Proprietà elettroniche di

superfici e nanostrutture
Dr. Stefania Benedetti

Corso di Laurea Specialistica/Magistrale in Fisica

Università di Ferrara

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 Stati elettronici di superficie
stati di superficie risonanti
Stati di superficie: stati elettronici localizzati in prossimità della
superficie a causa della rottura di simmetria (e dei legami).

Stati intrinseci:
originano da superficie perfetta 2D pulita (ricostruzione,
rilassamento)

Stati Schottky: stati di superficie in sistemi ad elettroni quasi liberi.

Stati Tamm: stati di superficie in sistemi ad elettroni legati.

Stati estrinseci:
originano da difetti (vacanze atomiche, step); sono caratterizzati da
mancanza di simmetria 2D e sono localizzati vicino al difetto. stati di superficie
proiezione della
struttura a bande di
bulk

Esempio di struttura a bande in GaAs

d : dangling bond
b : back bond

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 Stati elettronici nelle nanostrutture
Atomo  Nanostruttura  Bulk

Stati legati confinati discreti  Confinamento elettronico in N dimensioni (1<N<3)

Esempio 1:
Confinamento in un semiconduttore

E 0 . 1eV

Posso eccitare transizione tra stati discreti

mediante fotoni/fononi

1
E 2
Energia di transizione dipende dalla dimensione della nanostruttura
a

3
 Stati elettronici nelle nanostrutture
Esempio 2:
Quantum corrals su superfici metalliche:
Confinamento di elettroni quasi-liberi di
superficie in un pozzo 2D

Funzione d’onda =sovrapposizione delle f. d’onda

permesse nel quantum well
 vedo i nodi (e le f. d’onda) permessi
all’energia di imaging STM.

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Stati elettronici nelle nanostrutture
Esempio 3:
Quantum well in cluster metallici:
Confinamento elettronico in cluster nanometrico.

di nuovo vedo i nodi (e le f. d’onda) permessi

all’energia di imaging STM
 variando bias applicato vedo stati diversi accessibili.

5
Stati elettronici nelle nanostrutture
Esempio 4:
Confinamento quantico in difetti 1D (superfici vicinali):

Si nota che la struttura a bande mostra stati

confinati al diminuire dell’angolo di miscut  quando
gli step sono più lontani

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 Stati elettronici nelle nanostrutture
Densità degli stati - DOS

In 3D:

A few examples of material properties that depend on the DOS:

• The specific heat of solids cv depends on both the phonon and electron density of state
• Photon absorption and emission in optical devices.
• Magnetic susceptibility of a magnetic material .
• Concentration of electrons and holes in semiconductors
• Superconducting energy gap
• The tunneling current in a scanning tunneling microscopy experiment
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 Stati elettronici nelle nanostrutture
Applicazione: Quantum Well Laser
Film sottili alternati creano stati localizzati in cui si accumula carica  ricombinazione (emissione)
stimolata dà emissione di fotoni coerenti monocromatici  laser

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 Spettroscopia di fotoemissione (XPS, PES)
Effetto fotoelettrico: un fotone di energia ħω viene assorbito da un elettrone,
che viene emesso, se l’energia è sufficiente.
e-
EK h EB A
EV
hν EF

EB

Ogni orbitale con energia inferiore a ħω dà

origine a una banda nello spettro.

Approssimazione di singolo elettrone:

Descrizione basata su un sistema di elettroni
non interagenti.
  
(r )
1 1 2
( r2 )... N
( rN )
EN 1 2
... N
EB EN EN 1
energia del livello εν 9
 Spettroscopia di fotoemissione
Modello a tre step:
1. Eccitazione ottica di un elettrone da uno stato iniziale Ei a uno stato finale Ef.
2. Propagazione dell’elettrone eccitato verso la superficie
3. Emissione dell’elettrone dal solido al vuoto attraverso la superficie

1. Sezione d’urto di ionizzazione : probabilità di transizione ottica da ψi a ψf (Regola d’oro di Fermi)

2   2
2
W fi f
A p i
( E f
E i
h ) m fi ( E f E i h )
 

2. Probabilità di attraversamento del solido  libero cammino medio degli elettroni λ(E,k)

3. Attraversamento della superficie : scattering di funzione d’onda di Bloch da potenziale di superficie

 come per il LEED si avrà:
 ex  
k // k // G //
ma non si conserva k perpendicolare alla superficie

ex 2m   2m
2
k 2
EK ( k // G // ) 2
E K cos
 
10
 Spettroscopia di fotoemissione

Banda di valenza
Elettroni secondari
Picchi Auger Picchi di core 11
 Spettroscopia di fotoemissione
Diseccitazione Auger:
e-
Auger e-
EV
EV
hν EF
EF

EB
EB

Perdite anelastiche : scattering elettronico anelastico può avvenire attraverso la creazione di

coppie elettrone-lacuna o oscillazioni elettroniche collettive (plasmoni)

Effetti a molti corpi: Il sistema non è a elettroni non interagenti, ma elettroni risentono della formazione
delle buche  effetti di rilassamento intra- e extra- atomico, screening delle buche.
Il sistema non riesce a raggiungere l’equilibrio prima dell’emissione dell’elettrone  variazione della EB.

