Sensori

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© RCS LIBRI EDUCATION SPA

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Proprietà letteraria riservata
© 2006 RCS Libri S.p.A., Milano

1a edizione: gennaio 2006
Ristampe
2006 2007 2008 2009 2010
1 2 3 4 5 6 7 8 9
Fotocomposizione e riproduzioni fotolitiche: Lino 2 - Città di Castello (Pg)

Stampa: Officine Grafiche Calderini - Ozzano dell’Emilia (Bo)
Redazione: Laura Scarcella

Progetto grafico: CD&V - Firenze
ISBN 88-528-0221-5
Per i casi in cui non sia stato possibile ottenere il permesso di riproduzione del materiale illustrativo, a causa della difficoltà di rintracciare il desti-
natario, l’editore è a disposizione degli eventuali aventi causa.
Fotocopie per uso personale del lettore possono essere effettuate nei limiti del 15% di ciascun volume/fascicolo di periodico dietro pagamento
alla SIAE del compenso previsto dall’art. 68, comma 4, della legge 22 aprile 1941 n. 633 ovvero dall’accordo stipulato tra SIAE, AIE, SNS, e
CNA, CONFARTIGIANATO, CASA, CLAAI, CONFCOMMERCIO, CONFESERCENTI il 18 dicembre 2000.
Le riproduzioni per uso differente da quello personale potranno avvenire, per un numero di pagine non superiore al 15% del presente
volume/fascicolo, solo a seguito di specifica autorizzazione rilasciata da AIDRO, via delle Erbe, n. 2, 20121 Milano, e-mail segreteria@aidro.org
Siamo presenti sul World Wide Web all’indirizzo http://www.calderini.it

0030.prefazione.qxd 22-12-2005 08:37 Pagina 3
Prefazione
Il terzo volume della nuova edizione del Corso di Sistemi, rinnovato nell’impianto grafi-
co e nei contenuti, è stato redatto per fornire allo studente le conoscenze teoriche di
base e le abilità di progettazione richieste dal mondo del lavoro, nonché per sviluppare
quelle capacità di analisi e rielaborazione critica oggi ritenute indispensabili per segui-
re la varietà e l’evoluzione della realtà tecnologica.
A tal fine gli Autori, pur conservando i temi riguardanti la teoria classica dei sistemi di
controllo, hanno inteso aggiornare il testo trattando nuovi e rilevanti argomenti,
mostrando, inoltre, come le innovazioni tecnologiche richiedano anche l’adozione di
nuove metodologie di progettazione, di realizzazione e gestione degli apparati di con-
trollo.
In tale prospettiva è significativa la presentazione dei temi relativi all’interfacciamento
dei convertitori e dei microcontrollori con la porta USB, all’uso del PLC per il controllo di
sistemi trifasi, alla gestione di sistemi automatici di acquisizione e misura con schede pro-
fessionali della National Instruments, alla progettazione di circuiti di condizionamento
per trasduttori ed attuatori utilizzati nei sistemi di controllo.
La struttura modulare dell’opera, la semplicità della trattazione, la collocazione degli
aspetti matematici più complessi della disciplina in schede integrative e la varietà dei
temi presentati consentono al docente di organizzare una programmazione flessibile,
di adeguare le strategie formative alle proprie esperienze professionali, ai livelli di
apprendimento delle classi e alle risorse disponibili.
Molti argomenti sono corredati da esemplificazioni, tabelle, grafici ed esempi di simu-
lazioni al fine di coinvolgere gli studenti con l’immediatezza e la praticità.
In questo contesto metodologico assumono rilevanza l’uso del laboratorio, che diventa
luogo di apprendimento e punto d’incontro delle diverse discipline, e le proposte di atti-
vità sperimentale, finalizzate ad ottenere una partecipazione attiva e interessata degli
studenti, una comprensione del concreto rapporto tra le ipotesi formulate, i formalismi
matematici, i modelli proposti e l’oggetto reale su cui si eseguono misure, sperimenta-
zioni e verifiche.
Gli autori ringraziano le ditte:

ARIZONA MICROCHIP TECNOLOGY LTD., produttrice dei microcontrollori PIC.
BORLAND INTERNATIONAL, produttrice di C++ Builder.
DLP DESIGN, produttrice del modulo DLP-USB245BM.
FUTURA ELETTRONICA S.n.c., distributrice dei prodotti Velleman NV
FUTURE TECHNOLOGY DEVICE INTL. LIMITED, produttrice dell’FT245BM USB FIFO.
MATH WORKS S.r.l., distributrice di MATLAB e SIMULINK
MICROSOFT CORPORATION, produttrice di Visual Basic.
NATIONAL INSTRUMENTS ITALY S.r.l., produttrice di LabVIEW.
PATRUCCO, distributrice di MultiSIM e UltiBOARD.
SIEMENS S.P.A., produtrice dei PLC della serie S7-200.
SOFTEC ITALIA S.r.l., distributrice dei prodotti SofTec Microsystems.
TEORESI.
3
0040.indice.qxd 22-12-2005 08:38 Pagina 4
Indice
Modulo 1 Unità 11 Attuatori ................................................ 90
11.1 Motore in corrente continua ................ 90
Trasduttori ed attuatori 11.2 Controllo della velocità per i motori
Unità 1 Trasduttori di temperatura ..................... 8 in C.C. ..................................................... 97
1.1 Trasduttori di temperatura analogici .... 9 11.2.1 Regolazione della velocità
1.1.1 Il trasduttore PT100 (RTD) ...................... 9 di tipo ON/OFF ....................................... 97
1.1.2 Il termistore NTC ................................... 14 11.2.2 Regolazione della velocità
1.1.3 Il trasduttore KTY .................................. 15 di tipo lineare ........................................ 98
1.1.4 Il trasduttore integrato AD590 ............ 18 11.2.3 Regolazione della velocità di tipo
1.1.5 Il trasduttore LM35 ............................... 21 lineare con tecnica PWM ...................... 99
1.1.6 Il trasduttore TMP01 ............................. 22 11.3 Motore passo-passo ............................ 102
1.1.7 Termocoppie .......................................... 24 Esercizi proposti ............................................. 106
Unità 2 Trasduttori di posizione ........................ 27
2.1 Trasduttore di posizione lineare. Modulo 2
Potenziometro ....................................... 27 Sistemi di acquisizione
2.2 Trasduttore di posizione angolare
e distribuzione dati

(potenziometro rotativo) ...................... 28
2.3 Trasduttore di posizione lineare a
trasformatore differenziale .................. 30 Unità 1 Sistemi di acquisizione dati ................ 108
2.3.1 Circuito di condizionamento del 1.1 Architettura di sistemi di
trasduttore LVDT con l’integrato AD598 32 acquisizione e di distribuzione dati ... 108
2.3.2 Circuito di condizionamento per il 1.1.1 Sottosistema di misura ........................ 109
trasduttore LVDT con l’integrato AD698 35 1.1.2 Sottosistema di controllo .................... 110
Unità 3 Trasduttori di umidità ........................... 36 1.1.3 Sottosistema d’uscita .......................... 110
3.1 Trasduttore di umidità (capacitivo) ...... 36 1.2 Catena di acquisizione ad un solo
3.2 Trasduttore di umidità (resistivo) ......... 37 canale ................................................... 110
3.3 Trasduttore di umidità HIH3605A ........ 39 1.2.1 Rilevamento e condizionamento ....... 111
3.4 Trasduttore di umidità (modulo 1.2.2 Convertitore A/D ................................. 113
integrato) ............................................... 40 1.2.3 Massima frequenza del segnale
Unità 4 Trasduttori fotoelettrici ........................ 41 campionabile ....................................... 115
4.1 Il fotoresistore NORPS-12 ..................... 41 1.2.4 Circuito S/H .......................................... 117
4.2 Il fotodiodo ............................................ 43 1.2.5 Convertitori A/D con track-hold
4.2.1 Il fotodiodo IPL10020 ............................ 44 interno ................................................118
4.2.2 Il fotodiodo BPW34 ............................... 45 1.3 Campionamento dei segnali .............. 118
4.2.3 Il fotodiodo OSD15-5T .......................... 46 1.3.1 Campionamento con ADC e S/H ........ 119
4.3 Il fototransistor ...................................... 47 1.3.2 Campionamento con un ADC con
Unità 5 Trasduttori ad effetto Hall ................... 49 track-hold interno ............................... 120
5.1 Il trasduttore ad effetto Hall UGN3503 50 1.4 Architettura di un sistema di
5.2 Il trasduttore di corrente ad effetto Hall . 54 acquisizione multicanale .................... 121
Unità 6 Trasduttori di forza ............................... 57 Unità 2 Sistemi di distribuzione dati .............. 123
6.1 Estensimetri metallici ............................ 57 2.1 Sistema di distribuzione dati ad un
6.2 Trasduttore dinamometrico .................. 60 solo canale ........................................... 123
Unità 7 Trasduttori di pressione ........................ 63 2.2 Sistema di distribuzione analogico
7.1 Trasduttore di pressione piezoresistivo 63 multicanale .......................................... 124
7.2 Trasduttori di pressione serie KP100 .... 64 Unità 3 Sistemi distribuiti di I/O ..................... 126
7.3 Trasduttore di pressione differenziale . 65 3.1 Sistemi di connessione ........................ 126
Unità 8 Trasduttori di gas .................................. 67 Unità 4 Dispositivi commerciali ....................... 129
8.1 Il trasduttore TGS813 ............................ 68 4.1 Convertitori A/D .................................. 129
8.2 Trasduttore per monossido di carbonio 4.1.1 Convertitore ADC0804 ........................ 129
NAP-11A ................................................. 70 4.1.2 Convertitore ADC0820 ........................ 131
8.3 Trasduttore per ossido di azoto ........... 71 4.1.3 Convertitore AD7824 .......................... 132
Unità 9 Trasduttori di velocità angolare ........... 73 4.1.4 Convertitore AD1674 a 12 bit ............ 133
9.1 Dinamo tachimetrica ............................. 73 4.2 Sample e Hold ..................................... 134
9.2 Trasduttore magnetico di velocità ....... 75 4.3 Multiplexer analogici .......................... 134
Unità 10 Trasduttori digitali ................................ 77 4.4 Convertitori D/A .................................. 135
10.1 Trasduttore ON-OFF ad effetto Hall .... 77 4.4.1 Convertitore AD558 ............................ 135
10.2 Trasduttore ottico biforcato ................. 78 4.4.2 Convertitore AD7528 .......................... 136
10.3 Il trasduttore di luminosità TSL220 ...... 79 4.5 Convertitore A/D e D/A AD7569 ........ 137
10.4 Il trasduttore di temperatura
digitale SMT160-30 ............................... 80 Modulo 3
10.5 Trasduttori di velocità e posizione ....... 81 Interfacciamento dei convertitori
10.5.1 Trasduttore magnetico di velocità ....... 82
10.5.2 Trasduttore di velocità ad effetto Hall 82 Unità 1 Tecniche di interfacciamento dei
10.5.3 Encoder ottico ....................................... 84 convertitori .......................................... 140
10.6 Trasduttore d’umidità e di 1.1 Sistemi di acquisizione e distribuzione
temperatura .......................................... 87 dati ....................................................... 140
4 Indice
1.2 Interfacciamento delle catene di 1.2 Sistemi di controllo a catena chiusa .. 214
acquisizione con i microcontrollori .... 141 1.3 Sistemi di controllo on-off .................. 215
1.2.1 Catena di acquisizione con 1.4 Sistemi di controllo feed-forward ...... 216
ADC0804, S/H e MUX .......................... 141 1.5 Sistemi di controllo a microprocessore 216
1.2.2 Catena di acquisizione con ADC0820 143 1.6 Funzione di trasferimento .................. 217
1.2.3 Catena di acquisizione con AD7824 .. 144 Unità 2 Risposta nel dominio del tempo ........ 220
1.3 Interfacciamento delle catene di 2.1 Risposta dei sistemi del primo ordine 220
distribuzione con i microcontrollori .. 145 2.2 Risposta dei sistemi del secondo
1.3.1 Sistema di distribuzione dati con ordine ................................................... 221
DAC AD7528 ........................................ 145 2.3 Errore a regime ................................... 225
1.4 Scheda DAQ per bus PCI ..................... 146 2.4 Specifiche a regime ............................. 229
1.5 Scheda di acquisizione con 2.5 Disturbi additivi ................................... 230
interfaccia USB .................................... 147 2.6 Sensibilità ............................................. 232
1.6 Interfacciamento dei convertitori 2.7 Esercizi svolti ........................................ 233
con la porta USB con il modulo DLP .. 148 Esercizi proposti .................................. 244
1.6.1 Il dispositivo FT245BM USB FIFO ........ 148 Unità 3 Diagrammi polari ................................ 245
1.6.2 Il modulo DLP-USB245M ..................... 149 3.1 Metodo qualitativo ............................. 245
1.6.3 Gestione del modulo DLP-USB245M .. 151 3.2 Esercizi svolti ........................................ 248
1.6.4 Alcune funzioni della DLL FTDD2XX .. 151 Esercizi proposti .................................. 250
1.6.5 Interfaccia dell’AD7569 con il modulo Unità 4 Stabilità .............................................. 251
DLP-USB245M ...................................... 152 4.1 Correlazione tra stabilità e posizione
Unità 2 Acquisizione dati in LabVIEW ............ 153 dei poli nel piano s ............................. 252
2.1 Acquisizione di un segnale analogico 153 4.2 Criterio di stabilità di Nyquist ............ 254
2.2 Acquisizione multicanale .................... 155 4.3 Criterio di stabilità di Bode ................ 263
2.3 Esercizi svolti ........................................ 157 4.4 Margine di fase e margine di
Unità 3 Distribuzione dati in LabVIEW ........... 164 guadagno ............................................ 264
3.1 Distribuzione dati di singoli punti ..... 164 4.5 Funzioni di MATLAB per l’analisi della
3.2 Generazione di forme d’onda ............ 166 stabilità ................................................ 266
3.3 Esercizi svolti ........................................ 168 4.6 Specifiche nel dominio della
frequenza ............................................ 267
Modulo 4 4.7 Criterio di Routh ................................. 268
Microcontrollori PIC 4.8 Esercizi svolti sul criterio di stabilità di
Nyquist ................................................. 273
Unità 1 Il microcontrollore PIC16F876A .......... 174 4.9 Esercizi svolti sul criterio di stabilità di
1.1 Caratteristiche di base del PIC16F876A .174 Bode ..................................................... 280
Unità 2 Moduli periferici del PIC16F876A ....... 179 Esercizi proposti .................................. 287
2.1 Il convertitore A/D del PIC16F876A .... 179 Unità 5 Luogo delle radici ............................... 288
2.1.1 I registri ADCON1 e ADCON0 ............. 181 5.1 Costruzione del luogo delle radici ..... 289
2.1.2 I registri ADRESH e ADRESL ................ 182 5.2 MATLAB ............................................... 291
2.1.3 Tempo di acquisizione e di 5.3 Esercizi svolti ........................................ 292
conversione .......................................... 183 Esercizi proposti ............................................. 303
2.1.4 Acquisizione e generazione Unità 6 Tecniche di compensazione ................ 304
d’interrupt ........................................... 184 6.1 Rete ritardatrice (Phase Lag) .............. 304
2.2 Il modulo comparatore ....................... 185 6.2 Rete anticipatrice (Phase Lead) .......... 307
2.3 I moduli Timer ..................................... 186 6.3 Rete a sella .......................................... 309
2.3.1 Timer0 .................................................. 186 6.4 Esercizi svolti ........................................ 311
2.3.2 Timer1 .................................................. 187 Esercizi proposti .................................. 328
2.3.3 Timer2 .................................................. 188 Unità 7 Regolatori industriali .......................... 329
2.4 Modulo Capture/Compare/PWM ........ 189 7.1 Regolatore ad azione
2.4.1 Modo Capture ..................................... 189 proporzionale P ...................................... 329
2.4.2 Modo Compare ................................... 190 7.2 Regolatore PI ....................................... 331
2.4.3 Modo PWM .......................................... 190 7.3 Regolatore PD ..................................... 332
Unità 3 Programmi applicativi ......................... 191 7.4 Regolatore PID .................................... 333
3.1 Programmazione del PIC16F876A ...... 191 7.5 Progetto dei regolatori PID ................ 335
3.2 Programmi di gestione dei 7.5.1 Metodo Ziegler-Nichols ...................... 335
moduli periferici .................................. 193 7.5.2 Metodo analitico della risposta
Unità 4 I microcontrollori PIC18FXXX ............. 200 in frequenza ........................................ 335
4.1 Il microcontroller PIC18F252 ............... 200 7.6 Esercizi svolti ........................................ 337
4.2 Configurazione dell’oscillatore .......... 201 Esercizi proposti .................................. 346
4.3 Organizzazione della memoria .......... 201
4.3.1 Memoria di programma ..................... 202
4.3.2 Memoria dati di tipo RAM ................. 202 Modulo 6
4.3.3 Memoria dati tipo EEPROM ............... 203
4.3.4 Registri di uso speciale ........................ 203 Sistemi di controllo a tempo discreto
4.4 Il set di istruzioni ................................. 204
4.5 Esempi di programmazione ............... 208 Unità 1 Teoria del campionamento ................. 348
Esercizi proposti .................................. 210 1.1 Teoria del campionamento ................. 349
1.2 Ricostruzione di un segnale
Modulo 5 campionato .......................................... 353
Sistemi di controllo a tempo continuo Unità 2 Trasformata zeta ................................. 356
2.1 Poli e zeri nel piano zeta .................... 357
Unità 1 Classificazione dei sistemi 2.2 Antitrasformata zeta .......................... 358
di controllo .......................................... 212 2.2.1 Antitrasformata di una funzione
1.1 Sistemi di controllo a catena aperta .. 213 con poli reali semplici ......................... 358
5 Indice
2.2.2 Antitrasformata di una funzione Unità 6 Trasmissione seriale tra microcontroller

