Sei sulla pagina 1di 10

Esercitazione sui diodi

Questa esercitazione impossibile da portare fino in fondo in 2 ore


scarse

Vi suggerisco di trovare prima le formule e poi tentare, partendo dal
diodo MOS, di calcolare almeno un risultato numerico

Trucco consigliato:
trovate la formula della grandezza che volete calcolare
Fate una lista dei valori dei parametri a secondo membro che avete a
disposizione (problema, testo e appendici del libro)
Per quelli che non avete cercate le formule che li definiscono, e
cercate i valori dei parametri a secondo membro
e cos via
Su un substrato di Silicio p=10
16
cm
-3
, con t
n
=0.1 s vengono realizzati:
1) una giunzione brusca asimmetrica con n
+
=10
19
cm
-3
,
2) Un diodo Schottky mediante deposizione di Alluminio
3) Un diodo MOS mediante crescita di SiO
2
di spessore d=0.1 m e deposizione di Alluminio
I tre diodi hanno la stessa area A= 100 m
2
=10
-6
cm
2
Portate il diodo MOS alla tensione di soglia, trascurando qualsiasi carica nellossido
Calcolate la corrente che fluisce nel sistema
Calcolate la capacit totale del sistema a questa polarizzazione
p
n+
Al
Al
SiO
2
Al
V
Diodo MOS
Avete notato che siamo allinversione?
( )
|
|
.
|

\
|
=
i
A
s
n
N
q
kT
inv ln
2

Formula 5.63
( )
A
s s
m
qN
inv
W
c 2
=
Formula 5.64
m A sc
W qN Q =
Formula 5.56a
d
C
ox
c
=
0
2 riga
dopo Formula 5.66
m
s
ox
ox
W d
C C
c
c
c
+
= =
min
Formula 5.70
s
sc
s
m A
ideale T
C
Q
C
W qN
V + = + =
0 0
,
Formula 5.69
Per il Silicio drogato N
D
=10
16
cm
-3
in un MOS Al/SiO
2
/n-Si si misura
(fig.5.28) V
FB
=-0.92 V
FB ideale T T
V V V + =
,
Commenti dopo Formula 5.71
N
A
=10
16
cm
-3
n
i
=1.45x10
10
cm
-3
q=1.602x10
-19
C kT/q=0.0259 V
s
/
0
=11.9

ox
/
0
=3.9
d=1x10
-5
cm
( ) V 696 . 0
10 45 . 1
10
ln 0259 . 0 2 ln
2
10
16
=
|
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|
=
i
A
s
n
N
q
kT
inv
( ) ( )
( )
m
qN
inv
W
A
s s
m

c
3 . 0 cm 10 3
10 10 602 . 1
696 . 0 10 85 . 8 9 . 11 2 2
5
16 19
14
= =


= =

0
=8.85x10
-14
F/cm
( )
2 8
5
14
0
/ 10 44 . 3
10
10 85 . 8 9 . 3
cm F
d
C
ox

=

= =
c
( ) ( )
2 8 5 16 19
/ 10 85 . 4 10 3 10 10 602 . 1 cm C W qN Q
m A sc

= = =
Questi dati vengono o dal problema, o dalle appendici, o dal capitolo. Occhio che le sono relative
V
C
Q
C
W qN
V
s
sc
s
m A
ideale T
70 . 1 696 . 0
4410 . 3
10 85 . 4
8
8
0 0
,
= +

= + = + =


( ) V V V V
FB ideale T T
78 . 0 92 . 0 70 . 1
,
= + = + =
( )
( )
2 8
5 5
14
min
/ 10 74 . 1
10 3
9 . 11
9 . 3
10
10 85 . 8 9 . 3
cm F
W d
C C
m
s
ox
ox

=
+

=
+
= =
c
c
c
Le due grandezze che ci servono per proseguire sono:
Moltiplicando per larea:
( ) F AC 10 74 . 1 10 74 . 1 10
14 8 6
= =
Diodo p
+
n
Ricordiamoci che la giunzione brusca
Osserviamo che la polarizzazione inversa (positivo applicato a n)
Significa che non abbiamo capacit di diffusione, ma solo di giunzione
Significa che la corrente solo la inversa
s s
J
kT
qV
J J ~
(


|
.
|

\
|
= 1 exp
A
i
n
n
n
p n
n
p n
p
n p
s
N
n D
q
L
n qD
L
n qD
L
p qD
J
2
0 0 0
t
= ~ + =
( )
A
bi s
qN
V V
W
+
=
c 2
W
C
s
j
c
=
|
|
.
|

\
|
=
2
ln
i
D A
bi
n
N N
q
kT
V
Ci serve solo il valore di D
n
, che troviamo dal grafico di pag.40. Vale circa 30 cm
2
/s
( ) ( ) ( )
( )
m
qN
V V
W
d
bi s

c
466 . 0 cm 10 66 . 4
10 10 602 . 1
78 . 0 875 . 0 10 85 . 8 9 . 11 2 2
5
16 19
14
= =
=

+
=
+
=

( )
V
n
N N
q
kT
V
i
D A
bi
875 . 0
10 45 . 1
10 10
ln * 0259 . 0 ln
2
10
19 16
2
=
|
|
.
|

\
|

=
|
|
.
|

\
|
=
( )
2 8
5
14
/ 10 26 . 2
10 66 . 4
10 85 . 8 9 . 11
cm F
W
C
s
j


= =
c
( )
2 11
16
2
10
7
19
2
/ 10 83 . 5
10
10 45 . 1
10
30
10 602 . 1 cm A
N
n D
q J
A
i
n
n
s

= =
t
Moltiplicando per larea:
( ) F AC 10 26 . 2 10 26 . 2 10
14 8 6
= =
A AJ I
s s
10 83 . 5 10 83 . 5 10
17 11 6
= = =
Diodo Schottky
La capacit (e anche W) la stessa che nel diodo n
+
p.



La corrente anche qui inversa =-J
s
Per calcolare J
s
occorrono le costanti A* e
Bp

Da pag. 203, abbiamo che per il Silicio di tipo p A=32 A*/K
2
cm
-2
Dalla figura 5.3 abbiamo, per Al su Silicio di tipo n: q
Bn
=0.6eV


Quindi, per la formula 5.3:
Bp
= Eg--q
Bn
= 1.12-0.6 = 0.56 eV
( )
2 8
5
14
/ 10 26 . 2
10 66 . 4
10 85 . 8 9 . 11
cm F
W
C
s
j


= =
c
2 3 2 2
/ 10 17 . 1
0259 . 0
56 . 0
exp 300 32 exp * cm A
kT
q
T A J
Bp
s

=
|
.
|

\
|
=
|
|
.
|

\
|
=
|
Moltiplicando per larea:
( ) F AC 10 26 . 2 10 26 . 2 10
14 8 6
= =
A AJ I
s s
10 17 . 1 10 17 . 1 10
10 3 6
= = =
Questa la corrente di gran lunga dominante
Capacit totale= somma delle tre capacit
( ) F AC
TOT
10 26 . 6 10 74 . 1 26 . 2 26 . 2
14 14
= + + =