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Elettronica Applicata

Elettronica Applicata

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by Alberto Tibaldi and Luca de Villa Palù
by Alberto Tibaldi and Luca de Villa Palù

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Finora abbiamo analizzato interruttori basati su circuiti a BJT, ma collega-
menti di questo tipo non sono il “massimo”: sarebbe interessante poter real-

356

VAL

VDRIVER

VLG

RG

Z

C

Figura 9.8: Schema di un generico sistema di controllo di un interruttore a
MOSFET.

izzare interruttori in grado di avere una velocità di commutazione regolabile.
Potrebbe capitare che la velocità di commutazione richiesta dal sistema elet-
tronico che si intende realizzare non sia compatibile con quella della porta
logica che si ha a disposizione. Dallo studio dei MOSFET come interruttori,
sappiamo che più carica si fornisce loro in un certo intervallo di tempo, più
velocemente essi commuteranno.
Usare un MOSFET non è banale, e richiede una certa attenzione: sup-
ponendo di saper progettare una topologia circuitale in grado di pilotare un
MOSFET, si disporrebbe di uno schema 9.8
Dal momento che il MOSFET deve commutare rapidamente, il MOS driv-
er deve fornire impulsi di corrente di ampiezza anche molto elevata, come 1
A, per decine di nanosecondi. Dal momento che, in un sistema integrato,
le interconnessioni tra dispositivi sono collegate mediante piste induttive,
potrebbe capitare che le induttanze aumentino le costanti di tempo, e quindi
la durata del transitorio. Una soluzione a questo problema è già presente
nello schema: introducendo, più vicino possibile al gate del MOSFET, un
condensatore di bypass, in modo da funzionare come un serbatoio di carica,
per quanto sia lunga la costante di tempo, si avrà sempre e comunque un
apporto di carica sul gate, e quindi si ridurrà il problema, aumentando la
velocità di transizione (commutazione).
Una possibile realizzazione pratica discreta di un MOS-driver è raffigurata

in figura 9.9.

Questi transistori funzionano solo durante la commutazione, dal momento
in cui si crea una tensione sull’emettitore tale da ridurre VBE; ciò capita

357

VAL

VLG

RG

Z

C

Figura 9.9: Schema 9.8 nel quale è stato inserita una coppia di BJT come
MOS-driver.

quando vi è l’impulso di corrente: l’impulso stesso, che deve andare verso
il MOS, carica, accende e spegne il driver. Esistono soluzioni in grado di
velocizzare i BJT, utilizzando partitori resistivi o capacità di accelerazione,
ma non approfondiamo ulteriormente il discorso.

Carichi ad alta potenza

Nei casi finora analizzati, ci avrebbe fatto comodo avere la massima veloc-
ità di commutazione: più veloce è l’interruttore, meglio funzionerà il sistema
elettronico. Non sempre tuttavia il nostro obiettivo è quello di aumentare
la velocità di commutazione: quando si ha a che fare con carichi richiedenti
potenze elevate, come nell’ordine dei kW, o carichi fortemente capacitivi, si
utilizzano circuiti in grado di rallentare il tempo di accensione, accendendo

gradualmente il circuito. Quello che si fa, dunque, è introdurre un circuito
oscillatore, realizzato mediante celle LC, in grado di filtrare l’impulso e lim-
itare il tempo di accensione. Questa tecnica è detta soft start, e una sua
implementazione è riportata in figura 9.10.

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