Microelettronica - Millman & Grabel - Esercizi PDF

1
Semiconduttori
} t / lf
1.1 Un elettrone emesso da un elettrodo con velocit iniziale trascurabile ed accelerato

da un potenziale V. Determinare il valore di V in modo che la velocit finale della
particella sia di 9.4 x 106mIs. -
[V= 252 V]
1.2 Un elettrone, avente un'energia cinetica di 10-17J in corrispondenza di una delle due
superfici di un sistema a elettrodi a facce piane parallele e che si sta spostando in
direzione normale alla superficie, rallentato da un campo ritardante dovuto a un
potenziale Vxapplicato fra gli elettrodi.
Quale valore deve assumere Vx affinch l'elettrone raggiunga l'altro elettrodo con
velocit nulla?
[Vx= 62.5 V]
-
1.3 Nella figura riportata una rappresentazione schematica semplificata del tubo a raggi
catodici di un oscilloscopio. La differenza di potenziale fra K e A Vae fra P1 e P2
Vpe i due campi elettrici non si influenzano tra loro.
Gli elettroni sono emessi dall'elettrodo K con velocit iniziale nulla e passano at-
traverso il foro al centro dell'elettrodo A. Essi cambiano traiettoria, mentre passano
fra le armature, a causa del campo elettrico presente fra gli elettrodi PI e P2 e in
seguito si muovono a velocit costante verso lo schermo S. La distanza fra le armature
d. y
K I o.---------
x
c~ Va
Schermo
2 Capitolo 1
a) Determinare la velocit Vxdegli elettroni, in funzione di Va, quando attraversano

l'elettrodo A. .
b) Determinare la componente Vy (cio secondo Y) della velocit degli elettroni,

quando escono dalle armature P1 e P2, in funzione di VI" ld' d e vx'
c) Determinare la distanza dal centro dello schermo (ds)' del punto dove gli elet-
troni coIIidono, in funzione della lunghezza del tubo e delle tensioni applicate.
d) Per Va = 2 kV e VI'= 100 V, ld = 1.27 cm, d = 0.5 cm e l>.= 20 cm, determinare
i valori numerici di vx' vye ds' .
e) Se si desidera che la deflessione del fascio elettronico sia d., = 1 cm, quale valore
deve assumere Va considerando tutti gli altri valori numerici uguali a quelli nel
punto d). .
Soluzione
a) Con velocit iniziale nulla, la velocit vx data dall 'Equazione (1.9), cio
v ="'-i2qVa
x m
b) Quando un elettrone entra nel campo elettrico verticale presente fra le armature P1 e P2,
esso viene accelerato verso l'alto con accelerazione costante ay; determinabile nel modo
seguente ..
may = qy = q(V Id) oppure ay = qVImd

La velocit nella direzione Y Vy=aip' dove tI' il tempo necessario agli elettroni per
attraversare le armature P\-P2' ed dato da tI' = ljvx' Combinando queste relazioni si
ottiene
Vy = qVpljmdvx
c) Sia ts il tempo che intercorre fra l'istante in cui un elettrone lascia gli elettrodi P1-P2 e
l'istante in cui esso colpisce lo schermo. Quindi ds =Yp + Ys' dove yp e y., sono le distanze
nella direzione y percorse dall'elettrone, rispettivamente nei tempi tpe t.,.
yp = 1/2 ai; e Ys = vis
quindi
qVp (.td
d =.!. 2 + qVpld. (,-ld12
., 2 ( md ) lvx ) mdvx Vx
sostituendo il valore di Vxsi ha
lid vI'
d..= 2d va
d) Sostituendoi valori numericisi ottiene
Semiconduttori 3
vx= ~2 x 1.60x 10-19

9.11 X X2000
10-31 =2.65 X 107 m/s
d = 1.27 X20 100

.' 2 X0.5 X 2000 = 1.27 cm
1.6x 10-19X 100 x 1.27 x 10-2

v = 1.68x 1(f> m/s
y 9.11 X 10-31 X 0.5 X 10-2 X 2.65 X 107
e) Poich d.. inversamente proporzionale a Va, si pu scrivere

1.27 1.0
2000=V- a ovvero Va = 1575 V
1.4 Una sottile striscia di alluminio, la cui resistivit di 3.44 X 10-8 Qm, ha una sezione
di 2 X 10-4 mm2 e una lunghezza di 5 mm. Qual la caduta di tensione ai suoi capi
dovuta a una corrente di 50 mA?
[V= 43 mV]
-1.5 Con riferimento alla striscia di alluminio descritta 'nel Problema 1.4, determinare il
valore della corrente che l'attraversa se la caduta di tensione ai suoi capi di 30 ~V.
[I = 34.9 ~A]
1.6 a) Calcolare il campo elettrico necessario per fornire a un elettrone nel silicio (Si)
un'energia media di 1.1 eVo .
b) Applicare un campo elettrico un metodo di p'ratica utilit per ottenere coppie
di portatori ~Iettrone-Iacuna? .
[E =41.4 kV/cm]
1.7 Ripetere il Problema 1.5 per una striscia di silicio intrinseco alla temperatura di 800 K.
[/ =0.522 pA]
. 1.8 Calcolare la mobilit degli elettroni liberi nell' alluminio (AI), la densit del quale
2.7 X 103 kg/m3 e la cui resistivit 3.44 X 10-8 Qm. Si assuma che l'alluminio abbia
tre elettroni di valenza per atomo e peso atomico di 26.98.
[~ = 10.0 cm2fV ' s]
1.9 a). Determinare la concentrazione di elettroni e di lacune liberi a 300 K in un

campione di silicio con una concentrazione di donatori pari a ND=2 X 1014
atomi/cm3e una concentrazione di accettori pari a NA = 3 X 1014 atomi/cm3.
b) Determinare se il campione del punto a) di tipo p o n.
4 Capitolo I
a) [p = 1.00 x 1014cm-3; n = 2.10 x 106 cm-3] b) [Il campione di tipo p]
1.10 Ripetere il Problema 1.9 per ND = NA = 1015 atomi/cm3.

a) [p = n = 1.45 x 1010cm-3] b) [Il campione intrinseco]
1.11 Ripetere il Problema 1.9 per ND = 1016atomi/cm3 e NA = 1014 atomi/cm3.

a) [p = 2.12 x 104 cm-3; n = 9.92 x 1015cm-3] b) [Il campione di tipo n]
1.12 a) Trovare la concentrazione di lacune e di elettroni in un campione di silicio di

tipo p a 300 K, assumendo la sua resistivit pari a 2 x 10-4 Om.
b) Ripetere il punto a) per silicio di tipo n.
a) [p = 6.58 x 1017cm-3; n = 3.20 x 102cm-3]
b) [n = 2.08 x 1017cm-3; p = 1.01 x 103cm-3]
1.13 Ripetere il Problema 1.12 per una resistivit di 5 x IO-20m.

a) [p = 2.63 x 1015cm-3; n = 8 x 104cm-3]
b) [n = 8.33 x 1014cm-3; p = 2.52 X 105 cm-3]
1.14 Impurezze donatori sono aggiunte a del silicio intrinseco in modo che la sua resistivit
decresca sino a 0.0 10m. Calcolare il rapporto tra atomi donatori e atomi di silicio per
unit di volume.
N
[SDI =0.833 x 10-7]
1.15 Se il silicio fosse un metallo monovalente, quale sarebbe il rapporto tra la sua condu-
cibilit e quella del silicio intrinseco a 300 K?
cr
[~=2.76x 1012]
cr
-
1.16 La concentrazione di elettroni in un semiconduttore riportata in figura.
n(x)
n(O)
nQ""'-------
l
x
o W
Semiconduttori 5
a) Valutare l'espressione della densit di corrente di elettroni Jn(x) e tracciarne il

grafico, supponendo che al semiconduttore non sia applicato alcun campo elet-
trico.
b) Valutare l'espressione e tracciare il grafico del potenziale di contatto necessario
perch la corrente netta di elettroni sia nulla.
c) Determinare il potenziale tra i punti con coordinata x = O e x = W, assumendo
che n(O)/no = 103.
Soluzione
La concentrazione n(x) fornita in figura pu essere espressa come

no - n(O)
n(x) - W x + n(O) = kx + n(O) per O< x < W
n(x) = n(O) per x > W

dove k = [no- n(O)]/W < O.
a) In base all'Equazione (1.35), per E = Osi ha
dn
Jn(x) = -qDndx
e, poich n(x) una funzione lineare, Jn costante; quindi

J" = -q Dnk per O < x < W
Jo = O per x > W
b) Per Jn(x) = O, l'Equazione (1.35) d
dn =---Dn dn
J(x)=O=q~ n+qD- d
n n n X n~n d.t
Sostituendo V'l'= D,/~n e n(x) = kx + n(O), si ha
-V1k
E=- per O< x < W
kx + n(O)
E =O per x > W
c) V=- ro Edx=- ro kx-V.;c

+ n(O)
dx=
I
Vrln[kx+n(O)]
1
W
O
no
= V1{ln n -In n(O)] = V1' In - = VT In 10-3 = -3 V'l'ln IO
o n(O)
= -3 x 25 mV In IO = -173 mV
6 Capitolo l
ln
W x.
n (x) I
I
n (O) -v.,k
n (O)
I
I
I
not- - - - - - - - - - -" V"
::.....J.
"0 I
I ,x
w x W
-
1.17 Verificarel'Equazione (1.40) per un semiconduttoregraduale a circuito aperto.
Soluzione
La corrente netta di elettroni nulla; quindi in base all'Equazione (1.35)
o -D n dn
E------- VTdn
- n~n dx - n dx
Dove stato fatto uso della relazione di Einstein Vl'= Dn/~n' Poich E = -dV/dx, otteniamo
dV = V7'dn/n e, integrando fra x ( e x2'
-
1.18 Verificare l'espressione del potenziale di contatto Vodata nell'Equazione (1.42) per
la giunzione graduale mostrata in Figura I.10b, considerando nulla la densit di cor-
rente degli elettroni Jn'
Soluzione
In una giunzione graduale si ha n2 = nl1Nf) e n( = np = n//NA' Quindi, utilizzando il risultato
del Problema 1.17, si pu scrivere
n2 Nf)NA
V2( = V2 - VI = Vo= V7'ln-=
n(
Vl'ln~
n;
-
1.19 La giunzione in Figura 1.10b drogata con NA corrispondente a una concentrazione
di I atomo accettore ogni 106atomi di silicio. Calcolare la differenza di potenziale di
contatto Voa temperatura ambiente.
[V" = 753 mV]

Semiconduttori 7
1.20 Determinare la variazione del potenziale di contatto in una giunzione pn acircuito

apert a 300 K, assumendoche NJ)vari di un fattore 2500 restando NAinvariata.
[Vo2- VoI = 196mV]
1.2'1 a) Ripetere il Problema 1.20, supponendo N~ invariato e che NA cambi di un fattore
8000.
b) Spiegare come la risposta al punto a) dipende dal fatto che NA aumenti o
diminuisca.
1.22 La resistivit dei due lati di una giunzione graduale di silicio di 0.05 Qm (Iato p) e
di 0.025 Qm (Iato n). Calcolare l'altezza della barriera di potenziale VO'
[VO= 594 mV]
1.23 Ripetere il Problema 1.22 supponendo che i valori delle resistivit dei due estremi
siano scambiati tra loro.
2
Il diodo a giunzionepn
2.1 Tracciare in scala semilogaritmica i grafici del1a concentrazione di portatori in fun-

zione del1adistanza per una giunzione brusca al silicio con NA= 5 X 1014 atomi/cm3
e ND = 5 X 1016atomi/cm3. Indicare i valori numerici sul1'asse del1e ordinate. Indicare
le regioni n e p e la zona di svuotamento.
2.2 Le resistivit dei due lati di una giunzione brusca al silicio sono di 2.4 Qcm (Iato p) e
di 25 Qcm (Iato n). Tracciare, in scala semilogaritmica, i grafici delle concentrazioni
dei portatori in funzione delIa distanza. Indicare i valori numerici sulI'asse delle or-
dinate. Indicare le regioni n e p e la zona di svuotamento.
- 2.3 a) Per quale valore del1atensione la corrente inversa in una giunzione pn raggiunge
il 95% del suo valore di saturazione a temperatura ambiente?
b) Qual il rapporto tra il valore del1a corrente per una polarizzazione diretta di
0.2 V e quello per una polarizzazione inversa con una tensione dello stesso
valore?
c) Se la corrente inversa di saturazione vale IO pA, quali sono i valori di corrente
in polarizzazione diretta per le tensioni di 0.5, 0.6 e 0.7 V?
a) [-150 mV] b) [54.6] c) [220 /lA; 1.63 mA; 12.0 mA]
- 2.4 Se la corrente inversa di saturazione in una giunzione pn al silicio di l nA, che

tensione deve essere applicata per ottenere una corrente diretta di 2.5 /lA?
[196 mV]
- 2.5 a) A temperatura ambiente (3000K), un diodo al silicio conduce l mA con 0.7 V.

Calcolare di quanto aumenta la corrente se la tensione passa a 0.8 V. Si assuma
11 = 2.
b) Calcolare la corrente di saturazione inversa.
c) Ripetere il punto a) per 11= l.
a) [6.82 mA] b) [1.42 nA] c) [46.8 mA]
lO Capitolo 2
- 2.6 a) Quale aumento di temperatura darebbe luogo a una corrente inversa di satura-
zione pari a 60 volte il suo valore a temperatura ambiente?
b) Quale diminuzione della temperatura determinerebbe una diminuzione della
corrente inversa di saturazione a un decimo del suo valore a temperatura am-
biente?
a) [59.1 c] b) [32.2 c]
- 2.7 Un diodo montato in un'apparecchiatura in modo tale che, per ogni grado di diffe-
renza tra la temperatura del diodo stesso rispetto a quella ambiente, una potenza ter-
mica di 0.1 mW viene trasferita termicamente dal diodo all'ambiente circostante (ci
equivale a dire che la "resistenza termica" del contatto meccanico tra il diodo e l'am-
biente di 0.1 mW/C). La temperatura ambiente di 25C. La differenza tra la
temperatura del diodo e quella ambiente non deve superare 10C. Se la corrente inversa
di saturazione di 5 nA a 25C e aumenta del 7% per grado centigrado, qual il
massimo valore di tensione inversa che pu essere applicata ai capi del diodo?
[100 V]
-- 2.8 Un diodo al silicio viene fatto funzionare con una polarizzazione diretta costante di
0.7 V. Qual il rapporto tra la massima e la minima corrente del diodo nella gamma
di temperatura da -55 a + 100C?
[4.63 x 104]
-2.9 Il diodo al silicio descritto in Figura 2.5 utilizzato nel circuito in Figura 2.8a con
VAA = 6 V e R = 100 n.
a) Determinare la corrente e la tensione sul diodo.
b) Se VAAviene abbassata a 3 V, quale deve essere il nuovo valore di R se la
corrente nel diodo deve rimanere al valore calcolato nel punto a)?
-
a) [51 mA; 0.9 V] b) [18.9n]
2.10 Un diodo al silicio con la caratteristica della figura di pagina seguente viene utilizzato
nel circuito di Figura 2.8a con VAA= 5 V e R = l ill.
a) Determinare la corrente in R e la tensione ai suoi capi.
b) Qual la potenza dissipata dal diodo?
c) Quanto vale la corrente nel diodo se R di 2 ill oppure 5 ill?
Soluzione
a) La retta di carico passa per il punto VD= O,ID= 5/1 = 5 mA e ha un coefficienteangolare

di -1/1000 = -l mAN.
Una ragionevole stima del punto di riposo porta a ottenere IDQ= 4.4 mA e VDQ= 0.62 V. La
corrente che scorre in R IDQe, dalla seconda legge di Kirchhoff, si ha VRQ= 5 -
0.62 = 4.38 V.
Il diodo a giunzione pl1 11
o
0.2 0.4 1.0 1.2 1.4 1.6
Tensione, V = v~
b) PD = IDVD= 4.4 X 0.62 = 2.73 mW.

c) Portare R al valore di 2 kO determina il fatto che l'intersezione con l'asse ID diviene
5/2 = 2.5 mA e il coefficiente angolare diviene -1/2000 = -0.5 mAN.
L'intersezione con la caratteristica si ha per IDQ= 2.2 mA.
Analogamente, quando R = 5 kO, l'intersezione con l'asse ID 5/5 = l mA e il coefficiente
angolare -0.2 mA/V. Di conseguenza, si ha che IDQ= 0.9 mA.
2.11 a) Ripetere i punti a) e b) del Problema 2.10 per VAA= lO V e R = 2 kO.
b) Qual la corrente nel carico se VAAviene ridotta a 5 V?
c) Qual la corrente nel diodo se VAAviene aumentata a 20 y?
a) [4.8 mA; 9.38 V; 2.98 mW] b) [2.2 mA] c) [9.7 mA]
- 2.12Il circuito di figura usa il diodo del Problema 2.10. Determinare Vaper VBB= 9 V.
{I l' /
V'O " 6V 0.6 k!1
+
0.3 k!1 0.4 k!1 Vo
-
[1.56 V]
-
2.13 Il diodo al silicio la cui caratteristica riportata in Figura 2.5 del testo utilizzato nel
'circuito del Problema 2.12 con VBs = 60 V. Si determini la potenza dissipata sul resi-
storedi 0.4 kO.
12 Capitolo 2
[410 mW]
2.14 Una corrente costante I = 70 mA viene fornita al circuito di figura. Il resistore R di

precisione e ha il valore di I kQ. A una temperatura di 25C la tensione sul diodo
di 700 mV.
- I
a) Tracciare il grafico di IR in funzione della temperatura T da -55 a 125C.

b) Discutere l'uso del circuito come termometro. Si assuma che i valori di R e della
corrente inversa di saturazione del diodo subiscano variazioni trascurabili sulla
gamma di temperature in esame.
Soluzione
Con i dati forniti si ha, esprimendo la resistenza in kiloohm, Iv = I-Iu = I - V/I = 70-
0.7/1 = 69.3 mA.
Pertanto, a T = 25C, Is si pu ricavare dalla relazione
Iv =IsCeVvlV.r-l) ~Is&vvlv7'
Per T= 25C = 298K, VT= T/Il 600 = 298/11600 = 25.7 mV. Quindi si ottiene
Is=Iv/evvlvT=(69.3x 1O-3)/e700125.7=
1.027x 10-13 A
Al variare della temperatura variano sia Is che VI'"Di conseguenza, per T= 45C, si ha
IsC45)=2(45-25YIOIsC25)=4x1.027 x 1O-13=4.103x 10-13 A
e VT = (273 + 45)/11 600 = 27.4 mV
L'equazione del diodo diviene
e pu essere espressa nel grafico di pagina seguente.

Poich Iv = 70 - VdI una linea retta analoga alla retta di carico, si pu disegnarla sul
grafico e notare che praticamente orizzontale.
Il punto di intersezione determina VVQe quindi Iu = VVQ/1mA.
Per ottenere la caratteristica di IR in funzione di T, sufficiente ripetere questa procedura a
intervalli di temperatura di 20C, fino a coprire tutto l'intervallo di interesse.
Il diodo a giunzione pn 13
70
Soluzione approssimata
Siccome la retta di carico l/) = 70 - V/)II praticamente orizzontale, la sua intersezione

con la caratteristica del diodo avviene a corrente praticamente costante a tutte le tempe-
rature.
Pertanto, varier solamente VDe come conseguenza lU' Per illustrare questo ragionamento
supponiamo ID = 69.3 mA per T= 45C. Quindi,dall'equazione del diodo,possiamoricavare
VDe IR = V/)/I mA.
69.3x 1O-3=(4.l09x 1O-13)(aVv/27.4-I) o
V =27.4ln 69.3 x 10-3

/) 4.I09x 10-13
e VD= 708 mV, da cui 111 = 0.708 mA.

Si noti che questo valore porta a un valore di I/) = 70 - 0.709 = 62.29 mA, con un errore
percentuale molto piccolo.
Tramite questo metodo si ottiene la tabella seguente
617 644 668 686 700 709 713 713 707 697
-55 -35 -15 +5 25 45 65 85 105 125
In generale, V/) si pu esprimere in modo approssimato come
69.3 x 10-3
V/)(1) "" V~1) In 2(1'-25)1\0x 1.027 x 10-13
T + 273 In 67.5 x 1010
b). Il circuito esaminato non pu essere ovviamente utilizzato come termometro su un

intervallo cos ampio di temperatura. Tuttayia, il suo uso come sensore di temperatura da
14 Capitolo 2
affiancare a uno strumento di misura digitale potrebbe essere soddisfacente per temperature
al di sotto di 25C.
-
-
2.15 Determ inare la corrente nel circuito di Figura 2.8a del testo per VAA= 12 V e R = 4 kQ,
assumendo che il diodo:
a) sia ideale;
b) possa essere rappresentato come in Figura 2.1 I, con Vy= 0.6 V e Rf= 20 Q.
a) [3 mA]
b) [2.84 mA]
2.16 Nel circuito del Problema 2.12 determinare Vasupponendo che il diodo:
a) sia ideale;
b) possa essere rappresentato come in Figura 2. I I, con Vy= 0.6 V e Rf = 30 Q.
a) [13.3 V]
b) [12.3 V]
-
2.17 a) Determinare i valori di Vye di Rf' secondo il modello di Figura 2.1 I per il diodo
al silicio di Figura 2.5.
b) Utilizzare questa rappresentazione per risolvere il punto a) del Problema 2.9.
c) Confrontare il risultato ottenuto in b) con quello ottenuto al punto a) del Proble-
ma 2.9.
a) [0.9 V; 3.33 Q]
b) [49.4 mA; 1.06 V; M= 3%; ilV= 14%]
2.18 a) Ripetere il punto a) del Problema 2. I7 utilizzando la caratteristica del diodo data
nel Problema 2.10.
b) Utilizzare questa rappresentazione per risolvere il Problema 2.12.
c) Confrontare il risultato ottenuto con quello del Problema 2.12.
a) [0.55 V; 16.7 Q]
b) [1.59 V]
c) [ilV= 2%]
-
2.19 La corrente nel circuito di Figura 2.8 deve essere di IOmA per VAA= 1.5 V. Determi-
nare il valore di RL nell'ipotesi che il diodo sia:
a) ideale;
b) rappresentabile con Vy= 0.5 V e Rf= 50 Q.
i a) [150 Q]
I
b) [50 Q]
I
2.20 Rappresentare l'andamento della tensione di uscita voCt)nel circuito sotto riportato per
O:$;t :$;5 ms, supponendo che il diodo sia ideale.
200n
J
V(I)
(a)
.L
o
(b)
5ms
.1
2.21 Ripetere il Problema 2.20, supponendo che il diodo sia rappresentabile con Vy= 0.5 V
eRf=50Q. .
2.22 Tracciare l'andamento della tensione di uscita per il circuito di figura per
O::;;t::;;lO ms, assumendo che il diodo sia:
a) ideale;
V(t)
r
200n
AAA -
V(I)( )
I."
(a)
I oo.,
(b)
,
10ms
. 1
2.23 Tracciare la caratteristica di trasferimento (vo in funzione di v) per il circuito del

Problema 2.20, assumendo che il diodo sia:
a) ideale;
b) rappresentabile con Vy= 0.6 V e Rf = 25 Q.
2.24 Tracciare. la caratteristica di trasferimento (vo in funzione di v) per il circuito del

Problema 2.22, assumendo che il diodo sia:
a) ideale;
2.25 Ricavare la caratteristica di trasferimento per il circuito della figura di pagina seguen-
te, supponendo che i diodi siano identici e caratterizzati da Vy= 0.6 V e Rf= O.
I
I
16 Capitolo2
15 kf!
I
r
V,(I) 7.5 kf! 5 kf!
L
2.26 a) Ricavare la caratteristica di trasferimento del circuito di figura, supponendo che
i diodi siano ideali.
b) Disegnare l'andamento di un periodo della tensione di uscita, supponendo che
la tensione di ingresso sia Vi(t) = 20 sin rot.
6 kf!
12 kf! 12 kf!
D2
12 V IOV
)1
Il
Soluzione
a) Dall'osservazione diretta del circuito si ricava che i diodi non possono condurre simul-
taneamente, in quanto si ha la conduzione di DI per Vo> 12 V e l'interdizione di D2 per
vo>IOV.
p Pertanto, i tre possibili stati dei componenti attivi sono: DI in conduzione e D2 interdetto;
r DI interdetto e D2 in conduzione; entrambi i diodi interdetti. Dapprima si assumano DI e
D2 spenti, per cui il circuito diviene
+
I 12 12
6
+
VI
12V IOV
Essendo spenti entrambi i diodi nel circuito non scorre corrente e quindi Vo= Vi. Per avere
entrambi i diodi effettivamente interdetti, si deve verificare che VI < O e V2 < O. In effetti,
VI = Vi - 12per cui Vi< 12V. Analogamente, V2= -lO - Vi'per cui vi> -lO V.
Di conseguenza, dimostrato che, per -lO < Vi < 12, entrambi i diodi sono interdetti.
Quando Vi< -lO V, D2 acceso e DI spento; quando Vi> 12 V, DI acceso e D2 spento.
Per Vi> 12 V, il circuito diviene
+
12:
Dl va
+
ViU +,
12V
Dalla II legge di Kirchhoff discende che

v.-12
I=~ e
6+ 12
Vi- 12 2
V = 121+ 12= 12-+ 12=-v.+4
a 18 3 '
Quando invece vi < -lO V, il circuito il seguente
+
12:
(
DJ va
(
r "'\+
vi -
IOV" "
+
Dalla II legge di Kirchhoff si ricava
1= -10- 12
6 + 12 e
10=-2 v.-lQ
3 , 3
La caratteristica di trasferimento complessiva del circuito quindi
18 Capitolo 2
"O' V
12 20 VI' V
-16t
b) Quando -lO < vi < 12, abbiamo Vo = vi' La sinusoide 20 sin rot assume il valore 12 per
rot = sin-l(12/20) = 37. In modo analogo, si ha che il valore -IO assunto per rot =
sin-l (-10/20) = 210, corrispondenti a (7t+ 1t/6).In conclusione la forma d'onda dell'uscita
Vo'V
12
001,rad
~o--------------
-16tl ~
---,~...' ~~
2.27 La tensione di ingresso della rete, la cui caratteristica di trasferimento rappresentata

in figura, Vi = 2 + 2 sin rot. Tracciare il grafico della tensione di uscita vo(t) corri-
spondente a un periodo della tensione di ingresso.
Vo, V
01 I
2 )' Vi, V
2.28 a) La caratteristica di trasferimento di una rete a diodi riportata in figura. Trac-

ciare il grafico'della tensione di uscita per Vi(t) = 2 + 3 sin rot.
b) Progettare una semplice rete, utilizzando diodi ideali, che presenti la caratteri-
stica di trasferimento di figura.
3
o Vi, V
2.29 a) Un segnale sinusoidale Vj(t) = 3 + 2 sin rot viene applicato all'ingresso di una
rete a diodi, la cui caratteristica di trasferimento indicata in figura con "A".
Tracciare il grafico della forma d'onda d'uscita vo(t) per un periodo.
b) Quali cambiamenti ci si devono aspettare nella forma d'onda d'uscita se la
caratteristica di trasferimento della rete quella indicata in figura con "B"?
c) Progettare un circuito con la caratteristica di trasferimento "A" utilizzando diodi
ideali.
VOI V
-A
B
l
I I
) Vi, V
2 4
-
2.30 a) Ricavare la caratteristica di trasferimento del circuito di Figura 2.23.
b) Utilizzando il risultato del punto a), verificare che il circuito un tagliatore a
due livelli.
2.31 a) La corrente! nel Problema 2.14 varia di D.!< I. Utilizzare l'analisi per piccoli
segnali per determinare tJ.IR.
b) Per R = l kQ, qual il minimo valore di I per il quale (MR/M) ~ 0.01 a tempe-
ratura ambiente? Si trascuri l'effetto di CD.
rd
a) [MR =-M)
rd +R
b) [5.65 mA]
20 Capitolo 2
2.32 Nel circuito del Problema 2.12, VBBsubisce una variazione da 6.0 a 6.25 V. Determi-
nare:
a) la variazione ilVo di Vo;
b) il nuovo valore di Vo'
a) [161 mV] b) [1.12 V]
2.33 Nel circuito del Problema 2.20 parte a), v(t) = 8 + 0.02 sin rot. Trascurando l'effetto
della capacit di diffusione e assumendo che nel modello in continua del diodo siano
Vy= 0.6 e R.r=O,determinarela tensione d'uscita e rappresentarlacome appare su un
oscilIoscopio se il selettore in posizione
a) accoppiamento in alternata (ac);
b) accoppiamento in continua (dc).
2.34 Le forme d'onda vI e v2 (vedi figura) vengono applicate al circuito diodo-resistore

mostrato in figura. Tracciare vo(t) per O::;t::; 4 ms.
Supporre che la commutazione del diodo al silicio sia istantanea e che Vy= 0.6 V e
Rf= 20 n.
V1,V
'~ 'tIl
R Vo
(180fI)
~- o 2 4 t,ms l 3 t
(o) (b) (c)
2.35 a) In figura riportata la caratteristica di trasferimento di un circuito a diodi.

Tracciare il grafico della tensione di uscita per un periodo, supponendo
vi = 6 + Vmsin rot.
b) Se Vi= 6 + il Vi' determinare la variazione di vo' il Voper il Vipositivo e per il Vi
negativo.
V01V
I
I
I
"i, V
o
II diodo a giunzione pn 21
2.36 Tracciare la caratteristica di trasferimento per il circuito a diodi Zener rappresentato

in figura, supponendo che DI e D2 siano identici e abbiano parametri Vz, Vye RJ'
Soluzione
La prima conclusione che si pu trarre che entrambi i dio di non possono condurre contem-
poraneamente. Quando Iv;!> IVz+ Vyl, un diodo Zener conduce e l'altro polarizzato in
diretta. Quando IVjl< IVz + Vyl, uno dei due diodi interdetto, non scorre corrente e Vo = Vj'
Quando si raggiunge la tensione di Zener il circuito diviene quello sotto indicato.
R +
+
VY ~ I + vo
l:
vz -=-
Dalla II legge di Kirchhoff si ricava
. (Vj- Vz- Vy) e

1=
(R + Rf)
R R
vo=iRf+ Vy+ Vz=~Vj+-(Vz+ Vy)
Rf+R Rf+R
La caratteristica di trasferimento di conseguenza quella indicata.
I R
I Pendenza=-.:L
-(Vz+ V) Rf+R.
~
I
:
Vz+Vy ,vi
I
I~
pendenza: - Rf- - -I-(Vz + Vy)

Rf+R
22 Capitolo 2
2.37 Ripetere il Problema 2.36 con VZ(= 5 V e VZ2= lO V. Si supponga Vy= 0.6 V,
R = lOkil, Rf= 20 Q e che la corrente di saturazionesia trascurabile.
-
2.38 Nel circuito di Figura 2.32 viene utilizzato un dio do Zener da 5 V, che fornisce un'a-
deguata regolazione per 50 mA ~ lA ~ 1.0 A. Si determini la gamma di valori della
corrente nel carico per i quali si ottiene regolazione, se la tensione non stabilizzata Vs
varia tra 7.5 e lO V. La resistenza Rs vale 4.75 Q.
[50 ~ IL ~ 476 mA]
_2.39
- Supponendo che il regolatore di Figura 2.32 debba fornire al carico una tensione di
6 V per tutti i valori di corrente IL assorbita dallo stesso fino a IL = 0.5 A, che la
tensione non stabilizzata vari tra 8 e lO V e che il diodo Zener regoli per Iz > O,
determinare:
a) il valore di Rs;
b) la potenza che il diodo Zener deve essere in grado di dissipare.
a) [4 Q] b) [6 W]
-
2.40 Nel circuito di Figura 2.32 Rs ha il valore di 20 n. Supponendo che il diodo Zener sia
da 5.6 V, che regoli per l mA ~ Iz ~ 300 mA e che si abbia regolazione sul carico per
una corrente IL sullo stesso compresa tra Oe 200 mA, determinare la gamma dei valori
della tensione di ingresso non stabilizzata per i quali la tensione sul carico risulta
regolata.
[9.62 < Vs< Il.6 V]
2.41 Diodi polarizzati inversamente sono spesso utilizzati come condensatori variabili con-
trollabili elettricamente. Supponendo che la capacit di transizione di un diodo a giun-
Il zione brusca sia di 4 pF a 4 V, calcolare la variazione di capacit per:
a) un aumento della polarizzazione di 0.5 V;
b) una diminuzione della polarizzazione di 0.5 V.
a) [-0.229 pF] b) [0.276 pF]
-
2.42 L'Equazione (2.40) per la capacit di diffusione CD stata ricavata nell'ipotesi che il
lato p sia molto pi drogato di quello n, cosicch la corrente attraverso la giunzione
Il sia sostanzialmente quella dovuta alle lacune. Ricavare l'espressione di CD nel caso
in cui questa approssimazione non sia valida.
I
2.43 Nel circuito mostrato in figura la tensione di accensione dei diodi di 0.6 Vela caduta
di tensione su un diodo in conduzione pari a V' = 0.7 V.
Calcolare Vo per i seguenti valori della tensione di ingresso e indicare lo stato (con-
duzione o interdizione) di ciascun diodo. Giustificare le ipotesi fatte circa lo stato di
ciascun diodo.
a) VI = lO V, v2 = OV,
b) v(=5V,v2=OV,
\
c) vI = lO V, v2 = 5 V,
d) v] = 5 V, v2 = 5 V.
2 kf! DI
2 kf! D2
]8 kf!
-
a) [8.37V] b) [3.87 V] c) [8.37 V] d) [4.07 V]
2.44 Ripetere il Problema 2.43, assumendo che il resistore da 18 k.Q sia collegato in serie
a un generatore di tensione da 5 V.
a) [8.87 V] b) [5 V] c) [8.87 V] d) [5 V]
2.45 Nel circuito rappresentato nella figura di pagina precedente Vi un impulso la cui
durata compresa tra lO e 40 ns. Tracciare l'andamento dell'impulso d'uscita per
durate dell 'impulso di ingresso di 10,20,30 e 40 ns. Supporre che i diodi siano ideali.
(Suggerimento: Per x l, e-X~ l - x).
50f! DI
50kf! I
Vi 0.01J.LF 'D2 VO
:=: 50V
+ ~
-
3
Transistori bipolari a giunzione
-
3.1 Nel circuito di Figura 3.3 utilizzato un generatore di corrente controllato in corrente.
Il generatore controllato definito da
i2 = 100i I mA per i l ;::O
per il < O
ed per il resto ideale. I valori dei parametri sono Rs = 100 n, R2 = l kQ e V22= lO V.

a) Disegnare una famiglia di caratteristiche di uscita (i2 in funzione di v2) per
O~ il ~ 200 !lA.
b) Tracciare la caratteristica di trasferimento (v2 in funzione di vs) per Vs;::O.
c) Quale valore di Vs necessario per avere v2 ~ 0.5 V?
c) [9.5 mV]
3.2 Un generatore controllato non ideale viene utilizzato nel circuito in figura. Tracciare
la caratteristica di trasferimento (v2 in funzione di vs) per ro ~ ex)(circuito aperto).
Quali segmenti della caratteristica si dovrebbero usare se il circuito dovesse funzio-
nare come interruttore? E se dovesse funzionare da amplificatore? (Suggerimento:
Disegnare innanzitutto una famiglia di caratteristiche d'uscita del dispositivo. Sup-
pOli che sia la tensione di accensione sia quella in conduzione ai capi del diodo siano
~
di 0.5 Ve che Rjvalga 50 n).
- h
~
+
2kf!
112 +
-=-5 V
t 3
Generatore controllato
26 Capitolo 3
3.3
-
Ripetere il Problema 3.2, con ro = 20 kQ.
3.4 Il dispositivo in Figura 3.2 un generatore di tensione controllato in corrente ideale.
Disegnare una tipica famiglia di caratteristiche d'uscita e spiegare come questo dispo-
sitivo pu essere utilizzato come interruttore.
Soluzione
V22 /14
R
/2Q /13
'/12
/11
QI i,= o
' V2
V2Q V22
Funzionamento da interruttore comandato: Quando la tensione di ingresso Vs= O,si ha il = O,

V2= V22'i2= Oe il punto di lavoro giace in Ql. Il dispositivo si comporta come un interruttore
aperto. Quando la corrente di controllo il aumenta, il punto di lavoro si sposta verso Q2, per
cui v2= V2Qe i2 = 12Q'Questa condizionecorrisponde a quella di un interruttore chiuso con
-
una caduta di tensione V2Qai suoi capi.
3.5 a) Determinare se le giunzioni emettitore-base e collettore-base di un transistore
I
I
sono polarizzate direttamente o inversamente quando la base sconnessa
(lB = O).
I b) Valutare la corrente che scorre in un transistore pnp con lES = l pA, aF = 0.99
e aR = 0.5, supponendo che il transistore lavori a temperatura ambiente.
I
I
Soluzione
a) Dall'Equazione (3.5) si ricava che, quando lB = O,lE = -le- Dall'Equazione (3.18) si

ottiene
le = -lE = leo/(l - aF) = leEo

A stretto fine pratico, il transistore pu essere considerato molto prossimo all'interdizione,
cio con entrambe le giunzioni polarizzate inversamente.
b) Dall'Equazione (3.15) si ricava che leo = (l - ap:xR)les' Inoltre a~ES = aRles' da cui
discende che les = a~EslaR = 0.99 x 1/0.5 = 1.98 pA. Pertanto
leo = (l - 0.99 x 0.5) 1.98 = 0.9999 ~ 1.00 pA e
Transistori bipolari a giunzione 27
le = -lE = leol(l - CXF)= 1.00/(1 - 0.99) = 100 pA
-
3.6 Derivare l'Equazione (3.16a) e poi modificarla nel caso di un transistore npn.
Soluzione
Per un transistorepnp, l'Equazione (3.3) d

le= -aIES(gVEBlVr- l) + les(gVcBIVr- l)
Spostando -aIES(gVEBIVr- l) dal lato sinistro dell'equazione si ottiene

le+ aIES(gVEBlVr- l) = lcs(gVcBlVr- I)
Dall'Equazione (3.2),
lE=lEs(gVEBlVr-1)-cxIlcs(gVcBlVr-l)
=lEs(gVEBlvr- I) - CXR(/c+ cxIES(gVEJlvr- l))
=lEs(l- CXPFXgVEBlVr- I) - cxIlc
Dall'Equazione (3.15). si ha lEO = (I - cxRcxF)IEs'

Pertanto
lE= lEo(gVEBlVr- I) - cxIlc
Per un transistore npn, dalle Equazioni (3.6) e (3.7), si ottiene

1E-- -[ ES(g-VEBlVr- l ) + CXR'CS
T ( g-VCBIVr- l )
PES( g-VEBIVr-I ) -l cs (g-VcBlVr-l )

1e--CX-T
Con una procedura assolutamente analoga a quella utilizzata nel caso precedente si arriva a
determinareche
-
3.7 Derivare l'Equazione (3.24) dalle equazioni di Ebers-Moll.
Soluzione
Posto lED= lEs(g-VE~r- I) e lCD= lcs(g-VcolVr- I), le Equazioni (3.6) e (3.7) diventano
lE = lED + cxRlcD' lc = CX~ED- ICD

lB = -(lE + lc) = (I - CXF)[ED + (I - CXR)ICD
Risolvendo le equazioni di 1Bel c rispetto a 1ED e 1CD e formando il rapporto lEDllCDsi
ricava
28 Capitolo 3
lc
lED- Id.l - aR) + lB - /(I-aR)+
B l
ICD- -(I-aF)Ie+a~B - Ic
aR-/(l-aF)
B
Sostituendole espressionidi IEDe ICDe utilizzandola relazionea~ES = aRlcs si ottiene
aR E-VElvT J3forced(l- aR) + l
aF E-VCB/VT
- aR - J3forced(l-aF)
dove si supposto che il termine esponenziale sia molto maggiore dell 'unit in una giunzione
polarizzata direttamente. Riscrivendo questa relazione dopo avere posto VCE= VCB - VEB e
J3 = a/(l - a) si ricava
EVCEIVT= J3forcei13R + l
l - J3forcedlJ3 F
Infine, l'Equazione (3.24) pu essere ottenuta prendendo il logaritmo di entrambi i membri
dell' equazione e moltiplicando per VT"
-
3.8 Il circuito di Figura 3.24a utilizzato per polarizzare un transistore 2N2222A, le cui
caratteristiche sono date in Figura 3.16, con VCEQ= 5 V e ICQ= 15 mA, con una ten-
sione di alimentazione Vcc = 12 V.
a) Determinare i valori di RB e Re.
b) Stimare il valore di J3F in queste condizioni di polarizzazione.
a) [188 lill; 0.47 lill] b) [250]
-
3.9 Disegnare il circuito, analogo a quello di Figura 3.24a, utilizzato per polarizzare il
transistore pnp 2N2907A (complementare del 2N2222A). Per Vcc = 15 V determinare
i valori di RB e di Rc necessari per ottenere VCE= -lO V e Ic = -20 mA.
Soluzione
Il circuito il seguente
-15V
200
160
120
-20
80
- -15
Dalla II legge di Kirchhoff discende che Vcc- VCE=Rdc' Risolvendo rispetto a Rc si

ottiene
R =-15+ lO 0.25 kQ = 250n

c -20
Dalle caratteristiche del transistore pnp 2N2907 A si ricava che ICQ = -20 mA e
lBQ = -100 ~A. Siccome Vcc- VBE= RBIBsi ricava
R =-15+0.7 143 kn
B -l 00
-
3.10 Un transistore 2N2222A utilizzato nel circuito (ji Figura 3.24a con Rc = 225 n,
RB = 100 kQ e Vcc = 9 V. Determinare Ic e VCE'
Soluzione
-
Si ponga I3F= 250, come calcolato nel Problema 3.8. Le equazioni risolventi delle maglie
che comprendono collettore-emettitore e base-emettitore sono rispettivamente
Vcc - VCE = IcRc
Vcc - VBE= lBRB
Sostituendo i valori numerici e risolvendo si ottiene
9 - VCE = lc (0.255) e 9 - 0.7 = IB (100)

Quindi
9-0.7
lB =100= 83 ~A e Ic = I3~B = 250 (83) = 20.75 mA
e di conseguenza
VCE = 9 - lc (0.225) = 4.33 V

30 Capitolo 3
-
3.11 Utilizzare il circuito di Figura 3.25a per polarizzare
lc = 15 mA, con VEE= lO V.
il 2N2222A a VCE= 5 V e
-
3.12 Un
nel
a)
transistore con /3F = 99 e corrente inversa di saturazione trascurabile utilizzato
circuito di Figura 3.25a, con Rc = 2 kQ, RE = l kQ, RB = 200 kQ e VEE= 6 V.
Determinare lc e VCE.
b) Ripetere la parte a) per /3F = 199.
a) [1.749 mA; 0.732 V]
3.13
Il transistore utilizzato nel circuito mostrato in figura ha /3F = 150 e una corrente
inversa di saturazione trascurabile.
a) Determinare lc e VCE.
Vo
I kf!
400 kf!
2 kf!
-
+10
(VEE)
a) [-1.987 mA; .-4.09 V] b) [-0.926 mA; -7.19 V]

3.14 Un transistore con /3F = 99 e corrente inversa di saturazione trascurabile utilizzato
nel circuito in figura. I valori dei vari parametri sono Vcc = lO V, Rc = 2.7 kQ,
RF = 180 kQ e RB un circuito aperto.
a) Determinare i valori di VCEe di lc'
+Vee
Ree
Ro
-=- -
[4.42 V; 2.046 mA; 3.025 V; 2.567 mA]

3.15 Il circuito del Problema 3.14 utilizzato per ottenere VeE = 5 Vele = 5 mA con
Vee = 9 V. Viene utilizzato la stesso transistore del Problema 3.14 e Rn un ramo
aperto.
a) Determinare Re e RF.
b) Trovare i nuovi valori di l c e di VCEper PF = 49.
[0.792 ill; 85.1 ill; 3.65 mA; 7.05 V]
3.16 Il circuito del Problema 3.14 viene utilizzato con i seguenti valori: Re = 2 ill,
RB= 25 ill e Vcc = 12 V. Il transistore ha pF pari a 49 e una corrente inversa di
saturazione trascurabile.
a) Determinare RF in modo che sia lE = -2 mA.
b) Utilizzando il valore di RF ricavato nel punto a), determinare lE per PF pari a
150.
a) [182.5 ill] b) [-3.473 mA]
3.17 Il circuito mostrato in figura utilizza un transistore con PF = 100. I valori dei parametri
sono Re = 0.5 kO, RE = 1.0 ill, RB = 44 ill, Vee = 15 V, VEE= -15 V e VnB = O.
Vee
Re
+
Rg VOI
Vgg
+
V02
a) Determinare VOI e V02'

b) Con quale valore di Re si ha VOI = O?
c) Con quale valore di Re si ha V02 = O?
Si trascuri la corrente inversa di saturazione.
a) [10.1 V; -5.04 V] b) [1.52 ill] c) [1.51 ill]
3.18 Per il circuito del Problema 3.17 i generatori di tensione VBB, Vee e VEEpossono,
ciascuno, valere IO, -IO o OV. Elencare tutte le possibili combinazioni di tensioni di
alimentazione con le quali possibile polarizzare il transistore in zona attiva diretta.
[Vee = lO V; VBB= O; VEE= -lO V]
32 Capitolo 3
3.19 Ripetere il Problema 3.18 per la regione attiva inversa.

[VEE= lO V; VBB= O; Vee = -lO V]
-
3.20 Un transistore
VEE =
1 mA.
con 13F = 125 e R = 1 utilizzato nel circuito di Figura 3.27a. Per
13
6 V, RE = Re = 1 kQ, determinare RB in modo che la corrente in RE sia di
[3.4 k,Q]
-
3.21 I valori dei parametri nel circuito di Figura 3.26a sono Rl = 150 kO, Rz = 37.5 kQ,
Re = 7 kO e RE = 3 kQ. Il transistore caratterizzato da 13F = 100 e da una corrente
inversa di saturazione trascurabile. Si ha inoltre Vee = 9 V.
a) Determinare VCEe le.
b) Ripetere la parte a) per I3F= 50.
a) [6.69 V; 0.33 mA] b) [6.9 V; 0.3 mA]
-
3.22 Il circuito di Figura 3.26a utilizza il transistore del Problema 3.21. I valori dei com-
ponenti sono Rl = 90 kO, Rz = lO kQ, Re = lO kQ, RE = 0.9 kO e Vee = 12 V.
a) Determinare VCEe le-
b) Ripetere la parte a) per I3F= 200.
a) [7 V; 500 !lA] b) [6.73 V; 0.527 mA]
-
3.23 Il circuito di Figura 3.26a utilizza un transistorepnp con 13F= 50 e una corrente inversa
di saturazione trascurabile. disponibile una tensione di alimentazione positiva di
12 V. Le resistenze sull'emettitore e sul collettore sono da 2 kO ciascuno. Determinare
l, i valori di Rl e di Rz per i quali VeE= -6 V.
I
'. [64.0 kQ; 37.3 kQ]
3.24 Nel circuito del Problema 3.17 determinare il valore di VBBche

'I a) porta il transistore al limite della saturazione;
b) rende 13forced = lO.
I valori dei componenti circuitali sono gli stessi del Problema 3.17.
a) [14.3 V] b) [87.8 V]
3.25 I valori dei componenti del circuito del Problema 3.17 sono Vee = O, VEE= -lO V,
I
RE = O,Re = 2 kQ e RH= 50 kO. Il transistore ha 13F = 125 e una corrente inversa di
I saturazione trascurabile. Tracciare la caratteristica di trasferimento di VOIin funzione
di VBB,indicando chiaramente i modi di funzionamento del transistore nelle varie zone.
3.26 Ripetere il Problema 3.25, supponendo Vcc = lO V e che tutti gli altri parametri siano
gli stessi.
3.27 a) Ripetere il Problema 3.25 con i seguenti parametri: Re = 5 ill, RB = 100 kn,
RE = 2 kn, Vee = 9 Ve VEE= O V. Il transistore ha f3F= 150 e una corrente
inversa di saturazione trascurabile.
b) Tracciare la caratteristica di trasferimento di V02 in funzione di VBB.
3.28 Tracciare la caratteristica di trasferimento di Vain funzione di Videl circuito mostrato.

Il transistoreha f3F= 75 e Ieo "'" O.
12V
l 2.2 k!1
. ----o Vo
Rt
15k!1
Vi o----JW'v
100k!1
1
-12V
3.29 Tracciare la caratteristica di trasferimento Vain funzione di Videl circuito rappresen-

tato in figura. Il transistore utilizzato descritto nel Problema 3.28.
+5v
3 k!1
360 k!1 27 k!1

Vi
40 k!1 -IOV
3.30 Tracciare la caratteristica di trasferimento di Vain funzione di Videl circuito mostrato in

figura.Il transistore ha f3F = 75 e una corrente inversa di saturazione trascurabile. Il diodo
+
l 2 k!1
---o Vo
I I
lO k!1
Vi o---J\M,
)
34 Capitolo 3
Schottky presenta una caduta di tensione di 0.4 V ai suoi capi quando in conduzione.
Soluzione
Il diodo Schottky rimane interdetto fin quando Vo non scende fino al valore 0.3 V. Ovvia-
mente il transistore interdetto quando Vi < 0.7 V e Vo= VcC"Quando il transistore lavora
in zona attiva, le = (Vee - Vo)/2 e lB = (Vj - 0.7)/10. Nel punto limite di conduzione del diodo
si ha pplB = le e Vo= 0.3 V. Pertanto
75(Vi- 0.7)
lO
I
I
I
I
0.3 -1-------
-L
0.7
Se poniamo Vee = 12 V, il diodo Schottky inizia a condurre quando Vi= 12/15 + 0.68 =
= 1.48 V. Per ulteriori aumenti di Vi la corrente nella resistenza da 2 kn rimane costante al
valore (12 - 0.3)/2 = 5.85 mA. La corrente I nella resistenza da IO kn ha invece il valore
(Vj - 0.7)/1 Oespresso in milliampere. Dalla equazione di bilancio delle correnti discende che
1=ID + lB e 5.85 + lD = le' Utilizzando le = PFIB'si possono ricavare i valori di lB e lD per
qualunque valore di Vi> 1.48 V. .
3.31 I transistori Ql e Q2 nel circuito mostrato in figura sono identici e hanno pF = 100 e
una corrente inversa di saturazione trascurabile.
a) Determinare Voquando Vi = O.Supporre che Ql sia interdetto e verificare tale
ipotesi.
+12 Y
2.6 kf1 > l kf1
T --o Vo
J
I
i
' Q\ 8'kV +-----r Q2
Vj
'-./
:tJ w,n
b) Determinare Vo con Vi = 6 V. Supporre che Q2 sia interdetto e verificare tale

ipotesi.
c) Tracciare la caratteristica di trasferimento Voin funzione di Vi per Vi che cresce
da Oa 6 V.
d) Ripetere il punto c) per Vi che scende da 6 a OV.
a) [8.58 V] b) [12 V]
3.32 La tensione d'ingresso per il circuito in figura Vi(t)= 2 + sin 21t x 103t.Il transistore
utilizzato descritto nel Problema 3.31 e vit) quella mostrata. Tracciare l'andamen-
to di vo(t) per un periodo.
+S v
VE. V
4 kr!
Vo(l) SI
230 kr!
V,(I)
1-IOJ.lS
o I, J.lS
1--100 1 I
o 100 200
3.33 Il transistore del Problema 3.31 utilizzato nel circuito mostrato in figura.
+Sv
v,
2.Skr!
+
RB
Vi
I, J.lS
o
a) Determinare RB in modo tale che il transistore sia alla soglia della saturazione
per Vi = 5 V.
b) Se Vi l'impulso rettangolare mostrato, tracciare l'andamento di vo(t), suppo-
nendo che il transistore risponda istantaneamente.
a) [229 kQ]
3.34 a) Tracciare la caratteristica di trasferimento del circuito mostrato nella figura di

pagina seguente. Il transistore ha 13F = 120, 13 R = 2 e Ieo ~ O.Il diodo Zener da
5.6 V.
b) Tracciare l'andamento di Iz in funzione di Vi,
36 Capitolo 3
+9V
1.7 kO
Vo
100 kf!
Vi
- -
3.35 Un transistore polarizzato con l c = 0.5 mA e ha 13o = 150.
a) Determinare gl/l e r" a temperatura ambiente.
b) La resistenza d'ingresso hje vale 7.6 ill. Determinare rb'
c) Determinare il guadagno di tensione, se viene utilizzata una resistenza di carico
Rc = 2 ill e il transistore pilotato da un generatore con resistenza interna di
30011.
a) [0.02 S; 7.5 ill] b) [0.1 k11] c) [-38]
3.36 Il transistore 2N2222A polarizzato con ICQ= 20 mA e VCEQ= 5 V. La tensione di

alimentazione di lO V.
a) Stimare il valore di 13o del transistore.
b) Una corrente di ingresso espressa in microampere ib(t) = 20 sin rot sovrapposta
alla corrente di riposo. Stimare la componente di segnale della corrente di
collettore.
a) [175] b) [- 1.0 sin rot]
d
-
3.37 a) Disegnare il circuito equivalente per piccoli segnali, valido alle basse frequenze,
del circuito di Figura 3.25a.
b) Determinare un'espressione della resistenza vista tra la base e la massa.
-
3.38 Ripetere il Problema 3.37 per il circuito di Figura 3.26a.
3.39 Nel circuito del Problema 3.28 il transistore ha 13F = 100 e 130 = 100. La corrente in-
versa di saturazione trascurabile, la tensione di Early VA ~ 00 e la resistenza di
dispersione di base rb nulla. La tensione Vj Vj = 3.75 + ilVj V.
a) Disegnare il modello del circuito per piccoli segnali alle basse frequenze, in-
cludendo i valori numerici dei parametri del transistore.
b) Utilizzare a) per valutare la variazione ilVo di Vocausata da ilVj.
1
c) Valutare ilVo per ilVj = 0.25 V.
I d) Confrontare i risultati ottenuti in c) con l'analisi in continua del circuito per
Vj = 4.0 V. Spiegare eventuali differenze.
I
b) [-14.1 ilV;J c) [-3.53 V]
-
3.40 a) Disegnare il circuito equivalente per piccoli segnali dello stadio a base comune
della Figura 3.13.
b) Calcolare la resistenza vista alle basse frequenze tra l' emettitore e la base
(guardando verso il transistore).
-
3.41 a) Disegnare il circuito equivalente per piccoli segnali, valido a bassa frequenza,
del circuito di Figura 3.37.
b) Determinare Vo2' dati VI = -V2 = 25 V. I valori dei parametri del transistore
sono ~o = 125, rb = O e ro = l MQ. Il generatore di corrente IEE vale 0.2 mA e
Re = 250 Iill.
3.42 Ripetere il Problema 3.41, parte b) per VI = 25 ~V e V2= O.

[lO mV]
3.43 Ripetere il Problema 3.41, parte b) per VI = Oe V2= 251lV.

