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UNIVERSIT DEGLI STUDI DI SIENA

Facolt di Ingegneria

Esercitazioni di Elettronica I

Tommaso Addabbo - Santina Rocchi

Ultima revisione: 31 maggio 2010


Copyright 2010
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Indice

1 Diodi 3
1.1 Circuiti con diodi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Circuiti con diodi Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

2 Circuiti a singolo transistor 19


2.1 Circuiti con transistor MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

3 Circuiti con pi transistor 24


3.1 Circuiti con transistor MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
Capitolo 1

Diodi

1.1 Circuiti con diodi


Esercizio 1.1.1 Nel circuito rettificatore di Fig.1.1 si assuma E(t) = A sin(2f0 t),
con A = 10.1V e f0 = 50Hz, mentre per il diodo si assuma il modello linearizzato
valido per ampi segnali, con v = 0.6V , ron = 10 e roff = 10M (Fig.1.2).

1. Determinare il minimo valore della tensione vbreak affinch il diodo non entri
in regione di breakdown.

2. Dimensionare il valore della capacit C affinch la tensione di uscita vO


non scenda sotto i 9V per una corrente massima erogata al carico RL di
20mA.

3. Stimare la corrente di spunto a cui sottoposto il diodo.

4. Stimare la massima potenza media dissipata sul diodo?

D
E(t) C RL vO

Figura 1.1: Circuito rettificatore con filtro.


1. Diodi 4

regione di

conduzione
-vbreak
v i vg v
regione di

interdizione

breakdown

Figura 1.2: Caratteristica approssimata di un diodo rettificatore, valida per ampi


segnali.

Soluzione. Per evitare che il diodo non entri in regione di breakdown necessario 1.
valutare la massima tensione di polarizzazione inversa a cui sottoposto. Trascu-
rando la corrente di saturazione inversa del diodo ed assumendo nulla la corrente
assorbita dal carico (RL = ), in seguito allaccumulo di carica la capacit man-
tiene ai suoi capi la tensione massima vO = A v = 9.5V . Daltra parte la ten-
sione imposta dal generatore sinusoidale raggiunge un valore minimo di 10.1V ,
comportando nel caso peggiore una tensione di polarizzazione inversa applicata al
diodo di 19.6V . Affinch il diodo non entri in regione di breakdown quindi
sufficiente che
vbreak > 19.6V. (1.1)

Secondo il modello linearizzato proposto per il diodo, quando esso polarizzato 2.


inversamente con tensioni inverse inferiori ai 20V si hanno correnti di saturazione
inversa non superiori alle decine di A. Essendo queste correnti ben tre ordini di
grandezza inferiori alla corrente massima per cui richiesto il dimensionamento
del circuito, ai fini dellesercizio il diodo in regione di interdizione assimilabile
ad un interruttore ideale aperto (roff = ).
Il dimensionamento della capacit C facilmente quantificabile adottando un
approccio conservativo, ovvero sostituendo al carico RL un generatore di corrente
ILmax = 20mA e trattando il diodo D come un interruttore che si apre periodi-
camente nel momento in cui la sinusoide in ingresso comincia a decrescere, dopo
il raggiungimento del suo valore di picco A (Fig.1.3). In riferimento a questo
modello circuitale ed usando la relazione costitutiva del condensatore, per t > 0
risulta
dvO
ILmax = C , (1.2)
dt
1. Diodi 5

t = 0
A - v
g C IL vO
max

Figura 1.3: Adottando un approccio conservativo, al carico RL pu essere


sostituito un generatore ILmax = 20mA .

da cui si ottiene, integrando,


ILmax IL
vO (t) = vO (0) t = (A v ) max t. (1.3)
C C
La legge di scarica (1.3) descrive in modo conservativo landamento della tensione
di uscita fra listante di apertura dellinterruttore (t = 0) e listante in cui il diodo
torna in conduzione, a seguito della successiva semionda positiva del generatore di
tensione sinusoidale. Lintervallo di tempo t che intercorre fra questi due istanti
dipende dal valore della tensione vO (t) e dal valore della tensione in ingresso
A sin(2f0 t). Tenendo conto tuttavia che lintervallo di tempo t non pu esse-
re superiore al periodo f10 = 20ms della sinusoide in ingresso, secondo lapproccio
conservativo adottato possibile scrivere
ILmax 20 103 4 104
vO (t) > (A v ) = 9.5 = 9.5 . (1.4)
C f0 50 C C
Affinch la tensione di uscita non scenda sotto i 9V sufficiente quindi che
4 104
 
9.5 9 {C 800uF } . (1.5)
C

In riferimento alla capacit usata C, la corrente di spunto a cui sottoposto il 3.


diodo quantificabile in
dvO
Ispunto C . (1.6)
dt max
Assumendo per la fase di start-up del circuito la capacit inizialmente scarica e ca-
ricata secondo uno stimolo sinuisoidale della forma (Av ) sin(2f0 t), la derivata
massima della tensione di uscita stimabile pari a

dvO V
(A v) 2f0 1000 3142 . (1.7)
dt max s
1. Diodi 6

Adottando la (1.6) si ottiene quindi

Ispunto 800 106 3142 2.5A. (1.8)

