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0 Introduzione
Negli ultimi 30 anni l’utilizzo di dispositivi al silicio come rivelatori di
traccia è andato sempre più espandendosi. Ciò è stato reso possibile soprattutto
dagli sviluppi della tecnologia planare che ha permesso di costruire strutture a
semiconduttore con una geometria definita al micron. Sono stati sviluppati
rivelatori con un’elevata risoluzione spaziale, rivelatisi ottimi come rivelatori di
vertice in esperimenti di fisica delle alte energie.
Le prestazioni di tali rivelatori potrebbero risultare insufficienti per un
eventuale aumento della luminosità di LHC [Ref. 1]. Si sta quindi provvedendo
allo sviluppo di una nuova famiglia di rivelatori al silicio, i rivelatori ad
architettura tridimensionale, o 3D, che garantiscano una maggiore resistenza ai
danni da radiazione, ed una più efficiente raccolta di carica per determinare più
accuratamente la posizione della particella ionizzante.
Lo sviluppo di questa nuova tecnologia presenta però degli inconvenienti
tecnici dovuti alle difficoltà di realizzazione di questi dispositivi vista la fragilità
del cristallo. Per questo, prima di arrivare ad una definitiva architettura
tridimensionale, lo sviluppo sta procedendo mediante prototipi ad architettura
semitridimensionale.
In questo lavoro di tesi saranno misurate le caratteristiche elettriche di due
diversi tipi di rivelatore ad architettura semitridimensionale, il 3D-STC e il 3D-
DTC. Il 3D-STC rappresenta lo stadio base della tecnologia, in quanto solo gli
elettrodi della giunzione penetrano il bulk, il 3D-DTC è invece ad un punto dello
sviluppo più avanzato visto che sia dal lato giunzione, sia dal lato ohmico presenta
delle colonne penetranti. Le misure svolte si dividono in misure di corrente e
misure di capacità ed hanno l’obiettivo di determinare: la tensione di svuotamento
totale, la tensione di svuotamento tra le colonne, la tensione di punch-through, la
corrente di fondo, la capacità di svuotamento totale dei dispositivi.
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Capitolo 1
Rivelatori al silicio

I rivelatori a stato solido sono basati su materiali semiconduttori cristallini.


Sebbene i primi lavori in materia risalgano al 1930, è nella decade tra il 1950 e il
1960 che inizia lo sviluppo e la commercializzazione di dispositivi basati su
questa nuova tecnologia.
Grazie alla loro alta risoluzione per la misura di energia, i rivelatori a stato
solido furono subito adottati nell'ambito delle ricerche di fisica nucleare, in
particolare per la rivelazione di particelle cariche e la spettroscopia dei raggi
gamma. Negli ultimi venti anni i rivelatori al Silicio si sono messi in mostra come
rivelatori di tracce ad alta definizione in fisica delle alte energie grazie alla loro
accurata precisione nella misura di impulso e posizione, che li rende degli
eccellenti rivelatori di vertice.
Il principio di funzionamento dei rivelatori al silicio è analogo a quello dei
rivelatori a gas; i rivelatori a stato solido non sono altro che delle giunzioni p-n
polarizzate inversamente. Il passaggio della radiazione ionizzante crea delle
coppie elettrone-lacuna nei primi e delle coppie elettrone-ione nei secondi. In un
rivelatore al silicio, applicando un campo elettrico ai capi del dispositivo, si
ottiene come risultato che gli elettroni vengono attirati verso l'anodo, mentre le
lacune verso il catodo, il movimento di elettroni e lacune induce un segnale sugli
elettrodi di raccolta.
I punti di forza dei rivelatori al silicio sono i seguenti: l'energia media
richiesta per la creazione di una coppia elettrone-lacuna è 10 volte inferiore di
quella richiesta per la ionizzazione del gas nell'analogo dispositivo, aumentando
quindi di un ordine di grandezza la risoluzione nella misura di energia; la
possibilità di realizzare dispositivi più compatti permette di avere tempi di
risposta molto rapidi.
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Tali rivelatori si mostrano però carenti in altri aspetti, ad esempio


presentano un alto stopping power (ovvero frenano molto le particelle rispetto alle
camere a ionizzazione a gas), inoltre la loro struttura cristallina li rende sensibili a
danni dovuti all'esposizione più o meno lunga alla radiazione che ne limita il loro
utilizzo prolungato. Talvolta può essere necessario raffreddare i dispositivi per
limitare gli effetti dovuti al danneggiamento da radiazione.

1.1 Proprietà basilari dei semiconduttori

Si intende fornire di seguito una rapida panoramica delle caratteristiche


basilari di un semiconduttore e le proprietà che ne permettono l'impiego nella
fisica dei rivelatori; verranno analizzate prima le proprietà di un semiconduttore
puro, o intrinseco, e poi quelle di un semiconduttore drogato, o estrinseco,
spiegandone i differenti comportamenti.

1.1.1 Struttura a bande.


La struttura elettronica a bande, o più brevemente struttura a bande, di un
solido spiega lo spettro di energie che ad un elettrone è "consentito" o "proibito"
possedere in un solido; questo modello determina le caratteristiche fisiche,
descrivendo buona parte delle proprietà elettroniche, di un materiale.[Ref. 2]
In un solido gli elettroni possono trovarsi in intervalli continui di energie
consentite perché, a causa del principio di esclusione di Pauli, che impedisce a
due elettroni di occupare lo stesso stato, vi è un fenomeno di splitting per i livelli
energetici degeneri. Questo fenomeno, visto l'elevato numero di elettroni, dà
luogo ad una serie di livelli molto fitti, rappresentabili come bande di energie
consentite. L'intervallo di energie fra il valore massimo e il valore minimo
raggiunto in una banda si chiama ampiezza di banda (band width).
Due bande consecutive possono sovrapporsi esattamente (in tal caso si
dicono degeneri), oppure possono avere i loro intervalli di energia parzialmente
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sovrapposti, ed infine possono avere intervalli di energia separati. In questo caso


fra le due bande si crea un intervallo di energie dove non esistono livelli
elettronici consentiti per un elettrone; si parla quindi di banda proibita (band gap).
Gli elettroni si distribuiscono nelle varie bande rispettando la distribuzione
di Fermi-Dirac.
Possono verificarsi diverse configurazioni:
 Vi è una banda, o più di una fra le ultime riempite
da elettroni, che è parzialmente riempita e restano
degli stati che restano vuoti. E' questo il caso dei
metalli. Quando la banda parzialmente riempita da
elettroni è frutto della sovrapposizione tra una
banda completamente riempita ed una che non lo
è riempita si parla di semimetalli.
 L'ultima banda occupata da elettroni è stata
riempita completamente, fra questa banda e la
banda successiva c'è una banda proibita (band
gap) di energie. In tal caso il solido è un isolante.
 Si parla infine di semiconduttore nel caso di un
isolante in cui la banda proibita è talmente piccola
che a temperatura ambiente c'è una certa
probabilità che gli elettroni possano saltare la
banda proibita per agitazione termica.

In un isolante e un semiconduttore, l'ultima banda riempita di elettroni si


definisce banda di valenza, la prima banda lasciata vuota si definisce invece banda
di conduzione. Riportiamo in figura 1.1 la struttura a bande dei tre tipi di materiali
sopra descritti:
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Fig 1.1: Struttura a bande di metallo (in questo caso semimetallo),


semiconduttore e isolante

Per i semiconduttori i valori caratteristici del band gap sono di 1.12 eV per
il Silicio e di 0.67 eV per il Germanio, ed è questo a rendere particolarmente
conveniente l'utilizzo dei semiconduttori come rivelatori.

1.1.2 Trasporto di carica nei semiconduttori.


A 0 K, nello stato di energia più basso del semiconduttore, gli elettroni
partecipano tutti al legame covalente tra gli atomi del reticolo cristallino, come si
può vedere nella figura 1.2 a sinistra.

Fig 1.2: Legami covalenti nel Silicio: a sinistra la situazione a 0K,


dove tutti gli elettroni (indicati in blu), partecipano al legame. A destra
la situazione a temperatura diversa da 0K, dove alcuni legami sono
rotti dall'energia termica lasciando una lacuna in banda di valenza.
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Sia il silicio che il germanio hanno quattro elettroni di valenza, formando


così quattro legami covalenti per atomo; a temperatura ambiente a causa
dell'energia termica un elettrone di valenza può passare in banda di conduzione,
lasciando una lacuna nella posizione originaria. In questo caso, è facile, per un
vicino elettrone di valenza, abbandonare il suo stato di legame per andare in
quello lasciato libero dall'elettrone passato in banda di conduzione. Se il processo
si ripete di volta in volta per gli elettroni vicini alla lacuna, si può intendere il
fenomeno come il movimento della lacuna, che può essere considerata come una
carica positiva, all'interno del cristallo.
In un semiconduttore, dunque, la corrente elettrica è dovuta sia al
movimento degli elettroni liberi nella banda di conduzione sia al movimento delle
lacune nella banda di valenza.
Coppie elettrone lacuna sono costantemente generate dall'agitazione
termica, ma allo stesso tempo ci sono anche un certo numero di elettroni e lacune
che si ricombinano, ovvero un elettrone della banda di conduzione ritorna in
banda di valenza colmando il vuoto precedentemente lasciato. In condizioni
stabili, si ha una concentrazione di equilibrio di coppie elettrone-lacuna, detta ni ,
data da:

ni = N C N V exp  
−E g
2kT  
=AT 3/ 2 exp
−E g
2kT
, (1.1)

dove NC è il numero di stati nella banda di conduzione, NV è il numero di stati


nella banda di valenza, Eg è l'energy gap a 0K, k è la costante di Boltzmann e T è
la temperatura. NC ed NV possono essere calcolati dalla statistica di Fermi-Dirac
e si mostra che entrambi variano come T3/2. Rendendo esplicita questa dipendenza
si arriva al risultato della formula precedente.
Il valore tipico di ni a 300 K per il Silicio è 1.5 * 10 10cm-3, considerando il
fatto che la densità è dell'ordine di 1022 atomi/cm3 capiamo che solo 1 atomo su
1012 è ionizzato.
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1.1.3 Semiconduttori drogati.


Nelle strutture cristalline dei semiconduttori puri, il numero di lacune in
banda di valenza è uguale al numero di elettroni in banda di conduzione. Questo
equilibrio può essere spezzato introducendo una piccola quantità di atomi aventi o
un elettrone di valenza in più o in meno nella loro shell più esterna; questi atomi
prendono il nome di impurità. Tali impurità, una volta integrate all'interno del
reticolo cristallino rendono il semiconduttore drogato o estrinseco.
Per il silicio, che è un materiale tetravalente, le impurità saranno atomi
trivalenti o pentavalenti.
Se la sostanza drogante è pentavalente, la situazione è quella mostrata
nella figura (1.3) a sinistra (dove abbiamo supposto che la sostanza drogante sia
Fosforo), ovvero viene liberato un elettrone, utile per la conduzione. Nel caso il
drogante sia trivalente viene generata una nuova lacuna. E' interessante notare
come alla produzione di un elettrone (per droganti pentavalenti) e di lacune
(trivalenti), non corrisponda la produzione di una carica complementare.

Fig. 1.3: A sinistra la configurazione assunta dal Silicio drogato con un


atomo pentavalente, in questo caso Fosforo; a destra un drogaggio con
sostanza trivalente, il Boro.

In termini di struttura a bande questo vuol dire che, per impurità


pentavalenti, si creano alcuni livelli discreti a ridosso della banda di conduzione,
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distanti solo 0.05 eV, a temperatura ambiente; l'elettrone in aggiunta può essere
facilmente eccitato e passare in banda di conduzione diventando quindi libero di
muoversi all'interno del cristallo. In questo tipo di materiali, detti drogati “n”, la
corrente è dovuta principalmente al movimento degli elettroni, che prendono il
nome di portatori maggioritari, mentre le lacune prendono il nome di portatori
minoritari.
La situazione si ribalta nel caso di drogante trivalente, che genera un
eccesso di lacune in banda di valenza, e produce dei livelli discreti a ridosso della
stessa banda di valenza. In questo caso il materiale si dice drogato “p”, la corrente
è dovuta principalmente al movimento delle lacune che diventano quindi portatori
maggioritari, mentre gli elettroni diventano portatori minoritari.
In generale, i materiali che causano con la loro presenza un eccesso di
lacune in banda di valenza sono detti “accettori”, quelli che creano un eccesso di
elettroni in banda di conduzione sono detti “donori”.
Per il Silicio sono dei buoni donori materiali come fosforo, antimonio,
arsenico, mentre gallio, boro ed indio sono buoni accettori.
La frazione di sostanza drogante nel semiconduttore è in genere davvero
minima, drogaggi tipici sono dell'ordine di 1013 atomi/cm3 contro una
concentrazione di silicio di 1022 atomi/cm3; nel caso in cui si voglia incrementare
di molto la conduttività elettrica del semiconduttore ci si spinge fino a drogaggi di
1020 atomi/cm3, ovvero un atomo “drogante” ogni cento atomi di silicio. In questa
configurazione si dice che il silicio è drogato p+ o n+ a seconda del tipo di
drogaggio.
La concentrazione di elettroni e lacune nei semiconduttori drogati
obbedisce ad una semplice legge, detta n la concentrazione di elettroni e p la
concentrazione di lacune, il loro prodotto è:

np=ni2 =AT 3 e 
−E g /kT 
(1.2)

dove n i è la concentrazione di portatori intrinseci data da (1.1).


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Visto che il semiconduttore è neutro, la densità di carica negativa e quella


positiva devono essere uguali, perciò:

ND +p = NA + n, (1.3)

dove ND è la concentrazione di donori, NA è la concentrazione di accettori.


In un materiale di tipo n, dove NA = 0 e n >> p, la densità di elettroni sarà
quindi: n ~ ND, se ne deduce per quanto detto sino ad ora che:

p ~ n i2/ND; (1.4)

Risultati analoghi sono ottenuti per un semiconduttore di tipo p, invertendo


il comportamento di lacune ed elettroni.

1.1.4 Mobilità.
Applicando un campo esterno al silicio, gli elettroni in banda di
conduzione e le lacune in banda di valenza acquistano una velocità all'interno del
cristallo, che può essere espressa dalle seguenti relazioni:

e e, (1.5)

l l,

dove E è il campo elettrico in modulo, e è la mobilità degli elettroni, l


quella delle lacune. Per il silicio a temperatura ambiente, l e e sono costanti per
E <103 V/cm, e questo rende lineare la relazione tra la velocità ed il campo. [Ref.
2]
Per campi E compresi tra 103 e 104 V/cm, varia come E-1/2, mentre per
campi superiori a 104 V/cm varia come 1/E. A questo punto la velocità satura
raggiungendo un valore limite di circa 107 cm/s; questa saturazione si spiega con il
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fatto che una frazione dell'energia acquisita da elettroni e lacune viene persa nelle
collisioni con il reticolo.

