Il transistore MOS

Riferimenti Bibliografici:
1) Paolo Spirito “Elettronica digitale”, Mc Graw Hill
Capitolo 3
2) Richard Jaeger, Travis Blalock Microeletronica
elettronica digitale McGraw Hill
Vol. 1 Cap. 4

Emilio Sardini “Elettronica e Strumentazione Banno accademico 2006 2007”

I sistemi di misura e di controllo pagina 1
 Simboli
elettrici
per i
diversi
transistori
MOS

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I sistemi di misura e di controllo pagina 2
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I sistemi di misura e di controllo pagina 3
 Struttura semplificata di un
transistore NMOS
Strato di Ossido sottostante il gate
Ossido di campo sezione 1 µm
(polisilicio o alluminio) sezione 0.1 µm

Gate Drain

Sezione Vista
Canale conduttivo sottostante lo dall’alto
Bulk Source
strato di ossido

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 Comportamento della struttura MOS
Induzione del canale di
conduzione in
corrispondenza dei diversi
in assenza di
valori di VGS
polarizzazione

con polarizzazione
minore della
tensione di soglia
con polarizzazione maggiore (VT)
della tensione di soglia (VT)

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 La tensione di soglia
• La tensione di soglia corrisponde alla tensione da
applicare alla gate affinché sulla superficie del silicio si
raggiunga il potenziale critico (φ*) necessario a dar
luogo alla inversione del semiconduttore.
• Il suo valore è dato dalla somma (algebrica) delle
seguenti componenti:
– la differenza di potenziale di contatto ΦGS = φG - φS tra il
materiale di gate e il substrato di silicio;
– il potenziale critico alla superficie φ*;
– la tensione necessaria a equilibrare la carica degli atomi
droganti QSI nella regione di silicio svuotata delle cariche
maggioritarie, tensione data da - QSI/ Cox (assumendo la carica
QSI positiva, nel caso di un substrato di tipo N).
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 La tensione di soglia
• Dipende anche dalla carica presente
all'interfaccia ossido/silicio (dove termina il reticolo
cristallino del silicio e si creano cariche localizzate) , e
all'eventuale carica intrappolata nell'ossido,
(dipendente dai processi di realizzazione dell'ossido di gate)
QSI QOX
VT = Φ GS + φ * −( + )
COX COX
• Espressione ancor più complicato causa l’effetto
substrato
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 Cox=eox/tox

Anno di
1985 1990 1995 2000
riferimento

Spessore
dell'ossido 30 15 8 4
(nm)
Tensione
di soglia 1.2 0.75 0.6 0.5
(V)
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 VDS<VGS-VT Comportamento
della struttura
MOS

Funzionamento
del transistor nella
regione non
lineare o di triodo
VDS>=VGS-VT

Canale
“strozzato”,
funzionamento
del transistor nella
regione di
saturazione
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 Caratteristica
1
I D = µ n , p COX
2
W
L
[
2(VGS − VT )VDS − VDS
2
] corrente-
tensione
I D = K n, p
W
L
[
2(VGS − VT )VDS − VDS
2
] regione lineare
Alla temperatura di 300 K, la mobilità degli elettroni è 1400
cm2V-1s-1, mentre quella delle lacune è 480 cm2V-1s-1
Fattore di forma (aspect ratio) Dipende dal
1 W
K n = µ nCOX (parametro geometrico) progettista
2 L
Parametro tecnologico ( Cox= εox/tox)
1 W
Kp = µ p COX
2 L
Pertanto Kn=Kp solo se (W/L)p=3 (W/L)n
approssimativamente (2,5-3 ).
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 Caratteristica corrente-tensione
pinch off
I D = K N , P (VGS − VT ) (1 + λVDS )
2

λ ha valori contenuti (0,01 – 0,1) per cui verrà

trascurato

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 Ig
Caratteristiche ingresso
uscita e trasferimento
Vgs
drain Id Caratteristica
Caratteristica d’uscita Id in
d’ingresso Ig in Ig gate funzione di Vds
funzione di Vgs (Ig Vds (parametro Vgs)
è considerata nulla) Vgs
(parametro Id) source

Id

Transcaratteristica Id in
funzione di Vgs (nella Id
regione di strozzamento Vds
del canale non c’è
dipendenza da Vds come
mostra la figura Vgs

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 Caratteristica d’uscita I-V per un
transistore NMOS
Ids

Vds

Vgs

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 [
I D = K N 2(VGS − VT )VDS − VDS
2
]
Equazioni

Regione
non lineare
Regione di
pinch-off

I D = K N (VGS − VT )
2

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Caratteristiche di trasferimento di un NMOS

I D = K N (VGS − VT )
2

a svuotamento

ad arricchimento

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 Dimensione minima e tolleranza di
allineamento

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 Maschere
del MOS
• A) Maschera
dell’area attiva
• B) maschera
dell’elettrodo
di gate
• C)maschera
della finestra
dei contatti
• D) maschera
della
metallizzazione

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 Tracciato
del
dispositivo
MOS con
W/L=5/1

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 Tracciato del dispositivo MOS

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 Capacità presenti nella
struttura del transistore MOS
Modello
fisico Source N Drain N
Modello
elettrico

substrato P

• due effetti:
• capacità delle regioni p-n
contropolarizzate (CSB,CGB,CDB)
• capacità struttura metallo ossido
semiconduttore (CGSO, CGS, CGB, CGD,
CGDO)

NB: la capacità CGB risente di entrambi i gli effetti

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Evoluzione del
numero dei
dispositivi
integrabili in
un chip

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Circuito equivalente del MOS utilizzato Resistenza
della regione
da SPICE nel modello LEVEL 1 di Drain
• Le capacità non sono lineari e
dipendono dalle tensione
• Sono introdotte le resistenze delle
regioni
• Id è il generatore secondo le due
equazioni (la cui scelta dipende dalla
regione di funzionamento del MOS)

I D = K N (VGS − VT )
2 Resistenza
pinch-off della regione

[ ]
di Gate Resistenza
I D = K N 2(VGS − VT )VDS − V 2
DS triodo della regione
Resistenza di Bulk
della regione (substrato)
• Sono introdotti due diodi che tengono
di Source
conto della regione di svuotamento
creata dalla polarizzazione inversa della
giunzione P-N ( canale substrato)

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