La massima potenza media dissipata sul diodo stimabile con il prodotto della 4.
massima corrente erogata al carico (20mA) per la tensione ai capi del diodo quando
su di esso scorre mediamente tale corrente. In riferimento al modello linearizzato
di Fig.1.2 in regione di conduzione (vD > v ) si ha

vD v vD 0.6
iD = = , (1.9)
ro n 10
da cui possibile ricavare la tensione vD corrispondente ad una corrente di 20mA,
ovvero
vD |ID =20mA = 0.8V. (1.10)
La potenza mediamente dissipata sul diodo stimabile quindi essere pari a

P D 0.8 20 103 = 16mW. (1.11)

- -

Esercizio 1.1.2 Si supponga che il segnale E(t) del circuito di Fig.1.1 sia ottenuto
modulando OOK (On-Off Keying) una portante digitale a 20kHz con un segnale
digitale a frequenza di commutazione di 1kHz (si veda Fig.1.4). Si dimensioni la
costante di tempo = RL C del circuito di Fig. 1.1 affinch il circuito funzioni
come rilevatore di inviluppo soddisfacente le seguenti specifiche:

1. Si eviti che la durata del transitorio legato alla commutazione del segnale
modulante superi i 6 periodi della portante.

2. Si eviti che sulla rilevazione del simbolo logico 1 si abbia unampiezza del
ripple superiore al 30% del valore di picco rilevato.

Soluzione. Il quesito si risolve ricordando che una capacit che si scarica secondo 1.
t
una legge esponenziale della forma e ha esaurito il 95% del suo transitorio dopo
1
un tempo pari a 3 . Essendo il periodo della portante pari a 5010 3 = 20s,
sufficiente che risulti
3 < 6 20 106 < 0.12ms, (1.12)
da cui = RL C < 0.04ms.
Valori della costante di tempo significativamente inferiori al limite (1.12) com- 2.
portano il rischio che fra due fronti consecutivi della portante la capacit si scarichi
1. Diodi 7

modulante

1V

1 0 1 1 0 1
0V

ms
0 ms
1 ms
2 3 ms ms
4 ms
5 t
portante

5V

0V

ms
0 ms
1 ms
2 3 ms ms
4 ms
5 t
E(t)
5V

0V

ms
0 ms
1 ms
2 3 ms ms
4 ms
5 t

Figura 1.4: Il segnale E(t) considerato nellesercizio 1.1.2. Lo scopo del rivelatore
di inviluppo quello di ricostruire il segnale informativo modulante.

troppo rapidamente, introducendo unampiezza eccessiva del ripple sulla rilevazio-


ne del simbolo logico 1. Secondo la legge di scarica della capacit si ha un calo
del 30% ad un tempo t0 tale da soddisfare lequazione nonlineare
t0
e = 0.7, (1.13)

che implica
t0 = ln 0.7 0.35. (1.14)
Essendo lintervallo di tempo in cui avviene la scarica della capacit fra due fronti
1
consecutivi della portante pari a met del suo periodo (ovvero 25010 3 = 10s,
sufficiente quindi che risulti 0.35 > 0.01ms, ovvero sufficiente che

> 0.03ms. (1.15)

Riepilogando, la costante di tempo RL C soddisfa le specifiche richieste se

0.03ms < < 0.04ms. (1.16)

Un valore intermedio ottenibile imponendo ad esempio C = 10nF e R = 3.5k.


La forma donda del segnale ricostruito dal rilevatore di inviluppo riportato in
Fig.1.5. Da notare che lampiezza ridotta di circa 0.7V , a causa della caduta di
tensione sul diodo rettificatore.

- -
1. Diodi 8

E(t)
5V

0V

ms
0 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms t
vO(t)
5V

0V

ms
0 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms t

Figura 1.5: Ricostruzione del segnale informativo, adottando per il rilevatore di


inviluppo una costante di tempo = 0.035ms.

1.2 Circuiti con diodi Zener


Esercizio 1.2.1 Si consideri il circuito di Fig.1.6, in cui R = 10k. Si assuma
per il diodo Zener il modello linearizzato a tratti valido per ampi segnali, con
parametri v = 0.7V , ron = 1.3k, roff = 50M , rz = 200 e vz = 5V
(Fig.1.7).
1. Calcolare e disegnare la caratteristica di trasferimento vO = f (vI ) per vI
compreso fra 8V e +8V .

2. Disegnare landamento temporale della tensione di uscita, assumendo in


ingresso un segnale sinuisoidale di ampiezza 15V picco-picco e valor medio
nullo.

3. In riferimento al segnale di ingresso sinuisodale, calcolare la massima po-


tenza dissipata sul diodo.

