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Corso di Fondamenti di Elettronica

1 La Giunzione p/n (Semiconduttore-Semiconduttore).


Prima di definire un modello matematico della giunzione p-n costruiamone il modello a
bande. Faremo riferimento ad una struttura Metallo-Semiconduttore di tipo p – Semiconduttore
di tipo n- Metallo e supporremo che i metalli formino contatti quasi ohmici con il
semiconduttore.
Nello studio delle strutture dei dispositivi è spesso utile suddividerle in regioni quasi neutre e
in regioni completamente svuotate di portatori mobili (regione di carica spaziale).
Considereremo nel seguito l’approssimazione di depletion con la quale si suppone una
distinzione netta tra la regione quasi neutra e la regione di carica spaziale e che la densità dei
portatori maggioritari vari bruscamente (da una data concentrazione di drogante a carica zero) ai
bordi delle due regioni. Questo tipo di approssimazione, pur essendo un’idealizzazione, risulta
adeguata alla comprensione del comportamento di numerosi dispositivi.
Per costruire un modello della giunzione p-n si considerano dapprima i due semiconduttori
di tipo p ed n separatamente (fig.1a). Una volta posti a contatto la grande differenza di
concentrazione di lacune ed elettroni tra i due materiali provoca un flusso di lacune dal
semiconduttore p verso quello n e un flusso di elettroni dal semiconduttore n verso quello
drogato p (Ef2-Ef1>0 ). Mano a mano che i portatori si spostano verso il materiale di drogaggio
opposto,in prossimità della giunzione rimangono cariche di atomi droganti non compensate e
comincia ad instaurarsi un campo elettrico. Le linee di campo si estendono dagli ioni donatori
dalla zona di tipo n della giunzione agli ioni accettori nella zona di tipo p (fig.1b). La presenza di
tale campo da origine alla formazione di una barriera di potenziale tra i due semiconduttori , la
cui ampiezza è collegata alla differenza dei livelli di Fermi dei due materiali prima del loro
contatto.
I limiti di queste regioni carica spaziale sono indicate da xn per il semiconduttore di tipo n e
da -xp per quello di tipo p. All’interno di tale regione l’equazione di Poisson regola il valore
del potenziale tramite la relazione:
d 2φ − q
= (N D − N A )
dx 2 εS
dove abbiamo supposto che le concentrazioni n e p siano trascurabili rispetto a NA e a ND .
Osservazione: Senza l’approssimazione di depletion le concentrazioni di droganti NA ND
possono essere funzioni della posizione e questa equazione differenziale non risulta di facile
risoluzione.

Figura 1 a,b

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Figura 2
Proprietà di una giunzione a gradino in funzione della posizione nell’approsimazione di depletion:
a ) Concentrazione netta di Droganti; b) Densità di carica fissa; c) Concentrazione di n e p; d) Campo elettrico ottenuto
integrando una volta l’eq. di Poisson; e) Potenziale ottenuto integrando per due volte l’eq. di Poisson .

Per comprendere meglio il comportamento delle giunzioni p-n reali, consideriamo la


distribuzione ideale di drogaggio che caratterizza la “giunzione a Gradino”. Il drogaggio di tale
struttura presenta un andamento spaziale discontinuo, passando dal semiconduttore di tipo n a
quello di tipo p ( vedi figura 2a). Nell’ambito dell’approssimazione di depletion, si suppone che
la regione tra –xp e xn sia completamente svuotata di portatori mobili (fig 2b) e che le densità di
portatori maggioritari ai bordi della regione di svuotamento diventino bruscamente pari alle
rispettive concentrazioni di drogante. Di conseguenza la densità di carica è ovunque nulla
eccezion fatta per le regioni di svuotamento, dove assume il valore della concentrazione di
drogante ionizzato (fig2c).
Andando a considerare l’equazione di Poisson per un materiale di tipo n , (x>0) si ha:

Figura 3

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∂ 2φ q dE
= − N = −
∂x 2
εS D
dx
q
dE = N dx
ε
D
S
xn xn
q
∫x
dE =
ε S
N D ∫x
dx

q
0 − E (x) = N (xn − x)
ε S
D

q
E (x) = − N ( xn − x) 0 < x < xn
ε
D
S
Il campo E(x) è negativo all’interno della regione di svuotamento e varia linearmente con x,
raggiungendo il massimo in x=0 (fig 2d). Tale campo si opponeva la tendenza degli elettroni a
diffondere verso sinistra, cioè verso il semiconduttore di tipo p.
Per il materiale di tipo p (x<0) l’equazione di Poisson può essere scritta come:

∂ 2φ q q dE
= − ( − N ) = N = −
εS εS
A A
∂x 2 dx
q
dE = − N Adx
εS
x x
q
∫ dE = − ε
− xp S
NA ∫ dx
− xp

q
E ( x) − 0 = − N A (x + xp )
εS
q
E ( x) = − N A (x + xp ) −xp < x < 0
εS

Figura 4

Il campo è anch’esso negativo, come nel caso del materiale di tipo n, per opporsi alla tendenza
delle lacune, cariche positivamente, a diffondere verso destra.
Poiché in x=0 il campo deve essere continuo in quanto il vettore spostamento è identico e le
due costanti dielettriche sono uguali, si può scrivere

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q q
− N D xn = − N Axp
εS εS

cioè: N D xn = N A x p

ND xp
=
N A xn
La larghezza della regione svuotata in ciascuna regione varia inversamente con l’entità del
drogaggio. Nel caso di una giunzione fortemente asimmetrica la regione di carica spaziale si
estende essenzialmente nel materiale debolmente drogato, e la larghezza della zona di
svuotamento del materiale fortemente drogato è spesso trascurabile (simile al caso della barriera
di Schottky ideale ) .

1.1 Calcolo del potenziale esistente ai capi delle regioni di carica spaziale.
Le espressioni trovate per il campo elettrico relativo ai due tipi di semiconduttori possono
essere ulteriormente integrate in modo da ottenere le variazioni di potenziale attraverso la
giunzione.
Nel semiconduttore di tipo p:

Figura 5

q
E=− N A (x + xp ) − xp < x < 0
εS
dφ = − Edx
x x
q
∫ dφ = − ∫ − ε
− xp − xp S
N A ( x + x p )dx

x2 q x
φ ( x) − φ (− x p ) = + N A ( + x ⋅ x p )
εS 2 − xp

x2 q x 2p
φ ( x) − φ (− x p ) = + N A ( + x ⋅ x p − + x 2p )
εS 2 2
q
φ ( x) − φ (− x p ) = + N A ( x 2 + 2 x ⋅ x p + x 2p )
2ε S
q
φ ( x) = + N A ( x + x p )2 + φ (− x p )
2ε S

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dove φ (− x p ) è il potenziale nella regione quasi neutra che può essere calcolato considerando
che
− qφ − ( Ei − E f )

p = ni e KT
= ni e KT

Dall’espressione generale si ricava φ:


kT p
φ =− ln( )
q ni

che nel caso in cui x = − x p


kT N
φ (− x p ) = − ln( A )
q ni

Per il calcolo del potenziale nel semiconduttore di tipo n si procede nella seguente maniera:

Figura 6

q
E=− N D ( xn − x) 0 < x < xn
εS
dφ = − Edx
xn xn
q
∫ dφ = − ∫ − ε
x x S
N D ( xn − x)dx

xn xn
q
∫ dφ =
x
εS
N D ∫ ( xn − x)dx
x
xn
 x2
q 
φ ( xn ) − φ ( x) = N D  − + x ⋅ xn 
εS  2 x
xn2
q x2
φ ( xn ) − φ ( x) = N D ( − x ⋅ x p + )
εS 2 2
q
φ ( xn ) − φ ( x) = N D ( xn − x) 2
2ε S

