Note di base sui modelli dei

COMPONENTI ELETTRONICI
Corso di Applicazioni Industriali Elettriche + Elementi di Elettronica

Nicola Delmonte
 Semiconduttori

sovrapposizione

Banda di
conduzione
EC EC
Livello di Fermi
Energia elettronica

EC Eg=1÷3 eV
EV
Scala delle resistività di diversi materiali a
Eg=8÷10 eV temperatura ambiente (20 °C)
Metalli

Ossido Di Rame
(conduttori)
Semiconduttori Banda proibita

Porcellana
Eg=0

Germanio

Celluloide

Paraffina
Mercurio
Argento

Selenio

Quarzo

Ambra
Nichel
Rame

Vetro
EV

Mica
Boro
Banda di -6
10-8 10 10-2 10 104 107 1010 1013 1016
valenza Conduttori Semiconduttori Isolanti [m]

Isolanti
 Semiconduttori
Processo di fabbricazione dei
dispositivi al Silicio
• Produzione del cristallo con
tecnica Czochralsky

• Drogaggio con impiantazione ionica e annealing termico

Annealing
Impiantazione termico

Drogaggio di tipo n Drogaggio di tipo p

Diodo
Sistemi elettronici
• Componenti elementari
• Diodo → rettificatore di corrente

In elettronica il diodo è un componente elettronico passivo non-lineare a due terminali

(bipolo), la cui funzione ideale è quella di permettere il flusso di corrente elettrica in un
verso e di bloccarla quasi totalmente nell'altro.

Diodo a giunzione p-n Simbolo per schemi elettrici

Chip di Silicio A K
Contatto ohmico
Regione Regione
di tipo p Anodo Catodo
di tipo n
Reoforo
Regione
svuotata
Diodo reale
A
K
La linea indica il catodo
Diodo
Diagramma a bande
• Diodo rettificatore
• LED
• Cella fotovoltaica

Diagramma a bande in una cella fotovoltaica

Diodo
Caratteristica I-V

Applicando una tensione anche di poco

superiore a VF si avrebbe una corrente molto
elevata, tanto da arrivare a «bruciare» il
dispositivo.
Allora si deve limitare la corrente ponendo
in serie al diodo un resistore.
LED - Light Emitting Diode
Funzionamento (fonte Wikipedia)

I LED sono un particolare tipo di diodi a giunzione p-n, formati da un sottile strato di materiale semiconduttore. Gli
elettroni e le lacune vengono iniettati in una zona di ricombinazione attraverso due regioni del diodo drogate con
impurità di tipo diverso, e cioè di tipo n per atomi donori e p per atomi accettori.

Quando sono sottoposti ad una tensione diretta per ridurre la barriera di potenziale della giunzione, gli elettroni della
banda di conduzione del semiconduttore si ricombinano con le lacune della banda di valenza rilasciando energia
sufficiente sotto forma di fotoni. A causa dello spessore ridotto del chip un ragionevole numero di questi fotoni può
abbandonarlo ed essere emesso come luce, ovvero come fotoni ottici. Può essere visto quindi anche come un
trasduttore elettro-ottico.

Il colore, o frequenza della radiazione emessa, è definito dalla distanza in energia tra i livelli energetici di elettroni e
lacune liberi e corrisponde, tipicamente, al valore della banda proibita del semiconduttore in questione. L'esatta
scelta dei semiconduttori determina dunque la lunghezza d'onda dell'emissione di picco dei fotoni, l'efficienza nella
conversione elettro-ottica e, quindi, l'intensità luminosa in uscita. I LED possono essere formati da GaAs (arseniuro di
gallio), GaP (fosfuro di gallio), GaAsP (fosfuro arseniuro di gallio), SiC (carburo di silicio) e GaInN (nitruro di gallio e
indio).
LED - Light Emitting Diode
Funzionamento (fonte Wikipedia)

Anche se non è molto noto, i LED colpiti da radiazione

luminosa nello spettro visibile, infrarosso o ultravioletto,
a seconda del LED utilizzato come ricevitore, producono
elettricità esattamente come un modulo fotovoltaico. I
LED di colore blu e infrarosso producono tensioni
considerevoli. Questa particolarità rende possibile
l'applicazione dei LED per sistemi di ricezione di impulsi
luminosi. Intorno a questa proprietà sono stati sviluppati
molti prodotti industriali come sensori di distanza, All’equilibrio
sensori di colore, sensori tattili e ricetrasmettitori. Nel
campo dell'elettronica di consumo il sistema di
comunicazione irDA è un buon esempio proprio perché
sfrutta appieno questa particolarità.

Il LED ha una durata molto variabile a seconda del flusso

luminoso, della corrente di lavoro e della temperatura
d'esercizio. Polarizzato in diretta
LED - Light Emitting Diode

Ha la stessa caratteristica I-V di un diodo rettificatore!