con polo reale di molteplicità r = 2 ... 359 e PC ...................................................... 446
2.2.3 Antitrasformata di una funzione 6.1 Il modulo USART del microcontrollore 446
con poli complessi coniugati .............. 361 6.1.1 Trasmissione asincrona ........................ 448
2.3 Esercizi svolti ........................................ 362 6.1.2 Ricezione asincrona ............................. 449
Esercizi proposti ............................................. 366 6.2 Programmi applicativi ......................... 450
Unità 3 Risposta nel dominio del tempo ........ 367 6.2.1 Programmazione del microcontroller 450
3.1 Funzione di trasferimento .................. 367 6.2.3 Programmazione del PC in Visual Basic 455
3.2 Algebra degli schemi a blocchi .......... 369 6.2.4 Programmazione del PC in C++ Builder 459
3.2.1 Blocchi in cascata separati da un Unità 7 Altre interfacce seriali ......................... 464
circuito campionatore ......................... 370 7.1 STANDARD RS-422 ............................... 464
3.2.2 Blocchi in cascata non separati 7.2 STANDARD RS-423 ............................... 464
da un circuito campionatore .............. 370 7.3 STANDARD RS-485 ............................... 464
3.2.3 Sistema privo di un circuito Esercizi proposti ............................................. 466
campionatore in ingresso ................... 371
3.2.4 Blocchi in retroazione ......................... 371
3.3 Risposta di un sistema del primo Modulo 8
ordine ................................................... 372
3.4 Risposta di un sistema del secondo Applicazioni dei PLC
ordine ................................................... 373
3.5 Esercizi svolti ........................................ 376 Unità 1 Applicazioni con PLC della
Esercizi proposti ............................................. 383 serie S7-200 ......................................... 468
Unità 4 Stabilità ................................................ 384 1.1 Richiami ............................................... 468
4.1 Stabilità nel piano zeta........................ 384 1.2 Programmi applicativi ......................... 471
4.2 Risposta in frequenza ......................... 385 1.2.1 Merker speciali .................................... 472
4.3 Funzioni di MATLAB ............................ 386 1.2.2 Contatori veloci ................................... 473
4.4 Diagramma di Nyquist ........................ 386 1.2.3 Eventi d’interrupt ................................ 476
4.5 Diagramma di Bode ............................ 387 1.2.4 Generatore d’impulsi .......................... 477
4.6 Criterio di stabilità di Nyquist ............ 389 Unità 2 Avviamento stella-triangolo per motore
4.7 Criterio di stabilità di Bode ................ 391 trifase asincrono................................... 480
4.8 Esercizi svolti ........................................ 394 8.1 Teleavviamento stella-triangolo ......... 480
Esercizi proposti ............................................. 403
Unità 5 Tecniche di compensazione ................ 404
5.1 Discretizzazione di un sistema Modulo 9
a tempo continuo ............................... 404
5.2 Regolatori PID ..................................... 405 Area di progetto
Esercizi proposti ............................................. 412 Unità 1 Convertitore A/D dei
microcontrollori ST7 ............................ 486
1.1 Caratteristiche del convertitore A/D .. 486
Modulo 7 Unità 2 Controllo PWM .................................... 490
Trasferimento di dati a breve distanza 2.1 Controllo PWM in LabVIEW ............... 491
Unità 3 Applicazione dei
Unità 1 Modalità di trasferimento dati .......... 414 microcontrollori PIC ............................ 494
1.1 Trasmissione parallela dei dati 3.1 Analisi della scheda ............................. 494
digitali .................................................. 414 3.2 Alcune caratteristiche delle porte
1.2 Trasmissione seriale dei dati digitali .. 414 di I/O del microcontrollore ................. 496
1.3 Trasmissione di segnali analogici ....... 416 3.3 Interfaccia di un display a 4 cifre
1.4 Metodi e sistemi per la trasmissione . 417 con la scheda del microcontrollore .... 497
Unità 2 Trasmissione di segnali Unità 4 Interfaccia modulo DLP-USB245M
analogici a breve distanza ................. 418 con microcontrollore ........................... 499
2.1 Trasmissione di segnali analogici 4.1 Collegamento scheda
con conversione in frequenza ............ 418 microcontroller – modulo DLP ........... 499
2.2 Trasmissione di segnali analogici 4.2 Programmi applicativi ......................... 500
con loop di corrente ........................... 419 4.2.1 Installazione dei driver per il
Unità 3 Interfaccia standard IEEE-488.............. 423 modulo DLP ......................................... 501
3.1 Caratteristiche del bus GPIB ............... 423 4.2.2 Programmi del microcontroller .......... 501
3.2 Gestione di strumenti in LabVIEW ..... 425 4.2.3 Le funzioni della DLL FTD2XX.dll ....... 505
Unità 4 Trasmissione seriale asincrona ........... 428 4.2.4 Programmi in VB ................................. 505
4.1 Struttura dei dati seriali asincroni ..... 428 4.2.5 Programmi in C++ Builder .................. 511
4.2 Lo standard RS-232/C .......................... 430 Unità 5 Controllo di un alimentatore
4.2.1 I segnali dello standard RS-232/C ....... 430 programmabile con scheda K8055...... 517
4.2.2 Alcune caratteristiche dei segnali ...... 431 5.1 Progetto dell’alimentatore
4.2.3 Modalità di collegamento .................. 431 programmabile .................................... 517
4.3 L’ACE .................................................... 433 5.2 Collegamento della scheda K8055
4.3.1 I registri dell’ACE ................................. 433 con il PC e con l’alimentatore ............ 520
Unità 5 Trasmissione seriale tra due PC ......... 435 5.3 Programmi applicativi ......................... 521
5.1 Collegamento dei PC .......................... 435 5.3.1 Programma in VB ................................ 521
5.2 Le API per la comunicazione seriale .. 436 5.3.2 Programma in C++ Builder ................. 522
5.3 Utilizzazione delle API con Unità 6 Analizzatore di stati logici
il C++ Builder ....................................... 437 con scheda K8055................................. 524
5.4 Utilizzazione del controllo MSCOMM 6.1 Programmi applicativi ......................... 524
con Visual Basic ................................... 441 6.1.1 Programma in VB ................................ 525
6 Indice
0050.M01_Apertura.qxd 15-05-2006 16:50 Pagina 7
1. Trasduttori
Modulo ed attuatori
UNITÀ 1. Trasduttori di temperatura

UNITÀ 2. Trasduttori di posizione
UNITÀ 3. Trasduttori di umidità
UNITÀ 4. Trasduttori fotoelettrici
UNITÀ 5. Trasduttori ad effetto Hall

UNITÀ 6. Trasduttori di forza
UNITÀ 7. Trasduttori di pressione
UNITÀ 8. Trasduttori di gas
UNITÀ 9. Trasduttori di velocità angolare
UNITÀ 10. Trasduttori digitali
UNITÀ 11. Attuatori
Modulo 1 PREREQUISITI
Trasduttori
ed attuatori ❿ Conoscenza delle unità di misura, delle gran-
dezze elettriche e fotometriche
❿ Saper risolvere i problemi relativi alle reti elet-
U. 1 U. 11 triche lineari e non lineari
Trasduttori ❿ Conoscenza delle caratteristiche dei transistor
temperatura
Attuatori ❿ Conoscenza dei principali dispositivi integrati
U. 2
utilizzati per l’elaborazione di segnali analogici
Trasduttori
U. 3 ❿ Conoscenza dei fondamentali circuiti lineari
posizione
con A.O.
Trasduttori
❿ Conoscenza delle caratteristiche degli amplifi-
umidità U. 4
catori per strumentazione
Trasduttori
U. 5 fotoelettrici
Trasduttori
effetto Hall U. 6
OBIETTIVI
Trasduttori ❿ Conoscere le caratteristiche dei trasduttori
U. 7 forza ❿ Saper valutare se un trasduttore richiede un cir-
Trasduttori cuito di linearizzazione e saperne dimensiona-
pressione U. 8 re i componenti
Trasduttori ❿ Saper dimensionare il circuito di condiziona-
U. 9 gas mento
Trasduttori ❿ Saper ottimizzare i componenti per un circuito
velocità angolare U. 10
di condizionamento
❿ Conoscere gli azionamenti dello specifico at-
Trasduttori
tuatore
digitali
❿ Saper strutturare e dimensionare il circuito pilo-
ta di potenza di un attuatore
0060.M01_UD01_trasduttori.qxd 22-12-2005 08:51 Pagina 8
1. Trasduttori
di temperatura
unità
Il sensore o trasduttore (➜ Volumi 1 e 2) è un di-

spositivo essenziale in un sistema di controllo o
acquisizione dati.
Controlli di sistemi, ad esempio, sono: quello della
temperatura dell’acqua all’interno di un radiatore,
quello della luminosità all’interno di un ufficio,
quello della pressione all’interno di una caldaia,
quello dell’umidità in una serra.
Le grandezze fisiche da controllare sono rilevate da
dispositivi atti a fornire in uscita una grandezza
elettrica (resistenza R, induttanza L, capacità C, ten-
sione V, corrente I, ecc.) proporzionale al valore
della grandezza rilevata.
Poiché il segnale d’uscita dal trasduttore non sem-
pre può essere direttamente utilizzato, è necessa-
rio manipolarlo in modo da adattarlo alle caratte-
Fig. 1.1
ristiche del circuito al quale deve essere applicato.
In un sistema di controllo a microprocessore il segna-
le analogico generato dal trasduttore deve essere, inoltre, convertito in un segnale digitale
(codice numerico) affinché possa essere acquisito ed eventualmente elaborato (fig. 1.2).
Grandezza Segnale Segnale

elettrica analogico digitale
Fig. 1.2 Sche-
ma a blocchi
Grandezza Trasduttore Circuito di Convertitore Personal
per l’acquisi- fisica (Sensore) condizionamento A/D computer
zione dati.
Il circuito di condizionamento (o d’interfacciamento) interposto fra il trasduttore ed il con-

vertitore A/D di figura 1.2 adatta il segnale d’uscita del trasduttore alle caratteristiche del
segnale d’ingresso del convertitore A/D e svolge le seguenti funzioni:
• converte la grandezza fisica rilevata dal trasduttore in un segnale in tensione, ossia ese-
gue una conversione: temperatura/tensione, pressione/tensione, forza/tensione ecc., a
seconda del tipo di trasduttore;
• modifica la pendenza della caratteristica ingresso/uscita del trasduttore quando la gran-
dezza d’uscita decresce all’aumentare della grandezza rilevata (caratteristica uscita/ingres-
so crescente);
• fornisce un segnale d’uscita direttamente proporzionale a quello applicato all’ingresso
quando la caratteristica del trasduttore non è lineare (linearizzazione della caratteristica
ingresso/uscita);
• fornisce una tensione d’uscita uguale a zero Volt quando il segnale d’uscita del trasduttore
ha un’ampiezza minima (regolazione dell’offset);
• amplifica il segnale d’uscita del trasduttore in modo che il valore massimo sia compatibi-
le con quello massimo d’ingresso del convertitore A/D (regolazione del fattore di scala);
• limita la larghezza di banda del segnale d’uscita del trasduttore (limitazione della lar-
ghezza di banda);
8 MODULO 1 TRASDUTTORI ED ATTUATORI

• separa galvanicamente il trasduttore dal sistema d’acquisizione. Tale funzione è necessa-

ria in applicazioni elettromedicali per motivi di sicurezza.
I trasduttori (➜ Volume 1) sono classificati come di seguito riportato.

• Analogici: la grandezza d’uscita varia con continuità in funzione di quella d’ingres-
so (la tensione d’uscita fornita da un trasduttore di temperatura assume tutti i valo-
ri appartenenti ad un sottoinsieme dei numeri reali compresi tra un valore minimo ed
un valore massimo). Essi non possono essere interfacciati direttamente con sistemi
digitali, ma possono essere direttamente utilizzati nei controlli di processo di tipo
analogico.
• Digitali: il segnale d’uscita assume due soli livelli compatibili con sistemi digitali, e posso-
no essere direttamente interfacciati con sistemi a microprocessore. Un codificatore ottico,
ad esempio, è un trasduttore digitale che genera un treno d’impulsi.
In questa Unità sono ripresi ed estesi i concetti esaminati nel primo e secondo Volume, con
particolare riferimento ad alcuni trasduttori analogici e digitali commerciali.
1.1 Trasduttori di temperatura analogici

La maggior parte dei trasduttori di temperatura, molto utilizzati in ambito industriale, sono
dispositivi generalmente analogici, in quanto sia la temperatura sia la grandezza elettrica
d’uscita variano in continuità, anche se in commercio sono reperibili trasduttori di tempera-
tura digitali.
La scelta di un trasduttore di temperatura deve essere vagliata con la massima cura: è neces-
sario conoscere tutti i dati relativi alle condizioni ambientali in cui il trasduttore dovrà ope-
rare, i valori di temperatura che deve rilevare, la precisione che deve mantenere nel corso
del suo esercizio.
Un ottimo trasduttore deve possedere le seguenti caratteristiche:
• elevata sensibilità;
• uscita lineare e crescente;
• stabilità di funzionamento nel tempo;
• facile adattabilità alle esigenze di una specifica applicazione.
1.1.1 Il trasduttore PT100 (RTD)

Il trasduttore PT100, o termoresistenza RTD, è una resi-
stenza di precisione il cui valore RT è funzione della tem-
peratura T (➜ Volume 2).
In generale, il valore nominale della resistenza del di-
spositivo è di 100 Ω, ma in commercio ne esistono alcuni
con valori maggiori.
La caratteristica RT /T è lineare e crescente [1.1].
RT = R0 (1 + α ⋅ T ) [1.1]
Fig. 1.3
• RT è il valore della resistenza alla temperatura gene-
rica T;
• R0 è il valore nominale della resistenza alla temperatura di 0 °C;
• α = 3,85 ⋅ 10–3 °C–1 è il coefficiente medio dimensionale.
Quando il range di funzionamento è molto esteso e considerato che il coefficiente α non è

costante, la legge di variazione della resistenza in funzione della temperatura T si discosta
dalla linearità (tab. 1.1). In tal caso i circuiti d’utilizzazione di precisione necessitano di cir-
cuiti di linearizzazione.
9 Unità 1 Trasduttori di temperatura

TAB. 1.1
Caratteristiche del trasduttore PT100

Materiale: platino
Resistenza: 100 Ω ± 0,1% a 0 °C
Coefficiente di temperatura medio α: 3,85 ⋅ 10–3 °C–1
Range di funzionamento: 0 °C ÷ 250 °C
[°C] 0,00 2,00 4,00 6,00 8,00
0,00 100,00 100,78 101,56 102,34 103,12
10,00 103,90 104,68 105,46 106,24 107,02
20,00 107,79 108,57 109,35 110,12 110,90
30,00 111,67 112,45 113,22 113,99 114,77
40,00 115,54 116,31 117,08 117,85 118,62
50,00 119,39 120,16 120,93 121,70 122,47
60,00 123,24 124,01 124,77 125,54 126,31
70,00 127,07 127,84 128,60 129,37 130,13

80,00 130,89 131,66 132,42 133,18 133,94
90,00 134,70 135,46 136,22 136,98 137,74
100,00 138,50 139,26 140,02 140,77 141,53
110,00 142,29 143,04 143,80 144,55 145,31
120,00 146,06 146,81 147,57 148,32 149,07
130,00 149,82 150,57 151,33 152,08 152,83
140,00 153,57 154,32 155,07 155,82 156,57
150,00 157,31 158,06 158,81 159,55 160,30
160,00 161,04 161,79 162,53 163,27 164,02
170,00 164,76 165,50 166,24 166,98 167,72
180,00 168,46 169,20 169,94 170,68 171,42
190,00 172,16 172,89 173,63 174,37 175,10
200,00 175,84 176,57 177,31 178,04 178,78
210,00 179,51 180,24 180,97 181,71 182,44
220,00 183,17 183,90 184,63 185,36 186,09
230,00 186,81 187,54 188,27 189,00 189,72
240,00 190,45 191,18 191,90 192,63 193,35
250,00 194,07
Poiché nella pratica è necessario eseguire una conversione resistenza/tensione, di seguito si

propongono alcuni schemi di convertitori RT/V per la termoresistenza (➜ Volume 2).
In figura 1.4 è riportato lo schema del convertitore RT/V che utilizza un generatore di cor-
rente costante, realizzato con il regolatore di tensione LM317, in grado di erogare una
intensità di corrente I ≥ 10 mA.
VIN VOUT R I
12 V LM317 V0
Fig. 1.4 Ge-
neratore di ADJ RT
corrente co- Trasduttore
stante con I = 10 mA
l’integrato
LM317.

