Transistore MOSFET Enhancement

MOS Metallo-Ossido-Semiconduttore
FETField Effect Transistor
Enhancement funziona in inversione

Terminali : G  Gate D Drain S Source BBulk

Consideriamo un transistore a canale n (  pozze fortemente drogate n+), ma in
alternativa esistono transistori a canale p.

1 – S. Martinoia AA2017-18
I g = 0  siamo in condizioni statiche

Le variabili sono quindi Vds , Vgs , I ds con V=

gd Vgs − Vds .
Cerchiamo I ds = f (Vgs , Vds ) :

Caso particolare:
In inversione la carica è uniformemente distribuita e Vgs ≥ Vt e I ds ≠ 0 . Approssimiamo
Vds << Vgs − Vt  canale uniforme (trascuriamo il campo longitudinale) Vox ≅ Vgs − Vt
Avremo che Q
=n Cox (Vgs − Vt ) ≥ 0 (carica dovuta agli elettroni in inversione all’interfaccia
tra ossido e semiconduttore)
Sappiamo che:
I ds = GdsVds

Ricavo la conduttanza di canale:

L  lunghezza canale
Y  altezza canale
Z  larghezza canale

S Z ⋅ ∆Y
=
G ds σ= σ , considerando che J = q ( µn n + µ p p ) E ≅ q µn nE quindi σ = q µn n ,
σE =
l L
Qn
con qn = ;
LZ ∆Y

Otteniamo:
Qµ
Gds = n 2 n
L
Inoltre
= Qn Cox (Vgs − Vt ) , quindi:
2 – S. Martinoia AA2017-18
 µn
=
I ds G=
dsVds Cox (Vgs − Vt )Vds
L2
ε ox Z ⋅ L ε ox Z µn
Sappiamo che Cox =  I ds = (Vgs − Vt )Vds = K (Vgs − Vt )Vds
xox xox L

ε ox Z µn [ A]
Quindi, approssimando Vds << Vgs − Vt , si ha=
I ds K (Vgs − Vt )Vds , =
con K = ,
xox L [V 2 ]
per Vgs ≥ Vt (se Vgs = Vt allora Qn = 0 non ho corrente I ds ).

Se avessimo Vgs ≤ Vt (accumulo o svuotamento) il canale sarebbe interdetto I ds = 0

Caso generale 1: Vds ≤ Vgs − Vt e Vgs > Vt

Avremo : Vox ( x) = Vgs − Vt − V ( x)

Quindi considerando un tratto infinitesimo da x a x+dx:

3 – S. Martinoia AA2017-18
 ε ox Z ⋅ dx
=
dQn dCox (Vgs − Vt − V=
( x)) (Vgs − Vt − V ( x))
xox
dQn dx
Inoltre I ds = e la velocità degli elettroni nel canale v = = − µn E ( x) 
dt dt
dx
dt = − ; quindi:
µn E ( x)

I ds dx
dQn = I ds dt = −
µn E ( x)

In alternativa potevamo giungere allo stesso risultato usando la densità di corrente:

Ych ( x ) Ych ( x ) Y ( x)
E ( x) ch E ( x)
I ds =∫0 J n ZdY = − ∫ q µn E ( x)n( x) ZdY =
0
− µn
dx 0 ∫ − µn
qn( x) ZdYdx =
dx
dQn 

I dx
dQn = − ds
µn E ( x)

Quindi sostituendo dQn :

I dx
− ds= dCox (Vgs − Vt − V ( x))
µn E ( x)
I dx dV
Sostituendo E(x) : − ds = − dCox (Vgs − Vt − V ( x))
µn dx
I ds dx dV ε ox Z ⋅ dx
Sostituendo dC = ox : (Vgs − Vt − V ( x))
µn dx xox
µε Z
Otteniamo
= : I ds dx dV n ox (Vgs − Vt − V ( x))
xox

V ( L ) =Vds
L
µnε ox Z
Integrando:
= ∫ I ds dx 0
xox ∫
V (0) = 0
(Vgs − Vt − V ( x))dV

Ma I ds è costante rispetto ad x ( non ci sono pozzi o sorgenti), quindi:

µnε ox Z Vds 2
=
I ds L [(Vgs − Vt )Vds − ]
xox 2
µnε ox Z Vds 2 V 2
I ds = [(Vgs − Vt )Vds − ] = K [(Vgs − Vt )Vds − ds ]  fascio di parabole concave.
xox L 2 2

Possiamo ricavare come varia il valore massimo delle parabole:

4 – S. Martinoia AA2017-18
 dI ds
= K [(Vgs − Vt ) − Vds=] 0  V=ds Vgs − Vt
dVds
K K 2
I ds= (Vgs − Vt ) 2= Vds  parabola alla quale appartengono tutti i vertici delle parabole
2 2
del fascio

Caso generale 2:

Vds ≥ Vgs − Vt e Vgs > Vt

Se Vds ≥ Vgs − Vt  condizioni di Pinch-Off:
Quando V=
ds Vgs − Vt in x = L  =
dQn dCox (Vgs − Vt − V= Vds ) 0  canale
( L)) dCox (Vgs − Vt −=
strozzato (pochi elettroni ma a velocità di saturazione)

Quindi se Vds > Vgs − Vt  osserviamo il fenomeno di Pinch-Off per x < L e definiamo
x pop = L ' (Pinch-Off Point): V=
ds (Vgs − Vt ) + ∆V=
ds Vds , sat + ∆Vds

K µε Z
Infatti non avremo proprio
= I ds (Vgs − Vt ) 2 perché K = n ox ma LL’ con L’<L;
2 xox L
K
possiamo definire I ds = (Vgs − Vt ) 2 (1 + λVds ) ovvero, in queste condizioni non ideali, I ds
2
non è più costante ( λ parametro di fitting).

5 – S. Martinoia AA2017-18
Tuttavia si farà solo uso di condizioni ideali quindi avremo:
V 2
I ds = K [(Vgs − Vt )Vds − ds ]  Regime parabolico Vds ≤ Vgs − Vt , Vgs > Vt
2
K
= I ds (Vgs − Vt ) 2  Condizioni di saturazione Vds ≥ Vgs − Vt , Vgs > Vt
2

6 – S. Martinoia AA2017-18
 Polarizzazione transistore MOSFET e amplificazione

Per avere amplificazione vorremmo ottenere :

Pout > Pin > 0 , con Pin= P=
1 V 1 I1 e Pout =− P2 =−V 2 I 2

Quindi vogliamo − P2 > P1 → P2 + P1 < 0 (contraddice il I principio della termodinamica);

Il sistema non può quindi essere isolato:
∆U
P1 + P2 + P0 − ϕQ = (variazione energia interna), con P0 potenza di polarizzazione
∆t
fornita dall’esterno e φQ calore rilasciato a causa di P0 .
= dQ − dL con Q > 0 calore entrante nel sistema, L > 0 lavoro svolto
Sappiamo che dU
dal sistema;
Posso scrivere dU = − dQ + dL (calore uscente dal sistema, lavoro svolto sul sistema);
dU
nel deriva che al massimo avrò =0.
dt
Quindi: P1 + P2 + P0 − ϕQ =0 → P1 + P2 =ϕQ − P0 < 0  cioè quando P0 > ϕQ (la potenza fornita
non si dissipa tutta in calore) allora avremo amplificazione  Pout > Pin (potenza di
segnale)

Si può dimostrare che ciò è possibile con dispositivi attivi come il transistore
MOSFET.

7 – S. Martinoia AA2017-18
 ∂I ds ∂I
=
I ds f (Vgs ,=
Vds ) f (Vgs 0 , Vds 0 ) + | (Vgs − Vgs 0 ) + ds | (Vds − Vds 0 )
∂Vgs ds 0 gs 0
V ,V ∂Vds Vds 0 ,Vgs 0
Per M1:
I ds = f (Vgs , Vds )
V0 = Vgs
V=
ds Vcc + I ds RL  retta di carico

Con l’ipotesi di saturazione da verificare a posteriori ( Vds ≥ Vgs − VT ):

K
=
I ds (Vgs − Vt ) 2
2
V0 = Vgs
V=
ds Vcc − I ds RL

Affinché avvenga amplificazione occorre polarizzare il transistore; polarizzare significa

definire:
=
Vgs V=
gs 0 cos t
=
Vds V=
ds 0 cos t
=
I ds I=
ds 0 cos t

8 – S. Martinoia AA2017-18
 Il mio scopo sarebbe ottenere
= Vout (t ) αVin (t ), α > 1 , con incognite Vds , Vgs , I ds ed equazioni:
K
=
I ds (Vgs − Vt ) 2
2
V=
ds = Vcc − I ds RL
Vout
=
Vgs Vin (t ) + V0

K K K
I=
ds (Vin + V0 − Vt=)2 [(V0 − Vt ) + Vin (t )]
= 2
[(V0 − Vt ) 2 + 2(V0 − Vt )Vin (t ) + Vin (t )=
2
]
2 2 2
K K
(V0 − Vt ) 2 + K (V0 − Vt )Vin (t ) + Vin (t ) 2
2 2

Se confronto il termine quadratico e quello lineare ottengo

Vin (t ) 2
<< (V0 − Vt )Vin (t ) → Vin (t ) << 2(V0 − Vt ) (il segnale in ingresso è piccolo altrimenti non lo
2
amplificherei!) ,allora si parla di approssimazione ai piccoli segnali e possiamo scrivere:
K
I ds = (V0 − Vt ) 2 + K (V0 − Vt )Vin (t ) = I ds 0 + ids (t )
2

I ds − I ds 0 = K (V0 − Vt )Vin (t )
ids (t ) = K (V0 − Vt )Vin (t ) = g mVin (t )

Inoltre Vds = Vds 0 + Vds (t ) , con Vds (t ) =

Vcc − I ds 0 RL − ids (t ) RL = −ids (t ) RL =
− K (V0 − Vt ) RLVin (t )

Vout (t )
Ricordando che Vout (t ) = Vds (t )  Av = =
− K (V0 − Vt ) RL
Vin (t )

9 – S. Martinoia AA2017-18
 Esercizio
mA
K = 0.2 2
V
R=
L 10k Ω
VT = 2V
Vcc = 10V
V0 = 4V

Posso studiare il circuito con la sovrapposizione degli effetti;

ogni grandezza può essere scritta come

V=
gs Vgs 0 + vgs (t )
V=ds Vds 0 + vds (t )
I=
ds I ds 0 + ids (t )

Quindi calcoleremo prima il punto di lavoro , passivando i generatori tempo

varianti(V IN (t)=0), e poi l’approssimazione ai piccoli segnali(=
V0 V=
CC 0 ).

Sappiamo che, in ipotesi di saturazione:

K
=
I ds (Vgs − Vt ) 2
2
V=ds Vcc − I ds RL

=
Vgs Vin (t ) + V0

Vout (t )
Inoltre abbiamo ottenuto Av = =
− K (V0 − Vt ) RL
Vin (t )
IPOTESI: Piccoli segnali Vin << 2(V0 − Vt ) ( V0  polarizzazione , Vt  soglia)

1. Calcoliamo prima Vgs 0 , Vds 0 , I ds 0 (PUNTO DI LAVORO):

K
=
I ds 0 (Vgs 0 − Vt ) 2
2
Vds=
0 Vcc − I ds 0 RL

10 – S. Martinoia AA2017-18
 V0 = Vgs 0

Vgs 0 = 4V
I ds 0 = 0.1 ⋅10−3 ⋅ 4 = 0.4mA
Vds 0 = 10 − 10 ⋅103 ⋅ 0.4 ⋅10−3 = 6V > 4 − 2(← Vds 0 ≥ Vgs 0 − Vt ) l’ipotesi di saturazione è verificata.

Av = ?

2. È ora necessario passare al circuito ai piccoli segnali  costruisco il circuito ai

piccoli segnali( mi serve per prima cosa conoscere il circuito equivalente al
transistore per poi poter applicare =V0 V=CC 0 );

Approssimazione ai piccoli segnali significa “piccole” variazioni nell’intorno del punto di

lavoro ( Vgs 0 , Vds 0 , I ds 0 ).
Ci interessano vgs (t ) , vds (t ) , ids (t ) ;

I ds = f (Vgs , Vds )  linearizzo:

0∂I ds ∂I
=
I ds f (Vgs ,=
Vds ) f (Vgs 0 , Vds 0 ) + | (Vgs − Vgs 0 ) + ds | (Vds − V=
ds 0 )
∂Vgs ds 0 gs 0
V ,V ∂Vds Vds 0 ,Vgs 0
∂I ds ∂I
=I ds 0 + | (Vgs − Vgs 0 ) + ds | (Vds − Vds 0 )
∂Vgs Vds 0 ,Vgs 0 ∂Vds Vds 0 ,Vgs 0
(equazione del piano tangente)

I ds − I ds=
0 g m (Vgs − Vgs 0 ) + g 0 (Vds − Vds 0 )
=
ids (t ) g m vgs (t ) + g 0 vds (t )

K
Nel nostro caso:
= I ds (Vgs − Vt ) 2
2

11 – S. Martinoia AA2017-18
 ∂I ds
gm = | = K (Vgs 0 − Vt ) = 0.2 ⋅10−3 ⋅ 2= 0.4mS
∂Vgs Vds 0 ,Vgs 0
∂I ds
=g0 = | 0 perché non dipende da V DS (ottengo R ∞ )
∂Vds Vds 0 ,Vgs 0

Quindi il circuito ai piccoli segnali sarà:

Vout =
− g mVgs RL =
− g mVin RL
Vout (t )
Av = = − g m RL =g m RL =K (Vgs 0 − Vt ) RL =0.2 ⋅10−3 ⋅ 2 =0.4 ⋅10−3 ⋅104 =4
Vin (t )

12 – S. Martinoia AA2017-18
 Transistore MOSFET Depletion

Tra le due pozze S e D è presente un canale pre-costituito di altezza W che consiste in

una porzione di materiale del tipo “n”,nel caso di transistore a canale “n” ( Vth < 0 ).
Se applico Vgs > 0 il canale si arricchisce di cariche negative e quindi le proprietà non
cambiano; tuttavia quando si applica Vth < Vg < 0 ci troviamo in condizioni di svuotamento
(depletion), come nel caso del condensatore MOS (la zona è svuotata dalle cariche mobili
e rimangono le cariche fisse in evidenza).
Per un condensatore MOS si ha:
qN x x qN x 2
Vg = − d ox d − D D ( Vg ≅ Vox )
Vox + Vs =
ε ox 2ε s

qN d xox xd qN D xD2
=
−Vg +
ε ox 2ε s
Se il canale è sottile ( xd ,max > W ) posso svuotare tutto il canale; se ho svuotato tutto il
canale :
qN d xoxW qN DW 2 qN d xoxW
V p tale che xd = W =
∃Vg = −V p + ≅ (Pinch-off Voltage)
ε ox 2ε s ε ox

Hyp: se xo x > W ( xo x >> W )  trascuro il termine quadratico, quindi Vg ≅ Vox 

qN d xox xd qN d xoxW
−Vg ≅ e −V p ≅
ε ox ε ox

13 – S. Martinoia AA2017-18
 Vg xd
≅
Vp W
V p è la nostra reale tensione di soglia, infatti solo se V p < Vg ≤ 0 abbiamo I ds ≠ 0 (quando
Vg = V p il canale è interamente svuotato dagli elettroni e non abbiamo corrente).

Cerchiamo nuovamente le caratteristiche I-V

1. Vds << Vgs − V p , approssimazione di canale uniforme; ricordando V p ≤ Vgs ≤ 0

=I ds f=
(Vgs , Vds ) GdsVds

S µnQn
con
Gds = σ= σ q=µn n
L S ⋅L
µnQn S µnQn
=
Gds =
S⋅L L L2

xd x
Qn = Qn (Vgs ) = q ⋅ n ⋅ Z ⋅ L ⋅ (W − xd ) = q ⋅ n ⋅ Z ⋅ L ⋅ W (1 −
) = Qn 0 (1 − d )
W W
Con Qn 0 = q ⋅ n ⋅ Z ⋅ L ⋅ W = Qn ,max  carica per Vgs = 0 (canale intero)

µnQn µn xd x
Quindi Gds = 2
= 2
Qn 0 (1 − )= Gds 0 (1 − d ) ,con Gds 0 = Gds ,max
L L W W

xd V V
Quindi I ds =Gds 0 (1 − )Vds =Gds 0 (1 − gs )Vds , con 0 ≤ gs ≤ 1  fascio di rette
W Vp Vp

Vds ≤ Vgs − V p V p ≤ Vgs ≤ 0 Vgs

2. Consideriamo ora il caso generale , con (ovvero 0 ≤ ≤1)
Vp

dV dV
σE =
J= −σ −qµn n
=
dx dx

I ds I ds
=J =
Z (W − xd ) S (Vgs )
S (Vgs ) è la sezione la “saracinesca” scende “storta” per Vds non più trascurabile.
I ds dV x
Otteniamo −σ
= −σ WZ (1 − d )dV
→ I ds dx =
Z (W − xd ) dx W

14 – S. Martinoia AA2017-18
 Bisogna tenere conto che in questo caso non è più vero che Vg  Vox , ma vi sarà una
caduta di potenziale legata al fatto che Vds non è più trascurabile :

V=
ox Vgs − V ( x)
Vox Vgs xd Vgs − V ( x) xd
≅ ≅ → ≅
Vp Vp W Vp W
Quindi otteniamo:

Sostituendo e integrando l’espressione ottenuta otteniamo quindi:

x
−σ WZ (1 − d )dV
I ds dx =
W

Vds =V ( L )
L
Vgs − V
I ds ∫ dx =
−σ ZW ∫ (1 − )dV
0 0
Vp
Vds 2
Vgs
−σ ZW (Vds −
I ds L = Vds + )
Vp 2V p
σ ZW V p Vds Vgs Vds Vds 2
I ds =
− [2( − )+ 2 ]
L 2 Vp Vp Vp Vp
q µ N ZW V p Vgs V V
I ds =
− n d [2(1 − ) ds + ( ds ) 2 ]
L 2 Vp Vp Vp
Vgs Vds Vds 2
I ds =
− I dss [2(1 − ) +( ) ]
Vp Vp Vp
I dss  corrente di saturazione (massima)

3. Vds ≥ Vgs − V p  regime di saturazione (corrente costante)

Quando V=
ds Vgs − V p il canale è strozzato all’ascissa L.
Vgs Vgs − V p Vgs − V p 2
I ds =
− I dss [2(1 − ) +( ) ]=
Vp Vp Vp
Vgs − V p Vgs − V p Vgs
=
− I dss [−2( )2 + ( )2 ] =
I dss (1 − )2
Vp Vp Vp

15 – S. Martinoia AA2017-18
Il vantaggio è che il transistore funziona nel modo migliore per Vgs = 0 ; applicando una
tensione Vgs < 0 posso solo diminuire la corrente di canale.

16 – S. Martinoia AA2017-18