1.1.5 Ricombinazione e trappole.


Un elettrone può ricombinarsi con una lacuna, abbandonando la banda di
conduzione per un livello libero della banda di valenza, con l'emissione di un
fotone. Tale processo è detto ricombinazione ed è il processo inverso alla
generazione di una coppia elettrone-lacuna.[Ref. 3]
Tale fenomeno non è molto frequente, con una previsione di un tempo di
vita medio per la coppia elettrone-lacune di circa 1s se questo fosse il solo
fenomeno presente. Le misure sperimentali indicano invece un tempo di vita
medio per la coppia che varia in un intervallo temporale che va dal nanosecondo a
qualche centinaio di microsecondi evidenziando che altri fenomeni concorrono
alla vita media della coppia. Il fenomeno più importante avviene tramite i centri
di ricombinazione, dovuti alle impurità nel cristallo.
In figura 1.4 sono mostrate la ricombinazione diretta e la ricombinazione
mediante il centro di ricombinazione.

Fig. 1.4: Emissione di un fotone dovuta a ricombinazione diretta e


comportamento in presenza di un centro di ricombinazione.

Questi centri modificano la struttura a bande descritta precedentemente


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con l'aggiunta di livelli addizionali nel cuore della banda proibita, tali stati
possono catturare un elettrone dalla banda di conduzione e successivamente
mostrare uno dei due seguenti comportamenti:

 dopo un certo tempo l'elettrone viene restituito alla banda di


conduzione
 nel frattempo che l'elettrone è nel centro di ricombinazione
può essere catturata una lacuna effettuando una
ricombinazione della coppia.

Per i rivelatori, l'esistenza dei centri di ricombinazione dovuti ad impurità


gioca un ruolo fondamentale visto che questi riducono il tempo medio t in cui un
portatore di carica rimane libero. Il tempo t deve essere più lungo del tempo
necessario per la raccolta delle cariche stesse sugli elettrodi, altrimenti si avrebbe
una riduzione nella risoluzione del dispositivo.
Un altro effetto causato dalle impurità è rappresentato dalla presenza di
trappole. Alcune impurità possono catturare solo un tipo di portatore (o elettroni o
lacune), ma non entrambi. Tali trappole, quindi, non sono altro che centri che
possono intrappolare il portatore di carica per un certo periodo di tempo
caratteristico e poi restituirlo alla banda di provenienza.
Se il tempo caratteristico di permanenza nella trappola è dell'ordine di
grandezza del tempo di raccolta di carica alcune cariche saranno perse e la
raccolta risulterà incompleta; se invece il tempo caratteristico delle trappole è
molto più piccolo rispetto ai tempi di raccolta, l'effetto delle trappole è secondario
o addirittura trascurabile.
I centri di ricombinazione e le trappole non sono solo dovuti alla presenza
di impurità nel semiconduttore, ma anche ai difetti strutturali nel reticolo
cristallino; questi difetti strutturali possono sorgere durante il processo di
produzione del cristallo, o per shock termici, deformazioni, stress e
bombardamento da radiazione; quest'ultimo punto è molto importante per i
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rivelatori.
La presenza di centri di ricombinazione e di trappole modifica il
comportamento capacitivo a seconda delle frequenze a cui è soggetto il rivelatore,
come vedremo dall'analisi effettuata nel capitolo 3.

1.2 La giunzione p-n.

Alla base di tutti i rivelatori a semiconduttore c'è la possibilità di ottenere


tramite diversi livelli di drogaggio dei dispositivi detti giunzione o p-n, meglio
noti in elettronica come diodi. La formazione di una giunzione p-n crea una
speciale zona tra le due parti del dispositivo differentemente drogate come
mostrato in figura (1.5). [Ref. 3]

Fig. 1.5: Schematizzazione della giunzione p-n, in evidenza la zona di


svuotamento. Sovrapposto allo schema il grafico che riporta la
concentrazione di portatori in scala logaritmica.

La regione in cui il potenziale è variabile prende il nome di zona di


svuotamento per il fatto di essere svuotata delle cariche mobili, infatti ogni
elettrone o lacuna che entri in questa zona viene respinta per effetto del campo
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elettrico.
Per via della differente concentrazione di elettroni e lacune tra i due
materiali c'è un'iniziale diffusione di buche verso la regione n e di elettroni verso
la regione p. Come conseguenza gli elettroni diffusi vanno ad occupare le lacune
nella regione p, mentre nella regione n la lacune diffuse catturano gli elettroni
liberi, causando una differenza di carica tra le due parti della giunzione
inizialmente entrambe neutre. La regione p, iniettata con elettroni, diventa
negativa, quella n, iniettata di lacune, diventa positiva e ciò crea un campo
elettrico all'interno del dispositivo che ferma il processo di diffusione lasciando
una regione di cariche immobili.
A causa del campo elettrico c'è una differenza di potenziale nella
giunzione, questo è noto come potenziale di contatto.
Questa caratteristica è particolarmente interessante per la rivelazione della
radiazione, la radiazione ionizzante, entrando in questa zona libererà una coppia
elettrone lacuna che sarà portata via dalla zona di svuotamento per effetto del
campo elettrico di contatto, ovvero il campo elettrico che si viene a creare sulla
giunzione tra i due pezzi di semiconduttore diversamente drogati. Piazzando dei
contatti elettrici alle estremità della giunzione si può misurare una corrente
proporzionale alla ionizzazione avvenuta nella zona di svuotamento, con un
comportamento analogo alle camere di ionizzazione.

1.2.1 Caratteristiche della regione di svuotamento.


La larghezza della zona di svuotamento è generalmente piccola e dipende
dalla concentrazione di accettori e donori. [Ref. 2]
Possiamo calcolarla risolvendo l'equazione di Poisson e conoscendo la
densità lineare di carica (x):

d 2 V −ρ  x 
= (1.6)
dx 2 ε
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doveè la constante dielettrica del semiconduttore.


La densità di carica può essere espressa come: (x)=eND per 0<x<xn e
(x)=-eNA per -xp<x<0, e dalla conservazione della carica totale abbiamo la
relazione NA xp = ND xn,, dove NA e ND sono rispettivamente la concentrazione di
accettori e la concentrazione di donori e xn e xp sono la larghezza della zona di
svuotamento rispettivamente nella parte drogata n della giunzione ed in quella
drogata p.
Sia V0 il potenziale di contatto, risolvendo l'equazione di Poisson possiamo
dunque arrivare ad un'espressione della larghezza della zona di svuotamento
intesa come

1/ 2


d=x n +x p =
2 εV 0  N A +N D 
eN A N D  (1.7)

Dalla 1.7 si può notare che se una delle due regioni presenta un drogaggio
molto più intenso dell’altra lo svuotamento si estenderà per la maggior parte nella
zona meno drogata.
A causa della sua configurazione elettrica mostrata in figura 1.5, la zona di
svuotamento ha anche una certa capacità che, come vedremo in seguito, influisce
sul rumore quando la giunzione è usata come rivelatore.
Per una geometria planare, la capacità è:

A
C=ε (1.8)
d

dove A è l'area trasversale della zona di svuotamento e d la sua larghezza.

1.2.2 Polarizzazione inversa della giunzione.


Affinché la giunzione p-n lavori come rivelatore nel migliore dei modi
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deve essere applicata una polarizzazione inversa alla stessa, ovvero, una tensione
negativa sul lato drogato p, o una tensione positiva sul lato drogato n. [Ref. 3]
Questa tensione avrà l'effetto di attrarre le buche nella regione p lontano
dalla giunzione e verso il contatto, stessa cosa per quanto riguarda la zona n.
L'effetto totale è di allargare la zona di svuotamento e quindi il volume
disponibile per la rivelazione della radiazione incidente. Più è alta la tensione
esterna più si allargherà la zona di svuotamento, che al massimo può coincidere
con le dimensioni della giunzione. Si deve però stare attenti al fatto che, ad un
certo punto, per tensioni elevate, la giunzione andrà in breakdown ed inizierà a
condurre.
La larghezza della zona di svuotamento potrà essere calcolata
semplicemente sostituendo alla tensione V0 la somma V0 + VB, dove VB è la
tensione inversa applicata alla giunzione:

1/2

d=x n +x p =
 2ε  V 0 +V B  N A +N D 
eN A N D  . (1.9)

In generale V0  VB, e può essere di solito trascurato nella precedente


relazione.
Per la differenza tra i valori della mobilità di lacune ed elettroni, a parità di
drogaggio, lo stesso voltaggio VB causerà una zona di svuotamento più larga nei
materiali drogati n, che in quelli drogati p.
Calcolando la larghezza di svuotamento per un silicio di tipo n, per una
polarizzazione inversa di 300 V, possiamo notare anche un aumento della zona di
svuotamento di circa un millimetro, un guadagno importante visto che tale
larghezza, per giunzioni non polarizzate, è dell'ordine del micron.

1.2.2.1 Il breakdown.
Una giunzione in polarizzazione inversa, sottoposta ad una tensione
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sufficientemente alta, va incontro ad un repentino aumento della corrente inversa,


detto breakdown.[Ref. 4]
Il breakdown può essere causato da due processi differenti: il “breakdown
Zener” ed il “breakdown a valanga”.
Il breakdown Zener avviene quando elettroni nella banda di valenza del
lato p della giunzione passano, per effetto tunnel, nella banda di conduzione del
lato n (o, equivalentemente, quando buche nella banda di conduzione del lato n
passano nella banda di valenza del lato p), attraversando tutta la regione di
svuotamento. La probabilità che ciò accada dipende dall'estensione della regione
di svuotamento e cioè, fissata la differenza di potenziale, dalla concentrazione di
impurità.
Il breakdown a valanga, avviene nei dispositivi caratterizzati da basso
drogaggio: se il campo elettrico all'interno della regione di svuotamento è
sufficientemente elevato, un elettrone può acquistare abbastanza energia da
estrarre, in una collisione, un elettrone di valenza. Si creano, dunque, due nuovi
portatori che, a loro volta, possono generare altri portatori. Il processo può così
determinare una “moltiplicazione a valanga”.
In un rivelatore ci sono, in realtà, parecchi fenomeni che influenzano il
breakdown, in particolare il suo insorgere dipende dall'intensità del campo
elettrico all'interno della regione di svuotamento.
La tensione di breakdown è un fattore limitante per l'operabilità di un
rivelatore di particelle, in quanto, in regime di breakdown, esso va incontro ad un
aumento della temperatura, ed in generale ad una rottura.
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1.3 Caratteristiche di rivelazione per i


semiconduttori.

Riportiamo in figura la configurazione base usata per utilizzare un diodo a


giunzione come un rivelatore. Affinché il dispositivo possa raccogliere la carica
prodotta dalla radiazione, due elettrodi devono essere disposti sui due lati della
giunzione.

Fig. 1.6: Configurazione standard per l'utilizzo di una giunzione come


un rivelatore. Si può notare la polarizzazione fornita sul contatto di
giunzione sul lato n+, e che il contatto ohmico p+ viene messo a massa.
Il segnale viene inoltre preso su un ramo in parallelo alla linea di
polarizzazione.

Un rivelatore a semiconduttore consiste, essenzialmente, in una giunzione


polarizzata inversamente: quando una particella che l'attraversa produce, per
ionizzazione, coppie elettrone-lacuna, queste si muovono nel campo elettrico
presente nella giunzione generando un segnale che rivela il passaggio della
particella. [Ref. 2]
Sui due lati della giunzione si deposita uno strato di metallo, tipicamente
alluminio, in modo da realizzare dei contatti sul rivelatore. La giunzione è dunque
formata da uno strato di alto drogaggio ed un substrato bassamente drogato, come
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mostrato per esempio per la giunzione n+/p, come in figura 1.6.


E’ opportuno non depositare il metallo direttamente sul semiconduttore, in
modo da non creare una giunzione rettificatrice; si vuole evitare che la regione di
svuotamento si estenda fino alla superficie del rivelatore ed è per questo motivo
che come contatti elettrici si utilizzano zone drogate pesantemente, n+ o p+, tra il
semiconduttore ed il contatto metallico. Nel caso in figura 1.6 si è usato p+. Il lato
in cui è presente l'impiantazione con alto drogaggio che forma la giunzione, nel
caso in figura 1.6 n+, è detto “lato giunzione”, l'altro lato è detto “lato ohmico”.
Generalmente per raccogliere il segnale di carica dal rivelatore è utilizzato
un preamplificatore, che, dato il basso livello del segnale, deve essere
caratterizzato da un rumore piuttosto basso.

1.3.1 Principio di funzionamento.


Una particella carica che attraversa un rivelatore al silicio interagisce
elettromagneticamente con il materiale perdendo energia e cedendola agli atomi di
silicio. Questi si ecciteranno liberando un elettrone, che passando dalla banda di
valenza a quella di conduzione, inizierà a circolare liberamente nel
semiconduttore; questo processo crea una coppia elettrone-lacuna a causa della
struttura a bande di cui abbiamo parlato nel paragrafo 1.1.
Una particella carica relativistica, diversa da un elettrone, rilascia energia
nel mezzo attraversato secondo l'equazione di Bethe-Bloch [Ref. 5]:

 [   ]
2
−dE 4π nz 2 e 2 2m e c 2 β 2
= ln −β 2 (1.10)
dx m e c2 β 2 4 πε 0 I 1−β 2

dove  è il rapporto tra la velocità della particella e la velocità della luce,


E è l'energia della particella, x è la distanza percorsa dalla particella nel mezzo, c è
la velocità della luce, ze è la carica della particella, e è la carica dell'elettrone, me è
la massa a riposo dell'elettrone, n è la densità di elettroni nel mezzo, I è il
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potenziale medio di eccitazione del mezzo.

Per un fissato materiale la curva di Bethe-Bloch presenta delle condizioni


per cui la perdita di energia della particella nel mezzo è minima; queste sono
indipendenti dalla natura della stessa particella. Le particelle in queste condizioni
vengono dette “particelle al minimo di ionizzazione” (o MIP), e sono importanti
per studiare la statistica dei portatori generati dal passaggio di una particella.

Per effetto del campo elettrico gli elettroni si muovono verso il lato
soggetto ad una tensione maggiore, le lacune verso il lato a tensione minore. Al
moto di deriva dovuto al campo elettrico si somma il moto di diffusione dovuto al
gradiente di concentrazione di portatori prodotto dalla ionizzazione che genera un
allargamento del volume occupato dalla carica generata.

Questi fenomeni contribuiscono alla determinazione della risoluzione


spaziale del rivelatore, ma a loro vanno aggiunti parametri come il rapporto
segnale/rumore, ed il rumore associato all'elettronica di lettura.

1.3.2 Energia media per la creazione di coppia


elettrone lacuna.
Il principale vantaggio dei rivelatori a semiconduttore rispetto agli altri tipi
di rivelatore è il piccolo quantitativo di energia richiesta per creare una coppia
elettrone-lacuna. Come per i gas delle camere a ionizzazione, l'energia media è
indipendente dal tipo e dall'energia della radiazione ma dipende dal tipo di
materiale. A temperatura ambiente l'energia media per la creazione della coppia
per il silicio è di 3.62 eV.
Nel silicio, ad esempio, la perdita di energia di “una particella al minimo
di ionizzazione” è di circa 1.66 MeV cm2 g-1, considerando che l'energia media
per creare una coppia è di 3.62 eV abbiamo che per un rivelatore di spessore di
circa 300 m una particella al minimo di ionizzazione genera in media circa
32000 coppie al suo passaggio. La perdita di energia segue però una distribuzione
- 20 -

di Landau, per cui il valore più probabile è minore del valore medio, e si attesta a
circa 22000 coppie. [Ref. 4]

A parità di radiazione, il numero di portatori di carica creati nei rivelatori a


semiconduttore sarà un ordine di grandezza più grande rispetto a quanto avviene
nelle camere a ionizzazione a gas e ben due ordini di grandezza in più rispetto al
numero di fotoelettroni prodotti all'interno di un generico contatore a
scintillazione.