Soluzione. Per lanalisi del circuito si distinguono i tre possibili modi di funziona- 1.
mento del diodo Zener.
A) Diodo in regione di interdizione
Il diodo si trova in condizione di interdizione se v vO vZ . Assumendo
vera questa ipotesi al diodo Zener pu essere sostituita una resistenza equivalente
pari a Roff = 50M , e la tensione di uscita quindi determinata dal partitore
resistivo di Fig.1.8. Risulta pertanto

roff 50 106
vO = v I = vI vI . (1.17)
roff + R 50 106 + 10 103
Essendo la condizione di interdizione verificata per v vO vZ , e risultando
in tale condizione vO vI , affinch il diodo Zener soddisfi effettivamente lipotesi
1. Diodi 9

vI iR vO
DZ

Figura 1.6: Circuito dellesercizio 1.2.1.

regione di

conduzione
-vZ
v i regione di
vg v
regione interdizione

Zener

Figura 1.7: Caratteristica approssimata di un diodo Zener, valida per ampi segnali.

iR
vI vO
roff

Figura 1.8: Circuito equivalente, assumendo il diodo in interdizione.


1. Diodi 10

iR
ron
vI vO

vg

Figura 1.9: Circuito equivalente, assumendo il diodo in regione di conduzione.

di funzionamento in regione di interdizione deve risultare

v vI vZ . (1.18)

Riassumendo il ragionamento,

{0.7V vI 5V } {vO vI } . (1.19)

B) Diodo in regione di conduzione


Il diodo si trova in regione di conduzione se vO < v . Assumendo vera que-
sta ipotesi al diodo Zener pu essere sostituita la serie di un generatore v e una
resistenza ron = 1.3k, come mostrato in Fig.1.9. La tensione di uscita quindi
determinata dal partitore resistivo

(vI + v ) ron
vO = v =
ron + R
(1.20)
(vI + 0.7) 1.3 103 13
= 3 3
0.7 = (vI + 0.7) 0.7.
1.3 10 + 10 10 113
Essendo il diodo in conduzione per vO < v , e risultando in tale condizio-
ne la relazione (1.20), affinch il diodo Zener soddisfi effettivamente lipotesi di
funzionamento in regione di conduzione deve risultare

vI < v . (1.21)

Riassumendo il ragionamento,
 
13
{vI < 0.7V } vO = (vI + 0.7) 0.7 . (1.22)
113
1. Diodi 11

iR
rZ
vI vO

vZ

Figura 1.10: Circuito equivalente, assumendo il diodo in regione Zener.

C) Diodo in regione Zener


Il diodo si trova in regione Zener se vO > vZ . Assumendo vera questa ipotesi
al diodo Zener pu essere sostituita la serie di un generatore vZ e una resistenza
rZ = 200, come mostrato in Fig.1.10. La tensione di uscita quindi determinata
dal partitore resistivo

(vI vZ ) rZ
vO = + vZ =
rZ + R
(1.23)
(vI 5) 0.2 103 1
= + 5 = (vI 5) + 5.
0.2 103 + 10 103 51
Essendo il diodo in regione Zener per vO > vZ , e risultando in tale condizio-
ne la relazione (1.23), affinch il diodo Zener soddisfi effettivamente lipotesi di
funzionamento in regione Zener deve risultare

vI > vZ . (1.24)

Riassumendo il ragionamento,
 
1
{vI > 5V } vO = (vI 5) + 5 . (1.25)
51

La funzione di trasferimento del circuito di Fig.1.6 pertanto rappresentata in


Fig.1.11.
Assumendo in ingresso un segnale della forma vI (t) = 7.5 sin(2t) landamen- 2.
to temporale della tensione di uscita rappresentato in Fig.1.12.
La massima potenza dissipata sul diodo Zener la si ha quando massimizzato il 3.
prodotto |vO iR |. La legge di Ohm applicata al resistore R fornisce la relazione
1. Diodi 12

vO 0

-1

-2
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8

vI

Figura 1.11: Funzione di trasferimento del circuito di Fig.1.6.

vO , vI 0

-2

-4

-6

-8
0 5 10 15
t

Figura 1.12: Andamento temporale della tensione di uscita, assumendo in ingresso


un segnale della forma vI (t) = 7.5 sin(2t).
1. Diodi 13

x 10 -3
1.5

PZ

0.5

0
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8

vI

Figura 1.13: Potenza dissipata sul diodo Zener, in funzione dellingresso.

vI vO
iR = R , da cui risulta

vO v I v 2
O
PZ = |vO iR | = . (1.26)
R
Sostituendo nellequazione precedente le relazioni (1.19), (1.22) e (1.25) possibi-
le ottenere una espressione analitica della potenza dissipata sul diodo Zener, nelle
tre regioni di funzionamento (la rappresentazione grafica di tale espressione ri-
portata in Fig.1.13). Tuttavia, una stima della potenza dissipata sul diodo Zener la
si pu pi facilmente ottenere trascurando gli effetti delle resistenze parassite rZ e
ron . In tal caso risulta

v = 0.7V, se vI < 0.7V,

vO 0, se 0.7V vI 5V, (1.27)

vZ = 5V, se vI > 5V.

Usando questa approssimazione si ottiene


|0.7v 0.49|
I

R , se vI < 0.7V,
PZ 0, se 0.7V vI 5V, (1.28)
|5vI 25|

R , se vI > 5V.
Al di fuori della regione di interdizione la dipendenza delle potenza dalla tensione
di ingresso approssimativamente lineare. Confrontando i valori facile trovare
che la massima potenza dissipata sul diodo Zener la si ha quando la sinusoide
raggiunge il suo massimo, pari a +7.5V . Risulta quindi
|5 7.5 25|
PZ max = 1.25mW. (1.29)
104
1. Diodi 14

D A
R 0

E(t) C RL vO

A'

Figura 1.14: Circuito dellesercizio 1.2.2.