L’intensità di corrente costante è uguale a 1, 2 e per I = 10 mA si ha:

R
1, 2
R= = 120 Ω
10 ⋅ 10 −3
Ad esempio, se T = 20 °C, essendo RT = 107,79 Ω (tab. 1.1) ed imponendo I = 10 mA, la ten-

sione d’uscita è V0 = 1,077 V.
Nello schema di figura 1.5 è proposto un convertitore RT /V che alimenta la termoresistenza
a corrente costante. Lo schema elettrico mostra che il convertitore è costituito da un ampli-
ficatore non invertente ed uno zener di precisione che fornisce la tensione d’ingresso VIN
rigorosamente costante.
I I
RI
12 V RT
VT
2 RTD
7
8,2 k
Fig. 1.5 Ge- 6
CA3140
neratore di V REF V IN 3
corrente co- 4
stante con LM336
A. O. e ten- 2,5 V
sione di rife-
rimento.
VIN − 0
Posto VIN = VREF = 2,5 V, considerato che I = (operazionale ideale), si ricava il valore
RI
della resistenza RI per una corrente I = 1 mA:
2, 5
RI = = 2500 Ω (2200 Ω + 470 Ω)
10 −3
Ad esempio, se T = 40 °C, essendo RT = 115,54 Ω (tab. 1.1) e I = 1 mA, la tensione d’uscita di
tipo fluttuante, cioè non riferita a massa, è VT = 115,54 mV.
Nella figura 1.6, è proposto lo schema di un circuito elettrico funzionale che fornisce una
tensione d’uscita VAB fluttuante e lineare.
PT100
VA
I
RT R
RI R RT
VB
I /2
12 V
Fig. 1.6 Sche- 2 7
ma per la con- 8,2 k
6
versione tem- CA3140
V REF V IN 3
peratura/ten-
4
sione con due
LM336
termoresi- 2,5 V
stenze.
R =100 (±0,1%)
VREF
Se l’operazionale è ideale (V + = V –) si ha I =
RI
Ricordando che RT = R0 + ∆R, poiché R = R0, si ricava:
I I
VA = RI ⋅ I + (R0 + ∆R) ⋅ VB = RI ⋅ I + R ⋅ [1.2]
2 2
∆R ∆R VREF
VAB = VA − VB = ⋅I = ⋅
2 2 RI
Sebbene la [1.2] sia lineare del tipo VAB = m ⋅ ∆R, la caratteristica resistenza/tensione, otte-
nuta dallo schema di figura 1.6, è affetta da una lieve non linearità propria del trasduttore
PT100 che, tuttavia, può essere ridotta utilizzando campi di funzionamento contenuti o
provvedendo ad una linearizzazione via software.
Se la termoresistenza è posta a distanza dal sistema di controllo, i fili di collegamento intro-

ducono una resistenza aggiuntiva nella conversione resistenza/tensione. A questo proposi-
to, le case costruttrici producono termoresistenze a tre fili e a quattro fili adatte ad elimi-
nare l’errore dovuto alla resistenza dei fili di collegamento, in modo da dare la massima
accuratezza della misura.
La RTD a quattro fili è costituita da due fili di eccitazione (alimentazione) e da due fili di
misura collegati direttamente agli estremi della termoresistenza (fig. 1.7). In questo caso
l’intensità di corrente sui fili di misura è minima e, pertanto, l’errore è trascurabile.
RT
I Fili d'alimentazione RTD Fili misura
Trasduttore
Fig. 1.7
➜ Esempio
Si realizzi un circuito di condizionamento per un trasduttore di temperatura con una PT100
(RS 341-452)1 in grado di fornire una tensione d’uscita compresa tra 0 V e 5 V quando la tem-
peratura T varia nell’intervallo 0 °C ÷ 50 °C.
Nella figura 1.8 è riportato uno schema elettrico in grado di fornire una caratteristica del
sistema T/V lineare crescente.
L’integrato INA111 utilizzato ha le seguenti caratteristiche:
• elevata soppressione di modo comune;
• bassa tensione d’offset;
• elevata impedenza d’ingresso (1012 Ω) per lo stadio d’ingresso a FET;
• alimentazione duale ± 6 ÷ ± 18 V;
• guadagni G compresi tra 1 e 1000 definiti dal valore del resistore RG;
• costo molto contenuto.
PT100 12 V
VA T
I
R ∆R R 0 [°C] 50
R R ∆R
RI VB 7 RT
3
6
1 100 [Ω] 119,39
I /2
RG ∆R
12 V INA111 V0
I 0 [Ω] 19,39
2 8
7
6,8 k
6 V AB
CA3140 5
V REF V IN 3 2 4 0 [mV] 19,39
4
LM336
V0
5V 0 [V] 5
Fig. 1.8 R =100 (±0,1%) 12 V
Supponendo che l’intensità della corrente uscente dall’operazionale sia I = 2 mA, ogni ramo
del ponte di Wheatstone è attraversato da una corrente d’intensità di 1 mA tale da non
autoriscaldare le termoresistenze RT.
Nell’ipotesi che l’amplificatore CA3140 sia ideale, dal circuito di figura 1.8 si ricava:
VREF 5
RI = = = 2500 Ω (2,2 kΩ + 500 Ω)
I 2 ⋅ 10 −3
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Dato che per T = 0 °C si ha R = RT (0 °C) = 100 Ω e per T = 50 °C si ha RT (50 °C) = 119,25 Ω,

la variazione di resistenza ∆R, per il range di temperatura 0 °C ÷ 50 °C, e la VAB alla tempe-
ratura T = 50 °C per la [1.2] sono:
∆R = RT (50 °C ) − RT (0 °C ) = 19, 39 Ω
∆R VREF 19, 39 5
VAB = ⋅ = ⋅ = 19, 39 mV
2 RI 2 2500
Il guadagno G dell’amplificatore per strumentazione INA111 e la resistenza RG sono:

V0 5
G= = = 257, 86
VAB 19, 39 ⋅ 10 −3
50 ⋅ 103 50 ⋅ 103
RG = = = 194, 65 Ω (150 Ω + 100 Ω)
G− 1 256, 86
Il master del circuito stampato a singola faccia, in scala 1:1, è riportato in figura 1.9.

Fig. 1.9 Lato
rame in scala
1:1.
La figura 1.10 mostra la serigrafia, mentre nella figura 1.11 è riportata la rappresentazione
tridimensionale del circuito proposto, elaborata da UltiBOARD.
Fig. 1.10 Serigrafia. Fig. 1.11
Per la taratura del circuito si osservi la seguente procedura:

• si agisca sul trimmer di RI per fissare l’intensità di corrente I = 2 mA;
• si sostituiscano le PT100 con due resistenze di precisione di 100 Ω ± 0,1% al fine di simu-
lare la condizione di funzionamento dei trasduttori in corrispondenza della temperatura
T = 0 °C. In tale condizione deve essere V0 = 0 V;
• si sostituiscano le resistenze di precisione di 100 Ω con due da 119,25 Ω, al fine di
simulare la condizione di funzionamento dei trasduttori in corrispondenza della
temperatura T = 50 °C. In tale condizione deve essere V0 = 5 V poiché è RT (T = 50 °C):
R T = 100 ⋅ (1 + α ⋅ T ) = 100 ⋅ (1 + 3,85 ⋅ 10 -3 ⋅ 50) = 119,25 Ω;
• si agisca sul m.g. 100 Ω per fissare la V0 = 5 V.
➜
1.1.2 Il termistore NTC

I termistori NTC sono trasduttori a semiconduttore (➜ Vo-
lume 2). La loro caratteristica RT/T è esponenziale decre-
scente e la loro resistenza RT è:
T0 − T
B⋅
T0 ⋅ T
RT = R0 ⋅ e [1.3]
• RT è la resistenza del termistore NTC alla temperatura

generica T;
• R0 è la resistenza del termistore NTC alla temperatura
T0 = 20 °C;
• B è la costante dimensionale del termistore compresa tra
2000 K e 5500 K;
• T è la temperatura generica espressa in gradi Kelvin;
• T0 è la temperatura di riferimento in gradi Kelvin (gene- Fig. 1.12
ralmente 20 °C ⇒ 293 K).
Poiché la caratteristica resistenza/temperatura del trasduttore è esponenziale decrescente, è

necessario linearizzarla ed invertire la sua pendenza, in modo da rendere la resistenza RT cre-
scente linearmente all’aumentare della temperatura T.
La resistenza di linearizzazione RL può essere calcolata con la [1.4] o la [1.5] (➜ Volume 2).
RTmed ⋅ (RTmin + RTmax ) − 2 ⋅ RTmin ⋅ RTmax
RL = [1.4]
RTmin + RTmax − 2 ⋅ RTmed
B − 2 ⋅ Tmed
RL = R(Tmed ) ⋅ [1.5]
B + 2 ⋅ Tmed
➜ Esempio
Si progetti un circuito di condizionamento per un termistore NTC K25-1k in grado di forni-
re una tensione d’uscita compresa tra 0 V e 5 V quando la temperatura T varia nell’intervallo
10 °C ÷ 70 °C.
Caratteristiche elettriche della NTC

Tipo R [Ω] Tolleranza B [K] Colore Codice
K 25 1k 1000 20% 3530 Violetto Q 63025 – K102-M
Potenza (a 60 °C): P0 = 400 mW

Temperatura di riferimento: T0 = 20 °C
Campo di temperatura: – 25 °C ÷ + 100 °C
Utilizzando la [1.3] si possono tabulare i valori assunti dal trasduttore NTC nel campo di fun-
zionamento per incrementi di temperatura ∆T = 10 °C (tab. 1.2).
TAB. 1.2
T [°C] 10 20 30 40 50 60 70
Ω]
R [Ω 1529 1000 671 463 326 235 172
La resistenza di linearizzazione, calcolata applicando la [1.5], è RL = 323,5 Ω (330 Ω).

Il circuito di condizionamento, comprensivo di resistenza di linearizzazione, è riportato in
figura 1.13. Lo zener di precisione LM336-2,5 V è utilizzato per generare la tensione di rife-
rimento VREF = 0,88 V (offset) e, unitamente all’A.O. CA3140, la tensione V = 5 V per il con-
vertitore VT /RNTC, mentre l’amplificatore per strumentazione INA111 realizza il fattore di
scala.

10 k 8,2 k 5k
12 V
12 V
12 V
T
2 7
6,8 k R NTC 10 [°C] 70
6 VT
CA3140 3 7
VIN = 2,5 V 3 V=5V 6
1k
1 T
4
330
283 [K] 343
RG
6,8 k RL INA111 V0
8 VT
LM336 V REF = 0,88 V 0,88 [V] 3,28
2k 5
2,5 V 2 4
V0
3,3 k 0 [V] 5
Fig. 1.13 12 V
Prelevando la tensione sulla resistenza di linearizzazione RL si ottiene una caratteristica VT/T

crescente all’aumentare della temperatura (tab. 1.3).
TAB. 1.3
T [°C] 10 20 30 40 50 60 70
Ω]
R [Ω 1529 1000 671 463 326 235 172
VT [V] 0,88 1,24 1,83 2,08 2,63 2,92 3,28
Poiché la tensione d’uscita V0 dell’INA111 deve essere uguale a 5 V, il guadagno G e la resi-

stenza RG sono rispettivamente uguali a:
V0 5
G= = = 2,08
VT (70 °C ) − VT (10 °C ) 3,28 − 0,88
50 ⋅ 103 50 ⋅ 103
RG = = = 46,29 kΩ (39 kΩ + 10 kΩ)
G− 1 1,08 ➜
1.1.3 Il trasduttore KTY

I trasduttori di tipo KTY sono realizzati con silicio drogato con
impurità di tipo n, presentano un coefficiente positivo, hanno
dimensioni contenute ed una struttura a tronco di piramide
ottenuta metallizzando completamente una faccia e solo par-
zialmente l’altra. Con questo tipo di struttura, detta a tra-
sduttore singolo2, la variazione della resistenza R è funzione
della temperatura T e del verso della corrente.
La Philips costruisce trasduttori KTY doppi, realizzati con due
trasduttori singoli collegati in serie ma in opposizione (struttu-
ra a doppio tronco di piramide) per rendere la variazione della Fig. 1.14
resistenza R dipendente dalla temperatura e non dal verso della
corrente. La legge di variazione della resistenza RT in funzione
della temperatura T è leggermente esponenziale crescente.
RT = Ra ⋅ eα (T −Ta ) [1.6]
• RT è la resistenza del trasduttore alla temperatura generica T;

• Ra è la resistenza del trasduttore alla temperatura ambiente Ta = 25 °C;
• α è il coefficiente dimensionale dipendente dalla temperatura (fig. 1.15).
Il costruttore fornisce il grafico o la tabella della caratteristica RT/T, anche se quest’ultima
può essere determinata con la [1.6].
2 Il contenitore deve contenere l’indicazione della polarità.

Le caratteristiche principali di un trasduttore KTY81 sono riportate nella tabella 1.4.
TAB. 1.4 Caratteristiche trasduttore serie KTY81.

Caratteristiche Valori U. misura
Intensità di corrente (max) 10 mA
Intensità di corrente di lavoro (max) 1 mA
Tolleranza ±2 %
KTY81-1 valore nominale resistenza 1000 Ω
KTY81-2 valore nominale resistenza 2000 Ω
Coefficiente di temperatura α (medio) 0,75⋅10–2 K−1
Temperatura di riferimento (ambiente) 25 °C
Campo d’impiego di temperatura − 55 ÷ + 150 °C
Contenitore plastico SOD70
Trasduttore doppio indifferente alla polarità
In questa Unità si prende in considerazione la serie dei trasduttori KTY81. La figura 1.15 mostra
la caratteristica RT/T, la variazione del coefficiente di temperatura α in funzione della tempe-

ratura T e la variazione della resistenza RT in funzione della intensità di corrente di lavoro.
RT
[k Ω] b
4,0
10
–2
K
–1
R T [Ω]
3,2 T = 25 °C
1 1100
a
2,4
0,5 1000
b
1,6
KTY81-2 0 900
–50 0 50 100 150 0,1 0,5 1 5 10
0,8
KTY81-1 T [°C] I [mA]
0
–100 –50 0 25 50 100 150
T [°C]
Fig. 1.15 La Se il range di funzionamento della temperatura è molto limitato, la caratteristica RT/T può
curva a è ri- ritenersi quasi lineare, mentre se esso è esteso, la caratteristica non è lineare ed è necessa-
cavata con la rio utilizzare circuiti di linearizzazione.
[1.6], mentre
Il circuito di linearizzazione può essere realizzato collegando una resistenza in serie al tra-
le curve b so-
no caratteri-
sduttore (alimentato a tensione costante) o in parallelo (alimentato a corrente costante).
stiche speri-
mentali.
➜ Esempio
Si progetti un circuito di condizionamento per il trasduttore KTY81-1 (1 kΩ) in grado di for-
nire una tensione d’uscita V0 compresa tra 0 V e 5 V quando la temperatura T varia nell’in-
tervallo − 20 °C ÷ + 80 °C.
Dalla [1.6] si ricava la tabella 1.5 dei valori teorici della resistenza RT del trasduttore al varia-
re della temperatura T con incrementi di 10 °C.
2, 718282,6475 14,1186
RT (T = 80 °C ) = Ra ⋅ eα (T −Ta ) = 103 ⋅ = 103 ⋅ = 1510, 5 Ω
2, 718282,235 9, 3464
TAB. 1.5
Temperatura di riferimento (ambiente) Ta = 25 °C
T [°C] – 20 – 10 0 10 20 25 30 40 50 60 70 80
R [Ω] 713 769 829 893 963 1000 1038 1119 1206 1300 1401 1510
∆R [Ω] – 56 60 64 70 – 75 81 87 94 101 109

Poiché il range di funzionamento della temperatura è esteso, si deve linearizzare la carat-

teristica del trasduttore (tab. 1.5). Dalla [1.4], si ha:
R(Tmin = – 20 °C) = 713 Ω R(Tmed = + 30 °C) = 1038 Ω R(Tmax = + 80 °C) = 1510 Ω
1038 ⋅ (713 + 1510) − 2 ⋅ 713 ⋅ 1510

RL = = 1049, 0 Ω (1 kΩ )
713 + 1510 − 2 ⋅ 1038
La conversione temperatura/tensione è affidata al ponte di Wheatstone (fig. 1.16), nel quale
la resistenza R + R1 = 713 Ω provvede a bilanciare il ponte quando T = 0 °C, mentre la resi-
stenza RL linearizza la caratteristica del trasduttore.
Per rendere indipendente la resistenza del trasduttore dall’intensità di corrente si utilizza
un’intensità di corrente I = 1 mA (fig. 1.15).
La tensione d’alimentazione del ponte Vp risulta:
Vp = RL + RT ( − 20 °C ) ⋅ I = (1000 + 713) ⋅ 10 −3 = 1, 713 V
ed è ottenuta utilizzando l’integrato LM336-5 V, un partitore di tensione ed un amplifica-

tore operazionale, in configurazione d’inseguitore, che eroga l’intensità di corrente assor-
bita dal ponte (fig. 1.16).
12 V Vp =1,713 V 12 V
12 V
RL T
R2 2 7 -20 [°C] 80
6 B 3 7
R3 CA3140
3 6 RT
1
4 713 [Ω] 1510
INA111
RL R VAB RG INA114 V0
12 V
8 V AB
LM336 0 [V] 0,3174
5
5V R4 A 2 4
V0
KTY81-1
RT R1 0 [V] 5
Trasduttore
12 V
Fig. 1.16
La resistenza R2 = 6,8 kΩ limita l’intensità di corrente (IZ ≅ 1 mA) che attraversa il diodo zener
di precisione. Affinché la tensione sulla resistenza R4 coincida con la tensione Vp = 1,713 V,
posto R3 = 6,8 kΩ si ha:
R4 1, 713
5⋅ = Vp R4 = ⋅ 6, 8 ⋅ 103 = 3,54 kΩ (3,3 kΩ + 500 Ω )
R3 + R4 3, 287
La tensione VAB alla temperatura di 80 °C è uguale a:
 RT ( 80 °C ) R + R1   1510 713 
VAB =  −  ⋅ Vp =  −  ⋅ 1, 713 = 0, 3174 V
 L
R + RT ( 80 °C ) RL + ( 1) 
R + R  1000 + 1510 1000 + 713 
Considerando che la tensione d’uscita dall’amplificatore INA111 deve essere V0 = 5 V (fatto-

re di scala) quando è T = 80 °C, si ha:
V0 5
G= = = 15, 75
VAB (T = 80 °C ) 0, 3174
50 ⋅ 103 50 ⋅ 103
RG = = = 33, 89 kΩ (27 kΩ + 10 kΩ )
G− 1 14, 75

