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APPUNTI DI OPTOELETTRONICA
ad uso degli studenti

Guide ottiche integrate

Massimo Brenci
IROE-CNR
Firenze

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Esempio di guida ottica integrata

Propagazione della luce in una guida ottica integrata

(vista in sezione)
ng = indice dello strato guidante (equivalente al core di una fibra ottica)
ns = indice del substrato
n0 = indice dell'aria (se sulla parte superiore c' aria)

n0 < ns<ng

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Cenni sulla tecnologia delle guide ottiche integrate

Le tecnologie Ottiche Integrate risultano attraenti perch promettono la possibilit di
ottenere sistemi (chips) che integrino, sullo stesso substrato, componenti quali sorgenti,
rivelatori, accoppiatori direzionali, modulatori, ecc. Ad esempio, nel settore delle
telecomunicazioni, pensabile la realizzazione di chips comprendenti sorgenti ottiche per
generare il segnale ottico, divisori di fascio e mux-demux per la distribuzione di tale
segnale fra un gran numero di utenti, e amplificatori ottici per compensare le perdite
dovute a tale suddivisione del segnale.
Questi chips rappresentano la versione ottica dei circuiti integrati (IC) di tipo elettronico. Si
pu, quindi, dire che l'Ottica integrata ha come scopo la miniaturizzazione dei sistemi ottici
allo stesso modo in cui i circuiti integrati hanno miniaturizzato l'elettronica.
Allo sviluppo di questa componentistica che, tra l'altro, risulterebbe perfettamente
integrabile con i sistemi a fibra ottica esistenti, sono da vari anni dedicati notevoli sforzi di
ricerca.
Nella sottostante fig. 1 sono schematizzate le geometrie dei due pi comuni tipi di guide
ottiche integrate:

Fig. 1
In entrambi i tipi di guida si utilizza un substrato (con indice n2) nel quale:
- nel caso di guida a canale di tipo (a), viene prodotto un incremento locale dell'indice di
rifrazione (n1) del substrato stesso;
- nel caso di guida a striscia di tipo (b) la zona con indice di rifrazione maggiore viene
realizzata depositando un film sottile sul substrato.
Il substrato realizzato, in genere, utilizzando:
- vetri;
- materiali elettro-ottici quali niobato di litio;
- semiconduttori quali arseniuro di gallio.
Per realizzare la zona avente indice di rifrazione maggiore esistono vari metodi di
fabbricazione. Fra i principali:
- nel caso di guide a canale (caso (a))
impianto ionico
scambio ionico
diffusione termica
-

nel caso di guide a striscia (caso (b))

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sputtering
crescita epitassiale
Le guide ottiche integrate possono essere realizzate secondo varie configurazioni. Alcune
fra queste sono schematizzate nella sottostante fig. 2:

Fig. 2
Per realizzare tali configurazione vengono, di solito, utilizzate tecniche fotolitografiche.

Metodi di fabbricazione della zona guidante

Abbiamo detto sopra che esistono due principali metodi per realizzare guide ottiche
integrate:
- depositare un materiale avente indice di rifrazione maggiore su un substrato avente
indice di rifrazione minore (guide a striscia);
- incrementare localmente lindice di rifrazione del substrato (guide a canale).
Esaminiamo brevemente le principali tecniche utilizzate per ottenere ci.
Sputtering
E una tecnica molto utilizzata per depositare film sottili di materiali dielettrici. Essa
consiste nel rimuovere atomi e molecole da un target mediante ioni ad alta energia e nel
farli depositare sul substrato. Gli ioni sono generati innescando una scarica elettrica in un
gas (generalmente argon) fra il catodo (su cui posto il target) e lanodo (su cui posto il
substrato). Lintero sistema contenuto allinterno di una camera a vuoto (vedi fig. 3).
La potenza a R.F. necessaria di qualche centinaio di watt. I supporti del target e del
substrato sono solitamente costituiti da piastre di rame raffreddate con circolazione
forzata, e la loro distanza reciproca tipicamente di circa 50mm.
target
Fig. 3
vuoto
gas

substrato

radio freq.