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Da cui
q
φ ( x) = φ ( xn ) − N D ( xn − x) 2 0 < x < xn
2ε S
dove φ ( xn ) è il potenziale nella regione quasi neutra che può essere calcolato considerando
che :
qφ ( Ei − E f )

n = ni e KT
= ni e KT
kT n
φ= ln( )
q ni
kT N
φ ( xn ) = ln( D )
q ni

La differenza di potenziale attraverso la giunzione è data da:


kT  N D  kT  N A 
φTot = φn − φ (− x p ) = ln  + ln  
q  ni  q  ni 
kT  N D N A 
φTot = ln  
q  ni 2 
Si osservi come la parte più rilevante della variazione del potenziale interno φi si abbia nella
regione con la concentrazione di drogante minore e dove si estende maggiormente la regione di
svuotamento. Si osservi inoltre che il potenziale nel piano della giunzione( in x=0) non sia nullo,
ad eccezione del caso in cui NA=ND cioè nel caso della giunzione simmetrica.

In quest’ultimo caso si ha in x=0:

qN D 2
φ x = φ ( xn ) − xn
2ε S
qN A 2
φ x = φ (− x p ) + xp
2ε S
kT  N D  qN D 2
φx = ln  − xn = 0 (a)
q  ni  2ε S
kT  N D  qN D 2
φx = − ln  + xp = 0 (b)
q  ni  2ε S

sommando i due termini (a) e (b)

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kT  N D  qN D 2 kT  N D  qN D 2
ln  − xn − ln  + xp = 0
q  ni  2ε S q  ni  2ε S

qN D 2
− ( xn − x 2p ) = 0
2ε S
x 2p = xn2
x p = xn
Quindi si dimostra che le regioni di svuotamento hanno la stessa estensione quando NA=ND.

Osservazione:
KT  N D  KT  N A  KT  N A N D 
φi = φ n − φ p = ln  + ln  = ln  2 
q  ni  q  ni  q  ni 
Per elevati valori della concentrazione presenti in uno dei tipi di semiconduttori è possibile
determinare φi senza ricorrere alla statistica di Fermi-Dirac. Per un materiale molto drogato il
livello di Fermi è vicinissimo alla banda di conduzione o di valenza per cui il potenziale di built-
in φi sarà dato da:
KT  N D 
φi = 0.56 + ln  
q  ni 

per una giunzione p-n fortemente drogata di tipo p.


Allo stesso modo per una giunzione formata da un materiale fortemente drogato di tipo n si
ha:

KT  N A 
φi = 0.56 + ln  
q  ni 

Per quanto attiene l’estensione della regione di carica spaziale si ha:


1
 εφ  1 1  2
xn + x p = xd =  2 s i  + 
 q  N A ND 

da cui si evince che xd è controllato dal drogante a minore concentrazione.

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2 Caratteristica corrente tensione di un diodo p/n

Figura 7

Supporremo che la tensione applicata agisca solamente ai capi della regione di carica spaziale
della giunzione. Il potenziale di built-in verrà modificato secondo al seguente relazione:
φi − Va
Se Va >0 il diodo è polarizzato direttamente
Se Va <0 il diodo è polarizzato inversamente.
Nel primo caso, poiché la barriera complessiva viene ridotta, si verificherà un trasferimento
di lacune dalla zona p alla zona n e di elettroni dalla zona n alla zona p.
Quando questi portatori entrano nelle regioni quasi neutre, si trovano ad essere portatori
minoritari e subiscono il processo di ricombinazione (processo di rilassamento dielettrico) da
parte dei maggioritari che entrano dai contatti ohmici.
Nel secondo caso, la barriera per i portatori maggioritari viene aumentata e la regione di carica
spaziale viene ad essere svuotata di portatori minoritari. In sostanza i minoritari giocano
comunque un ruolo importante ed i maggioritari un ruolo secondario.
Per determinare il legame tra la densità di corrente e la tensione applicata, in un diodo,
occorre porre attenzione particolare al valore della densità dei portatori minoritari in sezioni
particolari della struttura considerata, per esempio in prossimità di xn e -xp che rappresentano i
limiti della regione di carica spaziale. Supporremo, inoltre, di mantenere, in presenza della
tensione applicata , la condizione di “low level injection”. Ciò significa che la popolazione dei
maggioritari non cambia in modo apprezzabile ai confini delle regioni quasi neutre, prima dei
bordi delle regioni di carica spaziale cioè:

n ≅ ND x = xn
p ≅ NA x = − xp

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Supporremo inoltre valida la relazione seguente:

n3  q 
= exp  (φ3 − φ2 ) 
n2  kT 

dove n3 e n2 rappresentano le concentrazioni di elettroni nelle regioni 3 e 2 (vedi pagina


seguente) del semiconduttore e φ3 ,φ 2 rappresentano i potenziali definiti come distanza dal
livello di fermi del livello intrinseco con verso positivo che va da Ei ad Ef . Denotando con ‘o’ la
condizione di equilibrio, si ha:
− qφi − qφi
n po (− x p ) = nno ( xn )e kT
= N D ( xn )e kT

dove φi = φ n − φ p

Figura 8

− qφi − q (φn −(φ p ))

pno ( xn ) = pno (− x p )e kT
= pno (− x p )e kT

− qφi − qφi − qφi


pno ( xn ) = pno (− x p )e kT
n po (− x p ) = nno ( xn )e kT
= N D ( xn )e kT

Dimostrazione: Dimostrazione:

φi = φ n − φ p φi = φ n − φ p

q (φ p −φn ) − qφi − q (φn −φ p ) − qφi


pno ( xn ) = pno (− x p )e kT
= N A ( − x p )e kT
n po (− x p ) = nno ( xn )e kT
= N D ( xn )e kT

Con Va l’espressione diventa: Con Va l’ espressione diventa:

− q (φi −Va ) − q (φi −Va )


n p (− x p ) = N D ( xn )e kT
pn ( xn ) = N A (− x p )e kT

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n-type p-type
1 1
φ= ( EF − Ei ) φ= ( EF − Ei )
q q
dn dp
J n = qµ n nξ x + qDn J p = qµ p pξ x − qD p
dx dx
In E.T. In E.T.
Dn dn KT 1 dn KT 1 dp
ξx = − =− ξx =
nµ n dx q n dx q p dx
KT dn KT dp
dφ = −ξ x dx = dφ = −ξ x dx =
q n q p
KT  n3  KT  p3 
φ3 − φ 2 = ln   φ3 − φ 2 = − ln  
q  n2  q  p2 
n3  q  p3  q 
= exp  (φ3 − φ2 )  = exp  (φ2 − φ3 ) 
n2  KT  p2  KT 

Le precedenti relazioni possono essere utilizzate per esprimere le densità dei portatori
minoritari in eccesso in funzione dei valori delle loro densità in condizioni di equilibrio termico.
Definiamo tali eccessi per gli elettroni e le lacune nel seguente modo:

n ' = n − n0 p ' = p − p0
qφi qVa qφi qφi qVa qφi
− − − −
n ' p (− x p ) = N D ( xn )e KT
e KT − N D ( xn )e KT
p 'n ( xn ) = N A ( − x p )e KT
e KT − N A (− x p )e KT

qφi qφi
−  qV a
 −  qV a

n ' p (− x p ) = N D ( xn )e KT
 e − 1
KT
p 'n ( xn ) = N A ( − x p )e KT
 e − 1
KT

   
 qVa
  qV a

n ' p (− x p ) = n p 0 (− x p )  e KT − 1 n ' p ( xn ) = pn 0 ( xn )  e KT − 1
   

Queste relazioni sono molto importanti e verranno in seguito utilizzate per specificare le
soluzioni dell’equazione di continuità per i minoritari , nelle regioni quasi neutre vicino alla
giunzione p-n , cioè fuori dalle regioni di carica spaziale.

