoli sono minime e l'energia di scambio è ridotta (Figura
15.15b). Quindi, le forze di scambio tendono ad ampliare il bordo del dominio.
Però, più ampio è il bordo, maggiore è il numero d{'dipoli forzati a stare in
direzioni diverse da quelle di facile magnetizzazione e aumenta l'energia di
anisotropia magnetocristallina (Figura 15.15b). Quindi l'ampiezza del bordo di
equilibrio sarà raggiunta in corrispondenza al valore in cui è minima la somma
delle energie di scambio e di anisotropia magnetocristallina (Figura 15.15b).
Energia Quando un materiale ferromagnetico viene magnetizzato, le sue dimensio.ni
J
magnetostrittiva cambiano leggermente e il campione si espande o si contrae nella direzione di
736 Capitolo 15
M0nocristallì J
di ferro
Direzione di facile magnetizzazione < l 00>
FIGURA 15.14
Anisotropiamagnetocristal-
linanelferroCCC.Il ferrosi o 15 30
magnetizzapiùfacilmente Campo magnetico H. kA/m
<100>chein
nelledirezioni
quelle<111>.
magnetizzazione (Figura 15.16). Questa deformazione elastica reversibile

indotta magneticamente (.b.//() è detta magnetostrizione ed è delrordine di
10- 6 . L'energia dovuta sforzi meccanici creati dalla magnetostrizione è
detta enetgia di magnetostriziqne. Per il ferro, la magnetostrizione è positiva ;;:
bassi campi e negativa ad alti campi (Figura 15.16).
La causa della magnetostrizione è attribuita alla variazione della lunghezzt1
del legame tra gli atomi di un metallo ferromagnetico quando i loro momenti
dipolari di spin elettronico sono ruotati durante la magnetizzazione. I campi dei
dipoli possono attrarsi o respingersi l'uno con l'altro. portando alla contrazione
o all'espansione del metallo durante la magnetizzazione.
Consideriamo ora l'effetto della magnetostrizione sulla configurazione di
equilibrio della struttura dei domini nei materiali cristallini cqn reticolo cubico.
come mostrato in Figura 15.12a e b. Per la simmetria cubica dei cristalli, la
formazione di domini a forma triangolare, detti domini di chiusura, al ten11inedei
cristalli eiimina l'energia magnetostatica legata al campo magnetico esterno e
quindi diminuisce l'energia del materiale. Potrebbe sembrare che dominì molto
grandi come quelli mostrati in Figur!i 15.1?ae b siano configurazionì di minore
energia e più stabili perché è minima l'energia di bordo. Tuttavia, non è così,
perché gli sforzi di magnetostrizione introdotti durante la magnetizzazione,
tendono ad essere maggiori per domini più grandi. Domini magnetici più piccoli,
come quelli mostrati in Figura 15.17c. riducono gli sforzi di magnetostrizione,
ma aumentano la superficie e l'energia dei bordì dei domini. Ne consegue che la
configurazione di dominio di equilibrio è raggiunta quando la somma delle
energie di magnetostrizione e di bordo dei domini è minima.
J
Proprietà magnetiche e materiali·magnetici 737
I
I I
tt tll/~'li-~\P H
L t
l I l ·, l •
Tf Tt ///,,;,_...'li.,\~-t}~ ~
l/
I I
l -' \ Il : l
Ì 1';1/.?" ~~ ':itf t i'
I l
t//~~~\~.:
I Bordo di I 100nm
I- dominio --,.I
Ampiezza del bordo
(al (b)
FIGURA15.15 Illustrazione
schematica(a)delladisposizione
deidipolimagnetici
in unbordodi dominio
e (b) relazione
tra l'energia
di
scambiomagnetico,
l'energia
di anisotropia
magnetocristallina
e l'arnpiezza
delbordo.L'ampiezza è di circa100nm
di bordodi equilibrio
[Adattato w D. Nixe A. S. Tetelman,
daC.S. Barrett, "ThePrinciples
ot Engineering
Materials''.
Prentice-HalJ.
1973.p.485].
IO
"-.,......._
-
X
:::;;
<l
~
-10
o.
--- ·-.-- ---Ferro
-:.,
=e
-~
FIGURA15.16 ·.:
Comportamento magneto-
strittivodeglielementi
I
e:
::t;
-20
~ -30
ferromagnetici Fe,Coe Nì.
Lamagnetostrizione è un
' ··,...__ Nichel
allungamento (o una -40

contrazione)
frazionatoe in o 10 20 30 40 50 60
Questa
illustrazioneè Campo magnetico H, kA/m
espressain micrometri per
metro.
738 Capitolo15
Domini di
1 chiusura
,A
FJGURA15.17
I
Magnetostrizione in
materialimagnetici cubici. Domini di
chiusura
Schematizzazione di una
magnetostrizione (a)
negativae {b)positiva che
allontanai bordideldominio
di un materialemagnetico.
(e) Riduzionedeglisforzidi Magnetos!fizione Magnetostrizione Dimensionedei
magnetostrizione mediante negativa · positiva dominiridotta
(a) (b) (e)
la creazionedi unastruttura
condominidi dimensione
ridotta.
Riassumendo, la struttura dei domini formati in materiali ferromagnetici è

determinata dai diversi contributi dell'energia di scambio, magnetostatica, di
anisotropia magnetocristallina, di bordo di dominio e di magnetostrizione
all'energia magnetica totale. La configurazione di equilibrio o più stabile è
quella aHa quale renergia magnetica totale è minore.
15.6 MAGNETIZZAZIONE E SMAGNETIZZAZIONE
Metalli ferromagnetici come Fe, Co e Ni acqumscono una elevata

magnetizzazione quando sono posti in un campo magnetico e rimangono
magnetizzati ad un livello più basso dopo che il campo magnetico è stato
rimosso. Consideriamo l'effetto di un campo applicato H sull'induzione
magnetica Q di un metallo ferromagnetico durante la m~gnetizzazione e
smagnetizzazione, come mostrato nel grafico di B in funzione di H di Figura
15.18. Innanzitutto, smagnetizziamo un metallo ferromagnetico come il ferro
raffreddandolo lentamente da una temperatura al di sopra della sua temperatun1
di Curie. Successivamente applichiamo· un campo di magnetizzazione al
campione e seguiamo l'effetto del campo applicato sull'induzione magnetica.
AlFaumentare del campo applicato da zero, B aumenta da zero lungo la
curva OA di Figura 15.18 finché raggiunge la induzione di saturazione al punto
A. Diminuendo il campo applicato fino a zero, non vìene seguita la curva dì
magnetizzazione iniziale, ma rimane una densità di flusso magnetico detta
induzione residua B, (punto C in Figura 15.18). Per diminuire fino a zero
l'induzione magnetica, deve essere applicato un campo inverso (negativo) Hc.
detto forza coercitiva (punto D in Figura 15.18}. Se il campo negativo applicato

viene ancora aumentato, alla fine il materiale raggiungerà l'induzione di
saturazione nel campo inverso al punto E di Figura 15.18. Una volta tolto il
campo inverso, ]'induzione magnetica ritornerà all'induzione residua al punto F
in Figura 15.18 e dopo rapplicazione di un campo positivo~ la curva B-H
seguirà FGA fino a completare il ciclo. Successive applicazioni di campi inversi e
diretti fino all'induzione di saturazione ripeteranno il ciclo ACDEFGA. Questo
ciclo di magnetizzazione viene detto ciclo di isteresi e la sua area interna è una
misura dell'energia persa o del lavoro compiuto dal ciclo di magnetizzazione o
di smagnetizzazione.
15.7 MATERIALI MAGNETICI DOLCI
Un materiale m.agnetico dolce è facilmente magnetizzabile e smagnetizzabile.

mentre un mazerialemagnetico duro è difficile da magnetizzare e smagnetizzare.
In passato i materiali magnetici dolci e duri erano fisicamente rispettivamente
teneri e duri. Oggi, la durezza fisica di un materiale magnetico non indica
necessariamente che sia magneticamente dolce o duro.
l materiali magnetici dolci come le leghe di ferro con 3-4% di silicio utilizza~
te nei nuclei per i trasformatori, i motori e i generatori hanno cicli di isteresi
B
A
B, - ...,- ··"""-~. ·-~~
B, - - - C .t -t~
-«
FIGURA 15.18 Ciclo I
di isteresi
dellainduzione J Ciclo di isteresi
magnetica B rispetto al
campo applicato H perun -Hc 1
-----------------+-H
:
materialeferromagnetico. La
curvaOAtraccia la relazione
tra B e H perla
iniziale
magnetizzazione di un
campione demagnetizzato.
Ciclidi magnetizzazione e di
smagnetizzazione finoalla
induzione di saturazione
permettono di tracciare.il E
ciclodi isteresiACDEFGA.
740 Capitolo 15
ristretti con basse forze coercitive (Figura I 5.19). Invece, i materiali magnetici
duri utilizzati per .magneti permanenti hanno cicli di istere~ ampi con alte forze
coercitive (Figura 15.19b).
Proprietà Perché un materiale ferromagnetico sia "dolce", il suo ciclo di isteresi dovrebbe
desiderate avere una forza coercitiva il più possibile bassa. Cioè, il suo ciclo di isteresi
per i materiali dovrebbe essere il più ristretto possibile perché il materiale si magnetizzi
magnetici facilmente e avere un'alta permeabilità magnetica. Per la maggior parte delle
applicazioni, anche un'alta induzione di saturazione è una importante proprietà
dei materiali magnetici dolci. Quindi, è desiderabile un ciclo di isteresi molto
sottile e allungato per la maggior parte dei materiali magnetici dolci {Figura
15.19a). · ...
Perdite di energia Perdite di energia di isteresi Le perdite di isteresi sono dovute alla eneri!ia
per materiali dissipata per muovere avanti e indietro i bordi dei domini durante"' la
magnetici dolci magnetizzazione e la smagnetizzazione d~l materiale magnetico. La presenza
di impurezze, di imperfezioni cristalline e di precipitati in materiali magnetici
dolci agisce come barriera che impedisce il movimento dei bordi dì dominio
durante il ciclo di magnetizzazione, aumentando così le perdite di energia di
isteresi. Anche le deformazioni plastiche, incrementando la densità delle
dislocazioni in un materiale magnetico, aumentano le perdite dì isteresi. 1n
generale, l'area interna ad un ciclo di isteresi misura la perdita di energia dovuta
alla isteresi magnetica.
Nel nucleo magnetico di un trasformatore di potenza elettrica a corrente
------- ------·----------------
B
B
FIGURA 15.19 Ciclidi

isteresi
(a)perun materiale
magneticodolcee (b)perun
materialemagnetico duro.Il --'-----.i..+,;----11
materialemagnetico dolce
haunciclodi isteresi
cherende facilela
stretto
I
magnetizzazionee la
smagnetizzazione,mentreil j
materialemagnetico duroha
unciclodi isteresiampio
(a) (b)
cherendedifficilela
magnetizzazionee la
smagnetizzazione.
alternata che utilizza una corrente elettrica. a 60 cicli/s l'intero ciclo di isteresi
viene ripetuto 60 volte al secondo e in ogni ciclo c'è una perdita di energia
dovuta al movimento dei bordi di dominio del materiale magnetico. Pertanto,
aumentando la frequenza della corrente elettrica alternata in ingresso di
dispositivi elettromagnetici aumentano le perdite di energia di isteresi.
Perdite di energia per correnti parassite Un campo magnetico fluttuante

