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Alimentatori
switching
I worked over one year, twenty hours a day, Sunday and all,
to get the word specie perfectly recorded and reproduced
on the phonograph. When this was done I knew that every-
thing else could be done which was a fact.
(Lavorai oltre un anno, venti ore al giorno, domenica e tutti gli al-
tri, per rendere la parola specie perfettamente registrata e ripro-
dotta al fonografo. Quando ci fu realizzato sapevo che tutto il re-
sto avrebbe potuto essere fatto in modo che fosse realt.)
Thomas A. Edison (1847-1931)
p. 7 Premessa
p. 9 Introduzione
p. 17 Parte Prima
I convertitori DC-DC fondamentali
p. 18 Isolamento ingresso-uscita
p. 19 Tipologia boost
p. 24 Tipologia buck
p. 32 Tipologia inverting
p. 39 Parte Seconda
Alimentatori evoluti
p. 40 Tipologia buck-boost
p. 42 Tipologie forward single-ended e forward push-pull
p. 45 Tipologia flyback
p. 47 Parte Terza
Circuiti di controllo e regolazione
p. 48 Tipologia di controllo PSM (o PFM)
p. 50 Tipologia di controllo PWM
p. 50 Voltage-Mode (VM)
p. 50 Current-Mode (CM)
p. 52 Confronto tra VM e CM
p. 53 Parte Quarta
Considerazioni conclusive
p. 54 Componenti particolari per alimentatori switching
p. 54 Interruttori a stato solido
p. 55 Condensatori
p. 56 Trasformatori: nuclei, ferriti. Materiali ferromagnetici
p. 57 MC 34063 (PFM)
p. 59 TL 5001 (PWM VM)
p. 62 SG 3525 (PWM VM)
p. 63 UC 384X (PWM CM)
p. 65 UCC 380X (PWM CM)
p. 65 LM 2751
p. 67 Confronto tra alimentatori lineari e alimentatori switching
p. 68 Ringraziamenti
Premessa
lautore
In realt, mancando tali simboli nelle librerie del software CAD-CAE in dotazione, ho
dovuto utilizzare quelli dei MOS a svuotamento, nonostante la loro natura sia quella opposta.
8
Introduzione
9
I
Caratteristiche generali e classificazione
+
Fase 1
C1
Fase 1
Vin -
CARICO
C2 Vout = - Vin
Si comincia con gli interruttori sulla Fase 1. In tal caso, V C1 = Vin. Dopo
la commutazione simultanea dei due interruttori comincia la Fase 2: C1 si sca-
rica su C2 con polarit invertita. Questo non avviene in maniera completa, ma
dipende dalle differenze tra le capacit dei condensatori e tra V C1 e V C2 . La fre-
quenza di commutazione degli interruttori di pochi kHz.
La caratteristica pi evidente la polarit invertita tra la tensione
dingresso e quella duscita. Questo ne suggerisce limpiego per generare una
tensione negativa disponendo solo di una positiva (per es. in un op-amp alimen-
tato dualmente). Ancora, essi sono utilizzati in circuiti sensibili di bassa poten-
10
za. Generalmente si tende ad evitare che i carichi applicati costringano
lerogazione di correnti superiori a diverse decine di mA, a causa del fatto che
Vout non stabilizzata e varia aumentando il carico (e la resistenza di uscita
dellalimentatore di alcune decine di ).
Un dettaglio che li sfavorisce nei confronti degli alimentatori lineari, ma
che al contrario ne aumenta i pregi verso gli switching magnetici (che vedremo
a brevissimo), la rumorosit: pi alta dei lineari, ma molto pi contenuta dei
magnetici.
Switching magnetici
Sistemi di controllo
Soprattutto negli switching magnetici (che sono quelli qua analizzati) si
verificano alcune problematiche non trascurabili.
11
1) La variazione del carico, tra il suo valore minimo e il massimo, implica
una modifica di Vout fino al 4%. Questa assolutamente inaccettabile, soprat-
tutto quando paragonata alle variazioni (centesimi di percentuali) degli alimen-
tatori lineari.
2) Ogni cambiamento del valore di Vin si riflette in uno spostamento del
valore di Vout.
3) La rimozione del carico porta Vout a livelli elevatissimi (con conse-
guenze devastanti sui componenti).
La soluzione a questo problema lutilizzo di un adeguato sistema di con-
trollo a retroazione. La tipologia va scelta a seconda dellintervento che si pre-
ferisce per stabilizzare Vout:
PSM (o PFM): Pulse Skip Modulation (Salto dellImpulso), altrimenti
detta Pulse Frequency Modulation (Frequenza dellImpulso);
PWM Voltage Mode: Pulse Width Modulation (Larghezza
dellImpulso) con pilotaggio in tensione;
PWM Current Mode: PWM con pilotaggio in corrente.
Ls
Rs = ESR
C Rs
C
C Rp
12
aumenta il ripple;
dissipa potenza sul condensatore;
aumenta la temperatura interna del condensatore (a causa della P diss) e ne
riduce la vita.
Le implicazioni che possiede lESR sono legate alla Legge di Ohm, come
se stessimo parlando di una comune resistenza.
r dson
Cgd
G G Cds G
Cgs
S S S
MOSFET MOSFET reale MOSFET reale
ideale in AC in DC
Si noti come la potenza dissipata nel caso reale, allinterno del tempo di
commutazione, sia maggiore di zero.
