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Dispositivi Elettronici

Corso di Laurea in Ingegneria Elettronica


Prof. Ing. Alessandro Busacca
A.A. 2019/20
I semiconduttori
Classificazione elettrica dei materiali
Conduttori Facilità con cui gli elettroni
Semiconduttori sono liberi di muoversi al loro
Isolanti interno

Numero di elettroni del guscio atomico esterno che prendono


parte alla formazione dei legami covalenti all’interno del materiale

Metalli Isolanti
Gli elettroni non partecipano alla Tutti gli elettroni di valenza sono
formazione di legami covalenti e coinvolti in legami covalenti.
rimangono liberi muoversi sotto Occorre molta energia per
l’effetto di un campo elettrico staccarli e farli partecipare alla
conduzione
Semiconduttori
Sono microscopicamente simili agli isolanti (tutti gli elettroni di
valenza sono coinvolti in legami covalenti).
La sola energia dovuta all’agitazione termica (< 2 eV) è sufficiente
a liberare un certo numero di elettroni e a renderli disponibili alla
conduzione

Composti
Elementi della IV colonna
Atomi singola specie silicio carbonio (SiC)
Elementi della IV colonna
silicio (Si), germanio (Ge). Composti
Elementi di III e V colonna
arsenurio di gallio (GaAs)
Silicio
Rappresenta il principale materiale per la realizzazione di
componenti a semiconduttore

Possibilità di realizzare facilmente un materiale isolante di elevata


qualità (il biossido di silicio, SiO2)

Basso costo rispetto ad altri materiali (nella forma di silice o di


silicati, costituisce il 25% della crosta terrestre)

La tecnologia per la sua lavorazione è di gran lunga la più


avanzata rispetto a quella degli altri semiconduttori
Disposizione degli atomi di silicio
Il silicio ha una struttura cristallina. Gli atomi formano un
tetraedro
I quattro elettroni del guscio esterno legano gli atomi del cristallo
mediante legami covalenti
z
zona di
valenza +4 +4 +4

+4 e2 +4 +4
e1

y +4 +4 +4
zona di
x
conduzione
Elettroni e lacune
La vibrazione termica può liberare un elettrone e farlo saltare dalla
zona di valenza alla zona di conduzione
Un elettrone libero lascia alle sue spalle una lacuna (hole)

Per vibrazione termica, si genereranno


coppie elettrone-lacuna +4 +4 +4

Sotto l’applicazione di un campo


elettrico gli elettroni liberi partecipano
e3 e2
alla conduzione di corrente +4 +4 +4
e4 h1 elettrone
Anche le lacune tuttavia danno il loro lacuna e1
contributo alla conduzione di corrente
+4 +4 +4
Moto di elettroni e lacune
Gli elettroni liberi vengono detti elettroni di conduzione.
Quelli nella zona di valenza sono gli elettroni di valenza.
L’elettrone di conduzione e1 si sposta
E
verso destra
Gli elettroni di valenza e2, e3 ed e4 si
+4 +4 +4
spostano verso destra
Nulla ci vieta di dire che, sotto l’azione
del campo elettrico, la lacuna si è +4
e4 e3
+4 +4
spostata verso sinistra h1 e2
e1
La lacuna è una pseudo-carica positiva
+4 +4 +4
Elettroni e lacune sono detti anche
portatori
Semiconduttori intrinseci
Il semiconduttore puro viene detto intrinseco

Nel semiconduttore intrinseco ogni elettrone che si libererà dal


legame covalente creerà una lacuna

Il numero delle lacune sarà uguale a quello degli elettroni liberi

Definendo rispettivamente con p ed n il numero di lacune e di


elettroni per unità di volume presenti in un semiconduttore, si avrà
n  p  ni

ni prende il nome di concentrazione intrinseca dei portatori o,


semplicemente, concentrazione intrinseca
Concentrazione intrinseca
ni dipende dalle caratteristiche del semiconduttore ed è funzione
della temperatura
Il valore di ni è dovuto ad un bilanciamento tra il tasso di
generazione ed il tasso di ricombinazione

Silicio
ni = 9.65109 cm–3 @ 300 K

3
 E T 
ni  CT exp   G
2

 2 kT 

C è una costante
k è la costante di Boltzmann
EG(T) è l’energia di bandgap
Corrente di deriva nel Si intrinseco
La corrente di deriva sarà causata dal moto degli elettroni e delle
lacune.

