Microelettronica 5a SoluzioniCapitolo05 PDF

R. C. Jaeger, T. N.
Blalock – Microelettronica, 5ª edizione
Capitolo 5
5.11
Contatto di base = B Contatto di collettore = A Contatto di emettitore = C
Emettitore di tipo n = D Collettore di tipo n = F Regione attiva = E
5.2
I C 275μA
-
Per VBE  0 e VBC  0, I C   F I B o  F    68.8
v BC
iC IB 4μA
R 0.5
iB
+ C R   1
B 1   R 1  0.5
+ V  IC 275 A
+ I C  I S exp  BE  o I S    2.10 fA
V vBE E
 VT  V   0.64 
-
iE exp  BE  exp  
-
 VT   0.025 
5.3
IE  275μA 
i Per VBC  0 e VBE  0, I E    R I B o  R       2.20
-
E IB  125μA 
vBE
E F 0.975
i + F    39
B 1   F 1  0.975
B
V  IC 275μA
+ + C I E   I S exp  BC  o I S    3.13 fA
V
- v  VT  V   0.63 
BC
iC exp  BE  exp  
-
 VT   0.025 
1 Le soluzioni proposte in questo documento sono stilisticamente conformi a quelle dell’edizione originale; il
lettore presti particolare attenzione al fatto che i simboli delle unità di misura (V, A, W, J, Ω, S, …) e dei fattori di
scala (G, k, m, µ, n, …) vanno sempre scritti in carattere tondo.
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R. C. Jaeger, T. N. Blalock – Microelettronica, 5ª edizione
5.4
 
Utilizzando  = e   :
1  1
Tabella 5.P1
 β
0.167 0.200
0.400 0.667
0.750 3.00
0.909 10.0
0.980 49.0
0.995 200
0.999 1000
0.9998 5000
5.5
(a) Per questo circuito, VBE = 0 V, VBC = -5 V e I = IC. Sostituendo questi valori nell’espressione
della corrente di collettore dell’Eq. (5.13):
  5   I S   5  
I C  I S exp  0   exp    exp  .025   1
  .025    R    
 1   1
I  I C  I S 1    1015 A 1    2 fA.
 R   1
(b) Per questo circuito i vincoli sono VBC = -5 V e IE = 0. Sostituendo questi valori
nell’espressione della corrente di emettitore dell’Eq. (5.13):
 V   VBC   I S   VBE  
I E  I S exp  BE   exp    exp    1  0 che da
  VT   VT    F   VT  
V  1  V 
exp  BE   F exp  BC  . Sostituendo questi risultati in IC :
 VT  1 F 1 F  VT 
IS   VBC  I S   VBC  
I CBO  1  exp    exp    1 .
1 F   VT   R   VT  
 1 1   1 1
Per VBC =-5V, I CBO  I S     1015 A    1.01 fA, e
1   F  R  101 1 
 1   1 
VBE  VT ln    0.025V ln    0.115 V  0!
 1 F   101 

5.6
IB
+ +
B
VBC V BE
150 A
- C E -
IC IE
(a) - (c)
(b) transistore npn (d) VBE = VBC
I S  VBE  
e IC   exp 1
 R  VT  
I S  VBE  
IE   exp 1
 F  VT  
 1 1  V  
I B  I S   exp BE 1
 F  R  VT  
IE 1 IE 
 e  R
IB 1  F IC F
 R
F
f  Utilizzando I C   I E   400 I E e I B  I E  I C  401 I E
R
Per il circuito I B  150μA
150μA
Quindi I E   0.374 μA, e I C  149.6 μA.
401
   
   
VBC  VBE  VT ln     0.025V  ln 
IB 150μA
  0.591 V
  1 1   2fA  1  1  
 I S       

  F R     100 0.25  
5.7
- C IC
VBC
+ transistore npn
IB
B
 1   VBE   IE
Per VBC  0, I E  I S 1   exp    1 | I B  | IC   F I B
 F   F 1
+
V BE
E  VT  
- IE 175μA 100
I E  175 μA | I B   1.73 μA | I C  175μA  173 μA
101 101
175 A
  I   100 175μA 
VBE  VT ln  F E  1  0.025V ln  +1  0.630 V
 F 1 IS   101 2fA 

5.8
- E IE
VBE
+ transistore npn
IB
B
 1   VBC   IC
Per VBE  0, I C   I S 1   exp    1 | I B   | I E  R I B
+
C  R    VT   R 1
V BC
- IC  175μA  0.25
I C  175 μA | I B      140 μA | I E   175μA  35 μA
 1.25  1.25
175 A
  I   0.25 175μA 
VBC  VT ln   R C  1  0.025V ln   1  0.590 V
 R 1 IS   1.25 2fA 
5.9
Utilizzando vBC  0 nell'Eq. 5.13 e riconoscendo che i =iC  iB  iE :
 1   vBE  
i  iE  I S 1   exp    1 , e la corrente di saturazione inversa
 F   VT  
 1   1 
del transistore in configurazione a diodo è I S'  I S 1     2fA  1    2.02 fA
 F   100 
5.10
Utilizzando vBE  0 nell'Eq. 5.13 e riconoscendo che i  iC :
 1   vBC  
i  iC   I S 1   exp    1 , e la corrente di saturazione inversa
  R   T  
V
 1   1
 R   3
5.11
  vBE   vBC    0.75   3  
 a  iT  I S exp    exp 
16
   5 x10 A exp    exp     5.34 mA
  VT   VT    0.025   0.025  
(b) La corrente è simmetrica: Per VBC = 0.75 V e VBE = -3 V, iT = -5.34 mA.
5.12
  vBE   vBC    0.70   3  
 a  iT  I S exp    exp 
15
   10 A exp    exp     1.45 mA
  VT   VT    0.025   0.025  
(b) La corrente è simmetrica: Per VBC = 0.70 V e VBE = -3 V, iT = -1.45 mA.
5.13
Contatto di base = F Contatto di collettore = G Contatto di emettitore = E
Emettitore di tipo p = D Collettore di tipo p = A regione attiva = C

5.14
(a) transistore pnp
i
+ E
v
EB E
iB -
B
-
C
v
CB
+ iC
100 A
(b)-(c)
(d) Utilizzando l’Eq. (5.17) con vEB = 0 e scartando il termine "-1":
 1  v  v  IS v 
iC   I S 1   exp  CB  iE   I S exp  CB  iB  exp  CB 
 R   VT   VT  R  VT 
IE 1  IE
  R  R   R
IC 1  1  R  1 IB
R
I C  100μA, I E   R I C  0.25 I C  25.0μA
IE R 0.25 1
IB   R    I B  75μA
R 1   R 1  0.25 3
 0.985
F  F   65.7
1   F 1  0.985
V   I 
VEB  0 e I E   I S exp  CB  VCB  VT ln   E 
 VT   Is 
 25 x106 A 
VCB  0.025V ln     0.599 V
 1015 A 

