Diseno Con Transistores

CONTENIDO DE LA CARPETA PARA PROCESO DE
ACREDITACIÓN SATCA1
Pág.
Ubicación del Curso en el Programa

Copia de la Retícula con la Materia Resultada en Color……………………... 3
Datos de la asignatura
Contenido completo de la materia………………………………………... …. 4
Titulares de la Materia
Listado de Catedráticos que imparten la materia…………………………….. 17
Temario
Unidad 1: Amplificadores multietapa. 21
1.1. Análisis con BJT……………………………………………………………… 21

1.1.1. Introducción al análisis con BJT. . ………………………………... 21
1.1.2. Principio de Superposición………………………………………... 23
1.1.3. Nomenclatura……………………………………………………… 24
1.1.4. Recta de Carga Estática……………………………………………. 25
1.1.5. Recta de Carga Dinámica………………………………………….. 27
1.2. Análisis con JFET…………………………………………………………….. 29
1.2.1. Estructura y características del JFET…………………………………….. 30
1.2.2. Análisis de la polarización del JFET…………………………………… 32
1.2.3. Ejemplos de Polarización del JFET……………………………….. 38
1.2.4. Modelo de señal del JFET…………………………………………. 41
1.2.5 Amplificador en fuente común…………………………………….. 42
1.3. Análisis de circuitos mixtos (BJT y JFET)…………………………………… 44
1.3.1. Tipos de acoplamiento…………………………………………….. 44
1.3.2. Acoplamiento directo……………………………………………… 45
1.3.3. Acoplamiento capacitivo…………………………………………... 46
49
Diseño con Transistores Página 1

Unidad 2: Arreglos especiales.
2.1. Darlington……………………………………………………………………. 49
2.1.1. Características……………………………………………………... 49
2.1.2. Desventajas………………………………………………………… 49
2.1.3. Darlington Complementario……………………………………….. 50
2.1.4. Configuración Darlington en Colector Común……………………. 50
2.1.4.1 Fórmulas para el cálculo del Darlington………………… 51
2.2. Amplificador Diferencial……………………………………………………. 52
2.2.1. Configuración Básica……………………………………………… 52
2.2.2 Análisis en Corriente Directa (C.D)……………………………….. 53
2.2.3. 3 Causas por las que el voltaje de salida entre colectores no sea 54
cero (0)
2.2.4 Análisis en Corriente Alterna (C.A)……………………………….. 55
2.2.5. Ganancia en Modo Común (Av.(MC))……………………………… 56
2.2.6. Ganancia en Modo Diferencial (Av.(MD))………………………….. 56
2.2.7. Características del Amplificador Diferencial……………………… 56
2.3. Amplificador Diferencial Espejo de Corriente…………………………….. 57
2.4. Amplificador Diferencial con Fuente de Corriente……………………….. 58
2.4.1. Ventajas……………………………………………………………. 59
2.4.2. Desventajas………………………………………………………… 59
2.5 Carga Activa…………………………………………………………………. 60
2.6 Amplificador sintonizado………………………………………………….... 61
2.6.1. Circuito Equivalente para C.D…………………………………….. 61
2.6.1.1. Recta de Carga para C.D………………………………. 62
2.6.2. Circuito Equivalente para C.A……………………………………. 63
2.6.2.1. Recta de Carga para C.A……………………………….. 63
2.6.3. Frecuencia de Resonancia (Fr)…………………………………….. 64
2.6.4 Factor de Calidad (Q)……………………………………………… 65
2.6.5 Ancho de Banda (Bw) …………………………………………….. 65
67

Unidad 3: Respuesta a la frecuencia.
3.1. Respuesta en baja y alta frecuencia del amplificador BJT. …………………………. 67
3.1.1. Respuesta en Frecuencia de un Amplificador. …………………… 67
3.1.2. Respuesta de un amplificador de alterna. ………………………… 67
3.1.2.1. Frecuencias de corte. ……………………………………….. 68
3.1.2.2. Banda media. ………………………………………………… 69
3.1.2.3 Fuera de las frecuencias medias. …………………………….. 69
3.1.3. Respuesta de un amplificador de continua. ……………………………… 71
3.1.4. Ganancia de tensión en decibelios. ……………………………………… 72
3.1.5. Diagrama de Bode. ………………………………………………………. 74
3.1.5.1 Octavas. ……………………………………………………… 75
3.1.5.2. Décadas. ……………………………………………………... 75
3.1.5.3. Circuito RC de desacoplo……………………………………. 76
3.1.5.4. Condensador de acoplo a la Entrada…………………………. 77
3.1.5.5. Condensador de acoplo a la salida. ………………………….. 77
3.1.5.6. Condensador de desacoplo de emisor………………………... 78
3.1.6. Teorema de Miller……………………………………………………….. 80
3.1.6.1. Condensador de realimentación. …………………………….. 80
3.1.6.2. Conversión del condensador de realimentación. …………….. 80
3.1.6.3. Circuito de desacoplo de colector. …...……………………… 81
3.1.6.4. Circuito de desacoplo de la base. ……………………………. 82
3.2. Respuesta en baja y alta frecuencia del amplificador JFET. ………………………… 83
3.2.1. Formulas. ………………………………………………………………… 84
Unidad 4: Amplificadores Retroalimentados…………………………….. 85
4.1. Configuración General………………………………………………………... 85
4.1.1 Ganancia de Lazo Cerrado………………………………………… 85
4.2. Topologías de retroalimentación. ……………………………………………. 86
4.2.1 Topología Serie-Paralelo………………………………………….. 87
4.2.2 Topología Paralelo-Serie………………………………………….. 87
4.2.3 Topología Serie-Serie……………………………………………… 88

4.2.4 Topología Paralelo-Paralelo………………………………………. 88
4.3. Efectos de la retroalimentación………………………………………………. 89
4.4 Tipos de retroalimentación…………………………………………………… 89
4.4.1 Retroalimentación Negativa………………………………………. 89
4.4.2 Retroalimentación Positiva………………………………………… 89
4.5. Respuesta en frecuencia. ……………………………………………………... 90
4.6. Ejemplo de Amplificador Retroalimentado…………………………………... 91
Unidad 5: Amplificadores de potencia. ……………………………………. 95
5.1 Conceptos básicos y aplicación. ……………………………………………… 95
5.1.1. Clasificación de los amplificadores de potencia…………………... 95
5.1.2. Relaciones básicas en los amplificadores de potencia…………….. 96
5.1.3. El amplificador clase A. ………………………………………….. 98
5.2. Análisis de expresiones de potencia y eficiencia. …………………………………… 100
5.2.1. Análisis del amplificador Clase A. ……………………………………… 104
5.2.2. Análisis del amplificador Clase B. ………………………………………. 105
5.3 Análisis de efecto térmico y distorsión. ……………………………………… 109
5.3.1. Análisis térmico. ………………………………………………….. 109
5.3.2. Distorsión. ……………………………………………………………….. 111
5.3.3. Distorsiones medibles……………………………………………… 113
5.3.4. Distorsiones temporales. TIM (SID). ……………………………. 115
5.3.5. Distorsiones térmicas. ……………………………………………. 116
5.3.6. Mecanismos de audición. ……………………………………………….. 117
5.3.7. Efectos de la distorsión: tipos de componente…………………….. 117
5.4 Análisis y diseño de amplificadores de potencia. …………………………………… 118
5.5 Efectos de ruido………………………………………………………………. 119
5.5.1. Ruido aleatorio. …………………………………………………… 119
5.5.2. Ruido periódico. …………………………………………………………. 120

Practicas
1 Amplificador multietapa……………………………………………………… 121
2 Amplificadores en cascada……………………………………………………. 126
3 Amplificador sintonizado……………………………………………………... 134
4 Amplificador Diferencial espejo de corriente ……………………………………. 141
5 Respuesta a la frecuencia en baja BJT………………………………………………. 147
6 Respuesta a la frecuencia en baja JFET …………………………………………….. 152
7 Respuesta a la frecuencia en alta BJT……………………………………………….. 156
8 Respuesta a la frecuencia en alta JFET ……………………………………………… 162
9 Amplificadores retroalimentados ……………………………………………………. 168
10 Amplificadores de potencia puch-pull ………………………………………………. 173
11 Amplificador con preamplificador …………………………………………… 178
12 Proyecto Final………………………………………………………………… 182
Criterios de evaluación hacia el alumno
1 Se tomaron en cuenta para la evaluación, tareas, asistencias, participación en 186
clase, Investigaciones, exámenes (2)
Reactivos o Exámenes Expuestos
1 Primer Examen………………………………………………………………... 187
2 Segundo Examen……………………………………………………………... 192

1.- DATOS DE LA ASIGNATURA
Nombre de la asignatura: Diseño con Transistores
Carrera: Ingeniería Electrónica
Clave de la asignatura: ETF-1013
SATCA1 3-2-5
2.- PRESENTACIÓN
Caracterización de la asignatura.
Esta asignatura corresponde al bloque de diseño de ingeniería, es una materia fundamental
para la formación integral de los estudiantes dado que propicia el uso de: equipo de
mediciones eléctricas, manuales de fabricantes de dispositivos electrónicos, y software de
diseño, comprende la solución problemas complejos, desarrolla habilidades de:
pensamiento lógico, creativo, y actitud para trabajar en equipo; aplica las tecnologías de la
información y de la comunicación para la adquisición y procesamiento de información de
manera natural, permanente y eficiente.
Aporta al perfil del ingeniero en electrónica los conocimientos, las habilidades y las
actitudes para diseñar, simular, construir y analizar la respuesta en el dominio de la
frecuencia de circuitos electrónicos analógicos basados en amplificadores con transistores
bipolares y unipolares; en baja, media y alta frecuencia, en lazo abierto, lazo cerrado, y
amplificadores de potencia, utilizando herramientas computacionales y equipo de
laboratorio de mediciones eléctricas.
La materia de diseño con transistores, desarrolla la habilidad para identificar problemas y
realizar proyectos para su posible solución.
Contribuye a desarrollar la habilidad para comunicarse con efectividad en forma oral y
escrita así como participar en equipos de trabajo interdisciplinario.
Está estructurada de tal manera que se aplican las teorías de análisis de circuitos eléctricos,
las características eléctricas de las diferentes configuraciones de los transistores BJT y
JFET, y de los diferentes circuitos de polarización, el modelo del cuadripolo equivalente
para baja, media y alta frecuencia, los conocimientos y la comprensión del comportamiento
a frecuencia media de circuitos amplificadores de pequeña señal. El análisis de circuitos

electrónicos utilizando software de simulación. El criterio de estabilidad de Bode para
analizar la respuesta de un sistema en el dominio de la frecuencia. El manejo de equipo de
mediciones eléctricas como osciloscopio, multímetro, generador de señales.
En la primera unidad se diseñan y analizan circuitos amplificadores de varias etapas, para
conocer y comprender su comportamiento a pequeña señal y frecuencia media.
En la segunda unidad se analiza la operación y se determina la ganancia de amplificadores
en arreglos especiales así mismo se identifica su aplicación.
En la tercera unidad se analiza la respuesta en frecuencia de los amplificadores
transistorizados.
En la cuarta unidad se estudian los efectos del fenómeno de retroalimentación en los
circuitos amplificadores, en baja y alta frecuencia.
Finalmente, en la quinta unidad se analizan y diseñan amplificadores de potencia basados
en dispositivos discretos.
Intención didáctica.
El estudiante a través del conocimiento y comprensión de los conceptos más relevantes del
comportamiento de los diferentes tipos de amplificadores basados en transistores de unión y
de efecto de campo analiza circuitos electrónicos para la resolución de problemas de
manera grupal e individual, el desarrollo de proyectos, y su exposición en plenaria ante el
grupo, la simulación de los circuitos utilizando herramientas computacionales, y trabajo en
equipo para la realización de prácticas en el laboratorio de electrónica para su
comprobación a través de equipo de medición.
Esto le permite adquirir los conocimientos para el diseño, análisis y aplicación de
amplificadores así como las habilidades en el manejo de equipo electrónico, software,
manuales de fabricante.
Desarrolla la habilidad para identificar y resolver problemas, hacer experimentos y reportes
de resultados de forma oral y escrita y hacer presentaciones utilizando las TICs para hacer
presentaciones ante el grupo, al trabajo colaborativo al trabajar en equipo y hacerse
responsable de su aprendizaje y a la práctica de los valores con respeto a la pluralidad y
diversidad del grupo.

El profesor debe ser un profesional que conozca la génesis del conocimiento de la
electrónica, debe tener un conocimiento profundo de la electrónica, manejar herramientas
computacionales, software de simulación de circuitos, equipo de prueba de laboratorio
como multímetro, osciloscopio, generador de señales, identificar y conocer las aplicaciones
de la electrónica en el contexto actual.
3.- COMPETENCIAS A DESARROLLAR

Competencias específicas:
 Analizar, diseñar y construir circuitos amplificadores de múltiples etapas,
configuraciones especiales, amplificadores sintonizados, amplificadores de lazo
abierto y cerrado, así como amplificadores de potencia, para su aplicación en
diferentes circuitos integrados lineales.
 Analizar la respuesta a la frecuencia de los amplificadores basados en transistores
bipolares y unipolares
Competencias genéricas:
Competencias instrumentales
 Capacidad de análisis y síntesis.
 Capacidad de organizar y planificar.
 Conocimientos generales básicos y de la carrera.
 Comunicación oral y escrita en su propia lengua.
 Conocimiento de una segunda lengua.
 Habilidades básicas de manejo de la computadora.
 Habilidades de gestión de información (habilidad para buscar y analizar
información proveniente de fuentes diversas).
 Solución de problemas.
 Toma de decisiones.
Competencias interpersonales
 Capacidad crítica y autocrítica.
 Trabajo en equipo.
 Habilidades interpersonales.

 Capacidad de trabajar en equipo interdisciplinario.
 Capacidad de comunicarse con profesionales de otras áreas.
 Compromiso ético.
Competencias sistémicas
 Capacidad de aplicar los conocimientos en la práctica.
 Habilidades de investigación.
 Capacidad de aprender.
 Capacidad de adaptarse a nuevas situaciones.
 Capacidad de generar nuevas ideas (creatividad).
 Liderazgo.
 Habilidad para trabajar en forma autónoma.
 Capacidad para diseñar y gestionar proyectos.
 Iniciativa y espíritu emprendedor.
 Preocupación por la calidad.
 Búsqueda del logro.
4.- HISTORIA DEL PROGRAMA

Lugar y fecha de elaboración o revisión
Instituto Tecnológico Superior de Irapuato del 24 al 28 de agosto de 2009.
Representantes de los Institutos.
Participantes
Tecnológicos de:
Aguascalientes, Apizaco, Cajeme, Celaya, Chapala, Chihuahua, Ciudad Guzmán, Ciudad
Juárez, Cosamaloapan, Cuautla, Culiacan, Durango, Ecatepec, Ensenada, Hermosillo,
Irapuato, La Laguna, Lázaro Cárdenas, Lerdo, Lerma, Los Mochis, Matamoros, Mérida,
Mexicali, Minatitlán, Nuevo Laredo, Orizaba, Piedras Negras, Reynosa, Salina Cruz,
Saltillo, Sur De Guanajuato, Tantoyuca, Tijuana, Toluca, Tuxtepec, Veracruz y Xalapa
Evento
Reunión Nacional de Diseño e Innovación Curricular para el Desarrollo y Formación de
Competencias Profesionales de la Carrera de Ingeniería en Electrónica.

Desarrollo de Programas en Competencias Profesionales por los Institutos Tecnológicos del
1 de septiembre al 15 de diciembre.
Participantes
Academias de Ingeniería Electrónica de los Institutos Tecnológicos de:
Chihuahua, Minatitlán, Tantoyuca, Hermosillo, Mexicali, Xalapa, Orizaba
Evento
Elaboración del programa de Estudio propuesto en la Reunión Nacional de Diseño
Curricular de la Carrera de Ingeniería Electrónica.

Reunión Nacional de Consolidación del Diseño e Innovación Curricular para la Formación
y Desarrollo de Competencias Profesionales del 25 al 29 de enero del 2010 en el Instituto
Tecnológico de Mexicali.
Participantes
Representantes de los Institutos Tecnológicos de:
Aguascalientes, Apizaco, Cajeme, Celaya, Chapala, Chihuahua, Ciudad Guzmán, Ciudad
Juárez, Cosamaloapan, Cuautla, Durango, Ecatepec, Ensenada, Hermosillo, Irapuato, La
Laguna, Lázaro Cárdenas, Lerdo, Lerma, Los Mochis, Matamoros, Mérida, Mexicali,
Minatitlán, Nuevo Laredo, Orizaba, Piedras Negras, Reynosa, Salina Cruz, Saltillo, Sur De
Guanajuato, Tantoyuca, Toluca, Tuxtepec, Veracruz y Xalapa.
Evento
Reunión Nacional de Consolidación de los Programas en Competencias Profesionales de la
Carrera de Ingeniería Electrónica.

5.- OBJETIVO GENERAL DEL CURSO
Analizar, diseñar y construir circuitos amplificadores de múltiples etapas, configuraciones
especiales, amplificadores sintonizados, amplificadores de lazo abierto y cerrado, así como
amplificadores de potencia, para su aplicación en diferentes circuitos integrados lineales.
Analizar la respuesta a la frecuencia de los amplificadores basados en transistores bipolares
y unipolares.
6.- COMPETENCIAS PREVIAS

 Aplicar las técnicas de análisis de circuitos eléctricos.
 Aplicar parámetros de redes de dos puertos.
 Manejar equipo de medición.
 Utilizar software de simulación.
 Diseñar, analizar, simular y construir circuitos amplificadores de frecuencia media
utilizando transistores bipolares y unipolares.
 Obtener e interpretar Diagramas de Bode
 Elaborar reportes de investigación.
 Formular, evaluar y ejecutar proyectos de aplicación electrónica
7.- TEMARIO
1. Amplificadores multietapa.
1.1. Análisis con BJT.
1.2. Análisis con JFET.
1.3. Análisis de circuitos mixtos (BJT y JFET).
2. Arreglos especiales 2.1. Darlington.
2.2. Diferencial.
2.3. Cascode.
2.4. Amplificador sintonizado.
2.5. Espejo de corriente.
2.6. Fuente de corriente.
2.7. Carga Activa.

