Isolanti , Semiconduttri e Metalli

I materiali per applicazioni elettriche/elettroniche sono

generalmente classificati rispetto al valore della loro resistivit
[cm] (o conducibilit [S/cm] ):

Materiale Resistivit (cm)

Isolanti 105 <
Semiconduttori 105 < < 103
Conduttori <103

La resistivit o la conducibilit sono parametri che descrivono globalmente

le caratteristiche del processo di conduzione elettrica del materiale
considerato. La resistenza (R) di un determinato materiale pu essere
espressa come: L dV
R = ; R= ;
S dI
Dove la resistivit, L la lunghezza del materiale ed S la sua sezione.

La Banda Proibita (Energy Gap)

Consideriamo, ad esempio, la configurazione elettronica del silicio:
1s2 2s2 2p6 3s2 3p2
Che dispone di 14 elettroni di cui 8 formano lottetto fondamentale.

a/2
( 2.71
)
a ( 5.43 )

51022
[atomi/cm3]
8
atomi
Configurazione degli stati di energia per il C, Si, Ge relativamente ai 4
elettroni di valenza in funzione della spaziatura interatomica.

0 elettroni (a T=0 K) Atomi isolati

E
4N stati
banda di conduzione
2N elettroni (p)
6N stati
Energia

EG

4N elettroni 2N elettroni (s)

4N stati 2N stati
Livelli energetici
banda di valenza delle cortecce pi
interne dellatomo

d0 d

metallo
isolante
semiconduttore

Ogni materiale pu essere classificato in una delle 3 categorie seguenti

sulla base della disposizione dei livelli EC, EV

Banda di
conduzione

EC
elettroni

9eV EV
per SiO 2 EG EC
EG EF (livello di Fermi) EC
EV
EV
lacune
Banda di valenza

isolante semiconduttore metallo

 La Funzione di Fermi-Dirac

La funzione di distribuzione di Fermi-Dirac f(E) indica la probabilit

che un elettrone occupi un certo stato elettronico avente energia E.

1 k=costante di Boltzmann [eV/K]

f (E) = (E - E F )
1+ e k T T=temperatura assoluta in [K]

f (E) E=livello di Fermi [eV]

1
0K
300 K
0.5
200 K

0 EF E
E E E

Banda di
Conduzione
EC
-----
EF
EV
+++++
Banda di
Valenza
0 0.5 1 f(E) N(E) (E)

EV
nC = f (E) N(E)dE
E =EC
; nV = f (E) N(E)dE
E =0
;
 Semiconduttori
La maggior parte dei dispositivi elettronici sfrutta le propriet delle
giunzioni o tra materiali semiconduttori differenti, oppure tra metallo e
semiconduttore.
Lo studio di tali dispositivi richiede perci la conoscenza delle propriet
chimiche, fisiche , termiche ed elettriche dei diversi tipi di
semiconduttori.
La moderna tecnologia elettronica utilizza un numero di materiali
semiconduttori semplici, cio costituiti da ununica specie atomica, e/o
composti cio costituiti da pi specie atomiche.

Semiconduttori utilizati: Si, Ge, GaAs, InP, SiGe, AlGaAs.

Elementi tetravalenti (4 elettroni di valenza)

Se non sono introdotte impurezze si parla di Semiconduttori
Intrinseci

Se sono introdotte impurezze (atomi pentaventi o trivalenti) si

parla di Semiconduttori estrinseci

+4 +4

ATOMI DI SILICIO
LEGAMI
COVALENTI

+4 +4

4 atomi di silicio (C, Ge) ed i corrispondenti 4 legami covalenti

 I semicondutori sono caratterizzati da una banda di energia
proibita (energy gap), espressa in eV e per i tre materiali pi
studiati si hanno i seguenti valori:
Ge: 0,7 eV
Si: 1,12 eV
GaAs: 1,43 eV

Evuoto
Affinit
Elettronica q

Econduzione
qS
Energy gap
EF

Evalenza

La banda di energia proibita posizionata sotto il livello di vuoto.

qS chiamata Funzione lavoro

 Doping
Introducendo in un semiconduttore intrinseco quantit anche piccole di
impurezze, se ne cambiano in modo radicale le caratteristiche, a
cominciare da quelle di conduzione.
Aggiungendo atomi di tipo pentavalente (P, As, Sb) alcuni atomi del
reticolo sono sostituiti dalla nuova specie atomica che satura i quattro
legami covalenti dellatomo sostituito, ma ha ancora un quinto elettrone
a disposizione. Tale elettrone risulta poco legato al reticolo e pu
facilmente liberarsi per effetto della temperatura e partecipare al
processo di conduzione.
Se gli atomi droganti aumentano il numero di elettroni liberi si
definiscono donori.

