Relazione Elettronica Industriale

Studenti: Mangiardi Antonio, Vacca Giacomo, Vico Francesco a.a. 2009-2010

Studio, progettazione e realizzazione di un

oscillatore bloccato
L Vcc D1

M
L

1,5 V Rb Rb Q

C Z

Circuito equivalente Vbb Vcc

Ib L q q L Q1 Rb hie hfe ib t L L th Scomp. Rb

Ia T Ib Rb __ 2 T hie __ 2 T hfe ib Ip Yp + _ Lm

Applicazione del teorema di Scomposizione effettuando un taglio tra punti 'q-q ' e ' t '

IA =

Lm s +

Lm s (Rb + hie )

ib =

IA

Lm s +

Lm s (Rb + hie )

1 Ip

A =

h fe

s+

s (Rb + hie )

Lm 2
h fe

il guadagno danello ha un solo polo: limpedenza vista dallinduttore. Lelemento reattivo fa cambiare solo la frequenza dellinstabilit.

K=

A =

s s +

R + hie = b Lm

se

h fe

>1

il circuito oscilla.

Quando siamo in reazione positiva, diverge tutto esponenzialmente (a caso).

1 1 = 1 A 1 K s

(s + )

s + s(1 K ) +

nella funzione ad anello chiuso abbiamo un nuovo polo:

pc

> 1 , polo reale positivo = = < 0 , < 0 1 1 = 0, nessuna reazione

affinch K sia maggiore di 1 deve essere h fe >

Vcc

Vcc

L L

IC

A IB
Rb

C
Q1

Qui al lato, gli andamenti ipotetici delle grandezze VA, VC, IB e IC: supponendo loggetto polarizzato con la reazione positiva tutte le grandezze divergono in maniera esponenziale.

Ipotizziamo che IB aumenti, ne segue che anche IC aumenta facendo abbassare il potenziale Vc e di conseguenza per laccoppiamento mutuo tra i due induttori, la tensione VA tende a salire. La salita di VA incrementa a sua volta la corrente di base e quindi la corrente di collettore che segue la IB , la crescita della IC fa abbassare ancora il potenziale VC (Reazione Positiva). Quando la Vc arriva a VCE_Sat (0,2 V), la fuga esponenziale di Ic si interrompe, ma questa continua a crescere linearmente generando un picco di corrente. Arrivati a un certo punto, quando IC > hfeIB, IC comincia a scendere e di conseguenza ricomincia a crescere la Vc causando la stessa reazione ma contraria su VA ,IB e IC che questa volta decrescono esponenzialmente. Si suppone un regime periodico, per cui il ciclo si ripete generando una corrente Ic (ad impulsi) avente un certo periodo T :

= on + off

Lm I C max Lm I C max = + VCC VCEsat Vout VCC

Costruzione e misure dellinduttore:

Viene avvolto un numero di spire N di filo conduttore in un nucleo toroidale (che si suppone essere di polvere di ferro) con le caratteristiche geometriche e magnetiche descritte di seguito.

N 2 S o r L= 2 R m
o = 4 10 7
(permeabilit magnetica nel vuoto)

r S = LxH Rm n 2 40 = 4 x 10 mm 10 mm 5000 20

Secondo i dati rilevati si calcola un valore teorico di induttanza pari a :

N 2 S o r L= 1,6 mH 2 R m
Per la misura si utilizza un circuito costituito dallinduttanza sotto misura in parallelo ad un condensatore noto e da una resistenza in serie (figura seguente). In ingresso si applica un onda sinusoidale (V1) e si preleva il segnale di uscita (V2) ai capi del parallelo LC. Visualizzando ingresso e uscita sulloscilloscopio, si fa variare la frequenza del segnale sino a che non risulti uno sfasamento nullo. Alla frequenza di risonanza le impedenze XC e XL risultano uguali in modulo ed opposte, di conseguenza si sente leffetto della sola resistenza parassita RP . Supponendo tale resistenza parassita (dellinduttanza) pari a QXL con Q che pu variare da 10 a 100 si calcola la resistenza da interporre tra il segnale di ingresso e quello di uscita:

R = 10XL in questo modo alla risonanza, teoricamente si avr una tensione V2 massima in modulo e pari a V1 poich il circuito alla risonanza risulta essere resistivo.
1 2

