Documenti di Didattica
Documenti di Professioni
Documenti di Cultura
Figura 1 a,b
1
Corso di Fondamenti di Elettronica
Figura 2
Proprietà di una giunzione a gradino in funzione della posizione nell’approsimazione di depletion:
a ) Concentrazione netta di Droganti; b) Densità di carica fissa; c) Concentrazione di n e p; d) Campo elettrico ottenuto
integrando una volta l’eq. di Poisson; e) Potenziale ottenuto integrando per due volte l’eq. di Poisson .
Figura 3
2
Corso di Fondamenti di Elettronica
∂ 2φ q dE
= − N = −
∂x 2
εS D
dx
q
dE = N dx
ε
D
S
xn xn
q
∫x
dE =
ε S
N D ∫x
dx
q
0 − E (x) = N (xn − x)
ε S
D
q
E (x) = − N ( xn − x) 0 < x < xn
ε
D
S
Il campo E(x) è negativo all’interno della regione di svuotamento e varia linearmente con x,
raggiungendo il massimo in x=0 (fig 2d). Tale campo si opponeva la tendenza degli elettroni a
diffondere verso sinistra, cioè verso il semiconduttore di tipo p.
Per il materiale di tipo p (x<0) l’equazione di Poisson può essere scritta come:
∂ 2φ q q dE
= − ( − N ) = N = −
εS εS
A A
∂x 2 dx
q
dE = − N Adx
εS
x x
q
∫ dE = − ε
− xp S
NA ∫ dx
− xp
q
E ( x) − 0 = − N A (x + xp )
εS
q
E ( x) = − N A (x + xp ) −xp < x < 0
εS
Figura 4
Il campo è anch’esso negativo, come nel caso del materiale di tipo n, per opporsi alla tendenza
delle lacune, cariche positivamente, a diffondere verso destra.
Poiché in x=0 il campo deve essere continuo in quanto il vettore spostamento è identico e le
due costanti dielettriche sono uguali, si può scrivere
3
Corso di Fondamenti di Elettronica
q q
− N D xn = − N Axp
εS εS
cioè: N D xn = N A x p
ND xp
=
N A xn
La larghezza della regione svuotata in ciascuna regione varia inversamente con l’entità del
drogaggio. Nel caso di una giunzione fortemente asimmetrica la regione di carica spaziale si
estende essenzialmente nel materiale debolmente drogato, e la larghezza della zona di
svuotamento del materiale fortemente drogato è spesso trascurabile (simile al caso della barriera
di Schottky ideale ) .
1.1 Calcolo del potenziale esistente ai capi delle regioni di carica spaziale.
Le espressioni trovate per il campo elettrico relativo ai due tipi di semiconduttori possono
essere ulteriormente integrate in modo da ottenere le variazioni di potenziale attraverso la
giunzione.
Nel semiconduttore di tipo p:
Figura 5
q
E=− N A (x + xp ) − xp < x < 0
εS
dφ = − Edx
x x
q
∫ dφ = − ∫ − ε
− xp − xp S
N A ( x + x p )dx
x2 q x
φ ( x) − φ (− x p ) = + N A ( + x ⋅ x p )
εS 2 − xp
x2 q x 2p
φ ( x) − φ (− x p ) = + N A ( + x ⋅ x p − + x 2p )
εS 2 2
q
φ ( x) − φ (− x p ) = + N A ( x 2 + 2 x ⋅ x p + x 2p )
2ε S
q
φ ( x) = + N A ( x + x p )2 + φ (− x p )
2ε S
4
Corso di Fondamenti di Elettronica
dove φ (− x p ) è il potenziale nella regione quasi neutra che può essere calcolato considerando
che
− qφ − ( Ei − E f )
p = ni e KT
= ni e KT
Per il calcolo del potenziale nel semiconduttore di tipo n si procede nella seguente maniera:
Figura 6
q
E=− N D ( xn − x) 0 < x < xn
εS
dφ = − Edx
xn xn
q
∫ dφ = − ∫ − ε
x x S
N D ( xn − x)dx
xn xn
q
∫ dφ =
x
εS
N D ∫ ( xn − x)dx
x
xn
x2
q
φ ( xn ) − φ ( x) = N D − + x ⋅ xn
εS 2 x
xn2
q x2
φ ( xn ) − φ ( x) = N D ( − x ⋅ x p + )
εS 2 2
q
φ ( xn ) − φ ( x) = N D ( xn − x) 2