Ci si può chiedere perché nonostante il band-gap tra banda di conduzione


e banda di valenza sia di circa 1 eV siano necessari più di 3 eV per la produzione
di una coppia elettrone-lacuna; il fenomeno trova la spiegazione nel fatto che solo
un terzo dell'energia è utilizzabile per passare dalla banda di valenza a quella di
conduzione mentre gli altri due terzi concorrono all'eccitazione delle vibrazioni
reticolari.

1.3.3 Correnti di perdita.


In una giunzione all'equilibrio si stabiliscono due correnti di pari intensità
e di segno opposto, una di deriva dei portatori minoritari, l'altra di diffusione dei
portatori maggioritari generata da un gradiente di concentrazione.
Applicando alla giunzione una tensione di polarizzazione inversa si
instaura una corrente dovuta ai portatori minoritari. Nel caso di giunzione ideale
(ovvero una giunzione a gradino senza difetti e senza corrente di generazione
nella regione di svuotamento) la corrente di diffusione è data dall'equazione di
Shockley:

1 1

 
D
I d =qp n0 A l
τl
2
 
D
+qn p0 A e
τe
2
(1.11)

dove  è la vita media degli elettroni o delle lacune a seconda del pedice, pn0 e np0
- 21 -

sono la concentrazione all'equilibrio di buche nel lato n ed elettroni sul lato p, D è


il coefficiente di diffusione di elettroni o lacune a seconda del pedice, A l'area
trasversale della giunzione, q la carica dell'elettrone. In genere per una giunzione
asimmetrica n+/p risulta: np0 >> pn0 e quindi il primo termine è trascurabile. Il
contributo delle correnti di diffusione dei portatori minoritari sono dell'ordine del
nA/cm2.
Nel silicio però i fenomeni di generazione di coppie all'interno della zona
di svuotamento non sono assolutamente trascurabili, e la corrente di generazione è
pari a:

qni Ad
I g= (1.12)
τ eff

dove ni è la concentrazione di portatori intrinseci, d è la larghezza della regione di


svuotamento, eff è la vita media efficace dei portatori all'interno del cristallo.
Questo fenomeno dà vita a correnti che possono arrivare ad avere valori
dell’ordine del A/cm2.
Questi due contributi di correnti non dipendono esplicitamente dal
campo elettrico, e ci aspetteremmo quindi un valore costante della corrente.
Infatti dopo aver raggiunto lo svuotamento completo la corrente inversa
cresce molto lentamente, ma comunque cresce; tale comportamento è dovuto alla
presenza di correnti di superficie. Le correnti di superficie sono sostanzialmente
dovute a cariche elettriche intrappolate sulla superficie del dispositivo, che
inducono cariche all'interno del semiconduttore, creando così canali di conduzione
e correnti superficiali. Quest’ultima fonte è complessa e dipende da vari fattori,
inclusa la composizione chimica della superficie, l’esistenza di sostanze
contaminanti, l’ambiente circostante.
Per minimizzare questa componente della corrente è generalmente
richiesto un isolamento pulito. C'è da dire che le ultime tecnologie hanno ridotto
notevolmente le correnti superficiali.
- 22 -

Le correnti di perdita impongono un limite inferiore all’altezza di impulso


discriminabile, il che impone un limite per la sensività del rivelatore; per
assicurarsi un segnale adeguato si deve scegliere una larghezza della zona di
svuotamento sufficiente in modo che la radiazione ionizzante produca un segnale
più alto del rumore.

1.3.4 Forma di impulso e tempo di salita.


Visto che il tempo di raccolta di elettroni e lacune dipende dalla posizione
delle cariche rispetto agli elettrodi, la forma di impulso cambia sia nella forma che
nel tempo di salita. Come in una camera a ionizzazione, il segnale sugli elettrodi
sale per l’induzione causata dal movimento delle cariche.
Per un rivelatore a giunzione a p-n assumiamo due elettrodi paralleli, in
modo da poter considerare la variazione di potenziale unidimensionale.
Assumiamo una giunzione del tipo p-n+, per cui il lato n è fortemente drogato. Il
tempo richiesto da un elettrone per raggiungere l’elettrodo in questa
configurazione è:

μl d
t=τ ln , (1.13)
μ e x0

la carica indotta come funzione del tempo in questo periodo è quindi:

e
 μ t
Qe  t  = x 0 1−exp e
d μl τ  (1.14)

Nel caso di buche:

Ql  t  =
−e
d 0  t

x 1−exp .
τ
(1.15)
- 23 -

La forma di impulso è data dal diagramma mostrato in figura, come


somma dei contributi di Qe e Ql. La carica totale collezionata è pari a –e, come si
può vedere dalla somma Qe + Ql.

Fig 1.7: Forma di impulso per un generico rivelatore al Silicio. Sono


mostrati l'andamento della carica totale raccolta, e separatamente
quello della carica dovuta agli elettroni e quello dovuto alle lacune.

Il parametro , determina il tempo di salita del segnale, e nel silicio è pari a


 =  * 10-12, dove  è misurato in Ohm*cm.
Le formule precedenti sono per una singola coppia elettrone lacuna, per un
calcolo completo della forma di impulso è necessario conoscere la traiettoria della
radiazione ionizzante, come varia la mobilità nel percorso all’interno della zona di
svuotamento, la distribuzione del campo elettrico, ed integrare tra loro tutti questi
comportamenti.

1.3.5 Danni da irraggiamento.


Il passaggio di particelle all'interno dei rivelatori danneggia mano a mano
il dispositivo, fino al punto di poterne pregiudicare il corretto funzionamento.
Questi danni da irraggiamento si dividono in due tipologie principali, i danni di
superficie ed i danni nel substrato del rivelatore.[Ref. 6, 7]
- 24 -

I danni di superficie producono solitamente effetti non gravi e possono


essere minimizzati con tecniche di produzione mirate. Normalmente un rivelatore
è ricoperto di uno strato di ossido, solitamente SiO 2 che protegge il cristallo da
agenti esterni. Una particella che attraversa un rivelatore crea coppie elettrone-
lacuna anche nel passaggio attraverso lo strato di ossido, parte di queste coppie si
ricombinano, parte si muove all'interno dell'ossido sotto l'azione del campo
elettrico o per diffusione. Nel loro cammino elettroni e buche possono essere
intrappolati in livelli all'interno della banda proibita dell'ossido. L'effetto
dell'irraggiamento sull'ossido è quello di intrappolare una certa quantità di cariche
in livelli profondi interni all'ossido ed in particolare all'interfaccia con il silicio e
con il metallo. Accade che visto che gli elettroni hanno una mobilità maggiore che
le lacune questi riescono a raggiungere il confine dell'ossido e ad essere espulsi,
nel metallo o nel semiconduttore. Vi è quindi un eccesso di carica positiva, in
particolare sull'interfaccia.
La presenza di questa carica positiva induce la formazione di una canale di
elettroni nel substrato di silicio sottostante che può peggiorare l'isolamento fra le
diverse zone del rivelatore.
I danni di volume hanno effetti più gravi sull'integrità del rivelatore. Una
particella che attraversa il substrato di silicio di rivelatore non perde energia
unicamente per la creazione di coppie elettrone-lacuna, ma anche per via degli urti
con gli atomi del reticolo; mentre la creazione di una coppia è un evento positivo
ai fini della rivelazione della particella, non si può dire lo stesso degli urti con il
reticolo, nei quali possono rompersi i legami covalenti che l'atomo ha con i primi
vicini e imprimergli una quantità di moto che gli permette uno spostamento
all'interno del reticolo. Questo introduce nuovi livelli permessi all'interno della
banda proibita caratterizzati da una sezione d'urto e da un'energia che fanno in
modo che l'accumularsi di questi difetti abbia un effetto sensibile sulle proprietà di
rivelazione. La creazione dei difetti all'interno del substrato con la conseguente
introduzione di livelli energetici all'interno del rivelatore modifica le proprietà
elettriche del rivelatore.
- 25 -

Introdurre dei difetti all'interno del cristallo aumenta l'intensità della


corrente inversa per via della generazione, come abbiamo visto nel paragrafo
1.4.3, ma questo non è il solo effetto macroscopico sul rivelatore.
Il sorgere dei nuovi livelli all'interno della banda proibita implica che
questi possano comportarsi come accettori o donori, con possibili modifiche per
quel che riguarda la tensione di svuotamento. Sperimentalmente si è verificato che
la tensione di svuotamento tende a diminuire quando il dispositivo è soggetto ad
irraggiamento, salvo poi aumentare dopo il raggiungimento di una tensione
critica.
Un altro effetto macroscopico dovuto al sorgere di livelli all'interno della
banda proibita è che questi si possono comportare come centri trappola o centri di
ricombinazione, catturando elettroni e lacune generati dalla radiazione ionizzante.
Questo peggiora l'efficienza della raccolta di carica.

1.4 Rivelatori a strip.

Negli ultimi trenta anni l'utilizzo di rivelatori al silicio come rivelatori di


traccia è andato sempre più espandendosi soprattutto grazie agli sviluppi della
tecnologia planare che ha permesso di costruire strutture a semiconduttore con
una geometria definita al micron. La tecnologia alla base di questi grossi passi in
avanti è rappresentata dai rivelatori a strip[Ref.8].
I rivelatori a strip si presentano nella seguente maniera: su un substrato di
silicio di tipo n, comunemente ad alta resistività (3000-5000 Ohm·cm), di alcuni
cm² vengono impiantate delle sottili strisce di tipo p+, dette strip, con contatti
metallici, mentre sulla superficie opposta alle strip viene impiantato un elettrodo
n+ . In tale modo si ottiene un particolare tipo di giunzione p-n in cui ogni striscia
costituisce un rivelatore al quale viene connessa un'elettronica miniaturizzata.
La larghezza delle strip varia a secondo dei casi ed in particolare per
spessori dell'ordine del m o poco meno si parla di strip macroscopiche, mentre
- 26 -

quando si arriva alle dimensioni del m si parla di microstrip. Per raggiungere lo


svuotamento completo delle cariche libere del substrato viene applicata una
tensione di polarizzazione inversa di 50-150 V.

Fig. 1.8: Schema dei rivelatori a microstrip.

In prima approssimazione l'accuratezza della posizione della particella è


determinata dalla larghezza della striscia e dalla elettronica di lettura.
L'informazione, comunque, è di natura unidimensionale e per avere informazioni
tridimensionali occorrono altri piani di rivelatori.
I primi rivelatori a microstrip sono stati realizzati intorno al 1980 allo
scopo di ottenere alte risoluzioni spaziali. Oggi sono state realizzate microstrip in
cui la larghezza delle strisce varia tra i 5 m e i 200 m con tempi di risposta al
passaggio della particella di circa 10 ns.[Ref. 9]

1.5 Rivelatori 3D

Una prima architettura di tipo tridimensionale per i rivelatori al silicio, è


stata quella proposta da Parker nel 1997, che abbandona la schematizzazione
bidimensionale dei rivelatori iniziando a concepire uno schema che si sviluppi in
tutte e tre le dimensioni spaziali. [Ref. 10]
Si noti che l'architettura 3D prende il nome dalla geometria del rivelatore,
- 27 -

e non dalla capacità di individuare la posizione nelle tre dimensioni spaziali.


Questi rivelatori, infatti, sono capaci di fornire informazioni riguardo due
dimensioni spaziali, quando opportunamente collegati ad un'accurata elettronica
di lettura.
La struttura proposta da Parker è la seguente: i rivelatori sono formati da
colonne di elettrodi formate da silicio n+ e p+ penetranti nel substrato di silicio, a
basso drogaggio di tipo p, in tutta la sua altezza. Si è scelto di usare un substrato
debolmente drogato p perché sperimentalmente si è verificato più resistente ai
danni da radiazione. Riportiamo in figura 1.9 una schematizzazione esplicativa di
tale struttura.

Fig. 1.9: Esempio della struttura interna di un rivelatore 3D alla Parker.

La disposizione delle colonne varia a seconda del tipo di rivelatore


desiderato e dei compiti che gli si vuole assegnare. Di solito si dispongono in
maniera che ogni colonna formi con le colonne prime vicine un quadrato avente 2
colonne per lato (la configurazione assunta da una colonna e dalle sue prime
vicine prenderà il nome di cella elementare); le colonne con lo stesso drogaggio
possono disporsi in file parallele, alternate da colonne con drogaggio
complementare, oppure ogni colonna può essere circondata solo da colonne con
drogaggio complementare; non è detto che la cella elementare debba formare un
quadrato, vi sono anche configurazioni in cui può formare un esagono, va da sé
che la struttura della celle elementare ci permette di caratterizzare il nostro
dispositivo.
- 28 -

Si viene quindi a creare una situazione di giunzione all’interno della


struttura, utilizzabile come rivelatore, nella quale la zona di svuotamento può
essere allargata su tutto il volume del substrato fornendo ad essa una
polarizzazione inversa mediante gli elettrodi p+/n+.

1.5.1 Caratteristiche tecniche.


Vediamo alcune accortezze che caratterizzano questo nuovo tipo di
rivelatori:

• Gli elettrodi n+ sono drogati con il fosforo ed utilizzati


come donori, la loro area deve essere resa il più grande
possibile, coerentemente con le altre caratteristiche di
design.
• L’uso di un substrato di tipo p debolmente drogato
previene un cambiamento nel tipo di drogaggio
causato da un’esposizione persistente alla radiazione.
Inoltre, da studi sperimentali un substrato di questo
tipo sembra essere meno soggetto a danni provocati
dalla radiazione rispetto al substrato n debolmente
drogato.
• Per ridurre il numero di contatti e per avere ridondanza
tra quelli usati, gli elettrodi n+ possono essere
collegati tra loro mediante contatti metallici o
conduttori diffusi.

Gli aspetti principali che hanno reso questa tecnologia possibile sono stati:
• La nascita di un nuovo tipo di tecnologia etching che
ha permesso la realizzazione di buche con un rapporto
profondità/larghezza di 15:1.
- 29 -

• La possibilità di riempire tali buche con silicio


ottenuto da reazioni superficiali fatte con il silano
(SiH4), che rende possibile depositare il silicio con la
stessa accuratezza sia sul fondo che sulla parte
superiore della buca.
• Il fatto che l’utilizzo di gas droganti, come il diborano
e la fosfina, non inficiasse il precedente aspetto,
permettendo di ottenere elettrodi n+/p+.

1.5.2 Vantaggi e svantaggi dei rivelatori 3D


I rivelatori 3D portano i seguenti miglioramenti nello sviluppo della
tecnologia dei rivelatori al silicio:

 Tempi più brevi per la raccolta di carica: rispetto ai


tradizionali rivelatori al silicio, la distanza tra gli
elettrodi e la posizione in cui è generata la coppia è
mediamente ridotta; questo implica dei tempi più brevi
nella raccolta di carica, come abbiamo visto dalla
formula 1.13.
 Basse tensioni di svuotamento: il fatto che gli elettrodi
penetrino il substrato oltre che a diminuire il volume
da svuotare aumentano la superficie utile
dell'elettrodo, questo determina tensioni di
svuotamento più basse rispetto alla tecnologia planare,
lo svuotamento diventa quindi uno svuotamento tra le
colonne, che tra l'altro hanno una distanza inferiore
allo spessore del substrato.
 Eliminazione del problema dell'inversione di
drogaggio: la scelta di un substrato p previene da un
cambio del tipo di substrato dovuto a danni da
- 30 -

irraggiamento riguardanti il substrato.


