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Universit` degli Studi di Padova a

` FACOLTA DI INGEGNERIA Corso di Laurea in Elettronica

Microelettronica 1

Relazioni Microelettronica
Laboratorio MIT

Studente:

Professore:

Marioli Michael Simone


Matricola 1014285

Gaudenzio Meneghesso

Anno Accademico 2010-2011

INDICE

Indice
1 Introduzione 2 Diodo schottky 1N5818 2.1 2.2 2.3 2.4 Caratteristica I-V in polarizzazione diretta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Corrente di saturazione inversa e coeciente di idealit` . . . . . . . . . . . . . . . . . a Resistenza serie RS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica I-V in polarizzazione inversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 2 2 3 3 4 6 6 6 8 9 9 9 11 12 13

3 Diodo pn 1N914 3.1 3.2 3.3 Caratteristica I-V in polarizzazione diretta . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Resistenza serie RS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Caratteristica I-V in polarizzazione inversa . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

4 MOSFET 4.1 4.2 4.3 4.4 4.5 Tensione di soglia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Fattore di trasconduttanza kn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Corrente di sottosoglia . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Fattore di modulazione di canale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Coeciente delleetto body, drogaggio e capacit` dellossido . . . . . . . . . . . . . . a

Relazioni laboratorio MIT

2 Diodo schottky 1N5818

Introduzione

Lo scopo di questa relazione ` quello raccogliere i risultati di misurazioni eettuate su alcuni dispose itivi mediante il laboratorio virtuale MIT iLab. In particolare si sono presi in considerazione i seguenti dispositivi: diodo schottky 1N5818; diodo pn 1N914; transistor MOSFET a canale n ad arricchimento 2N7000; transistor MOSFET a canale n e lunghezza di canale pari a 3 m 3 m; determinando per ciascuno di essi le caratteristiche principali attraverso misure, graci e calcoli analitici.

2
2.1

Diodo schottky 1N5818


Caratteristica I-V in polarizzazione diretta

Al ne di caratterizzare il dispostivo si ` applicata una tensione variabile tra anodo e catodo annotane do i corrispettivi valori di corrente. Si ` cos` ottenuta la caratteristica corrente-tensione riportata in e gura 1. Da questa si ` potuto facilmente determinare la tensione di soglia del diodo, data dallascissa e dellintersezione della retta ottenuta ttando i valori I-V per tensioni di polarizzazione abbastanza elevate (superiori al ginocchio) e lasse delle ascisse, ottenendo un valore pari a 0,267V.

Figura 1: Caratteristica I-V in diretta.

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2 Diodo schottky 1N5818 2.2 Corrente di saturazione inversa e coeciente di idealit` a

2.2

Corrente di saturazione inversa e coeciente di idealit` a

Dal graco del logaritmo naturale della corrente in funzione della tensione di polarizzazione (gura 2) si sono poi potuti calcolare il valore della corrente di saturazione inversa e il coeciente di idealit` a del dispositivo. Ricordando infatti che lequazione che lega corrente e tensione in un diodo schottky qVA qVA qVA ` data da: ID = IS (e kT 1), e che per valori di VA tali per cui e kT >> 1 si ha: ID = IS e kT e qVA ln(ID ) = ln(IS )+ kT ; si nota come sia possibile ottenere il valore della corrente inversa dallintercetta della retta ottenuta interpolando i valori di corrente in cui la caratteristica ` lineare e il coeciente e q di idealit` dalla pendenza di questultima (pendenza= kT ). a Si ` cosi ricavata una corrente di saturazione pari a 0, 7A ed una pendenza di 38,587 a cui ` e e corrisposto, con una temperatura di 296,7K, un coeciente di idealit` = 1, 01. a

Figura 2: Caratteristica ln(I)-V in polarizzazione diretta.

