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1

Dispositivi elettronici:
La giunzione pn
La giunzione pn (2.4.1-4)
Analisi della giunzione p-n
campo elettrico
potenziale di contatto
Polarizzazione inversa
capacit di transizione
fenomeno del breakdown
Polarizzazione diretta
equazione del diodo
Caratteristica i-v del diodo
Argomenti della Lezione
2
La giunzione pn
Si-p Si-n
Supponiamo di avere a disposizione due blocchetti di silicio,
uno drogato di tipo p e uno drogato tipo n.
Cosa succede se (idealmente) li mettiamo in contatto?
La giunzione pn
Si-p Si-n
Ma il processo non pu procedere allinfinito
altrimenti la giunzione sparirebbe
Se mettiamo a contatto Silicio drogato di tipo p con Silicio
drogato tipo n, a causa degli elevati gradienti di
concentrazione avremo diffusione:
lacune da Si-p a Si-n ed elettroni da Si-n a Si-p
3
La giunzione pn
Si-p Si-n
Cosa frena la diffusione?
La diffusione di portatori mobili lascia atomi ionizzati che
danno luogo ad un CAMPO ELETTRICO, E
E
Ipotesi di svuotamento completo a gradino:
linterfaccia della giunzione risulta completamente svuotata di
portatori mobili.
La giunzione pn allequilibrio
diffusione
I
diff
deriva
I
deriva
Si-p Si-n
E
Si raggiunge
una condizione
di equilibrio
dinamico nella
quale le due
componenti di
corrente si
bilanciano e
quindi risulta:
I
diff
= I
deriva
4
Si-p Si-n
RCS
A
B
(x)=qN
D
x
(x)= -qN
A
RQN RQN
x
n
-x
p
E
Carica netta e
nulla (A=B).
Usando leq. di
Poisson:
dE
dx
s
=
E(x)
RQN = Regioni
Quasi Neutre
RCS = Regione
di Carica
Spaziale o di
Svuotamento
qN
A
x
p

s
= |E(0)|
qN
D
x
n

s
=
e integrando:
Si-p Si-n
RCS
RQN RQN
x
n
-x
p
Al campo elettrico
E(x) associata
una barriera di
potenziale V
0
:
dV
dx
= -E(x)
E(x)
V
0
= area sottesa dal campo elettrico
V
0
E(0)
( ) ( )
2
x x 0 E
V
p n
0
+
=
5
Consideriamo due punti P
1
e P
2
qualsiasi allinterno delle regioni
quasi neutre. Le concentrazioni di elettroni nei due punti
valgono:
Si-p Si-n
RCS
RQN RQN
x
n
-x
p
0
n
p
n
n
P
1 P
2
A
2
i
p 1 1
N
n
n n : P = =
D n 2 2
N n n : P = =
Calcolo del potenziale di contatto
( )
( ) ( )
dx
x dn D
dx
x dV
x n
n
n

=

=
2
1
2
1
n
n
T
V
V
dn
n
1
V dV
( ) ( ) ( )
( )
0 = + =
dx
x dn
qD x x n q x J
n n nx
Allequilibrio, la corrente totale di elettroni nulla
(cos come quella di lacune):
dn
n
1
V dV
T
=
Integrando ambo i membri otteniamo:
da cui:
e quindi:
Calcolo del potenziale di contatto
V
2
-V
1
=V
T
ln
n
2
n
1
___
Analogamente, per le
cariche p si pu ricavare:
V
2
-V
1
=V
T
ln
___
p
1
p
2
6
Allequilibrio, le concentrazioni in P
1
e P
2
sono quelle che si
hanno nelle zone p e n, cio n
1
=n
p
=n
i
2
/N
A
e n
2
=N
D
.
Perci, sostituendo:
Che esprime la tensione di contatto V
0
in condizioni di
equilibrio, in funzione delle concentrazioni N
A
nella zona p e
N
D
nella zona n.
V
0
=V
2
-V
1
n
2
n
1
___
= V
T
ln = V
T
ln
_____
N
D
N
A
n
i
2
Potenziale di contatto V
0
allequilibrio
Lo stesso risultato si ottiene ragionando sulle cariche p
anzich sulle cariche n.
Giunzione pn, regione di
svuotamento
p-Si n-Si
RQN RQN
dep
0.1 m W 1 m
x
n -x
p
x
0

