Capitolo 5

Amplificatori a due transistori

in tecnologia bipolare

5.1 Amplificatore cascode

La cascata tra uno stadio ad emettitore comune ed un base comune viene di frequente utilizzata allo scopo di
assicurare prestazioni “non troppo differenti” da quelle del singolo stadio ad emettitore comune ma in un intervallo di
frequenze più ampio.
Una possibile realizzazione ad elementi discreti del cascode è quella che sfrutta una rete di autopolarizzazione a tre
resistenze:

VCC

R3 RC2

vo
Q2
CB2

R2

vi Q1
RS C1
CE
R1 RE

VEE

Fig. 5.1 Circuito di polarizzazione del cascode

5.1.1 Analisi della polarizzazione

In genere le correnti di base dei due transistori si possono trascurare in quanto quelle che attraversano le resistenze
R1 , R2 ed R3 sono molto maggiori.
Dal partitore d’ingresso si calcolano le tensioni alle basi dei transistori come mostrato nelle (5.1) e (5.2).

V-1
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

R1 R 2 + R3 (5.1)
V B1 = VCC + V EE
R1 + R 2 + R3 R1 + R 2 + R3
R1 + R2 R3
VB2 = VCC + V EE (5.2)
R1 + R2 + R3 R1 + R 2 + R3

Supponendo che Q1 lavori in zona attiva diretta ( VB1 > 0,7V e V BC1 < 0 ) si possono scrivere le seguenti relazioni:

VE1 = VB1 − 0.7 (5.3)

V − VEE
I E 1 = E1 (5.4)
R E1
I C 1 = α F I E1 (5.5)

Il valore minimo di V B 2 affinché Q1 non sia in saturazione è:

VB 2 min =V E1+VCEsat + VBE 2 (5.6)

Se si ipotizza che anche Q2 stia in zona attiva diretta, essendo:

I C1 = I E 2 (5.7)

si avrà:

IC2 = α F I E2 (5.8)
VO = VCC − I C 2 RC 2 (5.9)

Bisogna verificare che Q2 non sia in saturazione, cioè che sia:

VBC 2 = VB 2 − V0 < 0.5 (5.10)

in modo che Q2 lavori effettivamente in zona attiva.

5.1.2 Analisi a media frequenza

I modelli semplificati, a media frequenza e per piccoli segnali, sono rispettivamente quelli di fig. 5.2 e in fig. 5.3.

RC2

vo
Q2

RS
vi Q1

Fig. 5.2 Amplificatore cascode a media frequenza

V-2
 Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

rπ2 gm2 vbe2 rC2

RC2
RS A

+
rπ1 gm1 vbe1 rC1
Vi -

Fig. 5.3 Circuito equivalente per piccoli segnali

Come si evince dalle figure, è stato ipotizzato R1 || R2 >> R S . La resistenza di ingresso del circuito è evidentemente:

ri = rπ 1 (5.11)

Per calcolare la resistenza d’uscita si osserva che sul terminale di emettitore di Q2 si vede la resistenza di uscita di un
emettitore comune: la rc1 . Quindi il problema si sposta nel calcolo della ro di un base comune con resistenza equivalente in
emettitore pari a rc1 >> rc 2 ; per quanto detto circa il base comune, in questa situazione si ha:

ro = β 2 ⋅ rc 2 = β ⋅ rc (5.12)

infatti, essendo i due transistori percorsi dalla stessa corrente, è:

β1 = β 2 = β (5.13)
rc1 = rc 2 = rc (5.14)

La resistenza d’uscita di un amplificatore cascode è dunque β volte maggiore di uno stadio emettitore comune.
L’elevata impedenza d’uscita è utile per realizzare elevati guadagni di tensione qualora si usino carichi attivi. Essendo il
nodo A un punto a bassa impedenza (perché vede la resistenza di ingresso di un base comune), per evitare errori si
considera il guadagno in corrente.

rπ 1
vb1 = vi (5.15)
rπ 1 + RS
ic1 = g m1vb1 (5.16)
rc1
ie 2 = ic1 (5.17)
rc1 + re 2

dove re 2 è la resistenza di ingresso del base comune:

rc 2 + RC 2
re 2 = (5.18)
1 + g m 2 rc 2

La corrente di uscita io è uguale ad ic 2 , essendo:

io = αie 2 (5.19)
vo = − RC 2 io (5.20)

