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Esercitazioni di Elettronica I
1 Diodi 3
1.1 Circuiti con diodi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Circuiti con diodi Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8
Diodi
1. Determinare il minimo valore della tensione vbreak affinch il diodo non entri
in regione di breakdown.
D
E(t) C RL vO
regione di
conduzione
-vbreak
v i vg v
regione di
interdizione
breakdown
Soluzione. Per evitare che il diodo non entri in regione di breakdown necessario 1.
valutare la massima tensione di polarizzazione inversa a cui sottoposto. Trascu-
rando la corrente di saturazione inversa del diodo ed assumendo nulla la corrente
assorbita dal carico (RL = ), in seguito allaccumulo di carica la capacit man-
tiene ai suoi capi la tensione massima vO = A v = 9.5V . Daltra parte la ten-
sione imposta dal generatore sinusoidale raggiunge un valore minimo di 10.1V ,
comportando nel caso peggiore una tensione di polarizzazione inversa applicata al
diodo di 19.6V . Affinch il diodo non entri in regione di breakdown quindi
sufficiente che
vbreak > 19.6V. (1.1)
t = 0
A - v
g C IL vO
max
La massima potenza media dissipata sul diodo stimabile con il prodotto della 4.
massima corrente erogata al carico (20mA) per la tensione ai capi del diodo quando
su di esso scorre mediamente tale corrente. In riferimento al modello linearizzato
di Fig.1.2 in regione di conduzione (vD > v ) si ha
vD v vD 0.6
iD = = , (1.9)
ro n 10
da cui possibile ricavare la tensione vD corrispondente ad una corrente di 20mA,
ovvero
vD |ID =20mA = 0.8V. (1.10)
La potenza mediamente dissipata sul diodo stimabile quindi essere pari a
- -
Esercizio 1.1.2 Si supponga che il segnale E(t) del circuito di Fig.1.1 sia ottenuto
modulando OOK (On-Off Keying) una portante digitale a 20kHz con un segnale
digitale a frequenza di commutazione di 1kHz (si veda Fig.1.4). Si dimensioni la
costante di tempo = RL C del circuito di Fig. 1.1 affinch il circuito funzioni
come rilevatore di inviluppo soddisfacente le seguenti specifiche:
1. Si eviti che la durata del transitorio legato alla commutazione del segnale
modulante superi i 6 periodi della portante.
2. Si eviti che sulla rilevazione del simbolo logico 1 si abbia unampiezza del
ripple superiore al 30% del valore di picco rilevato.
Soluzione. Il quesito si risolve ricordando che una capacit che si scarica secondo 1.
t
una legge esponenziale della forma e ha esaurito il 95% del suo transitorio dopo
1
un tempo pari a 3 . Essendo il periodo della portante pari a 5010 3 = 20s,
sufficiente che risulti
3 < 6 20 106 < 0.12ms, (1.12)
da cui = RL C < 0.04ms.
Valori della costante di tempo significativamente inferiori al limite (1.12) com- 2.
portano il rischio che fra due fronti consecutivi della portante la capacit si scarichi
1. Diodi 7
modulante
1V
1 0 1 1 0 1
0V
ms
0 ms
1 ms
2 3 ms ms
4 ms
5 t
portante
5V
0V
ms
0 ms
1 ms
2 3 ms ms
4 ms
5 t
E(t)
5V
0V
ms
0 ms
1 ms
2 3 ms ms
4 ms
5 t
Figura 1.4: Il segnale E(t) considerato nellesercizio 1.1.2. Lo scopo del rivelatore
di inviluppo quello di ricostruire il segnale informativo modulante.
che implica
t0 = ln 0.7 0.35. (1.14)
Essendo lintervallo di tempo in cui avviene la scarica della capacit fra due fronti
1
consecutivi della portante pari a met del suo periodo (ovvero 25010 3 = 10s,
sufficiente quindi che risulti 0.35 > 0.01ms, ovvero sufficiente che
- -
1. Diodi 8
E(t)
5V
0V
ms
0 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms t
vO(t)
5V
0V
ms
0 1ms 2ms 3ms 4ms 5ms t
Soluzione. Per lanalisi del circuito si distinguono i tre possibili modi di funziona- 1.
mento del diodo Zener.