provocato da una corrente elettrica alternata in un materiale magnetico
conduttore produce gradienti dì tensione transitori che creano correnti elettriche
disperse. Queste correnti elettriche indotte sono dette correnti parassite e sono
causa di perdite di energia dovuta alla dissipazione di calore per resistenza
elettrica. Le perdite di energia per correnti parassite nei trasformatori elettrici
possono essere ridotte utilizzando una struttura laminare del nucleo magnetico.
Uno strato isolante tra il materiale magnetico conduttore previene il passaggio
delle correnti parassite da una lamina all'altra. Un altro modo per ridurre le
perdite da correnti parassite, particolarmente ad alte frequenze, è di utilizzare
un materiale magnetico dolce isolante. Ossidi ferromagnetici e altri tipi di
materiali magnetici dello stesso tipo sono utilizzati per alcune applicazioni
elettromagnetiche ad alta frequenza e verranno illustrati nel Paragrafo 15.9.
Leghe ferro-silicio I materiali magnetici dolci maggiormente utilizzati sono le leghe di ferro con 3-
4% di silicio. Prima del 1900 per applicazioni di potenza a bassa frequenza (60
cicli) come i trasformatori. ì motori e i generatori venivano utilizzati gli acciai a
basso tenore di carbonio. Tuttavia~ co; questi materiali magnetici. le'"' perdite al
nucleo erano relativamente alte.
L'aggiunta del 3-4% di silicio al ferro per ottenere leghe Fe-Si. .ha diversi
effetti benefici che riducono le perdite al nucleo dei materiali magnetici:
1. Il silicio aumenta la resistività elettrica delracciaio a basso tenore di carbonio

e riduce le perdite da correnti parassite.
2. Il silicio diminuisce renergia di anisotropia magnetica del ferro e aumenta la
permeabilità magnetica e quindi diminuisce le perdite al .nucleo per isteresi.
3. Le aggiunte di silicio (3-4%) diminuiscono anche la magnetostrizione,
abbassano le perdite di energia da isteresi e il rumore dei trasformatori
("ronzio").
Comunque, come effetto negativo, il silicio diminuisce la duttilità del ferro

cosicché può essere aggiunto al ferro solo fino al 4%. Il silicio diminuìsce anche
l'induzione di saturazione e la temperatura di Curie del ferro.
Una ulteriore diminuzione nelle perdite dell'energia di correnti parassite nei
nuclei dei trasformatori è stata ottenuta utilizzando una struttura laminare
(laminette affiancate). :Per realizzare un moderno nucleo di un trasformatore dì
.potenza, viene sovrapposto un grande numero di lamine sottili di Fe·Si di
7 42 Capitolo 15
spessore compreso tra 0,025 e 0,035 cm con un sottile strato di isolante tra esse.
Il materiale isolante ricopre da entrambe le partì Je lamine,.di Fe-Si e previene il
flusso delle correnti parassite perpendicolannente. alle. lamì,ne.
Un 'altra riduzione delle perdite di energia nel nucleo dei trasformatori è
stata ottenuta nel 1940 mediante la· produzione di lamine di Fe-Si a grani
orientati. Utilizzando una combinazione di lavorazione a freddo e di trattamenti
dì ricristallizzazione, sono state prodotte su scala industriale lamine di Fe-3% Si
a grani orientati lungo lo spigolo del cubo {110} <001 > (Figura 15.20). Dal
momento che la direzione [001] è un asse di facile magnetizzazione delle leghe
Fe-3% Si, i domini magnetici nei materiali a struttura spigolo del cubo sono
orientati per la facile magnetizzazione una volta applicato un campo ìn
direzione parallela alla direzione di l'aminazione. Pertanto, il materiale a
struttura spigolo del cubo ha una permeabilità più,alta e perdite di istere.si
minori di una lamina Fe-Si con orientamento casuale {Tabella 15.3).
Vetri metallici I vetri metallici sono una classe dì materiali di tipo metallico relativamente
nuova la cui caratteristica principale è la struttura non cristallina, a differenza
delle normali leghe metalliche che hanno una struttura cristallina. Gli atomi dei
FIGURA 15.20 (a}

Orientamento casualee (b)
preferenziale
(110)[001)in
unalamina di
policristallina
ferrocon3-4%di silicio.I
cubipiccoliindicano _;,-!001]
dlognigrano.
l'orientamento
[DaR.M. Rose, L.A. (.IIO)
Shepard e J. Wufff,
"Structure
andPropertìes ot Orientamento dei cubi in (b)
voi.IV:
Materials''.
"Electronic
Properties~
Wiley,1966,p.211].
Proprietà magnetiche e materiali magnetici 7 43
metalU e delle leghe comuni quando vengono raffreddati dallo stato liquido si
dispongono in un reticolo cristallino ordinato. La Tabella 15.4 elenca le
composizioni atomiche di otto vetri metallici di importanza tecnologica. Questi
materiali hanno importanti proprietà magnetiche dolci e sono composti
essenzialmente da diverse combinazioni di materiali ferromagnetici come Fe,
Co e Ni con metalloidi come B e Si. Le applicazioni dì questi materiali magnetici
dolci includono trasformatori a bassa dissipazione di energìa, sensori magnetici
e testine di registrazione.
I vetri metallici sono prodotti mediante un processo di rapida
solidificazione nei quale il vetro metallico fuso viene raffreddato molto
rapidamente (circa 106 °C/s) nella forma di un film sottile su un nastro
girevole ricoperto di rame (Figura 15,21a). Questo processo produce un nastro
continuo di vetro metallicodi spessore circa 0,0025 cm e larghezza 15 cm.
I vetri metallici hanno alcune proprietà notevoli. Sono molto resistenti (fino
a 4500 MPa), molto duri con una certa flessibilità e molto resistenti alla
corrosione. I vetri metallìci elencati in Tabella 15.4 sono magneticamente molto
dolci, come indicato dalle loro massime permeabilità e quindi possono essere
magnetizzati e smagnetizzati molto facilmente. I b~rdi di dominio in questi
materiali sono in grado di muoversi con estrema facilità, principalmente perché
non ci sono bordi di grano e non c'è una anisotropia macroscopica nel cristallo.
La Figura 15.21bmostra alcuni domini magnetici in un vetro metallico, prodotti
piegando il nastro di vetro metallico. Magneticamente i vetri metallici. hanno cicli
di isteresi molto stretti. come indicato in Figura 15.2lc e quindi hanno perdite di
energia di isteresi molto basse. Questa proprietà ha permesso lo sviluppo di nu-
clei di trasformatori di potenza con vetri metallici multistrato che hanno il 70%
in meno di perdite nel nucleo rispetto ai convenzionali nuclei di Fe-Si (Figura
15.1). Si stanno effettuando diverse ricerche e lavori per lo · svil~ppo
dell'applicazione dei vetri metallici a trasformatori di potenza a basse perdite.
TABELLA 15.3 Alcune proprietà magnetiche di materiali magnetici d.olcì
Induzione di Forza Permeabilità

saturazione coercitiva iniziale relativa
Materiale e composizione Bs, T Hc, A/cm µ,
Ferro magnetico, lamierada 0.2 cm 2.15 0.88 250

Lega Si-Fe M36 laminataa caldo (casuale) 2.04 0.36 500
M6 (110) 1001], 3.2% Si-Fe (orientata) 2.03 o:c6 1.500
45 Nì-55 Fe (45 Permalloy) 1.6 0;012 2.700
75 Ni-5.Cu-2 CH 8 Fe (Mumetal) o.e 0.004 30.000
79 Nì-5 Mo-15 Fe-0.5 Mn (Supermalloy) O.78 100.000
48% Mn0-Fe20s, 52% ZnO-Fe20s (soft ferrite) 0.36 1.000
36% NiO-Fe20s, 64% ZnO-Fe20s (soft ferrite) 0.29 650
Fonte: G. Y. Chin and J. H. Wemìck, "Magnetic Materials, Bulk". voi. 14: "Kirk-Othmer
Encyclopedìa of ChemicalTechnology", 3d ed.. Wiley, 198i, p. 686.
744 Capitolo i 5
CD
@ Vetro metanlco pronto
- per essere introdotto nel
sistema di solidificazione'
Sistema di solidificazione: il vetro metallico

fuso sotto pressione, viene spruzzato
dall'ugello
Manipolatore: posiziona
l'ugello spruzzatore per
variare lo spessore del nastro
di vetro metallico amorfo
© Cinghia di rame in rotazione ad alta velocità: @)Scatola di raffreddamento:

il vetro metallico fuso spruzzato sulla mantiene la temperatura
cinghia dì rame raffreddata forma il della cinghia prossimaa
nastro di vetro metallico amorfo (a) quella ambiente
Tesla Metallo amo1fo

1.6
l.2
-·.t.:;. ().~,
,-·:J.
.,..
_,,. 0.4
;. IA L'.? LO 0.8 0.6 0.4 0.2 O.'.:!0.4 0.6 0.8 I.O 1.2 IA
0.4
Oerstcd
Acciuio al silicio
<M-4l ---..., 0.8
(e)
(h) l.6
,.. ..
FIGURA 15.21 (a)Rappresentazioneschematica delprocessodi solidificazione

rapida
perlaproduzionedi unnastro
di vetrometallico
!DaNewYorkTimes. p.D7].(b)Dominimagnetici
Jan.11,1989, indottiin unvetrometallico.
[DaV.Lakshmanan eJ CM.Li,Mater. Si:,
Eng.,1988,p.483J.(e)Confronto
dellecurvedi isteresi
di unvetrometaillcoferromagnetico
e di unalastra
ferromagnetica
di Fe-SìM-4
iEleclric
World,
September
1985].
Leghe nichel-ferro Le permeabilità magnetiche del ferro dì purezza commerciale e delle leghe Fe-Si
sono relativamente basse per campi bassi applicati. Tuttavia una bassa
permeabilità iniziale non è ìmportante per applicazioni di potenza come i nuclei
dei trasformatori. in quanto tali apparecchiature operano a magnetizzazioni
elevate. Tuttavia, per apparecchiature di comunicazione ad elevata sensibilità
TABELLA 15.4 Vetri metallici: composizione, proprietà e applicazioni
Induzione dì
saturazione Massima
Lega, % atomica Bs, T permeabilità Applicazioni
Fe-,s813Si9 1.56 600.000 Trasformatorìdi potenza, nuclei magnetici a bassa perdita