Confrontando il risultato trovato con la curva riportata in Fig.1.13 immediato


constatare la bont dellapprossimazione.

- -

Esercizio 1.2.2 Il circuito di Fig.1.14 usato per stabilizzare a 5V la tensione ai


capi del carico resistivo RL = 5k, supponendo di avere in ingresso una tensione
sinusoidale E(t) = A sin(2f0 t), con A = 10.6V e f0 = 50Hz.

1. Si dimensionino R0 e C affinch la tensione ai capi del carico RL sia stabi-


lizzata a 5V , ammettendo una tolleranza massima del 2%.

2. Determinare le potenze massime dissipate sul diodo Zener e sul resistore R0 .

Per il diodo rettificatore si assuma il modello di Fig.1.2, con parametri ideali v =


0.6V , ron = 0, roff = , vbreak = (Fig.1.7). Per il diodo Zener si assuma
il modello di Fig.1.7, con parametri v = 0.6V , ron = 100, roff = 10M ,
rz = 20 e vz = 4.6V .

Soluzione. Le specifiche del problema impongono che la tensione vO debba rima- 1.


nere compresa nellintervallo

4.9V vO 5.1V. (1.30)

In tale intervallo di valori si ha vO > vZ , per cui legittimo assumere il diodo


Zener operare in regione di funzionamento Zener. Utilizzando il modello lineariz-
zato proposto per il diodo Zener, il bipolo visto alla destra della sezione AA della
Fig.1.14 equivalente al circuito di Fig.1.15. In base a questa equivalenza circui-
1. Diodi 15

R 0

i i
0
W
W
200 Z

vx 5k
vO
i
L
4.8V

Figura 1.15: Circuito equivalente al bipolo visto alla destra della sezione AA della
Fig.1.14, assumendo il diodo Zener operare in regione di funzionamento Zener.

tale possibile esprimere la tensione di uscita vO in funzione di R0 e Vx . Usando


il principio di sovrapposizione degli effetti si ha
(50k||200) (50k||R0 )
v0 = v x + 4.8 , (1.31)
(50k||200) + R0 (50k||R0 ) + 200
dove la notazione R1 ||R2 rappresenta il parallelo fra i resistori R1 e R2 . Lequa-
zione (1.31) mostra chiaramente che fissata la resistenza R0 la tensione vO cresce
con vx . In aggiunta, si osserva che anche la corrente i0 = iL + iZ cresce con vx .
In base a queste considerazioni possibile determinare in modo agevole il legame
che deve sussistere fra vx e R0 affinch sia soddisfatto il vincolo (1.30).
Quando la tensione vO assume il suo valore minimo le correnti iZ e iL assumono
valore
4.9 4.6 4.9
iZ |vO =4.9V = = 15mA, iL |vO =4.9V = = 0.98mA,
20 5 103
(1.32)
per una corrispondente corrente totale

i0min 16mA. (1.33)

Viceversa, quando vO assume il suo valore massimo le correnti iZ e iL assumono


valore
5.1 4.6 5.1
iZ |vO =5.1V = = 25mA, iL |vO =5.1V = = 1.02mA,
20 5 103
(1.34)
per una corrispondente corrente totale

i0max 26mA. (1.35)


1. Diodi 16

La tensione vx ed il resistore R0 sono legati al valore di corrente i0 e vO dalla legge


di Ohm, per cui

vxmin = vOmin + i0min R0 = 4.9 + 16 103 R0 , (1.36)

vxmax = vOmax + i0max R0 = 5.1 + 26 103 R0 . (1.37)


Il valore di vxmax tuttavia noto, poich pari al valori di picco a cui caricata
la capacit C, in corrispondenza adi una semionda positiva del segnale di ingresso.
Questo valore pari a vxmax = A v = 10V , che sostituito nella (1.37) fornisce
il valore di R0
10 5.1
R0 = 103 188. (1.38)
26
Dalla relazione (1.36) si ottiene immediatamente

vxmin = 4.9 + 16 188 103 7.9V. (1.39)

Riepilogando, si trovato
R0 = 188, (1.40)
e
7.9V vx 10V. (1.41)
Le disequazioni (1.41) esprimono la massima ampiezza che loscillazione ai ca-
pi della capacit pu avere, e rappresentano linformazione necessaria per poter
dimensionare C.
Adottando un approccio conservativo, il dimensionamento di C pu essere in-
dividuato seguendo lo stesso procedimento dellesercizio 1.1.1 (sostituendo come
in Fig.1.3 al bipolo visto alla destra della sezione AA un generatore di corrente
i0max = 26mA). In alternativa, un calcolo meno grossolano facilmente ottenibi-
le rappresentando il bipolo alla destra della sezione AA con il suo equivalente di
Thevenin (Fig.1.16), in cui
(
veq = vZ rZR+RL 5000
= 4.6 5020 4.6V,
L (1.42)
req = R0 + rZ ||RL = 188 + 20||5000 208.

