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GRUPPO 2
Goria Nicolò s277363
A.A 2020/2021
INDICE
Indice
1 Panorama generale 3
1.1 Stati degli interruttori . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
1.2 Compatibilità di inserzione rispetto alle sorgenti . . . . . . . . 3
1.3 Circuiti reattivi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
1.4 Non idealità statiche e fattore di merito degli interruttori . . . 7
3 Transistori di potenza 13
3.1 Generalizzazione, tripolo concettuale . . . . . . . . . . . . . . 13
3.2 Modello ed effetti termici . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
5 MOSFET 25
5.1 Struttura e principio di funzionamento . . . . . . . . . . . . . 25
5.2 Caratterizzazione nel piano elettrico . . . . . . . . . . . . . . 27
5.2.1 Zona attiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
5.2.2 Inviluppi a sinistra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
5.2.3 Inviluppi a destra . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
5.2.4 Caratteristiche di interdizione e conduzione . . . . . . 29
5.3 Componenti planari e Trench MOSFET . . . . . . . . . . . . 31
5.4 Peculiarità del MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
6 Transistor bipolare 34
6.1 Struttura e principio di funzionamento . . . . . . . . . . . . . 34
6.2 Dissimmetrie . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
6.3 Caratteristica di conducibilità . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36
6.3.1 Zona attiva e potenza dissipata nel pilotaggio . . . . . 37
6.3.2 Inviluppo a sinistra e provvedimenti antisaturazione . 38
6.3.3 Breakdown . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
6.4 SOA e commutazioni . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
7 Strutture Multistadio 42
7.1 Darlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
7.2 Trirlington . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
7.3 FBSOA e RBSOA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
8 IGBT 47
8.1 IGBT a partire dal MOSFET a canale N . . . . . . . . . . . . 47
8.2 Conduzione in zona attiva . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
8.2.1 Comparazione della caratteristica di conduzione con
un MOSFET . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
8.2.2 Zona attiva, similitudine con il MOSFET . . . . . . . 50
8.3 Breakdown . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
8.4 Apertura e "tail" di corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52
9 Diodi di potenza 54
9.1 Caratteristiche di conduzione . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
9.2 Caratteristica d’interdizione . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
9.3 Classificazione dei diodi . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
9.3.1 Diodo Zener . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
9.3.2 Diodi pin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 57
9.3.3 Diodi snappy . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
9.3.4 Diodi Schottky . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58
9.4 Fenomeni dinamici dei diodi e legge integrale carica spaziale-
corrente . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
9.4.1 Forward recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
9.4.2 Reverse recovery . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
1 Panorama generale
Per questo motivo, nell’indagine sui circuiti dinamici, si utilizza una model-
listica semplificata che presenta un solo comportamento reattivo (induttivo
o capacitivo) che deve tener conto della compatibilità tra il circuito elettrico
esterno e le variazioni parametriche imposte dall’interruttore, perciò:
TURN-ON TURN-OFF
Circuito Induttivo COMPATIBILE NON COMPATIBILE
Circuito Capacitivo NON COMPATIBILE COMPATIBILE
Circuiti ohmico-induttivi
di
v = E − Ri − L · (1)
dt
Il segno della transizione della corrente è definito dal tipo di commutazione:
• TURN ON: di
dt >0
• TURN OFF: di
dt <0
Circuiti ohmico-capacitivi
Il segno della derivata della tensione viene definito per ogni transizione di
stato:
• TURN ON: dv
dt <0
• TURN OFF: dv
dt >0
v = RON · I v = ROF F · I
vof f
iof f (vof f ) vof f · ion
QSW = von (ion )
= (6)
von (ion ) · iof f (vof f )
ion
Premessa
2.1 Tiristori
• dt |max :
di
limite significativo per il turn-on; se si attiva il tiristore con una
derivata di corrente maggiore della derivata spaziale di propagazione
laterale dello stato di conduzione, il tiristore va in eccesso di corrente
guastandosi per focalizzazione (termico). Perciò per far funzionare i
tiristori nel modo meno dissipativo possibile si aggiunge induttanza
che andrà a limitare tale derivata e ad aiutare la commutazione senza
disturbare la conduzione;
• dt |max :
dv
limite significativo per il turn-off, in cui il problema maggiore
è rappresentato dal breakover, ovvero l’autoinnesco del tiristore per
eccesso di derivata di tensione, anche solo per spostamento di correnti
capacitive parassitiche, per cui si perde il comando del turn-on.
