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07/03/98
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INTRODUZIONE
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FONDAMENTI
I seguenti principi impiegati per sviluppare questo lavoro sono qui presentati
come un ripasso dei principidel magnetismo.
-
La legge di Ampere
F H dl IT N I
[1]
Conservazione dellenergia
dove
H dB
[joules/m 3]
1
1
B H 0 H 2
2
2
4 10 7
[joules/m 3]
in unit del sistema S.I.
W
TITOLO:
1
0 H 2 dV
2
[joules]
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1
H 2 A l
2 0
[joules]
[2]
si ottiene:
0 N 2 I 2 A
W
2 l
[joules]
[3]
dove A la superficie trasversale del circuito magnetico in metri quadri perpendicolare al flusso, e l la
lunghezza di questa regione in metri (che poi la lunghezza effettiva del campo).
-
1
0 N 2 I 2 A
2
W L I
2
2 l
L
TITOLO:
0 N 2 A
l
[4]
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LEFFETTO PELLE
Fig. 1
In alta frequenza:
Fig. 2
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vicino alla superficie del filo. Finch questa tensione indotta allinterno di un
conduttore essa genera una corrente addizionale coincidente con la tensione. Da
notare che questa corrente addizionale rafforza il senso della corrente sulla
superficie del conduttore mentre lostacola al centro dello stesso.
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Fig. 3
-
Profondit di penetrazione:
DPEN
[metri]
[5]
dove la resistivit del materiale in ohm per centimetri, uguale a 0 che la permeabilit assoluta
dello spazio libero 4 10 7 in unit del sistema S.I. Per il rame , a 100C = 2,3x10E -6cm e
quindi:
DPEN
7,5
f
[centimetri]
[6]
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Unaltro modo per approcciare alla comprensione degli effetti della corrente in
alta frequenza negli avvolgimenti dei trasformatori e nelle interconnessioni dei
circuiti quello di usare un modello di un circuito elettrico equivalente. Questo
approccio probabilmente pi semplice da correlare per il progettista del circuito. La
Fig. 4 illustra il circuito equivalente del conduttore isolato apparso nelle Figg. 1 3.
Fig. 4
Con la corrente
lenergia LX
linduttanza
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attraverso una sezione ad alta resistivit di unarea limitata sulla superficie. Pertanto
una parte addizionale di energia della sorgente viene dissipata nella resistenza di
questo strato di superficie.
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Riferendoci ancora alla Fig. 4 con una corrente di forma donda sinusoidale
applicata ai morsetti, evidente che in bassa frequenza la reattanza dellinduttanza
interna Li trascurabile rispetto agli elementi resistivi Ri . La corrente fluisce
uniformemente attraverso il filo e la resistenza minima. Ma alle alte frequenze , il
flusso della corrente diventa il massimo sulla superficie (punto A), decadendo
esponenzialmente verso il centro (punto B).
La profondit di penetrazione o spessore della pelle chiaramente rilevante nel
dominio della frequenza. A qualsiasi frequenza, la profondit di penetrazione ricavata
con lequazione [5] o [6] rivela la percentuale della sezione del filo che
effettivamente conduce, e quindi il rapporto tra la resistenza in corrente continua con
quella in corrente alternata. Sebbene le forme donda delle correnti incontrate in
gran parte degli alimentatori a commutazione non sono sinusoidali, diversa
letteratura fornisce aiuti nella progettazione degli avvolgimenti di trasformatori per
alta frequenza usando come base lapproccio con forme donda sinusoidali sviluppato
da Dowell nel 1966 (2). Alcuni di questi autori usano la tecnica dellanalisi di Fourier
per estendere il metodo per le forme donda sinusoidali a quelle non-sinusoidali.
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LEFFETTO PROSSIMITA
La distribuzione del campo e delle correnti con fili rotondi non facile da
calcolare. Un semplice e molto pratico esempio illustrato nella Fig. 5.
Fig. 5
I due nastri piatti paralleli mostrate sono il miglior modo per realizzare delle
connessioni di circuiti per alta frequenza, minimizzando linduttanza di collegamento
e le perdite per correnti addizionali. Questi nastri possono essere per esempio due
tracce sulle faccie opposte di un circuito stampato. (Non usate collegamenti puntopunto. E molto pi importante interrompere lanello e mantanere i conduttori di
andata e ritorno pi vicino possibile a meno che non siano molto distanti.)