[-lO mV]
.
3.44 I parametri per piccoli segnali a bassa frequenza del transistore in figura montato a
collettore comune sono gm = 40 mS, ~o = 150, ro ~ 00 e rb O. ""
+Vcc
-
+
Vo
Ro
a) Disegnare il circuito equivalente per piccoli segnali di questo stadio.

b) Determinare Rin eRo'
c) Valutare la funzione di trasferimento V/Vs'
b) [457 kQ; 31.5 Q] c) [0.99]
3.45 Il transistore nel circuito mostrato in figura descritto nel Problema 3.44. Determinare
38 Capitolo 3
la resistenza equivalente per piccoli segnali Rcq del transistore collegato a diodo.
+11.2 V
10.5 kO
re
R"I
-
3.46 Un transistore con f3F = 100 utilizzato nel circuito di Figura 3.36a. Con Vee = 15 V,
determinare il valore di R che porta a le = 0.2 mA.
[70.1 kn]
3.47 I parametri del circuito in Figura 3.32 sono rb= 50 n, r" = 950 n, c" = 50 pF,
- CI! = l pF, ro = 50 kn e gm = 0.1 S. Con i terminali c ed e in cortocircuito determinare:
a) il rapporto l/lb in funzione deUa frequenza;
b) a quale frequenza il modulo del rapporto calcolato in a) vale l;
c) l'impedenza Zin(s) vista guardando tra i terminali b ed e.
b) [1.96 x 109rad/s]
4
Transistori a effetto di campo
4.1 Il dispositivo presente nel circuito mostrato un generatore ideale di corrente control-
lato in tensione definito da 12= 3 x 10-3VI mA.
Dispositivo V2 'l, +
+ 121'"
.=..12 V
=r
a) Tracciare le caratteristiche di uscita (12in funzione di V2)per VI che varia fra O

e 3 volt ad intervalli di 0.5 V.
b) Si determinino 12 e V2, per Vj = 1.5V.
c) Se Vj un impulso positivo, quale deve essere la sua ampiezza perch il circuito
si comporti come un interruttore' controllato?
Soluzione
a)
3.0
2.5
6 2.0
1.5
1.0
:1 VI =0.5 V
V2'V
/
40 Capitolo 4
12 indipendente da V2 e dipende solamente da VI,

b) Poich in un generatore di corrente comandato in tensione ideale Il = O, si ha VI = Vi,
Di conseguenza 12= 4.5 mA e dalla II legge di Kirchhoff si ricava V2= 12 - 2 x 4.5 = 3 V.
c) Affinch il dispositivo si comporti come interruttore controllato si deve avere in un caso
12 = Oe nell'altro V2= O,cio 12= 12/2 x 10-3= 6 mA, in funzione della tensione Vi, Questo
avviene se Vi = Oe Vi = 2 V, rispettivamente. Se poniamo arbitrariamente V2= 11.5 V per
interruttore aperto e V2= 0.5 V per interruttore chiuso, si ha 12= (12 - V2)/2 x 10-3, cio
12= 0.25 mA (aperto) e 12= 5.75 mA (chiuso).A questivalori corrispondonorispettivamente
Vi = (1/l2) V e Vi = 1.92V.
4.2 Si prenda come riferimento il dispositivo e il circuito del Problema 4.1.

a) Rappresentare la caratteristica di trasferimento V2 in funzione di Vi,
b) Per Vi = 1.5 + sin rot, disegnare la forma d'onda di V2 per un ciclo.
c) Nelle stesse condizioni del punto b), si rappresenti graficamente un ciclo della
tensione ai capi della resistenza da 2 kO.
d) Si supponga di osservare la tensione V2mediante un oscilloscopio accoppiato in
alternata. Rappresentare graficamente un ciclo della forma d'onda che si vedreb-
be sullo schermo.
4.3 Nel circuito del Problema 4.1 viene ora usato un generatore di corrente controllato in
tensione definito da 12 = 2.5 x 10-3 VI + 5 x 10-5 V2.Si ripeta il Problema 4.2 in que-
ste condizioni.
a) [V2= 10.9 - 4.55 Vd
-
4.4 Si consideri un dispositivo a canale n con una concentrazione di donatori NDato-
mi/cm3 e con una regione di gate fortemente drogata con una concentrazione di accet-
tori NA atomi/cm3 in modo che sia NA ND, in cui la giunzione gate-canale a
gradino. Si supponga che sia VDs= O e che il potenziale di contatto sia molto pi
piccolo di IVpl.Dimostrare che, per la geometria di Figura 4.6, si ha
IVpl= qND
26 a2
dove 6 la costa' te dielettrica del materiale che costituisce il canale e q il valore

della carica dell'elettrone. Si trovi il valore di Vpper un JFET al silicio a canale n con
a = 2 flm, ND= 7 x 1014atomi/cm3 e 6r = 12.
-
[2.11 V]
I
4.5 Ricavare l'Equazione (4.1).
-
.1
4.6 a) Si valuti il valore di rDS(ON)con VGS = Oper il JFET le cui caratteristiche sono
riportate in Figura 4.7.
Transistori a effetto di campo 41
b) Un JFET al silicio a canale n ha la struttura mostrata in Figura 4.6. Per

L = lO J.lm, a = 2 J.lm, W= 8 J.lm e Vp = -4 V, si trovi il valore di rDS(ON)per
Vas = O V.
(Suggerimento: si usino l'espressione di Vp e i parametri del JFET del Proble-
ma 4.4).
a) [600 Q] b) [18.6 kQ]
-
4.7 Nel circuito di Figura 4.19 viene impiegato il JFET le cui caratteristiche sono riportate
inFigura4.7.
I valori dei componenti circuitali sono VDD= 24 V, RD = 4 kQ, Rs = 1 kQ e
Ra = 100 kQ. Si determinino VDs,ID e Vaso
[16.25 V; 1.55 mA; -1.55 V]
-
4.8 Nel circuito in Figura 4.19 viene impiegato il JFET di Figura 4.7. La tensione di
alimentazione di 30 V e si desidera avere VDs= 17.5 V e ID= 2.5 mA. Si determinino
i valori di Rs e di RD.
[0.4 li; 5 kQ]
--
4.9 Un JFET a canale p ha Vp = 5 V e IDSS= -12 mA. La tensione di alimentazione dispo-
nibile di 12 V.
Facendo uso di un circuito per un dispositivo a canale p analogo a quello in Figu-
ra 4~19, si determinino i valori di Rs e di RD in modo che si abbia ID = -4 mA e
VDs=-6 V.
[0.528 kQ; 0.973 kQ]
-
4.10 Un JFET a canale n ha Vp = -5 V e IDss= 12 mA e viene impiegato nel circuito mo-
strato. I valori dei parametri sono: VDD= 18 V, Rs= 2 kQ, RD = 2 kQ, RJ = 400 kQ e
R2= 90 kQ. Si determinino i valori di VDse ID,
+VDD
RD
Rs
-
44 Capitolo 4
c) ID=-k(W/L) (VGS- VT)2=-0.2(1)(VGs+ 1.5)2=-0.2 mA

da cui VGs= -2.5 V. Quindi,
VGG= VGs + IDRs = -2.5 - 0.2 x 5 = -3.5 V,
Dall' equazione
si ottiene
R
-3.5= 2 (-9) cio R2 = 153 kQ
240 + R2
-
4.16 I transistori Ql e Q2, impiegati nel circuito mostrato, sono identici e hanno le carat-
teristiche riportate nella Figura 4.24b.
a) Si determini la corrente di drain di QI e la tensione Va,
b) Qual il valore di VDS2?
+6 v
+
VDS2
=
Soluzione
a) La curva di carico mostrata in Figura 4.24b. Tuttavia, in questo caso, anche il transistore
Q I collegato come resistenza non lineare con VGSl= VDSI'
Costruendo la caratteristica di resistenza di QI si ottiene l'intersezione tra le due curve per
VDSI= 3 Ve ID= 20 /lA.
Si ha dunque
Va = VDSI= 3 V
b) VDS2= VDD- Va = 6- 3= 3V
Questo risultato era prevedibile perch, se abbiamo due resistenze in serie uguali tra loro, la
tensione si ripartisce in due parti uguali.
4.17 a) Si ripeta la parte a) del Problema 4.16 assumendo che il fattore di forma W/L
del transistore Q2 venga diminuito di un fattore 4 e che le caratteristiche di Ql
restino invariate.
b) Si ripeta la parte a) del Problema 4.16 assumendo che il fattore di forma W/L
del transistore Ql venga diminuito di un fattore 4 e che le caratteristiche di Q2
restino invariate.
a) [2.67 V; 8.89 J.lA] b) [3.3 V; 8.89 J.lA]
-
4.18 Lecaratteristiche dei transistori Ql e Q2 impiegati nel circuito mostrato sono riportate
rispettivamente in Figura 4.24b e in Figura 4.26b. Determinare i valori di VDSle VDS2'
+6V
+
VDS2
[4 V; 2 V]
4.19 Si ripeta il Problema 4.18 assumendo che il fattore di forma di Q2 venga diminuito di
un fattore 5 mentre quello di Ql rimanga inalterato.
[2.89 V; 3.11 V]
4.20 Si ripeta il Problema 4.18 assumendo che il fattore di forma di Ql venga diminuito di
un fattore 5 mentre quello di Q2 rimanga inalterato.
[2.5 V; 3.5 V] +6v
+
4.21 Si ripeta il Problema 4.18 per il circuito mostrato
a lato. VDSI
+
VDS2
-
r 46 Capitolo 4
[4 V; 2 V]
4.22 Si ripeta il Problema 4.21 assumendo che:

a) il fattore di forma di Ql venga diminuito di un fattore 5 e quello di Q2 resti
inalterato;
b) il fattore di forma di Q2 venga diminuito di un fattore 5 e quello di Ql resti
inalterato;
c) i fattori di forma di Ql e Q2 vengano aumentati di un fattore 3.
a) [5.33 V; 0.67 V] b) [2.89 V; 3.11 V] c) [4 V; 2 V]
-
4.23 Nel circuito mostrato, Ql, Q2 e Q3 sono transistori identici aventi le caratteristiche
riportate in Figura 4.12. Determinare lo e Va.
+6V
RD
(lO kf1)
Vo
QI
Soluzione
Siccome Ql e Q3 sono uguali tra loro e hanno VasI = VaS3'anche le loro correnti di drain
sono uguali. Ql e Q2 sono collegati come resistenze non lineari ad arricchimento e, essendo
anch'essi uguali tra loro, ci si pu aspettare che siano sottoposti alla stessa caduta di tensione
(si veda in proposito il Problema 4.16).
Pertanto, VasI = VDSI =3 V e IDI = 20 ~A = IDJ = lo. Applicando la seconda legge di Kir-
chhoff si ottiene infine
Va = 6 - lo X 104= 6 - 0.02 lO = 5.8 V
-
X
"
4.24 Si ripeta il Problema 4.23 dopo avere scambiato di posizione la resistenza da lO kQ e

il transistore Q2.
[116 ~A; 1.59 V]
-
4.25 Si ripeta il Problema 4.23 nell'ipotesi che Q2 sia sostituito da un transistore a
svuotamento collegato come resistenza, avente le caratteristiche riportate in Figu-
ra 4.26.
[80 flA; 5.2 V]

4.26 Nel circuito del Problema 4.23, Ql, Q2 e Q3 sono transistori identici con
k= 40 JlA/V2, W/L = 5 e Vr= l Y. Determinare RD in modo che si abbia Va= 3.5 Y.
[3.l3kD]
-
4.27 Tracciare la caratteristica di trasferimento Va in funzione di Vi del circuito di Figu-
ra 4.24a per VDD= 6 Y. Il transistore Ql ha le caratteristiche riportate in Figura 4.24b
mentre Q2 un transistore identico avente per un fattore di forma pari a 0.4 volte
quello di Ql.
-
4.28 I transistori usati nel circuito di Figura 4.24a hanno k = 50 JlA/V2 e Vr = l Y. Le
dimensioni del gate di Ql sono W = 50 Jlm e L = 5 Jlm; Q2 ha W = lO Jlm e L = 5 Jlm.
Si tracci la caratteristica di trasferimento Vo in funzione di Vi per VDD= 5 V.
-
4.29 a) Un circuito NMOS ha la caratteristica di trasferimento riportata in Figura 4.30.
Si tracci un ciclo della forma d'onda che si vedrebbe sullo schermo di un
oscilloscopio accoppiato in continua per Vi= 3 + 0.25 sin rot.
b) Ripetere il punto a) nel caso in cui l'oscilloscopio sia accoppiato in alternata.
-
4.30 a) Ripetere il Problema 4.29 nel caso della caratteristica di trasferimento di Figu-
ra 4.25.
b) L'ampiezza della sinusoide in ingresso viene portata a 1.25 V. Si descriva la
forma d'onda in uscita.
-
4.31 Il JFET impiegato nel circuito di Figura 4.31 ha Vp= -6 V, IDSS= 15 mA, .= 0.02 y-I
ed polarizzato con ID= 6 mA e VDs= lO V.
a) Disegnare il circuito equivalente alle basse frequenze.
b) Quale valore deve avere RD se si vuole che l'ampiezza della componente di
segnale di Vosia pari a lO volte l'ampiezza di vs?
b) [23.6 kQ]
4.32 a) Si disegni il circuito equivalente per piccoli segnali del circuito del Proble-
ma 4.10.
b) Determinare il valore della resistenza di uscita vista tra il terminale l e la massa.
c) Se Rs = O, la resistenza calcolata al punto b) aumenta, diminuisce o rimane
immutata?
c) [La resistenza diminuisce]
4.33 Si prenda in esame il circuito del Problema 4.10.

a) Determinare il valore della resistenza vista alle basse frequenze fra il terminale
2 e la massa.
b) Valutare la resistenza del punto a) per RD = 5 kQ, Rs = 3 kQ, RI = 240 kQ,
R2 = 80 kQ, gm = 2 mS e rd = 50 kQ.
c) Ripetere quanto fatto al punto b) nel caso in cui sia RD = O.
48 Capitolo 4
Soluzione
a) Il modello equivalente per piccoli segnali il seguente

G
R"
dove il circuito stato ridisegnato sostituendo il gruppo rd e g/llVg.<

con il suo equivalente con
generatore di tensione.
Per calcolare la resistenza vista Ro' sufficiente applicare la corrente l, valutare Ve calcolare
R(1= VII. L'equazione relativa alla maglia di drain
ID(RD + rd) - IlVgs + (/D + I)Rs =O

dove
Vg.I.= - (/ + ID)Rs
Sostituendo si ottiene
Il
b) Il = g/llrd= 2 x 50 = 100 e
I
R = 3 Il 5 + 50 - 0.461 k,Q
\ (1 l + 100
c) Con RD = O,si ha
50
R(1= 3 Il l + l 00 - 0.425 k,Q
-
4.34 Il JFET del circuito mostrato ha le caratteristiche riportate in Figura 4.32. Per
IDD = 2.5 mA, si determini la componente di segnale di Voprodotta da un segnale di
ingresso Vs= 2 sin Wl mV. I corrispondentivalori dei parametri sono RD= 100kQ e
rd= 100 kn.
Si pu supporre che in RD scorra una corrente continua trascurabile e che la frequenza
sia sufficientemente bassa da considerare valido il modello del FET per basse fre-
quenze.
+VDD
RD
+
Vo
[-200 sin wl mV]
4.35 a) Si disegni il circuito equivalente per piccoli segnali alle basse frequenze del
circuito mostrato.
+VDD
RD
b) Si determini Ro'
c) Si valuti Ro per gm = l mS, rd = 50 kQ e RD = lO kn.
c) [0.893 kn]
4.36 Si ripetano le parti a) e b) del Problema 4.35 per il circuito mostrato in figura.
50 Capitolo 4
+VDD
4.37 a) Si disegni il modello per piccoli segnali valido alle alte frequenze del circuito
nel Problema 4.35.
b) Quanto vale la capacit vista fra il drain e la massa?
b) [Cgs]
4.38 a) Si disegni il circuito equivalente per piccoli segnali valido alle alte frequenze
del circuito relativo al Problema 4.36.
b) Determinare il valore della capacit vista fra source e massa.
-
b) [Cds+ Cgd]
4.39 a) Si disegni il circuito equivalente per piccoli segnali dello stadio a MOSFET
riportato in Figura 4.29a.
b) Ricavare l'Equazione (4.19).
c) Ricavare un'espressione, valida alle basse frequenze, che leghi le ampiezze dei
segnali di uscita e di ingresso. (Suggerimento: si sfruttino i risultati ottenuti nel
Problema 4.36).
Soluzione
a) Il modello il seguente
RG + +
b) Dall 'Equazione (4.5) si ricava che

ID = k (W/L) (Vas - VT)2
ma, siccome anche

Combinandole equazioni ricavate si ottiene infine
c) Dalcircuito visto nel punto a) immediato ricavare che
-
4.40 Si disegni la caratteristica di trasferimento del circuito mostrato, in cui QI e Q2 sono
transistori identici le cui caratteristiche sono riportate in Figura 4.12, quando
VDD =6V.
+VDD
Ql
\'i
+
Q2 Vo
-
4.41 a) Si disegni il circuito equivalente per piccoli segnali alle basse frequenze del
circuito del Problema 4.40.
b) Ricavare un'espressione per la componente di segnale di v" prodotta dal segnale
di ingresso vi'
4.42 I transistoriNMOSe PMOSdi Figura4.38 sonocomplementarie hannok =20 I,lA/V2,

- W/L
= 1 e VT = 1 V. Tracciare la caratteristica di trasferimento v" in funzione di vi per
=
VDD 5 V.
-
4.43 Il transistore NMOS in Figura 4.38 ha k = 15 I,lA/V2, W/L
store PMOS ha Vr= -1.0 V, W/L = IO e k = 151,lA/V2.
= lO e VT = 2 V. Il transi-
L
52 Capitolo 4
-
Tracciare la caratteristica di trasferimento v" in funzione di vi per VDD:!:6 v.
4.44 I transitori di Figura 4.38 sono dispositivi complementari i cui parametri sono dati nel
Problema 4.42. Il fattore di forma W/L del transistore PMOS viene raddoppiato. Trac-
ciare la car~tteristica di trasferimento del circuito.
5
Fabbricazione dei circuiti integrati
5.1 Elencare nel giusto ordine i passi di processo necessari per la fabbricazione di un
transistore integrato al silicio, secondo il metodo epitassiale-diffuso. Si disegni sche-
maticamente la sezione trasversale del dispositivo dopo ogni successiva crescita di
ossido.
5.2 a) Si consideri un transistore npn integrato QI realizzato su un substrato S di tipo

p. Dimostrare che, assieme a QI, presente un altro transistore, di tipo pnp, fra
i terminali E, B, C e S.
b) Se Qllavora nella sua zona attiva, in quale condizione si trova Q2? Si argomenti
la risposta.
c) Si ripeta la domanda al punto b) nel caso in cui QI sia in saturazione.
d) Si ripeta la domanda al punto b) per QI in interdizione.
b) [Q2 interdetto] c) [Q2 in zona attiva] d) [Q2 interdetto]
-
5.3 Si rappresentino (in forma circuitale) le cinque configurazioni elementari per la rea-
lizzazione di diodi integrati.
Quale di esse sar caratterizzata dalla tensione di soglia pi bassa? E quale dal valore
della tensione di breakdown pi alto? .
Soluzione
(a) (b) (c) (ti) (e)
l
54 Capitolo 5
La configurazione rappresentata in a) ha la caduta di tensione diretta minore, in quanto il

transistore lavora nella zona attiva e quindi, essendo la sua corrente di base molto piccola, si
ha una tensione base-emettitore relativamente ridotta. La configurazione rappresentata in e)
(giunzione base-collettore) ha invece la tensione di breakdown pi alta, essendo essa uguale
a BVCBOdel transistore. Per la verifica di queste considerazioni si faccia riferimento al
Paragrafo 3.13 del testo.
-
5.4 Un wafer di silicio di spessore y = l mil = 25.4 ~m stato drogato uniformemente con
fosforo fino a una concentrazione di 10\7 cm-3; esso stato poi ulteriormente drogato
con boro a una concentrazione di 5 x 1016cm-3. Si determini il valore della sua resi-
stenza di strato.
Soluzione
Dall'Equazione (5.3) deriva
R =.e. (010)
s y
dove
Di conseguenza si ottiene
R - 0.0960cm 37.8010
s- 2.54x 10-3 cm
-
5.5 a) Quale deve essere la lunghezza di una resistenza integrata da 20 kD. di larghezza
25 ~m, se Rs = 200 010 ?
b) E quale deve essere la larghezza di una resistenza integrata da 5 kQ, se la sua
lunghezza 25 ~m?
Soluzione
a) Dall'Equazione (5.4), deriva
R =R L cio 20 x 103 = 200 ..

s W 25
da cui
L = 2500 ~m oppue L = 2.5 mm
b) Utilizzando ancora L'Equazione (5.4) si ha
~iabbricazionedei circuiti integrati 55
5 x 103 = 200 x 25 cio W= l f.lm

W
5.6 Un condensatore a film sottile ha una capacit di 0.4 pF/~lm2.Lo spessore dello strato
di ossido di silicio di 50 nm. Si calcoli la costante dielettrica relativa dell' ossido di
silicio.
[2.23]
-
5.7 Un condensatore MOS viene realizzato con uno spessore di ossido di 50 nm. Che area
necessaria per ottenere una capacit di 200 pF, tenendo conto che la costante dielet-
trica relativa dell' ossido di silicio vale 3.5?
Soluzione
Si pu scrivere
c W - 200 x 10-12x 5 x 10-8 = 3.23 x 10-7= 0.323 mm2

A = A Eo - 3.5x 8.849x 10-12
dove il valore di 60 ricavato dall'Appendice A l.
5.8 Determinare a) il minimo e b) il massimo numero di regioni di isolamento necessarie

per la realizzazione del circuito mostrato.
l Q2
2
3
4
a) [3] b) [4]
5.9 a) Qual il numero minimo di regioni di isolamento richieste per realizzare in

- forma monolitica la porta logica mostrata?
b) Disegnare un layout della porta, sulla scorta di quanto fatto nella Figura 5.1.
56 Capitolo 5
R2
RI
9 Q2
5
6
100 . . ,
R3
a) [3]
5.10 Ripetere il Problema 5.9 per l'amplificatore differenziale mostrato in figura.
Q5
a) [4]
Fabbricazione dei circuiti integrati 57
5.11 Per il circuito mostrato in figura, a) determinare il numero minimo di regioni di iso-
lamento e b) disegnarne illayout.
4
Vcc
a) [2]
5.12 Il numero tipico di diffusioni necessarie per realizzare un circuito integrato epitassia-
le-diffuso di silicio a) 6, b) 3, c) 4, d) 5, e) 2.
[b)]
5.13 Lo "strato sepolto" in un transistore npn integrato realizzato su un substrato di tipo

p
a) usato per ridurre la capacit parassita,
b) drogato p+,
c) situato nella regione di emettitore,
d) drogato n+.
[d)]
5.14 La crescita epitassiale viene impiegata per la fabbricazione dei circuiti integrati
a) perch permette di ottenere basse capacit parassi te,
b) perch consente di ottenere giunzioni pn contrapposte di isolamento,
c) per crescere un monocristallo di silicio di tipo n su un monocristallo (il substra-
to) di tipo p,
d) per crescere selettivamente regioni monocristalline di silicio drogato p con un
valore di resistivit diverso rispetto a quello del substrato.
[c)]
5.15 L'ossido di silicio viene usato nei circuiti integrati

58 Capitolo 5
a) per controllare la posizione delle diffusioni e per proteggere e isolare la super-

ficie del silicio,
b) perch facilita la diffusione dei droganti,
c) per controllare la concentrazione dei droganti,
d) in ragione della sua alta conducibilit termica.
[a)]
5.16 Quando viene creata un'apertura nell'ossido di silicio e attraverso questa si introdu-
cono impurit nel silicio, esse diffonderanno in senso verticale
a) in misura maggiore che in senso orizzontale,
b) nella stessa misura che in senso orizzontale,
c) in misura minore che in senso orizzontale,
d) in misura doppia che in senso orizzontale.
[b)]
5.17 Il substrato di tipo p di un circuito integrat~ monolitico dovrebbe essere collegato

a) a un qualunque punto a potenziale di nassa,
b) da nessuna parte,
c) al potenziale pi positivo disponibile nel circuito,
d) al potenziale pi negativo disponibile nel circuito.
[d)]
5.18 La resistenza di strato di un semi conduttore

a) un parametro il cui valore importante nella resistenza di un film sottile,
b) una caratteristica il cui valore determina l'area richiesta per la realizzazione di
una capacit di valore stabilito in un circuito integrato,
c) un'importante caratteristica di una regione diffusa, specialmente quando questa
viene impiegata per realizzare resistenze diffuse,
d) un elemento parassita indesiderabile.
[c)]
5.19 L'isolamento nei circuiti integrati necessario per

a) minimizzare le interazioni elettriche fra i diversi componenti circuitali,
b) semplificare i collegamenti fra i dispositivi,
c) proteggere i componenti da danneggiamenti di tipo meccanico,
d) proteggere il transistore da possibili fughe termiche.
[a)]
5.20 La maggior parte delle resistenze presenti nei circuiti integrati sono realizzate
a) durante la metallizzazione,
b) durante la diffusione di emettitore,
c) durante la crescita dello strato epitassiale,

d) durante la diffusione di base.
[d)]
5.21 In un circuito integrato monolitico

a) ogni transistore viene diffuso in una diversa regione isolata,
b) possono essere realizzati resistenze e condensatori di qualunque valore,
c) sono eliminati tutti i problemi di isolamento,
d) tutti i componenti vengono realizzati in un unico cristallo di silici.
[d)]
5.22 Si ripeta il Problema 5.16, nell'ipotesi che le impurezze vengano introdotte mediante
impiantazioneionica.
[c)]
5.23 Elencare, nel giusto ordine, i passi di processo necessari per la realizzazione di un
transistoreNMOS ad arricchimento. Si disegni una sezione trasversale del dispositivo
dopoogni passo di ossidazione.
5.24 Si ripeta il Problema 5.23 per un transistore a svuotamento.
5.25 Disegnareillayout dei circuiti mostrati in figura.
+VDD
+VDD
y
Q! RD
Q3
f oD Q2 Q3
Q4
-
(o) (b)
5.26 Elencare,nel giusto ordine, i passi di processo necessari per la realizzazione del cir-
cuito CMOS mostrato nella figura di pagina seguente.
60 Capitolo 5
+VDD
-Y
+
Porta NOR elementare Invertitore 1 Invertitore 2
Doppio buffer
Il
li
.'
5
Fabbricazione dei circuiti integrati
5.1 Elencare nel giusto ordine i passi di processo necessari per la fabbricazione di un
transistore integrato al silicio, secondo il metodo epitassiale-diffuso. Si disegni sche-
maticamente la sezione trasversale del dispositivo dopo ogni successiva crescita di
ossido.
5.2 a) Si consideri un transistore npn integrato QI realizzato su un substrato S di tipo

p. Dimostrare che, assieme a QI, presente un altro transistore, di tipo pnp, fra
i terminali E, S, C e S.
b) Se QI lavora nella sua zona attiva, in quale condizione si trova Q2? Si argomenti
la risposta.
c) Si ripeta la domanda al punto b) nel caso in cui QI sia in saturazione.
d) Si ripeta la domanda al punto b) per QI in interdizione.
b) [Q2 interdetto] c) [Q2 in zona attiva] d) [Q2 interdetto]
-
5.3 Si rappresentino (in forma circuitale) le cinque configurazioni elementari per la rea-
lizzazione di diodi integrati.
Quale di esse sar caratterizzata dalla tensione di soglia pi bassa? E quale dal valore
dellatensionedi breakdownpi alto? .
Soluzione
(a) (b) (c) (cl) (e)

54 Capitolo 5
La configurazione rappresentata in a) ha la caduta di tensione diretta minore, in quanto il

transistore lavora nella zona attiva e quindi, essendo la sua corrente di base molto piccola, si
ha una tensione base-emettitore relativamente ridotta. La configurazione rappresentata in e)
(giunzione base-collettore) ha invece la tensione di breakdown pi alta, essendo essa uguale
a BVCBOdel transistore. Per la verifica di queste considerazioni si faccia riferimento al
Paragrafo 3.13 del testo.
-
5.4 Un wafer di silicio di spessore y = l mil = 25.4 !J.m stato drogato uniformemente con
fosforo fino a una concentrazione di lO17cm-3; esso stato poi ulteriormente drogato
con boro a una concentrazione di 5 x 1016cm-3. Si determini il valore della sua resi-
stenza di strato.
Soluzione
Dall'Equazione (5.3) deriva
R =.e. (0/0)
s y
dove
l
(1017- 5 x 1016)x 1.60 x 10-19x 1300 - 0.096 O cm
I:
Di conseguenza si ottiene
R - 0.096 O cm 37.8 0/0

s- 2.54x 10-3 cm
-
5.5 a) Quale deve essere la lunghezza di una resistenza integrata da 20 kO di larghezza
25 Ilm, se Rs = 200 % ?
b) E quale deve essere la larghezza di una resistenza integrata da 5 kO, se la sua
lunghezza 25 Ilm?
Soluzione
a) Dall'Equazione (5.4), deriva
R = Rs ~ cio 20 x 103 = 200 ;5
da cui
L = 2500 Ilm oppue L = 2.5 mm
b) Utilizzando ancora L'Equazione (5.4) si ha
t'abbricazione dei circuiti integrati 55
5 x 103= 200 x; cio W = l J-lm
5.6 Un condensatore a film sottile ha una capacit di 0.4 pF/~lm2.Lo spessore dello strato
di ossido di silicio di 50 nm. Si calcoli la costante dielettrica relativa dell' ossido di
silicio.
[2.23]
-
5.7 Un condensatore MOS viene realizzato con uno spessore di ossido di 50 nm. Che area
necessaria per ottenere una capacit di 200 pF, tenendo conto che la costante dielet-
trica relativa dell'ossido di silicio vale 3.5?
Soluzione
Si pu scrivere
c W 200x 10-12x 5 x 10-8 = 3.23 x 10-7= 0.323 mm2

A= A g-=
o 3.5x 8.849x 10-12
dove il valore di 60 ricavato dall' Appendice AL
5.8 Determinare a) il minimo e b) il massimo numero di regioni di isolamento necessarie

per la realizzazione del circuito mostrato.
R,
Q\
\ Q2
2
3
4
a) [3] b) [4]
5.9 a) Qual il numero minimo di regioni di isolamento richieste per realizzare in

-
forma monolitica la porta logica mostrata?
b) Disegnare un layout della porta, sulla scorta di quanto fatto nella Figura 5.1.
56 Capitolo 5
R2
R.
Q3
9
6
1 8 J-{ 1 Q2
5 4
100 . . . R4 >Rs
R3
a) [3]
5.10 Ripetere il Problema 5.9 per l'amplificatore differenziale mostrato in figura.
~ Rs
7 4
3
a) [4]
5.11 Per il circuito mostrato in figura, a) determinare il numero minimo di regioni di iso-
lamentoe b) disegnarne illayout.
4
Vcc
a) [2]
5.12 Il numero tipico di diffusioni necessarie per realizzare un circuito integrato epitassia-
le-diffusodi silicio a) 6, b) 3, c) 4, d) 5, e) 2.
[b)]
5.13 Lo "strato sepolto" in un transistore npn integrato realizzato su un substrato di tipo

p
a) usato per ridurre la capacit parassita,
b) drogato p+,
c) situato nella regione di emettitore,
d) drogato n+.
[d)]
5.14 La crescita epitassiale viene impiegata per la fabbricazione dei circuiti integrati
a) perch permette di ottenere basse capacit parassite,
b) perch consente di ottenere giunzioni pn contrapposte di isolamento,
c) per crescere un monocristallo di silicio di tipo n su un monocristallo (il substra-
to) di tipo p,
d) per crescere selettivamente regioni monocristalline di silicio drogato p con un
valore di resistivit diverso rispetto a quello del substrato.
[c)]
5.15 L'ossido di silicio viene usato nei circuiti integrati

58 Capitolo 5
a) per controllare la posizione delle diffusioni e per proteggere e isolare la super-

ficie del silicio,
b) perch facilita la diffusione dei droganti,
c) per controllare la concentrazione dei droganti,
d) in ragione della sua alta conducibilit termica.
[a)]
5.16 Quando viene creata un'apertura nell'ossido di silicio e attraverso questa si introdu-
cono impurit nel silicio, esse diffonderanno in senso verticale
a) in misura maggiore che in senso orizzontale,
b) nella stessa misura che in senso orizzontale,
c) in misura minore che in senso orizzontale,
d) in misura doppia che in senso orizzontale.
[b)]
5.17 Il substrato di tipo p di un circuito integrat':) monolitico dovrebbe essere collegato

a) a un qualunque punto a potenziale di nassa,
b) da nessuna parte,
c) al potenziale pi positivo disponibile nel circuito,
d) al potenziale pi negativo disponibile nel circuito.
[d)]
5.18 La resistenza di strato di un semiconduttore

a) un parametro il cui valore importante nella resistenza di un film sottile,
b) una caratteristica il cui valore determina l'area richiesta per la realizzazione di
una capacit di valore stabilito in un circuito integrato,
c) un'importante caratteristica di una regione diffusa, specialmente quando questa
viene impiegata per realizzare resistenze diffuse,
d) un elemento parassita indesiderabile.
[c)]
5.19 L'isolamento nei circuiti integrati necessario per

a) minimizzare le interazioni elettriche fra i diversi componenti circuitali,
b) semplificare i collegamenti fra i dispositivi,
c) proteggere i componenti da danneggiamenti di tipo meccanico,
d) proteggere il transistore da possibili fughe termiche.
[a)]
5.20 La maggior parte delle resistenze presenti nei circuiti integrati sono realizzate
a) durante la metallizzazione,
b) durante la diffusione di emettitore,
c) durante la crescita dello strato epitassiale,

d) durante la diffusione di base.
[d)]
5.21 In un circuito integrato monolitico

a) ogni transistore viene diffuso in una diversa regione isolata,
b) possono essere realizzati resistenze e condensatori di qualunque valore,
c) sono eliminati tutti i problemi di isolamento,
d) tutti i componenti vengono realizzati in un unico cristallo di silici.
[d)]
5.22 Si ripeta il Problema 5.16, nell 'ipotesi che le impurezze vengano introdotte mediante
impiantazione ionica.
[c)]
5.23 Elencare, nel giusto ordine, i passi di processo necessari per la realizzazione di un
transistore NMOS ad arricchimento. Si disegni una sezione trasversale del dispositivo
dopo ogni passo di ossidazione.
5.24 Si ripeta il Problema 5.23 per un transistore a svuotamento.
5.25 Disegnare illayout dei circuiti mostrati in figura.
+VDD
y
Q! RD
Q\ Q3
1---0 c
Q3
I--> D Q2
Q2 Q4
(a) (b)
5.26 Elencare, nel giusto ordine, i passi di processo necessari per la realizzazione del cir-
cuito CMOS mostrato nella figura di pagina seguente.
60 Capitolo 5
+Vnn
+ y
Vo
-
Porta NOR elementare Invertitore l Invertitore 2
Doppio bufTer
. I
I
I
6
Circuiti logici (digitali) elementari
Convertirei seguenti numeri decimali in numeri binari: a) 127, b) 360, c) 1066.

a) [1111111] b) [101101000] c) [10000101010]
U Ripetere il Problema 6.1 per i numeri a) 222, b) 302, c) 1776.

\
a) [11011110] b) [100101110] c) [111111 OOOg]
u Convertirei numeri decimali riportati nel Problema 6.1 in numeri ottali (base 8).
a) [177] ~ ~5~ c) [2052]
~ Convertirei numeri decimali riportati nel Problema 6.2 in numeri esadecimali (base 16).
~~ b) [12E] c) [6FO]
u Esprimere le forme d'onda A, B

e C indicate come numeri binari
a 8 bit, supponendo di usare:
a) un sistema a logica positiva . I
b) un sistema a logica negati-
o 3 5 7 8
B
va.
4V
o I 2 3 4 5 6 7 8
':1 I . I
o 4 8
~ =---~- - -------
62 Capitolo 6
a) [A = 01100110]; [B = 10101010]; [C = 11110000]

b) [A = 10011001]; [B = 01010101]; [C = 00001111]
-
6.6 Si consideri che l'interruttore di Figura 6.1 del testo sia controllato da una tensione v
e sia chiuso quando v = V(I) e aperto quando v = V(O).L'inter~ttore caratterizzato
da una RON= 50 il quandochiusoe da una ROFF = 50 ill quando aperto. Determinare
l'intervallo dei valori di R che garantisce V(O):::;0.2 V e V(l) ~ 4.5 V.
[1.2 ill:::; R:::;5.56 ill]
6.7 Ripetere il Problema 6.6 per V(O):::;0.3 Ve V(l) ~ 4.7 V.

[783 il:::; R:::;3.2 ill]
-
6.8 Il circuito in Figura 6.1 del testo viene usato come descritto nel Problema 6.6 con una
resistenza R di valore pari a 5 ill. Determinare:
a) il minimo valore di ROFFper cui V(I) ~ 4.8 V,
b) il massimo valore di RON per cui V(O):::;0.2 V.
a) [ROFF= 120ill]
Le forme d'onda del Problema 6.5 sono i tre ingressi di una porta OR a logica positiva.
a) Tracciare la forma d'onda della tensione di uscita della porta.
b) Scrivere la tabella di verit della porta.
6.10 Ripetere il Problema 6.9 per una porta a logica negativa.
~ Le ~~rme d'onda nel Problema 6.5 sono i tre ingressi di una porta AND a logica
positiva.
a) Scrivere la tabella di verit di una porta AND a tre ingressi.
b) Tracciare la forma d'onda della tensione di uscita per gli ingressi dati.
6.12 Ripetere il Problema 6.11 per una porta AND a logica negativa.
6.~ I tre segnali mostrati nel Problema 6.5 sono posti in ingresso a tre inverti tori (porte
NOT), le uscite dei quali sono gli ingressi di una porta AND a logica positiva.
a) Tracciare la forma d'onda in uscita alla porta AND.
b) Quale funzione logica degli ingressi A, B e C viene realizzata?
[Y= ABC]
6\4 Ripetere il Problema 6.13 supponendo che le uscite degli inverti tori siano applicate
all'ingresso di una porta OR.
[Y=A + B + C]
6.15 La forma d'onda C del Problema 6.5 passa attraverso un invertitore, l'uscita del quale
applicata insieme con A e B a una porta AND a tre ingressi.
Circuiti logici (digitali) elementari 63
a) Tracciare la forma d'onda in uscita alla porta AND.

b) Quale operazione logica viene eseguita?
[Y=ABC]
6.16 I segnali forniti nel Problema 6.5 sono applicati a una porta NOR a tre ingressi. Trac-
ciarne la forma d'onda di uscita.
~ Ripetere il Problema 6.16 supponendo che le forme d'onda siano applicate a una porta
NAND.
6.18 Costruire porte NOT, OR e AND utilizzando solamente porte NAND a due ingressi.
Soluzione
Laporta OR si ottiene come
A
Y=A+B
La porta AND
A
Y=AB
B
La porta NOT
A~Y=A
6.19 Tramite l'algebra booleana verificare

a) (A + B) (A + C) (B + C) = AB + AC + BC
b) (A + B) (A + C) = A C + AB
c) (AB + BC + AC) = AB + BC
.6.20 a) Costruire un circuito logico che realizzi l'espressione dei due termini dell' equa-
zione booleana indicata nel Problema 6.19 parte b), utilizzando solamente porte
NOR.
b) Ripetere la parte a) con sole porte NAND.
c) Quale circuito dei due in a) e b) utilizza il numero minore di porte?
64 Capitolo 6
6.21 Ripetere il Problema 6.20 per l'equazione booleana indicata nel Problema 6.19
parte c).
6.22 a) Costruire un circuito OR esclusivo usando solo porte NOR.

b) Ripetere la parte a) con solo porte NAND.
6.23 Un half-adder un circuito logico a due ingressi e due uscite caratterizzato dalla
seguente tabella di verit:
Ingresso l Ingresso 2 Uscita l Uscita 2
o O O O
O l l O
l O l O
l l O l
Realizzare questo circuito con

a) porte NAND,
b) porte NOR.
6.24 Il circuito mostrato un invertitore in logica positiva che pilota N circuiti identici posti
in parallelo.
L'interruttore comandato ha RON= 100n, ROFF= 50 kn e Rin= 200 kn. Determinare
il fan-out. I livelli logici sono V(O)~ O5 ~ e V(I) ~ 3 V.
5V
R=5kO
Interruttore comandato +
N stadi
identici in
parallelo
Vi
-i; '...._-
ROFF
[22]
6.25 Nel circuito del Problema 6.24 si ha RON= 0.5 kQ, ROFF= 100 kn e i livelli logici
sono V(O)~ 0.5 V e V(1)~ 2.5 V.
a) Qual il valore minimo di Rin affich il fan-out sia IO?

b) Dato il valore di Rin calcolato in a), qual l'effetto della diminuzione di ROFF
sul fan-out e sui livelli logici?
c) Ripetere la parte b) nel caso in cui si abbia un aumento di R.
[Rin~ 52.6kQ]
6.26 L'interruttore comandato presente nel circuito mostrato chiuso per vi = V(1) e aperto
per Vi= V(O).
L'interruttore caratterizzato da RON quando chiuso e da ROFFquando aperto.
La tensione di ingresso vi' da lungo tempo al valore V(I), per t = O diviene pari a V(O).
Determinare l'espressione del ritardo di propagazione tpLN"
+VDD
Interruttore
r
Vio---
comandato
6.27 La tensione di ingresso vi del circuito descritto nel Problema 6.26, da lungo tempo al
valore V(O),per t = Odiviene pari a V(l). Determinare l'espressione di tpHL'
6.28 I valori dei parametri del circuito descritto nel Problema 6.26 sono VDD= 5 V,
R = lO kQ, C = 50 pF, RON= 417 Q e ROFF= 40 kQ. Per t = O, Vipassa dal valore V(O)
a V(1)e ritornaa V(O)quando t = 0.2 /ls.
a) Determinare il ritardo di propagazione (medio).
b) Qual il valore istantaneo massimo della corrente che l'interruttore deve sop-
portare?
c) Quanto vale il minimo tempo di ciclo del circuito?
6.29 Supponiamoche l'interruttore descritto nel Problema 6.28 sia chiuso e aperto per
intervallidi tempo uguali.
a) Determinare la potenza media dissipata dal circuito in un ciclo.
b) Valutare il prodotto ritardo-consumo.
-
6.30 Nel circuito di Figura 6.20b del testo, sia per QI che per Q2 si ha k = 25 /lA/V2 e
Vr= 1.5V. I fattori di forma sono W/L = 5 per Ql e W/L = 1 per Q2. La tensione di
alimentazione VDD= 5V.
a) Tracciare la caratteristica di trasferimento della porta.
66 Capitolo 6
b) Determinare VOH' VOL' V/H, V/L e i margini di rumore.
Soluzione
a) Il metodo utilizzato ri<:;alcaperfettamente quello descritto nel Paragrafo 6.5 e illustrato

in Figura 6.22 del testo. Si disegnino le caratteristiche di QI e Q2. La caratteristica della
resistenza di carico Q2 si ottiene ponendo VGS2= VDS2e poi si costruisce la curva di carico
sulle caratteristiche di Ql. Poich vi = VGSI e Va = VDSI' immediato ottenere la caratteristica
di trasferimento.
La tabella sotto stante indica approssimativamente i valori ottenuti.
3.5 3.5 3.5 0.9 0.6 0.5 004 004
Vi, V o 1.0 1.5 2.5 3.5 4 4.5 5
b) I valori cospicui della caratteristica e i margini di rumore si ottengono determinando i

punti della caratteristica di trasferimento in cui la tangente pari a -l. Basandosi sui valori
calcolati in a), si ha
VOH = 3.4 V, VOL= 0.75 V, V/H = 2.7 V e V/L = 1.6 V
I valori dei margini di rumore risultanti sono
NMH = VOH- V/H = 3.4 - 2.7 = 0.7 V
NML = V/L - VOL= 1.6 - 0.75 = 0.85 V
6.31 L'invertitore del Problema 6.30 soggetto a variazioni dei parametri durante la fab-
bricazione. Ripetere il Problema 6.30 supponendo che il valore di k vari di :t20%.
Valutare le variazioni nelle prestazioni.
Soluzione
Poich k varia contemporaneamente e della stessa entit per Ql e per Q2, varieranno sola-
mente le correnti di drain. Se tracciassimo le caratteristiche in forma normalizzata, cio
tracciassimo IDN=Ir/(hV/L), la caratteristica della resistenza di carico e la curva di carico
resterebbero inalterat.
Pertanto, la caratteristica di trasferimento e i margini di rumore saranno essenzialmente quelli
-
gi calcolati nel Problema 6.30.
6.32 I transistori di Figura 6.20b del testo sono identici con Vr = 1.25 V. Per Ql si ha
kW/L = 100 JlA/V2, per Q2 kW/L = 50 JlA/V2. La tensione di alimentazione
VDD= 5V.
a) Tracciare la caratteristica di trasferimento.
b) Determinare i margini di rumore.
NML = 0.2 V]
-
6.33 Variazioni dei parametri durante la fabbricazione portano Vr ad avere variazioni di
:1:0.25V. Ripetere il Problema 6.32 tenendole in debito conto e valutando le variazioni
nelle prestazioni del circuito.
-
6.34 Le tensioni di alimentazione in Figura 6.23a del testo sono VDD= 5V e VGG= 10V.
Ql e Q2 sono identici tra loro e hanno kW/L = l mA/V2 e Vr= 1.5 V.
Tracciare la caratteristica di trasferimento e determinare i margini di rumore.
-
6.35 a) Qual la variazione percentuale nei margini di rumore, se il fattore di forma di
Q2 nel circuito del Problema 6.34 aumenta delIO%?
b) Ripetere la parte a) supponendo che ad aumentare del 10% sia il solo fattore di
forma di Q1.
6.36 La tensione di polarizzazione di gate VGGnel circuito di Figura 6.23 del testo varia da
7 a 12 V. Tracciare la curva dei valori dei margini di rumore in funzione di VGG'
-
6.37 Nel circuito di Figura 6.24a del testo, il transistore ad arricchimento ha kW/L =
0.1 mA/V2 e Vr = 1.5 V, mentre il MOSFET
Vr= -1.5 V. Per VDD= 5 V:
a) tracciare la caratteristica di trasferimento,
a svuotamento ha kW/L = 20 J!A/V2 e
b) valutare i margini di rumore.
-
6.38 Nelcircuito in Figura 6.24a si ha QI con le caratteristiche descritte nel Problema 6.37
e VDD= 5 V. Per il transistore a svuotamento si ha kW/L = 25 J!A/V2 e una tensione
di soglia Vr che varia da -0.5 a -2.5 V.
Disegnarele curve dei margini di rumore come funzione della Vr di Q2 con passo di
0.5V. .
-
6.39 Nel circuito in Figura 6.24a si ha QI con le caratteristiche descritte nel Problema 6.37
e VDD= 5 V.
Per il transistore a svuotamento si ha k = lO J!A/V2 e Vr = -1.5 V.
a) Tracciare la caratteristica di trasferimento nei casi in cui il fattore di forma di
Q2 assuma valore pari a 1,2.5,5,7.5 e lO.
b) Disegnare le curve dei margini di rumore in funzione del rapporto tra kW/L di
Ql e kW/L di Q2.
-6.40 DeterminaretpLHper il circuito dell'Esempio 6.5 del testo.
Soluzione
Perrisolverel'esercizio seguiremo il metodo descrittto nell 'Esempio 6.5 e nel Paragrafo 6.6
deltesto.Per una transizione da VOLa VOHsi ha
68 Capitolo 6
Ctot
tpLH= 21IAVI [V(l) - V(O)] e

l
IAv= _
2 [(iD - iL)lvOL + (iD - iL) Iv]
L'ingresso, che pari a VGS1'ha subito una transizione da V(l) a V(O). Con VGSI=
V(O)= 0.3 V si ha iD = Osia quando VDSI= VOL'che quando VDSI= V'. La corrente di carico
carica la capacit Ctote si ha
iL = 20!-lA quando VDS2 = VDD - VDSl = 6 - 0.5 = 5.5 V per VGS2= O
iL = 20!-lA quando VDS2 = 6 - V' = 6 - 3.15 = 2.85 V e VGS2 = O
Di conseguenza otteniamo
l
IAv= 2 [(O - 20) + (O - 20)] =-20 !-lA
0.2x 10-12 X 5.3

t - 26.5 ns
pLH- 2 x 20 x 10-6
Nota: Come indicato nel Paragrafo 6.6 del testo, tpLH tpHL'Una ulteriore giustificazione
di questo risultato risiede nel fatto che nel transitono in salita la capacit viene caricata dalla
relativamente piccola corrente di carico, per cui richiede un tempo "significativamente
lungo". Invece, durante il transitorio in discesa, la corrente disponibile per la scarica della
-
capacit Ctot prevalentemente quella "elevata" del transistore pilota.
6.41 Calcolare il ritardo di propagazione medio del circuito descritto nel Problema 6.37.
[4.99ns]
-
6.42 Calcolare il prodotto ritardo-consumo per il circuito del Problema 6.38, con
Vr= -1 V. Si supponga l'uscita a livello alto per met del tempo considerato.
-
[2.62 pJ]
6.43 Calcolare il prodotto ritardo-consumo per il circuito del Problema 6.30. Si supponga
l'uscita a livello alto per il 25% del tempo considerato.
[5.03 pJ]
-
6.44 Nella porta NOR in Figura 6.28a del testo, si consideri che entrambi i transistori pilota
abbiano applicata una tensione V(l) = 5 V e si ricordi che essi agiscono in parallelo.
I MOSFET utilizzati sono quelli descritti nel Problema 6.37 e VDD= 5 V. Determinare
la corrente di drain in ciascun transistore. Si suggerisce di disegnare prima la caratte-
ristica composta dei transistori pilota in parallelo e poi di costruire la curva di carico.
6.45 a) Si considerino due invertitori NMOS isolati tra loro. L'ingresso di uno di essi
detto A e quello dell'altro B. Le due uscite sono poi collegate tra loro e il nodo
" I
l'jl
comune detto Y. Qual la relazione logica tra Y, A e B?

b) Disegnare il circuito e dimostrare che la relazione logica trovata in a) corretta.
Si trascuri uno dei due FET di carico in quanto in parallelo tra loro.
a) [Y=(A + B)]
6.46 Ripetereil Problema 6.45 utilizzando porte NAND a due ingressi al posto degli inver-
titori. Il
a) [Y= (AB + CD)] il
6.47 a) Tre invertitori sono posti in cascata. Ciascuno di essi ha la caratteristica di 11

trasferimento mostrata. Il
Ricavare la caratteristica di trasferimento della cascata di invertitori. I

Si suggerisce di costruire la caratteristica in molti punti dell'intervallo 2.45 < I
Vi< 2.55 V.
:;11
b) Confrontare la pendenza della caratteristica di trasferimento cos ricavata con
quella del singolo invertitore.
c) Confrontare i margini di rumore del singolo invertitore e della cascata. I~
i'
l
~I
o Vi
1.5 3.5 I
6.48 Disegnareil circuito di una porta NAND CMOS a due ingressi.
Soluzione
- ..
I I . I
. I
. I L
oY
111
'.
,I
"\
70 Capitolo 6
6.49 Se gli invertitori del Problema 6.45 fossero fabbricati in tecnologica CMOS, si potreb-
be ancora collegarne insieme le uscite e ottenere la stessa relazione logica tra Y, A e
B? Argomentare la risposta.
-
6.50 Si consideri il circuito di Figura 6.30a del testo i cui MOSFET sono descritti nel
Paragrafo 6.8. La tensione di ingresso vi varia linearmente nel tempo e raggiunge 5 V
in 100 J.LS.
a) Disegnare l'andamento nel tempo della corrente nel circuito.
b) Qual la potenza media dissipata in ogni intervallo di 100 J.Ls?
[0.088 J.LW]
-
6.51 L'ingresso dell'invertitore CMOS in Figura 6.30a, descritto nel Paragrafo 6.8, mo-
strato in figura.
a) Determinare la potenza media dissipata in un ciclo.
b) Il risultato ottenuto in a) aumenta, diminuisce o rimane inalterato al diminuire
di T (aumentare della frequenza)?
Vi, V
6.52 Disegnare il circuito CMOS che realizza la funzione logica ottenuta nel Proble-
ma 6.46.
-
6.53 Si consideri la porta di trasmissione mostrata in Figura 6.32 del testo con applicate le
tensioni di controllo V(O)= -5 V, V(1)= 5 Ve una sinusoide di 5 V di ampiezzadi
picco.
Si supponga la tensione di soglia VT= O.
a) Verificare che l'intera sinusoide presente in uscita se C = V(1).
b) Mostrare che la trasmissione attraverso la porta non avviene se C = V(O).
c) Ripetere le parti a) e b) ponendo VT= 2.5 V.
Indicare l'intervallo della tensione di ingresso per cui si ha la conduzione di Ql
e Q2.
d) Tracciare l'andamento della tensione di uscita supponendo l'ingresso sinusoida-
le di ampiezza pari a 7.5 V di picco e la tensione di controllo pari a V(l).
-
e) Ripetere la parte d) ponendo la tensione di controllo pari a V(O)e VT = 2.5 V.
I
I
6.54 L'invertitore a BJT in Figura 6.34a del testo stato progettato con RB = 12 kQ,
IJ
Re = 3 kQ e Vee = 6 V.
Le correnti inverse di saturazione sono trascurabili.
il
a) Determinare il valore minimo di ~F per portare il transistore al limite della

saturazionequando Vs = V(1) = 6 V.
b) Supponendoche l'uscita del transistore sia al valore V(1) per la met del tempo,
calcolare la potenza media dissipata.
a) [4.39] b) [7.1 mW]
-
6.55 Per il transistore usato in Figura 6.34a del testo si ha 50::; ~F::; 150. La tensione di
alimentazionevale 5 V, V(O)= 0.3 V e V(l) = 4.8 V. L'impulso di corrente in uscita
deveessere di .lOmA.
a) DeterminareRHe Re affinch il transistore sia al limite della saturazione con il
valore minimo di ~F'
b) Supponendoche il transistore sia acceso per la met del tempo, determinare la
potenza media dissipata dalla porta. Si usi ~F = 150.
c) Stabilire, senza risolvere nuovamente il problema, se la risposta alla parte b)
sensibilmente diversa nel caso in cui sia ~F = 50.
a) [20.5 kO; 0.48 ill] b) [25.45 mW]
6.56 L'invertitoremostrato pilota N porte uguali.

a) Con ~F = 40, per quale valore di vi = V(1) si ha il transistore al limite della
saturazione?
b) Dato Vi= V(O)= 0.3 V, calcolare N supponendoche ciascuno degli stadi a valle
sia al limite della saturazione.
+5v
2.4 kQ
20 kf!
v,
l
a) [1.7V] b) [27]
-
6.57 L'invertitoredel Problema 6.55 pilota N porte uguali.
a) Calcolare il valore minimo di ~F del transistore considerando
sia al limite della saturazione quando acceso.
b) Determinareil valore di N quando Vo = V(1).
che il transistore
c) Qual il valore approssimato dei margini di rumore?

a) [47.8] b) [2]
c) [NMH=8 mV; NML = 0.4 V]
72 Capitolo 6
-
6.58 Nell'invertitore di Figura 6.34a del testo, con Vcc = lO V, Rc = 500 Q e RH = 50 kQ,
viene usato un transistore 2N2222A.
Disegnare la caratteristica di trasferimento della porta per O~ vi ~ lO V.
6.59 Il circuito mostrato in figura viene talvolta usato come invertitore in circuiti logici
TTL. I transistori sono identici e hanno ~F = 25 e ~R = 0.5. Si ponga inoltre
V(O)= 0.2 V e V(l) = 3.5 V.
a) Verificare che il circuito si comporta da invertitore.
b) Determinare le correnti di base e di collettore in ciascun transistore per Vs = V(O)
e Vs = V(l).
c) Qual il valore del fan-out?
+5V
R2
(1.2k!"!)
v,
R3
(1.2 k!"!)
b) [I81 = 1 mA; ICI:::::O; IC2 = 182 = 183 = IC3 = O; 181= 0.70 mA; 182= 1.05 mA
183= 2.44 mA; IC2= 1.98 mA; IC) = 61.0 mA]
c) [35]
6.60 Ricavare la caratteristica di trasferimento del circuito del Problema 6.59.
6.61 Un diodo Schottky viene collegato tra base e collettore nel circuito del Problema 6.56.
Tracciare la caratteristica di trasferimento per O ~ Vs~ 5 V e valutare i margini di
rumore.
NML = 0.4 V]
6.62 Il transistore del circuito mostrato nella figura di pagina seguente ha ~F = 50. Deter-
minare Voe le correnti di base, collettore e nel diodo quando Vs= V(l) = 4 V.
[vo= 0.3 V; Ic= 2.48 mA; ID= 0.13 mA; 18= 0.0496 mA]
~
!!!Il
+5v
Re
(2k!1)
RB +
(18k!1)
v, Vo
6.63 Determinare il fan-out del circuito nel Problema 6.62, dato V(O)= 0.3 V.
[N = 2]
6.64 a) Nel circuito mostrato in figura verificare che Y = (ABC).

b) Quanto vale il fan-out se PF = 25?
c) Qual la potenza media dissipata dalla porta nell 'ipotesi che Y = V(I) per il 50%
del tempo?
+5v
4k!1 2 k!1
4 k!1
A
B y
lkf!
b) [N= 50] c) [14.4 mW]
6.65 a) Per la porta NAND TTL di Figura 6.37 del testo, calcolare il valore PF(min)che
- garantisceil funzionamentocorretto.Si suppongacheQ2e Q3saturinoquando
tutti gli ingressi sono a V(I) e per QI sia PR= 0.1.
b) Ripetere la parte a), supponendo che Q2 rimanga nella regione attiva e Q3 saturi,
quando tutti gli ingressi sono a V(I).
a) [2.820] b) [0.957<PF <2.381]
-
6.66 a) Tracciare la caratteristica di trasferimento della porta NAND TTL di Figu-
ra 6.37, indicando accuratamente lo stato di ciascun transistore in tutti i tratti
della caratteristica. Si assuma PF = 25 e PR = 0.2 per tutti i transistori.
74 Capitolo 6

c) Determinare il fan-out.
Soluzione
In assenza di carichi, con vi < 0.5 V, QI saturo e di conseguenza Q2 e Q3 sono interdetti.