 Lo spessore del rivelatore è tutto attivo ai fini della
rivelazione: vi è una migliore distribuzione delle aree
sensibili, e non vi sono zone morte per via della nuova
geometria.
 Maggiore resistenza alla radiazione: l'elettrone deve
effettuare un percorso minore per essere raccolto
dall'elettrodo, questo non solo diminuisce i tempi di
raccolta ma diminuisce la probabilità che l'elettrone si
ricombini nei centri di ricombinazione o che venga
catturato da trappole dovute ad impurità del cristallo
 Non vi è la necessità di raffreddare il rivelatore:
anche quando esposti ad alta fluenza di particelle
questi rivelatori sono meno soggetti agli effetti
dannosi dovuti all'alto irraggiamento.

Queste caratteristiche lo rendono un ottimo candidato per l’upgrade di


LHC a S-LHC e per una possibile applicazione nella quantum-mammography.
Tuttavia nella produzione della maschera si va ad inficiare la struttura del
wafer, che diventa quindi molto fragile, e rende inoltre il difficile processo di
costruzione aumenta le impurezze dovute a deformazioni del cristallo.
Attualmente non si hanno ancora le capacità tecniche per la produzione in
massa di questi dispositivi e si sta procedendo dunque per step intermedi tramite
la realizzazione di architetture semi-tridimensionali.
- 31 -

1.6 Rivelatori 3D-STC e 3D-DTC

Partendo dal modello di Parker sono state sviluppate nuove architetture per
i rivelatori al silicio, ad esempio quelle analizzate in questo lavoro di tesi, i 3D-
STC ed i 3D-DTC nati dalla collaborazione tra l'INFN e l'IRST di Trento.

Fig. 1.10: Foto dei rivelatori presi in esame

1.6.1 Rivelatori 3D-STC(Single Type Column).


I 3D-STC nascono come un primo passo verso lo sviluppo di rivelatori al
Silicio descritti da Parker. Le differenze sostanziali con i rivelatori di Parker sono
due: le colonne hanno un singolo tipo di drogaggio, ed esse non penetrano
totalmente il bulk, come mostrato in figura 1.11 .
- 32 -

Fig. 1.11: Schematizzazione della sezione trasversale di un rivelatore


3D-STC

Il comportamento di raccolta delle coppie elettrone-lacuna sarà dunque il


seguente, quando la radiazione passa all'interno del substrato p genera una serie di
coppie elettroni-lacuna, gli elettroni saranno raccolti dalle colonne n+, le lacune
dallo strato p+ disposto sul Back. Ovviamente gli elettroni saranno raccolti
mediamente più rapidamente, vista la geometria, mentre le lacune per essere
raccolte dovranno comunque arrivare al Back, percorrendo mediamente una
distanza maggiore.

1.6.1.1 Tecniche di produzione per il 3D-STC.


La prima serie di dispositivi 3D-STC è stata ottenuta con un substrato di
tipo p altamente resistivo mediante le tecniche Float Zone (FZ) e Czochralski
(CZ). Queste due tecniche permettono di ottenere il silicio in forma cristallina.
Nel metodo Czochralski avviene la fusione di pezzi di polisilicio in un
crogiolo di silice (SiO2) ad atmosfera inerte ed a temperatura appena superiore a
quella di fusione (1421°C). Un seme di cristallo viene introdotto nella fusione e
lentamente sollevato, in modo che durante l'innalzamento si raffreddi ed il silicio
fuso aderisca al cristallo; questo processo può produrre cristalli cilindrici del
diametro caratteristico di 10- 15 cm. Per via della presenza della silice non è
- 33 -

possibile ottenere materiale a bassa concentrazione di drogaggio. I cristalli


ottenuti con il metodo Czochralsky presentano bassa resistività.
Il metodo Float Zone consiste nella rotazione, in atmosfera inerte, di una
bacchetta di polisilicio che presenta ad un'estremità un seme di cristallo il più puro
possibile; nel frattempo un apparecchio a radiofrequenze si muove dal basso verso
l'alto, a partire dal seme, fondendo una piccola zona della bacchetta. Mano a mano
che l'apparecchio sale, il silicio fuso al di sotto si raffredda in forma cristallina,
mentre le impurità tendono a rimanere nella zona fusa ed a volatilizzarsi. I cristalli
ottenuti con il metodo Float Zone presentano una resistività più alta rispetto al
metodo Czochralski. [Ref. 11, 12]
I processi più importanti nella costruzione del dispositivo sono:

 impiantazione di boro per ottenere il contatto ohmico sul


Back e per ottenere l'isolamento tra gli elettrodi n+ sulla
superficie superiore;
 realizzazione di fori a forma di colonna circolare nel
substrato mediante tecnica di etching usando uno strato di
ossido spesso e degli strati “photoresist” come maschera;
 la diffusione di fosforo da una sorgente solida per ottenere
le colonne n+, e ulteriore diffusione in una regione
toroidale vicino la parte superiore dei fori per facilitare la
formazione dei contatti;
 parziale riempimento delle colonne con uno strato di
ossido dopo il drogaggio;
 deposizione dell'alluminio tramite spruzzamento catodico,
l'alluminio non penetra nel foro.

Tutti i processi sono stati svolti presso l'ITC-irst, tranne l'etching svolto
presso il CNM di Barcellona con l'uso dell'apparecchio DRIE. Riportiamo una
schematizzazione del dispositivo in figura 1.12:
- 34 -

Fig. 1.12: Sezione trasversale completa di un rivelatore 3D-STC

1.6.1.2 Vantaggi e svantaggi del 3D-STC.


Il vantaggio principale del 3D-STC è la sua facilità di costruzione rispetto
ai rivelatori proposti da Parker. I 3D-STC possono essere ritenuti un primo
passaggio verso lo sviluppo del rivelatore progettato da Parker. Un passo indietro
rispetto a quest'ultimo è che una volta raggiunto lo svuotamento completo, non è
possibile aumentare il campo elettrico nella regione attiva applicando una tensione
esterna; ciò peggiora di molto il tempo di risposta, rispetto all'architettura
originaria di Parker.
In sostanza tali rivelatori sono un buon punto di partenza per studiare i
punti critici dello sviluppo della tecnologia di questi nuovi tipi di rivelatore, e per
lo studio dei fenomeni presenti in questo nuovo tipo di architettura.

1.6.2 Rivelatori 3D-DTC (Double Type Column).


Lo step successivo ai rivelatori 3D-STC è rappresentato dai rivelatori 3D-
DTC, che presentano colonne con entrambi i tipi di drogaggio (p+ ed n+). Per
preservare l’integrità del bulk. Come nei 3D-STC, anche stavolta le colonne non
penetrano completamente il bulk, ma solo parzialmente. Inoltre mentre le colonne
- 35 -

drogate n+ sono disposte con una configurazione analoga a quella del 3D-STC, le
colonne p+ penetrano il bulk dal back come mostrato in figura.

Fig. 1.15: Schematizzazione della sezione del 3D-DTC, la colonna


verde in semitrasparenza indica la colonna ohmica p+ che non è
allineata con 2 colonne n+.

1.6.2.1 Tecniche di produzione del 3D-DTC.


Le tecniche di produzione del 3D-DTC sono simili a quelle del 3D-STC; la
sola differenza sta nel fatto che per il 3D-DTC i fori sono effettuati su entrambe le
superfici del dispositivo, come mostrato in figura 1.16. I fori sulla parte superiore
del dispositivo sono trattati come in occasione della produzione del 3D-STC, i fori
nella parte inferiore invece sono drogati mediante diborano.

Fig 1.16: Sezione trasversale completa di un rivelatore 3D-STC


- 36 -

1.6.2.2 Vantaggi e svantaggi del 3D-DTC.


Rispetto al 3D-STC, come vedremo dallo studio portato avanti, ha correnti
di perdita inferiori, ma va incontro più facilmente a fenomeni di breakdown.
- 37 -

Capitolo 2
Setup sperimentale

Le misure presentate in questo lavoro di tesi sono state realizzate presso i


laboratori della sezione dell’INFN di Bari, in un apposito ambiente detto “camera
pulita”; tale nome è dovuto al fatto che un sistema di areazione forzata e di filtri
mantiene bassa la concentrazione di polveri. Tale camera è provvista anche di un
sistema di controllo di temperatura ed umidità. E’ importante svolgere le misure
in un ambiente il più possibile pulito e controllato al fine di minimizzare la
deposizione di pulviscolo sui rivelatori e di poter operare in condizioni stabili di
temperatura ed umidità. L’apparato sperimentale utilizzato consiste di:

• Una Probe Station


• Un “LCR Meter”
• Un “Modular DC Source/Monitor”

L’acquisizione è stata possibile grazie ad un software scritto in ambiente


LabView che si occupa del controllo del LCR Meter e del Modular DC
Source/Monitor da terminale. L’analisi dei dati è stata effettuata mediante ROOT
[Ref. 13] con alcune macro grazie alle quali è stato possibile ottenere i grafici
delle misure, effettuare fit e determinare i valori caratteristici delle misure.
Si procede dunque ad una rapida descrizione degli strumenti utilizzati per
poi concentrarsi sulla configurazione assunta dai singoli strumenti per la misura di
corrente e di capacità.
- 38 -

2.1 Apparato sperimentale

2.1.1 Probe Station


La Probe Station è una stazione che permette di esaminare dispositivi
elettrici ed elettronici caratterizzati da dettagli dimensionali dell’ordine del
micron. Tale stazione è sita in una gabbia di Faraday, cioè un sistema costituito da
un contenitore in materiale elettricamente conduttore in grado di isolare l'ambiente
interno da qualunque campo elettrostatico presente al suo esterno, per evitare di
indurre segnale nei dispositivi in esame.
All’interno della gabbia di Faraday troviamo gli elementi che
caratterizzano la Probe Station:

• Il microscopio;
• Il chuck;
• Una stazione mobile
• Alcune micropunte connesse agli strumenti di misura che
si trovano all’esterno della gabbia di Faraday.
- 39 -

Fig 2.1: Foto della Probe Station

Il chuck, in figura 2.2, consiste in una base circolare in oro,


opportunamente forato e sagomato, su cui depositare il dispositivo in esame. E’
collegato a un impianto da vuoto, in modo tale che, una volta poggiato il
dispositivo su di esso questo sia tenuto fermo grazie al sistema di fori e
scanalature che assicurano la massima stabilità del dispositivo. Queste precauzioni
sono utili per studiare il dispositivo nei suoi dettagli; quando è richiesta una
precisione del micron, infatti, il dispositivo deve essere saldamente bloccato, in
- 40 -

modo da poter operare nelle migliori condizioni di stabilità possibili. Il chuck è in


oro per poter polarizzare i dispositivi dalla loro superficie posteriore , o Back. Per
questo motivo al chuck è opportunamente saldato un cavo conduttore, la cui
estremità consiste in un adattamento di impedenza a 50 Ohm, in modo da poterlo
interfacciare con l’elettronica di acquisizione dati.

Fig 2.2: Foto del chuck.

La stazione mobile, responsabile dei movimenti del chuck, consiste in un


cursore, o base mobile, su cui il chuck è installato, che può muoversi sul piano
all’interno di una zona rettangolare. I movimenti del cursore sono regolati da due
pistoni, ognuno responsabile dei movimenti lungo un asse. E’ possibile regolare
anche l’altezza di tale base attraverso un sistema meccanico. Il controllo dei
movimenti può avvenire o tramite un software o attraverso un opportuno joystick.
Un microscopio è installato sui supporti della stazione mobile, ed al suo
- 41 -

oculare è collegata una telecamera; tali supporti sono fatti in maniera tale che il
microscopio possa anch’esso muoversi su un piano, anche se in una zona ristretta.
Questa possibilità di movimento si rivela molto comoda nel posizionamento delle
micropunte sul dispositivo. Il microscopio restituisce dettagli dell’ordine del
decimo di micron.
La stazione mobile presenta anche un supporto metallico sul quale, con
delle opportune calamite, è possibile fissare i manipolatori delle micropunte.
Questi manipolatori sono dei piccoli apparati che tramite un braccio consentono di
posizionare le punte con una precisione micrometrica (in figura 2.3). Il braccio
può muoversi in tutte e tre le dimensioni, opportunamente controllato da tre viti,
ognuna responsabile del movimento in una singola dimensione. Il braccio è fatto
in materiale conduttivo, ed è ricoperto di plastica isolante; all’estremità del
braccio vi è una pinza a cui è attaccata la punta vera e propria. Anche la stazione
di controllo presenta un ingresso con impedenza di 50 Ohm.

Fig. 2.3: Dettaglio della Probe Station: sono visibili le micropunte con i
relativi manipolatori e la basetta ospitante i rivelatori.
- 42 -

Su una delle pareti della gabbia di Faraday sono montati due pannelli con
connettori passanti che consentono di collegare le micropunte con il “Modular
DC Source/Monitor” e con l’apparato “LCR Meter”.
I collegamenti elettrici all’interno della Probe Station avvengono tutti
mediante cavi con impedenza caratteristica di 50 Ohm.
Nel caso specifico di questa tesi non sono state utilizzate le caratteristiche
conduttive del chuck, visto che i dispositivi misurati sono di dimensioni ridotte, e
si è preferito installare i dispositivi su una basetta conduttrice in rame. L’area
superficiale del dispositivo era troppo piccola per coprire l’area del più piccolo
anello incavato per cui il chuck garantiva il vuoto, come mostrato in figura 2.3.

2.1.2 Modular DC Source/Monitor


Il Modular DC Source/Monitor HP 4142B [Ref. 14] è un apparato per la
misura di corrente continua in dispositivi a semiconduttore, che può operare anche
come generatore di tensione in regime continuo. Lo strumento può essere
controllato direttamente da un computer collegato mediante delle porte GPIB
situate sul retro del dispositivo.
Il Modular DC Source consiste di vari moduli :

 HP 41423A : unità dedicata a fornire alta tensione.


Essa può fornire tensioni da 2 mV a 1000 V e può
eseguire misure di correnti da un valore minimo di 2
pA a uno massimo di 10 mA.
 HP 41421B: unità dedicata alla misura di corrente, può
fornire tensioni da 40 µ V a 100 V e può eseguire
misure di correnti per valori che vanno da 20 fA a 100
mA.
 HP 41420A: può fornire tensioni da 40 µV a 200 V e
- 43 -

può eseguire misure di corrente per valori che vanno


da 20 fA a 1 A.

