Facolt di Ingegneria

Dipartimento di Ingegneria Informatica, Modellistica,

Elettronica e Sistemistica

Corso di Laurea Magistrale in Ingegneria delle Telecomunicazioni

Corso di Laboratorio di Progetazione a Microonde
A.A 2012/13

Progettazione di una Substrate Integrated Waveguide

(SIW) alla frequenza di 17,5 GHz

DOCENTE: STUDENTI:

Ing. Emilio ARNIERI Carlos E. ANDRADE 153441

Vladimir GARCA 153440

INDICE

Propagazione in guida donda ........................................................................................................................... 5

Introduzione .................................................................................................................................................. 5
Guide donda sensa perdite........................................................................................................................... 6
Guida donda rettangolare ............................................................................................................................ 8
TE(Trasverso Elettrico)............................................................................................................................... 9
TM(Trasverso Magnetico) ......................................................................................................................... 9
TEM (Trasverso Elettrico e Magnetico) ................................................................................................... 10
Progetto e Simulazione Guida donda ............................................................................................................. 24
Substrate Integrated Waveguide (SIW) ........................................................................................................... 29
Disegno e simulazione della guida donda rettangolare ................................................................................. 33
Microstriscia .................................................................................................................................................... 39
Integrazione Microstriscia con SIW ................................................................................................................. 46
BIBLIOGRAFIA .................................................................................................................................................. 49
INDICE DEI GRAFICI

Figura 1. Struttura di un cavo coassiale ................................................................................................. 6

Figura 2. Tipi di strutture di guide donda ............................................................................................. 6
Figura 3. Distribuzione di campo per i modi TE10 e TM01 .................................................................. 7
Figura 4. Distribuzione di campo TE ...................................................................................................... 7
Figura 5. Distribuzione di campo TM ..................................................................................................... 8
Figura6. TE10 ........................................................................................................................................ 8
Figura 7. Guida rettangolare.................................................................................................................. 9
Figura 8. Campo elettrico ...................................................................................................................... 9
Figura 9. TE11 ....................................................................................................................................... 9
Figura 10. Modi TEM ........................................................................................................................... 10
Figura 11. Struttura di una guida donda rettangolare ....................................................................... 15
Figura 12 Tabella modi ........................................................................................................................ 18
Figura13. Frequenza di cutoff .............................................................................................................. 19
Figura 14. Tabella modi ....................................................................................................................... 20
Figura 15. Guida donda retangolare ................................................................................................... 21
Figura 16 . Frequenza Setup ................................................................................................................ 21
Figura17 . Edit Setup............................................................................................................................ 22
Figura 18 . Punti di eccitazione ............................................................................................................ 22
Figura19 . Campo sulla porta 1 in modo 10 ................................................................................... 23
Figura 20 . Costante di propagazione Reale ........................................................................................ 24
Figura 21 . Costante di propagazione Immaginario............................................................................. 25
Figura22. Confronto tra i due casi ....................................................................................................... 25
Figura 23 Valori usati per il setup ........................................................................................................ 26
Figura 24. Valori usati per lo sweep .................................................................................................... 27
Figura 25 Valore Im di Gamma ............................................................................................................ 27
Figura 26 Propagazione del campo nella guida rettangolare .............................................................. 28
Figura 27. Andamento del campo sulla waveport 2 ............................................................................ 28
Figura28. I diversi tipi di SIW .............................................................................................................. 30
Figura29. Struttura SIW ...................................................................................................................... 31
Figura30. SIW ....................................................................................................................................... 32
Figura31. Parametri SIW ...................................................................................................................... 32
Figura32. e ......................................................................................................................... 34
Figura 33. Propiet modello ............................................................................................................... 35
Figura 34. Configurazione SIW ............................................................................................................ 35
Figura 35. Parametri nella finestra del simulatore .............................................................................. 36
Figura 36 . Range di frequenze a simulare .......................................................................................... 37
Figura 37 Grafica della frequenza di cut-off ....................................................................................... 37
Figura 38 Grafica della della propagazione del campo ....................................................................... 38
Figura 39. Struttura di una linea a microstriscia.................................................................................. 39
Figura 40. Propagazione del campo elettrico da una linea a microstriscia ......................................... 40
Figura 41. Configurazioni di campo elettrico e magnetico in una linea in microstriscia ..................... 40
Figura42. Parametri della microstrscia nella finestra del simulatore ................................................. 41
Figura 43. Calcolo larghezza della microstriscia .................................................................................. 41
Figura 44. Calcolo larghezza ed altezza delle waveports..................................................................... 42
Figura 45. Struttura microstriscia ........................................................................................................ 42
Figura 46. Valori usati per il setup ....................................................................................................... 43
Figura 47. Valori usati per lo sweep .................................................................................................... 44
Figura 48. Coefficiente dassorbimento S11 ........................................................................................ 44
Figura 49. Parte real dellimpedenza dingresso Zo ............................................................................ 45
Figura 50. Propagazione del campo nella microstriscia ...................................................................... 45
Figura 51. Modello dintegrazione....................................................................................................... 46
Figura 52. Modello dintegrazione in HFSS .......................................................................................... 46
Figura 53 Impedeza sulla porta 1........................................................................................................ 47
Figura 54 Andamento S11 .................................................................................................................. 47
Figura 55 Propagazione campo .......................................................................................................... 48
Propagazione in guida donda

