5.

Il transistore bipolare
5.1 Il concetto di transistore

Supponiamo di disporre di un doppio bipolo, o biporta, del tipo rappresentato in fig. 5.1. Ii

+ Vi _

IO=f(Vi )

+ VO _

Figura 5.1

Esso in pratica un elemento a tre terminali, in cui la corrente della porta di uscita non dipende dalla tensione V che si ha alla porta di uscita, ma dipende solo dalla tensione V alla porta di O i ingresso, essendo IO=f(Vi ). In pratica la tensione al terminale di ingresso controlla la corrente che entra nel terminale di uscita, la quale quindi indipendente dalla tensione sul terminale di uscita stesso. Un tale dispositivo pu essere utilizzato, per esempio, nella configurazione di fig. 5.2.

+
Vi IO=f(Vi ) R

_ _

VO

Figura 5.2: Amplificatore basato sul doppio bipolo di fig. 5.1

La tensione di uscita sar pari a VO = -IOR =-f(Vi)R , e quindi sar una funzione della sola tensione di ingresso. Se la funzione f(Vi) lineare, del tipo IO=GVi, allora la tensione di uscita ottenuta sar pari a VO = -R GVi, il che significa che si pu amplificare la tensione di ingresso Vi di una quantit che dipende da un parametro del doppio bipolo e dalla resistenza R. Un transistore generico appunto un elemento circuitale a tre terminali del tipo rappresentato in fig. 5.1 in cui la funzione f(Vi) non lineare. In tal caso unapprossimazione lineare della caratteristica non lineare del dispositivo si pu fare, esattamente come stato mostrato nel caso del diodo, per piccoli spostamenti della corrente intorno a un punto di lavoro, cio per piccoli segnali.

5.2

Il transistore bipolare a giunzione (BJT)

Consideriamo la struttura mostrata nella figura 5.3, costituita da tre regioni di silicio il cui drogaggio rispettivamente di tipo N, P e N. Si-N Si-P Si-N

emettitore

base

collettore

J1

J2

Figura 5.1: Struttura fisica di un transistore bipolare

In figura sono mostrate anche le estensioni delle regioni di carica spaziale a ridosso delle due giunzioni J1 e J2 . Le tre regioni prendono il nome rispettivamente di emettitore, base e collettore. Il livello di drogaggio (concentrazione di impurezze di tipo donore o accettore) decrescente passando dallemettitore al collettore, per motivi che saranno chiariti in seguito. In pratica abbiamo due diodi che condividono la regione di anodo, ma il comportamento del dispositivo a tre terminali risultante, detto transistore bipolare (o BJT) NPN, ben diverso rispetto a quello di due diodi a giunzione con lanodo collegato. Consideriamo la seguente situazione di polarizzazione per le due giunzioni: - Giunzione emettitore-base polarizzata direttamente. - Giunzione base-collettore polarizzata inversamente. In questa situazione si dice che il BJT polarizzato in zona attiva diretta. La situazione relativa alla polarizzazione del dispositivo in zona attiva diretta mostrata in fig. 5.4. Si-N emettitore IE elettroni Si-P base Si-N collettore IC

elettroni Campo elettrico lacune J1 IB J2

_
VBE

+
VCB

Figura 5.2: Transistore bipolare polarizzato in zona attiva diretta

Poich la giunzione base-emettitore polarizzata in diretta, un gran numero di elettroni supera la barriera di potenziale e attraversa la giunzione, nella direzione dallemettitore verso la base. Un numero molto minore di lacune, a causa del drogaggio di base molto inferiore rispetto a quello dellemettitore, attraversa la giunzione in direzione opposta, dalla base verso lemettitore. Gli elettroni iniettati in base trovano un campo elettrico, generato dalla polarizzazione inversa della giunzione base-collettore, che tende a trascinarli verso il collettore, il quale, quindi, ne raccoglie la maggior parte. Infatti, quando stata trattata la giunzione pn polarizzata in inversa, si detto che le correnti in essa erano molto piccole a causa del fatto che la tendenza alla deriva dei portatori, di gran lunga prevalente rispetto alla tendenza alla diffusione a causa dellampliamento della barriera di potenziale, agisce nel senso di trascinare elettroni dalla zona P alla zona N e lacune in direzione opposta. Poich in un diodo gli elettroni nella regione P e le lacune nella regione N sono in quantit molto limitata, la corrente piccolissima. Nel caso della giunzione base-collettore di un BJT polarizzato in zona attiva diretta questa situazione viene superata: un gran numero di elettroni, che sono stati iniettati nella base di tipo P dallemettitore a causa della polarizzazione diretta della giunzione BE (Base-Emettitore), sono disponibili a condurre una corrente inversa attraverso la giunzione BC (Base-Collettore). Leffetto netto corrisponde al passaggio nel collettore della maggior parte degli elettroni che erano stati iniettati dallemettitore verso la base. Ci contribuisce a formare una corrente di collettore, entrante nel relativo terminale, circa uguale a quella di emettitore, che invece uscente. In pratica avremo quindi nel dispositivo le seguenti correnti, segnate in fig. 5.4 con il loro verso naturale:
VBE