Per tarare il circuito di figura 1.16 si osservi la seguente procedura:
1. si agisca sul trimmer (500 Ω) di R4 fino ad ottenere Vp = 1,713 V;

2. si porti il trasduttore KTY81-1 alla temperatura minima T = − 20 °C e si agisca sul trimmer
R1 (R + R1 = 713 Ω) fino a quando la tensione d’uscita VAB è uguale a 0 V (bilanciamento
del ponte);
3. si porti il trasduttore KTY81-1 alla temperatura massima T = 80 °C e si regoli il trimmer
RG fino ad ottenere una tensione d’uscita V0 = 5 V.
➜
1.1.4 Il trasduttore integrato AD590

Il trasduttore di temperatura AD590, prodotto
dall’Analog Devices in forma integrata, è realizza-
to con materiale semiconduttore e fornisce un’in-
tensità di corrente proporzionale alla temperatura,
espressa in gradi Kelvin. Alla base del funziona-
mento di tale dispositivo è il fatto che la tensione
prelevata ai capi di una giunzione polarizzata
direttamente varia di circa −2,3 mV/K in un ampio
range di temperatura.
L’integrato AD590 (fig. 1.18) è a due terminali e
per tensioni d’alimentazione comprese nel range
4 V ÷ 30 V ha una sensibilità S = 1 µA/K. Ad esem-
pio, l’intensità di corrente IS per una temperatura
T = 273 °C risulta:
IS = 1 µA /°C ⋅ T + 273 µA Fig. 1.17
IS
CAN
0 °C 273 K
Q3 Q4 T
Visto da SOTTO
- 50 [°C] 150
I C2
I C1
Fig. 1.18 Con- T

Q2 Q1
tenitore, sim- 223 [K] 423
bolo e sche- AD590 IS R
ma interno 358
VT
dell’integra-
to AD590.
Lo schema interno molto semplificato mostra due transistor PNP Q3 e Q4, un transistor PNP
Q1 ed il transistor NPN Q2, costituito quest’ultimo da 8 transistor NPN uguali e collegati in
parallelo. Poiché IC1 = IC2, l’intensità di corrente IS e la tensione VT sulla resistenza R sono:
VT k ⋅T
IS = IC1 + IC 2 = 2 ⋅ IC 2 = 2 ⋅ VT = VBE1 + VBE 2 = ⋅ ln 8 = 179 ⋅ T [ V ]
R q
Con R = 358 Ω, resistenza di precisione tarata con il raggio laser, si ha:
VT 179 IS µA
IS = 2 ⋅ = 2⋅ ⋅ T = 1⋅ T [ µA ] =1
R 358 T K
L’intensità di corrente d’uscita può essere trasmessa a distanza, senza perdere contenuto
informativo, su una linea bifilare utilizzando la tecnica del loop di corrente (➜ Modulo 7,
Unità 2).
Nelle applicazioni pratiche occorre convertire l’intensità di corrente IS generata dall’AD590
in tensione per adattare il segnale alle specifiche dei convertitori A/D. Per effettuare la con-
versione corrente/tensione, si possono utilizzare i circuiti di figura 1.19.

10 k
AD590 12 V
AD590
2 7
12 V 12 V
6
CA3140 V0
IS 10 k V0 IS 3
4
Fig. 1.19 12 V
➜ Esempio 1
Si progetti un circuito di condizionamento per un trasduttore di temperatura in grado di
fornire una tensione d’uscita V compresa nel range 0 V ÷ 10 V quando la temperatura T varia
nell’intervallo 0 °C ÷ 80 °C.
12 V Temperatura
R4 R2
0 [°C] 80
I R3

12 V Temperatura
I1
R1 273 [K] 253
I1
2 7
N
Fig. 1.20 Cir- 6 Corrente d'uscita IS
cuito di con- CA3140 V0
IS 3 273 [µA] 353
AD590
dizionamen- 4
to del trasdut- Tensione d'uscita V0
tore AD590.
0 [V] 10
12 V 12 V
Dallo schema di figura 1.20 si rileva che l’offset è stato realizzato in corrente (I1 = 0 A,
V0 = 0 V per T = 0 °C) con le resistenze R3 e R1 (regolazione fine), mentre il fattore di scala e
la conversione corrente/tensione sono realizzati con un amplificatore operazionale. Per non
caricare il trasduttore si utilizza l’A.O. CA3140 che ha un’elevata impedenza di ingresso (sta-
dio d’ingresso a MOS/FET).
Poiché la corrente Is prodotta dal trasduttore è proporzionale alla temperatura T, espressa
in gradi Kelvin, è necessario eseguire la conversione Celsius ⇒ Kelvin.
T (0 °C ) ⇒ T (273 K ) IS (273 K ) = 273 µA

T ( 80 °C ) ⇒ T (353 K ) IS (353 K ) = 353 µA
Affinché sia V0 = 0 V quando T = 0 °C, deve essere I = Is = 273 µA. Applicando il principio di
Kirchhoff al nodo N (fig. 1.13), si ha:
I1(0 °C ) = IS (0 °C ) − I = 273 ⋅ 10 −6 − 273 ⋅ 10 −6 = 0 A
Poiché a 0 °C V0 = 0 V, I1 = 0 A ed I ≡ Is = 273 ⋅ 10 −6 per VCC = 12 V si ha:
VCC 12
R3 + R1 = = = 43,956 kΩ (R3 = 39 kΩ, R1 = 10 kΩ)
I 273 ⋅ 10−6
Per T = 80 °C l’intensità di corrente è IS = 353 µA, si ha:
I1 (80 °C) = Is – I = 353 ⋅ 10–6 – 273 ⋅ 10–6 = 80 µA
Nell’ipotesi che l’operazionale sia ideale e la I1 (80 °C) attraversi le resistenze R2 + R4, la ten-
sione d’uscita è:
V0 (80 °C) = (R4 + R2) ⋅ I1 (80 °C)
V0 ( 80 °C ) 10
R4 + R2 = = = 125 kΩ ( R4 = 82 kΩ, R2 = 47 kΩ )
I1( 80 °C ) 80 ⋅ 10 −6
➜
➜ Esempio 2
Si dimensioni un circuito di condizionamento per un trasduttore AD590 nell’ipotesi che esso
debba fornire una tensione d’uscita compresa nel range 0 V ÷ 5 V quando T varia nell’inter-
vallo 0 °C ÷ 100 °C.
Lo schema di figura 1.21 evidenzia che l’offset è realizzato in tensione con la tensione di
riferimento VREF, a differenza dall’esempio precedente, mentre il fattore di scala è affidato
all’amplificatore operazionale per strumentazione.
L’integrato LM336-2,5 V e l’amplificatore operazionale non invertente generano la tensione
di riferimento VREF = 2,73 V necessaria per l’offset (V0 = 0 V). La conversione corrente/ten-
sione è realizzata con la resistenza R4.
La resistenza R1 limita l’intensità di corrente nel diodo zener di precisione. Con I = 1 mA è:
VCC − 1, 2
R1 = = 10, 8 ⋅ 103 = 10, 8 kΩ (10 kΩ)
1⋅ 10 −3
Nell’ipotesi che R4 = 10 kΩ, si ha:
IS (T = 0 °C) = 273 µA VS (0 °C) = VREF = 2,73 V (offset)
IS (T = 100 °C) = 373 µA VS (100 °C) = 3,73 V
Il guadagno G dell’amplificatore CA3140 risulta:
VREF 2, 73
G= = = 2, 275
1, 2 1, 2
Posto R2 = 10 kΩ, i valori delle resistenze sono:
R3 + RP = (G – 1) ⋅ R2 = 1,275 ⋅ R2 = 12,75 kΩ (10 kΩ + 5 kΩ)
Il guadagno G dell’amplificatore INA111 ed il valore la resistenza RG sono:
V0 5 50 ⋅ 103 50 ⋅ 103
G= = = 5 RG = = = 12, 5 kΩ (12 kΩ + 1 kΩ )
VS (100 °C ) − VREF 1 G −1 4
R3 RP
12 V
12 V
12 V
R2 T
2 7
R1
6 V REF = 2,73 V 0 [°C] 100
CA3140
3
T
4 3 7
ICL8069 6 273 [K] 373
1,2 V 1
IS
RG
INA111 V0
12 V 2,73 [µA] 3,73
8
12 V
VS
5
2 7 2 4
AD590 2,73 [V] 3,73
6 VS
CA3140
VS 3 V0
4 0 [V] 5
IS 12 V
R 4 ( 1%)
Fig. 1.21
Per la taratura del circuito si osservi la seguente procedura:

• si agisca sul trimmer RP per fissare VREF = 2,73 V (tensione d’offset) quando la temperatu-
ra T = 0 °C;
• si agisca sul trimmer di RG in modo da portate la tensione V0 = 5 V (fattore di scala) quan-
do la temperatura T = 100 °C.
➜
1.1.5 Il trasduttore LM35

Il circuito integrato LM35 (National Instruments) è un tra-
sduttore di temperatura che fornisce una tensione d’uscita
proporzionale alla temperatura T espressa in gradi Celsius.
In realtà la National produce trasduttori di temperatura
con uscita in tensione calibrati in gradi Kelvin (LM335) ed
in gradi Fahrenheit (LM34).
Le caratteristiche elettriche principali del trasduttore LM35
sono riportate nella tabella 1.6.
TAB. 1.6 Caratteristiche del trasduttore LM35.

Linearità tipica ± 0,30 °C
Fig. 1.22
Intensità di corrente di uscita 10 mA
Tensione di alimentazione VCC 4 ÷ 30 V
Sensibilità 10 mV/°C
Bassa impedenza d’uscita (1 mA) 0,1 Ω
Range di temperatura − 55 ÷ + 150 °C
Calibrazione diretta
Per le sue caratteristiche il dispositivo può essere utilizzato direttamente senza componen-
ti aggiuntivi quando il range di funzionamento non prevede temperature minori di 0 °C
(fig. 1.23).
VCC V CC
VT
Trasferimento
VCC GND a distanza
Fig. 1.23 Sche- LM35 VT LM35 VT
ma trasdutto-
75 Ω
re per tempe- Visto da sotto
rature mag- 1 µF
giori di 0 °C.
➜ Esempio
Si dimensioni un circuito di condizionamento che consenta di ottenere una tensione
compresa nel range 1,25 V ÷ 5 V quando la temperatura varia nell’intervallo 10 °C ÷ 40 °C
(fig. 1.24).
Poiché il segnale d’uscita dal trasduttore VT va da 0,1 V a 0,4 V, per ottenere i valori di
tensione richiesti è sufficiente che l’amplificazione G dell’amplificatore non invertente
sia di 12,5:
 R + RP   R2 + RP  R2 + RP
V0 = 1 + 2 ⋅ VS ; 1 + = 12, 5 ; = 11, 5
 R1   R1  R1
Posto R1 = 5,6 kΩ, si ha:
R2 + RP = 64,6 kΩ (R2 = 56 kΩ, RP = 10 kΩ)

12 V R2 RP Temperatura
10 [°C] 40
12 V
R1 Tensione d’uscita VT
2 7
0,1 [V] 0,4
6
CA3140 V0
VT 3
LM35
4 Tensione d’uscita V0
1,25 [V] 5
Fig. 1.24
1.1.6 Il trasduttore TMP01

Il trasduttore di temperatura TMP01, prodotto

dall’Analog Devices in forma integrata, è realiz-
zato con materiale a semiconduttore e fornisce
in uscita una tensione proporzionale alla tempe-
ratura assoluta con un eccellente grado di linea-
rità. Questa proprietà lo rende particolarmente
adatto per essere utilizzato nei sistemi d’allarme,
nel rilievo di temperatura anche remota e nei
sistemi di controllo di processo.
L’integrato TMP01 contiene un trasduttore di
temperatura, un comparatore a finestra che
pilota due transistor a collettore aperto e rende
disponibile in uscita una tensione di riferimento
VREF. Le resistenze esterne R1, R2 e R3 consento-
no di programmare il range di temperatura per Fig. 1.25
applicazioni particolari (fig. 1.26).
Temperature
Sensor
2,5 V sensor & TMP01
V REF 1 voltage 8 V+ 248 273 298 323 348 373 398
°F
reference
R1
Set High 2 7 Over - 25 0 25 50 75 100 125

°C
Window
R2
comparator
1,24 1.365 1,49 1,615 1.74 1,865 1,99
Set Low 3 6 Under Vptat
R3
Hysteresis 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125 0,125
GND 4 generator 5 Vptat ∆V
Fig. 1.26
Le caratteristiche sono riportate nella tabella 1.7, mentre la tensione d’uscita Vptat è:
Vptat = 5 mV ⋅ (T [°C] + 273 [°C]) [1.7]
Per le sue caratteristiche il dispositivo può essere utilizzato direttamente senza componenti
aggiuntivi anche per temperature inferiori a 0 °C.

TAB. 1.7 Caratteristiche del trasduttore TMP01.

Fattore di scala (sensibilità) 5 mV/K
Tensione d’uscita VT (T = 25 °C) 1,490 V
Range di temperatura − 55 ÷ + 150 °C
Tensione di riferimento VREF 2,5 V
IVREF senza isteresi 7 µA
Corrente d’uscita Open Collector 20 mA
Corrente d’uscita VREF 2 mA
Corrente d’uscita Vptap 2 mA
Tensione d’alimentazione singola 4,5 ÷ 13,2 V
Basso consumo e basso costo
Compatibilità TTL/CMOS
➜ Esempio
Si progetti un circuito di condizionamento per un trasduttore di temperatura TMP01 (RS
310-874) in grado di fornire una tensione d’uscita VT compresa nel range 0 V ÷ 5 V quando
la temperatura T varia nell’intervallo −20 °C ÷ 60 °C.
Poiché l’integrato fornisce una tensione d’uscita proporzionale alla temperatura, il circuito
di condizionamento (fig. 1.27) contiene solo un amplificatore per strumentazione che rea-
lizza sia l’offset sia il fattore di scala. Il valore della tensione d’offset si ricava direttamente
dalla tensione di riferimento VREF dell’integrato (pin 1).
+ 12 V + 12 V
8 7
V+
2,5 V 1 7 2 6
VREF Over
R3 1
TMP01
R1
2 6
Set High Under RP 2 RG INA111 V0
RP 1 8
3 5 VT 3 5
Set Low Vptat
R2 GND
4 4
Fig. 1.27 – 12 V
Dalla [1.7] si ha:

VT1 (T = − 20 °C) = 5 mV (− 20 + 273) = 1,265 V
VT2 (T = + 60 °C) = 5 mV (+ 60 + 273) = 1,665 V
La tensione d’offset (VT1 = 1,265 V) è ricavata con il partitore R1, R2 ed RP1 la cui somma deve
essere circa 500 kΩ per non caricare il circuito interno.
Posto RP1 = 50 kΩ risulta R1 = R2 = 220 kΩ con un’intensità di corrente IVREF = 5 µA.
Poiché la tensione d’uscita dall’integrato INA111 è V0 = G ⋅ (VT2 − VT1), si ha:
V0 5 50 ⋅ 103 50
G= = = 12, 5 RG = = ⋅ 103 = 4, 34 kΩ
VT 2 − VT 1 0, 4 G −1 11, 5
(RG ⇒ R3 = 3,9 kΩ, RP2 = 1 kΩ)
Per la taratura si regoli RP1 per fissare VT1 = 1,265 V, quando la temperatura T = − 20 °C, e succes-
sivamente si regoli RP2 per ottenere V0 = 5 V (fattore di scala) quando la temperatura T = + 60 °C.
➜
1.1.7 Termocoppie
Le termocoppie sono trasduttori di temperatura
frequentemente utilizzati in ambito industriale
perché:
• non richiedono circuiti d’alimentazione;
• possono rilevare temperature molto elevate;
• sono dispositivi molto robusti;
• sono disponibili in commercio in un gran Fig. 1.28
numero di versioni differenti, per struttura
meccanica e per caratteristiche.
Il principio di funzionamento di una termocoppia, costituita da due metalli diversi saldati

all’estremità (giunti), è basato sull’effetto Seebeck (➜ Volume 2).
Nella figura 1.29 sono riportati i diversi tipi di termocoppie: nel primo i due giunti sono chiu-
si, mentre nel secondo il giunto freddo è aperto.
IT
Giunto Giunto
caldo freddo
Giunto caldo + Rame Giunto freddo

TC TF VT
JC JF
- Costantana
Fig. 1.29
Per una termocoppia con giunto aperto si ha:

VT = α ⋅ (TC – TF)
• TC è la temperatura del giunto caldo JC;
• TF è la temperatura del giunto freddo JF;
• α è il coefficiente di proporzionalità di Seebeck dimensinale [V/°C];
• con TF = 0 °C si ha VT = α ⋅ TC.
In realtà la f.e.m. misurata sul giunto aperto dipende, oltre che dalle temperature delle
giunzioni, anche dalle giunzioni dovute ai fili di collegamento. Se i fili sono di rame e la ter-
mocoppia è di tipo T, si genera una sola giunzione indesiderata vista come un giunto di rife-
rimento JR che genera una f.e.m. VR. In questo caso si ha:
VT = α ⋅ (TC – TR) = α ⋅ TC + α ⋅ TR = VC + VR
dove VR è la tensione d’errore. Anche in questo caso, per un’accurata misura, occorre che sia
VR = 0 V. Tale condizione si raggiunge immergendo la giunzione JR in un bagno di ghiaccio
fondente a temperatura di 0 °C (vaso di Dewar) ottenendo VT = α ⋅ TC.
Poiché nelle applicazioni pratiche non è possibile utilizzare un bagno di ghiaccio fondente,
è necessario ricorrere ad un blocco isotermico elettronico che sia in grado di compensare la
f.e.m. aggiuntiva.
Il dispositivo è costituito da una termoresistenza RT con caratteristica RT/T lineare e crescen-
te, disposta su un ramo di un ponte di Wheatstone, in modo da generare una tensione VW
dipendente dalla temperatura cui è sottoposto il blocco isotermico (fig. 1.30).
Considerando che la f.e.m. VAB misurata senza il blocco isotermico risulta:

VAB = α ⋅ (TC – TR) = VC – VR
è necessario che la tensione di sbilanciamento del ponte VW sia uguale ed opposta a quella
dei giunti di collegamento. In tal modo la tensione VAB è proporzionale solo alla tempera-
tura TC del giunto caldo.

