Corazza Michael (1014285)

Marioli Michael simone (1014285)

Homework-1

Giunzione pn in silicio Giunzione in equilibrio: Il diagramma a bande, la densit` di carica, il campo elettrico e la distribuzione dei portatori in a condizioni di equlibrio sono riportati in gura 1. Gli andamenti ottenuti risultano in completo accordo con il comportamento previsto. A dimostrazione di ci` si pu` notare come i graci della densit` di carica e del campo elettrico, in cui vengono messi o o a a confronto la caratteristica simulata e quella del modello a svuotamento a gradino mostrino una buona corrispondenza.

Figura 1: Giunzione in equilibrio.

Giunzione polarizzata: Il diagramma a bande (dove sono messi in evidenza i quasi livelli di fermi) e la concentrazione dei portatori per una tensione applicata di 0.5V e -2V sono riportati rispettivamente in gura 2 e 3. Anche in questo caso i graci risultano essere coerenti con quanto ci si poteva aspettare. Infatti si vede come in diretta la barriera di potenziale si riduca, consentendo ai portatori minoritari di diondere con un conseguente aumento della concentrazione; mentre in inversa la barriera aumenti e la concentrazione dei minoritari risulti in questo modo inferiore rispetto alla condizione di equilibrio (la corrente circolante ` dovuta al trasferimento di elettroni dalla regione p a quella n e delle lacune in verso opposto e e risulta quindi molto bassa in quanto essi rappresentano i minoritari in ciascuna regione). E da sottolineare che landamento dei portatori nei pressi delle estremit` (vedi portatori in diretta) ` dovuto al fatto che si sono impostate come condizioni al a e contorno le concentrazioni determinate in equilibrio.

(a) Figura 2: Polarizzazione diretta.

(b)

(a) Figura 3: Polarizzazione inversa.

(b)

In gura 4(a) sono riportate le componenti di (densit`) corrente di deriva e di diusione, per entrambi i tipi di portatori , per a una tensione polarizzazione di 0.5V. Si nota come le componenti di diusione (la quale presenta il picco in corrispondenza del massimo gradiente di concentrazione) e deriva presentino, a meno di un cambio di segno, lo stesso andamento permettendo in tal modo che la corrente attraverso il dispositivo risulti costante (gura 4(b)).

(a)

(b)

Figura 4: Densit` di corrente in polarizzazione diretta. a

Caratteristica I-V : In gura 5 ` riportata la caratteristica J-V in scala semilogaritmica per tensioni da -4V a 2V. Si nota e come per tensioni dirette inferiori alla tensione di built-in la caratteristica sia lineare (quindi proporzionale allesponenziale della tensione applicata) mentre per tensioni maggiori inizi a sentirsi leetto della resistenza serie. In polarizzazione inversa la densit` di corrente invece risulta molto bassa, anche a causa del fatto che si ` trascurata la componente di generazione e a e ricombinazione.

Figura 5: Caratteristica J-V.