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ELETTRONICA

CAPITOLO 4

CAP.4

TRANSISTOR BIPOLARE (BJT): AMPLIFICATORE E INTERRUTTORE


1. 2. 3. 4. 5. Transistore bipolare a giunzione (BJT). Retta di carico e punto di lavoro Modelli DC a largo segnale. Circuiti di polarizzazione. Circuito equivalente per piccoli segnali (a bassa frequenza) del BJT. 6. Stadio amplificatore ad emettitore comune.
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TRANSISTORE BIPOLARE A GIUNZIONE (BJT)


Struttura, terminologia, convenzioni. Funzionamento in regione attiva diretta. Caratteristiche statiche ad emettitore comune. Guadagni statici di corrente a base ed emettitore comune. Effetti del secondo ordine: effetto Early e breakdown Transistore pnp.

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STRUTTURA E TERMINOLOGIA
Un transistore bipolare a giunzione (BJT) npn costituito da una regione di semiconduttore di tipo p (detta base) interposta tra due regioni di tipo n (dette emettitore e collettore). In un BJT sono pertanto presenti due giunzioni p-n: la giunzione baseemettitore (B-E) e la giunzione base-collettore (B-C). E linterazione tra queste due giunzioni che rende il BJT utilizzabile come amplificatore e come interruttore. Segni convenzionali delle correnti in un BJT npn: iC e iB positive entranti, iE positiva uscente. Nel simbolo circuitale una freccia indica il terminale di emettitore. Tale freccia diretta verso lesterno per un BJT npn.
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FUNZIONAMENTO IN ATTIVA DIRETTA


Un BJT funziona in regione attiva diretta se la giunzione B-E polarizzata in diretta (VBE>0.6 V) e la giunzione B-C polarizzata in inversa (VCB<0, o VCE>0.2-0.3V). iE dipende da VBE nello stesso modo in cui la corrente dipende dalla tensione in una giunzione p-n:

vBE iE IES exp 1 VT

iES(=10-1210-17 A) proporzionale allarea dellemettitore (AE).

Lemettitore viene drogato pi pesantemente della base, in modo che la corrente che attraversa la giunzione B-E sia prevalentemente costituita da elettroni iniettati dallemettitore.
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FUNZIONAMENTO IN ATTIVA DIRETTA /2


Gli elettroni che attraversano la giunzione B-E sono minoritari nella base: si muovono per diffusione verso la giunzione B-C e possono ricombinare con le lacune maggioritarie. Quelli che raggiungono la giunzione B-C sono sospinti nel collettore dal campo elettrico della giunzione B-C polarizzata in inversa, che risulta diretto da C a B. Se lo spessore della base WB pi piccolo della lunghezza di diffusione LB degli elettroni in base, la maggior parte degli elettroni iniettati in E raggiunge il collettore. iB costituita da lacune entranti dal terminale di base per rimpiazzare: 1) le lacune iniettate in E (la giunzione B-E polarizzata in diretta); 2) le lacune ricombinate con gli elettroni nella base.
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FUNZIONAMENTO IN ATTIVA DIRETTA /3

Riassumendo: La giunzione B-E polarizzata in diretta attraversata da una corrente che in larga parte raccolta dal collettore (polarizzato inversamente rispetto alla base) e solo in piccola parte dalla base. Ci in virt di due caratteristiche tecnologiche/realizzative fondamentali: 1) emettitore molto pi drogato della base (NE/NB 1), 2) ridotto spessore della base (WB/LB 1).

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CARATTERISTICHE AD EMET. COMUNE


La caratteristica iB-vBE (caratteristica di ingresso ad emettitore comune) simile alla caratteristica I-V di un diodo a giunzione p-n. La tensione B-E ad una data iB diminuisce allaumentare della temperatura di circa 2 mV/K. Le caratteristiche iC-vCE per iB fissate (caratteristiche di uscita ad emettitore comune) sono caratterizzate da iC indipendenti da vCE per valori di vCE maggiori di 0.2-0.3 V, ovvero fintanto che la giunzione B-C in inversa o debolmente in diretta (BJT in regione attiva diretta).