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Crescita epitassiale
Questo metodo basato sulla crescita di un materiale cristallino sopra un altro
materiale avente una struttura cristallina simile, ma caratteristiche ottiche diverse (indice di
rifrazione diverso).
Per realizzare guide si effettua spesso la crescita di niobato di litio (LiNbO3) su
tantalato di litio (LiTaO3) ottenendo uno strato di indice di rifrazione pi alto sopra un
substrato con indice di rifrazione pi basso. In alternativa, pu essere realizzato uno strato
di arseniuro di gallio e indio (InGaAs) su un substrato di arseniuro di gallio (GaAs).

Impianto ionico
Quando un substrato (ad esempio silice (Si02)) viene bombardato mediante ioni
pesanti (Li, Ne, Ar, Kr, Xe) fortemente accelerati, lindice di rifrazione del substrato subisce
una variazione a causa dellimpianto di tali ioni (ad esempio: limpianto di Li nella silice,
riduce lindice di rifrazione di questa di circa 0,8%).
Scambio ionico
Questa tecnica risulta la pi utilizzata per produrre guide e componenti ottici
integrati fino dallinizio dei primi studi nel campo dellottica integrata (alla fine degli anni
60). Essa sfrutta il fenomeno della migrazione di ioni metallici da un sale (contenente tali
ioni) ad un substrato vetroso (es. vetro sodo calcico) immerso nel sale, ad alta
temperatura.
Nel processo di scambio ionico, infatti (vedi fig. 4), uno ione (A+) di un ossido
alcalino costituente il vetro (di solito Na+) sostituito da uno ione (B+), contenuto in un sale
fuso, avente stessa valenza e stesse propriet chimiche dello ione (A+), ma di dimensioni
maggiori o polarizzabilit pi alta. Di conseguenza, il valore dellindice di rifrazione del
vetro subisce, nella regione di scambio, un aumento locale, consentendo la realizzazione
di una struttura guidante. Lo ione B+ , di solito, costituito da Ag+, K+, Cs+, Tl+.
Nella tabella (fig. 5) sono riportati i valori della polarizzabilit e del raggio ionico dei vari
ioni utilizzabili. E, inoltre, riportata la variazione di indice di rifrazione ottenibile quando,
mediante tali ioni, si effettui lo scambio ionico in un vetro contenente ioni di sodio.

Vetro

Sale fuso

Ioni B+

Ioni A +

Schema del processo di scambio ionico

Fig. 4
In pratica il processo avviene immergendo il substrato vetroso in un sale fuso
(AgNO3, KNO3, NaNO3, ecc.) contenuto allinterno di unapposita fornace, che viene

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mantenuto a temperatura di circa 300-350C per un tempo dipendente dalla profondit

della guida da realizzare. Il fenomeno di scambio ionico pu essere influenzato, oltre che
dal valore della temperatura a cui lo scambio avviene, anche dalla presenza o meno di un
campo elettrico in grado di favorire la mobilit degli ioni.
Ione

Polarizzabilit
o 3

(A )

Raggio
o

ionico ( A )

Salto di
indice
superficiale

Na +

0.41

0.95

---

Li +

0.03

0.65

0.01

Tl +

5.2

1.49

0.1

Cs +

3.34

1.65

0.03

Ag +

2.4

1.26

0.09

Rb +

1.98

1.49

0.015

K+

1.33

1.33

0.009

Fig. 5
Caratteristiche dei
principali ioni usati per
lo scambio ionico

La tecnica di scambio ionico si presta particolarmente per la realizzazione di guide a

canale, che si ottengono mascherando, mediante luso di tecniche fotolitografiche, parte
del substrato prima della sua immersione nel sale fuso.
Diffusione termica
Sul substrato di LiNbO3 o LiTaO3 viene depositato per evaporazione un film (20-80
nm) di elementi di transizione quali titanio (Ti) o vanadio (V). Per effetto di un
riscaldamento (alcune ore) a circa 850-1000 C in una camera a vuoto contenente argon,
si ottiene una diffusione del Ti (o del V) nel substrato. Ne risulta una variazione dellindice
di rifrazione dello strato superficiale del substrato (alcuni micron) dovuto al processo di
diffusione.