5.15
(a) pnp
I
C
+
VCB C
I -
B
B
- - E
V V
+ EB
+ I
E
(b)-(c)
(d) Utilizzando l’Eq. (5.17) con vCB = 0 e trascurando il termine "-1":
 1  vEB  v  IS v 
iE  I S 1 e xp  iC  I S exp EB  iB  exp EB 
  F  VT  VT  F VT 
IC 300μA
IS    2.29 fA
 VEB   0.640 
exp   exp  0.025V 
  VT   
I C 300μA R 0.2
F    75 |  R    0.25
IB 4μA 1   R 1  0.2
5.16
Utilizzando VCB  0 nell'Eq. 5.17 e riconoscendo che i  iE :
 1   vEB  
i  iE  I S 1   exp    1 , e la corrente di saturazione inversa
  F   T  
V
 1   1 
 F   100 
5.17
i
- B B - v
v
CB EB
35 A + +
C E
i i
C E
(a)-(c)
(b) transistore pnp(d)
I  v   I  v    1 1  v  
vEB  vCB iC   S exp EB 1 iE   S exp EB 1 iB   I S   exp EB 1
 R  VT    F  VT    F  R  VT  
1
IE F R 4 IE  4
   = 0.0506   R    0.0533
 IB 1 1  F   R 79 IB F 75

F R


4 75
I B  35 μA IE  I B  1.77 μA IC   I E  33.2 μA
79 4
  I 
VEB  VT ln1 R C  VCB  VEB  0.025V ln1

 4 33.2x106 A
 0.623 V
 I s   2x1015 A 
 
5.18
C IC
 VCB +
-
transistore pnp
IB B  1    VEB   IE
Per VCB  0, I E  I S 1   exp    1 | I B  | IC   F I B
-
E  F    VT   F 1
V EB
300μA
+ IE
I E  300 μA | I B   2.97 μA | I C  100  2.97μA   297 μA
101
I
   I   100  300μA 
VEB  VT ln  F  E  1  0.025V ln    1  0.626 V
  F  1  I S   101  4fA 
5.19
+ E IE
VEB transistore pnp
-
IB  1   VCB   IC
B
Per VEC  0, I C   I S 1   exp    1 | I B   | I E  R I B
-  R    VT   R 1
C
V CB  300μA 
+ IC I C  300 μA | I B      150 μA | I E  1150μA   150 μA
 2 
I
   I   1  -300μA  
VCB  VT ln    R  C  1  0.025V ln      1  0.603 V
   R  1  I S   2  5fA  
5.20
  vEB   vCB     0.70   3  
 a  iT  I S exp    exp 
16
   5 x10 A exp    exp     723 μA
  VT   VT     0.025   0.025  
(b) La corrente è simmetrica: Per VCB = 0.75 V e VEB = -3 V, iT = -723 A.

5.21
 v     0.73V  
 a  iF  I S exp  BE   1  4 x10 15 A exp    1  19.2 mA
  VT     0.025V  
 v     3V  
iR  I S exp  BC   1  4 x1015 A exp    1  4.00 fA
  VT     0.025V  
i 19.2mA i 4.00fA
iT  iF  iR  19.2 mA | F   240 μA | R   2.00 μA
F 80 R 2
 v     3V  
b iF  I S exp  BE   1  4 x10 15 A exp    1  4.00 fA
  VT     0.025V  
 v   15   0.73V  
iR  I S exp  BC   1  4 x10 A exp    1  19.2 mA
  VT     0.025V  
i 4.00fA i 19.2mA
iT  iF  iR  19.2 mA | F   0.05 μA | R   9.60 mA
F 80 R 2
5.22
 v     0.68V  
a iF  I S exp  EB   1  6 x1015 A exp    1  3.90 mA
  VT     0.025V  
 v     -3V  
iR  I S exp  CB   1  6 x1015 A exp    1  6.00 fA
  VT     0.025V  
i 3.90mA i 6.00fA
iT  iF  iR  3.90 mA | F   65.0 μA | R   2.00 μA
F 60 R 3
 v     3V  
b iF  I S exp  EB   1  6 x1015 A exp    1  6.00 fA
  VT     0.025V  
 v     0.68V  
iR  I S exp  CB   1  6 x1015 A exp    1  3.90 mA
  VT     0.025V  
i 6.00fA i 3.90mA
iT  iF  iR  3.90 mA | F   0.100 fA | R   1.30 mA
F 60 R 3

5.23
 v  v  I S   vBE    v  v   I S   vBE  
iE  I S exp BE   exp BC   exp   1  I S exp BE   1  exp BC   1  exp   1
  VT   VT   F   VT     VT   VT    F   VT  
 1    vBE  v    v   I S   vBE    v  
iE  I S 1   exp   1  exp BC   1  I S exp BC   1  exp   1  I S exp BC   1
  F    VT   VT     VT    F   VT     VT  
 v  v  I S   vBC    v  v   I S   vBC  
iC  I S exp BE   exp BC   exp   1  I S exp BE   1  exp BC   1  exp   1
  VT   VT   R   VT     VT   VT    R   VT  
 v    1    vBC    v   I   vBC  
iC  I S exp BE   1  I S 1   exp   1  I S exp BE   1  S exp   1
  VT     R    VT     VT    R   VT  
I I
Definendo I ES  S e I CS  S , quindi vediamo I S   F I ES   R I CS e
F R
 v    v  
iE  I ES exp BE   1   R I S exp BC   1
  VT     VT  
 v    v  
iC   F I ES exp BE   1  I CS exp BC   1
  VT     VT  
 v    v  
iB  iE  iC  1   F I ES exp BE   1  1   R I S exp BC   1
  VT     VT  
5.24
F 100 R 0.5 I 2fA
F    0.990 |  R    0.333 | I ES  S   2.02 fA
 F  1 101  R  1 1.5  F 0.990
IS 2fA
I CS    6.00 fA |  F I ES   R I CS  I S
R 0.333

5.25
 v  v   I  v    1  v EB    vCB  
iE  I S exp EB 1 exp CB  1 S exp EB 1 I S 1 exp 1 I S exp 1
 VT  VT    F  VT     F  VT    VT  
 v  v   I  v    v    1  v  
iC  I S exp EB 1 exp CB  1 S exp CB 1 I S exp EB 1 I S 1 exp CB 1
 VT  VT    R  VT    VT     R  VT  
 v    v  
iE  I ES exp EB 1  R ICS exp CB 1
 VT    VT  
 v    v  
iC   F I ES exp EB 1 ICS exp CB 1
 VT    VT  
 v    v  
iB  iE  iC  1  F I ES exp EB 1 1  R ICS exp CB 1
 VT    VT  
5.26
I C 5mA
 Per I C  5 mA e VCE = 5 V, I B  60μA :  F    83.3
I B 60μA
I C 7mA
Per I C  7 mA e VCE = 7.5 V , I B  80μA :  F    87.5
I B 80μA
I C 10mA
Per I C  10 mA e VCE = 14 V, I B  100μA :  F    100
I B 100μA
5.27
Si veda il problema 5.28
5.28
20mA
10mA
0A
-4mA
0V 2V 4V 6V 8V 10V
-I(VCC)
V_VCC

5.29
3.0mA
2.0mA
1.0mA
0A
-1.0mA
-2V 0V 2V 4V 6V 8V 10V
-I(VCB)
V_VCB
5.30
Si veda il problema 5.31
5.31
20mA
10mA
0A
-4mA
0V 2V 4V 6V 8V 10V
-I(VEC)
V_VEC