Ridurre al minimo possibile il tempo di commutazione lunica soluzione
per ridurre le perdite nel MOSFET. Per far ci, occorre caricare e scaricare Cgs
e Cgd alla massima velocit, tenendo presente quanto segue:
alte correnti di picco caricano velocemente i condensatori;
13
maggiore la corrente nominale del MOS, pi tempo serve per la com-
mutazione perch i condensatori interni sono di dimensioni maggiori.
Le perdite in DC dipendono dalla resistenza differenziale interna del MOS
in saturazione, denominata r dson e di valore prossimo a 1 . Applicando la legge
di Ohm:
Pr ds = r dson I media 2
dove I media la corrente media che scorre nel MOS quando attivo, e il
duty-cycle dellalimentatore.
Giunti a questo punto, utile proporre una tabella comparativa tra i MOS a
canale N e quelli a canale P per evidenziarne alcune differenze, poich alcune
tipologie di switching prevedono i PMOS e altre gli NMOS.
Verso del-
Quando Costo in uguali
MOS Quando ON? la corren- r dson
spento blocca 1: condizioni
te
ID = 1 A 0,4 V 1,05 V
ID = 1 A 0,55 V
massima
a 25C
I D = 3,1 A 0,875 V 1,25 V
1
La presenza del diodo interno causa il mancato blocco di tensioni di polarit opposta a quella indicata.
14
facile intuire che, con minore caduta in fase di conduzione, si riduce la
potenza dissipata dal diodo, e quindi il vantaggio degli Schottky decisivo. Al-
tri aspetti, per, vanno a discapito di questa tecnologia.
Bisogna ammettere che anche i diodi standard hanno i loro vantaggi. No-
nostante questo, finora per diodo standard abbiamo inteso quelli rettificatori
(es. 1N4007), in grado di lavorare alle frequenze di rete, cio tra i 50 e i 100
Hz. Questa frequenza di lavoro totalmente inadeguata alle migliaia di commu-
tazioni al secondo previste in uno switching, quindi gli Schottky sono una delle
migliori alternative.
Nel panorama dei diodi al silicio esistono per anche i diodi al silicio ve-
loci (es. 1N4148), che presentano un basso valore di t rr ( 3). La scelta pu essere
a favore di questi modelli solo nel caso in cui il loro valore di t rr sia di molto
inferiore al tempo di commutazione previsto:
t rr << t comm
2
In fase di progetto, i valori qui considerati vanno aumentati almeno del 50%, per considerare il caso
peggiore.
3
Il Reverse Recovery Time (Tempo di recupero inverso) il tempo impiegato dal diodo perch esso,
trovandosi in stato ON ed essendo correttamente pilotato, commuti allo stato OFF.
4
Data la difficolt nel calcolare larea, i costruttori di ferriti approntano apposite tabelle dalle quali rica-
vare i dati utili.
15
infatti, possiede (come ogni materiale) una propria resistivit (). Se, per, il
nucleo di ferrite, vera la seguente caratteristica:
conduttore
ferrite =
1.000.000.000
per cui le perdite per correnti indotte sono praticamente inesistenti.
16
PARTE PRIMA
***
I CONVERTITORI
DC-DC
FONDAMENTALI
17
II
Isolamento ingresso-uscita
5
Non raro limpiego di fotoaccoppiatori, i quali possono sopportare tensioni di migliaia di volt tra i
propri ingressi e uscite.
18
III
Tipologia boost
2
+ +
L
Vin 1 C Vout
CONTROLLO
19
importante sottolineare il compito di C, che livella la forma di Vout, al-
trimenti impulsiva.
Il ciclo di commutazione degli interruttori avviene alcune migliaia di volte
al secondo. A questo punto si pu definire unimportantissima relazione, che
varr anche in futuro e vale sempre in genere:
+ 12 V
L1
D1
P1 Q1
C1 C2 CARICO
(minimo 800 R)
R1
20
I calcoli si effettuano sulla base di una stima iniziale del rendimento . Per
questo, la modalit operativa viene definita come bilancio di potenza iterativo,
da effettuarsi in diversi passaggi.
4) Duty-cycle
Supponendo il MOS come perfetto:
V Lon = 12 V
Supponendo il diodo come perfetto:
V Loff = (24 12) V = 12 V
Quindi:
12 t on = 12 t off
i due tempi sono uguali: = 50%
21
I L 0,15
t on = L =L = L 0,0125
VL 12
Linduttanza va scelta con un compromesso. Per far ci, ho considerato i
parametri di alcune induttanze commerciali per valutare quale fosse quella mi-
gliore al nostro scopo.
L t fase1 I MAX
fcomm = considerazioni
[H] [s] 100 t on [A]
220 2,75 182 kHz 0,6 ACCETTABILE 6
470 5,875 85 kHz 0,4 al limite
1000 12,5 40 kHz 0,3 sottodimensionata
8) Condensatore di uscita
C2 non ha un flusso continuo, ma solo in fase 2 viene caricato.
Il valore di C2 dipende dal carico e dal ripple di Vout che consideriamo
come tollerabile.
In fase 1 e fase 2 c lo stesso ripple su C2, quindi possiamo effettuare il
calcolo in una sola condizione delle due.
