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Elettronica I

Prof. Fabrizio Palma


COMPLEMENTI
DI ELETTRONICA
DELLO STATO SOLIDO
A.A. 2014-15

Elettronica I

Complementi di Elettronica dello stato solido 3.3.3


F. Palma

INTRODUZIONE
I sistemi elettronici rappresentano un importantissima parte della
societ moderna, entrando in modo strettissimo nellorganizzazione
sociale e del singolo individuo. La capacit di intervento di tali
sistemi in qualche modo proporzionale alla loro complessit, a mo
di scrigno di un antico tesoro, in essi racchiusa una enorme
parte della storia scientifica della nostra civilt.
Risultati accumulati negli anni concorrono, insieme a produrre il
risultato.
Lo studente che si accinge ad affrontarne lo studio deve sapere che
moti diversi aspetti dovranno essere esaminati sino a poterne
padroneggiare luso, e che questi aspetti riguardano discipline tra
loro molto diverse, ognuna con suoi propri metodi di analisi.
Alla base di questa lunga strada si pone la meccanica quantistica,
la struttura della materia e lelettronica dello stato solido.
Lo strumento con la quale ha operato lelettronica, fino ad ora,
stato luso di cristalli in cui le propriet quantistiche della
materia risultavano costanti e controllabili, con questi sono stati
costruiti componenti, in cui attraverso il controllo degli
elettroni della materia poteva venire elaborata linformazione.
La tendenza ad aumentare la densit di componenti realizzabili in
un singolo circuito integrato, chip, a portato a componenti sempre
pi piccoli, in cui linfluenza dei fenomeni quantistici tende ad
essere via via pi forte, cos che un richiamo a quello che la
base fisica dei fenomeni appare necessario.
Rappresenta un singolare ricorso, questa necessit di offrire allo
studente, come primo approccio, di nuovo la base fisica.
Inizialmente, negli anni 70, la base fisica fu ritenuta
fondamentale in quanto base della descrizione dei nuovi
componenti che stavano conquistando il mercato, i transistori MOS.
Fu abbandonata quando, affermata la nuova tecnologia CMOS,
linteresse
doveva
rivolgersi
fondamentalmente
verso
le
applicazioni, analogiche e digitali. tornata di attuale ora, a
causa dellinteresse per le nanotecnologie, sia nellinformazione
che nellenergia, e, soprattutto, ora che lelettronica attende un
nuovo salto tecnologico dovuto allormai prossimo raggiungimento
del limite di scalabilit dei MOS, e un ulteriore aumento della
complessit
dei
sistemi
potr
avvenire
soltanto
attraverso
ladozione di nuovi concetti.
La presente dispensa rappresenta una stringata introduzione alla
relazione che esiste tra la base fisica del comportamento della
materia e i componenti elettronici. In questa introduzione molti
concetti, verranno introdotti in modo intuitivo e non rigoroso,
privilegiando la possibilit di mostrare il ruolo di certe
propriet fisiche nella costruzione del componente e rimandando a
corsi successivi un approccio completo.

Elettronica I

Complementi di Elettronica dello stato solido 3.3.3


F. Palma

COMPLEMENTI DI ELETTRONICA DELLO STATO SOLIDO

L'esame con raggi X ha rilevato che la maggior parte dei metalli


e dei semiconduttori presentano una struttura cristallina. Un
cristallo consiste di una disposizione spaziale ordinata di atomi o
di molecole ottenuta mediante ripetizione regolare nelle tre
dimensioni di una determinata unit strutturale di base.
@ In un cristallo metallico gli elettroni di valenza (ovvero di
legame cio quelli pi esterni) degli atomi che lo costituiscono
sono distribuiti su orbitali estesi a tutto il cristallo, su
ciascuno dei quali possono esistere soltanto due elettroni con spin
opposto (per il PRINCIPIO DI PAULI).Tali orbitali detti anche
orbitali metallici, possono considerarsi come orbitali molecolari
estesi a tutta la molecola (ovvero a tutto un pezzo di metallo).
Inoltre essi costituiscono i livelli energetici su cui si trovano
gli elettroni che danno luogo al legame metallico. Il numero degli
orbitali metallici straordinariamente grande e la differenza di
energia fra due orbitali successivi straordinariamente piccola
(fig. 1): da questa struttura energetica che prendono origine le
propriet metalliche (ci vero solo per i METALLI).

TEORIA DELLE BANDE DI ENERGIA NEI CRISTALLI


Gli elettroni di valenza degli atomi che costituiscono il cristallo
possono occupare parzialmente o totalmente i livelli a disposizione
e
ci

determinante
agli
effetti
della
conduttivit
elettrica.Infatti se si stabilisce una differenza di potenziale tra
due punti di un cristallo,cio si crea un campo elettrico fra essi
, gli elettroni subiscono una accelerazione-cui corrisponde un
aumento del loro contenuto di energia- e iniziano a muoversi nella
direzione del campo. chiaro che ci pu avvenire solo se gli
elettroni sono in grado di assorbire detti aumenti di energia ,
cio se esistono livelli energetici vuoti (banda di conducibilit)
corrispondenti ai loro nuovi maggiori contenuti di energia.Ci si
verifica se gli elettroni occupano solo parzialmente la banda di
valenza .
Se la banda di valenza totalmente occupata allora si possono
avere tre casi :il cristallo pu essere CONDUTTORE ,NON CONDUTTORE
,SEMICONDUTTORE.
Se la banda totalmente occupata si ricopre o adiacente con la
successiva banda vuota gli elettroni possono passare da un livello
all'altro con piccolissima spesa di energia ed il cristallo
conduttore. Se la banda totalmente occupata separata dalla banda
successiva vuota da una zona proibita corrispondente ad un salto di
energia Eg possono aversi due casi:
a)se il valore di Eg
elevato il cristallo
non conduttore
(non quindi un metallo ;es. diamante)
b)se il valore di Eg non supera 1,6 ev allora possibile con una
ragionevole spesa di energia far passare elettroni dalla banda
piena alla banda vuota ed il cristallo semiconduttore .(es.
germanio e silicio).
Quanto ora detto spiega perch nei semiconduttori ad un aumento di
temperatura cio della energia media degli elettroni corrisponde un

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aumento di conduttanza .Il meccanismo di semiconduzione


descritto si riferisce a semiconduttori intrinseci.

ora

Nota: l'aumento della temperatura di un cristallo provoca in ogni


caso un aumento delle vibrazioni degli atomi che lo costituiscono,
e a ci corrisponde ,nei metalli,una maggiore difficolt per
l'elettrone a muoversi
sotto l'azione di un campo elettrico,e
quindi una diminuzione di conduttanza.Nel caso di cristalli di
semiconduttori l'aumento della temperatura agisce sulla conduttanza
non solo con il meccanismo ora descritto,che tende a diminuirla ,ma
anche con un secondo meccanismo che tende ad aumentarla ;con
l'aumento della temperatura infatti aumenta il numero di elettroni
che possiedono energia sufficiente per superare il salto fra la
banda
piena
(di
valenza)
e
quella
successiva
vuota
(di
conducibilit),e poich nei semiconduttori l'aumento di conduttanza
dovuto a questo secondo meccanismo di azione della temperatura
maggiore della diminuzione dovuta al primo ,in essi la conduttanza
aumenta con la temperatura.

Fig. 1 Sovrapposizione delle bande


di energia in un cristallo metallico.

ISOLANTI,SEMICONDUTTORI E METALLI
Un materiale scarsamente conduttore di elettricit viene detto
isolante,un eccellente conduttore un metallo,una sostanza la cui
conduttivit presenta valori intermedi tra questi due estremi
detto semiconduttore.
ISOLANTI
La distribuzione delle bande di energia la seguente:

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Banda di conduzione

Eg=4 eV

Banda proibita

Banda di valenza

L'energia che pu essere fornita a un elettrone per opera di un


campo applicato troppo piccola per poter sollevare la particella
dalla banda totalmente occupata a quella deserta.Poich l'elettrone
non pu acquisire energia sufficiente dall'esterno ,non possibile
alcun fenomeno di conduzione.
SEMICONDUTTORI
Un materiale in cui l'ampiezza della regione di energie proibite
relativamente piccola (Eg=1 ev) detto semiconduttore.I materiali
semiconduttori di maggior importanza sono il germanio (Eg=0,785 ev)
e il silicio (Eg=1,21 ev).Energie di tali entit non possono
normalmente essere ottenute con un campo applicato.Quindi la banda
di valenza rimane al completo e la banda di conduzione
libera:questi
materiali
perci
a
bassa
temperatura
sono
isolanti.Comunque al crescere della temperatura ,alcuni degli
elettroni di valenza acquisiscono energia termica superiore ad Eg e
quindi possono spostarsi verso la banda di conduzione.Si formano
cos degli elettroni liberi nel senso che possono muoversi ovunque
sotto
l'influenza
di
un
campo
elettrico
applicato
esternamente.Questi
elettroni
liberi
o
di
conduzione
sono
shematizzati con dei punti neri nella seguente figura:
Banda di conduzione

Eg=1 eV

Banda proibita

Banda di valenza

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L'isolante ora divenuto leggermente conduttore; esso un


semiconduttore.L'assenza di un elettrone nella banda di valenza
rappresentato nella figura precedente da un cerchietto bianco ed
chiamato lacuna.La frase "lacune in un semiconduttore vuole perci
fare riferimento ai livelli energetici vuoti della banda di valenza
che altrimenti sarebbe completamente occupata.
Occorre
notare
che
finora
abbiamo
fatto
riferimento
a
semiconduttori intrinseci.
METALLI
Un solido che presenta una struttura con una unica banda occupata
solo in parte detto metallo.Sotto l'influenza di un campo
elettrico
esterno
gli
elettroni
possono
acquisire
energia
sufficiente a spostarsi verso livelli pi elevati. Poich questi
elettroni mobili costituiscono una corrente, il materiale un
conduttore mentre la regione solo parzialmente occupata la banda
di conduzione.Un esempio della struttura delle bande in un metallo
la seguente (si osservi la sovrapposizione delle bande di valenza
e di conduzione):

Banda di conduzione

Banda di valenza

FENOMENI DI TRASPORTO NEI SEMICONDUTTORI


Prenderemo,adesso in esame i fenomeni di trasporto delle cariche in
un semiconduttore sotto l'influenza di un campo elettrico(corrente
di deriva) e quelli provocati dal gradiente di una concentrazione
non uniforme (corrente di diffusione).
Per quanto concerne il primo meccanismo consideriamo un cristallo
metallico (il fenomeno lo stesso) e immaginiamo di applicare un
campo
elettrico
costante
e.
Per
effetto
di
questa
forza
elettrostatica ,l'elettrone viene accelerato e la sua velocit
crescerebbe indefinitamente nel tempo se non intervenissero le
collisioni con gli ioni. In corrispondenza di ogni urto anelastico
con uno ione ,infatti,un elettrone perde energia e cos si
raggiunge una condizione di regime caratterizzata da un valore
finito della velocit di deriva v. La velocit di deriva diretta
in verso opposto rispetto al campo elettrico e sar ovviamente ad
esso proporzionale:

v=e
dove

(1)

detta mobilit dell'elettrone.

