Appunti su Scariche di Plasma per Applicazioni Tecnologiche

Andrea Macchi polyLAB, CNR-INFM, Dipartimento di Fisica E. Fermi, Universit` a di Pisa, Largo B. Pontecorvo 3, 56127 Pisa, Italy
(Dated: 3 maggio 2011)

Electronic address: macchi@df.unipi.it

Contents
I. Introduzione II. Regimi DC. Il tubo di scarica A. Scariche oscure. Regime di Townsend B. Coeciente di ionizzazione C. Breakdown elettrico D. Scariche luminose (glow ) 1. Scariche normali E. La regione del catodo F. Descrizione delle regioni luminose G. La corrente in regime di normal glow 1. Altri tipi di scariche glow H. Archi elettrici 1. Forze magnetiche ed eetto pinch 2. Formazione di getti 3. Bilancio energetico III. Scariche transienti: la Dielectric Barrier Discharge (DBD) 4. Fenomenologia della DBD 5. Parametri caratteristici della DBD 6. Modello semplice della scarica DBD 7. DBD a corrente alternata 8. Figura di Lissajous 9. Eetti collettivi IV. Sheaths DC A. Sheath non collisionale. Criterio di Bohm B. La regione di presheath. Il problema del raccordo C. Sheath ad alto voltaggio. Legge di Child D. Sonde elettrostatiche V. Modelli di scariche AC 4 6 6 9 10 13 13 14 16 16 17 18 20 21 21 23 23 24 26 31 33 33 35 37 41 42 43 44

A. Scariche capacitive in AC 1. Modello omogeneo 2. Bilancio di energia. Riscaldamento Ohmico 3. Riscaldamento non collisionale o stocastico 4. Modelli e schemi avanzati B. Scariche induttive C. Scariche elettromagnetiche 1. ECR 2. Helicon 3. Onde di supercie A. 1. Legge di Child per il diodo a vuoto Riferimenti bibliograci

44 45 47 49 51 53 56 56 58 58 60 60 64

I. INTRODUZIONE

Lo studio dei plasmi debolmente ionizzati che si possono creare inducendo elettricamente una scarica in un gas ha prima di tutto un interesse storico; luso del termine plasma risale infatti a Langmuir (1928) che lus` o per indicare la regione quasi-neutra in un tubo di scarica (sez.II.G.1). Alcuni problemi classici, quali la modellizzazione della regione di contatto tra plasma ed elettrodi metallici (sez.IV) hanno origine in questo contesto ma sono tuttoggi oggetto di indagine e discussione. Lo stesso Langmuir ricevette nel 1932 il premio Nobel per il suo contributo alla chimica delle superci. Questo ci introduce alla seconda motivazione dello studio delle scariche a plasma, ovvero alla loro applicazione tecnologica per il trattamento e la modica superciale dei materiali. La base di queste applicazioni ` e il fatto che la generazione di una scarica in un gas chimicamente inerte produce una quantit` a di specie atomiche e ioniche chimicamente attive, che interagiscono fortemente con la supercie dei materiali modicandone lenergia superciale e le propriet` a connesse (adesivit` a, bagnabilit` a, . . . ), o rimuovendo impurezze e distruggendo microorganismi (pulizia, sterilizzazione), o formandovi strati sottili ed eventualmente nanostrutture (deposizione e nanofabbricazione al plasma). Un esempio particolarmente importante ` e lapplicazione alla microincisione (etching ) del Silicio per la produzione di microprocessori, che oltre a contribuire al raggiungimento di precisione nanometrica nella fabbricazione dei circuiti integrati ha permesso fra laltro la riduzione dellinquinamento dovuto agli agenti chimici usati in precedenza. La produzione di specie chimiche non ` e per` o limitata alle superci in contatto con essa, ma pu` o avvenire anche nel volume stesso del gas, come ad esempio nella produzione di Ozono in celle di scarica del tipo di quelle che saranno descritte nella sez.III. Da questo punto di vista i fulmini nellatmosfera terrestre cosituiscono un reattore al plasma naturale, che probabilmente contribuisce a generare molecole essenziali alla vita, ad esempio inducendo la ssazione (ossidazione) dellazoto poi assorbito dalle piante (v. ad es. Uman, 2001, e referenze incluse). Questo riferimento ai fulmini richiama unulteriore applicazione delle scariche come sorgenti luminose nella regione visibile ma in particolare nellultravioletto, funzione che trova applicazione nei familiari schermi al plasma (v. sez.III). Il principale fattore di merito delle scariche a plasma per linduzione di particolari reazioni chimiche o processi atomici ` e che questi ultimi richiedono comunemente unalta energia di attivazione e sono comunque diclmente ottenibili per via chimica tradizionale; la rottura dei legami dei ragenti e la formazione di specie ionizzate che partecipano ad una reazione o la catalizzano ` e indotta dagli ` quindi spesso fondamentale elettroni o dagli ioni ad energia relativamente alta presenti nel plasma. E 4

che il plasma prodotto in una scarica sia in genere lontano dallequilibrio termodinamico; infatti nel caso di un trattamento superciale di un materiale, se la reazione desiderata dovesse avvenire in condizioni di equilibrio termico la temperatura sarebbe tale da distruggere il materiale da trattare. In generale nelle scariche le particelle energetiche che inducono le reazioni desiderate possono essere una minoranza delle specie presenti, cosicch e la densit a media di energia del plasma ` e modesta e non induce danneggiamenti del materiale da trattare o degli elettrodi del dispositivo di scarica. Nonostante lo studio delle scariche di plasma abbia una lunga storia, e dispositivi di scarica siano utilizzati ecientemente e adabilmente in macchinari e processi industriali, la sica sottostante non ` e completamente ben compresa. In molti aspetti, una migliore comprensione di base, un ranamento dei modelli sici sottostanti e la possibilit` a di produrre simulazioni numeriche avanzate a partire da essi, rappresenta la via al progresso e lottimizzazione delle applicazioni tecnologiche relative. In questi appunti ci limitiamo ad una descrizione sommaria della sica delle scariche, secondo il seguente ordine. Dapprima forniamo una descrizione del classico tubo di scarica seguendone la caratteristica tensionecorrente attraverso i vari regimi (scariche oscure e luminose, archi) e accenniamo poi brevemente alla dierenza tra regimi di alimentazione in continua o a corrente alternata di data frequenza. Quindi consideriamo il problema della formazione delle sheaths, ovvero degli strati carichi vicino alle superci degli elettrodi in contatto col plasma, la cui sica determina la maggior parte degli eetti di modica delle superci. Inne, trattiamo le nozioni di base per dispositivi di scarica che operano alla pressione atmosferica, con particolare riguardo allo schema DBD, e un accenno agli obiettivi della ricerca attuale. Nel seguito ci limitiamo ad un livello qualitativo o semi-quantitativo senza entrare dettagli tecnici, che possono essere trovati in altre fonti (Lieberman and Lichtenberg, 2005; Roth, 1995, 2001). Tralasciamo anche gli aspetti di chimica del plasma relativi a come specie ionizzate o particelle ad energia relativamente alta reagiscono per formare nuove specie chimiche (vedere ad esempio (Chan et al., 1996) per una rassegna orientata alla modica superciale di materiali polimerici). La trattazione ` e essenzialmente basata su due testi di riferimento (Roth, 1995, 2001) pi` u altre eventuali fonti sparse1 .
1

Referenze probabilmente signicative ma non facilmente reperibili sono indicati non in bibliograa ma nelle note a pi` e di pagina.

Figura 1 Schema dellapparato per misurare la caratteristica V-I di un tubo di scarica a bassa pressione (Roth, 1995, sec.4.9). II. REGIMI DC. IL TUBO DI SCARICA

Storicamente, lo studio sperimentale delle scariche in un gas sottoposto ad un campo elettrico costante (scariche in corrente continua o DC) ` e basato su un tubo di scarica a bassa pressione del tipo mostrato in g.1. Questo tubo ` e del tutto simile ai comuni tubi al neon usati per illuminazione. La misura della caratteristica corrente-tensione (V I ) del tubo fornisce landamento tipico mostrato in g.2. Appare quindi evidente come la relazione tra V e I sia fortemente nonlineare e come lungo la curva si incontrino transizioni tra dierenti regimi, con variazioni molto grandi ed improvvise della conducibilit` a del gas. Nei prossimi paragra seguiremo landamento V I lungo la curva di g.2 descrivendo la sica dei diversi regimi. Inizialmente, e salvo diverso avviso, ci riferiremo per semplicit` a ad una geometria piana e unidimensionale, con catodo e anodo planari e separati da una distanza d.

A. Scariche oscure. Regime di Townsend

La parte della curva di g.2 che va dal punto A al punto E corrisponde alla regione di scarica oscura (dark discharge ) in quanto non viene emessa radiazione visibile. Al variare della tensione V , lintensit` a di corrente I si mantiene dapprima costante (tratto verticale BC della curva V I in g.2); il valore corrispondente Isat ` e detto corrente di saturazione. Come discusso nel seguito, in 6

Figura 2 Tipica caratteristica V I di un tubo di scarica a bassa pressione alimentato in DC (Roth, 1995, sec.4.9).

questo regime il passaggio di corrente ` e dovuto al basso livello di ionizzazione presente in un gas (background ionization ) come risultato dellazione di raggi cosmici o altre radiazioni ionizzanti. Il campo applicato ` e in grado di estrarre dal volume gli elettroni e gli ioni liberi ma non di produrre nuova ionizzazione. Aumentando il valore di V e quindi del campo elettrico, un elettrone tra due urti successivi pu` o guadagnare abbastanza energia da ionizzare uno ione. Si ha quindi una moltiplicazione a valanga dei portatori di carica che corrisponde ad un andamento esponenziale della corrente in funzione della tensione applicata. Questo regime prende il nome di scarica di Townsend (da J. S. E. Townsend 1865-1957). Nel formulare un modello per la scarica di Townsend, lipotesi fondamentale di partenza ` e che la probabilit` a che un elettrone eettui una collisione ionizzante con un atomo del gas, liberando un ulteriore elettrone, sia proporzionale alla distanza percorsa. Sia x la coordinata lungo lasse del tubo nella direzione che va dal catodo (x = 0) allanodo (x = d). Sia Fe = Fe (x) il usso di elettroni lungo il tubo di scarica (tale che la densit` a di corrente degli elettroni ` e Je = eFe ) nel punto x. Nel tratto fra x e x + dx il usso aumenter` a proporzionalmente alla lunghezza del tratto, al numero di elettroni entranti, e alla probabilit` a di collisione ionizzante. In assenza di altri processi, possiamo

quindi scrivere unequazione della seguente forma dFe = Fe dx (1)

dove ` e la probabilit` a di ionizzazione per unit` a di lunghezza, e prende il nome di (primo )2 coeciente di ionizzazione di Townsend. In generale dipende dal campo elettrico; unespressione per = (E ) sar` a ricavata nel seguito. Assumendo che sia uniforme (ovvero che non dipenda da x), la soluzione generale della (1) ` e Fe = Fe (0)ex (2)

ed ` e non banale solo se il catodo fornisce un usso di elettroni Fec Fe (0) = 0. Un catodo metallico pu` o emettere elettroni se sottoposto a campi elettrici intensi, se riscaldato ad alte temperature o se irraggiato da radiazione di opportuna frequenza. Ordinariamente, tuttavia, almeno nella parte inferiore della curva V I nel regime di Townsend non si ha unemissione signicativa di elettroni dal catodo. La sorgente primaria di elettroni liberi per innescare la scarica ` e dovuta invece al livello non nullo di background ionization. Sia S il numero di elettroni liberi prodotti nel tubo per unit` a di volume e di tempo. Se S = 0, la (1) va modicata nel modo seguente dFe = Fe dx + Sdx. La soluzione generale ` e allora Fe = S x (e 1) + Fec ex . (4) (3)

che ` e non nulla anche se Fec = 0. Se = 0, cio` e se gli elettroni accelerati dal campo elettrico non sono abbastanza energetici da produrre ulteriore ionizzazione, il massimo usso di elettroni allanodo deve ridursi a quello corrispondente alla corrente di saturazione Isat = eFsat A, dove A ` e la sezione del tubo. In questa condizione si ha Fe (x) = Sx, per cui possiamo anche scrivere Fe =
2

Fe (d) = Sd Fsat

(5)

Fsat x (e 1) + Fec ex d

(6)

Questa denominazione ` e dovuta al fatto che nella teoria della scarica di Townsend si introduce talvolta il secondo coeciente di ionizzazione (Roth, 1995, par.8.4.2); tale denizione ` e tuttavia ormai desueta e non sar` a data in questi appunti.

B. Coeciente di ionizzazione

Vogliamo ora derivare unespressione generale per , che risulter` a funzione del campo elettrico e della densit` a di particelle nel tubo (ovvero, equivalentemente, della tensione applicata e della pressione). Deniamo la distanza di ionizzazione xI come la distanza che un elettrone deve percorrere in un campo elettrico E per acquistare lenergia necessaria alla ionizzazione degli atomi neutri del gas. Si ha quindi xI = dove IZ ` e il potenziale di ionizzazione dellatomo. Durante il cammino lelettrone pu o per` o incorrere in una collisione con uno ione, cambiando direzione e perdendo in pratica la maggior parte dellenergia acquistata dal campo3 . La probabilit a di produrre un evento di ionizzazione ` e quindi uguale alla probabilit` a di percorrere un cammino pari a xI prima di intercorrere in una collisione con gli ioni. Per la probabilit` a di collisione per unit` a di lunghezza scriviamo unespressione esponenziale P ( x) = x 1 exp i i , (8) IZ , E (7)

dove i ` e il cammino libero medio degli elettroni fra due collisioni successive. La normalizzazione ` e tale che la probabilit` a di collisione su un cammino innito diviene unitaria. In generale il cammino libero medio i ` e inversamente proporzionale alla densit` a degli atomi, e si pu` o scrivere i = 1/n dove ha le dimensioni di una supercie ed ` e detta sezione durto. Questa denizione ` e per` o poco precisa perch e in generale dipende dalla velocit` a dellelettrone ve . Se e nota Indicando con le brakets , loperazione sulla funzione di distribuzione degli elettroni (se ` e nota), in generale si pu` o scrivere i = ve /ei , dove ei = n ve ` e la frequenza di collisione degli elettroni. In condizioni isobariche, dove la pressione p ` e proporzionale a n si pu` o scrivere anche la relazione 1/i = Ap, dove p ` e la pressione del gas e A ` e una costante che dipende dal tipo di gas e dalla temperatura degli elettroni. Una relazione di questo tipo ha utilit` a pratica poich e sperimentalmente la densit` a viene dedotta dalla misura della pressione . Per come ` e stato denito nella (8) scriviamo allora exI /i P ( xI ) = = ApeApIZ /E . i
3

(9)

Vi ` e in generale anche un contributo minore alla perdita di energia dellelettrone dovuta a processi secondari di collisione o eccitazione degli atomi neutri. Leetto di queste perdite secondarie pu` o essere qualitativamente incluso e un potenziale ecace di ionizzazione, che tiene conto della perdita di energia. scrivendo xI = IZ /E dove IZ > Iz `

Si usa in genere riscrivere questa relazione come C = A exp p E/p =f E , p (10)

in quanto i parametri A e C AIZ vengono misurati sperimentalmente e caratterizzano le scariche per gas di diversa specie. Lultima eguaglianza esprime il fatto che il rapporto /p ` e una funzione solo del rapporto tra campo elettrico (o tensione applicata) e pressione del gas. Ordini di grandezza 36500 V m1 Torr1 . tipici sono A 103 m1 Torr1 e C 104 V m1 Torr1 . Per laria, A = 1220 m1 Torr1 e C = A campo elettrico ssato (ovvero a tensione ssata), esiste una pressione ottimale pmax per la quale la corrente ` e massima. Questo corrisponde al massimo di come funzione di p, che si pu` o ottenere dallequazione C pC d exp =A 1 dp E E/p da cui troviamo pmax = E . C (12) . = 0, (11)

Questa relazione, che ` e quindi comoda per una misura sperimentale del parametro C , prende il nome di punto di Stoletow dal nome di colui che la osserv` o nel 1890, misurando C 37200 V m1 Torr1 . Concludiamo notando che nelle espressioni precedenti possiamo anche sostituire la pressione con la densit` a di particelle e scrivere B = D exp n E/n , (13)

dove D ha le dimensioni di una supercie e il campo ridotto E/n ha le dimensioni di una tensione per una supercie e pu` o essere convenientemente misurato in Townsend (Td): 1 Td = 1017 V cm2 .