2ε S
5
Corso di Fondamenti di Elettronica
Da cui
q
φ ( x) = φ ( xn ) − N D ( xn − x) 2 0 < x < xn
2ε S
dove φ ( xn ) è il potenziale nella regione quasi neutra che può essere calcolato considerando
che :
qφ ( Ei − E f )
n = ni e KT
= ni e KT
kT n
φ= ln( )
q ni
kT N
φ ( xn ) = ln( D )
q ni
qN D 2
φ x = φ ( xn ) − xn
2ε S
qN A 2
φ x = φ (− x p ) + xp
2ε S
kT N D qN D 2
φx = ln − xn = 0 (a)
q ni 2ε S
kT N D qN D 2
φx = − ln + xp = 0 (b)
q ni 2ε S
6
Corso di Fondamenti di Elettronica
kT N D qN D 2 kT N D qN D 2
ln − xn − ln + xp = 0
q ni 2ε S q ni 2ε S
qN D 2
− ( xn − x 2p ) = 0
2ε S
x 2p = xn2
x p = xn
Quindi si dimostra che le regioni di svuotamento hanno la stessa estensione quando NA=ND.
Osservazione:
KT N D KT N A KT N A N D
φi = φ n − φ p = ln + ln = ln 2
q ni q ni q ni
Per elevati valori della concentrazione presenti in uno dei tipi di semiconduttori è possibile
determinare φi senza ricorrere alla statistica di Fermi-Dirac. Per un materiale molto drogato il
livello di Fermi è vicinissimo alla banda di conduzione o di valenza per cui il potenziale di built-
in φi sarà dato da:
KT N D
φi = 0.56 + ln
q ni
KT N A
φi = 0.56 + ln
q ni
7
Corso di Fondamenti di Elettronica
Figura 7
Supporremo che la tensione applicata agisca solamente ai capi della regione di carica spaziale
della giunzione. Il potenziale di built-in verrà modificato secondo al seguente relazione:
φi − Va
Se Va >0 il diodo è polarizzato direttamente
Se Va <0 il diodo è polarizzato inversamente.
Nel primo caso, poiché la barriera complessiva viene ridotta, si verificherà un trasferimento
di lacune dalla zona p alla zona n e di elettroni dalla zona n alla zona p.
Quando questi portatori entrano nelle regioni quasi neutre, si trovano ad essere portatori
minoritari e subiscono il processo di ricombinazione (processo di rilassamento dielettrico) da
parte dei maggioritari che entrano dai contatti ohmici.
Nel secondo caso, la barriera per i portatori maggioritari viene aumentata e la regione di carica
spaziale viene ad essere svuotata di portatori minoritari. In sostanza i minoritari giocano
comunque un ruolo importante ed i maggioritari un ruolo secondario.
Per determinare il legame tra la densità di corrente e la tensione applicata, in un diodo,
occorre porre attenzione particolare al valore della densità dei portatori minoritari in sezioni
particolari della struttura considerata, per esempio in prossimità di xn e -xp che rappresentano i
limiti della regione di carica spaziale. Supporremo, inoltre, di mantenere, in presenza della
tensione applicata , la condizione di “low level injection”. Ciò significa che la popolazione dei
maggioritari non cambia in modo apprezzabile ai confini delle regioni quasi neutre, prima dei
bordi delle regioni di carica spaziale cioè:
n ≅ ND x = xn
p ≅ NA x = − xp
8
Corso di Fondamenti di Elettronica
n3 q
= exp (φ3 − φ2 )
n2 kT
dove φi = φ n − φ p
Figura 8
pno ( xn ) = pno (− x p )e kT
= pno (− x p )e kT
Dimostrazione: Dimostrazione:
φi = φ n − φ p φi = φ n − φ p
9
Corso di Fondamenti di Elettronica
n-type p-type
1 1
φ= ( EF − Ei ) φ= ( EF − Ei )
q q
dn dp
J n = qµ n nξ x + qDn J p = qµ p pξ x − qD p
dx dx
In E.T. In E.T.