2.3

Resistenza serie RS

Come si pu` notare dal graco di gura 2 per valori di corrente elevati la pendenza della curva varia o (il legame tra corrente e tensione diventa lineare) in quanto divengono prevalenti gli eetti della resistenza serie del dispositivo. Dai valori di IS e precedentemente calcolati si ` quindi potuto facilmente determinare una stima e della resistenza del diodo. Infatti tenendo conto della resistenza la formula che esprime la corrente in funzione della tensione ` data da: ID = IS (e kT e 1) dalla quale si ricava: ln(ID ) = ln(IS ) + q(VA RS ID ) VD ID kT Rs = ID ln( Is ) qID ; quindi applicando questultima, nella zona con andamento kT lineare (0,9-1V), ed eseguendo una media dei valori ottenuti si ` calcolata una resistenza di 1, 54. e Per una verica dei risultati ottenuti si sono riportati in un unico graco (gura 3) landamento reale della corrente e landamento previsto dai 2 modelli ricavati dalle misure eettuate, quello ideale e quello che tiene conto della resistenza serie notando una buona corrispondenza tra le diverse traiettorie.
q(VA RS ID )

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2 Diodo schottky 1N5818 2.4 Caratteristica I-V in polarizzazione inversa

Figura 3: Confronto tra caratteristica ideale e quelle dei modelli ricavati dalle misure.

2.4

Caratteristica I-V in polarizzazione inversa

Per completezza si ` riportata anche la caratteristica corrente-tensione in polarizzazione inversa e (gura 4), dalla quale si pu` notare come la corrente non sia costante ma cresca (in modulo) proo porzionalmente alla radice della tensione inversa applicata come devessere data la dipendenza di IS da VA (vedi gura 5).

(a) Caratteristica I-V in inversa in scala lineare.

(b) Caratteristica I-V in inversa in scala semi-logaritmica.

Figura 4: Diodo schottky in polarizzazione inversa.

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2 Diodo schottky 1N5818 2.4 Caratteristica I-V in polarizzazione inversa

Figura 5: Verica dipendenza lineare tra quadrato corrente e tensione.

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3 Diodo pn 1N914

3
3.1

Diodo pn 1N914
Caratteristica I-V in polarizzazione diretta

Nel caratterizzare il dispositivo si ` seguita la procedura utilizzata per il rilevamento delle carate teristiche principali del diodo schottky. Si ` quindi applicata una tensione variabile tra anodo e e catodo annotando i corrispettivi valori di corrente ottenendo la caratteristica corrente-tensione riportata in gura 6. Da questa si ` potuto facilmente determinare la tensione di soglia del diodo, e data dallascissa dellintersezione della retta ottenuta ttando i valori I-V per tensioni di polarizzazione abbastanza elevate (superiori al ginocchio) e lasse delle ascisse, ottenendo un valore pari a 0,752V. Dal graco del logaritmo naturale della corrente in funzione della tensione di polarizzazione

Figura 6: Caratteristica I-V diodo pn in diretta. (gura 7) si sono poi potuti calcolare il valore della corrente di saturazione inversa e il coeciente di idealit` del dispositivo. Ricordando infatti che lequazione che lega corrente e tensione in un a qVA qVA diodo pn ` data da: ID = IS (e kT 1), e che per valori di VA tali per cui e kT >> 1 si ha: e
qVA ID = IS e kT ln(ID ) = ln(IS ) + kT ; si nota come sia possibile ottenere il valore della corrente inversa dallintercetta della retta ottenuta interpolando i valori di corrente in cui la caratteristica ` e q lineare e il coeciente di idealit` dalla pendenza di questultima (pendenza= kT ). a Si ` cosi ricavata una corrente di saturazione pari a 3, 31nA ed una pendenza di 20,636 a cui ` e e corrisposto, con una temperatura di 296,85K, un coeciente di idealit` = 1, 89. a
qVA

3.2

Resistenza serie RS

Come si pu` notare dal graco di gura 7, come nel caso del diodo schottky, per valori di corrente o elevati la pendenza della curva varia (il legame tra corrente e tensione diventa lineare) in quanto Relazioni laboratorio MIT 6

3 Diodo pn 1N914 3.2 Resistenza serie RS

Figura 7: Caratteristica ln(I)-V diodo pn in polarizzazione diretta. divengono prevalenti gli eetti della resistenza serie del dispositivo. Dai valori di IS e precedentemente calcolati si ` quindi potuto facilmente determinare una stima e della resistenza del diodo ottenendo un valore di di 1, 83. Per una verica dei risultati ottenuti si sono riportati in un unico graco (gura 8) landamento reale della corrente e landamento previsto dai 2 modelli ricavati dalle misure eettuate, quello ideale e quello che tiene conto della resistenza serie notando una buona corrispondenza tra le diverse traiettorie.

