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CAPITOLO 1
1.1 LA CONDUZIONE NEI SEMICONDUTTORI
La struttura cristallina di un solido risulta dalla ripetizione regolare di raggruppamenti di atomi, che
formano una cella elementare.
Certi tipi di atomi (i metalli) possono legarsi costituendo una sorta di grande nube elettronica comune a
tutti gli atomi del reticolo cristallino. In questo caso, ciascun atomo mette in compartecipazione uno o due
elettroni che diventano liberi di muoversi allinterno del reticolo. Questo tipo di legame possibile quando
lenergia di ionizzazione degli elettroni pi esterni sufficientemente bassa e pertanto lagitazione termica a
temperatura ambiente in grado di liberare tutti gli elettroni pi esterni di ciascun atomo. Gli elettroni si
dispongono intorno al nucleo su orbitali. Lorbitale la regione di spazio intorno al nucleo alla quale si
associa una certa probabilit, arbitrariamente fissata al 90-95%, di trovare lelettrone. Vi sono 4 tipi di
orbitali di forma diversa, indicati con le lettere s, p, d, f. Gli orbitali s sono sferici, gli orbitali p sono bilobati,
mentre gli orbitali d ed f hanno complesse forme multilobate. Ogni orbitale pu contenere al massimo due
elettroni. Gli elettroni possono sistemarsi solo a certe distanze dal nucleo, formando cos una sorta di strati o
gusci elettronici, a ciascuno dei quali compete una certa energia caratteristica, detta livello energetico. I
livelli energetici sono quantizzati; gli elettroni possono possedere solo certi valori di energia. Ogni livello
energetico pu contenere solo un certo numero di elettroni, caratteristico del livello. Gli elettroni tendono a
occupare sempre il livello energetico libero pi basso (pi vicino al nucleo) fino a saturarlo e solo allora si
dispongono in livelli energetici pi esterni.
Lordine di riempimento degli orbitali, in ordine crescente di energia, il seguente: 1s ; 2s ; 2p ; 3s ; 3p ;
4s ; 3d ; 4p ; 5s ; 4d ; 5p ; 6s ; 4f ; 5d ; 6p ; 7s ; 5f ; 6d ; ecc. anche se non esiste un atomo che abbia tutti
questi elettroni.
Ad esempio latomo di Argento (Ag) ha 47 elettroni.
Ar47 =
8
2
5
1 s 22+2 s24 + 2 p610 +3 s 212+3 p618 +4 s 220+3 d 10
30 +4 p 36+5 s38 + 4 d 47
F=m x a .
In altri termini, consideriamo il moto di un elettrone libero soggetto a una forza qE , ma con una massa
efficace m , il cui valore dipende dal particolare cristallo. La massa efficace abbastanza simile a quella
reale per un conduttore metallico, mentre pu discostarsi da questa in maniera significativa nei
semiconduttori e diventare in alcuni casi anche formalmente negativa.
Nei metalli, a temperature prossime allo zero assoluto gli elettroni di conduzione non incontrano
nessuna opposizione al moto e la resistenza nulla. Alle temperature ordinarie invece, gli atomi senza gli
elettroni di conduzione (ioni) possiedono energia cinetica sotto forma di vibrazione attorno alla loro naturale
posizione nel reticolo cristallino. Nel metallo vi quindi una continua interazione tra gli elettroni di
conduzione e gli ioni sotto forma di urti elastici e anelastici, il movimento degli elettroni casuale, non c
movimento netto e la corrente totale nulla.
Possiamo visualizzare ci che avviene allinterno del materiale pensando ai giocatori di una squadra di
calcio (gli atomi) che si allenano eseguendo tra loro passaggi con un certo numero di palloni (gli elettroni).
Ciascun giocatore quando riceve il pallone lo stoppa e lo lancia in una direzione casuale. Il tempo che il
pallone impiega tra un giocatore e laltro ovviamente molto variabile, ma se i giocatori sono distribuiti
piuttosto uniformemente e il campo molto grande, possiamo definire il tempo medio che dipender
dallenergia media che i giocatori trasferiscono ai palloni, per gli elettroni dallagitazione termica.