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Per la densit di corrente si ha:

J=nqv=v

(2)

dove la densit di carica e n la concentrazione di elettroni.


In definitiva da (1) e (2) si ricava:

J=nqv=nq=
dove
OHM.

(3)

detta conducibilit. La (3) conosciuta come legge di

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

+4

Legami covalenti

@ IL LEGAME COVALENTE
La struttura cristallina del germanio e del silicio consiste in una
ripetizione regolare in tre dimensioni di una cella unitaria che ha
la forma di un tetraedro con un atomo a ciascun vertice.
La
struttura
del
germanio
in
due
dimensioni
pu
essere
rappresentata, in modo semplificato, nel modo seguente:
La struttura atomica del germanio presenta in complesso 32
elettroni. In un cristallo di germanio ,come si vede, ciascun atomo
contribuisce con 4 elettroni alla valenza. Il fatto che gli
elettroni di valenza servano ad unire gli atomi adiacenti comporta
come conseguenza che gli elettroni di valenza siano strettamente
vincolati al nucleo. Quindi nonostante siano disponibili 4
elettroni di valenza il cristallo presenta una bassa conduttivit.

LA LACUNA
A temperatura molto bassa (0 k) si vicini alla struttura ideale
della fig. precedente e il cristallo si comporta dunque come
isolante visto che non vi sono portatori liberi di muoversi. A
temperatura ambiente alcuni dei legami covalenti si possono rompere
per opera dell'energia termica fornita al cristallo e il fenomeno
della conduzione diviene possibile. Questa situazione illustrata
nella fig. seguente:

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+4

+4

+4

Elettrone libero
+4

+4

+4

Lacuna
+4

+4

+4

L'assenza
di
un
elettrone
nel
legame
covalente

stato
rappresentato da un cerchietto che prende il nome di lacuna.
L'importanza della lacuna consiste nel fatto che essa si comporta
come portatore di elettricit comparabile sotto tutti i punti di
vista agli elettroni liberi. Il meccanismo con cui una lacuna
contribuisce alla conduttivit evidente. Dovrebbe anche essere
evidente che il moto delle lacuna in una certa direzione significa
in realt il trasporto di una carica negativa per una uguale
distanza ma in verso opposto. Dunque si pu dire che la lacuna si
comporta esattamente come una carica positiva di valore uguale alla
carica dell'elettrone. Da quanto precede ovvio che in un
semiconduttore intrinseco (puro) in numero delle lacune uguale a
quello degli elettroni. L'agitazione termica continua a produrre
nuove coppie lacuna-elettrone mentre altre coppie dello stesso tipo
scompaiono a causa della ricombinazione:

n=p=ni
dove

(4)

ni detta concentrazione intrinseca.

IMPURIT : DONORI E ACCETTORI

DONORI
Se il drogante ha cinque elettroni di valenza si ottiene la seguente struttura:
+4

+4

+4

Elettrone libero
+4

+5

+4

+4

+4

+4

Ione fosforo
Gli atomi di impurit sostituiscono altrettanti atomi di germanio
nel reticolo cristallino. Quattro dei cinque elettroni di valenza
andranno ad occupare dei legami covalenti mentre il quinto sar
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praticamente non vincolato e quindi disponibile come portatore di


corrente. L'energia necessaria per staccare questo quinto elettrone
di soli 0,01 ev. Impurit pentavalenti adeguate sono antimonio
,fosforo,arsenico. Tali impurit donano elettroni in eccesso che
sono portatori negativi e sono perci chiamate impurit di tipo n o
donori.
Se un materiale semiconduttore intrinseco drogato con impurit di
tipo n non solo aumenta il numero degli elettroni ma diminuisce
anche quello delle lacune al di sotto del valore che sarebbe
disponibile nel semiconduttore intrinseco. La ragione di questa
diminuzione che il pi elevato numero di elettroni presenti fa
aumentare la velocit di ricombinazione degli elettroni con le
lacune.
ACCETTORI
Se si aggiunge ad un semiconduttore intrinseco una impurit
trivalente (boro,gallio,etc.) solo tre dei legami covalenti possono
essere saturati e l'assenza che si ha nel quarto legame costituisce
una lacuna:

+4

+4

+4

lacuna
+4

+3

+4

+4

+4

+4

Ione boro

Tali impurezze rendono dunque disponibili dei portatori positivi


,dato che esse generano lacune che sono in grado di accettare
elettroni. Queste impurit sono di conseguenza note come impurit
di tipo p o accettori. Quando si introducono tali impurit esse
introducono un livello energetico discreto consentito che si trova
giusto sopra la banda di valenza:
Banda di conduzione

Eg=1 eV
Livello energetico accettore
Banda di valenza

Poich sufficiente a un elettrone solo una piccola quantit di


energia per lasciare la banda di valenza e occupare il livello
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energetico degli accettori ,ne segue che le lacune generate nella


banda di valenza da questi elettroni costituiscono di gran lunga la
maggior parte dei portatori nel materiale semiconduttore.
@ LA LEGGE DELL'AZIONE DI MASSA
In
condizioni
di
equilibrio
termico
il
prodotto
della
concentrazione dei portatori liberi,positivi o negativi, una
costante indipendente dalla quantit di impurit usate nel
drogaggio:
n p = ni2
(5)
@ DENSIT DI CARICA IN UN SEMICONDUTTORE
Sia ND la concentrazione degli atomi donori. Poich essi sono tutti
praticamente ionizzati gli ioni donori daranno origine a ND cariche
positive al metro cubo. La densit totale della carica positiva
dunque (ND+p).Analogamente se NA la concentrazione degli atomi
accettori ,il loro contributo sar NA cariche negative al metro
cubo. La densit totale della carica negativa quindi (NA+n).Dato
che il semiconduttore elettricamente neutro il valore della
carica positiva deve essere uguale a quello della carica negativa:
ND + p =NA + n

(6)

Consideriamo un materiale di tipo n (NA =0).Dato che in un


semiconduttore di tipo n il numero degli elettroni assai maggiore
del numero delle lacune (n >> p) allora la (6) si riduce a :
nn ND

(7)

ovvero:in un materiale di tipo n la concentrazione degli elettroni


liberi approssimativamente uguale alla densit degli atomi
donori. La concentrazione pn delle lacune nel semiconduttore di
tipo n si pu ottenere dalla (5):
n2
pn = i
(8)
ND
Relazioni analoghe valgono per il semiconduttore di tipo p:
n2
pp = NA
np = i
NA

@ Conduttivit del germanio e del silicio


Un portatore di carica negativo (l'elettrone) con mobilit n, e
l'altro positivo (la lacuna ) con mobilit p.Queste particelle
in un campo elettrico si muovano in direzioni opposte ma poich
sono di segno opposto danno alla corrente due contributi aventi la
stessa direzione. La densit di corrente J quindi data da :

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10

J=(nn +pp)q =

(9)

Per il semiconduttore intrinseco : n=p=ni. Per il silicio


cristallino, a temperatura 25C ni=1.1 1010 e raddoppia ogni 11C.

@ DIFFUSIONE
Oltre al meccanismo di deriva il fenomeno del trasporto delle
cariche in un semiconduttore avviene anche attraverso il meccanismo
della diffusione.
In un semiconduttore possibile che si abbia una concentrazione di
particelle non uniforme. Come illustrato nella seguente figura la
concentrazione p delle lacune varia con la distanza x nel semic. e
quindi esiste un gradiente della concentrazione dei portatori:
dp/dx

p(x)
JP

x
L'esistenza di un gradiente implica che se si traccia nel
semiconduttore una superficie immaginaria la densit delle lacune
da una parte della superficie sia maggiore rispetto alla densit
dall'altra parte. Ci si pu allora attendere che in un determinato
istante di tempo sia superiore il numero delle lacune che
attraversano la superficie dal lato delle concentrazione maggiore
verso il lato dove la concentrazione inferiore piuttosto che
nella direzione opposta. In totale si ha un trasporto di lacune
attraverso la superficie che costituisce una corrente nella
direzione positiva dell'asse x.La densit di corrente di diffusione
delle lacune JP proporzionale al gradiente della concentrazione
ed espressa dalla relazione :
J P = qD p

dp
dx

(10)

dove DP detta costante di diffusione delle lacune .


Poich p nella fig. precedente diminuisce al crescere di x allora
dp/dx negativo ed necessario un segno meno in modo da rendere
JP positiva nella direzione positiva dell'asse x.
Una relazione analoga vale per gli elettroni.
@ CORRENTE TOTALE
In
un
semiconduttore

possibile
che
si
presentino
contemporaneamente sia un gradiente dell'energia potenziale (campo
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elettrico) sia un gradiente della concentrazione dei portatori. In


tale circostanza la corrente totale delle lacune somma di una
corrente di deriva e di una corrente di diffusione:
J P = qp p E qD p

GIUNZIONE

dp
dx

(11)

P-N A CIRCUITO APERTO

Se si introducono in un singolo cristallo di semiconduttore da un


lato impurit di tipo p e dall'altro impurit di tipo n si forma
una
giunzione
pn:
Semiconduttore p

lacune
libere

Semiconduttore n
+ + + + + +

+ +

+ +

+ +

+ +

+ +

Ioni accettori

elettroni
liberi

Ioni donori

Lo ione donatore rappresentato da un segno pi poich,dopo che


questo atomo di impurit ha donato un elettrone ,esso diventa uno
ione positivo. Un discorso analogo vale per lo ione accettatore.
Dato che attraverso la giunzione si manifesta un gradiente delle
densit di carica le lacune inizialmente diffonderanno attraverso
la giunzione verso destra ,gli elettroni verso sinistra. Si pu
osservare come le lacune positive che neutralizzano gli ioni
accettori in prossimit della giunzione nel silicio di tipo p
scompaiono per opera della combinazione con gli elettroni che
diffondono in senso contrario attraverso la giunzione. Analogamente
gli elettroni che neutralizzano il silicio di tipo n si combinano
con le lacune che hanno attraversato la giunzione provenendo dal
materiale di tipo p. Gli ioni che restano,non neutralizzati,nelle
vicinanze della giunzione prendono il nome di cariche scoperte.
Poich la regione delle giunzione svuotata dei portatori di
carica mobili essa prende il nome di regione di svuotamento o
regione
di
transizione.
A
sinistra
di
questa
regione
la
concentrazione dei portatori vale pNA mentre a destra nND.
@ DENSIT
In virt
positiva
giunzione

DI CARICA,CAMPO ELETTRICO e POTENZIALE


di quanto detto sopra la densit di carica spaziale
sulla destra (zona n) e negativa sulla sinistra della
(zona p).

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Questa distribuzione costituisce un doppio strato di cariche


elettriche che d origine ad un flusso del campo elettrico dirette
nel nostro caso da destra verso sinistra, corrispondenti alla
intensit di campo elettrico negativo riportato in figura seguente.
Si raggiunge una condizione di equilibrio quando il campo
abbastanza elevato da bilanciare completamente il processo di
diffusione.