I C IE IS e

VT

(5.1)

che la tipica espressione della corrente in un diodo, cio nella giunzione BE polarizzata in diretta. Il fenomeno appena descritto (raccolta al collettore di gran parte degli elettroni iniettati in base dallemettitore) prende il nome di effetto transistore. Lespressione (5.1) dice infatti che il dispositivo ha una corrente di collettore che non dipende, in pratica, dalla tensione di collettore ma solo dalla tensione VBE. Per quanto riguarda la base, in essa scorre sicuramente una corrente di lacune iniettate verso lemettitore a causa della polarizzazione diretta della giunzione BE. Come si gi detto, questa corrente molto piccola, dato che il livello di drogaggio della base abbastanza inferiorea quello di emettitore, per cui ci sono poche lacune disposte a portare corrente. Si pu aggiungere che la dipendenza di questa corrente di lacune, che chiameremo IBP , dalla polarizzazione VBE ancora del tipo seguente:
VBE

I BP I1 e

VT

(5.2)

Inoltre, un certo numero di elettroni iniettati dallemettitore verso la base non viene raccolto dal collettore, ma si perde nella base, ricombinandosi con le lacune disponibili. Questo numero tanto pi piccolo quanto pi sottile la regione di base. Ovviamente questo piccola frazione di elettroni che si ricombinano in base rappresenta una piccola corrente IBN. La dipendenza di questa corrente dalla polarizzazione della giunzione BE sempre del tipo:
VBE

I BN I 2 e

VT

(5.3)

Ricapitolando, vi sono due contributi alla corrente di base, entrambi piccoli, uno dovuto alle lacune iniettate dalla base verso lemettitore, laltro associato agli elettroni iniettati dallemettitore

che, anzich raggiungere il collettore, si disperdono, ricombinandosi nella regione di base. La corrente totale nella base, che ha verso entrante in quanto i due contributi descritti hanno entrambi verso entrante nella base, si ottiene sommando le espressioni (5.1) e (5.2).
VBE V BE

I B = I BP + I BN ( I1 + I 2 ) e

VT

= I SB e

VT

(5.4)

La corrente ISB molto minore della corrente IS che compare nella espressione della corrente di collettore, per cui, se calcoliamo il rapporto tra la corrente IC e la corrente IB, otteniamo: IC I S = cos tan te = I B I SB (5.5)

Il parametro , che rappresenta il rapporto tra corrente di collettore e corrente di base circa costante in zona attiva diretta, si chiama guadagno di corrente del transistore bipolare. In molti data-sheet viene anche indicato con il simbolo h . Il suo valore tipico intorno a 100, ma varia FE molto, in dipendenza delle dimensioni e dei livelli di drogaggio delle varie regioni del BJT. La corrente IS si chiama anche corrente di saturazione del transistore. Possiamo a questo punto scrivere anche una relazione tra la corrente di collettore e la corrente di emettitore, utilizzando la KCL. 1 +1 I E = I C + I B = I C (1 + ) = I C IC = IE = IE +1 (5.6)

Il parametro ha un valore molto vicino allunit e si chiama guadagno in corrente a base comune del BJT. Infine possiamo tracciare un modello circuitale del transistore bipolare NPN, che conterr un diodo per descrivere il comportamento della giunzione BE e un generatore pilotato non lineare che fornisce la corrente di collettore. Tale modello rappresentato in fig. 5.5. IB B ISB e
V BE VT

IC C
V BE

IS e

VT

=IB

IE

Figura 5.3: Modello circuitale di un transistore bipolare NPN

Il simbolo circuitale del transistore bipolare NPN riportato nella seguente figura 5.6. C B E
Figura 5.4: Simbolo circuitale del transistore bipolare NPN

5.3

Il transistore bipolare PNP

Se si cambia il tipo di drogaggio di ciascuna delle regioni della struttura di fig. 5.3 si ottiene un transistore bipolare di tipo PNP. Il funzionamento di questo tipo di dispositivo del tutto identico a quello descritto precedentemente: la polarizzazione in zona attiva diretta si ottiene nelle stesse condizioni elencate per il BJT NPN: Giunzione emettitore-base polarizzata direttamente Giunzione base-collettore polarizzata inversamente

Poich la base di tipo N e lemettitore di tipo P, la tensione diretta per la giunzione BE laVEB, che quindi deve essere positiva, mentre la VBE doveva essere positiva per il BJT NPN. Allo stesso modo la giunzione BC sar polarizzata inversamente se il collettore a tensione minore della base, per cui dovremo avere VBC positiva, come in fig. 5.7.