Figura 8: Confronto tra caratteristica ideale e quelle dei modelli ricavati dalle misure.

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3 Diodo pn 1N914 3.3 Caratteristica I-V in polarizzazione inversa

3.3

Caratteristica I-V in polarizzazione inversa

Per completezza si ` riportata anche la caratteristica corrente-tensione in polarizzazione inversa e (gura 9).

(a) Caratteristica I-V in inversa in scala lineare.

(b) Caratteristica I-V in inversa in scala semi-logaritmica.

Figura 9: Diodo pn in polarizzazione inversa.

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4 MOSFET

MOSFET

Nel seguente paragrafo vengono riportate i risultati ottenuti nella caratterizzazione dei 2 dispositivi:il transistor 2N7000 e un transistor MOS con lunghezza di canale 3m.

4.1

Tensione di soglia

Per rivacare la tensione di soglia si sono chiusi i 2 dispositivi a diodo (garantedo il funzionamento in zona di saturazione) e si applicata una tensione variabile al gate misurando i corrispettivi valori V2 di corrente. Infatti ricordando che lequazione a controllo di carica ` ID = kn [(VGS VT )VDS DS ]e e 2 che nel caso in cui il transistor sia chiuso a diodo (VG =VD ) questa diventa IDS = kn (VGS VT )2 ; si nota come si possa determinare la tensione di soglia dal graco della radice di IDS in funzione di VGS semplicemente come lintercetta nellasse delle tensioni della retta ottenuta ttando i valori di IDS per tensioni in cui la caratteristica si presenta lineare. In gura 10 Sono riportate le caratteristiche IDS VGS dei 2 transistor dalle quali si sono ricavate una tensione di soglia paria 0,781V per il transistor con lunghezza di canale di 3m e di 2,088V per il transistor 2N7000.

(a) Caratteristica

IDS VGS MOSFET con L = 3m.

(b) Caratteristica

IDS VGS transistor 2N7000.

Figura 10: Misura tensione di soglia.

4.2

Fattore di trasconduttanza kn

Un parametro fondamentale per un nMOS ` il fattore di trasconduttanza, denito come segue: e n Cox W kn = L , dove n ` la mobilit` media eettiva dei portatori nel canale, Cox ` la capacit` per e a e a unit` di supercie dellossido, W ` la larghezza ed L la lunghezza del transistor e ` il parametro a e e denominato bulk charge factor. Per bassi valori della tensione drain-source lequazione a controllo di carica si pu` approssimare come o IDS = kn [(VGS VT )VDS ] e quindi il fattore di trasconduttanza si pu` ricavare dalla pendenza della o curva rappresentante la corrente in funzione della tensione drain-source a tensione di gate ssata (ovviamente per bassi valori di VDS ). In gura 11 sono riportate le caratteristiche IDS -VDS e i valori Relazioni laboratorio MIT 9

4 MOSFET 4.2 Fattore di trasconduttanza kn di kn ottenuti nelle misure eettuate (per diversi valori della tensione di gate e per valori di VDS inferiori a 100mV) per i 2 transistor. Dai valori ottenuti si vede come il fattore di trasconduttanza non sia costante al variare della tensione di gate, questo a causa della degradazione della mobilit` a dei portatori nel canale.

(a) Misura kn (AV 2 ) MOSFET con L = 3m.

(b) Misura kn (mAV-2 ) transistor 2N7000.

Figura 11: Misura fattore di trasconduttanza.