C. Breakdown elettrico

Per eetto della ionizzazione a valanga del gas si generano elettroni liberi e ioni che contribuiscono anchessi alla conduzione con una densit` a di corrente Ji = eFi , essendo Fi il usso di ioni e avendo assunto ionizzazione singola, per semplicit` a. In condizioni stazionarie la corrente totale deve essere la stessa lungo tutto il tubo, quindi in particolare la somma dei ussi di ioni ed elettroni deve essere uguale al catodo e allanodo: Jtot = Ftot = Fec + Fic = Fea + Fia = Fea , e 10 (14)

C Fic

Fec = Feo + Fic

Fea

Figura 3 Schematizzazione dei ussi di ioni ed elettroni a catodo (C) e anodo (A) .

avendo assunto Fea = 0 perch e ordinariamente lanodo non emette ioni. (Nelle nostre convenzioni, il usso di ioni ha segno negativo.) Questa situazione ` e illustrata in Fig.3. Gli ioni del gas che giungono al catodo, il cui usso totale ` e Fic , si ricombinano con gli elettroni. Inoltre, se un ione giunge al catodo con energia suciente, pu` o ivi provocare lemissione secondaria di elettroni. Si ha quindi un contributo Fes al usso totale di elettroni dal catodo, Fec , proporzionale al usso di ioni incidenti sul catodo, Fic . Deniamo il coeciente secondario di emissione elettronica del catodo come Fes , Fic (15)

ovvero come il numero di elettroni secondari emessi per numero di ioni incidenti. Tipicamente 102 . Il usso degli elettroni emessi dal catodo ` e quindi la somma del usso dovuto alle emissioni secondarie Fes pi` u leventuale contributo Feo dovuto a eetti termoelettrici, fotoelettrici o alti processi: Fec = Fes + Feo = Fic + Feo . Usando la (6), il usso di degli elettroni allanodo ` e Fea = Fe (d) = Fsat d (e 1) + Fec ed d (17) (16)

Possiamo usare quindi le equazione (14), (16) e (17) per eliminare Fea e Fic e risolvere per Fec . Il risultato ` e Fec Fec = Feo ed + (Fsat /d)(ed 1) . 1 (ed 1) (18)

Si ha breakdown elettrico quando questultima equazione prevede un usso innito di elettroni, ovvero se 1 (ed 1) = 0 , i.e. 11 ln 1 + 1 = d , (19)

che ` e nota come criterio di Townsend. Lemissione di elettroni secondari ha quindi un eetto di feedback rigenerativo nel processo di scarica oscura che tende a fare esplodere la corrente totale, provocando una transizione di regime per un dato valore del campo elettrico, ovvero della tensione applicata, che rende vera la (19) Possiamo riscrivere la (19) come una condizione sul voltaggio Vb necessario al breakdown utilizzando la (10) per e sostituendo E = Vb /d: 1 Cpd = ln 1 + , Vb Cpd Vb = = f (pd) . ln[AP d/ ln(1 + 1/ )] Apd exp

(20)

Quindi in geometria piana il valore della tensione di breakdown per un particolare gas ` e una funzione di pd. Questa relazione empirica prende il nome di legge di Paschen (1889). Conseguenza della (20) ` e lesistenza di un valore di pd per cui la tensione di breakdown ` e minima: (pd)min = 1 e ln 1 + A , Vb,min = 1 eC ln 1 + A , (21)

dove e = 2.718 . . .. Fissato d questa condizione pu` o essere quindi scritta come pmin = (Vmin /d)/C , cio` e essa corrisponde al punto di Stoletow. Valori di pd pi` u piccoli del valore ottimale corrispondono alla condizione in cui lungo d il numero di collisioni ionizzanti ` e piccolo, ovvero d ` e minore del cammino libero medio di ionizzazione. Per pd grandi, gli elettroni perdono maggiori quantit` a di energia nelle collisioni e quindi campi pi` u intensi sono necessari a sostenere il breakdown. Queste osservazioni giusticano qualitativamente lesistenza di un minimo nella curva di Paschen, ovvero del punto di Stoletow. La legge di Paschen pu` o essere convenientemente messa in una forma universale nel seguente modo: Y = X , 1 + ln X Y Vb Vb,min , X pd . (pd)min (22)

I valori di Vb,min e (pd)min sono tabulati per vari gas (per laria, Vb,min = 360 V e (pd)min = 5.7 103 Torr m). La curva universale di Paschen ` e mostrata in g.4. Occorre comunque considerare che, a basse pressioni, i gas tendono a seguire qualitativamente la legge di Paschen, ma con deviazione signicative (v. g.4 per landamento sperimentale per laria). Ad alte pressioni ( 100 Torr) la legge di Paschen non ` e pi` u rispettata, il che suggerisce che in tale regime ` e necessaria una trattazione pi` u sosticata, presumibilmente a causa di eetti importanti di carica spaziale. 12

Figura 4 La curva teorica universale di Paschen per la tensione di breakdown in funzione di pd, e landamento sperimentale per laria (Roth, 1995, g.8.26). D. Scariche luminose (glow )

Un valore innito della densit` a di corrente non ha ovviamente signicato sico. Quel che succede oltre la soglia di breakdown ` e che eetti sici sin qui trascurati, ovvero laccumulo di carica spaziale, entrano in gioco e portano ad una autoregolazione della corrente in uno stato stazionario. In un ordinario tubo di scarica alimentato in DC, in condizioni opportune4 portando la tensione applicata oltre la soglia di breakdown si verica una transizione dalla scarica oscura tipica del regime di Townsend ad una scarica luminosa, detta glow discharge (letteralmente scarica a bagliore).

1. Scariche normali

Sebbene la prima osservazione dettagliata di una glow discharge sia stata compiuta gi` a nel 1830 grazie a Faraday, la fenomenologia delle scariche luminose ` e sorprendentemente ricca e ancora non del tutto compresa. Qui ci limitiamo a descrivere poco pi` u che qualitativamente gli aspetti essenziali di una scarica normale (normal glow discharge, NGD) dando brevi accenni a regimi anomali
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Un esempio di condizioni opportune per ottenere una scarica NGD ` e avere un generatore esterno con bassa resistenza interna in grado di far passare una corrente sucientemente elevata.

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nel paragrafo seguente. La gura 5 mostra come appare una tipica NGD in un tubo cilindrico. Si possono comunque generare NGD anche in congurazioni piane, ovvero tra piatti paralleli; queste congurazioni hanno particolare interesse per dispositivi industriali. Il regime di NGD corrisponde al tratto FG della gura 2 nel quale la tensione dipende debolmente dalla corrente totale I che scorre nel tubo. Questo poich e, come discusso nel seguito, laccumulo di carica spaziale regola le variazioni di tensione vincolando questultima al valore minimo per il breakdown elettrico. Si trova sperimentalmente che anche la densit` a di corrente J rimane anchessa approssimativamente costante. Poich e I = J , dove ` e larea della sezione del usso di corrente, la costanza sia di I che di J implica la variazione di lungo la curva V I : inizialmente il passaggio di corrente avviene solo atttraverso unarea limitata del catodo, che aumenta al crescere della corrente totale, sino allesaurirsi della supercie disponibile in corrispondenza del punto G della g.2. In questo caso si ha la transizione al regime anomalo di scarica (abnormal glow discharge ).

E. La regione del catodo

Il punto fondamentale della dinamica di una NGD ` e che il campo elettrico vicino alla supercie del catodo, che accelera gli elettroni emessi da quesultimo, viene schermato e diventa nullo a una distanza dc dal catodo a causa dellaccumulo di carica positiva dovuto alla fuga degli elettroni. La regione carica positivamente e di estensione tipica dc ` e per lappunto detta regione del catodo. In geometria piana, dc ` e tale che il prodotto pdc assume valori prossimi al minimo della curva di Paschen, pdc (pd)min . In queste condizioni la caduta di tensione rispetto al catodo attraverso la regione catodica, Vc , rimane ancorata al valore minimo di breakdown, V (x = dc ) = Vc Vb,min . Questa condizione autoregolata minimizza la dissipazione nel plasma, che avviene per lappunto massimamente nella regione del catodo. In altri termini, la moltiplicazione a valanga degli elettroni avviene quasi esclusivamente nella regione del catodo dove gli elettroni vengono accelerati sino allenergia ottimale, mentre fuori dalla regione del catodo esiste un campo elettrico debole che sostiene il passaggio di corrente attraverso il tubo. Nel regime di NGD, la caduta di tensione lungo il tubo rimane prossima a Vc (ovvero la variazione del potenziale dalla regione del catodo sino allanodo ` e relativamente piccola) e non dipende (o dipende debolmente) dalla tensione applicata. Per modellizzare semiquantitativamente la regione del catodo, in prima approssimazione si pu` o assumere che la densit` a di carica positiva sia costante tra x = 0 e x = dc , ovvero che il campo ha un

14

Figura 5 Disegno schematico delle regioni visibili in una NGD in un tubo di scarica cilindrico (a) e relativi proli dellintensit` a luminosa (a), potenziale elettrico (b), campo elettrico (c), e densit` a di carica (d) (Roth, 1995, g.9.4).

andamento lineare e si annulla a x = dc [vedi gura 5 d) ed e)]: E ( x) = 2V c ( d c x) d2 c = 2 0 V c , d2 c V ( x) = Vc x(2dc x) . d2 c (23)

IL campo alla supercie vale E0 = 2Vc /dc . Poich e adesso il campo elettrico non ` e pi` u uniforme, il coeciente di Townsend ` e una funzione dello spazio, = {|E (x)|}. Possiamo allora ripercorrere la trattazione teorica della soglia di breakdown lungo la regione del catodo (0 < x < dc ), semplicemente con la sostituzione d
dc 0

{E (x)}dx.

15

La condizione di breakdown diviene allora

dc 0

Ap exp

che pu` o essere scritta AB (pdc )2 2V c S 2V c Bpdc

Bp 1 dx = ln 1 , E0 (1 x/dc ) = ln 1 1 , S (z ) =
2 0

(24)

e1/z dz .

(25)

Questa relazione tra Vc e pdc va in genere studiata numericamente. Il risultato pi` u signicativo ` e che esiste ancora un valore di pdc tale che Vc ha valore minimo, e i relativi valori sono prossimi a quelli del punto di Stoletow, ovvero Vc Vmin e pdc (pd)min . Gli eetti di carica spaziale al catodo portano quindi ad una autoregolazione della scarica che ancorano il valore massimo del campo elettrico al valore di soglia.

F. Descrizione delle regioni luminose

La regione luminosa pi` u brillante corrisponde approssimativamente alla regione carica negativamente (negative glow ) ai margini della regione del catodo. Qui gli elettroni fortemente accelerati nella regione del catodo perdono la maggior parte della propria energia per collisioni e/o eccitazione degli atomi nel gas, portando allemissione di radiazione. Il frenamento degli elettroni porta allaccumulo di carica negativa in questa regione, generando uninversione del campo elettrico che contribuisce al frenamento degli elettroni. Oltre tale regione il campo elettrico ` e sostanzialmente uniforme e negativo e permette il passaggio di corrente continua verso lanodo. Gli elettroni oltrepassano la regione dinegative glow avendo perso quasi totalmente la propria energia, e devono riaccelerare per una distanza suciente anch` e siano in grado di eccitare o ionizzare nuovamente gli atomi del gas. Questo giustica qualitativamente losservazione dello spazio oscuro di Faraday tra la regione del catodo e la colonna positiva5 tra lo spazio di Faraday e lanodo, dove il campo elettrico ` e circa costante e sostiene uneccitazione suciente a produrre unemissione visibile.

G. La corrente in regime di normal glow

La condizione di autoregolazione che si realizza in regime di normal glow fa s` che la caduta di tensione sul tubo si mantenga approssimativamente costante. In questa regione la caratteristica
5

La colonna positiva [. . . ] ` e ci` o che Irving Langmuir aveva in mente quando diede la denizione di plasma (Roth, 1995, par.9.1.2).

16

V I ` e piatta, ovvero il circuito esterno pu` o far passare una intensit` a di corrente I sempre maggiore senza far variare la caduta di tensione V tra anodo e catodo. Daltronde anche la densit` a di corrente J nella scarica ` e circa costante. Questo implica che inizialmente, cio` e appena oltre la transizione di breakdown, solo una parte della supercie del catodo ` e interessata dal passaggio di corrente. Laumento di I corrisponde ad un aumento della supercie attraversata da J , sino a quando J ` e distribuita sullintera supercie del catodo. Oltre questa condizione, si ha il passaggio al regime di scarica anomala (abnormal glow ) dove la tensione V aumenta di nuovo al crescere di I , dovendo garantire una densit` a di corrente J pi` u elevata, e quindi il punto di lavoro si sposta dal minimo della curva di Paschen; in queste condizioni la scarica diviene pi` u luminosa, essendo pi` u alta lenergia dei portatori di carica. In condizioni di autoregolazione la densit` a di corrente pu` o essere stimata in funzione dei parametri della ragione del catodo, ovvero dc e Vc . Infatti, considerando dominanti il usso di ioni pi` u il usso di elettroni secondari, si pu` o scrivere J = J (0) eni (0)vi (0)(1 + ), (26)

dove ni (0) ` e la densit` a ionica in prossimit` a del catodo e vi (0) ` e la velocit` a degli ioni. Assumendo che gli ioni si muovano con una velocit` a di deriva costante vi (0) i E (0), dove i ` e la mobilit` a ni (0) 20 Vc /ed2 c , per cui ionica, essendo E0 2Vc /dc . Se vicino al catodo ne ni si ha inoltre per lequazione di Poisson Vc2 (1 + ). d3 c

J 4 0 i

(27)

Se ` e nota i , questa espressione permette una stima di J e quindi, nota la supercie del catodo Sc , del valore limite di I = JSc oltre il quale si ha la transizione verso il regime abnormal glow.

1. Altri tipi di scariche glow

La discussione precedente non esaurisce n e la descrizione della dinamica di scariche glow in un tubo ordinario del tipo della g.1, n e tantomeno la fenomenologia di scariche glow in altre geometrie, quali ad esempio quelle di dispositivi di interesse industriale. Riguardo al primo punto, abbiamo gi` a accennato come al crescere della corrente nel tubo di scarica lesaurirsi della supercie disponibile sul catodo porta al regime di scarica anomala. Unaltra possibilit` a` e che la distanza fra gli elettrodi risulti minore della distanza dc corrispondente al minimo di Paschen; in questo modo la scarica opera ad una tensione maggiore di Vb,min . Tale scarica viene 17

Figura

Una

tipica

immagine

di

striations

in

un

tubo

di

scarica

(da:

http://www.sparkbangbuzz.com/crt/crt6.htm)

detta ostruita (obstructed glow discharge ) e ha interesse per applicazioni che richiedono particelle di energia relativamente elevata. Un altro fenomeno caratteristico, anchesso osservato da Faraday (1830) ` e lapparire nel tubo di scariche striate (striations ), ovvero dellalternarsi di bande luminose e oscure che si propagano con una certa velocit` a di fase, o possono alters` apparire come unonda stazionaria. La gura 6 mostra una tipica immagine del fenomeno. Le nozioni di base sugli striationi sono riportate in (Roth, 1995, sec.9.3); una rassegna recente di osservazioni e sviluppi teorici ` e data in (Kolobov, 2006). Scariche glow si vericano in diversi tipi di dispositivi con varie geometrie e su un vasto intervallo di temperatura, densit` a, potenza sviluppata. Una caratteristica tipica (e comune alle NGD) ` e la dipendenza debole della densit` a di corrente dal voltaggio. In genere si ha una legge di potenza del tipo V J 1/k , con k > 1: valori di k da 2 a 12 sono stati osservati. Al momento non esistono teorie soddisfacenti per giusticare il valore dellesponente nei vari dispositivi, cos` come non ` e ben compreso perch e alcuni di questi esibiscano una transizione di modo per cui k salta da un valore allaltro intorno ad un voltaggio critico. Inoltre non ` e soddisfacente la comprensione della sica del trasporto di energia n e della formazione di distribuzioni non-maxwelliane delle particelle. Ovviamente la comprensione di questi fenomeni porterebbe ad un controllo migliore dei processi sici di interesse applicativo che avvengono nei dispositivi di scarica.

