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IL LEGAME METALLICO

B, Si, Ge, As,


Circa il 75 %
degli elementi Sb, Te, Po, At
(Riflette la luce)
Bassa energia di ionizzazione e scarsa affinità elettronica

Ferro
Bassa energia di ionizzazione: facilità di estrazione degli e-
molecola gigante
Esagonale compatta (n.c. 12), cubica a facce centrate (n.c.
12), cubica a corpo centrato (n.c. 8).
Ne consegue che:
-  Il legame tra un atomo e ciascuno dei suoi vicini non può
essere considerato un legame covalente localizzato vero
e proprio (determinato dalla condivisione di una coppia
elettronica), perché non ci sarebbe un numero
sufficiente di elettroni per formare legami di questo
tipo;
-  Gli elettroni di valenza non sono localizzati tra definite
coppie di atomi , ma sono delocalizzati, cioè
uniformemente distribuiti fra tutti gli atomi del reticolo.

TEORIA DELLE BANDE


+ + + + +
+ + + + +
Reticolo di cationi in un mare di elettroni
Teoria delle bande (fisico svizzero Felix Bloch)

Applicando l’equazione di Schrodinger ad una quantità di atomi


metallici tendente a infinito, si ottiene una successione di livelli
energetici orbitalici (approssimazione del legame forte): i livelli più
bassi contengono elettroni e sono definiti bande di valenza, quelli a
energia maggiore sono vuoti e rappresentano le bande di conduzione
Numero di atomi di Na che N ≈ 1023
formano il cristallo
Insieme infinito di orbitali molecolari:
banda continua di livelli energetici
Formazione delle bande di energia in un cristallo di Na metallico.
La distribuzione degli e- nelle bande avviene cominciando dai livelli energetici più bassi
(principio di esclusione di Pauli)

r0: distanza interatomica del reticolo cristallino del Na


Il modello a bande descrive le proprietà di conduttori o di isolanti dei solidi
cristallini
Bande di
conduzione

(anche Cu, Ag, Au)


•  Gli e- sotto l’influenza di un campo elettrico si
possono spostare nelle bande di conduzione generando
quindi una corrente elettrica.

•  All’aumentare della temperatura si osserva una


diminuzione della conducibilità elettrica in quanto
aumentano le vibrazioni degli atomi attorno alle loro
posizioni di equilibrio, vibrazioni che disturbano il
movimento degli elettroni.

•  Lucentezza dei metalli: gli e-, avendo a disposizione


un gran numero di livelli energetici, possono assorbire
facilmente radiazioni luminose di tutte le frequenze,
passando a livelli energetici superiori; successivamente
riemettono la luce assorbita ricadendo a livelli energetici più
bassi.
Schema semplificato di bande elettroniche di un semiconduttore.
In teoria i livelli energetici possibili sono infiniti ma ad alti valori
l'elettrone viene espulso. Le bande hanno ampiezza differente in
relazione agli orbitali atomici da cui derivano.
Diamante
Conducibilità elettrica trascurabile ma elevata conducibilità termica.
L’energia termica non è trasmessa dagli elettroni ma dalle vibrazioni delle
particelle.
Per gli elementi Sn e Pb (sempre del IV gruppo) il Gap energetico è ancora più
piccolo, infatti le due bande si sovrappongono, presentando proprietà di
conduttori.
ISOLANTE
SEMICONDUTTORI
E

CONDUTTORI

diamante silicio germanio stagno piombo

Elementi del IV gruppo


Campo elettrico

hν≥ ΔE
A differenza dei metalli, nei semiconduttori intrinseci la
conducibilità elettrica aumenta con l’aumentare della
temperatura, perché aumenta il numero di e- che per
eccitazione termica vengono promossi dalla banda di
valenza a quella di conduzione.
Se una banda di conduzione vuota giace
in prossimità di una banda di valenza
piena, si può accrescere l’attitudine del
semiconduttore a trasportare corrente
elettrica aggiungendo elettroni alla
banda di conduzione

Semiconduttore ESTRISECO
DI TIPO n
Si può accrescere l’attitudine del
semiconduttore a trasportare
corrente elettrica allontanando
elettroni dalla banda di valenza
(lacune)

Semiconduttore ESTRISECO
DI TIPO p
Semiconduttori estrinseci (o drogati)

Elementi del III gruppo (B, Al, Ga, In e Tl)

Si
Elementi del V gruppo (P, As, Sb e Bi)

Esempio: Si + Ga (formazione di un solido sostituzionale)

Ga: 3 elettroni di valenza


Ad uno dei legami Ga-Si
Si: 4 elettroni di valenza manca un elettrone

Banda di conduzione

1.1 eV Livello accettore


0.1 eV
e- e - e - e - Banda di valenza
In presenza di un campo elettrico si ha un movimento di cariche negative
dalla banda di valenza ai livelli accettori, creando delle lacune positive nella
banda di valenza : SENICONDUTTORI ESTRINSECI DI TIPO p.
Esempio: Si + As

As: 5 elettroni di valenza


Per uno dei legami As-Si
Si: 4 elettroni di valenza c’è un elettrone in eccesso

Banda di conduzione
0.1 eV
Livello donatore
1.1 eV e- e- e- e-

Banda di valenza

In presenza di un campo elettrico si ha un movimento di cariche negative


nella banda di conduzione: SEMICONDUTTORI ESTRINSECI DI TIPO n
Determinano le proprietà chimiche e fisiche delle specie chimiche (quindi lo
stato di aggregazione)
L’atomo di H fa da
ponte tra due
atomi
Struttura tetraedrica notevolmente aperta e quindi a densità
minore di quella dell’acqua allo stato liquido