Es Transistor

Mario Vascon Giuseppe Galeazzi
Dipartimento di Fisica G. Galilei

Università di Padova
ESERCIZI
SUI
TRANSISTOR
i
Stampato a cura del
Dipartimento di Fisica “Galileo Galilei”
1994
c
Tutti i diritti riservati

Not long ago, an engineer could rely on his intuition, empirical know-how, and a collection
of classical analytical and numerical methods for the solution of most of the problems en-
coutered in engineering design and analysis.
Today he is frequently colled upon to devise a program or an algorithm that in conjunction
with a digital computer leads to an optimal configuration for a complex system subjected
to a large number of inputs and constraints.
Lotfi A. Zadeh, Charles A. Desoer,
Linear System Theory
1963
i
ii
INTRODUZIONE
Esistono approcci diversi alla metodologia di raccolta di esercizi al fine della loro collo-
cazione in un volume. Un esempio dei due più comuni approcci consiste nella raccolta:
• per gruppi legati dalla appartenenza ad argomenti attinenti ad un capitolo d’un par-
ticolare testo di teoria, da questo dipendenti e talvolta tra loro scorrelati (questa è in
genere una tendenza europea);
• per gruppi di argomenti, non legati ad un particolare testo di teoria, raccolti in auto-
nomi capitoli all’inizio dei quali è presente una breve introduzione teorica, in modo da
dare al volume una sua autoconsistenza (questa è in genere una tendenza americana).
A nostro avviso il primo approccio tende a raggruppare una serie di esempi legati tra loro
talora solo da un vago tema comune rendendo la raccolta poco autoconsistente e non pone
nello stesso risalto teoria e applicazioni contribuendo cosı̀ a creare una sorta di dicotomia
tra l’una e l’altre.
Il secondo approccio porta a sviluppare la teoria mediante gli esercizi, e a porre cosı̀
maggiormente in risalto quest’ultimi mettendo in ombra i processi di sintesi e contribuendo
cosı̀ anch’esso ad ingenerare una dicotomia di altro tipo.
A nostro parere l’Elettronica non può essere separata nettamente in teoria ed applicazioni,
se non forse per quanto riguarda (e ancora forse!) la fisica dei componenti, in quanto
l’Elettronica è una continua esposizione di metodologie di analisi e di sintesi di circuiti.
Man mano che in un testo di Elettronica si sviluppa un argomento però, se si espongono
troppe applicazioni di uno stesso metodo, si rischia di appesantire l’esposizione dei metodi
stessi, per cui nasce la necessità di addivenire ad un compromesso tra l’esposizione della
metodologia e la varietà delle sfumature della sua applicazione.
La realizzazione di questo compromesso può consistere nell’architettare il “libro di esercizi
di Elettronica” come una appendice del libro di “teoria” o meglio una sorta di sua estensione,
nella quale compaiono quanti più possibili variazioni sul tema di ogni metodo archetipico
fondamentale. E tutto ciò senza appesantire il testo di partenza.
In nessun altro caso come in Elettronica esiste la necessità didattica di mostrare come
l’analisi di un circuito possa essere sviluppata mediante metodi sistematici standardizzati,
oltre che mediante metodi semplificatori basati sull’intuizione e su quello “sprazzo d’ingegno”
che talvolta, anche in certi testi famosi, tendono a far apparire l’Elettronica più un’arte che
una scienza, con grande sgomento dei poveri studenti.
Chi fosse giunto sino a questo punto nella lettura della presente introduzione potrebbe
chiedersi quale sia il criterio uniformante del presente volume. È presto detto.
Ogni analisi circuitale ritenuta di una certa importanza viene caratterizzata con un
gruppo più o meno folto di circuiti archetipi con sfumature caratteristiche di tipologia e
di difficoltà crescenti e questi vengono sviluppati ciascuno con il maggior numero di metodi
diversi (o metodi similari ma con stadi intermedi diversi). I metodi per la risoluzione dello
iii
stesso problema possono, alcuni essere semplici, altri più complicati allo scopo di mostrare,
per circuiti analoghi che lo studente possa incontrare nella realtà, quali siano le difficoltà
delle varie metodologie, e quindi la via più conveniente da seguire.
Ciascun gruppo di moduli archetipici legato ad un metodo è reso quanto più possibile
autosufficiente in modo tale da rendere la raccolta di esercizi il più possibile indipendente
da uno specifico testo di teoria.
Va da sè che il numero degli archetipi non può che essere limitato. Per ora può essere
reputato sufficiente per un argomento riguardante i transistori in bassa frequenza. Per
scelta di fondo e per questioni di dimensioni editoriali, è stato dato più spazio ai metodi
(soprattutto a quelli sistematici) che al numero di archetipi, anche perchè altri archetipi, nel
futuro, in una tale struttura possono essere aggiunti.
Non compare nessun esercizio con valori numerici se non nei casi di cui si dirà più
avanti. Pensiamo che abbia più senso, trattandosi di esercizi archetipici, lo svolgerli col
calcolo simbolico, in quanto ogni problema una volta consumato come esercizio, rimane
come algoritmo. Si affida allo studente il compito di costruire da sè esempi numerici derivati
da quelli del testo usando i valori dei parametri del transistore “tipico” (riportati nelle
tabelle alla fine del Gruppo II) e provando ad inserire i valori delle resistenze che non fanno
parte dei circuiti equivalenti dei transistor. Operando con un programma che permetta il
calcolo numerico (commerciale o meglio se autocostruito) i risultati finali possono essere
rapidamente calcolati al variare dei valori dei paramertri circuitali.
Gli esercizi sui transistor sono in gran parte basati sull’analisi di reti lineari e quindi in
genere sulla soluzione di sistemi di n equazioni lineari algebriche in n incognite. Le soluzioni
possono essere controllate con pacchetti software del tipo Macsyma o Mathematica nel caso
dell’uso del calcolo simbolico, del tipo Derive o del tipo “programma Sistemi” in dotazione
al volume “Elementi di teoria delle reti lineari”, nel caso di soluzioni numeriche. Programmi
del tipo Pspice o MICRO-CAP III sono utilissimi (se sono a portata “di computer”) per
verificare l’esattezza dei calcoli con le simulazioni.
Una parte dei circuiti per i quali i metodi di simulazione rivestono uno strumento parti-
colarmente efficace dal punto di vista didattico sono analizzati anche mediante il programma
MICRO-CAP III e sono gli unici ad essere necessariamente risolti coi metodi numerici.
I Gruppi di esercizi sono:
• Polarizzazione dei transistor e coefficienti di stabilità.

• Esercizi a carattere generale sul comportamento dei transistor.
• Modelli circuitali dei transistor ai piccoli segnali e a bassa frequenza.
• Amplificatori a transistor a bassa frequenza.
Mario Vascon Giuseppe Galeazzi
Padova, Maggio 1994
iv
Indice
I Polarizzazione e coefficienti di stabilità 3

I 1 Ia polarizzazione EC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
I 2 IIa polarizzazione EC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
I 3 IIIa polarizzazione EC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
I 4 IVa polarizzazione EC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
I 5 Va polarizzazione EC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 31
I 6 VIa polarizzazione EC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
II Modelli circuitali del transistor 47

II 1 Modelli in EC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
II 2 Modelli in BC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63
II 3 Modelli in CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 71
II 4 Trasformazioni dei parametri del transistor nelle tre connessioni . . . . . . . 79
III Esercizi a carattere generale sul comportamento dei transistor 93
IV Circuiti amplificatori 107

IV 1 Amplificatori in EC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 109
IV 2 Amplificatori in CC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 129
IV 3 Amplificatori in BC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
IV 4 Analisi comparata tra amplificatori nelle tre connessioni . . . . . . . . . . . . 157
IV 5 Amplificatori in EC con resistore in emettitore . . . . . . . . . . . . . . . . . 161
IV 6 Amplificatori a transistor in CC con resistore in collettore . . . . . . . . . . . 177
IV 7 Amplificatore Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 179
IV 8 Amplificatore Cascode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 183
1
2
Gruppo I
Polarizzazione e coefficienti di
stabilità
Negli esercizi che seguono si esegue l’analisi di tutte le principali reti di polarizzazione
del transistor in EC.
Si esprime poi la corrente di collettore del transistor in funzione di VBE , ICBO , α o β e
la si deriva rispetto a queste variabili per ricavare i coefficienti di stabilità SV , SI , Sα .
3
4
I1 Ia polarizzazione EC
M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 5

Commento I.1 È utile, per l’analisi dei circuiti di polarizzazione, ricordare il circuito equiva-
lente in continua del transistor.
Esercizio I.1 Trasformare il circuito equivalente a T in continua del transistore in base

comune nel circuito equivalente a T in continua in emettitore comune.
figura I 1.1
Nella figura I 1.1 a) è rappresentato il modello in base comune completo. Da questo si ricava
il modello in continua b). Tenendo conto delle regole di trasformazione dei generatori 1 , si
può trasformare il circuito in quello di figura c). Osservando poi che il generatore Vγ nei rami
di collettore è ininfluente, si passa al circuito di figura d).
Si noti che il modello in figura è quello del transistore P N P . Nel caso si voglia il modello del
transistore N P N , basta invertire le polarità dei generatori Vγ βIB e (1 + β)ICBO .
1 vedi M. Vascon, Elementi di teoria delle reti lineari, CLEUP, Padova, 1989. Altri esercizi sulla trasfor-
mazione dei generatori sono riportati per comodità alla fine del Gruppo I.
6
Esercizio I.2 Analizzare la polarizzazione o meglio eseguire un’analisi in continua del cir-
cuito e ricavarne i coefficienti di stabilità.
figura I 1.2
Il circuito è assai semplice e può essere analizzato anche senza usare il circuito equivalente del
transistor.
Applicando il principio di Kirchhoff alla maglia di cui fan parte la base e l’emettitore:
VCC − VBE
IB =
Rb
2
nella quale VBE = Vγ è la tensione ai capi della giunzione BE . Da quest’ultima relaziome
possiamo ricavare IC :
VCC − VBE
IC = β + (1 + β)ICBO
Rb
Per completare l’analisi basta trovare la corrente di emettitore IE = IB + IC , la tensione di
collettore VCE = VCC − Rc IC , la tensione ai capi del resistore Rb .
I coefficienti di stabilità possono essere ricavati, una volta sia nota IC in funzione di VBE , ICBO , β ,
derivando IC rispetto alle variabili citate.
Dividendo per (1 + β) numeratore e denominatore a secondo membro dell’equazione prece-
β
dente e ricordando che α = 1+β :
α(VBB − VBE ) Rb ICBO

IC = + (I 1.1)
(1 − α)Rb (1 − α)Rb
L’ultima equazione mostra la dipendenza di IC da α, da ICBO e da VBE .
Se supponiamo che α sia indipendente dalla temperatura, la variazione di IC rispetto a VBE
e ad ICBO può essere espressa dalla:
−α Rb ICBO
∆IC = ∆VBE + ∆ICBO (I 1.2)
(1 + β)Rb (1 − α)Rb
2 chiameremo d’ora in poi VBE il generatore Vγ che appariva nell’esercizio precedente.

Differenziando prima rispetto ad ICBO , poi rispetto a VBE :
. ∆IC Rb
SI = = = (1 + β) (I 1.3)
∆ICBO (1 − α)Rb
. ∆IC −α
SV = = SI (I 1.4)
∆VBE Rb
Calcoliamo ora il coefficiente Sα , supponendo che non vi siano variazioni di ICBO e di VBE .
A tale scopo, senza derivare la IC , notiamo che nell’equazione I 1.1 le dimensioni del secondo
addendo del secondo membro nel caso di un transistore al Si ad esempio, sono di gran lunga
minori di quelle del primo addendo 3 .
Supponendo quindi che α vari da α1 ad α2 , la ∆IC = IC (α1 ) − IC (α2 ) può essere calcolata
dalla:
α1 (VBB − VBE ) α2 (VBB − VBE )

∆IC = IC1 − IC2 = −
(1 − α1 )Rb (1 − α2 )Rb
(α1 − α2 )(VBB − VBE ) Rb
=
(1 − α1 )Rb (1 − α2 )Rb
∆α(VBB − VBE )
= SI2
(1 − α1 )Rb
Da quest’ultima relazione possiamo trarre che:
. ∆IC IC1
Sα = = SI2 (I 1.5)
∆α α1
Ricordando la relazione che lega α e β, possiamo scrivere:
β1 β2 ∆β
∆α = − =
1 + β1 1 + β2 (1 + β1 )(1 + β2 )
dalla quale possiamo scrivere anche che:
∆IC ∆IC IC1

Sα = = (1 + β1 )(1 + β2 ) = SI2
∆α ∆β α1
Da quest’ultima relazione possiamo finalmente ricavare Sβ :
. ∆IC IC1
Sβ = = SI2 (I 1.6)
∆β β1 (1 + β2 )
I tre coefficienti di stabilità sono raggruppati nella tabella sottostante:
SI =(1 + β)
−α
SV = (1 + β)
Rb
IC1 IC1
Sα = SI2 = (1 + β2 )
α1 α1
3i due denominatori sono eguali e l’ordine di grandezza di ICBO per un transistor al Si è di 10−9A.
8
cuito usando il modello in continua del transistor. Ricavare i coefficienti di stabilità.
figura I 1.3
Essendo il transistore N P N e connesso in emettitore comune, il circuito equivalente in con-

tinua risulta quello compreso tra i tre terminali B, E, C in figura I 1.3 b). L’intero circuito di
figura I 1.3 b), per le proprietà dei generatori ha come circuito equivalente quello in figura c).
Dal circuito c) si ricava IB
VCC − VBE
IB =
Rb
Di qui in avanti si procede come nell’esercizio precedente.

10
I2 IIa polarizzazione EC

figura I 2.1
Il circuito è assai semplice e può essere analizzato anche senza usare il circuito equivalente del
transistor.
Applicando il principio di Kirchhoff alla maglia di cui fan parte la base e l’emettitore:
VCC =Rb IB + VBE + Re IE = Rb IB + VBE + Re(IB + IC ) =
=IB (Rb + Re) + VBE + Re[βIB + (1 + β)ICBO ] =
=IB [Rb + (1 + β)Re ] + (1 + β)ICBO + VBE

e quindi:
(VCC − VBE ) − (1 + β)ICBO

IB =
Rb + (1 + β)Re
Da quest’ultima possiamo ricavare IC :
VCC − VBE − (1 + β)Re ICBO

IC =β + (1 + β)ICBO
Rb + (1 + β)Re
β(VCC − VBE ) − β(1 + β)Re ICBO + (1 + β)Rb ICBO + β(1 + β)Re ICBO + (1 + β)Re ICBO
=
Rb + (1 + β)Re
β(VCC − VBE ) + (1 + β)(Rb + Re ICBO )
=
Rb + (1 + β)Re
α
Ricordando che β= 1−α , possiamo anche scrivere:
α(VCC − VBE ) (Rb + Re )ICBO

IC = + (I 2.1)
Re + (1 + α)Rb Re + (1 − α)Rb
12
Ricordando ora che IE = IB + IC , possiamo considerare conclusa l’analisi del circuito.
Calcoliamo ora i coefficienti di stabilità.

Se supponiamo che α sia indipendente dalla temperatura, la variazione di IC dalla temperatura
può essere espressa dalla:
−α (Rb + Re)ICBO
∆IC = ∆VBE + ∆ICBO (I 2.2)
Re + (1 + β)Rb Re + (1 − α)Rb
Da quest’ultima relazione possiamo ricavare, derivando prima rispetto ad ICBO , poi rispetto
a VBE :
. ∆IC (Rb + Re)

SI = = (I 2.3)
∆ICBO Re + (1 − α)Rb
. ∆IC −α
SV = = SI (I 2.4)
∆VBE Re + Rb
Si noti che più grande è SI , più bassa è la stabilità della polarizzazione del circuito, tanto
che il termine più appropriato per denominare SI dovrebbe essere coefficiente di instabilità
piuttosto che coefficiente di stabilità.
Come appare dalla equazione I 2.3, il parametro SI dipende dalle resistenze Rb ed Re della
rete di polarizzazione e dal parametro α (o β ) del transistor. Si vede inoltre che per Rb che
tende a zero, SI tende ad 1, mentre per Re che tende a zero, SI tende a (1 + β).
addendo al secondo membro sono di gran lunga minori di quelle del primo addendo 4 .
dalla:
α1 (VCC − VBE ) α2 (VCC − VBE )

∆IC = IC1 − IC2 = −
Re + (1 − α1 )Rb Re + (1 − α2 )Rb
(α1 − α2 )(VCC − VBE ) (Re + Rb )
=
Re + (1 − α1 )Rb Re + (1 − α2 )Rb
∆α(VCC − VBE )
= SI2
Re + (1 − α1 )Rb
. ∆IC IC1
Sα = = SI2 (I 2.5)
∆α α1
β1 β2 ∆β
∆α = − =
1 + β1 1 + β2 (1 + β1 )(1 + β2 )
∆IC ∆IC IC1

Sα = = (1 + β1 )(1 + β2 ) = SI2
∆α ∆β α1
4i due denominatori sono eguali e l’ordine di grandezza di ICBO per un transistor al Si è di 10−9 A.

. ∆IC IC1
Sβ = = SI2 (I 2.6)
∆β β1 (1 + β2 )
14
cuito usando il modello in continua del transistor. Ricavare i coefficienti di stabilità.
figura I 2.2
Essendo il transistore N P N e connesso in emettitore comune, il circuito equivalente in con-

tinua risulta quello di figura I 2.2 a). Quest’ultimo, per le proprietà dei generatori ha come
circuito equivalente quello in figura b) e c).
Dal circuito c) si ricava:
VCC =Rb IB + VBE + ReIB + Re((1 + β)ICBO + βIB )
=IB (Rb + (1 + β)Re ) + (1 + β)Re ICBO + VBE

e quindi:
(VCC − VBE ) − (1 + β)ICBO

IB =
Rb + (1 + β)Re
Da quest’ultima possiamo ricavare IC . Da questo punto in poi siprosegue come nell’esercizio
precedente.

16
I3 IIIa polarizzazione EC

Esercizio I.6 Analizzare la polarizzazione del circuito e ricavarne i coefficienti di stabilità.
La polarizzazione in figura è quella in genere più usata dato l’alto valore di stabilità.
Non richiedendosi l’analisi in continua del circuito, ma solamente i coefficienti di stabilità, la
soluzione più rapida del problema è quella classica che si basa su una semplificazione ottenuta
mediante il teorema di Thevenin.
figura I 3.1
Applicando la seconda legge di Kirchhoff alla maglia d’ingresso del circuito in figura I 3.1 b),
otteniamo:
VBB =Rb IB + VBE + ReIE

=Rb IB + VBE + Re(IB + IC )
=(Rb + Re(1 + β))IB + VBE + Re(1 + β)ICBO
da cui possiamo ricavare IB :
VBB − VBE − Re (1 + β)ICBO

IB =
Rb + (1 + β)Re
Ricordando che IC = βIB + (1 + β)ICBO possiamo scrivere che:
β(VBB − VBE ) + (1 + β)(Rb + Re)ICBO

IC = (I 3.1)
Rb + (1 + β)Re
Ma dividendo per (1 + β) numeratore e denominatore a secondo membro dell’equazione pre-
β
cedente e ricordando che α = 1+β :
α(VBB − VBE ) (Rb + Re )ICBO

IC = + (I 3.2)
Re + (1 − α)Rb Re + (1 − α)Rb
Se supponiamo che α sia indipendente dalla temperatura, la variazione di IC dalla temperatura
può essere espressa dalla:
18
−α (Rb + Re)ICBO
∆IC = ∆VBE + ∆ICBO (I 3.3)
Re + (1 − α)Rb Re + (1 − α)Rb
Da quest’ultima relazione possiamo ricavare, derivando prima rispetto ad ICBO , poi rispetto
a VBE :
. ∆IC (Rb + Re)

SI = = (I 3.4)
∆ICBO Re + (1 − α)Rb
. ∆IC −α
SV = = SI (I 3.5)
∆VBE Re + Rb
Si noti che più grande è SI , più bassa è la stabilità della polarizzazione del circuito, tanto
che il termine più appropriato per denominare SI dovrebbe essere coefficiente di instabilità
piuttosto che coefficiente di stabilità.
Come appare dalla equazione I 3.4, il parametro SI dipende dalle resistenze Rb ed Re della
tende a zero, SI tende ad 1, mentre per Re che tende a zero, SI tende a (1 + β).
addendo del secondo membro sono di gran lunga minori di quelle del primo addendo 5 .
dalla:
α1 (VBB − VBE ) α2 (VBB − VBE )

∆IC = IC1 − IC2 = −
Re + (1 − α1 )Rb Re + (1 − α2 )Rb
(α1 − α2 )(VBB − VBE ) (Re + Rb )
=
Re + (1 − α1 )Rb Re + (1 − α2 )Rb
∆α(VBB − VBE )
= SI2
Re + (1 − α1 )Rb
. ∆IC IC1
Sα = = SI2 (I 3.6)
∆α α1
β1 β2 ∆β
∆α = − =
1 + β1 1 + β2 (1 + β1 )(1 + β2 )
∆IC ∆IC IC1

Sα = = (1 + β1 )(1 + β2 ) = SI2
∆α ∆β α1
. ∆IC IC1
Sβ = = SI2 (I 3.7)
∆β β1 (1 + β2 )
Commento I.2 La SI non dipende dal valore della resistenza Rc.