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4 MOSFET 4.3 Corrente di sottosoglia

4.3

Corrente di sottosoglia

Per tensioni di gate inferiori a quella di soglia la carica mobile allinterfaccia tra ossido e semiconduttore non ` nulla, infatti applicando una tensione VDS si ha il passaggio di una corrente, detta corrente e qVGS di sottosoglia, pari a: ID0 e nKT , dove 1/n ` la derivata della tensione che cade nel silicio rispetto alla e CD a tensione gate-source (n = 1 + Cox con CD capacit` di substrato). Al ne di determinare i parametri ID0 e n si sono tracciati i graci del logaritmo della corrente in funzione della tensione gate-source nella regione di sottosoglia (gura 12). Infatti dallintercetta della retta ottenuta ttando i valori del logaritmo della corrente nella zona in cui la caratteristica si presenta lineare si ` potuta ricavare IDO , e mentre dalla pendenza di tale retta si ` potuto ricavare il coeciente n, ottenendo nel caso del MOS e con L=3: ID0 =427fA e n=2,158; e per il transistor 2N7000: ID0 =427fA e n=2,158. Da questi risultati si ` poi potuto calcolare un altro parametro molto importante detto inverse sube threshold slope (o subthreshold swing) denito come: S = n KT ln10 e per il quale si sono ottenuti i q valori: 127mV/dec e 170mV/dec.

(a) Caratteristica I-V in sottosoglia MOSFET con L = 3m.

(b) Caratteristica I-V in sottosoglia transistor 2N7000.

Figura 12: Misura parametri di sottosoglia.

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4 MOSFET 4.4 Fattore di modulazione di canale

4.4

Fattore di modulazione di canale

Un altro fattore che si ` potuto agevolmente calcolare ` il parametro , il quale tiene conto delleetto e e di modulazione di canale dei dispositivi. A tal ne si ` determinata la tensione di early (VA ) come e 1 mostrato in gura 13 e dalla relazione = VA si ` calcolato il valore di per ciascun transistor, e -1 -1 ottenendo i valori: 0,065V e 0,021V .

(a) Graco per la determinazione della tensione di early MOSFET con L = 3m.

(b) Graco per la determinazione della tensione di early transistor 2N7000.

Figura 13: Misura parametro .

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4 MOSFET 4.5 Coeciente delleetto body, drogaggio e capacit` dellossido a

4.5

Coeciente delleetto body, drogaggio e capacit` dellossido a

Per il MOSFET con lunghezza di canale di 3m si sono potuti determinare altri parametri dinteresse in quanto dotato del terminale di bulk, il quale permette di eettuare misurazioni per diverse tensioni di source-bulk. Nello specico, dalla misura della tensione di soglia per diverse polarizzazioni del substrato (mostrate in gura 14) si sono potuti calcolare i valori del potenziale di substrato, del coeciente delleetto body, del drogaggio e della capacit` dellossido. a Infatti dalla relazione tra la tensione di soglia e la tensione source-bulk, indicata con VSB ,data da: VT = VFB + 2|p | + C1 2qNA Si (2|p | + VSB , si ricava:VT = VT0 + ( VSB + 2|p | 2|p |) ox dove ` il coeciente delleetto body denito come: = 2qNA Si ;da queste espressioni si ricava e Cox ( VSB1 +2|p | 2|p |) VT1 VT0 poi, per due diverse polarizzazioni del bulk: VT VT = dalla quale ` possibile e
2 0

VSB2 +2|p |

2|p |)

determinare il valore del potenziale di substrato. In questo caso si ` ottenuto un p pari a 0,261V. Dal e valore del potenziale sono poi calcolati il coeciente delleetto body e il drogaggio del substrato, si ottenendo = 1, 082 V eNA = 41014 cm3 . Noto il drogaggio si ` poi potuto determinare la capacit` e a 2q Si NA 2 ricavando Cox = 10, 65nF/cm , a cui corrisponde dellossido attraverso la formula: Cox = SiO2 uno spessore dellossido pari a:tox = Cox = 324nm. Inne si ` potuto calcolare il valore della tensione e di at-band, ottenendo VFB =-1,075V a cui corrisponde un metallo con funzione lavoro pari a 3,8V.

Figura 14: Misure VT per diverse polarizzazioni di substrato.

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