20/4/2014 CNR: Memorie magnetiche, nuovo meccanismo minimizza i consumi - Le Scienze

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Comunicato stampa - Lesperimento, illustrato su Nature Communications, coinvolge Cnr, Elettra Sincrotrone Trieste e Politecnico di
Milano e apre la strada a una nuova generazione di dispositivi super efficienti, con un consumo energetico che potrebbe ridursi di oltre
mille volte rispetto a quello attuale
Roma 17 aprile 2014 - Un nuovo meccanismo capace di scrivere linformazione nelle memorie digitali con unefficienza mai raggiunta prima. stato ottenuto
presso il centro di ricerca Elettra Sincrotrone Trieste di Area Science Park da un gruppo internazionale di ricercatori, in primis Consiglio nazionale delle
ricerche (Cnr) e Politecnico di Milano. Lesperimento, illustrato su 'Nature Communications', si basa sulla magnetizzazione di un materiale tramite un impulso
elettrico e apre la strada a una nuova generazione di dispositivi super efficienti, con un consumo energetico che potrebbe ridursi di oltre mille volte rispetto a
quello consentito dalle tecnologie attuali.
Limmagazzinamento dellinformazione nei sistemi di memoria, come i dischi rigidi dei computer spiega Piero Torelli, fisico dellIstituto officina dei materiali
del Cnr di Trieste e fra gli autori del paper viene ancor oggi effettuata tramite un piccolo elettromagnete che magnetizza la superficie del disco: un processo
lungo, energeticamente costoso e che non permette elevata miniaturizzazione. Indurre questa magnetizzazione attraverso un campo elettrico darebbe enormi
vantaggi, permettendo di superare le attuali limitazioni, diminuendo il consumo energetico di un fattore mille e realizzando uno dei sogni della comunit
scientifica e di chi cerca nuove soluzioni tecnologiche per lelettronica moderna.
Con questo esperimento il gruppo di ricerca ha ottenuto proprio un sistema in cui la magnetizzazione pu essere spenta o accesa in risposta allapplicazione
di un campo elettrico, in modo reversibile e a temperatura ambiente. Il sistema che abbiamo studiato continua Torelli - costituito da due strati di materiale
facilmente reperibile e poco costoso: uno di ferro e uno di ossido di bario e di titanio, che una volta sovrapposti reagiscono formando un sottilissimo ossido di
ferro nella zona di interfaccia. Sottoponendo il campione a unanalisi spettroscopica con la luce di sincrotrone di Elettra siamo riusciti a seguire le propriet di
ciascuno strato, verificando come il grado di magnetizzazione allinterfaccia variasse in base al campo elettrico applicato sullo strato di ossido, in modo
controllabile e reversibile.
Il successo dellesperimento conferma che labbinamento di materiali con propriet ferroelettriche e ferromagnetiche in strati contigui rappresenta una via
promettente verso il controllo elettrico della magnetizzazione e apre la strada a una nuova generazione di dispositivi di memoria. Unelettronica moderna
capace di riunire i vantaggi della ferroelettricit (basso costo di scrittura delle informazioni) e quelli del magnetismo (durata dellinformazione immagazzinata).
17 aprile 2014
CNR: Memorie magnetiche, nuovo meccanismo minimizza i consumi