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DIODO SCHOTTKY

Si tratta del pi semplice dispositivo unipolare, in cui cio la corrente legata esclusivamente ai portatori maggioritari.
livello del vuoto

qs Ec EFs q(m-) EFm q(m-s)=qVbi Ec EFs Ev

qm EFm

Ev

prima

dopo

q = affinit elettronica q = lavoro di estrazione

q(m-) EFm

q(m-s)=qVbi Ec EFs Ev
qND

q(m-) = qBn (eV)


barriera Schottky

E (x ) =

qN D

accumulo di elettroni liberi

Si

(x W )

E
w

Emax =

qN D

Si

-Emax

2 Si (Vbi V ) W= qN D

CAPACITA DI SVUOTAMENTO

Q sc = qN D W =
dQsc Si C= = dV W

2 q Si N D (Vbi V )

[C/cm2]

[F/cm2]

BARRIERA SCHOTTKY
La barriera q(m-) = qBn prende il nome di barriera Schottky, ed indipendente dalla polarizzazione e dal drogaggio.
metallo/Si Ni Al Pt Cr PtSi

qBn (eV)

0.50

0.70

0.90

0.62

0.84

polarizzazione inversa

q(m-) EFm
qV

q(m-s)+qV=q(Vbi+V) Ec EFs
allargamento della regione di c.s. aumento della barriera S --> M

Ev W
polarizzazione diretta

q(m-s)-qV=q(Vbi-V)
qV

q(m-) EFm

Ec EFs
restringimento della regione di c.s. riduzione della barriera S --> M

Ev W

CARATTERISTICA I-V DEL DIODO SCHOTTKY


Ism Ims Eci
qBn EFm EFs q(m-s)=qVbi Ec Allequilibrio Ims = - Ism Allinterfaccia si ha: Eci - Efs = qBn e quindi gli elettroni allinterfaccia sono:

V=0

Ev

ns = N C e = ND e

Eci E Fs kT

= NC e

q Bn kT

ovvero:

ns = N C e

q ( m s ) (E E ) c Fs kT kT

q ( m s ) kT

= ND e

qVbi kT

Assumendo le correnti attraverso la giunzione proporzionali al numero di elettroni presenti: qV bi kT in cui A una costante MS SM D

= I

= AN e

Le correnti Ims e Ism sono indotte termicamente (emissione termo-elettronica)

polarizzazione diretta

Ism Ims
q(m-) EFm
qV

q(m-s)-qV=q(Vbi-V) Ec EFs Lapplicazione di una polarizzazione diretta riduce la barriera dal lato del semiconduttore favorendo il passaggio di elettroni da S a M, squilibrando cos le correnti. La corrente che si manifesta data da:

+
W

Ev

I = I MS I SM = A N D e
in cui:

q (Vbi V ) kT

A ND e

qVbi kT

qV kT = I o e 1

Io = A ND e

qVbi kT

= area A T 2 e

q Bn kT

A* = 110 (n-Si) o 32 (p-Si) [A K-2 cm-2] (costante efficace di Richardson)

CARATTERISTICHE ESSENZIALI DEL DIODO SCHOTTKY


Bassa tensione di soglia (0.2 0.3 V) Funzionamento per portatori maggioritari Assenza di capacit di diffusione Elevata velocit di commutazione Semplicit di realizzazione

I Schottky PN

Caratteristica inversa di tipo soft Bassa tensione di breakdown inverso Elevata ricombinazione superficiale (la giunzione in superficie) Sottile strato di ossido allinterfaccia Elevato fattore di idealit

la realizzazione dei contatti di anodo e catodo di un diodo p-n potrebbe portare alla creazione di giunzioni rettificanti in serie al diodo stesso

q(m-)

q(m-) EF

metallo

semiconduttore

metallo

GIUNZIONI M-S OHMICHE (CONTATTI OHMICI)


Un contatto ohmico caratterizzato dalla sua resistenza di contatto. Nel caso di una giunzione M-S:

q I RC = = kT A T e V V =0

q Bn 2 kT

q Bn k = e kT qA T

Per avere RC 0 deve essere quindi Bn molto piccolo (valori negativi molto grandi creerebero una giunzione al contrario). Il caso ideale il contatto neutro: Contatti in cui m < s sono ancora ohmici (entro certi limiti) assenza di rcs (su silicio n) Questo si puo ottenere solo con un limitato numero di combinazioni metallo-semiconduttore (difficilmente con lalluminio, ad esempio). EFm qm
livello del vuoto

qs Ec

Ev

I contatti ohmici M-S si basano quindi sullattraversamento della rcs da parte dei portatori per effetto tunnel. Utilizzando semiconduttori degeneri la rcs si assottiglia al punto che leffetto della barriera di potenziale diventa trascurabile (W inferiore a 2 nm)

q(m-) EFm

q(m-s)=qVbi Ec EFs Ev
caratteristica ideale di un contatto ohmico

caratteristica reale di un contatto ohmico

n++ metallo V

DIODO GUNN (transferred electron device)


E costituito da una regione di GaAs opportunamente drogata e contattata per mezzo di contatti ohmici. Utilizza la particolare dipendenza della velocit degli elettroni nel GaAs dal campo elettrico per ottenere una regione di funzionamento in cui la conduttaznza differenziale negativa. I gd=dI/dV<0 Questa propriet viene sfruttata per ottenere amplificatori ed oscillatori a frequenze elevatissime (100 GHz)

iS V

GL io

gd Vo

contatto ohmico

contatto ohmico

is il generatore di segnale, GL il carico. is ha una componente continua fissa il punto di funzionamento. che

n-GaAs
n+ GaAs n+ GaAs

I is Scegliendo opportunamente is e GL, possibile impostare il punto di funzionamento nella zona in cui gd<0

Vo I isis

Piccole variazioni di is possono indurre ampie variazioni di Vo. Il guadagno di corrente dellamplificatore :

io io GL Vo GL Ai = = = = GL Vo + g d Vo GL + g d is io + id
Vo V in cui GL + gd pu tendere a 0

Uso del diodo Gunn come oscillatore I is Per GL = - |gd |, Ai infinito ed il circuito entra in oscillazione in quanto esistono infiniti punti di intersezione fra le due caratteristiche. V Si tratta di un oscillatore che non prevede un circuito risonante.

Interpretazione fisica E Ec qV Fase 1


Il campo elettrico E uniforme e superiore al campo critico

EL qV EH Fase 2
Lingresso di un gruppo di elettroni dal contatto determina la nascita di due zone con diverso campo elettrico

EL Ec qV EH Ec Fase 3
Per effetto di EH il gruppo di elettroni rallenta sempre pi, e dunque si compatta man mano che procede verso destra.

Ec EL qV EH Fase 4
Quando il gruppo di elettroni raggiunge lanodo si manifesta un aumento della corrente. Il campo torna ad essere uniforme e pari al valore iniziale. Il processo riprende.

Il tempo impiegato dagli elettroni per raggiungere lanodo T = L vm che dunque il periodo delloscillazione