Al momento dellapertura dellinterruttore (momento in cui il diodo rettificatore


si interdice) la tensione ai capi della capacit decade con legge esponenziale della
forma
t t
vC (t) = (A v veq )e eq + veq = 5.4e eq + 4.6, (1.43)
dove eq = Creq .
Imponendo che la tensione vC impieghi almeno un periodo (T = 20ms) della
sinusoide in ingresso per raggiungere il valore vxmin = 7.9V , si ottiene

eq 40.6ms, (1.44)
1. Diodi 17

req
A

t = 0

A - v veq
g
C

A'

Figura 1.16: Il bipolo visto alla destra della sezione AA del circuito di Fig.1.14
pu essere sostituito con il suo equivalente circuitale di Thevenin.

10V

E(t) 0V

-10V

10.00V

vx(t) 8.75V

7.50V

5.2V

5.1V

vO(t) 5.0V

4.9V

4.8V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
t

Figura 1.17: Andamento delle tensioni in funzione del tempo (Es. 1.2.2).
1. Diodi 18

eq
da cui infine C = req 195. Riepilogando, il primo quesito dellesercizio
risolto per
R0 = 188, C = 195F. (1.45)
Landamento nel tempo delle tensioni in gioco rappresentato in Fig.1.17
Le potenze massime dissipate sul diodo Zener e sul resistore R0 sono rapida- 2.
mente calcolabili facendo riferimento ai valori di tensione e corrente precedente-
mente calcolati. In particolare

PZmax = iZmax vOmax = 5.1 25 103 127.5mW, (1.46)

PR0max = i0max (vxmax vOmax ) = (10 5.1) 26 103 127.4mW. (1.47)

- -
Capitolo 2

Circuiti a singolo transistor

2.1 Circuiti con transistor MOSFET


Esercizio 2.1.1 Nel circuito di Fig.2.1 si assuma V cc = 5V , = 0V 1 , n Cox =
40A/V 2 , VTn = 1V , Wn = Ln = 10m e R = 10k.

1. Determinare la regione di funzionamento del transistor.

2. Calcolare la tensione al terminale di drain.

3. Calcolare la potenza dissipata sul resistore.

Soluzione. Il circuito impone lo stesso potenziale ai terminali di drain e di gate del 1.


transistor n-MOS, ovvero VGS = VDS . E evidente che il transistor deve trovarsi
in regione di conduzione (ovvero VGS > VTn ): se infatti sul resistore non scorresse
corrente (a causa dellinterdizione del transistor) si avrebbe il terminale di drain ad
un potenziale V cc = 5V , con il paradosso di avere un potenziale VGS > VTn =
1V , contraddicendo lipotesi di interdizione del transistor. Ne consegue che il
transistor deve trovarsi in conduzione, ed in particolare in regione di saturazione.
Risulta infatti VDS = VGS > VGS VTn .
La corrente che scorre sul resistore data dalla legge di Ohm 2.
V cc VD 5 VD
I= = . (2.1)
R 104
La corrente che scorre sul transistor data dallequazione della corrente in regione
di saturazione
1 Wn
I = n Cox (VGS VTn )2 = 20 106 (VD 1)2 . (2.2)
2 Ln
Uguagliando le due correnti si trova lequazione risolutiva

VD2 + 3VD 24 = 0, (2.3)


2. Circuiti a singolo transistor 20

Vcc

G
S

Figura 2.1: Circuito con transistor n-MOS montato a diodo.

che implica
(
3 9 + 96 3 10.25 6.63V,
VD = (2.4)
2 2 +3.63V.

La soluzione dellequazione quadratica da scartare quella fisicamente impossibile


VD 6.63V , che implicherebbe una tensione al terminale di drain al di fuori del
range 0V-5V imposto dalle alimentazioni. Ne consegue che VD 3.63V .
La potenza dissipata sul resistore data dal prodotto fra il potenziale ai suoi capi 3.
per la corrente che fluisce in esso. Pertanto si ha

(V cc VD )2 (5 3.63)2
PR = (V cc VD ) I = 188W. (2.5)
R 104

- -

Esercizio 2.1.2 Nel circuito di Fig.2.2 il diodo Zener caratterizzato dallavere


una caduta VZ = 3.3V in corrispondenza di una corrente di Zener IZ = 10mA. Si
W
assuma inoltre V cc = 12V , = 0.05V 1 , p Cox Lpp = 600A/V 2 , VTp = 1V ,
e RL = 330.

1. Determinare la tensione VG al terminale di gate del transistor p-MOS affin-


ch la tensione di uscita vO sul carico RL pari a 3.3V .

2. Determinare la potenza dissipata sul transistor.


2. Circuiti a singolo transistor 21

Vcc

R1
S
G D

R2
iZ RL vO

Figura 2.2: Circuito dellesercizio 2.1.2.

3. Dimensionare i resistori R1 e R2 affinch sia soddisfatta la condizione pre-


cedente ed in modo che lintero circuito assorba una potenza inferiore ai
300mW.