H. Archi elettrici

Al crescere della corrente, una scarica glow pu` o compiere unulteriore transizione verso il regime di arco elettrico, caratterizzato da elevata luminosit` a e alti valori di corrente (tipicamente I > 1 A con valori possibili sino a 104 A). In genere sulla caratteristica V I si identica una regione di arco non-termico caratterizzato da una resistenza anomala (tratto I-J della g.2) in cui la tensione decresce allaumentare della corrente e in cui si osserva che il plasma della scarica non ` e in equilibrio termodinamico (TE); al crescere della corrente si entra in un regime TE (arco termico, tratto

18

Figura 7 Schema delle caratteristiche visibili di un arco elettrico e dellandamento tipico del potenziale lungo lasse (Roth, 1995, g.10.3).

J-K della g.2) dove la tensione cresce debolmente con la corrente applicata. La g.7 mostra le caratteristiche visibili principali e landamento tipico del potenziale nello spazio per un arco. Nonostante lo studio degli archi sia ormai vecchio di due secoli e gli archi trovino applicazione come sorgenti luminose o per il trattamento dei materiali, la loro sica non ` e ben compresa; in particolare non c` e una teoria soddisfacente per la relazione osservata tra corrente e tensione. Appare chiaro che la dinamica degli archi ` e legata alla sica del trasporto radiale di energia in condizioni in cui il plasma ` e magnetizzato e turbolento; il problema della comprensione di questi fenomeni complessi ` e comune agli archi e ai dispositivi per la fusione a connamento magnetico. In altri termini, gli archi elettrici corrispondono a condizioni del plasma ai margini dei regimi identicati comunemente come di plasma freddo (cio` e a bassa temperatura) e pi vicine a quelle dei plasmi caldi tipici, e.g., dei dispositivi fusionistici o della corona solare. Qui ci limitiamo a dare dei cenni ai processi pi` u rilevanti in un arco, per mettere in luce la sica sicuramente necessaria alla comprensione.

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1. Forze magnetiche ed eetto pinch

Per i valori tipici di corrente in un arco le forze magnetiche hanno un ruolo importante. Schematizzando larco come un clindro innito in cui scorre la densit` a di corrente uniforme Jz . Il campo magnetico per r < a, essendo a il raggio massimo del plasma, ` e dato da B = 0 Jz r/2. La forza magnetica per unit` a di volume ` e quindi F = J B = 0 J z r/ 2 , (28)

e tende a far collassare il plasma verso linterno (eetto pinch o di strizzamento). La forza magnetica pu` o per` o essere bilanciata dalla pressione interna del plasma, realizzando un equilibrio noto come Bennett pinch. Dallequazione di bilancio delle forze J B p = 0 . (29)

Continuando ad assumere simmetria cilindrica ed una corrente assiale e uniforme, lequazione per p = p(r) diviene r p = 0 Jz r/2, da cui, con la condizione p(a) = 0 (consistente col bordo nito della distribuzione di corrente) p( r ) = 0 2 2 J (a r 2 ) . 4 z (31) (30)

2 2 La condizione di Bennett pu` o essere scritta in funzione della pressione sullasse p0 = p(0) = 0 Jz a /4

e della corrente totale I = a2 Jz come a= I 2 0 . p0 (32)

Questa equazione determina il raggio del plasma in funzione della pressione e dellintensit` a di corrente; una corrente I = 104 A alla pressione atmosferica corrisponde ad un raggio a = 0.56 cm. La relazione di Bennett ci ` e utile per illustrare leetto delle forze magnetiche e il problema del bilancio delle forze in un arco; tuttavia, realisticamente gli archi si soddisfano dicilmente questa condizione, sia perch e generalmente si opera a correnti inferiori al valore necessario allequilibrio, sia perch e lequilibrio ` e instabile rispetto a perturbazioni radiali (kink o sausage ) ben note nella teoria del connamento magnetico.

20

Figura 8 Schema della formazione di un getto nella regione del catodo di un arco elettrico (Roth, 1995, g.10.7). 2. Formazione di getti

Una caratteristica tipica degli archi ` e la formazione di ussi o getti di materia ad alta velocit` aa partire dagli elettrodi (electrode jets ). Come mostrato in gura 8, si ha un usso di gas orientato dalla regione circostante il catodo che si incanala lungo larco. Lesistenza di questi ussi ` e consistente con losservato restringimento del diametro dellarco in prossimit` a degli elettrodi e lipotesi rozza di un equilibrio di Bennett locale. Quindi, se larco ha raggio b a in prossimit` a del catodo (v. g.8 localmente la pressione ` e maggiore del valore nella regione di raggio massimo: pb = 0 I 2 0 I 2 = pa . 4b2 4a2 (33)

Esiste quindi un gradiente assiale di pressione che sostiene il usso di materia. Dalla dierenza di pressione si pu` o stimare la velocit` a di usso v0 : 1 2 , p b p a = M ni v 0 2 dove nellultimo passaggio si ` e assunto b a.
3. Bilancio energetico

v0

I b

0 , 2 M ni

(34)

Nella modellizzazione degli archi occorre tener conto che il passaggio di corrente produce una dissipazione di energia per eetto Joule. A regime questa dissipazione deve essere bilanciata da fenomeni di trasporto dellenergia. Un modello semplice consiste nellassumere che il trasporto sia dovuto alla conduzione termica in direzione radiale. In geenrale per la variazione della densit` a di energia possiamo scrivere lequazione di continuit` a t uE = j E . 21 (35)

Il usso di energia dovuto alla conduzione termica ` e dato in generale da j q = T (36)

mentre lenergia dissipata per unit` a di volume per eetto Joule ` e J E. Assumendo t uE = J E, jE = jq , e J = E si ottiene in simmetria radiale J E = E 2 = (T ) = dT 1 d r r dr dr (37)

(equazione di Elenbaas-Heller). In generale integrare questa equazione ` e complicato in quanto sia la conducibilit` a elettrica che quella termica sono funzioni di T = T (r). Nel caso molto semplicato di e uniformi e indipendenti da T , lequazione ha come soluzione un prolo parabolico di temperatura: T (r) = T (0) E 2 2 r . 4 (38)

Questa relazione pu` o fornire una prima indicazione sullandamento radiale della temperatura dellarco e sulla sua dipendenza dal campo elettrico applicato. Pu` o anche essere interessante notare che, assumendo una densit` a costante, questa variazione radiale della temperatura appare consistente con la variazione radiale della pressione p(r) secondo una legge parabolica (31), necessaria alla condizione di equilibrio di Bennett.

22

III. SCARICHE TRANSIENTI: LA DIELECTRIC BARRIER DISCHARGE (DBD)

Analizziamo ora con un certo dettaglio le caratteristiche delle scariche con barriera dielettrica o DBD (Dielectric Barrier Discharges ), uno degli schemi pi` u diusi per la produzione di scariche di plasma atmosferico (Eliasson and Kogelschatz, 1991a; Kogelschatz, 2002, 2003). La congurazione pi` u semplice di un dispositivo DBD consiste di un capacitore ad elettrodi piani e paralleli, tra i quali si trovano uno strato cavo, riempito dal gas dove avviene la scarica (discharge gap ) ed (almeno) uno strato dielettrico (la barriera), generalmente interposto tra lelettrodo e il gap. Sono comuni anche congurazioni cilindriche e/o con barriere dielettriche su entrambi gli elettrodi, o separate da essi. La scarica nel gas avviene quando la tensione applicata ` e tale da portare il campo elettrico nel gas oltre il limite di breakdown (30 kV/cm) per laria. La funzione di base della barriera ` e quella di un limitatore di corrente non dissipativo. Laccumulo di carica sulla supercie del dielettrico porta infatti a ridurre il campo applicato nel gas no a quando questo si annulla bloccando il passaggio della corrente. La gura 9 mostra lo schema di una semplice cella DBD e del circuito equivalente.

4. Fenomenologia della DBD

Sperimentalmente si trova che la scarica in una DBD ` e composta da microscariche individuali delle centinaia di micron (1 m = 106 m) o inferiore. La deposizione della carica sulla supercie del spazialmente separate e di breve durata, tipicamente 10 ns 108 s, mentre il diametro ` e dellordine dielettrico avviene tuttavia su una supercie maggiore della sezione delle microscariche; quindi, una funzione ulteriore della barriera dielettrica ` e quella di ottenere una deposizione di carica relativamente omogenea pur partendo dalla tipica distribuzione lamentare di una scarica di breakdown ad alta pressione. Laspetto tipico di una microscarica in una congurazione a doppia barriera ` e mostrato nello

dg Vext dD J V

Cg CD

R(t)

Figura 9 Schema semplice di una cella DBD a elettrodi piani e del suo circuito equivalente.

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schizzo di Fig.13. Tentativamente e qualitativamente possiamo quindi immaginare la dinamica della scarica in una DBD nel modo seguente: le scariche vegono attivate localmente, laddove il campo di breakdown viene superato per uttuazioni o imperfezioni degli elettrodi, oppure per eetto di una sorgente disomogenea di pre-ionizzazione; la scarica genera rapidamente una valanga elettronica che si deposita sul dielettrico (che isola gli elettroni del plasma), distribuendosi su uno strato superciale pi` u esteso della scarica; questo accumulo di carica diminuisce il campo elettrico su una regione estesa, impedendo quindi il generarsi di nuove scariche nel volume circostante. Questa dinamica ` e illustrata in g.10. La formazione della scarica attraversa in genere due fasi. La prima fase ` e sostanzialmente analoga al regime di Townsend nel tubo di scarica, e consiste nella moltiplicazione del numero di portatori (elettroni) emessi inizialmente dal catodo, per ionizzazione degli atomi neutri del gas. A causa della loro maggiore mobilit` a gli elettroni, nel propagarsi verso il catodo, tendono a separarsi spazialmente dagli ioni creando quindi un campo di carica spaziale. Nei regimi tipici delle DBD questo campo pu` o essere abbastanza intenso da generare nuova ionizzazione in prossimit della valanga. Si genera in questo caso unonda di ionizzazione o streamer, il cui fronte viaggia assai pi` u velocemente di quello della valanga elettronica iniziale. Gli streamers, essendo attivati da eetti di carica spaziale, possono propagarsi sia dal catodo verso lanodo (nel qual caso il fronte ` e carico negativamente; questa ` e la situazione nel caso di una transizione valanga-streamer ), sia in senso inverso (nel qual caso il fronte ` e carico positivamente; v. Fig.11). Sono classicate come DBD anche altre congurazioni di diversa geometria, bstate anchesse sulla presenza di strati dielettrici e usate in genere per applicazioni speciche. La gura 12 (Gibalov and Pietsch, 2000) mostra gli schemi a elettrodi coplanari per scariche superciali, utlizzati negli schermi a plasma dove la scarica ha la funzione di una sorgente pulsata UV per illuminare i fosfori corrispondenti ad ogni pixel dello schermo a colori (R,G,B). Mostra inoltre lo schema di un reattore packed bed dove il gap ` e riempito da materiale dielettrico in maniera disomogenea (a grani o schiuma) o usando materiale intinsecamente poroso (Jidenko et al., 2002). In questo approccio il plasma ` e prodotto negli interstizi del dielettrico e questo consente in genere lutilizzo di campi elettrici relativamente bassi.

5. Parametri caratteristici della DBD

A condizioni di pressione atmosferica, i parametri tipici delle microscariche sono: densit` a elettronica ne = 1014 1015 cm3 , ovvero, essendo la densit` a di molecole nn 2.5 1019 cm3 , il grado di 24

Figura 10 Evoluzione di una microscarica in una cella DBD: a) formazione della valanga elettronica, b) separazione della nuvola elettronica dalla colonna di ioni carichi positivamente, c) deposizione della carica elettronica sulla supercie dielettrica (Roth, 2001, g.15.5).

ionizzazione ` e dellordine di 104 ; densit` a di corrente J = 102 103 A cm2 ; durata = 10 100 ns; raggio rs 100 m; carica totale Q 1 pC; energia dissipata U 1 J. Il valore del cam(Townsend) dove 1 Td = 1017 V cm2 , il che porta a pressione atmosferica ad usare campi dellor25 po ridotto E/n per cui si ha breakdown elettrico nei gas ` e tipicamente nel range 100 200 Td

Figura 11 Evoluzione schematica di una microscarica allinterno di una cella DBD, che mostra la formazione di una valanga elettronica vicino al catodo, seguita dalla sua evoluzione in uno streamer diretto verso lanodo, e successivamente dalla formazione di uno streamer diretto verso il catodo. (Chirokov et al., 2005).

dine di E 104 V cm1 . Lenergia degli elettroni ` e tipicamente nel range 1 10 eV, che corrisponde ad un range ottimale per attivare reazioni chimiche attraverso leccitazione di specie atomiche e molecolari e la rottura di legami chimici (Eliasson and Kogelschatz, 1991b), nonch` e di interesse per la generazione di radiazione UV.

6. Modello semplice della scarica DBD

Scariche di tipo DBD sono state utilizzate sin dal 1860 in Germania per disinfezione o produzione dozono. Lo studio della sica sottostante ` e stato limitato sino a tempi molto pi` u recenti dalla ne-

Figura 12 Vari schemi di celle DBD (Gibalov and Pietsch, 2000). Le parti nere indicano gli elettrodi metallici e le parti grigie le zone di materiale dielettrico. a) Cella semplice a elettrodi paralleli per scariche di volume; b), c) cella con elettrodi coplanari; d) reattore packed bed.