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2.1 Analisi del diodo ideale.

Consideriamo l’iniezione di lacune nella regione di tipo n dove e’ dominante il processo di


generazione e ricombinazione (Gp-Rp)

∂pn ∂ 2 pn pn
= Dp −
∂t ∂x 2 τ p
dove la lettera n indica che siamo nella regione drogata n.
Se consideriamo il caso stazionario, cioè consideriamo costante la densità di donatori lungo x
si può scrivere l’equazione precedente per la concentrazione in eccesso pn’
∂ 2 pn' p n'
0 = Dp −
∂x 2 τp

che ha per soluzione la seguente funzione :


 x−x   x−x 
pn' = A exp  − n
 + B exp  n

 D pτ p   D pτ p 
   

dove A e B sono costanti da determinarsi sulla base delle condizioni al contorno definite dal
problema in esame.
L p = D pτ p è detta lunghezza di diffusione per una lacuna in una regione di tipo n ed xn è il
punto in cui termina la regione di carica spaziale e comincia la regione quasi neutra. In maniera
analoga potremmo definire la lunghezza di diffusione di un elettrone in una regione di tipo p,
L p = Dnτ n .

2.2 Diodo a base lunga.


È un diodo in cui l’estensione della regione quasi neutra, è molto maggiore della Lp o della
Ln.
Se consideriamo un diodo p/n le lacune iniettate nella regione quasi neutra di tipo n, si
ricombineranno tutte prima di arrivare al contatto ohmico.
Poiché pn' deve diminuire all’aumentare di x il coefficiente della relazione precedente e
soluzione dell’equazione stazionaria della diffusione, deve essere nullo.
 x − xn 
pn' = A exp  − 
 L
 p 

 qVa   qVa 
nel punto x=xn pn' ( xn ) vale pno
'
( xn ) e KT − 1 per cui A = pno
'
( xn )  e KT − 1 .
   
Quindi
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x − xn
 qV a
 − Lp
p ( x) = pno  e KT − 1 e
'
n
 

Figura 9
Distribuzione spaziale della densità di lacune nella regione quasi neutra n di un diodo a basa lunga polarizzato direttamente
alla tensione Va ;

Per quanto riguarda la corrente di lacune si ha:


x − xn
dpn dp n' qD p  qVa
 − Lp
J p ( x) = − qD p = − qD p = pno  e − 1 e
KT
dx dx Lp  
x − xn
n2  qV a
 − Lp
... = qD p i  e KT
− 1 e
N D Lp  

La densità di corrente di lacune ha un massimo in x=xn e poi decresce man mano che ci si
allontana dalla giunzione, perchè all’aumentare di x diminuisce il gradiente di concentrazione
delle lacune. Inoltre, poiché la corrente totale deve rimanere costante con la distanza in regime
stazionario, la corrente di elettroni deve crescere all’aumentare di x. Tale corrente di elettroni
deve compensare quegli elettroni che si ricombinano con le lacune iniettate.

Figura 10

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La corrente di elettroni minoritari iniettati nella regione di tipo n, può essere calcolata con
analogo procedimento nell’ipotesi in cui -wB è tale che

wB  Ln = Dnτ n
x+ xp
ni2  KTa 
qV
Lp
J n ( x) = qDn  e − 1 e
N A Ln  

Per avere la corrente totale Jtot si procede sommando le due correnti Jn(x) e Jp(x) in punti
particolari, per semplificare, cioè in x=xn e x=-xp.

 Dp Dn   KTa
qV

J tot = J p ( xn ) + J n (− x p ) = qni2  +   e − 1
N L 
 D p N A Ln   
 qVa

J tot = J o  e KT − 1
 

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2.3 Diodo a base corta.