Realizzazione della configurazione della guida

Abbiamo brevemente analizzato sopra i principali metodi utilizzabili per realizzare
sul substrato (o nel substrato) una zona guidante (con indice di rifrazione maggiore di
quello del substrato).
Affinch tale zona costituisca una guida ottica utilizzabile in pratica, occorre che essa
venga realizzata secondo una particolare configurazione (ad esempio, una di quelle
mostrate in fig. 2).
La tecnica maggiormente utilizzata per fare ci quella fotolitografica.
A titolo di esempio si riporta uno schema rappresentante le varie fasi di realizzazione,
mediante mascheratura fotolitografica, di una guida a striscia (fig. 6) e di una a canale (fig.
7):

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Fig. 6
(fase1) Mediante una delle tecniche di deposizione di film sottili (es. sputtering) viene
depositato sul substrato un film avente un indice di rifrazione maggiore di quello del
substrato stesso.
(fase 2) Tale film viene successivamente coperto da una sottile pellicola di photoresist, il
quale viene steso mediante spinning (si deposita una goccia che viene fatta spargere per
effetto di una rotazione ad alta velocit del substrato stesso: ad esempio 5800 giri per 60
sec. danno tipicamente luogo ad un film uniforme con spessore di 1 micron).
(fase 3 ; 4 e 5) Sulla pellicola di photoresist depositata viene fatta aderire (mediante un
mask-aligner) una maschera riproducente la forma della guida da realizzare. Dopo
esposizione a luce UV, il photoresist impressionato (se il photoresist di tipo negativo)
pu essere chimicamente rimosso, in modo tale che il film sottostante, non pi protetto dal
photoresist, possa essere anchesso rimosso.
(fase 6 e 7) Tale operazione d luogo, dopo eliminazione del photo-resist rimasto, ad una
guida che pu essere eventualmente protetta mediante deposizione di un cladding
secondario.

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Fig. 7
(fase 1) Viene depositato, per evaporazione, dopo opportuna pulitura della superficie del
substrato, un sottile strato metallico (tipicamente alluminio, argento o titanio) sulla
superficie del substrato stesso.
(fase 2) Tale strato metallico viene successivamente coperto da una sottile pellicola di
photoresist, il quale viene steso mediante spinning
(fase 3; 4 e 5) Sulla pellicola di photoresist depositata viene fatta aderire (mediante un
mask-aligner) una maschera riproducente la forma della guida da realizzare. Dopo
esposizione a luce UV, il photoresist impressionato pu essere chimicamente rimosso, in
modo tale che il deposito metallico sottostante, non pi protetto dal photoresist, possa
essere anchesso rimosso mediante attacco chimico.
(fase 6) La superficie del substrato vetroso non mascherata dal deposito metallico, pu, a
questo punto, essere esposta a scambio ionico, impiantazione ionica, ecc., per cui nel
substrato vetroso si forma una guida a canale avente indice di rifrazione maggiore di
quello del substrato stesso.
(fase 7) Loperazione finale prevede la rimozione anche della mascheratura metallica e
leventuale deposizione di un cladding secondario.

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Le varie fasi del processo di realizzazione di una guida a canale sono visualizzate anche
nella fig. 8, nella quale, tuttavia, la guida a canale viene realizzata con la tecnica della
diffusione di titanio.
Il photoresist viene spalmato direttamente sul substrato (LiNbO3) mediante spinning,
successivamente viene esposto a luce U.V. attraverso una maschera riproducente la
forma della guida da realizzare. Il substrato viene immerso in un bagno in grado di
eliminare la porzione di photoresist esposta alla luce U.V. . Sullintera superficie viene
depositato, mediante evaporazione, un sottile strato metallico (es titanio). Il photoresist
viene eliminato e, infine, lintero substrato viene posto allinterno di un forno (900-1000C)
per alcune ore, in modo che lo strato metallico diffonda nel substrato stesso provocando
una variazione dellindice di rifrazione.

Fig. 8