CAPITOLO 5

RICHIAMI SUI PRINCIPALI DISPOSITIVI ELETTRONICI

DI POTENZA A SEMICONDUTTORE

5.1 - GENERALITÀ
I convertitori statici di energia elettrica utilizzano dispositivi elettronici a semiconduttore (allo
stato solido).
I materiali semiconduttori più frequentemente utilizzati per i dispostivi elettronici di potenza
sono il germanio, il gallio e soprattutto il silicio, opportunamente “drogati” [i materiali conduttori hanno
resistività dell’ordine di 10-7÷10-8 m; i materiali isolanti hanno resistività dell’ordine di 10 10÷1014 m; i
semiconduttori puri hanno resistività in un range molto ampio, dell’ordine di 10-6÷107 m; le loro caratteristiche dal
punto di vista della conduzione, però, sono fortemente influenzate dalla presenza di “impurità” opportunamente
aggiunte (o drogaggio); i semiconduttori “drograti” sono influenzati da sollecitazioni esterne, quali la temperatura, la
luce, i campi magnetici].
I dispositivi impieganti semiconduttori legano sostanzialmente il loro comportamento alla
presenza della giunzione P-N (cfr. i corsi di base di elettronica); realizzazioni specifiche e
combinazioni di più giunzioni danno luogo a numerosi dispositivi con impieghi in svariati campi di
applicazione. In questa sede si riassumeranno le caratteristiche dei principali dispositivi impiegati
nei convertitori di potenza.

5.2 - IL DIODO
Un diodo a semiconduttore (in inglese SR-Silicon Rectifier o semplicemente Rectifier) è un
componente elettronico passivo a due terminali, l’anodo e il catodo (cfr. fig.5.1), costituito da due

anodo
A A A
i
P v > 0 chiuso
v
N v < 0 aperto
catodo
C C C
Fig.5.1 - Giunzione P-N e simbolo del diodo. Fig.5.2 – Schematizzazione del diodo

strati con una giunzione P-N. Il simbolo rappresentativo è costituito da un triangolino come nella
posizione centrale in fig.5.1; talvolta si utilizza il triangolino pieno come nella posizione a destra
della stessa figura.
Il diodo ha lo scopo di consentire il passaggio della corrente elettrica in un senso (dall’anodo
verso il catodo) e di impedirlo in senso inverso, cioè corrisponde ad un interruttore unidirezionale
(valvola). Dal punto di vista ideale, se è direttamente polarizzato, se, cioè, la tensione v anodo-
catodo è positiva, il diodo va in conduzione e la corrente i al suo interno fluisce dall’anodo verso il
catodo (fig.5.2); se, invece, è inversamente polarizzato (v<0), il diodo corrisponde ad un interruttore
aperto e non vi è passaggio di corrente (si dice anche che è in interdizione). La caratteristica
corrente-tensione del diodo ideale è nel diagramma di sinistra della fig. 5.3: quando è in conduzione
si assume una resistenza interna nulla, per cui la tensione ai suoi capi risulta nulla qualunque sia il
valore dell’intensità della corrente al suo interno; quando, invece, è in interdizione la corrente è
nulla qualunque sia la tensione (negativa) presente ai suoi capi.
La caratteristica tensione-corrente del diodo reale è nel diagramma di destra della fig. 5.3.

Ideale Reale
i i
Polarizzazione Polarizzazione
diretta diretta
Tensione di
breakdown Tensione
VM 0 di soglia
0 v V
Corrente IF S v
di fuga

Polarizzazione Polarizzazione
inversa inversa

Fig.5.3 – Caratteristica tensione-corrente del diodo: Ideale (a sx) e Reale (a dx)

Nel caso di polarizzazione diretta (primo quadrante), la corrente anodo-catodo è modesta fino ad
una tensione di soglia Vs mentre per v>Vs il diodo si comporta come un interruttore chiuso con una
piccola resistenza interna. In genere la Vs assume valori dell’ordine di 0,7÷1 V per il silicio (valori
minori per il germanio); la caduta di tensione ai capi del diodo è funzione della corrente ma non è
molto variabile con essa e per numerose applicazioni si può ritenere compresa nel range 0,7÷1,5 V.
Anche se non indicato in figura, vi è un valore nominale di corrente In (in valore medio non in
valore efficace) oltre il quale non è consentito lavorare in regime continuativo; esso è legato alle
dimensioni ed alle caratteristiche costruttive (package) del diodo ed alle caratteristiche di
dissipazione termica (materiali e configurazione costruttiva del dissipatore).
Nel caso di polarizzazione inversa la corrente non è proprio nulla (anche se la corrente di
dispersione o di fuga in fig.5.3 assume valori molto piccoli, dell’ordine del mA o anche inferiori);
oltre una massima tensione inversa di lavoro VM (tensione di breakdown) il diodo va in conduzione
anche se inversamente polarizzato; la corrente aumenta rapidamente (“a valanga”) e può portare alla
distruzione del componente. La VM è un valore caratteristico riportato sul data-sheet del singolo
componente che influenza la scelta del componente in relazione ai valori limite di tensione del
circuito in cui è inserito. Per i diodi di potenza questo valore può essere dell’ordine delle centinaia
di Volt (ad es. 1.200 V per diodi da impiegare su reti trifase a 400 V nominali) fino a qualche
migliaio di Volt (esistono serie di diodi a 3 kV, 4.5 kV, 6 kV di massima tensione inversa VM).
Le transizioni tra lo stato di interdizione e quello di conduzione (accensione, turn-on) e tra
conduzione ed interdizione (spegnimento, turn-off) non sono istantanee, ma avvengono in tempi
dell’ordine dei microsecondi. Come nel caso degli interruttori elettromeccanici è l’apertura (turn-
off) la transizione più gravosa, in quanto è necessario attendere un tempo di ripristino trr (reverse
recovery time) per ritenere completata tale operazione; si ha, cioè, che il tempo di turn-off è