VAB = VW + VC – VR = VC
isotermico
Blocco
Circuito equivalente
RT E
A A
VW
V VW V
Giunto
VC
caldo B VR B
Fig. 1.30
La variazione della temperatura di riferimento, infatti, provoca una variazione della termo-
resistenza RT e della tensione tale da annullare la f.e.m. VR di riferimento per qualsiasi valo-
re della temperatura.
Tra i circuiti integrati più facilmente reperibili si annovera l’AD594 per la termocoppia di tipo
J, prodotto dall’Analog Devices. L’AD594 combina un blocco che produce la tensione di com-
pensazione del giunto freddo (o di riferimento), un amplificatore precalibrato per una ten-
sione d’uscita di 10 mV per ogni grado Celtius (sensibilità 10 mV/°C) ed un circuito di segnala-
zione della rottura della termocoppia (fig. 1.31). Per temperature maggiori di 0 °C l’integrato
necessita di una alimentazione singola compresa tra 5 V ÷ 30 V, mentre per temperature mino-
ri di 0 °C necessita dell’alimentazione

duale ± 15 V.
+12 V Al fine di polarizzare correttamente
l’ingresso dell’amplificatore è neces-
VS
sario che il pin 1 sia connesso a massa
14 13 12 11 10 9 8
ed al morsetto positivo della termo-
coppia (fig. 1.31). In realtà la tensione
AD594
d’uscita VS non è perfettamente
Rivelatore di
sovraccarico lineare ed è uguale a circa 10 mV per
A
ogni grado Celsius (tab. 1.8).
Termocoppia J
L’integrato AD594 può essere utilizza-

BLOCCO
to anche per misure dirette di tempe-
G G ISOTERMICO ratura nel range − 55 ÷ +125 °C. In tal
+TC – TC
caso la termocoppia è sostituita con
un cortocircuito (pin 1 connesso a
massa) e l’elemento sensibile è la ter-
1 2 3 4 5 6 7 moresistenza RT interna al blocco iso-
Fig. 1.31 termico.
TAB. 1.8
Termocoppia tipo J (Rame - Costantana) – 100 °C ÷ 400 °C

Temperatura [°C] Tensione VT [mV] Tensione VS [mV]
− 100 − 4,632 − 893
− 60 − 2,892 − 556
− 20 − 0,995 − 189
0 0,000 + 3,1
+ 20 1,019 200
+ 40 2,058 401
+ 60 3,115 606
+ 80 4,186 813
+ 100 5,268 1 022
+ 140 7,457 1 445
+ 180 9,667 1 873
+ 200 10,777 2 087
+ 300 16,325 3 160
+ 400 21,846 4 228

➜ Esempio
Si utilizzi una termocoppia di tipo J per misure di temperatura comprese nel range 100 °C ÷ 300 °C.
Le tensioni d’uscita del segnale condizionato siano rispettivamente 0 V per T = 100 °C e 10 V per
T = 300 °C.
Nella figura 1.32 si riporta lo schema funzionale del circuito di condizionamento. Il segnale
VS, disponibile sul pin 9 dell’integrato AD594, è compreso tra 1,022 V quando è T = 100 °C e
3,160 V quando è T = 300 °C (tab. 1.8).
La tensione d’offset di 1,022 V è realizzata con l’integrato LM336-2,5 V e con il partitore resi-
stivo R1, RP e R2.
Poiché V0 = 10 V, il guadagno G dell’amplificatore per strumentazione è:
V0 10 10
G= = = = 4, 66
VS (300 °C ) − VREF (100 °C ) 3,160 − 1, 022 2,144
La resistenza RG risulta:
50 ⋅ 103 50 ⋅ 103 (12 kΩ + 5 kΩ)

RG = = = 13, 66 kΩ
G −1 3, 66
+12 V +12 V
11 VS 7 T
14 9 3 6
100 [°C] 300
8 1
Termocoppia J
VS
AD594 RG INA111 V0
6,8 k 1,022 [V] 3,228
8
Fig. 1.32 Cir- 2k VREF V0
1 8,2 k
RP 2 5
cuito di con- 4 7 4 0 [V] 10
LM336
dizionamen-
2,5 V 3,9 k
to per termo-
coppia tipo J. +12 V –12 V
Per la taratura si regoli RP fino ad avere la VREF = 1,022 V, quando la temperatura T = 100 °C,
e successivamente si regoli il trimmer di RG = 5 kΩ per ottenere V0 = 5 V (fattore di scala)
quando la temperatura T = 300 °C.
➜

2. Trasduttori
di posizione
unità
I trasduttori di posizione analogici trasformano un movimento lineare o angolare in una

grandezza elettrica e sono dispositivi utilizzati per misure di posizione, di pressione, di
forza, ecc. Un ottimo trasduttore di posizione deve avere requisiti quali la lunga durata, la
precisione, la stabilità nel tempo, l’affidabilità, ecc., in modo da garantire la ripetibilità della
misura.
Sono già stati esaminati i concetti fondamentali relativi al trasduttore di posizione (poten-
ziometro) (➜ Volume 1, Modulo 6, Unità 3, par. 3.1) e si è posto il problema della non linea-
rità della caratteristica tensione/posizione quando il dispositivo è caricato con una resisten-
za di utilizzazione. In quest’Unità verranno approfondite alcune tematiche già trattate nel
Volume 1 ed è analizzato il trasduttore di posizione a trasformatore differenziale.
2.1 Trasduttore di posizione lineare. Potenziometro

Il trasduttore di posizione lineare è costituito da una resistenza
racchiusa in un contenitore metallico nel quale scorre un’asta
anch’essa metallica. All’esterno del contenitore sono riportati
tre reofori detti inizio, centro e fine (fig. 2.2).
La resistenza del trasduttore è misurata tra il terminale inizio
e centro e varia da 0 Ω, quando l’asta è nella posizione L = 0,
ad un valore massimo RMAX, dipendente dalle caratteristiche
del trasduttore, quando l’asta è nella posizione L = LMAX (asta
tutta esterna).
Fig. 2.1
Centro
Inizio
Spostamento
Centro
Inizio RS Fine Fine L
Fig. 2.2 0 L max
➜ Esempio
Nella figura 2.3 è riportato lo schema del circuito di condizionamento di un trasduttore di
posizione lineare costituito da un potenziometro, con le caratteristiche di tabella 2.1, in
grado di fornire una tensione variabile nel range 0 V ÷ 5 V quando l’asta del cursore mobi-
le subisce uno spostamento variabile nel range 0 mm ÷ 50 mm.
TAB. 2.1 Caratteristiche di un trasduttore di posizione lineare.

Valore nominale RS 2 kΩ
Corsa asta 0 ÷ 50 mm
Intensità di corrente max 10 mA
27 Unità 2 Trasduttori di posizione

Per ottenere le migliori prestazioni, è opportuno che il trasduttore sia utilizzato come par-
titore di tensione oppure sia alimentato con un’intensità costante di corrente prodotta da
un generatore di corrente con A.O.
R R
12 V Lunghezza
2 7
0 [mm] 50
CA3140
6 R2
3
4
Trasduttore RS
R 12 V
R1 2
0 [Ω] 2000
7
I 1 mA R CA3140
6 VS
3
RS 4 0 [V] 2
2k
E Trasduttore V0
VS V0
Fig. 2.3
0 [V] 5
Supponendo E = 12 V ed imponendo un’intensità di corrente costante I = 1 mA, si calcolino

i valori della resistenza R e della tensione massima VS.
E 12

R= = = 12 kΩ ( ±1%)
I 1⋅ 10 −3
VS ( L = 50 mm) = 2 ⋅ 10 +3 ⋅ 1⋅ 10 −3 = 2 V
Per non caricare il potenziometro è consigliabile utilizzare un amplificatore ad elevata resi-

stenza d’ingresso. Il guadagno G dell’amplificatore è:
V0 5
G= = = 2, 5
VS 2
R2
dove G = 1 + .
R1
Posto R1 = 10 kΩ, si ha R2 = 1,5 ⋅ 10 ⋅ 103 = 15 kΩ (12 kΩ + 4,7 kΩ).
2.2 Trasduttore di posizione angolare

(potenziometro rotativo)
Il trasduttore di posizione angolare è utilizzato per
misurare o controllare uno spostamento angolare.
Il dispositivo è costituito da un potenziometro a spo-
stamento angolare la cui parte mobile, centrata con la
parte fissa, ruota in modo da descrivere un angolo
(fig. 2.5).
Il pin centrale è strisciante e può essere collegato mec-
canicamente ad una molla di richiamo.
Fig. 2.4
Centro
a
∆RS
Inizio RS Fine
Inizio Centro Fine

Fig. 2.5

VCC Il circuito di figura 2.6 è un esempio di conversione

spostamento angolare/tensione (RS /V). La resistenza
α =120° Rα, misurata tra inizio e centro, dipende dallo sposta-
mento angolare. La resistenza d’utilizzazione RC è
RS VS A.O.
separata da quella del dispositivo con l’amplificatore
E
α =0° Trasduttore operazionale, ad elevata resistenza d’ingresso, al fine
RC V0 di non caricare il trasduttore.
Fig. 2.6
➜ Esempio
Nella figura 2.7 è riportato lo schema di un circuito di condizionamento adatto a generare
una tensione V0 nel range 0 V ÷ 5 V quando lo spostamento del cursore del trasduttore di
posizione angolare (RS 319-310)1 varia tra 20° e 100°.
+12 V
2,2 k
α
VREF 20 [Gradi] 100
LM336 2 7 6
2,5 V 1
10 k
α =100°
VS
RS RG INA111 V0
E 0,27 [V] 4,19
α =20° Trasduttore
VS 8
3 4 5
V0
0 [V] 5
Fig. 2.7 –12 V
Nelle tabelle 2.2 e 2.3 sono riportati rispettivamente le caratteristiche elettriche ed i valori
sperimentali della resistenza del trasduttore.
TAB. 2.2 Caratteristiche del trasduttore di posizione angolare.

Valore nominale RS 5 kΩ
Rotazione meccanica 120 Gradi
Potenza max (a 40 °C) 1 W
Linearità 2 %
Tolleranza ± 20 %
TAB. 2.3 Valori sperimentali della resistenza del trasduttore.

α [°] 0 20 100 120
Ω]
RS [Ω 170 240 3670 4370
Per non riscaldare il trasduttore, si fissi una tensione d’alimentazione E = 5 V in modo che la
potenza assorbita sia minore di 1 W.
Le tensioni VS sono:
240 3670
VS (α = 20° ) = ⋅ 5 = 0, 27 V VS (α = 100° ) = ⋅ 5 = 4,19 V
4370 4370
1 RS Componenti Elettronici - www.rs-components.it.

L’amplificatore per strumentazione INA111 realizza l’offset con la tensione di riferimento

VREF = 0,27 V ed il fattore di scala.
Il guadagno G, che consente di ottenere il fattore di scala, è:
V0 (α = 100° ) = G ⋅ [Vs (α = 100° ) − VREF ] = 5 V
V0 (α = 100° ) 5
G= = = 1, 27
Vs (α = 100° ) − VREF 3, 92
50 ⋅ 103
Poiché G = 1 + , la resistenza RG risulta:
RG
50 ⋅ 103 50 ⋅ 103
RG = = = 185,18 kΩ (150 kΩ + 50 kΩ)
G −1 1, 27 − 1
➜
2.3 Trasduttore di posizione lineare a trasformatore

differenziale
Il trasduttore di posizione lineare a trasformatore
differenziale (LVDT) è un dispositivo di costo conte-
nuto in relazione alle elevate caratteristiche che
possiede (fig. 2.8). La precisione, la sensibilità e la
lunga durata lo rendono particolarmente adatto in Fig. 2.8
applicazioni gravose.
Il principio di funzionamento è basato sulla variazione di flusso concatenato generato dallo
spostamento di un cilindro ferromagnetico (ferro-nichel) che scorre all’interno dell’avvolgi-
mento d’eccitazione (primario) al quale sono sovrapposti due avvolgimenti identici d’uscita
(secondari). Questi ultimi sono avvolti in modo da estendere il campo di misura e rendere
minimo l’errore e massima la linearità (fig. 2.9).
Cilindro magnetico
Secondario1 (Out1) Secondario2 (Out2)
L 0 L
In
In
Asta
Out1
Out1
Primario (In)
Out2 Asta
Fig. 2.9 Out2
Alimentando il primario con una tensione sinusoidale e sui due secondari si generano due
tensioni sinusoidali indotte e1 ed e2 che sono uguali in ampiezza, quando il cilindretto è
nello zero centrale rispetto agli avvolgimenti, e diverse, se il cilindretto è spostato verso
destra o verso sinistra (fig. 2.10).
Fig. 2.10 Se- e e1 e2

gnali sinusoi- e1 e2
dali d’uscita
(rappresen-
tazione tem- t
porale e vet-
toriale). e1 e2
Se i due avvolgimenti secondari sono collegati in opposizione e il cilindro è spostato a destra

rispetto alla posizione di zero centrale (fig. 2.11), la tensione d’uscita eu è uguale alla diffe-
renza istantanea delle tensioni sinusoidali d’uscita eu = e1 − e2 ed è sfasata di 180° rispetto
alla tensione e1.

e
e1 e2
e2 e2
Fig. 2.11 Se- eu e1
e1
gnali d’usci-
ta con il ci- t eu
lindro spo- e1 e2
stato a de-
stra. eu
Se, invece, il cilindro è spostato verso sinistra rispetto alla posizione di zero centrale, l’am-
piezza di e1 aumenta, quella di e2 diminuisce e la tensione d’uscita è eu = e1 − e2 risulta in
fase rispetto alla tensione e1 (fig. 2.12).
e
e1 e 2 eu
e1 e1
e2
Fig. 2.12 Se- e2
gnali d’usci- eu
ta con il ci- eu t
lindro spo- e1 e2
stato a sini-

stra. eu
Si consideri un trasduttore LVDT alimentato con una tensione sinusoidale avente frequenza
di qualche kHz. Nell’ipotesi che l’accoppiamento magnetico sia ideale (assenza totale di flus-
so disperso), il rapporto spire coincide con il rapporto delle tensioni.
Vs N
= S
Vp Np
dove:
• Ns è il numero di spire del primario (trasformatore ideale);
• Np è il numero di spire del secondario (trasformatore ideale);
• Vs è la tensione applicata al primario;
• Vp è la tensione applicata al secondario.
Si dimostra che la tensione d’uscita è proporzionale allo spostamento eu = m · L, dove m è

una costante dimensionale coincidente con il coefficiente angolare dell’equazione della
retta.
La caratteristica tensione/posizione è riportata in figura 2.13. eu
Le principali caratteristiche dei trasduttori di posizione LVDT,
utilizzati principalmente come indicatori di zero nei sistemi di
controllo di posizione, sono:
L L L
• vita praticamente illimitata perché non vi sono contatti stri- Fig. 2.13
scianti tra il cilindro mobile ferromagnetico e gli avvolgi-
menti;
• elevata sensibilità dovuta alla mancanza di attriti ed all’effetto induttivo sul quale è basa-
to il suo principio di funzionamento;
• totale isolamento tra primario e secondario;
• alta precisione e linearità;
• elevata robustezza dovuta ai materiali impiegati per la costruzione;
• applicazioni nel controllo di precisione di sistemi.
Poiché il trasduttore deve essere sollecitato da una tensione sinusoidale, il circuito d’utiliz-
zazione deve generare un segnale sinusoidale, con ampiezza e frequenza variabili per ali-
mentare il primario e deve convertire le tensioni sinusoidali dei due secondari in una ten-
sione continua proporzionale allo spostamento L.
La difficoltà a realizzare circuiti di condizionamento con componenti discreti e la necessità
di produrre schede di dimensioni ridotte, induce il progettista ad utilizzare integrati dedi-
cati al condizionamento dei segnali per trasduttori LVDT.
Tra i numerosi integrati disponibili si prendono in considerazione l’AD598 e l’AD698
dell’Analog Devices, adatti rispettivamente per trasduttori LVDT a 5 e 4 fili.