Nella realtà della conversione, inoltre, esistono non solo i tiristori da inverter
a commutazione naturale ma anche dei tiristori che possono essere aperti in
modo comandato, ovvero i GTO (gate turn-off ), i quali prevedono esecuzioni
tecnologiche molto più sofisticate. Questo tipo di componente, però, com-
mutabile all’off, risulta molto più dissipativo nello stato di conduzione, cioè
il componente più veloce in commutazione è meno prestante in conduzione,
perciò non conviene utilizzare un GTO nelle realtà in cui risulta buono un
tiristore da rete.
2.2 Diodi
2.3 Transistor
3 Transistori di potenza
Essendo Pof f « Pnom , ciò vale per ogni valore di tensione sufficientemente
inferiore alla tensione di breakdown.
Si definisce, infine, la zona e caratteristica di conduzione, ovvero l’inviluppo
a sinistra delle transcaratteristiche elettriche, intrinsecamente legato ai limiti
termici, fisici delle applicazioni. Utilizzando un comando al limite dei valo-
ri ammessi, si ottiene la migliore caratteristica di conduzione, ovvero la più
prossima, ma mai sufficientemente, all’asse delle correnti (ordinate). Tale
caratteristica, in realtà, è anche funzione della temperatura intima del se-
miconduttore, la quale è, a sua volta, funzione della potenza dissipata ma
presenta costanti di tempo enormemente superiori (dell’ordine delle decine
di millisecondi fino ai secondi) rispetto a quelle del mondo elettrico per cui
la temperatura verrà considerata come costante.
Al contrario di ciò che accade nello stato di OFF, la potenza persa nello sta-
to di ON non è mai trascurabile in quanto il comportamento del transistor
in conduzione è di tipo resistivo non lineare, ovvero funzione della corrente
condotta. La caduta di conduzione von , cioè la non idealità della conduzio-
ne, sarà, dunque, funzione della corrente condotta ion e della grandezza di
comando applicata xon :
q δQ
Cdif f = = → cost (12)
v δV
alternative:
∆Θj,amax = ∆Θj,aDC + ∆Θ
d j,a
AC (13)
4.2 Metallizzazioni
• tipo p: l’atomo drogante (atomi del III gruppo, come boro, alluminio,
gallio o indio) presenta un elettrone in meno (lacuna), si ottiene quindi
un eccesso di lacune (portatori di carica maggioritaria) ed elettroni in
difetto (portatori di carica minoritaria).
tori di segno diverso dall’estrinseco, saranno minoritari. Ciò provoca una per-
turbazione nel semiconduttore, a cui segue una ricombinazione dei portatori
minoritari una volta conclusa l’iniezione.
E’ necessario, inoltre, considerare che negli interruttori a semiconduttore
esistono delle dissimmetrie fisiche, basti pensare allo spessore maggiore dello
strato di collettore (decine di µm) di un transistor bipolare che deve sostenere
delle tensioni maggiori rispetto a quello di emettitore (µm); tali dissimmetrie
fisiche saranno certamente anche elettriche e di drogaggio.
L’ostacolo alla conduzione di corrente è rappresentato proprio dallo spessore
dello strato da attraversare e, da ciò, nasce la scelta di uno strato prefe-
renziale in cui far passare la corrente, che, nel caso del transistor bipolare,
sarà ovviamente quello di emettitore; tale strato, dunque, viene reso il più
sottile possibile per ridurre la potenza dissipata di pilotaggio e anche più
intensamente drogato per migliorarne la conducibilità. Si tratta, dunque, di
uno squilibrio fisico e di drogaggio che ha lo scopo di aumentare il guadagno
di corrente, il quale dipende dagli spessori e dai tempi di ricombinazione.