5i due denominatori sono eguali e l’ordine di grandezza di ICBO per un transistor al Si è di 10−9 A.

Commento I.3 L’espressione della SI del circuito III è formalmente simile a quella del circuito
II; in entraambi i casi Rb rappresenta la resistenza effettiva vista dalla base.
Commento I.4 La SI del circuito I si può ricavare da quella dei circuiti II e III ponendo Re = 0
20
cuito e ricavarne i coefficienti di stabilità. Si richiede di risolvere l’esercizio adoperando il
circuito equivalente in continua del transistor.
figura I 3.2
Il problema ci fornisce il destro per un ulteriore esercizio sulla trasformazione dei generatori
nei circuiti in continua. La figura I 3.2 a) mostra il circuito equivalente in dc del circuito
di partenza, dopo la sostituzione del circuito equivalente in dc del transistor. Si cerca poi di
semplificare il circuito trasformandolo in un circuito equivalente dal quale si possa ricavare o
la corrente IB o una corrente dalla quale quest’ultima possa essere ricavata, per esempio la
IE = IB + IC = (1 + β)(IB + ICBO ). A tale scopo passiamo al circuito equivalente di figura I
3.2 b) nel quale si è trasportato il generatore di tensione VBE nei due rami adiacenti. Si noti a
questo punto che nel ramo contenente Rc sono inefficaci per l’intero circuito sia Rc sia VBE 6
e che quindi possono essere soppressi. Il circuito equivalente (rispetto alla corrente IE (che
attraversa il resistore Re )) diviene dunque quello di figuraI 3.2 c) nel quale il generatore di
corrente I ∗ è stato trasformato nel generatore di tensione R1 I ∗ . Quest’ultimo può essere più
convenientemente disegnato come in figura I 3.2 d). Da questo possiamo ricavare la IE = I2 .
Ricordando che I ∗ = βIB + (1 + β)ICBO , che IE = I2 , si ricava che:

I2 = IE = IB + IC = (1 + β)(IB + ICBO )
I2 (1 + β)ICBO
IB = −
(1 + β) (1 + β)
βI2
I∗ = + ICBO
(1 + β)
Applicando il metodo delle maglie ed utilizzando la matrice di Stigant:
 
(R1 + R2 ) R1
VCC + R1 I ∗ I1
= 
VCC + R1 I ∗ − VBE R1 (R1 + Re) I2
Sostituendo I ∗ :

 βR1

 VCC + R1 ICBO = (R1 + R2 )I1 + (R1 − (1 + β) )I2

 βR1
 VCC + R1 ICBO − VBE = (R1 )I1 + (R1 − + Re)I2
(1 + β)
Risolvendo il sistema:
 
(R1 + R2 ) (R1 − βR1
VCC + R1 ICBO (1+β) ) I1
= 
VCC + R1 ICBO − VBE I2
R1 (R1 − βR1
(1+β) + Re )
possiamo ricavare I2

(R1 + R2 ) VCC + R1 ICBO

R 1 VCC + R1 ICBO −VBE
I2 = (R1 + R2 )
R1

R1 (R1 + Re)
Di qui possiamo ricavare IB :
VBB − VBE − Re (1 + β)ICBO

IB =
Rb + (1 + β)Re
Dove:
R2 R1 R2
VBB = Rb
R1 + R2 R1 + R2
Conosciamo a questo punto IB , IC , IE . Notiamo poi dalla figura I 3.2 d) che il ramo R2 è un
ramo di coalbero, quindi I1 è la corrente reale che passa su R2 . La corrente IR1 sir resistore
R1 si può calcolare mediante la IR1 = IB + I1 . L’analisi in continua del circuito si può quindi
considerare completa.
Per quanto riguarda poi i coefficienti di stabilità, da questo punto in poi possiamo procedere
come nell’esercizio precedente.
Soluzioni ottenute con Mathematica I.1 .
22
Solve [{VCC+R1*ICBO==(R1+R2)*I1 +(R1-bet*R1/(bet+1))*I2,
VCC+R1*ICBO-VBE== R1*I1+(R1-bet*R1/(bet+1)+Re)*I2 },
{I1,I2}]
IIE=I2/.%;
IIB=IIE/(bet+1)-ICBO;
Together[%];
Simplify[%]
{(-(ICBO Re R1) - bet ICBO Re R1 - ICBO Re R2
- bet ICBO Re R2 - R1 VBE - R2 VBE + R2 VCC) /
(Re R1 + bet Re R1 + Re R2 + bet Re R2 + R1 R2)}

figura I 3.3
Una soluzione intuitiva del problema si può ottenere scrivendo il sistema:



 VCC = R1 I1 + VBE + RE IE


VBE + RE IE = R2 I2




I1 − I2 = IB
Ricordando che:
IE = IB + IC = IB + βIB + (1 + β)ICBO


 VCC − VBE = R1 I1 + Re(1 + β)IB + Re(1 + β)ICBO


VBE = +R2 I2 − Re (1 + β)IB − Re(1 + β)ICBO




I1 − I2 = IB


 VCC − VBE − Re (1 + β)ICBO = R1 I1 + Re(1 + β)IB


VBE + Re(1 + β)ICBO = +R2 I2 − Re(1 + β)IB




0 = I1 − I2 − IB
 
  R1 0 Re(1 + β)  
VCC − VBE − Re(1 + β)ICBO   I1
  
 =  0 R2 −Re(1 + β)   I2 
VBE + Re (1 + β)ICBO
 
0 IB
1 −1 −1
24
Risolvendo il sistema si ricavano I1 , I2 , IB . Si possono poi ricavare IE , IC e tutte le tensioni
ai capi dei resistori. Possiamo quindi considerare completa l’analisi in continua.
Risolvendo il sistema per IB si ricava:
VBB − VBE − Re(1 + β)ICBO

IB =
Rb + (1 + β)Re
Dove:
R2 R1 R2
VBB = Rb
R1 + R2 R1 + R2
Da questo punto in poi possiamo procedere come nell’esercizio precedente.
Solve [{VCC-VBE-Re*(bet+1)*ICBO==R1*I1 +Re*(bet+1)*Ib,

VBE+Re*(bet+1)*ICBO== R2*I2-Re*(bet+1)*Ib,
0==I1+-I2-Ib},
{I1,I2,Ib}];
IIB=Ib/.%;
Together[%];
Simplify[%]
{(-(ICBO Re R1) - bet ICBO Re R1 - ICBO Re
R2 - bet ICBO Re R2 - R1 VBE - R2 VBE + R2 VCC) /
(Re R1 + bet Re R1 + Re R2 + bet Re R2 + R1 R2)}

26
I4 IVa polarizzazione EC

figura I 4.1
VCC =RcIE + Rb IB + VBE =

=Rc(IB + IC ) + Rb IB + VBE =
=RcIB + Rb IB + Rc [βIB + (1 + β)ICBO ] + VBE =
=IB (Rb + (1 + β)Rc ) + (1 + β)Rc ICBO + VBE
Da quest’ultima relazione possiamo ricavare IB :
(VCC − VBE ) − (1 + β)Rc ICBO

IB =
Rb + (1 + β)Rc
Da quest’ultima relazione possiamo ricavare IC :

IC =β + (1 + β)ICBO =
Rb + (1 + β)Rc
β(VCC − VBE ) + (1 + β)(Rc + Rb )ICBO
= =
Rc + (1 + β)Rb
α(VCC − VBE ) (Rc + Rb )ICBO
= +
Rc + (1 − α)Rb Rc + (1 − α)Rb
Dalla conoscenza di IB e di IC si ricava IE e l’analisi del circuito è conclusa.
I coefficienti di stabilità possono essere ottenuti derivando l’espressione trovata di IC :
(Rc + Rb )
SI =
Rc + (1 − α)Rb
−α
SV =
Rc + (1 − α)Rb
(Rc + Rb )(VCC − VBE + ICBO Rb )

Sα =
[Rc + (1 − α)Rb ]2
28
IIC=alpha*(VCC-VBE)/(Rc+(1-alpha)*Rb)+(Rc+Rb)*ICBO/(Rc+(1-alpha)*Rb)
D[IIC,alpha]
Simplify[%]
{(Rb+Rc) (ICBO Rb - VBE + VCC)}/(Rb - alpha Rb + Rc)^2

Esercizio I.10 Analizzare la polarizzazione o meglio eseguire un’analisi del circuito in con-
tinua mediante il circuito equivalente in continua del transistor e ricavare i coefficienti di
stabilità del circuito.
figura I 4.2
Notiamo dal circuito di figura I 4.2 d) che la corrente circolante attraverso il generatore VBE
e quindi nella maglia è IB , che può essere ricavata dalla applicazione della seconda legge di
Kirchhoff:
VCC = IB (Rb + (1 + β)Rc ) + (1 + β)Rc ICBO + VBE

quindi:

IB =
Rb + (1 + β)Rc
α(VCC − VBE ) (Rc + Rb )ICBO

IC = +
Rc + (1 − α)Rb Rc + (1 − α)Rb
I coefficienti di stabilità possono essere ricavati come nell’esercizio precedente.
30
I5 Va polarizzazione EC

figura I 5.1
Dalla maglia che comprende il collettore, la base e l’emettitore possiamo scrivere:
VCC =Rc IE + Rb IB + VBE + ReIE =
=Rb IB + (Rc + Re)(IB + IC ) + VBE =
=Rb IB + (Rc + Re)IB + (Rc + Re )IC + VBE =
=Rb IB + (Rc + Re)IB + (Rc + Re )(βIB ) + (Rc + Re)(1 + β)ICBO ) + VBE =
=IB [Rb + (1 + β)(Rc + Re)] + (1 + β)(Rc + Re)ICBO + VBE
Da quest’ultima relazione possiamo ricavare IB :
(VCC − VBE ) − (1 + β)(Rc + Re)ICBO

IB =
Rb + (1 + β)(Rc + Re)

IC =β + (1 + β)ICBO =
Rb + (1 + β)(Rc + Re)
β(VCC − VBE ) + (1 + β)Rb ICBO + (1 + β)(Rc + Re)ICBO
= =
Rc + (1 + β)(Rc + Re)
β(VCC − VBE ) + (1 + β)[Rb + (Rc + Re)]ICBO
=
Rb + (1 + β)(Rc + Re )
α
Ricordando che β= 1−α :
α(VCC − VBE ) [(Rc + Re) + Rb ]ICBO

IC = +
(Rc + Re) + (1 − α)Rb (Rc + Re) + (1 − α)Rb
32
(Rc + Re ) + Rb
SI =
(Rc + Re) + (1 − α)Rb
−α
SV =
(Rc + Re) + (1 − α)Rb
(Rc + Rb + Re)(VCC − VBE + ICBO Rb )

Sα =
[(Rc + Re) + (1 − α)Rb ]2
IIC=alpha*(VCC-VBE)/(Rc+Re+(1-alpha)*Rb)+
(Rc+Re+Rb)*ICBO/(Rc+Re+(1-alpha)*Rb)
D[IIC,alpha];
Simplify[%]
{(Rb+Rc+Re)(ICBO Rb- VBE+VCC)}/(Rb-alpha Rb+Rc+Re)^2

figura I 5.2
Notiamo dal circuito di figura I 5.2 d) che la corrente circolante attraverso il generatore VBE
e quindi nella maglia è IB , che può essere ricavata dalla applicazione della seconda legge di
Kirchhoff alla maglia:
VCC = IB [Rb + (1 + β)(Rc + Re)] + (1 + β)(Rc + Re )ICBO + VBE

quindi:

IB =
Rb + (1 + β)(Rc + Re)
Da quest’ultima relazione possiamo procedere come nell’esercizio precedente.
34
I6 VIa polarizzazione EC

figura I 6.1
Osserviamo la maglia che contiene i resistori Rc , Rb , Re e quella contenente R2 , Re . Possiamo

scrivere le due relazioni alle maglie in un sistema:

 VCC = Rc(IC + I1 ) + Rb I1 + VBE + Re IE
 V
BE + Re IE = −R2 (I1 − IB )

 VCC = RC [βIB + (1 + β)ICBO ] + RcI1 + Rb I1 + VBE + Re[βIB + (1 + β)ICBO ]
 V
BE + Re [βIB + (1 + β)ICBO ] = −R2 (I1 − IB )

 VCC − (RC + Re )(1 + β)ICBO − VBE = RcβIb + ReIB + ReβIB + (Rc + Rb )I1 + Re [βIB + (1 + β)ICBO ]
 −V
BE + Re (1 + β)ICBO = Re IB + Re βIB + R2 IB + R2 I1

 (VCC − VBE ) − (RC + Re)(1 + β)ICBO = [βRc + (1 + β)Re ]IB + (Rc + Rb )I1
 −V
BE − Re (1 + β)ICBO = [(1 + β)Re + R2 ]IB + R2 I1
   
[(VCC − VBE ) − (RC + Re)(1 + β)ICBO ] [βRc + (1 + β)Re ] [Rc + Rb ]
 =  IB
I1
[−VBE − Re(1 + β)ICBO ] [(1 + β)Re + R2 ] [−R2 ]
Risolvendo il sistema per IB si ricava:

[(VCC − VBE ) − (RC + Re)(1 + β)ICBO ] [Rc + Rb ]

[−VBE − Re(1 + β)ICBO ] [−R2 ]
IB =
[βRc + (1 + β)Re ] [Rc + Rb ]

[(1 + β)Re + R2 ] [−R2 ]
36
VCC R2 − VBE (Rb + Rc + R2 ) − (1 + β)[Re (Rb + Rc + R2 ) + Rc R2 ]
IB =
(Rb + Rc)R2 + (1 + β)Re (Rb + Rc + R2 ) + βRc R2
Ricordando che IC = βIB + (1 + β)ICBO
β[VCC R2 − VBE (Rb + Rc + R2 )] + (1 + β)[(Rb + Rc)R2 + Re(Rb + Rc + R2 )]ICBO

IC =
R2 (Rb + Rc ) + Re(1 + β)(Rb + Rc + R2 ) + βRc R2
α
Ricordando che β = 1−α :

α VCC − VBE 1 + Rb +Rc
R2 + ICBO Rb Re 1 + RbR+R c
+ R b + R c

2
IC =
Rb +Rc
Re 1 + R2 + Rc + Rb (1 − α)
Risolvendo il sistema per I1 possiamo ricavare la corrente I2 = I1 − IB e la corrente che

attraversa Rc e che vale IC + I1 .

. ∂IC Rb + Rc + Re 1 + RbR+R c

2
SI = = (I 6.1)
∂ICBO Rb +Rc
Rc + Re 1 + R2 Rb
+ (1+β)

. ∂IC − 1+β
β
1 + RbR+R c

2
SV = = (I 6.2)
∂VBE Rc + Re 1 + R2Rb +Rc Rb
+ (1+β)

. ∂IC VCC − VBE 1 + Rb +Rc
R2
+ I CBO R b R e 1 + Rb +Rc
R2
+ R b + R c
Sα = = 2
∂α
Re 1 + RbR+R2
c
+ R c + R b (1 − α)
(I 6.3)
Solve [{-Vbe-(bet+1)*Re*Icbo==-R2*i1 +(R2+(bet+1)*Re)*i2,

Vcc-Vbe-(bet+1)*Icbo*(Re+Rc)==(Rc+Rb)*i1+((bet+1)*Re+bet*Rc) *i2},
{i1,i2}]
ib=i2/.%
ic=(bet+1)*Icbo+bet*%;
D[%,Icbo]
Together[%];
Simplify[%]
{((1 + bet) (Rb Re + Rc Re + Rb R2 + Rc R2 + Re R2)) /
(Rb Re + bet Rb Re + Rc Re + bet Rc Re + Rb R2 + Rc R2 +

bet Rc R2 + Re R2 + bet Re R2)}
D[ic,Vbe];
Together[%];
Simplify[%]
{-((bet (Rb + Rc + R2)) /
(Rb Re + bet Rb Re + Rc Re + bet Rc Re + Rb R2 + Rc R2 +
bet Rc R2 + Re R2 + bet Re R2))}
D[ic,alpha];
Together[%];
Simplify[%]
{((Rb Re + Rc Re + Rb R2 + Rc R2 + Re R2)
(Icbo Rb R2 - Rb Vbe - Rc Vbe - R2 Vbe + R2 Vcc)) /
(-(Rb Re) - Rc Re - Rb R2 + alpha Rb R2 - Rc R2 - Re R2))**2}
38
figura I 6.2
Il problema ci fornisce il destro per un ulteriore esercizio sulla trasformazione dei generatori
nei circuiti in continua. La figura I 6.2 a) mostra il circuito equivalente in dc del circuito
di partenza, dopo la sostituzione del circuito equivalente in dc del transistor. Si cerca poi di
semplificare il circuito trasformandolo in un circuito equivalente dal quale si possa ricavare o
la corrente IB o una corrente dalla quale quest’ultima possa essere ricavata, per esempio la
IE = IB + IC = (1 + β)(IB + ICBO ). A tale scopo passiamo al circuito equivalente di figura I
6.2 b) nel quale si è trasportato il generatore di tensione VBE nei due rami adiacenti. Si noti a
questo punto che nel ramo contenente Rc sono inefficaci per l’intero circuito sia Rc sia VBE 7
e che quindi possono essere soppressi. Il circuito equivalente (rispetto alla corrente IE (che
attraversa il resistore Re )) diviene dunque quello di figuraI 6.2 c) nel quale il generatore di
corrente I ∗ è stato trasformato nel generatore di tensione R1 I ∗ . Quest’ultimo può essere più
convenientemente disegnato come in figura I 6.2 d). Da questo possiamo ricavare la IE = I2 .
Ricordando che I ∗ = βIB + (1 + β)ICBO , che IE = I2 , si ricava che:

I2 = IE = IB + IC = (1 + β)(IB + ICBO )
I2 (1 + β)ICBO
IB = −
(1 + β) (1 + β)
βI2
I∗ = + ICBO
(1 + β)
Applicando il metodo delle maglie ed utilizzando la matrice di Stigant:
 
∗
[Rb + Rb + R2 ] [Rc + Rb ]
VCC + Rb I I1
= 
VCC + Rb I ∗ − VBE I2
[Rc + Rb ] [Rc + Rb + Re ]
Sostituendo I ∗ :

 βRb

 VCC + Rb ICBO = (Rb + R2 )I1 + (Rb − (1 + β) )I2

 βRb
 VCC + Rb ICBO − VBE = (Rb )I1 + (Rb − + Re)I2
(1 + β)
Risolvendo il nuovo sistema:
 