Si-P emettitore IE lacune

Si-N base

Si-P collettore IC

lacune Campo elettrico elettroni J1 IB J2

+
VEB

_
VBC

Figura 5.1: Transistore bipolare PNP

Tutte le considerazioni fatte per il transistore NPN valgono anche qui, solo che i portatori iniettati dallemettitore sono lacune, che quindi vengono trascinate nel collettore dal campo elettrico favorevole creato dalla polarizzazione inversa della giunzione BC. Il verso della corrente di emettitore entrante, quello della corrente di collettore uscente. La corrente di collettore, circa uguale alla corrente di emettiore, vale:
VEB

I C I E I S e VT

(5.7)

La corrente di base formata da due contributi: 1. IBN, dovuta agli elettroni iniettati dalla base verso lemettitore 2. IBP , dovuta alle lacune iniettate dallemettitore che si ricombinano in base e non riescono a raggiungere il collettore. I due contributi, entrambi uscenti, mostrano la stessa dipendenza funzionale dalla VEB che sussiste per la corrente di collettore. Analogamente alle equazioni 5.2, 5.3 e 5.4 si ha che:
VEB VEB

I BN I1 e

VT

I BP I 2 e V T

In definitiva la corrente di base vale:

VEB VEB

I B = I BP + I BN (I 1 + I 2 ) e

VT

= ISB e

VT

e il rapporto tra corrente di collettore e corrente di base, sempre in zona attiva diretta, allincirca costante, per cui vale sempre lequazione (5.5), in cui b il guadagno in corrente del transistor. Anche lequazione che esprime il rapporto tra corrente di emettitore e corrente di collettore resta formalmente identico a quello riportato nellequazione (5.6), in cui a il guadagno in corrente a base comune del BJT. E opportuno sottolineare che i versi delle correnti ai terminali del BJT di tipo PNP sono stati scelti in modo da rispettare i versi naturali delle correnti e sono rispettivamente opposti a quelli dei terminali corrispondenti nel BJT di tipo NPN. Per quanto riguarda il modello e il simbolo circuitale del transistore PNP, essi sono riportati nelle seguenti figure. IB B
V EB

IC C I SB e
VT V EB

I Be

VT

= IB

IE

Figura 5.2: Modello circuitale del transistore bipolare PNP

E IB B C

IE

IC

Figura 5.3: Simbolo circuitale del transistore bipolare PNP

5.4

Le altre regioni operative del BJT.

Transistore NPN

Consideriamo un BJT di tipo NPN polarizzato in zona attiva diretta. Il campo elettrico generato alla giunzione base-collettore dalla polarizzazione inversa sussiste anche se riduciamo lentit di tale polarizzazione inversa, cio se riduciamo la tensione VCB. Leffetto transistore continua a sussistere anche se tale polarizzazione si riduce a zero, cio se abbassiamo la tensione del collettore fino al valore di tensione imposto sulla base. In tali condizioni siamo ancora in zona attiva diretta, in quanto il funzionamento del transistore ancora quello descritto nel paragrafo 5.2. Se abbassiamo ancora la tensione di collettore rispetto a quella della base V diventa negativa e la CB polarizzazione della giunzione base-collettore diviene diretta. Leffetto transistore, e quindi la raccolta al collettore di gran parte degli elettroni iniettati dallemettitore verso la base, si osserva anche in queste condizioni, purch la polarizzazione in diretta della giunzione base-collettore non superi il valore V necessario ad accendere la giunzione stessa. Se la VCB raggiunge il valore V il collettore comincia a iniettare anchesso elettroni in base: leffetto netto che si ottiene dalla composizione dei due contributi opposti rispettivamente dati dalla corrente dovuta agli elettroni che provengono dallemettitore e dalla corrente dovuta agli elettroni iniettati dal collettore verso la base consiste in una brusca diminuzione della corrente di collettore. Laltro effetto notevole un aumento altrettanto brusco della corrente di base rispetto al valore IC / che si avrebbe se il BJT funzionasse in zona attiva diretta. In questa situazione si dice che il transistore in saturazione : in questa regione operativa, si hanno grosse variazioni di corrente di collettore per piccolissime variazioni di tensione V intorno al valore V, al punto che la VCB, ai fini pratici, si pu CB considerare costante e pari al valore V. Se consideriamo la relazione seguente, ottenuta con la KVL: VCE=VCB+VBE (5.8)

otteniamo il valore di V in corrispondenza del quale il BJT passa dalla zona attiva diretta alla CE saturazione. Tale valore si ottiene ponendo VBE0.7V (caduta di tensione tipica ai capi della giunzione BE accesa) e a VCB -V -0.5V, come abbiamo appena discusso. Si ha quindi che VCE-0.5+0.7=0.2V il valore di tensione tra collettore ed emettitore corrispondente al passaggio del transistore bipolare NPN dalla zona attiva diretta alla saturazione, che si indica con VCESAT : tale valore di tensione VCE resta circa costante nella regione di saturazione, essendo VBE circa costante e anche VC B circa costante in tale regione operativa. Riepilogando, per un BJT NPN il passaggio tra zona attiva diretta e saturazione si ha in corrispondenza di VCB=V (ovvero quando la tensione di collettore inferiore di V volt rispetto alla tensione di base), oppure, in modo del tutto equivalente, quando VCE=VCESAT . In saturazione VCE si pu considerare costante e pari a VCESAT , mentre la relazione tra corrente di base e corrente di collettore la seguente: IB > IC (5.9)