5.32
3.0mA
2.0mA
0A
-1.0mA
-2V 0V 2V 4V 6V 8V 10V
-I(VBC)
V_VBC
5.33
La variazione di vBE per una variazione di una decade di iC è VBE  VT ln 10   2.30VT .
kT  1.38 x10-23 
Il reciproco della pendenza è 2.30VT =2.30 =2.30  -19 
T  V/dec 
q  1.60 x10 
(a) 39.6 mV/dec (b) 49.5 mV/dec (c) 59.4 mV/dec (d) 69.3 mV/dec
5.34
(a) La tensione di rottura è uguale a quella della giunzione emettitore-base: VZ = 6 V. (b) La
tensione di rottura è determinata dalla giunzione base-collettore: VZ = 50 V. (c) La tensione di
rottura è data dalla giunzione emettitore-base: VZ = 6 V.
5.35
(a) La giunzione base-emettitore è in rottura per VEB = 6.3 V.
5  6.3   5 V
IR   2.31 mA
1600 
(b) La giunzione base-emettitore è polarizzata direttamente; VBE = 0.7 V
5  0.7   5  V
IR   388 μA
24000 
(c) VBE = 0, e la giunzione collettore-base è polarizzata inversamente con VBC ≈ -10V che è
minore della tensione di rottura di 75 V. Il transistore opera in interdizione.
 1 
Utilizzando l' eq. (5.13), I R  I C  I S 1  0  S 0  1  I S 1 
I
  0
R   R 
5.36
VCE = VCB + VBE = VCB + 0.7 ≤ 65.7 V

5.37
(a) IB è forzata ad essere negativa dal generatore di corrente, e la massima corrente negativa di
base in accordo con il modello di trasporto è
 1 1  15  1 1 
IB  IS     10 A     2.02 fA
 F R   50 0.5  .
(b) IB è forzata ad essere -1 mA dal generatore di corrente. Una o entrambe le giunzioni devono
entrare in zona di rottura per poter fornire questa corrente. Per il caso di un normale BJT, la
giunzione base-emettitore sarà in rottura e fornirà la corrente fino a che avrà la minor tensione di
rottura inversa
5.38
Tensione base- Tensione base-collettore
emettitore
0.7 V -5.0 V
-5.0 V Attiva inversa Interdizione
0.7 V Saturazione Attiva diretta
5.39
(a) vBE > 0, vBC = 0, regione attiva diretta; vBE = 0, vBC > 0, regione attiva inversa; vBE > 0, vBC =
0, regione attiva diretta
(b) vEB < 0, vCB < 0, interdizione
(c) vEB > 0, vCB < 0, regione attiva diretta
(d) vBE > 0, vBC < 0, regione attiva diretta; vBE > 0, vBC > 0, saturazione
5.40
(a) vBE = 0, vBC < 0 interdizione
(b) vBC < 0, IE = 0, interdizione
5.41
(a) vBE > 0, vBC > 0 saturazione
(b) vBE > 0, vBC = 0, regione attiva diretta
(c) vBE = 0, vBC > 0, regione attiva inversa

5.42
Tensione Tensione collettore-base
emettitore-base
0.7 V -0.65 V
0.7 V Saturazione Attiva diretta
-0.65 V Attiva inversa Interdizione
5.43
(a) vBE > 0, vBC = 0, regione attiva diretta
(b) vBE = 0, vBC > 0, regione attiva inversa
5.44
(a) vEB = 0, vCB > 0, regione attiva inversa
(b) vEB > 0, vCB = 0, regione attiva diretta
5.45
(a) vEB > 0, vCB > 0, saturazione
(b) vEB > 0, vCB = 0, regione attiva diretta
(c) vEB = 0, vCB > 0, regione attiva inversa
5.46
 a  transistore pnp con VEB  3V e VCB  3V  Interdizione | Utilizzando l'Eq. (5.17):
IS 1015 A I 1015 A
IC   = =0.5x10-15 =0.5 fA | I E   S = =13.3x10-18 =13.3 aA
R 2 F 75
 1 1  15  1 1 15
IB  IS     10 A     0.263 x10  0.263 fA
 F R   75 4 
 b  transistore npn con VBE  5V e VBC  5V  Interdizione | Le correnti sono le stesse della parte (a).
5.47
16
16   0.3   5   10   5  
iC  10 exp  0.025   exp  0.025    1 exp  0.025   1  16.3 pA
        
16
  0.3   5   10   0.3  
iE  1016 exp    exp    exp    1  17.1 pA
  0.025   0.025   19   0.025  
1016   0.3   1016   5  
iB  exp   1  exp    1  0.857 pA
19   0.025   1   0.025  

Queste correnti sono molto piccole – per la maggior parte delle applicazioni sembra ancora di
essere in interdizione. Dato che VBE > 0 e VBC < 0, il transistore sta operando in regione attiva
diretta. Si noti che IC = FIB.
5.48
Un transistore npn con VBE  0.7V e VBC  0.7V  Regione attiva diretta
IE 10mA
Utilizzando l'Eq. (5.45): I E    F  1 I B |  F  1   1  65.7
IB 0.15mA
 1   VBE  0.01A
I E  I S 1   exp   | IS   6.81x1015 A  6.81 fA
 F   VT   1   0.7 
1   exp  
 65.7   0.025 
5.49
Un transistore pnp con VEB  0.7V e VCB  0.7V  Regione attiva diretta
I C 2.5mA V  2.5mA
Utilizzando l'Eq. (5.44):  F = = =62.5 | I C  I S exp  EB  | I S   1.73 fA
I B 0.04mA  VT   0.7V 
exp  
 0.025V 
5.50
0.7V   3.3V  IE 55.3μA
IE   55.3μA | I B    0.683μA
47kΩ F 1 81
I C   F I B  80  0.683μA  =54.6μA | Check: I B  I C  I E is ok
5.51
fT 500MHz
(a) f     6.67 MHz
F 759
F  F  T
(b) Il grafico rappresenta il diagramma di Bode. Quindi   s    
1
s s   s  

T F
 s s   T  F  F 1 F
 s      
  s 1 T
 1 s  T   s    F  1  1 
s
1
s
s     F  1  T
F
  j  
2
 
1  
 T 

5.52
vEB  0 vCB  4VT
V  I V  iB iC
iC  I S exp EB  S  I S exp EB 
VT   R VT  B
C
V  I V  I V 

iE  I S exp EB  S exp EB  S exp EB  - i =  i
VT   F VT   F
vEB
VT  + C F B
I V  I I V  0.7 V

iB  S exp EB  S  S exp EB 
F VT   R  F VT  i
E
iC   F iB | iC   F iE E
5.53
Un transistore npn con VBE  0.7V e VBC  0.7V  Regione attiva inversa