[Rb + Rb + R2 ] [Rc + Rb − βRb
VCC + Rb ICBO 1+β ] I1
= 
VCC + Rb ICBO − VBE I2
[Rc + Rb ] [Rc + Rb + Re ]
possiamo ricavare I2 :

[Rc + Rb + R2 ] [VCC + Rb ICBO ]

[R + Rb ] [VCC + Rb ICBO − VBE ]
I2 = c
[R + R + R ] [R + R − βRb ]
b b 2 c b 1+β

[Rc + Rb ] [Rc + Rb + Re]
e quindi IB :
VCC R2 − VBE (Rb + Rc + R2 ) − (1 + β)[Re(Rb + Rc + R2 ) + RcR2 ]

IB =
(Rb + Rc )R2 + (1 + β)Re (Rb + Rc + R2 ) + βRc R2
Conosciamo a questo punto IB , IC , IE . Notiamo poi dalla figura I 3.2 d) che il ramo R2 è un
ramo di coalbero, quindi I1 è la corrente reale che passa su R2 . La corrente IRb sir resistore
Rb si può calcolare mediante la IRb = IB + I1 . L’analisi in continua del circuito si può quindi
considerare completa.
Per quanto riguarda poi i coefficienti di stabilità, da questo punto in poi possiamo procedere
come nell’esercizio precedente.
40
Solve [{Vcc+Rb*Icbo==(Rb+Rc+R2)*i1 +(Rb+Rc-Rb*bet/(bet+1))*i2,
Vcc-Vbe+Icbo*Rb==(Rc+Rb)*i1+(-Rb*bet/(bet+1)+Rb+Re+Rc) *i2},
{i1,i2}];
ib=i2/(bet+1)-Icbo/.%;
ic=(bet+1)*Icbo+bet*%;
D[%,Icbo];
Together[%];
Simplify[%]
(1 + bet) (Rb Re + Rc Re + Rb R2 + Rc R2 + Re R2)
/ Rb Re + bet Rb Re + Rc Re + bet Rc Re + Rb R2 +
Rc R2 + bet Rc R2 + Re R2 + bet Re R2
D[ic,Vbe];
Together[%];
Simplify[%]
bet (Rb + Rc + R2)/
(Rb Re + bet Rb Re + Rc Re + bet Rc Re + Rb R2 +
Rc R2 + bet Rc R2 + Re R2 + bet Re R2)
bet=alpha/(1-alpha);
ic;
Together[%];
Simplify[%]
{(-(Icbo Rb Re) - Icbo Rc Re - Icbo Rb R2 - Icbo Rc R2 - Icbo Re R2
+ alpha Rb Vbe + alpha Rc Vbe + alpha R2 Vbe - alpha R2 Vcc)/
(-(Rb Re) - Rc Re - Rb R2 + alpha Rb
R2 - Rc R2 - Re R2)}
D[ic,alpha];
Together[%];
Simplify[%]
{ (Rb Re + Rc Re + Rb R2 + Rc R2 + Re R2)
(Icbo Rb R2 - Rb Vbe - Rc Vbe - R2 Vbe + R2 Vcc)} /
(-(Rb Re) - Rc Re - Rb R2 + alpha Rb R2 - Rc R2 - Re

Esercizio I.15 Dimostrare l’equivalenza in figura:
figura I 6.3
42
figura I 6.4
L’equivalenza consegue da quella dell’esercizio precedente.

figura I 6.5
44
Esercizio I.18 Tramite le trasformazioni viste sopra, un ramo di una rete qualunque, che
consista in un unico generatore ideale di corrente o di tensione, può essere eliminato dalla
rete mediante le trasformazioni:
figura I 6.6

Esercizio I.19 Dimostrare l’equivalenza dei due circuiti in figura rispetto alla corrente I.
figura I 6.7
La corrente I nel primo circuito vale:
V1 I ∗R V1 + I ∗ R
I= + =
R1 + R R1 + R R1 + R
La corrente nella maglia del secondo circuito vale:
V1 + I ∗ R
I=
R1 + R
46
Gruppo II
Modelli circuitali del transistor
Argomento di questo II Gruppo di esercizi sono i circuiti equivalenti più usati dei tran-
sistor e le relazioni tra i loro parametri.
47
48
II 1 Modelli in EC

Esercizio II.1 Partendo dal modello a “T” del transistore in connessione a base comune,
costruire un modello a “T” nella connessione ad emettitore comune del tipo in figura II 1.1,
nella quale compaiono, in a) il circuito completo e in b) quello ai piccoli segnali e nella quale
il simbolo a è stato sostituito dal simblo α.
figura II 1.1
Prendiamo in considerazione per ora il circuito ai piccoli segnali. Riscrivendo il circuito in

modo da avere l’ingresso in base, otteniamo il circuito in figura II 1.2:
50
figura II 1.2
figura II 1.3
nel quale però la corrente d’uscita è ancora espressa in funzione di ie e non della nuova
corrente d’ingresso ib . Cerchiamo allora di esprimere ic in funzione di ib . A tale proposito
consideriamo il ramo di collettore del circuito segnato nella figura II 1.2. Questo, attraverso
le equivalenze circuitali di figura II 1.3 può essere sostituito dall’ultimo circuito in figura.
Definendo ora:
α
β= (II 1.1)
1−α
da quest’ultima si deduce che:
β 1
α= , = (1 + β) (II 1.2)
1+β 1−α
Si può scrivere allora che:

α
ib = βib
(1 − α)
rc
rc (1 − α) = = rd
(1 + β)
Tenendo conto anche dei parametri in continua del circuito, ricordando che iC = αiE + ICBO
e che iE = iB + iC ,
possiamo scrivere che:
α 1
iC = iB + ICBO
1−α 1−α
iC = βiB + (1 + β)ICBO (II 1.3)
figura II 1.4
Il circuito di figura II 1.2, completato degli elementi in continua Vγ 1 e ICBO si trasforma in

quello equivalente di figura II 1.4. I legami tra i suoi parametri ai piccoli segnali (parametri
differenziali) e quelli del suo circuito equivalente in base comune di figura II 1.2 sono:



re






 rb
 rc

 rd =

 1 + β



 β= α
1−α
tabella II 1.1
1 vedi esercizio I.1.
52
Esercizio II.2 Trovare le relazioni che legano i parametri circuitali del modello a T ai para-
metri H del modello ibrido di un transistor in connessione EC . Ci si riferisce, (vedi figura), al
caso di un transistore P N P , ma identici risultati si possono ottenere con un transistore N P N
del transistor in emettitore comune con quelli del modello equivalente ibrido in emettitore
comune.
figura II 1.5
A tale scopo basta ricordare le definizioni dei singoli parametri h e calcolare le stesse grandezze
per il circuito equivalente a T .

. v1
hie =
i1 v2=0

v1 vb 1 rd rd
hie = = = −rb ib − re ib − reβib
i1 v2 =0 −ib −ib re + rd re + rd
re rd
= rb + (1 + β)
re + rd
rb + (1 + β)re

. i2
hfe =
i1 v2 =0

i2 ic 1 re rd
hfe = = =− −ib + βib
i1 v2 =0 ib −ib re + rd re + rd
−re + βrd rd
= β
re + rd re + rd
β

figura II 1.6

. i2
hoe =
v2 i1 =0

i2 −vc −1
hoe = =( ) = (re + rd )−1
v2 i1 =0 −ic
rd−1

. v1
hre =
v2 i1 =0

v1 ve re 1 re
hre = = = −vc =
v2 i1 =0 −vc (re + rd ) −vc re + rd
re

rd
Le relazioni cercate sono sintetizzate nella tabella:


 hie rb + (β + 1)re





 h β

 fe
re

 hre

 rd



 1

 hoe
rd
tabella II 1.2
54
Esercizio II.3 Raggruppare in una tabella le equazioni esatte di trasformazione da para-
metri H a parametri T e viceversa, dei modelli in EC .
 
re rd  hre

 hie = rb + (β + 1) 
 re =

 (re + rd ) 
 hoe

 


 re 
 hie hoe − hre (1 + hfe )

 

 hre =
(re + rd )  rb =
hoe
 −re + βrd  1 − hre

 hfe = 


 (re + rd ) 
 rd =

 
 hoe

 1 


 hoe 
 hfe + hre
=  β =−
(re + rd ) hre − 1
tabella II 1.3
Soluzioni ottenute con Mathematica II.1 .
Solve [{
hi==rb+(1+bet)*re*rd/(re+rd),
hf==(-re+bet*rd)/(re+rd),
ho==1/(re+rd),
hr==re/(re+rd)},
{re,rb,rd,bet}]
{rb->(hi ho -hr (1 + hf ))/ho,

bet->(-hf - hr)/(hr - 1),
re->hr/ho,
rd->(1 - hr)/ho

Esercizio II.4 Trovare gli elementi della matrice quadripolare Z del dispositivo amplifica-
tore partendo dal circuito equivalente a T in emettitore comune del transistore. Applicare un
qualche algoritmo per controllare l’esattezza dei calcoli.
figura II 1.7
Applicando il metodo delle maglie ed utilizzando la matrice di Stigant otteniamo:

 
(rb + re) re
v1 ib
= 
v2 + βib rd ic
re (re + rd )

 v1 = (rb + re)i1 + rei2
 v + βi r = r i + (r + r )i
2 b d e 1 e d 2

 v1 = (rb + re)i1 + re i2
 v = (r − βr )i + (r + r )i
2 e d 1 e d 2
 
z11 z12
v1 i1
= 
v2 z21 z22 i2
 
(rb + re) re
[Ze ] =  
(re − βrd ) (re + rd )
Per controllare l’esattezza dei parametri z possiamo convertire la matrice Z nella equivalente
matrice H 2 , ricordando che abbiamo già calcolato i parametri he in funzione dei parametri
del circuito a T 3 .
2 vedi M.Vascon, Elementi di teoria delle reti lineari, CLEUP, Padova, 1989.
3 vedi tabella II 1.2
56
 
∆z z12
 z22 z22 
[H] = 
 z21

1 
−
z22 z22
(rb + re )(re + rd ) − re (re − βrd ) re(re − βrd )

hie = = rb + re −
(re + rd ) (re + rd )
(1 + β)re rd
= rb + = rb + (1 + β)re
re + rd
re
= rb +
1−α
re re
hre =
re + rd rd
(re − βrd ) −βrd

hfe =− − β
(re + rd ) (1 + β)rd
1 1
hoe =
re + rd rd
I parametri he ora calcolati coincidono con quelli della tabella II 1.2.
Concludendo, la matrice Ze del transistor in emettitore comune è dunque la matrice:

 
(rb + re ) re
[Ze ] =  
(re − βrd ) (re + rd )
e la corrispondente rappresentazione circuitale è quella in figura:
figura II 1.8

Esercizio II.5 Raggruppare in una tabella le equazioni di trasformazione da parametri Z
a parametri T e viceversa dei modelli in EC .

  re = z12
 z11 = rb + re 


 


 


 
 r = z11 − z12
 z12 = re  b

 
 rd = z22 − z12

 z21 = re − βrd 


 


 
 (z21 − z12 )
z22 = re + rd 
 β =
(z12 − z22 )
tabella II 1.4
Solve [{
z11==rb+re,
z12==re,
z21==re+bet*rd,
z22==re+rd},
{re,rb,rd,bet}]
{{rb->z11-z12,
bet->(z21-z12)/(z12-z22),
rd->z22-z12,
re->z12}}
58
metri Z a parametri H e viceversa dei modelli in EC .
Nell’esercizio II.4 abbiamo già calcolato i parametri H in funzione dei parametri Z . basta
eseguire ora la trasformazione inversa.
 
 hiehoe − hre hfe z11 z22 − z12 z21

 z11 = 
 hie =

 hoe 


 

z22

 hre 
 z21

 
 =−
 z12 =  hfe z22
hoe

 hfe 

z12

 z21 =− 
 hre =

 hoe 
 z22

 


 
 1

 z22 =
1  hoe =
hoe z22
tabella II 1.5
Solve [{
z11==(hi*ho-hr*hf)/ho,
z12==hr/ho,
z21==-hf/ho,
z22==1/ho},
{hi,hr,hf,ho}]
{{hi ->(-(z12 z21) + z11 z22)/ z22,

hr -> z12 /z22,
hf->-z21/z22,
ho->1/z22}}

Esercizio II.7 Derivare, dal circuito equivalente fisico del transistor, il circuito equivalente
a Π.
figura II 1.9
Considereremo il modello ai piccoli segnali, per semplicità. Quello completo si può ottenere
facilmente da quello ai piccoli segnali aggiungendo i due componenti in continua ICBO e Vγ .
Partendo dal modello fisico adattato per emettitore comune come in figura II 1.9 4 si ottiene,
sostituendo IE , il circuito equivalente accanto:
Applicando a quest’ultimo una nota proprietà delle reti 5 , si ottiene il circuito equivalente
di figura II 1.10 a). Riapplicando a quest’ultimo la stessa proprietà, otteniamo il circuito
equivalente accanto (b).
4 In figura si considera un transistore P N P .

5 vedi l’esercizio I.15, o vedi M. Vascon, Elementi di teoria delle reti lineari.
60
figura II 1.10
Applicando ancora la proprietà sopraddetta 6 e imponendo la condizione semplificatrice: vcb

vce 7 , il circuito può essere trasformato nel circuito equivalente di figura II 1.10 d).
Aggiungendo ora tra base intrinseca e collettore un condensatore che rappresenti la capacità di
transizione della giunzione (polarizzata inversamente) ed un condensatore tra base intrinseca e
7 ciò è possibile in quanto la resistenza nel ramo EB ( rα // r ) è molto minore della resistenza tra C e
B.

collettore a tener conto della capacità di diffusione della giunzione (direttamente polarizzata),
e compattando i simboli per i resistori, otteniamo finalmente il circuito equivalente a Π del
transistore in emettitore comune, alle alte frequenze.
Tale circuito equivalente è noto anche col nome di modello di Giacoletto-Johnson.
Riscrivendo il circuito con simboli dei componenti più semplici e coincidenti con quelli della
letteratura più comune 8 otteniamo quello di figura II 1.11 a).
figura II 1.11
Notiamo che il circuito equivalente è valido sia alle basse che alle alte frequenze. Nel caso il
transistor operi in bassa frequenza, ad esempio al di sotto del KHz , essendo il valore tipico
della capacità di transizione Cµ pari ad alcuni pF, mentre quello della capacità di diffusione
Cπ di un ordine di grandezza maggiore, le impedenze in giuoco sono dell’urdine del M Ω.
A basse frequenze allora le due reattanze capacitive sono trascurabili e i condensatori nel
modello relativo possono essere trascurati. Inoltre, se si suppone di poter trascurare la resi-
stenza rµ , dell’ordine dei MΩ, come si vede dalla tabella di figura 9 , il circuito equivalente di
Giacoletto-Johnson del transistor alle basse frequenze assume l’aspetto di figura II 1.11 b).
8 vedi ad esempio J.Millman, A. Grabel, Microelectronics, NcGraw-Hill, 1987.

9λ = 2 ÷ 5 mentre rcc è dell’ordine dei MΩ, vedi M.Vascon, Dispositivi elettronici e Sistemi Analogici.
62
II 2 Modelli in BC

Esercizio II.8 Trovare gli elementi della matrice quadripolare H del dispositivo amplifi-
catore partendo dal circuito equivalente a T in base comune del transistore. Ci si riferisce,
(vedi figura), al caso di un transistore P N P , ma identici risultati si possono ottenere con un
transistore N P N .
figura II 2.1

. v1
hib =
i1 v2 =0

v1 ve 1 rc rc
hib = = = r i + r i − r ai
i1 v2 =0
e e b e b e
ie ie rb + rc rb + rc
rb rc
= re + (1 − a)
rb + rc
rb
re + (1 − a)rb = re + (1 − α)rb = re +
β +1

. i2
hfb =
i1 v2 =0

i2 −ic 1 rb rc a
hfb = = =− ie + ie
i1 v2 =0 ie ie rb + rc rb + rc
rb + arc arc
=− −
rb + rc rc
−a −α
64
figura II 2.2

. i2
hob =
v2 i1 =0

i2 −vc −1
hob = =( ) = (rb + rc )−1
v2 i1 =0 −ic
rc−1

. v1
hrb =
v2 i1 =0

v1 ve 1 −vc rb rb
hrb = = = =
v2 i1 =0 −vc −vc rc + rb rc + rb
rb

rc


 hib re + (1 − α)rb





 h −α

 fb
rb

 hrb

 rc



 1

 hob
rc
tabella II 2.1

metri H a parametri T e viceversa, dei modelli in BC .
 
rb rc  hrb

 hib = re + (1 − α) 
 rb =

 (rb + rc) 
 hob

 


 rb 
 hib hob − hrb (1 + hfb )

 

 hrb =
rb + rc  re =
hob

 =−
rb + αrc 
 1 − hrb

 hfb 
 rd =

 rb + rc 
 hob

 


 1 

 hob = 
 β hfb + hrb
rb + rc =
hrb − 1
tabella II 2.2
Solve [{
hi==re+(1-alfa)*rb*rc/(rb+rc),
hf==-(rb+alfa*rc)/(rb+rc),
ho==1/(rb+rc),
hr==rb/(rb+rc)},
{re,rb,rd,alfa}]
{{rb->hr/ho,
re->(hi ho - hr (1+hf))/ho,
rd->(1-hr)/ho,
alfa->(hf + hr)/(hr-1)}}
66
Esercizio II.10 Trovare gli elementi della matrice quadripolare Z del dispositivo amplifi-
catore partendo dal circuito equivalente a T in base comune del transistore. Applicare un
qualche algoritmo per controllare l’esattezza dei calcoli.
figura II 2.3

 
(re + rb ) rb
v1 i1
= 
v2 + αie rc i2
rb (rb + rc )

 v1 = (re + rb )i1 + rb i2
 v − αi r = r i + (r + r )i
2 1 c b 1 b c 2

 v1 = (re + rb )i1 + rb i2
 v = (r + αr )i + (r + r )i
2 b c 1 b c 2
 
z11 z12
v1 i1
= 
v2 i2
z21 z22
 
(re + rb ) rb
[Zb ] =  
(rb + αrc) (rb + rc )

Per controllare l’esattezza dei parametri zb possiamo convertire la matrice Zb nella equivalente
matrice Hb 10 , ricordando che abbiamo già calcolato 11 i parametri hb in funzione dei parametri
del circuito a T .
 