Introduzione

Le guide donda hanno assunto una grande importanza nei dispositivi di comunicazione a microonde, grazie
alla loro caratteristica di presentare basse perdite nei confronti di segnali ad alte frequenze (maggiore di 1
GHz). Tipicamente, una guida un tubo, a sezione rettangolare o circolare, contenente aria o altro dielettrico
a permittivit uniforme. Saranno qui richiamati solo i risultati derivanti dalla soluzione delle equazioni di
Maxwell entro guide donda, allo scopo di passare in veloce rassegna le caratteristiche della propagazione di
un campo elettromagnetico, e quindi della trasmissione di un segnale allinterno di un cammino guidato che
sar la conoscenza di base per calolare il parametro W che verr utilizato nella progettazione della SIW
(Substrate Integrated Waveguide) con una frequenza di cut-off fissata nelle spesifiche e cosi successivamente
integrare la SIW con la Microstriscia

5
Guide donda sensa perdite

Le guide donda ed il cavo coassiale sono i maggiori sistemi utilizzati nella propagazione dei segnali in
microonde. Il cavo coassiale essendo una guida molteplicemente connessa costituito da due metalli (interno
e esterno) separato da un dielettrico. Esso offre una grande larghezza di banda, di contro presenta una certa
difficolt nella fabbricazione di complessi sistemi di microonde e per tale motivo il suo utilizzo consigliato
soprattutto nella fase di test dei sistemi.

Figura 1. Struttura di un cavo coassiale

Faremo riferimento alla guida donda in generale, quindi non si ha conto in questa prima parte della forma
della guida, in quanto la guida potrebbe essere di forma rettangolare, circolare, di forma generica, etc. Le
guide donda possono essere inoltre a connessione singola costituite da un unico metallo o a connessione
multipla costituite da due metalli separati da un dielettrico.

Figura 2. Tipi di strutture di guide donda

La differenza delle trasmissioni via cavo e via guida donda che la seconda un mezzo di trasmissione a
banda stretta che si presenta come svantaggio. La propagazione avviene per onde piane normali alla
direzione di propagazione, e per ogni frequenza di lavoro si producono diverse configurazioni di campo,
chiamate modi che hanno le sue proprie caratteristiche di trasmissione come la ferquenza di cut-off che al di
sotto della quale non si propaga nulla nella guida, e come sono a banda stretta, queste tipi di guide donda si
possono utilizzare tra la frequenza di cutoff del modo che si attiva a frequenza pi bassa (detto modo
dominante) e la frequenza di cutoff del modo immediatamente successivo (detto primo modo superiore).

6
Al di sopra di tale frequenza, lenergia trasportata si distribuisce tra il modo dominante e i modi superiori,
dando luogo, innanzi tutto, a una propagazione dispersiva, e poi non potendo essere recuperata interamente.
Dunque lintervallo di frequenze in cui la propagazione assume caratteristiche non dispersive molto
ristretto in quanto i dispositivi di prelievo del segnale utile dalla guida sono normalmente adattati a un solo
modo. Il funzionamento utile della guida si ha dunque quando presente un solo modo di propagazione.

A seconda della configurazione dei vettori campo elettrico e magnetico, si hanno tre classi di modi di
propagazione:

Modo TEM (o fondamentale, che come si gi detto incompatibile con le condizioni di

propagazione in guida donda)
Modo TE (trasverso elettrico) Ez =0 ; E=Et
Modi TM (trasverso magnetico) Hz =0 ; H=Ht

La guida donda avendo meno di due metalli non presenta modi TEM, in quanto composta da un numero di
conduttori minore di due, quindi avr come modi di propagazione solamente i modi TE e TM nella varie
configurazioni. I diversi modi TE e TM sono caratterizzati da due indici, che individuano per ognuno di essi
anche il relativo modo.

Figura 3. Distribuzione di campo per i modi e

Nella gura seguente e riportato landamento del campo elettrico trasversale (tratto scuro) e del campo
magnetico trasversale (tratto piu chiaro) relativo ai primi modi di una guida donda rettangolare

Figura 4. Distribuzione di campo TE

7
 Figura 5. Distribuzione di campo TM

Guida donda rettangolare

Per capire il funzionamento di queste guide dobbiamo capire come si calcola il campo elettromagnetico
allinterno della struttura Il campo elettromagnetico di una qualunque struttura si determina usando
lequazioni di Maxwell. Si prendono lequazioni e si deve considerare le condizioni al contorno (dipendenti
dalla geometria della guida, cio le facce metalliche) e risolverle in questo contesto.

Seguendo questo procedimento si ottiene il campo elettromagnetico nella guida, ma in realt c un modo
standardizzato per risolvere questo tipo di problemi, descrivendolo in maniera pi semplificata, cio
utilizzando il concetto dei modi di propagazione.

Un modo definito come una particolare configurazione del campo elettromagnetico dentro la guida.

In pratica noi ci chiediamo come fatto il campo dentro la guida, cio com messo il campo elettrico e il
campo magnetico. Poich in genere il campo ha una configurazione complessa, sappiamo anche che ogni
configurazione complessa del campo elettromagnetico la possiamo scomporre come la sovrapposizione di
tanti campi che sono semplici da considerare. Questi campi semplici sono i modi di propagazione.

Un possibile modo il TE10 :

Figura6.

E un possibile modo in cui il campo elettromagnetico pu essere allinterno della guida. Un altro modo pu
essere il TE10 , ortogonale rispetto al precedente.

Per questo motivo piuttosto che studiare il campo generico nella guida siamo interessati a studiare queste
particolari configurazioni di campo.

Per ogni modo sempre definita una costante di propagazione e una frequenza di taglio (di cutoff). La
frequenza di cutoff una frequenza al di sotto della quale il modo non si propaga, essa infatti pu essere
vista come un limite inferiore, cio eccitando la guida donda con una frequenza pi alta del cutoff il modo
non esiste, non si propaga nella guida.

8
I modi vengono classificati in 3 tipi di modi diversi:

TE(Trasverso Elettrico): Modo in cui il campo elettrico trasverso rispetto alla direzione di
propagazione, assumendo che la guida diretta lungo z, il segnale si propagher nella direzione z, cio Ez=0,
la componente z del campo nulla.