IC -75μA
Utilizzando l'Eq. (5.51): I C     R  1 I B |  R   1    1  0.875
IB 40μA
V  35μA
I E   I S exp  BC  | I E  35μA | I S    2.42 x1017 A=0.0242 fA=24.2 aA
 VT   0.7 
exp  
 0.025 
5.54
Un transistore pnp con VEB  0.7 V e VCB  0.7 V  Regione attiva inversa
V  I V  I V 
iC   I S exp  CB   S exp  CB    S exp  CB 
 VT   R  VT  R  VT 
V  IS V 
iE   I S exp  CB    I S exp  CB 
 VT  F  VT 
IS ISV  I V 
iB    exp  CB   S exp  CB 
F R  VT   R  VT 
i
R   E  
 -0.1mA   0.667 | I   iE 
104 A
 6.91x10 17 A
V   0.7 
S
iB 0.15mA
exp  CB  exp  
 VT   0.025 
5.55
-0.7V-  -3.3V  IC -46.4μA
IC    46.4 μA | I B    =26.5 μA
56kΩ R 1 1.75
I E  I C +I B  -46.4μA+26.5μA=-19.9 μA

5.56
  FOR 
 1 
I C 1mA  1    R  1  R
 VT ln 
2
 FOR    1 | VCESAT  | R  
I B 1mA   R  1    FOR   R 1 3
  
   F  
 1 
 3 1   2  1 
 
VCESAT  0.025ln     17.8 mV
 2  1   1  
  
  50  
 
 
 I B  1   R  I C   1mA+ 1-0.667 1mA 
VBE  VT ln   0.025V  ln  -15   0.724 V
  1
1R  
  10 A  0.02+1-.0667  
 IS 
   F 

5.57
v  I v  I v  I v 
iC  I S exp EB   S exp CB  | iB  S exp EB   S exp CB  | Con la soluzione
 VT   R  VT  F  VT   R  VT 
i
iB  C
i  1   R iC F
simultanea si ottiene : vEB  VT ln B | vCB  VT ln
 1   1  1 
IS   1   R  IS    1   R 
 F   R    F 
 iC 
 1  1    1 i  i
vECSAT  vEB  vCB  VT ln   R B
 for i B  C
  R  1  iC  F
  F iB 
5.58
(a) Sostituendo iC = 0 nell’Eq. 5.30 si ottiene
 1   1 
VCESAT  VT ln     0.025V  ln    0.0173 V  17.3 mV
 R   0.5 
(b) Per simmetria
 1 
VECSAT  VT ln 
 F 
o utilizzando iE = 0 e iC = -iB,


1 R
1
 1  R  1  1   1  1 
VCESAT  VT ln   VT ln  R  VT ln  R
 R  1
1  R  F  1  R  1
F F F
 1 
VCESAT  VT ln F  e VECSAT  VT ln 
 F 
 1   1 
VECSAT  VT ln     0.025V  ln    0.000251 V  0.251 mV
 F   0.99 
5.59
(a) Sostituendo iC = 0 nell’Eq. 5.30 si ottiene
 1   1 
VCESAT  VT ln     0.025V  ln    27.7 mV
 R   0.33 
(b) Per simmetria
 1   1 
VECSAT  VT ln     0.025V  ln    1.28 mV
 F   0.95 
5.60
  
 1  FOR 
 1    R  1  
 VT ln  
0.9
(a ) VCESAT | R  R   0.4737
  R    FOR    R  1 0.9  1
 1  
   F  
  FOR 
 1 
 1   0.9  1 
0.1  0.025ln     FOR  11.05
 0.4737  1    FOR  
  
  15  
 FOR
1
0.4737 exp(4) 
 0.9  1    11.05 | I  IC  20A  1.81A
   FOR 11.05
FOR B
1   FOR 
 15 
  FOR 
 1
(b) 0.04  0.025ln 
 1   0.9  1     1.97 | I  IC  20A  10.1A

 0.4737    FOR    FOR 1.97
FOR B
 1   
  15  

5.61
Con VBE = 0.7 V e VBC = 0.5 V, il transistore si trova tecnicamente in regione di saturazione, ma
calcolando le corrente utilizzando il modello di trasporto nell’Eq. (5.13) si ottiene
16
  0.7   0.5   10   0.5  
iC  1016 exp    exp    exp    1  144.5 μA
  0.025   0.025   1   0.025  
16
16   0.7   0.5   10   0.7  
iE  10 exp  0.025   exp  0.025    39 exp  0.025   1  148.3 μA
        
1016   0.7   1016   0.5  
iB  exp   1  exp    1  3.757 μA
39   0.025   1   0.025  
A 0.5 V, la giunzione collettore-base non è fortemente polarizzata direttamente rispetto alla
giunzione base-emettitore, e IC  38.5IB  F IB . Il transistore si comporta ancora come se stesse
operando in regione attiva diretta
5.62
(a) Il generatore di 
corrente polarizza direttamente la giunzione base-emettitore (VBE  0.7V) e
la giunzione collettore-base sarà polarizzata inversamente (VBC  2.3V). Pertanto,
il transistore npn è in regione attiva diretta.
 VBE   50 175 x106 A  
I C   F I B  I S exp   | VBE  0.025ln    0.803 V
 VT  1016 A 
 
(b) Dato che IB  175μA e I C  0, I C   F I B , e il transistore è in saturazione.
175 x106  0
Utilizzando l'Eq. (5.53): VBE  0.025ln  0.714 V | Utilizzando l'Eq. (5.54) con iC  0,
16  1  .5  
10   1  
 50  1.5  
 1   R 1   1.5 
VCESAT  0.025ln    0.025ln    0.025ln    27.5 mV
 R  
 R   0.5 

5.63
 v   v  I   v  
iC  I S exp BE   exp BC   S exp BC   1
  VT   VT   R   VT  
 v   v  I   v  
iE  I S exp BE   exp BC   S exp BE   1
  VT   VT   F   VT  
vBE  4VT e vBC  4VT
  v   1    vBE  I S   vBE 
iC  I S exp BE  e iE  I S 1   exp   exp   iC   F iE
  T 
V   F   T 
V  F   T 
V
i   i 
vBE  VT ln C   VT ln F E 
 IS   IS 
5.64
IS 1fA
I SD    1.02 fA
F 0.98
5.65
Entrambi i transistori sono in regione attiva diretta. Per semplicità si ipotizza VA  .
I  I C1  I B1  I B 2 | Dato che i transistori sono identici e hanno la stessa VBE ,
I C 2  I C1 e I B1  I B 2 | I =I C1  2 I B1    F  2  I B1 | I C 2   F I B 2   F I B1
F 25
IC 2  I 25 A | I C 2  23.2  A | Si veda lo specchio di corrente nel Cap. 15.
F  2 25  2
5.66
IC 50x1012
CD  F  IC  2x109 IC (F) (a) 4 fF (b) 0.4 pF (c) 40 pF
VT 0.025
5.67
1018 cm 2 cm 2
 Utilizzando la Fig. 2.8 con N= ,  n  260 e  p  100
cm3 vs vs
1x10 cm 
4 2
W2 WB2
(a ) npn :  F  B  = =0.769 ns
2 Dn 2VT n  cm 2 
2  0.025V   260 
 vs 
1x10 cm 
4 2
W2 WB2
(b) pnp :  F  B  = =2.00 ns
2 D p 2VT  p  cm 2 
2  0.025V  100 
 vs 

5.68
fT 750MHz
Per f  f  , fT    f  10  75MHz   750 MHz | f     3.75 MHz
F 200
5.69
fT 900MHz f 900MHz
F    180 | Per f  5 MHz,   f   T   18
f 5MHz f 50MHz
5.70
6 x1018 cm 2 cm 2 cm 2
NA     130 utilizzand o la Fig. 2.8. D   V  130 0.025V   3.25
vs vs
n n n T
cm 3 s
 cm  10 
 