Inoltre lo spessore del wafer risulta tipicamente maggiore di quello della zona
nobile e si avranno perciò degli eccessi di strato che potrebbero aumentare
le cadute di tensione. Per questo motivo i volumi in eccesso vengono su-
perdrogati, in modo da ottenere un comportamento sempre più ad elevata
conducibilità elettrica. Tale superdrogaggio è un aiuto anche nella presta-
zione termo-meccanica alla sollecitazione a fatica, in quanto in questo modo
il semiconduttore superdrogato riesce ad accoppiarsi meglio alle metalliz-
zazioni, motivo per cui si ha il massimo drogaggio proprio nei pressi delle
metallizzazioni verso il mondo esterno.
tenuta di tensione elevatissimi fino a 1000kV /mm, ricordanto che tali livelli
di isolamento sono mantenuti solo se il reticolo cristallino è puro, atrimenti
queste proprietà si perdono.
Le densità di corrente nei semiconduttori di potenza, inoltre, sono dell’ordine
di grandezza di quelle impiantistiche (A/mm2 ), dunque non così elevate.
Il problema, perciò, è legato allo smaltimento del calore e al fatto che il
semiconduttore non ha buone proprietà di conduzione elettrica o termica, ma
presenta un’ottima tenuta d’isolamento. Non si riesce, perciò, a migliorare
la conducibilità del semiconduttore, e per aumentare la densità di corrente, e
quindi di potenza, si migliora lo smaltimento del calore riducendo le cadute
di tensione, quindi la potenza dissipata in conduzione, a parità di densità di
corrente o realizzando piastrine più sottili, riducendo così il percorso della
potenza termica verso l’esterno e, quindi, la resistenza.
Dato che l’obiettivo a questo punto sono i costi, per ridurli ed essere quindi
maggiormente competitivi, è fondamentale ridurre il volume del materiale
ad alta densità di drogaggio quindi ad alto valore tecnologico. Tuttavia, la
riduzione dello spessore dei wafer è un’operazione delicata in quanto può
rappresentare un problema dal punto di vista industriale per la fragilità e
quindi l’inaffidabilità nel tempo dei semiconduttori di potenza. Essendo,
inoltre, i wafer oggetti molto fragili, risulta complesso mantenere inalterate
le proprietà del reticolo cristallino nei vari passaggi produttivi già nel caso
di wafer standard, ancor di più se si lavora con spessori inferiori.
5 MOSFET
Il transistor migliore dal punto di vista del dominio dello stato di conduci-
bilità elettrica è il MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor),
utilizzato in molteplici ambiti, dalla tecnologia ultra very low voltage fino
alla futura componentistica per la media tensione. La difficoltà storica ad
arrivare alla tecnologia dei MOSFET si spiega dalla necessità di risoluzione
di drogaggi, ossidi e isolamenti di ordine superiore rispetto ai bipoli a giun-
zione; si tratta, infatti, di dispositivi ideali, che o funzionano idealmente con
omogeneità perfetta delle caratteristiche di drogaggio (e non) e metallizza-
zione, o non funzionano.
Il MOSFET è costituito dal parallelo di milioni di piccoli transistor di di-
mensioni nanometriche, le quali risultano indispensabili per l’attivazione dei
portatori di carica per effetto di gradiente di campo elettrico ortogonale; si
L’idealità del MOSFET si vede dal fatto che a tensione di pilotaggio VGS
costante, le caratteristiche di conduzione in piena zona attiva sono caratteri-
(a) Caratteristica con ordinata su assi logaritmici (b) Caratteristica in assi lineari
Considerando ancora le caratteristiche generiche sul piano VDS -iD del MO-
SFET, gli inviluppi a sinistra mostrano una convergenza nell’origine mano a
mano che la VDS si riduce a zero, dunque fanno riferimento alla condizione
per cui la tensione non è sufficiente a "portar via" la densità di carica di
attivazione. Si tratta di saturazione a sinistra di tipo perfettamente resisti-
vo, dunque luoghi rettilinei con una certa pendenza che dimostrano che non
c’è nessun contributo di giunzione, ovvero la conducibilità non è influenzata
dai drogaggi di segno opposto, per questo la funzionalità del MOSFET è da
transistor unipolare.