Figura 7. Guida rettangolare

Trasverso elettrico quindi vuol dire che il campo elettrico sta sul piano x-y:

Figura 8. Campo elettrico

TM(Trasverso Magnetico): Modo un cui il campo magnetico trasverso rispetto alla direzione di
propagazione Hz=0

Figura 9.

9
TEM (Trasverso Elettrico e Magnetico): Modo dove pu essere visto come intersezione tra i modi TE e
TM, dove sia campo elettrico che magnetico sono trasversi rispetto a z , Ez = Hz =0.

Figura 10. Modi TEM

Il modo TEM un modo molto particolare, si pu dimostrare che questi tipi di modi possono esistere solo
nel caso di guide molteplicemente connesse.

Ora continuando la nostra analisi, dobbiamo cercare le espressioni per i campi nel caso TE, TM, TEM, cio
dobbiamo vedere che forma ha il campo elettromagnetico quando abbiamo a che fare con i modi allinterno
di una generica guida donda.

Trovare il campo elettromagnetico vuol dire che il campo elettrico ed il campo magnetico sono dei vettori,
E(x,y,z) e H(x,y,z), quindi il campo cambia a seconda del punto di osservazione.

Dobbiamo in pratica trovare come sono fatti E ed H risolvendo lequazioni di Maxwell. Partiamo gi
supponendo di sapere qual la forma generica che dovrebbe avere la soluzione finale (cio la forma che
dovrebbe avere sia il campo elettrico che magnetico). Questo lo si fa perch gi conosciamo come sono fatti
il campo elettrico e magnetico dentro la guida, allora per semplificare i calcoli nella risoluzione
dellequazione di Maxwell, invece che partire da zero, scriviamo come dovrebbero essere i campi e poi
queste soluzioni teoriche le andiamo a sostituire nellequazione di Maxwell per verificarle.

10
Il vettore E, ha in generale 3 componenti ex, ey, ez dirette appunto lungo x, y, z ed inoltre dipende dalla
posizione (x,y,z). Inoltre sappiamo che una soluzione che si propaga lungo z deve avere una dipendenza da z,
che data dallesponenziale , dove la costante di propagazione. In questo modo sto imponendo la
forma che deve avere la soluzione.

Per semplicit consideriamo mezzi senza perdite, questo vuol dire che se consideriamo i conduttori elettrici,
devono essere dei conduttori elettrici perfetti, se consideriamo il dielettrico dentro la guida, il dielettrico
senza perdite (abbiamo una guida che per esempio non si riscalda, un caso ideale).

Impostata la forma che devono avere le soluzioni, vediamo quali sono lequazioni che dobbiamo risolvere
per trovare poi come effettivamente sono fatti questi campi. Le equazioni da risolvere sono lequazioni di
Maxwell, infatti un qualunque problema elettromagnetico pu essere risolto attraverso lequazioni di
Maxwell pi delle opportune condizioni al contorno. In questo stadio dellanalisi poich ancora non stiamo
considerando una forma particolare della guida, non mettiamo le condizioni al contorno.

Consideriamo le prime due equazioni di Maxwell :

Essendo equazioni vettoriali ognuna di esse pu essere scritta in realt come 3 equazioni dipendenti dalle
componenti x, y, z:

11
Osservando le equazioni notiamo che possiamo scrivere le componenti trasversali in funzione di quelle
longitudinali:

2
Dove = =
costante di propagazione

Ed = 2 2 la cutoff wavenumber (che ha qualcosa di caratteristico del modo che stiamo

considerando) .

Ora possiamo analizzare dei casi particolari, in particolare vediamo cosa succede nel caso dei modi TE, TM
e TEM:

Per TEM si deve imporre Ez = Hz = 0 , ma sostituendo queste nellequazioni precedenti abbiamo un

0
problema, in quanto ci viene tutto zero, tranne nel caso particolare in cui anche Kc = 0, perch otteniamo ,
0
quindi otteniamo una soluzione indeterminata, da qui capiamo che molto probabilmente i modo TEM sono
qualcosa di legato a qualche caso particolare di Kc = 0. Quindi per calcolare i modi TEM, piuttosto che
lavorare sullultime equazioni scritte, conviene fare un passo indietro e considerare:

=

= dove =

Ed sostituendo in 1) si ottiene = che la nostra precedentemente ricavata, sapendo che =

2 2 , quindi = 0 .

12
Dunque i modi TEM hanno una particolarit ed cio il loro cutoff wavenumber , = 0. Inoltre, laltra loro
particolarit che loro possono esistere solo se consideriamo delle strutture molteplicemente connesse,
quindi noi lavorando con guide rettangolari non vedremo il modo TEM.

TE vale lo stesso procedimento per il TM 0 , = 0

0 = 0

Sostituendo in questo caso, otteniamo due sistemi dequazioni:

In questo caso, 0 , ed inoltre Kc essendo legata alla ( = 2 2 ), avremo quindi per ogni modo
TE una certa Kc (dipendente dalla geometria del problema che stiamo considerando).

Per risolvere queste equazioni, si utilizza lequazione delle onde:

13
Le onde elettromagnetiche devono rispettare lequazioni di Maxwell, ma anche lequazione delle onde
(Helmoltz). Considerando un generico campo A, posso riscrivere: 2 + 2 = 0 con K 2 = 2
costante di propagazione.

Se siamo in coordinate rettangolari la possiamo riscrivere come:

2 = 2 + 2 + 2

2 2 2
2 = + +
2 2 2

Lequazione dellonde ha questa forma, perch avendo delle derivate lungo x, y, z, con vettori diretti lungo
x, y, z, questo rappresenta il fatto che il campo, se noi ci muoviamo in una direzione cambia, varia, il fatto di
avere una derivata lungo x, vuol dire che lungo x il campo varia.