@ LARGHEZZA DELLA ZONA DI SVUOTAMENTO


Anche se non diretta mente utilizzata nelle derivazioni della legge
della giunzione presentiamo il conto della larghezza della zona di
svuotamento del diodo.
Assumiamo il caso di giunzione brusca: drogaggio costante dai due
lati sino alla giunzione. Assumiamo inoltre svuotamento a gradino.
La figura seguente descrive la distribuzione di carica, di campo
elettrico e di potenziale nella giunzione allequilibrio.

ND
-xp
xn

NA

-xp

xn
x
Em

-xp
xn

Se il campo elettrico fuori dalla zona svuotata nullo, la carica


positiva totale dovuta agli ioni donori, nella zona n svuotata,

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deve essere uguale a quella dovuta agli ioni accettori, nella zona
p.

xn N D = x p N A
Il campo elettrico pu
densit di drogante:

essere

E = ( x + xp )
E = ( x xn )

calcolato

qN A

assumendo

costante

la

per -x p < x < 0

qN D

per 0 < x < xn

Per la condizione precedente si vede che il campo elettrico


continuo a x=0, dove risulta il valore massimo in modulo:

E (0) = Emax = x p

qN A

= xn

qN D

Il potenziale uguale a (-) lintegrale del campo elettrico.


Calcolato tra i bordi della zona di svuotamento V = ( xn ) ( x p )
risulta:
VJ =

1 qN A 2 1 qN D 2
xp +
xn
2 S
2 S

Da questa relazione e dallequilibrio delle cariche si ricava la


larghezza totale della zona di svuotamento W = x p + xn :

W=

2 S N D + N A

V
q ND N A

Il potenziale VJ uguale alla tensione di built-in allequilibrio,


o pu essere modificato tramite il potenziale esterno VJ = Vbin V .

@ LEGGE DELLA GIUNZIONE


Per valutare lequilibrio in cui si porta la giunzione bene
ancora una volta sottolineare che, in condizioni di circuito
aperto, la corrente delle lacune ( e degli elettroni) deve essere
nulla in ogni punto della struttura.
Se questa affermazione non fosse vera la densit delle lacune ad
una estremit del semiconduttore dovrebbe continuare ad aumentare
indefinitamente nel tempo, situazione fisicamente impossibile.
Valutiamo quindi quali sono i processi che possono indurre lo
spostamento dei portatori e come possano bilanciarsi tra loro.
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Poich la concentrazione delle lacune nel lato p assai superiore


che nel lato n, dovr esistere una corrente di diffusione delle
lacune, che tende a fluire attraverso la giunzione, dal materiale
di tipo p a quello di tipo n. Data la differenza enorme tra le
concentrazioni ci si attende che tale termine di corrente sia di
intensit assai elevata. Lo spostamento di cariche produce per un
campo elettrico attraverso la giunzione, in direzione tale da
generare una corrente di deriva delle lacune che attraversi la
giunzione dal lato n a quello p, in grado di controbilanciare la
corrente di diffusione.
Un equilibrio simile si istaura per gli elettroni: la tendenza alla
diffusione dal lato n verso il lato p bilanciata dalla corrente
di trasporto dovuto al campo elettrico. Si noti che avendo gli
elettroni carica negativa, la forza dovuta al campo elettrico ha
verso opposto a quella delle lacune.
Si consideri come primo passo una giunzione p-n in situazione di
equilibrio, assenza di sollecitazioni esterne, quindi con circuito
aperto. In tale situazione non si pu avere moto di cariche entro
la barra di semiconduttore. La corrente totale delle lacune (e
degli elettroni) deve quindi essere nulla (il nostro conto sar
svolto per le lacune, ma un risultato analogo pu essere ricavato
per gli elettroni).
Perch la corrente totale delle lacune (e degli elettroni) possa
annullarsi deve esistere una corrente di deriva di lacune (e di
elettroni) che sia uguale ed opposta alla corrente di diffusione.
La corrente di conduzione richiede la presenza di un campo
elettrico; ma abbiamo visto che campo elettrico viene a generarsi
quando lacune ed elettroni diffondono, lasciando ioni non
compensati nelle rispettive zone. La zona p viene cos ad essere
carica negativamente, mentre la zona n carica positivamente. Il
crearsi di un campo elettrico produce una differenza di potenziale,
positiva, tra la zona n e la zona p. Il potenziale costituito
internamente alla giunzione viene detto di Built-in (VJ= VBin).
Zona di svuotamento
ppo

nno

Vj

La

legge

della

giunzione

che

stiamo

per

ricavare

permette

di

esprimere VJ in funzione dei drogaggi ai due lati della giunzione.

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Attraverso la giunzione la corrente di deriva e la corrente di


diffusione si compensano esattamente; la densit di corrente totale
deve quindi essere nulla

JP =q p p - q DP (dp/dx)=0;
q p p = q DP (dp/dx);
riarrangiando lespressione, e facendo uso della relazione
Einstein (DP/p =VT) e della legge di Poisson, otteniamo

di

= (VT/p)(dp/dx) = -(d/dx)
Alla sx della giunzione, e quindi all'interno del materiale di tipo
p, la concentrazione delle lacune assume il valore pari a quello
dell'equilibrio termico, pp0 . All'estremit destra della giunzione
(nel lato drogato n) la concentrazione vale pn0. La tensione di
giunzione,
Vj,
pu
essere
ottenuta
integrando
l'equazione
precedente attraverso la giunzione. In condizioni di circuito
aperto definiamo Vj = VBin, potenziale interno alla giunzione.
Facendo riferimento ai valori dellasse x secondo lo schema della
giunzione introdotto nel paragrafo precedente:
p ( xn )

dp n 0 dp
1
=
=

p p po p
VT
p ( xp )

VJ

1
0 d = VT

VBIn

d
0

Risolvendo i due integrali si ottiene :

ln(pp0/pn0) = (VBin/VT);
ovvero

VBin = VT ln(NA ND/nn2)

Si consideri ore una giunzione polarizzata da una tensione esterna


(positivo assunto sul contatto p, se V>0 la polarizzazione si dice
diretta):

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Zona di svuotamento
ppo

nno

Vj
+
V

Come nel caso di circuito aperto, attraverso la giunzione il campo


elettrico elevato e quindi pure elevata la corrente di deriva.
D'altra parte la corrente di diffusione grande, poich il
gradiente
della
concentrazione
rimane
assai
elevato
in
corrispondenza della giunzione. Se esprimiamo la densit totale di
corrente delle lacune, il valore di ciascun termine della
differenza a secondo membro grande a confronto delle correnti che
si ottengono, in debole iniezione, attraverso una giunzione. Se si
sottraggono quindi tra di loro due termini grandi e si ottiene una
differenza molto piccola, si pu affermare che i due termini
continuano ad essere quasi uguali. Si pu allora scrivere (approx):

JP =q p p - q DP (dp/dx) 0;
Uguagliando ancora i due termini di diffusione e di trasporto:

q p p = q DP (dp/dx);
Il conto simile al precedente. Questa approssimazione detta di
debole iniezione.
Facendo ancora uso della relazione di EINSTEIN (DP/p =VT) e
dellequazione di Poisson:

= (VT/p)(dp/dx) = -(d/dx)
Possiamo
procedere
di
nuovo
allintegrazione
della
forma
differenziale tenendo conto che lequilibrio stato modificato
dalla polarizzazione esterna. In particolare la tensione di
giunzione Vj ora data dal potenziale VBin della barriera
diminuito della tensione diretta V.1
E necessaria adesso unulteriore approssimazione. Alla sx della
giunzione, per la concentrazione delle lacune si assume ancora un
1 Si noti che la variazione di potenziale cade soltanto tra i bordi della zona
di svuotamento, nulla nelle zone p e n non svuotate, perch la zona di
svuotamento lunica dove esistono cariche non compensate, e quindi dove pu
essere del campo elettrico.
Elettronica I

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17

valore pari a quello dell'equilibrio termico pp0: essendo enorme il


numero dei portatori maggioritari non viene alterato dalla presenza
di una corrente. Assumiamo invece che venga modificata la
concentrazione delle lacune all'estremit destra della giunzione
(nel lato drogato n), pn(xn). Integrando l'equazione precedente
attraverso la giunzione si ha:
p2

p1

dp
=
p

pn ( xn )

p po

dp
1
=
p
VT

VJ

1
0 dV = VT

VBIn V

dV

Risolvendo i due integrali si ottiene :

pn(xn)=pp0 exp(-(VBin-V)/VT);
In base alla legge della giunzione allequilibrio(vedi sopra), con
p1=pp0, p2=pn0 e V21= VBin :

pn0 = pp0 exp(-VBin /VT)


Dividendo membro a membro le ultime due si ottiene:

pn(xn) = pn0 exp(V/VT).


Questa equazione detta LEGGE DELLA GIUNZIONE.
Nellespressione V pu essere sia positivo che negativo, dando
luogo ad un eccesso o ad un difetto di lacune rispetto al valore di
equilibrio.
Conti analoghi portano allespressione per la densit di elettroni
al bordo sinistro della giunzione

np(-xp) = np0 exp(V/VT).


Il termine exp(V/VT) uguale per le due espressioni.
POLARIZZAZIONE INVERSA
Quando al diodo pn non viene applicata una tensione V negativa
(inversa) l'altezza della barriera di energia potenziale aumenta.
Tale incremento provoca una riduzione del flusso di portatori
maggioritari(cio lacune nel lato p ed elettroni nel lato n).
D'altra parte ,invece,i portatori minoritari(cio gli elettroni nel
lato p e le lacune nel lato n),dovendo semplicemente scendere dalla
collina di potenziale non risultano minimamente influenzati
dall'aumento di altezza della barriera. I portatori minoritari sono
per estremamente pochi. Nel paragrafo successivo verr calcolata
la
corrente
della
giunzione,
possiamo
per
concludere
qualitativamente che in polarizzazione inversa la corrente sar
molto bassa.
POLARIZZAZIONE DIRETTA
Una polarizzazione diretta, V >0, provoca una diminuzione
dell'altezza della barriera, come risultato le lacune passano dal
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18

lato p a quello n e ,viceversa gli elettroni dal lato n a quello p.


ovvio che le lacune che si spostano da sx a dx formano una
corrente nella medesima direzione di quella degli elettroni che si
muovono da dx verso sx.
La legge della giunzione appena presentata indica che ai bordi
della zona di svuotamento in una giunzione p-n si instaura un
equilibrio tra tendenza alla diffusione dei portatori e campo
elettrico. Tale equilibrio pu essere alterato applicando un
potenziale esterno.
bene notare che secondo tale legge, lapplicazione di un
potenziale ha come effetto lalterazione dellequilibrio e non la
determinazione della corrente che scorre nella struttura (almeno
non direttamente).
La corrente della struttura viene infatti determinata dalleffetto
dellequilibrio modificato sulle zone neutre della struttura, al di
fuori della zona di svuotamento. In particolare leffetto dalla
densit di portatori al bordo modificata.
Nelle
zone
quasi
neutre
leffetto
del
campo
elettrico

trascurabile, almeno per i portatori minoritari, cos che lunico


meccanismo che pu produrre una corrente quello della diffusione.
Soltanto in presenza di una distribuzione di portatori minoritari
variabile nello spazio, si avrebbe una corrente.
La relazione che adesso introdurremo permette di stabilire quale
distribuzione assumono i portatori minoritari nella zona quasi
neutra, quando il loro numero al bordo della giunzione (quindi al
bordo della zona quasi neutra) viene alterato secondo la legge
suddetta.
Premettiamo a questo calcolo il concetto di ricombinazione

@ RICOMBINAZIONE
Il drogaggio presente in un semiconduttore determina il valore dei
portatori, maggioritari e minoritari, allequilibrio. Nel caso il
materiale sia fuori equilibrio, con un numero di portatori diverso
da quello stabilito dal drogaggio, si assiste ad un processo di
generazione dei portatori, se i portatori sono meno di quelli di
equilibrio, oppure ad una ricombinazione nel caso opposto.
Generazione e ricombinazione vengono descritti tramite il modello
SHR, ma nella nostra trattazione si pu adottare una versione
semplificata, valida nel caso in cui un tipo di portatori sia
decisamente minore dellaltro. In questo caso si pu definire un
tasso di ricombinazione, R, cio il numero di portatori che
scompaiono nellunit di tempo e nellunit di volume, come
funzione soltanto della densit di portatori minoritari in eccesso
di quella di equilibrio.
Nel caso di portatori minoritari lacune si avr:

R=

( p pn 0 )
p

dove p una costante detta tempo di ricombinazione (in questo


caso di lacune. Una relazione analoga vale nel caso in cui
portatori minoritari siano gli elettroni.