GUADAGNI STATICI DI CORRENTE


Il guadagno statico di corrente a base comune F definito come il rapporto tra la corrente di collettore e quella di emettitore, ed un numero tipicamente compreso tra 0.9 a 0.999).

iC iE

Dato che iE=iC+iB, tra iC ed iB sussiste la seguente relazione:

iC =

F iB = FiB 1 F

iC F = iB 1 F

F il guadagno statico di corrente ad emettitore comune ed generalmente compreso tra 10 e 1000 con valore tipico 100. Ci significa che iC una versione amplificata della iB.
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EFFETTI DEL SECONDO ORDINE


Effetto Early. Le caratteristiche di ingresso iB-vBE tendono a spostarsi verso vBE crescenti allaumentare di vCE perch allaumentare di vCE cala la ricombinazione degli elettroni in base (aumenta la regione di svuotamento della giunzione B-C), e quindi iB. Le caratteristiche di uscita iC-vCE hanno pendenza positiva nella regione attiva diretta: i prolungamenti delle caratteristiche di uscita convergono in uno stesso punto dellasse vCE, detto tensione di Early (VA).

EFFETTI DEL SECONDO ORDINE /2


Breakdown: La corrente di collettore aumenta rapidamente quando la tensione vCE si avvicina ad un valore critico detto tensione di breakdown ad emettitore comune. Tale comportamento provocato da due distinti fenomeni fisici: 1) la ionizzazione da impatto, ovvero la generazione di coppie elettroni-lacuna nelle regioni ad elevato campo elettrico; 2) il punch-through della base, ovvero il completo svuotamento della regione di base con conseguente cortocircuito delle regioni di emettitore e collettore. NB La tensione di rottura costituisce un limite alla massima vCE applicabile al BJT. Corrente di perdita giunzione B-C: La giunzione B-C attraversata (oltre che dalla corrente di elettroni provenienti dallemettitore) dalla corrente di perdita della giunzione in inversa (ICO). Di conseguenza iB non si annulla per vBE=0 ma vale iB-ICO.
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TRANSISTORE BIPOLARE PNP


Il BJT pnp costituito da una regione di semiconduttore di tipo n (base) interposta tra due regioni di tipo p (emettitore e collettore). Il funzionamento del transistore pnp del tutto simile a quello del BJT npn (una volta invertite le polarit delle tensioni e i versi delle correnti). I segni convenzionali delle correnti (iC e iB positive uscenti e iE positiva entrante) sono quelli assunti in regione attiva diretta (come gi per il BJT npn). Nel simbolo circuitale lemettitore indicato da una freccia entrante. 11

TRANSISTORE BIPOLARE PNP /2


Le caratteristiche statiche del transistore bipolare pnp sono uguali a quelle del transistore npn con lunica differenza che le tensioni sono cambiate di segno.

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RETTA DI CARICO E PUNTO DI LAVORO


Stadio amplificatore ad emettitore comune. Analisi del circuito di ingresso. Analisi del circuito di uscita. Esercizio

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STADIO AMPLIFICATORE A EMETTITORE COMUNE


In un amplificatore ad emettitore comune il terminale di emettitore del BJT comune alla porta di ingresso (B-E) e a quella di uscita (C-B). Le due alimentazioni VBB e VCC fissano la polarizzazione del BJT in un punto di lavoro statico in cui si pu ottenere una buona amplificazione del segnale di ingresso (regione attiva diretta). Il generatore di tensione sinusoidale vin(t) genera il segnale di ingresso.

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CIRCUITO DI INGRESSO
Applicando la II legge di Kirchhoff al circuito di ingresso, si ottiene:

VBB + v in (t) = R BiB (t) + v BE (t)


Tale equazione rappresenta il vincolo che il circuito esterno impone sui valori di vBE e iB. La sua rappresentazione grafica la retta di carico nel piano delle caratteristiche di ingresso iB - vBE. Il punto di intersezione della caratteristica di ingresso del BJT e della retta di carico fornisce le coordinate del punto di lavoro. Il punto di lavoro statico o punto di riposo si ottiene ponendo vin(t)=0. Al variare di vin nel tempo, il punto di lavoro istantaneo si sposta sopra e sotto il punto di riposo.
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CIRCUITO DI USCITA
Applicando la II legge di Kirchhoff al circuito di uscita, si ottiene:

VCC = R CiC (t) + v CE (t)