Scriviamo ora questa equazione delle onde per il caso del campo magnetico:

2 + 2 = 0

ci prendiamo la componente : 2 + 2 = 0

essendo interessati alla 2 + 2 = 0

ed esplicitando 2 , ottengo:

2 2 2
( + + + 2 ) = 0 (-)
2 2 2

, il campo magnetico (cos come il campo elettrico) abbiamo detto allinizio che devono avere una certa
forma, quindi:

(, , ) = (, )

Sostituendo questa in (-) ottengo:

2 2 2
(2 + 2 + 2 + 2 ) = 0 2 = 2 2

Questo mi dice come questequazione deve essere soddisfatta dal campo magnetico nel caso dei modi TE. E
unequazione che deve essere risolta, e la risolveremo di seguito, perch per farlo abbiamo bisogno di
definire la geometria.

Dopo aver effettuato una breve descrizione generale del funzionamento delle guide donde ci andremo a
soffermare sul tipo donda rettangolare.

Essa composta da 4 pareti di metallo, allinterno cava e possiamo avere sia aria o pi in generale
possiamo avere un dielettrico. Questa struttura fatta in modo da poter trasferire il segnale da un punto ad un
altro.

14
Particolarizziamo il tutto nel caso di una guida rettangolare:

Figura 11. Struttura di una guida donda rettangolare

Consideriamo il caso TE (per il modo TM vale lo stesso procedimento con ( 0 , = 0):

0 = 0

Poich stiamo calcolando il campo elettromagnetico, dobbiamo calcolare sia il campo elettrico che quello
magnetico. Partiamo dal campo magnetico:

2 2 2
dobbiamo quindi risolvere lequazione (2 + 2 + 2 + 2 ) = 0 (*)

che essendo unequazione differenziale utilizzo il metodo delle separazioni delle variabili:

(, ) = ()() ed sostituendo nella (*):

1 2 2
+ + 2 = 0
2 2

- 2 - 2

La somma dei tre termini deve essere uguale a zero, quindi la somma dei primi due termini deve essere = -
2 .

2
2 + 2 = 0

2
2 + 2 = 0

2
2 + = 2

15
La soluzione delle due equazioni differenziali nota:

() = cos( ) + sin( )

() = cos( ) + sin( )

Avendo (, ) = ()() , non conosciamo le costanti A,B,C,D che dipendono dalla geometria,
quindi le calcoliamo imponendo le condizioni al contorno sulle facce della guida, facce che sono fatte di
conduttore elettrico perfetto (C.E.P.).

Se considero un piano di conduttore elettrico perfetto (es. pareti di metallo), il campo elettrico deve essere
ortogonale al metallo, questo vuol dire che su un C.E.P. la componente del campo elettrico che parallela
deve essere uguale a zero, quindi questa la condizione al contorno che noi possiamo usare.

Per ogni faccia dobbiamo imporre le condizioni al contorno:

Faccia 1

y=0 , inoltre devo imporre che la componente del campo elettrico che parallela a questo piano deve essere
= 0 e questa componente la (, )|=0 = 0

Faccia 2

y=b, (, )|= = 0

Faccia 3

x=0, (, )| =0
=0

Faccia 4

x=a, (, )|= = 0

Ora come dal secondo sistema dequazioni in * si calcola ed in funzione di (che avranno ancora
dentro le costanti A,B,C,D), imponiamo poi le condizioni al contorno scritte in precedenza sulle facce ed
ottengo A,B,C,D, in particolare:

16

= = 0, =
,
, con n,m numeri interi

A e C sono ancora indeterminate , perch dipendono dalleccitazione della struttura, li possiamo porre = 1.
Cio, in una guida, il campo effettivo che andiamo a vedere dipende non solo dalla geometria, ma dipende
anche da come eccitiamo la struttura (con quanta potenza). Noi nella maggior parte dei casi non siamo
interessati a sapere quella che esattamente lespressione del campo ma la forma del campo, quindi A e C
possono rimanere indeterminati o li possiamo porre = 1.

(, ) = cos ( ) cos ( ) , con =

2 2
2 = 2 + 2 = ( ) ( )

2 2
= 2 2 = 2 ( ) ( ) , costante di propagazione che ci da informazione di coem si

propaga il segnale nella guida.

Affinch la radice sia reale deve essere positivo largomento.

pu essere :

a) Reale: segnale si propaga nella guida

b) Immaginaria : segnale si attenua nella guida, non riesco quindi a trasferire un segnale da un punto
ad un altro.

reale per K > , per K legato alla frequenza a cui stiamo lavorando, essendo:

= = 2 =
2

1 2 2
= = () () , frequenza di taglio o di cutoff
2 2

Se >

Se <

17
Nella guida abbiamo considerato il modo TE ed abbiamo visto che di modi TE ne abbiamo infiniti, poich
ogni coppia di indici (m,n) da un modo TE.

Il modo TE pi interessante quello che ha la pi bassa , vuol dire che il primo che riesco ad eccitare. Se
pensiamo di dare in ingresso alla guida un segnale con frequenza via via maggiore, allinizio non si propaga
niente, nel momento in cui raggiungo la del TE pi basso , quello comincia a propagarsi.

Siamo interessati alla fc pi bassa, alla fc del modo TE pi basso:

Per m=0 e n=0 , vediamo che questo non esiste dalle formule scritte in precedenza.

Per m=1 e n=0 10 modo fondamentale della guida rettangolare, poich per m=1,n=0 la ha il suo
valore minimo, cio quello con la frequenza di cutoff pi bassa.