Quando Vi = 0.5 V, si ha VBE2 = VCEI+ vi = 0.2 + 0.5 = 0.7 V, tensione che in grado di
accendere Q2, anche se non scorre ancora corrente in R3. Un aumento di Viporta a polarizzare
Ql in zona inversa (prima in saturazione inversa e poi in zona attiva inversa) e alla condu-
zione di Q2, la quale porta poi alla conduzione di Q3. Questo fatto produce una caduta su
Rc, per cui la tensione di uscita Vo= Y diminuisce. Ulteriori aumenti di Vi portano alla
saturazione di Q2 con Q3 in zona attiva diretta. Infine, Q3 satura e la tensione di uscita viene
limitata a VCE(sal)= 0.2 V.
0.2
o 0.5 1.2 1.7
Nota: Per un transistore integrato di piccole dimensioni VCEin saturazione pu scendere al

di sotto di 0.2 V. Dal punto di vista teorico VCEin saturazione potrebbe anche essere legger-
mente negativa.
Quando Q2 e Q3 sono saturi, si ha Vp= 1.6 Ve VBl= 2.3 V. Per polarizzare inversamente la
giunzione base-emettitore di QI, deve essere Vi> 1.7 V, cos che VBEI< 0.6 V. Quando
'I Vi = 1.3 V, Ql saturo nella regione inversa. Poich per accendere contemporaneamente Q2
e Q3 necessaria una tensione Vp di almeno 1.4 V e in saturazione inversa VCE= 0.2 V, si
ha Vi= VCE+ Vp= 1.2 V.
6.67 La porta NAND TTL mostrata in figura utilizza uno stadio totem-pole modificato. Si
supponga che gli ingressi siano forniti dalle uscite di porte identiche a questa e che
~F= 20 e ~R = 0.5.
a) Dato A = B = C = V(l), determinare le correnti che scorrono in ogni resistenza,
collettore e base; valutare inoltre i valori delle tensioni rispetto a massa di
ciascuna base e collettore. Si verifichi che Q5 lavora nella regione attiva.
b) Ripetere la parte a) nella situazione in cui almeno uno degli ingressi al valore
V(O). Si verifichi che Q5 lavora in saturazione.
c) Determinare i livelli logici.
d) Determinare il fan-out.
+5V
4 kO 1.4kO 1200
Q5
I I "-.
N
porte
B identiche
C
2 kO
c) [V(O) = 0.2 V; V(l) = 1.65 V] d) [61]
6.68 a) Nel circuito mostrato nella figura a) si ha che Vs = V(l) = 5 V per un lungo
periodo di tempo. Per t = O, VS= V(O)= 0.2 V. Determinare il tempo di salita di
vo'
+5 v
0.5 kO
5 kO
+5 v
(a) (b)
b) Per ridurre il tempo di salita visto in a), viene aggiunto, come indicato nella
figura b), un circuito attivo di pull-up ai capi della resistenza da 5 kQ. Spiegare
il funzionamento del circuito e la sua efficacia ai fini della riduzione del tempo
di sali ta.
c) Perch la semplice sostituzione della resistenza da 5 kn con una da 0.5 kQ
efficace per la riduzione del tempo di salita?
76 Capitolo 6
-
6.69 L'uscita della porta TTL di Figura 6.38 del testo viene involontariamente cortocircui-
tata a massa. Determinare la corrente di corto circuito dato 13F = 20 e che a) tutti gli
ingressi siano a livello V(l ); b) almeno un ingresso sia a livello V(O).
[O; 43.5 mA]
6.70 La porta TTL in figura ha gli ingressi collegati insieme e i transistori, tutti uguali tra
loro, caratterizzati da I3R= 0.5.
a) Determinare 13F(min)affinch la porta funzioni correttamente. Si supponga che
Q2 e Q3 saturino e Vs= V( l).
b) Ripetere la parte a), supponendo che Q2 non saturi.
+5v
5 kf! 130 f!
v,
v.
\.4 kf!
a) [2.47] b) [2.10<I3F<2.41]
6.71 a) Tracciare la caratteristica di trasferimento del circuito nel Problema 6.70, sup-
ponendo 13F = 25.
b) Quanto vale il fan-out?
c) Calcolare in maniera approssimata i margini di rumore.
-
b) [20] c) [NMH= 3.2 V; NML = 0.3]
6.72 a) Ricavare la caratteristica di trasferimento per l'uscita OR della porta ECL di

Figura 6.47 del testo.
Soluzione
a) Si supponga il valore di 13F sufficientemente elevato in modo da trascurare sempre Il

correnti di base. Si ha che VR= VB4 - VBE4e VBE4pu essere valutato come equivalente d
Thvenin della rete di base di Q4 come mostrato. Assumeremo VBE= 0.75 V per i dispositivi
di piccola dimensione utilizzati nella ECL.
,r l
,
,,
i
: 2VD~.
,-- =
, 907f1 I +
i498J
1 I
1-- - --~E~=":::::_I
~
,
i
v - 907 907
TI,- 907+ 4980 (-VEE+ 2VD) = 5887(-5.2+ 1.5)=-0.57 V e
VR= -0.57 -0.75 = -1.32 V

Si supponga che QI e Q3 siano spenti e che Q2 sia acceso. Allora si ha
VE2 = - VB1 + VR = -0.75 -1.32 = -2.07 V
V1 + VEE- -2.07 + 5.2 = 4.02 mA

-11 = 779 -
Poich IC2 = 1/11,
v C2 = -/C2 x 0.245 = -4.02 x 0.245 = -0.984 V
VCE2 = VC2 - VE2 = -0.984 - (-2.07) = 1.086 V > 0.3 V

per cui Q2 in zona attiva.
Vo2 = -VBE6 + VC2 = -0.75. - 0.984 = -1.734 V = V(O)
Essendo Ql e Q3 interdetti, Voi = -VBE5 = -0.75 V = V(1). Se invece QI (e/o Q3) conduce e
VBI= -0.75 V, si ha che Q2 interdetto e
IIEd = (VEI + VEE)/RE= (VBI - VBEI + VEE)/RE
= (-0.75 - 0.75 + 5.2)/0.779 = 4.75 mA
Siccome ICI = IIEd,
VC! = -lclRI = -4.75 x 0.22 = -1.04 V
Voi = VCI - VBE5= -1.04 - 0.75 = -1.79 V

Con IC2 ~ Osi ha
Vo2 = -VBE6 = -0.75 V
78 Capitolo 6
Quando !VBI - VRI > 4 VT>il circuito si comporta nella maniera appena descritta, quando
invece si ha IVBI - VRI< 4 VT>il circuito ha un comportamento lineare. La caratteristica di
trasferimento quella sotto riportata.
VR
-1.42 -1.32 -1.22
"j.V
NOR -0.75
OR
OR NOR
-~ -].734
( vedere il problema 6.73 )
b) NMH = -0.75 - (-1.22) = 0.47 V
-
NML = -1.42 - (-1.74) = 0.32 V
6.73 Ripetere il Problema 6.72 per l'uscita NOR.
Soluzione
a) Utilizzando i risultati ottenuti nella risoluzione del Problema 6.72, si nota che VoIcosti-
tuisce l'uscita NOR.
La caratteristica di txasferimento invertita rispetto a quella gi calcolata nel Problema 6.72
ed stata riportata nella figura sopra. Quando Vi> -0.75 V, un aumento di Vj stessa potr
portare alla saturazione di Q1. Ponendo VCE(sal) = 0.2 V, si ha
ICI = IlEd = [0.2- (-5.2)]/(0.220+ 0.779)= 5 mA
VEI = IIEIIRE- VEE =5 x 0.779 - 5.2 = -1.30 V e
Vi = VBI = VBEI+ VEI = 0.80 - 1.30 = -0.5 V
Una volta che il transistore saturo, l'ulteriore aumento della corrente di base determina
l'aumento di VEe la diminuzione di lc, come descritto nel Capitolo 3 del testo. Quindi, per
Vj> -0.5 V, la caratteristica NOR assume la forma
VO.
V
-0.5
I
I
I
I
~
b) I margini di rumore rimangono quelli gi calcolati nel Problema 6.72.
6.74 Ricavare i margini di rumore relati vi ai punti a pendenza unitaria per il deviatore di
corrente. Si suggerisce di utilizzare le espressioni analitiche di forma esponenziale
relative a ICI e IC2'
Soluzione
Poich Vo2 = -VBE6 - IC2R2, i punti dove Vo2 ha tangente unitaria saranno esattamente quelli
dove unitaria la tangente di IC2R2.Quindi,
aFIEER2
IC2R2= l + e.v,/vr u
Ponendo A = a FIEER2e x = v/V p otteniamo

A
u=- e -1
l+e.x
Quindi
(l + e.x)2= l + 2f.x + f.2x = +Ae.xoppure
e2x + eX(2 - A) + l =O
Questa una formula quadratica in eX.Ponendo y = eX,si ottiene
y2 + (2 - A)y + l =O e
A-2
y=~[l:bJl- 4/(A - 2)2]
Detti YI e Y2i due valori cos ottenuti, da questi si ottengono XI = InYI e X2 = InY2' Siccome
x= viVT= (Vi - VR)IVT; i valori corrispondenti di vi sono Vii = VR + VTlnYI e vi2 = VR
+ VTlnY2'Questi valori corrispondono a V/Le V/Il (uno dei due valori YI o Y2 minore di l,
cos che il suo logaritmo minore di O). Sostituendo i valori trovati nell'espressione di Vo2
si ottengono i valori di VOlie VaL' dai quali si risale poi al valore dei margini di rumore.
-
6.75 a) Determinare V(O) e V(l) per la porta ECL elementare di Figura 6.47 del testo,
considerando anche le correnti di base. Si supponga ~F = 50.
b) Quanto valgono i margini di rumore?
-6.76
6.77
Dimostrare che, quando Q2 conduce, IC2 nella Figura 6.45a del testo maggiore di
ICI (con Ql in conduzione).
=
Per il circuito mostrato nella figura di pagina seguente si ha VEE 5 V, VR =-1.2 Ve
v" proviene dall'uscita di una porta identica. I livelli logici sono V(O) = -1.6 V,
V(l) = -0.8 Vela corrente massima in ciascun transistore 6 mA. Si supponga
80 Capitolo 6
13F l in modo da trascurare le correnti di base. Determinare i valori delle resistenze

R\, R2, RA, RH e RE'
--L-
Q3
VR
V02
RI e R2 VOI
I
..
!!!!!
7
Circuiti digitali combinatori
-
7.1 a) Indicare come realizzare Sn dell'Equazione (7.1) del testo con porte AND, OR
e NOT.
b) Verificare che la somma Sn generata da un full-adder pu essere posta nella
forma
7,,2 a) Per comodit supponiamo che An = A, Bn = B, Cn- l = C e Cn= C. Tramite

-- l'Equazione
(7.4)
Cn= BnCn-l + Cn-l An + AnBn
che esprime C dimostrare che
C=BC+CA+AB
b) ValutareD = (A + B + C) C e dimostrare che Sn nell'Equazione (7.1)
Sn=AnBnCn-l + AliBn Cn-l +AnBn CII-l + AnBn Cn-I
data da
Soluzione
---
a) C =BC + CA + AB = (B q( CA)(A B) (De Morgan)
- - - - - - -- -- -- -- - -
= (B+ ex C + AXA + B) = (B C + B A + C C + C A)(A + B)
NotandocheXX = X otteniamo
- --- -- -- -- -- -- -- ---
C=BCA+BA+CA+ CA+BC+BA+BC+ CAB
PoichX + x= X, si ha .
82 Capitolo 7
-- -- -- -- -- -- -- --
c =B A( C + l) + C A + B C = B A + C A + B C = B C + C A + A B
- -- -- --
b) D = (A + B + C) C = (A + B + C) (B C + C A + A B)
Siccome XX = O,allora
D=ABC+BCA+CAB
Dall'Equazione (7.1)
Sn = A li C + A B C + A B C + ABC = D + ABC
Si consideri un sistema digitale a tre ingressi A, B e C, la cui uscita Y deve essere

uguale a l se due o tre degli ingressi sono a l.
a) Scrivere la tabella di verit della funzione realizzata.
b) Ricavare dalla tabella di verit l'espressione booleana di Y.
c) Minimizzare Ye mostrarne lo schema logico.
-
7.4 Il tempo necessario per sommare due numeri in parallelo determinato dal tempo
necessario alla propagazione del riporto lungo la parola. Con l'impiego di qualche
logica aggiuntiva, questa propagazione del riporto pu essere evitata generando un
riporto look-ahead. Dimostrare che nella somma di due parole di 4 bit (A3A2AlAo e
B3B2B)BO'dove A3 il MSB) il riporto in uscita C3 ha la seguente espressione
----- ---
-----
dove C-l il riporto di ingresso. Si noti che il riporto in uscita espresso come
funzione delle sole variabili di ingresso e non contiene riporti intermedi. Si suggerisce
di applicare ricorsivamente l'Equazione (7.5)
Cn = Bn Cn-l + Cn-l An + AnBn'
espressa nella forma Cn= Cn-l (B~n) + (An + Bn), per 4 volte (con Il = O, 1,2 e 3).
Verificare la tabella di verit del sistema mostrato in figura.
Ingressi I Uscita
di controllo
A a . L M 1---;
L o--- S -..o y
O
O
O
l
A
A
l O l
Ma .
l l O
Circuiti digitali combinatori 83
a) Verificare che una porta OR-esclusivo in grado di realizzare il complemento

di un dato. '
b) Se un ingresso detto A, l'altro (quello di controllo) C e l'uscita Y, si ha Y = A
per C = 1 o C = O?
[O]
-
7.7 a) Ricavare la tabella di verit del semi-sottrattore binario che realizza A meno B
(corrispondente allo half-adder in Figura 7.4 del testo). Invece del riporto si
introduca un prestito P.
b) Verificare che la cifra D ottenibile tramite una porta OR-esclusivo e che P
segue la logica "B ma non A".
-
7.8 Si consideri un comparatore a 8 bit. Spiegare la ragione dei collegamenti C' = CL>
D' = DL ed E' = EL per i chip che operano sui bit pi significativi. Si suggerisce di
aggiungere 4 a ciascun pedice nella Figura 7.13 e di estendere le Equazioni (7.12) e
(7.13) di E e C per tenere conto di tutti i bit.
Soluzione
I collegamenti utilizzati nella figura possono essere spiegati nel modo seguente: si prendono
e si confrontano tra loro i primi quattro bit (LSB) di A e B nel circuito le gli ultimi quattro
bit (MSB) di A e B nel circuito 2. Nello schema riportato nella Figura 7.13 del testo sono
descritti i collegamenti interni di ogni circuito, con riferimento ai segnali C' ed E' (il segnale
D' e la circuitistica ad esso associata non sono mostrati).
A4 B39 'j>9 'j>BoA39 9 9 9 Ao

D'o I I I I I I I I
E,=.
E'2
I J 2
I
D',
C' l
""=
..
D
Se
A = B -? E = 1 -? EoE.E2E3E4EsE6E7=1
dove
EL = EoE.E2E3
E~4EsE6E7 = 1
84 Capitolo 7
per cui il collegamento di EL giustificato. Se invece

A > B ~ C = 1 ~ Aii7 + E~6B6 + E7E6AsBs + E7E6EsA4B4
+ E7E6EsEiA3B3 + E3A2B2 + E3E2A.B(
+ E3E2E(AOBo) = l
-
7.9 Si consideri un comparatore che ha in ingresso due parole da n bit e ali 'uscita i segnali
E, C e D di Figura 7.13, in cui per non sono disponibili i terminali di ingresso E, C
e IY. Quali elementi logici aggiunti vi sono necessari per effettuare il confronto di due
numeri da 2n bit utilizzando due di tali comparatori a n bit?
7.10 Si considerino due parole di 5 bit SAA3A2A(AOe SBB3B2B(BO'dove,SA e SB sono i bit

di segno e i restanti bit indicano il modulo della parola. SA (SB) = O significa che la
parola corrispondente positiva, mentre SA (SB) = l significa che negativa. Proget-
tare un sistema in grado di eseguire il confronto tra le due parole, utilizzando un
comparatore a 4 bit per il confronto dei moduli e uno a l bit per confrontare i segni.
-
7.11 a) Con l'ausilio di una tabella di verit verificare l'identit booleana
Y = (A Ej;)B) E9C = A E9(B E9C)

b) Verificare che si ottiene Y = I (O) se pari a l un numero dispari (pari) di
variabili. Questo risultato valido non solo per tre, ma per un numero qualsiasi
di ingressi ed stato utilizzato nel Paragrafo 7.5 per realizzare un controllore di
parit.
I
-
7.12 Costruire la tabella di verit dell'albero di OR-esclusivi in Figura 7.14 per tutti i
possibili ingressi A, B, C e D. Si considerino anche le uscite intermedie A E>
insieme all'uscita Z. Verificare che Z = l (O)per parit dispari (pari).
B e C E9D
7.13 a) Disegnare lo schema logico di un generatore di parit su parole di 8 bit.

I
b) Verificare che l'uscita vale O(l) per parit dispari (pari).
7.14 a) . Si indichi un controllore di parit a 8 bit come un blocco con 8 bit di ingresso
(designati con ~! simbolo A(), un'uscita P( e un ingresso di controllo p... Si
consideri anche un secondo elemento a 8 bit con ingressiA2, uscita P2 e controllo
P2'. Mostrare come porre in cascata i due elementi per ottenere un controllore
di parit dispari su parole di 16 bit. Verificare che il sistema funziona corretta-
mente se p(' = I, considerando le quattro possibili combinazioni di parit tra A l
e A2.
b) Mostrare come porre in cascata tre elementi per ottenere la parit di una parola
a 24 bit. Per avere parit dispari, deve essere p(' = l oppure O?
c) Mostrare come porre in cascata pi elementi per ottenere la parit di parole a lO
bit.
- -~ ~ +" ---
Soluzione
a)
Essendo PI' = l, abbiamo le combinazioni elencate nella tabella sottostante.
Parit PI Parit P2 Parit

diA! diA2 diAI eA2
dispari 1 dispari 1 pari

dispari 1 pari O dispari
pari O pari 1 pari
pari O dispari O dispari
Questo verifica la correttezza della soluzione.

b) facile verificare, costruendo una tabella analoga a quella utilizzata nella parte a)
dell'esercizio, che deve essere PI' = Oper garantire che il sistema funzioni correttamente. In
generale si pu affermare che P l' = l se il numero di unit in cascata pari, mentre P l' = O
se il numero di unit in cascata dispari.
c) La soluzione identica a quella proposta nella parte a) dell' esercizio, eccetto il fatto che
sei degli ingressi devono essere posti a massa.
7.15 a) Disegnare lo schema di un decodificatore da 4 a lO linee.

b) Mostrare come convertirlo in un decodificatore da 3 a 8 linee.
Disegnare il diagramma a blocchi di un albero di demultiplexer con 32 uscite, utiliz-

zando NI = 8 e N2 = 4. Illustrarne il funzionamento facendo riferimento alla linea
numero 25.
Soluzione
La linea di uscita numero 25 corrisponde a un indirizzo EDCBA = 1100 l, dove i due bit meno
significativi vanno a N2, mentre i tre bit pi significativi vanno a NI. Supponendo di avere
disponibili due elementi N2 per chip (demultiplexer da l a 4 linee ), il numero totale dei circuiti
integrati richiesti l + 8/2 = 5.
86 Capitolo 7
o
I
EDC =000 N2=4 2
3
~
B A
4
001 r-::- 5
6
7
~
B.A
sq~ B
N2
A
24
25
26
27
28
29
~
30
31
111
B A
~, a) Disegnare lo schema a blocchi di un albero di demultiplexer con 1024 uscite. Si

";z." noti che, essendo 1024 = 16 x 8 x 8, sono necessari due livelli di ramificazione.
b) Quanti circuiti integrati sono necessari?
c) Supponendo di considerare 1024 = 16 x 16 x 4, indicare la possibile soluzione
e determinare il numero di circuiti integrati necessari.
Soluzione
8 xl6 chip
a) 00000oo I
O
=
N3 8 : }
8 uscite
0000 .Tb
. C B A
7 I L-
I chip 8 uscite
0000111
o
15
,;)JC B A
, 1111000
J I HG
O
I}
I
8 uscite
... obb
2 C B A
7 I '--"
N3 8 uscite
1111111 I 1=
}
b) Il numero totale di circuiti integrati pari a l + 16 + 8 x 16 = l + 16 + 128 = 145.

c)
16 x 16 chip
} 4 uscite
I chip
O
o o
B A
15
J666 I
J/HG
B A
Quanti ingressi di porte NAND ha un demultiplexer da 1 a 16?

Di quanti ingressi dotato un demultiplexer da l a 16 realizzato utilizzando
solamente demultiplexer da l a 4?
a) [80] b) [60]
7.19 a) Disegnare lo schema logico di un multiplexer da 6 a l.

b) Come si pu espandere tale rete per ottenere un multiplexer da 8 a 1.
7.20 Progettare un sistema che utilizza due chip selettori dati da 16 a l linea per ottenere
un selettore di l dato fra 32. Spiegare il modo di funzionamento del sistema. Come
suggerimento si consideri che l'ingress~ di abilitazione S2 di un elemento pari al
complemento dell'ingresso SI dell'altro e che le uscite Y1 e Y2 dei due circuiti sono
gli ingressi di una porta OR che genera l'uscita Y del sistema.
Soluzione Uscita
y
A y. Y2
B Selettore Selettore
C dati I dati 2
D
E
Abilitazione
88 Capitolo 7
Gli ingressi E, D, C, B e A formano il codice a 5 bit. Quando E = Osi ottiene la parola ODBCA,
cio un numero compreso tra Oe 15. Quando invece E = 1 si ottiene la parola lDBCA, cio
un numero compreso tra 16 e 31. Quando
E = O, SI = O e YI = J0, (O 5,j 5, 15)
e quindi Y= O+ J0 =J0.
Quandoinvece E=l, SI=1 eY1=0, S2=0 eY2=J0 (16~j~31)
e quindi Y=J0 + O=J0.
-
7.21 a) Disegnare il diagramma a blocchi di un selettore di l linea tra 32 come in
Figura 7.22, ma con N2 = 4 e N1 = 8. Spiegarne il funzionamento facendo rife-
rimento all'ingresso X25'
[5]
-
7.22 Ripetere il Problema 7.21 per un multiplexer
circuito integrato.
64 a l, utilizzando lo stesso tipo di
[9]
7.23 a) Disegnare lo schema a blocchi di un multiplexer con 512 ingressi ricordando

che 512 = 16 x 8 x 4.
Soluzione
a) N3=16
. N3.0
: 16:l Lo N2=8
XIS
X'8
Loo-
"
.. N3.1
-<>L NI y
. 16: I I G E : I 4: l
X"8 :"
8
J3
DCBA 4
I H
X"
. 16:1 I
XSII G F E
x'0 ;:
D C B A
j.- Primostadio -.j

di 32 elementi
j.- Secondo stadio-.j
di 4 elementi
j.- Terzostadio -.j
b) Sono necessari 32 circuiti integrati da 16 linee a 1 linea, 4 circuiti integrati da 8 a 1 e

metdi un circuito integrato da 8 a l (si utilizza come selettore di una linea su 4), per un
totale di 36.5 chip.
-
7.24 a) Realizzare la somma SII di un full-adder espressa dall'Equazione (7.1) con un
multiplexer.
Trovare i valori X in termini di C, C, O e l. Per semplicit si eliminino i pedici
di A, B e C e si ponga Y==SII'
b) Realizzare l'Equazione (7.2) CII= AIIBIICII-1+ Aiincn-, + AIIBIICII-1+ AIIB" Cn-I
del riporto Cn tramite un multiplexer. Sia Cn-l ==C e Cn ==Y.
c) Si pu utilizzare lo stesso multiplexer per ottenere sia Sn che Cn? Argomentare
la risposta.
7.25 Utilizzare un multiplexer per sintetizzare l'equazione logica combinatoria

Y=DCBA + DCBA + DCBA + DCBA +DCBA + DCBA + DCBA + DCBA
Quanti ingressi sono necessari? Trovare i valori degli ingressi X.
[8', X 62'= X = l' X SO,
= X = D' X 4 = X l' = D' tutti g li altri sono O]
7.26 Si consideri un sistema digitale che realizza una logica di maggioranza dotato di
quattro ingressi A, B, C, D e di un uscita Y che vale l se tre o quattro degli ingressi
sono a l.
a) Scrivere l'espressione booleana di Y.
b) Se per realizzare questa funzione si utilizza un multiplexer, quali devono essere
i valori degli ingressi X?
XS=D; tutti gli altri sono O]
7.27 Progettare un codificatore a matrice di diodi che soddisfi la seguente tabella di verit.
Ingressi Uscite
H/3 W2 Wl Wo Y3 Y2 YI Yo
O O O l O l l 1
O O l O l l O O
O l O O l 1 O 1
1 O O O O O 1 O
7.28 a) Progettare un codificatore con transistori multiemettitore che soddisfi la seguen-

te tabella di verit.
b) Quanti transistori sono necessari e quanti emetti tori ci sono in ciascun tran-
sistore?
90 Capitolo 7
Ingressi Uscite
W2 Wl Wo Y4 Y3 Y2 Y[ Yo
O O l l O l l O
O l O l l l O O
l O O O l O l l
[3; Qo=2; QI =2; Q2 = 3]
7.29 Lo schema a blocchi della matrice di un decodificatore a 3 ingressi (A, B e C) e 8 uscite

(da Yo a Y7) indicato in figura.
Il bit Ys deve valere l quando il codice di ingresso vale lOl, corrispondente al numero
decimale 5.
a) Indicare quale deve essere il collegamento dei diodi sulla linea Ys.
b) Ripetere la parte a) anche per Y2, Y3 e Y4.
sv
. . >
A
Il
B
B
c
C
Ys Ya
Soluzione
a) Se poniamo A come bitmeno significativo, Ys = 101 = CBA. Di conseguenza, costruendo

un AND a logica positiva a diodi, si ottiene la figura di pagina seguente.
b) Y2 = 010= CBA, Y3= 011= CBA, Y4= 100= CBA. Con i collegamentiindicatinella
figura quando l'ingresso 010 = 2, si ha Y2 alto; quando invece l'ingresso 011 = 3, si ha
Y3alto, e cos via.
+sv
Il
jj
-
7.30 Per il codificatore con priorit di Tabella 7.3 si verifichi che:
a)
b)
Y3 = W9 + Wg
Y2 = (W9+ Wg)(W7+ W6 + Ws + W4)
Soluzione
a) Dalla Tabella 7.3, facendo uso delle propriet illustrate nella Tabella 6.3, si ottiene
Y3 = WgW9 + W9 = Wg+ W9
b) Dalla Tabella 7.3 si ottiene
Y2 = W4WSW6W7WgW9+ WSW6W7WgW9+ W6W7W8W9+ W7WgW9
= WgW9 (W4WSW6W7 + WSW6W7 + W6W7 + W7)
Utilizzando l'Equazione (6.18) AB + B = A + B, con B = W7 e
otteniamo
Y2 = WgW9 (W4WSW6 + WSW6 + W6 + W7)
Analogamente ponendo B = W6 e A = W4Ws + Ws, deriva che

92 Capitolo 7
Applicando ancora l'Equazione (6.18) con B = Ws e la legge di De Morgan al primo termine

del prodotto si ottiene infine la relazione
-
7.31 Per il codificatore con priorit da lO linee decimali a 4 linee BCD si verifichi che:
Yo= W9+ Wg(W7+ W6Ws+ W6W4W3+ W6W4W2W\)
Soluzione
Dalla Tabella 7.3 si ottiene

---- ------ --------
~=~+~~~+~~~~~+~~~~~~~+~~~~~~~~~
Utilizzando l'Equazione (6.18) AB + B = A + B, con B = W9
--- ----- -------
---- ------
Utilizzando ancora l'Equazione (6.18) con B = W7

--- -----
----
Utilizzando ancora l'Equazione (6.18) con B =' Ws
Utilizzando ancora l'Equazione (6.18) con B = W3 si ottiene la relazione finale

---
7.32 a) Determinare la tabella di verit di un codificatore con priorit da 8 linee a 3 linee

(ottale), utilizzando il simbolo X per indicare uno stato non specificato.
b) Determinare l'espressione di Yo.
7.33 Ripetere il Problema 7.32 per YI.
7.34 a) Realizzare la conversione di codice indicata nella tabella sotto riportata per
mezzo di una memoria a sola lettura (ROM). Si indichino tutti i collegamenti tra
gli ingressi X e le uscite Y. Si usino i simboli standard per inverti tori, porte AND
e OR.
Ingressi I Uscite
XI Xo Y3 Y2 YI Yo
O O l O l l
O l O l O l
l O O l l l
l l l l O O
b) Realizzare le porte OR come transistori multiemettitore.
7.35 a) Disegnare lo schema a blocchi di una ROM 1024 x 4 bit con un indirizzamento
bidirezionale.
b) Quante porte NAND sono necessarie?
c) Quanti transistori devono essere usati nella matrice di memoria e quanti emetti-
tori deve avere ciascun transistore?
b) [132] c) [64; 64]
7.36 Si consideri una ROM 1024 x 8 bit con indirizzamento bidimensionale realizzato con
selettori da 8 a I linea.
a) Quanti bit sono necessari per indirizzare la ROM?
b) Quanti bit sono necessari per l'indirizzo X?
c) Quante porte NAND sono richieste?
d) Specificare il numero dei transistori nella matrice di memoria e quanti emetti tori
deve avere ciascun transistore.
a) [lO] b) [7] c) [200] d) [128; 64]
7.37 a) Scrivere l'espressione di Yoe Y2nel convertitore da codice binario a codice Gray.
b) Indicare come realizzare la funzione Yo utilizzando dei diodi.
7.38 a) Esprimere .Ia relazione tra gli ingressi e le uscite Y3 e Y2 nel convertitore da
codice Gray a codice binario.
b) Indicare come realizzare Y3 per mezzo di transistori.
-
7.39 a) Scrivere l'espressione canonica in somme di prodotti di Ys della Tabella 7.5 per
il codificatore a sette segmenti.
b) Verificare che questa pu essere espressa in forma minima come
Ys = D C A + CBA + BA
-
7.40 Minimizzare l'Equazione (7.33)
-- -
Yo= D C BA + D CB A + D CB A + DCBA + DCBA + DCB A + DCBA + DCBA
94 Capitolo 7
fino a ottenere l'Equazione (7.34).
Yo=D CBA + CA +DB
Soluzione
Poich DCBA = DCBA + DCBA, si pu manipolare l'Equazione (7.33) nel modo seguente
- -- -
Yo= D C BA + DCB A + DCBA + DCBA + DCBA + DCBA + DCB A + DCBA (+ DCBA)
- ---
=D C BA + CB A + DCB + DCB+ CBA = D C BA + CA + DB
7.41 Si consideri una ROM da 4 kbit con uscita espressa su 4 bit. Se il codificatorf; della
memoria ha forma quadrata, quanti bit sono necessari per
a) L'indirizzo X?
b) L'indirizzo Y?
c) Disegnare lo schema a blocchi del sistema.
a) [6] b) [4]
7.42 Si consideri una ROM da 8 kbit con uscita espressa su 8 bit. Se la matrice di memoria
ha 128 righe, quanti bitsono necessari per
a) l'indirizzo X?
b) L'indirizzo Y?
c) Ripetere le parti a) e b) supponendo che la matrice di memoria abbia 64 righe.
d) Quante parole contiene questa ROM e quanti sono i bit necessari per indi-
rizzarla? Verificare la risposta fornita confrontando la con la somma dei bit
degli indirizzi X e Y per ciascuno dei due casi gi considerati in questo
problema.
a) [7] b) [3] c) [6; 4] d) [1024; lO]
7.43 Sono disponibili due ROM da 16 kbit organizzate come 2048 x 8. Mostrare come
collegarle per ottenere a) una ROM da 32 kbit (2048 x 16) e b) una ROM da 32 kbit
(4096 x 8).
7.44 Indicare con uno schema a blocchi come collegare trentadue ROM da 16 kbit (2048
x 8) per ottenere una ROM equivalente con 16 linee di indirizzo e 8 bit di uscita.
7.45 a) Una ROM 32 x 8 deve essere convertita in una ROM 64 x 4. Le otto uscite sono
0 ... 7 e gli indirizzi sono Ao ... A4' Si aggiunga un ulteriore bit di indirizzo
X = As che controlli delle porte AND-OR, in modo che, quando X = l, si abbia
in uscita 0 ... 3 e, quando X= O, si abbia 4 ... 7'
b) Illustrare come trasformare due chip ROM 32 x 8 in una ROM 128 x 4.
~
,Iil
7.46 a) Mostrare lo schema a blocchi di un sistema per convertire una ROM 64 x 8 in I

una ROM 512 x l che utilizzi un multiplexer. I
b) Ripetere la domanda a) quando si converta una ROM 64 x 8 in una ROM 256
x 2.
I
I
I
Il
I
I
I I
8
Circuiti e sistemi sequenziali
-
8.1 a) Verificare che impossibile che le uscite del circuito in Figura 8.1 siano entram-
be nello stesso stato.
b) Verificare che nel circuito di Figura 8.1 la condizione B l = B2 = Onon consen-
tita.
Soluzione
a) Nella Figura 8.la si assuma Q = Q = l. Allora, a causa della reazione, si avr A) = A2 = I

e di conseguenza Q = Q = O,contraddicendo l'ipotesi iniziale. Allo stesso modo, dall'ipotesi
Q = Q = Oconsegue che A l = A2 = Oe quindi Q = Q = l. Ne concludiamo quindi che entram-
be le uscite Q e Q non possono essere nelle stesso stato.
b) Se nella Figura 8.1b assumiamoBl = B2 = O,allora le uscite di N1e N2(Q e Q) varranno
l indipendentemente dal valore assunto in precedenza da Q e Q. Essendo la condizione Q = Q
non consistente con la definizione di latch, si conclude che l'ingresso Bl = B2 = Onon
consentito.
-
.
8.2
Si consideri l'interruttore senza rimbalzi di Figura 8.2. Nell'istante tI' > t6 il tasto
viene rilasciato e il contatto si sposta da 1 a 2. Raggiunge la posizione 2 nell'istante
t2' e quindi rimbalza tre volte. Indicare le forme d'ondaB2, BI e Q e spiegare come si
ottenuto il risultato.
Soluzione
Con il tasto in Figura 8.2a nella posizione l, le uscite valgono Q = l e Q = O,come spiegato
nel testo. Appena il tasto premuto, B l sale a 5 V, come mostrato. B2 va a OV nell 'istante
t2' (essendo t2' - ti' l'intervallo di tempo necessario alla commutazione) e quindi la tensione
in B2 sale e scende seguendo i rimbalzi del contatto.
98 Capitolo 8
B,
o
B2 l
O.
/'2 /'3
Q l
Tra ti' e t2' si ha BI = B2 = l, e cos l'uscita mantiene lo stesso valore che aveva prima che il
tasto fosse premuto, cio Q = l. Nell'istante t2' si ha BI = 1 e B2 = Oe quindi Q = O.
Quando l'interruttore rimbalza dopo l'istante t2', gli ingressi dellatch possono valere Bl = 1
e B2 = O(negli intervalli tra t2' e t3', t4' e ts', t6' e t/) oppure B l = l e B2 = l (negli intervalli
tra t3' e t4', ts' e t6', t7' e t8'). In entrambi i casi rimane Q = O, che l'uscita corretta.
Verificare che la topologia AOI mostrata ha lo stesso comportamento logico del

~a) latch di Figura 8.3.
b) Trasformare il diagramma a blocchi in modo che essa diventi equivalente a
quella di Figura 8.3.
DI(= m
NI~
~ NS o Q
N2 ~ N6
N4~
R
Soluzione
a) Se G = O, le uscite di N3 e N4 sono O. Cos N5 e N6 non dipendono da D. Perci Q

mantiene il suo valore indipendentemente dai cambiamenti di D. Sia ora G = l. Se D = 1,
allora S = 1, R = O,P l = l e P2= O.Poich P l = l, deve essere Q = O.Cos ingresso e uscita
di N2 sono entrambi nulli e poich entrambi gli ingressi di N6 sono nulli si avr Q = l. Allo
stesso modo, se D = Oallora Q = O.
b) L'abilitazione G e gli invertitori a sinistra di Se R sono gli stessi in entrambi i circuiti.
\
\
Circuiti e sistemi sequenziali 99
Il resto del circuito pu essere modificato in tre passi:

l)
s Q
2) Si sostituiscono le porte OR in logica negata con AND in logica affermata.
~Q
R Q
Positivo AND
Q
3) Si elidono le due porte NOT in cascata.
:~::
Aggiungendo a quest'ultimo schema l'abilitazione G e il circuito dell'ingresso D si ottiene
il circuito di Figura 8.3.
-
8.4 Le porte NOR di Figura 8.4 sono realizzate con tecnologia NMOS. I transistori ad
arricchimento hanno kW/L = 400 ~AN2 e Vr = l V; il carico a svuotamento ha
kW/L = 100 ~AN2. Per VDD= 5 V, determinare i livelli di uscita del circuito bista-
bile.
[0.1 V e 5 V]
-
8.5 Le porte NAND di Figura 8.1 sono realizzate con tecnologia TTL con Vcc = 5 V. Le
porte TTL hanno V(I) = 2.7 V, V(O)= 0.3 Ve NMH = NML = 0.2 V.
Assumendo che le porte NAND abbiano una caratteristica di trasferimento simile a
quella data in Figura 8.5a, determinare i livelli di uscita dellatch e il livello minimo
di un segnale di trigger necessario a far commutare gli stati.
100 Capitolo 8
Soluzione
La caratteristica di trasferimento di una porta data in modo approssimato nella Figura a.
Rena
V.= Vi
VO' V~
VOH2.7
v.. V
2.7 t Pendenzaunitaria
"""" I .
...
I
I
I Figura a) Figura b)
I 1.5
I
I
I
VOL0.31-_.JI- - ---' I
o 0.5 2.5 1.5 2.7
VIL V/H
Poich NMH = VOH- V/H = 0.2 V, si ha V/H = 2.7 - 0.2 = 2'.5 V. Allo stesso modo
NML = VOL - V/L = 0.2 V, d V/L= 0.2 + 0.3 = 0.5 V. La caratteristica di trasferimento della
serie delle due porte mostrata in Figura b, dove pure tracciata la retta Vo= Vi, Le uscite
saranno allora 0.3 Ve 2.7 V.
La costruzione grafica delle tangenti alla caratteristica di trasferimento con pendenza unitaria
identifica i punti P1 e P2.
I corrispondenti valori di Viin ciascun punto possono essere stimati in Vi = 2.3 V e Vi = 0.6 V.
I livelli di un segnale di trigger necessari a innescare la transizione saranno quindi
0.6 - 0.3 = 0.3 V e 2.7 - 2.3 = 0.4 V.
-
8.6 Le porte NOR di Figura 8.4'sono realizzate con tecnologia CMOS. I transistori NMOS
hanno kW/L = 200 jJ.A/V2e VT = 2 V, mentre i PMOS hanno kW/L = 200 jJ.A/V2e
VT= 2V. Supponendo VDD= 5 V, determinare a) i livelli di uscita dellatch e b) il
valore minimo del segnale di ingresso necessario per provocare il cambiamento di
stato dell'uscita.
a) [OV e 5 V] b) [2.4 V]
-
8.7 Mostrare come si pu realizzare il bistabile di Figura 8.3 usando la configurazione
AOI.
-
8.8 data la tabella di eccitazione di un FF-JK. Il valore X nella tabella significa che
l'ingresso corrispondente non ha influenza sullo stato di uscita per quel particolare
valore dell'altro ingresso.
Cos la seconda riga indica che l'uscita commuta da Oa l, l'ingresso J deve essere a
l, mentre K pu assumere qualsiasi stato.
Verificare questa tabella di transizione facendo riferimento alla tabella di verit di
Figura 8.11.
I
Qn Qn+1 Jn Kn
O O O X
O 1 1 X
1 O X 1
1 1 X O
8.9 Verificare che la tabella di verit del FF-JK soddisfatta dall' equazione alla differenza
Qn + I = JnQn + KnQn'
-
8.10 a) Dimostrare che il FF-JK di Figura 7.7 presettato correttamente (Pr = O, Cr = l)
solo se K + Ck = l.
b) Dimostrare che il FF-JK di Figura 7.7 azzerato correttamente (Pr = l, Cr = O)
solo se] + Ck= l.
c) Verificare che la condizione Cr = Pr = Ck = O porta il FLIP-FLOP a uno stato
indeterminato.
d) Dimostrare che la condizione Cr = Pr = l abilita il FLIP-FLOP.
-
8.11 a) Verificare che non vi alcuna condizione di corsa critica nel circuito JK di
Figura 8.12 tranne che per la condizione J = K = l.
b) Spiegare perch se si fa in modo che sia tp < M < T non vi alcuna condizione
di corsa critica (neanche per J = K = l).
-
8.12 a) Nel FF-JK master-slave di Figura 8.13 si assuma Q = O,Q = l, Ck = l, J = Oe
K arbitrario. Qual il valore di QM?
b) Se J commuta a l, quanto varr QM?
c) Se J torna a O, che valore assumer Q!vI?Si noti che QMnon torna al suo valore
iniziale. Perci J (e K) non devono variare durante l'impulso.
Soluzione
a)
Ck
QM
K
Q
102 Capitolo 8
Essendo Q = O, dalle condizioni di corretto funzionamento del FLIP-FLOP deduciamo che

durante l'intervallo precedente in cui Ck = Odoveva essere QM= O.Quindi nell'istante in cui
Ck saliva a 1 si aveva QM= O.Essendo QM= O,all'uscita di N4 si deve avere QM= 1. Poich
J = O, all 'uscita di Nl sar pure X = 1. Poich poi QM= 1, l'uscita di N3 si conferma essere
QM= O.Si ha cos QM= Oe QAL=1 e tale stato stabile.
b) Sia ora J = 1; dal fatto che Q = Ck = 1, discende X = O.Questo sufficiente a far com-
mutare l'uscita di N3, per cui si avr QM= l. Siccome Q = O, anche Y= 1 e perci all'uscita
di N4 si avr QM = Oe il circuito rimane stabile. Cos ora si ha QM= 1 e QM= O.
c) Se ora si pone J = O,si ha nuovamente X = 1, mentre rimane Y= 1 come al punto b). Ma
essendo dal punto b) QM = O si ha che all 'uscita di N3 QM = 1 e a quella di N4 viene
confermato QM= O.Si ha cio lo stesso stato trovato al punto b).
8.13 Le forme d'onda indicate per J, K, e Ck sono applicate a un FF-JK. Disegnare la forma
d'onda di uscita per Q e Q, in riferimento agli impulsi di c1ock. (Nota: si assuma che
l'uscita Q = Oquando arriva il primo impulso di clock e che Pr = Cr = 1).
Ck
J
-
8.14 a) Verificare che un FF-SR si trasforma in un FF-T se si collega S a Q ed R a Q.
b) Verificare che un FF-Ddiventa un FF-T se si collega D a Q.
Soluzione
a)
S Q
Ck Ck
R Q
Si consideri Ja
r tabella di verit del FF-SR in Figura 8.1Ob. Poich S e R possono assumere
i
i
Ll
solamentevalori complementari, in quanto collegati rispettivamente a Q e Q, hanno signifi-

catosolo le righe 2 e 3 della tabella. Se Rn = l si avr Qn+ I = O,mentre se Rn = Oallora
Qn+ I = l. Ma dal fatto che R = Q discende in entrambi i casi Qn + I = Qn' che il comporta-
mento di un FF -T.
b) Un FF-D si comporta secondo l'equazione Qn + 1= Dn. Se Dn = Qn' allora Qn + 1= Qn
(FF-1).
8.15 data la tabella di verit di un FF-AB. Mostrare come costruire questo FLIP-FLOP
facendo uso di FF-JK e della logica addizionale necessaria.
An B" Qn+1
-
O O Qn
l O Q"
O l l
l l O
8.16 mostrato un registro modulare a 4 bit a codifica di priorit

a) Si ponga Po = O, Do = DI = D3 = Oe D2 = l. Si verifichi che Y2= l e che tutte
le altre uscite sono nulle.
b) Si ponga Po = O,D(!= DI = Oe D2 = D3 = l. Si verifichi che solo Y2 = l.
c) Generalizzare i risultati precedenti per dimostrare che il Dn di ordine pi basso
tra quelli nello stato alto (l) trasferito in uscita cos da rendere il corrispon-
dente Yn alto.
d) Assemblare in cascata due di tali moduli. Si ponga Po = Oper il chip di ordine
inferiore. Si colleghi Po del chip di ordine superiore al complemento dell'uscita
Po DJ D2 DI Do
r r r r
QJ QJ Q2 Q2 QI Q. Qo Qo
r r r r
Yo
104 Capitolo 8
PI del chip di ordine inferiore. Dimostrare che questo sistema funziona come un
registro a codifica di priorit a 8 bit.
-
8.17 Per il registro a scorrimento di Figura 8.17 verificare le modalit operative indicate in
Tabella 8.4 per a) la seconda riga, b) la terza riga, c) la quarta riga.
Soluzione
a) So =SI = l: Si noti immediatamente che le porte AND per gli ingressi seriali di scorri-
mento a destra (e a sinistra) sono inibite, mentre quelle relative agli ingressi paralleli A, B,
C e D sono abilitate. chiaro che della tripletta di porte AND che pilota ciascuna NOR (le
cui uscite coincidono con i terminali R), soltanto quella relativa agli ingressi paralleli
abilitata, come appare dalla Figura 8.17. Cos quando So = SI = l entrano nel registro i dati
degli ingressi paralleli.
b) So= l, SI = O: Si osservi ora che in ciascuna tripletta abilitata solamente la porta AND
di sinistra. Quindi i dati entrano dall 'ingresso seriale per scorrimento a destra nel FLIP-FLOP
pi a sinistra.
Si osservi che l'uscita QAdi quest'ultimo inviata (attraverso la porta AND di sinistra della
seconda tripletta) alla porta NOR che, complementata, la invia al terminale R del secondo
FLIP-FLOP. Questo equivale a porre S = QA.
La stessa cosa avviene per i rimanenti FLIP-FLOP. Questa configurazione assolutamente
equivalente a quella presentata nel testo in Figura 8.16. Questo conferma che si ottenuto
uno scorrimento seriale verso destra.
c) Le argomentazioni relative a questo punto sono del tutto simili a quelle presentate in b),
essendo i due casi immagini speculari l'uno dell'altro.
-
8.18 Si aggiunga al registro a scorrimento di Figura 8.16 un NOR a 4 ingressi la cui uscita
sia collegata al terminale di ingresso seriale. Gli ingressi della porta NOR sono Q4'
Q3' Q2 e Q,.
a) Verificare che, indipendentemente dallo stato iniziale di ciascun FLIP-FLOP,
quando il sistema viene alimentato il registro funziona correttamente come
contatore ad anello dopo P periodi di clock, con P::5;4.
b) Tracciare le forme d'onda di Qo per i primi 16 impulsi di clock, assumendo che
inizialmente Q4 = O,Q3 = l, Q2 = l, QI = Oe Qo= l.
c) Ripetere il punto b) per Q4 = l, Q3 = l, Q2 = O, QI = l e Qo = o.
8.19 a) Tracciare le forme d'onda del contatore di Johnson; indicare in particolare le

forme d'onda di Q4' Q3' Q2 e Q, per almeno 12 impulsi, assumendo che inizial-
mente Q4 = Q3 = Q2 = Q, = Qo= o.
b) Scrivere la tabella di verit dopo ciascun impulso.
c) Esaminando la tabella, mostrare che per la decodifica pu essere usata una porta
AND a due ingressi. Per esempio, il primo impulso decodificato da Q4Q3.
Spiegare perch.
'\
Soluzione
a)
I
I
11
o
,,
:, l
,
o I
I
I
:, I I
I
, I
, I
Q2 ....Q , I
I
, I
, I
:
I
I ,
,
, ,
I ,
Ql ....Q ,
, ,
, I
, I
,, I
I
I
Qo o I
Impulso 23456 7 8 9 lO II 12
b) e (c)
So Ro SI R, S2 R2 S3 R3 S4 R4 Qo QI Q2 Q3 Q4 Decodificato
da
Prima dell'impulso l O l O l O l O l l O O O O O O
Dopo l'impulso l O l O l O l l O l O O O O O l Q4Q3
Dopo l'impulso 2 O l O l l O l O l O O O O l l Q3Q2
Dopo l'impulso 3 O l l O l O l O l O O O l l l Q2QI
Dopo l'impulso 4 l O l O l O l O l O O l l l l QIQO
Dopo l'impulso 5 l O l O l O l O O l l l l l l QOQ4
Dopo l'impulso 6 l O l O l O O l O l l l l l O 4Q3
Dopo l'impulso 7 l O l O O l O l O l l l l O O fbQ2
Dopo l'impulso 8 l O O l O l O l O l l l O O O Q2QI
Dopo l'impulso 9 O l O l O l O l O l l O O O O IO
Dopo l'impulso lO O l O l O l O l l O O O O O O QOQ4
e Q4 al ciclo seguente torna a I e cos via.
8.20 a) Per il contatore ad anello modificato mostrato in figura, si assuma che inizial-
mente Q2 = l, Q! = Oe Qo= o. Disegnare una tabella con i valori che assumono
Qo, Q!, Q2' J2 e K2 dopo ogni impulso. Quanti impulsi sono necessari prima che
il sistema inizi a funzionare come un divisore per N? Quanto vale N?
b) Ripetere il quesito a) per i valori iniziali Qo = O, QI = l e Q2 = o.
106 Capitolo 8
J2 Q2 -- JI QI Jo Qo
Ck Ck
K2 Q2 --C KI
Ck QI Ko Qo
Clock
a) [0,5] b) [1,5]
8.21 Si desidera realizzare un contatore a ondulazione 25: I.

a) Quanti FLlP-FLOP sono necessari?
b) Se su un singolo chip sono disponibili 4 FLlP-FLOP, quanti chip occorrono?
Come devono essere interconnessi?
c) Indicare i percorsi di reazione verso ciascun terminale di cIear.
a) [5] b) [2]
8.22 a) Mostrare lo schema a blocchi di un contatore a ondulazione divisore per 20.