Lo strumento usato per le misure è equipaggiato con due moduli HP


4142B, un modulo HP 41423A ed un modulo HP41420A. E’ dotato, inoltre, di un
modulo aggiuntivo che consente di condividere eventualmente la messa a terra
con altri dispositivi, nel caso in esame con l’HP 4284A LCR Meter.
Il modulo HP 41423A è utilizzato per fornire alta tensione al dispositivo e
la sua uscita caratteristica è denominata HVU. Il modulo presenta due uscite, una
detta FORCE, che fornisce tensione e misura corrente secondo i valori
precedentemente indicati, e l’altra fornisce un segnale di ON quando il dispositivo
è sotto tensione.
Il modulo HP 41421B presenta due uscite, una FORCE, che fornisce
tensione e misura di corrente o viceversa, l’altra detta SENSE che ha il compito di
misurare la tensione effettiva che l’apparato fornisce al dispositivo, in modo da
compensare le cadute di tensione che si possono verificare lungo i cavi. Le uscite
FORCE e SENSE sono connesse tra di loro poco prima del dispositivo e l’uscita
derivante da questa connessione è denominata SMU, in figura 2.3 viene mostrato
il collegamento tra FORCE e SENSE. Quando si parlerà di SMU1 o SMU2 nel
resto della tesi ci si riferirà alle SMU dei due moduli HP 41421B.
Il modulo HP41420A presenta anch’esso due uscite: FORCE e SENSE, la
cui connessione sarà denominata SMU3.
La figura 2.4 mostra la connessione tipica tra un modulo dell’HP4142B e il
dispositivo sotto misura.
- 44 -

Fig 2.4: Collegamento tra FORCE e SENSE per ottenere la SMU. La


SMU è l’uscita collegata al DUT, che sarebbe il dispositivo in esame.

2.1.3 LCR Meter


L’HP 4284A LCR Meter [Ref.15] è un misuratore di impedenza, capacità e
resistenza, capace di effettuare misure grazie all’analisi dei dispositivi quando
sottoposti ad una tensione alternata. Le frequenze a cui può operare LCR Meter
vanno da 20 Hz a 1 MHz. Si tratterà di seguito l’HP 4248A unicamente come
misuratore di capacità, dato che, le altre tipologie di misure, impedenza e
resistenza, non rientreranno in questa analisi.
Per la misura di capacità non è sufficiente il solo HP 4284A, che viene
utilizzato in coppia con un generatore di tensione continua perché abbiamo
bisogno di uno strumento che polarizzi i nostri dispositivi.
L’HP 4284A permette di realizzare misure di capacità con una precisione
relativa pari allo 0.05%.
E’ necessario indicare allo strumento quale modellizzazione del circuito
(RC serie o RC parallelo) si avvicini di più alla reale configurazione del circuito
in esame. Per piccole capacità si fa uso del modello RC in parallelo e visto che le
- 45 -

capacità attese non sono più grandi di 100 pF le misure sono state eseguite in tale
configurazione.
Il front dell’apparato è dotato di quattro uscite o terminali: Hcur, Hpot, Lcur,
Lpot,. Si tratta di 4 uscite coassiali che utilizzano la calza esterna del coassiale non
come linea di massa, ma come canale di ritorno per il segnale trasmesso. In questo
modo i campi elettromagnetici indotti dalle correnti che scorrono nel canale
centrale e in quello esterno si sottraggono annullandosi e i cavi di trasmissione
non contribuiscono all’errore sui parametri misurati dello strumento. Lo strumento
presenta un’entrata per la messa a terra del dispositivo.
Sul pannello frontale sono inoltre presenti i comandi per il controllo dello
strumento LCR Meter ed un display LCD che indica i risultati delle misure. Lo
strumento può essere controllato direttamente da un computer collegato mediante
delle porte GPIB situate sul retro del dispositivo.
Le uscite dello strumento sono collegate in modo opportuno tra di loro e
con un’uscita che fornisce la polarizzazione proveniente dal generatore di
tensione, in modo da avere solo due uscite finali, denominate HIGH e LOW;
saranno queste due uscite ad essere connesse al dispositivo.
L’uscita HIGH rappresenta le uscite Hcur e Hpot cortocircuitate tra di loro a
cui viene collegata l’uscita HVU dell’HP 4142B, in modo da fornire una ulteriore
polarizzazione in continua su questo canale.
L’uscita LOW rappresenta le uscite Lcur e Lpot cortocircuitate tra di loro.
LCR Meter consente di effettuare misure di capacità in funzione della
frequenza, e di capacità in funzione della tensione applicata. Permette inoltre di
effettuare misure con l’apparato sperimentale privo del dispositivo in esame in
configurazione SHORT e OPEN.
La configurazione SHORT consiste nel cortocircuitare i cavi HIGH e
LOW, in modo da poter sottrarre dalla misura l’impedenza dei cavi. Con la
configurazione OPEN, ottenuta non connettendo l’uscita LOW al dispositivo da
misurare, si può ottenere una correzione del circuito aperto. La correzione OPEN
si effettua comunque con il dispositivo polarizzato. Le misure di SHORT e di
- 46 -

OPEN permettono di eliminare contributi dovuti allo strumento di misura e


all’elettronica di acquisizione dati.

2.1.4 Software di acquisizione.


L’acquisizione dati è avvenuta mediante il software LabView capace di
interfacciare i due apparati di misura con un terminale. Il programma di controllo
degli strumenti e acquisizione dati è dotato di interfaccia grafica, come mostrato
in figura 2.5, mediante la quale è possibile una piena gestione delle funzioni dei
due strumenti e delle modalità di acquisizione dati. Questa consente inoltre di fare
una prima analisi grafica delle misure mostrando l’andamento delle curve durante
l’acquisizione e visualizzando i grafici completi dei dati ad acquisizione
terminata.

Fig. 2.5: Finestra di controllo del software di gestione.

Il programma fornisce anche la possibilità di compiere operazioni


matematiche sulle grandezze misurate. Ad esempio è possibile effettuare il grafico
- 47 -

diretto di 1/C2 in funzione della tensione applicata. L’analisi più accurata dei dati
è stata eseguita in seguito mediante alcune macro scritte in ROOT.

2.2 Descrizione dei dispositivi 3D


esaminati
In questo lavoro di tesi si sono esaminati due dispositivi: un diodo 3D-STC
ed un diodo 3D-DTC. Date le dimensioni ridotte dei dispositivi non è stato
possibile depositarli direttamente sul chuck per l’impossibilità di creare opportune
condizioni di vuoto che assicurassero saldamente i rivelatori alla base in oro. I
rivelatori sono stati dunque assicurati, mediante pasta conduttiva d’argento, a una
basetta; a questa è stata saldata un’estremità di un cavo che all’estremità opposta
aveva un ingresso con impedenza fissata a 50 , in modo da poter connettere
direttamente la basetta all’elettronica di lettura.
La polarizzazione non è avvenuta sfruttando le proprietà conduttive del
chuck della Probe Station, ma polarizzando direttamente la basetta, e di
conseguenza il Back.

2.2.1 Dispositivo 3D-STC


Il dispositivo 3D-STC in esame è stato realizzato dall’Irst di Trento,
istituto che collabora con l’INFN. Il dispositivo in questione è un prototipo
fabbricato per la determinazione delle caratteristiche elettriche della tecnologia e
non per la rivelazione di particelle.
Il 3D-STC si basa su un’architettura del tipo Single Type Column,
descritta nel Capitolo 1, ovvero le colonne non penetrano completamente il bulk e
presentano tutte drogaggio equivalente.
Riportiamo di seguito le caratteristiche tecniche [Ref. 16]:

 Spessore del dispositivo 220 m


- 48 -

 Spessore del Floating Guard Ring: 25 m


 Spessore delle linee di p-stop tra i Guard Ring: 15 m
 Spessore del Main Guard Ring: 128m
 Distanza tra le colonne: 100 m
 Distanza tra la prima fila di colonne ed il bordo del Main Guard
Ring: 90 m
 Diametro del contatto metallico sovrastante la colonna: 46 m
 Diametro della circonferenza di p-stop attorno alla colonna: 60
m

2.2.1.1 Struttura dei rivelatori 3D-STC:


I rivelatori in esame presentano una matrice 16x16 di colonne n+, tutte
collegate tra di loro, distanziate di 100 micron in modo da formare un'area attiva
di 2,56 mm2. Le colonne penetrano il bulk per 120 micron su un’altezza totale di
220 m. La figura 2.4 mostra un disegno del lato giunzione di questo tipo di
dispositivo.

Fig. 2.4: Visualizzazione del rivelatore dal lato giunzione


- 49 -

Fig. 2.5: Dettaglio del rivelatore. In fucsia le p-stop, in giallo i contatti


metallici. I cerchi gialli rappresentano i contatti metallici per la colonna.

Il contatto ohmico è ottenuto tramite l'impiantazione di Boro sulla


superficie posteriore, mentre l'isolamento superficiale tra le singole colonne è
ottenuto tramite p-stop.
Le p-stop consistono in drogaggi superficiali p+ tra due zone con
drogaggio elevato n+. La loro funzione è quella di inibire le possibili correnti
superficiali tra le due zone n+.
Nel rivelatore in questione abbiamo due tipi di p-stop, il primo tipo
provvede all'isolamento della singola colonna rispetto alle sue prime vicine, e
consiste in un anello che circonda la colonna alla sua base; il secondo tipo
provvedere all'isolamento superficiale tra le diverse zone del rivelatore, cioè tra il
Pad ed il Main Guard Ring e tra il Main Guard Ring e l'esterno. In realtà
l'isolamento tra il Main Guard Ring e l'esterno del dispositivo consiste
nell'alternarsi di due linee di p-stop e due Floating Guard Ring. Quest'alternanza
genera un gradiente di potenziale tra l'esterno e l'interno del dispositivo, in modo
che quest'ultimo non sia influenzato da correnti superficiali esterne.
- 50 -

2.2.2 Dispositivo 3D-DTC.


Come il 3D-STC anche il 3D-DTC è stato realizzato dall’Irst di Trento, ed
è anch’esso un prototipo realizzato per la determinazione delle caratteristiche
elettriche e rappresenta il passo successivo nello sviluppo di un’architettura
completamente tridimensionale.
Il 3D-DTC si base su un’architettura del tipo Double Type Column, in cui
le colonne non penetrano completamente il bulk e si dividono in due branche: le
colonne n+ che penetrano il bulk dal lato giunzione, e le colonne p+ che penetrano
il bulk dal lato Back, come già detto nel Capitolo 1.

2.2.2.1 Struttura dei rivelatori 3D-DTC.


I rivelatori in esame presentano una matrice 16x16 di colonne n+
distanziate di 100 m, ed una matrice 16x16 di colonne p+, disposte in modo che
ogni colonna p+ sia circondata da 4 colonne n+, formando quindi un'area attiva di
2,56 mm2. Le colonne penetrano il bulk per 120 micron.

Fig. 2.13: Dettaglio del rivelatore. In fucsia i p-stop, in giallo i contatti


metallici. I cerchi gialli rappresentano i bump, contatti metallici per la
colonna.
- 51 -

Per il resto il 3D-DTC [Ref. 16] ha una struttura analoga a quella del 3D-
STC, e anche le dimensioni sono le stesse. Ovviamente dobbiamo considerare le
colonne p+, che saranno distanziate l'una dall'altra di 100 m; la distanza con la
colonna n+ prima vicina sarà di 71 m.

2.3 Configurazione del Setup Sperimentale


Le misure effettuate in laboratorio si dividono in due categorie: misure di
corrente, per determinare le correnti di perdita dei dispositivi in esame e la
tensione di soglia per il fenomeno di punch-through, e misure di capacità, per
determinare la capacità totale del dispositivo e la corretta tensione di svuotamento.
Questi due tipi di misure richiedono però due configurazioni sperimentali
differenti, ciascuna delle quali è descritta nel resto di questo paragrafo.

2.3.1 Configurazione per le misure di corrente


La misura di corrente di fondo consiste nella misura della corrente tra il
lato giunzione ed il lato ohmico quando il diodo è polarizzato in modo inverso.
Questo tipo di misura si svolge in regime di tensione continua e consiste
nell’applicare una differenza di potenziale tra il Pad e il Back del dispositivo, in
modo tale che il Back sia a una tensione inferiore rispetto al Pad, e mantenendo il
Main Guard Ring alla stessa tensione del Pad.
Per la misura di corrente abbiamo utilizzato unicamente l’HP4142B
Modular DC Source.
Per polarizzare il rivelatore in modalità inversa è stata fornita una tensione
negativa al Back mediante l’uscita HVU dell’HP4142B collegata direttamente alla
basetta su cui è incollato il dispositivo da testare. Le micropunte sono state
polarizzate mediante le uscite SMU1, per il Main Guard Ring, e SMU2 per il Pad.
Per la misura della caratteristica I-V senza polarizzazione del Main Guard
Ring non è stata utilizzata la SMU1.
- 52 -

La polarizzazione del Back, fornita da HVU, è stata fatta variare tra 0 V ed


una tensione massima, in valore assoluto, che dipende dal dispositivo in esame
(-200V per il 3D-STC e -80 V per il 3D-DTC) mentre la polarizzazione della
SMU1 è stata fissata a 0V per entrambi i dispositivi.

Fig 2.14:Configurazione per la misura della corrente di Pad senza


polarizzazione del Main Guard Ring

Per la polarizzazione del Main Guard Ring è stata usata anche la SMU1.
- 53 -

Fig 2.14:Configurazione per la misura della corrente di Pad con


polarizzazione del Main Guard Ring

La misura della tensione di punch-through è stata ottenuta polarizzando il


Main Guard Ring con una tensione variabile tra 0 e 10 V tramite SMU1 e tenendo
la Pad e il Back a 0V, rispettivamente tramite SMU2 e HVU, come in figura 2.14.

2.3.2 Configurazione per la misura di capacità.


La misura della capacità consiste nello studio della risposta del dispositivo
in esame ad una tensione variabile, approssimandolo come un parallelo tra una
resistenza R ed una capacità C.
Questo tipo di misura si svolge fornendo al dispositivo il segnale risultante
dalla sovrapposizione di un segnale continuo, che serve a polarizzare la giunzione,
e di un segnale alternato.
Per la misura di capacità sono stati usati gli strumenti HP4142B e
HP4284A, il primo come generatore di tensione, il secondo come capacimetro. La
figura 2.15 mostra come sono stati collegati questi due strumenti.
- 54 -

Fig 2.15: Configurazione per la misura di capacità.

Operativamente si è collegato il Back all'uscita HIGH e il Pad all'uscita


LOW. La frequenza del segnale alternato che è stato usato variava nell’intervallo
da 102 Hz a 106 Hz.
Oltre al segnale alternato l'uscita HIGH fornisce una tensione al Back
variabile tra 0 V e 60 V. L’uscita LOW mantiene il Pad a una tensione continua
di 0 V. Nella misura di capacità è stato polarizzato anche il Main Guard Ring a 0
V tramite l'uscita SMU1 del Modular DC Source/Monitor, in modo da rendere il
Main Guard Ring efficace.
- 55 -

Sono state effettuate due tipologie di misure, una a frequenza variabile e


l'altra a tensione variabile, come descritto nel capitolo 3.
La figura 2.15 mostra la configurazione sperimentale per le misure di
capacità.
- 56 -

Capitolo 3
Misure di corrente e di capacità su
dispositivi 3D a singola e doppia
colonna
In questo capitolo sono descritte le misure eseguite sui dispositivi 3D-STC
e 3D-DTC. Si descriveranno dapprima le misure di corrente e poi quelle di
capacità.