Fea,B13Sis.sC2 1.61 300.000 Trasformatoriper impuisì, interruttori magnetici
Fee1CO,a814Si·, 1.80 4.000.000 Trasformatoriper impulsi, interruttori magnetici
FenCr2B, 6 Si5 1.41 35.000 Trasformatoridi corrente. nucleì magnetici sensibili
Fe1.iNi,1Mo3B11Si2 1.28 100.000 Nuclei magneticia bassa perdita ad alta frequenza
Coa9Fe,1Nì,Mo2B,2Sh2 0.70 600.000 Sensori magnetici,testine dì registrazione
B,.aShe
Co00Fe.<1Nh 0.55 1.000.000 Sensori magnetici,testine di registrazione
Fe40Nì3aMo.aB,e 0.88 800.000 Sensorimagnetici,testine di registrazione
Fonte: Metglas Magneìc Alloys, AllìedMetglas Products.
utilizzate per trasmettere o ricevere piccoli segnali, vengono comunemente usate le

leghe Ni*Fe che possiedono permeabilità molto più elevate a campi bassi.
In generale vengono commercializzate due vaste classi dì leghe Ni-Fe. una
con il 50% circa e !"altra con il 79% di nichel. Le proprietà magnetiche di alcune
di questa leghe sono elencate in Tabella 15.3. La lega 50% Ni è caratterizzata da
una modesta permeabililù (/li 2500; /J,max 25000) e da una ele\·ata induzione
di saturazione [Bs = I. 6 T(] 6000 G)]. La lega 79% Ni ha una elevata
permeabilità (µ; = 100000; µmax = 1000000) ma una modesta induzione di
saturazione [Bs O.8 T(8000 G)J. Queste leghe sono utilizzate per trasforma-
tori audio o di misura, p~r strumenti a relè e per lamine di rotori e di statori.
Nuclei a nastro avvolto. come la sezione mostrata in Figura 15.22. sono usati
comunemente nei trasformatori elettronici. ·
Cuscinetto inerte
(composto siliconico
per alta temperatura)
-::,1· •
(a)
..::!-.- ... ~ .. :~'1_~
FIGURA 15.22 Nuclei magneticia nastro

awo!lo.(a)Nucleo sigillato.
(b)Sezionetrasversale
di unnucleoa nastro
avvolto
conprotezione
lenoHca.
Si notichec'èuncuscino di gommasiliconica
trail nastrodì legamagnetica
e il contenitore
di protezione
fenolica.
Leproprietà
magnetiche
dellelegnericotteNi-Fead elevata
percentualedi Nipernastriavvoltisonosensibili
al danneggiamentoperde1ormazione.
!Per
concessione
dellaMagnetics, tncJ
746 Capitolo 15
I,
15
(a)
//
__..---
IO ,;'/
//
//
//
§2 5 I I
X
o
.. I
r::i' I
o
I:
o I
e (b)
-~
.a I
! -5 I I
FIGURA15.23 Effetto
dellaricotturain campo I/
//
magnetico sullacurvadi
--
//
,,,,,.,....
isteresidi unalega65%Ni~ -IO ...........
35%Fe. {a)65 Permalloy
ricottain uncampo
magnetico. (b)65Permalloy
ricottasenza campo
magnetico. IDaK M. Forza del campoH: Oe
Bozorth, "Ferromagnetism·:
VanNostrand, p.121].
1951,
Le leghe Ni-Fe hanno permeabilità magnetiche così elevate in quanto la

loro anisotropia magnetica e le loro energie magnetostrittive sono basse nelle
composizioni utilizzate. La massima permeabilità iniziale nel sistema Ni-Fe
avviene per la composizione 78.5%Ni-21.5%Fe, ma per evitare la formazione di
una struttura ordinata, è necessario un rapido raffreddamento sotto i 600°C La
struttura ordinata di equilibrio nel sistema Ni-Fe ha una cella elementare CFC
con gli atomi di Ni sulle facce e gli atomi di Fe negli angoli. L 'a.Bgiunta di circa il
5% di Mo a una lega con il 78,5% di Ni {resto Fe) evita inoltre la reazione di
ordinamento cosicché per evitare tale ordinamento è sufficiente un lento
raffreddamento da temperature superiori ai 600°C.
La permeabilità iniziale delle leghe Nì-Fe contenenti una percentuale di Ni
tra il 56 e il 58% può essere aumentata di' tre o quattro volte con una seconda
ricottura in presenza di un campo magnetico dopo la ricottura tradizionale ad
alta temperatura. La ricottura con il campo magnetico provoca un ordinamento
direzionale degli atomi del reticolo Ni-Fe e perciò aumenta la permeabilità
iniziale di queste leghe. La Figura 15.23 mostra l'effetto della ricottura in campo
magnetico sulla curva di isteresi della lega 65% Ni-35%. Fe.
1.4
1.2
I.O
0.8 f-
:::::
0.6
FIGURA15.24 Curvedi
smagnetizzaiionedi diversi
materiali
magnetici duri.1: 0.4
Sm(Co,Cu),.4;2: SmCo 5: 3:
~
SmCoS legato:4: alnico. 5:
5: Mn-AI-C;6 alnìco8: 7: o.:
Cr-Co-Fe;8:territe:9:ferrite
legata.
[DaG.Y.ChineJ. H
Wernick,"Magnetic
Materials.
Bufk''.voi.14. 800 600 400
"Kirk-OthmerEncyclopedia -H. kA/m
of ChemicalTechnology';
3ded.,Wiley,1981, p.67JJ.
15.8 MATERIALI MAGNETICI PERMANENTI
Proprietà I materiali magnetici duri, o permanenti. sono caratteri1..zati da una elevata

dei materiali forza coercitiva Hc e da una elevata induzione magnetica residua Br, come
magnetici duri indicato schematicamente dalla Figura 15.19b. Quindi le curve di isteresi dei
materiali magnetici sono larghe ed alte. Questi materiali vengono magnetizzati
in un campo magnetico sufficientemente elevato da orientare i loro domini
magnetici nella direzione del campo applicato. Una parte dell'energia applicata
è convertita in energia potenziale che viene immagazzinata µel campo magnetico
permanente prodotto. Un magnete permanente in condizioni di piena
magnetizzazione è in uno stato energetico relativamente elevato rispetto ad un
magnete smagnetizzato.
748 Capitolo 15
B,
FIGURA 15.25
.......
Diagramma schematico ' '\
dell'andamento delprodotto
I
energetico(8 vs BH)di un
materialemagnetico duro, ,,•
comeunalegaalnico(linea / I
/I I
tratteggiata
alladestra , I.
dell'asseB).Lamassima
.,.,,,. I
energia prodotta è
(BH)max
...1f ......,.
_________ ---1,;.,._- - - - .1 _ ... + BH
indicaladall'intersezione O (BH}mf.l~
dellalineatratteggiata
verticale
conl'asseBH.
I materiali magnetici duri sono difficili da smagnetizzare una volta che sono
stati magnetizzati. La curva di smagnetizzazione di un materiale magnetico
duro, che si trova nel secondo quadrante del ciclo di isteresi. può essere
utilizzata per confrontare le forze dei magneti permanenti. La Figura 15.24
confronta le curve di smagnetizzazione di diversi materiali magnetici.
La potenza. o energia esterna. di un materiale magnetico permanente
(duro) è in relazione diretta alla dimensione della sua curva di isteresi. L·energia
potenziale magnetìca di un materiale magnetico duro è misurata dal suo
prodotto energetico massimo, che è il valore massimo del prodotto di B
(induzione magnetica) per H (campo di smagnetizzazione) determinato dalla
curva di smagnetizzazione del materiale. La Figura 15.25 mostra la curva di
energia esterna (BH') di un ipotetico materiale magnetico duro e il suo prodotto
energetico massimo, (Bfflmax· T1prodotto energetico massimo di un materiale
magnetico duro è rarea occupata dal più grande rettangolb' che può essere
inscritto nel secondo quadrante della curva di isteresi del materiale. Le unità del
sistema S1 deì prodotto di energia BH sono kJ/m 3 e, nel sistema cgs. G · Oe. Le
unità nel sistema SI del prodotto di energia (BH)maxespresso in joule su metri
cubi sono equivalenti al prodotto di B espres_soin tesla per H espresso in ampere
su metro come mostrato sotto.
[B(T·W~
m- _ (~·-J
m V · A . s)·]
_!_·~)][H
T Wb
=BH(~)
m3
Eserciziario
Vedi Esercizio i 5.4.
Proprietà m~gnetiche e materiali magnetici 749
Leghe aJnico Proprietà e. composizioni Le leghe alnico (alluminio-nichel-cobalto) sono i

materiali magnetici duri commercialmente più importanti oggi utilìzzati e
rappresentano più del 35% del mercato dei magneti duri negli Stati Uniti.
Queste leghe sono caratterizzate da un elevato prodotto energetico
[(BH)max= 40 70kJ/m 3 (5 - 9MG · Oe)J, una elevata induzione residua
[Br = O,7- 1,35T(7 - 13,SkG)) e una moderata forza coercitiva
!Hc = 40 - l60kA/m(500 - 2010Oe)]. La Tabella 15.5 elenca alcune proprietà
magnetiche di diverse leghe alnico e di altre leghe magnetiche permanenti.
La famiglia delle leghe alnico è a base di ferro con aggiunte di Al. Ni e Co
più il 3% circa di Cu. Un piccolo tenore di Ti viene aggiunto alle leghe ad
elevata forza coercitiva, le a1nico dal numero 6 al numero 9. La Figura 15.26
mostra un diagramma a barre della composizione di alcune leghe alnico. Le
leghe alnico che \'.anno dal numero l al 4 sono isotrope, mentre le alnico dal 5 al
9 sono anisotrope essendo trattate termicamente in presenza di un campo
rnagnetico quando si formano i precipitati. Le leghe alnico sono fragìli e perciò
sono prodotte per fusione o con processi di metallurgia delle polveri. Le polveri
alnico sono principalmente utilizzate per produrre grandi quantità di piccoli
articoli di forma complessa.
Struttura Sopra la temperatura del trattamento termico di solubilizzazione a

circa 1250°C. le leghe al nico sono monofasiche con struttura cristallina CCC.
Durante il raffredd-amento a circa 750-850°C. queste leghe si decompongono in
due altre fasi CCC. a e 0 1• La matrice della fase a è ricca dì Ni e Al ed è
debolmente magnetica. 11 precipitato a' è ricco in Fe e Co e maggiormente
magnetizzabile della fase a ricca di Ni-Al. La fase 0 1 tende ad assumere una
struttura a barrette allineate nella direzione < 100 > con diametro di 10 nm e
lunghezza di 100 nm circa.
TABELLA15.5 Alcuneproprietà magnetiche di rnateria!ìmagnetìci duri
Massimo
Induzione Forza prodotto
residua coercitiva energetico
Materialee composizione Br, T Hc, kA/m (BH)max•kJ/m3
Alnico 1, 12 A!, 21 Ni, 5 Co, 2 Cu, resto Fe 0.72 37 11.0

Alnico5, 8 Al, 14 Ni, 25 Co. 3 Cu, resto Fe 1.28 51 44.0
Alnico 8, 7 Al, 15 N i, 24 Co, 3 Cu, resto Fe 0.72 150 40.0
Terra rara-.Co,35 Sm, 65 Co 0.90 675-1200 160
Terra rara-Co,25.5 Sm, 8 Cu, 15 Fe, 1.5 Zr, 50 Co 1.10 510- 520 240
Fe-Cr-Co,30 Cr, 10 Co, 1 Si, 59 Fe 1.17 46 34.0
MO·Fe20s (M = Ba, Sr) (ferritedura) 0.38 235- 240 28.0
Fonte: G. Y. Chìn and J. H. Wernick, "Magnetic Materìa1s,Bulk", voi. 14: ''Kirk-Othmer