Elettronica I

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19

R=

(n nn0 )
n

chiaro che se il tasso di ricombinazione fissato dalla densit


di un tipo di portatori, essa coinvolge in ugual numero di lacune e
di elettroni.

@ EQUAZIONE DI CONTINUIT
La presenza di un tasso di ricombinazione porterebbe, in assenza
di altri fenomeni, alla diminuzione della densit di elettroni.
Accanto alla ricombinazione esiste un altro meccanismo che pu
portare alla modifica della densit di elettroni in un punto del
semiconduttore: la presenza di una divergenza diversa da zero nella
corrente. Presenteremo leffetto nel caso unidimensionale.

Jp(x)

Jp(x+x)

x
Consideriamo un volume di materiale semiconduttore con area 1 cm2 e
spessore x. Affronteremo il problema unidimensionale, in cui
tutte le grandezze possono variare soltanto lungo una dimensione
(x). In particolare assumiamo variabile spazialmente la densit di
corrente delle lacune, Jp. Jp(x)/q allora il numero di lacune
passano attraverso la sezione di 1 cm2 nellunit di tempo, che
entrano nel volume. Dallaltra faccia del volume escono nellunit
di tempo Jp(x+ x)/q lacune. Se la densit corrente in x diversa
da quella in x+ x il numero delle lacune contenute nel volume
considerato viene modificato nel tempo. Il numero delle lacune
dato dalla densit (p) per il volume (x)

J p ( x) J p ( x + x)
dp
x =
dt
q
Dividendo per x e facendo il limite per x --> 0

q
Elettronica I

dJ p ( x)
dp( x)
=
dt
dx

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20

Il numero di lacune nel volume pu variare anche a causa della


ricombinazione, per cui si ha la forma generale dellequazione di
CONTINUIT

dJ p ( x)
dp( x)
= qR
dt
dx

( p pn 0 ) dJ p ( x)
dp( x)
= q

dt
p
dx

Una equazione simile pu essere ricavata per la CONTINUIT degli


elettroni:

(n n p 0 ) + dJ n ( x)
dn( x)
= q
dt
n
dx

Queste due equazioni si sommano alle due equazioni del trasporto di


lacune ed elettroni, e allequazione di Poisson per dare il
complesso di equazioni differenziali (sesto grado) che modellano il
comportamento di un semiconduttore.
La soluzione di un tale sistema di equazioni complessa e in
generale richiede metodi numerici. In queste dispense verranno
esaminati soltanto casi approssimati che riducendo il grado del
sistema permette di ottenere soluzioni analitiche e modelli
semplificati (e comprensibili) delle strutture a semiconduttore.
Per la risoluzione del problema delle correnti nel diodo ci poniamo
in particolare nel caso in cui la situazione sia stazionaria, le
grandezze non varino nel tempo. Lequazione di continuit delle
lacune quindi diventa

( p( x) p n 0 )
p

dJ p ( x)
dx

=0

Con questa equazione andiamo a determinare la distribuzione delle


lacune nella zona drogata n, ma esterna alla zona di svuotamento.
In questa zona gli elettroni sono rimasti in numero uguale a quello
di equilibrio e quindi bilanciano gli ioni fissi: il campo
elettrico quindi nullo2. La densit di corrente delle lacune
determinata soltanto dalla diffusione (se, come vedremo,esiste una
variazione spaziale della loro densit).

J p ( x) = qD p

dp ( x)
dx

In realt una piccola variazione di campo elettrico esiste anche nella porzione non svuotata del
semiconduttore (viene detta quasi neutra), ma il suo effetto su un numero di lacune ridotto
trascurabile dal punto di vista della corrente.

Elettronica I

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21

Lequazione di CONTINUIT e lequazione della DENSIT di CORRENTE


insieme possono determinare la distribuzione della densit delle
lacune. Sostituendo si ottiene:

( p( x) p n 0 )
p

qD p

d 2 p ( x)
=0
dx 2

La stessa equazione pu essere scritta


OMOGENEA nella variabile (p(x)-pn0).

( p ( x) p n 0 )
p

qD p

nella

seguente

forma

d 2 ( p( x) p n0 )
=0
dx 2

Non
compaiono
termini
indipendenti
dalla
variabile, questa
equazione descrive quindi il comportamento delle lacune allinterno
della zona esaminata. La dipendenza dal resto della struttura
avviene attraverso le condizioni al contorno.
La soluzione di questa equazione lineare di secondo grado :

( p( x) pn 0 ) = Aex + Be x
Dove

associata.
contorno.

1
D p p
A

=
B

1
Lp

risulta

devono

dalla

essere

soluzione

ottenute

dalle

dellequazione
condizioni

al

Richiamando la legge della giunzione, possiamo affermare che presso


la zona svuotata il semiconduttore DEVE avere un numero di lacune
determinato dal potenziale applicato alla giunzione. Lontano dalla
zona di svuotamento le lacune tornano al valore di equilibrio.
Questa seconda osservazione comporta che la costante A=0.
Per comodit di calcolo assumiamo che lorigine dellasse x sia
proprio al bordo destro(0+)3 della zona di svuotamento.

( p (0

) pn0

VV

= e T 1 p n 0 = B

Le lacune allinterno della zona quasi neutra hanno quindi una


distribuzione:
x

VV

L
( p( x) pn 0 ) = e T 1 pn 0 e p

Nel conto della distribuzione dei portatori nelle zone neutre si ignora lo spessore della zona di svuotamento,
introducendo una nova origine a destra (0+ = xn) e a sinistra (0- = xp) della stessa.

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22

In figura viene riportata schematicamente la distribuzione della


densit di lacune ed elettroni (ottenuti con un conto analogo a
quello delle lacune4). Si noti che tali densit dipendono
rispettivamente dai valori di equilibrio (pn0 e np0) e quindi in
generale non sono uguali. Nella figura non riportata la zona di
svuotamento: il suo effetto rappresentato dalle concentrazioni ai
suoi bordi, pn(0+) e np(0-).

llnn nn((xx))

llnn pp((xx))

LLaattoo pp

LLaattoo nn

---

nppp((00 ))

pnnn((00++))

pnnn000
nppp000
+
00--- 00++

xx

Come ci si aspettava la distribuzione della densit delle lacune


non costante, come conseguenza ci sar una corrente di
diffusione, che nella zona p vale

Dp
dp( x)
J p ( x) = qD p
=q
dx
Lp

VV

L
e T 1 p e p

n0

Si noti che la densit di corrente delle lacune non costante, si


annulla per x . Questo non significa che la densit totale di
corrente
non
sia
costante:
essendo
il
nostro
problema
unidimensionale deve esserlo. Infatti c anche la corrente di
elettroni. Le lacune diffondendo dalla zona di svuotamento
ricombinano con elettroni (maggioritari nella zona n). Ogni
elettrone scomparso per ricombinazione viene subito rimpiazzato da
un elettrone che giunge dallelettrodo (e quindi dal generatore di
tensione applicato alla giunzione) attraverso la zona n 5. Come la
densit corrente di lacune diminuisce, causa la ricombinazione,
cos aumenta la densit di corrente di elettroni.

Per semplicit in queste dispense il conto per gli elettroni non viene svolto,
utilizzando lanalogia con le lacune verr ottenuto direttamente il contributo
finale alla corrente.
5
Un debole campo elettrico esiste quindi anche nella zona quasi neutra,
sufficiente a spostare i tanti elettroni.
Elettronica I

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23

J
Jp

Jn

x
Questa osservazione ci risparmia un complesso conto per la corrente
degli elettroni (maggioritari) in quanto la densit di corrente
totale pu essere valutata come la densit di corrente di lacune
per x=0+.

VV

J p (0 ) = q
p n 0 e T 1

Lp

Dp

Una valutazione analoga deve essere svolta anche per gli elettroni
nella zona drogata p: il loro numero infatti alterato al bordo
della zona di svuotamento (0+) dal potenziale applicato. Anche gli
elettroni diffonderanno nella zona quasi neutra e questo determina
la loro densit di corrente. Si noti che gli elettroni che
diffondono arrivano nella zona p dalla dona di svuotamento:
lequilibrio descritto dalla legge della giunzione provvede a
rimpiazzare ogni elettrone che diffonde con un elettrone prelevato
dalla zona n dove gli elettroni sono maggioritari.
Se facciamo il conto della corrente che in totale scorre nella
giunzione, in termini di elettroni che devono essere forniti
dallelettrodo negativo, ci troviamo due termini:
1) elettroni che servono a rimpiazzare le lacune diffuse nella zona
n e che ricombinano;
2) elettroni che diffondono nella zona p, calcolati al bordo
sinistro della zona di svuotamento (0-). La densit di corrente pu
essere calcolata in modo analogo a quella delle lacune che
diffondono nella zona p, in particolare la densit di corrente pu
essere calcolata per x=0-.

VV

Dn
J n (0 ) = q
n p 0 e T 1

Ln

Il significato dei simboli pu essere ottenuto per estensione da


quello degli omologhi per le lacune.

Elettronica I

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24

Jtotale

Jn

Jp
0- 0+

La corrente totale quindi somma dei due termini, moltiplicati per


larea del diodo:

I totale

VV

VV

VV

D
n
T
T
=q
p n 0 e 1 + q
n p 0 e 1 = I S e T 1

Lp
Ln

Dp

Questa espressione finale lega tensione applicata ai morsetti e


corrente nella struttura. La relazione esponenziale pu essere
verificata sperimentalmente per oltre sei ordini di grandezza di
variazione della corrente.