s
= 1.04 10
-12
F/cm
W
dep
s
dep p n 0
A D
2 1 1
W x x V
q N N
| |
= + = +
|
\ .
n A
p D
x N
x N
=
7
Giunzione pn regione di
svuotamento
dep
p
A
D
W
x
N
1
N
=
+
dep
n
D
A
W
x
N
1
N
=
+
Se N
A
>>N
D
, allora x
p
<<x
n
(la regione di svuotamento si estende quasi interamente
nella regione n)
Se N
A
<<N
D
, allora x
p
>>x
n
(la regione di svuotamento si estende quasi interamente
nella regione p)
electrons
holes
E
i
E
F
E
V
E
C
Si-p
Si-n
RCS
RQN RQN
E
La
giunzione
pn
all
equilibrio
deriva
diffusione
diffusione
deriva
8
Giunzione pn polarizzata
Ipotesi semplificative:
Approssimazione di svuotamento
Cadute di tensione trascurabili sui contatti e RQN
Deboli correnti (bassa iniezione)
La tensione applicata V
A
cade tutta alla giunzione.
La tensione sulla giunzione diventa V
0
- V
A
.
Si-p Si-n
V
A
V
0
V
0
- V
A
Nota: positivo a p
negativo a n
Si-p Si-n
RQN RQN
W
RCS
x
n -x
p
x
0
E(x)
s
dep p n 0 A)
A D
2 1 1
W x x (V V
q N N
| |
= + = +
|
\ .
|E(0)| =
2 (V
0
V
A
)
W
dep
W
dep
cala
E(0) cala
potenziale alla
giunzione cala
Se V
A
aumenta:
e viceversa
9
E(x)
V
A
La giunz. polarizzata in inversa (V
A
<0)
Si-p Si-n
x
n
-x
p
V
0
x
n
-x
p
(V
0
V
A
)
electrons
holes
Ei
EF
EV
E
C
Si-p Si-n
RCS
RQN RQN
E
deriva
diffusione
diffusione
deriva
Si-p Si-n
RCS
RQN RQN
E
deriva
deriva
La giunz. polarizzata in inversa (V
A
<0)
movimento dei portatori liberi
EQUILIBRIO POLARIZZ.INVERSA
10
Capacita parassite nei diodi
(Polarizzazione inversa)
( )
s
dep p n 0 A
A D
s R R
dep 0 dep d0
0 A D 0
2 1 1
W x x V V
q N N
2 V V 1 1
W 1 V W W 1
V q N N V

| |
= + = +
|
\ .
| |
= + + = +
|
\ .
R A
V V =
D A
D n A p dep
D A
D A R
d0
D A 0
N N
Q qN x A qN x A q W A
N N
N N V
Q qAW 1
N N V
| |
= = =
|
+
\ .
= +
+
Capacita parassite nei diodi
(Polarizzazione inversa)
D A R
d0
D A 0
N N V
Q qAW 1
N N V
= +
+
R Q
j
R
V V
Q
C
V
=

Con alcuni passaggi algebrici si ottiene:


j0
S D A
j j0
D A 0
R
0
C
q N N 1
C ; C A
2 N N V
V
1
V
| | | |
| |
= =
| |
|
+
\ .
\ .\ .
+
Si poteva ottenere partendo dalla:
S
j
dep
A
C
W

=
11
Breakdown ZENER
In giunzioni pesantemente drogate, la RCS
risulta sottile ed il campo elettrico alla
giunzione cos elevato da riuscire a rompere
legami covalenti e a creare coppie elettrone-
lacuna con conseguente aumento della
corrente inversa.
La velocit media di deriva dei portatori nella RCS
il risultato di continui urti con il reticolo cristallino (in
cui viene ceduta energia) e movimento accelerato
dal campo elettrico tra un urto e laltro. Se lenergia
cinetica acquisita durante la fase di accelerazione e
ceduta al reticolo cristallino durante un urto tale
da rompere un legame covalente, si ha un effetto
moltiplicativo (a valanga) causato dai nuovi
portatori cos prodotti che, a loro volta vengono
accelerati dal campo elettrico e possono provocare
la rottura di altri legami covalenti
Breakdown a Valanga
12
V
A
La giunzione polarizzata diretta (V
A
>0)
Si-p Si-n
x
n
-x
p
E(x)
V
0
(V
0
V
A
)
x
n -x
p
E(x)
V
0
electrons
holes
Ei
EF
EV
E
C
Si-p Si-n
RCS
RQN RQN
E
deriva
diffusione
diffusione
deriva
Si-p Si-n
RCS
RQN RQN
La giunz. polarizzata in diretta (V
A
>0)
movimento dei portatori liberi
E
deriva
deriva
diffusione
EQUILIBRIO
diffusione
POLARIZZ.DIRETTA
13
La giunzione polarizzata
Concentrazioni ai bordi della RCS
Se la tensione applicata V
A
0, cambiano le
concentrazioni ai bordi x
p
e x
n
della RCS
(Regione di Carica Spaziale). Per lipotesi di
deboli correnti (bassa iniezione), sono ancora
valide le relazioni tra potenziale di contatto e
concentrazioni:
V
2
-V
1
=V
T
ln
n
2
n
1
___
V
2
-V
1
=V
T
ln
___
p
1
p
2
Ad es., per le cariche p, per la presenza degli accettori
nella zona p p
1
=N
A
, e nella zona n , allascissa x
n
, la
concentrazione dei portatori minoritari p
2
=p
n
(x
n
) data
dalla relazione col potenziale di contatto V
0
-V
A
:
da cui
La giunzione polarizzata
Concentrazioni ai bordi della RCS
|
|
.
|