Questo vuol dire che i modi li possiamo mettere in ordine, man mano che la frequenza di taglio sale:

Figura 12 Tabella modi

Tutti i discorsi fatti per valgono anche per

Applicazione pratica su guida donda rettangolare (Esempio Pozar 3.1)

Per le guide rettangolari possiamo avere due tipi di modi e

: frequenza di cutoff associata ad ogni modo, al di sotto della quale il modo non si pu propagare.

Affinch un certo modo si propaghi bisogna eccitare la guida con una frequenza che sia almeno pari a .

Dato il modo abbiamo la formula per il calcolo di :

2 2
= 2 (
) (
)

Implementandola in matlab vediamo come varia la in funzione della frequenza:

18
Codice matlab:
%c = 3e8;
epsilonr = 2.08;
epsilon0 = 8.85418781762*10^(-12);
epsilon = epsilon0*epsilonr;
mu = 4.*pi.*(10^(-7));

f=[0:1:35].*10.^(9);

m = [1:1:2];
n = [0:1:1];
a=0.0107;%1.07cm
b=0.0043;%0.43cm
%for i=0:(1e9):(35e9)
k=2.*pi.*f.*((epsilon.*mu).^(1/2));
%Kc=(((m(1).*pi)./a).^(2))+(((n(1).*pi)./b).^(2))

fcmn =
(1./(2.*pi.*((epsilon*mu).^(1./2)))).*((((m(1).*pi)./a).^(2))+(((n(1).*pi)./b).^
(2))).^(1/2);

beta = ((k.^2)-(((m(1).*pi)./a).^(2))-(((n(1).*pi)./b).^(2))).^(1/2);

beta2 = real(beta);
%end
%plot(fcmn,'*b');
grid on;
hold on;
plot (f, beta2, 'r');
xlabel('f');
ylabel('beta');

Figura13. Frequenza di cutoff

19
Si osserva che al di sotto della frequenza di cutoff, largomento sotto radice della un numero negativo,
quindi la immaginaria. Noi siamo interessati alla parte reale, quindi la parte reale sar zero. Invece sopra
, poich largomento diventa positivo, la diventa un numero reale crescente.

Applicheremo ora questi concetti allesempio del Pozar (3.1):

Dimensioni geometriche:

Fatto ci abbiamo tutti i dati necessari per calcolare le frequenze di cutoff:

Figura 14. Tabella modi

20
Quindi eccitando la guida ad esempio con una frequenza inferiore a 9,72 GHz , in uscita dalla guida non
vedo nulla, se invece eccito la guida ad esempio a 20 GHz, si propaga nella guida il modo 10 che il 20 ,
quindi vedo nella guida una configurazione di campo complessa che la sovrapposizione dei due modi.

I risultati ottenuti dalla creazione guida rettangolare (esempio pozar) sono:

Figura 15. Guida donda retangolare

Figura 16 . Frequenza Setup

21
 Figura17 . Edit Setup

Si pu notare come la diventa diversa da 0 in corrispondenza della frequenza di cutoff:

Figura 18 . Punti di eccitazione

22
Qui si pu osservare il campo sull porta 1

Figura19 . Campo sulla porta 1 in modo

Si noti come i risultati ottenuti precedentemente in modo matematico ora trovano riscontro nei risultati
ottenuti dopo la progettazione e simulazione.

23
Progetto e Simulazione Guida donda

Una volta descritto velocemente il funzionamento di una guida donda rettangolare analizziamo ora la sua
realizzazione.

Per prima cosa stata trovato il valore di Weff (nella Figura # rappresentata dal valore di a) che
rappresenta la larghezza della guida donda rettangolare, che sar utilizzata successivamente anche come
punto di partendo per il calcolo di W della SIW, attraverso la seguente formula:

=
2

2 2
2 = 2 + 2 = ( ) ( )

Si sostituisce

1 2 2
= ( ) +( )
2

In questo modo con una frequenza di cut-off di progetto

= 17,5 e sapendo che laltezza della ostra guida donda deve essere pari a = 0
abbiamo ricavato

= = 0

Analizando la forma della costante di propagazione

2 2
= 2 2 = 2 ( ) ( )

Si puo dire que:

Per < , reale, quindi il segnale si propaga

Figura 20 . Costante di propagazione Reale

24
Per > , immaginario, quindi il segnale si atenua

Figura 21 . Costante di propagazione Immaginario

Al confrontare le onde con le due costanti di propagazione, si pu vedere che quando > la onda ha
una atenuazioe del tipo esponenziale.

Figura22. Confronto tra i due casi

Dopo aver ricavato il valore di a si passati a disegnare la guida donda rettangolare (box) su HFSS usando
le dimensioni trovate

25
Alla box che lunga 10 volte a stato assegnato il materiale Rogers RT/duroid 5870 con valore di = 2,3.
Alle quattro facce della guida sono state assegnate come condizioni al contorno Perfect E, sono state
inserite due WavePort sulle quali devono essere specificati i modi che si vogliono usare, nel nostro caso
abbiamo inserito 1 per indicare il primo modo.