3.1 Misure di Corrente


3.1.1 Introduzione
Ai fini della caratteristica tensione-corrente possiamo considerare in prima
approssimazione il dispositivo come un comune diodo; per un diodo ci si aspetta
una curva del tipo mostrato in figura 3.1.
- 57 -

Fig 3.1:Caratteristica I-V di un comune diodo. VZ rappresenta la


tensione di breakdown e VS quella di saturazione.

Nel nostro caso ci interessa solo il funzionamento in polarizzazione


inversa del diodo e quindi solo la parte del grafico con tensioni negative, infatti,
come già detto nel capitolo 1, affinché il diodo adempia alla sua funzione di
rivelatore di particelle, deve essere svuotato il più possibile di carica mobile. In
questa condizione, inoltre, la corrente, detta di perdita, è minore di quella che si ha
in condizioni di polarizzazione diretta [Ref. 3, 4].
Concentriamoci ora sulla porzione di grafico compresa tra tensione nulla e
quella di breakdown: in questo intervallo la caratteristica I-V ha il seguente
andamento (figura 3.2):
- 58 -

Fig. 3.2: Caratteristica del diodo in polarizzazione inversa. Sono


rappresentati, in unità arbitrarie, i valore assoluti di tensioni e correnti.

Vediamo che in un primo momento la corrente crescerà rapidamente poi,


ad un certo punto, la crescita sarà più lenta; tale comportamento è dovuto ai
diversi fenomeni che entrano in gioco in una giunzione p-n polarizzata in modo
inverso. Nella prima parte, per basse tensioni, la corrente è dovuta in gran parte a
fenomeni diffusivi, questo coerentemente con il fatto che la zona di svuotamento
non coincide ancora con tutto il volume della giunzione. Quando il volume di
tutta la giunzione sarà completamente svuotato da tutte le cariche mobili non vi
saranno più effetti diffusivi, ma notiamo che la corrente comunque continua a
crescere, anche se con un andamento più lento. Tale crescita è dovuta
prevalentemente al campo elettrico che aumenta e che favorisce l’abbandonano
dei centri di ricombinazione da parte di elettroni e lacune e, quindi, l’aumento
della corrente.
La misura della corrente in polarizzazione inversa è importante giacché ci
consente di ricavare la tensione di svuotamento del dispositivo e, quindi, la sua
tensione minima di lavoro. C’è da dire che una stima migliore si ottiene dalla
misura della capacità totale del dispositivo in funzione della tensione applicata. La
misura della corrente inversa, inoltre, ci consente di stimare il suo contributo al
- 59 -

rumore del dispositivo .

3.1.2 Misura della caratteristica I-V


I dispositivi in esame, siano essi STC o DTC, presentano oltre che alla
piazzola che consente di fornire tensione al lato giunzione, chiamato Pad, (vedi
figura 3.3), un Main Guard Ring e due Floating Guard Ring. Per il corretto
funzionamento del dispositivo almeno il Main Guard Ring sarà sempre
polarizzato in modo da schermare il Pad da campi esterni e possibili correnti
superficiali. I due Floating Guard Rings non sono stati polarizzati.[Ref.17]

Fig 3.3: Dettaglio del lato giunzione del rivelatore. Sia il 3D-STC che il 3D-DTC
hanno la stessa geometria sul lato giunzione.

3.1.3 Misura di I-V per il 3D-STC


La misura della caratteristica I-V sul dispositivo 3D-STC è stata eseguita
mantenendo il Pad a 0 V, e fornendo al Back una polarizzazione variabile tra 0 e
-150 V.
- 60 -

In figura 3.4 è rappresentata una sezione trasversale del dispositivo.

Fig. 3.4: Sezione trasversale del rivelatore3D-STC. In giallo sono


indicati i contatti metallici, in rosa le colonne n+, in verde le
impiantazioni p-stop ed il drogaggio p+ sul back. La tensione è fornita
mediante i contatti metallici che polarizzano gli elettrodi.

La figura 3.5 mostra l’andamento ottenuto per la corrente. Questa passa da


0 a circa 60 nA quando la tensione passa da 0 a circa 20 V, con un ritmo di
incremento di circa 3 nA/V. Aumentando la tensione di polarizzazione, il ritmo di
aumento della corrente passa a 0.7 nA/V. A 200 V la corrente è di circa 180 nA.

Fig. 3.5: Caratteristica I-V del dispositivo 3D-STC ottenuta polarizzando unicamente Pad e Back
- 61 -

La misura è stata ripetuta mantenendo il Main Guard Ring di volta in volta


ad una tensione positiva diversa (0 V, 2 V, 5 V, 10 V).
In questa configurazione il Main Guard Ring attirerà parte dei portatori, sia che
essi siano dovuti alla diffusione iniziale o all’azione del campo elettrico applicato.
Ci aspettiamo, quindi, una diminuzione del valore della corrente di perdita sul
Pad rispetto a quando il Main Guard Ring è lasciato floating.
Analizziamo la caratteristica I-V sul Pad, per una tensione sul Main
Guard Ring e sul Pad di 0 V, ed una tensione sul Back variabile da 0 a -150V e
riportata in figura 3.6. Osserviamo che la corrente di Pad è effettivamente
diminuita. La corrente aumenta da circa 0 nA a circa 20 nA quando la tensione
passa da circa 0 V a circa 6 V. In questo intervallo di tensione il ritmo di aumento
della corrente è di circa 3.3 nA/V. Da circa 6 V a 150 V la corrente passa da 20 nA
a circa 60 nA, con un ritmo, quindi, di circa 0.3 nA/V.
Come detto nel paragrafo 3.1.1, ci si aspetta che la tensione in
corrispondenza della quale la curva cambia pendenza, rappresenti la tensione di

Fig. 3.6: Caratteristica I-V del Pad con polarizzazione sul Guard Ring.
- 62 -

svuotamento. Nell’assunzione che la corrente, sia prima sia dopo la tensione di


svuotamento, abbia un andamento lineare, possiamo pensare di stimare la tensione
di svuotamento facendo un doppio fit lineare, vedi figura 3.7. Il valore così
ottenuto non sarà però molto preciso, in quanto soggetto alla scelta degli estremi
dei due fit.

Fig. 3.7: Fit lineare sulla caratteristica I-V con polarizzazione sul Guard Ring

Dal fit lineare (figura 3.7) ricaviamo una tensione di svuotamento di 6 V.


Come vedremo dalla misura della capacità, che ci fornisce una stima più precisa
della tensione di svuotamento, questo valore corrisponde alla tensione a cui solo
la regione tra le colonne è svuotata e non a quella in corrispondenza della quale è
svuotato tutto il dispositivo.
L’andamento della corrente non cambia mantenendo il Main Guard Ring
ad una tensione leggermente superiore a 0 V.
- 63 -

3.1.4 Misura di I-V per il 3D-DTC.

In figura 3.8 è riportata una sezione trasversale del dispositivo 3D-DTC.


Notiamo la differenza fondamentale tra il 3D-STC e il 3D-DTC: dal back partono
delle colonne drogate di tipo p+. Ovviamente, la geometria del campo elettrico si
modifica e si avvicina di più a quella attesa per i dispositivi full 3D. Il volume
sottratto alla giunzione dalle colonne di tipo p+ è solo una piccola frazione di
quello totale. Ci aspettiamo, quindi, che la tensione di svuotamento del dispositivo
3D-DTC sia confrontabile a quella ottenuta per il dispositivo 3D-STC.
Anche la misura della caratteristica I-V per il 3D-DTC è stata eseguita con
Pad fissato a 0 V, tensione variabile sul Back e il Main Guard Ring messo di
volta in volta a una tensione positiva diversa (0V, 2V, 5V, 10V)

Fig 3.8:Sezione trasversa completa del dispositivo 3D-DTC. In


giallo sono indicati i contatti metallici sul lato giunzione, in rosa
le colonne n+, in verde le impiantazioni p-stop e il drogaggio p+
sul back. La tensione è fornita mediante i contatti metallici.

La caratteristica I-V sul Pad ottenuta per una tensione sul Pad di 0 V ed una
tensione sul Back variabile tra 0 V e -84 V è riportata in figura 3.9.
- 64 -

Fig 3.9: Caratteristica I-V del dispositivo 3D-DTC con Main Guard Ring a 0.5V.

Fig 3.10: Caratteristica I-V del dispositivo 3D-DTC con Main Guard Ring a 0.5V,
arrestata prima di entrare in regime di breakdown.
- 65 -

Osserviamo che questo dispositivo presenta un breakdown per tensioni superiori a


80 V. La corrente a 80 V salta al valore di circa 6 A. Il fatto di avere una regione
di sovrapposizione longitudinale tra colonne di tipo opposto che sono a distanza
molto prossima favorisce il breakdown a tensioni più basse rispetto al dispositivo
3D-STC. La figura 3.10 mostra la corrente per tensioni minori di 80 V.
Osserviamo che la corrente del dispositivo 3D-DTC è inferiore a quella del 3D-
STC. A 10 V il dispositivo 3D-STC presenta una corrente di 20 nA mentre il
dispositivo 3D-DTC ha una corrente di 1 nA. L’andamento della corrente, in
questo caso, è diverso da quello del caso del dispositivo 3D-STC. Infatti, notiamo
una salita della corrente fino a circa 10 V a cui segue una corrente più stabile fino
a circa 35 V quando comincia nuovamente a salire. Possiamo attribuire questa
seconda risalita al fatto che già a 40 V il campo elettrico nella regione di
sovrapposizione longitudinale è sufficientemente intenso. Si osservi che non è
semplice estrarre il valore della tensione di svuotamento dall’andamento della
corrente inversa.

3.2 Misura della tensione di punch-


through

3.2.1 Il fenomeno del punch-through


I dispositivi misurati sono polarizzati fornendo la tensione direttamente
alle colonne n+ sul lato giunzione. Questo è possibile perché questi dispositivi
sono caratterizzati da una configurazione a diodo (tutte le colonne n+ sono
collegate). Nel caso di dispositivi più complessi che devono, ad esempio, essere
utilizzati per la ricostruzione di tracce, le colonne non possono essere,
ovviamente, tutte collegate tra loro. Ogni colonna è indipendente dalle altre nella
- 66 -

configurazione a pixel oppure solo le colonne sulla stessa riga sono collegate tra
di loro nella configurazione a strip. In questi casi il dispositivo deve essere
polarizzato ricorrendo a tecniche particolari. Una di queste consiste nel
meccanismo del punch-through. In pratica si realizza un anello che circonda le
colonne e caratterizzato dallo stesso tipo di drogante di queste. L’anello viene
chiamato “anello di polarizzazione”. In assenza di una tensione applicata
all’anello di polarizzazione sia le colonne che l’anello sono circondati da regioni
di carica spaziale poco profonde e non in contatto tra di loro. In questa condizione
nessuna corrente fluisce tra l’anello di polarizzazione e gli elettrodi. Aumentando
la tensione sull’anello la regione di carica spaziale attorno a questo si amplia fino
a toccare la regione di carica spaziale che circonda le colonne. Quando si
stabilisce questa situazione si dice che siamo in condizioni di punch-through.
Anche se la barriera di potenziale tra le colonne e l’anello di alimentazione si è
ridotta, tuttavia, è ancora sufficiente a impedire l’emissione termica di elettroni
dalle colonne verso l’anello di polarizzazione. Aumentando la tensione sull’anello
di polarizzazione le regioni di carica spaziale attorno alle colonne e sotto l’anello
di polarizzazione, si compenetrano e si allargano fino ad occupare tutto il volume
del dispositivo. La tensione da applicare sull’anello di polarizzazione per stabilire
la condizione di punch-through dipende dalla geometria degli elettrodi, dalla
concentrazione di atomi droganti e debolmente anche dalla carica nell’interfaccia
tra ossido di passivazione e bulk.
In questo paragrafo viene mostrata la misura ottenuta della tensione di
punch-through sia sui dispositivi di tipo 3D-STC che su quelli di tipo 3D-DTC.
Come già detto, questi dispositivi non sono dotati di un anello di polarizzazione
ma possiamo considerare il Main Guard Ring come se fosse un anello di
polarizzazione e misurare la corrente tra Main Guard Ring e Pad. Questo è
sufficiente per fornirci una indicazione sul valore della tensione di punch-through
di dispositivi più complessi aventi la stessa geometria e concentrazione di
droganti.[Ref.18]
Questa misura è stata eseguita, per entrambi i dispositivi, fissando la
- 67 -

tensione di Pad e Back a 0 V e facendo variare la tensione sul Main Guard Ring
da 0 V a 10 V.

3.2.2 Tensione di punch-through per il dispositivo


3D-STC
La figura 3.11 mostra la corrente misurata per il dispositivo di tipo 3D-
STC.
Come si vede, non c’è corrente tra Main Guard Ring e Pad fino a tensioni
di circa 6 V. A partire da questo valore si apre il canale punch-through e
osserviamo una corrente che cresce linearmente con la tensione.

Fig.3. 11: Corrente di Pad, con Pad e Back a 0V, MGR tra 0V e 10 V
- 68 -

Fig. 3.12:Dettaglio del fenomeno di punchthrough.

Mediante un fit lineare possiamo ricavare il valore della tensione di punch-


through. Dalla figura 3.13 si ricava che la tensione di soglia per il fenomeno di
punch-through per il dispositivo di tipo 3D-STC è pari a 9 V.

Fig. 3.13:Fit per determinare la tensione di punch-through.


- 69 -

3.2.3 Tensione di punch-through per il dispositivo


3D-DTC
Si può notare che anche per questo dispositivo applicando una tensione diversa da
0 V al Main Guard Ring si genera una corrente tra Pad e Guard Ring, ben
misurabile quando il Back è ancora a 0 V.

Fig. 3.14: Corrente di Pad, con Pad e Back a 0V, MGR tra 0V e 10 V.

Notiamo che in questo caso otteniamo una corrente di punch-through di


gran lunga inferiore rispetto a quella misurata per il dispositivo 3D-STC. Questa
differenza può essere dovuta alla presenza delle colonne provenienti dal Back,
drogate p+, che inibiscono il fenomeno di punch-through (vedi figura 3.14)
- 70 -

Fig. 3.15:Dettaglio del fenomeno di punchthrough per il 3D-DTC.

Si ricordi che la colonna p+ non si frappone esattamente tra le due colonne


n+, il che avrebbe completamente inibito l'effetto di punch-through tra due
colonne vicine, ed è per questo che si osserva una, anche se pur piccola, corrente
di punch-through.
Si ricordi, ancora, che qui si sta assumendo che il Main Guard Ring funga
da anello di polarizzazione. Nei dispositivi in cui questo è presente viene
realizzato in modo che l’effetto delle colonne di tipo opposto sia trascurabile.

Fig. 3.16:Fit per determinare la tensione di punch-through


- 71 -

Tramite un fit lineare della curva rappresentata in figura 3.16 possiamo


determinare anche questa volta la tensione di soglia della corrente di punch-
through.
Dal fit ricaviamo che la tensione di soglia di punch-through è pari a 9 V.