∆z z12
 z22 z22 
[H] = 
 z21

1 
−
z22 z22
(re + rb )(rb + rc) − rb (rb + αrc) rb (rb + αrc)

hib = = re + rb −
(rb + rc ) (rb + rc )
(1 − α)rb rc
= re + re + (1 − α)rb
rb + rc
rb rb
hrb =
rb + rc rc
rb + αrc αrc
hfb =− − = −α
rb + rc rc
1 1
hob =
rb + rc rc
I parametri hb ora calcolati coincidono con quelli della tabella II 2.1.
Concludendo, la matrice Zb del transistor in emettitore comune è dunque la matrice:

 
(re + rb ) rb
[Zb ] =  
(rb + αrc ) (rb + rc )
figura II 2.4
11 vedi tabella II 2.1.
68
a parametri T e viceversa dei modelli in BC .

  re = z11 − z12
 z11 = rb + re 


 


 


 
 r = z12
 z12 = rb  b

 
 rc = z22 − z12

 z21 = rb − αrc 


 


 
 (z12 − z21 )
z22 = rb + rc 
 β =
(z12 − z22 )
tabella II 2.3
Solve [{
z11==rb+re,
z12==rb,
z21==rb+alfa*rc,
z22==rb+rc},
{re,rb,rc,alfa}]
{{re->z11-z12,
rb->z12,
rc->z22 - z12,
alfa->(z12 - z21) / (z12 - z22)}}

metri Z a parametri H e viceversa dei modelli in BC .
Nell’esercizio abbiamo già calcolato i parametri H in funzione dei parametri Z . basta eseguire
ora la trasformazione inversa.
 
 hib hob − hrb hfb z11 z22 − z12 z21

 z11 = 
 hib =

 hob 


 

z22

 
 z21


hrb 
 =−
 z12 =  hfb z22
hob

 hfb 

z12

 z21 =− 
 hrb =

 hob 
 z22

 


 
 1

 z22 =
1  hoe =
hob z22
tabella II 2.4
Solve [{
z12==hr/ho,
z21==-hf/ho,
z22==1/ho},
{hi,hr,hf,ho}]
{{hi->(-(z12 z21) + z11 z22)/ z22,

hr-> z12 /z22,
hf->-z21/z22,
ho->1/z22
70
II 3 Modelli in CC

Esercizio II.13 Trovare gli elementi della matrice quadripolare H del dispositivo amplifica-
tore partendo dal circuito equivalente a T in collettore comune del transistore. Ci si riferisce,
(vedi figura), al caso di un transistore P N P , ma identici risultati si possono ottenere con un
transistore N P N .
figura II 3.1

. v1
hic =
i1 v2 =0

v1 vb 1 rd rd
hic = = = −r i − r i − r βi
i1 v2 =0 −ib
b b d b d b
−ib re + rd re + rd
re rd
= rb + (1 + β)
re + rd
rb + (1 + β)re

. i2
hfc =
i1 v2 =0

i2 ie 1 rd rd
hfc = = = ib + βib
i1 v2 =0 −ib −ib re + rd re + rd
rd + βrd rd
=− −(1 + β)
re + rd re + rd
−(1 + β)
72
figura II 3.2

. i2
hoc =
v2 i1 =0

i2 ve
hoc = = ( )−1
v2 i1 =0 ie
= (re + rd )−1

. v1
hrc =
v2 i1 =0

v1 vb rd
hrc = = =
v2 i1 =0 ve re + rd
1

 hic rb + (β + 1)re





 −(1 + β)

 hfc

 hrc 1





 1
 hoc
rd
tabella II 3.1

metriH a parametri T e viceversa, dei modelli in CC .
 
re rd  1 − hrc

 hic = rb + (β + 1) 
 re =

 (re + rd ) 
 hoc

 


 rd 
 hic hoc + hfc (1 − hrc )

 h = 

 rc (re + rd )  rb =
hoc

 =−
(1 + β)rd 
 hrc

 hfc 
 rd =

 (re + rd ) 
 hoc

 


 1 

 hoc = 
 β (hfc + hrc )
(re + rd ) =−
hrc
tabella II 3.2
Solve [{
hi==rb+(1+bet)*re*rd/(re+rd),
hf==-(rd+bet*rd)/(re+rd),
ho==1/(re+rd),
hr==rd/(re+rd)},
{re,rb,rd,bet}]
{{re->(1 - hr) / ho,

rb->(hf + hi ho - hf hr) / ho,
rd->hr / ho,
bet->-(hr + hf) / hr}}
74
Esercizio II.15 Trovare gli elementi della matrice quadripolare Z del dispositivo amplifi-
catore partendo dal circuito equivalente a T in collettore comune del transistore. Applicare
un qualche algoritmo per controllare l’esattezza dei calcoli.
figura II 3.3

 
(rb + rd ) rd
v1 − βib rd ib
= 
v2 − βib rd −ie
rd (re + rd )

 v1 − βib rd = (rb + rd )i1 + rd i2
 v − βi r = r i + (r + r )i
2 1 d d 1 e d 2

 v1 = (rb + (1 + β)rd )i1 + rd i2
 v = ((β + 1)r )i + (r + r )i
2 d 1 e d 2
 
z11 z12
v1 i1
= 
v2 i2
z21 z22
 
(rb + (1 + β)rd ) rd
[Zc ] =  
(1 + β)rd (re + rd )
Per controllare l’esattezza dei parametri z possiamo convertire la matrice Zc nella equivalente
matrice Hc 12 , ricordando che nel testo di teoria 13 abbiamo già calcolato i parametri hc in
funzione dei parametri del circuito a T .
13 vedi tabellaII 3.2.

 
∆z z12
 z22 z22 
[H] = 
 z21

1 
−
z22 z22
(rb + (1 + β)rd )(re + rd ) − rd (rd + βrd ) rd (1 + β)rd

hic = = rb + (1 + β)rd −
(re + rd ) (re + rd )
(1 + β)rd re
= rb +
re + rd
rb + (1 + β)re
rd rd
hrc = =1
re + rd rd
(1 + β)rd (1 + β)rd
hfc =− − = −(1 + β)
re + rd rd
1 1 1
hoc = =
re + rd re + rd rd
I parametri hc ora calcolati coincidono con quelli della tabella II 3.2.
Concludendo, la matrice Zc del transistor in emettitore comune è dunque la matrice:

 
(rb + (1 + β)rd ) rd
[Zc] =  
(1 + β)rd (re + rd )
figura II 3.4
76
a parametri T e viceversa dei modelli in CC .
 
 re = z22 − z12

 z11 = rb + (1 + β)rd 


 


 
 = z11 − z21

 z12 = rd 
 rb

 
 rd = z12

 z21 = (1 + β)rd 


 


 
 (z21 − z12 )
z22 = re + rd  β =
z12
tabella II 3.3
Solve [{
z11==rb+(1+bet)*rd,
z12==rd,
z21==(1+bet)*rd,
z22==re+rd},
{re,rb,rd,bet}]
{{re->z22 - z12,
rb->z11 - z21,
rd->z12,
bet->(z21 - z12) / z12}}

metri Z a parametri H e viceversa dei modelli in CC .
Nell’esercizio abbiamo già calcolato i parametri H in funzione dei parametri Z . basta eseguire
ora la trasformazione inversa.
 
 hichoc − hrc hfc z11 z22 − z12 z21

 z11 = 
 hic =

 hoc 


 

z22

 
 z21


hrc 
 =−
 z12 =  hfc z22
hoc

 hfc 

z12

 z21 =− 
 hrc =

 hoc 
 z22

 


 
 1

 z22 =
1  hoc =
hoc z22
tabella II 3.4
Solve [{
z12==hr/ho,
z21==-hf/ho,
z22==1/ho},
{hi,hr,hf,ho}]
{{hi->(-(z12 z21) + z11 z22)/ z22,

hr-> z12 /z22,
hf ->-z21/z22,
ho->1/z22}}
78
II 4 Trasformazioni dei parametri del transistor
nelle tre connessioni

Esercizio II.18 Costruire una tabella che permetta la conversione, per un transistor pre-
fissato, tra una qualsiasi quaterna di parametri H (in EC, BC, CC ) e le altre due.
Supponiamo, per fissare le idee, di voler ricavare, nota la quaterna dei parametri hxe (EC ),
le altre due: hxb e hxc 14 .
• Si ricava intanto la quaterna dei parametri del circuito equivalente a T nella medesima
configurazione in funzione dei parametri ibridi hxe .
• Dalle tabelle poi che già sono state scritte per le configurazioni BC e CC del transistor,
che permettevano di ricavare dalle quaterne dei parametri del circuito equivalente a T ,
quelle dei circuiti ibridi in quelle stesse configurazioni, possiamo ricavare gli hxb e gli
hxc in funzione degli hxe .
Non è difficile, con i tre programmi scritti in Mathematica che vengono sotto riportati, otte-
nere le relazioni esatte tra gli elementi delle varie quaterne.
Queste sono sono riportate nella tabella dopo essere state opportunamente semplificate te-
nendo conto delle dimensioni delle variabili indipendenti consistenti nei parametri di un “tran-
sistore tipico”, anch’essi riportati nella tabella 15 .
14 Lo stesso ragionamento potrà essere seguito prendendo come nota qualsiasi delle altre due quaterne.
15 sono vicini a quelli del transistore 2N 2222A.
80
Conversioni in base comune
B.C. E.C. C.C. T val. tip.
hie hic
hib − re + (1 − α)rb 32Ω
1 + hfe hfc
hie hoe hichoc rb
hrb − hre hrc − 1 − 5.9 × 10−4
1 + hfe hfc rc
hfe 1 + hfc
hfb − − −α −0.98
1 + hfe hfc
hoe hoc 1 1
hob −
1 + hfe hfc rc 1.3M Ω
Conversioni in emettitore comune
E.C. B.C. C.C. T val. tip.
hib re
hie hic rb + 1650Ω
1 + hfb 1−α
hib hob re
hre − hrb 1 − hrc 7 × 10−4
1 + hfb (1 − α)rc
hfb α
hfe − −(1 + hfc ) 50
1 + hfb 1−α
hob 1 1
hoe hoc
1 + hfb (1 − α)rc 25KΩ
Conversioni in collettore comune
C.C. E.C. B.C. T val. tip.
hib re
hic hie rb + 1650Ω
1 + hfb 1−α
1 hib hob rd
hrc 1 − hrb − 1
1 − hre 1 + hfb re + rd
1 1
hfc −(1 + hfe ) − − −51
1 + hfb 1−α
hob 1 1
hoc hoe
1 + hfb (1 − α)rc 25KΩ
Conversioni in circuito a T
T E.C. B.C. C.C val. tip.
hfe 1 + hfc
α −hfb 0.98
1 + hfe hfc
1 + hfe 1 − hrb hfc
rc − 1.3M Ω
hoe hob hoc
hre hrb 1 − hrc
re hib −(1 + hfb ) 17.3Ω
hoe hob hoc
hre (1 + hfe ) hrb hfc (1 − hrc )
rb hie − hic + 750Ω
hoe hob hoc
hfb
β hfe − −(1 + hfc ) 50
1 + hfb
TRANSISTOR -EC-

conversione tra parametri hxe e hxb,hxc
(calcolo simbolico)
Conversione circuito ibrido h(ec) -> circuito a T(ec)
re=hre/hoe
rb=hie-hre*(1+hfe)/hoe
rc=(1+hfe)/hoe
rd=rc/(1+hfe)
alfa=hfe/(1+hfe)
bet=alfa/(1-alfa);
Trasformazione parametri hxe -> hxb
hib=re+(1-alfa)*rb*rc/(rb+rc);
Together[%];
Simplify[%]
2 2
hie hoe + hie hoe hre - hre - hfe hre
---------------------------------------
hoe (1 + hfe + hie hoe - hre - hfe hre)
hfb=-(rb+alfa*rc)/(rb+rc);
Together[%];
Simplify[%]
-hfe - hie hoe + hre + hfe hre

---------------------------------
1 + hfe + hie hoe - hre - hfe hre
hob=1/(rb+rc);
Together[%];
Simplify[%]
hoe
---------------------------------
hrb=rb/(rb+rc);
Together[%];
Simplify[%]
hie hoe - hre - hfe hre

---------------------------------
Trasformazione parametri hxe -> hxc
82
hic=rb+(1+bet)*re*rd/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
2 2
hie hoe + hie hoe hre - hre - hfe hre
---------------------------------------
hoe + hoe hre
hfc=-(rd+bet*rd)/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
-1 - hfe
--------
1 + hre
hoc=1/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
hoe
-------
1 + hre
hrc=rd/(re+rd);
%======
Simplify[%]
1
-------
1 + hre
TRANSISTOR -BC-
conversione tra parametri hxb e hxe,hxc
(calcolo simbolico)
Conversione circuito ibrido h(ec) -> circuito a T(ec)
re=(hib*hob-hrb-hrb*hfb)/hob
hib hob - hrb - hfb hrb

-----------------------
hob
rb=hrb/hob
hrb
---

hob
rc=(1-hrb)/hob
1 - hrb
-------
hob
alfa=(hfb+hrb)/(-1+hrb)
hfb + hrb
---------
-1 + hrb
rd=rc*(1-alfa);
Together[%];
Simplify[%]
1 + hfb
-------
hob
bet=alfa/(1-alfa);
Together[%];
Simplify[%]
hfb + hrb
-(---------)
1 + hfb
Trasformazione parametri hxb -> hxe
hie=rb+(1+bet)*re*rd/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
hib
---------------------------------
1 + hfb + hib hob - hrb - hfb hrb
hfe=(-re+bet*rd)/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
hfb + hib hob - hfb hrb

----------------------------------
-1 - hfb - hib hob + hrb + hfb hrb
hoe=1/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
84
hob
---------------------------------
hre=re/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
hib hob - hrb - hfb hrb

---------------------------------
Trasformazione parametri hxb -> hxc
hic=rb+(1+bet)*re*rd/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
hib
---------------------------------
hfc=-(rd+bet*rd)/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
-1 + hrb
---------------------------------
hoc=1/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
hob
---------------------------------
hrc=rd/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
1 + hfb
---------------------------------
TRANSISTOR -CC-

conversione tra parametri hxc e hxe,hxb
(calcolo simbolico)
Conversione circuito ibrido h(cc) -> circuito a T(cc)
re=(1-hrc)/hoc;
rb=(hfc+hic*hoc-hfc*hrc)/hoc;
rd=hrc/hoc;
bet=-(hfc+hrc)/hrc;
alfa=bet/(1+bet)
rc=rd*(1+bet);
Trasformazione parametri hxc -> hxe
hie=rb+(1+bet)*re*rd/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
hic
hfe=(-re+bet*rd)/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
-1 - hfc
hoe=1/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
hoc
hre=re/(re+rd);
Together[%];
Simplify[%]
1 - hrc
Trasformazione parametri hxc -> hxb
hib=re+(1-alfa)*rb*rc/(rb+rc);
Together[%];
Simplify[%]
hic
-----------------
hic hoc - hfc hrc
hfb=-(rb+alfa*rc)/(rb+rc);
Together[%];
Simplify[%]
-(hic hoc) + hrc + hfc hrc
86
--------------------------
hic hoc - hfc hrc
hob=1/(rb+rc);
Together[%];
Simplify[%]
hoc
-----------------
hic hoc - hfc hrc
hrb=rb/(rb+rc);
Together[%];
Simplify[%]
hfc + hic hoc - hfc hrc

-----------------------
hic hoc - hfc hrc

Esercizio II.19 Costruire una tabella che permetta la conversione, per un transistor pre-
fissato, tra gli elementi della quaterna dei parametri del circuito equivalente a T e gli elementi
di una qualsiasi quaterna di parametri H (in EC, BC, CC ).
Possiamo pensare di connettere ad ogni terminale del transistor un generatore (veg , vbg , vcg )
e di riferire tutti i generatori a massa, come in figura.
figura II 4.1
Una coppia di equazioni indipendenti alle maglie può essere la:

vbg − veg = reie + rb ib
(II 4.1)
vcg − veg = −βib rd + reie + rd ic
Supposti noti i parametri del circuito equivalente a T del transistor, nella II 4.1 compaiono
sei variabili, (veg , vbg , vcg , ie , ib , ic ) e quindi i gradi di libertà del problema sono quattro.
• Ponendo nella II 4.1 veg = 0 e ie = ib + ic i gradi di libertà si riducono a due e si

possono ricavare vbe e ic in funzione di ib e vce .

vbe = vbe (ib , vce)
ic = ic (ib , vce )
Essendo le correnti e le tensioni ai terminali d’ingresso e d’uscita equiverse a quelle

del circuito visto come un quadripolo, i fattori moltiplicativi di ib e vce (funzioni dei
parametri del circuito equivalente a T del transistor), coincidono con i parametri ibridi
del transistore in connessione emettitore comune.
• Ponendo nella II 4.1 vcg = 0 e ic = ie − ib , i gradi di libertà si riducono a due e si

possono ricavare vbc e ie in funzione di ib e vec .

vbc = vbc (ib , vec)
ie = ic (ib , vec)
88
del circuito visto come un quadripolo, i fattori moltiplicativi di ib e vec (funzioni dei
parametri del circuito equivalente a T del transistor), coincidono con i parametri ibridi
del transistore in connessione collettore comune.
• Ponendo nella II 4.1 vbg = 0 e ib = ie −ic i gradi di libertà si riducono a due e si possono
ricavare veb ed ic in funzione di ie e vcb .

veb = veb (ie , vcb )
ic = ic (ie , vcb )

del circuito visto come un quadripolo, tranne che per ie che è contraversa alla corrente
d’ingresso, i fattori moltiplicativi di vcb (funzioni dei parametri del circuito equivalente
a T del transistor) coincidono con due dei parametri ibridi del transistore in connessione
emettitore comune, quelli moltiplicativi di ie coincidono con gli opposti dei rimanenti.
Non è difficile, con i tre programmi scritti in Mathematica che vengono sotto riportati, otte-
nere le relazioni esatte tra gli elementi delle varie quaterne.
CONVERSIONE T->H
Conversione T->He
Reset variabili
Ve=.
Vb=.
Vc=.
ie=.
ic=.
ib=.
bet=.
conversione
ie=ic+ib;
Solve[{Vb==re*ie+rb*ib,
Vc==-bet*ib*rd+re*ie+rd*ic},
{Vb,ic}];
VVb=Vb/.%;
iic=ic/.%%;
Together[VVb];
Simplify[%];
Collect[%,{ib,Vc}]
rb rd rb re rd re bet rd re re Vc
{ib (------- + ------- + ------- + ---------) + -------}
rd + re rd + re rd + re rd + re rd + re
Together[iic];
Simplify[%];
Collect[%,{ib,Vc}]

bet rd re Vc
{ib (------- - -------) + -------}
rd + re rd + re rd + re
Conversione T->Hc
Reset variabili
Ve=.
Vb=.
Vc=.
ie=.
ic=.
ib=.
bet=.
conversione
ic=ie-ib;
Solve[{-Ve+Vb==re*ie+rb*ib,
-Ve==-bet*ib*rd+re*ie+rd*ic},
{Vb,ie}];
VVb=Vb/.%;
iie=ie/.%%;
Together[VVb];
Simplify[%];
Collect[%,{ib,Ve}]
rb rd rb re rd re bet rd re rd Ve
{ib (------- + ------- + ------- + ---------) + -------}
rd + re rd + re rd + re rd + re rd + re
Together[iie];
Simplify[%];
Collect[%,{ib,Ve}]
rd bet rd Ve
{ib (------- + -------) - -------}
rd + re rd + re rd + re
Conversione T->Hb
Reset variabili
Ve=.
Vb=.
Vc=.
ie=.
ic=.
ib=.
conversione
ib=ie-ic;
Solve[{-Ve==re*ie+rb*ib,
-Ve+Vc==-bet*ib*rd+re*ie+rd*ic},
{Ve,ic}]/.{bet->alfa/(1-alfa),rd->rc(1-alfa)};
VVe=Ve/.% ;
iic=ic/.%% ;
90
Together[VVe];
Simplify[%];
Collect[%,{ie,Vc}]
rb rc alfa rb rc rb re rc re rb Vc
{ie (-(-------) + ---------- - ------- - -------) + -------}
rb + rc rb + rc rb + rc rb + rc rb + rc
Together[iic];
Simplify[%];
Collect[%,{ie,Vc}]
rb alfa rc Vc
{ie (------- + -------) + -------}
rb + rc rb + rc rb + rc

Commento II.1 Riportiamo nella pagina seguente una tabella di conversione tra i gruppi di
parametri di due qualunque rappresentazioni quadripolari.
92
Gruppo III
Esercizi a carattere generale sul
comportamento dei transistor
93
Esercizio III.1 Sia dato un circuito come in figura, nel quale la tensione VCC =10V, il
transistor è un NPN 2N2222A (transistor al Si, con β 50, ICBO =10nA), la resistenza di
carico Rc = 5K , la resistenza Re = 800Ω; polarizzare il transistor mediante i resistori R1 ed
R2 in modo che la corrente di collettore sia, alla temperatura di lavoro di 25◦ C , all’incirca di
1mA e la stabilità SI sia minore di 5. Trovare poi il valore di IC alla temperatura di 75◦ C
supponendo che a tale temperatura β = 70.
figura III 0.2
La corrente IC è 1mA. Essendo Rc = 5K , VC risulta dover essere 5V . Ma dato che

IE = IC + IB = IC + IβC − 1+β β ICBO IC , abbiamo su Re una caduta di tensione di 0.8V ed
una tensione VCE , quindi, all’incirca di 4.2V .
(Si noti che l’incremento di corrente IC tollerato dal circuito prima della saturazione del
4V 4
transistor è di circa R +R = 5.8K = 0.69mA. Se il circuito viene usato come amplificatore,
c e
la massima escursione della somma delle ampiezze dei segnali in tensione di collettore e di
emettitore non potrebbe superare i 4V , pena la distorsione del segnale.)
Perchè il transistor sia acceso, la tensione VBE deve essere almeno 0.6V . La tensione in base
deve essere allora circa eguale a 1.4V .
Ma la tensione VB è determinata dalle resistenze R1 , R2 e dalla corrente IB . Se quest’ultima
è trascurabile rispetto alle correnti I1 e I2 , si può ragionevolmente pensare che la VB sia
determinata esclusivamente dal partitore R1 − R2 . Tale circostanza si verifica se le due
resistenze R1 ed R2 sono sufficientemente piccole da far sı̀ che le due correnti, I1 = I2 + IB
e I2 = I1 − IB , possano essere molto maggiori di IB (che nel nostro caso è 20µA).
Il condizionamento sulla scelta della coppia di resistenze, giustificato dal ragionamento pratico
fatto sopra, viene imposto in modo analitico dalla condizione sul coefficiente di stabilità.
Ricordiamo che SI può essere espressa dalla equazione III 0.2:
. ∆IC (Rb + Re) (β + 1)(1 + R

Re )
b
SI = = = (III 0.2)
∆ICBO Re + (1 − α)Rb Rb
(β + 1) + R e
94
Come appare dalla equazione III 0.2, il parametro SI dipende dalle resistenze Rb ed Re della
tende a zero, SI tende ad 1, mentre per Re che tende a zero, SI tende a (1+β). Appare inoltre
che, se la Rb tende a divenire eguale alla Re , la SI tende circa a 2 (se β è sufficientemente
grande e nel nostro caso lo è).
Una scelta dunque della coppia di resistenze tali che:
R2
VCC 1.4V
R1 + R2
deve anche soddisfare alla condizione che Rb sia prossima ad Re .