Nel corso della fase 1, C2 si scarica sul carico.
t fase1 = 2,75 s
V = 100 mV un valore ottimale (il massimo tollerabile)
I = 0,12 A
Ricordando le leggi del condensatore:
t 2,75 10 -6 s
C2 = I = 0,12 A = 3,3 F
V 0,1 V
6
Accettabile nonostante fcomm = 180 kHz sia un po' elevata.
22
+ 12 V
+ 12 V
BC337
8
R2
R
2 3
VCC
TR Q P1
7
DIS
GND
C1 5 6 BC327
CV THR R1
C3 555
1
+ 12 V
C2
TR1
+ 12 V
L1
D1
BC337
4
R2
R
2 3 Q1
VCC
TR Q
7
DIS
CARICO
GND
5 6 R1 BC327
C3 C1 CV THR C2
555
1
R3
C4 C5
TR1
23
IV
Tipologia buck
+ 1
+
L
Vin 2 C Vout
CONTROLLO
Appare subito evidente lanalogia con la tipologia boost, del quale vengo-
no conservati gli elementi di comando (interruttori 1 e 2) e linduttanza (L),
soltanto invertiti di posizione tra loro.
I due interruttori, pilotati correttamente, forniscono onda quadra al filtro
duscita LC. Quando linterruttore 1 disattivato, la corrente circola liberamen-
te attraverso luscita e laltro interruttore.
24
Iin media
Iout =
1
Analogamente a un trasformatore con rapporto di trasformazione accade
che:
Vout Iin media
=
Vin Iout
Il ripple della tensione di uscita, nellordine dei millivolt e da considerare
nei calcoli, calcolato con integrali e vale:
1 1 I T I T
Vout = L = L
C 2 2 2 8C
che, uguagliando ad altra formula che tralascio in questa sede, uguale a:
Vout (Vin Vout)
8 f 2 LC Vin
+ PMOS
+
L
Vin D C Vout
CONTROLLO
25
I calcoli si effettuano, come nella tipologia boost, ipotizzando inizialmente
il rendimento ed effettuando il bilancio di potenza iterativo.
4) Ripple di I L
I mediaL = I carico
Il ripple va scelto tra il
20% e il 50%. Con piccoli va-
lori di ripple servono conden-
satori di uscita piccoli, si ha
Iout min pi piccola, ma servono
induttanze pi grandi.
5) MOSFET
Parametri:
Vds < V Dss (tra D e S, massima)
Ids < I D (di drain, massima)
Quando si accende, Vout = 0 sul MOS c tutta la Vin.
|Vds min | = Vin MAX = 14 V
(valore assoluto: nei PMOS, V Dss e I D sono negative)
I valori in datasheet sono a 25C, ma con le perdite per commutazione la
temperatura sale e, quindi, scende I D .
va scelto un MOS che, a 25C, presenta:
I D(MAX)25 C = (24) I MAXvoluta (da 2 a 4 volte tanto)
I L 0,8
I L(MAX) = I media + =4+ = 4,4 A
2 2
serve un MOS che, a 25C, abbia I D(MAX) = 8,8 17,6 A, con valutazio-
ne successiva delle perdite (ed eventuale ricalcolo del MOS se sono troppo ele-
vate).
26
6) Duty-cycle
|V Lon | t on = |V Loff | t off
V Lon = Vin Vr ds Vout = 12 0,3 (7) 4 A 5 = 5,8 V
V Loff = Vout + V D = 5 + 0,5(8) = 5,5 V
Quindi:
5,8 t on = 5,5 t off
i due tempi sono quasi uguali: = 48,7%
Non tiene conto delle variazioni di Vin, ma torna utile per switching senza
controllo e per regolatori PWM.
9) Rendimento
Pin = Pout + P dissipata
Pout 20
= 100 = 100 = 83%
Pin 20 + 4,1
Poich finale > stima , si pu evitare di ricalcolare (dal punto 2)) perch
lalimentatore funzioner bene per il valore stimato in 80% e con un bel margi-
ne di sicurezza.
7
Per il MOS scelto, rDS(on) = 0,3 .
8
V = 0,5 V per diodi Schottky (sarebbe 1 V per diodi standard).
9
Per linduttanza scelta, RL = 0,046 .
27
I C triangolare rispetto a un boost, Cout minore
VESR
a. ESR =
I
Si pu ipotizzare V ESR = 90% V tot
b. Scegliere C con ESR C < ESR calcolato
c. Calcolare I ripple(off) :
1
I ripple(off) = I picco (valore efficace di unonda triangolare,
3
valida perch = 50% circa)
Scegliere C con I Cnominale < I ripple(off) .
d. V C (ripple dovuto a C):
I picco
V C =
8 C f comm
e. Se V C + V ESR non accettabile, bisogna ricalcolare dal punto a.