3.3 Misura di Capacità.

3.3.1 Aspetti generali.


Le misure di capacità sono state realizzate polarizzando i dispositivi in
modo inverso ed applicando un ulteriore segnale alternato alla giunzione, ovvero
tra il Pad ed il Back. Nel capitolo 2 è stata data una descrizione del setup
sperimentale e della strumentazione utilizzata e in particolare del “LCR meter”.
La capacità di una giunzione planare è esprimibile mediante la seguente
formula, come già detto nel capitolo 1:


A ε Si q e N
C=ε Si =A
W 2  V b +V bi 

dove Si è la permettività elettrica del silicio, qe è la carica dell'elettrone, N è la


concentrazione del drogaggio, Vb è la tensione applicata e Vbi è la tensione
intrinseca che si viene a creare nella giunzione. Una volta che il dispositivo è
completamente svuotato, la capacità assume un valore costante, detto capacità di
svuotamento. Ci si aspetterebbe che l’andamento della capacità in funzione della
tensione sia del tipo rappresentato in figura 3.17.
- 72 -

Fig. 3.17: A sinistra l'andamento caratteristico di C in funzione della tensione. A


destra quello di 1/C2 sempre in funzione della tensione di polarizzazione.

Dalla curva di 1/C2 in funzione della tensione di polarizzazione (figura


3.17 a destra) possiamo ricavare il valore della tensione di svuotamento. La
finalità delle misure è appunto quella di determinare la capacità di svuotamento e
da questa la tensione di svuotamento.
Come si vedrà, inoltre, la capacità dipende dalla frequenza della tensione
alternata sovrapposta alla tensione di polarizzazione.

3.3.2 Misura della caratteristica C-V


Si deve considerare che non si stanno effettuando semplici misure di C-V
su un comune diodo planare, ma su un dispositivo con una geometria un poco più
complessa; vi è quindi la necessità di creare un modellino che giustifichi il
comportamento capacitivo una volta raggiunto lo svuotamento completo nei
dispositivi ed accertare che questo modello sia in accordo con le misure
sperimentali. Il modellino deve ovviamente tenere conto della geometria dei
dispositivi. Le differenze nella geometria dei due tipi di dispositivi si rifletteranno
nella curva della capacità in funzione della tensione, e nella capacità di
svuotamento visto che anche il processo di svuotamento dipende dalla geometria.
- 73 -

3.3.2.1 Misura della curva C-V per il


dispositivo 3D-STC
Le misure relative alla capacità per il dispositivo 3D-STC si dividono in due
principali categorie:
• Misura di C in funzione della frequenza del segnale variabile
applicato.
• Misura di C in funzione della tensione di polarizzazione.

Fig. 3.18:Andamento della capacità in funzione della frequenza

I punti in figura 3.18 mostrano l'andamento della capacità del dispositivo 3D-STC
in funzione della frequenza della componente variabile della tensione applicata.
Si nota che per basse frequenze la capacità del dispositivo è leggermente più alta,
circa 3.8 pF rispetto ai 3.2 pF che abbiamo alle alte frequenze.
- 74 -

In generale ci si aspetta che la capacità sia più alta alle basse frequenze
che non a frequenze più alte, per il contributo di impurità e imperfezioni nel
semiconduttore. I centri di ricombinazione possono essere occupati da cariche
provenienti da una delle due bande; dalla risoluzione dell'equazione di Poisson si
nota che quando i centri di ricombinazione sono occupati vi è un ulteriore
accumulo di carica nella giunzione rispetto alla situazione in cui si era trascurato
il contributo di tali impurità. Questo fenomeno è influenzato dal segnale alternato
applicato al dispositivo; per basse frequenze i livelli profondi all'interno del band
gap risultano popolati e per questo la capacità risulta più alta a basse frequenze.
Il modello di Godham e Naik [Ref.19, 20], assumendo un unico livello
accessibile all'interno della band gap, approssima il comportamento a basse
frequenze della capacità con la seguente relazione:
C0 −C ∞
C p =C ∞  2
1
 
ω
ωt
, (3.1)

dove Cp è il comportamento della capacità dipendente dalla frequenza, C0 è il


valore che la capacità assume per frequenze nulle, e t è la cosiddetta frequenza
di normalizzazione del fenomeno. Se consideriamo C0 e t come dei parametri,
possiamo utilizzare questo modello per eseguire un fit sui dati sperimentali
ottenuti.
La curva a tratto pieno nella figura 3.18 rappresenta appunto il risultato di
questo fit. A quanto pare questo semplice modello non riesce a descrivere appieno
la nostra situazione fisica. Si vedrà che invece questa descrizione si adatterà
molto bene per la stessa misura sul dispositivo 3D-DTC.
Si noti il punto a 200 Hz che è sempre più alto anche ripetendo più volte la
misura.
Emerge che per la misura della capacità è meglio usare frequenze
maggiori di 104 Hz, in corrispondenza delle quali la capacità si mantiene
pressoché costante. Nella figura 3.19 è riportato l’andamento misurato sia della
capacità sia del reciproco al quadrato della capacità in funzione della tensione di
- 75 -

polarizzazione, avendo fissato la frequenza di misura a 104Hz.

Fig. 3.19: Andamento della Capacità con il Reverse Bias, e andamento di 1/C^2

Si nota dalla figura 3.19 in basso, che per tensioni molto basse, il grafico
di 1/C2 presenta una regione piatta, fino a che non si raggiunge una polarizzazione
inversa di circa 6 V, poi c'è una salita lineare fino ad un valore costante. Si può
- 76 -

spiegare questo comportamento assumendo che lo svuotamento tra le colonne


precede il completo svuotamento del dispositivo, come atteso.

Fig. 3.20: In giallo le zone svuotate, nella figura a sinistra lo svuotamento tra
due colonne adiacenti, nella figura a destra il successivo svuotamento tra le
colonne ed il Back.

Dal fit del quadrato del reciproco della capacità possiamo ottenere il
valore preciso della tensione di svuotamento, pari a 18 V.
Il valore della capacità di svuotamento è pari a circa 2 pF. Si può stimare
il valore della capacità di svuotamento ricorrendo a un semplice modello. Il
dispositivo può essere approssimato al parallelo di due condensatori piani, uno
avente area pari alla somma delle aree di tutte le basi cilindriche delle colonne e
altezza pari alla distanza tra la base inferiore della colonna ed il back, ed un altro
condensatore avente come area la superficie complementare all'area precedente ed
altezza pari all'altezza del substrato p. Questo modellino fornisce come risultato
una capacità di svuotamento di circa 2.5 pF, che è in accordo con quella
misurata..

3.3.2.2 Misura della caratteristica C-V per il dispositivo 3D-


DTC
Anche le misure della caratteristica C-V per il dispositivo 3D-DTC si
- 77 -

dividono in:
• Misura di C-f con f frequenza della componente variabile della
tensione applicata.
• Misura di C-V.

Fig. 3.20:Andamento della Capacità in funzione della frequenza per il dispositivo 3D-DTC

La figura 3.20 riporta l’andamento della capacità in funzione della


frequenza per questo dispositivo. Come si vede il comportamento a basse
frequenze si discosta in maniera considerevole da quello ad alte frequenze. La
capacità alle basse frequenze risulta essere circa il doppio di quella alle basse.
Applicando il modello di Godham e Naik [Ref.19, 20]:
C0 −C ∞
C p =C ∞  2
1
 
ω
ωt
, (3.2)

verifichiamo tramite un fit lineare che l'andamento ottenuto è in accordo con


quella prevista dal modello; questo può essere dovuto al fatto che rispetto al 3D-
- 78 -

STC, la struttura cristallina del 3D-DTC è maggiormente stressata, per via del più
complesso processo di fabbricazione. Ciò potrebbe comportare l'insorgere di un
maggior numero di livelli energetici nel band gap.
Anche in questo caso, per la misura della capacità in funzione della
tensione si è scelto di fissare la frequenza a 104 Hz.
La figura 3.21 mostra il risultato della misura della capacità in funzione
della tensione di polarizzazione. Nell’andamento ottenuto possiamo distinguere
tre regioni differenti. La prima fino a 14 V quando si raggiunge lo svuotamento
della regione tra le colonne di tipo opposto. La seconda tra 10 V e 20 V in cui la
regione di svuotamento procede linearmente dalla zona tra le colonne fino a tutto
il resto del volume. La terza al di sopra dei 20 V quando il dispositivo è
completamente svuotato e la capacità si mantiene costante.
Dal fit dell’andamento del quadrato del reciproco della capacità
determiniamo una tensione di completo svuotamento pari a circa 18 V. Si tratta di
un valore che è paragonabile a quello ottenuto per il dispositivo 3D-STC. Per
tensioni inferiori a quella di completo svuotamento l’andamento è differente da
quello ottenuto per il dispositivo 3D-STC. Non ci si aspetta che lo svuotamento
dello spazio tra le colonne del lato giunzione proceda nello stesso modo per la
presenza delle colonne del lato ohmico con drogaggio complementare. Lo
svuotamento tra le colonne del lato giunzione è raggiunto solo per tensioni di
circa 15V.
La capacità di svuotamento per il dispositivo 3D-DTC risulta essere pari a
9 pF. Anche in questo caso è stato prodotto un modellino per giustificare questo
valore. Abbiamo considerato due contributi distinti. Il primo è quello tra le basi
delle varie colonne drogate n+ e il back e quello tra il lato giunzione e l’estremità
superiore delle colonne p+. Questo contributo è approssimabile a tanti piccoli
condensatori piani messi in parallelo. Il secondo contributo deriva dalla regione di
sovrapposizione longitudinale tra le colonne p+ e quelle n+. Ogni colonna n+ è
circondata da 4 colonne p+, anche se, come mostrato, le colonne non penetrano
tutto il bulk. Perciò consideriamo una capacità cilindrica per ogni elettrodo, che
- 79 -

ha per altezza il tratto comune delle due colonne. Data la matrice di colonne
16x16, dobbiamo considerare 256 condensatori cilindrici di tal tipo.

Fig. 3.21:Andamento della capacità e di 1/C^2 in funzione della tensione di polarizzazione.

Il calcolo della capacità di questo modellino fornisce il risultato di 8.5 pF,


anche in questo caso in accordo col valore misurato.
- 80 -

Conclusioni

In questo lavoro di tesi ho misurato e messo a confronto alcuni parametri


elettrici di due dispositivi al silicio ad elettrodi tridimensionali (dispositivi 3D).
Un dispositivo è caratterizzato da elettrodi a colonna di tipo n+ che penetrano dal
lato giunzione verticalmente nel bulk (di tipo p) e chiamato 3D-STC (3D single
type column). L’altro è caratterizzato da elettrodi a colonna di tipo n+ che
penetrano nel bulk dal lato giunzione e da elettrodi a colonna di tipo p+ che
penetrano nel bulk partendo dal lato ohmico e chiamato 3D-DTC (3D double type
column).
I principali risultati ottenuti sono sintetizzati nei punti seguenti:
 Il dispositivo 3D-STC non va in regime breakdown fino alla
tensione di polarizzazione di 200 V. Il dispositivo 3D-DTC va
in breakdown prima, alla tensione di 84 V.
 La corrente del dispositivo 3D-STC è caratterizzata da un
ginocchio a circa 10 V e l’andamento è di tipo lineare con la
tensione sia prima sia dopo il ginocchio. Il dispositivo 3D-DTC
presenta un andamento più complesso per via della differente
configurazione, come spiegato prima.
 Le tensioni di svuotamento tra i due dispositivi sono
paragonabili, come atteso.
 La capacità di svuotamento del DTC è superiore alla capacità di
svuotamento del STC, risultato atteso vista la differente
geometria dei due dispositivi.
 Per basse frequenze il 3D-DTC è soggetto ad un aumento della
capacità, ben in accordo con il comportamento descritto dal
modello di Godham e Naik. Per il 3D-STC l'aumento di
capacità è meno spiccato, e non viene ben descritto dal modello
precedente. Anche questo comportamento è atteso, in quanto ci
- 81 -

aspettiamo che il processo di fabbricazione dei 3D-DTC possa


produrre maggiori stress nel materiale semiconduttore di quanti
ne introduca il processo di fabbricazione dei 3D-STC.

Questi risultati mostrano che il progresso della tecnologia tridimensionale


procede nella giusta direzione, almeno per quanto riguarda il comportamento del
dispositivo per le correnti di perdita e la capacità di svuotamento.
E' interessante in particolare il dato che il 3D-DTC non vada in regime di
breakdown prima di valori superiori a circa 4 volte la tensione di svuotamento.
Questo è importante per garantire che anche dopo l'irraggiamento, che potrebbe
provocare un aumento della tensione di svuotamento totale, il dispositivo possa
ancora operare come rivelatore.
Data la loro alta resistenza ai danni da radiazione, i dispositivi 3D sono tra
le opzioni preferite per esperimenti futuri nella fisica delle particelle che
richiedono un alta luminosità, ad esempio l'aggiornamento di LHC a S-LHC.
Inoltre la tecnologia ad elettrodi tridimensionali è adatta per la costruzione
di dispositivi con “active edge”, in modo che la regione insensibile alla radiazione
può essere ridotta a meno di 10 m, un ottimo risultato rispetto a qualche
centinaio di m per la tecnologia planare. Questa possibilità permette di costruire
dispositivi che abbiano una vasta area senza bisogno di saldature che colleghino
tra loro vari dispositivi.
L'ultima caratteristica facilita di molto la configurazione, riduce i costi per
il materiale ed inoltre migliora la risoluzione della misura dell'impulso.
- 82 -

Bibliografia.
[1] Il sito internet di LHC: http://lhc.web.cern.ch/lhc/

[2] Leo William R., Techniques for Nuclear and Particle Physics Experiments,
Spinger Berlin.

[3] S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, John Wiley and Sons, 1969.

[4] Matteo Maria Angarano, Studio degli effetti indotti da radiazione in rivelatori
al silicio, Tesi di dottorando, 1999.

[5] P. Spinelli, Dispense sui rivelatori, appunti.

[6] K. Gill e al., Radiation damage by neutrons and photons to silicon detectors,
Nucl. Instr. and Meth. A322 (1992) 177.

[7] H. E. Boesch e F. B. McLean, Hole transport and trapping in field oxides,


IEEE Trans. Nucl. Sci., vol.NS-32 n. 6 (1985) 3940.

[8] A. Peisert, Silicon microstrip detectors, in Experimental techniques in high

energy physics, F. Sauli, Addison-Wesley (1987).

[9] Il sito internet della sezione di INFN di Catania: http://www.ct.infn.it/,

[10] S.I. Parker, C.J. Kenney, J. Segal, A proposed new architecture for solid-
state radiation detectors, Nuclear Instruments & Methods in Physics
Research, 1997
- 83 -

[11] S. Ronchin, M. Boscardin, C. Piemonte, A. Pozza, N. Zorzi, G. Dalla Betta,


L. Bosisio, G. Pellegrini, Fabrication of 3D detectors with columnar
electrodes of the same doping type, Nuclear Instruments & Methods in
Physics Research, 2006.

[12] C. Piemonte, M. Boscardin, G. Dalla Betta, S. Ronchin, N. Zorzi,


Development of 3d detectors featuring columnar electrodes of the same
doping type, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research 2005.

[13] http://root.cern.ch/root/doc/RootDoc.html, ROOT User’s guide.

[14] HP4142B User’s Manual, Hewlett Packard .

[15] HP4284A User’s Manual, Hewlett Packard.

[16] N. Zorzi, Comunicazione privata.

[17] M. Boscardin et Al., Characterization of 3D-STC detectors fabricated at


ITC-irst, Nuclear Instruments & Methods in Physics Research 2006.