@ CARICA INIETTATA DI PORTATORI MINORITARI FOTOGENERATI


Come
ulteriore
esempio
di
soluzione
di
una
struttura
semiconduttori si prenda in esame la seguente situazione:

TTiippoo nn
R
Raaddiiaazziioonnee

LLnn pp((xx))

nn==N
NDDD

pnnn((00))

pnnn000

00

Elettronica I

xx

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25

Si faccia l'ipotesi che la sbarretta sia uniformemente drogata in


modo tale che la concentrazione sia n = ND indipendentemente dalla
posizione. Viene illuminata una estremit della sbarretta in x=0. I
fotoni vengono catturati dagli elettroni vincolati nei legami
covalenti in prossimit della superficie illuminata dando luogo a
generazione di coppie elettrone-lacuna. Assumiamo che tutti i
fotoni vengano catturati e diano luogo a generazione di G coppie
elettrone-lacune generate per cm2 al secondo.
Leffetto della generazione dei portatori produce un aumento dei
portatori, minoritari in particolare, che definiremo p(x).
Laumento dei maggioritari esiste, ma percentualmente
trascurabile in quanto supponiamo che laumento dei portatori
dovuto alla fotogenerazione sia piccolo in confronto alla densit
degli atomi del drogaggio, cio p' < nn0. Assumiamo quindi la
condizione di basso livello di iniezione.
Assumiamo infine che tutta la generazione avvenga presso la
superficie, ad x=0. Questo avviene in pratica per il silicio
soltanto per radiazione a bassa lunghezza donda, luce blu o ad
energia maggiore.
Leccesso di portatori minoritari generati sulla superficie da
luogo ad una diffusione verso linterno del semiconduttore.
Se chiamiamo con p'(0) la concentrazione in eccesso dei portatori
sulla superficie si ha :

p'(x) = p(x)-pn0=p'(0) exp(-x/Lp)

(12)

Dunque la concentrazione delle lacune diminuisce esponenzialmente


con la distanza come indicato nella seconda fig. sopra.
La densit di corrente dei portatori minoritari (lacune) :
J p ( x) = qD p

dp '( x)
dx

si ha:
J p ( x) =

qD p p '(0)
Lp

x
Lp

(16)

Questa corrente dunque diminuisce esponenzialmente con la distanza


nello stesso modo con cui diminuisce la concentrazione dei
portatori minoritari. Ha il suo massimo per x=0, in quanto sulla
superficie vengono generate, per assorbimento della luce, le
lacune.
La densit di corrente di lacune ad x=0 deve essere uguale alla
generazione:
qD p p '(0)
J p (0) =
=G
Lp
Questo permette il calcolo di p(0):.
Cosa possiamo dire della corrente di elettroni? Essendo la barretta
di semiconduttore aperta, senza contatti esterni la corrente totale
deve essere nulla. La corrente di elettroni sar quindi in ogni
punto uguale e opposta a quella delle lacune, effetto in questo
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26

caso di una diffusione e del trasporto di un, debole,


elettrico generato internamente dalleccesso di portatori.

campo

@ DISTRIBUZIONE DI FERMI-DIRAC
Una considerazione aggiuntiva, che risulter essenziale nel
prosieguo, quella di distribuzione dellenergia tra gli elettroni
presenti nel materiale, in particolare degli elettroni presenti in
banda di Valenza e in banda di Conduzione.
Energia totale dipende dalla probabilit di occupazione degli stati
elettronici presenti, essendo gli elettroni in intimo contatto con
le vibrazioni termiche (fononi), questa a sua volta dipende dalla
temperatura del materiale. Loccupazione degli stati governata
inoltre dal principio di esclusione di Paoli, in ogni stato possono
esistere solo due elettroni (con spin opposto). Risulta quindi che
gli stati ad energia pi bassa sono completamente occupati, con
probabilit uno.
Allo zero assoluto tutti gli stati sono occupati fino a raggiungere
il numero totale di elettroni (si parla di stati per cm-3 e di
elettroni per cm-3). Il riempimento giunge fino ad un livello
massimo, definito Livello di Fermi (Ef). A temperatura pi alta
alcuni degli elettroni, prossimi allenergia pi alta, Ef, possono
ricevere energia dal reticolo e spostarsi a stati ad energia pi
alta del Livello di Fermi. Questo lascia non occupati alcuni degli
stati con energia al di sotto del Livello di Fermi.

EF

T=0

T>0

La probabilit di occupazione
distribuzione di Fermi-Dirac
f (E) =

di

uno

1
E EF
exp
k BT

stato

descritta

dalla

+1

Dove f(E) la probabilit di occupazione dello stato di energia E,


kB
la costante di Boltzman, kB =8.62 x 10-5 eV/K, T la
temperatura assoluta.
La figura successiva descrive la distribuzione di Fermi a diverse
temperature. Sullasse delle ascisse i valori dellenergia degli
stati, sullasse delle ordinate la probabilit di occupazione dello
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27

stato. Si nota la forma a gradino a T=0 che assicura probabilit


uguale a uno fino ad EF. Al crescere della temperatura lenergia EF
mantiene una probabilit di occupazione 1/2.

Nelle bande di conduzione e di valenza esiste un elevato numero di


stati, con distribuzione crescente con la differenza tra lenergia
dello stato e lenergia del bordo della banda stessa (in modulo).
Nellappendice A dimostreremo come questa distribuzione vale:
Nn ( E ) = C

( E EC )

N p ( E ) = V

( EV E )

I coefficienti C e V dipendono dalle masse efficaci di elettroni e


lacune e,in ultima analisi, dalla distribuzione periodica di
potenziale lungo il reticolo cristallino.
Gli stati elettronici hanno una probabilit di occupazione definita
dalla distribuzione di Fermi. Ossia alcuni degli stati elettronici
in banda di conduzione potranno essere occupati, alcuni stati
elettronici in banda di valenza potranno essere vuoti, quindi con
una lacuna. Il prodotto tra densit di stati per probabilit di
occupazione fornisce una densit di portatori. Vedi Figura
seguente.

Elettronica I

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28

Il numero totale di portatori, di elettroni in banda di conduzione


e di lacune in banda di valenza pu essere ottenuto integrando in
energia la distribuzione di portatori, prodotto della densit degli
stati per la probabilit di occupazione. Tralasciando i passaggi
6
dellintegrazione , possiamo fornire

n = NCe

EC E F
KT

EF EV
KT

p = NV e

Dove NC e NV sono costanti che dipendono dal tipo di semiconduttore.


Si nota che, al variare della posizione del livello di Fermi, un
tipo di portatori aumenta laltro diminuisce.
Dalle due relazioni risulta la legge di azione di massa:

n p = N C NV e

EC EV
KT

= ni2

Si noti che il prodotto np risulta costante, funzione soltanto del


gap elettronico (EC- EV) e della temperatura.
Questa relazione vale in equilibrio e pu essere alterata dalla
presenza di una polarizzazione esterna che produca iniezione di
cariche o da assorbimento di luce che produca generazione di
portatori dalla banda di valenza a quella di conduzione.
Il livello di Fermi rappresenta in realt anche il valore di
energia medio a cui si porta un elettrone aggiunto nel sistema,
Ee .Per questa ragione viene definito anche come il potenziale
chimico.
Nella trattazione seguente delle celle solari questo concetto
risulter molto importante perch ci permetter di valutare dal
6

Vedi S.M. Sze, Dispositivi a semiconduttore, 1991, p.19-23.

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29

punto di vista
semiconduttore.

energetico

il

comportamento

delle

strutture

@ CELLE SOLARI
Avendo trattato estesamente la struttura del diodo possiamo
estendere la descrizione ad unapplicazione di grande attualit,
quella delle celle solari. Descriveremo in particolare le celle
solari
a
silicio
cristallino,
le
pi
usuali
nel
mercato
fotovoltaico.
Iniziamo notando che lassorbimento della luce nel silicio
cristallino non avviane tutto sulla superficie come ipotizzato
nellesempio
precedente.
In
realt
cause
fisiche
rendono
lassorbimento relativamente basso, specialmente se comparato ad
altri materiali. Inoltre luce con energia al di sotto della gap,
1,1 eV, infrarosso, non pu essere assorbita del tutto.
La luce che proviene dal sole, naturalmente variabile a seconda
delle condizioni metereologiche, stata standardizzata tenendo
conto dellassorbimento dellatmosfera al livello del mare il
quello che viene definito lo spettro AM1.5.

La potenza che giunge al livella del mare di circa 1 KW/m2.


Le diverse lunghezze donda vengono assorbite in porzioni diverse
del wafer di silicio: la luce blu viene assorbita sulla superficie,
la luce rossa attraversa gran parte del wafer e bisogna assicurarsi
che ci sia una buona riflessione dalla superficie posteriore (anche
una rilevante testurizzazione rugosit della superficie stessa)
affinch venga assorbita efficacemente. In totale vengono assorbiti
circa 0,5 1017 fotoni al secondo al cm2.

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30

Una cella solare di tipo commerciale praticamente una giunzione


p-n, con la zona p meno drogata di quella n, costituita dallintero
wafer, 350 m. La zona n, ottenuta con un forte drogaggio della
superficie frontale. La figura seguente rappresenta la struttura di
una cella solare a silicio cristallino. Si noti il forte drogaggio
n+ sotto i contatti di emettitore, per assicurare un contatto
ohmico, e il drogaggio p++, posteriore, per realizzare il cos
detto back surface field.
I contatti frontali sono a griglia per permettere il passaggio
della luce.
La figura seguente rappresenta il diagramma a bande di una cella
solare a silicio cristallino. In questa rappresentazione sono
riportate sia la zona drogata P++, che quella di emettitore drogata
N. Sono riportati altres in modo simbolico i contatti di
emettitore e di catodo, rappresentati come metalli, con livello di
Fermi allineato con quello del semiconduttore (contatto ohmico).
In questa situazione la presenza di luce assorbita produce coppie
elettrone-lacuna, principalmente nella zona drogata P, la pi
estesa. In questa ampia zona, esterna alla zona di svuotamento, gli
elettroni foto generati, come portatori minoritari, non trovano
campo elettrico e possono spostarsi soltanto per diffusione. In
principio diffondono sia verso la giunzione che verso il contatto
posteriore. Si ricorda che per definizione un contatto ohmico
ricombina
immediatamente
i
portatori
minoritari.
Questo
vanificherebbe completamente leffetto di generazione.
Il ruolo del forte drogaggio posteriore quello di creare un
potenziale che deflettere le bande e riduce il numero di elettroni
che raggiunge il contatto posteriore.