28
Vin (12 V)
C2 BC337
R1
al gate del MOS
6
1 8
SW-C DRV-C BC327
VCC GND
2 7
SW-E Ipk-S
3 5 R4
TC COMP - Vout
U1
4
C3 MC34063 R2 R3
Abbiamo:
R1 = 1 k C2 = 100 nF
R2 = 2,2 k (1%) C3 = 1 F
R3 = 2,2 k (1%)
R4 = 3,3 k (1%)
Q1
BC337
C1 C2 R1
6
1 8
SW-C DRV-C BC327
VCC GND
D1
2 7
SW-E Ipk-S
3 5 R4
TC COMP -
U1
4
C3 MC34063 R2 R3 C4
29
R2 = 2,2 k (1%) C2 = 100 nF
R3 = 2,2 k (1%) C3 = 1 F
R4 = 3,3 k (1%) C4 = 1000 F, 6,3 V, 105C
D1 = 1N5821 L1 = 100 H
F1 = fusibile T, 3,15 A
Alcune considerazioni.
Usando il push-pull esterno (coi due BJT) possiamo usare un solo BJT
interno al MC 34063.
Il fusibile deve essere ritardato (cio di tipo T) perch I picco > I media e i
picchi di corrente sono pi rapidi di quelli degli alimentatori tradizionali.
Sul MOS serve un dissipatore da circa 20C/W.
P dissMOS = 2,338 W
T = 2,338 W 20C/W = 47C (da aggiungere alla T la voro del MOS)
Il diodo uno Schottky da 30 V, 3 A. Questo perch I mediaON = 4 A,
quindi I media = I mediaON = 2 A.
Per Iout e ho ritenuto opportuno realizzare due grafici della loro varia-
zione rispetto al carico, per evidenziarne landamento.
3
Iout [A]
0
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
R []
30
Buck - Rendimento
87
86
85
84
83
82
81
80
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
R []
31
V
Tipologia inverting
1 2
+ -
Vin L C Vout
CONTROLLO
32
inferiore a zero. Proprio 2 collega il condensatore di uscita allinduttanza, per-
mettendo a L di scaricarsi su C, che a sua volta si carica. Alla successiva com-
mutazione di 1 e 2, Vout non sar pi uguale a 0, ma alla tensione accumulata
da C ai suoi capi.
Uguagliando le due variazioni di corrente su L:
t
Vout = Vin on
t off
La corrente media necessaria in ingresso (per la quale vale la relazione tra
tensioni e correnti vista nel buck) :
t
Iin media = Iout on
t off
Il ripple della Vout vale:
Iout Iout Vout
Vout = t on =
C f C (Vin + Vout)
D
+ PMOS A -
Vin L C Vout
CONTROLLO
33
2) Stima del rendimento. Massima potenza in ingresso
Scelgo = 80%.
Pout
= 100 Pin MAX = 1,25 W (> Pout MAX)
Pin
4) Ripple di I L
I mediaL non coincide n con Iin, n con I carico.
ILmax
0
Iout
toff ton
Applicando le similitudini dei triangoli rettangoli:
t Iout
I L(MAX) = 2 Iout on = 2
t off + 1 1
5) Duty-cycle
|V Lon| t on = |V Loff | t off
Non conosciamo n , n I L(MAX) , quindi non possiamo calcolare V rds(on) . A
causa di ci, valutandola come trascurabile assumiamo:
V Lon = Vin nomina le = 6 V
Usando uno Schottky con V = 0,5 V:
|V Loff | = |Vout| + V = 5 + 0,5 = 5,5 V
6 t on = 5,5 t off t on = 0,917 t off
= 47,8%
Se calcoliamo con V Lon = Vin min = 4,8 V = 53,4%
Se calcoliamo con V Lon = Vin MAX = 6,8 V = 46,2%
Iout 0,2
I L(MAX) = 2 =2 = 0,766 A
1 nom 1 0,478
Iout 0, 2
I L(MAX) = 2 =2 = 0,743 A
1 min 1 0,462
Iout 0,2
I L(MAX) = 2 =2 = 0,858 A
1 MAX 1 0,534
V
Sapendo che I L = L t on :
L
34
VL V
I L(MAX) = Tcomm = L
L L f comm
V
fcomm L = L L
fcomm considerazioni
I L(MAX) [H]
Tra le I L(MAX) calcolate, leggermente
scegliamo la maggiore (che 100 29,9 kHz sottodimensionata
corrisponde a MAX e a Vin min). ma ACCETTABILE
Linduttanza stata scelta con un 220 13,6 kHz hanno fcomm troppo
compromesso, tra quelle proposte 470 6,4 kHz basse
nella tabella a lato.
6) MOSFET
Parametri:
Vds < V Dss (tra D e S, massima)
Isd < I D (di drain, massima)
Il caso peggiore si ha quando VinMAX, Vout e V .
|Vds min | = 6,4 ( 5 0,5) = 11,9 V
Serve un MOS con 1,7 A I D 3,4 A. Ricordando che
IRLML 6402 servono almeno 10 V tra gate e source per attivarlo, e aven-
3,7 A do Vin min = 4,8 V (tra laltro con eventuali cadute di tensio-
20 V ne), serve un MOS particolare. Esistono MOSFET logic-
rds = 0,065 level che si accendono con |Vgs| = 4,5 V oppure con |Vgs| =
|Vgson| = 2,25 V 2,5 V (a seconda del tipo scelto). Il modello nel riquadro a
fianco appartiene a questa categoria e rispetta i parametri imposti.
V MOS = I L(MAX) r ds = 0,858 0,065 = 56 mV
Vin = 6,4 V
10
Per linduttanza scelta, RL = 0,19 .
35
Sappiamo che I picco = 0,743 A.