Ipotizziamo che le lunghezze delle regioni di tipo p ( wE ) e di tipo n ( wB ) siamo molto minori
delle lunghezze di diffusioni dei portatori minoritari

wE  Ln
wB  Lp

In questo caso la ricombinazione è molto ridotta nelle regioni quasi neutre. Al limite può
accadere che i minoritari si ricombinino tutti in prossimità del contatto ohmico.
La soluzione generale, allora,

 x−x   x−x 
pn' ( x) = A exp  − n
 + B exp  n

 D τ   D τ 
 p p   p p 

può essere semplificata approssimando tale funzione con il suo sviluppo in serie di Taylor
arrestato al secondo ordine:

 1   x − xn   1   x − xn 
pn' ( x) = A + B + A  −
 L  exp  −  ( x − xn ) + B   exp  −  ( x − xn ) + .....
 p   Lp   Lp   L p 
x = xn x = xn

A B
pn' ( x) = A + B − ( x − xn ) + ( x − xn )
Lp Ln
 x − xn 
pn' ( x) = A' + B ' 
 L 
 p 
Poiché il contatto metallico in x=wB impone la condizione al contorno pn' ( wB ) = 0 e così come
 qVa

impone in x=xn che p ( x) = pno e KT − 1 allora possiamo ottenere le due equazioni:
'
n
 
 ' ( wB − xn )
0 = A + B
'

 Lp

 A' = p ( x )  e KT − 1
qVa

 no n  
  

da cui si ricava la seguente espressione

 qV a
 Lp
B = − pno ( xn )  e KT − 1
'

  ( wB − xn )
 qV a
  x − xn 
pn ( x) = − pno ( xn )  e KT − 1  1 −
'
 (*)
 w'B 
 

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dove wB' = wB − xn è la lunghezza della regione quasi neutra. Dall’equazione si può dedurre
che la concentrazioni in eccesso delle lacune decresce linearmente con la distanza nella regione
n.

Figura 11
Densità di lacune nella regione n quasi neutra di un diodo ideale a base corta, polarizzato direttamente alla tensione Va; la
concentrazione in eccesso di lacune p’n è calcolata mediante l’equazione (*).

L’affermazione Lp>>wB vuol dire, quindi, che tutte le lacune diffondono attraverso la
regione di tipo n, prima del processo di ricombinazione. L’ipotesi di assenza di ricombinazione
poteva essere anche formulata supponendo che il tempo di vita delle lacune, τ p tendesse ad
infinito nell’equazione:

∂ 2 pn' pn'
0 = Dp −
∂x 2 τ p

per la quale la soluzione è una funzione lineare di x.


Quindi per quanto riguarda la densità di corrente si può scrivere:

dpn qD p  qVa
 qD p 2  qV a

J p ( x) = − qD p = ' pno  e − 1 =
KT
'
ni  e KT
− 1
dx wB   N D wB  

Si noti come in questo caso la lunghezza caratteristica è la lunghezza della regione quasi
neutra wB' . Nel diodo a base lunga era invece la lunghezza di diffusione dei portatori minoritari
Lp . Per quanto riguarda la corrente totale si ha:

 Dp Dn   qVa

J tot = qn 
2
i '
+ '   e − 1
KT

 N D wB N A wE  

Questa relazione come quella analoga al caso del diodo a base lunga presenta una corrente
forte se Va>0.
Questa mancanza di disuniformità nelle espressioni della densità di corrente per le due
strutture è dovuta, fisicamente, al fatto che la polarizzazione diretta aumenta l’iniezione di

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portatori maggioritari da parte di ciascuna regione quasi neutra. I portatori che attraversano la
giunzione vengono rimpiazzati ai contatti ohmici.
In condizioni di polarizzazione inversa , la corrente è dovuta a portatori minoritari che sono
pochi in numero. Un esame delle due espressioni delle correnti evidenzia il fatto che applicando
una polarizzazione come in figura 12a si vede come le lacune vanno dalla zona n alla zona p,
così come gli elettroni vanno dalla zona p alla zona n.

Figura 12 a e b

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