Inserire un latch nell'ingresso di clear.
b) Quali sono gli ingressi della NAND di reazione per un contatore a ondulazione
125: l?
-
8.23 Si consideri il funzionamento dellatch di Figura 8.21. Valutare e raccogliere in una
tabella i valori dei segnali Ck, Q\, Q3' PI' Ck e P2 = Cr per le seguenti condizioni:
a) Immediatamente dopo il decimo impulso.
b) Dopo il decimo impulso e assumendo che QI si azzeri prima di Q3.
c) Durante l'undicesimo impulso.
d) Dopo l'undicesimo impulso.
Questa tabella dovrebbe dimostrare che

a) Il decimo impulso attiva illatch per azzerare il contatore.
b) IIlatch resta attivo finch tutti i FLlP-FLOP sono azzerati.
c) Il fronte in salita dell'undicesimo impulso azzera illatch in modo che Cr = l.
d) Il fronte in discesa dell 'undicesimo impulso inizia un nuovo ciclo di conteggio.
8.24 Disegnare lo schema a blocchi di un sistema contatore che possa essere usato per
generare segnali con periodo da un decimo di secondo a un ora, con incrementi di un
decimo di secondo.
disponibile un segnale di clock con frequenza di 1.8 MHz.
Soluzione
Il contatore che pu essere usato a questo scopo un semplice orologio digitale. Un segnale
con periodo di 0.1 s corrisponde a una frequenza di 10Hz. Quindi possibile dividere per
60 il clock assegnato per ottenere una frequenza di 1800/60 = 30 kHz e ancora per 60, per
ottenereuna frequenza di 500 Hz. La divisione per 50 (ovvero per 25 e poi per 2) d il segnale
richiesto con periodo di 0.1 s; ulteriori divisioni per lO, 60 e ancora 60 danno i segnali per i
secondi, i minuti e le ore. La figura seguente mostra lo schema a blocchi di tale sistema.
1.8MHz 0.1 s
+60 +60 +25 +2
(lO Hz)
Ore +60 +<50 +10
Minuti Secondi
8.25 a) Disegnare lo schema a blocchi di un contatore asincrono che divida la frequenza

per Il. Indicare come sono collegati J, K, Q e Q di ciascun FLIP-FLOP e gli
ingressi alla porta di reazione per l'ingresso di azzeramento (si pu omettere il
latch). Gli ingressi di preset sono collegati a l.
b) C' un secondo modo per realizzare un divisore per Il asincrono. Gli ingressi
di clear sono ora mantenuti a l e la porta di reazione pilota l'ingresso di preset.
Disegnare lo schema a blocchi di questo divisore programmabile. Indicare con
attenzione tutti i collegamenti.
8.26 a) Per lo schema logico del contatore decimale mostrato scrivere la tabella di verit
di Qo, Q\, Q2 e Q3 (iniziando da 0000) dopo ciascun impulso. Se non mostrato
alcun collegamento all'ingresso J, K, allora questi terminali si intendono alti (1).
Verificare che questo sistema si comporta come un divisore 10: 1.
b) Come possibile usare questo sistema per ottenere un divisore 5: l?
Qo QI Q2 Q3
Jo Q21- h Q3
Clocko--- Ck FO Ck F1 Ck FF2 Ck FF3
Ko Q"
Qo1-F' KI Q,
Q, 1- l,
K2 Q2 I r- K3 Q3
108 Capitolo 8
Soluzione
a)
Q3 Q2 Q( Qo
Prima dell'impulso l O O O O
Dopo l'impulso l O O O l
Dopo l'impulso 2 O O l O
Dopo l'impulso 3 O O l l
Dopo l'impulso 4 O l O O
Dopo l'impulso 5 O l O l
Dopo l'impulso 6 O l l O
Dopo l'impulso 7 O l l l
Dopo l'impulso 8 l O O O
Dopo l'impulso 9 l O O l
Dopo l'impulso lO O O O O
Si noti che quando viene applicato il decimo impulso, FF l viene disabilitato, in quanto
J( = Q3 = o. Il sistema si dimostra cos un contatore IO:1.
b) Per ottenere un contatore 5: l sufficiente applicare all'ingresso Ck di FFI il segnale di
clock esterno al posto dell'uscita Qo di FFO.
8.27 Modificare nel modo seguente lo schema logico del Problema 8.26. Togliere il clock
dall 'ingresso di FFO e applicare l'uscita Q3 a questo ingresso. Non cambiare alcuna
altra connessione. Scrivere la tabella di verit per Qo, Q], Q2 e Q3 (iniziando dallo
stato 0000) dopo ogni impulso di clock. Verificare che questo sistema un divisore
per lO. Questo circuito detto contatore biquinario perch presenta per Qo una for-
ma d'onda simmetrica. La tabella di verit ottenuta dovrebbe dimostrare quanto affer-
mato.
8.28 a) Per lo schema a blocchi mostrato, scrivere la tabella di verit per Qo, Ql' Q2 e
Q3 (iniziando dallo stato 0000) dopo ogni impulso di clock. Verificare che
questo un contatore 12: 1.
b) Come possibile usare questo sistema per ottenere un divisore di frequenza 6: l?
I Qo QI Q2 I Q3
Il
I
h ili h ili
Ko Fro1t=m--LFF2mJ
Qo KI = I QI I K2 =I Q2 -, K3 Q3
Soluzione
a)
Q3 Q2 QI Qo
Prima dell'impulso l O O O O
Dopo l'impulso l O O O l
Dopo l'impulso 2 O O l O
Dopo l'impulso 3 O O l l
Dopo l'impulso 4 O l O O
Dopo l'impulso 5 O l O l
Dopo l'impulso 6 l O O O
Dopo l'impulso 7 l O O l
Dopo l'impulso 8 l O l O
Dopo l'impulso 9 l O l l
Dopo l'impulso lO l l O O
Dopo l'impulso Il l l O l
Dopo l'impulso 12 O O O O
Si ha cos un contatore 12:l.

b) Per ottenere un contatore 6: l sufficiente applicare all'ingresso Ck di FFI il segnale di
clock esterno al posto dell 'uscita Qo di FFO.
-
8.29 a) Il circuito mostrato un divisore di frequenza asincrono programmabile. Inizial-
mente Ck = Oe il contatore azzerato ponendo temporaneamente Cr = O. Quindi
si suppone J = K = Cr = l e che tra Pie p 2 sia presente illatch di Figura 8.21 b.
Se Pro = Prl = O e Pr2 = Pr3 = 1 e se si applica un impulso da una sorgente
esterna (non mostrata) all'ingresso di abilitazione al preset, che valore caricato
in ciascun FLIP-FLOP? Spiegare accuratamente il funzionamento del sistema.
b) Perch necessario l'uso dellatch?
c) Generalizzare come segue il risultato ottenuto in a). Il contatore ha Il stadi e deve
dividere per N, dove 2n > N> 2n - I. A quale valore devono essere programmati
gli ingressi di preset?
I,.i . Pr, Pr2 Pr3
Abilitazione
di Preser-- al Preset
r1 rf r1 l
O O O O
Pr Pr Pr Pi
J Q3- P2
Clocko--- Ck QOLJ FFIQ'LJ Ck Q2LJ
FF2 Ck FF3
FFO Ck
K K K K p.
Cr Cr Cr Cr
l Q'l Q2l
Q3L
110 Capitolo 8
Soluzione
a) Inizialmente si ha Qo = Q] = O e Qz = Q3 = 1, quindi il contatore precaricato con il

valore 12. Dopo 4 impulsi il conteggio a 16 e perci tutti i Q sono O.Contemporaneamente
tutti i Q sono 1 e vale 1 anche l'abilitazione al presct. Quindi le porte NAND di preset
programmate a l sono attive. In questa situazione FF2 e FF3 sperimentano Pr = Oe cos il
valore 12 caricato nuovamente nel contatore prima dell'impulso successivo. Il ciclo si ripete
e pertanto si ha un contatore 4: 1.
b) Se un FLIP-FLOP presenta un ritardo di propagazione del preset molto minore di quello
degli altri, cambier rapidamente il suo stato, la porta AND andr a Oe fermer l'operazione
di preset. Per evitare ci necessario un latch che mantenga abilitato il preset sino al
successivo fronte in salita del clock, assicurando che tutti i FLIP-FLOP assumano il valore
programmato dopo il conteggio di N.
c) Basta programmare Pro, Pr" Prz e Pr3 in modo che rappresentino il complemento a 2 di
N, ovvero 2" - N.
8.30 Disegnare lo schema logico di un contatore sincrono up-down a 5 bit con riporto seriale.
8.31 Verificare che il sistema mostrato un contatore sincrono 3: l. Iniziando con Qo = Oe

QI = O, mostrare lo stato di Qo e Q, dopo ciascun impulso di clock.
Qo
8.32 Per il contatore sincrono di cui mostrato lo schema logico, scrivere la tabella di verit
di Qo, Q, e Qz e verificare che si tratta di un contatore modulo 5.
Qo QI Q2
J QJ- J Q
Ck
K
FFO-
Qrt=J
Q K
Ck
FFI
Q n= Ck
K
FF2
Q
Pu'ses o
8.33 Si consideri un contatore sincrono a due stadi (entrambi gli stadi ricevono impulsi
clall'ingresso Ck). In ciascun contatore K = l. Dati Jo = Q, e J( = Qo, disegnare il
circuito. Dalla tabella di verit di Qo e Q, dopo ciascun impulso, dedurre che si tratta
di un contatore modulo 3.
-
8.34 Prendendo spunto dalla Figura 8.19, disegnare le forme d'onda presenti in un conta-
tore modulo 6 e dedurne i collegamenti necessari per realizzare un contatore sincrono.
Disegnarne lo schema a blocchi.
8.35 Risolvere il Problema 8.34 per un divisore 5: l.
8.36 Si abbia a disposizione un oscillatore al quarzo che genera impulsi di c10ck alla fre-
quenza di 131.0 kHz. Realizzare un sistema che abbia in ingresso questi impulsi, la
cui uscita piloti un diodo LED in modo che lampeggi approssimativamente una volta
al secondo. Quanti secondi perde il sistema nel periodo di un'ora? (Suggerimento:
217= 131 072).
[1.98 s]
9
Sistemi a larghissima scala
di integrazione
-
9.1 a) Modificare l'inverter dinamico MOS di Figura 9.1 del testo aggiungendo un
altro MOS Q4 in serie a Ql. Indicare con V4 (VI) l'ingresso di Q4 (Ql).
Verificare che questo circuito esegue la funzione di una porta NAND dinamica.
I livelli di ingresso di VI e V4sono O e lO V.
b) Mostrare che questo circuito dissipa una potenza minore della corrispondente
porta NAND NMOS statica di Figura 6.29a.
Soluzione
a) Se uno dei due ingressi VI o V4 a OV (Ologico), o se lo sono entrambi, almeno uno dei
due transistori Ql e Q4 interdetto. Quindi, quando <1>
= lO V, Q2 e Q3 conducono e C si
carica a lO V. Si ha cos Va= lO V (l logico).
Se entrambi gli ingressi VI e V4sono a lO V, i relativi transistori sono contemporaneamente

in conduzione. Cos, quando <1>= lO V tutti e quattro i MOS conducono e C si scarica
attraverso Ql e Q4 in serie. Ne consegue che Va = OV (O logico). I precedenti ragionamenti
114 Capitolo 9
sono riassunti nella tabella seguente, da cui si verifica che il comportamento del circuito
quello di una NAND.
VI V2 Va
O l l
l O l
O O l
l l O
b) Durante l'intervallo in cui = OV, l'alimentazione non collegata al circuito e pertanto
non viene dissipata potenza anche nel caso VI = V4= lO V. Pertanto questo circuito dissipa
una potenza minore di quello di Figura 6.29a.
-
9.2 Modificare il circuito di Figura 9.1 del testo aggiungendo un altro FET Q4 in parallelo
a Ql. Ripetere il Problema 9.1 (sostituendo nel testo la parola NAND con NOR e
sostituendo la Figura 6.29a del testo con la Figura 6.28a del testo.
-
9.3 a) Si consideri lo stadio di registro a scorrimento di Figura 9.2 del testo con carichi
non dinamici; cio i gate di Q2 e Q5 siano mantenuti a VDDinvece di essere
eccitati dalla forma d'onda del clock. Spiegare il funzionamento del circuito.
b) Mostrare che questa cella dissipa una potenza maggiore di quella con il carico
dinamico collegato al clock di Figura 9.2 del testo.
-
9.4 a) dato un registro a scorrimento dinamico NMOS. Le forme d'onda a due fasi

I e <1>2sono mostrate in Figura 9.2b del testo. Spiegare dettagliatamente il
funzionamento di questo circuito. Si assuma CI C2.
b) Gli inverter sono a rapporto o non a rapporto? Spiegare.
<1>1 VDD <>2 VDD
1.QS.ov.
C3
! ! I
1
-
a) Si assuma che inizialmente tutti i condensatori siano scarichi e che Vi = O.Fino

all'istante t = tl- si ha <1>1
= <1>2
= O e pertanto tutti i transistori sono interdetti e
i condensatori rimangono scarichi. Per ti < t < 12' si ha <1>,= = o.
VDD e <1>2
Pertanto QO entra in conduzione e CI si carica a VDD(con una inversione
= O,allora Q3 c Q5 sono interdetti e C2e C3restano
attraverso QI). Poich <1>2
Sistemi a larghissima scala di integrazione 115
scarichi. Tra t2 e t3 le tensioni dei condensatori restano immutate perch

<1>1=<1>2=0.
Per t3 < t < t4' si ha <1>1= Oe <1>2 = VDD'cosicch Corimane a OVeCI a VDD.
Ma ora Q3 in conduzione e C2 posto in parallelo a CI, La tensione Vai capi
del parallelo data dall'Equazione (9.1) e se CI C2, allora questa tensione
vale approssimativamente V = VDD'Pertanto Q4 e Q5 conducono e la tensione
di C3 vale O V. Si ha infine Va= Vi = O e alla fine del ciclo si ha avuto lo
scorrimento dell'ingresso verso l'uscita.
Si assuma ora che Vi = VDD.Per tI < t < t2' <1>1 = VDDe <1>2 = O. Pertanto QO
conduce e Co si carica a Vi = VDD.Ql conduce, Q2 conduce e CI vale perci OV
(con un'inversione dovuta a Ql). Come discusso precedentemente, i condensa-
tori C2 e C3 mantengono la loro tensione sino a t3-'
Per t3 < t < t4 si ha <1>1= O e <1>2= VDD'cos che Co rimane a VDDe CI a OV. Ma
ora Q3 conduce e C2 si viene a trovare in parallelo a CI, assumendone la tensione
di OV. Essendo Q4 interdetto e Q5 in conduzione, la tensione Vasale a VDD.In
conclusione, in un ciclo si ha avuto lo scorrimento di Vi = VDDverso l'uscita
Va= VDD.
b) Gli inverter sono a rapporto. Per esempio, q anc1osia Q4 che Q5 conducono,
l'uscita Va(sinora consideratra a OV) in realt uguale a VDDvolte la resistenza
di conduzione di Q4 rapportata a quella di Q4 lr. &eriea Q5.
-
9.5 Verificare l'Equazione (9.1). (Suggerimento: quand;) la porta di trasmissione Q3 si
chiude, la stessa carica che lascia Cl deve essere sonEOi1<tta
a C2).
+
t=t 3
t.Q la carica che lascia CI per andare verso C2. Pertanto la caduta di tensione ai capi
di CI vale t.Q/CI e quella ai capi di C2 t.Q/C2, quindi
t.Q t.Q
V= VI--= V2+-
CI C2
l l C1C2
t.Q = Cl + C2 = VI - V2 da cui t.Q = CI + C2 (VI - V2)
( )
C2 CI VI + C2V2
e V = VI - (VI - V2)=
CI + C2 CI + C2
9.6 a) Si consideri l'invertitore a due fasi NMOS mostrato che usa le forme d'onda di
-
clock di Figura 9.5b del testo. Spiegare il funzionamento del circuito conside-
116 Capitolo 9
rando prima l'intervallo t)-t2' poi t2-t3 e cos via.

b) Spiegare se l'invertitore cos realizzato sia o non sia a rapporto.
c) Usare due di tali inverti tori e due porte bidirezionali per disegnare lo stadio di
un registro a scorrimento. (Suggerimento: scambiare <1>1 e <1>2nel secondo inver-
titore e leggere l'uscita durante l)'
d) Spiegare il funzionamento di questa cella di registro a scorrimento.
Soluzione
a) Nell'intervallo t)-t2 si ha <1= VDD(I logico) e <1>2= OV (Ologico). Perci Q2 inter-

detto e QI conduce, caricando C a VDD.
= <1>2=
Tra t2 e t3 si ha <1>1 O,cos QI e Q2 sono interdetti e C si mantiene alla tensione VDD.
= Oe <1>2
Tra t3 e t4 si ha <1>1 = VDD,cos QI interdetto e Q2 conduce. Se Vi= O,allora Q3
interdetto e la corrente in Q2 nulla e C3non si pu scaricare, da cui Vo= VDD'D'altra parte,
se Vi = VDDallora Q3 conduce e C si scarica a massa attraverso Q2 in serie a Q3, portando a
Vo= O.Poich da Vi= Osi ha Vo= VDDe da Vi= VDDsi ha Vo= O, il circuito si comporta da
invertitore. Tra t4 e t5 sia QI che Q2 sono interdetti e perci l'operazione di inversione
avviene in un periodo di clock.
b) Poich il valore dell 'uscita non dipende dal rapporto tra le resistenze dei MOSFET, si
tratta di un invertitore non a rapporto.
c)
-
Sistemi
a larghissima scala di integrazione 117
d) Tra t( e t2' QO, Ql e Q6 sono in conduzione. Pertanto Vi si ritrova ai capi di Co e

all'ingresso di Q3. Poich Q4 interdetto, i due invertitori sono isolati.
Il condensatore C( viene precaricato a VDD.Come spiegato al punto a), durante l'intervallo
(3-t4' con <1>2= VDD'ha luogo un'inversione e C( viene caricato con il complementare di Vi.
Poich quando <1>2= VDDanche Q4 conduce, allora per CI C2 la tensione su Cl si trasfe-
= VDD,
risce quasi completamente a C2 [Equazione (9.1)]. Inoltre durante il tempo in cui <1>2
Q5 in conduzione e precarica C3 a VDD.
Tra t4 e t5 non cambia nessuna delle tensioni ai capi delle capacit, perch <1>(= <1>2 = Oe
perci non pu scorrere alcuna corrente.
Alla fine, per t = t5+, quando si ha ( = VDDe <1>2
= O, la tensione su C2 trasmessa, invertita,
aVo.
Il risultato finale che il valore assunto dall'ingresso Vi durante l'impulso di I viene
trasferito nel periodo seguente all'uscita Vo.
9.7 Si consideri la cella di registro a scorrimento a quattro fasi NMOS mostrata. Si noti
che le quattro fasi del clock non sono sovrapposte, cio se una fase alta le altre tre
sono basse.
Spiegare il funzionamento e verificare che Voeguaglia il valore di Vi del ciclo prece-
dente.
Vnn </>.</>3 Vnn
J .J Q4
Vo VDD
Q5 I
</>, n o n I
</>21
C, I I :;;':::C2 </>3
</>.
J D
9.8 In qualche caso il circuito mostrato definito porta NAND "push-pull" NMOS ed
usato per migliorare il prodotto ritardo-potenza di una porta NMOS convenzionale.
a) Verificare che la porta esegue la funzione NOR.
b) Confrontare le tensioni VGS3e VGS4con VGSdel transistore di carico durante una
transizione di ingresso da V(O) a V(1).
c) Come questi livello hanno influsso sulla carica e la scarica di CL durante una
commutazione?
118 Capitolo 9
+VDD
A o i
9.9 a) Per il circuito mostrato, qual la relazione logica tra Vine Val?
b) Che variazione nel livello di ingresso necessario per causare la commutazione
da V(O)a V(l)?
c) Ripetere il punto b) per la transizione da V(1) a V(O).
d) I risultati ottenuti in b) e c) possono essere uti lizzti per migliorare il prodotto
ritardo-potenza?
+VDD
-
9.10 Una ram da 1024 bit formata da 128 parole di 8 bit ciascuna. se si usa la selezione
lineare, mostrare uno schema a blocchi dell'organizzazione del sistema. Nota: si usi
un rettangolo per rappresentare una cella scrittura-lettura di un bit di Figura 9.8 del
testo con tre terminali: X per l'address input, W per write input e R per read output.
9.11 a) Quante porte NAND e quanti ingressi ciascuno ci sono in un decoder (o nei
decoder) di una RAM 4096 x l, se si usa la selezione lineare?
b) Ripetere il punto a) assumendo che si usi la selezione a due dimensioni e usando
una matrice di memoria quadrata.
c) Ripetere il punto a) assumendo che si usi l'indirizzamento bidimensionale per
produrre una matrice di memoria 256 x 16.
l,
Soluzione
a) Per indirizzare 4096 parole occorre un decodificatore a 12 bit, con 4096 uscite. Quindi
ci sono 4096 porte NAND e ciascuna porta ha 12 ingressi.
b) La dimensione della matrice quadrata contenente 4096 parole 64 x 64. Quindi ciascuno
dei due decodificatori ha 6 ingressi e 64 uscite. Il numero totale di porte AND quindi
64 + 64 = 128, e ciascuna ha 6 ingressi. Si noti il grande risparmio di porte rispetto all'indi-
rizzamento lineare.
c) Per le 256 linee occorrono 256 porte, ciascuna con 8 ingressi; per le 16 linee occorrono
16 porte, ciascuna con 4 ingressi. Il numero totale di porte 272. Pertanto l'organizzazione
proposta al punto b) la migliore.
9.12 Nella figura il chip (O)contiene le parole da Oa 1023, il chip (1) quelle da 1024 a 2047
e cos via. Che parola decodificata dall'indirizzo
a) All' ..., Ao = 011100101011?
b) 111000010110?
c) Che indirizzo occorre applicare per ottenere la parola 2600?
Soluzione
I
(O) (I) (2) (3)
Ao
.. 1024x 1 I024x I 1024x I 1024x 1 RAM
.
A9 cs
cs cs cs
A J 00 01 IO 11
DecodHicatorc
da2a
4 lince
a) I dieci bit meno significativi dell'indirizzo danno la parola e gli altri due individuano il
chip. Cos l'indirizzo 011100 l OIOIl corrisponde alla parola 1100 l OlO Il = 512 + 256 + 32
+ 8 + 2 + 1 = 811 del chip 01 = l. Quindi la parola decodificata l x 1024 + 811 = 1835.
b) Allo stesso modo, l'indirizzo 1110000 IOIl Ocorrisponde alla parola 10000 l OIl O= 512
+ 16 + 4 + 2 = 534 del chip Il = 3. Quindi la parola decodificata 3 x 1024 + 534 = 3606.
c) Poich 2600 = 2 x 1024 + 552, occorre decodificare la parola 552 sul chip 2. Si ottiene
cos AlI = l e AIO = O. La rimanente parte dell'indirizzo si ottiene dalla codifica binaria di
120 Capitolo 9
552 = 512 + 32 + 8 = 29 + 25 + 23 ovvero A9 = A5 = A3 = L Se ne deduce che la parola deco-

dificata lOl 000 l O1000.
9.13 Disegnare lo schema a blocchi di un sistema RAM 4096 x 16 realizzato con memorie
da 1024 x L
9.14 Disegnare lo schema a blocchi di un sistema in lettura e scrittura da 128K x 4 bit

realizzato con memorie da 16K x 1 bit.
-
9.15 Si consideri la struttura CCD di Figura 9.23a funzionante con le forme d'onda a due
fasi di Figura 9.27. Tutti gli elettrodi di posto dispari sono collegati a <P1e quelli di
posto pari a <P2.Disegnare i profili di potenziale come in Figura 9.23 e dimostrare che
questo sistema non ha un comportamento soddisfacente perch la direzione del trasfe-
rimento di carica non determinata.
Soluzione
ti
<1>2=0
<1>1=V
lJLJ
o
--u-LJ
t2 o
<1> t = <1>2= vn --------------------_.
All'istante tI le buche sono ben formate sotto gli elettrodi pari. Si noti che tI e t2 sono gli
istanti mostrati in Figura 9.27 del testo, mentre tI' a met strada tra tI e t2. Assumiamo che
inizialmente una certa carica sia immagazziantata sotto 2. Mentre il tempo passa, il poten-
ziale <PI aumenta e <P2decresce cosicch l'energia della buca di potenziale decresce. Per t = t2
non c' pi alcuna buca e pertanto la carica non pi intrappolata ma pu diffondere ovunque
nel canale. Per t = t3le buche si formano di nuovo sotto gli elettrodi dispari, come nella figura
seguente
o
'3
<1>.=3/4 V
q'z=V/4
Tuttavia a questo punto non pi possibile determinare dove sia finita la carica iniziale, che
si trover distribuita nelle buche sotto E\, E3 e sotto tutti gli altri elettrodi dispari.
9.16 Si consideri un CCD a due fasi. La lunghezza effettiva di ogni elettrodo 8 mm e la
sua larghezza 8 ~m. La distanza tra righe di elettrodi pure di 8 ~m.
a) Calcolare l'area in mm2 occupata da una cella di memoria.
b) La Mnemonics Inc. ha realizzato una memoria da 64 kb (65,536 bit) usando la
cella descritta in a). Le dimensioni del chip sono di 218 x 235 (25.4 x 10-3)2
mm2. Quale frazione del chip occupata dalla circuiteria ausiliaria (ingressi,
uscita, clock, ecc.)?
-
9.17 Mostrare l'organizzazione della RAM in Figur::..9.10 del testo, data la cella usata come
mostrato in Figura 9.20 del testo.
-
9.18 Si consideri la struttura CCD a due fasi di Figura 9.26a del testo eccitata dagli impulsi
positivi di clock mostrati. Si assuma che V2= Ve VI = V/2. Disegnare i profili di
energia potenziale sotto i primi quattro elettrodi per i cinque istanti ti' ..., /5 indicati.
Iniziare con la carica sotto E\ nell'istante t = ti e dimostrare che essa passata sotto
E2 nell' istante t = ts. Si usi carta a quadretti.
Soluzione Sco1Tmenlo Nessuno

I~I-' scorrimento I
"',=VI2 I I I II I I I
I I Ivi I I I I
I I I II I I I
"'2=VI2I I I II I I I
I I I II I I I
" '2 '3 '4'5 '6 '7 '8
Potenziale
'2 o
=
<1>1 VI2
<1>2=3/4 V
'3 o
.=VI2
<112=
V
'4 O
<II.=VI2
<112=3/4 V
'5 O
<II.=VI2
<112= VI2
122 Capitolo 9
-
9.19 Si consideri la struttura CCD a due fasi di Figura 9.26a del testo eccitata dagli impulsi
negativi di clock mostrati. Si assuma che V2= Ve VI = O.Disegnare i profili di energia
potenziale sotto i primi quattro elettrodi per i cinque istanti tI' ..., t5 indicati. Iniziare
con un bit memorizzato sotto EI nell'istante t = ti e dimostrare che l'informazione
-
passata nella buca di potenziale sotto E2 nell'istante t = t5' Si usi carta a quadretti.
9.20 a) Si consideri la struttura CCD a singola fase. Gli elettrodi dispari sono polarizzati
con una tensione costante V/2. Gli elettrodi pari sono eccitati da una forma
d'onda a impulsi positivi <1>2 mostrata in Figura 9.27 del testo VI = Oe V2= V.
Disegnare i profili di energia potemiale sotto i primi quattro elettrodi negli
istanti t2' t3 e t4' Iniziare con elettron:: sotto EI nell'istante t2 e mostrare che tale
carica memorizzata nella buca di potenziale sotto E2 per t = t4' Si usi carta a
quadretti.
b) Disegnare il profilo di energia potenziale per un istante t4' (in cui <1>2
= V/4), per
t5 o t6 (in cui <1>2
= O) e per t7 (in cui <1>2
= V/2). Dimostrare che l'informazione
stata trasferita da EI a E3 in un periodo di clock.
Soluzione
,=V/2
0-

----. .--<1>2
12
=
<1>, V/2 o
<1>2=3/4V
13 o
<1>1
=V/2
<1>2
= V/2
14
<1>1
= VI2
o
<1>2
= V/4
o
l'4
<1>1=VI2
<l>2=V/2
15.16
o
<1>1
= V/2
<1>2=V
17
o
<1>1
= VI2
<1>2
= VI2
L'intervallo t7-t2 = T il periodo di clock e la carica nella buca di potenziale sotto E) si

ritrova alla fine sotto E3'
9.21 Si considerino tre variabili logiche A, B, e C ai collettori di tre invertitori 12L.Collegare
assieme le tre uscite. Mostrare con argomenti di carattere fisico che nel nodo comune
si ha la variabile logiva Y = ABC. In altre parole, giustificare il comportamento wired-
AND per la logica a iniezione.
9.22 Date le quattro variabili esterne, A, B, C e D, disegnare uno schema di collegamenti

12Lper l'uscita AOI pari a Y=AB + CD.
9.23 I tre ingressi di un decodificatore sono A, B e C. Disegnare lo schema dei collegamenti

12Lper ottenere le otto uscite.
9.24 Si consideri il multiplexer con abilitazione 2 a l. Disegnare uno schema di collega-

mento 12Lper questo circuito.
9.25 Il riporto in un sommatore a l bit (full-adder) ha la forma C = AB + BC + CA. Dise-

gnare uno schema di collegamenti 12Lper C.
9.26 Disegnare lo schema dei collegamenti 12Lper un FF-JK sincrono.

lO
Circuiti e sistemi amplificatori
Nel corso del presente capitolo si far riferimento ai transistori indicati di seguito con le
corrispondenti caratteristiche.
Trallsistori
A B C D E
Tipo IIpll IIpll pllp pllp pllp

F 125 150 200 150 50
125 150 200 150 50
o
00 100 00 00 50
VA (V)
Si assumer inoltre che tutti i transistori abbiano rb = O e che lavorino alla temperatura di
-
25C, a meno che non venga diversamente specificato.
10.1 Lo specchio di corrente rappresentato in Figura 10.5a del testo realizzato con il
transistore A e fornisce una corrente di 0.5 mA con Vcc = lO V.
a) Determinare il valore di R.
b) Assumendo che tutti gli altri parametri restino costanti e che la VBE vari di
-2.2 mV/oC, determinare la massima escursione di temperatura compatibile con
una variazione percentuale di ICI inferiore all' 1%.
Soluzione
a) Risolvendo l'Equazione (10.8) rispetto a R e sostituendo i valori numerici si ha
R=~VCC-VBE= 125 1O-0.7_18.3kQ

PF+2 le 125+2 0.5
b) In base all'Equazione (10.8), IMcI pu essere espresa in funzione di I~VBElcome

126 Capitolo lO
Sostituendo i valori numerici si ha
0.005 = 125 ILlVB~

125+2 18.'1 e ILlVBEI= 93.0 mV
ILl71= ILlVB~/2.2= 93.02/2.2 = 46.2C
La massima escursione di temperatura risulta di :!:42.6C.
-
10.2 Per realizzare il circuito rappresentato in Figura 10.5a si impiega il transistore C, con
Vcc= 5 V edR= 5 kO.
a) Valutare ICI'
b) Determinare i valori minimo e massimo di I3F,tali da mantenere il valore di ICI
entro un intervallo dell' 1% intorno al valore nominale.
a) [ICI = 0.85 mA] b) [I3F,max

= 1145; I3F,min
= 91]
10.3 Lo specchio di corrente rappresentato in figura realizzato con il transistore D. Per

I CI = l mA e Vcc = 15V:
b) Determinare la variazione percentuale di ICI conseguente a una variazione della
temperatura di 50C, se la VBEvaria di -2.2 mV/oC e tutti gli altri parametri
restano inalterati.
+vcc
a) [R= 14.1 kO] b) [IMd = 0.192%]
10.4 I transistori rappresentati in figura sono identici. Quali sono i valori minimo e massimo
di lc ottenibili con 75 ::;;I3F::;;
175?
l.
Circuiti e sistemi amplificatori 127
+5 v
-
le
lO k!1
-5 V
[IC,min = 0.495 mA; IC,max= 0.462 mA]
10.5 Con riferimento al circuito di figura, realizzato con il transistore C:

a) determinare ICI e IC2;
b) determinare il valore di Rc tale che si abbia Vo = 6 V.
+11.2 V
21k!1
lC2-
Vo
2.8 k!1
+15V
10.6 Per realizzare il circuito di figura a lato si utilizza
il transistore B.
a) Assumere VA--+00 e determinare il valore di
Rc per il quale si ha Vo= O.
b) Utilizzando il valore di Rc determinato al
punto a), calcolare Vocon VA = 100 V. [Sug-
- lC2
15 k!1 Re
Vo
gerimento: la relazione lc = (Ics gVBEIV1)

(1 + VCEIVA)tiene conto della tensione di
Early].
a) [Rc = 7.81 kQ] b) [VO= -1.95 V] -15V

128 Capitolo lO
-
10.7 Lo specchio di corrente del Problema 10.1 viene modificato nel circuito di Figura 10.8
ed eroga una corrente ICI = 50 !lA. Determinare RE,
-
10.8 Per realizzare il circuito di Figura 10.8 si utilizza il transistore C e i valori dei para-
metri sono Vcc = 15 V, R = 30 kQ e RE = l kQ.
a) Determinare ICI'
b) Qual la variazione percentuale di ICI se Vcc aumenta di 0.3 V?
-
a) [lci = 0.0541 mA] b) [LVCI = 0.544%]
10.9 Nel circuito rappresentato in Figura 10.9 i transistori sono identici. Dimostrare che il
rapporto ICI/IC2 proporzionale a R2/RI.
Soluzione
Nell'ipotesi che sia f3F l, le correnti di base possono essere trascurate, quindi
VSEI + ICIRI = VSE2 + IC2R2
VSEI - VSE2 = IC2R2 - ICIRI
Di conseguenza
Nota: Se poniamo ICI = IC2' risulta RJ = R2; inoltre, dal momento che si assunto che le
correnti di base sono trascurabili, l R = l C2e in base alla II legge di Kirchhoff l C2= (Vcc -
0.7)/(R + R2).
-
10.10 Per il circuito di Figura 10.8, dimostrare che, se VBEcambia di I1VBE'il rapporto LVR/IR
inversamente proporzionale a [(VCdVBE)- l], assumendo che tutte le altre grandez-
ze restino costanti.
\
Soluzione
Se VBEcambia di f1VBE' si ha
Sostituendo IR = (Vcc- VBE)/Re ricavando MR/IR risulta
MR - -f1VB/VBE
IR - VCdVBE-: l
10.11 Per realizzare un generatore di corrente di Widlar si impiegano transistori del tipo D;
si dispone inoltre di una tensione d'alimentazione negativa di 9 V, e di una resistenza
R da 25 kQ. Determinare il valore di RE per il quale il generatore eroga una corrente
di 40 /lA. -
[RE = 1.31 kQ]
10.12 a) Ripetere il Problema 10.11 nel caso di una tensione d'alimentazione positiva di
9V.
b) Disegnare il circuito del generatore ottenuto.
-
Soluzione
In base alla I legge di Kirchhoff si ha
IR = IC3 + IB1.
Poich
VBE3 = VBE2' si ha che IC3 = IC2 e IB3 = IB2;

inoltre risulta
IIEII= ICI + IBI = IC2 + 2 IB2 = IC2(1 + 2/~F).

Quindi
130 Capitolo lO
ovvero
Poich
Ponendo lCJ. in Funzione di lCI>si ottiene
(1)
Poich I Cl ==lCJ. si pu assumere VBEI == VBE2 = VBE'Quindi in base alla II legge di Kirchhoff
si ha
(2)
Combinando le Equazione (l) e (2) e risolvendo rispetto a I CIsi ottiene l'Equazione (10.15).
-
Soluzione
Poich
VBEI = VBE2.e lCI = lCJ.= lc.

Applicando la I legge di Kirchhoff alle basi di Ql e Q2 risulta
IlE31 = lBl + lB2 = 2ldPF.
Quindi
lB3 = IlE311(I3F+ 1)
ovvero
lB3 = 2ldPA13F + 1)
Inolttre applicando la I legge di Kirchhoff al collettore di Q2 si ha
lR = lCJ. + lB3 = lc + 2 lc IPF(PF+ 1)

Riorganizzando opportunamente i termini si ottiene l'Equazione (10.16)
-
10.15 Il circuito di Figura 10.1Oa impiegato per ottenere una corrente di l mA utilizzando
una tensione d'alimentazione di 12 V e il transistore A.
b) Determinare la variazione percentuale di ICI conseguente a una variazione per-

centuale di (3F del 60%.
a) [R = 10.6 kD]
-
b) [McI = 0.07%]
10.16 Ripetere il Problema 10.15 per il circuito in Figura 10.lOb.
a) [R = 10.6 kQ] b) [McI = -0.08%]
-
10.17 I transistori impiegati nel circuito di Figura 10.11 sono identici, con VA~ 00.
a) Determinare l'espressione di ICI in funzione di (3F' VBE'R e Vcc.
b) Con Vcc = 15 V e (3F = 150, determinare il valore di R in modo che si abbia
ICI = 300 !lA.
c) Qual la massima variazione di temperatura ammissibile, se VBEcambia di
-2.2 mV/oC e tutti gli altri parametri restano invariati, in modo che si abbia
IMcd:::; 30 !lA?
~} Vcc- 2VBE
a) [lci (3}+ 4f3F+2 R ]
b) [R = 44.1 kD]
-
10.18 Nel circuito di Figura 10.12 si impiega il transistore C. Si ha inoltre Vcc= 11.2 V,
Rc= 1.2 kD, RE= 0.3 kQ, RI = 90 kD eR2 = IO kD.
a) Determinare il punto di lavoro.
b) Determinare i nuovi valori di l CQe VCEQse ~F viene diviso per 2.
a) [lc = 1.21 mA; IB = 6.06 !lA; VCE= 9.38 V]
b) [ICQ= 1.07 mA; VCEQ= 9.59 V]
-
10.19 Nel circuito di Figura 10.12 si impiega il transistore A e si ha inoltre Vcc= 15 V,
RI = 72 kD, R2 = 18 kD, RE= 1.4 kD eRc= 4 kD.
a) Determinare il punto di lavoro.
b) Ipotizzando che il valore di ~F raddoppi, determinare il nuovo punto di lavoro.
c) Commentare l'efficacia del circuito di polarizzazione impiegato.
a) [lc=1.51mA; IB= 12.1 !lA; VCE=6.83 V]
b) [lc= 1.57 mA; IB=6.29!lA; VCE=6.51 V]
10.20 Il circuito mostrato in figura (realizzato con il transistore C) progettato in modo che
si abbia Va= Oe VCEQ= 3 V.
a) Determinare i valori di Rc ed RE,
b) Utilizzando i valori ottenuti al punto a), determinare la variazione di Va se (3F
viene diviso per 2.
c) Utilizzando ancora i valori ottenuti al punto a), determinare la massima varia-
zione di Va conseguente a una variazione del 5% del valore di entrambe le
tensioni di alimentazione.
132 Capitolo lO
+6V
90 kf! Re
+
+
Vo
IO kf!
-6V
a) [Rc = 0.587 lill; RE = 0.274 lill] c) [Vo= -.4'?6 V]
10.21 Il circuito realizzato con il transistore B (con VA~ (0) in figura.

a) Determinare ICQe VCEQ.
b) Qual il valore della resistenza da inserire tra base e massa, affinch si abbia
VCEQ= 6.7 V?
c) Se il valore di ~F cambia di :t100, entro quale intervallo varia il valore di VCEQ
nel circuito modificato secondo quanto trovato al punto b)?
+12v
I.5kf!
60 kf!
a) [ICQ = 5.92 mA; VCEQ= 3.13 V] b) [R = 9.08 k!1]

c) [VcE=8.40 per ~F=50; VCE=6.36 per ~F=250]
-
10.22 Il circuito in Figura 10.12 alimentato alla tensione di 28 V ed progettato per operare
4a OCa 100C.Il transistoreha un ~F di valore compresotra 50 e 200 e il suo punto
di riposo caratterizzato da ICQ= 1.5 mA e VCEQ= 13 V. Si richiede inoltre che la le
non varii di pi di 150 !lA intorno al valore nominale. Trascurando la l Coe assumendo
che le variazioni di ~F e di VBEproducano effetti uguali, determinare i valori di RI, R2,
Rc e RE.
[RE= 2.93 kO; Rc = 7.0 kO; RI = 35.2 kO; R2 = 8.49 k!1]
10.23 Nel circuito rappresentato in figura, i transistori Q3 e Q4 hanno la funzione di pola-

rizzare Ql e Q2; i transistori Q5, Q6 e Q7 costituiscono uno specchio multiplo di
corrente, con Q6 e Q7 carico dinamico, rispettivamente, per Ql e Q2.
Per tutti i transistori, di tipo pnp, si ha pF = 150, ed possibile assumere VA-7 00 .
Determinare il valore di R in modo che il circuito funzioni correttamente.
+15v
Q5
28 kf!
-15 V
[R = 54 kO]
10.24 Nello specchio di corrente rappresenato in figura si impiega il transistore A. Determi-

nare i valori di lCI' lC2e lC3'
+9V
30kf!
1.94kf!
134 Capitolo lO
[Ic I = IC2 = 0.271 mA; IC3 = 0.0287 mA]
-
10.25 Per i MOSFET rappresentati in Figura 10.15a, in condizioni di saturazione vale la
relazione
ID =25 (~)(VGS- 1.5f /lA

a) Per W/L = 4, determinare il valore di R in modo che si abbia ID = 400 /lA con
VDD= 9 V.
b) Utilizzando il risultato ottenuto nel punto a), determinare di quanto varia la 1m
se per Ql si ha invece W/L = 2.
c) Ripetere il punto b) con il valore W/L = 8.
a) [R = 13.75 kO] b) [MDI = 46.3 /lA] c) [MD = 37.8 /lA]
-
10.26 Nel circuito Figura 10.15a si impiegano MOSFET con le caratteristiche date in Figura
10.15b; la tensione d'alimentazione vale 5 V: Determinare il valore di R in modo che
si abbia ID = 100 /lA.
[R = 7 kQ]
-
10.27 Per i MOSFET rappresentati in Figura 10.15a si ha k(W/L) = 200 /lA/V2 e Vr= 2 V e
la tensione d'alimentazione vale 12 V. Determinare il valore di R in modo che si abbia
ID = 0.5 mA.
[R= l kn]
10.28 Per i transistori ad arricchimento rappresentati in figura si ha ID = 100 x (VGS- 3)2

/lA; per il transistore a svuotamento si ha invece ID= 100 x (VGS+ 1)2/lA. Determi-
nare ID!'
+IOV
10.29 Per il FET mostrato in figura si ha IDss= 4 mA e Vp = --4 V.

a) Determinare Va,per VI = O.
b) Determinare Va, per VI = 15 V.
c) Determinare VI, per Va = O.
+24 V
6 kn
+
Vo
12kn
-12 V
b) [Va = 15.95 V] c) [V;=-2 V]
-
10.30 Per il FET del circuito rappresentato in Figura l 0.18a si ha IDSS= 3 mA e Vp= - 3 V.
Determinare il punto di riposo del transistore (IDSQ'VasQ' VDSQ)con RI = 1.5 MQ,
R2 = 0.3 MQ, RD= 20 kQ,Rs= 5 kQ e VDD=60 V.
[VasQ=-0.49V; IDQ=2.10mA; VDsQ=7.5V]
10.31 Determinare gli intervalli di variazione di IDsQe VDSQdel Problema 10.30, in conse-
guenza di una variazione del valore della Vp di :t0.5 V.
[2.08~IDQ~2.11 mA; 7.18~ VDSQ~7.93V]
-
10.32 Nel circuito di Figura l 0.18a si impiegato il FET con la caratteristica mostrata in Figura
10.19.
Determinare i valori di RI, R2, RD e Rs in modo che si abbia 4.0 ~ IDSQ~ 5.0 mA e
VDs~ 6V, con una tensione d'alimentazione di 24 VeRa ~ 100 kQ.
-
10.33 Per realizzare un circuito analogo a quello rappresentato in Figura l 0.18a si impiega
un JFET a canale p, per il quale il costruttore fornisce le seguenti caratteristiche:
Valore minimo Valore massimo
Vp 5V 6V
IDSS -2.5 mA -4.5 mA
136 Capitolo IO
Si vuole ottenere una 1DQcompresa tra -1.6 e -2.0 mA, con VDD= -30 V e RG
~ 100 kQ.
a) Determinare R., R2 e Rs.
b) Quali sono i valori minimo e massimo di VDSQottenibili con RL = IO kQ?
a) [Rs = 2.5 kQ; RJ = I MQ; R2 = I I I kQ;
b) [VDSQ= -IO V; VDSQ= -5 V]
-
Soluzione
1m =k(~).(VGS. - Vr) 2 e 1m =k(~)2(VGS2 - Vr?

Poich VGSJ= VGS2'
1m - (W/L).
1m - (W/Lh
-
10.35 Per realizzare il circuito di Figura 1O.21a si impiega il transistore A, polarizzato in
modo da ottenere IeQ = I mA.
Determinare A ve R; con Rs = 100 Q e Re = 1.2 kQ.
[Av=-43.8; R;= 3.125 kQ]
-
10.36 Per realizzare il circuito di Figura 10.21a si impiega il transistore C, polarizzato in
modo da ottenere 1eQ= 0.5 mA.
a) Determinare Re in modo che risulti Av = 100 per Rs = 2 kQ.
b) Determinre Av per un aumento di ~F del 60% e Re = 6 kQ.
c) Ripetere il punto b) per una riduzione di ~F del 60%.
Soluzione
a) Utilizzando le Equazioni (10.33) e (10.34) si ha

0.5 200
gm =25 =20 ms e r1t = 20 = IO kQ
Utilizzando le formule riportate in Tabella 10.3a si ottiene
200Re
-100 = 2+ lO e Re = 6 kQ
b) Per ~o = 200 (1 + 0.6) = 320,
r =320=16kQ e A =320x6_-107
l! 20 v 2+ 16
c) Per ~o = 200 (1 - 0.6) = 80,
80 -80x 6
r =- = 4 kQ e A = -80
l! 20 v 2+ 4
-
10.37Per realizzare il circuito di Figura 10.22b si impiega il transistore B; lo' ottenuta me-
diante uno specchio di corrente realizzato con il transistore E,vale 50 /lA. Determinare
Av, R; ed Ro, con Rs = 5 kQ.
Soluzione
Il transistore B caratterizzato dai seguenti parametri

0.05 150 100
g11/=-=2 ms e r =-=75 kQ e r =-=2 MQ
25 l! 2 o 0.05
Il carico costituito dall'uscita di uno specchio di corrente realizzato con i transisori B,

quindi,
Utilizzando le formule riportate in Tabella 10.3a si ottiene
-150x 667 =-1250

Av= 5+75
R; = rl! = 75 kQ
Ro = ro= 2 MQ e R~=RL=667 kQ
-
10.38 Per realizzare il generatore di corrente di Figura 1O.22bsi impiega il transistore E. Il
transistore amplificatore, che invece del tipo B, pilotato da un generatore di ten-
sione di resistenza interna Rs = 20kQ e polarizzato in modo da ottenere R;= Rs.
a) Determinare il valore di lo.
b) Determinare il valore di Av.
a) [lo = 0.1875 mA] b) [Av= -667]
138 Capitolo lO
-
10.39 Il circuito rappresentato in Figura 10.22a pilotato da un generatore di segnale di
resistenza interna Rs = lO kil.
Il transistore (del tipo C) polarizzato con una corrente ICQ = 1.5 mA. Si ha inoltre
RE = 2 kil.
a) Determinare A v.
b) Determinare R;,
c) Determinare Ro ed R~.
a) [Av=-15.9] b) [Rj = 305 kil] c) [Ro ~ 00; R~ = 33.3 kil]
10.40 Per realizzare un amplificatore a collettore comune si impiega il transistore D, pola-

rizzato con ICQ = -0.25 mA e pilotato da un generatore di tensione di resistenza in-
terna pari a 3 kil.
a) Qual il valore di RE necessario perch si abbia R~ = 110 il?
b) Utilizzando il valore di RE appena determinato, valutare A ve Rj'
. a) [RE = 1.42kil] b) [R;= 229 kil; Av= 0.924]
10.41 In un inseguitore di emettitore si utilizza il transistore A, polarizzato con ICQ= 2 mA.

Si vuole avere una resistenzad'ingresso Rj:2:500 kil.
a) Determinare il valore di RE da impiegare.
b) Determinare Av, Ro ed Ro' per Rs = 5 kil.
a) [RE:2:3.96 kil] b) [Av=0.988; Ro=52il; R~=5l il]
-
10.42 Verificare le relazioni approssimate valide per un amplificatore a base comune, ripor-
tate in Tabella 10.3a.
Soluzione
Il circuito equivalente dell'amplificatore a base comune, per ro ~ 00 e l'h = O, risulta
--.
le
E
C
+ le
gmvx lei AI=-
le
v: rn
Re Vo le = g",V1[ e
V1[= -l' 1[(I e + g", V1[)
B I
Ro ol Ro
Ricavando V1[si ha
V=- -r,/e
n l + ~o
e quindi
Per valutare Ro' assumendo che lE sia fornita da un generatore di corrente, si ottiene
Vn = -gmVnrn = -~oVn
che risulta soddisfatta solo pe\"Vn = O,quindi V. v,
+
Applicando in ingresso al circuito un generatore di tensione Vs con resistenza interna Rs'

risulta
Vn = -rn (le + gmVn) ovvero

Quindi
Vo = -~olfij(1 + ~o) = AfR)e

Applicando la II legge di Kirchhoff alla maglia d'ingresso si ha
-Vs + leRs - V1t = O
Sostituendo l'espressione di Vne risolvendo rispetto a le si ottiene
le = V/[Rs + r/(1 + ~o)]
Combinando le Equazioni (1) e (2) si pu ottenere l'espressione di Av. Poich
Rs + R;, utilizzando l'Equazione (l) si ricava R; = r/(l + ~o) ==l/gm'
-
10.43 Nel circuito di Figura 1O.25a si impiega il transistore A, polarizzato con una corrente
di collettore di 0.2 mA. Per Rs = 2 kn, RE = 100 Q ed Re = 5 kQ, determinare:
a) AveR;;
b) l'intervallo entro cui varia A v in conseguenza di una variazione di ~o del 60%.
-
a) [Av= -20.7; R;= 28.2 kQ] b) [-18.7 ~ Av~ -21.2]
10.44 a) Ripetere il Problema 10.43 per il transistore B.

b) Determinare Ro ed R~.
140 Capitolo lO
a) [Av= -20.9; R;= 33.7 kO; -19.2;::: Av;:::-21.4]

b) [Ro= 860 kn; R~ = 5 kn]
10.45 a) Determinare l'espressione di M viA v per una variazione di ~13di 13o nel circuito
- diFigura10.25,assumendo
chesi abbia130 I. .
b) Con riferimento al transistore C, determinare RE in modo che si abbia IMvlAvi
:::;0.1 per variazioni di 13o del 50%.
c) Determinare il valore di RE per Rs = 0.6 kO e con il transistore polarizzato con
IeQ = 0.5 mA.
d) Valutare Re, assumendo che si abbia A v= lO.
c) [RE= 374 O] d) [Re = 4.29 kO]
-
10.46 Verificare i risultati relativi all'amplificatore a collettore comune riportati in Tabel-
la 10.3b.
-
10.47 Verificare i risultati relativi all'amplificatore a emettitore comune con resistenza sul-
l'emettitore riportati in Tabella 10.3b.
-
10.48 Verificare i risultati relativi all'amplificatore
la 10.3b.
a base comune, riportati in Tabel-
-
10.49 Verificare i risultati numerici approssimati riportati in Tabella 10.4.
10.50 Ripetere il Problema 10.49 nell'ipotesi che si abbia ro= 50 kO.
-
10.51 Per ciascuna delle configurazioni indicate in Tabella 10.4, determinare A v' assumendo
cha si abbia rb = 50 O ero = 50 kO.
[Per la configurazione CE risulta lAvi = 88.2]
[Per la configurazione EC risulta lAvi = 0.989]
[Per la configurazione CB risulta lAvi = 2.50]
10.52 Determinare la resistenza d'uscita del generatore di corrente di Widlar.
Soluzione
Il circuito equivalente per piccoli segnali del generatore di Widlar riportato nella pagina
seguente. La parte di circuito racchiusa nel rettangolo tratteggiato equivale a una resistenza
Rx= R IlrOI lIl/gm Ilr,,1= l/gm.
Si osservi che V"I insiste ai capi del generatore gmV"I' quindi V"I/gmV,,1 una resistenza di
valore l/gm.
B2 C2
:
I
~--
I
I +
I
I V"2 To2
I
I
I
I
I +
I
I V"I
I
I
:5 R
I
Toi
I
I
I
I
I
I
I ~
La restante parte del circuito risulta quindi
immediato riconoscere nello schema di figura uno stadio a emettitore comune con resisten-
za di emettitore.
Quindi Ro la resistenza d'uscita di questo stadio con Rx al posto di Rs.
Poich r1l2= ~J8m2 = ~oVT'IC2 una resistenza di valore elevato, essendo IC2 una "piccola"
corrente, frequentemente risulta rIl2 (Rx + RE). Quindi
!)02RE
Ro'" ro2 [ l + ~ ] = roil + 8m2RE)
10.53 Un JFET (per il quale si ha IDSS =5 mA e Vp =-4 V) polarizzato in modo da avere

VGSQ=-1 V. Esso inoltre utilizzato nel circuito di Figura 10.27a, con RD = 16 kQ
ed Rs= l kQ.
142 Capitolo lO
a) Determinare Av = Voi/Vs'
b) Determinare le resistenze Ro ed R' o viste tra il terminale voI e massa. assumendo
che si abbia 1I.= 90 Y.
a) [Av = -8.80] b) [R'0= 13.7 kD] c) [Ro= 92.8 kD]
10.54 Con riferimento al circuito a JFET relativo al Problema 10.53:
a) determinare Av= Vo/Vs'
b) determinare le resistenze Ro ed R' o viste tra il terminale v02 e massa.
a) [Av=0.550] b) [Ro=789D] c) [R'0=441 D]
10.55 Il JFET del Problema 10.53 polarizzato in modo da avere VasQ= -2.Y.
a) Determinare il valore della resistenza RD che assicuri un guadagno di tensione
lAvi = 20 nella configurazione a source comune.
b) Assumendo che la IDSSresti invariata e con il valore di RD determinato al
precedente punto a), valutare il guadagno Av per Vp = -5 Y.
c) Ripetere il punto b) con Vp = -3 Y.
a) [RD=20.6 kD] b) [lAvi = 21.9] c) [RL= 18.3 kD; lAvi = 15.2]
10.56 Il circuito di figura rappresenta un amplificatore a gate comune. Determinare le espres-

sioni di A v' R; ed Ro'
RD
~VDD
-
10.57 Nel circuito di Figura 10.27a, con RD = 20 kQ ed Rs = 1.5 kQ, si impiega un JFET
con = I mS ed r d = 40 kD.
gl1l
a) Determinare Av = Vo/Vs'
b) Determinare il nuovo valore di A V>nel caso in cui il valore di IDSScambi del
20% e Vp e Vas restino invariati.
a) [Av= -6.58] b) [Av= -6.97]
10.58 Il JFET del Problema 10.57 impiegato come inseguitore di source.

a) Determinare il valore di Rs tale che si abbia Av = 0.95.
b) Facendo uso del valore di Rs appena determinato in a), calcolare Ro ed R' o'
a) [Rs = 36.2 kQ] b) [R'0= 0.976 kD; Ro = 0~950kQ]
.1
10.59 Il circuito rappresentato in figura un amplificatore a MOSFET a source comune, con

i transistore Q l e Q2 e caratterizzati rispettivamente dai parametri gli/Ie rdi' e gll/2ed
rd2'Determinare l'espressione del guadagno di tensione Av= V/Vs e commentare il
risultato.
+
J
Q2
---o
+
v.
"1
+Il''-
VGG "::"
10.60 Ripetere il Problema 10.59 per il circuito CMOS rappresentato in figura.
J
Q2
vd
+
") d I
Q\
"+
V.
-
1-
10.61 Un amplificatore costituito da due stadi CE in cascata. Ciascuno di essi realiz-
zato con il transistore A polarizzato con ICQ= l mA; si ha inoltre Rs = 0.6 ld1 e
RCI = RC2= 1.2 ld1. Determinare A VI'A JI2e A v.
[AvI = -40.3; AJ12= -34.7; Av= 1400]
10.62 All'amplificatore descritto nel Problema 10.61 viene aggiunto un ulteriore stadio, an-
ch'esso realizzato con il transistore A, ma polarizzato con ICQ= 2 mA; la resistenza
di collettore vale 0.6 ld1.
a) Determinare il guadagno complessivo dell'amplificatore quando il terzo stadio
aggiunto a valle degli altri due.
b) Determinare il guadagno quando il terzo stadio a monte degli altri due.
c) Determinare il guadagno quando il terzo stadio posto fra gli altri due.
144 Capitolo IO
l k{} 2 k{}
----o
+
Q3 Q2
'0
100 {}
5 k{}
a) [A v = -38.000] b) [Av= -38,000] c) [Av= -44,200]
-
10.63 L'amplificatore a transistori descritto nell'Esempio 10.7 mostrato in figura.
a) Determinare il guadagno di tensione complessivo A v.
b) Confrontare il risultato ottenuto al punto a) con quello fornito nell'esempio,
giustificando la differenza.
[A v = 2960]
10.64 Ripetere il Problema 10.62 per il circuito mostrato in figura.
2 k{} l k{}
----o
+
Q3 QI
2 k{}
.0
100{}
V.r.! 5 k{}
[Av= 2890]
-
10.65 Il generatore di segnale (con la propria resistenza interna) dell'Esempio 10.7 pilota un
amplificatore a emettitore comune a singolo stadio, realizzato con il transistore Q2.
a) Determinare il valore di Re necessario ad ottenere lo stesso guadagno comples-
sivo determinato nell'esempio detto.
b) Qual il minimo valore della tensione di alimentazione richiesto, se si utilizza

il valore di Rc determinato al punto a)?
Soluzione
a) Per avere lAvi = 1010 deve essere

100Rc
1010=- 2+0.5 e Rc = 25.3 kQ
b) gm= ~/r1C= 100/0.5 = 200 ms e

- ICQ - ~. -
gm-y T ovvero 0.2- 25 da ICQ- 5 mA
Affinch il transistore sia polarizzato in regione attiva, deve essere
VCC = VCE + ICQRc = 0.3 + 5 x 25.3 = 126.8 V

Nota:Qualunquesegnale positivo porta Q in saturazione.
10.66 L'amplificatore CC-CE mostrato in figura realizzato con due transistori, caratterizzati
dai valori dei parametri ~F= 150 e VA= 130 V e polarizzati con ICIQ= IC2Q= 100 /-lA;
si ha inoltre Rs = 50 kQ ed Rc = 250 kQ.
Determinare il guadagno Av = V/Vs'
Re
-o
+
v, ('\ ' V VO
Q2 -
-l-
[Av= -985]
10.67 Due stadi a base comune sono connessi in cascata e ciascuno realizzato con il tran-
sistore C, po1arizzato con ICQ= 0.5 mA.
Il circuito pilotato da un generatore di segnale con resistenza interna di 50 Q e si ha
inoltre RCI = RC2 = 5 kQ. Determinare:
a) il guadagno dei singoli stadi;
-
146 Capitolo lO
b) il guadagno complessivo dell'amplificatore.

a) [AvI = -49.8; AV2= -0.985] b) [Av=49.0]
10.68 Un amplificatore cascode realizzato utilizzando per ciascuno degli stadi il transistore
C polarizzato con ICQ= 0.2 mA e pilotato con un generatore di tensione di resistenza
interna pari a l kn.
Si ha inoltre Rc = 5 kQ.
a) Determinare il guadagno di tensione A v.
b) Determinare la variazione percentuale del valore di A v' conseguente a una
variazione di :t20% del valore di Re-
c) Rispondere alla domanda b) nel caso in cui il valore di Rs cambi di :t 10%.
a) [Av = -38.4] b) [Avcambiadi:t20%] c) [Av= -38.46 :t0.30]
10.69 Nel circuito rappresentato in figura, verificare che si ha
Supporre RD r"" rd r"" ~o l e Il l. I

+
I
I
RD
I
I
I
v, Q\
V02
Re
VoI
Rs
10.70 Una coppia Darlington impiegata come inseguitore di emettitore con RE = 500 O ed
pilotata da un generatore di tensione con resistenza interna di 50 kn.
Entrambi i transistori sono del tipo B; QI polarizzato a 151lA e Q2 a l mA. Deter-
minare A v' Ro ed Rj.
[Av = 0.657; Ro = 0.261 kn; Rj ,'- 17.0 MQ]
10.71 I JFET rappresentati in figura sono identici e caratterizzati dai parametri forniti nel
Problema 10.57. Determinare:
a) il guadagno di ciascuno stadio;
b) il guadagno complessivo V/Vs;
c) le resistenze d'uscita Ro ed R' o'
40 k!1 \O k!1
Q3
o
+
vsU 2k!1 I ).
5k!1 Vo
a) [AVI = -98.8; AV2 = -8; AV3= 0.816]

b) [Av=64.5] c) [Ro=0.976kn; R~=0.817kQ]
10.72 Determinare l'espressione del guadagno Av = V/Vs dell'amplificatore cascode a FET

mostrato in figura.
RD2
Vo
v,
Soluzione
Il circuito equivalente risulta quello di figura

148 Capitolo lO
GI DI S2 +/
112Vgs2
RD2 Va
Vse } Vgsl ,
Vgs2
+
-O-
SI G2
ove, in base al teorema di Thevenin, stato sostituito il generatore di corrente gmVgsle la

resistenza in parallelo rdl IlRDi con un generatore di tensione /l'I = gmIR~I' con R~I=
rdi IlRDI' In base alla II legge di Kirchhoff si ha
Sostituendo l'Equazione (2) nella (l) e risolvendo rispetto a Id2 seg1!.eche
Vo -Id2RD2 .,
V=
s Vs - Av qumdl
10.73 Il transistore QI caratterizzato da rdl = lOk!1 e gml= 3 mS; per Q2 si ha invece

r d2 = 15 k!1 e gm2 = 2 mS.
a) Determinare il guadagno V/V2 per VI = O.
b) Determinare il guadagno V/V, per V2= O.
c) Determinare vo' con vI = 5 sin rot e v2 = -2.5 sin rot.
I kf!
"
DI Vo
VI QI
0.5 kf!
1'-1I
11,1
a) [v/n = 0.950] b) [V/VI = -0.538] c) [va= -5.07 sin COI]
10.74 L'amplificatore differenziale rappresentato in Figura 10.36 realizzato con il transi-

store C polarizzato con l cq = 100 IlA. Determinare i valori di Rc e RE per i quali si ha
IADMI= 500 e un CMRRdI 80 dB.
[Rc = 125 kn; RE = 1.25 MQ]
I 10.75I segnali in ingresso all 'amplificatore differenziale del Problema 10.74 sono
VI= 15sin 1201tl+ 5 sin 21tx 1031mV
V2= 15 sin 120 1tl- 5 sin 21t x 103t mV
Il segnale a 60 Hz rappresenta un disturbo, mentre quello a I kHz il segnale utile.
a) Determinare Voi(t).
b) Determinare vo2(1).
a) [voI(l) = -2500 sin coIl - 0.75 sin C021mV con COl = 21t X 103 rad/s e C02= 1201trad/s]
b) [voil) = 2500 sin COlI- 0.75 sin C021mV]
10.76 Nel circuito rappresentato nella figura di pagina seguente, entrambi i transistori sono
del tipo C.
a) Con vI = v2= O, determinare le correnti di polarizzazione ICQe IBQ'
b) Determinare voi e vo2nelle condizioni descritte al punto a).
c) Calcolare il guadagno differenzialeADM' quello di modo comuneACMe il CMRR.
d) Determinare Rid ed Ric'
+15V
IOk!1 lO k!1
+ +
Voi Vo2
14.3 k!1
-15 V
a) [/B = 2.48 IlA; lc = 0.495 mA]

b) [voi = 10.0 V = vo2]
c) [ADM=-198; ACM=-0.347; CMRR=55.1 dB]
d) [Rid= 20.2 kQ; Ric = 5.76 MQ]
150 Capitolo IO
10.77 La resistenza da 14.3 kQ del Problema 10.76 viene sostituita con uno specchio di
corrente che ha la funzione di erogare la stessa corrente di polarizzazione. Lo specchio
realizzato con un transistore C, caratterizzato per da VA= 130 V.
a) Dimensionare gli elementi dello specchio di corrente.
b) Quali sono i nuovi valori del guadagno differenziale e del CMRR?
a) [R = 14.2 lill] b) [ADM=-191] c) [CMRR::=74.3 dB]
-
10.78 L'amplificatore differenziale rappresentato in Figura 10.36 caratterizzato da una
guadagno differenziale ADMe da un CMRR entrambi noti.
a) Determinare voI e vo2' con VI= Vs e v2 = O.
b) Determinare voI e vo2' con VI= O e v2 = Vs'
10.79 a) Per l'amplificatore differenziale integrato rappresentato in figura, dimostrare

che si ha
-1
VT Vr
IAD",A=V+V
(An Ap )
in cui VAne VApsono le tensioni di Early per il transistore npn e per il transistore pnp,
rispettivamente.
b) Dati VAn = 120 V e VAp = 50 V, determinare il valore di IADMI.
c) Il valore del guadagno differenziale ADMcambia in conseguenza di una varia-
zione della corrente di polarizzazione?
+vcc
10.80 Per il circuito del Problema 10.79, valutare il CMRR e il guadagno ACM' noti
Vcc = 15 V, VEE= 15 V, Rp = 53.5 kQ ed RN= 28 kQ. Per i transistori npn, 13Fvale
200, mentre per i transistoripnp si ha 13F = 130 = 50. I valori di VTsono quelli gi forniti
nel Problema 10.79.
[CMRR = 4780; IAcMI= 0.296]
10.81 Il circuito in figura rappresenta un amplificatore differenziale realizzato in tecnologia

CMOS.
Per i transistori NMOS si ha k = 25 /lA/V2, VT= 1.5 V e VA= 1/.= 50 V; per i PMOS,
k = 12.5 /lAlV2, VT= -1.5 V e VA= In.. = 100 V. Il valore del rapporto W/L indicato
accanto a ciascun transistore.
a) Determinare il valore delle correnti di drain di polarizzazione di Q3, Q5 e Q7.
b) Valutare AD e il CMRR.
+10v
4/1 4/1
Ql Q2
32.5 kfl 32.5 kfl
VI o f 1-0 V2
16.25kfl
2/1 4/1
-IO V
10.82 I JFET impiegati per realizzare un montaggio a source accoppiati sono caratterizzati
dai valori gm = 1 mS ed rd = 50 kQ e polarizzati mediante un generatore di corrente di
resistenza d'uscita pari a 40 kQ. Le resistenze di drain hanno valore RD = 30 kQ.
Valutare ADM>ACMe il CMRR.
[ADM=-18.75; ACM=-0.361; CMRR = 34.3 dB]
-10.83 Verificare l'Equazione (10.110).