Nel caso del MOSFET enhacement mode l’interdizione è ideale ovvero non
dissipativa, e quindi è sufficiente una tensione VGS nulla per poter stare
adeguatamente al di sotto di qualunque soglia.
Conduzione Per arrivare alla migliore caratteristica di conduzione, dun-
que uscire dalla zona attiva ed entrare nell’inviluppo a sinistra, è necessario
sovrapilotare il componente con una tensione di pilotaggio nettamente supe-
riore della tensione di pilotaggio sufficiente per condurre la stessa corrente
in zona attiva.
iD
(vGS )ON >> vth + (16)
gf s
vON
RON = ' cost. (17)
iD
Questa resistenza presenta valori che variano da qualche decina di mΩ ad
alcuni Ω e, nella realtà fisica, non è costante ma funzione della tensione di
breakdown:
RON ∝ (Vbr,DS )2.5−2.7 (18)
in cui l’esponente è tipicamente quadratico per componenti planari e vuol
dire che il prodotto di dimensionamento, a parità di superficie del die, non
cambia. Per i componenti di grande densità di corrente, invece, è disponibile
il concetto trench, con superfici enormemente superiori rispetto alla superficie
fisica del die, per cui si scende al di sotto della dipendenza quadratica con
esponente tipicamente 1.4-1.5.
La suddetta dipendenza della resistenza di on dalla tensione di breakdown
spiega la grande diversificazione in tensione di questi prodotti e, quindi, una
molteplicità significativa di taglie nella scelta.
6 Transistor bipolare
Figura 21: Struttura equivalente a due diodi e icona del transistor bipolare
npn.
6.2 Dissimmetrie
Nei BJT, inoltre, lo strato di Collettore risulta più spesso rispetto a quello
di Emettitore (il rapporto di tali spessori può anche essere di ordini di gran-
dezza); ciò rappresenta una dissimmetria fisica nella struttura del transistor
che comporta, naturalmente, una dissimmetria nel comportamento elettrico.
In particolare, lo strato di Collettore è più spesso per poter sostenere tensioni
più elevate, mentre lo strato di Emettittore è più sottile al fine di ridurre le
cadute di tensione in seguito al passaggio di corrente.
Si aggiungono, inoltre, ulteriori dissimmetrie di drogaggio delle due regioni
C-E che implicano la non reversibilità e la unidirezionalità del transistor bi-
polare in quanto la giunzione p-n è in grado di sostenere forti campi elettrici,
e quindi tensioni elevate, mentre la giunzione p − n+ va in breakdown con
pochi Volt applicati.
L’ostacolo alla conduzione di corrente, inoltre, dipende dalla chiusura del
circuito di pilotaggio sul collettore o sull’emettitore; tipicamente si chiu-
de sull’emettitore, cioè lo strato più sottile, per poter ridurre le cadute di
tensione che ostacolano la corrente di base.
vBE
PBE = iB · vBE = iC · (20)
hF E
La potenza di pilotaggio dissipata risulta trascurabile in zona attiva, nella
quale vBE vCE , e hF E è tipicamente superiore ad un ordine di grandezza
di > 102 .
6.3.3 Breakdown
piena zona attiva alla massima tensione, causando la divergenza della cor-
rente e la conseguente perdita di controllo.
Dato che si perde il dominio della corrente, il passaggio dal breakdown pri-
mario a quello secondario è un passaggio per cui il transistor bipolare passa
da essere enhacement mode (breakdown primario) poichè ha bisogno di una
corrente iB per condurre la corrente iC , ad essere depletion mode, ovvero un
componente che necessita di una sottrazione di iB , quindi di tensioni nega-
tive vBE .
Emerge in questo modo uno dei principali problemi di questo tipo di di-
spositivi, ovvero quello per cui il comportamento bipolare inibisce la con-
temporaneità della massima tensione e corrente per evitare condizioni di
inaffidabilità.
7 Strutture Multistadio
7.1 Darlington
7.2 Trirlington
punto di lavoro. Per i tempi più brevi (50µs) si ottiene una SOA quasi ret-
tangolare, ma che comunque non permette la contemporaneità dei massimi
valori di corrente e tensione, area che si riduce per tempi di percorrenza mag-
giori “tagliando” sempre di più l’angolo che includerebbe la contemporaneità
dei valori massimi, fino ad arrivare alla definizione della SOA statica.
Per la commutazione di apertura, invece, vengono distinti il luogo limite delle
traiettorie di commutazione a piena corrente e a piena tensione, mostrando
quindi l’inibizione della contemporaneità della massima tensione e della mas-
sima corrente. Per la RBSOA è necessario considerare una correlazione con
la corrente massima negativa di forzamento della commutazione di apertura,
in modo che più si forza la commutazione di apertura (quindi più prestazione
dinamica si vuole ottenere) e più si riduce la SOA.
Tale riduzione è motivata dalle disomogeneità, che in condizione dinamiche
di tensione e corrente possono produrre una focalizzazione della corrente in
un punto del die (hotspotting), e perciò, a prestazioni dinamiche maggiori,
corrispondono possibilità più elevate di distruzione.
8 IGBT
La tecnologia dei BJT è entrata in disuso con l’arrivo degli IGBT (Insulated
Gate Bipolar Transistor), caratterizzati dall’isolamento della terminazione
di Gate, dunque, comando in tensione.
iC
(vCE )ON = (vEB )P N P + (RON )M OS · (28)
[1 + (hf e )P N P ]
8.3 Breakdown
NB:
In tutto il transitorio di commutazione la priorità è la marginatura per evita-
re il guasto per picchi di sovratensione. E’ necessario, quindi, considerare il
Z ∆ttail
1 1 ∆ttail
Etail = Vc itail dt ∼
= Vc Itail ∆ttail = Vc IL (34)
2 2 htail
9 Diodi di potenza
Il diodo di potenza è costituito da una giunzione che si forma tra una regione
fortemente drogata p+ e una debolmente drogata n− , in contatto con uno
strato n+ fortemente drogato.
vAK (iA , θj ) ∼
= V0 (θj ) + RON (θj )iA (35)
dove, al variare della temperatura, nei diodi al silicio, il valore della tensione
di soglia V0 varia tra 0.7-1.3 V.
A partire dalla più semplice esecuzione con giunzione di due regioni estrin-
seche opposte drogate p e n, sono state sviluppate altre tipologie di diodo in
funzione delle prestazioni dinamiche e della massima tensione di breakdown.
Questo tipo di diodi presenta una giunzione diretta tra uno strato semicon-
duttore ed uno metallico.
I diodi Schottky sono progettati per sostenere tensioni non superiori a 100 V
e la loro caratteristica di conduzione è molto più graduale rispetto a quella
dei diodi tradizionali in quanto presentano una soglia di conduzione inferiore
((V0 )Schottky = 0.2−0.5V ). Hanno, inoltre, un comportamento maggiormen-
te resistivo e , in interdizione, la corrente di leakage è una funzione meno
repentina della tensione inversa rispetto ai classici diodi a giunzione.
reverse recovery il forzamento della corrente sia di questo tipo. Dalla re-
lazione integrale carica spaziale-corrente, inoltre, è possibile dedurre che la
funzione di trasferimento è definibile, per il modello semplificato utilizzato,
come un polo e, essendo il forzamento della corrente a rampa, il risultato è
che la risposta al polo di una rampa è la stessa rampa in ritardo della costan-
te di tempo del polo. La corrente e la carica spaziale, quindi, scenderanno
anch’esse a rampa con un ritardo però della carica spaziale.
La prima fase della caratteristica è relativa allo stimolo che non è stato annul-
lato in modo istantaneo e rappresenta la transizione di corrente di durata
τt .
Il problema principale è legato alla corrente inversa IRR , fenomeno domi-
nante sul sovradimensionamento dell’interruttore comandato. In particola-
re, quando la corrente condotta diventa negativa, la carica spaziale forward
rimane positiva ancora per qualche istante, e quando questa si annulla il
diodo commuta, ma essendo comunque passata un po’ di corrente negativa il
punto di lavoro si troverà nel 3° quadrante e la commutazione risultante sarà
brutale; si tratta della fase di storage, che si conclude quando lo svuotamento
dei portatori di carica minoritari è terminato.
La fase successiva è la transizione di tensione, che è quella che permette di
distinguere le diverse tipologie di diodi ed è caratterizzata da valori di cor-
rente e tensione minori rispetto alla fase di storage. L’apertura di un diodo
snappy risulta brutalmente veloce e può produrre in questa fase delle derivate
elevatissime dell’ordine dei kVµs e ,di conseguenza, problemi di compatibilità
elettromagnetica.
Tale problematica è stata risolta utilizzando dei diodi sof t − recovery che,
seppure maggiormente dissipativi, non presentano discontinuità brutali. In
particolare, questa tipologia di diodi permette la transizione di tensione pri-
ma che venga esaurita la disponibilità dei portatori di carica e, perciò , il
diodo prende tensione continuando a condurre. Un parametro fondamentale
di questi diodi "lenti" è la softness (S), che normalmente è superiore a 0.5 e
inferiore all’unità.
|( didtk )|tr,M AX
S= (36)
|( didtF )|sg,M AX
deve quindi essere definitiva, l’ultima (the last turn-off ) e il componente po-
trà andare una sola volta al di sopra dei limiti della SCSOA.
Si tratta, dunque, di una tradizionale SOA aumentata in termini di corren-
te per tempi che però vanno definiti altrimenti il fenomeno dell’hotspotting
diviene una fuga distruttiva.
Inoltre, una volta usciti da tale condizione, è necessario che il dispositivo
rimanga a potenza dissipata nulla per un tempo sufficiente a far riomoge-
neizzare il die; la prescrizione tipica a tale scopo prevede lo spegnimento del
componente per un intervallo di tempo di 1 secondo.
Un’altra specifica fondamentale per la validità della SCSOA è il tempo di
persistenza della conduzione in cortocircuito, e quindi il tempo di intervento
della protezione, tipicamente fino a una decina di µs.
E’ necessario specificare, inoltre, anche il numero di interventi di cortocir-
cuito garantiti, per cui ad oggi i costruttori sono arrivati a garantire cen-
tinaia di eventi di guasto; tuttavia ciascun intervento, essendo comunque
distruttivo, riduce l’affidabilità nel tempo del componente, perciò, median-
te controllo digitale, è necessario tenere in memoria il numero di interventi
eseguiti, fondamentale per la manutenzione preventiva al fine di evitare il
guasto definitivo.
in cui entrambe le cadute di conduzione dello switch von e del diodo vF nasco-
no dallo stroncamento al primo ordine della serie di Taylor, dunque risultano
essere la somma della soglia di conduzione e della caduta resistiva propor-
zionale alla corrente, caratterizzata da un valor medio più una triangolare
∆I
sovrapposta di ripple con fattore di ripple a = ILpk per cui IiLL = (1 + a · tr):
(
von = Esw + Rsw · iL = Esw + Rsw · IL · (1 + a · tr)
(42)
vF = EF W + RF W · iL = EF W + RF W · IL · (1 + a · tr)