EB EN EN 1 EB EN EN 1
ER 12
 Spettroscopia di fotoemissione
Cosa ci dice?

Composizione chimica: La posizione energetica dei livelli di core è caratteristica per ciascun elemento

Shift Chimici: Informazione sullo stato chimico dell’elemento.

Analisi quantitativa: la concentrazione e lo spessore di un
materiale sono direttamente legati all’intensità dei
fotoelettroni (come avveniva nella spettroscopia Auger).

concentrazione atomica

I (EK ) (h , Ei , E f ) ( E K ) T ( E K ) I 0 (h ) N

sezione d’urto libero coeff. di

di ionizzazione cammino trasmissione intensità
medio dell’analizzatore radiazione
incidente

d/
Id I 1 e

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 Spettroscopia di fotoemissione
Proprietà elettroniche
ARPES
Nell’intero processo si conserva k parallelo alla superficie
e si ottiene una relazione tra k// , E e θ.
 ex  
ex 2m 2m
k // k // G // k // 2
(h EB ) sin 2
E K sin
 

Quindi dalla misura di E in funzione di θ si

ottiene EB in funzione di k
 ricostruzione della struttura a bande
della superficie/film.

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Spettroscopia di fotoemissione
Proprietà elettroniche
ARPES

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 Spettroscopia di fotoemissione
Sorgenti di fotoni

hν = 1-50 eV hν = 100-2000 eV hν > 2000 eV

fotoni UV fotoni X soft fotoni X hard

UPS = XPS = HAXPES =

Ultraviolet X-Ray Photoemission HArd X-ray
Photoemission Spectroscopy PhotoEmission Spectroscopy
Spectroscopy

Studio della banda di valenza Studio dei livelli di core di Studio dei livelli di core di bulk
superficie

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 Spettroscopia di fotoemissione
Sorgenti di fotoni
Fotoni UV: Scarica in un gas

E Ei ES EA
He I : da diseccitazione di atomo He neutro
He II: da diseccitazione di atomo He carico larghezza incertezza
intrinseca del largh. fotone analizzatore
Alta risoluzione energetica, riga stretta livello i (lifetime) 17
 Spettroscopia di fotoemissione
Sorgenti di fotoni

Fotoni X: Emissione da X-Ray tube

Transizione 2p  1s

Righe decisamente più larghe rispetto a UV.

Righe satellite: danno origine a satelliti negli spettri

Ghost: repliche dei picchi originate da fotoni

differenti (Cu, O, contaminanti) 18
 Spettroscopia di fotoemissione
Sorgenti di fotoni

Fotoni X: Emissione da X-Ray tube

Ghost: repliche dei picchi originate da

fotoni differenti (contaminanti)

O-Kα ~ 500 eV

Righe satellite: danno origine a satelliti

negli spettri

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 Spettroscopia di fotoemissione
Sorgenti di fotoni
σABS (Mb/atom)

Satelliti del tubo X

Picchi Auger
Poter variare il fotone mi permette di:

- spostare i picchi Auger rispetto ai livelli di core Radiazione di sincrotrone (prossima lezione)
- variare la sezione d’urto per un determinato livello 20
 Spettroscopia di fotoemissione

Rilevazione mediante analizzatore

Per ridurre l’incertezza è necessario
(solitamente risolto in angolo)
un monocromatore
XPS, ARPES, XPD

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 Spettroscopia di fotoemissione
Proprietà strutturali
XPD Forward Scattering

onda incidente
sferica

onda scatterata

fattore di scattering
fattore di Debye-Waller

termine attenuazione 22
 Spettroscopia di fotoemissione
Proprietà strutturali -XPD
Scattering multiplo Esempio

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 Spettroscopia di fotoemissione
Proprietà chimiche
HP-XPS

Fotoemissione a pressione ambiente (circa)

Studio delle proprietà chimiche e della dinamica (propr. elettroniche vs tempo) di superficie
in presenza di gas reattivi. 24
 Spettroscopia di fotoemissione
Fotoemissione inversa - IPES
Stesso meccanismo della fotoemissione, ma inversa temporalmente
Mando elettroni sul solido che decadono in stati vuoti  Misura degli stati vuoti del materiale
Energia elettroni incidenti
N(hν)

Bremsstrahlen spectroscopy
Mando elettroni incidenti con certa energia E
costante e misuro l’intensità dei fotoni emessi in
funzione della loro energia (usando uno
spettrografo).
Basso segnale, piccola sezione d’urto.
Isochromate spectroscopy
Per essere più sensibile vario energia degli elettroni
incidenti e misuro l’intensità dei fotoni emessi con
determinata energia h con un monocromatore e
un detector.
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 Un esempio

Ni2p

Ag MNN

O KLL O1s
Ni LMM Ag3d
Ag3p

Ni3p-Ag4p
Ni3s VB

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 Un esempio
satelliti per eff. molti corpi
Ni2p3/2
Ni 2p in NiO
Ni2p1/2

Fondo

Satellite Mg-Kα3

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10 100 1000 BE 10 100 1000