152 Capitolo lO
Soluzione
Per RL = Rj ~ 00 , il circuito di Figura 10.45 diviene
+
+
+
+
In base alla seconda legge di Kirchhoff si ha

-(-AvVj) + I(R. + Rz + Ro) =O dove Vj = -Vz + IR2
Combinando queste equazioni e osservando che risulta Vo = I(R1 + R2), si ottiene che Av=
-
V/V2 dato dall'Equazione (10.110).
10.84 Nel circuito di Figura 10.46 si ha vI = v2 = v3 = ... = "'11= l V, Rz = 2RI, R3 = 2R2,

... Rn=2Rn-1 eR' =RI/2.
a) Determinare Vo per Il ~ 00.
b) Determinare Vo per Il = 4.
b) [vo=-(3l/32)V]
10.85 Nel circuito di Figura 10.46 si ha RI = R' = l kO, Rz = 2R), R3 = 2R2, ... RII= 2Rn-l'
- Letensioni d'ingresso vI'vz,... vn possono valere O o lO V.
a) Per Il = 4, qual la minima tensione d'uscita, se almeno una delle tensioni
d'ingresso non nulla?
b) Qual la massima tensione d'uscita, con Il = 4?
a) [Ivoi= 1.25 V] b) [Ivol= 18.75 V]
10.86 a) Determinare la minima tensione d'uscita, nell'ipotesi che almeno una delle
tensioni d'ingresso sia non nulla, nelle condizioni indicate nel Problema 10.85.
La massima resistenza disponibile vale 55 kO.
b) Qual il nuovo valore di n che si ottiene riducendo il valore di R I a 100 Q?
a) [Ivol= 5/8 V] b) [n=9]
-
10.87 Si vuole impiegare il circuito di Figura 10.46 per determinare il punteggio medio
riportato da un gruppo di studenti in un quiz. Gli studenti sono 25 e il punteggio va
da l a lO. La massima tensione d'uscita pari a lO V e il minimo valore di resistenza
utilizzabile l kO. Il minimo valore di tensione disponibile in ingresso 250 IlV.
a) Dimensionare gli elementi del circuito.
b) Verificarne il funzionamento con la seguente serie di dati
Numero studenti o o 2 4 7 4 3 3
Punteggio ottenuto 2 3 4 5 6 7 8 9 lO
-
10.88 L'amplificatore operazionale di Figura 1O.48aha caratteristiche ideali, ad eccezione
del guadagno Av' che invece finito.
a) Determinare la funzione di trasferimento iL/vs'
b) Determinare il valore da imporre ad Av perch, nelle ipotesi che si abbia
Rl = IOkQ, il risultato trovato al punto a) differisca dell' l% da quello espresso
dall 'Equazione (10.115).
-
10.89 Ripetere il Problema 10.88 per il circuito di Figura 10.48b. Porre R2 = lO kQ e con-
frontare il risultato con l'Equazione (10.116).
-
10.90 Ripetere il Problema 10.88 per l'integratore rappresentato in Figura 10.50 e descritto
dall'Equazione (10.117).
Il
Rispostain frequenza degli amplificatori
Nota: Negli schemi circuitali relativi ai problemi che seguono non stata riportata la rete
di polarizzazione.
Il lettore pu assumere che gli elementi attivi siano correttamente polarizzati e che i compo-
nentiutilizzati per la definizione del punto di lavoro (e non riportati) abbiano effetti trascu-
rabilisul comportamento del circuito.
Nel corso del presente capitolo si far riferimento ai transistori indicati di seguito con le
corrispondenti caratteristiche.
Transistori
A B C D E
Tipo npn npn npn pnp pnp

F 125 150 200 150 50
125 150 200 .-1:' 150 50
o
00 100 00 00 50
VA (V)
300 400 400 100 lO
fr (MHz) 0.3
0.5 0.3 0.5 0.5
CII(pF)
11.1 Un amplificatore eccitato mediante un segnale vi = 0.1 sin roi + 0.1 sin 2root. In as-
- senzadi distorsione in frequenza,la tensionein uscita Vo rappresentatainFigura Il.1
del testo dalla curva 1.
a) in presenza di distorsioni di fase e ampiezza, si ha va = sin roi + 0.75 sin (roi-
30). Tracciare il diagramma temporale di un periodo della tensione d'uscita Vo
e confrontarlo con la forma d'onda non distorta.
b) Ripetere il procedimento per Vo= sin (roi - 15) + sin (2roi - 30). Commen-
tare il risultato.
156 Capitolo Il
Soluzione
a) I valori assunti da vo' per vari valori di (j)i, sono riportati in tabella e il relativo grafico
della forma d'onda risulta
ooot Vo . Vo
1.5
deg V
1.0
O -0.375
30 0.875 0.5
60 1.62
90 1.38
I I \ I I I
120 0.491 1.51/ 60 \ 'l' ro.'.grndi
150 -0.25
180 -0.375 -0.5
210 -0.125
240 -0.116 -1.0
270 -0.625
300 -1.24
330 -1.25 -1.5
b) Entrambe le componenti del segnale Vorisultano ritardate di 1t/I2 rad, quindi l'uscita
risulta non distorta, ma semplicemente ritardata. Il grafico relativo coincide con quello di
Figura 11.1 del testo.
11.2 Con riferimento allo schema di figura, determinare il limite superiore di banda nel-l'-
ipotesi che il circuito schematizzato con il quadripolo sia, alle medie frequenze, un
amplificatore a emettitore comune.
Amplificatore
a bassa v.
frequenza
11.3 Ripetere il problema precedente assumendo che l'amplificatore schematizzato con il

quadripolo sia un inseguitore di emetthore.
Risposta in frequenza degli amplificatori 157
Soluzione
Il circuito equivalente risulta
l/sC
-
L'analisi nodaIe, utilizzando come variabili Vbe Vofornisce le seguenti equazioni
~, I 1 l
-= Vb -+-+SC - Vo -+SC (1)
Rs Rs r1t r1t
( ) ( )
8/11V1t= - Vb 1..+ Sc + Vo SC + J, + 1.. dove (2)
r1t RE r1t
( ) ( )
V1t = Vb - Vo (3)
sostituendo l'Equazione (3) nella (2) e risolvendo il sistema si ottiene
Vo 1 + sCrl(1 + ~o)
-=A
Vs o l + s/roH
dove, posto ~o = gn/1t'
11.4 Determinare il limite inferiore di banda del circuito mostrato in figura, assumendo che
il quadripolo rappresenti un inseguitore di source.
Amplificatore
a bassa
frequenza
r
158 Capitolo I l
11.5 Ripetere il Problema I lA per il caso di un amplificatore a source comune con resi-
stenza sul source.
11.6 L'amplificatore del Problema l 1.5 sollecitato con un' onda quadra.
a) Determinare il ti/t del segnale in uscita.
b) Ripetere il procedimento nel caso di un amplificatore a source comune (senza
resistenza sul source).
11.7
Un transistore ha, a bassa frequenza, un guadagno di corrente Bo = 160; per I = 50 MHz,
si ha IBUco)1= 8. DeterminarelTed/p.
[tp =2.5 MHz; IT = 400 MHz]
11.8 Un transistore presenta, per una corrente di polarizzazione le = I mA, un guadagno di
corrente Bo = 120. Per lo stesso valore di le' si ha IBUco)1= IO alla frequenza di 25 MHz.
Determinare il valore di Cn nel modello a 1t ibrido per le = I mA, nell'ipotesi che si
abbia CI! = I pF.
[CI! = 24.5 pF]
11.9
La funzione di trasferimento di un amplificatore A)(1 + s/coo)'
a) Dimostrare che disponendo in cascata due di questi amplificatori (che non
interagiscano tra loro) e sollecitando l'insieme con una tensione a gradino
unitario, si ottiene in uscita il segnale
vo(t)=A~[I -(I +x)e-X]
con x == coi.
b) Dimostrare che, per coi I, l'uscita varia nel tempo con legge quadratica.
11.10 Dimostrare che il guadagno di corrente in cortocircuito a(s) di un amplificatore a base

comune pu essere espresso nella forma
11.11 Un amplificatore con due poli ha la funzione di trasferimento descritta dall'Equazio-

ne (I 1.22), con a3 = O.
a) Fornire una stima delle frequenze di polo.
b) Ponendo n = a12/a2come il fattore approssimato di separazione dei poli, dimo-
strare che per n> IOi poli effettivi del sistema sono separati di almeno tre ottave.
-
11.12 a) Determinare l'impedenza d'uscita ad alta frequenza Zo(s) di un amplificatore a
emettitore
ibrido.
comune, supponendo di avere ro -7 00 e di operare sul circuito a 1t
Risposta in frequenza degli amplificatod 159
b) Ripetere il procedimento per un valore di ro finito.
Soluzione
a) Il circuito equivalente alle alte frequenze di uno stadio a emettitore comune il seguente
I/sC!,
+ +
IIsC" !1'8I/1Y" I
Posto RL =Rc, l'espressione di AYH(s) fornita dall'Equazione (11.28) rappresenta la tensione

di Thevenin ai punti X-X. La corrente di cortocircuito Isc fra i punti x-x risulta
La I legge di Kirchhoff, applicata al nodo VItfornisce
Vs 1 . R~ l
'R=
s VIt R1t +s(C1t+ CIl)
[ ]
cIO VIt = Vs Rs
Quindi;
-VsPo(l-sC/gl/I)
(Rs + rlt)[l + s~(CIt + CIl)]
- Rdl+s~(CIt+CIl)]
- l + s[R~CIt + R~CIl(l + gll.RC> + CIlRd + s2CItCIlR~Rc
L'espressione di Zo' pu essere riorganizzata espandendo il denominatore e mettendo in

evidenza Rc' per cui sia ha
"
160 Capitolo I1
RCZo
Re + 20
b) Per ro che assume un valore finito, posto RL = Re" ro,l'espressione di 20' risulta quindi
uguale a quella trovata al punto a) sostituendo Re con RL.
-
11.13 Per realizzare l'amplificatore a emettitore comune rappresentato in Figura 1O.21adel
testo, si impiega il transistore A, polarizzato a IeQ = 1 mA.
a) Per Rs = 300 Q ed Re = 1.2 kQ, determinare il guadagno a centro banda e il
limite superiore di banda OOH.
b) Determinare l'impedenza d'ingresso per s =jooH.
Soluzione
a) I parametri del transistore sono: gm =40 mS, r7t= 3.125 kQ (vedi Problema 10.35), e in
base all'Equazione (11.19)
40x 10-3 .
300x 1()6=
2n(C7t+ l) x 10-
12 da CUI C7t = 20.2 pf
-125x 1.2
Avo= 0.3+3.125 --43.8 come nel Problema 10.35
In baseall'Equazione(I1.31)
3.125x 0.3
a) = 0.3+ 3. 125 [20.2+ 1(1+ 40 x 1.2)]= 18.94 ns
OOH = 1/a) = 109/18.94 = 52.8 Mrad/s
b) In base al circuito equivalente a n ibrido, per s =jooH'si ha
= 3.125 = 3.125 -0.269L -850 Q

1+ j52.8 x 3.125[20.2+ 1(1 + 40 x 1.2)]X 10-3 1 + jl1.56
11.14 Per realizzare un amplificatore a collettore comune si impiega un transistore con

811/= 4 mS, C7t= CII = 1 pF e Po = 120. Dimostrare che l'impedenza d'uscita 20 ha
carattere induttivo per 125 Q < Rs < 30 kQ.
r
11.15 Per realizzare un amplificatore a emettitore comune si impiega un transistore del tipo
C, polarizzato con ICQ = 0.5 mA e pilotato da un generatore di tensione con resistenza
interna di 2 kQ. La resistenza di collettore da 6 kQ. Determinare il guadagno a centro
banda e il limite superiore di banda.
[Av =-97.1 ; /H =2.17 MHz]
11.16 Per realizzare il circuito rappresentato in figura si impiega il transistore D, polarizzato

con ICQ =-2.5 mA. Determinare il guadagno a centro banda e il limite superiore della
stessa.
-V
2.4 kf!
0.1 kf!
[fH = 9.11 MHz; Av =-20.9]

11.17 Un transistore del tipo C, polarizzato con ICQ= l mA, impiegato per realizzare un
amplificatore a base comune, con Rc =5 kQ e Rs = 50 Q. Il segnale applicato in in-
gresso vs(t) =2 sin Wl mV. DeterminareAyo e il valore approssimato di/H"
[fH = 90.4 MHz; Avo = -74.7]
-
11.18 In un inseguitore di source con Rs = l kQ, si impiega un JFET con ~ =50 e rd = lO kQ.
Le capacit del FET valgono Cgs= 5 pF, Cgd= 2 pF e Cds= 2 pF. Determinare AyO e
il valore approssimato di/H, nell'ipotesi che si abbia Rs = 5 kQ.
Soluzione
G s
Il circuito equivalente risulta -1
quello a lato Cgs= C2
IO
2
2 '
Ys 50Y
I
Cgs = C3
gs
D
162 Capitolo Il
dove le resistenze sono espresse in kQ e le capacit in pF.

Utilizzando le formule riportate in Tabella 10.5 si ha
A = 50 xl =0.758
vo 50 + 10+ (l + 50) x l
Per determinare le resistenze viste, si fa uso del circuito di figura
S
G
--00
!o--
R22
IO
5 S Rs !
fl RII
+
< )50 Vg,'
Per cui risulta
Per R22'sostituendo la parte destra della rete con il relativo equivalente di Thevenin, risulta
VtI,= 50Vg/(l0 + l) = (50/11)Vgs e Rti. = IO Il l = 10/11 kQ. Applicando un generatore di
prova VI fra i punti G e S, la corrente erogata Il risulta
50 lO
-VI-Tl Vgs=II (5 +Tl)
Quindi
R22
VI 65/11
=TI = 61/11
= 1.066 kQ
al =5 x 2 + 1.066 X 5 + 0.189 x 2 = 15.7 ns ovvero

l
fi-r=-= 10.1 MHz
21tal
11.19 a) Determinare l'impedenza d'uscita Zo per l'inseguitore di source del Proble-

ma 11.18 in funzione di Rs.
b) Pu l'impedenza d'uscita avere carattere induttivo su un certo intervallo di
frequenze?
11.20 Nel circuito rappresentato in figura si impiega il transistore del Problemal1.18.De-

terminare Avo e il valore approssimato di/w
lO kf1
2 kf1
+ I kf1
[Avo = -7.04; fH = 2.70 MHz]

11.21 Un transistore del tipo A, polarizzato con ICQ=-0.2 mA, impiegato per realizzare
un amplificatore a emettitore comune con resistenza RE, analogo a quello del Proble-
ma 10.43.
Per Rs = 2 kO, RE = 0.1 kO ed Rc = 5 kO, determinare i valori di Avo efH.
[Avo= -20.7; fH= 5.34MHz]
-
11.22 Per realizzare un amplificatore a emettitore comune si impiega un transistore con i
parametri indicati in Figura 11.19 del testo. Per Rc = 1.5 kO ed Rs = 0.6 kO, valutare
Avo edfw
Soluzione
Facendo uso delle formule riportate in Tabella 1O.3adel testo si ha
A = -(0.1)(1000)x 1.5 =-93.8

vo 0.6 + 1.0
In baseall'Equazione(I1.31)risulta
1.0 x 0.6
al = O.6 + 1.0 [19.5+ 0.5(1 + 100x 1.5)] = 35.625 ns
1
fH 4.47 MHz
-
11.23 Dimostrare le Equazioni (11.47) e (11.48).
Soluzione
Il circuito di Figura 11.19 del testo, per CL = O, pu essere ridisegnato nel modo seguente
164 Capitolo Il
I
I z"
+ -
v"
IlsC!,
+
zwc
g",REV"
dove stato posto
Applicando un generatore di corrente di prova Ix fra i punti x-x si ha
ovvero
Essendo VIt =IxZIt' ZB'C = VxxlIx risulta

ritO + gmRE) RE+ rlt+ PoRs+ sREr1tC1t
ZB,c=RE+ -
1 + srltCIt 1 + srltCIt
Supponendo 130 l e rlt PoRE' mettendo in evidenza PoRE' risulta
1 + srltC,(13o 1 + S/roT
Z' C =PR E =pR
B o l, ~- C o E 1 + s/ro
It It P
1
Z.=- IIZB,c ovvero
I
C
S Il
Mettendo nuovamente in evidenza PoRE' si ottiene
Z; = PoRE
l+s
l' I.
,I
l'.l'
-
11.24Dimostrare le Equazioni (11.53), (11.54) e (11.55).
Soluzione
Lafunzione di trasferimento dell'inseguitore di source presenta uno zero alla pulsazione s

percui la corrente in Cgs uguale a g/llVgs'Quindi
sCgsVgs - g/llVgs= O cio s = +Cg!g/ll
Pervalutare a I e a2 si pu fare uso del metodo delle costanti di tempo. In base alla Figura l
si ha RJI =Rs'
.
s s
-0 !R22
+ Vgs - gs
Rs
fl
Ri.
grnVgs
t
.
RL
. o
!T:
Rs
'-----+
VP RL Rbl
D Figura I D Figura 2
Applicando un generatore di corrente di prova Il fra G e S e valutando Vgs si ha
.. Vgs Rs+RL
VgS= I~s + RL(J, - g",vg3) qumdl R22=T=
I l + g/llRL
Applicandoun generatore di tensione di prova VIfra S e D si ha
Il =~L V,- g",vgs dove Vgs= -VI

Quindi
RL
R33 = e a I =R'jIC I + R~2C2+ R33C3
l + gll~L
Sostituendo i valori delle resistenze viste si ottiene la prima delle Equazioni (11.54).
Per ricavare
a2 = R'j IC1(R~2C2 + R~3C3) + R~2C2Rj3C3
necessario valutare Rb R~3'e R~3'Da Figura 2 si ha:
R!J =R33
in quanto cortocircuitare CI non d effetti su R33' Inoltre risulta

166 Capitolo Il
R~2 =R!3
Cortocircuitare C2 rende Vgs = O,quindi il generatore glllVgs risulta spento. Segue che
R~3 =RLllRs
Sostituendo i valori delle resistenze viste nell'espressione di a2 si ottiene la seconda delle
Equazioni (11.54).
-
11.25 Dimostrare le Equazioni (11.56) e (11.57).
Soluzione
Con riferimento alla Figura l (derivata dalla Figura 11.22 del testo), l'impedenza d'ingresso
risulta
r Figura I
c
Il C T
y
s gs
l/sCds
Rs I RL
il'SCgd <.f>
GIIIVg.r
lzo
Figura2
l
Z;=- C IIZxx
S gd
Per determinare Zxx si applica un generatore di prova I( fra i punti x-x e si determina Vxx.
Posto
Risulta,
l
-Ix-
Vgs- ( sCgs
Combinandole due equazioni si ottiene
l g/ll
Zxx=- C +ZL +- C
s gs [l S gs]
Sostituendo ZL =RL/(1 + sCdsRL)e riorganizzando i vari termini si ha

l
Z;=- C IIZxx
s gd
che equivalente all'Equazione (11.56).

Conriferimento alla Figura 2, per il calcolo di Zo si ha
Per determinare Zyy si applica un generatore di prova It fra i punti Y-Ye si determina Vyy.
Posto
Quindirisulta
.
Vyy=(Il + g/llVg,J(S~gS+ Zs)
Sostituendo l'espressione di Vgs in quella di Vyy si ottiene
Zyy = (1 + sCgsZs)/(gm + sCgs)

Quindi,sostituendo questa espressione di Zyy nella formula di Zo prima trovata e riorganiz-
zando i vari termini si ottiene l'Equazione (11.57).
11.26 a) Determinare i coefficienti a I e a2 con il metodo delle costanti di tempo per il

circuito rappresentato nella figura di pagina seguente.
b) Ponendo RI = R2 =R, CI = C2 = C e Av = 2, fornire una stima della posizione
dei poli.
c) Confrontare il risultato ottenuto con i poli effettivi, determinabili mediante la
risoluzione dell' equazione caratteristica del circuito.
d) Commentare la validit dell'approssimazione a polo dominante.
168 Capitolo Il
+
+
+
R.
Amplificazione A, = I + Rb/ R.
Soluzione
a) Il circuito equivalente risulta
A +
+
,+
C2''l' Yx
Considerando CI un circuito aperto risulta
R~2 = R, + R2
Se C2 un circuito aperto non scorre corrente in R2 e quindi Vx = VA,

Rimane una unica maglia costituita da RI' dal generatore di prova Il messo al posto di CI e
dal generatore controIla:o AyVx. In base aIla II legge di Kirchhoff si ha
VI = I,R, - Avvx e Vx = I,RI
Combinando queste due equazioni si ottiene
e
Per ricavare a2 = RII C I + R~2C2, si deve calcolare RII con C2 cortocircuitato. Ci comporta
Vx =O,quindi
Rll=RIIIR2=RIRI(RJ+R2) e
a2=(R, +R2)CIRIR2C/(R( +R2)=RIR2CJC2

b) In base alle condizioni poste
al = 2RC + RC(1 - 2) = RC e a2 = R2C2
Utilizzando la tecnica approssimata del polo dominante si ha
c) L'equazione caratteristica risulta

l + als + a2s2 = l + RCs + R2C2s2
ovvero
l + p + p2 avendo posto p = RCs

Le radici di questa funzione sono
l + . ..J3 ., l . -~
P=2"-JT ClOe s=-2RC (1 + 3
_J'I5 )
d) L'approssimazione a polo dominante non quindi valida. L'ipotesi Ip;1=a;- l/a; vera
solo se i poli sono reali, mentre in questo caso risultano complessi.
La condizione IPII < IP21utilizzata per adottare le soluzioni approssimate IPII= Vai e
IP2' = a,/a2 condizione necessaria ma non sufficiente.
11.27 Ripetere il Problema 11.26 per il circuito mostrato in figura.
+
A,
Amplificatore
di tensione ideale
11.28 a) Ripetere il punto a) del Problema Il.26 per il circuito mostrato in figura,
assumendo che il blocco contraddistinto dal simbolo Av sia un amplificatore
ideale di tensione.
b) Determinare le frequenze approssimate di polo per RI = R2 = R3 = R, Cl = C2,
Av = 2.
c) Determinare la posizione effettiva dei poli, e confrontare i risultati ottenuti.
170 Capitolo Il
11.29 Ciascuno stadio di un amplificatore CE-CE realizzato mediante un transistore del

tipo A, polarizzato con ICQ= 1 mA e con Rs = 0.6 kQ, RCI = RC2= 1.2 kQ.
a) Determinare Avo e il valore approssimato difw
b) Stimare la posizione del pi vicino polo non dominante.
a) [Avo= 1400; fH = 2.67 MHz] b) [f2= 39.4 MHz]
-
11.30 a) Il circuito mostrato in figura realizzato con tre transistori del tipo impiegato
nell'Esempio 10.7.
Assumendo che per ciascuno di essi si abbiafr = 200 MHz e CI1 = 1 pF, deter-
minare Avo e il valore approssimato di fH.
b) Stimare la posizione del pi vicino polo non dominante. (Nota: Si supponga che
il limite superiore di banda dell'inseguitore di emettitore sia sufficientemente
elevato da non influire sul valore di fH dell 'intero amplificatore).
+
2 kf! \ kf!
Q3 Q\
100 f!
5 kf!
a) [Avo= 2890; fH = 3.62 MHz] b) [f2= 44 MHz]
-
11.31 Per i transistori descritti nell'Esempio 10.7 si hafr = 200 MHz e CI1 = l pF.
a) Stimare il valore del limite superiore di bandafH dell'intero amplificatore.
b) Confrontare il risultato con quello relativo all' amplificatore del Problema Il.30.
c) Determinare la posizione approssimata del primo polo non dominante. (Nota: Si
supponga che il limite superiore di banda dell'inseguitore di emettitore sia

sufficientemente elevato da non influire sul valore diIH dell'intero amplificatore.)
a) fIH =0.768 MHz] c) fI2 = 12.9 MHz]
11.32 Ripetere il Problema Il.31 per il circuito rappresentato in figura.
+
I kf! 2kf!
2 kf!
'" Q3
+
100 f!
vd ') 5 kf!
a) fIH = 3.93 MHz] c) [f2 = 15.9 MHz]
11.33 I transistori, identici tra loro, impiegati nel circuito rappresentato in figura, sono ca-
ratterizzati da r1t = 1.5 kO, ~o = 150, C1t= 50 pF e CI!= l pF. .
a) Determinare Avo e il valore approssimato di IH, con Rs = 20 kO. (Nota: Si
assuma che il limite superiore di banda dell'inseguitore di emettitore sia talmen-
te elevato da non influire sul valore diIH dell'intero amplificatore).
b) Stimare la posizione del primo polo non dominante.
+vcc
2 kf! 2 kf!
200 f!
2 kf!
a) [Avo = 1530; IH =2.91 MHz] b) [f2 =42.2 MHz]

. .,......
I
172 Capitolo Il
11.34 Nel circuito mostrato in figura, per Q 1 e Q2 si ha ~F = 150, VA = 120 V,fT = 400 MHz
e CI!= 0.5 pF alla corrente di polarizzazione ICQ= 100 J.lA.
a) Determinare il valore approssimato di fH per Rs = 50 kQ ed Rc = 250 kQ.
b) Stimare la posizione del primo polo non dominante. (Nota: il valore di Avo per
il circuito gi stato determinato nel Problema 10.66).
+
I
Re I
-o
+ I
v.,() ' V Va
Q2 -
-l-
[fH = 435 kHz]
11.35 Nel circuito relativo al Problema Il.34 si utilizza il transistore B, con ICQI= 75 /lA e
ICQ2 = 250 /lA. Per Rs = Rc = 500 kQ, determinare il valore di Avo e quello (appros-
simato) difH.
[Avo =4010; fH = 73.8 kHz]
11.36 In entrambi gli stadi di un amplificatore cascode si utilizza il transistore C, polarizzato
con I CQ = 0.2 mA.
a) Determinare il valore approssimato di fH per Rs = 1 kQ e R CI = RC2 = 5 kQ .
b) Confrontare il risultato ottenuto con quello relativo a un amplificatore a emetti-
tore comune realizzato con lo stesso transistore, nelle medesime condizioni di
polarizzazione e con Rs= 1 kQ e Rc = 5 kQ.
a) [fH = 30.4 MHz]
b) [fH = 2.51 MHz]
11.37 Per realizzare l'amplificatore cascode rappresentato in figura di pagina seguente si

impiegano i transistori B ed E, entrambi polarizzati con IICQ'= 125 J.lA.
a) Determinare Avo e il valore approssimato di fw
b) Stimare la frequenza del primo polo non dominante.
a) [fH = 198 kHz]
b) [f2 = 18.0 MHz]
Il
80 kf!
C>----'
+
v,
0:-
! D
+
300 kf!
v.
-
-l-
11.38 Due stadi a source comune sono connessi in cascata; essi sono realizzati con JFET
identici, per i quali si ha glll= l mS, rei= 40 k!1, Cgs= 5 pF, Cgr l pF, Cels= l pF.
a) Determinare Avo e il valore approssimato di IH per Rs = 5 k!1, RDI = 40 k!1,
Rm = lO k!1.
a) [fH=0.334 MHz; Avo = 160] b) [f2= 5.31 MHz]
11.39 I JFET rappresentati in figura hanno le caratteristiche date nel precedente problema.
a) Determinare Avo e il valore approssimato di Iw
+
40 kf! lO kf!
Q2 +
v,
2kf!
a) [Avo = 79; IH = 289 kHz]

b) [f2 = 7.35 MHz]
11.40 Ripetere il Problema 11.39 invertendo la posizione dei due stadi dell'amplificatore.
[Avo= 79.0; IH = 667 kHz; 12 = 4.58 MHz]
174 Capitolo Il
11.41 Per il JFET impiegato nel circuito in figura si ha gm = 2 mS, rd = 30 kQ, Cgs= lOpF,
Cgti= 5 pF, Cd,.= 5 pF. .
Per il BJT si ha invece r7t = 2.5 kQ, ~o = 125, C7t= 100 pF e CJl = 1.5 pF.
a) Determinare Avo e il valore approssimato di IH.
+
IOkf2 I kf2
11.42 Ripetere il Problema 11.41 invertendo la posizione dei due stadi dell'amplificatore.
[f2 = 1.75 MHz]
11.43 Nella figura seguente riportato il circuito equivalente relativo a un amplificatore

differenziale, cui applicato il segnale vd'
a) Per ~o = 125, r7t = 25 kQ, C7t= 5 pF, CJl= l pF e r(}= l MQ, determinare il
valore approssimato di Iw
cp
VI
VOI
r7f> V1f -.r grnV1f ro
Vd
':"
r. v. :::!:::c I '>gmv. <-ro Re

(250kf2)
V2
f---l---l- V02
C.
[fH = 6.28 kHz; 12 = 161 MHz]
"
11.44 In figura rappresentato il circuito equi valente all'amplificatore differenziale del pro-
blema precedente, al quale per applicato un segnale di modo comune vC'
a) Determinare il valore approssimato difH.
a) ffH 1.29kHz]= b) ff2= 15.9GHz]
Cw
.-l" Il
+ +
Re Re
Vw -Lc !
gmVn
,.o
250
kO
250 ;>"0
kO
Vw
-
'2" -=- -=-
RE
(500 kO)
11.45 I guadagni differenziale e di modo comune di un amplificatore possono essere appros-

simati dalle espressioni
A - -2000 . A = -0.5
DM 1+ s/2n x 106' Cm 1+ s/2n x 108
a) Tracciare il diagramma asintotico di Bode del CMRR.

b) Determinare la frequenza alla quale il valore del CMRR pari alla met del
valore in bassa frequenza.
-
11.46 Verificare le Equazioni (11.73) e (11.74).
Soluzione
Sostituendo
in
e mettendo in evidenza al denominatore R\(1 + Avo) + R2 si ottiene l'Equazione (11.73).

Dall'Equazione (11.73) risulta
oofl = 00" [R) (1 + Avo) + R2]/(R) + R2)

176 Capitolo Il
Per Avo 1
O>H = O>hAvoR[/(R(+ R2) = 0>0vi(1 + RiR()

che coincide con l'Equazione (11.74).
11.47 Gli amplificatori operazionali rappresentati in figura sono identici tra loro e caratte-
rizzati da Avo= 105 e Ih = 10Hz. Per tutte le altre caratteristiche essi possono essere
considerati ideali.
a) Determinare il guadagno in bassa frequenza e il limite superiore di banda di
ciascuno stadio.
b) Facendo uso dei risultati ottenuti, scrivere l'espressione del guadagno totale
A VH(S)dell' amplificatore.
c) Tracciare il diagramma asintotico di Bode di AVH(s), e fornire una stima del
valore di In-
d). Facendo uso dell'approssimazione di polo dominante, determinare il valore di
.
IH e confrontarlo con quello determinato al punto precedente, confrontando i
risultati.
50k11
5 kr! IOkr!
+
1+
V, 98 k11
+
20 k11 +1
v,
2 kr! 10 kr!
Primo stadio Secondo stadio Terzo stadio
a) [Avo( =
50; 1m =20 kHz; Avo3 =3; IH3 = 333 kHz; Avo2 =-5; IH2 = 167 kHz]
d) fIH =
16.9 kHz]
11.48 Vincoli di carattere tecnologico impongono spesso che il rapporto tra la massima e la
minima resistenza impiegate in un circuito non sia superiore a lO.
a) Imponendo questa condizione, determinare il massimo guadagno a centro banda
realizzabile con tre stadi in cascata, ciascuno dei quali sia realizzato mediante
un amplificatore operazionale, nell'ipotesi che sia richiesto un segnale d'uscita
sfasato di 1800 rispetto a quello d'ingresso.
b) Imponendo ancora la stessa condizione e con riferimento all'amplificatore otte-
nuto al precedente punto a), determinare l'ampiezza della banda passante otte-
nibile, se per ciascuno degli amplificatori operazionali si ha Avo = 126 dB e
J" = 5 Hz.
a) [Avo= -1210] b) ffH = 45.5 kHz]
11.49 Ripetere il Problema 11.48, imponendo che ingresso e uscita dell'amplificatore siano
in fase.
a) [Avo = 1331] b) ffH = 45.5 kHz]

11.50 Nel circuito rappresentato in figura, si impiega il transistore C.
a) Determinare i valori a riposo della corrente di collettore e della tensione d'uscita.
b) Assumendo che si possa scegliere CE grande a piacere, determinare il valore di
CB per il quale si haA = 20 Hz.
c) Assumendo che si possa scegliere CB grande a piacere, determinare il valore di
CE per il quale si ha/L = 20 Hz.
d) Scegliere i valori di CE e CB in modo che si abbia/L = 20 Hz e che la capacit
totale sia minima. Si supponga che l'effetto dovuto alla capacit non dominante
si manifesti a frequenza inferiore a 2 Hz.
+3v
1.5kf!
38kf! Lc
o
+
Vo
-
E -l-
V,li
f 24.H" .. o.,,"
0.15 kf! I CE
-3 V
a) [lCQ = 1.99 mA; Vo =0.02 V] b) [CB= 1.71 ~F]

c) [CE = 65.8 ~F]; d) [CE = 65.8 ~F; CB = 17.1 ~F]
-
11.51 Verificare l'Equazione (11.81).
11.52 a) Determinare Avo e il valore approssimato di fH per il circuito del Proble-

ma Il.50.
b) Un condensatore C collegato tra base e collettore; determinare il valore di C
in modo che si abbia/H = 20 KHz.
178 Capitolo Il
c) Se alI' amplificatore applicato il segnale vsU) = VIIIsin (2n x 103 t), qual il
segnale d'uscita vo' quando si ha VIII= 0.1 V?
d) Qual il massimo valore di VIIIper il quale non si ha distorsione?
Soluzione
a) In base ai risultati del Problema11.50risultaIC2=1.99mA.glll = 79.6 mS e r 1t = 2.51 kil.

Inoltre
C1t= 2n79.6
x 0.4 -0.3=31.4 pF e CI! = 0.3 pF
Il circuito equivalente risulta
+
RIs 0.3
v"
+
t" -
vls "- J
RE 0.6
ove stato posto

V/ = Vs e
Quindi risulta
A - -200 x 1.5 =-2.43

vo 0.3+2.51+(200+ 1)0.6
Per CI! =O R~= rn IlRxx, dove Rxx si valuta ricorrendo al circuito seguente
Il +
V1t
J
i y_v"
h
l
Rls RI s
RE -
glllV"
I
III
Il'
111
In base alla II legge di Kirchhoff
-V1t + I1t(R~ + RE) - gmREVrr. = O
e quindi
0.3 + 0.6
1+ 79.6x 0.6 =0.0185 kQ
R~=2.5lIl0.0l85=0.0184 kQ
Per valutare R~ si ricorre al circuito seguente
v,-
+
B I,
r" _v"r-II
R', 8 RE Ci)
,..v.
Scegliendo le correnti di maglia indicate in figura, risulta
(l)
V1t = (Il - 13) rrr. (2)
In base alla II legge di Kirchhoff

(3)
(4)
Sostituendo le Equazioni (l) e (2) nella (3), ricavando Il e sostituendolo nella (4) risulta
VI Rc;R/l + 13) + (Re+ R~)[r1t+ (1 + 130)RE]

--RO-
I1 - Jl- Rs, + r1t + RE(l + 1-'0)
A
RO= 1.5 X0.31(1 + 200) + (1.5 + 0.3)[2.51 + (1 + 200) X 0.6] 2.53 kQ

Jl 0.3 + 2.51 + 0.61(1 + 200)
Dacui
180 Capitolo l l
al =R~C1t+ R~CI1= 0.0 l84x 31.4+ 2.53 x 0.3 = 1.34 ns

l
IH=-= 119 MHz
21ta)
b) La capacit messa fra B e C risulta in parallele a CI1;quindi, per avere 11/= 20 kHz,al
deve risultare
1
al =-= l
21tIH 21tX20 x 1()3= 7960 ns
Quindi,
da cui
C= 7960-R~C1t-R~CI1_7960-1.34=3l50
RO
Il - 2.53 pF = 3.15 nF
c) Poich l'amplificatore ha una banda che va da 20 Hz a 20 kHz, il segnale d'ingresso alla

frequenza/s = l kHz non risulta ne attenuato ne sfasato dall'amplificatore stesso, quindi
Vo= VOQ+ V~vosin(21tx l()3t)
dove Avo = -2.43. Da cui
Vo =0.02+ 0.1 x (-2.43) sin(21tx l()3t) =0.02- 0.243sin rot
d) Quando il picco positivo della tensione di uscita supera i 3 V il segnale risulta distorto.
Quindi
Vo = 0.02 + VmlAvol:5:3 V
ovvero
1< 3 - 0.02
IVm-- 1.22 V
Il secondo limite su Vm posto dal fatto che il transistore non deve andare in saturazione,
ovvero in nessun istante deve risultare VCE< 0.3 V.
11.53 a) Dimostrare che il guadagno di un amplificatore a FET con capacit di bypass

sul source (Cs)
A vo l + s/(J)s
AVL(s)=
l + g",:?'sl + s/roL
con Avo = -gmRD,ffiS = l/RsCs e ffiL = (l + gmRS)/RS Cs. Si assuma di avere

Rs + RD rd.
b) Per gmRS l e gm = 3 mS, determinare il valore di Cs per il quale, sollecitando
l'amplificatore con un' onda quadra di frequenza pari a 60 Hz, si ha un tilt
inferiore al lO %.
[Cs = 250 IlF]
11.54 Il transistore impiegato nel circuito in figura ha ~o= 100,r1[ = l kQ e ro ~ 00 .

a) Determinare il valore di fL"
b) Determinare il tilt della tensione d'uscita, se il segnale in ingresso un'onda
quadra di corrente, a frequenza di 200 Hz.
c) Qual la minima frequenza dell'onda quadra da applicare in ingresso perch il
tilt derivante si inferiore al 2%?
4 kil
Vo
2 kil
a) [fL =2.65 Hz] b) [P = 4.16%] c) [f=417Hz]
11.55 I transistori impiegati nel circuito di figura sono identici tra loro e caratterizzati da
r1[=4kQe~o=200.
+
3 kil
100kil
v" lO kil
100 il 5 kil Cn
330 il
182 Capitolo Il
a) Determinare il valore del limite inferiore di banda per ciascuno stadio, assumen-
=
do che si abbia CBI CB2 = I /.lF e CEI CE2 100/.lF. = =
b) Qual il limite inferiore di banda dell'intero amplificatore?
c) Confrontare il risultato ottenuto con quello ricavabile dal diagramma asintotico
di Bode del guadagno.
a) [fLi = I 13Hz; fL2 = 72.6 Hz]

b) [fL = 185.6 Hz]
11.56 Il circuito del Problema 10.55 ha un guadagno complessivo caratterizzato da un limite

inferiore di banda di 50 Hz. Scegliere i valori di CBI' CB2'CEI e CE2che minimizzano
la capacit totale impiegata.
11.57 I JFET del circuito mostrato nella figura seguente sono identici tra loro e caratterizzati
da 8", = 2 mS e rd =40 kn.
a) Con CGI = CG2 = I /.lF e CSI = CS2 = 100 /.lF, determinare il limite inferiore di
banda di ciascuno stadio.
b) Determinare il limite inferiore di banda dell'intero amplificatore.
c) Confrontare questo valore con quello ottenibile dal diagramma asintotico di
Bode del guadagno dell'amplificatore.
+
0.6M!1 20 k!1
-1{- \'"
CG2
0.15 M!1 I
0.1 M!1 I
"I
v'V
2k!1 :::b CSt 4 k!1 C.12
a) [fLI =57.5 Hz; fL2 = 11.9 Hz] b) [fL = 69.4 Hz]
11.58 Con riferimento al circuito del Problema 11.57, determinare i valori di CGI' CG2' CSI
e CS2 per i quali si hafL = 50 Hz e la capacit totale impiegata minima.
[CS2 =5.60 /.lF; CG2 =2.06 /.lF; CS1 =53 /.lF; CGI =7.39 JlF]
'[,
12
Amplificatori reazionati
Per /0 studente: in molti schemi relativi ai problemi di questo capitolo non sono riportati i
circuiti di polarizzazione.
Si pu assumere che i vari dispositivi siano correttamente polarizzati e che i componenti
utilizzati per la polarizzazione (e non indicati) diano luogo a effetti trascurabili sulle presta-
zioni della rete nel suo complesso.
I transistori indicati nella tabella che segue sono frequentemente usati nei successivi problemi
Transistori
A B C D E
Tipo npn npn IIpn pnp pnp

o 125 150 200 150 50
125 150 200 150 50
F
00 100 125 00 50
VA, V
Si assuma per la resistenza di base rb = Osalvo diversa indicazione.

12.1 Quale tipo di amplificatore ideale viene approssimato dai seguenti circuiti? Giustifi-
care la risposta.
a) Inseguitore di emettitore.
b) Stadio a source comune con resistenza di source.
12.2 Un amplificatore transresistivo ha Zj = Rj = 50 D, Zo = Ro = 50 D, e RI1I= lO kD. Le

caratteristiche di un amplificatore transconduttivo sono: Zj = Rj = 50kD, Zo = Ro=
100 kD, e Gm= 0.1 S.
a) Costruire un amplificatore di corrente utilizzando i circuiti dati.
b) Quali sono i valori di Rj' Ro' e Aj?
184 Capitolo 12
Soluzione
a) Un amplificatore di corrente pu essere realizzato dalla cascata di un amplificatore

transresistivo (convertitore corrente-tensione) con un amplificatore transconduttivo (con-
vertitore tensione-corrente).
+ +
Convertitore Convertitore
VoI V02
)rs corrente tensione tensione. corrente
- -
b) Ri =50 il la resistenza di ingresso dell'amplificatore tranresistivo

Ro = 100 kil la resistenza di uscita dell'amplificatore transconduttivo
Ai, per RL = O,pu essere calcolato considerando il circuito seguente
500Q + +
500 100 k!1

V,"2
50 k!1 lo
50 000
li= Is; VOi= V'"2= 50000+ 50 XRII/i = 0.999x l()4/i
lo = GmV'"2= O,l x 0.999x l()4/i = 999 li
Nota: RmGIII= 104 x 0.1 = 1000
12.3 a) Utilizzando gli amplificatori tranresistivo e tranconduttivo del Problema 12.2 si

costruisca un amplificatore di tensione.
b) Quali sono i valori di Ri, Ro' e Av?
Soluzione
a) Un amplificatore di tensione pu e~sere realizzato dalla cascata di un amplificatore

..
Amplificatori reazionati 185
transresistivo con un amplificatore transconduttivo, come mostrato in figura.
~ -..
101 li2
Convenitore Convertitore
tensione - corrente corrente - tensione
b) Ri= 50 kQ la resistenza di ingresso del convertitore tensione-corrente

Ro =50 Q la resist~nza di uscita del convertitore corrente-tensione
Av = -GIIIRm= -0.1 x 104 = -1000
Pi precisamente
12.4 Nel circuito mostrato Ql e Q2 sono due transistori identici che hanno r1t= 1 kQ e
glll=O.lS.
a) Quale tipo di amplificatore viene approssimato da questo circuito?
Amplificatore
Sorgente 3 kO
b) Determinare le resistenze di ingresso e di uscita e l'amplificazione.

[Ri = lO Q; Ro = 00; Ai = 75]
12.5 Ripetere il Problema 12.4 con il circuito relativo a questo problema. Le caratteristiche
dei transistori sono quelle riportate nel Problema 12.4.
186 Capitolo 12
+
0.6 kf!
Sorgente
3 kf!
12.6
a) Per il circuito mostrato, determinare il segnale vi in funzione di Vs e vI Si
assuma che l'amplificatore invertente sia caratterizzato da una resistenza di
ingresso infinita e un guadagno di tensione Av = 4000. La rete di reazione
caratterizzata da 13 = VI Iv i = 1/300. I valori dei parametri circuitali sono
Rs = RE = 2 kQ e Re = 6 kQ, e il transistore ha 130= 200 e rTt= 4 kQ.
b) Determinare AI= ViVs'
Re
Amplificatore: +
+ invertente Vo
VI A. I
I
v, I
+ Rete di I
reazione
VI
AI = 300]
12.7 Il diagrammaa blocchirelativorappresentaun sistemareazionatoa due stadi nelquale
Xs il segnale che deve essere amplificato,Xl il rumore associato al segnale,X2
un disturbo introdotto all'interno dell'amplificatore (per esempio quello dovuto all'-
ondulazione presente sull'alimentatore), e X3 un disturbo presente sull'uscita dell'-
amplificatore.
= = =
a) Per Xl X2 X3 O, determinare AOL>T e AF.
l! b) Valutare i rapporti di trasferimento XiX l' XiX2 e XiX3'
c) Verificare che
l'I
d) Sia Xos la componente di uscita dovuta a Xs' Xol la componente di uscita dovuta
a Xl' e cos via. Calcolare Xo/Xo1' Xo/Xo2 e Xo/Xo3'
e) Ripetere il quesito b) per ~= O.
f) Ripetere il quesito d) per ~=O e comparare i risultati. Quali sono le tue
conclusioni?
XI X2 X3
Xs Xo
r-l{3
AA
AF = I 2 ]
l + AIA2~
Xo Xo A2 Xo l
b) [-=AF' -= . -= ]
XI ' X2 1 +AIA2~' X3 1 +A)A2P
Xos Xs Xos A IXs Xos AOLXs
d) [-=-' -=-' -=-]
Xol XI' Xo2 X2' Xo3 X3
Xo Xo Xo
e) [:xI =AOL; :x=A2;
2 X=
3 1]
12.8 Un amplificatore reazionato progettato in modo da avere un guadagno ad anello
chiuso di 50:t 0.1. L'amplificatore base ha un guadgno che pu essere controllato con
errore di :t1O%. Determinare il guadagno ad anello aperto, il fattore di riporto e il
fattore di trasmissione ~della rete di reazione.
[AOL = 2770; T = 54.4; p= 0.0196]
12.9 Un amplificatore non reazionato fornisce un'uscita di 15 V con una distorsione di
seconda armonica del 10%, quando il segnale di ingresso di 15 mV.
a) Se l' 1.5% dell'uscita riportato all'ingresso in un amplificatore in configura-
zione con reazione negativa di tipo serie-parallelo, quanto vale la tensione di
uscita?
b) Se la fondamentale dell'uscita rimane di 15 V, ma la distorsione di seconda
armonica si riduce all' l %, quanto deve valere la tensione di ingresso?
a) [Vo =938 mV]; b) [ViI!= 150 mV]
12.10 Utilizzando l'analisi approssimata, derminare AOL>p, T e A Fper l'inseguitore di source.

, A J.lRs
[AOL=gmRs; =1; T=AoL; AF= rd(1 + Il)R s
188 Capitolo 12
-
12.11 a) Utilizzando l'analisi approssimata, derminare Aov p, T e AF per uno stadio a
emettitore comune con resistenza di emettitore RE,
b) Comparare il valore ottenuto di AF con quello della Tabella 1O.3a e giustificare
la differenza.
Soluzione
a) Si consideri quale grandezza di uscita la corrente lo che scorre nella resistenza di

collettore.
=
Ponendolo Orisulta RE in serie a Rs' Per li = O,REe Re sono in serie e quindi si ottienein
totale la rete di figura
l~c
B
Vf~RE
+
E
b) In Tabella lO.3a dato il valore di Av = V/Vs' Per convertire AF = l/Vs in AF = V/Vs'

si osservi che Vo= -loRe; quindi
e questo il risultato riportato in Tabella 1O.3adel libro di testo.
12.12 a) Per il circuito mostrato in figura, determinare Aov p, T e AF. Utilizzare l'analisi
approssimata.
b) Qual il tipci di reazione utilizzata?
Re
Vo
v,
Soluzione
a) Ponendo Vo= , la resistenza RF risulta collegata in ingresso fra base ed emettitore. Per
Vi = , RFrisulta in uscita fra collettore ed emettitore. Qundi l'amplificatore non reazionato
quello riportato in Figura a.
(a)
(b)
In Figura b mostrato l'equivalente di Norton. Quindi,
Nota: stato assunto ro ~ 00. Se ro ::/= 00, Re deve essere sostituito con RL =Rellro.
190 Capitolo 12
b) Il circuito presenta un tipo di reazione parallelo-parallelo (di tensione-parallelo).
-
12.13 a) Determinare R/F per l'amplificatore del Problema 12.11, utilizzando la formula
per l'impedenza di Blackman.
b) Ripetere il quesito a) per ROF;comprendendo nel calcolo la ro del BlT.
c) Confrontare i risultati con quelli della Tabella 10.3.
a) [R/F = r1t + RE (l + ~o)]; (

b) [ROF=(RE + ro) 1 +
~oR
E ]
\. Rs+rrt+RE J
12.14 Determinare R/F e ROF per l'amplificatore del Problema 12.12
12.15 L'amplificatore operazionale del circuito mostrato caratterizzato da un guadagno ad

anello aperto Av e da una resistenza d'uscita Ro'
Vs0---+
a) Determinare AOL' p, T e AF.

b) Determinare ROF
c) Che tipo di reazione stata usata?
(R) +R2)Av R(Av
a) [AOL= ; T= ;
R) +Rz+Ro R) +R2 +Ro
(R) + Rz)Av
AF= ]
R ((l + Av) + R2 + Ro
Ro(R) + Rz)
b) [RoF= D( (1 +A v)+R 2 +R]o
12.16 Determinare AD,Aov T e AF per l'inseguitore di source, utilizzando i parametri t.
I
J.lRs .
[AD=O;
AOL = rd+Rs'
12.17 Ripetere il Problema 12.16 per lo stadio a emettitore comune con RE.
[AD =O;
12.18 L'amplificatore operazionale del circuito di figura caratterizzato da un guadagno ad

anello aperto Av e una resistenza di uscita Ro.
a) Utilizzando i parametri t. determinare AD, AOL>T e AFo
b) Utilizzando la formula dell'impedenza di Blackman, valutare R1Fe ROF"
v,
~
I
-
A"R" Vo
..-+
+VDD
+
Rs
192 Capitolo 12
12.19 Nell'inseguitore di source della figura di pagina precedente, vr = VRMsin 21tx 120t
la tensione d'ondulazione relativa all'alimentazione, che pu essere trattata come un
segnale di disturbo. Per Rs =2 kn, gm= 2 mS, To= 20 kn e R = 500 kn, determinare
il valore massimo che pu assumere VRMaffinch la tensione di ondulazione presente
in uscita non superi 20 J.lV.
[VR = 1.02 mV]
12.20 a) Quale tipo di reazione stata utilizzata nel circuito di figura?
b) Per Rj= l kil. Ro = 5 kn, Av = 103,R2 = 50 kil, R( = 2 kil e RL= 0.6 kil, de-
terminareAOL> T e AF.
c) Determinare AF per Av ~ 00.
d) Valutare R1F e ROF.

e) Quale valore deve essere assegnato ad Av se si desidera che sia ROF= 600 Q?
Amplificatore
A Ro
+
c
Rs
l
RL ;;.. v.
+
J
I ..
I
B I
ROF
-
Rete di reazione
b) [AOL = 30.1; T = 1.16; AF = 13.9]

c) [AF = 26]
d) [R/F =7.01 kn; ROF= 0.415 kn]
e) [A~=661]
12.21 a) Quale tipo di reazione stata utilizzata nel circuito di figura?

b) Disegnare il circuito equivalente dell'amplificatore senza reazione.
c) Per Rj = 500 n, Ro = 20 kn, R2 = 50 kn, R, = l kn, gm = 100 S, Rs = 600 il e
RL = 2 kil, determinare AOL>T e AF.
d) Valutare R1Fe ROF.
e) Determinare AF per gm ~ 00.
,l
Amplificatore
A c
o-
+
R, V,
R, lor
I +
RL Vo
+
I
v, l\/\, I
R2
B D
ROF
Rete di reazione
c) [AOL = -6.57; T = 6.57 X 103;

d) [R/F = 1.38 MQ; ROF = 480 MQ]
e) [AF =-10-3]
12.22 a) Ripetere il Problema 12.21 per il circuito di figura. I valori dei vari elementi
sono: Ri =5 kQ, Ro = 0.5 kQ, Rm = 100 kQ, R2 = lO kQ, Rl = l kQ, Rs = 50 Q
e RL = 2 kQ.
b) Quale valore deve assumere Rm per ottenere R1F= 50 Q?
Amplificatore
Ro C
A
lo r
I - RL
f,rp f r X 'V\
R2
R.
D
o---
ROF
Rete di reazione
a) [AOL = -75.4; T =75.4; AF =-0.987; R1F = 0.625 W; ROF =953 kQ]

b) [R,=20.8 kQ]
194 Capitolo 12
-
12.23 Verificare le Equazioni (12.41) e (12.42).
12.24 I FET del circuito di figura sono identici e hanno gm =2 mS e rd = 20 kQ. I valori dei
vari elementi sono: RD = 12 kQ, RG =500 kQ, Rs = 50 Q e RF = 5 kQ. Determinare
AF e RoF'
RD RD RD
+
Q3
RG RG
~ ROF
Soluzione
Questo un amplificatore con reazione parallelo. L'amplificatore senza reazione contiene

RF in parallelo sia all'uscita che all'ingresso (vedi figura).
+
+
Amplificatore
i Rs RG RF V.I a trestadi RF
Il' -
L'amplificatore a tre stadi presenta una resistenza d'ingresso infinita e una resistenza d'uscita
uguale a rdllRD= 201112= 7.5 kQ.
Il guadagno complessivo A VIAV2AV3'dove
AvI = -gm (rdIlRLIIRG)

= -gmReq
Analogamente, AvI = Av2 = AV3'
+
Ro =7.5
Rs
RF$ Vo
+.A.
Vs Rct Rf' Y3.V; Av I IROD
Req = 7.511500"" 7.5 kil (esattamente 7.39 kil)

Quindi, AvrOT ""(-2 X 7.39)3 = -3.23 X 103. Il modello :
dove R~=RplIRG= 511500=4.95 kil.