\
|
= =
2
1 2 0
p
N
ln V V V V V
A
T A
T
A
T
0 A
V
V
0 n
V
V V
A n n 2
e p e N ) x ( p p = = =

Dove p
n0
la concentrazione di lacune nella zona
n allequilibrio, quando V
A
=0. Analogamente nella
zona p, a x
p
, si ha:
T
A
T
0 A
V
V
0 p
V
V V
D p p 1
e n e N ) x ( n n = = =

14
La giunzione polarizzata
portatori minoritari
RCS
0
x
Catodo - n
p
n0
Diodo: V
D
> 0
p
n
(x)
x
n
n
p0
n
p
(x)
Anodo - p
-x
p
( )
A
T
V
V '
n n n0
p x p e 1
| |
= |
|
\ .
p
n
(x
n
)
V
A
>0
V
A
<0
p
n
(x)
p
n
(x
n
)
Nella zona n, definendo:
0 n n n
p ) x ( p ) x ( p =
Risulta:
Per x>x
n
la
distribuzione p
n
(x) si
ricava dalleq. di
continuit:
p
n
L
x x
n n n
e ) x ( p ) x ( p

=
p p p
D L =
Lunghezza di
diffusione
La giunzione polarizzata
portatori minoritari
RCS
0
x
Catodo - n
p
n0
Diodo: V
D
> 0
p
n
(x)
x
n
n
p0
n
p
(x)
Anodo - p
-x
p
p
n
(x
n
)
V
A
>0
V
A
<0
p
n
(x)
p
n
(x
n
)
Dallequazione di
continuit, avendo
trascurato il campo
elettrico nelle regioni quasi
neutre, leccesso di cariche
minoritarie p
n
(x) tende
esponenzialmente a 0.
Analoga distribuzione si ha
per leccesso di cariche
minoritarie n
p
(x) nella zona
p.
15
In polarizzazione diretta si crea un eccesso di
portatori minoritari p
n
(x
n
) (rispetto alla
condizione di equilibrio), in prossimit della
RCS, che cresce esponenzialmente con la
tensione applicata V
A
:
- eccesso di lacune nella regione n
- ed eccesso di elettroni nella regione p.
Al contrario, in polarizzazione inversa, rispetto
alla condizione di equilibrio, si crea un difetto di
portatori minoritari in prossimit della RCS.
La giunzione polarizzata
portatori minoritari
RCS
0
x
Catodo - n
p
n0
Diodo: V
D
> 0
p
n
(x)
x
n
n
p0
n
p
(x)
Anodo - p
-x
p
La giunzione polarizzata
portatori minoritari (N
A
> N
D
)
Polarizzazione diretta, V
A
>0
equilibrio
16
0
x
Anodo - p Catodo - n
p
n0
n
p0
Diodo: V
D
< 0
p
n
(x)
n
p
(x)
A
2
i
0 p
A 0 p
N
n
n
N p
=
=
D
2
i
0 n
D 0 n
N
n
p
N n
=
=
RCS
x
n
-x
p
La giunzione polarizzata
portatori minoritari (N
A
> N
D
)
Polarizzazione inversa, V
A
<0
equilibrio
La giunzione polarizzata
Corrente nella giunzione pn
( ) ( )
n
p
n n
x x
L
' '
n
n
p x p x e
per x x

