Un semianello (di spessore trascurabile) e raggio R = ξ m, ha densità di carica λ = 5 C/m.

Determinare le componenti
del campo elettrico nel punto O della figura, rispetto al sistema di riferimento assegnato.
Ex [N/C]:
Ey [N/C]:

Esercizio e_es_16, Fig. 1.

Quesito e_es_16, Fig. 2.

Suddividiamo il semianello in archetti di lunghezza infinitesima dl (Fig. 2), consideriamo tali archetti infinitesimi come
punti materiali e utilizziamo la legge di Coulomb per determinare il loro contributo al campo elettrico nel punto O.
Sfruttando il principio di sovrapposizione, sommeremo quindi vettorialmente tali contributi mediante un integrale, per
ottenere il campo elettrico totale nel punto O.
Essendo la densità lineare di carica λ definita come λ = dq dl , la carica elettrica di un archetto infinitesimo di lunghezza
dl del semianello è data da:

dq = λ dl

Inoltre, essendo l’angolo (misurato in radianti), per definizione, pari al rapporto tra l’arco e il raggio, θ = Rl , e valendo
tale definizione anche per angoli infinitesimi, dθ = dl
R (Fig. 2), nel nostro caso possiamo scrivere la lunghezza dell’archetto
in funzione dell’angolo sotteso come dl = R dθ, per cui la carica elettrica dq dell’archetto dl (Fig. 2) che sottende l’angolo
dθ si può scrivere come:

dq = λ dl = λR dθ

Prof. Domenico Galli, Dipartimento di Fisica. Il presente materiale didattico è riservato agli studenti dell’Università di Bologna e non può essere
utilizzato ai termini di legge da altre persone o per fini non istituzionali. In particolare è fatto divieto di riproduzione in copie multiple,
distribuzione, commercio e comunicazione al pubblico senza l’autorizzazione dell’autore.
 ~
Il contributo dE(O) ~
al campo elettrico E(O) prodotto nel punto O (Fig. 2) dalla carica infinitesima dq, dell’archetto di
lunghezza dl situato nel punto P sul semianello, si può scrivere, per la legge di Coulomb, come:

~ (O) = 1 dq Ä ä
dE 2
−R̂
4πε0 R

dove R~ =− −−−→
P − O = R cos θ ı̂ + R sin θ ̂ è il segmento orientato con origine nel punto O e vertice nel punto P , e il suo versore
~ = cos θ ı̂ + sin θ ̂.
associato è R̂ = vers(R)
Utilizzando la precedente espressione dq = λR dθ per la carica dell’archetto dl situato nel punto P , avremo pertanto:

~ (O) = 1 λR dθ Ä ä 1 λ dθ
dE 2
−R̂ = − (cos θ ı̂ + sin θ ̂)
4πε0 R 4πε0 R
Le componenti del campo elettrico elementare nel punto O, prodotto dall’archetto elettrizzato di lunghezza dl situato nel
punto P , che sottende l’angolo dθ, lungo le direzioni dei due assi assegnati, sono perciò, rispettivamente:
1 λ dθ

 dEx (O) = − cos θ


4πε0 R
1 λ dθ
 dEy (O) = − sin θ


4πε0 R

Integrando sulla semicirconferenza (θ ∈ [0, π]) — cioè sfruttando il principio si sovrapposizione — si ottengono le due
componenti del campo elettrico totale:
 ˆπ
 1 λ
Ex (O) = − cos θ dθ = 0


4πε0 R




0
ˆπ
1 λ 1 λ


E (O) = − sin θ dθ = −


 y

 4πε0 R 2πε0 R
0

Il risultato è pertanto:

 Ex (O) = 0


 Ey (O) = − 1 λ
2πε0 R

Prof. Domenico Galli, Dipartimento di Fisica. Il presente materiale didattico è riservato agli studenti dell’Università di Bologna e non può essere
utilizzato ai termini di legge da altre persone o per fini non istituzionali. In particolare è fatto divieto di riproduzione in copie multiple,
distribuzione, commercio e comunicazione al pubblico senza l’autorizzazione dell’autore.