3. Respuesta a la frecuencia.
3.1. Respuesta en baja y alta frecuencia Del amplificador BJT.
3.2. Respuesta en baja y alta frecuencia del amplificador JFET.
3.3. Ganancia ancho de banda del amplificador.
3.4. Amplificador sintonizado
4. Amplificadores Retroalimentados.
4.1. Topologías de retroalimentación.
4.2. Efectos de la retroalimentación.
4.3. Respuesta en frecuencia.
5. Amplificadores de potencia
5.1. Conceptos básicos y aplicación.
5.2. Análisis de expresiones de potencia y eficiencia.
5.3. Análisis de efecto térmico y distorsión.
5.4. Análisis y diseño de amplificadores de potencia.
5.5. Efectos de ruido
8.- SUGERENCIAS DIDÁCTICAS

 Propiciar actividades de búsqueda, selección y análisis de información en distintas
fuentes.
 Propiciar el uso de las tecnologías de información y comunicación en el desarrollo
de los contenidos de la asignatura.
 Fomentar actividades grupales que propicien la comunicación, el intercambio
argumentado de ideas, la reflexión, la integración y la colaboración de y entre los
estudiantes.
 Propiciar, en el estudiante, el desarrollo de actividades intelectuales de inducción-
deducción y análisis-síntesis, las cuales lo encaminan hacia la investigación, la
aplicación de conocimientos y la solución de problemas.
 Llevar a cabo actividades prácticas que promuevan el desarrollo de habilidades para
la experimentación, tales como: observación, identificación manejo y control de
variables y datos relevantes, planteamiento de hipótesis, de trabajo en equipo.

 Desarrollar actividades de aprendizaje que propicien la aplicación de los conceptos,
modelos y metodologías que se van aprendiendo en el desarrollo de la asignatura.
 Propiciar el uso adecuado de conceptos y de terminología científico tecnológica.
 Relacionar los contenidos de la asignatura con el cuidado del medio ambiente así
como con las prácticas de una ingeniería bajo las premisas de la sustentabilidad.
 Observar y analizar fenómenos y problemáticas propias del campo ocupacional.
 Relacionar los contenidos de esta asignatura con las demás del plan de estudios para
desarrollar una visión interdisciplinaria en el estudiante.
9.- SUGERENCIAS DE EVALUACIÓN
1. Reportes y actividades realizadas en el laboratorio.

2. Considerar la participación en las actividades programadas en la materia:
 Participación en clases.
 Cumplimiento de tareas y ejercicios.
 Exposición de temas.
 Asistencia.
 Participación en grupos de discusión.
 Participación en congresos o concursos.
 Solución de problemas.
3. Aplicar exámenes escritos considerando que no sea el factor decisivo para la acreditación
del curso.
4. Evaluar el desarrollo de los proyectos.
5. Considerar el desempeño integral del alumno.

10.- UNIDADES DE APRENDIZAJE
Unidad 1: Amplificadores Multietapa.

Competencia específica a desarrollar
Analizar, simular, diseñar y construir circuitos amplificadores multietapa basados en
transistores bipolares, unipolares y mixtos.
Actividades de Aprendizaje
 Buscar, seleccionar y analizar información en las distintas fuentes bibliográficas
propuestas; sobre el comportamiento, la estructura y aplicación de amplificadores
multietapa con BJT, FET y mixtos.
 En pequeños grupos analizar la información y reflexionar sobre el funcionamiento y
aplicación de los amplificadores multietapa.
 Hacer un reporte de investigación de manera escrita, que contenga circuitos,
conceptos, ecuaciones y al final elaborar un mapa conceptual a manera de resumen.
 Calcular la ganancia de amplificadores multietapa, de manera individual y por
equipo, comparar los resultados de éstos con un amplificador de una sola etapa.
 Analizar un amplificador multietapa con acoplamiento directo.
 Utilizar herramientas computacionales para simular el comportamiento de circuitos.
 En equipo de trabajo comprobar en el laboratorio que el comportamiento de los
circuitos multietapa sea de acuerdo al diseño y al resultado de la simulación.
 Desarrollar sus actividades con honestidad, responsabilidad y respeto.
 Hacer el reporte escrito de la práctica, esta deberá incorporar: los resultados de la
simulación, diagramas, cuadros, gráficos de las señales de entrada y salida, y tablas
de resultados, y conclusiones, para evidenciar las actividades realizadas por el
equipo de trabajo.

Unidad 2: Arreglos Especiales.

Arreglos especiales.
propuestas; sobre la estructura, el comportamiento y aplicación de amplificadores
en arreglos especiales.
 Analizar la información en grupos pequeños y presentar los resultados del análisis
en plenaria utilizando recursos computacionales.
 Simular el comportamiento de circuitos amplificadores en configuraciones
especiales, y amplificador sintonizado.
 En el laboratorio de electrónica construirá circuitos amplificadores de diferentes
tipos, para observar el comportamiento de los circuitos amplificadores en
configuraciones especiales, y amplificador sintonizado.
equipo de trabajo.
Unidad 3: Repuesta a la Frecuencia del Amplificador.

Repuesta a La Frecuencia Del
Amplificador.
propuestas; sobre la respuesta en frecuencia de los amplificadores.
 Analizar la información en grupos pequeños y presentar los resultados del análisis
en plenaria utilizando recursos computacionales.

 Observar y analizar la solución de un problema tipo resuelto por el profesor para
resolver problemas de manera autónoma.
 Investigar y analizar problemas resueltos en el libro que determinen el ancho de
banda de un amplificador
 Analizar y descomponer el problema en partes e Identificar los conocimientos y
métodos necesarios para su resolución
 Resolver problemas que involucren el ancho de banda del circuito.
 Simular y analizar la respuesta en frecuencia de los circuitos utilizando
herramientas computacionales.
 Construir amplificadores, utilizando transistores bipolares y unipolares para
observar su comportamiento en frecuencia.
equipo de trabajo.
Unidad 4: Amplificadores con Retroalimentación.
Competencia específica a desarrollar Actividades de Aprendizaje

Analizar e identificar los efectos de las diferentes topologías de circuitos retro alimentados
en los amplificadores que utilizan transistores bipolares y unipolares así como su efecto en
la respuesta en frecuencia.
 Buscar y seleccionar información general de los amplificadores retroalimentados,
que permita afrontar los temas relacionados con la introducción de la
retroalimentación negativa o positiva en un amplificador y la influencia sobre la
amplificación, banda, resistencias de entrada y salida, ruido.
 Analizar teóricamente y experimentalmente las diferentes configuraciones de
retroalimentación.

 Hacer una comparación de los parámetros del amplificador con y sin
retroalimentación.
 Analizar problemas resueltos en la bibliografía recomendada.
 Verificar en el laboratorio que el comportamiento del circuito sea de acuerdo al
diseño y resultado de la simulación.
Unidad 5: Amplificadores de Potencia.

Determinar la potencia y eficiencia de amplificadores de potencia; explicar los efectos de la
temperatura y distorsión en la eficiencia del circuito para su análisis, diseño y construcción.
 Buscar y seleccionar información general de los amplificadores de potencia.
 Hacer un cuadro comparativo de las diferentes tipos de amplificadores.
 Analizar expresiones de potencia y eficiencia.
 Analizar los efectos: térmico, distorsión y ruido.
 Observar y analizar la solución de un problema tipo resuelto por el profesor para
resolver problemas de manera autónoma.
 Investigar y analizar problemas resueltos en el libro.
 Analizar y descomponer el problema en partes y aplicar los conocimientos y
métodos necesarios para su resolución.
 Resolver problemas que involucren el cálculo de la potencia y la eficiencia de los
amplificadores de potencia.
 Calcular la eficiencia de un circuito y describir los efectos de la temperatura en su
comportamiento.
 Identificar y seleccionar la clase del amplificador para su aplicación específica.
 Verificar en el laboratorio que el comportamiento del circuito sea de acuerdo al
diseño y al resultado de la simulación.

equipo de trabajo.
11.- FUENTES DE INFORMACIÓN

1. Sedra, Adel S. Microelectronics Circuits. Mc. Graw Hill, 5ª Ed
2. Boylestad Robert L., Nashelsky Louis , Electrónica Teoría de Circuitos y Dispositivos
Electrónicos, Décima edición, Editorial Prentice Hall. México, 2009.
3. Savant. Roden, Carpenter, Diseño Electrónico, Circuitos y Sistemas, Prentice Hall.
4. Malvino Albert Paul, Principios de Electrónica Ed. Mc Graw Hill.
5. Millman Jacob, Halkias Cristos C., Electrónica integrada circuitos y sistemas analógicos
y digitales, Editorial Hispano Europea, S. A. 9ª Edición.
6. Grob. Circuitos electrónicos y sus aplicaciones. Ed. Mc Graw Hill
7. Floyd, Dispositivos Electrónicos, Editorial Prentice Hall.
12.- PRÁCTICAS PROPUESTAS
 Amplificador multietapa
 Amplificadores en cascada
 Amplificador sintonizado
 Amplificador Diferencial espejo de corriente
 Respuesta a la frecuencia en baja BJT
 Respuesta a la frecuencia en baja JFET
 Respuesta a la frecuencia en alta BJT
 Respuesta a la frecuencia en alta JFET
 Amplificadores retroalimentados
 Amplificadores de potencia puch-pull
 Puch-pull con preamplificador

TITULAR DE LA
MATERIA
ING. ALEJANDRO
VILLEGAS GONZÁLEZ

Unidad 1. Amplificadores Multietapa
Introducción:
Los aplicadores multietapa son circuitos electrónicos formados por varios transistores (BJT
o FET), que pueden ser acoplados en forma directa o mediante capacitores. Las
configuraciones clásicas son el par Darlington (alta impedancia de entrada e incremento de
la ganancia de corriente), el par diferencial (Relación de rechazo en modo común elevada),
el amplificador casco de (alta impedancia de salida). Todas estas etapas amplificadoras
pueden ser integradas y encapsuladas en un chip semiconductor llamado Circuito Integrado
(CI). En el CI las polarización de las etapas se hace usando fuentes de corriente, debido a la
mayor facilidad de construcción (a través de transistores). La combinación de distintas
tecnologías permitirá mejorar la prestación de los sistemas diseñados.
Un amplificador se describe un circuito capaz de procesar las señales de acuerdo a la
naturaleza de su aplicación. El amplificador sabrá extraer la información de toda señal, de
tal manera que permita mantener o mejorar la prestación del sistema que genera la señal
(sensor o transductor usado para la aplicación).
Se llama amplificador multietapa a los circuitos o sistemas que tienen múltiples transistores
y además pueden ser conectadas entre sí para mejorar sus respuestas tanto en ganancia, Zin,
Zout o ancho de banda. Las aplicaciones pueden ser tanto de cc como de ca.
1.1.1-Análisis con BJT.
En el circuito de figura 1.1. Se muestra un circuito típico de un amplificador de tensión con

un transistor BJT en emisor común polarizado en la zona activa. Con él se trata de
amplificar una tensión cualquiera vi y aplicarla, una vez amplificada, a una carga que
simbolizamos por la resistencia RL. La zona sombreada resalta el amplificador, que en este
caso, lo constituye un transistor BJT en la configuración emisor común. El cual,
convenientemente polarizado en la zona activa, es capaz de comportarse como un
amplificador de tensión como ya se mencionó en el capítulo anterior.

Los capacitores C1 y C2 que aparecen se denominan capacitores de acoplo y sirven para
bloquear la componente continua. En concreto C1 sirve para acoplar la tensión que
queremos amplificar al amplificador propiamente dicho, eliminando la posible componente
continua que esta tensión pudiera tener. Si no bloqueásemos esta continua se sumaría a las
corrientes de polarización del transistor modificando el punto de funcionamiento del
mismo. Por otra parte, el capacitor C2 nos permite acoplar la señal amplificada a la carga,
eliminando la componente continua (la correspondiente al punto de polarización del
transistor) de forma que a la carga llegue únicamente la componente alterna.
El capacitor C3 es un capacitor de desacoplo, su misión es la de proporcionar un camino a
tierra a la componente alterna. En el capítulo anterior se analizó el efecto de la resistencia
RE desde el punto de vista de su efecto en la estabilización del punto de polarización. Sin
embargo, en este capítulo veremos cómo desde el punto de vista de la amplificación, esta
resistencia hace disminuir la ganancia del amplificador. Al añadir el capacitor de desacoplo
conseguimos que la continua pase por RE mientras que la alterna pasaría por el capacitor C3
consiguiendo que no afecte a la amplificación.

1.1.2 Principio de Superposición:
Vamos a abordar el análisis de este tipo de circuitos amplificadores. Para ello aplicaremos
el principio de superposición. En cada punto o rama calcularemos las tensiones y corrientes
de continua y de alterna por separado, de forma que al final las tensiones y corrientes
finales serán la suma de las calculadas en cada parte. Para ello vamos a suponer que el valor
de la capacidad de los condensadores, así como la frecuencia de las señales que tenemos es
tal que la impedancia que presentan los condensadores es lo suficientemente pequeña para
considerarla nula. Mientras que en continua, estos condensadores presentarán una
impedancia infinita. Es decir, consideraremos que en continua los condensadores se
comportan como circuitos abiertos (impedancia ∞) mientras que en alterna equivaldrán a
cortocircuitos (impedancia 0).
Aplicando estas consideraciones obtendremos los circuitos equivalentes en DC y en AC

que tendremos que resolver separadamente.
Si en el circuito amplificador de la figura 1.1 aplicamos la condición de que los
condensadores se comportan como circuitos abiertos, obtenemos el circuito equivalente en
continua (figura 1.3). Podemos ver como este circuito es, precisamente, el circuito de
polarización del transistor cuyo estudio ya se abordó en el tema anterior y de cuya
resolución obtendríamos las tensiones y corrientes de continua presentes en el circuito.

Si por el contrario, al circuito de la figura 1.1 le aplicamos las condiciones para obtener el
circuito equivalente de alterna, es decir, suponemos que los condensadores se comportan
como cortocircuitos e, igualmente, cortocircuitamos las fuentes de tensión de continua, el
circuito que obtendríamos es el mostrado en la figura 1.4.
En este capítulo abordaremos el estudio y la resolución de este circuito abordando un

modelo para el transistor que nos permita el cálculo de las tensiones y corrientes en el
circuito.
1.1.3. Nomenclatura.
Al aplicar el principio de superposición, es conveniente ser cuidadoso con la nomenclatura

de las distintas variables eléctricas para no confundir ni mezclar las variables de alterna con
las de continua. En la figura 1.5 se muestra la nomenclatura que vamos a seguir

Antes de pasar al estudio propiamente dicho del circuito de alterna vamos a definir un par
de conceptos muy importantes a la hora de analizar el funcionamiento de un circuito
amplificador con un BJT, estamos hablando de las rectas de carga estática y dinámica.
1.1.4- Recta de Carga Estática.
La Recta de Carga Estática representa la sucesión de los infinitos puntos de funcionamiento

que puede tener el transistor. Su ecuación se obtiene al analizar la malla de salida del
circuito equivalente en continua.
La Recta de Carga Estática está formada por los pares de valores (VCE, IC) que podría tener
el transistor con esa malla de salida. Para obtener su ecuación matemática
f (VCE,IC)= 0, planteamos las tensiones en la malla de salida del circuito equivalente en DC.

Si tenemos en cuenta que:
Nos queda:
si suponemos que
Obtendríamos la ecuación que relaciona la VCE y la IC del transistor, dicha ecuación
representa una recta en el plano de las características de salida, y se conoce con Recta de
Carga Estática
Como ya se ha mencionado anteriormente, esta recta representa todos los posibles puntos
de funcionamiento que podrá tener el transistor con esa malla de salida. El punto de
funcionamiento Q se fijará mediante el circuito de polarización de entrada fijando la IB
correspondiente.

1.1.5.- Recta de Carga Dinámica.
La Recta de Carga Dinámica se obtiene al analizar la malla de salida del circuito

equivalente de AC. Está formada por la sucesión de los pares de valores (vCE, iC). Notar que
a diferencia del caso anterior, en este caso nos referimos a los valores totales (alterna más
continua) tanto de tensión como de corriente. Para obtener la ecuación matemática de esta
recta ( ) , analizamos la malla de salida del circuito equivalente en alterna
Si tenemos en cuenta que la componente incremental (o de alterna) de una señal se puede

obtener restando el valor de continua al valor total.
Haciendo este cambio de variable en la expresión anterior obtenemos la ecuación de la

Recta de Carga Dinámica

Tenemos la ecuación de una recta que pasa por el punto de funcionamiento (punto Q) y
cuya pendiente es el inverso del paralelo de RC y RL.
La Recta de Carga Dinámica siempre tiene más pendiente que la Recta de Carga Estática.
Únicamente en el caso de un circuito en el que y la salida esté en circuito abierto
( ) ambas rectas coincidirán.
La Recta de Carga Dinámica representa los pares de valores iC y vCE en cada instante como
se puede ver gráficamente en la figura 1.8.