[18] C.Piemonte, Method of punch-through voltage stabilisation


in silicon detectors, INFN/TC-02/08

[19] G.Oldham, S.Naik, Admittance of p-n junctions containing traps, 1972

[20] E. Fretwurst e al., Reverse annealing of the effective impurity concentration


and long-term operational scenario for silicon detectors in future collider
experiments, Nucl. Instr. and Meth. A342 (1994) 119.
- 84 -
- 85 -

4. Relazione riguardante l'attività di tirocinio

L’attività di tirocinio svolta presso la sezione di Bari dell’Istituto


Nazionale di Fisica Nucleare sotto la direzione del dott. Giuseppe Zito nel periodo
dicembre 2008 - gennaio 2009 ha avuto come oggetto di studio l’implementazione
di un programma scritto nel linguaggio Cint per la visualizzazione di una mappa
del Tracker dell’esperimento CMS in cui i diversi elementi del rivelatore sono
stati colorati in base al numero di hit che hanno interessato ogni modulo in una
ricostruzione generata utilizzando il metodo Monte Carlo. La visualizzazione di
tale mappa è stata possibile utilizzando Root, un pacchetto software object-
oriented sviluppato dal CERN, molto utilizzato per l’analisi dei dati.
Tale attività è stata svolta in collaborazione con Daniele Vadruccio,
laureando in fisica (1° livello). Entrambi abbiamo lavorato sul programma
dividendoci i compiti come ci era stato suggerito dal responsabile del tirocinio. La
stesura del codice è stata compiuta a quattro mani, mentre il lavoro ricerca della
documentazione e la scrittura delle singole funzioni sono state suddivise in questa
maniera: il mio lavoro verteva prevalentemente sulla visualizzazione delle diverse
colorazioni sulla mappa, e sulla creazione delle palette dei colori, mentre il mio
collega ha curato più il meccanismo di lettura dei dati e la relativa associazione tra
elementi del Tracker e hit.
Prima di poter cominciare il lavoro vero e proprio è stata necessaria una
fase di studio di un programma già scritto, nel medesimo linguaggio informatico,
che disegna una mappa bidimensionale del Tracker di CMS. Il lavoro vero e
proprio è consistito nell’aggiornamento di tale programma per adattarlo all’analisi
di dati reali.
Il programma è strutturato in modo tale che legga un file
“coordinates1.txt” da cui sono caricate le posizioni nella mappa di ognuno dei
16.588 elementi del tracciatore, particolare attenzione stata prestata nel
distinguere quelli triangolari da quelli quadrangolari per cui è stata introdotta una
verifica preliminare del numero di vertici di ciascun modulo. Ad ognuno di essi
- 86 -

viene associato il suo codice di identificazione. Tale codice, che è un numero a 9


cifre, è stato fornito direttamente dalla banca dati di CMS e viene letto e
memorizzato insieme alle coordinate.
Di seguito è riportata una riga del file “coordinates1.txt”
4 128.999 2924.82 122.052 2928.88 126.578 2931.26 132.669 2926.74 470181512
Il primo intero rappresenta il numero di vertici del modulo, accanto sono
riportate le loro coordinate nella rappresentazione x,y della mappa e infine
l’identificatore.
Una volta memorizzate le informazioni necessarie per creare la mappa
viene letto il file “ennupla.txt” in cui sono memorizzati gli elementi del Tracker
colpiti nella ricostruzione Monte Carlo.
Il programma, a questo punto, con una serie di selezioni determinate a
partire dagli identificatori dell’evento, legge gli elementi del Tracker colpiti per
ognuno di essi e incrementa, per i moduli interessati un contatore “eventi” che ne
restituisce il numero di hit.
Ecco una riga esemplificativa del file “ennupla.txt” in cui si vedono gli 8
identificatori dell’hit, il numero di elementi colpiti e i loro codici di
riconoscimento.
1 15872910 4536 -1 -1 -1 1 14 7
436314320 436314288 436281424 436266636 436266476 436299496 436316040
Il numero di eventi che interessano ogni modulo viene quindi normalizzato
rispetto all’elemento più colpito ed è conseguentemente associato a una paletta di
colori impostata utilizzando la scala RBG (red, green, blue). In un primo
momento le varie colorazioni erano state impostate con la color-wheel di Root,
cosa che permetteva una più rapida esecuzione del programma, ma aveva dei
limiti molto evidenti nella scelta dei colori, che erano poco più di cinquanta. I
colori sono convertiti in un vettore di tre numeri compresi tra 0 e 255 che
rappresentano le quantità dei colori primari presenti, appunto rosso, blu e verde.
Tali vettori sono ordinati secondo una scala che riproduce le colorazioni
dell’arcobaleno dal violetto al rosso.
Si è reso necessario, per costruire questa particolare scala di colori,
- 87 -

l’utilizzo di una serie di scelte multiple per definire una funzione che riproducesse
la variazione dei colori richiesta. Le cinque definizioni di tale funzione
rappresentano le diverse combinazioni dei tre colori di base, in cui due sono fissati
a valori estremi ( 0 e 255) e l’altro varia su una scala lineare relativa al numero di
hit sui moduli. In questo modo c’è una perfetta corrispondenza tra le distribuzioni
dei colori e del numero di eventi che interessano i diversi elementi del Tracker. La
potenza di questa scrittura consiste nell’assoluta interscambiabilità delle palette, le
quali possono essere definite con una qualsiasi funzione o insieme di funzioni, che
permette delle diverse colorazioni secondo le necessità di visualizzazione.
A questo punto viene disegnata la mappa utilizzando il comando TCanvas
che permette il rendering dinamico di immagini gestibili attraverso un linguaggio
di scripting. Vengono disegnati i contorni dei moduli con una linea spezzata che
passa per i vertici e colorato l’interno con il colore associato al numero di hit. Il
numero di sfumature dei diversi colori dipende dalla distribuzione del numero di
eventi segnalati su ogni modulo e non dalla colorazione della tavolozza, che ha,
con questo metodo di associazione, una precisione pressoché infinita. Il fondo è
stato colorato di un celeste molto opaco perché è uno dei pochi colori neutri
rispetto alla visualizzazione delle tavolozze, cioè non disturba la visione
dell’immagine e mantiene un contrasto abbastanza evidente con i vari colori
utilizzati nella maggior parte delle palette.
All’esecuzione del programma è inoltre stampato un file di controllo
“exit.txt” in cui sono visualizzati gli elementi del Tracker con i loro numeri
identificativi e la quantità di eventi che li hanno interessati.
Sono visualizzati anche il colore con il suo codice numerico associato e il
codice-colore nella rappresentazione della paletta di visualizzazione.
Di seguito è riportato il codice del programma che permette la
visualizzazione della mappa del Tracker di CMS debitamente colorata e una
stampa dell’immagine prodotta.
- 88 -

#include <map>

#pragma link C++ class map<short,allocator<short> >;


#pragma link C++ class vector<char,allocator<char> >;
using namespace std;

void TrackerNewRGB()
{

int rgb[3];
int n,i,j,m;
int record;
int counter;
float color;
float c2 = 0; //mi dice quante volte il modulo più colpito è stato
colpito
float c1;
float x1,y1,x2,y2,x3,y3,x4,y4;
double x[4],y[4];

struct coordinateModulo{
double x[4];
double y[4];
int lati;
int modulo;
float eventi = 0;
} track[16588];

std::map<int,int>indice_moduli;

FILE* cfile=fopen("coordinates1.txt","r");
FILE* bfile=fopen("ennupla.txt","r");
FILE* afile=fopen("exit.txt","w");
//TPostScript MyPs("TrackerMap.ps",111);
//MyPs.Range(21,29);

TCanvas *MyC = new TCanvas("MyC", "TrackerMap",3000,1600);


gPad->SetFillColor(38);

// MyC->setFillColor(10);
gPad->Range(0,0,3000,1600);
TRandom r;
Int_t ncolors = gStyle->GetNumberOfColors();
Int_t nmod = 0;
//Ciclo while per memorizzare coordinates
while( fscanf(cfile,"%i",&n) != EOF) {
//cout << n << endl;

if ( n == 3)
{
fscanf(cfile,"%f %f %f %f %f %f
- 89 -

%d",&x1,&y1,&x2,&y2,&x3,&y3,&counter);
//cout << x1 << " " << y1 << " " << x2 << endl;
track[nmod].lati=n;
track[nmod].x[0]=x1;
track[nmod].x[1]=x2;
track[nmod].x[2]=x3;
track[nmod].y[0]=y1;
track[nmod].y[1]=y2;
track[nmod].y[2]=y3;
track[nmod].modulo=counter;

if ( n == 4)
{
fscanf(cfile,"%f %f %f %f %f %f %f %f
%d",&x1,&y1,&x2,&y2,&x3,&y3,&x4,&y4,&counter);
// cout << x1 << " " << y1 << " " << x2 << endl;
track[nmod].lati=n;
track[nmod].x[0]=x1;
track[nmod].x[1]=x2;
track[nmod].x[2]=x3;
track[nmod].x[3]=x4;
track[nmod].y[0]=y1;
track[nmod].y[1]=y2;
track[nmod].y[2]=y3;
track[nmod].y[3]=y4;
track[nmod].modulo=counter;

}
nmod++;
}

for(i=0;i<16588;i++){
indice_moduli[track[i].modulo]=i;

//questo ciclo while mi serve per accumulare gli eventi in track


while( fscanf(bfile,"%i %i %i %i %i %i %i %i %i",
&m,&m,&m,&m,&m,&m,&m,&m,&m) != EOF){
if ( m != 0 ){
for(i=1; i<=m;i++){
fscanf(bfile,"%i",&record);
std::map<int,int>::iterator pos;
pos = indice_moduli.find(record);
if(pos!=indice_moduli.end()){
track[pos->second].eventi++;
}

}
}
}
- 90 -

//c2 mi dice quante volte viene colpito il bersaglio più colpito


for (i=0;i<16588;,i++){
if (c2 < track[i].eventi){
c2 = track[i].eventi;
}

for(i=0;i<16588;i++) {
c1 = c2/5;

if(track[i].eventi <= c1){


rgb[0]= (1 - (track[i].eventi/c1))*255;
rgb[1]=0;
rgb[2]=255;
}
if(c1 < track[i].eventi && track[i].eventi <=2 * c1){
rgb[0]=0;
rgb[1]=((track[i].eventi-c1)/c1)*255;
rgb[2]= 255;
}
if(2* c1 < track[i].eventi && track[i].eventi <=3 * c1){
rgb[0]=0;
rgb[1]=255;
rgb[2]=(1-((track[i].eventi -(2 * c1))/c1))*255;
}
if(3* c1 < track[i].eventi && track[i].eventi<=4 * c1){
rgb[0]=((track[i].eventi-(4*c1))/c1)*255;
rgb[1]=255;
rgb[2]=0;
}
if(4* c1 < track[i].eventi && track[i].eventi<=5 * c1){
rgb[0]=255;
rgb[1]=(1-((track[i].eventi -(4 * c1))/c1))*255;
rgb[2]=0;
}
color = TColor::GetColor(rgb[0],rgb[1],rgb[2]);

fprintf(afile,"%i %i %i %i %i
%f\n",i,track[i].modulo,track[i].eventi,c2,color,
track[i].eventi / c2);

TPolyLine* pline = new


TPolyLine(track[i].lati,track[i].y,track[i].x);

//aggiustare il setfillcolor
if(track[i].eventi==0){
pline->SetFillColor(track[i].eventi);
- 91 -

}
else{

pline->SetFillColor(color);
}
pline->SetLineWidth(0);
pline->Draw("f");
pline->SetUniqueID(nmod);
}
MyC->Print("NewTrackerMapBlue.png");
MyC->AddExec("ex","ModuleClicked()");
//MyPs.Close();
}
void ModuleClicked() {
//this action function is called whenever you move the mouse
//it just prints the id of the picked triangle
//you can add graphics actions instead
int event = gPad->GetEvent();
if (event != 11) return; //may be comment this line
TObject *select = gPad->GetSelected();
if (!select) return;
if (select->InheritsFrom("TPolyLine")) {
TPolyLine *pl = (TPolyLine*)select;
printf("You have clicked module %d, color=%d\n",
pl->GetUniqueID(),pl->GetFillColor());
}
}
- 92 -
- 93 -
- 94 -

Ringraziamenti

I ringraziamenti sono forse la parte più leggera sia nella scrittura che nella
lettura della tesi, ma non per questo sono poco importanti o superflui.
Il primo, sentito, grazie va ai miei docenti tutori, il Prof. Salvatore Nuzzo
ed il Dott. Salvatore My, e non solo per ciò che mi hanno insegnato in questo
periodo di lavoro, ma anche per la comprensione con cui mi hanno seguito. A loro
devo riconoscere, oltre che un'eccellente professionalità, una spiccata sensibilità
verso gli studenti.
Un grazie particolare va al Dott. Norman Manna, sempre disponibile a
darmi una mano ed a mettere a mia disposizione la sua esperienza, senza farmi
mai pesare il suo aiuto.
Ringrazio il Prof. Vincenzo Berardi per aver fornito il suo autorevole
parere riguardo questo lavoro di tesi.
Porterò sempre con me il ricordo dei compagni di studio e di strada di
questi anni universitari: Marco, diventato in questi anni un fratello con cui
condividere gioie e dolori, confidenze ed appunti (anche se gli appunti sono stati
quasi sempre i suoi); Alessandro, che con la sua infinita pazienza e bontà è
diventato per me un punto di riferimento e stabilità; Daniele, brillante collega e
fedele compagno di squadra, senza il quale non avrei potuto realizzare molte delle
cose fatte in questi anni; Massimiliano, con cui ho condiviso la passione per
l'informatica ed in particolare per GNOME; Rosma, sempre pronta a
tranquillizzarmi ed a frenare la mia immaginazione nei momenti di sconforto;
Rosangela, che con il suo fare protettivo ed i suoi modi “posati” si è rivelata
un'ottima amica nel momento del bisogno; Frank, con il quale ho trascorso
interminabili ore sui libri ed ore molto più piacevoli disquisendo di musica;
Angelo, sempre pronto a rallegrare le giornate di tutti con la sua verve e i suoi
mirabolanti racconti; Massimo, a cui tutti dobbiamo un innalzamento del livello di
stile medio del dipartimento; Pietro, che con la sua semplicità mi ha offerto nuove
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ed interessanti prospettive sulle varie situazioni della vita.


Ed ancora un ringraziamento va ai vari compagni incontrati in questi anni: Elena,
Ornella, Gaetano, Rosanna, Annarita, Antonio, Pietro, Ciro, Giuseppe, Lorenzo,
Andrea, Marco, Maria Valentina, Fabio, Francesco, Francesca e mi perdoni chi
non è stato citato (le omonimie vanno ritenute degeneri).
Come dimenticare i miei amici storici: Alberto, Mauro, Marco,
Antonio,Vito, Simona, Pippo e Marinella, tutti i ragazzi del Box e del Rosafante
che meritano un ringraziamento particolare e di carattere extrauniversitario.
Uno dei pensieri più dolci va a Maria Elena, che in questi mesi mi ha
regalato momenti stupendi e mi è sempre stata accanto.
L'ultimo e più importante pensiero va ai miei genitori, ed a tutta la mia
famiglia, senza i quali non sarebbe stato possibile realizzare questo importante
passo della mia vita.