Sempre per un BJT NPN, se consideriamo la condizione VBE< V, non abbiamo iniezione apprezzabile di elettroni dallemettitore verso la base. Le correnti del transistor assumono quindi valori molto piccoli e trascurabili nelle applicazioni. Il BJT quindi spento e si dice che in interdizione . Ci vale per solo se la giunzione base-collettore anchessa spenta, cio polarizzata in inversa oppure polarizzata in diretta con tensione inferiore a V. Se la giunzione base-collettore invece accesa (VBC> V), e la giunzione base-emettitore spenta, si riproduce una situazione molto simile alla zona attiva diretta, con il collettore e lemettitore che si scambiano i ruoli. Infatti in questa situazione il collettore che emette elettroni verso la base e lemettitore che li raccoglie. Siamo

nella cosiddetta zona attiva inversa , in cui leffetto transistore si manifesta con entit molto ridotta rispetto alla zona attiva diretta, a causa dei livelli di drogaggio delle varie regioni appositamente scelti per esaltare leffetto transistore in zona attiva diretta. Si tratta quindi di una regione operativa poco interessante nelle applicazioni del BJT. La seguente figura 5.10 rappresenta un esempio di polarizzazione di un BJT di tipo NPN in zona attiva inversa.

VCB<0

VBE<0

Figura 5.1: Polarizzazione in zona attiva inversa di un BJT NPN.

Transistore PNP
Passando a considerare il BJT di tipo PNP, in zona attiva diretta abbiamo la giunzione baseemettitore accesa che inietta lacune e la giunzione base-collettore in inversa, con il collettore che raccoglie gran parte di queste lacune. V quindi circa pari a 0.7V, caduta di tensione tipica ai EB capi di una giunzione accesa, mentre VBC positiva. Se, mantenendo costante il potenziale della base, si comincia ad aumentare la tensione sul collettore, VBC si riduce ma, analogamente a quanto visto per il BJT NPN, si continua ad osservare leffetto transistore: ci continua a valere anche se la VC diventa pari o addirittura supera leggermente la VB. Il transistor va in saturazione quando VBC diventa negativa (giunzione base-collettore polarizzata in diretta) e raggiunge il valore V. In questa situazione il collettore comincia anchesso a emettere lacune e la corrente di collettore, che in zona attiva diretta era praticamente indipendente dalla tensione di collettore, diventa molto sensibile al valore di V , al punto che V stessa si pu BC BC considerare praticamente costante e pari al valore V. La situazione del tutto analoga a quella descritta al sottoparagrafo precedente: un ulteriore aumento di tensione sul collettore si traduce in un brusco calo della corrente di collettore e in un valore di corrente di base notevolmente superiore a quello che si avrebbe in zona attiva diretta. In definitiva la saturazione si raggiunge se la tensione di collettore supera la tensione sulla base di una quantit pari a V . Se consideriamo la tensione tra emettitore e collettore VEC, otteniamo che, poich VEC=VEB+VBC, essendo al punto di passaggio tra zona attiva diretta e saturazione VEB0.7V e VBC= = V -0.5V, si ottiene VECSAT 0.7-0.5=0.2V, che il valore di tensione tra emettitore e collettore che si ha in corrispondenza del passaggio dalla regione attiva diretta alla saturazione. In saturazione, inoltre, si ha ancora che valida lequazione (5.9). La condizione di interdizione si ha se la giunzione base-emettitore si spegne, caso in cui lemettitore non inietta pi lacune verso la base. Tale condizione si ha quindi se VEB< V.

Se per, sempre con VEB< V, la giunzione base collettore viene accesa (VCB> V), si ottiene anche in questo caso il funzionamento in zona attiva inversa, che risulta di scarsa rilevanza nelle applicazioni pratiche di un transistore bipolare.

5.5

Le caratteristiche del transistore bipolare.

Consideriamo dapprima un transistore di tipo NPN. Si definiscono caratteristiche di ingresso o caratteristiche interne di un transistore bipolare quelle che riportano la corrente di base in funzione della tensione base-emettitore, per ogni valore della tensione tra collettore ed emettitore, in zona attiva diretta. Poich lespressione della corrente di base in funzione della VBE in zona attiva
VBE

diretta la (5.4), cio I B = I SB e VT , essa risulta, almeno in prima approssimazione, indipendente dalla V , per cui le caratteristiche interne possono essere rappresentate per mezzo di ununica CE curva (fig. 5.11).