La relazione che esprime la densità di corrente tiene conto di questo


doppio contributo
j  q  n n  p  p  E

mn e mp rappresentano la mobilità mobilità (cm2/Vs)


Semiconduttore
degli elettroni e delle lacune elettroni lacune
Silicio 1450 505
Le due mobilità hanno valori Arsenurio di gallio 9200 320
Germanio 3900 1900
differenti e la mobilità delle lacune
è inferiore a quella degli elettroni.
Semiconduttori estrinseci
È possibile inserire in un semiconduttore intrinseco altri elementi
chimici all’interno del reticolo cristallino

Tali elementi vengono detti droganti o anche impurità

Il semiconduttore così trattato viene detto drogato, impuro o


estrinseco

Concentrazione di drogante << 5.021022 cm-3 (atomi del silicio)

Concentrazione di drogante >> 9.65 109 cm-3 (= ni)

1014 atomi/cm3 < concentrazione drogante < 1020 atomi/cm3


Tipi di drogante
Gli elementi droganti che sono in grado di alterare le proprietà
elettriche di un semiconduttore, appartengono alla V o alla III
colonna della tabella periodica degli elementi

Tali elementi sono pentavalenti o trivalenti in quanto possiedono


rispettivamente cinque o tre elettroni che possono formare legami
covalenti con gli atomi adiacenti.

Droganti Trivalenti Droganti Pentavalenti


Boro Antimonio
Gallio Fosforo
Indio Arsenico
Drogaggio con elementi pentavalenti
L’atomo drogante usa quattro dei cinque elettroni del suo guscio
esterno per formare un legame covalente

L’elettrone in più non è legato al reticolo e può facilmente


diventare un elettrone libero
Gli atomi droganti vengono chiamati +4 +4 +4
elettrone
atomi donori o di tipo n

Il semiconduttore viene detto drogato +4 +5 +4

di tipo n

La concentrazione di drogante di tipo +4 +4 +4

n viene indicata con ND


Drogaggio con elementi pentavalenti
Una volta che l’elettrone si allontana, il drogaggio di tipo n crea uno
ione positivo

Differentemente da una lacuna, lo ione è una carica positiva fissa

Il tasso di generazione rimane +4 +4 +4


immutato elettrone

Il tasso di ricombinazione aumenta a +4 +5 +4


causa dell’aumento degli elettroni liberi

La concentrazione di lacune è minore +4 +4 +4


rispetto al semiconduttore intrinseco
Drogaggio con elementi trivalenti
L’atomo drogante tutti i suoi tre elettroni del suo guscio esterno per
formare un legame covalente

Il legame non formato crea una lacuna in grado di partecipare alla


conduzione di corrente
Gli atomi droganti vengono chiamati +4 +4 +4

atomi accettori o di tipo p

Il semiconduttore viene detto drogato +4 +3 +4

di tipo p
lacuna

La concentrazione di drogante di tipo +4 +4 +4

p viene indicata con NA


Drogaggio con elementi trivalenti
Una volta che la lacuna si allontana, il drogaggio di tipo p crea uno
ione negativo

Differentemente da un elettrone, lo ione è una carica negativa fissa

Il tasso di generazione rimane +4 +4 +4


immutato

Il tasso di ricombinazione aumenta a +4 +3 +4


causa dell’aumento delle lacune
lacuna
La concentrazione di elettroni è +4 +4 +4
minore rispetto al semiconduttore
intrinseco
Riepilogo degli effetti del drogaggio
Drogaggio di tipo n Drogaggio di tipo p
• Aumenta la • Aumenta la
concentrazione concentrazione
degli elettroni delle lacune
• Genera cariche • Genera cariche
positive fisse (ioni) negative fisse (ioni)
• Diminuisce la • Diminuisce la
concentrazione di concentrazione
lacune degli elettroni
Mobilità nei semiconduttori estrinseci
Quando una carica passa accanto ad uno ione essa subisce una
forza Coulombiana ed è costretta a cambiare la sua traiettoria