A) Diodo in regione di interdizione
Il diodo si trova in condizione di interdizione se v vO vZ . Assumendo
vera questa ipotesi al diodo Zener pu essere sostituita una resistenza equivalente
pari a Roff = 50M , e la tensione di uscita quindi determinata dal partitore
resistivo di Fig.1.8. Risulta pertanto
roff 50 106
vO = v I = vI vI . (1.17)
roff + R 50 106 + 10 103
Essendo la condizione di interdizione verificata per v vO vZ , e risultando
in tale condizione vO vI , affinch il diodo Zener soddisfi effettivamente lipotesi
1. Diodi 9
vI iR vO
DZ
regione di
conduzione
-vZ
v i regione di
vg v
regione interdizione
Zener
Figura 1.7: Caratteristica approssimata di un diodo Zener, valida per ampi segnali.
iR
vI vO
roff
iR
ron
vI vO
vg
v vI vZ . (1.18)
Riassumendo il ragionamento,
(vI + v ) ron
vO = v =
ron + R
(1.20)
(vI + 0.7) 1.3 103 13
= 3 3
0.7 = (vI + 0.7) 0.7.
1.3 10 + 10 10 113
Essendo il diodo in conduzione per vO < v , e risultando in tale condizio-
ne la relazione (1.20), affinch il diodo Zener soddisfi effettivamente lipotesi di
funzionamento in regione di conduzione deve risultare
vI < v . (1.21)
Riassumendo il ragionamento,
13
{vI < 0.7V } vO = (vI + 0.7) 0.7 . (1.22)
113
1. Diodi 11
iR
rZ
vI vO
vZ
(vI vZ ) rZ
vO = + vZ =
rZ + R
(1.23)
(vI 5) 0.2 103 1
= + 5 = (vI 5) + 5.
0.2 103 + 10 103 51
Essendo il diodo in regione Zener per vO > vZ , e risultando in tale condizio-
ne la relazione (1.23), affinch il diodo Zener soddisfi effettivamente lipotesi di
funzionamento in regione Zener deve risultare
vI > vZ . (1.24)
Riassumendo il ragionamento,
1
{vI > 5V } vO = (vI 5) + 5 . (1.25)
51
vO 0
-1
-2
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
vI
vO , vI 0
-2
-4
-6
-8
0 5 10 15
t
x 10 -3
1.5
PZ
0.5
0
-8 -6 -4 -2 0 2 4 6 8
vI
vI vO
iR = R , da cui risulta
vO v I v 2
O
PZ = |vO iR | = . (1.26)
R
Sostituendo nellequazione precedente le relazioni (1.19), (1.22) e (1.25) possibi-
le ottenere una espressione analitica della potenza dissipata sul diodo Zener, nelle
tre regioni di funzionamento (la rappresentazione grafica di tale espressione ri-
portata in Fig.1.13). Tuttavia, una stima della potenza dissipata sul diodo Zener la
si pu pi facilmente ottenere trascurando gli effetti delle resistenze parassite rZ e
ron . In tal caso risulta
v = 0.7V, se vI < 0.7V,
vO 0, se 0.7V vI 5V, (1.27)
vZ = 5V, se vI > 5V.
D A
R 0
E(t) C RL vO
A'
- -
R 0
i i
0
W
W
200 Z
vx 5k
vO
i
L
4.8V
Figura 1.15: Circuito equivalente al bipolo visto alla destra della sezione AA della
Fig.1.14, assumendo il diodo Zener operare in regione di funzionamento Zener.
Riepilogando, si trovato
R0 = 188, (1.40)
e
7.9V vx 10V. (1.41)
Le disequazioni (1.41) esprimono la massima ampiezza che loscillazione ai ca-
pi della capacit pu avere, e rappresentano linformazione necessaria per poter
dimensionare C.