Tale equazione rappresenta il vincolo che il circuito esterno impone sui valori di vCE e iC. La sua rappresentazione grafica la retta di carico nel piano delle caratteristiche di uscita: vCE e iC devono appartenere alla caratteristica di uscita corrispondente al valore di iB ottenuto dallanalisi del circuito di ingresso. I valori di vCE e iC che soddisfano questi vincoli sono date dal punto di intersezione fra retta di carico e la curva iC vCE corrispondente al corretto valore di iB. Se vin aumenta, aumenta anche iB: vCE diminuisce (vedi caratteristica di uscita) e il segnale di uscita risulta pertanto invertito.
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ESERCIZIO
Dati: VCC=10 V, VBB=1.6 V, RB=40 k, RC=2 k , vin(t)=0.4sin(2000pt). Trovare il punto di riposo e i valori massimi e minimi di vCE. Determinare il guadagno di tensione. 1) Determinazione di iBQ, iBmax, iBmin.

VBB + v in (t) = R BiB (t) + v BE (t)


iB (t ) = VBB + v in (t ) v BE (t) RB
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ESERCIZIO /2
2) Determinazione di vCEQ, vCEmax, vCEmin.

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ESERCIZIO /3
2) Determinazione del guadagno di tensione.

Considerando pi punti (oltre vCEQ, vCEmax, vCEmin) possibile costruire la forma donda vCE(t), la quale risulta una sinusoide di ampiezza 2 V, frequenza uguale a quella del segnale di ingresso (1000 Hz) e invertita. Il guadagno di tensione risulta pertanto: Av=-2/0.4=-5.
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DISTORSIONE NON LINEARE


La tensione di uscita degli amplificatori non mai una sinusoide perfetta a causa della non-linearit del BJT. In questi casi, si dice che lamplificatore ha introdotto una distorsione non lineare. Lamplificazione non introduce apprezzabile distorsione solo se lampiezza del segnale di ingresso cos limitata da evitare che il punto di lavoro istantaneo esca dalla regione attiva diretta. La regione di funzionamento in cui iC0 detta interdizione. Quella in cui vCE 0.2-0.3 V detta saturazione.
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REGIONI DI FUNZIONAMENTO DEL TRANSISTOR BIPOLARE


REGIONE
ATTIVA DIRETTA SATURAZIONE INTERDIZIONE ATTIVA INVERSA

GIUNZIONE B-E GIUNZIONE B-C


On On Off Off Off On Off On

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MODELLO DC DEL BJT IN REGIONE ATTIVA DIRETTA E SATURAZIONE


ATTIVA DIRETTA SATURAZIONE

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MODELLO DC DEL TRANSISTOR BIPOLARE IN INTERDIZIONE

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CIRCUITI DI POLARIZZAZIONE
Analisi DC Circuito di Circuito di Circuito di dei circuiti a BJT. polarizzazione a base fissa. polarizzazione a doppia alimentazione. polarizzazione a 4 resistenze.

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ANALISI DC DEI CIRCUITI CONTENENTI TRANSITOR BIPOLARI


I circuiti di polarizzazione hanno la funzione di fissare il punto di riposo dei transistori allinterno di specifiche regioni (attiva diretta se il BJT lavora da amplificatore, interdizione/saturazione se lavora da interruttore). Per analizzare un circuito contenente transistor BJT: 1. si assume che ogni BJT operi in una determinata regione di funzionamento e si sostituisce ad ogni BJT il corrispondente modello DC; 2. si risolve il circuito ottenendo il punto di riposo di ogni BJT; 3. si verifica, per ogni BJT, che la soluzione ottenuta soddisfi le condizioni imposte dalla regione di funzionamento assunta; 4. in caso affermativo lanalisi completa; altrimenti si assume una diversa regione di funzionamento per uno o pi BJT e si ripetono i punti 2-4 fino a quando si ottiene una soluzione valida per tutti i BJT.
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POLARIZZAZIONE A BASE FISSA


Dati: VCC=15 V, RB=200 k , RC=1 k, F = 100. 1. Supponiamo che il BJT sia interdetto: IB=0 VBE=VCC=15 V il punto di lavoro ottenuto non consistente con lipotesi fatta. 2. Supponiamo che il BJT sia in saturazione: IC=(VCC-0.2)/RC=14.8 mA, IB=(VCC-0.7)/RB=71.5 uA F IB< IC il punto di lavoro ottenuto non consistente con lipotesi fatta.