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31

Gli elettroni che raggiungono la giunzione vengono immediatamente


attratti, il valore della densit di elettroni al limite della
giunzione quello di equilibrio np0.
Si deve notare che la condizione riportata in figura, con i livelli
di Fermi allineati corrisponde ad una situazione di corto circuito
esterno7. In queste condizioni la cella solare non in grado di
fornire potenza al carico: I*V=0. Nel diagramma a bande dello
schema a) si vede infatti che lelettrone, guadagnata energia
assorbendo un fotone, la perde attraversando la zona di giunzione,
attraversando il potenziale di Built-in, in cui trasforma energia
potenziale in energia cinetica che perde in calore per scattering.
Elettroni e lacune si ricombinano attraverso il circuito esterno.

a)
P+

E fotone

Quindi, anche se il diodo polarizzato a tensione zero si


riscontra lo stesso una corrente, prodotta dalla foto generazione.
Per sviluppare un modello approssimato possiamo assumere che tutti
gli elettroni fotogenerati raggiungono la zona di giunzione e
forniscono la corrente esterna di cortocircuito (Jsc). Tale
corrente proporzionale (uguale nel modello approssimato) al
numero di elettroni foto generati, ed quindi costante per
polarizzazione inversa. Per lapprossimazione precedente, 0,5 1017
fotoni al secondo al cm2 producono una Jsc tipica di 30 mA/cm2.
Questo
valore
rimane
costante
anche
in
presenza
di
una
polarizzazione negativa (il verso positivo della tensione
riferito alla zona p), infatti la giunzione risulta polarizzata
inversamente e continua ad assorbire tutti gli elettroni foto
generati. Si noti che in questo caso il generatore di
polarizzazione che fornisce energia.

Si noti che la presenza di assorbimento porta fuori equilibrio termodinamico i portatori nel semiconduttore, la
distribuzione di probabilit non pi quella della distribuzione di Fermi. Tuttavia, possiamo assumere che siano stati
modificati soltanto i portatori minoritari, mentre i portatori maggioritari sono rimasti immutati. La loro distribuzione
pu quindi essere descritta ancora tramite il livello di Fermi. In questi termini viene utilizzato nel grafico. Il cosiddetto
quasi-livello di Fermi dei portatori minoritari non viene disegnato.
Elettronica I

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F. Palma

32

La cella solare per in grado di fornire energia allesterno. Se


la corrente esterna passa attraverso un carico resistivo gli
fornisce energia. La corrente attraverso la resistenza di carico
produce una differenza di potenziale, positiva dal lato P.
Il potenziale dal lato N sale (si ricordi E=-q, quindi sale il
livello di Fermi del metallo e del semiconduttore n. In questa
situazione esiste un salto di energia degli elettroni foto generati
disponibile per produrre lavoro esterno (schema b).
La figura seguente descrive qualitativamente una tale condizione.
Si ricordi che il livello di Fermi lenergia a cui in media si
porta un elettrone (o una lacuna) aggiunta ad un semiconduttore,
drogato n (ovvero drogato p). I due livelli di Fermi sono quindi le
energie a cui si portano rispettivamente gli elettroni che
raggiungono la zona n (a destra) e le lacune che raggiungono la
zona p (a sinistra). Una parte di energia viene ancora persa
attraversando la giunzione.
Diminuendo la barriera di potenziale (tensione positiva sullanodo)
si produce una polarizzazione diretta della giunzione, elettroni
vengono iniettati dalla zona N verso la zona P e lacune dalla zona
P verso la zona N, secondo il processo di un diodo polarizzato
direttamente (schema c). La corrente diretta ha verso opposto
alla foto corrente, cos che nella caratteristica tensione
corrente, la foto corrente diminuisce allaumentare della tensione
sul carico.
A fronte di questa descrizione possiamo ricavare
circuitale della corrente nella cella solare come:
V

VT
I = A J sc J 0

un

modello

JSC rappresenta la foto corrente dovuta allassorbimento della luce,


J0 rappresenta la corrente diretta del diodo, il fattore di
qualit, spesso nelle celle industriali >1, a causa di difetti
elettronici della struttura che limitano lefficienza della cella.
A larea della cella solare.

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33

b) fotocorrente
P+

E=-qV

c) corrente diretta della giunzione


P+

E=-qV

Si noti che nella caratteristica riportata nella figura seguente,


si assume positiva la corrente entrante nellemettitore (catodo del
diodo) mentre la tensione positiva sullanodo. Il quadrante
mostrato quindi rappresenta una zona in cui la potenza non
dissipata dal componente, bens fornita dalla cella solare al
carico esterno.
E evidente che la potenza nulla per tensione nulla, e per
corrente nulla (situazione di circuito aperto Voc)quando la
corrente in diretta della giunzione cancella completamente la
fotocorrente.
Esiste invece un valore di tensione in cui la potenza fornita
massima. Lefficienza, , definita come rapporto % tra potenza
luminosa totale incidente (AM 1.5) e potenza massima fornita al
carico.

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34

I
I
V

DIODI A BREAKDOWN

Vengono

usati

in

circuiti

del

tipo:

IZ
IZ

VZ
VZ

Come si vede la tensione VZ sia la tensione ai capi della


resistenza di carico che la tensione ai capi del diodo. La corrente
nel diodo IZ. Il diodo controller ora la tensione sul carico
opponendosi alle variazioni della corrente nel carico e alle
variazioni della tensione di alimentazione V,dato che ,nella
regione di breakdown,ampie escursioni della corrente nel diodo
producono solo piccole variazioni della tensione ai suoi capi.
Inoltre,non appena la corrente di carico o la tensione di
alimentazione variano,la corrente nel diodo regola la propria
intensit in modo da mantenere praticamente costante la tensione
sul carico. Il diodo continuer la sua opera di regolazione sino a
che il funzionamento del circuito non imponga alla corrente nel
diodo di scendere al valore IZK in prossimit del ginocchio della
curva tensione-corrente.
MOLTIPLICAZIONE A VALANGA
Si conoscono due meccanismi che possono produrre il breakdown di un
diodo al crescere della tensione inversa. Si esamini la situazione
seguente:un portatore generato per azione della temperatura (e
facente parte della corrente di saturazione inversa) cade gi dalla
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35

barriera di potenziale e acquista cos energia dalla tensione


applicata. Questo portatore entra in collisione con uno ione del
reticolo cristallino e gli fornisce energia sufficiente a rompere
un legame covalente. Viene cos a generarsi ,in aggiunta al
portatore di carica originario,una nuova coppia lacuna-elettrone.
Questi nuovi portatori possono,a loro volta,acquisire dal campo
applicato energia sufficiente per generare ,urtando con altri ioni
del cristallo,una ulteriore coppia lacuna-elettrone. Cio ciascun
nuovo portatore pu produrre altri portatori di carica attraverso
il processo di rottura dei legami,dovuto alle collisioni. Questo
fenomeno noto con il nome di MOLTIPLICAZIONE A VALANGA. Esso da
origina a elevate correnti inverse.
BREAKDOWN DI TIPO ZENER
Anche quando i portatori disponibili inizialmente non acquistano
energia sufficiente a rompere i legami possibile provocare
l'inizio del breakdown mediante una diretta rottura dei legami.
A causa della esistenza del campo elettrico nella giunzione, sugli
elettroni sugli elettroni legati potr essere esercitata una forza
sufficientemente intensa da strapparli dai corrispondenti legami
covalenti. La nuova coppia buco-elettrone che si forma incrementa
la corrente inversa.

I=JA.
@ DESCRIZIONE DEL DIODO CON IL CONTROLLO DI CARICA
Sappiamo che una polarizzazione diretta abbassa la barriera di
potenziale ,il che permette alle lacune di entrare dal lato p al
lato n,e agli elettroni di entrare dal lato n al lato p. La densit
delle
lacune
in
eccesso
scende
esponenzialmente
con
la
distanza,come si vede dalla fig. seguente. L'area ombreggiata sotto
tale curva proporzionale alla carica Q iniettata.

llnn nn((xx))
LLaattoo pp

llnn pp((xx))
LLaattoo nn
+

pnnn((00++))

nppp((00--))

Pno

pnnn000

nppp000
+
00--- 00++

xx

Per semplicit si supponga che un lato del diodo,in particolare la


regione p,sia cos intensamente drogato rispetto al lato n che la
corrente I attraverso la giunzione sia costituita interamente da
lacune che si muovono dal lato p verso il lato n,cio: I=Ipn(0).La
carica Q dei portatori minoritari in eccesso sar allora presente
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36

solo nel lato n ed rappresentata dall'area ombreggiata nella


regione n della fig. precedente moltiplicata per l'area A della
sezione trasversale del diodo e per la carica dell'elettrone
q.Pertanto,ricordando l'espressione della carica iniettata (vedi
eq. (12))si ha:
Q = Q p = Aqp ' ( 0 ) e

x
Lp

dx = AqLp p ' ( 0 )

La corrente totale delle lacune data da Ip(x) (vedi eq. (13)) con
x=0 ,ossia:
AqD p p ' ( 0 )
I = Ip =
Lp
Eliminando p'(0) dalle due eq. precedenti si ottiene:
Q
I=

con :

L2P
T =
DP
La costante prende il nome di tempo di transito. Eq. (15)
stabilisce che la carica immagazzinata, Q, dovuta ai portatori
minoritari in eccesso, proporzionale alla corrente del diodo. Il
fattore di proporzionalit il reciproco del tempo di transito.
Questa relazione pu essere generalizzata anche al caso in cui
siano rilevanti sia la corrente di lacune che quella di elettroni.

@ CAPACIT DI DIFFUSIONE E CAPACIT DI TRANSIZIONE


Sappiamo che una polarizzazione inversa provoca l'allontanamento
dalla giunzione dei portatori maggioritari che lasciano,cos,un
numero di cariche immobili non compensate via via sempre
maggiore.Lo spessore dello strato di carica spaziale nella
giunzione aumenta pertanto con la polarizzazione inversa. L'aumento
della carica non neutralizzata pu essere considerato come un
effetto capacitativo.
Si noti che ci riferiamo ad una capacit incrementale C come:

C = abs(dq/dv)
dove dq l'incremento della carica prodotta dalla variazione dv
della tensione.
La tensione applicata alla giunzione varia le dimensioni della zona
di svuotamento e quindi il valore della capacit.
CJ =

Elettronica I

CJ 0

V
1
VBIN

1/ m

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37

Dove CJ0 il valore della capacit di giunzione a tensione nulla,V


la tensione applicata, VBIN la tensione di built-in. Si noti che
una polarizzazione diretta aumenta tale capacit mentre una
tensione inversa la diminuisce. Il coefficiente m (il denominatore
una radice) vale 2 o 3 a seconda del tipo di giunzione,
rispettivamente a gradino o graduale.
In polarizzazione diretta entra in gioco una capacit assai pi
grande della capacit di transizione gi considerata.L'origine di
tale capacit piu grande si trova nella carica Q iniettata e
immagazzinata in prossimit della giunzione,fuori della regione di
transizione.Tale capacit prende il nome di CAPACIT di DIFFUSIONE
o di IMMAGAZZINAMENTO.
Dalla definizione di capacit differenziale e sfruttando
relazione (15) del paragrafo precedente, si ottiene:
CD =

la

dI
dQ
=T D
dV
dV

Utilizzando lespressione della corrente nel diodo:


VV

dI S e T 1

I T
CD = T
D
dV
VT

La
capacit
di
diffusione
(differenziale)
risulta
proporzionale alla corrente di polarizzazione del diodo.