Adottando un approccio conservativo, il dimensionamento di C pu essere in-
dividuato seguendo lo stesso procedimento dellesercizio 1.1.1 (sostituendo come
in Fig.1.3 al bipolo visto alla destra della sezione AA un generatore di corrente
i0max = 26mA). In alternativa, un calcolo meno grossolano facilmente ottenibi-
le rappresentando il bipolo alla destra della sezione AA con il suo equivalente di
Thevenin (Fig.1.16), in cui
(
veq = vZ rZR+RL 5000
= 4.6 5020 4.6V,
L (1.42)
req = R0 + rZ ||RL = 188 + 20||5000 208.
eq 40.6ms, (1.44)
1. Diodi 17
req
A
t = 0
A - v veq
g
C
A'
Figura 1.16: Il bipolo visto alla destra della sezione AA del circuito di Fig.1.14
pu essere sostituito con il suo equivalente circuitale di Thevenin.
10V
E(t) 0V
-10V
10.00V
vx(t) 8.75V
7.50V
5.2V
5.1V
vO(t) 5.0V
4.9V
4.8V
0s 5ms 10ms 15ms 20ms 25ms 30ms 35ms 40ms
t
Figura 1.17: Andamento delle tensioni in funzione del tempo (Es. 1.2.2).
1. Diodi 18
eq
da cui infine C = req 195. Riepilogando, il primo quesito dellesercizio
risolto per
R0 = 188, C = 195F. (1.45)
Landamento nel tempo delle tensioni in gioco rappresentato in Fig.1.17
Le potenze massime dissipate sul diodo Zener e sul resistore R0 sono rapida- 2.
mente calcolabili facendo riferimento ai valori di tensione e corrente precedente-
mente calcolati. In particolare
- -
Capitolo 2
Vcc
G
S
che implica
(
3 9 + 96 3 10.25 6.63V,
VD = (2.4)
2 2 +3.63V.
(V cc VD )2 (5 3.63)2
PR = (V cc VD ) I = 188W. (2.5)
R 104
- -
Vcc
R1
S
G D
R2
iZ RL vO
Soluzione. La corrente che scorre sul p-MOS pari alla somma della corrente IZ 1.
che scorre sullo Zener e la corrente IL sul carico RL . Quando la tensione di uscita
vO = 3.3V si ha
3.3
IZ = 10mA e IL = = 10mA, (2.6)
330
per cui la corrente che scorre sul p-MOS pari a
Dai dati ricavati non rimane che trovare la tensione VSG , facendo alcune ipotesi
sulla regione incognita di funzionamento del transistor. Ipotizzando il transistor
funzionare in regione di saturazione (VSD > VSG |VTp |) deve risultare
1 Wp 2
ISD = p Cox VSG + VTp (1 + VSD ), (2.9)
2 Lp
2. Circuiti a singolo transistor 22
ovvero
20 103 = 300 106 (VSG 1)2 (1 + 0.05 8.7), (2.10)
da cui, con qualche approssimazione nei conti numerici, si trova lequazione riso-
lutiva
2
VSG 2VSG 45.46 = 0, (2.11)
che implica
(
5.82V,
VSG = 1 1 + 45.46 1 6.82 (2.12)
+7.82V.
R1 1.87R2 . (2.17)
da cui
V cc
IR1 R2 = < 5mA. (2.19)
R1 + R 2
In conclusione, si trova quindi che
(
R1 + R2 > 2.4k,
(2.20)
R1 1.87R2 .
- -
2
Si sottolinea che questo tipo di analisi possibile in virt del disaccoppiamento in corrente che
sussiste fra i due percorsi verso massa presi in considerazione. Il disaccoppiamento garantito dal
terminale di gate del p-MOS, in cui idealmente non fluisce alcuna corrente di polarizzazione.
Capitolo 3
I1 = 5mA. (3.2)
+Vdd +Vdd
IL RL I1 R1 IL RL
M1 M2
iREF RS
-Vss -Vss
ovvero R1 = 1k.
Il dimensionamento di M1 ottenuto impostando lequazione della corrente in
saturazione
1 Wn1
I1 = 5mA = n Cox (VGS1 VT1 )2 (1 + VDS1 ) (3.8)
2 Ln1
1
Abbiamo un grado di libert sullimpostazione della VGS . Lunico vincolo dato dalla (3.4).