V-3
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

si ha:

vo rc1 rπ 1
= −αg m1 RC 2 (5.21)
vi rc1 + re 2 rπ 1 + RS

Nel caso di realizzazione a componenti discreti è RC 2 << rc 2 , da cui:

1
re 2 ≅ << rc1 (5.22)
g m2

quindi:

rc1
≅1 (5.23)
rc1 + re 2

Se inoltre:

rπ 1 >> RS (5.24)

è:

vo
= −αg m1 RC 2 ≅ − g m RC 2 (5.25)
vi

cioè il guadagno di un emettitore comune.

5.2 Connessione Darlington

La connessione Darlington è ampiamente usata nei circuiti integrati completamente bipolari per aumentare l’effettivo
guadagno di corrente e la resistenza d’ingresso. In tecnologia MOS la configurazione Darlington non è impiegata in quanto
la resistenza d’ingresso ed il guadagno di corrente sono già infiniti. I transistori Q1 e Q2 si possono pensare come un unico
transistore con terminali B, E, C.

B
Q1
Q2

Fig. 5.4 Stadio Darlington

5.2.1 Analisi della polarizzazione

Dalla fig. 5.4:

I C1 = β F 1 I B1 (5.26)
I B 2 = I E 1 ≅ I C1 (5.27)
I C 2 = β F 2 I B 2 ≅ β F 2 I C1 (5.28)

V-4
 Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

La corrente di collettore del Darlington è:

I C ≅ I c1 + I c 2 = (1 + β F 2 ) I C1 ≅ β F 2 I C1 = β F 1β F 2 I B (5.29)

Lo stadio Darlington permette quindi di ottenere elevati correnti di collettore a partire da basse correnti di base.

5.2.2 Parametri di piccolo segnale

Il Darlington costituisce un dispositivo a tre terminali modellabile come in fig. 5.5:

ib
B C

ri βeqib ro

Fig. 5.5 Circuito equivalente per piccoli segnali

Calcolati ri , g meq ed ro il circuito di fig. 5.5 sostituisce in pieno il dispositivo composito semplificando così l’analisi
per piccolo segnale. Si calcola subito la resistenza di ingresso:

VT V
ri = rπ 1 + (1 + β 1 )rπ 2 ≅ β 1 + β1 β 2 T (5.30)
I C1 IC2

sostituendo la (5.28) e ricordando che β ≅ β F , ri diviene:

VT VT V
ri = β1 + β1 β 2 ≅ 2 β1 T (5.31)
I C1 β F 2 I c1 I c1

A parità di corrente di lavoro I C , lo stadio Darlington, presenta una resistenza di ingresso 2 β volte più grande
rispetto allo stadio ad emettitore comune.
La resistenza di uscita è il parallelo delle resistenze viste ai collettori di Q1 e Q2 e cioè, rispettivamente, ro1 ed ro 2 ,
quindi:

ro = ro1 || ro 2 (5.32)

dove:

ro1 = gm1rc1 (rπ 1 // rπ 2 ) (5.32a)

ro 2 = rc 2 (5.32b)

Essendo poi:

rc1 = β ⋅ rc 2 (5.33a)
rπ 1 = β ⋅ rπ 2 (5.33b)
g m 2 = β ⋅ g m1 (5.33c)

V-5
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

si può concludere che

ro1 = βrc 2 (5.33)

Quindi ro sarà dello stesso ordine di quella di un emettitore comune, cioè:

ro = rc 2 (5.34)

Si può calcolare facilmente il guadagno di corrente; infatti:

io = ic1 + ic 2 = β1ib1 + β 2 ib 2 = β1ib + β 2 β1ib (5.35)

allora:

io
= β1 (1 + β 2 ) ≅ β1 β 2 (5.36)
ii

Per ricavare la transconduttanza basta notare che:

1 V VT V 1
rπ 2 = β 2 = β2 T = β2 ≅ T = (5.37)
g m2 IC2 β F 2 I C1 I C1 g m1

Poiché la resistenza di emettitore di Q1 é rπ 2 per la legge che caratterizza l’inseguitore di emettitore si ha:

rπ 2 1 1
vb 2 = vb1 ≅ vb1 ≅ vb
1 2 2 (5.38)
+ rπ 2
g m1

Essendo:

io = g m 2 v b 2 (5.39a)

risulta:

io g m 2 vb 2 g m 2
gm = ≅ = (5.39)
vb 2v b 2 2

Quindi il Darlington, rispetto alla configurazione ad emettitore comune, ha un guadagno di corrente un centinaio di
volte più elevato, una transconduttanza simile, ma degli svantaggi da sottolineare:

una risposta in frequenza limitata poiché la base di Q2 non é più un punto a bassa impedenza perché rπ = β VT I C1 e
I C1 é una corrente piccola rispetto alla corrente di lavoro.

un rumore maggiore a parità di corrente di polarizzazione, dovuto al fatto che Q1 lavora con correnti piccole.

5.3 Amplificatore differenziale

L’amplificatore differenziale si presenta come nella fig. 5.6. I transistori Q1 e Q2 vengono detti “ad emettitori
accoppiati” o “coppia differenziale”; la polarizzazione avviene tramite l’uso di un generatore di corrente che per
semplicità si suppone ideale ( REE = ∞ ); le resistenze RC1 ed RC 2 costituiscono i carichi dello stadio.

V-6
 Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

VCC

RC1 RC1

vo1 vo2

vi1 Q1 Q2 vi2

REE IEE

VEE

Fig. 5.6 Amplificatore differenziale

5.3.1 Analisi della polarizzazione

Si ipotizzano i due transistori in regione attiva diretta, allora i legami tra le correnti di collettore e le tensioni base-
emettitore sono espressi da:

VBE 1

I C1 = α F 1 I ES 1e VT (5.40)
V BE 2

I C 2 = α F 2 I ES 2 e VT (5.41)

Dal circuito si evince facilmente che V BE1 = V BE 2 = V BE . Come si vedrà più avanti, il circuito è costruito in perfetta
simmetria nel senso che si tenta di garantire il miglior matching possibile con opportuni accorgimenti ad esempio:

costruzioni a bassa tolleranza relativa;

tecnologie uguali;

layout opportuno (i due transistori sono realizzati molto vicini per far si che naturali imperfezioni della fetta di silicio
possano influire il meno possibile).

Si può ipotizzare quindi con una certa precisione che:

RC1 = RC 2 = RC (5.42)

e, per quanto riguarda i transistori:

α F1 = α F2 = α F (5.43)
AE1 = AE 2 = AE (5.44)
J ES 1 = J ES 2 = J ES (5.45)

Ricordando che:

I ES = AES J ES (5.46)

dalle (5.40) e (5.41) segue subito:

I C1 = I C 2 (5.47)

essendo in polarizzazione ambedue le basi dei transistori alla stessa tensione VB.

V-7
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

Si può osservare pure che le correnti di collettore oltre ad essere uguali, sono anche di valore fissato per la presenza
del generatore ideale; infatti:

I EE
I E1 = I E 2 = (5.48)
2
α F I EE
I C1 = I C 2 = I C = (5.49)
2
VO1 = VO 2 = VCC − RC I C (5.50)

Si vede dunque che le correnti di polarizzazione e le tensioni di uscita dello stadio differenziale sono indipendenti
dalla tensione di polarizzazione delle basi. Inoltre essendo V BE fissa:

V BE = V B − V E (5.51)

la tensione agli emettitori cresce della stessa misura della V B che può essere quindi scelta in maniera arbitraria purché si
mantengano Q1 e Q2 in zona attiva.

5.3.2 Parametri di piccolo segnale

Il circuito semplificato sarà:

RC1 RC2

vo1 vo2

vi1 Q1 Q2 vi2

REE

Fig. 5.7 Modello per piccolo segnale

Si definiscono due resistenze:

1. resistenza differenziale ( rid ): la resistenza che si vede tra i terminali di ingresso (fig. 5.8).
2. resistenza di modo comune ( ric ): rapporto tra v S ed i S nella configurazione di fig. 5.9.