2
maggiore di quello di turn-on (dati i bassi valori del turn-on, in accensione il diodo reale può
effettivamente essere considerato ideale).
La frequenza di switching o di commutazione indica il numero di commutazioni in 1 secondo (1
commutazione = 1 accensione + 1 spegnimento); per ciascun diodo vengono forniti dal costruttore
indicazioni che consentono di valutare la massima frequenza di switching nelle diverse condizioni
di funzionamento. Essa è sostanzialmente legata alle capacità di smaltimento del calore prodotto
dalle dissipazioni di potenza associate alle commutazioni e, quindi, per un assegnato diodo dipende
sia dal valore della corrente sia dalle caratteristiche del dissipatore.
Oltre ai diodi di potenza ordinari (general purpose), sono disponibili i diodi “veloci” (fast
recovery diodes) per i quali il tempo di ripristino trr è 0,1÷2 s, con valori limite di tensione e
corrente rispettivamente di 6 kV e 1,5 kA.
In definitiva, i dati minimi per la scelta di un diodo sono (da dedurre dal data-sheet):
- tipo di realizzazione costruttiva (package);
- massima tensione inversa VM;

Diodi discreti a vite (un terminale è costituito dalla vite) Diodi incapsulati

Modulo con due diodi

Modulo con ponte

raddrizzatore trifase a diodi
(6 diodi montati a ponte)

Diodi discreti di tipi diversi Diodi a moduli

Tavola 5.1 – Vari tipi di diodi di potenza

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 - corrente nominale In;
- massimo tempo di ripristino trr ;
- massima caduta di tensione diretta (la tensione ai capi del diodo in corrispondenza della corrente
nominale);
- corrente di dispersione (massima corrente inversa alla tensione VM).

Valori limite attuali per i diodi di potenza: 6 kV di tensione inversa; 10 kA di corrente diretta.

5.3 - IL TIRISTORE (SCR)

Il tiristore o SCR (S Silicon Controlled Rectifier) è sostanzialmente un diodo controllato. Oltre
all’anodo e al catodo presenti anche nel diodo ha un terzo terminale denominato gate (cf. fig.5.4).
Quando è inversamente polarizzato il tiristore non conduce; quando è direttamente polarizzato entra
in conduzione se un comando di accensione o di innesco è inviato alla gate sotto forma di impulso
di corrente di opportuna ampiezza e durata (il comando deve essere positivo tra gate e catodo); una
volta innescato, il tiristore resta in conduzione fino a quando è direttamente polarizzato (nel caso di
tiristore ideale) o fino a quando la corrente non scende al disotto di un valore limite inferiore, detto
corrente di mantenimento (o holding current) Ih, nel caso reale.

A anodo
A
P A
i
N v
gate
G P G G

N C
C
C catodo

Fig.5.4 – Configurazione e simbolo di un tiristore Fig.5.5 – Altri simboli rappresentativi del tiristore

Dal punto di vista costitutivo il tiristore è un dispositivo a quattro strati P-N-P-N con tre
giunzioni P-N. Gli strati sono drogati in maniera differente: il catodo (strato N esterno) è quello
maggiormente drogato; l’anodo e la gate (strati P) sono quelli meno drogati. Lo strato N centrale è
leggermente drogato ed è più spesso degli altri in modo da sopportare elevati valori di tensione
inversa di blocco. Il simbolo rappresentativo di un SCR è simile a quello del diodo con evidenziato
il terminale gate (fig.5.4). In fig.5.5 sono riportate alcune varianti dei simboli rappresentativi.
La caratteristica tensione-corrente di un tiristore è riportata in fig.5.6 con riferimento sia al caso
ideale sia a quello reale.
Dal diagramma di destra (SCR reale) si evince che, nel caso di polarizzazione inversa (terzo
quadrante) il comportamento del tiristore è perfettamente analogo a quello di un diodo. Nel caso,
invece, di polarizzazione diretta si ha che fino ad una tensione di soglia Vs (di circa 1 V) la corrente
di conduzione è molto piccola (analogamente al caso di un diodo), ma bisogna che la tensione

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 Ideale Reale
Polarizzazione
i Polarizzazione i diretta
sì impulso: diretta
conduzione Conduzione

no impulso: blocco Ih
blocco VM 0 v
0 v V
Corrente IF S VB,F
di fuga

Polarizzazione Polarizzazione
inversa inversa

Fig.5.6 – Caratteristica tensione-corrente di un tiristore: Ideale (a sx) e Reale (a dx).

diretta anodo-catodo raggiunga un valore massimo diretto VB,F (forward breakover voltage) molto
elevato perché entri in conduzione autonomamente.
In genere si evita di raggiungere tale valore e si preferisce inviare un impulso di corrente alla
gate per consentire la conduzione anche con piccoli valori di tensione anodo-catodo. In senso
inverso, se il dispositivo è in conduzione con un certo valore di corrente, conserva questo suo stato -
senza necessità di reiterare il comando di accensione- sino ad un valore di corrente Ih, al disotto del
quale si manifesta una sovratensione VB,F tra anodo e catodo ed il componente si ‘spegne’
definitivamente (in realtà oltre alla holding current si definisce anche una latching current di poco maggiore, che è
la minima corrente in grado di sostenere la conduzione in assenza di segnale di gate, cfr. bibliografia specifica ).
Per
evitare tale sollecitazione, in genere si evita di far spegnere il tiristore per annullamento della
corrente ma lo si polarizza inversamente per spegnerlo. Si nota, ancora, che, al disopra di Ih ed in
presenza di un comando di accensione, il comportamento del tiristore è sostanzialmente analogo a
quello di un diodo. La corrente Ih è in genere dell’ordine di 100÷500 mA.
Con una tensione anodo-catodo negativa il tiristore si
(+) Anodo
comporta come un diodo, nel senso che la corrente inverte il
P+
suo segno all’interno del componente fino all’interdizione; la J1
tensione inversa va applicata per un tempo maggiore di
N-
quello necessario ad annullare la corrente e l’inversione di J2
polarità della corrente deve permanere per un tempo J
P N+ 3
sufficiente a garantire lo stato di interdizione (blocco) nel (+) (-)
caso si verifichi il ritorno di una tensione positiva tra anodo e Gate Catodo

