Sei sulla pagina 1di 9

1

La giunzione p-n
Tecnologicamente le giunzioni p-n vengono realizzate tramite
diffusione o impiantazione ionica di atomi droganti in semiconduttori
gia drogati in precedenza.
Il diodo a giunzione p-n standard ha un suo simbolo che indica la
direzione in cui scorre lacorrente:
Tale figura indica il simbolo e la definizione per correnti e tensioni
positive. Se alla zona p e applicata una tensione positiva rispetto
alla zona n,il diodo viene detto in polarizzazione diretta e la
corrente cresce rapidamente con la tensione. Quando invece alla
zona p e applicata una tensione negativa Il diodo e detto in
polarizzazione inversa e il flusso di corrente sara molto basso
2
Lo studio della giunzione p-n
concerne:
1. Lesame della giunzione in condizioni statiche:
a) senza tensione applicata
b) con tensione applicata
In polarizzazione diretta
In polarizzazione inversa
2. Caratteristica corrente-tensione del diodo ideale
3. Dal diodo ideale al diodo reale:
a. Polarizzazione diretta
b. Polarizzazione inversa
Caratteristiche circuitali del diodo
1
Nello studio della statica della giunzione p-n focalizzeremo
lattenzione nella regione di transizione tra le regioni p
ed n, esaminandone il comportamento nelle tre
condizioni fondamentali:
Allequilibrio termodinamico (V
A
= 0)
In polarizzazione diretta (V
A
> 0)
In polarizzazione inversa (V
A
< 0)
3
Equilibrio termodinamico, V
A
= 0
La regione di transizione tra la zona p e la zona n e detta
REGIONE DI SVUOTAMENTO, mentre le zone laterali sono
dette REGIONI DI BULK.
Facciamo alcune assunzioni:
Il dispositivo e monodimensionale
Il punto di giunzione si trova ad x =0
Le zone p ed n sono uniformemente drogate e la
variazione della concentrazione del drogaggio e brusca
(giunzione brusca)
I contatti esterni della zone p ed n sono sono
perfettamente ohmici (non ce
caduta di potenziale)
Equilibrio termodinamico significa che: non ce nessuna tensione
applicata, siamo in assenza di Illuminazione, la temperatura e
uniforme e non ce nessun campo elettrico o magnetico
applicato. Inoltre allinterno del semiconduttore ce globalmente
neutralita di carica.
4
Cosa succede a elettroni e lacune quando le zone p ed n
entrano in contatto?
Nella zona circostante la giunzione ce un forte gradiente di
concentrazione che determina la diffusione dei portatori.Le lacune
diffondono dalla zona p alla zona n e gli elettroni dalla zona n alla
zona p.
Nella diffusione le lacune lasciano dietro di s delle zone ricche di
carica, dovuta agli ioni accettori fissi, e percio negativa. Viceversa
gli elettroni si lasciano dietro delle zone cariche positivamente
dovute alla presenza di ioni donori.
Come conseguenza della formazione di queste due regioni di carica
spaziale si ha la formazione di un campo elettrico e quindi di un
potenziale.
5
Il campo elettrico e diretto dalla
carica positiva verso quella
negativa e quindi si oppone al
moto delle lacune verso destra
e degli elettroni verso sinistra.
Allequilibrio il flusso netto della
corrente attraverso la giunzione
deve essere nullo.
Limmediata conseguenza della presenza del campo elettrico e
lesistenza di un potenziale. Sappiamo infatti che esso e legato al
campo elettrico dallequazione:
) ( ) x V = (x
ovvero, in una dimensione
da cui


=
x
dx x x V ) ( ) (
dx
dV
x = ) (
(1)
(2)
(3)
Simboli: (x) = campo elettrico; V(x) = potenziale;
6
Allequilibrio termodinamico tra I due lati della giunzione si ha una
differenza di potenziale:V
bi
(tensione di built-in). Come si calcola?
Allequilibrio tmd il livello di Fermi e costante. Nei pressi della giunzione le
bande sono inclinate e da cio si deduce che il campo elettrico e
proporzionale alla pendenza di E
c
, E
v
, E
ii.
La pendenza e negativa, il che conferma che il campo e diretto
da ds verso sin.
Si ricorda che:
dx
dE
q
x
i
1
) ( =
(5)
0

r
dx
d
= =
(4)
(6)
2
2
0
dx
E d
q
i r

=
Simboli: (x) = campo elettrico; V(x) = potenziale; (x) = densit di
carica; Ei(x) = livello di Fermi intrinseco;
0
,
i
= costanti dielettriche
7
La differenza di potenziale e una diretta conseguenza della presenza
del campo elettrico, ma puo essere spiegata anche tramite il concetto
di energia potenziale.
Osservando il diagramma a bande si nota che E
i
(x) non e costante e
questo comporta una variazione del potenziale.
[ ] [ ]
p
i F
n
i F bi
E E E E qV =
(7)
E
F
E
i
e legato alle concentrazioni dei portatori dalle relazioni:

=
=

KT E E
i p
KT E E
i n
F i
i F
e n p
e n n
/ ) (
/ ) (
(8)
[ ]
[ ]

=
=
) ln(
) ln(
i
p
p
i F
i
n
n
i F
n
p
KT E E
n
n
KT E E
(9)
8
Che sostituiti in (7) danno:
2
ln ln ln ln ln
i
p n
i
p
i
n
i
p
i
n
bi
n
p n
KT
n
p
n
n
KT
n
p
KT
n
n
KT qV =
(
(

+ = + = (10)
Equivalentemente il valore di V
bi
si puo dedurre imponendo che la
densita di corrente per gli elettroni si annulli allequilibrio termico
0 = + = + =
dx
dn
qD n q J J J
n Ndiff Ndrift N

(11)
Il che implica:
dx
dn
n q
KT
dx
dn
n
D
dx
dn
n q
qD
x
n
n
n
n
1 1
) ( =
|

\
|
|

\
|
|
|

\
|
= =

(12)
da cui si puo ricavare V
bi

+

+

+

= = = =
) (
) (
) (
) (
ln
) (
1
) (
n
n
n
n
bi
n d
q
KT
n
dn
q
KT
dx
dx
dn
x n q
KT
dx x V (13)
9
dove:
D n
A
i
p
N n n
N
n
n n
= = +
= =
) (
) (
2
per cui:
2
ln
i
A D
bi
n
N N
q
KT
V =
ESEMPIO:
Giunzione p-n di Silicio a temperatura ambiente (KT=0.026eV)
1. Dati:
N
A
=10
15
cm
-3
N
D
=10
15
cm
-3
n
i
=10
10
cm
-3
Giunzione simmetrica
2. Dati:
N
A
=10
17
cm
-3
N
D
=10
15
cm
-3
Giunzione asimmetrica
( )
V
n
N N
q
KT
V
i
A D
bi
599 . 0 10 ln 026 . 0
10
10 10
ln
1
026 . 0
ln
10
2
10
15 15
2
= =

= =
V V
bi
718 . 0 =