Consideriamo adesso una sbarra di materiale conduttore ai cui estremi applicata una differenza di
potenziale, si veda Figura 1.2.
Figura 1.2 - Sbarra di materiale conduttore con applicata una differenza di potenziale ec.
Allinterno del materiale, a causa della differenza di potenziale ec, nasce un campo elettrico E; nel nostro
esempio, il campo elettrico parallelo allasse principale del conduttore.
Gli elettroni liberi, presenti allinterno del materiale, vengono accelerati: al movimento casuale degli
elettroni sovrapposta una piccola componente di velocit in direzione -E.
Tornando allanalogia del campo di calcio, come se i giocatori si allenassero in un campo in discesa. I
palloni saranno ancora lanciati a caso in tutte le direzioni, ma in media tenderanno a spostarsi verso il lato
pi basso del campo. Questo moto, sovrapposto a quello casuale dovuto allagitazione termica, detto
deriva. Si noto che il moto termico rimane preponderante rispetto alla deriva e solo a lungo termine si
noter questa tendenza dei palloni ad andare verso una specifica direzione.
Adesso, consideriamo il movimento di un singolo elettrone. Un elettrone in movimento viene
costantemente accelerato finch non incontra sul suo cammino un difetto reticolare, un impurezza od un
fonone (quanto di vibrazione reticolare). In queste condizioni si genera uninterazione tra il moto
dellelettrone e le imperfezioni reticolari. Le interazioni elettrone-imperfezione reticolare provoca un
trasferimento di quantit di moto dallelettrone al reticolo, con leffetto complessivo di diminuire la velocit
dellelettrone e di aumentare lenergia cinetica degli atomi che costituiscono il reticolo (con conseguente
aumento di temperatura del solido). A causa dellinterazione elettrone-reticolo, sotto lazione di un campo
elettrico esterno, lelettrone acquista una velocit di deriva v che proporzionale a E.
Se un campo elettrico dintensit E applicato, gli elettroni sono accelerati: al movimento casuale degli
elettroni sovrapposta una piccola componente di velocit in direzione -E. Ad ogni collisione anelastica gli
elettroni perdono la loro energia cinetica, dopo ogni collisione gli elettroni riaccelerano, riacquistano la
componente di velocit in direzione -E e quindi perdono nuovamente la loro energia cinetica al successivo
urto anelastico. Il tempo che intercorre tra due collisioni determinato dalla velocit casuale e dalla
lunghezza media del cammino libero. In media gli elettroni avranno una velocit di deriva v che sar
proporzionale a E.
Supponiamo che lelettrone possa muoversi e accelerare liberamente fino allistante dellinterazione con
un difetto reticolare, un impurezza o un fonone, quando cede energia cinetica al reticolo. Laccelerazione
dellelettrone risulta:
a=q x E /me . Se il tempo medio tra due urti successivi 2 ( detto tempo di
rilassamento, per il Cu
14
2 x 10
v 2 r =2 x av iniziale =
2 x q x E
v iniziale
me
v media =
v iniziale = 0 , la velocit
xqxE
me
Se la densit degli elettroni liberi ne, la densit di corrente sar data da:
j=ne x q x v media =
ne x q2 x x E
me
definendo =
n e x q2 x
me
j= x E
e =
v media q x
=
E
me
n e x q2 x
=
=n e x q x e
me
Per la legge di Ohm, la corrente elettrica che scorre nel conduttore
iC =
qn Ae
A
e C= e e C
l
l
Esempio 1.1
Si consideri una piastrina di materiale conduttore avente lunghezza l = 2.8 mm e sezione A = 4 m 2. Gli
elettroni, allinterno del materiale con cui realizzata la piastrina presentano una mobilit di e = 500 cm 2 x
V-1 x s-1. Se alla piastrina applicata una differenza di potenziale di eC = 100 mV, essa viene percorsa da una
corrente iC = 5 mA.
Determinare il numero di cariche per unit di volume, libere di muoversi nel conduttore.
Utilizzando lequazione della corrente elettrica si ottiene:
iC =
qnA eC
l
n=
iC x l
qA e C