catodo; per tale motivo, il tempo di spegnimento complessivo Fig.5.7 - Sezione trasversale di un tiristore
(turn-off time) è relativamente alto.
In genere, nella fase di conduzione la caduta di tensione ai capi del tiristore è dell’ordine di 1÷3
V. Il tempo di accensione (turn-on time) è dell’ordine di 0,5÷2 s con una corrente di innesco
dell’ordine di qualche centinaio di mA (100÷300 mA); il tempo di spegnimento (turn-off time) è di
diverse decine di s (frequentemente 150÷300 s). Tali valori sono relativi ai tiristori destinati ai
convertitori ac/dc (detti anche tiristori per il controllo di fase), introdotti alla fine degli anni ’50. Per
i tiristori “veloci”, introdotti negli anni ’70, e destinati al funzionamento in inverter di potenza

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(tiristori per inverter), il tempo di spegnimento è più basso ed è normalmente compreso nel range
5÷50 s.
I tiristori sono impiegati in circuiti da qualche watt ad alcuni megawatt; i componenti di
potenza maggiore raggiungono diametri di circa 17 cm e riescono a commutare correnti dell’ordine
di 6 kA con tensioni fino a 8 (10) kV in alternata. Le frequenze di commutazione sono dell’ordine
delle centinaia di hertz e i valori limite, in genere, non superano 1 kHz. Per i tiristori per inverter, i
limiti in potenza sono più bassi: gli SCR disponibili hanno tensioni inverse limite di 3 kV con
correnti di 1.5 kA.
Le caratteristiche apprezzate dei tiristori (in confronto con i componenti comandati di cui ai
prossimi paragrafi) sono le basse cadute di tensione in conduzione e le basse perdite in conduzione.
Vi è, inoltre, da rilevare che può avvenire l’innesco spontaneo anche in caso di elevati valori
della derivata di tensione dv/dt ai capi del tiristore; ciò, ovviamente, è da evitare in quanto può
creare indesiderate chiusure di circuiti con effetti pericolosi. Riassumendo, un tiristore si innesca se:
a) la tensione diretta supera quella di break-over; b) la derivata della tensione è maggiore di un
certo valore di soglia, c) è inviato un impulso alla gate quando la tensione anodo-catodo è positiva.
La soluzione c) è quella da perseguire.
Aspetti critici del tiristore sono rappresentati dalle derivate di tensione dv/dt e di corrente di/dt,
che non possono raggiungere valori elevati per evitare la distruzione del componente. E’, quindi,
necessario limitare tali valori, inserendo opportuni, seppure semplici, circuiti di snubber (ad es. una
piccola induttanza in serie al carico, se questo è ohmico, per limitare il gradiente di corrente). Un altro aspetto
critico è, ovviamente, lo spegnimento del tiristore: esso può avvenire grazie al manifestarsi di
tensioni anodo-catodo negative in conseguenza del comportamento della rete (nei raddrizzatori) o
per mezzo di appositi circuiti di spegnimento, in genere onerosi dal punto di vista degli ingombri e
dei costi (nei convertitori a commutazione forzata, quali chopper o inverter).
Tra le diverse tecnologie realizzative, quelle di tipo press-pack (incapsulati, cfr. Tavola 5.2)
sono preferite per le potenze più elevate.

In definitiva, i dati minimi per la scelta di un tiristore sono (da dedurre dal data-sheet):
- tipo di realizzazione costruttiva (package);
- massima tensione inversa VM e massima tensione diretta VB,F;
- massima corrente diretta;
- tensione e corrente di gate per l’innesco;
- corrente di mantenimento Ih;
- massimo gradiente di tensione dv/dt;
- dissipazione di potenza;
- corrente di fuga (massima corrente inversa alla tensione VM).
- massima caduta di tensione diretta (tensione ai capi del tiristore in corrispondenza della corrente
massima);

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 Tiristori discreti a vite (un terminale è costituito dalla vite). La gate è talvolta collegata a due fili esterni

Tiristori incapsulati (press-pack)