Maggiore è la concentrazione di drogante, minore sarà la mobilità


delle cariche

Nel silicio la mobilità


diminuisce di circa un
ordine di grandezza
passando da drogaggi
di 1014 a 1020 cm–3
Equilibrio termico e
legge dell’azione di
massa
Equilibrio termico
In un semiconduttore la condizione di equilibrio termico implica un
perfetto bilanciamento tra i processi (tassi) di generazione e
ricombinazione

Processi di Generazione
1. Elettrone da atomo Si  creazione coppia elettrone-lacuna
2. Elettrone da atomo donore  elettrone + ione positivo
3. Elettrone verso atomo accettore  lacuna + ione negativo

Processi di Ricombinazione
4. Elettrone verso atomo Si  annichilimento coppia elettrone-
lacuna

I fenomeni ovviamente dipendono dalla temperatura


Equilibrio termico
In equilibrio termico, il processo di generazione è bilanciato dal
processo di ricombinazione.

Uno sbilanciamento (aumento) nella concentrazione di


elettroni/lacune porta ad una modifica del processo di
ricombinazione fintantoché i due processi non assumano lo stesso
tasso.

In questa condizione il semiconduttore è in equilibrio termico

Tasso di generazione (G) = Tasso di ricombinazione (R)


Legge dell’azione di massa
In un semiconduttore di tipo n, è In un semiconduttore di tipo p,
molto probabile che una lacuna è molto probabile che un
sia “incontrata” da un elettrone elettrone incontri una lacuna e
e avvenga una ricombinazione avvenga una ricombinazione
Di conseguenza le lacune Di conseguenza gli elettroni
diminuiscono secondo la legge diminuiscono secondo la legge
1 1
pC nC
n p

np  ni2

In un semiconduttore drogato vi sarà un portatore di carica


prevalente detto maggioritario. L’altro viene detto minoritario.
Neutralità della carica
Bilancio di carica in un semiconduttore
In un semiconduttore drogato (ND o NA) a temperatura ambiente (T
= 300 K) tutti gli atomi di drogante sono ionizzati
N D  N D N A  N A
Il bilancio di carica in un semiconduttore prevede che
N D  p  N A  n

e tenendo conto della legge dell’azione di massa si ha il sistema


 
N A  ND 2
N A  ND 2 ni
p   1
 p  n  N A  ND
  2 2 N A  ND
 
 2

 pn n n  N D  N A  N D  N A 1   
2 ni 2
i
 2 2 ND  N A
Bilancio di carica in un semiconduttore

 
N A  ND 2
N A  ND 2 ni
 p  2
 2
1 N A  ND

n  ND  N A  ND  N A 1   
2 ni 2

 2 2 ND  N A

Materiale di tipo p Materiale di tipo n

 p p N A  N D  ni2
  pn 
 ni2  ND  N A
n p  N  N n  N  N
 A D  n D A

Esiste sempre un portatore di maggioranza (maggioritario) ed un


portatore di minoranza (minoritario)
Generazione-
ricombinazione e
iniezione di portatori
Tempi di vita dei portatori (minoritari)
All’equilibrio termico esiste un bilanciamento tra i tassi di
generazione e ricombinazione
Subito dopo la loro generazione, un’elettrone ed una lacuna
sopravvivono un certo tempo medio detto tempo di vita del
portatore
tn = tempo di vita medio dell’elettrone
tp = tempo di vita medio della lacuna

I due tempi forniscono indicazioni sul tempo che i portatori


impiegano per raggiungere le condizioni di equilibrio

I tempi di vita si riferiscono ai portatori minoritari in quanto da


essi dipendono i processi di ricombinazione
Iniezione di portatori
Esistono fenomeni fisici in cui il numero di portatori può essere
incrementato (aumento dei processi di generazione)
Tale fenomeno è chiamato iniezione di portatori

In questo caso i portatori in eccesso o portatori iniettati sono


descritti tramite le equazioni
n  n  n0
p  p  p0

e poiché non si introduce alcuna carica dall’esterno si ha


n  p 

Il pedice ‘0’ denota l’equilibrio. L’apice denota l’eccesso.