Encyclopedìaof ChemicalTechnology", 3d 3d., Wiley,1981, p. 686.
750 Capitolo 15
Se il trattamento termico a 800°C è condotto. in un campo magnetico, il

precipitato o/ origina delle particelle fini,e allungate nella' direzione del campo
magnetico (Figura 15.27)in una matrice di fase a. L'elevata coercitivìtà deHe leghe
alnico viene attribuita alla difficoltà di rotazione delle particelle a singolo dominio
1
della fase 0 conseguente aUa struttura anisotropa. Maggiore è il rapporto di
fonna (lunghezza rispetto a larghezza} delle barrette e più liscia è la loro superficie,
più risulterà elevata la coercitività della lega. Quindi, la formazione del precipitato
in presenza di un campo magnetico rende il precipitato più lungo e più sottile e
quindi aumenta la coercitività del materiale magnetico alnico. Si pensa che
l'aggiunta di titanio ad alcune leghe alnico a più elevata resistenza aumenti la loro
coercitività aumentando il rapporto di fo!1rladelle barre o/.
Leghe di terre rare Negli Stati Uniti ìe leghe magnetiche di terre rare v,.mgono prodotte su larga
scala. Esse hanno forze magnetiche più elevate di ogni altro materiale magnetico
commerciale. Esse possiedono un prodotto energetico massimo (BH)max fino a
240 kJ/ml\ (30 MG-OeJ e coercitività fino a 3200 kA/m (40 kOeJ. L'origine del
magnetismo negli elementi di transizione delle terre rare è dovuto quasi
esclusivamente ai loro elettroni spaiati 4f analogamente al magnetismo di Fe,
Co e Nì che è dovuto ai loro elettroni 3dspaiati. Ci sono due principali categorie
di materiali magnetici commerciali a base di terre rare: una basata sul SmCo,; a
fase singola, e l'altra basata su leghe indurite per precipitazione di composizi~ne
approssimata Sm(Co,Cu)7 5 ,
--~."-:""'-~·---
l00
Co
Ni Co
80
o
R Al
~=60
.S:!
Cu (')
:;
.:!
ii 40 -
~
u
c.. Fe Fe
FIGURA 15.26 Sviluppo Fe Fe
dellacomposizionechimica 20 - Fe
deHeleghealnico.Lalega Fe
originale
fu scoperta
da
Mishima in Giapponenel O-
1931.[DaB. D. Cullity, Lega 2 5 6 8 9
Mishima IL ti
'1ntroduction
to Magnetic
Materials':
Addison-Wesley, """"""
Alnìco
1972,p.566j.
I magneti SmCos a fase singola sono i più utilizzati. Il meccanismo di

coercitivìtà in questi materìali è basato sulla nucleazione e/o su] blocco dei bordi
di dominio sulla superficie e ai bordi di grano. Questi materiali sono prodotti
median.te tecniche di metallurgia delle polveri utilizzando particelle fini ( 1-1O
µm). Durante la pressatura le particelle vengono allineate in un campo
magnetico. I prodotti pressati vengono poi sinterizzati accuratamente per
prevenire la crescita delle particelle. La resistenza magnetica di questi materiali è
alta, con valori di (BH)maxnell'intervallo tra 130 e 160 kJ/m 3 (16·20 MG-Oe).
Nella lega Sm(Co,Cuhs indurita per precipitazione, parte del Co è sostituito
dal Cu nella fase SmCos cosicché con una bassa temperatura di invecchiamento
(400-500°C) si produce un precipitato fine (circa 10 nm). Il precipitato formato è
coerente con la sti:uttura di SmCos. Il meccanismo di coerenza è basato
principalment6 sul blocco omogeneo dei bordi di dominio sulle particelle
precipitate. Questi materiali sono anche prodotti commercialmente mediante
processi di metallurgia delle polveri sfruttando rallineamento magnetico delle
particelle. L'aggiunta di piccole particelle di ferro e di zirconio accelera lo
sviluppo di coercitività maggiori. Valori tipici per una lega commercjale
Sm(Coo.6sCuo,ioFea.:!IZro.01h4 sono (BH)max==240kJ/m3(30MG · Oe) e
Br = L 1T (11000 G). Le Figure 15.24 e 15.28 mostrano l'eccellente migli-
oramento della resistenza magnetica raggiunto con leghe magnetiche di terre
rare.
I magneti Sm-Co sono utilìzzati in dispositivi medici come motori sottìli in
pompe e valvole impiantabili e nelraiuto al movimento della palpebra. I
magneti di terre rare vengono utilizzati anche per orologi da polso elettronici e
per tubi a onde progressive. Motori e generatori a corrente continua e sincroni
sono prodotti con magneti di terre rare. che consentono una riduzione delle
dimensioni.
FIGURA 15.27
Mìcrografia elettronica
per
replicadellastrutturadi una
legaalnico8 (Al-Ni-Co-Fe--
Ti} dopotrattamento termìco
a 800°Cper9 minutiin un
campo magnetico. Lafasea
(riccadì Ni-AI)è chiara.e la.
1ase a' {riccadi Fe-Co) è
scura.Lafasea',. allungata
in direzionedelcampo
applicato,è fortemente
ferromagneticae origina
anisotropia nellaforza
coercitiva.[Perconcessione.
di K.J. deVos.1966].
752 Capitolo 15
Leghe magnetiche I materiali magneticì duri Nd-Fe~B con (BH)mv. fino a circa 300 kJ/m 3 (45
neodimio-ferro- M G·Oe) sono stati scoperti nel 1984 e oggi questi materiali sono prodotti
boro mediante la metallurgia delle polveri e mediante processi di splidificazione rapida
su nastro C'melt spun ribbon process"). La Figura 15.29a mostra la
microstruttura di un nastro di Nd2Fe 14B solidificato rapidamente. In questa
struttura i grani della matrice Nd 2 Fe 14B fortemente ferromagnetica sono
circondati da una sottile fase intergranùlare ricca di Nd non ferromagnetica.
L'alta coercitività e ]'elevato prodotto di energia (BH)maxdi questo materiale
derivano dalla difficoltà di nucleare domini magnetici inversi, che di solito
nuc1eano ai bordi dei grani della matrice {Figura 15.29b). La fase intergranulare
fine ricca di Nd non ferromagnetico costringe i grani della matrice di Nd2Fe 14B a
nuclettre i loro domini in senso inversò per invertire la magnetizzazione del
materiale. Questo processomassimizzaHc e (BH}ma.x pçr l'intera massa ìnerte del
materiale. Le applicazioni per i magneti permanenti delle leghe Nd-Fe-B
includono tutti i tipi di motori elettrici, specialmente ì motori di awiarnento
degli autoveicoli nei quali la riduzione di peso e la compattezza sono
particolarmente importanti. ·
so.--------- 400
Massimo prodotto
energetico statico
(BHJmax
40
Nd-Fe-B-..._._
300
Sm-Co. Fe. TM
"2-17" ---....,._
30
o
,.
FIGURA 15.28
Progressonellaqualità
dei
magnetipermanentinel
ventesimosecolomisurato
dall'energia
massima
prodotta(BH)max-!DaK.J.
Strnat,
SoftandHard
Magnetic Materials
with
Applications,
ASMInter., Anno
1988,p.84].
Una sottile fase non ferroma1.metica

intergranularericcain Nd contorna
Nucleazione di
un dominio l // la matrice
magnetico
~ Grano di matrice Nd2Fe14B
' molto ferromagnetica
(a) (b)
FIGURA 15.29 (a}Micrografia a trasmissione

elettronica
ìncampo chiarodi unnastrodì Nd-Fe-8temprato in condizioni
ottimaliche
mostra i grani
orientati
casualmente
e circondati
dauna1aseintergranulare
sottileevidenziata
dallafreccìa.
[DaJ. J. CroateJ.F. Herbst,
MRS
Bui/.,June1988,p.37J.(b)Singolo
granodi N~Fe,,Bchemostra le nucleazionidi undominiomagnetico
inverso,
Leghe magnetiche Una famiglia delle leghe magnetiche Fe-cr ..co è stata sviluppata nel 1971.
ferro-cromo- Queste leghe sono analoghe alle leghe alnico nella struttura metallurgica e nelle
cobalto proprietà magnetiche permanenti. ma sono lavorabili a freddo a temperatura
ambiente. Una composizione tipica di una lega di questo tipo è 61 % Fe-28%Cr-
l l %Co. Le proprietà magnetiche tipiche delle leghe Fe-Cr-Co sono Br = 1.0-
=
1.3 T(l0-12 kG). Hc = 150-600 A/cn1 (190-753 Oe) e (BH)max 10 - 45 kJ/m 3
(1.3-U MG,Oe). La Tabella 15.5 elenca alcune proprietà caratteristiche della
lega magnetica Fe-Cr-Co.
FIGURA 15.30 Micrografia a trasmissione

elettronica
di unalegaFe~34%Cr-12%Co chemostrano{a)
precipitati
sferìci
prodotti
primadelladeformazionee (b)particelle
allungateeallineate
dopoladeformazione
e l'allineamento
mediante
trattamento finale.{DaS. Jin et al.,J Appl.Phys.,53:4300(1982)].
termico
---·--- --·--------------·-·-,-·_
754 Capitolo 15
8.00
~a1oe
~ n;wi·~~'ato
600
FIGURA 15.31 A. Allungato e

casuale
Coercitività
in funzione del
diametro ctelleparticelle
di
diversa formain unalega Sferica·
Fe-34%Cr-12%Co. Si nolì 200
il forteaumento
mediante
di coercitiva
cambiamento da
~
unaformasfericaaduna 00..__
_____
1oo,__
__ 2_00.__
__ 30
....
0--'"'.".it--10~-'"'."soo~.....,.
allungata.[DaS.Jinetal.,J.
Appl.Phys.,53:4300 Dìametro della particellà. À
(1982}].
Le leghe Fe-Cr-Co sono particolarmente importanti per applicazioni

tecnologiche nelle quali la loro duttilità a freddo permette la lavorazione ad
alta velocità a temperatura ambiente. Il magnete permanente per molti ricevitori
dei moderni telefoni è un esempio dì questa leg:a magnetica permanente
deformabile a freddo (Figura 15.32).
FIGURA 15.32 Utilizzo Magnete perman'ènte

di unalegapermanente
duttileFe-Cr-Co
ricevitore
in un
telelonico.
(a) Il sI Armatura
Diaframma'·
ricevitoresmontato mostra
"'
l'anello
sezione
delmagnete
permanente
ricevitore
e (b)vistadella
indicala posizione
magnete
Jinetal.,IEEE
11:2935
del
trasversale
telefonìco
che
del
permanente.
Trans.
(1981)};
[DaS.
Magn.,
.0 /
{a) (b)
Spirale
Espansione polare
Supporto non
magnetico
Proprietà magnetiche e materiali magneticr 755
FIGURA 15.33 Diversi

componentidi ferritedolce
chesonoutilizzali
permolte
applicazioni
elettricheed
!Per
elettroniche.
concessionedl Magnetics,
incJ
15.9 FERRITI
Le ferriti sono materiali ceramici magnetici prodotti mescolando ossido di ferro