Modulo SCR+ diodo

Moduli SCR+SCR

Ponte raddrizzatore monofase a

tiristori e diodi
Tavola 5.2 – Vari tipi di tiristori di potenza
-
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 5.4 - IL GATE TURN-OFF THYRISTOR (GTO)
Per quanto detto al §5.3, il tiristore non è un componente completamente controllabile nel senso
che può essere posto in conduzione da un semplice impulso di corrente positiva tra gate e catodo ma
ha il problema dello spegnimento; l’SCR si spegne solo se inversamente polarizzato dal circuito in
cui è posto o se la corrente scende al disotto di quella di holding.
Attraverso un’opportuna modifica della struttura del tiristore è possibile utilizzare la gate sia
per accendere sia per spegnere il dispositivo; si ottiene, pertanto, il GTO (G
Gate Turn-Off Thyristor),
che risulta completamente controllabile. Può essere acceso attraverso un segnale di innesco positivo
alla gate e spento attraverso un segnale di disinnesco negativo alla stessa gate.
Il simbolo rappresentativo
base alternativo semplificati del GTO (in fig.5.8 a sinistra)
A A evidenzia la bidirezionalità del
segnale di gate. La configu-
razione interna è ancora
G G
schematizzabile come in fig.5.4
per il tiristore.
C C
Vi è da osservare che,
Fig.5.8 - Simbolo del GTO (a sx). Simboli alternativi e semplificati (a dx).
mentre per l’accensione è
sufficiente un impulso di corrente di frazioni di ampere (100÷300 mA), per lo spegnimento è in
genere richiesta una corrente dell’ordine del 20÷30% della corrente di carico transitante tra anodo e
catodo. L’accensione del GTO, inoltre, non è affidabile come quella del tiristore ed è, quindi,
necessario mantenere una piccola tensione di gate positiva anche dopo l’accensione per migliorare
l’affidabilità della conduzione. In confronto con i tempi d’innesco di 0,5÷2 s dell’SCR, per il GTO
sono richiesti tempi di accensione di 5÷10 s. Di contro, i tempi di spegnimento sono di gran lunga
inferiori (10÷20 s).
Analogamente al tiristore, il GTO può condurre elevati valori di corrente (fino a 5 kA) ad
elevate tensioni (fino a 6.5 kV), ma presenta cadute di tensione in conduzione maggiori (pari anche
a 3÷4 V). Le frequenze di switching ammesse sono leggermente superiori a quelle dei tiristori, ma,
comunque, i valori limite si attestano intorno a 1÷2 kHz.
Attualmente i GTO sono i componenti preferiti nelle applicazioni di elevata potenza (1÷10
MW).
Dal punto di vista esterno i GTO si presentano come i tiristori a disco (incapsulati o hockey
puck o press-pack) della Tavola 5.2 (cfr. Tavola 5.3).
I GTO sono stati introdotti nelle applicazioni di elettronica di potenza nella seconda metà degli
anni ’80, molto più tardi rispetto agli SCR, che sono stati utilizzati a partire dalla fine degli anni
’50. La tecnologia realizzativa dei GTO è, infatti, molto più sofisticata di quella dei tiristori: sono
innanzitutto necessari dei circuiti di snubber per mantenere basso il valore della tensione anodo-
catodo durante lo spegnimento onde evitare la rottura del componente; ai fini, inoltre, di assicurare
lo svuotamento dell’intera superficie di conduzione durante lo spegnimento, i GTO sono realizzati

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con numerosi piccoli tiristori in parallelo (celle) su un unico disco di silicio opportunamente trattato
fino a circa 50.000 celle/cm2. La caratteristica tensione-corrente dei GTO è perfettamente analoga a
quella degli SCR (cfr. fig.5.9), con l’esplicitazione della possibilità di passare dallo stato di
conduzione a quello di interdizione attraverso un opportuno comando di gate.

Reale
Polarizzazione
i diretta
Conduzione

Ih
VM 0
V
v
Corrente di IF S VB,F
dispersione

Polarizzazione
inversa

Fig.5.9- Caratteristica tensione-corrente di un GTO.

Negli ultimi anni sono stati sviluppati componenti con prestazioni migliorate rispetto a quelle
convenzionali e che hanno assunto denominazioni diverse in quanto hanno apportato delle
modifiche strutturali più o meno sostanziali. Sono, ad esempio, disponibili sul mercato dei
componenti denominati SGTO (S Super Gate Turn-Off Thyristor), destinati ad applicazioni ad
elevate correnti di conduzione, e caratterizzati da ridotti tempi di accensione (turn-on time
dell’ordine anche di 0,2 s) ed elevate derivate di corrente ammissibili (fino a di/dt=30 kAs-1).
Costruttivamente si presentano con celle elementari di dimensioni ridotte rispetto a quelle
tradizionali, fino ad ottenere realizzazioni con circa 160.000 celle/cm2 (cfr. Tavola 5.3).
Un’altra variante dei GTO è rappresentata dai cosiddetti GCT (G Gate Commutated Turn-off
Thyristors). Il nome ha significato analogo a quello del GTO; l’innovazione è costituita dal
superamento delle limitazioni nella derivata di tensione dv/dt ammissibile. Riuscendo a sopportare
valori di dv/dt molto più alti, i GCT non hanno bisogno di pesanti circuiti di snubber, ma integrano
un diodo nella loro struttura e richiedono la presenza di un’induttanza in serie. Vengono, inoltre,
spesso forniti insieme al circuito di pilotaggio (gate drive) con evidenti vantaggi da parte
dell’utilizzatore.
Un altro costruttore tra i leader mondiali ha brevettato questa soluzione (GCT con integrazione
del gate-driver) col nome di IGCT (IIntegrated Gate Commutated Thyristor). Essi abbinano i
vantaggi dei tiristori (basse cadute di tensione in conduzione e basse perdite in conduzione), a quelli
dei transistori e in particolare degli IGBT (di cui si parlerà più avanti) consistenti nella capacità di
spegnimento senza necessità di circuiti di snubber. Rispetto ai GTO, gli IGCT hanno i seguenti
vantaggi: elevati valori ammissibili della derivata dv/dt; minima richiesta di circuiti di snubber;
significativa riduzione del tempo di spegnimento (che si attesta al disotto di 10 s); forti riduzioni
delle perdite di commutazione in fase di spegnimento (per effetto della riduzione del tempo di turn-
off).