+ A
iS
iS A
+
+ + -
vS vS -
-
-

Fig. 5.8 Modello per il calcolo della rid Fig. 5.9 Modello per il calcolo della ric

V-8
 Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

Calcolo della resistenza differenziale

Dalla fig. 5.7, collegando il generatore v S come mostrato in fig. 5.8, si deduce che:

vs = vbe1 − vbe 2 = rπ 1is + rπ 2is (5.52)

ma rπ 1 = rπ 2 = rπ in quanto i due transistori hanno stessi g m e β ; quindi si avrà:

vs
= rid = 2rπ (5.53)
is

Calcolo della resistenza di modo comune

Utilizzando il modello semplificato con v S collegato come in fig. 5.9 si ottiene:

vs = vbe12 + vREE (5.54)

i
vbe12 = rπ s (5.55)
2
i
v REE = ( β + 1) s 2 R EE (5.56)
2

quindi:

rπ 12
ric = + (β + 1)R EE (5.57)
2

Ricordando che R EE è la resistenza interna di un generatore di corrente (quindi avente un valore molto alto) ric si
potrebbe approssimare come nella (5.58).

ric = βREE (5.58)

Calcolo del guadagno di tensione

Definendo come tensione di uscita vo = vo 2 − v o1 , applicando il principio di sovrapposizione degli effetti si ha:

vo = A1vi1 + A2 vi 2 (5.59)

che risulta più conveniente esprimere nella forma:

vo = Ad vid + Ac vic (5.60)

dove vid e vic , rispettivamente segnale di ingresso differenziale e segnale di modo comune, sono dati dalle seguenti:

vid = vi1 − vi 2 (5.61)

v +v
vic = i1 i 2 (5.62)
2

V-9
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

Sostituendo si trova:

A1 − A 2
Ad = (5.63)
2
Ac = A1 + A2 (5.64)

Le motivazioni che portano a preferire l’espressione (5.60) della tensione d’uscita sono:

Ad >> Ac , ragion per cui si può esprimere la tensione di uscita come funzione della sola differenza dei segnali di
ingresso: vo ≅ Ad vid ;

Si può mettere in evidenza un rapporto molto importante, il CMRR (Rapporto di Reiezione di Modo Comune) definito
come:

Ad
CMRR = (5.64)
Ac

Un elevato valore del CMRR indica non solo una buona amplificazione dei segnali differenziali a scapito di quelli di
modo comune, ma garantisce anche una migliore linearità del circuito ed una riduzione della reiezione del circuito ai
disturbi dell’alimentazione.

Calcolo del guadagno differenziale

Si applicano i seguenti segnali:

vi
vi1 = − vi 2 = (5.65)
2

per cui vid = vi e vic = 0 ; risulterà allora dalla (5.60) che

vo
Ad = (5.66)
vi

Dalla (5.65), sfruttando la simmetria del circuito, ne risulterà che ie1 = −ie 2 di modo tale che la corrente che scorre
attraverso la R EE è nulla ed il nodo di emettitore risulta un punto di massa.
Il circuito diventerà allora quello di fig. 5.10.

RC1 RC2

vo1 vo2

Q1 Q2

+ +
vi /2 −
- vi /2
−

Fig. 5.10 Circuito per il calcolo del guadagno di modo differenziale

V - 10
 Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

Nell’ipotesi che rc1 , rc 2 >> RC1 , RC 2 , si avrà:

vi
vo1 = − g m1 RC1 (5.67)
2
v
vo 2 = + g m 2 RC 2 i (5.68)
2

da cui segue:

Ad =
1
( g m1 RC1 + g m 2 RC 2 ) (5.69)
2

Potendo assumere g m1 = g m 2 = g m1, 2 e RC1 = RC 2 = RC1, 2 , la (5.69) si riduce a:

Ad = g m1, 2 RC1, 2 (5.70)

cioè il guadagno di uno stadio ad emettitore comune.

Calcolo del guadagno di modo comune:

Si supponga di porre il segnale vi ad entrambi gli ingressi dello stadio: vi1 = v i 2 = v i così che:

vid = 0 (5.71)
vic = vi (5.72)
Ac = v o vi (5.73)

Per ottenere una semplificazione del circuito si può vedere la resistenza R EE come il parallelo di due resistenze di
valore doppio (fig. 5.11); di conseguenza, poiché non passa alcuna corrente tra i nodi A e B (gli emettitori sono allo stesso
potenziale) le due parti del circuito si possono considerare separate. Nell’ipotesi 2 R EE >> 1 g m Q1 e Q2 si comportano da
inseguitori e quindi le rispettive tensioni di emettitore possono essere considerate pari a vi , per cui:

vi
ie1 = (5.74)
2 REE

Ne segue che:

vi
ic 1 = α 1 (5.75)
2 R EE

così:

RC1
vo1 = −α1 vi (5.76)
2 REE
R
vo 2 = −α 2 C 2 vi (5.77)
2 REE

ed ancora:

v o v o 2 − v o1
Ac = = =
1
(α 1 RC1 − α 2 RC 2 ) (5.78)
vi vi 2 R EE

V - 11
Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

Con le ipotesi fatte finora, essendo α 1 RC1 ≈ α 2 RC 2 , sarà Ac ≅ 0 . In realtà per avere Ac = 0 bisognerebbe avere un
perfetto matching tra transistori e resistori.

RC1 RC2 RC1 RC2

vo1 vo2 vo1 vo2

vi Q1 Q2 vi vi Q1 Q2 vi
A B

2REE 2REE 2REE 2REE

Fig. 5.11 Circuito per il calcolo del guadagno di modo comune

Problema dell’Offset

Il problema dell’offset è legato al fatto che in realtà è impossibile realizzare componenti elettronici perfettamente
identici. Per quanto riguarda le resistenze di collettore, pur volendo ottenere RC1 = RC 2 , a causa dei processi di costruzione
si avrà inevitabilmente RC1 = RC 2 + ∆RC , raggiungendo così una tolleranza percentuale espressa da (∆RC RC ) ∗ 100 .
Facendo delle RC molto piccole si può ottenere una tolleranza relativa dell’1 o 2 %. Per quanto riguarda invece le correnti
di polarizzazione si ha (ponendo I C1 = I C ) I C 2 = I C + ∆I C , incorrendo perciò in una tolleranza relativa pari a
(∆I C I C ) ∗ 100 , da valutare differenziando l’equazione:
VBE

I C = α F I ES e VT (5.79)

Si ottiene infine:

∆I C ∆α F ∆AE ∆J ES
= + + (5.80)
IC αF AE J ES

Le tolleranze relative dei tre addendi sono pari a circa:

1% per le α F

2% per le AE

3% per le J FS

Lo scopo dell’analisi è capire come queste tolleranze influenzano l’offset, definito come quella tensione continua
differenziale da porre in ingresso per rendere l’uscita nulla (in assenza di segnale). Il circuito a cui fare riferimento è quello
di fig. 5.12. La tensione continua di uscita è:
gm
Vo = Vo 2 − Vo1 = Vcc − Rc 2 I c 2 − Vcc + Rc1 I c1 + (Rc1 + Rc 2 )Vos (5.81)
2

che è stata ottenuta usando il principio di sovrapposizione degli effetti; infatti, ponendo inizialmente a zero la VOS si
ottiene una tensione di uscita pari a VCC − RC 2 I C 2 − (VCC − RC1 I C1 ) mentre, ponendo a zero le tensioni di polarizzazione e

trattando la VOS come piccolo segnale (con la solita ipotesi g m1 = g m 2 = g m ) si ottiene una uscita pari a g m ( RC1 + RC 2 ) .
2

V - 12
 Amplificatori a due transistori in tecnologia bipolare

VCC

RC1 RC2

Vo1 Vo2

Q1 Q2
+
VOS -

IEE

VEE

Fig. 5.12 Circuito per la determinazione dell’offset

Per definizione, la tensione di offset si ottiene ricavando VOS dalla (5.81) ponendo VO = 0 , ottenendo quindi:

RC1 I C1 − RC 2 I C 2
VOS = − (5.82)
g m RC

dove è stata usata l’approssimazione:

RC1 + RC 2 ≅ 2 RC (5.83)

Se adesso si effettuano le sostituzioni:

RC1 = RC (5.84a)
RC 2 = RC + ∆RC (5.84b)
I C1 = I C (5.85a)
I C 2 = I C + ∆I C (5.85b)

e si trascurano gli infinitesimi di ordine superiore, ricordando che g m = I C VT si avrà:

 ∆R ∆α F ∆AE ∆J ES 
VOS = VT  C + + +  (5.86)
 RC αF AE J ES 

che, con le tolleranze tipiche, a temperatura ambiente, sarà dell’ordine di 1.75 mV.

V - 13