IB

VBE

I SB e

VT

VBE
Figura 5.1: Caratteristiche di ingresso di un BJT NPN

Le caratteristiche di uscita, o esterne , rappresentano invece la corrente di collettore IC in funzione della V , per ogni valore della V . In alternativa riportano il valore della corrente di CE BE collettore in funzione della VCE per ogni valore della corrente di base IB. IC VBE3

VBE2 VBE1

VCESAT

VCE

Figura 5.2: Caratteristiche esterne di un BJT NPN, assumendo VB E come parametro variabile

La fig. 5.12 mostra la forma di tali caratteristiche. A destra della linea tratteggiata il dispositivo lavora in zona attiva diretta, a sinistra lavora in saturazione. La regione di interdizione si ha per VBE<V e coincide con lasse delle ascisse. Se la differenza tra i valori successivi di V riportati BE nel grafico costante, la differenza tra le corrispondenti correnti di collettore in zona attiva diretta non costante, a causa della dipendenza esponenziale di IC da VBE. Ce da dire che, in realt, esiste una piccola dipendenza della corrente di collettore dalla V CE anche in zona attiva diretta. Essa dovuta al cosiddetto effetto Early: se VCE, e quindi VCB, aumenta, la regione di carica spaziale della giunzione base-collettore (che polarizzata in inversa in zona attiva diretta) si allarga e, di conseguenza, la regione quasi neutra di base (quella al di fuori delle regioni di carica spaziale) si restringe. Ci implica che gli elettroni che passano nella base hanno meno probabilit di incontrare una lacuna e di ricombinarsi in base, per cui il numero di elettroni iniettati dallemettitore che vengono raccolti dal collettore aumenta. In definitiva se V CE aumenta la corrente di collettore aumenta leggermente e la corrente di base diminuisce leggermente.
1.93m A

VBE3
1.50m A

1.00m A

VBE2

0.50m A

VBE1

0.01m A 0V I C( Q )

1.00V

2.00V V_VCE

3.00V

4.00V

4.99V

Figura 5.3: Simulazione delle caratteristiche esterne di un BJT NPN.

Il tutto rappresentato nella simulazione in fig. 5.13. In particolare si pu dimostrare che tutte le curve in zona attiva diretta, se vengono estrapolate, intersecano lasse delle ascisse nello stesso punto corrispondente a VCE=-VA. La tensione VA si chiama tensione di Early del transistor.
1.92mA

IB5
1.50mA

IB4
1.00mA

IB3 IB2

0.50mA

IB1

0.01mA 0V IC(Q) V_VCE 1.0V 2.0V 3.0V 4.0V 5.0V

La figura successiva mostra invece la simulazione delle caratteristiche esterne del BJT assumendo come parametro la corrente di base: tale corrente stata fatta variare a passo costante, per cui anche la corrente di collettore varia a passo costante, sempre in zona attiva diretta, essendo IC circa proporzionale a IB in tale regione operativa. Anche in questo caso si nota leffetto Early, cio la piccola variazione di corrente di collettore al variare della tensione V . Nelle applicazioni CE che vedremo del transistore bipolare trascureremo sempre leffetto Early. Infine abbiamo le caratteristiche di trasferimento, o transcaratteristiche , del BJT. Esse riportano la corrente di collettore in funzione della tensione base-emettitore VBE per ogni valore della tensione collettore-emettitore VCE in zona attiva diretta. Se si trascura leffetto Early, la corrente di collettore non dipende dalla VCE, per cui le transcaratteristiche appaiono come una sola curva, riportata nella seguente fig. 5.14. IC

VBE

I Se

VT

VBE
Figura 5.4: Transcaratteristica di un BJT NPN

In realt le transcaratteristiche differiscono leggermente tra di loro al variare della VCE per effetto Early, in quanto sappiamo che la corrente di collettore aumenta debolmente allaumentare di V CE stessa. Dato che lespressione della corrente di collettore in funzione della VBE identica alla relazione corrente-tensione di un diodo, leffetto dellaumento della temperatura sulla transcaratteristica rappresentata in fig. 5.14 identico a quello che si ha in un diodo a giunzione. In questultimo caso avevamo stabilito che, se si mantiene la corrente costante, la tensione sul diodo deve diminuire di 2mV per ogni grado centigrado di aumento della temperatura. Di conseguenza, in un transistore bipolare di tipo NPN, se si mantiene la corrente di collettore costante e si varia la temperatura, la tensione VBE deve diminuire di 2mV per ogni grado centigrado di aumento della temperatura.

Transistore PNP
Nel caso del transistore bipolare PNP, le caratteristiche interne riportano la corrente di base in funzione della VEB per ogni valore di VEC in zona attiva diretta. Poich leffetto Early trascurabile, anche in questo caso le varie curve appariranno tutte schiacciate in ununica curva, rappresentata in fig. 5.15.

IB

V EB

I SB e

VT

VEB
Figura 5.1: Caratteristica di ingresso di un transistore bipolare di tipo PNP

Le caratteristiche esterne, o di uscita, rappresentano landamento di IC in funzione di V , per EC ogni valore di VEB oppure di IB (fig. 5.16).
3.0mA

2.0mA

VEB4

1.0mA

VEB3 VEB2 VEB1

0A

-1.0mA 0V -IC(Q1) V_Vec 6.0mA 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V

IB4
4.0mA

IB3
2.0mA

IB2
0A

IB1

-2.0mA 0V -IC(Q1) V_Vec 1V 2V 3V 4V 5V 6V 7V 8V 9V 10V

Figura 5.2: Caratteristiche esterne di un BJT PNP

Si nota bene leffetto Early, cio il leggero aumento della corrente di collettore in corrispondenza dellaumento della tensione VEC. Anche in questo caso le curve ottenute al variare del parametro VEB, estrapolate dalla parte delle V negative, intersecano tutte quante lasse delle ascisse in EC corrispondenza dello stesso valore di VEC=-VA. La tensione VA la tensione di Early del BJT. Le caratteristiche di trasferimento del transistor rappresentano landamento della corrente di collettore in funzione della V , al variare della V , in zona attiva diretta. A causa della scarsa EB EC influenza delleffetto Early possiamo sempre considerare una sola curva, come abbiamo fatto per il BJT NPN. Il tutto raffigurato in fig. 5.17.