45 meV

Donori

In termini di bande di energia lintroduzione dei donori corrisponde ad inserire

allinterno dellenergy gap, un livello vicino alla banda di conduzione dal
quale gli elettroni possono facilmente saltare nella banda di conduzione
stessa e partecipare ai processi di conduzione elettrica del cristallo ospite, in
tale situazione si parla di drogaggio di tipo n
 Laggiunta al semiconduttore intriseco tetravalente di impurezze di tipo
trivalente (B, In, Al), produce la sostituzione nel reticolo del cristallo
ospite di alcuni atomi con quelli della nuova specie atomica che non in
grado per di saturare tutti e quattro i legami covalenti disponibili. Si
vengono a creare cos dei legami covalenti non saturati lacune. Il
meccanismo con cui le lacune migrano il seguente: un elettrone pu
abbandonare il legame covalente e occupare la lacuna di un atomo vicino
generando in tal modo una lacuna nellatomo di origine. Il risultato una
lacuna che si muove in verso opposto allelettrone che salta da un legame
allaltro.
Se gli atomi droganti aumentano il numero di lacune libere si definiscono
Accettori.

45 meV

accettori

In termini di bande di energia lintroduzione degli accettori corrisponde ad

inserire allinterno dellenergy gap, un livello vicino alla banda di valenza dal
quale gli elettroni possono facilmente saltare nella banda di valenza stessa e
partecipare ai processi di conduzione elettrica del cristallo ospite, in tale
situazione si parla di drogaggio di tipo p
 Legge dellAzione di Massa

Aggiungendo ad un semiconduttore intrinseco impurezze di tipo n si

facilita la ricombinazione delle lacune generate termicamente,
diminuendone il numero. Lo stesso vale per gli elettroni se si introducono
impurezze di tipo p.

Si dimostra che in un semiconduttore drogato, in condizioni di equilibrio

termico, il prodotto tra la concentrazione di elettroni e la concentrazione di
lacune, (in assenza di tensione applicata) una costante.

n p = n i2 = concentrazione intrinseca

Per il Si (300 K) ni2@2.25 1020 cm-6

 Densit di Carica in un Semiconduttore

Per un semiconduttore sia drogato di tipo p che di tipo n vale la seguente

relazione detta anche della neutralit della carica:

N A + n = ND + p

Se il semiconduttore drogato con una concentrazione di atomi donori

pari a ND [atomi/cm3] . Risulta:

nn = ND + ni
nn ND Portatori di maggioranza

Applicando la legge dellazione di massa:

2 n i2
ND pn n i pn Portatori di minoranza
ND
In modo analogo se il semiconduttore drogato con una concentrazione di
atomi accettori pari a NA [atomi/cm3] . Risulta:

pp = NA + ni
pp NA Portatori di maggioranza

n i2
np Portatori di minoranza
NA
 E E E

Banda di
Conduzione
EC -------
EF

EV
+ + +
Banda di
Valenza
0 0.5 1 f(E) N(E) (E)

E E E

Banda di
Conduzione
EC - - -
EF
EV
+++++++
Banda di
Valenza
0 0.5 1 f(E) N(E) (E)
 Modello a Dualit di Carica

Dato un semiconduttore sottoposto ad una d.d.p., la corrente I misurata

dovuta sia ad un flusso di cariche positive che procedono con velocit di
trasporto up diretta nel verso del campo elettrico, sia ad un flusso di
cariche negative che procedono con velocit un diretta in verso opposto.
Le velocit sono da intendersi velocit medie.
Le cariche negative (elettroni) viaggiano con energie tipiche della banda
di conduzione; le cariche positive (lacune) viaggiano con energie tipiche
della banda di valenza.

up

un

Quindi, dato un campo elettrico , le p ed n per quanto riguarda i

versi sono quelle disegnate in figura 1, essendo la forza pari a:
F = qE
 Mobilit
In un conduttore gli elettroni si muovono in modo casuale.
La direzione del loro moto varia ad ogni collisione con gli ioni del reticolo
cristallino.(La distanza media percorsa tra due urti successivi denominata
libero cammino medio). Il moto casuale degli elettroni determina
mediamente una corrente nulla .
Applicando a un conduttore un campo elettrico [V/cm]. la situazione
varia: si ottiene una corrente di drift non nulla.
In modo sperimentale pu essere rilevata la relazione tra campo elettrico
e la velocit media degli elettroni [m/s].