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POLARIZZAZIONE A BASE FISSA /2


Supponiamo che il BJT operi in regione attiva diretta: IB=(VCC-0.7)/RB=71.5 uA, IC= F IB= 7.15 mA, VCE=VCC-RC IC=7.85 V. Risulta verificato che: IB>0 e VCE>0.2 V, pertanto il BJT opera realmente in regione attiva diretta e i valori ottenuti per IB, IC e VCE rappresentano effettivamente il suo punto di lavoro. Il punto di lavoro del BJT prossimo al punto medio della retta di carico: una grossa variazione di F (usuale nei componenti discreti) pu portare il punto di lavoro verso le zone di saturazione e interdizione: per questo, il circuito di polarizzazione a base fissa non adatto per amplificatori di massa. Il circuito detto a base fissa perch IB fissata da VCC e RB.
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POLARIZZAZIONE A DOPPIA ALIMENTAZIONE


Dati: VCC=15 V, VBB=5 V, RC=2 k, RE=2 k, F= 100. Ipotizziamo il BJT operante in regione attiva diretta: IE=(VBB-0.7)/RE=2.15 mA (indipendente da F) IB=IE/(F+1)=21.3 uA IC=FIB=2.13 mA VCE=VCC-RCIC -REIE=6.44 V Ipotesi corretta. Il punto di lavoro sulla caratteristica di uscita (IC, VCE) praticamente indipendente da F.
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POLARIZZAZIONE A 4 RESISTENZE
Il circuito di polarizzazione a doppia alimentazione non viene utilizzato perch richiede due alimentazioni, e non consente di iniettare in base un segnale AC (la base cortocircuitata a massa per i segnali AC), caratteristica fondamentale per un amplificatore . Per questo motivo, si utilizza il circuito di polarizzazione a 4 resistenze: le due resistenze R1 e R2 formano un quasi (NB: c IB) partitore di tensione che ha lo scopo di fornire una tensione costante indipendente da F sulla base del BJT, che si traduce in un punto di lavoro (IC, VCE) indipendente da F. Siccome la base del BJT non direttamente connessa allalimentazione o a massa, possibile iniettarvi un segnale AC tramite una capacit di accoppiamento.
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POLARIZZAZIONE A 4 RESISTENZE /2
Applicando il teorema di Thevenin (generatroe equivalente) tra la base del BJT e massa guardando a sinistra dalla linea tratteggiata: RB=R1||R2= R1R2/(R1+R2) resistenza equivalente VB= R2VCC/(R1+R2) tensione equivalente

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POLARIZZAZIONE A 4 RESISTENZE /3
Supposto che il BJT funzioni in regione attiva diretta: VB=RBIB+VBE+REIE e IE=(F+1)IB si ricava: IB= (VB-VBE)/[RB+(F +1)RE] IC=FIB VCE=VCC-RCIC-REIE

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POLARIZZAZIONE A 4 RESISTENZE /4
Per il circuito in figura (F=100): IB=41.2uA; IC=4.12mA; VCE=6.72V Affinch il (quasi) partitore di tensione R1-R2 fornisca una tensione costante alla base del BJT, bisogna che IB sia piccola rispetto alla corrente su R1 e R2, ossia che R1 e R2 siano piccole. Allaumentare di R1 e R2 le variazioni del punto di lavoro con F aumentano. Tuttavia, visto che valori troppo piccoli di R1 e R2 portano a correnti troppo elevate, R2 scelta in modo che la corrente che la attraversa sia 1020 volte maggiore della massima IB. inoltre opportuno che VB sia grande rispetto a VBE: di solito VB=VCC/3. Il circuito a 4 resistenze largamente utilizzato per la polarizzazione degli amplificatori a discreti.
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BJT COME INTERRUTTORE