IC

VEB

I Se

VT

VEB
Figura 5.3: Caratteristica di trasferimento di un transistore bipolare di tipo PNP

Per quanto riguarda linfluenza della variazione della temperatura sulla corrente di collettore, anche in questo caso se si mantiene costante IC, la tensione VEB deve diminuire di circa 2mV per ogni grado centigrado di aumento della temperatura.

5.6

Utilizzo del transistore bipolare come amplificatore

Consideriamo il circuito di fig. 5.18. In pratica abbiamo un transistore NPN polarizzato in regione attiva diretta utilizzando due generatori di tensione costante, VBB e VCC, e due resistori lineari, RB e RC. Il valore della corrente di base IBQ e della tensione base-emettitore VBEQ nel punto di lavoro si possono trovare considerando lintersezione della retta di carico individuata da VBB e da RB con la caratteristica interna del BJT (unica se si trascura leffetto Early) in zona attiva diretta. RC IC

RB VBB IB VBE

VO=VCE

VCC

Figura 5.1: BJT NPN polarizzato in zona attiva diretta

Il punto di lavoro sulla caratteristica interna del BJT appunto rappresentato in fig. 5.19. IB VBB/RB

IBQ

VBEQ

VBB

VBE

Figura 5.2: Punto di lavoro del circuito in fig. 5.18 sulla caratteristica interna del transistor

A questo punto possiamo utilizzare le caratteristiche esterne del transistor, considerando per esempio come parametro la corrente di base IB. Il punto di lavoro sar individuato dallintersezione della curva corrispondente a IB=IBQ con la retta di carico associata alla serie VCC-RC, come si vede in fig. 5.20.

IC VCC/RC

ICQ

IBQ

VCEQ

VCC

VCE

Figura 5.3: Punto di lavoro del circuito in fig. 5.18 sulle caratteristiche esterne del transistor

Come si vede in fig. 5.20, il transistor polarizzato in zona attiva diretta, in quanto la VCEQ maggiore della VCESAT . A questo punto ci chiediamo cosa succede se imponiamo che il punto di lavoro si sposti intorno a quello individuato dalla rete di fig. 5.18 attraverso lapplicazione di un generatore di tensione variabile nel tempo che si sovrappone alla V , cio un segnale di tensione . Tutte le grandezze BB elettriche del transistor varieranno nel tempo, e potremo scrivere le seguenti relazioni: VBE=VBEQ+VBE= VBEQ+vBE VCE=VCEQ+VCE= VCEQ+vCE IB=IBQ+IB= IBQ+iB IC=ICQ+IC= ICQ+iC

In pratica ciascuna grandezza elettrica sar espressa come somma del suo valore nel punto di lavoro e della sua variazione intorno a tale punto, cio il segnale di tensione o di corrente, rappresentato con la lettera minuscola. Per esempio consideriamo il circuito in fig. 5.21. RC ICQ+iC VO=VCEQ+vCE VBB vS IBQ+iB VCC

RB

Figura 5.4: Applicazione di un segnale di tensione vS in serie alla VB B

Se il segnale vS sinusoidale, avremo uno spostamento nel tempo della retta di carico come si vede in fig. 5.22. Lintersezione tra la retta di carico e la caratteristica interna del BJT si sposter nel tempo lungo tale caratteristica, causando la variazione della corrente di base e della tensione VBE. IB VBB/RB

IBMAX IBQ IBMIN

VBB VBE

vS t
Figura 5.5: Spostamento del punto di lavoro del BJT sulla caratteristica di ingresso

Siccome la corrente IB variata, anche il punto di lavoro sulle caratteristiche esterne deve variare, in quanto la retta di carico, che resta fissa in quanto VCC costante, interseca le diverse caratteristiche esterne corrispondenti ai diversi valori di I determinati in fig. 5.22. Tutto ci B illustrato in fig. 5.23.