(Fe203) con altri ossidi e carbonati in polvere. Le polveri sono poi pressate e
sinterizzate ad alta temperatura. Qualche volta sono necessarie lavorazioni
meccaniche di finitura per produrre la forma desiderata (Figura 15.33). La
magnetizzazione prodotta nelle ferriti è abbastanza alta da assumere valore
commerciale, ma 1aloro saturazione magnetica non è elevata come quella dei
materiali ferromagnetici, Le ferriti hanno la struttura dei domini e i cicli di
isteresi simili a quelli dei materiali ferromagnetici. Come nel caso dei materiali
ferromagnetici, ci sono ferriti dolci e ferriti dure.
Ferriti I materiali delle ferriti dolci mostrano un comportamento ferromagnetico. Nelle

magneticamente ferriti dolci c'è un momento magnetico netto dovuto a due serie di momenti di
dolci spin degli elettroni più interni spaiati di direzione opposta che non si annullano
(Figura 15.Sc)
756 Capitolo 15
FIGURA 15.34 (a)Cella Fe 2+ (4 magnetoni di Bohr)

unitaria di ferritedolcedi Siti ottaedrici
tipoMO-Fe20 3• Questa cella
unitaria è formata daotto Fe 3-t (5 magnetoni dì Bohr)
sottocelle. (b)Sottocelle per
la ferriteFe0-Fe 203• I
momenti magnetici degli
ionineisiti ottaedrici sono
allineatiin unadireZione dal
campomagnetico applicato,
mentre quellineisiti Fe3+ (5 magnetoni di Bohr)
tetraedricisonoallineati in
. direzione opposta. Come
risultato,c'èunmomento Sito tetraedrico
magnetico risultanteperle (a) (b)
sottocelle e quindiperH
materiale.
Composizionee strutturadelle ferriti dolci cubiche La maggior parte delle

ferriti dolci cubiche hanno una composizione MO-Fe2O 3 , dove M è uno ione
metallico bivalente come Fe 2-;-, Mn 2+, Ni 2+ o Zn 2+. La struttura delle ferriti
dolci è basata sulla struttura a spinello inversa che è una modificazione della
struttura a spinello del minerale (MgO·A1 2O 3). Sia la Struttura a spinello che
quella inversa hanno celle unitarie cubiche formate da otto sottocelle. come
mostrato in Figura 15.34a. Ognuna di queste sottocclle è formata da una
molecola dì MO-Fe 2 O 3 . Dal momento che ogni sonounità contiene una
molecola di MO·Fe 2O:i. e che ci sono sette ioni in questa moiecola. ogni ceBa
unitaria contiene un totale di 7 ioni ( 8 sottocelle = 56 ioni per cel1a unitaria.
Ogni cella della sottounità ha una struttura cristallina dì tipo CFC composta da
quattro ioni della molecola MO-Fe 2 O:; (Figura 15.34b). Gli ioni metallici più
picc91i (M2+ e che hanno raggio ionico di circa 0.07-0.08 nm occupano
spazi interstiziali tra gli ioni ossigeno più grandi (raggio ionì.ao ::::::
0.14 nm).
Come detto precedentemente nel Paragrafo 10.2, in una cella unitaria di
tipo CFC vi è l'equivalente di quattro siti interstiziali ottaedrici e otto
tetraedrici. Nella normale struttura dello spinello solo la metà dei siti ottaedrici
sono occupati e quindi sono occupati solo_ ½(8 sottocelle x 4 siti/sottocella) =
16 siti ottaedrici (Tabella 15.6), -NeUa normale struttura dello spinello ci sono 8
x 8 (siti tetraedrici per sottocella) = 64 siti/cella unitaria. Comunque. nella
normale struttura dello spinello sono occupati solo un ottavo dei 64 siti cosicché
solo otto dei sili telraedrici sono occupati (Tabella 15.6).
Nella normale cella unitaria della struttura dello spinello ci sono otto
molecole di MO-Fe 2O 3 . In questa struttùra gli otto ioni M 2+ occupano 8 siti
tetraedrici e i 16 ioni F e3-+ occupano 16 siti ottaedrici. Nella struttura inversa
TABELLA 15.6 Disposizionedegli ioni metalliciin una cella unitaria di uné?ferrite a spinello con
composizioneMO·Fe2O3
Tipo di sito Numero Numero Spinello Spinello

interstiziale possibile occupato normale inverso
Tetraedrico 64 8 8 M2+ 8 Fe3*
Ottaedrico 32 16 16 Fe3+ 8 Fe3+, 8 M2""
dello spinello c'è una disposizione diversa degli ioni: gli 8 ioni M 2+ occupano 8
siti ottaedrici e i 16 ioni Fe 3+ sono divisi cosicché 8 occupano siti ottaedrici e 8
occupano siti tetraedrici (Tabella 15.6).
Momenti magnetici netti nelle ferri ti con struttura a spinello inversa Per
determinare il momento magnetico risultante in ogni molecola di ferrite MO,
Fe2O3, dobbiamo conoscere la configurazione degli elettroni 3d più interni degli
ioni di ferrite. La Figura 15.35 fornisce questa informazione. Quando l'atomo
Fe è ionizzato per formare lo ione Fe2+, rimangono quattro elettroni spaiati 3d
dopo la perdita di due elettroni 4s. Quando l'atomo Fe è ionizzato per formare
lo ione Fe 3+, restano cinque elettroni spaiati dopo la perdita di due elettroni 4s e
di uno 3d.
Poiché ogni elettrone spaiato 3d ha un momento magnetico di I magnetone
di Bohr, lo ione Fe 2+ ha un momento di 4 magnetoni di Bohr e lo ioni Fe 3+ un
momento di 5 magnetoni di Bohr. In un campo magnetico, i momenti magnetici
degli ioni ottaedrici e tetraedrici sono in contrapposizione (Figura· 15.34b).
Quindi, nel caso della ferrite FeO-Fe 2O 3, i momenti magnetici degli otto ioni
Fe 3+ nei siti ottaedrici cancelleranno i momenti magnetici degli otto ioni Fe 3+
nei siti tetraedrici. Il momento magnetico risultante di questa ferri te sarà dovuta
agli otto ioni Fe 2+ negli otto siti ottaedrici, che hanno momenti di 4 magnetoni
di Bohr ciascuno (Tabella 15.7).
Eserciziario
Vedi Esercizio15.5.
Le ferriti di ferro, cobalto e 11icbelhanno tutte struttura a spinello inversa e
sono tutte ferrimagnetiche a causa del momento magnetico risultante deUe loro
struttura ioniche. Le ferritì dolci industriali sono di solito formate da una
miscela di ferriti poiché così si aumenta la magnetizzazione di saturazione. Le
due ferriti più comunemente utilizzate sono la ferrite Ni-Zn (Ni1-xZnxFe2-yO 4 )
e la ferrite Mn-Zn (Mn1-xZnxFe2+yO4).
758 Capitolo15
TABELLA15.7 Disposizionedegli ioni e momenti magnetici netti per molecola nelle ferriti con
struttura a spinello normale e inversa
1
Siti tetraedrici Siti ottaedrici ,.Momentomagnetico
Ferrite Struttura occupati occupati neto (J.Ls/molecole)
FeO· Fe20s Spinelloinverso Fe3+ Fe2+ Fe3-- 4

§_ 1. §.,
ZnO· Fe20s Spinellonormale zn2+ Fea-+ Fe3+ o
o §_ §.
Proprietàed applicazionidelle ferriti temporanee
Perdite per .corl'enti pOJ'assite nei materiali magnetici Le ferriti dolci sono
importanti materiali magnetici perché oltre a possedere utiH proprietà
magnetiche, sono isolanti ed banno alte resistività elettriche. Un'alta resistività
elettrica è. importante nelle applicazioni magnetiche che richiedono alte
frequenze poiché, se il materiale magnetico è conduttivo, le perdite di energia
di correnti parassite potrebbero essere grandi a alte frequenze. Le correnti
parassite sono causate da gradienti di tensione indotti e così più aìta è la
frequenza, maggiore è l'aumento delle correnti parassite. Poiché le ferriti dolci
Ione Numero di Configurazioneelettronica Momentoma1meticoionico

elettroni degli orbitali3d (magnetonldi Bohr)
Fe3- 23 [f[J [f[J [f[J [f[J [ill 5
Mn2"' 23 [f[J ITIJ [f[J [f[J [ill 5

Fe2- 24 [illJ [f[J [f[J [f[J [ill 4,.
Co2"" 25 [illJ [illJ + [f[J [TI]

Ni2"" 26 [illJ [illJ [illJ [f[J 2
Cu2... 27 [illJ [illJ [illJ [ili] [TI]

Zn2+ 28 [illJ [illJ [illJ [illJ [illJ o
FIGURA15.35 Configurazioni
elettroniche
e momenti
magnetici
ioniciperionidi elementì
di transizione
3d
sono isolanti, possono essere usate pe:r applicazioni magnetiche come i nuclei dei
trasformatori che operano ad alte frequenze.
Applicazioni delle ferriti dolci Le ferriti dolci trovano principale impiego nella
realizzazione di nuclei di memoria, testine di registrazione, applicazioni
audiovisive, trasformatori e induttori a bassa energia. Impiego in grande
quantità avviene per nuclei di bobine dj deflessione magnetica, trasformatori di
ritorno e bobine di convergenza per i ricevitori televisivi.
Le ferriti a spinello Mn-Zn e Ni-Zn sono utilizzate nelle testine magnetiche
di ,registrazione in diversi tipi di registratori magnetici. Le testine di
registrazione sono prodotte con ferri te policristallina Ni-Zn dal momento che
le frequenze di funzionamento richieste (100 kHz - 2,5 GHz) sono troppo alte
per le testine in lega.-mefallica a causa delle alte perdite di correnti parassite.
Memorie ·a nucleo magnetico basate sulla logica binaria 0/l vengono usate
in molti tipi di computer. Il nucleo magnetico è utile dove la perdita di potenza
non deve provocare perdita di informazioni. Poiché le memorie a nucleo
magnetico non hanno parti in movimento, sono utilizzate quando è necessaria
un'alta resistenza ai colpi, come in alcune applicazioni militari.
Ferriti Un gruppo di ferriti dure che sono usate per magneti permanenti hanno la
magneticamente fqnnula generale MO-6Fe 2O 3 ed hanno una struttura cristallina esagonale. La
dure ferrite più importante di questo gruppo è laferrile di bario (BaO·6Fe 20 3). che è
stata introdotta in Olanda dalla PhiHps Company nel 1952 con il nome
ferroxdure, Negli anni recenti le ferriti di bario sono state in parte sostituite
dalle ferriti di stronzio, che hanno la formula generale (SrO·6Fe2O3) e che
hanno proprietà magnetiche superiori rispetto a quelle di bario. Queste ferriti
sono prodotte quasi con lo stesso metodo utilizzato per le ferriti dolci, con
pressatura a umido in un campo magnetico per allineare glì assi di' facile
magnetizzazione delle particelle al campo applicato.
Le ferriti esagonali hanno un costo minore, minore densità, ed hanno
un'alta forza coercitiva, come mostrato in Figura 15.24. La alta resistenza
magnetica di questi materiali è dovuta principalmente alla loro alta anisotropia
magnetocristallina. Si ritiene che la magnetizzazione di questi materiali avvenga
per la nucl.eazione e il movìmento dei bordi di dominio in quanto la dimensione
dei loro grani è troppo elevata per giustificare un singolo dominio. Il prodotto
di energia (BH)maxvaria da 14 a 28 kJ/m 3 •
Questi magneti permanenti ceramici di ferrite dura trovano ampio utilizzo
nei generatori, nei relè e nei motori. Le applicazioni elettroniche includono
magneti per altoparlanti, suonerie telefoniche e ricevitori. Sono anche utilizzati
per dispositivi di bloccaggio per chiusure di porte, guarnizioni e serrature e in
molti modelli dì giocattoli.
760 Capitolo 15
RIASSUNTO
I materiali magnetici sono materiali industrialmente importanti per molte