26

Figura 13 Geometria del modello semplice della DBD, sez.III..6 (gure tratte da (Eliasson and Kogelschatz, 1991a; Kogelschatz, 2003)).

cessit` a di diagnostiche che avessero laltra risoluzione spaziale e temporale necessaria a risolvere la dinamica delle microscariche. Precedentemente, quindi, lo studio delle DBD ` e stato limitato a stabilire relazioni fenomenologiche (as esempio, la relazione tra tensione, carica depositata, e potenza dissipata) a prescindere dalla dinamica microscopica. Nel seguito adottiamo un approccio simile, usando un modellino molto semplicato ma istruttivo in quanto riesce a fornire leggi di scala e caratteristiche qualitative delle scariche che sono in buon accordo con simulazioni numeriche e osservazioni sperimentali. Essenzialmente riduciamo la dinamica interna alla DBD allesistenza di una resistivit` a fortemente dipendente dal tempo (vedi il circuito equivalente di g.9); come vedremo, alcune relazioni importanti dal punto di vista pratico non dipendono dalla legge temporale esatta con cui varia la resistivit` a. La geometria del modello ` e illustrata in Fig.13. Consideriamo un condensatore piano tra le cui armature di ` e mantenuta la tensione Vext . Allinterno del condensatore si trovano un primo strato di spessore dg , riempito di gas (avente suscettivit` a dielettrica trascurabile = 0, = 0 ), e un secondo strato di spessore dd (la barriera) costituito da un materiale dielettrico di permittivit` a dielettrica = r 0 con r > 1. Prendiamo in esame una scarica omogenea fra gli elettrodi avente forma
2 cilindrica di raggio rs e sezione Sc = rs . La carica viene depositata su unarea del dielettrico di 2 raggio r0 rs e supercie Sd = r0 . Assumendo r0 dg , possiamo trascurare gli eetti di bordo e

considerare il campo elettrico nella regione r < r0 come uniforme e perpendicolare alle superci del condensatore e del dielettrico. Le scariche in una cella DBD sono in generale assai disomogenee, risultando la somma di numerose microscariche spazialmente separate. Ci` o nonostante, ` e utile a ni pratici caratterizzare le scariche con delle quantit` a medie e/o integrate sul tempo, quali la carica totale trasferita o lenergia dissipata

27

sullintero volume. La scommessa ` e che un modello omogeneo come quello considerato, i cui parametri sono da intendersi come rappresentativi dei parametri medi delle microscariche, possa dare indicazioni qualitative o semiquantitative (ordini di grandezza e leggi di scala) sulle caratteristiche globali della scarica. Siano Eg e Ed i campi rispettivamente nello strato di gas (g) e di dielettrico (D). La caduta di potenziale tra le armature impone Eg dg + Ed dd = Vext . La densit` a di carica libera ` e uguale alla discontinuit` a di E alla supercie di separazione gas-dielettrico: = Ed 0 Eg . Queste relazioni sono valide ad ogni t. In assenza di gas, o se non ` e avvenuta alcuna scarica, = 0. Modellizziamo la scarica in modo elementare: allistante t = 0, allinterno dello strato di gas si verica una scarica di ionizzazione che rende istantaneamente conduttore il gas. La scarica avviene quando il campo nel gas supera il valore di breakdown Eb (pi` u precisamente il parametro rilevante ` e il campo ridottoEb /n dove n ` e la densit` a del gas). In pratica, la cella DBD sar` a alimentata con una tensione dipendente dal tempo (tipicamente alternata). Comunque, come si pu` o vericare a posteriori, possiamo considerare il campo esterno applicato come costante se il tempo di scarica ` e molto minore del tempo caratteristico di variazione del campo (ovvero del semiperiodo del campo per una tensione alternata), il che in genere ` e vericato. Prima della scarica il campo elettrico nel gas ` e dato da Eg = V (t) , dg + 0 dd (39)

e quindi sostituendo Eg = Eb otteniamo lespressione del voltaggio di scarica Vmin in funzione di Eb : Vmin = Eb (dg + dd /r ) Eb dg , dove lultima eguaglianza approssimata vale se dg dd /r . Assumiamo che il gas ionizzato sia descrivibile per t > 0 come un conduttore ohmico di resistivit` a media . In generale = (t) a causa dei processi di ionizzazione cha cambiano sia il numero dei ` da notare, come gi` portatori di carica sia la natura delle collisioni. E a anticipato e dimostrato pi` u avanti, che importanti quantit` a integrate quali la carica trasferita o la potenza dissipata in un ciclo 28

non dipendono dalla forma di (t). Nel seguito, tuttavia, useremo talvolta lapprossimazione di costante per stimare alcune quantit` a caratteristiche. Dallequazione di continuit` a si ha Sd t = Sc J = Sc Eg . ( t ) (40)

Usando le relazioni precedenti si pu` o eliminare Eg e ottenere lequazione t = 1 dd ( Vmin /dd ) ( ) , (t)(0 dd + dg )(Sd /Sc ) (t)

dove si ` e posto (0 + dg /dd )(Sd /Sc ) e Vmin /dd . La soluzione formale ` e data da (t) = 1 exp
t 0

dt (t )

dove si ` e imposta la condizione iniziale (t = 0) = 0. Indipendentemente dalla forma analitica di (t), la densit` a di carica aumenta no al valore asintotico (t = +) = = Vmin /dd .
a. Carica trasferita

La relazione precedente fornisce una prima quantit` a interessante, ovvero la carica

totale Q trasferita durante la scarica sulla supercie del dielettrico: Q = Sdep = Vmin Sdep , dd (41)

dove Sdep ` e larea della supercie del dielettrico su cui viene distribuita la carica. Possiamo anche scrivere Q = Eb (dg /dd + 1/r )Sd Eb (dg /dd )Sdep . (42)

La quanti` ta di carica trasferita ` e tale da generare nel gas il potenziale elettrostatico Vc = Vmin , in modo che alla ne della scarica potenziale e campo elettrico sono nulli nel gas. La relazione di proporzionalit` a Q (dg /dd ) ` e ben vericata sperimentalmente (Kogelschatz, 2003, Refs.47-49). Sottolineiamo come il risultato (41) o (42) non dipenda dalla forma di (t). Questo modello molto semplicato predice che Q dipenda dalla densit` a del gas attraverso la dipendenza di Eb . In realt` a` e stato predetto teoricamente e confermato sperimentalmente (Eliasson and Kogelschatz, 1991a) che Q non dipende dalla densit` a n del gas. La ragione sembra6 essere collegata al decrescere con n (per alti valori di ndg del raggio delle scariche e quindi di Sdep .
6

Il modello teorico pare essere stato presentato a conferenza ma non pubblicato: B. Eliasson and S. Straessler, Bull. Am. Phys. Soc. 28, 183 (1983).

29

b. Energia assorbita

Laltra quantit` a interessante ` e lenergia assorbita dal plasma durante la scarica, dPass = J Eg = (t)J 2 = (t)(t )2 , dV

anchessa indipendente dalla forma di (t). Infatti, la potenza assorbita per unit` a di volume ` e (43)

da cui, integrando sul tempo, otteniamo lenergia assorbita per unit` a di volume: dUass dt = dV = ( t )
2

1 ( )t dt = (t)

1 1 t [( )2 ]dt = ( )2 2 2

t = t=0

indipendentemente dalla forma di (t). Se la scarica avviene su un volume uniforme Sc dg , dove Sc ` e la supercie eettiva della scarica, lenergia totale assorbita ` e Uass = Sc dg
2 . 2

Possiamo introdurre le capacit` a dello strato dielettrico Cd = Sd /dd e del gap Cg = Sd /dg e riscrivere Uass nella forma di uso pratico Uass =
2 1 Cd V2 . 2 Cg + Cd min

(44)

c. Durata della scarica

Per poter stimare analiticamente il tempo della scarica assumiamo che la

resistivit` a sia costante. Posto = = (0 dd + dg )(Sd /dd Sc ) = 0 (1 + r dg /dd )(Sd /Sc ) , la soluzione che soddisfa la condizione iniziale = 0 ` e = (Vext /dd )(1 et/ ) , J = t = (Vext /dd )et/ . Vediamo quindi come la scelta dei parametri dg , dd ed consente in teoria un controllo essibile della durata della scarica di corrente. Unespressione simile alla nostra per (a parte il fattore dg /dd 1) ` e data da (Eliasson and Kogelschatz, 1991a) Eb (/ene vd )(Sd /Sc ) , (45)

dove si ` e verosimilmente usata la relazione = E/ene vd , vd ` e la velocit` a di drift degli elettroni, valida per un conduttore ohmico. Notare che, nonostante sia stato messo in evidenza il campo di breakdown Eb , il tempo di scarica non dipende da Eb . 30

7. DBD a corrente alternata

Poich` e la durata delle microscariche in una DBD ` e dellordine di 108 s, in pratica il modello che prevede una tensione costante durante la scarica va bene no a frequenze piuttosto alte. Semplici generatori dozono operano in genere alla frequenza di rete (50 Hz), ma operazioni con frequenze di decine di kHz sono anchesse comuni. Una questione importante ` e confrontare il periodo dellalimentazione T = 2/f , dove f ` e la frequenza, con il tempo necessario alla ricombinazione nel plasma generato nel gap. Se questa regione rimane conduttrice, si avr` a un passaggio di corrente nel gap che manterr` a ad ogni istante il potenziale nel gap Vg pari a zero. La ricombinazione allinterno del plasma, tuttavia, ridurr` a progressivamente il numero delle cariche libere cosicch` e ad un certo istante la conducibilit` a sar` a nuovamente nulla. A tal punto potr` a avvenire una nuova scarica se la tensione esterna ` e tale da portare il campo nel gap nuovamente oltre il valore di breakdown. La successione temporale delle scariche ` e particolarmente semplice da prevedere nellulteriore ipotesi che il tempo tipico di ricombinazione r T , in modo che, quando allistante t2 > t1 la tensione esterna ha raggiunto il valore 2Vmin , il gas ` e non pi` u ionizzato e la sua conducibilit` a ` e nulla. Il potenziale nel gap ` e ora la somma del potenziale esterno pi` u quello dovuto alla carica Qs accumulata nella scarica precedente, ovvero Vg = 2Vmin Vmin = Vmin e quindi si ha una nuova scarica allo stesso potenziale nel gap della scarica precedente. Questo ragionamento si pu` o iterare; ogni volta che il potenziale Vg ` e aumentato di Vmin rispetto alla scarica precedente si ha una nuova scarica, la quale aumenta di Qs la carica totale depositata sul dielettrico. Si ha quindi una successione di scariche simili no a quando la tensione di alimentazione non raggiunge il valore massimo V0 alla ne del primo quarto di ciclo. Il numero di scariche avvenute in questo tempo ` e quindi dellordine di N1 V0 Vmin . Vmin (46)

Se la cella si comporta in maniera del tutto simmetrica rispetto al segno della tensione applicata (ipotesi verosimile per una cella con strati identici di dielettrico su entrambi le armature) la scarica avviene con eguale probabilit` a per un dato valore della dierenza di potenziale nel gap in valore assoluto, ovvero indipendentemente dal segno del potenziale e dal verso del campo elettrico. In questo modo, per t > T /4, il potenziale nel gap Vg decresce seguendo landamento temporale della tensione applicata, sino al momento in cui il suo valore diviene Vg = Vmin ; a questo istante avviene una nuova scarica che porta il passaggio di corrente in senso inverso al quarto di ciclo precedente, trasportando la carica Qs necessaria a riportare il potenziale nel gap a zero. Lo stesso accade nella 31

scariche successive, sino a quando in prossimit` a di t = T /2 la carica sul dielettrico ` e di nuovo nulla. Il secondo semiciclo (T /2 < t > T ) ` e identico al precedente, eccetto che campo e corrente hanno versi opposti. A t = T la situazione ` e quindi identica al caso di partenza. In queste ipotesi la cella DBD funziona quindi a regime, e il numero massimo di scariche in un ciclo di alimentazione ` e quindi Ntot = 4N1 4 V0 Vmin . Vmin (47)

Nellipotesi di scariche identiche fra loro, possiamo trovare lenergia assorbita dalla cella moltiplicando la potenza della singola scarica per Nd . Questo implica lulteriore ipotesi semplicativa che la conducibilit` a (ovvero la resistivit` a) del plasma sia in pratica la stessa per ogni scarica successiva; si trascura cio` e leetto di ogni modicazione sico/chimica irreversibile nel gas. Otteniamo quindi, usando la (44), una stima dellenergia assorbita per ciclo: Utot = Udis Ntot =
2 Cd 1 4 Vmin (V0 Vmin ) . 2 Cg + Cd

(48)

La potenza assorbita ` e banalmente il prodotto della frequenza f per Utot : P = f Utot =

2 Cd 1 4f Vmin (V0 Vmin ) . 2 Cg + Cd

(49)

A meno del fattore 1/2, questa ` e la formula di Manley7 che viene usata largamente per stimare la potenza assorbita nelle celle DBD (Kogelschatz, 2003). La dinamica delle scariche pu` o essere modicata agendo sulla forma donda, in modo da modularne la storia temporale. Ad esempio, se lalimentazione ` e del tipo onda quadra, con semiperiodo maggiore della durata della scarica, per ogni semiciclo si avr` a una sola fase di scarica (immediatamente dopo listante di inversione di polarit` a) che ogni volta porter` a il valore della carica sul dielettrico da +Q a Q (o viceversa). In questo regime la gura di Lissajous ` e quindi un parallelogramma con due lati paralleli allasse Q. Onde quadre vengono usate nellalimentazione delle celle degli schermi al plasma. Luso di onde quadre appare giusticato quando ` e richiesto un controllo temporale molto stretto sulla fase di scarica. Aumentando la frequenza dellalimentazione possiamo inoltre raggiungere un regime in cui il periodo della tensione esterna diventa minore del tempo di ricombinazione caratteristico. In questo modo si avr` a ad ogni istante un grado di ionizzazione non nullo nella regione del gap e conseguentemente un valore non nullo della conducibilit` a, il che porta ad una variazione continua della corrente e della
7

T. C. Manley, Trans. Electrochem. Soc. 84, 83 (1943).

32

Figura 14 Figure di Lissajous per dierenti congurazioni DBD (Kogelschatz, 2003, ref. 85, 87, 242): ozonizzatore a 1 kHz, laser CO2 a 50 kHz, display al plasma con onda quadra a 100 kHz.

carica. Nellipotesi di una resistivit` a costante e di una tensione applicata della forma V (t) = V0 sin t, il nostro modello ha come soluzione per la densit` a di carica superciale (t) = 1 V0 (sin t cos t) + 0 et/ . dd 1 + 2 2 (50)

il che d` a la carica sul dielettrico in funzione del tempo in condizioni di regime Q ( t ) = Sd ( t ) | (t ) = Sd V0 1 . V (t) V02 V 2 (t) (51) (sin t cos t) Cd 2 2 dd 1 + 1 + 2 2

8. Figura di Lissajous

` utile per la caratterizzazione delle scariche stabilire la relazione tra la carica Q depositata sul E dielettrico e la tensione applicata Vext . Il graco di tale relazione ` e detto gura di Lissajous. Dal nostro modello semplice del paragrafo precedente otteniamo che la gura di Lissajous ` e in pratica un parallelogramma. Nel regime di onda quadra il parallelogramma ha due lati paralleli allasse Q. Nel regime di alta frequenza la (51) indica che la gura di Lissajous ` e unellisse ruotata. Lutilit` a della gura di Lissajous consiste nel fatto che la sua misura sperimentale ` e in genere assai pi` u facile della misura dellandamento temporale della corrente. In particolare, larea della gura corrisponde allenergia assorbita in un ciclo. Sperimentalmente lanalisi della gura di Lissajous fornisce informazioni molto utili sul regime di scarica (Kogelschatz, 2003). Una serie di esempi sperimentali ` e mostrata in Fig.14.

9. Eetti collettivi

Nella descrizione della DBD abbiamo sinora trascurato gli eetti di carica spaziale. In realt` a questi tendono a divenire importanti in quanto la maggiore mobilit` a degli elettroni tende a separarli 33

dagli ioni, cosicch` e sul fronte (o testa) della microscarica c` e uno sbilancio di carica negativa. Il campo elettrostatico dovuto a tale sbilancio pu` o essere abbastanza intenso da eccedere localmente il limite di breakdown e quindi provocare nuova ionizzazione. In queste condizioni si generano onde di ionizzazione (streamers ). Anche lipotesi di scariche individuali non interagenti non ` e sempre vericata. Come gi` a sottolineato larea della supercie del dielettrico sulla quale una microscarica deposita la propria carica ` e in generale pi` u larga del diametro della scarica. Se il numero di microscariche ` e elevato le microscariche competono per depositare la carica sulla supercie disponibile, e sono inoltre inuenzate dalle cariche depositate dalle scariche precedenti (eetti di memoria). Se il voltaggio esterno cresce, ogni microscarica successiva tende a formarsi in posizione diversa dalle, in quanto in tali regioni la carica depositata dalle scariche precedenti ha abbassato il campo elettrico. Questo eetto tende a rendere uniforme la deposizione di carica sulla supercie ed ` e favorito da alti voltaggi, i quali portano alla generazione successiva di molte scariche alla stessa polarit` a. Tuttavia, allinversione del voltaggio, le aree dove si trovano cariche residue diventano siti preferenziali per le scariche successive a polarit` a invertita, in quanto in queste regioni il campo raggiunge prima il valore di breakdown. Quesultimo regime, che tende a riprodurre le scariche alle stesse posizioni in ogni semiciclo, ` e favorito da bassi voltaggi ed alte frequenza, in modo che la distribuzione delle cariche sul dielettrico si mantenga disomogenea allinversione del voltaggio; frequenze relativamente basse favoriscono una distribuzione anticorrelata delle scariche. Leetto di interazione fra scariche pi` u appariscente e di maggior interesse dal punto di vista della sica di base ` e la formazione di strutture regolari (patterns ) nelle scariche DBD. Questo rappresenta un esempio particolare di autorganizzazione in sistemi lontani dallequilibrio. Ad alte frequenze possono inoltre comparire eetti di memoria di volume dovuti alla permanenza di specie ionizzate nella regione di gap. Questo eetto pu` o contribuire alla formazione di scariche diuse, ovvero pi` u omogenee e meno lamentari, ed ha notevole interesse applicativo in quanto corrisponde ad un aumento del volume utile nella creazione di specie attive. Una condizione necessaria per la generazione di una scarica diusa ` e la sovrapposizone delle valanghe elettroniche create nella fase di breakdown. Questo requisito pone dei vincoli sulla densit` a di preionizzazione, ovvero sulla densit` a di elettroni creati dal breakdown prima dellinizio della formazione degli streamers.