2 20
2
1.60x1019 C 25x108 cm 2  3.25  6 
IS 
qADn ni
  s  cm   5.42x10 20 A
 
18
N AWB 6 x10
0.4 x10 4 cm
cm 3
5.71
1 1
WB  2 Dn F |  F    31.8 ps
2f 2 5 x109 
18 2
5 x10 cm
NA    n  135 utilizzand o la Fig. 2.8.
cm 3
vs
cm 2 2
Dn   nVT  135 0.025V   3.38 cm
vs s
 cm 2 
WB  2 3.38 31.8 x1012 s = 0.147 m
 s 
5.72
 V   5  240μA  10  265μA
I C   F I B   FO 1  CE  I B |  FO 1    e  FO 1   
 VA   VA  3μA  VA  3μA
 10 
1  
 VA   265μA  V  43.1 V |   80
 71.7
 5  240μA  5 
A FO
1   1  
 V A   43.1 

5.73
 V   V    0.72V    10V 
(a) I C  I S exp  BE   1 1  CE   1016 A exp    1 1    371 μA
  VT    VA    0.025V    65V 
 V     0.72V  
(b) I C  I S exp  BE   1  10 16 A exp    1  322 μA
  VT     0.025V  
(c) 1.15:1 (a) è il 15% maggiore di (b) a causa dell'effetto Early.
5.74
 V 
I C   F I B   FO 1  CE  I B | Ci servono due punti Q dalle caratteristiche di uscita.
 VA 
Per esempio: 10 mA, 14 V  e  5 mA, 5 V 
 14   5 
10mA= FO 1   0.1mA e 5mA= FO 1   0.06mA si ottiene
 VA   VA 
 14   5 
100= FO 1   e 83.3= FO 1   . Risolvendo queste due equazioni si ottiene
 VA   VA 
 FO  72.9 e VA  37.6 V.
5.75
  V     V  VBE   I s V 
Fig. 5.16(a): I E  I C  I B    FO 1  CE   1 I B    FO 1  CB   1 exp  BE 
  VA     VA    FO  VT 
 5  VBE 1   VBE 
1  50  19   5 x10  exp  0.025   100μA  VBE  0.589V per iterazione
15
100μA  5.589 
IB   4.52 μA | I C  19 1   I B  95.48 μA
  5.589    50 
19 1  50   1
   
V  100μA
Per VA  , I E  I s exp  BE  | VBE  0.025ln  0.593 V
 VT  5fA
Is V  19 100μA 
Fig. 5.16(b): I B = exp  BE   VBE  0.025ln  0.667 V
 FO  VT  5fA
 V   5 
I C   FO 1  CE  I B  19 1  100μA  2.09 mA | I E  I C  I B  2.19 mA
 VA   50 
VBE è indipendente da VA nell'equazione precedente.

5.76
 V   9  0.7 
I C   F I B | I E    F  1 I B |  F   FO 1  CE   50 1    59.7
 VA   50 
IE 
 9  0.7  V  1.01 mA | I  I E  1.01mA  16.7 μA | I  59.7 I  0.996 mA
8200
B
F 1 60.7
C B
5.77
kT 1.38 x10 J/K   300K 
23
IC
gm  | VT    25.9 mV
VT q 1.60 x1019 C
105 A 104 A
 a  gm   0.387 mS b  gm   3.87 mS
VT VT
103 A 10 2 A
 c  gm   38.7 mS  d  gm   0.387 S
VT VT
e I valori di g m sono gli stessi per il pnp
5.78
kT 1.38 x10 J/K   320K 
23
IC
gm  | VT    27.6 mV
VT q 1.60 x1019 C
 a  IC  g mVT  25mS  27.6mV   690 μA
 b  The value of IC is the same for the pnp transistor.
 c  I C  g mVT  40μS  27.6mV   1.10 μA
The value of I C is the same for the pnp transistor.
5.79
I dati successivi provengono dal sito Cadence e dal file psrefman.pdf:
IS = 10fA, BF = 100, BR = 1, VAF = , VAR = , TF = 0, TR = 0,
NF = 1, NE = 1.5, RB = 0, RC = 0, RE = 0, ISE = 0, ISC = 0, ISS = 0,
IKF = , IKR = , CJE = 0, CJC = 0.
Questi valori si applicano sia al transistore npn sia al transistore pnp.

5.80
NK
  i   1mA 
1  1  4  F   1 1 4 
 a  KBQ   
IKF    10mA 
  1.09  8.3% di riduzione
2 2
 10mA 
1 1 4 
 10mA  i
 a  KBQ   1.62 | iC = F =0.62iF  38% di riduzione
2 1.62
 50mA 
1 1 4 
 10mA  i
 
a KBQ   2.79 | iC = F =0.36iF  64% di riduzione
2 2.79
5.81
12.000
10.000
8.000
KBQ
6.000 Series1
4.000
2.000
0.000
0.1 1 10 100 1000
Collector Current
5.82
36kΩ
(a) VEQ  10V  3.462V | REQ  36kΩ 68kΩ =23.54kΩ
36kΩ+68kΩ
3.462  0.7 V
IB   1.618μA | I C  50 I B  80.9 μA | I E  51I B  82.5 μA
23.54   50  1 33 kΩ
VCE  10  43000 I C  33000 I E  3.797V | Punto Q: 80.9 μA,3.80 V 
7.2kΩ
(b) VEQ  10V  3.462V | REQ  7.2kΩ 13.6kΩ =4.708kΩ
7.2kΩ+13.6kΩ
3.462-0.7 V
IB   8.092μA | I C  50 I B  404.6μA | I E =51I B =412.7 μA
4.708+  50+1 6.6 kΩ
VCE  10  8600 I C  6600 I E  3.7976V | Punto Q:  405 μA,3.80 V 
68kΩ
(c) VEQ  10V  6.538V | REQ  36kΩ 68kΩ =23.54kΩ
36kΩ+68kΩ
10-0.7-6.538 V
IB   1.618μA | I C  50 I B  80.9 μA | I E =51I B =82.5 μA
23.54+  50+1 33 kΩ
VEC  10  33000 I C  43000 I E  3.797V | Punto Q: 80.9 μA,3.80 V 

13.6kΩ
(b) VEQ  10V  6.538V | REQ  7.2kΩ 13.6kΩ =4.708kΩ
7.2kΩ+13.6kΩ
10-0.7-6.538 V
IB   8.092μA | I C  50 I B  404.6μA | I E  51I B  412.7 μA
4.708+  50+1 6.6 kΩ
VEC  10  6600 I C  8600 I E  3.7976V | Punto Q:  405 μA,3.80 V 
5.83
36kΩ
(a) VEQ  10V  3.462V | REQ  36kΩ 68kΩ  23.54kΩ
36kΩ+68kΩ
3.462  0.7 V
IB   1.629μA | I C  75I B  122.2μA | I E  76 I B  123.8μA
23.54   75  1 22 kΩ
VCE  10  43000 I C  22000 I E  2.022V | Punto Q: 122μA,2.02V 
68kΩ
(b) VEQ  10V  6.538V | REQ  36kΩ 68kΩ =23.54kΩ
36kΩ+68kΩ
10-0.7-6.538 V
IB   1.629μA | I C  75 I B  122.2μA | I E  76 I B  123.8μA
23.54+  75+1 22 kΩ
VEC  10  22000 I C  43000 I E  2.022V | Punto Q: 122μA,2.02V 
5.84
*Problema 5.83(a)
VCC 1 0 10
R1 3 0 36K
R2 1 3 68K
RC 1 2 43K
RE 4 0 33K
Q1 2 3 4 NPN
.MODEL NPN NPN IS=1E-16 BF=50 BR=0.25
.OP
.END
*Problema 5.83(b)
VCC 1 0 10
R1 3 0 36K
R2 1 3 68K
RC 1 2 43K
RE 4 0 33K
Q1 2 3 4 NPN
.MODEL NPN NPN IS=1E-16 BF=50 BR=0.25 VAF=60
.OP
.END
*Problema 5.83(c)