1.2. Análisis con JFET.
Los transistores de efecto de campo (Field Effect Transistor, FET) se clasifican en los
siguientes dos grupos:

El símbolo de cada uno de ellos se muestra a continuación en la figura 1.10.
1.2.1- Estructura y características del JFET.
Los JFETs o Transistores de efecto de campo de unión son dispositivos de tres terminales
de baja potencia. La conducción de corriente la llevan a cabo a través de un solo tipo de
portador por lo cual se le reconoce como transistores unipolares. Sus terminales reciben los
siguientes nombres y se clasifican como lo muestra la figura.
El Principio de funcionamiento de los Transistores de efecto de campo (Field Effect

Transistor) FETS se sustenta en controlar la cantidad de portadores de carga de una región
de semiconductor denominada canal por medio de un campo eléctrico que se produce al
aplicar un voltaje entre la terminal denominada compuerta (Gate) y la terminal denominada
fuente (Source).
Los Transistores de efecto de campo de unión (JFET) se clasifican en:
1.- JFETS canal N, en los cuales su canal se fabrica con material tipo N y la compuerta es
de material tipo P

2.- JFET canal N en los que su canal es de material P y la compuerta de material N.
En la Figura 1.11. Se muestra la estructura de los dos tipos de JFET que existen:
En lo general las principales características de los FETs son:
1.- Alta impedancia de entrada.
2.- Se logran altas escalas de integración en circuitos integrados.
3.- Se pueden utilizar como memorias digitales al almacenar en su capacitancia

información en forma de voltaje.
4.- Se pueden utilizar como resistores controlados por voltaje en la región óhmica de
trabajo.
5.- Su condición de trabajo depende menos de la temperatura que la del BJT.
6.- Presentan la capacidad de manejar grandes corrientes.

7.- Pueden conmutar a altas velocidades.
8.- Son sensibles a la estática.
9.- No se pueden implementar amplificadores de voltaje con una ganancia significativa.
1.2.2- Análisis de la polarización del JFET.
Existen diversas formas de polarización para el FET, dos de las que más se emplean son:
1.- La Auto polarización
2.- La polarización por divisor de voltaje
Ambas formas de polarización se obtienen al resolver simultáneamente la ecuación del

circuito compuerta-fuente con la ecuación de Shockley que rige al JFET y a los MOSFET
decrementales.
En el circuito de la figura se muestra una auto polarización, en ella se puede observar que
con el simple hecho de conectar un resistor entre compuerta y tierra, el potencial de la
compuerta adquiere la tensión de 0 Volts, de tal forma que al circular una corriente ID a
través de la resistencia RS obligara a que la tensión existente entre compuerta y fuente sea
de signo negativo esto es VGS < 0 Volts con lo cual se estará en condiciones de empobrecer
el canal como lo requiere la polarización de los JFET. Además dicha resistencia RGG facilita
el acoplamiento de impedancia entre la fuente de señal y la entrada de circuito con
JFET.
Auto polarización

El desarrollo analítico de lo anteriormente mencionado se detalla en los siguientes
párrafos:
La cual representa una recta cuya pendiente es el negativo del reciproco del Resistor de
fuente RS . La intersección de esta recta con la curva de transconductancia que representa
la ecuación de Shockley
Determina el punto de operación estático en que trabaja el JFET como lo muestra la Figura
1.13.

Obteniendo el circuito equivalente de Thevenin en la compuerta del JFET se tiene
Aplicando la Ley de Voltajes de Kirchoff al circuito compuerta fuente de la figura 1.15.
La cual al igualarse con la ecuación de Shockley proporciona dos valores de V GS

debiéndose utilizar aquel que cumpla con ½ VGS ½ < ½ VGSOFF ½ puesto que la parábola
que representa la curva de transconductancia del JFET abre hacia los dos lados del vértice
VGSOFF siendo la primer rama la que resuelve el funcionamiento del dispositivo.

En cualquiera de las dos técnicas de polarización mencionadas el mejor compromiso entre
la estabilidad del punto de operación y la obtención de un adecuado valor de
transconductancia se encuentra cuando se cumple que el valor de la IDQ = IDSS/2 , lo cual
implica que VGSQ = -0.3 VDSS y gm = 1.414VDSS/IDSS embargo al establecer una
comparación entre la estabilidad del punto Q entre una auto polarización fija y una por
divisor de tensión polarización se puede observar en la figura siguiente que la polarización
por divisor de voltaje ofrece un menor margen de variación en el valor de la IDQ debido a
que la recta de carga al cruzar por el punto Q lo puede hacer con una menor pendiente de
manera aun cuando el JFET pueda presentar un amplio margen de variabilidad en sus
características como lo representan las dos curvas de transconductancia mostradas el
margen de error es menor para la polarización por divisor de tensión que para la auto
polarización.

Figura Margen de error de estabilidad de IDQ para la polarización por divisor de voltaje y la
auto polarización.
1.2.3.-Ejemplos de Polarización del JFET
Ejemplo 1.- (Análisis) Determine el punto de operación para una auto polarización fija en
la que se presentan las siguientes condiciones:

Solución:
Al igualar la ecuación del circuito compuerta fuente con la ecuación de Shockley resulta
Evidentemente que el valor indicado corresponde a VGS1 = - 1.29V el cual al sustituirlo en
Siendo el valor de la transconductancia gm en este punto de operación
Finalmente el valor de VDSQ viene dado por
Ejemplo 2.- (Diseño) Calcule para una auto polarización fija, el valor de RS y RD de
manera que IDQ = 2mA y VDSQ = 5V si se sabe que IDSS = 3.5mA , VDSS = 2.5V y VDD = 9V
Solución.- Se procede utilizando la ecuación de Shockley para despejar de ella VGSQ

Ejemplo 1.- (Análisis) Determine el punto de operación para una auto polarización por
divisor de tensión en la que se presentan las siguientes condiciones:
Se procede calculando el circuito equivalente de Thevenin en la compuerta
Al igualar la ecuación del circuito compuerta fuente con la ecuación de Shockley resulta
El valor correcto corresponde a VGS1 = - 0.234V el cual al sustituirlo en

Siendo el valor de la transconductancia gm en este punto de operación
Finalmente el valor de VDSQ viene dado por
1.2.4-Modelo de señal del JFET.
Por medio del modelo eléctrico de funcionamiento del JFET es posible determinar las
características de impedancia de entrada, impedancia de salida y ganancias de voltaje y
corriente de circuitos con JFET. En dicho modelo se considera que la impedancia de
entrada que existe entre compuerta y fuente es infinita y que el voltaje existente entre
dichas terminales al multiplicarse por la ganancia de transconductancia del JFET controla el
valor de una fuente de corriente dependiente del voltaje antes mencionado. En la figura
1.19. Se muestra dicho modelo

En este modelo el valor de la ganancia de transconductancia corresponde al grado de
pendiente que presenta la curva de la ecuación de Shockley de acuerdo al punto de
operación estático que la polarización haya provocado. La obtención de esta ganancia se
lleva cabo a continuación
1.2.5-Amplificador en fuente común.
La Ganancia de voltaje, de corriente y al impedancia de entrada de un amplificador en

fuente común como el mostrado en la figura se obtiene para la banda de paso al suponer
que los capacitores se comportan como corto circuito a estas frecuencias y haciendo cero la
fuente de corriente directa, luego se sustituye el modelo de pequeña señal del JFET y se
analiza el circuito hasta obtener dichas expresiones.

De acuerdo al circuito de pequeña señal se tiene

Por lo cual
1.3. Análisis de circuitos mixtos (BJT y JFET).
1.3.1. Tipos de acoplamiento
El acoplamiento establece la forma en la cual se conectan las distintas etapas

amplificadores, dependiendo de la naturaleza de la aplicación y las características de
respuesta que se desean. Existen distintos tipos de acoplamiento: Acoplamiento directo,
capacitivo y por transformador.

1.3.2- Acoplamiento directo
Las etapas se conectan en forma directa, es permite una amplificación tanto de la
componente de señal como de la componente continua del circuito. Se dice que los
circuitos de cc se acoplan directamente. La Fig.1.23. Muestra una aplicación de
acoplamiento directo.
En corriente continua se tiene
Así
Dado que la malla de entrada será
Entonces
De esta forma se determinan VCEQ1 y VCEQ2. Note que al hacer análisis en cc, los
efectos de la polarización de una etapa afectan a la otra.
Por otro lado, realizando el análisis en ca se tiene

De esta forma despejando ib2 de (7) y reemplazando en
(6)
El efecto de los elementos de la primera y segunda etapa está presentes en la ganancia del
sistema.
1.3.3- Acoplamiento capacitivo.
El acoplamiento capacitivo o por condensador se usa para interconectar distintas etapas, en

las cuales sólo se desea amplificar señal. La presencia del capacitor anula las
Componentes de cc, permitiendo sólo la amplificación de señales en ca. Los aplicadores de
ca usan acoplamiento capacitivo. Permite mayor libertad en el diseño, pues la polarización
de una etapa no afectará a la otra.

Extendiendo el sistema de la Fig. 3 a n-etapas, considerando la relación de ganancia de
cada una de ellas se dice que tiene que la ganancia del sistema será:
Considere amplificador emisor común (sin CE), de dos etapas de la Fig. 1.25. Donde
R1 = 3 [KΩ], R2 = 1 [K Ω], RE = 820 Ω, RC = 2 [K Ω] ; VCC = 10 [V ] : Por otro lado,
hfe = 100, hie pequeño.
Note que en cc ambas etapas quedan separadas, formarán un circuito de polarización

universal, de esta forma el punto de operación para cada etapa será:

En ca alterna analizando cada etapa por separado se tiene, para la etapa 1 se determina la
ganancia de voltaje. Planteando las ecuaciones en el circuito de la Fig. 1.25.
Conclusiones:
Los circuitos multietapa son sistemas construidos a partir de varios transistores, estos
pueden estar acoplados entre sí, ya sea en forma directa o a través de un capacitor.
Cuando las etapas son acopladas por capacitor se habla de circuitos de ca, si son acopladas
en forma directa se habla de circuitos en cc y ca. Las configuraciones multietapa
clásicas, el par Darlington, el amplificador diferencial y el casco de, presentan
características propias, alta impedancia de entrada e incremento de la corriente, alto RRMC
y alta impedancia de salida respectivamente, las cuales pueden ser mejoradas combinando
dichos circuitos con otros elementos, ya sea para su polarización (fuentes de corriente
activas) o como carga. La tecnología BiCMOS aprovecha lo mejor de ambas familias de
transistores, de tal forma de incrementar las prestaciones, en Rin, Av y Rout.

Unidad 2: Arreglos Especiales
2.1 Conexiones Darlington: Es también llamado amplificador compuesto, es una

conexión muy popular de dos transistores de unión bipolar para funcionar como un solo
transistor. La principal característica de esta conexión, es que el transistor compuesto actúa
como una sola unidad, con una ganancia de corriente que es el producto de las ganancias de
corriente de los dos transistores por separado.
En la figura 2.1 se puede observar el diagrama físico de esta conexión:
B
βt= β1xβ2
Figura 2.1 Conexión Darlington NPN

2.1.1 Características:
1. Alta ganancia de corriente (βt).
2. Alta impedancia de entrada (Zin).
3. Al estar integrados en el mismo encapsulado requieren menos espacio que los otros
diseños en la misma configuración.
2.1.2 Desventajas:
1. La tensión de base-emisor ahora es el doble de un solo transistor, es decir, para un
transistor de silicio, su voltaje de base emisor es de 0.7v, para el Darlington es el
doble de ese voltaje, en otras palabras, VBE= 2*0.7v= 1.4v.

2. Otro problema es la reducción de la velocidad de conmutación, ya que el primer
transistor no puede inhibir activamente la corriente de base de la segunda etapa,
haciendo al dispositivo lento para apagarse.
2.1.3 Darlington Complementario: Se comporta como un solo transistor PNP, con una
ganancia de corriente igual a β1*β2. Fue desarrollado originalmente porque los transistores
de alta potencia complementaria no estaban disponibles. El transistor complementario a
menudo es usado en una etapa especial conocida como etapa de salida cuasi-
complementaria.
En la figura 2.2 se puede observar el diagrama de la conexión de Darlington
complementario.
Figura 2.2 Darlington Complementario
2.1.4 Configuración Darlington en Colector Común: Este es la configuración

mejor aprovechada de este tipo de conexión debido a su gran ganancia de corriente,
recordemos que la configuración de colector común o también llamado seguidor emisor,
solo amplifica corriente no voltaje. En la figura 2.3 se observa el diagrama de conexión
Darlington en colector común.

Figura 2.3 Configuración Darlington Colector Común
2.1.4.1 Fórmulas para la polarización del circuito:

25mV
(2.1) T  1 * 2 (2.6) r 'e 
IC 2
(2.2)VBB  2 *VBE  VRE (2.7) re  RE / / RL
VRE
(2.3) IE2  (2.8) Zin  T (r ' e  re)
RE
I C1 IC 2
(2.4) I B1  
1 T
IC 2
(2.5) IB2 
2

2.2 Amplificador Diferencial: El amplificador diferencial (AD), es un circuito
pensado para amplificar la diferencia de dos señales. Es posible construir circuitos
amplificadores diferenciales con cualquier dispositivo semiconductor que pueda funcionar
como amplificador. Puede implementarse con transistores bipolares o transistores de efecto
de campo. En ambos casos se trata de acoplar dos dispositivos idénticos en su
configuración amplificadora (emisor o fuente común), por el terminal común (emisor o
fuente), correspondiente a la configuración.
En la figura 2.4 se muestra el diagrama en bloque de un amplificador diferencial.
Figura 2.4 Diagrama en bloque de un Amplificador Diferencial

2.2.1 Configuración Básica: En la figura 2.5 se puede observar el diagrama de la
configuración básica del amplificador deferencial.
Figura 2.5 Configuración Básica de Amplificador Diferencial

Para calcular el voltaje de salida se puede calcular de la siguiente manera:
Vout  Av (V1  V2 ) ………….. (2.9)

Donde:
 Av: Ganancia de Voltaje
 V1: Voltaje de entrada 1
 V2: Voltaje de entrada 2
2.2.2 Análisis en Corriente Directa (C.D): El análisis en CD es indispensable para la

polarización de los transistores. En la Figura 2.6 se observa el análisis para CD de la malla
1 del amplificador diferencial:
VBE  IT RE  VEE …………(2.10)

Despejando IT:
VEE  VBE
IT  …………(2.11)
RE
IT  2 * I E
IT …………….. (2.12)
IE  I C 
2
Figura 2.6 Malla 1 del amplificador

Diferencial

En el caso de la figura 2.5, se puede observar que contiene una resistencia de base RB, solo
se tiene que incluir en el análisis de CD de la siguiente manera:
IC
IB 
I B RB  VBE  IT RE  VEE …………… (2.13) Pero: 
IT VEE  VBE
Y: IC  entonces: IT  ……………….. (2.14)
2 RB
RE 
2
Lo ideal es que el voltaje entre colectores de los transistores debería ser cero (0), pero
debido a que los componentes introducen un margen de error ya que es muy difícil hacer
coincidir las características de ambos transistores, es de esperar que el voltaje entre
colectores para CD pueda variar entre 0V y 1.1V; arriba de este valor ya se considera una
mal configuración.
2.2.3 Causas por las que el Voltaje de salida entre colectores no sea cero (0)
1. I in ( Polarizacion ) 
I B1  I B 2 ; esta corriente es del orden de nano amperes
2
(nA), y provocan un voltaje de error:
Verror  ( RB1  RB 2 ) * I in ( Polarizacion ) …………… (2.15)

2. Corriente de Offset de entrada: Se define como la diferencia de las corrientes
continúas de base.
I in ( Offset )  I B1  I B 2 ……………… (2.16)

Igualmente estas corrientes generan un voltaje de error:
I in ( Offset )
Verror ( Offset )  ( RB1  RB 2 ) * …………. (2.17)
2

3. Tensión de Offset de Entrada: Se define como la tensión de entrada que producirá
la misma tensión de error de salida en un amplificador diferencial.
Verror
V( offset )  ………….. (2.18)
Av
2.2.4 Análisis en Corriente Alterna (C.A): En la figura 2.7 se muestra el circuito

equivalente para corriente alterna.
Figura 2.7 Circuito Equivalente para C.A
Para calcular la ganancia de voltaje quedaría de la siguiente manera:

VOUT iR
AV   c E
VIN ic 2 * r ' e
RE
Av  …………... (2.19)
2 * r 'e

2.2.5 Ganancia en Modo Común (Av(MC)): Si se aplican tensiones iguales a las
entradas, la tensión de salida sería igual a cero. Nadie emplearía deliberadamente un
amplificador diferencial de esta manera. La razón de hablar de este tipo de entrada es
porque las tensiones estáticas, las interferencias y otra clase de señales no deseables, son
señales en modo común, es decir, en las bases se presentan señales iguales que no son
deseables.
RC
Av( MC )  ……………. (2.20)
2 RE
2.2.6 Ganancia en Modo Diferencial (Av(MD)): Ya que lo ideal es colocar señales

diferentes que permitan generar una diferencia entre las dos y así amplificar dicha señal de
resultado, se habla de la ganancia en modo diferencial.
RC …………… (2.21)
Av( MD ) 
2 * r 'e
2.2.7 Características del Amplificador Diferencial:

1. No requiere el uso de capacitores de de entrada y salida
2. Amplifica prácticamente desde frecuencia cero
3. Es inmune al ruido, es decir, atenúa las señales de ruido presentes en la base.
Av( MD ) ………….. (2.22)

RRMC 
Av( MC )

2.3 Amplificador Diferencial Espejo de Corriente: Es una modificación del
amplificador diferencial básico, con la pequeña variación de que se agrega un diodo de
compensación, el cual, ayuda a anular los efectos de temperatura que disminuyen el voltaje
en el transistor. En la figura 2.8 se muestra la conexión básica del espejo de corriente.
Figura 2.8 Configuración Básica del Espejo de Corriente
El nombre de amplificador espejo de corriente se debe a que la corriente de la resistencia R

(IR), es igual a la corriente de emisor (IE).
VCC  VD
IR  …………….. (2.23)
R
IR  IE
NOTA: Antes de mostrar la configuración de un amplificador diferencial espejo de

corriente, es necesario hablar primero de otra configuración que lleva por nombre
amplificador diferencial con fuente de corriente.