applicazioni tecnologiche. La maggior parte del mareriali magnetici industriali
sono ferro o ferrimagnetici e mostrano una elevata magnetizzazione. I materiali
ferromagnetici più importanti sono basati sulle leghe di Fe, Co e Ni. Più
recentemente sono state prodotte alcune leghe ferromagnetiche con alcuni
elementi delle terre rare come il Sm. Nei materiali ferromagnetici come il Fe,
esistono regioni dette domini magnetici nei quali i momenti di dipolo magnetico
atomico sono allineati parallelamente uno all'altro. La struttura del dominio
magnetico in un materiale ferromagnetico è determinata dalla minimizzazione
dellè'energie di scambio, magnetostatica, di anisotropia magnetocristallina, di
bordo di dominio e di magnetostrizìone. Quando i domini ferromagnetici in un
campione hanno orientamento casuale, il campione è in uno stato
smagnetizzato. Quando viene applicato 1.mcampo magnetico al campione di
materiale ferromagnetico, i domini nel campione si allineano e il materiale si
magnetizza e rimane in parte magnetizzato anche dopo che il campo viene
rimosso. Il comportamento aUa magnetizzazione di un materiale ferromagnetico
è registrato da un grafico che riporta la induzione ferromagnetica in funzione
del campo applicato, detto ciclo di isteresi. Quando un materiale ferromag;netico
smagnetizzato viene magnetizzato da un campo magnetico H, la sua induzione
magnetica B raggiunge un livello di saturazione detto induzione di sarura:zione
Bs, Quando il campo applicato viene rimosso, l'induzione magnetica diminuisce
ad un valore detto induzione residua Br. Il campo di smagnetizzazione richiesto
per annullare l'induzione magnetica di · un campione ferromagnetico
magnetizzato è detto forza coercitiva Hr:.
Un materiale mag1u:tico dolce è un materiale che è facilmente
magnetizza bile e smagnetizza bile. Le principali proprietà magnetiche di un
materiale magnetico dolce sono l'elevata permeabilità, l'alta induzione di
satumzione e ]a bassa forza coercitiva. Quando un materiale ferromagnetico
dolce viene ripetutamente magnetizzato e smagnetizzato, avvèngono pe;dite di
energia per isteresi e per correntiparassile. Esempi di materiali ferromagnetici
dolci includono le leghe Fe con 3~4%Si utilizzate nei motori e nei trasformatori
di potenza e le leghe di Ni con 20-50%Fe utilizzate principalmente per
apparecchiature di comunicazione ad alta sensibilità.
Un materiale magnetico dw·o è un materiale difficile da magnetizzare che
rimane fortemente magnetizzato dopo che il campo di magnetizzazione viene
rimosso. Importanti proprietà di un materiale magnetico duro sono un'alta
forza coercitiva e un'alta inòuzione di saturazione. La potenza di un materiale
magnetico duro è misurata dal suo prodotto di energia massima, che è il
massimo valore del prodotto di B per H nel quadrante di smagnetizzazionedel
suo ciclo di isteresi B-H. Esempi di materiali magnetici duri sono le leghe alnico
Proprietà magnetiche e materjali magnetici 761
che sono utilizzate come magneti permanenti per molte applicazionLelettr.iche e

alcune leghe di terre rare che sono basate su composizioni SmCo5, e Sm(Co,
Cu)7,5. Le leghe di terre rare sono utilizzate per piccoli motori ed altre
applicazioni.
Le ferriti, che sono composti ceramici, sono un altro tipo di materiali
magnetici di grande importanza industriale. Questi materiali sono ferromagnetici
a causa del momento magnetico netto prodotto dalla loro struttura ionica. Le
ferriti magneticamente dure hanno composizione base MO·Fe:2O3 , dove M è uno
ione bivalente come Fe2+, Mn 2+ e Ni2+. Questi materiali hanno una struttura a
spinello inversa e sono utilizzati per dispositivi a basso segnale, nuclei di
memoria, applicazioni audiovisive e. testine di registrazione. Dal momento che
questi materiali sono isolanti, possono essere utilizzati per applicazioni ad alta
frequenza dove, le correnti parassite sono un problema con i campi alternati. Le
ferriti magneticamente dure con formula generale MO-6Fe 20 3, dove M è di
solito uno ione Ba o Sr, sono utilizzate per applicazioni che richiedono materiali
magnetici permanenti a basso costo e a bassa densità. Questi materialì sono
utilizzati per altoparlanti. suonerie di telefoni e ricevitori e per dispositivi di
tenuta per chiusure di porte, guarnizioni e serrature.
DEFINIZIONI
Paragrafo 15.1
Materialeferromagìletico: n1ateriale che è in grado dì essere notevolmente magnetizzato,
Il ferro, il cobalto e il nichel sono materiali ferroma1metici.
Campo magnetico H: campo magnetico dovuto ad ;n campo magnetico applicato
dall'esterno o campo magnetico prodotto da corrente che passa attraverso un filo
conduttore o una bobina di filo (solenoide).
MagnetizzazioneM: misura dell'aumento del flusso magnetico dovuto all'inserimento di.
un detenninato materiale in un campo magnetico di intensità H. Nelle unità SI la
magnetizzazione è uguale alla permeabilità del vuoto (µ 0 ) moltiplicata per la
magnetizzazione, cioè JL0 M. (µ 0 = 4,r x J0-4T. m/A).
Induzionemagnetica B: somma del campo magnetico H e della magnetizzazione M
dovuta all'inserimento di un detem1inato materiale nel campo applicato. In unità SI,
B=µo(H+M);
Permea?mtà magneticaµ: rapporto tra l'induzione magnetica B e il campo magnetico
applicato H per un materiale; µ = B/ H.
PermeabilitàrelativaJ.Lr:rapporto tra la permeabilità di un materiale e la permeabilità del
vuoto; JLr= µ/ µ 0 •
Suscetti~ità magnetica :x-m:rapporto tra M (magnetizzazione) e H (campo magnetico
apphcato ); À'.m= M / H.
Paragrafo 15.2
Diamagnetismo: reazione debole, negativa e repulsiva di un materiale ad un campo
762 Capitolo 15
magne~co applicato; un materiale diamagnetico ha una suscetpbìlità magnetica bassa

e negativa.
Paramagnetismo:reazìone debole, positiva e attrattiva dì un materiale ad un campo
magnetico applicato; un materiale paramagnetico ha una suscettività magnetica bassa
e positiva.
Ferromagnetismo:creazione di una magnetizzazione molto grande in un materiale
quando soggetto ad un campo magnetico applicato. Dopo che il campo applicato
viene rimosso, il maLeriale ferromagnetico conserva gran parte della magnetizzazione.
Antiferrc,magnetismo: tipo di magnetismo in cui i momenti di dipolo magnetico di diversi
ioni di un solido legato ionicamente sono allineati da un campo magnetico in
direzione opposta c:osicché non c'è una magnetizzazione netta.
Ferrimagnetismo: tipo di magnetismo in cui i momenti di dipolo magnetico di diversi ioni
di un solido ionico vengono allineati da un campo magnetico in modo antiparallelo
cosicché si ha un campo magnetico netto. '
Magnetonedi Bobr:momento magnetico prodotto in un materiale ferro o ferrimagnetico
da un elettrone spaiato senza interazione con altri~ il magnetone di Bohr è l'unità
=
fondamentale. 1 magnetone di Bohr 9,27 x 10- 24A. m2 •
Parag,·afo15.3
Temperaturadi Curie;temperatura alla quale un materiale ferromagnetico quando viene
completamente scaldato. perde il suo ferromagnetismo e diventa paramagnetico.
Paragrafo 1S,,f.
Dominiomagnetico:regione in un materiale ferro o ferrìmagnetìco in cui tutti i momenti
dì dipolo magnetico sono allineati.
Paragrafo 15.5
Energia di scambio:energia associata con l'accoppiamento di singoli dipoli magneticì in
un dominio magnetico. L'energia di scambìo può essere positiva o negativa.
Energia magnetostatica: energia potenziale magnetica dovuta al campo magnetico
esterno che circonda un campione di materiale ferromagnetico.
Energiadi anisotropiamagnetocristallina: energia richiesta durante la magnetizzazione dì
un ma.teriale.ferromagnetico per ruotare i domini magnetici causata dall'anisotropia
cristallina. Per esempio, la differenza tra la direzione di difficile magnetizzazione [111]
e quella di facile magnetizzazione [100] nel Fe è circa 1.4 x 104J/m 3•
Energia di bordo dei domini:energia potenziale associata al disordine dei momenti di
dipolo nei bordi tra i domini magnetici.
Magnetostrizione:variazione in lunghezza di un materiale ferromagnetico nella direzione
di magnetizzazione dovuta ad un campo· magnetico applicato.
Energia di magnetostrizione:energia dovuta alla sollecitazìone meccanica causata dalla
magnetostrizione in un materiale ferromagnetico.
Paragrafo 15.6
Ciclo di isteresi: curva di B in funzione di H oppure di M in funzione dì H ricavata dalla
magnetizzazione e dalla smagnetizzazione di un materiale ferro o ferrimagnetico:
Induzionedi saturazione B., o magnetizzazionedi saturazione MI: valore massimo di
induzione Bs o magnetizzazione Ms per un materiale ferromagnetico.
InduzioneresiduaBr o IJlagnetizzazione
residuaM,.: valore dì B o di M in un materiale
ferromagnetico dopo che H è diminuito fino a zero.
Forza coercitivaHc: campo magnetico necessario per diminuire l'induzione magnetica di
un materiale ferro o ferrimagnetico fino a zero.
Paragrafo 15.7
Materiale magnetico dolce: materiale magnetico con alta permeabilità e bassa forza
coercitiva.
Perdite di energiaper isteresi:lavoro o energia perduta durante un ciclo di isteresi B-H.
La maggior parte della perdita di energia è data dal movimento dei bordi di dominio
durante la magnetizzazione.
Perditadi energiaper correntiparassite:perdita di energia nei materiali magnetici mentre
si usano campi oscillanti;la perdita è dovuta a correnti indotte nel materiale.
Leghe magneficbe ferro-silicio: leghe dì ferro con 3-4%Si che sono materiali maimetici
dolci con alte induzioni dì saturazione, Queste leghe vengono usate nei motori e nei
trasformatori di potenza a bassa frequenza .e nei generatori.
Leghe magnetichenichel-ferro:leghe magnetiche dolci con alta permeabilità, usate per
applicazione elettriche nelle quali è richiesta alta sensibilità come trasformatori audio
e strumentL Due composizioni comunemente ut4lizzate sono 50%Ni-50%Fe e
79%Nì-21 ¾Fe.
Paragrafo.15.8
Materiale magnetico duro: materiale magnetico con alta forza coercitiva ed alta induzione
di saturazione.
Prodotto di energia {Bfflm11.x: valore massimo del prodotto dì B per H nella curva dì
smagnetizzazione di un materiale magnetico duro. Il valore (BH)max nelle unità SI si
mìsura in J;mJ.
Leghe magnetiche alnico: famiglia dì leghe magnetiche permanenti che hanno
composizione base di Al, Ni e Co e 25-50% Fe. Una piccola quantità di Cu e di Ti è
aggiunta ad alcune di queste leghe.
Ricottura magnetica: trattamento termico di un materiale magnetico in un campo
magnetico che allinea parte della lega nella direzione del campo applicato. Per
esempio, il precipitato a/ nella lega alnico 5 è allungato e allineato da questo tipo di
trattamento.
Leghe magnetichedi terre rare:famiglia dì leghe magnetiche permanenti con prodotti di
energia estremamente alti. SmCos e Sm(Co, Cuh,4 sono le due composizioni
commercialmente più importanti di queste leghe,
Leghe magneticheferro-cromo..cobalto:famiglia di leghe magnetiche permanenti che
contengono circa 30%Cr e l0-23%Co, resto ferro. QìJ:~Steleghe hanno ii vantaggio di
essere deformabili a freddo a temperatura ambiente.
Paragrafo 15.9
Ferriti dolci: composti ceramici con formula generale MO,Fe 2O 3, in cui M è uno ione
bivalente come Mn 2+, Zn 2+ o Ni 2"". Questi materiali sono ferrimagnetici e sono
isolanti e quindi possono essere usati per nuclei di trasformatori ad alta frequenza,
Struttura a spinello normale: composto ceramico che ha formula generale MO·M'.!O;i.Gli
ioni ossigeno in questo composto formano un reticolo CFC, con gli ioni M 2+ che
occupano i siti interstiziali tetraedrici e gli ioni M 3+ che occupano i siti ottaedrici.
764 Capitolo 15
Struttura a spinello inversa: composto ceramico che ha formula 8$nerale MO·M:10 3• Gli
2
ioni ossìgeno in questo composto formano un reticolo CFC. con gli ioni M + che
occupano i siti ottaedrici e gli ioni M 3+ che occupano sia i siÙ ottaedrici che quelli
tetraedrici.
Ferriti dure: materiali magnetici permanenti ceramici. Li famiglia più importante di
questi materiali ha composizione base MO-Fe20 3 • dove M è uno ione di bario (Ba) o di
stronzio (Sr). Questi materiali hanno una struttura esagonale ed hanno basso costo e
bassa densità.
APPENDICI
,•.
APPENDICE
[O
'
PROPRIETA
DI ALCUNI ELEMENTI
Elemento Simbolo Punto di Densità," Raggio Struttura Costanti