2.3.1 Circuito di condizionamento del trasduttore LVDT

con l’integrato AD598
L’AD598 elimina i problemi dovuti all’eventuale variazione di ampiezza e di frequenza del
segnale d’eccitazione poiché opera con il rapporto tra la differenza e la somma dei segnali
sinusoidali e con circuiti raddrizzatori. In tal modo sui morsetti d’uscita è disponibile una
tensione continua.
All’interno dell’AD598 sono integrati l’oscillatore con il relativo amplificatore di potenza, i
circuiti per la demodulazione delle tensioni secondarie, il filtro e l’amplificatore finale (fig.
2.14).
Eccitazione
VB AMPLIFICATORE OSCILLATORE
AD598
A B
Fig. 2.14 Sche- FILTRO AMPLIFICATORE Vout (DC)
VA A B
ma a blocchi
dell’AD598. LVDT
La tensione d’uscita continua si ricava dall’elaborazione dei segnali secondari, dal filtraggio
e dall’amplificazione. La demodulazione delle tensioni sinusoidali secondarie dipende solo
dalle ampiezze di queste e non da quella d’eccitazione e, per una efficiente demodulazio-
ne, è necessario che la somma delle tensioni secondarie sia costante al variare della posizio-
ne del cilindretto. La posizione L del cilindretto si ricava dal rapporto tra la differenza e la
somma dei segnali A e B dove A e B sono la media delle ampiezze fornite dai due segnali
secondari (fig. 2.14).
La tecnica del rapporto tra differenza e somma dei segnali rende insensibile l’uscita Vout alle
eventuali variazioni d’ampiezza del segnale d’eccitazione.
Nella tabella 2.4 sono riportate le caratteristiche dell’integrato AD598.
TAB. 2.4 Caratteristiche dell’integrato AD598.

Alimentazione duale o singola ± 18 o 36 V
Tensione d’eccitazione primaria (fig. 2.16) 2,1 ÷ 24 V (RMS)
Tensioni secondarie minime 100 mV (RMS)
Frequenza d’eccitazione 20 ÷ 20.000 Hz
Corrente d’eccitazione 30 mA
Range di temperatura operativo 0 ÷ 70 °C
Uscita unipolare o bipolare selezionabile – –
Interfacciamento con trasduttori rotativi RVDT – –
Le specifiche del trasduttore a trasformatore LVDT (RS 646-549) e lo schema elettrico a 5 fili
sono riportati nella tabella di figura 2.15.
Azzurro
Corsa 15 mm
Bianco Corrente d’eccitazione 6 mA
Tensione d’eccitazione [RMS] 1 V-10 V (tip. 5 V)
Frequenza d’eccitazione (max rendimento) 5 kHz

Verde
Impedenza d’uscita 220 k Ω
Sensibilità 34,26 mV/V/mm (tip.)

Giallo
Fig. 2.15 Sche- Non linearità 0,14 %
ma del trasdut- LVDT
Rosso Carico 100 k Ω
tore LVDT.

In figura 2.16 è riportato il circuito di condizionamento per il trasduttore LVDT a 5 fili con
l’integrato AD598.
VEXC [VRMS]
2 AD598 20 + 12 V 30
EXC1 +Vs +Vs
3 1 – 12 V
EXC2 -Vs –Vs
R1 4 19 R4
LEV1 OFFSET1
5 18 R3 20
LEV2 OFFSET2
VB 10 14
VB OUT FILT
6 15 C4 R2
FREQ1 FEEDBACK
C1 7 16 10
FREQ2 SIG OUT V0
8 17 RL
B1 FILT SIG REF
C2 9 13
B2 FILT A2 FILT
VA 11 12 C3
VA A1 FILT 0
0,01 0,1 1 10 100 1000
Fig. 2.16 R 1 [kΩ]
La resistenza R1 = 6,8 kΩ fissa l’ampiezza della tensione d’uscita consigliata VEXC = 5 VRMS
mentre la frequenza consigliata f = 5 kHz si ottiene dalla relazione fornita dal costruttore
(figg. 2.15 e 2.16).
Hz 35 ⋅ 10 −6
C1 = 35 F ⋅ = = 7 nF
feccitazione 5 ⋅ 103
In tabella 2.5 sono riportati valori sperimentali rilevati con una tensione duale VS = ± 15 V,
R1 = 6,8 kΩ, C1 = 6,8 nF ed L = ± 15 mm.
TAB. 2.5 Valori sperimentali.

Valori U. misura
Frequenza oscillatore EXC 4,71 kHz
VPRI 4,96 VRMS
VSEC = VA = VB (zero centrale, L = 0) 1,17 VRMS
VA + VB 2,34 VRMS
VA (posizione L = + 15 mm) 2,97 VRMS
VB (posizione L = − 15 mm) 0,51 VRMS
Dal fattore di scala Vout si ricava il valore della R2:
 VPRI 
Vout = S ⋅ 
 ( A
V + VB )

−6
(
 ⋅ 500 ⋅ 10 ⋅ R2 ⋅ L ) [2.1]
Vout ⋅ (VA + VB )
R2 =
( )
[2.2]
S ⋅ VPRI ⋅ 500 ⋅ 10 −6 ⋅ L
dove:
• Vout è il range di tensione d’uscita in DC. Per un fattore di scala bipolare, ad esempio
± 10 V, la Vout = 20 V;
• S è la sensibilità del trasduttore espressa in mV d’uscita per Volt d’ingresso e per sposta-
 mV 1 
menti in millesimi di pollici  ⋅ −3 ;
 V 10 ⋅ pollici 
• VPRI è la tensione in RMS d’eccitazione del primario;
• (VA + VB) è la somma delle tensioni secondarie VA e VB in RMS calcolate nella posizione del-
lo zero centrale (L = 0, VA = VB);
• L è la corsa dell’asta espressa in millesimi di pollici.
Dimensionando opportunamente le resistenze R3 ed R4 del circuito di figura 2.16, si può

ottenere un fattore di scala Vout unipolare.
La [2.3], fornita dal costruttore, permette di fissare un offset positivo o negativo.

 1 1 
VOS = 1, 2 ⋅ R2 ⋅  3
− 3 [2.3]
 R3 + 5 ⋅ 10 R4 + 5 ⋅ 10 
dove VOS è il valore di tensione di cui deve essere traslato il segnale continuo d’uscita Vout.
Per ottenere una tensione d’offset positiva, come ad esempio un fattore di scala unipolare
0 V ÷ 10 V, partendo da un fattore di scala bipolare Vout = ± 5 V, si pone nella [2.3] R4 = ∞ e
VOS = 5 V (valore della tensione di traslazione) e si ricava:
1, 2 ⋅ R2
R3 = − 5 ⋅ 103 [2.4]
VOS
I condensatori C2 = C3 = 0,1 µF e C4 = 0,33 µF sono necessari per il filtraggio dei segnali.
➜ Esempio
Si dimensionino le resistenze R2, R3 ed R4, dello schema elettrico di figura 2.16. Per il circui-
to di condizionamento si utilizzi il trasduttore di posizione LVDT e, per uno spostamento
L = ± 5 mm, deve fornire le seguenti tensioni d’uscita V0 (fig. 2.17):

1°) V01 = ± 10 V 2°) V02 = ± 5 V 3°) V03 = 0 V ÷ 10 V
V out 1 [V] Vout 2 [V] Vout 3 [V]

10 10
5
5 5
5 L [mm] 5 L [mm] 5 5 L [mm]

5
Fig. 2.17 Fat-
10
tori di scala.
1° Caso: V01 = ± 10 V
Dalla [2.2], esprimendo la sensibilità S = 34,26⋅10–3 in [mV/ V/mm] e la lunghezza L in [mm],
posto V01 = 20 V ed L = 10 mm, si ha:
20 ⋅ 2, 34
R2 = −3
= 55,12 kΩ R3 = R4 = ∞
34, 26 ⋅ 10 ⋅ 4, 96 ⋅ 500 ⋅ 10 −6 ⋅ 10
2° Caso: V02 = ± 5 V
Dalla [2.2], con R3 = R4 = ∞, si ha:
10 ⋅ 2, 34 R
R2* (V02 = ± 5 V ) = −3 −6
= 27, 56 kΩ = 2
34, 26 ⋅ 10 ⋅ 4, 96 ⋅ 500 ⋅ 10 ⋅ 10 2
3° Caso: V03 = 0 V ÷ 10 V
Ponendo nella [2.4] R4 = ∞ e VOS = 5 V (valore della tensione di traslazione), si ricava il valo-
re della resistenza R3:
1, 2 ⋅ R2*
R3 = − 5 kΩ = 6,16 ⋅ 103 − 5 ⋅ 103 = 1,16 kΩ
VOS
➜
2.3.2 Circuito di condizionamento per il trasduttore LVDT

con l’integrato AD698
Il principio di funzionamento dell’integrato AD698 è molto simile a quello dell’AD598.
Nel chip sono integrati tutti i circuiti necessari per generare il segnale pilota, quelli di demo-
dulazione e di filtraggio per il canale B (segnale sinusoidale d’eccitazione) e per il canale A
(segnale sinusoidale d’uscita).
Il dispositivo opera con il rapporto tra il segnale del canale A e quello del canale B e richie-
de trasduttori a 4 fili (fig. 2.18).
L’amplificatore finale permette di fissare il guadagno per la selezione del range d’uscita.
Anche per questo integrato la tecnica del rapporto tra i segnali VA e VB rende insensibile l’u-
scita Vout dalle eventuali variazioni di ampiezza del segnale di eccitazione.
Se il segnale del secondario è sfasato rispetto a quello del primario si può fare uso di una
rete di compensazione esterna di tipo anticipatrice o ritardatrice.
Eccitazione
Tensione
Amplificatore
riferimento
B Oscillatore
LVDT
A
Filtro Amplificatore Vout (DC)
B
Fig. 2.18 Sche- A
ma a blocchi AD698
AD698.
Lo schema funzionale del circuito di condizionamento del trasduttore LVDT è riportato in

figura 2.19. Per dimensionare i componenti R1 e C1 si utilizzano le stesse modalità dell’inte-
grato AD598.
La resistenza R2 e la tensione VOS sono determinati dalle relazioni:
V0  1 1 
R2 = VOS = 1, 2 ⋅ R2 ⋅  −
(
S ⋅ L ⋅ 500 ⋅ 10 −6
)  R3 + 2 ⋅ 10
3 3
R4 + 2 ⋅ 10 
Se il fattore di scala V0 è solo unipolare, ad esempio 0 V ÷ +10 V, si ha:
1, 2 ⋅ R2
R4 = ∞ R3 = − 2 ⋅ 103 VOS = 5 V
VOS
2 AD698 24 + 12 V
EXC1 +Vs +Vs
3 1 – 12 V VEXC [VRMS]
EXC2 –Vs –Vs
1M R1 4 23 R4 30
LEV1 OFFSET1
5 22 R3
LEV2 OFFSET2
12 18
-A IN OUT FILT
6 19 C4 R2 20
FREQ1 FEEDBACK
C1 7 20
FREQ2 SIG OUT V0
8 21 RL
BFILT1 SIG REF
C2 9 16 10
BFILT2 AFILT2
13 17 C3 PHASE LAG
LVDT +A IN AFILT1
11 15
+B IN -ACOMP C RS 0
10 14 RT
-B IN +ACOMP RS 0,01 0,1 1 10 100 1000
R 1 [kΩ]
Fig. 2.19

3. Trasduttori
di umidità
unità
I trasduttori di umidità sono sensibili alla quantità di acqua presente nell’ambiente e rileva-
no l’umidità relativa, definita come il rapporto tra l’umidità assoluta (quantità di vapore
acqueo contenuta in un metro cubo di aria) e l’umidità di saturazione (quantità di vapore
acqueo massimo contenuto in un metro cubo di aria prima della condensa):
Umidità assoluta
% RH = 1001
Umidità di saturazione
Considerato che il rilievo dell’umidità relativa basa il principio di funzionamento sul tipo di
variazioni di alcune grandezze elettriche, in commercio si trovano trasduttori a variazione di
resistenza, di capacità e termica.
I trasduttori di umidità relativa a variazione di resistenza sono costituiti da materiali igro-
scopici, ad esempio il cloruro di litio, nei quali piccole variazioni di umidità relativa provoca-
no grandi variazioni di resistenza. I tempi di risposta sono brevi.
I trasduttori di umidità relativa a variazione di capacità sono costituiti da due armature metal-
liche separate da un materiale dielettrico igroscopico. Le variazioni di capacità, in verità pic-
cole (≅ ± 20%) dipendono dalla variazione della costante dielettrica del materiale igroscopi-
co sensibile alle variazioni di umidità relativa. I tempi di risposta sono lunghi.
I trasduttori di umidità relativa a variazione termica basano il principio di funzionamento
sulla differenza di temperatura tra un corpo secco ed un uguale corpo umido.
3.1 Trasduttore di umidità (capacitivo)

Il trasduttore di umidità è utilizzato per misure di umidità relativa nei sistemi in cui non è
richiesta un’elevata precisione. Il trasduttore è realizzato con un materiale dielettrico igro-
scopico, ma insensibile alle sostanze inquinanti, sempre pre-
senti nell’aria. Le facce del dielettrico, la cui costante dielettri- VCC
ca relativa εr dipende dal valore dell’umidità relativa, sono rico-
perte da un sottile strato di oro e protette da un involucro pla-
stico forato. Sulle armature del condensatore così formato sono 14
4 13 V0
saldati i due reofori.
La capacità CS del trasduttore è: 5
Cs = C0 + ∆C 5
3
CD4047
dove C0 è il valore della capacità riferito all’aria secca e ∆C è la 12
variazione di capacità dovuta alla variazione di umidità relati- CS R
9 1
va. Per il rilievo della grandezza fisica il trasduttore di umidità
relativa può essere inserito in un multivibratore astabile che 8 2
7
genera un’onda quadra TTL/CMOS la cui frequenza è funzione
dell’umidità relativa (fig. 3.1):
1
f = [3.1]
0, 7 ⋅ R ⋅ C s Fig. 3.1
1 % RH sta per Relativy Humidity (umidità relativa) percentuale.

3.2 Trasduttore di umidità (resistivo)

Il trasduttore di umidità relativa C5-M32 (fig. 3.2), prodotto dalla Shinyei
Kaisha, è realizzato con un materiale sensibile all’umidità relativa dis-
posto su un substrato ed incapsulato in un contenitore plastico. Il tra-
sduttore ha ridotte dimensioni, una bassa isteresi ed una stabilità a lun-
go termine. Può essere utilizzato nei sistemi di controllo dell’umidità,
negli idrometri, nelle macchine copiatrici a colori, ecc. La caratteristica
resistenza/umidità relativa è esponenziale decrescente (fig. 3.3).
Fig. 3.2
1000
Temperatura 25 °C
Tensione 1 V

Frequenza 1 kHz
Resistenza sensore [kOhm]
Segnale sinusoidale
100
10
Sensore umidità
C5M3
1
20 30 40 50 60 70 80 90
Fig. 3.3 Umidità relativa [% RH]
Le caratteristiche elettriche del trasduttore sono riportate nella tabella 3.1.
TAB. 3.1 Caratteristiche del trasduttore C5-M3.