2
I picco
P dissMOS = r dson = 0,004 W
2
I picco
P dissdiodo = V D diodo = 0,1 W
2
con diodo = 1 (perch il diodo attivo quando il MOS spento).
2
I picco
P dissL = R L = 0,026 W
2
In totale: P diss = 0,13 W
8) Condensatore di uscita
Lo svantaggio degli inverting, come accennato in precedenza, il forte
tratto verticale della corrente triangolare, difficile da filtrare. Sicuramente, co-
me prima considerazione, a parit di condizioni con un buck Cout sar pi gros-
so.
VESR
a. ESR =
I
Si pu ipotizzare V ESR = 90% V tot
b. Scegliere C con ESR C < ESR calcolato
c. Calcolare I ripple(off) :
I picco
I picco Iout (1 ) + I L
2
I ripple(off) = (valore efficace)
3
Scegliere C con I Cnominale < I ripple(off) .
d. V C (ripple dovuto a C):
t off
V C = (I picco Iout) 2
2 C I picco
e. Se V C + V ESR non accettabile, bisogna ricalcolare dal punto a.
36
15,6 10 -6
= (0,858 0,2) 2 = 3,9 mVpp
2 1000 10 -6 0,858
e. V tot = V C + V ESR = 3,9 + 77 = 80,9 mVpp accettabile
Vcc
D1
R1 Q1 Vout (- 5 V, 200 mA)
Vcc
L1
C4
R2 BC337
6
1 8
SW-C DRV-C
VCC GND
2 7
SW-E Ipk-S BC327
3 5 Vcc
TC COMP -
U1
4
MC34063 R3 C1 C2
C3 R4
Abbiamo:
R1 = 0,33 C1 = 220 F, 16 V
R2 = 1 k C2 = 100 nF
R3 = 3,3 k (1%) C3 = 1,5 nF
R4 = 1,1 k (1%) L1 = 100 H
Q1 = MOSFET canale P D1 = 1N5818 (Schottky)
Alcune considerazioni:
Non viene impiegata la coppia di BJT presenti internamente al MC34063.
La loro caduta di tensione pari a circa 1 V, contro quella molto inferiore (e
dunque trascurabile) del MOSFET usato abitualmente.
Il MOS viene pilotato utilizzando uno dei due BJT interni e il circuito
push-pull esterno.
37
C3 determina il valore fcomm = 30 kHz.
38
PARTE SECONDA
***
ALIMENTATORI
EVOLUTI
39
VI
Tipologia buck-boost
Gli alimentatori buck-boost sono degli ibridi delle due tipologie delle quali
portano il nome. In altre parole, si tratta di due switching posti in cascata che
condividono la stessa induttanza.
Lo schema di principio proposto di seguito.
1a 2b
+ +
L
Vin 2a 1b C Vout
CONTROLLO
Stessa massa
Tipo Complessit (teorico)
per Vin e Vout
11
La maggiore complessit dipende dal doppio numero di interruttori presenti nello schema, e alle neces-
sit di pilotaggio che si stanno per illustrare.
40
Lo schema applicativo altro non che la fusione delle due parti buck e bo-
ost con i relativi componenti, gi visti nei capitoli precedenti.
+ PMOS
+
L
CONTROLLO
Come evidenziato nello schema, serve un doppio controllo sui due MOS.
Ricordando come NMOS e PMOS necessitino di due tensioni di gate opposte
per averne la saturazione, appare chiaro che il controllo dovrebbe fornire una
tensione positiva e una negativa, con ovvi svantaggi dovuti alla necessit di un
complesso sistema per ottenere questultima.
La soluzione proposta di seguito.
+ PMOS
+
L
CONTROLLO
41
VII
Tipologie forward single-ended
e forward push-pull
D1 L
+
+
D2 C Vout
D3
Vin
1
42
Similmente funzionano i forward push-pull, che con una leggera compli-
cazione di comando permettono il raddoppio della Vout. Come prima, schema
di principio uguale a quello dutilizzo: basta sostituire gli interruttori.
D1 L
+
+ C Vout
Vin
D2
2 1
+ C Vout
Vin
D2
2 1
43
La corrente al secondario circola solo sui diodi (che fungono da diodi di
ricircolo).
Fase 2. 1: off; 2: on.
Il funzionamento identico a quello della Fase 1, ma sul semiprimario su-
periore e il semisecondario inferiore.
Fase di transizione. 1: off; 2: off.
Come nella precedente fase analoga avviene il ricircolo della corrente.
Np = Ns uguale ad 1 invariata
44
VIII
Tipologia flyback
D
+ +
C
Vin Vout
NMOS
CONTROLLO
12
Il MOS a canale N, nello schema, pu essere sostituito in analoga posizione da un BJT NPN. Se si de-
sidera, al contrario, porre un interruttore sul ramo dove applicata Vin, serve un PMOS.
13
La corrente, che non pu scorrere al carico e che cresce seguendo landamento a rampa, immagazzi-
nata nel nucleo del trasformatore sotto forma di energia magnetica.
45
Se, diversamente, si utilizzasse la
modalit continua (o CCM), tali dia-
grammi andrebbero modificati con
laggiunta di uno scalino in Ip e Is. Ad
ogni modo, la maggioranza dei flyback
sono progettati come discontinui.