Una coppia di valori di resistenze che s’avvicini a queste condizioni può essere, ad esempio,
(R1 = 8.5KΩ, R2 = 1.5KΩ). Con questi valori la tensione VB = 1.5V , in quanto la corrente
I1 I2 = RVCC
+R = 10K = 1mA IB e Rb = 1.28KΩ.
1
10
2
Per calcolare la variazione della IC al passare della temperatura dai 25◦ C ai 75◦ C , ricordiamo
le espressioni dei tre coefficienti SI , SV , Sβ calcolati nell’esercizio I.6:
Rb
(β + 1)(1 + Re ) 2 · 103
SI25 = Rb
2.43
(β + 1) + Re
824
αSI 0.98 · 2.43
SV = − − −1.2 · 10−3
Rb + Re 2 · 103
IC25 1 · 10−3
Sβ = SI75 2.4 0.68 · 10−6
β25 (1 + β75 ) 50(1 + 70)
Nel passaggio da 25 a 75 gradi Celsius, ∆ICBO = 320nA, ∆VBE = −50·2.5mV = −125mV, ∆β =

20, quindi:
∆IC = IC75 − IC25 = SI ∆ICBO + SV ∆VBE + Sβ ∆β
IC75 = IC25 + ∆IC = 1mA + 2.4 · 320nA + 1.2 · 10−3 · 125 · 10−3 + 0.68 · 10−6 · 20
= 1mA + 0.8µA + 0.14mA + 0.013mA = 1.15mA
Nelle figure III 0.3 e III 0.4 viene riportata la simulazione del circuito progettato, ottenuta
mediante il programma MICRO CAP III. Nella figura III 0.3 appaiono i valori riferiti alla
temperatura di 25◦ C:
• della tensione VCE 4.3V (tensione tra nodo 1 e nodo 3) e della potenza dissipata dal
transistor PEC 4.2mW , IC 1mA.
• della corrente IC 1mA (tra i nod1 4-1) e della corrente IB 28µA (tra i nodi 5-2).
• della tensione VB 1.43V (al nodo 5) e la tensione VE 0.8V (tra nodo 3 e massa).

figura III 0.3
figura III 0.4
Nella figura III 0.4 appaiono i valori delle stesse variabili riferite alla temperatura di 75◦C.
96
Esercizio III.2 Studiare il funzionamento del circuito in figura III 0.5 nel transitorio che
inizia dal momento in cui viene chiuso l’interruttore, supponendo il condensatore C inizial-
mente scarico, supponendo ICBO trascurabile e supponendo diretta la polarizzazzione VBE
del transistor. Si chiede inoltre:
• a) dopo quanto tempo dalla chiusura dell’interruttore si spegne il transistor.
• b) l’andamento nel tempo della tensione VB , della tensione VE , della tensione VC , della
corrente IE .
figura III 0.5
Possiamo distinguere, nel tempo, tre fasi di funzionamento del circuito.
Ia fase. Il condensatore, supposto scarico all’istante zero, alla chiusura dell’interruttore si

trova con le due armature alla tensione VCC . Il transistore quindi in tale istante si trova ad
avere una polarizzazione normale (la polarizzazione BE diretta, la polarizzazione CB inversa).
Inizia cosı̀ un periodo in cui il transistore è acceso (e nella zona lineare), con una corrente di
∗ ∗
base IB (costante) fissata da VB , e di conseguenza con una corrente IC (pressochè costante)
fissata dal β del transistor, come si vede in figura III 0.5 dalle caratteristiche d’uscita del
dispositivo. Infatti, se si analizza la rete d’ingresso del transistor applicando il teorema di
Thevenin al punto di Base, otteniamo (vedi figura III 0.6):
VBB = VBE + Rb IB + RE IB + RE IC (III 0.3)
dove IC per l’ipotesi fatta (ICBO = 0) vale βIB . Dalla retta di carico alle caratteristiche
d’ingresso appare come, per un’ampia variazione di VCE , IB rimanga pressochè costante.

figura III 0.6
∗
Il condensatore in questa fase dunque si scarica a corrente costante IC ; la tensione VC (t) ai
I∗
capi del condensatore risulta quindi una funzione lineare del tempo, del tipo VC (t) = CC t.
L’equazione che in questa prima fase descrive il funzionamento nel tempo del circuito (ponendo
la condizione IE IC ) è la:
∗
VCC =VCE + RE IC + vC (t)
∗ I∗
=VCE + RE IC + C t (III 0.4)
C
∗ t
=VCB + VBE + IC (RE + )
C
essendo VCE = VCB − VBE .
In questa prima fase la tensione VC cala linearmente nel tempo fino a tendere al valore di VB ,
(che in questa fase rimane costante).
IIa fase. Quando la tensione VC tende a diventare eguale alla VB (VCB → 0), il transistore
inizia a spegnersi, in quanto la sua polarizzazione alla giunzione CB tende a diventare diretta
(vedi caratteristiche in figura III 0.7), quindi la corrente IC inizia a diminuire.
98
figura III 0.7
Da questo istante t∗ in poi, tempo che può essere valutato annullando VCB nell’ultima relazione
scritta (III 0.4), quindi dall’equazione:
∗ t∗
VCC = VBE + IC (RE + ) (III 0.5)
C
∗
la corrente IC non è più costante ed eguale a IC , la tensione di collettore VC non decresce
più linearmente nel tempo, le caratteristiche di linearità del transistor vengono meno. Infatti
∗
il punto di lavoro in questa fase abbandona il tratto lineare della caratteristica relativa a IB ,
∗
come si vede dalla figura III 0.5. Il tempo t può essere valutato dalla:
∗
VCC − VBE − RE IC
t∗ = ∗
C (III 0.6)
IC
Il processo di scarica (ora non più lineare) della tensione di collettore prosegue sinchè VCE
non si annulla.
IIIa fase. In questa terza fase, nella quale VCE = 0, il transistor cessa le sue funzioni
come tale, ed inizia a funzionare come diodo alla giunzione BE che rimane direttamente
polarizzata. Si noti però che la corrente che attraversa il diodo BE e che scorre lungo la
resistenza RE in questa terza fase è più piccola di quella che scorreva nella prima fase. Infatti
se si pensa alle caratteristiche d’ingresso del transistore nella connessione EC la curva che
descrive l’andamento della corrente sulla RE in questa terza fase è quella relativa al parametro
VCE = 0 delle caratteristiche d’ingresso (vedi figura III 0.7). Questa corrente, pur essendo
più piccola della corrente IE nella prima fase, è molto più alta della corrente IB nella fase di
funzionamento come transistor. Infatti, ricordando che in questa fase la IC = 0, la relazione III
0.3 diviene:
VBB = VCE + Rb IB + RE IB
V
dalla quale possiamo ricavare la retta di carico dalle intercette (VBB , ( R +R
BB
)), vedi figura III
b E
0.6. Essendo VCE = 0 si vede come il punto di lavoro imponga una IB molto maggiore di
quella della I a fase.

La risposta alla domanda a) è stata data.
La risposta alle domande b) può essere data dalle curve di simulazione del circuito mediante
un CAD elettronico analogico come il programma MICRO-CAP III. Naturalmente per far
questo non potremo più rimanere nell’ambito del calcolo simbolico, ma dovremo dare valori
numerici ai componenti del circuito. Ad esempio, utilizzando un transistor del tipo 2N 3501
e ponendo:
VCC = 10V, R1 = 8KΩ, R2 = 2KΩ, RE = 1KΩ, C = 1nF (III 0.7)
Il circuito dello schematic editor del MICRO-CAP III è quello di figura III 0.13 nella quale
i resistori a basso valore (1Ω) servono al CAD in quanto, per valutare la corrente tra due
nodi, occorre che vi sia un resistore che li connetta. I numeri prograssivi dall’1 al 7 indicano
i numeri assegnati da MICRO-CAP III ai nodi del circuito (0 è assegnato al nodo di massa).
Questi vengono anche usati per indicare le ordinate, nei grafici prodotti: tensioni (1 V ad
esempio indica tensione, in Volt, al nodo 1) e correnti (7-2U ad esempio indica corrente, in
µA tra i nodi 7 e 2).
figura III 0.8
Nella figura III 0.8 viene mostrato l’andamento nel tempo delle tensioni e correnti più signi-
ficative del circuito ottenute usando il modulo per i transitori di MICRO-CAP III. Il tempo
di monitoraggio è di 10µs oltre i quali, (fase III), i valori delle variabili sono già giunti al
loro limite assintotico. Dai grafici si può intanto dare una prima valutazione della durata
temporale della I a fase; t∗ può essere stimato intorno ai 6µs, tempo in effetti concordante con
quello che si può calcolare dalla:
100
∗
VCC − VBE − IC RE
t∗ = ∗ C
IC
10 − 0.6 − 1.3 · 10−3 · 103 −9 (III 0.8)
= 10
1.3 · 10−3
= 6.3µs

figura III 0.9
Nella figura III 0.9 viene riportata, in basso, la rappresentazione espansa di tipo oscillografico
della finestra scelta nel primo grafico. Si noti che:
• dal grafico si può determinare con esattezza t∗ , vedi il tempo relativo al primo cursore.
• per tutto il tempo t∗ la tensione VE rimane costante (1.280V).
• la seconda fase, nella quale il punto di lavoro del transistor percorre il tratto di carat-
teristica che va dal punto P ∗ al punto origine degli assi (vedi figura III 0.5) dura circa
2µs.
• nella terza fase VC diviene costante e vale 0.626V, cosı̀ pure VE diviene costante e vale
0.544V. Di conseguenza VCE = 0.082.
102
figura III 0.10
Nella figura III 0.10 che riporta il monitor del secondo grafico (VB (t) e VE (t)) si noti come:
• la tensione VB nella prima fase sia costante e valga 1.925V, la tensione VE sia costante
e valga 1.308V, la tensione VBE valga 0.617V.
• nelle tre fasi la tensione VBE rimanga sempre pressochè costante. Ciò è dovuto al fatto
che la giunzione BE rimane attiva in tutte e tre le fasi.
• la tensione VB e la tensione VE nella terza fase sono più basse che nella prima. La
tensione VB infatti rimane fissata dal partitore sinchè la corrente di base del transistor
(prima fase) rimane piccola rispetto alle correnti che scorrono nei resistori del partitore
( 50µA come si vede dalla figura III 0.11). Quando si entra nella fase terza la corrente
che fluisce tra la base e l’emettitore del transistor è la corrente di un diodo (BE )
direttamente polarizzato (il transistor è spento, quindi non è più una corrente di base),
quindi molto più grande, dell’ordine di grandezza delle correnti dei resistori di partitore
( 0.5mA come si vede dalla figura III 0.11).

figura III 0.11
Nella figura III 0.11 che riporta il monitor del terzo grafico (IB (t) e IE (t)) si noti che:
• come già è stato detto IB nella prima fase è la corrente di base di un transistor normal-
mente polarizzato, nella terza fase è la corrente di un diodo direttamente polarizzato.
• la corrente IE , corrente che scorre nel resistore RE , è nella prima fase la corrente
di emettitore del transistor normalmente polarizzato (eguale alla corrente di base più
la corrente di collettore), nella seconda fase la corrente del diodo BE direttamente
polarizzato, o meglio la corrente IB del transistor sotto la condizione VCE = 0 (di molto
maggiore di quella nella fase precedente, vedi caratteristiche d’ingresso del transistore
in figura III 0.6).
104
figura III 0.12
Nella figura che riporta il monitor del quarto grafico che mette a confronto IE (t) e IC (t) si
noti che:
• mentre IE come abbiamo visto cala, cambiando di ruolo, al passaggio dalla prima alla
seconda fase,
• la IC si annulla nella terza fase, passando da un valore di 1.3mA ad un valore pratica-

mente zero.

figura III 0.13
106
Gruppo IV
Circuiti amplificatori
Argomento di questo IV Gruppo di esercizi sono gli amplificatori a transistor nelle tre
connessioni.
107
108
IV 1 Amplificatori in EC
1 Per un confronto tra le proprietà degli amplificatori a transistor nelle tre connessioni si veda
l’esercizio IV.24.

Esercizio IV.1 Trovare i parametri caratteristici ZI , ZO , AV , AI dell’amplificatore a tran-
sistor in connessione EC in figura mediante il circuito equivalente a T :
figura IV 1.1
Applicando il metodo delle maglie al circuito equivalente in figura IV 1.1 ed utilizzando la

matrice di Stigant otteniamo:

v1 (rb + re) re i1
= (IV 1.1)
βib rd re (re + rd + RL) i2

v1 =(rb + re )i1 + rei2
βi1 rd =re i1 + (re + rd + RL )i2

v1 =(rb + re)i1 + re i2
0=(−βrd + re )i1 + (re + rd + RL)i2

v1 (rb + re) +re i1
=
0 (−βrd + re ) (re + rd + RL ) i2
Risolvendo il sistema con la regola di Cramer:

v1 re

0 (re + rd + RL) v1 (re + rd + RL)
i1 = =

(rb + re ) re (r b + r e )(r e + rd + RL ) − re (−βrd + re )
(−βrd + re) (re + rd + RL )

(rb + re ) v1

(−βrd + re) 0 −v1 (−βrd + re )
i2 = =

(ri + re ) re (r b + r e )(r e + rd + RL ) − re(−βrd + re )
(−βrd + re) (re + rd + RL )
110
. i2 v1 [re − βrd ] ∆ βrd − re
AI = =− =
i1 ∆ v1 ([re + rd ] + RL) re + rd + R L
βrd

rd + R L
l’ultima relazione potendosi scrivere dato che re rd . Se poi RL rd , AI β

Dal momento che:
v1 (RL + rd + re )
i1 =
(rb + re )(RL + rd + re) − re (re − βrd )
. v1 [rb + re](RL + [rd + re ]) − [re][re − βrd ]

ZI = = =
i1 (RL + [rd + re])
re(re − βrd )
= rb + re − =
(RL + rd + re )

re − βrd
= rb + re 1 − =
(RL + rd + re)
re + rd + βrd re + (β + 1)rd
= rb + re = rb + re =
(RL + rd + re) (RL + rd + re )
re
1+ (1+β)rd
= rb + re (β + 1) =
1 + re +R
rd
L
rb + re (β + 1)
l’approssimazione essendo vera se R L + re rd
. v2 RL i2 −[−βrd + re ]
AV = =− = −RL
v1 v1 [rb + re](RL + [rd + re ]) − [re][re − βrd ]
RL β
−
(rb + re )(1 + RrdL ) + βre
l’ultima relazione potendosi scrivere dato che re rd . Se poi R L rd e rb βre , AV

− Rr L .
e
Per calcolare l’impedenza d’uscita, ricordando la definizione, e riferendoci alla figura IV 1.2:

figura IV 1.2
applicando il metodo delle maglie al circuito equivalente in figura IV 1.2 ed utilizzando la

matrice di Stigant otteniamo:

0 (Rs + rb + re) re i1o
= (IV 1.2)
vo + βib rd re (re + rd ) i2o

0 (Rs + rb + re) +re i1o
=
vo (−βrd + re ) (re + rd ) i2o

(Rs + rb + re ) 0

(−βrd + re) vo −vo (−βrd + re )
i2o = =

(Rs + rb + re) re (R s + r b + r e )(re + rd ) − re (−βrd + re )
(−βrd + re ) (re + rd )
. vo (Rs + [rb + re])[re + rd ] − [re][−βrd + re ]

ZO = =
i2o [−βrd + re]
re − βrd βre rd
re + rd − rd +
(Rs + rb + re R s + rb + re

β
rd 1 +
1 + Rsr+r
e
b
l’ultima semplificazione potendosi fare se re rd .