Soluzione. La corrente che scorre sul p-MOS pari alla somma della corrente IZ 1.
che scorre sullo Zener e la corrente IL sul carico RL . Quando la tensione di uscita
vO = 3.3V si ha
3.3
IZ = 10mA e IL = = 10mA, (2.6)
330
per cui la corrente che scorre sul p-MOS pari a

ISD = IZ + IL = 20mA, (2.7)

in corrispondenza ad una caduta di tensione

VSD = 12 3.3 = 8.7V. (2.8)

Dai dati ricavati non rimane che trovare la tensione VSG , facendo alcune ipotesi
sulla regione incognita di funzionamento del transistor. Ipotizzando il transistor
funzionare in regione di saturazione (VSD > VSG |VTp |) deve risultare

1 Wp 2
ISD = p Cox VSG + VTp (1 + VSD ), (2.9)
2 Lp
2. Circuiti a singolo transistor 22

ovvero
20 103 = 300 106 (VSG 1)2 (1 + 0.05 8.7), (2.10)
da cui, con qualche approssimazione nei conti numerici, si trova lequazione riso-
lutiva
2
VSG 2VSG 45.46 = 0, (2.11)
che implica
(
5.82V,
VSG = 1 1 + 45.46 1 6.82 (2.12)
+7.82V.

La soluzione dellequazione quadratica da scartare quella fisicamente impossibile


VSG 5.82V , che implicherebbe una tensione al terminale di gate al di fuori del
range 0V-12V imposto dalle alimentazioni. Ne consegue che VSG 7.82V , e che
il risultato consistente con lipotesi di funzionamento in regione di saturazione1
del transistor, risultando infatti

VSD = 8.7V > VSG + VTp = 6.82V. (2.13)

In conclusione, il terminale di gate deve trovarsi ad un potenziale

VG = V cc 7.82 = 12 7.82 = 4.18V. (2.14)

La potenza assorbita sul transistor pari al prodotto 2.

PpM OS = ISD VSD = 20 103 8.7 = 174mW. (2.15)

Ricordando che la corrente di polarizzazione entrante nel terminale di gate di un 3.


transistor MOSFET ideale nulla, possibile ricorrere alla formula del partitore di
tensione determinato dalla coppia di resistenze R1 e R2 al fine di fissare il poten-
ziale VG al valore di 4.18V precedentemente trovato. Dalla legge del partitore di
tensione si ha
R2
VG = 4.18 = V cc , (2.16)
R1 + R 2
che comporta linsieme infinito di possibili soluzioni

R1 1.87R2 . (2.17)

Al fine di garantire un assorbimento di potenza totale inferiore ai 300mW , ne-


cessario dapprima notare che nel percorso verso massa individuato dal transistor
p-MOS scorre complessivamente una corrente di 20mA, in corrispondenza ad una
caduta di potenziale pari a 12V . Ne consegue che questa parte del circuito assorbe
1
E importante ricordare che qualora il risultato trovato avesse contraddetto lipotesi di funzio-
namento del transistor in regione di saturazione, sarebbe stato necessario ripercorrere tutti i conti
assumendo il transistor in regione di triodo, utilizzando lespressione corretta che lega la corrente
ISD con le tensioni VSD e VSG in tale regione di funzionamento del dispositivo.
2. Circuiti a singolo transistor 23

una potenza pari a 240mW , e che il ramo determinato dalla serie di R1 e R2 pu


quindi assorbire al massimo2 60mW . Deve risultare quindi

IR1 R2 V cc < 60mW, (2.18)

da cui
V cc
IR1 R2 = < 5mA. (2.19)
R1 + R 2
In conclusione, si trova quindi che
(
R1 + R2 > 2.4k,
(2.20)
R1 1.87R2 .

Un possibile dimensionamento ottenibile fissando R2 = 10k e R1 = 18.7k.

- -

2
Si sottolinea che questo tipo di analisi possibile in virt del disaccoppiamento in corrente che
sussiste fra i due percorsi verso massa presi in considerazione. Il disaccoppiamento garantito dal
terminale di gate del p-MOS, in cui idealmente non fluisce alcuna corrente di polarizzazione.
Capitolo 3

Circuiti con pi transistor

3.1 Circuiti con transistor MOSFET


Esercizio 3.1.1 Uno specchio di corrente impiegato per realizzare un genera-
tore di corrente (Fig.3.1). Si progetti il circuito affinch la corrente sul carico
RL sia 10mA e la potenza totale assorbita dal circuito sia 150mW . A tale sco-
po si assuma Vdd = Vss = 5V , RL = 500 e per i transistor = 0.03V 1 ,
n Cox = 60.4A/V 2 , VTn = 1V .
1. Determinare la corrente I1 tale da soddisfare la specifica sulla potenza
totale assorbita dal circuito e determinare il rapporto di riflessione dello
specchio di corrente.

2. Determinare la condizione di saturazione per il transistor M2.

3. Dimensionare il resistore R1 ed i valori Wn , Ln per M1 e M2.

4. Determinare lequivalente di Norton del generatore di corrente reale realiz-


zato dallo specchio di corrente, assumendo M2 in saturazione.

Soluzione. La potenza totale assorbita dal circuito data da 1.

Ptot = (Vdd + Vss )(I1 + IL ) = 10(I1 + 10 103 ). (3.1)

Imponendo che Ptot = 150 103 W si ottiene

I1 = 5mA. (3.2)

Il rapporto di riflessione dello specchio quindi pari a 1:2, poich I1 : IL = 1 : 2.