Dn dn KT 1 dn KT 1 dp
ξx = − =− ξx =
nµ n dx q n dx q p dx
KT dn KT dp
dφ = −ξ x dx = dφ = −ξ x dx =
q n q p
KT n3 KT p3
φ3 − φ 2 = ln φ3 − φ 2 = − ln
q n2 q p2
n3 q p3 q
= exp (φ3 − φ2 ) = exp (φ2 − φ3 )
n2 KT p2 KT
Le precedenti relazioni possono essere utilizzate per esprimere le densità dei portatori
minoritari in eccesso in funzione dei valori delle loro densità in condizioni di equilibrio termico.
Definiamo tali eccessi per gli elettroni e le lacune nel seguente modo:
n ' = n − n0 p ' = p − p0
qφi qVa qφi qφi qVa qφi
− − − −
n ' p (− x p ) = N D ( xn )e KT
e KT − N D ( xn )e KT
p 'n ( xn ) = N A ( − x p )e KT
e KT − N A (− x p )e KT
qφi qφi
− qV a
− qV a
n ' p (− x p ) = N D ( xn )e KT
e − 1
KT
p 'n ( xn ) = N A ( − x p )e KT
e − 1
KT
qVa
qV a
n ' p (− x p ) = n p 0 (− x p ) e KT − 1 n ' p ( xn ) = pn 0 ( xn ) e KT − 1
Queste relazioni sono molto importanti e verranno in seguito utilizzate per specificare le
soluzioni dell’equazione di continuità per i minoritari , nelle regioni quasi neutre vicino alla
giunzione p-n , cioè fuori dalle regioni di carica spaziale.
10
Corso di Fondamenti di Elettronica
∂pn ∂ 2 pn pn
= Dp −
∂t ∂x 2 τ p
dove la lettera n indica che siamo nella regione drogata n.
Se consideriamo il caso stazionario, cioè consideriamo costante la densità di donatori lungo x
si può scrivere l’equazione precedente per la concentrazione in eccesso pn’
∂ 2 pn' p n'
0 = Dp −
∂x 2 τp
dove A e B sono costanti da determinarsi sulla base delle condizioni al contorno definite dal
problema in esame.
L p = D pτ p è detta lunghezza di diffusione per una lacuna in una regione di tipo n ed xn è il
punto in cui termina la regione di carica spaziale e comincia la regione quasi neutra. In maniera
analoga potremmo definire la lunghezza di diffusione di un elettrone in una regione di tipo p,
L p = Dnτ n .
qVa qVa
nel punto x=xn pn' ( xn ) vale pno
'
( xn ) e KT − 1 per cui A = pno
'
( xn ) e KT − 1 .
Quindi
11
Corso di Fondamenti di Elettronica
x − xn
qV a
− Lp
p ( x) = pno e KT − 1 e
'
n
Figura 9
Distribuzione spaziale della densità di lacune nella regione quasi neutra n di un diodo a basa lunga polarizzato direttamente
alla tensione Va ;
La densità di corrente di lacune ha un massimo in x=xn e poi decresce man mano che ci si
allontana dalla giunzione, perchè all’aumentare di x diminuisce il gradiente di concentrazione
delle lacune. Inoltre, poiché la corrente totale deve rimanere costante con la distanza in regime
stazionario, la corrente di elettroni deve crescere all’aumentare di x. Tale corrente di elettroni
deve compensare quegli elettroni che si ricombinano con le lacune iniettate.
Figura 10
12
Corso di Fondamenti di Elettronica
La corrente di elettroni minoritari iniettati nella regione di tipo n, può essere calcolata con
analogo procedimento nell’ipotesi in cui -wB è tale che
wB Ln = Dnτ n
x+ xp
ni2 KTa
qV
Lp
J n ( x) = qDn e − 1 e
N A Ln
Per avere la corrente totale Jtot si procede sommando le due correnti Jn(x) e Jp(x) in punti
particolari, per semplificare, cioè in x=xn e x=-xp.