2.4 Amplificador Diferencial con Fuente de Corriente: Al igual que el
amplificador espejo de corriente, este amplificador es una modificación al amplificador
diferencial básico, cuyo único propósito es el de mejorar el diseño del amplificador para
hacerlo más efectivo.
Este diseño presenta un cambio en la forma de obtener la corriente IT, en donde a diferencia
del circuito original, como ya se estudio en el punto 2.2, utiliza una resistencia RE común
para ambos transistores por la cual circula una corriente IT, mientras que el amplificador
fuente de corriente aprovecha la utilidad de un transistor NPN como fuente de corriente.
En la figura 2.9 se puede observar un amplificador espejo de corriente con la modificación
de fuente de corriente.
Figura 2.9 Amplificador Espejo de Corriente con Fuente de Corriente

2.4.1 Ventajas: La idea de colocar un transistor como fuente de corriente es obtener una
alta impedancia de entrada (Zin), y a su vez evitar el ruido.
2.4.2 Desventaja de esta configuración: Un gran problema que presenta esta

configuración es la dificultad para encontrar en el mercado los diodos de compensación o
también llamados diodos de baja señal, ya que son estos tipos de diodos los que permiten
un funcionamiento optimo de la configuración al asemejarse a los diodos internos de los
transistores. Una forma de disminuir este problema es colocando un transistor en forma de
diodo, como se muestra en la figura 2.10.
Figura 2.10 Diodo de Compensación a partir de un Transistor NPN.

2.5 Carga Activa: Al igual que las configuraciones vistas en el punto 2.3 y 2.4, la carga
activa es una modificación mas para los amplificadores deferenciales, con el único fin de
mejorar su funcionamiento. La carga activa se refiere a una carga manejada por el
transistor. En la figura 2.11 se observa el diagrama de un amplificador diferencial con carga
activa.
Q6
Figura 2.11 Diagrama de un Amplificador Diferencial con Carga Activa
Dado que Q6 es un transistor PNP que se comporta como una fuente de corriente, Q2 ve una
resistencia RC aproximada que tiene un valor de cientos de mega ohms (MΩ). En
consecuencia, la ganancia de tensión es mucho mayor con una carga activa que con una
resistencia normal. Cargas activas de este estilo son usadas en la mayoría de los
amplificadores operacionales encapsulados de la actualidad.

2.6 Amplificador Sintonizado: Se trata de un amplificador Clase C. Es un
amplificador que trabaja dentro de una banda estrecha son una frecuencia central llamada
fr, y el ancho de banda esta dado por las que se denominan frecuencias cuadrantales del
amplificador sintonizado (fl y fh). Estas frecuencias de corte superior e inferior están dadas
por los valores de fr para los cuales la ganancia cae 3dB, o la tensión cae 70.7% de su valor
máximo.
Estos amplificadores se proyectan para rechazar todas las señales cuyas frecuencias se
encuentran por debajo y por encima de la banda de operación. En la figura 2.12 se muestra
el diagrama de un amplificador sintonizado.
Figura 2.12 Diagrama de un Amplificador Sintonizado
2.6.1 Circuito Equivalente para C.D: En la figura 2.13 se puede observar el circuito
equivalente para corriente directa. Obsérvese que en CD el capacitor se comporta como un
circuito abierto, mientras que la bobina se comporta como un cortocircuito de resistencia
(RS) baja.

Figura 2.13 Circuito Equivalente para C.D.
2.6.1.1 Recta de Carga para C.D:
Calculando el circuito por Ley de Voltajes de Kirchhoff:
…………….. (2.24)
Vcc  VCE  I C RS
Pero debido a que la RS es muy pequeña la ecuación quedaría solo VCC=VCE
Ahora si de la formula (2.24), despejamos la corriente IC:
VCE
IC  ………….. (2.25)
RS
Como la resistencia es muy baja, se genera un corriente que tiende a infinito. En la grafica
2.1 se puede observar como quedaría la recta de carga para C.D:
Gráfica 2.1 Recta de Carga para CD

2.6.2 Circuito Equivalente para Corriente Alterna (C.A): En la figura 2.15 se
muestra el circuito equivalente para C.A:
Figura 2.15 Circuito Equivalente de C.A.
2.6.2.1 Recta de Carga para C.A:

Punto Q del transistor: Para calcular la IC(Saturación) el VCE=0V:
VCC
I C ( Saturacion )  …………. (2.26)
RS / / RL
El VCE=VCC. Por lo tanto la recta de carga para C.A quedaría de la forma en la que muestra
la grafica 2.2:
Grafica 2.2 Recta de Carga para C.A

2.6.3 Frecuencia de Resonancia (Fr): Se denomina frecuencia de resonancia a aquella
frecuencia característica de un cuerpo o un sistema que alcanza el grado máximo de
oscilación. Cuando un cuerpo es excitado a una de sus frecuencias características, su
vibración es la máxima posible, es se debe a que el sistema entra en resonancia.
Para el amplificador sintonizado de la figura 2.12, la fórmula para calcular la frecuencia de
resonancia es:
1
Fr  ………….. (2.27)
2 RC
En la grafica 2.3, muestra la frecuencia de resonancia, acompañado por el ancho de banda
dado por las frecuencias de baja y de alta (fl y fh).
Grafica 2.3 Frecuencia de Resonancia.

En la base de amplificador sintonizado de la figura 2.12, se observa la señal que muestra la
grafica 2.4:
<180
Grafica 2.4 Señal de Entrada en la Base del Amplificador Sintonizado

Una forma o impulso es rico en armónicos múltiplos de la frecuencia de entrada. En otras
palabras, los impulsos son equivalentes a un grupo de ondas SENO con frecuencias f, 2f,
3f,……nf.
El circuito tanque resonante solo presenta una alta impedancia (Z), a la frecuencia
fundamental f, lo que produce una ganancia de tensión grande a esta frecuencia. Por el
contrario, el circuito tanque presenta una impedancia (Z) baja, para los armónicos de orden
superior produciendo una ganancia de tensión muy pequeña.
2.6.4 Factor de Calidad (Q): También denominado factor de selectividad, es un

parámetro que mide la relación entre la energía reactiva que almacena y la energía que
disipa durante un ciclo completo de la señal. Es un parámetro importante para los
osciladores, filtros y otros circuitos sintonizados, pues proporciona una medida de lo aguda
que es su resonancia.
rC
Q ……………. (2.28)
xL
rc  R p / / RL .............. (2.29)
2.6.5 Ancho de Banda (Bw): Es la longitud, medida en hertz (Hz), del rango de
frecuencias en el que se concentra la mayor parte de la potencia de la señal.
Bw  f 2  f1 …………… (2.30)
Fr
Bw  …………….. (2.31)
Q

El amplificador sintonizado completo tiene un factor de calidad (Q), menor al factor de
calidad de la bobina (QL), ya que incluye el efecto de la resistencia de carga (R L), así como
la resistencia de la bobina (RS).
En la figura 2.16 se muestra el circuito equivalente de CA, del circuito tanque en conjunto
con el transistor y la resistencia de carga.
Figura 2.16 Circuito Equivalente de C.A.
Rp  QL X L ………….. (2.32)
Para calcular el factor de calidad para una bobina (QL):
rc
QL  .................. (2.33)
XL
La reactancia inductiva (XL), se calcula de la siguiente manera:
X L  2 * Fr * L ................... (2.34)
Los amplificadores clase C, tienen un factor de calidad Q<10, esto significa que el ancho de
banda es menor que el 10% de la frecuencia de resonancia. En consecuencia, los
amplificadores clase C son amplificadores de banda estrecha.
La salida de un amplificador clase C, es una tensión senoidal grande a la frecuencia de
resonancia, con un decrecimiento rápido en las frecuencias por encima y por debajo de
dicha frecuencia de resonancia.

Unidad 3 Respuesta a la frecuencia
3.1. Respuesta en alta y baja frecuencia del amplificador BJT
3.1.1. Respuesta en Frecuencia de un Amplificador
La respuesta en frecuencia de un amplificador es una representación de su ganancia en

función de la frecuencia.
Figura 3.1
3.1.2. Respuesta de un amplificador de alterna
La Figura representa la respuesta en

Figura 3.2.
frecuencia de un amplificador de alterna. En
la región de frecuencias medias la ganancia
de tensión es mínima. En este margen es
donde suele funcionar un amplificador. En
bajas frecuencias, la tensión de salida
disminuye debido a que los condensadores
de acoplo y de desacoplo ya no funcionan como cortocircuitos. En lugar de ello, sus
reactancias capacitivas son suficientemente grandes como para hacer caer parte de la
tensión de la señal alterna. El resultado es una pérdida de ganancia de tensión a medida que
se aproxima a cero hercios (0 Hz).

En altas frecuencias la ganancia de tensión decrece por dos razones en especial:
1.- Un transistor tiene capacidades internas en sus uniones, como se

representa en esta figura. Estas capacidades proporcionan caminos
cortocircuitados para la señal alterna. A medida que la frecuencia
aumenta, las reactancias capacitivas decrecen lo suficiente como para
entorpecer el funcionamiento normal del transistor. El resultado es
una pérdida de ganancia de tensión.
2.- Las capacidades parasitas de las

conexiones es otra razón para la pérdida de
ganancia de tensión a altas frecuencias. En
esta figura se ilustra que cualquier cable de
conexión en un circuito de transistor actúa
como una placa de condensador, y el chasis
actúa como la otra placa. Las capacidades parasitas de las conexiones son capacidades no
deseadas que forman caminos de derivación para la señal de alta frecuencia y le impiden
alcanzar la resistencia de carga. Esto es equivalente a decir que la ganancia de tensión
decrece.
3.1.2.1.Frecuencias de corte
Las frecuencias a las que la ganancia de tensión es igual a 0,707 de su valor máximo se
denominan frecuencias de corte.
En la Figura, es la f1 frecuencia de corte inferior

y f2, es la frecuencia de corte superior.

Las frecuencias de corte también se denominan frecuencias de mitad de potencia porque la
potencia en la carga a esas frecuencias es la mitad de su valor máximo.
Cuando la ganancia de tensión es 0,707 de su valor máximo, la tensión de salida es 0,707
del valor máximo. Recuérdese que la potencia es igual al cuadrado de la tensión dividida
por la resistencia. Cuando se eleva a1 cuadrado 0,707 se obtiene 0,5. Esta es la razón por la
que la potencia de carga a las frecuencias de corte es la mitad de su máximo valor.
3.1.2.2.Banda media
Se definirán frecuencias medias de un amplificador como el margen de frecuencias entre

10f1, y 0, lf1. En las frecuencias medias la ganancia de tensión del amplificador es
aproximadamente máxima y se denomina Amed. Tres características importantes de
cualquier amplificador de alterna son su Amed, f1 y f2. Dados estos valores, se puede saber
cuánta ganancia de tensión hay en las frecuencias medias y dónde se reduce a 0,707 Amed.
3.1.2.3.Fuera de las frecuencias medias
Aunque un amplificador funciona normalmente en las frecuencias medias, hay veces en las
que se desea saber la ganancia de tensión fuera de esta banda. Esta es una aproximación
para calcular la ganancia de tensión de un amplificador:
(3.1)
Dados Amed, f1, y f2, se desea calcular la ganancia de tensión a cualquier frecuencia f. Esta
ecuación supone que un condensador dominante está produciendo la frecuencia de corte
inferior y otro produce la frecuencia de corte superior. Un condensador dominante es aquel
que es más importante que los otros para determinar la frecuencia de corte. Sólo hay que

analizar tres zonas de frecuencia: las frecuencias medias, las frecuencias inferiores y las
frecuencias superiores.
En las frecuencias medias, f1/f ≈ 0 y f/f2 ≈ 0. Por tanto, ambos radicales en la Ecuación
anterior son aproximadamente igual a 1, y la Ecuación se simplifica a:
Banda media: A = Amed
Por debajo de las frecuencias medias f/f2 ≈ 0. Como resultado, el segundo radical es igual a
1 y queda de la siguiente forma:
Por debajo de las frecuencias medias:
(3.2)
Por encima de las frecuencias medias f1/f ≈ 0. Por consiguiente, el primer radical es igual a
1 y se simplifica como sigue:
Por encima de las frecuencias medias:
(3.3)

3.1.3. Respuesta de un amplificador de continua
Un diseñador puede usar acoplamiento directo entre las etapas de un amplificador. Esto
permite al circuito amplificar todas las frecuencias hacia la frecuencia de cero hercios (0
Hz). Este tipo de amplificadores se denomina amplificador de continua.
La Figura representa la respuesta en frecuencia

de un amplificador de continua. Como no hay
frecuencia de corte inferior, las dos
características importantes de un amplificador
de continua son Amed y f2. A partir de estos
valores indicados en una hoja de características, tenemos la ganancia de tensión del
amplificador en las frecuencias medias y su frecuencia de corte superior.
La mayor parte de los amplificadores de continua se diseñan con una capacidad dominante
que proporciona la frecuencia de corte superior. Por esto, se puede utilizar la siguiente
fórmula para calcular la ganancia de tensión de los amplificadores de continua típicos:
Formula: Ejemplo:
(3.4)
3.1.4. Ganancia de tensión en decibelios

La ganancia de tensión es la tensión de salida dividida por la tensión de entrada:
(3.5)
La ganancia de tensión en decibelios se define como:
(3.6)
Si un amplificador tiene una ganancia de tensión de 100.000, obtiene, una ganancia de

tensión en decibelios de:
 Etapas en Cascada
En la figura se muestra dos etapas de

ganancia de tensión, la ganancia de tensión
total del amplificador de dos etapas es
idealmente el producto de las ganancias
individuales de tensión:
(3.7)
Al calcular la ganancia de tensión en decibelios en lugar de la ganancia de tensión en las

unidades habituales se aplica la siguiente formula:
(3.8)
Ejemplos:

¿Cuál es la ganancia total de tensión de la figura en decibelios?
( )( )

3.1.5. Diagrama de Bode
Un Diagrama de Bode es una

representación gráfica que sirve
para caracterizar la respuesta
en frecuencia de un sistema.
Normalmente consta de dos
gráficas separadas, una que
corresponde con la magnitud de
dicha función y otra que
corresponde con la fase. Recibe su
nombre del científico que lo desarrolló, Hendrik Wade Bode.
El diagrama de magnitud de Bode dibuja el módulo de la función de transferencia

(ganancia) en decibelios en función de la frecuencia (o la frecuencia angular) en escala
logarítmica. Se suele emplear en procesado de señal para mostrar la respuesta en
frecuencia de un sistema lineal e invariante en el tiempo.
El diagrama de fase de Bode representa la fase de la función de transferencia en función de

la frecuencia (o frecuencia angular) en escala logarítmica. Se puede dar en grados o
en radianes. Permite evaluar el desplazamiento en fase de una señal a la salida del sistema
respecto a la entrada para una frecuencia determinada.
La respuesta en amplitud y en fase de los diagramas de Bode no pueden por lo general

cambiarse de forma independiente: cambiar la ganancia implica cambiar también desfase y
viceversa. En sistemas de fase mínima (aquellos que tanto su sistema inverso como ellos
mismos son causales y estables) se puede obtener uno a partir del otro mediante
la transformada de Hilbert.
Si la función de transferencia es una función racional, entonces el diagrama de Bode se

puede aproximar con segmentos rectilíneos. Estas representaciones asintóticas son útiles
porque se pueden dibujar a mano siguiendo una serie de sencillas reglas (y en algunos casos
se pueden predecir incluso sin dibujar la gráfica).

3.1.5.1.Octavas
En la música las octavas significan duplicar la frecuencia, en la electrónica significa en

cocientes como ⁄ y ⁄ . Por ejemplo, si = 100 Hz y = 50 Hz, el cociente ⁄
es:
Se puede describir esta relación diciendo que esta una octava por debajo de .
Otro ejemplo, suponga que = 400 kHz y = 200 kHz. Entonces:
Lo que indica que esta una octava por encima de .
3.1.5.2. Décadas
Una década tiene un significado similar en cocientes como ⁄ ⁄ , excepto que se

utiliza un factor de 10 en lugar de 2. Por ejemplo, si = 500 Hz y = 50 Hz
Se puede describir esta relación diciendo que esta una década por debajo de
Otro ejemplo, suponga que = 2 MHz y = 200 kHz. Entonces:
Este resultado significa que está una década por encima de .

3.1.5.3. Circuito RC de desacoplo
Este circuito se denomina a menudo red de retardo de fase

porque a altas frecuencias la tensión de salida va por detrás
de la tensión de entrada. Dicho de otra forma: si la tensión
de entrada tiene un ángulo de fase de 0°, la tensión de
salida tiene un ángulo de fase comprendido entre 0º y -90º.
A bajas frecuencias, la reactancia capacitiva se aproxima a infinito, y la tensión de salida se

hace igual a la tensi6n de entrada. A medida que crece la frecuencia, la reactancia
capacitiva decrece, lo cual hace disminuir la tensión de salida. Recuérdese de cursos
básicos de electricidad la tensión de salida para este circuito es:
( )
√
Si reordenamos la ecuación anterior, la ganancia de tensión del circuito RC de desacoplo

viene dado por la expresión:
( )
√
Como el circuito tiene solo dispositivos pasivos, la ganancia de tensión es siempre menor o
igual a 1.
La frecuencia de corte de una red de retardo de fase se produce donde la ganancia de

tensión es 0,707. La ecuación para la frecuencia de corte es:
( )
A esta frecuencia, Xc = R y la ganancia de tensi6n vale 0,707.

3.1.5.4.Condensador de acoplo a la entrada
Cuando se acopla una señal alterna a la entrada de

una etapa de amplificación, el circuito equivalente es
como el de la Figura. La resistencia del generador y
la resistencia de entrada de la etapa, aparecen junto al
condensador. Este circuito de acoplamiento tiene una
frecuencia de corte de dónde:
( )
3.1.5.5.Condensador de acoplo a la salida
La figura muestra el lado de salida de una etapa

bipolar.
Al aplicar el teorema de Thevenin se obtiene el

circuito equivalente de la Figura
Se puede usar la Ecuación (3.11) para calcular la
frecuencia de corte, donde:
( )

3.1.5.6.Condensador de desacoplo de emisor
El circuito Thevenin de la figura es lo que se aprecia desde el

condensador. La frecuencia de corte viene dada por la
expresión:
( )
[ ]( )
Ejemplo:
Calcular la frecuencia de corte inferior correspondiente a cada condensador de acoplo y
desacoplo.
Valores:
Β= 150
VCC=10V
Ic= 1.1 mA
RG= 600 Ω
R1= 2.2KΩ
R2= 10KΩ
RC= 3.6KΩ
RE= 1KΩ
RL= 10KΩ
CIN= .47µf
CE= 10µf
COUT= 2.2 µf

Solución:
Para el CIN.
( )
( )
( )( )
Para el COUT.
( )
( )( )
Para el CE.
[ ]
( )( )
El capacitor dominante es el paralelo al emisor.