34

Figura 15 La somiglianza tra pattern bidimensionali ottenuti in DBD (1-3) e celle di convezione di B` enard (Kogelschatz, 2002). IV. SHEATHS DC

Nella sezione II abbiamo visto sotto quali condizioni in un dispositivo di scarica (essenzialmente costituito da due elettrodi connanti un gas) la tensione applicata induce il passaggio di corrente, e discusso come al crescere della tensione la scarica entra in regime di breakdown elettrico. Anche nel dispositivo pi` u storicamente studiato, ovvero il tubo di scarica a bassa pressione in corrente continua (DC), la relazione tra corrente e tensione applicata ` e molto complessa e fa intuire che le condizioni del plasma generato o gli eetti che entrano in gioco possano variare molto attraverso i diversi regimi. Come evidenziato dalla discussione sulla regione del catodo in una scarica DC, sono molto importanti i fenomeni che avvengono nelle regioni in prossimit` a degli elettrodi, dove in generale appare una variazione molto forte su breve distanza dei campi (campo elettrico, potenziale, densit` a), come si pu` o notare dagli andamenti schematici di campi nella g.5 o nella g.8. La sica nella regione a contatto tra elettrodi o pareti metalliche, detta regione di sheath 8 , ` e rilevante in praticamente ogni dispositivo al plasma. In particolare essa ha un ruolo fondamentale nelle applicazioni fondate sullinterazione tra il plasma e una supercie (che pu` o essere o meno quella di un elettrodo), quali letching, la deposizione al plasma, la modica chimico-sica delle propriet` a superciali. Ad esempio ` e la struttura e lintensit` a del campo elettrico nella sheath che determinano lorientazione e lenergia
8

Letteralmente guaina o rivestimento.

35

11 00 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11

V Vp 0

11 00 00 11 00 11 00 11 00 11 Z n 11 00 00 11 00 11 n + + 11 00 + 11 00 00 11 E 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11
i e s

Figura 16 Modello elementare di una plasma sheath. Ad un certo istante un plasma omogeneo e localmente neutro viene creato in una regione connata da un elettrodo mantenuto a potenziale costante. La separazione degli elettroni dagli ioni in prossimit` a degli elettrodi porta alla formazione di un campo elettrostatico alla supercie.

degli ioni del plasma che bombardano la parete, i quali sono parametri fondamentali nel determinare i risultati dellinterazione tra plasma e materiale. La sica delle sheath pu` o essere molto diversa a seconda dei regimi di scarica e anche nei casi pi u semplicati, ovvero gli unici che si sanno modellizzare trattare teoricamente ad un certo livello, lapproccio matematico pu` o risultare complesso. Qui ci limitiamo ad una discussione necessariamente molto preliminare ed a notare che il problema sico, anche da un punto di vista principalmente teorico e modellistico, ` e tuttora aperto e di grande importanza. In particolare facciamo lassunzione di condizioni stazionarie e che la formazione della sheath porti al uire di una corrente continua (DC) tra plasma e pareti connanti. I risultati ottenuti in regime DC sono comunque rilevanti anche in vari regimi di scariche in condizioni di corrente alternata (AC) che saranno descritti nelle sezioni seguenti. Uno dei motivi ` e che in generale la dierenza di massa fra elettroni e ioni porta ad una netta separazione di scala temporale per la loro dinamica. Nei regimi pi` u comuni si vericano allora due condizioni. La prima ` e che gli elettroni sono sucientemente mobili da mantenere istante per istante la condizione di equilibrio meccanico specicata nel seguito (54) anche in un campo oscillante. La seconda ` e che, anche se le quantit` a direttamente legate al moto degli elettroni (quali la densit` a elettronica e il campo elettrostatico) oscillano alla frequenza del campo esterno, il moto eettivo degli ioni avviene nei campi temporalmente mediati, per cui la loro dinamica rimane simile a quella in regime DC. Per illustrare la sica della regione di sheath con il modello pi` u semplice possibile consideriamo un gas connato da elettrodi metallici. pareti metalliche, in una geometria piana unidimensionale. Per ssare le idee supponiamo che lelettrodo sulla destra nella gura 16 sia messo a terra. Assumiamo

36

che a t = 0 un certo istante lignizione di una scarica nel gas porti alla creazione di un plasma, che inizialmente sar` a localmente neutro, ovvero tale che ne = ni dappertutto (per semplicit` a assumiamo ioni con carica Z = 1). Gli elettroni tenderanno a sfuggire pi` e velocemente degli ioni verso terra, lasciando carico il plasma che si porter a a un potenziale positivo rispetto allelettrodo; in questo modo si generer` a un campo elettrico diretto verso lelettrodo che impedir` a lulteriore usso di elettroni verso la parete. La generazione del campo elettrico in prossimit` a degli elettrodi implica La generazione del campo elettrico in prossimit` a degli elettrodi implica che questa regione ha un eccesso di carica negativa, dovuta alla fuga di parte degli elettroni. Per eetto del campo elettrico, gli ioni tenderanno ad essere accelerati verso la parete. Lassunzione fondamentale dei modelli di sheath in corrente continua (DC) ` e che la situazione sopra descritta e visualizzata in gura 16 sia stazionaria. Questo implica una condizione di equilibrio meccanico per gli elettroni e un usso di corrente continua degli ioni dal plasma verso la parete. Tale usso di ioni bilancer` a il numero di ioni creati per ionizzazione nel volume del plasma. Alla supercie della parete metallica, presumibilmente gli ioni si ricombineranno con elettroni provenienti dal metallo, garantendo la continuit` a della corrente nel circuito esterno. La condizione di equilibrio meccanico per gli elettroni pu` o essere soddisfatta se la forza elettrica per unit` a di volume bilancia la forza dovuta al gradiente di pressione: ene E pe = 0 (52)

In un sistema unidimensionale e isotermo, posto E = x e assumendo p = ne kB Te , otteniamo ene x = kB Te x ne che ha come soluzione la condizione di Boltzmann ne = n0 exp e . kB Te (54) (53)

La densit` a elettronica ` e quindi esprimibile come funzione del potenziale elettrostatico .

A. Sheath non collisionale. Criterio di Bohm

Nel modello che descriviamo nel seguito si fa lulteriore assunzione che nella regione di sheath le collisioni degli ioni siano trascurabili, il che ` e consistente se le dimensioni della sheath sono pi` u piccole del cammino libero medio. Questa assunzione pu` o essere vericata a posteriori. Lo scopo principale dei calcoli che seguono ` e di determinare delle condizioni di autoconsistenza per i proli di densit` a e potenziale elettrostatico che siano qualitativamente della forma mostrata in 37

gura 16. In seconda instanza, si vuole stimare lintensit` a del usso verso la parete degli ioni e la velocit` a con la quale vi giungono. Per comodit` a di calcolo ssiamo lorigine dellasse x = 0 al bordo della sheath, denito come il punto oltre il quale ne (x) < ni (x). Sia x = s la posizione della parete. Quindi s determina lestensione spaziale della sheath. Sempre per comodit a supponiamo che il potenziale (x) sia nullo allinterno del plasma neutro. In questo modo ci aspettiamo che la parete si ponga a potenziale negativo. Nel loro moto lungo x verso la parete, gli ioni avranno una velocit` a v (x) e una densit` a ni ( x ) funzioni della posizione. In condizioni stazionarie la corrente degli ioni deve essere uniforme. ni (x)vi (x) = cost. = ni0 v0 , (55)

dove ni0 ` e la densit` a nella regione uniforme ben allinterno del plasma, e si assume che gli ioni entrino quindi nella regione di sheath con una velocit` a v0 nella direzione della parete. Essendo le collisioni trascurabili per ipotesi, la velocit` a degli ioni in ogni punto pu` o essere ricavata dalla conservazione dellenergia. Avendo posto (0) = 0, si ha v i ( x) =
2 v0

2Ze(x) mi

1/2

ni ( x ) = 1

ni 0 2Ze(x) 1/2 2 m i v0

(56)

Per gli elettroni vale la (54) dove anch` e il plasma nella regione interna sia neutro (ne = ni ) deve essere n0 = Zni0 . Possiamo allora scrivere lequazione di Poisson 2Ze(x) e(x) e en0 2 x (x) = = (ne Zni ) = exp 1 2 0 0 0 kB Te m i v0 vB = ZkB Te mi
1/2

1/2

Conviene ora introdurre la cosiddetta velocit` a di Bohm vB ,

(57)

(58)

che risulta uguale alla velocit a del suono in un plasma nel quale la temperatura ionica Ti = 0 (o pi` u precisamente Ti Te ). Introduciamo variabili adimemsionali normalizzate nel modo seguente: = x , D M= v0 , vB = e , kB Te (59)

dove la lunghezza di Debye D ` e data da D = n0 e 2 0 kB Te

1/2

(60)

In questo modo lequazione per il potenziale ha la forma compatta 1 d2 = e . 2 d (1 2/M 2 )1/2 38 (61)

Procediamo ora per quadratura, moltiplicando ambo i membri per = d/d e usando lidentit` a d( 2 ) = 2 . Otteniamo allora 1 d 2 1 ( ) = e . 2 2 d 1 2/M Integrando ambo i membri otteniamo 1 2 d d
2

(62)

= M

1 2 2 e M

( )

.
( 0 )

(63)

Se 0 ` e ben allinterno del plasma, si pu` o assumere (0 ) = 0 e (0 ) E (0 ) = 0, da cui 1 2 d( ) d

2

Poich e il membro di sinistra ` e denito positivo, anch` e ci sia una soluzione reale dobbiamo imporre che M 2 1

= M 2 1

( ) 1 2 2 + 1 e ( ) . M

(64)

> 1. Discutiamo questa condizione nellassunzione ulteriore 1, ovvero V kB Te , e M Sviluppando al secondo ordine in otteniamo 2 2 + > 0, 2M 2 2 (66)

1 2 2 + 1 e > 0. M

(65)

da cui otteniamo la condizione (criterio di Bohm) M= v0 > 1. vB (67)

La (67) pu` o anche essere derivata euristicamente nella maniera seguente. Il potenziale V deve essere monotonamente descrescente con x (cio` e dallinterno del plasma verso la sheath), ovvero dV /dx < 0. Le densit` a di ioni ed elettroni ni e ne sono scritte come funzione di V , per cui x ne,i = (dne,i /dV )x V e risultano anchesse monotonamente descrescenti. Consideriamo il bordo allora per x = 0+ si avrebbe Zni < ne e quindi una regione di carica negativa, il che ` e in contraddizione con landamento monotono del potenziale ed il requisito sico che il potenziale di sheath sia repulsivo per gli elettroni. Quindi deve essere Z dni dV <
V =0

della regione di sheath (x = 0), laddove V = 0 e Zni = ne . Se per x = 0 si avesse |x Zni | > |x ne |,

dne dV

,
V =0

(68)

39

ovvero Zni0 e 1 2Ze < n0 . 2 2 m i v0 kB Te (69)

Poich e n0 = Zni0 , possiamo riscrivere questequazione nella forma semplice M2 = che ` e equivalente alla (67). Alla luce di quanto sopra interpretiamo la (67) come condizione necessaria alla formazione di una sheath stabile e stazionaria in regime non collisionale. Assumendo inoltre che la condizione sia > vb ), possiamo valutare la corrente degli ioni come soddisfatta marginalmente (v0 Ji = Zeni0 v0 en0 vB . (71)
2 v0 >1 2 vB

(70)

Possiamo inoltre, senza determinare la soluzione esplicita per il potenziale, stimare la dierenza di potenziale Vp tra il bordo della sheath (x = 0) e la parete (x = s) che determina lenergia acquistata dagli ioni nellattraversare la sheath. In uno stato stazionario le correnti di ioni e elettroni devono essere uguali, ovvero Ji + Je = 0. Alla parete, la corrente di elettroni sar` a data da Je = enep v e . La densit` a di elettroni sar` a data, applicando la relazione di Boltzmann, da nep = n0 exp eVp . kB Te (73) (72)

Inne la velocit` a media v e si pu` o calcolare come la media di vx sulla distribuzione maxwelliana delle velocit` a, estesa solo alle velocit` a dirette verso la parete: v e = da cui si trova v e = Eguagliando Je = Ji otteniamo per Vp Vp = kB Te vB ln e v e = kB Te 1 mi . ln 2e 2 m e (76) kB Te . 2me (75) 1 vte
+ 0

vx evx /vte dvx ,

vte =

2kB Te /me ,

(74)

40

Dalla conoscenza del salto di potenziale Vp si pu` o quindi risalire alla velocit` a con cui gli ioni raggiungono la parete. Il rapporto dellenergia acquistata nella sheath, ZeVp , rispetto allenergia iniziale ` e 1 mi ZeVp . = ln 2 m i v B /2 2 m e (77)

In condizioni stazionarie il usso di ioni verso la parete deve essere uguale al numero di ioni prodotti per ionizzazione nella regione interna del plasma. Se il processo dominante ` e la ionizzazione collisionale, nella quale gli atomi neutri del gas vengono ionizzati da una collisione con gli elettroni liberi, il numero di ioni prodotti per unit` a di volume si pu` o scrivere come S = t (ni )ioniz = ne ng Ki (Te ) (78)

dove ng ` e la densit` a degli atomi neutri e Ki = Ki (Te ) ` e la probabilit` a di ionizzazione, che ` e funzione dellenergia degli elettroni e quindi (nota la funzione di distribuzione delle velocit` a) della temperatura. Assumendo che la ionizzazione avvenga nella regione interna dove ne = ni = n, e che gli ioni uiscano con velocit a vB simmetricamente da entrambi i lati della regione di plasma e che la lunghezza di questa sia pari a d, la relazione che esprime il bilancio del numero di ioni ` e nng Ki d = 2nvb . (79)

Notare che questa relazione, nota lespressione di Ki , dipende solo dalla temperatura e quindi pu` o essere usata per stimare Te in funzione di ng d e della massa degli ioni.

B. La regione di presheath. Il problema del raccordo

bordo della sheath (x = 0) si abbia E = 0 ` e troppo semplicata. In generale per x < 0 esiste una regione quasi neutra (presheath ) con un debole campo elettrico che sostiene il moto degli ioni. Il
2 salto di potenziale lungo la regione di pre-sheath risulta quindi Vps mi vB /2e = ZkB Te /2e.

Il modello di sheath non collisionale non ` e autoconsistente in quanto non consente di determinare > vb nella regione dove V = 0 e E = 0. Lipotesi che al lorigine di una velocit` a ionica di deriva vi

La regione di presheath risulta tipicamente estesa su distanze 100D , assai maggiori dellestensione della regione di sheath che ` e dellordine di qualche D . Tale distanza risulta maggiore del cammino libero medio di collisione, per cui ` e necessario tenere conto delle collisioni; in generale nella regione di presheath si deve adottare una descrizione sicamente diversa da quella della regione di sheath. 41

Il problema che sorge, a livello di descrizione uida, ` e quello del raccordo tra le soluzioni per campi e velocit` a trovate nelle due diverse regioni, poich e le equazioni uide diventano singolari alla supercie dove v (x) = vB . Per evidenziare il problema consideriamo una descrizione minimale della dinamica ionica nella presheath, basata sulle equazioni x (ni vi ) = t ni = S, mi (t + vi x )vi = ZeE c vi , ene E = kB Te x ne . (80) (81) (82)

dove c ` e la frequenza di attrito che modellizza leetto delle collisioni. Assumendo condizioni stazionarie (t vi = 0) e di quasi-neutralit` a (ne = ni ), si possono eliminare ne ed E e ottenere con un po di algebra x ni = vi ( c ni S ) , 2 2 vi vB x vi =
2 S S vi c , 2 2 vi vB ni ni

(83)

il che mostra che le equazioni diventano singolari alla supercie laddove vi = vB . Riassumendo, il problema consiste nel fatto che le due regioni di sheath e presheath, che possono essere descritte da modelli con livelli diversi di approssimazione (non neutralit` a e non collisionalit` a nella prima, quasi neutralit` a e collisionalit` a nella seconda) sono separate da uno strato di singolarit` a che rende non banale il raccordo tra le soluzioni ottenute separatamente nelle dure regioni. Questo problema, del quale qui abbiamo presentato una descrizione semi-euristica e semplicata, ` e uno dei classici della sica dei plasmi. Dal punto di vista matematico il problema ` e assolutamente non banale ed ` e oggetto attuale di controversie e discussioni accese (Riemann et al., 2005, e referenze incluse). Questo tuttavia non preclude una comprensione suciente ai ni pratici della sica delle sheath attraverso modelli approssimati e simulazioni numeriche.