Usato come interruttore, il transistor un dispositivo digitale che ha due soli stati: acceso (ON) e spento (OFF) e serve per controllare potenza fornita ad un certo carico R Vcc Se il transistor spento, la tensione fra C e E (VCE) uguale a VCC, la corrente IC=0, per cui la potenza dissipata P=VCEIC=0 R Quando il transistor acceso, lavora in saturazione, VCE~0.3V, su di esso scorre molta corrente, e quindi il transistor dissipa potenza VCEIC >>0 Ogni BJT in grado di gestire un certo livello di potenza (BJT di segnale e di potenza): la potenza dissipata si trasforma in calore e si devono prevedere opportune alette di raffreddamento per controllare la temperatura del BJT.
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STADI DI USCITA POWER SWITCHING

R1 per limitare la corrente in base Protezione dalle correnti di spegnimento (diodo) importante scegliere bene il transistor: deve sopportare la corrente di carico!

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CIRCUITO EQUIVALENTE PER PICCOLI SEGNALI DEL BJT

Regime di piccolo segnale. Circuito equivalente a due parametri.

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REGIME DI PICCOLO SEGNALE


I segnali di corrente (ib, ic, ie) o tensione (vbe, vce, vcb) sono definiti come la variazione della grandezza considerata rispetto al suo valore di riposo. Si in regime di piccolo segnale se le ampiezze di tali variazioni sono cos piccole da poter essere linearizzate nellintorno del punto di riposo.

iB(t)=IBQ+ ib(t) iC(t)=ICQ+ ic(t) iE(t)=IEQ+ ie(t) vBE(t)=VBEQ+ vbe(t) vCE(t)=VCEQ+ vce(t) vCB(t)=VCBQ+ vcb(t)
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CIRCUITO EQUIVALENTE A DUE PARAMETRI


I circuiti equivalenti ai piccoli segnali (a) e (b) descrivono le relazioni esistenti in un BJT fra correnti e tensioni di piccolo segnale: r la resistenza equivalente della giunzione B-E (a temperatura ambiente VT0.026 V), gm la trasconduttanza
gm = F I CQ = r VT

r =

VT F VT = IBQ I CQ

Relazioni tra correnti e tensioni di piccolo segnale: (a) (b)

ic (t) = Fib (t)


ic (t) = gm v be (t)

ib (t) =

v be (t) r

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STADIO AMPLIFICATORE AD EMETTITORE COMUNE


Schema elettrico. Circuito equivalente per piccoli segnali. Guadagno di tensione. Impedenza di ingresso. Guadagno di corrente e di potenza. Impedenza di uscita.

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SCHEMA ELETTRICO
In condizioni statiche i condensatori sono dei circuiti aperti e pertanto le resistenze R1, R2, RC e RE1+RE2 realizzano una rete di polarizzazione a 4 resistenze. C1 accoppia la sorgente del segnale di ingresso alla base del BJT, mentre C2 accoppia il segnale di uscita (preso sul collettore del BJT) al carico. CE, detta capacit di by-pass, costituisce un percorso a pi bassa impedenza per ie verso massa. C1, C2 e CE sono scelte grandi in modo da dare una piccola impedenza alla minima frequenza utile di vin: nellanalisi AC vanno considerati come dei corticircuiti. Se RE1=0, lemettitore del BJT comune alle porte di ingresso e quella di uscita dei segnali.

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CIRCUITO EQUIV. AI PICCOLI SEGNALI


Per ottenere il circuito equivalente ai piccoli segnali dellamplificatore a emettitore comune occorre sostituire: 1) ai condensatori dei cortocircuiti; 2) al BJT il suo circuito equivalente per piccoli segnali; 3) ai generatori di tensione (corrente) DC indipendenti dei cortocircuiti (circuiti aperti), dal momento che su di essi la variazione di tensione (quindi il segnale di tensione) nulla. Possiamo quindi definire: RB= R1||R2 e RL= RC||RL.