IC VCC/RC IBMAX ICQ IBQ IBMIN VCEMIN VCEQ VCEMAX VCC

VCE=VO

Figura 5.6: Spostamento del punto di lavoro sulle caratteristiche di uscita del BJT

In fig. 5.23 si vede la variazione di tensione di uscita, o di VCE, corrispondente allapplicazione del segnale vS nel circuito di base del transistor. Si nota che la variazione della tensione VBE del transistore, visibile in fig. 5.22, molto piccola rispetto alla corrispondente variazione della VCE. In pratica lapplicazione del segnale ha comportato una certa variazione della tensione di uscita, che dipende dal valore delle resistenze in gioco e che pu essere molto rilevante. Il rapporto tra le variazioni della tensione di uscita VO=vO e il corrispondente valore del segnale di ingresso pu quindi essere anche molto grande: abbiamo in pratica ottenuto un guadagno tra variazioni di tensione, esattamente come era stato ipotizzato in fig. 5.2, nellintroduzione del capitolo dedicato ai BJT. Il transistore ha trasformato le variazioni di tensione di ingresso dovute allapplicazione del segnale in variazioni di corrente iB e quindi in variazioni di corrente i e infine in variazioni di C tensione di uscita vO. Facciamo ancora un paio di osservazioni sul circuito in fig. 5.21, che funziona quindi come un amplificatore del segnale di ingresso vS. Notiamo che se il segnale di ingresso aumenta, la corrente di base aumenta e la corrente di collettore aumenta. Ci implica che la caduta di tensione su RC aumenta e che, infine, la tensione di uscita diminuisce, come si vede in fig. 5.23. Quindi variazioni di tensione positive in ingresso, cio segnali positivi in ingresso, corrispondono a variazioni di tensione negative in uscita, cio segnali negativi in uscita. Si dice che il circuito considerato invertente. In caso contrario, cio nel caso in cui segnali positivi in ingresso corrispondono a segnali positivi in uscita, abbiamo un amplificatore non invertente. Infine notiamo che se il segnale di ingresso aumenta molto, la tensione di uscita continua a diminuire finch il transistor non va in saturazione, per cui la VCE resta circa costante e non pu pi diminuire. Questo rappresenta un limite alla possibilit di variazione della tensione di uscita del circuito: si dice che un limite della dinamica dellamplificatore. Analogamente, se il segnale in ingresso diventa negativo e comincia ad assumere valori assoluti abbastanza alti, la tensione di uscita aumenta, ma a un certo punto il transistor si spegne e la tensione di uscita raggiunge il valore V , oltre il quale ovviamente non pu pi andare. Anche CC questo rappresenta una limitazione alla dinamica dellamplificatore. In pratica, perch lamplificatore funzioni a dovere il transistore non deve uscire dalla zona attiva diretta e le tensioni di ingresso e di uscita non devono superare i corrispondenti limiti di dinamica.

5.7

Polarizzazione di un transistore bipolare.

Per evitare di avere una limitazione stringente della dinamica dellamplificatore rappresentato in fig. 5.21 evidente che dobbiamo scegliere opportunamente il punto di lavoro Q del circuito, cio dobbiamo imporre una opportuna polarizzazione al transistore. Il punto di lavoro non deve essere n troppo vicino alla regione di saturazione del transistor, n troppo vicino alla zona di interdizione, altrimenti un piccolo spostamento del punto di lavoro stesso basterebbe per far uscire il BJT dalla regione attiva diretta e lamplificatore non funzionerebbe pi, in quanto la tensione di uscita verrebbe limitata o, da un lato, al valore VCESAT o, dallaltro, al valore VCC. Il circuito di polarizzazione utilizzato, che quello di fig. 5.18, presenta almeno un paio di inconvenienti. Per prima cosa esso richiede due generatori di tensione distinti di polarizzazione, VBB e VCC, il che non molto pratico. Sarebbe molto pi semplice polarizzare il BJT con una sola tensione di alimentazione o, al pi, con una tensione di alimentazione duale simmetrica. Inoltre, se consideriamo lespressione della corrente di collettore in funzione dei parametri del circuito, otteniamo, considerando il solo punto di lavoro e omettendo lapice Q : VBB VBE I B = RB I = I C B (5.10)

Innanzitutto la corrente di base, e quindi la corrente di collettore, dipendono dal valore di VBE, ma sappiamo che tale valore poco variabile, tipicamente intorno a 0.7V, per cui queste piccole variazioni della VBE saranno del tutto trascurabili a patto di scegliere VBB abbastanza grande rispetto a VBE stessa. Un altro inconveniente, non superabile con altrettanta facilit, dipende dal fatto che il guadagno di corrente , da cui IC dipende direttamente, non un parametro controllabile con assoluta precisione, in quanto dipende molto dallo spessore della regione di base. Tale parametro presenta della fluttuazioni statistiche notevoli anche se si considerano lotti di transistori dello stesso tipo, contraddistinti dalla stessa sigla. Un circuito di polarizzazione di questo tipo, in cui il valore di IC ottenuto dipende direttamente dal del BJT e quindi presenta un grosso fattore di incertezza, si chiama circuito di polarizzazione fissa. Lo schema di polarizzazione pi utilizzato il cosiddetto circuito di autopolarizzazione , rappresentato nella sua forma pi tipica nella seguente fig. 5.24. VCC R1 IR1 RC

IR2 R2 RE VEE
Figura 5.1: Tipico circuito di autopolarizzazione per un BJT di tipo NPN