VCC 1 0 10
R1 1 3 36K
R2 3 0 68K
RC 4 0 43K
RE 1 2 33K
Q1 4 3 2 PNP
.MODEL PNP PNP IS=1E-16 BF=50 BR=0.25
.OP
.END
*Problema 5.83(d)
VCC 1 0 10
R1 1 3 36K
R2 3 0 68K
RC 4 0 43K
RE 1 2 33K
Q1 4 3 2 PNP
.MODEL PNP PNP IS=1E-16 BF=50 BR=0.25 VAF=60
.OP
.END
5.85
6.2kΩ
VEQ  10  3.41V e REQ  6.2kΩ 12kΩ =4.09kΩ
6.2kΩ+12kΩ
3.41  0.7
I C   F I B  100  0.356mA.
4090  101 7500 
101
VCE  10  0.356mA  5.1kΩ   0.356mA  7.5kΩ   5.49V
100
Punto Q :  0.356 mA, 5.49 V 
5.86
120kΩ
VEQ  15  5.00V e REQ  120kΩ 240kΩ  80kΩ
120kΩ+240kΩ
5.00  0.700
I C   F I B  100  42.2μA.
80000  101100000 
VCE  15  42.2 x10 6 A 105    42.2 x10 6 A 1.5 x105    4.39V

101
100
Punto Q :  42.2 μA, 4.39 V 

5.87
 101 
IC 2V
a IE   1mA  1.01mA | RE   1.98kΩ  2.0 kΩ
 F  100  1.01mA
RC 
12  5  2  V  5kΩ  5.1 kΩ | V  2  0.7  2.7V
B
1.00mA
V 2.7V
Fissato R1  B   27kΩ  27 kΩ
10 I B 10  0.01mA 
R2 
12-2.7  V  9.3V
 84.55kΩ  82 kΩ
11I B 11 0.01mA 
27kΩ
27kΩ+82kΩ
2.972  0.7 V
IB   10.22μA | I C  100 I B  1.022mA | I E  101I B  1.033mA
20.31  100  1 2 kΩ
VCE  12  5100 I C  2000 I E  4.723V | Q-point: 1.02mA,4.72V 
5.88
IC 76 
a IE    10μA  10.13μA | Let VRC =VRE =VCE =6V
 F  75 
6V
RE   592kΩ  620 kΩ
10.13μA
6V
RC   600kΩ  620 k  | VB  6  0.7  6.7V
10μA
V 6.7V
Fissato R1  B   5.03MΩ  5.1 MΩ
10 I B  10μA 
10  
 75 
R2 
18  6.7  V  11.3V  7.71MΩ  7.5 MΩ
11I B  10μA 
11 
 75 
5.1MΩ
(b) VEQ  18V  7.286V | REQ  5.1MΩ 7.5MΩ  3.036MΩ
5.1MΩ  7.5MΩ
7.286  0.7 V
IB   0.1313μA | I C  75I B  9.848μA | I E  76 I B  9.980μA
3036   75  1 620 kΩ
VCE  18  620000 I C  620000 I E  5.707V | Punto Q:  9.85 μA, 5.71 V 

5.89
IC  61  1V
a IE     850μA  864.2μA | RE   1.16kΩ  1.2kΩ
 F  60  864.2μA
RC 
 5-2-1 V  2.35kΩ  2.4 kΩ | V  5  1  0.7  3.3V
B
850μA
VR 5  3.3V
Fissato R1  1   12.0kΩ  12 kΩ
10 I B  850μA 
10  
 60 
VR 3.3V
R2  2   21.2kΩ  22 kΩ
11I B  850μA 
11 
 60 
22kΩ
12kΩ+22kΩ
5  0.7  3.24 V
IB   13.1μA | I C  60 I B  786μA | I E  61I B  799μA
7.77   60  11.2 kΩ
VCE  5  1200 I E  2400 I C  2.14V | Punto Q:  786 μA, 2.14 V 
5.90
11mA
a  VRE  1 V , VRC  9 V | I B 
 0.220mA
50
I  51  1V
I E  C   11mA  11.22mA | RE   89.1  91 
 F  50  11.22mA
9V
RC   818  820  | VB  15  1  0.7  13.3V
11.0mA
VR 13.3V   15V 
Fissato R1  1   772  750 
10 I B 10  0.220mA 
0  13.3V  13.3V
R2    5.50kΩ  5.6 kΩ
11I B 11 0.220mA 
5.6kΩ
(b) VEQ   15V   13.2V | REQ  0.75kΩ 5.6kΩ =0.661kΩ
0.75kΩ+5.6kΩ
13.2  0.7   15  V
IB   0.207mA | I C  50 I B  10.3mA | I E  51I B  10.6mA
661   50  1 91 Ω
VEC  0  820 I C  91I E   15V   5.59V | Punto Q: 10.2 mA, 5.59 V 

5.91 Dati del problema sul grafico

3.3kΩ
VEQ  10V  3.056V | REQ  7.5kΩ 3.3kΩ =2.292kΩ
3.3kΩ+7.5kΩ
5mA
VCE  10  820 I C  1200 I E | Dalle caratteristiche per VCE =5V:  F   83
60μA
84
VCE  10  820 I C  1200 I C =10-2034I C
83
Punti della retta di carico: I C  0, VCE  10V e VCE  0, I C  4.9mA
3.056  0.7
IB   23μA | Dal grafico: Punto Q: 1.9 mA, 6.0 V 
2292   83  11200
10mA
I = 100 A
B
C Q-Point
o I = 92 A
B Prob. 5.92 I = 80 A
l B
l
e
c
t
o I = 60 A
B
r 5mA
C
u
r
r I = 40 A
B
e
n
t
I = 23 A
B
I = 20 A
B
Q-Point
Prob. 5.91
0A
0V 5V 10V 15V
V
CE
5.92
6.8kΩ
VEQ  10   6.538V | REQ  6.8kΩ 3.6kΩ =2.354kΩ
6.8kΩ+3.6kΩ
5mA
VEC  10  420 I C  330 I E | Dalle caratteristiche per VEC =5V:  F   83
60μA
84
VEC  10  420 I C  3300 I C =10  754 I C
83
Punti della retta di carico: I C  0, VEC  10V e VEC  0, I C  13.3mA  fuori dal grafico
10  0.7  6.538
VEC  5V , I C  6.63mA | I B   92μA
2354   83  1 330
Dal grafico: Punto Q:  7.5 mA, 4.3 V 