Le sostituzioni dei valori numerici da:
A OL-- 4.95 -3.23 x 103x 5

4.95+0.05 5 +7.5 -1.28 x 103
R
13=~= 0.05 =2
rs+RF 0.05+5 101
A = AOL= AOL - -1.28x 103 =-93.6

F I+T I+AoJ3 I + (-1.28 x 103)(-11101)
Tsc =O (un collegamento parallelo)
Toc =T (assenza di resistenza di carico)
Quindi,
ROF = 3/(1 + 1.28 x 103/101) = 219 .Q.
-
12.25 Nel circuito di figura stato utilizzato il transistore A, polarizzato con ICQ"=1.5 mA.
a) Determinare AF e T.
b) Valutare R1Fe RoF'
196 Capitolo 12
+
R
4.3 kf! (1.2 kf!)
Q2 Vo 4.7 kf!
0.1 kf!
6.2 kf!
Soluzione
a) L'amplificatore senza reazione relativo alla coppia con reazione serie-parallelo
A
Po = 125' )
ro ~ 00
gm = 1.5/25 = 60 mV
4.7. -
R s: 1.2 r1t = 125/60 = 2.08 kQ
4.3 > RCI +
V~ RE
~1'0.1
AOL = AVIAv2dove, utilizzando i dati di Tabella 10.3
A = -125 x 4.3 -32.6' R' = R =4.3

vi 2 + 2.08 + (125 + 1)(0.1116.2) , 01 CI
-125[(6.2 + 0.1)114.7111.2]
=-16.3 e
Av2 4.3 + 2.08
AOL = (-32.6) (-16.3) = 530
~= 0.10~16.2 - i3; T=-530(-l/63) = 8.41

AF = 530/(1 + 8.41) = 56.3
~II
I
b) RJD = ritI =
+ (~o + 1) (REIIRF) = 2.08 + (125 + 1) (0.1116.2) 14.5 kQ
Tsc = T IR =0
s .
Tuttavia, ponendo Rs = Ocambia solo AVI' Il nuovo valore di AVI
A = -125 x4.3 -37.1 e ponendo

vI 0+ 2.08 + (125 + 1)(0.1116.2)
Tsc = -(-37.1) (-16.3) (-1163) = 9.60
Toc = T IR, -+ ~ =O ingresso di un circuito aperto
R1F = 14.5(1 + Tsc) = 14.5(1 + 9.6) = 154 kQ

ROD = (RE + RF)IIR= (0.1 + 6.2)111.2 = 1.01 kil
Tsc = O Va = O elimina qualunque reazione
Toc = T IRL -+ per RL -7 ~ cambia solo Av2
00
A =-125[(6.2+0.1)111.2]=-19 e
v2 4.3 + 2.08 .7
Toc = (-32.6) (-19.71)/63 = 10.2

ROF = 1.011(1 + 10.2) = 90.3 il
-
12.26 Verificare l'Equazione (12.42) Zm = ~ol RCI Av2 AV3'
-
12.27 Uno stadio a emettitore comune con resistenza di emettitore RE realizzato con un
transistore avente rlt =2.5 kil e ~o = 125.
a) Per Rs = 2.5 kil e Rc = 3 kil, determinare RE in modo che risulti S~F=-1/31.
b) Utilizzando il valore di RE trovato in a), determinare AF. o
c) Confrontare il valore di AF determinato in b) con quello dell'Esercizio 12.8.
Soluzione
a) Utilizzando l'analisi approssimata e assumendo quale uscita il segnale lo' l'amplificatore

senza reazione risulta
lo = ~ib; Ib = Vj(Rs + RE + rlt)

~ = Vfllo = -RE
AOL = IjVs = ~j(Rs + RE + rlt)
~oRE
T= -AOL~ =
Rs+rlt+RE
198 Capitolo 12
R J Re
Ib
+
VI RE
Tuttavia
Risolvendo rispetto a T, per

si ha T = 30
Quindi
125RE
30= e RE = 1.58 kQ
2.5 + 2.5 +RE
AOL 125/ [(2.5 + 1.58 + 2.5) x 103] = 6.13 x IQ-4 AN

b) AF=I+T= 1+30
Notare che
c) Per ottenere le stessa sensitivit, il guadagno del circuito a singolo stadio risulta ridotto
di un ordine di grandezza.
-
12.28 Il circuito di Figura 12.12 utilizza lo stesso transistore del Problema 12.27.
a) =
Per Rs = 2.5 kQ e Re 3 kQ, determinare RF in modo che risulti S$F = 1/31.
b) Utilizzando il valore di RF trovato in a), determinare AF. o
b) [AF =-0.746]
-
12.29 a) Per il circuito di figura, determinare T, AOLe AF.
b) Valutare ROF.I transistori MOS sono caratterizzati da gm = I mS e rd = 20 kQ.
,
,
\Okf! lO kQ
Q2 +
5 kf! IOkn vo
,
+
'1 I
v, ( " 0.47 kf!
":"
\O kf!
Soluzione
a) Questo circuito presenta una reazione di tipo serie-parallelo. Il circuito di figura seguente
evidenzia l'effetto caricante della rete di reazione.
+
\O
I
IO +
rJ
5 I \O Vo
+
+r--..
0.47 I VF 0.47
Vs
Il circuito equivalente per basse frequenze risulta
+
IO 20 10.47
0.449
v,
200 Capitolo 12
Ponendo ~ = gmrd= l x 20 = 20, per AvI' in base alla Tabella 10.5, si ha
VI = -20 x lO A =-5.07
Vs 20 + lO + (1 + 20) 0.449 vi
AY2 = -gmRL2 = -l x 4.07 = -4.07

AOL = -AYIAY2= (-5.07)(- 4.07) = 20.6
~=~ = 0.47 - 0.0449

Vo lO+ 0.47
T = AoL~ = 20.6 x 0.0449 = 0.925
A - AOL - 20.6 10.7

F- 1 + T - 1 + 0.925
b) Utilizzando la relazione di Blackman

ROF = ROD(1 + Tsc)/(1 + TOC)
ROD = 201110.47 = 6.87 kQ come mostrato in figura precedente
Tsc = O cortocircuitando l'uscita si elimina la reazione

Toc =T con la resistenza da 10 kQ tolta
Ci comporta una variazione di AV2 e quindi di AOL' RL2 risulta
RL2 = 201110.47 = 6.87 kQ

Quindi,
AY2 = -1 x 6.87 = -6.87 e AOL = (-5.07)(- 6.87) = 34.8

Toc = AoL~ = 34.8 x 0.0449 = 1.56
Di conseguenza,
-
ROF= 6.87/(1 + 1.56) = 2.70 kQ
12.30 Verificare le Equazioni (12.48)
- -~oRCI
A OL--
RE
e (12.50).
12.31 a) Ripetere il punto a) del Problema 12.29 per il circuito di figura. I transistori
utilizzati sono del tipo C e D con corrente di polarizzazione, rispettivamente,

=
ICQ 0.25 mA e 0.5 mA.
b) Valutare R/F.
+
20 kf! 0.82 kf!

20 kf!
I kf!
+ +
5.6 kf!
a) [T = 7.12; AOL = 181; AF = 125] b) [RIF = 5.03 Q]
12.32 a) Che tipo di reazione stata effettuata nell'amplificatore di figura?

b) Assumendo T l, mostrare che risulta AF = l/Vs ""RIRIR2 e RF (R1 + R2).
c) Nell'ipotesi che i transistori QI, Q2 e Q3 siano tutti di tipo C, con ICQI =
0.25 mA, ICQ2= l mA, ICQ3= 0.5 mA, e che i vari elementi circuitali assumano
i valori RCI = 5 kil, RC2= 7.5 kQ, RC3= lO kil, R] = 0.1 kQ, R2 = 0.33 kil,
Rs = 0.6 kQ, valutare AF e T per RF = 20 kQ.
d) Determinare il guadagno di tensione V/Vs.
+
RCI
R,
202 Capitolo 12
Soluzione
a) La reazione del tipo serie-serie. Infatti, ponendo lo = Osi elimina la reazione, analoga-
mente, ponendo la corrente d'ingresso uguale a zero la reazione scompare.
b) Per T l, AF '" -l/p. Dalla risposta c).
Vi" -R(R2
PF=-L- e
lo R,+R2+RF
Rl +R2+RF RF
AI= RR( 2 "'RRl 2 essendoRFR(+R2
c) Il circuito, comprendente gli effetti caricanti della reazione, risulta
Vf~ R,
+
p=~= -R2 R( = 0.33x 200 =-3.21

lo R( + R2+ RF 0.2+ 0.33+ 20
0.25 200 125
QI ha 8m = 25 = lO mS, r1t= 0.01 = 20 kQ, ro = 0.25 = 500 kQ
l 200 125
Q2 ha 8m= 25 =40mS, r1t=0.04 =5 kQ, ro=T= 125 kQ
0.5 200 125
Q3 ha 8m="25=20 mS, r1t=0.02 = lO kQ, ro= 0.5 = 250 kQ
i
I
ic2 ib3 RL2 lo

~=~o' --;-=- ; --;-=~o
'b2 . 'c2 RL2 + Rin3 'b3
Ponendo
I valori numerici risultano
Rinl = 20 + (200 + l) [0.211 (20 + 0.33)] = 59.8 kQ

RLJ = 511500 = 4.95 kQ; RL2 = 7.511125 = 7.08 kQ;
Rin3 = lO + (200 + l) [0.3311 (20 + 0.2)] = 75.2 kQ
Quindi
-7.08 -4.95
A =200 200 200 l - 5.67
OL
( 7.08 + 75.2 ) ( 4.95 + 5) (59.8 + 0.6) 103
T = -AOL~ = -5.67 (-3.21) = 18.2

A
F
= lAOL = 5.67
+ T 1+18.2
0.295
Vo lo
d) V=V(-RL3)=-A~L3;
s s RL3= RoIlro3= 1011250=9.62 kQ
V
; =-0.295 x 9.62 X 103=2.83
s X 103
12.33 Determinare RfF e ROF per il circuito del Problema 12.32.
[R1F = 100 MQ; ROF =22.5 MQ]

-
12.34 Verificare le Equazioni (12.55)
e (12.56).
ZfF= [ritI + Ril + ~ol)](l + T IRs=O)

-12.35 Utilizzando i parametri l, valutare Aov T e AF per il circuito dell'Esercizio 12.6.
204 Capitolo 12
=-4040; T= 202; AF= -200]
-
[AOL
12.36 Ripetere il Problema 12.35 per il circuito dell'Esercizio 12.7.
=767; T= 25.0; AF= 29.5]
-
[AOL
12.37 Ripetere il Problema 12.35 per il circuito dell'Esercizio 12.9.
[AOL = 187; T= 93.8;
12.38 Ripetere il Problema 12.35 per il circuito del Problema 12.29.

= 14.7; T= 1.66; AF= 5.52]
-
[AOL
12.39 a) Verificare l'Equazione (12.60).
Xo - -AJA03
Xs - I-AA/2+AIA0/.
b) Ponendo nell'Equazione (12.60) A2A3 =A. Determinare la sensitivit S~F,utiliz-
zando l'Equazione (12.8).
s9 ""~ dG = dG/G
x g dx dx/x
c) Valutare il quesito b) per Af2 = l.
Soluzione
a) Per il grafo di flusso di Figura 12.38, si ha che A2' A3 ef2 formano un anello di reazione
la cui funzione di trasferimento risulta A2A/(I - A0/2)' Tutta questa parte del grafo in
cascata ad AI e insieme adfJ formano un altro anello di reazione. Quindi
Xo -AI(A03)/(l - A0/2)
-= -AF
Xs l -(-AI)A01/(l-A03A/2)
Che coincide con l'Equazione (12.60).
-AIA
b) AF=
I-Af2+A(Afl
dAF- (I-Af2 +AJAfi)(-AJ)+AJA(-f2+AJJ) - -AJ

dA - (l-Af2 +AJAfJ)2 - (I -Af2 +AJ()2
A -AI 1
-AIA (l-Af2+AJAfl? I-Af2 +AJAfJ
I - Ah + AIAfl
Questorisultato equivalente a quello di un amplificatore a singolo anello di reazione il cui

guadagnod'anello AIA2AII. .
-
12.40 Per il circuito
A2
a reazione multipla di Figura
= a2/(1 + 't2s), i fattori di reazionefl'f2
a) Determinare la funzione di trasferimento AF(s).
12.42, posto AI
ef3 sono delle costanti reali.
=al/(1 + 'tIS),
b) Verificare che ciascun coefficiente di AF(s) pu essere controllato agendo sul

guadagno di un solo anello di AF.
Soluzione
a) Sostituendo nell'Equazione (12.63)
AIA03
l-A =
F l- AI3 - A3A-j2- A3A0Il
le espressioni di A I e di A2, si ottiene
Conopportune semplificazioni
b) Il coefficiente di S2pu essere variato agendo su a/3. Una volta fissato a13' il coeffi-
ciente di s pu essere variato agendo su a{2. Il termine costante pu quindi essere variato
agendo a Il.
-
12.41 Ripetere il Problema 12.40 per l'amplificatore a reazione multipla a salto di rana di
Figura 12.40.
12.42 I transistori del circuito di figura sono caratterizzati dai parametri r1t'ro e ~o.
a) Quale relazione deve essere soddisfatta affinch sia RtF = r1t.
b) Valutare AF = V/Vs per RtF = rlt.
206 Capitolo 12
+
Re
+
Rs
Vs
-
J-
12.43 a) Per il circuito del Problema 12.42, quale relazione deve essere soddisfatta
affinch sia ROF = ro.
b) Valutare AF = V/Vs per ROF = ro.
12.44 Utilizzando il transistore C, realizzare il circuito del Problema 12.20.

13
Stabilit e risposta
degli amplificatori reazionati
13.1 La funzione di trasferimento di un amplificatore a singolo stadio non reazionato pu

essere messa nella forma
Avo
AVH(s) = 1 + S/wh
alle alte frequenze; e nella forma
A (s)
- Avif/ooL
VL - l + S/ooL
alle basse frequenze, dove Avo il guadagno al centro banda.

Fra !'ingresso e l'uscita dell'amplificatore base viene introdotta una rete di reazione ~.
a) Per Avo 500, = ~=
O.OI,fh = 50 kHz,fL = l kHz, determinare i limiti di banda
dell' amplificatore reazionato.
b) Determinare il prodotto guadagnobandasia dell'amplificatore reazionato che di
quello non reazionato e confrontare i risultati.
Soluzione
a) Il guadagno del sistema reazionato pu essere posto nella forma
Ar-<s)=A~
1 + ~A(s)
Per le alte frequenze risulta
A vo 1(1 + s/OOh) Avo 1
AFH(S) = l + ~Avol(l + s/OOh) 1 + ~Avo l +S/ooh(l+ ~Avo)
208 Capitolo 13
Sostituendo i valori numerici si ottiene
A s- 500 l
FH() - 1+ 0.01 x 500 1+ s/(21tx 50 X 103)(1+ 0.01 x 500)
83.3
- l + s/(21tx 0.3 X 106)
Quindi fH =0.3 MHz.
Alle basse frequenze si ha
Sostituendo i valori numerici si ottiene
A s = 500 sO + 0.01 x 500)/(21tx 103) = 83 3 s/(21tx 167)

FH() 1+ 0.01x 500 1+ s(1+ 0.01x 500)/(21tx 103) . 1+ s/(21tx 167)
Quindi il limite inferiore di banda risultafL = 167 Hz
b) In assenza di reazione il prodotto guadagno banda (PGB) risulta
PGB = Avoifh - fJ = 500(50 - l) = 24,500 kHz = 24.5 MHz
Nel sistema reazionato si ha
PGB = AFO ifH - fJ = 83.3(300- 0.167) = 25 MHz
-
13.2 Due blocchi amplificatori identici, con A =200 efh = 100 kHz, vengono utilizzati per
la realizzazione di un amplificatore il cui guadagno complessivo sia 100 e il cui limite
superiore di banda siafH ;;::2 MHz. Assumendo che i due stati non interagiscano, quali
valori pu assumere ~ per soddisfare le condizioni poste?
Soluzione
In base ai dati forniti risulta
AOL = A2 = 4 x lO" e
AOL 4 x lO"
AF8=- ovvero 100=-
l + To l + To
dalla quale si ottiene To = 399.
In base alle Equazione (13.16) si ha
20
fo=-./O.l x 0.1(1 +399) =2.0 MHz; lO
q= 0.1 +0.1
Il valore Q = lO un po' elevato e d luogo a una risposta simile a quella di un sistema
risonante. Tuttavia, riducendo il guadagno e aumentando la banda di un amplificatore in
-
Stabilit e risposta degli amplificatori 209
modo che l'insieme dei due amplificatori, ad anello aperto, presenti un polo dominante, si
pu ottenere l'amplificatore desiderato.
Per spostare un polo da -21t x 105 rad/s a -21t x 2 X 106 rad/s necessario un valore di
1 + To =20. Essendo AFB =AoLI(1 + To)' risultaAoL = 100x 20 =2000. Il primo amplifica-
tore ha A = 200, quindi il secondo amplificatore deve avere un guadagno di lO. Utilizzando
una reazione locale con T2 + 1 =20, il secondo amplificatore presenta un guadagno di IO e
un polo a s =-21t x 0.1 x 20 Mrad/s.
In base alle Equazione (13.16) risulta
/0=-./0.1 x2(1 + 19) =2 MHz; q=~0.1 k = -.!...

+ 2 = 0.952; 2Q = 0.525
Dai grafici della Figura 13.13 si ottiene che il sistema presenta ancora un picco e che la
frequenza limite a 3 dB maggiore di/o.
Infine, essendo To = -AI3, si ha che per la reazione locale deve essere, per T2 = 19 e A = 200,
1131 = 0.095; per la reazione globale deve essere, per T2 = 19 e A = 2000,1131
= 0.0095.
13.3 Si considerino i due amplificatori di figura, dove A. =a./(1+sloo.), A2 =a2/(1+sloo2)
e 13.. 132e 13sono indipendenti dalla frequenza.
a) Assumendo che all3.. a2132e a.a213 siano tutti molto pi grandi dell'unit,
determinare 13 in modo che il guadagno dei due amplificatori, a bassa frequenza,
sia uguale.
b) Confrontare S~Fa bassa frequenza dei due amplificatori.
c) Se AI =A2 ell3. = 132quale amplificatore ha una banda maggiore?
d) Quale amplificatore ha caratteristiche nel complesso migliori?
Soluzione
a) I due amplificatori in cascata hanno un guadagno di

210 Capitolo 13
Il circuito a singola reazione ha
Uguagliando AFI a An, per s =Osi ha

al a2 - al~
l-a.~, l-a2~ - l-a,a2~
Risolvendo rispetto a ~, si ottiene
~=
-
a.~l + a2~2 a.a2~1~2
a,a2
al a2
a.a2 (l - a'~1)2(l - a2~2)
(l - al~.)(l - ~~2)
l
- l-a,~.
al ~ 1
~ (l-a,~~)2 l-al~~
l - a,a2~
Sostituendo il valore di ~ ottenuto in a) e dopo opportune semplificazioni, si ottiene
SAFI
AI
l - a2~2
Poich l - a2~2 = l + T2 del secondo anello di reazione (ed T2 > l), si osserva che la
reazione globale d luogo a una migliore desensitivit delle due reazioni locali in cascata.
c) SeAl=A2e~I=~2
\
dove
di conseguenza
Quindi, AFI e An hanno la stessa banda.

d) La differenza fra i due sistemi stata evidenziata nella risposta al punto b).
13.4 Il fattore di riporto di un amplificatore reazionato

To
T(s) =
(l + slcoI)(l + sI(02)(l + s1(03)
a) Per To = 103, COI= 0.1 Mrad/s, C02= 1 Mradls e C03= lO Mrad/s, determinare se
l'amplificatore ad anello chiuso stabile.
b) Quali sono i margini di fase e d'ampiezza. Si utilizzi il diagramma asintotico di
Bode.
a) [L'amplificatore instabile]
13.5 Ripetere il Problema 13.4 per To = 2 X 104, COI= 0.2 Mrad/s, C02= 40 Mrad/s e
C03= 200 Mrad/s.
Soluzione
a) In base ai valori numerici forniti, risulta
Tis- 2x104
( ) - (l + sA>.2)(1+ s/40)(1 + s/200)
Dove le pulsazioni sono espresse in Mrad/s.
I diagrammi asintotici di Bode risultano come dalla figura di pagina seguente.
Dai grafici si ricava coa = 316 Mrad/s e co~= 100 Mrad/s, quindi l'amplificatore instabile.
b) Per co =co~ 111 = 24 dB, quindi GM = -ITldB = -24 dB.
Per co= coa LT = -2300, quindi q>M = -230 + 180 = -500
212 Capitolo 13
I
86
80
601 -90
40
20
0.1 "'I I IO ",2 -180
2
OOG= 102.5 MradlS 00. = IO MradlS
= 316 MradlS =100 MradlS
-270
13.6 Il fattore di riporto a basse frequenze di un amplificatore reazionato

2 x 1O-3s3
T(s) (1 +s)(1 + s1100)(1 +sI1000)
a) L'amplificatore ad anello chiuso stabile?
b) Quanto valgono i margini di fase e d'ampiezza?
a) [L'amplificatore instabile]
13.7 Il fattore di riporto di un amplificatore reazionato

~I
T 0(1 + siI ()6.5)

T(s)-
- (1 + s/IOS)(1+ s1106)(1 + siI 07)2
a) Determinare il massimo valore che pu assumere To affinch l'amplificatore sia
~I
stabile.
I
b) Quale valore assume To per GM = lO dB?
c) Quale valore assume To per $M = 45? Si utilizziil diagrammaasintoticodi
Bode.
a) [To::;;71.6 dB] b) [To= 61.6 dB] c) [To= 30 dB]
I)
l,
,
-~~ ~---
Stabilit e risposta degli amplificatOli 213
13.8 All'amplificatore del Problema 13.4 richiesto di avere cl>M = 90.

a) Quale valore deve assumere co.?
b) Quanto vale GM per COIuguale al valore prima ottenuto?
c) Quanto vale il valore approssimato della banda ad anello chiuso?
d) Utilizzando l'espressione analitica di T(s), valutare la fase di T(jcoa) e l'ampiez-
za di T(jcod}).Utilizzare i valori di coae coiottenuti dal diagramma asintotico di
Bode.
=
a) [COI 100 rad/s] b) [GM =40 dB]
c) [COH= 105rad/s] d) [LT(jcoa) = -96.2; IT(jcoa)I = -40.46 dB]
13.9 L'amplificatore del Problema 13.5 viene compensato utilizzando la tecnica di cancel-
lazione polo-zero al fine di ottenere un margine di fase di 45. La rete utilizzata per
effettuare la cancellazione polo-zero ha una funzione di trasferimento (l + s/z()/(l +
s/coA).
a) Determinare Zl e coA.
b) Qual il nuovo margine d'ampiezza?
a) [z( = 0.2 Mrad/s; COA= 1.41 krad/s] b) [GM = 23.9 dB]
13.10 Si supponga che, dopo che stata aggiunta una rete di compensazione a polo e zero,
il fattore di riporto T(s) del Problema 13.5 possa essere approssimato con una funzione
con due poli
a) Determinare = 45.
coAin modo che risulti cl>M
b) Confrontare questo valore di COAcon il risultato del Problema 13.9.
=
a) [COA 2 X 103 rad/s] b) [I risultati differiscono di mezza ottava]
13.11 Il fattore di riporto di un amplificatore, dopo che stata effettuata una compensazione
a riduzione di banda, risulta
a) Determinare in modo tale che risulti cl>M= 45.

COA
b) Una tecnica alternativa di compensazione consiste nell'aggiungere una rete
nell'anello di reazione in modo che risulti
Per z( > COIe z. ::; 105, determinare COIe z( in modo da ottenere cl>M= 45.
c) Comparando i risultati dei punti a) e b), determinare quale tecnica di compensa-
214 Capitolo 13
zione d luogo a una larghezza di banda ad anello chiuso maggiore. Spiegare il

perch.
a) [OOA =25 rad/s] b) [ZI = 105 rad/s; 001= 1.58 rad/s]
13.12 a) Determinare i margini di fase e d'ampiezza relativi a T(s) fornito nel Proble-
ma 13.11 punto a), per 001= 20 rad/s, utilizzando i diagrammi asintotici di Bode.
b) Utilizzando l'espressione analitica di T(s), valutare la fase di TUooG)e l'ampiez-
za di TU00",)
, espressa in dB. Utilizzare i valC'ridi ooGe 00",ottenuti dal diagramma
asintotico di Bode.
c) Confrontare i valori ottenuti nel punto b) con i valori ricavati dal diagramma di
Bode e giustificarne le differenze.
a) [<11M = 49.5; GM = 42 dB]
-
13.13 a) Un amplificatore con due poli ha frequenze d'angolo Il = 400 kHz e 12 =
= 1.6 MHz. Quale valore deve assumere T (in dB) per ottenere il pi rapido
tempo di salita senza sovraelongazione.
b) Confrontare il risultato relativo al punto a) con il tempo di salita dell'amplifica-
tore non reazionato avente le stesse frequenze d'angolo.
Soluzione
a) I poli ad anello aperto sono Il =0.4 MHz e/2 = 1.6 MHz. Il minore tempo di salita senza
Il sovraelongazione si ha per k = 1 ovvero Q = 1/2k =0.5.
Quindi
- V/J2(1 + To) d luogoa To -- Q2ifl +/2)2 _ 1 o
Q-
11+/2 IJ2
Il
T0= (0.5)2(0.4 + 1.6)2 - 1 = 0.563 = -5 dB
0.4 x 1.6
Si osservi che questo un valore basso del guadagno d'anello. Per ottenere un guadagno
d'anello pi elevato, con i relativi benefici, i poli ad anello aperto devono essere maggior-
mente separati.
b) Il tempo di salita per il sistema reazionato, per k = 1, si ricava dalla Figura 13.15.
La variazione di x per y che varia fra il 10% e il 90%
I
" ~ - xI ""0.64 - 0.1 = 0.54
Poich lo = Qifl + 12) = 1 MHz, si ha
'tRF = t2 - ti = (x2 - xl)!fO = 0.54/1.0 = 0.54 J.lS
Per il sistema non reazionato risulta
Q . = ..Ji/2 - -./004x 1.6

10m il +i2 - 004+ 1.6 - 0.40
dacui k = 1/(2 X 004) = 1.25. Quindi siamo di fronte al caso di risposta sovrasmorzata. Poich
4k2 =6.25 > l, possiamo approssimare la risposta utilizzando una sola costante di tempo,
comenell'Equazione (13.31). Il tempo di salita 'tRrisulta
'tR = 2.2 x 2k/roo= 2.2 x 2 x 1.25/(21tX 106)= 0.875 J.l.s
La piccola riduzione del tempo di salita, nel caso reazionato, dovuta al ridotto valore di To;
comunque risulta 'tRF = 'tR/(1 + To).
-
13.14 Se l'amplificatre del Problema 13.13 ha T= 30 dB, quanto valgono il t,empo di salita
e la sovraelongazione (se esiste)?
['tR = 32.8 ns; La sovraelongazione circa del 45%]
13.15 a) Le due frequenze d'angolo di un amplificatore sono il = 50 kHz ei2 = 5 MHz.

Determinare il valore che deve assumere To affinch la risposta al gradino
presenti una sovraelongazione del 5%.
b) In quale istante si verifica il picco?
c) Calcolare l'ampiezza del primo minime e l'istante in cui si verifica.
a) [To = 52.5] b) [tm = 0.189 J.l.s] c: [ym= 0.9975]
-
13.16 Ricavare le Equazione (13.28-13.31) per la risposta al segnale a gradino di un ampli-
ficatore con due poli.
[Suggerimento: per il caso sovrasmorzato assumere k2 l e sviluppare in serie di
Taylor (1 - llk2)112].
Soluzione
In base all'Equazione (13.21), possiamo ottenere il guadagno normalizzato come

Vo(s) l ro2
o
Vj(s)AFO (s/roo)2+ (l/Q)(s/ro) +1 s2 + skroos + ~
dove stato posto 2k = 1/Q, in base all'Equazione (13.22). Poich v/t) un segnale a gradino,
Vj(s) = Vls, ovvero
Vo(s) - ~
AFO - s(s2 + skcoos + co~)
In base all'Equazione (13.17) si ha che le radici di s2 + 2kcoos+ I sono
sl.2 = -kcoo:t ..J(k2 - I)co~ = -coo(k:t ..Jk2- I)

216 Capitolo 13
Caso sottosmorzato: k S; 1, quindi
sl,2=-OOok:J::jOOo-..J1-k2 =-oook:J::jOOd' dove OOd=OOo-..J1-k2
in base all'Equazione (13.28).

Di conseguenza
Vo(s) - oo~ 1 s + 2kooo

VAFO - s(s2 + skooos+ oo~)S s2 + skOOif+ oo~
-- s + 2kooo
s S2 + 2koo os + 002
o + k2Cfl:.
o - k2Cfl:.
o
1:1
=1- s+kooo kooo

s (s + kOOo)2+ oo~(1 - k2) (s + koo)2 + oo~(1- k2)
--- s+kooo - kooo Vo(s) OOd

- S (s + kffio)2+ oo~ OOd(s + kOOY+ oo~ VAFO
Applicando la trasformata inversa di Laplace si ha
=l - '(oos IDJ+ ::'; sin IDJJ

Caso di smorzamento critico: k = 1, pertanto sI = s2 = -OOok.Quindi utilizzando l'espansione

in frazioni parziali
Vo(s) 002
o 000 1
VAFO s(s+ OOY s (s + (00)2
-Vo(t) = 1 - 00 te-O) ot = 1 - ( 1 + 00 t)e O)o t

VAFO o o
Caso sovrasmorzato: k> l, quindi
sl=-OOok+ffio-..Jk2-1 e s2=-OOok Jk2-1000

Utilizzando l'espansione in frazioni parziali, si ha
Il
I
i
---------- -~ ~--- - - --- -- --
000 l
- 2-./k2- l (oook+ 000-./k2- l) (s + oook+ 000-./k2- l)
l l l
=~- 2-./k2-1 (k--./k2-1) s+000(k--./k2-1)
+ l l
2-./k2-1 (k+-./k2-1) s+000(k+-./k2_1)
Posto
kl =k--./k2-1 e ~=k+-./k2-l
Quindi,
Vo(S) l l l l l l
VAFO =~- 2-./k2 - l (k;s,+ oookl - k2 S + ooh )

vo(t) l 1 l
VA FO = l - 2-./k2- l (k;ck1ro.' - ~ e-!sroo'
)
che coincide con l'Equazione (13.30). Nell'ipotesi che sia k2 l risulta
k. ::: k (1 - "1- 12) e ~ = k (1 + " 1 - 12 )

Sviluppando in serie di Taylor l'espressione (1 - lIk2)1I2,si ha
Sostituendo questi valori di k. e k2 nella espressione vo(t)IVAFo, si ha

v (t) l 1
-..!! ::: l - 2k e-roJ12k
- - e-'2Aroi
VAFO 2k(1- 1/2k2) ( 2k )
Poich 2k2 l, risulta
1
e -- l
2k(1 - 1/2k2) 2k
quindi
vo(t)
Wr1 FO ""1 - e-<O
ot/2k

218 Capitolo 13
13.17 Calcolare il margine di fase di un amplificatore a due poli, per k = 0.4,0.6,0.707,0.8

e 1.0.
13.18 Il circuito di figura impiega il transistore di tipo "A"I. I valori dei parametri circuitali
sono: Rs = 2.5 kQ, Rc = 3 kQ e RF = 20 kQ. Determinare la frequenza del polo domi-
nante, sia ad anello chiuso che aperto.
Re
v,
!lI = 1.33 MHz; flF= 12.5 MHz]
13.19 Utilizzando la tecnica di analisi basata sulla teoria della reazione, verificare che il
prodotto guadagno banda di uno stadio non invertente realizzato con un amplificatore
operazionale non' cambia sia ad anello chiuso che aperto.
13.20 Utilizzando la tecnica di analisi basata sulla teoria della reazione, verificare che per
uno stadio invertente realizzato con un amplificatore operazionale
dove Avoffi" il prodotto guadagno banda dell'amplificatore operazionale e AFO il

guadagno a bassa frequenza dello stadio invertente.
-
13.21 Per il circuito di figura, dimostrare che il polo dominante ad anello chiuso uguale al
polo dominante ad anello aperto moltiplicato per (l + To). Utilizzare i parametri del
transistore modello "C" polarizzato con ICQ = 0.5 mA. .
I parametri del transistore "A" sono riportati nella tabella all'inizio dei problemi relativi al Capito-
lo 12.
1
7.5 k!1
o
+
Vo
-
300 !1
Soluzione
L'amplificatore in oggetto presenta una reazione serie-serie (amplificatore transconduttivo)

e il circuito senza reazione riportato in figura
+--
lo Re
Rr r' R.+RE I I C,..
+
R. "-.., I v r"
.+ I IC"
.+
V. I RF
I parametri del transistore sono: gl/l= 0.5/25 = 20 mS, rx = 200/20 = lO kQ, CI1= 0.3 pF e
Cx = 20/(211:x 0.4) - 0.3 = 7.66 pF.
Quindi risulta
al =R?,Cx+ Rg2CI1; mi =rxll(Rs+ RE)= 1011(0.3+ 0.3) = 0.566 kQ
Rg2= mio + gl/I?L)+ RL= 0.566 [1 + 20 (7.5 + 0.3)] + (7.5 + 0.3) =96.7 kQ
a,= 0.566 x 7.66 + 96.7 x 0.3 = 33.3 ns; Il = l/21ta, = 4.77 MHz
l30RE 200 x 0.3 = 5.66
To =-AOL~= Rs +RE+rx 0.3 + 0.3 + lO
a2 = mlCx + R~2CI1; dove R~2= RL =Rc+ RE= 7.8 kQ
a2 = 0.566 x 7.66 + 7.8 x 0.3 = 10.1 (ns)2

220 Capitolo 13
al 33.3
523 MHz
f2 = a2 = 21t x 10.1
n= i = ;.;~ = 110 e in base all'Equazione (13.34)
fo =4.77"'110(1+5.66)= 129; Q = "'110(~.~5.66) = 0.246
Per Q2 < 0.1 stato dimostrato che la risposta ad anello chiuso presenta un polo domi-
nante. Quindi,fH = fl(l + To) = 31.8 MHz. Se si utilizza l'Equazione (13.43) si ottienefH ""
33.7 MHz che una buona approssimazione, per un calcolo manuale, del valore esatto.
-
13.22 I transistori utilizzati nell'Esempio 12.7 hanno fT = 200 MHz e CJ.l= 1 pF.
a) Determinare i valori approssimati delle frequenze dei due poli dominanti ad
anello aperto.
b) In base ai valori ottenuti rispondendo al punto a), stimare le pulsazioni dei poli
ad anello chiuso.
c) Tracciare i diagrammi asintotici di Bode relativi al punto a) e valutare il margine
di fase.
a) [tI =0.589 MHz; f2 =23.6 MHz]

b) [P1-2 = (-0.691 :tj 0.723) x 21t x 17.08 X 106 rad/s]
c) [CPM = 67.5]
13.23 I FET dell'Esempio 12.9 hanno Cgs=5 pF, Cgd= 2 pF e Cds= l pF.
- a) Stimarei valoriapprossimatidellefrequenzerelativeaiduepoliadanelloaperto
pi vicini all'origine.
b) Tracciare i diagrammi asintotici di Bode relativi al punto a) e valutare il margine
di fase.
c) Verificare la stabilit dell'intero amplificatore, sulla base dei risultati otten.uti
nel punto b).
a) [PI = 0.247 Mrad/s; P2 = 41.40 Mrad/s]
-
13.24 Ripetere il Problema 13.23 relativamente al circuito del Problema 12.24, assumendo
per le capacit parassite i valori forniti nel Problema 13.23.
[PI = 1.56 Mrad/s; P2 = 12.0 Mrad/s; =
<PM 31]
-
13.25 Ripetere il Problema 13.22 relativamente al circuito del Problema 12.25.
[Pt =5.56 Mrad/s;

13.26 Ripetere il Problema 13.22 relativamente al circuito del Problema 12.29, assumendo
per le capacit parassite i valori forniti nel Problema 13.23.
[(01 = 4.37 Mrad/s; (02 = 49.2 Mrad/s; Il margine di fase non definito]
I
1-

=
[001 11.6 Mrad/s; 002= 248 Mrad/s; =73.2]
CPM
[OO( = 3.04 Mrad/s; 002 = 62.9 Mrad/s; CPM= 47.2]
13.29 Una capacit Cc inserita fra gate e drain di Q2 nel circuito del Problema 13.24.
a) Determinare Cc in modo che risulti k = 0.8.
b) Quanto vale il margine di fase?
c) Stimare la banda ad anello chiuso.
a) [Cc = 11.3 pF] b) [cpM= 69.9] c) [OOH

= 3.28 Mrad/s]
13.30 Una capacit Cc inserita fra base e collettore di Q2 nel circuito del Problema 13.28.
a) Determinare Cc in modo che risulti Q2 = 0.1.
b) Stimare la banda ad anello chiuso.
a) [Cc =0.90 pF] b) [OOH = 530 Mrad/s]
-
13.31 Un"acapacit di compensazione Cc viene aggiunta nel circuito dell'Esempio 13.7 al
fine di ottenere Q2 =0.1.
a) Determinare il valore di Cc nell'ipotesi che sia inserito fra base e collettore del
transistore d'ingresso.
b) Determinare il valore di Cc nell'ipotesi che sia inserito fra base e collettore del
transistore d'uscita.
a) [Cc = 352 pF] b) [Cc = 8.82 pF]
13.32 Il circuito del Problema 13.28 compensato inserendo un condensatore Cc fra base di
Q2 e massa.
a) Determinare Cc in modo che risulti Q2 = 0.1.
b) Valutare la banda ad anello chiuso e confrontare il risultato con quello ottenuto
nel Problema 13.30.
c) Confrontare il valore di Cc ottenuto rispondendo al punto a) con quello dello
stesso punto del Problema 13.30.
a) [Cc =3330 pF] b) [OOH = 56.3 Mrad/s]
-
13.33 AI circuito dell'Esempio 13.7 richiesto di pilotare una capacit di carico CL =20 pF.
a) Determinare i nuovi valori di 001e 002'
b) Valutare le nuove frequenze dei poli ad anello chiuso e la banda risultante.
c) Qual il tempo di salita e la sovraelongazione, se esiste, del segnale d'uscita,
in risposta ad una eccitazione a gradino.
=
a) [00. 2.35 Mrad/s; =
002 66.4 Mrad/s]
=
b) [p 1-2 (-0.541 :tj 0.841) 63.9 Mrad/s]
222 Capitolo 13
c) [tR = 29.6 ns; La sovraelongazione del 13.3%]
13.34 Si consideri lo stadio a emettitore comune di figura, al quale stata aggiunta una
capacit di reazione Cc Cw
+
Re
Ce
+
R, \"0
v,
-=- l
a) Valutare la frequenza del polo dominante.
b) Qual la nuova posizione dello zero nella funzione di trasferimento?
c) Valutare la posizione del polo non dominante.
d) Valutare il valore dei poli e dello zero per i seguenti parametri: g", = 1.5 mS,
r1t= 100 k,Q, C1t= 1.5 pF, CI! = 0.5 pF, Cc = 25 pF, Rs = lO k,Q e RL = lO kQ.
e) Confrontare i valori ottenuti rispondendo al punto d) con quelli ottenuti ponendo
Cc= O. .
Soluzione
a) Il circuito equivalente, assumendo Cc Cm,risulta quello di figura
l'
i I CII
Rs
"
'. ;, I c"
+A
Vs
Questo circuito uguale a quello dello stadio a emettitore comune dove stata sostituita CI!
con Cc- Quindi risulta
al = (R)lrn) [C1t+ Cc (l + g/~J] + CcRL e ) '" l/a,

b) Lo zero ZI = gm/CC.
c) a2 = C1tCdR)lrn)RL e )2 '" al/a2
d) Sostituendo i valori numerici si ha

al '" (1011100)[1.5+ 25(1 + 1.5 x lO)] + 25 x lO = 3900 ns = 3.90 ~s
(01 = 1/3.90 = 0.256 Mrad/s
az = 1.5 x 25 (1011100) x lO = 3410 (ns)z
(Oz = 3900/3410 = 1.14 x 109 Mrad/s

ZI = 1.5 x 10-3/(25 x 1O-IZ)= 60 Mrad/s
e) Se Cc = O, CJl= 0.5pF.Quindi,
+ 0.5(1 + 1.5 x lO)] + 0.5 x lO = 91.4 ns
al = (1011100)[1.5
(O, = 1/91.4 = 10.9 Mrad/s
x lO = 68.2 (ns)2 e
az = 1.5 x 0.5 (1011100)
(02 = 91.4/68.2 = 1.34 x 109 rad/s
ZI = 1.5 x 10-3/(0.5 x 10-12)= 3 X 109 rad/s
13.35 L'amplificatore operazionale del circuito di figura ideale, il transistore e i parametri

circuitali hanno i valori riportati nel Problema 13.34.
l Re
+
t
Ce
+
R, v.
v..
-
-=- J
a) Dimostrare che il polo dominante dato da
l
p"'-
I R.'Rcgl/lCc
dove R/ = Rs Il rn' gmRL I e Cc CI!+ Cn.

b) Verificare che lo zero risulta essere
s = g,,/CI!
c) Confrontare i valori riportati nei quesiti a) e b) con quelli ottenuti con Cc = O.
d) Confrontare l'efficacia di questo circuito con quello del Problema 13.34.
224 Capitolo 13
Soluzione
L'amplificatore operazionale un separatore a guadagno unitario e quindi il circuito equiva-

lente risulta quello riportato in figura.
+
vn.
Poich il separatore unidirezionale, Ce d luogo al polo dominante, come mostrato nel

Problema (13.34). Assumendo che la costante di tempo associata a Ce sia il termine domi-
nante in al' si ha
al ""R~eCe dove
I,
Quindi
Ree"" Rs'gmRe e IPII= I/a( = l/Rs' gmRcCc
Si osservi che la componente di azione diretta della costante di tempo, RLCe, omessa in
virt della caratteristica unidirezionale del separatore. .
b) Poich il separatore unidirezionale, lo zero si verifica a quella pulsazione in cui la
corrente in CJl uguale a gmVn, ovvero sCJlVn = gmVn. Quindi lo zero si ha per s = gn/CJl.
c) Utilizzando i valori numerici forniti nel Problema 13.34, con Cc =25 pF, si ha
al = (1001110)x 1.5 x lO x 25 = 3410 ns
p( "" lIal = 0.293 Mrad/s
Sz = 1.5/0.5 = 3 Grad/s
Con Ce = O,SZha la stessa frequenza. Tuttavia
al = Rs'Cn + Rs'(1 +gmRe)CJl+ CJlRe
= (1001110)1.5 + (1001110)(1 + 1.5 x lO) 0.5 + 0.5 x lO = 91.4 ns
'I
I
Il.
p. '" lIa. = 10.9 Mrad/s

d) Quando non presente il separatore, anche la frequenza dello zero diminuisce (a circa
60 Mrad/s) e pu introdurre un inaccettabilespostamentodella fase nel fattore di ritorno.
13.36 a) Dimostrare che la compensazione a polo dominante per la quale Q2 ::; 10/121
d luogo a poli ad anello chiusi distanti fra loro almeno una decade.
b) Se To = 100, qual la necessaria separazione fra i poli ad anello aperto?
b) [n> 1222]
13.37 I due stadi in cascata di figura utilizzano transistori identici con ~o = 250, VA= 125 V,
=
fr= 400 MHz e CIl= 0.5 pF; Ql polarizzatocon ICQ\ 5 J.1Ae ICQ2=250 J.1A.
a) Per ro = O, determinare Rj' Ro e il rapporto di trasferimento ViIs'
b) Se la corrente Is fornita da un generatore di tensione Vs con resistenza interna
Rs' quanto vale il guadagno di tensione ViVs per ro = O?
c) Determinare la posizione approssimata del polo dominante.
d) Quale valore deve assumere Cc affinch risulti un polo dominante alla frequenza
di lO Hz?
Cc
+ +
\ MO
Q\
+
Q2
v. . MO
a) [Rj = 3.34 MQ; Ro = 0.333 MQ]

b) [Avo = -1570] c) [f. = 25 kHz] d) [Cc = 2.45 pF]
13.38 a) Analizzare il circuito del Problema 13.37 utilizzando la teoria della reazione e
valutare AOL(s), (3(s), T(s) e AF(s). Si osservi che tutti questi parametri sono
funzione di Cc.
b) Valutare T per s =jro = O. Il risultato ragionevole?
c) Nell'ipotesi che is sia un gradino di corrente, tracciare l'andamento temporale
di vo(t).
RL'R/ , l
a) [AoL(s)=, Gm(RLIlZx) -; + sCc ~(s) =-sC6 AF(s) =Ao/O + 1)]
Rs +ZL (Rs )
I
226 Capitolo 13
b) [T(s) = O]
13.39 Il polo dominante -COIdel circuito del Problema 13.37 uno dei due poli del guadagno
ad anello aperto AOL(s) = 105/(1 + s/coI)(1 + s/2rc x 107)di un amplificatore operazio-
naIe. Determinare Cc un modo che il margine di fase per un guadagno ad anello chiuso
unitario sia di 45.
Soluzione
Assumendo lOco) :::;co/lO, ovvero COI:::;105 rad/s, i diagrammi di Bode risultano quelli ripor-
tati in figura
In.dB
LT. gradi 6 7 8
100 IO IO IO (J),radls
01 I
(J) I
I G I
Il I
I
-90 I ..... I
--t
(J). radls
O -m
-180 In n =45 ':)J
<l>M -
2
IO
L'identificazione di <PMe coGnel diagramma di fase, consente di costruire il diagramma

d'ampiezza come mostrato. Poich COI direttamente proporzionale a Cc (come mostrato nel
Problema 13.35), si ha
l l
COI""- "" ovvero
a) R/RLGmCC
14
Caratteristiche degli amplificatori
operazionali
14.1 I transistori pnp dello specchio di corrente in figura hanno ~F = 50, ~o = 50 e

VA=50V.
a) Determinare R in modo che risulti lo = 100 J.!A.
b) Quanto vale la resistenza differenziale dello specchio?
c) possibile realizzare su un chip questo circuito?
+15v
a) [R = 137.5 kQ] b) [ro = 500 kQ] c) [no]
14.2 a) Nel circuito in figura IR = 50 J.!A;calcolare il valore del rapporto R1/R2 per cui
si ha lo = 100 J.!A.
b) Quanto vale la resistenza di uscita dello specchio?
+15v
IR
-
228 Capitolo 14
-
14.3 a) I transistori pnp in Figura 14.2 del testo hanno una tensione di Early pari a
VAP =50 V, mentre quelli npn hanno una tensione di Early pari a VAN= 120 V.
Detta ICQla corrente di polarizzazione, dimostrare che la resistenza di carico del
transistore npn
VAN VAp
RL=
ICQ(VAN+ VAP)
b) Valutare RL"
c) =
Per r1t Rs e ICQ 0.1 ~A, calcolare V/Vs"
d) Il risultato ottenuto al punto c) risente delle variazioni di I CQ?
= 353 = -1410]
-
b) [RL kQ] c) [Av d) [no]
14.4 a) Verificare l'Equazione (14.2) supponendo trascurabile la corrente di base.

b) Quale deve essere il rapporto tra le aree per un generatore di corrente di 300 ~A
se la corrente di riferimento di 50 ~A?
c) Come si pu ottenere tale corrente con uno specchio pnp?
d) Per una corrente di riferimento di 50 ~A, cosa si deve richiedere affinch il
generatore di corrente sia compreso tra 50 e 100 ~A?
Soluzione
a) Per la corrente di collettore si ha IC4 =ICI + IBi + 102 ""IR. Assumendo ~F 1, si ha

IR"" ICI. Poich VOEI= VOE2'si ha
IC2 - IESl
ICI - lESI
Le correnti di saturazione dei transistori sono direttamente proporzionali alle aree di giun-
zione, per cui
IC2- A2
ICI - AI
La I legge di Kichhoff impone che, per ~F 1, si abbia lo"" ICI + IC2.Quindi
A2 A2
lo =ICI + AI ICI =( 1 + AI ) IR
b) Usando l'Equazione (14.2) si ottiene
A2 A2
300 =( l + A I ) 50 oppure AI= 5
Caratteristiche degli amplificatori operazionali 229
c) Per ottenere una corrente di 300 /lA con transistori pnp necessario ricorrere a transistori
di grande area e valori di resistenza elevati.
d) L'area A2 deve essere minore di A l'
14.5 In figura mostrato un amplificatore operazionale a due stadi (vedi anche da Proble-
ma 14.6 a Problema 14.10).
a) Individuare la funzione di ciascun transistore.
b) Verificare che, in assenza di segnale di ingresso (le basi di Ql e Q2 sono
entrambe a massa), Vo = O. Tutti i transistori npn hanno ~o = ~F = 200, VA
= 120 V, CI! =0.5 pF e/T =400 MHz. Tutti i transistori pnp hanno ~o =~F = 50,
VA = 60 V, CI!= 0.5 pF e/T = lO MHz. Usare Vcc = 15V.
+Vcc
Cc
VI
-Vcc
14.6 Nell'amplificatore operazionale del Problema 14.5, progettare il ripetitore di corrente

in modo tale che IICQ2'= ICQIO = 12 /lA.
-
14.7 a) Determinare il guadagno a bassa frequenza dei due stadi in cascata CC-CE,
assumendo ICQ2= -12 /lA, ICQIO= 12 /lA e ICQ9= 14 /lA.
b) Quanto valgono le resistenze di ingresso e di uscita di questo stadio?
Soluzione
a) La resistenza di uscita della coppia differenziale

230 Capitolo 14
con IIC71 = Ild.

120 60
ron= 20 = lO MQ; rop=U=5 MQ
e Ro = lO Il 5 = 3.33 MQ. Il modello dello stadio CC-CE
50
I parametri dei transistori sono

14
gm9 = 25 = 0.56 mS
120
e
ro9 =14 = 8.57 MQ
200
r1t9=-=
0.56 357 kQ
12 120
gmlO = 25 =0.48 mS; rolO=12 = lO MQ e
200
I
rltlO= 0.48 =417 kQ
.; La resistenza R05 la resistenza di uscita di uno stadio CE con resistenza di emettitore ed

I
I.
data in Tabella 10.3b. Per Q5 si ha
12 50
gm5 = 25 = 0.48 mS; rlt = 0.48 = 104 kQ
50
r05=U=4.17 MQ
e usando l'Equazione (10.12) si ha RE5 = 6.48 kQ. Allora si ha
R = 4170 1 + 50 x 6.48 = 16.4 MQ

05 104+6.48
( )
r
Si noti che nel calcolo di R05si assunto rb =Oe Rs = lIgm2 rn. L'equivalente di Thvenin
di Q9 visto dalla base di Q l O caratterizzato da VTh =AV9 Vs' dove
A = (200 + 1)(50118570) - 0.730

v9 3330 + 357 + (200 + 1)(50118570)
R = 3330 + 357 Il50 = 13.5 kQ =R'

TII l + 200 09
Il guadagno di Q l Ovale allora
200 (16,4001110,000)=-2850
AylO 13.5 + 417
Ay = A~yJO = 0.73 (-2850) = -2080

b) Ri9 = rn9 + (~o + l) (RE Il rnlO) = 357 + (200 + l) (5011417) = 9.32 MQ
R~IO = rolO Il R05 = lO Il 16.4 = 6.21 MQ
14.8 a) CalColare CMRR, ADMe Ro dello stadio differenziale del Problema 14.5.
b) Quanto vale la resistenza differenziale di ingresso?
a) [CMRR = 76.4 dB; IAD' = 1410; Ro = 2.94 MQ] b) [Rid= 208 kQ]
-
14.9 Determinare il guadagno di tensione e la resistenza di uscita dell'inseguitore di emet-
titore. Supporre che Ql Osia polarizzato con Ic = 12 J.LAe che la resistenza di ingresso
dell'inseguitore di emettitore possa essere approssimata con ~RE' dove ~ il gudagno
di corrente del transistore composto e RE la resistenza effettiva di emettitore.
Soluzione
Si assuma RL ~ l kQ e ICI2 =250 J.LA(per alimentare carichi con corrente di picco pari a
250 J.LA).Con RL ~ l kQ e ~c ~02= 2002, la resistenza di ingresso della coppia Darlington
""
Ri > ~/RL =2002 X l =40 MQ.

li = VJ(Ro+ R); lo "" ~~/i e Vo = R/o
Cos
(200)2Vs
Vo - "',...,.. + 40,000 x l = 0.866
Si noti che Ay e Ri sono valori approssimati. Se si tiene conto di rn' Ay aumenta leggermente
(Ay =0.9).
La resistenza di uscita Ro dell'inseguitore di emettitore Darlington si pu calcolare dalla
figura applicando due volte, prima a Rxx e poi a Ro. la relazione in Tabella 1O.3b, in cui si
sia sostituita Rs con RL.
232 Capitolo 14
Q/2
20
14.10 a) Calcolare il guadagno ad anello aperto dell' AO.

b) Determinare, in modo approssimato, il polo dominante dello stadio differenziale
e di quello di guadagno.
c) Determinare Cc in modo da ottenere una frequenza di taglio di l MHz.
a) [Av = 1.27 x 106]

b) [fIDM= 110 kHz;fIG =7.3 kHz]
c) [Cc =33.1 pF]
-
14.11 a) Calcolare la resistenza di uscita del circuito di Figura 14.14a.
b) Usare il risultato del punto a) per calcolare la resistenza di uscita di Figu-
ra l4.l4b.
14.12 Per l'AO a due stadi del Problema 14.5:

a) determinare il guadagno ad anello aperto, la resistenza di uscita e la resistenza
differenziale di ingresso;
b) compensare l AO in modo da ottenere una frequenza di taglio di l MHz.
a) [1.27x 106; 372 n; 208 kn]

b) [33.1 pF]
14.13 a) Tracciare l'andamento di ICI e di IC2in funzione di vd per il circuito in figura.

b) Utilizzando il transistore del Problema 14.5 e con RJ = 100 n, determinare le
correnti nei transistori. Usare l EE= l ~A.
+Vee
Re Re
Voi V02
QI Q2
Soluzione
a) Per soddisfare la I legge di Kirchhoff al nodo comune alle due R I deve essere
ICI + ICl = aFIEE (1)
La II seconda legge di Kirchhoff applicata alle maglie di base d
-vd + VBEI+ IIEIIRI - lImi RI - VBm = O ovvero
Vd = VBEI - VBE2 + (Rl/aF) (lCI - ICl) (2)
Poich
ICI
- = e(VOEI - VB2Wr (3)
ICl
risolvendo la (I) e la (3) si ottiene
l - alEE l - alEE (4)

CI- l + e-6VIVr Cl- l + e6VIVr
dove LlV= VBEI - VBE2Occorre ora mettere in relazione L\V con vdoDalla (4) si ha che
ICI -l cl pu essere espresso come
l l
l -l =a + = aIEE(e6VIVr- e-6VIVr)
CI Cl IEE 1+ e-6VIVr 1+ e6VIVr
[ ]
Poich (eX - e-X)/(eX+ e-X) = tanh x, si dimostra che
234 Capitolo 14
(5)
Sostituendo la (5) nella (2) si ottiene
Vd= Av + R)IEE tanh 2~V

T da cui
(6)
Per 12AV/V~ l tanh (2AV/VT) ""2AV/Vp cosicch la (6) diviene
2AV - 2vd - 2RlEE 2AV

VT - VT VT VT
E quindi
AV = vj(l + 2RlE/!VT) (7)
Per 12AV/V~ l tanh (2AV/VT) -7 l, e in questo caso la (6) d
(8)
Sia la (7) che la (8) indicano che per forzare una stessa corrente in uno dei transistori
occorrono valori pi elevati di vd di quelli che occorrono con R I = O(nello stadiostandard
ad emetti tori accoppiati).
Le caratteristiche di trasferimento hanno forma simile, tranne che necessario avere Vd>
4VT= 100 mV.
-4 VT '" -100 mV o -4VT'" -100 mV
Si noti che R / EEdetermina di quanto la vd deve essere maggiore di 100 mV per far commutare
la corrente (come nella porta ECL). Inoltre, dalla (6), se vd = O, poich x = k tanh x soddi-
sfatta solo per x = O, si ha ICJ = ICJ..
b) Con vd =O ICI =IC2 =Cl.FIEJ2, dove

Cl.F= ~I<~F+ l) = 200/(200+ l)
Cio
Per tutti i valori di corrente in Q l (o Q2) si ha allora

IVdl ;::::~VBE + 2R/EE oppure IVdl = 100 + 2 x 100 x l = 300 mV
14.14 Per il traslatore di livello in figura, determinare V2- VI.
\5 V
Q3
IO kf!
Q\
14.15 Nel circuito di figura dimostrare che Va = (Vz + VBE)(1+ R/R2).