u = E = mobilit

Densit di Corrente di drift in un Conduttore

I

A = d*w
d
N = Elettroni nella barra
L
L = Lunghezza del conduttore w
T = tempo necessario ad un elettrone a percorrere il conduttore
N/T = numero di elettroni che attraversa la sezione S nellunit di tempo

N uN
I = -(-q
) = (q )
T L
I uN
J = = q = qn u = u
A LA
Dove : J [A/m2] la densit di corrente.
[Q/cm3] la densit di carica
 Densit di Corrente in un Semiconduttore
La densit di corrente J [A/m2] pu essere espressa come:
J = m u
-m la densit di carica [Q/cm3], u la velocit [m/s], la
conducibilit ed il campo elettrico [V/cm].
Indicando con p la concentrazione di carica positiva [cm-3] e con n la
concentrazione di carica negativa [cm-3], si ha:
(per le lacune) (per gli elettroni)
m = q p m = q n
J p = +q p u p J n = q n u n
E E
J p = +q p u p J n = q n u n
E E
considerando :
up un
u p = p E p = u n = n E n =
E E
p medesima direzione e medesimo verso di p positivo
n medesima direzione e verso opposto di n positivo

Jp = q p p E Jn = q n n E
Si definiscono :
p = q p p conducibilit delle n = q n n conducibilit degli
lacune elettroni

Si pu anche definire una conducibilit totale: tot = q (p p + n n )

Si pu esplicitare la densit di corrente J come: J = tot E

La conducibilit () dipende dal numero di elettroni in banda di
conduzione e dalle lacune in banda di valenza
Il numero di elettroni in banda di conduzione dipende da Eg e T
ma anche dallenergia assorbita dal materiale (termica,
radiazione,.)
- Nei semiconduttori in generale aumenta con la T.
- Nei metalli, assunto in prima approssimazione R=R0(1+ T),
cresce al diminuire della T.

Aspetti Fenomenologici nei Semiconduttori

Se si considera una barra di semiconduttore a cui venga

applicata una d.d.p., la distribuzione di tale potenziale
risulta lineare e come consegunza la densit di carica
risulta nulla, cio la densit delle cariche mobili
bilanciata da quelle fisse.
Infatti dallEquazione di Poisson
2
V=
0 V

Risulta che, se V ha andamento lineare lungo la barra, allora:

0.
 Diffusione

Leffetto diffusivo, in assenza di forze che lo contrastino, produce un flusso

di particelle in direzione ortogonale alla superficie di eguale concentrazione
delle particelle stesse.
Tale flusso procede dalle alte alle basse concentrazioni e con intensit
legata al livello del gradiente.
Indicando con p e con n le densit di flusso rispettivamente di lacune e di
elettroni si pu scrivere che:

p = D p grad (p) n = D n grad (n)

L2p L2n
Coefficienti di D p = Dn =
diffusione p n

Ln e Lp
lunghezze medie di diffusione.

n e p
tempi medi tra urti per elettroni e lacune

cm 2
[D ]
p = [D n ] =
sec

Legame tra coefficienti di diffusione e mobilit relazione di Einstein

KT KT
Dp = p Dn = n
q q

Valori
Valoritipici
tipiciper
perTT==300K
300Kdel
delcoefficiente
coefficientedi
didiffusione
diffusioneper
perelettroni
elettroniee
lacune
lacunedel Sieedel
delSi delGe
Ge
DDn == 35 2 2
n 35 cm
cm2/sec(Si)
/sec(Si) DDn == 100
n 100 cm
cm2/sec(Ge)
/sec(Ge)
DDp == 13 cm 22/sec(Si) DDp == 50 cm22/sec(Ge)
p 13 cm /sec(Si) p 50 cm /sec(Ge)
T la temperatura assoluta e K la costante di Boltzman (1,3510-23 [J/h]).
Inoltre valgono le seguenti relazioni:

Dp Dn T
= = VT = Volt
p n 11.600

Corrente di diffusione:
Moltiplicando i flussi n e p per la carica degli elettroni e delle
lacune si ottengono le densit di corrente Jn e Jp:

J p = q D p grad (p ) J n = q D n grad (n )

Assumendo il gradiente nullo nelle direzione degli assi y e z si potr

scrivere:
d p(x) d n (x)
J p = q D p Jn = q Dn
dx dx

p Jp , p n
n
Jn

p , Jp n

Jn

x x
 Equazioni del Trasporto

Gli effetti elettrico e diffusivo coesistono in un semiconduttore.