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 Gamma di GTO di potenza

GTO da 1600 A

GTO: vista esterna e chip

con le diverse celle

Vista interna di un SGTO in confronto con

un GTO ordinario

Vista esterna di un GCT e chip interno GCT con gate-driver

IGCT

Tavola 5.3- Diversi tipi di GTO

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 5.5 - IL TRANSISTORE BIPOLARE A GIUNZIONE (BJT – BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR)
I transistori bipolari a giunzione, o semplicemente, transistori bipolari (B BJT – Bipolar
Junction Transistors) sono dispositivi elettronici a semiconduttore a tre strati (NPN o PNP), quindi
con due giunzioni P-N; lo strato centrale è molto più sottile dei due laterali (in genere lo spessore
dello strato centrale P per un transistore NPN ha lo spessore di 1 m). Sono presenti 3 terminali:
quello centrale è detto base, i due laterali sono denominati collettore ed emettitore (cfr. fig.5.10a e
fig.5.10b, dove sono anche indicati i simboli rappresentativi). Il verso della freccia dal lato
emettitore indica il tipo di transistore (NPN o PNP). I transistori sono detti bipolari in quanto nella
conduzione principale attraverso il dispositivo sono coinvolti sia gli elettroni che le lacune.

BJT - NPN BJT - PNP

C Collettore C C Collettore C
 
N P
Base Base
B P B vCE B N B vCE
N P
 

E Emettitore E E
E Emettitore
Fig.5.10a- Schematizzazione e Simbolo del Fig.5.10b- Schematizzazione e Simbolo del
Transistore bipolare tipo NPN. Transistore bipolare tipo PNP.

Per i transistori di potenza è preferita la configurazione NPN. In genere, in un transistore NPN

l’emettitore è collegato al potenziale comune (di massa); si dice che la configurazione è ad
“emettitore comune” (cfr. fig.5.11).
Se la tensione di base vBE è nulla o negativa (vBE 0), il
C  transistore presenta elevata impedenza in entrambi i sensi
iC (collettore-emettitore e viceversa) e, quindi, rappresenta
B iB praticamente un interruttore aperto (in realtà, se la tensione
 vCE collettore-emettitore è positiva vCE >0, una piccola corrente di dispersione
vBE iE fluisce tra collettore ed emettitore). Con vBE 0 si dice che il
  transistore è in interdizione (O
OFF).
E
Se, invece, tra base ed emettitore viene applicata una
Fig.5.11 - BJT tipo NPN ad emettitore tensione positiva (vBE >0), tra collettore ed emettitore si
comune
determina una certa corrente ed il dispositivo è attivo (ON). In
questo caso si possono distinguere due condizioni: a) una regione cosiddetta di modulazione, in cui
la corrente di collettore iC è proporzionale alla corrente di base iB secondo un fattore di
proporzionalità detto guadagno; b) una regione di saturazione, che si ha quando la tensione di base
è sufficientemente alta, cioè maggiore di una tensione di saturazione VS,BE (vBE> VS,BE con VS,BE 
0,7 V), e che è caratterizzata da una bassa caduta di tensione vCE (vCE <1 V ) provocata dalla corrente

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tra collettore ed emettitore, tale da poter ritenere il transistore come un interruttore chiuso con
caduta interna quasi nulla. Tra le due condizioni ON, per un transistore di potenza è ampiamente
preferibile quella di saturazione, perché consente di avere basse perdite in conduzione.
In definitiva, per un BJT di potenza di tipo NPN le due regioni di funzionamento sono
caratterizzate da:
- interdizione (OFF) vBE 0
- saturazione (ON) vBE >0, con vBE> VS,BE .

Le caratteristiche tensione-corrente tipiche di un BJT-NPN sono riportate in fig.5.12: nel

diagramma (a) è indicata la caratteristica di controllo, cioè la curva ”corrente di base iB” in
funzione della “tensione di base vBE”; nel diagramma (b) è riportata la famiglia di caratteristiche di
uscita, cioè le curve “corrente di collettore iC ” in funzione della “tensione di collettore vCE” per
diversi valori della corrente di base iB.

(a) (b )
iB iC iB
IC,max

vBE vCE
0 VS,BE 0 VS,BE VCE,max

Fig.5.12 - Caratteristica di controllo (a) e di uscita (b) di un BJT- NPN.

Dalle 5.12b si evince che la corrente di uscita (collettore) iC varia considerevolmente in

funzione della corrente di ingresso (base) iB, mentre è poco sensibile alla tensione collettore-
emettitore vCE. Il rapporto tra la corrente di collettore e quella di base è detto guadagno del
transistore: G = iC / iB . In genere il guadagno è compreso tra 5 e 10. Per ottenere guadagni più
(b) iC elevati si ricorre alla cosiddetta connessione
(a) iC 
 Darlington (fig.5.13) di più transistori, spesso
C
C B iB
B iB 
 montati sullo stesso chip. Ad esempio due
transistori con G=5, collegati in Darlington danno
 un guadagno di 25, con un tempo di spegnimento,
E  E
però, più elevato.
Fig.5.13 – Connessione Darlington a 2 (a) e a 3 (b)
transistori Come per tutti gli altri dispositivi a
semiconduttore, vi sono valori limite di tensione da non superare per evitare fenomeni “a valanga”;
esistono tensioni di breakdown per ciascuna coppia di terminali: VBE,max, VBC,max, VCE,max. Tra questi
valori la tensione limite collettore-emettitore VCE,max è quella maggiormente significativa ai fini
delle definizione della massima tensione di lavoro del circuito.
Vi è inoltre da osservare che, ai fini della dissipazione di potenza e, conseguentemente, del
rendimento di conversione e del riscaldamento, sono molto importanti i tempi di commutazione

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(tempi di turn-on e di turn-off) del transistore. Nel caso ideale, infatti, negli stati di interdizione e di
saturazione non vi sono perdite joule (o quasi), in quanto in interdizione è nulla (o quasi) la
corrente, e in saturazione è nulla (o quasi) la tensione ai capi del dispositivo. Gli unici intervalli di
tempo in cui tensione e corrente sono entrambe diverse da zero sono quelli di commutazione, la cui
durata, quindi, influenza direttamente le perdite interne del dispositivo.