Affinch il transistor M2 si trovi in regione di saturazione deve valere VDS2 > 2.
VGS2 VT2 . Quando sul carico RL scorre una corrente IL = 10mA il terminale di
drain di M2 si trova ad un potenziale

VD2 = Vdd IL RL = 5 500 10 103 = 0V. (3.3)


3. Circuiti con pi transistor 25

+Vdd +Vdd

IL RL I1 R1 IL RL

M1 M2
iREF RS

-Vss -Vss

Figura 3.1: Generatore di corrente realizzato con uno specchio di corrente.

Essendo il potenziale di source 5V , risulta che VDS2 = 5V . Ne consegue che il


transistor M2 si trova in saturazione se

VGS2 < VDS2 + VT2 = 6V. (3.4)

Al fine di garantire che M2 operi in regione di saturazione, in base alla prece- 3.


dente relazione impostiamo1 VGS2 = VGS1 = 5V . A questo punto la corrente su
M2 data da
1 Wn2
IL = 10mA = n Cox (VGS2 VT2 )2 (1 + VDS2 ) (3.5)
2 Ln2
da cui, sostituendo il valore VDS2 = 5V precedentemente calcolato e VGS2 = 5V ,
si ottiene
Wn2
18. (3.6)
Ln2
Non rimane che dimensionare il transistor M1 e R1 . Affinch con una corrente
I1 = 5mA risulti VGS1 = 5V = VDS1 , sufficiente che valga

Vdd + Vss = I1 R1 + VDS1 10 = R1 5 103 + 5, (3.7)

ovvero R1 = 1k.
Il dimensionamento di M1 ottenuto impostando lequazione della corrente in
saturazione
1 Wn1
I1 = 5mA = n Cox (VGS1 VT1 )2 (1 + VDS1 ) (3.8)
2 Ln1
1
Abbiamo un grado di libert sullimpostazione della VGS . Lunico vincolo dato dalla (3.4).
3. Circuiti con pi transistor 26

da cui, sostituendo i valori VDS1 = VGS1 = 5V , si ottiene

Wn1
9. (3.9)
Ln1

E da notare che essendo VGS1 = VGS2 e VDS1 = VDS2 , il medesimo risultato era
immediatamente ottenibile usando il rapporto di riflessione 1:2 precedentemente
trovato, per cui deve valere
Wn2 Wn1
=2 . (3.10)
Ln2 Ln1
In generale, se VDS1 6= VDS2 usare il rapporto di riflessione per dimensionare i
transistor porta a soluzioni approssimate, per via della dipendenza che la corrente
in M2 ha con VDS2 , a causa del parametro di modulazione di canale > 0. Le
approssimazioni sono tuttavia di solito accettabili in virt della piccolezza di
( 102 V 1 ).
Il circuito equivalente di Norton del generatore di corrente reale realizzato dal 4.
circuito facilmente ottenibile notando che la tensione VGS2 = 5V constante ed
indipendente da eventuali variazioni della VDS2 . Dalla relazione della corrente del
transistor M2 in saturazione risulta che
1 Wn2
IL = n Cox (VGS2 VT2 )2 (1 + VDS2 ) = IREF + GS VDS2 , (3.11)
2 Ln2

da cui

IREF = 1 n Cox Wn2 (VGS VT )2 8.7mA,
2 Ln 2 2
2 (3.12)
GS = 1 n Cox Wn2 (VGS2 VT2 )2 VDS2 2601 .
2 Ln 2

Alla conduttanza GS calcolata corrisponde una resistenza RS 3.83k.

- -

Esercizio 3.1.2 Lamplificatore differenziale di Fig.3.2 eccitato dai due stimoli

V1 (t) = 1.5 + 2 103 sin(t) + 3 103 sin(2t), (3.13)


V2 (t) = 1.5 + 2 103 sin(t) 3 103 sin(2t). (3.14)

Si assuma Vdd = Vss = 5V , RD = 800, RS = 3.83k, IS = 8.7mA e per i


transistor = 0.03V 1 , n Cox W 2
Ln = 40mA/V , VTn = 1V .
n

(Curiosit: il generatore di corrente non ideale che polarizza il circuito lo


stesso individuato nella soluzione dellesercizio precedente).

1. Determinare il punto di polarizzazione del circuito.


3. Circuiti con pi transistor 27

+Vdd

I1 RD RD I2
Vout
M1 M2
V1 VS V2
I0

IS RS

-Vss

Figura 3.2: Amplificatore differenziale.

2. Si disegni lequivalente circuitale alle variazioni, e si determini in tale con-


testo landamento temporale della tensione Vout in funzione degli ingressi
V1 e V2 .