Per evitare che la corrente duscita
possa arrivare al valore 0, occorre pre-
disporre un carico minimo o un regola-
tore del valore di uscita per salvaguar-
dare il circuito e la sicurezza
dellutente.
Correnti caratteristiche
di uno switching flyback.
Ip corrente sul primario
Is corrente sul secondario
Ic corrente sul condensatore duscita
Iout corrente in uscita
Pout MAX
2) Ipotizzando il rendimento: Pin MAX =
Vin VDROP
5) Ipicco MAX dipende da Vin e da t on: Ipicco MAX =
L primario t on
V DROP = V MOS + V resistenze
6) Pin MAX =
(Vin VDROP )2 t on 2 f comm
2 L primario
46
PARTE TERZA
***
CIRCUITI DI CONTROLLO
E REGOLAZIONE
47
IX
Tipologia di controllo PSM (o PFM)
Prendiamo, come esempio, lo schema globale del boost analizzato nel ca-
pitolo III, e analizziamo il comportamento della frequenza di commutazione
sullinterruttore pilotato (il MOS) per capire i due nomi della tipologia.
Se il carico basso, lo switching quasi sempre spento; va tenuto attivo
ogni tanto per ricaricare il condensatore di uscita. Se si lavora a pieno carico,
lalimentatore dovr essere sempre attivo. Questo implica che la frequenza di
commutazione (che attiva il MOS) dovr variare secondo il carico (PFM).
Analogamente, la fcomm, considerata sotto forma di impulsi, nei casi in cui
va spento lalimentatore manca di alcuni di questi impulsi, poich li salta, man-
tenendo il MOS disattivo e, quindi, aperto (PSM).
R5
Vout
R4
TR2 + 12 V
+ 12 V -
1 3 +
Vreset (555)
IN OUT
GND
C6
7805
2
Abbiamo:
R4 = 3,3 k
R5 = 15 k
TR2 = 10 k
C6 = 100 nF
48
Loperazionale, utilizzato come comparatore, pu essere un LM393, per
singola alimentazione, o analogo. Con esso si ha, nelle due condizioni (e ricor-
dando che il 555 ha reset attivo basso):
a) v > v+ V reset = 0 555 fermo
a) v+ > v V reset = alta impedenza 555 attivo
Vin Vout
carico
[V] [V]
10,8 no 17,99
10,8 200 17,95
13,2 no 18,02
13,2 200 18,04
Le variazioni subite da Vout sono in un range dello 0,3%, perci molto ri-
dotte rispetto al quasi 4% riscontrato senza il controllo.
49
X
Tipologia di controllo PWM
Voltage-Mode (VM)
La versione VM prevede che luscita del controllo dipenda dal solo valore
di Vout.
Current-Mode (CM)
50
direttamente dipendente dal riferimento di tensione impostato.
Poich, come noto, per effettuare confronti si predilige luso della tensio-
ne, I L viene convertita in V L con una semplice resistenza: in tal modo, le due
grandezze sono direttamente proporzionali tra loro, secondo la costante R.
Qualora aumentasse la corrente richiesta dal carico (Iout), la tensione di
errore aumenterebbe a sua volta in modo che il t on sia pi alto per soddisfare le
richieste delluscita. Modificandosi il t on, cambia pure che, in questo caso,
aumenta.
51
Confronto tra VM e CM
Poich non sono molto chiare le differenze tra i due tipi di PWM, credo
che un confronto a due in tabella (relativo ad alcune caratteristiche peculiari)
possa sciogliere diversi dubbi ed agevolare la comprensione.
Parametro VM CM SCELTA
52
PARTE QUARTA
***
CONSIDERAZIONI
CONCLUSIVE
53
XI
Componenti particolari
per alimentatori switching
14
Non parliamo, poi, di costo dei componenti, e della loro reperibilit e scambievolezza.
15
Diodo Schottky: particolare tipo di diodo a veloce commutazione (inferiore a 1 ns), possibile grazie alla
presenza di uno strato (quello dell'anodo) formato da alluminio, piuttosto che da silicio. In questo mo-
do, il flusso degli elettroni tra le due zone del diodo molto pi rapido, a fronte di una caduta standard
V = 0,3 V.
16
SCR (Silicon Controlled Rectifier): si tratta di un tiristore (diodo a 4 strati, in cui si alternano le zone P
alle zone N) unidirezionale, dotato di un terminale di controllo (gate) per consentire o interrompere il
flusso della corrente quando impiegato nei circuiti di potenza.
17
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor): questi recenti transistor sono considerabili come dei BJT
con ingresso di base (gate) ad alta impedenza, in maniera analoga ai MOS. Si elimina, cos, il proble-
ma dellassorbimento di corrente proprio dei BJT, permettendo di lavorare con una notevole efficienza
soprattutto alle alte potenze, sia in commutazione che in zona attiva.