fusione, °C g/cm 3 atomico, nm cristallinai reticolari 20"C, nm
(20"C) a e
Alluminio Al 660 2.70 0.143 FCC 0.40496

Antimonio Sb 630 6.70 0.138 Romboedrica 0.45067
Arsenico As 817 5.72 0.125 Romboedricat 0.4131
Bario Ba 714 3.5 0.217 BCC:t: 0.5019
Berillio Be 1278 1.85 0.113 HCP+ 0.22856 0.35832
Boro B 2030 2.34 0.097 Ortorombica
Bromo Br -7.2 3.12 0.119 Ortorombica
Cadmio Cd 321 8.65 0.148 HCPt 0.29788 0.561667
Calcio Ca 846 1.55 0.197 FCC+ 0.5582
Carbonio e 3550 2.25 0.077 Esagona~ 0.24612 0.67078
(grafite)
Cesio Cs 28.7 1.87 0.190 ccc
Cloro Cl -101 1.9 0.099 Tetragonale
Cobalto Co 1498 8.85 0.125 EC+ 0.2506 0.4069
Cromo Cr 1875 7.19 0.128 ccq 0.26846
Fluoro F ,...220 1.3 0.071
Gallio Ga 29.8 5.91 0.135 Ortorombica
Rame Cu 1083 8.96 0.128 CFC 0.36147
• Densitàdel solido a 20"C.

t Altri tipi di strutture cristallineesistonoa temperature diverse.
768
Elemento Simbolo Punto di Densità,* Raggio Struttura Costanti

fusione, 0 c g/cm 3 atomico, nm cristallinat reticolari 20°c, nm
(20°C) a e
Argento Ag 961 10.5 0.144 CFC 0.40856

Azoto N -240 1.03 0.071 Esagonale+
Elio He -270 EC
Ferro Fe 1536 7.87 0.124 CCC+ 0.28664
Fosforo p 44.2 1.83 0.110 Cubica+
{bianco)
Germanio Ge 937 5.32 0.139 Cubica tipe diamante 0.56576
Idrogeno H -259 0.046 Esagonale
Indio lri 157 7.31 0.162 TetragonaleFC 0.45979 0.49467
Iodio I 114 4.94 0.136 ·ortorombica
Iridio fr 2454 22.4 0.135 CFC 0.38389
Litio Lì f80 0.53 0,157 ccc 0.35092
Magnesio Mg 650 1.74 0.160 EC 0.32094 0.52105
Manganese Mn 1245 7.43 0.118 Cubica:j: 0.89139
Mercurio Hg -38.4 14.19 0.155 Romboedrica
Molibdeno Mo 2610 10.2 0.140 ccc 0.31468
Neon Ne -248.7 1.45 0.160 CFC
Nichel Ni 1453 8.9 0.125 CFC 0.35326
Niobio Nb 2415 8.6 0.147 ccc 0.33007
Oro Au 1063 19.3 0.144 CFC 0.40788
Osmio Os 2700 22.57 0.135 HCP 0.27353
Ossigeno o -218 1.42 0.060 Cubica±
Palladio Pd 1552 12.0 0.137 CFC . 0.38907
Piombo Pb 327 11.34 0.175 CFC 0.49502
Platino Pt 1769 21.4 0.139 CFC 0.39239
Potassio K 63,9 0.86 0.238 ccc 0.5344
Renio Re 3180 21.0 0.138 EC 0.27609 0.44583
Rodio Rh 1966 12.4 0.134 CFC 0.38044
Rutenio Ru 2500 12.2 0.125 EC 0.27038 0.42816
Scandio Se 1539 2.99 0.160 CFC 0.4541
Silicio Si 1410 2.34 0.117 Cubica tipo diamante 0.54282
Sodio Na 97.8 0.97 0.192 ccc 0.42906
Stagno Sn 232 7.30 0.158 Tetragonale+ 0.5831 i 0.31817
Stronzio Sr 76.8 2.60 0.215 CFC:t 0.6087
Tantalio TA 2996 16.6 0.143 ccc· o.33026
Titanio ì 1668 4.51 0.147 EC:j: 0.29504 0.46833
Tungsteno w 3410 19.3 0.141 ccc 0,21648
Uranio u 1132 19.0 0.138 Ortorombìcatt 0.2858 0.4955
Vanadio V 1900 6.1 0.136 ccc 0.3039
Zinco Zn 419.5 7.13 0.137 EC 0.26649 0.49470
Zirconio Zr 1852 6.49 0.160 EC:j: 0.32312 0.51477
Zolfo s 119 2.07 0.104 Ortorombica
(giallo)
• Densitàdel solido a 20°C

t b = 0.5877 nm
:j:Altri tipi di strutture esistono a temperature diverse
m
RAGGI IONICI
DEGLI ELEMENTI
Elemento Ione Raggio Numero Elemento Ione Raggio

Numero
atomico (simbolo} ionico, nm atomico (simbolo) ionico, nm
1 H H- o'.154 22 Tì Tt2'"" 0.076

2 He Ti3- . 0.069
Ti4.;.. 0.064
3 Li Li"'" 0.078
4 Be Be2,;. 0.034 23 V v3... 0.065
93· 0.02
v4.,. 0.061
5 8 V5.;..
6 e c4- < 0.02 --0.04
7 N No.. 0.01 -0.02 24 Cr 03... 0.064
8 o 02- 0.132 cr6+ 0.03-0.04
F F- 0.133 25 Mn Mn2+ 0.091
9
Mn3.;. 0.070
10 Ne
11 Na Na*' 0.098 Mn4 + 0.052
12 Mg
Al
Mt.,.
Al.,.
00078
0.057
26 Fe Fe2+
Fe3+
0.087
0.067
13
14 Si s;4- 0.198 27 Co eo2+ 0.082
$j4+ 0.039 Co3+ 0.065
p p5+ 0.03 0,04 28 Ni Ni2-+ 0.078
15
16 s s2- 0.174 29 Cu cu+ 0.096
56+ 0.034 30 Zn Zn2"" 0.083
17 Cl ci- 0.181 31 GA Ga3+ 0.062
18 Ar 32 Ge Ge4+ 0.044
K K+ 0.133 33 As As3.... 0.069
19 Ag5+ ....,Q.04
20 Ca CA2+ 0.106
21 Se Sc2+ 0.083
• Ilraggio ionico può variarein cristallidifferentiper vari motivi.

770
Numero Elemento Ione Raggio Numero Elemento lohe Raggio

atomico (simbolo) ionico, nm atomico (simbolo) ionico,nm
34 Se Se2- 0.191 63 Eu Eu3+ 0.113

Se6- 0.03-0.04 64 Gd Gd 3"'" O.i 11
35 Br sr- 0.196 65 Tb Tb3..,. 0.109
36 Kr Tb4 ... 0.089
37 Rb Rb+ Q.149 66 Dy Dy3+ 0.107
38 Sr Sr2+ 0.127 67 Ho Go3"" 0.105
39 y y.,+ 0.106 68 Er 1:r3
... 0.104
Tm 3
40 Zr Zr4+ 0.087 69 Tm • 0.104
41 Nb Nb 4+ 0.069 70 Yb Yb3"" · 0.100
Nb 5.;. 0.069 71 Lu Lu3+ 0.099
42 Mo Mo4 .,. 0.068 72 Hf Hf4+ 0.084
Mo6"'" 0.065 73 Ta Ta5.,. 0.068
44 Ru Ru4 .,. 0.065 74 w w4+ 0.068
45 Rh Rh3- 0.068 vve- 0.065
Rh4 - 0.065 75 Re Re"- 0.072
46 Pd Pd2"" 0.050 76 Os 0s 4 • 0.067
47 Ag Ag+ 0.113 77 ir Jr4+ 0.066
48 Cd Cd2• 0;103 78 Pt Pt2- 0.052
49 In ln3-- 0.092 Pt4- 0.055
50 Sn Sn4 - 0.215 79 Au Au~ 0.137
Sn4 .,. 0.074 80 Hg Hg2- 0.112
51 Sb Sb3-- 0.090 81 TI TI"' 0.149
52 Te Te2- 0.211 Tl3-" 0.106
Te4 - 0.089 82 Pb Pb 4 - 0.215
53 1- 0.220 Pb2- 0.132
1!)~ 0.094 Pb~- 0.084
54 Xe 83 Bi Bi3- 0.120
55 Cs es- 0.165 84 Po
56 Ba Ba2 - 0.143. 85 At
57 La La3 - 0.122 86 Rn
58 Ce ce3- 0.118 87 Fr
Ce4
- 0.102 88 Ra Ra- 0.152
59 Pr pr3- 0.116 89 Ac
pr4- 0.100 90 Th Th4 - 0.110
60 Nd Nd3 - 0.115 91 Pa
61 Pm Pm3- 0.106 92 u u4-- .0.105
62 Sm Sm3- 0.113
• Il raggio ionico può variare in cristalli differenti per vari motivi.