5.93
Scrivendo l’equazione alla maglia partendo dal generatore da 9 V si ottiene:
9  1500IC  IB   10000IB  VBE
Supponendo il funzionamento in regione attiva diretta, VBE = 0.7 V e IC = FIB.
9  1500 F I B  I B   10000I B  0.7

9  0.7  F 9  0.7 
IB  e IC   F I B 
1500 F  1  1000 1500 F  1  1000
30  9-0.7  V
a  IC   4.41 mA | VCE =9  1500I E =2.17V | Q-pt:  4.41mA,2.17V 
1.5kW  30+1 +10kW
100  9-0.7  V
b IC   5.14 mA | VCE =9  1500 I E =1.21V | Q-pt:  5.14mA,1.21V 
1.5kΩ 100+1 +10kΩ
250  9-0.7  V
c IC   5.37 mA | VCE =9  1500 I E =0.913V | Q-pt:  5.37mA,0.913V 
1.5kΩ  250+1 +10kΩ
 9-0.7  V =5.53 mA
d  IC  | VCE =9  1500 I E =0.705V | Punto Q:  5.53mA,0.705V 
1500Ω
5.94
 I  V  0.7
VCE  9   I C  I B 1500 | VCE  9   I C  C 1500 | I B  CE 4
 F  10
5mA
Dalla Fig. P5.26 a 5V:  F = =83.3 | VCE  9  1518 I C
60μA
I C =0, VCE  9V | VCE  0, I C  5.93mA
VCE  0.9V, I B  20μA | VCE  1.3V, I B  60μA | VCE  1.7V, I B  100μA
Dal grafico: Punto Q =  5.0 mA, 1.3 V 
10mA
I = 100 A
B
I = 100 A
B
V = 1.7 V
CE
I = 80 A
B
I = 80 A
B
V = 1.5 V
CE
Collector Current
Q-Point I = 60 A
B
5mA
I = 60 A
B
V = 1.3 V
CE I = 40 A
B
I = 40 A
B
V = 1.1 V
CE
I = 20 A
B
I = 20 A
B
V = 0.9 V
CE
0A
0V 5V 10V 15V
V
CE

5.95
IC F 1 61
(a) VEC  10   I C  I B  RC  10  I E RC | I E   I C  10mA  10.17mA
F F 60
RC 
10  3 V  689  680  | RB 
VEC  VEB

 3-0.7  V  13.8k   14 kΩ
10.17mA IB 0.1667mA
(b) 5  0.7  14000 I B  680  I C  I B    5   0
10  0.7 V
IB   222.1μA | I C   F I B  8.88 mA
14000  41 680  Ω
VEC  10V   8.88mA  680  3.96 V | Punto Q:  8.88 mA, 3.96 V 
5.96
1.5  0.9
VCE  1.5   I C  I B  RC  RC   29.4kΩ  30 kΩ
20μA
20μA 
50
VCE  VBE 0.9  0.65
RB    625kΩ  620 kΩ
IB 20μA
50
VCE  0.65
Per RC =30k : VCE  1.5  30k   I C  I B  RC  1.5  30kΩ 126  I B | I B 
620kΩ
VCE  0.65
VCE  1.5  30k 126   VCE  0.770V
620kΩ
0.770  0.65
I C  125I B  125  24.2μA | Punto Q:  24.2 μA, 0.770 V 
620k
5.97
12  7.7
12  RC  I C  I B   VZ +VBE =500  I E   7.7 | I E   8.60mA
500
IE 8.60mA
IB    85.2μA | I C   F I B  8.52mA | VCE  7.70V
F 1 101
Punto Q =  8.52 mA, 7.70 V 

5.98
15 6
VEQ  6 100  6.114V | REQ  100 7800  98.73
7800 100
20mA VO 20mA 6.14  98.7I B  VBE 101.1 VBE
IB      I C  50I B  50
51 514700 51 514700 2.398x105
IC
VBE  0.025ln
1016
Utilizzando MATLAB:

fzero(@IC107,.02) ---> ans =0.0207
function f=IC107(ic)
vbe=0.025*log(ic/1e-16);
f=ic-50*(101.1-vbe)/2.398e5;
20.7mA 20.7mA
VO  6.14  98.7  .025ln  5.276 V
51 1016
5.99
VCC 1 0 DC 15
R1 1 2 7.8K
RZ 2 4 100
VZ 4 0 DC 6
Q1 1 2 3 NPN
RE 3 0 4.7K
IL 3 0 20MA
.MODEL NPN NPN IS=1E-16 BF=50 BR=0.25
.OP
.END
Le tensioni di uscita sono leggermente differenti a causa dei diversi valori di VT.
5.100
iC  i
vO  7  100iB  vBE  7  100iB  VT ln  7  100iB  VT ln F L
IS IS
F
vO  7  100iB  VT ln iL  VT ln
IS
dvO  di V  100 0.025V
Ro      100 B  T     3.21
diL  diL iL  51 0.02A

5.101
Dato che la tensione tra i terminali di ingresso dell'operazionale deve essere zero, vO =VZ  10 V.
VO
Dato che la corrente di ingresso dell'operazionale è zero, I E =  100 mA
100
15V  10V 60
I 15  I Z  I C  I Z   F I E   100mA  98.5 mA
47kΩ 61
5.102
47
Dato che la tensione tra i terminali di ingresso dell'operazionale deve essere zero, vO =VZ
47  47
e vO =10 V. Dato che la corrente di ingresso dell'operazionale è zero,
IC 10V  41  15V  5V
IE = =   =109 mA I 15  I Z  I E   109mA  109 mA
F 94  40  82k
5.103
VEQ  VBE
IC   F I B   F | Per I Cmin : VCC =0.95 15  =14.25 V
REQ    F  1 RE
R1  0.95  82kΩ   77.9kΩ | R2  1.05 120kΩ   126kΩ | RE  1.05  6.8k    7.14kΩ
77.9
VEQ  14.25V  5.44V | REQ  77.9kΩ 126k   48.1kΩ
77.9  126
5.44V  0.7V
I Cmin  100  616 μA
48.1kΩ  101 7.14kΩ
max
VCE  14.25  I Cmin 0.95  6.8k     I Emin 7.14kΩ
max
VCE  14.25  3.98  4.44  5.83V | Punto Q:  616 μA, 5.83 V 
Per I Cmax : VCC =1.05 15  =15.75 V

R1  1.05  82kΩ   86.1kΩ | R2  0.95 120kΩ   114kΩ | RE  0.95  6.8kΩ   6.46kΩ
86.1
VEQ  15.75V  6.78V | REQ  86.1kΩ 114kΩ  49.0kΩ
86.1  114
6.78V  0.7V
I Cmax  100  867μA
49.0kΩ  101 6.46kΩ
min
VCE  15.75  I Cmax 1.05  6.8kΩ    I Emax 6.46kΩ
min
VCE  15.75  6.19  5.66V  3.90V | Punto Q: 867 μA, 3.90 V 