54
in Alta Tensione: economici
BJT
in Bassa Tensione: se non possibile pilotare un MOS
facile comando in tensione
MOSFET
UTILIZZO PREVALENTE
circuiti a comando complesso
SCR
non molto utilizzati
Condensatori
Tipo di condensatore
ESR Utilizzo
(massima T operativa)
Elettrolitico 85 standard Mai riportato Mai
Sempre riportato
Elettrolitico 105 standard UNIVERSALE
e idoneo
Casi speciali
Tantalio solido Bassissimo
Bassa tensione
Casi speciali
Ceramico Bassissimo
Bassa tensione
55
Per dare unidea di cosa
comporti il mancato utilizzo
di un condensatore idoneo, si
osservi la foto a lato. Si trat-
ta di due condensatori pre-
senti allinterno di un ali-
mentatore per PC, ovviamen-
te switching. Leggendo sul
corpo dei condensatori si no-
ta la dicitura 85, il che
significa che essi sono sotto-
dimensionati per il loro im-
piego (la tabella prescrive di
non utilizzare mai questi
condensatori): infatti, evidente la fuoriuscita dellelettrolita causata dal man-
cato rispetto delle regole di dimensionamento, e conseguentemente dallo stress
subito da questi componenti.
18
La comodit di questo parametro dipende dalla sua presenza sui datasheet, generalmente con unit di
misura in nH.
56
L = AL N2
MC 34063 (PFM)
6
1 8
SW-C DRV-C
VCC GND
19
Trattamento ad alta pressione e temperatura di ossidi di ferro.
57
PILOTAGGIO del COLLETTORE
S Q SWITCH di COLLETTORE
R
Ipk-S
SWITCH di EMETTITORE
OSCILLATORE
Ct CAPACIT di TEMPORIZZAZIONE
Vref
+
1,25 V
-
0,7 V
t
~ 6t t
CARICA SCARICA
Dai dati in nostro possesso, si nota che t CARICA > t SCARICA di circa 6 volte,
in quanto il rapporto tra le due correnti di carica e scarica quasi 6.
La scarica di C T provoca il reset del flip-flop interno, e la conseguente in-
terdizione dei BJT di uscita. Nel corso della carica di C T , se Vout (presente
sullingresso invertente del comparatore) minore di 1,25 V si setta il flip-flop
e si attivano i BJT; luscita rimane attiva fino al successivo impulso di reset.
Il circuito di protezione controlla la caduta di tensione (V R ) ai capi di una
piccola resistenza posta tra Vcc e Ipk-S. Se V R > 0,330 V, la corrente di carica
di C T aumenta oltre il limite di 35 A per accelerare lo spegnimento dello swi-
58
tching. Il valore della resistenza R dipende dalla massima corrente di picco che
vogliamo ammettere per il nostro alimentatore:
0,33 V
R= []
I picco
2
1 7
Vref = 1 V; OUT RT
VCC GND
Vref = 2,5 V; 3
COMP DTC
6
comparatore a 3 ingressi;
4 5
op-amp amplificatore derrore; FB SPC
uscita a BJT (open-collector);
8
U?
controllo di MAX (DTC); TL5001
protezione dai cortocircuiti (SCP, Short-Circuit Protection);
oscillatore a onda triangolare, con frequenza regolabile tramite resisten-
za (RT).
Sembra incredibile, ma tutto questo stato implementato in un unico cir-
cuito integrato a soli 8 pin, il TL 5001, dalla Texas Instruments. Propongo im-
mediatamente il complesso schema interno di questo controller PWM Voltage-
Mode.
2 VCC 6 DTC
UVLO
X?
Vref
1
OUT
1 V Idt
AMP. ERRORE
4 +
FB - 8
PWM/DTC comp. GND
3
COMP
5 OSCILLATORE
SCP
7 RT TL 5001
Il cuore dellintero sistema il comparatore tra londa triangolare e la ten-
sione fornita dallutente attraverso il pin COMP. Questultima determina la lar-
ghezza degli impulsi in uscita, poich sposta il riferimento del comparatore che
converte londa triangolare (delloscillatore) in rettangolare.
59
INGRESSI
1,2 V
1V
0,8 V
0,6 V
t
USCITA
per VCOMP = 0,8 V
t
USCITA
per VCOMP = 1 V
t impulso V COMP
P = Vin Iin
60
Q3 D2
Vin (9-18 V) Vout (12 V, 500 mA)
L1
R7 Q1 Q4
C1 C2 D1 C6
Q2
2
1 7
OUT RT
VCC GND
3 6
COMP DTC
4 5
R1 FB SPC
8
C3 U1
R2 TL5001 R5 R6
C4
R3A R3B
R4 C5
Abbiamo:
R1 = 1 k C1 = 220 F, 25 V
R2 = 1 k (1%) C2 = 100 nF
R3A = 1 k (1%) C3 = 1 nF
R3B = 10 k (1%) C4 = 1 F
R4 = 2,2 k C5 = 4,7 nF
R5 = 220 k C6 = 470 F, 50 V, 105
R6 = 220 k L1 = 50 H
R7 = 2,2 k
D1 = D2 = 1N5818 (Schottky)
Q1 = BJT NPN
Q2 = BJT PNP
Q3 = MOSFET canale P
Q4 = MOSFET canale N
Alcune considerazioni:
R5 limita il duty-cycle massimo: funge, perci, da protezione contro i
cortocircuiti. In questo caso specifico, MAX = 59% limite = 70%.
61
R1, C3, C4, R4, C5 modellano la risposta in frequenza dellanello di rea-
zione: danno stabilit e prontezza di risposta alle variazioni.