3. Determinare il CMRR (Common Mode Rejection Ratio).

Soluzione. Il punto di lavoro facilmente individuabile tenendo conto che in base 1.


ai dati del problema i due terminali di gate di M1 e M2 sono tenuti ad un valor
medio di 1.5V . Essendo i terminali di source di M1 e M2 cortocircuitati ed alla
tensione comune VS , risulta VGS1 = VGS2 , e per evidenti motivi di simmetria in
polarizzazione risulta (
I0 = I1 + I2 ,
(3.15)
I1 = I2 .
I0
Ne consegue che I1 = I2 = 2, dove

VS + Vss VS + 5
I0 = IS + = 8.7 103 + . (3.16)
RS 3.83 103
Ipotizzando i transistor M1 e M2 operare in regione di saturazione e trascurando gli
effetti del parametro , si ha che la corrente su entrambi i transistor deve soddisfare
3. Circuiti con pi transistor 28

la condizione
1 Wn I0
n Cox (VGS VT )2 = , (3.17)
2 Ln 2
da cui
 
1 3 2 1 3 VS + 5
40 10 (1.5 VS 1) = 8.7 10 + , (3.18)
2 2 3.83 103
che fornisce
(
1V, soluzione da scartare altrimenti VGS = 0.5 < VT ,
VS (3.19)
0V, soluzione accettabile.
Risultando VS 0V dalla (3.16) si ha I0 = 10mA ed infine I1 = I2 = 5mA.
Note le due correnti sui rami, con la legge di Ohm applicata ai resistori RD
possibile calcolare la tensione dei terminali di drain, ovvero
VD = Vdd I1 RD = 5 5 103 800 = 1V (3.20)
Non rimane che verificare lipotesi di saturazione fatta per i transistor. Risulta
VDS = 1V, VGS = 1.5V e VDS > VGS VT = 0.5V .
Ricapitolando, il punto di lavoro definito da:



VG1 = VG2 = 1.5V,

V = V 1V,
D1 D2
(3.21)


V S1 = V S2 0V,

I = I 5mA.
1 2

Il circuito linearizzato alle variazioni agevolmente analizzabile esprimendo i 2.


due stimoli V1 e V2 in termini di tensione di modo comune alle variazioni2
V1 + V2
VCM = = 2 103 sin(t), (3.22)
2
e tensione differenziale alle variazioni
VD = V1 V2 = 6 103 sin(2t), (3.23)
risultando alle variazioni
(
VD
V1 = VCM + 2 ,
VD (3.24)
V2 = VCM 2 .
Il circuito totale alle variazioni riportato in Fig. 3.3 dove, in riferimento ai valori
(3.21), sono definiti
( 2IDS
gm = VGS 3 1
V T 20 10 ,
1
+V (3.25)
r0 = IDSDS 6.87k.
Il calcolo della tensione di uscita in funzione di V1 e V2 ottenibile usando il
principio di sovrapposizione degli effetti e analizzando separatamente le risposte
agli stimoli VCM e VD .
2
I termini costanti contribuiscono al punto di polarizzazione, non alla risposta alle variazioni.
3. Circuiti con pi transistor 29

Vout

RD RD

G1 D1 D2 G2

VD /2 g V
r r
g V -V
D
/2
m GS1
0 0 m GS2

VCM VCM
S1 S2

RS

Figura 3.3: Circuito alle variazioni dellamplificatore differenziale.

G1 D1

g V Vout
m GS1 r
0 RD
VD /2

S1

Figura 3.4: Circuito alle variazioni, contributo legato allo stimolo differenziale.

Risposta allo stimolo di modo differenziale


E facile verificare con i conti che se VCM = 0 alle variazioni deve necessariamente
risultare VS = 0. Ne consegue che la tensione di uscita Vout legata alleccitazione
VD secondo la soluzione del circuito di Fig. 3.4, per cui

Vout r 0 RD 20 103 717


AD = = gm 7.17. (3.26)
VD r 0 + RD 2

Risposta allo stimolo di modo comune


Quando VD = 0 il circuito esattamente speculare rispetto ai due generatori. So-
stituendo RS con il parallelo di due resistori di valore 2RS , la tensione di uscita
Vout legata alleccitazione VCM secondo la soluzione del circuito di Fig. 3.5, per
cui
Vout gm r0 RD
ACM = = 0.1. (3.27)
VCM r0 + RD + 2RS (1 + gm r0 )
3. Circuiti con pi transistor 30

G1 D1

gmVGS
VCM 1 r0

S1 RD Vout
2RS

Figura 3.5: Circuito alle variazioni, contributo legato allo stimolo di modo comune.

Risposta complessiva
La risposta complessiva agli stimoli ottenibile combinando i guadagni trovati con
le espressioni (3.22) e (3.23). Tenendo conto che il potenziale di drain polarizzato
a circa 1V , si ottiene

Vout (t) 1 + ACM VCM + AD VD 1 0.2 103 sin(t) 43 sin(2t). (3.28)

Il CMRR del circuito definito come 3.



AD
CMRR = 71.7. (3.29)
ACM

- -

Esercizio 3.1.3 Disegnare il circuito in cui la polarizzazione dellamplificatore


differenziale di Fig.3.2 ottenuta usando lo specchio di corrente dellesercizio
3.1.1.

Soluzione.
La soluzione riportata in Fig. 3.6.
3. Circuiti con pi transistor 31

+Vdd

I1 RD RD I2

R1 Vout
M1 M2
V1 VS V2
I0

M4
M3

-Vss

Figura 3.6: Amplificatore differenziale di Fig.3.2, con polarizzazione ottenuta


usando lo specchio di corrente dellesercizio 3.1.1.