Il transistore a giunzione (BJT) è un dispositivo controllato in corrente con il pregio di avere

una bassa tensione di saturazione in uscita (bassa caduta tra collettore ed emettitore durante la
conduzione); i transistori ad effetto di campo (FET), di cui si parlerà più avanti, sono, invece,
controllati in tensione ed hanno un’elevata impedenza di ingresso, con il vantaggio di una piccola
corrente di pilotaggio.
Valori limite caratteristici dei BJT sono tensioni di 1.5 kV e correnti di 500 A.
Per la scelta di un transistore BJT, i dati di specifica più significativi sono (da dedurre dal data-
sheet):
- tipo di realizzazione costruttiva (package);
- tensioni nominali VBE,max, VBC,max, VCE,max;
- potenza nominale;
- corrente massima di collettore ic,max;
- correnti di dispersione ICB,0, IBE,0;
- tempi di commutazione;
- frequenza di commutazione massima;
- resistenza di saturazione.

(A) N (B) Collettore (C)

Collettore Base Emettitore
Collettore N+

+++++++ N+ P N+
Base ------- N-
- - - P- - - -
+++++++ Substrato N

Emettitore P N+
N+ = Forte drogaggio; N- Basso drogaggio
N Base Emettitore

Fig.5.14- Transistore a giunzione NPN. A) Schematizzazione. B) Sezione trasversale di una

cella di BJT discreto. C) Sezione trasversale di un BJT integrato
Vi è da osservare che nelle applicazioni di potenza (> 1 kW), a cui si fa implicito riferimento in
questo contesto, il BJT non è molto utilizzato: ad esso si preferisce il MOSFET o l’IGBT per i
motivi che verranno chiariti qui di seguito. Nella Tavola 5.4 sono riportati alcuni BJT per
applicazioni di piccola potenza (centinaia di watt fino a qualche chilowatt) insieme a dei moduli
con BJT per applicazioni di qualche decina di chilowatt.

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 BJT tipo SiC (Silicon BJT montato su BJT montato su
Carbide) da 20 A -- 600V dissipatore dissipatore su scheda

Tavola 5.4
Vista di alcuni BJT
discreti di piccola
potenza e di BJT a
Moduli di BJT
moduli

5.6 - I TRANSISTORI AD EFFETTO DI CAMPO (JFET E MOSFET)

I transistori ad effetto di campo (FET – Field Effect Transistors) sono dispositivi unipolari,
in quanto conducono corrente usando un solo tipo di portatori di carica. Nei FET di tipo N-Channel
(fig.5.15a) i portatori di carica sono elettroni, in quelli di tipo P -Channel (fig.5.15b) sono le lacune.
[Nei transistori bipolari BJT, invece, sono interessati entrambi i portatori di cariche]. Alla famiglia dei FET
appartengono i JFET (JJunction Field-Effect Transistors) e i MOSFET (M Metal Oxide
Semiconductor Field-Effect Transistors), questi ultimi di gran lunga più utilizzati rispetto ai JFET
nelle applicazioni di potenza.

N-Channel - JFET (a) P-Channel - JFET (b)

D Drain D D Drain D

N P
Gate Gate
G P P G vDS G N N G vDS
vGS

S Source S S Source S

Fig.5.15 - Schematizzazione e simbolo del JFET di Tipo N-Channel (a) e P-Channel (b).

S
Fig.5.15c - Vista tridimensionale di un JFET

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 Con riferimento ai FET a giunzione (JFET) “N-Channel” (preferiti a quelli P-Channel)
(fig.5.15a), si rileva che sono costituiti da un solo pezzo di materiale semiconduttore di tipo N
(detto canale N o N-channel), leggermente drogato, alle cui estremità si trovano i due terminali
Source (Sorgente - S) e Drain (Pozzo – D) rispettivamente corrispondenti all’emettitore ed al
collettore del transistore bipolare. Ai due lati della zona centrale del canale N si trovano delle
regioni di materiale P fortemente drogate, elettricamente interconnesse e collegate al terminale Gate
(Porta – G) (cfr. fig.5.15c), corrispondente alla base del BJT.
In un JFET di tipo N-channel il morsetto drain è a tensione positiva rispetto a quello source,
cioè vDS>0 (il contrario avviene per un JFET di tipo P-Channel); tra drain e source il materiale di tipo N si
comporta come un resistore e quindi vi può essere corrente tra D e S.
Il funzionamento di un FET è semplice: se una tensione positiva è applicata tra gate e source
(cioè se vGS>0) si determina un campo elettrico che respinge i portatori di carica tra source e gate
(da cui il nome “ad effetto di campo”) e determina una variazione di resistenza del canale N. Più è
grande la tensione vGS, più cresce la resistenza tra drain e source e più è piccola la corrente drain-
source. La gate, quindi, svolge il ruolo di terminale di controllo e attraverso la variazione della
tensione di gate si riesce a modulare la corrente nel dispositivo, che rappresenta la corrente di carico
(o di uscita).
Mentre i BJT sono dispositivi controllati in corrente nei quali una piccola corrente di ingresso
riesce a controllare una grande corrente di uscita, i JFET sono dispositivi controllati in tensione, nei
quali una piccola variazione della tensione di ingresso determina una grande variazione della
corrente di uscita.