C. Sheath ad alto voltaggio. Legge di Child

La strategia pi` u semplice per aumentare lenergia degli ioni in una scarica DC ` e quella di applicare un potenziale esterno V0 agli elettrodi in modo da aumentare la dierenza di potenziale relativa al plasma. Una sheath dove V0 kB Te viene detta ad altro voltaggio. In corrispondenza allaumentare del campo nella regione di sheath la densit` a elettronica diminuisce. Nel limite in cui ne = 0, ovvero si ha un completo svuotamento di elettroni nella sheath, si parla di una matrix sheath. Supponendo che la densit` a ionica sia uniforme e pari a n, dallequazione di Poisson otteniamo per il potenziale

42

(x) (x) = da cui otteniamo lo spessore della sheath s= 2 0 V 0 en

1/2

en 2 x, 2 0

(s) = V0

(84)

= D

2V 0 kB Te

1/2

(85)

da cui si vede che al crescere di V0 il valore di s diventa grande rispetto a D . Lipotesi di ni uniforme ` e comunque troppo brutale. La densit a degli ioni in funzione di x e in assenza di elettroni pu` o essere determinata autoconsistentemente dalla conservazione dellenergia e della corrente accoppiate con lequazione di Poisson: 1 1 2 2 m i vi (x) + Ze(x) = mi vi (0), 2 2 Zeni (x)vi (x) = Zeni (0)vi (0), e 2 x (x) = ni (x). 0 (86) (87) (88)

Queste equazioni sono analoghe a quelle di un diodo elettronico a vuoto, descritto nella sezione A.1. La soluzione analitica semplice ottenuta con le condizioni E (0) = 0, v (0) = 0 porta alla relazione fra corrente e spessore s della sheath J=
3/4

4 9

2Ze 0 3/2 V m i s2 0

(89)

da cui s V0 . Ovviamente la soluzione non ` e sicamente autoconsistente perch e lipotesi v (0) = 0 ` e in contrasto con il criterio di Bohm e inoltre, unita alla conservazione di J (x), implica una ni (x) divergente in x = 0. Nonostante questa patologia la legge di Child ` e spesso usata per stimare come scala lo spessore di una sheath col voltaggio applicato.

D. Sonde elettrostatiche

La teoria delle sheaths DC sviluppata nei paragra precedenti ` e la base per comprendere il funzionamento di una sonda elettrostatica per la diagnostica del plasma. In pratica, inserendo nel plasma un elettrodo collegato ad un generatore di potenziale, la misura della corrente che viene estratta dal plasma fornisce informazioni sulla densit` a e temperatura di questo. Alla base di questo schema di funzionamento c la formazione di una sheath intorno allelettrodo che determina il usso di corrente ionica ed elettronica dal plasma. ... 43

I V
+

I V
+

Figura 17 Schemi di una sonda elettrostatica singola e di una sonda doppia. V. MODELLI DI SCARICHE AC A. Scariche capacitive in AC

In generale i dispositivi al plasma per applicazioni quali letching dei seminconduttori sono alimentati da tensioni alternate a una data frequenza , confrontabile con le frequenze caratteristiche ` quindi importante studiare dei modelli di dinamica della regione di del plasma creato nella scarica. E sheath in condizioni di corrente alternata (AC), non solo per necessit` a tecnica ma anche perch e rappresenta un altro parametro di controllo esterno che pu` o essere modulato per variare le quantit` a di maggiore interesse, quali ad esempio il usso e lenergia degli ioni che bombardano le pareti. In questa sezione prendiamo in esame le scariche capacitive. Grossolanamente una scarica capacitiva pu` o essere pensata come occorrente allinterno di un condensatore, ovvero il plasma ` e creato nella regione tra due elettrodi metallici tra i quali si mantiene una opportuna tensione. Una denizione pi` u precisa pu` o essere data in termini della schematizzazione della scarica e del generatore esterno in serie ad essa in termini di circuito equivalente. Questa schematizzazione ` e importante in quanto limpedenza complessa della scarica dipende in generale dai suoi parametri caratteristici e quindi la misura dellimpedenza fra i capi della connessione al generatore esterno fornisce una diagnostica del plasma. Una scarica sar` a quindi considerata capacitiva se la sua impedenza ` e principalmente di tale tipo. Il regime di frequenze che prendiamo in esame ` e quello in cui pe pi (90)

dove pe e pi sono rispettivamente le frequenze di plasma associate agli elettroni e agli ioni. La disuguaglianza pi implica che gli ioni sono troppo inerziali per rispondere instantaneamente 44

ni ne sa(t) sb(t)

Figura 18 Proli schematici della densit` a ionica ed elettronica nel modello omogeneo di una sheath AC.

alle variazioni temporali dei campi. Si pu` o allora studiare il loro moto eettivo nei campi ottenuti come media temporale sul periodo dei campi oscillanti. Questo, come apparir` a in seguito, permette di utilizzare per gli ioni i risultati ottenuti nella sezione IV per le sheath in condizioni DC. La disuguaglianza pe implica invece che la risposta degli elettroni ` e istantanea rispetto alle variazioni dei campi oscillanti. Questi ultimi possono penetrare allinterno del plasma solo nellulteriore ipotesi /c d dove d ` e la dimensione tipica del dispositivo, ovvero del plasma. Questo equivale a conservare lapprossimazione elettrostatica. Consistentemente continuiamo inoltre ad assumere una geometria 1D e trascuriamo eetti di bordo. Notiamo che queste approssimazioni non sono giusticate nella modellizzazione di dispositivi di recente sviluppo per i quali la tendenza ` e di lavorare a frequenze pi` u alte, rendendo necessaria una descrizione elettromagnetica.

1. Modello omogeneo

Descriviamo nel seguito il cosiddetto modello omogeneo (Lieberman and Lichtenberg, 2005, par.11.1), che rappresenta probabilmente il modello minimale di una sheath AC. Lassunzione di base ` e che la densit` a degli ioni ni sia uniforme e costante in tutto il volume. Per la densit` a elettronica assumiamo invece la condizione di matrix sheath per cui ne = 0 nelle regioni di sheath in prossimit` a delle pareti, mentre ne = ni n nella regione interna di plasma (assumiamo carica ionica Z = 1). I proli della densit` a sono schematizzati in gura 18. Assumendo che la distanza fra le pareti (elettrodi) sia d, abbiamo quindi due regioni di sheath, 0 < x < sa e d sb < x < d dove sa e sb sono gli spessori delle due regioni. In generale i bordi della sheath oscilleranno sotto lazione del campo elettrico applicato, quindi sa = sa (t) e sb = sb (t).

45

La descrizione del modello risulta semplicata se consideriamo il dispositivo in serie ad un generatore ideale di corrente I (t) = I1 cos t. (Tecnicamente ` e pi` u verosimile avere a che fare con un generatore di tensione, il che non presenta dicolt` a se non delle formule meno compatte.) Consideriamo il usso di corrente sullelettrodo a. Per la conservazione della carica si deve avere I1 (t) + J (0+ , t)A = At a (t), (91)

dove a (t) ` e la carica per unit` a di supercie presente sullelettrodo. Nella regione 0 < x < sa , se sa > 0 non si hanno elettroni e quindi tutta la corrente sar` a dovuta agli ioni, J (0+ , t) Ji (0), dove nel caso DC. Se Ji (0) I1 , si avr` a I1 t a = 0 t E (0+ , t), cio` e la corrente in ingresso dallelettrodo di Gauss E (x, t) = en [x sa (t)], 0 0 t E (x, t) = ent sa , (92) Ji (0) envB assumendo che la dinamica degli ioni mediata sul periodo sia simile a quella discussa

` e bilanciata dalla corrente di spostamento. Il campo elettrico nella sheath a ` e determinato dalla legge

da cui otteniamo che loscillazione del bordo della sheath ha la forma sa ( t ) = s s0 sin t, s0 = I1 . enA (93)

Per determinare lampiezza media di oscillazione s usiamo un argomento di conservazione della carica. A regime, la carica ionica persa verso le pareti in un periodo deve essere bilanciata dal trasferimento di un uguale quantitativo di carica elettronica. Questo ` e possibile solo se durante loscillazione la regione dove ne = n = 0 entra in contatto con lelettrodo, ovvero se sa (t) 0 per un certo intervallo temporale. Lipotesi pi` u semplicativa ` e che il collasso della sheath avvenga per un tempo molto breve rispetto al periodo, ovvero che idealmente sa (t) = 0 in un solo istante, nel quale la carica elettronica in eccesso deuisce istantaneamente verso lelettrodo. Poniamo allora s = s0 in modo che sa (t) = s0 (1 sin t). (94)

Il collasso della sheath avviene quindi per t = /2 (modulo 2 ). Considerazioni del tutto analoghe avvengono per la sheath b, il cui bordo oscilla secondo la legge sb (t) = s0 (1 + sin t). (95)

La lunghezza della regione di plasma ` e = d sa (t) sb (t) = d 2s0 ed ` e quindi costante: la regione quasi-neutra rimbalza rigidamente fra le pareti. Ordinariamente s0 d e quindi d. 46

I valori della caduta di potenziale attraverso le due sheaths (relativi alla regione quasi neutra) sono dati da en en 2 sa ( t ) = s2 (1 sin t)2 , 2 0 2 0 0 0 d en en 2 Vbp = E (x, t)dx = s2 s0 (1 + sin t)2 . b (t) = 2 0 2 0 d sb Vap =
sa

E (x, t)dx =

(96) (97)

Quindi sia Vap che Vbp hanno lo stesso valor medio non nullo e inoltre contengono componenti oscillanti s fornisce lenergia alla seconda armonica. Il valor medio della variazione di potenziale su una sheath V acquistata dagli ioni che attraversano la sheath ed ` e dato da ap = V bp = 3en s2 s . V V 4 0 0 La dierenza di potenziale tra gli elettrodi ` e invece una semplice funzione oscillante: Vab = Vap Vbp = 2en 2 s sin t 0 0 (99) (98)

il che ` e consistente con la presenza di un generatore esterno di tensione oscillante Vext = V1 sin t. Se si trascura il potenziale di presheath rispetto a Vap e Vbp si ha Vab V1 . Questo permette di stabilire le relazioni s0 = I1 = enA 0 V 1 2en (100)

che dipendono dalla densit` a di portatori di carica n nel plasma, che non ` e determinata a questo punto (quel che ` e noto ` e il valore della densit` a di particelle nel gas ng ). Una stima di n si pu` o ottenere dal bilancio di energia e di particelle, come descritto nel paragrafo seguente.

2. Bilancio di energia. Riscaldamento Ohmico

Poich e abbiamo assunto che gli ioni rispondono ai campi mediati sul tempo, il usso medio di ioni verso gli elettrodi ` e stato stimato come F = 2nvB A come nel modello di Bohm (par.IV.A) e possiamo usare lo stesso argomento per il bilancio di particelle. Nota lespressione del rate di ionizzazione collisionale Ki in funzione della temperatura elettronica Te questultima pu` o essere stimata dallequazione di bilancio in funzione della quanti` ta totale di gas (per unit` a di supercie) ng d . Lesistenza di un usso di ioni e di elettroni verso lesterno implica un usso di energia verso le pareti che deve essere bilanciato dallenergia assorbita dal plasma. Questa energia viene fornita dal generatore esterno che mantiene in oscillazione il plasma in condizioni di regime. 47

Il usso di energia Si dovuto agli ioni nel semplice modello in esame pu` o essere scritto molto semplicemente notando che ogni ione creato per ionizzazione nellattraversare presheath e sheath 2 s ) dove eVb mi vb s ` acquista lenergia e(Vb + V /2 e V e dato dalla (98). Consistentemente con le s se il potenziale a cui vengono portati gli elettrodi ` approssimazioni dei punti precedenti Vb V e abbastanza elevato. Si ha quindi s . Si 2nvB eV (101)

Per la conservazione della carica, il usso di elettroni mediato sul periodo ` e uguale a quello degli ioni, per cui possiamo scrivere in generale per il usso di energia Se degli elettroni Se 2nvB Ee . (102)

Lenergia persa per elettrone, Ee ` e, seguendo (Lieberman and Lichtenberg, 2005, par.11.1) la somma di vari contributi Ee = Ecoll + Ekin + Es . (103)

Il primo termine ` e lenergia persa per la creazione di una coppia elettrone-ione e quindi ` e presumibilmente dellordine del potenziale di ionizzazione del gas. Il secondo termine ` e lenergia cinetica media persa dagli elettroni che fanno parte del usso uscente dalla regione di plasma, che ` e stimata come il rapporto tra i ussi di energia e di particelle calcolati come momenti della funzione di distribuzione delle velocit` a: Ekin = m e v 2 v x / 2 vx > 0 = 2kB Te . v x vx > 0 (104)

Lenergia legata al moto coerente di oscillazione ` e considerata trascurabile rispetto allenergia termica. Questa assunzione pu` o essere discussa considerando lespressione esplicita per la velocit` a vosc = s0 . Il rapporto tra vosc e velocit` a termica piccolo a basse frequenze. Il terzo termine rappresenta lenergia acquistata dagli elettroni nellattraversare la regione di sheath. Per consistenza col modello omogeneo semplicato tale energia dovrebbe essere nulla in quanto gli elettroni fuggono attraverso lelettrodo al momento in cui questo ` e allo stesso potenziale della regione quasi neutra, in quanto lo spessore della sheath collassa a zero. Una stima pi` u accurata richiede un modello migliore e considerazioni sulla dinamica degli elettroni su tempi pi` u brevi del periodo di oscillazione. In (Lieberman and Lichtenberg, 2005) si stima lenergia persa dagli elettroni 48 kB Te /me ` e di ordine (/p ) eV1 /kB Te che ` e un parametro

dai risultati del modello DC. Senza approfondire possiamo accontentarci di stimare Elost Ecoll + 2kB Te . Il meccanismo pi` u diretto col quale gli elettroni possono assorbire energia dal campo esterno ` e per eetto della resistivit` a del plasma, ovvero per riscaldamento Ohmico (o eetto Joule). Scrivendo la conducibilit` a (complessa) del plasma nella forma usuale ( ) = si ottiene per la potenza dissipata Pdiss = J Ed =
2 2 1 me I 1 d 1 I1 c d. = 2 A2 DC 2 A2 e2 n 2 i0 p , + ic

(0) =

2 0 p DC c

(105)

(106)

In assenza di altri meccanismi per i quali gli elettroni assorbono energia, lequazione di bilancio energetico s + Ee ) = Pdiss Se + Si = 2nvB (V (107)

pu` o essere usata per stimare la densit` a del plasma n se sono note Te (dal bilancio delle particelle) e le espressioni di Ec , c , . . . in funzione di Te .
3. Riscaldamento non collisionale o stocastico

Nelle sheaths AC risulta che il riscaldamento ohmico non ` e il solo meccanismo col quale lenergia fornita dallesterno viene assorbita dal plasma (cio` e convertita in energia di ioni ed elettroni). Un ruolo importante ` e svolto da meccanismi di assorbimento non collisionale, legati alla dinamica collettiva degli elettroni nei campi autoconsistenti dipendenti dal tempo. In questa sezione presentiamo una discussione (euristica e molto qualitativa) di questi meccanismi di assorbimento, detto anche stocastico, basandoci sul paradigma dellinterazione di una particella con una parete mobile. Per semplicit` a consideriamo un modellino unidimensionale e non relativistico. Consideriamo una particella avente velocit` a v diretta verso una parete elastica anchessa in moto con velocit` a w, lungo la normale alla parete (gura 19). La propriet` a della parete ` e quella di riettere specularmente ogni particella incidente, conservandone lenergia e cambiando di segno alla quantit` a di moto, nel sistema di riferimento S in cui la parete ` e in quiete. In tale sistema la velocit` a delle particella incidente, e vr = v + w = v + 2w nel laboratorio, che corrisponde ad una variazione di energia cinetica
usando le trasformazioni di Galilei, ` e v = v w. Dopo la riessione la velocit` a` e vr = v in S

E = 2mvw + mw2 che ` e sicuramente positiva se v e w hanno segno opposto. 49

v w v +2w

Figura 19 Riessione di una particella da una parete mobile.