+Vcc
Vo
14.16 a) Per il generatore di corrente in figura Q\ Q2

a lato provare che
trascurando le correnti di base.

236 Capitolo 14
b) Se 0.1 < lill < lO, che errore si commette assumendo che lill =R/R2? Usare
llRI =
IV.
c) Come si modifica la risposta al punto b) se si aumenta llRI?
b) [5.76%] c) [l'errore diminuisce]
14.17 Nel semplice amplificatore operazionale di figura, tutti i transistori npn hanno
~F =200 e tutti quelli di tipo pnp hanno ~F =50. I generatori di corrente sono realizzati
con pnp. Verificare che quando vI = v2 =O si ha Vo = O.
+15V
v.
-15 V
14.18 Le tre sorgenti di corrente dell'AO del Problema 14.17 sono alimentate dalla stessa
corrente di riferimento lR =300 ~A. Disegnarne il circuito.
-
14.19 Assumendo ~F = 250 per i transistori npn e ~F = 50 per quelli pnp, determinare le
correnti di base nello stadio differenziale e in quello di guadagno dell' AO tipo 741 in
Figura 14.19.
[IBI =lB2 = 36.8 nA; lBI6 =71.2 nA]
14.20 Nella figura di pagina seguente rappresentato il modello circuitale di uno stadio
differenziale realizzato con un amplificatore operazionale di cui sono note le correnti
e la tensione di sbilanciamento.
a) Determinare la componente della tensione Vo dovuta al segnale differenza
vI - v2'
b) Determinare la componente di Vodovuta a lj2.
c) Ripetere il punto b) per Vos'
d) Per vI = v2 determinare la tensione totale di sbilanciamento all'uscita.
e) Calcolare la tensione di sbilanciamento di uscita per Vos= 6 mV, Iio = 0.2 l!A,
IBI = IB2= 0.5 l!A, RI = 50 kQ e R2 = 500 kQ.
Soluzione
Per risolvere il problema assegnato conveniente usare il principio di sovrapposizione degli

effetti, per calcolare singolarmente i contributi all'uscita dovuti a ciascun generatore: v" V2'
Vos' lio'
Si noti che se IBl = IB2'i contributi dovuti a questi due generatori si annullano reciproca-
mente.
a) Con Iio =O e Vos =O si ha
e combinando i due risultati come Vo= voi + vo2si ottiene
b) Con vI =v2 = Vos = Oil modello circuitale il seguente
-
238 Capitolo 14
Essendo Vi = Osi ha Vy- Vx = O, da cui
V=- /io RIR2

x 2 RI+R2 (1)
Vo-Vy Vy
/2=-; /J=-
R2 R(
La I legge di Kirchhoff impone che
Combinando questi risultati si ottiene
RI RIR2
V= v- /./O
x R I + R2 o 2(R I + R2 ) (2)
Eguagliando la (l) e la (2) e risolvendo per Vo si ottiene Vo = R/io'

c) Con VI = v2 = O elio = O il modello del circuito il seguente
+--
12 R2
+
Vx
vr
v RI
RI R2
Il!
In un AO ideale Vi = Oper cui
d) Con VI =v2' l'uscita costituita dallo sbilancamento totale. Cio
Vo = R/io + (RiRI + l)Vio

500
vo=500xO.2+ 50 +1 6=166 mV
( )
14.21 a) Usare la teoria della reazione per calcolare la componente del segnale in uscita.
b) Quanto vale la componente dovuta allo sbilanciamento in uscita?
R'
Vo
+
v,
-
14.22 Si prenda in esame l'amplificatore operazionale di Figura 14.22b il cui modello cir-
cuitale mostrato in Figura 14.21. Ponendo Ro = O e V;o =Odimostrare che:
a) la tensione di uscita V02 dovuta alla corrente di polarizzazione 182
-R'RR;Av
V - I
02- (R;+ R I)(R' + R) + RR' - AflR; B2
b) la tensione di uscita VoI dovuta alla corrente di polarizzazione IBI
RjRI(R + R')Av
V - I
01 - (R+R')(RI +R) -AflR;+RR' BI
c) Dimostrare che se IBiIBI "" l, allora Voi + V02 risulta minimizzata scegliendo
RI = RR'/(R+ R').
14.23 Per l'amplificatore in figura, VI e V2 rappresentano tensioni inde~ideralc. Dimo-
strare che se Rj ~ 00 , Ro = O,Avi < Oe A,.~< O.allora
Vo = Av2 [AvI (V' - VI) - V2]

R - V' +
con V'=V- K
R+R'
Dimostrare inoltre che, se
Av~vIR/(R + R') l, allora
Vo=(1 + ~)(VI + :~)
14.24 Lo stadio differenziale a JFET in figura viene usato per realizzare un AO ibrido. Cio
lo stadio di ingresso a JFET viene realizzato usando componenti discreti, mentre i
transistori bipolari ed i rimanenti stadi sono realizzati in tecnologia integrata. Il JFET
ha IDss =3 JlA e Vp = -3 V. Il bipolare ha PF = p"= 200 e VA = 100 V. Calcolare
CMRR e ADM'Per il JFET usareA.= 0.0l V-I.
240 Capitolo 14
+Vcc
6 kf! 6 kf!
lOkf! 20 kf!
Cc
v.
1.2V
-Vcc
[CMRR =74.2 dB; ADM =-20.4]

+Vcc
14.25 Lo stadio differenziale BIMOS
in figura a lato impiega dei
MOSFETcon VT=O.5 Ve kWIL
= 400 IlA/V2. I BJT hanno
~o =200 e VA = 100V. Determi-
nare ADMsfruttando la simmetria
dello stadio differenziale.
=
[ADM -300] '.
500f! 500 f!
-Vcc
14.26 Il circuito in figura noto come amplificatore differenziale di corrente e viene spesso
. usato in amplificatori operazionalitransconduttivi.
a) Verificare che io proporzionale a il - i2.
b) Determinare la resistenza di uscita per piccoli segnali dello stadio.
+vcc
-i.
Q3
Q2
QI
14.27 Un amplificatore operazionale ha un guadagno ad anello aperto
a) L'amplificatore viene usato come inseguitore di tensione. Determinare 001per

un margine di fase di 45, dato che 002= 107 rad/s.
b) Quanto vale il margine di fase, se l'amplificatore ha un guadagno ad anello
chiuso di 5?
c) Quanto deve valere 00. se si vuole ottenere un margine di fase di 45 con
AFO= 5?
a) [00.= 100 rad/s] c) [001= 500 rad/s]
14.28 Ripetere il Problema 14.27 per uno stadio invertente.
a) [00. = 200 rad/s] c) [00. = 600 rad/s]

14.29 L'approssimazione a due poli di AOL
242 Capitolo 14
A - 2 x lOS
OL - (l + S/CO,)(1 + S/(02)
a) Per co2 = 107.5 rad/s, ripetere il Problema 14.27, punto a).

b) Quanto vale il margine di fase seAFo = 2 e COIassume il valore calcolato al punto
a)?
=
c) Quanto deve valere COIse AFO 2 e si richiede un margine di fase di 60?
a) [COI= 158.5 rad/s] c) [COI= 177.8 rad/s]
14.30 Alcuni AO sono "parzialmente" compensati. Ovvero, viene usata una compensazione
interna per fornire un margine di fase di 45 per AFO= 5. Per l' AO del Problema 14.29,
C02= 107rad/s e
l
co\=
Req(C,+ Cc)
dove C, la capacit di compensazione interna e Cc quella esterna.
a) Con Cc = Oe C, = 2pF, determinare Req.
b) L'amplificatore deve essere usato come inseguitore di tensione con <l>M
'" 90,
Calcolare Cc-
Soluzione
a) Se AFO = 5 si ha RiR, = 4 e T(s) = R,AoL/(R, + R2) =AoL/(1 + RiR,). Si ricava da que-

sto
Ts_2X105 l
( )- 5 (l + s/co,)(1+ s/107)
Per <l>M =45,coG= 107rad/s e col(2 x 105)/5 = 107, da cui

COI = 250 radls
Con Cc= O,
COI= l/ReqCI ovvero Req= 1/(250 x 2 x 10-(2) = 2000 M,(-"

b) Per un buffer a guadagno unitario si ha T(s) =AoL(s) = 2 x 10:;/(1 + s/co,)(l + s/l07). La
pi alta frequenza per cui <l>M= 90 ovvero T(jcoG)= -90 coil\) = 106rad/s = coG'Allora
COI= coG/(2 x 105) = 5 rad/s, da cui
5 = l/Re/C, + Cc) = 1/(2 X 109 C\o\) da cui C\o\= 100pF

E infine
Cc = 100 - 2 = 98 pF
14.31 L'amplificatore del Problema 14.30 viene usato come amplificatore invertente. Deter-
minare Cc' supponendo IAFol= l in modo da garantire un margine di fase di 60.

[Cc = 6.66 pF]
-
14.32 Il guadagno ad anello aperto dell' AO in Figura 14.32a pu essere approssimato con
Aj(l + S/O)I)(l + s/O)z).
a) Calcolare T(s) per tale circuito.
b) Quale relazione deve essere verificata se si vuole usare la cancellazione
polo-zero?
c) Dato Avo = 105, 0)1 = 106 rad/s, e o)z = 107 rad/s, progettare il circuito in modo
da avere M= 45 con AFO = 1.
Soluzione
a) Essendo la rete di reazione resistiva, AOLe T hanno la stessa risposta in frequenza.

=
AOL ViVI' e a causa della partizione di tensione si ha
RH+ lIsC
V - A V
3 - D
A + RH . t 1_;" VI I
Sostituendo AvI e semplificando si ottiene
V3
--A - -l + sRHC Avo
VI - OL- 1+ sC(RA+ RH) (l + S/O)I)(l+ s/O)z)
Poich T =AoLP e non dipendendo p dalla frequenza, si ha
b) A causa della cancellazione polo-zero 0)1 = l/RHC e il polo a -l/(RA + Ru)C posizionato
in modo da ottenere il valore desiderato di M.
c) Lo stadio, assumendo che l'amplificatore non ;;werta e la cancellazione polo-zero, il
seguente
per cui T = AoL.

Per ottenere M= 45 deve essere O)G= (OZ= 107rad/s. Allora
0)1= 106= I/RuC da cui RuC = 10-6
244 Capitolo 14
La pulsazione di polo OOx = lI(RA + RB)C deve essere fissata in modo che
Tooox = ooG ovvero OOx = 107/HP = 100 rad/s

E quindi
RAC + RBC = 10-2 e RAC :::: 10-2
Scegliendo C = l nF si ha
Aumentando C occorre diminuire il valore sia di RA che di RB.

Si noti che se si fosse usato uno stadio invertente, si sarebbe avuto T =Aod2 e (J)xdi
conseguenza sarebbe raddoppiato (cio OOx=200 rad/s), poich il valore di ooG fissato.
-
14.33 Ripetere il Problema 14.32 per il circuito in Figura 14.32b.
Soluzione
a) Il circuito per il calcolo di T il seguente
+ +
R2
R
Vi
c:;:;::: +
Si definisca Z =RJ Il(R + lIsC + Rx). Allora

A
-Av V;Z
V=-
x R2+Z
V.= R + lIsC V
I R+ l/sC+Rx x
T=- Vj= AvZ x R + lIsC da cui

V.I R2+ Z R + Rx+ lIsC
b) 001= lIRC, cio il polo dominantedi Av cancellato dallo zero.

c) Per un amplificatore non invertente a guadagno unitario si ha R2 = Oe allora, grazie alla
cancellazione polo-zero,
Avo
T(s)-
(l + S/(02)[1 + sC(R + Rx)]
Per cI>M= 45 si ha 000= <02= 107 rad/s e il polo dominante del circuito compensato vale
=
0021To 100 rad/s. Quindi C(R + R) =
10-2 s e, a causa della cancellazione, RC 10-6s. =
14.34 Nella parte (a) della figura rappresentato il grafo di flusso di un AO a tre stadi con
guadagno ad anello chiuso unitario.
a) Quanto deve valere <01se cI>M=45?
b) Viene aggiunto una percorso diretto per il segnale, costituito da un quadripolo
avente una funzione di trasferimento 'tsl(1 + 'ts), come mostrato nella parte (b)
della figura. Usando il valore di <01calcolato in a), per quale intervallo di valori
di 't si ha un incremento di cI>
M?
-I
I
x, o .. o o x.
6 30 30
I + s/J06 I + SIOlI I +s/l()5
(o)
I I
x, o .. .. o x.
(b)
a) [<O.= 18.5 rad/s]
14.35 Ripetere il Problema 14.34 per il diagramma di flusso in figura.

-I
x, o x.
rs
I +rs
246 Capitolo 14
a) [001 = 18.5 rad/s]

14.36 Un AO ha uno slew-rate pari a 0.5 V/f.ls.
a) Qual la massima frequenza che pu assumere una sinusoide di uscita di
ampiezza pari a 5 V senza distorsioni non lineari?
b) Ripetere il punto a) per un segnale di 15V.
a) [00 = 105 rad/s] b) [00 =3.33 X 104 rad/s]
14.37 Ripetere il Problema 14.36 per un AO con sleoorate pari a lO V/f.ls.
a) [00 = 2 X 106 rad/s] b) [00 = 0.667 X 106 rad/s]
14.38 Ripetere il Problema 14.36 per un AO con slew-rate pari a 50 V/f.ls.
Soluzione
a) La massima pendenza di una sinusoide vale VII/oo.Per non avere distorsioni non lineari
tale pendenza deve essere minore dello slew-rate dell' AO. Quindi 00= lO Mrad/s.
b) Analogamente si trova 00=3.33 Mrad/s.
14.39 a) Per l'amplificatore in figura calcolare T(s).

b) Questa configurazione circuitale pu essere usata per compensare l'amplificato-
re? Giustificare la risposta.
",
"o
-
14.40 Con riferimento al circuito di Figura 14.39 esprimere AD e CMRR in funzione di Rp
R2, R3 ed R4'
Soluzione
Se l'amplificatore ha guadagno finito Av' l'uscita ottenuta per sovrapposizione degli effetti vale
-R0v R4 A/R l + R2)
Va= VI + V2
R1(I+A)+R2 R3+R4R(I+A)+R2
=
Per V2 -V.. cio con una tensione differenza pari a V.. si ha
V -
-AvV, R +
RiR. +R2) -A V
0- R l ( l +A v) +R 2 2 R 3 +R 4 - DM I
( )
Se R]/R2 = RiR4, si ha
A - -Av2R2
DM- R,(I + Av)
Se si verifica la relazione R"R2 = RiR4 si ottiene ACM =o e CMRR ~ 00 . Infatti

CMRR =ADM/AcMe dal punto a) e dalla (2) si ha
R2R3+2R2R4+R,R4
CMRR =
R2R3 - R,R4
-
14.41 Nel circuito di Figura 14.39, R4 viene cambiata in 110 k'o.
a) Calcolare il CMRR.
b) Determinare Vo per VI = 5 V e V2 = 5.001 V.
a) [CMRR = 2220] b) [VO= -350 mV]
-
b) Calcolare il CMRR.
-
14.43 I transistori in Figura 14.42hanno f30= 150.
a) = I k'o e Vref= 5 V, determinare RR in modo tale da ottenere un guadagno
Per RL
pari a 100. Assumere Vcc = VEE = 15 V.
b) Se Vrefvaria del 10%, quanto vale la variazione percentuale del guadagno?
-
14.44 In Figura 14.43, l'amplificatore differenziale ha un guadagno di 12, lo stadio di gua-
dagno e quello di uscita hanno ciascuno un guadagno di 30, mentre l'inseguitore di
source ha un guadagno di 0.9.
248 Capitolo 14
a) Calcolare il guadagno V/Vin

b) L'AO viene usato per realizzare un inseguitore di tensione. La risposta in
frequenza dell' inseguitore di source pu essere trascurata e gli stadi posso-
no essere considerati isolati. I due poli dominanti dell'amplificatore valgono
-106 rad/s e -107 rad/s. Lo stadio di guadagno ha gm = l mS, ro = 60 kQ e
RD = 60 kQ. La resistenza di uscita dell'inseguitore di source 2 1 kQ. Deter-
minare Cc in modo da ottenere un margine di fase di 45.
Vo
a) [VIn = 1004] b) [Cc = 1.65 J.1F]
-
14.45 Nel circuito in Figura 14.46, Rs = 5 kQ, RL = 30 kQ, gm = l mS, Cgs= 5pF e
Cgd
a)
= 2 pF.
Posto Cc = O, calcolare il polo dominante.
b) Calcolare lo zero della funzione di trasferimento.
c) Determinare Cc in modo da ottenere un polo dominante alla frequenza di 1kHz.
d) Assumendo per Cc il valore calcolato al punto c), quale sarebbe la frequenza di
zero se non si usasse il separatore?
14.46 Per l'amplificatore per strumentazione in figura verificare che

Rz 2Rz
Vo = l + R, + R
( ) (Vz - VI)
Si osservi che il guadagno pu essere variato agendo su R.
R
Vo
14.47 Dati i segnali vI e vz' usare due amplificatori invertenti in modo da ottenere un'uscita
Vo =k(vz - vI)' con k positivo.
14.48 L'amplificatore per strumentazione spesso usato per amplificare l'uscita di un

trasduttore a ponte, come mostrato in figura. Per esempio, in uno "strain gauge"
le resistenze R, sono di precisione, mentre la resistenza Rz + !!..R quella del
trasduttore collegato al componente strutturale sotto test. A causa del carico
sulla struttura la resistenza cambia. La resistenza Rz nell' altro ramo del ponte
di confronto (non caricata) e viene usata per compensare l'effetto delle varia-
zioni di resistenza causate da variazioni di temperatura o di altri parametri
ambientali.
a) Supponendo che il guadagno dell'amplificatore sia AD, dimostrare che per 0=

b.RIR2 1.
ADVBO
V=-
a 4
b) Supponendo noti CMRR e AD, esprimere Va in funzione di AD, CMRR, VR e O.
c) Si ponga RJ = R2,AD = lO e VR= 12 V. Quanto deve valere CMRR se si vuole
che la componente differenziale dell'uscita sia 100 volte maggiore di quella a
modo comune per O = 1O-4?Il valore ottenuto realistico?
Amplificatore
per strumentazione
---o Vo
+
c) [CMRR = 132 dB]

15
Generazione ed elaborazione
di forme d'onda
-
15.1 Si verifichil'Equazione(15.4)
Soluzione
A
Per R RL si pu assumere che lo stadio JFET generi una tensione -gIllRLVgsall'ingresso

della rete di sfasamento. Il circuito allora
c c c
A
+
R R R
Le equazioni di maglia sono

A
It(R + lIsC) - IzR + 13 = -g/llRLVgs (1)
ItR + Iz<R+ R + lIsC) - RI3 = O (2)
Il - Rlz + IiR + R + lIsC) =O (3)

A
Risolvendo questo sistema per 13,si pu valutare Vgs= RI3 e T = - Vg/Vgs' Ponendo p =sRC,
sostituendo p =jroN e riorganizzando i termini dell' espressione si ottiene l'Equazione (15.4).
-
15.2 a) Per la rete riportata in Figura 15.2a del testo, si impieghi la tecnica della rezione
per dimostrare che l'impedenza di ingresso vale
252 Capitolo 15
1- %C02- jco f6 - (02)

Z.=R N N\ N
I 3 - ~N - J'4coN
b) Si valuti Zj alla frequenza di oscillazione.
Soluzione
a) Zj si pu calcolare usando la formula dell'impedenza di Blackman
ZiO=R IlZxx; ZXX=[(s~ IlR + s~ )11R] + s~

Tsc =Opoich il cortocircuito tra A e B porta a Vgs= O. Toc = T, secondo quanto trovato nel
Problema 15.1 ed espresso dall'Equazione (15.4). Combinando questi termini si ha
ZjF= l . oc
ZiO
,.,.
e riorganizzando questi termini si ottiene

1- 5co2- jco f6 -~)
=R
Z. fiCO) N N\ N
IFV N - J'4co
3 - C02 N
Si noti che si posto P =sRC e che ZjF stato calcolato per p =jcoN' Si noti inoltre che se si
variala frequenzadi oscillazionevariando C, Zjrimane inalterata, mentre se la variazionesi
ottieneagendosu R la Zj cambia.
=-(6 = COosi ottiene
b) Calcolando il numero complesso ZjFUco)per CON
Z. =R 1- 5(6)- j-{6(6 - 6) =R 29 =R(O.83 - i2.70 ) Q

l 3 - 6 - j4-{6 3 + j4-{6 J
-
15.3 Per il circuito di Figura 15.2a si determini il guadagno richiesto e la frequenza di
oscillazione, tenendo conto dell'effetto caricante dello stadio a JFET.
Soluzione
Se si considera il carico di uscita dell'amplificatore a JFET il circuito diviene
c c c
+"
+
Generazione di forme d'onda 253
Leequazioni di maglia del circuito mostrato sono identiche a quelle del Problema 15.1, tranne
una modifica nella (l) per tenere conto di RL
1\
Il(RL + R + lIsC) - 12R + 13 = -gmRLVgs
Procedendo come nel Problema 15.1, si pu esprimere T come
dove k =RL/R. La frequenza di oscillazione roONsi ha per
1- %J6 + 4k) =O da cui
Alla frequenza roo' T =-l cos

gmRLro~
5+k-ro~1+4k)
Sostituendo roNe risolvendo per gmRLsi ottiene il guadagno dello stadio a JFET come
R - 4k2+ 22k + 29
gm L - l + 4k
Si noti che per k = O (l'effetto caricante di RL nullo) il risultato esattamente quello del
Problema 15.1.
15.4 Nell'oscillatore a rete di sfasamento mostrato, le resistenze di polarizzazione Rl e R2

hanno un effetto trascurabile e C" sufficientemente grande da comportarsi come un
cortocircuito perfetto ad ogni frequenza di interesse.
a) Si determini T(s).
b) Si dimostri che l'imposizione delle condizioni per l'oscillazione porta a
~0~4k+ 2: +23
dove k = RdR.
c) Si dimostri che il valore minimo di ~o deve essere maggiore di 44.5.
254 Capitolo 15
Vcc
...-
Re
h R3 C
RI
II
-
lb
--<>-<>-
B2 BI
- J--iJ I C
R R
R2
eil
Soluzione
a) Sostituendo il generatore comandato di corrente con il suo equivalente di Thevenin e

scrivendo le equazioni di maglia del circuito risultante si ottiene
1\
/3olbRe =Il (Re + R - jX) - ~R + ~ (1)

0= -IIR + 12(2R- jX) - 13R (2)
O = Il - 12R + 13R(2R- jX) (3)
Sia ex=XIR = lIroRC e k =RdR. Allora la (3) diviene
.
~ 12 = 13(2 - ja.)
Sostituendo l'espressione di Il e 12in (1) e semplificando si ha

-/30 Ibk = III + 3k - (5 + k)a.2 - j[(6 + 4k)a. - ex3])
Il guadagno di corrente di anello lilb e quindi, dovendo questa grandezza risultare reale,
la parte immaginaria deve essere nulla, ossia
Cos
l l
f = 21tRC;/6 + 4k
Il
Il
A questa frequenza
=-L
!.l2. (4k2 + 23k + 29)
13 ~ok
Per li/h> l si ha ~o> 4k + 23 + 2:

29
c) ~o=4k+23+k
Cos ?; = 4 - 29/k2 =O da cui k = (29/4)112 = 2.7

. =4(2.7) + 23 + 2912.7 =44.5
E infine ~om..
15.5 Si progetti un oscillatore a sfasamento che lavori alla frequenza di 8 kHz. Si impieghi
un MOSFET con Il = 59 e rd = lO kQ. La rete di sfasamento non deve caricare l'am-
plificatore.
a) Si trovi il valore minimo della resistenza di drain RD per il quale il circuito pu
oscillare.
b) Si valuti il prodotto RC.
c) Si scelga un valore ragionevole per R e si valuti C.
a) [Rd = 6.13 kQ] b) [RC = 12.99 Ils] c) [R =30 kQ; C =430 pF]
-
15.6 Con riferimento all'oscillatore a FET mostrato in figura, si trovi a) V/VD, b) la fre-
quenza di oscillazione, c) il valore minimo del guadagno dello stadio a inseguitore di
source necessario per l'oscillazione.
+VDD
R
I c
. . 0+
R +1
I c VI
-l R, Vo
t
I
R
= Vss
-I 0-
I
256 Capitolo 15
Soluzione
a) Si consideri la rete di sfasamento ridisegnata in figura
F
-o I
c
Vo J c
R
l c
R
+ +
= =
Dall'Equazione (15.4) si ottiene che (J)~ 6 (1/21CfRC}2 e che lo sfasamentointrodottoin
V'jVo di 180, cio V'o = -Vj29. Applicando la II legge di Kirchhoff alla maglia esterna si
ottiene
V' - _V' + V _l V + V O
~L.l + l - 30 - A
f- o 0- 29 o o Vo - 29 - 29 - -...
b) Dal punto a) si ricava

l
f = 21tR016
c) Affinch l'oscillazione inneschi deve essere
T = -~A >1 ovvero A > 29/30 = 0.967
-
15.7 Il circuito in Figura 15.2a impiega un JFET che ha gm = 5 mS e ro = 50 kQ. I conden-
satori Cdse Cgshanno un effetto trascurabile alla frequenza di lavoro. Si determinino
RDe C, per R = 100 kQ, necessari per la generazione di una oscillazione a lO kHz.
[RD= 6.56 kQ; C = 65 pF]
-
15.8 a) Si verifichi l'Equazione (15.6)
b) Si determini la frequenza di oscillazione e il guadagno richiesto per l'oscillatore
a ponte di Wien riportato in Figura 10.7
[(J)o= lIRC; Av = 3]
15.9 Nel progetto di un oscillatore a ponte di Wien a frequenza variabile, i valori di R) e

C2 sono variabili in accordo alle limitazioni 0.1 ::;R )IR2::; lO e 0.1 ::;CiC I ::; lO.
a) Si trovino il minimo e il massimo valore della frequenza di oscillazione per
R2 = lO kQ e CI = O.l~F.
b) Quale deve essere il valore minimo del prodotto guadagno-banda dell'amplifi-
"
catore di tensione, se si vuole che la risposta in frequenza dell'amplificatore

abbia un effetto trascurabile sulle caratteristiche dell' oscillatore?
a) [(00mIO
. = 100 rad/s; (00max= 104rad/s] b) [PGB> 1.2 X 105]
-
15.10 a) Si progetti il circuito in Figura 15.3 in modo che oscilli alla frequenza di 2 kHz.
Si scelgano R( = R2 e CI = C2 e non si faccia uso di valori di resistenza inferiori
ad 1 kQ.
b) Se la tecnologia di realizzazione del circuito permette di ottenere resistenze e
condensatori con tolleranze dell' l % rispetto ai valori nominali, qual l'indeter-
minazione sul valore della frequenza di oscillazione?
a) [R( = l kQ; CI =0.0796 IlF] b) [fo= 2 kHz:!: 20 Hz]
15.11 Un oscillatore di Hartley viene progettato con L( =2 IlH e L2 = 20 IlH e con un con-
densatore variabile.
a) Si determini l'intervallo di variazione della capacit necessario per poter variare
la frequenza da 950 a 2050 kHz.
b) Si progetti un opportuno stadio ad amplificatore operazionale per ottenere il
guadagno richiesto Av'
a) [Cmax = 13.9 pF; Cmin =3.0 pF] b) [Ay =-100; = l kQ; R2 = 100 kQ]
R(
15.12 Un oscillatore di Colpitts viene progettato con Cl = 100 pF, C2 =7.5 nF e un'indut-
tanza variabile.
a) Si determini l'intervallo di variazione dell'induttanza necessario per poter va-
riare la frequenza da 950 a 2050 kHz.
b) Si progetti un opportuno stadio ad amplificatore operazionale per ottenere il
guadagno richiesto Av'
a) [Lmax = 3.69 IlH; Lmin = 0.793 IlH] b) [Ay =-75; RiRI = 75]
15.13 Nella figura mostrata una realizzazione alternativa di un oscillatore di Hartley. In
essa 21 =j(OLI, 22 =j(OL2 e 23 = -j/(Oc. L'amplificatore di tensione ha una impedenza
di ingresso infinita e una impedenza di uscita Ro' Si determini il valore di Ai necessario
per sostenere l'oscillazione e la frequenza di oscillazione stessa.
Amplificatore di corrente
- - l
I.
Rj
258 Capitolo 15
15.14 Il circuito relativo al Problema 15.13 pu essere usato come oscillatore di Colpittsnel
caso in cui Z) =-j/mC \> Z2 =-j/mC2 e Z3 =jmL. L'amplificatore di corrente ha una
impedenza di ingresso Ri e una resistenza di uscita infinita. Si determini la frequenza
di oscillazione e il valore di Ai necessario per sostenerla.
1
[m - . A - C IC ]
O-.ITf'C ) 2I ( C ) +C"2 i- 2 )
-
15.15 In questo problema viene esaminato l'effetto sulle prestazioni di un oscillatore dovuto
all'uso di componenti reali. Si consideri l'oscillatore di Colpitts riportato in Figu-
ra 15.5 nel quale la capacit dei condensatori valgono 500 pF e 50 nF e l'induttanza
di 20 J.LHpresenta una resistenza parassita serie RL = 4 n. Si determini la frequenzadi
oscillazione e il valore di Av necessario per sostenerla.
[mo= 1.015 x 107rad/s; Ay = 104]
-
15.16 Vogliamo valutare l'effetto della resistenza serie parassita associata a un 'induttanza
reale sulle prestazioni del circuito di Hartley riportato in Figura 15.5. Per C = 100pF,
L) =99 J.LHin serie con IOil e L2 = 1 J.LHin serie con l n, si trovi la frequenzadi
oscillazione e il valore di Av necessario per sostenerla.
[mo =9.986 Mrad/s; Ay = 105]
15.17 a) Per la rete mostrata in figura si dimostri che
V.
..:1..-
Vo- 3 + j(mRC-lImRC)
b) Questa rete usata insieme a un amplificatore operazionale per costruire un
oscillatore. Si mostri che la frequenza di oscillazione f =21tRC e che il
guadagno deve superare 3.
c) Si disegni lo schema dell'oscillatore.
-
15.18 Nella struttura a ponte di Wien di Figura 15.3, Z) formata da R, C e L in serie, mentre
Z2 una resistenza R3' Si trovi la frequenza di oscillazione e il valore minimo del
rapporto R/R2.
.,
Generazione di fonne d'onda 259
15.19 Per l'oscillatore mostrato in figura, si trovi la frequenza di oscillazione e il minimo

valore possibile per R.
100kf!
-
+
R
IOkf!
0.01 JJF 10mH
[f= 15.92 kHz; R > 476 Q]
-
15.20 a) Si verifichi l'Equazione (15.14) relativa alla reattanza presentata da un quarzo.
b) Si dimostri che il rapporto fra la frequenza di risonanza parallelo e quella serie
approssimativamente dato da 1 + C/2C'.
c) Se C = 25 fF e C' = 1.25 pF, di quanto pi grande,.in percentuale, la frequenza
di risonanza parallelo rispetto a quella serie?
[1%]
-
15.21 a) Le porte NOR di Figura 15.13 possono assorbire o erogare una corrente massima
pari a 5 mA. Per VDD= 5 V e VT= 2.5 V, si determini la durata massima dell'im-
pulso con C = lnF.
b) Il diodo tagliatore ha v.y = 0.5 Vela sua Rf vale 20 Q. Qual il valore massimo
di vx?
[Vx= 5.5 V]
15.22 Le porte NOR di Figura 15.13 sono realizzate in tecnologia NMOS. La tensione di
-alimentazione 5 V e i livelli logici sono V(O) = 0.2 V e V(I) = 5 V. Si assuma
VT= 2.5 V.
a) Si ricavi l'espressione della durata dell'impulso. Si supponga che vengano usati
diodi tagliatori e che questi ultimi siano caratterizzati da Vy =0.6 V e Rf = 20 Q.
b) Si disegnino le forme d'onda di voi' vo2e vx.
[T = 0.652 RC]
260 Capitolo 15
-
15.23 Se si suppone che la VTusata per il Problema 15.22 possa variare del 10% da esemplare
a esemplare, qual l'intervallo di valori possibili risultanti per la durata dell'impulso?
[Tmin =0.557 RC; Tmax = 0.758 RC]
-
15.24 La porta NOR in Figura 15.13 caratterizzata da parametri che variano da esemplare
a esemplare. Si supponga che la VTdel MOSFET vari del 20%, VDDdel 5%, R e C del
20%.
Determinare i valori minimo e massimo della durata dell'impulso, quando i valori
nominali di R e C sono rispettivamente di IO kQ e 200 pF.
a) [TImax = 1.22 RC; TI.mIO=0.350 RC] b) [TImax = 2.44 ~s; TI.mIO=0.70 ~s]
-
15.25 Il multivibratore astabile in Figura 15.15 viene realizzato con R = 50 kQ e C = lO nF.
La porta NOR a CMOS ha VT =2.5 V e un diodo di protezione connesso internamente
caratterizzato da Vy = 0.5 V. Il circuito alimentato
a) Si determini il perido della forma d'onda in uscita.
a 5 V.
b) Qual il valore massimo della corrente istantanea che le porte CMOS devono
erogare o assorbire?
Soluzione
a) L'uscita un'onda quadra il cui semiperiodo, dato dall'Equazione (15.19), vale

T/2 = RC ln3 da cui T= 2 x 5 x 1()4x 1O-81n3 = 1.10 ms
Quando l'uscita della porta 1 ha una transizione da V(l) a V(O),per t =O+, voi =O, vo2 =VDD
e dovendosi mantenere Vc = V1" deve essere Vx = VDD + VT. Allora, per t:::;;O si ha
Vx = (VDD + VT)-IIRC
VX (TI) = VT = (VDD + VT)-T.IRC da cui
VDD+ VT
TI =RCln v =RC In 3 per VT = VDd2
T
Allo stesso modo per t' = t - TI,

vx(t') = VDD - [VDD- (VT - VDD)]-t'IRC
Per t' = T2, VX= VT, cosicch
Infine
T = TI + T2 =2 RC In 3 = 2.2 RC
b) Poich la corrente di ingresso di una porta CMOS nulla, la corrente scorre nelle uscite
delle porte CMOS, in R e C. La massima variazione di tensione ai capi di R si ha durante la
transizione di voI da V(O) a V(l), quando contemporaneamente v02va da V(l) a V(O). Poich
ve resta costante durante la commutazione, si ha che vR = voi - Vxsperimenta una variazione
di 5 - (-2.5) = 7.5 V. Perci l =7.5/50 =0.15 J1A. Durante l'altra transizione, i diodi di
protezione limitano la corrente al valore viR = [V(l) + Vy]/2, che minore di 0.15 mA.
-
15.26 Il circuito astabile del Problema 15.25 viene ora alimentato con VDD=6 V.
a) Si determini il periodo dell'onda quadra in uscita.
b) Si disegnino le forme d'onda di voI' v02' Vx e ve in funzione del tempo. Si
individuino con precisione le costanti di tempo.
[787 J1s]
-
15.27 Il multivibratore astabile del Problema 15.25 viene ora alimentato con VDD= 3.5 V.
Si ripeta, in queste condizioni, il Problema 15.25.
Soluzione
a) Si assuma che per le porte CMOS sia ancora VT =2.5 V. In questa ipotesi l'uscita v02non
pi simmetrica e il suo andamento deve essere valutato a tratti.
o T2 o
-Vy ~ J TI
Per t = 0- si abbi~ voi = VDD, V02 = O e vx = 2.5 V = VT. La tensione ai capi del condensatore
262 Capitolo 15
vc = Vx - V02 = 2.5 V. Per t =0+ si ha quindi una commutazione che porta a voi = O,
v02= VDDe, non potendovc cambiareistantaneamente,vx tenderebbe a portarsi a VDD+ Vr'
Tuttavia i diodi di protezione limitano il valore di Vx a VDD+ Vy Il condensatore inizia a
caricarsi tendendo al valore vc =-V DD' Cos
vx(t) = (VDD + V"f)e-1IRC
Per t = TI- Vx= Vr e, risolvendo per T\, si ottiene
TI =RCln VDD+ V"f

Vr
Nello stesso istante voi = O, v02 = VDD e Vc = Vr- VDD.Per t = TI+ si ha poi voi = VDD,v02= O
e Vx= Vr- VDD,per cui interviene nuovamente il diodo di protezione limitando Vxa -Vr
Allora
Vx = VDD - [VDD - ( - V"f)]e-fIRC
Per t' = T2, vx(T2) = Vp da cui
e infine
VDD+ V"f VDD+ V"f

T = TI + T2 =RC In Vr + VDD- Vr =
[ ]
T =50 X 10-3 X 10-8 = 0.928 ms

[In 3.52+50.5
. + In 3.5
3.5-+ 0.5
2.5]
b) La massimatensione ai capi di R VDD+ V"f'da cui 1= (3.5 + 0.5)/50 = 80 /lA.
-
15.28 Il circuito in Figura 15.17 viene realizzato con C = lO nF. Le porte CMOShanno
Vr = 2.5 V e sono alimentate a 5 V. I diodi D 1 e D2 sono supposti ideali. Si determi-
nino RI e R2 in modo da ottenere in uscita una forma d'onda di periodo 50 J.l.scon
l'impulso positivo di durata pari a IO /ls.
-
15.29 Si ripeta il Problema
[R1 = 1.27 k,Q; R2

15.28 per diodi non ideali aventi V"f 0.5 V.
=5.07 kQ]
=
-
15.30 Si deve realizzare un generatore di onda rettangolare di periodo 20 ms e con la durata
dell'impulso positivo pari a 20/ls impiegando il circuito a porte NOR del Proble-
ma 15.28. Supponendo che il valore di tutte le resistenze a disposizione sia inferio-
re ad 1 MQ, si determinino R l' R2 e C. Il valore di C cos ottenuto realizzabile in
pratica?
[R. = 1 MQ; C = 28.8 nF; R2= 1.00kQ]
-
15.31 a) Si dimensioni il circuito del Problema 15.30 con la condizione che i valori di
resistenza usati siano compresi fra lO kQ e 22 MQ e che il valore di capacit
sia il minore possibile. Si utilizzino valori standard con tolleranza del 5% per
resistenze e capacit.
b) Qual il massimo errore risultante sulla durata del periodo?
c) Qual la durata dell'impulso pi breve?
a) [R) = 22 MQ; C = 1.31 nF; R2 = 22 kQ]

b) [10.5%] c) [T2.mln = 17.9 Jls]
15.32 Il circuito in figura un multivibratore monostabile a BJT a componenti discreti.

Quando sono in conduzione, i transistori sono sempre saturati.
a) Si traccino gli andamenti delle tensioni di base e di collettore VCI>VC2' VBIe VB2
dall'istante t = 0-, ovvero appena prima dell'applicazione di un impulso di
trigger, fino all'istante t = r, ovvero dopo che il circuito ritornato nel suo
stato stabile.
b) Si rica\i una espressione per la durata dell'impulso T.
+Vcc
RL
RI
Q)
-VBB
2VCC- l]
[T=RCln VCC- Vy
15.33 Il circuito nella figura di pagina seguente un multivibratore astabile a JFET a com-
ponenti discreti.
a) Si ripeta per questo circuito la parte a) del Problema 15.32.
b) Si ricavino le relazioni che legano i parametri del circuito al periodo e alla durata
degli impulsi in uscita.
264 Capitolo 15
+VDD
RD RD
C c
-VGG
[T=RCln VGG+ (VDD- VoN- Vp)

VGG+ Vp ]
15.34 a) Si disegni la caratteristica di trasferimento per il comparatore mostrato in figura

nell'ipotesi che il guadagno dell' amplificatore operazionale sia infinito e che sia
VZ1 = VZ2 = 5 V. Se ne spieghi l'andamento.
b) Si ripeta la parte a) nel caso in cui il gudagno per grandi segnali dell'amplifica-
tore operazionale sia pari a 10,000.
c) Si ripeta la parte a) nel caso in cui sia applicata una tensione positiva di 2 V fra
il terminale negativo delI'operazionale e la massa.
VI
~
Okn
r-
+
Vo
15.35 a) Facendo uso di due comparatori e di una porta AND si progetti un sistema la cui
uscita al livello logico 1 se e solo se il segnale di ingresso cade nella finestra
di valori compresi fra VRI e VR2.Se ne spieghi il funzionalmento.
b) Si desidera determinare con una incertezza di 50 mV l'ampiezza di un impulso
che pu variare fra Oe un massimo di 5 V.
Si modifichi il sistema progettato al punto a) in modo da rendere possibile questa
operazione.
-
15.36 Nel comparatore rigenerativo di Figura 15.22 si desidera avere una tensione di soglia
VI pari alla tensione di riferimento VAcon una isteresi di 0.1 V. Si determinino i valori
necessari per VA Vz e RI nell'ipotesi che sia Ay = 100,000, il guadagno di anello pari

a 2,000 e R2 = l kQ.
=
[VA 5 V; Vz =4.3 V]
-
15.37 a) Per realizzare il trigger di Schmitt di Figura 15.22 si fa uso di diodi Zener da
6 V i quali presentano una VD = 0.7 V. Si calcolino i valori del rapporto R1/R2
e della tensione di riferimento VA che consentono di ottenere una tensione di
soglia VI = OV e una isteresi di 0.2 V.
b) Questo comparatore viene usato per squadrare un'onda sinusoida1e a 4 kHz la
cui ampiezza picco-picco 2 V. Si calcolino le durate positiva e negativa della
forma d'onda in uscita.
b) [TI = 0.516 ms; T2= 0.484 ms]
-
15.38 a) Con riferimento al trigger di Schmitt di Figura 15.22, si ha Vo = 4 V, VI = 2 V
b)
e V2 = 1.5 V. Si determinino i valori del rapporto R/R2 e della tensione di
riferimento VA,
Quanto deve valere VA per avere una V2 negativa?
c) Quanto deve valere VA per avere VI =-V2?
a) [R/R2 = 15; VA =3.73 V] b) [VA< (RfRI) Vo]; c) [VA = O]
15.39 a) Per il comparatore mostrato in figura si determinino le espressioni delle tensioni

di soglia VI e V2 in funzione di RI' R2 e del valore massimo Vo in uscita
all'amplificatore operazionale. Si spieghi il procedimento impiegato.
b) Si disegni la caratteristica di trasferimento.
c) Sia 20 V il valore massimo della tensione di uscita e sia R2 =5 R l' Si disegni la
forma d'onda in uscita quando all'ingresso viene applicata una tensione sinusoi-
dale con ampiezza di picco di 8 V (si adoperi la stessa scala dei tempi per
l'ingresso e per l'uscita).
R, Il
YI~- -L
r- + '.
15.40 a) Nel generatore d'onda quadra di Figura 15.25 vengono impiegati due diodi Zener
con valori diversi delle tensioni di soglia VZI e VZ2'Nell'ipotesi che l'uscita possa
assumere solo i valori +Voi o -Vo2' dove Voi = VZ1+ VD e Vo2= VZ2+ VD, si
verifichi che la durata della parte positiva della forma d'onda in uscita data da
266 Capitolo 15
TI = RC In l + ~Vo:IVol
l-~
b) Si verifichi che Tz (la durata della porzione negativa) data dalla stessa espres-
sione con VoI e Voz scambiati di posto.
c) Se VoI> Voz, TI risulta maggiore o minore di Tz? Si giustifichi la risposta.
-
15.41 Il generatore di onda triangolare di Figura 15.27 ha una tensione Vs per il controllo
della simmetria posta sul terminale non invertente dell'integratore.
a) Si verifichi che la velocit di salita per la rampa positiva data da (VO+ Vs)/RC.
b) Si determinino i valori di TI, Tz e f
c) Si verifichi che l'espressione del ciclo di lavoro quella data dall'Equazio-
ne (15.34).
-
15.42 Si verifichi l'Equazione (15.37) per la durata T dell'impulso in uscita dal multivibra-
tore monostabile in Figura 15.29.
15.43 a) Si consideri il generatore di impulsi mostrato in figura. Si trovino i valori di vz.

Voe vI nello stato di riposo (prima dell'applicazione dell'impuilso di trigger).
b) In t =Oviene applicato in ingresso un impulso di trigger positivo di breve durata
e di ampiezza superiore a VR'
Si trovino i valori di Voe vI a t = 0+ (si ricordi che la tensione ai capi di un
condensatore non pu cambiare istantaneamente). Si disegni la forma d'onda di
Voe vI in funzione del tempo.
Si dimostri che il circuito si comporta come un multivibratore monostabile
caratterizzato da una durata T per l'impulso di uscita.
c) Si determinino i valori di Voe vI per t = 'r e si prosegua il disegno della forma
d'onda fino a quando si raggiunge nuovamente la situazione di riposo. Quanto
vale il tempo di recupero? (Il diodo interdetto o in conduzione?)
d) Si verifichi che T dato da T = RC In (2V/VR)
v.
v.
+
c
R
Generazione di fonne d'onda 267
Soluzione
a) Si faccia riferimento alla figura. In condizione di riposo v2 =-VR e il comparatore a

= Vo = Vz + VD.A riposo, nel condensatore non scorre alcuna corrente. Quindi
livello alto, Vo
la caduta di tensione su R nulla e VI = O.La tensione ai capi di C Vo'
b) Per t = O,uno stretto impulso di trigger di ampiezza maggiore di VRporta v2 sopra OV e
il comparatore commuta verso il livello basso, Vo =- Vo. Poich la tensione ai capi di una
capacitnon pu variare istantaneamente,la variazioneL\.vo=-2Vo si trasmette a vI' Quindi
vI scende da Overso -2Vo' come indicato. Il diodo interdetto. La tensione del condensatore
ora varia esponenzialmente con costante d tempo 't =RC dal suo valore iniziale vc = Voverso
il suo valore finale -Vo. Anche vI varia con la stessa costante 't da -2Vo a O V. Quando
vI= v2= -VR il comparatorecommuta nuovamentea Vo= Vo'generando cos un impulso di
durataT.
c) Per t = r, L\.vo= 2Voe perci L\.vl= 2Vo'come mostrato. Ora DI in conduzione e la
costante di tempo del recupero 'tf= R~, dove Rf R la piccola resistenza diretta del
diodo.
d) vI = -2VoE-t/'t e t = T quando vI = -VR
VR = -2VoE-TI1:
-
15.44 Il circuito in Figura 15.24 viene progettato con i seguenti parametri: Vcc =5 V,
RI =3.9 k.Q, R2 =2.6 kQ e RE = l kQ. I transistori Ql e Q2 sono identici, con
~F = 100 nella regione attiva e ~forced = 50 in saturazione.
a) Si determinino i valori della tensione di uscita corrispondenti al livello alto e
basso.
b) Si valuti l'ampiezza dell'isteresi.
Soluzione
a) Con Vi = O,Q l interdetto poich, anche supponendo Q2 interdetto in modo da avere

VE = O, sarebbe VBEI = Oe non si potrebbe avere Ql in conduzione. Allo stesso modo, Q2
non pu essere interdetto perch, essendo interdetto Q l, la sua base viene ad essere collegata
a 5 V tramite la resistenza R. da 3.9 kQ. Si assuma quindi Q2 in saturazione e Ql interdetto.
La II legge di Kirchhoff permette di ricavare le equazioni
-5 + IB2RI + VBE2+ (lB2 + IC2)RE = O

-5 + IC2R2 + VCE2.., + (IB2 + IC2)RE =O
Sostituendo i valori si ottiene
4.9 IB2 + IC2 = 4.2 (1)

268 Capitolo 15
IB2 + 3.6 ICl = 4.8 (2)
Risolvendo il sistema si ottiene IB2 = 0.62 mA e IC2 = 1.16 mA. Poich (IClIIB2)< ~F 100, =
l'ipotesi sulla saturazione di Q2 risulta verificata. Analogamente VBEI = Vi - (lB2+ Id
RE = 0- (0.62 + 1.16) = -1.78 V e chiaramente Ql si conferma interdetto. Si noti che
VE = 1.78 V.
Vo =5 - 2.6 IC2 = 5 - 2.6(1.l6) = 1.98 V
Chiaramentequesto valore corrisponde a V(O),poich Vo= 5 V finch Q2 interdetto.Di
conseguenza V(1) = 5 V.
b) Aumentando Vi si osserva che Ql non pu entrare in conduzione sino a che Vi = Vy+ VE
ossia Vi = 0.7 + 1.78 = 2.48 V = VI. Per Vi> VI' Ql entra in zona attiva e Q2 si interdice. Si
=
noti che VCEI VBE2.Una volta saturato QI per Vi > 2.48 V, al fine di far tornare Q2 in
conduzione, Vi deve essere ridotta riportando Q1 nella regione attiva diretta, con VCEI=
0.7 V. Con QI in zona attiva e VCEI=0.7 V (con Q2 interdetto), la II legge di Kirchhoff
richiede
-5 + ICIRI + 0.7 + ICI(I + 1/~F) = O (3)

Vi = VBEI + VE = 0.7 + ICI(I + 1/~F) (4)
Risolvendo la (1) per per ICI si ottiene
ICI = 0.876 mA e Vi = 0.7 + 0.876(1 + 1/100) = 1.58 V
Cos
V2 = 1.58 V e VH = VI - V2 = 2.48 - 1.58 = 0.9 V
-
15.45 Nel circuito di Figura 15.24, R I =7.5 kQ, R
identici ed entrano in conduzione
2 =5.1 kQ eRE = 2 kQ. I transistori sono
per VBE = 0.7 V. Si tracci la caratteristica di trasfe-
rimento Voin funzione di Vinindicando accuratamente i valori delle tensioni di soglia
e dei livelli di uscita. Si identifichi la tensione di isteresi sul grafico cos ottenuto.
Soluzione
Si assuma Q2 saturo e Ql interdetto. Il modello del circuito allora il seguente
+5V
7.5k.Q
5.1 k.Q S 1/0.
+
Vo
+
2kQ
-
Applicandola II legge di Kirchhoff si ottiene il sistema

-5 + 7.5 lB2+ 0.8 + 2(1B2+ ld =O (1)
-5 + 5.1 lCl + 0.2 + 2(181+ ld =O (2)
La soluzione del sistema d IB2 =0.3187 mA e IC2 = 0.5863 mA. Q2 chiaramente saturo,
essendo ~FS;lcilB2 = 1.84, un valore superato da qualsiasi transistore mai costruito.
Va= 5 - lC2X 5.1 = 5 - 0.5863 X 5.1 = 2.01 V
VE= (lC2+ 181)2= (0.5863 + 0.3187)2 = 1.81 V
Poich Vj= VBEI+ VE,Ql non entrer in conduzione finch Vj =0.7 + 1.81 =2.51 V. Si noti
che si assunto V'Y= 0.7 V. Quando Q 1 conduce Q2 supposto interdetto. Con Q2 interdetto,
Va= Vcc = 5 V. Essendo VCEI= VBE2'VCEIpu avvicinarsi a 0.7 V senza che Q2 entri in
=
conduzione. Quando VCEI 0.7 V, Ql entra in zona attiva e
~F+ 1
(3)
Vin=0.7+ VE=-o.7+lcl (~ )2
LaII leggedi Kirchhoffrichiede che
~F+ 1
(4)
-5 + lCI X7.5 + 0.7 + ( ~ ) ICI X2 =O
Dalla (4) si ha ICI =0.452 mA. Sostituendo questo valore nella (3) si ha
2
100 + 1
=0.7 + 0.452 ( 100 ) = 1.61
Vin V
VH = 2.51 - 1.61 = 0.90 V

La soluzione richiesta quindi
VO'V
5 L_--------------
2.01
1.61
--
,,
,
,,
: VII=0.9V :
,,
,,
,
,,
.,
2.51
-15.46 Si verifichino le Equazioni (15.42) e (15.43).

270 Capitolo 15
15.47 a) Si faccia uso di un timer 555 per progettare un circuito monostabile caratteriz-
zato da una durata di impulso di 20 fJ.s,nell'ipotesi che sia Vcc =5 V, V(O)= O
e R = 91 k.Q.
b) Con gli stessi valori dei parametri determinati al punto a), qual la durata
dell'impulso se V(O) = 0.2 V?
a) [C =200 pF] b) [TI = 19.25 fJ.s]
-
15.48 Si vuole usare il circuito di Figura 15.32 per la generazione di un'onda quadra con un
rapporto fra la durata dell'impulso positivo e quello negativo pari a 3. Dato C = l nF,
si determinino i valori di RA e RB.
[RA= 0.455 kQ; RB =0.228 k.Q]
15.49 a) Si determini la durata dell'impulso per il monostabile a CMOS mostrato in

figura.
b) Si rappresenti l'andamento di voI' vo2' Vxe Vc in funzione del tempo.
Vino---
C~
iR 'c
V
[T=RCln cc]
Vr
15.50 Il circuito mostrato in figura viene usato come multivibratore astabile che pu essere
usato per misurare il tempo di propagazione attraverso una porta logica.
a) Nell'ipotesi che ogni porta abbia un tempo di propagazione di lO ns, si rappre-
sentino le forme d'onda voI' vo2' vo3e vo4 in funzione del tempo. Ogni porta
alimentata con una tensione di 5 V e ha una tensione di soglia pari a 2.5 V.
b) possibile estendere questa tecnica in modo da avere 4 porte nell' anello di
retroazione?
c) Si ripeta la domanda b) nel caso di 5 porte.
F NOR l o---C NOR 2 o L NOR 3 ~ NOR 4 ~

Soluzione
a) Assumiamo che voI' l'uscita di NORl, commuti da V(O) a V(l) nell'istante t = O.Dopo
1.115 1.115 1.115 1.115

~
30 60 10 40 20 50 30 60
lO Jls vo2 passa da V(1) a V(O). Per t =20 Jls questa transizione si propaga all'uscita di
NOR3 ed causa della commutazione da V(1) a V(O) di NORI (e NOR4), generando cos
un impulso.
Questa ulteriore commutazione si propaga come descritto, generando un'onda quadra il cui
periodo pari a 2n volte il ritardo della singola porta, dove n il numero di porte che
compongono l'anello.
b) No. Perch il sistema funzioni come generatore di impulsi il segnale che ritorna in
ingresso a NORl, generato dall'ultima porta, deve avere segno tale da provocare una com-
mutazione. Questa condizione di opposizione di fase rispettata solo da un numero dispari
di porte.
c) Si. Il motivo lo stesso che ha portato alla risposta negativa del punto b).
-
15.51 a) Si verifichi l'Equazione (15.46) che esprime l'errore di pendenza es nel caso di
una tensione di scansione esponenziale.
b) Nel circuito riportato in Figura 15.37 si pone, in parallelo a C, una resistenza
RI' Si dimostri che es viene-ad essere moltiplicato per il fattore (R,+R2)/R2.
-
15.52 Per il generatore di rampa ad amplificatore operazionale di Figura 15.35 si supponga
Rj di valore finito, Av di valore finito eRo *-O.
a) Si disegni il modello dell'amplificatore con Ri all'ingresso e Av in serie aRo
sull'uscita.
b) Si applichi il teorema di Miller all'impedenza formata da Cl in serie aRo'
c) Facendo ragionevoli approssimazioni, si mostri che l'espressione dell' errore di
pendenza
e=--Vs R. +Ri
x Av VCcRi
-
15.53 Nel generatore di rampa di Miller mostrato in Figura 15.35 si ha Vcc = 30 V,
RI = l MQ,Av= 10000.
L'ampiezza della rampa in uscita 10 V. La durata di scansione pi lunga l s, mentre
la pi breve l Jls.
a) Per Ts = l s, si trovi il valore di C l'
b) Si calcoli l'errore di pendenza es'
c) Si ripeta il punto a) per Ts = l Jls.
272 Capitolo 15
d) Come si pu ottenere Ts = l J.l.scon un valore di capacit pi ragionevole di

quello ottenuto al punto precedente (100 volte pi grande, per esempio)?
e) Qual il valore massimo di Ts che pu essere misurato con questo sistema?
Soluzione
a) Per il cortocircuito virtuale presente all'ingresso dell' amplificatore in Figura 15.35c,la

corrente in R I vale Vcd R I. Poich l' operazionale non assorbe alcuna corrente, allora la
corrente VcdRI va a caricare CI e la tensione di uscita una rampa la cui pendenza negativa
-VcdRICI. Si ricava
ovvero CI = VccTs= 30x 1

Vfll IOXI06F=3 J.l.F
b) Dall'Equazione (15.47) si ricava
Vs IOx 100 1
eS=-A V = %= 300 %=0.0033 %
v cc lO000x 30
c) CI proporzionale a Ts' Dal punto a) si ricava

CI = 3 pF
Poich l'errore nella pendenza non dipende da C.. allora dal punto b) si ha
es = 0.00033 %
d) Il piccolo valore di CI = 3 pF ottenuto nel punto c) risulta di difficile realizzazione
pratica, in quanto dello stesso ordine di grandezza della capacit parassita associata al
condensatore e ai collegamenti. Riducendo R si pu ottenere un valore molto maggiore di CI,
Cambiando R da l Mf.ra lO k.Q(cio di un fattore 100), si ottiene per CI un valore pi grande
dello stesso fattore, cio CI =300 pF.
15.54 a) Per il generatore di rampa bootstrap mostrato nella parte (a) della figura, il
condensatore CI pu essere scelto di valore arbitrariamente grande. La caduta
ai capi del diodo ideale D pu essere trascurata in conduzione e si pu assumere
che qualunque valore di tensione negativa su D lo porti in interdizione. L'am-
plificatore operazionale ideale (Ri ~ 00,Ro = O e A ~ 00). Con l'interruttore
S chiuso, qual la tensione ai capi di CI e di R? Con S aperto e C carico a vc'
qual la tensione ai capi di C I e di R? Si dimostri che con questo circuito si
riesce ad ottenere una rampa perfettamente lineare e che ve = Vt/Re.
b) Mediante il sistema riportato nella parte (b) della figura si vuole ottenere una
coppia di uscite simmetriche (voi = -vo2)' Si determinino i valori dei rapporti
R'/R e R"/R.
[R'/R = 2; R"/R = 1]
.,
+
l'.
(a)
D
p
R' R"
R
R
Voi R
(b)
-
15.55 a) Si consideri il modulatore chopper di Figura 15.41 con S( controllato
invece che da -vo' Si rappresentino i primi cinque impulsi della forma d'onda
modulante vmdi Figura 15.41b. Sia v+la forma d'onda cos ottenuta, Sulla stessa
scala dei tempi si rappresentino v- e l'uscita del chopper quando SI controllato
da +vo
da -vo (v- = v in Figura 15.41b).

b) Si indichi come combinare v+e v- mediante amplificatori operazionali in modo
da ottenere il segnale AM mostrato in Figura 15.40c.
16
Condizionamento del segnale
e conversione dei dati
-
16.1 In figura rappresentato l'andamento della tensione di controllo della porta nel cir-
cuito di Figura 16.7b del testo.
Tracciare l'andamento della tensione di uscita per le due forme d'onda di Figura 16.6
del testo.
V(I)"---
V(O)
Pro161
-
16.2 Ripetere il Problema 16.1 per il circuito in figura.
vso-+ +
T_io",
dicontrollo
V,""
I
c T,
g
-
16.3 Ripetere il Problema 16.1 per la forma d'onda di ingresso mostrata nella figura di
pagina seguente.
276 Capitolo 16
-
16.4
Pro163
a) L'interruttore S del circuito in figura aperto per mezzo periodo e chiuso per la
restante parte del periodo. Calcolare il guadagno per ciascuno dei due semipe-
ri odi.
b) Il circuito in figura viene utilizzato per generare il segnale di ingresso VI al
circuito di campionamento e tenuta di Figura 16.7b del testo, commutando S alla
frequenza di 8 kHz.
La tensione di controllo del gate quella data nel Problema 16.1.
Determinare l'uscita del sistema, supponendo che la tensione di ingresso Visia
la sinusoide a 3.5 kHz di Figura 16.6 del testo.
R
l'.l
L--- Tensione
di controllo
a) [Av=l; Av=-l]
-
16.5 a) Nel modulo di campionamento e tenuta rappresentato in Figura 16.7b del testo,
l'ingresso invertente di Al viene aperto e quindi collegato all'uscita Vodel
secondo AO.
Il sistema funzioner ancora correttamente? Discutere la risposta.
b) Un resistore Rz viene collegato all'uscita in serie a R( verso massa. L'ingresso
invertente di A l viene adesso collegato al nodo comune tra R I ed Rz.
Dimostrare che questa configurazione circuitale funziona come un sistema di
campionamento e tenuta non invertente e con un certo guadagno. Qual l'espres-
sione del guadagno?
c) Modificare i collegamenti in modo da ottenere un sistema di campionamento e
tenuta invertente e con guadagno.
Quale l'espressione del guadagno?
Condizionamento del segnale 277
Soluzione
a) Si osservi la figura seguente
Durante il campionamento la tensione ai capi di C cambia sino a che va = Vi; per questa
condizione l'amplificatore di ingresso non eroga pi corrente in C. Quando l'interruttore si
apre, C mantiene la sua carica e la tensione va rimane costante ai capi di C sino al termine
dell'intervallo di campionamento. Questo dimostra che viene svolta la funzione di campio-
namento e tenuta.
b) Si osservi la figura seguente
v'
-
Durante il campionamento si ha v' = Vi'Da cui
v' R2
VO=R) (R1+R2)=vi
( l+R) )
Questo corrisponde a un sistema di campionamento e tenuta con guadagno pari a l + RiR).
c) Lo schema quello ripor-
tato a lato
-
278 Capitolo 16
Per questo schema si ha
-
16.6 a) Nel convertitore DIA di Figura 16.13 del testo il terzo bit pi significativo
(MSB) N - 3 l e tutti gli altri bit sono a zero.
Determinare la tensione ai nodi N - 3, N - 2, N
VR e delle resistenze.
- l e l'uscita Vo in funzione di
b) Per un D/A a 8 bit con il bit meno significativo a l (LSB) e tutti gli altri a O,
calcolare le tensione di tutti i nodi e dell'uscita.
Soluzione
a) Nel testo stato mostrato che, se il bit N - 3 l e tutti gli altri sono O, allora la tensione
-
del nodo N 3 vale V~3.
La rete a scala mostrata di seguito
N-3 N-3 R N-2 NAIlA N-l

+ +
VR
T > > VR VR
=> R SR
T ""6
L:'
l
-
Quindi la tensione al nodo N 2 la met di quella in N - 3, cio V~6. A sua volta la tensione
- -
del nodo N l met di quella in N 2, ossia VN-l = V~12.
b) Si noti dalla parte a) che, quando ci si muove nella scala da sinistra a destra, le tensioni
ai nodi sono divise per 2 in ciascun nodo adiacente. Per N = 5. N - l = 4, e quindi si hanno
4 nodi.
Al nodo Ola tensione V~3; al nodo lla tensione Vi6; al nodo 2la tensione Vi12; al
nodo 3 la tensione V~24; infine, al nodo 4, la tensione Vi48.
Quindi
..L
16.7 Nel DAC a scala invertita in figura i commutatori sono connessi direttamente all'in-
gresso dell' AD.
a) Dimostrare che la corrente l erogata da VR una costante indipendente dall'in-
gresso digitale. Spiegare perch con questo sistema vengono eliminati i transitori
dovuti al ritardo di propagazione.
b) Quanto valgono la corrente nel commutatore e Vo se il MSB l e tutti gli altri
sono O?
c) Ripetere il punto b), supponendo che il bit precedente il MSB sia l e tutti gli
altri O.
d) Nel convertitore DIA a 4 bit, calcolare Vo per LSB a l e tutti gli altri bit a zero.
VR
MSB
!l 2R
Nodo
NI 2R
J R
2R
N2t
R
2R ~+
-AIV
oR
LSB
2R
Soluzione
a) Poich la resistenza vista da VR 2R in parallelo con R + 2R Il2R =2R, ovvero R, allora

1= ViRo
Questo risultato indipendente dal valore della parola digitale impostata perch, se il contatto
dell'interruttore spostato verso l'ingresso dell'operazionale, esso virtualmente a massa (a
causa del cortocircuito virtuale).
Qualunque sia il valore logico che il bit assume, il contatto quindi al potenziale di
massa.
Il precedente ragionamento indica che la corrente in ciascuna resistenza della scala costante
e indipendente dalla posizione degli interruttori. In questo modo stato eliminato ogni ritardo
di propagazione.
L'unico transitorio dovuto al breve tempo necessario a ciascun interruttore a commutare
dalla posizione O a quella 1 o viceversa.
280 Capitolo 16
b)
VR
I
I=VKR!N-l t -o-
IN-J
2R
'AA.j
=
R
N-J 2R =
IN-2
R
poich I si divide tra due resistenze in parallelo, entrambe uguali a 2R.

Vo = -2RIN-I = -VR
c) Dalla figura
IN-2 = l/2 IN-l
e cos
Vo = -2RIN-2 = -(V 112)

d) Si noti che la tensione dovuta a un particolare bit la met di quella dovuta al bit di
ordine immediatamente superiore. Per N = 4, se il MSB d una tensione Vo = -VR, allora
l'effetto del LSB sar
-
16.8 I commutatori nel DAC di Figura 16.11 del testo sono realizzati come mostrato in
Figura 16.12b del testo. L'amplificatore operazionale viene alimentato con un gener-
atore di tensione di lO V. La tensione analogica di uscita desiderata deve avere un
valore massimo pari a lO V e il massimo valore di resistenza circa 32 kQ
(32 x 210Q).
a) Specificare i valori dei componenti per un DAC a 8 bit.
b) Quanto vale la massima corrente nella resistenza di reazione dell' AO?
c) Qual la risoluzione del convertitore?
a) [R' = 128.5 Q] b) [IImaxl= 77.8 mA] c) [39.2 mV]
16.9 a) Disegnare lo schema circuitale di un DAC a scala invertita R-2R a 6 bit.

b) Per V(l) =5 V, quanto vale la massima tensione di uscita?
c) Qual la risoluzione?
,-
'\..
'~
Condizionamen.to del segnale 281
b) [9.84 V] c) [0.16 V]
16.10 Descrivere l'utilizzo di blocchi D/A e A/D in un voltmetro digitale. Disegnare uno
schema a blocchi.
-
16.11 L'integratore in Figura 16.19 del testo progettato con R = lO kQ, C = l nF, e un AO
con guadagno ad anello aperto e banda rispettivamente pari a 106 dB e 5 Hz.
a) Tracciare il diagramma asintotico di Bode ed indicare l'intervallo di frequenze
in cui il sistema si comporta come un integratore.
b) Tracciare la forma d'onda in uscita per un ingresso a gradino. Indicare l'inter-
vallo di tempo in cui l'uscita rappresenta l'integrale dell'ingresso.
a) [tra l Hz e 100 kHz circa]
16.12 Ricavare la funzione di trasferimento della rete in figura. Verificare che Vo= (l/RC)
Jvsdt,cio che il sistema si comporta come un integratore non invertente.
.".
16.13 Dimostrare che la rete in figura un integratore non invertente con Vo =' (2/RC) Jvilt.
R R
v"
+
R R
\'.{
16.14 Verificare che il sistema nella figura di pagina seguente, che usa un solo AO, un
doppio integratore. In altri termini, dimostrare che la funzione di trasferimento
282 Capitolo 16
(Suggerimento: valutare I, e Iz indipendentemente e porre Il = Iz). Perch?

-
Soluzione
Usando il principio di sovrapposizione degli effetti si ottiene

VCs VCs Vcs
voz=-- R Vz e vOI=-
R + VCs l +- R vI
( )
l l l
Vo =vOI + v02 = RCs VI - RCs Vz= RCs (vI - vz)
Poich la divisione per s corrisponde a una integrazione nel dominio del tempo, si ha
16.16 Si vuole progettare un filtro passa-basso con una banda a 3 dB di 4 kHz ed un'atte-
nuazione di almeno 30 dB a 6 kHz.
a) Qual l'ordine del filtro di Butterworth necessario?
b) Ripetere il punto a) per un filtro di Chebyshev a 0.5 dB.
c) Qual la funzione di trasferimento del filtro passa-banda corrispondente a quello
trovato al punto a), la cui frequenza centrale sia 40 kHz?
a) [9] b) [6]
16.17 Si vuole progettare un filtro passa-basso con una banda a 3 dB di 200 Hz e un'atte-
nuazione di 50 dB a 400 Hz.
a) Determinare l'ordine del filtro di Butterworth richiesto.
b) Ripetere il punto a) per un filtro di Chebyshev a l dB di ripple.
c) Convertire la funzione del punto b) nel suo equivalente passa-alto con frequenza
di taglio di 200 Hz.
a) [9] b) [6]
f
-
16.18 Verificare L'Equazione (16.22).
Soluzione
Si consideri una funzione passa-basso normalizzata

1
H(P) =-
l+P
La sostituzione di p con (s2 + mo2)/mHs d
1 mw (l/Q)(s/mo)
H(s)- -
- 1+ (S2 + ~)/mw S2 + smH+ ~ 1 + (s/mo)(1/Q) + (s/mo>2
che l'espressione di una funzione passa-banda in cui Q =m/mB"
16.19 Progettare un filtro di Butterworth passa-basso del quarto ordine con banda pari a
1 kHz utilizzando condensatori da 1 nF. Ci sono delle resistenze che possono essere
scelte arbitrariamente. Quali?
-
-
Soluzione
II circuito equivalente il seguente
CI
R.
+
+-L x + + AvV;
VI C2 "1' V; Vo
Yo =AvY; (1)
1/sC2
y.- Y (2)
I R2 + 1/sC2 x
284 Capitolo 16
L'applicazione della I legge di Kirchhoff al nodo di potenziale Vxd

Vx- VI Vx
~+ I (3)
R2+ l/sC2 +sCI (Vx- Vo)=O
Sostituendo l'Equazione (2) nell'Equazione (l) e quindi il risultato nell'Equazione (3) per-
mette di risolvere quest'ultima in Vx. Usando questo risultato nell'Equazione (l) e nell'E-
quazione (2) si ottiene, dopo una riorganizzazione dei termini, l'Equazione (16.24).
-
16.22 a) Un'alternativa alla scelta progettuale descritta dall'Equazione (16.26) e dall'E-
quazione (16.27) consiste nel porre Av = 2 in tutte le sezioni. Progettare un filtro
passa-basso di Chebyshev del sesto ordine a 0.5 dB di ripple con una frequenza
di taglio di 2 kHz. Determinare il valore di tutti i componenti. Si osservi che
alcuni componenti possono avere valori arbitrari: indicare quali sono e scegliere
valori di uso pratico.
b) Quanto vale la frequenza a 3 dB del filtro?
b) [2.082 kHz]
-
-
16.24 Ripetere il Problema 16.19 usando il circuito di Figura 16.30b del testo.
-
16.25 Ripetere il Problema 16.22 per un filtro passa-alto.
16.26 Progettare un circuito passa-banda con frequenza centrale di 8 kHz e banda di 1.5 kHz.
L'attenuazione deve risultare pari ad almeno 30 dB a un'ottava dai limiti di banda.
a) Progettare il circuito supponendo che non sia consentita ondulazione all'interno
della banda passante. Usare valori ragionevoli dei componenti che possono
essere scelti arbitrariamente, indicando quali sono.
b) Quanto vale l'attenuazione a 9 kHz?
b) [14 dB circa]
16.27 Ripetere il Problema 16.26 supponendo che sia consentita un'ondulazione (ripple) di
0.5 dB nella banda passante.
b) [17 dB circa]
-
Soluzione
Il circuito equivalente il seguente
1
, R3
RI
1
CI....-r--.
Cz
I +
AVVj - V Vo
+
VI( ) I Rz + Vj
(1)
R2 (2)
v.= V
, R2+ lIsC2 x
L'applicazione della I legge di Kirchhoff al nodo di potenziale Vxd
Vx-
- VI + sC V + Vx + (Vx- Va) - O (3)
RI I x R2 + l/sC2 R3
Sostituendo l'Equazione (2) nell'Equazione (1) si ottiene

(4)
La sostituzione dell'Equazione (4) nell'Equazione (3) permette di risolvere quest'ultima in
-
Vx' Usando questo risultato nell'Equazione (4) si ottiene l'Equazione (16.30).
Soluzione
Il circuito in esame il seguente
+
Vz
La I legge di Kirchhoff applicata al nodo A richiede

sCI Vx= -ViR2 ovvero
286 Capitolo 16
Vx = -V-jsCIR2 (1)
L'applicazione della I legge di Kirchhoff al nodo di potenziale Vx d
Vx-VI
~+SCIVx+(Vx- V2)SC2=0 (2)
I
Sostituendo l'Equazione (1) nell'Equazione (2) e risolvendo per ViVI =H(s) si ottiene l'E-
quazione (16.31).
-
16.30 Usare la cella biquadratica in Figura 16.34b per progettare il circuito descritto nel
Problema 16.26.
-
Soluzione ('
Il circuito in esame il seguente
Per un amplificatore operazionale ideale si ha Vi = O, ovvero Vy - Vl = O. Dal partitore di

tensione si ottiene
R
V = a V (1)
l Ra +Rb 2
La I legge di Kirchhoff applicata ai nodi di potenziale Vye Vx richiede

(Vy - Vx) sCI + (Vy - V2)IR2= O (2)
Vx- VI
(3)
~ I + (Vx - Vy)sCI+ (Vx - V2)sC2=O
Sostituendo l'Equazione (1) nell'Equazione (2) e nell'Equazione (3) si ottiene un sistema in

V2e Vx' che pu essere risolto in funzione dei valori dei parametri e di VI, Risolvendo per V2
e ponendo Av = l + RJRa si ottiene l'Equazione (16.32).
16.32 Un filtro passa-basso ideale la cui frequenza di taglio 5 kHz ha in cascata un filtro
passa-alto ideale confe =4.8 kHz
a) Tracciare la risposta in frequenza del sistema cos ottenuto.
b) Supponendo che la frequenza di taglio di ciascun filtro possa essere controllata
con una precisione pari all' l %, tracciare la risposta in frequenza corrispondente
al caso peggiore. Commentare l'efficacia di questa soluzione per filtri di uso
comune.
Soluzione
a) Le due risposte sono
Ampiezza, dB Ampiezza. dB
5 f, kHz 4.8 f, kHz
La caratteristica composta
Ampiezza, dB
4.8 5.0 f, kHz
Questo risultato deriva dal fatto che il sistema passa-basso permette il passaggio di tutte le
frequenze inferiori a 5 kHz, mentre il passa-alta elimina tutte le frequenze sotto i 4.8 kHz.
b) Per IL =5(1 + 0.01) = 5.05 kHz elH =4.8(1- 0.01)=4.752 kHz, la risposta in frequen-
za quella indicata nella parte A della figura di pagina seguente, mentre nella parte B
presentata quella per IL =5(1 - 0.01) =4.95 kHz elH =4.8(1 + 0.01) =4.848 kHz.
Per il caso ideale la banda passante 5 - 4.8 = 0.2 kHz = 200 Hz. Per il caso A la banda
298 Hz, con un errore del +49%. Per il caso B la banda 102 Hz, con un errore del-49%.
Chiaramente questo approccio al progetto dei filtri passa-banda non efficace.
288 Capitolo 16
Ampiezza. dB Ampiezza. dB
A B
4.752 5.050 4.848 4.950

f,kHz f,kHz
16.33 Progettare una rete elimina-banda con Q = lO e fa = 8 kHz. Si usi C =500 pF e sele-
zionare valori delle resistenze in modo tale che la dispersione dei valori (il rapporto
tra il massimo e il minimo valore di resistenza usato), non sia maggiore di lO.
-
16.34 Verificare 1'5quazione (16.34).
-
16.35 a) Determinare la funzione di trasferimento del circuito in Figura 16.39 del testo,
assumendo Y = O.
b) Verificare l'Equazione (16.33).
16.36 a) Ripetere il Problema 16.35, punto a), per y". O.

-b) Dimostrare che con Y = IIR4 si ottiene un notch passa-basso.
c) Dimostrare che con Y =s.C si ottiene un notch passa-alto.
-
16.37 Dimostrare che il circuito in Figura 16.42 del testo presenta la risposta in frequenza
descritta dall'Equazione (16.36).
16.38 a) Il circuito in figura denominato mc (Generalized Impedance Converter).

Dimostrare che se, gli AO sono ideali, allora si ha
l, Y.Y3
Y.=-=-Y.
, VI Y2Y4
-l,
+
+
---
b) Il circuito viene spesso usato per simulare un'induttanza su chip.

Dimostrare che se Y4 = sC4 e tutti gli altri componenti sono resistivi, Y; risulta
induttiva.
c) Supponendo che ciascuna resistenza possa assumere valori compresi tra 100 Q
e lO kQ e lO pF:S; C:S; 500 pF, qual l'intervallo di possibili valori dell'indut-
tanza?
c) [l fH :S;L:S;5 J.lH]
16.39 Verificare che il circuito in figura simula un induttanza in serie con una resistenza. In
altri termini, dimostrare che Vp; = R + Ls.
R,
A,
-o li . +
+
Zi
r: i
I R2
16.40 Il giratore in tigura viene usato per simulare un'induttanza.

a) Dimostr~re che Vp; = R,RiZ.
b) Ripetere il Problema 16.38, punto c).
Z
R,
- li
+
..r+
b) [0.IJ.lH:S;L:S;50mH]
16.41 Nella figura di pagina seguente mostrata una realizzazione alternativa di giratore.
Dimostrare che VPj risulta induttiva, supponendo ideali gli AO.
-
290 Capitolo 16
+
-li
+ R
+
Vi
c
R
R
16.42 a) Verificare che nel circuito in figura l'impedenza di ingresso VPi =-z.
b) Determinare VjVi.
z
Vi
- li
+
b) [VjVi =-1]
16.43 Il NIC (Negative Impedance Converter) del circuito in figura ha le seguenti propriet:
Z\ = -ZL e V2 = VI.
Il carico usato RL Il CL con la condizione RLCL = ls.
a) Determinare ViVi.
b) Scegliere RL in modo tale che il circuito sia una cella biquadratica passa-basso.
c) Ripetere il punto b) in modo da ottenere una cella passa-banda.
+ +
Vi ',I NIC I :2 ZL Vo
Soluzione
a) Il circuito equivalente il seguente
+
+
La relazione del partitore di tensione d
VI - -ZL
Vi - R/(l + RCs) - ZL
Sostituendo ZL si ottiene
-RzI(l +sRLCJ -RL(l + RCs)
~- RL R(l +sRLCL)-RL(l +sRCs)
l +RCs l +sRLCL
e
~- -RL(l + RCs)
Vi - R - RL+ s(RLRCL- RLRC)
Per RLCL = l s,
VI -RL(l + RCs) V2
- = -- per VI = V2
Vi R-RL +s(R-RLRC) Vi
R RL R-RL +RRL(CL- C)s
b) Z = -
In l + RCs l + RLC (l + RCs)(l + RLCLS)
Se si applica li' si ha una caduta Vi pari a
Vi = liZin e H(s) = Zin(s)
Zin pu essere resa passa-basso ponendo C = CL (R *- RL).
=
c) Ponendo invece R RL (C *- CL) si ha
R2(CL- C)s
Z=
In (l + RCs)(l + RCLs)
. :he di tipo passa-banda.
292 Capitolo 16
-
b) Verificare la Tabella 16.5.
Soluzione
a) Il circuito equivalente
+ +
+
ZD
Vb - Av,Va (I)
Zc + ZD
V2 =AV2Vb (2)
La I legge di Kirchhoff applicata al nodo di potenziale Varichiede che

Va- VI Va- V2
-+ =0 (3)
ZA ZB
Sostituendo l'Equazione (1) nell'Equazione (2) si ottiene Vz =Av.AvzZD V/(Zc + ZD)' ovve-
ro
Va = ViZc + ZD)/Av.AV2ZD (4)

Sostituendo l'Equazione (4) nell'Equazione (3) e risolvendo per ViVi =H(s) si ottiene l'E-
quazione (16.37).
b) Per il caso passa-basso, sostituendo Z, = R" Zc = Rz, ZB= lIsC. e ZD= lIsCz, s ottiene
Av.AvJs2C. C2
H(s) = -
R, + lIsC,)(R2 + lIsCz) - R.Av.AvlsC2
- Av.AV2
- R.R2C.Czs2 + s[R,C.(1- Av.AV2)+ R2C2]+ l
che chiaramente una funzione passa-basso. In modo simile i casi passa-alto e passa-banda
presentano
-
16.45 Verificare l'Equazione (16.38) e l'Equazione (16.39).
-
16.46 Progettare il filtro del Problema 16.19 usando la cella biquadratica in Figura 16.44 del
=
testo, scegliendo R2 R3 =R4 R6 = lO kQ. =
-
16.47 Ripetere il Problema 16.26 usando il filtro in Figura 16.44 del testo. I valori di alcuni
componenti sono fissati nel Prob1ema-16.46.
-
16.48 Ripetere il Problema 16.27 utilizzando la cella filtrante in Figura 16.44 del testo. I
valori di alcuni componenti sono fissati nel Problema 16.46.
Soluzione
Nel circuito di Figura 16.44 del testo si usino condensatori tutti uguali e di valore pari a C e
resistenze pure uguali, tranne R7, di valore pari a R. Dall'Equazione (16.39) si ricava
3R7
D(s) =R2Cls2 + - RCs + 1
R+R7
da cui
O)
o
=-L
RC
1 +x
e Q =~ con
I polinomi gi ricavati nel Problema 16.27 possono ora essere realizzati ponendo R = lO kQ
e usando quattro celle caratterizzate dai parametri seguenti
Cella n. I C (nF) I R7 (O)

-
l 2.180 246.3
2 1.828 205.8
3 1.846 515.2
4 2.164 608.3
-
16.49 Disegnare l'equivalente a condensatori commutati del circuito in Figura 16.22 del
testo.
-
16.50 Disegnare l'equivalente a condensatori commutati del circuito in Figura 16.44 del
testo.
-
16.51 Dimostrare che se la tensione di riferimento VR in Figura 14.42 del testo variabile
nel tempo, l'amplificatore transconduttivo funziona come un moltiplicatore.
294 Capitolo 16
16.52 Usare uno o pi moltiplicatori per generare una forma d'onda sinusoidale di frequenza
3/0 a partire da una sinusoide a frequenza/o'
16.53 a) Usare un moltiplicatore per generare un segnale vo(t) proporzionale a v/o

b) Ripetere il punto a) per Voproporzionale a vi"3.
16.54 I segnali di ingresso al moltiplicatore in figura sono un segnale modulato in ampiezza

vm= V(t)cos ffiet e la portante VcCs ffiet.
a) Mostrare che possibile usare Voper ottenere l'informazione V(t).
b) Se V(t) = Vmcos ffii, con ffis ffie' quale dovrebbe essere la frequenza di taglio
del filtro?
Portante modulata
Filtro
\'0
passa-basso
Portante non modulata
16.55 Disegnare una forma d'onda sinusoidale di ampiezza Vm da mettere in ingresso a un

raddrizzatore a singola semionda. In corrispondenza di essa disegnare la forma d'onda
di uscita e indicare i valori di picco negativo e positivo nel caso in cui il sistema sia
a) quello descritto in Figura l6.60a del testo; b) lo stesso sistema con i due diodi
invertiti; c) il sistema ottenuto da quello di Figura l6.60a del testo ponendo a massa
il terminale sinistro di R e applicando Viall'ingresso non invertente; d) il sistema del
punto c) con i diodi invertiti.
-
16.56 a) Verificare che il circuito in figura realizza un raddrizzamento a doppia semionda
nell'ipotesi che risulti R2 =KRJ' Calcolare K.
b) Qual il valore di picco dell'uscita raddrizzata?
c) Disegnare accuratamente le forme d'onda vi = lOsinffit, vr e vo' assumendo
R3= R2.
R DI
+
3
2
+ D2
.".
a) [K = 2]
16.57 Una forma d'onda presenta un picco posistivo di ampiezza VI e uno negativo di am-
piezza V2. Disegnare un circuito che utilizzi due rivelatori di picco, la cui uscita sia
uguale al valore picco-picco VI- V2.
-
16.58 a) L'amplificatore esponenziale in Figura 16.54 del testo viene posto in cascata con
l'amplificatore logaritmico di Figura 16.53. Se Vs l'ingresso all'amplificatore
logaritmico e Vo' l'uscita di quello esponenziale, dimostrare che Vo' = Vs'
b) Supporre che le resistenze Rp R2, R3 e R4 in Figura 16.53 non siano uguali alle
corrispondenti resistenze in Figura 16.54. Denominare KI' '" KI e K2' '" K2 le
costanti nell'Equazione (16.60). Per il sistema in cascata in a), provare che Vo'
risulta proporzionale alla potenza n-esima di Vs' dove n = K/KI'.
c) Supporre che R3 nell'amplificatore esponenziale sia regolabile, ma che tutte le
altre resistenze abbiano i valori indicati nelle Figura 16.53 e 16.54. Calcolare R3
in modo tale che risulti n = 3. Ripetere per n = 1/3.
..
17
Circuiti e sistemi di potenza
17.1 Un diodo la cui resistenza interna 20 il, deve alimentare un carico di 200 il a partire
da una sorgente alternata di 110 V efficaci. Calcolare a) la corrente di picco nel carico;
b) la corrente media nel carico; c) la corrente alternata nel carico; d) la tensione con-
tinua sul diodo; e) la potenza totale in ingresso al circuito; f) la percentuale di regola-
zione dalla condizione di assenza di carico a quella prevista.
a) [707 mA]; b) [225 mA]; c) [353.5 mA];
d) [-45 V]; e) [275 W]; f) [2.46%]
-
17.2 Verificare le Equazione (17.15) e (17.16).
Soluzione
Per un segnale Vi(t) = Vmsinrot,l'angolo di conduzione 8\ = roti' individuato dalla relazione

Vi(tl) = V'Yvvero V'Y= Vmsinrot.. Quindi8\ = sin-\(V/Vm) e, per simmetria, 82 = 1t - 8\. Que-
sto conferma l'Equazione (17.15).
1 f1t 1 f1t v(rot)
Idc =- J i(rot) d(rot) =- J - d(rot)
21t o 21t o Rf+ RL
Poich i(t) =Oper ffit S; 81 e rot ~ 1t - 8\, l'integrale diviene
Id =-
c 21t a
r
1 -91 Vm sinrot
Rf+RL
d(rot)
ed eseguendo l'integrale si giunge al risultato espresso dall'Equazione (17.16).
17.3 Mostrare che la massima potenza continua di uscita Pdc ==Vdidc in un circuito mono-
fase a singola semionda si ha quando la resistenza di carico eguaglia la resistenza del
diodo Rt
298 Capitolo 17
17.4 L'efficienza di raddrizzamento 11, definita come rapporto tra potenza continua di
uscita Pde = Vdide e potenza di ingresso Pj =J...

21t
o
j1t vJda..
a) Mostrare che, per il circuito a semplice semi onda
= 40.5 %
11, 1 + Rf /R L
b) Mostrare che per il raddrizzatore a doppia semi onda 11, ha un valore doppio
rispetto a quello trovato al punto a).
17.5 Provare che la regolazione di entrambi i raddrizzatori a singola e doppia semionda

data da
R
% regolazione =ifL X 100%
17.6 Nel raddrizzatore monofase a ponte a doppia semionda possibile scambiare di posto
carico e trasformatore? Spiegare dettagliatamente.
-
17.7 II raddrizzatore a ponte di Figura 17.8 usato per realizzare un voItmetro per tensioni
alternate. La resistenza diretta dei diodi 50 n, la resistenza R vale 25 n e la resistenza
del galvanometro usato trascurabile. La tensione del segnale data da v.v= 200 sinO)!.
a) Disegnare la forma d'onda della corrente iL nel galvanometro. Calcolare il
massimo valore istantaneo sul grafico.
b) Scrivere l'integrale il cui valore corrisponde alla lettura del galvanometro.
Valutare l'espressione e trovare Ide'
c) Disegnare in modo realistico la forma d'onda della tensione ai capi del diodo
D l. Indicare sul grafico il massimo valore istantaneo. Valutare la tensione media
sul diodo.
d) Scrivere l'integrale il cui valore corrisponde alla lettura di un voltmetro a valore
efficace posto ai capi di DI (questo misuratore non dispone di alcun condensa-
tore di blocco per la componente continua). Trovare quindi il valore efficace
della tensione ai capi del dfodo.
a) [400 mA]; b) [254.66 mA]; c) [OV]; d) [28.28 V]
17.8 Un amperometro in corrente continua da 5 mA di fondoscala, con resistenza di 40 n,

calibrato per leggere il valore efficace della tensione quando posto in un ponte a
diodi semiconduttori. La resistenza effettiva di ogni elemento pu essere considerata
nulla in conduzione e infinita nella direzione inversa. La tensione di ingresso sinusoi-
dale applicata in serie ad una resistenza di 20 kn. Qual la lettura a fondo scala
dello strumento nel suo complesso?
[111.3 V]
-
17.9 a) Si consideri il duplicatore di tensione a ponte in Figura 17.9 con RL ~ 00.
Circuiti e sistemi di potenza 299
Mostrare che a regime ogni condensatore si carica sino alla tensione di picco del
trasformatore Vme che perci Vo = 2Vm.Si assumanodiodiideali.
b) Qual la tensione inversa di picco ai capi di ciascun diodo?
b) [2VmJ
-
17.10 Il circuito mostrato un duplicatore di tensione a semplice semionda. Analizzare il
funzionamento di questo circuito disegnando le forme d'onda di vi' VC!' vDI' vD2evo'
Si assuma che i condensatori siano scarichi all'istante t = O.Calcolare a) la massima
tensione possibile ai capi di ciascun condensatore e b) la tensione inversa di picco di
ciascun diodo. Confrontare questo circuito con il duplicatore di tensione di Figu-
ra 17.9. In questo circuito la tensione di uscita negativa rispetto alla massa. Mostrare
che se si invertono i collegamenti all'anodo e al catodo di ciascun diodo, la tensione
di uscita sar positiva rispetto alla massa.
+
D2
DI
17.11 Il circuito del Problema 17.10 pu essere modificato da duplicatore a quadruplicatore

di tensione aggiungendo due diodi e due condensatori come mostrato. Le parti a) e b)
della figura sono modi diversi di disegnare lo stesso circuito.
I
Uscita
I ~I
Triplicatore
c) l
'811IQIE~
+ I C2 C4
I- Quadruplicatore- 1
(a) (b)
a) Analizzare il funzionamento del circuito.

b) Rispondere alle stesse domande poste nei punti a) e b) del Problema 17.10.
300 Capitolo17
r
c) Generalizzare il presente circuito e quello del Problema 17.10 in modo da

ottenere un circuito moltiplicatore per n, in cui n un qualsiasi numero pari. In
particolare, disegnare il circuito di un moltiplicatore di tensione per 6.
d) Mostrare che i moltiplicatori di tensione per n, con n dispari possono essere
ottenuti semplicemente scegliendo l'uscita in modo opportuno.
-
17.12 a) Si consideri il filtro capacitivo di Figura 17.10. Mostrare che durante l'intervallo
di tempo in cui il diodo in conduzione la corrente nel diodo data da
i = //IIsin(oot+ ",), dove
//11 == V/II ~ ~2L + 002cJ e '" =tan-I (ooCRL)

b) Determinare l'angolo di interdizione oot)in Figura 17.12.
Soluzione
a) Quando il diodo conduce si ha Vo= V/IIsinoote i la somma della corrente nel resistore
di carico iL e della corrente nel condensatore ie. Quindi
. . . Vo dvo V/IIsin oot .
I =IL + le= RL+ C & = RL + ooCV/II
cos OOt
= /mSIn(oot+ ",) dove
//11 == V/II ~ ~2L + o)2cJ e '" = tan-I (ooCRJ
b) L'angolo di interdizione (X) =oot)si trova ponendo i(t) = O, ovvero ootl+ '" = 1tda cui
OOtl= 1t - ",.
17.13 a) Determinare la funzione di trasferimento V/V) per il circuito raddrizzatore con
ingresso capacitivo mostrato.
b) Per R = 25 n, RL = 200 n, C = 200 IlF e L = 20 H, determinare la tensione di
uscita assumendo che l'ingresso possa essere rappresentato dai primi due termini
di una serie di Fourier
c) Il fattore di ondulazione definito come il rapporto della componente ac (valore

efficace) della tensione di uscita rispetto al suo valore medio. Valutare il fattore
di ondulazione per la configurazione in b).
...,
Soluzione
a) Il circuito ridi segnato
R R sL
+ +
l/sC
l'sC
- V2
Si ponga 21 =R + Ls e 22 =RL Il (l/Cs) =RL/(RLCs + l). Le equazioni nodali sono

VI 1 l 1
"R=VA (R+sC+ 21
)- VB 21
( )
O = -VA (il )+ VBUI + ~)

Risolvendo il sistema e considerando che V2 = VB' si ottiene valutando ViVI per s =jro
l'espressione seguente
V2 - RL
VI - RL + 2R - co2[LqR + RJ + R2RLC2] + jro[CR(R + 3R + L - ro2LCRRJ
b) Le due componenti hanno pulsazione ro = O (dc) e ro = 754 rad/s. Il calcolo di ViVI =

=H(jro) nel primo caso d
H(O) - RL 200 0.8

RL +2RL 200+2x25
e la componente continua quindi
V2 = H(O)VI (O) = 0.8 x (l1O-v2)/1t = 39.6 V
Ugualmente il calcolo di H(j754) d

H(j754) = 2.333 x 10-8 x e-jL571
Cos
V2(j754) = 1l~-v2 ~ (2.333 x 10-8x fi(It-L57I) = 1.540 x 10-6x fiL57I
La corrispondente funzione del tempo allora

v2 (t) = 39.6 + 1.540 x 10-6 cos (754t + 1.571)
Il fattore di ondulazione vale
302 Capitolo 17
1.540 X 10-6 = 2.750 X 10-8

-{I x 39.6
17.14 Ripetere il Problema 17.13 per il circuito raddrizzatore con ingresso induttivo mostra-
to. I valori dei componenti sono: Rs = 25 n, R = 50 n, RL = 500 n, c = 100J.lFe
L = lO H. La tensione di ingresso pu essere espressa come
2200 4
vl(t)=~(l-3cos lOOrot+...)
~+
~I C RL V2
Soluzione
a) Il circuito ridi segnato
R sL
+ +
I/Cs v2
Si ponga 21 = R + Rs + Ls e 2z = RL Il(VCs) = RL/(RLCs + l). Si ha subito

Vz - Zz
VI - 21 +Zz
Risolvendo il circuito e sostituendo s =jro si ottiene
Vz RL
- =H(jro) =
VI Rs + R + RL - o)lLCRL+ jro[L+ CRL(R+ Rs)]
b) Per ro = O,H(jO)= RL/(RL+ R + Rs) = 500/(500+50 + 25) = 0.870. L'uscita in continua
allora
220-
Vz= VIH(O)=-
1t x 0.87 = 86.1 V
Il calcolo per l'altra componente d IH(j1001t)1= 1.021 x lO-z e LH(j 1001t)I = 8.834 x
lO-z radoCos
[
V2 = H(j 1001t) x -22~
Il fattore di ondulazione vale
]
x ~ = 1.348 ej3.230 V
1.348rJ2 - 9.628 X 10-3
17.15 Un raddrizzatore monofase a doppia semionda usa diodi semiconduttori. Il valore

efficace della tensione del trasformatore rispetto alla presa centrale di 40 V. Il carico
consiste in un condensatore da 25 J.1Fin parallelo a una resistenza da 600 Q. Le resi-
stenze del diodo, del trasformatore e la reattanza parassita possono essere trascurate.
La frequenza di lavoro 60 Hz.
a) Calcolare l'angolo di interdizione.
b) Disegnare in scala la tensione di uscita e la corrente nel diodo. Determinare
graficamente da queste forme d'onda l'angolo di conduzione e trovare la corren-
te di picco nel diodo corrispondente a questo punto.
c) Ripetere i punti a) e b) usando una capacit di 75 J.1Finvece di 25 J.1F.
Soluzione
a) Procedendocome per il Problema 17.12 si ha

(Xl = 1t - tan-l (roCRJ = 1t - tan-I (21t X 60 x 25 X 10-6 x 600) =
= 1t - tan-l (5.65) = 180 - 80= 100
b) Si ha poi
i = v'n{~2 L + o)l(!l sin (rot'+ 'V) =
= 4042 ...j (~ J + (2x x 60 x 25 x 10-')' sm (mi + 80") =

=0.541 sin (rot+ 80) A
Quando il diodo conduce Vo = v(t) = Vmsinrot= 56.6 sinrot. Tra l'istante di interdizione t( e
quello di conduzione t2 il condensatore si scarica attraverso la resistenza di carico con
costante di tempo RLC, cosicch
= (56.6sin 100) e-(OOI-100)/5.65rad = 55.7 e-<oo/-100)/323.7

Questa esponenziale interseca la curva Vmsinrotin rot2' l'angolo di conduzione. Grafica-
mente si trova che questo angolo vale 44. La corrente di picco vale 0.556 sin(rot2 + 80)
= 0.460 A.
r~
I
304 Capitolo 17
1000.. i,. mA .a.vo' V
800
',' ',
,
600J
,
, '\ v_
'
\ Lo
200 20
o
44 224 280
cUI-in
c) Si ha ora
al = 1t- tan-I (21tx 60 x 600 x 75 x 10-6)=180 - 86.6 = 93.4

e
i = 56.6 --.j (6~ )' + (2n x 60 x 75 x I()-<lJ' sin ()/ + 86.6) =

= 1.61 sin (wt + 86.6) A
Quando il diodo conducesi ha va =56.6 sincot.Tra tI e t2si ha
va = (56.6 sin 93.4) - 93.4)/16.96= 56.5
e.-(OO( e.-(OO(- 93.4)/972
Ancora una volta si pu determinare graficamente wt2 = 62 e la corrente di picco vale

1.61 sin(62 + 86.6) = 0.839 A.
i,.mA
1600
1200
800-1
/ I,
'-
'-
,
v
/"
\F
I 60
1-40
/
/ I ,
/ I \
400-1 I I \ I I Il- 20
' \
l , '
o
/ , o
62 93.4 242 273.4
cUI-in cUI-ouI
17.16 Ripetere il Problema 17.15, assumendo che la frequenza di lavoro sia 50 Hz.
15.8 mA]
17.17 Nel Paragrafo 17.6 sono dati i valori tipici dei coefficienti di stabilizzazione per rego-
latori di tensione monolitici. La tensione continua non stabilizzata varia di :!:0.5V a
causa delle fIuttuazioni della tensione di rete. La corrente nel carico pu variare di
:!:2A. Le variazioni di temperatura rispetto alla temperatura ambiente di +30C sono
di :!:50C. Calcolare l'escursione massima totale che si pu avere nella tensione di
uscita rispetto al valore di regime a 30C.
[0.112 V]
-
17.18 Nella Figura 17.17 si ha Av = 105,R I = R2' VR = 6 Vela deriva della tensione di sbi-
lanciamento dell'operazionale di lO IlV/oC.
a) Quanto vale approssimativamente la tensione di uscita?
b) Quanto vale ST a causa della deriva della tensione di sbilanciamento dell' AD?
c) Quanto vale ST a causa della deriva della tensione base-emettitore di Ql? Si
trascuri la deriva della tensione di sbilanciamento.
a) [12 V]; c) [-0.044 IlV/C]
-
17.19 La tensione di uscita VREGdel regolatore di tensione monolitico di Figura 17.16 pu
essere fissata a un valore maggiore di Vo con il circuito mostrato. Determinare
spressione per Vo in funzione di VREGe di I Q definiti nella Figura 17.16. Qual il
vantaggio di b) rispetto ad a)?
l'e-
Vo
+
Vo
lkQ
(a) (b)
Soluzione
a) La corrente in Rl vale VREGIR,.Quindi

Vo = VREG+ (IQ+ VREGIR1)
R2 = 1~2 + VREG(1 + R.jRJ)
b) La tensione tra i terminali 2 e 3 nella Figura 17.16 VREG'A causa del corto circuito
virtuale agli ingressi dell'amplificatore operazionale, VREGnel circuito b) appare direttamen-
306 Capitolo 17
te ai capi di Rt. Trascurando la corrente di ingresso dell'amplificatore, si ottiene

Vo = VREG+ (VREGIR() R2 = VREG(l + RiR()
Si noti che il circuito b) rende Vo indipendente dalla corrente di riposo IQ'
2
+
-
17.20 Il regolatore a tensione fissa a tre terminali trasformato in un regolatore di corrente
dal circuito mostrato. Se la tensione di uscita del regolatore 5 V, R =5 il e
IQ= lO mA, quanto vale la corrente di uscita IL? Si noti che IL indipendente dal
carico. Come si pu rendere IL indipendente da IQ?[Suggerimento: si osservi il circuito
b) nel Problema 17.19].
Soluzione
a) La corrente in R VREGIR=515 = l A. Di qui

IL =l + IQ = 1.01A
b) Si usi un amplificatore operazionale, come nel circuito b) del Problema 17.19, in cui
Rt = Re R2 la resistenza di carico. Allora IL = VREGIR = 515 = l A indipendentemente da
IQ'
-
17.21 Se la tensione di uscita Vo di un regolatore a com.mutazione negativa, viene usato il
traslatore di livello mostrato all'ingresso dell'amplificatore di errore in Figura 17.18.
a) Qual l'effettiva tensione di retroazione?
b) Verificare che
l R2
VO="2Vrcf l-Rt
( )
Si noti che per Vo < O si ha RiRt > 1.
-
c) Mostrare che per valori assegnati di Vo e Vrefil rapporto RziRI deve essere scelto
in modo che sia
che indica che per una Vo negativa, RziRI > l.
VREF
R, R
Amplificatore
R d'errore
-
17.22 a) Le distorsioni non lineari causano la generazione di frequenze in uscita che non
sono presenti in ingresso. Assumendo che la curva dinamica possa essere rap-
presentata dall'Equazione (17.35), e che il segnale di ingresso sia
ib= I, cos Wl! + Iz cos OOz!

mostrare che l'uscita conterr un termine continuo e termini sinusoidali di
pulsazioni wl' ooz,2001'200z.Wl + ooz,Wl - ooz.
b) Generalizzare il risultato ottenuto in a) mostrando che se la curva dinamica
contiene termini di ordine pi elevato di ib, l'uscita conterr frequenze di
intermodulazione, date dalle somme e dalle differenze di multipli interi di 001e
ooz;per esempio 2001:!:200z,2001:!:ooz,3wI :t OOze cos via.
Soluzione
a) L'Equazione (17.36) con ib =IlcosooI! + Izcosooz!diviene

ic = Glib + Gz~= GIII cos Wl! + GILz cos OOz!+ Gli cosZ Wl! +
+ Gz.qcosZOOz!
+ 2GilIz cos Wl!cos Wz!
Si noti che poich 2cosza = l + cos2a e 2cosacos~ = cos(a - ~) + cos(a + ~). allora ic con-
tiene termini le cui pulsazioni sono wl' ooz, 2wp 200z, Wl + ooz, Wl - ooz'
b) Si assuma che ic contenga il termine
308 Capitolo 17
Gli = Gill COS3COIt + 3/f l2cos2 COIt COSC02t+ 3I/~ cos COI
t COS2C02t+ 1~ COS3C02t)
poich ora
4 COS3a = cos 3a + 3cos a

e
4 cos2 a cos p = 2(1 + cos 2a) cos p = 2cos p + 2cos 2a cos p=
= 2 cos p + cos(2a + P) + cos(2a - P)
allora ie contiene, oltre alle frequenze elencate in a), 3col' 3C02'(2col ::!:(02)' (co, ::!:2(02)' Se poi
il termine ie contiene anche G4ib4, saranno presenti anche termini del tipo cOS4COIt(con
pulsazione 4col)'
17.23 Un transistore fornisce 2 W a un carico di 4 kQ. La corrente di collettore continua in

assenza di segnale di 35 mA, mentre con segnale di 39 mA. Determinare la distor-
sione percentuale di seconda armonica.
[12.65%]
17.24 Il segnale in ingresso a un amplificatore ib = 1bmsencot.Dimostrare che la corrente di

uscita pu essere rappresentata da una serie di Fourier che contiene solo componenti
sinusoidali dispari e cosinusoidali pari.
-
17.25 a) Si consideri un transistore ideale che non introduce distorsioni anche se pilotato
dall'interdizione alla saturazione, in cui ve = Vmin'Verificare che il rendimento
di conversione dato da
25(V cc - Vmin)
11=- x 100%
Vcc
b) Qual il massimo rendimento possibile e in quale circostanza si ottiene tale
valore massimo?
Soluzione
a) Si ha 1min= Oe B2 = O.Dall'Equazione (17.44)

1
B2 = 4(Imax + Imin - 2Ie) = O
Quindi Imax= 2Ic- Dalla figura

1m= le e V,II= 1/2 (Vec - Vmin)
Dall 'Equazione (17.54)
IMVM Vm l Vec- Vmin Vec- Vmin

11=-=-=- =25 %
2Vec!e 2Vee 4 Vec Vce
b) Se Vmin Vcc' allora Tl tende al 25%. In altre parole, se VCE(Sat) Vcc' si ha llmax=
=25%.
Ima. .- -l
f =I,.
Imo.
I
I
'
Reuadicarico
ICQ I+t-------
I,. II
V,.
VC
[min= o " I
VCC= Vrnox
-
17.26 Per un amplificatore ideale in classe'B mostrare che la dissipazione di collettore Pc
nulla in assenza di segnale (Vm = O), aumenta al crescere di V", e ha un massimo dato
dall'Equazione (17.58) per VIII= 2Vc</1t.
-
17.27 La simmetria speculare richiede che la parte inferiore di una forma d'onda, quando
traslata di 1800 rispetto all'asse dei tempi, sia l'immagine speculare della parte supe-
riore. La condizione per l' alternativit rappresentata matematicamente dalla rela-
zione
i(rot) =-i(rot + 1t)

a) Verificare che un sistema in classe B possiede simmetria speculare usando
l'Equazione (17.64).
b) Senza fare ricorso allo sviluppo in serie di Fourier, dimostrare che un sistema
push-pull in classe B ha simmetria speculare.
-
17.28 Per l'amplificatore push-pull in classe B ideale di Figura 17.29 si ha Vcc
RL = 8 Q. L'ingresso sinusoidale. Determinare
= 15 V e
a) la massima potenza di uscita; b) la
dissipazione di collettore di ogni transistore alla potenza di uscita; c) l'efficienza di
conversione; d) qual la massima dissipazione di ciascun transistore, e quale l'effi-
cienza in queste condizioni?
a) [28.13 W]; b) [3.84 W per transistore]
,c) [78.55%]; d )[5.70 W; 50%]
-
17.29 L'amplificatore push-pull in classe B ideale di Figura 17.29 funziona all'ampiezza
sinusoidale a cui la dissipazione massima. Verificare che il rendimento di conver-
sione del 50%.
17.30 Nel circuito mostrato la tensione base-emettitore pu essere considerata costante al

valore di conduzione Vy per tutti i valori di polarizzazione diretta. La tensione di
polarizzazione pu essere schematizzata con due batterie di tensione kV'Y'in cui
0< k ~ 1. Si assuma che vi = Vssenrot.
r
310 Capitolo 17
a) Per VI' = 0.6 V e Vs = l V, disegnare il grafico dell'uscita Vo in funzione del

tempo per k = O, 0.5 e 1. Calcolare l'angolo di conduzione per ogni valore di k.
b) Cosa accade alla distorsione quando Vs aumenta?
c) Cosa accade se k supera l'unit?
d) Se si aggiunge una resistenza R tra i due emettitori, cosa accade se k > l?
e) In quale classe, A, B, AH o C, funziona il push-pull in a) e in d)?
I
I
I

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1

1.1 Un elettrone emesso da un elettrodo con velocit iniziale trascurabile ed accelerato

a) Determinare la velocit Vxdegli elettroni, in funzione di Va, quando attraversano

b) Determinare la componente Vy (cio secondo Y) della velocit degli elettroni,

may = qy = q(V Id) oppure ay = qVImd

vx= ~2 x 1.60x 10-19

d = 1.27 X20 100

1.6x 10-19X 100 x 1.27 x 10-2

e) Poich d.. inversamente proporzionale a Va, si pu scrivere

[~ = 10.0 cm2fV ' s]

1.9 a). Determinare la concentrazione di elettroni e di lacune liberi a 300 K in un

a) [p = 1.00 x 1014cm-3; n = 2.10 x 106 cm-3] b) [Il campione di tipo p]

1.10 Ripetere il Problema 1.9 per ND = NA = 1015 atomi/cm3.

1.11 Ripetere il Problema 1.9 per ND = 1016atomi/cm3 e NA = 1014 atomi/cm3.

1.12 a) Trovare la concentrazione di lacune e di elettroni in un campione di silicio di

1.13 Ripetere il Problema 1.12 per una resistivit di 5 x IO-20m.

a) Valutare l'espressione della densit di corrente di elettroni Jn(x) e tracciarne il

La concentrazione n(x) fornita in figura pu essere espressa come

n(x) = n(O) per x > W

e, poich n(x) una funzione lineare, Jn costante; quindi

Sostituendo V'l'= D,/~n e n(x) = kx + n(O), si ha

c) V=- ro Edx=- ro kx-V.;c

La corrente netta di elettroni nulla; quindi in base all'Equazione (1.35)

[V" = 753 mV]

1.20 Determinare la variazione del potenziale di contatto in una giunzione pn acircuito

2.1 Tracciare in scala semilogaritmica i grafici del1a concentrazione di portatori in fun-

- 2.4 Se la corrente inversa di saturazione in una giunzione pn al silicio di l nA, che

- 2.5 a) A temperatura ambiente (3000K), un diodo al silicio conduce l mA con 0.7 V.

a) La retta di carico passa per il punto VD= O,ID= 5/1 = 5 mA e ha un coefficienteangolare

b) PD = IDVD= 4.4 X 0.62 = 2.73 mW.

0.3 k!1 0.4 k!1 Vo

2.14 Una corrente costante I = 70 mA viene fornita al circuito di figura. Il resistore R di

a) Tracciare il grafico di IR in funzione della temperatura T da -55 a 125C.

IsC45)=2(45-25YIOIsC25)=4x1.027 x 1O-13=4.103x 10-13 A

e VT = (273 + 45)/11 600 = 27.4 mV

L'equazione del diodo diviene

e pu essere espressa nel grafico di pagina seguente.

Siccome la retta di carico l/) = 70 - V/)II praticamente orizzontale, la sua intersezione

V =27.4ln 69.3 x 10-3

e VD= 708 mV, da cui 111 = 0.708 mA.

-55 -35 -15 +5 25 45 65 85 105 125

In generale, V/) si pu esprimere in modo approssimato come

T + 273 In 67.5 x 1010

b). Il circuito esaminato non pu essere ovviamente utilizzato come termometro su un

2.23 Tracciare la caratteristica di trasferimento (vo in funzione di v) per il circuito del

2.24 Tracciare. la caratteristica di trasferimento (vo in funzione di v) per il circuito del

Dalla II legge di Kirchhoff discende che

Dalla II legge di Kirchhoff si ricava

2.27 La tensione di ingresso della rete, la cui caratteristica di trasferimento rappresentata

2.28 a) La caratteristica di trasferimento di una rete a diodi riportata in figura. Trac-

2.34 Le forme d'onda vI e v2 (vedi figura) vengono applicate al circuito diodo-resistore

(o) (b) (c)

2.35 a) In figura riportata la caratteristica di trasferimento di un circuito a diodi.

2.36 Tracciare la caratteristica di trasferimento per il circuito a diodi Zener rappresentato

Dalla II legge di Kirchhoff si ricava

. (Vj- Vz- Vy) e

pendenza: - Rf- - -I-(Vz + Vy)

ed per il resto ideale. I valori dei parametri sono Rs = 100 n, R2 = l kQ e V22= lO V.

di 0.5 Ve che Rjvalga 50 n).

Funzionamento da interruttore comandato: Quando la tensione di ingresso Vs= O,si ha il = O,

a) Dall'Equazione (3.5) si ricava che, quando lB = O,lE = -le- Dall'Equazione (3.18) si

le = -lE = leo/(l - aF) = leEo

le = -lE = leol(l - CXF)= 1.00/(1 - 0.99) = 100 pA