3. Circuiti con pi transistor 26
Wn1
9. (3.9)
Ln1
E da notare che essendo VGS1 = VGS2 e VDS1 = VDS2 , il medesimo risultato era
immediatamente ottenibile usando il rapporto di riflessione 1:2 precedentemente
trovato, per cui deve valere
Wn2 Wn1
=2 . (3.10)
Ln2 Ln1
In generale, se VDS1 6= VDS2 usare il rapporto di riflessione per dimensionare i
transistor porta a soluzioni approssimate, per via della dipendenza che la corrente
in M2 ha con VDS2 , a causa del parametro di modulazione di canale > 0. Le
approssimazioni sono tuttavia di solito accettabili in virt della piccolezza di
( 102 V 1 ).
Il circuito equivalente di Norton del generatore di corrente reale realizzato dal 4.
circuito facilmente ottenibile notando che la tensione VGS2 = 5V constante ed
indipendente da eventuali variazioni della VDS2 . Dalla relazione della corrente del
transistor M2 in saturazione risulta che
1 Wn2
IL = n Cox (VGS2 VT2 )2 (1 + VDS2 ) = IREF + GS VDS2 , (3.11)
2 Ln2
da cui
IREF = 1 n Cox Wn2 (VGS VT )2 8.7mA,
2 Ln 2 2
2 (3.12)
GS = 1 n Cox Wn2 (VGS2 VT2 )2 VDS2 2601 .
2 Ln 2
- -
+Vdd
I1 RD RD I2
Vout
M1 M2
V1 VS V2
I0
IS RS
-Vss
VS + Vss VS + 5
I0 = IS + = 8.7 103 + . (3.16)
RS 3.83 103
Ipotizzando i transistor M1 e M2 operare in regione di saturazione e trascurando gli
effetti del parametro , si ha che la corrente su entrambi i transistor deve soddisfare
3. Circuiti con pi transistor 28
la condizione
1 Wn I0
n Cox (VGS VT )2 = , (3.17)
2 Ln 2
da cui
1 3 2 1 3 VS + 5
40 10 (1.5 VS 1) = 8.7 10 + , (3.18)
2 2 3.83 103
che fornisce
(
1V, soluzione da scartare altrimenti VGS = 0.5 < VT ,
VS (3.19)
0V, soluzione accettabile.
Risultando VS 0V dalla (3.16) si ha I0 = 10mA ed infine I1 = I2 = 5mA.
Note le due correnti sui rami, con la legge di Ohm applicata ai resistori RD
possibile calcolare la tensione dei terminali di drain, ovvero
VD = Vdd I1 RD = 5 5 103 800 = 1V (3.20)
Non rimane che verificare lipotesi di saturazione fatta per i transistor. Risulta
VDS = 1V, VGS = 1.5V e VDS > VGS VT = 0.5V .
Ricapitolando, il punto di lavoro definito da:
VG1 = VG2 = 1.5V,
V = V 1V,
D1 D2
(3.21)
V S1 = V S2 0V,
I = I 5mA.
1 2
Vout
RD RD
G1 D1 D2 G2
VD /2 g V
r r
g V -V
D
/2
m GS1
0 0 m GS2
VCM VCM
S1 S2
RS
G1 D1
g V Vout
m GS1 r
0 RD
VD /2
S1
Figura 3.4: Circuito alle variazioni, contributo legato allo stimolo differenziale.
G1 D1
gmVGS
VCM 1 r0
S1 RD Vout
2RS
Figura 3.5: Circuito alle variazioni, contributo legato allo stimolo di modo comune.
Risposta complessiva
La risposta complessiva agli stimoli ottenibile combinando i guadagni trovati con
le espressioni (3.22) e (3.23). Tenendo conto che il potenziale di drain polarizzato
a circa 1V , si ottiene
- -
Soluzione.
La soluzione riportata in Fig. 3.6.
3. Circuiti con pi transistor 31
+Vdd
I1 RD RD I2
R1 Vout
M1 M2
V1 VS V2
I0
M4
M3
-Vss