Lidea del riscaldamento stocastico ` e che un campo con una dipendenza spaziotemporale in qualche modo simile ad una parete mobile possa cedere energia alle particelle in maniera analoga. Il campo generato nelle sheath AC descritto nelle sezioni precedenti ha questa propriet` a, in quanto la barriera di potenziale elettrostatico oscilla nel tempo e il proprio bordo si sposta lungo x con ampiezza data da s(t). Un elettrone test che si muove nel campo oscillante della sheath potr` a quindi acquistare o cedere energia a seconda della fase e della velocit` a iniziale. Una teoria soddisfacente dellassorbimento stocastico in una sheath deve risolvere degli aspetti non banali. Uno ` e quello dellautoconsistenza, in quanto se ` e lassorbimento stocastico a determinare la distribuzione degli elettroni inuenzandone la dinamica, la distribuzione spaziotemporale degli elettroni stessi determina lampiezza e la forma del campo elettrico che accelera gli elettroni. Il secondo aspetto, potenzialmente sottile, ` e quello della reversibilit` a o simmetria temporale del fenomeno, in quanto ` e legittimo porsi il dubbio che in presenza di un campo oscillante e di una funzione di distribuzione isotropa ogni elettrone abbia uguale probabilit` a di acquistare o perdere energia, in modo che lassorbimento totale sommato su tutti gli elettroni sia nullo. Unespressione compatta per la potenza assorbita stocasticamente nel modello omogeneo delle sheaths AC, basata su assunzioni dichiaratamente sbagliate, ` e riportata in (Lieberman and Lichtenberg, 2005). Per prima cosa determiniamo lenergia acquistata in un intervallo di tempo dt per eetto delle particelle aventi energia iniziale compresa tra v e v + dv che collidono con la parete. Il numero di tali particelle ` e dN (v ) = f (v )dv (v w)dt (dove f (v ) ` e la funzione di distribuzione delle velocit` a) e la potenza corrispondente ` e dS =
m 2 ( vr 2

2 ( vr v 2 )(v w) = 4(v w)2 w otteniamo

tutte le particelle dirette verso la parete nel sistema S , ovvero per v = v w > 0. Notando che
+ w

v 2 )dN (v ). La potenza totale si ottiene integrando su

S = 2m

w(v w)2 f (v )dv. 50

(108)

Applicando questo ragionamento alla sheath oscillante poniamo m = me e w = vosc (t) = t s(t) = v0 cos t (dove v0 = s0 ), dobbiamo mediare sul periodo di oscillazione per ottenere lenergia netta
2 acquistata. La media dellintegrando fornisce w(v w)2 = 2vw2 = v0 v . Inoltre se vth v0 si

pu` o prendere v = 0 come estremo inferiore di integrazione. Si ha allora

2 stoc = 2me v0 S + 0

f (v )dv.

(109)

Se f (v ) ` e Maxwelliana lintegrale vale nvth /4 e si ottiene

2 me vth I1 1 2 nvth = Pstoc = me v0 2 2e2 n A2

(110)

per una singola sheath. La potenza totale assorbita dagli elettroni ha allora unespressione compatta Pe = Pdiss + 2Pstoc =
2 me I 1 (c d + 2vth ). 2e2 n A2

(111)

La pecca di questo ragionamento ` e che la funzione di distribuzione delle velocit` a al bordo della sheath, fs (v, t), dovrebbe essere autoconsistente con la conservazione della corrente totale al bordo: ns (t)vosc (t) = Una scelta semplice che soddisfa questo vincolo ` e fs (v, t) = ns (t)f (v vosc (t)) per la quale si ottiene per` o che la potenza mediata sul tempo ` e nulla. Il problema di una trattazione autoconsistente del riscaldamento stocastico richiede un approccio pi` u complesso di quello qui abbozzato ed ` e un argomento attivo di ricerca. Qui ci siamo limitati a sottolineare gli aspetti di base del meccanismo che sperimentalmente pu` o rappresentare, in condizioni opportune, il contributo pi` u importante allassorbimento di energia nelle sheaths AC. Nondimeno la (111) ` e assai suggestiva, in quanto mostra che il contributo stocastico domina su quello ohmico se d/vth < 2/c , cio` e in pratica se le collisioni degli elettroni con le sheaths sono pi` u frequenti di quelle con gli ioni nel plasma (infatti d/vth ` e il tempo di volo da una sheath allaltra). (113) vfs (v, t)dt. (112)

4. Modelli e schemi avanzati

Il modello omogeneo descritto nei paragra precedenti ` e molto utile per mettere in luce la sica essenziale delle scariche capacitive, ma ` e troppo semplicato per fornire predizioni pi` u che qualitative. Un passo avanti verso una descrizione pi` u realisitica ` e fornito dal cosiddetto modello disomogeneo 51

(Lieberman and Lichtenberg, 2005, sec.11.2). La distinzione principale rispetto al modello precedente (e che ne giustica il nome) ` e il passaggio dallassumere un prolo di densit` a del tipo di una matrix sheath ad un prolo autoconsistente col moto di ioni ed elettroni. Questo porta ad una sorta di legge di Child generalizzata al caso AC. I calcoli relativi al modello sono relativamente complessi e non saranno qui riportati. Una predizione interessante del modello disomogeneo ` e la legge di scala per la densit` a di ioni ns 2 VRF (114)

dove e VRF sono la frequenza e lampiezza del segnale di tensione a radiofrequenze applicato. Poich e lenergia degli ioni Ei VRF , questi due diversi scaling hanno suggerito lidea che in una congurazione duale che utilizzi due generatori di ampiezza e frequenza diverse si possa avere un controllo indpendendete di ns e Ei . Questo ` e possibile se V1 V2 ,
2 2 1 V1 2 V2 .

(115)

In questo caso ci si pu` o aspettare che Ei sia controllata principalmente dalla sorgente 2 a bassa frequenza mentre ns ` e maggiormente inuenzata dalla sorgente 1. Queste scariche duali sono oggetto di ricerca attuale. Una maniera meno sosticata di modicare (a parit` a di condizioni del plasma) lenergia degli ioni ` e intervenire sulla geometria della scarica: ad esempio consideriamo il caso in cui i due elettrodi abbiano aree diverse Aa e Ab . La conservazione della carica impone che la corrente totale I (mediata sul tempo) che scorre sugli elettrodi sia la stessa, il che impone che la densit` a di corrente J = I/A sia /s, dove V e e s sono rispettivamente la caduta di diversa. Per una scarica capacitiva si ha J V potenziale e lestensione della sheath. Se consideriamo una Child sheath ad alto voltaggio, la densit` a 3/2 /s2 . Eliminando s otteniamo che la densit` nV a di corrente scala come I=
A

1/4 JdS V

n1/2 dS

(116)

Imponendo la condizione Ia = Ib e supponendo per semplicit` a che la densit` a in prossimit a degli elettrodi sia circa la stessa, si ottiene a Ab V Vb Aa
4

(117)

Si tratta di un esempio molto rozzo che per` o mostra (molto qualitativamente) come la diversa supercie degli elettrodi possa inuenzare signicativamente il potenziale di sheath in condizioni di regime. 52

Lipotesi na = nb ` e in generale ingiusticata ed ` e possibile usare modelli relativamente semplici per includere questo eetto: si veda ad esempio (Lieberman and Lichtenberg, 2005, par. 11.4, pag.432-434) a V b (Ab /Aa )3.42 . Speriper un modello di capacitore sferico per il quale na /nb (Ab /Aa )0.29 e V

Aq mentalmente si osservano delle dipendenze pi` u deboli ma comunque signicative, del tipo V < 2.5. con q
B. Scariche induttive

Grossolanamente parlando, le scariche induttive stanno a quelle capacitive come un solenoide sta ad un condensatore: laccoppiamento tra la scarica e i generatori esterni ` e ottenuto tramite opportuni avvolgimenti di corrente, tali che nel limite di frequenza zero nel dispositivo sarebbe presente solo un campo magnetico. Con questa premessa, il modello pi` u semplicato di scarica induttiva che si pu` o fare ` e quello di un lungo solenoide di raggio a e altezza a, costituito da un avvolgimento di N spire nelle quali 1 eit . scorre la corrente alternata, in notazione complessa, I1 (t) = I Il regime pi` u semplice da modellizzare ` e quello di basse frequenze a/c, tali che si pu` o usare lapprossimazione di campi e correnti lentamente variabili, e di basse densit` a tali che p < , in modo che si pu` o trascurare leetto di schermo del campo elettromagnetico dovuto alla presenza del plasma. In tali condizioni, il campo magnetico ha lespressione magnetostatica Bz 0 I1 (t)N/ ed ` e uniforme su tutto il plasma interno allavvolgimento. Il campo elettrico indotto si ottiene allora dalla (i/2)0 rI 1 N . Questo campo sostiene legge di Faraday-Neumann come E = E eit con E

= ( )E dove lespressione generale per la conducibilit` una corrente solenoidale J a complessa del plasma ` e ( ) = equivalente alla permittivit` a dielettrica
2 p ( ) =1 . r ( )) = 1 + i 0 ( + ic ) 2 i0 p , + ic 2 p =

ne2 , 0 m e

(118)

(119)

La corrente indotta allinterno del plasma ` e del tutto analoga alle correnti parassite indotte in un nucleo di ferro avvolto da spire con corrente AC e causa un riscaldamento ohmico del plasma. La potenza dissipata per eetto Joule ` e data da Pohm =
a 0

J E2rdr = 53

e2 nc N 2 a4 2 2 |I 1 | 0 . 2 8m e

(120)

Nel regime opposto di alta frequenza, occorre in linea di principio usare la soluzione esatta per i campi elettromagnetici, che ` e possibile scrivere in termini di funzioni di Bessel. Ai ni di una discussione qualitativa ` e possibile semplicare la distribuzione dei campi come segue. Gli eetti di schermo e di induzione connano la corrente sui bordi del solenoide, entro uno spessore che pu` o essere stimato dallequazione di Helmoltz 2 E 2 = 0. r ( ) E c2 (121)

c , oppure (c/p )(c / )1/2 nel limite opposto c . Assumendo a, si pu` o approssimare la corrente indotta nel plasma come una corrente superciale; il sistema nel suo complesso ` e schematizzato come due solenoidi coassiali, quello formato dalle spire connesse al generatore esterno, dove scorre la corrente totale N I1 , avente raggio b > a e il solenoide di plasma avente raggio a e corrente Ip J (a) . La potenza dissipata ` e data adesso da Pohm 1 | J | 2 a, 2 e e = ne2 me e

Dalla solita espressione di r ( ) per un plasma si pu` o stimare c/p nel limite non collisionale

(122)

dove si indica con e una frequenza dattrito eettiva (che sostituisce c ) per tenere conto dellimportanza di eetti di assorbimento stocastico nel campo elettrico oscillante e disomogeneo per < a. r Per stabilire una relazione tra i parametri del plasma e quelli del generatore esterno ` e utile costruire un modello di circuito equivalente per il sistema; attraverso questa modeliizzazione si ` e in grado di avere una semplice diagnostica del plasma dalla misura dellimpedenza vista dal generatore. Lespressione per Pohm consente per prima cosa di denire una resistenza del plasma Rp secondo la relazione 1 2 Pohm |I p | Rp , 2 Rp = a . e (123)

p = V ip , dove V ip = Alternativamente si pu` o denire limpedenza del plasma Zp dalla relazione Zp I ` 2aE e la forza elettromotrice indotta nel plasma. Si trova allora che Zp contiene un termine induttivo Lp dovuto alla parte immaginaria di ( ), che sicamente e dovuto allinerzia degli elettroni il che causa uno sfasamento (ritardo di fase) tra corrente e campo elettrico: Zp = Rp iLp , che indichiamo con L2 = 0 a2 a = Lp (c/p )2 54 (125) Lp = a ame Rp = 2 = 2 e ne 0 p (124)

Questa induttanza inerziale va sommata alla pi` u usuale autoinduttanza geometrica del solenoide,

I1 L 12

Ip Rp L2 Lp

V 1 L1

Figura 20 Semplice circuito equivalente di una scarica induttiva.

Poich e generalmente a c/p , si ha L2 Lp . Le espressioni analoghe per lautoinduttanza del solenoide (avvolgimento) esterno e della mutua induttanza fra i due solenoidi coassiali sono L1 = 0 b2 N , L12 = 0 a2 N . (126)

Questi elementi formano il circuito equivalente di Figura 20. Limpedenza vista in ingresso ` e Zin = 1 2 L2 V 12 = iL1 + Rin iLin , 1 Rp i (L2 + Lp ) I 0 a2 N b2 1 , a2 Rin N 2 a . e (127)

Lin

(128)

Quindi la misura di Rin fornisce informazioni sui parametri della scarica attraverso e e . La potenza spesa dal generatore e assorbita dal circuito, cio e dal plasma, in questo regime ` e 1 1 |2 |I 1 |2 n1/2 . Pabs = Rin |I 2 (129)

` da notare la diversa dipendenza dalla densit` E a n nella (129) rispetto alla (122) valida nel regime 1 |2 n. Questo cambio di pendenza nella di bassa frequenza e bassa densit` a per cui Pabs = Pohm |I dipendenza da n rivela lesistenza di un massimo al crescere di n. La densit` a rimane determinata dal bilancio di energia ovvero dallequaglianza Pabs = S dove S ` e il usso totale di energia verso lesterno, che ` e generalmente proporzionale a n. Quindi, in generale non ` e detto che le curve Pabs (n) e S (n) si intersechino in un punto dequilibrio cio e per un valore della densit` a per la quale la scarica induttiva pu` o essere sostenuta a regime. La schematizzazione in termini di circuito equivalente qui descritta ` e molto semplicata. Unanalisi pi` u accurata rivela la presenza di eetti capacitivi che possono essere schematizzati per lappunto dallinserimento di opportune capacit` a nel circuito. Dal punto di vista della geometria dei dispositivi, ` e pi` u comune una congurazione a bobina planare (simile ad un avvolgimento piano a spirale) che crea un campo magnetico di geometria pi` u complessa e dicile da descrivere analiticamente. 55

C. Scariche elettromagnetiche

Diamo inne una breve introduzione alle scariche elettromagnetiche o, forse pi` u precisamente, alle wave-heated discharges . Sostanzialmente in questa classe di scariche il plasma viene creato e riscaldato attraverso unonda elettromagnetica (EM) prodotta da una sorgente esterna. Linteresse nello sviluppo di dispositivi basati su questo regime pu` o essere giusticato come il desiderio di sfruttare la possibilit` a di concentrare alte potenze nel plasma, di creare ampi volumi di scarica, di ottenere un accoppiamento che separa del tutto la sorgente dal plasma e di aumentare la frequenza di ripetizione della scarica per ottenere maggiori velocit` a di processing. Il problema comune ` e quello di ottenere un eciente assorbimento dellonda EM nel plasma, in particolare in condizioni di alta densit` a nei quali ordinariamente unonda di bassa frequenza non si propagherebbe portando ad una riessione completa dellonda senza assorbimento signicativo. Questo porta a considerare regimi particolari di propagazione, condizionati anche dagli standard pi` u diusi per le frequenze di operazione di sorgenti a radiofrequenza (13.56 MHz) o a microonde (2450 MHz). Notiamo che sorgenti laser (con frequenze dallinfrarosso al vicino ultravioletto) non sono usate per scariche aventi applicazioni industriali quali letching, presumibilmente per ragioni quali il costo della tecnologia e la bassa ecienza. Sorgenti laser pulsate sono usate per applicazioni speciche quali lablazione di materiali o particolari schemi di nanodeposizione. Nel seguito ci limitiamo brevemente a una descrizione del tipo di onde sui quali si basano i prin` da notare come i concetti menzionati (assorbimento cipali dispositivi elettromagnetici di scarica. E alla risonanza di ciclotrone, modi whistler e helicon, onde di supercie) hanno una quantit` a di altre applicazioni in sica dei plasmi e altrove.