Raggruppiamo i parametri cercati nella tabella:
112


 βrd − re βrd

 AI =

 r + r + R r d + RL


e d L

 [rb + re ](RL + [rd + re]) − [re][re − βrd ]

 1

 ZI = rb + re (β + 1)
 (RL + [rd + re ]) 1 + e +R
r
r
L
d

 −[−βrd + re ] RL β

 AV =−RL −

 [r b + r e ](R L + [r d + r e ]) − [r e ][r e − βr d ] (r + r )(1 + RrdL ) + βre


b e




 (Rs + [rb + re ])[re + rd ] − [re][−βrd + re] β

 rd 1 +
 ZO = [−βrd + re ] 1 + Rsr+rb
e
tabella IV 1.1
Commento IV.1 Il circuito di figura è il circuito equivalente a T del transistore in EC, (qui
caricato con RL ed alimentato dal generatore reale (vs , Rs )), che ci ha permesso di ricavare il
circuito equivalente Z dell’esercizio II.4.
Commento IV.2 AI , ZI , AV , sono stati calcolati considerando come tensione d’ingresso la

tensione v1 (tensione effettiva all’ingresso dell’amplificatore). Volendo calcolare i parametri
rispetto al valore vs del generatore ideale basta sostituire nel sistema IV 1.1 al posto del termine
rb + re il termine rb + re + Rs
Commento IV.3 Le semplificazioni in tabella IV 1.1 sono valide nell’ipotesi che sia re rd .

sistor ad emettitore comune in figura, dati i parametri ibridi H del transistor.
figura IV 1.3
Il calcolo dei quattro parametri dell’amplificatore può essere eseguito osservando il circuito di
figura IV 1.3.
Se si procede senza seguire alcun metodo sistematico, conviene calcolare per primo il para-
metro AI , perchè da questo potremo ricavare ZI e AV .
. i2
AI =
i1
i2 1 hfe i1 1 hfe
AI = = =
i1 i1 hoe ( h1 + RL) (1 + hoe RL)
oe
. v1
ZI =
i1

v1 1 1 1 hfe
ZI = = (hie i1 + hre v2 ) = (hie i1 + hre (−AI i1 RL )) = hiei1 − hre i1
i1 i1 i1 i1 (1 + hoe RL)
hre hfe RL
=hie −
1 + hoe RL
. v2
AV =
v1
v2 RLi2 RLAI i1 RLAI i1

AV = =− =− =−
v1 v1 v1 ZI i1
RL hfe (1 + hoe RL ) hfe RL
=− =−
(1 + hoe RL) hie(1 + hoe RL) − hre hfe RL hie (1 + hoe RL) − hre hfe RL
L’impedenza d’uscita invece può essere calcolata rapidamente dalla sua definizione e dalla
figura (nella quale per pulizia del disegno non vengono indicati i pedici e dei parametri h):
114
figura IV 1.4
. vo
ZO =
io
1 hre hfe −1
ZO = hfe
= (hoe − )
hoe − hre Rs +hie
hie + Rs

 hfe

 AI =

 1 + hoe RL





 ZI =hie − RL hre AI

 −AI

 AV =RL

 ZI



 1


 ZO = hfe
hoe − hre Rs +hie
tabella IV 1.2

sistor ad emettitore comune in figura dati i parametri ibridi H del transistor, usando il metodo
delle maglie.
figura IV 1.5
Nelle figure e nel simbolismo di questo esercizio, non viene specificato il secondo pedice (e)
dei parametri H per la ragione che vedremo nel commento alla fine dell’esercizio.
Il calcolo dei quattro parametri dell’amplificatore può essere eseguito mediante il metodo delle
maglie applicato al circuito di figura IV 1.5 dopo aver trasformato il generatore di corrente
d’uscita nel generatore di tensione equivalente (hf i1 )/ho . Utilizzando la matrice di Stigant:

v1 − hr v2 hi 0 i1
=
hf h1o i1 0 ( h1o + RL) i2

v1 − hr v2 =hi i1 + 0 · i2
hf h1o i1 =0 · i1 + ( h1o + RL)i2

v1 =hi i1 + hr v2 {v2 = −RL i2
0=−hf h1o i1 + ( h1o + RL)i2

v1 hi −hr RL i1
=
0 −hf h1o ( h1o + RL) i2

v1 −hr RL

0 ( 1 + RL ) v1 ( h1o + RL )
i1 = ho =

hi −hr RL hi ( ho + RL ) − hr hf h1o RL
1
−hf h1o ( h1o + RL)

hi v1

−hf 1 0 v1 (hf h1o )
i2 = ho =
hi −hr RL hi ( h1o + RL ) − hr hf h1o RL
−hf 1 1
( ho + RL)
ho
116
. i2
AI =
i1
i2 hf hf
AI = = =
i1 ho ( h1o + RL ) 1 + ho R L
AI è definito come rapporto tra corrente d’ingresso e corrente d’uscita del transistor, con il
segno legato alle definizioni indicate nel modello 2 .
. v1
ZI =
i1

v1 1 hf hr RL 1 hf
ZI = = hi + RL − 1 = hi − RLhr = hi − RLhr AI
i1 ho ho ( ho + RL) 1 + ho R L
hr hf
=hi −
ho + YL
. v2
AV =
v1
h
v2 RL i2 RL hfo
AV = = − =−
v1 v1 h 1
+ RL − RL hr hf h1o
i ho
h
RLhf RL 1+hof RL −AI RL hf
=− =− = =−
hi (1 + ho RL) − RL hr hf hi − RL hr
hr hf RL Z I h i (h o + YL ) − hr hf
1+ho RL
AV ha segno opposto ad AI . Nella connessione EC (hfe è positivo), AV mostra inversione

di fase tra tensione d’ingresso e tensione d’uscita, nelle altre due connessioni (hfx è negativo,
A > 0), mostra concordanza di fase.
L’impedenza d’uscita invece può essere calcolata rapidamente dalla definizione data e dalla
figura IV 1.6:
2 È questa in reltà una definizione della massima generalità in quanto il segno di A è positivo quando le
I
due correnti d’ingresso e d’uscita nella connessione X − comune sono correnti ambedue entranti o uscenti nel
modello fisico del transistor, è negativo negli altri casi. Nella connessione EC ib , ic ad esempio, sono entrambe
entranti negli N P N , entrambe uscenti nei P N P in EC, ed hf e è positivo. Nelle altre due connessioni, le
due correnti d’ingresso e d’uscita sono una entrante, l’altra uscente ed hf b e hf c sono negativi.

figura IV 1.6
. vo
ZO =
io
. vo 1 hr hf −1
ZO = = hr hf
= (ho − )
io ho − Rs +hi h i + Rs
118



hf

 AI =

 1 + ho R L



 ZI =hi − RL hr AI


 −AI

 AV =RL

 ZI



 1


 ZO = hf
ho − hr Rs +h i
tabella IV 1.3
Commento IV.4 Più che un esercizio, quest’analisi è da considerarsi una parte di teoria. È
infatti, come si vede, un metodo di calcolo assai generale; l’algoritmo è valido per un amplificatore
con transistore connesso sia in EC che in BC che in CC. I parametri cercati si ottengono dalla
tabella generale IV 1.3 inserendo rispettivamente i parametri del transistor he o hb o hc .

Esercizio IV.4 Calcolare Ai , Zi , Av , Zo del circuito in figura (amplificatore in connessione
EC), sotto la condizione che h RL .
1
oe
Sotto tali condizioni, il circuito equivalente dell’amplificatore a transistor rappresentato me-
diante circuito equivalente ibrido si trasforma in quello di figura IV 1.7 b)
figura IV 1.7
che si può ottenere da quello di figura IV 1.7 a):
• sopprimendo h1 che si trova in parallelo ad

oe
RL , con la conseguenza che la corrente di
collettore diventa ic = hfe ib .
• sopprimendo hre vo , visto che hre vo = hre hfe RLib hieib .
Usando quindi il circuito semplificato dell’amplificatore in connessione EC otteniamo il circuito

equivalente di figura, dal quale possiamo ricavare che:

 hfe ib

 AI =

 ib

ZI =hie




 h iR
 AV = fe b L
hie ib
120
sistor ad emettitore comune in figura dati i parametri Z del transistor:
figura IV 1.8
maglie applicato al circuito di figura IV 1.8. Utilizzando la matrice di Stigant si ottiene:

v1 − zre i2 z 0 i1
= ie
−zfe i1 0 (zoe + RL ) i2

v1 − zre i2 =zie i1 + 0 · i2
−zfe i1 =0 · i1 + (zoe + RL)i2

v1 =zie i1 + zre i2 {v2 = RLi2
0=zfe i1 + (zoe + RL )i2

v1 zie zre i1
=
0 zfe (zoe + RL ) i2

v1 zre

0 (zoe + RL ) v1 (zoe + RL)
i1 = =

zie z re zie (zoe + RL ) − zre zfe
zfe (zoe + RL )

zie v1

zfe 0 −v1 zfe
i2 = =
z z z (z + RL ) − zre zfe
ie re ie oe
zfe (zoe + RL )
. i2
AI =
i1

i2 −zfe [re − βrd ]
AI = = =−
i1 zoe + RL [re + rd ] + RL
. v1
ZI =
i1
v1 zie (zoe + RL ) − zre zfe [(rb + re)](RL + [rd + re]) − [re][(re − βrd )]
ZI = = =
i1 zoe + RL (RL + [rd + re])
. v2
AV =
v1
v2 RL i2 zfe RL [βrd − re ]
AV = =− = = RL
v1 v1 zie (zoe + RL) − zre zfe [(rb + re)](RL + [rd + re]) − [re][(re − βrd )]
Il calcolo di ZO si può eseguire ricordando la definizione di impedenza d’uscita ed utilizzando

il metodo delle maglie applicato al circuito di figura IV 1.9. Utilizzando la matrice di Stigant
si ottiene:
figura IV 1.9

−zre i1o (Rs + zie ) 0 i1o
=
vo − zfe i2o 0 zoe i2o

0=(Rs + zie )i1o + zre i2o {v2 = RL i2
vo =zfe i1o + zoe i2o

0 (Rs + zie zre i1o
=
vo zfe zoe i2o

(Rs + zie ) 0

zfe vo v0 (Rs + zie )
i2o = =

(Rs + zie ) zre (Rs + zie )zoe − zre zfe
zfe zoe
. vo
ZO =
i2o
122
(Rs + zie )zoe − zfe zre
ZO =
(Rs + zie )

 −zfe

 AI ==

 zoe + RL





 (R s + zie )zoe − zre zfe

 ZI = z +R
oe L

 zfe RL

 AV =

 z (z + RL ) − zre zfe


ie oe

 (R + zie )zoe − zfe zre

 ZO = s
(Rs + zie )
tabella IV 1.4
Commento IV.5 Confrontare i parametri AI , ZI , AV , Zo calcolati sopra (le espressioni dei

parametri z in funzione dei parametri T sono riportate tra parentesi quadre) con quelli calcolati
nell’esercizio IV.1.
124
Esercizio IV.6 Tracciare il grafico della amplificazione in corrente AI dell’amplificatore a
transistor in connessione EC assumendo come parametri caratteristici del modello a T del
transistor re = 10Ω, rb = 500Ω, rc = 1M, β = 50, 3 in funzione della resistenza di carico
RL . Giustificare l’andamento della curva.
figura IV 1.10
Gli assintoti della curva, calcolati come limRL →0 e limRL →∞ , sono riportati in grassetto ai
lati del grafico.
L’andamento della curva può essere spiegato se si fa riferimento al circuito equivalente dell’amplificatore
rappresentato mediante il modello a T del transistore (vedi figura IV 1.1). Ponendo infatti la
condizione che RL → 0, AIe assume il significato di amplificazione di corrente del transistor
con uscita in cortocircuito cioè hfe = 50. Ponendo invece la condizione che RL → ∞ ic → 0
quindi AIe → 0.
3 dai quali si possono ricavare, mediante la tabella di conversione vista al capitolo precedente, h
ie =
1K, hf e = 50, hre = 5 · 10−4 , hoe = 5 · 10−5 ; hic = 1K, hf c = −50, hrc = 1, hoc = 5 · 10−5 ;
hib = 19Ω, hf b = −.98, hrb = 5 · 10−4, hob = 9.8 · 10−7.

Esercizio IV.7 Tracciare il grafico della impedenza d’ingresso ZI dell’amplificatore a transi-
stor in connessione EC assumendo come parametri caratteristici del transistor quelli dell’esercizio
precedente, in funzione della resistenza di carico RL . Giustificare l’andamento della curva.
figura IV 1.11
lati del grafico.
rappresentato mediante il modello a T del transistore (vedi figura IV 1.1). Ponendo infatti
la condizione che RL → 0, ZIe assume il significato di impedenza d’ingresso del transistor
con uscita in cortocircuito cioè hie = 1KΩ. Ponendo invece la condizione che RL → ∞
ZIe → rb + re 500Ω.
126
Esercizio IV.8 Tracciare il grafico della amplificazione in tensione AV dell’amplificatore a
transistor in connessione EC assumendo come parametri caratteristici del transistor quelli
dell’esercizio precedente, in funzione della resistenza di carico RL . Giustificare l’andamento
della curva.
figura IV 1.12
lati del grafico.
.
condizione che RL → 0, AV e = v2 /v1 assume il valore 0. Ponendo invece la condizione che
RL → ∞ AV e → − βiibb(r(rbd+r
+re )
e)
2000Ω.

Esercizio IV.9 Tracciare il grafico della impedenza d’uscita ZO dell’amplificatore a transi-
stor in connessione EC assumendo come parametri caratteristici del transistor quelli dell’esercizio
precedente, in funzione della resistenza di sorgente Rs .
figura IV 1.13
Gli assintoti della curva, calcolati come limRs →0 e limRs →∞ , sono riportati in grassetto ai lati
del grafico.
condizione che Rs → 0, ZOe assume il valore 2rd 40KΩ. Ponendo invece la condizione
che Rs → ∞, ZOe → rd 20KΩ.
128
IV 2 Amplificatori in CC

sistor a collettore comune in figura dati i parametri ibridi T del transistor.
figura IV 2.1
Applicando il metodo delle maglie al circuito, dopo aver trasformato il generatore di corrente
nel suo equivalente generatore di tensione, utilizzando la matrice di Stigant, otteniamo:
 
(rb + rd ) rd
−βib rd i1
= 
−βib rd rd (re + rd + RL) i2

 v1 − βib rd = (rb + rd )i1 + rd i2
 −βi r = r i + (r + r + R )i
1 d d 1 e d L 2

 v1 = (rb + (1 + β)rd )i1 + rd i2
 0 = (r + βr )i + (r + r + R )i
d d 1 e d L 2
 
(rb + (1 + β)rd ) rd
v1 i1
= 
0 i2
(1 + β)rd (re + rd + RL)

v1 rd

0 (re + rd + RL)
v1 (re + rd + RL )
i1 = (rb + (1 + β)rd ) rd =

(rb + (1 + β)rd )(re + rd + RL) − rd (1 + β)rd

(1 + β)rd (re + rd + RL)
130

(rb + (1 + β)rd ) v1

((1 + β)rd ) 0
−v1 (1 + β)rd
i2 = (rb + (1 + β)rd ) rd =

(rb + (1 + β)rd )(re + rd + RL ) − rd (1 + β)rd

(1 + β)rd (re + rd + RL )
. i2 −v1 [(1 + β)rd ] [(1 + β)rd ]

AI = = =−
i1 v1 ([re + rd ] + RL) ([re + rd ] + RL )
(1 + β)rd
−
rd + R L
l’ultima relazione potendosi scrivere dato che re rd .
. v1 [rb + (1 + β)rd ]([rd + re ] + RL) − [rd ][(1 + β)rd ]

ZI = = =
i1 ([re + rd ] + RL)
(1 + β)rd (rd + RL ) − rd (1 + β)rd

(rd + RL)
. v2 i2 RL RL[(1 + β)rd ]
AV = =− =−
v1 v1 [rb + (1 + β)rd ]([rd + re] + RL) − [rd ][(1 + β)rd ]
RL βrd
− RL
rd (1 + rd )(rb + (1 + β)re )
Per calcolare l’impedenza d’uscita, ricordando la definizione, ci si può riferire alla figura:
figura IV 2.2
 
(Rs + rb + rd ) rd
−βib rd i1o
= 
vo − βib rd i2o
rd (re + rd )

 0 = (Rs + rb + (1 + β)rd )i1o + rd i2o
 v = ((1 + β)r )i + (r + r )i
o d 1o e d 2o

 
(Rs + rb + (1 + β)rd ) rd
0 i1o
= 
vo i2o
(1 + β)rd (re + rd )

(Rs + rb + (1 + β)rd ) 0

((1 + β)rd ) vo
vo (Rs + rb + (1 + β)rd )
i2o = (Rs + rb + (1 + β)rd ) rd =

(Rs + rb + (1 + β)rd )(re + rd ) − rd (1 + β)rd

(1 + β)rd (re + rd )
. vo (Rs + [rb + (1 + β)rd ])[re + rd ] − [rd ][(1 + β)rd ]

ZO = =
i2o Rs + [rb + (1 + β)rd ]
Rs rd + rb rd + re (Rs + rb + (1 + β)rd )
=
Rs + rb + (1 + β)rd
R s + rb
re +
1+β
L’ultima relazione potendosi scrivere se (Rs + rb ) (1 + β)rd .


 (1 + β)rd

 AI = −

 (re + rd + RL)



 rb + (1 + β)rd (rd + re + RL ) − rd (1 + β)rd



 ZI = (re + rd + RL)

 RL (1 + β)rd

 AV = −

 rb + (1 + β)rd (rd + re + RL) − rd (1 + β)rd





 (Rs + rb + (1 + β)rd )[re + rd ] − rd (1 + β)rd

 ZO =
Rs + rb + (1 + β)rd
tabella IV 2.1
132
sistor a collettore comune in figura dati i parametri ibridi H del transistor.
figura IV 2.3
Una soluzione immediata si ottiene ricordando l’esercizio IV.3 e quanto detto nel commento.
Introducendo i parametri hc al posto dei parametri h generici nelle relazioni della tabella
generale qui sotto riportata, il nostro problema è risolto.



hf

 AI =

 1 + ho R L



 ZI =hi − RL hr AI


 −AI

 AV =RL

 ZI



 1


 ZO = hf
ho − hr Rs +h i
tabella IV 2.2

sistor a collettore comune in figura dati i parametri Z del transistor:
figura IV 2.4
maglie applicato al circuito di figura IV 2.4.

v1 − zrc i2 z 0 i1
= ic
−zfc i1 0 (zoc + RL ) i2

v1 − zrc i2 =zic i1 + 0 · iL
−zfc i1 =0 · i1 + (zoc + RL )i2

v1 =zic i1 + zrc i2 {v2 = RLi2
0=zfc i1 + (zoc + RL)i2

v1 zic zrc RL i1
=
0 zfc (zoc + RL) i2

v1 zrc

0 (zoc + RL ) v1 (zoc + RL)
i1 = =

zic zrc zic (zoc + RL) − zrc zfc
zfc (zoc + RL)

zic v1

zfc 0 −v1 zfc
i2 = =

zic zrc zic (zoc + RL) − zrc zfc
zfc (zoc + RL)
. i2
AI =
i1
134
i2 −zfc
AI = =
i1 zoc + RL
. v1
ZI =
i1
v1 zic (zoc + RL) − zrc zfc

ZI = =
i1 zoc + RL
. v2
AV =
v1
v2 zfc
AV = =−
v1 zic (zoc + RL ) − zrc zfc

si ottiene:
figura IV 2.5

−zrc i1o (Rs + zic ) 0 i1o
=
vo − zfc i2o 0 zoc i2o

0=(Rs + zic )i1o + zrc i2o {v2 = RLi2
vo =zfe i1o + zoc i2o

0 (Rs + zic ) zrc i1o
=
vo zfc zoc i2o

(Rs + zic ) 0

zfc vo v0 (Rs + zic )
i2o = =

(Rs + zic ) zrc (Rs + zic )zoc − zrc zfc
zfc zoc
. vo
ZO =
i2o

(Rs + zic )zoc − zoc zrc
ZO =
(Rs + zic )
136
 −zfc

 AI ==

 zoc + RL





 zic (zoc + RL ) − zrc zfc

 ZI = z +R
oc L

 zfc RL

 AV =−

 z (z + RL ) − zrc zfc


ic oc

 (R + zic )zoc − zoc zrc

 ZO = s
(Rs + zic )
tabella IV 2.3
Commento IV.6 Confrontare le relazioni trovate con le analoghe dell’esercizio IV.10. In

quest’ultimo le espressioni tra parentesi quadra rappresentano i parametri Z.

Esercizio IV.13 Tracciare il grafico della amplificazione in corrente AI dell’amplificatore
a transistor in connessione CC assumendo come parametri caratteristici del modello a T del
transistor quelli re = 10Ω, rb = 500Ω, rc = 1M, β = 50 5 , , in funzione della resistenza di
carico RL . Giustificare l’andamento della curva.
figura IV 2.6
lati del grafico.
la condizione che RL → 0, AIc assume il significato di amplificazione di corrente del transi-
stor con uscita in cortocircuito cioè hfc = 51. Ponendo invece la condizione che RL → ∞
.
AIc = ii2 → 0.
1
ie =
1K, hf e = 50, hre = 5 · 10−4, hoe = 5 · 10−5; hic = 1K, hf c = −50, hrc = 1, hoc = 5 · 10−5;
hib = 19Ω, hf b = −.98, hrb = 5 · 10−4 , hob = 9.8 · 10−7 .
138
Esercizio IV.14 Tracciare il grafico della impedenza d’ingresso ZI dell’amplificatore a
transistor in connessione CC assumendo come parametri caratteristici del transistor quelli
della curva.
figura IV 2.7
lati del grafico.
la condizione che RL → 0, ZIc assume il significato di impedenza d’ingresso del transistor
con uscita in cortocircuito cioè hic = 1KΩ. Ponendo invece la condizione che RL → ∞
ZIc → rb + (β + 1)rd 1M Ω.