Fonte: C. J. Smithelis(ed.), "Metals Reference Book", 5th ed.. Butterworth. 1976.
APPENDICE
~
GRANDEZZEFISICHE
E LORO UNITÀ DI MISURA
Quantità Simboli Unità Abbreviazioni
Lunghezza pollici in
metri m
Lunghezzad'onda >. metri m
Massa m chilogrammi kg
Tempo t secondi s
Temperatura T gradi Celsius oc
gradi Fahrenheit OF
kelvin K
hertz Hz [s-,1
Frequenza V
Forza p newton N [kg· m · s- 21
Sforzo:
Trazione (J pascal Pa [N · m- 2 1
Taglio r libbre x pollice quadro lb/ìn2 or psi
Energia. lavoro, joule J [N·m)
quantità di calore
Potenza watt w [J .5-1]
Intensità di corrente i ampere A
Carica elettrica q coulomb e [A·S]
Differenzadi potenziale, V.E volt V
forza
elettromotrice
Resistenzaelettrica A ohm n [V ,A-,]
Induzionemagnetica B tesla T IV·S • m- 21
772
Alfabeto greco
Nome Minuscolo Maiuscolo Nome Minuscolo Maiuscolo
Alpha a A Nu Il N
Beta /3 B Xi. ç
Gamma 'Y r Omicron o o
Delta
Epsilon
lii A Pi 7r n
E Rho p p
Zeta ( z Sigma (1 I
Eta 1J H Tau 'i T
Theta e e Upsilon V y
Iota L I Phì a, <I>
Kappa K K Chl X X
Lambda À A Psi 1P \Ji
Mu µ M Omega w Q
Prefissi delle unità SI
Multiplo Prefisso Simbolo
10-12 pico p
10-9 nano n
,o-6 micro µ
10- 3 milli m
10-2 centi e
10- 1 deci d
1
10 deca da
102 etto h
3
10 chilo k
106 mega M
109 giga G
1012 tera T
Esempio: 1 chilometri= 1 ,Km = 103 metrì

I•
APPENDICE
~
CORRISPONDENZA
TRA DUREZZA-
E PROPRIETÀMECCANICHE
Scala di durezza Carico di
Rockwell Vickers Brinell rottura
Ra Re HV HB (MPa)
70 "1076
68 942
66 854
64 789
62 739
60 695 614
58 655 587
56 617 560
54 580 534 1996
52 545 509 1873
50 513 484 1749
48 485 460 1626
46 458 437 1516.
44 435 415 1420
42 413 393 1331
40 393 372 1249
38 373 352 1173
36 353 332 1111
34 334 313 1050
32 317 297 988
30 301 283 933
28 285 270 885
26 271 260 844
24 257 250 803
99.0 22 246 240 768
97.8 20 240 227 741
95.5 220 210 700
92.3 206 195 645
89.0 188 179 597
85.0 171 163 542
80.8 156 149 501
76.4 143 137 460
72.0 132 126 432
67.6 122 116 398
I-
r•
BIBUOGRAf
Capitolo 1
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_ _;_ _____ ·-T.
· ·_· 4
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J. A. Salsgiver et ai. (ed.), Hard Magnetic Materials, ASM lnternational, 1987.
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88 386 0312-X S. Collin, Multimedia& CD;..ROM visti da vicino
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88 3860326-X D. Angell, B. Hetsop. UsareMosaic senzafatica
88 386 0327-8 D.C. Kay, Usare Works 3 semafatica
88 386 0317-0 D. Lowe, Wordper saperne di più sen:afarica
88 386 0318-9 G. Harvey, Excelper saperne di più sen::afatica
88 386 0324-3 A. Rathbone, Usai·eMultimedia & CD-ROM senzafatica
88 386 0288-3 D. McClelland. Usare Co,-e/DRAW!sen;afatica, 2a ed.
88 386 0289-l Tinel, UsareNovell Netware sen:.afatica
88 386 0216-6 D. Gookin. UsareDOS 6 senzafatica
88 386 0261-1 G. Harvey, UsareExcel senzafatica
88 386 0233-6 D. Pogue, Usareil Macintoshsen:afatìca
88 386 0155~0 D. Gookin, A. Rathbone Usare il persona! sen:a.fatica
88 386 0260-3 G. Harvey, UsareLows 1-2-3 sen:afatica
88 386 0201-8 A. Rathbone, Usare 0S11 sem.afarìca
88 3860211-5 J.R, Levine, M. Levine Young Usare Unix senza/mica
88 3860262-X Rathbone, Usare l•Vindows3.1 sen:afatica
J:o...
88 3860218-2 B. Slick, Usare Word 6 per DOS senzafatica
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O07 007741 X Bridger Jntroductìon.to Ergonomìcs
O07 008194 8 Brown Practical Foundation Engineering Handbook
O07 1125965 DeHoff Thermodynam.ics in Materiai Science
O07 l 125914 Donaldson Analysis of Aircraft Structures
O07 1008268 Edwards Foundamentals of Mechanical Component Design
O07 0218919 Frankel FaciliryBipilig Systems Handbook
O07 1133356 Gibson Principies o.fComposite Materia! Mechanics
O07 025302 I Guthrie The Architect's Portable Handbook
O07 707852 7 Hurst Rotary Power TransmissimzDesign
O07 049313 8 Merritt Standard Handbookfor Civil Engineers, Ath Ed.
O07 042805O Modem Plastics Plastics Reference Handbook
O07 0468818 Nayyar Piping Handbook. 61bEd.
O07 047740 X Optical Society of America The Handbook ofOptics. 12nd Ed.
O07 054038 I Rothbart Mecha11icalDesign Hcmdbook
O07 1128::!98 Smith Structure and Propenies qf'EngineeringAlloys. 2ndEcL
O07 0179034 Townsend Dudley s Gear Handbook. 2nd Ed.
O07 1128719 UUmanTlw MechanicaJDesign Process
O07 06581l O Ulrich Pmducr Design and Deve/opmem
O07 067958 4 Walsh McGrcrir~Hill
Machining and Metalworking Handbook
O07 OJ l 373 8 Young Roark:çFormulasfor Stress and Strain, 6th Ed.

Scienza e Tecnologia Dei Materiali (W. F. Smith)

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william f.

Copyright'© 1995 McGraw-HiH Libri Italia srl

I diritti dì traduzione, di riproduzione. di memorizzazione e di adattamento totale .e parziale

Editor: Alberto Kratter Thaler

Composizione e fotolito; Conedit Libri Sri, Cinisello Balsamo (MI)

1.1 Materiali e tecnologia

2.1 Struttura degli atomi 19

3.1 Reticolo spaziale e celle elementari 61

4.1 Solidificazione dei metalli 99

5.1 Defonnazione plastica dei metalli monocristallini 153

6.1 Lavorazioni industriali dei metalli 177

7.1 Diagrammi di stato di sostanze pure 240

8. I Produzione della ghisa e dell'acciaio 273

8.5 Leghe di aHuminio 315

9.1 Introduzione 361

10.1 Introduzione 455

11.1 Introduzione 523

12.1 Generalità 579

13. l Conduzione elettrica nei metalli 633

14.1 Introduzione 689

15.l Campi e grandezze magnetiche 722

I. Proprietà di alcuni elementi 767

Nella traduzione italiana ci siamo attenuti in modo sostanzialmente

1.1 MATERIALI E TECNOLOGIA

FIGURA1.1 l materiali giocanounruoloimportante nellatecnologia

FIGURA 1.2 (a)Ipotesidìconfigurazione

(Figura L2a); una proposta prevede la costruzione della struttura principale

1.2 SCIENZA E TECNOLOGIA DEI MATERIALI

La scienza dei materiali riguarda in primo luogo la conoscenza di base della

FIGURA 1.3 Spettro della

FIGURA 1.4 Lafigura

posizionata all'estremo relativo alle conoscenze applicate. ma non vi è una netta

1.3 TIPI DI MATERIALI

I materiali di interesse tecnologico sono normalmente suddivisi in tre classi

FIGURA 1!5 Il motore per

FIGURA 1.7 la pi. ''l,

FIGURA 1.8 (a)Esempi di nuovimateriali ceramiciavanzàti.

FIGURA 1.11 I materiali

Materiali materiali compositi sono formati dall'unione di due o pm materiali. La

fibre di carbonio in una matrice di resina epossidica. La Figura 1.16 mostra le

1.4 COMPETIZIONE TRA I MATERIALI

1910 1930 1950 1970 1990

FIGURA 1.12 Competizione

1978·1985 la percentuale di acciaio è diminuita, quella di alluminio aumentata e

FIGURA 1.13 Rìpartizione percentualein pesodeiprìncìpaH materiali

FIGURA 1.14 Previsioni :-_i

1.5 SVILUPPI FUTURI NELL'IMPIEGO DEI MATERIALI

esistenti possano essere perfezionate attraverso miglioramenti della composi-

plastiche rinforzate è cresciuto da 0,95 milioni di tonnellate nel 198 I a 1,13

Materiali L'uso del silicio e di altri materiali semiconduttori in microelettronica ha subito

FIGURA 1.17 Lacircuiteria

La scienza dei materiali e la tecnologia dei materiali (che insieme formano la

esistenti e nuovi, cosicché un materiale può essere sostituito da un altro in

Materiali: sostanze delle quali un oggetto è composto o costituito. Il termine materiale

2.1 STRUTTURA DEGLI ATOMI

di densità variabile, essendo il diametro totale dell'atomo dell'ordine di 10-10 m.

TABELLA2.1 Massa e carica dei protoni,

Protone 1,673 X 1Q-24 +1. 602 X 1Q- 19

La nuvola elettronica costituisce pertanto la maggior parte del volume

2.2 NUMERI ATOMICI E MASSE ATOMICHE

Masse atomiche La massa atonzicarelativa di un elemento è la massa in grammi di 6. 023 · 1023

2.3 STRUTTURA ELETTRONICADEGLI ATOMI

(a) Energìa assorbito '(b) Energiaernessa

FIGURA 2.2 {a)Elettrone