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essere

38

@ CORRENTI NEL TRANSISTORE BIPOLARE E CIRCUITO EQUIVALENTE DI


EBERS-MOLL
Nel presente paragrafo ricaviamo le equazioni che descrivono le
correnti del transistore bipolare. Per una descrizione pi estesa
dei principi di funzionamento si pu fare riferimento al testo del
corso.
Le equazioni verranno ricavate per un transistore n-p-n, con la
convenzione che i versi nominali delle correnti siano concordi con
i versi fisici. Questa scelta evita coefficienti negativi nel
circuito equivalente e rende immediato il passaggio al circuito
equivalente di un transistore p-n-p, tramite l'inversione delle
correnti a tutti i morsetti e dei versi dei generatori dei
componenti. Assumendo la struttura unidimensionale, le densit dei
portatori ai bordi delle zone di svuotamento delle due giunzioni
base-emettitore (BE) e base-collettore(BC) sono definite dalle
rispettive tensioni di polarizzazione VBE e VBC. La figura mostra
schematicamente la distribuzione dei portatori nelle tre zone. In
particolare mostra l'assunzione di una distribuzione lineare degli
elettroni nella base. Si faccia attenzione che le correnti hanno
verso convenzionale nella direzione delle x decrescenti. Per il
calcolo della corrente, il termine di diffusione deve essere quindi
preso con un segno meno aggiuntivo. I bordi delle zone di
svuotamento sono stati assunti a 0+ e 0- per la giunzione BE e W+
W- per la giunzione BC.
p(x) n(x)
J

pE

p
E
I

n0E

p(x)

nB

pC

p0
- + B - +C
WW
0 0

n0C

E
E

C
I

In queste condizioni le densit di corrente degli elettroni nella


base costante e vale:

J nB =

V BC
qD nnp0B V BE
(e V T - 1) - ( e V T - 1)
W

(16)

mentre le densit di corrente di lacune iniettate rispettivamente


al bordo della giunzione BE e BC valgono

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39

qD ppn0E V BE
(e V T - 1)
Lp
qD ppn0C V BC
J pC = (e V T - 1)
Lp
J pE =

(17)

Le correnti ai morsetti valgono:

IE =A ( J nB + J pE)= A

qD nnp0B qD ppn0E V BE
qD nnp0B V BC
+
(e V T - 1) - A
(e V T - 1) (18)
W
Lp
W

IC =A ( J nB + J pC)= A

V BC
qD nnp0B V BE
qD nnp0B qD ppn0C
(e V T - 1) - A
+
(e V T - 1) (19)
W
W
Lp

In questa espressione, per brevit, vengono definite le seguenti


costanti:

IS = A

qD nnp0B
;
W

ISE = A

qD nnp0B qD ppn0E
qD nnp0B qD ppn0C
+
ISC = A
+
W
Lp
W
Lp
;
(20)

Le equazioni di Ebers-Moll (18-19) vengono spesso utilizzate in


forma semplificata, assumendo che il transistore stia funzionando
in una particolare condizione, detta zona attiva, con la tenzione
VBE > 0, giunzione polarizzata direttamente, e la tensione VBC < 0,
giunzione polarizzata inversamente.
Questa assunzione permette di trascurare il secondo termine con
esponenziale nelle le due equazioni (18-19). Se il transistore
funziona con la giunzione BE polarizzata direttamente e la
giunzione BC polarizzata inversamente il diodo IS' risulta
interdetto e la sua corrente trascurabile.:

VVBE

T
I E = I SE e 1

(18, 19 a)

VVBE

T
I C = I S e 1

Ricavando il termine esponenziale


sostituendo nella seconda:

VVBE

T
I E = I SE e 1

I
IC = S I E = F I E
I SE
Elettronica I

dalla

prima

equazione

(18, 19 b)

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40

E stata introdotta la nuova costante F = I S / I SE , detta guadagno


di corrente a base comune.
In queste condizioni le equazioni possono essere rappresentate dal
seguente circuito equivalente, usualmente preferito al circuito
completo, nella descrizione del transistore bipolare in Zona Attiva
per la sua semplicit.

Per ulteriore elaborazione, nell'espressione (18), viene sostituito


V BC

il termine (e V T - 1) con la sua espressione ricavata dalla (19); lo


stesso
procedimento
viene
ripetuto
sulla
seconda
equazione
giungendo alle espressioni:
2 VBE
IE = ISC ISE - IS (e VT - 1) + IS IC
ISC
ISC
2 VBC
IC = - ISC ISE - IS ( e VT - 1) + IS IE
ISE
ISE

(21)

Possono venire definite le seguenti ulteriori costanti ( F coincide


con la costante precedentemente definita):

D nnp0B
D nnp0B
W
W
F = I S =
; R = I S =
ISE
D nnp0B D ppn0E
ISC
D nnp0B D ppn0C
+
+
W
Lp
W
Lp

(22)

che prendono nome di guadagni di corrente a base comune


rispettivamente diretto e inverso (la base l'elettrodo comune
nella rete due porte costituita dal transistore); infine definiamo
2
2
IC0 = ISC ISE - IS ; IE0 = ISC ISE - IS
ISE
ISC

(23)

Le equazioni cosi ottenute possono essere facilmente descritte da


un circuito equivalente, in quanto sia IE che IC risultano dalla
somma di due termini, e quindi rappresentabili circuitalmente da un
nodo con IE (o Ic)entrante e le correnti di due rami uscenti. Va
imposto inoltre che la somma algebrica delle correnti ai tre
morsetti del transistore sia nulla, nel morsetto di base devono
congiungersi i rami che formano IE e IC.

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41

I termini esponenziali possono essere descritti circuitalmente come


diodi, mentre il termine proporzionale all'altra corrente del
morsetto opposto (NIE al morsetto di collettore e RIC al morsetto
di emettitore) deve essere descritto come un generatore di corrente
controllato. Il circuito equivalente cos ottenuto viene detto di
Ebers-Moll.

IE

E0

C0

IC

R I
C

IB

N IE

Questo circuito generale deve essere richiamato per spiegare il


comportamento del transistore bipolare fuori della zona attiva, in
particolare per giustificare la saturazione.
Il circuito semplificata, ad esempio, giustifica il comportamento
della porta Base-Emettitore, di tipo esponenziale, come pure il
comportamento della porta di Case-Collettore di generatore di
corrente, secondo quanto riportato nella figura seguente.
IC

IE

VCB

VBE

Il modello completo spiega la diminuzione della corrente di


collettore, quando la tensione VCB diventa negativa (ovvero VBC
positiva e superiore alla soglia), con il transistore che si porta
in zona di saturazione. Infatti il diodo IC0 diviene polarizzato
direttamente e fornisce corrente verso il nodo di collettore,
corrente che si va a sottrarre al termine FIE.
Si noti infine che varianti del circuito di Ebers-Moll, soltanto
formalmente
diverse,
sono
possibili.
In
particolare
nella
V BC

semplificazione dei termine esponenziale (e V T - 1) dell'equazione


(18), pu essere effettuata esprimendo il termine in funzione della
corrente nel diodo BC di equazione (19). Questo procedimento porta
come risultato al circuito presentato nel cap. 14 del Sedra-Smith.
Quel circuito equivalente a quello qui riportato.

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42

Riportiamo qui, per confronto con caso del diodo bipolare, il


diagramma a bande della struttura n-p-n del transistore bipolare,
in due condizioni: a circuito aperto e in polarizzazione di zona
attiva.

-qVBE

-qVBC

Si deve notare labbassamento della barriera emettitore-base, e


linnalzamento
della
barriera
colletore-base,
dovuto
rispettivamente alla polarizzazione diretta e inversa delle due
giunzioni.

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43

@ COMMENTI SULLA DESCRIZIONE DEL TRANSISTORE MOS


Il presente paragrafo integra soltanto parzialmente la descrizione
del transistore MOS presentata dal libro di testo a cui perci si
fa diretto riferimento. Due punti in particolare meritano di essere
approfonditi: l'esistenza di un valore di soglia per la creazione
del canale e la distribuzione di potenziale nel canale.
@ VALORE DI SOGLIA PER LA CREAZIONE DEL CANALE
Seguendo
la
trattazione
della
capacit
metallo-ossidosemiconduttore, MOS, la presenza di valore di soglia per la
creazione del canale, Vt, sembra ingiustificata. Infatti l'accumulo
di carica sul piatto di un condensatore lineare con la tensione
applicata, cosi dovrebbe essere la carica accumulata sulla faccia
del semiconduttore una volta applicata la tensione sul gate. Perch
la conducibilit di canale dipende esponenzialmente dalla tensione
cos da dare luogo alla presenza di una soglia?
La risposta pu essere trovata nel fatto che un semiconduttore
ospita diversi tipi di cariche. Facendo riferimento a un substrato
di tipo p, all'equilibrio, si trovano cariche libere positive nelle
lacune e cariche negative negli ioni fissi. Applicando una tensione
al gate in effetti si accumula sulla superficie una carica
proporzionale alla tensione, ma questa carica costituita da ioni
fissi. In realt le lacune libere vengono respinte lasciando sulla
superficie del materiale una carica negativa non compensata. Gli
ioni fissi naturalmente non possono dare luogo a conduzione, per
cui la conducibilit del canale trascurabile anche per una carica
apprezzabile accumulata.
A questo punto bisogna notare che a differenza di un metallo la
carica accumulabile sulla superficie di un semiconduttore
limitata, infatti la densit di ioni fissi quella stabilita dal
drogaggio del substrato. Per ottenere una carica superficiale
quindi necessario allontanare lacune non soltanto da uno strato
infinitesimo, bens da uno strato finito (nella pratica circa 1m).
La presenza di una carica e di un campo elettrico in una porzione
finita di materiale da luogo all'insorgere di una differenza di
potenziale.
Si
ricordi
che
il
potenziale

proporzionale
all'integrale del campo elettrico (col segno meno). In altre parole
tra la superficie e l'interno del semiconduttore nasce una
differenza di potenziale. Con i segni della carica e del campo si
ottiene una differenza di potenziale positiva tra superficie e
bulk, usualmente definita come s. La presenza di questa differenza
di potenziale il punto cruciale nella creazione del canale.

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44

Metallo

ossido

semiconduttore

a)
+Q
-Q
x

b)
x

c)

d)
V

S
x

Studiamo ora in dettaglio perch si genera una differenza


potenziale tra superficie del semiconduttore e il suo interno.

di

Applicando
una
differenza
di
potenziale
tra
Metallo
e
semiconduttore, si accumula una carica ai due estremi dellossido,
in pratica formando una capacit.
Come mostrato nella figura precedente, sul metallo la densit di
carica pu essere molto alta, e pu quindi essere descritta da una
. Nellossido non c carica, essendo un isolante.
Nel semiconduttore la carica che si pu accumulare invece
limitata:
si
possono
infatti
allontanare
le
lacune
dalla

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F. Palma

45

superficie, lasciando cariche fisse, con densit pari a quella


degli accettori del drogante.
La carica accumulata sul metallo pari, in valore assoluto, alla
carica accumulata svuotando il semiconduttore. Questo determina la
larghezza della zona di svuotamento.
Il campo elettrico
La carica accumulata
elettrico (grafico
elettrico diminuisce
causa della presenza

proporzionale allintegrale della carica.


sulla superficie del metallo produce un campo
b), costante, nel dielettrico. Il campo
linearmente allinterno del semiconduttore, a
di una densit di carica costante.