Il segno + significa che la corrente entra nel nastro superiore mentre il segno indica che la corrente esce dal nastro inferiore. Tra i due nastri il campo magnetico
forte ed uniforme per cui la corrente viene uniformemente allargata su tutta la
superficie interna. Sullesterno dei nastri il campo molto basso, per cui la corrente
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12,56 w
l
[nanohenry/centimetri]
[7]
Usi impropri:
Fig. 6
Fig. 7
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Nella connessione secondo la Fig. 6 succede che la corrente scorre solo ai bordi
dove i conduttori sono affacciati. Inoltre, siccome la regione dove il campo
concentrato breve, la densit di energia veramente alta, e il valore dinduttanza
diverse volte pi grande della connessione di Fig. 5.
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La configurazione della Fig. 7 non cos cattiva come quella di Fig. 6 in quanto la
corrente si allarga almeno in uno dei due conduttori (quello a sinistra), ma in ogni
caso rimane sempre diverse volte peggiore della configurazione migliore di Fig.5.
Il messaggio il seguente: grandi superfici non migliorano le prestazioni in alta
frequenza dei collegamenti se la configurazione non corretta.
-
Avvolgimenti di un induttore:
Fig. 8
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Avvolgimenti di un trasformatore:
Fig. 9
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Fig. 10
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minimo possibile cercando di usare nuclei con la finestra lunga e stretta per
sistemare tutte le spire in pochi strati (questo riduce altres dasticamente
linduttanza dispersa. Il nucleo mostrato nella Fig. 10 lontano dal tipo appena
descritto.
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Avvolgimenti interallacciati:
Fig. 11
interallacciati
Trasformatore
con
avvolgimenti
strati
multipli
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Fig. 12
alta frequenza
La forza del campo e la densit di corrente tra gli avvolgimenti la stessa del
caso in bassa frequenza. Ma nei conduttori, la densit di corrente, il campo
magnetico e la densit di energia decade rapidamente penetrando nel conduttore
dalla superficie (La linea tratteggiata indica la distribuzione in bassa frequenza. Le
linee pi marcate che indicano la distribuzione in alta frequenza sono
unapprossimazione-supponendo che la distribuzione della corrente termini
bruscamente al raggiungimento della profondit di penetrazione. In realt le
pendenze sono pi ripida sulla superficie e a diminuire gradualmente verso linterno
del filo.)
Da notare che lenergia totale sotto la curva della densit di energia circa
met di quella in bassa frequenza. Questo significa che linduttanza dispersa
diminuita in alta frequenza, ma solo perch lenergia allinterno dei conduttori stata
eliminata. Questo non il miglior metodo per ridurre linduttanza dispersa in quanto
per contro si ha un notevole aumento delle perdite per correnti addizionali.
Con la profondit di penetrazione ddel 20% dello spessore del nastro, la
resistenza del conduttore alle correnti alternate pu tranquillamente diventare circa
cinque volte quella in corrente continua. Ma con tre strati che incrementano il
campo, la resistenza del conduttore alle correnti alternate diventa realmente circa
tretadue volte pi grande!
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Fig. 13
in alta frequenza
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Il valore medio della resistenza dei tre strati (9+4+4+1+1)/3 = 19/3 = 6,333
volte la resistenza dello strato S1. Siccome la resistenza dello strato S1 gi 5 volte
la resistenza in dc, a causa della profondit di penetrazione del solo 20%, il rapporto
tra la resistenza media in ac e quella in dc, FR , 31,67:1. Valore difficilmente
trascurabile. Riferendoci ad S3 con 3A e a -2A sulle sue superfici, se lo spessore del
conduttore diminuito oppure diminuita la frequenza per aumentare la
penetrazione, la penetrazione raggiunge queste correnti in senso opposto
contrastandole e in parte cancellandole. Quando la profondit di penetrazione DPEN
, molto pi grande dello spessore del conduttore, la cancellazione completa, la
corrente nel conduttore vale 1A e il rapporto tra le resistenze FR , 1. Sebbene ogni
strato fosse una spira di nastro conducente 1A, in questa illustrazione, ogni strato
pu avere dieci spire conducenti 0,1A con gli stessi risultati.
-
Strati passivi:
Per strato passivo sintende ogni strato conduttore che non sia attivamente
operativo sulla condu-zione della piena corrente utile. Gli schermi di Faraday e la
parte non conduttiva di unavvolgimento con presa centrale sono esempi di strati
passivi.