L’assenza di notazione denota il totale.
Bassi e alti livelli di iniezione
Se il numero di portatori iniettati è inferiore al numero dei
portatori di maggioranza si parla di bassi livelli di iniezione
nn  nn 0  N D pp  p p 0  N A

Se il numero di portatori iniettati è maggiore del numero dei


portatori di maggioranza si parla di alti livelli di iniezione
nn  nn 0  N D pp  p p 0  N A

Per bassi livelli di iniezione, la I portatori iniettati modificano le


concentrazione dei portatori di concentrazioni dei portatori
maggioranza rimane invariata minoritari
nn  N D pn  pn  pn 0  pn

pp  N A n p  np  n p 0  np
Transitorio dopo la cessazione di un
fenomeno di generazione
Che succede immediatamente dopo la cessazione di un fenomeno di
generazione di portatori?

Il semiconduttore si riporterà all’equilibrio termodinamico


mediante dei processi di ricombinazione
I portatori in eccesso (precedentemente iniettati) diminuiranno

In ogni istante, la loro diminuzione sarà proporzionale al numero


di portatori presenti in quel momento e inversamente
proporzionale al tempo di vita medio
dpn pn dn p np
 
dt p dt n
Analisi del transitorio di ricombinazione
Poiché i termini costanti all’interno di una derivata non danno alcun
contributo
dpn p dnp np
 n 
dt p dt n
che risolte danno
pn  t   pn  0  e
t  p
np  t   np  0  e-t  n

I portatori tornano esponenzialmente ai livelli in equilibrio

Le costanti di tempo sono pari ai tempi di vita medi dei portatori

Comportamento simile alla scarica di un condensatore che viene


cortocircuitato da una resistenza
Diffusione di portatori
Concentrazioni non uniformi e moto
dei portatori
Differentemente dai conduttori, nei semiconduttori esiste un altro
fenomeno di trasporto di carica: la corrente di diffusione

Dato il movimento casuale


delle cariche, si osserva un n n(l)
movimento netto dalle regioni n(0)
n(-l)
a maggior concentrazione verso
quelle a minore concentrazione

Nel caso degli elettroni, la 1 2


corrente elettrica è opposta al
moto delle cariche x
-l 0 l
Corrente di diffusione
Dopo un tempo tc metà degli Velocità media degli elettroni vth
elettroni che si trovavano tra il Libero cammino medio l
punto –l e 0 attraverseranno Tempo di percorrenza tc (= l/vth)
l’origine

Il flusso di particelle sarà metà n n(l)


area 1 diviso il tempo di n(0)
n(-l)
percorrenza, tc

Analogamente faranno gli 1 2


elettroni dell’area 2
x
Il flusso netto è la differenza
dei due flussi -l 0 l
Corrente di diffusione
Poiché l è piccolo, le due regioni si approssimano mediante due
rettangoli

I due flussi diventano


1 n  l  l 1
Fs d   n  l  vth n n(0) n(l)
2 c 2
1 n l l 1 n(-l)
Fd  s   n  l  vth
2 c 2

Che generano un flusso netto


pari a
1 2
1 x
F  Fs d  Fd  s   n  l   n  l   vth
2
-l 0 l
Corrente di diffusione
Sviluppando il flusso netto in serie di Taylor si ha
1  dn   dn   dn
F  n  0   l 
  n  0   l  thv   D
2  dx  
n
dx   dx
dove
Dn  vth l
è chiamato coefficiente di diffusione o diffusività

Moltiplicando il flusso per la carica dell’elettrone, –q, otteniamo la


densità di corrente di diffusione per gli elettroni

dn
jnx  qDn
dx
Corrente nei semiconduttori
Contributi diffusivi
dp dn
j px   qD p jnx  qDn
dx dx

Contributi di deriva

j px  qp p Ex jnx  qn n Ex

Correnti totali
dp dn
j px  qp  p Ex  qD p jnx  qn n E x  qDn
dx dx
Relazione di Einstein
Dn  vth l
Dn  vth2  c
l  vth c n
q c Dn  m v 2
n th
n  q kT
mn Dn   n  VT  n
Definizione q
1 1
della mobilità mn vth2  kT
Energia 2 2
kT
termica Dp   p  VT  p
q

VT = kT/q è denominata tensione termica

T Pari a circa 26 mV a
VT 
11600 temperatura ambiente (300 K)