5.104
Utilizzando l’approccio di Fig. 5.40, le Eq. (5.66) diventano:
1. 
VCC  15 1 0.1 RAND()  0.5  | 2. 
R1  82000 1 0.1 RAND()  0.5 
3. 
R2  120000 1 0.1 RAND()  0.5 | 4.  RE  6800 1 0.1 RAND()  0.5
5. 
RC  6800 1 0.1 RAND()  0.5  | 6.  F  100
500 Casi IC (A) VCE (V)

 Media 7.69E-04 4.51
Std. Dev. 4.02E-05 0.40
Min 6.62E-04 3.31
Max 8.93E-04 5.55
5.105
VEQ  VBE
REQ    F  1 RE
R1  0.95 18kΩ   17.1kΩ | R2  1.05  36kΩ   37.8kΩ | RE  1.05 16kΩ   16.8kΩ
17.1
VEQ  11.4V  3.55V | REQ  17.1kΩ 37.8kΩ  11.8kΩ
17.1  37.8
3.55V-0.7V
I Cmin  50  164 μA
11.8kΩ+  5116.8kΩ
max
VCE  11.4  I Cmin 0.95  22kΩ    I Emin 16.8kΩ
max
VCE  11.4  3.43  2.81  5.16V | Punto Q: 164 μA, 5.16 V 
Per I Cmax : VCC =1.05 12  =12.6 V
18.9
VEQ  12.6V  4.49V | REQ  18.9kΩ 34.2kΩ  12.2kΩ
18.9  34.2
4.49V-0.7V
I Cmax  150  246μA
12.2kΩ+ 15115.2kΩ
min
VCE  12.6  I Cmax 1.05  22k     I Emax 15.2kΩ
min
VCE  12.6  5.68  3.77V  3.15V | Punto Q:  246 μA, 3.15 V 
Media 2.02E-04 4.26
Std. Dev. 1.14E-05 0.32
Min 1.71E-04 3.43
Max 2.35E-04 5.21
Le medie si avvicinano ai calcoli manuali relativi alla Fig. 5.35. I valori minimo e massimo
cadono dell’analisi del caso peggiore come previsto.

5.106
Utilizzando un foglio di calcolo e non tenendo conto delle tolleranze sul guadagno di corrente le,
Eq. (5.66) diventano:
1. 
VCC  12 1 0.0 RAND()  0.5  | 2.  
R1  18000 1 0.1 RAND()  0.5
3. 
R2  36000 1 0.1 RAND()  0.5  | 4. R  16000 1 0.1 RAND()  0.5
E
5. RC  22000 1 0.1 RAND()  0.5 | 6.   100 1 0.0RAND()  0.5

F
 Media 2.03E-04 4.29

Std. Dev. 1.10E-05 0.32
Min 1.74E-04 3.46
Max 2.36E-04 5.27
Si noti che la tolleranza sul guadagno di corrente ha un leggero effetto sui risultati.
5.107
(a ) Approssimativamente 22 casi cadono fuori dall' intervallo 170A,250A  :100%
22
 4.4% insuccesso
500
(b) Approssimativamente 125 casi cadono nell'intervallo 3.2V, 4.8V :100%
125
 25% insuccesso
500
5.108
Utilizzando un foglio di calcolo e considerando una tolleranza del 50% sul guadagno di corrente,
una tolleranza TP su VCC, e una tolleranza TR sui valori delle resistenza, le Eq. (5.66) diventano:
1. VCC  12* 1 2 * TP * RAND()  0.5 | 2. R1  18000* 1 2 * TR * RAND()  0.5
3. R2  36000* 1 2 * TR * RAND()  0.5 | 4. RE  16000* 1 2 * TR * RAND()  0.5
5. RC  22000* 1 2 TR RAND()  0.5 | 6.  F  100* 1 1* RAND()  0.5
10,000 casi con l’analisi Monte Carlo mostrano che le specifiche non possono essere soddisfatte
nemmeno con resistori ideali. Per TP = 5% e TR = 0%, il 18 % dei circuiti fallisce. Con TP =
2% e TR = 0%, l’1.5% fallisce. Le specifiche possono essere soddisfatte con TP = 1% e TR =
 1%.

5.109
VEQ  VBE
REQ    F  1 RE
14.4
VEQ  11.4V  2.85V | REQ  14.4kΩ 43.2kΩ =10.8kΩ
14.4  43.2
2.85V-0.7V
I Cmin  50  109 μA
10.8kΩ+  5119.2kΩ
max
VCE  11.4  I Cmin 0.8  22kΩ    I Emin 19.2kΩ
max
VCE  11.4  1.91  2.13  7.36V | Punto Q: 109 mA, 7.36 V 
Per I Cmax : VCC = 1.0512 = 12.6 V

R1  1.218k   21.6k | R2  0.8036k   28.8k | RE  0.8016k   12.8k
21.6
VEQ  12.6V  5.40V | REQ  21.6k 28.8k  12.3k
21.6  28.8
5.4V  0.7V
I Cmax  150  362A
12.3k  15112.8k
min
VCE  12.6  I Cmax 1.222k   I Emax12.8k
min
VCE  12.6  9.57  4.67V  1.64V ! Saturazione!
L' ipotesi di regione attiva diretta non è corretta. Si veda il problema seguente.
Basandosi sull'analisi Monte Carlo, solo circa l'1% dei circuiti attualmente presenta questo
problema, sebbene VCE sarà relativamente piccola in molti circuiti.

5.110
Utilizzando un foglio di calcolo:
1. VCC  12* 1 .1* RAND()  0.5 | 2. R1  18000* 1 0.4 * RAND()  0.5
3. R2  36000* 1 0.4 * RAND()  0.5 | 4. RE  16000* 1 0.4 * RAND()  0.5
5. RC  22000* 1 0.4 * RAND()  0.5 | 6.  F  100* 1 1* RAND()  0.5
7. VA  75* 1 0.66* RAND()  0.5
Al fine di evitare una soluzione iterativa ad ogni passo, si ipotizza che VCE non influisca sulla
 corrente di base. Quindi,
 R 
VCC   FO I B  RC  E 
VEQ  0.7  F   V 
IB  e VCE  | I C   FO I B 1  CE 
REQ   FO  1RE   R   VA 
1  FO I B  RC  E 
VA  F 
500 Casi VCE (V) IC (A)
Media 3.81E+00 2.049E-04

Std. Dev. 1.26E+00 3.785E-05
Min** -2.07E-01 1.264E-04
Max 6.94E+00 3.229E-04
**Nota: In questa particolare simulazione, ci sono 4 casi in cui il transistore era in saturazione.

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-5.0 V Attiva inversa Interdizione

0.7 V Saturazione Attiva diretta

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0.7 V Saturazione Attiva diretta

-0.65 V Attiva inversa Interdizione

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V  I V  I V 

I V  I I V  0.7 V

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VCE  15  42.2 x10 6 A 105    42.2 x10 6 A 1.5 x105    4.39V

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5.91 Dati del problema sul grafico

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Per I Cmax : VCC =1.05 15  =15.75 V

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500 Casi IC (A) VCE (V)

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5. RC  22000 1 0.1 RAND()  0.5 | 6.   100 1 0.0RAND()  0.5

500 Casi IC (A) VCE (V)

 Media 2.03E-04 4.29

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Per I Cmax : VCC = 1.0512 = 12.6 V

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Media 3.81E+00 2.049E-04

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