-Calcolo dei parametri del segnale e della capacit: Imponiamo che limpedenza del nostro induttore sia di valore pari a 50 : 2f*L = 50 cos da calcolare il valore del condensatore:

1 L 1,6 10 3 L = 50 = 50 = L C = = = 640 10 9 F 2500 2500 C

(Pulsazione =2f)

Si calcola la frequenza di risonanza con i parametri teorici:

f =

1 2 LC

4974Hz

Per costruire il circuito, si sceglie per il condensatore il valore commerciale che pi si avvicina a quello calcolato, ossia 680 nF; per la resistenza si fa una stima della resistenza parassita (RP) pari a QXL con Q=10 R = 10XL = 500 , valore commerciale scelto: R=560 .

Circuito per la misura:

V1 canale X R

V2 Canale Y

Segnale sinusoidale a frequenza variabile

Resistenza L parassita C

Vm sen(t )

Circuito equivalente alla frequenza di risonanza:

V1 canale X R V2 Canale Y

V m sen( ris t )
Segnale sinusoidale alla frequenza di risonanza

Rp

Resistenza parassita

QXL

Montato il circuito come in figura, si manda il segnale V1 (ingresso) e il segnale V2 (risposta del parallelo LC), rispettivamente al canale X ed al canale Y delloscilloscopio per analizzarne lo sfasamento. Facendo quindi variare la frequenza del segnale, a partire da una frequenza pari a 500 Hz e salendo verso la frequenza di risonanza (che ci si aspetta sia intorno ai 5 kHz) si trova che lo sfasamento tra V1, il segnale applicato e V2, la tensione ai capi dellinduttanza, nullo per fo = fris = 4127 Hz circa.

Sfasamento pari a 0, modalit XY

Si calcola da questa frequenza, il valore vero di L, Lmis* come segue:

Lmis

1 = = 2,187 10 3 2 4 2 f ris C

Valore accettabile.
* Si chiamer di seguito per semplicit Lmis = L.

Calcolo della corrente di saturazione dellinduttanza L

Viene fatto il calcolo della corrente di saturazione per dimensionare i componenti delloscillatore bloccato, come vedremo in seguito. Si effettua un stima della corrente di saturazione, tramite la relazione che segue, considerando i valori sotto indicati: Rmed 10 mm
N

20 spire

Bmax 0,4 T

5000

I sat

2 10 103 0,4 2 Rmed Bmax = = = 0,2 A 7 N 0 r 20 4 10 5000

Prima di procedere alle misurazioni, viene fatta la simulazione tramite spice. Viene utilizzato il circuito in figura per la misura e la simulazione.
5

2N3055 4 (res. int. generatore) Rint 2 L 50 3 Vs Rmis 0,1 1 5V Vcc Q1

onda quadra

Il segnale applicato, onda quadra, fornito dal generatore di segnale ha le seguenti caratteristiche: frequenza 500 Hz TON 400 uS Duty cycle () VH 20 % VL 5V 0V

Netlist per la simulazione:

V1 5 0 DC 5 VS 3 0 Pulse ( 0 5 100u 2u 2u 400u 2m) Rint 3 4 50 Q1 5 4 2 Q2n3055 L1 2 1 2187u Rmis 1 0 0.1 .TRAN 200u 6m .probe .end

Dalla simulazione otteniamo il seguente andamento di corrente nellinduttore:

Chiaramente, essendo un modello ideale di induttore delleffetto di saturazione non si tiene conto, ma si vede che con questa sollecitazione la corrente nellinduttore arriva a un valore massimo di 0,85 A. Procediamo con il montaggio del circuito sopra descritto, e preleviamo con loscilloscopio la tensione ai capi di Rmis, dal quale si ricava landamento della corrente. Dallandamento della tensione, si vede che non si arriva alla saturazione, quindi si decide, per aumentare la corrente, di utilizzare una coppia Darlington:

TIP31C

Vin
2N3055 Rint Vcc 50 L 5V Rmis onda quadra 0,1

VR_mis

Landamento della tensione su Rmis, rimane pressoch lineare, arriva a un valore massimo di circa 0,25 V e quindi anche la corrente in L lineare, raggiungendo i 2,5 A si conclude che anche in questo caso, non si arriva alla saturazione. Per il dimensionamento dei parametri delloscillatore bloccato si assume quindi, per sicurezza, che la corrente di saturazione dellinduttore, sia quella precedentemente calcolata nel caso ideale:

Isat = 200 mA
Si procede quindi alla costruzione del secondo induttore, mutuamente accoppiato al primo con lo stesso numero di spire: =
Vcc Vcc

n1 =1 n2

L L

IU IC
Q1

Va
Rb

IB

Dimensioniamo la RB in modo tale che la IC_MaX , sia pari alla Isat (200 mA).

RB RB 1,5 + 1(1,5 0,2) 0,7 0,200 = 360 RB = 3780 RB

Si sceglie il valore commerciale opportuno:

I C _ max = I B hFE = hFE

VA V

= hFE

VCC + (VCC VCE _ sat ) V

RB = 3780 4,2k

Oscillatore Bloccato:
Si fa una prima analisi del comportamento delloscillatore bloccato, imponendo in uscita una tensione continua pari a 5 V, simulando cos la carica di una batteria.
M
L Vcc D1 L

Vcc 1,5 V Rb Q 5V

Schema delloscillatore bloccato con carico ideale (batteria da 5 V)

Anche in questo caso si procede prima con la simulazione tramite spice: * Oscillatore Bloccato V1 1 0 DC 1.5 V2 6 0 DC 5 L1 1 3 2.187m IC=0.01 L2 2 1 2.187m IC=0.1 K1 L1 L2 0.99 RB 3 4 4.2k Q1 2 4 0 Q2n3055 D1 2 6 D1n4007 .TRAN 200u 3000u uic .probe .end

Dalla simulazione si vedono landamento impulsivo della corrente in uscita che raggiunge valore massimo di 55 mA. Calcoliamo da questa, il TOFF teorico utilizzando la seguente relazione:
TOFF = I Max L 55 10 3 2,187 10 3 = 24 S VOUT 5

Mentre si riscontra sul grafico un TOFF intorno ai 35-40 S.

Si procede con la sostituzione del generatore di uscita con un carico che va a simulare il comportamento di una batteria da ricaricare. Nella pratica si mette una lampadina da 12V e 5W per cui:

REQ

V 2 12 2 = = = 28,8 P 5

Per avere una tensione costante in uscita, a meno di un ripple residuo, da noi imposto, si mette in parallelo un condensatore. Ipotizzando di voler avere un ripple massimo pari al 10% di Vu, calcoliamo il valore di C adeguato tramite la seguente relazione:
I MAX TOFF I MAX TOFF 0.055 24 10 6 V C = C = = = 1,32 F 2 V 2 0,5 2

scegliamo C = 1,5 F (valore commerciale pi vicino) che riduce di pi il ripple essendo maggiore.

Dalla simulazione con questo valore di C, si riscontra in uscita una Vu inferiore a 1 V; per questo si decide di prendere un condensatore di un ordine di grandezza superiore (15F), in modo da avere un ripple massimo inferiore al 10% con questo valore di VU Prima della realizzazione pratica, si effettua una nuova simulazione con tali modifiche: Netlist per Spice: * Circuito Oscillatore Bloccato con Carico e Condensatore V1 1 0 DC 1.5 R1 6 0 28.8 C1 6 0 15u L1 1 3 2.187m IC=0.01 L2 2 1 2.187m IC=0.1 K1 L1 L2 0.99 RB 3 4 4.200k Q1 2 4 0 Q2n3055 D1 2 6 D1n4007 .TRAN 200u 10000u uic .probe .end

Grafico della simulazione relativo alla Vu.

Si procede ora al montaggio del circuito:

M
L

Vcc

D1

LAMP 12 V , 5 W

1,5 V Rb Q

Effettuando le misure sul circuito reale, si trova una tensione a vuoto di valore efficace pari a circa 70 V. Collegando il carico (lampadina e condensatore) si riscontra una lumisonsit tenue, e una tensione ai capi di circa 3 V. Valori leggermente diversi da quelli teorici e ottenuti con la simulazione di Spice, ma in linea con il corretto funzionamento del circuito.