3.1.6. Teorema de Miller
Un amplificador inversor produce una tensión de salida desfasada 180º respecto a la tensi6n
de entrada.
3.1.6.1.Condensador de realimentación.
La figura representa un amplificador con un

condensador entre sus terminales de entrada y de
salida. Este condensador algunas veces se denomina
condensador de realimentación debido a que la
salida del amplificador se realimenta a la entrada.
En este circuito el condensador de realimentación afecta a los circuitos de entrada y de
salida simultáneamente.
3.1.6.2.Conversión del condensador de realimentación

Por el teorema de Miller, señala que el circuito
original se puede reemplazar por un circuito
equivalente. Este circuito es más fácil de analizar
porque el condensador de realimentación se ha
descompuesto en dos nuevas capacidades,
Los valores de Se pueden calcular por la siguientes formulas.
( ) ( )
( ) ( )

Las Ecuaciones (3.16) y (3.17) son válidas para cualquier amplificador inversor, como el
amplificador en EC, el amplificador en EC con resistencia de emisor sin desacoplar, o un
amplificador operacional inversor. En estas ecuaciones, A es la ganancia de tensión en las
frecuencias medias. Normalmente, A es mucho mayor que 1, y es aproximadamente
igual a la capacidad de realimentación. Lo más sorprendente del teorema de Miller es el
efecto que tiene sobre la impedancia de entrada Es como si la capacidad de
realimentación hubiese sido amplificada para obtener una nueva capacidad que es A+ 1
veces mayor. Este fenómeno, conocido como el efecto Miller, tiene aplicaciones útiles
porque crea condensadores artificiales o virtuales que son mucho mayores que el
condensador de realimentación.
3.1.6.3.Circuito de desacoplo de colector
La Figura muestra una etapa en EC con capacidad parasita de las conexiones .

Justo a la izquierda esta un valor que normalmente se especifica en la hoja de
características de un transistor. Esta es la capacidad interna entre el colector y la base.
Aunque y son muy pequeñas, tendrán efecto cuando la frecuencia de entrada
es suficientemente alta.

La frecuencia de corte de esta red de retardo de fase es:
( )
Donde:
( )
3.1.6.4.Circuito de desacoplo de la base
El transistor tiene dos

capacidades internas y
como se representa en la figura
Como es un condensador
de realimentación, es posible
convertirlo en sus dos
componentes. La componente de entrada de Miller aparece en paralelo con La
frecuencia de corte de este circuito de desacoplo de base viene dada por la Ecuación (3.18),
donde R es la resistencia de Thevenin que ve la capacidad. La capacidad es la suma de
y la componente de entrada de Miller.

3.2 Respuesta en baja y alta frecuencia del amplificador JFET.
3.2.1. Formulas
Para la respuesta a baja y alta frecuencia del JFET como el circuito que se muestra en la
figura
Se utilizan tres fórmulas parecidas a las del BJT para la baja frecuencia.
Fórmulas para la baja frecuencia

En el capacitor de entrada ( )
( )
En el capacitor de salida ( )
( )
En el capacitor de Emisor ( )

( )
Fórmulas para la alta frecuencia

Ciss es la capacidad de entrada cuando la salida esta cortocircuitada.
( )
Coss es la capacidad que ve el FET cuando las entradas están cortocircuitadas.
( )
Crss es la retroalimentación.
( )
( )
( )
( ) ( )( )
( ) ( )( )

Unidad 4: Amplificadores Retroalimentados
4.1 Configuración General: En la figura 4.1 se muestra el diagrama en bloques de un

amplificador retroalimentado.
Figura 4.1 Diagrama en Bloques de un Amplificador Retroalimentado
4.1.1 Ganancia de Lazo Cerrado: Del análisis de la figura 4.1 se obtiene las siguientes
relaciones:
1.) SO  A * Se ………… (4.1) 2.) Se  ( Si  S f ) ……….. (4.2)

SO
3.) S f   * SO ………… (4.3) 4.) A f  ……………….. (4.4)
Si
Sustituyendo (4.3) en (4.2):
Se  [ Si  (  * SO )] …………….. (4.5)
Sustituyendo (4.5) en (4.1):

SO  A *[ Si  (  * SO )]
……….. (4.6)
SO  A * Si  A(  * SO )

Despejando de (4.6) la incógnita SO:
ASi
SO  ………….. (4.7)
(1   A)
Finalmente, sustituyendo (4.7) en (4.4):
ASi
(1   A) A
Af  Af  ………………(4.8)
Si 1  A
De la fórmula (4.8) se obtiene:

 A: Ganancia de la Etapa A
 β: Red β (Etapa de retroalimentación)
Ahora, si de la fórmula (4.8), el producto de la ganancia de la etapa A por la red β es mucho

mayor que 1(βA>>1), la fórmula se puede simplificar de la siguiente manera;
1
Af  …………. (4.9)

4.2 Topologías de la Retroalimentación: En los amplificadores reales, las señales

de entrada y salida pueden ser voltajes o corrientes. Si el voltaje de salida es la señal de
retroalimentación, puede compararse con el voltaje de entrada para generar la señal de
voltaje de error, o con la corriente de entrada para generar la señal de corriente de error.
Según el tipo de señales muestreadas y sumadas en un amplificador retroalimentado, se
pueden formar una de las cuatro combinaciones según el tipo de conexión que se establece
en la entrada u en la salida respectivamente, estas son:
1. Serie-Paralelo
2. Paralelo-Serie
3. Serie-Serie
4. Paralelo-Paralelo

4.2.1Topologia Serie-Paralelo (Amplificador de Voltaje): Este tipo de topología
presenta una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. En la figura 4.2 se
muestra la topología de la retroalimentación Serie-Paralelo:
Figura 4.2 Topología Serie-Paralelo
4.2.2 Topología Paralelo-Serie (Amplificador de Corriente): Al contrario de la

topología serie-paralelo, esta topología presenta baja impedancia de entrada y una alta
impedancia de salida. En la figura 4.3 se muestra la topología Paralelo-Serie:
Figura 4.3 Topología Paralelo-Serie

4.2.3 Topología Serie-Serie [Amplificador de Transconductancia (Tensión de
Entrada y Corriente de Salida)]: Esta configuración presenta alta impedancia de
entrada y alta impedancia de salida. En la figura 4.4 se muestra la topología Serie-Serie.
Figura 4.4 Topología Serie-Serie
4.2.4 Topología Paralelo-Paralelo [Amplificador de Transresistencia

(Corriente de Entrada y Tensión de Salida)]: Esta topología presenta una baja
impedancia de entrada y una baja impedancia de salida. En la figura 4.5 se muestra la
topología Serie-Serie.
Figura 4.5 Topología Paralelo-Paralelo

4.3 Efectos de la Retroalimentación: Los efectos principales el usar
retroalimentación son los siguientes:
1. Reducción de la sensibilidad a las variaciones de la fuente.
2. Capacidad para controlar el ancho de banda.
3. Estabilización de un sistema inestable.
4. Capacidad para controlar la respuesta transitoria del sistema.
5. Permite que el circuito sea inmune al ruido.
4.4 Tipos de Retroalimentación: Existen básicamente dos tipos de

retroalimentación, los cuales son:
4.4.1 Retroalimentación Negativa: En este tipo la señal de salida (o una fracción de

esta), es retroalimentada de manera continua al lado de entrada, y se resta a la señal de
entrada creando una señal de error que a su vez es corregida por el amplificador para
producir la señal de salida deseada.
4.4.2 Retroalimentación Positiva: En este tipo la señal de salida es retroalimentada de

manera continua al lado de entrada y se agrega a esta a fin de crear una señal de error más
grande y así crear una señal de salida mayor, hasta que la señal de salida llegue al voltaje
límite de saturación.

4.5 Respuesta a la Frecuencia: Como ya se estudió en la unidad 3, los
amplificadores responde de forma diferente a frecuencias bajas y altas, dependiendo del
cálculo del capacitor de corte en baja y el capacitor de corte en alta.
En el amplificador retroalimentado la ganancia está dada por la relación de la re y la rf, por
tanto, sin tomar en cuenta que la ganancia de la etapa A es muy grande, el amplificador va a
tener una ganancia mucho menor que dicha etapa, lo que trae como ventaja una gran
estabilidad de la señal de salida y un aumento considerable en el ancho de banda.
En la gráfica 4.1a se muestra la respuesta a la frecuencia de un amplificador en emisor
común para una ganancia de 400, mientras que en la gráfica 4.1b se muestra la respuesta a
la frecuencia de un amplificador retroalimentado para la misma ganancia en la etapa A.
Grafica 4.1a Respuesta a la Frecuencia Grafica 4.1b Respuesta a la Frecuencia

Amplificador en Emisor Común Ampl. Retroalimentado

4.6 Ejemplo de Amplificador Retroalimentado: En la figura 4.6 se muestra el
diagrama de un amplificador retroalimentado de 2 etapas.
Figura 4.6 Amplificador Retroalimentado de 2 Etapas
De la figura 4.6 si se tiene una re=100Ω y una rf=1KΩ, para calcular la ganancia del
circuito seria:
rf 1000
Av f  1 Av f  1
re 100
Av f  11
Sin importar cuál sea la ganancia de la etapa A (Amplificador multietapa, que se espera que
sea muy alta), la ganancia del amplificador retroalimentado es de 11 con una estabilidad
grande.
La red β se calcularía de la siguiente manera:
re 100
 
re  rf 100  1000
  0.090

4.7 Formulas para el Diseño de un Amplificador Retroalimentado de 2
etapas:
Nº Descripción Fórmula
Fórmula
4.11 Ganancia de Lazo Cerrado rf  ( Avf  1) * re
RC / / R 'L
4.12 Ganancia de Etapa 2 AV 2 
r ' e2
4.13 Resistencia de Carga R 'L  (rf  re ) / / RL
25mV
4.14 Resistencia Dinámica r ' e2 
I CQ
RC / / Zin 2
4.15 Ganancia de Etapa 1 Av1 
r ' e  re
Impedancia de Entrada de la Zin 2  R1 / / R2 / /  * r ' e
4.16 Etapa 2
RE
4.17 Resistencia de Base RB  
10
RB
4.18 Resistencia de Polarización (1) R1  
VBB
1
Vcc
Vcc
4.19 Resistencia de Polarización (2) R2  RB * 
VBB
NOTA: Hay que recordar que para que los amplificadores funcionen de manera eficiente
deben presentar 2 características en especial; alta impedancia de entrada para evitar la
demanda de corriente de la fuente de alterna, y una baja impedancia de salida para evitar las

caídas de tensión internas y así de esta forma aprovechar casi el 100% de la señal de
entrada a la salida.
4.8 Amplificadores con Retroalimentación Positiva (Oscilador)

El funcionamiento de este amplificador es igual al de retro negativa con la diferencia que la
señal de retroalimentación se suma a la señal de entrada provocando una señal de
amplificación cada vez más grande.
A
Af 
1  A
Se de la formula, el producto de la etapa  por la etapa A (  A ), se logra mantener en
uno (1), se estará creando un oscilador.
4.8.1 Criterios del Oscilador: Para crear un oscilador exitosamente deberá cumplir con
el siguiente criterio:
1.  A 1
2. El desfasamiento sea   0º  360º
Si no se logra cumplir con este criterio podría suceder lo siguiente:
1.  A <1: La señal empezaría a disminuir hasta que desaparecer, como se muestra

en la figura 4.7.
Figura 4.7  A< 1

2.-  A > 1 La señal empezaría a crecer hasta tender a infinito, lo que ocasionaría
que se perdiera el rastro de la señal de forma visible, como se muestra en la figura
4.8.
Figura 4.8  A> 1

Unidad 5: Amplificadores de Potencia.
5.1 Conceptos básicos y aplicación.
Los amplificadores de potencia son convertidores que transforman la energía de fuente en
seña potencia de salida. Estos pueden ser tipo clase A, AB, B y C. Los cuales tienen
distintos parámetros de eficiencia y uso.
Introducción:
Un amplificador de potencia convierte la potencia de una fuente de corriente continua

(Polarización VCC de un circuito con transistores), usando el control de una señal de
entrada, a potencia de salida en forma de señal. Si sobre la carga se desarrolla una gran
cantidad de potencia, el dispositivo deberá manejar una gran excursión en voltaje y
corriente. Los puntos de operación deben estar en un área permitida de voltaje y corriente
que asegure la máxima disipación, (SOA, Safe Operating Area). Se deben considerar los
voltajes de ruptura y efectos térmicos permitidos en los dispositivos de estado sólido,
considerar la característica no lineales en el funcionamiento y usar los parámetros para gran
señal del dispositivo.
5.1.1- Clasificación de los amplificadores de potencia.
Existen cuatro clasificaciones básicas de amplificadores de potencia: A, AB, B y C. En

clase A, el amplificador está polarizado de tal forma que la corriente por el colector fluye
durante el ciclo completo de la señal de entrada. Para clase AB, la polarización del
amplificador es de tal forma que la corriente de colector solamente fluye para un lapso
menor a los 360º y mayor a los 180º de la onda correspondiente. Para el funcionamiento en
clase B, la corriente IC fluirá solo durante 180º de la onda de entrada. Finalmente, para
funcionamiento en clase C, el dispositivo conducirá durante un periodo inferior a los 180o
correspondiente a la onda de entrada. La Fig. , muestra el comportamiento de las distintas

clases. Los amplificadores tipo AB y B usan configuraciones transistorizadas llamadas
push-pull.
Cada uno de estos amplificadores posee características de eficiencia y distorsión distintos,
por lo cual, sus aplicación será a distintas áreas.
5.1.2- Relaciones básicas en los amplificadores de potencia.
Para analizar los amplificadores de potencia se requiere de ciertas cantidades y relaciones.

Como el amplificador de potencia convierte la potencia de cc de la fuente de alimentación
en una señal de potencia en la carga, la eficiencia de este proceso está dada por:
…………..(5.1)
Donde η es la eficiencia, PL (AC), es la potencia media de señal en la carga y PCC, la
potencia media de salida en la fuente de alimentación.
El peak instantáneo y la potencia media disipada en el dispositivo de amplificación,
considerando un transistor bipolar como dispositivo de potencia, se tiene
………….(5.2)
Donde PCE es la disipación media de colector, PL es la potencia total, es decir, potencia cc
más potencia ca en la carga.
Para la evaluación de las distintas cantidades de potencia, se usa la relación básica dada por
(5.3), donde p es la potencia instantánea, v e i son el voltaje y la corriente instantáneos.
……………..(5.3)
Si se considera que v e i son formas de onda periódica, con componente media (cc), la cual
puede ser cero y una componente de ca, no necesariamente sinusoidal, así se tendrá.
……………(5.4)
………………..(5.5)

Tomando el periodo completo de la onda, se tiene que:
………………(5.6)
Donde, Pdc es la contribución de la componente continua y Pac es la contribución de la
componente alterna a la potencia media. Si las componentes de ca son tipo sinusoidal, se
tiene:
………………….(5.7)
……………...……(5.8)
Reemplazando en la ecuación (5.6), se tiene:
………….(5.9)
Como 2 = √2√2, entonces:
……………..(5.10)
Cuando la señal de corriente tiene componente continua el valor rms de la forma de onda
está dado por:
……..…(5.11)
Donde IDC , es la componente continua de la señal, I1rms es el primer armónico de la señal,
Inrms es el n − ésimo armónico de la señal.

5.1.3- El amplificador Clase A
En operación clase A, el amplificador reproduce toda la señal de entrada, la corriente de

colector es distinta de cero todo el tiempo, lo cual se considera muy ineficiente, ya que para
señal cero en la entrada, se tiene un ICQ > 0, luego el transistor disipa potencia.
Amplificador Emisor común
Sea la configuración de emisor común de la Fig. 1, la cual funciona en clase A. Por

simplicidad se hace la resistencia de emisor RE = 0. El primer paso será seleccionar RL
para máxima potencia de salida.
En la Fig. 5.2, se muestra las rectas de carga para dos puntos Q del amplificador, las cuales
se intersectan con la curva PCE. Se observa que IC2 será la máxima corriente permitida para
iC y VCE1 será el máximo voltaje permitido para vCE , para el transistor en cuestión. El
óptimo elegido será el punto de reposo Q1, debido a que IC1 < IC2, lo cual implica una
disminución en la corriente de colector, lo que trae consigo una disminución en la
distorsión y una menor corriente de base requerida para obtener IC1.
Para que la realización sea factible, VCE1 debe ser menor que VCEO, así se tomará que VCE1
= VCC . Lo cual puede no ser necesariamente efectivo para otras configuraciones en clase
A.

Para valores ICMax y VCEMax, se tiene que el punto Q estará dado por la tangente a la curva
PCEMax, dado por las coordenadas ICQ = ICMax / 2 y VCEQ = VCEMax / 2 como se indica en la Fig.
. Se asume que la señal de entrada puede manejar el transistor entre el corte y la saturación,
de esta forma para una variación en la corriente de base, se tiene la variación en la corriente
de colector, y una variación en la potencia.

5.2- Análisis de expresiones de potencia y eficiencia.
El amplificador clase A, estudiado anteriormente tiene una resistencia de colector separada

Rc y una RL, lo mejor que se puede hacer en este caso es adaptar las impedancias RL = RC
para obtener el rendimiento máximo del 25% cuando la resistencia de carga pasa a ser la
RC, la resistencia de colector. Recibe como mucho el doble de potencia de salida y el
rendimiento máximo aumenta el 50%.
De acuerdo a la curva, se pueden establecer las curvas para iC , vCE , PCC ,PCE y PL. El valor
de la onda de potencia instantánea pCC, estará dada por el producto VCC iC y tiene la misma
forma que iC . PCE = icvCE. Note que la forma de onda de PCE tiene una frecuencia el doble
de las otras formas de onda. La potencia en la carga será:
…………..(5.12)
Luego de acuerdo a (5.11), considerando que la corriente tiene componente continua y

alterna, se tiene:

…………(5.12)
De la curva de la Fig. 5.3, se determina , luego
……………(5.14)
Por otro lado, la potencia promedio entregada por la fuente será:
………..…..(5.15)
Finalmente, la eficiencia estará dada por:
…………….(5.16)
La eficiencia de este amplificador es baja, 25%, esto debido principalmente a que se
mantiene una corriente de reposo en la carga, la cual no es usada (desperdiciada). Como la
potencia en el transistor corresponde a la potencia de la fuente menos la potencia en la
carga (total, es decir la ca y la dc), se tiene que
…………….(5.17)
El cual tiene dos componentes, el primero será cc y le segundo ac. Se define
adicionalmente un Factor de Merito (FM)

B. Configuración emisor común con transformador de acoplo Sea el circuito de la Fig. 5a.
Una forma de mejorar la eficiencia del amplificador clase A es usar el acoplo de la carga
mediante un transformador. ? Cómo es eso?
Al considerar este acoplamiento, hace que la recta de carga en cc pase por VCEQ = VCC ,
pues RCC = 0, luego la recta de carga de alterna corta el eje del voltaje en un valor 2VCC .
Como consecuencia de esto, cuando no hay señal, no existirá corriente por el colector. La
carga vista por el colector será
……………..(5.18)
Para este caso la potencia en la carga será:
………….(5.19)
Como sólo la carga recibe componente alterna, la corriente efectiva será la amplitud sobre
√2, luego:
……………….(5.20)
……………(5.21)

Debido a que VCEQ = VCC, se tiene que VCEMax = 2VCC , por lo tanto, de la curva se
determina que , así
……………..(5.22)
Dado que la potencia media de la fuente es PCC = VCC ICQ, entonces:
…………(5.23)
…..……….(5.24)
Finalmente, la eficiencia de la conversión será:
Por otro lado se tiene
…………(5.25)
……………..(5.26)

Y el Factor de Merito
5.2.2- Análisis de amplificador clase A.
Ejemplo 1: Sea el amplificador clase A de la Fig.5.7, sabiendo que a la carga RL se le

entrega una potencia de 2W calcular
• La potencia de la fuente PCC
• ICQ para que el transistor trabaje en clase A
• Características del transistor Dado que el rendimiento es el 50%, se tiene.

Como PL(AC) = V2 CC/ R1L = 2W, esto implica que R0L = 202 /2W = 100 [Ω] , además, PL
= (ICQ / √2 )2 R1 L , entonces
5.2.3- Análisis de Amplificador Clase B.

En esta operación, se usa un transistor para amplificar el ciclo positivo de la señal de
entrada, mientras un segundo dispositivo se preocupa del ciclo negativo. Esta es la
configuración push-pull.
Se requieren dos transistores para producir la onda completa. Cada transistor se polariza en
al punto de corte en lugar del punto medio del intervalo de operación. La corriente de
colector es cero cuando la señal de entrada es cero, por lo tanto el transistor no disipa
potencia en reposo.
De la curva dada en la Fig. 5.9, se obtiene:
Luego, la potencia en la carga será nuevamente la indicada en (5.12). En este caso, cada
transistor opera durante un semi-ciclo, por lo tanto, el valor efectivo de la onda será
ICMax /2 , así, la potencia total en la carga por cada transistor será:

Luego, la potencia total en la carga suministrada por ambos transistores
Para determinar la potencia promedio PCC , entregada por VCC , se debe determinar la
corriente media consumida, la cual se llamará ICC, (que corresponde a la media de la
corriente iCC ). De acuerdo a la Fig. 5.10 la onda de corriente producida sera la
superposición de los dos semiciclos.
Así se tiene que
Finalmente, se tiene el rendimiento:

Lo que corresponde a un 78.5% de eficiencia en la conversión. Por otro lado, la potencia
disipada en el colector Será:
Sea el circuito de la Fig. 5.11 que corresponde a un amplificador de simetria

complementaria. La carga será de acoplamiento directo

Para este amplificador se tiene
Simetría complementaria con acoplamiento capacitivo Para este caso se tiene que la
alimentación de cada transistor es VCC / 2 y la carga será RL.
Ejemplo 2: Sea el amplificador clase B de la Fig. 5.13.Considere una carga de 8 [Ω].

Calcule la potencia de señal máxima en la carga, la disipación correspondiente a cada
transistor y la eficiencia.

Como la potencia esta dada por
5.3- Análisis de efecto térmico y distorsión.

5.3.1- Análisis térmico.
Potencia de Salida Útil y Potencia Disipada Máxima: El agregado del circuito de
polarización, estabilización y eventual compensación térmica, para que el circuito opere en
un clase B práctico y particularmente, las resistencias de estabilización R10 y R11 conectadas
en los emisores introducen una modificación en la resistencia de carga dinámica, que ahora
pasa a ser ( RC + R10 ) para el transistor T3 y (RC + R11 ) para el transistor T4 por lo que si
consideramos el circuito equivalente de carga dinámica de T3 por ejemplo, en él puede
verificarse que siendo la potencia de señal de salida la que establece la ecuación (I.35.), es
decir:

( )( ) ( )
Ahora …..…(5.27)
En tanto que si llamamos Vomax a la tensión que se desarrolla sobre la carga RC la misma
resulta ser una fracción de Vcemax establecida por el divisor:
…………..(5.28)
En consecuencia, la potencia realmente aprovechada en la carga RC , o potencia de salida

útil que llamaremos Pu resulta ser:

( )
En consecuencia: o bien √
( )
Por igual motivo la potencia disipada máxima determinada por la ecuación (XI.8.) sufre
una leve modificación al considerarse la nueva resistencia de carga dinámica. Asimismo y a
los efectos de considerar apartamientos de las condiciones nominales que frecuentemente
ocurren en los circuitos reales, consideraremos un +10 % de variación en la tensión de la
fuente de alimentación y un –20 % de variación en la resistencia de carga RC de modo
entonces, que la potencia disipada más exigente sería la que seguidamente se indica:
( )
…………(5.29)
( )
5.3.2- Distorsión.
Existen varios tipos de distorsión. La más conocida y usada como spec es la distorsión
armónica total, normalmente unida al nivel de ruido. En este caso, la distorsión producida
al recortarse una onda, o al producirse una onda triangular por un slew-rate bajo puede
medirse perfectamente con este parámetro.
El nivel de ruido se puede considerar como una distorsión, aunque completamente diferente
de la distorsión armónica. El mayor problema es que siempre hay un cierto nivel de ruido
en la línea y se amplifica, llegando a ser audible. La amplificación diferencial es una buena
solución para ese problema. Hay otro tipo de distorsión, poco conocida y difícil de medir,
que parece ser exclusiva del campo del audio, por sus grandes ganancias y su necesidad de
baja distorsión armónica, llamada transient intermodulation.

En amplificación de pequeña señal, no se produce excesiva distorsión por tres motivos:
 Ganancias moderadas.
 Amplitud del voltaje reducida.
 Intensidad de colector (drenador) con muy pequeñas variaciones.
Ninguno de estos puntos se suele cumplir en la amplificación de potencia, y la

consecuencia en grandes señales es:
o Gran amplitud de voltaje:

o distorsión por el efecto Early (en BJT y MOS).
o En los mosfet: las altas capacidades CGD y CGS hacen que se reduzca el ancho de
banda notablemente (aunque esto no sea propiamente una distorsión)
Intensidad en el transistor:
 Intensidad de colector con grandes variaciones:

o Variaciones muy grandes de beta
o Variación de la impedancia de salida hoe
o Variación de la impedancia de entrada hie
o Variación de Vbe
En el caso de los mosfet, intensidad de drenador con grandes variaciones:
 gm es variable con respecto de ID.

 Cuando ID es pequeña, se produce un comportamiento marcadamente a lineal en
todos los mosfet.
 Variación de la impedancia de salida Rs
 Variación de ID supone variación de VGS, y esto implica la carga y descarga de la
capacidad equivalente de entrada Cjss

Grandes ganancias:
 Aparición del efecto Miller. En el caso de los mosfet de potencia, cuya capacidad de
entrada es alta (200pF), el problema es aún mayor.
Con pequeñas ganancias, el efecto de las anteriores causas de distorsión es mínimo, pero en
grandes ganancias, sus consecuencias son muy notables.
5.3.3 Distorsiones medibles.
La tendencia de las etapas de muy alta gama, ya asentadas en el mercado y con un buen
número de seguidores incondicionales es reducir el factor de realimentación negativa,
incluso a costa de una mayor "distorsión". Lógicamente ellos se lo pueden permitir... ¿o no?
Entre un Technics con un 0,01% THD y un Gryphon con un 0,01%, ¿usted no elegiría el
Gryphon? Luego algo debe haber aparte de THD.
IMD
SMTPE
El test SMTPE es uno de los más antiguos para esta

distorsión. Existe una relación muy cercana entre THD de
bajo orden e IMD ya que se suelen generar de la misma
manera.
A la derecha se puede ver la onda de prueba, una de 60Hz

sumada a otra de 7000 Hz de un valor 4 veces menor.
Pero es una representación de lo que ocurre cuando se

·"generaliza" la distorsión armónica para varias ondas, ya
que en todos los casos el mecanismo de generación de THD
genera también IMD.

Concretamente, esta cifra se mueve en: IMD=A*THD,
siendo A un número entre 3 y 4. IMD se incrementa con las
variaciones bruscas en la ganancia (recorte, saturaciones,
cruce por cero...) y disminuye con las funciones de
transferencia suaves, por lo que esta ley no es universal,
pero sí una buena aproximación.
CCIF
El test CCIF es más apropiado para medir este fenómeno

en audio. Consiste en aplicar una señal de 14kHz y 15kHz
(o 18kHz y 19kHz) y crea componentes de IMD en 1, 2, 3,
4, 5kHz... Es una medida que tiene relación con THD por
que también señala una dependencia del punto de
operación, es decir, una no linealidad, pero también tiene
relación con la velocidad del amplificador, ya que en el
punto de máxima variación de tensión se produce el doble
de distorsión (también medible mediante análisis de
Fourier) que THD, la cual no nos revelaría este
comportamiento, si se produce.
En el ejemplo se puede ver un análisis utilizando esta
técnica. Se trata de una etapa de gran velocidad, y muy
bajo factor de realimentación. En ella se puede apreciar
que las componentes más distantes (1, 2,3kHZ) están muy
por debajo de las dos ondas de prueba, mientras que las
que se pueden medir por SMTPE son más notables. THD
de esta etapa es de 0,03%, lo que se corresponde con los
resultados SMPTE (0,1%) y da una idea de que no se
producen grandes limitaciones de velocidad, ya que la
componente de 1kHz está en 0,03%

5.3.4 - Distorsiones temporales.TIM (SID)
Otala, el descubridor de ésta distorsión llegó a justificar cambios audibles en base a una
distorsión que hasta entonces no se había tenido en cuenta. Un ejemplo de algo que puede
pasar, que bajo ciertos criterios técnicos no tenga cabida pero sí los tenga a nivel de oído. A
nivel teórico el desfase a 10kHz es de 4º y es ese el desfase medido en el armónico
fundamental de la salida. No es gran cosa comparada con la distorsión que posee.
Veámoslo en el análisis de frecuencias de la salida:
Nº Frecuencia Amplitud Amplitud

normalizada
1 1.000E+04 9.539E+00 1.000E+00
2 2.000E+04 2.672E-01 2.801E-02
3 3.000E+04 3.581E-01 3.754E-02
4 4.000E+04 1.153E-01 1.209E-02
5 5.000E+04 2.122E-01 2.225E-02
Distorsión armónica total = 5.324501E+00 por ciento.
Efectivamente, un 5% de distorsión armónica es una cifra alta
En las etapas diferenciales la corriente de polarización la produce una fuente constante, por
lo que esta etapa nunca podrá proporcionar a ese condensador más corriente de lo que hay.
En estos gráficos podemos ver los caminos de carga y descarga del condensador de Miller.
Existe una relación directa entre el valor de éste condensador, la ganancia total, y la
corriente de polarización. El caso es que para variaciones muy bruscas de la tensión, el
condensador se carga a través de una fuente de corriente, lo que limita la tasa de variación
de su voltaje.

Éste es el motivo de construir amplificadores con un gran ancho de banda, no para que
nuestro can oiga música supersónica, como muchas veces se ha sugerido por
desconocedores de un fenómeno científico probado y relacionado con la audición, sino para
que no tenga lugar ésta limitación. Esta velocidad supone cómo de rápido se va a corregir
sus propios errores la etapa.
Personalmente no veo necesario aumentar el ancho de banda por encima de 50kHz para que
podamos oírlo, porque no podemos, pero sí veo necesario aumentarlo por encima de 100,
incluso de 500kHz para poder atender a las bruscas variaciones de tensión que produce la
música. En las válvulas, el transformador de salida limita el ancho de banda a 40kHz en los
mejores casos, pero no produce una limitación en la tasa de variación, de ahí que sus
agudos se mantengan cristalinos y que la música tenga dinamismo.
5.3.5- Distorsiones térmicas.
Se puede comprobar en un op-amp de potencia que a baja frecuencia se genera distorsión

armónica que decrece con una pendiente de 6dB/oct a medida que aumenta la frecuencia.
Es una causa de IMD, pero cuya acción es sumamente lenta y con gran diferencia entre las
frecuencias. Puede generar componentes armónicas de IMD que afectan a frecuencias
mucho mayores. Por mis experiencias puedo decir que es audible, pero difícilmente
medible mediante los test convencionales. Aunque no haya podido encontrar una relación
causa efecto obvia más que en etapas con grande derivas térmicas, me baso en que cuando
una etapa requiere compensación térmica (las de salida), la tonalidad no alcanza el nivel
esperado hasta que no se ha producido la estabilidad térmica.
Este tipo de distorsión se agrava en los integrados, donde las modulaciones térmicas en el
punto de operación de las etapas se ven afectadas por la proximidad física. También es
obvio que una resistencia tiene un cierto coeficiente térmico y esto varía su valor, siendo
habitualmente causa de variaciones en la ganancia total y punto de operación de las etapas
restantes. Además, ésta modulación es amplificada.

5.3.6- Mecanismos de audición.
Resulta curioso como los ciertos amplificadores de válvulas clase A con cifras altas de
distorsión parecen y pueden sonar mejor y con más potencia que otro con salida en clase
AB de la misma potencia.
Efectos de la distorsión: timbre.
El timbre resultante de una distorsión armónica tiene una estrecha relación entre su
estructura de armónicos y la de un instrumento que crea una secuencia semejante. La
división más sencilla es viento, cuerda y percusión.
Además de la absorción de las ondas del material, en él también se pueden crear armónicos,
que son de orden 2n. Esto ocurre principalmente en trompetas y trompas, con paredes más
delgadas, y no en el flautín, con paredes más gruesas. El sonido resultante también es
diferente. Las trompetas son más estridentes, aparte de que la carga espacial genera
armónicos de orden par.
De esto se deduce en gran parte que cada instrumento tiene su timbre, y que la adición de
timbre no es inocua ni mucho menos, pero en muchos casos puede pasar desapercibida o
resultar beneficiosa con valores de hasta el 5% THD. En instrumentos de cuerda, la adición
de armónicos de 2º y 4º orden por parte de la electrónica contribuirá a enfatizar el timbre,
puede hacer que los violines suenen con más presencia, pero no será lo mismo para
instrumentos de viento, donde el timbre se verá falseado.
Efectos de la distorsión: tipos de componente.
Cada circuito tiene un tipo de distorsión característica. Las etapas clase A, suelen tener
distorsión de 2º orden, por eso parecen sonar más altos los amplificadores clase A single-
ended. Las etapas push-pull tienden a cancelar el 2º armónico y hacen que el predominante
sea el 3º, dando una sensación de sonido poco hiriente.

Además, cada tipo de componente tiene un tipo de distorsión característica y predominante.
En las válvulas es la de 2º orden, en transistores es 2º y 3º orden (no simétricos) y en
operacionales monolíticos sólo 3º.
Un armónico f7 que cree una THD de un 0,1% es audible y molesto, pero una distorsión de
2º orden con la misma THD puede no serlo. Por este motivo, un nivel de distorsión
armónica de un 1% de 2º orden (como en muchos amplificadores a válvulas) puede pasar
desapercibida.
En conclusión, no todas las distorsiones son iguales, y aceptando que la distorsión no puede
ser 0, lo mejor es que sea de 2º orden.
5.4. Análisis y diseño de amplificadores de potencia.
A continuación se inicia el análisis y diseño de amplificadores lineales de potencia,

comenzando con los de clase A, con sus ventajas y desventajas, y continuando con
amplificadores clase B, analizando los criterios de diseño de amplificadores acoplados
inductivamente y los de acoplamiento directo, incluyendo los distintos casos de simetría
complementaria, y configuración puente.
Por último se pasa al diseño de amplificadores de potencia realimentados con el análisis y
diseño de fuentes de alimentación lineales, variables y con protección o control de corriente
de salida, para lo cual se desarrolla un diseño por parte de los alumnos de una fuente
completa la cual debe ser realizada como proyecto final de la materia.
En cada uno de los casos de estudio, en el diseño se utiliza para comprobación de
funcionamiento las herramientas de simulación correspondiente.

5.5- Efectos de ruido.
RUIDO: Se denomina ruido en la comunicación a toda señal no deseada que se mezcla con
la señal útil que queremos transmitir. Es el resultado de diversos tipos de perturbación que
tiende a enmascarar la información cuando se presenta en la banda de frecuencias del
espectro de la señal, es decir, dentro de su ancho de banda. El ruido se debe a múltiples
causas: a los componentes electrónicos (amplificadores), al ruido térmico de las
resistencias, a las interfaces de señales externas, etc. Es imposible eliminar totalmente el
ruido, ya que los componentes electrónicos no son perfectos. Sin embargo es posible limitar
su valor de manera que la calidad de la comunicación resulte aceptable.
INTERFERENCIA: Es cualquier cosa que altera, modifica o interrumpe la señal cuando
viaja a lo largo del canal entre fuente y receptor. Los ejemplos más comunes son:
 Interferencia Electromagnética (EMI)

 Interferencia del Co-channel (CCI)
 Interferencia adyacente (ACI)
 Interferencia de intersimbolo (ISI)
 Interferencia del Común-modo (CMI)
5.5.1- Ruido aleatorio.

También conocido como ruido térmico, es generalmente el más importante y tiene su
origen en la agitación o movimiento caótico de los electrones en los componentes
electrónicos. Presenta una densidad espectral de igual potencia en todo el ancho de
banda, por lo que se suele denominar "ruido blanco", ya que una distribución espectral
de este tipo, pero en la banda visible de las ondas electromagnéticas, produciría luz
blanca. Existen también otros ruidos "coloreados" de los cuales el más popular es el
ruido rosa, utilizado para hacer mediciones, cuya potencia decrece a ritmo de 3 dB por
octava.

5.5.2- Ruido periódico.
Este tipo de ruido suele generarse fuera del equipo, al que se acopla de alguna forma. A
diferencia del ruido aleatorio, el periódico puede ser totalmente eliminado mediante un
adecuado diseño del equipo), una instalación adecuada. El tipo más frecuente de ruido
periódico es el llamado "zumbido", consistente en oscilaciones de 50 Hz y sus
armónicos, provenientes de la red eléctrica. Suele deberse a inducciones o a defectos en
la puesta a tierra de los circuitos.
La medida del ruido periódico es similar a la del ruido aleatorio, excepto que se necesita
disponer de un osciloscopio o de un analizador de espectros para identificar la
frecuencia de! ruido periódico. Este tipo de medidas sólo se realiza por parte de los
técnicos de mantenimiento. En el apartado de "otros ruidos" habría que citar el "ruido
de granalla" que se produce en los semiconductores por la generación y recombinación
aleatoria de algunos pares electrón-hueco. El ruido de granalla presenta, al igual que el
térmico, un espectro plano dentro de la gama de frecuencias. Este tipo de ruido no suele
encontrarse en las especificaciones de los equipos actuales, ya que es de muy poco
valor en los semiconductores modernos. Debe citarse también el "ruido digital", que se
produce cuando la señal analógica es cuantificada después del muestreo.
Conclusión:
Los amplificadores de potencia son fundamentales para diversas aplicaciones, tales como
audio radio frecuencia. Solo se han mostrado algunos conceptos básicos, con el fin de
entender las magnitudes más importantes, tales como la eficiencia, Potencia de señal y
potencia disipada por el transistor.

Práctica Nº 1
Amplificador Multietapa
Objetivo de la Práctica
Diseñar y construir un amplificador multietapa, con una ganancia total de 25 y que por
separado cada una de 5 de ganancia y que multiplicado de la ganancia total.
2.2 Materiales y Equipos:
 2 transistores BC547
 Resistencias (Según cálculos realizados)
 Osciloscopio.
 Generador de señales.
 Fuente de CD sencilla
 3 Puntas para osciloscopio.
 Multímetro digital.
 3 Capacitores de 1uF.
 2 capacitores de 47uF.

Diagrama a Montar para la Práctica
Av =5 en la segunda etapa
Para la etapa 2:
RC / / R 'L
AV 2  …………(1)
r ' e2
Para una Rc=5.1KΩ
= 675.49Ω
Calcular r´e
( )

Despejando RE y sustituyendo:
( )
( )
( )
Calculando VBB y RB:

( )
( )
RB=β (RE+re)/10= (200) (900Ω)/10= 1800Ω
Ahora hay que calcular la impedancia y las resistencias R1 y R2 los cuales nos permitirán
calcular el capacitor que nos permitirá alcanzar la ganancia adecuada.
Fl´´´=300Hz
ZE=RE//
ZE=1300Ω//160Ω=142.68Ω
[ ] [ ]
[ ]
( )( )

Amplificador Multietapa siendo provado.
Osciloscopio mostrando amplificación y generador de señales.

Resultados Obtenidos
1. 4.8
2. AVT= Alta ganancia final
3. Av2=5.2
Conclusiones
Se logró diseñar y construir un amplificador multietapa, con una ganancia de voltaje estable
de 5.2, de esta forma, se pudo observar el comportamiento del circuito, dando como
resultado un alto grado de estabilización de la onda en la salida, sin importar la frecuencia
en la que se opera.
Recomendaciones
Tener en cuenta los valores de las resistencias se debe tener los valores más aproximados a
ellas y conocer bien la polarización del transistor.

Practica Nº 2
Amplificador de cascada
Diseñar y construir un amplificador en cascada usando tres transistores (2 BJT y 1FET) la
cual tiene que tener una ganancia de 25.
Material y Equipo necesario

 2 transistores BC547 y 1 transistor
 Osciloscopio.
 Puntas para osciloscopio.
 Multimetro digital.
 2 capacitores de 47Uf

Diagrama a montar
Cálculos
Etapa 3: Se calcularan los voltajes correspondientes
VBB2=0.7v+6v=6.7v
Por medio a sus especificaciones de su hoja de datos se harán los siguientes cálculos

Se calculara la Etapa 2
Para R1=10K
( )
Calcularemos la Etapa 1
( )
( )
VDS=6v RD=3.9K
VGS(off)=-1.8v VGS=-0.75v ID=1.25mA
Av2=5
(
Β=200
( ) ( )
Para Rc=5.1K Ic=1mA

( )
( )
( )
( )
Calculando VBB y RB:

( )
( )
[ ]
( )
( )
( )
[ ]
R1=18k
( )
Circuito Amplificador de cascada.

Se muestra el material utilizado en la práctica.
Resultados Obtenidos:
4. Primera etapa = 5 de ganancia
5. Segunda etapa =4.8 de ganancia
6. Tercera etapa= 1 de ganancia
Conclusiones
Se logro diseñar y construir un amplificador en cascada en tres etapas, con una ganancia de
25, de esta forma, se pudo observar el comportamiento del circuito el cual nos permitió
trabajar con un FET y dos BJT, los cuales tienen diferentes características y hay que
encontrar un punto de equilibrio entre los dos.

Recomendaciones
Se recomienda tener en cuenta la función de los dos diferentes transistores, tener en cuentas
las betas como las diferentes configuraciones ya que por una mala polarización puede
resultar fatal.

Práctica Nº 3
“Amplificador Sintonizado”
Objetivo de la Práctica:
Diseñar y construir un amplificador sintonizado con transistor BJT, cuya frecuencia de

resonancia sea de 1.5MHz.
Materiales y Equipos:
 1 transistor (Q) NPN 2N2222.

 1 capacitor (C) (cálculos).
 2 capacitores de 1uF (Cin y Cout).
 1 bobina (L) de 15uH.
 RB de 4.7k.
 RL 10k.
 Fuente de C.D.
 Osciloscopio.
 Protoboard.

Diagrama a Montar para la Práctica:
Calculo del Capacitor (C):

Para una frecuencia de resonancia (Fr) de 1.5MHz, y una bobina (L) de 10uH, haciendo
uso de la formula (2.27) se obtiene el valor del capacitor:
2
 1  1
C  *
 2  Fr  L
Sustituyendo valores:
2
 1  1
C  *
 2 (1.5MHz )  (15 F )
C  750 pF

Cálculo del punto Q:
1. Sustituyendo valores en la fórmula (2.34) se obtiene la reactancia inductiva:
X L  2 * (1.5MHz ) * (15 F )
X L  64.08
2. Ahora hay que sustituir el valor de XL en la formula (2.33), para de esta forma
obtener el valor del punto Q del inductor:
64.08
QL 
0.5
QL  128.16
3. Sustituyendo el valor anterior en la formula (2.32):
Rp  (64.08) * (128.16)
Rp  8212.49
4. Con el valor conseguido en el punto anterior podemos obtener la resistencia de
carga final, sustituyendo en la formula (2.29):
rc  8212.49 / /10000
rc  4509.26
5. Finalmente haciendo uso de la fórmula (2.28) se obtiene el Q del amplificador
sintonizado:
4509.26
Q  70.36
64.08

Cálculo del Ancho de Banda:
Haciendo uso de la fórmula (2.31) se obtiene el ancho de banda:
1.5MHz
Bw 
70.36
Bw  21318.93Hz
Amplificador Sintonizado montado en protoboard

Fuente de D.C que Alimenta al Circuito.
Generador de Señales

1.- A una frecuencia de resonancia de 1.6MHz se logro la máxima ganancia permitida por
el amplificador sintonizado cuyos valores fueron:
Vout (V pp )  37.428v Vin (V pp )  2.44v

Av(max)  15.339
2.- A una frecuencia de corte en alta de 1.71MHz se obtuvo el 70% de la ganancia total de
dicho amplificador. Los valores resultantes fueron:
Vout (V pp )  26.20v Vin (V pp )  2.44v

Av(max)  10.7377
En CH1 se muestra el voltaje de entrada, en el CH2 voltaje de salida.

Conclusiones

En la realización de la práctica de laboratorio se logro diseñar y construir exitosamente un
amplificador sintonizado. Esto permitió observar como es su comportamiento en la
frecuencia de resonancia y en frecuencias cercanas a esta, confirmando de esta manera los
cálculos obtenidos de forma teórica, y conocer un poco del funcionamiento de equipos que
en la vida cotidiana están compuestos por este tipo de amplificadores.
Recomendaciones
1.- Para que el amplificador funcione correctamente es recomendable el uso de bobinas
identificables por colores (como las resistencias), ya que poseen un recubrimiento contra el
ruido evitando que este se cuele entre la señal y no se logre observar el resultado esperado.
2.- También se recomienda realizar cálculos con otro valor de inductor para de esta manera
tener una segunda opción lista para probar.

Práctica Nº 4
“Amplificador Diferencial”
Diseñar y construir un amplificador diferencial espejo de corriente que incluya una fuente
de corriente por transistor para obtener una ganancia de voltaje de 20
Material y Equipo Necesario:

 Resistencias (Según cálculos de diseño)
 Osciloscopio
 Generador de señales
 Fuente doble
 Multimetro digital
 Puntas para osciloscopio
 Protoboard
 Caimanes

3.3 Diagrama del amplificador a montar:
Calculo de IR:
Para una R= 10K, y haciendo uso de la formula 2.23 (con una pequeña modificación):
VCC  VEE  VD
IR 
R
12v  12v  0.7v
IR   2.33mA
10 K 
Haciendo uso de la fórmula 2.12 se tiene que:
IT  2 * I E
2.33mA
IE  I C   1.165mA
2

Ahora hay que calcular la resistencia dinámica (r’e) del transistor:
25mV
r 'e   21.549
1.165mA
Sustituyendo este valor en la fórmula 2.19, y despejando RC:
(20) * 2 * 21.459  RC
RC  858.36  RC (Comercial )  1k 
Amplificador Diferencial montado en Protoboard

Conexión con Fuente de CD doble.
Resultados
Vout  980mV Vin  40.8mV
AV  24

En el Osciloscopio se Muestra los Valores de Entrada Salida del Amplificador Diferencial

Recomendaciones
Al momento de construir esta práctica, se deben buscar los valores más cercanos a las
resistencias calculadas, si se logran encontrar de preferencia resistencia de precisión, para
que la ganancia obtenida sea del valor esperado.
También afecta un poco el hecho de que los transistores, a pesar de que son de la misma
matricula, poseen betas distintas lo que altera un poco el resultado final.
Conclusiones
En la práctica realizada se logro construir exitosamente un amplificador diferencial espejo
de corriente con fuente de corriente a una ganancia cercana a la calculada. Muchos de estos
amplificadores se encuentran dentro de un encapsulado conocido por todos que es el
amplificador operacional, por lo que es de mucha importancia su estudio para lograr una
mayor comprensión del mismo y un manejo básico de los amplificadores operacionales.

Práctica Nº 5
Respuesta a la baja Frecuencia BJT.
“Diseñar y construir un amplificador con transistor BJT, para obtener una ganancia de 20
además de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte de 300HZ”
Materiales y Equipos
 Protoboard.
 1 Transistor BC547
 1 resistencia de 10KΩ.
 1 resistencia de 3.9KΩ
 1 resistencia de 120Ω
 1 resistencia de 68KΩ
 1 capacitor de 2.524µf aproximado.
 1 capacitor de .19µf aproximado.
 1 capacitor de .949µf aproximado.
 1 Fuente Variable.
 Generador de Funciones.
 Osciloscopio.
 Puntas de osciloscopio.
 Cable para conexiones.

Desarrollo de la Práctica
Diagrama a montar:
Cálculos:
Suponiendo los siguientes valores
( )
( )
( ) ( )
( )
( )

En base a la fórmula calcularemos los capacitores
( )
Para Cin y
( )
Se desprecia la resistencia del generador por ser muy baja.
( )( )
Para el Cout y
Utilizando la formula 3.13
( )
( )( )
Para el CE. Y
Aplicando las formulas 3.14 y 3.15
[ ]
( )( )

Con los cálculos obtenidos se prosiguió por hacer el montaje de la práctica y observa la
amplificación.
En esta foto se muestra el montaje de la práctica con cada uno de los elementos además de
ciertos arreglos en los capacitores para obtener el valor deseado.
En esta figura observamos los valores medidos por el osciloscopio, con una frecuencia de
300Hz. Además de las señales de entrada y salida, la señal de salida es la desea ya que esa
señal es la que corta a 300 Hz con una amplificación de 20.

Conclusiones
Una de las formas de aprender el funcionamiento real de los componentes, es aprender a
usarlos en la práctica, ya que es donde pones a prueba los conocimientos obtenidos en las
clases, y donde aprendes a solucionar problemas presentados al momento. En la realización
de la práctica de laboratorio se logró diseñar y construir exitosamente un amplificador de
respuesta abaja frecuencia BJT. Esto permitió observar cómo es su comportamiento en la
frecuencia de 300Hz, confirmando de esta manera los cálculos obtenidos de forma teórica.
Recomendaciones
1. Estar concentrados en lo que se está realizando para evitar que la práctica falle por
errores insignificantes.
2. Medir las betas de los transistores para evitar fallas en los cálculos.
3. Utilizar el puente universal para medir los capacitores ya que muchas veces no son
el valor que nosotros vemos en la matricula.
4. Tener el material suficiente para poder cambiar si alguno se daña.

Práctica Nº 6
Respuesta a la baja Frecuencia JFET.
“Diseñar y construir un amplificador con transistor FET, para obtener una ganancia de 20
además de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte de 300HZ”
 Protoboard.
 1 Transistor 2N5457
 1 resistencia de 3MΩ.
 1 capacitor de 9.57nf aproximado.
 Osciloscopio.

Diagrama a montar:
Cálculos:
( )
( ( )) [ [ ]]
( )
( )( )
( )
[ ]
( )

( )( )
De acuerdo a la fórmula 3.20, para
( )( )
( )( )
( )( )
Con los cálculos obtenidos se prosiguió por hacer el montaje de la práctica y observar la
amplificación.
De acuerdo con los datos mostrados por el osciloscopio se comprobaron los cálculos ya que
nos daba una amplificación aproximada a 20, además de tener una frecuencia de corte de
300 Hz en el Cout.

Conclusiones
En la realización de la práctica de laboratorio se logró diseñar y construir exitosamente un
amplificador de respuesta abaja frecuencia FET. Esto permitió observar cómo es su
comportamiento en la frecuencia de 300Hz, confirmando de esta manera los cálculos
obtenidos de forma teórica.
Recomendaciones
1. Estar concentrados en lo que se está realizando para evitar que la práctica falle por
errores insignificantes, además de no perder la paciencia ya que en muchas
ocasionas la práctica no funciona a la primera y hay que hacer modificaciones.
2. Verificar las curvas del transistor.

Práctica Nº 7
Respuesta a la Alta Frecuencia BJT.
“Diseñar y construir un amplificador con transistor BJT, para obtener una ganancia de 20
además de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte alta de 300KHZ”
 Protoboard.
 1 Transistor BC547
 Osciloscopio.

Diagrama a montar:
Cálculos:
( )
( )
( )
( )
( )

En base a la fórmula calcularemos los capacitores
( )
Para Cin y
( )
( )
Se desprecia la resistencia del generador por ser muy baja.
( )( )
Para el Cout y
Utilizando la fórmula 3.13
( )
( )( )
Para el CE. Y
Aplicando las formulas 3.14 y 3.15
( )( )

Con los cálculos obtenidos se prosiguió por hacer el montaje de la práctica y observa la
amplificación fuera exacta o aproximada si no de lo contario se tendría que recalcular.
En esta foto se muestra el montaje de la práctica con cada uno de los elementos además de
ciertos arreglos en los capacitores para obtener el valor deseado.

En esta figura se muestra como se ajustó el osciloscopio una frecuencia de 300KHz que
sería nuestra frecuencia de corte que deseábamos.
Posteriormente con el montaje y con la frecuencia del osciloscopio ajustada se prosiguió a

medir con el osciloscopio cada una de señales para saber la amplificación y si a hacia el
corte a la frecuencia establecida.

En esta figura observamos los valores medidos por el osciloscopio, con una frecuencia
aproximada de 300KHz. Además de las señales de entrada de 12mV y salida de 220mV.
Haciendo el cálculo correspondiente se demuestra que es una amplificación aproximada a
20 de ganancia ya que nos da como resultado 18.33 de ganancia. A la frecuencia
establecida de 300KHz.
Conclusiones
En la realización de la práctica de laboratorio se logró diseñar y construir exitosamente un
amplificador de respuesta alta frecuencia BJT. Esto permitió observar cómo es su
comportamiento en la frecuencia de 300KHz, además de obtener nuevos conocimientos
prácticos ya que en veces existen conflictos en el saber cómo corregir los errores y poder
confirmando de esta manera los cálculos obtenidos de forma teórica.
Recomendaciones
1. Evitar que existan conflictos en el equipo.
2. Medir las betas de los transistores para evitar fallas en los cálculos.
4. Admitir los errores que uno comete para poderlos corregir estos errores como
equipo.