LED
Display a sette segmenti
Display a sette segmenti
Breadboard

Schema dei collegamenti interni

SCR ( Silicon Controlled Rectifier) o Tiristor
• Uso come interruttore
BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Concetto della valvola elettronica con la modulazione comandata attraverso apposito terminale
della resistenza fra due terminali
• Eventuale uso come interruttore a stato solido
α=0,9÷0,999

Il funzionamento è regolato dalla giunzione base-emettitore, che in

questo caso viene polarizzata direttamente, mentre la giunzione fra
base e collettore viene polarizzata inversamente. Teoricamente è
come avere due diodi contrapposti, uno polarizzato direttamente
percorso da una corrente diretta e l'altro polarizzato inversamente e
ovviamente percorso da una corrente inversa, piccola ma non
trascurabile.
 BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Rete di polarizzazione

𝑉𝑅𝐶

𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 𝐼𝐶 = 𝛼𝐼𝐸 + 𝐼𝐶𝐵0

𝛼𝐼𝐵
⟹ 𝐼𝐶 = + 𝐼𝐶𝐵0 α=0,9÷0,999  si trascura ICBO
𝐼𝐵 = (1 − 𝛼)𝐼𝐸 1−𝛼

𝐼𝐸 = 𝐼𝐶 + 𝐼𝐵
Guadagno 𝛼  = hFE
𝛽≝ 𝛽 ≅ 10 ÷ 1000
𝑉𝐵𝐵 in continua 1−𝛼

Caratteristica d’ingresso Caratteristiche di uscita

Circuito alternativo
con una sola batteria
di alimentazione 𝑉𝐶𝐶
 BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Rete di polarizzazione 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝑅𝐶 + 𝑉𝐶𝐸 ⟹ 𝑉𝑅𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸 ⟹ 𝑅𝐶 𝐼𝐶 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝑅𝐶 𝑉𝐶𝐶
Eq. retta di carico Se 𝑉𝐶𝐸 = 0 ⟹ 𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 1 Se 𝐼𝐶 = 0 ⟹ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶 (𝑉𝐶𝐸 ) = − 𝑉
𝑅𝐶 𝑅𝐶 𝐶𝐸

𝑉𝐵𝐵 𝑉𝐶𝐶
ൗ𝑅
𝐶

Se si vuole usare il BJT come amplificatore, quindi in modo

lineare, il punto di lavoro deve essere scelto opportunamente retta di carico
all'interno della zona attiva.
Se si vuole usare il BJT come interruttore il punto di lavoro può
solo commutare fra la zona di interdizione e la zona di
saturazione
𝑉𝐶𝐶
 BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Uso come interruttore
𝑉𝐶𝐶
Se 𝑉𝐶𝐸 = 0 ⟹ 𝐼𝐶 = 𝑅𝐶
Se 𝐼𝐶 = 0 ⟹ 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶
VBE 
P

VBE 

Zona di saturazione
Aumentando il valore di IB si vede come il punto di lavoro P si sposta verso l'alto, il valore di
IC aumenta, mentre VCE diminuisce fino a raggiungere la zona di saturazione indicata.

Zona di interdizione
Diminuendo il valore di IB il punto di lavoro P si sposta verso valori di IC sempre più bassi,
finché non giunge nella zona di interdizione. Per ottenere ciò si deve avere IB ≅ 0 . In pratica
VBE<Vγ la giunzione base-emettitore deve essere polarizzata negativamente . Nella pratica,
per interdire un transistor, si porta VBE a 0 o ad un valore leggermente negativo.
Quando il transistor viene usato come interruttore, il dispositivo viene fatto commutare fra
la zona di saturazione e la zona di interdizione.
 BJT (Bipolar Junction Transistor)
• Uso come interruttore
OFF state
ON state
Lo stato aperto (OFF) si ottiene portando il transistor in
Quando viene portato in zona di saturazione, il
interdizione , in questo caso infatti IC come pure IB,
transistor presenta una VCE molto bassa: esso viene
sono considerate nulle. Per ottenere ciò è necessario
considerato un interruttore chiuso (ON).
VBE<Vγ . In altre parole, deve essere:
𝑉𝐵𝐸 ≤ 0

𝐼𝐶
Deve essere 𝐼𝐵 >
ℎ𝐹𝐸
Tipicamente in saturazione In prima approssimazione si ha
𝑉𝐵𝐸 = 0,8 𝑉 𝐼𝐶 ≅ 0 e 𝑉𝐶𝐸 ≅ 𝑉𝐶𝐶
𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) = 0,2 𝑉
𝑉𝐵𝐶 = 0,6 𝑉
MOSFET
• Struttura Metallo-Ossido-Semiconduttore
per regolare la conducibilità del canale

Sezione verticale di un
MOSFET di segnale a canale n
ad arricchimento
(enhancement)
 IGBT
• Insulated Gate Bipolar Transistor
• ”Misto” fra MOSFET e BJT di potenza
Amplificatore Operazionale
• Vout=Av*Vin=Av*(V+ - V-)
• Av molto grande, tipicamente 104 – 105
• Regione di amplificazione solo in un intervallo
di Vin molto piccolo (centinaia di microVolt)

Schema elettrico equivalente di

Amplificatore Operazionale ideale
+Vcc

-Vcc Schema elettrico equivalente

100naia di mV