20
La configurazione totem-pole consente il pilotaggio attivo delluscita verso massa o verso
lalimentazione positiva (Vcc). A causa della struttura, identica a quella del push-pull se non fosse per
la presenza di un secondo BJT NPN al posto del PNP, luscita pu erogare o assorbire corrente anche il
misura piuttosto elevata.
62
ingresso per lo spegnimento dellintegrato (attivo
basso)
uscita (totem-pole) per pilotaggio dellinterruttore a
11 OUT A OUT
semiconduttore
12 GND
tensione di alimentazione del totem-pole, se deve
13 VC IN
essere diversa da VCC
uscita (totem-pole) per pilotaggio dellinterruttore a
14 OUT B OUT
semiconduttore
tensione di alimentazione
15 VCC VCC = 8 35 V
lintegrato non lavora per VCC < 8 V
uscita della tensione di riferimento
Vref = 5,1 V (nominale)
16 VREF OUT
conviene frapporre un condensatore ceramico fra il
pin e massa
7
Sempre Motorola propone in catalogo una intera se- 1 C O M P VREF
8
VCC GND
rie di controllori dedicati alla modulazione PWM con 2 6
controllo in corrente. VFB OUT
Esistono 4 differenti modelli allinterno della serie. 3 4
CS RT/CT
Le differenze tra i vari tipi sono minime e riguardano il
5
massimo duty-cycle e il minimo valore di tensione per il U?
UC384X
funzionamento (UVLO), che ho riassunto in una tabella.
63
1,72
UC 3842-3: foscilla tore =
R T CT
1,72
UC 3844-5: foscilla tore =
2 R T CT
5 GND
uscita (totem-pole)
6 OUTPUT OUT
alta corrente di picco (fino a 1 A)
tensione di alimentazione
7 VCC
VCC = V UVLOmin 34 V
uscita della tensione di riferimento
8 VREF OUT Vref = 5,0 V (nominale)
I sink(MAX) = 50 mA
Vin
Cf
C
al trasf.
Rf C
7
1 8
COMP VREF
VCC GND
Rp1 Rg NMOS
2 6
VFB OUT
Vout RT
3 4
CS RT/CT Ds
Rp2 Cp
5
Cfil U1 CT
UC384X
Rfil
Rsense
64
RT Determinano la foscillatore.
CT Per aumentare la stabilit, R T collegata a Vref (tensione stabilizzata).
Disaccoppia e filtra.
C
C = 100 nF
Proteggono dalla sovratensione negativa causata, durante le commuta-
Ds
zioni, dallinduttanza parassita (tra il pin OUT e il MOS) e dalla capaci-
Rg
t di gate.
Rfil Filtrano la rampa 21 di tensione (causata da I su Rsense) che determina il
Cfil corretto funzionamento della retroazione in corrente.
LM 2751
21
Il trasformatore possiede una capacit parassita, in parallelo al primario. Questa capacit si carica molto
brevemente, causando un forte picco di corrente che interrompe (prima del previsto) il periodo attivo
dello switching. Il filtro consente un incremento lineare ed innocuo di questa capacit.
65
(a 80 mA). Poich il LM 2751 stato pensato per dispositivi portatili, tutto il
necessario al suo interno, tranne quattro condensatori ceramici (C1 e C2 come
serbatoi di carica, C IN e C OUT come filtri dingresso e uscita) che lutente deve
porre esternamente, come ben visibile nello schema applicativo, sotto.
66
XII
Confronto tra alimentatori lineari
e alimentatori switching
Giunti al termine del lungo excursus col quale abbiamo tentato di adden-
trarci nel mondo degli alimentatori a commutazione, quantomeno doveroso
proporre una comparazione tra questi potenti apparecchi e i tradizionalissimi a-
limentatori lineari, usualmente oggetto di studio nelle scuole e spesso preferit i
per alcune caratteristiche peculiari.
Neanche a dirlo, quale metodo migliore di un confronto in tabella per ave-
re facilmente sottocchio pro e contro?
Lineari Switching
Semplicit
(circuito, semplici complessi
funzionamento)
trasformatore piccoli componenti
Ingombro
grande ingombro piccolo ingombro
alte potenze
Potenza ottenibile basse potenze (< 50 W)
(fino ad alcuni kW)
grande P diss sul controllo
Potenza dissipata poca P diss sul controllo
(specie nei regolatori
internamente ( lavora in commutazione)
con uscita variabile)
67
Ringraziamenti
Un sentito grazie al prof. Daniele Casadei Lelli, che ha risolto una mia
battaglia pluriennale con il software di videoscrittura.
Aggiungo pure i proff. Carlo Sansovini e Corrado Maldini i quali, con gli
altri, hanno appoggiato questo progetto. Devo delle scuse a tutti per non averlo
portato pienamente a compimento, secondo il programma preventivato, impe-
dendo unopera pi completa e un loro coinvolgimento maggiore.
Non posso non essere riconoscente nei confronti di tutti coloro i quali mi
hanno aiutato e sostenuto in tutti questi anni; su tutti, i miei genitori, che si so-
no sempre fatti in quattro per permettermi di studiare con buoni risultati; i miei
insegnanti, cui spero di aver dato, almeno per qualche breve attimo, delle sod-
disfazioni; i miei compagni di avventura e amici visti per poco e poi mai pi,
ognuno dei quali stato prezioso a suo modo.
Marco Alessandrini
68