Successivamente sono stati inseriti i valori per la simulazione, in particolar modo il valore del setup stato
settato come segue:

Figura 23 Valori usati per il setup

Per il valore dello sweep stato impostato cosi:

26
 Figura 24. Valori usati per lo sweep
Dopo aver impostato tali valori si lanciata la simulazione ottenendo il grafico del valore di = + e
considerando solamente landamento del valore immaginario e cio di abbiamo ottenuto il seguente
andamento:

Figura 25 Valore Im di Gamma

27
Come si pu notare si ha ottenuto che questa guida donda rettangolare permette la propagazione del segnale
solo per valori di > 14.5 come stato richiesto dalle specifiche di progetto. Nella figura seguente
invece illustrato landamento della propagazione del campo allinterno della guida donda rettangolare

Figura 26 Propagazione del campo nella guida rettangolare

Infine al fare uno zoom dettagliato su una delle due porte si nota come landamento del campo rispetti quello
del modo TE10

Figura 27. Andamento del campo sulla waveport 2

28
Substrate Integrated Waveguide (SIW)

E una tecnologia in cui una guida d'onda si ottiene a partire da uno strato dielettrico compreso tra due piani
di massa, realizzando le pareti laterali attraverso due file di fori metallizzati. In pratica si ottengono guide, e
quindi componenti in guida da una tecnologia planare. La sperimentazione e l'adozione di una tale tecnologia
consentono di ridurre dimensioni e costi

Nel settore delle microonde e nei sistemi a RF commerciali la produzione di massa dei componenti
permettono bassi costi di acquisizione, ma questa tecnologia ancora non ampiamente adatta alla produzione
di massa perche ci sono problemi relativi alla fabbricazione, ad esmepio nella costruzione di circuiti integrati
a bassa perdita si riscontrano problemi relativi ai parametri fondamentali come avere un alto fattore Q per i
filtri a causa dei limiti prestazionali dettati dalla tecnica planare; per tale motivo in alcuni casi si fa ricorso a
strutture non planari come le guide donda metalliche. Luso di tecniche planari, come le guide donda
rettangolari, non possono essere molto attraenti per la costruzione di applicazioni diffuse, in quanto
difficile ottenere un produzione di massa e dal punto di vista fisico ottenere unimpedenza a larga banda tra
elementi attivi a bassa impedenza e circuiti a guida donda ad alta impedenza. Inoltre la guida donda stata
accantonata col passare degli anni a causa dei suoi problemi fondamentali: la difficile transazione ai circuiti
planari e la perdita di radiazione causata dalla discontinuit. Per questi motivi dapprima si ha proposto
tecniche di guide donda con dielettrico non-radiante (NRD) per risolvere alcune problematiche e
successivamente stato sviluppato il concetto di SIC (Substrate Integrated Circuits) per lo sviluppo di
circuiti ad alta frequenza. Tale tecnologia pu essere usata per la progettazione di una vasta gamma di
circuiti planari e non planari ibridi per applicazioni nelle microonde; allo stesso tempo, questo schema pu
essere usato per progettare a basso costo ed alte prestazioni (high-Q) circuiti passivi come oscillatori,
risuonatori, filtri, accoppiatori e cosi via.

I principali sistemi SIC sono essenzialmente:

SIW (Substrate Integrated Waveguide)

SISW (Substrate Integrated Slab Waveguide)
SINRDW (Substrate Integrated Non-Radiative Dieletric Waveguide)
SIIDG (Substrate Integrated Image Dieletric Guide)

29
 Figura28. I diversi tipi di SIW

Questa tecnologia rende possibile che sistemi che includano circuiteria planare, transizioni e guide
rettangolari possano essere fabbricati come planari usando la scheda standard di un circuito stampato oppure
usando altre tecniche planari.

Dunque lo scopo fondamentale della tecnologia SIC sintetizzare la struttura non planare con un substrato
dielettrico e renderlo in forma planare, che completamente compatibile con altri strutture planari. In genere,
pu essere fatto creando canali waveguiding, in questo caso sono generalmente impiegati il dielettrico
alternato da profili costanti di supporto con fori per l'aria o compositi di dielettrico e/o di sintesi di pareti
metalliche con vias metallizzati. La struttura risultante sul substrato sar una guida d'onda planare, che ha
migliori caratteristiche di perdita delle controparti planari, permettendo la progettazione di filtri a microonde
con high-Q, diplexer, risonatori e altri circuiti che utilizzano una fabbricazione con tecnica a basso costo.

La tecnologia SIC ancora nella sua infanzia e il suo potenziale deve essere esplorato e dimostrato, questa
tecnologia compatibile con molti processi di fabbricazione come il film sottile, HTCC, LTCC e MMIC, ci
si pu aspettare interessi forti e in crescita in esso per molte applicazioni ad alta frequenza. Inoltre, le
tecnologie emergenti spingeranno avanti lo sviluppo della SIC a un ritmo senza precedenti, che includono
nano-tecnologie, nuovi low-loss/smart materiali, radio-over-fibra, circuiti integrati fotonici, microonde,
system-on-chip e molti altri.

30
 Figura29. Struttura SIW

Le SIW sono state introdotte in quanto le guide donda classiche funzionano bene per presentano delle
limitazioni, le principali sono relative alla difficolt dintegrazione di queste guide con altri componenti, ad
esempio si deve combinare un circuito complesso che ha tanti componenti con una guida donda classica, ci
sarano dei problemi perche i componenti si possono stampare su una scheda utilizzando una tecnologia di
questo tipo, stampata che praticcamente sarebbe una cosa in due dimensioni, la guida donda piutosto in tre
dimensioni, quindi non si riesce a combinare elementi planari con le guide donda classiche, se si deve
stampare una scheda, tipicamente si usa altre tecniche per trasferire il segnale da un punto ad un altro, per
esempio la tecnica stripline*.

Per questo motivo sono state introdotte queste nuove guide che adesso costituiscono la struttura base della
tecnologia SIC.

Una SIW ottenuta realizzando un canale delimitato da cilindri metallici (via holes) in una piastra dielettrica
convenzionale. Il campo allinterno della guida sar, quindi, delimitato verticalmente dai due piatti metallici
paralleli, e orizzontalmente dallarray di cilindri.