Il potenziale pari a meno lintegrale del campo elettrico.


Ricordiamo che il potenziale definito a meno di una costante di
integrazione. Il grafico c) assume zero il potenziale del metallo.
Il potenziale diminuisce linearmente nellossido, a causa del campo
elettrico costante, diminuisce parabolicamente nel semiconduttore,
a causa del campo elettrico linearmente decrescete.
La differenza di potenziale totale, V, quella applicata alla
struttura, tra metallo e semiconduttore.
Il grafico d) riproduce lo stesso andamento,
poenziale
allinterno
del
semiconduttore.
potenziale
totale

sempre
la
stessa,
rappresentazione si nota per che sorta
potenziale tra il corpo del semiconduttore e la
L'energia
reticolo:

potenziale

si

somma

all'energia

ma assume nullo il
La
differenza
di
V.
In
questa
una differenza di
sua superficie, s.

degli

elettroni

nel

U=-q
Il piegamento delle bande direttamente s se l'nergia misurata
in eV. Questo fa si che presso la superficie, ove il potenziale
maggiore, gli elettroni presentino una energia minore rispetto al
bulk a parit di stato elettronico occupato. In altre parole le
bande si abbassano man mano che ci si avvicina alla superficie
secondo lo schema di figura.

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46

Metallo

Ossido

Semiconduttore

Ec

Zona di accumulazione

Ef
Ev

A questo fenomeno va aggiunta un'altra fondamentale osservazione.


Il gas di elettroni in equilibrio all'interno del semiconduttore.
Nonostante la presenza di una differenza di potenziale non
presente alcuna corrente, bloccata dalla presenza dell'ossido.
Questo significa che non ci sono in atto trasferimenti di energia
tra gli elettroni nelle varie porzioni del materiale o, con forma
pi esatta, che il livello di Fermi nel semiconduttore costante.
Interpretato in questo modo il piegamento delle bande sulla
superficie del semiconduttore corrisponde a un allontanamento del
livello di Fermi dalla banda di valenza, ed a una diminuzione del
numero di lacune (si ricordi che ogni grandezza calcolata in
equilibrio). Questa diminuzione descrive quantitativamente ci che
a braccio suonava come "lacune libere vengono respinte lasciando
sulla superficie del materiale una carica negativa non compensata".
Ma questo approccio ci dice molto di pi: infatti aumentando il
potenziale superficiale, e piegando ulteriormente le bande (curve
pi spesse) il livello di Fermi si avvicina alla banda di
conduzione. Questo implica un aumento della probabilit di trovare
elettroni e, in condizioni stazionarie, un aumento proporzionale
del numero di elettroni liberi in banda di conduzione.
La dipendenza della densit di elettroni dalla posizione del
livello di Fermi sappiamo esponenziale.

n = NCe

EC E F
KT

EF EV
KT

p = NV e

Il
numero
di
elettroni
sulla
superficie
dipende
quindi
esponenzialmente
dal
potenziale
superficiale
e
quindi
dal
potenziale di gate.
Esiste quindi un secondo tipo di carica che pu essere accumulato
sulla superficie: elettroni liberi. Questo accumulo diventa
rilevate
soltanto
quando
una
sufficiente
deflessione
della
superficie ha avuto luogo.
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47

Elettronica I

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48

CORRENTE DI DRAIN NELLA REGIONE DI TRIODO

Una volta che la tensione tra gate e substrato ha superato la


soglia VT, la carica accumulata nel semiconduttore, praticamente,
si accumula soltanto allinterfaccia tra semiconduttore e ossido.
Questo dovuto alla dipendenza esponenziale della densit di
elettroni alla superficie, per cui anche aumenti infinitesimi di
possono produrre rilevanti cambiamenti di carica accumulata.
Il Campo elettrico cresce soltanto nella zona di ossido.
Allinterno del semiconduttore campo elettrico e distribuzione di
potenziale rimangono (praticamente) inalterate.

Metallo

ossido

semiconduttore

+Q+Q

a)

-Q
-Q

b)
x

d)
V

S
x

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49

La carica dovuta ad elettroni in eccesso sulla superficie


proporzionale al potenziale esistente tra gate e semiconduttore, in
eccesso rispetto alla tensione di soglia.
Q = C OX [VGS V ( y ) VT ]

(24)

La carica accumulata sulla superficie forma un canale di portatori


liberi, elettroni nel caso esaminato, tra le sacche di Drain e
Source.

Se tra Drain e Source viene applicata una differenza di potenziale,


VDS, attraverso il canale scorre una corrente. La corrente
proporzionale alla carica di elettroni liberi accumulati sul
canale. Infatti tutti questi elettroni se sottoposti ad un campo
elettrico E, si spostano proporzionalmente alla mobilit e al campo
stesso. Moltiplicando per W, il prodotto WQ deve considerarsi una
densit di carica nella direzione y. La densit di carica,
moltiplicata per la velocit fornisce la corrente (carica che
attraversa una sezione del canale).
Il potenziale scelto positivo al drain. Questa scelta consiglia
di invertire per questo caso il verso nominale della corrente che
scorre nel canale dal drain verso il source. Mantenendo invece il
verso nominale del campo elettrico ne deriva un segno meno
nellespressione:
I D = -WQ n E

La carica di portatori liberi, a sua volta, proporzionale alla


differenza di potenziale esistente tra gate e semiconduttore, in
eccesso rispetto alla tensione di soglia: (VGS-V(y)-VT). Tale
differenza di potenziale varia lungo il canale in quanto lungo il
canale scorre una corrente e quindi produce differenza di
potenziale. In generale la carica accumulata in superficie non
costante se si applica una polarizzazione VDS. Nellespressione il
verso positivo della corrente assunto dal drain verso il source.
La corrente quindi vale:

I D = WCOX [VGS V ( y ) VT ] n E

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(25)

50

Y la distanza lungo il canale. Notiamo a questo punto che il


campo elettrico nella direzione y, preso positivo nella direzione
delle y positive, pari al meno il gradiente del potenziale per
cui
I D = WC OX [VGS V ( y ) VT ] n

dV
dy

(26)

ossia
I D dy = WC OX [VGS V ( y ) VT ] n dV ( y )

(27)

Questa espressione pu essere integrata lungo il canale, quindi per


dy, e integrare il termine a sinistra per dV(y):
VDS

I
0

dy = nWC OX

[V

GS

V ( y ) VT ]dV ( y )

(28)

Espressione 28 pu essere facilmente integrata tenendo conto che ID


deve essere costante, ottenendo lequazione della corrente del MOS
in zona di triodo
2

V DS
I D L = nWC OX (VGS VT )V DS

(29)

Espressione (29) rappresenta una parabola, con il massimo che si


ottiene per
V DS = (VGS VT )

(30)

Questa situazione corrisponde al strozzare (non formare) il canale


presso il drain.Per valori ulteriori di VDS il transistore passa in
zona di saturazione.

DISTRIBUZIONE DEL POTENZIALE NEL CANALE IN ZONA DI SATURAZIONE

Una volta creato il canale, esiste un percorso di comunicazione tra


drain e scurce attraverso cui pu scorrere corrente. A bassi valori
di tensione VDS il canale semplicemente resistivo, cio presenta
una caduta di potenziale linearmente crescente lungo il canale. La
presenza di una differenza di potenziale crescente riduce
localmente (per ogni x) la differenza di potenziale tra metallo e
semiconduttore e quindi la deflessione superficiale, riducendo
conseguentemente l'entit della carica accumulata. Un effetto
collaterale di questa riduzione che, localmente, la resistenza
del canale aumenta, la legge di crescita del potenziale non
quindi pi semplicemente lineare, ci dar luogo alla dipendenza
parabolica delle caratteristiche ID/VDS.
Per valori alti della tensione VDS si pu arrivare alla situazione
limite
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51

VMS(x) < VT

(31)

Ossia localmente il canale scompare perch non si supera


tensione di soglia. Naturalmente questo si verifica quando
tensione di drain vale almeno

VDS - VG S > VT

la
la
(32)

Ossia in zona di saturazione. interessante chiedersi come si


distribuisce il potenziale una volta giunti alla saturazione con lo
strozzamento del canale. Si noti che in queste condizioni esiste
una zona svuotata alla fine del canale. In tale zona, pur essendo
molto basso il numero di elettroni disponibili, ancora possibile
la conduzione. In particolare sappiamo che in zona di saturazione
la corrente rimane costante. Per spiegare questo fenomeno
ricordiamo che nelle zone svuotate esiste un forte campo elettrico,
ed un equilibrio tra diffusione e trasporto di portatori. In
sostanza nelle zone svuotate viene mantenuto l'equilibrio dei
portatori ai bordi. Ogni tentativo di alterare tale equilibrio da
luogo a alla corrente necessaria a compensare l'alterazione
esterna. Si faccia riferimento alla zona svuotata del diodo per
ritrovare una situazione simile. In pratica la zona svuotata del
transistore MOS viene attraversata da tutti quei portatori che
giungono in eccesso al bordo del canale. Il numero di questi
portatori dato dalla corrente di canale e cio dal rapporto tra
la differenza di potenziale ai suoi capi e la sua resistenza.
Per quanto detto prima la differenza di potenziale sul canale
costante, in quanto il canale termina sempre in corrispondenza a
una ben definita differenza di potenziale con il metallo:
VMS(x) = VT. Quindi

VCan = VG S - VT

(33)

qualunque sia la tensione VDS, naturalmente una volta entrati in


zona di saturazione. Con caduta di potenziale costante e resistenza
di canale fissa la corrente costante.
Si noti che in condizioni di saturazione, il resto della differenza
di potenziale, VDS - VCan, cade interamente nella zona svuotata
secondo lo schema di figura. Questa osservazione ancora una volta
congruente con la zona svuotata del diodo che sostiene sempre
l'intera caduta di potenziale.
La corrente di drain rimane quindi costante, e pari al valore
massimo raggiunto nella zona di triodo:
IDL =

1
nWC OX (VGS VT )2
2

(34)

Come per il diodo la zona di svuotamento deve leggermente variare


le sue dimensioni per sostenere diverse cadute di potenziale.
Questo corrisponde a un lieve cambiamento delle dimensioni del
canale e quindi della sua resistenza. Per questa ragione al
crescere della tensione VDS aumenta leggermente la corrente di
drain dando luogo al fenomeno della modulazione di canale.

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Vgs

S
metallo
ossido
x

Vt

VCan
Vds
V(x)

caduta sul
canale
costante
Vgs - Vt

Modulazione di canale

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Limite della zona


di saturazione
Vgs-Vds=Vt
x
D

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Errata corrige rispetto alla versione 3.3.2

Pag. 39-40: modificate in 39-43.


Pag. 51-52, modificato segno eq. 25, nuova giustificazione segno
eq. 26. Aggiunta figura canale nella struttura MOS.

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