1. ECR

Le scariche ECR (Electron Cyclotron Resonance) sfruttano il fenomeno della risonanza di ciclotrone in un plasma immerso in un campo magnetico statico B0 quando la frequenza dellonda incidente c dove c = eB0 /me ` e la frequenza di ciclotrone. Queste sorgenti operano generalmente a microonde e quindi per f = /2 = 2450 MHz occore B = 875 G per la risonanza. Nella congurazione pi` u tipica il campo B0 ` e orientato lungo la direzione di propagazione dellonda incidente ovvero parallelamente al vettore donda k. Discutiamo lassorbimento di risonanza in questa geometria prendendo per semplicit` a unonda piana. Inoltre dapprima trascuriamo la disomogeneit` a eventuale del campo e della densit` a lungo la direzione di propagazione ( z, per ssare le 56

idee). Conviene assumere unonda polarizzata circolarmente, il cui campo elettrico ha la forma, in notazione complessa )eikzit . E = E0 ( x iy Lequazione del moto per un elettrone ha la forma me dv = e ( E + v B0 ) m e c v . dt (131) (130)

)eikzit . Sfruttando v B0 = v0 B0 ( Cerchiamo una soluzione a regime nella forma v = v0 ( x iy x ) otteniamo iy v0 = ieE0 /me . c + ic (132)

Da cui vediamo che solo la polarizzazione + (destrorsa) ` e risonante, in quando il campo E ruota in maniera da rimanere parallelo alla velocit` a di girazione nel campo magnetico, accelerando lelettrone. Proseguiamo quindi la derivazione limitandoci al caso risonante, dopo aver osservato che si ha risonanza anche per una generica polarizzazione lineare in quanto essa pu` o essere vista come la sovrapposizione delle due polarizzazioni circolari, delle quali la destrorsa sar` a risonante. La potenza assorbita dal singolo elettrone ` e data da 1 e2 1 pabs = Re(ev E) = |E0 |2 Re 2 2m e c + ic = e2 c . |E0 |2 2 2m e ( c )2 + c (133)

La potenza assorbita per unit` a di volume sar` a data da pabs moltiplicata per la densit` a di elettroni ne . Per calcolare la potenza totale occore per` o in generale considerare gli eetti della disomogeneit` a di ne e di B. A titolo di esempio supponiamo che ne sia costante e che Bz B0 (1 + z ) con c = eB0 /me = . Pi` u esattamente supponiamo che la variazione spaziale di Bz sia pi` u rapida di quella di ne e determini lestensione della regione di assorbimento risonante e che questultima sia abbastanza stretta da poter considerare la variazione al primo ordine in z rispetto allo strato risonante z = 0. Scriviamo quindi nella (133) c = (1 + z ) e dopo aver motiplicato per ne integriamo su tutto lo spazio, ottenendo Pabs = ne e 2 | E 0 | 2 2m e
+

ne e2 |E0 |2 c = . 2 (z )2 + c 2m e

(134)

Vediamo quindi che il risultato ` e indipendente dalla frequenza dattrito c . Introdurre gli eetti di una disomogeneit` a del plasma richiede lo studio della propagazione dellonda incidente in un mezzo disomogeneo. Per forte assorbimento occorre inoltre tenere conto autoconsistentemente degli eetti di smorzamento sullonda incidente a causa della perdita di energia. In genere gli approcci a questo tipo di problema (ricorrente in altri regimi di sica del plasma) si basano sullapprossimazione JWKB. 57

2. Helicon

Il modello del precedente paragrafo V.C.1 consente di derivare la costante dielettrica che descrive la propagazione in plasma magnetizzato di onde piane circolarmente polarizzate in direzione parallela al campo magnetico: ( ) = 1
2 p . ( c + ic )

(135)

La propagazione dellonda ` e possibile se Re > 0. Si vede allora che solo la componente risonante si pu` o propagare a basse frequenze ( c ). Onde di polarizzazione destrorsa posso quindi propagarsi in un plasma magnetizzato a densit` a tali che p > , inaccessibili in un plasma non magnetizzato. Questo consente di generare scariche utilizzando sorgenti a radiofrequenza con campi delordine di 100 G. La regione di frequenze rilevante ` e quella dei schietti (whistlers ) per cui, nel caso di propagazione parallela a B + ( )
2 p c

(136)

da cui si ottiene la relazione di dispersione k 2 c2 = 2 p/c . La propagazione obliqua ad un angolo diverso da zero rispetto a B ` e pure possibile e per essa si dimostra la relazione di dispersione
2 (k 2 p = c

2 1/2 kz ) kz c2

(137)

` dove z e la direzione del campo B. Gli helicon sono sovrapposizioni di whistlers aventi una dipendenza spaziotemporale del tipo E, B eikz zit+im (138)

con m intero. In generale nei dispositivi di scarica si eccitano i modi con m = 0 o m = 1 mediante opportune antenne. Unimmagine della struttura dei campi elettrici travsersali per tali modi ` e riportata nella Figura 13.14 di (Lieberman and Lichtenberg, 2005).

3. Onde di supercie

Le onde di supercie rappresentano un ulteiore modo nel quale onde elettromagnetiche a bassa frequenza < p posso propagarsi un plasma. In questo caso lelemento distintivo non ` e rappresentato dalla presenza di un forte campo magnetico ma dellesistenza di un gradiente molto ripido (assimilabile ad una discontinuit` a) nella densit` a del plasma, al conne tra il plasma e il vuoto o tra il plasma e una parete dielettrica. 58

In geometria piana, le onde di supercie esistono in generale allinterfaccia tra due mezzi dielettrici con permittivit` a relative diverse 1 , 2 e si propagano lungo la supercie di separazione. Prendendo tale supercie come piano yz e considerando onde che si propagano lungo y , il campo magnetico ha solo la componente z , la cui forma ` e Bz (x) = B0 [(+x)eq+ x + (x)eq x ]eikyit , (139)

dove q > 0, ovvero il campo decresce esponenzialmente allontanandosi dalla supercie. Condizione necessarie alla propagazione risultano essere 1 2 < 0 e 1 + 2 < 0, relazioni che possono essere
2 soddsifatte nel caso di un plasma per cui 1 = 1 p / 2 < 0 (ovvero < p ) e 2 > 0. La relazione

di dispersione ha la forma k 2 c2 = 2 1 2 1 + 2 (140)

che, nel caso di uninterfaccia plasma-vuoto (2 = 1) diviene k 2 c2 = 2

2 p 2 . 2 2 2 p

(141)

Questo implica una frequenza superiore di taglio pari a p / 2. Onde di supercie esistono anche in geometria cilindrica (con B come unica componente) e hanno quindi interesse per il riscaldamento di colonne di plasma aventi tale simmetria. La relazione di dispersione ` e simile a quella ottenuta in geometria piana. Una descrizione di un modello semplice di una scarica capacitiva sostenuta da unonda di supercie di tale tipo pu` o essere trovata in (Lieberman et al., 2002).

59

11 00 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11 00 11
degli elettroni. Appendice A

e (x)

x 0 s

Figura 21 Schema di un diodo a vuoto e proli spaziali caratteristici del campo elettrico e della velocit` a

1. Legge di Child per il diodo a vuoto

La legge di Child fornisce la caratteristica V I di un diodo a vuoto, caratterizzato da un catodo riscaldato che emette elettroni i quali sono acelerati verso lanodo dal campo elettrico; la densit` a di ioni nel volume del diodo ` e trascurabile. In condizioni di corrente abbastanza elevata, la caratteristica ` e determinata autoconsistentemente dagli eetti di carica spaziale, cio` e dalla distribuzione degli elettroni tra catodo e anodo che modica il campo elettrico. Questo problema ha interesse nella sica delle scariche sia perch e la legge di Child ` e usata come descrizione delle regioni di sheath in alcuni regimi, sia come esempio semplice ed istruttivo degli eetti di carica spaziale che giocano un ruolo importante nel determinare le caratteristiche delle scariche (vedi e.g. II.G.1.) Schematizziamo il diodo a vuoto come costituito da due elettrodi metallici piani, separati di una distanza d, tra i quali un generatore mantiene la dierenza di potenziale V . In corrispondenza del catodo (supposto a potenziale nullo) un lamento riscaldato emette elettroni, che vengono accelerati dal campo elettrico e provocano il passaggio di corrente tra gli elettrodi. Il circuito si chiude esternamente come mostrato in g.21. Gli eetti di bordo tra gli elettrodi sono trascurati. In prima istanza, trascuriamo gli eetti di carica spaziale e calcoliamo la velocit` a con la quale giunge allanodo un elettrone liberato al catodo con velocit` a nulla. il campo elettrico ` e uniforme, perpendicolare alle armature e vale E = V /d. Il potenziale elettrico tra le armature varia allora linearmente, ovvero (x) = V x/d dovendo essere (0) = 0 e (d) = V . Per trovare la velocit` a

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dellelettrone a distanza x dal catodo possiamo usare la conservazione dellenergia: me 2 v (x) e(x) = cost. = 0 . 2 Otteniamo quindi v ( x) = e sostituendo per (x) v ( x) = 2eV x , me d v ( s) = 2eV . me 2e(x) , me (A1)

Supponiamo che nel diodo scorra la corrente stazionaria I . Lintensit` a di corrente ` e data da I = JA dove J ` e la densit` a di corrente nel diodo e A = L2 ` e la supercie trasversale. In condizioni stazionarie le quantit` a siche non possono dipendere dal tempo. Quindi, dallequazione di continuit` a x J = t = 0 otteniamo che J deve essere uniforme, ovvero non pu` o dipendere da x. Daltronde per denizione J = ene (x)v (x) , (A2)

e quindi otteniamo per la densit` a elettronica (notare che J < 0 in quanto gli elettroni hanno carica negativa) ne ( x ) = J |J | = eV ev (x) e 2 me . (A3)

x d

La densit` a elettronica diverge per x 0; tuttavia, grazie allintegrabilit` a di 1/ x, il numero totale di elettroni ` e nito. La divergenza a x = 0 ` e conseguenza inevitabile dellavere assunto v (0) = 0, in quanto per avere J uniforme, ovvero J = ene (x)v (x) = ene (0)v (0), ne deve necessariamente divergere in x = 0. In realt` a gli elettroni escono dal catodo con velocit` a non nulla ed ` e possibile (ma assai complicato per il seguito) ottenere con tale condizione una densit` a elettronica limitata ovunque. In pratica la velocit` a acquistata per eetto del campo elettrico ` e molto maggiore della velocit` a iniziale, cos` la soluzione ottenuta per v (0) = 0 ` e una buona approssimazione a distanza ` per` suciente dal catodo. E o importante capire il signicato sico: laccumulo di carica elettronica vicino alla supercie del catodo abbassa il campo elettrico in tale regione, rallentando gli elettroni emessi, per cui ` e necessario ranare il modello per tenere conto di tali eetti, cercando una soluzione autoconsistente per e ne .

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Per risolvere il problema in maniera autoconsistente, usiamo lequazione di Poisson per legare il potenziale alla densit` a di carica: 2 (x) = d2 (x) ( x ) e = = ne ( x ) 2 dx 0 0 (A4)

(possiamo usare il simbolo di derivata totale in quanto il potenziale dipende solo da x). Usando inoltre le equazioni (A1A3), si ottiene ne = Inserendo nella (A4) otteniamo allora d2 |J | = 2 dx 0 dove K (|J |/0 ) me /2e. Per risolvere lequazione dierenziale ordinaria non-lineare (A5) procediamo per quadratura. Moltiplicando ambo i membri per d/dx otteniamo d d d2 = K 1/2 , 2 dx dx dx ovvero 1 d 2 dx Integrando si ottiene quindi d dx
2

|J | e

me . 2ei (x)

me K 1/2 , 2e i

(A5)

d dx

= 2K

d 1/2 . dx

= 4K 1/2 + C ,

dove C ` e una costante arbitraria. Per determinarla imponiamo x = 0: poich` e per ipotesi (0) = 0, otteniamo d(0) C= dx
2

= [E (0)]2 .

La soluzione dipende quindi dal valore del campo elettrico al catodo, E (0). Fisicamente, allaumentare di I gli eetti di carica spaziale tendono a cancellare sempre pi` u il campo elettrico vicino al catodo per limitare la corrente. Assumiamo allora che quando questi eetti dominano il campo elettrico divenga nullo al catodo: E (0) = 0. Quindi, posto C = 0 e prendendo la radice quadrata della (A6) otteniamo lequazione d = 2K 1/2 1/4 , dx 62

che pu` o essere integrata per separazione delle variabili, ottenendo 4 3/4 = 2K 1/2 x . 3 Si ottiene quindi landamento del potenziale (x) = 3 2
4/3

K 2/3 x4/3 .

Derivando si ottengono gli andamenti di E x1/3 e = ene x2/3 . La gura 21 mostra gli andamenti spaziali del campo elettrico e della velocit` a degli elettroni (curve continue) confrontati con gli andamenti ottenuti ignorando gli eetti di carica spaziale (curve tratteggiate); vm = v (s) = diodo I = JA = 4 9 2e 0 A 3/2 A V 2 V 3/2 2 me d d (A6) 2eV /me ` e la velocit` a massima degli elettroni. Poniamo inne x = s, (d) = V per ottenere la relazione tra V e I , ovvero la caratteristica del

che ` e detta legge di Child. La costante ` e universale e vale = 4 0 9 2e Amp ere . = 2.334 106 me Volts3/2 (A7)

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Riferimenti bibliograci Chan, C.-M., T.-M. Ko, and H. Hiraoka, 1996, Surface Science Reports 24, 1. Chirokov, A., A. Gutsol, and A. Fridman, 2005, Pure Appl. Chem. 77, 487. Eliasson, B., and U. Kogelschatz, 1991a, IEEE Trans. Plasma Science 19, 309. Eliasson, B., and U. Kogelschatz, 1991b, IEEE Trans. Plasma Science 19, 1063. Gibalov, V. I., and G. J. Pietsch, 2000, J. Phys. D: Appl. Phys. 33, 2618. Jidenko, N., M. Petit, and J. P. Borra, 2002, in 8th International Symposium on High Pressure Low Temperature Plasma Chemistry, P uhaj arve, Estonia, http://www.ut.ee/hakone8/. Kogelschatz, U., 2002, IEEE Trans. Plasma Science 30, 1400. Kogelschatz, U., 2003, Plasma Chemistry and Plasma Processing 23, 1. Kolobov, V. I., 2006, J. Phys. D: Appl. Phys. 39. Lieberman, M. A., J. P. Booth, P. Chabert, J. M. Rax, and M. M. Turner, 2002, Plasma Sources Science and Technology 11(3), 283, URL http://stacks.iop.org/0963-0252/11/283. Lieberman, M. A., and A. J. Lichtenberg, 2005, Principles of Plasma Discharges and Materials Processing (Wiley), 2nd edition. Riemann, K.-U., J. Seebacher, D. D. Tskhakaya, and S. Kuhn, 2005, Plasma Phys. Contr. Fusion 47, 1949. Roth, J. R., 1995, Industrial Plasma Processing. 1. Principles (Institute of Physics Publishing). Roth, J. R., 2001, Industrial Plasma Processing. 2. Applications to Nonthermal Plasma Processing (Institute of Physics Publishing). Uman, M. A., 2001, The lightning discharge (Dover).

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