Dp Dn KTa
qV
J tot = J p ( xn ) + J n (− x p ) = qni2 + e − 1
N L
D p N A Ln
qVa
J tot = J o e KT − 1
13
Corso di Fondamenti di Elettronica
Ipotizziamo che le lunghezze delle regioni di tipo p ( wE ) e di tipo n ( wB ) siamo molto minori
delle lunghezze di diffusioni dei portatori minoritari
wE Ln
wB Lp
In questo caso la ricombinazione è molto ridotta nelle regioni quasi neutre. Al limite può
accadere che i minoritari si ricombinino tutti in prossimità del contatto ohmico.
La soluzione generale, allora,
x−x x−x
pn' ( x) = A exp − n
+ B exp n
D τ D τ
p p p p
può essere semplificata approssimando tale funzione con il suo sviluppo in serie di Taylor
arrestato al secondo ordine:
1 x − xn 1 x − xn
pn' ( x) = A + B + A −
L exp − ( x − xn ) + B exp − ( x − xn ) + .....
p Lp Lp L p
x = xn x = xn
A B
pn' ( x) = A + B − ( x − xn ) + ( x − xn )
Lp Ln
x − xn
pn' ( x) = A' + B '
L
p
Poiché il contatto metallico in x=wB impone la condizione al contorno pn' ( wB ) = 0 e così come
qVa
impone in x=xn che p ( x) = pno e KT − 1 allora possiamo ottenere le due equazioni:
'
n
' ( wB − xn )
0 = A + B
'
Lp
A' = p ( x ) e KT − 1
qVa
no n
qV a
Lp
B = − pno ( xn ) e KT − 1
'
( wB − xn )
qV a
x − xn
pn ( x) = − pno ( xn ) e KT − 1 1 −
'
(*)
w'B
14
Corso di Fondamenti di Elettronica
dove wB' = wB − xn è la lunghezza della regione quasi neutra. Dall’equazione si può dedurre
che la concentrazioni in eccesso delle lacune decresce linearmente con la distanza nella regione
n.
Figura 11
Densità di lacune nella regione n quasi neutra di un diodo ideale a base corta, polarizzato direttamente alla tensione Va; la
concentrazione in eccesso di lacune p’n è calcolata mediante l’equazione (*).
L’affermazione Lp>>wB vuol dire, quindi, che tutte le lacune diffondono attraverso la
regione di tipo n, prima del processo di ricombinazione. L’ipotesi di assenza di ricombinazione
poteva essere anche formulata supponendo che il tempo di vita delle lacune, τ p tendesse ad
infinito nell’equazione:
∂ 2 pn' pn'
0 = Dp −
∂x 2 τ p
dpn qD p qVa
qD p 2 qV a
J p ( x) = − qD p = ' pno e − 1 =
KT
'
ni e KT
− 1
dx wB N D wB
Si noti come in questo caso la lunghezza caratteristica è la lunghezza della regione quasi
neutra wB' . Nel diodo a base lunga era invece la lunghezza di diffusione dei portatori minoritari
Lp . Per quanto riguarda la corrente totale si ha:
Dp Dn qVa
J tot = qn
2
i '
+ ' e − 1
KT
N D wB N A wE
Questa relazione come quella analoga al caso del diodo a base lunga presenta una corrente
forte se Va>0.
Questa mancanza di disuniformità nelle espressioni della densità di corrente per le due
strutture è dovuta, fisicamente, al fatto che la polarizzazione diretta aumenta l’iniezione di
15
Corso di Fondamenti di Elettronica
portatori maggioritari da parte di ciascuna regione quasi neutra. I portatori che attraversano la
giunzione vengono rimpiazzati ai contatti ohmici.
In condizioni di polarizzazione inversa , la corrente è dovuta a portatori minoritari che sono
pochi in numero. Un esame delle due espressioni delle correnti evidenzia il fatto che applicando
una polarizzazione come in figura 12a si vede come le lacune vanno dalla zona n alla zona p,
così come gli elettroni vanno dalla zona p alla zona n.
Figura 12 a e b
16