Si ipotizzato di avere a disposizione un valore di tensione di alimentazione superiore pari a VCC e un valore di alimentazione inferiore pari a VEE. Ovviamente il discorso che seguir sar valido anche se disponiamo di una sola tensione di alimentazione VCC, e quindi se VEE nullo. Ci che caratterizza un circuito di autopolarizzazione la presenza della resistenza di emettitore RE che connette lemettitore del transistor al terminale di alimentazione inferiore VEE. Per semplificare il circuito possiamo sempre applicare lequivalente di Thevenin al circuito di base, come nella seguente fig. 5.25: VCC RC RB VBB RE VEE
Figura 5.2: Circuito di autopolarizzazione dopo lapplicazione dellequivalente di Thevenin al circuito di base

VBB = VEE + RB=R1 //R2

R2 (V VEE ) R1 + R 2 C C

Si pu trovare subito il valore della corrente di collettore, circa uguale al valore della corrente di emettitore, scrivendo la KVL alla maglia di ingresso. VBB = R B I B + VBE + R E I E + VEE I C IE = VBB VBE RB + RE +1 (5.11)

Anche qui possiamo fare in modo che VBB>>VBE per ridurre linfluenza della piccola variabilit della VBE intorno al suo valore tipico. La cosa pi importante per il fatto che, se riduciamo il termine RB/(+1) rispetto alla RE, riduciamo drasticamente linfluenza della flutuazione statisctica del valore di . Vediamo quindi come possiamo individuare delle linee guida per il dimensionamento del circuito di autopolarizzazione per ottenere un certo valore di corrente di collettore nel punto di lavoro. Per sfruttare appieno la (5.11) opportuno aumentare la RE. Se si eccede in questo senso, tuttavia, il potenziale dellemettitore nel punto di lavoro sale troppo e quindi la VCE del transistore nel punto di lavoro si avvicina pericolosamente al valore V CESAT , cosa non desiderabile, come sappiamo. Si pu allora fissare un valore opportuno della tensione di base del BJT, VB, in modo da evitare che il transistor venga polarizzato troppo vicino alla saturazione e contemporaneamente si abbia un adeguato valore di RE e quindi, essendo fissata la IE, un valore di caduta di tensione su RE non troppo basso. La scelta che si fa del tipo: VB - VEE 1 (VCC VEE ) 3 (5.12)

In pratica, la differenza tra la tensione di base e lalimentazione inferiore VEE si assume pari a 1/3 dellalimentazione totale disponibile VCC-VEE.

La resistenza di collettore, e quindi la caduta di tensione su di essa, va dimensionata in modo da polarizzare il BJT in un punto di lavoro equidistante tra la saturazione (VC=VB-V) e linterdizione, (VC=VCC). Si sceglie quindi di porre: VRC = R C I C = 1 (VCC VEE ) 3 (5.13)

cio la caduta su RC si dimensiona a 1/3 della tensione di alimentazione totale disponibile. Per quanto riguarda R1 ed R2 , dovrebbero essere entrambe molto piccole, se vogliamo sfruttare i vantaggi dellequazione (5.11). Occorre tenere presente anche la (5.12), che vincola le due resistenze ad assumere valori dello stesso ordine di grandezza, per cui non possibile ridurre il valore di una sola delle due resistenze per ottenere RB piccola. Se per si riducono troppo le ue resistenze di base, da un lato si aumenta inutilmente la corrente che scorre in esse, il che significa aumentare eccessivamente la dissipazione di potenza del circuito, cio la corrente che il circuito richiede alle tensioni di alimentazione. Dallaltro lato vedremo che un valore di R ed R2 eccessivamente piccolo rappresenta un problema quando usiamo il transistor 1 polarizzato per costruire un amplificatore, cio quando applichiamo un segnale in ingresso al circuito. Dobbiamo quindi rendere piccole le resistenze che polarizzano la base, ma senza esagerare. La scelta che si fa la seguente: le correnti in R1 e in R2 , rispettivamente IR1 e IR2 , si fanno abbastanza pi grandi di IB, di circa 10-20 volte. In questo modo si pu dire che la corrente nelle due resistenze circa uguale e pari a IP =10-20 IB. La corrente di base allora trascurabile rispetto a IP e le due resistenze formano in pratica un partitore di tensione, per cui avremo: VCC VEE R 1 + R 2 = IP R = VB VEE 2 IP

(5.14)

In tal modo restano determinati i valori delle due resistenze che polarizzano la base del transistor. Nel caso di polarizzazione di un transistore bipolare di tipo PNP, si utilizza il circuito di autopolarizzazione in fig. 5.26. VCC R2 IR2 RC

IR1 R1 RE VEE
Figura 5.3: Circuito di autopolarizzazione per un BJT di tipo PNP

Seguendo gli stessi criteri adottati per il transistore NPN, cio raggiungere un equilibrato compromesso tra esigenze contrastanti, si giunge alle equazioni di dimensionamento analoghe rispetto alle (5.12), (5.13) e (5.14) che sono: 1 (VCC VEE ) 3 1 VRC = R C I C = (VCC VEE ) 3 VCC VEE R 1 + R 2 = IP R = VCC VB 2 IP VCC - VB con IP 10-20 IB. (5.15) (5.16)

(5.17)