31
 Figura30. SIW

Le SIW presentano tutti vantaggi delle guide donda classiche ed inoltre consentono un elevato grado di
integrazione tipico delle strutture a microstriscia. Recentemente sono stati presentati in letteratura diversi
dispositivi integrati basati sulla tecnologia SIW, come filtri ed antenne

I parametri fisici necessari per il design della guida sono il raggio a dei fori, la distanza p tra i fori e la
spaziatura W tra le due file. La distanza b deve essere mantenuta piccola per ridurre la perdita tra i cilindri
adiacenti. Tuttavia, il diametro dei cilindri D anche soggetto al problema di perdita. Come risultato, il
rapporto D/b considerato pi critico rispetto alla lunghezza in quanto il diametro del pitch e la lunghezza
del passo sono correlati. La SIW pu essere considerata come un normale guida d'onda omogenea, ed
infatti una guida d'onda artificiale periodica.

Figura31. Parametri SIW

32
Il campo elettromagnetico essendo intrappolato tra i cilindri, ai lati vede metallo, quindi deve partire da un
punto ed uscire da un altro punto, ed questo tipo di struttura si comporta in maniera molto simile ad una
guida ideale, ma poich la guida non continua, il campo non perfettamente contenuto tra i cilindri e
quindi fuoriesce dallaperture, questo fenomeno di fuoriuscita del campo conoscuito come leakage. Quando
la distanza tra i cilindri sono abbastanza vicini si ha dimostrato che questo fenomeno trascurabile, questa
distanza che si indica con la lettera p viene chiama pitch.

Se i cilindri sono troppo vicini tra di loro, la struttura si indebolisce e quindi il dielettrico rischia di spezzarsi,
quindi il valore del pitch da utilizzare, ogni volta frutto di un compromesso. Tipicamente le aziende che
fanno questo tipo di circuiti danno sempre un valore minimo per il pitch, questo poi dipende dal dielettrico,
spessore, frequenza a cui si lavora.

Il valore a che il raggio del cilindro dipende della lunghezza donda del segnale che si vuole trasmettere,
cio pi si lavora a frequenze alte, pi piccole sono le dimensioni degli oggetti che si crea nel circuito, e
quindi pi piccoli dovranno essere i cilindri nella guida, e la regola empirica a seguire :

2 <
5

Dove la lunghezza dona in guida, il raggio dei bucchi

Il obiettivo simulare una SIW con le seguenti specifiche:

= 17,5 (frequenza di cut-off a 17,5 GHz)

= 0,508 (altezza del substrato ARLON DICLAD870 con permettivit pari a 2.33)
Modo di trasmissione 10

Disegno e simulazione della guida donda rettangolare

Innanzitutto si usa la per vedere quanto deve essere , perche al variare la larghezza della guida, cambia
la frequenza di cut-off

Per calcolare la W, partiamo dalla guida ideale e calcoliamo il valore che tipicamente viene chiamata come
, quindi:

33
 1 2 2
= ( ) ( ) = 1, = 0 (10 )
2

Dove a la larghezza della guida ideale , la permitivit = 0 con 0 = 8,85 1012 , la

permibilit = 0 con 0 = 4 107 .

Figura32. e

Si ricava che 5,6 , 2 e abbiamo verificato che quella corretta come si vede in
Figura *, ma per simulare la SIW si bisogna che per il calcolo si pu usufruire di due formule

(2)2
= (1)
0.95

(2)2 (2)2
= 1,08 + 0,1 (2)

In questo caso, si usa la pi accurata (2) e si ottiene = 0,00 e come si aspetava > dovuto al
fenomno di leakage.

Per poter simulare nel software a scelta, prima si disegna il substrato con larghezza 2 a 3 volte W ed
lunghezza 4 a 5 volte W, cos si lascia spazio tra SIW e substrato dovuto al gi detto fenomeno di leakage.

34
 Figura 33. Propiet modello

Poi si disegna i cilindri rispettando i vincoli imposti precedentemente, dopo li sottraggo alla box e si assegna
i vari materiali, con relative condizioni al contorno (per gli oggetti bidimensionali, vedere fig)

Figura 34. Configurazione SIW

35
in pec sono presenti i cilindri e le due porte con altezza h e larghezza W, che sono i nostri punti di
osservazione.

Si imposta i parametri della simulazione:

Figura 35. Parametri nella finestra del simulatore

36
 Figura 36 . Range di frequenze a simulare

Come si vede dal plot si ottiene la frequenza di cutoff = 17,5 e quindi per frequenze superiori ad
riusciamo ad eccitare il modo TE10.

Figura 37 Grafica della frequenza di cut-off

37
In questa figura si illustra landamento della propagazione del campo allinterno della guida donda
rettangolare:

Figura 38 Grafica della della propagazione del campo

38
Microstriscia

Le linee a microstriscia (o microstrip) sono un tipo di guida d'onda impiegate nell'elettronica per la
propagazione guidata di onde elettromagnetiche. La tecnica di realizzazione di questa struttura, di tipo
planare, tipica dei circuiti stampati; sia dispositivi attivi che dispositivi passivi possono essere facilmente
inseriti in questi circuiti. Per le dimensioni estremamente ridotte e per la particolare leggerezza, la linea a
microstriscia viene utilizzata come linea di interconnessione in un vasto campo di applicazioni dei circuiti
integrati a microonde.

Le linee di trasmissione in microstriscia sono composte da un conduttore planare separato da un piano di

massa metallizzato per mezzo di un materiale dielettrico di altezza h e permettivit relativa e da una
striscia metallica di larghezza W e spessore t

Figura 39. Struttura di una linea a microstriscia

Come verr illustrato successivamente, una volta fissate le caratteristiche del substrato, possibile variare le
caratteristiche elettriche della microstriscia agendo esclusivamente sulla sua larghezza superiore.