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GUADAGNO DI TENSIONE
La corrente attraverso RE1 data da ie=(F+1)ib. La tensione di ingresso pu scriversi come: La tensione di uscita data dalla caduta di tensione su RL ovvero: Dividendo membro a membro si ottiene il guadagno di tensione:

v in = rib + R E1 (F + 1)ib
v o = R L Fib

Av =

vo F R L = v in r + (F + 1)R E1

Av negativo: ci significa che lamplificatore ad emettitore comune un amplificatore di tensione invertente. FR C Il guadagno di tensione a vuoto dato da: A vo = r + (F + 1)R E1

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GUADAGNO DI TENSIONE /2
Se RE1=0:
Av = vo R = F L v in r

Se (F+1)RE1>>r e F>>1, si ottiene:

Av =

FR F R R L L L r + (F + 1)R E1 (F + 1)R E1 R E1

In queste condizioni Av circa indipendente dai parametri del BJT e dipende unicamente dal rapporto della resistenza di carico RL e della esistenza allemettitore RE1. La resistenza RE1 in serie allemettitore riduce il guadagno di tensione rispetto al caso RE1=0, ma lo rende meno sensibile ai parametri del transistor (e come vedremo aumenta limpedenza di ingresso).
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IMPEDENZA DI INGRESSO
Limpedenza di ingresso vista dalla base del BJT ottenibile dalleqz. Di Kirchoff della maglia di ingresso:

Z it =

v in = r + (F + 1)R E1 ib

Limpedenza di ingresso vista dal generatore del segnale di ingresso il parallelo di RB e Zit: v 1 Z in = in = 1 iin + 1 RB Z it

Con le approssimazioni fatte, limpedenza di ingresso una pura resistenza e pertanto pu essere ottenuta come rapporto della vin e della iin istantanee. Se nel circuito equivalente fossero state presenti capacit e/o induttanze, sarebbe stato necessario dividere i fasori associati e limpendenza ottenuta avrebbe avuto una parte reattiva.
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GUADAGNO DI CORRENTE E DI POTENZA


Il guadagno di corrente in generale ottenibile come:

Ai =

io Z in v 0 Z = = A v in iin v in R L RL

Il guadagno di corrente di corto circuito dato da:

A isc = F
Nellipotesi di impedenze di ingresso e di carico puramente resistive, il guadagno di potenza dato dal prodotto:

G = A v Ai = A2 V

Z in RL
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IMPEDENZA DI USCITA
Per calcolare limpedenza di uscita, il generatore di segnale vs deve essere cortocircuitato. In queste condizioni ib=0 e pertanto anche bFib =0, da cui:

Zo =

vo = RC io

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INSEGUITORE DI EMETTITORE
Il segnale di uscita prelevato dallemettitore e trasferito in uscita tramite C2. La resistenza di collettore non serve in questo circuito.

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INSEGUITORE DI EMETTITORE /2
Circuito equivalente a piccolo segnale a centro banda: dato che il collettore connesso a massa, questo circuito chiamato amplificatore a collettore comune; RB= R1||R2 e RL= RC||RL; guadagno di tensione:
v o = (1 + F )R L ib

v in = rib + (1 + F )R L ib

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INSEGUITORE DI EMETTITORE /3
AV1: per essere utile, questo circuito deve avere un grande guadagno di corrente
AV = r

(1 + )R + (1 + )R
F L F

>0

AV>0: un amplificatore non-invertente; la tensione di uscita cambia della stessa quantit di cui cambia quella di ingresso, per cui si dice che insegue lingresso Alta impedenza di ingresso (rispetto ad altre configurazioni circuitali che utilizzano i BJT): transistor MOSFET e retroazione aiutano ad aumentare limpedenza di ingresso
Z in = v in = 1 iin 1 RB + 1 Z it

Z it =

v in = r + (F + 1)R L ib
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INSEGUITORE DI EMETTITORE /4
Guadagno di corrente generalmente elevato
Ai = io R B [r + (1 + F )R Z Z L] = A v in in iin R L R L R L [R B + r + (1 + F )R L]

Bassa impedenza di uscita


Z0 = vx = 1 ix 1 RE + 1 Z ot

Z ot =

r + R S 1 + F

R S =

R BR S RB + RS

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AMPLIFICATORE A BASE COMUNE


Lamplificatore a base comune non-invertente, ha potenzialmente un elevato guadagno di tensione, mentre il guadagno di corrente inferiore allunit. R1 e R2 sono resistenze di polarizzazione.

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AMPLIFICATORE A BASE COMUNE /2


Guadagno di tensione:
v o = FR L ib

v in = rib

AV =

FR L r

R L =

R LR C RL + R C

Calcolare: Guadagno di corrente Impedenza di ingresso Impedenza di uscita

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