=
>
'
n
p p
p (x)
J (x) qD
x

Corrente di diffusione:
n A
p T
x x V
L p V
p n0
p
n
D
J (x) q p e 1 e
L
per x x

| |
= |
|
\ .
>
J
p
e massima in x=x
n
e poi
decade in modo
esponenziale con
lunghezza di diffusione L
p
.
Corrente di lacune
Densita di lacune
FLUSSO
x
p
n
(x)
x
n
E dalle relazioni precedenti:
17
La giunzione polarizzata
Corrente nella giunzione pn
h
x
(1) Le lacune vengono
continuamente iniettate nel
Silicio tipo n;
(3) Vengono richiamati elettroni che si ricombinano con le
lacune iniettate (dando una corrente verso destra);
x
n
e
(2) In presenza del gran
numero di elettroni si
ricombinano (lontano dalla
giunzione non ci sono lacune
in eccesso, p
n
(x) 0;
(4) In regime stazionario, la corrente lungo il diodo
costante.
J
p
+J
n
=J
D
=cost
J
p
J
n
J
diff
p
e
Consideriamo gli
andamenti della corrente
nella zona n
A
T
V
p V diff
p p n n0
p
D
J J (x ) q p e 1
L
| |
= = |
|
\ .
La giunzione polarizzata
Corrente nella giunzione pn
n A
p T
x x V
L p V
p n0
p
n
D
J (x) q p e 1 e
L
per x x

| |
= |
|
\ .
>
h
x x
n
e
J
p
+J
n
=J
D
=cost
J
p
(x)
J
n
(x)
J
diff
p
e
18
A
T
V
p V diff
p p n n0
p
D
J J (x ) q p e 1
L
| |
= = |
|
\ .
La giunzione polarizzata
Corrente nella giunzione pn
IN MODO ANALOGO NELLA ZONA P:
A
T
V
V diff n
n n p p0
n
D
J J ( x ) q n e 1
L
| |
= = |
|
\ .
h
-x
x
p
J
p
+J
n
=J
D
=cost
J
p
(x)
J
diff
n
e
J
n
(x)
Elettroni che vengono
iniettati nella regione p
per diffusione
Elettroni che si
Ricombinano con le
Lacune iniettate
J
n
(x)
x
x
n
-x
p
RCS
La giunzione polarizzata
Corrente di elettroni
J
n
(x)
19
La giunzione polarizzata
N
A
> N
D
J
n
J
p
+J
n
= cost
J
p
J
p
J
n
J
n
x
x
n
-x
p
Elettr.
Inj.
Elettr.
che
Ricomb.
Lac.
Inj.
Lac. che
Ricomb.
RCS
CORRENTE TOTALE
J
n
J
p
+J
n
= cost
J
p
J
p
J
n
J
n
x
x
n
-x
p
Elettr.
Inj.
Elettr.
che
Ricomb.
Lac.
Inj.
Lac. che
Ricomb.
RCS
J
n
J
p
+J
n
= cost
J
p
J
p
J
n
J
n
J
p
+J
n
= cost J
p
+J
n
= cost
J
p
J
p
J
n
J
n
J
p
J
p
J
n
J
n
x
x
n
-x
p
x
x
n
-x
p
Elettr.
Inj.
Elettr.
Inj.
Elettr.
che
Ricomb.
Elettr.
che
Ricomb.
Lac.
Inj.
Lac.
Inj.
Lac. che
Ricomb.
Lac. che
Ricomb.
RCS
Lontano dalla
giunzione,
nella regione p,
ho corrente di
sole lacune
Lontano dalla
giunzione,
nella regione n,
ho corrente di soli
elettroni
alla giunzione
J
p
>J
n
perch
N
A
>N
D
La giunzione polarizzata
N
A
> N
D
20
La giunzione polarizzata
CORRENTE TOTALE
Lacune iniettate
p
+
n
lacune
Corrente totale
Lac. Iniettate > El. Iniettati.
Lac. Ric < El. Ric.
Se N
A
>N
D
:
El. Inj.
Lac. Ric.
El. Ric.
elettroni
La giunzione polarizzata
CORRENTE TOTALE
A
T
V
p n0 n p0 V
p n
qD p qD n
I A e 1
L L
| | | |
= + |
|
|
|
\ .
\ .
E ricordando che
p n n p
I A J (x ) J ( x ) = +

A A
T T
V V
p V V 2 n
i S
D p A n
D
D
I Aqn e 1 I e 1
N L N L
| | | |
| |
= + = | |
|
|
| |
\ .
\ . \ .
D
2
i
no
N
n
p =
A
2
i
po
N
n
n =
21
Breakdown
Caratteristica I-V della giunzione PN
p 2
n
S i
p D n A
D
D
I Aqn
L N L N
| |
= +
|
|
\ .
( )
T
V / V
s
I I e 1 =
I
S
I
V
V
on
Capacit di diffusione nei diodi
(Polarizzazione diretta)
RCS
x
x
n
p
n0
n
A
T
'
p n
x
V
V
p n0 p p
Q p (x)dx
AqL p e 1 I

=
| |
= = |
|
\ .

Analogamente:
n n n
Q I =
Quindi:
n n p p T
Q I I I = + =
A Q
T
d
A T
V V
Q
C I
V V

=
| |

= =
|

\ .
Capacit di
DIFFUSIONE
p
n
(x)
p
n
(x)