Drain (A) (B)

N+ Drain Gate Source

N- P+
N

P+ N+ P+ Substrato P

N+, P+ = Forte drogaggio; N-, P- Basso drogaggio

Source Gate

Fig.5.16 - Sezione trasversale di un N-Channel JFET: A) Discreto; B) Modulo integrato

Rispetto ai transistor bipolari, i FET presentano il vantaggio di avere un terminale di controllo

in cui non passa alcuna corrente; lo svantaggio invece è che, avendo alta impedenza di uscita, i FET
erogano correnti molto deboli.
Non vengono fornite le caratteristiche esterne del JFET perché, come già accennato, sono meno
utilizzati dei MOS-FET.
I MOSFET sono dei transistori ad effetto di campo (FET) nei quali il terminale di gate è
separato dal “canale” mediante un sottile strato isolante di biossido di silicio (SiO2), di qui il nome
di Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (cfr. fig.5.17). Come conseguenza il
MOSFET ha una resistenza di ingresso ancora più elevata del JFET.

15
 N-Channel - MOSFET
D Drain D + D +

N
Gate
G P G vDS vDS
G
Isolante vGS vGS

S Source S  S 
(a) (b) (c)

Fig.5.17- (a) Schema di connessione di un N- MOSFET; (b) simbolo di un N-MOSFET

“a svuotamento”; (b) simbolo di un N-MOSFET “ad arricchimento”.

I MOSFET sono talvolta individuati anche con il nome IGFET insulated-gate field-effect
transistors. Il funzionamento è analogo a quello di un JFET: la variazione della tensione di gate
modula la resistenza del “canale” consentendo di controllare la corrente iDS tra Drain e Source. Nei

Drain (A) (B)

N+ Drain Gate Source
metallo

N- Ossido di
N N - channel N silicio
isolante
P Substrato P
N+
Ossido di
silicio Gate Source N+ = Forte drogaggio; N- =Basso drogaggio
isolante

Fig.5.18 - Sezione trasversale di un N-MOSFET: A) Discreto; B) Modulo integrato

MOSFET N-channel (o semplicemente N-MOS), una tensione positiva di gate (vGS>0) aumenta la
corrente drain-source iDS, mentre una tensione negativa riduce la corrente di uscita iDS. Si hanno dei
MOSFET in cui l’azione del campo elettrico tende a svuotare il canale da portatori di carica e
dispositivi in cui l’azione della gate tende ad arricchire di cariche il canale. Nel primo caso si parla
di MOSFET “a a svuotamento” (o depletion mode) ed il simbolo è quello in fig.5.17b per un N-
MOSFET. Nell’altro caso, invece, si parla di di MOSFET “a ad arricchimento” (o enhancement
mode) ed il simbolo è quello in fig.5.17c. Questo simbolo presenta delle interruzioni del percorso
drain-source, per indicare che in condizioni normali non vi è conduzione tra D e S. Simboli duali si
utilizzano per i MOSFET di tipo P.
In fig.5.19 è rappresentato l’andamento della corrente di uscita (corrente di drain iD) in
funzione della tensione di uscita drain-source vDS per differenti valori della tensione di gate vGS. Si
vede che per valori di vDS maggiori di una soglia (ad es. > 3V) la corrente iD è praticamente
insensibile alla tensione vDS stessa in quanto il MOSFET è in saturazione; al crescere della tensione
di gate, invece, la corrente di uscita aumenta.
Mentre i transistori bipolari (BJT) sono come interruttori “normalmente aperti”, in quanto con
corrente di base nulla non vi è corrente di uscita tra collettore ed emittitore, i transistori FET sono

16
 interruttori “normalmente chiusi”, nel senso che, con
iD vGS tensione gate-source nulla (vGS=0), si ha un’elevata
corrente drain-source iDS .
I MOSFET sono impiegati nell’elettronica di
potenza per potenze limitate, in genere in
applicazioni non superiori a 10÷20 kW. Attualmente
si possono trovare MOSFET 100V/200A o 500
vDS
V/20A. Questa limitazione è principalmente dovuta
0 3 V
alle cadute di tensione in conduzione, quando le
Fig.5.19 - Caratteristiche tensione-corrente di uscita correnti sono elevate. Rispetto ai BJT presentano il
di un MOSFET vantaggio di avere l’elettrodo di comando isolato dal
circuito di potenza; inoltre, il comando avviene in tensione, dunque senza alcun assorbimento di
corrente (almeno nel caso ideale). Il tempo di spegnimento, infine, è molto basso; di conseguenza i
MOSFET sono adatti ad applicazioni con elevate frequenze di commutazione [in sintesi: bassa
potenza, alta frequenza di switching], fino anche ad alcune centinaia di chilohertz.
I MOSFET sono anche abbastanza stabili dal punto di vista termico.
I principali dati di specifica per la scelta di un MOSFET sono i seguenti:
- tensione di breakdown;
- resistenza RDS drain-source in conduzione;
- caratteristiche di commutazione;
- corrente di uscita IDS,0 in corrispondenza di una tensione di gate nulla (vGS=0);
- capacità di ingresso.

MOSFET discreti

MOSFET 30V-116A MOSFET 900V - 2.5A N-MOSFET: 1000V - 8 A N-MOSFET: 500V - 20A

MOSFET a moduli

Modulo a ponte trifase con

MOSFET da 100V-8A Modulo integrato con 2 MOSFET al
“carburo di silicio” : 1200V-100A

Tavola 5.5: Vista di alcuni MOSFET di potenza discreti e a moduli

17
5.7 – IL TRANSISTORE BIPOLARE A GATE ISOLATA (IGBT)

Gli IGBT (IInsulated Gate Bipolar Transistors, indicati anche con altri nomi quali “Bipola-
mode MOSFET” o “Conductivity-Modulated Field-Effect Transistor –COMFET”)) sono dispositivi
di potenza a 4 strati N-P-N-P (cfr. fig. 5.20; la figura B rappresenta analoga a quella della A, ma
con maggiore simmetria costruttiva) che combinano i pregi dei BJT e dei MOSFET,

C (A) C
Collettore Collettore (B)
P+ P+

N- N-

P P+
Ossido di N+ N+ N+ SiO2
isolante
silicio
isolante Gate Emettitore Gate
E
G E G Emettitore

Fig.5.20 - Sezione trasversale di una cella elementare di IGBT

precedentemente analizzati. I terminali prendono il nome di gate, collettore ed emettitore, come
indicato nelle figg.5.20 e 21; in quest’ultima sono
Collettore C
IGBT C Collettore
raffigurati anche i simboli più comunemente usati per
rappresentare l’IGBT. Gate
Gate
Gli IGBT hanno elevata impedenza di ingresso G vCE G vCE

vGE
(bassa potenza di pilotaggio) e rapidi tempi di vGE
Emettitore E E Emettitore
accensione (turn-on time) come i MOSFET, mentre
Fig.5.21- Simboli rappresentativi dell’IGBT
hanno elevate portate in corrente e basse cadute di
tensione in conduzione come nei BJT. In realtà, però, lo spegnimento degli IGBT (turn-off time) è
più lento di quello dei MOSFET ed anche di quello dei BJT; per migliorare i tempi di spegnimento
si deve ricorrere a costruzioni particolari, ma non si può evitare un aumento della caduta di tensione
collettore-emettitore; la frequenza di commutazione ammissibile è elevata ma minore di quella dei
MOSFET. In confronto con i GTO, gli IGBT hanno uno spegnimento più affidabile e meno
oneroso, garantito dalla semplice scarica della capacità di gate; per lo spegnimento dei GTO,
invece, è richiesta una corrente inversa nel dispositivo. Rispetto ai MOSFET, gli IGBT risultano più
efficienti per elevate correnti (cioè per correnti elevate le perdite in conduzione sono basse); per
piccole correnti, invece, i MOSFET risultano più efficienti.
Nelle realizzazioni pratiche esistono diversi tipi di IGBT (Punch-Through, Not-Punch-
Through, Field-Stop) per le cui caratteristiche si rimanda alla bibliografia specifica.
Fino a che la tensione fra gate ed emettitore è minore di un valore di soglia Vs , l’IGBT rimane
in interdizione; in questa condizione il dispositivo riesce a sopportare fra collettore ed emettitore
tensioni inverse molto alte, tipiche dei tiristori, dell'ordine delle diverse centinaia di volt fino a
qualche migliaio di volt. Quando la tensione di gate supera il valore Vs il dispositivo entra in stato di
conduzione.
Per gli IGBT da 1,2 kV, la Vs è di 2÷3 V con tempi di spegnimento anche inferiori ad 1s.

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 La caratteristica esterna tensione-corrente per un IGBT è riportata in fig.5.22. La corrente di
collettore (corrente di uscita) è diagrammata in funzione della tensione di uscita collettore-
emettitore (vCE) per differenti valori della tensione di gate (tensione gate-emettitore vGE). Al di sopra
di una certa tensione di soglia Vs, per una fissata tensione di gate la corrente iC resta pressoché
insensibile alle variazioni della tensione vCE. Al crescere della tensione di gate, invece, la corrente iC
aumenta fino alla tensione di gate massima (vGE,sat).

iC vGE
vGE= vGE,sat

vGE=0

0 Vs vCE

Fig.5.22- Caratteristiche tensione-corrente per un IGBT

Introdotti sul mercato nei primi anni ’80, attualmente gli IGBT sono i componenti
maggiormente utilizzati nei convertitori (inverter e chopper) per il controllo e la regolazione di
velocità dei motori elettrici, in quanto risultano avere prestazioni migliori degli altri componenti in
un ampio campo di potenza (da qualche chilowatt a diverse centinaia di chilowatt fino a quasi 1
MW). Gli IGBT di potenza maggiore sono in grado di commutare correnti di circa 1,2 kA con
tensioni di 6,5 kV.
Nella tabella seguente sono riassunte le principale caratteristiche di un IGBT in confronto con
BJT e MOSFET.
Caratteristica BJT MOSFET IGBT
Tipo di comando in Corrente in Tensione in Tensione
Impedenza di ingresso bassa alta alta
Potenza di comando alta bassa bassa
Complessità del comando alta bassa bassa
Cadute di tensione in conduzione basse alte basse
Rapidità di commutazione bassa alta media
Tempo di accensione (turn-on ) alto basso basso
Tempo di spegnimento (turn-off ) alto basso alto
Frequenza di switching di lavoro bassa alta media
Portata in corrente media bassa alta
Tensione di blocco (tensione della
alta bassa alta
rete su cui è inserito)

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 Modulo IGBT Modulo IGBT Modulo con 2 IGBT

Modulo IGBT+Diodo 600V – 75 A

Modulo con 2 IGBT – Imax= 100 A
Modulo IGBT + Diodo
(tensione in conduzione VCE=2.8 V)

Modulo con raffreddamento

ad acqua

Modulo IGBT su dissipatore

Modulo con più IGBT in alluminio

Interno di un modulo IGBT

Chip e interno di un modulo IGBT

Tavola.5.6- Vista di alcuni moduli di IGBT

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