Nonostante la struttura geometrica della microstriscia sia abbastanza semplice, lo studio del campo
elettromagnetico che si propaga in essa presenta notevoli difficolt in quanto vengono coinvolte due
dielettrici diversi. In particolar modo le linee del campo elettrico non sono contenute interamente tra la
striscia metallica ed il piano di massa, ma in parte fuoriescono e si propagano in aria e quindi teoricamente in
uno spazio infinito (per questo motivo laltezza delle porte sar maggiore rispetto al caso della SIW).

39
 Figura 40. Propagazione del campo elettrico da una linea a microstriscia

A causa della presenza di soli due dielettrico, in questa struttura non si pu propagare unonda TEM, ma in
generale esister un modo con tutte e sei le componenti del campo e quindi possiamo avere solamente i modi
TE e TM ma noi le considerazioni le faremo esclusivamente per i modi TE, dove Ez=0. Tuttavia, in
particolari geometrie, fino alle frequenze di microonde, le componenti longitudinali sono molto piccole
rispetto a quelle trasversali (sono nulle a frequenza zero), per tale motivo la differenza tra il modo presente
ed il modo TEM trascurabile e si parla di modo quasi-TEM.

Figura 41. Configurazioni di campo elettrico e magnetico in una linea in microstriscia

Dal punto di vista progettuale stata realizzata una microstriscia su HFSS utilizzando gli stessi parametri
usati per la realizzazione della SIW e sono riportati nella seguente figura:

40
 Figura42. Parametri della microstrscia nella finestra del simulatore

I valori di larghezza della microstriscia, dellaltezza e della larghezza delle porte sono state calcolati tramite
luso del sito emtalk.com ed abbiamo ottenuto i seguenti valori:

Figura 43. Calcolo larghezza della microstriscia

41
 Figura 44. Calcolo larghezza ed altezza delle waveports

Figura 45. Struttura microstriscia

Al di sopra della microstriscia stato inserito una box daria per poter simulare il corretto funzionamento di
una microstriscia nel caso reale, in quanto la microstriscia irradia, inoltre sono stati inseriti sulle quattro
faccie quattro rettangoli ed assegnato come condizione al contorno Radiation e successivamente sono stati
sottratti alle due Waveports, ottenendo la seguente struttura:

42
 0
Altezza della box daria: 0 > 4

3 10^8
0 = = = 0.015
20 10^9

0 3.75

stato scelto h0 = 6mm

Per la simulazione sono stati impostati i seguenti valori:

Figura 46. Valori usati per il setup

Mentre per lo sweep sono stati usati i seguenti parametri:

43
 Figura 47. Valori usati per lo sweep

Come si pu notare per la simulazione sono stati usati valori di frequenza superiori rispetto alla frequenza di
progetto in quanto tale struttura dovr funzionare non solo alla nostra frequenza di progetto ma in un range
immediatamente superiore, in quanto la microstriscia ci servir poi per eccitare la guida. Per poter verificare
ci abbiamo grafico i valori del coefficiente dassorbimento S11 ed il valore Re dellimpedenza Z0, ed
abbiamo ottenuto:

Figura 48. Coefficiente dassorbimento S11

44
 Figura 49. Parte real dellimpedenza dingresso Zo

Come si denota dalla Figura 40 il picco della curva del coefficeinte dassorbimento al di sotto del valori di
-10dB e questo avviene in tutto il range di frequenza simulata e ci permette di affermare che il nostro segnale
si propaga da una porta verso laltra allinterno della nostra guida. Per quanto riguarda la Figura 41 mostra
che riusciamo ad avere un buon adattamento al valore di 50 dellimpedenza dingresso nel range di
frequenze simulato.

A continuazione viene mostrato nella figura successiva la propagazione del campo allinterno della
microstriscia.

Figura 50. Propagazione del campo nella microstriscia

45
Integrazione Microstriscia con SIW

Lobbietivo prendere la SIW e fare una transizione che ci consenta di passare da microstriscia a guida.
Finora abbiamo eccitato con una porta posta allingresso della SIW, ora invece si vuole effettuare un tapering
che consente di trasferire il segnale elettromagnetico da SIW a qualche altro componente, per questo motivo
si usano delle transizioni, bisogna in pratica riuscire ad interconnettere la SIW alla microstriscia.

Il modello da considerare quello presente nella figura sottostante, in cui si cerca di sagomare, cio di
allargare o stringere i segmenti di lunghezza (anchessa variabile) in modo da trovare ladattamento
corretto, cio in modo tale da ottenere S11 pi basso possibile. La sagomatura sar effettuata su ambo i lati.

Figura 51. Modello dintegrazione

Il disegno effettuato in HFSS si vede cosi:

Figura 52. Modello dintegrazione in HFSS

46
Per le dimensioni delle variabili in gioco si rimanda alleseguibile.

E stato effettuato lo stesso setup fatto per la microstriscia, ottenendo i seguenti risultati:

ottenendo per le porte unimpedenza caratteristica prossima ai 50 per il range di frequenze dinteresse:

Figura 53 Impedeza sulla porta 1

Per lS11:

Figura 54 Andamento S11

47
Di seguito la propagazione del campo elettromagnetico nella nostra struttura:

Figura 55 Propagazione campo

48
BIBLIOGRAFIA

1. E. Salerno , Appunti di microonde , Istituto di Scienza e Tecnologie dellInformazione, CNR, a.a.

2003/04

2. P. Bernardi, M. Cavagnaro, Appunti di microonde: Strutture guidanti e giunzioni , Ed. Ingegneria

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http://physics.stackexchange.com/questions/78419/transverse-magnetic-tm-and-transverse-electric-te-modes

http://www.opencoesione.gov.it/progetti/1misepon01_012241/

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