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Un semianello (di spessore trascurabile) e raggio R = ξ m , ha densità di carica λ = 5 C/m . Determinare le componenti del campo elettrico nel punto O della figura, rispetto al sistema di riferimento assegnato.

E x [N/C] :

E y [N/C] :

riferimento assegnato. E x [N / C] : E y [N / C] : Esercizio e_es_16
riferimento assegnato. E x [N / C] : E y [N / C] : Esercizio e_es_16
riferimento assegnato. E x [N / C] : E y [N / C] : Esercizio e_es_16
riferimento assegnato. E x [N / C] : E y [N / C] : Esercizio e_es_16

Esercizio e_es_16, Fig. 1.

[N / C] : E y [N / C] : Esercizio e_es_16 , Fig. 1. Quesito

Quesito e_es_16, Fig. 2.

Suddividiamo il semianello in archetti di lunghezza infinit esima d l (Fig. 2), consideriamo tali archetti infinitesimi come punti materiali e utilizziamo la legge di Coulomb per determinare il loro contributo al campo elettrico nel pu nto O . Sfruttando il principio di sovrapposizione, sommeremo quindi vettorialmente tali contributi mediante un integrale, per ottenere il campo elettrico totale nel punto O . Essendo la densità lineare di carica λ definita come λ = d q , la carica elettrica di un archetto infinitesimo di lunghezz a d l del semianello è data da:

d

l

d q = λ d l

l

Inoltre, essendo l’angolo (misurato in radianti), per defin izione, pari al rapporto tra l’arco e il raggio, θ = R , e valendo tale definizione anche per angoli infinitesimi, d θ = d l (Fig. 2), nel nostro caso possiamo scrivere la lunghezza del l’archetto in funzione dell’angolo sotteso come d l = R d θ , per cui la carica elettrica d q dell’archetto d l (Fig. 2) che sottende l’angolo d θ si può scrivere come:

R

d q = λ d l = λR d θ

Il contributo d E ( O ) al campo elettrico E ( O ) prodotto nel punto O (Fig. 2) dalla carica infinitesima d q , dell’archetto di lunghezza d l situato nel punto P sul semianello, si può scrivere, per la legge di Coulomb, come:

d E ( O )=

1

d

q 2 Ä

4πε 0 R

ˆ

R

ä

dove R = P −−−−→ − O = R cos θ ˆı + R sin θ ˆ è il segmento orientato con origine nel punto O e vertice nel punto P , e il suo versore associato è R = vers( R ) = cos θ ˆı + sin θ ˆ. Utilizzando la precedente espressione d q = λR d θ per la carica dell’archetto d l situato nel punto P , avremo pertanto:

ˆ

d E ( O )=

1

λR d θ

4πε 0

R

2

Ä R ä =

ˆ

1

4πε 0

λ d θ

R

(cos θ ˆı + sin θ ˆ)

Le componenti del campo elettrico elementare nel punto O , prodotto dall’archetto elettrizzato di lunghezza d l situato nel punto P , che sottende l’angolo d θ , lungo le direzioni dei due assi assegnati, sono perciò, ris pettivamente:

d E y ( O )=

d E x ( O )=

1

4πε 0

1

4πε 0

λ

d

θ

λ

R

d

θ

R

cos θ

sin θ

Integrando sulla semicirconferenza ( θ [0, π ] ) — cioè sfruttando il principio si sovrapposizione — si ottengono le due componenti del campo elettrico totale:

E x ( O )=

E y ( O )=

1

λ

4πε 0 R

1

λ

4πε 0 R

π

ˆ

0

π

ˆ

0

Il risultato è pertanto:


E x ( O )=0

E y ( O )=

1

λ

2πε 0 R

cos θ d θ = 0

sin θ d θ =

1

λ

2πε 0 R