Tensione d’alimentazione max in AC 5 V
Potenza max 5 mW
Tensione d’alimentazione 0,5 ÷ 3 V
Tensione d’alimentazione tipica 1 V
Frequenza sinusoide d’alimentazione 500 ÷ 2000 Hz
Campo di temperatura 0 ÷ 60 °C
Campo di umidità 20 ÷ 95 % RH
Resistenza (25 °C, 60% RH, 1 kHz, 1 V AC) 19,8 ÷ 50,2 kΩ
Resistenza tipica (25 °C, 60% RH, 1 kHz, 1 V AC) 31 kΩ
Accuratezza (25 °C, 60% RH, 1 kHz, 1 V AC) ±5 % RH
Materiale del sensore ABS
Colore del sensore Bianco
Dimensioni 6,8 4,8 3,6 mm
2 Commercializzato in Italia dalla ditta GVZ Components s.r.l. - www.gvzcomp.it.
37 Unità 3 Trasduttori di umidità

Il costruttore fornisce altri grafici che evidenziano la dipendenza della caratteristica dalla fre-
quenza del segnale d’eccitazione e dalla temperatura e, inoltre, raccomanda di evitare:
• alimentazioni con tensioni in DC;
• condizioni di condensazioni;
• esposizioni su superfici che possono essere bagnate;
• esposizioni in presenza di gas organici ed inorganici.
Nella figura 3.4 è riportato lo schema funzionale di un circuito che fornisce una tensione usci-
ta V0 in funzione dell’umidità relativa.
Il trasduttore, inserito in un partitore di tensione, è alimentato con una tensione sinusoida-
le, come richiesto dalle specifiche del costruttore. La tensione VS è applicata ad un rivelato-
re di picco realizzato con un raddrizzatore di precisione a semplice semionda. Tale circuito
permette di operare anche con tensioni inferiori a quella di soglia del diodo raddrizzatore.
La compensazione in temperatura si ottiene sostituendo la resistenza R con un termistore.
10 k 10 k
+ 12 V
2
7 1N914
0,1 µ 6
RH CA3140 V0
VIN VS 3
4
33 µ
Trasduttore
1V R – 12 V
1 kHz 100 k Tantalio
Fig. 3.4
I valori di misura ed i valori sperimentali per una umidità relativa % RH ≅ 45% sono riporta-
ti nella tabella 3.2.
TAB. 3.2
Valori di misura Valori sperimentali

d VIN(max) [V] fIN [kHz] VS [V] V0 (DC) [V] RH [kΩ]
1 1 0,4 0,660 150
➜ Esempio
Si realizzi un circuito di condizionamento per il rilievo dell’umidità relativa nel range
30% RH ÷ 90% RH con il trasduttore di umidità relativa a variazione di resistenza C5-M3. La
tensione d’uscita V0 sia 0 V per una umidità relativa del 30% RH e 5 V per una umidità rela-
tiva del 90% RH.
+ 12 V R4 47 k R5 47 k C = 0,1 µ + 12 V
R G = 4,7 k + 500
+ 12 V C
C
RL 27 k C
Rb Ra VDC 7
33 k 33 k 7 3 6
+ 12 V 2
6 RS 6 1
4 7 3 U2
C RG
4
IN4148 INA111 V0
5 ICL 8 VS
8038 C5 - M3 C2
1M
2 7 R3 C 8
10 R1 47 k 6 Vout RC 2 5
3 U1 47 k 33 µ 4
12 2 Tant.
C1 11 4 C
R 0,1 µ
R2 C – 12 V VREF
82 k
10 n C 56 k
R7 R P1 R8 – 12 V
– 12 V R6 5,6 k 1k 2,7 k
– 12 V + 12 V
Fig. 3.5 10 k LM336-2,5 V

Nella figura 3.5 è riportato lo schema elettrico funzionale:

 0, 66  R 
• l’integrato ICL8038 genera il segnale sinusoidale con frequenza di 1 kHz f =  1− b  
ed ampiezza VPP = 2,8 V;  C1 ⋅ Ra  2 ⋅ Ra  
• il partitore R1 ed R2 attenua l’ampiezza del segnale sinusoidale, secondo le specifiche del
data sheet, ad un valore massimo VM = 1,41 V (Veff = 1);
• l’integrato U1 è un amplificatore con A.O. a guadagno unitario con la sola funzione di
non caricare il partitore R1 ed R2;
• la resistenza RL =
( )
RSmed ⋅ RSmin + RSmax − 2 ⋅ RSmin ⋅ RSmax
, in parallelo alla RS , linearizza la
RSmin + RSmax − 2 ⋅ RSmed
caratteristica del trasduttore poiché ha una accentuata non linearità3;
• la resistenza R3 (partitore resistivo con la resistenza RS) realizza la conversione resisten-
za/tensione. La posizione della resistenza R3, a valle della resistenza del sensore RS , rende
la caratteristica VS/RS crescente all’aumentare dell’umidità relativa;
• l’amplificatore operazionale U2, il diodo 1N4148 ed il condensatore C2 formano un rive-
latore di picco. È realizzato con un raddrizzatore di precisione a semplice semionda in gra-
do di operare anche con tensioni inferiori a quella di soglia del diodo raddrizzatore;
• l’integrato LM336-2,5 V genera la tensione di riferimento VREF = VDC (30% RH) per l’offset;
• l’integrato per strumentazione INA111 realizza l’offset V0 = 0 (30% RH) ed il fattore di
scala V0 = 5 V (90% RH) unitamente alla resistenza RG;
• la resistenza RG fissa il guadagno G per il fattore di scala. Dalla tabella 3.3 si ha:
V0 5
G= = = 11,38
VDC (90% RH) − VDC (30% RH) 1, 305 − 0, 865
50 ⋅ 103
RG = = 4, 82 k (4,7 kΩ + 500 Ω )
G −1
Per la taratura si osservi la seguente procedura: si vari RP1 fino ad ottenere VREF = 0,865 V e
successivamente si regoli il trimmer di RG fino ad ottenere V0 = 5 V quando l’umidità relati-
va è uguale a 90% RH.
Dalla figura 3.3 si ricavano i valori riportati in tabella 3.3.
TAB. 3.3
% RH RS [kΩ] RS/L [kΩ] VOUT (max) [V] VS (max) [V] VC (DC) [V]
30 1.200 26,40 1,4 0,90 0,865
90 3 2,7 1,4 1,31 1,30
3.3 Trasduttore di umidità HIH3605A

La Honeywell produce un trasduttore di umidità (HIH3605A) integrato (fig.
3.6) su un supporto ceramico (RS 334-2975)4. Il dispositivo fornisce una ten-
sione continua lineare ed amplificata in funzione dell’umidità relativa, non
compensata in temperatura.
Nella tabella 3.4 sono riportate le caratteristiche del trasduttore.
Se non è richiesta la compensazione in temperatura, il trasduttore può essere
utilizzato direttamente come mostrato in figura 3.7, dove si evidenziano le
caratteristiche % RH/V in funzione della temperatura e la piedinatura dell’in-
tegrato.
Fig. 3.6
3 Con R
Smed (60% RH) = 35 kΩ (Fig. 3.3), RL = 30,8 kΩ (27 kΩ).
4 (RS 293-8301) o (RS 293-8317).
39 Unità 3 Trasduttori di umidità

4,5
TAB. 3.4 Valori sperimentali del trasduttore HIH3605A.
4,0 4,07 Trasduttore
3,90 HIH3605A Caratteristiche Valori U. misura
3,5 3,50
Tensione d’alimentazione 4 ÷ 5,8 V
3,0 Tensione d’alimentazione tipica 5 V
Tensione di uscita in D.C. [V]
0 °C
25 °C Range di funzionamento 0 ÷ 100 % RH
2,5
85 °C
Tensione d’uscita in DC (5 V, 25 °C) 0,8 ÷ 3,9 V
2,0
Linearità ± 0,5 %
1,5
Corrente assorbita (5 V) 200 µA
1,0 Range di temperatura operativa − 40 ÷ + 85 °C
0,8
0,5
OUT
0,0
0 20 40 60 80 100
Umidità relativa [% RH]
Fig. 3.7

3.4 Trasduttore di umidità (modulo integrato)
La Shinyei Kaisha costruisce un modulo con integrati SMD (fig.
3.8). Il dispositivo fornisce due distinte tensioni continue che
aumentano in modo lineare in funzione della temperatura e del-
l’umidità relativa (fig. 3.9).
Il modulo utilizzato (RHU-217) è privo di termistore per la misura
di temperatura ed utilizza come elemento sensitivo dell’umidità il
trasduttore HPR-MQ-M3.
Nella tabella 3.5 sono riportate le caratteristiche elettriche.
Fig. 3.8
TAB. 3.5 Caratteristiche dell’RHU-217.

Tensione d’alimentazione (DC) 5 V
Corrente 5 mA
Termistore No
Campo di misura della temperatura 0 ÷ 60 °C
Campo di misura dell’umidità (senza condensa) 30 ÷ 100 % RH
Tensione d’uscita in DC (range 0% RH ÷ 100% RH) 0 ÷ 3,3 V
Accuratezza (25 °C, 60% RH, 1 kHz) ±5 % RH
TH Temperature
Thermistor 4
output (V DC)
4 3 GND
3 Humidity
2 circuit 2 Humidity
1
output (V DC)
1 Power (+ 5 V)
Fig. 3.9 RHU-217

4. Trasduttori
fotoelettrici
unità
Le radiazioni luminose, aventi lunghezza d’onda compresa nello spettro della luce visibile,
modificano le proprietà elettriche di alcune sostanze dando origine all’effetto fotocondut-
tivo ed all’effetto fotoelettrico. Le fotoresistenze, nelle quali la radiazione luminosa modi-
fica la conducibilità elettrica, basano il loro principio di funzionamento sull’effetto foto-
conduttivo.
I fotodiodi, i fototransistor, i fototriac, invece, nei quali è generata un’intensità di corrente
quando la radiazione luminosa incide sulla giunzione p-n polarizzata, basano il loro princi-
pio di funzionamento sull’effetto fotoelettrico (fig. 4.1).
A A C C
N
P
p
P
n
N
N
K K E E
Fig. 4.1 Fotoresistenza Fotodiodo Fototransistor
4.1 Il fotoresistore NORPS-12

I fotoresistori sono costituiti con materiali semiconduttori leg-
germente drogati (solfuro di cadmio CdS, solfuro di piombo
PbS, ecc.) e disposti tra due elettrodi (➜ Volume 2, Modulo 2,
Unità 1). Sono dispositivi molto economici, ma hanno una
caratteristica non lineare, una bassa accuratezza, tempi di
risposta lenti e, pertanto, sono utilizzati in applicazioni a
bassa precisione.
La variazione della resistenza R in funzione dell’illuminamen-
to E1 è:
R = A ⋅ E –α
dove:
Fig. 4.2
• A è la costante dimensionale;
• E è l’illuminamento (flusso luminoso incidente per una superficie unitaria);
• α è la costante adimensionale minore di 1.
1 Nel Sistema Internazionale (SI) il Lux, il cui simbolo è [lx], è l’unità di misura dell’illuminamento E. Il Lux è
il rapporto tra il lumen ed il m2: 1 Lux è l’illuminamento prodotto dal flusso luminoso di 1 lm (lumen) che
incide perpendicolarmente su una superficie di 1 m2. A volte il Lux è indicato con il phot (ph = 104 lx) o con
il foot (fc = 10,76 lx).
41 Unità 4 Trasduttori fotoelettrici

La caratteristica resistenza/illuminamento del fotoresistore (RS 651-507)2 presenta un’accen-

tuata non linearità, una pendenza negativa ed è instabile nel tempo (fig. 4.3).
Resistenza [k Ω] Potenza [mW]

1000
250
100 200
10 150
100
1
50
0,1
1 10 100 1000 0 10 20 30 40 50 60 70 80
Fig. 4.3 Lux [lx] Temperatura [°C]
Nella tabella 4.1 sono riportate le principali caratteristiche elettriche.
TAB. 4.1 Caratteristiche elettriche del NORPS-12.

Resistenza d’oscurità (min.) 1 MΩ
Resistenza di cella a 10 lx 9 kΩ
Resistenza di cella a 1000 lx 400 Ω
Tensione max di picco (AC e DC) 320 V
Corrente max 75 mA
Potenza max 250 mW
➜ Esempio
Si progetti un circuito di condizionamento per il fotoresistore NORPS-12, in modo da avere
una tensione d’uscita V0 variabile linearmente da −5 V a +5 V quando l’illuminamento E varia
nell’intervallo 10 lx ÷ 1000 lx.
Dalla tabella 4.1 e dal grafico della figura 4.3 si ricavano i valori delle resistenze Rmin, Rmed
ed Rmax, dalle quali si calcola la resistenza RL di linearizzazione (tab. 4.2).
TAB. 4.2
Lux [lx] 10 505 1000
R [Ω] Rmax = 9000 Rmed ≅ 1000 Rmin = 400
Rmed ⋅ (Rmin + Rmax ) − 2 ⋅ Rmin ⋅ Rmax

RL = = 305 Ω
Rmin + Rmax − 2 ⋅ Rmed
Lo schema elettrico per il condizionamento del segnale contiene la resistenza di linearizza-
zione RL = 330 Ω (Val. com.), il convertitore lux/V e l’amplificatore per realizzare il range
richiesto (fig. 4.4).
+12 V +12 V +12 V Illuminamento
10 [lx] 1000
RL RL
7 V1 7
A 2 VAB
1 6 3 6
VCC 0 [V] 5,003
VAB RG INA111 6,8 k INA111 V0
B V1
8 5V
R1 3 5 2 5 0 [V] 10
4 4
R Lux
LM336 R2 V0
Rp Trasduttore 5V
10 k
–12 V –12 V –5 [V] +5
Fig. 4.4
2 RS Componenti Elettronici – www.rs-components.it.

Nel dimensionare i componenti si suppone che nella condizione di funzionamento più gra-
vosa, corrispondente ad un illuminamento di 1000 lx (RLux = 400 Ω), il fotoresistore sia attra-
versato da una intensità di corrente minore di 75 mA.
Con una tensione d’alimentazione VCC = 12 V, si ottiene un’intensità di corrente:
VCC 12
I ( RLux = 400 Ω ) = = = 16, 4 mA
RLux + RL 730
La resistenza di bilanciamento (R1 + Rp), dimensionata per l’illuminamento di 10 lx, è:
(R1 + Rp ) = RLuxRL⋅ RL = RL = 9 kΩ (8,2 kΩ + 2 kΩ )
Dopo aver regolato il trimmer Rp per il bilanciamento del ponte (offset), si calcola la ten-
sione VAB per il massimo illuminamento:
 9000 400 
VAB =  −  ⋅ 12 = 5, 003 V
 9000 + 330 330 + 400 
Poiché il range d’uscita richiesto è compreso tra − 5 V e + 5 V, si fissa la tensione V1 uguale a

10 V (|−5 V| + 5 V).
Il guadagno G e la resistenza RG devono assumere i seguenti valori:
V1 10 50 ⋅ 103 50 ⋅ 103
G= = = 1, 99 RG = = = 50, 50 kΩ (47 kΩ + 5 kΩ )
VAB (1000 lx ) 5, 003 G− 1 0, 99
Il diodo zener di precisione LM336-5 V genera la tensione di riferimento VREF = + 5 V appli-

cata all’ingresso invertente dell’amplificatore per strumentazione INA111 che trasla la carat-
teristica precedentemente ottenuta (V1 = 0 V ÷ 10 V) in modo da realizzare il range della
tensione d’uscita V0 richiesto dal progetto.
➜
4.2 Il fotodiodo
Il fotodiodo è un dispositivo costituito da una giunzione p-n su cui è aperta una finestra tra-
sparente, all’interno della quale è realizzata una lente convergente che concentra i raggi
luminosi sulla giunzione vista come elementi sensibili (fig. 4.1).
Se polarizzata inversamente, le radiazioni luminose generano coppie di lacune-elettroni,
proporzionali alla quantità di fotoni incidenti, che producono una fotocorrente. In pratica,
all’intensità di corrente inversa di saturazione I0 (corrente di buio dipendente dalla tempe-
ratura) si somma un’intensità di fotocorrente IE dipendente sia dall’irradiamento (illumina-
mento) E sia dalla risposta spettrale che è funzione della lunghezza d’onda λ. L’intensità di
corrente complessiva I è la somma di una intensità di corrente non desiderata I0 e della foto-
corrente IE proporzionale alla radiazione luminosa (fig. 4.5).
La caratteristica corrente/illuminamento (irradiamento) è quasi lineare mentre la risposta
spettrale dipende dal tipo di materiale impiegato per la costruzione e dalla percentuale di
materiale drogante. Per aumentare la risposta in frequenza e
o
la sensibilità, normalmente molto piccola (nA/lx), s’inserisce
m ent tra p ed n un sottilissimo strato di semiconduttore Intrinseco I
dia
Irra (diodo P-I-N).
Per migliorare la velocità di risposta e la linearità è opportuno
utilizzare sistemi conversione I/V con amplificatori operazio-
I I0 IE nali.
Fig. 4.5 Cir- Nelle applicazioni pratiche, per utilizzare il dispositivo nelle
cuito equi- condizioni ottimali, è necessario conoscere la risposta spettra-
valente sem- le (o sensibilità spettrale) del fotodiodo, misurata in A/W, defi-
plificato nel nita come rapporto tra l’intensità della fotocorrente prodotta
fotodiodo. VR e la potenza di radiazione luminosa incidente.

4.2.1 Il fotodiodo IPL10020

Il fotodiodo IPL10020 (fig. 4.6) è un dispositivo incapsulato in un contenitore TO18 che pre-
senta una finestra adatta a ricevere energia luminosa incidente.
Può essere utilizzato nei fotometri, nei rivelatori di luce modulata, nei lettori di nastri per-
forati, ecc.
Nella figura 4.7 è riportata la caratteristica del fotodiodo IPL10020 (RS 305-462).
100
10
Fotocorrente [ µ A]
A K
1 Visto da
sotto
0,1
0,1 1 10 100
Fig. 4.7 Irradiamento [mW/cm 2 ] Fig. 4.6
Nella tabella 4.3 sono riportate le caratteristiche elettriche.
TAB. 4.3 Caratteristiche del fotodiodo IPL10020.