La legge che descrive il movimento delle cariche la combinazione
dei due termini, uno di drift, dipendente dal campo, laltro di
diffusione , dipendente dal gradiente di concentrazione.
d p(x )
J
p = q p p E q D p
dx


d n (x )
J
n = q n n E + q D n
dx

DRIFT DIFFUSIONE

J tot = J p + J n
 Legge di Boltzmann

Si considera il caso di un semiconduttore in lui la concentrazione delle

lacune varia con x:

I drift = I diffusione ;
p1 p2
D h = h VT
x1 x2
KT
VT = = 25mV / 300K
q

dV dp dp dV
p q h = q D h ; = h dV =
dx dx p Dh VT
p2
dp 1 V2
= dV
p1 p VT V1

p1
V21 = VT log da cui si ottiene :
p2
V21
VT
p1 = p 2 e Relazione di Boltzmann
in modo analogo per gli elettroni si ottiene :
V21
VT
n1 = n 2 e
 Equazione di Continuit
Bilancio di conservazione dei portatori di carica.
Si consideri un volume V, delimitato dalla superficie S, contenente
lacune con densit p.
Il numero totale di lacune P nel volume
dato pu essere espresso come segue:
P = p dV
V V
Dove p la densit di lacune.
La variazione di P nel tempo data da:
S
dP d
= p dV
dt dt V
Tale variazione pu essere dovuta ad un flusso uscente o entrante, di cariche
pi una variazione, nel processo di generazione-ricombinazione.
Sia allora:
G = n di coppie generate nellunit di volume e nellunit di tempo
R = n di coppie che si ricombinano nellunit di volume e nellunit di tempo
= versore normale ad S
allora si pu scrivere:
d
p dV = (G R ) dV p a dS
dt V V S

d 1
p dV + (R G ) dV = div(J p ) dV dove p = J p q
V dt V q V

d p 1 dp 1
+ ( R G ) + div(J p ) dV = 0 + ( R G ) + div(J p ) = 0
V dt q dt q
Ora si ponga: G = G th + G Gth coppie generate per effetto termico.
G coppie generate per altri effetti.
Quindi: R G = R G th G

Ponendo inoltre:
U = R G th U Variazione della concentrazione
delle coppie non considerando
leffetto termico

Si ottiene: R G = U G

p 1
t + U + div (J p ) = G
q
Quindi: n 1
+ U div(J n ) = G
t q
Che esprimono la condizione di continuit nellipotesi considerate.

Moltiplicando per q lequazione relativa alle lacune, per q lequazione

relativa agli elettroni e sommando le due equazioni ottenute si ottiene:

+ div (J ) = 0 dove : = q p + ( q) n = densit di carica
t
 Gradiente del Potenziale
Considerando la differenza di potenziale tra due punti distanti dl
d V = E d l
= E (d x x 0 + d y y 0 + d z z 0 ) = (E x d x + E y d y + E z d z)

z V funzione di x, y, z per cui il differenziale

totale risulta:
dx
Vx Vy V
dV= d x + d y+ z d z
dz x y z
dl dy
Confrontando le due espressioni:
x
Vx Vy Vz
y Ex = - ; Ey = ; Ez =
x y z

Da cui si ottiene: V V V
E = - x0 + y0 + z 0
x y z
E = - grad V

Equazione di Poisson
Considerando la permettivit costante la legge di Gauss in forma
differenziale espressa dalla:

div E =
0 r
= q (N D N A + p n ) densit di carica totale

Introducendo lespressione del gradiente di potenziale nella legge di Gauss:

2V 2V 2V
div(grad V) = + + = 2V =
0 r x 2 y 2 y 2 0 r
 Ricapitolazione
Formiamo il quadro completo delle equazioni in grado di determinare il
comportamento dei dispositivi, almeno fino a quando i campi elettrici
consentono di restare in un sistema di riferimento governato dalla linearit.

Trasporto:
J p = q p p E q D p grad (p )

J n = q n n E + q D n grad (n )

Continuit:
p 1
t + U + div(J p ) = G
q
n 1
+ U div(J n ) = G
t q
Poisson:

2V =
0 r

Quasi stazionariet:
E = grad (V )

Densit di carica totale

= q (N D N A + p n )