Fig. 14
La Fig. 14 illustra cosa succede se viene interposto uno schermo di Faraday nel
campo di 3A-T tra il circuito secondario della Fig. 13 e il circuito primario (tutto a
sinistra). Se lo spessore dello schermo di Fara-day molto pi grande della
profondit di penetrazione DPEN , un flusso di corrente di 3A scorrer su entrambe le
faccie in quanto il campo non riesce a penetrare. Su ciascuna superficie il quadrato
della corrente vale 9A, ed entrambe la superfici insieme dissipano 18 volte di pi
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dello strato S1, o quasi quanto come le tre spire secondarie combinate. Gli schermi
di Faraday sono solitamente collocati dove il campo al suo valore massimo; il loro
spessore deve essere almeno 1/3 della profondit di penetrazione DPEN per
mantenere le perdite ad un valore accettabile. Per fare unaltro esempio, supponiamo
di avere un secondario con presa centrale con le singole parti identificate in A e
B.
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Avvolgimenti parallelati:
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Fig. 15
Le curve della Fig. 15 sono derivate dal lavoro di Dowell. La scala verticale
indica il rapporto tra le resistenze Rac / Rdc o FR mentre quella orrizontale, Q , il
rapporto tra leffettiva altezza del conduttore o spessore, o spessore dello strato,
verso la profondit di penetrazione, DPEN .
Per avvolgimenti in nastro o fogli, laltezza dello strato lo spessore del nastro
o del foglio. Per i conduttori rotondi accostati lun laltro, leffettiva altezza dello
strato 0 ,83 volte il diametro del filo. Per i conduttori rotondi distanziati luno
dallaltro, leffettiva altezza dello strato vale:
d
0 ,83 d
s
dove d il diametro del filo e s la distanza centro-centro tra i fili adiacenti.
Riferendoci al calcolo di FR = 31,67 di pag. 16, inserendo i dati per la Fig. 15
con Q = 5 e 3 strati (layer), il risultato per FR concorda. Nella zona allestrema
destra della Fig. 15, i valori di FR sono estremamente elevati in quanto lo spessore
del conduttore molto pi grande della profondit di penetra-zione. Le curve sono
parallele e hanno una pendenza pari a +1. Nella zona allestrema sinistra della Fig.
15, i valori di FR sono quasi prossimi a 1 in quanto lo spessore del conduttore
molto pi piccolo della profondit di penetrazione. Nella zona centrale, le curve
cadono verso il basso quanto pi piccolo Q . Un valore di FR = 1,5 un buon
traguardo da porre come fine. Con valori pi elevati, le perdite sono troppo forti.
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Andare a valori troppo al disotto invece di FR = 1,5 significa passare il punto in cui i
vantaggi non migliorano, con requisiti troppo stringenti per le dimensioni dei fili.
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Ottenere un valore di FR = 1,5 significa avere un valore di Q = 1,6 con uno strato
e Q = 0,4 con 10 strati. partendo con uno spessore del conduttore molto grande
della profondit di penetrazione e poi suddividerlo in tanti conduttori generalmente
peggiora notevolmente il valore di FR prima di diventare vantaggioso.
Per esempio, assumendo unavvolgimento a singolo strato di 10 spire accostate con
un Q = 4, il valore di FR = 3,8 ricavato dalla Fig. 15 non buono abbastanza. Se
invece vengono utilizzati quattro fili in parallelo di met del diametro del filo
precedente (maneggiandoli con cura durante lesecuzione dellavvolgimento
evitando cio accavallamenti indesiderati),ci saranno 40 fili, 20 per strato, su due
strati. Il valore di Q sar 2 ma con con due strati FR diventa 5,2 , peggiorando la
situazione precedente. La ragione di questo fatto nel diametro del filo ancora
troppo grande per unefficace penetrazione e cancellazione delle correnti addizionali,
e nel numero degli strati che raddoppiato causando extra correnti addizionali sulle
superfici. Suddividendo ancora in 16 fili in parallelo di un quarto del diametro del filo
originario si avranno 160 fili, 40 per strato su quattro strati. Il valore di Q sar 1 e
con quattro strati FR diventa 2,8 , migliorando la situazione precedente.
Una terza suddivisione in 64 fili in parallelo del diametro di un ottavo del
diametro originario risulta in 640 fili, 80 per strato su otto strati. Il valore di Q sar
0,5 e con otto strati FR diventa finalmente 1,5 , migliorando ancora la situazione
precedente.
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BIBLIOGRAFIA
[1]
D. G. Fink et al.,
McGraw-Hill,
1975
[2]
P. L. Dowell,
Effects of Eddy Currents in Transformer Windings
Proceedings IEE (UK) Vol. 113, N 8, pp.1387-1394
August,1966
[3]
[4]
B. Carsten,
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