Risposta spettrale 350 ÷ 1100 nm
Lunghezza d’onda di picco 750 nm
Corrente di buio tipica (20 V) 1,4 nA
Sensibilità 0,7 (Tip.) µA/[mW/cm2]
Tensione inversa − 80 V
Corrente diretta max 100 mA
Corrente nominale 0,001 ÷ 1 mA
Potenza max (25 °C) 200 mW
Tempo di risposta 10% ÷ 90% 4 ns
Capacità (10 V) 12 (Tip.) pF
Temperatura di funzionamento − 40 ÷ + 70 °C
Superficie attiva 0,66 mm2
Nella figura 4.8 è riportato lo schema elettrico di un circuito d’utilizzazione del fotodiodo
IPL10020. L’amplificatore di operazione, ad elevata impedenza d’ingresso, converte la foto-
corrente in tensione e l’amplificatore per strumentazione realizza l’offset ed il fattore di scala.
+12 V
1 MΩ
I Fotocorrente
+12 V
VS 7
3
2 7 6
1
6
Irradiamento (mW/cm2 )
CA3140
3 RG INA111 V0
4
8
5
IPL10020 VREF 2 4
–12 V
Fig. 4.8 –12 V –12 V

4.2.2 Il fotodiodo BPW34

Il trasduttore BPW34 (fig. 4.9) è un fotodiodo PIN
in miniatura a sezione quadra S = 7 mm2 con con-
tenitore plastico a due pin (fig. 4.10), prodotto da
Vishay, Osram e Siemens (RS 195-754).
Il tipo SMT può essere utilizzato anche come cel-
lula fotovoltaica.
È un dispositivo caratterizzato da un basso rumore,
elevata velocità e sensibilità spettrale. Può essere
utilizzato nei telecomandi, nelle misurazioni, nei
controlli e nelle trasmissioni dati.
Fig. 4.9
λ = 950 nm
100
1 mW/cm 2
I ra – Corrente inversa ( µ A)
0,5 mW/cm 2
0,2 mW/cm 2
10
0,1 mW/cm 2
A
0,05 mW/cm 2
Catodo
1
0,1 1 10 100
VR – Tensione inversa (V)
K
Fig. 4.10 Fig. 4.11
Nella tabella 4.4 sono riportate le principali caratteristiche del trasduttore.
TAB. 4.4 Caratteristiche del trasduttore BPW34.

Tensione inversa max VR 60 V
Potenza dissipata 215 mW
Corrente di buio (VR = 10 V, E = 0) 2 (Tip.) nA
Corrente di corto circuito Ik (Ee = 1 mW/cm2, λ = 950 nm) 70 (Tip.) µA
Corrente di corto circuito Ik (EA = 1 klx) 47 (Tip.) µA
Corrente inversa da luce Ira (Ee = 1 mW/cm2, λ = 950 nm) 75 (Tip.) µA
Corrente inversa da luce Ira (EA = 1 klx) 50 (Tip.) µA
Lunghezza d’onda di max sensibilità 900 nm
Range di banda spettrale 600 ÷ 1050 nm
Angolo di radiazione 130 Gradi
Tempo di salita tr 100 ns
Tempo di discesa tf 100 ns
Temperatura di funzionamento − 55 ÷ 100 °C
Nella figura 4.11 sono riportate le curve dell’intensità di corrente inversa Ira in funzione
della tensione inversa di polarizzazione VR e dell’irradiamento E.
La caratteristica I/E del trasduttore è riportata nella figura 4.12 con le grandezze radiome-
triche, che sono quelle più utilizzate, e nella figura 4.13 con le grandezze fotometriche.

Scale metriche
fotometriche radiometriche
Sono grandezze soggettive perché riferite alla luce Sono le grandezze più usate perché definiscono in
convenzionale, ossia sono legate alla sensibilità del- modo quantitativo non solo le radiazioni visibili ma
l’occhio umano (0,38 µm [violetto] < λ < 0,76 µm anche quelle infrarosse (λ > 0,76 µm) ed ultraviolet-
[rosso]). La max sensibilità si ha per il colore giallo- te (λ < 0,38 µm).
verde.
Irradiamento E 
Lumen W
Illuminamento E o Lux = [lx]
m2  m2 
 
Alla massima sensibilità dell’occhio umano medio (λ = 0,555 µm, colore giallo-verde) si ha:
Lumen W
1 = 1, 46 ⋅ 10−3
m2 m2
VR = 5 V λ = 950 nm VR = 5 V
1000 1000

100 100
10 10
1 1
0,1 0,1
0,01 0,1 1 10 10
1
10 2 10 3 10 4
E e – Irradiamento (mW/cm2 ) E A – Illuminamento (lx)
Fig. 4.12 Fig. 4.13
Nella figura 4.14 è riportato lo schema elettrico per la conversione della fotocorrente, gene-
rata dal fotodiodo BPW34, in tensione. Il valore della resistenza R è scelto secondo i valori
della fotocorrente utilizzata, l’ampiezza del segnale d’uscita e la tensione d’alimentazione.
L’amplificatore operazionale, ad elevata impedenza d’ingresso, dà la possibilità di lavorare
nella zona di conversione più lineare e fornisce la tensione di utilizzazione VS.
I (Fotocorrente) R
+12 V
2 7
Irradiamento (mW/cm 2 )
Illuminamento (lx)
6
CA3140
3 VS
4
BPW34
Fig. 4.14 –12 V
4.2.3 Il fotodiodo OSD15-5T

Il trasduttore OSD15-5T della Centronic (RS 194-076) è un fotodio-
do con una superficie attiva di 15 mm2, incapsulato in un conteni-
tore TO5 a tenuta ermetica (fig. 4.16). È utilizzato in applicazioni
con bassa intensità luminosa dove è richiesto un elevato rapporto
segnale/rumore. Questa caratteristica lo rende particolarmente
adatto nelle misure di luminosità e nelle applicazioni di controllo.
Nella tabella 4.5 sono riportate le principali caratteristiche del
trasduttore e nella figura 4.17 uno schema funzionale per la con-
versione illuminamento/tensione. Fig. 4.15

0,6
V R = 12 V
(Contenitore)
0,5
Anodo Catodo
Sensibilità spettrale [A/W]

0,4
0,3
0,2
0,1
Visto da sotto
0
200 400 600 800 1000 1200
Fig. 4.16 λ [nm]
TAB. 4.5 Caratteristiche del trasduttore OSD15-5T.

Dimensioni 3,8 × 3,8 mm
Area attiva 15 mm2
Corrente di buio (max) 5 nA
Corrente di buio (Tip.) 1 nA
Sensibilità spettrale tipica (λ = 435 nm) 0,21 A/W
Max sensibilità spettrale (VR = 12 V, λ = 800 nm) 0,45 A/W
Lunghezza d’onda di max sensibilità 850 nm
Range di banda spettrale 400 ÷ 1050 nm
Tempo di salita tr 12 ns
Temperatura di funzionamento −25 ÷ 75 °C
100 k
I (Fotocorrente)
+12 V
2 7
Irradiamento (mW/cm 2 )
6
CA3140
3 VS
4
OSD15-5T
Fig. 4.17 –12 V
4.3 Il fototransistor
Il fototransistor è un trasduttore di luminosità che sfrutta il
principio di funzionamento del fotodiodo.
L’intensità di corrente, generata per effetto fotoelettrico nella
giunzione base emettitore, è amplificata e la sensibilità, defi-
nita come rapporto tra l’intensità della corrente di collettore
IC e la potenza di radiazione incidente, può raggiungere valo-
ri più elevati rispetto al fotodiodo. Per aumentare la sensibili-
tà si utilizza la connessione Darlington, mentre per aumenta-
re la stabilità termica si collega un resistore tra la base e l’e-
mettitore. La risposta spettrale è ampia con un valore massi-
mo in corrispondenza della regione dell’infrarosso.
La caratteristica intensità di corrente/illuminamento (IC /E) non
è lineare e pertanto il dispositivo non viene utilizzato come
trasduttore, ma trova largo impiego nei circuiti in funziona- Fig. 4.18

mento ON/OFF, negli encoder incrementali, negli encoder assoluti, nei fotoaccoppiatori, ecc.
Il dispositivo, detto anche optoisolatore, interfaccia due circuiti, separati galvanicamente,
che hanno le masse separate e le tensioni d’alimentazione diverse (fig. 4.19). Il trasferimen-
to del segnale è associato a quello luminoso, generato da un diodo led (trasmettitore), che
colpendo la parte sensibile di un fototransistor (ricevitore) lo porta in conduzione.
Affinché la trasmissione del segnale luminoso possa avvenire, è necessario che le risposte
spettrali dei dispositivi utilizzati siano tra loro compatibili, ossia la risposta spettrale dell’e-
lemento trasmettitore, ad esempio un diodo IRED il cui spettro è nell’infrarosso, deve esse-
re interna a quella del ricevitore (fig. 4.19).
V V CC Emettitore Fototransistor Fototransistor Diodo

1.0
K K
A A 0.8
Risposta spettrale
SEP8705 SDP8475 0.6
90 % 0.4
V0 0.2
1k 1k 10 %
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
tr tf t
Lunghezza d’onda λ [ µm ]
Fig. 4.19 (Ten- Nella tabella 4.6 sono riportate le caratteristiche del fototransistor a raggi infrarossi
sione d’uscita SDP8475 (RS 260-9299) e del diodo emettitore infrarosso compatibile SEP8705 (RS 195-782)
V0 con rispo- entrambi della Honeywell.
sta lineare).
TAB. 4.6 Caratteristiche del fototransistor SDP8475 (rivelatore).

Tensione max 30 V
Corrente max 14 mA
Fotocorrente 4 mA
Corrente di buio 100 nA
Sensibilità di picco 880 nm
Tempo di salita tr 15 µs
Tempo di caduta tf 15 µs
Tensione di saturazione VCE 0,4 V
Angolo di accettazione 20 Gradi
Temperatura di funzionamento − 40 ÷ + 85 °C
Emettitore SEP8705
Tensione diretta max VF 1,3 V
Corrente diretta IF 50 mA
Lunghezza d’onda di picco 880 nm
Angolo di radianza 15 Gradi
Potenza di radianza 2,7 mW/cm2
Temperatura di funzionamento − 40 ÷ +100 °C

5. Trasduttori
ad effetto Hall
unità
È noto che un campo magnetico esercita sulle cariche in movimento in un conduttore metal-
lico o in un semiconduttore drogato una forza, detta forza di Lorentz, la quale devia le cari-
che in movimento e genera una differenza di potenziale (tensione di Hall).
Sulla base di questo fenomeno fisico sono stati realizzati numerosi tipi di trasduttori ad
effetto Hall.

Si consideri una sottile piastrina piana di un materiale conduttore metallico o semicondut-
tore drogato, ad esempio di tipo n, percorso da un flusso di cariche in movimento prodotte
da una intensità di corrente I costante. Se la piastrina non è sottoposta ad alcuna induzione
magnetica, le cariche in movimento la percorrono in modo ordinato e mantengono la stes-
sa direzione dell’asse x (fig. 5.1).
y z
Cariche mobili
x I Cariche mobili
x I
B
Fig. 5.1
Le cariche in movimento, invece, subiscono una deviazione quando la piastrina è sottoposta

ad una induzione magnetica B ortogonale rispetto al verso della corrente generata dalle
cariche in movimento (fig. 5.1). In presenza di un campo d’induzione magnetica B le cariche
mobili sono deviate verso il basso per effetto della forza di Lorentz FL ortogonale alla dire-
zione di I ed a quella di B (fig. 5.2).
Tale deviazione genera, sulle superfici ortogonali a quelle delle direzioni di I e B una ten-
sione VH, detta di Hall, uguale a:
B⋅I
VH = KH ⋅
d
dove d è lo spessore, dell’ordine dei µm, della piastrina di semiconduttore e KH è la costan-

te di Hall.
VH
y z y z
Cariche mobili
x I x I
B FL B
Fig. 5.2 VH
Poiché i semiconduttori drogati presentano una grande mobilità delle cariche ed una ele-
vata costante KH, risultano particolarmente adatti alla costruzione di trasduttori ad effetto
Hall, la cui rappresentazione simbolica è riportata nella figura 5.3.
49 Unità 5 Trasduttori ad effetto Hall

Tali dispositivi offrono i seguenti vantaggi:

• elevata linearità;
• buona sensibilità;
• basso consumo;
• dimensioni ridotte;
• frequenza di funzionamento elevata (100 kHz);
• integrazione sullo stesso chip di altri componenti;
• costo contenuto;
• uscita analogica o digitale (con l’integrazione sul chip);
• ampio range operativo di temperatura (− 40 °C ÷ 150 °C).
4 VH 1
3 VH
1 2
V0
4 VH
Fig. 5.3 3 VH 2
Il trasduttore ad effetto Hall permette molteplici utilizzazioni in campo industriale, in par-

ticolare in quello automobilistico, e può essere utilizzato per:
• misure dell’intensità del campo magnetico, dell’intensità di corrente, del numero di giri
degli alberi motori, di pressione, di posizione;
• riconoscimento di polarità magnetiche;
• controllo dello stato di un apparato (ad esempio sportello aperto o chiuso).
In figura 5.4 è riportata la schematizzazione di un trasduttore di pressione ad effetto Hall.

Si osserva che il valore dell’induzione magnetica B, cui è sottoposto il trasduttore Hall, è
modificata dalla variazione di pressione esercitata sulla membrana per effetto dello sposta-
mento verticale del magnete.
Trasduttore
HALL
DIAFRAMMA
Magnete
Fig. 5.4
5.1 Il trasduttore ad effetto Hall UGN3503

Il trasduttore Hall realizzato dalla Allegro (UGN3503U) ha dimensio-
ni molto piccole, contiene al suo interno l’elemento sensibile all’in-
duzione magnetica B, un amplificatore lineare, un regolatore di ten-
sione ed un inseguitore di emettitore a transistor (fig. 5.6).
Fig. 5.5
VCC
1
Regolatore
VH
2 1 2 3
Fig. 5.6

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qxd 22-12-2005 08:36 Pagina 1

© RCS LIBRI EDUCATION SPA

Proprietà letteraria riservata

© 2006 RCS Libri S.p.A., Milano

Fotocomposizione e riproduzioni fotolitiche: Lino 2 - Città di Castello (Pg)

Redazione: Laura Scarcella

Siamo presenti sul World Wide Web all’indirizzo http://www.calderini.it

Gli autori ringraziano le ditte:

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2.2.2 Antitrasformata di una funzione Unità 6 Trasmissione seriale tra microcontroller

UNITÀ 1. Trasduttori di temperatura

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Il sensore o trasduttore (➜ Volumi 1 e 2) è un di-

Grandezza Segnale Segnale

Il circuito di condizionamento (o d’interfacciamento) interposto fra il trasduttore ed il con-

8 MODULO 1 TRASDUTTORI ED ATTUATORI

• separa galvanicamente il trasduttore dal sistema d’acquisizione. Tale funzione è necessa-

I trasduttori (➜ Volume 1) sono classificati come di seguito riportato.

1.1 Trasduttori di temperatura analogici

Un ottimo trasduttore deve possedere le seguenti caratteristiche:

1.1.1 Il trasduttore PT100 (RTD)

Quando il range di funzionamento è molto esteso e considerato che il coefficiente α non è

9 Unità 1 Trasduttori di temperatura

Caratteristiche del trasduttore PT100

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Poiché nella pratica è necessario eseguire una conversione resistenza/tensione, di seguito si

10 MODULO 1 TRASDUTTORI ED ATTUATORI

L’intensità di corrente costante è uguale a 1, 2 e per I = 10 mA si ha:

Ad esempio, se T = 20 °C, essendo RT = 107,79 Ω (tab. 1.1) ed imponendo I = 10 mA, la ten-

Se la termoresistenza è posta a distanza dal sistema di controllo, i fili di collegamento intro-

Fig. 1.8 R =100 (±0,1%) 12 V

1 RS Componenti Elettronici - www.rs-components.it.

12 MODULO 1 TRASDUTTORI ED ATTUATORI

Dato che per T = 0 °C si ha R = RT (0 °C) = 100 Ω e per T = 50 °C si ha RT (50 °C) = 119,25 Ω,

Il guadagno G dell’amplificatore per strumentazione INA111 e la resistenza RG sono:

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Fig. 1.10 Serigrafia. Fig. 1.11

Per la taratura del circuito si osservi la seguente procedura:

1.1.2 Il termistore NTC

• RT è la resistenza del termistore NTC alla temperatura

Poiché la caratteristica resistenza/temperatura del trasduttore è esponenziale decrescente, è

Caratteristiche elettriche della NTC

K 25 1k 1000 20% 3530 Violetto Q 63025 – K102-M

Potenza (a 60 °C): P0 = 400 mW

La resistenza di linearizzazione, calcolata applicando la [1.5], è RL = 323,5 Ω (330 Ω).

14 MODULO 1 TRASDUTTORI ED ATTUATORI

Prelevando la tensione sulla resistenza di linearizzazione RL si ottiene una caratteristica VT/T

Poiché la tensione d’uscita V0 dell’INA111 deve essere uguale a 5 V, il guadagno G e la resi-

1.1.3 Il trasduttore KTY

• RT è la resistenza del trasduttore alla temperatura generica T;

2 Il contenitore deve contenere l’indicazione della polarità.

15 Unità 1 Trasduttori di temperatura

Le caratteristiche principali di un trasduttore KTY81 sono riportate nella tabella 1.4.

TAB. 1.4 Caratteristiche trasduttore serie KTY81.

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16 MODULO 1 TRASDUTTORI ED ATTUATORI

Poiché il range di funzionamento della temperatura è esteso, si deve linearizzare la carat-

R(Tmin = – 20 °C) = 713 Ω R(Tmed = + 30 °C) = 1038 Ω R(Tmax = + 80 °C) = 1510 Ω

1038 ⋅ (713 + 1510) − 2 ⋅ 713 ⋅ 1510

Vp = RL + RT ( − 20 °C ) ⋅ I = (1000 + 713) ⋅ 10 −3 = 1, 713 V

ed è ottenuta utilizzando l’integrato LM336-5 V, un partitore di tensione ed un amplifica-

La tensione VAB alla temperatura di 80 °C è uguale a: