FOTODIODI A GIUNZIONE FOTODIODI A GIUNZIONE

E FOTOTRANSISTORI E FOTOTRANSISTORI
Nei fotodiodi a giunzione P-N la luce incidente produce delle coppie elettrone-lacuna. Queste danno
origine ad una corrente che modifica la curva corrente-tensione di un diodo normale.
Generalmente i fotodiodi sono incapsulati in vetro o plastica o in metallo; in questultimo caso, il
contenitore presenta una finestra in modo tale che il dispositivo stesso possa essere colpito dalla
radiazione incidente.
Spesso i fotodiodi sono usati in polarizzazione inversa. seconda del valore di tensione applicata
!punto di lavoro", si distinguono due classi#
$. fotodiodi a strato di svuotamento# dove la tensione applicata % inferiore alla tensione di rottura
del diodo !diodo a eterogiunzione,&"
'. fotodiodi a valanga# dove la tensione applicata % superiore alla tensione di rottura.
FOTODIODI A STRATO DI SVUOTAMENTO
(n diodo normale % caratterizzato dalla relazione

,
_

$
t
V
V
s
e I I
)
* *
Fig. 3.1 Caratteristica corrente-tensione in un diodo a giunzione
Nel caso del fotodiodo, la caratteristica corrente-tensione si modifica per tenere conto del termine
dovuto alla radiazione#
$+

'

,
_

Q I
I e I I
f
f
V
V
s
t
$
f
I
% la corrente di corto circuito.
*l grafico corrispondente %#
,uce
crescent
e
*
V
f
I
*
)
Fig. 3.2 Caratteristica corrente-tensione in un fotodiodo
- interessante trovare la tensione a circuito aperto !intersezione della curva con lasse delle ascisse".

,
_

,
_

$ ln


. $
s
t
s
V
V
s
V
V
s
I
Q
V V
quindi e I e I Q
cui da
Q e I
t
t
!/.'"
,a figura /./ rappresenta un circuito 0ase di utilizzo del fotodiodo#
$1
,uce
crescente
[
1
]
1

+ $ ln
s
t
I
Q
V V

!/.$"
I
f
)
r
V
d
V
*
Fig. 3.3 Circuito base di utilizzo di un fotodiodo
Q e I I e I I
RI V
V V V
t t
d
V
RI V
s f
V
V
s
r
r d
+

,
_

,
_

$ $
Se ) % sufficientemente grande da soddisfare a#
t
V RI V >>
allora lequazione si semplifica in#
Q I I
s
+
!/./"
da cui segue il comportamento lineare della corrente in funzione dellintensit2 della radiazione.
( ) Q R RI I I R RI V
f s f r
+
Si ha quindi che
r
V
, a parit2 di luce, % proporzionale a 3# se 3 % grande, la tensione di
alimentazione ) deve essere elevata.
ERRORE DI LINEARIT:
(tilizzando la /./ per determinare il valore della corrente del circuito, si commette un errore !errore
di linearit2", dovuto alla semplificazione effettuata.
-, per4, possi0ile limitare tale errore a piacere# sia, ad esempio, lerrore massimo ammesso. )ale,
allora#
$5
3
( ) ln ln > < <

t t
V
RI V
V RI V V RI V e
t
!/.6"
Per ogni valore di , trovo un corrispondente valore di tensione di alimentazione che garantisce un
errore inferiore ad .
FOTODIODI A VALANGA
Nei fotodiodi a valanga la tensione applicata alla giunzione !sempre polarizzata inversamente"
supera quella di rottura. 7i4 produce un fenomeno di moltiplicazione a valanga delle cariche a cui
corrispondono alti guadagni.
Nel grafico seguente viene descritto il guadagno in funzione della tensione inversa superiore alla
tensione di rottura#
G
break
V V
$
Fig. 3.4 Guadagno in funzione del rapporto tensione inversa/tensione rottura
Questi dispositivi presentano per4 dei limiti#
$. di potenza dissipa0ile
'. di velocit2 di commutazione 0asse a causa del tempo coinvolto nel processo di moltiplicazione a
valanga.
FOTOTRANSISTORI (O FOTODIODO A GIUNZIONE
MULTIPLA)
Si consideri la fig./.8, che rappresenta un fototransistor N-P-N#
$9
elettroni
luce
::::::::
lacune
N N
P
Fig. 3.5 c!e"a di un fototransistor #$#
,a 0ase % generalmente aperta. ,a luce genera coppie elettroni-lacune# gli elettroni generati si
trovano ad un valore massimo del loro livello energetico e, quindi, cadono gi;. ,e lacune,
viceversa, si accumulano e, di conseguenza, polarizzano la 0ase, facendo condurre il dispositivo.
Pi; luce illumina il dispositivo, maggiore % il numero di lacune che polarizzano la 0ase. Si trova
dunque una corrispondenza diretta tra intensit2 di illuminazione e corrente che fluisce nel
fototransistor.
Paragrafo successivo
Paragrafo precedente
*ndice del capitolo
*ndice generale
'.