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Metalli Isolanti
Gli elettroni non partecipano alla Tutti gli elettroni di valenza sono
formazione di legami covalenti e coinvolti in legami covalenti.
rimangono liberi muoversi sotto Occorre molta energia per
l’effetto di un campo elettrico staccarli e farli partecipare alla
conduzione
Semiconduttori
Sono microscopicamente simili agli isolanti (tutti gli elettroni di
valenza sono coinvolti in legami covalenti).
La sola energia dovuta all’agitazione termica (< 2 eV) è sufficiente
a liberare un certo numero di elettroni e a renderli disponibili alla
conduzione
Composti
Elementi della IV colonna
Atomi singola specie silicio carbonio (SiC)
Elementi della IV colonna
silicio (Si), germanio (Ge). Composti
Elementi di III e V colonna
arsenurio di gallio (GaAs)
Silicio
Rappresenta il principale materiale per la realizzazione di
componenti a semiconduttore
+4 e2 +4 +4
e1
y +4 +4 +4
zona di
x
conduzione
Elettroni e lacune
La vibrazione termica può liberare un elettrone e farlo saltare dalla
zona di valenza alla zona di conduzione
Un elettrone libero lascia alle sue spalle una lacuna (hole)
Silicio
ni = 9.65109 cm–3 @ 300 K
3
E T
ni CT exp G
2
2 kT
C è una costante
k è la costante di Boltzmann
EG(T) è l’energia di bandgap
Corrente di deriva nel Si intrinseco
La corrente di deriva sarà causata dal moto degli elettroni e delle
lacune.
di tipo n
di tipo p
lacuna
Processi di Generazione
1. Elettrone da atomo Si creazione coppia elettrone-lacuna
2. Elettrone da atomo donore elettrone + ione positivo
3. Elettrone verso atomo accettore lacuna + ione negativo
Processi di Ricombinazione
4. Elettrone verso atomo Si annichilimento coppia elettrone-
lacuna
np ni2
N A ND 2
N A ND 2 ni
p 1
p n N A ND
2 2 N A ND
2
pn n n N D N A N D N A 1
2 ni 2
i
2 2 ND N A
Bilancio di carica in un semiconduttore
N A ND 2
N A ND 2 ni
p 2
2
1 N A ND
n ND N A ND N A 1
2 ni 2
2 2 ND N A
p p N A N D ni2
pn
ni2 ND N A
n p N N n N N
A D n D A
pp N A n p np n p 0 np
Transitorio dopo la cessazione di un
fenomeno di generazione
Che succede immediatamente dopo la cessazione di un fenomeno di
generazione di portatori?
dn
jnx qDn
dx
Corrente nei semiconduttori
Contributi diffusivi
dp dn
j px qD p jnx qDn
dx dx
Contributi di deriva
Correnti totali
dp dn
j px qp p Ex qD p jnx qn n E x qDn
dx dx
Relazione di Einstein
Dn vth l
Dn vth2 c
l vth c n
q c Dn m v 2
n th
n q kT
mn Dn n VT n
Definizione q
1 1
della mobilità mn vth2 kT
Energia 2 2
kT
termica Dp p VT p
q
T Pari a circa 26 mV a
VT
11600 temperatura ambiente (300 K)