Esercizio IV.15 Tracciare il grafico della amplificazione in tensione AV dell’amplificatore
a transistor in connessione CC assumendo come parametri caratteristici del transistor quelli
della curva.
figura IV 2.8
lati del grafico.
.
condizione che RL → 0, AV c = v2 /v1 assume il valore 0. Ponendo invece la condizione che
RL → ∞, v2 → v1 , AV c → 1.
140
stor in connessione CC assumendo come parametri caratteristici del transistor quelli dell’esercizio
precedente, in funzione della resistenza di sorgente Rs . Giustificare l’andamento della curva.
figura IV 2.9
del grafico.
condizione che Rs → 0, ZOc assume il valore re + (1+β) 20. Ponendo invece la condizione
rb
che Rs → ∞, ZOc → rd + re 20KΩ.

142
IV 3 Amplificatori in BC

sistor a base comune in figura dati i parametri del circuito a T del transistor.
figura IV 3.1
Applicando il metodo delle maglie al circuito, dopo aver trasformato il generatore di corrente
nel suo equivalente generatore di tensione, utilizzando la matrice di Stigant, otteniamo:
 
−(re + rb ) rb
v1 i1
= 
αie rc rb (rb + rc + RL) i2

 v1 = (re + rb )i1 + rb i2
 0 = (r + αr )i + (r + r + R )i
b c 1 b c L 2
 
(re + rb ) rb
v1 i1
= 
0 i2
(rb + αrc) (rb + rc + RL)

v1 rb

0 (rb + rc + RL)
v1 (rb + rc + RL)
i1 = (re + rd ) rb =

(re + rb )(rb + rc + RL ) − rb (rb + αrc )


(re + rb ) v1

(rb + αrc ) 0
−v1 (rb + αrc)
i2 = (re + rd ) rb =

(re + rb )(rb + rc + RL ) − rb (rb + αrc )

144
. i2 [re + rb ]
AI = =
i1 [rb + αrc] + RL
αrc

rc + R L
l’ultima relazione potendosi scrivere dato che re rd .
. v1 [re + rb ]([rb + rc ] + RL ) − [rb ][rb + αrc]

ZI = = =
i1 [rb + rc + RL ]
rb (rc + RL) − rb αrc

(rc + RL )
. v2 ic RL RL [rb + αrc ]
AV = =− =−
v1 v1 [re + rb ]([rb + rc ] + RL ) − [rb ][rb + αrc]
RL βrd
− RL
rd (1 + rd
)(rb + (1 + β)re )
Per calcolare l’impedenza d’uscita, ricordando la definizione, ci si può riferire alla figura:
figura IV 3.2
 
(Rs + re + rb ) rb
0 i1o
= 
vo αie rc i2o
rb (rb + rc )

 0 = (Rs + re + rb )i1o + rb i2o
 v = (r + αr )i + (r + r )i
o b c 1o b c 2o
 
(Rs + re + rb ) rb
0 i1o
= 
vo (rb + αrc) (rb + rc ) i2o

(Rs + re + rb ) 0

(rb + αrc ) vo vo (Rs + re + rb )
i2o = =

(Rs + re + rb ) rb (R s + r e + rb )(rb + rc ) − rb (rb + αrc )
(rb + αrc ) (rb + rc)
. vo (Rs + [re + rb ])[rb + rc] − [rb ][rb + αrc]

ZO = =
i2o Rs + [re + rb ]
rb (rb + αrc) (rb + αrc)
rb + rc − = rb + rc −
(Rs + re + rb ) 1 + Rsr+r
b
e


 [re + rb ]

 AI =

 [r + αrc] + RL


b

 [re + rb ]([rb + rc] + RL ) − [rb ][rb + αrc]


 ZI = [rb + rc + RL ]

 RL[rb + αrc]

 AV =−

 [r + r ]([r + rc] + RL) − [rb ][rb + αrc]


e b b

 (Rs + [re + rb ])[rb + rc] − [rb ][rb + αrc]


 ZO =
Rs + [re + rb ]
tabella IV 3.1
146
sistor a base comune in figura dati i parametri ibridi H del transistor.
figura IV 3.3
Una soluzione immediata si ottiene ricordando l’esercizio IV.3 e quanto detto nel commento.
Introducendo i parametri hb al posto dei parametri h generici nelle relazioni della tabella
generale IV 1.2, il problema è risolto.



hfb

 AI =

 1 + hob RL



 ZI =hib − RLhrb AI


 −AI

 AV =RL

 ZI



 1


 ZO = hfb
hob − hrb Rs +hib
tabella IV 3.2

sistor a base comune in figura dati i parametri Z del transistor:
figura IV 3.4
maglie applicato al circuito di figura IV 3.4.

v1 − zrb i2 z 0 i1
= ib
−zfb i1 0 (zob + RL) i2

v1 − zrb i2 =zib i1 + 0 · iL
−zfb i1 =0 · i1 + (zob + RL)i2

v1 =zib i1 + zrb i2 {v2 = RL i2
0=zfb i1 + (zob + RL)i2

v1 zib zrb i1
=
0 zfb (zob + RL) i2

v1 zrb

0 (zob + RL) v1 (zob + RL)
i1 = =

zib zrb zib (zob + RL) − zrb zfb
zfb (zob + RL)

zib v1

zfb 0 −v1 zfb
i2 = =

zib zrb zib (zob + RL) − zrb zfb
zfb (zob + RL)
. i2
AI =
i1
148
i2 −zfb
AI = =
i1 zob + RL
. v1
ZI =
i1
v1 zib (zob + RL) − zrb zfb

ZI = =
i1 zob + RL
. v2
AV =
v1
v2 zfb RL
AV = =
v1 zib (zob + RL ) − zfb zrb

si ottiene:
figura IV 3.5

−zrb i1o (Rs + zib ) 0 i1o
=
vo − zfb i2o 0 zob i2o

0=(Rs + zib )i1o + zrb i2o {v2 = RLi2
vo =zfe i1o + zob i2o

0 (Rs + zib zrb i1o
=
vo zfb zob i2o

(Rs + zib ) 0

zfb vo v0 (Rs + zib )
i2o = =

(Rs + zib ) zrb (Rs + zib )zob − zrb zfb
zfb zob
. vo
ZO =
i2o

(Rs + zib )zob − zfb zrb
ZO =
(Rs + zib )
150
 i2 −zfb

 AI = =




i1 zob + RL



 z (z
ib ob + RL) − zrb zfb

 ZI = zob + RL

 zfb RL

 AV =−

 zib (zob + RL ) − zrb zfb




 Z = s + zib )zob − zob zrb

(R
O
(Rs + zib )
tabella IV 3.3
Commento IV.7 Confrontare le relazioni trovate con le analoghe dell’esercizio IV.17. In

quest’ultimo le espressioni tra parentesi quadra rappresentano i parametri Z.

Esercizio IV.20 Tracciare il grafico della amplificazione in corrente AI dell’amplificatore
a transistor in connessione BC assumendo come parametri caratteristici del modello a T del
transistor re = 10Ω, rb = 500Ω, rc = 1M Ω, β = 50 7 ,
in funzione della resistenza di carico RL .
figura IV 3.6
lati del grafico.
condizione che RL → 0, AIb assume il significato di amplificazione di corrente del transistor
con uscita in cortocircuito cioè hfb = 0.98. Ponendo invece la condizione che RL → ∞
.
AIb = ii2 → 0.
1
ie =
1K, hf e = 50, hre = 5 · 10−4, hoe = 5 · 10−5; hic = 1K, hf c = −50, hrc = 1, hoc = 5 · 10−5;
hib = 19Ω, hf b = −.98, hrb = 5 · 10−4 , hob = 9.8 · 10−7 .
152
Esercizio IV.21 Tracciare il grafico della impedenza d’ingresso ZI dell’amplificatore a
transistor in connessione BC assumendo come parametri caratteristici del transistor quelli
della curva.
figura IV 3.7
lati del grafico.
la condizione che RL → 0, ZIb assume il significato di impedenza d’ingresso del transistor
con uscita in cortocircuito cioè hib = 20Ω. Ponendo invece la condizione che RL → ∞
ZIb → re + rb 510Ω.

Esercizio IV.22 Tracciare il grafico della amplificazione in tensione AV dell’amplificatore
a transistor in connessione BC assumendo come parametri caratteristici del transistor quelli
della curva.
figura IV 3.8
lati del grafico.
.
condizione che RL → 0, AV c = v2 /v1 assume il valore 0. Ponendo invece la condizione che
RL → ∞, vv2 → rrb +αr
1 +r , AV b → 2KΩ.
e
c
b
154
stor in connessione BC assumendo come parametri caratteristici del transistor quelli dell’esercizio
precedente, in funzione della resistenza di sorgente Rs . Giustificare l’andamento della curva.
figura IV 3.9
del grafico.
la condizione che Rs → 0, ZOb assume il valore rc − αrc 20KΩ. Ponendo invece la
condizione che Rs → ∞, ZOb → rc 1M Ω.

156
IV 4 Analisi comparata tra amplificatori nelle tre
connessioni

Esercizio IV.24 Comparare criticamente le proprietà degli amplificatori a transistor in
EC , CC , BC .
connessione
figura IV 4.1
Dall’osservazione dei grafici della figura IV 4.1, ottenuti per i tre amplificatori con lo stesso
tipo di transistore nelle tre diverse connessioni 8 , si possono dedurre le seguenti considerazioni.
Connessione EC . La connessione EC possiede alcune proprietà che la rendono la più usata

delle tre.
• È l’unica delle tre che sia caratterizzata dall’avere amplificazioni in tensione e in corrente
entrambe maggiori di 1.
8 I grafici sono quelli trovati negli esercizi IV.6, IV.7, IV.8, IV.9,IV.13, IV.14, IV.15, IV.16,IV.20, IV.21,
IV.22, IV.23,.
158
• Per tale connessione le escursioni di ZI e di ZO sono minori, al variare di RL e di Rs ,
di quanto non siano quelle per le altre due connessioni.
• Gli estremi delle variazioni di ZIe e di ZOe sono contenuti tra gli estremi di variazione
di ZI e ZO delle altre connessioni.
Connessione BC . Particolari caratteristiche di questo amplificatore sono:
• l’avere la ZI più bassa e la ZO più alta di tutti e tre gli amplificatori. Per tale motivo
viene talvolta usato come amplificatore per sorgenti a bassissima impedenza d’uscita
o come stadio adattatore d’impedenza per pilotare circuiti ad altissima impedenza
d’uscita.
• l’avere una AV b più o meno eguale alla AV e , ma positiva. Per questo l’amplificatore
viene talvolta usato come amplificatore di tensione non invertente.
Connessione CC . Particolari caratteristiche di questo amplificatore sono:
• l’avere la ZI più alta e la ZO più bassa di tutti e tre gli amplificatori. Per tale mo-
tivo viene largamente usato come stadio adattatore d’impedenza o per circuiti a bassa
impedenza d’ingresso o per circuiti ad alta impedenza d’uscita.

160
IV 5 Amplificatori in EC con resistore in emettitore

sistor ad emettitore comune in figura dati i parametri T del transistor:
figura IV 5.1
Ponendo R = re + R e :
 
(rb + R) R
v1 i1
= 
βib rd i2
R (RL + rd + R)

 v1 = (rb + R)i1 + Ri2
 βr i = Ri + (R + r + R)i
d 1 1 L d 2

 v1 = (rb + R)i1 + Ri2
 0 = (R − βr )i + (R + r + R)i
d 1 L d 2
 
(rb + R) R
v1   i1
=
0 i2
(R − βrd ) (RL + rd + R)

v1 R

0 (RL + rd + R)
i1 =

(rb + R) R
(R − βrd ) (RL + rd + R)

(rb + R) v1

(R − βrd ) 0
i2 =

(rb + R) R
(R − βrd ) (RL + rd + R)
. v1 (R − βrd ) βrd − R βrd

AI = i2
i1 =− =
v1 (RL + rd + R) R + R L + rd rd + R L
162
l’ultima relazione potendosi scrivere se R rd .
. v1 (rb + R)(RL + rd + R) − R(R − βrd )

ZI = = =
i1 (RL + rd + R)
R(R − βrd )
= rb + R − =
(RL + rd + R)

R − βrd
= rb + R 1 − =
(RL + rd + R)
RL + rd + βrd RL + (β + 1)rd
= rb + R = rb + R =
(RL + rd + R) (RL + rd + R)
rb + R(β + 1)
l’approssimazione essendo vera se R L + R rd
. v2 RL i2
AV = =−
v1 v1
RL(R − βrd )
=
(rb + R)(RL + rd + R) − R(R − βrd )
RL (R − βrd )
=
rb (RL + rd + R) + R(RL + (1 + β)rd )
RL ( rRd − β)
=
rb ( RrdL + 1 + rRd ) + R( RrdL + (1 + β))
RL
−
R
l’approssimazione essendo vera se RL , R rd
Per calcolare l’impedenza d’uscita, ricordando la definizione, e riferendoci alla figura IV 5.2:
figura IV 5.2
 
(RB + R) R
0 i1o
= 
v0 + βi1o rd i2o
R (rd + R)

 0 = (RB + R)i1o + Ri2o
 v = (R − βr )i + (r + R)i
0 d 1o d 2o

(RB + R) 0

(R − βrd ) v0 v0 (RB + R)
i2o = =

(RB + R) R (R B + R)(r d + R) − R(R − βrd )
(R − βrd ) (rd + R)
. vo (RB + R)(rd + R) − R(R − βrd )

ZO = = v0
i2o v0 (RB + R)
R(R − βrd )
= rd + R −
RB + R
R(βrd − R)
= rd + R + =
RB + R

R R(β − rRd )
= rd 1 + + =
rd RB + R

βR
rd 1 +
RB + R

 βrd − R

 AI =

 R + R L + rd





 (rb + R)(RL + rd + R) − R(R − βrd )

 ZI = (RL + rd + R)

 RL(R − βrd )

 AV =

 (r + R)(R L + rd + R) − R(R − βrd )

 b



 ZO = rd + R + R(βrd − R)

RB + R
tabella IV 5.1
164
Esercizio IV.26 Trovare l’impedenza d’uscita per il circuito dell’esercizio precedente col
teorema di Thevenin.
figura IV 5.3
vs R vs R vs vs
vth = − βib rd = − βrd = (R − βrd )
RB + R RB + R RB + R RB + R

 vs = (RB + R)i1 + Ri2
 βi r = Ri + (r + R)i
b d 1 d 2
 
(RB + R) R
vs  i1
=
0 i2
(R − βrd ) (rd + R)

(RB + R) vs

(R − βrd ) 0 vs (R − βrd )
i2 = =−

(RB + R) R (R B + R)(r d + R) − R(R − βrd )
(R − βrd ) (rd + R)
vth vth (R − βrd ) (RB + R)(rd + R) − R(R − βrd )
ZO = = = vs =
icc −i2 (RB + R) vs (R − βrd )
(RB + R)(rd + R) − R(R − βrd )
= =
(RB + R)

R(R − βrd ) βrd + R
= rd + R − = rd + R 1 + =
RB + R RB + R
R(βrd − R)
= rd + R + =
RB + R

R R(β − rRd )
= rd 1 + + =
rd RB + R

βR
rd 1 +
RB + R

sistor in figura dati i parametri H del transistor:
Il circuito è un amplificatore a transistor in connessione emettitore comune con una resistenza
di emettitore.
figura IV 5.4
Per giungere al calcolo dei parametri caratteristici, conviene intanto considerare il transistore
e la resistenza al terminale comune come un unico quadripolo (vedi figura IV 5.49 ), del quale
possiamo determinare i parametri h col metodo usato nell’esercizio II.2 in funzione della qua-
terna hxe , (dove x = i, r, f, o) dei parametri ibridi del transistore nella specifica connessione,
e della resistenza R.
Calcolati poi i parametri h , possiamo considerare il nuovo quadripolo come un elemento
amplificatore con il carico RL e calcolare i parametri di questo nuovo amplificatore mediante
le formule già trovate per l’amplificatore all’esercizio IV.2.
Commento IV.8 Notiamo come il procedimento, coinvolgendo modelli ibridi (a parametri H)

del transistor sia generale cioè valido per un qualsiasi amplificatore con transistore connesso sia
in EC che in CC che in BC con un resistore al terminale comune. Essendo dunque l’algoritmo
indipendente dal tipo di connessione, useremo la notazione generica dei parametri, omettendo
quindi il secondo pedice.
Vediamo ora di calcolare intanto i parametri h del quadripolo costituito, come abbiam visto,
dal transistor e dalla resistenza R connessa al terminale comune.

. v1
hi =
i1 v2 =0
Dato che:
vNG + vNC = 0
9 nella quale il pedice dei parametri H (e), riguardante il tipo di connessione del transistor non compare
per generalità, come vedremo più avanti.
166
vNG = Ri1 + Ri2 = Ri1 + Rhf i1 + vCN ho R = −vNC
−vNC (1 + ho R) = (1 + hf )Ri1
(1 + hf )
vNG = Ri1
(1 + ho R)
v1 =hi i1 + vCN hr + vNG

hr (1 + hf ) (1 + hf )
=hi i1 − Ri1 + Ri1
(1 + ho R) (1 + ho R)
R(1 + hf )
=hi i1 + (1 − hr ) i1
(1 + ho R)
R(1 + hf )(1 − hr )
hi = hi +
(1 + ho R)

. i2
hf =
i1 v2 =0
Dato che:
i2 =hf i1 + vCN ho
Ri1 (1 + hf )
=hf i1 − ho
(1 + ho R)
R(1 + hf )ho
=i1 hf −
(1 + ho R)
(hf + hf ho R − hf ho R − Rho )
=i1
(1 + ho R)
(hf − Rho )
=i1
(1 + ho R)
hf − Rho
hf =
1 + ho R

. v1
hr =
v2 i1 =0
Dato che:
v1 = hr vCN + ho RvCN = vCN (hr + ho R)
v2 = vCN + vNG ho R = vCN (1 + ho R)
hr + ho R
hr =
1 + ho R

. i2
ho =
v2 i1=0
Dato che:
i2 = vCN ho

v2 = vCN + vCN ho R = vCN (1 + ho R)
ho
ho =
1 + ho R
I parametri h cercati sono sintetizzati nella tabella:

 R(1 + hf )(1 − hr )

 hi =hi +

 (1 + ho R)



 h − Rh

 f o
 hf =
1 + ho R

 hr + ho R

 hr =

 1 + ho R





 ho = ho
1 + ho R
tabella IV 5.2
Si noti che, se ho R 1, il termine a denominatore, comune a tutti i nuovi parametri, diviene

l’unità. Ricordiamo qui i valori tipici di ho per il transistor nelle tre connessioni.
1
hoe = rd
1 rc
hob = rc rc = 1M Ω, rd =
1+β
1
hho = rd
Trovati i parametri h , come abbiamo detto, possiamo trovare i parametri caratteristici

dell’amplificatore mediante le relazioni nella tabella:


 hfe

 Ai =

 1 + hoe RL



 hfe hr hre hfe

 Zi =hie − RL = h
−
1 + hoe RL ie
hoe + YL

 A R −h

 Av =−
I L
=
fe

 Zi hie(hoe + YL ) − hre hfe



 hre hfe


 Zo−1 =hoe −
hie + Rs
tabella IV 5.3
168
Esercizio IV.28 Calcolare Ai , Zi , Av , Zo del circuito in figura (amplificatore in connessione
EC con resistenza di emettitore), sotto la condizione che h1 RL . Confrontare tali para-
oe
metri con quelli del semplice amplificatore in connessione EC (senza resistenza di emettitore).
Sotto tali condizioni, il circuito equivalente dell’amplificatore a transistor rappresentato me-
diante circuito equivalente ibrido si trasforma in quello di figura IV 5.5 b) 10 ,
figura IV 5.5
che si può ottenere da quello di figura IV 5.5 a):
• sopprimendo h1 che si trova in parallelo ad

oe
RL , con la conseguenza che la corrente di
collettore diventa ic = hfe ib .
• sopprimendo hre vo , visto che hre vo = hre hfe RL ib hie ib .
Usando quindi il circuito semplificato dell’amplificatore in connessione EC otteniamo il circuito

equivalente di figura IV 5.5 b)
dal quale possiamo calcolare:
. ic hfe ib
Ai = = = hfe
ib ib
. vi hieib + (1 + hfe ) ib RE
Zi = = = hie + (1 + hfe ) RE
ib ib
. vo −hfe ib RL
Av = = −RL
RE
vi ib (hie + (1 + hfe ) RE )
. vo
Zo = ∞
ic
dove Av può essere semplificata se (1 + hfe )RE hie .
Confrontiamo ora i parametri trovati con quelli dell’amplificatore senza la resistenza RE :
• Ai rimane quella dell’amplificatore semplice.

10 vedi anche esercizio IV.4.

• Zi è aumentata.
• Av è diminuita, ma è divenuta indipendente dai parametri del transistor, il che a dire

che in questo caso Av ha guadagnato in stabilità.
• Zo per quanto non sia ∞, è aumentata rispetto a quella dell’amplificatore semplice

( r d )
170
Esercizio IV.29 Calcolare i parametri h visti all’esercizio precedente.
Vediamo ora un metodo alternativo al calcolo dei parametri h ,

basato sul metodo delle reti.
Il circuito in figura IV 5.6 rappresenta il quadripolo costituito dal transistor, rappresentato
mediante il suo circuito equivalente ibrido, e dal resistore connesso tra il terminale comune
(in questo caso l’emettitore) e la massa. Il circuito è derivato da quello della figura precedente
nel quale sono stati sostituiti sorgente e carico con i generatori rispettivamente v1 e v2 .
figura IV 5.6
Ricordando le definizioni dei parametri H , possiamo pensare di ricavare hi e hf supponendo
variabili indipendenti (v1 , v2 ), imponendo la condizione v2 = 0 e risolvendo il sistema rispetto
a i1 e i2 .
   
v1 − hr vCN (hi + R) R
 = i1
hf 1 
v2 + i1 R (R + ) i2
ho ho
 
hr hf hr
v1  hi + R − ho R+
ho  i1

=  (IV 5.1)
v2 hf 1  i2
− +R R+
ho ho
Possiamo poi pensare di ricavare hr e ho supponendo variabili indipendenti (i1 , i2 ), imponendo
la condizione i1 = 0 e risolvendo il sistema rispetto a v1 e v2 .
Un ottimo strumento per eseguire queste operazioni può essere un elaboratore nel quale giri
un programma che permette il calcolo simbolico.
Soluzioni ottenute con Mathematica IV.1 . Calcolo di hf e hi :
condizioni: uscita in corto -¿ v2 = 0

Solve [{v1==(R+hi+-hr*hf/ho)*i1 +(R+hr/ho)*i2,
0==(-hf/ho+R)*i1+(1/ho+R) *i2},
{i1,i2}];
ii1=i1/.%;
ii2=i2/.%%;
Hf=(ii2)/ii1;
Together[%];
Simplify[%]
hf - ho*R)/(1 + ho*R)}
Hi=v1/ii1;
Together[%];
Simplify[%]
{(hi + R + hf*R + hi*ho*R - hr*R - hf*hr*R)
/(1 + ho*R)}
Calcolo di hr e ho :

condizioni: ingresso aperto -¿ i1 = 0
Solve [{v1== +(R+hr/ho)*i2,

v2==+(1/ho+R) *i2},
{v1,v2}];
Hr=v1/v2/.%
{(hr + ho*R)/(1 + ho*R)}
Ho=v2/i2/.%%
{(1 + ho*R)/ho}
172
Esercizio IV.30 Calcolare i parametri h visti all’esercizio precedente.
Gli elementi della matrice che compare nel sistema IV 5.1 dell’esercizio precedente IV.29
sono i parametri Z del circuito. I parametri H possono da questi essere ricavati mediante le
trasformazioni [Z] → [H] ricavate all’esercizio II.17.

sistor in figura dati i parametri H del transistor, calcolando i parametri Z del quadripolo
costituito dal transistor e dal resistore al terminale comune:
Il circuito è un amplificatore con transistor in emettitore comune con una resistenza di
emettitore. Un metodo alternativo al precedente per il calcolo dei parametri caratteri-
stici dell’amplificatore è il metodo sistematico seguente, che fa uso delle tecniche standard
dell’analisi delle reti. Un tale metodo fornisce i parametri del generico amplificatore con re-
sistore al terminale comune in funzione dei parametri H del transistor, il che mostra come i
risultati siano egualmente validi per le tre connessioni.
figura IV 5.7
Trasformiamo il circuito in quello equivalente più comodo di figura IV 5.8.
174
figura IV 5.8
Applicando il metodo delle maglie ed utilizzando la matrice di Stigant possiamo scrivere:

 
i2 hf i1  
v1 − hr − (hi + R) R
 ho ho    i1
 hf = 1
R (RL + + R) i2
i1 ho
ho
Dal sistema precedente possiamo trarre le relazioni:
 
hr hf hr
 hi + R − R+ 
v1 h ho i1
=

o 

0 hf 1 i2
− +R RL + +R
ho ho
La matrice caratteristica dell’ultimo sistema è la matrice dei parametri Z del quadripolo

costituito dal transistor e dal resistore al terminale comune. Ponendo dunque:
 
hr hf hr
 h + R − R + 
zi zr i
h ho
=

o 

zf (zo + RL) hf 1
− +R RL + +R
ho ho
e risolvendo il sistema con la regola di Cramer:

v1 zr

0
(zo + RL)

i1 = = v 1 (zo + RL )
zi zr zi (zo + RL) − zr zf

zf
(zo + RL)

zi v1

z 0 −v1 zf
i2 = f =

zi zr zi (zo + RL) − zr zf
zf
(zo + RL)

. i2
AI =
i1
i2 zf
AI = =−
i1 zo + RL
. v1
ZI =
i1
v1 zi (zo + RL) − zr zf

ZI = =
i1 zo + RL
. v2
AV =
v1
v2 zf RL
AV = =−
v1 zi (zo + RL) − zr zf
. vo
ZO =
io
(Rs + zi )zo − zf zr

ZO =
(Rs + zi )

 −zf

 A ==


I
zo + RL



 zi (zo + RL) − zr zf



 ZI =−
z + R
o L

 zf RL

 A =


V
zi (zo + RL ) − zr zf





 (R + zi )zo − zf zr
 ZO = s
(Rs + zi )
tabella IV 5.4
176
IV 6 Amplificatori a transistor in CC con resistore
in collettore

figura IV 6.1
Il circuito è un amplificatore con transistor in collettore comune (emitter follower) con una
resistenza di collettore (vedi ....). Come abbiamo visto dalla teoria, possiamo considerare il
quadripolo composito costituito dal transistor e dalla resistenza Rc , i cui parametri H sono:

 R(1 + hfc )(1 − hrc )

 hic =hic +

 (1 + hoc R)



 h − Rh

 fc oc
 hfc =
1 + hoc R

 h = hrc + hoc R




rc
1 + hoc R





 hoc = hoc
1 + hoc R
nei quali il secondo pedicedi h è c.
I parametri caratteristici dell’amplificatore possono essere dunque calcolati mediante le espres-
sioni:


 −hfc

 Ai =

 1 + hoc RL



 hfc hr hrc hfc

 Zi =hic − RL = h
−
1 + hoc RL ic
hoc + YL

 AI RL −h

 Av = =
fc

 Z h (h + Y ) − hrc hfc

 i ic oc L


hrc hfc
 −1

 Zo =hoc −
hic + Rs
178
IV 7 Amplificatore Darlington

figura IV 7.1
Possiamo considerare i due transistor accoppiati come un unico componente rappresentato

con un modello circuitale equivalente quadripolare composto dalla cascata dei due modelli
quadripolari dei transistori componenti (nella loro connessione collettore comune) e calcolare
i parametri ibridi H di tale quadripolo composito. Possiamo poi applicare le relazioni che
forniscono i parametri di un aplificatore a transistor, dati i parametri h di quest’ultimo.
Chiamando dunque h i parametri relativi a primo transistor, h quelli relativi al secondo
transistor come in figura IV 7.2, possiamo scrivere che:

v1 = hici1 + hrc v v = hici + hrc v2
i = hfc i1 + hoc v i2 = hfc i + hoc v2
Sostituendo la v del secondo sistema nelle equazioni del primo otteniamo:

v1 = hici1 + hrc hrc v2 − hrc hici
i = hfc i1 + hoc hrc v2 − hoc hic i
Ricavando la i dall’ultima equazione e sostituendola nella prima equazione dell’ultimo sistema

e nell’ultima equazione del sistema precedente, possiamo ricavare v1 ed i2 tensione d’ingresso
e corrente d’uscita del quadripolo composito:
180
figura IV 7.2


 hrc hichic hrc hfc

 v1 = hic − 1 + h h i1 + v2
ic oc 1 + hichoc


 hfc hfc hrc hfc hoc

 i2 = − i1 + h
− v2
1 + hichoc oc
1 + hichoc
Dall’ultimo sistema possiamo ricavare i parametri H:
hrc hichfc
Hi =hic −
1 + hic hoc
hrc hrc

Hr =
1 + hic hoc
(IV 7.1)
hfc hfc
Hf =−
1 + hic hoc
hrc hfc hoc
Ho =hoc −
1 + hichoc
Da questi, applicando le relazioni fornite dalla tabella IV 1.2, possiamo calcolare i parametri
dell’amplificatore.

182
IV 8 Amplificatore Cascode

sistor in figura dati i parametri H dei transistor:
Possiamo considerare i due transistor accoppiati come un unico componente rappresentato

con un modello circuitale equivalente quadripolare composto dalla cascata dei due modelli
quadripolari dei transistori componenti (nella loro connessione rispettivamente a base e a
collettore comune) e calcolare i parametri ibridi H di tale quadripolo composito. Possiamo
poi applicare le relazioni che forniscono i parametri di un aplificatore a transistor, dati i
parametri h di quest’ultimo.
Chiamando dunque h i parametri H relativi al primo transistor in connessione EC, h quelli
relativi al secondo transistor in connessione BC come in figura IV 8.1, possiamo scrivere che:

v1 = hi i1 + hr v v = hi i + hr v2
i = hf i1 + ho v i2 = hf i + ho v2
Sostituendo la v del secondo sistema nelle equazioni del primo otteniamo:

v1 = hi i1 + hr hr v2 − hr hi i
i = hf i1 + ho hr v2 − ho hi i
Ricavando la i dall’ultima equazione e sostituendola nella prima equazione dell’ultimo sistema

e nell’ultima equazione del sistema precedente, possiamo ricavare v1 ed i2 tensione d’ingresso
e corrente d’uscita del quadripolo composito:
figura IV 8.1
184


 hr hi hi hr hf

 v1 = hi − 1 + h h i1 + 1 + h h v2
i o i o


 h h h r hf ho

 i2 = −
f f
i1 + hoc − v2

1 + hi ho 1 + hi ho
Dall’ultimo sistema possiamo ricavare i parametri H:
hr hi hf

Hi =hi −
1 + hi ho

hr hr
Hr =
1 + hi ho
(IV 8.1)
hf hf
Hf =−
1 + hi ho
hr hf ho
Ho =ho −
1 + hi ho
Da questi, applicando le relazioni fornite dalla tabella IV 1.2, possiamo calcolare i parametri
dell’amplificatore.

Esercizio IV.35 Calcolare Ai , Zi , Av , Zo del circuito in figura (amplificatore cascode), dati
i parametri H dei transistor supposti identici, sotto la condizione che h1 RL .
oe
figura IV 8.2
Se v2o = 0, il carico del transistor T1 è hib = re + rb ∼

= 30Ω. Se supponiamo hib piccola
1+β
tanto da essere un corto, hi = hie .

. v1i ∼
hi = = hie
ib v2o =0
Per quanto riguarda hf si può scrivere:

. i2o i2o i2i ∼
hf = = · = hfe · hfb = hfe
ib v2o =0 i2i i1i v20=0
Dato che i1i = 0, la resistenza di sorgente del secondo quadripolo è: h1 . Per un transistor
oe
1
in BC, qual’è il secondo quadripolo, se Rs è molto grande, Zo = h .
ob

. i2o
ho = = hob
v2o i1i =0
Per quanto riguarda hr si può scrivere:

. v1i v1i v1o
hr = = · = hre · hrb
v2o i1i =0 v1o v2o i1i =0
Riassumendo:
hi ∼
= hie
hf = hfe
ho = hob
hr = hre · hrb
Si noti come i parametri della coppia di transistor EC-BC abbiano valori simili a quelli del
transistor singolo in connessione EC, con i seguenti vantaggi:
• ho = hob > hoe
186
• hr = hre · hrb < hre
Una tale coppia di transistor dunque potrebbe essere usata al posto di un transistor in EC
per realizzare amplificatori sfruttando i vantaggi visti. Si noti inoltre che con un hre piccolo
si riduce l’effetto di feedback interno del transistor. Con un tale elemento amplificatore
composito poi sono più facilmente verificabili le condizioni che portano alla semplificazione
del circuito equivalente del transistor in connessione EC, come abbiamo visto negli esercizi
IV.4,IV.28

EC


 βrd − re βrd

 AI =

 r + r + R r + RL


e d L d

 [rb + re](RL + [rd + re ]) − [re][re − βrd ]

 1

 ZI = rb + re(β + 1)
 (RL + [rd + re]) 1 + e +R
r
r
L
d

 −[−βrd + re ] RL β

 AV =−RL −

 [r b + r e ](R L + [r d + r e ]) − [r e ][r e − βr d ] (r + r )(1 + RrdL ) + βre


b e




 (R + [r + r ])[r + r ] − [r ][−βr + r ] β


s b e e d e d e
rd 1 +
 ZO = [−βrd + re] 1 + Rs +rb
re

 hfe

 AI =

 1 + hoe RL





 ZI =hie − RLhre AI

 −AI

 AV =RL

 ZI



 1


 ZO = hfe
hoe − hre Rs +hie
 −zfe

 AI ==

 z + RL

 oe



 (Rs + zie )zoe − zre zfe

 ZI = z +R oe L

 zfe RL

 AV =

 zie (zoe + RL ) − zre zfe



 (Rs + zie )zoe − zfe zre

 ZO =
(Rs + zie )
188
CC


 (1 + β)rd (1 + β)rd

 AI = − −

 (re + rd + RL) rd + R L



 rb + (1 + β)rd (rd + re + RL) − rd (1 + β)rd (1 + β)rd (rd + RL) − rd (1 + β)rd



 ZI =
(re + rd + RL ) (rd + RL )

 RL(1 + β)rd RL βrd

 AV = − −

 r + (1 + β)r (r + r + R ) − r (1 + β)r RL

 b d d e L d d r d (1 + rd )(rb + (1 + β)re )



 (Rs + rb + (1 + β)rd )re + rd − rd (1 + β)rd R s + rb

 ZO = re +
Rs + rb + (1 + β)rd 1+β

 hfc

 AI =

 1 + hoc RL





 ZI =hic − RLhrc AI

 −AI

 AV =RL

 ZI



 1


 ZO = hfc
hoc − hrc Rs +hic
 −zfc

 AI ==

 zoc + RL





 zic (zoc + RL ) − zrc zfc

 ZI = z +R
oc L

 zfc RL

 AV =−

 z (z + RL ) − zrc zfc


ic oc

 (R + zic )zoc − zoc zrc

 ZO = s
(Rs + zic )

BC


 [re + rb ] αrc

 AI =

 [r + αr ] + R r c + RL


b c L

 [re + rb ]([rb + rc ] + RL) − [rb ][rb + αrc ] rb (rc + RL) − rb αrc


 ZI = [r + r + R ] (r + R )
b c L c L

 RL [rb + αrc ] RLβrd

 AV =− −

 [r + r ]([r + r ] + R ) − [r ][r + αr ] r (1 + RL


e b b c L b b c d rd )(rb + (1 + β)re )

 (Rs + [re + rb ])[rb + rc ] − [rb ][rb + αrc ]

 rb (rb + αrc)
 ZO = rb + rc −
Rs + [re + rb ] (Rs + re + rb )

 hfb

 AI =

 1 + hob RL





 ZI =hib − RL hrb AI

 −AI

 AV =RL

 ZI



 1


 ZO = hfb
hob − hrb Rs +hib
 i2 −zfb

 AI = =

 i zob + RL

 1



 zib (zob + RL ) − zrb zfb

 ZI = z +R
ob L

 zfb RL

 AV =−

 z (z + RL) − zrb zfb


ib ob

 (R + zib )zob − zob zrb

 ZO = s
(Rs + zib )
190

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Mario Vascon Giuseppe Galeazzi

Dipartimento di Fisica G. Galilei

Tutti i diritti riservati

I Gruppi di esercizi sono:

• Polarizzazione dei transistor e coeﬃcienti di stabilità.

Mario Vascon Giuseppe Galeazzi

Padova, Maggio 1994

I Polarizzazione e coeﬃcienti di stabilità 3

II Modelli circuitali del transistor 47

III Esercizi a carattere generale sul comportamento dei transistor 93

IV Circuiti ampliﬁcatori 107

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 5

Esercizio I.1 Trasformare il circuito equivalente a T in continua del transistore in base

α(VBB − VBE ) Rb ICBO

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 7

α1 (VBB − VBE ) α2 (VBB − VBE )

∆IC ∆IC IC1

Essendo il transistore N P N e connesso in emettitore comune, il circuito equivalente in con-

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 9

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 11

VCC =Rb IB + VBE + Re IE = Rb IB + VBE + Re(IB + IC ) =

=IB (Rb + Re) + VBE + Re[βIB + (1 + β)ICBO ] =

=IB [Rb + (1 + β)Re ] + (1 + β)ICBO + VBE

(VCC − VBE ) − (1 + β)ICBO

VCC − VBE − (1 + β)Re ICBO

α(VCC − VBE ) (Rb + Re )ICBO

Calcoliamo ora i coeﬃcienti di stabilità.

. ∆IC (Rb + Re)

α1 (VCC − VBE ) α2 (VCC − VBE )

∆IC ∆IC IC1

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 13

Essendo il transistore N P N e connesso in emettitore comune, il circuito equivalente in con-

VCC =Rb IB + VBE + ReIB + Re((1 + β)ICBO + βIB )

=IB (Rb + (1 + β)Re ) + (1 + β)Re ICBO + VBE

(VCC − VBE ) − (1 + β)ICBO

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 15

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 17

VBB =Rb IB + VBE + ReIE

VBB − VBE − Re (1 + β)ICBO

β(VBB − VBE ) + (1 + β)(Rb + Re)ICBO

α(VBB − VBE ) (Rb + Re )ICBO

. ∆IC (Rb + Re)

α1 (VBB − VBE ) α2 (VBB − VBE )

∆IC ∆IC IC1

Commento I.2 La SI non dipende dal valore della resistenza Rc.

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 19

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 21

VBB − VBE − Re (1 + β)ICBO

Soluzioni ottenute con Mathematica I.1 .

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 23

Una soluzione intuitiva del problema si può ottenere scrivendo il sistema:

VBB − VBE − Re(1 + β)ICBO

Soluzioni ottenute con Mathematica I.2 .

Solve [{VCC-VBE-Re*(bet+1)*ICBO==R1*I1 +Re*(bet+1)*Ib,

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 25

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 27

VCC =RcIE + Rb IB + VBE =

(VCC − VBE ) − (1 + β)Rc ICBO

(VCC − VBE ) − (1 + β)Rc ICBO

I coeﬃcienti di stabilità possono essere ottenuti derivando l’espressione trovata di IC :

(Rc + Rb )(VCC − VBE + ICBO Rb )

M.Vascon, G.Galeazzi, Esercizi sui transistor 29

VCC = IB (Rb + (1 + β)Rc ) + (1 + β)Rc ICBO + VBE

(VCC − VBE ) − (1 + β)Rc ICBO

Solve [{VCC-VBE-Re(bet+1)ICBO==R1I1 +Re(bet+1)*Ib,

Solve [{-Vbe-(bet+1)ReIcbo==-R2i1 +(R2+(bet+1)Re)*i2,