Práctica Nº 8
Respuesta a la baja Frecuencia JFET.
“Diseñar y construir un amplificador con transistor JFET, para obtener una ganancia de 20
además de calcular sus capacitores para tener una frecuencia de corte de 300KHZ”
 Protoboard.
 1 Transistor 2N5457
 1 resistencia de 3.3MΩ
 1 capacitor de 41.8pf aproximado.
 Osciloscopio.

Diagrama a montar:
Cálculos:
( )
( ( )) [ [ ]]
( )
( )( )
( )( )

[ ]
( )
De la hoja de datos obtengo:
Por lo tanto
( ) ( )
( ) ( )
( ) ( )
( ) [ ] [ ]
Para
( )( )
( )
( )
( )
Con los cálculos obtenidos se prosiguió por hacer el montaje de la práctica, además de
hacer los arreglos correspondientes con laos capacitores.

En la figura se denotan el armado de la práctica, y ciertos arreglos como capacitores tanto
cerámicos como electrolíticos.

De acuerdo con los datos mostrados por el osciloscopio se comprobaron los cálculos ya que
nos daba una amplificación aproximada a 20, además de tener una frecuencia de corte de
300 KHz.

Conclusiones
La práctica de laboratorio se logró diseñar y construir exitosamente un amplificador de
respuesta alta frecuencia JFET. Esto permitió observar cómo es su comportamiento en la
frecuencia de 300kHz comprobando los cálculos obtenidos de forma teórica. Ay que se
hacia el corte a esta frecuencia.
Recomendaciones
1. Verificar los cálculos antes de empezar a montar asi como las formulas dispuestas
para hacer los cálculos.
2. Verificar las curvas del transistor.
5. Mantener la paciencia y tener disponibilidad de tiempo para evitar cometer errores.

Practica Nº 9
“Amplificador de 2 Etapas Retroalimentado”
Diseñar y construir un amplificador retroalimentado de 2 etapas, con una ganancia sin
retroalimentación de 400 y una ganancia de retroalimentación de 5.

 Osciloscopio.
 2 capacitores de 47uF.

Diagrama del Amplificador a Montar:
Calculo de la etapa de retroalimentación:

AVf  5 Para una re propuesta de 120Ω
Haciendo uso de la fórmula 4.10, despejando rf y sustituyendo los valores de re y Avf
rf  ( Avf  1) * re
rf  (5  1) * (120)  480  rf (comercial )  470
11.5 Para la etapa 2:

RC / / R 'L
AV 2  …………(1)
r ' e2
R 'L  (rf  re ) / / RL
R 'L  (470  120) / /(10k )  590

25mV
r ' e2   22.72
1.1mA
Despejando RC en 1y sustituyendo:
(20) * (22.72) * (590)

RC   1115.1  1.2k 
(20)(22.72)  590
Para RE:
12v  6v   (1.1mA) * (1.2k ) 

RE   4254.54  4.7k 
1.1mA
VBB  0.7v  (1.1mA * 4.7k )  5.87v
Para calcular la resistencia de base:
RE 4700
RB 2    (250) *  117500
10 10
Para calcular las resistencias que polarizan la base:
RB 2 117500
R 12    230k 
VBB 2 5.87v
1 1 ( )
Vcc 12v
Vcc   12v 
R22  RB 2 *    (117500 ) *    240 K   230k 
 VBB   5.87v 
Ahora hay que calcular la impedancia de entrada para esta etapa ya que servirá de
resistencia de carga para la etapa 1:
Zin 2  R1 / / R2 / /  * r ' e   * r ' e  (250) * (22.72)  5680

Cálculos de la etapa 1:
Para Av2=20 re=120Ω
Z in 2 * AV 1 (r ' e  re) 5680 * (20)(22.72  120)

RC   
AV 1 (r ' e  re)  Z in 2 20 * (22.72  120)  5680
RC  5737.89  5.6k 
Vcc  VCE  I C * ( RC  re) 6v  (1mA)(5.6k   120)
RE  
IC 1mA
RE  280  270
VBB1  0.7v  (1mA)(120  270)  1.09v
Nuevamente se calcula la RB para obtener las resistencias de polarización de base:
270
RB  (250)  6750
10
6750
R11   7424.38  6.8k 
1.09v
1
12v
12v
R21  6750 * ( )  74311.92  68k 
1.09v
8. AV 1  22
10. AVf  5.2

Conclusiones
Se logró diseñar y construir un amplificador de 2 etapas retroalimentado, con una ganancia
de voltaje estable de 5.2, de esta forma, se pudo observar el comportamiento del circuito
con y sin retroalimentación, dando como resultado un alto grado de estabilización de la
onda en la salida, sin importar la frecuencia en la que se opera, ya que como se sabe una de
las características principales de este tipo de amplificador es su gran ancho de banda.
Recomendaciones
Se recomienda realizar 2 diseños probables para este tipo de amplificador, uno como el que
se construyó en esta práctica, y el 2º con una etapa de seguidor emisor o Colector común, a
la salida, de esta forma la ganancia de voltaje no se ve afectada, y por lo tanto la resistencia
de carga puede ser muy baja.

Practica Nº 10
“Amplificador de potencia”
Diseñar y construir un amplificador potencia clase B/AB para amplificar el sonido.

 Tic 42C y Tic 41
 2 disipadores
 2 diodos
 Osciloscopio.
 1Capacitores de 470 uF
 1capacitores de 10 uF.

Cálculos
Pout=1W
Vcc=18v
R2=8Ω
R=3.9KΩ
Calcular el Pout y Vpp

( ) ( )
( )( )
( )( )
( )
Calcular

( )
( )( )
( )( )
Calcular
Circuito amplificador de potencia montado en proto-booard.

Bocinas de 8 Ω.
En este circuito se alcanzan las condiciones al cumplir que son 1 W de potencia a 8
V de alimentación.
Señal de entrada proporcionada por el generador.

Conclusiones
Se logró diseñar y construir un amplificador este amplificador nos ayuda adquirir la
potencia que queremos dependiendo de su polarización teniendo en cuenta todos los
parámetros a alcanzar.
Recomendaciones
Al trabajar con este circuito a hay que tener en cuenta que no cualquier diodo se puede usar,
también hay que considerar los disipadores ya que con ello nos ayuda a disipar el calor y
conocer la configuración de estos transistores ya que son diferentes a los que hemos estado
utilizado anteriormente.

Practica Nº 11
“Amplificador con Preamplificador”
Diseñar y construir un amplificador potencia clase B/AB que contenga un preamplificador,
tomando la señal de un celular.

 Tic 42C y Tic 41
 2 disipadores
 2 diodos
 Resistencias (de acuerdo a los cálculos)
 Osciloscopio.
 1Capacitores de 470 uF
 1capacitores de 10 uF.
 Bocina

Cálculos
Pout=1W
Vcc=18v
R2=8Ω
R=3.9KΩ
Calcular el Pout y Vpp

( ) ( )
( )( )
( )( )
( )
Calcular

( )
( )( )
( )( )
Calcular
Av=10
Calcular lasR4 yRb

( )
( )
[ ]

Fig. Circuito con pre amplificación montada en proto booard.
En este circuito se alcanzan las condiciones al cumplir que son 1 W de potencia a 8
V de alimentación.
Conclusiones
Con la práctica anterior más un preamplificador se logró construir este amplificador este
nos permite aumentar nuestra amplificación de esta manera al conectar una bocina se
puede escuchar más fuerte y claro si está bien polarizado y si tiene los cálculos correctos.
Recomendaciones
Al trabajar con este circuito a hay que tener en cuenta que no cualquier diodo se puede usar,
también hay que considerar los disipadores ya que con ello nos ayuda a disipar el calor y
conocer la configuración de estos transistores ya que son diferentes a los que hemos estado
utilizado anteriormente.

Proyecto Final
Oscilador De Cambio de Face
Objetivo: “Construir un circuito oscilador a una frecuencia de 1kHz, que

genere la señal de entrada para un amplificador de potencia PUSH-PULL”
Materiales y Equipos:
 Osciloscopio.
 3 Puntas para osciloscopio.
 5 Capacitores.
Desarrollo del Proyecto

a-) Diagrama a montar:
12
v

Requerimientos:
1.- fO  1kHz
2.- El voltaje de salida del oscilador debe ser el voltaje de entrada de una etapa de potencia
con una potencia de 1W y una bocina de 8Ω.
Criterio de Oscilación:
 RC 
1  3
 R '1 
Frecuencia de Oscilación:
1
fO 
2 CR 6
Cálculos:
Las R del diagrama deben ser iguales, al igual que los capacitores; por lo tanto:
Para un capacitor C=0.01uF
1
R  6497.47  practica  6.5k 
2 (0.01uF )(1kHz ) 6
Para el cálculo del criterio de oscilación:
Si se establece una Rc= 4.7k, tenemos:
 RC 
1    3  R '1  2 RC
 R '1 
R '1  2 * (4.7k )  9.4k 
Ya se tiene la parte de oscilación, ahora solo se tiene que calcular las resistencias de
polarización:
Teniendo la Rc= 4.7k, y se propone una corriente de 1mA y un voltaje colector emisor 6v:
VCC  VCE  I C ( RC  RE ) de esta fórmula se despeja la RE:
V  VCE  I C RC 12v  6v  (1mA * 4.7 k )
RE  CC   1.3k 
IC 1mA
RE (comercial )  1.2k 

 RE 200 * (1.2k )
RB    24000
10 10
VBB  0.7v  1.2v  1.9v
24k 
R1   28514  practica  27k 
1.9v
1
12v
 12v 
R2  24k    151k   practica  150k 
1.9v 
Este circuito se acopla a una etapa de PUSH-PULL realizado en la practica 11, como se
muestra en el siguiente diagrama.

Nota: Los calculos para la etapa de potencia estan en la practica 11, solo
hay que cambiar el generador por la salida del oscilador.
Resultados:
Circuito Oscilador montado con el amplificador de potencia
Onda resultante de entrada salida

Criterios de Evaluación
Descripción Cantidad Ponderación

2 primeras (2%
c
Prácticas 11 /u), restantes (4%
c
/u )
Proyecto Final 1 20%
Reportes de Prácticas 11 5%
Exposición de investigación 1 5%
Evaluaciones 3 10% c/u

Evaluaciones Realizadas
1.- Primer parcial:

1.1- Para el siguiente amplificador calcule la frecuencia inferior de corte (Fl), y la
frecuencia superior de corte (Fh), si se tiene que c’e=c’c=5pF:
Vcc
RC Cout
R2
RG
Cin
RL
R1 CE
RE
Datos:
 Vin= 1mV
 RG= 50Ω
 Cin= 1µF
 R1= 2.2KΩ
 R2= 10KΩ
 RC= 3.6KΩ
 RE=1KΩ
 CE= 47uF
 Cout= 4.7uF
 RL= 10KΩ
 Vcc=12v
 β=200

Solución: Primero se debe calcular la corriente de colector, para ello se hace lo siguiente:
R1 2.2k
VBB  VCC  12v  2.164v
R1  R2 (2.2k  10k )
VBB  VBE  VE  VE  2.164v  0.7v  1.464v
VE 1.464v
IC  I E    1.464mA
RE 1k
Teniendo la corriente de trabajo, se puede calcular la resistencia dinámica del transistor
(r’e):
25mV
r 'e   17.07
1.464mA
Ahora para calcular la frecuencia inferior de corte se debe calcular para cada capacitor
externo presente en el circuito, y una vez realizado esto se toma el valor más alto de todos.
El cálculo se hace del siguiente modo:
Zin  2.2k / /10k / /(200)(17.07)  1180

Zin  RG  R  1180  50  1230
1
f 'l   129.34 Hz
2 (1uF )(1230)
  2.2k / /10k / /50  
RE  1k / / 17.07      17.32
  200 
1
f ''l   195.5 Hz
2 (47uF )(17.32)
Rout  10k  3.6k  13.6k 
1
f '''l   2.49 Hz
2 (4.7uF )(13.6 K )
La frecuencia inferior de corte es 195.5Hz
Ahora para la frecuencia de corte superior se realiza lo siguiente:
3.6k  / /10k 
AV   155
17.07
C ' cin (miller )  5 pF * (155  1)  780 pF
155  1 
C ' cout (miller )  5 pF *    5 pF
 155 
Rin  50 / /2.2k / /10k / /(200 *17.07)  50
1
f 'h   4 MHz
2 (5 pF  780 pF )(50)
1
f ''h   12MHz
2 (5 pF )(3.6k / /10k )
En este caso la frecuencia de corte superior es la más baja de las 2, es decir, 4MHz.

1.2 Para el siguiente amplificador calcular la ganancia en modo común (Av MC), la
ganacia en modo diferencial (AvMD), la corriente de colector (Ic), el voltaje de salida
(Vout) y el RRMC.
Datos:
 Vcc=15v
 VEE=-15v
 Rc=180k
 RE=270k
 Vin=1mV
 β=200
Solución: Para calcular la Ic:
15v
IT   55.55uA
270k

IT 55.55uA
Ic    27.77uA
2 2
Para calcular la ganancia en modo común:
180k
Av( MC )   0.3333
2 * 270k
Para la ganancia en modo diferencial:
25mV
r 'e   900
27.77uA
180k
Av( MD )   100
2 * 900
100
RRMC   300
0.3333
Para el voltaje de salida:
Vout  Av( MD ) * Vin  100 *1mA  100mA

2.- Segundo Parcial:
2.1 Para el siguiente amplificador calcular la impedancia de entrada, la ganancia de la

etapa 1, ganancia de la etapa 2 y voltaje de salida.
Datos:
Para la segunda etapa se repiten los valores
Solución.
2.2k
VBB1  10v  1.8v
10k  2.2k
VE  1.8v  0.7v  1.1v
1.1v
I CQ  I E   1.1mA
1000
VCEQ  10v  (1.1mA)(3.6k  1k )  4.94v
25mA
r ' e1   22.72
1.1mA
Zin1  Zin 2  10k / /2.2k / /100 * 22.72  1k
3.6k / /1k
AV 1   34.44
22.72
3.6k / /10k
AV 2   116.5
22.72
AVT  34.44 *116.5  4012.26
Vout  (4012.26)(Vin)
2.2 Para el siguiente amplificador encontrar el rendimiento (η%):

Datos:
100
VBB  30v  10v
(100  200)
VE  10v  0.7v  9.3v
9.3v
I E  IC   137mA
68
VRC  (137mA)(100)  13.7v

VCEQ  30v  (137mA)(100  68)  7v
Para alterna:
rc  100 / /100  50

7v
i( sat )  (137mA)   277mA
50
VCE ( corte )  7v  (137mA)(50)  13.85v
Como voltaje pico se toma el valor más bajo, entre el voltaje corte en cd y el resultado de
Ic*rc=6.85v; por lo tanto el valor a tomar en cuenta es 6.85v.
(13.7v) 2
PLout   235mW
8 *100
30v
I pol   100mA
300

I CD  100mA  137mA  237mA
PCD  30 * 237mA  7.11W

235mW
%  *100%  3.35%
7.11W
2.3 Para el siguiente amplificador calcular el rendimiento:
Datos:

Solucion:
30v
VCEQ   15v
2
30v  1.4v
I pol   143mA
200
15v
I C ( sat )   300mA
50
300mA
I media   95.5mA

ICD  143mA  95mA  238.5mA
PCD  (30v)(238.5mA)  7.14W
(30v) 2
PLout   2.25W
400
2.25W
%  *100%  31.51%
7.14W

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CONTENIDO DE LA CARPETA PARA PROCESO DE

Ubicación del Curso en el Programa

1.1. Análisis con BJT……………………………………………………………… 21

Diseño con Transistores Página 1

Diseño con Transistores Página 2

Diseño con Transistores Página 3

Diseño con Transistores Página 4

Diseño con Transistores Página 5

Diseño con Transistores Página 7

Diseño con Transistores Página 8

3.- COMPETENCIAS A DESARROLLAR

Diseño con Transistores Página 9

4.- HISTORIA DEL PROGRAMA

Diseño con Transistores Página 10

Lugar y fecha de elaboración o revisión

Diseño con Transistores Página 11

6.- COMPETENCIAS PREVIAS

Diseño con Transistores Página 12

8.- SUGERENCIAS DIDÁCTICAS

Diseño con Transistores Página 13

9.- SUGERENCIAS DE EVALUACIÓN

1. Reportes y actividades realizadas en el laboratorio.

Diseño con Transistores Página 14

Unidad 1: Amplificadores Multietapa.

Diseño con Transistores Página 15

Competencia específica a desarrollar

Unidad 3: Repuesta a la Frecuencia del Amplificador.

Competencia específica a desarrollar

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Unidad 4: Amplificadores con Retroalimentación.

Competencia específica a desarrollar Actividades de Aprendizaje

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Unidad 5: Amplificadores de Potencia.

Competencia específica a desarrollar

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11.- FUENTES DE INFORMACIÓN

12.- PRÁCTICAS PROPUESTAS

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1.1.1-Análisis con BJT.

En el circuito de figura 1.1. Se muestra un circuito típico de un amplificador de tensión con

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Aplicando estas consideraciones obtendremos los circuitos equivalentes en DC y en AC

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En este capítulo abordaremos el estudio y la resolución de este circuito abordando un

Al aplicar el principio de superposición, es conveniente ser cuidadoso con la nomenclatura

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1.1.4- Recta de Carga Estática.

La Recta de Carga Estática representa la sucesión de los infinitos puntos de funcionamiento

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La Recta de Carga Dinámica se obtiene al analizar la malla de salida del circuito

Si tenemos en cuenta que la componente incremental (o de alterna) de una señal se puede

Haciendo este cambio de variable en la expresión anterior obtenemos la ecuación de la

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1.2.1- Estructura y características del JFET.

El Principio de funcionamiento de los Transistores de efecto de campo (Field Effect

Los Transistores de efecto de campo de unión (JFET) se clasifican en:

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En lo general las principales características de los FETs son: